JP2008147631A - Substrate processing equipment - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板を搬送する搬送手段を備える基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus including a transport unit that transports a substrate.
枚葉式基板処理装置等の基板処理装置は、複数枚の基板を収納する基板収納容器を載置する基板収納部と、基板収納容器と連通する大気搬送室と、大気搬送室と連通し内部を真空排気することが可能な予備室と、予備室と連通し基板を処理する基板処理室と、基板収納容器と予備室との間で基板の搬送を行う大気搬送手段と、予備室と基板処理室との間で基板の搬送を行う真空搬送手段と、大気搬送手段及び真空搬送手段を制御する制御手段と、を備えている。 A substrate processing apparatus such as a single-wafer substrate processing apparatus includes a substrate storage unit for mounting a substrate storage container for storing a plurality of substrates, an atmospheric transfer chamber communicating with the substrate storage container, and an internal communication with the atmospheric transfer chamber. A spare chamber capable of evacuating the substrate, a substrate processing chamber communicating with the spare chamber to process the substrate, atmospheric transfer means for transporting the substrate between the substrate storage container and the spare chamber, and the spare chamber and the substrate A vacuum transfer unit that transfers the substrate to and from the processing chamber, and an air transfer unit and a control unit that controls the vacuum transfer unit are provided.
上述の基板処理装置において、基板収納容器、大気搬送室、予備室、及び基板処理室に対して所定の順序で自動的に基板を搬送する処理を自動搬送処理と呼ぶ。制御手段は、自動搬送処理の際、大気搬送手段及び真空搬送手段に対する制御の履歴や基板処理装置内に設置されるセンサからの検出信号等に基づいて、現在の基板位置を自動的に認識して管理している。 In the above-described substrate processing apparatus, a process of automatically transporting a substrate in a predetermined order to the substrate storage container, the atmospheric transfer chamber, the spare chamber, and the substrate processing chamber is referred to as an automatic transfer process. During the automatic transfer process, the control means automatically recognizes the current substrate position based on the control history for the atmospheric transfer means and the vacuum transfer means, the detection signal from the sensor installed in the substrate processing apparatus, and the like. Are managed.
上述の自動搬送処理は、制御手段やセンサの誤動作、搬送中における基板の落下や破損、不測の停電、といったさまざまな要因により中断する場合がある。その場合、搬送中の基板は基板処理装置の内部に滞留することになるが、自動搬送処理を再開させるには、基板処理装置の内部に滞留している全ての基板を基板収納容器へ回収しておく必要がある。 The automatic transfer process described above may be interrupted due to various factors such as malfunction of the control means or sensor, dropping or damage of the substrate during transfer, unexpected power failure. In that case, the substrate being transported stays inside the substrate processing apparatus, but in order to resume the automatic transport processing, all the substrates staying inside the substrate processing apparatus are collected in the substrate storage container. It is necessary to keep.
ここで、自動搬送処理の中断要因によっては、制御手段が管理している基板の位置と実際の基板の位置とが異なってしまう場合がある。例えば、搬送した後に基板が割れて落ちてしまったり、基板が熱膨張して搬送手段のアームの先に設けられたツィーザのザグリに対して乗り上げてしまったり等、基板が正規の搬送予定位置にないために、制御手段が認識している基板の位置と実際の基板の位置とが異なってしまう場合がある。このような場合、制御手段が管理している基板の位置情報に基づいて基板の回収を行おうとすると、センサによる基板の検出が出来ずに搬送することになり、基板及び基板処理装置を損傷する危険性がある。 Here, depending on the interruption factor of the automatic transfer processing, the position of the substrate managed by the control means may be different from the actual position of the substrate. For example, the substrate may break and fall after being transported, or the substrate may thermally expand and ride on the tweezer counterbore provided at the end of the arm of the transport means. For this reason, the position of the substrate recognized by the control means may be different from the actual position of the substrate. In such a case, if the substrate is to be collected based on the position information of the substrate managed by the control means, the substrate cannot be detected by the sensor and is transported, thereby damaging the substrate and the substrate processing apparatus. There is a risk.
自動搬送処理が中断し、制御手段が認識している基板の位置と実際の基板の位置とが異なってしまった場合、基板処理装置の内部に滞留している基板の回収は、保守員が実際の基板位置を目視確認しながら手動で行う必要があった。しかしながら、この場合、基板処理装置の復旧作業に時間を要することとなり、基板処理装置の稼働率が低下してしまうという問題があった。 If the automatic transfer process is interrupted and the position of the substrate recognized by the control means is different from the actual position of the substrate, the maintenance staff actually collects the substrate staying inside the substrate processing equipment. It was necessary to carry out manually while visually checking the position of the substrate. However, in this case, it takes time to restore the substrate processing apparatus, and there is a problem in that the operating rate of the substrate processing apparatus decreases.
本発明は、基板処理装置の内部に滞留している基板を、基板及び基板処理装置の損傷を抑制しつつ、自動的に短時間で回収することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of automatically collecting a substrate staying inside the substrate processing apparatus in a short time while suppressing damage to the substrate and the substrate processing apparatus. And
本発明の一態様によれば、基板を処理する基板処理室と、複数枚の基板を収容する基板収納容器と前記基板処理室との間に設けられ内部の圧力を制御可能な予備室と、前記予備室内に設けられ前記基板収納容器と前記基板処理室との間で基板の搬送を行う搬送手段と
、前記搬送手段の動作を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内における基板の位置を示す位置情報を管理するとともに、前記搬送手段による搬送処理が中断されて前記位置情報を管理することが出来なくなった場合に、前記基板処理装置内に残留している基板を前記基板収納容器から近い順に前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する基板処理装置が提供される。
According to one aspect of the present invention, a substrate processing chamber for processing a substrate, a substrate storage container for storing a plurality of substrates, and a spare chamber provided between the substrate processing chamber and capable of controlling an internal pressure; A substrate processing apparatus comprising: a transport unit that transports a substrate between the substrate storage container and the substrate processing chamber provided in the preliminary chamber; and a control unit that controls the operation of the transport unit, The control means manages the position information indicating the position of the substrate in the substrate processing apparatus, and the substrate processing when the position information cannot be managed because the transfer processing by the transfer means is interrupted. There is provided a substrate processing apparatus for controlling the operation of the transfer means so as to transfer the substrate remaining in the apparatus into the substrate storage container in the order of proximity from the substrate storage container.
本発明によれば、基板処理装置の内部に滞留している基板を、基板及び基板処理装置の損傷を抑制しつつ、短時間で自動的に回収することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to automatically recover a substrate staying inside the substrate processing apparatus in a short time while suppressing damage to the substrate and the substrate processing apparatus.
以下に、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置の構成及び動作について、図1〜図5を用いて説明する。 Below, the structure and operation | movement of the substrate processing apparatus concerning one Embodiment of this invention are demonstrated using FIGS.
参照する図面において、図1は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概要構成図であり、図2は、本発明の一実施形態にかかるインライン型基板処理装置の概要構成図であり、図3は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置が備える制御手段のブロック構成図である。また、図4は、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置にて実施される自動搬送処理のフロー図である。そして、図5は、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置において実施される基板回収工程を示す動作フロー図である。また、図6は、回収先ロードポートの選択画面を示す概要図である In the drawings to be referred to, FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a cluster type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram of an inline type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a block diagram of the control means provided in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 is a flowchart of automatic transfer processing performed in the cluster type substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 5 is an operation flowchart showing the substrate recovery process performed in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention. FIG. 6 is a schematic diagram showing a collection destination load port selection screen.
(1)基板処理装置の構成
一般に、基板処理装置は、チャンバ配列によって複数のタイプに分類することができる。1つは、複数のチャンバが搬送室の回りに星状に配列されたクラスタ型基板処理装置がある。他には、チャンバと搬送室とが一直線に配列されているインライン型基板処理装置がある。以下に、クラスタ型基板処理装置、インライン型基板処理装置の構成、これらを制御するための制御手段の構成について、それぞれ図1から図3を用いて説明する。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus Generally, substrate processing apparatuses can be classified into a plurality of types according to the chamber arrangement. One is a cluster type substrate processing apparatus in which a plurality of chambers are arranged in a star shape around a transfer chamber. In addition, there is an inline type substrate processing apparatus in which a chamber and a transfer chamber are arranged in a straight line. Hereinafter, the configurations of the cluster type substrate processing apparatus and the inline type substrate processing apparatus and the configuration of the control means for controlling them will be described with reference to FIGS.
(1−1)クラスタ型基板処理装置の構成
図1に、本発明の一実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の構成例を示す。クラスタ型基板処理装置は、真空側と大気側とに分れている。
(1-1) Configuration of Cluster Type Substrate Processing Apparatus FIG. 1 shows a configuration example of a cluster type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The cluster type substrate processing apparatus is divided into a vacuum side and an atmosphere side.
(a)真空側の構成
クラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室(トランスファチャンバ)TMと、予備室としてのバキュームロックチャンバ(ロードロック室)VL1,VL2と、基板処理室としてのプロセスチャンバPM1,PM2と、冷却チャンバCS1,CS2と、が設けられる。バキュームロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1,PM2、冷却チャンバCS1,CS2は、真空搬送室TMの外周に星状に配置されている。
(A) Configuration on the vacuum side On the vacuum side of the cluster type substrate processing apparatus, a vacuum transfer chamber (transfer chamber) TM capable of being vacuum-tight, vacuum lock chambers (load lock chambers) VL1 and VL2 as spare chambers, a substrate, Process chambers PM1 and PM2 as processing chambers and cooling chambers CS1 and CS2 are provided. The vacuum lock chambers VL1 and VL2, the process chambers PM1 and PM2, and the cooling chambers CS1 and CS2 are arranged in a star shape on the outer periphery of the vacuum transfer chamber TM.
真空搬送室TMは、真空状態などの大気圧未満の圧力(負圧)に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造に構成されている。なお、本発明の一実施形態においては、真空搬送室TMの筐体は、平面視が六角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。 The vacuum transfer chamber TM has a load lock chamber structure that can withstand a pressure (negative pressure) less than atmospheric pressure such as a vacuum state. In the embodiment of the present invention, the housing of the vacuum transfer chamber TM is formed in a box shape having a hexagonal shape in plan view and closed at both upper and lower ends.
真空搬送室TM内には、真空搬送手段としての真空ロボットVRが設けられている。真空ロボットVRは、バキュームロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1,PM2、冷却チャンバCS1,CS2との間で、基板としてのウエハWの搬送を基板載置部であるアームに載せることで相互に行なう。なお、真空ロボットVRは、エレベータ
EVによって、真空搬送室TMの機密性を維持しつつ昇降できる。また、バキュームロックチャンバVL1,VL2、プロセスチャンバPM1,PM2、及び冷却チャンバCS1,CS2の前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)にはウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサが設置され、アーム上のウエハWの存在を検知できるようになっている。
In the vacuum transfer chamber TM, a vacuum robot VR as a vacuum transfer means is provided. The vacuum robot VR mutually transfers the wafer W as a substrate on an arm which is a substrate mounting portion among the vacuum lock chambers VL1 and VL2, the process chambers PM1 and PM2, and the cooling chambers CS1 and CS2. . The vacuum robot VR can be moved up and down by the elevator EV while maintaining the confidentiality of the vacuum transfer chamber TM. Further, a wafer presence sensor as a substrate detection means for detecting the presence or absence of the wafer W is provided at a predetermined position (near the gate valve) in front of the vacuum lock chambers VL1 and VL2, the process chambers PM1 and PM2, and the cooling chambers CS1 and CS2. It is installed so that the presence of the wafer W on the arm can be detected.
プロセスチャンバPM1,PM2は、例えば化学反応(CVD)による成膜など、ウエハWに付加価値を与える基板処理室として機能する。プロセスチャンバPM1,PM2は、図示しないガス導入・排気機構、およびプラズマ放電機構に加え、図3に示すプロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ(MFC)11、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ(APC)12、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出力バルブI/O14、などを備えている。
The process chambers PM1 and PM2 function as a substrate processing chamber that gives added value to the wafer W, such as film formation by chemical reaction (CVD). The process chambers PM1 and PM2 include a gas flow controller (MFC) 11 for controlling the flow rate of the processing gas supplied into the process chamber shown in FIG. An auto pressure controller (APC) 12 for controlling the pressure, a
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空搬送室TM内へウエハWを搬入するための予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬出するための予備室として機能する。バキュームロックチャンバVL1,VL2の内部には、基板の搬入搬出用にウエハWを一時的に支持するためのバッファステージST1,ST2が、それぞれ設けられている。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 function as a spare chamber for carrying the wafer W into the vacuum transfer chamber TM or as a spare chamber for carrying the wafer W out of the vacuum transfer chamber TM. Inside the vacuum lock chambers VL1 and VL2, buffer stages ST1 and ST2 for temporarily supporting the wafer W for loading / unloading of substrates are provided, respectively.
