JP2008217523A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、例えば、外部から電圧を供給される半導体集積回路に関するものである。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit to which a voltage is supplied from the outside, for example.
LSI内の処理回路(プロセッサ)の動作周波数は、処理回路設計時に用いる幾つかのパラメータによって決定される。この動作周波数を低下させる主な原因として、低い動作保証下限電圧と、チップ内の電圧のばらつきとの2つが挙げられる。 The operating frequency of the processing circuit (processor) in the LSI is determined by several parameters used when designing the processing circuit. There are two main causes for lowering the operating frequency: a low operation guarantee lower limit voltage and a variation in voltage within the chip.
したがって、高性能な処理回路を設計する際には、動作保証下限電圧をできるだけ平均動作電圧に近づけ、さらにチップ内の電圧のばらつきの原因となるIR−Dropを減らすことが重要である。 Therefore, when designing a high-performance processing circuit, it is important to bring the operation guarantee lower limit voltage as close as possible to the average operating voltage and to further reduce IR-Drop that causes variations in the voltage in the chip.
携帯端末向けのLSIでは、要求される処理能力は非常に大きい一方、低負荷時や待機時に許容される消費電力は非常に小さい。 While LSIs for portable terminals require a very large processing capacity, the power consumption allowed during low load or standby is very small.
LSIの消費電流には、例えば、負荷の量に比例して消費されるスイッチング電流と、負荷の量にかかわらず消費されるリーク電流がある。低負荷時に、該リーク電流が問題となる。 LSI current consumption includes, for example, switching current consumed in proportion to the amount of load and leakage current consumed regardless of the amount of load. The leakage current becomes a problem at low load.
高い処理能力と低負荷時の低消費電力とを両立させるため、個別に電源遮断スイッチを有するマルチプロセッサアーキテクチャが有効である。 In order to achieve both high processing capability and low power consumption at low load, a multiprocessor architecture having individual power cut-off switches is effective.
既述のように、高性能な回路では、動作周波数を高く保つためにIR−Dropを小さく抑える必要がある。しかし、ピン・パッド間の配線の抵抗と電源遮断スイッチとがIR−Dropを増大させる。 As described above, in a high-performance circuit, it is necessary to keep IR-Drop small in order to keep the operating frequency high. However, the resistance of the wiring between the pin and the pad and the power cut-off switch increase IR-Drop.
このIR−Dropの増大を防ぐためには、多くのピン・パッドを用意し、スイッチの大きさを大きくする必要がある。しかし、これらの対策は製造コストを増大させる。 In order to prevent this increase in IR-Drop, it is necessary to prepare many pin pads and increase the size of the switch. However, these measures increase manufacturing costs.
そこで、チップ内のプロセッサごとに電源回路を設けることが考えられる。これにより、ピンとパッドの間および電源遮断スイッチで生じるIR−Dropを考慮する必要がなくなる。 Thus, it is conceivable to provide a power supply circuit for each processor in the chip. This eliminates the need to consider the IR-Drop that occurs between the pin and pad and at the power shutoff switch.
ところが、チップ内に電源回路を設けた場合、供給電圧を安定させるためのキャパシタの容量を大きく取ることができない。このため、処理回路が動作し、使用する電流量が急激に増えた場合、この処理回路に供給される電圧が大きく下がってしまう。この供給される電圧が動作保証電圧以下になると、該処理回路が誤動作し得る。 However, when the power supply circuit is provided in the chip, it is impossible to increase the capacitance of the capacitor for stabilizing the supply voltage. For this reason, when the processing circuit operates and the amount of current used increases rapidly, the voltage supplied to the processing circuit is greatly reduced. When the supplied voltage becomes lower than the operation guarantee voltage, the processing circuit may malfunction.
上述の処理回路が使用する電流量が急激に増える頻度は、それほど高くない。 The frequency at which the amount of current used by the processing circuit increases rapidly is not so high.
しかし、最悪のケースを想定すると動作保証下限電圧を高く設定できず、動作周波数を上げることができない。このため、処理回路が所望のデータ処理ができないという問題があった。 However, assuming the worst case, the operation guaranteed lower limit voltage cannot be set high, and the operating frequency cannot be increased. Therefore, there is a problem that the processing circuit cannot perform desired data processing.
