JP2008216096A - Testing system for semiconductor integrated circuit device - Google Patents

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Masaaki Fujino
正昭 藤野
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a technology capable of reducing consumption of electric power, at the testing of semiconductor integrated circuit devices (LSIs), in a testing system for LSI. <P>SOLUTION: In an LSI test system for testing a plurality of LSI devices to be tested DUT1 through DUT4 at one sitting, between the signal lines connecting the LSI devices to be tested DUT1 through DUT4 and the LSI tester 100, each of delay units DLY1 through DLY4 with different delay times is provided to each LSY devices DUT1 through DUT4. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体集積回路装置のテストシステムに関し、特に、複数の半導体集積回路装置を一度にテストする半導体集積回路装置のテストシステムの構成に適用して有効な技術に関する。   The present invention relates to a test system for a semiconductor integrated circuit device, and more particularly to a technique effective when applied to the configuration of a test system for a semiconductor integrated circuit device that tests a plurality of semiconductor integrated circuit devices at once.

本発明者が検討した技術として、例えば、半導体集積回路装置(以下、単に「LSI」という。)のテストシステムにおいては、以下の技術が考えられる。   As a technique studied by the present inventor, for example, in a test system for a semiconductor integrated circuit device (hereinafter simply referred to as “LSI”), the following technique can be considered.

近年、論理LSI(Large Scale Integrated Circuit)に対して、MemoryBIST(Built in Self Test)やLogicBIST等、DFT(Design For Test)ツールによるBIST回路付加の適用が拡大している。そして、これらの機能を利用した実速度(at−speed)テストの適用も始まっている。   In recent years, application of BIST circuit addition by DFT (Design For Test) tools such as Memory BIST (Built in Self Test), Logic BIST, etc. has expanded to logic LSI (Large Scale Integrated Circuit). And application of an actual speed (at-speed) test using these functions has also begun.

例えば、BISTを適用したテスト方式として、非特許文献1に記載された技術がある。非特許文献1の手法を圧縮パターンテスト方式と呼ぶ。この手法は、スキャンテストの欠点であるテストデータ量の増大、及びテスト用外部ピン数の増大の対策として、圧縮した入力パターンをチップ内で展開するパターン展開回路と、テスト結果の出力パターンをチップ内で圧縮するパターン圧縮回路とをLSIチップ内に設けている、という特徴を持つ。図3に圧縮パターンテスト方式の概略構成を示す。
「エンベデット・デタミニスティック・テスト・フォ・ロウ・コスト・マニュファクチャリング・テスト(Embedded Deterministic Test For Low Cost Manufacturing Test)」、Proc.ITC、2002年、p.301−310
For example, as a test method to which BIST is applied, there is a technique described in Non-Patent Document 1. The method of Non-Patent Document 1 is called a compression pattern test method. This method uses a pattern development circuit that expands the compressed input pattern in the chip and a test result output pattern on the chip as a countermeasure against the increase in the amount of test data and the increase in the number of external pins for testing, which are disadvantages of the scan test. The LSI chip has a feature that a pattern compression circuit for compression inside the LSI chip is provided. FIG. 3 shows a schematic configuration of the compression pattern test method.
"Embedded Deterministic Test For Low Cost Manufacturing Test", Proc. ITC, 2002, p. 301-310

ところで、前記のような半導体集積回路装置のテストシステムの技術について、本発明者が検討した結果、以下のようなことが明らかとなった。   By the way, as a result of examination by the inventor of the test system technology for the semiconductor integrated circuit device as described above, the following has been clarified.

例えば、前記のようなBIST回路付加や実速度テストを大規模高速論理LSIに適用した場合、テスト時の電力増大により正常にテストできなくなる恐れがある。   For example, when the BIST circuit addition or the actual speed test as described above is applied to a large-scale high-speed logic LSI, there is a possibility that the test cannot be performed normally due to an increase in power during the test.

