JP2008153043A - Electroluminescent apparatus and electronic equipment - Google Patents

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JP2008153043A JP2006339501A JP2006339501A JP2008153043A JP 2008153043 A JP2008153043 A JP 2008153043A JP 2006339501 A JP2006339501 A JP 2006339501A JP 2006339501 A JP2006339501 A JP 2006339501A JP 2008153043 A JP2008153043 A JP 2008153043A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electroluminescent apparatus preventing air bubbles in a buffer layer or a gap in a protective film in the vicinity of a step part, etc., by reducing steps formed by an auxiliary electrode. <P>SOLUTION: The electroluminescent apparatus is provided with a plurality of first electrodes 14, a separating layer 16 sectioning a plurality of the first electrodes 14, a functioning layer 17 provided in a region sectioned by the separating layer 16, a second electrode 18 provided covering the functioning layer 17 and the separating layer 16, a protective film 19 provided on the second electrode 18, a groove part H2 provided on a top surface of the separating layer 18 and the auxiliary electrode 50 provided selectively to a recessed part formed in the groove part H2. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to an electroluminescence device and an electronic apparatus.

近年、エレクトロルミネッセンス素子を画素として用いたエレクトロルミネッセンス装置の開発が進んでいる。エレクトロルミネッセンス素子は、発光層を含む少なくとも1層以上の層からなる機能層を上下一対の電極で挟んだ構造を有する。アクティブマトリクス型のエレクトロルミネッセンス装置では、マトリクス状に配置された複数の第1電極(画素電極)を区画して格子状の隔壁層が形成され、隔壁層で区画された領域に機能層が配置される。そして、機能層及び隔壁層を覆って第2電極(対向電極)が形成される。ここで、第2電極は基板全体を覆って形成され、前記複数の第1電極に共通の共通電極として機能する。以下、「エレクトロルミネッセンス」を「EL」と略記する。   In recent years, development of electroluminescence devices using electroluminescence elements as pixels has been progressing. The electroluminescence element has a structure in which a functional layer including at least one layer including a light emitting layer is sandwiched between a pair of upper and lower electrodes. In an active matrix electroluminescence device, a plurality of first electrodes (pixel electrodes) arranged in a matrix are partitioned to form a lattice-shaped partition layer, and a functional layer is disposed in a region partitioned by the partition layer. The And a 2nd electrode (counter electrode) is formed covering a functional layer and a partition layer. Here, the second electrode is formed so as to cover the entire substrate, and functions as a common electrode common to the plurality of first electrodes. Hereinafter, “electroluminescence” is abbreviated as “EL”.

EL素子は、発光層からの光の取り出し方向の違いにより、基板側から光を取り出すボトムエミッション構造と、封止基板やカラーフィルタ基板等の対向基板側から光を取り出すトップエミッション構造とに分類される。トップエミッション構造のEL装置では、一般に第2電極は光が射出される側に配置されている。そして、第2電極は透光性を有する導電材料、例えば、ITO(インジウム・スズ酸化物)膜やIZO(インジウム・亜鉛酸化物)膜等によって形成されている。しかし、このような透光性導電膜は、Al等の金属膜に比べて抵抗が大きいため、第2電極内において電圧の不均一を招き、表示品質が低下する惧れがある。このため、特に大型のトップエミッション構造のEL装置では、隔壁層上に抵抗の小さい補助電極を形成し、第2電極の電圧降下を防止することが提案されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2003−123988号公報
EL elements are classified into a bottom emission structure that extracts light from the substrate side and a top emission structure that extracts light from the opposite substrate side such as a sealing substrate and a color filter substrate, depending on the direction of light extraction from the light emitting layer. The In an EL device having a top emission structure, the second electrode is generally arranged on the side from which light is emitted. The second electrode is formed of a light-transmitting conductive material, for example, an ITO (indium tin oxide) film or an IZO (indium zinc oxide) film. However, since such a translucent conductive film has a higher resistance than a metal film such as Al, there is a possibility that voltage nonuniformity is caused in the second electrode and display quality is deteriorated. For this reason, in particular, in an EL device having a large top emission structure, it has been proposed to form an auxiliary electrode having a low resistance on the partition wall layer to prevent a voltage drop of the second electrode (see, for example, Patent Document 1). ).
JP 2003-123988 A

図12は、従来のEL装置の概略構成図である。同図において、補助電極50は隔壁層16の上面に設けられている。隔壁層16の開口部Hには機能層17が設けられており、機能層17を覆って第2電極18が設けられている。補助電極50は、第2電極18上に積層されている。ここで、隔壁層16の厚みは1μm程度であり、補助電極50の厚みは0.5μm〜1μm程度である。補助電極50は、隔壁層16の上面から突出するように設けられており、補助電極50を含めた隔壁部分の段差は2μm程度となっている。   FIG. 12 is a schematic configuration diagram of a conventional EL device. In the figure, the auxiliary electrode 50 is provided on the upper surface of the partition wall layer 16. A functional layer 17 is provided in the opening H of the partition wall layer 16, and a second electrode 18 is provided to cover the functional layer 17. The auxiliary electrode 50 is stacked on the second electrode 18. Here, the partition wall layer 16 has a thickness of about 1 μm, and the auxiliary electrode 50 has a thickness of about 0.5 μm to 1 μm. The auxiliary electrode 50 is provided so as to protrude from the upper surface of the partition wall layer 16, and the step of the partition including the auxiliary electrode 50 is about 2 μm.

