JP2008042372A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、アナログ信号のサンプル/ホールド技術に関し、特に、光ディスク装置における高精度なサンプル/ホールド処理に有効な技術に関する。 The present invention relates to an analog signal sample / hold technique, and more particularly to a technique effective for highly accurate sample / hold processing in an optical disc apparatus.
DVD(Digital Versatile Disc)ドライブなどに例示される光ディスク装置には、フロントエンド処理用の半導体集積回路装置が設けられている。 2. Description of the Related Art An optical disc device exemplified by a DVD (Digital Versatile Disc) drive is provided with a semiconductor integrated circuit device for front-end processing.
この種の半導体集積回路装置は、光ディスクから読み取った信号をアナログ信号処理にて抽出する。このフロントエンド処理では、RF(Radio Frequency)帯域の入力信号をサンプリング、およびホールドする各種のサンプル/ホールド回路が広く用いられている。 This type of semiconductor integrated circuit device extracts a signal read from an optical disc by analog signal processing. In this front-end processing, various sample / hold circuits that sample and hold an input signal in an RF (Radio Frequency) band are widely used.
近年、光ディスク装置の普及に伴い、高倍速での再生や記録への対応が不可欠となっており、これら高倍速の再生、記録を実現するためには、高速でかつ高精度なサンプルホールド回路が必要となる。 In recent years, with the widespread use of optical disk devices, it has become essential to support playback and recording at high speeds. To realize these high speed playback and recording, a high-speed and high-precision sample-and-hold circuit is required. Necessary.
一般に、サンプル/ホールド回路は、スイッチとして機能するMOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタと静電容量素子とにより構成されたもの、あるいはMOSトランジスタと静電容量素子に、抵抗が加えられた構成からなるものなどがある。 In general, the sample / hold circuit is composed of a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor that functions as a switch and a capacitance element, or a configuration in which a resistance is added to the MOS transistor and the capacitance element. and so on.
MOSトランジスタと静電容量素子とからなる場合、MOSトランジスタの一方の接続部が光ピックアップから読み出された入力信号が入力されるように接続されている。MOSトランジスタの他方の接続部と基準電位VSSとの間には、静電容量素子が接続されており、該MOSトランジスタの他方の接続部が、サンプル/ホールド回路のサンプリング信号の出力部となる。 In the case of the MOS transistor and the capacitive element, one connection portion of the MOS transistor is connected so that an input signal read from the optical pickup is inputted. A capacitance element is connected between the other connection portion of the MOS transistor and the reference potential VSS, and the other connection portion of the MOS transistor becomes an output portion of a sampling signal of the sample / hold circuit.
また、MOSトランジスタと静電容量素子に、抵抗が加えられているサンプル/ホールド回路の場合には、光ピックアップから読み出された入力信号が入力される入力部とMOSトランジスタの一方の接続部との間に抵抗が直列接続されている構成と、MOSトランジスタの他方の接続部と静電容量素子の一方の接続部が接続されている間に、抵抗が接続されている構成とが知られている。 In the case of a sample / hold circuit in which a resistance is added to the MOS transistor and the capacitive element, an input portion to which an input signal read from the optical pickup is inputted and one connection portion of the MOS transistor And a configuration in which a resistor is connected while the other connection portion of the MOS transistor and one connection portion of the capacitance element are connected. Yes.
ところが、上記のようなサンプル/ホールド回路による回路構成では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。 However, the present inventor has found that the circuit configuration using the sample / hold circuit as described above has the following problems.
MOSトランジスタと静電容量素子とからなるサンプル/ホールド回路の場合には、サンプリング時のノイズ感度が高いために、ノイズによるサンプリング/ホールド誤差が大きくなってしまうという問題がある。 In the case of a sample / hold circuit composed of a MOS transistor and a capacitance element, there is a problem that a sampling / hold error due to noise increases because of high noise sensitivity during sampling.
また、MOSトランジスタと静電容量素子に抵抗を加えた構成のサンプル/ホールド回路では、MOSトランジスタがOFF(ホールド状態)からON(サンプリング開始)に切り換わる時に発生する、ホールド状態出力電圧とサンプリング開始時出力電圧との差分(オフセット)であるサンプリングオフセット電圧と、MOSトランジスタがON(サンプリング状態)からOFF(ホールド開始)に切り換わる時に発生する、サンプリング状態出力電圧とホールド開始時出力電圧との差分(オフセット)であるホールドオフセット電圧とが同じにならないために、サンプリング期間が短くなると、サンプリング/ホールド誤差が大きくなってしまうという問題がある。 In addition, in the sample / hold circuit with a resistance added to the MOS transistor and the capacitance element, the hold state output voltage and the sampling start that are generated when the MOS transistor is switched from OFF (hold state) to ON (sampling start). The difference between the sampling offset voltage, which is the difference (offset) from the output voltage, and the difference between the sampling state output voltage and the hold start output voltage that occurs when the MOS transistor switches from ON (sampling state) to OFF (hold start) Since the hold offset voltage which is (offset) is not the same, there is a problem that the sampling / hold error increases when the sampling period is shortened.