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれゲートバルブG1,G2を介して真空搬送室TMと連通しており、また、それぞれゲートバルブG3,G4を介して後述する大気搬送室LMと連通している。したがって、ゲートバルブG1,G2を閉じたまま、ゲートバルブG3,G4を開けることにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1,VL2と大気搬送室LMとの間でウエハWの搬送を行うことが可能である。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 communicate with the vacuum transfer chamber TM via gate valves G1 and G2, respectively, and communicate with an atmospheric transfer chamber LM, which will be described later, via gate valves G3 and G4, respectively. Therefore, by opening the gate valves G3 and G4 while the gate valves G1 and G2 are closed, the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are kept between the vacuum transfer chamber LM and the vacuum transfer chamber LM while maintaining the vacuum airtightness in the vacuum transfer chamber TM. It is possible to carry the wafer W.
また、バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3,G4を閉じてバキュームロックチャンバVL1,VL2の内部を真空排気した後で、ゲートバルブG3,G4を開けることにより、真空搬送室TM内の真空状態を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1,VL2と真空搬送室TMとの間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。 Further, the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are configured as a load lock chamber structure capable of withstanding a negative pressure less than atmospheric pressure such as a vacuum state, and the inside thereof can be evacuated. Therefore, after the gate valves G3 and G4 are closed and the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are evacuated, the gate valves G3 and G4 are opened, and the vacuum lock is maintained while maintaining the vacuum state in the vacuum transfer chamber TM. It is possible to transfer the wafer W between the chambers VL1 and VL2 and the vacuum transfer chamber TM.
冷却チャンバCS1,CS2は、ウエハWを格納して冷却させるように機能する。冷却チャンバCS1,CS2も、その内部を真空排気することが可能となっている。なお、冷却チャンバCS1,CS2と真空搬送室TMとの間にも、ゲートバルブがそれぞれ設けられている。 The cooling chambers CS1 and CS2 function to store and cool the wafer W. The cooling chambers CS1 and CS2 can also be evacuated. Gate valves are also provided between the cooling chambers CS1 and CS2 and the vacuum transfer chamber TM, respectively.
(b)大気側の構成
一方、クラスタ型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロックチャンバVL1,VL2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収納容器(以下ポッドPD1〜PD3)を載置する基板収容部としてのロードポートLP1〜LP3と、が設けられる。
(B) Configuration on the atmosphere side On the other hand, on the atmosphere side of the cluster type substrate processing apparatus, as described above, the atmosphere transfer chamber LM as the atmosphere transfer chamber connected to the vacuum lock chambers VL1 and VL2, and the atmosphere transfer chamber LM And load ports LP1 to LP3 as substrate storage portions for mounting substrate storage containers (hereinafter referred to as pods PD1 to PD3) connected to.
大気搬送室LMには、図示しないが、大気搬送室LMの内部にクリーンエアを供給するためのクリーンエアユニットが設けられている。 Although not shown, the atmospheric transfer chamber LM is provided with a clean air unit for supplying clean air into the atmospheric transfer chamber LM.
大気搬送室LM内には、大気搬送手段としての1台の大気ロボットARが設けられてい
る。大気ロボットARは、バキュームロックチャンバVL1,VL2とロードポートLP1〜LP3との間で、基板としてのウエハWの搬送を相互に行なう。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部であるアームを有する。また、大気搬送室LMの前の所定の位置(ゲートバルブ近傍)にも、同様に、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサが設置され、アーム上のウエハWの存在を検知できるようになっている。
In the atmospheric transfer chamber LM, one atmospheric robot AR as an atmospheric transfer means is provided. The atmospheric robot AR mutually transfers the wafer W as a substrate between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the load ports LP1 to LP3. Similarly to the vacuum robot VR, the atmospheric robot AR also has an arm that is a substrate placement unit. Similarly, a wafer presence / absence sensor as a substrate detecting means for detecting the presence / absence of the wafer W is also installed at a predetermined position (near the gate valve) in front of the atmospheric transfer chamber LM to detect the presence of the wafer W on the arm. It can be detected.
なお、大気搬送室LM内には、基板位置補正装置として、ウエハWの結晶方位の位置合わせ等を行うためのオリフラ(Orientation Flat)合わせ装置OFAが設けられている。 In the atmospheric transfer chamber LM, an orientation flat alignment device OFA for aligning the crystal orientation of the wafer W is provided as a substrate position correction device.
各ロードポートLP1〜LP3上には、複数枚のウエハWを収納することが出来る基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3(図示しない)をそれぞれ載置することが出来る。基板収納容器としてのポッドPD1〜PD3内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。 On each of the load ports LP1 to LP3, pods PD1 to PD3 (not shown) as substrate storage containers capable of storing a plurality of wafers W can be mounted, respectively. In the pods PD1 to PD3 serving as substrate storage containers, a plurality of slots serving as storage units for storing the wafers W are provided.
(c)制御手段の構成
クラスタ型基板処理装置の各構成部は、制御手段CNTにより制御される。図3に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統括制御コントローラ90と、プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2と、操作員による操作を受け付ける操作部100と、を備えており、これらはLAN回線80により相互にデータ交換可能なように接続されている。
(C) Configuration of Control Unit Each component of the cluster type substrate processing apparatus is controlled by the control unit CNT. FIG. 3 shows a configuration example of the control means CNT. The control means CNT includes a
統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4、バキュームロックチャンバVL1,VL2と、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR及び大気ロボットARの動作、ゲートバルブG1〜G4の開閉動作、バキュームロックチャンバVL1,VL2内部の排気動作を制御する。また、統括制御コントローラ90は、上述のウエハ有無センサにそれぞれ接続されており、ウエハ有無センサからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハWの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ90は、前記ウエハWをポッドPD1〜PD3の内のどのスロットに収納するかをそれぞれ指定する収納情報と前記位置情報とに加え、ウエハWについてのプロセス処理状況、ウエハWを識別するためのウエハID、ウエハWに対して実施するレシピ等のデータに基づいて、搬送手段としての真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4等の動作を制御するように構成されている。
The
プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2は、プロセスチャンバPM1,PM2が備えるMFC11、APC12、温度調整器13、入出力バルブI/O14等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2は、プロセスチャンバPM1,PM2へのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバCS1,CS2の冷却機構等の各動作を制御する。
The process chamber controllers PMC1 and PMC2 are connected to the
操作部100は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担う。
The
(1−2)インライン型基板処理装置の構成
続いて、図2に、本発明の一実施形態にかかるインライン型基板処理装置の構成例を示す。インライン型基板処理装置も、真空側と大気側とに分れている。
(1-2) Configuration of Inline Type Substrate Processing Apparatus Next, FIG. 2 shows a configuration example of an inline type substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention. The inline-type substrate processing apparatus is also divided into a vacuum side and an atmosphere side.
(a)真空側の構成
インライン型基板処理装置の真空側には、2つの基板処理モジュールMD1,MD2が並列に設けられる。基板処理モジュールMD1は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバPM1と、この前段に設けられた予備室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバVL1と、を備えている。基板処理モジュールMD2も、MD1と同様に、プロセスチャンバPM2と、バキュームロックチャンバVL2と、を備えている。
(A) Configuration on the vacuum side Two substrate processing modules MD1 and MD2 are provided in parallel on the vacuum side of the inline-type substrate processing apparatus. The substrate processing module MD1 includes a process chamber PM1 as a vacuum-tight substrate processing chamber connected in-line and a vacuum-tight vacuum lock chamber VL1 as a preliminary chamber provided in the preceding stage. The substrate processing module MD2 also includes a process chamber PM2 and a vacuum lock chamber VL2 as in the case of MD1.
プロセスチャンバPM1,PM2は、クラスタ型基板処理装置の場合と同様に、例えば化学反応(CVD)による成膜など、基板としてのウエハWに付加価値を与える基板処理室として機能する。そして、プロセスチャンバPM1,PM2は、ガス導入・排気機構、および温度制御・プラズマ放電機構、プロセスチャンバ内へ供給する処理ガスの流量を制御するMFC11、プロセスチャンバ内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラAPC12、プロセスチャンバ内の温度を制御する温度調整器13、処理ガスの供給や排気用バルブのオン/オフを制御するための入出力バルブI/O14、などを備えている。
As in the case of the cluster type substrate processing apparatus, the process chambers PM1 and PM2 function as a substrate processing chamber that gives added value to the wafer W as a substrate, for example, film formation by chemical reaction (CVD). The process chambers PM1 and PM2 include a gas introduction / exhaust mechanism, a temperature control / plasma discharge mechanism, an
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれ、プロセスチャンバPM1,PM2へウエハWを搬入するための予備室として、あるいは、プロセスチャンバPM1,PM2からウエハWを搬出するための予備室として機能する。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 function as spare chambers for loading the wafer W into the process chambers PM1 and PM2, or as spare chambers for unloading the wafer W from the process chambers PM1 and PM2, respectively.
バキュームロックチャンバVL1,VL2には、第2の基板搬送装置としての真空ロボットVR1,VR2がそれぞれ設けられている。真空ロボットVR1,VR2は、それぞれ、プロセスチャンバPM1とバキュームロックチャンバVL1との間、又はプロセスチャンバPM2とバキュームロックチャンバVL2との間で、ウエハWを搬送することが可能となっている。また、これら真空ロボットVR1,VR2には、それぞれ基板載置部としてのアームが設けられている。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 are provided with vacuum robots VR1 and VR2 as second substrate transfer apparatuses, respectively. Each of the vacuum robots VR1 and VR2 can transfer the wafer W between the process chamber PM1 and the vacuum lock chamber VL1 or between the process chamber PM2 and the vacuum lock chamber VL2. Each of the vacuum robots VR1 and VR2 is provided with an arm as a substrate placement unit.
なお、バキュームロックチャンバVL1,VL2には、ウエハWを保持することができる多段型ステージ、例えば上下2段のステージをそれぞれ有している。上段のバッファステージLS1,LS2ではウエハWを保持し、下段のクーリングステージCS1,CS2ではウエハWを冷却する機構をもっている。 Note that each of the vacuum lock chambers VL1 and VL2 has a multi-stage type that can hold the wafer W, for example, two upper and lower stages. The upper buffer stages LS1 and LS2 have a mechanism for holding the wafer W, and the lower cooling stages CS1 and CS2 have a mechanism for cooling the wafer W.
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれゲートバルブG1,G2を介してプロセスチャンバコントローラPMC1,PM2と連通しており、また、それぞれゲートバルブG3,G4を介して後述する大気搬送室LMと連通している。したがって、ゲートバルブG1,G2を閉じたまま、ゲートバルブG3,G4を開けることにより、プロセスチャンバコントローラPMC1,PM2内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1とプロセスチャンバコントローラPMC1との間、バキュームロックチャンバVL2とプロセスチャンバコントローラPMC2との間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 communicate with process chamber controllers PMC1 and PM2 via gate valves G1 and G2, respectively, and communicate with an atmospheric transfer chamber LM described later via gate valves G3 and G4, respectively. Yes. Therefore, by opening the gate valves G3 and G4 while the gate valves G1 and G2 are closed, the vacuum lock chamber VL1 and the process chamber controller PMC1 are maintained while maintaining the vacuum airtightness in the process chamber controllers PMC1 and PM2. It is possible to transfer the wafer W between the vacuum lock chamber VL2 and the process chamber controller PMC2.
また、バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空状態などの大気圧未満の負圧に耐えることが出来るロードロックチャンバ構造として構成されており、その内部を真空排気することが可能となっている。したがって、ゲートバルブG3,G4を閉じてバキュームロックチャンバVL1,VL2の内部を真空排気した後に、ゲートバルブG1,G2を開けることにより、プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1、VL2と、大気搬送室LMとの間で、ウエハWの搬送を行うことが可能である。 Further, the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are configured as a load lock chamber structure capable of withstanding a negative pressure of less than atmospheric pressure such as a vacuum state, and the inside thereof can be evacuated. Therefore, after the gate valves G3 and G4 are closed and the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are evacuated, the gate valves G1 and G2 are opened to maintain the vacuum tightness in the process chamber controllers PMC1 and PMC2. Wafer W can be transferred between lock chambers VL1 and VL2 and atmospheric transfer chamber LM.
(b)大気の構成
インライン型基板処理装置の大気側には、前述の通り、バキュームロックチャンバVL
1,VL2に接続された大気搬送室としての大気搬送室LMと、この大気搬送室LMに接続された基板収納容器(以下ポッドPD1,PD2)を載置する基板収納部としてのロードポートLP1,LP2と、が設けられる。
(B) Atmosphere Configuration As described above, the vacuum lock chamber VL is disposed on the atmosphere side of the inline-type substrate processing apparatus.
1, an atmospheric transfer chamber LM as an atmospheric transfer chamber connected to VL2, and a load port LP1 as a substrate storage portion on which a substrate storage container (hereinafter referred to as pods PD1, PD2) connected to the atmospheric transfer chamber LM is placed. LP2 is provided.
大気搬送室LMには、大気ロボットARが設けられ、バキュームロックチャンバVL1,VL2とロードポートLP1,LP2との間で、ウエハWを搬送することが可能になっている。また、大気ロボットARには、基板載置部としてのアームが設けられている。 An atmospheric robot AR is provided in the atmospheric transfer chamber LM, and the wafer W can be transferred between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the load ports LP1 and LP2. The atmospheric robot AR is provided with an arm as a substrate placement unit.
