JP2008085587A - Radiator, and antenna device including the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiator capable of obtaining high performance with a simple structure, and to provide an antenna device including the radiator. <P>SOLUTION: The radiator 1 includes: a radiation part 2 formed in a loop shape and having two power feeding points FD1, FD2; and a parasitic element 4 formed on the outer side of the radiation part 2 along a part of the radiation part 2 including the two power feeding points FD1, FD2. Since the parasitic element 4 is arranged along a part of the radiation part 2 including the power feeding points FD1, FD2, the parasitic element 4 receives comparatively large energy from the radiation part 2, so as to allow resonance to easily occur. The radiation part 2 is set to have the peripheral length so as to allow resonance to occur at a frequency higher than the center frequency of the usage frequency of the radiator 1. The parasitic element 4 is set to have the peripheral length, so as to resonate with frequency being lower than the center frequency of the usage frequency band in the radiator 1. Consequently, the band of the radiator 1 is enlarged. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は放射器およびそれを備えるアンテナ装置に関し、特に、簡単な構造で高性能を得ることが可能な放射器、および、その放射器を備えるアンテナ装置に関する。   The present invention relates to a radiator and an antenna device including the radiator, and more particularly to a radiator capable of obtaining high performance with a simple structure, and an antenna device including the radiator.

放射器の種類には様々なものがある。その中でも導線あるいは導体部分等のエレメントをループ状に加工した放射器(いわゆる「ループアンテナ」)は従来から広く用いられている。   There are various types of radiators. Among them, a radiator (so-called “loop antenna”) obtained by processing elements such as a conductor or a conductor in a loop shape has been widely used.

たとえば特開2006−50439号公報(特許文献1)は複数のループ状の放射素子を備えた地上デジタル放送用リングループアンテナ装置を開示する。このアンテナ装置は、周囲長が約1波長のループ状主放射素子と、その主放射素子の前方に配置されるループ状の副放射素子とを備える。   For example, Japanese Patent Laying-Open No. 2006-50439 (Patent Document 1) discloses a phosphorus group antenna device for digital terrestrial broadcasting provided with a plurality of loop-shaped radiating elements. This antenna device includes a loop-shaped main radiating element having a peripheral length of about one wavelength, and a loop-shaped sub-radiating element arranged in front of the main radiating element.

また、たとえば特開2004−328587号公報(特許文献2)は、双ループアンテナを構成する2つのループ部の各々の内側に無給電素子を配置したアンテナ装置を開示する。上記文献によれば、各ループ部と無給電素子とを共振させることによりアンテナ装置の帯域を広げることが可能になる。
特開2006−50439号公報 特開2004−328587号公報
Further, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-328587 (Patent Document 2) discloses an antenna device in which a parasitic element is arranged inside each of two loop portions constituting a double loop antenna. According to the above document, it is possible to widen the band of the antenna device by resonating each loop portion and the parasitic element.
JP 2006-50439 A JP 2004-328587 A

特開2006−50439号公報(特許文献1)に開示されたアンテナ装置は複数の放射素子を必要とする。このため上述のアンテナ装置においてはサイズが大型化する可能性がある。また、素子の数が多くなるほどアンテナ装置の組立費用が高くなりやすいため、上述のアンテナ装置を製造した場合にはコストが高くなる可能性がある。   The antenna device disclosed in Japanese Patent Laying-Open No. 2006-50439 (Patent Document 1) requires a plurality of radiating elements. For this reason, in the above-mentioned antenna device, there is a possibility that the size increases. Further, as the number of elements increases, the assembly cost of the antenna device is likely to increase. Therefore, when the above-described antenna device is manufactured, the cost may increase.

一方、特開2004−328587号公報(特許文献2)では、2つのループ部の中心を結ぶ線分上に無給電素子を配置することが開示されている。しかし上記文献では、アンテナ装置の性能と無給電素子の位置との関係は特に開示されていない。   On the other hand, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-328587 (Patent Document 2) discloses disposing a parasitic element on a line segment connecting the centers of two loop portions. However, the above document does not particularly disclose the relationship between the performance of the antenna device and the position of the parasitic element.

本発明の目的は、構造が簡単ながら高性能を得ることが可能な放射器、および、その放射器を備えるアンテナ装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a radiator capable of obtaining high performance while having a simple structure, and an antenna device including the radiator.

本発明は要約すれば、放射器であって、所定の平面上にループ状に形成され、周囲長が所定の周波数帯域の中心波長よりも短い長さに設定され、第1および第2の給電点を有する放射部と、所定の平面上に、第1および第2の給電点を含む放射部の一部に沿って放射部の外側に形成され、一方端から他方端までの長さが中心波長の半分よりも長くなるように設定される第1の無給電素子とを備える。   In summary, the present invention is a radiator, which is formed in a loop shape on a predetermined plane, has a peripheral length set to a length shorter than the center wavelength of a predetermined frequency band, and the first and second power feeds. A radiating portion having a point, and formed on the predetermined plane on the outside of the radiating portion along a part of the radiating portion including the first and second feeding points, and the length from one end to the other end is the center A first parasitic element set to be longer than half of the wavelength.

好ましくは、中心波長をλとすると、第1の無給電素子と放射部との間隔は、0.01λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲に含まれる所定の値である。   Preferably, when the center wavelength is λ, the distance between the first parasitic element and the radiating portion is a predetermined value included in a range of 0.01λ or more and 0.03λ or less.

好ましくは、第1の無給電素子の一方端における放射器と第1の無給電素子との間隔を第1の長さとし、第1の給電点の位置における放射器と第1の無給電素子との間隔を第2の長さとすると、第1の長さは第2の長さよりも小さい。   Preferably, the distance between the radiator and the first parasitic element at one end of the first parasitic element is a first length, and the radiator and the first parasitic element at the position of the first feeding point are If the interval is a second length, the first length is smaller than the second length.

より好ましくは、中心波長をλとすると、第1および第2の長さは、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲から選択される。   More preferably, when the center wavelength is λ, the first and second lengths are selected from a range of 0.005λ or more and 0.03λ or less.

好ましくは、中心波長をλとすると、第1の無給電素子の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の値である。   Preferably, when the central wavelength is λ, the width of the first parasitic element is a value of 0.005λ or more and 0.03λ or less.

好ましくは、中心波長をλとすると、放射部の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の値である。   Preferably, when the center wavelength is λ, the width of the radiating portion is a value of 0.005λ or more and 0.03λ or less.

好ましくは、放射部は、第1の給電点を含み、第1の方向に沿って延在する第1の導体と、第1の導体に接続され、第1の方向に直交する第2の方向に沿って延在する第2の導体とを含む。第2の導体の幅は、第1の導体の幅よりも小さい。   Preferably, the radiating portion includes a first feeding point and includes a first conductor extending along the first direction, and a second direction connected to the first conductor and orthogonal to the first direction. And a second conductor extending along the line. The width of the second conductor is smaller than the width of the first conductor.

より好ましくは、中心波長をλとすると、第1の導体の幅および第2の導体の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲から選択される。   More preferably, when the center wavelength is λ, the width of the first conductor and the width of the second conductor are selected from the range of 0.005λ or more and 0.03λ or less.

好ましくは、放射器は、放射部の外側に放射部に沿って形成され、かつ、第1の無給電素子と合わせて放射部を囲む第2の無給電素子をさらに備える。   Preferably, the radiator further includes a second parasitic element that is formed along the radiating section outside the radiating section and surrounds the radiating section together with the first parasitic element.

本発明の他の局面に従うと、アンテナ装置であって、上述のいずれかに記載の放射器と、導波器および反射器の少なくとも一方とを備える。   When the other situation of this invention is followed, it is an antenna apparatus, Comprising: The radiator in any one of the above-mentioned, and at least one of a director and a reflector are provided.

本発明によれば、構造が簡単ながら高性能を得ることが可能な放射器を実現できる。
また本発明によれば、構造が簡単ながら高性能を得ることが可能なアンテナ装置を実現できる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radiator which can obtain a high performance, though a structure is simple is realizable.
Further, according to the present invention, it is possible to realize an antenna device that can obtain high performance while having a simple structure.

以下において、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals and description thereof will not be repeated.

[実施の形態1]
図1は、実施の形態1の放射器の構成を示す図である。
[Embodiment 1]
FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of the radiator according to the first embodiment.

図1を参照して、放射器1は、放射部2と、無給電素子4とを備える。放射部2は、平面A上にループ状に形成され、給電点FD1,FD2を有する。無給電素子4は、平面A上に配置される。無給電素子4は、給電点FD1,FD2を含む放射部2の一部に沿って形成される。   Referring to FIG. 1, radiator 1 includes a radiating unit 2 and a parasitic element 4. The radiating portion 2 is formed in a loop shape on the plane A, and has feeding points FD1 and FD2. The parasitic element 4 is disposed on the plane A. The parasitic element 4 is formed along a part of the radiating portion 2 including the feeding points FD1 and FD2.

