JP2008164833A - Negative photosensitive insulating resin composition and cured product of the same - Google Patents

Negative photosensitive insulating resin composition and cured product of the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive insulating resin composition excellent in various properties such as resolution and thermal shock resistance, and capable of forming a surface protective film and an interlayer dielectric showing low curing shrink property and low water-absorbing property. <P>SOLUTION: The photosensitive insulating resin composition comprises an alkali-soluble resin (A1) having a constitutional unit represented by formula (1) (wherein R represents a 1-4C alkyl group, a 1-4C alkoxy group, a halogen atom or a hydroxyl group, and m represents an integer of 0-3), an alkali-soluble resin (A2) other than the resin (A1), a photoacid generator (B), a compound (C) having a functional group capable of reacting with the resin (A1), an oxirane ring-containing compound (D) and a solvent (E). <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子などの表面保護膜(オーバーコート膜)や層間絶縁膜(パッシベーション膜)などに用いられるネガ型感光性絶縁樹脂組成物およびそれを硬化してなる硬化物(絶縁物)に関する。   The present invention relates to a negative photosensitive insulating resin composition used for a surface protective film (overcoat film) or an interlayer insulating film (passivation film) such as a semiconductor element and a cured product (insulator) obtained by curing the same. .

従来、電子機器の半導体素子に用いられる表面保護膜や層間絶縁膜などとして、耐熱性や機械的特性などに優れたポリイミド系樹脂が広く使用されている。また、半導体素子の高集積化によって膜形成精度の向上を図るために、感光性を付与した感光性ポリイミド系樹脂が種々提案されている。   Conventionally, polyimide-based resins having excellent heat resistance and mechanical characteristics have been widely used as surface protective films and interlayer insulating films used for semiconductor elements of electronic devices. In order to improve film formation accuracy by increasing the integration of semiconductor elements, various photosensitive polyimide resins having photosensitivity have been proposed.

たとえば、特許文献1には、ポリイミド前駆体にイオン結合により光架橋基を導入した感光性ポリイミド系樹脂を含有する組成物が記載され、特許文献2には、ポリイミド前駆体にエステル結合により光架橋基を導入した感光性ポリイミド系樹脂を含有する組成物が記載されている。   For example, Patent Document 1 describes a composition containing a photosensitive polyimide resin in which a photocrosslinking group is introduced into a polyimide precursor by ionic bonding, and Patent Document 2 describes photocrosslinking by an ester bond to the polyimide precursor. A composition containing a photosensitive polyimide resin having a group introduced therein is described.

しかしながら、これらの組成物では、イミド化するために閉環工程を必要とし、溶剤現像であるために解像性が十分でないという欠点があった。また、特許文献3には、芳香族ポリイミド前駆体に多官能アクリル化合物を添加したネガ型タイプの感光性組成物が記載されているが、前記と同様な問題点が指摘されている。   However, these compositions have a drawback that a ring-closing step is required for imidization, and resolution is not sufficient because of solvent development. Patent Document 3 describes a negative photosensitive composition in which a polyfunctional acrylic compound is added to an aromatic polyimide precursor, but the same problems as described above have been pointed out.

このような問題点を解決するために、特許文献4には、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、架橋剤、架橋微粒子、オキシラン環含有化合物および光酸発生剤を含有する感光性絶縁樹脂組成物が提案されている。そして、前記フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂として、クレゾールノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレンおよびフェノール−キシリレングリコール縮合樹脂などが開示されており、主にクレゾールノボラック樹脂が用いられている。   In order to solve such problems, Patent Document 4 discloses a photosensitive insulating resin composition containing an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group, a crosslinking agent, crosslinked fine particles, an oxirane ring-containing compound and a photoacid generator. Has been proposed. As the alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group, cresol novolak resin, polyhydroxystyrene, phenol-xylylene glycol condensation resin, and the like are disclosed, and cresol novolak resin is mainly used.

しかしながら、ネガ型の感光性樹脂組成物を構成するアルカリ可溶性樹脂の主成分として、クレゾールノボラック樹脂を用いた場合、硬化時に反応点が必要以上に存在するため、架橋が進行した際に硬化収縮が大きくなってしまうことがある。また、特許文献4には、硬化後の解像度については何ら示唆されていない。すなわち、半導体の微細化に伴い、特に10μm以下の解像性を要求される場合において、パターンの熱ダレによる変形が生ずることがある。
特公昭59−52822号公報 特開平3−186847号公報 特開平8−50354号公報 特開2003−215802号公報
However, when a cresol novolac resin is used as the main component of the alkali-soluble resin constituting the negative photosensitive resin composition, since there are more reactive points at the time of curing, curing shrinkage occurs when crosslinking proceeds. Sometimes it gets bigger. Patent Document 4 does not suggest any resolution after curing. That is, with the miniaturization of the semiconductor, especially when a resolution of 10 μm or less is required, the pattern may be deformed due to thermal sagging.
Japanese Examined Patent Publication No.59-52822 Japanese Patent Laid-Open No. 3-186847 JP-A-8-50354 JP 2003-215802 A

本発明は、解像性、電気絶縁性、熱衝撃性、耐薬品性等の諸特性に優れるとともに、パターンの熱ダレによる変形を抑制し、低硬化収縮性および低吸水性を示す表面保護膜や層間絶縁膜を形成しうる感光性絶縁樹脂組成物を提供することを課題とする。また、本発明は、このような感光性絶縁樹脂組成物を硬化させた硬化物(絶縁膜)を提供することを課題とする。   The present invention is a surface protective film that is excellent in various properties such as resolution, electrical insulation, thermal shock resistance, chemical resistance and the like, suppresses deformation due to thermal sagging of the pattern, and exhibits low curing shrinkage and low water absorption. Another object is to provide a photosensitive insulating resin composition capable of forming an interlayer insulating film. Another object of the present invention is to provide a cured product (insulating film) obtained by curing such a photosensitive insulating resin composition.

本発明者らは上記問題点を解決すべく鋭意研究した。その結果、フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂として、特定の構造および構成比を有する樹脂を使用し、さらに特定の光酸発生剤を使用することによって、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。   The present inventors have intensively studied to solve the above problems. As a result, the present inventors have found that the above problems can be solved by using a resin having a specific structure and composition ratio as an alkali-soluble resin having a phenolic hydroxyl group, and further using a specific photoacid generator. It came to be completed.

すなわち、本発明に係るネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、
(A1)下記式(1)で表される構成単位を有するアルカリ可溶性樹脂、
(A2)前記樹脂(A1)以外のアルカリ可溶性樹脂、
(B)光酸発生剤、
(C)前記樹脂(A1)および(A2)と反応可能な官能基を有する化合物、
(D)オキシラン環含有化合物、および
(E)溶媒
を含有し、かつ、前記樹脂(A1)と前記樹脂(A2)との重量比(A1/A2)が5/95〜25/75であることを特徴とする。
That is, the negative photosensitive insulating resin composition according to the present invention is
(A1) an alkali-soluble resin having a structural unit represented by the following formula (1):
(A2) an alkali-soluble resin other than the resin (A1),
(B) a photoacid generator,
(C) a compound having a functional group capable of reacting with the resins (A1) and (A2),
(D) It contains an oxirane ring-containing compound and (E) a solvent, and the weight ratio (A1 / A2) between the resin (A1) and the resin (A2) is 5/95 to 25/75. It is characterized by.

Figure 2008164833
Figure 2008164833

(式中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子または水酸基を表し、mは0〜3の整数を表す。)
前記アルカリ可溶性樹脂(A1)は、フェノール類と、α,α’−ジハロキシレン化合物、α,α’−ジヒドロキシキシレン化合物およびα,α’−ジアルコキシキシレン化合物からなる群より選択される少なくとも1種の置換キシレン化合物とを縮合反応させて得られる樹脂であることが好ましい。
(In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom or a hydroxyl group, and m represents an integer of 0 to 3).
The alkali-soluble resin (A1) is at least one selected from the group consisting of phenols, α, α′-dihaloxylene compounds, α, α′-dihydroxyxylene compounds, and α, α′-dialkoxyxylene compounds. A resin obtained by a condensation reaction with a substituted xylene compound is preferred.

前記化合物(C)は、アルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物およびホルミル基を含有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物であることが好ましい。   The compound (C) is preferably at least one compound selected from the group consisting of a compound containing an alkyl etherified amino group and a compound containing a formyl group.

本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、ガラス転移温度が0℃以下かつ平均粒子径が20〜500nmである粒子状ポリマー(F)をさらに含有してもよい。
本発明に係る硬化物は、上記ネガ型感光性絶縁樹脂組成物を硬化して得られる。本発明に係る電子部品は前記硬化物を有する。
The negative photosensitive insulating resin composition of the present invention may further contain a particulate polymer (F) having a glass transition temperature of 0 ° C. or lower and an average particle diameter of 20 to 500 nm.
The cured product according to the present invention is obtained by curing the negative photosensitive insulating resin composition. The electronic component according to the present invention has the cured product.

本発明に係るネガ型感光性絶縁樹脂組成物を用いると、解像度、熱衝撃性、低硬化収縮性、低吸水性などの特性に優れた硬化物を製造することができ、この硬化物は、半導体素子の層間絶縁膜や表面保護膜などの永久膜レジストとして有用である。   When using the negative photosensitive insulating resin composition according to the present invention, it is possible to produce a cured product excellent in properties such as resolution, thermal shock, low curing shrinkage, and low water absorption, It is useful as a permanent film resist such as an interlayer insulating film or a surface protective film of a semiconductor element.

