JP2008019474A - Target holder for magnetron sputtering - Google Patents

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Takanobu Hashimoto
孝信 橋本
Kazutaka Kanda
一隆 神田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a target holder for magnetron sputtering having simple structure, with which the utilization efficiency of a target can be enhanced by uniformizing erosion of the target. <P>SOLUTION: The target holder 10 has a plurality of permanent magnets 3 arranged on a back face side of a held target 1 and forms the magnetic field on an outer surface of the target 1 to promote evaporation of the target. The permanent magnets 3 are arranged in a deviating manner from a center of an outer surface of the target 1. When the target 1 is evaporated and worn due to the sputtering, the target or the permanent magnets 3 are mounted while changing their relative positions, and thus an area to be evaporated and worn of the target 1 is changed to prolong the service time of a solid evaporation raw material. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

この発明は、一般的には、スパッタリングにおいて固体蒸発源となるターゲット材料を有効に利用するための方法に関する。
詳細に云うと、本発明は、スパッタリングに用いるターゲットホルダーに係り、このホルダーは、該ホルダーに保持するターゲットの背面側、すなわちターゲット材の蒸発面の反対側に、ターゲットの中心軸からずらした位置に永久磁石を配することにより、ターゲットの蒸発消耗の多い領域を移動させることを可能にするものである。
The present invention generally relates to a method for effectively using a target material which becomes a solid evaporation source in sputtering.
More specifically, the present invention relates to a target holder used for sputtering, and the holder is located on the back side of the target held by the holder, that is, on the opposite side of the evaporation surface of the target material, and is shifted from the center axis of the target. By disposing a permanent magnet, it is possible to move a region where the evaporation of the target is large.

薄膜形成において、固体を蒸発させ基板表面に被膜を形成する手段として、スパッタリング方法が用いられている。
この方法は、固体蒸発源となるターゲットに、減圧下で負の電圧を印加することにより、ターゲット近傍に生成した放電プラズマ中のイオンをターゲットに入射させ、このときの衝突エネルギーで膜の原料となる固体を蒸発させる。固体蒸発源に入射させるイオン種としては、蒸発効率の良い希ガスイオンが選ばれ、一般には、安価に入手できるアルゴンガスを用いて生成されるアルゴンイオンが用いられる。
In thin film formation, a sputtering method is used as a means for evaporating solids to form a film on the substrate surface.
In this method, a negative voltage is applied to a target as a solid evaporation source under reduced pressure so that ions in the discharge plasma generated in the vicinity of the target are incident on the target. The resulting solid is evaporated. As the ion species incident on the solid evaporation source, a rare gas ion having a high evaporation efficiency is selected, and generally, an argon ion generated using an argon gas available at a low cost is used.

この場合、1個の入射アルゴンイオンに対して1個のオーダーの固体原子または分子が蒸発するので、蒸発速度は入射イオン数に比例する。これらイオンは放電プラズマ中で生成される。したがって、処理効率を高めるには、入射イオン数を増し、蒸発速度を上げる必要があり、それには、放電プラズマの強度を上げる必要がある。
そこで、考えられたのが、ターゲット(固体蒸発源)の背面側に磁石を配して、その磁界によりターゲット近傍の空間に強い放電プラズマ領域を形成するマグネトロンスパッタリング法である。そのための装置は、一般に、ターゲットの背面側に、中心部とその外周部にNとSの極性を反対にしたSmCoやNeFeBなどの強い永久磁石を用いている。
In this case, since one order of solid atoms or molecules evaporates with respect to one incident argon ion, the evaporation rate is proportional to the number of incident ions. These ions are generated in the discharge plasma. Therefore, in order to increase the processing efficiency, it is necessary to increase the number of incident ions and increase the evaporation rate. To this end, it is necessary to increase the intensity of the discharge plasma.
In view of this, the magnetron sputtering method in which a magnet is arranged on the back side of the target (solid evaporation source) and a strong discharge plasma region is formed in the space near the target by the magnetic field. In general, an apparatus for this purpose uses a strong permanent magnet such as SmCo or NeFeB in which the polarities of N and S are opposite to each other on the central portion and the outer peripheral portion on the back side of the target.

マグネトロンスパッタリング法は、従来のスパッタリング法に比べて、蒸発速度が改善される反面、磁界の強弱による固体蒸発源の蒸発の不均一性が問題となる。蒸発によって浸食されたターゲットの領域は、エロージョン領域と呼ばれる。エロージョンの不均一性が大きいと、ターゲット上に部分的に、固体蒸発源がなくなる領域が現れ、これがターゲットの利用限界となって、ターゲットの利用効率が低下する。
また、反応性マグネトロンスパッタリング法の場合には、エロージョンが大きく進行すると、ターゲットからの蒸発速度が変化し、成膜された膜の化学量論比が変化するという問題もある。
The magnetron sputtering method improves the evaporation rate as compared with the conventional sputtering method, but has a problem of non-uniform evaporation of the solid evaporation source due to the strength of the magnetic field. The area of the target eroded by evaporation is called the erosion area. If the erosion non-uniformity is large, a region where the solid evaporation source disappears partially appears on the target, and this becomes a target use limit, and the target use efficiency decreases.
In the case of the reactive magnetron sputtering method, when erosion progresses greatly, the evaporation rate from the target changes, and the stoichiometric ratio of the formed film also changes.

このターゲットのエロージョンの不均一性を改善するため、いくつかの対策が考えられている。
例えば、駆動装置を用いて、ターゲットの背面に設置する蒸発用の永久磁石ユニットを平行移動して、エロージョン領域を移動させる方法がある(特許文献1または特許文献2を参照)。或いは、ターゲットの背面側に置く蒸発用磁石として、永久磁石に換えて電磁石を用い、電磁石強度を調整することにより蒸発領域の制御を行う方法などがある(例えば、特許文献3を参照)。
特開2001−59171号公報 特開平6−136532号公報 特公平6−86658号公報
In order to improve the non-uniformity of the erosion of the target, several measures have been considered.
For example, there is a method of moving an erosion region by translating a permanent magnet unit for evaporation installed on the back surface of a target using a driving device (see Patent Document 1 or Patent Document 2). Alternatively, as an evaporation magnet placed on the back side of the target, there is a method in which an electromagnet is used instead of a permanent magnet, and the evaporation area is controlled by adjusting the electromagnet strength (see, for example, Patent Document 3).
JP 2001-59171 A JP-A-6-136532 Japanese Patent Publication No. 6-86658