なお、大気搬送室LMには、基板位置補正装置としてのアライナユニットAUが設けられ、搬送時のウエハWのずれを補正し、ウエハWのノッチを一定方向に合せるノッチ合わせを行なうことが可能になっている。 The atmospheric transfer chamber LM is provided with an aligner unit AU as a substrate position correction device, which can correct the deviation of the wafer W during transfer and can perform notch alignment to align the notch of the wafer W in a certain direction. It has become.
各ロードポートLP1、LP2は、複数枚のウエハWを収納するポッドPD1,PD2(図示しない)をそれぞれ載置することが出来る。 Each of the load ports LP1 and LP2 can mount pods PD1 and PD2 (not shown) for storing a plurality of wafers W, respectively.
(c)制御手段の構成
インライン型基板処理装置の各構成部は、制御手段CNTにより制御される。クラスタ型基板処理装置と同様に、図3に、制御手段CNTの構成例を示す。制御手段CNTは、統括制御コントローラ90と、プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2と、操作部100と、を備えており、これらはLAN回線80により相互にデータ交換可能なように接続されている。
(C) Configuration of Control Unit Each component of the inline-type substrate processing apparatus is controlled by the control unit CNT. Similar to the cluster type substrate processing apparatus, FIG. 3 shows a configuration example of the control means CNT. The control means CNT includes a
統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR1,VR2、大気ロボットAR、ゲートバルブG1〜G4、バキュームロックチャンバVL1,VL2と、それぞれ接続されている。そして、統括制御コントローラ90は、真空ロボットVR1,VR2及び大気ロボットARの動作、ゲートバルブG1〜G4の開閉動作、バキュームロックチャンバVL1,VL2内部の排気動作を制御する。
The
プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2は、プロセスチャンバPM1,PM2が備えるMFC11、APC12、温度調整器13、入出力バルブI/O14等にそれぞれ接続されている。そして、プロセスチャンバコントローラPMC1,PMC2は、プロセスチャンバPM1,PM2へのガス導入・排気機構、温度制御・プラズマ放電機構、冷却チャンバCS1,CS2の冷却機構等の各動作を制御する。なお、クラスタ型基板処理装置の場合に説明した内容と重複する説明は省略する。
The process chamber controllers PMC1 and PMC2 are connected to the
操作部100は、システム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、パラメータ編集などの画面表示・入力受付機能を担う。
The
(2)自動搬送処理の概要
次に、上述のクラスタ型基板処理装置により実施される自動搬送処理について、図4を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置の各部の動作は制御手段CNTにより制御される。
(2) Overview of Automatic Transfer Processing Next, automatic transfer processing performed by the above-described cluster type substrate processing apparatus will be described with reference to FIG. In the following description, the operation of each part of the substrate processing apparatus is controlled by the control means CNT.
(2−1)ロードポートへのポッドの載置(S1)
まず、ゲートバルブG1,G4を閉じ、ゲートバルブG2,G3を開き、真空搬送室TM、プロセスチャンバPM1,PM2、冷却チャンバCS1,CS2内を真空排気する。併せて、大気搬送室LM内には、大気搬送室LM内が略大気圧になるようにクリーンエアを供給する。そして、複数枚の未処理のウエハWを収納したポッドPD1(図示しない)を、ロードポートLP1に載置する。
(2-1) Placing the pod on the load port (S1)
First, the gate valves G1 and G4 are closed, the gate valves G2 and G3 are opened, and the vacuum transfer chamber TM, the process chambers PM1 and PM2, and the cooling chambers CS1 and CS2 are evacuated. At the same time, clean air is supplied into the atmospheric transfer chamber LM so that the atmospheric transfer chamber LM has a substantially atmospheric pressure. Then, a pod PD1 (not shown) storing a plurality of unprocessed wafers W is placed on the load port LP1.
(2−2)大気搬送室への搬送(S2)
続いて、大気ロボットARにより、ロードポートLP1に載置されたポッドPD1内の基板位置P1に収納されているウエハWを大気搬送室LM内に搬送し、オリフラ合わせ装置OFA上の基板位置P2に設置し、結晶方位の位置合わせ等を実施する。
(2-2) Transfer to atmospheric transfer chamber (S2)
Subsequently, the atmospheric robot AR transfers the wafer W stored in the substrate position P1 in the pod PD1 placed on the load port LP1 into the atmospheric transfer chamber LM, and moves it to the substrate position P2 on the orientation flat aligner OFA. Install and align the crystal orientation.
(2−3)バキュームロックチャンバへの搬送(S3)
続いて、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置されているウエハWをピックアップし、バキュームロックチャンバVL1内に搬送し、バッファステージST1上の基板位置P3に設置する。そして、ゲートバルブG3を閉じて、バキュームロックチャンバVL1内部を真空排気する。
(2-3) Transport to vacuum lock chamber (S3)
Subsequently, the atmospheric robot AR picks up the wafer W set at the substrate position P2, transfers it to the vacuum lock chamber VL1, and sets it at the substrate position P3 on the buffer stage ST1. Then, the gate valve G3 is closed, and the vacuum lock chamber VL1 is evacuated.
(2−4)プロセスチャンバへの搬送(S4)
バキュームロックチャンバVL1が所定の圧力まで減圧したら、ゲートバルブG3を閉じたまま、ゲートバルブG1を開ける。そして、真空ロボットVRにより、基板位置P3に設置されているウエハWをピックアップし、プロセスチャンバPM1内に搬送し、基板位置P4に設置する。その後、プロセスチャンバPM1内に処理ガスを供給して、ウエハWに対して所定の処理を実施する。
(2-4) Transfer to process chamber (S4)
When the vacuum lock chamber VL1 is reduced to a predetermined pressure, the gate valve G1 is opened while the gate valve G3 is closed. Then, the wafer W set at the substrate position P3 is picked up by the vacuum robot VR, transferred into the process chamber PM1, and set at the substrate position P4. Thereafter, a processing gas is supplied into the process chamber PM1, and a predetermined process is performed on the wafer W.
(2−5)冷却チャンバへの搬送(S5)
プロセスチャンバPM1内におけるウエハWの処理が完了したら、真空ロボットVRにより、基板位置P4に設置されている処理済のウエハWをピックアップし、冷却チャンバCS1内に搬送し、基板位置P5に配置する。
(2-5) Transport to cooling chamber (S5)
When the processing of the wafer W in the process chamber PM1 is completed, the processed wafer W installed at the substrate position P4 is picked up by the vacuum robot VR, transferred into the cooling chamber CS1, and placed at the substrate position P5.
(2−6)バキュームロックチャンバへの搬送(S6)
冷却チャンバCS1内における冷却処理が完了したら、真空ロボットVRにより、基板位置P5に設置されている処理済のウエハWをピックアップし、バキュームロックチャンバVL2内に搬送し、バッファステージST2上の基板位置P6へ配置する。その後、ゲートバルブG2を閉め、バキュームロックチャンバVL2内にクリーンガスを供給してバキュームロックチャンバVL2内を略大気圧に戻し、ゲートバルブG4を開ける。
(2-6) Transport to vacuum lock chamber (S6)
When the cooling process in the cooling chamber CS1 is completed, the processed wafer W installed at the substrate position P5 is picked up by the vacuum robot VR, transferred into the vacuum lock chamber VL2, and the substrate position P6 on the buffer stage ST2. To place. Thereafter, the gate valve G2 is closed, clean gas is supplied into the vacuum lock chamber VL2, the inside of the vacuum lock chamber VL2 is returned to substantially atmospheric pressure, and the gate valve G4 is opened.
(2−7)ロードポートに載置されたポッドへの収納(S7)
続いて、大気ロボットARにより、基板位置P2に設置されている処理済みのウエハWをピックアップして、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3(図示しない)に搬送して空きスロットに収納する。
(2-7) Storage in pod placed on load port (S7)
Subsequently, the processed wafer W installed at the substrate position P2 is picked up by the atmospheric robot AR, conveyed to the pod PD3 (not shown) placed on the load port LP3, and stored in the empty slot.
以後、上記の工程を繰り返し、全ての未処理のウエハについて自動搬送処理を実施したら、処理済みウエハWを収納したポッドPD3をロードポートLP3から搬出して、自動搬送処理を完了する。 Thereafter, when the above steps are repeated and automatic transfer processing is performed for all unprocessed wafers, the pod PD3 containing the processed wafers W is unloaded from the load port LP3, and the automatic transfer processing is completed.
(3)基板の強制回収処理
続いて、本発明の一実施形態にかかる基板処理装置により実施される自動搬送処理が中断した後の基板の強制回収処理について、図5および図6を用いながら説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置の各部の動作は制御手段CNTにより制御される。
(3) Substrate forced recovery process Subsequently, the forced recovery process of the substrate after the automatic transfer process performed by the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention is interrupted will be described with reference to FIGS. 5 and 6. To do. In the following description, the operation of each part of the substrate processing apparatus is controlled by the control means CNT.
(3−1)ロードポートの空きスロット確認(S1)
最初に、保守員が、基板処理装置内部を目視確認した後、図6に示すロードポートの選択画面により、ロードポートLP1〜LP3のうちから、ウエハWの回収先ロードポートを選択する。そして、回収先ロードポートのマッピング処理、すなわち回収先ロードポートに載置されたポッド(図示しない)における各スロットのウエハ有無検知を行う。ここで回収先のスロットは、保守員が操作画面から手動選択することでもよいし、制御手段C
NTが自動選択することでもよい。なお、以下の説明では、例として、回収先ロードポートとしてロードポートLP3を選択し、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3のスロット1〜9が空いているものとする。ここでは、回収先スロット1〜9が保守員により操作画面にて手動選択され、制御手段CNTが、選択されたスロットに対してポッドPD3に近いところから順に回収元をそれぞれ割り当てるものとする。この場合、大気ロボットAR→スロット1、オリフラ合わせ装置OPA→スロット2、・・・、プロセスチャンバPM2→スロット9と割り当てられるものとする。尚、ポッドPD3のスロット1〜9が空いていないときは実行できないようになっている。
(3-1) Check empty slot of load port (S1)
First, the maintenance staff visually confirms the inside of the substrate processing apparatus, and then selects a load port for recovery of the wafer W from the load ports LP1 to LP3 on the load port selection screen shown in FIG. Then, mapping processing of the collection destination load port, that is, detection of the presence / absence of a wafer in each slot in a pod (not shown) placed on the collection destination load port is performed. Here, the collection destination slot may be manually selected by the maintenance staff from the operation screen, or the control means C
NT may be automatically selected. In the following description, as an example, it is assumed that the load port LP3 is selected as the collection destination load port, and the slots 1 to 9 of the pod PD3 placed on the load port LP3 are empty. Here, it is assumed that the collection destination slots 1 to 9 are manually selected by the maintenance staff on the operation screen, and the control means CNT assigns the collection sources to the selected slots in order from the vicinity of the pod PD3. In this case, it is assumed that the atmospheric robot AR → slot 1, orientation flat aligner OPA →
強制回収処理の準備段階として、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRを規定の位置(例えば、操作する前に存在すべき位置)に移動させる処理が必要となる。つまり、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRは緊急停止していて、(軸)動作途中で停止しているためである。この場合、例えば、搬送端末装置を用いて手動で操作を行い、規定の位置に移動させる。なお、緊急停止時、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRが規定の位置にあれば、特に行う必要はない。 As a preparatory stage for the forced recovery process, a process for moving the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR to a predetermined position (for example, a position that should exist before the operation) is necessary. That is, the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR are urgently stopped and are stopped during the (axis) operation. In this case, for example, it is manually operated using the transport terminal device and moved to a specified position. If the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR are at specified positions at the time of emergency stop, there is no need to perform this operation.
(3−2)大気ロボット上のウエハ回収(S2)
ロードポートLP3に載置されたポッドPD3に空きスロットが存在することが確認できたら、以下に説明するとおり、ロードポートLP3に近い位置から、ウエハWの収納動作を強制的に実施していく。ここで、ウエハWの収納動作を強制的に実施していくとは、大気搬送室LM、プロセスチャンバPM1,PM2、冷却チャンバCS1,CS2、及びバキュームロックチャンバVL1,VL2内のウエハWの位置を示す位置情報を管理できない場合であっても、制御手段CNTが、大気ロボットAR及び真空ロボットVRにウエハWの収納動作を強制的に実施させることを意味する。特に、ウエハ有無センサがウエハWの存在を検知した場合に収納動作を実施するだけでなく、ウエハ有無センサを装備出来ないプロセスチャンバに対しても、制御手段CNTが管理している位置情報に頼らず連続して収納動作を実施する。
(3-2) Wafer collection on atmospheric robot (S2)
When it is confirmed that there is an empty slot in the pod PD3 placed on the load port LP3, the wafer W is forcibly carried out from a position close to the load port LP3 as described below. Here, forcing the wafer W to be accommodated means that the position of the wafer W in the atmospheric transfer chamber LM, the process chambers PM1 and PM2, the cooling chambers CS1 and CS2, and the vacuum lock chambers VL1 and VL2. This means that the control means CNT forces the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR to perform the wafer W storing operation even when the position information shown cannot be managed. In particular, not only the storage operation is performed when the wafer presence sensor detects the presence of the wafer W, but also the process chamber that cannot be equipped with the wafer presence sensor depends on the position information managed by the control means CNT. The storage operation is performed continuously.
