JP2008083888A - Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same - Google Patents

Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same Download PDF

Info

Publication number
JP2008083888A
JP2008083888A JP2006261830A JP2006261830A JP2008083888A JP 2008083888 A JP2008083888 A JP 2008083888A JP 2006261830 A JP2006261830 A JP 2006261830A JP 2006261830 A JP2006261830 A JP 2006261830A JP 2008083888 A JP2008083888 A JP 2008083888A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
unit
control
memory
control lines
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2006261830A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Nakabayashi
正博 中林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Data Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Data Corp filed Critical Oki Data Corp
Priority to JP2006261830A priority Critical patent/JP2008083888A/en
Publication of JP2008083888A publication Critical patent/JP2008083888A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Accessory Devices And Overall Control Thereof (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To detect abnormality occurring between a memory module and a memory controller, and to decide a place where any abnormality occurs. <P>SOLUTION: A memory I/F controller 19 is provided with: a switch control part 41 for alternately applying a Vcc voltage or a GND voltage to any of control lines CL1, CL2 through CLn connected to a memory module 11 with respect to a Vcc power source and a GND power source; an I/O control part 21 for detecting the Vcc voltage and GND voltage applied to the control lines CL1, CL2, through CLn by the switch control part 41; a comparison/decision part 43 for comparing the detection values of the Vcc voltage and the GND voltage with the application values of the Vcc voltage and the GND voltage, and for deciding the abnormality factors of the control lines CL1, CL2, through CLn, based on the comparison result; and an input/output part 24 for outputting information relating to the abnormality factor. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、メモリ制御装置、メモリ装置及びこれらを用いた画像形成装置に関する。   The present invention relates to a memory control device, a memory device, and an image forming apparatus using them.

従来、半導体メモリモジュールを組み込んだ情報機器用回路基板では、半導体メモリモジュールは、回路基板に半田付けされたソケットに挿入されることでメモリコントローラとの接続を形成する。そして、この様にして接続された半導体メモリモジュールとメモリコントローラとの間でメモリモジュールの異常を検出しようとする場合、メモリに所定のデータの書き込みを行った後に、該書き込んだデータを読み込み、書き込む前のデータと読み取ったデータとが一致するかを判断することによって、両者間の異常を検出することとしている。この様な処理を行う装置としては、特許文献1に記載された装置がある。   Conventionally, in a circuit board for information equipment incorporating a semiconductor memory module, the semiconductor memory module is inserted into a socket soldered to the circuit board to form a connection with the memory controller. When an abnormality of the memory module is to be detected between the semiconductor memory module and the memory controller connected in this way, after writing predetermined data into the memory, the written data is read and written. By determining whether the previous data and the read data match, an abnormality between the two is detected. As an apparatus for performing such processing, there is an apparatus described in Patent Document 1.

特開平5−128139公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-128139

しかし、この様な技術を用いた場合、書き込む前のデータと読み取ったデータとが一致するかを判断することによって異常の有無を検出することは可能であるが、両データが一致しない場合に、その原因を判断することはできないという問題があった。   However, when such a technique is used, it is possible to detect the presence or absence of abnormality by determining whether the data before writing and the read data match, but if both data do not match, There was a problem that the cause could not be determined.

そこで、本発明はこの様な実情に鑑みて成された発明であり、メモリモジュールとメモリコントローラとの間で発生した異常を検出すると共に、該異常が発生した箇所を判定することが可能なメモリ制御装置、メモリ装置及びこれらを用いた画像形成装置を提供することを目的とする。   Therefore, the present invention is an invention made in view of such a situation, and a memory capable of detecting an abnormality occurring between the memory module and the memory controller and determining a location where the abnormality has occurred. It is an object of the present invention to provide a control device, a memory device, and an image forming apparatus using them.

上記課題を解決する為に、本発明にかかるメモリ制御装置は、第1の電圧を印加する第1の電圧印加部、及び前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を印加する第2の電圧印加部に対してメモリデバイスと接続された複数本の制御線のうち何れかの制御線に前記第1の電圧又は第2の電圧を交互に印加させる印加制御部と、前記印加制御部によって前記複数本の制御線に印加させられた前記第1の電圧、及び前記第2の電圧を検出する電圧検出部と、前記電圧検出部によって検出された前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の検出値と、前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の印加値を比較する比較部と、前記比較部による比較結果に基づいて前記複数本の制御線の異常原因を判定する判定部と、前記判定部によって判定された異常原因に関する情報を出力する原因出力部とを備えることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a memory control device according to the present invention includes a first voltage applying unit that applies a first voltage, and a second voltage that applies a second voltage different from the first voltage. An application control unit that alternately applies the first voltage or the second voltage to any one of the plurality of control lines connected to the memory device with respect to the voltage application unit, and the application control unit A voltage detection unit for detecting the first voltage and the second voltage applied to the plurality of control lines; the first voltage detected by the voltage detection unit; and the second voltage A comparison unit that compares a detection value of the voltage with an application value of the first voltage and the second voltage, and a determination that determines a cause of abnormality of the plurality of control lines based on a comparison result by the comparison unit And the cause of the abnormality determined by the determination unit It is characterized by comprising the cause output unit for outputting information.

この構成によれば、判定結果出力部から出力される判定結果は、比較部が第1の電圧及び第2の電圧の印加値と、検出値を比較した比較結果に基づく。そして、制御線に何ら異常がない場合は、印加制御部による制御のもと複数の制御線に印加された第1の電圧及び第2の電圧の印加値と、電圧検出部において検出される第1の電圧及び第2の電圧の検出値とで一致する。しかし、複数本の制御線のうち何れかの制御線においてグラウンドショートや、混線等が生じていて、メモリデバイスとの間で何らかの物理的な異常が発生している場合には、これら検出値と印加値とは一致しないこととなる。そこで、判定部は、この様な比較部の比較結果を参照して複数の制御線のうち、異常が発生している制御線を判定し、原因出力部は判定部によって判定された異常原因を出力することができる。   According to this configuration, the determination result output from the determination result output unit is based on a comparison result in which the comparison unit compares the application value of the first voltage and the second voltage with the detection value. When there is no abnormality in the control line, the application values of the first voltage and the second voltage applied to the plurality of control lines under the control of the application control unit and the first value detected by the voltage detection unit. The detected values of the voltage 1 and the second voltage match. However, if any of the control lines has a ground short or mixed line, and some physical abnormality occurs with the memory device, these detected values The applied value does not match. Therefore, the determination unit refers to the comparison result of such a comparison unit, determines a control line in which an abnormality has occurred among the plurality of control lines, and the cause output unit determines the cause of the abnormality determined by the determination unit. Can be output.

この様に、本発明にかかるメモリ制御装置は、メモリモジュールとメモリコントローラとの間で発生した異常を検出すると共に、該異常が発生した箇所を判定することができる。   In this manner, the memory control device according to the present invention can detect an abnormality that has occurred between the memory module and the memory controller, and can determine the location where the abnormality has occurred.

以下、本発明を適用した具体的な実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。   Hereinafter, specific embodiments to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.

実施の形態に係るメモリ制御装置は、例えばカラープリンタ等の画像形成装置に備えられたメモリ制御装置であり、画像形成装置に取り付けられた半導体記憶装置からなるメモリを制御する。   The memory control device according to the embodiment is a memory control device provided in an image forming apparatus such as a color printer, for example, and controls a memory including a semiconductor storage device attached to the image forming apparatus.

第1の実施の形態に係る画像形成装置1は、図1に示す様に、画像形成装置1を構成する各部の動作の制御を行うCPU(Central Processing Unit)3と、画像形成装置1を構成する各部のデータのやり取りを制御するデータ制御部5と、情報処理装置等の外部装置から送信され、所定の画像処理が施された画像データを印刷する印刷機構部7と、ユーザに対して所定の情報を表示する表示部9と、メモリモジュール11とを備える。この様な画像形成装置1では、CPU3が外部から入力された画像情報をビットマップ形式の画像データに変換する。そして画像形成装置1は、該変換した画像データを、データ制御部5を用いて印刷機構部7を制御する機構制御部13に供給する。そして画像形成装置1は、機構制御部13を用いて印刷機構部7を制御し、画像データに基づく画像を用紙等の記録媒体上に印刷する。   As shown in FIG. 1, the image forming apparatus 1 according to the first embodiment includes a CPU (Central Processing Unit) 3 that controls the operation of each unit constituting the image forming apparatus 1 and the image forming apparatus 1. A data control unit 5 that controls the exchange of data of each unit, a printing mechanism unit 7 that prints image data that has been transmitted from an external device such as an information processing apparatus and that has undergone predetermined image processing, and a predetermined value for the user The display unit 9 for displaying the information and the memory module 11 are provided. In such an image forming apparatus 1, the CPU 3 converts image information input from the outside into image data in a bitmap format. The image forming apparatus 1 supplies the converted image data to the mechanism control unit 13 that controls the printing mechanism unit 7 using the data control unit 5. The image forming apparatus 1 controls the printing mechanism unit 7 using the mechanism control unit 13 to print an image based on the image data on a recording medium such as paper.

また、画像形成装置1は、CPU3と、データ制御部5との間でデータのやり取りを行う際に両者間の接続を確立するCPU I/Fコントローラ15を備える。CPU I/Fコントローラ15は、CPU3からデータ制御部5へデータを供給する際に、又はデータ制御部5からCPU3へデータを供給する際に、両者の接続を確立するインターフェイスである。   The image forming apparatus 1 also includes a CPU I / F controller 15 that establishes a connection between the CPU 3 and the data control unit 5 when data is exchanged between the CPU 3 and the data control unit 5. The CPU I / F controller 15 is an interface for establishing a connection between the CPU 3 when supplying data to the data control unit 5 or when supplying data from the data control unit 5 to the CPU 3.

