JP2008067485A - Power supply input level switching circuit and mobile terminal - Google Patents

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JP2008067485A JP2006242298A JP2006242298A JP2008067485A JP 2008067485 A JP2008067485 A JP 2008067485A JP 2006242298 A JP2006242298 A JP 2006242298A JP 2006242298 A JP2006242298 A JP 2006242298A JP 2008067485 A JP2008067485 A JP 2008067485A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power supply input level switching circuit and a mobile terminal constructed, such that their numbers of components are reduced and their circuit scales are small to solve the problems associated with conventional power supply input level switching circuits, wherein they are large in number of components and in circuit scale and a problem arises when they are applied to electronic devices, such as cellular phones, whose circuit arrangement area is limited. <P>SOLUTION: The power supply level switching circuit 200 is of small-scale circuitry and comprises four components, an AND gate 201, resistors 202, 203, and a p-channel FET 204. The level of power supply to a load device 101 can be switched by this level switching circuit. When a trigger signal 150 is at the low level, the FET 204 is turned on and the resistor 203 is bypassed; thus, substantially the same potential as a power supply 100 is applied to the load device 101. When the trigger signal 150 transitions to the high level, the FET 204 is turned off. As a result, the potential from the power supply 100 is attenuated by the resistor 203 before it is applied to the load device 101,thus the potential level is reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は電源入力レベル切替回路及び携帯端末に係り、特に基板上に回路を構成する電子機器における電源入力レベル切替回路及びその電源入力レベル切替回路を備えた携帯電話機等の携帯端末に関する。   The present invention relates to a power supply input level switching circuit and a portable terminal, and more particularly to a power supply input level switching circuit in an electronic device that constitutes a circuit on a substrate and a portable terminal such as a mobile phone provided with the power input level switching circuit.

図5に示すように、電源100が負荷デバイス101に直結されているような電子機器においては、ある機能の動作をトリガーとして負荷デバイス101への電源100の入力レベルを制御する場合、一般にソフトウェアによる制御がなされている。   As shown in FIG. 5, in an electronic apparatus in which the power supply 100 is directly connected to the load device 101, when the input level of the power supply 100 to the load device 101 is controlled using an operation of a certain function as a trigger, generally by software Control is being made.

しかし、ソフトウェアにて負荷デバイス101の電源入力レベルの切替制御を実施した場合は、制御方法等の変更の際にソフトウェア仕様の変更が必要となり、多大な作業労力が必要であり、また、ソフトウェア仕様の煩雑化の問題がある。   However, when the switching control of the power input level of the load device 101 is performed by software, it is necessary to change the software specification when changing the control method or the like, which requires a lot of work labor. There is a problem of complication.

そこで、上記の電源入力レベルの切替制御をハードウェア制御にすることで、ソフトウェア仕様変更の際の作業労力を軽減することが考えられる。ハードウェア制御で電源入力レベルの切替制御を行う方法は従来から知られている(例えば、特許文献1、特許文献2参照)。   In view of this, it is conceivable to reduce the work effort when changing the software specifications by using hardware control instead of the power input level switching control. A method of performing power supply input level switching control by hardware control has been conventionally known (see, for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).

上記の特許文献1には、電源電位をレベルシフトしてECLの高レベル電位を第1のノードへ供給すると共に、ECLの低レベル電位を第2のノードへ供給するレベルシフト回路と、CMOSレベルの入力によって相補的にオン、オフ動作する第1及び第2のPチャネルMOSトランジスタを有し、第1のPチャネルMOSトランジスタを通して第1のノードの電位を出力端子へ出力すると共に、第2のPチャネルMOSトランジスタを通して第2のノードの電位を出力端子へ出力するレベル切替回路とを備えたCMOS−ECLレベル変換回路において、出力端子には負荷デバイスとして抵抗が接続されている。 このCMOS−ECLレベル変換回路では、レベル切替回路の入力信号がCMOSレベルの低レベルの時には第1のPチャネルMOSトランジスタをオンとして第1のノードの電位を出力端子へ出力し、上記入力信号がCMOSレベルの高レベルの時には第2のPチャネルMOSトランジスタをオンとして第2のノードの電位を出力端子へ出力する構成が開示されており、負荷デバイスの電源電位に相当する出力端子の電位はレベル切替回路の入力信号レベルに応じて切替制御される。   In the above-mentioned Patent Document 1, the power supply potential is level-shifted to supply the ECL high-level potential to the first node, and the ECL low-level potential to the second node, and the CMOS level. First and second P-channel MOS transistors that are complementarily turned on and off in response to the input of the first node, and outputs the potential of the first node to the output terminal through the first P-channel MOS transistor. In a CMOS-ECL level conversion circuit including a level switching circuit that outputs the potential of the second node to an output terminal through a P-channel MOS transistor, a resistor is connected to the output terminal as a load device. In this CMOS-ECL level conversion circuit, when the input signal of the level switching circuit is a low level of the CMOS level, the first P-channel MOS transistor is turned on and the potential of the first node is output to the output terminal. A configuration is disclosed in which the second P-channel MOS transistor is turned on when the CMOS level is high, and the potential of the second node is output to the output terminal. The potential of the output terminal corresponding to the power supply potential of the load device is the level. Switching is controlled according to the input signal level of the switching circuit.

