JP2008108657A - Magnetron - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高周波利用装置等に用いられるノイズの低減が図られたマグネトロンに関するものである。 The present invention relates to a magnetron with reduced noise used in a high frequency utilization device or the like.
従来のマグネトロンについて図面を用いて説明する。 A conventional magnetron will be described with reference to the drawings.
図8は、従来品におけるマグネトロンの電子が運動する作用空間部分を示した縦断面図である。このマグネトロンは、陽極筒体1の内側に複数の板状ベイン2(この図では2枚のみ見えている)が放射状に配置され、これら板状ベイン2は均圧リング9,10,11,12によって1枚おきに連結されている。このように均圧リング9,10,11,12を1枚おきに連結することにより、マグネトロンがπモードで安定して発振するようになる。そして、陽極筒体1の軸心に沿って、コイル状のフィラメント3と一対のエンドハット6,7および陰極支持棒8からなる陰極13が装備されている。このフィラメント3はトリウムを1〜2%含有するタングステンで形成され、表面を浸炭することによって仕事関数を下げ電子が放出しやすくなる工夫が施されている。さらに一対のエンドハット6,7は、フィラメント3の管軸方向両端部に電子が管軸方向に漏洩するのを抑制するために配置され、フィラメント3の端部3a,3bと固着されている。ここで、エンドハット6,7に固着されているフィラメント3の端部3a,3bは浸炭されていないため仕事関数が高く、ほとんど電子放出を行わず、実際に電子放出を行う電子放出部はフィラメント3における浸炭されておりエンドハット6,7に固着されていない軸方向自由長領域である。
FIG. 8 is a longitudinal sectional view showing a working space portion in which electrons of a magnetron in a conventional product move. In this magnetron, a plurality of plate-like vanes 2 (only two are visible in this figure) are arranged radially inside the
このようなマグネトロンにおいて、従来、マグネトロンで発生したノイズを低減させる技術が提案されている(例えば、特許文献1参照)。 In such a magnetron, a technique for reducing noise generated in the magnetron has been conventionally proposed (for example, see Patent Document 1).
図9は、上記特許文献1で開示されたマグネトロンの陽極筒体内の一部分を示した縦断面図である。このマグネトロンは、図8の構成に加え、陰極13の両端部に金属製の円筒体4,5が配置されている。陰極13の入力側の円筒体4は入力側エンドハット6に固着されており、陰極13の出力側の円筒体5は出力側エンドハット7に固着されている。これらの円筒体4,5は、フィラメント3から放射された電子の広がりを抑制するものであり、マグネトロンがこれらの円筒体4,5を装備していることにより、30MHz〜200MHz帯のノイズを著しく低減することができる。
FIG. 9 is a longitudinal sectional view showing a part of the anode cylinder of the magnetron disclosed in
なお、図10は、本願発明者等が実測した、図8に示すこれらの円筒体4,5を全く設けていない従来品での1GHz以下のノイズレベルを示す波形図である。確かに、円筒体を全く設けていない従来品にあっては、ノイズが200MHz以下でとりわけ大きく、その点で特許文献1に記載があるように、30MHz〜200MHz帯のノイズの低減は有意義であることが分かる。
一般にマグネトロンは、陰極の電子放出部から放出された電子が、陰極と陽極の間に加えられた静電界による力と、管軸方向に加えられた静磁界によるローレンツ力により、陰極の周りを旋回しながら周回している。そして、板状ベインと陽極筒体および均圧リングにより形成される複数個の共振器の固有振動により、電子はバンチングされ電子束を形成する。すると、この電子束の回転により板状ベインに誘導電流が流れ、共振し、マイクロ波エネルギーに変換される。 In general, a magnetron swirls around the cathode by the force generated by the electrostatic field applied between the cathode and the anode and the Lorentz force generated by the static magnetic field applied in the tube axis direction. I am circling around. The electrons are bunched by the natural vibration of the plurality of resonators formed by the plate-shaped vane, the anode cylinder, and the pressure equalizing ring to form an electron bundle. Then, an induced current flows through the plate-shaped vane by the rotation of the electron bundle, resonates, and is converted into microwave energy.