表示部9は、後述する方法で判定された異常原因に関する情報をユーザに表示する。この様な表示部9は、例えば画像形成装置1に形成された操作パネル等によって構成される。そして画像形成装置1では、表示部9が検査結果をユーザに出力する検査結果出力部を構成する。   The display unit 9 displays information related to the cause of abnormality determined by a method described later to the user. Such a display unit 9 is configured by, for example, an operation panel formed in the image forming apparatus 1. In the image forming apparatus 1, the display unit 9 constitutes an inspection result output unit that outputs the inspection result to the user.

メモリモジュール11は、CPU3が、外部装置から送信された画像情報を画像データに変換する処理を行う際に、一時的な記憶領域として使用されるメインメモリである。この様なメモリモジュール11は、所定の回路基板上に複数のメモリデバイスを配列して構成され、画像形成装置1の回路基板に対して着脱自在に形成される。   The memory module 11 is a main memory used as a temporary storage area when the CPU 3 performs processing for converting image information transmitted from an external device into image data. Such a memory module 11 is configured by arranging a plurality of memory devices on a predetermined circuit board, and is detachably formed on the circuit board of the image forming apparatus 1.

また、画像形成装置1は、画像形成装置1と外部装置との間でデータの送受信をする際に両者間の接続を確立する外部I/Fコントローラ17を備える。外部I/Fコントローラ17は、例えば画像形成装置1の外表面に設けられたセントロニクス、LAN(Local Area Network)、又はUSB(Universal Serial Bus)等のインターフェイスであり、外部装置から画像形成装置1へ送信された画像情報を受信する際に、又は画像形成装置1から外部装置へデータを供給する際に、両者間の接続を確立する為に使用される。   The image forming apparatus 1 also includes an external I / F controller 17 that establishes a connection between the image forming apparatus 1 and an external apparatus when data is transmitted and received. The external I / F controller 17 is an interface such as a Centronics, LAN (Local Area Network), or USB (Universal Serial Bus) provided on the outer surface of the image forming apparatus 1. When receiving transmitted image information, or when supplying data from the image forming apparatus 1 to an external apparatus, it is used to establish a connection between the two.

また、画像形成装置1は、データ制御部5とメモリモジュール11との間でデータのやり取りをする際に両者間の接続を確立する、メモリ制御装置としてのメモリI/Fコントローラ19を備える。メモリI/Fコントローラ19は、図2に示す様に、メモリI/Fコントローラ19が外部と情報のやり取りを行う動作を制御するI/O(In/Out)制御部21と、メモリI/Fコントローラ19が行うべき所定の動作の手順を管理する手順管理部23と、各種情報を入出力させる入出力部24を備える。また、詳細は後述するがメモリI/Fコントローラ19は、画像形成装置1とメモリモジュール11との間の物理的な接続の異常を検出する一連の処理を実行する。   The image forming apparatus 1 also includes a memory I / F controller 19 as a memory control device that establishes a connection between the data control unit 5 and the memory module 11 when data is exchanged between the data control unit 5 and the memory module 11. As shown in FIG. 2, the memory I / F controller 19 includes an I / O (In / Out) control unit 21 that controls the operation of the memory I / F controller 19 to exchange information with the outside, and the memory I / F. A procedure management unit 23 that manages a procedure of a predetermined operation to be performed by the controller 19 and an input / output unit 24 that inputs and outputs various types of information are provided. Although details will be described later, the memory I / F controller 19 executes a series of processes for detecting an abnormality in the physical connection between the image forming apparatus 1 and the memory module 11.

I/O制御部21は、バッファ群27及び複数本の制御線CL1,CL2,・・・,CLn(n:整数)を介してメモリモジュール11を挿入するソケット25と接続される。各制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、それぞれ入力用のバッファ及び出力用のバッファによって構成される電圧検出部としてのバッファ群27を介してI/O制御部21と接続される。   The I / O control unit 21 is connected to a socket 25 into which the memory module 11 is inserted via a buffer group 27 and a plurality of control lines CL1, CL2,..., CLn (n: integer). Each of the control lines CL1, CL2,..., CLn is connected to the I / O control unit 21 via a buffer group 27 as a voltage detection unit configured by an input buffer and an output buffer.

バッファ群27は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応した入力用バッファ素子及び出力用バッファ素子によって構成される。そして、I/O制御部21から出力される電圧、及びI/O制御部21に入力される電圧は、バッファ群27を介して入出力される。ここで、メモリI/Fコントローラ19は、バッファ群27を構成するバッファ素子を介して所定の信号を出入力し、メモリモジュール11に対してデータの読み書きを行うが、I/O制御部21は、メモリI/Fコントローラ19からメモリモジュール11に出入力される双方向のデータや、ストローブ信号のみならず、例えばクロック信号等の出力専用の制御線に関してもバッファ素子を備える。   The buffer group 27 includes input buffer elements and output buffer elements corresponding to the control lines CL1, CL2,..., CLn. The voltage output from the I / O control unit 21 and the voltage input to the I / O control unit 21 are input / output via the buffer group 27. Here, the memory I / F controller 19 inputs / outputs a predetermined signal via the buffer elements constituting the buffer group 27 and reads / writes data from / to the memory module 11, but the I / O control unit 21 Buffer elements are provided not only for bidirectional data input / output from / to the memory module 11 from the memory I / F controller 19 and strobe signals, but also for control lines dedicated to output, for example, clock signals.

各制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、それぞれソケット25と接続されている。この様にして接続されたメモリモジュール11及びメモリI/Fコントローラ19は、制御線CL1,CL2,・・・,CLnを介して各種情報の送受信を行う。そして、本発明では、制御線CL1,CL2,・・・,CLnで異常が発生してメモリモジュール11及びメモリI/Fコントローラ19によって構成されるメモリ装置が正常にデータの送受信を行うことが出来ない場合に、これを検出すると共に、何れの制御線CL1,CL2,・・・,CLnにおいて異常が発生したかを判定する。尚、本実施の形態では、説明の便宜上、検出の対象となる信号線を、メモリモジュール11及びメモリI/Fコントローラ19で送受信が行われるCLKP信号、CLKN信号、CKE信号、CS信号、RAS信号、WE信号、A0,A1,A2,・・・,A13信号、BA0,BA1信号、DQS0,DQS1,・・・,DQS7信号、DM0,DM1,・・・,DM7信号、及びDQ0,DQ1,・・・,DQ63信号の103本の信号を送受信する為の制御線として詳細な説明を行う。そして、説明の便宜上、これら各信号について、送受信が行われる制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応させてS信号,S信号,・・・,S信号とする記号を付して詳細な説明を行う。また、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、制御線CL1,CL2,・・・,CLn内部に流れる電圧の波形の歪みを防ぐべく、後述する終端電圧を印加する電源を備えた、DDR−SDRAM(Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory)に準拠する様なSSTL(Stub Series Terminated Logic)形式のインターフェイスである。 Each control line CL1, CL2,..., CLn is connected to the socket 25, respectively. The memory module 11 and the memory I / F controller 19 connected in this way transmit and receive various types of information via the control lines CL1, CL2,..., CLn. In the present invention, an abnormality occurs in the control lines CL1, CL2,..., CLn, and the memory device including the memory module 11 and the memory I / F controller 19 can normally transmit and receive data. If not, this is detected, and it is determined which control line CL1, CL2,. In this embodiment, for convenience of explanation, the signal lines to be detected are sent to the CLKP signal, the CLKN signal, the CKE signal, the CS signal, and the RAS signal that are transmitted and received by the memory module 11 and the memory I / F controller 19. , WE signal, A0, A1, A2, ..., A13 signal, BA0, BA1 signal, DQS0, DQS1, ..., DQS7 signal, DM0, DM1, ..., DM7 signal and DQ0, DQ1,. .. Will be described in detail as a control line for transmitting and receiving 103 signals of the DQ63 signal. And, for convenience of explanation, with these respective signals, the control line CL1 that transmission and receiving are performed, CL2, ..., S 1 signal so as to correspond to CLn, S 2 signal, ..., a symbol to S n signal Detailed explanation will be given. In addition, each control line CL1, CL2,..., CLn has a power supply for applying a termination voltage, which will be described later, to prevent distortion of the waveform of the voltage flowing in the control lines CL1, CL2,. It is an interface in SSTL (Stub Series Terminated Logic) format that conforms to DDR-SDRAM (Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory).

また、画像形成装置1は、第1の電圧としての電圧Vccを制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加するVcc電源29を備える。具体的には、電圧Vccによって制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加される電圧は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応して設けられた複数のプルアップ抵抗によって構成されるプルアップ抵抗群31を介して印加される。そして、メモリI/Fコントローラ19では、これらVcc電源29及びプルアップ抵抗群31によって第1の電圧印加部を構成する。   The image forming apparatus 1 further includes a Vcc power supply 29 that applies a voltage Vcc as a first voltage to the control lines CL1, CL2,..., CLn. Specifically, the voltage applied to the control lines CL1, CL2,..., CLn by the voltage Vcc is a plurality of pull-up resistors provided corresponding to the control lines CL1, CL2,. It is applied through a pull-up resistor group 31 constituted by In the memory I / F controller 19, the Vcc power supply 29 and the pull-up resistor group 31 constitute a first voltage application unit.

また、画像形成装置1は、第2の電圧としての電圧GNDを制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加するGND電源33を備える。具体的には、GND電源33は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応して設けられた複数のプルダウン抵抗によって構成されるプルダウン抵抗群35を介して制御線CL1,CL2,・・・,CLnと接続される。そして、メモリI/Fコントローラ19では、これらGND電源33及びプルダウン抵抗群35によって第2の電圧印加部を構成する。   Further, the image forming apparatus 1 includes a GND power supply 33 that applies a voltage GND as a second voltage to the control lines CL1, CL2,..., CLn. Specifically, the GND power supply 33 is connected to the control lines CL1, CL2,..., CLn via a pull-down resistor group 35 including a plurality of pull-down resistors provided corresponding to the control lines CL1, CL2,. ..., connected to CLn. In the memory I / F controller 19, the GND power supply 33 and the pull-down resistor group 35 constitute a second voltage application unit.

