JP2008137367A - Metal clad laminated sheet, printed-circuit board, and its manufacturing method - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 159
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 159
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 52
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims abstract description 25
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 42
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 35
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 35
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 21
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 21
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 13
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 13
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 9
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 8
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 28
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 abstract description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 abstract description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 222
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 22
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 17
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 17
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 6
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 6
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 5
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 4
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 125000005442 diisocyanate group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000004984 aromatic diamines Chemical class 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000004985 diamines Chemical class 0.000 description 3
- RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N diazene Chemical compound N=N RAABOESOVLLHRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000071 diazene Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 150000002989 phenols Chemical class 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N Hydroquinone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1 QIGBRXMKCJKVMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-diol Chemical compound OCCCCO WERYXYBDKMZEQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N diphenyl sulfone Chemical compound C=1C=CC=CC=1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 KZTYYGOKRVBIMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 2
- 239000012784 inorganic fiber Substances 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N o-cresol Chemical compound CC1=CC=CC=C1O QWVGKYWNOKOFNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 2
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N resorcinol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1 GHMLBKRAJCXXBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N trimellitic anhydride Chemical compound OC(=O)C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 SRPWOOOHEPICQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 2
- 125000006273 (C1-C3) alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 1,5-Naphthalene diisocyanate Chemical class C1=CC=C2C(N=C=O)=CC=CC2=C1N=C=O SBJCUZQNHOLYMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 1,6-diisocyanato-2,2,4-trimethylhexane Chemical compound O=C=NCCC(C)CC(C)(C)CN=C=O ATOUXIOKEJWULN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical class C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 2-amino-5-(4-amino-3-hydroxyphenyl)phenol Chemical compound C1=C(O)C(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C(O)=C1 ZGDMDBHLKNQPSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGZNZXOHAFRWEN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(2,5-dioxopyrrol-3-yl)triazin-5-yl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1NC(=O)C(C=2C(=NN=NC=2)C=2C(NC(=O)C=2)=O)=C1 LGZNZXOHAFRWEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 3-[4-(3-aminopropyl)piperazin-1-yl]propan-1-amine Chemical compound NCCCN1CCN(CCCN)CC1 XUSNPFGLKGCWGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 3-[4-[4-(3-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=CC(=CC=2)S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=C(N)C=CC=3)=CC=2)=C1 WCXGOVYROJJXHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 4-(4-amino-2-methylphenyl)-3-methylaniline Chemical compound CC1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1C QYIMZXITLDTULQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 4-[3-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=CC(OC=2C=CC(N)=CC=2)=C1 WUPRYUDHUFLKFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 JCRRFJIVUPSNTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 HHLMWQDRYZAENA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenoxy]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 LDFYRFKAYFZVNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]phenoxy]aniline Chemical group C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 HYDATEKARGDBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]sulfonylphenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(S(=O)(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 UTDAGHZGKXPRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methyl]phenoxy]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC(C=C1)=CC=C1CC(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 PJCCVNKHRXIAHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 5-(1,3-dioxo-2-benzofuran-5-carbonyl)-2-benzofuran-1,3-dione Chemical compound C1=C2C(=O)OC(=O)C2=CC(C(C=2C=C3C(=O)OC(=O)C3=CC=2)=O)=C1 VQVIHDPBMFABCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000009261 D 400 Substances 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N Guanylurea Chemical compound NC(=N)NC(N)=O SQSPRWMERUQXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005057 Hexamethylene diisocyanate Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000388 Polyphosphate Polymers 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 1
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000010425 asbestos Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N bis(3-aminophenyl)methanone Chemical compound NC1=CC=CC(C(=O)C=2C=C(N)C=CC=2)=C1 TUQQUUXMCKXGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N bis[4-(4-aminophenoxy)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(C(=O)C=2C=CC(OC=3C=CC(N)=CC=3)=CC=2)C=C1 LSDYQEILXDCDTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,2-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1CCCCC1C(O)=O QSAWQNUELGIYBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N diphenylmethane Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 CZZYITDELCSZES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N diphenylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(N)(N)C1=CC=CC=C1 ZZTCPWRAHWXWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001879 gelation Methods 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N hexamethylene diisocyanate Chemical compound O=C=NCCCCCCN=C=O RRAMGCGOFNQTLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 125000005462 imide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006838 isophorone group Chemical group 0.000 description 1
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 239000001205 polyphosphate Substances 0.000 description 1
- 235000011176 polyphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052895 riebeckite Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N sulfolane Chemical compound O=S1(=O)CCCC1 HXJUTPCZVOIRIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical class CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N toluene 2,6-diisocyanate Chemical class CC1=C(N=C=O)C=CC=C1N=C=O RUELTTOHQODFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005628 tolylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
Description
本発明は、金属張積層板、並びに印刷回路板及びその製造方法に関するものである。 The present invention relates to a metal-clad laminate, a printed circuit board, and a manufacturing method thereof.
プリント配線板用の積層板は、電気絶縁性を有する樹脂組成物をマトリックスとするプリプレグを所定の枚数重ね、加熱加圧して一体化することにより得られる。また、プリント配線板の作製において、プリント回路をサブトラクティブ法により形成する場合には、金属張積層板が用いられる。この金属張積層板は、プリプレグの表面（片面又は両面）に銅箔等の金属箔を重ねて加熱加圧することにより製造される。 A laminated board for a printed wiring board can be obtained by stacking a predetermined number of prepregs having a resin composition having electrical insulation as a matrix, and heating and pressing to integrate them. In the production of a printed wiring board, when a printed circuit is formed by a subtractive method, a metal-clad laminate is used. This metal-clad laminate is manufactured by stacking a metal foil such as a copper foil on the surface (one side or both sides) of the prepreg and heating and pressing.
電気絶縁性を有する樹脂としては、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等のような熱硬化性樹脂が広く用いられる。また、フッ素樹脂やポリフェニレンエーテル樹脂等のような熱可塑性樹脂が用いられることもある。 一方、パーソナルコンピュータや携帯電話等の情報端末機器の普及に伴って、これらに搭載される印刷回路板は小型化、高密度化が進んでいる。その実装形態はピン挿入型から表面実装型、さらにはプラスチック基板を使用したＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）に代表されるエリアアレイ型へと進んでいる。 Thermosetting resins such as phenol resin, epoxy resin, polyimide resin, bismaleimide-triazine resin, etc. are widely used as the resin having electrical insulation. In addition, a thermoplastic resin such as a fluororesin or a polyphenylene ether resin may be used. On the other hand, with the widespread use of information terminal devices such as personal computers and mobile phones, printed circuit boards mounted on them are becoming smaller and higher in density. The mounting form has progressed from a pin insertion type to a surface mounting type, and further to an area array type represented by a BGA (ball grid array) using a plastic substrate.
このＢＧＡのようなベアチップを直接実装する基板では、チップと基板の接続は、熱超音波圧着によるワイヤボンディングで行うのが一般的である。このため、ベアチップを実装する基板は１５０℃以上の高温にさらされることになり、電気絶縁性樹脂にはある程度の耐熱性が必要となる。 In a substrate on which a bare chip such as a BGA is directly mounted, the chip and the substrate are generally connected by wire bonding by thermosonic bonding. For this reason, the substrate on which the bare chip is mounted is exposed to a high temperature of 150 ° C. or higher, and the electrically insulating resin needs a certain degree of heat resistance.
さらに、このような基板では、一度実装したチップを外す、いわゆるリペア性も要求される場合がある。この場合には、チップ実装時と同程度の熱がかけられ、また、基板にはその後再度チップ実装が施されることになり、さらに熱処理が行われることになる。したがって、リペア性の要求される基板では、高温でのサイクル的な耐熱衝撃性も要求される。そして、従来の絶縁性樹脂では、繊維基材と樹脂の間で剥離が生じる場合があった。 Further, in such a substrate, there is a case where so-called repairability in which a chip once mounted is removed is also required. In this case, the same level of heat as that applied during chip mounting is applied, and then the chip mounting is again performed on the substrate, and further heat treatment is performed. Therefore, in a substrate that requires repairability, cyclic thermal shock resistance at high temperatures is also required. In the conventional insulating resin, peeling may occur between the fiber base material and the resin.
そこで、印刷回路板において、耐熱衝撃性、耐リフロー性、耐クラック性に加え、微細配線形成性を向上させるために、繊維基材にポリアミドイミドを必須成分とする樹脂組成物を含浸したプリプレグが提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、シリコーン変性ポリイミド樹脂と熱硬化性樹脂からなる樹脂組成物を繊維基材に含浸させた耐熱性の基材が提案されている（例えば、特許文献２参照）。 Therefore, in a printed circuit board, a prepreg impregnated with a resin composition containing polyamideimide as an essential component in a fiber substrate is used in order to improve the fine wiring formability in addition to thermal shock resistance, reflow resistance, and crack resistance. It has been proposed (see, for example, Patent Document 1). In addition, a heat-resistant base material in which a fiber base material is impregnated with a resin composition composed of a silicone-modified polyimide resin and a thermosetting resin has been proposed (for example, see Patent Document 2).
さらに、電子機器の小型化、高性能化に伴い印刷回路板における微細化が進んでいるため、最近では回路形成法としてセミアディティブ法が一般化している。セミアディティブ法は、金属からなる薄膜の給電層上に所定パターンの電解めっきを施した後、給電層をエッチングにより除去して回路パターンを形成する方法である。このセミアディティブ法では、上述の給電層が薄く平坦になるほど、より微細な回路パターンを形成できる。 Furthermore, since the miniaturization of the printed circuit board is progressing with the miniaturization and high performance of the electronic equipment, the semi-additive method has recently been generalized as a circuit forming method. The semi-additive method is a method of forming a circuit pattern by performing electrolytic plating of a predetermined pattern on a thin-film power feeding layer made of metal and then removing the power feeding layer by etching. In this semi-additive method, a finer circuit pattern can be formed as the above-described feeding layer becomes thinner and flatter.
