JP2008119647A - Pattern forming apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress the unevenness of a pattern formed on a substrate by using a nozzle part. <P>SOLUTION: In a pattern forming apparatus, the nozzle part 421 and a light irradiation part 43 are moved continuously and relatively to the substrate 9 to make the nozzle part 421 precede in the moving direction along the substrate 9 while a pattern forming material 80 having light curing property is discharged from a plurality of discharge ports 422 of the nozzle part 421 and a mask 46 is moved parallel to the substrate 9 between the light irradiation part 43 and the substrate 9 by a mask moving mechanism 45. The illuminance distribution of irradiation light in the irradiating zone on the substrate 9 is irregularly changed with time because the a plurality of rectangular zones where the respective transmissivity is irregularly different are two-dimensionally arranged and set on the mask 46. As a result, the unevenness of the pattern of a lib formed when the libs each having different width are mixed on the substrate 9 due to the unevenness or the like of a plurality of the discharge ports is suppressed. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成装置に関する。   The present invention relates to a pattern forming apparatus for forming a pattern on a substrate.

従来より、プラズマ表示装置等の平面表示装置に用いられるガラスの基板上にリブを形成する様々な手法が知られており、例えば、特許文献1では、ペースト状のリブ形成材料を基板上に吐出するノズル部、および、基板上に吐出されたリブ形成材料に紫外線を照射する光照射部を基板の主面に沿って基板に対して相対的に移動することにより、基板上にリブを形成するリブ形成装置が提案されている。   Conventionally, various methods for forming a rib on a glass substrate used in a flat display device such as a plasma display device are known. For example, in Patent Document 1, a paste-like rib forming material is discharged onto a substrate. The rib portion is formed on the substrate by moving the nozzle portion that performs the irradiation and the light irradiation portion that irradiates the rib forming material discharged onto the substrate with ultraviolet rays relative to the substrate along the main surface of the substrate. Rib forming devices have been proposed.

なお、特許文献2では、電子ビームの照射位置をレジスト膜上のフィールド間にて移動させつつ各フィールド内で主走査させてレジスト膜上に複数の同一図形を逐次描画する際に、複数の同一図形にて電子ビームの照射量をランダムに変動させることにより、フィールドの周期にて現れるパターン寸法の変動を解消する手法が開示されている。   In Patent Document 2, when an electron beam irradiation position is moved between fields on a resist film and main scanning is performed in each field, a plurality of identical figures are sequentially drawn on the resist film. There has been disclosed a technique for eliminating variations in pattern dimensions that appear in the period of a field by randomly varying the irradiation amount of an electron beam in a figure.

また、流動性材料の連続的な吐出によるパターン形成ではないが、液晶等の表示装置のカラーフィルタを製造する方法として、特許文献3では、ガラス基板に対して各ノズルから複数の液滴重量の液滴をランダムに飛ばすことにより、R(赤)G(緑)B(青)の3色のムラを防止する方法が開示されている。
特開2002−184303号公報 特開平5−335223号公報 特開2003−279724号公報
Moreover, although it is not pattern formation by continuous discharge | emission of a fluid material, in patent document 3, as a method of manufacturing the color filter of display apparatuses, such as a liquid crystal, several droplet weights from each nozzle with respect to a glass substrate. A method for preventing unevenness of three colors of R (red), G (green), and B (blue) by randomly ejecting droplets is disclosed.
JP 2002-184303 A JP-A-5-335223 JP 2003-279724 A

ところで、複数の吐出口を有するノズル部を基板に対して相対的に移動することにより、基板上に複数のリブのパターンを形成する場合、例えば、機械加工の際に生じる吐出口の加工誤差や、パターンを形成する流動性材料中の微粒子成分の分散ムラによる濡れ性の変化、吐出口付近のわずかな汚れによる表面特性の違い、あるいは、光照射部からの光の照度分布(すなわち、照度の不均一な分布)等に起因して、複数の吐出口にそれぞれ対応する複数のリブにおいて、幅がばらついてしまう。実際には、各リブの幅は走査方向に関してほぼ一定となっており、複数のリブ間における幅のばらつきにより、基板上のリブのパターンにムラ(目視にて認識され易い不均一性)が発生してしまう。   By the way, when a plurality of rib patterns are formed on a substrate by moving a nozzle portion having a plurality of discharge ports relative to the substrate, for example, processing errors in the discharge ports that occur during machining, Changes in wettability due to uneven dispersion of fine particle components in the flowable material that forms the pattern, differences in surface characteristics due to slight contamination near the discharge port, or illuminance distribution of light from the light irradiation part (ie, illuminance (Non-uniform distribution) or the like, the widths of the plurality of ribs respectively corresponding to the plurality of discharge ports vary. Actually, the width of each rib is almost constant in the scanning direction, and unevenness in the rib pattern on the substrate (non-uniformity that is easily recognized visually) occurs due to the variation in the width between the plurality of ribs. Resulting in.

本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、ノズル部を用いて基板上に形成されるパターンのムラを抑制することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to suppress unevenness of a pattern formed on a substrate using a nozzle portion.

請求項1に記載の発明は、基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、複数の吐出口から光硬化性を有するパターン形成材料を基板上に吐出するノズル部と、前記基板上に吐出されたパターン形成材料に照射光を照射する光照射部と、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に、前記ノズル部および前記光照射部を前記基板に沿う移動方向に前記ノズル部を先行させつつ前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して等ピッチにて配列された線状の複数のパターン要素にて構成されるパターンを前記基板上に形成する移動機構と、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に、前記基板および前記パターン形成材料上の前記照射光の照射領域のほぼ全体において、または、前記照射領域中にて前記移動方向に垂直な方向に配列設定された複数の部分領域において、前記パターン形成材料上における前記照射光の照度、照度分布、または、前記移動方向における照射範囲を不規則に変更する照射光変更部とを備える。   The invention according to claim 1 is a pattern forming apparatus for forming a pattern on a substrate, wherein a nozzle part for discharging a pattern forming material having photocurability from a plurality of discharge ports onto the substrate, and on the substrate A light irradiation unit that irradiates the discharged pattern forming material with irradiation light; and while the pattern forming material is discharged from the nozzle unit, the nozzle unit and the light irradiation unit are moved in the moving direction along the substrate. By moving relatively and continuously with respect to the substrate while preceding the pattern, a pattern composed of a plurality of linear pattern elements arranged at an equal pitch in a direction perpendicular to the moving direction is obtained. While the pattern forming material is ejected from the moving mechanism formed on the substrate and the nozzle portion, the irradiation area of the irradiation light on the substrate and the pattern forming material is almost entirely covered. Or, in a plurality of partial areas arranged in the direction perpendicular to the movement direction in the irradiation area, the illuminance of the irradiation light, the illuminance distribution on the pattern forming material, or the irradiation range in the movement direction And an irradiation light changing unit that irregularly changes.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形成装置であって、前記照射光変更部が、前記光照射部と前記基板との間の光路上に配置されるマスクの透過率の分布を、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に不規則に変更する機構である。   Invention of Claim 2 is the pattern formation apparatus of Claim 1, Comprising: The transmittance | permeability of the mask by which the said irradiation light change part is arrange | positioned on the optical path between the said light irradiation part and the said board | substrate Is a mechanism for irregularly changing the distribution of the pattern forming material while it is discharged from the nozzle portion.

請求項3に記載の発明は、請求項2に記載のパターン形成装置であって、前記マスクが前記基板に平行に移動することにより、前記光路上における前記マスクの透過率の分布が変更される。   According to a third aspect of the present invention, in the pattern forming apparatus according to the second aspect, when the mask moves in parallel with the substrate, the distribution of the transmittance of the mask on the optical path is changed. .

請求項4に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形成装置であって、前記光照射部からの前記照射光の前記基板上における照射領域が前記パターン形成材料を横断する線状であり、前記照射光変更部が、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に前記照射領域を前記移動方向に前記複数の吐出口に対して不規則に微小移動する、または、前記照射領域を前記基板の法線方向に平行な回動軸を中心として不規則に微小回動する機構である。   Invention of Claim 4 is a pattern formation apparatus of Claim 1, Comprising: The irradiation area | region on the said board | substrate of the said irradiation light from the said light irradiation part is a linear form crossing the said pattern formation material The irradiation light changing unit irregularly minutely moves the irradiation region with respect to the plurality of discharge ports in the movement direction while the pattern forming material is discharged from the nozzle unit, or the irradiation region It is a mechanism that irregularly rotates about a rotation axis parallel to the normal direction of the substrate.

請求項5に記載の発明は、請求項1に記載のパターン形成装置であって、前記照射光変更部が、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に前記光照射部を前記基板の法線方向に不規則に移動する機構である。   A fifth aspect of the present invention is the pattern forming apparatus according to the first aspect, wherein the light irradiation unit is configured to place the light irradiation unit on the substrate while the pattern forming material is discharged from the nozzle unit. It is a mechanism that moves irregularly in the normal direction.

請求項6に記載の発明は、請求項1ないし5のいずれかに記載のパターン形成装置であって、前記照射光変更部により不規則に変更される前記照射光の前記照度の変動幅が、前記照射領域における空間的かつ時間的な照度の平均値の2%以上10%以下である。   Invention of Claim 6 is the pattern formation apparatus in any one of Claim 1 thru | or 5, Comprising: The fluctuation range of the said illumination intensity of the said irradiation light changed irregularly by the said irradiation light change part is, It is 2% or more and 10% or less of the average value of spatial and temporal illuminance in the irradiation region.

本発明によれば、ノズル部を用いて基板上に形成されるパターンのムラを抑制することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the nonuniformity of the pattern formed on a board | substrate using a nozzle part can be suppressed.

また、請求項2および3の発明では、マスクを用いて照射光の照度分布を容易に不規則に変更することができる。   In the inventions of claims 2 and 3, the illuminance distribution of the irradiated light can be easily and irregularly changed using a mask.

また、請求項4の発明では、照射光の照射範囲を移動方向に吐出口に対して不規則に変更することができ、請求項5の発明では、光照射部をノズル部に対して基板の法線方向に移動することにより、照射光の照度を容易に不規則に変更することができる。   Moreover, in the invention of claim 4, the irradiation range of the irradiation light can be irregularly changed with respect to the discharge port in the moving direction. In the invention of claim 5, the light irradiation part is arranged on the substrate with respect to the nozzle part. By moving in the normal direction, the illuminance of the irradiation light can be easily and irregularly changed.

図1は本発明の第1の実施の形態に係るパターン形成装置1の構成を示す図である。パターン形成装置1は、プラズマ表示装置等の平面表示装置用のガラス基板(以下、「基板」という。)9上にリブのパターンを形成する装置であり、リブパターンが形成された基板9は他の工程を介して平面表示装置の組立部品であるパネルとなる。   FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a pattern forming apparatus 1 according to a first embodiment of the present invention. The pattern forming apparatus 1 is an apparatus for forming a rib pattern on a glass substrate (hereinafter referred to as “substrate”) 9 for a flat display device such as a plasma display device. Through this process, a panel which is an assembly part of the flat display device is obtained.

パターン形成装置1では、基台11上にステージ移動機構2が設けられ、ステージ移動機構2により基板9を水平に保持するステージ20が図1中に示すY方向に移動可能とされる。基台11にはステージ20を跨ぐようにしてフレーム12が固定され、フレーム12にはヘッド移動機構3を介してヘッド部4が取り付けられる。   In the pattern forming apparatus 1, the stage moving mechanism 2 is provided on the base 11, and the stage 20 that holds the substrate 9 horizontally by the stage moving mechanism 2 is movable in the Y direction shown in FIG. A frame 12 is fixed to the base 11 so as to straddle the stage 20, and the head portion 4 is attached to the frame 12 via the head moving mechanism 3.

ステージ移動機構2は、モータ21にボールねじ22が接続され、さらに、ステージ20に固定されたナット23がボールねじ22に取り付けられた構造となっている。ボールねじ22の上方にはガイドレール24が固定され、モータ21が回転すると、ナット23とともにステージ20がガイドレール24に沿ってY方向に滑らかに移動する(すなわち、ヘッド部4が基板9に対して相対的に主走査する。)。   The stage moving mechanism 2 has a structure in which a ball screw 22 is connected to a motor 21 and a nut 23 fixed to the stage 20 is attached to the ball screw 22. When the guide rail 24 is fixed above the ball screw 22 and the motor 21 rotates, the stage 20 moves smoothly along the guide rail 24 in the Y direction along with the nut 23 (that is, the head portion 4 moves relative to the substrate 9). Relatively main scanning.)

