JP2008241664A - METHOD AND DEVICE FOR MEASURING alpha DOSE RATE - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、α線量率測定方法及びα線量率測定装置に係り、特に、α線量率を高精度に測定し得るα線量率測定方法及びα線量率測定装置に関する。 The present invention relates to an α dose rate measuring method and an α dose rate measuring device, and more particularly to an α dose rate measuring method and an α dose rate measuring device capable of measuring an α dose rate with high accuracy.
半田材料、配線材料、封止材料等には微量の放射性物質が含まれており、これらの材料からα線が放出される場合がある。これらの材料から放出されたα線は半導体素子の動作に影響を与え、いわゆるソフトエラーが生じてしまうことがあった。近時では、より信頼性の高い半導体装置を提供すべく、ソフトエラーに対する対策が極めて重要となっている。 Solder materials, wiring materials, sealing materials, and the like contain trace amounts of radioactive substances, and α-rays may be emitted from these materials. The α rays emitted from these materials have an effect on the operation of the semiconductor element, and so-called soft errors may occur. Recently, countermeasures against soft errors have become extremely important in order to provide more reliable semiconductor devices.
ソフトエラーの生じにくい半導体装置を提供するためには、放出されるα線の量が少ない材料を用いることが極めて重要である。放出されるα線の量が少ない材料を選択するためには、材料から放出されるα線の量を正確に測定することが必要である。 In order to provide a semiconductor device that is less prone to soft errors, it is extremely important to use a material that emits less α-rays. In order to select a material that emits a small amount of alpha rays, it is necessary to accurately measure the amount of alpha rays emitted from the material.
従来より、試料から放出されるα線の量を測定する装置として、ガスフロー型比例計数装置が知られている。ガスフロー型比例計数装置を用いれば、検出下限が0.001cph/cm2程度の測定を行うことが可能である。なお、cph/cm2は、count per hour/cm2の略であり、単位面積当たりの線量率を示す単位である。線量率とは、単位時間当たりの放射線の量のことである。cph/cm2なる単位は、試料表面1cm2当たりにおいて、1時間にいくつのα粒子が放出されるかを示す際に用いられる。 Conventionally, a gas flow type proportional counting device is known as a device for measuring the amount of α rays emitted from a sample. If a gas flow type proportional counting device is used, it is possible to perform measurement with a detection lower limit of about 0.001 cph / cm 2 . Note that cph / cm 2 is an abbreviation of count per hour / cm 2 and is a unit indicating a dose rate per unit area. The dose rate is the amount of radiation per unit time. The unit cph / cm 2 is used to indicate how many α particles are released per hour per cm 2 of the sample surface.
しかしながら、ガスフロー型比例計数装置は、上述したように検出下限が0.001cph/cm2程度であり、検出下限が必ずしも十分に低いとはいえなかった。よりソフトエラーの起こりにくい半導体装置を提供するためには、放出されるα線の線量率が0.001cph/cm2より十分に小さい材料を用いることが要求される。このため、より低い検出下限でα線の線量率を測定し得る技術が待望されていた。 However, in the gas flow type proportional counting device, the detection lower limit is about 0.001 cph / cm 2 as described above, and the detection lower limit is not necessarily low enough. In order to provide a semiconductor device in which soft errors are less likely to occur, it is required to use a material whose dose rate of emitted α rays is sufficiently smaller than 0.001 cph / cm 2 . For this reason, a technique that can measure the dose rate of α rays with a lower detection limit has been desired.
α線の線量率の測定精度を向上し得るα線量率測定方法として、固体飛跡検出器(Solid State Track Detector、SSTD)と試料とを重ね合わせた状態で所定時間放置するステップと;固体飛跡検出器をエッチングすることにより、固体飛跡検出器に入射したα線の飛跡に応じたエッチピットを固体飛跡検出器に形成するステップと;固体飛跡検出器に形成された前記エッチピットの数と放置した所定時間とに基づいて、試料から放出されたα線の線量率を求めるステップとを有するα線量率測定方法が、本願発明者等により提案されている(特許文献2参照)。 As a method of measuring the α dose rate that can improve the measurement accuracy of the dose rate of α rays, a solid track detector (Solid State Track Detector, SSTD) and a sample are allowed to stand for a predetermined time in a superimposed state; Etching the vessel to form an etch pit in the solid track detector according to the α ray track incident on the solid track detector; and leaving the number of etch pits formed in the solid track detector. An inventor of the present application has proposed an α dose rate measuring method including a step of obtaining a dose rate of α rays emitted from a sample based on a predetermined time (see Patent Document 2).