給電層は通常無電解めっきにより形成されるが、極薄の銅箔を給電層として用いることも可能である。しかし、それらよりも表面の平滑性に優れる点から、スパッタ法により形成される給電層が好適に用いられる。例えば非特許文献１によると、ポリイミドフィルムの表面にスパッタ法により銅からなる給電層を形成する方法が開示されている。この方法によると、ライン幅が１０μｍ以下の銅回路パターンが形成される旨、非特許文献１に記載されている。 The power feeding layer is usually formed by electroless plating, but an extremely thin copper foil can be used as the power feeding layer. However, a power feeding layer formed by a sputtering method is preferably used because it is superior in surface smoothness. For example, Non-Patent Document 1 discloses a method of forming a power feeding layer made of copper on the surface of a polyimide film by sputtering. Non-Patent Document 1 describes that according to this method, a copper circuit pattern having a line width of 10 μm or less is formed.
ところで、ポリイミドをベースとするフレキシブル基板として、一般に、ポリイミドフィルム及び銅箔が直接積層された２層タイプのものと、ポリイミドフィルム及び銅箔が接着剤からなる接着層により貼り合わされた３層タイプのものとが用いられている。このうち２層タイプのフレキシブル基板は、銅箔の表面にポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を含有するペーストを所定の厚みに塗布して、これを硬化することにより得られる。ところが、その硬化の際には３００〜４００℃程度の高温で加熱処理する必要がある。 By the way, as a flexible substrate based on polyimide, generally, a two-layer type in which a polyimide film and a copper foil are directly laminated, and a three-layer type in which a polyimide film and a copper foil are bonded together by an adhesive layer made of an adhesive. Things are used. Of these, a two-layer type flexible substrate is obtained by applying a paste containing polyamic acid, which is a polyimide precursor, to a predetermined thickness on the surface of a copper foil and curing the paste. However, it is necessary to perform heat treatment at a high temperature of about 300 to 400 ° C. during the curing.
また、通常ポリイミド及び銅間の接着性が低いため、上記銅箔としては表面に微細な凹凸形状を設けた所謂粗化銅箔が採用される。フレキシブル基板から回路パターンを形成する場合、従来銅箔を所定の形状にエッチングして回路パターンを形成するサブトラクティブ法が用いられている。しかし、上述の粗化銅箔からサブトラクティブ法により微細な回路パターンを形成しようとすると、粗化銅箔表面の凹凸形状に起因する回路の断線が発生しやすくなる。 Moreover, since the adhesiveness between polyimide and copper is usually low, a so-called roughened copper foil having a fine concavo-convex shape on the surface is employed as the copper foil. When forming a circuit pattern from a flexible substrate, a subtractive method is conventionally used in which a circuit pattern is formed by etching a copper foil into a predetermined shape. However, if a fine circuit pattern is to be formed from the above roughened copper foil by a subtractive method, circuit disconnection due to the uneven shape on the surface of the roughened copper foil is likely to occur.
かかる回路の断線を防止できるフレキシブル基板として、ポリイミドフィルムの表面上にスパッタ法によりニッケル、クロム等の金属層を積層し、更にその上からスパッタ法により銅を積層して得られる２層タイプのものが提案されている（例えば、特許文献３参照）。この技術によると、ポリイミドフィルム及び銅層間の接着性は、銅箔にポリアミック酸を含有するペーストを塗布して得られる２層タイプのものよりも劣っているが、ポリイミドフィルムと銅層との界面が極めて平坦であるため、微細な回路を形成するには適しているとされている。
ポリイミドフィルムの表面上にスパッタ法で金属層を形成する場合、ポリイミドフィルムを減圧下等の金属層を形成するために必要な条件下に晒すことになる。しかしながら、ポリイミドフィルムをそのような条件下に晒すことは、ポリイミドフィルムの材料コスト及び金属層形成時の歩留を考慮すると、生産コストが高くなり量産性に適していない。また、金属層を形成する際、その基板となるフィルムは高温に加熱される。そのため、ポリイミドフィルム以外の材料からなる従来のフレキシブル基板用のフィルムを、金属層形成用の基板に適用することはできない。 When a metal layer is formed on the surface of the polyimide film by sputtering, the polyimide film is exposed to conditions necessary for forming the metal layer under reduced pressure. However, exposing the polyimide film to such a condition is not suitable for mass productivity because the production cost becomes high in consideration of the material cost of the polyimide film and the yield when forming the metal layer. Moreover, when forming a metal layer, the film used as the board | substrate is heated by high temperature. Therefore, the conventional film for flexible substrates which consists of materials other than a polyimide film cannot be applied to the board | substrate for metal layer formation.
そこで、本発明は上記事情にかんがみてなされたものであり、微細な回路パターンを十分良好に形成可能であり、かつ、金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要のない金属張積層板、これを用いた印刷回路板及びその製造方法を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made in view of the above circumstances, a metal-clad laminate that can form a fine circuit pattern sufficiently satisfactorily and does not require the use of a polyimide film when forming a metal layer, It is an object of the present invention to provide a printed circuit board using the same and a manufacturing method thereof.
上記目的を達成するため、本発明は、支持体と、該支持体上に蒸着法により形成された第１の金属層と、該第１の金属層上に形成された第２の金属層と、該第２の金属層上に形成され、繊維基材及びこれに含浸された絶縁性の樹脂組成物を有するプリプレグを加熱及び加圧して形成される絶縁層とを備える金属張積層板を提供する。 To achieve the above object, the present invention provides a support, a first metal layer formed on the support by a vapor deposition method, and a second metal layer formed on the first metal layer. And a metal-clad laminate comprising an insulating layer formed by heating and pressing a prepreg formed on the second metal layer and having a fibrous base material and an insulating resin composition impregnated therein. To do.
また、本発明は、上記金属張積層板から支持体を除去する工程と、除去する工程を経て露出した第１の金属層上に、第１に金属層及び第２の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第３の金属層を形成して回路を得る工程とを有する印刷回路板の製造方法を提供する。 The present invention also includes a step of removing the support from the metal-clad laminate, and a first metal layer and a second metal layer as a power feeding layer on the first metal layer exposed through the removal step. And a method of manufacturing a printed circuit board including a step of forming a third metal layer by a semi-additive method to obtain a circuit.
この製造方法によって得られる本発明の印刷回路板は、繊維基材及びこれに含浸された絶縁性の樹脂組成物を有するプリプレグを加熱及び加圧して形成される絶縁層と、該絶縁層上に設けられた回路であって、パターン化された第２の金属層と、該第２の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられたパターン化された第３の金属層と、を有する上記回路とを備える印刷回路板である。 The printed circuit board of the present invention obtained by this manufacturing method comprises an insulating layer formed by heating and pressing a prepreg having a fiber base material and an insulating resin composition impregnated therein, and the insulating layer on the insulating layer. A provided circuit, a patterned second metal layer, a first metal layer provided on the second metal layer and formed by vapor deposition, and the first metal layer; A printed circuit board comprising the above circuit having a patterned third metal layer provided on the metal layer.
上述の本発明において、金属張積層板を構成する支持体は、第１の金属層を形成する際にその蒸着用の基板として機能する。そして、この支持体は、印刷回路板を製造する際に、金属張積層板から除去される。したがって、この支持体は印刷回路板の絶縁層として機能するものではない。そのような絶縁層として機能するのは、上述のプリプレグを加熱及び加圧して形成される絶縁層である。よって、本発明によれば、第１の金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要はない。その結果、支持体に比較的安価なフィルムを採用すれば、従来よりも安価に金属張積層板及び印刷回路板を製造することができる。 In the above-described present invention, the support constituting the metal-clad laminate functions as a deposition substrate when the first metal layer is formed. This support is then removed from the metal-clad laminate when manufacturing the printed circuit board. Therefore, this support does not function as an insulating layer of the printed circuit board. What functions as such an insulating layer is an insulating layer formed by heating and pressing the above-described prepreg. Therefore, according to the present invention, it is not necessary to use a polyimide film when forming the first metal layer. As a result, if a relatively inexpensive film is used for the support, a metal-clad laminate and a printed circuit board can be manufactured at a lower cost than in the past.
また、印刷回路板における回路は、粗化銅箔から形成されるのではなく、その第１の金属層上にセミアディティブ法により第３の金属層を設けることで形成されるものである。したがって、粗化銅箔をエッチングするサブトラクティブ法により回路パターンを形成する従来の方法と比較して、より微細な回路パターンを十分良好に形成することができる。 The circuit in the printed circuit board is not formed from a roughened copper foil, but is formed by providing a third metal layer on the first metal layer by a semi-additive method. Therefore, a finer circuit pattern can be formed satisfactorily as compared with the conventional method of forming a circuit pattern by a subtractive method of etching the roughened copper foil.
さらには、絶縁層を構成する樹脂としてポリイミド樹脂を採用する必要はなく、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミドイミド樹脂を適用することも可能となる。これにより、印刷回路板の用途は、従来の金属張積層板を用いて形成したものよりも広範に亘るようになる。 Furthermore, it is not necessary to employ a polyimide resin as a resin constituting the insulating layer, and an acrylic resin, an epoxy resin, or a polyamideimide resin can be applied. This allows the printed circuit board to be used more extensively than that formed using conventional metal-clad laminates.
本発明によると、第１の金属層を蒸着法により形成しているため、従来よりも薄型の印刷回路板及び多層配線板を提供することができる。また、それらを製造する際の設計裕度を従来よりも高くすることが可能となるばかりでなく、耐熱性にも優れた印刷回路板を製造することができる。 According to the present invention, since the first metal layer is formed by the vapor deposition method, it is possible to provide a printed circuit board and a multilayer wiring board that are thinner than conventional ones. In addition, it is possible not only to increase the design margin when manufacturing them, but also to manufacture a printed circuit board having excellent heat resistance.