ところで、EL装置においては、酸素や水分に対する耐久性向上が課題となっている。そのため、EL素子の表面をガスバリア性に優れた保護膜19(ガスバリア層)で覆う薄膜封止と呼ばれる技術が用いられている。薄膜封止は、ガスバリア性に優れた珪素窒化物、珪素酸化物、セラミックス等の保護膜19を高密度プラズマ成膜法により基板全体に成膜するものであり、この保護膜19が第2電極18の表面及び隔壁層16の側面を覆って外部からの酸素や水分の浸入を防止する。   By the way, in the EL device, improvement in durability against oxygen and moisture is a problem. Therefore, a technique called thin film sealing that covers the surface of the EL element with a protective film 19 (gas barrier layer) excellent in gas barrier properties is used. In the thin film sealing, a protective film 19 made of silicon nitride, silicon oxide, ceramics or the like having excellent gas barrier properties is formed on the entire substrate by a high-density plasma film forming method, and this protective film 19 is the second electrode. The surface of 18 and the side surface of the partition wall layer 16 are covered to prevent entry of oxygen and moisture from the outside.

しかしながら、保護膜19は、水分遮断性を発現させるために高密度で非常に硬い無機膜が用いられるため、当該薄膜の表面に凹凸部や急峻な段差があると、外部応力が集中し、クラックや剥離等を生じる場合がある。このようなクラックや剥離を防止するために、保護膜の下地に平坦化膜としての緩衝層を設ける構造が提案されているが、緩衝層はスクリーン印刷等で形成されるため、基板10Aの表面に大きな段差があると、段差部分で気泡が発生し、表示品質を低下させる場合がある。例えば、スキージを矢印方向に走査すると、符号K1で示す部分に段差部の影が生じ、この部分で気泡が発生し易くなる。また、スキージを走査する際に、基板10A上に大きな段差があると、スキージの押圧力にむらが生じ、平坦な緩衝層が形成できない場合がある。さらに、段差の頂上部でスキージの押圧力が大きくなるため、段差部近傍K2の機能層17に剥離が生じる場合もある。   However, since the protective film 19 is made of a highly dense and extremely hard inorganic film in order to exhibit moisture barrier properties, if there are irregularities or steep steps on the surface of the thin film, external stress concentrates and cracks occur. Or peeling. In order to prevent such cracks and peeling, a structure in which a buffer layer as a planarizing film is provided on the underlayer of the protective film has been proposed. However, since the buffer layer is formed by screen printing or the like, the surface of the substrate 10A If there is a large level difference, bubbles may be generated at the level difference and the display quality may be degraded. For example, when the squeegee is scanned in the direction of the arrow, a shadow of a stepped portion is generated in a portion indicated by reference numeral K1, and bubbles are easily generated in this portion. Further, when the squeegee is scanned, if there is a large step on the substrate 10A, the pressing force of the squeegee may be uneven, and a flat buffer layer may not be formed. Furthermore, since the pressing force of the squeegee increases at the top of the step, peeling may occur in the functional layer 17 near the step portion K2.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、補助電極によって形成される段差を低減し、緩衝層中の気泡や、段差部近傍の保護膜の欠損等を防止することのできるエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的とする。また、このようなエレクトロルミネッセンス装置を備えることにより、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and can reduce the level difference formed by the auxiliary electrode and prevent bubbles in the buffer layer, loss of the protective film near the level difference, and the like. An object is to provide an electroluminescence device. It is another object of the present invention to provide an electronic device with high reliability and excellent light emission characteristics by including such an electroluminescence device.

上記の課題を解決するため、本発明のエレクトロルミネッセンス装置は、複数の第1電極と、前記複数の第1電極を区画する隔壁層と、前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第2電極と、前記第2電極上に設けられた保護膜と、前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とする。この構成によれば、補助電極が溝部内に埋め込まれるため、隔壁層上の段差が低減され、保護膜のクラックや剥離等の生じにくいエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。   In order to solve the above-described problems, an electroluminescence device of the present invention includes a plurality of first electrodes, a partition layer that partitions the plurality of first electrodes, and a functional layer provided in a region partitioned by the partition layer. A second electrode provided to cover the functional layer and the partition layer, a protective film provided on the second electrode, a groove provided on the upper surface of the partition layer, and the groove. And an auxiliary electrode selectively provided in the recess. According to this configuration, since the auxiliary electrode is embedded in the groove, the step on the partition wall layer is reduced, and an electroluminescence device that is less likely to cause cracking or peeling of the protective film can be provided.

本発明においては、前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第2の保護膜が設けられていることが望ましい。この構成によれば、エレクトロルミネッセンス素子の表面を保護膜と第2の保護膜によって2重に保護できるため、酸素や水分に対して耐久性が高く、信頼性に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。また、緩衝層によって第2の保護膜の下地の平坦化が実現できるため、基板表面の段差に起因するクラックや剥離を抑制でき、さらに第2の保護膜との密着性も向上することができる。緩衝層は一般的にスクリーン印刷等により形成され、基板に大きな凹凸があると、段差部分に気泡が発生する場合があるが、本発明では、隔壁層上の段差が低減されているので、このような気泡の問題は生じにくく、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。   In the present invention, it is desirable that a buffer layer is provided on the protective film, and a second protective film is provided on the buffer layer. According to this configuration, since the surface of the electroluminescent element can be double protected by the protective film and the second protective film, it is possible to provide an electroluminescent device that is highly resistant to oxygen and moisture and excellent in reliability. . In addition, since the base of the second protective film can be planarized by the buffer layer, cracks and peeling due to a step on the substrate surface can be suppressed, and adhesion to the second protective film can also be improved. . The buffer layer is generally formed by screen printing or the like, and if the substrate has large unevenness, bubbles may be generated in the stepped portion. However, in the present invention, the step on the partition wall layer is reduced. Such a problem of bubbles is unlikely to occur, and an electroluminescence device having excellent display quality can be provided.