また、上記の特許文献2には、交流を整流するブリッジ回路と、ブリッジ回路で整流された電圧を変圧して出力するトランスと、トランスの出力電圧に比例して変動する検出電圧を出力する補助コイルと、補助コイルからの検出電圧を減衰させた減衰検出電圧を生成する減衰抵抗と、減衰検出電圧と検出電圧の一方を選択する選択切替回路と、選択切替回路によって選択された減衰検出電圧又は検出電圧に基づいて出力電圧の状態を判断し、過大な出力電圧が発生した時は電源回路の動作を強制的に停止させる過電圧保護回路とを有する構成の電源回路が開示されており、選択切替回路の入力信号である検出電圧のレベルに応じて、選択切替回路から負荷デバイスである制御ICへ供給される電位(電源電位)が減衰検出電圧又は減衰されていない検出電圧に切替制御される。   Further, the above-mentioned Patent Document 2 discloses a bridge circuit that rectifies alternating current, a transformer that transforms and outputs a voltage rectified by the bridge circuit, and an auxiliary that outputs a detection voltage that varies in proportion to the output voltage of the transformer. A coil, an attenuation resistor that generates an attenuation detection voltage obtained by attenuating the detection voltage from the auxiliary coil, a selection switching circuit that selects one of the attenuation detection voltage and the detection voltage, and an attenuation detection voltage selected by the selection switching circuit or A power supply circuit having a configuration including an overvoltage protection circuit that determines an output voltage state based on a detection voltage and forcibly stops operation of the power supply circuit when an excessive output voltage is generated is disclosed. Depending on the level of the detection voltage that is the input signal of the circuit, the potential (power supply potential) supplied from the selection switching circuit to the control IC that is the load device is attenuated or attenuated. It is switched controlled to no detection voltage.

特開平5−335498号公報JP-A-5-335498 特許第3338309号公報Japanese Patent No. 3338309

しかるに、特許文献1及び特許文献2に記載された電源入力レベル切替回路は、電源入力レベルの切替制御をソフトウェアを行っていないので、ソフトウェア仕様変更の際の作業労力を軽減できるものの、切替回路の構成が部品点数が多く、回路規模が大きいという問題がある。この回路規模が大きいという問題は、携帯電話機などの回路の配置面積が小さく制限されている電子機器に適用する場合に、特に問題となる。   However, since the power input level switching circuits described in Patent Document 1 and Patent Document 2 do not use software for switching control of the power input level, the work effort when changing the software specifications can be reduced. There is a problem that the configuration has a large number of parts and the circuit scale is large. The problem that the circuit scale is large is particularly a problem when applied to an electronic device in which the circuit area such as a mobile phone is limited to a small size.

本発明は以上の点に鑑みなされたもので、部品点数少なく回路規模が小さな構成の電源入力レベル切替回路及び携帯端末を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a power input level switching circuit and a portable terminal having a small number of parts and a small circuit scale.

上記の目的を達成するため、第1の発明は負荷デバイスに印加される電源入力レベルを切り替える電源入力レベル切替回路において、電源と負荷デバイスとの間に接続された減衰用素子と、オン時に減衰用素子をバイパスし、オフ時は減衰用素子による電圧降下分、負荷デバイスへの電源入力レベルを低下させるスイッチング素子と、電源と2値のトリガー信号とが入力され、それらの論理演算結果をスイッチング素子にスイッチング信号として供給してスイッチング素子をオン又はオフに制御する論理回路とを有することを特徴とする。   To achieve the above object, according to a first aspect of the present invention, there is provided a power supply input level switching circuit for switching a power supply input level applied to a load device, an attenuation element connected between the power supply and the load device, and attenuation when turned on. When the switch is turned off, the switching element that lowers the power input level to the load device and the power supply and the binary trigger signal are input and the logical operation result is switched. And a logic circuit that controls the switching element to be turned on or off by supplying the element as a switching signal.

この発明では、トリガー信号の論理値に応じてスイッチング素子をオン又はオフに制御することができるため、トリガー信号の論理値に応じて負荷デバイスの電源入力レベルを切り替えることができる。   In this invention, since the switching element can be controlled to be turned on or off according to the logical value of the trigger signal, the power input level of the load device can be switched according to the logical value of the trigger signal.

また、上記の目的を達成するため、第2の発明は第1の発明におけるスイッチング素子を、Pチャネル型電界効果トランジスタとし、そのドレインとソースが減衰用素子に並列接続した構成であることを特徴とする。また、上記の論理回路は、ANDゲート又はNANDゲートであってもよい。   In order to achieve the above object, the second invention is characterized in that the switching element in the first invention is a P-channel field effect transistor, and its drain and source are connected in parallel to the attenuating element. And Further, the logic circuit may be an AND gate or a NAND gate.

また、本発明は上記の目的を達成するため、ソースが電源と減衰用素子の接続点に接続されると共に、ゲートが論理回路の出力端子に接続されているPチャネル型電界効果トランジスタのソース・ゲート間に動作保証用の減衰用素子が接続されていることを特徴とする。この発明では、ANDゲート又はNANDゲートの出力保証がされていない場合、ANDゲート又はNANDゲートのハイレベルの出力電位がPチャネル型電界効果トランジスタのソース電位と同電位とならない場合、Pチャネル型電界効果トランジスタのゲートの電位補完を行い動作を保証することができる。   In order to achieve the above object, the present invention provides a source / source of a P-channel field effect transistor in which the source is connected to the connection point of the power source and the attenuating element and the gate is connected to the output terminal of the logic circuit. An attenuation element for guaranteeing operation is connected between the gates. In the present invention, when the output of the AND gate or NAND gate is not guaranteed, the high level output potential of the AND gate or NAND gate is not the same as the source potential of the P channel field effect transistor. The operation can be guaranteed by complementing the potential of the gate of the effect transistor.