以下、本発明に係るネガ型感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物について詳細に説明する。
〔ネガ型感光性絶縁樹脂組成物〕
本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、上記式(1)で表される構成単位(以下「構成単位(1)」ともいう。)を有するアルカリ可溶性樹脂(A1)、前記樹脂(A1)以外のアルカリ可溶性樹脂(A2)(以下「他のアルカリ可溶性樹脂」ともいう。)、光酸発生剤(B)、前記樹脂(A1)および(A2)と反応可能な官能基を有する化合物(C)(以下「硬化剤(C)」ともいう。)、オキシラン環含有化合物(D)および溶媒(E)を含有する。前記ネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、ガラス転移温度が0℃以下かつ平均粒子径が20〜500nmである粒子状ポリマー(F)をさらに含有していてもよく、また、必要に応じて、密着助剤、増感剤、レベリング剤、フィラー、難燃剤などの添加剤などを含有してもよい。
Hereinafter, the negative photosensitive insulating resin composition and the cured product thereof according to the present invention will be described in detail.
[Negative photosensitive insulating resin composition]
The negative photosensitive insulating resin composition of the present invention includes an alkali-soluble resin (A1) having a structural unit represented by the above formula (1) (hereinafter also referred to as “structural unit (1)”), and the resin (A1). ) Other than the alkali-soluble resin (A2) (hereinafter also referred to as “other alkali-soluble resin”), a photoacid generator (B), a compound having a functional group capable of reacting with the resins (A1) and (A2) ( C) (hereinafter also referred to as “curing agent (C)”), an oxirane ring-containing compound (D) and a solvent (E). The negative photosensitive insulating resin composition may further contain a particulate polymer (F) having a glass transition temperature of 0 ° C. or lower and an average particle diameter of 20 to 500 nm, and if necessary, You may contain additives, such as adhesion assistant, a sensitizer, a leveling agent, a filler, a flame retardant.

(A1)アルカリ可溶性樹脂
本発明で用いられるアルカリ可溶性樹脂(A1)は、上記構成単位(1)を含有し、該構成単位(1)のみからなることが好ましい。本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物が、構成単位(1)を有するアルカリ可溶性樹脂(A1)を含有することにより、熱衝撃性および低吸水性に優れた硬化物が得られる。
(A1) Alkali-soluble resin Alkali-soluble resin (A1) used by this invention contains the said structural unit (1), and it is preferable to consist only of this structural unit (1). When the negative photosensitive insulating resin composition of the present invention contains the alkali-soluble resin (A1) having the structural unit (1), a cured product excellent in thermal shock resistance and low water absorption can be obtained.

上記アルカリ可溶性樹脂(A1)の分子量は特に限定されないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が、たとえば、100,000以下、好ましくは2,000〜50,000である。Mwが前記下限以上であると硬化物の耐熱性や伸びなどの物性が良好であり、Mwが前記上限以下にあると共重合体(A1)は他の成分と良好な相溶性を示し、樹脂組成物が良好なパターニング特性を示す。なお、本発明におけるMwおよびMnは、東ソー社製GPCカラム(G2000HXL:2本、G3000HXL:1本)を用い、流量:1.0mL/分、溶出溶剤:テトラヒドロフラン、カラム温度:40℃の分析条件で、単分散ポリスチレンを標準として示差屈折計により測定した値である。   The molecular weight of the alkali-soluble resin (A1) is not particularly limited, but the polystyrene-equivalent weight average molecular weight (Mw) measured by gel permeation chromatography is, for example, 100,000 or less, preferably 2,000 to 50, 000. When Mw is not less than the lower limit, the cured product has good physical properties such as heat resistance and elongation, and when Mw is not more than the upper limit, the copolymer (A1) exhibits good compatibility with other components, and resin. The composition exhibits good patterning properties. In the present invention, Mw and Mn were analyzed using Tosoh GPC columns (G2000HXL: 2, G3000HXL: 1), flow rate: 1.0 mL / min, elution solvent: tetrahydrofuran, column temperature: 40 ° C. The value measured with a differential refractometer using monodisperse polystyrene as a standard.

上記構成単位(1)を有するアルカリ可溶性樹脂(A1)は、たとえば、フェノール類と、α,α’−ジハロキシレン化合物、α,α’−ジヒドロキシキシレン化合物およびα,α’−ジアルコキシキシレン化合物からなる群より選択される少なくとも1種の置換キシレン化合物とを、無触媒下またはハロゲン化水素触媒の存在下で縮合反応させることにより製造できる。   The alkali-soluble resin (A1) having the structural unit (1) includes, for example, phenols, an α, α′-dihaloxylene compound, an α, α′-dihydroxyxylene compound, and an α, α′-dialkoxyxylene compound. It can be produced by subjecting at least one substituted xylene compound selected from the group to a condensation reaction in the absence of a catalyst or in the presence of a hydrogen halide catalyst.

上記フェノール類としては、たとえば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、カテコール、レゾルシノール、2,3−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノールなどが挙げられる。   Examples of the phenols include phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, catechol, resorcinol, 2,3-xylenol, 3,4-xylenol, and 3,5-xylenol.

上記α,α’−ジハロキシレン化合物としては、α,α’−ジクロルp−キシレン、α,α’−ジブロムp−キシレン、α,α’−ジクロルm−キシレン、α,α’−ジブロムm−キシレンなどが挙げられる。上記α,α’−ジヒドロキシキシレン化合物としては、α,α’−ジヒドロキシp−キシレン、α,α’−ジヒドロキシm−キシレンなどが挙げられる。上記α,α’−ジアルコキシキシレン化合物としては、1,4−ベンゼンジメタノール(α,α’−ジメトキシp−キシレン)、α,α’−ジメトキシm−キシレンなどが挙げられる。   Examples of the α, α′-dihaloxylene compound include α, α′-dichloro p-xylene, α, α′-dibromo p-xylene, α, α′-dichloro m-xylene, and α, α′-dibromo m-xylene. Etc. Examples of the α, α′-dihydroxyxylene compound include α, α′-dihydroxy p-xylene and α, α′-dihydroxy m-xylene. Examples of the α, α′-dialkoxyxylene compound include 1,4-benzenedimethanol (α, α′-dimethoxy p-xylene), α, α′-dimethoxy m-xylene, and the like.

上記フェノール類と置換キシレン化合物とを縮合反応させる際、必ずしも触媒を使用する必要はないが、反応時間を短縮するために塩化水素や臭化水素などのハロゲン化水素を用いてもよい。また、必要に応じて溶媒を用いてもよく、ジメチルホルムアミドやジメチルアセトアミドなどの高沸点の不活性溶媒を適宜選択できる。   When the condensation reaction between the phenol and the substituted xylene compound is performed, it is not always necessary to use a catalyst, but a hydrogen halide such as hydrogen chloride or hydrogen bromide may be used to shorten the reaction time. Moreover, a solvent may be used as necessary, and an inert solvent having a high boiling point such as dimethylformamide and dimethylacetamide can be appropriately selected.

上記縮合反応において、フェノール類は、置換キシレン化合物1モルに対して、通常0
.5〜10モル、好ましくは1.0〜3.0モルの量で使用される。反応温度は50℃〜200℃、好ましくは80℃〜150℃である。反応時間は、所望の分子量によって適宜設定される。
In the above condensation reaction, the phenol is usually 0 with respect to 1 mol of the substituted xylene compound.
. It is used in an amount of 5 to 10 mol, preferably 1.0 to 3.0 mol. The reaction temperature is 50 ° C to 200 ° C, preferably 80 ° C to 150 ° C. The reaction time is appropriately set depending on the desired molecular weight.

反応終了後、残存した未反応フェノールおよび反応で生成したハロゲン化水素を留去する。さらに、得られたアルカリ可溶性樹脂(A1)の分子量および分子量分布を任意の範囲に制御する場合には、アルカリ可溶性樹脂(A1)中の低分子量成分を貧溶媒などで分別除去することもできる。   After completion of the reaction, the remaining unreacted phenol and the hydrogen halide produced by the reaction are distilled off. Furthermore, when controlling the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained alkali-soluble resin (A1) to an arbitrary range, the low molecular weight component in the alkali-soluble resin (A1) can be separated and removed with a poor solvent or the like.

(A2)他のアルカリ可溶性樹脂
本発明で用いられる他のアルカリ可溶性樹脂(A2)としては、上記樹脂(A1)以外のアルカリ可溶性樹脂であって、カルボキシル基を有する樹脂、フェノール性水酸基を有する樹脂などが挙げられる。これらの中でもフェノール性水酸基を有するポリマーが好ましい。
(A2) Other alkali-soluble resin Other alkali-soluble resin (A2) used in the present invention is an alkali-soluble resin other than the resin (A1), and has a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group. Etc. Among these, a polymer having a phenolic hydroxyl group is preferable.

上記他のアルカリ可溶性樹脂(A2)の分子量は特に限定されないが、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法で測定したポリスチレン換算の重量平均分子量(Mw)が、たとえば、100,000以下、好ましくは1,000〜50,000である。Mwが前記下限以上であると現像性や機械的特性が良好であり、Mwが前記上限以下にあると樹脂(A2)は他の成分と良好な相溶性を示し、樹脂組成物が良好なパターニング特性を示す。   Although the molecular weight of said other alkali-soluble resin (A2) is not specifically limited, The weight average molecular weight (Mw) of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography method is 100,000 or less, for example, Preferably it is 1,000- 50,000. When Mw is not less than the above lower limit, developability and mechanical properties are good, and when Mw is not more than the above upper limit, the resin (A2) exhibits good compatibility with other components, and the resin composition has good patterning. Show properties.

上記カルボキシル基を有する樹脂は、たとえば、(メタ)アクリル酸やビニル安息香酸等のカルボキシル基を有する単量体と(メタ)アクリル酸エステルやスチレン等の他の単量体とを用いて、ラジカル重合等の常法により合成することができる。   The resin having a carboxyl group is, for example, a radical using a monomer having a carboxyl group such as (meth) acrylic acid or vinylbenzoic acid and another monomer such as (meth) acrylic acid ester or styrene. It can be synthesized by conventional methods such as polymerization.