位置情報に関係なく収納動作を実施する理由は、前述の通りである。すなわち、自動回収処理の中断理由によっては、制御手段CNTが管理している位置情報によって示されるウエハWの位置と、実際のウエハWの位置とが異なってしまう場合がある。例えば、搬送後にウエハWが割れて落ちてしまったり、ウエハWが熱膨張して大気ロボットARや真空ロボットVRのアームの先に設けられたツィーザのザグリに対して乗り上げてしまったり等、ウエハWが正規の搬送予定位置にない場合がある。このような場合、ウエハ有無センサによってウエハWを検出できず、実際にはウエハWが存在するにもかかわらず、制御手段CNTはウエハWが存在しないものと誤認してしまうこととなる。そして、制御手段CNTがかかる誤認をしたままウエハWの回収を行おうとすると、ウエハWを回収し損ねたり、複数のウエハWが同一の設置場所に重複してしまうことによりウエハW及び基板処理装置の構成部品を損傷したりする危険性がある。そのため、制御手段CNTが認識しているウエハWの位置と実際の基板の位置とが異なってしまった場合には、基板処理装置内の位置情報に関係なく収納動作を強制的に実施することにより、ウエハ有無センサで検知しながらウエハWの位置情報を更新する必要があるのである。 The reason why the storing operation is performed regardless of the position information is as described above. That is, depending on the reason for the interruption of the automatic collection process, the position of the wafer W indicated by the position information managed by the control unit CNT may be different from the actual position of the wafer W. For example, the wafer W may be broken and dropped after the transfer, or the wafer W may thermally expand and ride on a tweezer counterbore provided at the end of the arm of the atmospheric robot AR or the vacuum robot VR. May not be at the regular scheduled transfer position. In such a case, the wafer W cannot be detected by the wafer presence / absence sensor, and the control means CNT erroneously recognizes that the wafer W does not exist even though the wafer W actually exists. Then, if the control means CNT tries to collect the wafer W with such misperception, the wafer W and the substrate processing apparatus may fail to collect the wafer W, or a plurality of wafers W may overlap at the same installation location. There is a risk of damage to other components. For this reason, when the position of the wafer W recognized by the control means CNT differs from the actual position of the substrate, the storing operation is forcibly performed regardless of the position information in the substrate processing apparatus. The position information of the wafer W needs to be updated while being detected by the wafer presence sensor.
本発明の一実施形態においては、図6に示す開始ボタンが押下されると、まずは、大気ロボットARにより、大気ロボットAR上に載置されているウエハWを搬送し、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の1番目の空スロットに収納する。 In one embodiment of the present invention, when the start button shown in FIG. 6 is pressed, first, the atmospheric robot AR transports the wafer W placed on the atmospheric robot AR and places it on the load port LP3. The pod PD3 is stored in the first empty slot.
(3−3)オリフラ合わせ装置上のウエハ回収(S3)
続いて、大気ロボットARにより、オリフラ合わせ装置OFA上の基板位置P2に支持されているウエハWを搬送して、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の2番目
の空スロットに収納する。
(3-3) Wafer collection on the orientation flat aligner (S3)
Subsequently, the atmospheric robot AR transports the wafer W supported at the substrate position P2 on the orientation flat aligner OFA and stores it in the second empty slot of the pod PD3 placed on the load port LP3.
(3−4)バキュームロックチャンバ内のウエハ回収(S4、S5)
続いて、ゲートバルブG1,G2を閉めたまま、バキュームロックチャンバVL1,VL2内にクリーンガスを供給して略大気圧に戻した後、ゲートバルブG3,G4を開ける。
そして、大気ロボットARにより、バッファステージST1,ST2上の基板位置P3,P6からウエハWを搬送して、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の3番目及び4番目の空スロットに収納する。
(3-4) Wafer collection in vacuum lock chamber (S4, S5)
Subsequently, with the gate valves G1 and G2 closed, clean gas is supplied into the vacuum lock chambers VL1 and VL2 to return to substantially atmospheric pressure, and then the gate valves G3 and G4 are opened.
Then, the atmospheric robot AR transfers the wafer W from the substrate positions P3 and P6 on the buffer stages ST1 and ST2, and stores them in the third and fourth empty slots of the pod PD3 placed on the load port LP3.
(3−5)真空ロボット上のウエハ回収(S6)
続いて、ゲートバルブG3を閉め、バキュームロックチャンバVL1内を真空排気した後、ゲートバルブG1を開く。そして真空ロボットVRにより、真空ロボットVR上のウエハWを搬送してバッファステージST1上の基板位置P3に設置する。続いて、ゲートバルブG1を閉め、バキュームロックチャンバVL1内にクリーンガスを供給して略大気圧に戻し、ゲートバルブG3を開ける。そして、大気ロボットARにより、バッファステージST1上の基板位置P3からウエハWを搬送して、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の5番目の空スロットに収納する。
(3-5) Wafer collection on vacuum robot (S6)
Subsequently, the gate valve G3 is closed, the vacuum lock chamber VL1 is evacuated, and then the gate valve G1 is opened. Then, the vacuum robot VR transports the wafer W on the vacuum robot VR and places it on the substrate position P3 on the buffer stage ST1. Subsequently, the gate valve G1 is closed, clean gas is supplied into the vacuum lock chamber VL1 to return to substantially atmospheric pressure, and the gate valve G3 is opened. Then, the atmospheric robot AR transports the wafer W from the substrate position P3 on the buffer stage ST1, and stores it in the fifth empty slot of the pod PD3 placed on the load port LP3.
(3−6)冷却チャンバ内のウエハ回収(S7、S8)
続いて、ゲートバルブG3を閉め、バキュームロックチャンバVL1内を真空排気した後、ゲートバルブG1を開く。そして、真空ロボットVRにより、冷却チャンバCS1上のウエハWを搬送してバッファステージST1上の基板位置P3に設置する。続いて、ゲートバルブG1を閉め、バキュームロックチャンバVL1内にクリーンガスを供給して略大気圧に戻し、ゲートバルブG3を開ける。そして、大気ロボットARにより、バッファステージST1上の基板位置P3からウエハWを搬送して、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の6番目の空スロットに収納する。
(3-6) Wafer collection in the cooling chamber (S7, S8)
Subsequently, the gate valve G3 is closed, the vacuum lock chamber VL1 is evacuated, and then the gate valve G1 is opened. Then, the wafer W on the cooling chamber CS1 is transferred by the vacuum robot VR and placed at the substrate position P3 on the buffer stage ST1. Subsequently, the gate valve G1 is closed, clean gas is supplied into the vacuum lock chamber VL1 to return to substantially atmospheric pressure, and the gate valve G3 is opened. Then, the atmospheric robot AR transports the wafer W from the substrate position P3 on the buffer stage ST1 and stores it in the sixth empty slot of the pod PD3 placed on the load port LP3.
その後、同様の工程を経て、冷却チャンバCS2上のウエハWを、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の7番目の空スロットに収納する。 Thereafter, through the same process, the wafer W on the cooling chamber CS2 is stored in the seventh empty slot of the pod PD3 placed on the load port LP3.
(3−7)プロセスチャンバ内のウエハ回収(S9、S10)
続いて、ゲートバルブG3を閉め、バキュームロックチャンバVL1内を真空排気した後、ゲートバルブG1を開く。そして、真空ロボットVRにより、プロセスチャンバPM1上のウエハWを搬送してバッファステージST1上の基板位置P3に設置する。続いて、ゲートバルブG1を閉め、バキュームロックチャンバVL1内にクリーンガスを供給して略大気圧に戻し、ゲートバルブG3を開ける。そして、大気ロボットARにより、バッファステージST1上の基板位置P3からウエハWを搬送し、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の8番目の空スロットに収納する。
(3-7) Wafer collection in process chamber (S9, S10)
Subsequently, the gate valve G3 is closed, the vacuum lock chamber VL1 is evacuated, and then the gate valve G1 is opened. Then, the wafer W on the process chamber PM1 is transferred by the vacuum robot VR and placed at the substrate position P3 on the buffer stage ST1. Subsequently, the gate valve G1 is closed, clean gas is supplied into the vacuum lock chamber VL1 to return to substantially atmospheric pressure, and the gate valve G3 is opened. Then, the atmospheric robot AR transports the wafer W from the substrate position P3 on the buffer stage ST1, and stores it in the eighth empty slot of the pod PD3 placed on the load port LP3.
その後、同様の工程を経て、プロセスチャンバPM2上のウエハWを、ロードポートLP3に載置されたポッドPD3の9番目の空スロットに収納する。 Thereafter, through the same process, the wafer W on the process chamber PM2 is stored in the ninth empty slot of the pod PD3 mounted on the load port LP3.
(4)本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、制御手段CNTが管理している位置情報によって示されるウエハWの位置と実際のウエハWの位置とが異なる場合であっても、基板処理装置の内部に滞留しているウエハWを、ウエハW及び基板処理装置の構成部品の損傷を抑制しつつ、自動的に短時間で回収することが可能となる。これにより、自動搬送処理が中断した後の基板処理装置の復旧作業を短縮させることが可能となり、基板処理装置の稼働率を向上させることができる。
(4) Effects According to this Embodiment According to this embodiment, even if the position of the wafer W indicated by the position information managed by the control means CNT differs from the actual position of the wafer W, the substrate The wafer W staying inside the processing apparatus can be automatically recovered in a short time while suppressing damage to the components of the wafer W and the substrate processing apparatus. Thereby, it becomes possible to shorten the restoration | recovery operation | work of the substrate processing apparatus after an automatic conveyance process is interrupted, and can improve the operation rate of a substrate processing apparatus.
<本発明の他の実施形態>
以下に、本発明の他の実施形態について説明する。
<Other Embodiments of the Present Invention>
Hereinafter, another embodiment of the present invention will be described.
(1)基板処理装置の構成
図7に、本発明の他の実施形態にかかるクラスタ型基板処理装置の概略構成図を示す。このクラスタ型基板処理装置も、真空側と大気側とに分かれている。
(1) Configuration of Substrate Processing Apparatus FIG. 7 is a schematic configuration diagram of a cluster type substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. This cluster type substrate processing apparatus is also divided into a vacuum side and an atmosphere side.
(a)真空側の構成
このクラスタ型基板処理装置の真空側には、真空気密可能な真空搬送室TMと、予備室としてのバキュームロックチャンバVL1,VL2と、基板処理室としてのプロセスチャンバPM1,PM2とが設けられている。
(A) Configuration on the vacuum side The vacuum side of this cluster type substrate processing apparatus includes a vacuum transfer chamber TM that can be vacuum-tight, vacuum lock chambers VL1 and VL2 as spare chambers, and a process chamber PM1 as a substrate processing chamber. PM2 is provided.
真空搬送室TM内には、真空搬送手段としての真空ロボットVRが設けられている。真空ロボットVRは、基板としてのウエハWを基板載置部であるアームに載せ、バキュームロックチャンバVL1,VL2とプロセスチャンバPM1,PM2との間で相互に搬送する。また、真空ロボットVRは、プロセスチャンバPM1,PM2内やバキュームロックチャンバVL1,VL2内のウエハWの取り出し動作を行った後、それぞれ所定の位置にアームを戻すように構成されている。 In the vacuum transfer chamber TM, a vacuum robot VR as a vacuum transfer means is provided. The vacuum robot VR places a wafer W as a substrate on an arm which is a substrate placement unit, and transfers the wafer W between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the process chambers PM1 and PM2. The vacuum robot VR is configured to return the arm to a predetermined position after performing the operation of taking out the wafer W in the process chambers PM1 and PM2 and the vacuum lock chambers VL1 and VL2.
真空ロボットVRのアームが戻る前記所定の位置の周辺には、アーム上におけるウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサSAが設けられている。なお、プロセスチャンバPM1,PM2内からウエハWの取り出し動作を行った後に真空ロボットVRのアームが戻る所定の位置と、バキュームロックチャンバVL1,VL2内からウエハWの取り出し動作を行った後に真空ロボットVRのアームが戻る所定の位置とは異なる。そのため、ウエハ有無センサSAは、それぞれの所定の位置に対応して少なくとも2個設けられている。 In the vicinity of the predetermined position where the arm of the vacuum robot VR returns, a wafer presence / absence sensor SA is provided as a substrate detecting means for detecting the presence / absence of the wafer W on the arm. A predetermined position where the arm of the vacuum robot VR returns after the wafer W is taken out from the process chambers PM1 and PM2, and the vacuum robot VR after the wafer W is taken out from the vacuum lock chambers VL1 and VL2. This is different from the predetermined position where the arm returns. For this reason, at least two wafer presence / absence sensors SA are provided corresponding to the respective predetermined positions.
