JP2008127239A - 幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物とその製造方法。 - Google Patents
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- 239000002070 nanowire Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 claims abstract description 39
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 39
- 239000006011 Zinc phosphide Substances 0.000 claims abstract description 29
- HOKBIQDJCNTWST-UHFFFAOYSA-N phosphanylidenezinc;zinc Chemical compound [Zn].[Zn]=P.[Zn]=P HOKBIQDJCNTWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 229940048462 zinc phosphide Drugs 0.000 claims abstract description 29
- 239000002074 nanoribbon Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 16
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 6
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 7
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N Carbon disulfide Chemical compound S=C=S QGJOPFRUJISHPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【解決手段】硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、1250±50℃に50±20分間加熱して、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有するリン化亜鉛ナノリボンを製造する。
【選択図】図3
Description
発明2は、発明1のヘテロナノワイヤー構造物において、枝状部が幹部の長手方向に対して直角に伸長した形状を有していることを特徴とする。
発明3は、発明1又は2のヘテロナノワイヤー構造物において、枝状部の長さが20×10〜30×10nm、直径が3×10nmであり、幹部のリン化亜鉛ナノリボンの長さが数十μm、幅が8×10〜30×10nm、厚さが14×10nmであることを特徴とする。
発明4は、発明1から3のいずれかのヘテロナノワイヤー構造物の製造方法であって、硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、125×10±5×10℃に加熱することを特徴とする。
発明5は、発明4のヘテロナノワイヤー構造物の製造方法において、不活性ガスとして、窒素ガスを使用することを特徴とする。
発明6は、発明4または5のヘテロナノワイヤー構造物の製造方法において、不活性ガスの流量が20×10〜35×10sccmの範囲であることを特徴とする。
発明7は、発明4から6のいずれかのヘテロナノワイヤー構造物の製造方法において、 加熱時間が5×10±2×10分間であることを特徴とする。
上記において、硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の重量比は1:2〜2:1の範囲が好ましく、この範囲よりも硫化亜鉛粉末の重量が多いと、生成物中に硫化亜鉛ナノワイヤー、硫化亜鉛ナノ粒子が混入する。逆に、この範囲よりも硫化亜鉛粉末の重量が少ないと、枝状部の存在しない直線状のリン化インジウムナノワイヤーが混在してくる。加熱温度は上述の範囲が好ましく、この上限値よりも高いと、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝部を有するリン化亜鉛ナノリボンのヘテロ構造物は得られない。逆に上述の範囲よりも加熱温度が低いと反応が進行しない。加熱時間は上述の範囲よりも長いと生成物が逸散し、短いと反応が不十分である。窒素ガスなどの不活性ガスの流量は200〜350sccmの範囲が好ましく、350sccmよりも流量が多いと生成物が逸散しやすく、少ないと硫化亜鉛ナノワイヤー単独が生成する。このような操作を施すことにより、グラファイト誘導加熱円筒管の内壁に暗黄色の粉末が堆積する。
この暗黄色の粉末は、分析により、上述した寸法を有するヘテロ構造物であり,まず,リン化亜鉛双晶結晶のナノリボンが生成し、次に、このナノリボンの側方に硫化亜鉛が直角に成長していくことにより、枝状の硫化亜鉛ナノワイヤーを有するリン化亜鉛ナノリボンヘテロ構造物が形成される。
ZnS(固体) → ZnS(蒸気) (1)
ZnS(蒸気) → Zn(蒸気) + 1/2S2(蒸気) (2)
S2(蒸気) + C(固体) → CS2(蒸気) (3)
InP(固体) → InP(蒸気) (4)
Zn(蒸気) + InP(蒸気) → Zn3P2(固体) + In(蒸気) (5)
ZnS(蒸気) → ZnS(固体) (6)
1250±50℃の高温で固体の硫化亜鉛が硫化亜鉛の蒸気になり、さらに、ここで生成した硫化亜鉛の蒸気は亜鉛と硫黄の蒸気に解離する。硫黄蒸気はグラファイト容器の炭素と反応して気体の二硫化炭素となって反応系外へ逸散する。また、同時に固体のリン化インジウムがリン化インジウムの蒸気となり、(2)式で生じた亜鉛の蒸気と反応してリン化亜鉛となって搬送ガスの不活性ガスにより、誘導加熱円筒管の低温領域へ運ばれて固体の結晶となる。このリン化亜鉛の結晶の側面に硫化亜鉛の結晶が成長して、目的物である枝状部の硫化亜鉛ナノワイヤーを有するリン化亜鉛ナノリボンが形成される。