上記フェノール性水酸基を有する樹脂は、たとえば、フェノール類とホルムアルデヒド類とを用いて、常法により合成することができる。
上記フェノール性水酸基を有する樹脂としては、たとえば、フェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、ヒドロキシスチレン重合体などが挙げられる。
The resin having a phenolic hydroxyl group can be synthesized by a conventional method using, for example, phenols and formaldehydes.
Examples of the resin having a phenolic hydroxyl group include a phenol / formaldehyde condensed novolak resin, a cresol / formaldehyde condensed novolak resin, a phenol-naphthol / formaldehyde condensed novolak resin, and a hydroxystyrene polymer.

本発明の組成物では、上記樹脂(A2)とともに、必要に応じてフェノール化合物(a)を併用してもよい。前記フェノール化合物(a)としては、たとえば、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,3−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ジヒドロキシベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタン、1,1,2,2−テトラ(4−ヒドロキシフェニル)エタンなどが挙げられる。   In the composition of this invention, you may use a phenol compound (a) together with the said resin (A2) as needed. Examples of the phenol compound (a) include 4,4′-dihydroxydiphenylmethane, 4,4′-dihydroxydiphenyl ether, tris (4-hydroxyphenyl) methane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- Phenylethane, tris (4-hydroxyphenyl) ethane, 1,3-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1 -Methylethyl] benzene, 4,6-bis [1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] -1,3-dihydroxybenzene, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) -1- [4 -{1- (4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl} phenyl] ethane, 1,1,2,2-tetra (4-hydro Shifeniru) ethane and the like.

上記フェノール化合物(a)の使用量は、上記他のアルカリ可溶性樹脂(A2)との合計量100重量部中、通常30重量部以下、好ましくは5〜20重量部である。
得られたアルカリ可溶性樹脂(A2)の分子量および分子量分布を任意の範囲に制御する場合には、アルカリ可溶性樹脂(A2)中の低分子量成分を貧溶媒などで分別除去することもできる。
The amount of the phenol compound (a) used is usually 30 parts by weight or less, preferably 5 to 20 parts by weight, in a total amount of 100 parts by weight with the other alkali-soluble resin (A2).
When the molecular weight and molecular weight distribution of the obtained alkali-soluble resin (A2) are controlled to an arbitrary range, the low molecular weight component in the alkali-soluble resin (A2) can be separated and removed with a poor solvent or the like.

本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物において、上記構成単位(1)を有するアルカリ可溶性樹脂(A1)と他のアルカリ可溶性樹脂(A2)との重量比(A1/A2)は、5/95〜25/75、好ましくは10/90〜25/75である。重量比(A1/A2)が前記範囲内にあると、低硬化収縮、低吸水率、特に熱硬化時の熱ダレを抑制でき熱硬化後も高解像性を維持することができるので好ましい。   In the negative photosensitive insulating resin composition of the present invention, the weight ratio (A1 / A2) of the alkali-soluble resin (A1) having the structural unit (1) and the other alkali-soluble resin (A2) is 5/95. To 25/75, preferably 10/90 to 25/75. When the weight ratio (A1 / A2) is within the above range, it is preferable because low curing shrinkage and low water absorption, particularly thermal sag during thermal curing can be suppressed and high resolution can be maintained even after thermal curing.

本発明の組成物において、上記アルカリ可溶性樹脂(A1)および他のアルカリ可溶性樹脂(A2)の合計量は、組成物全体(溶媒(E)を含む)に対して、通常1〜40重量%、好ましくは5〜35重量%である。アルカリ可溶性樹脂(A1)および他のアルカリ可溶性樹脂(A2)の合計量が前記範囲にあると、組成物の取り扱い性が良好であり、容易に硬化物を形成することができる。   In the composition of the present invention, the total amount of the alkali-soluble resin (A1) and the other alkali-soluble resin (A2) is usually 1 to 40% by weight based on the entire composition (including the solvent (E)), Preferably it is 5-35 weight%. When the total amount of the alkali-soluble resin (A1) and the other alkali-soluble resin (A2) is within the above range, the handleability of the composition is good, and a cured product can be easily formed.

(B)光酸発生剤
本発明で用いられる光酸発生剤(B)としては、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物、ジアゾメタン化合物等を挙げることができる。
(B) Photoacid generator Photoacid generator (B) used in the present invention includes onium salt compounds, halogen-containing compounds, diazoketone compounds, sulfone compounds, sulfonic acid compounds, sulfonimide compounds, diazomethane compounds, and the like. Can do.

上記オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、ピリジニウム塩などを挙げることができる。具体的には、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムトリフリオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、4−t−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、1−(4,7−ジブトキシ−1−ナフタレニル)テトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホナート、4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートなどを挙げることができる。   Examples of the onium salt compounds include iodonium salts, sulfonium salts, phosphonium salts, diazonium salts, pyridinium salts, and the like. Specifically, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium p-toluenesulfonate, diphenyliodonium hexafluoroantimonate, diphenyliodonium hexafluorophosphate, diphenyliodonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium trifluorochlorosulfonate, triphenylsulfonium p- Toluenesulfonate, triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, 4-t-butylphenyl diphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-t-butylphenyl diphenylsulfonium p-toluenesulfonate, 1- (4,7-dibutoxy-1-naphthalenyl ) Tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfo Over DOO, 4,7-di -n- butoxy naphthyl tetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate, and the like.

上記ハロゲン含有化合物としては、例えば、ハロアルキル基含有炭化水素化合物、ハロアルキル基含有複素環式化合物などを挙げることができる。具体的には、1,10−ジブロモ−n−デカン、1,1−ビス(4−クロロフェニル)−2,2,2−トリクロロエタン、フェニル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、4−メトキシフェニル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、スチリル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、ナフチル−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4−トリクロロメチル(ピペロニル)−1,3,5−トリアジン、2−(1,3−ベンゾジオキソール−5−イル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン等のs−トリアジン誘導体を挙げることができる。   Examples of the halogen-containing compound include haloalkyl group-containing hydrocarbon compounds and haloalkyl group-containing heterocyclic compounds. Specifically, 1,10-dibromo-n-decane, 1,1-bis (4-chlorophenyl) -2,2,2-trichloroethane, phenyl-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 4-methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, naphthyl-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine 2,4-trichloromethyl (piperonyl) -1,3,5-triazine, 2- (1,3-benzodioxol-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3 Examples thereof include s-triazine derivatives such as 5-triazine.

上記ジアゾケトン化合物としては、例えば、1,3−ジケト−2−ジアゾ化合物、ジアゾベンゾキノン化合物、ジアゾナフトキノン化合物などを挙げることができる。具体的には、フェノール類の1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホン酸エステル化合物などが挙げられる。   Examples of the diazoketone compound include 1,3-diketo-2-diazo compounds, diazobenzoquinone compounds, diazonaphthoquinone compounds, and the like. Specific examples include 1,2-naphthoquinonediazide-4-sulfonic acid ester compounds of phenols.

上記スルホン化合物としては、例えば、β−ケトスルホン化合物、β−スルホニルスルホン化合物及びこれらの化合物のα−ジアゾ化合物などを挙げることができる。具体的には、4−トリスフェナシルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス(フェナシルスルホニル)メタンなどを挙げることができる。   Examples of the sulfone compounds include β-ketosulfone compounds, β-sulfonylsulfone compounds, and α-diazo compounds of these compounds. Specific examples include 4-trisphenacylsulfone, mesitylphenacylsulfone, bis (phenacylsulfonyl) methane, and the like.

上記スルホン酸化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エステル類、ハロアルキルスルホン酸エステル類、アリールスルホン酸エステル類、イミノスルホネート類などを挙げることができる。具体的には、ベンゾイントシレート、ピロガロールトリストリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルトリフルオロメタンスルホネート、o−ニトロベンジルp−トルエンスルホネートなどを挙げることができる。   Examples of the sulfonic acid compound include alkyl sulfonic acid esters, haloalkyl sulfonic acid esters, aryl sulfonic acid esters, and imino sulfonates. Specific examples include benzoin tosylate, pyrogallol tris trifluoromethane sulfonate, o-nitrobenzyl trifluoromethane sulfonate, o-nitrobenzyl p-toluene sulfonate, and the like.

上記スルホンイミド化合物としては、例えば、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフチルイミドなどを挙げることができる。   Examples of the sulfonimide compound include N- (trifluoromethylsulfonyloxy) succinimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) phthalimide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) diphenylmaleimide, N- (trifluoromethylsulfonyl). And (oxy) bicyclo [2.2.1] hept-5-ene-2,3-dicarboximide, N- (trifluoromethylsulfonyloxy) naphthylimide, and the like.

上記ジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス(トリフルオロメチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(フェニルスルホニル)ジアゾメタンなどを挙げることができる。   Examples of the diazomethane compound include bis (trifluoromethylsulfonyl) diazomethane, bis (cyclohexylsulfonyl) diazomethane, and bis (phenylsulfonyl) diazomethane.

上記光酸発生剤(B)より発生した酸の触媒作用により、硬化剤(C)中の官能基とアルカリ可溶性樹脂(A1)とが脱アルコールを伴って反応することによってネガ型のパターンを形成することができる。   By the catalytic action of the acid generated from the photoacid generator (B), the functional group in the curing agent (C) reacts with the alkali-soluble resin (A1) with dealcoholization to form a negative pattern. can do.

上記光酸発生剤(B)の中では、フェニル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン
、4−メトキシフェニル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、スチリル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、4−メトキシスチリル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、ナフチル-ビス(トリクロロメチル)-s-トリアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エチニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−トリクロロメチル(ピペロニル)−s−トリアジンなどのトリアジン構造を有する化合物が好ましく、特に4−メトキシスチリル-ビス(トリクロロメチル)-s-ト
リアジン、2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エチニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2,4−トリクロロメチル(ピペロニル)−s−トリアジンが、溶剤への溶解性及び高感度の点で好ましい。
Among the photoacid generators (B), phenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 4-methoxyphenyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, styryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine 4-methoxystyryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, naphthyl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethynyl] -4,6- Compounds having a triazine structure such as bis (trichloromethyl) -s-triazine and 2,4-trichloromethyl (piperonyl) -s-triazine are preferable, and 4-methoxystyryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2 -[2- (5-methylfuran-2-yl) ethynyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine, 2, - trichloromethyl (piperonyl) -s-triazine is preferred in terms of solubility and high sensitivity to solvents.