また、画像形成装置1は、Vcc電源29及びプルアップ抵抗群31の中間部に、両者の間の導通状態の切り替えを行う複数のプルアップスイッチ素子によって構成されるプルアップスイッチ群37を備える。プルアップスイッチ群37は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応してプルアップスイッチ素子を備える。そして、メモリI/Fコントローラ19は、各プルアップスイッチ素子のオン・オフの切り替えを行うことによって、Vcc電圧が印加される制御線CL1,CL2,・・・,CLnを選択する。   In addition, the image forming apparatus 1 includes a pull-up switch group 37 configured by a plurality of pull-up switch elements that switch a conduction state between the Vcc power supply 29 and the pull-up resistor group 31 in the middle portion. The pull-up switch group 37 includes pull-up switch elements corresponding to the control lines CL1, CL2,. Then, the memory I / F controller 19 selects the control lines CL1, CL2,..., CLn to which the Vcc voltage is applied by switching each pull-up switch element on and off.

また、画像形成装置1は、GND電源33及びプルダウン抵抗群35の中間部に、両者の間の導通状態の切り替えを行う複数のプルダウンスイッチ素子によって構成されるプルダウンスイッチ群39を備える。プルダウンスイッチ群39は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応してプルダウンスイッチ素子を備える。そして、メモリI/Fコントローラ19では、各プルダウンスイッチ素子のオン・オフの切り替えを行うことによって、GND電圧が印加される制御線CL1,CL2,・・・,CLnを選択する。   In addition, the image forming apparatus 1 includes a pull-down switch group 39 configured by a plurality of pull-down switch elements that switch a conduction state between the GND power source 33 and the pull-down resistor group 35 in the middle portion. The pull-down switch group 39 includes pull-down switch elements corresponding to the control lines CL1, CL2,. Then, the memory I / F controller 19 selects the control lines CL1, CL2,..., CLn to which the GND voltage is applied by switching each pull-down switch element on and off.

また、画像形成装置1は、プルアップスイッチ群37を構成する各プルアップスイッチ素子、及びプルダウンスイッチ群39を構成する各プルダウンスイッチ素子を制御する印加制御部としてのスイッチ制御部41を備える。スイッチ制御部41は、プルアップスイッチ群37を構成する各プルアップスイッチ素子、及びプルダウンスイッチ群39を構成する各プルダウンスイッチ素子と接続されており、手順管理部23の制御のもと各スイッチ素子を個別に操作することによってVcc電圧又はGND電圧が印加される制御線CL1,CL2,・・・,CLnを選択する。スイッチ制御部41は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに接続されたプルアップスイッチ素子を駆動することによって、当該プルダウンスイッチ素子が接続された制御線と、Vcc電源29とを導通状態にする。また、スイッチ制御部41は、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに接続されたプルダウンスイッチ素子を駆動することによって、当該プルダウンスイッチ素子が接続された制御線と、GND電源33を導通状態にする。   The image forming apparatus 1 also includes a switch control unit 41 serving as an application control unit that controls each pull-up switch element constituting the pull-up switch group 37 and each pull-down switch element constituting the pull-down switch group 39. The switch control unit 41 is connected to each pull-up switch element constituting the pull-up switch group 37 and each pull-down switch element constituting the pull-down switch group 39, and each switch element is controlled under the control of the procedure management unit 23. Are individually controlled to select the control lines CL1, CL2,..., CLn to which the Vcc voltage or the GND voltage is applied. The switch control unit 41 drives the pull-up switch element connected to each control line CL1, CL2,..., CLn, thereby conducting the control line connected to the pull-down switch element and the Vcc power supply 29. Put it in a state. The switch control unit 41 drives the pull-down switch element connected to each of the control lines CL1, CL2,..., CLn, thereby conducting the control power line connected to the pull-down switch element and the GND power source 33. Put it in a state.

また、メモリI/Fコントローラ19は、制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加された電圧の印加値と、バッファ群27を介して入力されI/O制御部21によって検出された検出値とを比較する電圧比較部としての比較/判定部43を備える。具体的には、比較/判定部43は、手順管理部23の制御のもとI/O制御部21において検出した電圧の検出値と、手順管理部23に記憶されたVcc電源又はGND電源によって制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加されるべき電圧値の期待値とを比較する。また、比較/判定部43は、自身の比較結果に基づいて、異常が発生している制御線CL1,CL2,・・・,CLnを抽出し、かかる抽出結果を記憶する。そして、全ての制御線について検出値と期待値との比較を行った後に、異常が発生している原因を総合的に判定する。例えば、比較/判定部43は、検出した電圧値と期待値とが一致しない場合は、その検出値が検出されたバッファ素子が接続された制御線と、メモリモジュール11との間に何らかの異常があると判断する。そして、比較/判定部43は、全ての制御線の検出値と期待値との比較が終了した後に、全体の比較結果を参照して、異常原因を総合的に判断する。   Further, the memory I / F controller 19 detects the application value of the voltage applied to the control lines CL1, CL2,..., CLn and the detection input by the I / O control unit 21 through the buffer group 27. A comparison / determination unit 43 is provided as a voltage comparison unit that compares the values. Specifically, the comparison / determination unit 43 uses the detected voltage value detected by the I / O control unit 21 under the control of the procedure management unit 23 and the Vcc power supply or the GND power supply stored in the procedure management unit 23. The expected value of the voltage value to be applied to the control lines CL1, CL2,..., CLn is compared. Further, the comparison / determination unit 43 extracts control lines CL1, CL2,..., CLn in which an abnormality has occurred based on its comparison result, and stores the extraction result. Then, after comparing the detection value with the expected value for all the control lines, the cause of the abnormality is comprehensively determined. For example, if the detected voltage value and the expected value do not match, the comparison / determination unit 43 has some abnormality between the memory module 11 and the control line to which the buffer element in which the detected value is detected is connected. Judge that there is. Then, after the comparison between the detection values of all the control lines and the expected values is completed, the comparison / determination unit 43 refers to the entire comparison result and comprehensively determines the cause of the abnormality.

また、画像形成装置1は、Vcc電源29と、GND電源33との中間電位を発生するVtt電源45を備える。Vtt電源45は、終端抵抗群47を介して各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対して終端電圧を印加する。そして、これらVcc電源29、GND電源33、及びVtt電源45が発生させる電圧の関係は、電圧Vcc>上方閾値>電圧Vtt=電圧Vcc÷2>下方閾値>電圧GNDの不等式を満たす関係となる。   The image forming apparatus 1 further includes a Vtt power source 45 that generates an intermediate potential between the Vcc power source 29 and the GND power source 33. The Vtt power supply 45 applies a termination voltage to the control lines CL1, CL2,..., CLn via the termination resistor group 47. The relationship among the voltages generated by the Vcc power supply 29, the GND power supply 33, and the Vtt power supply 45 is such that the inequality of voltage Vcc> upper threshold> voltage Vtt = voltage Vcc / 2> lower threshold> voltage GND is satisfied.

この様な構成を有する画像形成装置1は、図3に示すフローチャートに従って、メモリI/Fコントローラ19とメモリモジュール11との間での物理的な接続の検査を行う。画像形成装置1は、例えば、画像形成装置1の電源投入時に接続の検査を行う。   The image forming apparatus 1 having such a configuration inspects the physical connection between the memory I / F controller 19 and the memory module 11 according to the flowchart shown in FIG. For example, the image forming apparatus 1 inspects connection when the image forming apparatus 1 is powered on.

一連の処理が開始すると、ステップS1において手順管理部23は、検査対象の制御線の本数を確認する。以下では、検査対象の制御線の本数をn本であるとして詳細な説明を行う。   When a series of processes starts, the procedure management unit 23 confirms the number of control lines to be inspected in step S1. In the following, detailed description will be given assuming that the number of control lines to be inspected is n.

次に、ステップS2において手順管理部23は、検査対象となる制御線をリセットすべく、検査対象となる制御線の番号xに、値0を代入する。これにより、最初に検査が行われる制御線が選択される。そして、手順管理部23は、これ以降は、番号xに対してインクリメントを行うことで、検査対象となる制御線を変更する。   Next, in step S2, the procedure management unit 23 substitutes the value 0 for the number x of the control line to be inspected in order to reset the control line to be inspected. As a result, the control line to be inspected first is selected. The procedure management unit 23 thereafter changes the control line to be inspected by incrementing the number x.

次に、ステップS3においてスイッチ制御部41は、手順管理部23による制御のもと、検査対象となる制御線Sに電圧を印加すべく、検査対象となる制御線Sに接続されたプルアップスイッチ素子をオン状態とし、電源Vccと制御線Sとを導通状態にする。このとき、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたプルアップスイッチ素子は、全てオフ状態となり、一方で、検査対象となる制御線Sに接続されたプルダウンスイッチ素子はオフ状態となり、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたプルダウンスイッチ素子は、全てオン状態となる。すなわち、一回目のこれらの動作では検査対象となる制御線は、制御線Sである為、図4に示す様に制御線Sを流れる信号はハイレベル信号となり、他の制御線S,S,・・・,S102を流れる信号はローレベル信号となる。そして、I/O制御部21は、制御線S,S,・・・,S102を流れる信号がローレベル信号となり、それ以外の制御線を流れる信号がハイレベル信号となったことを検出する。 Then, the switch control unit 41 in step S3, under the control of the procedure management section 23, in order to apply a voltage to the control line S x to be inspected, which is connected to the control line S x to be inspected pull The up switch element is turned on, and the power supply Vcc and the control line Sx are brought into conduction. At this time, all pull-up switch elements connected to control lines other than the control line to be inspected are turned off, while pull-down switch elements connected to the control line Sx to be inspected are turned off. All pull-down switch elements connected to control lines other than the control line to be inspected are turned on. That is, since the control line to be inspected in these first operations is the control line S 0 , the signal flowing through the control line S 0 becomes a high level signal as shown in FIG. 4, and the other control lines S 1 , S 2 ,..., S 102 are low level signals. Then, the I / O control unit 21 confirms that the signals flowing through the control lines S 1 , S 2 ,..., S 102 are low level signals, and the signals flowing through the other control lines are high level signals. To detect.

