JP2008182148A - Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader - Google Patents

Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader Download PDF

Info

Publication number
JP2008182148A
JP2008182148A JP2007016021A JP2007016021A JP2008182148A JP 2008182148 A JP2008182148 A JP 2008182148A JP 2007016021 A JP2007016021 A JP 2007016021A JP 2007016021 A JP2007016021 A JP 2007016021A JP 2008182148 A JP2008182148 A JP 2008182148A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric conversion
conversion element
element array
electrode
organic photoelectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007016021A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Inoue
雅博 井上
Shinichiro Kaneko
信一郎 金子
Takashi Kitada
貴司 北田
Takahiro Komatsu
隆宏 小松
Hirotaka Sawa
裕隆 澤
Masakazu Mizusaki
正和 水崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2007016021A priority Critical patent/JP2008182148A/en
Publication of JP2008182148A publication Critical patent/JP2008182148A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an easy-to-manufacture high-resolution photoelectric conversion element array, a photoelectric conversion device, a photoelectric conversion unit, and an image reader. <P>SOLUTION: The photoelectric conversion element array 30A has arranged a number of organic photoelectric conversion elements 10 on a support substrate 1. The organic photoelectric conversion element 10 have a first electrode 7; an organic photoelectric conversion section 8 arranged on the first electrode 7; and a second electrode 9, arranged on the organic photoelectric conversion section 8. In this case, one or two of the first electrode 7, an organic photoelectric conversion section 8, and a second electrode 9 are formed in a common structure, where respective organic photoelectric conversion elements 10 share one membrane; and at least one of the first and second electrodes 7, 9 is set to be an individual electrode, formed for each organic photoelectric conversion element 10. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号に変換する光電変換素子アレイと、該光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスと、該光電変換デバイスを備えた光電変換ユニットと、該光電変換ユニットを備えた画像読取り装置とに関するものである。   The present invention includes a photoelectric conversion element array that converts various information such as an object shape and an image into an electrical signal, a photoelectric conversion device including the photoelectric conversion element array, a photoelectric conversion unit including the photoelectric conversion device, The present invention relates to an image reading apparatus provided with the photoelectric conversion unit.

文字や図形などの各種物体のイメージを電気信号に変換して画像データを得るにあたっては、まず、多数の光電変換素子によって構成された光電変換素子アレイ上に上記のイメージが結像される。そして、個々の光電変換素子への入射光の強度に応じて当該光電変換素子に生じる電気信号を所定の読出し手段で読み出した後に、これらの電気信号を基に画像データが作成される。   In obtaining image data by converting images of various objects such as characters and figures into electrical signals, first, the above image is formed on a photoelectric conversion element array constituted by a large number of photoelectric conversion elements. And after reading the electrical signal which arises in the said photoelectric conversion element according to the intensity | strength of the incident light to each photoelectric conversion element with a predetermined reading means, image data is produced based on these electrical signals.

上記の光電変換素子アレイとしては、CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)方式のものや、CCD(Charge Coupled Device)方式のものなどが知られており、当該光電変換素子アレイは、ファクシミリやイメージスキャナなど幅広い製品に用いられている。近年では、フルカラーの画像データが得られるように、カラーフィルタを備えた光電変換デバイスや、(特許文献1)に記載された原稿読取り装置のように赤色光、緑色光、および青色光の各光源(発光ダイオード)を備えた原稿読取り装置も開発されている。   As the photoelectric conversion element array, a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) type and a CCD (Charge Coupled Device) type are known. Used in products. In recent years, red light, green light, and blue light sources such as a photoelectric conversion device including a color filter and a document reading device described in (Patent Document 1) so that full-color image data can be obtained. An original reading apparatus having a (light emitting diode) has also been developed.

従来の光電変換素子アレイは、半導体基板に形成された多数の無機光電変換素子(フォトダイオード)によってイメージを電気信号に変換するものであり、その作製には大掛かりな半導体プロセスが必要となる。このため、工数が非常に多く、半導体基板の大面積化が難しいことと相俟って低コスト化が困難であるという課題を有している。そこで、(非特許文献1)に記載されているように、有機光電変換材料によって光電変換層を形成することでコストの削減を図る試みがなされている。   A conventional photoelectric conversion element array converts an image into an electrical signal by a large number of inorganic photoelectric conversion elements (photodiodes) formed on a semiconductor substrate, and a large-scale semiconductor process is required for its production. For this reason, the man-hours are very large, and it is difficult to reduce the cost due to the difficulty of increasing the area of the semiconductor substrate. Therefore, as described in (Non-Patent Document 1), attempts have been made to reduce costs by forming a photoelectric conversion layer with an organic photoelectric conversion material.

有機光電変換材料は容易に溶液化することができ、スピンコート法やディッピング法などの非常に簡便な方法により薄膜化することができる。すなわち、有機光電変換膜を容易に形成することができる。そして、一対の電極の間に有機光電変換膜が配置された構造を有する有機光電変換素子は、その作製が容易であるにも拘わらず無機光電変換素子と同様の機能を発現できることから、今日、非常に注目を集めている。例えば(特許文献2)には、光電変換波長域が赤色光域の有機光電変化材料を用いた赤色センサと、緑色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサと、青色光域の有機光電変化材料を用いた青色センサとを有する画像感知素子が記載されている。この画像感知素子では、個々の色センサが互いに電気的に独立した有機光電変換素子からなる
特開平3−274856号公報 特表2002−502120号公報 G.Yu, Y.Cao, J.Wang, J.McElvain and A.J.Heeger, Synth. Met, 102, 904(1999)
The organic photoelectric conversion material can be easily made into a solution and can be thinned by a very simple method such as a spin coating method or a dipping method. That is, an organic photoelectric conversion film can be easily formed. And since an organic photoelectric conversion element having a structure in which an organic photoelectric conversion film is disposed between a pair of electrodes can easily produce the same function as an inorganic photoelectric conversion element, today, Has attracted a lot of attention. For example, (Patent Document 2) includes a red sensor using an organic photoelectric change material whose photoelectric conversion wavelength region is in the red light region, a blue sensor using an organic photoelectric change material in the green light region, and an organic photoelectric conversion material in the blue light region. An image sensing element is described having a blue sensor using a change material. In this image sensing element, each color sensor is composed of organic photoelectric conversion elements that are electrically independent from each other.
JP-A-3-274856 Special Table 2002-502120 G. Yu, Y. Cao, J .; Wang, J. et al. McElvain and A.M. J. et al. Heeger, Synth. Met, 102, 904 (1999)

光電変換素子アレイを用いて得る画像データについては高解像度化が常に求められており、そのために、光電変換素子アレイでの光電変換素子の微細化が進められている。   For image data obtained using a photoelectric conversion element array, a high resolution is always required, and for this reason, miniaturization of photoelectric conversion elements in the photoelectric conversion element array is being promoted.

しかしながら、例えば(特許文献2)に記載された画像感知素子のように、互いに異なる有機光電変換材料を用いて赤色センサ、緑色センサ、および青色センサを構成し、かつ個々の色センサにおける一対の電極をそれぞれ個別に形成したのでは、高解像度化を図る際に高度な微細加工技術が求められる結果として、生産性を高め難い。   However, for example, a red sensor, a green sensor, and a blue sensor are configured using different organic photoelectric conversion materials as in the image sensing element described in (Patent Document 2), and a pair of electrodes in each color sensor If each is formed individually, it is difficult to increase productivity as a result of the need for advanced microfabrication technology when achieving high resolution.

本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、高解像度のものを作製し易い光電変換素子アレイ、該光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイス、該光電変換デバイスを備えた光電変換ユニット、および該光電変換ユニットを備えた画像読取り装置を得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a photoelectric conversion element array that can easily produce a high-resolution one, a photoelectric conversion device including the photoelectric conversion element array, and a photoelectric conversion unit including the photoelectric conversion device And an image reading apparatus including the photoelectric conversion unit.

上記の目的を達成する本発明の光電変換素子アレイは、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、第1電極および第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする。   The photoelectric conversion element array of the present invention that achieves the above object includes a support substrate and a plurality of organic photoelectric conversion elements arranged on the support substrate, and each of the plurality of organic photoelectric conversion elements is on the support substrate. A photoelectric conversion element array comprising: a first electrode disposed on the first electrode; an organic photoelectric conversion unit disposed on the first electrode; and a second electrode disposed on the organic photoelectric conversion unit. One or two of the electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode have a common structure in which each organic photoelectric conversion element shares one film, and at least one of the first electrode and the second electrode Is an individual electrode formed for each organic photoelectric conversion element.

また、上記の目的を達成する本発明の光電変換デバイスは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、上述した本発明の光電変換素子アレイと、この光電変換素子アレイにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。   In addition, a photoelectric conversion device of the present invention that achieves the above object is a photoelectric conversion device that converts an image formed by an imaging optical system into an electrical signal, the photoelectric conversion element array of the present invention described above, and the photoelectric conversion device. Signal reading means mounted on a support substrate in the conversion element array and reading an electrical signal from each of the plurality of organic photoelectric conversion elements is provided.

上記の目的を達成する本発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、この撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または前記人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換デバイスは上述した本発明の光電変換デバイスであることを特徴とする。   The photoelectric conversion unit of the present invention that achieves the above object is a photoelectric conversion unit including an imaging optical system and a photoelectric conversion device that converts an image formed by the imaging optical system into an electrical signal, The system has an artificial light source and an optical system that forms an image of light emitted from the artificial light source and reflected by the object to be imaged or light emitted from the artificial light source and transmitted through the object to be imaged, and photoelectric conversion The device is the above-described photoelectric conversion device of the present invention.

そして、上記の目的を達成する本発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、この光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上述した本発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。   An image reading apparatus of the present invention that achieves the above object includes a photoelectric conversion unit that converts an image of a document formed by an imaging optical system into an electrical signal, and a relative movement between the photoelectric conversion unit and the document. An image reading apparatus comprising imaging position shifting means for displacing an imaging position of a document by an imaging optical system, and an image data creation unit for creating image data based on an electrical signal created by a photoelectric conversion unit. The conversion unit is the photoelectric conversion unit of the present invention described above.

本発明の光電変換素子アレイにおいて有機光電変換素子毎に個別に形成されるのは、個々の有機光電変換素子を構成する第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの多くとも2つである。このため、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べ、有機光電変換素子の集積密度を高めて高解像度化を図ったときでも生産性を高め易い。   In the photoelectric conversion element array of the present invention, each organic photoelectric conversion element is individually formed so that at most 2 of the first electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode constituting each organic photoelectric conversion element. One. Therefore, when the integration density of the organic photoelectric conversion elements is increased and the resolution is increased as compared with the case where the first electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode are individually formed for each organic photoelectric conversion element. But it is easy to increase productivity.

第1の発明の光電変換素子アレイは、支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、複数の有機光電変換素子の各々は、支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、第1電極および第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする。   The photoelectric conversion element array of 1st invention is equipped with the support substrate and the some organic photoelectric conversion element arrange | positioned on this support substrate, and each of the some organic photoelectric conversion element was arrange | positioned on the support substrate. A photoelectric conversion element array having a first electrode, an organic photoelectric conversion unit disposed on the first electrode, and a second electrode disposed on the organic photoelectric conversion unit, wherein the first electrode, the organic photoelectric conversion unit One or two of the conversion unit and the second electrode have a common structure in which each organic photoelectric conversion element shares one film, and at least one of the first electrode and the second electrode is an organic photoelectric conversion. It is an individual electrode formed for each element.

この光電変換素子アレイにおいて有機光電変換素子毎に個別に形成されるのは、第1電極、有機光電変換部、および第2電極のうちの多くとも2つである。残りの1つまたは2つについては、有機光電変換素子毎に個別に形成することなく、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造とされる。このため、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでも生産性を高め易い。   At least two of the first electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode are individually formed for each organic photoelectric conversion element in this photoelectric conversion element array. The remaining one or two are not formed individually for each organic photoelectric conversion element, but each organic photoelectric conversion element has a common structure sharing one film. For this reason, compared with the case where each of a 1st electrode, an organic photoelectric conversion part, and a 2nd electrode is formed separately for every organic photoelectric conversion element, it is easy to improve productivity, when achieving high resolution.

第2の発明の光電変換素子アレイは、上記第1の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、支持基板は光透過性を有することを特徴とする。   A photoelectric conversion element array according to a second invention is included in the photoelectric conversion element array according to the first invention, and the support substrate has light transmittance.

第3の発明の光電変換素子アレイは、上記第1または第2の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、上記の個別電極は透明電極であることを特徴とする。   A photoelectric conversion element array according to a third aspect is included in the photoelectric conversion element array according to the first or second aspect, and the individual electrodes are transparent electrodes.

第4の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第3の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、第1電極および第2電極のうちの一方のみが有機光電変換素子毎に形成された個別電極であり、複数の有機光電変換素子の各々における前記有機光電変換部を互いに離隔させるバンク層を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、各有機光電変換部がバンク層によって互いに離隔されているので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を抑え易く、結果として、有機光電変換素子同士間でのクロストークを抑え易い。   The photoelectric conversion element array of the fourth invention is included in the photoelectric conversion element array of the first to third inventions, and only one of the first electrode and the second electrode is provided for each organic photoelectric conversion element. It is the formed individual electrode, and further includes a bank layer that separates the organic photoelectric conversion portions in each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. In this photoelectric conversion element array, since each organic photoelectric conversion part is separated from each other by the bank layer, it is easy to suppress the generation of carriers outside the region designed as the organic photoelectric conversion element, and as a result, between the organic photoelectric conversion elements It is easy to suppress crosstalk.

第5の発明の光電変換素子アレイは、上記第4の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層の膜厚は第1電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層の膜厚が第1電極の膜厚よりも厚いので、各有機光電変換部をバンク層によって互いに離隔させることが容易である。   A photoelectric conversion element array according to a fifth aspect of the invention is included in the photoelectric conversion element array according to the fourth aspect of the invention, and is characterized in that the bank layer is thicker than the first electrode. In this photoelectric conversion element array, since the film thickness of the bank layer is larger than the film thickness of the first electrode, it is easy to separate the organic photoelectric conversion units from each other by the bank layer.

第6の発明の光電変換素子アレイは、上記第4または第5の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層における有機光電変換素子側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部に面する領域は逆テーパ状であることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が上記逆テーパ状の領域を有しているので、各有機光電変換部の材料となる有機光電変換材料を例えばスピンコートするだけで、有機光電変換部の元となる塗膜を各第1電極上に個別に形成することができる。したがって、バンク層によって互いに離隔された所定個の有機光電変換部を容易に形成することができる。   A photoelectric conversion element array according to a sixth aspect of the invention is included in the photoelectric conversion element array according to the fourth or fifth aspect of the invention, and at least an organic photoelectric conversion unit among the side surfaces of the bank layer on the organic photoelectric conversion element side. The region facing the surface is reversely tapered. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer has the above reverse tapered region, the organic photoelectric conversion material, which is the material of each organic photoelectric conversion unit, is simply spin-coated, for example. Can be formed individually on each first electrode. Therefore, it is possible to easily form a predetermined number of organic photoelectric conversion parts separated from each other by the bank layer.

第7の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第6の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は有機高分子材料を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が有機高分子材料を含んでいるので、その元となる組成物を塗工して得た塗膜を比較的簡単な方法によりパターニングすることでバンク層を形成することができる。   A photoelectric conversion element array of a seventh invention is included in the photoelectric conversion element arrays of the fourth to sixth inventions, and the bank layer includes an organic polymer material. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains an organic polymer material, the bank layer is formed by patterning the coating film obtained by coating the original composition by a relatively simple method. can do.

第8の発明の光電変換素子アレイは、上記第7の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がポリイミド系樹脂を含んでいるので、耐熱性を有するバンク層を比較的容易に形成することができる。   The photoelectric conversion element array according to an eighth aspect is included in the photoelectric conversion element array according to the seventh aspect, and the bank layer includes a polyimide resin. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains a polyimide resin, the heat-resistant bank layer can be formed relatively easily.

第9の発明の光電変換素子アレイは、上記第7または第8の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は感光性樹脂を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が感光性樹脂を含んでいるので、その元となる感光性樹脂組成物を塗工して得た塗膜に選択的な露光処理を施した後に現像処理を施すという比較的簡単な工程により、バンク層を形成することができる。   A photoelectric conversion element array according to a ninth aspect is included in the photoelectric conversion element array according to the seventh or eighth aspect, and the bank layer includes a photosensitive resin. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains a photosensitive resin, a development process is performed after a selective exposure process is performed on the coating film obtained by applying the photosensitive resin composition as the bank layer. The bank layer can be formed by a relatively simple process of applying.

