JP2008084937A - Socket with heat radiating function - Google Patents

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Tetsuji Ogino
Nobuyuki Okuda
Kaoru Soeda
Makoto Yoshida
信 吉田
伸幸 奥田
薫 添田
哲治 荻野
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Alps Electric Co Ltd
アルプス電気株式会社
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a socket with heating radiating function assuring excellent heat radiating efficiency. <P>SOLUTION: A second elastic contact group 54A provided to a heat radiating contact member 50 is placed in contact with an electrode group 2A for grounding of a semiconductor element 1. Heat generated by the semiconductor element 1 is transferred to a heat sink 60 through the electrode group 2A for the grounding, the second elastic contact group 54A and moreover a contact member 55 and a heat transfer member 51 constituting a heat radiating contact member 50. Heat can be released from the lower surface side of the semiconductor element 1 hat has been not used as a route for releasing heat in the related art. Accordingly, heat radiating efficiency of a socket 10 can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体素子の放熱効率を高める放熱機能付きソケットに関する。 The present invention relates to a heat dissipation function socket to increase the heat radiation efficiency of the semiconductor device.

最近の半導体電気・電子部品は多機能、高性能化とともに、高集積化、小型、薄型化の傾向にある。 Recent semiconductor electrical and electronic components are multi-functional, with high performance, a highly integrated, small size, the trend of thinning. それに伴い、CPU(Central Processing Unit)、MPU(MicroProcessing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)などの半導体素子内で発生した熱が、それらの内部に蓄積されて高温レベルになるため、寿命が短くなり、また誤作動を生じるなど信頼性が低下する。 Along with this, CPU (Central Processing Unit), MPU (MicroProcessing Unit), heat generated in the semiconductor element such as a GPU (Graphics Processing Unit), to become a high temperature level stored in their internal life is shortened also and reliability caused malfunction is reduced.

そこで、従来は半導体素子そのものに、あるいは半導体素子を保持するソケットにヒートシンクを取り付けることにより、前記半導体素子が発生した熱を大気中に逃がすことにより冷却している。 Therefore, conventionally by attaching a heat sink to a socket for holding the semiconductor element itself or the semiconductor element, the heat the semiconductor element is generated is cooled by escape to the atmosphere.

前記半導体素子をソケットに装着した状態で放熱を行うものとしては、以下に示すような特許文献が存在している。 The semiconductor device as to perform heat radiation in a state of being mounted on the socket, there is Patent Document described below.
特開2004−14873号公報 JP 2004-14873 JP

特許文献1に記載のものは、ヒートシンクを用いて半導体素子の内部で発生した熱を前記半導体素子の表面や側面から逃がす構成である。 Those described in Patent Document 1 is a structure for releasing heat generated in the semiconductor device using the heat sink from the surface and the side surface of the semiconductor element.

しかし、熱を半導体素子の表面および側面から逃がすだけの構成では、冷却能力(放熱効率)を高めるのに限界があり、さらなる冷却能力の向上が望まれている。 However, only the structure release heat from the surface and the side surface of the semiconductor element, there is a limit in increasing the cooling capacity (heat radiation efficiency), it is desired further improvement in cooling capacity. すなわち、ハンダボールなどが設けられる半導体素子の下面(接続面)についも、熱を逃がすルートとして有効に利用することが好ましい。 That is, even with the lower surface (connection surface) of the semiconductor elements such as solder balls are provided, it is preferable to effectively utilize a route heat to escape.

一方、半導体素子を冷却する手段としては、例えばファンからの送風を半導体素子やヒートシンクに当てて強制的に冷却する方式が一般的である。 On the other hand, as a means for cooling the semiconductor element, for example, methods of forcibly cooling the blown against the semiconductor element and the heat sink from the fan is generally used.

また半導体素子はバーンイン装置を用いて熱サイクル試験が行われる。 The semiconductor device also heat cycle test is performed using the burn-in apparatus. このようなバーンイン装置では、一度に複数の半導体素子を試験する必要があるため、前記装置内には複数のバーンイン用のソケットが配置される。 In such a burn-in system, it is necessary to test a plurality of semiconductor devices at one time, is in the apparatus is disposed a socket for a plurality of burn. 前記熱サイクル試験(バーンイン試験)では、前記装置内の温度を正確に管理する必要がある。 In the thermal cycle test (burn-in test), it is necessary to accurately manage the temperature in the apparatus. このため、一つ一つの半導体素子の温度を正確に管理するためには、全てのバーンインソケットにファンを取り付けるが好ましい。 Therefore, in order to accurately manage the temperature of one single semiconductor device, installing the fan in all of the burn-in socket it is preferred.

しかし、全てのバーンインソケットにファンを取り付けると、前記バーンイン装置が機構的に大型・複雑化するとともに製造コストや消費電力の増大を招き現実的ではない。 However, when installing the fan in all burn in socket, the burn-in system is not practical result in higher manufacturing costs and power consumption as well as mechanically large and complicated. しかも前記バーンイン装置は、高温時には150℃程度の加熱炉状態となるため、このような装置内にファンを設けることは故障の原因になりやすいという問題もある。 Moreover the burn-in apparatus, because the heating furnace condition of about 0.99 ° C. at high temperatures, providing a fan in such a device there is a problem that tends to cause a failure.

本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、半導体素子の放熱効率を高める放熱機能付きソケットを提供すること目的としている。 The present invention has been made to solve the conventional problems, and an object is to provide a heat dissipation function socket to increase the heat radiation efficiency of the semiconductor device.

本発明は、貫通孔が形成されたマザー基板の一方の面上に前記貫通孔を取り囲むように固定された枠体と、前記マザー基板の他方の面に設けられるヒートシンクと、を有する放熱機能付きソケットであって、 The present invention, with heat radiation function having one and fixed frame so as to surround the through-hole on the surface of the mother substrate having a through hole formed, and a heat sink provided on the other surface of the mother substrate a socket,
前記ヒートシンクには前記貫通孔に対応する位置に放熱部材が設けられており、前記ヒートシンクを前記マザー基板の他方の面に固定した状態では前記放熱部材が前記貫通孔を介して前記枠体に囲まれた装填領域内に設置されるものであり、 Wherein the heat sink has heat radiating member is provided at a position corresponding to the through hole, in a state where the heat sink is fixed to the other surface of the mother substrate surrounded by the frame body the heat dissipation member via the through hole are disposed to the loading area,
半導体素子を前記装填領域に装填したときに、前記半導体素子の接続面に設けられた外部接触子が前記放熱部材に接触可能であることを特徴とするものである。 When loaded with the semiconductor device in the loading area, it is characterized in that the external contacts provided on the connection surface of the semiconductor element can be in contact with the heat dissipation member.

本発明では、半導体素子をソケット内の装填領域に装填されると、半導体素子の接続面に設けられた所定の外部接触子(ハンダボールなど)を放熱部材に接触させることができる。 In the present invention, a semiconductor device when it is loaded into the loading area of ​​the socket (such as solder balls) predetermined external contacts provided on the connection surface of the semiconductor element can be brought into contact with the heat dissipation member. このため、半導体素子の内部で発生した熱を前記半導体素子の下面(接続面)側から逃がすことができる。 Therefore, it is possible to release the heat generated in the semiconductor element from the lower surface (connection surface) of the semiconductor device.