本発明の目的は、ノイズ感度が小さく、サンプリング/ホールド誤差のサンプリング依存期間を小さく抑えることにより、高精度で安定したサンプリング/ホールドを実現することのできる技術を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a technique capable of realizing highly accurate and stable sampling / holding by suppressing the sampling dependency period of the sampling / holding error to a low level with low noise sensitivity.
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。 Of the inventions disclosed in the present application, the outline of typical ones will be briefly described as follows.
本発明による半導体集積回路装置は、スイッチング動作を行うトランジスタと、サンプル容量である静電容量素子と、サンプリング期間にかかわらず、ホールドオフセット電圧とサンプリングオフセット電圧とを略等しくするオフセット電圧制限部とを備えたサンプル/ホールド回路を有したものである。 A semiconductor integrated circuit device according to the present invention includes a transistor that performs a switching operation, a capacitance element that is a sample capacitor, and an offset voltage limiter that substantially equalizes the hold offset voltage and the sampling offset voltage regardless of the sampling period. It has a sample / hold circuit provided.
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。 Moreover, the outline | summary of the other invention of this application is shown briefly.
本発明による半導体集積回路装置は、前記オフセット電圧制限部が、一方の接続部に入力信号が入力され、他方の接続部には、トランジスタの一方の接続部が接続された第1の抵抗と、一方の接続部にトランジスタの他方の接続部が接続され、他方の接続部がサンプル/ホールド回路の出力部となり、他方の接続部と基準電位との間に静電容量素子が接続された第2の抵抗とよりなるものである。 In the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, the offset voltage limiting unit has a first resistor in which an input signal is input to one connection unit, and one connection unit of the transistor is connected to the other connection unit, A second connection portion in which the other connection portion of the transistor is connected to one connection portion, the other connection portion serves as an output portion of the sample / hold circuit, and a capacitance element is connected between the other connection portion and the reference potential. It consists of resistance.
また、本発明による半導体集積回路装置は、前記サンプル/ホールド回路が、光ディスク装置のアナログフロントエンド処理に用いられるものである。 In the semiconductor integrated circuit device according to the present invention, the sample / hold circuit is used for analog front-end processing of an optical disk device.
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。 Among the inventions disclosed in the present application, effects obtained by typical ones will be briefly described as follows.
(1)サンプリング/ホールド誤差のサンプリング依存期間を大幅に小さくすることができ、サンプリング/ホールドばらつきを大幅に抑えることができる。 (1) The sampling-dependent period of the sampling / hold error can be greatly reduced, and the sampling / hold variation can be greatly suppressed.
(2)また、上記(1)により、サンプル/ホールド回路を用いて構成された半導体集積回路装置を光ディスク装置に用いることにより、記録、再生を高倍速で安定して行うことができる。 (2) According to the above (1), by using a semiconductor integrated circuit device configured using a sample / hold circuit for an optical disk device, recording and reproduction can be stably performed at a high speed.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Note that components having the same function are denoted by the same reference symbols throughout the drawings for describing the embodiment, and the repetitive description thereof will be omitted.
図1は、本発明の一実施の形態による半導体集積回路装置のブロック図、図2は、図1の半導体集積回路装置に備えられたサンプル/ホールド回路の構成を示す回路図、図3は、図2のサンプル/ホールド回路におけるサンプリング期間とサンプリングオフセット電圧/ホールドオフセット電圧の関係を示す説明図、図4は、本発明者が検討したサンプル/ホールド回路におけるサンプリング期間とサンプリングオフセット電圧/ホールドオフセット電圧の関係の一例を示す説明図、図5は、本発明者が検討したサンプル/ホールド回路におけるサンプリング期間とサンプリングオフセット電圧/ホールドオフセット電圧の関係の他例を示す説明図である。 FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor integrated circuit device according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration of a sample / hold circuit provided in the semiconductor integrated circuit device of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is an explanatory diagram showing the relationship between the sampling period and the sampling offset voltage / hold offset voltage in the sample / hold circuit of FIG. 2, and FIG. 4 shows the sampling period and the sampling offset voltage / hold offset voltage in the sample / hold circuit examined by the present inventors. FIG. 5 is an explanatory diagram showing another example of the relationship between the sampling period and the sampling offset voltage / hold offset voltage in the sample / hold circuit studied by the present inventors.