この電子束の形状は、マグネトロンに結合された負荷によって決定されるマイクロ波電界の強度に依存し、発振周波数に大きな影響を与える。さらには、マイクロ波電界の強度が強く、その影響を受け電子束が鋭い形状になると、押し込められた電子の相互作用により、ノイズのレベルは上がる。図12は、位相を変化させたときのノイズレベルを表示したものである。 The shape of the electron flux depends on the intensity of the microwave electric field determined by the load coupled to the magnetron, and has a great influence on the oscillation frequency. Furthermore, if the intensity of the microwave electric field is strong and the electron bundle becomes sharp due to the influence, the noise level increases due to the interaction of the pushed-in electrons. FIG. 12 shows the noise level when the phase is changed.
また、電源線を伝搬するノイズや空間に放射されるノイズは、電界や磁界に歪みが生じ直交電磁界が保てない作用空間の管軸方向端部において主に発生していると考えられている。 In addition, noise that propagates through power lines and noise that is radiated into the space is considered to be mainly generated at the tube axis direction end of the working space where the electric field and magnetic field are distorted and the orthogonal electromagnetic field cannot be maintained. Yes.
それらの事実に鑑み、特許文献1で開示された技術では、管軸方向端部において放出された電子が運動できないよう、円筒体を設けている。
In view of these facts, in the technique disclosed in
ところが、特許文献1に開示された技術では、30MHz〜200MHz帯のノイズは低減させることができたものの、従来のマグネトロンに付属しているコイルやコンデンサ等で構成されるノイズフィルター(図示せず)では抑制が困難な30MHz以下の帯域については着目されていなかった。また特許文献1に開示された技術をもとに本願発明者等が行った実験では、作用空間内に円筒体4,5を配置することにより、作用空間内の静電界分布が変化してしまい、位相による負荷安定度が著しく劣化する傾向にあった。さらに、上記の特許文献1に開示された技術では、各円筒体4,5はエンドハット6,7に固着されていたものの、エンドハット6,7とはそれぞれ別体品であることから、部品点数を増加させると共に、組立寸法の精度確保が困難になるという問題があった。
However, in the technique disclosed in
本発明は、前述した問題点を解決するべく、上記知見に鑑みてなされたものであり、その目的は、位相による負荷安定度を劣化させることなく、30MHz以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができるマグネトロンを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above-mentioned knowledge in order to solve the above-mentioned problems, and the object thereof is to reduce noise in a low frequency band of 30 MHz or less without degrading load stability due to phase. And it is providing the magnetron which can ensure the precision of an assembly dimension, without increasing a number of parts.
上記目的は下記構成により達成される。 The above object is achieved by the following configuration.
(1)本発明のマグネトロンは、複数枚の板状ベインが中心軸に向かって放射状に配設されてなる円筒状の陽極筒体と、前記陽極筒体の中心軸上に陰極支持棒によって配設される陰極と、前記陰極を軸線方向に挟持する前記陰極支持棒上の位置に設けられた一対のエンドハットとを具備し、前記陰極の電子放出部が管軸方向に変位して配置されていて、かつ前記一対のエンドハットのうち入力側エンドハットはボス部が作用空間方向に径小となって延出し、前記ボス部の先端に段を有して更に細い径小ボス部が形成されており、前記入力側エンドハットの径小ボス部と前記陰極を構成するフィラメントの一方の端部が固着され、前記フィラメントの他方の端部が出力側エンドハットのボス部と固着されていることを特徴とする。 (1) A magnetron according to the present invention includes a cylindrical anode cylinder in which a plurality of plate-shaped vanes are arranged radially toward the central axis, and a cathode support rod disposed on the central axis of the anode cylinder. And a pair of end hats provided at positions on the cathode support rod that sandwich the cathode in the axial direction, and the electron emission portion of the cathode is arranged displaced in the tube axis direction. In addition, the input-side end hat of the pair of end hats has a boss portion with a small diameter extending in the direction of the working space, and has a step at the tip of the boss portion to form a narrower diameter small boss portion. A small-diameter boss portion of the input-side end hat and one end portion of the filament constituting the cathode are fixed, and the other end portion of the filament is fixed to the boss portion of the output-side end hat. It is characterized by that.