しかしながら、前者の方法は、磁石ユニットの平行移動に駆動機構を要し、構造が複雑で高価になる。さらに、磁石ユニットは、ターゲットの表面に平行な方向へ移動可能であるが、表面に垂直な方向への移動はできない。従って、蒸発量の変動分を補正するには、別の手段による制御を行わなければならない。
後者の方法は、特定の用途に対して適用する技術であり、電磁石の位置が固定されるため、エロージョンの不均一性を改善する効果は小さい。また、商業用装置の場合、高速で成膜するように、マグネトロンスパッタリングターゲットに大きなイオン電流を流すので、固体蒸発源の発熱が大きい。そこで、ターゲットユニットに水冷機構を設けて、固体蒸発源の溶融を防止するが、その構造は複雑であり、また、水冷機構と蒸発用磁石とを効率良く配置するのが困難である。
However, the former method requires a drive mechanism for parallel movement of the magnet unit, and the structure is complicated and expensive. Furthermore, the magnet unit can move in a direction parallel to the surface of the target, but cannot move in a direction perpendicular to the surface. Therefore, in order to correct the fluctuation amount of the evaporation amount, control by another means must be performed.
The latter method is a technique applied to a specific application, and since the position of the electromagnet is fixed, the effect of improving the erosion non-uniformity is small. In the case of a commercial apparatus, since a large ion current is passed through the magnetron sputtering target so as to form a film at a high speed, the solid evaporation source generates a large amount of heat. Therefore, a water cooling mechanism is provided in the target unit to prevent melting of the solid evaporation source, but its structure is complicated, and it is difficult to efficiently arrange the water cooling mechanism and the evaporation magnet.

本発明の課題は、かかる問題点に鑑みて、マグネトロンスパッタリングにおいて、簡単な構造により、ターゲットのエロージョンを均一化し、ターゲットの利用効率を高めることのできるターゲットホルダーを得ることである。
本発明の別の目的は、上記に加えて、蒸発量の安定化を図ることのできるターゲットホルダーを得ることである。
本発明はさらに、上記に加えて、蒸発用磁石を効率良く用いることのできるターゲットホルダーの提供も目的とする。
In view of such problems, an object of the present invention is to obtain a target holder capable of uniforming the erosion of a target and increasing the utilization efficiency of the target with a simple structure in magnetron sputtering.
In addition to the above, another object of the present invention is to obtain a target holder capable of stabilizing the evaporation amount.
Another object of the present invention is to provide a target holder that can efficiently use an evaporation magnet in addition to the above.

本発明のマグネトロンスパッタ用ターゲットホルダーは、固体蒸発源となるターゲットをホルダーの外側へ向けて取付け、このターゲットの外側表面に磁界を作る複数の蒸発用永久磁石をターゲットの背面側に設け、これら蒸発用永久磁石をターゲット外側表面の中心からずらして配置するとともに、蒸発用永久磁石またはターゲットの取り付け位置を、これら蒸発用永久磁石とターゲットとの相対位置が変わるように変更可能に形成することによって、最初の課題を達成するものである。   The magnetron sputtering target holder of the present invention has a target as a solid evaporation source attached to the outside of the holder, and a plurality of evaporation permanent magnets that create a magnetic field on the outer surface of the target are provided on the back side of the target. By arranging the permanent magnet for use in a position shifted from the center of the outer surface of the target, and by changing the attachment position of the evaporation permanent magnet or the target so that the relative position between the evaporation permanent magnet and the target can be changed, The first task is achieved.

上記蒸発用永久磁石の配置は、ターゲット外側表面の長手方向中心および幅方向中心のうちの少なくとも一方からずらす配置でよい。
また、蒸発用永久磁石とターゲットとの相対位置の変更は、ターゲットまたは蒸発用永久磁石を同じ向きのまま180度回転させて取り付けるものでよい。或いは、蒸発用永久磁石をターゲットの中心より一方の側へ偏らせて配置し、ターゲット材の蒸発減耗時に、蒸発用永久磁石をターゲットの他方の側へ平行移動させて取り付け直すようにしても、同様な結果が得られる。
The arrangement of the evaporating permanent magnet may be an arrangement shifted from at least one of the center in the longitudinal direction and the center in the width direction of the target outer surface.
The relative position of the evaporating permanent magnet and the target may be changed by rotating the target or the evaporating permanent magnet 180 degrees in the same direction. Alternatively, the evaporation permanent magnet may be arranged to be biased to one side from the center of the target, and when the evaporation of the target material is reduced, the evaporation permanent magnet may be translated to the other side of the target and reattached. Similar results are obtained.

上記構成においてさらに、蒸発用永久磁石をターゲットから遠ざかり或いは近づくように移動可能に設置し、これら蒸発用磁石をターゲットの表面に対して垂直に移動させる機構を設けることにより、ターゲット材の蒸発量を制御し、その安定化を図ることが可能である。   Further, in the above configuration, the evaporation permanent magnet can be moved away from or close to the target and a mechanism for moving these evaporation magnets perpendicularly to the surface of the target can be provided. It is possible to control and stabilize it.

このターゲットホルダーは、密閉空間を形成する箱状ケースを含み、ターゲット用の取付面をこの箱状ケースの一方の外側面に設置し、蒸発用永久磁石はその外側面に対向して密閉空間に収容し、箱状ケースは、取付面を冷却する流体を導入するために密閉空間へ通じる入口と出口を有することが好ましい。
また、箱状ケースの密閉空間内に移動可能に取付部材を設け、蒸発用永久磁石をこの取付部材に取り付け、前記入口および出口を該取付部材と前記箱状ケースの外側面と間に開口させてもよい。
ターゲット材近くを効果的に冷却することにより、蒸発用磁石の温度上昇を抑えて、その磁界効率を高めることが可能である。
The target holder includes a box-shaped case that forms a sealed space, the target mounting surface is installed on one outer surface of the box-shaped case, and the evaporating permanent magnet faces the outer surface in the sealed space. It is preferable that the box-shaped case to be accommodated has an inlet and an outlet that lead to the sealed space in order to introduce a fluid for cooling the mounting surface.
Also, a mounting member is provided movably in the sealed space of the box-shaped case, the evaporation permanent magnet is mounted on the mounting member, and the inlet and the outlet are opened between the mounting member and the outer surface of the box-shaped case. May be.
By effectively cooling the vicinity of the target material, it is possible to suppress the temperature rise of the evaporation magnet and increase the magnetic field efficiency.