また、本発明は上記のトリガー信号は第1のデバイスの駆動電圧であり、負荷デバイスは第2のデバイスであることを特徴とする。この発明では、第1のデバイスの駆動電圧をトリガー信号として、負荷デバイスの電源入力レベルを下げることができる。   According to the present invention, the trigger signal is a driving voltage of the first device, and the load device is a second device. In the present invention, the power input level of the load device can be lowered using the drive voltage of the first device as a trigger signal.

また、本発明は上記の目的を達成するため、トリガー信号を携帯端末のマイクの駆動電圧とし、負荷デバイスを携帯端末のキーバックライトとし、マイクの駆動電圧が印加されたときは、論理回路からのスイッチング信号によりスイッチング素子をオフとし、キーバックライトの輝度を低下させることを特徴とする。この発明では、携帯端末のマイクの駆動電圧が印加されたとき、すなわちマイク使用時はキーバックライトの輝度を低下させることができる。   In order to achieve the above object, the present invention uses a trigger signal as a driving voltage for a microphone of a portable terminal, a load device as a key backlight for the portable terminal, and when a driving voltage for the microphone is applied, The switching element is turned off by the switching signal to reduce the luminance of the key backlight. According to the present invention, the luminance of the key backlight can be reduced when the driving voltage of the microphone of the portable terminal is applied, that is, when the microphone is used.

また、上記の目的を達成するため、本発明の携帯端末は、マイクにより収音した送話音声信号を相手端末へ送信し、相手端末からの受話音声信号を受信処理してスピーカより受話音声を発音する通話機能を備えると共に、所望の情報の入出力処理のための透光型の複数のキーに対して背面側から光を照射して複数のキーの視認効果を高めるためのキーバックライトを備えた携帯端末において、電源とキーバックライトの電源端子との間に接続された減衰用素子と、オン時に減衰用素子をバイパスし、オフ時は減衰用素子による電圧降下分、キーバックライトへの電源入力レベルを低下させるスイッチング素子と、マイクの駆動電圧が入力されたときは電源とマイクの駆動電圧との論理演算結果に基づいてスイッチング素子をオフとし、マイクの駆動電圧が入力されない時は電源とマイクの駆動電圧非入力時のレベルとの論理演算結果に基づいてスイッチング素子をオンとする論理回路とを有することを特徴とする。   In order to achieve the above object, the portable terminal of the present invention transmits a transmission voice signal collected by a microphone to a partner terminal, receives a reception voice signal from the partner terminal, and receives a reception voice from a speaker. A key backlight for enhancing the visual effect of a plurality of keys by emitting light from the back side to a plurality of translucent keys for input / output processing of desired information as well as a calling function for sounding In the portable terminal equipped, the attenuation element connected between the power supply and the power terminal of the key backlight, and the attenuation element is bypassed when turned on, and the voltage drop due to the attenuation element when turned off, to the key backlight When the microphone drive voltage is input, the switching element is turned off based on the logical operation result between the power supply and the microphone drive voltage. When the driving voltage is not input is characterized by having a logic circuit for turning on the switching elements based on the logical operation result of the power supply and the microphone of the drive voltage non Input level.

この発明では、マイクの非使用時はスイッチング素子をオンとしてキーバックライトには電源から直接に電源レベルが入力されるために所定の輝度でキーバックライトを発光動作させることができ、また、マイクの使用時はスイッチング素子をオフとしてキーバックライトには電源からの電源レベルを減衰用素子の電圧降下分低下させた電圧が入力されるため、キーバックライトの輝度を低下させ、低消費電力とすることができる。   In the present invention, when the microphone is not used, the switching element is turned on, and the power level is directly input from the power source to the key backlight. Therefore, the key backlight can be caused to emit light at a predetermined brightness. When using the switch, the switching element is turned off, and the key backlight is supplied with a voltage obtained by reducing the power level from the power supply by the voltage drop of the attenuating element, thus reducing the brightness of the key backlight and reducing power consumption. can do.

本発明によれば、電源と負荷デバイスとの間に接続された減衰用素子と、減衰用素子に並列接続されたスイッチング素子と、スイッチング素子をオン又はオフに制御する論理回路とを少なくとも備えた極めて部品点数の少ないハードウェア構成により、負荷デバイスへの電源入力レベルを切り替えることができるため、従来に比べて小規模な回路構成により電源入力レベルを切り替えることができ、負荷デバイスへの電源入力レベルを低くする事により、消費電流の削減や負荷デバイスからの放射電力低減によるノイズ対策などの効果を期待でき、また電源入力レベルの切替制御をソフトウェアで行っていないので、ソフトウェア仕様変更の際の作業労力を不要にできる。   According to the present invention, at least an attenuation element connected between a power supply and a load device, a switching element connected in parallel to the attenuation element, and a logic circuit for controlling the switching element on or off are provided. The power input level to the load device can be switched with a hardware configuration that has an extremely small number of parts, so the power input level can be switched with a smaller circuit configuration than before, and the power input level to the load device By reducing the power consumption, you can expect effects such as noise reduction by reducing current consumption and radiated power from the load device, and switching control of the power input level is not performed by software, so work when changing software specifications Labor can be eliminated.