(2)上記(1)に記載のマグネトロンにおいて、前記入力側エンドハットのボス部が、作用空間方向にテーパー状に径小となって延出していることを特徴とする。 (2) In the magnetron according to the above (1), the boss portion of the input side end hat extends in a taper shape with a small diameter in the working space direction.
(3)高周波利用装置において、上記(1)または(2)に記載のマグネトロンを具備することを特徴とする。 (3) The high-frequency utilization apparatus includes the magnetron described in (1) or (2) above.
係る構成によれば、位相による負荷安定度を劣化させることなく、30MHz以下の低い周波数帯におけるノイズを低減でき、しかも、部品点数を増加することなく組立寸法の精度も確保することができる。 According to such a configuration, it is possible to reduce noise in a low frequency band of 30 MHz or less without deteriorating load stability due to phase, and it is possible to ensure the accuracy of assembly dimensions without increasing the number of components.
上記(1)に記載のマグネトロンによれば、浸炭されたフィラメントが管軸方向に対し変位して配置されているため、陰極のフィラメントが板状ベインと対向しない部分からは電子放出されず、ノイズに起因する不要電子の放出が抑制される。さらに、マイクロ波電界強度は、共振器の管軸方向中央部すなわち板状ベインの管軸方向中央部がもっとも強いと考えられるが、電子放出分布を変位させているため、電子が放出される位置でのマイクロ波電界の強度は、変位させていない場合より弱められ、マイクロ波電界から電子が受ける影響は小さくなる。これらのことから、30MHz以下の低い周波数帯におけるノイズを低減できる。また、陰極の両端各々に円筒体を設ける従来のマグネトロンと異なり、電子放出部自体の配置を変位させるだけであるので、部品点数の増加を防ぐとともに、組立は従来と同様に行え、組立寸法の精度を十分に確保することができる。さらに、電子が運動できる作用空間寸法は従来と何ら変わりないため、位相による負荷安定度は劣化しない。 According to the magnetron described in the above (1), since the carburized filaments are displaced with respect to the tube axis direction, electrons are not emitted from the portion where the cathode filament does not face the plate-shaped vane, and noise is generated. The emission of unwanted electrons due to the is suppressed. Furthermore, the microwave electric field strength is thought to be strongest at the tube axial center of the resonator, that is, the plate axial center of the plate-shaped vane. However, since the electron emission distribution is displaced, the position where electrons are emitted. The intensity of the microwave electric field at is weaker than when it is not displaced, and the influence of electrons on the microwave electric field is reduced. Therefore, noise in a low frequency band of 30 MHz or less can be reduced. In addition, unlike conventional magnetrons in which a cylindrical body is provided at each end of the cathode, it is only necessary to displace the arrangement of the electron emitters, so that the increase in the number of parts can be prevented and assembly can be performed in the same manner as in the past. Sufficient accuracy can be secured. Further, since the working space dimension in which the electrons can move is not different from the conventional one, the load stability due to the phase does not deteriorate.
上記(2)に記載のマグネトロンによれば、入力側エンドハットのボス部形状によって電界分布が急激に変化することなく、かつ電子の軸方向への拡散を抑制するため、負荷安定度が向上する。 According to the magnetron described in (2) above, the load stability is improved because the electric field distribution does not change abruptly due to the shape of the boss portion of the input side end hat and the diffusion of electrons in the axial direction is suppressed. .
上記(3)に記載の高周波利用装置によれば、30MHz以下の周波数帯におけるノイズの低ノイズ化が図れるので、コイルやコンデンサ等のノイズ対策部品が小容量のもので済み、その分、コストダウンが図れる。 According to the high frequency utilization device described in (3) above, noise can be reduced in a frequency band of 30 MHz or less, so that noise countermeasure parts such as coils and capacitors can be of a small capacity, and the cost can be reduced accordingly. Can be planned.
