JP2008058689A - Liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal device with which a high-quality display with high transmittance and without any disclination is available by eliminating occurrence of defective alignment (reverse twist) caused by a transverse electric field in a twisted nematic mode liquid crystal, and an image display device equipped with the same. <P>SOLUTION: In relation to a twisted nematic mode liquid crystal display element having a liquid crystal layer 50 composed of a liquid crystal 21 with positive dielectric anisotropy and interposed between a pair of substrates 10, 20, the liquid crystal device 1 is constructed by arranging a plurality of pixel electrodes 9, a linear protrusion 15 extending in a direction parallel to an alignment direction of the liquid crystal 21 in the case of no voltage application between pixel electrodes 9 adjacent to each other out of pixel electrodes 9 adjacent to one another in a direction vertical to the alignment direction of the liquid crystal 21 on the substrate, an alignment layer 13 formed so as to cover the linear protrusion 15 and controlling the alignment direction of the liquid crystal 21 in the case of no voltage application on the liquid crystal layer 50 side of the TFT array substrate 10, and a counter electrode 28 arranged on the liquid crystal layer 50 side of the counter substrate 20. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、液晶装置、及び電子機器に関するものである。   The present invention relates to a liquid crystal device and an electronic apparatus.

液晶表示素子を用いて映像を大画面に表示する装置として液晶プロジェクターがある。プロジェクターにおいては高輝度、高コントラストであることが重要である。この種の電気光学装置では一般的に、相隣接する画素電極の電圧が逆の極性となるように、行及び列方向に駆動電圧の極性反転を周期的に行なう反転駆動方式が採用されている。このような駆動方式においては、TFT(Thin Film Transistor)アレイ基板上で相隣接する画素電極間で横電界が生じるという問題がある。この横電界は、画素電極とこれに対向する対向電極との間に形成する縦電界によって駆動制御される液晶の配向不良を引き起こすという問題があった。   There is a liquid crystal projector as a device for displaying an image on a large screen using a liquid crystal display element. In projectors, it is important to have high brightness and high contrast. In general, this type of electro-optical device employs an inversion driving method in which the polarity of the driving voltage is periodically inverted in the row and column directions so that the voltages of adjacent pixel electrodes have opposite polarities. . In such a drive system, there is a problem that a lateral electric field is generated between adjacent pixel electrodes on a TFT (Thin Film Transistor) array substrate. This lateral electric field has a problem in that it causes alignment failure of liquid crystal that is driven and controlled by a vertical electric field formed between the pixel electrode and a counter electrode opposed to the pixel electrode.

このような配向不良が発生すると液晶層の正常配向部分と異常配向部分との間にディスクリネーション(線欠陥)が形成されてしまう虞があった。   When such alignment failure occurs, there is a risk that disclination (line defect) may be formed between the normal alignment portion and the abnormal alignment portion of the liquid crystal layer.

このような課題を解決するため、下記の技術が開示されている。
TN(Twist Nematic)−TFT型液晶表示装置でこの現象を防止し、安定な配向を得る技術として、特許文献1,2には、相隣接する画素電極間の間隙に凸部が形成されてなる電気光学装置が開示されている。これにより、相隣接する画素電極間において印加電圧の極性が逆であるもの同士の間で発生する横電界によって、液晶の配向状態が乱れることを低減することができる。
特開2002−40455号公報 特開2005−121805号公報
In order to solve such problems, the following techniques are disclosed.
As a technique for preventing this phenomenon and obtaining a stable orientation in a TN (Twist Nematic) -TFT type liquid crystal display device, Patent Documents 1 and 2 have a convex portion formed in a gap between adjacent pixel electrodes. An electro-optical device is disclosed. Thereby, it is possible to reduce the disorder of the alignment state of the liquid crystal due to the lateral electric field generated between the pixel electrodes adjacent to each other whose polarities of the applied voltages are opposite to each other.
JP 2002-40455 A JP 2005-121805 A

近年では、プロジェクターでも高開口率、高精細化が進み、画素間距離がどんどん小さくなってきている。その結果、上記したように、隣接する画素間の電位差により発生する横電界の影響が深刻な配向不良を誘発するようになってきた。液晶プロジェクターの配向方式としては、現在、TN型(ツイストネマチック型)の液晶装置が多用されている。しかし、相隣接する画素電極同士に異なる電圧を印加した際に発生する横電界によってツイストネマチック配向モードの液晶が本来のツイスト方向と異なった方向(逆方向)にツイストする状態(リバースツイスト)が生じてしまうことが問題となっている。このような問題に対して、上記した特許文献1、2は画素電極間に凸部を形成し,その凸部上に画素電極端部を重ねることで画素電極端での実質的な縦電界強度を向上させている、としているが実質的には横電界が縦電界よりも弱くなるほどではない。また、画素電極表面形状に凹凸を生じさせているため黒表示(電圧印加時)に表面形状に起因する配向不良が発生し、コントラストを著しく低下させる虞がある。   In recent years, even in projectors, high aperture ratio and high definition have progressed, and the distance between pixels has become smaller and smaller. As a result, as described above, the influence of a lateral electric field generated by a potential difference between adjacent pixels has led to a serious alignment failure. Currently, TN type (twisted nematic type) liquid crystal devices are widely used as alignment methods for liquid crystal projectors. However, a twisted nematic alignment mode liquid crystal is twisted in a direction (reverse direction) different from the original twist direction (reverse twist) due to a lateral electric field generated when different voltages are applied to adjacent pixel electrodes. Is a problem. In order to solve such a problem, the above-described Patent Documents 1 and 2 form a convex portion between the pixel electrodes, and overlap the pixel electrode end portion on the convex portion, thereby substantially increasing the vertical electric field strength at the pixel electrode end. However, the horizontal electric field is not substantially weaker than the vertical electric field. Further, since the unevenness of the surface shape of the pixel electrode is generated, alignment failure due to the surface shape may occur during black display (when voltage is applied), and the contrast may be significantly reduced.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、ツイストネマチック型の液晶において、横電界による配向不良(リバースツイスト)の発生をなくし、高透過率でディスクリネーションなしの高品位表示を可能とする液晶装置及びそれを備えた画像表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above-described problems, and its object is to eliminate the occurrence of orientation failure (reverse twist) due to a transverse electric field in a twisted nematic liquid crystal, and to achieve high transmittance and no disclination. An object of the present invention is to provide a liquid crystal device capable of displaying quality and an image display device including the same.

本発明の液晶装置は、上記課題を解決するために、一対の基板間に、誘電率異方性が正の液晶からなる液晶層を挟持してなるツイストネマチック型である液晶表示素子において、一対の基板のうち一方の基板の液晶層側に、複数の画素電極と、相隣接する画素電極のうち、一方の基板上における電圧無印加時での液晶の配向方向に対して垂直な方向に隣接する画素電極同士の間に、液晶の配向方向と平行な方向に延在する凸部と、凸部を覆うように形成され、電圧無印加時の液晶の配向方向を規制する配向膜と、一対の基板のうち他方の基板の液晶層側に設けられる対向電極と、が設けられたことを特徴とする。   In order to solve the above problems, a liquid crystal device of the present invention is a twist nematic liquid crystal display element in which a liquid crystal layer made of a liquid crystal having positive dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates. Adjacent to the liquid crystal layer side of one of the substrates in the direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal when no voltage is applied to one of the adjacent pixel electrodes. A pair of protrusions extending in a direction parallel to the alignment direction of the liquid crystal between the pixel electrodes to be formed, an alignment film that covers the protrusions and restricts the alignment direction of the liquid crystal when no voltage is applied, and a pair And a counter electrode provided on the liquid crystal layer side of the other substrate.

このような構成によれば、相隣接する画素電極のうち異なる電圧が印加された画素電極同士の間において発生する横電界の影響により、液晶の配向不良(リバースツイスト)が生じることを防止することができる。つまり、電圧無印加時における画素電極上の液晶の配向方位に沿って凸部が設けられているため、相隣接する画素電極に対して異なる電圧を印加した際に、横電界の影響でリバースツイストしようとする液晶の配向を制御することができるようになっている。   According to such a configuration, it is possible to prevent a liquid crystal alignment defect (reverse twist) from occurring due to the influence of a lateral electric field generated between pixel electrodes to which different voltages are applied among adjacent pixel electrodes. Can do. In other words, since a convex portion is provided along the orientation direction of the liquid crystal on the pixel electrode when no voltage is applied, when a different voltage is applied to adjacent pixel electrodes, the reverse twist is caused by the influence of the lateral electric field. The orientation of the liquid crystal to be tried can be controlled.