ヘッド移動機構3はフレーム12に支持されたモータ31、モータ31の回転軸に接続されたボールねじ32、および、ボールねじ32に取り付けられたナット33を有し、モータ31が回転することによりナット33が図1中のX方向に移動する。ナット33にはヘッド部4のベース40が取り付けられ、これにより、ヘッド部4がX方向に移動(副走査)可能とされる。ベース40はフレーム12に固定されたガイドレール34に接続され、ガイドレール34により滑らかに案内される。   The head moving mechanism 3 includes a motor 31 supported by the frame 12, a ball screw 32 connected to the rotation shaft of the motor 31, and a nut 33 attached to the ball screw 32. 33 moves in the X direction in FIG. A base 40 of the head unit 4 is attached to the nut 33, and thus the head unit 4 can be moved (sub-scanned) in the X direction. The base 40 is connected to a guide rail 34 fixed to the frame 12 and is smoothly guided by the guide rail 34.

ヘッド部4は、基板9上に流動性を有するペースト状のパターン形成材料を吐出する吐出部42、および、基板9上のパターン形成材料を硬化させる光照射部43を有し、吐出部42および光照射部43はベース40に固定される昇降機構41の下部に取り付けられる。パターン形成材料は、紫外線により硬化(架橋反応)が開始する光開始剤や、バインダである樹脂、さらには、ガラスの粉体である低軟化点ガラスフリットを含み、絶縁性を有する。吐出部42の下面には、X方向に配列された複数の吐出口を有するノズル部421が着脱可能に取り付けられる。   The head unit 4 includes a discharge unit 42 that discharges a paste-form pattern forming material having fluidity on the substrate 9, and a light irradiation unit 43 that cures the pattern forming material on the substrate 9. The light irradiation part 43 is attached to the lower part of the raising / lowering mechanism 41 fixed to the base 40. The pattern forming material includes a photoinitiator that starts curing (crosslinking reaction) by ultraviolet rays, a resin that is a binder, and a low softening point glass frit that is a glass powder, and has insulating properties. A nozzle portion 421 having a plurality of discharge ports arranged in the X direction is detachably attached to the lower surface of the discharge portion 42.

ノズル部421は供給管441を介してパターン形成材料を貯溜する容器442に接続され、容器442には高圧のエアを供給するエア供給部444がレギュレータ443を介して接続される。容器442は取り替え可能とされており、パターン形成装置1では容器442内のパターン形成材料の残量が所定量以下となると、操作者によりパターン形成材料が充填された別の容器442に取り替えられる。後述するリブパターンの形成時には、レギュレータ443が容器442内のエアの圧力を大気圧よりも高くして容器442内に貯溜されるパターン形成材料が加圧される。すなわち、容器442内のエアの圧力と大気圧との差の圧力(以下、「エアの差圧」と呼ぶ。)が容器442内のパターン形成材料に付与され、これにより、ノズル部421にパターン形成材料が供給されてノズル部421の吐出口からパターン形成材料が吐出される。このように、パターン形成装置1では、供給管441、容器442、レギュレータ443およびエア供給部444によりノズル部421にパターン形成材料を供給する材料供給部44(ディスペンサシステムとも呼ばれる。)が構築される。なお、ノズル部421からのパターン形成材料の吐出が行われていない状態では、エアの差圧は0とされる(すなわち、容器442内のエアの圧力が大気圧とされ、材料供給部44による容器442内のパターン形成材料の加圧が行われていない。)。   The nozzle part 421 is connected to a container 442 for storing pattern forming material via a supply pipe 441, and an air supply part 444 for supplying high-pressure air is connected to the container 442 via a regulator 443. The container 442 can be replaced. In the pattern forming apparatus 1, when the remaining amount of the pattern forming material in the container 442 is equal to or less than a predetermined amount, the operator replaces the container 442 with another container 442 filled with the pattern forming material. At the time of forming a rib pattern, which will be described later, the regulator 443 raises the pressure of the air in the container 442 above atmospheric pressure, and the pattern forming material stored in the container 442 is pressurized. That is, the pressure difference between the air pressure in the container 442 and the atmospheric pressure (hereinafter referred to as “air differential pressure”) is applied to the pattern forming material in the container 442, thereby causing the pattern to the nozzle portion 421. The forming material is supplied, and the pattern forming material is discharged from the discharge port of the nozzle portion 421. As described above, in the pattern forming apparatus 1, the material supply unit 44 (also called a dispenser system) that supplies the pattern forming material to the nozzle unit 421 is constructed by the supply pipe 441, the container 442, the regulator 443, and the air supply unit 444. . When the pattern forming material is not discharged from the nozzle portion 421, the air differential pressure is set to 0 (that is, the air pressure in the container 442 is set to atmospheric pressure, and the material supply portion 44 The pattern forming material in the container 442 is not pressurized.)

光照射部43は多数の光ファイバの束431(図1では1本の太線にて示しており、以下、単に「光ファイバ431」という。)を介して光源ユニット432に接続される。光源ユニット432は紫外線を出射する光源(例えば、キセノンランプ)を備え、光源からの光は、光ファイバ431により光照射部43へと導かれる。実際には、光照射部43では、多数の光ファイバの光源ユニット432とは反対側の端部がX方向に配列されており、ノズル部421の(−Y)側において、複数の吐出口の配列方向(すなわち、X方向)に沿って伸びる基板9上のおよそ線状の領域に紫外線が照射される。以下の説明では、光照射部43から基板9上に照射される光を照射光と呼ぶ。   The light irradiation unit 43 is connected to the light source unit 432 via a bundle of many optical fibers 431 (indicated by one thick line in FIG. 1 and simply referred to as “optical fiber 431” hereinafter). The light source unit 432 includes a light source that emits ultraviolet light (for example, a xenon lamp), and light from the light source is guided to the light irradiation unit 43 by the optical fiber 431. Actually, in the light irradiation unit 43, the ends of the many optical fibers opposite to the light source unit 432 are arranged in the X direction, and a plurality of discharge ports are arranged on the (−Y) side of the nozzle unit 421. Ultraviolet rays are irradiated to a substantially linear region on the substrate 9 extending along the arrangement direction (that is, the X direction). In the following description, the light irradiated from the light irradiation unit 43 onto the substrate 9 is referred to as irradiation light.

図2はノズル部421および光照射部43の先端近傍を拡大して示す図である。図2に示すように、ノズル部421において各吐出口422へと連続する流路423(図2では、1つの吐出口422および1つの流路423のみに符号を付している。)は、YZ平面に平行かつZ方向に対して傾斜した方向(例えば、45度だけ傾斜した方向)に伸びている。これにより、基板9の(+Z)側の主面(後述するように、リブパターンの形成対象とされる主面であり、以下、「対象面」ともいう。)91に向かうとともに対象面91に対して傾斜する吐出方向に吐出口422からパターン形成材料80が吐出される。また、ノズル部421の開口面424(ノズル部421の先端における複数の吐出口422を含む面)も、同様にその法線がYZ平面に平行かつZ方向に対して傾斜している。ノズル部421の図2中の(−Z)側の部位には、基板9の対象面91に平行な対向面425が形成され、パターン形成装置1では、必要に応じて昇降機構41がノズル部421をZ方向に移動することにより、リブパターンの形成時におけるノズル部421の対向面425と基板9の対象面91との間の間隙がほぼ一定の微小な幅にて保たれ、ノズル部421が常時、基板9の対象面91に近接した状態とされる。(−Y)側から(+Y)方向を向いて見た場合における各吐出口422の形状は矩形とされ、当該形状のX方向の幅は、例えば100μmとされ、吐出口422のX方向のピッチは300μmとされる。なお、複数の吐出口422の配列方向は基板9の移動方向に垂直かつ対象面91に沿う方向(X方向)に対して傾斜していてもよい。   FIG. 2 is an enlarged view showing the vicinity of the tips of the nozzle part 421 and the light irradiation part 43. As shown in FIG. 2, a flow path 423 that continues to each discharge port 422 in the nozzle portion 421 (in FIG. 2, only one discharge port 422 and one flow path 423 are denoted by reference numerals). It extends in a direction parallel to the YZ plane and inclined with respect to the Z direction (for example, a direction inclined by 45 degrees). As a result, the main surface of the substrate 9 on the (+ Z) side (which is a main surface on which a rib pattern is to be formed as will be described later, hereinafter also referred to as “target surface”) 91 and the target surface 91. On the other hand, the pattern forming material 80 is discharged from the discharge port 422 in the discharge direction inclined. Similarly, the opening surface 424 of the nozzle portion 421 (the surface including the plurality of discharge ports 422 at the tip of the nozzle portion 421) has a normal line parallel to the YZ plane and inclined with respect to the Z direction. A facing surface 425 parallel to the target surface 91 of the substrate 9 is formed in a portion on the (−Z) side of the nozzle portion 421 in FIG. 2. In the pattern forming apparatus 1, the lifting mechanism 41 is connected to the nozzle portion as necessary. By moving 421 in the Z direction, the gap between the facing surface 425 of the nozzle portion 421 and the target surface 91 of the substrate 9 at the time of forming the rib pattern is maintained at a substantially constant minute width, and the nozzle portion 421 Is always close to the target surface 91 of the substrate 9. The shape of each ejection port 422 when viewed from the (−Y) side toward the (+ Y) direction is a rectangle, the width of the shape in the X direction is, for example, 100 μm, and the pitch of the ejection ports 422 in the X direction Is 300 μm. The arrangement direction of the plurality of discharge ports 422 may be inclined with respect to the direction (X direction) perpendicular to the moving direction of the substrate 9 and along the target surface 91.

また、光照射部43の照射光の出射面((−Z)側の面)近傍には、Y方向に関して光照射部43を挟んで2つの下側ローラ451,452が配置される。ノズル部421とは反対側((−Y)側)の下側ローラ451、および、ノズル部421側の下側ローラ452の上方には、それぞれ上側ローラ453,454が設けられ、各上側ローラ453,454は環状ベルト455,456を介してモータ457,458の回転軸に接続される。上側ローラ453,454間には下側ローラ451,452を経由してフィルム状のマスク46が設けられ、光照射部43の出射面((−Z)側の面)と基板9の対象面91との間がマスク46の一部により仕切られる。マスク46の大部分は上側ローラ454の外周に巻き付けられており、後述のリブパターンの形成時にはモータ457により(−Y)側の巻き取り用の上側ローラ453が回転することにより、(+Y)側の送り出し用の上側ローラ454の外周に巻き付けられたマスク46の部分が順次送り出され、光照射部43と対象面91との間にて基板9と平行に移動し、上側ローラ453に巻き取られる。このように、下側ローラ451,452、上側ローラ453,454、環状ベルト455,456およびモータ457,458により、光照射部43と基板9との間の光路上に配置されるマスク46を基板9に平行に移動するマスク移動機構45が構築される。なお、モータ458はマスク46の巻き戻しに利用される。   In addition, two lower rollers 451 and 452 are arranged in the vicinity of the irradiation surface ((−Z) side surface) of the irradiation light of the light irradiation unit 43 with the light irradiation unit 43 interposed therebetween in the Y direction. Upper rollers 453 and 454 are provided above the lower roller 451 opposite to the nozzle portion 421 ((−Y) side) and the lower roller 452 on the nozzle portion 421 side, respectively. , 454 are connected to the rotating shafts of motors 457, 458 via annular belts 455, 456. A film-like mask 46 is provided between the upper rollers 453 and 454 via the lower rollers 451 and 452, and the emission surface (surface on the (−Z) side) of the light irradiation unit 43 and the target surface 91 of the substrate 9. Is partitioned by a part of the mask 46. Most of the mask 46 is wound around the outer periphery of the upper roller 454. When the rib pattern described later is formed, the upper roller 453 for winding on the (−Y) side is rotated by the motor 457, so that the (+ Y) side is rotated. The portion of the mask 46 wound around the outer circumference of the upper roller 454 for feeding is sequentially fed out, moves in parallel with the substrate 9 between the light irradiation unit 43 and the target surface 91, and is taken up by the upper roller 453. . In this manner, the lower roller 451, 452, the upper roller 453, 454, the annular belt 455, 456, and the motor 457, 458, the mask 46 disposed on the optical path between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 is the substrate. A mask moving mechanism 45 that moves in parallel with 9 is constructed. The motor 458 is used for rewinding the mask 46.