次に、ステップS4において比較/判定部43は、I/O制御部21において検出した値と、制御線Sに異常がなければ検出されるであろう期待値との比較を行う。具体的には、本ステップにおける期待値とは、検査対象となった制御線のみからハイレベル信号が検出され、他の制御線からはローレベル信号が検出されることをいう。そして、検査対象となった制御線Sについて何ら物理的な異常が発生していない場合には、検出値は期待値と一致する。そして、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致したと判断した場合は、メモリI/Fコントローラ19は、さらなる検査を行うべくステップS5の処理を実行する。一方、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致しないと判断した場合は、制御線Sには何らかの異常が発生している為、かかる異常を抽出すべく、ステップS6の処理を実行する。 Next, in step S4, the comparison / determination unit 43 compares the value detected by the I / O control unit 21 with the expected value that would be detected if there was no abnormality in the control line Sx . Specifically, the expected value in this step means that a high level signal is detected only from the control line to be inspected and a low level signal is detected from the other control lines. When no physical abnormality has occurred with respect to the control line Sx to be inspected, the detected value matches the expected value. If the comparison / determination unit 43 determines that the detected value matches the expected value, the memory I / F controller 19 performs the process of step S5 to perform further inspection. On the other hand, if the comparison / determination unit 43 determines that the detected value does not match the expected value, since some abnormality has occurred in the control line Sx , the process of step S6 is performed to extract such abnormality. Execute.

ステップS6において、比較/判定部43は、ステップS4における比較結果から、異常が発生している箇所すなわち制御線Sを抽出し、これを記憶する。その後、メモリI/Fコントローラ19は、さらなる検査を行うべく、ステップS5の処理を実行する。 In step S6, the comparison / determination unit 43 extracts a location where an abnormality has occurred, that is, the control line Sx , from the comparison result in step S4, and stores this. Thereafter, the memory I / F controller 19 executes the process of step S5 to perform further inspection.

ステップS5においてスイッチ制御部41は、手順管理部23による制御のもと、検査対象となる制御線以外の制御線に電圧を印加すべく、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたプルアップスイッチ素子をオン状態とし、電源Vccと検査対象となる制御線以外の制御線とを導通状態にする。このとき、検査対象となる制御線Sに接続されたプルアップスイッチ素子はオフ状態となり、一方で、検査対象となる制御線Sに接続されたプルダウンスイッチ素子はオン状態となり、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたプルダウンスイッチ素子は、全てオフ状態となる。そして、I/O制御部21は、検査対象となる制御線Sを流れる信号がローレベル信号となり、検査対象となる制御線以外の制御線を流れる信号がハイレベル信号となったことを検出する。すなわちメモリI/Fコントローラ19は、制御線CL1,CL2,・・・,CLnの信号の状態を、ステップS3の検査時における制御線CL1,CL2,・・・,CLnの信号の状態とは逆の状態にする。 In step S5, the switch control unit 41 is connected to a control line other than the control line to be inspected to apply a voltage to a control line other than the control line to be inspected under the control of the procedure management unit 23. The pull-up switch element is turned on, and the power supply Vcc and the control lines other than the control line to be inspected are made conductive. At this time, the pull-up switch element connected to the control line Sx to be inspected is turned off, while the pull-down switch element connected to the control line Sx to be inspected is turned on. All pull-down switch elements connected to control lines other than the control line are turned off. Then, the I / O control unit 21 detects that a signal flowing through the control line Sx to be inspected becomes a low level signal, and a signal flowing through a control line other than the control line to be inspected becomes a high level signal. To do. That is, the memory I / F controller 19 reverses the signal states of the control lines CL1, CL2,..., CLn to the signal states of the control lines CL1, CL2,. To the state.

次に、ステップS7において比較/判定部43は、I/O制御部21において検出した値と、制御線Sに異常がなければ検出されるべき期待値との比較を行う。具体的には、本ステップにおける期待値とは、検査対象となった制御線のみからローレベル信号が検出され、他の制御線からはハイレベル信号が検出されることをいう。そして、検査対象となった制御線Sについて何ら物理的な異常が発生していない場合には、検出値と期待値とは一致する。その後、メモリI/Fコントローラ19は、検査結果を確認すべく、ステップS8の処理を実行する。一方、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致しないと判断した場合は、制御線Sには何らかの異常が発生している為、かかる異常を抽出すべく、ステップS9の処理を実行する。 Next, in step S7, the comparison / determination unit 43 compares the value detected by the I / O control unit 21 with the expected value to be detected if the control line Sx is not abnormal. Specifically, the expected value in this step means that a low level signal is detected only from the control line to be inspected and a high level signal is detected from the other control lines. When no physical abnormality has occurred in the control line Sx that is the inspection target, the detected value matches the expected value. Thereafter, the memory I / F controller 19 executes the process of step S8 in order to confirm the inspection result. On the other hand, if the comparison / determination unit 43 determines that the detected value does not match the expected value, since some abnormality has occurred in the control line Sx , the process of step S9 is performed to extract the abnormality. Execute.

ステップS9において、比較/判定部43は、ステップS7における比較結果から異常が発生している箇所すなわち制御線Sを抽出し、これを記憶する。その後、メモリI/Fコントローラ19は、検査結果を確認すべく、ステップS8の処理を実行する。 In step S9, the comparison / determination unit 43 extracts a location where an abnormality has occurred, that is, the control line Sx , from the comparison result in step S7, and stores this. Thereafter, the memory I / F controller 19 executes the process of step S8 in order to confirm the inspection result.

ステップS8において比較/判定部43は、検査結果の確認を行う。具体的には、比較/判定部43は、ステップS6及びステップS9において記憶された抽出結果をうけて、異常が発生している原因を総合的に判断する。例えば、比較/判定部43がステップS6において1本の制御線のみから異常を検出した場合は、比較/判定部43は、異常が検出された制御線Sに流れる信号がローレベル信号から遷移していないとして、当該制御線Sがグラウンドにショートしていると判断する。また、比較/判定部43が例えばステップS6及びステップS9において異常を検出した場合は、比較/判定部43は、チェック対象となっていない制御線Sx±1について当該制御線Sが正常な状態であればハイレベル信号又はローレベル信号が流れているべきであるにも関わらず、他の制御線Sと同期してしまい不定レベル信号が検出されたものとして、当該制御線Sが他の制御線Sx±1等と混線していると判断する。そして、比較/判定部43による判定結果は、異常が発生している原因に関する情報として、入出力部24を介してメモリI/Fコントローラ19から出力され、表示部9に供給される。そして、表示部9は、供給された情報を表示して、ユーザに通知する。 In step S8, the comparison / determination unit 43 confirms the inspection result. Specifically, the comparison / determination unit 43 comprehensively determines the cause of the abnormality by receiving the extraction results stored in step S6 and step S9. For example, when the comparison / determination unit 43 detects an abnormality from only one control line in step S6, the comparison / determination unit 43 causes the signal flowing through the control line Sx where the abnormality is detected to transition from the low level signal. If not, it is determined that the control line Sx is shorted to the ground. Further, when the comparison / determination unit 43 detects an abnormality in, for example, step S6 and step S9, the comparison / determination unit 43 determines that the control line S x is normal for the control line S x ± 1 that is not checked. In this state, it is assumed that an undefined level signal is detected because the control line Sx is detected in synchronization with another control line Sx even though a high level signal or a low level signal should flow. It is determined that the other control line Sx ± 1 or the like is mixed. Then, the determination result by the comparison / determination unit 43 is output from the memory I / F controller 19 via the input / output unit 24 as information regarding the cause of the abnormality, and is supplied to the display unit 9. The display unit 9 displays the supplied information and notifies the user.

次に、ステップS10において手順管理部23は、現在検査対象となっている制御線Sの検査を終了し、次の制御線Sを選択する。具体的には、手順管理部23は、値xに対して値1を加算し、該加算結果を値xに代入することで値xのインクリメントを行う。これにより手順管理部23は、次に検査対象となる制御線Sを選択する。 Next, in step S10, the procedure management unit 23 ends the inspection of the control line Sx that is currently inspected, and selects the next control line Sx . Specifically, the procedure management unit 23 increments the value x by adding the value 1 to the value x and assigning the addition result to the value x. Thereby, the procedure management unit 23 selects the control line Sx to be inspected next.

次に、ステップS11において手順管理部23は、検査すべき制御線が残っているか否かを判断すべく、値xが制御線Sの本数nよりも大きいか否かを判断する。そして、検査すべき制御線が残っている場合、すなわち値xが制御線の本数nよりも小さい場合は、検査を行っていない制御線についても検査を行うべく、ステップS3の処理を実行する。一方、値xが制御線の本数nよりも大きい場合、すなわちn本の制御線についての検査が終了したと判断した場合は、画像形成装置1は一連の処理を終了する。 Next, the procedure management module 23 in step S11, in order to determine whether there remains a control line to be tested, the value x is determined whether greater than the number n of the control line S x. If there are remaining control lines to be inspected, that is, if the value x is smaller than the number n of control lines, the process of step S3 is executed to inspect even the control lines that have not been inspected. On the other hand, if the value x is greater than the number n of control lines, that is, if it is determined that the inspection for n control lines has been completed, the image forming apparatus 1 ends the series of processes.

この様に画像形成装置1は、それぞれの制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対してVtt電源から供給される電圧、及びグラウンドGNDの電圧を交互に与えることで、メモリI/Fコントローラ19とメモリモジュール11との間の物理的な接続の検査を行う。そして、画像形成装置1は、この様に各制御線CL1,CL2,・・・,CLnについて制御線CL1,CL2,・・・,CLnに電圧を印加して検出されるべき期待値と実際に検出された値とを比較する検査を行うことで、制御線CL1,CL2,・・・,CLnのショート等の物理的な接続の異常を検出することができる。   In this way, the image forming apparatus 1 alternately applies the voltage supplied from the Vtt power supply and the voltage of the ground GND to the control lines CL1, CL2,. The physical connection between 19 and the memory module 11 is inspected. Then, the image forming apparatus 1 actually sets the expected values to be detected by applying voltages to the control lines CL1, CL2,..., CLn for the control lines CL1, CL2,. By performing an inspection comparing the detected values, it is possible to detect an abnormality in physical connection such as a short circuit of the control lines CL1, CL2,..., CLn.