すなわち、凸部を覆うようにして配向膜が形成されるため、液晶の初期配向方向に対して垂直に発生する横電界に平行に配向しようとする液晶の挙動を、凸部表面の配向膜の配向規制力によって阻害することができる。横電界が最も強く作用するのは画素電極間であり、そこに凸部が存在することにより横電界は弱められる。また、ツイストネマチック配向しているため、縦方向における液晶層中央付近では画素電極表面での配向方位に対して、45°ツイストしているため凸部表面の配向規制力によって画素電極表面と同方向に規制された液晶分子は横電界の影響を受けても周囲のツイストネマチック配向状態とほぼ変わらない配向方位となっており、リバースツイストの発生を防止することができる。このように、液晶の配向方向に垂直な方向に生じる電界の影響を受けることなく、配向膜のラビング方向に沿って液晶を配向させることができる。その結果、電圧印加時における液晶の配向不良が防止され、高透過率を実現できるとともにディスクリネーションの発生を防止及び抑制することができる。なお、液晶の初期配向方向とは、電圧無印加時における配向方向のことである。   That is, since the alignment film is formed so as to cover the convex portion, the behavior of the liquid crystal to be aligned parallel to the transverse electric field generated perpendicular to the initial alignment direction of the liquid crystal is It can be hindered by the orientation regulating force. The horizontal electric field acts most strongly between the pixel electrodes, and the presence of the convex portion weakens the horizontal electric field. In addition, since it is twisted nematically aligned, it is twisted 45 ° with respect to the orientation direction on the surface of the pixel electrode near the center of the liquid crystal layer in the vertical direction. The liquid crystal molecules controlled to be in the orientation orientation which is almost the same as the surrounding twisted nematic orientation state even under the influence of the transverse electric field can prevent the occurrence of reverse twist. Thus, the liquid crystal can be aligned along the rubbing direction of the alignment film without being affected by the electric field generated in the direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal. As a result, alignment failure of the liquid crystal during voltage application can be prevented, high transmittance can be realized, and occurrence of disclination can be prevented and suppressed. The initial alignment direction of the liquid crystal is an alignment direction when no voltage is applied.

したがって、本実施形態によれば、表示不良のない、高コントラストで且つ明るく均一な表示品質を有する液晶装置を提供することが可能となる。   Therefore, according to the present embodiment, it is possible to provide a liquid crystal device having a high-contrast, bright and uniform display quality without display defects.

また、誘電率異方性が正の液晶を用いた従来のツイストネマチック型(TN型)の液晶装置は、隣接する画素電極に異なる電圧を印加した場合に、各電極端で横電界が生じる。これら横電界のうち、液晶の配向方向に対して垂直な方向に生じる横電界の影響を受けて、液晶のリバースツイストが生じてしまうことが問題であった。   Further, in a conventional twisted nematic (TN type) liquid crystal device using a liquid crystal having positive dielectric anisotropy, when different voltages are applied to adjacent pixel electrodes, a lateral electric field is generated at each electrode end. Among these lateral electric fields, there is a problem that reverse twist of the liquid crystal occurs due to the influence of the lateral electric field generated in a direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal.

しかしながら、上記したように、本発明は、液晶の配向方向に対して垂直な方向に生じる電界による作用よりも、液晶の配向方向に沿って生じる配向規制力の方が強くなるような構成をなしているため、液晶のリバースツイストの発生を防止することができる。また、リバースツイストの発生を防止することで、ブラックマスクを設ける領域を最小限に抑えることができ、画素領域における開口率を向上させることができる。このように、画素領域内における液晶の配向を安定させることによって高品位表示が可能となる。   However, as described above, the present invention has a configuration in which the alignment regulating force generated along the alignment direction of the liquid crystal is stronger than the action caused by the electric field generated in the direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal. Therefore, it is possible to prevent the reverse twist of the liquid crystal. Further, by preventing the occurrence of reverse twist, the area where the black mask is provided can be minimized, and the aperture ratio in the pixel area can be improved. In this way, high-quality display can be achieved by stabilizing the alignment of the liquid crystal in the pixel region.

また、凸部は、液晶の配向方向に沿うように、液晶の配向方向に隣接する複数の画素電極に亘って連続的に延在していることも好ましい。
このような構成によれば、液晶の配向方向に垂直な横電界の影響を受ける液晶のリバースツイストを確実に防止することができる。また、凸部を分断することなく一方向に連続して形成することができるので製造が容易となる。
Further, it is also preferable that the convex portion continuously extends across a plurality of pixel electrodes adjacent to the liquid crystal alignment direction so as to be along the liquid crystal alignment direction.
According to such a configuration, it is possible to reliably prevent the reverse twist of the liquid crystal that is affected by the lateral electric field perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal. Moreover, since it can form continuously in one direction, without dividing a convex part, manufacture becomes easy.

上記した本発明の液晶装置は、例えば、液晶テレビや携帯電話等の電子機器の表示画面、パソコンのモニター、液晶プロジェクタ(投射型表示装置)の光変調装置として用いることができる。このような用途に用いることで表示装置に優れた電子機器を提供することができる。   The above-described liquid crystal device of the present invention can be used as, for example, a display screen of an electronic device such as a liquid crystal television or a mobile phone, a monitor of a personal computer, and a light modulation device of a liquid crystal projector (projection display device). By using it for such an application, an electronic device excellent in a display device can be provided.

以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following drawings, the film thicknesses and dimensional ratios of the respective components are appropriately changed in order to make the drawings easy to see.

[液晶装置]
以下に示す本実施形態の液晶装置は、スイッチング素子としてTFT(Thin-Film Transistor)素子を用いたアクティブマトリクス型の液晶装置1である。なお、本実施形態では、液晶に対して所望の方向の電界を生じさせて液晶の配向を制御することにより画像表示を行う表示方式のうち透過型の液晶装置を例に挙げて説明する。
[Liquid Crystal Device]
The liquid crystal device of the present embodiment described below is an active matrix liquid crystal device 1 using TFT (Thin-Film Transistor) elements as switching elements. In the present embodiment, a transmissive liquid crystal device will be described as an example of a display method for displaying an image by generating an electric field in a desired direction with respect to the liquid crystal to control the alignment of the liquid crystal.

以下に、本実施形態の液晶装置の構造について、図面を用いてさらに詳しく説明する。図1は液晶装置の概略構成を説明するためのTFTアレイ基板の平面図、図2は図1のH−H’断面図、図3は液晶装置における画素領域の構成を模式的に示す平面図、図4は図3のD−D断面図である。
そして、以下の説明においては、xyz直交座標系を設定し、このxyz直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をx方向、水平面内においてx方向と直交する方向をy方向、x方向及びy方向のそれぞれに直交する方向をz方向とする。
Hereinafter, the structure of the liquid crystal device of the present embodiment will be described in more detail with reference to the drawings. 1 is a plan view of a TFT array substrate for explaining a schematic configuration of the liquid crystal device, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. 1, and FIG. 3 is a plan view schematically showing a configuration of a pixel region in the liquid crystal device. 4 is a sectional view taken along the line DD of FIG.
In the following description, an xyz orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this xyz orthogonal coordinate system. A predetermined direction in the horizontal plane is an x direction, a direction orthogonal to the x direction in the horizontal plane is a y direction, and a direction orthogonal to each of the x direction and the y direction is a z direction.

液晶装置1は、図1,2に示すように、シール材52を介して貼り合わせられるTFTアレイ基板10及び対向基板20間に、配向膜13,14を介して誘電率異方性が正のネマチック液晶(以下、単に液晶と呼ぶときもある。)からなる液晶層50を挟持して構成されている。TFTアレイ基板10に設けられる配向膜13及び対向基板20に設けられる配向膜14によって、ネマチック液晶は分子長軸方向が90°前後ねじれた配向をとっており、TN(ツイストネマチック)型の液晶装置1を構成している。配向膜13,14は、ネマチック液晶の長軸方向を基板面に対して所定角度だけ傾斜配向(プレチルト)させている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the liquid crystal device 1 has a positive dielectric anisotropy between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 bonded via the sealing material 52 via the alignment films 13 and 14. A liquid crystal layer 50 made of nematic liquid crystal (hereinafter sometimes simply referred to as “liquid crystal”) is sandwiched. Due to the alignment film 13 provided on the TFT array substrate 10 and the alignment film 14 provided on the counter substrate 20, the nematic liquid crystal has an orientation in which the molecular long axis direction is twisted about 90 °, and a TN (twisted nematic) type liquid crystal device. 1 is configured. The alignment films 13 and 14 are inclined and aligned (pretilt) by a predetermined angle with respect to the substrate surface in the major axis direction of the nematic liquid crystal.

次に、TFTアレイ基板10上に形成された各構成要素について詳しく説明する。
図1において、TFTアレイ基板10の上には、シール材52が対向基板20の縁に沿って設けられており、その内側に並行して第2遮光膜53が設けられている。この第2遮光膜53に囲まれた領域が液晶装置1の画像表示領域Aとなっている。また、シール材52の外側の領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。
Next, each component formed on the TFT array substrate 10 will be described in detail.
In FIG. 1, a sealing material 52 is provided on the TFT array substrate 10 along the edge of the counter substrate 20, and a second light shielding film 53 is provided in parallel to the inside thereof. An area surrounded by the second light shielding film 53 is an image display area A of the liquid crystal device 1. A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region outside the sealing material 52, and the scanning line driving circuit 104 is adjacent to the one side. It is provided along two sides.

