JP2008010677A - Detecting sensor and ic therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、検出センサ用IC及び検出センサに関し、詳しくは検出センサ用IC及び検出センサに混入する雑音の制御手段に関するものである。 The present invention relates to a detection sensor IC and a detection sensor, and more particularly to a detection sensor IC and a control means for noise mixed in the detection sensor.
光電センサ等の検出センサは、被検出物(ワーク)の有無による受光信号の変化に対して、設定された検出用しきい値レベルに基づき該ワークの検出を行なっている。光電センサには、装置の小型化等のため、受光素子と処理回路が搭載されたIC(以下、光検出用IC)を使用するものがある。光電センサの使用目的や用途によっては、作業者(ユーザ)が光電センサの受光感度を調整する必要があるものと必要がないものとがあるが、量産効率を向上させるため、単一種類の光検出用ICで光電センサを製作したいという要求があった。 A detection sensor such as a photoelectric sensor detects a workpiece based on a set detection threshold level with respect to a change in a received light signal depending on the presence or absence of an object (work). Some photoelectric sensors use an IC (hereinafter referred to as a light detection IC) on which a light receiving element and a processing circuit are mounted in order to reduce the size of the apparatus. Depending on the purpose and application of the photoelectric sensor, there are some operators (users) who need to adjust the photosensitivity of the photoelectric sensor, and others that do not need to be adjusted. There was a demand to manufacture a photoelectric sensor with a detection IC.
そこで、図4に示すように、光検出用IC50内のプリアンプ51とメインアンプ52との間に受光感度調整用可変抵抗14を外付けすることにより受光感度の調整を行う光電センサが知られている(例えば特許文献1参照)。なお、受光感度の調整を行う必要がない製品を作成する場合には、外付けの受光感度調整用可変抵抗14を接続する外部端子P1,P2間を配線53(図4の一転鎖線)にて短絡する。
ところが上記特許文献1では、受光感度の調整を行う必要がない光電センサにおいては外付けの受光感度調整用可変抵抗14を接続せず、外部端子P1,P2間を短絡するため、プリアンプ51からメインアンプ52までの配線長が長くなり、また配線がICの外部を介して配設されるため、受光信号にノイズが混入しやすくなるという問題があった。
However, in the above-mentioned Patent Document 1, in the photoelectric sensor that does not need to adjust the light receiving sensitivity, the external light receiving sensitivity adjusting
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、検出信号に混入するノイズを低減することが可能な検出センサ用IC及び検出センサを提供することにある。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object thereof is to provide a detection sensor IC and a detection sensor that can reduce noise mixed in a detection signal.
上記目的を達成するため、請求項1に記載の発明は、被検出物を検出するための物理量に応じたレベルの検出信号を出力する物理量検出手段と、前記物理量検出手段から出力される前記検出信号に基づいて前記被検出物の判別を行う判別手段と、を備える検出センサに設けられ、前記物理量検出手段から出力される前記検出信号を増幅する増幅回路を備える検出センサ用ICであって、前記物理量検出手段から前記増幅回路を介して判別手段までの経路の一部を短絡又は開放する第1スイッチ手段と、前記第1スイッチ手段によって短絡又は開放される第1スイッチ部分と電気的に接続される一対の外部端子と、を備え、前記第1スイッチ手段は外部からの制御によって短絡又は開放が切り換えられる。 In order to achieve the above object, the invention described in claim 1 is directed to a physical quantity detection means for outputting a detection signal at a level corresponding to a physical quantity for detecting an object to be detected, and the detection output from the physical quantity detection means. A detection sensor IC including an amplification circuit that amplifies the detection signal output from the physical quantity detection means. The first switch means for short-circuiting or opening a part of the path from the physical quantity detection means to the determination means via the amplifier circuit, and the first switch portion short-circuited or opened by the first switch means are electrically connected. A pair of external terminals, wherein the first switch means is switched between short-circuit and open-circuit by external control.
上記構成によれば、第1スイッチ手段によって第1スイッチ部分を短絡すると、検出信号はICの内部を伝達し、検出センサ用ICの外部端子を介さずに済むため、受光信号の経路が短くなり、検出信号に混入するノイズを低減することができる。また、第1スイッチ手段によって第1スイッチ部分を開放すると、同種の検出センサ用ICで外部端子に接続した部品を利用することが可能となる。 According to the above configuration, when the first switch portion is short-circuited by the first switch means, the detection signal is transmitted inside the IC and does not need to go through the external terminal of the detection sensor IC. , Noise mixed in the detection signal can be reduced. Further, when the first switch portion is opened by the first switch means, it is possible to use a component connected to the external terminal with the same kind of detection sensor IC.
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の検出センサ用ICにおいて、前記増幅回路は前置増幅器と主増幅器を備えて構成され、前記第1スイッチ部分は、前記前置増幅器と前記主増幅器の間とした。 According to a second aspect of the present invention, in the detection sensor IC according to the first aspect, the amplifier circuit includes a preamplifier and a main amplifier, and the first switch portion includes the preamplifier and the main amplifier. Between the main amplifiers.