本発明のターゲットホルダーは、上記構成により、スパッタリングに伴ってターゲットが蒸発減耗すると、蒸発用永久磁石とターゲットの相対位置を変えて、蒸発用永久磁石によるターゲットの蒸発減耗する領域を違えることができる。そのため、所定のスパッタリング毎にターゲットの消耗領域を移動して、ターゲットを有効利用し、その使用時間を延長可能である。
これには、蒸発用永久磁石またはターゲットの取り付け位置を変更するのみで済み、従来の駆動機構による磁石の平行移動などに比して、簡単な構造で実現することができる。
In the target holder of the present invention, when the target is evaporated and depleted as a result of sputtering, the relative position between the evaporating permanent magnet and the target can be changed, and the evaporative depleted area of the target by the evaporating permanent magnet can be changed. . Therefore, it is possible to move the consumption region of the target for each predetermined sputtering, effectively use the target, and extend the usage time.
This requires only changing the attachment position of the evaporating permanent magnet or the target, and can be realized with a simple structure as compared with the parallel movement of the magnet by a conventional drive mechanism.

また、ターゲット材がエロージョンにより減耗すると、ターゲット表面近傍の磁力線密度の変化に伴ってターゲット材の蒸発速度が変わる。そこで、本発明のターゲットホルダーは、蒸発用磁石を垂直に移動させることにより、ターゲットの蒸発表面の後退に合わせて蒸発用磁石の位置を動かして磁界を後退させ、ターゲットのエロージョンが進んでも安定した蒸発速度を維持し、対象物に安定した膜厚を得ることができる。   Further, when the target material is depleted by erosion, the evaporation rate of the target material changes with a change in the magnetic line density near the target surface. Therefore, the target holder of the present invention moves the evaporation magnet vertically to move the position of the evaporation magnet in accordance with the retraction of the evaporation surface of the target, thereby reversing the magnetic field, and is stable even if the erosion of the target progresses. The evaporation rate can be maintained and a stable film thickness can be obtained on the object.

本発明のターゲットホルダーはさらに、ターゲット材を取り付けるケースの背面側に密閉空間を設け、この空間に蒸発用磁石を配置して、この空間に冷却液を導入することにより、ターゲットと蒸発用磁石を効果的に冷却することが可能である。これは、構造が簡単で、水漏れの原因となる箇所も少なくすることができ、使いやすい液冷構造とすることができる。
さらに、冷却空間部および蒸発用磁石の両者をターゲット材に近づけて配置できるので、冷却能力が高く、蒸発用磁石の磁界効率を高めるものとなる。
The target holder of the present invention further provides a sealed space on the back side of the case to which the target material is attached, arranges an evaporation magnet in this space, and introduces a cooling liquid into this space, whereby the target and the evaporation magnet are It is possible to cool effectively. This has a simple structure, can reduce the number of places causing water leakage, and can be an easy-to-use liquid cooling structure.
Furthermore, since both the cooling space and the evaporation magnet can be arranged close to the target material, the cooling capacity is high and the magnetic field efficiency of the evaporation magnet is increased.

発明を実施するための形態BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION

次に、本発明を実施する形態の一例を、図面を参照して説明する。
図1と図2を参照すると、本発明の好適な実施形態による、水冷機構を備えたマグネトロンスパッタリング用のターゲットホルダーは、全体を参照符号10で指している。図1は図2のB−B線に沿ったターゲットホルダー10の垂直断面を、図2は図1のA−A線に沿った水平断面をそれぞれ示している。
なお、ターゲットホルダー10は、図1と図2に示す構造に加えて蒸発用磁石の垂直方向移動機構を備えているが、この機構部分は、説明を容易にするために図1と図2では省略しており、図3と図4を参照して後述する。
Next, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 and 2, a target holder for magnetron sputtering with a water cooling mechanism according to a preferred embodiment of the present invention is generally designated by the reference numeral 10. 1 shows a vertical section of the target holder 10 along the line BB in FIG. 2, and FIG. 2 shows a horizontal section along the line AA in FIG.
In addition to the structure shown in FIGS. 1 and 2, the target holder 10 is provided with a vertical movement mechanism for the evaporation magnet. This mechanism is shown in FIGS. 1 and 2 for ease of explanation. This is omitted and will be described later with reference to FIGS.

ターゲットホルダー10は、一方の側(図1では上方)に開口部2aを、他方の側(図1の下方)に底部2bをもつ銅製の有底箱形状のケース2と、この開口部2aを閉ざすSUS製の平板状の裏蓋5とを有する。ケース2はさらに、開口部2aの周囲に平坦な鍔部2cを備える。
ケース2の、裏蓋5とは反対の側、すなわち底部2bの外面には、固体蒸発源となる平板状のターゲット1用の取付面2dを設けている。取付面2dは、図示しない締着手段によってターゲット1を固定するようになっている。
The target holder 10 has a bottomed box-shaped case 2 made of copper having an opening 2a on one side (upper in FIG. 1) and a bottom 2b on the other side (lower in FIG. 1), and the opening 2a. It has a flat back cover 5 made of SUS to be closed. The case 2 further includes a flat collar 2c around the opening 2a.
A mounting surface 2d for a flat target 1 serving as a solid evaporation source is provided on the opposite side of the case 2 from the back cover 5, that is, on the outer surface of the bottom 2b. The mounting surface 2d is configured to fix the target 1 by fastening means (not shown).

裏蓋5は、シール12を介してケースの鍔部2cに取り付けられ、ケース2内に、冷却空間部9となる密閉空間を形成している。裏蓋5とケース2は、図示しないボルトで離脱自在に結合される。
裏蓋5には、長手方向のほぼ両端の位置に、冷却流体用の入口管6と出口管7とを設けている。入口管6および出口管7は、裏蓋5がケース2に取り付けられると、ケース内の冷却空間部9につながる。
The back cover 5 is attached to the flange portion 2 c of the case via a seal 12, and forms a sealed space that becomes the cooling space portion 9 in the case 2. The back cover 5 and the case 2 are detachably coupled with a bolt (not shown).
The back cover 5 is provided with an inlet pipe 6 and an outlet pipe 7 for cooling fluid at positions substantially at both ends in the longitudinal direction. The inlet pipe 6 and the outlet pipe 7 are connected to the cooling space 9 in the case when the back cover 5 is attached to the case 2.