(実施例) アルドリッチ社製の硫化亜鉛粉末(純度99%)1.2gとアルドリッチ社製のリン化インジウム粉末(純度99.998%)0.8gの混合物をグラファイト製るつぼに入れ、このるつぼをカーボン繊維からなる断熱材で覆われたグラファイト誘導加熱円筒管を中側に有する石英管製の縦型高周波誘導加熱炉の中に取り付けた。加熱炉内を約20Paの減圧にした後、流量250sccmの窒素ガスを流しながら、上記るつぼの内容物を1250℃に1時間加熱した。加熱終了後、炉を室温に冷却するとグラファイト誘導加熱円筒管の内壁に暗黄色の生成物が29mg堆積した。
また、この部分の電子線回折のパターンを調べた結果、幹状部はリン化亜鉛の双晶から出来ていることがわかった。
図6の結果から、幹部は亜鉛とリンの原子比がおよそ3:2からなる組成のリン化亜鉛であることが分った。一方、図7の結果から、枝状部は亜鉛と硫黄の原子比がおよそ1:1からなる組成の硫化亜鉛であることが分った。すなわち、本発明のナノ構造物は、硫化亜鉛ナノワイヤーの枝状部を有し、リン化亜鉛ナノリボンを幹部とするヘテロナノ構造物であることが分った。
Claims (7)
- 幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物であって、枝状部が硫化亜鉛ナノワイヤーであって、幹部がリン化亜鉛ナノリボンであることを特徴とする幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物。
- 枝状部が幹部の長手方向に対して直角に伸長した形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物。
- 枝状部の長さが20×10〜30×10nm、直径が3×10nmであり、幹部のリン化亜鉛ナノリボンの長さが数十μm、幅が8×10〜30×10nm、厚さが14×10nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物。
- 硫化亜鉛粉末とリン化インジウム粉末の混合物をグラファイト製容器に入れ、不活性ガスを流しながら、125×10±5×10℃に加熱することを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物の製造方法。
- 不活性ガスとして、窒素ガスを使用することを特徴とする請求項4に記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物の製造方法。
- 不活性ガスの流量が20×10〜35×10sccmの範囲であることを特徴とする請求項4または5に記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物の製造方法。
- 加熱時間が5×10±2×10分間であることを特徴とする請求項3ないし6のいずれかに記載の幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006313337A JP5229851B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物とその製造方法。 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006313337A JP5229851B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物とその製造方法。 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008127239A true JP2008127239A (ja) | 2008-06-05 |
| JP5229851B2 JP5229851B2 (ja) | 2013-07-03 |
Family
ID=39553449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006313337A Expired - Fee Related JP5229851B2 (ja) | 2006-11-20 | 2006-11-20 | 幹部と枝状部を持ったヘテロナノワイヤー構造物とその製造方法。 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5229851B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259597A (ja) * | 1985-09-07 | 1987-03-16 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | β−二燐化亜鉛単結晶の製法 |
| JP2006240912A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | National Institute For Materials Science | 単結晶硫化亜鉛ナノチューブとその製造方法 |
-
2006
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6259597A (ja) * | 1985-09-07 | 1987-03-16 | ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト | β−二燐化亜鉛単結晶の製法 |
| JP2006240912A (ja) * | 2005-03-02 | 2006-09-14 | National Institute For Materials Science | 単結晶硫化亜鉛ナノチューブとその製造方法 |
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|---|---|
| JP5229851B2 (ja) | 2013-07-03 |
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160329 Year of fee payment: 3 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
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