上記構成によれば、第1スイッチ部分が前置増幅器と主増幅器の間であるため、検出信号が検出センサ用ICの外部へ伝達される前に前置増幅器で検出信号レベルを増幅することができ、ノイズによる影響を低減できる。また、主増幅器に入力される前に検出信号レベルの調整が可能であるため、調整できる幅を広くすることができる。 According to the above configuration, since the first switch portion is between the preamplifier and the main amplifier, the detection signal level can be amplified by the preamplifier before the detection signal is transmitted to the outside of the detection sensor IC. And the influence of noise can be reduced. Further, since the detection signal level can be adjusted before being input to the main amplifier, the adjustable range can be widened.
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の検出センサ用ICにおいて、前記第1スイッチ手段と相補的な動作によって、前記第1スイッチ部分と前記一対の外部端子との間を短絡又は開放する一対の第2スイッチ手段を備えるものである。 According to a third aspect of the present invention, in the detection sensor IC according to the first or second aspect, the first switch portion and the pair of external terminals are connected by an operation complementary to the first switch means. A pair of second switch means for short-circuiting or opening is provided.
上記構成によれば、第1スイッチ手段が短絡するとき、第2スイッチ手段が開放するため、外部端子と増幅回路が切り離される。そのため、外部端子から検出信号にノイズが混入するのを防止できる。また、第1スイッチ手段が開放するとき、第2スイッチ手段が短絡されるため、同種の検出センサ用ICで外部端子に接続した部品を利用することが可能となる。 According to the above configuration, when the first switch means is short-circuited, the second switch means is opened, so that the external terminal and the amplifier circuit are separated. Therefore, it is possible to prevent noise from entering the detection signal from the external terminal. Further, since the second switch means is short-circuited when the first switch means is opened, it is possible to use a component connected to the external terminal with the same kind of detection sensor IC.
請求項4に記載の発明は、被検出物を検出するための物理量に応じたレベルの検出信号を出力する物理量検出手段と、前記物理量検出手段から出力される前記検出信号に基づいて前記被検出物の判別を行う判別手段とを備える検出センサであって、前記物理量検出手段から出力される前記検出信号を増幅する増幅回路と、前記物理量検出手段から前記増幅回路を介して判別手段までの経路の一部を短絡又は開放する第1スイッチ手段と、前記第1スイッチ手段によって短絡又は開放される第1スイッチ部分と電気的に接続される一対の外部端子と、を備える検出センサ用ICと、前記第1スイッチ手段の短絡、開放を切り替える切り替え手段とを備えるものである。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a physical quantity detection means for outputting a detection signal at a level corresponding to a physical quantity for detecting an object to be detected, and the detection target based on the detection signal output from the physical quantity detection means. A detection sensor including a determination unit configured to determine an object, an amplification circuit for amplifying the detection signal output from the physical quantity detection unit, and a path from the physical quantity detection unit to the determination unit via the amplification circuit A first switch means for short-circuiting or opening a part of the first switch means, and a pair of external terminals electrically connected to the first switch part short-circuited or opened by the first switch means, And switching means for switching between short circuit and open of the first switch means.
上記構成によれば、第1スイッチ手段によって第1スイッチ部分を短絡すると、検出信号はICの内部を伝達するため、検出信号に混入するノイズを低減することができる。また、第1スイッチ手段によって第1スイッチ部分を開放すると、同種の検出センサ用ICで外部端子に接続した部品を利用することが可能となる。 According to the above configuration, when the first switch portion is short-circuited by the first switch means, the detection signal is transmitted inside the IC, so that noise mixed in the detection signal can be reduced. Further, when the first switch portion is opened by the first switch means, it is possible to use a component connected to the external terminal with the same kind of detection sensor IC.
請求項5に記載の発明は、請求項4に記載の検出センサにおいて、前記第1スイッチ手段によって、前記第1スイッチ部分が開放され、前記一対の外部端子には検出信号レベルの調整手段が接続されるものである。 According to a fifth aspect of the present invention, in the detection sensor according to the fourth aspect, the first switch portion is opened by the first switch means, and a detection signal level adjusting means is connected to the pair of external terminals. It is what is done.
上記構成によれば、検出信号レベルの調整が可能な検出センサを提供することができる。
請求項6に記載の発明は、請求項4に記載の検出センサにおいて、前記第1スイッチ手段によって、前記第1スイッチ部分が短絡され、前記一対の外部端子は開放されているものである。
According to the said structure, the detection sensor which can adjust a detection signal level can be provided.
According to a sixth aspect of the present invention, in the detection sensor according to the fourth aspect, the first switch portion is short-circuited by the first switch means, and the pair of external terminals are opened.
上記構成によれば、検出信号に混入するノイズが小さい検出センサを提供できる。
請求項7に記載の発明は、請求項4〜6のいずれか一項に記載の検出センサにおいて、前記第1スイッチ部分と前記一対の外部端子との間に設けられ、前記切り替え手段によって前記第1スイッチ手段と相補的に短絡又は開放される一対の第2スイッチ手段を備えるものである。
According to the said structure, the detection sensor with small noise mixed in a detection signal can be provided.