また、本発明によれば、小規模な回路構成により電源入力レベルを切り替えることができるため、特に回路の実装面積が限られている携帯端末に適用して好適であり、マイク使用時にはキーバックライトの輝度を低下させることで低消費電力を実現することができる。   In addition, according to the present invention, the power input level can be switched with a small circuit configuration, and therefore, it is particularly suitable for application to a portable terminal having a limited circuit mounting area. Low power consumption can be realized by lowering the brightness of.

次に、本発明の実施の形態について図面と共に説明する。   Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明になる電源入力レベル切替回路の一実施の形態の回路図を示す。同図において、電源入力レベル切替回路200は、電源(電源電圧)100とトリガー信号150とが印加される2入力ANDゲート201と、抵抗器202及び203と、ゲートがANDゲート201の出力端子に接続され、ソースが抵抗器202及び203と電源100との接続点に接続され、ドレインが抵抗器203と負荷デバイス101との接続点に接続されたPチャネル型電界効果トランジスタ(FET)204とから構成されている。また、電源100は抵抗器203を直列に介して負荷デバイス101に接続され、抵抗器202はFET204のソース・ゲート間に接続されている。   FIG. 1 shows a circuit diagram of an embodiment of a power input level switching circuit according to the present invention. In the figure, a power supply input level switching circuit 200 includes a two-input AND gate 201 to which a power supply (power supply voltage) 100 and a trigger signal 150 are applied, resistors 202 and 203, and a gate as an output terminal of the AND gate 201. A P-channel field effect transistor (FET) 204 having a source connected to the connection point between the resistors 202 and 203 and the power supply 100 and a drain connected to the connection point between the resistor 203 and the load device 101. It is configured. The power supply 100 is connected to the load device 101 via a resistor 203 in series, and the resistor 202 is connected between the source and gate of the FET 204.

次に、本実施の形態の動作について図2のタイミングチャートを併せ参照して説明する。トリガー信号150は図2(A)に示すように、時刻t1でローレベルからハイレベルに変化したものとする。ここでは、トリガー信号150がローレベルであるとは、ANDゲート201のローレベル入力の範囲内である場合をいい、トリガー信号150がハイレベルであるとは、ANDゲート201のハイレベル入力の閾値を上回る場合をいうものと定義する。また、電源100はANDゲート201のハイレベル入力の閾値を上回るハイレベルである。   Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. As shown in FIG. 2A, the trigger signal 150 is assumed to change from a low level to a high level at time t1. Here, the trigger signal 150 being at a low level means a case where the trigger signal 150 is within the range of the low level input of the AND gate 201, and the trigger signal 150 being at a high level means the threshold of the high level input of the AND gate 201. It is defined as the case where it exceeds. The power supply 100 is at a high level that exceeds the high level input threshold of the AND gate 201.

トリガー信号150が図2(A)に時刻t0で示すときのようなローレベルであるときには、ANDゲート201の2入力の一方がローレベルであるので、図2(B)に示すようにANDゲート201の出力信号はローレベルとなる。ANDゲート201の出力信号がローレベルの場合、Pチャネル型FET204のソース・ゲート間の電位差が閾値よりも大きくなるため、Pチャネル型FET204がオンとなり、ソース・ドレイン間が通電する。   When the trigger signal 150 is at a low level as shown at time t0 in FIG. 2A, one of the two inputs of the AND gate 201 is at a low level, so that the AND gate as shown in FIG. The output signal 201 becomes a low level. When the output signal of the AND gate 201 is at a low level, the potential difference between the source and gate of the P-channel FET 204 becomes larger than the threshold value, so that the P-channel FET 204 is turned on and the source and drain are energized.

そのため、抵抗器203はPチャネル型FET204によりバイパスされ、電源100は抵抗器203を通る事なくPチャネル型FET204のソース・ゲート間を通して負荷デバイス101へ入力されるため、図5に示した従来と同等の動作となる。このときには、負荷デバイス101の電源入力レベルは、図2(C)に示すように、ハイレベルとなる。   Therefore, the resistor 203 is bypassed by the P-channel FET 204, and the power source 100 is input to the load device 101 through the source and gate of the P-channel FET 204 without passing through the resistor 203. The operation is equivalent. At this time, the power input level of the load device 101 becomes a high level as shown in FIG.

なお、このときは電源100から抵抗器202を通してANDゲート201のパスで電流リークが発生するため、その対策のため、抵抗器202は十分に大きな抵抗値(例えば、100kΩ〜1MΩ程度)に設定されている。   At this time, current leakage occurs in the path of the AND gate 201 from the power source 100 through the resistor 202. Therefore, the resistor 202 is set to a sufficiently large resistance value (for example, about 100 kΩ to 1 MΩ) as a countermeasure. ing.