更に、TFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域Aの両側に設けられた走査線駆動回路104間を接続するための複数の配線105が設けられており、ここで、第2遮光膜53の下に隠れてプリチャージ回路を設けてもよい。また、対向基板20の4つのコーナー部の少なくとも1箇所においては、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的導通をとるための導通材106が設けられている。本実施形態では4箇所全てに設けられている。   Furthermore, a plurality of wirings 105 are provided on the remaining side of the TFT array substrate 10 for connecting the scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area A. Here, the second light shielding film A precharge circuit may be provided hidden under 53. In addition, at least one of the four corners of the counter substrate 20 is provided with a conductive material 106 for electrical conduction between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20. In this embodiment, it is provided in all four places.

また、TFTアレイ基板10の内側には画素電極9がマトリクス状に複数形成されている。このようなTFTアレイ基板10に対向配置された対向基板20の内側には、図2に示すように、複数の画素電極9に共通な対向電極28が形成されている。   A plurality of pixel electrodes 9 are formed in a matrix in the TFT array substrate 10. As shown in FIG. 2, a common electrode 28 common to the plurality of pixel electrodes 9 is formed inside the common substrate 20 disposed to face the TFT array substrate 10.

(平面構造)
次に、TFTアレイ基板10の画像表示領域A内の平面構造について図3に基づいて詳細に説明する。図3(a)はTFTアレイ基板側から見た平面図であって、図3(b)は画素スイッチング用TFT素子の拡大図である。
図3(a)に示すように、液晶装置1のTFTアレイ基板10上の画像表示領域A(図1参照)内には、マトリクス状に設けられた複数の透明な画素電極9の縦横の境界に各々沿って、データ線6a及び走査線3aが設けられている。
(Planar structure)
Next, the planar structure in the image display area A of the TFT array substrate 10 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3A is a plan view seen from the TFT array substrate side, and FIG. 3B is an enlarged view of the pixel switching TFT element.
As shown in FIG. 3A, in the image display area A (see FIG. 1) on the TFT array substrate 10 of the liquid crystal device 1, vertical and horizontal boundaries of a plurality of transparent pixel electrodes 9 provided in a matrix form. A data line 6a and a scanning line 3a are provided along each line.

TFTアレイ基板10上には、y方向に延在する複数本のデータ線6aがx方向に所定間隔をおいて設けられている。また、これらデータ線6aに交差してx方向に延在する複数本の走査線3aがy方向に所定間隔をおいて設けられている。そして、隣り合う2本のデータ線6a及び走査線3aにより囲まれた領域が画素領域C(図中の一点差線9’で示す領域)となっている。このような画素領域CがTFTアレイ基板10上にマトリクス状に形成されている。   On the TFT array substrate 10, a plurality of data lines 6a extending in the y direction are provided at predetermined intervals in the x direction. In addition, a plurality of scanning lines 3 a that intersect the data lines 6 a and extend in the x direction are provided at predetermined intervals in the y direction. A region surrounded by two adjacent data lines 6a and scanning lines 3a is a pixel region C (a region indicated by a one-dot difference line 9 'in the drawing). Such pixel regions C are formed in a matrix on the TFT array substrate 10.

そして、各画素領域C内には、例えばインジウム錫酸化物(以下、「ITO」と略す)等の透明導電性材料からなる平面視略正方形状の画素電極9が設けられている。   In each pixel region C, a pixel electrode 9 having a substantially square shape in plan view made of a transparent conductive material such as indium tin oxide (hereinafter abbreviated as “ITO”) is provided.

画素スイッチング用TFT素子30は、図3(a)に示すように、データ線6a及び走査線3aとの交差部の近傍に設けられている。より詳しくは、図3(b)に示すように、走査線3aからy方向に分岐して形成したゲート電極26と、アモルファスシリコンからなる半導体層1aと、半導体層1aと走査線3aの平面領域内において一部平面的に重なって形成されたソース電極25と、ゲート絶縁膜2と、を備えて構成されている。ソース電極25は、データ線6aからx方向に分岐して形成されている。   As shown in FIG. 3A, the pixel switching TFT element 30 is provided in the vicinity of the intersection of the data line 6a and the scanning line 3a. More specifically, as shown in FIG. 3B, the gate electrode 26 formed by branching from the scanning line 3a in the y direction, the semiconductor layer 1a made of amorphous silicon, and the planar region of the semiconductor layer 1a and the scanning line 3a A source electrode 25 and a gate insulating film 2 are formed so as to partially overlap each other. The source electrode 25 is formed to branch from the data line 6a in the x direction.

画素電極9は、画素スイッチング用TFT素子30を構成する例えばポリシリコン膜からなる半導体層1aのうち、後述のドレイン領域1dにコンタクトホール8を介して電気的に接続されており、データ線6aは、半導体層1aのうち、後述のソース領域1eにコンタクトホール5を介して電気的に接続されている。   The pixel electrode 9 is electrically connected to the drain region 1d described later of the semiconductor layer 1a made of, for example, a polysilicon film constituting the pixel switching TFT element 30 through the contact hole 8, and the data line 6a is The semiconductor layer 1a is electrically connected to a source region 1e described later via a contact hole 5.

突条部15は、図3(a)に示すように、平面視においてデータ線6aと重なるように形成されており、該データ線6aの延在方向(y方向)に沿って延在している。この突条部15は、後述する第1遮光膜11aによる遮蔽領域内に位置するものとする。   As shown in FIG. 3A, the protrusion 15 is formed so as to overlap the data line 6a in a plan view, and extends along the extending direction (y direction) of the data line 6a. Yes. It is assumed that the protrusion 15 is located in a shielding area by a first light shielding film 11a described later.

(断面構造)
次に、図4に基づいて、本実施形態の液晶装置の断面構造について詳しく説明する。図4では、画素スイッチング用TFT素子等の一部の構成要素を図面の視認性を考慮して省略してある。
(Cross-section structure)
Next, the cross-sectional structure of the liquid crystal device of this embodiment will be described in detail with reference to FIG. In FIG. 4, some components such as a pixel switching TFT element are omitted in view of the visibility of the drawing.

本実施形態の液晶装置1においては、図4に示すように、TFTアレイ基板10と、これに対向配置される対向基板20との間に液晶層50が挟持されている。液晶層50は、電界に沿って配向する誘電率異方性が正のネマチック液晶21からなるもので、液晶装置1はツイストネマチック型の表示装置である。TFTアレイ基板10及び対向基板20は、ガラスや石英等の透光性材料から形成されている。   In the liquid crystal device 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 4, a liquid crystal layer 50 is sandwiched between the TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 disposed to face the TFT array substrate 10. The liquid crystal layer 50 is composed of nematic liquid crystal 21 having a positive dielectric anisotropy aligned along an electric field, and the liquid crystal device 1 is a twisted nematic type display device. The TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are made of a translucent material such as glass or quartz.

TFTアレイ基板10において、基板本体10Aの液晶層50側の表面上には、TFTアレイ基板10を透過し、TFTアレイ基板10の図示下面(TFTアレイ基板10と空気との界面)で反射されて、液晶層50側に戻る戻り光を部分的に遮蔽するための第1遮光膜11aが設けられている。この第1遮光膜11aは、画素スイッチング用TFT素子30に上記した戻り光が入射することを防止するために備えられ、画素スイッチング用TFT素子30への遮光効果が得られる範囲に設けられる。   In the TFT array substrate 10, the TFT array substrate 10 is transmitted on the surface of the substrate body 10 </ b> A on the liquid crystal layer 50 side, and is reflected by the lower surface of the TFT array substrate 10 (interface between the TFT array substrate 10 and air). A first light-shielding film 11a for partially shielding the return light returning to the liquid crystal layer 50 side is provided. The first light shielding film 11 a is provided to prevent the above-described return light from entering the pixel switching TFT element 30, and is provided in a range where the light shielding effect on the pixel switching TFT element 30 can be obtained.

また、基板本体10Aの表面上には、第1遮光膜11aを覆うようにして略全面に形成される第1層間絶縁膜12を介して、画素電極9をスイッチング制御する画素スイッチング用TFT素子30が配設されている。第1層間絶縁膜12は、酸化シリコン等からなり、第1遮光膜11aと画素スイッチング用TFT素子30との間に介在させることによって双方を電気的に絶縁している。   Further, a pixel switching TFT element 30 that controls switching of the pixel electrode 9 is provided on the surface of the substrate body 10A via a first interlayer insulating film 12 formed on the substantially entire surface so as to cover the first light shielding film 11a. Is arranged. The first interlayer insulating film 12 is made of silicon oxide or the like, and is electrically insulated by being interposed between the first light shielding film 11 a and the pixel switching TFT element 30.

画素スイッチング用TFT素子30は、第1層間絶縁膜12上に形成される半導体層1a、ゲート電極26、データ線6aとを備えている。半導体層1aは、ゲート電極26からの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、半導体層1aのドレイン領域1d及びソース領域1eとから構成され、表面を覆うゲート絶縁膜2によりゲート電極26と絶縁されている。   The pixel switching TFT element 30 includes a semiconductor layer 1a formed on the first interlayer insulating film 12, a gate electrode 26, and a data line 6a. The semiconductor layer 1a is composed of a channel region 1a ′ of the semiconductor layer 1a in which a channel is formed by an electric field from the gate electrode 26, a drain region 1d and a source region 1e of the semiconductor layer 1a, and a gate insulating film 2 covering the surface. It is insulated from the gate electrode 26.