冷却空間部9には、SUS304製の平板状の取付部材4を浮動状に、すなわち裏蓋5とケース底部2bの間を移動可能に収容する。取付部材4は、上述の入口管6と出口管7とにそれぞれ対応する位置に、入口管6および出口管7よりも径の大きい孔4a,4bを備える。取付部材4は、孔4a,4bに入口管6と出口管7をそれぞれ通し、これら管に沿って移動可能である。   In the cooling space 9, a flat mounting member 4 made of SUS304 is accommodated in a floating state, that is, movably between the back cover 5 and the case bottom 2b. The attachment member 4 includes holes 4 a and 4 b having diameters larger than those of the inlet pipe 6 and the outlet pipe 7 at positions corresponding to the inlet pipe 6 and the outlet pipe 7, respectively. The attachment member 4 passes through the inlet pipe 6 and the outlet pipe 7 through the holes 4a and 4b, respectively, and is movable along these pipes.

冷却空間部9内にはさらに、ターゲット1の背面側、すなわち取付部材4とケース底部2bとの間の側に、複数のSmCo製の永久磁石3を設置する。
この磁石3は、SmCoやNeFeB等の磁力が強い希土類磁石を使用することが好適である。また、永久磁石は、大きなものは製作、取扱等が難しいので、多数の小型磁石を軟鋼などの磁性体、あるいはSUS304ステンレス等の非磁性体に固定して一体化するのがよい。
A plurality of SmCo permanent magnets 3 are further installed in the cooling space 9 on the back side of the target 1, that is, on the side between the mounting member 4 and the case bottom 2 b.
The magnet 3 is preferably a rare earth magnet having a strong magnetic force such as SmCo or NeFeB. In addition, since a large permanent magnet is difficult to manufacture and handle, it is preferable that a large number of small magnets be fixed and integrated with a magnetic material such as mild steel or a non-magnetic material such as SUS304 stainless steel.

これら磁石3は、互いに並んで列を成して配置する。本実施の形態では、ケース2の長手方向に沿った等間隔(中央に対して両側が対称)の3列3a,3b,3cと、ケース2の幅方向に沿った2列3d,3eを形成している。
磁石列3a〜3eは、取付部材4に一体状に取り付けられてターゲット蒸発用磁石30(図5について後述)を構成し、取付部材4と共に、ケース取付面2dのターゲット1へ接近し或いは遠ざかるように冷却空間部9内を移動可能である。
These magnets 3 are arranged side by side in a row. In the present embodiment, three rows 3a, 3b, 3c are formed at equal intervals along the longitudinal direction of the case 2 (both sides are symmetrical with respect to the center), and two rows 3d, 3e are formed along the width direction of the case 2. is doing.
The magnet arrays 3a to 3e are integrally attached to the attachment member 4 to constitute a target evaporation magnet 30 (described later with reference to FIG. 5), and approach or move away from the target 1 on the case attachment surface 2d together with the attachment member 4. It is possible to move in the cooling space 9.

これらの磁石列は、図2に示す通り、ケース長手方向のものが、一方の側の列3bをケース2の側壁に沿わせ、反対側の列3cをケース2の側壁から離し、中央の列3aもケース2の中心線CLから離している。かくして、磁石列3a,3b,3cは全体として、ケース2の中心線CLに関して一方の側にずらした配置である。ケース幅方向の磁石列3d,3eは、ケース2両側の側壁に沿って配置している。
また、永久磁石3は、図2に明瞭に見られるように、ターゲット1に対して、中央の列と周囲の列とでNSの極性が反対となるように配置して、マグネトロンスパッタリング用磁石を構成する。
As shown in FIG. 2, these magnet rows are arranged in the longitudinal direction of the case. The row 3b on one side is along the side wall of the case 2, the row 3c on the opposite side is separated from the side wall of the case 2, 3 a is also separated from the center line CL of the case 2. Thus, the magnet arrays 3a, 3b, 3c are arranged so as to be shifted to one side with respect to the center line CL of the case 2 as a whole. The magnet rows 3d and 3e in the case width direction are arranged along the side walls on both sides of the case 2.
Further, as can be clearly seen in FIG. 2, the permanent magnet 3 is arranged so that the NS polarity is opposite between the central row and the surrounding row with respect to the target 1, and the magnetron sputtering magnet is arranged. Constitute.

前述した冷却用の入口管6と出口管7は、取付部材4を貫いて、磁石列3a〜3eの間の冷却空間部9につながる開口6a,7aを有する。
ターゲットホルダー10は、入口管6と出口管7を介して、図示しない冷却系統に接続するようになっている。冷却系統の冷却液は、入口管6の開口6aを通って磁石列3a〜3e間の冷却空間9へ流入し、ケース底部2bからターゲット1の熱を除去し、この空間内の蒸発用磁石30を熱から守る。その後、冷却液は、出口管7の開口7aを通して、ターゲットホルダー10から流出する。冷却液の一部は、取付部材4の孔4a,4bと入口および出口管6,7とのすき間を通って、裏蓋5側の冷却空間部9にも流通し、取付部材4の裏側の冷却を行う。
The cooling inlet pipe 6 and outlet pipe 7 described above have openings 6a and 7a that penetrate the attachment member 4 and connect to the cooling space 9 between the magnet arrays 3a to 3e.
The target holder 10 is connected to a cooling system (not shown) via an inlet pipe 6 and an outlet pipe 7. The coolant of the cooling system flows into the cooling space 9 between the magnet arrays 3a to 3e through the opening 6a of the inlet pipe 6, removes the heat of the target 1 from the case bottom 2b, and evaporates the magnet 30 in this space. Protect from heat. Thereafter, the coolant flows out of the target holder 10 through the opening 7 a of the outlet pipe 7. A part of the cooling liquid passes through the gaps between the holes 4 a and 4 b of the mounting member 4 and the inlet and outlet pipes 6 and 7, and also flows into the cooling space portion 9 on the back cover 5 side. Cool down.