さらに、真空搬送室TM内におけるプロセスチャンバPM1,PM2の前の任意の位置(ゲートバルブ近傍)には、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ飛び出しセンサSBがそれぞれ設けられている。ウエハ飛び出しセンサSBは、真空ロボットVRによってプロセスチャンバPM1,PM2内に搬入されたウエハWの位置ズレを検知するように構成されている。ウエハ飛び出しセンサSBによる検知は、プロセスチャンバPM1,PM2に設けられたゲートバルブを閉じる前に行われ、ウエハWは基板処理装置の損傷を抑制するように、ウエハWの位置ズレがない場合にのみゲートバルブを閉めるように構成されている。 Further, a wafer pop-out sensor SB as a substrate detection unit for detecting the presence or absence of the wafer W is provided at an arbitrary position (near the gate valve) in front of the process chambers PM1 and PM2 in the vacuum transfer chamber TM. The wafer pop-out sensor SB is configured to detect a positional deviation of the wafer W carried into the process chambers PM1 and PM2 by the vacuum robot VR. Detection by the wafer pop-out sensor SB is performed before the gate valves provided in the process chambers PM1 and PM2 are closed, and the wafer W is only in the case where there is no misalignment of the wafer W so as to suppress damage to the substrate processing apparatus. The gate valve is configured to be closed.
プロセスチャンバPM1,PM2は、例えば化学反応による成膜(CVD)など、ウエハWに付加価値を与える基板処理室として機能する。プロセスチャンバPM1,PM2は、図示しないが、図1で示すクラスタ型基板処理装置と同様に、ガス導入・排気機構、プラズマ放電機構、温度調節器等を備えている。 The process chambers PM1 and PM2 function as a substrate processing chamber that gives added value to the wafer W, such as film formation by chemical reaction (CVD). Although not shown, the process chambers PM1 and PM2 include a gas introduction / exhaust mechanism, a plasma discharge mechanism, a temperature controller, and the like as in the cluster type substrate processing apparatus shown in FIG.
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、真空搬送室TM内へウエハWを搬送するための予備室として、あるいは真空搬送室TM内からウエハWを搬送するための予備室として機能する。バキュームロックチャンバVL1,VL2内部には、ウエハWが載置される載置部がそれぞれ設けられている。かかる載置部には、必要に応じて載置するウエハWの枚数を調整可能なように構成されている。また、バキュームロックチャンバVL1,VL2の内部には、バキュームロックチャンバVL1,VL2内におけるウエハWの有無を検知する基板検知手段としてのウエハ有無センサSCがそれぞれ設けられている。ウエハ有無センサSCは、例えば、バキュームロックチャンバVL1,VL2の載置部にウエハ
Wが1枚でも存在していればウエハWが存在する旨の検知を行うように構成されている。ウエハ有無センサSCによるウエハWの検知は、プロセスチャンバPM1,PM2内のウエハWや真空ロボットVR上のウエハWをバキュームロックチャンバVL1,VL2内に搬入する前に行われる。すなわち、後述する制御手段CNTは、後述する強制回収処理の際において、ウエハ有無センサSCを用いてバキュームロックチャンバVL1,VL2内にウエハWを搬入させることができるかどうか(すなわち空の載置部が存在するか否か)を検知する。そして、制御手段CNTは、ウエハWが存在する旨の検知がなされたバキュームロックチャンバVL1,VL2内にはウエハWを搬入させないように構成されている。
The vacuum lock chambers VL1 and VL2 function as spare chambers for transporting the wafer W into the vacuum transport chamber TM or as spare chambers for transporting the wafer W from the vacuum transport chamber TM. In the vacuum lock chambers VL1 and VL2, placement units on which the wafers W are placed are respectively provided. The placement unit is configured so that the number of wafers W to be placed can be adjusted as necessary. Further, inside the vacuum lock chambers VL1 and VL2, wafer presence / absence sensors SC are provided as substrate detecting means for detecting the presence / absence of the wafer W in the vacuum lock chambers VL1 and VL2, respectively. For example, the wafer presence / absence sensor SC is configured to detect the presence of a wafer W if at least one wafer W exists on the mounting portion of the vacuum lock chambers VL1 and VL2. Detection of the wafer W by the wafer presence / absence sensor SC is performed before the wafer W in the process chambers PM1 and PM2 and the wafer W on the vacuum robot VR are carried into the vacuum lock chambers VL1 and VL2. That is, the control means CNT described later determines whether or not the wafer W can be loaded into the vacuum lock chambers VL1 and VL2 using the wafer presence / absence sensor SC during a forced recovery process described later (that is, an empty placement unit). Is detected). The control means CNT is configured not to load the wafer W into the vacuum lock chambers VL1 and VL2 in which the presence of the wafer W is detected.
バキュームロックチャンバVL1,VL2は、それぞれゲートバルブを介して真空搬送室TMと連通している。かかるゲートバルブの開閉制御を行うことにより、真空搬送室TM内の真空気密を保持したまま、バキュームロックチャンバVL1,VL2と後述する大気ロボットARとのウエハWの搬送を行うことが出来る。 The vacuum lock chambers VL1 and VL2 communicate with the vacuum transfer chamber TM through gate valves, respectively. By performing the gate valve opening / closing control, the wafer W can be transferred between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the atmospheric robot AR, which will be described later, while maintaining the vacuum airtightness in the vacuum transfer chamber TM.
(b)大気側の構成
一方、本実施形態にかかる基板処理装置の大気側には、大気搬送ユニットとしての大気ロボットARと、基板収容部としてのロードポートLP1,LP2と、が設けられる。
(B) Configuration on Atmosphere Side On the other hand, an atmosphere robot AR as an atmosphere transfer unit and load ports LP1 and LP2 as substrate accommodation units are provided on the atmosphere side of the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
ロードポートLP1,LP2上には、複数枚のウエハWを収納することが可能なように構成された基板収納容器としてのポッドPD1、PD2がそれぞれ載置される。基板収納容器としてのポッドPD1,PD2内には、ウエハWをそれぞれ収納する収納部としてのスロットが複数設けられている。 On the load ports LP1 and LP2, pods PD1 and PD2 are mounted as substrate storage containers configured to store a plurality of wafers W, respectively. In the pods PD1 and PD2 as substrate storage containers, a plurality of slots as storage portions for storing the wafers W are provided.
大気ロボットARは、バキュームロックチャンバVL1,VL2とポッドPD1,PD2との間で、基板としてのウエハWの搬送を相互に行う。大気ロボットARも、真空ロボットVRと同様に基板載置部であるアームを有する。このアームは、例えば、複数枚のウエハWを一度に保持して搬送可能なように構成されている。 The atmospheric robot AR mutually transfers the wafer W as a substrate between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the pods PD1 and PD2. Similarly to the vacuum robot VR, the atmospheric robot AR also has an arm that is a substrate placement unit. For example, the arm is configured to hold and transfer a plurality of wafers W at a time.
バキュームロックチャンバVL1,VL2とロードポートLP1,LP2との間であって、バキュームロックチャンバVL1,VL2の前の任意の位置(ゲートバルブ近傍)や、ロードポートLP1,LP2の前の任意の位置には、ウエハWの有無を検知する基板検知手段としてウエハ有無センサSDがそれぞれ設けられている。ウエハ有無センサSDは、バキュームロックチャンバVL1,VL2、ロードポートLP1,LP2に対応してそれぞれ設けられている。ウエハ有無センサSDは、例えば、ロードポートLP1からバキュームロックチャンバVL1までの間でウエハWを搬送する際に、大気ロボットARのアーム上におけるウエハWの有無を検知するよう構成されている。 Between the vacuum lock chambers VL1 and VL2 and the load ports LP1 and LP2, at an arbitrary position in front of the vacuum lock chambers VL1 and VL2 (near the gate valve) or an arbitrary position in front of the load ports LP1 and LP2. Are provided with a wafer presence / absence sensor SD as substrate detection means for detecting the presence / absence of the wafer W, respectively. Wafer presence / absence sensors SD are provided corresponding to vacuum lock chambers VL1 and VL2 and load ports LP1 and LP2, respectively. The wafer presence / absence sensor SD is configured to detect the presence / absence of the wafer W on the arm of the atmospheric robot AR, for example, when the wafer W is transferred between the load port LP1 and the vacuum lock chamber VL1.
(c)制御手段の構成
本実施形態におけるクラスタ型基板処理装置の各構成部は、図3に示される制御手段CNTにより制御される。なお、制御手段CNTの構成は、図1に示されるクラスタ型基板処理装置とほぼ同様の構成であるため、説明を省略する。
(C) Configuration of Control Unit Each component of the cluster type substrate processing apparatus in the present embodiment is controlled by the control unit CNT shown in FIG. The configuration of the control means CNT is almost the same as that of the cluster type substrate processing apparatus shown in FIG.
なお、制御手段CNTが備える統括制御コントローラ90は、上述のウエハ有無センサSA,SC,SD、及びウエハ飛び出しセンサSBにそれぞれ接続されている。統括制御コントローラ90は、ウエハ有無センサSA,SC,SD、及びウエハ飛び出しセンサSBからの検知信号に基づいて、基板処理装置内のウエハWの位置を示す位置情報を作成して随時更新するように構成されている。そして、統括制御コントローラ90は、かかる位置情報に基づいて、搬送手段としての真空ロボットVR、大気ロボットAR、ゲートバルブ等を制御するように構成されている。
The
また、制御手段CNTは、位置情報により示されるウエハWの位置と実際のウエハWの位置とが異なるエラーが発生した場合に、位置情報の修正操作を受け付ける画面を操作部100に表示するように構成されている。そして、制御手段CNTは、操作部100からの修正操作を受け付けて位置情報を更新するように構成されている。尚、基本的には、クラスタ型基板処理装置を例にしたときと同じなので詳細な説明は省略する。
Further, when an error occurs in which the position of the wafer W indicated by the position information differs from the actual position of the wafer W, the control unit CNT displays a screen for accepting an operation for correcting the position information on the
(2)基板の強制回収処理
続いて、本実施形態にかかる基板の強制回収処理について、図8を用いながら説明する。図8は、本発明の他の実施形態にかかる基板処理装置において実施される基板回収工程を示す動作フロー図である。なお、以下の説明において、基板処理装置の各部の動作は制御手段CNTにより制御される。
(2) Forced Recovery Process for Substrate Next, the forced recovery process for a substrate according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 8 is an operation flowchart showing a substrate recovery process performed in a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention. In the following description, the operation of each part of the substrate processing apparatus is controlled by the control means CNT.
(2−1)ロードポートの空きスロット確認(S1)
最初に、図5,図6に示した上述の実施形態と同様に、保守員が基板処理装置内部を目視により確認し、ウエハWの強制回収処理を行うことが可能であるかを判断する。強制回収処理を行うことが可能であると判断されたら、ロードポートLP1,LP2上に載置されているポッドPD1,PD2を空のポッドPD1,PD2に交換する。次いで、図6に示すロードポートの選択画面により、回収先ロードポートの選択を行う。例えば、ポッドPD1,PD2にはそれぞれウエハWを25枚まで収納でき、バキュームロックチャンバVL1,VL2の収納部にはそれぞれウエハWを25枚まで載置でき、基板処理装置内に25枚を超える回収対象のウエハWが存在する場合には、図6に示す基板強制回収画面から、強制回収処理に用いるロードポートとしてロードポートLP1,LP2の2つを選択する。
(2-1) Load slot empty slot confirmation (S1)
First, as in the above-described embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the maintenance staff visually confirms the inside of the substrate processing apparatus and determines whether the wafer W can be forcibly collected. If it is determined that the forced recovery process can be performed, the pods PD1 and PD2 placed on the load ports LP1 and LP2 are replaced with empty pods PD1 and PD2. Next, the collection destination load port is selected on the load port selection screen shown in FIG. For example, up to 25 wafers W can be stored in each of the pods PD1 and PD2, and up to 25 wafers W can be mounted in the storage portions of the vacuum lock chambers VL1 and VL2, respectively, and more than 25 wafers can be collected in the substrate processing apparatus. When the target wafer W exists, two load ports LP1 and LP2 are selected as load ports used for the forced recovery process from the forced substrate recovery screen shown in FIG.
ロードポートの選択が完了したら、基板処理装置内に残留しているウエハWを、ロードポートLP1から近い順に、ロードポートLP1上に載置された空のポッドPD1内へ強制的に搬送(回収)させる。かかる搬送は、制御手段CNTがウエハ有無センサSA,SC,SDによりウエハWの存在を検知した場合に実施する。 When selection of the load port is completed, the wafers W remaining in the substrate processing apparatus are forcibly transferred (recovered) into the empty pod PD1 placed on the load port LP1 in the order from the load port LP1. Let Such transfer is performed when the control means CNT detects the presence of the wafer W by the wafer presence / absence sensors SA, SC, SD.