ここで、従来技術には、発振回路から出力されるクロック信号により演算処理動作するシステム回路(処理回路)を備え、電源回路から該システム回路へ供給される電源電圧を検出するとともに該発振回路からのクロック信号の該システム回路への供給動作を制御する制御手段を設けたコンピュータがある。このコンピュータは、該電源電圧が低下したときに該クロック信号の該システム回路への供給を停止するものである(例えば、特許文献1参照。)。 Here, the conventional technique includes a system circuit (processing circuit) that performs an arithmetic processing operation by a clock signal output from the oscillation circuit, detects a power supply voltage supplied from the power supply circuit to the system circuit, and from the oscillation circuit. There is a computer provided with control means for controlling the supply operation of the clock signal to the system circuit. This computer stops the supply of the clock signal to the system circuit when the power supply voltage drops (see, for example, Patent Document 1).
上記従来技術は、上記のような構成により、システム回路の誤動作を防止する。 The conventional technology prevents malfunction of the system circuit by the configuration as described above.
しかし、上記従来技術は、クロック信号の停止によりシステム回路が停止すると、該システムが停止した期間に外部からデータ等が入力されても、当該データを処理できない。
本発明は、回路の誤動作を防止しつつ、所望のデータ処理をすることが可能な半導体集積回路を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit capable of performing desired data processing while preventing malfunction of the circuit.
本発明の一態様に係る実施例に従った半導体集積回路は、
電源電圧と予め設定したしきい値とを比較し、前記電源電圧が前記しきい値以下である場合にクロック停止信号を出力し、前記電源電圧が前記しきい値より大きい場合にクロック作動信号を出力する電源電圧監視回路と、
前記クロック停止信号に応じて、クロック信号の出力を停止し、前記クロック作動信号に応じて、前記クロック信号を出力するクロックゲーティング回路と、
前記電源電圧が供給され、前記クロックゲーティング回路から出力された前記クロック信号に同期して動作するプロセッサと、
前記プロセッサと一対一に対応して設けられ、前記電源電圧監視回路の出力信号に応じて、外部から入力されたデータを一時的に格納し、または、通過させて、前記データを前記プロセッサに出力するデータバッファと、を備え、
前記データバッファは、
前記電源電圧監視回路から出力された前記クロック停止信号に応じて、外部から入力された前記データを一時的に格納し、その後前記電源電圧監視回路から出力された前記クロック作動信号に応じて、格納された前記データを前記プロセッサに出力することを特徴とする。
A semiconductor integrated circuit according to an embodiment of one aspect of the present invention includes:
A power supply voltage is compared with a preset threshold value, a clock stop signal is output when the power supply voltage is less than or equal to the threshold value, and a clock operation signal is output when the power supply voltage is greater than the threshold value. Power supply voltage monitoring circuit to output,
A clock gating circuit that stops output of a clock signal in response to the clock stop signal and outputs the clock signal in response to the clock activation signal;
A processor that is supplied with the power supply voltage and operates in synchronization with the clock signal output from the clock gating circuit;
Provided in one-to-one correspondence with the processor, and temporarily store or pass data input from the outside according to the output signal of the power supply voltage monitoring circuit, and output the data to the processor And a data buffer for
The data buffer is
According to the clock stop signal output from the power supply voltage monitoring circuit, the data input from the outside is temporarily stored, and then stored according to the clock operation signal output from the power supply voltage monitoring circuit. The processed data is output to the processor.
本発明に係る半導体集積回路によれば、回路の誤動作を防止しつつ、所望のデータ処理をすることができる。 According to the semiconductor integrated circuit of the present invention, desired data processing can be performed while preventing malfunction of the circuit.
以下、本発明に係る実施例について図面に基づいて説明する。 Embodiments according to the present invention will be described below with reference to the drawings.