実施の形態1では、放射部2および無給電素子4は誘電体フィルム上に金属箔により形成される。つまり誘電体フィルムの表面が平面Aに対応する。なお、金属板を加工することにより放射部2および無給電素子4の各々を作製してもよい。この場合には仮想的な平面Aを設定して、平面A上に放射部2および無給電素子4を配置すればよい。   In Embodiment 1, the radiation | emission part 2 and the parasitic element 4 are formed with a metal foil on a dielectric film. That is, the surface of the dielectric film corresponds to the plane A. In addition, you may produce each of the radiation | emission part 2 and the parasitic element 4 by processing a metal plate. In this case, a virtual plane A may be set, and the radiation unit 2 and the parasitic element 4 may be arranged on the plane A.

平面AにおいてX軸およびY軸は、互いに直交する2つの軸である。放射部2および無給電素子4はともにY軸に対して対称である。なお原点OはX軸とY軸との交点であり、この放射器1の中心点に対応する。   In the plane A, the X axis and the Y axis are two axes orthogonal to each other. Both the radiating unit 2 and the parasitic element 4 are symmetric with respect to the Y axis. The origin O is the intersection of the X axis and the Y axis, and corresponds to the center point of the radiator 1.

図1に示す放射部2の形状は正方形である。ただし放射部2の形状は特に限定されない。たとえば放射部2の形状は長方形でもよい。また、放射部2の形状は四角形に限定されず、たとえば三角形等でもよいし、円形、楕円形等でもよい。   The shape of the radiation part 2 shown in FIG. 1 is a square. However, the shape of the radiation part 2 is not particularly limited. For example, the shape of the radiation part 2 may be a rectangle. Moreover, the shape of the radiation | emission part 2 is not limited to a tetragon | quadrangle, For example, a triangle etc. may be sufficient and circular, an ellipse, etc. may be sufficient.

放射器1の使用周波数帯はUHF(Ultrahigh Frequency)帯である。より好ましくは、放射器1の使用周波数帯は470〜806MHzの範囲である。この範囲には日本国でのUHF放送の周波数帯(470〜770MHz)および米国でのUHF放送の周波数帯(470〜806MHz)が含まれる。   The use frequency band of radiator 1 is a UHF (Ultra High Frequency) band. More preferably, the operating frequency band of radiator 1 is in the range of 470 to 806 MHz. This range includes the frequency band of UHF broadcasting in Japan (470 to 770 MHz) and the frequency band of UHF broadcasting in the United States (470 to 806 MHz).

次に実施の形態1の放射器1の寸法について説明する。なお、以下に示す寸法は一例であって、放射器1の寸法は放射器1に求められる性能や大きさ等に応じて適切に設定することができる。   Next, the dimension of the radiator 1 of Embodiment 1 is demonstrated. In addition, the dimension shown below is an example, Comprising: The dimension of the radiator 1 can be set appropriately according to the performance, the magnitude | size, etc. which are calculated | required by the radiator 1. FIG.

放射部2は一辺を約140mmとする正方形に形成される。ただし給電点FD1と給電点FD2との間には隙間が存在する。この隙間の大きさ(放射部2の一方の端から他方の端までの距離)は約10mmである。よって、放射部2の周回方向に沿った長さ(周囲長)は約550mm(=140×4−10)である。また放射部2の幅(放射部2の内側から放射部2の外側に向かう向きの幅)は約12mmである。   The radiating portion 2 is formed in a square shape having a side of about 140 mm. However, there is a gap between the feeding point FD1 and the feeding point FD2. The size of this gap (distance from one end of the radiating portion 2 to the other end) is about 10 mm. Therefore, the length (peripheral length) along the circumferential direction of the radiating portion 2 is about 550 mm (= 140 × 4-10). The width of the radiating portion 2 (the width in the direction from the inside of the radiating portion 2 to the outside of the radiating portion 2) is about 12 mm.

続いて無給電素子4の寸法を説明する。以下では説明の便宜上、無給電素子4をY軸に沿って延在する2つの無給電素子4A,4Bと、X軸に沿って延在する無給電素子4Cとに分けて説明する。   Next, the dimensions of the parasitic element 4 will be described. Hereinafter, for convenience of explanation, the parasitic element 4 will be described by being divided into two parasitic elements 4A and 4B extending along the Y axis and a parasitic element 4C extending along the X axis.

無給電素子4A,4BにおいてY軸方向の長さは約85mmであり、無給電素子4CにおいてX軸方向の長さは約170mmである。よって、無給電素子4A,4BにおけるY軸方向の長さと無給電素子4CにおけるX軸方向の長さとの和(別の言い方をすれば無給電素子4の一方端から他方端までの長さ)は約340mm(=85×2+170)である。   In the parasitic elements 4A and 4B, the length in the Y-axis direction is about 85 mm, and in the parasitic element 4C, the length in the X-axis direction is about 170 mm. Therefore, the sum of the length in the Y-axis direction of the parasitic elements 4A and 4B and the length in the X-axis direction of the parasitic element 4C (in other words, the length from one end to the other end of the parasitic element 4). Is about 340 mm (= 85 × 2 + 170).

一方、無給電素子4A,4BにおいてX軸方向の幅(線幅)は約6mmである。また、無給電素子4CにおいてY軸方向の幅(線幅)は約6mmである。つまり、放射部2の内側から放射部2の外側に向かう向きの無給電素子4の幅は所定の値(約6mm)である。   On the other hand, in the parasitic elements 4A and 4B, the width (line width) in the X-axis direction is about 6 mm. The parasitic element 4C has a width (line width) in the Y-axis direction of about 6 mm. That is, the width of the parasitic element 4 in the direction from the inner side of the radiating unit 2 to the outer side of the radiating unit 2 is a predetermined value (about 6 mm).

また、放射部2と無給電素子4Aとの間隔、放射部2と無給電素子4Bとの間隔、放射部2と無給電素子4Cとの間隔は、いずれも約9mmである。すなわち無給電素子4と放射部2との間隔は所定の値(約9mm)である。   The distance between the radiating section 2 and the parasitic element 4A, the distance between the radiating section 2 and the parasitic element 4B, and the distance between the radiating section 2 and the parasitic element 4C are all about 9 mm. That is, the interval between the parasitic element 4 and the radiation part 2 is a predetermined value (about 9 mm).

なお、放射器1のX軸方向の長さは約170mmとなる。
実施の形態1では無給電素子4が放射部2に近接して配置される。放射部2の給電点FD1,FD2に給電すると放射部2は励振する。さらに、放射部2と無給電素子4との間でのエネルギーの授受により放射部2と無給電素子4とを共振させることができる。
The length of the radiator 1 in the X-axis direction is about 170 mm.
In the first embodiment, the parasitic element 4 is arranged close to the radiating unit 2. When power is supplied to the feeding points FD1 and FD2 of the radiating unit 2, the radiating unit 2 is excited. Furthermore, the radiation part 2 and the parasitic element 4 can be made to resonate by transferring energy between the radiation part 2 and the parasitic element 4.

放射部2と無給電素子4とが共振した場合、放射器1は等価的には放射部2の共振周波数と無給電素子の共振周波数に同調する複同調回路を構成する。いわば放射器1は放射部2の特性と無給電素子4の特性とを併せ持つ放射器として動作する。放射部2の共振周波数と無給電素子4の共振周波数とを異ならせることで放射器1の帯域を広げることが可能になる。   When the radiating unit 2 and the parasitic element 4 resonate, the radiator 1 equivalently forms a double-tuned circuit that tunes to the resonant frequency of the radiating unit 2 and the resonant frequency of the parasitic element. In other words, the radiator 1 operates as a radiator having both the characteristics of the radiating unit 2 and the characteristics of the parasitic element 4. By making the resonance frequency of the radiating unit 2 different from the resonance frequency of the parasitic element 4, the band of the radiator 1 can be widened.

ここで放射部2の電流分布を考えると、給電点FD1,FD2での電流値が最も大きく、放射部2において給電点FD1,FD2から離れた位置ほど電流値が小さくなる。このことは、放射部2への給電時に給電点FD1,FD2付近からは比較的大きなエネルギーが放出されているのに対し、放射部2において給電点FD1,FD2から離れた位置からは比較的小さなエネルギーが放出されていることを意味する。   Considering the current distribution of the radiating unit 2, the current value at the feeding points FD 1 and FD 2 is the largest, and the current value becomes smaller at a position away from the feeding points FD 1 and FD 2 in the radiating unit 2. This is because relatively large energy is released from the vicinity of the feeding points FD1 and FD2 when the radiation unit 2 is fed, whereas the radiation unit 2 is relatively small from a position away from the feeding points FD1 and FD2. It means that energy is released.