例えば、前記放熱部材は、熱伝達部材と、前記熱伝達部材の一方の面に設けられた複数の弾性接点と、を有し、前記熱伝達部材の他方の面が前記ヒートシンクの接合面に接合されているものとして構成される。 For example, the heat radiating member includes a heat transfer member, and a plurality of elastic contacts provided on one surface of the heat transfer member, joining the other surface of the heat transfer member on the bonding surface of the heat sink configured as those that are.

上記手段では、半導体素子の内部で発生した熱を、半導体素子の外部接触子に接触している個々の弾性接点を介して熱伝達部材に導くことができる。 By this configuration, it is possible to guide the heat generated in the semiconductor element, the heat transfer member through the elastic contacts in contact with the external contacts of the semiconductor device.

また前記枠体内の前記貫通孔を除く部分にはマザー基板に接続される弾性接点を備えた中継部材が設けられており、前記中継部材に設けられた弾性接点と前記放熱部材に設けられた前記弾性接点が前記装填領域内に一緒に配置されているものが好ましい。 Also in the portion except the through hole of the frame body is provided with a relay member having a resilient contact that is connected to the mother board, the provided on the heat radiating member and the elastic contact provided on the relay member those elastic contacts are arranged together in said loading area is preferred.

上記手段では、信号用の電極群を前記中継部材に設けられた弾性接点が受け持ち、接地用の電極群を前記放熱部材に設けられた前記弾性接点が担当することにより、前記接地用の電極群から熱を逃がすことが可能となる。 With the above means, charge an elastic contact provided an electrode group for signal to the relay member, by the elastic contacts provided an electrode group for grounding said heat radiating member is responsible, electrodes for the ground it is possible to escape the heat from.

あるいは、前記放熱部材は、表面に複数の弾性接点を有するシートと、前記接続シートの裏面の一領域に対し一方の面が固定された熱伝達部材とを有し、前記熱伝達部材の他方の面が前記ヒートシンクの接合面に接合されているものとして構成される。 Alternatively, the heat dissipation member comprises a sheet having a plurality of elastic contacts to the surface, and a heat transfer member having one surface with respect to a region of the back surface is fixed the connection sheet, the other of said heat transfer member surface is configured as being joined to the joint surface of the heat sink.

上記手段では、信号用の電極群と接地用の電極群を分けることなく、一枚のシートに形成することができるため、構成を容易化することができるとともに、製造コストの低減が可能となる。 With the above means, without separating the electrodes for grounding the electrode group for signal, it is possible to form a single sheet, it is possible to facilitate the arrangement, it is possible to reduce the manufacturing cost . しかも、個々の弾性接点がバラバラになることを防止することができ、弾性接点の取扱い及び管理を容易とすることができる。 Moreover, it is possible to prevent the individual elastic contacts fall apart, it is possible to facilitate the handling and management of elastic contacts.

上記においては、前記熱伝達部材と前記複数の弾性接点との間が、異方性の導電性接着剤で固定されているものが好ましい。 In the above, between said heat transfer member and the plurality of elastic contacts, what is preferably fixed by an anisotropic conductive adhesive.

上記手段では、前記熱伝達部材と前記複数の弾性接点との間の熱伝導度を高めることができる。 By this configuration, it is possible to increase the thermal conductivity between said heat transfer member and the plurality of elastic contacts. また前記熱伝達部材を前記弾性接点と同じ接地電位に設定することができる。 Also it is possible to set the heat transfer member at the same ground potential as the elastic contacts.

また上記においては、前記熱伝達部材が、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかで形成されていることが好ましい。 In the above, the heat transfer member, copper, it is preferable that the copper alloy, and is formed in either aluminum or an aluminum alloy.

上記手段では、熱伝達部材の導電率および熱伝導度が大きいため、半導体素子が発生した熱をヒートシンクに効率良く伝達することができる。 With the above means, since a large electrical conductivity and thermal conductivity of the heat transfer member, it is possible to efficiently transfer heat semiconductor device occurs in the heat sink.

また前記枠体には、前記装填領域内に装填された半導体素子を保持する保持部材が設けられているものが好ましい。 Also the frame body, which holding member for holding the semiconductor element that is loaded in the loading area is provided is preferable.
上記手段では、半導体素子をソケット内に容易に保持することができる。 By this configuration, it is possible to easily hold the semiconductor device in the socket.

本発明では、従来熱を逃がすためのルートとしては使用されていなかった半導体素子の下面(接続面)側から熱を逃がすことができるようになり、放熱効率の高いソケットを提供できる。 In the present invention, now as a route to escape conventional heat can escape heat from the lower surface (connection surface) of the semiconductor device that has not been used, can provide a high heat dissipation efficiency socket.

図1は本発明の第1の実施の形態として半導体素子をソケットに装填する前の状態を示す断面図、図2は本発明の実施の形態として半導体素子をソケットに装填した後の状態を示す図1同様の断面図、図3は放熱コンタクト部材(放熱部材)を示す斜視図、図4は弾性接点の一例を示す断面図である。 1 is a sectional view showing a state before loading the semiconductor element to the socket as the first embodiment of the present invention, FIG 2 shows a state after loading the semiconductor device to a socket as an embodiment of the present invention Figure 1 a cross-sectional view similar, FIG. 3 is a perspective view showing a heat dissipating contact member (heat dissipation member), Fig. 4 is a cross-sectional view showing an example of elastic contacts.

図1,図2に示されるソケット10は、例えば製造後の半導体素子について熱サイクル試験する際に使用されるものである。 Figure 1, the socket 10 shown in FIG. 2, for example, those used in the semiconductor device after manufacture to the thermal cycle test. ただし,CPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)などのように、常温時における動作温度が高温となりやすい半導体素子をコンピュータなどのマザーボードに固定するためのソケット10として使用するものであってもよい。 However, CPU (Central Processing Unit), MPU (Micro Processing Unit), GPU, such as (Graphics Processing Unit), a socket 10 for fixing the semiconductor device operating temperature tends to be high temperature at the normal temperature to a motherboard, such as a computer or it may be used as a.

以下の説明において示す半導体素子1は、底面(接続面)1Bに複数の外部接触子2を有するものである。 The semiconductor device shown in the following description 1 is one having a plurality of external contacts 2 on the bottom (connection surface) 1B. 前記外部接触子2としては、球状接触子に含まれるハンダボールが代表的であるが、平面状接触子、凸状接触子、あるいはピン状接触子などその他の接触子も含まれる。 As the external contacts 2, the solder balls contained in the spherical contact is typically also include planar contact, convex contact or pin-like contacts and other contacts. 前記外部接触子2は、前記半導体素子1の底面(接続面)1Bにマトリックス状に配置されている。 The external contacts 2 are arranged in a matrix form on the bottom (connection surface) 1B of the semiconductor element 1. なお、前記マトリックスの縦横方向のピッチ寸法は一定であり、以下においては前記一定のピッチ寸法を共通ピッチと称する。 The pitch dimension of the vertical and horizontal directions of said matrix is ​​constant is called a common pitch the constant pitch dimension below.