また、半導体層1aのうち、チャネル領域1a’に対向するようにゲート電極26が配置されている。   In addition, a gate electrode 26 is disposed in the semiconductor layer 1a so as to face the channel region 1a '.

上記ゲート電極26上、ゲート絶縁膜2上を含む基板本体10A上には、ドレイン領域1dへ通じるコンタクトホール8、及びソース領域1eへ通じるコンタクトホール5が開孔した第2層間絶縁膜4が形成されている。つまり、データ線6aは、第2層間絶縁膜4を貫通するコンタクトホール5を介してソース領域1eに電気的に接続されている。   On the substrate body 10A including the gate electrode 26 and the gate insulating film 2, a second interlayer insulating film 4 having a contact hole 8 leading to the drain region 1d and a contact hole 5 leading to the source region 1e is formed. Has been. That is, the data line 6 a is electrically connected to the source region 1 e through the contact hole 5 that penetrates the second interlayer insulating film 4.

さらに、データ線6a上及び第2層間絶縁膜4上には、ドレイン領域1dへ通じるコンタクトホール8が開孔した第3層間絶縁膜7が形成されている。つまり、ドレイン領域1dは、第2層間絶縁膜4及び第3層間絶縁膜7を貫通するコンタクトホール8を介して、第3層間絶縁膜7上に形成された画素電極9と電気的に接続されている。   Further, a third interlayer insulating film 7 having a contact hole 8 leading to the drain region 1d is formed on the data line 6a and the second interlayer insulating film 4. That is, the drain region 1 d is electrically connected to the pixel electrode 9 formed on the third interlayer insulating film 7 through the contact hole 8 that penetrates the second interlayer insulating film 4 and the third interlayer insulating film 7. ing.

第3層間絶縁膜7には、液晶層50側の表面から液晶層50内へと突出する突条部15が形成されている。本実施形態では、突条部15の断面形状が台形を呈しているが、これに限ったものではなく、断面視矩形状、断面視円形状或いは断面視三角形状等であっても良い。   The third interlayer insulating film 7 is formed with a protrusion 15 that protrudes from the surface on the liquid crystal layer 50 side into the liquid crystal layer 50. In the present embodiment, the cross-sectional shape of the protrusion 15 has a trapezoidal shape, but is not limited thereto, and may be a rectangular shape in cross-sectional view, a circular shape in cross-sectional view, or a triangular shape in cross-sectional view.

基板本体10A上には、画素電極9及び突条部15を覆うようにして、ポリイミド等からなる配向膜13が形成されている。この配向膜13には、図中y方向に沿ってラビング処理が施されている。ラビング法としては、レーヨン、ナイロン、ポリエステルなどからなる布をローラーに貼り付けたラビングマシンによって擦る手法が多く用いられている。なお、SiO2を用いて配向膜13を形成してもよい。   An alignment film 13 made of polyimide or the like is formed on the substrate body 10A so as to cover the pixel electrodes 9 and the protrusions 15. The alignment film 13 is rubbed along the y direction in the figure. As the rubbing method, a method of rubbing with a rubbing machine in which a cloth made of rayon, nylon, polyester or the like is attached to a roller is often used. The alignment film 13 may be formed using SiO2.

一方、対向基板20は、ガラスや石英、プラスチック等の透光性の基板本体20Aを基体としてなり、基板本体20Aの内面側(液晶層50側)には、データ線6a、走査線3a、画素スイッチング用TFT素子30の半導体層1aのチャネル領域1a’やドレイン領域1d、ソース領域1eに入射光が進入することを防止するための第2遮光膜19が設けられている。   On the other hand, the counter substrate 20 has a translucent substrate body 20A such as glass, quartz, or plastic as a base, and the data line 6a, the scanning line 3a, and the pixels are disposed on the inner surface side (the liquid crystal layer 50 side) of the substrate body 20A. A second light shielding film 19 for preventing incident light from entering the channel region 1a ′, the drain region 1d, and the source region 1e of the semiconductor layer 1a of the switching TFT element 30 is provided.

さらに、第2遮光膜19の表面(液晶層50側の面)の略全面には、TFTアレイ基板10に設けられている全ての画素電極9に共通した対向電極28が設けられている。対向電極28は、画素電極9に対向してネマチック液晶21を駆動する機能を果たす。   Furthermore, a counter electrode 28 common to all the pixel electrodes 9 provided on the TFT array substrate 10 is provided on substantially the entire surface of the second light shielding film 19 (surface on the liquid crystal layer 50 side). The counter electrode 28 functions to drive the nematic liquid crystal 21 while facing the pixel electrode 9.

さらに、対向電極28が設けられた基板本体20Aの液晶層50側には、対向電極28を覆って配向膜14が形成されている。配向膜14には、図中x方向に沿ってラビング処理が施されている。   Further, an alignment film 14 is formed on the substrate main body 20 </ b> A provided with the counter electrode 28 on the liquid crystal layer 50 side so as to cover the counter electrode 28. The alignment film 14 is rubbed along the x direction in the figure.

配向膜13,14は、各々に形成されたラビングにより、電圧無印加時において、膜面に対してネマチック液晶21をツイストネマチック配向させるものである。各配向膜13,14のラビング方向は平面視において90°ずれている。また、本実施形態においては、配向膜13,14がネマチック液晶21に与えるプレチルト角は8°である。プレチルト角を付与し基板面に対してネマチック液晶21を若干傾斜させることにより、ネマチック液晶21が立ち上がる方向(ネマチック液晶21の配向方向)を一方向に安定化させることができる。   The alignment films 13 and 14 are used for twisting nematic alignment of the nematic liquid crystal 21 with respect to the film surface when no voltage is applied by rubbing formed on each of the alignment films 13 and 14. The rubbing directions of the alignment films 13 and 14 are shifted by 90 ° in plan view. In the present embodiment, the pretilt angle that the alignment films 13 and 14 give to the nematic liquid crystal 21 is 8 °. By giving the pretilt angle and slightly tilting the nematic liquid crystal 21 with respect to the substrate surface, the direction in which the nematic liquid crystal 21 rises (the alignment direction of the nematic liquid crystal 21) can be stabilized in one direction.

なお、配向膜13,14を形成する際、ポリイミドまたはSiO2等の材料をスピンコート法等の液相法により成膜する手法を採用することができる。また、材料によっては公知の蒸着法を用いて成膜し、表面に斜めに起立する柱状微細構造体を有したものであってもよい。   In forming the alignment films 13 and 14, a method of forming a film of a material such as polyimide or SiO 2 by a liquid phase method such as a spin coating method can be employed. In addition, depending on the material, a film may be formed using a known vapor deposition method and may have a columnar microstructure that stands upright on the surface.

上記したTFTアレイ基板10及び対向基板20は、図4には図示されていないが、互いにシール材を介して貼り合わせられ、さらにシール材に形成した液晶注入口から誘電率異方性が正のネマチック液晶21(ポジ型ネマチック液晶材料)を注入して液晶パネル40を得るものとする。   Although the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 described above are not shown in FIG. 4, they are bonded to each other via a sealing material, and the dielectric anisotropy is positive from the liquid crystal injection port formed in the sealing material. A nematic liquid crystal 21 (positive type nematic liquid crystal material) is injected to obtain a liquid crystal panel 40.

ネマチック液晶21は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。正の誘電率異方性を有するネマチック液晶21の他にもキラルネマチック液晶材料等が挙げられる。   The nematic liquid crystal 21 modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In addition to the nematic liquid crystal 21 having positive dielectric anisotropy, a chiral nematic liquid crystal material and the like can be mentioned.

液晶パネル40には、図3(a)に示すように、対向基板20及びTFTアレイ基板10の外面側に、それぞれ偏光板22,23が設けられており、互いの光透過軸L,Nが直交するように配置されている。電圧無印加状態における液晶装置1の光透過率が100%、電圧印加時における液晶装置1の光透過率が0%となるように、光透過軸L,Nがそれぞれ走査線3a及びデータ線6aに沿う方向に配置されている。このように、TFTアレイ基板10及び対向基板20の両外側にこれらTFTアレイ基板10及び対向基板20を挟みこむようにして、偏光板22,23をクロスニコル状態で貼り合せて本実施形態の液晶装置1としている。   As shown in FIG. 3A, the liquid crystal panel 40 is provided with polarizing plates 22 and 23 on the outer surface side of the counter substrate 20 and the TFT array substrate 10, respectively. It arrange | positions so that it may orthogonally cross. The light transmission axes L and N are respectively set to the scanning line 3a and the data line 6a so that the light transmittance of the liquid crystal device 1 when no voltage is applied is 100% and the light transmittance of the liquid crystal device 1 when voltage is applied is 0%. It is arranged in the direction along. As described above, the polarizing plates 22 and 23 are bonded in a crossed Nicol state so that the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are sandwiched between both sides of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the liquid crystal device 1 of the present embodiment. It is said.