実施の形態1では給電点FD1,FD2を含む放射部2の一部に沿って無給電素子4を配置する。これにより、無給電素子4は放射部2から比較的大きなエネルギーを受けることによって、共振を起こしやすくなる。放射部2と無給電素子4とを共振させることが可能になるので、放射器1を動作させたときに所望の性能を得ることが可能になる。   In the first embodiment, the parasitic element 4 is arranged along a part of the radiating unit 2 including the feeding points FD1 and FD2. As a result, the parasitic element 4 is likely to resonate by receiving relatively large energy from the radiating portion 2. Since it becomes possible to resonate the radiation | emission part 2 and the parasitic element 4, when the radiator 1 is operated, desired performance can be obtained.

さらに、放射部2は放射器1の使用周波数帯の中心周波数よりも高い周波数で共振するようにその周囲長が設定される。一方、無給電素子4は放射器1の使用周波数帯の中心周波数よりも低い周波数で共振するようにその長さが設定される。これにより放射器1はその使用周波数帯の全域にわたり良好な性能を発揮することが可能になる。   Furthermore, the perimeter of the radiating unit 2 is set so as to resonate at a frequency higher than the center frequency of the used frequency band of the radiator 1. On the other hand, the length of the parasitic element 4 is set so as to resonate at a frequency lower than the center frequency of the use frequency band of the radiator 1. As a result, the radiator 1 can exhibit good performance over the entire use frequency band.

放射部2を放射器1の使用周波数帯の中心周波数よりも高い周波数で共振させるため、放射部2の周囲長は放射器1の使用周波数帯域の中心波長(約600mm)よりも短くなるよう設定される(約550mm)。一方、無給電素子4を放射器1の使用周波数帯の中心周波数よりも低い周波数で共振させるため、無給電素子4の一方端から他方端までの長さは放射器1の使用周波数帯域の中心波長(約600mm)の1/2よりも長くなるよう設定される(約340mm)。   In order to cause the radiating unit 2 to resonate at a frequency higher than the center frequency of the operating frequency band of the radiator 1, the perimeter of the radiating unit 2 is set to be shorter than the center wavelength (about 600 mm) of the operating frequency band of the radiator 1. (About 550 mm). On the other hand, since the parasitic element 4 is resonated at a frequency lower than the center frequency of the operating frequency band of the radiator 1, the length from one end of the parasitic element 4 to the other end is the center of the operating frequency band of the radiator 1. It is set to be longer than half of the wavelength (about 600 mm) (about 340 mm).

上記のように無給電素子4の長さを設定することにより、放射部2と無給電素子4との励振時に無給電素子4から送信(あるいは受信)される電波の波長を、無給電素子4の長さの倍の波長にすることができる。この波長は放射器1の使用周波数帯域の中心波長よりも長い。よって、無給電素子4を放射器1の使用周波数帯の中心周波数よりも低い周波数で共振させることができる。   By setting the length of the parasitic element 4 as described above, the wavelength of the radio wave transmitted (or received) from the parasitic element 4 when the radiating unit 2 and the parasitic element 4 are excited can be changed. The wavelength can be doubled. This wavelength is longer than the center wavelength of the used frequency band of the radiator 1. Therefore, the parasitic element 4 can be resonated at a frequency lower than the center frequency of the use frequency band of the radiator 1.

<放射部単体の特性>
図2は、図1に示す放射部2の大きさを変化させた例を示す図である。
<Characteristics of the radiation unit alone>
FIG. 2 is a diagram illustrating an example in which the size of the radiation unit 2 illustrated in FIG. 1 is changed.

図2を参照して、放射部2A(すなわち正方形)の1つの辺の長さをLとする。長さLを変化させると放射部2Aの周囲長が変化する。これにより放射部2Aの共振周波数が変化する。よって放射部2Aの周波数特性も変化する。   Referring to FIG. 2, let L be the length of one side of radiation portion 2A (ie, a square). When the length L is changed, the peripheral length of the radiating portion 2A is changed. As a result, the resonance frequency of the radiating portion 2A changes. Therefore, the frequency characteristics of the radiation part 2A also change.

図3は、図2の放射部2Aの辺の長さLを変化させたときの放射部2Aの利得の周波数特性を説明する図である。   FIG. 3 is a diagram illustrating the frequency characteristics of the gain of the radiating unit 2A when the side length L of the radiating unit 2A in FIG. 2 is changed.

図3を参照して、点線k1、実線k2、破線k3、1点鎖線k4、および、2点鎖線k5は、それぞれ、放射部2Aの辺の長さLが約130mm、約140mm、約150mm、約160mm、約170mmの場合における放射部2Aの利得の周波数特性である。   Referring to FIG. 3, each of dotted line k1, solid line k2, broken line k3, one-dot chain line k4, and two-dot chain line k5 has a side length L of the radiating portion 2A of about 130 mm, about 140 mm, about 150 mm, It is the frequency characteristic of the gain of the radiation part 2A in the case of about 160 mm and about 170 mm.

利得がピークに達するときの周波数は放射部2Aの共振周波数にほぼ等しい。図3からは放射部2Aの辺の長さLが短いほど共振周波数が高くなることが分かる。つまり放射部2Aの周囲長が短くなるほど放射部2Aの共振周波数が高くなる。   The frequency at which the gain reaches a peak is substantially equal to the resonance frequency of the radiating portion 2A. 3 that the resonance frequency increases as the side length L of the radiating portion 2A is shorter. That is, the shorter the circumference of the radiating portion 2A, the higher the resonance frequency of the radiating portion 2A.

図4は、図2の放射部2Aの辺の長さLと放射部2AのVSWR(Voltage Standing Wave Ratio:電圧定在波比)との関係を説明する図である。   FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the side length L of the radiating portion 2A of FIG. 2 and the VSWR (Voltage Standing Wave Ratio) of the radiating portion 2A.

図4を参照して、点線k6、実線k7、破線k8、1点鎖線k9、および、2点鎖線k10は、それぞれ、放射部2Aの辺の長さLが約130mm、約140mm、約150mm、約160mm、約170mmの場合における放射部2AのVSWRの周波数特性を示す。特に、約470MHz〜約710MHzの範囲では、放射部2Aの辺の長さLが長いほどVSWRが低くなる。   Referring to FIG. 4, dotted line k6, solid line k7, broken line k8, one-dot chain line k9, and two-dot chain line k10 have side lengths L of radiation part 2A of about 130 mm, about 140 mm, about 150 mm, The frequency characteristics of the VSWR of the radiation part 2A in the case of about 160 mm and about 170 mm are shown. In particular, in the range of about 470 MHz to about 710 MHz, the longer the length L of the side of the radiating portion 2A, the lower the VSWR.

<実施の形態1の放射器の特性>
図5は、実施の形態1の放射器の第1の比較例を示す図である。
<Characteristics of radiator according to Embodiment 1>
FIG. 5 is a diagram illustrating a first comparative example of the radiator according to the first embodiment.

図5および図2を参照して、放射部2Bは正方形の1辺の長さLが約130mmであるときの放射部2Aに相当する放射器である。   With reference to FIGS. 5 and 2, the radiating portion 2B is a radiator corresponding to the radiating portion 2A when the length L of one side of the square is about 130 mm.

図6は、実施の形態1の放射器の第2の比較例を示す図である。
図6および図2を参照して、放射部2Cは正方形の1辺の長さLが約170mmであるときの放射部2Aに相当する放射器である。
FIG. 6 is a diagram illustrating a second comparative example of the radiator according to the first embodiment.
With reference to FIG. 6 and FIG. 2, the radiating portion 2 </ b> C is a radiator corresponding to the radiating portion 2 </ b> A when the length L of one side of the square is about 170 mm.

図7は、実施の形態1の放射器の利得と第1および第2の比較例の利得とを示す図である。   FIG. 7 is a diagram showing the gain of the radiator of the first embodiment and the gains of the first and second comparative examples.

図7を参照して、点線k11、2点鎖線k12、実線k13は、図5の放射部2B(図7中「130×130」と示す)、図6の放射部2C(図7中「170×170」と示す)、および、図1の放射器1(図7中「無給電素子配置」と示す)の利得の周波数特性をそれぞれ示す。   Referring to FIG. 7, dotted lines k11, dash-dot line k12, and solid line k13 indicate radiation part 2B in FIG. 5 (shown as “130 × 130” in FIG. 7) and radiation part 2C in FIG. 6 (“170 in FIG. 7). × 170 ”) and the frequency characteristics of the gain of the radiator 1 of FIG. 1 (shown as“ parasitic element arrangement ”in FIG. 7).