第10の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第6の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はセラミックを含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がセラミックを含んでいるので、耐久性のあるバンク層を形成することができる。   A photoelectric conversion element array according to a tenth invention is included in the photoelectric conversion element arrays according to the fourth to sixth inventions, and the bank layer includes a ceramic. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains ceramic, a durable bank layer can be formed.

第11の発明の光電変換素子アレイは、上記第10の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はケイ素原子を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がセラミックを含み、かつセラミックはケイ素原子を含んでいるので、耐久性のあるバンク層を形成し易い。   A photoelectric conversion element array according to an eleventh aspect of the invention is included in the photoelectric conversion element array according to the tenth aspect of the invention, and the bank layer includes silicon atoms. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains ceramic and the ceramic contains silicon atoms, it is easy to form a durable bank layer.

第12の発明の光電変換素子アレイは、上記第10または第11の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層はケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層がケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含んでいるので、緻密で耐久性のあるバンク層を形成し易い。   A photoelectric conversion element array according to a twelfth invention is included in the photoelectric conversion element array according to the tenth or eleventh invention, and the bank layer includes silicon nitride or silicon oxynitride. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer contains silicon nitride or silicon oxynitride, a dense and durable bank layer can be easily formed.

第13の発明の光電変換素子アレイは、上記第4〜第12の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は遮光層としての機能を有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層が遮光層としての機能を有しているので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成が抑えられ、結果として有機光電変換素子同士間でのクロストークが抑えられたものを得易い。   A photoelectric conversion element array of a thirteenth invention is included in the photoelectric conversion element arrays of the fourth to twelfth inventions, and the bank layer has a function as a light shielding layer. In this photoelectric conversion element array, since the bank layer has a function as a light shielding layer, generation of carriers outside the region designed as the organic photoelectric conversion element can be suppressed, and as a result, between the organic photoelectric conversion elements. It is easy to obtain one with reduced crosstalk.

第14の発明の光電変換素子アレイは、上記第13の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層は炭素系の色材を含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層に炭素系の色材を含ませることで当該バンク層に遮光層としての機能を付与しているので、製造時や廃棄時の環境への負荷が小さいバンク層を形成し易い。   A photoelectric conversion element array according to a fourteenth aspect is included in the photoelectric conversion element array according to the thirteenth aspect, and the bank layer includes a carbon-based color material. In this photoelectric conversion element array, a carbon layer is included in the bank layer to provide the bank layer with a function as a light-shielding layer. Therefore, the bank layer has a low environmental impact during manufacturing and disposal. Is easy to form.

第15の発明の光電変換素子アレイは、上記第13または第14の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、バンク層の光学濃度が2.0以上であることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、バンク層の光学濃度が2.0以上であるので、換言すればバンク層の遮光率が99%以上であるので、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を十分に抑えることができ、結果として有機光電変換素子同士間でのクロストークが十分に抑えられたものを得易い。   A photoelectric conversion element array according to a fifteenth aspect is included in the photoelectric conversion element array according to the thirteenth or fourteenth aspect, and is characterized in that the optical density of the bank layer is 2.0 or more. In this photoelectric conversion element array, since the optical density of the bank layer is 2.0 or higher, in other words, the light shielding rate of the bank layer is 99% or higher. The generation can be sufficiently suppressed, and as a result, it is easy to obtain one in which crosstalk between the organic photoelectric conversion elements is sufficiently suppressed.

第16の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第15の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、有機光電変換部はインクジェット法により形成されたものであることを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、有機光電変換部がインクジェット法により形成されるので、有機光電変換素子として設計した領域内にのみ有機光電変換部を形成し易く、結果として、有機光電変換素子として設計した領域以外でのキャリアの生成を抑え易い。   A photoelectric conversion element array according to a sixteenth invention is included in the photoelectric conversion element arrays according to the first to fifteenth inventions, and the organic photoelectric conversion part is formed by an ink jet method. . In this photoelectric conversion element array, since the organic photoelectric conversion part is formed by the ink jet method, it is easy to form the organic photoelectric conversion part only in the region designed as the organic photoelectric conversion element, and as a result, the organic photoelectric conversion part is designed as an organic photoelectric conversion element. It is easy to suppress the generation of carriers outside the region.

第17の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第16の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、有機光電変換部は電子供与性材料と電子受容性材料とを含むことを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、有機光電変換部が電子供与性材料と電子受容性材料とを含んでいるので、光電変換効率が高いものを得易い。   A photoelectric conversion element array of a seventeenth invention is included in the photoelectric conversion element arrays of the first to sixteenth inventions, and the organic photoelectric conversion part includes an electron donating material and an electron accepting material. Features. In this photoelectric conversion element array, since the organic photoelectric conversion part contains the electron donating material and the electron accepting material, it is easy to obtain a high photoelectric conversion efficiency.

第18の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第17の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子の各々に1本ずつ接続された信号読出し配線を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記の信号読出し配線を有していることから、支持基板上に所定の信号読出し手段を実装するだけで容易に光電変換デバイスを得ることができる。   A photoelectric conversion element array according to an eighteenth aspect of the present invention is included in the photoelectric conversion element arrays according to the first to seventeenth aspects of the present invention, and includes one signal readout wiring connected to each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. Furthermore, it is characterized by having. Since this photoelectric conversion element array has the signal readout wiring described above, a photoelectric conversion device can be easily obtained simply by mounting predetermined signal readout means on the support substrate.

第19の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第18の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記の封止部を有していることから、個々の有機光電変換素子の素子寿命が長いものを得易い。   A photoelectric conversion element array according to a nineteenth aspect of the invention is included in the photoelectric conversion element arrays according to the first to eighteenth aspects of the present invention, and further includes a sealing portion that seals each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. It is characterized by. Since this photoelectric conversion element array has the above-described sealing portion, it is easy to obtain an individual organic photoelectric conversion element having a long element life.

第20の発明の光電変換素子アレイは、上記第1〜第19の発明の光電変換素子アレイに含まれるものであり、支持基板上に配置されて複数の有機光電変換素子それぞれへの入射光の波長域を規制するカラーフィルタを更に有することを特徴とする。この光電変換素子アレイでは、上記のカラーフィルタを有していることから、当該光電変換素子アレイを用いてカラーの画像データを得ることが容易になる。   A photoelectric conversion element array according to a twentieth invention is included in the photoelectric conversion element arrays according to the first to nineteenth inventions, and is arranged on a support substrate for incident light to each of a plurality of organic photoelectric conversion elements. It further has a color filter for regulating the wavelength range. Since this photoelectric conversion element array has the color filter, it is easy to obtain color image data using the photoelectric conversion element array.

第21の発明の光電変換デバイスは、撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、上記第1〜第20の発明の光電変換素子アレイのいずれか1つと、光電変換素子アレイにおける支持基板上に実装されて複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段とを備えていることを特徴とする。   A photoelectric conversion device according to a twenty-first invention is a photoelectric conversion device that converts an image formed by an imaging optical system into an electric signal, and any one of the photoelectric conversion element arrays according to the first to twentieth inventions, It is equipped with the signal reading means which reads the electrical signal from each of a some organic photoelectric conversion element mounted on the support substrate in a photoelectric conversion element array, It is characterized by the above-mentioned.

第22の発明の光電変換ユニットは、撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、光電変換デバイスは上記第21の発明の光電変換デバイスであることを特徴とする。   A photoelectric conversion unit according to a twenty-second aspect of the present invention is a photoelectric conversion unit including an imaging optical system and a photoelectric conversion device that converts an image formed by the imaging optical system into an electrical signal. A light source, and an optical system that forms an image of light emitted from the artificial light source and reflected by the object to be imaged, or light emitted from the artificial light source and transmitted through the object to be imaged, and the photoelectric conversion device is the above-mentioned 21st photoelectric conversion device. The photoelectric conversion device according to the invention is characterized by the following.

第23の発明の画像読取り装置は、撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、光電変換ユニットは、上記第22の発明の光電変換ユニットであることを特徴とする。   An image reading apparatus according to a twenty-third aspect of the invention is a photoelectric conversion unit that converts an image of a document formed by an imaging optical system into an electrical signal, and relatively moves the photoelectric conversion unit and the document so An image reading apparatus comprising: an imaging position shifting means for displacing an imaging position; and an image data creation unit that creates image data based on an electrical signal created by the photoelectric conversion unit. It is the photoelectric conversion unit of 22 inventions, It is characterized by the above-mentioned.

以下、本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置それぞれの実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、本発明は以下に説明する実施の形態に限定されるものではない。   Hereinafter, embodiments of the photoelectric conversion element array, the photoelectric conversion device, the photoelectric conversion unit, and the image reading apparatus of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below.

(実施の形態1)
図1は、本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図2は、図1に示した光電変換デバイスを概略的に示す断面図である。これらの図において、20Aは光電変換素子アレイ、25は信号読出し手段、30Aは光電変換デバイスである。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of the photoelectric conversion device of the present invention, and FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the photoelectric conversion device shown in FIG. In these drawings, 20A is a photoelectric conversion element array, 25 is a signal reading means, and 30A is a photoelectric conversion device.

上記の光電変換素子アレイ20Aは本発明の光電変換素子アレイの1つであり、当該光電変換素子アレイ20Aは、光透過性を有する支持基板1(以下、「透明支持基板1」という。)と、透明支持基板1上に配置されたカラーフィルタ3と、カラーフィルタ3上に保護膜5A(図2参照)を介して配置された複数の有機光電変換素子10と、後述するバンク層13と、1つの有機光電変換素子10に1本ずつ接続された信号読出し配線15とを有している。   Said photoelectric conversion element array 20A is one of the photoelectric conversion element arrays of this invention, and the said photoelectric conversion element array 20A and the support substrate 1 (henceforth "transparent support substrate 1") which have optical transparency. A color filter 3 disposed on the transparent support substrate 1, a plurality of organic photoelectric conversion elements 10 disposed on the color filter 3 via a protective film 5A (see FIG. 2), a bank layer 13 described later, The signal readout wiring 15 is connected to one organic photoelectric conversion element 10 one by one.

カラーフィルタ3は、各有機光電変換素子10への入射光の波長域を規制する。このカラーフィルタ3は赤色フィルタ3Rと緑色フィルタ3Gと青色フィルタ3Bとからなり、これらは互いに平行なストライプ状に形成されている。また、保護膜5Aはカラーフィルタ3の上面および側面を覆って当該カラーフィルタ3を保護している。   The color filter 3 regulates the wavelength range of incident light to each organic photoelectric conversion element 10. The color filter 3 includes a red filter 3R, a green filter 3G, and a blue filter 3B, which are formed in stripes parallel to each other. The protective film 5 </ b> A covers the upper surface and side surfaces of the color filter 3 to protect the color filter 3.

保護膜5A上に配置されている各有機光電変換素子10は、保護膜5A上に配置された第1電極7と、第1電極7上に配置された有機光電変換部8と、有機光電変換部8上に配置された第2電極9とを有している。各第1電極7は有機光電変換素子10毎に形成された個別電極であり、各有機光電変換部8も有機光電変換素子10毎に形成されている。これに対し、各第2電極9は、個々の有機光電変換素子10が1つの電極膜9Aを共用したコモン構造をなしている。有機光電変換部8の各々を覆うようにして形成された1つの電極膜9Aにおける互いに別個の一領域が、各有機光電変換素子10での第2電極9として機能する。   Each organic photoelectric conversion element 10 disposed on the protective film 5A includes a first electrode 7 disposed on the protective film 5A, an organic photoelectric conversion unit 8 disposed on the first electrode 7, and an organic photoelectric conversion. And a second electrode 9 disposed on the portion 8. Each first electrode 7 is an individual electrode formed for each organic photoelectric conversion element 10, and each organic photoelectric conversion unit 8 is also formed for each organic photoelectric conversion element 10. In contrast, each second electrode 9 has a common structure in which each organic photoelectric conversion element 10 shares one electrode film 9A. A region separate from each other in one electrode film 9 </ b> A formed so as to cover each of the organic photoelectric conversion units 8 functions as the second electrode 9 in each organic photoelectric conversion element 10.

バンク層13は、電気絶縁性物質によって保護膜5A上に形成されており、当該バンク層13の膜厚は、第1電極7の膜厚と有機光電変換部8の膜厚との和よりも厚い。第1電極7の各々はバンク層13によって互いに離隔されており、有機光電変換部8の各々もまたバンク層13によって互いに離隔されている。そして、バンク層13における有機光電変換素子10側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8に面する領域は逆テーパ状になっており、当該領域とバンク層13の底面とのなす角は90°よりも大きい。なお、第2電極9の元となっている電極膜9Aは、各有機光電変換部8を覆っていると共に当該バンク層13の上面を覆っている。   The bank layer 13 is formed on the protective film 5A with an electrically insulating material, and the film thickness of the bank layer 13 is greater than the sum of the film thickness of the first electrode 7 and the film thickness of the organic photoelectric conversion unit 8. thick. The first electrodes 7 are separated from each other by the bank layer 13, and the organic photoelectric conversion units 8 are also separated from each other by the bank layer 13. And at least the area | region which faces the organic photoelectric conversion part 8 among each side surface by the side of the organic photoelectric conversion element 10 in the bank layer 13 is reverse taper shape, and the angle | corner which the said area | region and the bottom face of the bank layer 13 make is the angle. Greater than 90 °. The electrode film 9 </ b> A that is the source of the second electrode 9 covers each organic photoelectric conversion unit 8 and the upper surface of the bank layer 13.

一方、信号読出し手段25は、コンデンサ機能、スイッチング機能、リセット機能などの機能を有する集積回路を備えており、有機光電変換素子10で生じた電気信号を信号読出し配線15を通じて読み出す。図示の例では、個々の有機光電変換素子10における第1電極7に信号読出し配線15が1本ずつ接続されており、これらの信号読出し配線15の各々に信号読出し手段25が接続されている。図1および図2には1個の信号読出し手段25のみが現れているが、通常、複数個の有機光電変換素子10に1つの信号読出し手段25が対応するようにして、透明支持基板1上に複数個の信号読出し手段25が配置される。   On the other hand, the signal reading unit 25 includes an integrated circuit having functions such as a capacitor function, a switching function, and a reset function, and reads an electric signal generated in the organic photoelectric conversion element 10 through the signal reading wiring 15. In the illustrated example, one signal readout line 15 is connected to each first electrode 7 in each organic photoelectric conversion element 10, and a signal readout unit 25 is connected to each of these signal readout lines 15. Although only one signal reading means 25 appears in FIGS. 1 and 2, usually, one signal reading means 25 corresponds to a plurality of organic photoelectric conversion elements 10, so that the transparent support substrate 1 is covered. A plurality of signal read-out means 25 are arranged.

上述した構成を有する光電変換デバイス30Aは、個々の有機光電変換素子10での第1電極7側を光入射面として利用するものであり、透明支持基板1側から光L(図2参照)が照射されると各有機光電変換部8で光吸収が起こり、励起子が形成される。この励起子は極短時間でキャリア(正孔と電子)に分離し、電子は負極(例えば第2電極9)へと移動し、正孔は正極(例えば第1電極7)へと移動する。これにより第1電極7と第2電極9との間に起電力が生じ、結果として有機光電変換素子10に起電力が生じる。   The photoelectric conversion device 30A having the above-described configuration uses the first electrode 7 side of each organic photoelectric conversion element 10 as a light incident surface, and light L (see FIG. 2) is transmitted from the transparent support substrate 1 side. When irradiated, light absorption occurs in each organic photoelectric conversion unit 8, and excitons are formed. The excitons are separated into carriers (holes and electrons) in a very short time, the electrons move to the negative electrode (for example, the second electrode 9), and the holes move to the positive electrode (for example, the first electrode 7). As a result, an electromotive force is generated between the first electrode 7 and the second electrode 9, and as a result, an electromotive force is generated in the organic photoelectric conversion element 10.

このとき、個々の有機光電変換部8がバンク層13によって互いに離隔されていることから、有機光電変換素子10として設計した領域以外でのキャリアの生成が抑えられ、結果として、有機光電変換素子10同士間でのクロストークが抑えられる。   At this time, since the individual organic photoelectric conversion units 8 are separated from each other by the bank layer 13, generation of carriers outside the region designed as the organic photoelectric conversion element 10 is suppressed, and as a result, the organic photoelectric conversion element 10. Crosstalk between each other can be suppressed.