提案されているα線量率測定方法によれば、試料と固体飛跡検出器とを比較的長時間放置しておき、エッチピットの数を放置時間で除算することによりα線の線量率を求めるため、放置時間を長く設定するほど測定精度を高くすることが可能となる。従って、提案されているα線量率測定方法によれば、α線の線量率の測定精度を向上することが可能となる。
しかしながら、試料からは様々な方向にα粒子(α線)が放出される。このため、固体飛跡検出器112に入射されるα粒子の入射角θも様々である。図3は、提案されているα線量率測定方法においてα粒子が様々な方向に入射した場合を示す工程断面図である。α粒子の入射角θが比較的大きい場合、例えば、固体飛跡検出器112の表面に対してほぼ垂直方向にα粒子が入射された場合には、固体飛跡検出器112のうちの深い領域までα粒子が達し、α粒子の飛跡114が固体飛跡検出器112のうちの深い領域まで形成される。一方、α粒子の入射角θが比較的小さい場合には、α粒子は固体飛跡検出器112のうちの深い領域には達せず、α粒子の飛跡114は固体飛跡検出器112のうちの浅い領域にのみ形成される。固体飛跡検出器112を薬液を用いてエッチングすると、α粒子の飛跡114が形成された箇所においては比較的速いレートでエッチングが進行し、α粒子の飛跡114が形成されていない部分においては比較的遅いレートでエッチングが進行する。即ち、α粒子の飛跡114が形成されていない箇所においても、固体飛跡検出器112の表面はある程度エッチング除去される(バルクエッチング)。α粒子が比較的小さい入射角θで入射した箇所においては、固体飛跡検出器112のうちの浅い領域にのみα粒子の飛跡114が形成されるため、α粒子の飛跡の周囲がエッチング除去されてしまい、α粒子の飛跡114に応じたエッチピットが固体飛跡検出器112に残存しない。このため、提案されているα線量率測定方法では、比較的大きい入射角θで固体飛跡検出器112に入射したα粒子についてはエッチピット128を検出し得るものの、比較的小さい入射角θで固体飛跡検出器112に入射したα粒子についてはエッチピットを検出し得なかった。このため、提案されているα線量率測定方法では、必ずしも高精度にα線量率を測定することができなかった。
However, α particles (α rays) are emitted from the sample in various directions. For this reason, the incident angle θ of the α particles incident on the
本発明の目的は、より高精度にα線量率を測定し得るα線量率測定方法及びそのα線量率測定方法に用いられるα線量率測定装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide an α dose rate measurement method capable of measuring an α dose rate with higher accuracy and an α dose rate measurement device used in the α dose rate measurement method.
本発明の一観点によれば、試料から放出されるα線の線量率を固体飛跡検出器を用いて求めるα線量率測定方法において、互いに対向する磁石の一方の端部とコイルの一方の端部との間に試料を配置し、前記コイルの他方の端部の近傍に固体飛跡検出器を配置する第1のステップと、前記磁石と前記コイルとを用いて磁場を発生させ、前記試料と前記固体飛跡検出器とを減圧した前記チャンバ内に所定時間放置する第2のステップと、前記固体飛跡検出器をエッチングすることにより、前記固体飛跡検出器に入射したα線の飛跡に応じたエッチピットを前記固体飛跡検出器に形成する第3のステップと、前記固体飛跡検出器に形成された前記エッチピットの数と放置した前記所定時間とに基づいて、前記試料から放出されたα線の線量率を求める第4のステップとを有することを特徴とするα線量率測定方法が提供される。 According to one aspect of the present invention, in an α dose rate measurement method for determining a dose rate of α rays emitted from a sample using a solid track detector, one end of a magnet and one end of a coil facing each other. A first step of disposing a sample between the coil and the other end of the coil, and generating a magnetic field using the magnet and the coil, A second step of leaving the solid track detector in the decompressed chamber for a predetermined time; and etching the solid track detector to etch in accordance with a track of alpha rays incident on the solid track detector Based on the third step of forming pits in the solid track detector, the number of etch pits formed in the solid track detector and the predetermined time left, the alpha rays emitted from the sample Find the dose rate α dose rate measuring method characterized by a fourth step is provided.