非特許文献1の圧縮パターンテスト方式では、テスト生成アルゴリズムを用いて生成されたテストパターンを圧縮してLSIテスタからLSIチップに印加し、LSIチップ内でそれを展開してスキャンチェーンに送る(スキャンシフト)ことにより、所望のテストパターンをLSIチップ内に実現する。しかし、アルゴリズムで値が確定されなかった部分に関してはランダムな値が設定される。このため、大規模高速論理回路ではスキャンシフト動作時に内部論理回路における活性化率(論理値の変化する比率)が大きくなり、このため消費電力が増大するという問題がある。   In the compression pattern test method of Non-Patent Document 1, a test pattern generated using a test generation algorithm is compressed, applied from an LSI tester to an LSI chip, developed in the LSI chip, and sent to a scan chain (scan) By shifting, a desired test pattern is realized in the LSI chip. However, a random value is set for a portion whose value has not been determined by the algorithm. For this reason, the large-scale high-speed logic circuit has a problem that the activation rate (the rate at which the logic value changes) in the internal logic circuit increases during the scan shift operation, and the power consumption increases.

また、LSIチップ内に搭載される各種DFTのBIST回路は、LSIテスタでの測定時間をより短くするため、そのBIST動作時の内部論理回路における活性化率(論理値の変化する比率)が大きくなり、このため電力が増大するという問題がある。   Also, the BIST circuits of various DFTs mounted in the LSI chip have a large activation rate (ratio of change in logic value) in the internal logic circuit during the BIST operation in order to shorten the measurement time in the LSI tester. Therefore, there is a problem that the power increases.

そして、LSIテスタにおける測定時のLSIチップ電力が大きくなることにより、そのLSIチップを測定するLSIテスタ側の電力供給量が不足するという問題が生じる。このことは一度に複数のLSIチップを測定する場合、更なる問題となる。   Then, when the LSI chip power at the time of measurement in the LSI tester is increased, there is a problem that the power supply amount on the LSI tester side for measuring the LSI chip is insufficient. This becomes a further problem when measuring a plurality of LSI chips at a time.

また、1つのLSIチップ測定についても電力が大きくなることにより、LSIチップ外の測定冶具やプローブカード等のダメージを大きくし、LSIチップが正しく測定できない問題や、最悪の場合は測定しているLSIチップそのものがプローブカードのダメージが原因で破壊する問題もある。   In addition, the power for one LSI chip measurement also increases, which increases the damage to measurement jigs and probe cards outside the LSI chip, and the LSI chip cannot be measured correctly. In the worst case, the LSI being measured There is also a problem that the chip itself is destroyed due to the damage of the probe card.

そこで、本発明の1つの目的は、半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、LSIテスト時の消費電流を低減することができる技術を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a technique capable of reducing current consumption during LSI testing in a test system for a semiconductor integrated circuit device.

本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。   The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.

すなわち、本発明による半導体集積回路装置は、複数の半導体集積回路装置を一度にテストする半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、前記複数の半導体集積回路装置とテスタとを結ぶ信号線の間に、前記半導体集積回路装置ごとにそれぞれ遅延時間の異なる遅延ユニットを設けたことを特徴とするものである。   In other words, the semiconductor integrated circuit device according to the present invention is a test system for a semiconductor integrated circuit device that tests a plurality of semiconductor integrated circuit devices at a time, between the signal lines connecting the plurality of semiconductor integrated circuit devices and a tester. A delay unit having a different delay time is provided for each semiconductor integrated circuit device.

本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。   Of the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.

半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、LSIテスト時の消費電流を低減することができる。   In a test system for a semiconductor integrated circuit device, current consumption during LSI testing can be reduced.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.

図1は本発明の一実施の形態による半導体集積回路装置(LSI)のテストシステムの構成を示すブロック図、図2は本発明の一実施の形態による半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、テスト時のピーク電流低減効果を示す図である。   FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a test system for a semiconductor integrated circuit device (LSI) according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a test system for a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention. It is a figure which shows the peak current reduction effect.