この半導体素子1では、前記マトリックス状に配置された多数の外部接触子2のうち、これよりも少ない一領域に設けられた複数の電極が接地用の電極群2Aがとして使用される。 In the semiconductor device 1, of a number of external contacts 2 arranged in the matrix form, a plurality of electrodes disposed on one region less than this is used as the electrode group 2A for ground. 例えば、前記底面(接続面)1Bの中央部に位置する5×5からなる一領域内に設けられた25ヶの外部接触子2が、接地用の電極群2Aとして使用され、それ以外の複数の電極は一部の電極を除いて信号用の電極群2Bとして使用される。 For example, the bottom surface (connection surface) 1B 25 months of the external contact 2 provided on one area consisting of 5 × 5 positioned at the center of, is used as the electrode group 2A for ground, a plurality of otherwise the electrodes are used as electrodes 2B of the signal except for a part of the electrode. なお、前記一部の電極は例えば電源用の±端子電極として、あるいは前記一領域内に配置された電極同様に接地用の電極として使用される。 Incidentally, the portion of the electrode is used as an electrode for grounding, for example, as a ± terminal electrode for power supply, or similar electrode disposed on the one area.

図1,2に示すように、ソケット10は、厚み(Z1−Z2)方向を除く前後左右を取り囲む4つの側壁からなる枠体11を有している。 As shown in FIGS. 1 and 2, the socket 10 includes a frame 11 consisting of four side walls which surround the lateral longitudinal excluding the thickness (Z1-Z2) direction. なお、このソケット10は、図示Z1側およびZ2側に、それぞれ天面および底面を有しない構成である。 Note that this socket 10, the illustrated Z1 side and Z2 side, a configuration without the top and bottom, respectively.

前記ソケット10の下方(Z2側)にはマザー基板20が設けられており、前記ソケット10を構成する前記枠体11の底部が、前記マザー基板20上の所定の位置に固定されている。 Wherein the lower portion of the socket 10 (Z2 side) and the mother board 20 is provided, the bottom of the frame body 11 constituting the socket 10 is fixed to a predetermined position on the mother board 20. 前記枠体11の内面と前記マザー基板20とで囲まれる領域が、半導体素子1が装填される装填領域10Aである。 Region surrounded by the inner surface and the mother board 20 of the frame 11, a loading area 10A of the semiconductor device 1 is loaded. 半導体素子1を前記装填領域10Aに装着すると、前記半導体素子1の側面が前記枠体11の内面によって位置決めされるようになっている。 When mounting the semiconductor device 1 in the loading region 10A, a side surface of the semiconductor element 1 is adapted to be positioned by the inner surface of the frame 11.

前記枠体11には、回動支持部12b,12bを中心に回転する一対の保持部材12,12が設けられている。 The frame 11 includes a pair of holding members 12 and 12 to rotate about pivot support portion 12b, and 12b are provided. 前記保持部材12,12の一端には、半導体素子1の表面を押圧する前記押圧部12a,12aが設けられている。 At one end of the holding member 12 and 12, the pressing portion 12a that presses the surface of the semiconductor element 1, 12a are provided. なお、前記一対の保持部材12,12は図示しない付勢部材により、図示α1方向およびα2方向にそれぞれ付勢されている。 Incidentally, the pair of holding members 12 and 12 by a biasing member, not shown, are urged respectively shown α1 direction and α2 direction.

図1に示すように、前記保持部材12,12がそれぞれα1,α2方向に回動させられ、前記押圧部12a,12aが前記装填領域10Aから抜け出ている場合が開放状態である。 As shown in FIG. 1, [alpha] 1 the holding member 12 and 12, respectively, are rotated in the α2 direction, if the pressing portion 12a, 12a are exited from the loading area 10A is in an open state. この開放状態では前記半導体素子1を前記装填領域10Aに装填すること可能である。 In this open state it is possible to load the semiconductor device 1 in the loading region 10A. また図2に示すように、前記保持部材12,12がそれぞれα1',α2'方向に回動させられ、前記押圧部12a,12aが前記装填領域10A内に位置する場合が閉鎖状態である。 Further, as shown in FIG. 2, the holding member 12 and 12 respectively [alpha] 1 ', [alpha] 2' is rotated in the direction, if the pressing portion 12a, 12a is positioned in the loading region 10A is closed. 前記開放状態中に、前記半導体素子1が前記装填領域10A内に装着され、前記一対の保持部材12,12が前記α1方向およびα2方向に回動して前記閉鎖状態に至り、半導体素子1の上面1Aが前記押圧部12a,12aによって押圧され、半導体素子1が前記装填領域10Aに保持される。 During the open state, the semiconductor element 1 is mounted on the loading area 10A, the pair of holding members 12, 12 is rotated in the α1 direction and α2 direction leads to the closed state, the semiconductor element 1 upper surface 1A is the pressing portion 12a, is pressed by 12a, the semiconductor device 1 is held in the loading area 10A. なお、通常はソケット10内に保持された前記半導体素子1の上面1Aにヒートシンクなどの放熱部材が装着される。 Normally the heat radiation member such as heat sink is mounted on the top surface 1A of the semiconductor element 1 held in the socket 10.

前記マザー基板20には、複数の接続電極21,21,・・・が配置されている。 The mother substrate 20, a plurality of connecting electrodes 21, 21, ... are arranged. そして、前記マザー基板20には図示しない外部回路から延びる複数の信号ラインがパターン形成されており、前記接続電極21に個別に接続されている。 Then, the the mother board 20 has a plurality of signal lines extending from the external circuit (not shown) is patterned, and is individually connected to the connecting electrode 21.

前記マザー基板20の中央の、前記接地用の電極群2Aに対向する位置には、板厚方向(Z方向)に貫通する貫通孔20Bが形成されている。 Of the center of the mother substrate 20, at a position facing the electrode group 2A for the grounding through hole 20B penetrating in the thickness direction (Z direction) is formed. そして、前記複数の接続電極21のほとんどは信号用であり、前記貫通孔20Bを除いた部分に前記共通ピッチでマトリックス状態に配置されている。 Then, most of the plurality of connection electrodes 21 is for signals are disposed in a matrix state in the common pitch portion except the through hole 20B.