図1は、本発明の一態様である実施例1に係る半導体集積回路100の要部の構成を示す図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a main part of a semiconductor integrated
図1に示すように、ICチップ半導体集積回路100は、内部電源回路1と、電源電圧監視回路2と、クロックゲーティング回路3と、プロセッサ4と、データバッファ5と、を備える。
As shown in FIG. 1, the IC chip semiconductor integrated
内部電源回路1は、プロセッサ4と一対一に対応して設けられている。この内部電源回路1は、外部の外部電源回路200からピン100aおよびパッド100bを介して供給された電圧を制御する。内部電源回路1は、この制御された電圧を電源電圧V1としてプロセッサ4に供給するようになっている。
The internal
これにより、それぞれプロセッサ4に電源が割り当てられ、各プロセッサ4の電源遮断をIR−Dropなしに実現することができる。
As a result, power is allocated to each
なお、内部電源回路1は、複数のプロセッサ4毎に電源電圧V1を供給するようにしてもよい。この場合、当該複数のプロセッサ4毎の電源遮断をIR−Dropなしに実現することができる。
The internal
電源電圧監視回路2は、電源電圧V1と予め設定したしきい値とを比較し、電源電圧V1がしきい値以下である場合にクロック停止信号を出力するようになっている。また、電源電圧監視回路2は、電源電圧V1がしきい値より大きい場合にクロック作動信号を出力するようになっている。
The power supply
クロックゲーティング回路3は、該クロック停止信号に応じて、例えば、プロセッサ4の外部から入力されたクロック信号の出力を停止するようになっている。また、クロックゲーティング回路3は、該クロック作動信号に応じて、入力された外部クロック信号を該クロック信号として出力するようになっている。なお、外部クロック信号は、例えば、PLLにより生成される。
In response to the clock stop signal, the
プロセッサ4は、メインメモリ(図示せず)からデータバッファ5を介して入力されたデータを格納するキヤッシュメモリ4aと、該メインメモリに制御信号を出力して該データを出力させ、キャッシュメモリ4aに格納された該データを演算処理するCPU4bと、を有する。
The
プロセッサ4は、電源電圧V1が供給され、クロックゲーティング回路3から出力された該クロック信号に同期して動作するようになっている。
The
データバッファ5は、プロセッサと一対一に対応して設けられている。このデータバッファ5は、電源電圧監視回路2の出力信号に応じて、外部クロック信号に同期して、外部から入力されたデータを一時的に格納し、または、通過させて、該データをプロセッサ4に出力するようになっている。このデータバッファ5には、例えば、FIFO(First In First Out)バッファが選択される。
The
また、データバッファ5は、少なくともプロセッサ4のキヤッシュライン分のデータを格納することができるようになっている。
In addition, the
次に、以上のような構成を有する半導体集積回路100の動作について説明する。
Next, the operation of the semiconductor integrated
先ず、外部クロック信号がクロックゲーティング回路3を介してプロセッサ4に入力され、プロセッサ4が動作を開始する。
First, an external clock signal is input to the
このプロセッサ4の動作により電流が消費され、電源電圧V1がしきい値以下になると、電源電圧監視回路2がクロック停止信号を出力する。クロックゲーティング回路3は、このクロック停止信号に応じて、外部から入力されたクロック信号の出力を停止する。これにより、プロセッサ4の動作が停止する。一方、データバッファ5は、電源電圧監視回路2から出力されたクロック停止信号に応じて、外部から入力された該データを一時的に格納する。
When current is consumed by the operation of the
その後、電源電圧V1が該しきい値を越えると、電源電圧監視回路2がクロック作動信号を出力する。プロセッサ4は、このクロック作動信号に応じて、動作を再開する。一方、該クロック作動信号に応じて、データバッファ5は、外部クロック信号に同期して、格納された該データをプロセッサ4に出力する。
Thereafter, when the power supply voltage V1 exceeds the threshold value, the power supply
このように、電源電圧V1に応じて、プロセッサ4およびデータバッファ5の動作が制御される。
Thus, the operations of the
これにより、プロセッサ4の動作により消費電流が急激に増えた場合の電源電圧V1の低下を抑えることができる。したがって、電源電圧V1の低下によって生じるプロセッサ4の誤動作を防止することができる。
As a result, it is possible to suppress a decrease in the power supply voltage V1 when the current consumption increases rapidly due to the operation of the
さらに、一時的なプロセッサ4の停止時に半導体集積回路100に入力されたデータは、データバッファ5に格納されるので、所望のデータ処理をすることができる。
Further, since the data input to the semiconductor integrated
ここで、例えば、一般的な演算処理回路では、クロック停止中に入力されるデータの量は決まっていないため、無限の大きさのバッファが必要となり現実的でない。しかし、プロセッサの場合、クロック信号停止中に外部から入力されるデータの量は、キャッシュライン分程度である。したがって、既述のように、データバッファ5の容量を現実的な大きさ(キャッシュライン分)に抑えることができる。
Here, for example, in a general arithmetic processing circuit, since the amount of data input while the clock is stopped is not determined, an infinitely large buffer is required, which is not practical. However, in the case of a processor, the amount of data input from the outside while the clock signal is stopped is about the cache line. Therefore, as described above, the capacity of the
また、プロセッサ4においては、キャッシュミスリフィル時にも急激に消費電流が増大する。このため、そのときに電源電圧V1が低下すると、クロックゲーティング回路3からクロック信号の出力が停止されてしまう可能性がある。プロセッサ4は、クロック信号停止中にバスからリフィルされているデータを受け取ることができないが、データバッファ5が一時的に該データを格納する。
In the
ここで、プロセッサに供給される電源電圧の変化について検討する。 Here, a change in the power supply voltage supplied to the processor is considered.