図3は、光照射部43と基板9との間に配置されるマスク46の一部を示す図である。図3中に二点鎖線にて示すように、マスク46には複数の矩形領域461が2次元に配列設定されており、複数の矩形領域461では照射光の透過率が矩形領域461毎に不規則に異なっている。X方向に関して矩形領域461の幅は吐出口422のピッチの複数倍(1倍であってもよい。)の長さとされ、Y方向の長さは、例えば2〜3ミリメートル(mm)とされる。また、照射光の透過率は、およそ87〜93%の範囲にて変更されており、図3では矩形領域461に付す平行斜線の間隔を変更することにより、矩形領域461における透過率の違いを示している。実際には、マスク46の全体における透過率の平均値(平均透過率)は約90%とされており、マスク46における透過率の変動幅は平均値の6%となっている。このように、マスク46は各位置における透過率がランダムに変更された減光(Neutral Density)フィルタとなっている。なお、マスク46は、例えばフッ素系の樹脂フィルムに印刷を行う(顔料を付着させる)ことにより作製可能である。また、光照射部43または光源ユニット432には熱線カットフィルタが設けられており、照射光の照射による熱によりマスク46が変形等することはない。   FIG. 3 is a diagram illustrating a part of the mask 46 disposed between the light irradiation unit 43 and the substrate 9. As indicated by a two-dot chain line in FIG. 3, a plurality of rectangular areas 461 are set in a two-dimensional array on the mask 46, and the transmittance of the irradiated light is not uniform for each rectangular area 461 in the plurality of rectangular areas 461. The rules are different. The width of the rectangular region 461 with respect to the X direction is a multiple of the pitch of the discharge ports 422 (may be 1 time), and the length in the Y direction is, for example, 2 to 3 millimeters (mm). . Further, the transmittance of the irradiation light is changed in a range of approximately 87 to 93%. In FIG. 3, the difference in the transmittance in the rectangular region 461 is changed by changing the interval between the parallel oblique lines attached to the rectangular region 461. Show. Actually, the average value (average transmittance) of the transmittance of the entire mask 46 is about 90%, and the fluctuation range of the transmittance of the mask 46 is 6% of the average value. Thus, the mask 46 is a neutral density filter in which the transmittance at each position is changed at random. Note that the mask 46 can be manufactured by, for example, performing printing (attaching a pigment) on a fluorine-based resin film. Further, the light irradiation unit 43 or the light source unit 432 is provided with a heat ray cut filter, and the mask 46 is not deformed by heat due to irradiation of irradiation light.

図1に示すように、ステージ移動機構2のモータ21、レギュレータ443、光源ユニット432、ヘッド移動機構3のモータ31、ヘッド部4の昇降機構41、並びに、マスク移動機構45のモータ457,458(図2参照)は制御部5に接続され、これらの構成が制御部5により制御されることにより、パターン形成装置1による基板9上へのリブパターンの形成が行われる。   As shown in FIG. 1, the motor 21 of the stage moving mechanism 2, the regulator 443, the light source unit 432, the motor 31 of the head moving mechanism 3, the lifting mechanism 41 of the head unit 4, and the motors 457 and 458 of the mask moving mechanism 45 ( 2) is connected to the control unit 5, and the configuration is controlled by the control unit 5, whereby the pattern forming apparatus 1 forms a rib pattern on the substrate 9.

次に、パターン形成装置1が基板9上にリブパターンを形成する動作について図4を参照しつつ説明する。図1のパターン形成装置1では、まず、基板9がステージ20上に載置され、ステージ移動機構2およびヘッド移動機構3によりノズル部421が基板9の(−Y)側の端部の上方に配置される。続いて、光照射部43からの照射光の出射が開始されるとともに(ステップS11)、マスク移動機構45の駆動により光照射部43と基板9との間におけるマスク46の移動が開始され、後述するように、基板9上の照射光の照射領域における照度分布が不規則に変更される(ステップS12)。その後、ステージ移動機構2により吐出部42の下方にてステージ20上の基板9が(−Y)方向へと移動して、ノズル部421および光照射部43が基板9に対して(+Y)方向に相対移動を開始する(ステップS13)。また、容器442内のエアの差圧(すなわち、容器442内のエアの圧力と大気圧との差)を所定値にすることにより、ノズル部421の各吐出口422からのパターン形成材料の連続的な吐出も開始される(ステップS14)。   Next, an operation in which the pattern forming apparatus 1 forms a rib pattern on the substrate 9 will be described with reference to FIG. In the pattern forming apparatus 1 of FIG. 1, first, the substrate 9 is placed on the stage 20, and the nozzle portion 421 is positioned above the (−Y) side end of the substrate 9 by the stage moving mechanism 2 and the head moving mechanism 3. Be placed. Subsequently, emission of irradiation light from the light irradiation unit 43 is started (step S11), and movement of the mask 46 between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 is started by driving the mask moving mechanism 45, which will be described later. As described above, the illuminance distribution in the irradiation area of the irradiation light on the substrate 9 is irregularly changed (step S12). Thereafter, the substrate 9 on the stage 20 is moved in the (−Y) direction below the discharge unit 42 by the stage moving mechanism 2, and the nozzle unit 421 and the light irradiation unit 43 are in the (+ Y) direction with respect to the substrate 9. The relative movement is started (step S13). Further, by setting the differential pressure of the air in the container 442 (that is, the difference between the pressure of the air in the container 442 and the atmospheric pressure) to a predetermined value, the pattern forming material from each discharge port 422 of the nozzle portion 421 is continuously formed. Discharging is also started (step S14).

実際には、図2に示すように、ノズル部421の対象面91に沿う方向への基板9に対する相対的な連続移動に並行して、各吐出口422からノズル部421の相対移動方向とは反対の方向に(すなわち、(−Y)方向)にパターン形成材料が途切れることなく連続的に吐出されることにより、各吐出口422から吐出されたパターン形成材料80が基板9上に順次付着する。このとき、ノズル部421の開口面424が、その法線が吐出側((−Y)側)にて基板9の対象面91と交差するように傾斜していることにより、基板9上のY方向の各位置において、(−Z)側から(+Z)側に向かってパターン形成材料を積み重ねるようにして、吐出口422からパターン形成材料が吐出されることとなる。これにより、パターン形成材料が基板9上にアスペクト比の高い状態で付着する。   Actually, as shown in FIG. 2, in parallel with the relative continuous movement of the nozzle part 421 with respect to the substrate 9 in the direction along the target surface 91, the relative movement direction of the nozzle part 421 from each discharge port 422 is The pattern forming material is continuously discharged in the opposite direction (that is, in the (−Y) direction) without interruption, so that the pattern forming material 80 discharged from each discharge port 422 is sequentially deposited on the substrate 9. . At this time, the opening surface 424 of the nozzle portion 421 is inclined so that the normal line intersects the target surface 91 of the substrate 9 on the discharge side ((−Y) side). At each position in the direction, the pattern forming material is discharged from the discharge port 422 such that the pattern forming material is stacked from the (−Z) side to the (+ Z) side. As a result, the pattern forming material adheres to the substrate 9 with a high aspect ratio.

基板9上に吐出されたパターン形成材料80には、ノズル部421の基板9に対する相対的な進行方向の後方に配置されている光照射部43により、吐出口422よりも上方の位置からマスク46を介して照射光が照射される。既述のように、パターン形成材料は光開始剤が添加されて光硬化性を有しており、光照射部43からの照射光の照射により基板9上のパターン形成材料80を容易に硬化させることが可能となっている。これにより、ノズル部421の相対的な移動方向(Y方向)に伸びるとともに、リブパターンの要素となる微細な線状のリブが形成される。   The pattern forming material 80 discharged onto the substrate 9 is masked from a position above the discharge port 422 by a light irradiation unit 43 disposed behind the nozzle unit 421 in the direction of travel relative to the substrate 9. Irradiation light is irradiated via As described above, the pattern forming material is added with a photoinitiator and has photocurability, and the pattern forming material 80 on the substrate 9 is easily cured by irradiation with irradiation light from the light irradiation unit 43. It is possible. Thereby, while extending in the relative movement direction (Y direction) of the nozzle part 421, the fine linear rib used as the element of a rib pattern is formed.

また、ノズル部421からパターン形成材料80が吐出される間に、光照射部43と対象面91との間においてマスク46が基板9と同じ速度にて同じ方向((−Y)側)へと光照射部43に対して連続的に移動することにより、マスク46の各部位が基板9の対象面91に対して相対的に固定され、この状態において、光照射部43からの照射光がマスク46を介して基板9上に吐出された直後のパターン形成材料80に照射される。これにより、光照射部43と基板9との間の光路上に位置するマスク46の部位の透過率の分布が(すなわち、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料80に対するマスク46の透過率の分布が)、図3のマスク46上の複数の矩形領域461の配列に合わせて基板9が2〜3mmだけ移動する毎に不規則に変更され、基板9上の照射光の照射領域における照度(単位面積当たりに照射される光の強度)の分布が変更される。その結果、各吐出口422から吐出されて対象面91上に付着したパターン形成材料80(1つのリブに相当する。)に照射される照射光の照度が基板9上のY方向の位置に応じて変化することとなり、基板9上のY方向の各位置においても、複数の吐出口422から吐出されるパターン形成材料80に対する照射光の照度がX方向の位置に応じて変化している。   Further, while the pattern forming material 80 is discharged from the nozzle portion 421, the mask 46 is moved in the same direction ((−Y) side) at the same speed as the substrate 9 between the light irradiation portion 43 and the target surface 91. By continuously moving with respect to the light irradiation unit 43, each part of the mask 46 is fixed relative to the target surface 91 of the substrate 9, and in this state, the irradiation light from the light irradiation unit 43 is masked. The pattern forming material 80 immediately after being discharged onto the substrate 9 through 46 is irradiated. Thereby, the distribution of the transmittance of the portion of the mask 46 located on the optical path between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 (that is, the transmission of the mask 46 to the pattern forming material 80 immediately after being discharged onto the substrate 9). The rate distribution is irregularly changed every time the substrate 9 moves by 2 to 3 mm in accordance with the arrangement of the plurality of rectangular regions 461 on the mask 46 in FIG. The distribution of illuminance (intensity of light irradiated per unit area) is changed. As a result, the illuminance of the irradiation light applied to the pattern forming material 80 (corresponding to one rib) discharged from each discharge port 422 and attached onto the target surface 91 depends on the position in the Y direction on the substrate 9. Even at each position in the Y direction on the substrate 9, the illuminance of the irradiation light with respect to the pattern forming material 80 discharged from the plurality of discharge ports 422 changes according to the position in the X direction.

実際には、光照射部43からの照射光は僅かに広がりつつ基板9へと向かうため、マスク46の透過率の分布が基板9上に照射される照射光の照度分布に正確に反映される訳ではないが、光照射部43と基板9との間の距離は微小であり、照射光の広がり角も僅かとされるため、マスク46の透過率の分布はほぼ照射光の照度分布に反映される。もちろん、パターン形成装置1では、マスク46を基板9上のパターン形成材料に干渉しない範囲で対象面91に近接させることにより、マスク46における透過率の分布を基板9上の照射光の照度分布により精度よく反映させることが可能である。なお、光照射部43と基板9との間のマスク46の部分を基板9の対象面91に対して相対的に固定した状態で移動することにより、基板9上の各位置における照射光の照度をマスク46のパターンに一致させて変更することが可能となるが、マスク46は必ずしも基板9の対象面91に対して相対的に固定した状態で移動する必要はない。   Actually, since the irradiation light from the light irradiation unit 43 slightly spreads toward the substrate 9, the transmittance distribution of the mask 46 is accurately reflected in the illuminance distribution of the irradiation light irradiated on the substrate 9. Although the distance between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 is very small and the spread angle of the irradiation light is small, the transmittance distribution of the mask 46 is substantially reflected in the illuminance distribution of the irradiation light. Is done. Of course, in the pattern forming apparatus 1, the mask 46 is brought close to the target surface 91 within a range that does not interfere with the pattern forming material on the substrate 9, whereby the transmittance distribution in the mask 46 is determined by the illuminance distribution of the irradiation light on the substrate 9. It is possible to reflect accurately. Note that the illuminance of the irradiation light at each position on the substrate 9 by moving the portion of the mask 46 between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 in a state of being fixed relative to the target surface 91 of the substrate 9. Can be changed to match the pattern of the mask 46, but the mask 46 does not necessarily have to be moved in a state of being relatively fixed with respect to the target surface 91 of the substrate 9.