上記のようなトリアジン構造を有する光酸発生剤(B)を用いることにより、他の光酸発生剤、たとえばオニウム塩系光酸発生剤と比較して、添加量を少なくすることができるため絶縁性(信頼性)を向上させることができるとともに、硬化物の吸水率を低くすることができる。   By using the photoacid generator (B) having the triazine structure as described above, the amount of addition can be reduced as compared with other photoacid generators, for example, onium salt photoacid generators. The reliability (reliability) can be improved, and the water absorption rate of the cured product can be lowered.

上記光酸発生剤(B)は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記光酸発生剤(B)の配合量は、本発明の樹脂組成物の感度、解像度、パターン形状などを確保する観点から、上記アルカリ可溶性樹脂(A1)、他のアルカリ可溶性樹脂(A2)およびフェノール化合物(a)の合計量100重量部に対して、0.1〜10重量部、好ましくは0.3〜5重量部、特に好ましくは0.3〜2.5重量部である。この場合、光酸発生剤(B)の配合量が0.1重量部未満では硬化が不十分になり、耐熱性が低下することがあり、10重量部を超えると、放射線に対する透明性が低下し、パターン形状の劣化を招くことがある。   The photoacid generator (B) may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the compounding quantity of the said photo-acid generator (B) is the said alkali-soluble resin (A1) and other alkali-soluble resin (A2) from a viewpoint of ensuring the sensitivity, resolution, pattern shape, etc. of the resin composition of this invention. ) And phenol compound (a) in a total amount of 100 parts by weight, 0.1 to 10 parts by weight, preferably 0.3 to 5 parts by weight, particularly preferably 0.3 to 2.5 parts by weight. In this case, if the blending amount of the photoacid generator (B) is less than 0.1 parts by weight, curing may be insufficient and heat resistance may be reduced. If it exceeds 10 parts by weight, transparency to radiation is reduced. However, the pattern shape may be deteriorated.

(C)硬化剤
本発明で用いられる硬化剤(C)は、上記アルカリ可溶性樹脂(A1)および他のアルカリ可溶性樹脂(A2)と反応可能な官能基を有する化合物である。このような硬化剤(
C)としては、たとえば、アルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物(以下「アルキルエーテル化アミノ基含有化合物」ともいう。)およびホルミル基を含有する化合物(以下「ホルミル基含有化合物」ともいう。)などが挙げられる。
(C) Curing Agent The curing agent (C) used in the present invention is a compound having a functional group capable of reacting with the alkali-soluble resin (A1) and the other alkali-soluble resin (A2). Such curing agents (
Examples of C) include a compound containing an alkyl etherified amino group (hereinafter also referred to as “alkyl etherified amino group-containing compound”) and a compound containing a formyl group (hereinafter also referred to as “formyl group-containing compound”). Etc.).

上記アルキルエーテル化アミノ基含有化合物は、分子中に少なくとも2つのアルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物であれば特に制限されない。ここで、アルキルエーテル化されたアミノ基とは、たとえば下記式で示される基である。   The alkyl etherified amino group-containing compound is not particularly limited as long as it is a compound containing at least two alkyl etherified amino groups in the molecule. Here, the alkyl etherified amino group is, for example, a group represented by the following formula.

−NHR11−O−R12
式中、R11はアルキレン基(2価の炭化水素基)を示し、R12はアルキル基を示す。
このようなアルキルエーテルアミノ基含有化合物としては、たとえば、(ポリ)メチロールメラミン、(ポリ)メチロールグリコールウリル、(ポリ)メチロールベンゾグアナミン、(ポリ)メチロールウレアなどの窒素化合物中の活性メチロール基(CH2OH基
)の全部または一部(ただし、少なくとも2個)がアルキルエーテル化された化合物を挙げることができる。
—NHR 11 —O—R 12
In the formula, R 11 represents an alkylene group (a divalent hydrocarbon group), and R 12 represents an alkyl group.
Examples of such alkyl ether amino group-containing compounds include active methylol groups (CH 2 ) in nitrogen compounds such as (poly) methylol melamine, (poly) methylol glycoluril, (poly) methylol benzoguanamine, and (poly) methylol urea. Examples thereof include compounds in which all or part (however, at least two) of (OH groups) are alkyl etherified.

上記アルキルエーテルを構成するアルキル基は、メチル基、エチル基またはブチル基であり、アルキルエーテル化アミノ基含有化合物中に2個以上含有されるアルキルエーテルを構成するアルキル基は、互いに同一であっても異なっていてもよい。また、アルキルエーテル化されていないメチロール基は、一分子内で自己縮合していてもよく、二分子間で縮合して、その結果オリゴマー成分が形成されてもよい。   The alkyl group constituting the alkyl ether is a methyl group, an ethyl group or a butyl group, and the alkyl groups constituting the alkyl ether contained in the alkyl etherified amino group-containing compound are the same as each other. May be different. Further, a methylol group that is not alkyletherified may be self-condensed within one molecule or may be condensed between two molecules, resulting in the formation of an oligomer component.

このようなアルキルエーテルアミノ基含有化合物としては、たとえば、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサブトキシメチルメラミン、テトラメトキシメチルグリコールウリル、テトラブトキシメチルグリコールウリルなどが挙げられる。   Examples of such alkyl ether amino group-containing compounds include hexamethoxymethyl melamine, hexabutoxymethyl melamine, tetramethoxymethyl glycoluril, tetrabutoxymethyl glycoluril and the like.

上記ホルミル基含有化合物としては、分子内にホルミル基を含有する化合物であれば特に限定されない。具体的には、ベンズアルデヒド、ヒドロキシベンズアルデヒド、フタルアルデヒド、アセトアルデヒド、ブチルアルデヒド、グリオキザール、ブルタルアルデヒドなどが挙げられる。   The formyl group-containing compound is not particularly limited as long as it is a compound containing a formyl group in the molecule. Specific examples include benzaldehyde, hydroxybenzaldehyde, phthalaldehyde, acetaldehyde, butyraldehyde, glyoxal, and brutal aldehyde.

上記硬化剤(C)は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、上記硬化剤(C)の配合量は、アルカリ可溶性樹脂(A1)、他のアルカリ可溶性樹脂(A2)およびフェノール化合物(a)の合計量100重量部に対して、通常1〜100重量部、好ましくは5〜50重量部である。配合量が前記下限以上になると、十分に硬化し、良好な電気絶縁性を示す硬化物が得られ、前記上限以下であると良好なパターニング特性や耐熱性を示す硬化物が得られる。   The said hardening | curing agent (C) may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. Moreover, the compounding quantity of the said hardening | curing agent (C) is 1-100 weight part normally with respect to 100 weight part of total amounts of alkali-soluble resin (A1), another alkali-soluble resin (A2), and a phenol compound (a). The amount is preferably 5 to 50 parts by weight. When the blending amount is equal to or higher than the lower limit, a cured product that is sufficiently cured and exhibits good electrical insulation is obtained, and when it is equal to or lower than the upper limit, a cured product that exhibits good patterning characteristics and heat resistance is obtained.

(D)オキシラン環含有化合物
本発明で用いられるオキシラン環含有化合物(D)は、オキシラン環を分子内に含有しているものであれば特に制限されない。具体的には、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、トリスフェノール型エポキシ樹脂、テトラフェノール型エポキシ樹脂、フェノール-キシリレン型エ
ポキシ樹脂、ナフトール-キシリレン型エポキシ樹脂、フェノール-ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール-ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族
エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、軟化点が30℃以下のエポキシ化合物が、解像性の点で好ましい。軟化点が30℃以下のエポキシ化合物としてはトリメチロールプロパングリシジルエーテル、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。
(D) Oxirane ring-containing compound The oxirane ring-containing compound (D) used in the present invention is not particularly limited as long as it contains an oxirane ring in the molecule. Specifically, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, tetraphenol type epoxy resin, phenol-xylylene type epoxy resin, naphthol-xylylene type epoxy resin, phenol- Examples thereof include naphthol type epoxy resins, phenol-dicyclopentadiene type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, and aliphatic epoxy resins. Among these, an epoxy compound having a softening point of 30 ° C. or lower is preferable in terms of resolution. Examples of the epoxy compound having a softening point of 30 ° C. or lower include trimethylolpropane glycidyl ether, phenol novolac type epoxy resin, and bisphenol type epoxy resin.

上記オキシラン環含有化合物(D)の配合量は、上記アルカリ可溶性樹脂(A1)、他のアルカリ可溶性樹脂(A2)およびフェノール化合物(a)の合計量100重量部に対して、1〜70重量部、好ましくは3〜30重量部である。配合量が1重量部未満では、得られる硬化膜の耐薬品性が低下することがあり、70重量部を超えると解像性が低下することがある。   The amount of the oxirane ring-containing compound (D) is 1 to 70 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble resin (A1), the other alkali-soluble resin (A2) and the phenol compound (a). The amount is preferably 3 to 30 parts by weight. If the blending amount is less than 1 part by weight, the chemical resistance of the resulting cured film may be lowered, and if it exceeds 70 parts by weight, the resolution may be lowered.