上述の本発明において、第１の金属層が０．０１〜０．５μｍの厚みを有するものであると好適である。また、第２の金属層が０．１〜２．０μｍの厚みを有するものであると好ましい。これらにより、絶縁層が可とう性を有する場合に、その絶縁層が有する折り曲げ性の低下を最小限にとどめて回路パターンを形成することができる。また、かかる厚みを有することにより、第１及び第２の金属層は、セミアディティブ法で回路を形成する際に、より良好に給電層として機能することができ、かつ所望通りの形状を有する回路パターンを形成可能となる。 In the above-mentioned present invention, it is preferable that the first metal layer has a thickness of 0.01 to 0.5 μm. The second metal layer preferably has a thickness of 0.1 to 2.0 μm. As a result, when the insulating layer has flexibility, it is possible to form a circuit pattern while minimizing the decrease in bending property of the insulating layer. Further, by having such a thickness, the first and second metal layers can function as a power feeding layer better when forming a circuit by a semi-additive method, and have a desired shape. A pattern can be formed.
本発明において、第１の金属層が銅を含有することが好ましい。また、第２の金属層が銅を含有すると好適である。これらの金属層は、回路を形成する際に給電層として更に良好に機能することができる。 In the present invention, the first metal layer preferably contains copper. Moreover, it is preferable that the second metal layer contains copper. These metal layers can function better as a power feeding layer when forming a circuit.
また、上述の繊維基材が５０μｍ以下の厚みを有するガラスクロスであると好ましい。これにより、より十分な折り曲げ性を確保することができる。 Moreover, it is preferable that the above-mentioned fiber base material is a glass cloth having a thickness of 50 μm or less. Thereby, more sufficient bendability can be ensured.
また、樹脂組成物が熱硬化性樹脂組成物であると、耐熱性に一層優れるため好適である。この熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂を含有すると、耐熱性及び絶縁性を向上することができるので好ましい。また、熱硬化性樹脂組成物がアクリル樹脂を含有すると、耐熱性及び柔軟性に一層優れる樹脂組成物を得ることができ、印刷回路板の折り曲げ性を向上することができるので好適である。 Further, it is preferable that the resin composition is a thermosetting resin composition because it is further excellent in heat resistance. It is preferable that the thermosetting resin composition contains an epoxy resin because heat resistance and insulation can be improved. Moreover, when the thermosetting resin composition contains an acrylic resin, it is preferable because a resin composition having further excellent heat resistance and flexibility can be obtained and the bendability of the printed circuit board can be improved.
また、熱硬化性樹脂組成物が、下記一般式（１）で表される構造を有するポリアミドイミド樹脂を含有することが好ましい。このようなポリアミドイミド樹脂を用いることにより、金属層又は回路と絶縁層との間のより高い接着性、並びに絶縁層のより高い耐熱性が得られる。 Moreover, it is preferable that a thermosetting resin composition contains the polyamide-imide resin which has a structure represented by following General formula (1). By using such a polyamideimide resin, higher adhesion between the metal layer or circuit and the insulating layer, and higher heat resistance of the insulating layer can be obtained.
本発明によれば、微細な回路パターンを十分良好に形成可能であり、かつ、金属層を形成する際にポリイミドフィルムを用いる必要のない金属張積層板、これを用いた印刷回路板及びその製造方法を提供することができる。 According to the present invention, a metal-clad laminate that can form a fine circuit pattern sufficiently satisfactorily and does not require the use of a polyimide film when forming a metal layer, a printed circuit board using the metal-clad laminate, and its manufacture A method can be provided.
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings as necessary. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted. Further, the positional relationship such as up, down, left and right is based on the positional relationship shown in the drawings unless otherwise specified. Further, the dimensional ratios in the drawings are not limited to the illustrated ratios.
図１は、本発明の好適な実施形態に係る金属張積層板を模式的に示す断面図である。金属張積層板１００は、支持体１と、該支持体上に蒸着法により形成された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に形成された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に形成された絶縁層４とを備えるものである。支持体１、第１の金属層２及び第２の金属層３は、絶縁層４を形成する際の基材１１０としても用いられる。
FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a metal-clad laminate according to a preferred embodiment of the present invention. The metal-clad
支持体１は、その上に金属の蒸着を施せるものであれば特に制限はなく、後述する絶縁層４とは異なる材料で構成されていると好適である。より具体的には、支持体１は、可とう性を有する有機材料を主成分として含むフィルムであると好ましく、樹脂組成物を硬化させたフィルムであると好ましい。このようなフィルムは、金属張積層板１００から剥離除去することが容易である。以上の観点から、支持体１としてはポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム及びポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムが特に好ましい。
The support 1 is not particularly limited as long as metal can be deposited thereon, and is preferably composed of a material different from the insulating
支持体１としてＰＥＴフィルムを採用する場合、その厚みは１０〜１００μｍであると好ましく、３０〜６０μｍであるとより好ましい。この厚みが１０μｍを下回ると金属の蒸着に対する耐性が低下する傾向にある。また、この厚みが１００μｍを超えると可とう性が低下するため、金属張積層板１００から支持体１を剥離除去することが困難となる傾向にある。
When a PET film is employed as the support 1, the thickness is preferably 10 to 100 μm, and more preferably 30 to 60 μm. When this thickness is less than 10 μm, resistance to metal deposition tends to be reduced. Moreover, since flexibility will fall when this thickness exceeds 100 micrometers, it exists in the tendency for peeling and removing the support body 1 from the metal-clad
第１の金属層２は、上記支持体１を基板として、その上に蒸着法により形成されるものである。第１の金属層２は、後述の第２の金属層３と支持体１とを剥離する際の離型層として機能すると共に、後述のセミアディティブ工程の際には電解めっきの給電層としても機能する。第１の金属層２を構成する金属としては、上記離型層及び給電層として機能できるものであれば特に限定されず、例えばアルミニウム及び銅が挙げられる。これらの金属は１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。これらのうち、第１の金属層２を構成する金属としては、離型層及び給電層としてより有効に機能する観点、並びに印刷回路板を作製する際のエッチングにより容易に除去できる観点から、銅が好ましい。 The first metal layer 2 is formed by vapor deposition on the support 1 as a substrate. The first metal layer 2 functions as a release layer when peeling the second metal layer 3 and the support 1 which will be described later, and also serves as a power feeding layer for electrolytic plating during the semiadditive process described later. Function. The metal constituting the first metal layer 2 is not particularly limited as long as it can function as the release layer and the power feeding layer, and examples thereof include aluminum and copper. These metals are used individually by 1 type or in combination of 2 or more types. Among these, the metal constituting the first metal layer 2 is copper from the viewpoint of more effectively functioning as a release layer and a power feeding layer, and from the viewpoint of being easily removed by etching when producing a printed circuit board. Is preferred.
第１の金属層２を形成する方法は蒸着法であれば特に限定されないが、物理的蒸着法が好ましい。物理的蒸着法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングが挙げられる。 The method for forming the first metal layer 2 is not particularly limited as long as it is a vapor deposition method, but a physical vapor deposition method is preferable. Examples of the physical vapor deposition include vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating.
第１の金属層２の厚みは、離型層として機能できる厚みであればよく、０．０１〜０．５μｍであると好ましく、０．０１〜０．０５μｍであるとより好ましい。この厚みが０．０１μｍ未満であると支持体１との離型性が確保し難くなる傾向にある。また、この厚みが０．５μｍを超えると回路成形性が低下する傾向にある。 The thickness of the 1st metal layer 2 should just be the thickness which can function as a mold release layer, and it is preferable in it being 0.01-0.5 micrometer, and it is more preferable in it being 0.01-0.05 micrometer. If this thickness is less than 0.01 μm, it tends to be difficult to ensure releasability from the support 1. On the other hand, when the thickness exceeds 0.5 μm, the circuit formability tends to decrease.
第２の金属層３は、後述のセミアディティブ工程の際に電解めっきの給電層として機能するものである。したがって、第２の金属層３を構成する金属は電解めっきの給電層として機能できるものであれば特に限定されない。ただし、給電層としてより有効に機能する観点、並びに印刷回路板を作製する際のエッチングにより容易に除去できる観点から、第２の金属層３を構成する金属が銅であると好適である。 The second metal layer 3 functions as a power feeding layer for electrolytic plating during a semi-additive process described later. Therefore, the metal constituting the second metal layer 3 is not particularly limited as long as it can function as a power feeding layer for electrolytic plating. However, it is preferable that the metal constituting the second metal layer 3 is copper from the viewpoint of functioning more effectively as a power feeding layer and from the viewpoint of being easily removed by etching when producing a printed circuit board.
第２の金属層３は第１の金属層２上に形成される。その形成方法は、物理的蒸着法であると好ましい。物理的蒸着法としては、例えば、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングが挙げられ、これらの中では、優れた成膜性及び低コストの観点から、スパッタリングが好ましい。 The second metal layer 3 is formed on the first metal layer 2. The formation method is preferably a physical vapor deposition method. Examples of physical vapor deposition include vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating. Among these, sputtering is preferable from the viewpoint of excellent film formability and low cost.
第２の金属層３の厚みは、給電層として機能できる厚みであればよく、０．１〜２．０μｍであると好ましい。この厚みが０．１μｍ未満であると、セミアディティブ工程の際に給電層として機能し難くなる傾向にある。これは、第２の金属層３の一部が十分に成膜されていないために、第２の金属層３における電気抵抗が高くなるためと推測される。また、この厚みが２．０μｍを超えると微細な回路パターンの形成が困難になる傾向にある。 The thickness of the 2nd metal layer 3 should just be the thickness which can function as an electric power feeding layer, and it is preferable in it being 0.1-2.0 micrometers. When the thickness is less than 0.1 μm, it tends to be difficult to function as a power feeding layer in the semi-additive process. This is presumed to be because the electric resistance in the second metal layer 3 is increased because a part of the second metal layer 3 is not sufficiently formed. Moreover, when this thickness exceeds 2.0 micrometers, it exists in the tendency for formation of a fine circuit pattern to become difficult.