次に、図3と図4を参照して、蒸発磁石用の垂直方向移動機構を説明する。図4は、同機構を含むターゲットホルダー10の上面図で、図3は図4中のC−C線に沿った断面図である。
垂直方向移動機構40は、ターゲットホルダー上に設置した5つの歯車42,44を備える。歯車42,44はそれぞれ回転軸41,43を有し、これら回転軸を、裏蓋5に形成した支持部5aに回転自在に取り付けている。図4に明瞭に見られるように、4つの歯車42は正方形の四隅を成すように配置され、残る1つの歯車44はそれらの中央にあって、4つの歯車42にそれぞれ噛み合い係合する。
これらの回転軸41,43と支持部5aおよび裏蓋5との間には、密封用のOリング46と、回転軸抜け止め用のストッパー47をそれぞれ設けている。
Next, the vertical movement mechanism for the evaporation magnet will be described with reference to FIGS. 4 is a top view of the target holder 10 including the mechanism, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line CC in FIG.
The vertical movement mechanism 40 includes five gears 42 and 44 installed on the target holder. The gears 42 and 44 have rotating shafts 41 and 43, respectively, and these rotating shafts are rotatably attached to a support portion 5a formed on the back cover 5. As clearly seen in FIG. 4, the four gears 42 are arranged to form four corners of a square, and the remaining one gear 44 is in the center thereof and meshes and engages with the four gears 42, respectively.
An O-ring 46 for sealing and a stopper 47 for preventing the rotation shaft from falling off are provided between the rotation shafts 41 and 43 and the support portion 5a and the back cover 5, respectively.

歯車42の回転軸41は裏蓋5を貫いてケース2の冷却空間部9へ伸び、それらの下端部に外ネジ41aを備える。一方、ケース2内の取付部材4は、4つの歯車の回転軸41に対応した位置に内ネジ4cを備え、これら歯車の回転によって上下動するように、回転軸41の外ネジ41aに対応する内ネジ4cを噛み合い係合させている。
中央の歯車44は、その回転軸43に、機構駆動用のさらに別の歯車45を取り付けている。この歯車45を手動で、或いは電動モータなどで駆動すると、歯車44が動いて、4つの歯車42と回転軸41を回転させる。それに伴って、回転軸41の外ネジ41aに係合した内ネジ4aを介して、取付部材4が上下に移動する。
The rotating shaft 41 of the gear 42 extends through the back cover 5 to the cooling space 9 of the case 2 and is provided with an external screw 41a at the lower end thereof. On the other hand, the mounting member 4 in the case 2 includes an inner screw 4c at a position corresponding to the rotation shaft 41 of the four gears, and corresponds to the outer screw 41a of the rotation shaft 41 so as to move up and down by the rotation of these gears. The inner screw 4c is engaged and engaged.
In the central gear 44, another gear 45 for driving the mechanism is attached to the rotary shaft 43 thereof. When the gear 45 is driven manually or by an electric motor or the like, the gear 44 moves to rotate the four gears 42 and the rotating shaft 41. Accordingly, the attachment member 4 moves up and down via the inner screw 4a engaged with the outer screw 41a of the rotating shaft 41.

垂直方向移動機構40は、こうして取付部材4と同部材上の永久磁石3をケース2に対して垂直方向へ動かす。
取付部材4の孔4a,4bは、取付部材4が上下動する際に入口管6と出口管7に接触しないように、さらに、冷却液の流体力などによって取付部材4が、従って同部材上の永久磁石3が傾く等の影響を受けないような大きさに設定する。
また、ケース2のターゲット用取付面2dと締着手段(図示しない)は、ターゲット1を、蒸発面をターゲットホルダーの外側(図1の下方)へ向けた状態のまま、180度回転させて取り付け得るように形成している。
The vertical movement mechanism 40 thus moves the mounting member 4 and the permanent magnet 3 on the same member in the vertical direction with respect to the case 2.
The holes 4a and 4b of the mounting member 4 are further arranged so that the mounting member 4 does not come into contact with the inlet pipe 6 and the outlet pipe 7 when the mounting member 4 moves up and down. The size of the permanent magnet 3 is set so as not to be affected by the inclination of the permanent magnet 3.
Further, the target mounting surface 2d and the fastening means (not shown) of the case 2 are mounted by rotating the target 1 by 180 degrees with the evaporation surface facing the outside of the target holder (downward in FIG. 1). Form to get.

本発明のターゲットホルダーは、このような構成によって、ターゲット1或いは蒸発用磁石30を、それまでの取り付け位置に対して、向きを変えずに180度回転させて取り付け、ターゲット蒸発面の、それまでの工程で主に蒸発していた領域外の新たな領域にスパッタ放電を発生させて用いることにより、ターゲット寿命の向上を可能にする。   With such a configuration, the target holder of the present invention is mounted by rotating the target 1 or the evaporation magnet 30 by rotating 180 degrees without changing the direction with respect to the previous mounting position. Sputter discharge is generated and used in a new area outside the area that was mainly evaporated in this step, thereby improving the target life.

これを、図5を参照して、さらに詳細に説明する。
図5は図1のD−D線に沿ったターゲットホルダー10の断面を示し、ターゲット1を回転させて取り付けた場合、あるいは磁石30をターゲット1に対して垂直方向に移動させた場合の放電領域の変化を図示する。図5(a)はターゲット1と磁石30が図1に示した位置にある状態を示し、(b)はターゲットを180度回転して取り付けた状態、(c)は図5(b)の状態から蒸発用磁石30をターゲット1から遠ざけた状態、(d)は図5(c)の状態からターゲット1を再び180度回転して取り付けた状態をそれぞれ示している。
This will be described in more detail with reference to FIG.
FIG. 5 shows a cross section of the target holder 10 along the line DD in FIG. 1, and the discharge region when the target 1 is rotated or attached or when the magnet 30 is moved in the direction perpendicular to the target 1. Illustrates the change in. 5A shows a state where the target 1 and the magnet 30 are in the positions shown in FIG. 1, FIG. 5B shows a state where the target is rotated by 180 degrees, and FIG. 5C shows a state shown in FIG. FIG. 5D shows a state in which the evaporation magnet 30 is moved away from the target 1, and FIG. 5D shows a state in which the target 1 is rotated 180 degrees from the state shown in FIG. 5C.