個々の有機光電変換素子10での起電力の大きさ(強さ)は、有機光電変換部8に入射した光のエネルギーに応じて変化する。したがって、各有機光電変換素子10に生じた起電力(電気信号)を当該有機光電変換素子10毎に信号読出し手段25により検出する(読み出す)ことで、所望の画像データを得ることが可能になる。光電変換デバイス30Aをスキャナやファクシミリなどの画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として用いることにより、情報の有無による反射光強度の差異あるいは透過光強度の差異をそれに対応した起電力の差異として検出して、画像データを得ることができる。   The magnitude (strength) of the electromotive force in each organic photoelectric conversion element 10 changes according to the energy of light incident on the organic photoelectric conversion unit 8. Accordingly, desired image data can be obtained by detecting (reading) the electromotive force (electric signal) generated in each organic photoelectric conversion element 10 by the signal reading unit 25 for each organic photoelectric conversion element 10. . By using the photoelectric conversion device 30A as a constituent member of a photoelectric conversion unit in an image reading apparatus such as a scanner or a facsimile, a difference in reflected light intensity or transmitted light intensity due to the presence or absence of information is regarded as a difference in electromotive force corresponding thereto. By detecting, image data can be obtained.

このように構成された光電変換デバイス30Aでは、前述のように各第2電極9がコモン構造をなすので、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と有機光電変換部8の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成される。   In the photoelectric conversion device 30 </ b> A configured as described above, since each second electrode 9 has a common structure as described above, the first electrode 7, the organic photoelectric conversion unit 8, and the first electrode among the second electrodes 9. 7 and the organic photoelectric conversion part 8 are formed individually for each organic photoelectric conversion element 10.

また、バンク層13の膜厚が第1電極7の膜厚と有機光電変換部8の膜厚との和よりも厚く、かつ当該バンク層13における有機光電変換素子10側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8に面する領域が逆テーパ状になっていることから、バンク層13の形成後に例えばスピンコート法やディッピング法を利用して各有機光電変換部8を一括形成しても、各第1電極7上に他の有機光電変換素子10から離隔された有機光電変換部8を形成することが容易である。   Further, the bank layer 13 is thicker than the sum of the thickness of the first electrode 7 and the thickness of the organic photoelectric conversion unit 8, and among the side surfaces of the bank layer 13 on the organic photoelectric conversion element 10 side. Since at least the region facing the organic photoelectric conversion portion 8 is inversely tapered, even if the organic photoelectric conversion portions 8 are collectively formed by using, for example, a spin coating method or a dipping method after the bank layer 13 is formed. It is easy to form the organic photoelectric conversion part 8 separated from the other organic photoelectric conversion elements 10 on each first electrode 7.

これらのことから、光電変換デバイス30Aでは、有機光電変換素子10の集積密度を高めて高解像度化を図ったときでも、その作製が容易である。さらに、バンク層13によってクロストークを抑えることができるので、この点からも高解像度化を図ることが容易である。   For these reasons, the photoelectric conversion device 30A can be easily manufactured even when the integration density of the organic photoelectric conversion elements 10 is increased to increase the resolution. In addition, since the bank layer 13 can suppress crosstalk, it is easy to achieve high resolution also in this respect.

上述の技術的効果を奏する光電変換デバイスでの光電変換素子アレイは、例えば次のようにして作製することができる。以下の説明は、図2で用いた参照符号を適宜引用して行う。ただし、以下に説明する製造例では、カラーフィルタ3、保護膜5A、および信号読出し配線15(図2参照)の各々を形成していない。   The photoelectric conversion element array in the photoelectric conversion device that exhibits the above-described technical effect can be manufactured, for example, as follows. In the following description, the reference numerals used in FIG. However, in the manufacturing example described below, each of the color filter 3, the protective film 5A, and the signal readout wiring 15 (see FIG. 2) is not formed.

図3は本発明の光電変換素子アレイを製造する際の工程の一例を概略的に示す断面図であり、まず、図3(a)に示すように透明支持基板1を用意する。次いで、図3(b)に示すように、透明支持基板1上に所定個の第1電極7を形成する。これらの第1電極7は、例えば、元となる電極膜を物理的気相蒸着法(PVD法)または化学的気相蒸着法(CVD法)により形成し、その上に所定形状のエッチングマスクを形成してから当該電極膜をドライエッチングまたはウェットエッチングによりパターニングした後、上記のエッチングマスクを剥離することによって得られる。   FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing an example of a process for producing the photoelectric conversion element array of the present invention. First, a transparent support substrate 1 is prepared as shown in FIG. Next, as shown in FIG. 3B, a predetermined number of first electrodes 7 are formed on the transparent support substrate 1. These first electrodes 7 are formed, for example, by forming an original electrode film by a physical vapor deposition method (PVD method) or a chemical vapor deposition method (CVD method), and forming an etching mask of a predetermined shape thereon. After the formation, the electrode film is patterned by dry etching or wet etching, and then the etching mask is removed.

次に、バンク層13の元となる電気絶縁膜をその材質に応じた成膜方法、例えばスピンコート法、ディッピング法、PVD法、またはCVD法により成膜し、その上に所定形状のエッチングマスクを形成してから当該電気絶縁膜をドライエッチングまたはウェットエッチングによりパターニングした後、上記のエッチングマスクを剥離して、バンク層13を得る。   Next, an electrical insulating film serving as a base of the bank layer 13 is formed by a film forming method corresponding to the material, for example, a spin coating method, a dipping method, a PVD method, or a CVD method, and an etching mask having a predetermined shape is formed thereon. Then, the electrical insulating film is patterned by dry etching or wet etching, and then the etching mask is removed to obtain the bank layer 13.

このとき、上記のドライエッチングまたはウェットエッチングは、オーバエッチングとなるように条件設定する。これにより、バンク層13において有機光電変換素子10側となる各側面のうちで少なくとも有機光電変換部8(図2参照)に面することになる領域は、図3(c)に示すように、逆テーパ状となる。   At this time, the above dry etching or wet etching is set so as to be over-etching. Thereby, as shown in FIG.3 (c), the area | region which will face at least the organic photoelectric conversion part 8 (refer FIG. 2) among each side surface which becomes the organic photoelectric conversion element 10 side in the bank layer 13, as shown in FIG. It becomes a reverse taper shape.

この後、有機光電変換材料の溶液を例えばスピンコート法やディッピング法により塗布して、図3(d)に示すように、各第1電極7上に有機光電変換部8を形成する。このとき、バンク層13の上面上にも有機光電変化材料の層8aが形成されるので、必要であれば、有機光電変換部8を形成した後に当該層8aを図3(e)に示すように除去する。   Thereafter, a solution of an organic photoelectric conversion material is applied by, for example, a spin coating method or a dipping method to form an organic photoelectric conversion portion 8 on each first electrode 7 as shown in FIG. At this time, since the layer 8a of the organic photoelectric conversion material is also formed on the upper surface of the bank layer 13, the layer 8a is formed as shown in FIG. To remove.

目的とする光電変換素子アレイは、有機光電変換部8の形成後に当該有機光電変換部8およびバンク層13を覆うようにして所望の電極膜を形成することによって得られる。最後に形成した電極膜のうちで有機光電変換部8上に位置する領域が、有機光電変換素子10での第2電極9(図2参照)として機能する。   The target photoelectric conversion element array is obtained by forming a desired electrode film so as to cover the organic photoelectric conversion unit 8 and the bank layer 13 after the organic photoelectric conversion unit 8 is formed. The area | region located on the organic photoelectric conversion part 8 among the electrode films formed at the end functions as the 2nd electrode 9 (refer FIG. 2) in the organic photoelectric conversion element 10. FIG.

(実施の形態2)
本発明の光電変換素子アレイは、カラーフィルタを必須の構成要素とするものではなく、カラーフィルタを設けるか否かは適宜選択可能である。
(Embodiment 2)
The photoelectric conversion element array of the present invention does not include a color filter as an essential component, and whether or not to provide a color filter can be appropriately selected.

図4は、カラーフィルタを有していない光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図5は、図4に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図である。これらの図に示す光電変換素子アレイ20Bは、図2に示したカラーフィルタ3および保護膜5Aをそれぞれ有していない点を除き、図2に示した光電変換デバイス30Aでの光電変換素子アレイ20Aと同じ構造を有している。図4または図5に示した構成要素のうちで図1または図2に示した構成要素と共通するものについては、図1または図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   FIG. 4 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of a photoelectric conversion element array having no color filter, and FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the photoelectric conversion element array shown in FIG. FIG. The photoelectric conversion element array 20B shown in these drawings is the photoelectric conversion element array 20A in the photoelectric conversion device 30A shown in FIG. 2 except that it does not have the color filter 3 and the protective film 5A shown in FIG. Has the same structure. Among the constituent elements shown in FIG. 4 or FIG. 5, those common to the constituent elements shown in FIG. 1 or FIG. 2 are given the same reference numerals as those used in FIG. 1 or FIG. Is omitted.

上述の構造を有する光電変換素子アレイ20Bは、モノカラーの画像データを得るための画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として、あるいは赤色光源、緑色光源、および青色光源の3つの人工光源を備えた画像読取り装置における光電変換ユニットの一構成部材として用いることができる。   The photoelectric conversion element array 20B having the above-described structure includes three artificial light sources, that is, a red light source, a green light source, and a blue light source as a constituent member of a photoelectric conversion unit in an image reading apparatus for obtaining monocolor image data. It can be used as a constituent member of a photoelectric conversion unit in the provided image reading apparatus.

この光電変換素子アレイ20Bは、実施の形態1で説明した光電変換素子アレイ20A(図2参照)における理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。また、バンク層13によってクロストークを抑えることができるので、この点からも高解像度化を図ることが容易である。   The photoelectric conversion element array 20B can be easily manufactured even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20A (see FIG. 2) described in the first embodiment. In addition, since the bank layer 13 can suppress crosstalk, it is easy to achieve high resolution also in this respect.

(実施の形態3)
本発明の光電変換素子アレイは、バンク層を必須の構成要素とするものではなく、バンク層を設けるか否かは適宜選択可能である。
(Embodiment 3)
In the photoelectric conversion element array of the present invention, the bank layer is not an essential component, and whether or not the bank layer is provided can be appropriately selected.

図6は、バンク層を有していない光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図7は、図6に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図である。これらの図に示す光電変換素子アレイ20Cは、図4および図5に示したバンク層13を有していない点を除き、図4および図5に示した光電変換素子アレイ20Bと同様の構造有している。図6または図7に示した構成要素のうちで図4または図5に示した構成要素と共通するものについては、図4または図5で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   6 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of a photoelectric conversion element array having no bank layer, and FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing the photoelectric conversion element array shown in FIG. FIG. The photoelectric conversion element array 20C shown in these drawings has the same structure as the photoelectric conversion element array 20B shown in FIGS. 4 and 5 except that the bank layer 13 shown in FIGS. 4 and 5 is not provided. is doing. Among the constituent elements shown in FIG. 6 or FIG. 7, those common to the constituent elements shown in FIG. 4 or FIG. 5 are given the same reference numerals as those used in FIG. 4 or FIG. Is omitted.

なお、光電変換素子アレイ20Cにおける有機光電変換部8の各々は例えばインクジェット法により形成することができ、電極膜9Aは、例えば、他の基板上に一旦形成したものを有機光電変換部8の各々を覆うようにして当該有機光電変換部8上に転写することによって形成することができる。   In addition, each of the organic photoelectric conversion units 8 in the photoelectric conversion element array 20C can be formed by, for example, an inkjet method, and the electrode film 9A is formed once on another substrate, for example, and each of the organic photoelectric conversion units 8 is formed. It can be formed by transferring onto the organic photoelectric conversion part 8 so as to cover.

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Cでは、個々の有機光電変換素子10を構成する第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と有機光電変換部8の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   In the photoelectric conversion element array 20 </ b> C having such a structure, the first electrode 7 and the organic photoelectric conversion among the first electrode 7, the organic photoelectric conversion unit 8, and the second electrode 9 that constitute each organic photoelectric conversion element 10. Since only two of the parts 8 are individually formed for each organic photoelectric conversion element 10, the first electrode, the organic photoelectric conversion part, and the second electrode are individually formed for each organic photoelectric conversion element. In comparison, it is easy to produce even when high resolution is achieved.

(実施の形態4)
図8は、バンク層を有していない光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Dは、図1および図2に示したバンク層13を有していない点を除き、図1および図2に示した光電変換素子アレイ20Aと同様の構造有している。図8に示した構成要素のうちで図2に示した構成要素と共通するものについては、図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、光電変換素子アレイ20Dにおける有機光電変換部8の各々および電極膜9Aは、例えば実施の形態3で説明した方法により形成することができる。
(Embodiment 4)
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing another example of a photoelectric conversion element array that does not have a bank layer. The photoelectric conversion element array 20D shown in the figure has the same structure as the photoelectric conversion element array 20A shown in FIGS. 1 and 2 except that the bank layer 13 shown in FIGS. 1 and 2 is not provided. ing. Among the constituent elements shown in FIG. 8, the same constituent elements as those shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals as those used in FIG. Each of the organic photoelectric conversion units 8 and the electrode film 9A in the photoelectric conversion element array 20D can be formed by the method described in the third embodiment, for example.

上述の構造を有する光電変換素子アレイ20Dでは、実施の形態3で説明した光電変換素子アレイ20Cにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   The photoelectric conversion element array 20D having the above-described structure can be easily manufactured even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20C described in the third embodiment.

(実施の形態5)
本発明の光電変換素子アレイでは、各有機光電変換部をコモン構造とする、すなわち各有機光電変換素子が1つの有機光電変換膜を共用した構造とすることができる。この場合、個々の有機光電変換素子における第1電極および第2電極のうちのいずれか一方、または両方が有機光電変換素子毎に個別に形成される。
(Embodiment 5)
In the photoelectric conversion element array of the present invention, each organic photoelectric conversion part can have a common structure, that is, each organic photoelectric conversion element can share one organic photoelectric conversion film. In this case, either one or both of the first electrode and the second electrode in each organic photoelectric conversion element are individually formed for each organic photoelectric conversion element.

図9は、各有機光電変換部がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図10は、図9に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。   9 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of a photoelectric conversion element array in which each organic photoelectric conversion unit has a common structure, and FIG. 10 is a part of the photoelectric conversion element array shown in FIG. FIG.

これらの図に示す光電変換素子アレイ20Eは、図4および図5に示したバンク層13を有していない点、および各有機光電変換部8がコモン構造をなしている点をそれぞれ除き、図4および図5に示した光電変換素子アレイ20Bと同様の構造を有している。図9または図10に示した構成要素のうちで図4または図5に示した構成要素と共通するものについては、図4または図5で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   The photoelectric conversion element array 20E shown in these figures is different from that shown in FIG. 4 except that the bank layer 13 shown in FIGS. 4 and 5 is not provided and that each organic photoelectric conversion unit 8 has a common structure. 4 and the photoelectric conversion element array 20B shown in FIG. Of the constituent elements shown in FIG. 9 or FIG. 10, those common to the constituent elements shown in FIG. 4 or FIG. 5 are given the same reference numerals as those used in FIG. 4 or FIG. Is omitted.

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Eでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7のみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   In the photoelectric conversion element array 20 </ b> E having such a structure, only the first electrode 7 among the first electrode 7, the organic photoelectric conversion unit 8, and the second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10. Therefore, compared with the case where each of the first electrode, the organic photoelectric conversion portion, and the second electrode is individually formed for each organic photoelectric conversion element, the production thereof is easy even when the resolution is increased.

(実施の形態6)
図11は、各有機光電変換部がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Fは、図1および図2に示したバンク層13を有していない点、および各有機光電変換部8がコモン構造をなす点をそれぞれ除き、図1および図2に示した光電変換素子アレイ20Aと同様の構造を有している。図11に示した構成要素のうちで図2または図10に示した構成要素と共通するものについては、図2または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
(Embodiment 6)
FIG. 11 is a cross-sectional view schematically illustrating another example of a photoelectric conversion element array in which each organic photoelectric conversion unit has a common structure. The photoelectric conversion element array 20F shown in the figure is the same as that shown in FIGS. 1 and 2 except that the bank layer 13 shown in FIGS. 1 and 2 is not provided and that each organic photoelectric conversion unit 8 has a common structure. 2 has the same structure as the photoelectric conversion element array 20A shown in FIG. Among the constituent elements shown in FIG. 11, those common to the constituent elements shown in FIG. 2 or FIG. 10 are given the same reference numerals as those used in FIG. 2 or FIG. .

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Fでは、実施の形態5で説明した光電変換素子アレイ20Eにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   The photoelectric conversion element array 20F having such a structure can be easily manufactured even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20E described in the fifth embodiment.