以下、本発明の好適な実施の形態に係るマグネトロンを図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, a magnetron according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1に係るマグネトロンの陰極部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図に示す陰極部分以外の構成は先の図8に示される従来のマグネトロンと同一構成であるので省略し、また図8と共通する構成には同一の符号を付けている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a partial longitudinal sectional view showing a cathode portion of a magnetron according to
図1において、本実施の形態のマグネトロンは、陰極支持棒8で支持された入力側エンドハット61と出力側エンドハット7の間にコイル状のフィラメント3が配置されている。特に、本実施の形態では、入力側エンドハット61は図8における形状に対し径の太い径大ボス部61aが作用空間内まで伸びており、径小ボス部61bとフィラメント3の端部3aが固着されている。出力側エンドハット7は従来と同形状であり、ボス部7aとフィラメント3の端部3bが固着されている。ここで、フィラメント3のエンドハット61およびエンドハット7に固着されていない、すなわち電子放出を行うことのできる管軸方向自由長部Fの寸法は、管軸方向寸法Hを9.5mmに設定してある板状ベイン2の約75%に設定されるとともに、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの位置が出力側に変位して配置されている。
1, in the magnetron of the present embodiment, a coiled
このように電子放出部を、管軸方向に短小化し、かつ作用空間に対し管軸方向に変位させることで、直交電磁界が保てない作用空間の管軸方向端部における電子放出が片側で抑制される。これにより、主に電源線を伝搬するノイズや空間に放射されるノイズの原因となる作用空間の管軸方向端部での電子運動を最小限に抑制しつつ、総電子放出量を調整することにより、位相による負荷安定度を劣化させることなく、従来技術に示された円筒体を陰極の両側に設ける場合よりも、広帯域に亘るノイズの低減が図れる。また、円筒体を設ける場合よりも部品点数が削減でき、かつ、組立寸法の精度を十分に確保することが可能となる。 In this way, by shortening the electron emitting portion in the tube axis direction and displacing it in the tube axis direction with respect to the working space, electron emission at the end portion in the tube axial direction of the working space where the orthogonal electromagnetic field cannot be maintained is on one side. It is suppressed. As a result, the amount of electron emission can be adjusted while minimizing the electron movement at the end of the working space in the tube axis direction, which mainly causes noise propagating through the power line and noise radiated into the space. Thus, noise over a wide band can be reduced as compared with the case where the cylindrical bodies shown in the prior art are provided on both sides of the cathode without degrading the load stability due to the phase. In addition, the number of parts can be reduced as compared with the case where a cylindrical body is provided, and the accuracy of assembly dimensions can be sufficiently ensured.
ここで、本願発明者等が実証のため行った、マイクロ波発振信号を測定した実験結果を示す。 Here, an experimental result of measuring a microwave oscillation signal performed by the inventors of the present application for verification is shown.
図2は、本実施の形態である、マグネトロンの電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法を板状ベイン2の管軸方向寸法Hの約75%に設定し、かつ、出力側に変位させた場合の30MHz以下のノイズレベルを示す波形図であり、図3は、電圧定在波比(VSWR)をVSWR≒1.5として位相を変化させたときの、各位相におけるノイズレベルを示す図である。図3において、横軸は測定に用いたスラグチューナの挿入位置を示している。実験に用いた導波管の管内波長は約140mmであるので、半波長の約70mmで同じ位置に戻る。また、図4は、電子放出部を板状ベインの管軸方向に対し変位させず中央に配置したまま、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法を変えたときのマグネトロンのノイズレベルの変化を示す図、図5は電子放出部を出力側に変位させて、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法を変えたときのマグネトロンの発振効率とノイズレベルの変化を示す図である。
FIG. 2 shows that the dimension of the tube axis direction free length F constituting the electron emission portion of the magnetron, which is the present embodiment, is set to about 75% of the dimension H of the
図2から明らかなように、本実施の形態の場合、図11に示した円筒体を全く設けていない従来品のノイズレベル特性と比較して、30MHz以下のノイズレベルが低減している。 As is apparent from FIG. 2, in the case of the present embodiment, the noise level of 30 MHz or less is reduced as compared with the noise level characteristic of the conventional product in which the cylindrical body shown in FIG. 11 is not provided.