このように、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域の全体において、当該パターン形成材料上における照射光の照度分布が経時的に不規則に変更されることにより、各リブのY方向の複数の部位において、パターン形成材料の吐出後、硬化が完了するまでの時間が相違して、重力等による形状の崩れ具合(ダレ具合)がばらつくこととなる。既述のように、マスク46における透過率の変動幅はマスク46全体における平均透過率の6%とされることにより、不規則に変更される照射光のパターン形成材料上における照度の変動幅は、リブ形成が行われる期間中の照射領域全体の照度の平均値、すなわち、照射領域における空間的かつ時間的な照度の平均値の6%とされる。   In this way, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the illuminance distribution of the irradiation light on the pattern forming material is the entire irradiation region of the irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material. By changing irregularly over time, the time until the curing is completed after the discharge of the pattern forming material at a plurality of portions in the Y direction of each rib is different, and the shape collapsed due to gravity or the like ( (Dare condition) will vary. As described above, the variation width of the transmittance in the mask 46 is set to 6% of the average transmittance in the entire mask 46, so that the variation width of the illuminance on the pattern forming material of the irradiation light irregularly changed is The average value of the illuminance of the entire irradiation area during the period during which rib formation is performed, that is, 6% of the average value of the spatial and temporal illuminance in the irradiation area.

パターン形成材料の吐出が続けられ、基板9の(+Y)側の端部近傍がノズル部421の真下に達すると、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS15)。その後、基板9の移動が停止されるとともに(ステップS16)、マスク46の移動、および、光照射部43からの照射光の出射も停止される(ステップS17,S18)。   When the discharge of the pattern forming material is continued and the vicinity of the (+ Y) side end of the substrate 9 reaches directly below the nozzle portion 421, the discharge of the pattern forming material is stopped (step S15). Thereafter, the movement of the substrate 9 is stopped (step S16), and the movement of the mask 46 and the emission of the irradiation light from the light irradiation unit 43 are also stopped (steps S17 and S18).

図5は、基板9上に形成されるリブ81の一部を示す平面図である。基板9上には吐出口422と同じ個数のリブ81が、ノズル部421の相対的な移動方向に垂直なX方向に等ピッチ(実際には吐出口422のピッチ300μm)にて配列され、基板9上に複数のリブ81のパターン8が形成される。各リブ81の大部分では、照射光の照度に応じてY方向に2〜3mm(吐出口422のピッチのおよそ10倍)の間にX方向の幅の極大または極小が(または、幅のY方向に対する変化率が0となる位置が)1回現れており、当該幅の大きさも不規則に変化している。また、基板9上のY方向の各位置においてリブ81のX方向の幅は、複数のリブ81にて不規則に(図5では、数個のリブ81毎に不規則に)異なっている。本実施の形態にて用いられるパターン形成材料では、マスク46における透過率の変動の範囲が平均透過率の±3%とされることにより、各リブ81のX方向の幅も当該リブ81の平均的な幅から±3%の範囲にて変動する。実際には、リブ81は高さ方向(Z方向)にもばらついている。なお、図5では、X方向およびY方向の倍率を互いに異なるものとしてリブ81を図示している。   FIG. 5 is a plan view showing a part of the rib 81 formed on the substrate 9. On the substrate 9, the same number of ribs 81 as the ejection ports 422 are arranged at an equal pitch in the X direction perpendicular to the relative movement direction of the nozzle portion 421 (actually, the pitch of the ejection ports 422 is 300 μm). A pattern 8 of a plurality of ribs 81 is formed on 9. In most of each rib 81, the maximum or minimum width in the X direction (or the width Y in the width direction) is 2 to 3 mm in the Y direction (approximately 10 times the pitch of the discharge ports 422) depending on the illuminance of the irradiation light. The position where the rate of change with respect to the direction becomes 0) appears once, and the width changes irregularly. Further, the width in the X direction of the rib 81 at each position in the Y direction on the substrate 9 varies irregularly among the plurality of ribs 81 (irregularly for every several ribs 81 in FIG. 5). In the pattern forming material used in the present embodiment, the range of transmittance variation in the mask 46 is ± 3% of the average transmittance, so that the width in the X direction of each rib 81 is also the average of the rib 81. It fluctuates in the range of ± 3% from the typical width. Actually, the rib 81 also varies in the height direction (Z direction). In FIG. 5, the rib 81 is illustrated with different magnifications in the X direction and the Y direction.

本実施の形態では、ノズル部421の一度の走査のみにより基板9上へのリブパターンの形成が完了するが、基板9のサイズによってはノズル部421の複数回の走査により基板9の全体に多数のリブ81が形成されてもよい。この場合、ノズル部421の走査が完了する毎にヘッド部4をX方向に所定の距離だけ移動し、基板9も初期位置へと移動した後、上記動作が繰り返される。   In the present embodiment, the formation of the rib pattern on the substrate 9 is completed by only one scan of the nozzle portion 421, but depending on the size of the substrate 9, a large number of scans of the nozzle portion 421 are performed on the entire substrate 9. The rib 81 may be formed. In this case, each time scanning of the nozzle portion 421 is completed, the head portion 4 is moved by a predetermined distance in the X direction, and the substrate 9 is also moved to the initial position, and then the above operation is repeated.

以上の工程にて形成されたリブパターンは他の工程において焼成され、パターン形成材料中の樹脂分が除去されるとともに、低軟化点ガラスフリットが融着する。そして、適宜、他の必要な工程を経て平面表示装置の組立部品であるパネルが完成する。   The rib pattern formed in the above process is baked in another process, the resin content in the pattern forming material is removed, and the low softening point glass frit is fused. And the panel which is an assembly part of a flat display apparatus is completed suitably through other required processes.

以上に説明したように、図1のパターン形成装置1では、光硬化性を有するパターン形成材料がノズル部421から吐出される間に、ノズル部421および光照射部43が基板9に沿う移動方向にノズル部421を先行させつつ基板9に対して相対的かつ連続的に移動するとともに、マスク移動機構45が光照射部43と基板9との間にてマスク46を基板9に平行に移動して、基板9上の照射領域における照射光の照度分布がマスク46を用いて容易に不規則に変更される。これにより、複数の吐出口422における開口面積や、流路の表面状態のばらつき、あるいは、光照射部43から出射される光の強度分布等に起因して、幅の異なるリブが混在して形成されることにより発生する基板9上のリブのパターンのムラを抑制することが実現される。   As described above, in the pattern forming apparatus 1 of FIG. 1, the movement direction of the nozzle part 421 and the light irradiation part 43 along the substrate 9 is while the pattern forming material having photocurability is ejected from the nozzle part 421. The nozzle portion 421 precedes the substrate 9 and moves relative to the substrate 9 continuously, and the mask moving mechanism 45 moves the mask 46 parallel to the substrate 9 between the light irradiation unit 43 and the substrate 9. Thus, the illuminance distribution of the irradiation light in the irradiation region on the substrate 9 is easily and irregularly changed using the mask 46. Thereby, ribs having different widths are mixedly formed due to variations in the opening area of the plurality of discharge ports 422, variations in the surface state of the flow path, or the intensity distribution of light emitted from the light irradiation unit 43. By doing so, it is possible to suppress the unevenness of the rib pattern on the substrate 9.

なお、基板9上のパターンのムラが抑制されるのであるならば、X方向の中央部にて透過率がランダムに変更されるとともに、各端部(例えば、X方向に関してその範囲が全ての吐出口422に対応する範囲の20%以下のみを占める部分)にて透過率が一定とされるマスク46が用いられてもよい。すなわち、パターン形成装置1では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、照射光の照射領域のほぼ全体においてパターン形成材料上における照射光の照度分布が不規則に変更されればよい(後述の第2および第3の実施の形態において同様)。   If unevenness of the pattern on the substrate 9 is suppressed, the transmittance is randomly changed at the central portion in the X direction, and each end portion (for example, the range in the X direction covers all discharges). A mask 46 having a constant transmittance may be used in a portion that occupies only 20% or less of the range corresponding to the outlet 422. That is, in the pattern forming apparatus 1, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the illuminance distribution of the irradiation light on the pattern forming material may be irregularly changed in almost the entire irradiation region of the irradiation light. (The same applies to the second and third embodiments described later).

図1のパターン形成装置1では、マスク46における透過率の変動幅を平均透過率の6%として、各リブにおいてY方向の複数の位置における幅を当該リブの平均的な幅から±3%の範囲にて変動させることにより、マスク46を設けない場合に複数のリブにおいて生じる平均的な幅の±2〜3%の範囲での幅のばらつきの影響が低減され、基板9上のリブのパターンのムラが効果的に抑制される。通常、マスク46を設けない場合に複数のリブにおいて生じる幅の変動範囲は、平均的な幅の±1%〜±5%となり、この場合、マスク46における透過率の変動幅を平均透過率の2%以上10%以下として、不規則に変更される照射光のパターン形成材料上における照度の変動幅を、照射領域における空間的かつ時間的な照度の平均値の2%以上10%以下とすれば、基板9上のリブのパターンのムラが適切に抑制される。また、パターン形成装置1では、各リブにおいて吐出口422のピッチ(リブのピッチ)の1ないし100倍(より好ましくは5ないし10倍)に1回ピーク(極大または極小)が現れるように、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料に対する照射光の照度分布が変更されることが好ましい(後述の第2および第3の実施の形態において同様)。   In the pattern forming apparatus 1 of FIG. 1, the variation width of the transmittance in the mask 46 is set to 6% of the average transmittance, and the width at each of a plurality of positions in the Y direction is ± 3% from the average width of the rib. By varying in the range, the influence of the width variation in the range of ± 2 to 3% of the average width generated in the plurality of ribs when the mask 46 is not provided is reduced, and the rib pattern on the substrate 9 is reduced. Is effectively suppressed. Usually, when the mask 46 is not provided, the variation range of the width generated in the plurality of ribs is ± 1% to ± 5% of the average width. In this case, the variation range of the transmittance in the mask 46 is equal to the average transmittance. The fluctuation range of the illuminance on the pattern forming material of the irradiation light irregularly changed as 2% or more and 10% or less is 2% or more and 10% or less of the average value of the spatial and temporal illuminance in the irradiation region. In this case, unevenness of the rib pattern on the substrate 9 is appropriately suppressed. Further, in the pattern forming apparatus 1, the substrate is arranged such that a peak (maximum or minimum) appears once in each rib at 1 to 100 times (more preferably 5 to 10 times) the pitch (rib pitch) of the discharge ports 422. It is preferable that the illuminance distribution of the irradiation light with respect to the pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 is changed (the same applies to the second and third embodiments described later).