前記マザー基板20の上には、板状またはシート状に形成された中継部材30が設けられている。 On the mother substrate 20, the relay member 30 is provided which is formed in a plate shape or sheet shape. 前記中継部材30の、前記接地用の電極群2Aに対向する位置にも、板厚方向(Z方向)に貫通する貫通孔30Aが形成されており、その周囲には前記共通ピッチでマトリックス状態に配置された複数の中継電極31が設けられている。 Wherein the relay member 30, also a position facing the electrode group 2A for the ground is formed with a through hole 30A that penetrates in a thickness direction (Z direction), a matrix state in the common pitch to around a plurality of relay electrodes 31 arranged is provided. 前記中継電極31は前記半導体素子1の底面(接続面)1Bに設けられた複数の外部接触子2のうち、中央に設けられた接地用の電極群2Aを除く信号用の電極群2Bに対応している。 The relay electrode 31 of the semiconductor device 1 of the bottom surface (connection surface) of the plurality of provided 1B external contacts 2, corresponding to the electrodes 2B of the signal except for the electrodes 2A for ground provided in the center doing.

本実施の形態では、前記中継電極31が、図示Z1側の一端に略Y字状に分岐形成された弾性接点(第1の弾性接点)32を有するものとして形成されている。 In this embodiment, the relay electrode 31 is formed as having a resilient contact (first elastic contact) 32 which is branching into a substantially Y-shape at one end of the Z1 side. 前記中継電極31の図示Z2側の他端は、前記マザー基板20上のいずれかの前記接続電極21に対し個別に導通接続されている。 The Z2 side end of the relay electrode 31 is electrically connected individually to one of the connection electrodes 21 on the mother board 20.

なお、前記中継電極31は、その他例えば外周部に設けられた巻き端部から中心方向の巻き始端部に向かって螺旋形状に形成されるとともに、螺旋の先端部である前記巻き終端部が前記巻き始端部に対し立体的に突出成形された凸状(山型状)のスパイラル接触子、ドーム状の金属膜の裏面にゴムやエラストマーなどからなる弾性膜を張り付けたメンブレン型コンタクト、接点となる先端部が略U字形状に湾曲形成されるとともに全体が弾性的に変形することが可能なスプリングピン(コンタクトピン)、ストレスドメタル、コンタクトプローブ(特開2002−357622参照)、あるいは竹の子バネなどの弾性接点で形成されるものであってもよい。 Incidentally, the relay electrode 31 is formed into a spiral shape toward the center direction of the winding starting end from other example the outer periphery winding end portion provided on said winding terminal portion is a distal end portion of the spiral is the wound spiral contactor, membrane-type contacts affixed an elastic membrane made of rubber or an elastomer on the back surface of the dome-shaped metal film of the starting end to sterically projecting shaped convex (mountain-shape), the tip serving as a contact point parts can be whole while being curved in a substantially U-shaped elastically deformable spring pin (contact pins), stressed metal, the contact probe (see JP 2002-357622), or the like volute spring or it may be formed of an elastic contact.

図2に示すように、前記略Y字状に分岐形成された複数の第1の弾性接点32には、前記ハンダボールからなる外部接触子2がそれぞれ接触することにより、前記外部接触子2と前記中継電極31とが個別に導通接続される。 As shown in FIG. 2, the plurality of first resilient contact 32 which is branching into the substantially Y-shaped, by external contacts 2 consisting of the solder balls are in contact respectively with the external contact 2 wherein the relay electrode 31 is electrically connected individually.

前記信号用の電極群2Bに対応して設けられた前記複数の中継電極31は、平面的に見ると略「口」形状であり、これらにより信号用の第1の弾性接点群32Aが形成されている。 Wherein the plurality of relay electrodes 31 provided corresponding to the electrode group 2B for the signal, when viewed in plan is substantially "mouth" shape, the first elastic contact group 32A of the signal are formed by these ing.

図1および図2に示すように、前記貫通孔20B内で前記半導体素子1の前記接地用の電極群2Aの下部位置には、放熱コンタクト部材(放熱部材)50が設けられている。 As shown in FIGS. 1 and 2, wherein the lower position of the through-hole 20B within the electrode group 2A for the grounding of the semiconductor element 1, the heat dissipation contact member (heat dissipating member) 50 is provided.

図3に示すように、前記放熱コンタクト部材50は、金属板からなる熱伝達部材51と前記熱伝達部材51の表面側に設けられた接続シート52とを有している。 As shown in FIG. 3, the heat radiating contact member 50 includes a heat transfer member 51 made of a metal plate and a connecting sheet 52 provided on the surface side of the heat transfer member 51. 前記熱伝達部材51は導電率および熱伝導度の大きい材料、例えば銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかで形成されている。 Big material of the heat transfer member 51 is electrical conductivity and thermal conductivity, such as copper, copper alloy, and is formed in either aluminum or an aluminum alloy. 前記熱伝達部材51の四隅には、ねじ止め用の孔が設けられている(図示せず)。 The four corners of the heat transfer member 51, holes for screws are provided (not shown).

図3に示すように、前記接続シート52は例えばポリイミドなどからなる絶縁性のシートで形成されており、前記接続シート52には複数の穴(スルーホール)53がマトリックス状に前記共通ピッチで穿設されている。 As shown in FIG. 3, the connecting sheet 52 is formed of a sheet of insulating made of such as polyimide, said connection seat 52 in the common pitch plurality of holes (through holes) 53 in a matrix puncture It has been set. そして、各穴53には第2の弾性接点54がそれぞれ設けられている。 Then, the second elastic contact 54 are provided in each hole 53. なお、前記複数の第2の弾性接点54により、接地用の第2の弾性接点群54Aが形成されており、これらは前記接地用の電極群2Aと対向する一領域内に設けられる。 Incidentally, by the plurality of second resilient contact 54 is formed with the second elastic contact group 54A for grounding, which are provided on one region corresponding to the electrode group 2A for the grounding.

図4に示すように、本実施の形態では、前記第2の弾性接点54が基端部54bから先端部54cにかけて螺旋状に延びる弾性部54dを有する凸型のスパイラル接触子54aで形成されている。 As shown in FIG. 4, in this embodiment, the second resilient contact 54 is formed by spiral contactor 54a of the convex mold having an elastic portion 54d, which extends helically from the proximal end 54b to the distal end portion 54c there. 前記スパイラル接触子54aは、前記基端部54bの上面(Z1側の面)が前記接続シート52の下面側で且つ前記穴53の縁部に固着されている。 The spiral contact 54a is a top of the base end portion 54b (Z1-side surface) is fixed to and edge of the hole 53 in the lower surface of the connecting sheet 52. また前記スパイラル接触子54aの基端部54bの下面(Z2側の面)は,所定の接着部材55を介して前記熱伝達部材51の表面に接合されている。 The lower surface of the proximal end portion 54b of the spiral contact 54a (plane of the Z2 side) is bonded to the surface of the heat transfer member 51 via a predetermined adhesive member 55. 前記接着部材55としては、一定の方向(この場合には厚み(Z)方向)にのみ電気を通す異方性の導電性ペースト(ACP)または異方性の導電性フィルム(ACF)などからなる接着剤である。 As the adhesive member 55, and the like only anisotropic conducting electricity conductive paste (ACP) or an anisotropic conductive film (ACF) (thickness (Z) direction when this) fixed direction an adhesive. これにより、前記第2の弾性接点群54Aを形成する前記第2の弾性接点54(スパイラル接触子54a)のすべてが同じ接地電位に設定される。 Thus, all of the second elastic contact 54 to form the second elastic contact group 54A (spiral contact 54a) is set to the same ground potential.