また、図3から明らかなように、本実施の形態の場合、図12に示した円筒体を全く設けていない従来品のノイズレベル特性と比較して、位相によるノイズ変動が低く抑えられている。 Further, as is clear from FIG. 3, in the case of the present embodiment, the noise fluctuation due to the phase is suppressed lower than the noise level characteristic of the conventional product in which the cylindrical body shown in FIG. 12 is not provided at all. .
電子放出部の位置に関しては、図4から明らかなように、板状ベインの管軸方向に対し変位させず中央に配置したままでは、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法を変えてもノイズレベルにはほとんど変化が生じないが、図5から明らかなように、出力側へ変位させた場合、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法を変えるとノイズレベルも変化する。したがって、ノイズレベルを低減するためには、電子放出部を板状ベインの管軸方向に対し変位させることが有効である。 As is clear from FIG. 4, with respect to the position of the electron emission portion, the dimension of the free length portion F in the tube axis direction constituting the electron emission portion is set as it is without being displaced with respect to the tube axis direction of the plate-shaped vane. Even if it is changed, the noise level hardly changes, but as is apparent from FIG. 5, when it is displaced to the output side, if the dimension of the tube axis free length portion F forming the electron emitting portion is changed, the noise level is also changed. Change. Therefore, in order to reduce the noise level, it is effective to displace the electron emission portion with respect to the tube axis direction of the plate-shaped vane.
一方、電子放出部を成す管軸方向自由長部Fの寸法に関しては、図5から明らかなように、板状ベイン2の管軸方向寸法Hに対し50%以上であれば、マグネトロンの発振効率70%以上を確保することができる。これは、主に作用空間中央における電子運動が、マグネトロンの発振効率に寄与しているためである。さらに図5から明らかなように、板状ベイン2の管軸方向寸法Hに対し80%以下であれば、ノイズのレベルを80dB以下に低く抑えることが可能である。
On the other hand, as is apparent from FIG. 5, the dimension of the tube axis direction free length F constituting the electron emission part is 50% or more of the dimension H of the plate-shaped
(実施の形態2)
図6は、本発明の実施の形態2に係るマグネトロンの陰極部分を示す縦方向の部分断面図である。なお、この図に示す陰極部分以外の構成は前述した図8の従来のマグネトロンと同一構成であるので省略し、また図1,図8と共通する構成には同一の符号を付けている。
(Embodiment 2)
FIG. 6 is a partial vertical cross-sectional view showing the cathode portion of the magnetron according to the second embodiment of the present invention. Since the configuration other than the cathode portion shown in this figure is the same as that of the conventional magnetron of FIG. 8 described above, it is omitted, and the same reference numerals are given to the configurations common to FIGS.
図6において、本実施の形態のマグネトロンは、上記した実施の形態1を示す図1における入力側エンドハットの径大ボス部の形状を変えたものである。 In FIG. 6, the magnetron of the present embodiment is obtained by changing the shape of the large-diameter boss portion of the input side end hat in FIG.
図7は、図1における入力側エンドハット61の径大ボス部61aの外径寸法Dに対するマグネトロンの負荷安定度(MoB[mA])の関係を示すものである。
FIG. 7 shows the relationship between the load stability (MoB [mA]) of the magnetron and the outer diameter D of the large-diameter boss portion 61a of the input-
図7から明らかなように、入力側エンドハット61の径大ボス部61aの外形寸法は、径の小さいほうがマグネトロンの負荷安定度が向上している。
As is clear from FIG. 7, the outer diameter of the large-diameter boss portion 61a of the input-
そこで、本実施の形態では、図6に示すように、入力側エンドハット62は、テーパー状ボス部62aが作用空間方向に径小となって延出し、このテーパー状のボス部62aの先端に段を有して更に細い径小ボス部62bが形成されており、入力側エンドハット62の径小ボス部62bと陰極を構成するフィラメント3の一方の端部3aが固着されている。
Therefore, in the present embodiment, as shown in FIG. 6, the input-
フィラメント3の他方の端部3bは出力側エンドハット7のボス部7aと固着され、フィラメント3の電子放出部を成す管軸方向自由長部Fが板状ベイン2の管軸方向部Hに対して出力側に変位して配置されている。
The other end portion 3 b of the
このように電子放出部を管軸方向に対して変位させて配置することにより、磁場・電場の不均一により主にノイズ成分となる端部の一方からの電子放出が抑制されるため、不要電子が抑制されラインノイズが低減する。 By displacing the electron emission part in this way with respect to the tube axis direction, electron emission from one of the end parts that are mainly noise components due to nonuniform magnetic and electric fields is suppressed, so unnecessary electrons Is suppressed and line noise is reduced.