点線k11に示されるように、周波数が高くなるにつれて放射部2Bの利得は高くなる。一方、2点鎖線k12に示されるように、周波数が下がるにつれて放射部2Cの利得は高くなる。つまり、放射部2Bでは中心周波数よりも高い周波数帯での性能が優れているのに対し、放射部2Cでは中心周波数よりも低い周波数帯での性能が優れている。   As indicated by the dotted line k11, the gain of the radiating unit 2B increases as the frequency increases. On the other hand, as indicated by a two-dot chain line k12, the gain of the radiating portion 2C increases as the frequency decreases. That is, the radiating section 2B has excellent performance in a frequency band higher than the center frequency, whereas the radiating section 2C has excellent performance in a frequency band lower than the center frequency.

これに対し、放射器1の利得は、使用周波数帯域の高周波数帯において放射部2Bの利得と同程度であり、使用周波数帯域の低周波数帯において放射部2Cの利得と同程度である。つまり、使用周波数帯域の全域にわたり放射器1の利得は安定して高いといえる。   On the other hand, the gain of the radiator 1 is approximately the same as the gain of the radiating unit 2B in the high frequency band of the use frequency band, and is approximately the same as the gain of the radiating unit 2C in the low frequency band of the use frequency band. In other words, it can be said that the gain of the radiator 1 is stable and high over the entire use frequency band.

図8は、実施の形態1の放射器のVSWRと第1および第2の比較例のVSWRとを示す図である。   FIG. 8 is a diagram illustrating the VSWR of the radiator of the first embodiment and the VSWRs of the first and second comparative examples.

図8を参照して、点線k14、2点鎖線k15、実線k16は、図5の放射部2B(図7中「130×130」と示す)、図6の放射部2C(図7中「170×170」と示す)、および、図1の放射器1(図7中「無給電素子配置」と示す)のVSWRの周波数特性をそれぞれ示す。点線k14、2点鎖線k15、実線k16を比較すれば分かるように、放射器1のVSWRは放射部2BのVSWR、放射部2CのVSWRのいずれよりも全体的に低くなるといえる。   Referring to FIG. 8, dotted line k14, two-dot chain line k15, and solid line k16 indicate radiating portion 2B in FIG. 5 (shown as “130 × 130” in FIG. 7) and radiating portion 2C in FIG. And VSWR frequency characteristics of the radiator 1 of FIG. 1 (shown as “parasitic element arrangement” in FIG. 7). As can be seen by comparing the dotted line k14, the two-dot chain line k15, and the solid line k16, it can be said that the VSWR of the radiator 1 is generally lower than the VSWR of the radiating unit 2B and the VSWR of the radiating unit 2C.

利得が高いほど放射器の性能としては優れている。またVSWRが低いほど放射器の性能は優れている。図7、図8から、放射器の周囲長を調整しただけでは放射器の使用周波数帯の全域にわたり性能を安定させることは困難であることが分かる。しかしながら実施の形態1のように放射部と無給電素子とを組み合わせることによって放射器の使用周波数帯の全域にわたり優れた性能を発揮することが可能になる。   The higher the gain, the better the performance of the radiator. The lower the VSWR, the better the performance of the radiator. 7 and 8, it can be seen that it is difficult to stabilize the performance over the entire frequency band of the radiator only by adjusting the peripheral length of the radiator. However, by combining the radiating portion and the parasitic element as in the first embodiment, it is possible to exhibit excellent performance over the entire use frequency band of the radiator.

<第1の変形例>
図9は、実施の形態1の放射器の第1の変形例を示す図である。
<First Modification>
FIG. 9 is a diagram illustrating a first modification of the radiator according to the first embodiment.

図9を参照して、放射器1Aは、実施の形態1の放射器1において無給電素子4と放射部2との間隔を様々に設定した例である。図9では無給電素子4Cと放射部2との間隔をa1と示し、無給電素子4Aと放射部2との間隔(および無給電素子4Bと放射部2との間隔)をa2と示す。なお間隔a1と間隔a2とは等しい。よって無給電素子4と放射部2との間隔は一定である。   Referring to FIG. 9, radiator 1 </ b> A is an example in which the interval between parasitic element 4 and radiating unit 2 is variously set in radiator 1 of the first exemplary embodiment. In FIG. 9, the interval between the parasitic element 4C and the radiating portion 2 is indicated as a1, and the interval between the parasitic element 4A and the radiating portion 2 (and the interval between the parasitic element 4B and the radiating portion 2) is indicated as a2. Note that the interval a1 is equal to the interval a2. Therefore, the space | interval of the parasitic element 4 and the radiation | emission part 2 is constant.

第1の変形例は、間隔a1(および間隔a2)を約3mm〜約15mmの範囲で3mmごとに変化させた例である。間隔a1の変化に伴い、X軸方向に沿った放射器1Aの全体の長さL1は、約158mm、約164mm、約170mm、約176mm、約182mmの間で変化する。   The first modification is an example in which the interval a1 (and the interval a2) is changed every 3 mm within a range of about 3 mm to about 15 mm. As the distance a1 changes, the overall length L1 of the radiator 1A along the X-axis direction changes between about 158 mm, about 164 mm, about 170 mm, about 176 mm, and about 182 mm.

図10は、図9の放射器1Aの利得を示す図である。
図10を参照して、点線k21、破線k22、実線k23、1点鎖線k24、および、2点鎖線k25は、それぞれ、図9に示す間隔a1(および間隔a2)が約3mm、約6mm、約9mm、約12mm、約15mmの場合における放射器1Aの利得の周波数特性を示す。図10において特に注目すべき点は、間隔a1(および間隔a2)が約3mmの場合には、周波数が約530MHzよりも低くなると利得が大きく低下する点である。
FIG. 10 is a diagram showing the gain of radiator 1A shown in FIG.
Referring to FIG. 10, a dotted line k21, a broken line k22, a solid line k23, a one-dot chain line k24, and a two-dot chain line k25 have intervals a1 (and intervals a2) shown in FIG. 9 of about 3 mm, about 6 mm, about The frequency characteristics of the gain of the radiator 1A in the case of 9 mm, about 12 mm, and about 15 mm are shown. In FIG. 10, a point to be particularly noted is that when the interval a1 (and the interval a2) is about 3 mm, the gain is greatly reduced when the frequency is lower than about 530 MHz.

一方、間隔a1(および間隔a2)が約6mm〜約15mmの範囲にある場合には、間隔a1に応じて利得に違いが生じるものの、その違いは実用面において特に問題が生じない程度である。   On the other hand, when the interval a1 (and the interval a2) is in the range of about 6 mm to about 15 mm, the gain varies depending on the interval a1, but the difference is such that no particular problem occurs in practical use.

図11は、図9の放射器1AのVSWRを示す図である。
図11を参照して、点線k26、破線k27、実線k28、1点鎖線k29、および、2点鎖線k30は、それぞれ、図9に示す間隔a1(および間隔a2)が約3mm、約6mm、約9mm、約12mm、約15mmの場合における、放射器1AのVSWRの周波数特性を示す。図11において間隔a1(および間隔a2)が約3mmの場合には、周波数が約530MHzよりも低くなるにつれてVSWRが大幅に悪くなる。一方、間隔a1(および間隔a2)が約6mm〜約15mmの範囲にある場合には、a1に応じてVSWRに違いが生じるものの、その違いは実用面において特に問題が生じない程度である。
FIG. 11 is a diagram showing VSWR of radiator 1A of FIG.
Referring to FIG. 11, a dotted line k26, a broken line k27, a solid line k28, a one-dot chain line k29, and a two-dot chain line k30 have an interval a1 (and interval a2) shown in FIG. The frequency characteristic of VSWR of radiator 1A in the case of 9 mm, about 12 mm, and about 15 mm is shown. In FIG. 11, when the interval a1 (and the interval a2) is about 3 mm, the VSWR becomes significantly worse as the frequency becomes lower than about 530 MHz. On the other hand, when the interval a1 (and the interval a2) is in the range of about 6 mm to about 15 mm, the VSWR varies depending on a1, but the difference is such that no particular problem occurs in practical use.

つまり、間隔a1(および間隔a2)の範囲が約6mm〜約15mmの範囲であれば、放射器の性能として、実用上問題のない性能を得ることができる。なお、放射器1Aの使用周波数帯の中心波長は約600mmである。よって使用周波数帯の中心波長をλとすると、好ましい間隔a1の範囲は0.01λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲となる。   That is, if the range of the interval a1 (and the interval a2) is in the range of about 6 mm to about 15 mm, the performance of the radiator can be obtained with no practical problem. The center wavelength of the used frequency band of radiator 1A is about 600 mm. Therefore, when the center wavelength of the used frequency band is λ, a preferable range of the distance a1 is 0.01λ or more and 0.03λ or less.

<第2の変形例>
図12は、実施の形態1の放射器の第2の変形例を示す図である。
<Second Modification>
FIG. 12 is a diagram illustrating a second modification of the radiator according to the first embodiment.