このような構成のターゲットホルダー10は、ターゲット1のエロージョンエリアの均一化と、安定な蒸発速度とを確保することができる。
すなわち、図2に示す永久磁石3はターゲットホルダー10のセンターラインCLより片側に寄って配置している。また、ターゲットにエロージョンの起こる領域は、中心部の磁石列3aとその両側の磁石列3b、3cの間にある。そのため、使用によりターゲット1のエロージョンが進んだ場合には、図5(b)や(d)に示すようにターゲット1を180度回転して取り付け直すことによって、次の使用ではエロージョンがターゲットの新たな領域に移り、エロージョン域が平均化されることになる。
The target holder 10 having such a configuration can ensure a uniform erosion area of the target 1 and a stable evaporation rate.
That is, the permanent magnet 3 shown in FIG. 2 is disposed closer to one side than the center line CL of the target holder 10. The region where erosion occurs in the target is between the magnet row 3a at the center and the magnet rows 3b and 3c on both sides thereof. Therefore, when the erosion of the target 1 has progressed due to use, the erosion becomes a new target in the next use by rotating the target 1 180 degrees and reattaching it as shown in FIGS. 5B and 5D. The erosion area is averaged.

同様な効果は、ケース2内の取付部材4を180度回転させて取り付け直し、ターゲット1に対する磁石列3a−3cの位置を変えることによっても得られる。この場合、本実施の形態では、裏蓋5を蒸発用磁石30ごと、ケース2に対して180度回転させて取り付け直して、磁石列3a−3cの位置を変える。
また、ターゲットが一枚の板ではなく、複数の板を並べて構成される場合には、個々の小片を180度回転させる方法によっても、同様な効果が得られる。
本実施の形態ではさらに、図5の(c)、(d)のようにターゲット1から蒸発用磁石30を遠ざけ、ターゲットのエロージョンが進んでも安定な蒸発速度を確保することができる。
A similar effect can also be obtained by rotating the attachment member 4 in the case 2 180 degrees and reattaching it, and changing the positions of the magnet arrays 3a to 3c with respect to the target 1. In this case, in this embodiment, the back cover 5 is rotated 180 degrees with respect to the case 2 together with the evaporation magnets 30 and reattached to change the position of the magnet rows 3a-3c.
Further, when the target is configured by arranging a plurality of plates instead of a single plate, the same effect can be obtained by a method of rotating individual pieces by 180 degrees.
Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 5C and 5D, the evaporation magnet 30 is moved away from the target 1, and a stable evaporation rate can be ensured even if the erosion of the target proceeds.

前述した本発明のターゲットホルダーを用いて、マグネトロンスパッタリングを実施した。その結果を次に説明する。
図6は、この実施に用いたマグネトロンスパッタリング装置の反応容器部を概略に示している。この装置は、本発明者等の別途出願(特開2000−38663号公報)に示した構成によるもので、本願の図1−4に示すターゲットホルダー10を4つ備え、それらの長手方向を縦(図5の紙面に垂直な方向)にして設置している。ターゲットホルダー10は、隣り合う2枚のターゲット1とターゲット1の表面が幅方向で傾斜角α=120度となるように、対を成し互いに傾斜して配置され、傾斜ターゲット型マグネトロンスパッタリング装置を構成している。このように、実施に用いた装置は、2対で合計4個のターゲットホルダー10およびターゲット1を備える。
Magnetron sputtering was performed using the above-described target holder of the present invention. The results will be described next.
FIG. 6 schematically shows a reaction vessel portion of the magnetron sputtering apparatus used for this implementation. This apparatus has a structure shown in a separate application (Japanese Patent Laid-Open No. 2000-38663) of the present inventors and includes four target holders 10 shown in FIGS. (A direction perpendicular to the paper surface of FIG. 5). The target holders 10 are arranged in pairs and inclined so that the two adjacent targets 1 and the surface of the target 1 have an inclination angle α = 120 degrees in the width direction. It is composed. Thus, the apparatus used for the implementation includes a total of four target holders 10 and targets 1 in two pairs.

図6において、参照符号31は真空室(反応室)、33は扉をそれぞれ指し、34は薄膜が積層される基体を置く回転テーブルであり、矢印方向に回転し、積層される薄膜の均一化等をはかる。参照符号35は、基体を加熱する加熱ヒータを指している。また、36はシャッターであり、基体加熱時およびターゲット活性時にターゲット1とテーブル34の間を遮断し、テーブル上の基体への不純物の蒸着を防ぐ。このシャッターは、イオンボンバード時ならびに蒸着時には、加熱ヒータ35とターゲット1およびテーブル34との間を遮断して、加熱ヒータへの膜の蒸着を防ぐ。37はプラズマの発生を補助する電磁石であり、プラズマ領域の拡大、プラズマの安定化を行う。
マグネトロンスパッタリング装置のその他の構成は、公知のものと同様であるので、説明を省略する。
In FIG. 6, reference numeral 31 denotes a vacuum chamber (reaction chamber), 33 denotes a door, and 34 denotes a rotary table on which a substrate on which thin films are laminated is placed, which rotates in the direction of the arrow to make the laminated thin films uniform. Etc. Reference numeral 35 indicates a heater for heating the substrate. Reference numeral 36 denotes a shutter that blocks between the target 1 and the table 34 when the substrate is heated and when the target is activated, thereby preventing impurities from being deposited on the substrate on the table. This shutter cuts off the space between the heater 35 and the target 1 and the table 34 during ion bombardment and vapor deposition to prevent film deposition on the heater. An electromagnet 37 assists the generation of plasma, and expands the plasma region and stabilizes the plasma.
Since the other structure of the magnetron sputtering apparatus is the same as that of a well-known thing, description is abbreviate | omitted.

この装置により、同一条件で繰り返しTiN膜被覆処理する試験を行って、基体へ積層された膜厚の変化を調べ、ターゲットの利用限界を調査した。
ターゲットは厚さ5mmのTiターゲットを用い、スパッタリング用ガスとしてAr(アルゴン)ガスを、反応ガスとしてN(窒素)ガスを流した。被覆処理は、真空引き、ヒータによるワーク加熱、アルゴンボンバードによる試験片表面のスパッタリングクリーニング、TiN被覆処理、冷却の順に行った。ターゲットを消耗させる時間、すなわちTiN被覆処理の時間は2時間一定とした。ターゲット1個あたりに印加する電流は4.5A一定とし、定電流モードで運転した。ターゲット1個にかける電力は3Kwにも達するので、ターゲットの過熱を防止するためターゲットホルダーには冷却水を流した。
With this apparatus, a TiN film coating test was repeatedly performed under the same conditions, the change in the film thickness laminated on the substrate was examined, and the utilization limit of the target was investigated.
The target was a Ti target having a thickness of 5 mm, and Ar (argon) gas was flowed as sputtering gas and N 2 (nitrogen) gas was flowed as reaction gas. The coating process was performed in the order of evacuation, heating of the workpiece with a heater, sputtering cleaning of the test piece surface with argon bombardment, TiN coating, and cooling. The time for consuming the target, that is, the time for the TiN coating treatment was fixed at 2 hours. The current applied per target was constant at 4.5 A, and the operation was performed in the constant current mode. Since the power applied to one target reaches 3 Kw, cooling water was passed through the target holder to prevent overheating of the target.