また前記接着部材55を異方性の導電性ペースト(ACP)または異方性の導電性フィルム(ACF)で形成すると、電気を通す厚み方向に熱を導きやすくすることができる。 Also it is said to form an adhesive member 55 an anisotropic conductive paste (ACP) or an anisotropic conductive film (ACF), easy to guide the heat in the thickness direction of conducting electricity. すなわち、半導体素子1の内部で発生した熱を、前記第2の弾性接点群54Aおよび前記接着部材55を介して前記熱伝達部材51に効率良く伝えることができる。 That is, it is possible to heat generated inside the semiconductor device 1, efficiently transferred to the heat transfer member 51 through the second elastic contact group 54A and the adhesive member 55.

なお、隣り合うスパイラル接触子54aの前記基端部間が、接続シート52に形成された導電層、あるいは導電パターンなどにより互いに導通接続される構成である場合には、前記接着部材55は非導電性ペースト(NCP)または非導電性フィルム(NCF)であってもよいが、この場合には熱伝導度の高い前記接着部材55が好ましい。 Incidentally, in the case between the proximal end of the adjacent spiral contact 54a is a conductive layer formed on the connection sheet 52, or the conductive pattern is configured to be electrically connected to each other due to, the adhesive member 55 is non-conductive it may be a sexual paste (NCP) or a nonconductive film (NCF), the adhesive member 55 having high thermal conductivity in this case is preferred.

図1および図2に示すように、上記放熱コンタクト部材50には複数の放熱フィンが設けられたヒートシンク60が固定される。 As shown in FIGS. 1 and 2, the heat sink 60 a plurality of radiation fins provided on the heat dissipation contact member 50 is fixed. 前記ヒートシンク60は、熱伝導度の大きい例えば銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金などからなる金属で形成されている。 The heat sink 60 is larger, for example, copper thermal conductivity, copper alloy, and is formed of a metal made of aluminum or an aluminum alloy. 前記ヒートシンク60の図示Z1側の接合面61上で、且つ前記接地用の電極群2Aに対向する位置には,図示Z1方向に突出する凸状接合部62が形成されている。 The above bonding surface 61 of the Z1 side of the heat sink 60, and at a position facing the electrode group 2A for the ground, the convex joint portions 62 projecting in the Z1 direction are formed. 前記熱伝達部材51の下面51Bに、前記凸状接合部62が密着して接合されることにより、前記ヒートシンク60が前記放熱コンタクト部材50に固定されている。 The lower surface 51B of the heat transfer member 51, the convex joint portions 62 by being joined in close contact, the heat sink 60 is fixed to the heat dissipating contact member 50. なお、上記放熱コンタクト部材50と前記ヒートシンク60との固定は、例えば放熱コンタクト部材50に形成されたねじ止め用の4つの孔50a(図3参照)と、前記凸状接合部62上の対応する位置に形成された図示しない4つのねじ穴との間に、それぞれ所定のねじを螺着することで可能である(図2参照)。 The fixing of the heat sink 60 and the heat dissipation contact member 50, for example four holes 50a for screwing formed in the heat dissipating contact member 50 (see FIG. 3), corresponding on the convex joint portions 62 between the four screw holes (not shown) formed at positions, respectively it can be done by screwing the predetermined screw (see FIG. 2).

前記ヒートシンク60を備えた放熱コンタクト部材50は、前記マザー基板20の裏面側に固定される。 Radiating the contact member 50 provided with the heat sink 60 is fixed to the rear surface side of the mother substrate 20. 固定の際には、前記放熱コンタクト部材50および凸状接合部62が前記マザー基板20の貫通孔20Bに挿入される。 During fixing, the heat dissipating contact member 50 and the convex joining part 62 is inserted into the through hole 20B of the mother substrate 20. このとき、前記放熱コンタクト部材50が前記貫通孔20Bを介して前記マザー基板20の表面側に露出される。 In this case, the heat radiating contact member 50 is exposed to the surface side of the mother substrate 20 through the through-hole 20B. これにより、ソケット10では、前記装填領域10Aの中央部に前記放熱コンタクト部材50に形成された第2の弾性接点群54Aが設けられ、その周囲に前記第1の弾性接点群32Aが設けられる。 Thus, in the socket 10, the second elastic contact group 54A which is formed on the heat dissipating contact member 50 in the central portion of the loading area 10A is provided, the first elastic contact group 32A is provided around.

図2に示すように、前記半導体素子1を装填領域10Aに装填すると、外周側に設けられた複数の信号用の電極群2Bを形成する個々の外部接触子2が、前記第1の弾性接点群32Aを形成する中継電極31の第1の弾性接点32に個々に接触する。 As shown in FIG. 2, the when loading the semiconductor device 1 in the loading region 10A, the individual external contacts 2 forming the electrode group 2B for multiple signals provided on the outer peripheral side, the first elastic contact contacting individually the first resilient contact 32 of the relay electrode 31 forming a group 32A. 同時に、中央に設けられた複数の接地用の電極群2Aを形成する個々の外部接触子2が、前記第2の弾性接点群54Aを形成する第2の弾性接点(スパイラル接触子54a)54に個別に接触する。 At the same time, the individual external contacts 2 forming a plurality of electrode groups 2A for ground provided in the center, the second resilient contact (spiral contactor 54a) 54 for forming the second elastic contact group 54A individually contact. そして、半導体素子1に設けられた信号用の電極群2Bとソケット10の外部に設けられた図示しない外部回路とを、前記第1の弾性接点群32Aおよびマザー基板20上に形成されている配線パターンを介して接続することができる。 Then, an external circuit (not shown) provided outside the electrode group 2B and the socket 10 for the signal in the semiconductor device 1, the first elastic contact group 32A and has wiring formed on the mother substrate 20 it can be connected through the pattern.

また前記半導体素子1に設けられた接地用の電極群2Aを形成する外部接触子2どうしを、前記放熱コンタクト部材50の第2の弾性接点群54Aと熱伝達部材51を介して導通接続することができる。 The said was what external contacts 2 forming the electrode group 2A for ground provided in the semiconductor device 1 is electrically connected via the second elastic contact group 54A and the heat transfer member 51 of the heat dissipating contact member 50 can.

同時に、前記半導体素子1に設けられた個々の接地用の電極群2Aとヒートシンク60との間に、前記放熱コンタクト部材50を用いた熱伝導経路を形成することができる。 At the same time, between the electrodes 2A and the heat sink 60 for each grounding provided in the semiconductor device 1, it is possible to form a heat conduction path with the heat dissipating contact member 50. よって、半導体素子1の内部で発生した熱を前記放熱コンタクト部材50およびヒートシンク60を用いて外部に逃がすことが可能となる。 Therefore, it is possible to escape to the outside by using the heat dissipating contact member 50 and the heat sink 60 to heat generated inside the semiconductor device 1. 特に、接地用の電極群2Aは外部電源に接続され、発熱源となりやすいところであるため、半導体素子1において発生した熱を効率良く逃がすことができる。 In particular, electrodes 2A for grounding is connected to an external power supply, because it is a convenient place becomes heat source, it is possible to efficiently release the heat generated in the semiconductor element 1.