図12および図1を参照して、放射器1Bは、無給電素子4に代えて無給電素子41を含む点で放射器1と異なる。無給電素子41は、無給電素子4と線幅が異なる。   Referring to FIG. 12 and FIG. 1, radiator 1 </ b> B is different from radiator 1 in that it includes parasitic element 41 instead of parasitic element 4. The parasitic element 41 is different from the parasitic element 4 in line width.

図12の無給電素子4A1,4B1,4C1は図1の無給電素子4A,4B,4Cにそれぞれ対応する。図12では無給電素子4A1,4B1の線幅をb1と示し、無給電素子4C1の線幅をb2と示す。線幅b1と線幅b2とは等しい。   The parasitic elements 4A1, 4B1, and 4C1 in FIG. 12 correspond to the parasitic elements 4A, 4B, and 4C in FIG. 1, respectively. In FIG. 12, the line width of the parasitic elements 4A1 and 4B1 is indicated as b1, and the line width of the parasitic element 4C1 is indicated as b2. The line width b1 is equal to the line width b2.

第2の変形例は、線幅b1(および線幅b2)を約3mm〜約15mmの範囲で3mmごとに変化させた例である。なお上記のように線幅b1が変化した場合、X軸方向に沿った放射器1Aの全体の長さL1は、約164mm、約170mm、約176mm、約182mmおよび約188mmの間で変化する。   The second modification is an example in which the line width b1 (and the line width b2) is changed every 3 mm within a range of about 3 mm to about 15 mm. When the line width b1 changes as described above, the entire length L1 of the radiator 1A along the X-axis direction changes between about 164 mm, about 170 mm, about 176 mm, about 182 mm, and about 188 mm.

図13は、図12の放射器1Bの利得を示す図である。
図13を参照して、点線k31、破線k32、実線k33、1点鎖線k34、および、2点鎖線k35は、それぞれ、図12に示す線幅b1(および線幅b2)が約3mm、約6mm、約9mm、約12mm、約15mmの場合における、放射器1Bの利得の周波数特性を示す。この範囲内で線幅b1(および線幅b2)を設定しても利得の周波数特性には大きな違いが生じていない。
FIG. 13 is a diagram showing the gain of radiator 1B of FIG.
Referring to FIG. 13, a dotted line k31, a broken line k32, a solid line k33, a one-dot chain line k34, and a two-dot chain line k35 have a line width b1 (and a line width b2) shown in FIG. 12 of about 3 mm and about 6 mm, respectively. , About 9 mm, about 12 mm, and about 15 mm, the frequency characteristics of the gain of the radiator 1B are shown. Even if the line width b1 (and line width b2) is set within this range, there is no significant difference in the frequency characteristics of the gain.

図14は、図12の放射器1BのVSWRを示す図である。
図14を参照して、点線k36、破線k37、実線k38、1点鎖線k39、および、2点鎖線k40は、それぞれ、図12に示す線幅b1(および線幅b2)が約3mm、約6mm、約9mm、約12mm、約15mmの場合における、放射器1BのVSWRの周波数特性を示す。線幅b1(および線幅b2)が約12mmの場合には、周波数が約530MHzよりも低くなるにつれてVSWRが低下する。ただしこの点を除き、上記範囲内で線幅b1(および線幅b2)を設定してもVSWRの周波数特性には大きな違いは生じていない。
FIG. 14 is a diagram showing VSWR of radiator 1B of FIG.
Referring to FIG. 14, a dotted line k36, a broken line k37, a solid line k38, a one-dot chain line k39, and a two-dot chain line k40 have a line width b1 (and line width b2) shown in FIG. 12 of about 3 mm and about 6 mm, respectively. , About 9 mm, about 12 mm, about 15 mm, the frequency characteristic of VSWR of radiator 1B is shown. When the line width b1 (and the line width b2) is about 12 mm, the VSWR decreases as the frequency becomes lower than about 530 MHz. However, except for this point, even if the line width b1 (and line width b2) is set within the above range, there is no significant difference in the frequency characteristics of the VSWR.

つまり、線幅b1(および線幅b2)の範囲を約3mm〜約15mmの範囲に設定すれば、使用周波数帯域のほぼ全域にわたり、利得およびVSWRについて実用的に十分な性能が得られる。なお第1の変形例と同様に線幅b1(および線幅b2)の範囲を使用周波数帯域の中心波長との関係で説明すると、無給電素子の線幅は0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲内にあれば好ましい。   That is, if the range of the line width b1 (and the line width b2) is set to a range of about 3 mm to about 15 mm, practically sufficient performance can be obtained with respect to the gain and the VSWR over almost the entire use frequency band. Similar to the first modification, the range of the line width b1 (and line width b2) will be described in relation to the center wavelength of the used frequency band. The line width of the parasitic element is 0.005λ or more and 0. It is preferable if it is within the range of 03λ or less.

また、上記の範囲内であれば無給電素子の線幅を連続的(あるいは不連続的)に変化させてもよい。   Further, the line width of the parasitic element may be changed continuously (or discontinuously) within the above range.

[実施の形態2]
図15は、実施の形態2の放射器の構成を示す図である。
[Embodiment 2]
FIG. 15 is a diagram illustrating a configuration of the radiator according to the second embodiment.

図15および図1を参照して、放射器11は、無給電素子6をさらに備える点で放射器1と異なる。   Referring to FIGS. 15 and 1, radiator 11 is different from radiator 1 in that it further includes parasitic element 6.

無給電素子6は平面A上に形成される。無給電素子6は放射部2の外側に放射部2に沿って形成され、無給電素子4と合わせて放射部2を囲む。   The parasitic element 6 is formed on the plane A. The parasitic element 6 is formed along the radiation part 2 outside the radiation part 2, and surrounds the radiation part 2 together with the parasitic element 4.

なお無給電素子6はX軸に対して無給電素子4と対称に配置される。また無給電素子4,6の長さは等しい。図15ではX軸に対して無給電素子4A,4B,4Cの反対側に位置する無給電素子6の部分を、それぞれ無給電素子6A,6B,6Cと示す。   The parasitic element 6 is arranged symmetrically with the parasitic element 4 with respect to the X axis. The lengths of the parasitic elements 4 and 6 are equal. In FIG. 15, the portions of the parasitic element 6 positioned on the opposite side of the parasitic elements 4A, 4B, and 4C with respect to the X axis are denoted as parasitic elements 6A, 6B, and 6C, respectively.

実施の形態2では、放射部2を囲むように無給電素子4,6を配置することで、放射部2から出力されるエネルギーを有効に利用して放射部2と無給電素子4,6とを共振させることができる。そして、実施の形態2では無給電素子4,6が励振されることにより、放射器11の使用周波数帯域の低周波数帯における性能(特に利得)を高めることが可能になる。   In the second embodiment, the parasitic elements 4 and 6 are arranged so as to surround the radiating section 2, and the radiating section 2 and the parasitic elements 4 and 6 are effectively utilized by using the energy output from the radiating section 2. Can be made to resonate. In the second embodiment, the parasitic elements 4 and 6 are excited, so that the performance (particularly gain) in the low frequency band of the usable frequency band of the radiator 11 can be increased.

図16は、実施の形態1および形態2の放射器の利得を示す図である。
図16を参照して、破線k41は、実施の形態1の放射器(図16では「140×140 下半分」と示す)の利得の周波数特性を示し、実線k42は、実施の形態2の放射器(図16では「140×140 上下2箇所配置」と示す)の利得の周波数特性を示す。特に、放射器の使用周波数帯のうち低周波数帯(たとえば470MHz〜650MHz)の範囲における利得は、実施の形態2の放射器のほうが実施の形態1の放射器よりも高くなる。
FIG. 16 is a diagram showing the gains of the radiators of the first and second embodiments.
Referring to FIG. 16, broken line k41 indicates the frequency characteristic of the gain of the radiator of the first embodiment (shown as “140 × 140 lower half” in FIG. 16), and solid line k42 indicates the radiation of the second embodiment. FIG. 16 shows the frequency characteristics of the gain of the device (shown as “140 × 140, upper and lower two arrangements” in FIG. 16). In particular, the gain in the range of the low frequency band (for example, 470 MHz to 650 MHz) of the used frequency band of the radiator is higher in the radiator of the second embodiment than in the radiator of the first embodiment.

図17は、実施の形態1および形態2の放射器のVSWRを示す図である。
図17を参照して、破線k43は、実施の形態1の放射器(図17では「140×140 下半分」と示す)のVSWRの周波数特性を示し、実線k44は、実施の形態2の放射器(図17では「140×140 上下2箇所配置」と示す)のVSWRの周波数特性を示す。実施の形態2の放射器のほうが実施の形態1の放射器よりもVSWRが全体的に低くなる。
FIG. 17 is a diagram showing the VSWR of the radiators according to the first and second embodiments.
Referring to FIG. 17, broken line k43 indicates the frequency characteristic of VSWR of the radiator according to the first embodiment (shown as “140 × 140 lower half” in FIG. 17), and solid line k44 indicates the radiation according to the second embodiment. The frequency characteristics of the VSWR of the device (shown as “140 × 140, upper and lower two arrangements” in FIG. 17) are shown. The radiator according to the second embodiment generally has a lower VSWR than the radiator according to the first embodiment.