次に、トリガー信号150が図2(A)に示すように時刻t1でハイレベルになったものとする。この場合、ANDゲート201の2入力の両方がハイレベルであるので、図2(B)に示すようにANDゲート201の出力信号は時刻t1でハイレベルとなる。また、ANDゲート201の駆動電源がPチャネル型FET204のソース電圧と同電位のため、ANDゲート201の出力レベルもPチャネル型FET204のソース電圧とほぼ同電位となる。この場合、Pチャネル型FET204のソース・ゲート間の電位がほぼ同電位のためにPチャネル型FET204がオフとなり、ソース・ドレイン間が遮断状態となる。   Next, it is assumed that the trigger signal 150 becomes high level at time t1 as shown in FIG. In this case, since both the two inputs of the AND gate 201 are at a high level, the output signal of the AND gate 201 becomes a high level at time t1, as shown in FIG. Further, since the driving power supply of the AND gate 201 is the same potential as the source voltage of the P-channel FET 204, the output level of the AND gate 201 is also substantially the same potential as the source voltage of the P-channel FET 204. In this case, since the potential between the source and the gate of the P-channel FET 204 is substantially the same, the P-channel FET 204 is turned off and the source and the drain are cut off.

これにより、電源100は抵抗器203により減衰された後負荷デバイス101に印加される。従って、負荷デバイス101の電源入力レベルは図2(C)に示すように、時刻t1以前よりも低下する。ここで、例えば電源100を10V、負荷デバイス101の消費電流を500mA、抵抗器203の抵抗値を10Ωとした場合、抵抗器203により5(=10×0.5)Vの電圧降下が発生するので、負荷デバイス101には5(=10−5)Vが印加されることになる。すなわち、負荷デバイス101の電源入力レベルは時刻t1以前よりも5V低下する。   As a result, the power supply 100 is attenuated by the resistor 203 and then applied to the load device 101. Accordingly, the power input level of the load device 101 is lower than that before time t1, as shown in FIG. Here, for example, when the power supply 100 is 10 V, the current consumption of the load device 101 is 500 mA, and the resistance value of the resistor 203 is 10Ω, a voltage drop of 5 (= 10 × 0.5) V is generated by the resistor 203. Therefore, 5 (= 10−5) V is applied to the load device 101. That is, the power input level of the load device 101 is 5V lower than before time t1.

なお、実際には、上記の場合、負荷デバイス101の電源入力レベルは、抵抗器203の抵抗値とオフ時のPチャネル型FET204のソース・ドレイン間抵抗との並列合成抵抗値に、電源100から供給される電流を乗算した電圧降下分、低下するが、オフ時のPチャネル型FET204のソース・ドレイン間抵抗は極めて大きいので、上記の計算ではオフ時のPチャネル型FET204のソース・ドレイン間抵抗を無視している。   Actually, in the above case, the power supply input level of the load device 101 is set to the parallel combined resistance value of the resistance value of the resistor 203 and the resistance between the source and drain of the P-channel FET 204 when off from the power supply 100. Although the voltage drop is reduced by the voltage drop multiplied by the supplied current, the resistance between the source and the drain of the P-channel FET 204 at the off time is extremely large. Therefore, in the above calculation, the resistance between the source and the drain of the P-channel FET 204 at the off time is calculated. Is ignored.

なお、トリガー信号150がハイレベルの時にANDゲート201の出力信号レベルはPチャネル型FET204のソース電圧と同電位になるが、ANDゲート201の出力特性によっては同電位にならないケースがある。その場合、Pチャネル型FET204のソース・ゲート間に電位差が発生し、ソース・ドレイン間が絶縁されず、電源100からの出力が抵抗器203を通らないために負荷デバイス101への入力レベルは設計通りに切り替わらない。その対策として抵抗器202を挿入することにより、Pチャネル型FET204のゲートの電位補完を行い、動作保証とする。   Note that when the trigger signal 150 is at a high level, the output signal level of the AND gate 201 becomes the same potential as the source voltage of the P-channel FET 204, but there are cases where it does not become the same potential depending on the output characteristics of the AND gate 201. In this case, a potential difference is generated between the source and gate of the P-channel FET 204, the source and drain are not insulated, and the output from the power supply 100 does not pass through the resistor 203, so the input level to the load device 101 is designed. Does not switch to the street. As a countermeasure, the resistor 202 is inserted to supplement the potential of the gate of the P-channel FET 204 to assure operation.

このように、本実施の形態によれば、負荷デバイス101への入力電圧切替を、ANDゲート201、抵抗器202、203及びPチャネル型FET204の4点のみの部品点数からなる従来よりも小型な回路規模により行うことができるため、実装面積を比較的必要とせず、特に携帯電話機などの実装面積が制限されている電子機器に適用して好適である。また、負荷デバイス101への入力電圧を低くする事により、消費電流の削減や負荷デバイス101からの放射電力低減によるノイズ対策などの効果も期待できる。   As described above, according to the present embodiment, the input voltage switching to the load device 101 is smaller than the conventional one consisting of only four parts, that is, the AND gate 201, the resistors 202 and 203, and the P-channel FET 204. Since it can be performed depending on the circuit scale, it does not require a relatively large mounting area, and is particularly suitable for application to an electronic device having a limited mounting area such as a mobile phone. Further, by reducing the input voltage to the load device 101, it is possible to expect effects such as noise reduction by reducing current consumption and reducing radiated power from the load device 101.