なお、以下の説明では、図6に示すロードポートの選択画面により、回収先ロードポートとしてロードポートLP1が選択されているものとする。また、ロードポートLP1に載置されたポッドPD1は25個のスロット(収納部)を有しており、25個のスロットは全て空であるものとする。また、バキュームロックチャンバVL1,VL2の載置部にはそれぞれ25枚のウエハWを載置することが可能なように構成されており、バキュームロックチャンバVL1の載置部にはウエハWが載置されておらず、バキュームロックチャンバVL2の載置部のうち1〜8,11,24番目の載置部にのみウエハWが載置されているものとする。また、プロセスチャンバPM1内にはウエハWが1枚載置されており、プロセスチャンバPM2内、大気ロボットAR上、真空ロボットVR上にはウエハWが載置されていないものとする。なお、大気ロボットARの同時搬送可能枚数は5枚であり、真空ロボットVRの同時搬送可能枚数は1枚であるものとする。 In the following description, it is assumed that the load port LP1 is selected as the collection destination load port on the load port selection screen shown in FIG. The pod PD1 placed on the load port LP1 has 25 slots (storage units), and all 25 slots are empty. Further, it is configured such that 25 wafers W can be placed on the placement parts of the vacuum lock chambers VL1 and VL2, respectively, and the wafer W is placed on the placement part of the vacuum lock chamber VL1. It is assumed that the wafer W is mounted only on the first, eighth, eleventh, and twenty-fourth mounting portions among the mounting portions of the vacuum lock chamber VL2. Further, it is assumed that one wafer W is placed in the process chamber PM1, and no wafer W is placed in the process chamber PM2, the atmospheric robot AR, and the vacuum robot VR. It is assumed that the number of atmospheric robots AR that can be simultaneously transferred is five, and that the number of vacuum robots VR that can be simultaneously transferred is one.
強制回収処理の準備段階として、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRを規定の位置(例えば、操作する前に存在すべき位置)に移動させる処理が必要となる。つまり、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRは緊急停止していて、動作途中で停止しているためである。この場合、例えば、搬送端末装置を用いて手動で操作を行い、規定の位置に移動させる。なお、緊急停止時、大気ロボットAR、及び真空ロボットVRが規定の位置にあれば、特に行う必要はない。 As a preparatory stage for the forced recovery process, a process for moving the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR to a predetermined position (for example, a position that should exist before the operation) is necessary. That is, the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR are urgently stopped and are stopped during the operation. In this case, for example, it is manually operated using the transport terminal device and moved to a specified position. If the atmospheric robot AR and the vacuum robot VR are at specified positions at the time of emergency stop, there is no need to perform this operation.
(2−2)大気ロボット上のウエハ回収(S2)
まず、大気ロボットARにより、大気ロボットAR上に載置されているウエハWを搬送し、ロードポートLP1上に載置されているポッドPD1の空スロットに収納する。ただし、本実施形態では、大気ロボットAR上にウエハWは載置されていないため、かかる搬送動作は省略される。
(2-2) Wafer collection on atmospheric robot (S2)
First, the atmospheric robot AR transports the wafer W placed on the atmospheric robot AR and stores it in the empty slot of the pod PD1 placed on the load port LP1. However, in this embodiment, since the wafer W is not placed on the atmospheric robot AR, such a transfer operation is omitted.
具体的には、ロードポートLP1が選択されているので、ロードポートLP1の前へ移動され、所定の位置(待機位置)でウエハ有無センサSDにて検知される。なお、この位置は、ポッドPD1とのウエハWの搬送を行うために、大気ロボットARが待機しておく位置である。本実施形態はウエハWは保持していないので、ポッドPD1を開くことなく次の工程S3へ移行する。 Specifically, since the load port LP1 is selected, it is moved to the front of the load port LP1 and detected by the wafer presence sensor SD at a predetermined position (standby position). This position is a position where the atmospheric robot AR stands by in order to carry the wafer W with the pod PD1. In this embodiment, since the wafer W is not held, the process proceeds to the next step S3 without opening the pod PD1.
(2−3)バキュームロックチャンバVL1内のウエハ回収(S3)
バキュームロックチャンバVL1にウエハ有無センサSCが設けられており、かかるウエハ有無センサSCからウエハWが存在しない旨の信号が検知されたら、制御手段CNTは、バキュームロックチャンバVL1内に対するウエハWの回収動作を行わずに(工程S3をスキップして)、後述する工程S4を実行する。
(2-3) Wafer collection in the vacuum lock chamber VL1 (S3)
The wafer lock sensor VL1 is provided with a wafer presence / absence sensor SC. When a signal indicating that the wafer W does not exist is detected from the wafer presence / absence sensor SC, the control means CNT collects the wafer W in the vacuum lock chamber VL1. (Skip step S3), step S4 described later is executed.
但し、バキュームロックチャンバVL1にウエハ有無センサSCが設けられており、かかるウエハ有無センサSCからウエハWが存在する旨の信号が検知された場合、あるいは、バキュームロックチャンバVL1にウエハ有無センサSCが設けられていない場合には、以下に示すようにバキュームロックチャンバVL1内のウエハ回収を実施する。すなわち、バキュームロックチャンバVL1内の圧力を大気圧に戻し、真空側のゲートバルブを閉めたまま、大気側のゲートバルブを開ける。そして、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL1の1〜5番目の載置部からウエハWを搬送する(取り出す)動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL1の載置部にはウエハWが載置されていないため、バキュームロックチャンバVL1の前の任意の位置に設けられたウエハ有無センサSDからはウエハWが存在しない旨が検知される。次に、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL1の6〜10番目の載置部からウエハWを搬送する動作を行う。このときも、同様にウエハ有無センサSDからはウエハWが存在しない旨が検知される。以後、25番目の載置部までウエハWを搬送する動作を繰り返す。なお、ウエハ有無センサSDからはウエハWが存在しない旨が検知された場合、大気ロボットARにより、ポッドPD1の空きスロットにウエハWを搬送する動作を行わない。全ての載置部に対して搬出する動作を実行したら、上述の図示しないゲートバルブを閉じる。 However, a wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL1, and when a signal indicating that the wafer W exists is detected from the wafer presence / absence sensor SC, or the wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL1. If not, the wafer in the vacuum lock chamber VL1 is collected as described below. That is, the pressure in the vacuum lock chamber VL1 is returned to atmospheric pressure, and the atmospheric-side gate valve is opened while the vacuum-side gate valve is closed. Then, the atmospheric robot AR carries out (takes out) the wafer W from the first to fifth mounting parts of the vacuum lock chamber VL1. At this time, since the wafer W is not placed on the placement portion of the vacuum lock chamber VL1, there is no wafer W from the wafer presence / absence sensor SD provided at an arbitrary position in front of the vacuum lock chamber VL1. Detected. Next, an operation of transporting the wafer W from the sixth to tenth placement parts of the vacuum lock chamber VL1 is performed by the atmospheric robot AR. At this time, it is similarly detected from the wafer presence sensor SD that the wafer W does not exist. Thereafter, the operation of transporting the wafer W to the 25th placement unit is repeated. When it is detected from the wafer presence / absence sensor SD that the wafer W is not present, the atmospheric robot AR does not perform the operation of transporting the wafer W to the empty slot of the pod PD1. When the operation of carrying out all the placement units is executed, the above-described gate valve (not shown) is closed.
なお、バキュームロックチャンバVL1にウエハ有無センサSCが設けられており、上述の回収動作を実施する途中で、ウエハ有無センサSCによりバキュームロックチャンバVL1内にウエハWが存在しない旨(すなわち、バキュームロックチャンバVL1内のウエハWが全て回収された旨)の信号が検知された場合には、その時点で上述の工程S3を中断し、後述する工程S4を実行するようにしてもよい。 Note that a wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL1, and that the wafer W is not present in the vacuum lock chamber VL1 by the wafer presence / absence sensor SC during the above-described collection operation (that is, the vacuum lock chamber VL1). When a signal indicating that all the wafers W in VL1 have been recovered) is detected, the above-described step S3 may be interrupted at that point, and step S4 described later may be executed.
(2−4)バキュームロックチャンバVL2内のウエハ回収(S4)
バキュームロックチャンバVL2にウエハ有無センサSCが設けられており、かかるウエハ有無センサSCからウエハWが存在しない旨の信号が検知されたら、制御手段CNTは、バキュームロックチャンバVL2内に対するウエハWの回収動作を行わずに(工程S4をスキップして)、後述する工程S5を実行する。
(2-4) Wafer collection in vacuum lock chamber VL2 (S4)
A wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL2, and when a signal indicating that the wafer W does not exist is detected from the wafer presence / absence sensor SC, the control means CNT collects the wafer W in the vacuum lock chamber VL2. (Skip step S4), step S5 described later is executed.
但し、バキュームロックチャンバVL2にウエハ有無センサSCが設けられており、かかるウエハ有無センサSCからウエハWが存在する旨の信号が検知された場合、あるいは、バキュームロックチャンバVL1にウエハ有無センサSCが設けられていない場合には、以下に示すようにバキュームロックチャンバVL2内のウエハ回収を実施する。すなわ
ち、バキュームロックチャンバVL2内の圧力を大気圧に戻し、図示しない大気側のゲートバルブを開ける。そして、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL2の1〜5番目の載置部からウエハWを搬送する(取り出す)動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL2の前の任意の位置に設けられたウエハ有無センサSDからはウエハWが存在する旨が検知される。そのため、大気ロボットARにより、ロードポートLP1上に載置されたポッドPD1の1〜5番目の空きスロットにウエハWを搬送する動作を行う。
However, a wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL2, and when a signal indicating that the wafer W exists is detected from the wafer presence / absence sensor SC, or the wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL1. If not, the wafer in the vacuum lock chamber VL2 is collected as described below. That is, the pressure in the vacuum lock chamber VL2 is returned to atmospheric pressure, and an atmospheric gate valve (not shown) is opened. Then, the atmospheric robot AR carries out (takes out) the wafer W from the first to fifth mounting parts of the vacuum lock chamber VL2. At this time, the presence / absence of the wafer W is detected from the wafer presence / absence sensor SD provided at an arbitrary position in front of the vacuum lock chamber VL2. Therefore, the atmospheric robot AR performs an operation of transporting the wafer W to the first to fifth empty slots of the pod PD1 placed on the load port LP1.
次に、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL2の6〜10番目の載置部からウエハWを搬送する動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL2の6〜8番目の載置部にしかウエハWが載置されていないが、ウエハ有無センサSDからはウエハWが存在する旨が検知される。そのため、大気ロボットARにより、ポッドPD1の6〜8番目の空きスロットにウエハWを搬送する動作を行う。なお、ポッドPD1の9〜10番目のスロットは空き状態となる。 Next, an operation of transporting the wafer W from the sixth to tenth mounting parts of the vacuum lock chamber VL2 is performed by the atmospheric robot AR. At this time, the wafer W is placed only on the sixth to eighth placement portions of the vacuum lock chamber VL2, but the presence / absence of the wafer W is detected from the wafer presence / absence sensor SD. Therefore, the atmospheric robot AR performs an operation of transporting the wafer W to the sixth to eighth empty slots of the pod PD1. Note that the ninth to tenth slots of the pod PD1 are empty.
次に、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL2の11〜15番目の載置部からウエハWを搬送する動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL2の11番目の載置部にしかウエハWが載置されていないが、ウエハ有無センサSDからはウエハWが存在する旨が検知される。そのため、大気ロボットARにより、ポッドPD1の11番目の空きスロットにウエハWを搬送する動作を行う。なお、ポッドPD1の12〜15番目のスロットは空き状態となる。 Next, the atmospheric robot AR performs an operation of transporting the wafer W from the 11th to 15th placement parts of the vacuum lock chamber VL2. At this time, the wafer W is mounted only on the eleventh mounting portion of the vacuum lock chamber VL2, but the presence / absence of the wafer W is detected from the wafer presence sensor SD. Therefore, the atmospheric robot AR performs an operation of transporting the wafer W to the 11th empty slot of the pod PD1. Note that the 12th to 15th slots of the pod PD1 are empty.
次に、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL2の16〜20番目の載置部からウエハWを搬送する動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL2の16〜20番目の載置部はウエハWが載置されていないため、ウエハ有無センサSDからはウエハWが存在しない旨が検知される。そのため、大気ロボットARにより、ポッドPD1の16〜20番目の空きスロットにウエハWを搬送する動作は行わない。 Next, an operation of transporting the wafer W from the 16th to 20th mounting parts of the vacuum lock chamber VL2 is performed by the atmospheric robot AR. At this time, since the wafer W is not placed on the 16th to 20th placement parts of the vacuum lock chamber VL2, it is detected from the wafer presence / absence sensor SD that the wafer W does not exist. Therefore, the operation of transferring the wafer W to the 16th to 20th empty slots of the pod PD1 by the atmospheric robot AR is not performed.