図16および図17から分かるように、放射部2を囲むように無給電素子4,6を配置することで、実施の形態2の放射器は実施の形態1よりも高性能を得ることが可能である。   As can be seen from FIGS. 16 and 17, by arranging the parasitic elements 4 and 6 so as to surround the radiating portion 2, the radiator of the second embodiment can obtain higher performance than the first embodiment. It is.

<第1の変形例>
図18は、実施の形態2の放射器の第1の変形例を示す図である。
<First Modification>
FIG. 18 is a diagram illustrating a first modification of the radiator according to the second embodiment.

図18および図15を参照して、放射器11Aは、放射部2に代えて放射部21を備える点で放射器11と異なる。放射部21は放射部2と幅が異なる。   Referring to FIGS. 18 and 15, radiator 11 </ b> A is different from radiator 11 in that radiation unit 21 is provided instead of radiation unit 2. The radiating part 21 is different in width from the radiating part 2.

放射部21はX軸方向に沿って延びる2つの導線21A,21Bと、Y軸方向に沿って延び、かつ、導線21A,21Bにそれぞれ接続される導線21C,21Dと、X軸方向に沿って延び、かつ、導線21C,21Dに接続される導線21Eとを含む。導線21C,21Dの幅(X軸方向の幅)をW1とし、導線21A,21Bの幅(Y軸方向の幅)をW2とする。なお、図18には示していないが導線21Eの幅(Y軸方向の幅)もW2に等しい。また線幅W1と線幅W2とは等しい。   The radiating portion 21 includes two conductors 21A and 21B extending along the X-axis direction, conductors 21C and 21D extending along the Y-axis direction and connected to the conductors 21A and 21B, respectively, and along the X-axis direction. And a conductor 21E extending and connected to the conductors 21C and 21D. The width of the conducting wires 21C and 21D (width in the X-axis direction) is W1, and the width of the conducting wires 21A and 21B (width in the Y-axis direction) is W2. Although not shown in FIG. 18, the width of the conducting wire 21E (the width in the Y-axis direction) is also equal to W2. The line width W1 is equal to the line width W2.

第1の変形例は、線幅W1(および線幅W2)を約9mm〜約18mmの範囲で3mmごとに変化させた例である。   The first modification is an example in which the line width W1 (and the line width W2) is changed every 3 mm in a range of about 9 mm to about 18 mm.

図19は、図18の放射器11Aの利得を示す図である。
図19を参照して、点線k51、破線k52、実線k53、1点鎖線k54は、それぞれ、図18に示す線幅W1(および線幅W2)が約18mm、約15mm、約12mm、約9mmの場合における、放射器11Aの利得の周波数特性を示す。線幅W1(および線幅W2)をこの範囲内に設定した場合、たとえば約710MHz〜約800MHzの周波数範囲において線幅が細くなるに連れて利得が低下する傾向が見られる。ただし、上記の周波数範囲における利得の差は実用面において大きな影響が生じない程度の差である。
FIG. 19 is a diagram showing the gain of radiator 11A in FIG.
Referring to FIG. 19, dotted line k51, broken line k52, solid line k53, and alternate long and short dash line k54 have line widths W1 (and line width W2) shown in FIG. 18 of about 18 mm, about 15 mm, about 12 mm, and about 9 mm, respectively. The frequency characteristic of the gain of the radiator 11A in the case is shown. When the line width W1 (and the line width W2) is set within this range, for example, the gain tends to decrease as the line width becomes narrower in a frequency range of about 710 MHz to about 800 MHz. However, the difference in gain in the above frequency range is a difference that does not cause a significant effect on practical use.

図20は、図18の放射器11AのVSWRを示す図である。
図20を参照して、点線k55、破線k56、実線k57、1点鎖線k58は、それぞれ、図18に示す線幅W1(および線幅W2)が約18mm、約15mm、約12mm、約9mmの場合における、放射器11AのVSWRの周波数特性を示す。たとえば線幅W1が約9mmの場合、周波数が高くなるに連れてVSWRが増加する傾向が見られる。ただし、線幅W1(および線幅W2)が上記の範囲では放射器の使用周波数帯においてVSWRはほぼ2.0以下に保たれている。VSWRがほぼ2.0以下であれば実用上問題のないレベルである。
FIG. 20 is a diagram illustrating the VSWR of the radiator 11A of FIG.
Referring to FIG. 20, dotted line k55, broken line k56, solid line k57, and alternate long and short dash line k58 have line widths W1 (and line width W2) shown in FIG. 18 of about 18 mm, about 15 mm, about 12 mm, and about 9 mm, respectively. The frequency characteristic of VSWR of radiator 11A in the case is shown. For example, when the line width W1 is about 9 mm, the VSWR tends to increase as the frequency increases. However, when the line width W1 (and the line width W2) is in the above range, the VSWR is maintained at approximately 2.0 or less in the use frequency band of the radiator. If VSWR is about 2.0 or less, it is a level with no practical problem.

<第2の変形例>
図21は、実施の形態2の放射器の第2の変形例を示す図である。
<Second Modification>
FIG. 21 is a diagram illustrating a second modification of the radiator according to the second embodiment.

図21および図18を参照して、放射器11Bは、放射部21に代えて放射部22を備える点で放射器11Aと異なる。放射器11Bは、無給電素子4Cと放射部22との間隔に対して、無給電素子4Aと放射部22との間隔(および無給電素子4Bと放射部22との間隔)が小さい点で放射器11Aと異なる。   Referring to FIGS. 21 and 18, radiator 11 </ b> B is different from radiator 11 </ b> A in that radiation unit 22 is provided instead of radiation unit 21. Radiator 11B radiates in that the distance between parasitic element 4A and radiation part 22 (and the distance between parasitic element 4B and radiation part 22) is smaller than the distance between parasitic element 4C and radiation part 22. Different from the vessel 11A.

具体例を説明すると、無給電素子4Aと放射部22との間隔(および無給電素子4Bと放射部22との間隔)は約6mmである。これに対し、無給電素子4Cと放射部22との間隔は約9mmである。   To describe a specific example, the interval between the parasitic element 4A and the radiating portion 22 (and the interval between the parasitic element 4B and the radiating portion 22) is about 6 mm. On the other hand, the interval between the parasitic element 4C and the radiating portion 22 is about 9 mm.

また、無給電素子6と放射部22との間隔についても無給電素子4と放射部22との間隔と同じように設定される。無給電素子6Aと放射部22との間隔、および無給電素子6Bと放射部22との間隔は約6mmである。これに対し無給電素子6Cと放射部22との間隔は約9mmである。   Further, the interval between the parasitic element 6 and the radiating portion 22 is set in the same manner as the interval between the parasitic element 4 and the radiating portion 22. The spacing between the parasitic element 6A and the radiating portion 22 and the spacing between the parasitic element 6B and the radiating portion 22 are about 6 mm. On the other hand, the distance between the parasitic element 6C and the radiation part 22 is about 9 mm.

放射部22の電流分布は、給電点FD1,FD2の位置において最も大きくなり、給電点FD1,FD2から遠ざかるにつれて小さくなる。上述したように放射部において給電点FD1,FD2から離れた位置ほど、その位置において放射部2から出力されるエネルギーは小さくなる。   The current distribution of the radiating unit 22 is largest at the positions of the feeding points FD1 and FD2, and becomes smaller as the distance from the feeding points FD1 and FD2 increases. As described above, the energy output from the radiating unit 2 at the position becomes smaller as the position is farther from the feeding points FD1 and FD2 in the radiating unit.

放射器11Bでは給電点FD1,FD2から離れた位置において放射部2と無給電素子4とを近づけることで無給電素子4の端部においても、放射部22からの放射エネルギーを効率よく受けることが可能になる。これにより放射器11,11Aよりも放射部22と無給電素子4とが共振しやすくなるのでより高い性能を得ることができる。無給電素子6についても無給電素子4と同様の作用が生じるので放射部22と無給電素子6とを共振させることが可能になる。これにより放射器11Bは図15の放射器11あるいは図18の放射器11Aと比較してより高い性能を得ることが可能になる。   In the radiator 11B, the radiation part 2 and the parasitic element 4 are brought close to each other at positions away from the feeding points FD1 and FD2, so that the radiation energy from the radiation part 22 can be efficiently received even at the end of the parasitic element 4. It becomes possible. Thereby, since the radiation | emission part 22 and the parasitic element 4 become easy to resonate rather than the radiators 11 and 11A, a higher performance can be acquired. Since the parasitic element 6 has the same effect as the parasitic element 4, the radiating portion 22 and the parasitic element 6 can resonate. Thereby, the radiator 11B can obtain higher performance than the radiator 11 of FIG. 15 or the radiator 11A of FIG.