(実施の形態7)
本発明の光電変換素子アレイでは、各第1電極をコモン構造とする、すなわち各有機光電変換素子が1つの電極膜を共用した構造とすることができる。この場合、個々の有機光電変換素子における第2電極は有機光電変換素子毎に個別に形成される。また、個々の有機光電変換素子における有機光電変換部は有機光電変換素子毎に個別に形成してもよいし、コモン構造としてもよい。
(Embodiment 7)
In the photoelectric conversion element array of the present invention, each first electrode can have a common structure, that is, each organic photoelectric conversion element can share one electrode film. In this case, the 2nd electrode in each organic photoelectric conversion element is formed individually for every organic photoelectric conversion element. Moreover, the organic photoelectric conversion part in each organic photoelectric conversion element may be formed individually for each organic photoelectric conversion element, or may have a common structure.

図12は、各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図13は、図12に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。   FIG. 12 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of a photoelectric conversion element array in which each first electrode has a common structure. FIG. 13 shows a part of the photoelectric conversion element array shown in FIG. It is sectional drawing shown roughly.

これらの図に示す光電変換素子アレイ20Gは、各第1電極7がコモン構造をなしている点、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ信号読出し配線15が接続されている点をそれぞれ除き、図9および図10に示した光電変換素子アレイ20Eと同様の構造を有している。各有機光電変換素子10は1つの電極膜7Aを共用しており、該電極膜7Aにおける互いに別個の一領域が個々の有機光電変換素子10の第1電極7として機能する。図12または図13に示した構成要素のうちで図9または図10に示した構成要素と共通するものについては、図9または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。なお、図12中の参照符号17は、電極膜7Aに接続されて該電極膜7Aに一定電圧を印加する信号線を示している。   The photoelectric conversion element array 20G shown in these drawings has a point that each first electrode 7 has a common structure, each second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10, and one Except for the point that the signal readout wiring 15 is connected to the second electrode 9 one by one, it has the same structure as the photoelectric conversion element array 20E shown in FIGS. Each organic photoelectric conversion element 10 shares one electrode film 7 </ b> A, and one separate region in the electrode film 7 </ b> A functions as the first electrode 7 of each organic photoelectric conversion element 10. Of the constituent elements shown in FIG. 12 or FIG. 13, those common to the constituent elements shown in FIG. 9 or FIG. 10 are given the same reference numerals as those used in FIG. 9 or FIG. Is omitted. Note that reference numeral 17 in FIG. 12 indicates a signal line that is connected to the electrode film 7A and applies a constant voltage to the electrode film 7A.

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Gでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第2電極9のみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   In the photoelectric conversion element array 20G having such a structure, only the second electrode 9 among the first electrode 7, the organic photoelectric conversion unit 8, and the second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10. Therefore, compared with the case where each of the first electrode, the organic photoelectric conversion portion, and the second electrode is individually formed for each organic photoelectric conversion element, the production thereof is easy even when the resolution is increased.

(実施の形態8)
図14は、各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Hは、各第1電極7がコモン構造をなす点、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ信号読出し配線15が接続されている点をそれぞれ除き、図11に示した光電変換素子アレイ20Fと同様の構造を有している。図14に示した構成要素のうちで図11または図13に示した構成要素と共通するものについては、図11または図13で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
(Embodiment 8)
FIG. 14 is a cross-sectional view schematically showing another example of a photoelectric conversion element array in which each first electrode has a common structure. The photoelectric conversion element array 20H shown in the figure has a point that each first electrode 7 has a common structure, a point that each second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10, and one second electrode. 9 has a structure similar to that of the photoelectric conversion element array 20F shown in FIG. 11 except that one signal readout wiring 15 is connected to each other. Of the constituent elements shown in FIG. 14, those common to the constituent elements shown in FIG. 11 or FIG. 13 are given the same reference numerals as those used in FIG. 11 or FIG. .

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Hでは、実施の形態7で説明した光電変換素子アレイ20Gにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   The photoelectric conversion element array 20H having such a structure is easy to manufacture even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20G described in the seventh embodiment.

(実施の形態9)
本発明の光電変換素子アレイでは、第1電極および第2電極の各々を個別電極とすることができる。この場合、各有機光電変換部はコモン構造とする。
(Embodiment 9)
In the photoelectric conversion element array of the present invention, each of the first electrode and the second electrode can be an individual electrode. In this case, each organic photoelectric conversion unit has a common structure.

図15は、第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図であり、図16は、図15に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図である。   FIG. 15 is a partially cutaway plan view schematically showing an example of a photoelectric conversion element array in which each of the first electrode and the second electrode is an individual electrode, and FIG. 16 shows the photoelectric conversion element shown in FIG. It is sectional drawing which shows a part of array roughly.

これらの図に示す光電変換素子アレイ20Iは、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ該第2電極9に一定電圧を印加する信号線17が接続されている点をそれぞれ除き、図9および図10に示した光電変換素子アレイ20Eと同様の構造を有している。図15または図16に示した構成要素のうちで図9または図10に示した構成要素と共通するものについては、図9または図10で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   In the photoelectric conversion element array 20I shown in these drawings, each second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10, and one second electrode 9 is provided on each second electrode 9. The photoelectric conversion element array 20E shown in FIGS. 9 and 10 has the same structure as that of the photoelectric conversion element array 20E except that the signal line 17 for applying a constant voltage is connected. Of the constituent elements shown in FIG. 15 or FIG. 16, the same constituent elements as those shown in FIG. 9 or FIG. 10 are given the same reference numerals as those used in FIG. 9 or FIG. Is omitted.

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Iでは、第1電極7、有機光電変換部8、および第2電極9のうちの第1電極7と第2電極9の2つのみが有機光電変換素子10毎に個別に形成されているので、第1電極、有機光電変換部、および第2電極の各々を有機光電変換素子毎に個別に形成する場合に比べて、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   In the photoelectric conversion element array 20I having such a structure, only two of the first electrode 7, the organic photoelectric conversion unit 8, and the second electrode 9 of the first electrode 7 and the second electrode 9 are organic photoelectric conversion elements. Even when each of the first electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode is individually formed for each organic photoelectric conversion element, the resolution is increased. Its production is easy.

(実施の形態10)
図17は、第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの更に他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換素子アレイ20Jは、各第2電極9が有機光電変換素子10毎に個別に形成されている点、および1つの第2電極9に1本ずつ該第2電極9に一定電圧を印加する信号線(図17には現れていない。)が接続されている点をそれぞれ除き、図11に示した光電変換素子アレイ20Fと同様の構造を有している。図17に示した構成要素のうちで図11に示した構成要素と共通するものについては、図11で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
(Embodiment 10)
FIG. 17 is a cross-sectional view schematically showing still another example of a photoelectric conversion element array in which each of the first electrode and the second electrode is an individual electrode. In the photoelectric conversion element array 20J shown in the figure, each second electrode 9 is individually formed for each organic photoelectric conversion element 10, and one second electrode 9 is fixed to each second electrode 9. The photoelectric conversion element array 20F shown in FIG. 11 has the same structure except that signal lines for applying voltage (not shown in FIG. 17) are connected. Among the constituent elements shown in FIG. 17, those common to the constituent elements shown in FIG. 11 are given the same reference numerals as those used in FIG. 11, and description thereof is omitted.

このような構造を有する光電変換素子アレイ20Jでは、実施の形態9で説明した光電変換素子アレイ20Iにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   The photoelectric conversion element array 20J having such a structure can be easily manufactured even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20I described in the ninth embodiment.

(実施の形態11)
本発明の光電変換素子アレイには、複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を設けることができる。
(Embodiment 11)
The photoelectric conversion element array of the present invention can be provided with a sealing portion for sealing each of the plurality of organic photoelectric conversion elements.

図18は、封止部を有する光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスの一例を概略的に示す断面斜視図であり、図19は、図18に示した光電変換デバイスを概略的に示す他の断面斜視図である。これらの図に示す光電変換デバイス30Bは、図2に示した保護膜5Aに代えて保護膜5Bを有すると共に各有機光電変換素子10を封止する封止部170を有する光電変換素子アレイ20Kを備えており、これら保護膜5Bおよび封止部170をそれぞれ除いた残りの構成は、図1または図2に示した光電変換デバイス30Aにおける構成と同様である。図18または図19に示した構成要素のうちで図1または図2に示した構成要素と共通するものについては、図1または図2で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   18 is a cross-sectional perspective view schematically illustrating an example of a photoelectric conversion device including a photoelectric conversion element array having a sealing portion, and FIG. 19 is a schematic diagram illustrating another example of the photoelectric conversion device illustrated in FIG. FIG. The photoelectric conversion device 30B shown in these drawings includes a photoelectric conversion element array 20K having a protective film 5B instead of the protective film 5A shown in FIG. 2 and a sealing portion 170 for sealing each organic photoelectric conversion element 10. The remaining configuration excluding the protective film 5B and the sealing portion 170 is the same as the configuration in the photoelectric conversion device 30A shown in FIG. 1 or FIG. Among the constituent elements shown in FIG. 18 or FIG. 19, those common to the constituent elements shown in FIG. 1 or FIG. 2 are given the same reference numerals as those used in FIG. 1 or FIG. Is omitted.

上記の保護膜5Bは、信号読出し手段25側の側面が順テーパ状に成形されたものであり、当該側面を順テーパ状とすることで各信号読出し配線15の断線を抑えている。   The protective film 5B has a side surface on the signal reading means 25 side formed in a forward taper shape, and the side surface of the protective film 5B is formed in a forward taper shape to suppress disconnection of each signal readout wiring 15.

また封止部170は、例えば、各有機光電変換素子10を覆うようにして極浅い箱状のガラス容器を被せて光硬化型接着剤など(図示せず。)で透明支持基板1に固着させたものであり、個々の有機光電変換素子10への酸素や水分の侵入を防止して素子寿命の低下を抑制している。   Moreover, the sealing part 170 is made to adhere to the transparent support substrate 1 with a photocurable adhesive etc. (not shown), for example, covering an organic photoelectric conversion element 10 and covering an extremely shallow box-shaped glass container. Therefore, the intrusion of oxygen and moisture into each organic photoelectric conversion element 10 is prevented, and the decrease in element life is suppressed.

このように構成された光電変換デバイス30Bでは、実施の形態1で説明した理由と同様の理由から、光電変換素子アレイ20Kの高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。また、上述のように保護層5Bによって各信号読出し配線15の断線が抑えられるので、信頼性の高いものを得易い。さらに、封止部170を有しているので、個々の有機光電変換素子10の素子寿命が長いものを得易い。   The photoelectric conversion device 30B configured as described above can be easily manufactured even when the resolution of the photoelectric conversion element array 20K is increased for the same reason as described in the first embodiment. Further, as described above, since the disconnection of each signal readout wiring 15 is suppressed by the protective layer 5B, it is easy to obtain a highly reliable one. Furthermore, since it has the sealing part 170, it is easy to obtain what has the long element lifetime of each organic photoelectric conversion element 10. FIG.

(実施の形態12)
本発明の光電変換素子アレイにカラーフィルタを設ける場合には、当該光電変換素子アレイを備えた画像読取り装置での色の分解性や、この画像読取り装置によって得た画像データを基に画像を再生する際の色再現性などの向上を図るうえから、互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に遮光層を設けることが実用好ましい。
(Embodiment 12)
When a color filter is provided in the photoelectric conversion element array of the present invention, an image is reproduced based on the color resolvability in an image reading apparatus equipped with the photoelectric conversion element array and the image data obtained by the image reading apparatus. From the standpoint of improving color reproducibility and the like, it is practically preferable to provide a light shielding layer between the adjacent color filters in plan view.

図20は、遮光層を有する光電変換素子アレイを備えた光電変換デバイスの一例を概略的に示す断面図である。同図に示す光電変換デバイス30Cは、遮光層2と封止部170とを有する光電変換素子アレイ20Lを備えており、該光電変換素子アレイ20Lにおける遮光層2および封止部170の各々を除いた残りの構成は図2に示した光電変換素子アレイ20Aにおける構成と同じである。また、光電変換デバイス30Cにおける光電変換素子アレイ20L以外の構成は、図2に示した光電変換デバイス30Aにおける構成と同じである。図20に示した構成要素のうちで図2または図18に示した構成要素と共通するものについては、図2または図18で用いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。   FIG. 20 is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a photoelectric conversion device including a photoelectric conversion element array having a light shielding layer. The photoelectric conversion device 30C shown in the figure includes a photoelectric conversion element array 20L having a light shielding layer 2 and a sealing portion 170, except for each of the light shielding layer 2 and the sealing portion 170 in the photoelectric conversion element array 20L. The remaining configuration is the same as that in the photoelectric conversion element array 20A shown in FIG. Further, the configuration other than the photoelectric conversion element array 20L in the photoelectric conversion device 30C is the same as the configuration in the photoelectric conversion device 30A illustrated in FIG. 20 that are the same as those shown in FIG. 2 or FIG. 18 are assigned the same reference numerals as those used in FIG. 2 or FIG. 18, and descriptions thereof are omitted. .

上記の遮光層2は、カラーフィルタ3を構成する各色フィルタ(赤色フィルタ3R、緑色フィルタ3G、青色フィルタ3B)のうちで互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に位置するようにして、透明支持基板1上に設けられている。   The light shielding layer 2 is positioned between the color filters adjacent to each other among the color filters constituting the color filter 3 (red filter 3R, green filter 3G, blue filter 3B) in plan view, It is provided on the transparent support substrate 1.

このような遮光層2を設けることにより、個々の色フィルタを透過した光が当該色フィルタの隣の色フィルタ上に配置されている有機光電変換素子10に入射することが抑えられる。その結果として、光電変換デバイス30Cを備えた画像読取り装置での色の分解性や、この画像読取り装置によって得た画像データを基に画像を再生する際の色再現性などが向上する。また、光電変換素子アレイ20Lは、実施の形態1で説明した光電変換素子アレイ20Aにおける理由と同様の理由から、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   By providing such a light shielding layer 2, it is possible to suppress the light that has passed through the individual color filters from entering the organic photoelectric conversion element 10 disposed on the color filter adjacent to the color filter. As a result, the color resolvability in the image reading apparatus provided with the photoelectric conversion device 30C, the color reproducibility when reproducing the image based on the image data obtained by the image reading apparatus, and the like are improved. Further, the photoelectric conversion element array 20L can be easily manufactured even when the resolution is increased for the same reason as that of the photoelectric conversion element array 20A described in the first embodiment.

(実施の形態13)
本発明の光電変換ユニットは、例えばファクシミリやイメージスキャナなどの画像読取り装置の一構成要素であり、撮像光学系と上述した本発明の光電変換デバイスとを備えている。当該光電変換ユニットは、反射型および透過型のいずれの型の画像読取り装置にも用いることができる。
(Embodiment 13)
The photoelectric conversion unit of the present invention is a component of an image reading apparatus such as a facsimile or an image scanner, and includes an imaging optical system and the above-described photoelectric conversion device of the present invention. The photoelectric conversion unit can be used in either a reflection type or transmission type image reading apparatus.

図21は、本発明の光電変換ユニットの一例を概略的に示す斜視図である。同図に示す光電変換ユニット80は反射型の画像読取り装置に用いられるものであり、当該光電変換ユニット80は、撮像光学系70と実施の形態1で説明した光電変換デバイス30Aとを備えており、撮像光学系70によって形成される原稿などの被撮像物85の像を光電変換デバイス30Aにより電気信号に変換する。   FIG. 21 is a perspective view schematically showing an example of the photoelectric conversion unit of the present invention. The photoelectric conversion unit 80 shown in the figure is used in a reflection type image reading apparatus, and the photoelectric conversion unit 80 includes the imaging optical system 70 and the photoelectric conversion device 30A described in the first embodiment. Then, an image of the object to be imaged 85 such as a document formed by the imaging optical system 70 is converted into an electric signal by the photoelectric conversion device 30A.

上記の撮像光学系70は、人工光源60と、該人工光源60から出射して被撮像物85で反射した光を結像させる光学系65とを有している。人工光源60は、例えば赤色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、および青色発光ダイオードが所定個ずつ配置された線状光源や、白色蛍光灯等であり、斜め上方に向けて光を出射する。また、光学系65は、例えば多数のロットレンズ65aを有するロッドレンズアレイであり、人工光源60から出射して被撮像物85で反射した光を鉛直方向下向きに導波させて、当該光学系65の鉛直方向下方に画像を形成する。なお、人工光源60、光学系65、および光電変換デバイス30Aは、図示を省略した1つの保持部材にそれぞれ保持されて図21に示す位置関係に保たれている。   The imaging optical system 70 includes an artificial light source 60 and an optical system 65 that forms an image of light emitted from the artificial light source 60 and reflected by the object to be imaged 85. The artificial light source 60 is, for example, a linear light source in which a predetermined number of red light emitting diodes, green light emitting diodes, and blue light emitting diodes are arranged, a white fluorescent lamp, or the like, and emits light obliquely upward. The optical system 65 is, for example, a rod lens array having a large number of lot lenses 65a. The optical system 65 guides light emitted from the artificial light source 60 and reflected by the imaging target 85 downward in the vertical direction. An image is formed below the vertical direction. Note that the artificial light source 60, the optical system 65, and the photoelectric conversion device 30A are respectively held by one holding member (not shown) and maintained in the positional relationship shown in FIG.