次に、本発明の他の実施の形態について説明する。図3は本発明になる電源入力レベル切替回路の他の実施の形態の回路図を示す。同図中、図1と同一構成部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図3に示す実施の形態は、電源入力レベル切替回路210が電源(電源電圧)100とトリガー信号160とが印加される2入力NANDゲート211と、抵抗器202及び203と、ゲートがNANDゲート211の出力端子に接続され、ソースが抵抗器202及び203と電源100との接続点に接続され、ドレインが抵抗器203と負荷デバイス101との接続点に接続されたPチャネル型FET204とから構成されている。また、電源100は抵抗器203を直列に介して負荷デバイス101に接続され、抵抗器202はFET204のソース・ゲート間に接続されている。すなわち、本実施の形態の電源入力レベル切替回路210は、図1の電源入力レベル切替回路200と比較すると、ANDゲート201の替わりにNANDゲート211が設けられている点に特徴がある。   Next, another embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 shows a circuit diagram of another embodiment of the power input level switching circuit according to the present invention. In the figure, the same components as those in FIG. In the embodiment shown in FIG. 3, the power input level switching circuit 210 has a two-input NAND gate 211 to which a power supply (power supply voltage) 100 and a trigger signal 160 are applied, resistors 202 and 203, and the gate is a NAND gate 211. A P-channel FET 204 having a source connected to a connection point between the resistors 202 and 203 and the power supply 100 and a drain connected to a connection point between the resistor 203 and the load device 101. ing. The power supply 100 is connected to the load device 101 via a resistor 203 in series, and the resistor 202 is connected between the source and gate of the FET 204. That is, the power input level switching circuit 210 of the present embodiment is characterized in that a NAND gate 211 is provided in place of the AND gate 201 as compared with the power input level switching circuit 200 of FIG.

次に、本実施の形態の動作について図4のタイミングチャートを併せ参照して説明する。トリガー信号160は図4(A)に示すように、時刻t10でハイレベルからローレベルに変化したものとする。ここでは、トリガー信号160がローレベルであるとは、NANDゲート211のローレベル入力の範囲内である場合をいい、トリガー信号160がハイレベルであるとは、NANDゲート211のハイレベル入力の閾値を上回る場合をいうものと定義する。また、電源100はNANDゲート211のハイレベル入力の閾値を上回るハイレベルである。   Next, the operation of the present embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. As shown in FIG. 4A, the trigger signal 160 changes from a high level to a low level at time t10. Here, the trigger signal 160 being at the low level means that the signal is within the range of the low level input of the NAND gate 211, and the trigger signal 160 being at the high level means the threshold value of the high level input of the NAND gate 211. It is defined as the case where it exceeds. The power supply 100 is at a high level that exceeds the high level input threshold of the NAND gate 211.

トリガー信号160が図4(A)に時刻t10で示すときのようなハイレベルであるときには、NANDゲート211の2入力の両方がハイレベルであるので、図4(B)に示すようにNANDゲート211の出力信号はローレベルとなる。NANDゲート211の出力信号がローレベルの場合、Pチャネル型FET204のソース・ゲート間の電位差が閾値よりも大きくなるため、Pチャネル型FET204がオンとなり、ソース・ドレイン間が通電する。   When the trigger signal 160 is at a high level as shown at time t10 in FIG. 4 (A), both the two inputs of the NAND gate 211 are at a high level, so that the NAND gate as shown in FIG. 4 (B). The output signal 211 is at a low level. When the output signal of the NAND gate 211 is at a low level, the potential difference between the source and gate of the P-channel FET 204 becomes larger than the threshold value, so that the P-channel FET 204 is turned on and the source and drain are energized.

そのため、抵抗器203はPチャネル型FET204によりバイパスされ、電源100は抵抗器203を通る事なくPチャネル型FET204のソース・ゲート間を通して負荷デバイス101へ入力されるため、図5に示した従来と同等の動作となる。このときには、負荷デバイス101の電源入力レベルは、図4(C)に示すように、ハイレベルとなる。   Therefore, the resistor 203 is bypassed by the P-channel FET 204, and the power source 100 is input to the load device 101 through the source and gate of the P-channel FET 204 without passing through the resistor 203. The operation is equivalent. At this time, the power input level of the load device 101 becomes a high level as shown in FIG.

次に、トリガー信号160が図4(A)に示すように時刻t11でローレベルになったものとする。この場合、NANDゲート211の2入力の一方がローレベルであるので、図4(B)に示すようにNANDゲート211の出力信号は時刻t11でハイレベルとなる。また、NANDゲート211の駆動電源がPチャネル型FET204のソース電圧と同電位のため、NANDゲート211の出力レベルもPチャネル型FET204のソース電圧とほぼ同電位となる。この場合、Pチャネル型FET204のソース・ゲート間の電位がほぼ同電位のためにPチャネル型FET204がオフとなり、ソース・ドレイン間が遮断状態となる。   Next, it is assumed that the trigger signal 160 becomes low level at time t11 as shown in FIG. In this case, since one of the two inputs of the NAND gate 211 is at a low level, the output signal of the NAND gate 211 becomes a high level at time t11 as shown in FIG. 4B. Further, since the driving power supply of the NAND gate 211 is the same potential as the source voltage of the P-channel FET 204, the output level of the NAND gate 211 is also substantially the same potential as the source voltage of the P-channel FET 204. In this case, since the potential between the source and the gate of the P-channel FET 204 is substantially the same, the P-channel FET 204 is turned off and the source and the drain are cut off.

これにより、電源100は抵抗器203により減衰された後負荷デバイス101に印加される。従って、負荷デバイス101の電源入力レベルは図4(C)に示すように、時刻t11以前よりも低下する。   As a result, the power supply 100 is attenuated by the resistor 203 and then applied to the load device 101. Therefore, as shown in FIG. 4C, the power input level of the load device 101 is lower than before time t11.