また、本発明の他の観点によれば、チャンバ内に設けられた磁石と、前記チャンバ内に前記磁石から離間して設けられたコイルであって、前記コイルの一方の端部が前記磁石の一方の端部に対向するコイルとを有し、前記磁石の前記一方の端部と前記コイルの前記一方の端部との間に設けられ、試料を支持するための試料支持手段と、前記コイルの他方の端部の近傍に設けられ、固体飛跡検出器を支持するための固体飛跡検出器支持手段とを有することを特徴とするα線量率測定装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, there is provided a magnet provided in the chamber and a coil provided in the chamber so as to be separated from the magnet, wherein one end of the coil is the magnet. A sample support means for supporting a sample, provided between the one end of the magnet and the one end of the coil, and a coil facing the one end There is provided an α dose rate measuring device provided with a solid track detector supporting means for supporting the solid track detector provided in the vicinity of the other end of the solid track detector.
本発明によれば、互いに対向する磁石の一方の端部とコイルの一方の端部との間に試料を配置し、コイルの他方の端部の近傍に固体飛跡検出器を配置し、磁石とコイルとを用いて磁場を発生させ、試料と固体飛跡検出器とを減圧したチャンバ内に所定時間放置する。このため、本発明では、磁力線が、磁石からコイルに向かうに従って広がり、コイルの内部においては均一な状態となる。α粒子は、最終的には磁力線に沿った方向に運動するため、固体飛跡検出器の検出面に対してほぼ垂直な方向にα粒子を入射させることが可能となる。このため、本発明によれば、試料から様々な方向にα粒子が放出されるにもかかわらず、α粒子の飛跡を固体飛跡検出器のうちの深い領域に達するように形成することが可能となり、エッチピットを固体飛跡検出器に確実に形成することが可能となる。このため、本発明によれば、極めて高精度にα線量率を測定することが可能となる。 According to the present invention, a sample is disposed between one end of a magnet facing each other and one end of a coil, a solid track detector is disposed in the vicinity of the other end of the coil, A magnetic field is generated using a coil, and the sample and the solid track detector are left in a decompressed chamber for a predetermined time. For this reason, in this invention, a magnetic force line spreads as it goes to a coil from a magnet, and it will be in a uniform state in the inside of a coil. Since the α particles finally move in the direction along the magnetic field lines, the α particles can be incident in a direction substantially perpendicular to the detection surface of the solid track detector. For this reason, according to the present invention, it is possible to form a track of α particles so as to reach a deep region of the solid track detector even though α particles are emitted from the sample in various directions. The etch pit can be reliably formed on the solid track detector. For this reason, according to the present invention, it is possible to measure the α dose rate with extremely high accuracy.
[一実施形態]
本発明の一実施形態によるα線量率測定方法及びα線量率測定装置を図1及び図2を用いて説明する。図1は、本実施形態によるα線量率測定装置を示す図である。図2は、エッチピットが形成された固体飛跡検出器を示す平面図である。
[One Embodiment]
An α dose rate measurement method and an α dose rate measurement device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a diagram showing an α dose rate measuring apparatus according to this embodiment. FIG. 2 is a plan view showing a solid track detector in which etch pits are formed.
まず、本実施形態において用いられるα線量率測定装置を図1を用いて説明する。 First, the α dose rate measuring apparatus used in the present embodiment will be described with reference to FIG.