撮像光学系70による被撮像物85の画像は、光電変換デバイス30Aにおける光電変換素子アレイ上に形成され、当該光電変換デバイス30Aによって前述のように電気信号に変換される。このように構成された光電変換ユニット80では、当該光電変換ユニット80が光電変換デバイス30Aを備えていることから、実施の形態1で説明した理由と同様の理由により、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   An image of the object to be imaged 85 by the imaging optical system 70 is formed on the photoelectric conversion element array in the photoelectric conversion device 30A, and is converted into an electric signal by the photoelectric conversion device 30A as described above. In the photoelectric conversion unit 80 configured as described above, since the photoelectric conversion unit 80 includes the photoelectric conversion device 30A, when the resolution is increased for the same reason as described in the first embodiment. However, its production is easy.

(実施の形態14)
本発明の画像読取り装置は、例えばファクシミリやスキャナのように原稿の画像を電気信号に変換して画像データを得るものであり、当該画像読取り装置は、上述した本発明の光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて撮像光学系による原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えている。この画像読取り装置は、反射型および透過型のいずれであってもよい。
(Embodiment 14)
The image reading device of the present invention obtains image data by converting an image of a document into an electrical signal, such as a facsimile or a scanner. The image reading device includes the above-described photoelectric conversion unit of the present invention and the above-described photoelectric conversion unit. Image position creation means for moving the photoelectric conversion unit and the document relatively to displace the image capture position of the document by the imaging optical system, and image data creation for creating image data based on the electrical signal created by the photoelectric conversion unit Department. This image reading apparatus may be either a reflection type or a transmission type.

図22は、本発明の画像読取り装置の一例を概略的に示す斜視図であり、図23は、図22に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図である。これらの図に示す画像読取り装置130は、自動原稿送り部110と、自動原稿送り部110内に配置された2つの光電変換ユニット80a,80bと、フラットベッド部115と、フラットベッド部115内に配置された1つの光電変換ユニット80cと、自動原稿送り部110内に配置された画像データ作成部120とを備えている。各光電変換ユニット80a,80b,80cは、いずれも本発明の光電変換ユニットに含まれるものであり、実施の形態13で説明した光電変換ユニット80と同じ構造を有している。   22 is a perspective view schematically showing an example of the image reading apparatus of the present invention, and FIG. 23 is a schematic view showing the internal structure of the image reading apparatus shown in FIG. The image reading apparatus 130 shown in these drawings includes an automatic document feeder 110, two photoelectric conversion units 80a and 80b arranged in the automatic document feeder 110, a flat bed unit 115, and a flat bed unit 115. One photoelectric conversion unit 80 c arranged and an image data creation unit 120 arranged in the automatic document feeder 110 are provided. Each of the photoelectric conversion units 80a, 80b, and 80c is included in the photoelectric conversion unit of the present invention, and has the same structure as the photoelectric conversion unit 80 described in the thirteenth embodiment.

上記の自動原稿送り部110は、原稿を載せる給紙台101と、給紙台101上に載せられた原稿を自動原稿送り部110の内部に1枚ずつ供給した後に排紙口103からフラットベッド部115上に排紙する原稿送り手段109とを有している。図23には、原稿送り手段109を構成する1つのガイドローラ105と、3対のガイドローラ106,107,108が示されている。   The automatic document feeder 110 includes a paper feed tray 101 on which a document is placed, and a document placed on the paper feed tray 101 is supplied to the inside of the automatic document feeder 110 one by one, and then a flat bed is discharged from the paper discharge outlet 103. A document feeding means 109 for discharging paper on the section 115 is provided. FIG. 23 shows one guide roller 105 and three pairs of guide rollers 106, 107, 108 constituting the document feeding means 109.

この自動原稿送り部110では、原稿送り手段109によって給紙台101から当該自動原稿送り部110内に供給された原稿が、まず、ガイドローラ105によって1対のガイドローラ106間に導かれ、その後、1対のガイドローラ107間および1対のガイドローラ108間にこの順番で導かれて、排紙口103からフラットベッド部115上に排紙される。上述した2つの光電変換ユニット80a,80bは、いずれも、1対のガイドローラ107と1対のガイドローラ108との間に固定配置されている。光電変換ユニット80aは原稿の下方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。また、光電変換ユニット80bは原稿の上方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。   In the automatic document feeder 110, the document supplied from the sheet feeding table 101 to the automatic document feeder 110 by the document feeder 109 is first guided between the pair of guide rollers 106 by the guide roller 105, and then The paper is guided between the pair of guide rollers 107 and the pair of guide rollers 108 in this order, and is discharged from the paper discharge outlet 103 onto the flat bed portion 115. The two photoelectric conversion units 80 a and 80 b described above are both fixedly disposed between the pair of guide rollers 107 and the pair of guide rollers 108. The photoelectric conversion unit 80a captures an image of the original from below the original and converts the image at this time into an electric signal. The photoelectric conversion unit 80b captures the original from above the original and converts the image at this time into an electric signal.

原稿が原稿送り手段109によって上述のように搬送されることから、各光電変換ユニット80a,80bと原稿とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット80a,80bの各々での撮像光学系による原稿の撮像位置が変位する。   Since the original is transported by the original feeding means 109 as described above, the respective photoelectric conversion units 80a and 80b and the original are relatively moved, and the image pickup optical system in each of the photoelectric conversion units 80a and 80b is used. The imaging position of the document is displaced.

一方、フラットベッド部115は、ガラスなどの透明材料で形成された原稿台112と、原稿台112を覆って遮光する原稿台カバー114とを有している。光電変換ユニット80cは原稿台112の下方に配置されており、図示を省略した移動手段により水平方向に移動しながら原稿の下方から当該原稿を撮像して、このときの画像を電気信号に変換する。光電変換ユニット80cが移動手段によって上述のように移動することから、当該光電変換ユニット80cと原稿とが相対的に移動することとなり、光電変換ユニット80cでの撮像光学系による原稿の撮像位置が変位する。   On the other hand, the flat bed portion 115 includes a document table 112 made of a transparent material such as glass, and a document table cover 114 that covers the document table 112 and shields it from light. The photoelectric conversion unit 80c is disposed below the document table 112. The photoelectric conversion unit 80c captures the document from below the document while moving in the horizontal direction by a moving unit (not shown), and converts the image at this time into an electrical signal. . Since the photoelectric conversion unit 80c is moved by the moving means as described above, the photoelectric conversion unit 80c and the document are relatively moved, and the imaging position of the document by the imaging optical system in the photoelectric conversion unit 80c is displaced. To do.

画像データ作成部120は、各光電変換ユニット80a,80b,80cに接続された状態で自動原稿送り部110内に配置されて、個々の光電変換ユニット80a,80b,80cが作成した電気信号を基に当該電気信号に対応した画像データを作成する。   The image data creation unit 120 is arranged in the automatic document feeder 110 in a state where it is connected to each photoelectric conversion unit 80a, 80b, 80c, and based on the electrical signal created by each photoelectric conversion unit 80a, 80b, 80c. The image data corresponding to the electrical signal is created.

このように構成された画像読取り装置130では、光電変換ユニット80a,80b,80cの各々が本発明の光電変換ユニットであることから、実施の形態1で説明した理由と同様の理由により、高解像度化を図ったときでもその作製が容易である。   In the image reading apparatus 130 configured as described above, each of the photoelectric conversion units 80a, 80b, and 80c is the photoelectric conversion unit of the present invention. Therefore, for the same reason as described in the first embodiment, high resolution It is easy to make even when it is made.

以上、実施の形態を挙げて本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置についてそれぞれ説明したが、前述のように、本発明はこれらの形態に限定されるものではない。例えば、光電変換素子アレイを構成する各部材の材料は、作製しようとする光電変換素子アレイに求められる性能や当該光電変換素子アレイの用途などに応じて適宜選定可能である。   The photoelectric conversion element array, the photoelectric conversion device, the photoelectric conversion unit, and the image reading device of the present invention have been described with reference to the embodiments. However, as described above, the present invention is limited to these forms. is not. For example, the material of each member constituting the photoelectric conversion element array can be appropriately selected according to the performance required for the photoelectric conversion element array to be produced, the use of the photoelectric conversion element array, and the like.

例えば、有機光電変換素子が配置される支持基板としては、所望の機械的強度および熱的強度を有する無機材料製または有機材料製のものが適宜選定され、個々の有機光電変換素子での第1電極側を光入射面として利用する場合には透明基板が用いられる。支持基板は電気絶縁性を有していることが好ましいが、有機光電変換素子の動作を妨げない範囲で、あるいは光電変換素子アレイの用途によっては、導電性を有していてもよい。   For example, as the support substrate on which the organic photoelectric conversion elements are arranged, those made of an inorganic material or an organic material having desired mechanical strength and thermal strength are appropriately selected. A transparent substrate is used when the electrode side is used as the light incident surface. The support substrate preferably has electrical insulating properties, but may have electrical conductivity as long as the operation of the organic photoelectric conversion element is not hindered or depending on the use of the photoelectric conversion element array.

このような基板の材料としては、(1)ソーダ石英ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英ガラス、無アルカリガラス、フッ化物ガラスなどの無機ガラス、(2)ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、ポリエーテルスルフォン、ポリフッ化ビニル、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリアクリレート、非晶質ポリオレフィン、フッ素系樹脂などの有機高分子化合物、(3)As23、As4010、S40Ge10などのカルコゲナイドガラス、(4)酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化ケイ素、酸化ハフニウム、酸化チタンなどの金属酸化物および窒化ケイ素などの金属窒化物、(5)顔料などにより着色された透明基板材料、および(6)表面に絶縁処理を施した金属材料、などを用いることができる。さらには、特定波長のみを透過する材料や、光−光変換機能により入射光を特定の波長の光に変換する材料などを用いることもできる。支持基板は、単層構造とする他に、複数の基板材料が積層された積層構造とすることもできる。 Materials for such substrates include (1) soda quartz glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz glass, alkali-free glass, fluoride glass, etc. Inorganic glass, (2) polyethylene terephthalate, polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyether sulfone, polyvinyl fluoride, polypropylene, polyethylene, polyacrylate, amorphous polyolefin, organic polymer compound such as fluorine resin, (3) As 2 Chalcogenide glasses such as S 3 , As 40 S 10 , S 40 Ge 10 , (4) metal oxides such as zinc oxide, niobium oxide, tantalum oxide, silicon oxide, hafnium oxide, titanium oxide, and metal nitrides such as silicon nitride (5) Pigment Transparent substrate material is colored, and (6) a metal material subjected to an insulating treatment on the surface, and can be used by. Furthermore, a material that transmits only a specific wavelength, a material that converts incident light into light of a specific wavelength by a light-light conversion function, or the like can also be used. In addition to a single-layer structure, the support substrate may have a stacked structure in which a plurality of substrate materials are stacked.

有機光電変換素子を構成する第1電極および第2電極のうちのどちらを正極とし、どちらを負極とするかは、適宜選択可能である。いずれにしても、個々の有機光電変換素子での光入射面として利用する側の電極については、透明電極とすることが好ましい。本発明の光電変換素子アレイを構成する各有機光電変換素子は、第1電極側を光入射面として機能させることは勿論、第2電極側を光入射面として機能させることも可能である。   Which of the first electrode and the second electrode constituting the organic photoelectric conversion element is a positive electrode and which is a negative electrode can be appropriately selected. In any case, the electrode used as the light incident surface in each organic photoelectric conversion element is preferably a transparent electrode. In each organic photoelectric conversion element constituting the photoelectric conversion element array of the present invention, the first electrode side can function as a light incident surface, and the second electrode side can function as a light incident surface.

上記の透明電極の材料としては、(1)インジウムスズ酸化物(ITO;塗布型ITOを含む。)、酸化スズ、酸化亜鉛、インジウム亜鉛酸化物、アンチモンドープ酸化スズ、アルミニウムドープ酸化亜鉛などの透明導電性酸化物、(2)アルミニウム、銅、チタン、銀などの薄膜や、これらの金属の混合薄膜、積層薄膜といった金属薄膜、(3)ポリピロール、ポリエチレンジオキシチオフェン(以下、「PEDOT」と略記する。)、ポリフェニレンビニレン(以下、「PPV」と略記する。)、ポリフルオレンなどの導電性高分子化合物、などを用いることができる。   Examples of the material for the transparent electrode include: (1) Indium tin oxide (ITO; coating type ITO is included), tin oxide, zinc oxide, indium zinc oxide, antimony-doped tin oxide, aluminum-doped zinc oxide, and other transparent materials Conductive oxides, (2) thin films of aluminum, copper, titanium, silver, etc., mixed thin films of these metals, metal thin films such as laminated thin films, (3) polypyrrole, polyethylenedioxythiophene (hereinafter abbreviated as “PEDOT”) ), Polyphenylene vinylene (hereinafter abbreviated as “PPV”), conductive polymer compounds such as polyfluorene, and the like can be used.

透明電極の形成は、例えば、該透明電極の元となる膜をその材料に応じて真空蒸着法、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法などの物理的気相蒸着法、あるいは各種の重合法(電界重合法など)などにより形成した後、当該膜をリソグラフィ法(フォトリソグラフィ法、電子線リソグラフィ法など)とエッチング法とを利用して所定形状にパターニングすることで行われる。所定形状のマスクを用いた物理的気相蒸着法や重合法により所望形状の透明電極を直接形成することも可能である。   The formation of the transparent electrode may be performed by, for example, forming a film that is the base of the transparent electrode according to a material such as a vacuum vapor deposition method, a resistance heating vapor deposition method, an electron beam vapor deposition method, a sputtering method, or other physical vapor deposition methods, After forming by a polymerization method (such as an electric field polymerization method), the film is patterned into a predetermined shape using a lithography method (such as a photolithography method or an electron beam lithography method) and an etching method. It is also possible to directly form a transparent electrode having a desired shape by a physical vapor deposition method or a polymerization method using a mask having a predetermined shape.

透明電極は、十分な導電性を持たせるために、あるいは支持基板表面の凹凸に起因する有機光電変換部への不均一な光入射を防ぐために、1nm以上の厚さにすることが望ましい。また、十分な透明性を持たせるために500nm以下の厚さにすることが望ましい。   The transparent electrode preferably has a thickness of 1 nm or more in order to have sufficient conductivity or to prevent nonuniform light incidence on the organic photoelectric conversion part due to the unevenness of the support substrate surface. In addition, it is desirable that the thickness be 500 nm or less in order to provide sufficient transparency.

有機光電変換素子を構成する第1電極および第2電極のうちで負極として利用する電極の材料としては、有機光電変換部で生じた電子を効率よく取り出すことができるように、アルミニウム、インジウム、マグネシウム、チタン、銀、カルシウム、ストロンチウムなどの金属や、これらの金属を含有した合金、あるいは前記の金属を含有した導電性の酸化物もしくはフッ化物などが用いられる。これらの材料からなる負極の形成は、例えば抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法などの物理的気相蒸着法により行うことができる。   Among the first electrode and the second electrode constituting the organic photoelectric conversion element, the electrode material used as the negative electrode is aluminum, indium, magnesium so that electrons generated in the organic photoelectric conversion part can be efficiently taken out. Metals such as titanium, silver, calcium, and strontium, alloys containing these metals, or conductive oxides or fluorides containing the above metals are used. The negative electrode made of these materials can be formed by physical vapor deposition such as resistance heating vapor deposition, electron beam vapor deposition, or sputtering.

なお、第1電極および第2電極のいずれについても、その構造は単層構造とすることもできるし、積層構造とすることもできる。また、有機光電変換部での光電変換効率を高めるうえからは、第1電極および第2電極のうちで光入射面側に位置する電極とは反対側の電極については、光電変換に寄与することなく当該電極に達した光を再び有機光電変換部へ供給して光電変換に寄与させることができるように、光反射率の高い材料によって形成することが好ましい。第1電極や第2電極の平面形状は四角形に限定されるものではなく、四角形以外の多角形や楕円形(円形を含む。)など、所望の形状とすることができる。   Note that the structure of both the first electrode and the second electrode can be a single-layer structure or a stacked structure. Moreover, in order to improve the photoelectric conversion efficiency in an organic photoelectric conversion part, it contributes to photoelectric conversion about the electrode on the opposite side to the electrode located in the light-incidence surface side among 1st electrodes and 2nd electrodes. It is preferable to form the electrode with a material having a high light reflectance so that the light reaching the electrode can be supplied again to the organic photoelectric conversion unit and contribute to the photoelectric conversion. The planar shape of the first electrode and the second electrode is not limited to a quadrangle, and may be a desired shape such as a polygon other than a quadrangle or an ellipse (including a circle).