本発明においては、前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことが望ましい。この構成によれば、補助電極に起因する段差を略平坦化することができる。前述のように、隔壁層の表面に大きな段差があると、保護膜にクラックが発生したり、緩衝層に気泡が発生する等の問題を生じるため、溝部の深さは浅すぎても深すぎても段差の解消という点では不適切である。したがって、補助電極に起因する段差は完全に無くすことが望ましく、そのためには補助電極の厚みと溝部の深さは完全に一致していることが望ましい。本発明においては、このような段差が略完全に解消されるため、気泡の発生防止や、平坦で欠損のない保護膜の形成を可能としたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。   In the present invention, the depth of the groove is preferably substantially equal to the thickness of the auxiliary electrode. According to this configuration, the step caused by the auxiliary electrode can be substantially flattened. As described above, if there is a large step on the surface of the partition wall layer, problems such as cracks in the protective film and bubbles in the buffer layer may occur, so the depth of the groove is too shallow or too deep. However, it is inappropriate in terms of eliminating the steps. Therefore, it is desirable to completely eliminate the level difference caused by the auxiliary electrode, and for this purpose, it is desirable that the thickness of the auxiliary electrode and the depth of the groove portion be completely the same. In the present invention, since such a step is almost completely eliminated, it is possible to provide an electroluminescence device capable of preventing the generation of bubbles and forming a flat and defect-free protective film.

本発明においては、前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることが望ましい。この構成によれば、溝部の表面に形成される第2電極や補助電極に断線等が発生しにくくなり、信頼性の高いエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。   In the present invention, it is preferable that the groove has a tapered inclined surface having an opening area that increases from the bottom to the top of the groove. According to this configuration, disconnection or the like hardly occurs in the second electrode or the auxiliary electrode formed on the surface of the groove portion, and a highly reliable electroluminescence device can be provided.

本発明においては、前記第2電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第2電極を透過して外部に取り出されることが望ましい。この構成によれば、表示品質が高く、信頼性に優れたトップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。トップエミッション型のエレクトロルミネッセンス装置では、第2電極側から光が取り出されるため、第2電極の光透過率を高めるために第2電極を薄くしなければならないが、第2電極の抵抗は補助電極によって低減されているので、第2電極を薄くしても抵抗が大きくなることがないからである。   In the present invention, it is preferable that the second electrode is formed of a light-transmitting conductive material, and light emitted from the functional layer is transmitted through the second electrode and extracted to the outside. According to this configuration, it is possible to provide a top emission type electroluminescence device with high display quality and excellent reliability. In the top emission type electroluminescence device, since light is extracted from the second electrode side, the second electrode must be thinned in order to increase the light transmittance of the second electrode, but the resistance of the second electrode is the auxiliary electrode. This is because the resistance does not increase even if the second electrode is thinned.

本発明においては、前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第1電極を区画するように格子状に設けられていることが望ましい。この構成によれば、補助電極をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極は隔壁層の一部を構成し、第1電極の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極を格子状に設けているため、第2電極の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れたエレクトロルミネッセンス装置が提供できる。   In the present invention, the auxiliary electrode is preferably made of a light-shielding or light-reflective conductive material and provided in a lattice shape so as to partition the plurality of first electrodes. According to this configuration, the auxiliary electrode can be used as a black matrix. In particular, since the auxiliary electrode constitutes a part of the partition layer and is formed in a wall shape around the first electrode, color mixing between adjacent dot regions is prevented, and high display quality can be realized. In addition, since the auxiliary electrode is provided in a lattice shape, the resistance of the second electrode can be reduced to the maximum, and an electroluminescence device excellent in display quality can be provided.

本発明の電子機器は、前述した本発明のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。この構成によれば、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。   An electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electroluminescence device according to the present invention. According to this configuration, it is possible to provide an electronic device with high reliability and excellent light emission characteristics.

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。   Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. This embodiment shows one aspect of the present invention, and does not limit the present invention, and can be arbitrarily changed within the scope of the technical idea of the present invention. Moreover, in the following drawings, in order to make each structure easy to understand, an actual structure and a scale, a number, and the like in each structure are different.

[有機EL装置の構成]
図1は、本発明のEL装置の一実施形態である有機EL装置1の概略構成図である。有機EL装置1は、互いに対向する第1基板10及び第2基板20を備えている。第1基板10と第2基板20とは接着層43によって接着されている。第1基板10と第2基板20との間には図示略のギャップ材が設けられており、該ギャップ材によって第1基板10と第2基板20との間隔が一定の間隔に保持されている。
[Configuration of organic EL device]
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of an organic EL device 1 which is an embodiment of an EL device of the present invention. The organic EL device 1 includes a first substrate 10 and a second substrate 20 that face each other. The first substrate 10 and the second substrate 20 are bonded by an adhesive layer 43. A gap material (not shown) is provided between the first substrate 10 and the second substrate 20, and the gap between the first substrate 10 and the second substrate 20 is held at a constant interval by the gap material. .

第1基板10は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体10Aを基体としてなる。基板本体10Aの第2基板20側には、回路素子部15、画素電極(第1電極)14、隔壁層16、機能層17、対向電極(第2電極)18、補助電極50、第1保護膜19、緩衝層40及び第2保護膜41が設けられている。回路素子部15は、画素電極14を駆動する回路素子としての薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor; TFT)を含む1又は2以上の層からなり、走査線11、信号線12、共通給電線13、スイッチング用TFT31、駆動用TFT32、保持容量cap等を含んで構成されている。本実施形態の場合、画素電極14は陽極であり、対向電極18は陰極であるが、画素電極14を陰極、対向電極18を陽極としても良い。   The first substrate 10 has a substrate body 10A made of glass, quartz, plastic or the like as a base. On the second substrate 20 side of the substrate body 10A, the circuit element portion 15, the pixel electrode (first electrode) 14, the partition layer 16, the functional layer 17, the counter electrode (second electrode) 18, the auxiliary electrode 50, and the first protection. A film 19, a buffer layer 40 and a second protective film 41 are provided. The circuit element unit 15 includes one or more layers including a thin film transistor (TFT) as a circuit element for driving the pixel electrode 14, and includes a scanning line 11, a signal line 12, a common power supply line 13, and a switching element. The TFT 31 is configured to include a driving TFT 32, a storage capacitor cap, and the like. In the present embodiment, the pixel electrode 14 is an anode and the counter electrode 18 is a cathode. However, the pixel electrode 14 may be a cathode and the counter electrode 18 may be an anode.