絶縁層４は、プリプレグを加熱及び加圧して形成されるものである。プリプレグは、繊維基材及びマトリックスとして繊維基材に含浸された絶縁性の樹脂組成物を有する。プリプレグに用いられる繊維基材の厚みは、金属張積層板１００や後述する印刷回路板をより薄くし、更に良好な可とう性を付与する観点から、５０μｍ以下であることが好ましい。繊維基材の厚みの下限は特に制限はないが、通常１０μｍ程度である。繊維基材としては織布や不織布等が用いられる。
The insulating
繊維基材を構成する繊維としては、無機繊維、有機繊維及びこれらの混抄系が用いられる。無機繊維としては、ガラス、アルミナ、アスベスト、ボロン、シリカアルミナガラス、シリカガラス、チラノ、炭化ケイ素、窒化ケイ素及びジルコニア等がある。有機繊維としては、アラミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、カーボン、セルロース等がある。 As the fibers constituting the fiber base, inorganic fibers, organic fibers, and mixed papers thereof are used. Examples of inorganic fibers include glass, alumina, asbestos, boron, silica alumina glass, silica glass, tyranno, silicon carbide, silicon nitride, and zirconia. Examples of the organic fiber include aramid, polyether ether ketone, polyether imide, polyether sulfone, carbon, and cellulose.
特に、繊維基材は、ガラス繊維の織布（ガラスクロス）であることが好ましい。厚みが５０μｍ以下のガラスクロスを用いることにより、屈曲性のある任意に折り曲げ可能なプリント配線板を得ることができる。これと同時に、製造プロセスでの温度、吸湿等に伴う基板の寸法変化を小さくすることも可能となる。 In particular, the fiber base material is preferably a glass fiber woven fabric (glass cloth). By using a glass cloth having a thickness of 50 μm or less, a flexible printed wiring board that can be bent can be obtained. At the same time, it becomes possible to reduce the dimensional change of the substrate due to temperature, moisture absorption, etc. in the manufacturing process.
厚みが５０μｍ以下のガラスクロスは、ＷＥＸ１０３７、ＷＥＸ１０２７、ＷＥＸ１０１５（以上、日東紡績社製）等が市販品として入手可能である。 As for the glass cloth having a thickness of 50 μm or less, WEX1037, WEX1027, WEX1015 (manufactured by Nitto Boseki Co., Ltd.) and the like are commercially available.
絶縁性の樹脂組成物は、印刷回路板を作製する際に耐熱性を要する点から、熱硬化性樹脂組成物であると好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、加熱により硬化して絶縁性の硬化物を形成する。熱硬化性樹脂組成物は、架橋性の官能基を有する熱硬化性樹脂を含有することが好ましい。そのような熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン−ビスマレイミド樹脂及びフェノール樹脂が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。 The insulating resin composition is preferably a thermosetting resin composition because it requires heat resistance when producing a printed circuit board. The thermosetting resin composition is cured by heating to form an insulating cured product. The thermosetting resin composition preferably contains a thermosetting resin having a crosslinkable functional group. Examples of such thermosetting resins include epoxy resins, polyimide resins, unsaturated polyester resins, polyurethane resins, bismaleimide resins, triazine-bismaleimide resins, and phenol resins. These are used singly or in combination of two or more.
熱硬化性樹脂は、グリシジル基を有する樹脂であると好ましく、エポキシ樹脂であるとより好ましい。エポキシ樹脂を用いることにより、熱硬化性樹脂組成物を１８０℃以下の温度で硬化することが可能であり、形成される硬化物の熱的、機械的、電気的特性が特に優れたものとなる。 The thermosetting resin is preferably a resin having a glycidyl group, and more preferably an epoxy resin. By using an epoxy resin, the thermosetting resin composition can be cured at a temperature of 180 ° C. or less, and the formed cured product has particularly excellent thermal, mechanical, and electrical characteristics. .
また、エポキシ樹脂は２個以上のグリシジル基を有することが好ましい。グリシジル基は多いほどよく、３個以上であればさらに好ましい。エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ、ノボラック型フェノール樹脂、オルトクレゾールノボラック型フェノール樹脂等の多価フェノール又は１，４−ブタンジオール等の多価アルコールとエピクロルヒドリンとを反応させて得られるポリグリシジルエーテル、フタル酸、ヘキサヒドロフタル酸等の多塩基酸とエピクロルヒドリンを反応させて得られるポリグリシジルエステル、アミン、アミド又は複素環式窒素塩基を有する化合物のＮ−グリシジル誘導体、脂環式エポキシ樹脂が挙げられる。 The epoxy resin preferably has two or more glycidyl groups. The more glycidyl groups, the better, and more preferably 3 or more. Specific examples of the epoxy resin include polyglycidyl obtained by reacting polychlorophenol such as bisphenol A, novolak type phenol resin, orthocresol novolac type phenol resin or polyhydric alcohol such as 1,4-butanediol with epichlorohydrin. N-glycidyl derivatives of polyglycidyl esters, amines, amides or heterocyclic nitrogen base compounds obtained by reacting polybasic acids such as ether, phthalic acid, hexahydrophthalic acid and epichlorohydrin, and alicyclic epoxy resins Can be mentioned.
エポキシ樹脂を用いる場合、その硬化剤を組み合わせて用いることが好ましい。また、硬化促進剤を用いてもよい。エポキシ樹脂が有するグリシジル基の数が多いほど、硬化剤及び硬化促進剤の配合量を少なくすることができる。 When using an epoxy resin, it is preferable to use the curing agent in combination. Moreover, you may use a hardening accelerator. The greater the number of glycidyl groups that the epoxy resin has, the smaller the blending amount of the curing agent and curing accelerator.
エポキシ樹脂の硬化剤及び硬化促進剤は、エポキシ樹脂と反応するもの、または、エポキシ樹脂の硬化を促進させるものであれば制限なく用いられる。例えば、アミン類、イミダゾール類、多官能フェノール類、酸無水物類等が使用できる。アミン類として、ジシアンジアミド、ジアミノジフェニルメタン、グアニル尿素等がある。多官能フェノール類としては、ヒドロキノン、レゾルシノール、ビスフェノールＡ及びこれらのハロゲン化合物、さらにホルムアルデヒドとの縮合物であるノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂などがある。酸無水物類としては、無水フタル酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、メチルハイミック酸等がある。硬化促進剤としては、イミダゾール類としてアルキル基置換イミダゾール、ベンゾイミダゾール等が使用できる。 The curing agent and curing accelerator for the epoxy resin can be used without limitation as long as they react with the epoxy resin or accelerate the curing of the epoxy resin. For example, amines, imidazoles, polyfunctional phenols, acid anhydrides and the like can be used. Examples of amines include dicyandiamide, diaminodiphenylmethane, and guanylurea. Examples of polyfunctional phenols include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A and their halogen compounds, and novolak-type phenol resins and resol-type phenol resins that are condensates with formaldehyde. Examples of acid anhydrides include phthalic anhydride, benzophenone tetracarboxylic dianhydride, and methyl hymic acid. As the curing accelerator, alkyl group-substituted imidazole, benzimidazole and the like can be used as imidazoles.
硬化剤または硬化促進剤の量は、アミン類の場合は、アミンの活性水素の当量と、エポキシ樹脂のエポキシ当量がほぼ等しくなる量であることが好ましい。硬化促進剤であるイミダゾールの場合は、単純に活性水素との当量比とならず、経験的にエポキシ樹脂３００重量部に対して、０．００１〜１０重量部が好ましい。多官能フェノール類や酸無水物類の場合、エポキシ樹脂１当量に対して、フェノール性水酸基やカルボキシル基０．６〜１．２当量が好ましい。硬化剤または硬化促進剤の量は、少なければ未硬化のエポキシ樹脂が残り、Ｔｇ（ガラス転移温度）が低くなり、多すぎると、未反応の硬化剤及び硬化促進剤が残り、硬化物の絶縁性が低下する傾向にある。 In the case of amines, the amount of the curing agent or the curing accelerator is preferably such that the equivalent of the active hydrogen of the amine is approximately equal to the epoxy equivalent of the epoxy resin. In the case of imidazole which is a curing accelerator, it is not simply an equivalent ratio with active hydrogen, and empirically, 0.001 to 10 parts by weight is preferable with respect to 300 parts by weight of epoxy resin. In the case of polyfunctional phenols and acid anhydrides, phenolic hydroxyl groups and carboxyl groups of 0.6 to 1.2 equivalents are preferred with respect to 1 equivalent of epoxy resin. If the amount of the curing agent or the curing accelerator is small, an uncured epoxy resin remains, and the Tg (glass transition temperature) becomes low. If too large, an unreacted curing agent and a curing accelerator remain, and insulation of the cured product is left. Tend to decrease.
また、熱硬化性樹脂組成物は可とう性や耐熱性の向上を目的に高分子量の樹脂成分を含有してもよい。そのような高分子量の樹脂成分としては、例えばアクリル樹脂及びポリアミドイミド樹脂が挙げられる。 Moreover, the thermosetting resin composition may contain a high molecular weight resin component for the purpose of improving flexibility and heat resistance. Examples of such high molecular weight resin components include acrylic resins and polyamideimide resins.