ここで、図3のマスク46の印刷以外の作製手法について述べる。図6は、樹脂フィルムの透過率と波長との関係を示す図である。図6中にて符号A1を付す線は厚さ25μmのPCTFE(ポリクロロトリフルオロエチレン)のフィルムの透過率を示し、符号A2を付す線は厚さ25μmのETFE(テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体)のフィルムの透過率を示し、符号A3を付す線は厚さ25μmのFEP(テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体)のフィルムの透過率を示し、符号A4を付す線は厚さ25μmのPFA(テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体)のフィルムの透過率を示し、符号A5を付す線は厚さ25μmのPE(ポリエチレン)のフィルムの透過率を示し、符号A6を付す線は厚さ135μmのガラスの透過率を示し、符号A7を付す線は厚さ40μmのPVC(ポリ塩化ビニル)のフィルムの透過率を示している。   Here, a manufacturing method other than printing of the mask 46 of FIG. 3 will be described. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the transmittance of the resin film and the wavelength. In FIG. 6, the line labeled A1 represents the transmittance of a 25 μm thick PCTFE (polychlorotrifluoroethylene) film, and the line labeled A2 represents a 25 μm thick ETFE (tetrafluoroethylene / ethylene copolymer weight). The line with the symbol A3 indicates the transmittance of the FEP (tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer) film having a thickness of 25 μm, and the line with the symbol A4 has a thickness of 25 μm. The transmittance of a film of PFA (tetrafluoroethylene / perfluoroalkyl vinyl ether copolymer) is indicated, and the line labeled A5 indicates the transmittance of a film of PE (polyethylene) having a thickness of 25 μm, and the line labeled A6. Indicates the transmittance of a glass with a thickness of 135 μm, and the line denoted by A7 is PVC (polyvinyl chloride) with a thickness of 40 μm. It shows the transmission of the film.

図6に示すように、PCTFE、ETFE、FEPおよびPFAのフッ素系のフィルムは、紫外線の波長帯(例えば、250〜400nm)において高い透過率を有しており、フッ素系のフィルムに対してエンボス加工等を施して厚さを部分的に変化させることにより、不規則な透過率の分布を有するマスクを容易に作製することが可能である。もちろん、光照射部43からの照射光の強度によっては、ポリエチレン等の紫外線の透過率が比較的低いフィルムを用いてマスクを作製してもよく、パターン形成材料の硬化に利用する光の波長帯によってはPET(ポリエチレンテレフタレート)等のフィルムを用いることも可能である。   As shown in FIG. 6, the fluorine-based films of PCTFE, ETFE, FEP and PFA have a high transmittance in the ultraviolet wavelength band (for example, 250 to 400 nm), and are embossed with respect to the fluorine-based film. A mask having an irregular transmittance distribution can be easily manufactured by performing processing or the like to partially change the thickness. Of course, depending on the intensity of the irradiation light from the light irradiation unit 43, a mask may be produced using a film having a relatively low transmittance of ultraviolet rays such as polyethylene, and the wavelength band of light used for curing the pattern forming material. Depending on the case, it is also possible to use a film such as PET (polyethylene terephthalate).

次に、パターン形成装置1の他の例について説明する。図7は、他の例に係るパターン形成装置1のマスク移動機構45aを示す図であり、ノズル部421とは反対側から見た(すなわち、(−Y)側から(+Y)方向を向いて見た)場合における光照射部43の下部近傍を示している。   Next, another example of the pattern forming apparatus 1 will be described. FIG. 7 is a diagram illustrating a mask moving mechanism 45a of the pattern forming apparatus 1 according to another example, and is viewed from the side opposite to the nozzle portion 421 (that is, from the (−Y) side toward the (+ Y) direction). The lower part vicinity of the light irradiation part 43 in the case of seeing is shown.

図7のマスク移動機構45aでは、下側ローラ451,452がX方向に光照射部43を挟んで設けられ、各下側ローラ451,452の上方には環状ベルト455,456を介してモータ457,458に接続された上側ローラ453,454が配置される。パターン形成装置1では、光照射部43からの照射光の光路上におけるマスク46aの部位が、マスク移動機構45aによりノズル部421の吐出口422の配列方向(すなわち、X方向)に沿って移動する。   In the mask moving mechanism 45a of FIG. 7, lower rollers 451 and 452 are provided in the X direction with the light irradiation unit 43 interposed therebetween, and motors 457 are disposed above the lower rollers 451 and 452 via annular belts 455 and 456, respectively. , 458 are connected to upper rollers 453, 454. In the pattern forming apparatus 1, the portion of the mask 46a on the optical path of the irradiation light from the light irradiation unit 43 is moved along the arrangement direction (that is, the X direction) of the discharge ports 422 of the nozzle unit 421 by the mask moving mechanism 45a. .

図8は、光照射部43と基板9との間に配置されるマスク46aの一部を示す図である。図8のマスク46aは、図3のマスク46におけるY方向に並ぶ1列の矩形領域461のみが形成されたものとなっており(ただし、図8のマスク46aでは縦横比が異なっている。)、複数の矩形領域461では同様に照射光の透過率が不規則に異なっている。   FIG. 8 is a view showing a part of the mask 46 a arranged between the light irradiation unit 43 and the substrate 9. The mask 46a in FIG. 8 has only one row of rectangular regions 461 arranged in the Y direction in the mask 46 in FIG. 3 (however, the aspect ratio of the mask 46a in FIG. 8 is different). Similarly, in the plurality of rectangular regions 461, the transmittance of the irradiation light is irregularly different.

図7のマスク移動機構45aを有するパターン形成装置1においても、パターン形成材料がノズル部421から吐出される間に、ノズル部421および光照射部43が基板9に沿う移動方向にノズル部421を先行させつつ基板9に対して相対的かつ連続的に移動するとともに、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料に対するマスク46aの部位の透過率の分布が不規則に変更される。これにより、マスク46aを用いて照射光の照度分布を容易に不規則に変更することができ、基板9上に形成されるリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。   Also in the pattern forming apparatus 1 having the mask moving mechanism 45 a of FIG. 7, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the nozzle portion 421 and the light irradiation portion 43 move the nozzle portion 421 in the moving direction along the substrate 9. While moving in a relative and continuous manner with respect to the substrate 9 in advance, the distribution of the transmittance of the portion of the mask 46a with respect to the pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 is irregularly changed. Thereby, the illuminance distribution of the irradiation light can be easily and irregularly changed using the mask 46a, and unevenness of the pattern of the ribs formed on the substrate 9 can be suppressed.

なお、図2のマスク移動機構45では上側ローラ454が光照射部43とノズル部421との間の狭い空間に配置されるのに対して、図7のマスク移動機構45aでは、X方向に関して光照射部43よりも外側の比較的広い空間に上側ローラ453,454が配置されるため、図2のマスク移動機構45を有するパターン形成装置1に比べて、パターン形成装置1の組み立てを容易に行うことができる。ただし、マスク46のパターンに合わせて基板9上に形成されるリブに不規則性を生じさせるには、図2のマスク移動機構45のように、光照射部43と基板9との間に配置されるマスクをノズル部421の移動方向に移動することが好ましい。   In the mask moving mechanism 45 in FIG. 2, the upper roller 454 is disposed in a narrow space between the light irradiation unit 43 and the nozzle unit 421, whereas in the mask moving mechanism 45a in FIG. Since the upper rollers 453 and 454 are arranged in a relatively wide space outside the irradiation unit 43, the pattern forming apparatus 1 can be easily assembled as compared with the pattern forming apparatus 1 having the mask moving mechanism 45 of FIG. be able to. However, in order to cause irregularities in the ribs formed on the substrate 9 in accordance with the pattern of the mask 46, it is arranged between the light irradiation unit 43 and the substrate 9 as in the mask moving mechanism 45 of FIG. It is preferable to move the mask to be moved in the moving direction of the nozzle portion 421.

図9は本発明の第2の実施の形態に係るパターン形成装置の光源ユニット432aの構成を示す図である。図9の光源ユニット432aは、紫外線を出射する光源433(ただし、図9では光源433の出射部のみを示している。)を有し、光源433(の出射部)と光ファイバ431(実際には光ファイバの束となっている。)との間には、円板状のフィルタ434およびレンズ435が配置される。フィルタ434はモータ436により光源433と光ファイバ431との間の光軸J1に平行な回転軸J2を中心に回転し、フィルタ434上の複数の部位(規則的、または、不規則に分割された複数の部位)では紫外線の透過率が不規則に異なっている。パターン形成装置の他の構成は図1と同様であり、同符号を付している。   FIG. 9 is a diagram showing the configuration of the light source unit 432a of the pattern forming apparatus according to the second embodiment of the present invention. The light source unit 432a in FIG. 9 has a light source 433 that emits ultraviolet light (however, only the light emission part of the light source 433 is shown in FIG. 9), and the light source 433 (the light emission part) and the optical fiber 431 (actually). Is a bundle of optical fibers), and a disk-shaped filter 434 and a lens 435 are disposed between them. The filter 434 is rotated about a rotation axis J2 parallel to the optical axis J1 between the light source 433 and the optical fiber 431 by the motor 436, and is divided into a plurality of parts (regularly or irregularly divided) on the filter 434. In a plurality of regions), the transmittance of ultraviolet rays is irregularly different. Other configurations of the pattern forming apparatus are the same as those in FIG.

次に、図9の光源ユニット432を有するパターン形成装置が基板9上にリブパターンを形成する動作について図4に沿って説明する。パターン形成装置では、基板9がステージ20上に載置されると、光源433内のシャッタが開放されて光源433から紫外線が出射されることにより、光照射部43からの照射光の出射が開始される(ステップS11)。また、モータ436によりフィルタ434の回転が開始されることにより、光照射部43からの出射光の強度が不規則に変更される(ステップS12)。その後、ノズル部421および光照射部43の基板9に対する相対移動、並びに、ノズル部421の各吐出口422からのパターン形成材料の吐出が開始され(ステップS13,S14)、基板9上にパターン形成材料が吐出されつつ基板9上に吐出された直後のパターン形成材料に光照射部43からの照射光が照射される。   Next, an operation in which the pattern forming apparatus having the light source unit 432 in FIG. 9 forms a rib pattern on the substrate 9 will be described with reference to FIG. In the pattern forming apparatus, when the substrate 9 is placed on the stage 20, the shutter in the light source 433 is opened and ultraviolet rays are emitted from the light source 433, whereby emission of irradiation light from the light irradiation unit 43 starts. (Step S11). In addition, when the rotation of the filter 434 is started by the motor 436, the intensity of the emitted light from the light irradiation unit 43 is irregularly changed (step S12). Thereafter, relative movement of the nozzle unit 421 and the light irradiation unit 43 with respect to the substrate 9 and the discharge of the pattern forming material from each discharge port 422 of the nozzle unit 421 are started (steps S13 and S14), and pattern formation is performed on the substrate 9. While the material is being discharged, the pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 is irradiated with the irradiation light from the light irradiation unit 43.

このとき、光照射部43からの照射光の強度が経時的に不規則に変更されることにより、複数の吐出口422から吐出されて対象面91上に付着したパターン形成材料に照射される照射光の照度が、基板9上のY方向の位置に応じて変化することとなる。このように、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域の全体において、パターン形成材料上における照射光の照度が不規則に変更されることにより、各リブにおいてY方向の複数の位置における幅が照射光の照度に応じて不規則に変動する。なお、基板9上に形成される全てのリブでは、幅が極小または極大となるY方向の位置がほぼ同じとなる。   At this time, the intensity of the irradiation light from the light irradiation unit 43 is irregularly changed with time, so that the pattern forming material discharged from the plurality of discharge ports 422 and attached to the target surface 91 is irradiated. The illuminance of light changes according to the position in the Y direction on the substrate 9. Thus, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the illuminance of the irradiation light on the pattern forming material is irregular in the entire irradiation region of the irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material. By changing to, the widths at a plurality of positions in the Y direction in each rib vary irregularly according to the illuminance of the irradiation light. It should be noted that all ribs formed on the substrate 9 have substantially the same position in the Y direction where the width is minimized or maximized.

そして、基板9の(+Y)側の端部近傍がノズル部421の真下に達すると、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS15)。その後、基板9の移動が停止されるとともに(ステップS16)、フィルタ434の回転、および、光照射部43からの照射光の出射も停止される(ステップS17,S18)。   Then, when the vicinity of the end on the (+ Y) side of the substrate 9 reaches directly below the nozzle portion 421, the discharge of the pattern forming material is stopped (step S15). Thereafter, the movement of the substrate 9 is stopped (step S16), and the rotation of the filter 434 and the emission of the irradiation light from the light irradiation unit 43 are also stopped (steps S17 and S18).