基板本体10A上には、発光領域としての複数のドット領域Aがマトリクス状に配列されている。それぞれのドット領域Aには、画素電極14が配置されており、画素電極14の近傍には、走査線11、信号線12及び共通給電線13が配置されている。画素電極14は平面視矩形状に設けられており、画素電極14の短辺側の一辺に沿って走査線11が延在し、それと直交する2辺に沿って信号線12及び共通給電線13がそれぞれ延在している。なお、画素電極14の平面形状は、図に示す矩形の他に、円形、長円形など任意の形状が適用可能である。   On the substrate body 10A, a plurality of dot areas A as light emitting areas are arranged in a matrix. In each dot region A, a pixel electrode 14 is arranged, and in the vicinity of the pixel electrode 14, a scanning line 11, a signal line 12, and a common power supply line 13 are arranged. The pixel electrode 14 is provided in a rectangular shape in plan view, the scanning line 11 extends along one side of the short side of the pixel electrode 14, and the signal line 12 and the common power supply line 13 along two sides orthogonal to the scanning line 11. Are extended. The planar shape of the pixel electrode 14 can be any shape such as a circle or an oval other than the rectangle shown in the figure.

ドット領域Aには、走査線11を介して走査信号がゲート電極31gに供給されるスイッチング用TFT31と、スイッチング用TFT31を介して信号線12から供給される画像信号を保持する保持容量capと、保持容量capによって保持された画像信号がゲート電極32gに供給される駆動用TFT32と、駆動用TFT32を介して共通給電線13に電気的に接続したときに共通給電線13から駆動電流が流れ込む画素電極14と、画素電極14と対向電極18との間に挟み込まれる機能層17と、が設けられている。   In the dot region A, a switching TFT 31 in which a scanning signal is supplied to the gate electrode 31 g via the scanning line 11, a holding capacitor cap that holds an image signal supplied from the signal line 12 via the switching TFT 31, A driving TFT 32 in which an image signal held by the holding capacitor cap is supplied to the gate electrode 32g, and a pixel into which a driving current flows from the common feeding line 13 when electrically connected to the common feeding line 13 via the driving TFT 32 An electrode 14 and a functional layer 17 sandwiched between the pixel electrode 14 and the counter electrode 18 are provided.

機能層17は、画素電極14及び隔壁層16を覆って設けられている。機能層17は、発光層を含む少なくとも1層以上の層からなる。発光層としては、白色の蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の低分子発光材料を用いることができ、例えばアントラセンやピレン、8−ヒドロキシキノリンアルミニウム、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピリジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘導体、チアジアゾロピリジン誘導体、またはこれら低分子材料に、ルブレン、キナクリドン誘導体、フェノキサゾン誘導体、DCM、DCJ、ペリノン、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ジアザインダセン誘導体等をドープして用いることができる。また、機能層17には、発光層の他に、必要に応じて、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の層が含まれる。   The functional layer 17 is provided so as to cover the pixel electrode 14 and the partition wall layer 16. The functional layer 17 includes at least one layer including a light emitting layer. As the light emitting layer, a known low molecular light emitting material capable of emitting white fluorescence or phosphorescence can be used. For example, anthracene, pyrene, 8-hydroxyquinoline aluminum, bisstyrylanthracene derivative, tetraphenylbutadiene derivative, A coumarin derivative, an oxadiazole derivative, a distyrylbenzene derivative, a pyrrolopyridine derivative, a perinone derivative, a cyclopentadiene derivative, a thiadiazolopyridine derivative, or a low molecular weight material such as rubrene, quinacridone derivative, phenoxazone derivative, DCM, DCJ, perinone , Perylene derivatives, coumarin derivatives, diazaindacene derivatives, and the like. In addition to the light emitting layer, the functional layer 17 includes layers such as a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and an electron injection layer as necessary.

隔壁層16は、無機或いは有機の絶縁材料からなり、画素電極14(ドット領域A)を区画するように平面視格子状に設けられている。隔壁層16は画素電極14上に開口部H1を備えており、隔壁層16の開口部H1の底面に画素電極14の一部が露出している。機能層17は、画素電極14上に配置された部分が発光に寄与し、隔壁層16上に配置された部分は発光に寄与しない。このため、機能層17から光が射出される領域(発光領域)は、隔壁層16の開口部H1によって規定される。   The partition layer 16 is made of an inorganic or organic insulating material, and is provided in a lattice shape in plan view so as to partition the pixel electrode 14 (dot region A). The partition layer 16 includes an opening H1 on the pixel electrode 14, and a part of the pixel electrode 14 is exposed on the bottom surface of the opening H1 of the partition layer 16. In the functional layer 17, the portion disposed on the pixel electrode 14 contributes to light emission, and the portion disposed on the partition wall layer 16 does not contribute to light emission. For this reason, a region (light emitting region) where light is emitted from the functional layer 17 is defined by the opening H <b> 1 of the partition wall layer 16.

隔壁層16の上面には、補助電極50用の溝部H2が設けられている。溝部H2は、ドット領域Aの間隙に沿って平面視ストライプ状に設けられている。溝部H2の延在方向は、例えばドット領域Aの短辺に平行な方向である。溝部H2の深さは、補助電極50の厚みと略同じである。溝部H2は、表面に形成される対向電極18及び補助電極50に断線等が生じないように、溝部H2の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有している。   A groove H2 for the auxiliary electrode 50 is provided on the upper surface of the partition wall layer 16. The groove part H2 is provided in a stripe shape in plan view along the gap of the dot region A. The extending direction of the groove H2 is, for example, a direction parallel to the short side of the dot region A. The depth of the groove H2 is substantially the same as the thickness of the auxiliary electrode 50. The groove H2 has a tapered inclined surface with an opening area that increases from the bottom to the top of the groove H2 so that the counter electrode 18 and the auxiliary electrode 50 formed on the surface do not break.