アクリル樹脂としては、例えば、アクリル酸モノマ、メタクリル酸モノマ、アクリロニトリル、グリシジル基を有するアクリルモノマなどを単独で重合した重合物、又はこれらを複数共重合した共重合物を使用することができる。アクリル樹脂の分子量は、特に規定されるものではないが、標準ポリスチレン換算の重量平均分子量で、３０万〜１００万のものが好ましく、４０万〜８０万のものがより好ましい。 As the acrylic resin, for example, an acrylic acid monomer, a methacrylic acid monomer, acrylonitrile, a polymer obtained by polymerizing an acrylic monomer having a glycidyl group alone, or a copolymer obtained by copolymerizing a plurality thereof can be used. The molecular weight of the acrylic resin is not particularly specified, but is preferably 300,000 to 1,000,000, and more preferably 400,000 to 800,000 in terms of standard polystyrene equivalent weight average molecular weight.
これらのアクリル樹脂に、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤等を適宜加えて使用することが好ましい。なお、アクリル樹脂として、ＨＴＲ−８６０−Ｐ３（ナガセケムテックス社製、商品名、重量平均分子量８５万）、ＨＭ６−１Ｍ５０（ナガセケムテックス社製、商品名、重量平均分子量５０万）等が例示できる。 It is preferable to add an epoxy resin, a curing agent, a curing accelerator, or the like to these acrylic resins as appropriate. Examples of acrylic resins include HTR-860-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name, weight average molecular weight 850,000), HM6-1M50 (manufactured by Nagase ChemteX Corporation, trade name, weight average molecular weight 500,000), and the like. it can.
ポリアミドイミド樹脂は、上記一般式（１）で表される構造、より具体的には下記一般式（２）で表される構造を主鎖中に含むことが好ましい。
上記特定構造を含むポリアミドイミド樹脂を用いることにより、金属層又は回路と絶縁層との間のより高い接着性、並びに絶縁層のより高い耐熱性が得られる。 By using the polyamideimide resin including the specific structure, higher adhesion between the metal layer or circuit and the insulating layer and higher heat resistance of the insulating layer can be obtained.
式（１）又は（２）の構造を含むポリアミドイミド樹脂は、例えば、下記一般式（３）で表される脂環式ジアミンを含むジアミンと無水トリメリット酸とを反応させてジイミドジカルボン酸を生成させるステップと、ジイミドジカルボン酸とジイソシアネートとを反応させてアミド基を生成させてポリアミドイミド樹脂を得るステップと、を備える方法により得られる。ジイミドジカルボン酸は、２つのイミド基及び２つのカルボキシル基を有する化合物である。
無水トリメリット酸と反応させるジアミンは、式（３）の脂環式ジアミンの他に、芳香族環を２個以上有する芳香族ジアミン及びシロキサンジアミンを含むことが好ましい。この場合、式（３）の脂環式ジアミンの量ａと芳香族ジアミン及びシロキサンジアミンの合計量ｂとの混合比率（モル比）は、好ましくはａ／ｂ＝０．１／９９．９〜９９．９／０．１、より好ましくはａ／ｂ＝１０／９０〜５０／５０、更に好ましくはａ／ｂ＝２０／８０〜４０／６０の範囲内である。 The diamine to be reacted with trimellitic anhydride preferably includes an aromatic diamine having two or more aromatic rings and a siloxane diamine in addition to the alicyclic diamine of the formula (3). In this case, the mixing ratio (molar ratio) of the amount a of the alicyclic diamine of the formula (3) and the total amount b of the aromatic diamine and the siloxane diamine is preferably a / b = 0.1 / 99.9 to It is 99.9 / 0.1, More preferably, it is in the range of a / b = 10 / 90-50 / 50, More preferably, a / b = 20 / 80-40 / 60.
上記芳香族ジアミンとしては、例えば２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］プロパン（ＢＡＰＰ）、ビス［４−（３−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、２，２−ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］メタン、４，４’−ビス（４−アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］エーテル、ビス［４−（４−アミノフェノキシ）フェニル］ケトン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，２’−ジメチルビフェニル−４，４’−ジアミン、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル−４，４’−ジアミン、２，６，２’，６’−テトラメチル−４，４’−ジアミン、５，５’−ジメチル−２，２’−スルホニル−ビフェニル−４，４’−ジアミン、３，３’−ジヒドロキシビフェニル−４，４’−ジアミン、（４，４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（４，４’−ジアミノ）ジフェニルスルホン、（４，４’−ジアミノ）ベンゾフェノン、（３，３’―ジアミノ）ベンゾフェノン、（４，４’−ジアミノ）ジフェニルメタン、（４，４’−ジアミノ）ジフェニルエーテル、（３，３’―ジアミノ）ジフェニルエーテルがある。 Examples of the aromatic diamine include 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane (BAPP), bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] sulfone, and bis [4- (4- Aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] methane, 4,4′-bis (4- Aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ether, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] ketone, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4- Bis (4-aminophenoxy) benzene, 2,2′-dimethylbiphenyl-4,4′-diamine, 2,2′-bis (trifluoro) (Romethyl) biphenyl-4,4′-diamine, 2,6,2 ′, 6′-tetramethyl-4,4′-diamine, 5,5′-dimethyl-2,2′-sulfonyl-biphenyl-4,4 '-Diamine, 3,3'-dihydroxybiphenyl-4,4'-diamine, (4,4'-diamino) diphenyl ether, (4,4'-diamino) diphenyl sulfone, (4,4'-diamino) benzophenone, There are (3,3′-diamino) benzophenone, (4,4′-diamino) diphenylmethane, (4,4′-diamino) diphenyl ether, and (3,3′-diamino) diphenyl ether.
上記シロキサンジアミンとしては、例えば下記一般式（１１）、（１２）、（１３）又は（１４）で表されるものがある。これら式中、ｎ及びｍはそれぞれ独立に正の整数を示す。 Examples of the siloxane diamine include those represented by the following general formula (11), (12), (13) or (14). In these formulas, n and m each independently represent a positive integer.
式（１１）で表されるシロキサンジアミンとしては、ＫＦ−８０１０（アミン当量４５０、信越化学工業株式会社製）、ＢＹ１６−８５３（アミン当量６５０、東レダウコーニングシリコーン株式会社製）が例示できる。式（１２）で表されるシロキサンジアミンとしては、Ｘ−２２−９４０９（アミン当量７００）、Ｘ−２２−１６６０Ｂ−３（アミン当量２２００）（以上、信越化学工業株式会社製）が例示できる。 Examples of the siloxane diamine represented by the formula (11) include KF-8010 (amine equivalent 450, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) and BY16-853 (amine equivalent 650, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.). Examples of the siloxane diamine represented by formula (12) include X-22-9409 (amine equivalent 700) and X-22-1660B-3 (amine equivalent 2200) (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).
ジアミンとして脂肪族ジアミンを用いてもよい。脂肪族ジアミンとしては、例えば下記一般式（５）で表される化合物がある。
式（５）中、Ｘはメチレン基、スルホニル基、オキシ基、カルボニル基又は単結合を示し、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基又は置換基を有していてもよいフェニル基を示し、ｐは１〜５０の整数を示す。Ｒ１及びＲ２としてのアルキル基は炭素数が１〜３であることが好ましい。フェニル基が有する置換基としては、炭素数１〜３のアルキル基、ハロゲン原子が例示できる。低弾性率及び高Ｔｇの両立の観点から、式（５）におけるＸはオキシ基であることが好ましい。このような脂肪族ジアミンの具体例としては、ジェファーミンＤ−４００（アミン当量２００）、ジェファーミンＤ−２０００（アミン当量１０００）が例示できる。 In formula (5), X represents a methylene group, a sulfonyl group, an oxy group, a carbonyl group or a single bond, and R 1 and R 2 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or a phenyl group which may have a substituent. Represents a group, and p represents an integer of 1 to 50. The alkyl group as R 1 and R 2 preferably has 1 to 3 carbon atoms. As a substituent which a phenyl group has, a C1-C3 alkyl group and a halogen atom can be illustrated. From the viewpoint of achieving both low elastic modulus and high Tg, X in Formula (5) is preferably an oxy group. Specific examples of such aliphatic diamines include Jeffamine D-400 (amine equivalent 200) and Jeffamine D-2000 (amine equivalent 1000).
ジイミドジカルボン酸と反応させるジイソシアネートは、例えば下記一般式（６）で表される。
ＯＣＮ−Ｒ３−ＮＣＯ （６）
The diisocyanate to be reacted with diimide dicarboxylic acid is represented, for example, by the following general formula (6).
OCN-R 3 -NCO (6)
式（６）中、Ｒ３は少なくとも１つの芳香環を有する２価の有機基、又は、２価の脂肪族炭化水素基を示す。式（６）のジイソシアネートは、Ｒ３が芳香環を有する２価の有機基であるとき芳香族ジイソシアネートであり、Ｒ３が２価の脂肪族炭化水素基であるとき脂肪族ジイソシアネートである。ジイソシアネートとしては、芳香族ジイソシアネートを用いることが好ましい。この場合、芳香族ジイソシアネートと、脂肪族ジイソシアネートとを併用することがより好ましい。 In formula (6), R 3 represents a divalent organic group having at least one aromatic ring or a divalent aliphatic hydrocarbon group. The diisocyanate of the formula (6) is an aromatic diisocyanate when R 3 is a divalent organic group having an aromatic ring, and is an aliphatic diisocyanate when R 3 is a divalent aliphatic hydrocarbon group. As the diisocyanate, it is preferable to use an aromatic diisocyanate. In this case, it is more preferable to use an aromatic diisocyanate and an aliphatic diisocyanate in combination.
芳香環を有する２価の有機基の好ましい例としては、−Ｃ６Ｈ４−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−で表される基、トリレン基及びナフチレン基がある。２価の脂肪族炭化水素基の好ましい例としては、ヘキサメチレン基、２，２，４−トリメチルヘキサメチレン基及びイソホロン基がある。 Preferred examples of the divalent organic group having an aromatic ring, -C 6 H 4 -CH 2 -C 6 H 4 - , a group represented by is a tolylene group and a naphthylene group. Preferable examples of the divalent aliphatic hydrocarbon group include a hexamethylene group, a 2,2,4-trimethylhexamethylene group, and an isophorone group.