次に、大気ロボットARにより、バキュームロックチャンバVL2の21〜25番目の載置部からウエハWを搬送する動作を行う。このとき、バキュームロックチャンバVL2の24番目の載置部にしかウエハWが載置されていないが、ウエハ有無センサSDからはウエハWが存在する旨が検知される。そのため、大気ロボットARにより、ポッドPD1の24番目の空きスロットにウエハWを搬送する動作を行う。なお、ポッドPD1の21〜23、25番目のスロットは空き状態となる。 Next, an operation of transporting the wafer W from the 21st to 25th mounting parts of the vacuum lock chamber VL2 is performed by the atmospheric robot AR. At this time, the wafer W is mounted only on the 24th mounting portion of the vacuum lock chamber VL2, but the presence / absence of the wafer W is detected from the wafer presence / absence sensor SD. Therefore, the atmospheric robot AR performs an operation of transporting the wafer W to the 24th empty slot of the pod PD1. Note that the 21st to 23rd and 25th slots of the pod PD1 are empty.
なお、上記において、ポッドPD1のスロットとバキュームロックチャンバVL2の載置部とを対応させているが、これらの対応位置は任意に設定が可能である。例えば、強制回収処理を行う前に、保守員が操作部100から対応関係を設定できるようにしてもよい。
In the above description, the slot of the pod PD1 and the mounting portion of the vacuum lock chamber VL2 are associated with each other, but the corresponding positions can be arbitrarily set. For example, the maintenance staff may be able to set the correspondence from the
なお、バキュームロックチャンバVL2にウエハ有無センサSCが設けられており、上述の回収動作を実施する途中で、ウエハ有無センサSCによりバキュームロックチャンバVL2内にウエハWが存在しない旨(すなわち、バキュームロックチャンバVL1内のウエハWが全て回収された旨)の信号が検知された場合には、その時点で上述の工程S4を中断し、後述する工程S5を実行するようにしてもよい。 Note that a wafer presence / absence sensor SC is provided in the vacuum lock chamber VL2, and that the wafer W is not present in the vacuum lock chamber VL2 by the wafer presence / absence sensor SC during the above-described collection operation (that is, the vacuum lock chamber VL2). If a signal indicating that all the wafers W in VL1 have been recovered) is detected, the above-described step S4 may be interrupted at that point, and step S5 described later may be executed.
(2−5)真空ロボットVR上のウエハ回収(S5)
続いて、真空ロボットVRのアーム上にウエハWが載置されているか否かをウエハ有無センサSAにて検知する。そして、真空ロボットVRのアーム上にウエハWが存在していたら、バキュームロックチャンバVL1(あるいはバキュームロックチャンバVL2)内
にウエハWが存在するか否かをウエハ有無センサSCにより検知する。そして、バキュームロックチャンバVL1(VL2)内にウエハWが存在していなかったら、バキュームロックチャンバVL1(VL2)内を減圧して、バキュームロックチャンバVL1(VL2)内の圧力を真空搬送室TM内の圧力と同じにする。そして、バキュームロックチャンバVL1(VL2)の真空側に設けられたゲートバルブを開き、真空搬送室TM内とバキュームロックチャンバVL1(VL2)内とを連通する。そして、真空ロボットVRのアーム上のウエハWを、バキュームロックチャンバVL1(VL2)内に搬送し、上述のゲートバルブを閉める。そして、バキュームロックチャンバVL1(VL2)内の圧力を大気圧に戻し、バキュームロックチャンバVL1(VL2)の大気側に設けられたゲートバルブを開ける。そして、バキュームロックチャンバVL1,VL2内のウエハWを大気ロボットARにより搬出して(取り出して)、上述の工程S4にて示した方法によりポッドPD1,PD2内へと搬送する。かかる搬送が完了したら、バキュームロックチャンバVL1(VL2)の大気側に設けられたゲートバルブを閉める。
(2-5) Wafer collection on the vacuum robot VR (S5)
Subsequently, the wafer presence sensor SA detects whether or not the wafer W is placed on the arm of the vacuum robot VR. If the wafer W is present on the arm of the vacuum robot VR, the presence / absence sensor SC detects whether or not the wafer W is present in the vacuum lock chamber VL1 (or the vacuum lock chamber VL2). If the wafer W does not exist in the vacuum lock chamber VL1 (VL2), the pressure in the vacuum lock chamber VL1 (VL2) is reduced to reduce the pressure in the vacuum lock chamber VL1 (VL2) in the vacuum transfer chamber TM. Same as pressure. Then, the gate valve provided on the vacuum side of the vacuum lock chamber VL1 (VL2) is opened, and the inside of the vacuum transfer chamber TM communicates with the inside of the vacuum lock chamber VL1 (VL2). Then, the wafer W on the arm of the vacuum robot VR is transferred into the vacuum lock chamber VL1 (VL2), and the above-described gate valve is closed. Then, the pressure in the vacuum lock chamber VL1 (VL2) is returned to atmospheric pressure, and the gate valve provided on the atmosphere side of the vacuum lock chamber VL1 (VL2) is opened. Then, the wafers W in the vacuum lock chambers VL1 and VL2 are unloaded (taken out) by the atmospheric robot AR, and transferred into the pods PD1 and PD2 by the method shown in the above-described step S4. When the transfer is completed, the gate valve provided on the atmosphere side of the vacuum lock chamber VL1 (VL2) is closed.
なお、本実施形態では、上述したように真空ロボットVRのアーム上にはウエハWが載置されていないので、工程S5を実施することなく次の工程S6に進む。 In this embodiment, since the wafer W is not placed on the arm of the vacuum robot VR as described above, the process proceeds to the next step S6 without performing step S5.
(2−6)プロセスチャンバPM1内のウエハ回収(S6)
続いて、プロセスチャンバPM1内の圧力と真空搬送室TM内の圧力とが同じになるように、少なくともいずれか一方の室内を減圧あるいは昇圧する。そして、プロセスチャンバPM1に設けられたゲートバルブを開け、プロセスチャンバPM1内と真空搬送室TM内とを連通する。そして、真空ロボットVRにより、プロセスチャンバPM1内からウエハWを搬送する(取り出す)動作を実施して、上述のゲートバルブを閉める。そして、真空ロボットVRのアーム上にウエハWが載置されているか否かをウエハ有無センサSAにより検知した後、ウエハWが載置されていれば、上述の工程S5にて示した方法により、真空ロボットVRのアーム上に載置されたウエハWをポッドPD1内に搬送する。
(2-6) Recovery of wafer in process chamber PM1 (S6)
Subsequently, at least one of the chambers is depressurized or pressurized so that the pressure in the process chamber PM1 and the pressure in the vacuum transfer chamber TM become the same. Then, the gate valve provided in the process chamber PM1 is opened, and the inside of the process chamber PM1 and the inside of the vacuum transfer chamber TM are communicated. Then, the vacuum robot VR carries out (takes out) the wafer W from the process chamber PM1, and closes the gate valve. Then, after the wafer presence sensor SA detects whether or not the wafer W is placed on the arm of the vacuum robot VR, if the wafer W is placed, the method shown in the above step S5, The wafer W placed on the arm of the vacuum robot VR is transferred into the pod PD1.
(2−7)プロセスチャンバPM2内のウエハ回収(S7)
続いて、プロセスチャンバPM2内の圧力と真空搬送室TM内の圧力とが同じになるように、少なくともいずれか一方の室内を減圧あるいは昇圧する。そして、プロセスチャンバPM2に設けられたゲートバルブを開け、プロセスチャンバPM2内と真空搬送室TM内とを連通する。そして、真空ロボットVRにより、プロセスチャンバPM2内からウエハWを搬送する(取り出す)動作を実施して、上述のゲートバルブを閉める。その後、上述の工程S5にて示した方法により、真空ロボットVRのアーム上に載置されたウエハWをポッドPD1内に搬送してウエハWの強制回収処理を終了する。
(2-7) Wafer collection in process chamber PM2 (S7)
Subsequently, at least one of the chambers is depressurized or pressurized so that the pressure in the process chamber PM2 and the pressure in the vacuum transfer chamber TM become the same. Then, the gate valve provided in the process chamber PM2 is opened, and the inside of the process chamber PM2 and the inside of the vacuum transfer chamber TM are communicated. Then, the vacuum robot VR carries out (takes out) the wafer W from the process chamber PM2, and closes the gate valve. Thereafter, the wafer W placed on the arm of the vacuum robot VR is transferred into the pod PD1 by the method shown in the above-described step S5, and the forced recovery process of the wafer W is completed.
なお、本実施形態では、上述したようにプロセスチャンバPM2内にはウエハWが載置されていないので、工程S7を実施することなく強制回収処理を終了する。 In the present embodiment, since the wafer W is not placed in the process chamber PM2 as described above, the forced recovery process is terminated without performing step S7.
また、本実施形態では、図6にてロードポートLP1のみを選択した場合について詳述したが、例えばロードポートLP1、LP2を選択し、バキュームロックチャンバVL1(もしくはVL2)内のウエハWはポッドPD1内に回収し、プロセスチャンバPM1,PM2内のウエハWはポッドPD2内に回収するようにしてもよく、また、バキュームロックチャンバVL1内のウエハWはポッドPD1内に回収し、バキュームロックチャンバVL2内のウエハWはポッドPD2内に回収するようにしてもよい。 In this embodiment, the case where only the load port LP1 is selected in FIG. 6 has been described in detail. For example, the load ports LP1 and LP2 are selected, and the wafer W in the vacuum lock chamber VL1 (or VL2) is transferred to the pod PD1. The wafers W in the process chambers PM1 and PM2 may be recovered in the pod PD2, and the wafers W in the vacuum lock chamber VL1 are recovered in the pod PD1 and in the vacuum lock chamber VL2. The wafer W may be collected in the pod PD2.
更に、本実施形態において、ポッドPD1,PD2と同様に、バキュームロックチャンバVL1,VL2にウエハWを25枚載置することが可能なように構成されている場合、例えば、バキュームロックチャンバVL1のスロットとポッドPD1のスロットとを対応させるように搬送しておくと、強制回収処理の際、ウエハWを元の位置へ戻すことが出来
るため、復旧後の再スタートを素早く行うことが可能となる。よって、基板処理装置の稼働率の向上を図ることが可能となる。
Further, in the present embodiment, as in the case of the pods PD1 and PD2, when configured to be able to place 25 wafers W in the vacuum lock chambers VL1 and VL2, for example, the slot of the vacuum lock chamber VL1 If the wafer W is transported so as to correspond to the slot of the pod PD1, the wafer W can be returned to the original position during the forcible collection process, so that the restart after the restoration can be performed quickly. Therefore, it is possible to improve the operation rate of the substrate processing apparatus.
(3)本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す1つ又はそれ以上の効果を奏する。
(3) Effects According to this Embodiment According to this embodiment, one or more effects described below are exhibited.
本実施形態によれば、制御手段CNTが管理している位置情報によって示されるウエハWの位置と実際のウエハWの位置とが異なる場合であっても、基板処理装置の内部に滞留しているウエハWを、ウエハW及び基板処理装置の構成部品の損傷を抑制しつつ、自動的に短時間で回収することが可能となる。これにより、自動搬送処理が中断した後の半導体装置の復旧作業を短縮させることが可能となり、基板処理装置の稼働率を向上させることができる。 According to the present embodiment, even when the position of the wafer W indicated by the position information managed by the control unit CNT is different from the actual position of the wafer W, the wafer stays inside the substrate processing apparatus. The wafer W can be automatically recovered in a short time while suppressing damage to the components of the wafer W and the substrate processing apparatus. As a result, it is possible to shorten the recovery work of the semiconductor device after the automatic transfer processing is interrupted, and the operating rate of the substrate processing apparatus can be improved.
また、本実施形態によれば、制御手段CNTは、位置情報により示されるウエハWの位置と実際のウエハWの位置とが異なるエラーが発生した場合に、上述した強制回収処理にウエハ有無センサSA,SC,SDにより検知されたウエハWの位置情報が逐次更新されていく。従来の基板処理装置においては、搬送対象のウエハWのデータを更新する際には、ウエハWの位置情報だけでなく、ウエハWについてのプロセスの処理状況、ウエハWを識別するためのウエハID、ウエハWに対して実施するレシピ等の様々なデータを編集する必要があった。これに対して本実施形態にかかる基板処理装置によれば、ウエハWの位置情報だけで強制回収処理を速やかに行うことが可能となる。また、エラーが発生する直前のウエハWの位置情報だけでなく、ウエハWについてのプロセスの処理状況等のデータを保存しておき、これにウエハWの位置情報に修正を加えるという態様であれば、強制回収処理後の復旧作業をすばやく行うことが可能となる。また、ウエハWの位置情報等のデータの修正操作を受け付ける画面を操作部100に表示し、操作部100からの修正操作を受け付けて位置情報を更新するように構成してもよい。こうすることにより、エラーが発生し、緊急停止する直前のウエハWの上述した種々のデータが保存されなかった場合でも、強制回収後の復旧作業を行うことが出来る。
Further, according to the present embodiment, the control unit CNT performs the wafer presence sensor SA in the forced recovery process described above when an error occurs between the position of the wafer W indicated by the position information and the actual position of the wafer W. , SC and SD, the position information of the wafer W detected is sequentially updated. In the conventional substrate processing apparatus, when updating the data of the wafer W to be transferred, not only the position information of the wafer W but also the process status of the wafer W, the wafer ID for identifying the wafer W, It was necessary to edit various data such as recipes to be performed on the wafer W. On the other hand, according to the substrate processing apparatus according to the present embodiment, the forcible recovery process can be quickly performed only with the position information of the wafer W. Further, not only the position information of the wafer W immediately before the error occurs but also data such as the process status of the process for the wafer W is stored, and the position information of the wafer W is corrected to this. In addition, the recovery work after the forced recovery process can be performed quickly. Further, a screen for accepting a correction operation for data such as the position information of the wafer W may be displayed on the
<本発明の好ましい態様>
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
<Preferred embodiment of the present invention>
Hereinafter, desirable aspects of the present invention will be additionally described.