試験は、蒸発用磁石30の配置を図5に示した4つの位置に変えて行った。
1回目試験の蒸発用磁石30は、図5(a)に示すように配置した。この配置にて繰り返し被覆処理を20チャージまで行い、膜厚の変化を調べた。第1チャージ目のTiN膜の膜厚は5.6μmであり、最初の4チャージ目までは膜厚がわずかに上昇し、その後減少に転じた。そして、16チャージ目で1チャージ目の膜厚より30%薄くなり、色調も金色から濃い金色へと変化し始めた。そこで、16チャージ目を、1回目の蒸発用磁石配置における固体蒸発源の利用限界とした。ターゲット表面の蒸発状況は、図5(a)のエロージョン21のようになっている。
In the test, the arrangement of the evaporation magnet 30 was changed to the four positions shown in FIG.
The evaporation magnet 30 in the first test was arranged as shown in FIG. With this arrangement, the coating process was repeated up to 20 charges, and the change in film thickness was examined. The thickness of the TiN film of the first charge was 5.6 μm, and the film thickness increased slightly until the first 4th charge, and then decreased. Then, at the 16th charge, it became 30% thinner than the film thickness at the 1st charge, and the color tone started to change from gold to dark gold. Therefore, the 16th charge was defined as the use limit of the solid evaporation source in the first evaporation magnet arrangement. The evaporation state of the target surface is as shown by erosion 21 in FIG.

次いで、図5(b)のようにターゲットを180度回転して取り付け、1回目の試験と同じ条件でTiN被覆処理を繰り返した。膜厚は1回目の試験と同様な変化を示し、15チャージ付近で当初の70%にまで減少した。蒸発後のターゲット表面はエロージョン22となり、図5(a)の配置とほぼ同数のコーティングチャージが可能であった。
さらに、蒸発用磁石30をTiターゲット1から遠ざけ、図5(c)に示すように設置した。この配置にて同様に蒸発試験を繰り返したところ、膜厚は前2回の試験と同様な傾向をたどった。ターゲット材料は、同図のエロージョン23まで安定した蒸発速度で使用可能であった。
次いで、図5(c)の状態からターゲット1をさらに180度回転して取付け、図5(d)に示す配置で最後の試験を行った。この試験でも、前3回での蒸発用磁石配置と同様な安定した蒸発傾向が得られ、ターゲットは、最終エロージョン24まで安定使用が可能であった。
Next, as shown in FIG. 5B, the target was rotated by 180 degrees, and the TiN coating process was repeated under the same conditions as in the first test. The film thickness showed the same change as in the first test, and decreased to the original 70% around 15 charges. The surface of the target after evaporation was erosion 22, and the coating charge of almost the same number as the arrangement of FIG. 5A was possible.
Further, the evaporation magnet 30 was placed away from the Ti target 1 and installed as shown in FIG. When the evaporation test was repeated in this arrangement, the film thickness followed the same tendency as the previous two tests. The target material could be used at a stable evaporation rate up to erosion 23 in FIG.
Next, the target 1 was further rotated 180 degrees from the state of FIG. 5C and attached, and the final test was performed with the arrangement shown in FIG. 5D. In this test, a stable evaporation tendency similar to the evaporation magnet arrangement in the previous three times was obtained, and the target could be used stably until the final erosion 24.

ちなみに、蒸発用磁石を1つの位置に固定した配置では、安定した2時間の被覆工程を15〜16回行える。これら工程によるTiターゲットの最大エロージョン深さは約2.4mmであった。ターゲット材を回転しない場合や、蒸発用磁石30を移動しない場合には、これでターゲットは寿命となり、交換が必要になる。
一方、本発明のターゲットホルダーによれば、上記の被覆工程を4回繰り返すことができるので、板厚が5mmという比較的薄いターゲットでも、従来の4倍の回数まで安定した蒸発形態で使うことが可能である。
By the way, with the arrangement in which the evaporation magnet is fixed at one position, a stable 2-hour coating process can be performed 15 to 16 times. The maximum erosion depth of the Ti target by these processes was about 2.4 mm. When the target material is not rotated or when the evaporation magnet 30 is not moved, the target has a life span and needs to be replaced.
On the other hand, according to the target holder of the present invention, since the above coating process can be repeated four times, even a relatively thin target having a plate thickness of 5 mm can be used in a stable evaporation form up to four times as many times as before. Is possible.

以上、本発明を特定の実施の形態と実施例を参照して説明したが、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
例えば、上述の実施の形態は、裏蓋5ごと蒸発用磁石の位置を変える構成としているが、これに代えて、取付部材4の孔4a,4bを幅方向に沿った長孔形状にすることにより、或いは、垂直方向移動機構40をケース2の中心に設置することによって、取付部材4のみを180回転させて取り付け、ターゲット1に対する永久磁石3の相対位置を変えるように変更することもできる。
また、ターゲットが一枚の板ではなく、複数の板を並べて構成される場合には、個々の小片を180度回転させる方法によっても、同様な効果が得られる。
このように、本発明のターゲットホルダーは、添付の特許請求の範囲内で、種々の形態を採り得るものである。
Although the present invention has been described with reference to specific embodiments and examples, the present invention is not limited to these.
For example, although the above-described embodiment is configured to change the position of the evaporation magnet together with the back cover 5, instead of this, the holes 4 a and 4 b of the mounting member 4 are formed into a long hole shape along the width direction. Alternatively, by installing the vertical movement mechanism 40 at the center of the case 2, only the attachment member 4 can be attached by rotating 180 degrees, and the relative position of the permanent magnet 3 with respect to the target 1 can be changed.
Further, when the target is configured by arranging a plurality of plates instead of a single plate, the same effect can be obtained by a method of rotating individual pieces by 180 degrees.
Thus, the target holder of the present invention can take various forms within the scope of the appended claims.