必要に応じて、有機光電変換膜の材料の1つである後述の電子供与性材料よりも低い仕事関数を有すると共に正極よりも高い仕事関数を有する物質からなる正極バッファ層を、正極と有機光電変換部との間に介在させることもできる。また、フッ化リチウムをはじめとする金属フッ化物や金属酸化物など、有機光電変換膜の材料の1つである後述の電子受容性材料よりも高い仕事関数を有すると共に負極よりも低い仕事関数を有する物質からなる負極バッファ層を、負極と有機光電変換部との間に介在させることができる。   If necessary, a positive electrode buffer layer made of a substance having a work function lower than that of an electron donating material, which will be described later, which is one of the materials of the organic photoelectric conversion film, and higher than that of the positive electrode, is added to the positive electrode and the organic photoelectric film. It can also be interposed between the converters. In addition, it has a work function higher than that of an electron-accepting material, which will be described later, which is one of the materials of an organic photoelectric conversion film, such as metal fluorides and metal oxides including lithium fluoride, and a work function lower than that of the negative electrode. A negative electrode buffer layer made of a substance having the same can be interposed between the negative electrode and the organic photoelectric conversion portion.

有機光電変換膜や有機光電変換部は、例えば電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて形成される。このとき、電子供与性材料としては、(1)フェニレンビニレンおよびその誘導体、フルオレンおよびその誘導体(骨格にキノリン基またはピリジン基を有するフルオレン系コポリマー(P0F66、P1F66、PFPVなど)など)、フルオレン含有アリールアミンポリマー、カルバゾールおよびその誘導体、インドールおよびその誘導体、ピレンおよびその誘導体、ピロールおよびその誘導体、ピコリンおよびその誘導体、チオフェンおよびその誘導体、アセチレンおよびその誘導体、ジアセチレンおよびその誘導体などの重合体ならびにその誘導体、(2)デンドリマーとして総称される一群の高分子材料、(3)ポルフィン、テトラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロシアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイドなどのポリフィリン化合物、(4)1,1−ビス(4−(ジ−p−トリルアミノ)フェニル)シクロヘキサン、4,4’,4″−ト
リメチルトリフェニルアミン、N,N,N’,N’−テトラキス(p−トリル)−p−フェニレンジアミン、1−(N,N−ジ−p−トリルアミノ)ナフタレン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)−2,2’−ジメチルトリフェニルメタン、N,N,N’,N’−テトラフェニル−4,4’−ジアミノビフェニル、N,N’−ジフェニル−N,N’−ジ−m−トリル−4,4’−ジアミノビフェニル、N−フェニルカルバゾールなどの芳香族第三級アミン、(5)4−ジ−p−トリルアミノスチルベン、4−(ジ−p−トリルアミノ)−4’−(4−(ジ−p−トリルアミノ)スチリル)スチルベンなどのスチルベン化合物、などを用いることができる。
The organic photoelectric conversion film and the organic photoelectric conversion part are formed using, for example, an electron donating material and an electron accepting material. At this time, examples of the electron donating material include (1) phenylene vinylene and derivatives thereof, fluorene and derivatives thereof (fluorene-based copolymers having a quinoline group or a pyridine group in the skeleton (P0F66, P1F66, PFPV, etc.)), fluorene-containing aryl Polymers such as amine polymers, carbazole and derivatives thereof, indole and derivatives thereof, pyrene and derivatives thereof, pyrrole and derivatives thereof, picoline and derivatives thereof, thiophene and derivatives thereof, acetylene and derivatives thereof, diacetylene and derivatives thereof, and derivatives thereof (2) a group of polymer materials collectively referred to as dendrimers, (3) porphine, tetraphenylporphine copper, phthalocyanine, copper phthalocyanine, titanium phthalocyanine oxide (4) 1,1-bis (4- (di-p-tolylamino) phenyl) cyclohexane, 4,4 ′, 4 ″ -trimethyltriphenylamine, N, N, N ′, N′— Tetrakis (p-tolyl) -p-phenylenediamine, 1- (N, N-di-p-tolylamino) naphthalene, 4,4′-bis (dimethylamino) -2,2′-dimethyltriphenylmethane, N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminobiphenyl, N, N′-diphenyl-N, N′-di-m-tolyl-4,4′-diaminobiphenyl, N-phenylcarbazole, etc. Stilbenes such as (5) 4-di-p-tolylaminostilbene, 4- (di-p-tolylamino) -4 ′-(4- (di-p-tolylamino) styryl) stilbene Compound Or the like can be used.

さらには、トリアゾールおよびその誘導体、オキサジアゾールおよびその誘導体、イミダゾールおよびその誘導体、ポリアリールアルカンおよびその誘導体、ピラゾリンおよびその誘導体、ピラゾロンおよびその誘導体、フェニレンジアミンおよびその誘導体、アリールアミンおよびその誘導体、アミノ置換カルコンおよびその誘導体、オキサゾールおよびその誘導体、スチリルアントラセンおよびその誘導体、フルオレノンおよびその誘導体、ヒドラゾンおよびその誘導体体、シラザンおよびその誘導体、ポリシラン系アニリン系共重合体、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポリ3−メチルチオフェンなども用いることができる。なお、電子供与性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。   Furthermore, triazole and its derivatives, oxadiazole and its derivatives, imidazole and its derivatives, polyarylalkane and its derivatives, pyrazoline and its derivatives, pyrazolone and its derivatives, phenylenediamine and its derivatives, arylamine and its derivatives, amino Substituted chalcone and derivatives thereof, oxazole and derivatives thereof, styryl anthracene and derivatives thereof, fluorenone and derivatives thereof, hydrazone and derivatives thereof, silazane and derivatives thereof, polysilane aniline copolymers, styrylamine compounds, aromatic dimethylidin compounds Poly-3-methylthiophene can also be used. The electron donating material can be chemically modified to adjust the absorption wavelength characteristic.

また、電子受容性材料としては、上述した電子供与性材料と同様の低分子および高分子材料の他に、次の(i)〜(vi)の化合物を繰り返し単位とする重合体、すなわち(i)1,3−ビス(4−tert−ブチルフェニル−1,3,4−オキサジアゾリル)フェニレンなどのオキサジアゾールおよびその誘導体、(ii)フルオレンおよびその誘導体、(iii) アントラキノジメタンおよびその誘導体、(iv)ジフェニルキノンおよびその誘導体、(v)フラーレンおよびその誘導体([5,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステル、[6,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステルなど)、(vi)カーボンナノチューブおよびその誘導体などを繰り返し単位とする重合体や、上記(i)〜(vi)の化合物と他のモノマーとの共重合体などが用いられる。さらには、デンドリマーとして総称される一群の高分子材料を用いることもできる。なお、電子受容性材料は、化学的に修飾して吸収波長特性を調整することも可能である。   Further, as the electron-accepting material, in addition to the low-molecular and high-molecular materials similar to the electron-donating material described above, a polymer having the following compounds (i) to (vi) as repeating units, that is, (i ) Oxadiazole and derivatives thereof such as 1,3-bis (4-tert-butylphenyl-1,3,4-oxadiazolyl) phenylene, (ii) fluorene and derivatives thereof, (iii) anthraquinodimethane and derivatives thereof (Iv) diphenylquinone and its derivatives, (v) fullerene and its derivatives (such as [5,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester, [6,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester), (vi) carbon nanotubes and Polymers having derivatives thereof as repeating units, compounds (i) to (vi) above and other monomers A copolymer with-is used. Furthermore, a group of polymer materials collectively referred to as dendrimers can be used. The electron-accepting material can be chemically modified to adjust the absorption wavelength characteristic.

有機光電変換膜や有機光電変換部の形成は、使用する材料に応じて、例えば真空蒸着法やスパッタリング法などの真空プロセスやスピンコート法、ディッピング法、インクジェット法などのウェットプロセスにより行うことができ、ウェットプロセスにより有機光電変換膜を形成した場合には、低コスト、高生産性の下に光電変換素子アレイを得ることが容易になる。   The organic photoelectric conversion film and the organic photoelectric conversion part can be formed by a vacuum process such as a vacuum deposition method or a sputtering method, or a wet process such as a spin coating method, a dipping method, or an ink jet method, depending on the material used. When an organic photoelectric conversion film is formed by a wet process, it becomes easy to obtain a photoelectric conversion element array with low cost and high productivity.

電子供与性材料と電子受容性材料とを用いて有機光電変化層を形成する場合、これら電子供与性材料および電子受容性材料は、互いに混合物を形成していてもよいし、互いに分離していてもよい。   When an organic photoelectric change layer is formed using an electron donating material and an electron accepting material, the electron donating material and the electron accepting material may form a mixture with each other or be separated from each other. Also good.

図24は、有機光電変換膜の一例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換膜8Bでは電子供与性材料81と電子受容性材料82とが混合物状態にある。ここで、上記の「混合物」とは、液相または固相の材料を容器に入れ、必要に応じて溶剤を添加したうえで攪拌などにより混ざり合わせた状態のものをいい、これをスピンコート法やインクジェット法などで成膜したものを含む。また、電子供与性材料と電子受容性材料との混合状態は均一である必要はなく、不均一に混ざっていてもよいし、一部のみが混合物を形成していてもよい。   FIG. 24 is a cross-sectional view schematically showing an example of the organic photoelectric conversion film. In the organic photoelectric conversion film 8B shown in the figure, the electron donating material 81 and the electron accepting material 82 are in a mixed state. Here, the above-mentioned “mixture” refers to a liquid or solid phase material placed in a container and added with a solvent as necessary, and then mixed by stirring or the like. This is a spin coating method. And those formed by the inkjet method. In addition, the mixed state of the electron donating material and the electron accepting material does not need to be uniform, and may be mixed nonuniformly or only a part may form a mixture.

また、図25は、有機光電変換膜の他の例を概略的に示す断面図である。同図に示す有機光電変換膜8Cでは電子供与性材料81と電子受容性材料82とが互いに別個に層状をなす。それぞれの層は完全に分離していなくてもよく、電子供与性材料81と電子受容性材料82との層間の一部が混合状態であってもよい。電子供与性材料81からなる層と電子受容性材料82からなる層とを完全に分離させようとする場合には、例えば、電子供与性材料81からなる層と電子受容性材料82からなる層とをそれぞれ別個に成膜する。なお、図24中および図25中の参照符号7は第1電極を指し、参照符号9は第2電極を指している。   FIG. 25 is a cross-sectional view schematically showing another example of the organic photoelectric conversion film. In the organic photoelectric conversion film 8C shown in the figure, the electron donating material 81 and the electron accepting material 82 are separately layered. Each layer may not be completely separated, and a part of the layer between the electron donating material 81 and the electron accepting material 82 may be in a mixed state. In the case of completely separating the layer made of the electron donating material 81 and the layer made of the electron accepting material 82, for example, a layer made of the electron donating material 81 and a layer made of the electron accepting material 82 Are deposited separately. In FIG. 24 and FIG. 25, reference numeral 7 indicates the first electrode, and reference numeral 9 indicates the second electrode.

電子供与性材料81と電子受容性材料82とが互いに混合物を形成していても互いに分離していても、有機光電変換膜で生じたキャリアのうちの電子は電子受容性材料82を通じて負極へ移動し、正孔は電子供与性有機材料81を通じて正極へと移動する。   Regardless of whether the electron donating material 81 and the electron accepting material 82 form a mixture with each other or are separated from each other, the electrons of the carriers generated in the organic photoelectric conversion film move to the negative electrode through the electron accepting material 82. Then, the holes move to the positive electrode through the electron donating organic material 81.

カラーフィルタを設ける場合、当該カラーフィルタは、例えば原色系または補色系の複数種の色フィルタにより構成される。原色系のカラーフィルタは、赤、緑、および青の3原色の色フィルタによって構成する他に、第4の色、例えばオレンジの色フィルタを加えた4色のフィルタによって構成することもできる。カラーフィルタは、例えば所望の染料や顔料などの色材で着色された有機組成物(例えばカラーレジン)により形成した層をフォトリソグラフィ法により所定形状にパターニングすることで形成される。また、色材で着色された所望の有機組成物を印刷法、インクジェット法、蒸着法などの方法で所定パターンに塗工したり、電着法により所定箇所に堆積させたりすることでも形成することができる。カラーフィルタを構成する各色のフィルタの配置は、図1に示した配置に限定されるものではなく、適宜選定可能である。   In the case of providing a color filter, the color filter is composed of, for example, a plurality of kinds of primary color or complementary color filters. The primary color filter may be composed of four primary color filters including a fourth color, for example, an orange color filter, in addition to the three primary color filters of red, green, and blue. The color filter is formed by, for example, patterning a layer formed of an organic composition (for example, a color resin) colored with a coloring material such as a desired dye or pigment into a predetermined shape by a photolithography method. It can also be formed by applying a desired organic composition colored with a coloring material in a predetermined pattern by a printing method, an inkjet method, a vapor deposition method, or by depositing it at a predetermined location by an electrodeposition method. Can do. The arrangement of the filters of each color constituting the color filter is not limited to the arrangement shown in FIG. 1 and can be selected as appropriate.

カラーフィルタを覆う保護膜は、耐熱性および耐溶剤性に優れている他に、平坦性、密着性、透明性、耐光性、耐熱変色性、保存安定性などにも優れているものであることが好ましく、このような保護膜の原料としては、例えばアクリル系、エポキシ系、ポリイミド系、シロキサン系、アルキル系などの光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物などが用いられる。光硬化性または熱硬化性の樹脂組成物を用いて保護膜を形成する場合には、当該樹脂組成物をスピンコート法などの方法で塗工して塗膜を形成した後、この塗膜に所定波長域の光を照射して半硬化させてから所定形状にパターニングするか、または熱処理を施して半硬化させてから所定形状にパターニングし、その後、光照射または熱処理により完全に硬化させる。   The protective film that covers the color filter has excellent heat resistance and solvent resistance, as well as flatness, adhesion, transparency, light resistance, heat discoloration resistance, and storage stability. As a material for such a protective film, for example, an acrylic, epoxy, polyimide, siloxane, or alkyl photocurable or thermosetting resin composition or the like is used. When a protective film is formed using a photocurable or thermosetting resin composition, the resin composition is applied by a method such as spin coating to form a coating film, and then applied to the coating film. It is irradiated with light in a predetermined wavelength region and semi-cured and then patterned into a predetermined shape, or heat-treated to be semi-cured and then patterned into a predetermined shape, and then completely cured by light irradiation or heat treatment.

カラーフィルタにおいて互いに隣り合う色フィルタ同士の平面視上の間に遮光層を設ける場合、当該遮光層としては光学濃度が2.0以上(遮光率99%以上)のものが好ましい。このような遮光層は、例えばカーボンなどの色材を含有した有機高分子材料や、光反射性もしくは光吸収性に優れたクロム(Cr)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、タンタル(Ta)、タングステン(W)などの金属、あるいは黒鉛などの炭素系材料などによって形成することができる。また、赤色に着色された有機高分子材料と緑色に着色された有機高分子材料と青色に着色された有機高分子材料とを重ねる合わせることで遮光層を形成することもできる。色材で着色された有機高分子材料を用いる場合、ベースとなる有機高分子材料としては、例えばポリイミド系樹脂のように耐光性、耐熱性、保存安定性などに優れた感光性または熱硬化性のものが好適に使用される。遮光層を形成するにあたっては、その材料に応じて、スパッタ法、フォトリソグラフィ法とエッチング法とを組み合わせた方法、無電界メッキ法、電着法、印刷法などの方法が適宜用いられる。   When a light shielding layer is provided between the color filters adjacent to each other in a color filter, the light shielding layer preferably has an optical density of 2.0 or more (light shielding ratio of 99% or more). Such a light shielding layer is, for example, an organic polymer material containing a color material such as carbon, or chromium (Cr), aluminum (Al), copper (Cu), nickel (Ni) having excellent light reflectivity or light absorbability. ), Metal such as tantalum (Ta) and tungsten (W), or carbon-based material such as graphite. Alternatively, the light-shielding layer can be formed by overlapping an organic polymer material colored in red, an organic polymer material colored in green, and an organic polymer material colored in blue. When using an organic polymer material colored with a coloring material, the organic polymer material used as a base is, for example, photosensitive or thermosetting excellent in light resistance, heat resistance, storage stability, etc., such as polyimide resin Are preferably used. In forming the light shielding layer, a sputtering method, a method combining a photolithography method and an etching method, an electroless plating method, an electrodeposition method, a printing method, or the like is appropriately used depending on the material.