図1に示すように、α線量率測定装置2は、超伝導磁石20と、試料を支持する試料支持手段(図示せず)と、固体飛跡検出器を支持する固体飛跡検出器支持手段(図示せず)と、ソレノイドコイル22と、超電導磁石20及びソレノイドコイル22を収容するチャンバ14と、チャンバ14内を真空状態にするための真空ポンプ18とを有している。
As shown in FIG. 1, the α dose
超電導磁石20の材料としては、例えばY−Ba−Cu−O系の超伝導材料が用いられている。超電導磁石20のサイズは、例えば、長さ20cm程度とする。超伝導磁石20から発生する磁場の磁束密度は、例えば約15T程度とする。超伝導磁石20の直径は、例えば2cm程度とする。
As a material of the
ソレノイドコイル22は、ボビン24と、ボビン24の周囲に巻き付けられた導線26とにより構成されている。ボビンの材料24は、例えば、プラスチックやステンレス304等の非磁性材料とする。導線26の材料は、例えば銅とする。ソレノイドコイル22から発生する磁場の磁束密度は、例えば0.01T程度とする。ソレノイドコイル22から発生する磁場の磁束密度は、導線に流す直流電流の大きさを適宜設定することにより制御し得る。ソレノイドコイル22の直径は、例えば20cm程度とする。即ち、ソレノイドコイル22の直径は、超電導磁石20の直径に対して十分に大きく設定されている。ソレノイドコイル22のZ軸方向の長さは、例えば2m程度とする。なお、Z軸方向は、図1における紙面左右方向である。
The
超電導磁石20とソレノイドコイル22とは互いに離間して設けられている。超電導磁石20の長手方向とソレノイドコイル22の長手方向は、いずれもZ軸方向とする。超電導磁石20の長手方向の中心軸とソレノイドコイル22の長手方向の中心軸とは、互いに一致している。即ち、超電導磁石20は、ソレノイドコイル22の中止軸の延長線上に配されている。超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部とは、互いに対向している。超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部との間の距離は、例えば40cm程度とする。
測定対象となる試料10は、超電導磁石20の一方の端部(磁極)とソレノイドコイル22の一方の端部との間における超電導磁石20の一方の端部の近傍に配される。試料10は、図示しない試料支持手段により支持される。
The
固体飛跡検出器12は、ソレノイドコイル22の他方の端部の近傍に配される。固体飛跡検出器12は、図示しない固体飛跡検出器12により支持される。固体飛跡検出器12の主面の方向は、Z軸方向に対して垂直とする。即ち、固体飛跡検出器12の主面の法線方向は、ソレノイドコイル22の中心軸の方向に一致している。
The
チャンバ14には、配管16を介して真空ポンプ18が接続されている。チャンバ14としては、例えばステンレス製のチャンバを用いる。
A
こうして本実施形態において用いられるα線量率測定装置が構成されている。 Thus, the α dose rate measuring apparatus used in the present embodiment is configured.
本実施形態によるα線量率測定装置では、図1のような磁力線28が得られる。即ち、超電導磁石20の一方の端部からソレノイドコイル22の一方の端部に向かうに従って磁力線28が徐々に広がり、ソレノイドコイル22の内部では磁力線28はZ軸方向にほぼ揃った状態となる。
In the α dose rate measuring apparatus according to the present embodiment, the
試料20からZ軸方向に放出されたα粒子は、磁力線28を横切る方向に運動しないため、磁場によって運動方向が変化させられることなく、Z軸方向に運動し、固体飛跡検出器12の主面に対してほぼ垂直に入射する。
Since the α particles emitted from the
一方、Z軸方向に対して垂直な成分の運動量を有するα粒子は、磁力線28を横切る方向に運動するため、ローレンツ力を受けて回転運動を行う。超電導磁石20から離れるに伴って磁場が弱くなるため、α粒子の回転半径は大きくなり、α粒子の回転の角速度は減少し、Z軸方向に垂直な面内における運動エネルギーは減少する。磁場はα粒子にエネルギーを与えないため、試料20から放出された際にα粒子が有していた運動エネルギーの殆どは、Z軸方向の運動エネルギーに変換される。かかるα粒子が固体飛跡検出器12に達する際には、α粒子は磁力線28に沿ってほぼZ軸方向に運動するようになる。
On the other hand, the α particle having a momentum of a component perpendicular to the Z-axis direction moves in a direction crossing the
即ち、α粒子は試料10から様々な方向に放出されたとしても、最終的には磁力線に沿って運動する。このため、本実施形態によれば、α粒子が試料10から様々な方向に放出されたとしても、固体飛跡検出器12に達する際にはα粒子の運動方向をZ軸方向にすることができ、固体飛跡検出器12の主面に対してほぼ垂直な方向にα粒子を入射させることが可能となる。このため、本実施形態によれば、固体飛跡検出器12のうちの深い領域にα粒子を到達させることが可能となり、α粒子の飛跡に応じたエッチピットを確実に形成することができる。従って、本実施形態によれば、α線の線量率を極めて高精度に測定することが可能となる。