(E)溶媒
溶媒(E)は、樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度や保存安定性を調節するために添加される。このような溶媒(E)の種類は、特に制限されるものではないが、たとえば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル類;
プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル類;
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類;
エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類;
ブチルカルビトール等のカルビトール類;
乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル類;
酢酸エチル、酢酸n-プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n-ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n-アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n-ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル類;
3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等の他のエステル類;
トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素類;
2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン類;
N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリドン等のアミド類;
γ-ブチロラクン等のラクトン類
などが挙げられる。
(E) Solvent The solvent (E) is added to improve the handleability of the resin composition and to adjust the viscosity and storage stability. The type of the solvent (E) is not particularly limited, and examples thereof include ethylene glycol monoalkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate and ethylene glycol monoethyl ether acetate;
Propylene glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether;
Propylene glycol dialkyl ethers such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether;
Propylene glycol monoalkyl ether acetates such as propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate;
Cellosolves such as ethyl cellosolve and butyl cellosolve;
Carbitols such as butyl carbitol;
Lactic acid esters such as methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate and isopropyl lactate;
Aliphatic carboxylic acid esters such as ethyl acetate, n-propyl acetate, isopropyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, n-amyl acetate, isoamyl acetate, isopropyl propionate, n-butyl propionate, isobutyl propionate;
Other esters such as methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate;
Aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene;
Ketones such as 2-heptanone, 3-heptanone, 4-heptanone, cyclohexanone;
N-dimethylformamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide,
Amides such as N-methylpyrrolidone;
and lactones such as γ-butyrolacun.

上記溶媒(E)は、1種単独で用いても、2種以上を混合して用いてもよい。また、上記溶媒(E)の量は、組成物の用途や塗布方法に応じて適宜選択され、組成物を均一な状態にすることができれば特に制限されないが、通常、組成物全体に対して10〜90重量%、好ましくは30〜85重量%、より好ましくは40〜80重量%となる量である。   The said solvent (E) may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be mixed and used for it. The amount of the solvent (E) is appropriately selected according to the use of the composition and the coating method, and is not particularly limited as long as the composition can be made uniform. The amount is -90% by weight, preferably 30-85% by weight, more preferably 40-80% by weight.

(F)粒子状ポリマー
本発明で必要に応じて用いられる粒子状ポリマー(F)は、示差走査熱量分析(DSC)により測定されたガラス転移温度(Tg)が0℃以下かつ平均粒子径が20〜500nmである。
(F) Particulate Polymer The particulate polymer (F) used as necessary in the present invention has a glass transition temperature (Tg) measured by differential scanning calorimetry (DSC) of 0 ° C. or less and an average particle size of 20 ~ 500 nm.

上記粒子状ポリマー(F)は、上記物性を有するものであれば特に限定されないが、不飽和重合性基を2個以上有する架橋性モノマー(以下、単に「架橋性モノマー」ともいう。)と、該架橋性モノマーと共重合可能であって、粒子状ポリマー(F)のTgが0℃以
下となるように選択される1種以上のその他のモノマー(以下、単に「その他モノマー(f)」ともいう。)との共重合体が好ましい。特に、その他モノマー(f)として、重合性基以外の官能基、たとえば、カルボキシル基、エポキシ基、アミノ基、イソシアネート基、水酸基等の官能基を有するモノマーを用いた共重合体が好ましい。
The particulate polymer (F) is not particularly limited as long as it has the above physical properties, but a crosslinkable monomer having two or more unsaturated polymerizable groups (hereinafter also simply referred to as “crosslinkable monomer”), One or more other monomers (hereinafter simply referred to as “other monomer (f)”) that can be copolymerized with the crosslinkable monomer and are selected so that the Tg of the particulate polymer (F) is 0 ° C. or lower. And a copolymer thereof is preferred. In particular, the other monomer (f) is preferably a copolymer using a monomer having a functional group other than the polymerizable group, for example, a functional group such as a carboxyl group, an epoxy group, an amino group, an isocyanate group, or a hydroxyl group.

上記架橋性モノマーとしては、たとえば、ジビニルベンゼン、ジアリルフタレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレートなどの重合性不飽和基を複数有する化合物を挙げることができる。なかでも、ジビニルベンゼンが好ましい。   Examples of the crosslinkable monomer include divinylbenzene, diallyl phthalate, ethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, and polyethylene glycol. Examples include compounds having a plurality of polymerizable unsaturated groups such as di (meth) acrylate and polypropylene glycol di (meth) acrylate. Of these, divinylbenzene is preferable.

上記その他モノマー(f)としては、たとえば、
ブタジエン、イソプレン、ジメチルブタジエン、クロロプレン、1,3−ペンタジエン、(メタ)アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、α−クロロメチルアクリロニトリル、α−メトキシアクリロニトリル、α−エトキシアクリロニトリル、クロトン酸ニトリル、ケイ皮酸ニトリル、イタコン酸ジニトリル、マレイン酸ジニトリル、フマル酸ジニトリルなどの不飽和ニトリル化合物類;
(メタ)アクリルアミド、N,N’−メチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−エチレンビス(メタ)アクリルアミド、N,N’−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、N−ヒドロキシメチル(メタ)アクリルアミド、N−(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)(メタ)アクリルアミド、クロトン酸アミド、ケイ皮酸アミド等の不飽和アミド類;
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、ポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコール(メタ)アクリレートなどの(メタ)アクリル酸エステル類;
スチレン、α−メチルスチレン、o−メトキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノールなどの芳香族ビニル化合物;
ビスフェノールAのジグリシジルエーテル、グリコールのジグリシジルエーテルなどと(メタ)アクリル酸、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートなどとの反応によって得られるエポキシ(メタ)アクリレート類;
ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレートとポリイソシアナートとの反応によって得られるウレタン(メタ)アクリレート類;
グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アリルグリシジルエーテルなどのエポキシ基含有不飽和化合物;
(メタ)アクリル酸、イタコン酸、コハク酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、マレイン酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、フタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチル、ヘキサヒドロフタル酸−β−(メタ)アクリロキシエチルなどの不飽和酸化合物;
ジメチルアミノ(メタ)アクリレート、ジエチルアミノ(メタ)アクリレート等のアミノ基含有不飽和化合物;
(メタ)アクリルアミド、ジメチル(メタ)アクリルアミド等のアミド基含有不飽和化合物;
ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート等の水酸基含有不飽和化合物
などが挙げられる。
Examples of the other monomer (f) include:
Butadiene, isoprene, dimethylbutadiene, chloroprene, 1,3-pentadiene, (meth) acrylonitrile, α-chloroacrylonitrile, α-chloromethylacrylonitrile, α-methoxyacrylonitrile, α-ethoxyacrylonitrile, crotonate nitrile, cinnamic nitrile, Unsaturated nitrile compounds such as itaconic acid dinitrile, maleic acid dinitrile, fumarate dinitrile;
(Meth) acrylamide, N, N′-methylenebis (meth) acrylamide, N, N′-ethylenebis (meth) acrylamide, N, N′-hexamethylenebis (meth) acrylamide, N-hydroxymethyl (meth) acrylamide, Unsaturated amides such as N- (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, N, N-bis (2-hydroxyethyl) (meth) acrylamide, crotonic acid amide, cinnamic acid amide;
Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, polyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene (Meth) acrylic acid esters such as glycol (meth) acrylate;
Aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, o-methoxystyrene, p-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol;
Epoxy (meth) acrylates obtained by reaction of diglycidyl ether of bisphenol A, diglycidyl ether of glycol and the like with (meth) acrylic acid, hydroxyalkyl (meth) acrylate, etc .;
Urethane (meth) acrylates obtained by reaction of hydroxyalkyl (meth) acrylates with polyisocyanates;
Epoxy group-containing unsaturated compounds such as glycidyl (meth) acrylate and (meth) allyl glycidyl ether;
(Meth) acrylic acid, itaconic acid, succinic acid-β- (meth) acryloxyethyl, maleic acid-β- (meth) acryloxyethyl, phthalic acid-β- (meth) acryloxyethyl, hexahydrophthalic acid- unsaturated acid compounds such as β- (meth) acryloxyethyl;
Amino group-containing unsaturated compounds such as dimethylamino (meth) acrylate and diethylamino (meth) acrylate;
Amide group-containing unsaturated compounds such as (meth) acrylamide and dimethyl (meth) acrylamide;
Examples thereof include hydroxyl group-containing unsaturated compounds such as hydroxyethyl (meth) acrylate, hydroxypropyl (meth) acrylate, and hydroxybutyl (meth) acrylate.

これらの中では、ブタジエン、イソプレン、(メタ)アクリロニトリル、(メタ)アクリル酸アルキルエステル類、スチレン、p−ヒドロキシスチレン、p−イソプロペニルフェノール、グリシジル(メタ)アクリレート、(メタ)アクリル酸、ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリレート類などが好ましく、ブタジエンが特に好ましい。
Among these, butadiene, isoprene, (meth) acrylonitrile, (meth) acrylic acid alkyl esters, styrene, p-hydroxystyrene, p-isopropenylphenol, glycidyl (meth) acrylate, (meth) acrylic acid, hydroxyalkyl (Meth) acrylates and the like are preferable, and butadiene is particularly preferable.

上記粒子状ポリマー(F)を構成する架橋性モノマーおよびその他モノマー(f)の含有割合は、共重合に用いる全モノマーに対して、架橋性モノマーが1〜20重量%かつその他モノマー(f)が80〜99重量%、好ましくは架橋性モノマーが2〜10重量%かつその他モノマー(f)が90〜98重量%の量で用いられることが望ましい。   The content ratio of the crosslinkable monomer and the other monomer (f) constituting the particulate polymer (F) is 1 to 20% by weight of the crosslinkable monomer and the other monomer (f) with respect to the total monomers used for copolymerization. It is desirable to use 80 to 99% by weight, preferably 2 to 10% by weight of the crosslinkable monomer and 90 to 98% by weight of the other monomer (f).