このような理由により無給電素子4(6)の端部と放射部22との間隔は小さいほうが好ましい。ただし無給電素子4(6)を放射部22に近づけすぎると、たとえば無給電素子4と放射部22とが接触するといったような放射器11Bの動作に影響を与える問題が生じる可能性がある。このため、無給電素子4(6)の端部と放射部22との間隔の最小値はたとえば約3mmに設定される。   For this reason, it is preferable that the distance between the end portion of the parasitic element 4 (6) and the radiation portion 22 is small. However, if the parasitic element 4 (6) is too close to the radiating portion 22, there may be a problem that affects the operation of the radiator 11B, for example, the parasitic element 4 and the radiating portion 22 are in contact with each other. For this reason, the minimum value of the space | interval of the edge part of the parasitic element 4 (6) and the radiation | emission part 22 is set, for example to about 3 mm.

なお、放射器11Bの使用周波数帯の中心波長をλ(約600mm)とすると、「約3mmの長さ」は、0.01λに等しい。   If the center wavelength of the used frequency band of radiator 11B is λ (about 600 mm), “about 3 mm in length” is equal to 0.01λ.

また、放射部22は導線22A〜22Eを含む。導線22A〜22Eは図18の放射部21の導線21A〜22Eにそれぞれ対応する導線である。なお、図21に示す放射部22の場合には、図18に示す線幅W1と線幅W2とは異なっている。具体的に説明すると線幅W1は約3mm、約6mm、および約12mmのいずれかであり、線幅W2は約12mmで一定である。   In addition, the radiating portion 22 includes conducting wires 22A to 22E. The conducting wires 22A to 22E are conducting wires respectively corresponding to the conducting wires 21A to 22E of the radiating portion 21 in FIG. In the case of the radiation portion 22 shown in FIG. 21, the line width W1 and the line width W2 shown in FIG. 18 are different. More specifically, the line width W1 is about 3 mm, about 6 mm, or about 12 mm, and the line width W2 is constant at about 12 mm.

図22は、図21の放射器11Bの利得を示す図である。
図22を参照して、破線k61、実線k62、1点鎖線k63は、それぞれ、図21に示す線幅W1が約12mm、約6mm、約3mmの場合における、放射器11Bの利得の周波数特性を示す。この範囲内では放射器11Bの利得に差が生じているものの、その差はわずかであるといえる。
FIG. 22 is a diagram showing the gain of radiator 11B of FIG.
Referring to FIG. 22, broken line k61, solid line k62, and alternate long and short dash line k63 indicate the frequency characteristics of the gain of radiator 11B when the line width W1 shown in FIG. 21 is about 12 mm, about 6 mm, and about 3 mm, respectively. Show. Within this range, there is a difference in the gain of radiator 11B, but it can be said that the difference is slight.

図23は、図21の放射器11BのVSWRを示す図である。
図23を参照して、破線k64、実線k65、1点鎖線k66は、それぞれ、図21に示す線幅W1が約12mm、約6mm、約3mmの場合における、放射器11BのVSWRの周波数特性を示す。この範囲内では放射器11BのVSWRに差が生じているもののその差はわずかであるといえる。
FIG. 23 is a diagram showing the VSWR of the radiator 11B of FIG.
Referring to FIG. 23, broken line k64, solid line k65, and alternate long and short dash line k66 indicate the frequency characteristics of VSWR of radiator 11B when the line width W1 shown in FIG. 21 is about 12 mm, about 6 mm, and about 3 mm, respectively. Show. Within this range, although there is a difference in VSWR of radiator 11B, it can be said that the difference is slight.

第1および第2の変形例を総括すると、放射部の線幅は約3mmから約18mmの範囲内で設定可能であることが分かる。ここで放射器の使用周波数帯域の中心波長をλ(約600mm)とすると、上記の範囲は0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲となる。なお、この範囲であれば放射部の線幅は一定でも良いし、連続的に変化してもよい。   To summarize the first and second modifications, it can be seen that the line width of the radiating portion can be set within a range of about 3 mm to about 18 mm. Here, if the center wavelength of the used frequency band of the radiator is λ (about 600 mm), the above range is 0.005λ or more and 0.03λ or less. In addition, if it is this range, the line | wire width of a radiation | emission part may be fixed and may change continuously.

また、第2の変形例において、放射部と無給電素子との間隔の最大値は、図9に示す放射器1A(実施の形態1の変形例1)と同様に約18mm(0.03λ)となる。上述の説明を総括すると、第2の変形例の場合には、放射部と無給電素子との間隔は、0.005λ〜0.03λの範囲の中から選択される。   Further, in the second modification, the maximum value of the distance between the radiating portion and the parasitic element is about 18 mm (0.03λ), similar to radiator 1A shown in FIG. 9 (modification 1 of the first embodiment). It becomes. Summarizing the above description, in the case of the second modification, the interval between the radiating portion and the parasitic element is selected from the range of 0.005λ to 0.03λ.

[アンテナ装置の構成例]
図24は、本実施の形態の放射器を備えるアンテナ装置の構成例を示す図である。
[Configuration example of antenna device]
FIG. 24 is a diagram illustrating a configuration example of an antenna device including the radiator according to the present embodiment.

図24を参照して、アンテナ装置50は、放射器1と、導波器7と、反射器8とを備える。図24では実施の形態1の放射器1を示しているが、放射器1に代えて、放射器1A,1B,11,11A,11Bのいずれの放射器をアンテナ装置50に用いてもよい。   With reference to FIG. 24, the antenna device 50 includes a radiator 1, a director 7, and a reflector 8. Although FIG. 24 shows the radiator 1 according to the first embodiment, any of the radiators 1A, 1B, 11, 11A, and 11B may be used for the antenna device 50 in place of the radiator 1.

放射器1と、導波器7と、反射器8とは各々の中心がZ軸を通るように配置される。なおZ軸の方向は受信対象(または送信対象)の電波の伝達方向を示す。   Radiator 1, director 7 and reflector 8 are arranged such that their centers pass through the Z axis. Note that the direction of the Z-axis indicates the transmission direction of radio waves to be received (or transmitted).

放射器1は誘電体フィルム51と、誘電体フィルム51の表面に金属箔で形成された放射部2および無給電素子4とを含む。導波器7は、誘電体フィルム52および誘電体フィルム52の表面に形成された導体パターン12を含む。反射器8は誘電体フィルム53および誘電体フィルム53の表面に形成された導体パターン13を含む。   Radiator 1 includes a dielectric film 51, and a radiation portion 2 and a parasitic element 4 that are formed of a metal foil on the surface of the dielectric film 51. The director 7 includes a dielectric film 52 and a conductor pattern 12 formed on the surface of the dielectric film 52. The reflector 8 includes a dielectric film 53 and a conductor pattern 13 formed on the surface of the dielectric film 53.

なお導波器7および反射器8の形状は、図24に示す形状に限定されずたとえば直線状でもよい。また、放射器1、導波器7、および反射器8は、金属板を加工することにより形成されてもよい。   The shapes of the waveguide 7 and the reflector 8 are not limited to the shapes shown in FIG. 24, and may be linear, for example. Moreover, the radiator 1, the director 7, and the reflector 8 may be formed by processing a metal plate.

アンテナ装置50は受信アンテナまたは送信アンテナのいずれに用いられてもよい。以下、アンテナ装置50を受信アンテナとして用いる場合について説明する。   The antenna device 50 may be used as either a reception antenna or a transmission antenna. Hereinafter, a case where the antenna device 50 is used as a receiving antenna will be described.

導波器7は、アンテナ装置50に到来した電波を放射器1に導く機能を果たす。反射器8は、反射器8に到達した電波を放射器1に向けて反射させる。これによりアンテナ装置50は指向性アンテナとして機能する。なお、アンテナ装置50が指向性アンテナとして機能するためにはアンテナ装置50は導波器7と反射器8との少なくとも一方を備えていればよい。   The director 7 performs a function of guiding the radio wave arriving at the antenna device 50 to the radiator 1. The reflector 8 reflects the radio wave that has reached the reflector 8 toward the radiator 1. Thereby, the antenna device 50 functions as a directional antenna. In order for the antenna device 50 to function as a directional antenna, the antenna device 50 only needs to include at least one of the waveguide 7 and the reflector 8.

本実施の形態の放射器を備えることでアンテナ装置50の素子数を少なくすることができる。よって、本実施の形態によれば、構造が簡単ながら高性能のアンテナ装置を得ることができる。   By providing the radiator of the present embodiment, the number of elements of the antenna device 50 can be reduced. Therefore, according to the present embodiment, it is possible to obtain a high-performance antenna device with a simple structure.