まず、比較例として、従来の半導体集積回路のプロセッサに供給される電源電圧について検討する。 First, as a comparative example, a power supply voltage supplied to a processor of a conventional semiconductor integrated circuit is examined.
図2Aは、従来の半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときのクロック信号を示す図である。また、図2Bは、従来の半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときの供給電流および消費電流を示す図である。また、図2Cは、従来の半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときの電源電圧を示す図である。 FIG. 2A is a diagram illustrating a clock signal when the processor of the conventional semiconductor integrated circuit makes a transition from the stopped state to the operating state. FIG. 2B is a diagram showing a supply current and a consumption current when the processor of the conventional semiconductor integrated circuit transitions from the stop state to the operation state. FIG. 2C is a diagram showing a power supply voltage when the processor of the conventional semiconductor integrated circuit makes a transition from the stopped state to the operating state.
図2Aに示すように外部クロック信号が入力されるとプロセッサが動作を開始する。これにより、図2Bに示すように、プロセッサにおける消費電流が急峻に増加する。一方、外部電源回路のキャパシタの特性により、該外部電源回路から供給される供給電流は、徐々に増加する。 As shown in FIG. 2A, when an external clock signal is input, the processor starts operation. As a result, as shown in FIG. 2B, the current consumption in the processor increases sharply. On the other hand, the supply current supplied from the external power supply circuit gradually increases due to the characteristics of the capacitor of the external power supply circuit.
したがって、図2Cに示すように、消費電流が供給電流を上回るときはキャパシタの電荷が減少し、電源電圧が低下する。一方、消費電流が供給電流を下回るときは、キャパシタの電荷が増加し、電源電圧が上昇する。 Therefore, as shown in FIG. 2C, when the consumption current exceeds the supply current, the charge of the capacitor decreases and the power supply voltage decreases. On the other hand, when the consumption current is lower than the supply current, the charge of the capacitor increases and the power supply voltage rises.
このように、従来の半導体集積回路においては、プロセッサが動作状態に遷移したときに、電源電圧が、例えば、1.0Vから0.87V程度まで下がってしまう。 As described above, in the conventional semiconductor integrated circuit, when the processor transitions to the operating state, the power supply voltage drops from, for example, about 1.0 V to about 0.87 V.
次に、本実施例にかかる半導体集積回路のプロセッサに供給される電源電圧について検討する。 Next, the power supply voltage supplied to the processor of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment will be considered.
図3Aは、本実施例にかかる半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときのクロック信号を示す図である。また、図3Bは、本実施例にかかる半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときの供給電流および消費電流を示す図である。また、図3Cは、本実施例にかかる半導体集積回路のプロセッサが停止状態から動作状態に遷移したときの電源電圧を示す図である。 FIG. 3A is a diagram illustrating a clock signal when the processor of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment transitions from the stopped state to the operating state. FIG. 3B is a diagram illustrating a supply current and a consumption current when the processor of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment transitions from the stop state to the operation state. FIG. 3C is a diagram illustrating the power supply voltage when the processor of the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment transitions from the stopped state to the operating state.
図3Aに示すように外部クロック信号が入力されるとプロセッサが動作を開始する。これにより、図3Bに示すように、プロセッサにおける消費電流が急峻に増加する。これに対し、外部電源回路のキャパシタの特性により、該外部電源回路から供給される供給電流は、徐々に増加する。ここで、図3Cに示すように電源電圧がしきい値(ここでは0.97V)以下になると、クロック信号の出力が停止され(図3A)、これによりプロセッサの動作が一時的に停止し消費電流が低下する(図3B)。その後、図3Cに示すように電源電圧が上昇し0.97Vを越えると、クロック信号の出力が再開され(図3A)、これによりプロセッサが動作し消費電流が上昇する(図3B)。以下同様の動作が繰り返される。 As shown in FIG. 3A, when an external clock signal is input, the processor starts operation. As a result, as shown in FIG. 3B, the current consumption in the processor increases sharply. In contrast, the supply current supplied from the external power supply circuit gradually increases due to the characteristics of the capacitor of the external power supply circuit. Here, as shown in FIG. 3C, when the power supply voltage falls below the threshold value (0.97 V in this case), the output of the clock signal is stopped (FIG. 3A), which temporarily stops the operation of the processor and consumes it. The current decreases (FIG. 3B). Thereafter, as shown in FIG. 3C, when the power supply voltage rises and exceeds 0.97 V, the output of the clock signal is resumed (FIG. 3A), thereby operating the processor and increasing the current consumption (FIG. 3B). Thereafter, the same operation is repeated.