上記粒子状ポリマー(F)が上記架橋性モノマーとその他モノマー(f)とを上記の範囲で共重合したものであると、ゴム状の軟らかい微粒子となり、特に、得られる硬化膜にクラック(割れ)が生ずるのを防止でき、耐久性に優れた硬化膜を得ることができる。   When the particulate polymer (F) is obtained by copolymerization of the crosslinkable monomer and the other monomer (f) within the above range, rubber-like soft fine particles are formed. Can be prevented, and a cured film having excellent durability can be obtained.

上記粒子状ポリマー(F)の平均粒子径は、20〜500nmであり、好ましくは40〜200nm、より好ましくは50〜120nmである。粒子状ポリマー(F)の粒径コントロール方法は、特に限定されるものではない。たとえば、乳化重合により粒子状ポリマー(F)を合成する場合、使用する乳化剤の量により乳化重合中のミセルの数を制御して粒径をコントロールする方法を例示できる。   The average particle diameter of the particulate polymer (F) is 20 to 500 nm, preferably 40 to 200 nm, more preferably 50 to 120 nm. The particle diameter control method of the particulate polymer (F) is not particularly limited. For example, when the particulate polymer (F) is synthesized by emulsion polymerization, a method of controlling the particle size by controlling the number of micelles during emulsion polymerization according to the amount of the emulsifier used can be exemplified.

上記粒子状ポリマー(F)の配合量は、上記アルカリ可溶性樹脂(A)、他のアルカリ可溶性樹脂(A2)およびフェノール化合物(a)の合計量100重量部に対して、好ましくは1〜50重量部である。配合量が前記範囲にあると、粒子状ポリマー(F)が他成分と良好な相溶性(分散性)を示すとともに、得られる硬化膜が良好な熱衝撃性および耐熱性を有する。   The amount of the particulate polymer (F) is preferably 1 to 50 weights with respect to 100 parts by weight of the total amount of the alkali-soluble resin (A), the other alkali-soluble resin (A2) and the phenol compound (a). Part. When the blending amount is in the above range, the particulate polymer (F) exhibits good compatibility (dispersibility) with other components, and the resulting cured film has good thermal shock resistance and heat resistance.

本発明の感光性樹脂組成物中には、その他の添加剤として、たとえば、密着助剤、レベリング剤、染料などを含有させることもできる。
<感光性絶縁樹脂組成物の調製方法>
本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、所定量の上記各成分を、アジテーター、ディゾルバー、ホモジナイザー、3本ロールミルなどの分散機を用いて分散、混合することによって調製できる。また、必要に応じて、メッシュメンブランフィルターなどを用いて濾過してもよい。
In the photosensitive resin composition of the present invention, as other additives, for example, an adhesion assistant, a leveling agent, a dye and the like can be contained.
<Method for preparing photosensitive insulating resin composition>
The negative photosensitive insulating resin composition of the present invention can be prepared by dispersing and mixing a predetermined amount of each of the above components using a disperser such as an agitator, a dissolver, a homogenizer, or a three roll mill. Moreover, you may filter using a mesh membrane filter etc. as needed.

〔硬化物〕
本発明に係るネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、解像性に優れているとともに、その硬化物は熱衝撃性、低硬化収縮性、低吸水性などに優れている。したがって、本発明のネガ型感光性絶縁樹脂組成物は、特に、半導体素子の表面保護膜や層間絶縁膜などの材料として好適に使用することができる。
[Cured product]
The negative photosensitive insulating resin composition according to the present invention is excellent in resolution, and the cured product is excellent in thermal shock resistance, low curing shrinkage, low water absorption, and the like. Therefore, the negative photosensitive insulating resin composition of the present invention can be suitably used particularly as a material for a surface protective film or an interlayer insulating film of a semiconductor element.

本発明に係る硬化物は、上記感光性絶縁樹脂組成物を硬化させることにより形成される。具体的には、以下のようにして硬化物を形成することができる。
上記ネガ型感光性絶縁樹脂組成物を、支持体(樹脂付き銅箔、銅張り積層板や金属スパッタ膜を付けたシリコンウエハーやアルミナ基板など)に塗工し、乾燥により溶剤などを揮発させて塗膜を形成する。その後、所望のマスクパターンを介して露光し、加熱処理(以下、この加熱処理を「PEB」という。)を行い、アルカリ可溶性樹脂(A1)および他のアルカリ可溶性樹脂(A2)と硬化剤(C)との反応を促進させる。次いで、アルカリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除去することにより所望のパターンを得ることができる。さらに、絶縁膜特性を発現させるために加熱処理を行うことにより、硬化膜を得ることができる。
The cured product according to the present invention is formed by curing the photosensitive insulating resin composition. Specifically, a cured product can be formed as follows.
The negative photosensitive insulating resin composition is applied to a support (copper foil with resin, copper-clad laminate, silicon wafer with a metal sputtered film, alumina substrate, etc.), and the solvent is volatilized by drying. Form a coating film. Thereafter, exposure is performed through a desired mask pattern, heat treatment (hereinafter, this heat treatment is referred to as “PEB”), an alkali-soluble resin (A1), another alkali-soluble resin (A2), and a curing agent (C ). Subsequently, it develops with an alkaline developing solution, A desired pattern can be obtained by melt | dissolving and removing an unexposed part. Furthermore, a cured film can be obtained by performing a heat treatment to develop the insulating film characteristics.

樹脂組成物を支持体に塗工する方法としては、たとえば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法、カーテンコート法などの塗布方法が
挙げられる。また、塗布の厚さは、塗布手段、組成物溶液の固形分濃度や粘度を調節することにより、適宜制御することができる。
Examples of the method for coating the resin composition on the support include coating methods such as dipping, spraying, bar coating, roll coating, spin coating, and curtain coating. The coating thickness can be appropriately controlled by adjusting the coating means and the solid content concentration and viscosity of the composition solution.

露光に用いられる放射線としては、たとえば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、g線ステッパー、i線ステッパーなどの紫外線や電子線、レーザー光線などが挙げられる。露光量は、使用する光源や樹脂膜厚などによって適宜選定されるが、たとえば高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、樹脂膜厚が1〜50μmであれば、1,000〜20,000J/m2程度である。 Examples of the radiation used for exposure include ultraviolet rays such as a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a metal halide lamp, a g-line stepper, and an i-line stepper, an electron beam, and a laser beam. The exposure amount is appropriately selected depending on the light source used, the resin film thickness, and the like. For example, in the case of ultraviolet irradiation from a high-pressure mercury lamp, if the resin film thickness is 1 to 50 μm, 1,000 to 20,000 J / m 2. Degree.

露光後は、発生した酸によるアルカリ可溶性樹脂(A1)および他のアルカリ可溶性樹脂(A2)と硬化剤(C)との硬化反応を促進させるためにPEB処理を行う。その条件は、樹脂組成物の配合量や使用膜厚などによって異なるが、通常、70〜150℃、好ましくは80〜120℃で、1〜60分程度である。その後、アルカリ性現像液により現像して、未露光部を溶解、除去することによって所望のパターンを形成する。この場合の現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法などを挙げることができ、現像条件としては通常、20〜40℃で1〜10分程度である。   After the exposure, PEB treatment is performed to promote the curing reaction between the alkali-soluble resin (A1) and other alkali-soluble resin (A2) and the curing agent (C) by the generated acid. The conditions vary depending on the blending amount of the resin composition and the film thickness used, but are usually 70 to 150 ° C., preferably 80 to 120 ° C., and about 1 to 60 minutes. Thereafter, development is performed with an alkaline developer, and a desired pattern is formed by dissolving and removing unexposed portions. Examples of the developing method in this case include a shower developing method, a spray developing method, an immersion developing method, a paddle developing method, and the like. The developing conditions are usually 20 to 40 ° C. for about 1 to 10 minutes.

前記アルカリ性現像液としては、たとえば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリンなどのアルカリ性化合物を濃度が1〜10重量%程度になるように水に溶解したアルカリ性水溶液を挙げることができる。前記アルカリ性水溶液には、たとえば、メタノール、エタノールなどの水溶性の有機溶剤や界面活性剤などを適量添加することもできる。なお、アルカリ性現像液で現像した後は、水で洗浄し、乾燥する。   Examples of the alkaline developer include an alkaline aqueous solution in which an alkaline compound such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia water, tetramethylammonium hydroxide, and choline is dissolved in water so as to have a concentration of about 1 to 10% by weight. Can be mentioned. An appropriate amount of a water-soluble organic solvent such as methanol or ethanol, a surfactant, or the like can be added to the alkaline aqueous solution. In addition, after developing with an alkaline developer, it is washed with water and dried.

さらに、現像後に絶縁膜としての特性を十分に発現させるために、加熱処理を行うことによって十分に硬化させることができる。このような硬化条件は特に制限されるものではないが、硬化物の用途に応じて、50〜250℃の温度で30分〜10時間程度加熱し、組成物を硬化させることができる。また、硬化を十分に進行させたり、得られたパターン形状の変形を防止するために二段階で加熱することもできる。たとえば、第一段階では、50〜120℃の温度で5分〜2時間程度加熱し、さらに80〜250℃の温度で10分〜10時間程度加熱して硬化させることもできる。このような硬化条件であれば、加熱設備として一般的なオーブンや、赤外線炉などを使用することができる。   Furthermore, in order to sufficiently develop the characteristics as an insulating film after development, the film can be sufficiently cured by heat treatment. Such curing conditions are not particularly limited, but the composition can be cured by heating at a temperature of 50 to 250 ° C. for about 30 minutes to 10 hours depending on the use of the cured product. Moreover, in order to fully advance hardening and to prevent the deformation | transformation of the obtained pattern shape, it can also heat in two steps. For example, in the first stage, heating can be performed at a temperature of 50 to 120 ° C. for about 5 minutes to 2 hours, and further heating at a temperature of 80 to 250 ° C. for about 10 minutes to 10 hours for curing. Under such curing conditions, a general oven, an infrared furnace, or the like can be used as heating equipment.