図5は本発明の第2の実施の形態として半導体素子をソケットに装填する前の状態を示す断面図、図6は本発明の実施の形態として半導体素子をソケットに装填した後の状態を示す図5同様の断面図である。 Figure 5 is a sectional view showing a state before loading the semiconductor device to a socket as a second embodiment of the present invention, FIG. 6 shows the state after loading the semiconductor device to a socket as an embodiment of the present invention Figure 5 is a similar cross-section. 図7は接続シートの概略を示す斜視図である。 Figure 7 is a perspective view schematically showing a connection sheet. なお、上記第1の実施の形態と同じ部材については、同一の符号を付して説明する。 Note that the same members as the first embodiment, will be denoted by the same reference numerals.

図5および図6に示す半導体素子1の構成およびソケット10の構成は上記第1の実施の形態に示したものと同様である。 Configuration configuration and the socket 10 of the semiconductor device 1 shown in FIGS. 5 and 6 are the same as those shown in the first embodiment. ただし、装填領域10Aの内部に配置されるものが、第1の実施の形態では放熱コンタクト部材50であるのに対し、第2の実施の形態では図7に示す接続シート(中継部材)70である点で大きく異なる。 However, one arranged inside the loading area 10A is, whereas in the first embodiment is a heat dissipating contact member 50, in the second embodiment in connection sheet (relay member) 70 shown in FIG. 7 greater in some ways different.

図7に示すように接続シート70は、ポリイミドなどからなる1枚のシート71と、前記シート71の下面側に部分的に固定される熱伝導部材51とを有している。 Connection sheet 70 as shown in FIG. 7 includes a single sheet 71 made of polyimide, and a heat conductive member 51 is partially fixed to the lower surface of the sheet 71.

前記シート71には、上記同様の共通ピッチでマトリックス状に形成された複数の穴(スルーホール)73が穿設されている。 Wherein the sheet 71 has a plurality of holes (through holes) 73 formed in a matrix in the same common pitch are bored. そして、一つ一つの穴73には弾性接点72が設けられている。 Then, the elastic contact 72 is provided on one single hole 73.

前記弾性接点72は、例えば前記第2の弾性接点54と同じ前記スパイラル接触子で形成することができるが、これに限定されるものではない。 The elastic contacts 72, for example can be formed by the same said spiral contact with the second elastic contact 54, but is not limited thereto. 前記弾性接点72がスパイラル接触子74aで形成されるものである場合には、図3に示すように、前記スパイラル接触子74aは、前記基端部74bの上面(Z1側の面)が前記接続シート71の穴73の縁部下面側に固着される。 When the elastic contact 72 is intended to be formed by the spiral contact 74a, as shown in FIG. 3, the spiral contact 74a is (the surface on the Z1 side) the upper surface of the base end portion 74b is the connection It is secured to the edge bottom side of the hole 73 of the seat 71.

図7に示すように、第2の実施の形態に示す接続シート70は、複数のスパイラル接触子74aを有するが、このうちシート71の中央に点線で示す一領域80が接地用の電極群2Aに対応する接地用の弾性接点群82を構成しており、前記一領域80を除くその他の部分が主として信号用の電極群2Bに対応する信号用の弾性接点群81である。 As shown in FIG. 7, the connecting sheet 70 shown in the second embodiment, a plurality of have a spiral contactor 74a, the electrode group 2A of one region 80 is ground indicated by the dotted line in the middle of these sheets 71 constitute the elastic contact group 82 for grounding corresponding to the other portion except for the one region 80 is an elastic contact group 81 of the signal corresponding to the electrode group 2B for primarily signal. なお、前記一領域80の四隅にはねじ穴71aが形成されている。 Note that the screw hole 71a is formed at four corners of the one region 80.

熱伝達部材51は、前記シート71の下面(Z2)側に、前記一領域80に対応して設けられる。 The heat transfer member 51, the lower surface (Z2) side of the sheet 71 is provided corresponding to the one region 80. 前記熱伝達部材51は、上記同様導電率および熱伝導度の大きい銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかの材料で形成された金属板である。 The heat transfer member 51 is a metal plate formed of any material of the same conductivity and a large copper thermal conductivity, copper alloy, aluminum or aluminum alloy.

前記シート71と前記熱伝達部材51とは、これらの間に設けられる接着部材75を介して接着固定されることにより、接続シート(中継部材)70が一体に形成されている。 The sheet 71 and the heat transfer member 51, by being bonded and fixed via the adhesive member 75 provided between them, the connection sheet (relay member) 70 are integrally formed. 前記接着部材75は、板厚方向に方向性を有する異方性の導電性ペースト(ACP)または異方性の導電性フィルム(ACF)が好ましい。 The adhesive member 75, an anisotropic conductive paste (ACP) or an anisotropic conductive film having a directivity in the thickness direction (ACF) is preferable. このように、前記接着部材75を異方性の導電性接着剤を用いて接着した場合には、接点用の電極群2Aと熱伝達部材51とが同じ接地電位に設定される。 Thus, the when the adhesive member 75 adhered with the anisotropic conductive adhesive, and the electrode group 2A and the heat transfer member 51 for the contact is set to the same ground potential. 同時に、半導体素子1が発生した熱を、接点用の電極群2Aを形成する各弾性接点72および前記接着部材75を介して前記熱伝導部材51に効率良く導くことができる。 At the same time, the heat the semiconductor element 1 occurs, can be efficiently led to the heat conducting member 51 via the respective elastic contacts 72 and the adhesive member 75 to form an electrode group 2A of the contacts. すなわち、前記接続シート(中継部材)70は、半導体素子1が発生した熱をを前記ソケット10の外部に逃がす放熱部材を構成している。 That is, the connecting sheet (relay member) 70 constitutes a heat radiating member for releasing heat the semiconductor element 1 occurs to the outside of the socket 10.

なお、前記一領域80内に限り、隣り合うスパイラル接触子74aの前記基端部74b間が、接続シート71の表面又は裏面に形成された導電層、あるいは導電パターンなどにより互いに導通接続される構成である場合には、前記接着部材75は非導電性ペースト(NCP)または非導電性フィルム(NCF)であってもよいが、この場合には熱伝導度の高い前記接着部材75が好ましい。 The configuration only said one area 80, between the base end portion 74b of the adjacent spiral contact 74a is, front or rear surface to the conductive layer formed of the connecting sheet 71, or are electrically connected to each other by such a conductive pattern If it is, the adhesive member 75 may be a non-conductive paste (NCP) or a nonconductive film (NCF), but the adhesive member 75 having high thermal conductivity in this case is preferred.