このように、本実施例にかかる半導体集積回路においては、プロセッサが動作状態に遷移したときの電源電圧の低下が、0.96V程までに抑えられている。 As described above, in the semiconductor integrated circuit according to the present embodiment, the decrease in the power supply voltage when the processor transitions to the operating state is suppressed to about 0.96V.
以上のように、本実施例に係る半導体集積回路によれば、回路の誤動作を防止しつつ、所望のデータ処理をすることができる。 As described above, according to the semiconductor integrated circuit of this embodiment, desired data processing can be performed while preventing malfunction of the circuit.
1 内部電源回路
2 電源電圧監視回路
3 クロックゲーティング回路
4 プロセッサ
4a キャッシュメモリ
4b CPU
5 データバッファ
100 半導体集積回路
100a ピン
100b パッド
200 外部電源回路
DESCRIPTION OF
5
Claims (4)
前記クロック停止信号に応じて、クロック信号の出力を停止し、前記クロック作動信号に応じて、前記クロック信号を出力するクロックゲーティング回路と、
前記電源電圧が供給され、前記クロックゲーティング回路から出力された前記クロック信号に同期して動作するプロセッサと、
前記プロセッサと一対一に対応して設けられ、前記電源電圧監視回路の出力信号に応じて、外部から入力されたデータを一時的に格納し、または、通過させて、前記データを前記プロセッサに出力するデータバッファと、を備え、
前記データバッファは、
前記電源電圧監視回路から出力された前記クロック停止信号に応じて、外部から入力された前記データを一時的に格納し、その後前記電源電圧監視回路から出力された前記クロック作動信号に応じて、格納された前記データを前記プロセッサに出力する
ことを特徴とする半導体集積回路。 A power supply voltage is compared with a preset threshold value, a clock stop signal is output when the power supply voltage is less than or equal to the threshold value, and a clock operation signal is output when the power supply voltage is greater than the threshold value. Power supply voltage monitoring circuit to output,
A clock gating circuit that stops output of a clock signal in response to the clock stop signal and outputs the clock signal in response to the clock activation signal;
A processor that is supplied with the power supply voltage and operates in synchronization with the clock signal output from the clock gating circuit;
Provided in one-to-one correspondence with the processor, and temporarily store or pass data input from the outside according to the output signal of the power supply voltage monitoring circuit, and output the data to the processor And a data buffer for
The data buffer is
According to the clock stop signal output from the power supply voltage monitoring circuit, the data input from the outside is temporarily stored, and then stored according to the clock operation signal output from the power supply voltage monitoring circuit. And outputting the processed data to the processor.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012008073A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | パナソニック株式会社 | Shared memory system and method of controlling same |
WO2017073188A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | In-vehicle semiconductor device |
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012008073A1 (en) * | 2010-07-16 | 2012-01-19 | パナソニック株式会社 | Shared memory system and method of controlling same |
JP2012022616A (en) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Panasonic Corp | Shared memory system and control method thereof |
WO2017073188A1 (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-04 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | In-vehicle semiconductor device |
JP2017084121A (en) * | 2015-10-28 | 2017-05-18 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | On-vehicle semiconductor device |
CN108138686A (en) * | 2015-10-28 | 2018-06-08 | 日立汽车系统株式会社 | Vehicle-mounted semiconductor device |
DE112016004291T5 (en) | 2015-10-28 | 2018-06-21 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | VEHICLE INTERNAL SEMICONDUCTOR DEVICE |
US10882471B2 (en) | 2015-10-28 | 2021-01-05 | Hitachi Automotive Systems, Ltd. | In-vehicle semiconductor device |
CN108138686B (en) * | 2015-10-28 | 2021-03-12 | 日立汽车系统株式会社 | Semiconductor device for mounting on vehicle |
DE112016004291B4 (en) | 2015-10-28 | 2023-06-15 | Hitachi Astemo, Ltd. | IN-VEHICLE SEMICONDUCTOR DEVICE |
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