次に、上述したTFTアレイ基板上における相隣接する複数の画素群の構造をについて述べる。図5は、TFTアレイ基板上における相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。図6は、図5のN−N’断面図である。なお、図6において、第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、半導体層、各種配線の図示は省略する。   Next, the structure of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate described above will be described. FIG. 5 is a plan view showing the structure of a plurality of adjacent pixel groups on the TFT array substrate. 6 is a cross-sectional view taken along line N-N ′ of FIG. 5. In FIG. 6, the first interlayer insulating film, the second interlayer insulating film, the semiconductor layer, and various wirings are not shown.

図5,6に示すように、本実施形態の突条部15(凸部)は、TFTアレイ基板10上で相隣接する画素電極9のうち、電圧無印加時における液晶の配向方向(図3中の矢印Tは、液晶の配向方向を示している)に列をなす画素電極群U同士の隙間Sに設けられている。この突条部15は、第3層間絶縁膜7から形成されている。   As shown in FIGS. 5 and 6, the protrusion 15 (projection) of the present embodiment is a liquid crystal alignment direction when no voltage is applied among the pixel electrodes 9 adjacent to each other on the TFT array substrate 10 (FIG. 3). The arrow T in the middle indicates the alignment direction of the liquid crystal) and is provided in the gap S between the pixel electrode groups U that form a column. The protruding portion 15 is formed from the third interlayer insulating film 7.

突条部15は、液晶の配向方向に存在する複数の画素電極9に亘って連続的に存在しており、図5,6に示すy方向に沿って延在している。また、液晶層50内に突出するよう所定の高さを有して形成され、液晶の配向方向に対して垂直な方向に隣接する画素電極9同士の間に介在している。   The protrusions 15 are continuously present over the plurality of pixel electrodes 9 existing in the liquid crystal alignment direction, and extend along the y direction shown in FIGS. Further, it is formed with a predetermined height so as to protrude into the liquid crystal layer 50, and is interposed between the pixel electrodes 9 adjacent to each other in a direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal.

突条部15の幅方向寸法は、画素電極9間の隙間Sに応じて適宜設定される。また、突条部15の突出量、つまりその高さは、液晶層50を挟持するTFTアレイ基板10及び対向基板20のセルギャップに応じて適宜設定される。本実施形態においては、セルギャップ2.5μmに対して、0.6〜1μm程度の高さで形成されている。   The dimension in the width direction of the protrusion 15 is appropriately set according to the gap S between the pixel electrodes 9. Further, the protruding amount of the protrusion 15, that is, the height thereof is appropriately set according to the cell gap between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 that sandwich the liquid crystal layer 50. In this embodiment, it is formed with a height of about 0.6 to 1 μm with respect to a cell gap of 2.5 μm.

なお、図中では画素電極9と突条部15との間に若干の間隙を設けて示してあるが、突条部15とこれに隣接する画素電極9とが接触していても良い。また、図6には、このような突条部15及び画素電極9を覆うようにして形成された配向膜13が図示されている。   In the drawing, a slight gap is provided between the pixel electrode 9 and the protrusion 15, but the protrusion 15 may be in contact with the pixel electrode 9 adjacent thereto. Further, FIG. 6 shows an alignment film 13 formed so as to cover the protruding portion 15 and the pixel electrode 9.

次に、本実施形態のTFTアレイ基板の作成方法について説明する。
図7は、TFTアレイ基板の作成方法について模式的に示した説明図である。
Next, a method for producing the TFT array substrate of this embodiment will be described.
FIG. 7 is an explanatory view schematically showing a method for producing a TFT array substrate.

まず、図7(a)に示すように、ガラス等からなる透光性の基板本体10Aを用意し、これに第1層間絶縁膜、第2層間絶縁膜、半導体層、各種配線(以上、図示略)を形成する。そして、データ線を含む第2層間絶縁膜上に第3層間絶縁膜7を形成する。第3層間絶縁膜7は、例えば、プラズマ化学気相堆積法(PECVD法)、低圧化学気相堆積法(LPCVD法)、スパッタリング法などの成膜法によって形成することができる。このとき、第3層間絶縁膜7には、データ線6aの上方となる箇所に、データ線6aに沿うようにしてy方向に延在する突条部15が同時に形成される。   First, as shown in FIG. 7A, a translucent substrate body 10A made of glass or the like is prepared, and a first interlayer insulating film, a second interlayer insulating film, a semiconductor layer, and various wirings (shown above) are prepared. Abbreviation). Then, a third interlayer insulating film 7 is formed on the second interlayer insulating film including the data line. The third interlayer insulating film 7 can be formed by a film forming method such as a plasma chemical vapor deposition method (PECVD method), a low pressure chemical vapor deposition method (LPCVD method), or a sputtering method. At this time, in the third interlayer insulating film 7, a protrusion 15 extending in the y direction along the data line 6a is simultaneously formed at a location above the data line 6a.

次に、図7(b)に示すように、この第3層間絶縁膜7に、コンタクトホール8として円筒形状の微細な孔を形成する。このコンタクトホール8は、不図示のドレイン領域に通じる孔である。なお、コンタクトホール8の微細孔は、所定の孔径で形成されるとともに円筒形状以外の形状(例えば角柱状など)としても良い。   Next, as shown in FIG. 7B, cylindrical fine holes are formed as contact holes 8 in the third interlayer insulating film 7. The contact hole 8 is a hole that leads to a drain region (not shown). The fine holes of the contact hole 8 may be formed with a predetermined hole diameter and may have a shape other than a cylindrical shape (for example, a prismatic shape).

次に、図7(c)に示すように、第3層間絶縁膜上に画素電極9を公知の方法で形成する。画素電極9は、突条部15の幅方向両側に形成され、コンタクトホール8を介して画素スイッチング用TFT素子のドレイン領域と繋がっている。   Next, as shown in FIG. 7C, the pixel electrode 9 is formed on the third interlayer insulating film by a known method. The pixel electrode 9 is formed on both sides of the protrusion 15 in the width direction, and is connected to the drain region of the pixel switching TFT element via the contact hole 8.

次に、図7(d)に示すように、画素電極9及び突条部15を覆うようにして、基板本体10A上に配向膜13を形成する。スピンコート法を用いて、ポリイミド或いはSiO2等を成膜することにより配向膜13としている。以上のような工程を経て、TFTアレイ基板10が作成される。   Next, as shown in FIG. 7D, an alignment film 13 is formed on the substrate body 10A so as to cover the pixel electrodes 9 and the protrusions 15. The alignment film 13 is formed by depositing polyimide, SiO 2 or the like using a spin coating method. The TFT array substrate 10 is formed through the above steps.

次に、本実施形態の液晶装置に表示用電気信号を入れた際、液晶の配向状態が如何なる配向の仕方を示すのか以下に詳しく説明する。図8は、電圧印加時における液晶の配列状態を示す説明図である。図9は、横電界の影響を受けた液晶の配向方向を示す説明図である。図10は、図9のM−M’断面図である。   Next, it will be described in detail how the alignment state of the liquid crystal shows the alignment method when an electric signal for display is input to the liquid crystal device of the present embodiment. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the alignment state of the liquid crystal when a voltage is applied. FIG. 9 is an explanatory view showing the alignment direction of the liquid crystal affected by the lateral electric field. 10 is a cross-sectional view taken along the line M-M ′ of FIG. 9.

図8に示すように、本実施形態の液晶装置1には、上述の通りネマチック液晶分子21の配向方向(図中y方向)に垂直な方向に隣接する画素電極9間に突条部15が形成されている。突条部15を介して隣接する画素電極9a,9bに異なる電圧を印加すると、画素電極9a及び画素電極9b間にはこの方向に電界(以下、横電界Eと称する)が発生する。本実施形態においては、画素電極9aに0V、画素電極9bに5Vを印加するものとする。   As shown in FIG. 8, in the liquid crystal device 1 of this embodiment, the protrusions 15 are provided between the pixel electrodes 9 adjacent to each other in the direction perpendicular to the alignment direction (y direction in the figure) of the nematic liquid crystal molecules 21 as described above. Is formed. When different voltages are applied to the adjacent pixel electrodes 9a and 9b via the protrusions 15, an electric field (hereinafter referred to as a transverse electric field E) is generated in this direction between the pixel electrodes 9a and 9b. In this embodiment, it is assumed that 0V is applied to the pixel electrode 9a and 5V is applied to the pixel electrode 9b.

画素電極9aに印加される電圧は0V、つまり電圧が印加されないことに等しいことから、画素電極9a上に位置するネマチック液晶分子21の配向は、電圧無印加時における初期配向状態(すなわち、TFTアレイ基板10及び対向基板20間で略均一にねじれた状態)と変わらない。一方、画素電極9bに印加される電圧は5Vであるため、対向電極28との間に生じる電界により、基板面に対してネマチック液晶分子21が垂直に配向する。   Since the voltage applied to the pixel electrode 9a is equal to 0V, that is, no voltage is applied, the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 positioned on the pixel electrode 9a is in the initial alignment state when no voltage is applied (that is, the TFT array). The state is almost the same as that between the substrate 10 and the counter substrate 20. On the other hand, since the voltage applied to the pixel electrode 9b is 5V, the nematic liquid crystal molecules 21 are aligned perpendicular to the substrate surface by the electric field generated between the counter electrode 28 and the pixel electrode 9b.

