JP2008016772A - Nitride semiconductor substrate - Google Patents
Nitride semiconductor substrate Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008016772A JP2008016772A JP2006189252A JP2006189252A JP2008016772A JP 2008016772 A JP2008016772 A JP 2008016772A JP 2006189252 A JP2006189252 A JP 2006189252A JP 2006189252 A JP2006189252 A JP 2006189252A JP 2008016772 A JP2008016772 A JP 2008016772A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- flat
- semiconductor substrate
- orientation flat
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
本発明は、品種の識別が可能な窒化物半導体基板に関する。 The present invention relates to a nitride semiconductor substrate capable of identifying a product type.
青色半導体レーザ、青色/青紫色発光ダイオード等に使用される窒化物半導体基板(GaN単結晶基板)は、基本的には外周が円形に形成される。しかし、デバイスプロセスにおいて、へき開面(例えば、(1−100)面)を認識することが必要なときのために、オリエンテーションフラットと呼ばれる直線部が形成される。つまり、図2(a)及び図2(b)に示されるように、窒化物半導体基板21a,21bは、外周に円弧状部22とオリエンテーションフラット23a,23bが形成される。
A nitride semiconductor substrate (GaN single crystal substrate) used for a blue semiconductor laser, a blue / blue-violet light emitting diode, or the like is basically formed with a circular outer periphery. However, in the device process, a straight line portion called an orientation flat is formed when it is necessary to recognize a cleavage plane (for example, (1-100) plane). That is, as shown in FIGS. 2A and 2B, the nitride semiconductor substrates 21a and 21b are formed with arc-
デバイスプロセスにおいて、このオリエンテーションフラット23a,23bを基準にすることにより、へき開面を認識したり、位置決めをすることができる。 In the device process, the cleavage planes can be recognized and positioned by using the orientation flats 23a and 23b as a reference.
ところで、デバイス製造者によっては、デバイスの構造上の理由から、あるいはデバイスプロセス装置の都合により、図2(a)のようにオリエンテーションフラット23aをへき開面に形成した窒化物半導体基板21a(便宜上これをA型と呼ぶことにする)を望んだり、図2(b)のようにオリエンテーションフラット23bをへき開面に垂直な面(例えば、(11−20)面)に形成した窒化物半導体基板21b(B型と呼ぶことにする)を望んだりする。 By the way, depending on the device manufacturer, the nitride semiconductor substrate 21a having the orientation flat 23a formed on the cleavage plane as shown in FIG. Nitride semiconductor substrate 21b (B) formed on a plane (for example, (11-20) plane) perpendicular to the cleavage plane as shown in FIG. 2B. I want to call it a type).
基板製造者においては、各々のデバイス製造者の要望に応えて、オリエンテーションフラットの方位が異なるA型やB型の窒化物半導体基板を製造する。このように、窒化物半導体基板には、オリエンテーションフラットの方位が異なる品種が2つあるいはそれ以上存在する。図示した2品種の窒化物半導体基板21a,21bは、円弧状部22の径と周長、オリエンテーションフラット23,23bの長さが全く同じであり、外観上全く差違がない。
In response to the demands of each device manufacturer, the substrate manufacturer manufactures A-type and B-type nitride semiconductor substrates having different orientation flat orientations. As described above, two or more kinds of nitride semiconductor substrates having different orientation flat orientations exist. The two types of nitride semiconductor substrates 21a and 21b shown in the figure have the same diameter and circumference of the arc-
基板製造者は、これら品種の異なる窒化物半導体基板21a,21bの識別を、窒化物半導体基板21a,21bに同梱される製造記録票、窒化物半導体基板21a,21bを収納する容器、窒化物半導体基板21a,21bを保管する場所の区分けなどによって行うことができる。 The substrate manufacturer identifies nitride semiconductor substrates 21a and 21b of different varieties, manufactures record slips bundled with the nitride semiconductor substrates 21a and 21b, containers for storing the nitride semiconductor substrates 21a and 21b, nitrides This can be done by dividing the location where the semiconductor substrates 21a and 21b are stored.