隔壁層16の表面には、開口部H1及び溝部H2の内壁面を覆って機能層17が設けられている。また、機能層17上には、開口部H1及び溝部H2によって形成された凹部の表面を覆って対向電極18が設けられている。対向電極18は、マグネシウム(Mg)、リチウム(Li)、カルシウム(Ca)等を含む材料によって形成されている。好ましくは、MgAgからなる薄膜の透光性電極が好適に採用されるが、この他にも、MgAgAl電極、LiAl電極、LiFAl電極等を用いることもできる。また、これらの金属薄膜とITO(インジウム錫酸化物)等の透光性導電材料を積層した膜を対向電極18とすることもできる。対向電極18は、マトリクス状に配置されたドット領域Aを覆って第1基板10の略全面に設けられており、各画素電極14に共通の共通電極として機能する。   A functional layer 17 is provided on the surface of the partition layer 16 so as to cover the inner wall surfaces of the opening H1 and the groove H2. A counter electrode 18 is provided on the functional layer 17 so as to cover the surface of the recess formed by the opening H1 and the groove H2. The counter electrode 18 is formed of a material containing magnesium (Mg), lithium (Li), calcium (Ca) or the like. Preferably, a thin film translucent electrode made of MgAg is preferably employed, but other than this, an MgAgAl electrode, a LiAl electrode, a LiFAl electrode, or the like can also be used. A film in which these metal thin films and a light-transmitting conductive material such as ITO (Indium Tin Oxide) are laminated can be used as the counter electrode 18. The counter electrode 18 is provided on substantially the entire surface of the first substrate 10 so as to cover the dot regions A arranged in a matrix, and functions as a common electrode common to the pixel electrodes 14.

対向電極18の表面には、ドット領域Aの間隙に沿って平面視ストライプ状の補助電極50が設けられている。補助電極50は、溝部H2によって形成された凹部内に選択的に設けられている。補助電極50は、前記凹部内に埋め込まれるように配置されており、当該凹部によって形成された隔壁層上面部の凹凸を平坦化している。補助電極50は、導電性に優れたAl、Au、Ag等の金属材料によって形成される。   On the surface of the counter electrode 18, an auxiliary electrode 50 having a stripe shape in plan view is provided along the gap of the dot region A. The auxiliary electrode 50 is selectively provided in the recess formed by the groove H2. The auxiliary electrode 50 is disposed so as to be embedded in the recess, and the unevenness of the upper surface portion of the partition wall layer formed by the recess is flattened. The auxiliary electrode 50 is formed of a metal material such as Al, Au, or Ag having excellent conductivity.

対向電極18の表面には、対向電極18及び補助電極50を覆って第1保護膜19が設けられている。第1保護膜19は、対向電極18の表面全体を覆って第1基板10の略全面に設けられており、大気中に存在する酸素や水分から対向電極18(有機EL素子)を遮断する機能を有している。第1保護膜19は、透明性、密着性、耐水性等の面から、珪素酸窒化物等の無機化合物によって形成されていることが望ましい。   A first protective film 19 is provided on the surface of the counter electrode 18 so as to cover the counter electrode 18 and the auxiliary electrode 50. The first protective film 19 is provided on substantially the entire surface of the first substrate 10 so as to cover the entire surface of the counter electrode 18, and functions to block the counter electrode 18 (organic EL element) from oxygen and moisture present in the atmosphere. have. The first protective film 19 is preferably formed of an inorganic compound such as silicon oxynitride in terms of transparency, adhesion, water resistance, and the like.

第1保護膜19の表面には、緩衝層41と第2保護膜42とからなる封止層40が設けられている。緩衝層41は、第2保護膜42の下地を平坦化すると共に、第1基板10の反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、第1保護膜19が対向電極18から剥離するのを防止する機能を有する。緩衝層41としては、アクリル等の透光性の樹脂膜が用いられる。第2保護膜42は、主にガスバリア層として機能し、第1保護膜19と共に大気中に存在する酸素や水分から対向電極18(有機EL素子)を遮断する機能を有する。第2保護膜42は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、窒素を含む珪素化合物、例えば珪素窒化物等によって形成されていることが望ましい。   A sealing layer 40 including a buffer layer 41 and a second protective film 42 is provided on the surface of the first protective film 19. The buffer layer 41 planarizes the base of the second protective film 42 and relieves stress generated by warping and volume expansion of the first substrate 10, thereby preventing the first protective film 19 from peeling from the counter electrode 18. It has the function to do. As the buffer layer 41, a translucent resin film such as acrylic is used. The second protective film 42 mainly functions as a gas barrier layer, and has a function of blocking the counter electrode 18 (organic EL element) from oxygen and moisture present in the atmosphere together with the first protective film 19. The second protective film 42 is preferably formed of a silicon compound containing nitrogen, such as silicon nitride, in consideration of transparency, gas barrier properties, and water resistance.

第1基板10上には、第2基板20が設けられている。第2基板20は、ガラス、石英、プラスチック等からなる基板本体20Aを基体としてなる。基板本体20Aの第1基板10側には、カラーフィルタ21が設けられている。カラーフィルタ21は、R(赤),G(緑),B(青)の3原色を所定のパターン、例えば、ストライプ配列、デルタ配列、モザイク配列で配列することにより形成されている。カラーフィルタ21の1つの色要素は、画像を形成するための最小単位であるドット領域Aの1つに対応して設けられている。そして、R,G,Bに対応する3つの色要素が1つのユニットとなって1つの画素が形成されている。   A second substrate 20 is provided on the first substrate 10. The second substrate 20 has a substrate body 20A made of glass, quartz, plastic or the like as a base. A color filter 21 is provided on the first substrate 10 side of the substrate body 20A. The color filter 21 is formed by arranging three primary colors of R (red), G (green), and B (blue) in a predetermined pattern, for example, a stripe arrangement, a delta arrangement, and a mosaic arrangement. One color element of the color filter 21 is provided corresponding to one of the dot areas A that is the minimum unit for forming an image. Then, three color elements corresponding to R, G, and B form one unit to form one pixel.