バンク層を設ける場合、当該バンク層の材料としては電気絶縁性材料、例えばポリイミド系樹脂などの有機高分子材料やセラミックなどが用いられる。有機高分子材料によりバンク層を形成するにあたっては、その材質に応じて、フォトリソグラフィ法、印刷法、インクジェット法、電着法などの方法を適用することができる。生産性を高めるという観点からは、熱硬化性樹脂よりも感光性樹脂を用いてバンク層を形成した方が好ましい。   When the bank layer is provided, as the material of the bank layer, an electrically insulating material, for example, an organic polymer material such as polyimide resin, ceramic, or the like is used. In forming the bank layer from an organic polymer material, a photolithography method, a printing method, an inkjet method, an electrodeposition method, or the like can be applied depending on the material. From the viewpoint of increasing productivity, it is preferable to form the bank layer using a photosensitive resin rather than a thermosetting resin.

また、セラミックを用いてバンク層を形成するときには、例えば、ケイ素酸化物やアルミニウム酸化物などの無機酸化物、ケイ素窒化物などの無機窒化物、ケイ素酸窒化物などの無機酸窒化物、電気絶縁性の無機フッ素化合物などからなる層をPVD法またはCVD法により形成し、当該層を例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法とによって所定形状にパターニングする。バンク層の材料に用いるセラミックとしては、ケイ素窒化物やケイ素酸化窒化物など、ケイ素原子を含んだセラミックが好ましい。   When the bank layer is formed using ceramic, for example, inorganic oxides such as silicon oxide and aluminum oxide, inorganic nitrides such as silicon nitride, inorganic oxynitrides such as silicon oxynitride, and electrical insulation A layer made of a conductive inorganic fluorine compound or the like is formed by a PVD method or a CVD method, and the layer is patterned into a predetermined shape by, for example, a photolithography method and an etching method. The ceramic used for the material of the bank layer is preferably a ceramic containing silicon atoms, such as silicon nitride or silicon oxynitride.

必要に応じて、バンク層には遮光層としての機能を付与することができる。遮光層としての機能が付与されたバンク層は、例えば上述した遮光層の材料(ただし、電気絶縁性材料に限る。)を所定形状に成形することで得られる。   If necessary, the bank layer can be provided with a function as a light shielding layer. The bank layer provided with the function as the light shielding layer can be obtained by, for example, molding the above-described material of the light shielding layer (however, limited to an electrically insulating material) into a predetermined shape.

信号読出し配線は、第1電極と同じ材料によって形成することもできるし、第2電極と同じ材料によって形成することもできるし、上述の遮光層として導電性の遮光層を設ける場合には当該遮光層と同じ材料によって形成することもできる。さらには、他の導電性材料、例えば金により形成することもできる。また、複数種の導電性材料の混合物や、各層が互いに異なる導電性材料からなる積層物によって当該信号読出し配線を形成することもできる。この信号読出し配線を他の部材(第1電極、第2電極、または遮光層)と同じ材料によって形成する場合には、当該配線の一部または全部を上記の部材と一緒に形成してもよし、別々に形成してもよい。   The signal readout wiring can be formed of the same material as that of the first electrode, or can be formed of the same material as that of the second electrode. When the conductive light shielding layer is provided as the above-described light shielding layer, the light shielding layer can be formed. It can also be formed of the same material as the layer. Furthermore, it can be formed of other conductive materials such as gold. In addition, the signal readout wiring can be formed by a mixture of a plurality of kinds of conductive materials or a laminate in which each layer is made of different conductive materials. When this signal readout wiring is formed of the same material as other members (first electrode, second electrode, or light shielding layer), a part or all of the wiring may be formed together with the above members. , May be formed separately.

有機光電変換素子の素子寿命が長い光電変換素子アレイを得るうえからは、前述のように、各有機光電変換素子を覆うようにして封止部を設け、該封止部により各有機光電変換素子への酸素や水分の侵入を抑制することが好ましい。この封止部は、前述のように極浅い箱状のガラス容器を用いて形成する以外に、各有機光電変換素子を覆うようにして酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化ケイ素、フッ化リチウムなどからなる無機膜やゾル−ゲル法によるガラス膜、あるいは熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、封止効果のあるシラン系高分子材料などからなる有機膜を基板上に成膜することによっても、形成することができる。さらには、各有機光電変換素子を覆うようにして平板状のガラス板を接着剤により固着させることによっても封止部を形成することができる。   In order to obtain a photoelectric conversion element array having a long element lifetime of the organic photoelectric conversion element, as described above, a sealing portion is provided so as to cover each organic photoelectric conversion element, and each organic photoelectric conversion element is provided by the sealing portion. It is preferable to suppress the entry of oxygen and moisture into the water. As described above, the sealing portion is formed using an extremely shallow box-shaped glass container, and covers each organic photoelectric conversion element so as to cover silicon oxide, silicon oxynitride, aluminum oxide, silicon nitride, fluoride. By forming an inorganic film made of lithium or the like, a glass film by a sol-gel method, or an organic film made of a thermosetting resin, a photocurable resin, a sealing silane polymer material, or the like on a substrate. Can also be formed. Furthermore, the sealing portion can also be formed by fixing a flat glass plate with an adhesive so as to cover each organic photoelectric conversion element.

光電変換デバイスを構成する信号読出し手段は、例えば単結晶シリコン基板などの半導体基板に所望の集積回路、例えばコンデンサ機能、スイッチ機能、リセット機能、増幅機能などを有する集積回路を形成し、例えば個々の有機光電変換素子での光起電力に起因する電流または電圧を有機光電変換素子毎に所定の時間蓄積あるいは積分することで各有機光電変換素子に生じた電気信号を読み取る。この信号読出し手段は、異方性導電フィルムなどを用いて支持基板に実装される。1つの光電変換デバイスにおける信号読出し手段の数は、有機光電変換素子の数に応じて1以上の所望数とすることができる。信号読出し手段を幾つ設けるかは、有機光電変換素子の総数や信号読出し手段の製造コストなどを考慮して適宜選定される。   The signal reading means constituting the photoelectric conversion device forms a desired integrated circuit, for example, an integrated circuit having a capacitor function, a switch function, a reset function, an amplification function, etc. on a semiconductor substrate such as a single crystal silicon substrate. An electric signal generated in each organic photoelectric conversion element is read by accumulating or integrating a current or voltage caused by the photovoltaic power in the organic photoelectric conversion element for a predetermined time for each organic photoelectric conversion element. The signal reading means is mounted on the support substrate using an anisotropic conductive film or the like. The number of signal reading means in one photoelectric conversion device can be set to a desired number of 1 or more depending on the number of organic photoelectric conversion elements. The number of signal reading means is appropriately selected in consideration of the total number of organic photoelectric conversion elements, the manufacturing cost of the signal reading means, and the like.

本発明の光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置については、上述した以外にも種々の変形、修飾、組合せなどが可能である。以下、本発明の具体的な内容について、実施例を挙げて説明する。   The photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reading apparatus of the present invention can be variously modified, modified, combined, etc. in addition to those described above. Hereinafter, specific examples of the present invention will be described with reference to examples.

(実施例1)
まず、支持基板として無アルカリガラス板を用意し、この無アルカリガラス板上に赤色のカラーレジンを塗布して塗膜を形成した。次いで、該塗膜を100℃で仮焼成した後にフォトマスクを介して露光し、現像を行って、ストライプ状にパターニングされた膜厚2μmの赤色カラーレジン層を得た。同様にして、ストライプ状にパターニングされた膜厚2μmの緑色カラーレジン層と膜厚2μmの青色カラーレジン層とを得た後、これら赤色、緑色、および青色の各カラーレジン層を本焼成して、赤色フィルタと緑色フィルタと青色フィルタとからなるカラーフィルタを得た。
(Example 1)
First, an alkali-free glass plate was prepared as a support substrate, and a red color resin was applied on the alkali-free glass plate to form a coating film. Next, the coating film was pre-baked at 100 ° C. and then exposed through a photomask and developed to obtain a red color resin layer having a thickness of 2 μm patterned in a stripe shape. Similarly, after obtaining a green color resin layer having a thickness of 2 μm and a blue color resin layer having a thickness of 2 μm patterned in a stripe shape, the red, green, and blue color resin layers are fired. A color filter composed of a red filter, a green filter and a blue filter was obtained.

次に、上記のカラーフィルタを覆うようにして熱硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布して塗膜を形成し、この塗膜を乾燥させてから当該塗膜上に所定形状のフォトマスクを形成した。そして、このフォトマスクを用いて上記乾燥後の塗膜を選択的に露光した後に現像を行い、200℃で焼成して、上記のカラーフィルタの上面および側面を覆う膜厚(カラーフィルタ上での膜厚)2μmの保護膜を得た。   Next, the thermosetting resin composition is applied by spin coating so as to cover the color filter, and a coating film is formed. After drying the coating film, a photomask having a predetermined shape is formed on the coating film. Formed. Then, after selectively exposing the dried coating film using this photomask, development is performed, baking is performed at 200 ° C., and the film thickness (on the color filter is covered with the color filter). A film thickness of 2 μm was obtained.

この保護膜上および無アルカリガラス板の露出面上にスパッタ法により膜厚160nmのITO膜を成膜した後、該ITO膜上にスピンコート法によりレジスト材を塗布して膜厚10μmのレジスト膜を形成し、このレジスト膜に選択的な露光および現像を施して所定形状のレジストパターンを得た。そして、該レジストパターンまで形成した無アルカリガラス板を液温60℃の50%塩酸水溶液中に浸漬して、レジストパターンが形成されていない部分のITO膜をエッチングにより除去した。   An ITO film having a thickness of 160 nm is formed on the protective film and the exposed surface of the alkali-free glass plate by sputtering, and then a resist material is applied on the ITO film by spin coating to form a resist film having a thickness of 10 μm. The resist film was selectively exposed and developed to obtain a resist pattern having a predetermined shape. Then, the alkali-free glass plate formed up to the resist pattern was immersed in a 50% hydrochloric acid aqueous solution at a liquid temperature of 60 ° C., and the ITO film in the portion where the resist pattern was not formed was removed by etching.

この後、上記のレジストパターンを除去して、3行7500列に亘ってマトリックス状に配置された多数のITO電極と、個々のITO電極に1本ずつ接続された信号読出し配線とを得た。上記の各ITO電極は有機光電変換素子での第1電極として利用されるものであり、行方向のピッチおよび列方向のピッチはいずれも0.042mmである。   Thereafter, the resist pattern was removed to obtain a large number of ITO electrodes arranged in a matrix over 3 rows and 7500 columns, and signal readout wiring connected to each ITO electrode one by one. Each of the above ITO electrodes is used as a first electrode in an organic photoelectric conversion element, and the pitch in the row direction and the pitch in the column direction are both 0.042 mm.

ITO電極まで形成した無アルカリガラス板にポリイミド系光硬化性樹脂組成物をスピンコートして塗膜を形成し、この塗膜を120℃でプリベークした後にフォトマスクを介して露光し、さらに現像、および260℃でのポストベークを順次行って、後述する有機光電変換部を有機光電変換素子毎に互いに離隔させることになるバンク層を得た。このバンク層の側面のうちで後述の有機光電変換部に面することになる領域は、いずれも、逆テーパ状である。   A non-alkali glass plate formed up to the ITO electrode is spin-coated with a polyimide-based photocurable resin composition to form a coating film. After prebaking this coating film at 120 ° C., it is exposed through a photomask, and further developed. Then, post-baking at 260 ° C. was sequentially performed to obtain a bank layer that separates the organic photoelectric conversion units described later for each organic photoelectric conversion element. Of the side surfaces of the bank layer, the region that faces the organic photoelectric conversion unit described later has an inversely tapered shape.

このようにしてバンク層まで形成した無アルカリガラス板に、純水による10分間の超音波洗浄、界面活性剤(米国オーカイト社製のPD−6(商品名))による5分間の超音波洗浄、および純水による10分間の超音波洗浄をこの順番で順次施した後、無アルカリガラス板に付着している水分を窒素ブロアーで除去した。   In the alkali-free glass plate formed up to the bank layer in this way, ultrasonic cleaning for 10 minutes with pure water, ultrasonic cleaning for 5 minutes with a surfactant (PD-6 (trade name) manufactured by Oakite, USA), Then, ultrasonic cleaning with pure water for 10 minutes was sequentially performed in this order, and water adhering to the alkali-free glass plate was removed with a nitrogen blower.

次に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)とポリスチレンスルフォネートとの混合物を目開き0.45μmのフィルタを通して無アルカリガラス板上に滴下し、スピンコート法によって均一に塗布した。これを200℃のクリーンオーブン中で30分間加熱することで、上記のITO電極それぞれの上に正極バッファ層を形成した。   Next, a mixture of poly (3,4-ethylenedioxythiophene) and polystyrene sulfonate was dropped on an alkali-free glass plate through a filter having an aperture of 0.45 μm, and uniformly applied by a spin coating method. This was heated in a clean oven at 200 ° C. for 30 minutes to form a positive electrode buffer layer on each of the ITO electrodes.

次いで、ポリ(2−メトキシ−5−(2’−エチルヘキシルオキシ)−1,4−フェニレンビニレン)と[5,6]−フェニル C61 酪酸メチルエステルとを1:4の重量比で含有するクロロベンゼン溶液をスピンコート法により上記の正極側バッファ層上に塗布し、100℃のクリーンオーブン中で30分間加熱処理して、上記の正極バッファ層それぞれの上に厚さ約100nmの有機光電変換部を形成した。各有機光電変換部の上面は、バンク層の上面よりも下方にある。   Next, a chlorobenzene solution containing poly (2-methoxy-5- (2′-ethylhexyloxy) -1,4-phenylenevinylene) and [5,6] -phenyl C61 butyric acid methyl ester in a weight ratio of 1: 4 Is applied on the positive electrode buffer layer by spin coating, and heat-treated in a clean oven at 100 ° C. for 30 minutes to form an organic photoelectric conversion portion having a thickness of about 100 nm on each of the positive electrode buffer layers. did. The upper surface of each organic photoelectric conversion unit is below the upper surface of the bank layer.

続いて、0.27mPa(2×10-6Torr)以下の真空度にまで減圧した抵抗加熱蒸着装置内にて、膜厚2nmのフッ化リチウム膜と膜厚約100nmのアルミニウム膜とを有機光電変換膜上にこの順番で順次成膜した。フッ化リチウム膜は各有機光電変換部を覆っており、アルミニウム膜は負極バッファ層を覆っている。 Subsequently, a 2 nm-thickness lithium fluoride film and an about 100 nm-thickness aluminum film are formed into an organic photoelectric film in a resistance heating vapor deposition apparatus whose pressure is reduced to 0.27 mPa (2 × 10 −6 Torr) or less. The films were sequentially formed on the conversion film in this order. The lithium fluoride film covers each organic photoelectric conversion portion, and the aluminum film covers the negative electrode buffer layer.

このようにしてアルミニウム膜まで形成することにより、無アルカリガラス板上に3行7500列に亘ってマトリックス状に配置された多数の有機光電変換素子が得られた。個々の有機光電変換素子は、第1電極(ITO膜)と、正極バッファ層と、有機光電変換部と、フッ化リチウム膜の一領域からなる負極バッファ層と、アルミニウム膜の一領域からなる第2電極とを備えている。   Thus, by forming even an aluminum film, many organic photoelectric conversion elements arranged in a matrix form over 3 rows and 7500 columns on an alkali-free glass plate were obtained. Each organic photoelectric conversion element includes a first electrode (ITO film), a positive electrode buffer layer, an organic photoelectric conversion unit, a negative electrode buffer layer composed of one region of a lithium fluoride film, and a first region composed of one region of an aluminum film. 2 electrodes.

この後、エポキシ系の光硬化型接着剤により上記のアルミニウム膜上にガラス板を接着させて封止部を形成し、これにより、上記多数の有機光電変換素子とこれらの有機光電変換素子を封止する封止部とを備えた光電変換素子アレイを得た。   Thereafter, a glass plate is adhered to the aluminum film with an epoxy-based photocurable adhesive to form a sealing portion, thereby sealing the large number of organic photoelectric conversion elements and these organic photoelectric conversion elements. The photoelectric conversion element array provided with the sealing part to stop was obtained.