そして制御線CL1,CL2,・・・,CLnの物理的な接続の検査を行った後、画像形成装置1は、CPU3による制御のもと、メモリモジュール11の初期化を行い、さらにライト/リード検査を行う。具体的には、メモリモジュール11の初期化を行うときCPU3は、手順管理部23に対してメモリモジュール11を初期化する旨の指令を供給する。これを受けた手順管理部23は、I/O制御部21に対してメモリ初期化のコマンドを供給する。そして、I/O制御部21は、バッファ群27を構成する出力用バッファ素子を介して、メモリモジュール11に所定のパターンで遷移する信号を出力することによりメモリモジュール11を初期化する。また、ライト/リード検査は、所定のアルゴリズムによって構成されたデータをメモリモジュール11に対して書き込みを行った後に、メモリモジュール11に書き込んだデータの読み出みを行う。そして、CPU3は、メモリモジュール11に書き込んだデータと、メモリモジュール11から読み出したデータとを比較し、両者が同等なデータであるか否かを判定する。そして、この段階で何らかの異常が発生した場合には、メモリI/Fコントローラ19とメモリモジュール11間の物理的な接続の異常ではなく、メモリモジュール11に搭載されたメモリデバイス自体に何らかの異常があるという判断をすることができる。   Then, after inspecting the physical connection of the control lines CL1, CL2,..., CLn, the image forming apparatus 1 initializes the memory module 11 under the control of the CPU 3, and further performs write / read. Perform an inspection. Specifically, when initializing the memory module 11, the CPU 3 supplies a command for initializing the memory module 11 to the procedure management unit 23. Receiving this, the procedure management unit 23 supplies a memory initialization command to the I / O control unit 21. Then, the I / O control unit 21 initializes the memory module 11 by outputting a signal that transitions in a predetermined pattern to the memory module 11 via the output buffer elements that constitute the buffer group 27. In the write / read test, data written by a predetermined algorithm is written to the memory module 11 and then the data written to the memory module 11 is read. Then, the CPU 3 compares the data written to the memory module 11 with the data read from the memory module 11, and determines whether or not both are equivalent data. If any abnormality occurs at this stage, it is not an abnormality in the physical connection between the memory I / F controller 19 and the memory module 11, but there is an abnormality in the memory device itself mounted on the memory module 11. Can be judged.

この様な制御線CL1,CL2,・・・,CLnの物理的な接続の検査、及びライト/リード検査を行った後に、CPU3は、メモリモジュール11を使用して情報処理装置から送信された画像情報を画像データに変換する。そして、変換された画像データは、データ制御部5に供給される。その後、データ制御部5は、画像データに基づいて印刷機構部7及び機構制御部13を駆動させ、画像情報に基づく画像を用紙等の記録媒体上に印刷し、ユーザに提供する。   After performing such physical connection inspection and write / read inspection of the control lines CL1, CL2,..., CLn, the CPU 3 uses the memory module 11 to transmit the image transmitted from the information processing apparatus. Convert information to image data. The converted image data is supplied to the data control unit 5. Thereafter, the data control unit 5 drives the printing mechanism unit 7 and the mechanism control unit 13 based on the image data, prints an image based on the image information on a recording medium such as paper, and provides it to the user.

この様に、第1の実施の形態に係る画像形成装置1によれば、メモリモジュール11とメモリI/Fコントローラ19とを接続する全ての制御線CL1,CL2,・・・,CLnについて、物理的な接続が正常に行われているか否かの検査を行うことができる。そして、画像形成装置1は、例えば、メモリモジュール11の挿入ミス、ソケット25のキー磨耗による端子間の接続不具合、メモリモジュール11自体の不具合、部品の剥離等による接続異常等の異常がある場合には、異常が発生している制御線を判定すると共に、異常の原因となっている要素を判定することができる。   As described above, according to the image forming apparatus 1 according to the first embodiment, all the control lines CL1, CL2,..., CLn connecting the memory module 11 and the memory I / F controller 19 are physically Whether or not a normal connection is normally made can be checked. Then, the image forming apparatus 1 has, for example, an abnormality such as an insertion error of the memory module 11, a connection failure between terminals due to key wear of the socket 25, a failure of the memory module 11 itself, a connection failure due to part peeling, or the like. Can determine the control line in which an abnormality has occurred and the element causing the abnormality.

次に、本発明を適用した第2の実施の形態について詳細な説明をする。尚、第2の実施の形態にかかる画像形成装置は、画像形成装置1と同一の構成を有する箇所がある為、当該箇所については詳細な説明を省略し、差異のある箇所についてのみ詳細な説明を行う。   Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described in detail. Since the image forming apparatus according to the second embodiment has a portion having the same configuration as that of the image forming apparatus 1, detailed description of the portion is omitted, and only detailed portions are described in detail. I do.

図5に示す様に、第2の実施の形態にかかる画像形成装置に装着されるメモリI/Fコントローラ51は、I/O制御部21と、手順管理部23と、バッファ群27と、スイッチ制御部41と、比較/判定部43とを備える。そして、この様なメモリI/Fコントローラ51は、制御線CL1,CL2,・・・,CLn、及びソケット53を介してメモリモジュール55と接続される。   As shown in FIG. 5, the memory I / F controller 51 mounted on the image forming apparatus according to the second embodiment includes an I / O control unit 21, a procedure management unit 23, a buffer group 27, a switch A control unit 41 and a comparison / determination unit 43 are provided. Such a memory I / F controller 51 is connected to the memory module 55 via control lines CL1, CL2,..., CLn and a socket 53.

メモリモジュール55は、所定の基板上に配列された複数のメモリデバイスD1,D2,・・・,Dnを備える。そして、各メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnは、制御線CL1,CL2,・・・,CLnと接続されている。この様な制御線CL1,CL2,・・・,CLnのうち、例えばクロック信号CLKP,CLKN等、各メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnに同一の種類の信号が同時に供給される制御線については、メモリモジュール55の基板上に形成された共通配線CMLを介して各メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnと接続される。一方、各メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnについて個別的に供給される信号が供給される制御線については、ソケット53から各メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnに個別的に接続される。また、メモリモジュール55は、配線57を介してスイッチ制御部41と接続される。   The memory module 55 includes a plurality of memory devices D1, D2,..., Dn arranged on a predetermined substrate. The memory devices D1, D2,..., Dn are connected to control lines CL1, CL2,. Of such control lines CL1, CL2,..., CLn, for example, clock signals CLKP, CLKN, etc., the same kind of signals are simultaneously supplied to the memory devices D1, D2,. Is connected to each of the memory devices D1, D2,..., Dn through a common wiring CML formed on the substrate of the memory module 55. On the other hand, control lines to which signals individually supplied for the memory devices D1, D2,..., Dn are individually supplied from the socket 53 to the memory devices D1, D2,. Connected. The memory module 55 is connected to the switch control unit 41 via the wiring 57.

メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnは、それぞれ図6に示す様な構成を備える。尚、メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnは、全て同一の構成を有する為、以下の説明では、「メモリデバイスDと総称して、メモリデバイスD1,D2,・・・,Dnの構成の詳細な説明を行う。   The memory devices D1, D2,..., Dn each have a configuration as shown in FIG. Since the memory devices D1, D2,..., Dn all have the same configuration, in the following description, “the configuration of the memory devices D1, D2,. A detailed description will be given.