That is, even if α particles are emitted from the
次に、本実施形態によるα線量率測定方法を図1及び図2を用いて説明する。 Next, the α dose rate measurement method according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
まず、測定対象となる試料10と固体飛跡検出器12とを用意する。試料10は、例えば、半田材料、電極材料、配線材料、封止材料等である。試料10のサイズは、例えば30mm×30mm×1mmとする。固体飛跡検出器12としては、例えばアリルジグリコールカーボネート(商標名:CR−39)より成る平板を用いる。固体飛跡検出器12のサイズは、例えば90mm×90mm×1mmとする。
First, a
α粒子等の重荷電粒子が絶縁性の固体中を通過すると、重荷電粒子の通路に沿って固体中の原子配列に歪みが生じ、荷電粒子の飛跡(放射線損傷)が形成される。飛跡が形成された固体を薬液を用いてエッチングすると、飛跡に沿って比較的速いレートでエッチングが進行し、光学顕微鏡で観測可能な蝕孔(エッチピット、Etch pit)が形成される。固体飛跡検出器とは、このような原理により放射線の量を検出し得る放射線検出器のことである。 When heavy charged particles such as α particles pass through an insulating solid, the atomic arrangement in the solid is distorted along the path of the heavy charged particles, and a track of the charged particles (radiation damage) is formed. When a solid on which a track is formed is etched using a chemical solution, the etching proceeds at a relatively fast rate along the track, and an etching hole (etch pit) that can be observed with an optical microscope is formed. The solid track detector is a radiation detector that can detect the amount of radiation based on such a principle.
次に、チャンバ14内に、試料10と固体飛跡検出器12とを配置する。試料10は、図1に示すように、超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部との間であって、超電導磁石20の端部の近傍に試料10を配する。また、固体飛跡検出器12は、ソレノイドコイル26の他方の端部の近傍に配する。固体飛跡検出器12の主面の方向は、Z軸方向に対して垂直とする。即ち、固体飛跡検出器の主面の法線方向を、Z軸方向に設定する。固体飛跡検出器12の主面のうちの試料10に対向する側の面は、試料10から放出されるα粒子を検出する検出面として機能する。
Next, the
次に、真空ポンプ18を用いてチャンバ14内の気体を排気し、チャンバ14内を真空状態にする。チャンバ14内の圧力は、例えば1Pa以下とする。
Next, the gas in the
また、超電導磁石20とソレノイドコイル22とを用いて磁場を発生させる。超電導磁石20から発生させる磁場の磁束密度は、例えば約15T程度とする。ソレノイドコイル22から発生させる磁場の磁束密度は、例えば0.01T程度とする。これにより、超電導磁石20の端部からZ軸方向に離れるに伴って徐々に弱くなる磁場が、超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部との間に形成される。超電導磁石20の一方の端部の近傍に試料10が配されるため、試料10から離れるに伴って徐々に弱くなる磁場が、試料10と固体飛跡検出器12との間に形成されることとなる。図1に示すように、磁力線28は、超伝導磁石20の一方の端部からZ軸方向に離れるに伴って徐々に広がる。ソレノイドコイル22の内部においては、磁場は比較的弱く、磁束密度はほぼ一様である。図1に示すように、ソレノイドコイル22の内部においては、磁力線の方向はZ軸に対してほぼ平行となる。
A magnetic field is generated using the
そして、チャンバ14内を真空状態に維持したまま、試料10と固体飛跡検出器12とをチャンバ14内に所定時間放置する。試料10と固体飛跡検出器12とをチャンバ14内に放置する時間は、例えば、数百時間から数千時間、即ち、数週間から数箇月程度とする。
Then, the
本実施形態によるα線量率測定装置では、図1のような磁力線28が得られる。即ち、超電導磁石20の一方の端部からソレノイドコイル22の一方の端部に向かうに従って磁力線28が徐々に広がり、ソレノイドコイル22の内部では磁力線28はZ軸方向にほぼ揃った状態となる。