〔電子部品〕
本発明に係る電子部品は、上述した本発明の硬化物を有する。前記電子部品としては、特に限定されないが、たとえば、半導体素子(回路付基板)、パッケージ基板、プリント配線板などが挙げられる。
[Electronic parts]
The electronic component according to the present invention has the above-described cured product of the present invention. Although it does not specifically limit as said electronic component, For example, a semiconductor element (board | substrate with a circuit), a package board | substrate, a printed wiring board, etc. are mentioned.

このような半導体素子は、たとえば、図1および図2に示すように、金属配線パターン2を有するシリコンウエハーなどの基板1と、この基板1の前記金属配線パターン2を有する面上に、パターン状溝部を有する絶縁膜3と前記溝部に金属材料を充填して形成した金属配線パターン4とを有する層を少なくとも1層有する半導体素子素材5の最上位の層上に、上記ネガ型感光性絶縁樹脂組成物を硬化して形成された絶縁膜6を有する。   For example, as shown in FIGS. 1 and 2, such a semiconductor element has a pattern shape on a substrate 1 such as a silicon wafer having a metal wiring pattern 2 and a surface of the substrate 1 having the metal wiring pattern 2. On the uppermost layer of the semiconductor element material 5 having at least one layer having an insulating film 3 having a groove and a metal wiring pattern 4 formed by filling the groove with a metal material, the negative photosensitive insulating resin is formed. The insulating film 6 is formed by curing the composition.

絶縁膜3と金属配線パターン4とを有する層が複数存在する場合、各層を構成する絶縁膜3は、同じ絶縁樹脂組成物を用いて形成されていてもよいし、それぞれ異なる絶縁樹脂組成物を用いて形成されていてもよい。また、各層の金属配線パターン4も同じ金属材料を用いて形成されていてもよいし、それぞれ異なる金属材料を用いて形成されていてもよい。上記絶縁膜6は、上記硬化物(硬化膜)の形成方法を適用してパターン状に形成できる。   When a plurality of layers having the insulating film 3 and the metal wiring pattern 4 are present, the insulating film 3 constituting each layer may be formed using the same insulating resin composition, or different insulating resin compositions may be used. It may be formed using. Moreover, the metal wiring pattern 4 of each layer may be formed using the same metal material, or may be formed using different metal materials. The insulating film 6 can be formed in a pattern by applying the method for forming the cured product (cured film).

[実施例]
以下、本発明を実施例に基づいてより具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例等における部は、特に断らない限り重量部を意味する。また、硬化物の各特性については、下記の方法で評価した。
[Example]
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not limited to these Examples at all. In addition, the part in a following example etc. means a weight part unless there is particular notice. Moreover, about each characteristic of hardened | cured material, it evaluated by the following method.

(1)解像性(現像後)
6インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物をスピンコートし、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、15μm厚の均一な塗膜を形成した。その後、i線ステッパー(ニコン社製 NSR−2205i12D)を用い、パターンマスクを介して露光量が10,000J/m2となるように露光した。次いで、110℃で3分間加熱し
、2.38質量%テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液を用いて23℃で2分間、浸漬現像した。得られたパターンの最小寸法を解像度(現像後)とした。
(1) Resolution (after development)
A photosensitive insulating resin composition was spin-coated on a 6-inch silicon wafer and heated at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate to form a uniform coating film having a thickness of 15 μm. Thereafter, using an i-line stepper (NSR-2205i12D manufactured by Nikon Corporation), exposure was performed through the pattern mask so that the exposure amount was 10,000 J / m 2 . Subsequently, it heated at 110 degreeC for 3 minute (s), and was immersion-developed for 2 minutes at 23 degreeC using the 2.38 mass% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution. The minimum dimension of the obtained pattern was defined as the resolution (after development).

(2)解像性(硬化後)
上記基板を対流式クリーンオーブンで190℃、1時間加熱した後、得られたパターンの最小寸法を解像度(硬化後)とした。
(2) Resolution (after curing)
The substrate was heated in a convection clean oven at 190 ° C. for 1 hour, and the minimum dimension of the obtained pattern was defined as resolution (after curing).

(3)熱衝撃性
図3および図4に示すような基板12上にパターン状の銅箔11を有する熱衝撃性評価用基材13に、感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、銅箔11上での厚さが15μmである樹脂塗膜を形成した。その後、アライナーを用い、高圧水銀灯からの紫外線を波長350nmにおける露光量が10,000J/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃、3分間加熱(PEB)
し、対流式オーブンで190℃、1時間加熱して樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を有する基材を得た。この基材について、冷熱衝撃試験器(タバイエスペック(株)社製)を用いて−55℃/30分〜150℃/30分を1サイクルとして耐性試験を行った。硬化膜にクラックなどの欠陥が発生するまでのサイクル数を100サイクル毎に確認した。
(3) Thermal shock property A photosensitive insulating resin composition is applied to a thermal shock property evaluation base material 13 having a patterned copper foil 11 on a substrate 12 as shown in FIG. 3 and FIG. The resultant was heated at 110 ° C. for 3 minutes to form a resin coating film having a thickness of 15 μm on the copper foil 11. Thereafter, the aligner was used to expose the ultraviolet ray from the high pressure mercury lamp so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 10,000 J / m 2 . Next, heat on a hot plate at 110 ° C for 3 minutes (PEB)
Then, the resin coating film was cured by heating at 190 ° C. for 1 hour in a convection oven to obtain a substrate having a cured film. With respect to this base material, a resistance test was conducted by using a thermal shock tester (manufactured by Tabai Espec Co., Ltd.) as a cycle of −55 ° C./30 minutes to 150 ° C./30 minutes. The number of cycles until a defect such as a crack occurred in the cured film was confirmed every 100 cycles.

(4)硬化収縮率
8インチのシリコンウエハーに感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、15μm厚の樹脂塗膜を形成した。その後、アライナーを用い、高圧水銀灯からの紫外線を波長350nmにおける露光量が10,000J/m2
なるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃、3分間加熱(PEB)し、対流式オーブンで190℃、1時間加熱して樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を得た。この硬化膜について硬化前後の膜厚を測定し、下記式から硬化収縮率を求めた。
(4) Curing Shrinkage The photosensitive insulating resin composition was applied to an 8-inch silicon wafer and heated at 110 ° C. for 3 minutes using a hot plate to form a 15 μm thick resin coating film. Thereafter, the aligner was used to expose the ultraviolet ray from the high pressure mercury lamp so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 10,000 J / m 2 . Subsequently, it heated at 110 degreeC for 3 minute (PEB) with the hotplate, and heated at 190 degreeC for 1 hour in the convection oven, and cured the resin coating film, and obtained the cured film. The film thickness before and after curing was measured for this cured film, and the curing shrinkage was determined from the following formula.

硬化収縮率(%)=(X−Y)/X × 100
X:硬化前の膜厚、Y:硬化後の膜厚
(5)吸水率
予め質量を測定した6インチのシリコンウエハーを基材として感光性絶縁樹脂組成物を塗布し、ホットプレートを用いて110℃で3分間加熱し、15μm厚の樹脂塗膜を形成した。その後、アライナーを用い、高圧水銀灯からの紫外線を波長350nmにおける露光量が10,000J/m2となるように露光した。次いで、ホットプレートで110℃
、3分間加熱(PEB)し、対流式オーブンで190℃、1時間加熱して樹脂塗膜を硬化させて硬化膜を有する基材を得た。この硬化膜を有する基材の質量を測定後、純水に浸漬し、23℃で24時間放置した。純水に浸漬する前後の硬化膜を有する基材の質量を測定し、吸水率を下記式により求めた。
Curing shrinkage (%) = (X−Y) / X × 100
X: Film thickness before curing, Y: Film thickness after curing (5) Water absorption rate A photosensitive insulating resin composition was applied using a 6-inch silicon wafer whose mass was measured in advance as a base material, and 110 using a hot plate. Heating was performed at 0 ° C. for 3 minutes to form a 15 μm thick resin coating film. Thereafter, the aligner was used to expose the ultraviolet ray from the high pressure mercury lamp so that the exposure amount at a wavelength of 350 nm was 10,000 J / m 2 . Then 110 ° C on a hot plate
The substrate was heated for 3 minutes (PEB) and heated in a convection oven at 190 ° C. for 1 hour to cure the resin coating and obtain a substrate having a cured film. After measuring the mass of the substrate having the cured film, it was immersed in pure water and left at 23 ° C. for 24 hours. The mass of the base material having the cured film before and after being immersed in pure water was measured, and the water absorption was determined by the following formula.

吸水率(%)=(B−A)/A × 100
A;浸漬前の硬化膜の質量、B;浸漬後の硬化膜の質量
(硬化膜の質量) = (硬化膜を有する基材の質量)−(基材の質量)
<合成例1>
フェノールと1,4−ベンゼンジメタノールとをモル比100:120の割合で混合し、この混合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した。この混合溶液にp−トルエンスルホン酸触媒を用いて常法により縮合して、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5500のアルカリ可溶性樹脂(A1−1)を得た。
Water absorption (%) = (B−A) / A × 100
A: Mass of cured film before immersion, B: Mass of cured film after immersion (mass of cured film) = (mass of substrate having cured film)-(mass of substrate)
<Synthesis Example 1>
Phenol and 1,4-benzenedimethanol were mixed at a molar ratio of 100: 120, and this mixture was dissolved in propylene glycol monomethyl ether. This mixed solution was condensed by a conventional method using a p-toluenesulfonic acid catalyst to obtain an alkali-soluble resin (A1-1) having a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of 5500.