本実施の形態において、半導体集積回路装置1は、DVDドライブなどに例示される光ディスク装置において、光ディスクから読み取った信号から再生信号、およびサーボ信号などのドライブ制御に必要な各種信号を生成するアナログフロントエンド処理用として用いられる。 In the present embodiment, the semiconductor integrated circuit device 1 is an analog front that generates various signals necessary for drive control such as a reproduction signal and a servo signal from a signal read from an optical disk in an optical disk device exemplified by a DVD drive. Used for end processing.
半導体集積回路装置1は、図1に示すように、インタフェース2、RF(Radio Frequency)系回路3、Wobble/各種検出回路4、サーボ系回路5、ならびにAPC(Auto Laser Power Control)回路6から構成されている。
As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit device 1 includes an
インタフェース2は、ピックアップ7とのインタフェースであり、光ディスク装置に設けられたピックアップ7から読み出された信号が入力される。ピックアップ7は、回転駆動されるDVDディスクなどの光ディスクにレーザ光を照射し、その反射光をフォトダイオードからなる受光部で受光して光学変換して該光ディスクに記憶されている情報を読み出す。
The
インタフェース2には、RF系回路3、Wobble/各種検出回路4、サーボ系回路5、およびAPC回路6がそれぞれ接続されている。また、RF系回路3、Wobble/各種検出回路4、サーボ系回路5、ならびにAPC回路6には、後段に設けられたデジタル信号処理を行うDSP(Digital Signal Processor)8が接続されている。
An
RF系回路3は、RF帯域の信号から再生信号を生成し、DSP8に該再生信号を出力する。Wobble/各種検出回路4は、Wobble、およびディスクの傷や欠陥、記録部/未記録部などを検出し、その検出結果をDSP8に出力する。
The
サーボ系回路5は、ピックアップ7やレンズの位置を制御するための各種演算を行い、その演算結果をDSP8に出力する。APC回路6は、 再生/記録のレーザパワーを検出し、ピックアップ7にフィードバック、あるいはDSP8に出力する。
The servo system circuit 5 performs various calculations for controlling the positions of the
図2は、サーボ系回路5、およびAPC回路6に設けられたサンプル/ホールド回路9の構成例を示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a configuration example of the sample /
サンプル/ホールド回路9は、図示するように、抵抗10,11、トランジスタ12、およびサンプル容量となる静電容量素子13から構成されている。
As shown in the figure, the sample /
抵抗10の一方の接続部には、入力信号Vinが入力され、該抵抗10の他方の接続部には、MOS構成のトランジスタ12の一方の接続部が接続されている。トランジスタ12の他方の接続部には、抵抗11の一方の接続部が接続されており、該抵抗11の他方の接続部には、静電容量素子13の一方の接続部が接続されている。
The input signal Vin is input to one connection portion of the
また、静電容量素子13の他方の接続部は、基準電位VSSが接続されており、該静電容量素子13の一方の接続部が接続された抵抗11の他方の接続部が、サンプル/ホールド回路9の出力信号Voutが出力される出力部となる。
Further, the reference potential VSS is connected to the other connection portion of the
サンプル/ホールド回路9から出力された出力信号Voutは、サーボ系回路5では後段に接続されたサーボ演算回路などに入力され、APC回路6では、後段に接続されたゲイン調整を行うGCA(Gain Control Amp)などに入力される。
The output signal Vout output from the sample /
次に、本実施の形態におけるサンプル/ホールド回路9の作用について説明する。
Next, the operation of the sample /
まず、サンプル/ホールド回路9におけるサンプリング/ホールド誤差のサンプリング期間依存性について説明する。
First, the dependency of the sampling / hold error in the sample /
サンプリング/ホールド誤差のサンプリング期間依存性は、サンプリングオフセット電圧とホールドオフセット電圧が同じとならない場合に発生する。 The sampling period dependency of the sampling / hold error occurs when the sampling offset voltage and the hold offset voltage are not the same.