前記熱伝達部材51を備えた接続シート70は、前記ソケット10の装填領域10A内の、前記マザー基板20上に固定される。 Connecting sheet 70 provided with the heat transfer member 51 is in the loading area 10A of the socket 10, is fixed on the mother board 20. このとき、外周側に設けられた信号用の電極群2Bと前記マザー基板20に形成されている接続電極21との間が接着部材76によって接合される。 In this case, between the connection electrode 21 formed on the the electrode assembly 2B of the signal provided on the outer peripheral side mother substrate 20 are bonded by the bonding member 76. この場合の接着部材76も、上記同様に異方性の導電性ペースト(ACP)または異方性の導電性フィルム(ACF)が好ましい。 Bonding member 76 in this case is also the same anisotropic conductive paste (ACP) or anisotropic conductive film (ACF) is preferable. このように、前記接着部材75を異方性の導電性接着剤を用いて接着すると、外周側に設けられた信号用の電極群2Bを構成する個々の外部接触子2と前記マザー基板20に形成されている個々の接続電極21との間を、前記信号用の弾性接点群81および前記接着部材76を介して個別に導通接続することができる。 Thus, the adhesive member 75 when adhered using an anisotropic conductive adhesive, the individual external contacts 2 and the mother substrate 20 constituting the electrode group 2B for signals provided on the outer peripheral side between the individual connection electrodes 21 formed, it can be conductively connected individually via the elastic contact group 81 and the adhesive member 76 for the signal.

また図5に示すように、このときには前記熱伝達部材51が前記マザー基板20に形成された貫通孔20Bに挿入され、前記熱伝達部材51の下面51Bが前記マザー基板20の下面よりも図示下方の位置に露出される。 Further, as shown in FIG. 5, this is inserted into the through hole 20B that is the heat transfer member 51 is formed on the mother substrate 20 when the lower surface 51B is illustrated below the lower surface of the mother substrate 20 of the heat transfer member 51 It is exposed to the position.

前記マザー基板20の下方にはヒートシンク60が設けられており、前記熱伝達部材51の下面51Bとヒートシンク60の接合面61とが接合される。 Below the said mother substrate 20 and the heat sink 60 is provided, and the joining surface 61 of the lower surface 51B and the heat sink 60 of the heat transfer member 51 is joined. すなわち、接続シート71の前記点線で囲まれた前記一領域80内に形成された4つのねじ穴7、前記熱伝達部材51に形成された4つのねじ穴、さらにはこれらのねじ穴に対応するヒートシンク60の接合面61に形成された4つのねじ穴がそれぞれ厚み方向に重ねられ、各ねじ穴に共通のネジが螺着されることにより、前記下面51Bと前記接合面61とが密着し合う状態で強固に固定される。 That is, four screw holes in which the four screw holes 7 formed in said one region 80 surrounded by a dotted line, which is formed on the heat transfer member 51 of the connection sheet 71, and further corresponding to these screw holes four screw holes formed in the joining surface 61 of the heat sink 60 are stacked in the thickness direction, respectively, by a common thread in each screw hole is screwed, and the lower surface 51B and the joining surface 61 from adhering to each other It is firmly fixed in the state.

このため、前記半導体素子1で発生した熱は、前記接地用の電極群2A、接続シート70に設けられた前記接地用の弾性接点群82および前記接着部材75、さらには前記熱伝導部材51を介してヒートシンク60に伝達され、このヒートシンク60を介して外部に放熱することができる。 Therefore, the heat generated in the semiconductor element 1, electrodes 2A for the ground, the elastic contact group 82 and the adhesive member 75 for the grounding provided on the connection sheet 70, and further the heat conducting member 51 is transferred to the heat sink 60 through, it can be radiated to the outside through the heat sink 60.

このように、本願発明によれば、従来熱を逃がすためのルートとしては使用されていなかった半導体素子1の下面側から前記熱を逃がすことが可能となる。 Thus, according to the present invention, it is possible to escape the heat from the lower surface side of the semiconductor element 1 that has not been used as a route to escape conventional heat. このため、半導体素子1の上面や側面に別途設けたヒートシンクとともに使用することにより、半導体素子1の内部で発生した熱をより効果的に逃がすことでき、適切な温度管理を行うことが可能となる。 Thus, by use with separately provided heat sink on the upper surface and side surfaces of the semiconductor element 1, can release heat generated inside the semiconductor device 1 more effectively, it is possible to perform proper thermal management .

特に、上記構成からなるソケットを、熱サイクル試験を行うバーンイン装置用として用いた場合には、半導体素子1の温度を適切に制御するこが可能となる。 In particular, the socket having the above configuration, when used as a burn-in apparatus for heat cycle test, it is possible this to appropriately control the temperature of the semiconductor element 1. このため、半導体素子1が過酷な温度環境下に晒されるおそれを未然に防止することができ、熱サイクル試験を適切な温度管理の下で行うことが可能となる。 Therefore, it is possible to prevent the risk of the semiconductor device 1 is exposed to a severe temperature environment in advance, it is possible to perform the thermal cycle test under appropriate temperature control.

上記第1および第2の実施の形態では、接地用の電極群2Aが中央に配置される仕様からなる半導体素子1の場合について説明したが、前記接地用の電極群2Aは半導体素子1の中央以外に位置に設けられる構成の場合もある。 In the first and second embodiments, the description has been given of the semiconductor device 1 consisting specifications electrodes 2A for grounding is arranged in the center, the electrode group 2A for the grounding center of the semiconductor element 1 in some cases the structure is provided in a position other than. この場合には、第1の実施の形態にあっては前記放熱コンタクト部材50の形状、マザー基板20側の第1の弾性接点群32Aの配列をそれに合わせて適宜変更すればよい。 In this case, the shape of the In the first embodiment the heat dissipating contact member 50, the arrangement of the first elastic contact group 32A of the mother substrate 20 may be appropriately changed accordingly. 同様に、第2の実施の形態にあっては接続シート70の下面に設けられる熱伝達部材51の形状、さらにはマザー基板20側の信号用の弾性接点群82の配置をそれに合わせて適宜変更すればよい。 Similarly, the shape of the second In the exemplary embodiment the connection sheet heat transfer member 51 provided on the lower surface 70, and further appropriately changing the arrangement of the elastic contact group 82 of the signal of the mother substrate 20 accordingly do it.

また上記第2の実施の形態では、接続シート70が、一方の上側にのみスパイラル接触子74aを有し、下面側には前記スパイラル接触子74aの基端部54bが設けられる構成を用いて説明したが、本発明はこれに限られるものではない。 In the above second embodiment, the connection sheet 70 has a spiral contactor 74a only on one of the upper, the lower surface with a configuration that the base end portion 54b of the spiral contact 74a is provided Description Although the present invention is not limited thereto. 例えば、前記接続シート70の前記穴73の両側にそれぞれスパイラル接触子74a,74aが一対設けられ、一方のスパイラル接触子74aが前記半導体素子1の外部接触子2に接触し、他方のスパイラル接触子74aがマザー基板20上の信号用の接続接点21に接触する構成であってもよい。 For example, the connected spiral contacts 74a on both sides of the hole 73 of the seat 70, 74a is provided with a pair, one of the spiral contact 74a comes into contact with external contacts 2 of the semiconductor element 1, the other spiral contactor 74a may be configured to contact the connection contacts 21 for the signals on the mother board 20. この場合、外部接触子2と信号用の接続接点21との間は、前記一対のスパイラル接触子74a,74aにより導通接続される。 In this case, between the connection contacts 21 for external contact 2 and the signal, the pair of spiral contact 74a, is electrically connected by 74a.