最後に、信号読出し手段としての所定個の半導体チップを無アルカリガラス板上に実装して、光電変換デバイスを得た。この光電変換デバイスにおける正極バッファ層、負極バッファ層、および封止部をそれぞれ除いた残りの構成は、図1および図2に示した光電変換デバイス30Aでの構成と同様であり、個々の半導体チップは異方性導電フィルムを介して無アルカリガラス板上に実装されて、所定の信号読み出し配線を介して所定の有機光電変換素子に接続されている。   Finally, a predetermined number of semiconductor chips as signal reading means were mounted on an alkali-free glass plate to obtain a photoelectric conversion device. The rest of the configuration excluding the positive electrode buffer layer, the negative electrode buffer layer, and the sealing portion in this photoelectric conversion device is the same as the configuration in the photoelectric conversion device 30A shown in FIGS. 1 and 2, and each semiconductor chip. Is mounted on an alkali-free glass plate via an anisotropic conductive film, and is connected to a predetermined organic photoelectric conversion element via a predetermined signal readout wiring.

(実施例2)
黒色の色材としてのカーボンを含有した光硬化性樹脂組成物を用いてバンク層を形成した以外は実施例1と同様の条件の下に光電変換素子アレイを作製した後、実施例1と同様の条件の下に信号読出し手段としての所定個の半導体チップを無アルカリガラス板上に実装して、光電変換デバイスを得た。
(Example 2)
A photoelectric conversion element array was prepared under the same conditions as in Example 1 except that a bank layer was formed using a photocurable resin composition containing carbon as a black color material, and then the same as in Example 1. A predetermined number of semiconductor chips as signal readout means were mounted on a non-alkali glass plate under the above conditions to obtain a photoelectric conversion device.

本発明にかかる光電変換素子アレイ、光電変換デバイス、光電変換ユニット、および画像読取り装置は、物体の形状や画像等の各種情報を電気信号として取り出すスキャナー装置、ファックス装置などへの利用が可能である。   The photoelectric conversion element array, the photoelectric conversion device, the photoelectric conversion unit, and the image reading apparatus according to the present invention can be used for a scanner apparatus, a facsimile apparatus, and the like that extract various information such as an object shape and an image as an electric signal. .

本発明の光電変換デバイスの一例を概略的に示す一部切欠き平面図Partially cutaway plan view schematically showing an example of the photoelectric conversion device of the present invention 図1に示した光電変換デバイスを概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the photoelectric conversion device shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイを製造する際の工程の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows roughly an example of the process at the time of manufacturing the photoelectric conversion element array of this invention 本発明の光電変換素子アレイのうちでカラーフィルタを有していないものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図The partially cutout top view which shows roughly an example of what does not have a color filter among the photoelectric conversion element arrays of this invention 図4に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the photoelectric conversion element array shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイのうちでバンク層を有していないものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図The partially cutout top view which shows roughly an example of what does not have a bank layer among the photoelectric conversion element arrays of this invention 図6に示した光電変換素子アレイを概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the photoelectric conversion element array shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイのうちでバンク層を有していないものの他の例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the other example of what does not have a bank layer among the photoelectric conversion element arrays of this invention 本発明の光電変換素子アレイのうちで各有機光電変換部がコモン構造をなすものの一例を概略的に示す一部切欠き平面図The partially cutout top view which shows roughly an example of what each organic photoelectric conversion part makes a common structure among the photoelectric conversion element arrays of this invention 図9に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically a part of photoelectric conversion element array shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイのうちで各有機光電変換部がコモン構造をなすものの他の例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the other example of what each organic photoelectric conversion part makes a common structure among the photoelectric conversion element arrays of this invention 本発明の光電変換素子アレイのうちで各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図The partially cutout top view which shows roughly an example of the photoelectric conversion element array in which each 1st electrode makes a common structure among the photoelectric conversion element arrays of this invention 図12に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically a part of photoelectric conversion element array shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイのうちで各第1電極がコモン構造をなす光電変換素子アレイの他の例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically the other example of the photoelectric conversion element array in which each 1st electrode makes a common structure among the photoelectric conversion element arrays of this invention. 本発明の光電変換素子アレイのうちで第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの一例を概略的に示す一部切欠き平面図The partially notched top view which shows roughly an example of the photoelectric conversion element array in which each of the 1st electrode and the 2nd electrode is an individual electrode among the photoelectric conversion element arrays of this invention 図15に示した光電変換素子アレイの一部を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically a part of photoelectric conversion element array shown in FIG. 本発明の光電変換素子アレイのうちで第1電極および第2電極の各々が個別電極である光電変換素子アレイの更に他の例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows schematically still another example of the photoelectric conversion element array in which each of the first electrode and the second electrode is an individual electrode in the photoelectric conversion element array of the present invention. 本発明の光電変換デバイスのうちで封止部を有する光電変換素子アレイを備えたものの一例を概略的に示す断面斜視図Sectional perspective view which shows schematically an example of what was provided with the photoelectric conversion element array which has a sealing part among the photoelectric conversion devices of this invention. 図18に示した光電変換デバイスを概略的に示す他の断面斜視図18 is another perspective cross-sectional view schematically showing the photoelectric conversion device shown in FIG. 本発明の光電変換デバイスのうちで遮光層を有する光電変換素子アレイを備えたものの一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows roughly an example of what was provided with the photoelectric conversion element array which has a light shielding layer among the photoelectric conversion devices of this invention. 本発明の光電変換ユニットの一例を概略的に示す斜視図The perspective view which shows roughly an example of the photoelectric conversion unit of this invention 本発明の画像読取り装置の一例を概略的に示す斜視図1 is a perspective view schematically showing an example of an image reading apparatus of the present invention. 図22に示す画像読取り装置の内部構造を示す概略図Schematic diagram showing the internal structure of the image reading apparatus shown in FIG. 有機光電変換膜の一例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows an example of an organic photoelectric conversion film roughly 有機光電変換膜の他の例を概略的に示す断面図Sectional drawing which shows the other example of an organic photoelectric converting film roughly

符号の説明Explanation of symbols

1 支持基板
3 カラーフィルタ
3R 赤色フィルタ
3G 緑色フィルタ
3B 青色フィルタ
5A,5B 保護膜
7 第1電極
7A 電極膜
8 有機光電変換部
8A 有機光電変換膜
9 第2電極
9A 電極膜
10 有機光電変換素子
13 バンク層
15 信号読出し配線
20A〜20L 光電変換素子アレイ
25 信号読出し手段
30A〜30C 光電変換デバイス
60 人工光源
65 光学系
70 撮像光学系
80,80a〜80c 光電変換ユニット
110 自動原稿送り部
120 画像データ作成部
130 画像読取り装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Support substrate 3 Color filter 3R Red filter 3G Green filter 3B Blue filter 5A, 5B Protective film 7 1st electrode 7A Electrode film 8 Organic photoelectric conversion part 8A Organic photoelectric conversion film 9 2nd electrode 9A Electrode film 10 Organic photoelectric conversion element 13 Bank layer 15 Signal read wiring 20A-20L Photoelectric conversion element array 25 Signal read means 30A-30C Photoelectric conversion device 60 Artificial light source 65 Optical system 70 Imaging optical system 80, 80a-80c Photoelectric conversion unit 110 Automatic document feeder 120 Image data creation 130 Image reading device

Claims (23)

支持基板と、該支持基板上に配置された複数の有機光電変換素子とを備え、前記複数の有機光電変換素子の各々は、前記支持基板上に配置された第1電極と、該第1電極上に配置された有機光電変換部と、該有機光電変換部上に配置された第2電極とを有する光電変換素子アレイであって、
前記第1電極、前記有機光電変換部、および前記第2電極のうちの1つまたは2つは、各有機光電変換素子が1つの膜を共用したコモン構造をなし、前記第1電極および前記第2電極のうちの少なくとも一方は有機光電変換素子毎に形成された個別電極であることを特徴とする光電変換素子アレイ。
A support substrate; and a plurality of organic photoelectric conversion elements disposed on the support substrate, each of the plurality of organic photoelectric conversion elements including a first electrode disposed on the support substrate and the first electrode A photoelectric conversion element array having an organic photoelectric conversion unit disposed on the second electrode disposed on the organic photoelectric conversion unit,
One or two of the first electrode, the organic photoelectric conversion unit, and the second electrode have a common structure in which each organic photoelectric conversion element shares one film, and the first electrode and the second electrode At least one of the two electrodes is an individual electrode formed for each organic photoelectric conversion element.
前記支持基板は光透過性を有することを特徴とする請求項1に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 1, wherein the support substrate is light transmissive. 前記個別電極は透明電極であることを特徴とする請求項1または2に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 1, wherein the individual electrode is a transparent electrode. 前記第1電極および前記第2電極のうちの一方のみが有機光電変換素子毎に形成された個別電極であり、
前記複数の有機光電変換素子の各々における前記有機光電変換部を互いに離隔させるバンク層を更に有する、
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。
Only one of the first electrode and the second electrode is an individual electrode formed for each organic photoelectric conversion element,
Further comprising a bank layer that separates the organic photoelectric conversion portions in each of the plurality of organic photoelectric conversion elements,
The photoelectric conversion element array according to any one of claims 1 to 3.
前記バンク層の膜厚は前記第1電極の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項4に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 4, wherein the bank layer is thicker than the first electrode. 前記バンク層における有機光電変換素子側の各側面のうちで少なくとも有機光電変換部に面する領域は逆テーパ状であることを特徴とする請求項4または5に記載の光電変換素子アレイ。 6. The photoelectric conversion element array according to claim 4, wherein at least a region facing the organic photoelectric conversion unit among the side surfaces of the bank layer on the organic photoelectric conversion element side has a reverse taper shape. 前記バンク層は有機高分子材料を含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 4, wherein the bank layer includes an organic polymer material. 前記バンク層はポリイミド系樹脂を含むことを特徴とする請求項7に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 7, wherein the bank layer includes a polyimide resin. 前記バンク層は感光性樹脂を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 7, wherein the bank layer includes a photosensitive resin. 前記バンク層はセラミックを含むことを特徴とする請求項4〜6のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 4, wherein the bank layer includes ceramic. 前記バンク層はケイ素原子を含むことを特徴とする請求項10に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 10, wherein the bank layer includes silicon atoms. 前記バンク層はケイ素窒化物またはケイ素酸窒化物を含むことを特徴とする請求項10または11に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 10 or 11, wherein the bank layer includes silicon nitride or silicon oxynitride. 前記バンク層は遮光層としての機能を有することを特徴とする請求項4〜12のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to any one of claims 4 to 12, wherein the bank layer has a function as a light shielding layer. 前記バンク層は炭素系の色材を含むことを特徴とする請求項13に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 13, wherein the bank layer includes a carbon-based color material. 前記バンク層の光学濃度は2.0以上であることを特徴とする請求項13または14に記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 13 or 14, wherein the bank layer has an optical density of 2.0 or more. 前記有機光電変換部はインクジェット法により形成されたものであることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 1, wherein the organic photoelectric conversion unit is formed by an inkjet method. 前記有機光電変換部は電子供与性材料と電子受容性材料とを含むことを特徴とする請求項1〜16のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 1, wherein the organic photoelectric conversion unit includes an electron donating material and an electron accepting material. 前記複数の有機光電変換素子の各々に1本ずつ接続された信号読出し配線を更に有することを特徴とする請求項1〜17のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to any one of claims 1 to 17, further comprising a signal readout wiring connected to each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. 前記複数の有機光電変換素子の各々を封止する封止部を更に有することを特徴とする請求項1〜18のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric conversion element array according to claim 1, further comprising a sealing portion that seals each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. 前記支持基板上に配置されて前記複数の有機光電変換素子それぞれへの入射光の波長域を規制するカラーフィルタを更に有することを特徴とする請求項1〜19のいずれか1つに記載の光電変換素子アレイ。 The photoelectric device according to claim 1, further comprising a color filter that is disposed on the support substrate and regulates a wavelength range of incident light to each of the plurality of organic photoelectric conversion elements. Conversion element array. 撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスであって、
請求項1〜20いずれか1つに記載の光電変換素子アレイと、
前記光電変換素子アレイにおける前記支持基板上に実装されて前記複数の有機光電変換素子の各々から電気信号を読み出す信号読出し手段と、
を備えていることを特徴とする光電変換デバイス。
A photoelectric conversion device that converts an image formed by an imaging optical system into an electrical signal,
The photoelectric conversion element array according to any one of claims 1 to 20,
A signal reading unit that is mounted on the support substrate in the photoelectric conversion element array and reads an electrical signal from each of the plurality of organic photoelectric conversion elements;
A photoelectric conversion device comprising:
撮像光学系と、該撮像光学系により形成された画像を電気信号に変換する光電変換デバイスとを備えた光電変換ユニットであって、
前記撮像光学系は、人工光源と、該人工光源から出射して被撮像物で反射した光、または前記人工光源から出射して被撮像物を透過した光を結像させる光学系とを有し、
前記光電変換デバイスは請求項21に記載の光電変換デバイスである、
ことを特徴とする光電変換ユニット。
A photoelectric conversion unit comprising an imaging optical system and a photoelectric conversion device that converts an image formed by the imaging optical system into an electrical signal,
The imaging optical system includes an artificial light source and an optical system that forms an image of light emitted from the artificial light source and reflected by the object to be imaged, or light emitted from the artificial light source and transmitted through the object to be imaged ,
The photoelectric conversion device is the photoelectric conversion device according to claim 21.
A photoelectric conversion unit characterized by that.
撮像光学系により形成した原稿の画像を電気信号に変換する光電変換ユニットと、該光電変換ユニットと原稿とを相対的に移動させて前記撮像光学系による前記原稿の撮像位置を変位させる撮像位置変移手段と、前記光電変換ユニットで作成された電気信号を基に画像データを作成する画像データ作成部とを備えた画像読取り装置であって、
前記光電変換ユニットは、請求項22に記載の光電変換ユニットであることを特徴とする画像読取り装置。
A photoelectric conversion unit that converts an image of a document formed by the imaging optical system into an electrical signal, and an imaging position shift that moves the photoelectric conversion unit and the document relatively to displace the imaging position of the document by the imaging optical system. An image reading apparatus comprising: means; and an image data creating unit that creates image data based on an electrical signal created by the photoelectric conversion unit,
The image reading apparatus according to claim 22, wherein the photoelectric conversion unit is the photoelectric conversion unit according to claim 22.
JP2007016021A 2007-01-26 2007-01-26 Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader Pending JP2008182148A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007016021A JP2008182148A (en) 2007-01-26 2007-01-26 Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007016021A JP2008182148A (en) 2007-01-26 2007-01-26 Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008182148A true JP2008182148A (en) 2008-08-07

Family

ID=39725795

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007016021A Pending JP2008182148A (en) 2007-01-26 2007-01-26 Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008182148A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080035835A1 (en) Photoelectric conversion sensor
JP4894921B2 (en) Radiation detector, method for manufacturing radiation detector, and method for manufacturing support substrate
JP6135109B2 (en) Solid-state imaging device, manufacturing method of solid-state imaging device, and electronic apparatus
JP5032954B2 (en) Color imaging device
US20050195318A1 (en) Organic information reading unit and information reading device using the same
WO2014027588A1 (en) Solid imaging device and electronic device
JP2006261172A (en) Organic photodiode and image sensor employing it
TW201533023A (en) Photoelectric conversion element, optical sensor and image capture element
JP2022523403A (en) Color / infrared image sensor
JP4096877B2 (en) Information reading element and information reading device using the same
WO2019039010A1 (en) Solid-state imaging element, method for manufacturing solid-state imaging element, and electronic device
WO2017047266A1 (en) Solid-state image pickup element and method for manufacturing solid-state image pickup element
JP2011014815A (en) Photoelectric conversion device, method of manufacturing photoelectric conversion device, and electronic apparatus mounted with photoelectric conversion device
JP2008053252A (en) Organic photoelectric conversion element array, and image sensor employing it
JP2008042180A (en) Image sensor
JP2007220941A (en) Photoelectric conversion device
JP2005311315A (en) Organic information reading sensor, method of manufacturing same, and information reader using same
JP2005085933A (en) Optical sensor, and optical logic device, and electronic device using sensor
JP2008182148A (en) Photoelectric conversion element array, photoelectric conversion device, photoelectric conversion unit, and image reader
JP2008177449A (en) Photoelectric transducing device
JP2009010152A (en) Photoelectric conversion device, photoelectric conversion sensor, photoelectric conversion unit, and image reader apparatus
JP2008067034A (en) Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
US20120037787A1 (en) Image sensor
JP2008072589A (en) Color image sensor
JP2008072435A (en) Image sensor