In the α dose rate measuring apparatus according to the present embodiment, the
上述したように、α粒子は試料10から様々な方向に放出されたとしても、最終的には磁力線に沿って運動する。このため、本実施形態によれば、α粒子が試料10から様々な方向に放出されたとしても、固体飛跡検出器12に達する際にはα粒子の運動方向をZ軸方向にすることができ、固体飛跡検出器12の主面に対してほぼ垂直な方向にα粒子を入射させることが可能となる。このため、本実施形態によれば、固体飛跡検出器12のうちの深い領域にα粒子を到達させることが可能となり、α粒子の飛跡に応じたエッチピットを確実に形成することができる。従って、本実施形態によれば、α線の線量率を極めて高精度に測定することが可能となる。
As described above, even if α particles are emitted from the
試料10と固体飛跡検出器12とを重ね合わせる前の段階において、α線等による飛跡が固体飛跡検出器12に数箇所形成されている場合があり得る。このような飛跡は、例えば、空気中に存在するラドン等の放射性物質によって生じると考えられる。また、固体飛跡検出器12自体に微量に含まれている放射性物質によっても、かかる飛跡が生じると考えられる。このように固体飛跡検出器12に予め形成されている飛跡の数は、バックグラウンドと称される。
Before the
α線の線量率を高精度に測定するためには、バックグラウンドの影響を無視できる程小さくすることが重要である。バックグラウンドの影響を無視できる程小さくするためには、試料10と固体飛跡検出器12とを重ね合わせておく時間、即ち、放置時間を長めに設定すればよい。後述するように、エッチピット28(図2参照)の数を放置時間で除算することによりα線の線量率を求めるためである。
In order to measure the dose rate of alpha rays with high accuracy, it is important to make the influence of the background small enough to be ignored. In order to reduce the influence of the background to a negligible level, the time for which the
本実施形態においてチャンバ14内を真空状態にするのは、以下のような理由によるものである。
The reason why the inside of the
試料10と固体飛跡検出器12との間に空気が存在している場合には、試料10から放出されたα線の固体飛跡検出器12表面への到達が、空気により妨げられる。そうすると、試料10から放出されるα線の量を正確に測定することが困難となる。本実施形態では、チャンバ14内の空気を排気した状態で、試料10と固体飛跡検出器12とをチャンバ14内に放置するため、試料10から放出されるα線の固体飛跡検出器12への到達が空気により妨げられることがなく、試料10から放出されるα線の線量を正確に測定することが可能となる。
When air is present between the
また、大気中にはラドン(218Rn、219Rn、220Rn)等の放射性物質が含まれている。このため、試料10と固体飛跡検出器12を大気中で放置した場合には、大気中に存在する放射性物質が固体飛跡検出器12に入射し、空気中に存在する放射性物質によるα線の飛跡が固体飛跡検出器12に形成されてしまい、試料10のみから放出されるα線の量を正確に測定することが困難となる。本実施形態では、チャンバ14内の空気を真空にした状態で試料10と固体飛跡検出器12とを放置するため、空気中に存在する放射性物質の影響を受けることなく、試料10のみから放出されるα線の量を正確に測定することが可能となる。
The atmosphere contains a radioactive substance such as radon ( 218 Rn, 219 Rn, 220 Rn). For this reason, when the
所定時間が経過した後、試料10と固体飛跡検出器12とをチャンバ内14から取り出す。
After a predetermined time has elapsed, the
次に、固体飛跡検出器12をエッチング液に浸漬する。エッチング液としては、例えば、NaOH溶液やKOH溶液を用いる。固体飛跡検出器12のうちのα線が入射した箇所(飛跡)においては、固体飛跡検出器12を構成する分子に化学変化が生じているため、α線が入射していない箇所と比較してエッチングが速い速度で進行する。このため、固体飛跡検出器12をエッチング液に浸漬すると、α線の飛跡が拡大され、α線の飛跡に応じたエッチピット(Etch Pit、蝕孔)20が固体飛跡検出器12表面に形成される(図2参照)。エッチピット28の直径は、例えば10μm程度となる。
Next, the
次に、光学顕微鏡等を用い、エッチピット28の数を観測する。 Next, the number of etch pits 28 is observed using an optical microscope or the like.