サンプリングオフセット電圧、ホールドオフセット電圧は、トランジスタ12がON(サンプリング開始)、あるいはOFF(ホールド開始)した際に、トランジスタ12のゲート(トランジスタ12におけるゲートの寄生容量である対バックゲート容量Cg)と静電容量素子13のサンプル容量Cshとの間の電荷の抜き差しで発生する。
When the
入力信号VinがDCで固定電位の場合を考える。サンプリング(トランジスタ12がON)時に、対バックゲート容量Cgに溜まっている電荷をqgとすると、トランジスタ12がOFFする時は、ゲート生成が解除される方向のため、対バックゲート容量Cgとサンプル容量Cshとの間での電荷抜き差しはqg/2となる(残りのqg/2は、入力信号Vin側との抜き差しとなる)。
Consider the case where the input signal Vin is DC and has a fixed potential. If the charge accumulated in the back gate capacitance Cg at the time of sampling (
これにより、ホールドオフセット電圧ΔVhoffは、
ΔVhoff=qg/2Csh
となる。
As a result, the hold offset voltage ΔVhoff is
ΔVhoff = qg / 2Csh
It becomes.
これに対して、トランジスタ12がONしたときは、入力信号Vin側と静電容量素子13側から同時に対バックゲート容量Cgに電荷の抜き差しが開始される。そのため、対バックゲート容量Cgへの電荷の抜き差しが、入力信号Vin側と静電容量素子13側で等しくqg/2となれば、サンプリングオフセット電圧ΔVsoffは、
ΔVsoff=qg/2Csh
となり、サンプリングオフセット電圧とホールドオフセット電圧とが等しくなる。
On the other hand, when the
ΔVsoff = qg / 2Csh
Thus, the sampling offset voltage and the hold offset voltage are equal.
サンプル/ホールド回路9では、トランジスタ12の両方の接続部に、抵抗10,11がそれぞれ接続されているので、トランジスタ12がONした際の電荷の抜き差しにおいて、入力信号Vin、静電容量素子13側ともに、(Cg/2×R)の時定数を有することになり、前述したように、ホールドオフセット電圧ΔVhoff=qg/2Cshとすることができる。
In the sample /
したがって、サンプリング期間にかかわらず、ホールドオフセット電圧とサンプリングオフセット電圧とを等しくすることが可能となり、図3に示すように、サンプリング/ホールドを繰り返してもオフセット電圧が積み重なってしまうことを防止することができる。 Therefore, the hold offset voltage and the sampling offset voltage can be made equal regardless of the sampling period, and as shown in FIG. 3, it is possible to prevent the offset voltage from being accumulated even if the sampling / holding is repeated. it can.
たとえば、背景技術で述べたように、トランジスタの前段、もしくは後段のいずれか一方にのみ抵抗が設けられているサンプル/ホールド回路では、トランジスタがONした際の電荷の抜き差しが、入力信号Vin側(またはサンプル容量側)で、対バックゲート容量Cgと抵抗とで構成される時定数を有することになり、サンプリングオフセット電圧ΔVsoff=qg/2Cshとならなくなり、サンプリングオフセット電圧とホールドオフセット電圧とが等しくならないことになる。 For example, as described in the background art, in a sample / hold circuit in which a resistor is provided only in one of the preceding stage and the succeeding stage of a transistor, the insertion / extraction of electric charges when the transistor is turned on causes the input signal Vin side ( Or on the sample capacitor side), it has a time constant constituted by the back gate capacitor Cg and the resistance, and the sampling offset voltage ΔVsoff = qg / 2Csh is not obtained, and the sampling offset voltage and the hold offset voltage are not equal. It will be.
サンプリングオフセット電圧とホールドオフセット電圧とが等しくない場合、ホールド後のサンプリング期間(Csh×R)の時定数で、オフセット差分ΔVhoff−ΔVsoffサンプリングしなければならず、サンプリング期間が(Csh×R)の時定数に対して不十分な場合には、サンプリングしきれなかった分がオフセット電圧として残り、図4、および図5に示すように、サンプリング/ホールドを繰り返すことでオフセット電圧が積み重なってしまうことになる。 When the sampling offset voltage and the hold offset voltage are not equal, the offset difference ΔVhoff−ΔVsoff must be sampled with the time constant of the sampling period (Csh × R) after the hold, and when the sampling period is (Csh × R) If the constant is insufficient, the portion that cannot be sampled remains as an offset voltage, and as shown in FIGS. 4 and 5, the offset voltage is accumulated by repeating sampling / holding. .