図9に示すように、横電界Eは、互いに異なる電圧が印加された画素電極9a,9b間で生じる。横電界Eの影響は、各画素電極9a,9bの端部上に位置するネマチック液晶分子21が最も受け易い。本実施形態の液晶装置1は、上述したように誘電率異方性が正のネマチック液晶分子21を用いている。誘電率異方性が正のネマチック液晶分子21は、図10に示すように、その長軸方向を横電界Eの方向に沿って配向しようとする性質を有している。   As shown in FIG. 9, the horizontal electric field E is generated between the pixel electrodes 9a and 9b to which different voltages are applied. The influence of the horizontal electric field E is most easily received by the nematic liquid crystal molecules 21 located on the end portions of the pixel electrodes 9a and 9b. As described above, the liquid crystal device 1 of the present embodiment uses nematic liquid crystal molecules 21 having positive dielectric anisotropy. The nematic liquid crystal molecules 21 having a positive dielectric anisotropy have a property of aligning the major axis direction along the direction of the transverse electric field E as shown in FIG.

そのため、画素電極9間に突条部15のない従来のTN型液晶装置では、図11に示すように、TFTアレイ基板10に設けられた相隣接する画素電極9a,9b間に異なる電圧を印加した際、各電極端で発生する横電界Eによって液晶配向のばらつきが生じてしまっていた。ネマチック液晶分子21の配向不良は、図中の丸印で囲んだ部分において多く発生し、問題なのは配向不良領域Bが画素領域Cにまで及んでいることである。   Therefore, in the conventional TN type liquid crystal device having no protrusion 15 between the pixel electrodes 9, different voltages are applied between adjacent pixel electrodes 9a and 9b provided on the TFT array substrate 10, as shown in FIG. In this case, the variation in liquid crystal alignment was caused by the lateral electric field E generated at each electrode end. Many alignment defects of the nematic liquid crystal molecules 21 occur in a portion surrounded by a circle in the figure, and the problem is that the alignment defect region B extends to the pixel region C.

さらに詳しくは、各画素電極9a,9bの中央部分に位置するネマチック液晶分子21はノーマル配向(横電界の影響のない配向)しているが、画素電極9a,9bの端部付近に位置するネマチック液晶分子21は横電界Eの影響を受けてリバースツイストしてしまっている。   More specifically, the nematic liquid crystal molecules 21 located in the central portion of each pixel electrode 9a, 9b are normally oriented (alignment not affected by the lateral electric field), but are nematic located near the ends of the pixel electrodes 9a, 9b. The liquid crystal molecules 21 are reverse twisted under the influence of the transverse electric field E.

このように、リバースツイストするネマチック液晶分子21の多くは画素領域Cの端部で生じる傾向にある。ネマチック液晶分子21の配向不良が生じると、液晶同士の干渉に起因するディスクリネーション(線欠陥)が発生してしまう。このディスクリネーションの発生及びその消失にはヒステリシスを伴うため、例えば、残像等が発生して画像の表示品位が低下するという心配があった。   Thus, many of the nematic liquid crystal molecules 21 that are reverse twisted tend to be generated at the end of the pixel region C. When alignment failure of the nematic liquid crystal molecules 21 occurs, disclination (line defect) due to interference between the liquid crystals occurs. Since the occurrence and disappearance of this disclination is accompanied by hysteresis, there is a concern that, for example, an afterimage or the like occurs and the display quality of the image is deteriorated.

所望とする配向状態でないネマチック液晶分子21の配向不良は、図3(a)に示したように、液晶パネル40に二枚の偏光板22,23(偏光板22,23をクロスニコルに配置して、配向膜13のラビング方向に対して偏光板22の光透過軸Lが平行をなすように配置するとともに、配向膜14のラビング方向に対して偏光板23の光透過軸Nが平行をなすように配置した場合)を配置したときに局所的に透過率変化が著しく変化するように見えてしまう。また、図11に示すように、液晶の配向不良領域Bは、画素電極9a,9bの端部上にまで及んでいるため、第1遮光膜11aによる遮蔽領域を画素領域Cの内側にまで広げる必要があった。これに起因する開口率の低下が懸念されていた。   As shown in FIG. 3A, the alignment failure of the nematic liquid crystal molecules 21 that are not in the desired alignment state is caused by arranging two polarizing plates 22 and 23 (polarizing plates 22 and 23 in a crossed Nicols state) on the liquid crystal panel 40. Thus, the light transmission axis L of the polarizing plate 22 is parallel to the rubbing direction of the alignment film 13, and the light transmission axis N of the polarizing plate 23 is parallel to the rubbing direction of the alignment film 14. When arranged in such a manner, the change in transmittance appears to change significantly locally. Further, as shown in FIG. 11, since the alignment defect region B of the liquid crystal extends to the end portions of the pixel electrodes 9a and 9b, the shielding region by the first light shielding film 11a is extended to the inside of the pixel region C. There was a need. There has been concern about a decrease in the aperture ratio due to this.

しかしながら、本実施形態によれば、横電界Eの影響を最も受けやすい画素領域Cの境界部分における配向膜13を液晶層50内へと突出させているので、液晶の配向方向に垂直に発生する横電界Eの影響を受けるネマチック液晶分子21の配向を、配向膜13のラビングによって規制することが可能となる。詳しくは以下に述べる。   However, according to the present embodiment, since the alignment film 13 at the boundary portion of the pixel region C that is most susceptible to the lateral electric field E protrudes into the liquid crystal layer 50, the alignment film 13 is generated perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal. The alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 affected by the lateral electric field E can be regulated by rubbing the alignment film 13. Details are described below.

既に述べているように、液晶層50は、画素電極9a,9bの端部間における所定領域において横電界Eの影響を最も受け易い。そのため、図8に示す本実施形態のように、液晶の配向方向に沿って延在するとともに横電界Eの影響を受け易い液晶層50の所定領域内に突出する突条部15を形成し、その表面を覆うようにして配向膜13を設けてTFTアレイ基板10を構成すれば、該配向膜13の膜面が横電界E(横電界Eの閉曲線)に沿うようにして存在することになる。その結果、突条部15の周辺に存在するネマチック液晶分子21(横電界Eの影響を最も受けやすい液晶)が、配向膜13から突条部15に沿う方向の配向規制力を受けることになる。つまり、横電界Eよりも配向膜13の配向規制力の方が大きいことからネマチック液晶21の配向制御が可能になる。   As already described, the liquid crystal layer 50 is most susceptible to the influence of the lateral electric field E in a predetermined region between the end portions of the pixel electrodes 9a and 9b. Therefore, as in the present embodiment shown in FIG. 8, a protrusion 15 is formed that extends along the alignment direction of the liquid crystal and protrudes within a predetermined region of the liquid crystal layer 50 that is easily affected by the transverse electric field E, If the TFT array substrate 10 is formed by providing the alignment film 13 so as to cover the surface, the film surface of the alignment film 13 exists along the horizontal electric field E (the closed curve of the horizontal electric field E). . As a result, the nematic liquid crystal molecules 21 (liquid crystal that is most susceptible to the influence of the transverse electric field E) existing around the ridge 15 are subjected to the alignment regulating force in the direction along the ridge 15 from the alignment film 13. . That is, since the alignment regulating force of the alignment film 13 is greater than the lateral electric field E, the alignment control of the nematic liquid crystal 21 can be performed.

よって、横電界Eの影響を受けてリバースツイストしようとするネマチック液晶分子21の挙動を、配向膜13のラビングで阻害することができる。配向膜13によって規制されたネマチック液晶分子21の配向に伴って画素電極9a,9b上に位置する他のネマチック液晶分子21の配向方向が規定される。よって、ネマチック液晶分子21が横電界Eの影響を受けたとしてもリバースツイストすることなく良好な配向状態となる。   Therefore, the behavior of the nematic liquid crystal molecules 21 to be reverse twisted under the influence of the lateral electric field E can be inhibited by rubbing the alignment film 13. With the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 regulated by the alignment film 13, the alignment direction of the other nematic liquid crystal molecules 21 positioned on the pixel electrodes 9a and 9b is defined. Therefore, even if the nematic liquid crystal molecules 21 are affected by the lateral electric field E, the nematic liquid crystal molecules 21 are in a good alignment state without being reverse twisted.