このように、本実施の形態によれば、図1の実施の形態と同様に、負荷デバイス101への入力電圧切替を、NANDゲート211、抵抗器202、203及びPチャネル型FET204の4点のみの部品点数からなる従来よりも小型な回路規模により行うことができるため、実装面積を比較的必要とせず、特に携帯電話機などの実装面積が制限されている電子機器に適用して好適である。また、負荷デバイス101への入力電圧を低くする事により、消費電流の削減や負荷デバイス101からの放射電力低減によるノイズ対策などの効果も期待できる。   As described above, according to the present embodiment, as in the embodiment of FIG. 1, input voltage switching to the load device 101 is performed only at four points of the NAND gate 211, the resistors 202 and 203, and the P-channel FET 204. Therefore, the mounting area is relatively small and it is particularly suitable for application to an electronic device having a limited mounting area such as a mobile phone. Further, by reducing the input voltage to the load device 101, it is possible to expect effects such as noise reduction by reducing current consumption and reducing radiated power from the load device 101.

また、上記の図1、図3の実施の形態において、トリガー信号150、160をあるデバイスAの駆動電圧とした場合は、この駆動電圧により他のデバイスBへの電源入力レベルを切り替えることができる。これにより、消費電流削減やデバイスBからの放射電力を抑える事によるノイズ削減などが期待できる。上記の例としては、例えば、携帯電話機のマイクの駆動電圧をトリガー信号としてキーバックライトの電源入力レベルを下げる事により、輝度を低くすることが考えられる。   1 and 3, when the trigger signals 150 and 160 are the drive voltages of a certain device A, the power input level to the other device B can be switched by this drive voltage. . As a result, reduction of current consumption and noise reduction by suppressing the radiated power from the device B can be expected. As an example of the above, for example, it is conceivable to lower the luminance by lowering the power input level of the key backlight using the drive voltage of the microphone of the mobile phone as a trigger signal.

すなわち、マイクにより収音した送話音声信号を相手端末へ送信し、相手端末からの受話音声信号を受信処理してスピーカより受話音声を発音する通話機能を備えると共に、所望の情報の入出力処理のための透光型の複数のキーに対して背面側から光を照射して複数のキーの視認効果を高めるためのキーバックライトを備えた携帯電話機において、電源とキーバックライトの電源端子との間に抵抗器203を接続し、マイク非使用時はマイク駆動電圧が入力されずPチャネル型FET204がオンとされてキーバックライトには所定の電源レベルが供給されてキーバックライトを所定の輝度で発光動作させるが、マイク使用時にはマイク駆動電圧が印加されてPチャネル型FET204がオフとされることによりキーバックライトが暗くなり、マイク使用時のキーバックライトによる消費電流の削減が期待できる。   In other words, it has a call function that transmits a transmitted voice signal collected by a microphone to a partner terminal, receives a received voice signal from the partner terminal and generates a received voice from a speaker, and inputs / outputs desired information In a mobile phone having a key backlight for irradiating light from the back side to a plurality of translucent keys for improving the visual effect of the plurality of keys, a power source and a power terminal of the key backlight, When the microphone is not used, the microphone drive voltage is not input, the P-channel FET 204 is turned on, and a predetermined power supply level is supplied to the key backlight so that the key backlight is Light emitting operation is performed with brightness, but when using a microphone, the microphone backlight is applied and the P-channel FET 204 is turned off to darken the key backlight. Reduction of current consumption by the key backlight when using the microphone can be expected.

なお、本発明は以上の実施の形態に限定されるものではなく、例えば、上記の各実施の形態では減衰用素子として抵抗器203を用いたが、その他の素子(ダイオード等)を用いての実現も可能である。また、図1、図3に示したANDゲート201、NANDゲート211の出力特性が保証されたものであれば、抵抗器205は省略できる。また、本発明は携帯電話機のみならず、ノートパソコン、PDA、カーナビ等の携帯性を持った携帯端末に適用可能である。また、スイッチング素子としてPチャネル型FETを用いたが、バイポーラトランジスタも使用可能である。   The present invention is not limited to the above embodiment. For example, in each of the above embodiments, the resistor 203 is used as an attenuation element, but other elements (such as a diode) are used. Realization is also possible. If the output characteristics of the AND gate 201 and the NAND gate 211 shown in FIGS. 1 and 3 are guaranteed, the resistor 205 can be omitted. The present invention can be applied not only to mobile phones but also to portable terminals having portability such as notebook computers, PDAs, car navigation systems, and the like. Further, although a P-channel FET is used as a switching element, a bipolar transistor can also be used.

本発明の一実施の形態の回路図である。It is a circuit diagram of one embodiment of the present invention. 図1の動作説明用タイミングチャートである。2 is a timing chart for explaining the operation of FIG. 1. 本発明の他の実施の形態の回路図である。It is a circuit diagram of other embodiments of the present invention. 図3の動作説明用タイミングチャートである。4 is a timing chart for explaining the operation of FIG. 3. 従来の電源入力レベル切替回路の一例の構成図である。It is a block diagram of an example of the conventional power supply input level switching circuit.