メモリデバイスDが備える制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、実質的に、信号の性質上その流れが双方向となる制御線群CL−INと、信号の流れが単方向となる制御線群CL−OWとに分割されてメモリデバイスコア59と接続される。制御線群CL−INを構成する制御線としては、DQS0,DQS1,・・・,DQS7信号が供給される制御線、及びDQ0,DQ1,・・・,DQ63信号が供給される制御線がある。一方で、制御線群CL−OWを構成する制御線としては、CLKP信号、CLKN信号、CKE信号、CS信号、RAS信号、WE信号、A0,A1,A2,・・・,A13信号、BA0,BA1信号、及びDM0,DM1,・・・,DM7信号が供給される制御線がある。また、メモリデバイスDは、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnに対応させて、複数のスイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnを備える。各スイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnは、各制御線CL1,CL2,・・・,CLnにそれぞれ対応して設けられている。スイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnは、他のスイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnと独立してそれぞれVcc電源と接続された端子Vcc、Vtt電源と接続された端子Vtt、及びグラウンドGNDと接続された端子GNDと接続可能に形成される。そして、スイッチ制御回路63は、スイッチ制御部41から供給された指示に基づいて各スイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnのスイッチ素子61を駆動させ、制御線CL1,CL2,・・・,CLnと、端子Vcc、端子Vtt、又は端子GNDの何れかとを接続させる様に切り替えを行う。そして、スイッチ素子61が駆動して、スイッチ素子61と端子Vccが接続されると、当該スイッチ素子61に対応する制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、抵抗Rを介してVcc電源と接続される。また、スイッチ素子61が駆動して、スイッチ素子61と端子Vttが接続されると、当該スイッチ素子61に対応する制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、抵抗Rを介してVtt電源と接続される。また、スイッチ素子61が駆動して、スイッチ素子61と端子GNDが接続されると、当該スイッチ素子61に対応する制御線CL1,CL2,・・・,CLnは、抵抗Rを介してグラウンドGNDと接続される。そして、メモリデバイスDでは、この様に信号の流れが双方向となる制御線群CL−INと、信号の流れが単方向となる制御線群CL−OWとを実質的に分割してメモリデバイスコア59と接続させることで、スイッチ回路SW1,SW2,・・・,SWnの切り替え動作によって生じる信号処理の遅延を防止することができる。   The control lines CL1, CL2,..., CLn included in the memory device D are substantially a control line group CL-IN in which the flow is bidirectional due to the nature of the signal, and a control in which the signal flow is unidirectional. It is divided into line groups CL-OW and connected to the memory device core 59. As the control lines constituting the control line group CL-IN, there are control lines to which DQS0, DQS1,..., DQS7 signals are supplied, and control lines to which DQ0, DQ1,. . On the other hand, the control lines constituting the control line group CL-OW include CLKP signal, CLKN signal, CKE signal, CS signal, RAS signal, WE signal, A0, A1, A2,..., A13 signal, BA0, There are control lines to which the BA1 signal and DM0, DM1,. The memory device D includes a plurality of switch circuits SW1, SW2,..., SWn corresponding to the control lines CL1, CL2,. The switch circuits SW1, SW2,..., SWn are provided corresponding to the control lines CL1, CL2,. The switch circuits SW1, SW2,..., SWn are independent of the other switch circuits SW1, SW2,..., SWn, respectively, a terminal Vcc connected to the Vcc power supply, a terminal Vtt connected to the Vtt power supply, and It is formed so as to be connectable to a terminal GND connected to the ground GND. Then, the switch control circuit 63 drives the switch elements 61 of the switch circuits SW1, SW2,..., SWn based on the instruction supplied from the switch control unit 41, and controls the control lines CL1, CL2,. Switching is performed so that CLn is connected to any one of the terminal Vcc, the terminal Vtt, and the terminal GND. When the switch element 61 is driven and the switch element 61 and the terminal Vcc are connected, the control lines CL1, CL2,..., CLn corresponding to the switch element 61 are connected to the Vcc power supply via the resistor R. Connected. When the switch element 61 is driven and the switch element 61 and the terminal Vtt are connected, the control lines CL1, CL2,..., CLn corresponding to the switch element 61 are connected to the Vtt power source via the resistor R. Connected. When the switch element 61 is driven and the switch element 61 is connected to the terminal GND, the control lines CL1, CL2,..., CLn corresponding to the switch element 61 are connected to the ground GND via the resistor R. Connected. In the memory device D, the control line group CL-IN in which the signal flow is bidirectional and the control line group CL-OW in which the signal flow is unidirectional are substantially divided into the memory device. By connecting to the core 59, a delay in signal processing caused by the switching operation of the switch circuits SW1, SW2,..., SWn can be prevented.

この様なメモリモジュール55では、メモリデバイスD内部において選択的に制御線CL1,CL2,・・・,CLnに印加される電圧を切り替えることが可能な構成を備える。   Such a memory module 55 has a configuration capable of selectively switching voltages applied to the control lines CL1, CL2,..., CLn inside the memory device D.

以下、画像形成装置がこの様なメモリモジュール55に対して接続の検査を行う場合の一連の動作について、図7を参照しながら詳細な説明をする。   Hereinafter, a series of operations when the image forming apparatus inspects the connection with respect to such a memory module 55 will be described in detail with reference to FIG.

一連の処理が開始すると、ステップS12において手順管理部23は、検査対象の制御線の本数を確認する。   When a series of processes starts, in step S12, the procedure management unit 23 checks the number of control lines to be inspected.

次に、ステップS13において手順管理部23は、検査対象となる制御線の番号xに、値0を代入する。また、これと同時に手順管理部23は、スイッチ制御部41に対して、接続チェックモードへの移行を指示する。具体的には、接続チェックモードとは、全てのスイッチ素子61を、端子GNDと接続させた状態をいう。かかる移行処理を行う為に、手順管理部23からの指示に基づいてスイッチ制御部41は、スイッチ制御回路63に対して、全てのスイッチ素子61を端子Vttに接続させるべき旨の指示を供給する。そして、スイッチ制御回路63は、スイッチ制御部41からの指示を受けて、全てのスイッチ素子61を端子Vttに接続させる様に、スイッチ素子61を駆動させる。   Next, in step S13, the procedure management unit 23 substitutes the value 0 for the number x of the control line to be inspected. At the same time, the procedure management unit 23 instructs the switch control unit 41 to shift to the connection check mode. Specifically, the connection check mode refers to a state in which all the switch elements 61 are connected to the terminal GND. In order to perform such a transition process, the switch control unit 41 supplies an instruction to the switch control circuit 63 to connect all the switch elements 61 to the terminal Vtt based on an instruction from the procedure management unit 23. . In response to the instruction from the switch control unit 41, the switch control circuit 63 drives the switch elements 61 so that all the switch elements 61 are connected to the terminal Vtt.

次に、ステップS14においてスイッチ制御部41は、手順管理部23による制御のもと、検査対象となる制御線Sに電圧を印加すべく、当該検査対象となる制御線Sに接続されたスイッチ素子61のみをVcc電源と接続させる。一方で、スイッチ制御部41は、検査対象となる制御線以外の制御線と接続されたスイッチ素子61を端子GNDと接続させる。これにより、検査対象となる制御線Sを流れる信号は、ハイレベル信号となる。一方で、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたスイッチ素子61は、グラウンドGNDと接続されている為、検査対象となる制御線以外の制御線を流れる信号はローレベル信号の状態となる。 Next, in step S14, the switch control unit 41 is connected to the control line Sx to be inspected in order to apply a voltage to the control line Sx to be inspected under the control of the procedure management unit 23. Only the switch element 61 is connected to the Vcc power source. On the other hand, the switch control unit 41 connects the switch element 61 connected to a control line other than the control line to be inspected to the terminal GND. Thereby, the signal flowing through the control line Sx to be inspected becomes a high level signal. On the other hand, since the switch element 61 connected to the control line other than the control line to be inspected is connected to the ground GND, the signal flowing through the control line other than the control line to be inspected is in the low level signal state. It becomes.

次に、ステップS15において比較/判定部43は、I/O制御部21において検出した値と、制御線Sに異常がなければ検出されるであろう期待値との比較を行う。本ステップにおける期待値とは、検査対象となった制御線Sのみからハイレベル信号が検出され、他の制御線からはローレベル信号が検出されることをいう。そして、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致したと判断した場合は、メモリI/Fコントローラ51は、さらなる検査を行うべくステップS16の処理を実行する。一方、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致しないと判断した場合は、制御線Sには何らかの異常が発生している為、かかる異常を抽出すべく、ステップS17の処理を実行する。 Next, in step S15, the comparison / determination unit 43 compares the value detected by the I / O control unit 21 with the expected value that would be detected if there was no abnormality in the control line Sx . The expected value in this step means that a high level signal is detected only from the control line Sx to be inspected and a low level signal is detected from the other control lines. If the comparison / determination unit 43 determines that the detected value matches the expected value, the memory I / F controller 51 executes the process of step S16 to perform further inspection. On the other hand, if the comparison / determination unit 43 determines that the detected value does not match the expected value, since some abnormality has occurred in the control line Sx , the process of step S17 is performed to extract the abnormality. Execute.

ステップS17において、比較/判定部43は、ステップS15における比較結果から異常が発生している箇所すなわち制御線Sを抽出し、これを記憶する。その後、メモリI/Fコントローラ19は、さらなる検査を行うべく、ステップS16の処理を実行する。 In step S17, the comparison / determination unit 43 extracts a location where an abnormality has occurred, that is, the control line Sx , from the comparison result in step S15, and stores this. Thereafter, the memory I / F controller 19 executes the process of step S16 in order to perform further inspection.

ステップS16においてスイッチ制御部41は、手順管理部23による制御のもと、検査対象となる制御線以外の制御線に電圧を印加すべく、検査対象となる制御線以外の制御線に接続されたスイッチ素子61を端子Vccと接続させる。一方で、検査対象となる制御線に接続されたスイッチ素子61は、端子GNDと接続させる。これにより、検査対象となる制御線以外の制御線を流れる信号は、ハイレベル信号となり、検査対象となる制御線以外の制御線を流れる信号はローレベル信号となる。   In step S <b> 16, the switch control unit 41 is connected to a control line other than the control line to be inspected to apply a voltage to a control line other than the control line to be inspected under the control of the procedure management unit 23. The switch element 61 is connected to the terminal Vcc. On the other hand, the switch element 61 connected to the control line to be inspected is connected to the terminal GND. Thereby, a signal flowing through a control line other than the control line to be inspected becomes a high level signal, and a signal flowing through a control line other than the control line to be inspected becomes a low level signal.

次に、ステップS18において比較/判定部43は、I/O制御部21において検出した値と、制御線Sに異常がなければ検出されるであろう期待値との比較を行う。本ステップにおける期待値とは、検査対象となった制御線以外の制御線からハイレベル信号が検出され、検査対象となる制御線からはローレベル信号が検出されることをいう。そして、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致したと判断した場合は、メモリI/Fコントローラ51は、検査結果を確認すべくステップS19の処理を実行する。一方、比較/判定部43が、検出値と期待値とが一致しないと判断した場合は、制御線Sには何らかの異常が発生している為、かかる異常を抽出すべくステップS20の処理を実行する。 Next, in step S18, the comparison / determination unit 43 compares the value detected by the I / O control unit 21 with the expected value that would be detected if there was no abnormality in the control line Sx . The expected value in this step means that a high level signal is detected from a control line other than the control line to be inspected, and a low level signal is detected from the control line to be inspected. If the comparison / determination unit 43 determines that the detected value matches the expected value, the memory I / F controller 51 executes the process of step S19 to confirm the inspection result. On the other hand, if the comparison / determination unit 43 determines that the detected value does not match the expected value, some abnormality has occurred in the control line Sx, and therefore the process of step S20 is performed to extract the abnormality. Execute.

ステップS20において、比較/判定部43は、ステップS18における比較結果から異常が発生している箇所すなわち制御線Sを抽出し、これを記憶する。その後、メモリI/Fコントローラ51は、検査結果を確認すべく、ステップS19の処理を実行する。 In step S20, the comparison / determination unit 43 extracts a part where an abnormality has occurred, that is, the control line Sx , from the comparison result in step S18, and stores this. Thereafter, the memory I / F controller 51 executes the process of step S19 in order to confirm the inspection result.