しかし、デバイス製造者において梱包や容器から取り出した窒化物半導体基板21a,21b(これを現品基板という)について品種を識別することは困難である。基板製造者であっても、現品基板はそれのみで品種を識別することは困難である。 However, it is difficult for the device manufacturer to identify the type of the nitride semiconductor substrates 21a and 21b (which are called actual substrates) taken out from the package or container. Even a board manufacturer cannot distinguish the type of the actual board by itself.
そこで、本発明の目的は、上記課題を解決し、品種の識別が可能な窒化物半導体基板を提供することにある。 Accordingly, an object of the present invention is to provide a nitride semiconductor substrate that can solve the above-described problems and that can identify the type.
上記目的を達成するために本発明は、主面が(0001)面であり、外周に円弧状部とオリエンテーションフラットが形成された窒化物半導体基板において、上記円弧状部と上記オリエンテーションフラットとの間に上記オリエンテーションフラットに対して角度を有する品種識別フラットを形成したものである。 In order to achieve the above object, the present invention provides a nitride semiconductor substrate having a (0001) plane as a main surface and an arcuate portion and an orientation flat formed on the outer periphery, the gap between the arcuate portion and the orientation flat. A product identification flat having an angle with respect to the orientation flat is formed.
上記品種識別フラットの長さを2mm以上としてもよい。 The product identification flat may have a length of 2 mm or more.
上記角度を140度〜160度としてもよい。 The angle may be 140 degrees to 160 degrees.
上記オリエンテーションフラットをへき開面に形成してもよい。 The orientation flat may be formed on a cleavage plane.
上記オリエンテーションフラットをへき開面に垂直な面に形成してもよい。 The orientation flat may be formed on a plane perpendicular to the cleavage plane.
本発明は次の如き優れた効果を発揮する。 The present invention exhibits the following excellent effects.
(1)品種の識別が可能となる。 (1) The product type can be identified.
以下、本発明の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1(a)に示されるように、本発明に係る窒化物半導体基板1は、主面が(0001)面であり、外周に円弧状部2とオリエンテーションフラット3が形成された窒化物半導体基板1において、上記円弧状部2と上記オリエンテーションフラット3との間に上記オリエンテーションフラット3に対して角度を有する品種識別フラット4を形成したものである。
As shown in FIG. 1A, a
品種識別フラット4とは、オリエンテーションフラット3と同様に直線部であって、品種識別の目的でオリエンテーションフラット3とは別途に形成される。
The product
この実施形態では、オリエンテーションフラット3がへき開面である(1−100)面に対して垂直な面である(11−20)面に形成されている。つまり、この窒化物半導体基板は、本明細書で定義したB型である。 In this embodiment, the orientation flat 3 is formed on a (11-20) plane that is a plane perpendicular to the (1-100) plane that is a cleavage plane. That is, this nitride semiconductor substrate is a B type defined in this specification.