芳香族ジイソシアネートとしては、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ナフタレン−１，５−ジイソシアネート、２，４−トリレンダイマーが例示できる。これらの中でもＭＤＩが特に好ましい。ＭＤＩを用いることにより、得られるポリアミドイミド樹脂の可撓性をより向上させることができる。 Examples of aromatic diisocyanates include 4,4′-diphenylmethane diisocyanate (MDI), 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, naphthalene-1,5-diisocyanate, and 2,4-tolylene dimer. it can. Among these, MDI is particularly preferable. By using MDI, the flexibility of the resulting polyamideimide resin can be further improved.
脂肪族ジイソシアネートとしては、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネートが例示できる。 芳香族ジイソシアネート及び脂肪族ジイソシアネートを併用する場合は、脂肪族ジイソシアネートを芳香族ジイソシアネートに対して５〜１０モル％程度添加することが好ましく、かかる併用により、得られるポリアミドイミド樹脂の耐熱性を更に向上させることができる。 Examples of the aliphatic diisocyanate include hexamethylene diisocyanate, 2,2,4-trimethylhexamethylene diisocyanate, and isophorone diisocyanate. When using an aromatic diisocyanate and an aliphatic diisocyanate in combination, it is preferable to add the aliphatic diisocyanate to about 5 to 10 mol% with respect to the aromatic diisocyanate, and this combination further improves the heat resistance of the resulting polyamideimide resin. Can be made.
熱硬化性樹脂組成物は、難燃性の向上を目的に添加型の難燃剤を含んでいてもよい。添加型の難燃剤としてはリンを含有するフィラーが好ましい。リンを含有するフィラーとしては、ＯＰ９３０（クラリアント社製商品名、リン含有量２３．５％）、ＨＣＡ−ＨＱ（三光社製商品名、リン含有量９．６％）、ポリリン酸メラミンＰＭＰ−３００（リン含有量１３．８％）ＰＭＰ−２００（リン含有量９．３％）ＰＭＰ−３００（リン含有量９．８％）（以上、日産化学社製商品名）等が挙げられる。 The thermosetting resin composition may contain an additive-type flame retardant for the purpose of improving flame retardancy. As the additive type flame retardant, a filler containing phosphorus is preferable. As fillers containing phosphorus, OP930 (trade name, manufactured by Clariant, phosphorus content 23.5%), HCA-HQ (trade name, manufactured by Sanko, phosphorus content 9.6%), melamine polyphosphate PMP-300 (Phosphorus content 13.8%) PMP-200 (Phosphorus content 9.3%) PMP-300 (Phosphorus content 9.8%) (The above-mentioned product name made by Nissan Chemical Co., Ltd.) etc. are mentioned.
絶縁層４は、例えば、下記のようにして得られる。まず、樹脂組成物に含まれる上述の各成分を、有機溶媒中で混合、溶解、分散して、樹脂ワニスを作製する。有機溶媒としては、樹脂を溶解できるものであればよく、例えばジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ−ブチルラクトン、スルホラン、シクロヘキサノン等を用いることができる。
The insulating
次いで、作製した樹脂ワニスを繊維基材に含浸し、例えば８０〜１８０℃の範囲で乾燥させて、プリプレグを得る。プリプレグの繊維基材に含浸させる樹脂組成物は、繊維基材に対して質量比で６０％以上とすることができる。乾燥時間は樹脂ワニスのゲル化時間との兼ね合いで決めることができ、特に制限はない。 Next, the produced resin varnish is impregnated into a fiber base material and dried in the range of, for example, 80 to 180 ° C. to obtain a prepreg. The resin composition impregnated in the fiber base material of the prepreg can be 60% or more by mass ratio with respect to the fiber base material. The drying time can be determined in consideration of the gelation time of the resin varnish, and is not particularly limited.
プリプレグの製造条件等は特に制限されるものではないが、乾燥後において繊維基材に含浸された樹脂組成物中に残存する揮発成分が、樹脂組成物の２０質量％以下であることが好ましい。 The production conditions of the prepreg are not particularly limited, but it is preferable that the volatile component remaining in the resin composition impregnated in the fiber base material after drying is 20% by mass or less of the resin composition.
乾燥後における繊維基材への樹脂ワニスの含浸量は、樹脂ワニス中の固形分と繊維基材との合計質量に対して、樹脂ワニス固形分の質量が３０〜８０質量％となるようにすることが好ましい。 The amount of the resin varnish impregnated into the fiber base material after drying is such that the mass of the resin varnish solid content is 30 to 80% by mass with respect to the total mass of the solid content in the resin varnish and the fiber base material. It is preferable.
なお、このようにしてプリプレグを作製する代わりに、市販のプリプレグを入手してもよい。 Instead of preparing the prepreg in this way, a commercially available prepreg may be obtained.
次いで、プリプレグを基材１１０の第２の金属層３上に配置してそれらの積層体を得る。得られた積層体をその積層方向に、通常１５０℃〜２８０℃、好ましくは１８０℃〜２５０℃の範囲の温度で、通常０．５〜２０ＭＰａ、好ましくは１〜８ＭＰａの範囲の圧力で、加熱加圧して絶縁層３が得られる。また、これにより金属張積層板１００が製造される。
Subsequently, a prepreg is arrange | positioned on the 2nd metal layer 3 of the base material 110, and those laminated bodies are obtained. The obtained laminate is heated in the laminating direction, usually at a temperature in the range of 150 ° C. to 280 ° C., preferably 180 ° C. to 250 ° C., usually at a pressure in the range of 0.5 to 20 MPa, preferably 1 to 8 MPa. The insulating layer 3 is obtained by applying pressure. Thereby, the metal-clad
次に上記金属張積層板１００を用いた印刷回路板及びその製造方法について説明する。図２は、本発明の好適な実施形態に係る印刷回路板の製造方法を示す概略工程図である。本実施形態の印刷回路板の製造方法は、本発明に係る金属張積層板を準備する金属張積層板準備工程と、金属張積層板から支持体を除去する支持体除去工程と、セミアディティブ法により回路を形成するセミアディティブ工程とを有する。セミアディティブ工程は、更に、積層体上にレジストパターンを形成するレジスト形成工程と、回路パターンを形成する回路形成工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、レジスト除去工程の後にエッチングを行うエッチング工程とを有する。以下、各工程について説明する。
Next, a printed circuit board using the metal-clad
まず、金属張積層板準備工程では、上述の金属張積層板１００を準備する（図２（ａ）参照）。なお、図２（ａ）では、図１における金属張積層板１００を上下逆にして示している。
First, in the metal-clad laminate preparation step, the above-mentioned metal-clad
続いて、支持体除去工程において、上述の金属張積層板１００から支持体１を剥離除去する（図２（ｂ）参照）。これにより第１の金属層２の表面が露出する。 Subsequently, in the support removing step, the support 1 is peeled off from the metal-clad laminate 100 (see FIG. 2B). As a result, the surface of the first metal layer 2 is exposed.
次に、レジスト形成工程において、第１の金属層２の表面上に所定のパターンを有するレジストパターン７を形成する（図２（ｃ）参照）。レジストパターン７の形成には、フォトリソグラフィ等の公知のパターン形成方法を採用することができる。このレジスト形成工程を経ることで、第１の金属層２の表面は、一部がレジストパターン７で被覆され、その他の部分は露出した状態となる。なお、レジスト材料は、電解めっき用のレジスト材料であると好ましい。
Next, in a resist formation step, a resist
次いで、回路形成工程において、第１の金属層２の表面の露出した部分に電解めっきを施す。これにより、回路パターン８が形成される（図２（ｄ）参照）。電解めっきは公知の方法を採用することができ、第１の金属層２及び第２の金属層３がその給電層として機能する。電解めっきにより形成される回路パターン８の材料は、公知のものであればよく、例えば銅、はんだ、ニッケル、ロジウム及び金などの金属が挙げられる。これらの中では、印刷回路板の導体材料として一般的に用いられている観点から銅が好適である。
Next, in the circuit forming step, electrolytic plating is performed on the exposed portion of the surface of the first metal layer 2. Thereby, the
回路パターン８の厚みは３〜４０μｍであると好ましく、５〜２０μｍであるとより好ましい。この厚みが４０μｍを超えると、微細な回路パターン８の形成が困難になる傾向にある。また、この厚みが３μｍ未満であると、その後のエッチング工程において回路パターン８が容易に除去されてしまう傾向にある。
The thickness of the
その後、レジスト除去工程において、レジストパターン７を除去する（図２（ｅ）参照）。レジストパターン７の除去方法は、公知の方法であればよく、例えばメチレンクロライド等の有機溶剤による除去、並びに、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液による除去が挙げられる。これにより、レジストパターン７で被覆されていた第１の金属層２の表面が露出する。
Thereafter, in the resist removing step, the resist
次いで、エッチング工程においてエッチング処理を行い、印刷回路板６００を得る（図２（ｆ）参照）。エッチング方法は、スプレーエッチング等の公知の方法であればよい。また、エッチング処理に用いるエッチング液は、第１の金属層２及び第２の金属層３を構成する金属を溶解可能なエッチング液であれば特に限定されない。これにより、レジスト除去工程を経て露出した第１の金属層２の表面側から、第１の金属層２及び第２の金属層３の一部が除去される。また、エッチング処理に先立ち、後述する回路１５となるべき部分を公知のエッチング用レジストで被覆すると好ましい。
Next, an etching process is performed in an etching process to obtain a printed circuit board 600 (see FIG. 2F). The etching method may be a known method such as spray etching. Moreover, the etching solution used for the etching process is not particularly limited as long as it is an etching solution that can dissolve the metal constituting the first metal layer 2 and the second metal layer 3. Thereby, a part of the 1st metal layer 2 and the 2nd metal layer 3 is removed from the surface side of the 1st metal layer 2 exposed through the resist removal process. Prior to the etching process, it is preferable to cover a portion to be a
こうして得られた印刷回路板７００は、絶縁層４と、該絶縁層４上に設けられた回路であって、パターン化された第２の金属層３と、該第２の金属層３上に設けられ、第２の金属層３と同様のパターンにパターン化された第１の金属層２と、該第１の金属層２上に設けられ、第２の金属層３及び第１の金属層２と同様にパターン化された第３の金属層８とを有する回路１５とをこの順で積層して構成される。
The printed circuit board 700 thus obtained is an
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。 The preferred embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to the above embodiment. The present invention can be variously modified without departing from the gist thereof.