第1基板10及び第2基板20の間には、接着層43が設けられている。接着層43としては、熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂等が用いられ、特に、熱硬化樹脂の1種であるエポキシ樹脂が好ましく用いられる。第2基板20は、接着層43を介して第1基板10に接着されている。第1基板10の有機EL素子が形成された面は、接着層43及び第2基板20によって封止されており、水や酸素の侵入を防いで有機EL素子の酸化を防止するようになっている。   An adhesive layer 43 is provided between the first substrate 10 and the second substrate 20. As the adhesive layer 43, a thermosetting resin, an ultraviolet curable resin, or the like is used. In particular, an epoxy resin that is a kind of thermosetting resin is preferably used. The second substrate 20 is bonded to the first substrate 10 via the adhesive layer 43. The surface of the first substrate 10 on which the organic EL element is formed is sealed by the adhesive layer 43 and the second substrate 20, preventing water and oxygen from entering and preventing the organic EL element from being oxidized. Yes.

上記構成の有機EL装置1では、走査線11が駆動されてスイッチング用TFT31がオンになると、そのときの信号線12の電位が保持容量capに保持され、この保持容量capの状態に応じて駆動用TFT32の導通状態が決まる。また、駆動用TFT32のチャネルを介して共通給電線13から画素電極14に電流が流れ、さらに機能層17を通じて対向電極18に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて機能層17(発光層)が発光する。機能層17から対向電極18側に射出された光は、カラーフィルタ21及び基板本体20Aを透過して外部に射出されると共に、機能層17から基板本体10A側に発した光が、画素電極14又は画素電極14の下側に設けられた図示略の反射膜によって反射され、その光がカラーフィルタ21及び基板本体20Aを透過して外部に射出される(トップエミッション型)。   In the organic EL device 1 having the above configuration, when the scanning line 11 is driven and the switching TFT 31 is turned on, the potential of the signal line 12 at that time is held in the holding capacitor cap and is driven according to the state of the holding capacitor cap. The conduction state of the TFT 32 for use is determined. Further, a current flows from the common power supply line 13 to the pixel electrode 14 through the channel of the driving TFT 32, and further a current flows to the counter electrode 18 through the functional layer 17. The functional layer 17 (light emitting layer) emits light according to the amount of current at this time. Light emitted from the functional layer 17 to the counter electrode 18 side is transmitted through the color filter 21 and the substrate body 20A and emitted to the outside, and light emitted from the functional layer 17 to the substrate body 10A side is emitted from the pixel electrode 14. Alternatively, the light is reflected by a reflection film (not shown) provided on the lower side of the pixel electrode 14, and the light passes through the color filter 21 and the substrate body 20A and is emitted to the outside (top emission type).

[有機EL装置の製造方法]
次に、図2〜図9を用いて有機EL装置1の製造方法を説明する。なお、図2〜図9では、説明に必要な層のみを図示し、回路素子部15等の付帯的な層の図示は省略する。
[Method for Manufacturing Organic EL Device]
Next, a method for manufacturing the organic EL device 1 will be described with reference to FIGS. 2 to 9, only the layers necessary for the explanation are shown, and the illustration of the incidental layers such as the circuit element unit 15 is omitted.

まず、図2に示すように、画素電極14が形成された基体10A上に隔壁層16を形成する。隔壁層16は、基体10A上にアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁材料を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて、画素電極14上に開口部H1を形成し、画素電極14(ドット領域A)の間隙に沿って溝部H2を形成することにより得られる。溝部H2の深さは、補助電極の厚みに応じて適切な深さに形成する。開口部H1及び溝部H2は、共通の工程により同時に形成することが望ましい。   First, as shown in FIG. 2, the partition layer 16 is formed on the base 10A on which the pixel electrode 14 is formed. The partition layer 16 is formed by forming an insulating material such as an acrylic resin or a polyimide resin on the base 10A, and using the photolithography technique, the opening H1 is formed on the pixel electrode 14 to form the pixel electrode 14 (dot region A). It is obtained by forming the groove H2 along the gap. The depth of the groove H2 is formed to an appropriate depth according to the thickness of the auxiliary electrode. It is desirable that the opening H1 and the groove H2 are simultaneously formed by a common process.

次に、図3に示すように、画素電極14及び隔壁層16の全面に機能層17を形成する。機能層17は、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層及び電子輸送層を順次成膜することにより形成することができる。各層の蒸着材料及び蒸着方法としては公知の蒸着材料及び蒸着方法を用いることができる。   Next, as shown in FIG. 3, a functional layer 17 is formed on the entire surface of the pixel electrode 14 and the partition layer 16. The functional layer 17 can be formed, for example, by sequentially forming a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. Known vapor deposition materials and vapor deposition methods can be used as vapor deposition materials and vapor deposition methods for the respective layers.

次に、図4に示すように、機能層17の全面に対向電極18を形成する。この対向電極18の形成工程では、トップエミッション構造を実現するために、例えばイオンプレーティング法等の物理気相成長法により透明なITO膜を対向電極18として成膜する。またはAlの薄膜、MgAgの薄膜を蒸着法で形成し、或いはこの薄膜にITO膜を積層することにより、対向電極18とすることもできる。対向電極18は、開口部H1及び溝部H2によって形成される凹部の表面を覆って形成される。   Next, as shown in FIG. 4, the counter electrode 18 is formed on the entire surface of the functional layer 17. In the step of forming the counter electrode 18, a transparent ITO film is formed as the counter electrode 18 by a physical vapor deposition method such as an ion plating method in order to realize a top emission structure. Alternatively, the counter electrode 18 can be formed by forming a thin film of Al or a thin film of MgAg by vapor deposition, or by laminating an ITO film on this thin film. The counter electrode 18 is formed so as to cover the surface of the recess formed by the opening H1 and the groove H2.