以上に説明したように、図9の光源ユニット432を有するパターン形成装置では、パターン形成材料がノズル部421から吐出される間に、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料の全体に対する照射光の照度が不規則に変更されることにより、各リブにおいてY方向の複数の位置における幅を不規則に変動させることができる。実際には、基板9上の全てのリブにおいてリブが伸びる方向の各位置での幅の変化率はほぼ同じとなるが、このような場合であっても、基板9上のリブのパターンのムラは抑制される。   As described above, in the pattern forming apparatus having the light source unit 432 in FIG. 9, irradiation of the entire pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 while the pattern forming material is being discharged from the nozzle portion 421. By changing the illuminance of light irregularly, the widths at a plurality of positions in the Y direction can be irregularly changed in each rib. Actually, the rate of change of the width at each position in the direction in which the ribs extend in all the ribs on the substrate 9 is substantially the same. Is suppressed.

また、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料の全体に対する照射光の照度の不規則な変更は他の手法により実現することも可能である。図10は、パターン形成装置のヘッド部の他の例を示す図である。図10のヘッド部4aでは、昇降機構41の下部にシリンダ機構47が設けられ、シリンダ機構47の可動部471が光照射部43に固定されることにより、光照射部43が基板9の法線方向に平行な方向(図10中のZ方向)に移動可能とされる。また、光照射部43はガイド部48によりZ方向に滑らかに案内される。   Further, the irregular change of the illuminance of the irradiation light with respect to the entire pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 can be realized by other methods. FIG. 10 is a diagram illustrating another example of the head portion of the pattern forming apparatus. In the head unit 4 a of FIG. 10, a cylinder mechanism 47 is provided below the lifting mechanism 41, and the movable unit 471 of the cylinder mechanism 47 is fixed to the light irradiation unit 43, so that the light irradiation unit 43 is normal to the substrate 9. It is possible to move in a direction parallel to the direction (Z direction in FIG. 10). Further, the light irradiation unit 43 is smoothly guided in the Z direction by the guide unit 48.

図10のヘッド部4aを有するパターン形成装置にて基板9上にリブパターンを形成する際には、まず、基板9がステージ20上に載置され、続いて、光照射部43からの照射光の出射が開始される(図4:ステップS11)。また、シリンダ機構47の駆動が開始されることにより、光照射部43が基板9の法線方向に僅かな距離だけ(例えば、基準とされる位置からZ方向に±1mmの範囲内で)不規則に移動し始める(ステップS12)。その後、ノズル部421および光照射部43の基板9に対する相対移動、並びに、ノズル部421の各吐出口422からのパターン形成材料の吐出が開始され(ステップS13,S14)、基板9上にパターン形成材料が吐出されつつ基板9上に吐出された直後のパターン形成材料に光照射部43からの照射光が照射される。   When the rib pattern is formed on the substrate 9 by the pattern forming apparatus having the head portion 4a of FIG. 10, first, the substrate 9 is placed on the stage 20, and subsequently, the irradiation light from the light irradiation unit 43 is irradiated. Is started (FIG. 4: Step S11). In addition, when the driving of the cylinder mechanism 47 is started, the light irradiation unit 43 is indistinguishable by a slight distance in the normal direction of the substrate 9 (for example, within ± 1 mm in the Z direction from the reference position). It starts moving to the rule (step S12). Thereafter, relative movement of the nozzle unit 421 and the light irradiation unit 43 with respect to the substrate 9 and the discharge of the pattern forming material from each discharge port 422 of the nozzle unit 421 are started (steps S13 and S14), and pattern formation is performed on the substrate 9. While the material is being discharged, the pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 is irradiated with the irradiation light from the light irradiation unit 43.

このとき、光照射部43が基板9の法線方向に僅かな距離だけ不規則に移動することにより、複数の吐出口422から吐出されて対象面91上に付着したパターン形成材料に照射される照射光の照度が、基板9上のY方向の位置に応じて不規則に変化することとなる。その結果、基板9上に形成される全てのリブにおいて、Y方向の複数の位置における幅が不規則に変化する。   At this time, the light irradiation unit 43 moves irregularly by a slight distance in the normal direction of the substrate 9 to irradiate the pattern forming material discharged from the plurality of discharge ports 422 and attached on the target surface 91. The illuminance of the irradiation light changes irregularly according to the position in the Y direction on the substrate 9. As a result, in all the ribs formed on the substrate 9, the widths at a plurality of positions in the Y direction change irregularly.

そして、基板9の(+Y)側の端部近傍がノズル部421の真下に達すると、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS15)。その後、基板9の移動が停止されるとともに(ステップS16)、シリンダ機構47の駆動、および、光照射部43からの照射光の出射も停止される(ステップS17,S18)。   Then, when the vicinity of the end on the (+ Y) side of the substrate 9 reaches directly below the nozzle portion 421, the discharge of the pattern forming material is stopped (step S15). Thereafter, the movement of the substrate 9 is stopped (step S16), and the driving of the cylinder mechanism 47 and the emission of irradiation light from the light irradiation unit 43 are also stopped (steps S17 and S18).

以上に説明したように、図10のヘッド部4aを有するパターン形成装置では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、光照射部43がノズル部421に対して基板9の法線方向に僅かな距離だけ不規則に移動することにより、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料の全体に対する照射光の照度が、容易に不規則に変更される。これにより、基板9上の各リブにおいてY方向の複数の位置における幅を不規則に変動させることができ、基板9上のリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。なお、光照射部43をZ方向に移動する機構は、ソレノイドや振動子等により実現されてもよい。   As described above, in the pattern forming apparatus having the head unit 4a of FIG. 10, the light irradiation unit 43 is normal to the nozzle unit 421 while the pattern forming material is ejected from the nozzle unit 421. By irregularly moving in a direction by a slight distance, the illuminance of irradiation light on the entire pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 is easily changed irregularly. As a result, the widths of the ribs on the substrate 9 at a plurality of positions in the Y direction can be irregularly varied, and unevenness of the rib pattern on the substrate 9 can be suppressed. The mechanism for moving the light irradiation unit 43 in the Z direction may be realized by a solenoid, a vibrator, or the like.

また、図11に示すように、光源ユニット432に外部からの変調制御が可能な電源437が設けられる場合には、制御部5の制御により電源437から光源433に付与される電圧の大きさを不規則に変更して、光照射部43からの照射光の強度を不規則に変更することも可能である。ただし、このような電源437は比較的高価なものとなる。   As shown in FIG. 11, when the light source unit 432 is provided with a power source 437 capable of external modulation control, the magnitude of the voltage applied from the power source 437 to the light source 433 is controlled by the control unit 5. It is also possible to change the intensity of the irradiation light from the light irradiation unit 43 irregularly by changing it irregularly. However, such a power source 437 is relatively expensive.

図12は本発明の第3の実施の形態に係るパターン形成装置のヘッド部4bの構成を示す図であり、図12では光照射部43およびノズル部421の端部近傍のみを示している。図12のヘッド部4bでは、光照射部43を吐出口422の配列方向(すなわち、X方向)に平行な回動軸J3を中心として微小角度だけ回動する回動機構47aが設けられる。   FIG. 12 is a diagram showing the configuration of the head portion 4b of the pattern forming apparatus according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 12, only the vicinity of the ends of the light irradiation portion 43 and the nozzle portion 421 is shown. In the head unit 4b of FIG. 12, a rotation mechanism 47a that rotates the light irradiation unit 43 by a minute angle around a rotation axis J3 parallel to the arrangement direction of the discharge ports 422 (that is, the X direction) is provided.

図12のヘッド部4bを有するパターン形成装置にて基板9上にリブパターンを形成する際には、まず、光照射部43からの光の出射が開始されるとともに(図4:ステップS11)、回動機構47aの駆動が開始されることにより、光照射部43が回動軸J3を中心として所定の微小な回転角の範囲内で不規則に回動し始める(ステップS12)。その後、ノズル部421および光照射部43の基板9に対する相対移動、並びに、ノズル部421の各吐出口422からのパターン形成材料の吐出が開始される(ステップS13,S14)。これにより、複数の吐出口422からX方向に配列された状態でパターン形成材料が基板9上に吐出されるとともに、基板9上に吐出された直後のパターン形成材料を横断する線状の照射領域に、光照射部43からの照射光が照射される。   When a rib pattern is formed on the substrate 9 by the pattern forming apparatus having the head portion 4b of FIG. 12, first, emission of light from the light irradiation portion 43 is started (FIG. 4: step S11). When the rotation mechanism 47a starts to be driven, the light irradiation unit 43 starts to rotate irregularly within a predetermined minute rotation angle centering on the rotation axis J3 (step S12). Thereafter, the relative movement of the nozzle part 421 and the light irradiation part 43 with respect to the substrate 9 and the discharge of the pattern forming material from each discharge port 422 of the nozzle part 421 are started (steps S13 and S14). Thereby, the pattern forming material is discharged onto the substrate 9 while being arranged in the X direction from the plurality of discharge ports 422, and a linear irradiation region that crosses the pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 Then, the irradiation light from the light irradiation unit 43 is irradiated.

このとき、光照射部43が回動軸J3を中心として不規則に回動することにより、基板9上に照射される照射光のY方向における照射範囲(図12中に符号R1を付す矢印にて示す範囲)が吐出口422に対して僅かに(例えば、回転角が0度の場合の位置からY方向に±1mmの範囲内で)かつ不規則に変更される。これにより、基板9上に形成される各リブではY方向の複数の部位において、パターン形成材料の吐出後、照射光が照射されるまでの時間が相違し、重力等による形状の崩れ具合がばらつくこととなる。なお、図12では、ある回転角だけ回動した際の光照射部43を二点鎖線にて示している。   At this time, the light irradiation unit 43 rotates irregularly about the rotation axis J3, so that the irradiation range in the Y direction of the irradiation light irradiated on the substrate 9 (indicated by the arrow labeled R1 in FIG. 12). Is slightly changed with respect to the discharge port 422 (for example, within a range of ± 1 mm in the Y direction from the position where the rotation angle is 0 degree). Thereby, in each rib formed on the substrate 9, the time until the irradiation light is irradiated after the discharge of the pattern forming material is different in a plurality of portions in the Y direction, and the shape collapsed due to gravity or the like varies. It will be. In addition, in FIG. 12, the light irradiation part 43 at the time of rotating only a certain rotation angle is shown with the dashed-two dotted line.

そして、基板9の(+Y)側の端部近傍がノズル部421の真下に達すると、パターン形成材料の吐出が停止される(ステップS15)。その後、基板9の移動が停止されるとともに(ステップS16)、回動機構47aの駆動、および、光照射部43からの照射光の出射も停止される(ステップS17,S18)。   Then, when the vicinity of the end on the (+ Y) side of the substrate 9 reaches directly below the nozzle portion 421, the discharge of the pattern forming material is stopped (step S15). Thereafter, the movement of the substrate 9 is stopped (step S16), and the driving of the rotation mechanism 47a and the emission of the irradiation light from the light irradiation unit 43 are also stopped (steps S17 and S18).

以上に説明したように、図12のヘッド部4bを有するパターン形成装置では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、光照射部43を回動軸J3を中心として不規則に回動することにより、ノズル部421の基板9に対する相対的な移動方向に関して、照射光の照射領域が吐出口422に対して不規則に微小移動し、複数の吐出口422から基板9上に吐出された直後のパターン形成材料の全体に対する照射光の移動方向の照射範囲が不規則に変更される。これにより、基板9上の各リブにおいてY方向の複数の位置における幅を不規則に変動させることができ、基板9上のリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。なお、基板9上に形成される全てのリブでは、幅が極小または極大となるY方向の位置がほぼ同じとなる。また、照射光の照射領域を吐出口422に対して微小に移動する手法は、例えば、光照射部43をノズル部421に対してY方向に移動する機構を設けることにより実現されてもよい。   As described above, in the pattern forming apparatus having the head part 4b of FIG. 12, the light irradiation part 43 is rotated irregularly around the rotation axis J3 while the pattern forming material is discharged from the nozzle part 421. By moving, the irradiation region of the irradiation light minutely moves irregularly with respect to the discharge port 422 with respect to the relative movement direction of the nozzle portion 421 with respect to the substrate 9 and is discharged onto the substrate 9 from the plurality of discharge ports 422. The irradiation range in the moving direction of the irradiation light with respect to the entire pattern forming material immediately after is changed irregularly. As a result, the widths of the ribs on the substrate 9 at a plurality of positions in the Y direction can be irregularly varied, and unevenness of the rib pattern on the substrate 9 can be suppressed. It should be noted that all ribs formed on the substrate 9 have substantially the same position in the Y direction where the width is minimized or maximized. Further, the method of moving the irradiation region of the irradiation light minutely with respect to the ejection port 422 may be realized by providing a mechanism for moving the light irradiation unit 43 in the Y direction with respect to the nozzle unit 421, for example.