例えば、上述の実施形態では、金属張積層板１００は絶縁層４の一方の主面のみに第２の金属層３、第１の金属層２及び支持体１が順に積層された構成を有しているが、絶縁層の両主面に第２の金属層、第１の金属層及び支持体が順に積層された構成を有していてもよい。すなわち、本発明の別の実施形態において、金属張積層板は、支持体、第１の金属層、第２の金属層、絶縁層、第２の金属層、第１の金属層及び支持体がこの順に積層されたものであってもよい。ここで、２つの支持体、２つの第２の金属層及び２つの第１の金属層は、その構成材料及び／又は厚みが互いに同一であっても異なっていてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the metal-clad
また、印刷回路板が上記別の実施形態の金属張積層板から得られるものであってもよい。この実施形態の印刷回路板は、絶縁層と、該絶縁層を挟むようにして設けられた２つの回路とを備えており、それぞれの回路が絶縁層側から、パターン化された第２の金属層と、該第２の金属層３と同様のパターンにパターン化された第１の金属層２と、第２の金属層３及び第１の金属層２と同様にパターン化された第３の金属層８とを積層してなる。 Moreover, the printed circuit board may be obtained from the metal-clad laminate of the other embodiment. The printed circuit board according to this embodiment includes an insulating layer and two circuits provided so as to sandwich the insulating layer, and each circuit has a second metal layer patterned from the insulating layer side. The first metal layer 2 patterned in the same pattern as the second metal layer 3 and the third metal layer patterned in the same manner as the second metal layer 3 and the first metal layer 2 8 is laminated.
更に別の実施形態において、本発明の金属張積層板は第２の金属層と絶縁層との間に更に別の金属層を設けてもよい。この金属層は第２の金属層と絶縁層との間の接着性を向上させることを目的とするものである。この金属層の材料としては例えばニッケルが挙げられる。 In still another embodiment, the metal-clad laminate of the present invention may further include another metal layer between the second metal layer and the insulating layer. This metal layer is intended to improve the adhesion between the second metal layer and the insulating layer. An example of the material for this metal layer is nickel.
以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited to these Examples.
（実施例１）
（金属張積層板の作製）
上述の支持体に相当する５０μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム上に、銅の真空蒸着により第１の金属層に相当する第１の銅層を形成した。この第１の銅層の厚みは０．０５μｍであった。次いで、その第１の金属層上に、銅のスパッタリングにより第２の金属層に相当する第２の銅層を形成した。この第２の銅層の厚みは０．２μｍであった。更に、第２の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは０．０１μｍであった。こうして、後述の絶縁層を形成するための基材Ａを得た。
(Example 1)
(Production of metal-clad laminate)
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum deposition of copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this first copper layer was 0.05 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.2 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material A for forming the below-mentioned insulating layer was obtained.
厚み１９μｍのガラスクロス（旭シュエーベル社製、商品名「１０２７」）を、ポリアミドイミド系の樹脂組成物に含浸して得られた厚み５０μｍのプリプレグ（日立化成社製、商品名「ＴＣ−Ｐ−５００」）を準備した。このプリプレグの両主面上に上述の基材Ａ２枚を、ニッケル層がプリプレグと直接接するようにして配置して積層体を得た。次いで、それらの積層体を、積層方向に２００℃、９０分間、４．０ＭＰａのプレス条件で加熱及び加圧して、金属張積層板である両面銅張積層板を得た。 A 50 μm thick prepreg (trade name “TC-P-”, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) obtained by impregnating a 19 μm thick glass cloth (trade name “1027”, manufactured by Asahi Sebel Co., Ltd.) into a polyamideimide resin composition. 500 "). The two base materials A described above were arranged on both main surfaces of the prepreg so that the nickel layer was in direct contact with the prepreg to obtain a laminate. Next, these laminates were heated and pressurized in the laminating direction at 200 ° C. for 90 minutes under 4.0 MPa pressing conditions to obtain a double-sided copper-clad laminate as a metal-clad laminate.
（印刷回路板の作製）
上述のようにして得られた両面銅張積層板の両側の支持体を剥離除去した。次いで、露出した第１の金属層の表面に、めっきレジストであるＡＺ１０ＸＴ（クラリアント社製、商品名）を１５μｍの厚みになるようスピンコートにより塗布した。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにめっきレジストを加工した。これにより、第１の金属層の表面が一部露出した。次に、フォトリソグラフィ後の積層板に、第１の金属層及び第２の金属層を給電層として、電解銅めっきを施した。この電解銅めっきは、めっき浴として硫酸銅めっき浴を用い、０．８Ａ／ｄｍ２の電流密度で行った。これにより、露出していた第１の金属層の表面に、１２μｍの厚みを有する電解銅めっき膜を形成した。
(Preparation of printed circuit board)
The support on both sides of the double-sided copper clad laminate obtained as described above was peeled off. Next, AZ10XT (trade name, manufactured by Clariant), which is a plating resist, was applied to the exposed surface of the first metal layer by spin coating so as to have a thickness of 15 μm. Subsequently, a plating resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of the surface of the first metal layer was exposed. Next, electrolytic copper plating was applied to the laminated plate after photolithography using the first metal layer and the second metal layer as power feeding layers. This electrolytic copper plating was performed at a current density of 0.8 A / dm 2 using a copper sulfate plating bath as a plating bath. As a result, an electrolytic copper plating film having a thickness of 12 μm was formed on the exposed surface of the first metal layer.
次いで、めっきレジストを除去し、それにより露出した第１の金属層の表面から、エッチング液である硝酸／過酸化水素を用いてエッチング処理し、第１の金属層及び第２の金属層の一部を除去した。その後、水洗及び乾燥を行って、両面に回路を備えた印刷回路板を得た。 Next, the plating resist is removed, and etching is performed using nitric acid / hydrogen peroxide as an etching solution from the surface of the first metal layer exposed thereby, and one of the first metal layer and the second metal layer is etched. Part was removed. Then, it washed with water and dried and obtained the printed circuit board provided with the circuit on both surfaces.
（実施例２）
プリプレグとして、上述のものに代えて、厚み１９μｍのガラスクロス（旭シュエーベル社製、商品名「１０２７」）を、アクリルエポキシ系の樹脂組成物に含浸して得られた厚み５０μｍのプリプレグ（日立化成社製、商品名「ＴＣ−Ｐ−１００」）を用いた以外は実施例１と同様にして、印刷回路板を得た。
(Example 2)
As a prepreg, a prepreg having a thickness of 50 μm (Hitachi Chemical Co., Ltd.) obtained by impregnating an acrylic epoxy resin composition with a glass cloth having a thickness of 19 μm (trade name “1027”, manufactured by Asahi Schwer, Inc.) instead of the above-described one. A printed circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the product name “TC-P-100” manufactured by the company was used.
（実施例３）
上述の支持体に相当する５０μｍの厚みを有するＰＥＮフィルム上に、銅の真空蒸着により第１の金属層に相当する第１の銅層を形成した。この第１の銅層の厚みは０．０５μｍであった。次いで、その第１の金属層上に、銅のスパッタリングにより第２の金属層に相当する第２の銅層を形成した。この第２の銅層の厚みは０．２μｍであった。更に、第２の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは０．０１μｍであった。こうして、後述の絶縁層を形成するための基材Ｂを得た。
(Example 3)
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed on a PEN film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support by vacuum deposition of copper. The thickness of this first copper layer was 0.05 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.2 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material B for forming the below-mentioned insulating layer was obtained.
その後、基材Ａに代えて基材Ｂを用いた以外は実施例１と同様にして、印刷回路板を得た。 Thereafter, a printed circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the base material B was used instead of the base material A.
（実施例４）
上述の支持体に相当する５０μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム上に、ニッケルの真空蒸着により第１の金属層に相当するニッケル蒸着層を形成した。このニッケル蒸着層の厚みは０．０５μｍであった。次いで、その第１の金属層上に、銅のスパッタリングにより第２の金属層に相当する銅層を形成した。この銅層の厚みは０．２μｍであった。更に、第２の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは０．０１μｍであった。こうして、後述の絶縁層を形成するための基材Ｃを得た。
Example 4
On the PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support, a nickel vapor deposition layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum vapor deposition of nickel. The thickness of this nickel vapor deposition layer was 0.05 micrometer. Next, a copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this copper layer was 0.2 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material C for forming the below-mentioned insulating layer was obtained.
その後、基材Ａに代えて基材Ｃを用いた以外は実施例１と同様にして、印刷回路板を得た。 Thereafter, a printed circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate C was used instead of the substrate A.