ステップS19において比較/判定部43は、検査結果の確認を行う。具体的には、比較/判定部43は、ステップS17及びステップS20において記憶された抽出結果をうけて、異常が発生している原因を総合的に判断する。例えば、比較/判定部43がステップS17において1本の制御線のみから異常を検出した場合は、比較/判定部43は、異常が検出された制御線Sに流れる信号がローレベル信号から遷移していないとして、当該制御線Sがグラウンドにショートしていると判断する。また、比較/判定部43が例えばステップS17及びステップS20において異常を検出した場合は、比較/判定部43は、チェック対象となっていない制御線Sx±1について、当該制御線Sが正常な状態であればハイレベル信号又はローレベル信号が流れているべきであるにも関わらず、他の制御線Sと同期してしまい、不定信号が検出されたものとして、当該制御線Sが他の制御線Sx±1等と混線していると判断する。そして、比較/判定部43による判定結果は、異常が発生している原因に関する情報として表示部9に供給される。そして、表示部9は、供給された情報を表示して、ユーザに通知する。 In step S19, the comparison / determination unit 43 confirms the inspection result. Specifically, the comparison / determination unit 43 comprehensively determines the cause of occurrence of the abnormality based on the extraction results stored in Step S17 and Step S20. For example, when the comparison / determination unit 43 detects an abnormality from only one control line in step S17, the comparison / determination unit 43 causes the signal flowing through the control line Sx in which an abnormality is detected to transition from the low level signal. If not, it is determined that the control line Sx is shorted to the ground. Further, when the comparison / determination unit 43 detects an abnormality in, for example, step S17 and step S20, the comparison / determination unit 43 determines that the control line S x is normal for the control line S x ± 1 that is not the check target. despite the high level signal or a low level signal should have flowed if a state, will be synchronized with the other control line S x, as indeterminate signal is detected, the control line S x Are mixed with other control lines S x ± 1 and the like. Then, the determination result by the comparison / determination unit 43 is supplied to the display unit 9 as information regarding the cause of the abnormality. The display unit 9 displays the supplied information and notifies the user.

次に、ステップS21において手順管理部23は、現在検査対象となっている制御線Sの検査を終了し、次の制御線Sを選択する。具体的には、手順管理部23は、値xに対して値1を加算し、該加算結果を値xに代入することで値xのインクリメントを行う。これにより手順管理部23は、次に検査対象となる制御線Sを選択する。 Next, in step S21, the procedure management unit 23 ends the inspection of the control line Sx that is currently inspected, and selects the next control line Sx . Specifically, the procedure management unit 23 increments the value x by adding the value 1 to the value x and assigning the addition result to the value x. Thereby, the procedure management unit 23 selects the control line Sx to be inspected next.

次に、ステップS22において手順管理部23は、検査すべき制御線が残っているか否かを判断すべく、値xが、制御線の本数nよりも大きいか否かを判断する。そして、検査すべき制御線が残っている場合、すなわち値xが制御線の本数nよりも小さい場合は、検査を行っていない制御線についても検査を行うべく、ステップS14の処理を実行する。一方、値xが制御線の本数nよりも大きい場合、すなわちn本の制御線についての検査が終了したと判断した場合は、画像形成装置は一連の処理を終了する。   Next, in step S22, the procedure management unit 23 determines whether or not the value x is larger than the number n of control lines in order to determine whether or not there are remaining control lines to be inspected. Then, when there are remaining control lines to be inspected, that is, when the value x is smaller than the number n of control lines, the process of step S14 is executed to inspect the control lines that have not been inspected. On the other hand, if the value x is larger than the number n of control lines, that is, if it is determined that the inspection for n control lines has been completed, the image forming apparatus ends a series of processes.

そして制御線の物理的な接続の検査を行った後、画像形成装置は、CPU3による制御のもと、メモリモジュール55の初期化を行い、さらにライト/リード検査を行う。   Then, after inspecting the physical connection of the control lines, the image forming apparatus initializes the memory module 55 under the control of the CPU 3, and further performs a write / read inspection.

この様に、第2の実施の形態にかかる画像形成装置によれば、メモリI/Fコントローラ51とメモリモジュール55との間のpin to pinの接続状態を検査することができ、画像形成装置1による検査よりも高い精度を得ることができる。また、メモリモジュール55は、プルダウン抵抗、プルアップ抵抗、及び終端抵抗を内蔵している為、基板上の配線が混雑することを防止し、スマートな配線を行うことができる。   As described above, according to the image forming apparatus of the second embodiment, the connection state of the pin to pin between the memory I / F controller 51 and the memory module 55 can be inspected, and the image forming apparatus 1 It is possible to obtain higher accuracy than the inspection by the above. In addition, since the memory module 55 incorporates a pull-down resistor, a pull-up resistor, and a termination resistor, it is possible to prevent the wiring on the substrate from being congested and perform smart wiring.

尚、本発明は、上述の実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit of the present invention.

例えば、上述の実施の形態においては、画像形成装置の例として、カラープリンタ内部に備えられたメモリモジュール11,55と、メモリI/Fコントローラ15,51とを用いて詳細な説明を行ったが、本発明は、MFP、ファクシミリ、又は複写装置等のメモリ制御装置を有する画像形成装置についても適用可能であることはいうまでもない。   For example, in the above-described embodiment, the detailed description is given using the memory modules 11 and 55 and the memory I / F controllers 15 and 51 provided in the color printer as an example of the image forming apparatus. Needless to say, the present invention is also applicable to an image forming apparatus having a memory control device such as an MFP, a facsimile, or a copying apparatus.

また、上述の実施の形態においては、全ての制御線について接続状態の検査を行い、検査結果の確認を行った後に、その原因を判定した上で、かかる原因を表示部9に表示することとしたが、画像形成装置は、例えば上述の処理のステップS4,S7,S15,S18において期待値と検出値とが一致しないと判断した時点で、検査対象となっている制御線に異常がある旨を表示部9に表示しても良い。   In the above-described embodiment, after checking the connection state for all the control lines and confirming the inspection result, determining the cause and displaying the cause on the display unit 9 However, when the image forming apparatus determines that the expected value does not match the detected value in steps S4, S7, S15, and S18 of the above-described processing, for example, the control line that is the inspection target is abnormal. May be displayed on the display unit 9.

また、上述の実施の形態においては、ソケット25を介して画像形成装置に接続されたメモリモジュール11,55を例に挙げた上で検査方法の詳細な説明を行ったが、上述した接続検査はこの様なメモリモジュール11,55についてのみ適用されるものではない。上述した接続検査は、例えば回路基板上に配置されソケットと同一のバスに接続されたメモリ素子、又は回路基板上に直接メモリ素子を配列した構成のみからなるメモリ等、様々なメモリ制御装置についても適用可能である。   In the above-described embodiment, the inspection method has been described in detail with the memory modules 11 and 55 connected to the image forming apparatus through the socket 25 as an example. The present invention is not applied only to such memory modules 11 and 55. The above-described connection test is performed on various memory control devices such as a memory element arranged on a circuit board and connected to the same bus as a socket, or a memory having only a configuration in which memory elements are directly arranged on a circuit board. Applicable.

また、上述の実施の形態においては、制御線毎に流れる信号を遷移させることで接続の検査を行ったが、複数の制御線についてまとめて信号を遷移させ、検査を行うものであっても良い。   Further, in the above-described embodiment, the connection inspection is performed by transitioning the signal flowing for each control line. However, the inspection may be performed by collectively transitioning signals for a plurality of control lines. .

第1の実施の形態として示す画像形成装置のブロック図であり、同画像形成装置の構成について説明する為の図である。1 is a block diagram of an image forming apparatus shown as a first embodiment, and is a diagram for explaining a configuration of the image forming apparatus. FIG. 同画像形成装置が備えるメモリI/Fコントローラのブロック図であり、同メモリI/Fコントローラの構成について説明する為の図である。2 is a block diagram of a memory I / F controller provided in the image forming apparatus, and is a diagram for explaining a configuration of the memory I / F controller. FIG. 同画像形成装置が、メモリI/Fコントローラとメモリモジュールとの間での物理的な接続の検査を行う際のフロー図である。FIG. 3 is a flowchart when the image forming apparatus inspects a physical connection between a memory I / F controller and a memory module. 同メモリI/Fコントローラとメモリモジュールとを接続する制御線に流れる信号の波形を示す図である。It is a figure which shows the waveform of the signal which flows into the control line which connects the memory I / F controller and a memory module. 第2の実施の形態として示す画像形成装置が備えるメモリI/Fコントローラのブロック図であり、同メモリI/Fコントローラの構成について説明する為の図である。FIG. 4 is a block diagram of a memory I / F controller provided in an image forming apparatus shown as a second embodiment, and is a diagram for explaining a configuration of the memory I / F controller. 同メモリI/Fコントローラと接続されたメモリモジュールのメモリデバイスのブロック図であり、同メモリデバイスの構成について説明する為の図である。It is a block diagram of the memory device of the memory module connected with the memory I / F controller, and is a diagram for explaining the configuration of the memory device. 同画像形成装置が、メモリI/Fコントローラとメモリモジュールとの間での物理的な接続の検査を行う際のフロー図である。FIG. 3 is a flowchart when the image forming apparatus inspects a physical connection between a memory I / F controller and a memory module.