次に、図5に示すように、溝部H2によって形成された凹部内に補助電極50を形成する。補助電極50はマスク蒸着法を用いて前記凹部内ニ選択的に形成されるが、インクジェット法を用いて溝部H2内に補助電極材料を吐出し、これを乾燥処理及び焼成処理することにより補助電極50を形成することもできる。補助電極50の厚みは、溝部H2の深さに対応した厚みとされる。これにより、隔壁層16の上面は略平坦化され、基体表面の凹凸は最小限に抑えられる。   Next, as shown in FIG. 5, the auxiliary electrode 50 is formed in the recess formed by the groove H <b> 2. The auxiliary electrode 50 is selectively formed in the concave portion using a mask vapor deposition method, but the auxiliary electrode material is discharged into the groove portion H2 using an ink jet method, and this is dried and baked to form the auxiliary electrode. 50 can also be formed. The auxiliary electrode 50 has a thickness corresponding to the depth of the groove H2. As a result, the upper surface of the partition wall layer 16 is substantially flattened, and the unevenness of the substrate surface is minimized.

次に、図6に示すように、対向電極18及び補助電極50の全面に第1保護膜19を形成する。第1保護膜19は隔壁層16によって形成された凹凸を覆って形成されるが、隔壁層16の上面は平坦化されているため、クラックや剥離が生じにくいものとなる。   Next, as shown in FIG. 6, a first protective film 19 is formed on the entire surface of the counter electrode 18 and the auxiliary electrode 50. The first protective film 19 is formed so as to cover the unevenness formed by the partition wall layer 16, but the upper surface of the partition wall layer 16 is flattened, so that cracks and peeling do not easily occur.

次に、図7に示すように、第1保護膜19の全面に緩衝層41を形成する。緩衝層41は、エポキシ樹脂等の透光性の樹脂膜をスクリーン印刷法により塗布し、これを加熱処理することにより形成することができる。スキージは、例えば矢印の方向に沿って走査されるが、基体10Aの表面には補助電極50に起因した急峻な段差は形成されていないため、段差部分の影によって気泡が発生する等の問題は生じない。また、スキージは基体10Aの表面を加圧しつつ走査されるが、隔壁層16の上面には大きな段差が形成されていないため、隔壁層16の上面近傍で機能層17の剥離が生じる等の問題も生じない。   Next, as shown in FIG. 7, a buffer layer 41 is formed on the entire surface of the first protective film 19. The buffer layer 41 can be formed by applying a light-transmitting resin film such as an epoxy resin by a screen printing method and heat-treating it. The squeegee is scanned, for example, in the direction of the arrow. However, since a steep step due to the auxiliary electrode 50 is not formed on the surface of the base body 10A, there is a problem that bubbles are generated by the shadow of the step portion. Does not occur. Further, although the squeegee is scanned while pressing the surface of the base body 10A, since a large step is not formed on the upper surface of the partition wall layer 16, there is a problem that the functional layer 17 is peeled near the upper surface of the partition wall layer 16. Does not occur.

次に、図8に示すように、緩衝層41の全面に第2保護膜42を形成する。第2保護膜42は、緩衝層41によって平坦化された面に形成されるため、クラックや剥離等の問題が生じにくいものとなる。   Next, as shown in FIG. 8, a second protective film 42 is formed on the entire surface of the buffer layer 41. Since the second protective film 42 is formed on the surface flattened by the buffer layer 41, problems such as cracks and peeling are unlikely to occur.

以上により第1基板10が完成したら、図9に示すように、接着層を介して第1基板10上に第2基板20を接着する。接着層及び第2基板20は、第1保護膜19、緩衝層41及び第2保護膜42と共に有機EL素子を封止する封止手段として機能する。以上により、有機EL装置1が完成する。   When the first substrate 10 is completed as described above, the second substrate 20 is bonded onto the first substrate 10 through an adhesive layer as shown in FIG. The adhesive layer and the second substrate 20 function as a sealing unit that seals the organic EL element together with the first protective film 19, the buffer layer 41, and the second protective film 42. Thus, the organic EL device 1 is completed.

以上説明したように、本実施形態の有機EL装置1によれば、補助電極50が溝部H2内に埋め込まれるように形成されるため、第1保護膜19のクラックや剥離等の生じにくく、信頼性の高い有機EL装置が提供できる。また、緩衝層41を介して第2保護膜42を形成する際に、緩衝層41に気泡が混入しにくくなり、表示品質に優れたトップエミッション型の有機EL装置が提供できる。   As described above, according to the organic EL device 1 of the present embodiment, since the auxiliary electrode 50 is formed so as to be embedded in the groove H2, the first protective film 19 is not easily cracked, peeled off, and the like. A highly organic EL device can be provided. Moreover, when forming the 2nd protective film 42 via the buffer layer 41, a bubble becomes difficult to mix in the buffer layer 41, and the top emission type organic EL apparatus excellent in display quality can be provided.