第1の態様は、基板を処理する基板処理室と、複数枚の基板を収容する基板収納容器と前記基板処理室との間に設けられ内部の圧力を制御可能な予備室と、前記予備室内に設けられ前記基板収納容器と前記基板処理室との間で基板の搬送を行う搬送手段と、前記搬送手段の動作を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内における基板の位置を示す位置情報を管理するとともに、前記搬送手段による搬送処理が中断されて前記位置情報を管理することが出来なくなった場合に、前記基板処理装置内に残留している基板を前記基板収納容器から近い順に前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する基板処理装置である。 The first aspect includes a substrate processing chamber for processing a substrate, a substrate storage container for storing a plurality of substrates, a spare chamber provided between the substrate processing chamber and capable of controlling an internal pressure, and the spare chamber A substrate processing apparatus comprising: a transport unit that transports a substrate between the substrate storage container and the substrate processing chamber; and a control unit that controls an operation of the transport unit, wherein the control unit Manages position information indicating the position of the substrate in the substrate processing apparatus, and when the position information cannot be managed because the transfer process by the transfer means is interrupted, The substrate processing apparatus controls the operation of the transfer means so as to transfer the remaining substrate into the substrate storage container in the order from the substrate storage container.
好ましくは、前記基板収納容器は基板を収容する収納部を複数備えており、前記制御手段は、前記基板処理装置内に存在している各基板を前記基板収納容器内のどの収納部に収納するかをそれぞれ指定する収納情報を保持し、前記搬送処理中は該収納情報と前記位置情報とに基づいて前記搬送手段の動作を制御する。 Preferably, the substrate storage container includes a plurality of storage units for storing the substrates, and the control unit stores each of the substrates present in the substrate processing apparatus in which storage unit in the substrate storage container. Storage information for designating each of them is held, and during the transfer process, the operation of the transfer means is controlled based on the storage information and the position information.
また好ましくは、前記基板処理装置内の基板の搬送予定位置には基板の有無を検知する基板検知手段がそれぞれ設けられ、前記制御手段は、前記基板検知手段に接続されるとともに、前記基板検知手段からの検知信号に基づいて前記位置情報を更新する。さらに好ましくは、前記制御手段は、前記基板検知手段により存在が検知された複数の基板のうち最
も前記基板収納容器に近い基板を前記基板収納容器内へ搬送させた後、該基板の次に前記基板収納容器に近い基板を前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する。
Preferably, a substrate detection means for detecting the presence or absence of a substrate is provided at each of the substrate transfer scheduled positions in the substrate processing apparatus, and the control means is connected to the substrate detection means, and the substrate detection means The position information is updated on the basis of the detection signal from. More preferably, the control unit transports the substrate closest to the substrate storage container among the plurality of substrates whose presence is detected by the substrate detection unit into the substrate storage container, and then the substrate is placed next to the substrate. The operation of the transfer means is controlled so that a substrate close to the substrate storage container is transferred into the substrate storage container.
また好ましくは、前記制御手段は、前記予備室内に存在する全ての基板を前記基板収納容器内へ搬送させた後、前記基板処理室内に存在する基板を前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する。 Further preferably, the control means transfers all the substrates existing in the spare chamber into the substrate storage container, and then transfers the substrates present in the substrate processing chamber into the substrate storage container. Control the operation of the transport means.
第2の態様は、基板を処理する基板処理室と、複数枚の基板を収容する基板収納容器と前記基板処理室との間に設けられ内部の圧力を制御可能な予備室と、前記予備室内に設けられ前記基板収納容器と前記基板処理室との間で基板の搬送を行う搬送手段と、前記搬送手段の動作を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、前記基板処理装置内における基板の位置を示す位置情報を管理するとともに、前記搬送手段による搬送処理が中断されて前記位置情報により示される基板の位置と実際の基板の位置とが異なるエラーが発生した場合に、前記基板処理装置内に残留している基板を前記基板収納容器から近い順に前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する基板処理装置である。 The second aspect includes a substrate processing chamber for processing a substrate, a substrate storage container for storing a plurality of substrates, a spare chamber provided between the substrate processing chamber and capable of controlling an internal pressure, and the spare chamber. A substrate processing apparatus comprising: a transport unit that transports a substrate between the substrate storage container and the substrate processing chamber; and a control unit that controls an operation of the transport unit, wherein the control unit Manages position information indicating the position of the substrate in the substrate processing apparatus, and the transfer process by the transfer means is interrupted, and an error in which the position of the substrate indicated by the position information differs from the actual position of the substrate. In the case of occurrence, the substrate processing apparatus controls the operation of the transfer means so as to transfer the substrate remaining in the substrate processing apparatus into the substrate storage container in the order from the substrate storage container.
好ましくは、前記制御手段は、操作員による操作を受け付ける操作部を備えており、前記位置情報により示される基板の位置と実際の基板の位置とが異なるエラーが発生した場合に、前記位置情報の修正操作を受け付ける画面を前記操作部に表示し、前記操作部からの修正操作を受け付けて前記位置情報を更新する。 Preferably, the control unit includes an operation unit that receives an operation by an operator, and when an error occurs between the position of the substrate indicated by the position information and the actual position of the substrate, the position information A screen for accepting a correction operation is displayed on the operation unit, and a correction operation from the operation unit is received to update the position information.
第3の態様は、複数枚の基板を収納する基板収納容器を載置する基板収納部と、前記基板収納容器と連通する大気搬送室と、前記大気搬送室と連通し内部を真空排気することが可能な予備室と、前記予備室と連通し前記基板を処理する基板処理室と、前記基板収納容器と前記予備室との間で前記基板の搬送を行う大気搬送手段と、前記予備室と前記基板処理室との間で前記基板の搬送を行う真空搬送手段と、前記大気搬送手段及び前記真空搬送手段の動作を制御する制御手段と、を備えた基板処理装置であって、前記制御手段は、自動搬送処理が中断し、前記基板処理室内及び前記予備室内の基板の存在を認識できない場合に、前記大気搬送室内に残存する基板を前記基板収納容器内へ搬送させた後、前記予備室内に残存する基板を前記基板収納容器内へ搬送させ、その後、前記基板処理室内に残存する基板を前記基板収納容器内へ搬送させるように、前記大気搬送手段及び前記真空搬送手段の動作を制御する基板処理装置である。 According to a third aspect, a substrate storage unit for mounting a substrate storage container for storing a plurality of substrates, an atmospheric transfer chamber in communication with the substrate storage container, an internal communication with the atmospheric transfer chamber, and evacuating the inside. A spare chamber capable of processing, a substrate processing chamber communicating with the spare chamber, processing the substrate, atmospheric transfer means for transporting the substrate between the substrate storage container and the spare chamber, and the spare chamber A substrate processing apparatus comprising: a vacuum transfer unit that transfers the substrate to and from the substrate processing chamber; and a control unit that controls operations of the atmospheric transfer unit and the vacuum transfer unit. When the automatic transfer process is interrupted and the presence of the substrate in the substrate processing chamber and the spare chamber cannot be recognized, the substrate remaining in the atmospheric transfer chamber is transferred into the substrate storage container, The substrate remaining on the substrate Is conveyed into the housed vessel, then, the substrate remaining in the substrate processing chamber so as to be conveyed to the substrate storage container, a substrate processing apparatus for controlling the operation of said air transport means and said vacuum transfer means.
好ましくは、前記制御手段は、前記基板の有無にかかわらず、前記基板処理装置内の前記基板を前記基板収納容器へ強制的に回収する際に、前記大気搬送室内の前記基板を前記基板収納容器へ搬送させた後、前記予備室内の前記基板を前記基板収納容器へ搬送させ、その後、前記基板処理室内の前記基板を前記基板収納容器へ搬送させるように、前記大気搬送手段及び前記真空搬送手段の動作を制御する。 Preferably, when the control means forcibly recovers the substrate in the substrate processing apparatus to the substrate storage container regardless of the presence or absence of the substrate, the control unit transfers the substrate in the atmospheric transfer chamber to the substrate storage container. And transporting the substrate in the preliminary chamber to the substrate storage container, and then transporting the substrate in the substrate processing chamber to the substrate storage container. To control the operation.
<他の実施の形態>
なお、上記では基板処理装置の一例として半導体製造装置を示しているが、半導体製造装置に限らず、LCD装置のようなガラス基板を処理する装置であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理等の処理であってもよい。また、成膜処理は、例えばCVD、PVD、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。
<Other embodiments>
In the above description, the semiconductor manufacturing apparatus is shown as an example of the substrate processing apparatus. However, the present invention is not limited to the semiconductor manufacturing apparatus, and may be an apparatus for processing a glass substrate such as an LCD device. Further, the specific content of the substrate processing is not questioned, and it may be processing such as annealing processing, oxidation processing, nitriding processing, and diffusion processing as well as film forming processing. The film formation process may be, for example, a process for forming a CVD, PVD, oxide film, or nitride film, or a process for forming a film containing a metal.
AR 大気ロボット(大気搬送手段)
CNT 制御手段
LP ロードポート(基板収容部)
LM 大気搬送室
PD ポッド(基板収納容器)
PM プロセスチャンバ(基板処理室)
TM 真空搬送室
VL バキュームロックチャンバ(予備室)
VR 真空ロボット(真空搬送手段)
W ウエハ(基板)
SA,SC,SD ウエハ有無センサ(基板検知手段)
SB ウエハ飛び出しセンサ(基板検知手段)
100 操作部
AR atmospheric robot (atmospheric transfer means)
CNT control means LP load port (substrate housing part)
LM atmospheric transfer chamber PD pod (substrate storage container)
PM process chamber (substrate processing room)
TM Vacuum transfer chamber VL Vacuum lock chamber (spare chamber)
VR vacuum robot (vacuum transfer means)
W Wafer (Substrate)
SA, SC, SD Wafer presence sensor (substrate detection means)
SB Wafer pop-out sensor (substrate detection means)
100 operation unit
Claims (5)
前記制御手段は、
前記基板処理装置内における基板の位置を示す位置情報を管理するとともに、
前記搬送手段による搬送処理が中断されて前記位置情報を管理することが出来なくなった場合に、前記基板処理装置内に残留している基板を前記基板収納容器から近い順に前記基板収納容器内へ搬送させるように前記搬送手段の動作を制御する
基板処理装置。 A substrate processing chamber for processing a substrate, a substrate storage container for storing a plurality of substrates, a spare chamber provided between the substrate processing chamber and capable of controlling the internal pressure, and the substrate storage provided in the spare chamber A substrate processing apparatus comprising: a transfer unit that transfers a substrate between a container and the substrate processing chamber; and a control unit that controls the operation of the transfer unit,
The control means includes
While managing the position information indicating the position of the substrate in the substrate processing apparatus,
When the transfer processing by the transfer means is interrupted and the position information cannot be managed, the substrates remaining in the substrate processing apparatus are transferred into the substrate storage container in order from the substrate storage container. A substrate processing apparatus for controlling the operation of the transfer means so as to make it happen.
前記制御手段は、前記基板処理装置内に存在している各基板を前記基板収納容器内のどの収納部に収納するかをそれぞれ指定する収納情報を保持し、前記搬送処理中は該収納情報と前記位置情報とに基づいて前記搬送手段の動作を制御する
請求項1に記載の基板処理装置。 The substrate storage container includes a plurality of storage units for storing substrates,
The control means holds storage information for designating in which storage section in the substrate storage container each substrate existing in the substrate processing apparatus is to be stored. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein an operation of the transfer unit is controlled based on the position information.
前記制御手段は、前記基板検知手段に接続されるとともに、前記基板検知手段からの検知信号に基づいて前記位置情報を更新する
請求項1に記載の基板処理装置。 Substrate detection means for detecting the presence or absence of a substrate is provided at each planned transfer position of the substrate in the substrate processing apparatus,
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit is connected to the substrate detection unit and updates the position information based on a detection signal from the substrate detection unit.
請求項3に記載の基板処理装置。 The control unit transports the substrate closest to the substrate storage container among the plurality of substrates whose presence is detected by the substrate detection unit into the substrate storage container, and then transfers the substrate to the substrate storage container next to the substrate. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein an operation of the transfer unit is controlled so as to transfer a near substrate into the substrate storage container.
請求項1に記載の基板処理装置。 The control means operates the transfer means so as to transfer all the substrates existing in the spare chamber into the substrate storage container and then transfer the substrates present in the substrate processing chamber into the substrate storage container. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is controlled.
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