符号の説明Explanation of symbols

1 画像形成装置
3 CPU
5 データ制御部
7 印刷機構部
9 表示部
11,55 メモリモジュール
13 機構制御部
15 CPU I/Fコントローラ
17 外部I/Fコントローラ
19,51 メモリI/Fコントローラ
21 I/O制御部
23 手順管理部
25,53 ソケット
27 バッファ群
29 Vcc電源
31 プルアップ抵抗群
33 GND電源
35 プルダウン抵抗群
37 プルアップスイッチ群
39 プルダウンスイッチ群
41 スイッチ制御部
43 比較/判定部
61 スイッチ素子
63 スイッチ制御回路
1 Image forming apparatus 3 CPU
5 Data control unit 7 Printing mechanism unit 9 Display unit 11, 55 Memory module 13 Mechanism control unit 15 CPU I / F controller 17 External I / F controller 19, 51 Memory I / F controller 21 I / O control unit 23 Procedure management unit 25, 53 Socket 27 Buffer group 29 Vcc power supply 31 Pull-up resistor group 33 GND power supply 35 Pull-down resistor group 37 Pull-up switch group 39 Pull-down switch group 41 Switch control unit 43 Comparison / determination unit 61 Switch element 63 Switch control circuit

Claims (5)

第1の電圧を印加する第1の電圧印加部、及び前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を印加する第2の電圧印加部に対して、メモリデバイスと接続された複数本の制御線のうち何れかの制御線に前記第1の電圧又は第2の電圧を交互に印加させる印加制御部と、
前記印加制御部によって前記複数本の制御線に印加させられた前記第1の電圧、及び前記第2の電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部によって検出された前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の検出値と、前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の印加値を比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて前記複数本の制御線の異常原因を判定する判定部と、
前記判定部によって判定された異常原因に関する情報を出力する原因出力部とを備えること、
を特徴とするメモリ制御装置。
A plurality of controls connected to a memory device for a first voltage applying unit that applies a first voltage and a second voltage applying unit that applies a second voltage different from the first voltage An application control unit that alternately applies the first voltage or the second voltage to any one of the control lines;
A voltage detection unit for detecting the first voltage and the second voltage applied to the plurality of control lines by the application control unit;
A comparison unit for comparing the detected values of the first voltage and the second voltage detected by the voltage detection unit with the application values of the first voltage and the second voltage;
A determination unit that determines an abnormality cause of the plurality of control lines based on a comparison result by the comparison unit;
A cause output unit that outputs information on the cause of abnormality determined by the determination unit;
A memory control device.
前記印加制御部は、
前記メモリデバイスに形成され、前記複数本の制御線に対応して設けられ、前記第1の電圧印加部と接続された第1の端子、又は前記第2電圧印加部と接続された第2の端子の何れかと前記制御線とを接続させるスイッチ部を駆動させることで前記第1の電圧印加部又は前記第2の電圧印加部から前記複数本の制御線の何れかに対して前記第1の電圧又は前記第2の電圧を交互に印加させること、
を特徴とする請求項1記載のメモリ制御装置。
The application control unit includes:
A first terminal connected to the first voltage application unit, or a second terminal connected to the second voltage application unit, formed in the memory device, corresponding to the plurality of control lines; By driving a switch unit that connects any one of the terminals and the control line, the first voltage application unit or the second voltage application unit to any one of the plurality of control lines. Alternately applying a voltage or the second voltage;
The memory control device according to claim 1.
複数本の制御線に対応して設けられ、当該制御線に第1の電圧を印加する第1の電圧印加部に接続された第1の端子、又は前記複数本の制御線に前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を印加する第2電圧印加部に接続された第2の端子の何れかと前記制御線とを接続させるスイッチ部と、
前記複数本の制御線を介して入力された信号を記憶するメモリデバイスコアとを有するメモリデバイスと、
前記スイッチ部を駆動することで前記第1の電圧印加部又は前記第2の電圧印加部から前記複数本の制御線の何れかに対して前記第1の電圧又は前記第2の電圧を交互に印加させる印加制御部と、
前記印加制御部によって前記複数本の制御線に印加させられた前記第1の電圧、及び前記第2の電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部によって検出された前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の検出値と、前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の印加値を比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて前記複数本の制御線の異常原因を判定する判定部と、
前記判定部によって判定された異常原因に関する情報を出力する原因出力部とを有するメモリ制御装置とを備えること、
を特徴とするメモリ装置。
A first terminal connected to a first voltage application unit that is provided corresponding to a plurality of control lines and applies a first voltage to the control lines, or the first control terminals connected to the plurality of control lines. A switch unit for connecting any one of the second terminals connected to the second voltage application unit for applying a second voltage different from the voltage to the control line;
A memory device having a memory device core for storing signals input via the plurality of control lines;
By driving the switch unit, the first voltage or the second voltage is alternately applied to any of the plurality of control lines from the first voltage application unit or the second voltage application unit. An application control unit to apply,
A voltage detection unit for detecting the first voltage and the second voltage applied to the plurality of control lines by the application control unit;
A comparison unit for comparing the detected values of the first voltage and the second voltage detected by the voltage detection unit with the application values of the first voltage and the second voltage;
A determination unit that determines an abnormality cause of the plurality of control lines based on a comparison result by the comparison unit;
A memory control device having a cause output unit that outputs information on the cause of abnormality determined by the determination unit;
A memory device.
前記複数本の制御線は、単方向の信号が流れる制御線と、双方向の信号が流れる制御線とに実質的に分割されて前記メモリデバイスに接続されていること、
を特徴とする請求項3記載のメモリ装置。
The plurality of control lines are substantially divided into a control line through which a unidirectional signal flows and a control line through which a bidirectional signal flows, and is connected to the memory device;
The memory device according to claim 3.
入力された画像情報を印刷可能な画像データに変換する画像変換部と、
前記画像変換部が、前記画像情報を前記画像データに変換する際に情報を記憶させるメモリデバイスと、
前記メモリデバイスの接続状態を検査し、当該検査結果に基づいて異常原因を判定するメモリ制御装置と、
前記メモリデバイスと前記メモリ制御装置とを接続する複数本の制御線と、
前記制御線に所定の第1の電圧を印加する第1の電圧印加部と、
前記制御線に前記第1の電圧とは異なる第2の電圧を印加する第2の電圧印加部と、
前記メモリ制御装置の判定結果を出力する検査結果出力部とを備え、
前記メモリ制御装置は、
前記複数本の制御線のうちの何れかの制御線に対して、前記第1の電圧印加部によって印加される前記第1の電圧、又は前記第2の電圧印加部によって印加される前記第2の電圧の何れかを交互に印加させる印加制御部と、
前記印加制御部によって前記複数本の制御線に印加させられた前記第1の電圧、及び前記第2の電圧を検出する電圧検出部と、
前記電圧検出部によって検出された前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の検出値と、前記第1の電圧、及び前記第2の電圧の印加値とを比較する比較部と、
前記比較部による比較結果に基づいて前記複数本の制御線の異常原因を判定する判定部と、
前記判定部による判定結果を前記検査結果出力部に出力する比較結果出力部とを有すること、
を特徴とする画像形成装置。
An image conversion unit that converts input image information into printable image data;
A memory device for storing information when the image conversion unit converts the image information into the image data;
A memory control device that inspects the connection state of the memory device and determines the cause of abnormality based on the inspection result;
A plurality of control lines connecting the memory device and the memory control device;
A first voltage applying unit for applying a predetermined first voltage to the control line;
A second voltage applying unit that applies a second voltage different from the first voltage to the control line;
An inspection result output unit that outputs a determination result of the memory control device;
The memory control device
The first voltage applied by the first voltage application unit or the second voltage applied by the second voltage application unit to any one of the plurality of control lines. An application control unit that alternately applies any one of the voltages of
A voltage detection unit for detecting the first voltage and the second voltage applied to the plurality of control lines by the application control unit;
A comparison unit for comparing the detected values of the first voltage and the second voltage detected by the voltage detection unit with the applied values of the first voltage and the second voltage;
A determination unit that determines an abnormality cause of the plurality of control lines based on a comparison result by the comparison unit;
A comparison result output unit that outputs a determination result by the determination unit to the inspection result output unit;
An image forming apparatus.
JP2006261830A 2006-09-27 2006-09-27 Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same Pending JP2008083888A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006261830A JP2008083888A (en) 2006-09-27 2006-09-27 Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006261830A JP2008083888A (en) 2006-09-27 2006-09-27 Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008083888A true JP2008083888A (en) 2008-04-10

Family

ID=39354727

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006261830A Pending JP2008083888A (en) 2006-09-27 2006-09-27 Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008083888A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10769091B2 (en) 2018-01-03 2020-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card and electronic system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10769091B2 (en) 2018-01-03 2020-09-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card and electronic system
US11194752B2 (en) 2018-01-03 2021-12-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory card and electronic system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6505317B1 (en) System and method for testing signal interconnections using built-in self test
US8438439B2 (en) Integrated circuit having a scan chain and testing method for a chip
CN106981262B (en) Display panel and failure detection method
WO2008051932A2 (en) High speed double data rate jtag interface
US20070022333A1 (en) Testing of interconnects associated with memory cards
JP5054106B2 (en) Test equipment and circuit equipment
JP2009128532A (en) Display
JP2008083888A (en) Memory controller, memory device and image forming apparatus using the same
JP3555953B2 (en) Apparatus for testing connections with pulling resistors
KR101447221B1 (en) Chip applied to serial transmission system and associated fail safe method
JP5176962B2 (en) Printed board connection test apparatus and method
KR20020013525A (en) Method and apparatus for testing a video display chip
KR100906513B1 (en) Electronic circuit and method for testing
JP2002178490A (en) Ink jet printer
JP2008040575A (en) Serial data transfer device and serial data transfer method
JP2006139908A (en) Semiconductor memory device permitting to write various pattern data therein, electrical test method therefor
US9494646B2 (en) Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method
KR20080046919A (en) Test device of on die termination circuit
JP5261874B2 (en) Electronic circuit and connection diagnostic circuit
KR100505613B1 (en) Printed circuit board for performing burn-in test of semiconductor memory device
US20200203332A1 (en) Power on die discovery in 3d stacked die architectures with varying number of stacked die
JP2011007591A (en) Method for inspection of connection between asic and board
JP3849550B2 (en) Semiconductor integrated circuit
CN118259202A (en) Inter-board connection fault detection method and inter-board connection fault detection system
JP2008090989A (en) Semiconductor memory device