本発明の実施の形態による、水冷機構を備えたマグネトロンスパッタリング用ターゲットホルダーの、図2のB−B線に沿った垂直断面図である。FIG. 3 is a vertical sectional view of the magnetron sputtering target holder provided with a water cooling mechanism according to the embodiment of the present invention, taken along line BB in FIG. 2. このターゲットホルダーの、図1のA−A線に沿った水平断面図である。FIG. 2 is a horizontal sectional view of the target holder along the line AA in FIG. 1. このターゲットホルダーの、蒸発用磁石の垂直方向移動機構を追加して示す、図1と同様な垂直断面図である。FIG. 2 is a vertical sectional view similar to FIG. 1, additionally showing a vertical movement mechanism of the evaporation magnet of the target holder. このターゲットホルダーの、蒸発用磁石の垂直方向移動機構を追加して示す平面図である。It is a top view which adds and shows the vertical direction moving mechanism of the magnet for evaporation of this target holder. (a)〜(b)は、このターゲットホルダーの図1のD−D線に沿った断面図であり、ターゲット材を回転させて取り付け直すことや、蒸発用磁石の移動によるターゲット表面の減耗(蒸発)状況を示している。(A)-(b) is sectional drawing along DD line of FIG. 1 of this target holder, The target material is depleted by rotating and reattaching a target material, or the movement of the evaporation magnet ( Evaporation) situation. 本発明のターゲットホルダーを組み込んだマグネトロンスパッタリング装置の反応容器部を示す概略図である。It is the schematic which shows the reaction container part of the magnetron sputtering apparatus incorporating the target holder of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 ターゲット(固体蒸発源)
2 ケース
2a (ターゲットの)取付面
3 永久磁石
4 (永久磁石の)取付部材
5 裏蓋
6 入口管
7 出口管
9 冷却空間部(密閉空間)
10 ターゲットホルダー
30 蒸発用磁石
40 (蒸発用磁石の)垂直方向移動機構
1 Target (Solid evaporation source)
2 Case 2a (Target) mounting surface 3 Permanent magnet 4 (Permanent magnet) mounting member 5 Back cover 6 Inlet pipe 7 Outlet pipe 9 Cooling space (sealed space)
10 Target Holder 30 Evaporation Magnet 40 Vertical Movement Mechanism (of Evaporation Magnet)

Claims (5)

マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダーであって、固体蒸発源となるターゲットをホルダーの外側へ向けて取付け、このターゲットの外側表面に磁界を作る複数の蒸発用永久磁石をターゲットの背面側に設け、これら蒸発用永久磁石をターゲット外側表面の中心からずらして配置するとともに、蒸発用永久磁石またはターゲットの取り付け位置を、これら蒸発用永久磁石とターゲットとの相対位置が変わるように変更可能に形成した、マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダー。   A target holder for magnetron sputtering, a target to be a solid evaporation source is attached to the outside of the holder, and a plurality of evaporation permanent magnets that create a magnetic field on the outer surface of the target are provided on the back side of the target. For permanent magnetron sputtering, the permanent magnets are displaced from the center of the outer surface of the target and the permanent magnets for evaporation or the mounting position of the target can be changed so that the relative positions of the permanent magnets for evaporation and the target can be changed. Target holder. 請求項1に記載のターゲットホルダーにおいて、蒸発用永久磁石をターゲットから遠ざかり或いは近づくように移動可能に設置し、これら蒸発用磁石をターゲットの外側表面に対して垂直に移動させる機構を有する、マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダー。   2. A magnetron sputtering apparatus according to claim 1, further comprising a mechanism for moving the evaporating permanent magnet perpendicularly to the outer surface of the target, wherein the evaporating permanent magnet is movably installed so as to move away from or approach the target. Target holder. 請求項1または2に記載のターゲットホルダーにおいて、密閉空間を形成する箱状ケースを含み、ターゲット用の取付面をこの箱状ケースの一方の外側面に設置し、蒸発用永久磁石はその外側面に対向して密閉空間に収容し、箱状ケースは、取付面を冷却する流体を導入するために密閉空間へ通じる入口と出口を有する、ターゲットホルダー。   3. The target holder according to claim 1, further comprising a box-shaped case forming a sealed space, wherein a target mounting surface is disposed on one outer surface of the box-shaped case, and the evaporating permanent magnet has an outer surface thereof. And a box-shaped case having an inlet and an outlet leading to the sealed space for introducing a fluid for cooling the mounting surface. 請求項3に記載のターゲットホルダーにおいて、箱状ケースの密閉空間内に移動可能に取付部材を設け、蒸発用永久磁石をこの取付部材に取り付け、前記入口および出口を該取付部材と前記箱状ケースの外側面と間に開口させた、マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダー。   4. The target holder according to claim 3, wherein an attachment member is provided so as to be movable in a sealed space of the box-like case, an evaporation permanent magnet is attached to the attachment member, and the inlet and outlet are connected to the attachment member and the box-like case. Target holder for magnetron sputtering opened between the outer surface of the magnetron. マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダーにおいて、固体蒸発源となるターゲットをホルダーの外側へ向けて取付ける取付面と、該取付面に関してターゲットとは反対側に設置した、ターゲットの外側表面に磁界を作る複数の蒸発用永久磁石とを備え、これら蒸発用永久磁石をターゲット外側表面の長手方向中心および幅方向中心のうちの少なくとも一方からずらして配置するとともに、ターゲットまたは蒸発用永久磁石を同じ向きのまま180度回転させて取り付け得るように形成した、マグネトロンスパッタ用ターゲットホルダー。   In a magnetron sputtering target holder, a mounting surface for mounting a target as a solid evaporation source to the outside of the holder, and a plurality of evaporation for creating a magnetic field on the outer surface of the target installed on the opposite side of the target with respect to the mounting surface The permanent magnets for evaporation are arranged so as to be shifted from at least one of the longitudinal center and the width center of the target outer surface, and the target or the evaporation permanent magnet is rotated by 180 degrees in the same direction. Target holder for magnetron sputtering formed so that it can be attached.
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