（実施例５）
上述の支持体に相当する５０μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム上に、銅の真空蒸着により第１の金属層に相当する第１の銅層を形成した。この第１の銅層の厚みは０．０１μｍであった。次いで、その第１の金属層上に、銅のスパッタリングにより第２の金属層に相当する第２の銅層を形成した。この第２の銅層の厚みは０．１５μｍであった。更に、第２の金属層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは０．０１μｍであった。こうして、後述の絶縁層を形成するための基材Ｄを得た。
(Example 5)
A first copper layer corresponding to the first metal layer was formed by vacuum deposition of copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this first copper layer was 0.01 μm. Next, a second copper layer corresponding to the second metal layer was formed on the first metal layer by sputtering of copper. The thickness of this second copper layer was 0.15 μm. Further, a nickel layer was formed on the second metal layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material D for forming the below-mentioned insulating layer was obtained.
その後、基材Ａに代えて基材Ｄを用いた以外は実施例１と同様にして、印刷回路板を得た。 Thereafter, a printed circuit board was obtained in the same manner as in Example 1 except that the substrate D was used instead of the substrate A.
（比較例１）
まず、可とう性を有するポリイミドフィルム（宇部興産社製、商品名「ユーピレックス」）の両主面に銅箔を接着剤により貼り合わせた銅張基板を準備した。この銅張基板の両主面側にエッチングレジストであるＭＩＴ−２１５（日本合成モートン社製、商品名）を１５μｍの厚みになるようラミネートした。続いて、フォトリソグラフィにより所定のレジストパターンとなるようにエッチングレジストを加工した。これにより、銅箔表面が一部露出した。次に、露出した銅箔表面から、塩化第二鉄系の銅エッチング液を用いてエッチング処理し、銅箔の一部をエッチング処理により除去して所定パターンの回路を得た。その後、水洗及び乾燥を行って、印刷回路板を得た。
(Comparative Example 1)
First, a copper-clad substrate in which a copper foil was bonded to both main surfaces of a flexible polyimide film (trade name “UPILEX” manufactured by Ube Industries, Ltd.) with an adhesive was prepared. MIT-215 (trade name, manufactured by Nihon Gosei Morton Co., Ltd.), which is an etching resist, was laminated on both main surfaces of the copper-clad substrate so as to have a thickness of 15 μm. Subsequently, the etching resist was processed so as to have a predetermined resist pattern by photolithography. Thereby, a part of copper foil surface was exposed. Next, the exposed copper foil surface was etched using a ferric chloride-based copper etchant, and a part of the copper foil was removed by the etching process to obtain a circuit with a predetermined pattern. Then, it washed with water and dried and obtained the printed circuit board.
（比較例２）
上述の支持体に相当する５０μｍの厚みを有するＰＥＴフィルム上に、銅のスパッタリングにより銅層を形成した。この銅層の厚みは０．２μｍであった。次いで、その銅層上に、ニッケルのスパッタリングによりニッケル層を形成した。このニッケル層の厚みは０．０１μｍであった。こうして、後述の絶縁層を形成するための基材Ｅを得た。
(Comparative Example 2)
A copper layer was formed by sputtering copper on a PET film having a thickness of 50 μm corresponding to the above support. The thickness of this copper layer was 0.2 μm. Next, a nickel layer was formed on the copper layer by sputtering of nickel. The nickel layer had a thickness of 0.01 μm. In this way, the base material E for forming the below-mentioned insulating layer was obtained.
その後、基材Ａに代えて基材Ｅを用いた以外は実施例１と同様にして、印刷回路板を作製しようと試みた。しかし、両面銅張積層板からＰＥＴフィルムを剥離除去する際に、ＰＥＴフィルムと銅層との接着力が強すぎて剥離することができず、回路パターンを形成することはできなかった。 Thereafter, an attempt was made to produce a printed circuit board in the same manner as in Example 1 except that the substrate E was used instead of the substrate A. However, when the PET film was peeled and removed from the double-sided copper-clad laminate, the adhesive force between the PET film and the copper layer was too strong to peel, and a circuit pattern could not be formed.
得られた実施例１〜５、及び比較例１の印刷回路板の回路パターンを観察した。その結果、実施例１〜５の印刷回路板は、回路パターンのライン幅／スペース幅が１５μｍ／１５μｍであっても短絡や断線が認められず、良好な回路パターンを形成可能であった。一方、比較例１の印刷回路板は、回路パターンのライン幅／スペース幅が４０μｍ／４０μｍで短絡や断線が認められた。 The circuit patterns of the obtained printed circuit boards of Examples 1 to 5 and Comparative Example 1 were observed. As a result, the printed circuit boards of Examples 1 to 5 could form a good circuit pattern without being short-circuited or disconnected even when the line width / space width of the circuit pattern was 15 μm / 15 μm. On the other hand, in the printed circuit board of Comparative Example 1, the circuit pattern line width / space width was 40 μm / 40 μm, and short circuit or disconnection was observed.
また、実施例１〜５の印刷回路板は任意に折り曲げることができた。具体的には、曲率半径０．５ｍｍのピンに沿って１８０度折り曲げても、クラックや破断は生じなかった。 Moreover, the printed circuit boards of Examples 1 to 5 could be arbitrarily bent. Specifically, no cracks or breaks occurred even when bent 180 degrees along a pin with a radius of curvature of 0.5 mm.
１…支持体、２…第１の金属層、３…第２の金属層、４…絶縁層、７…レジストパターン、８…回路パターン、１５…回路、１００…金属張積層板、６００…印刷回路板。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Support body, 2 ... 1st metal layer, 3 ... 2nd metal layer, 4 ... Insulating layer, 7 ... Resist pattern, 8 ... Circuit pattern, 15 ... Circuit, 100 ... Metal-clad laminate, 600 ... Printing Circuit board.
Claims (12)
該支持体上に蒸着法により形成された第１の金属層と、
該第１の金属層上に形成された第２の金属層と、
該第２の金属層上に形成され、繊維基材及びこれに含浸された絶縁性の樹脂組成物を有するプリプレグを加熱及び加圧して形成される絶縁層と、
を備える金属張積層板。 A support;
A first metal layer formed by vapor deposition on the support;
A second metal layer formed on the first metal layer;
An insulating layer formed on the second metal layer by heating and pressing a prepreg having a fiber base material and an insulating resin composition impregnated therein; and
A metal-clad laminate comprising:
前記除去する工程を経て露出した前記第１の金属層の表面上に、前記第１の金属層及び前記第２の金属層を給電層としてセミアディティブ法により第３の金属層を形成して回路を得る工程と、
を有する印刷回路板の製造方法。 Removing the support from the metal-clad laminate according to any one of claims 1 to 10,
A circuit is formed by forming a third metal layer by a semi-additive method on the surface of the first metal layer exposed through the removing step, using the first metal layer and the second metal layer as a power feeding layer. Obtaining
A method for manufacturing a printed circuit board comprising:
該絶縁層上に設けられた回路であって、パターン化された第２の金属層と、該第２の金属層上に設けられ、蒸着法により形成されパターン化された第１の金属層と、該第１の金属層上に設けられたパターン化された第３の金属層と、を有する前記回路と、
を備える印刷回路板。 An insulating layer formed by heating and pressurizing a prepreg having a fibrous base material and an insulating resin composition impregnated therein; and
A circuit provided on the insulating layer, the second metal layer patterned, and the first metal layer provided on the second metal layer and formed by vapor deposition and patterned A circuit having a patterned third metal layer provided on the first metal layer, and
Printed circuit board comprising.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2006302692 | 2006-11-08 | ||
| JP2007094524A JP2008137367A (en) | 2006-11-08 | 2007-03-30 | Metal clad laminated sheet, printed-circuit board, and its manufacturing method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008137367A true JP2008137367A (en) | 2008-06-19 |
Family
ID=39599327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007094524A Pending JP2008137367A (en) | 2006-11-08 | 2007-03-30 | Metal clad laminated sheet, printed-circuit board, and its manufacturing method |
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| JP (1) | JP2008137367A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119461A (en) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Ajinomoto Co Inc | Method for manufacturing metal-clad laminate |
| WO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 長瀬産業株式会社 | Method for producing polymer film laminate, polymer film laminate and device provided with polymer film laminate |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203394A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of insulating substrate with thin metallic layer and manufacture of wiring board using insulating substrate manufactured thereby |
| JP2003154537A (en) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Pioneer Technology Engineering Co Ltd | Method for folding and manufacturing copper foil-clad base and intermediate member for folding copper foil- clad base used therefor |
| JP2004090488A (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Panac Co Ltd | Metal layer transfer sheet |
| JP2004122456A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Panac Co Ltd | Metal layer transferred film excellent in crack resistance and metal layer transferring method |
| JP2005325326A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Prepreg, and metal-clad laminated plate and printed circuit board obtained using the same |
-
2007
- 2007-03-30 JP JP2007094524A patent/JP2008137367A/en active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03203394A (en) * | 1989-12-29 | 1991-09-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Manufacture of insulating substrate with thin metallic layer and manufacture of wiring board using insulating substrate manufactured thereby |
| JP2003154537A (en) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Pioneer Technology Engineering Co Ltd | Method for folding and manufacturing copper foil-clad base and intermediate member for folding copper foil- clad base used therefor |
| JP2004090488A (en) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Panac Co Ltd | Metal layer transfer sheet |
| JP2004122456A (en) * | 2002-09-30 | 2004-04-22 | Panac Co Ltd | Metal layer transferred film excellent in crack resistance and metal layer transferring method |
| JP2005325326A (en) * | 2004-04-12 | 2005-11-24 | Hitachi Chem Co Ltd | Prepreg, and metal-clad laminated plate and printed circuit board obtained using the same |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012119461A (en) * | 2010-11-30 | 2012-06-21 | Ajinomoto Co Inc | Method for manufacturing metal-clad laminate |
| WO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 | 長瀬産業株式会社 | Method for producing polymer film laminate, polymer film laminate and device provided with polymer film laminate |
| JPWO2022038875A1 (en) * | 2020-08-20 | 2022-02-24 |
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