次に、エッチピット28の数nと、放置時間tと、検出面の面積Sとに基づいて、単位面積当たりのα線の線量率を求める。単位面積当たりのα線の線量率は、n/t/Sにより求められる。試料10と固体飛跡検出器12とを重ね合わせる前の段階において、固体飛跡検出器12にα線の飛跡が形成されている場合がある。かかるバックグラウンドは、数個から数十個程度と考えられる。α線の線量率はエッチピットの数を放置時間により除算することにより求められるため、放置時間を長く設定するほどバックグラウンドの影響を小さくし得る。
Next, the dose rate of α rays per unit area is obtained based on the number n of the etch pits 28, the standing time t, and the area S of the detection surface. The dose rate of α rays per unit area is obtained by n / t / S. In some cases before the
こうして、試料10から放出されるα線の線量率が測定される。
In this way, the dose rate of α rays emitted from the
本実施形態によるα線量率測定方法は、超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部とが互いに対向するように超電導磁石20とソレノイドコイル22とを配置し、超電導磁石20の一方の端部とソレノイドコイル22の一方の端部との間に試料10を配置し、ソレノイドコイル22の他方の端部の近傍に固体飛跡検出器12を配置し、超電導磁石20とソレノイドコイル22とを用いて磁場を発生させ、試料10と固体飛跡検出器12とを減圧したチャンバ内に所定時間放置することに主な特徴がある。このため、本実施形態では、磁力線が、超電導磁石20からソレノイドコイル22に向かうに従って広がり、ソレノイドコイル22の内部においては均一な状態となる。α粒子は、最終的には磁力線28に沿った方向に運動するため、固体飛跡検出器12の検出面に対してほぼ垂直な方向にα粒子を入射させることが可能となる。このため、本実施形態によれば、試料10から様々な方向にα粒子が放出されるにもかかわらず、α粒子の飛跡を固体飛跡検出器12のうちの深い領域に達するように形成することが可能となり、エッチピット28を固体飛跡検出器12に確実に形成することが可能となる。このため、本実施形態によれば、極めて高精度にα線量率を測定することが可能となる。
In the α dose rate measurement method according to the present embodiment, the
[変形実施形態]
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
[Modified Embodiment]
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made.