一方、サンプル/ホールド回路9では、前述したように、ホールドオフセット電圧ΔVhoff=qg/2Cshとすることにより、ホールドオフセット電圧とサンプリングオフセット電圧とを等しくすることができる。
On the other hand, in the sample /
それにより、本実施の形態によれば、サンプリング/ホールド誤差のサンプリング依存期間を大幅に小さくすることができるので、サンプル/ホールド回路9におけるサンプリング/ホールドばらつきを大幅に抑えることができる。
Thereby, according to the present embodiment, the sampling-dependent period of the sampling / hold error can be significantly reduced, so that the sampling / hold variation in the sample /
また、光ディスク装置における記録、再生を高倍速で安定して行うことが可能となる。 In addition, recording and reproduction in the optical disc apparatus can be stably performed at a high speed.
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。 As mentioned above, the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiment. However, the present invention is not limited to the embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
たとえば、前記実施の形態では、アナログフロントエンド処理の半導体集積回路装置にサンプル/ホールド回路を用いた場合について記載したが、本発明は、アナログフロントエンド処理の半導体集積回路装置だけでなく、サンプル/ホールド回路を有する半導体集積回路装置全般に適用することができる。 For example, in the above-described embodiment, the case where the sample / hold circuit is used in the semiconductor integrated circuit device for analog front end processing is described. However, the present invention is not limited to the semiconductor integrated circuit device for analog front end processing. The present invention can be applied to all semiconductor integrated circuit devices having a hold circuit.
図6は、サンプル/ホールド回路9の接続構成例を示したブロック図であり、図7は、サンプル/ホールド回路9を用いて構成されたA/D(Analog/Digital)変換器14の一例を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a connection configuration example of the sample /
図6では、サンプル/ホールド回路9の後段にバッファBが接続されており、該バッファBを介してサンプル/ホールド回路9から出力されたアナログ信号が出力される。
In FIG. 6, a buffer B is connected to the subsequent stage of the sample /
また、図7では、サンプル/ホールド回路9の後段にA/DコンバータADCが接続されており、サンプル/ホールド回路9から出力されたアナログ信号がA/DコンバータADCに入力され、該A/DコンバータADCによってデジタル信号に変換される。そして、A/DコンバータADCから出力されたデジタル信号が、A/D変換器14の出力なる。
In FIG. 7, an A / D converter ADC is connected to the subsequent stage of the sample /
本発明は、サンプル/ホールド回路におけるサンプリング期間依存、およびサンプリング/ホールドばらつきの低減技術に適している。 The present invention is suitable for a technique for reducing sampling period dependency and sampling / hold variation in a sample / hold circuit.
1 半導体集積回路装置
2 インタフェース
3 RF系回路
4 Wobble/各種検出回路
5 サーボ系回路
6 APC回路
7 ピックアップ
8 DSP
9 サンプル/ホールド回路
10,11 抵抗
12 トランジスタ
13 静電容量素子
14A/D変換器
B バッファ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor integrated
9 Sample /
Claims (3)
サンプル容量である静電容量素子と、
サンプリング期間にかかわらず、ホールドオフセット電圧とサンプリングオフセット電圧とを略等しくするオフセット電圧制限部とを備えたサンプル/ホールド回路を有したことを特徴とする半導体集積回路装置。 A transistor that performs a switching operation;
A capacitance element that is a sample capacity;
What is claimed is: 1. A semiconductor integrated circuit device comprising a sample / hold circuit including an offset voltage limiter that makes a hold offset voltage and a sampling offset voltage substantially equal regardless of a sampling period.
前記オフセット電圧制限部は、
一方の接続部に入力信号が入力され、他方の接続部には、前記トランジスタの一方の接続部が接続された第1の抵抗と、
一方の接続部に前記トランジスタの他方の接続部が接続され、他方の接続部が前記サンプル/ホールド回路の出力部となり、前記他方の接続部と基準電位との間に前記静電容量素子が接続された第2の抵抗とよりなることを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1.
The offset voltage limiter is
An input signal is input to one connection portion, and the first connection to which one connection portion of the transistor is connected to the other connection portion;
The other connection portion of the transistor is connected to one connection portion, the other connection portion is an output portion of the sample / hold circuit, and the capacitance element is connected between the other connection portion and a reference potential. A semiconductor integrated circuit device comprising the second resistor.
前記サンプル/ホールド回路は、
光ディスク装置のアナログフロントエンド処理に用いられることを特徴とする半導体集積回路装置。 The semiconductor integrated circuit device according to claim 1 or 2,
The sample / hold circuit includes:
A semiconductor integrated circuit device used for analog front-end processing of an optical disk device.
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WO2024116781A1 (en) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 株式会社デンソー | Fully differential switched capacitor amplifier |
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2006
- 2006-08-03 JP JP2006211846A patent/JP2008042372A/en active Pending
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