このように、ネマチック液晶分子21の配向を効果的に規制可能なラビングを有した配向膜13を、横電界Eの影響を最も受けやすい液晶層50の所定領域内へ突出させる構成とすることによって、膜面上のネマチック液晶21が確実にラビング方向に沿うことになる。すると、膜面上のネマチック液晶分子21の配向に伴って他のネマチック液晶分子21がノーマル配向をすることになるため、横電界Eによる影響を低減させることができる。このように、ネマチック液晶分子21の配向方向を規制してリバースツイストが発生することを防止することによって、画素領域C内における略全てのネマチック液晶分子21をノーマル配向させることができる。   As described above, the alignment film 13 having a rubbing capable of effectively regulating the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 is configured to protrude into a predetermined region of the liquid crystal layer 50 that is most susceptible to the lateral electric field E. The nematic liquid crystal 21 on the film surface is surely along the rubbing direction. Then, the other nematic liquid crystal molecules 21 are normally aligned with the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 on the film surface, so that the influence of the lateral electric field E can be reduced. In this way, by restricting the alignment direction of the nematic liquid crystal molecules 21 to prevent the occurrence of reverse twist, substantially all of the nematic liquid crystal molecules 21 in the pixel region C can be normally aligned.

このようにして液晶21の配向方向を制御することによって、画素領域C内におけるネマチック液晶分子21の配向が安定して液晶同士の干渉が防止される。これにより、ディスクリネーションの発生を防止及び抑制することができて高透過率を実現できる。   By controlling the alignment direction of the liquid crystal 21 in this manner, the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 in the pixel region C is stabilized and interference between the liquid crystals is prevented. Thereby, the occurrence of disclination can be prevented and suppressed, and high transmittance can be realized.

また、ネマチック液晶分子21のリバースツイストを防止することでネマチック液晶分子21の配向制御が迅速に行われ、これにより、ネマチック液晶分子21の応答時間が向上するので画像の残像発生を抑制することができる。これにより、残像等が発生することもなく光の透過率を高度に保つことができる。よって、画像の表示品位が向上し、視認性の良い画像を提供することができる。   Further, by preventing reverse twist of the nematic liquid crystal molecules 21, the alignment control of the nematic liquid crystal molecules 21 can be performed quickly, thereby improving the response time of the nematic liquid crystal molecules 21 and suppressing the afterimage generation of the image. it can. Thereby, the light transmittance can be maintained at a high level without generating afterimages. Therefore, the display quality of the image is improved and an image with high visibility can be provided.

また、図8に示すように、画素電極9aに0V、画素電極9bに5Vの電圧が印加された場合、突条部15の上方は、画素電極9a上で初期配向(電圧無印加時における配向)状態の液晶群と、画素電極9b上で垂直配向する液晶群との境目となるので、ネマチック液晶分子21の配向に若干の乱れが生じてしまう。しかしながら、本実施形態における配向不良領域Bは、図11に示した従来の配向不良領域Bに比べて縮小されている。すなわち、従来の液晶装置では配向不良が画素領域C内にまで及んでいたのに対し、本実施形態では、ネマチック液晶分子21の配向不良が画素電極9a,9b上では発生していない。つまり、画素領域C全体を十分に表示に活用することができる。   As shown in FIG. 8, when a voltage of 0V is applied to the pixel electrode 9a and a voltage of 5V is applied to the pixel electrode 9b, the upper portion of the protrusion 15 is initially aligned on the pixel electrode 9a (alignment when no voltage is applied). ) State and the liquid crystal group vertically aligned on the pixel electrode 9b, so that the alignment of the nematic liquid crystal molecules 21 is slightly disturbed. However, the alignment failure region B in the present embodiment is reduced as compared with the conventional alignment failure region B shown in FIG. That is, in the conventional liquid crystal device, the alignment defect extends to the pixel region C, whereas in this embodiment, the alignment defect of the nematic liquid crystal molecules 21 does not occur on the pixel electrodes 9a and 9b. That is, the entire pixel region C can be fully utilized for display.

また、本実施形態における配向不良領域Bは画素間における遮光部分に対応している。つまり、画素間に第1遮光膜11a及び第2遮光膜19を格子状に設けることによって、突条部15の上方で発生するノイズ光がシャットアウトされる。よって、領域Bの光透過率が表示に影響することはなく、これら第1遮光膜11a及び第2遮光膜19によってより画像のコントラストを向上させることができる。また、従来の液晶装置に比べて液晶の配向不良が少ないため、第1遮光膜11a及び第2遮光膜19を設ける領域を縮小することができる。図11に示す従来の第1遮光膜11aは、画素間のみならず、画素領域Cの端部まで遮蔽するように設けられていた。これに対し、図8に示す本実施形態の第1遮光膜11aは、画素間のみを遮蔽するように設けられている。したがって、第1遮光膜11aによる遮蔽領域を縮小することができる。   Further, the poor alignment region B in the present embodiment corresponds to a light shielding portion between pixels. In other words, by providing the first light-shielding film 11a and the second light-shielding film 19 between the pixels in a lattice shape, noise light generated above the protrusions 15 is shut out. Therefore, the light transmittance of the region B does not affect the display, and the first light shielding film 11a and the second light shielding film 19 can further improve the contrast of the image. In addition, since there are fewer liquid crystal alignment defects than in the conventional liquid crystal device, the area where the first light-shielding film 11a and the second light-shielding film 19 are provided can be reduced. The conventional first light-shielding film 11a shown in FIG. 11 is provided so as to shield not only between pixels but also the end of the pixel region C. On the other hand, the first light shielding film 11a of this embodiment shown in FIG. 8 is provided so as to shield only between pixels. Therefore, the shielding area by the first light shielding film 11a can be reduced.

このように、画素領域C内におけるネマチック液晶21のリバースツイストの発生を防止することで第1遮光膜11aを設ける領域を縮小させることが可能となり、開口率を向上させることができる。   As described above, by preventing the reverse twist of the nematic liquid crystal 21 in the pixel region C, the region where the first light shielding film 11a is provided can be reduced, and the aperture ratio can be improved.

また、液晶の配向方向(ラビング方向)に沿って隣接する画素電極9同士に異なる電圧が印加された場合、横電界は液晶の配向方向と同方向に生じることになる。そのため、この横電界は液晶の配向不良を引き起こす要因にはならない。よって、マトリクス状に配設された全ての画素電極9間に介在するように突条部15を格子状に設ける必要はない。   Further, when different voltages are applied to the pixel electrodes 9 adjacent to each other along the alignment direction (rubbing direction) of the liquid crystal, the lateral electric field is generated in the same direction as the alignment direction of the liquid crystal. Therefore, this lateral electric field does not cause a liquid crystal alignment defect. Therefore, it is not necessary to provide the protrusions 15 in a lattice pattern so as to be interposed between all the pixel electrodes 9 arranged in a matrix.

以上、本実施形態の一実施形態としての液晶装置1を説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、各請求項に記載した範囲を逸脱しない限り、各請求項の記載文言に限定されず、当業者がそれらから容易に置き換えられる範囲にも及び、且つ当業者が通常有する知識に基づく改良を適宜付加することができる。   The liquid crystal device 1 as one embodiment of the present embodiment has been described above. However, the present embodiment is not limited to this, and the wording of each claim is not departed from the scope described in each claim. However, the present invention is not limited to the above, and the scope of the present invention can be easily replaced by those skilled in the art, and improvements based on the knowledge that those skilled in the art normally have can be added as appropriate.

例えば、本実施形態では、画像表示用スイッチングTFT素子30を用いたアクティブマトリクス型液晶装置についてのみ説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、TFD(Thin-Film Diode)素子を用いたアクティブマトリクス型液晶装置にも適用可能である。また、本実施形態では、透過型の液晶装置についてのみ説明したが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。このように、本実施形態はいかなる構造の液晶装置にも適用することができる。   For example, in the present embodiment, only the active matrix type liquid crystal device using the image display switching TFT element 30 has been described. However, the present embodiment is not limited to this, and a TFD (Thin-Film Diode) element is used. The present invention can also be applied to the used active matrix liquid crystal device. In the present embodiment, only the transmissive liquid crystal device has been described. However, the present embodiment is not limited to this, and can be applied to a reflective or transflective liquid crystal device. Thus, the present embodiment can be applied to a liquid crystal device having any structure.

上記では、第3層間絶縁膜7に一体形成された突条部15としたが、第3層間絶縁膜7とは別体に設けるようにしてもよい。いずれにせよ、液晶の配向方向に対して垂直に発生する横電界Eの影響を受け易い液晶層50の所定領域内に、ラビング処理が施された配向膜13を突出させることが可能であれば、突条部15がどのような構成をなしていてもよい。   In the above description, the protrusion 15 is formed integrally with the third interlayer insulating film 7, but may be provided separately from the third interlayer insulating film 7. In any case, if the alignment film 13 that has been subjected to the rubbing process can be projected into a predetermined region of the liquid crystal layer 50 that is easily affected by the transverse electric field E generated perpendicularly to the alignment direction of the liquid crystal. The protruding portion 15 may have any configuration.

[電子機器]
上記実施の形態の液晶装置を備えた電子機器の例について説明する。
図12(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図12(a)において、符号500は携帯電話本体を示し、符号501は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。
[Electronics]
Examples of electronic devices including the liquid crystal device of the above embodiment will be described.
FIG. 12A is a perspective view showing an example of a mobile phone. In FIG. 12A, reference numeral 500 denotes a mobile phone body, and reference numeral 501 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.