なお、アンテナ装置50はさらに防水カバーを備えていてもよい。この場合にはアンテナ装置50を室外で使用することが可能になる。   The antenna device 50 may further include a waterproof cover. In this case, the antenna device 50 can be used outdoors.

また、放射器1のみを受信アンテナ(または送信アンテナ)として用いることも可能である。この場合には、たとえば建物の窓ガラスに放射器1を貼り付けることにより放射器1の設置スペースを少なくすることができる。さらに複数の放射器1を窓ガラスに貼り付けることにより高利得のアンテナ装置を実現することができる。   Moreover, it is also possible to use only the radiator 1 as a receiving antenna (or transmitting antenna). In this case, the installation space of the radiator 1 can be reduced by attaching the radiator 1 to a window glass of a building, for example. Furthermore, a high gain antenna device can be realized by attaching a plurality of radiators 1 to the window glass.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

実施の形態1の放射器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the radiator of Embodiment 1. FIG. 図1に示す放射部2の大きさを変化させた例を示す図である。It is a figure which shows the example which changed the magnitude | size of the radiation | emission part 2 shown in FIG. 図2の放射部2Aの辺の長さLを変化させたときの放射部2Aの利得の周波数特性を説明する図である。It is a figure explaining the frequency characteristic of the gain of the radiation | emission part 2A when changing the length L of the edge | side of the radiation | emission part 2A of FIG. 図2の放射部2Aの辺の長さLと放射部2AのVSWR(Voltage Standing Wave Ratio:電圧定在波比)との関係を説明する図である。It is a figure explaining the relationship between the side length L of the radiation | emission part 2A of FIG. 2, and VSWR (Voltage Standing Wave Ratio: Voltage standing wave ratio) of the radiation | emission part 2A. 実施の形態1の放射器の第1の比較例を示す図である。6 is a diagram illustrating a first comparative example of the radiator according to the first embodiment. FIG. 実施の形態1の放射器の第2の比較例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd comparative example of the radiator of Embodiment 1. FIG. 実施の形態1の放射器の利得と第1および第2の比較例の利得とを示す図である。It is a figure which shows the gain of the radiator of Embodiment 1, and the gain of the 1st and 2nd comparative example. 実施の形態1の放射器のVSWRと第1および第2の比較例のVSWRとを示す図である。It is a figure which shows VSWR of the radiator of Embodiment 1, and VSWR of the 1st and 2nd comparative example. 実施の形態1の放射器の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the radiator of Embodiment 1. FIG. 図9の放射器1Aの利得を示す図である。It is a figure which shows the gain of 1 A of radiators of FIG. 図9の放射器1AのVSWRを示す図である。It is a figure which shows VSWR of 1 A of radiators of FIG. 実施の形態1の放射器の第2の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of the radiator of Embodiment 1. FIG. 図12の放射器1Bの利得を示す図である。It is a figure which shows the gain of the radiator 1B of FIG. 図12の放射器1BのVSWRを示す図である。It is a figure which shows VSWR of the radiator 1B of FIG. 実施の形態2の放射器の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the radiator of Embodiment 2. FIG. 実施の形態1および形態2の放射器の利得を示す図である。It is a figure which shows the gain of the radiator of Embodiment 1 and Embodiment 2. FIG. 実施の形態1および形態2の放射器のVSWRを示す図である。It is a figure which shows VSWR of the radiator of Embodiment 1 and Embodiment 2. FIG. 実施の形態2の放射器の第1の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 1st modification of the radiator of Embodiment 2. FIG. 図18の放射器11Aの利得を示す図である。It is a figure which shows the gain of 11 A of radiators of FIG. 図18の放射器11AのVSWRを示す図である。It is a figure which shows VSWR of the radiator 11A of FIG. 実施の形態2の放射器の第2の変形例を示す図である。It is a figure which shows the 2nd modification of the radiator of Embodiment 2. FIG. 図21の放射器11Bの利得を示す図である。It is a figure which shows the gain of the radiator 11B of FIG. 図21の放射器11BのVSWRを示す図である。It is a figure which shows VSWR of the radiator 11B of FIG. 本実施の形態の放射器を備えるアンテナ装置の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of an antenna apparatus provided with the radiator of this Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1,1A,1B,11,11A,11B 放射器、2,2A,2B,2C,21,22 放射部、4,4A,4B,4C,4A1,4B1,4C1,6,6A,6B,6C,41 無給電素子、7 導波器、8 反射器、12,13 導体パターン、21A〜21E,22A〜22E 導線、50 アンテナ装置、51〜53 誘電体フィルム、A 平面、FD1,FD2 給電点、O 原点。   1, 1A, 1B, 11, 11A, 11B Radiator, 2, 2A, 2B, 2C, 21, 22 Radiator, 4, 4A, 4B, 4C, 4A1, 4B1, 4C1, 6, 6A, 6B, 6C, 41 Parasitic element, 7 Waveguide, 8 Reflector, 12, 13 Conductor pattern, 21A to 21E, 22A to 22E Conductor, 50 Antenna device, 51 to 53 Dielectric film, A plane, FD1, FD2 Feed point, O origin.

Claims (10)

所定の平面上にループ状に形成され、周囲長が所定の周波数帯域の中心波長よりも短い長さに設定され、第1および第2の給電点を有する放射部と、
前記所定の平面上に、前記第1および第2の給電点を含む前記放射部の一部に沿って前記放射部の外側に形成され、一方端から他方端までの長さが前記中心波長の半分よりも長くなるように設定される第1の無給電素子とを備える、放射器。
A radiating portion that is formed in a loop shape on a predetermined plane, has a perimeter set to a length shorter than the center wavelength of a predetermined frequency band, and has first and second feeding points;
On the predetermined plane, it is formed outside the radiating portion along a part of the radiating portion including the first and second feeding points, and the length from one end to the other end is the center wavelength. And a first parasitic element set to be longer than half.
前記中心波長をλとすると、前記第1の無給電素子と前記放射部との間隔は、0.01λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲に含まれる所定の値である、請求項1に記載の放射器。   The distance between the first parasitic element and the radiating portion is a predetermined value included in a range of 0.01λ or more and 0.03λ or less, where the center wavelength is λ. The radiator described. 前記第1の無給電素子の前記一方端における前記放射器と前記第1の無給電素子との間隔を第1の長さとし、前記第1の給電点の位置における前記放射器と前記第1の無給電素子との間隔を第2の長さとすると、前記第1の長さは前記第2の長さよりも小さい、請求項1に記載の放射器。   The distance between the radiator at the one end of the first parasitic element and the first parasitic element is a first length, and the radiator and the first at the position of the first feeding point The radiator according to claim 1, wherein the first length is smaller than the second length when a distance from the parasitic element is a second length. 前記中心波長をλとすると、前記第1および第2の長さは、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲から選択される、請求項3に記載の放射器。   The radiator according to claim 3, wherein the first and second lengths are selected from a range of 0.005λ or more and 0.03λ or less, where λ is the center wavelength. 前記中心波長をλとすると、前記第1の無給電素子の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の値である、請求項1に記載の放射器。   2. The radiator according to claim 1, wherein when the center wavelength is λ, the width of the first parasitic element is not less than 0.005λ and not more than 0.03λ. 前記中心波長をλとすると、前記放射部の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の値である、請求項1に記載の放射器。   The radiator according to claim 1, wherein the width of the radiating portion is a value of 0.005λ or more and 0.03λ or less, where λ is the center wavelength. 前記放射部は、
前記第1の給電点を含み、第1の方向に沿って延在する第1の導体と、
前記第1の導体に接続され、前記第1の方向に直交する第2の方向に沿って延在する第2の導体とを含み、
前記第2の導体の幅は、前記第1の導体の幅よりも小さい、請求項1に記載の放射器。
The radiation part is
A first conductor including the first feeding point and extending along a first direction;
A second conductor connected to the first conductor and extending along a second direction orthogonal to the first direction;
The radiator according to claim 1, wherein a width of the second conductor is smaller than a width of the first conductor.
前記中心波長をλとすると、前記第1の導体の幅および前記第2の導体の幅は、0.005λ以上、かつ、0.03λ以下の範囲から選択される、請求項7に記載の放射器。   The radiation according to claim 7, wherein the width of the first conductor and the width of the second conductor are selected from a range of 0.005λ or more and 0.03λ or less, where λ is the center wavelength. vessel. 前記放射部の外側に前記放射部に沿って形成され、かつ、前記第1の無給電素子と合わせて前記放射部を囲む第2の無給電素子をさらに備える、請求項1に記載の放射器。   The radiator according to claim 1, further comprising a second parasitic element that is formed along the radiating section outside the radiating section and surrounds the radiating section together with the first parasitic element. . 請求項1から9のいずれか1項に記載の放射器と、
導波器および反射器の少なくとも一方とを備える、アンテナ装置。
A radiator according to any one of claims 1 to 9,
An antenna device comprising at least one of a director and a reflector.
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