符号の説明Explanation of symbols

100 電源
101 負荷デバイス
150、160 トリガー信号
200、210 電源入力レベル切替回路
201 ANDゲート
202、203 抵抗器
204 Pチャネル型電界効果トランジスタ(FET)
211 NANDゲート
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 Power supply 101 Load device 150,160 Trigger signal 200,210 Power supply input level switching circuit 201 AND gate 202,203 Resistor 204 P channel type field effect transistor (FET)
211 NAND gate

Claims (7)

負荷デバイスに印加される電源入力レベルを切り替える電源入力レベル切替回路において、
電源と前記負荷デバイスとの間に接続された減衰用素子と、
オン時に前記減衰用素子をバイパスし、オフ時は前記減衰用素子による電圧降下分、前記負荷デバイスへの電源入力レベルを低下させるスイッチング素子と、
前記電源と2値のトリガー信号とが入力され、それらの論理演算結果を前記スイッチング素子にスイッチング信号として供給して該スイッチング素子をオン又はオフに制御する論理回路と
を有することを特徴とする電源入力レベル切替回路。
In the power input level switching circuit that switches the power input level applied to the load device,
An attenuating element connected between a power source and the load device;
A switching element that bypasses the attenuating element when on, and a voltage drop due to the attenuating element when off, lowering the power input level to the load device; and
And a logic circuit that inputs the power supply and a binary trigger signal, supplies a logical operation result thereof as a switching signal to the switching element, and controls the switching element to be turned on or off. Input level switching circuit.
前記スイッチング素子は、Pチャネル型電界効果トランジスタであり、そのドレインとソースが前記減衰用素子に並列接続されていることを特徴とする請求項1記載の電源入力レベル切替回路。   2. The power input level switching circuit according to claim 1, wherein the switching element is a P-channel field effect transistor, and a drain and a source of the switching element are connected in parallel to the attenuation element. 前記論理回路は、ANDゲート又はNANDゲートであることを特徴とする請求項1記載の電源入力レベル切替回路。   2. The power input level switching circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is an AND gate or a NAND gate. ソースが前記電源と前記減衰用素子の接続点に接続されると共に、ゲートが前記論理回路の出力端子に接続されている前記Pチャネル型電界効果トランジスタのソース・ゲート間に動作保証用の減衰用素子が接続されていることを特徴とする請求項2又は3記載の電源入力レベル切替回路。   Attenuation for guaranteeing operation between the source and gate of the P-channel field effect transistor having a source connected to a connection point between the power source and the attenuating element and a gate connected to an output terminal of the logic circuit 4. The power input level switching circuit according to claim 2, wherein elements are connected. 前記トリガー信号は第1のデバイスの駆動電圧であり、前記負荷デバイスは第2のデバイスであることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の電源入力レベル切替回路。   5. The power input level switching circuit according to claim 1, wherein the trigger signal is a drive voltage of a first device, and the load device is a second device. 6. 前記トリガー信号は携帯端末のマイクの駆動電圧であり、前記負荷デバイスは該携帯端末のキーバックライトであり、該マイクの駆動電圧が印加されたときは、前記論理回路からのスイッチング信号により前記スイッチング素子はオフとされ、前記キーバックライトの輝度を低下させることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか一項記載の電源入力レベル切替回路。   The trigger signal is a driving voltage of a microphone of a portable terminal, the load device is a key backlight of the portable terminal, and when the driving voltage of the microphone is applied, the switching signal is generated by a switching signal from the logic circuit. 5. The power input level switching circuit according to claim 1, wherein the element is turned off to reduce the luminance of the key backlight. 6. マイクにより収音した送話音声信号を相手端末へ送信し、前記相手端末からの受話音声信号を受信処理してスピーカより受話音声を発音する通話機能を備えると共に、所望の情報の入出力処理のための透光型の複数のキーに対して背面側から光を照射して該複数のキーの視認効果を高めるためのキーバックライトを備えた携帯端末において、
電源と前記キーバックライトの電源端子との間に接続された減衰用素子と、
オン時に前記減衰用素子をバイパスし、オフ時は前記減衰用素子による電圧降下分、前記キーバックライトへの電源入力レベルを低下させるスイッチング素子と、
前記マイクの駆動電圧が入力されたときは前記電源と該マイクの駆動電圧との論理演算結果に基づいて前記スイッチング素子をオフとし、前記マイクの駆動電圧が入力されない時は前記電源と該マイクの駆動電圧非入力時のレベルとの論理演算結果に基づいて前記スイッチング素子をオンとする論理回路と
を有することを特徴とする携帯端末。
A transmission function that transmits a transmission voice signal collected by a microphone to a partner terminal, receives a reception voice signal from the partner terminal, and generates a reception voice from a speaker, and performs input / output processing of desired information. In a portable terminal equipped with a key backlight for irradiating light from the back side to a plurality of translucent keys for enhancing the visual recognition effect of the plurality of keys,
An attenuating element connected between a power source and a power terminal of the key backlight;
A switching element that bypasses the attenuating element when on, and a voltage drop due to the attenuating element when off, reducing the power input level to the key backlight; and
When the driving voltage of the microphone is input, the switching element is turned off based on a logical operation result between the power source and the driving voltage of the microphone, and when the driving voltage of the microphone is not input, the power source and the microphone A mobile terminal comprising: a logic circuit that turns on the switching element based on a logical operation result with a level when no drive voltage is input.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN109176523A (en) * 2018-09-29 2019-01-11 苏州博众机器人有限公司 A kind of control circuit, circuit board and robot

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