また、入力側エンドハットの径大ボス部の形状を、作用空間方向に径小となるように延出したテーパー状にすることにより、電界分布が急激に変化することなく、かつ電子の軸方向への拡散を抑制することができるため、負荷安定度が向上する。 In addition, the shape of the large-diameter boss part of the input side end hat is tapered so that the diameter becomes smaller in the working space direction, so that the electric field distribution does not change rapidly and the axial direction of the electrons. Since the diffusion to the load can be suppressed, the load stability is improved.
さらに、入力側エンドハットのプレス成形においても、抜き強度が向上するため、量産化が可能となる。 Furthermore, since the punching strength is improved in press molding of the input side end hat, mass production becomes possible.
以上、説明してきたように、本実施の形態のマグネトロンによれば、作用空間内における電子放出部を管軸方向に変位させることにより、円筒体を全く設けていない従来品や、円筒体4,5と同等のものを陰極3の両側に設けた場合よりも30MHz〜200MHz帯のノイズの低減は勿論のこと、30MHz以下の低い周波数帯におけるノイズも同時に低減することができる。
As described above, according to the magnetron of the present embodiment, a conventional product in which no cylindrical body is provided, or a cylindrical body 4, by displacing the electron emitting portion in the working space in the tube axis direction. The noise in the 30 MHz to 200 MHz band can be reduced as well as the noise in the lower frequency band of 30 MHz or less as compared with the case where the equivalent of 5 is provided on both sides of the
また、本実施の形態のマグネトロンを電子レンジ等の高周波利用装置に用いた場合も上記同様に低ノイズ化が図れることから、コイルやコンデンサ等のノイズ対策部品が小容量のもので済み、その分、コストダウンが図れる。 In addition, when the magnetron of the present embodiment is used in a high-frequency device such as a microwave oven, noise can be reduced in the same manner as described above, so that noise countermeasure parts such as coils and capacitors need only have a small capacity. Cost reduction can be achieved.
本発明にかかるマグネトロンは、電子レンジやマイクロ波発生装置、及びその装置を用いた高周波利用装置等のマグネトロンを使用する用途への適用が可能である。 The magnetron according to the present invention can be applied to uses that use a magnetron, such as a microwave oven, a microwave generator, and a high-frequency utilization device using the device.
2 板状ベイン
3 フィラメント
3a,3b フィラメントの端部
7 出力側エンドハット
7a ボス部
8 陰極支持棒
13 陰極
61,62 入力側エンドハット
61a 径大ボス部
61b、62b 径小ボス部
62a テーパー状ボス部
2 Plate-shaped
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011070867A (en) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | Microwave oven and magnetron for microwave oven |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101897867B1 (en) * | 2016-06-08 | 2018-11-22 | 엘지전자 주식회사 | Magnetron for microwave oven |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51145845U (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-24 | ||
JPS59228343A (en) * | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Toshiba Corp | Magnetron |
JPH0477412B2 (en) * | 1986-07-30 | 1992-12-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JP2006049120A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetron |
JP2006049119A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetron |
-
2006
- 2006-10-27 JP JP2006292144A patent/JP5162880B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51145845U (en) * | 1975-05-16 | 1976-11-24 | ||
JPS59228343A (en) * | 1983-06-09 | 1984-12-21 | Toshiba Corp | Magnetron |
JPH0477412B2 (en) * | 1986-07-30 | 1992-12-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
JP2006049120A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetron |
JP2006049119A (en) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Magnetron |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011070867A (en) * | 2009-09-25 | 2011-04-07 | Toshiba Hokuto Electronics Corp | Microwave oven and magnetron for microwave oven |
Also Published As
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