なお、本実施形態の有機EL装置1では、溝H2をドット領域Aの短辺に沿って平面視ストライプ状に設けたが、溝H2は、図10のようにドット領域Aの長辺及び短辺に沿って平面視格子状に設けることもできる。この構成によれば、例えば、補助電極50を遮光性又は光反射性の導電材料によって形成することにより、補助電極50をブラックマトリクスとして用いることができる。特に、補助電極50は隔壁層16の一部を構成し、画素電極14の周囲に壁状に形成されているため、隣接ドット領域間の混色が防止され、高い表示品質が実現できる。また、補助電極50を格子状に設けているため、対向電極18の抵抗を最大限小さくすることができ、表示品質に優れた有機EL装置が提供できる。   In the organic EL device 1 of the present embodiment, the groove H2 is provided in a stripe shape in plan view along the short side of the dot region A. However, the groove H2 has a long side and a short side of the dot region A as shown in FIG. It can also be provided in a lattice shape in plan view along the side. According to this configuration, for example, the auxiliary electrode 50 can be used as a black matrix by forming the auxiliary electrode 50 from a light-shielding or light-reflecting conductive material. In particular, since the auxiliary electrode 50 constitutes a part of the partition wall layer 16 and is formed in a wall shape around the pixel electrode 14, color mixing between adjacent dot regions is prevented, and high display quality can be realized. In addition, since the auxiliary electrode 50 is provided in a lattice shape, the resistance of the counter electrode 18 can be minimized, and an organic EL device having excellent display quality can be provided.

[電子機器]
次に、図11を用いて、本発明のEL装置を備えた電子機器の実施形態について説明する。図11は、本発明のEL装置の一例である図1の有機EL装置を映像モニタの表示部に適用した例についての概略構成図である。同図に示す映像モニタ1200は、先の実施形態の有機EL装置を備えた表示部1201と、筐体1202と、スピーカ1203等を備えている。上記実施形態の有機EL装置は、上記映像モニタに限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。かかる構成とすることで、信頼性が高く、発光特性に優れた電子機器を提供することができる。
[Electronics]
Next, an embodiment of an electronic apparatus provided with the EL device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a schematic configuration diagram of an example in which the organic EL device of FIG. 1 which is an example of the EL device of the present invention is applied to a display unit of a video monitor. A video monitor 1200 shown in the figure includes a display unit 1201 including the organic EL device of the previous embodiment, a housing 1202, a speaker 1203, and the like. The organic EL device of the embodiment is not limited to the video monitor, but is an electronic book, a projector, a personal computer, a digital still camera, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, an electronic notebook, and a calculator. It can be suitably used as an image display means for a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, a mobile phone, a device equipped with a touch panel, and the like. With such a structure, an electronic device with high reliability and excellent light emission characteristics can be provided.

EL装置の一実施形態である有機EL装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the organic EL apparatus which is one Embodiment of EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 同有機EL装置の製造方法を説明する工程図である。It is process drawing explaining the manufacturing method of the organic EL apparatus. 補助電極の他の構成例を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the other structural example of an auxiliary electrode. 電子機器の一例である映像モニタの概略構成図である。It is a schematic block diagram of the video monitor which is an example of an electronic device. 従来の補助電極の構成を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the structure of the conventional auxiliary electrode.

符号の説明Explanation of symbols

1…有機EL装置(エレクトロルミネッセンス装置)、14…画素電極(第1電極)、16…隔壁層、17…機能層、18…対向電極(第2電極)、19…第1保護膜、41…緩衝層、42…第2保護膜、50…補助電極、1200…映像モニタ(電子機器)、H1…開口部(隔壁層によって区画された領域)、H2…溝部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL apparatus (electroluminescence apparatus), 14 ... Pixel electrode (1st electrode), 16 ... Partition wall layer, 17 ... Functional layer, 18 ... Counter electrode (2nd electrode), 19 ... 1st protective film, 41 ... Buffer layer, 42 ... second protective film, 50 ... auxiliary electrode, 1200 ... video monitor (electronic device), H1 ... opening (region partitioned by partition wall layer), H2 ... groove

Claims (7)

複数の第1電極と、
前記複数の第1電極を区画する隔壁層と、
前記隔壁層によって区画された領域に設けられた機能層と、
前記機能層及び前記隔壁層を覆って設けられた第2電極と、
前記第2電極上に設けられた保護膜と、
前記隔壁層の上面に設けられた溝部と、
前記溝部によって形成された凹部内に選択的に設けられた補助電極とを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。
A plurality of first electrodes;
A partition layer partitioning the plurality of first electrodes;
A functional layer provided in a region partitioned by the partition layer;
A second electrode provided to cover the functional layer and the partition layer;
A protective film provided on the second electrode;
A groove provided on the upper surface of the partition layer;
And an auxiliary electrode selectively provided in a recess formed by the groove.
前記保護膜上に緩衝層が設けられ、前記緩衝層上に第2の保護膜が設けられていることを特徴とする請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 1, wherein a buffer layer is provided on the protective film, and a second protective film is provided on the buffer layer. 前記溝部の深さは前記補助電極の厚みと略等しいことを特徴とする請求項1又は2に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 1, wherein a depth of the groove is substantially equal to a thickness of the auxiliary electrode. 前記溝部は、前記溝部の底部から上部にかけて開口面積が大きくなるようなテーパ状の斜面を有していることを特徴とする請求項1〜3のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 1, wherein the groove portion has a tapered slope whose opening area increases from a bottom portion to an upper portion of the groove portion. 前記第2電極は透光性の導電材料により形成され、前記機能層から射出された光は前記第2電極を透過して外部に取り出されることを特徴とする請求項1〜4のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The said 2nd electrode is formed with a translucent conductive material, The light inject | emitted from the said functional layer permeate | transmits the said 2nd electrode, and is taken out outside, The any one of Claims 1-4 characterized by the above-mentioned. The electroluminescent device according to item. 前記補助電極は、遮光性又は光反射性の導電材料により形成され、前記複数の第1電極を区画するように格子状に設けられていることを特徴とする請求項5に記載のエレクトロルミネッセンス装置。   The electroluminescent device according to claim 5, wherein the auxiliary electrode is formed of a light-shielding or light-reflective conductive material, and is provided in a lattice shape so as to partition the plurality of first electrodes. . 請求項1〜6のいずれかの項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the electroluminescence device according to claim 1.
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