まず、図1により、本実施の形態によるLSIテストシステムの構成の一例を説明する。本実施の形態のLSIテストシステムは、例えばLSIチップ又はパッケージングされたLSIをテストするテストシステムである。このテストシステムは、例えば、LSIテスタ100と、複数の遅延ユニットDLY1〜4などから構成されている。遅延ユニットDLY1〜4は、テスト対象であるLSI、すなわち被試験デバイスDUT(Device Under Test)1〜4と、LSIテスタ100とを結ぶ信号線の間に挿入されている。遅延ユニットDLY1〜4は、被試験デバイスDUT(Device Under Test)1〜4用の測定冶具上に搭載される。遅延ユニットDLY1〜4のそれぞれは、複数の遅延素子から構成される。その遅延素子の数は、被試験デバイスDUT1〜4のそれぞれの信号線の本数で決まる。被試験デバイスDUT1〜4は、一般に、同一品種のLSIであり、その複数のLSIが一度に測定される。   First, an example of the configuration of the LSI test system according to the present embodiment will be described with reference to FIG. The LSI test system of this embodiment is a test system that tests, for example, an LSI chip or a packaged LSI. This test system includes, for example, an LSI tester 100 and a plurality of delay units DLY1 to DLY1. The delay units DLY 1 to 4 are inserted between signal lines connecting the LSI to be tested, that is, the device under test DUT (Device Under Test) 1 to 4, and the LSI tester 100. The delay units DLY1 to DLY4 are mounted on measurement jigs for the devices under test DUT (Device Under Test) 1 to 4. Each of the delay units DLY1 to DLY4 includes a plurality of delay elements. The number of delay elements is determined by the number of signal lines of each of the devices under test DUT1 to DUT4. The devices under test DUT1 to DUT4 are generally the same type of LSI, and the plurality of LSIs are measured at a time.

なお、本実施の形態では、一例として遅延ユニットが4個の場合で説明するが、これに限定されるものではなく、一度に測定される被試験デバイス(LSI)の数に応じて増減する。   In this embodiment, the case where there are four delay units is described as an example. However, the present invention is not limited to this, and the number of delay units is increased or decreased according to the number of devices under test (LSI) measured at one time.

一度にN個(Nは自然数)のLSIチップを試験する冶具上に、LSIチップ個別に対応した遅延素子を設けることにより、LSIテストシステム上でのピーク電流を削減する。この遅延ユニットDLY1〜4の構成を適正化することにより、擬似的な同時測定時間を得ることが可能となる。   By providing a delay element corresponding to each LSI chip on a jig for testing N (N is a natural number) LSI chips at a time, the peak current on the LSI test system is reduced. By optimizing the configuration of the delay units DLY1 to DLY4, it is possible to obtain a pseudo simultaneous measurement time.

また、これらの遅延素子によりSCANテスト時のシフト動作、キャプチャ動作を同時測定する。LSIチップ毎に測定タイミングをずらして、見かけ上のピーク電流削減を実現する。本実施の形態によるピーク電流の低減比較を図2に示す。従来のLSIテストシステムでは、一度に複数個のLSIチップに電流が流れるため、ピーク電流は図2の201のような波形であった。本実施の形態によるLSIテストシステムにおいては、ピーク電流は図2の202のように、被試験デバイスDUT1〜4で分散して電流が流れるため、ピーク電流が低減する。   Further, the shift operation and the capture operation during the SCAN test are simultaneously measured by these delay elements. The apparent peak current is reduced by shifting the measurement timing for each LSI chip. FIG. 2 shows a comparison of peak current reduction according to the present embodiment. In the conventional LSI test system, current flows through a plurality of LSI chips at a time, so the peak current has a waveform as indicated by 201 in FIG. In the LSI test system according to the present embodiment, the peak current is reduced because the peak current is dispersed and flows in the devices under test DUT1 to DUT4 as indicated by 202 in FIG.

したがって、LSIテスタ100と被試験デバイスDUT1〜4との間に信号遅延素子を設け、この遅延素子による信号遅延時間を同時に測定するDUT毎に任意に調整することにより、擬似的に同時多数個測定を実現することができる。   Accordingly, a signal delay element is provided between the LSI tester 100 and the devices under test DUT1 to DUT4, and the signal delay time by the delay element is arbitrarily adjusted for each DUT to be measured simultaneously, thereby measuring a large number of pseudo-simultaneously. Can be realized.

また、LSIチップ外の測定冶具側に遅延ユニットDLY1〜4を搭載するため、LSIチップの面積増加、ピーク電力削減構造の増設及びその検証工数等が一切発生せず、多数個同時測定が可能となる。   In addition, since the delay units DLY1 to DLY4 are mounted on the measurement jig side outside the LSI chip, there is no increase in the area of the LSI chip, the addition of a peak power reduction structure, and the verification man-hours, etc. Become.

