JP2008078885A - Surface acoustic wave resonator - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、通信機器等に使用される弾性表面波共振子に関するものである。 The present invention relates to a surface acoustic wave resonator used in communication equipment and the like.
従来のこの種の弾性表面波共振子としては、図5に示すように櫛型電極1の交差幅が中央部で大きく、左右両側に行くに従って一様に小さくなるように重み付けされ、非交差領域2にダミー電極3を配置していた。
A conventional surface acoustic wave resonator of this type is weighted so that the cross width of the comb-
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
上記した従来の弾性表面波共振子においては、交差領域と非交差領域2で電極ピッチが同じであるため、ダミー領域の反射特性におけるストップバンドの周波数に交差領域の放射コンダクタンスのピーク周波数がほぼ一致してしまい、交差領域で励振された弾性表面波がダミー領域を通過してしまう。 In the conventional surface acoustic wave resonator described above, since the electrode pitch is the same in the intersecting region and the non-intersecting region 2, the peak frequency of the radiation conductance in the intersecting region is almost equal to the stopband frequency in the reflection characteristics of the dummy region. As a result, the surface acoustic wave excited in the intersecting region passes through the dummy region.
すなわち、弾性表面波が櫛型電極1の外部にもれてしまうため、弾性表面波共振子のQ値が劣化してしまうという課題を有していた。
That is, since the surface acoustic wave leaks to the outside of the comb-
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、弾性表面波共振子のQ値を向上させることを目的とするものである。 The present invention solves the above-described conventional problems and aims to improve the Q value of a surface acoustic wave resonator.
上記目的を達成するために本発明は、以下の構成を有するものである。 In order to achieve the above object, the present invention has the following configuration.
本発明の請求項1に記載の発明は、対向する一対のバスバーと、それぞれのバスバーから他方のバスバー側へ交互に延出された複数の電極指を有する櫛型電極とを備え、前記それぞれのバスバーから延びる電極指が交差する前記櫛型電極の交差領域における外側部分の交差幅を内側部分の交差幅より小さく設定し、前記電極指の延伸方向に他方のバスバーから延出したダミー電極を配置するとともに、このダミー電極が設けられた部分をダミー領域とし、前記ダミー領域のメタライゼイションレシオを前記交差領域のメタライゼイションレシオより大きくするとともに、前記ダミー領域のメタライゼイションレシオを前記交差領域の内側より外側に向け徐々に大きくしたことを特徴とするもので、この構成によれば、交差領域の放射コンダクタンスのピーク周波数をダミー領域の反射領域内に位置させるとともに、メタライゼイションレシオの大きな変化により生じるバルク波損失を抑制することができるため、エネルギーの閉じ込め効果が高くなり、これにより、弾性表面波共振子のQ値を向上させることができるという作用効果が得られるものである。
The invention according to
本発明の請求項2に記載の発明は、特に、ダミー領域におけるダミー電極およびこれと隣り合う電極指との中心間隔を一定にしたもので、この構成によれば、ダミー領域内でのダミー電極およびこれと隣接する電極指が等ピッチで配置することができるため、より効果的にエネルギーを閉じ込めることができるため、弾性表面波共振子のQ値をさらに向上させることができるという作用効果が得られるものである。 According to the second aspect of the present invention, the center distance between the dummy electrode in the dummy region and the adjacent electrode finger is made constant. According to this configuration, the dummy electrode in the dummy region is provided. Since the electrode fingers adjacent thereto and the electrode fingers adjacent to each other can be arranged at an equal pitch, energy can be confined more effectively, so that an effect of further improving the Q value of the surface acoustic wave resonator can be obtained. It is what
以上のように本発明の弾性表面波共振子は、ダミー領域のメタライゼイションレシオを交差領域のメタライゼイションレシオより大きくするとともに、ダミー領域のメタライゼイションレシオを前記交差領域の内側より外側に向け徐々に大きくしたため、弾性表面波共振子のQ値を向上させることができるという優れた効果を奏するものである。 As described above, in the surface acoustic wave resonator according to the present invention, the metallization ratio of the dummy region is made larger than the metallization ratio of the intersection region, and the metallization ratio of the dummy region is set outside the inside of the intersection region. Therefore, the Q value of the surface acoustic wave resonator can be improved.
図1は本発明の一実施の形態における弾性表面波共振子を形成するインターデジタルトランスデューサ(以下、IDTと称する)のパターン図であり、このIDTは圧電性基板(図示せず)上に設けられた一対のバスバー11と、それぞれのバスバー11から他方のバスバー11側へ交互に延出された複数の電極指12を有する櫛型電極13とを備え、それぞれのバスバー11から延びる電極指12が交差する破線で囲まれた交差領域14における外側部分の交差幅を内側部分の交差幅より小さく設定し、電極指12の延伸方向に他方のバスバー11から延出したダミー電極15を配置したアポダイズ重み付け構成となっている。
FIG. 1 is a pattern diagram of an interdigital transducer (hereinafter referred to as IDT) that forms a surface acoustic wave resonator according to an embodiment of the present invention. This IDT is provided on a piezoelectric substrate (not shown). A pair of
なお、交差領域14における電極指12の電極ピッチおよび電極幅はともに一定としている。
Note that both the electrode pitch and the electrode width of the
そして、このIDTにおいては、ダミー電極15が設けられる部分、すなわち隣接するダミー電極15の先端部分を結ぶ包絡線とバスバー11で囲まれる部分をダミー領域16とし、図2に示されるごとくダミー領域16におけるダミー電極15の電極幅t1を対向する電極指12の電極幅t2より大きく設定しており、これによりダミー領域16のメタライゼイションレシオを交差領域14のメタライゼイションレシオより大きくするとともに、ダミー領域16のメタライゼイションレシオを前記交差領域14の内側より外側に向け徐々に大きくした設定としている。
In this IDT, a portion where the
このような構成とすることで、ダミー領域16での音速が遅くなり図3に示されるようにダミー電極15の反射特性を周波数の低い側へシフトさせる(17a→17b)ことができ、交差領域14の放射コンダクタンス18のピーク周波数をダミー領域16の反射領域内に位置させることができるとともに、メタライゼイションレシオの大きな変化により生じるバルク波損失を抑制することができるため、エネルギーの閉じ込め効果が高くなり、これにより、弾性表面波共振子のQ値を向上させることができるのである。
With such a configuration, the sound speed in the
さらに図4は、ダミー領域16におけるダミー電極15およびこれと隣り合う電極指12との中心間隔を一定にし、ダミー電極15とダミー領域16の電極指12も含めて電極幅を交差領域14の内側より外側に向けて徐々に大きくしたもので、この構成によれば、ダミー領域16内でのダミー電極15およびこれと隣接する電極指12が等ピッチで配置することができるとともに、ダミー領域16でのメタライゼイションレシオの変化をより緩やかにすることができるため、バルク波損失を更に抑制することができ、より効果的にエネルギーを閉じ込めることができるため、弾性表面波共振子のQ値をさらに向上させることができる。
Further, FIG. 4 shows that the center distance between the
本発明に係る弾性表面波共振子は、Q値が高いという効果を有するものであり、通信機器等に使用される弾性表面波共振子等において有用となるものである。 The surface acoustic wave resonator according to the present invention has an effect that the Q value is high, and is useful in a surface acoustic wave resonator used for communication equipment or the like.
11 バスバー
12 電極指
13 櫛型電極
14 交差領域
15 ダミー電極
16 ダミー領域
11
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