以上のように、上記の第1ないし第3の実施の形態に係るパターン形成装置では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、基板9および吐出されたパターン形成材料上における照射光の照射領域のほぼ全体において、パターン形成材料上における照射光の照度分布、照度、または、移動方向における照射範囲が不規則に変更されることにより、リブのパターンのムラが抑制されるが、照射光の照度分布、照度、または、移動方向における照射範囲の変更は、必ずしも照射領域の全体に対して行われる必要はない。   As described above, in the pattern forming apparatus according to the first to third embodiments, irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421. Irregularly changing the illumination distribution, illumination intensity, or irradiation range in the moving direction of the irradiation light on the pattern forming material in almost the entire irradiation area of the pattern, the unevenness of the rib pattern is suppressed. It is not always necessary to change the illumination distribution, the illumination intensity, or the irradiation range in the moving direction of the light.

例えば、図1のパターン形成装置1において、図3のマスク46に代えて図13に示すマスク46bが用いられてもよく、マスク46bでは、2次元に配列された複数の矩形領域461においてY方向に並ぶ矩形領域461の列を矩形領域列462として、一部の矩形領域列462a(以下、「特定矩形領域列462a」という。)に含まれる矩形領域461のみが透過率が不規則に変更され、残りの矩形領域列462では各矩形領域461の透過率が一定とされる。また、図13のマスク46bでは、複数の特定矩形領域列462aが互いに隣接して設けられる。   For example, in the pattern forming apparatus 1 of FIG. 1, the mask 46 b shown in FIG. 13 may be used instead of the mask 46 of FIG. 3. In the mask 46 b, the Y direction in a plurality of rectangular regions 461 arranged two-dimensionally. The rectangular regions 461 arranged in a row are defined as rectangular region columns 462, and only the rectangular regions 461 included in some of the rectangular region columns 462a (hereinafter referred to as “specific rectangular region columns 462a”) have irregularly changed transmittance. In the remaining rectangular area row 462, the transmittance of each rectangular area 461 is constant. Further, in the mask 46b of FIG. 13, a plurality of specific rectangular area rows 462a are provided adjacent to each other.

マスク46bを有するパターン形成装置では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域中にて、特定矩形領域列462aにほぼ対向する領域であって、X方向に配列設定された複数の部分領域において、パターン形成材料上における照射光の照度分布が不規則に変更される。これにより、X方向に関してその位置が部分領域の範囲に含まれる各リブでは、Y方向の複数の部位においてX方向の幅が不規則に変化し、この場合においても、基板9上に形成されるリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。ただし、このように複数の部分領域においてのみ照度分布を経時的に不規則に変更させる場合に、リブのパターンのムラを適切に抑制するという観点では、基板9上に形成されるリブの総数のうち30%以上(好ましくは50%以上)の個数のリブにおいて幅がY方向に関して不規則に変更されることが好ましく、より好ましくは、照度分布が不規則に変更される複数の(例えば、3以上の)部分領域は照射領域中にてX方向に均等に配置される。   In the pattern forming apparatus having the mask 46b, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the specific rectangular region row 462a is substantially arranged in the irradiation region of the irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material. The illuminance distribution of the irradiation light on the pattern forming material is irregularly changed in a plurality of partial regions arranged in the X direction that are opposed to each other. Thereby, in each rib whose position is included in the range of the partial region with respect to the X direction, the width in the X direction changes irregularly at a plurality of portions in the Y direction, and in this case also, the rib is formed on the substrate 9. It is possible to suppress unevenness of the rib pattern. However, when the illuminance distribution is irregularly changed over time only in a plurality of partial regions in this way, from the viewpoint of appropriately suppressing unevenness of the rib pattern, the total number of ribs formed on the substrate 9 Of these, the width is preferably irregularly changed in the Y direction in the number of ribs of 30% or more (preferably 50% or more), and more preferably, a plurality of (for example, 3) the illuminance distribution is irregularly changed. The above partial areas are evenly arranged in the X direction in the irradiation area.

また、図13のマスク46bに代えて図14に示すマスク46cが用いられてもよく、図14のマスク46cでは、特定矩形領域列462aが互いに離れて設けられる。この場合、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域中にて、特定矩形領域列462aにほぼ対向する領域であって、X方向に配列設定された複数の部分領域において、パターン形成材料上における照射光の照度が不規則に変更されることとなり、基板9上に形成されるリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。なお、図13および図14のマスク46b,46cでは、複数の特定矩形領域列462aにおいてY方向の各位置の透過率が互いに不規則に異なっていることが好ましいが、複数の特定矩形領域列462aにおいてY方向の各位置の透過率が同じとなる場合でも、Y方向の複数の位置にて透過率が不規則に変化している限り、基板9上のリブのパターンのムラを抑制することは可能である。   Further, a mask 46c shown in FIG. 14 may be used instead of the mask 46b of FIG. 13, and in the mask 46c of FIG. 14, the specific rectangular region rows 462a are provided apart from each other. In this case, while the pattern forming material is being discharged from the nozzle portion 421, the region substantially opposite to the specific rectangular region row 462a in the irradiation region of the irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material. In the plurality of partial regions arranged in the X direction, the illuminance of the irradiation light on the pattern forming material is irregularly changed, and unevenness of the pattern of the ribs formed on the substrate 9 can be suppressed. It becomes possible. In the masks 46b and 46c in FIGS. 13 and 14, it is preferable that the transmittances at the respective positions in the Y direction are irregularly different from each other in the plurality of specific rectangular region rows 462a, but the plurality of specific rectangular region rows 462a. Even in the case where the transmittance at each position in the Y direction is the same, as long as the transmittance changes irregularly at a plurality of positions in the Y direction, it is possible to suppress unevenness of the rib pattern on the substrate 9. Is possible.

また、図15に示すように、光照射部43が複数の照射ブロック430の集合として設けられ、一部の照射ブロック(図15中にて符号430aを付して示す。)のそれぞれに対して図10のシリンダ機構47を設け、他の照射ブロック430はノズル部421に対して固定し、リブパターンの形成時に照射ブロック430aをZ方向に不規則に移動することにより、光照射部43からの照射光が照射される照射領域中にて、それぞれが照射ブロック430aにほぼ対向する複数の部分領域(この場合、複数の部分領域は照射領域のおよそ50%の面積を占める。)において、パターン形成材料上における照射光の照度が不規則に変更されてもよい。   Further, as shown in FIG. 15, the light irradiation unit 43 is provided as a set of a plurality of irradiation blocks 430, and each of some irradiation blocks (indicated by reference numeral 430a in FIG. 15). 10 is provided, the other irradiation block 430 is fixed to the nozzle portion 421, and the irradiation block 430a is irregularly moved in the Z direction when the rib pattern is formed. Pattern formation is performed in a plurality of partial regions (in this case, the plurality of partial regions occupy an area of approximately 50% of the irradiation region) that are substantially opposed to the irradiation block 430a in the irradiation region irradiated with the irradiation light. The illuminance of the irradiation light on the material may be changed irregularly.

図16はさらに他の例に係るパターン形成装置のヘッド部4cを示す図である。図16のヘッド部4cでは、光照射部43(図16に示す光照射部43では、上部が図2のものよりもY方向に太くなっている。)を基板9の法線方向(すなわち、Z方向)に平行な回動軸J4を中心として、不規則に微小角度だけ回動する回動機構47bが設けられる。   FIG. 16 is a diagram showing a head portion 4c of a pattern forming apparatus according to still another example. In the head part 4c of FIG. 16, the light irradiation part 43 (in the light irradiation part 43 shown in FIG. 16, the upper part is thicker in the Y direction than that of FIG. 2) is set in the normal direction of the substrate 9 (that is, A rotation mechanism 47b that rotates about a rotation angle irregularly around a rotation axis J4 parallel to the (Z direction) is provided.

図17は、光照射部43の回動動作を説明するための図である。図17では照射光の基板9上における照射領域を符号B1を付す破線の矩形にて示し、光照射部43がある角度だけ回動した際の照射領域B1も二点鎖線にて図示している。   FIG. 17 is a diagram for explaining the rotation operation of the light irradiation unit 43. In FIG. 17, the irradiation area of the irradiation light on the substrate 9 is indicated by a broken-line rectangle denoted by reference numeral B <b> 1, and the irradiation area B <b> 1 when the light irradiation unit 43 is rotated by a certain angle is also indicated by a two-dot chain line. .

図17に示すように、光照射部43からの照射光の照射領域B1は、複数の吐出口422から基板9上に吐出された直後のパターン形成材料(図17では、二点鎖線にて基板9上に吐出されたパターン形成材料80を図示している。)を横断する線状となっており、図17中に実線および二点鎖線にて示すように、照射領域B1の吐出口422に対するY方向の範囲は、光照射部43の回動により、X方向に関して回動軸J4から離れた部分では回動軸J4からの距離が大きくなるに従って大きく変化し、回動軸J4の近傍の部分ではほとんど変化しない。   As shown in FIG. 17, the irradiation region B1 of the irradiation light from the light irradiation unit 43 is a pattern forming material immediately after being discharged onto the substrate 9 from the plurality of discharge ports 422 (in FIG. 17, the substrate is indicated by a two-dot chain line). The pattern forming material 80 ejected on the substrate 9 is shown in a line that crosses the surface. As shown by the solid line and the two-dot chain line in FIG. The range in the Y direction changes greatly as the distance from the rotation axis J4 increases as the distance from the rotation axis J4 increases in the portion away from the rotation axis J4 with respect to the X direction due to the rotation of the light irradiation unit 43. Then it hardly changes.

このように、図16のヘッド部4cを有するパターン形成装置では、ノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、回動機構47bが照射光の照射領域B1を回動軸J4を中心として不規則に微小回動することにより、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域B1中にて、X方向に関して回動軸J4から離れた各吐出口422に対応する部分領域において、パターン形成材料上における照射光のY方向における照射範囲が不規則に変更される。これにより、基板9上に形成されるリブのパターンのムラを抑制することが可能となる。   As described above, in the pattern forming apparatus having the head portion 4c of FIG. 16, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421, the rotation mechanism 47b focuses the irradiation region B1 of the irradiation light around the rotation axis J4. The partial region corresponding to each discharge port 422 that is separated from the rotation axis J4 in the X direction in the irradiation region B1 of the irradiation light on the substrate 9 and the discharged pattern forming material by irregularly rotating slightly. The irradiation range in the Y direction of the irradiation light on the pattern forming material is irregularly changed. Thereby, unevenness of the pattern of the ribs formed on the substrate 9 can be suppressed.

以上のように、パターン形成装置では、基板9に沿って相対的に移動するノズル部421からパターン形成材料が吐出される間に、図2のマスク移動機構45、図7のマスク移動機構45a、図9のモータ436、図10のシリンダ機構47、図11の電源437、図12の回動機構47a、並びに、図16の回動機構47bのそれぞれが照射光変更部として作動することにより、基板9および吐出されたパターン形成材料上の照射光の照射領域のほぼ全体において、または、当該照射領域中にて移動方向に垂直な方向に配列された複数の部分領域において、パターン形成材料上における照射光の照度分布、照度、または、移動方向における照射範囲が不規則に変更され、基板9上に形成されるリブのパターンのムラが抑制される。パターン形成装置の設計によっては、照射光の照度分布および照射範囲、または、照度および照射範囲の双方を不規則に変更することも可能である。   As described above, in the pattern forming apparatus, the mask moving mechanism 45 in FIG. 2, the mask moving mechanism 45 a in FIG. 7, while the pattern forming material is discharged from the nozzle portion 421 that moves relatively along the substrate 9. The motor 436 in FIG. 9, the cylinder mechanism 47 in FIG. 10, the power source 437 in FIG. 11, the rotation mechanism 47a in FIG. 12, and the rotation mechanism 47b in FIG. 9 and irradiation on the pattern forming material in almost the entire irradiation region of the irradiation light on the discharged pattern forming material or in a plurality of partial regions arranged in a direction perpendicular to the moving direction in the irradiation region. The illuminance distribution, the illuminance, or the irradiation range in the moving direction is irregularly changed, and the unevenness of the rib pattern formed on the substrate 9 is suppressed. Depending on the design of the pattern forming apparatus, it is possible to irregularly change the illuminance distribution and irradiation range of the irradiation light, or both the illuminance and irradiation range.