<合成例2>
m−クレゾールと1,4−ベンゼンジメタノールとをモル比100:120割合で混合し、この混合物をプロピレングリコールモノメチルエーテルに溶解した。この混合溶液にp−トルエンスルホン酸触媒を用いて常法により縮合して、ポリスチレン換算の重量平均分子量が5500のアルカリ可溶性樹脂(A1−2)を得た。
<Synthesis Example 2>
m-cresol and 1,4-benzenedimethanol were mixed at a molar ratio of 100: 120, and the mixture was dissolved in propylene glycol monomethyl ether. This mixed solution was condensed by a conventional method using a p-toluenesulfonic acid catalyst to obtain an alkali-soluble resin (A1-2) having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of 5500.

<合成例3>
m−クレゾールとp−クレゾールとをモル比80:20の割合で混合し、この混合物にホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用いて常法により縮合して、ポリスチレン換算の重量平均分子量が6,800のクレゾールノボラック樹脂(以下「フェノール樹脂(A2−1)」という。)を得た。
<Synthesis Example 3>
m-cresol and p-cresol are mixed at a molar ratio of 80:20, formalin is added to the mixture, and the mixture is condensed by an ordinary method using an oxalic acid catalyst, and the weight average molecular weight in terms of polystyrene is 6,800. Of cresol novolac resin (hereinafter referred to as “phenol resin (A2-1)”).

〔実施例1〜4〕
表1に示す種類および量のアルカリ可溶性樹脂(A1)、他のアルカリ可溶性樹脂(A2)、光酸発生剤(B)、硬化剤(C)、オキシラン環含有化合物(D)および粒子状ポリマー(F)を溶媒(E)に溶解させ、ネガ型感光性絶縁樹脂組成物を調製した。この樹脂組成物を用いて、上記評価方法に記載の方法に従って硬化膜を作製した。樹脂組成物および硬化膜の特性を上記評価方法にしたがって測定した。結果を表2に示す。
[Examples 1 to 4]
The types and amounts of alkali-soluble resins (A1), other alkali-soluble resins (A2), photoacid generators (B), curing agents (C), oxirane ring-containing compounds (D) and particulate polymers (shown in Table 1) F) was dissolved in the solvent (E) to prepare a negative photosensitive insulating resin composition. Using this resin composition, a cured film was produced according to the method described in the above evaluation method. The properties of the resin composition and the cured film were measured according to the above evaluation methods. The results are shown in Table 2.

〔比較例1〜2〕
表1に示す成分からなる樹脂組成物およびその硬化膜を実施例1と同様に調製した。樹脂組成物およびその硬化膜の特性を実施例1と同様に測定した。結果を表2に示す。
[Comparative Examples 1-2]
A resin composition comprising the components shown in Table 1 and a cured film thereof were prepared in the same manner as in Example 1. The characteristics of the resin composition and its cured film were measured in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 2.

Figure 2008164833
Figure 2008164833

表1に示す各成分は、以下のとおりである。
<アルカリ可溶性樹脂(A1)>
ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=5,500
A1−2:m−クレゾールと1,4−ベンゼンジメタノールとからなる樹脂、
ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=5,500
<他のアルカリ可溶性樹脂(A2)>
A2−1:m−クレゾール/p−クレゾール=80/20(モル比)のノボラック樹脂、
ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=6,800
A2−2:p−ヒドロキシスチレン/スチレン=80/20(モル比)の共重合体、
ポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)=10,000
<酸発生剤(B)>
B−1:4−メトキシスチリル−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン
(日本シイベルヘグナー(株)製、商品名:トリアジンPMS)
B−2:2−[2−(5−メチルフラン−2−イル)エチニル]−4,6−ビス(トリクロロメチル)−s−トリアジン(三和ケミカル製、商品名:TME−トリアジン)
B−3:4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネート
<硬化剤(C)>
C−1:ヘキサメトキシメチルメラミン
(三井サイテック(株)製、商品名:サイメル300)
<オキシラン環含有化合物(D)>
D−1:トリメチロールプロパングリシジルエーテル、液状、軟化点=30℃以下
<溶媒(E)>
E−1:乳酸エチル
E−2:2−ヘプタノン
<粒子状ポリマー(F)>
F−1:ブタジエン/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン=55/37/6/2(重量%)、平均粒径=75nm、Tg=−10℃
F−2:ブタジエン/スチレン/ヒドロキシブチルメタクリレート/メタクリル酸/ジビニルベンゼン=48/24/20/6/2(重量%)、平均粒径=70nm、Tg=−35℃
Each component shown in Table 1 is as follows.
<Alkali-soluble resin (A1)>
Polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) = 5,500
A1-2: a resin comprising m-cresol and 1,4-benzenedimethanol,
Polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) = 5,500
<Other alkali-soluble resin (A2)>
A2-1: novolak resin of m-cresol / p-cresol = 80/20 (molar ratio),
Polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) = 6,800
A2-2: p-hydroxystyrene / styrene = 80/20 (molar ratio) copolymer,
Polystyrene equivalent weight average molecular weight (Mw) = 10,000
<Acid generator (B)>
B-1: 4-methoxystyryl-bis (trichloromethyl) -s-triazine (manufactured by Nippon Siebel Hegner Co., Ltd., trade name: Triazine PMS)
B-2: 2- [2- (5-methylfuran-2-yl) ethynyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -s-triazine (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd., trade name: TME-triazine)
B-3: 4,7-di-n-butoxynaphthyltetrahydrothiophenium trifluoromethanesulfonate <curing agent (C)>
C-1: Hexamethoxymethylmelamine (Mitsui Cytec Co., Ltd., trade name: Cymel 300)
<Oxirane ring-containing compound (D)>
D-1: Trimethylolpropane glycidyl ether, liquid, softening point = 30 ° C. or less <Solvent (E)>
E-1: Ethyl lactate E-2: 2-heptanone <Particulate polymer (F)>
F-1: butadiene / hydroxybutyl methacrylate / methacrylic acid / divinylbenzene = 55/37/6/2 (% by weight), average particle size = 75 nm, Tg = −10 ° C.
F-2: butadiene / styrene / hydroxybutyl methacrylate / methacrylic acid / divinylbenzene = 48/24/20/6/2 (% by weight), average particle size = 70 nm, Tg = −35 ° C.

Figure 2008164833
Figure 2008164833

本発明の硬化物を有する半導体素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor element which has the hardened | cured material of this invention. 本発明の硬化物を有する半導体素子の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the semiconductor element which has the hardened | cured material of this invention. 熱衝撃性評価用基材の断面図である。It is sectional drawing of the base material for thermal-impact evaluation. 熱衝撃性評価用基材の上面図である。It is a top view of the base material for thermal shock evaluation.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2、4 金属配線
3 絶縁膜
5 半導体素子素材
6 本発明に係るポジ型感光性絶縁樹脂組成物からなる絶縁膜
11 銅箔
12 基板
13 基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Board | substrate 2, 4 Metal wiring 3 Insulating film 5 Semiconductor element material 6 Insulating film which consists of positive type photosensitive insulating resin composition concerning this invention 11 Copper foil 12 Substrate 13 Base material

Claims (7)

(A1)下記式(1)で表される構成単位を有するアルカリ可溶性樹脂、
(A2)前記樹脂(A1)以外のアルカリ可溶性樹脂、
(B)光酸発生剤、
(D)オキシラン環含有化合物、および
(E)溶媒
を含有し、かつ、前記樹脂(A1)と前記樹脂(A2)との重量比(A1/A2)が5/95〜25/75であることを特徴とするネガ型感光性絶縁樹脂組成物。
Figure 2008164833
(式中、Rは、炭素数1〜4のアルキル基、炭素数1〜4のアルコキシ基、ハロゲン原子または水酸基を表し、mは0〜3の整数を表す。)
(A1) an alkali-soluble resin having a structural unit represented by the following formula (1):
(A2) an alkali-soluble resin other than the resin (A1),
(B) a photoacid generator,
(D) It contains an oxirane ring-containing compound and (E) a solvent, and the weight ratio (A1 / A2) between the resin (A1) and the resin (A2) is 5/95 to 25/75. A negative photosensitive insulating resin composition characterized by the above.
Figure 2008164833
(In the formula, R represents an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a halogen atom or a hydroxyl group, and m represents an integer of 0 to 3).
前記アルカリ可溶性樹脂(A1)が、フェノール類と、α,α’−ジハロキシレン化合物、α,α’−ジヒドロキシキシレン化合物およびα,α’−ジアルコキシキシレン化合物からなる群より選択される少なくとも1種の置換キシレン化合物とを縮合反応させて得られる樹脂であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型感光性絶縁樹脂組成物。   The alkali-soluble resin (A1) is at least one selected from the group consisting of phenols, α, α′-dihaloxylene compounds, α, α′-dihydroxyxylene compounds, and α, α′-dialkoxyxylene compounds. The negative photosensitive insulating resin composition according to claim 1, which is a resin obtained by a condensation reaction with a substituted xylene compound. 前記光酸発生剤(B)が、トリアジン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型感光性絶縁樹脂組成物。   The negative photosensitive insulating resin composition according to claim 1, wherein the photoacid generator (B) is a compound having a triazine structure. 前記化合物(C)が、アルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物およびホルミル基を含有する化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型感光性絶縁樹脂組成物。   2. The negative according to claim 1, wherein the compound (C) is at least one compound selected from the group consisting of a compound containing an alkyl etherified amino group and a compound containing a formyl group. Type photosensitive insulating resin composition. ガラス転移温度が0℃以下かつ平均粒子径が20〜500nmである粒子状ポリマー(F)をさらに含有することを特徴とする請求項1に記載のネガ型感光性絶縁樹脂組成物。   The negative photosensitive insulating resin composition according to claim 1, further comprising a particulate polymer (F) having a glass transition temperature of 0 ° C or lower and an average particle diameter of 20 to 500 nm. 請求項1〜5のいずれかに記載のネガ型感光性絶縁樹脂組成物を硬化して得られる硬化物。   Hardened | cured material obtained by hardening | curing the negative photosensitive insulating resin composition in any one of Claims 1-5. 請求項6に記載の硬化物を有する電子部品。   An electronic component having the cured product according to claim 6.
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