そして、この実施形態では、品種識別フラット4はオリエンテーションフラット3の反時計回り端と円弧状部2との間に形成されている。
In this embodiment, the product
図1(b)に、品種識別フラット4の近傍を拡大して示す。図1(a)では縮小されているので、品種識別フラット4がどこにどのように形成されているか目視では分かりづらいが、図1(b)では拡大してあるので、品種識別フラット4が直線状であること、品種識別フラット4がオリエンテーションフラット3に対して角度を有すること、など詳細が目視でよくわかる。
FIG. 1B shows an enlarged view of the vicinity of the product
実物大の窒化物半導体基板1においては、品種識別フラット4が容易に視認でき、また、デバイスプロセス装置の光学的センサや機械的センサなど周知の技術により品種識別フラット4を検知することができる。
In the actual
品種識別フラット4の長さは、2mm以上であるのが好ましい。これは目視で品種識別する場合に見やすくするためである。2mm未満では、熟練度や視力などの個人差によって目視では品種識別がしづらい場合がある。
The length of the
オリエンテーションフラット3に対する品種識別フラット4の角度は、140度〜160度であるのが好ましい。160度以下とするのは、目視で品種識別する場合に見やすくするためである。160度を超えると、オリエンテーションフラット3と品種識別フラット4が一直線に近くなり、目視では品種識別がしづらい場合がある。140度以上とするのは、品種識別フラット4を形成したことによって基板面積が小さくなるのを防ぐためである。
The angle of the product identification flat 4 with respect to the orientation flat 3 is preferably 140 to 160 degrees. The reason why the angle is set to 160 degrees or less is to make it easy to see when the type is visually identified. When the angle exceeds 160 degrees, the orientation flat 3 and the product identification flat 4 are close to a straight line, and it may be difficult to identify the product visually. The reason why the angle is 140 degrees or more is to prevent the substrate area from being reduced by forming the product
以上の構成により、本発明の窒化物半導体基板1は次のような作用効果を奏する。
With the above configuration, the
本発明の窒化物半導体基板1は、品種識別フラット4が形成されており、この品種識別フラット4を目視あるいはセンサで確認できるので、品種識別フラット4が形成されていない従来の窒化物半導体基板と区別することができる。
The
さらに、本発明の窒化物半導体基板1は、円弧状部2とオリエンテーションフラット3との間に品種識別フラット4が形成されていると共に、その品種識別フラット4がオリエンテーションフラット3に対して角度を有するので、両フラット間の形状の差違が顕著になり、目視あるいはセンサで確認しやすい。
Furthermore, in the
また、この実施形態では、オリエンテーションフラット3が(11−20)面に形成されているB型の窒化物半導体基板1に品種識別フラット4を形成したので、この窒化物半導体基板1の現品基板を見た人(あるいはデバイスプロセス装置)は、この現品基板が本発明の窒化物半導体基板1であることを識別すると同時に、品種がB型であることをも識別することができる。
In this embodiment, since the product
これとは逆に、オリエンテーションフラットが(1−100)面に形成されているA型の窒化物半導体基板に品種識別フラットを形成した場合も、その窒化物半導体基板の現品基板の品種がA型であることを識別することができる。もちろん、A型とB型の窒化物半導体基板に同じ品種識別フラットを形成してしまうと、両型間の識別ができないが、B型においてオリエンテーションフラット3の反時計回り端に品種識別フラット4を形成し、A型においてオリエンテーションフラット3の時計回り端に品種識別フラット(図示せず)を形成すれば、両型共に本発明を適用でき、両型間の識別ができる。
On the other hand, when the type identification flat is formed on the A type nitride semiconductor substrate having the orientation flat formed on the (1-100) plane, the type of the actual substrate of the nitride semiconductor substrate is A type. Can be identified. Of course, if the same type identification flat is formed on the A-type and B-type nitride semiconductor substrates, the two types cannot be discriminated, but the
さらに、本発明の窒化物半導体基板1は、品種識別が容易になったことにより、デバイス製造者において現品基板を品種識別できることはもとより、基板製造者においても品種取り違えといった作業ミスを低減し、製造記録票、容器、保管場所区分けといった工程管理の効率化に役立てることができる。
Furthermore, the
また、品種識別とは目的が異なるが、面仕上げが両面ミラー仕上げの窒化物半導体基板において、本発明の品種識別フラット4を形成した窒化物半導体基板1は、この品種識別フラット4の位置(オリエンテーションフラット3との相対位置)によって表裏の判別が可能となる。これにより、従来から両面ミラー仕上げ基板に設けられているインデックスフラットをなくすることができ、これにより、窒化物半導体基板の有効面積を増やすことができる。
Further, although the purpose is different from the type identification, the
なお、両面ミラー仕上げの窒化物半導体基板で品種識別を行う場合は、インデックスフラットで表裏識別を行い、品種識別フラット4で品種識別を行うようにする。
In addition, when performing product type identification with a nitride semiconductor substrate having a double-sided mirror finish, front / back identification is performed using an index flat, and product type identification is performed using a product
1 窒化物半導体基板
2 円弧状部
3 オリエンテーションフラット
4 品種識別フラット
DESCRIPTION OF
Claims (5)
4. The nitride semiconductor substrate according to claim 1, wherein the orientation flat is formed on a plane perpendicular to the cleavage plane.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006189252A JP2008016772A (en) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | Nitride semiconductor substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006189252A JP2008016772A (en) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | Nitride semiconductor substrate |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008016772A true JP2008016772A (en) | 2008-01-24 |
Family