以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。   Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made.

例えば、パターン形成装置にて形成されるパターンは格子状のものとされてもよい。図18は格子状のパターン8aの一部を示す図であり、図19は図18中の矢印A−Aの位置におけるパターン8aの縦断面図である。格子状のパターン8aが形成される際には、まず、ストライプ状の複数のリブ81aにより構成されるパターンが基板9上に形成され、その後、ノズル部421が吐出口422のピッチが異なるものへと変更され、基板9の向きを90度変更してリブ81aの上に複数のパターン要素81bにより構成されるパターンが形成される(ただし、基板9上のリブ81aと干渉しないようにノズル部421と基板9との間の間隔が調整される。)。そして、パターン8aが焼成されることにより、例えば、プラズマ表示装置用のリブとされる。リブ81a,81bが形成される際にも、上記第1ないし第3の実施の形態と同様に、吐出されたパターン形成材料上における照射光の照度分布、照度、または、移動方向における照射範囲が経時的に不規則に変更されることにより、基板9上に形成される格子状のリブのパターン8aのムラを抑制することが可能である。   For example, the pattern formed by the pattern forming apparatus may be a lattice pattern. FIG. 18 is a view showing a part of the lattice-like pattern 8a, and FIG. 19 is a longitudinal sectional view of the pattern 8a at the position of the arrow AA in FIG. When the lattice pattern 8a is formed, first, a pattern composed of a plurality of stripe-shaped ribs 81a is formed on the substrate 9, and then the nozzle portion 421 has a different pitch of the discharge ports 422. The pattern of the plurality of pattern elements 81b is formed on the rib 81a by changing the orientation of the substrate 9 by 90 degrees (however, the nozzle portion 421 is provided so as not to interfere with the rib 81a on the substrate 9). And the distance between the substrate 9 and the substrate 9 is adjusted). Then, the pattern 8a is baked to form, for example, a rib for a plasma display device. Even when the ribs 81a and 81b are formed, as in the first to third embodiments, the illuminance distribution, illuminance, or irradiation range in the movement direction of the irradiated light on the discharged pattern forming material By irregularly changing over time, it is possible to suppress unevenness of the lattice-shaped rib pattern 8 a formed on the substrate 9.

パターン形成に用いられる光硬化性のパターン形成材料は、紫外線以外の波長帯の光に対する硬化性を有するものであってもよい。この場合、光照射部43から出射される光は当該波長帯を含むものとされる。また、パターン形成材料は、低軟化点ガラスフリットを含むものが好ましいが、パターンが形成される基板の用途によっては、他の材料を用いることも可能であり、パターン形成材料は、パターン形成後に焼成が行われないものであってもよい。   The photocurable pattern forming material used for pattern formation may have a curability for light in a wavelength band other than ultraviolet rays. In this case, the light emitted from the light irradiation unit 43 includes the wavelength band. The pattern forming material preferably contains a low softening point glass frit, but other materials can be used depending on the use of the substrate on which the pattern is formed. The pattern forming material is fired after the pattern is formed. May not be performed.

パターン形成装置では、ステージ20上の基板9がヘッド部に対してY方向に移動するが、ヘッド部が基板9に対してY方向に移動してもよい。すなわち、パターン形成装置におけるノズル部421および光照射部43の基板9に対するY方向への移動は、相対的なものであればよい。   In the pattern forming apparatus, the substrate 9 on the stage 20 moves in the Y direction with respect to the head unit, but the head unit may move in the Y direction with respect to the substrate 9. That is, the movement of the nozzle part 421 and the light irradiation part 43 in the Y direction with respect to the substrate 9 in the pattern forming apparatus may be relative.

また、パターン形成装置は、電界放出表示装置(Field Emission Display)用の基板におけるスペーサのパターンの形成等に用いられてもよく、表示装置以外に利用されるガラス基板、回路基板、セラミック基板、半導体基板等にパターンを形成する場合に利用されてもよい。パターン形成装置では、一の方向に関して等ピッチにて配列される線状の複数のパターン要素にて構成されるパターンを様々な基板上に当該パターンのムラを抑制しつつ形成することが可能である。   Further, the pattern forming apparatus may be used for forming a spacer pattern on a substrate for a field emission display, and is used for a glass substrate, a circuit board, a ceramic substrate, a semiconductor other than the display device. It may be used when a pattern is formed on a substrate or the like. In the pattern forming apparatus, it is possible to form a pattern composed of a plurality of linear pattern elements arranged at equal pitches in one direction while suppressing unevenness of the pattern on various substrates. .

第1の実施の形態に係るパターン形成装置の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pattern formation apparatus which concerns on 1st Embodiment. ノズル部および光照射部の先端近傍を拡大して示す図である。It is a figure which expands and shows the tip vicinity of a nozzle part and a light irradiation part. マスクの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of mask. 基板上にリブパターンを形成する動作の流れを示す図である。It is a figure which shows the flow of the operation | movement which forms a rib pattern on a board | substrate. 基板上に形成されるリブを示す平面図である。It is a top view which shows the rib formed on a board | substrate. 樹脂フィルムの透過率と波長との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the transmittance | permeability of a resin film, and a wavelength. マスク移動機構の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a mask moving mechanism. マスクの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a mask. 第2の実施の形態に係る光源ユニットの構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the light source unit which concerns on 2nd Embodiment. ヘッド部の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a head part. 光源ユニットの他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a light source unit. 第3の実施の形態に係るヘッド部の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the head part which concerns on 3rd Embodiment. マスクのさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a mask. マスクのさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a mask. 光照射部の他の例を示す図である。It is a figure which shows the other example of a light irradiation part. ヘッド部のさらに他の例を示す図である。It is a figure which shows the further another example of a head part. 光照射部の回動動作を説明するための図である。It is a figure for demonstrating rotation operation | movement of a light irradiation part. 格子状のパターンの一部を示す図である。It is a figure which shows a part of lattice-like pattern. 格子状のパターンの断面図である。It is sectional drawing of a grid | lattice-like pattern.

符号の説明Explanation of symbols

1 パターン形成装置
2 ステージ移動機構
8,8a パターン
9 基板
43 光照射部
45,45a マスク移動機構
46,46a〜46c マスク
47 シリンダ機構
47a,47b 回動機構
80 パターン形成材料
81,81a,81b リブ
421 ノズル部
422 吐出口
436 モータ
437 電源
B1 照射領域
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pattern formation apparatus 2 Stage moving mechanism 8, 8a Pattern 9 Substrate 43 Light irradiation part 45, 45a Mask moving mechanism 46, 46a-46c Mask 47 Cylinder mechanism 47a, 47b Rotating mechanism 80 Pattern forming material 81, 81a, 81b Rib 421 Nozzle part 422 Discharge port 436 Motor 437 Power supply B1 Irradiation area

Claims (6)

基板上にパターンを形成するパターン形成装置であって、
複数の吐出口から光硬化性を有するパターン形成材料を基板上に吐出するノズル部と、
前記基板上に吐出されたパターン形成材料に照射光を照射する光照射部と、
前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に、前記ノズル部および前記光照射部を前記基板に沿う移動方向に前記ノズル部を先行させつつ前記基板に対して相対的かつ連続的に移動することにより、前記移動方向に垂直な方向に関して等ピッチにて配列された線状の複数のパターン要素にて構成されるパターンを前記基板上に形成する移動機構と、
前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に、前記基板および前記パターン形成材料上の前記照射光の照射領域のほぼ全体において、または、前記照射領域中にて前記移動方向に垂直な方向に配列設定された複数の部分領域において、前記パターン形成材料上における前記照射光の照度、照度分布、または、前記移動方向における照射範囲を不規則に変更する照射光変更部と、
を備えることを特徴とするパターン形成装置。
A pattern forming apparatus for forming a pattern on a substrate,
A nozzle part for discharging a pattern forming material having photocurability from a plurality of discharge ports onto a substrate;
A light irradiation unit for irradiating the pattern forming material discharged on the substrate with irradiation light;
While the pattern forming material is discharged from the nozzle portion, the nozzle portion and the light irradiation portion move relatively and continuously with respect to the substrate while the nozzle portion is advanced in the moving direction along the substrate. A moving mechanism for forming on the substrate a pattern composed of a plurality of linear pattern elements arranged at an equal pitch with respect to a direction perpendicular to the moving direction;
While the pattern forming material is discharged from the nozzle portion, the irradiation region of the irradiation light on the substrate and the pattern forming material is almost entirely or in a direction perpendicular to the moving direction in the irradiation region. In the plurality of partial regions that are arranged, the illumination light changing unit that irregularly changes the illumination intensity of the illumination light on the pattern forming material, the illumination distribution, or the illumination range in the moving direction;
A pattern forming apparatus comprising:
請求項1に記載のパターン形成装置であって、
前記照射光変更部が、前記光照射部と前記基板との間の光路上に配置されるマスクの透過率の分布を、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に不規則に変更する機構であることを特徴とするパターン形成装置。
The pattern forming apparatus according to claim 1,
The irradiation light changing unit irregularly changes the distribution of transmittance of a mask disposed on the optical path between the light irradiation unit and the substrate while the pattern forming material is discharged from the nozzle unit. A pattern forming apparatus characterized by being a mechanism.
請求項2に記載のパターン形成装置であって、
前記マスクが前記基板に平行に移動することにより、前記光路上における前記マスクの透過率の分布が変更されることを特徴とするパターン形成装置。
The pattern forming apparatus according to claim 2,
The pattern forming apparatus, wherein the mask is moved in parallel with the substrate to change the transmittance distribution of the mask on the optical path.
請求項1に記載のパターン形成装置であって、
前記光照射部からの前記照射光の前記基板上における照射領域が前記パターン形成材料を横断する線状であり、
前記照射光変更部が、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に前記照射領域を前記移動方向に前記複数の吐出口に対して不規則に微小移動する、または、前記照射領域を前記基板の法線方向に平行な回動軸を中心として不規則に微小回動する機構であることを特徴とするパターン形成装置。
The pattern forming apparatus according to claim 1,
The irradiation region on the substrate of the irradiation light from the light irradiation unit is a line that crosses the pattern forming material,
The irradiation light changing unit irregularly minutely moves the irradiation region with respect to the plurality of discharge ports in the movement direction while the pattern forming material is discharged from the nozzle unit, or A pattern forming apparatus, characterized in that it is a mechanism that irregularly rotates about a rotation axis parallel to the normal direction of the substrate.
請求項1に記載のパターン形成装置であって、
前記照射光変更部が、前記ノズル部からパターン形成材料が吐出される間に前記光照射部を前記基板の法線方向に不規則に移動する機構であることを特徴とするパターン形成装置。
The pattern forming apparatus according to claim 1,
The pattern forming apparatus, wherein the irradiation light changing unit is a mechanism that irregularly moves the light irradiation unit in a normal direction of the substrate while a pattern forming material is discharged from the nozzle unit.
請求項1ないし5のいずれかに記載のパターン形成装置であって、
前記照射光変更部により不規則に変更される前記照射光の前記照度の変動幅が、前記照射領域における空間的かつ時間的な照度の平均値の2%以上10%以下であることを特徴とするパターン形成装置。
The pattern forming apparatus according to any one of claims 1 to 5,
The fluctuation range of the illuminance of the irradiation light irregularly changed by the irradiation light changing unit is 2% to 10% of an average value of spatial and temporal illuminance in the irradiation region, Pattern forming apparatus.
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