例えば、上記実施形態では、固体飛跡検出器12の材料としてアリルジグリコールカーボネートを用いる場合を例に説明したが、固体飛跡検出器12の材料はアリルジグリコールカーボネートに限定されるものではない。α線の飛跡に応じたエッチピット28が得られる他のあらゆる樹脂を、固体飛跡検出器12の材料として適宜用いることが可能である。
For example, in the above embodiment, the case where allyl diglycol carbonate is used as the material of the
また、上記実施形態では、固体飛跡検出器12の主面がソレノイドコイル22の中心軸に対して垂直になるように固体飛跡検出器12を配置する場合を例に説明したが、固体飛跡検出器12の主面がソレノイドコイル22の中心軸に対して必ずしも垂直である必要はない。固体飛跡検出器12の主面がソレノイドコイル22の中心軸の方向に対して垂直でなくても、固体飛跡検出器12のうちの深い領域にα粒子を到達させることは可能である。ただし、固体飛跡検出器12のうちの十分に深い領域にα粒子を到達させるためには、固体飛跡検出器12の主面の法線とソレノイドコイル22の中心軸との為す角を、小さめに設定することが望ましい。
In the above embodiment, the case where the
2…α線量率測定装置
10…試料
12…固体飛跡検出器
14…チャンバ
16…配管
18…真空ポンプ
20…超伝導磁石
22…ソレノイドコイル
24…ボビン
26…導線
28…エッチピット
112…固体飛跡検出器
114…飛跡
128…エッチピット
2 ... α dose
Claims (6)
互いに対向する磁石の一方の端部とコイルの一方の端部との間に試料を配置し、前記コイルの他方の端部の近傍に固体飛跡検出器を配置する第1のステップと、
前記磁石と前記コイルとを用いて磁場を発生させ、前記試料と前記固体飛跡検出器とを減圧した前記チャンバ内に所定時間放置する第2のステップと、
前記固体飛跡検出器をエッチングすることにより、前記固体飛跡検出器に入射したα線の飛跡に応じたエッチピットを前記固体飛跡検出器に形成する第3のステップと、
前記固体飛跡検出器に形成された前記エッチピットの数と放置した前記所定時間とに基づいて、前記試料から放出されたα線の線量率を求める第4のステップと
を有することを特徴とするα線量率測定方法。 In the α dose rate measurement method to determine the dose rate of α rays emitted from the sample using a solid track detector,
A first step of disposing a sample between one end of the magnets facing each other and one end of the coil, and disposing a solid track detector in the vicinity of the other end of the coil;
A second step of generating a magnetic field using the magnet and the coil and leaving the sample and the solid track detector in the decompressed chamber for a predetermined time;
Etching the solid track detector to form an etch pit in the solid track detector according to the track of α rays incident on the solid track detector;
And a fourth step of obtaining a dose rate of α rays emitted from the sample based on the number of the etch pits formed in the solid track detector and the predetermined time left. Alpha dose rate measurement method.
前記磁石は、超電導磁石である
ことを特徴とするα線量率測定方法。 In the alpha dose rate measuring method of Claim 1,
The said magnet is a superconducting magnet. The alpha dose rate measuring method characterized by the above-mentioned.
前記コイルの中心軸の方向に対して前記固体飛跡検出器の主面がほぼ垂直になるように、前記固体飛跡検出器を配置する
ことを特徴とするα線量率測定方法。 In the alpha dose rate measuring method of Claim 1 or 2,
The α dose rate measurement method, wherein the solid track detector is arranged so that a main surface of the solid track detector is substantially perpendicular to a direction of a central axis of the coil.
前記磁石の前記一方の端部の近傍に前記試料を配置する
ことを特徴とするα線量率測定方法。 In the alpha dose rate measuring method of any one of Claims 1 thru | or 3,
The α dose rate measuring method, wherein the sample is arranged in the vicinity of the one end of the magnet.
前記固体飛跡検出器は、樹脂より成る
ことを特徴とするα線量率測定方法。 In the alpha dose rate measuring method of any one of Claims 1 thru | or 4,
The solid track detector is made of a resin.
前記チャンバ内に前記磁石から離間して設けられたコイルであって、前記コイルの一方の端部が前記磁石の一方の端部に対向するコイルとを有し、
前記磁石の前記一方の端部と前記コイルの前記一方の端部との間に設けられ、試料を支持するための試料支持手段と、
前記コイルの他方の端部の近傍に設けられ、固体飛跡検出器を支持するための固体飛跡検出器支持手段と
を有することを特徴とするα線量率測定装置。
A magnet provided in the chamber;
A coil provided in the chamber apart from the magnet, wherein one end of the coil opposes one end of the magnet,
A sample support means provided between the one end of the magnet and the one end of the coil for supporting a sample;
An α dose rate measuring apparatus, comprising: a solid track detector support means provided in the vicinity of the other end of the coil for supporting the solid track detector.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007086771A JP2008241664A (en) | 2007-03-29 | 2007-03-29 | METHOD AND DEVICE FOR MEASURING alpha DOSE RATE |
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JP2014181933A (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-29 | Fujitsu Ltd | Calculation device, calculation method, and calculation program |
-
2007
- 2007-03-29 JP JP2007086771A patent/JP2008241664A/en not_active Withdrawn
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