本発明の第1の実施の形態として半導体素子をソケットに装填する前の状態を示す断面図、 Sectional view showing a state before loading the semiconductor element to the socket as the first embodiment of the present invention, 本発明の実施の形態として半導体素子をソケットに装填した後の状態を示す図1同様の断面図、 Figure 1 a sectional view similar to that of the semiconductor device as an embodiment of the present invention showing the state after loading the socket, 放熱コンタクト部材(放熱部材)を示す斜視図、 Perspective view of a heat dissipating contact member (heat dissipation member) 弾性接点の一例を示す断面図、 Cross-sectional view showing an example of elastic contacts, 本発明の第2の実施の形態として半導体素子をソケットに装填する前の状態を示す断面図、 Sectional view showing a state before loading the semiconductor device to a socket as a second embodiment of the present invention, 本発明の実施の形態として半導体素子をソケットに装填した後の状態を示す図5同様の断面図、 Figure 5 similar cross-sectional view of the semiconductor device as an embodiment of the present invention showing the state after loading the socket, 接続シートの概略を示す斜視図、 Perspective view schematically showing a connection sheet,

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 半導体素子2 外部接触子2A 接地用の電極群2B 信号用の電極群10 ソケット11 枠体12 保持部材20 マザー基板21 接続電極22 信号用の弾性接点30 中継部材31 中継電極32 弾性接点(第1の弾性接点) 1 semiconductor element 2 external contacts 2A electrode group 10 socket 11 of the electrode group 2B signal ground frame 12 holding member 20 elastically contacts 30 for the motherboard 21 connected electrode 22 signal relay member 31 relay electrode 32 elastic contacts (first 1 of elastic contact)
50 放熱コンタクト部材(放熱部材) 50 radiating contact member (heat dissipation member)
51 熱伝達部材52 接続シート53 穴54 第2の弾性接点54A 第2の弾性接点群54a スパイラル接触子55 接着部材60 ヒートシンク61 接合面62 凸状接合部70 接続シート(中継部材) 51 heat transfer member 52 connecting sheet 53 hole 54 second elastic contact 54A second elastic contact group 54a spiral contact 55 adhesive member 60 heat sink 61 joining surface 62 convex joint 70 connecting sheet (relay member)
71 シート72 弾性接点73 穴(スルーホール) 71 sheet 72 elastically contacts 73 holes (through holes)
74a スパイラル接触子75,76 接着部材80 接地用の電極に対応する一領域81 信号用の弾性接点群82 接地用の弾性接点群 74a spiral contact 75 and 76 adhesive member 80 elastically resilient contact group of the contact group 82 for grounding for a region 81 the signal corresponding to the electrode for grounding

Claims (7)

  1. 貫通孔が形成されたマザー基板の一方の面上に前記貫通孔を取り囲むように固定された枠体と、前記マザー基板の他方の面に設けられるヒートシンクと、を有する放熱機能付きソケットであって、 And the through hole of the fixed frame so as to surround the one surface of the mother substrate having a through hole formed, and a heat sink provided on the other surface of said mother substrate, a heat dissipation function socket with ,
    前記ヒートシンクには前記貫通孔に対応する位置に放熱部材が設けられており、前記ヒートシンクを前記マザー基板の他方の面に固定した状態では前記放熱部材が前記貫通孔を介して前記枠体に囲まれた装填領域内に設置されるものであり、 Wherein the heat sink has heat radiating member is provided at a position corresponding to the through hole, in a state where the heat sink is fixed to the other surface of the mother substrate surrounded by the frame body the heat dissipation member via the through hole are disposed to the loading area,
    半導体素子を前記装填領域に装填したときに、前記半導体素子の接続面に設けられた外部接触子が前記放熱部材に接触可能であることを特徴とする放熱機能付きソケット。 When loaded with the semiconductor device in the loading area, the heat dissipation function socket, characterized in that external contacts provided on the connection surface of the semiconductor element can be in contact with the heat dissipation member.
  2. 前記放熱部材は、熱伝達部材と、前記熱伝達部材の一方の面に設けられた複数の弾性接点と、を有し、前記熱伝達部材の他方の面が前記ヒートシンクの接合面に接合されている請求項1記載の放熱機能付きソケット。 The heat radiating member includes a heat transfer member, anda plurality of elastic contacts provided on one surface of the heat transfer member, the other surface of the heat transfer member is joined to the joint surface of the heat sink radiating function socket according to claim 1, wherein there.
  3. 前記枠体内の前記貫通孔を除く部分にはマザー基板に接続される弾性接点を備えた中継部材が設けられており、前記中継部材に設けられた弾性接点と前記放熱部材に設けられた前記弾性接点が前記装填領域内に一緒に配置されている請求項1または2に記載の放熱機能付きソケット。 The portion except the through hole of the frame body is provided with a relay member having a resilient contact that is connected to the mother board, the elastic provided in the heat radiating member and the elastic contact provided on the relay member radiating function socket according to claim 1 or 2 contacts are arranged together in said loading area.
  4. 前記放熱部材は、表面に複数の弾性接点を有するシートと、前記接続シートの裏面の一領域に対し一方の面が固定された熱伝達部材とを有し、前記熱伝達部材の他方の面が前記ヒートシンクの接合面に接合されている請求項1記載の放熱機能付きソケット。 The heat radiating member includes a sheet having a plurality of elastic contacts to the surface, and a heat transfer member having one surface with respect to a region of the back surface of said connecting sheet is fixed, the other surface of the heat transfer member radiating function socket according to claim 1, wherein is joined to the joint surface of the heat sink.
  5. 前記熱伝達部材と前記複数の弾性接点との間が、異方性の導電性接着剤で固定されている請求項2ないし4のいずれかに記載の放熱機能付きソケット。 Between said heat transfer member and the plurality of elastic contacts, the heat dissipation function socket according to any one of 4 to claims 2 and is fixed by an anisotropic conductive adhesive.
  6. 前記熱伝達部材が、銅、銅合金、アルミニウムまたはアルミニウム合金のいずれかで形成されている請求項2ないし5のいずれかに記載の放熱機能付きソケット。 The heat transfer member, copper, copper alloy, aluminum or dissipating function socket according to any one of claims 2 are formed in one of an aluminum alloy 5.
  7. 前記枠体には、前記装填領域内に装填された半導体素子を保持する保持部材が設けられている請求項1ないし6のいずれかに記載の放熱機能付きソケット。 Said frame body, the heat dissipation function socket according to any one of the loading to the holding member for holding the semiconductor element is no claim 1 is provided that is loaded into the region 6.
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