ID=39073479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006189252A Pending JP2008016772A (en) | 2006-07-10 | 2006-07-10 | Nitride semiconductor substrate |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008016772A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011077849A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 住友電気工業株式会社 | Group iii nitride semiconductor laser element, method for producing group iii nitride semiconductor laser element, and epitaxial substrate |
JP2012039149A (en) * | 2009-12-25 | 2012-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Group iii nitride semiconductor laser element, method of producing the same, and epitaxial substrate |
JP2012051743A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Showa Denko Kk | Wafer, method for manufacturing template substrate for semiconductor light-emitting element, method for manufacturing semiconductor light-emitting element substrate, template substrate for semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element substrate, and resist coating method |
-
2006
- 2006-07-10 JP JP2006189252A patent/JP2008016772A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011077849A1 (en) * | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 住友電気工業株式会社 | Group iii nitride semiconductor laser element, method for producing group iii nitride semiconductor laser element, and epitaxial substrate |
JP2011151349A (en) * | 2009-12-25 | 2011-08-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Group iii nitride semiconductor laser element, method for producing group iii nitride semiconductor laser element, and epitaxial substrate |
JP2012039149A (en) * | 2009-12-25 | 2012-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Group iii nitride semiconductor laser element, method of producing the same, and epitaxial substrate |
US8507305B2 (en) | 2009-12-25 | 2013-08-13 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Group-III nitride semiconductor laser device, method of fabricating group-III nitride semiconductor laser device, and epitaxial substrate |
CN103606817A (en) * | 2009-12-25 | 2014-02-26 | 住友电气工业株式会社 | Epitaxial substrate, and method for producing Group III nitride semiconductor laser element |
JP2012051743A (en) * | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Showa Denko Kk | Wafer, method for manufacturing template substrate for semiconductor light-emitting element, method for manufacturing semiconductor light-emitting element substrate, template substrate for semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element substrate, and resist coating method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4631938B2 (en) | Clip and backlight assembly | |
US8310536B2 (en) | Shape measurement apparatus and shape measurement method | |
JP2007080813A (en) | Connector with built-in light pipe | |
JP2008016772A (en) | Nitride semiconductor substrate | |
JP6018075B2 (en) | Wafer storage container | |
US20100056031A1 (en) | Polishing Pad | |
JP5134412B2 (en) | Chipping detection method | |
TW200635989A (en) | Method for manufacturing optical element | |
WO2016157172A3 (en) | Machine-readable visual representation for authenticity | |
US20070059991A1 (en) | Electronic device and liquid crystal display device | |
EP2093727A1 (en) | A security optical fiber sensor | |
JP2007257861A (en) | Wire identification equipment | |
US20030099442A1 (en) | Illuminating dust proof cap for an optical fiber socket | |
JP2006252114A (en) | Commodity storage shelf in vending machine | |
KR101635968B1 (en) | Tool storage signal tray and its storage method | |
KR200475040Y1 (en) | Cable Management Label | |
JP2005197013A (en) | Led base plate structure | |
JP6153433B2 (en) | Blade case | |
KR100999696B1 (en) | Light emitting apparatus and display apparatus having the same | |
JP4133065B2 (en) | Card case holder and substrate storage container | |
TWI342971B (en) | Back light module | |
JP5286713B2 (en) | Method for forming identification part of resin molded product, method for producing resin molded product, and resin molded product | |
CN102673480A (en) | Rearview mirror | |
US20140231306A1 (en) | Apparatus for storing substrates | |
JP2008122657A (en) | Optical lens |