図12(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図12(b)において、符号600は情報処理装置、符号601はキーボードなどの入力部、符号603は情報処理装置本体、符号602は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。   FIG. 12B is a perspective view showing an example of a portable information processing apparatus such as a word processor or a personal computer. In FIG. 12B, reference numeral 600 denotes an information processing apparatus, reference numeral 601 denotes an input unit such as a keyboard, reference numeral 603 denotes an information processing apparatus body, and reference numeral 602 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment. .

図12(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図12(c)において、符号700は時計本体を示し、符号701は上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部を示している。   FIG. 12C is a perspective view illustrating an example of a wristwatch type electronic device. In FIG. 12C, reference numeral 700 denotes a watch body, and reference numeral 701 denotes a liquid crystal display unit using the liquid crystal device of the above embodiment.

このように図12に示す電子機器は、表示部に上述の本実施形態の一例たる液晶装置を適用したものであるので、例えばラビング処理を施したときのようなラビング筋が表示される不具合がなく、また高コントラストで明るく品質の高い表示を長期に渡って維持することが可能な表示装置となる。   As described above, since the electronic apparatus shown in FIG. 12 uses the above-described liquid crystal device as an example of the present embodiment for the display unit, there is a problem that rubbing streaks, for example, when a rubbing process is performed is displayed. In addition, the display device can maintain a high-contrast, bright and high-quality display over a long period of time.

[投射型表示装置]
次に、上記実施形態の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置(プロジェクタ)の構成について、図13を参照して説明する。図13は、上記実施形態の液晶装置を光変調装置として用いた投射型表示装置の要部を示す概略構成図である。図13において、810は光源、813、814はダイクロイックミラー、815、816、817は反射ミラー、818は入射レンズ、819はリレーレンズ、820は出射レンズ、822、823、824は液晶光変調装置、825はクロスダイクロイックプリズム、826は投写レンズを示す。
[Projection type display device]
Next, a configuration of a projection display device (projector) including the liquid crystal device according to the above-described embodiment as light modulation means will be described with reference to FIG. FIG. 13 is a schematic configuration diagram showing a main part of a projection display device using the liquid crystal device of the above embodiment as a light modulation device. In FIG. 13, 810 is a light source, 813 and 814 are dichroic mirrors, 815, 816 and 817 are reflection mirrors, 818 is an incident lens, 819 is a relay lens, 820 is an exit lens, 822, 823 and 824 are liquid crystal light modulators, Reference numeral 825 denotes a cross dichroic prism, and reference numeral 826 denotes a projection lens.

光源810はメタルハライド等のランプ811とランプの光を反射するリフレクタ812とからなる。青色光、緑色光反射のダイクロイックミラー813は、光源810からの光束のうちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー817で反射されて、上述の本実施形態の一例たる液晶装置を備えた赤色光用液晶光変調装置822に入射される。   The light source 810 includes a lamp 811 such as a metal halide and a reflector 812 that reflects the light of the lamp. The dichroic mirror 813 that reflects blue light and green light transmits red light out of the light flux from the light source 810 and reflects blue light and green light. The transmitted red light is reflected by the reflection mirror 817 and enters the liquid crystal light modulation device 822 for red light including the liquid crystal device as an example of the above-described embodiment.

一方、ダイクロイックミラー813で反射された色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラー814によって反射され、上述の本実施形態の一例たる液晶装置を備えた緑色光用液晶光変調装置823に入射される。なお、青色光は第2のダイクロイックミラー814も透過する。青色光に対しては、光路長が緑色光、赤色光と異なるのを補償するために、入射レンズ818、リレーレンズ819、出射レンズ820を含むリレーレンズ系からなる導光手段821が設けられ、これを介して青色光が上述の本実施形態の一例たる液晶装置を備えた青色光用液晶光変調装置824に入射される。   On the other hand, green light out of the color light reflected by the dichroic mirror 813 is reflected by the dichroic mirror 814 that reflects green light, and enters the liquid crystal light modulation device 823 for green light including the liquid crystal device according to the above-described embodiment. The Note that the blue light also passes through the second dichroic mirror 814. For blue light, light guide means 821 comprising a relay lens system including an incident lens 818, a relay lens 819, and an exit lens 820 is provided in order to compensate for the difference in optical path length from green light and red light. Through this, the blue light enters the liquid crystal light modulation device 824 for blue light including the liquid crystal device as an example of the above-described embodiment.

各光変調装置により変調された3つの色光はクロスダイクロイックプリズム825に入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投写光学系である投写レンズ826によってスクリーン827上に投写され、画像が拡大されて表示される。   The three color lights modulated by the respective light modulation devices are incident on the cross dichroic prism 825. In this prism, four right-angle prisms are bonded together, and a dielectric multilayer film that reflects red light and a dielectric multilayer film that reflects blue light are formed in a cross shape on the inner surface. These dielectric multilayer films combine the three color lights to form light representing a color image. The synthesized light is projected onto the screen 827 by the projection lens 826 which is a projection optical system, and the image is enlarged and displayed.

液晶装置の概略構成を示す平面図である。It is a top view which shows schematic structure of a liquid crystal device. 図1のH−H’断面図である。It is H-H 'sectional drawing of FIG. 液晶装置における画素領域の構成を模式的に示す平面図である。It is a top view which shows typically the structure of the pixel area | region in a liquid crystal device. 図3のD−D断面図である。It is DD sectional drawing of FIG. TFTアレイ基板上における相隣接する複数の画素群の構造を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the several pixel group which adjoins on a TFT array substrate. 図5のN−N’断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line N-N ′ of FIG. 5. 液晶装置におけるTFTアレイ基板の一製造工程を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows one manufacturing process of the TFT array substrate in a liquid crystal device. 電圧印加時における液晶の傾倒状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the inclination state of the liquid crystal at the time of a voltage application. 横電界の影響を受けた液晶の配向方向を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the orientation direction of the liquid crystal which received the influence of the horizontal electric field. 図10のM−M’断面図である。It is M-M 'sectional drawing of FIG. 従来の液晶装置における電圧印加時の液晶配向を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the liquid crystal orientation at the time of the voltage application in the conventional liquid crystal device. 本実施形態に係る電子機器について幾つかの例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows some examples about the electronic device which concerns on this embodiment. 本実施形態に係る投射型表示装置についての一例を示す図である。It is a figure which shows an example about the projection type display apparatus which concerns on this embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…液晶装置、9…画素電極、10…TFTアレイ基板、13…配向膜、14…配向膜、15…突条部(凸部)、28…対向電極、20…対向基板、21…ネマチック液晶、50…液晶層、A…画像表示領域、B…領域、C…画素領域、E…横電界、L…透過軸、N…透過軸、S…隙間、U…画素電極群 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device, 9 ... Pixel electrode, 10 ... TFT array substrate, 13 ... Orientation film, 14 ... Orientation film, 15 ... Projection part (convex part), 28 ... Counter electrode, 20 ... Counter substrate, 21 ... Nematic liquid crystal 50 ... Liquid crystal layer, A ... Image display area, B ... Area, C ... Pixel area, E ... Transverse electric field, L ... Transmission axis, N ... Transmission axis, S ... Gap, U ... Pixel electrode group

Claims (3)

一対の基板間に、誘電率異方性が正の液晶からなる液晶層を挟持してなるツイストネマチック型である液晶表示素子において、
前記一対の基板のうち一方の基板の前記液晶層側に、複数の画素電極と、
相隣接する前記画素電極のうち、前記一方の基板上における電圧無印加時での前記液晶の配向方向に対して垂直な方向に隣接する前記画素電極同士の間に、前記液晶の配向方向と平行な方向に延在する凸部と、
前記凸部を覆うように形成され、前記電圧無印加時の液晶の配向方向を規制する配向膜と、
前記一対の基板のうち他方の基板の前記液晶層側に設けられる対向電極と、が設けられたことを特徴とする液晶装置。
In a liquid crystal display element of a twisted nematic type in which a liquid crystal layer made of a liquid crystal having a positive dielectric anisotropy is sandwiched between a pair of substrates,
A plurality of pixel electrodes on the liquid crystal layer side of one of the pair of substrates,
Among the pixel electrodes adjacent to each other, between the pixel electrodes adjacent to each other in a direction perpendicular to the alignment direction of the liquid crystal when no voltage is applied on the one substrate, parallel to the alignment direction of the liquid crystal. Convex portions extending in various directions,
An alignment film that is formed so as to cover the convex part and regulates the alignment direction of the liquid crystal when no voltage is applied;
And a counter electrode provided on the liquid crystal layer side of the other substrate of the pair of substrates.
前記凸部は、前記液晶の配向方向に沿うように、前記液晶の配向方向に隣接する複数の画素電極に亘って連続的に延在していることを特徴とする請求項1記載の液晶装置。     2. The liquid crystal device according to claim 1, wherein the convex portion extends continuously across a plurality of pixel electrodes adjacent to the alignment direction of the liquid crystal so as to be along the alignment direction of the liquid crystal. . 請求項1又は2に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。     An electronic apparatus comprising the liquid crystal device according to claim 1.
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