また、LSIチップ内の構成は、被試験デバイスが測定される際、多数個同時測定であるか否かにより影響を受けることがない。   Further, the configuration in the LSI chip is not affected by whether or not a plurality of devices under test are simultaneously measured.

また、例えば、準汎用的なLSIチップのピン数を想定し、あらかじめそのピン数に応じたLSIテスタ用測定冶具を用意しておき、その測定治具上に前記の遅延ユニットDLY1〜4を搭載し、適用可能製品への使いまわしを行い、開発期間、コストの低減に寄与する。例えば、64、128、256、512、1024ピン等の代表的なLSIピン数を想定した本発明を適用した冶具をLSIチップ側の開発スケジュールとは関係なく準備し、該当するLSIチップが完成したら即時に測定可能とする。   In addition, for example, assuming the number of pins of a semi-general-purpose LSI chip, an LSI tester measurement jig corresponding to the number of pins is prepared in advance, and the delay units DLY1 to DLY4 are mounted on the measurement jig. In addition, by reusing the applicable products, it contributes to the reduction of development time and cost. For example, a jig to which the present invention assuming a representative number of LSI pins such as 64, 128, 256, 512, and 1024 pins is prepared regardless of the development schedule on the LSI chip side, and the corresponding LSI chip is completed. It can be measured immediately.

以上、本発明者によってなされた発明をその実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。   Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment, the invention is not limited to the embodiment and can be variously modified without departing from the scope of the invention. Needless to say.

本発明は、すべての論理LSIの測定に適用可能であり、特に大規模高速論理LSIの測定に好適である。   The present invention is applicable to measurement of all logic LSIs, and is particularly suitable for measurement of large-scale high-speed logic LSIs.

本発明の一実施の形態によるLSIテストシステムの構成を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a configuration of an LSI test system according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施の形態によるLSIテストシステムにおいて、テスト時のピーク電流低減効果を示す図である。It is a figure which shows the peak current reduction effect at the time of a test in the LSI test system by one embodiment of this invention. 本発明の前提として検討したLSIテストシステムの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the LSI test system examined as a premise of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

100 LSIテスタ
DLY1〜4 遅延ユニット
DUT1〜4 被試験デバイス
100 LSI tester
DLY1-4 delay unit DUT1-4 DUT

Claims (4)

複数の半導体集積回路装置を一度にテストする半導体集積回路装置のテストシステムであって、
前記複数の半導体集積回路装置とテスタとを結ぶ信号線の間に、前記半導体集積回路装置ごとにそれぞれ遅延時間の異なる遅延ユニットを設けたことを特徴とする半導体集積回路装置のテストシステム。
A test system for a semiconductor integrated circuit device for testing a plurality of semiconductor integrated circuit devices at a time,
A test system for a semiconductor integrated circuit device, wherein a delay unit having a different delay time is provided for each of the semiconductor integrated circuit devices between signal lines connecting the plurality of semiconductor integrated circuit devices and a tester.
請求項1記載の半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、
前記遅延ユニットは、前記半導体集積回路装置ごとに遅延値が適正化された複数の遅延素子を有することを特徴とする半導体集積回路装置のテストシステム。
The test system for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
The test system for a semiconductor integrated circuit device, wherein the delay unit includes a plurality of delay elements whose delay values are optimized for each of the semiconductor integrated circuit devices.
請求項1記載の半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、
前記遅延ユニットは、テスタ用測定治具に搭載されていることを特徴とする半導体集積回路装置のテストシステム。
The test system for a semiconductor integrated circuit device according to claim 1,
A test system for a semiconductor integrated circuit device, wherein the delay unit is mounted on a measurement jig for a tester.
請求項3記載の半導体集積回路装置のテストシステムにおいて、
前記テスタ用測定治具は、前記半導体集積回路装置のピン数が固定化された準汎用治具であることを特徴とする半導体集積回路装置のテストシステム。
The semiconductor integrated circuit device test system according to claim 3,
A test system for a semiconductor integrated circuit device, wherein the tester measurement jig is a semi-general-purpose jig in which the number of pins of the semiconductor integrated circuit device is fixed.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2011106835A (en) * 2009-11-12 2011-06-02 Advantest Corp Electric circuit and testing device

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