According to a seventh aspect of the present invention, in the detection sensor according to any one of the fourth to sixth aspects, the detection sensor is provided between the first switch portion and the pair of external terminals. It comprises a pair of second switch means that are short-circuited or opened in a complementary manner with one switch means.
上記構成によれば、第1スイッチ手段が短絡するとき、第2スイッチ手段が開放するため、外部端子と検出用IC内の回路とが切り離され、外部端子から検出信号にノイズが混入するのを防止することが可能となる。また、第1スイッチ手段が開放するとき、第2スイッチ手段が短絡されるため、同種の検出センサ用ICで外部端子に接続した部品を利用することが可能となる。 According to the above configuration, when the first switch means is short-circuited, the second switch means is opened, so that the external terminal is disconnected from the circuit in the detection IC, and noise is mixed into the detection signal from the external terminal. It becomes possible to prevent. Further, since the second switch means is short-circuited when the first switch means is opened, it is possible to use a component connected to the external terminal with the same kind of detection sensor IC.
本発明によれば、検出信号に混入するノイズを低減することが可能な検出センサ用IC及び検出センサを提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, IC for detection sensors and a detection sensor which can reduce the noise mixed in a detection signal can be provided.
以下、本発明を検出装置としてのビームセンサに具体化した一実施の形態を図1〜図3に従って説明する。
図1(a)は本実施形態のビームセンサ10の斜視図である。ビームセンサ10の本体11は略直方体に形成され図示しない外部機器と繋がるケーブル12が接続されている。また本体11の側面13には、受光感度調整手段としての受光感度調整用可変抵抗14が露出するように設置されている。図1(b)に示すように、ビームセンサ10内には、LED(発光ダイオード)からなる投光素子15が設置されるとともにプリント基板16が配設され、該プリント基板16には入射光を受光する光検出用IC20が実装されている。また本体11の底面には、投光素子15及び光検出用IC20に対向するようにレンズ17が設置されている。
Hereinafter, an embodiment in which the present invention is embodied in a beam sensor as a detection device will be described with reference to FIGS.
FIG. 1A is a perspective view of a
図2に示すように、光検出用IC20の上面には該光検出用IC20内部へ光を入射するための窓20aが形成され、その窓20aに対応して光検出用IC20内には、図3に示す物理量検出手段としてのフォトダイオードPDが配設されている。フォトダイオードPDのアノードはグランドGNDに接続され、カソードは抵抗R1を介して電源Vccに接続されるとともにI/V変換器21に接続されている。I/V変換器21の出力端子はプリアンプ22に接続されており、I/V変換器21は、フォトダイオードPDから入力される入射光量に応じた光電流を電圧に変換してプリアンプ22に出力する。
As shown in FIG. 2, a
プリアンプ22は、入力電圧を増幅して出力する。このプリアンプ22の出力端子は第1スイッチSW1及び第2スイッチSW2の一端に接続され、第1スイッチSW1の他端はカップリングコンデンサC1を介してメインアンプ23に接続され、第2スイッチSW2の他端は外部端子P1に接続されている。また、第1スイッチSW1の他端は第3スイッチSW3の一端に接続され、第3スイッチSW3の他端は外部端子P2に接続されている。両外部端子P1,P2はプリント基板の接続端子P11,P12と接続され、その接続端子P11,P12の間に受光感度調整用可変抵抗14が接続されている。尚、第1スイッチSW1は第1スイッチ手段を構成し、第2及び第3スイッチSW2,SW3は一対の第2スイッチ手段を構成する。
The
メインアンプ23の出力端子は判別手段としてのコンパレータ24に接続されており、メインアンプ23はカップリングコンデンサC1を介して入力される信号を増幅してコンパレータ24に出力する。コンパレータ24は出力回路25に接続され、コンパレータ24は、入力される信号(電圧)と基準電圧とを比較し、該比較結果に応じた2値の信号を出力回路25に出力する。出力回路25は外部と接続され、入力される信号を外部に出力する。
The output terminal of the
受光感度調整用可変抵抗14は、2つの固定端子と1つの可動端子とを有し、第1の固定端子が接続端子P11に接続され、第2の固定端子がグランドGNDに接続され、可動端子が接続端子P12に接続されている。従って、受光感度調整用可変抵抗14は、可動端子の調整位置に応じて、第1の固定端子と可動端子との間の抵抗値と、可動端子と第2の固定端子との間の抵抗値とが変更され、両抵抗値によりプリアンプ22の出力電圧を分圧する。これにより、メインアンプ23に入力される電圧が受光感度調整用可変抵抗14により変更され、メインアンプ23の出力する電圧が調整される。尚、プリアンプ22及びメインアンプ23は、プリアンプ22を前置増幅器、メインアンプ23を主増幅器として増幅回路を構成する。
The light receiving sensitivity
第1スイッチSW1と第2及び第3スイッチSW2,SW3は、異なる導電型のMOS型トランジスタによって構成され、プリント基板16に実装された第4スイッチSW4に接続されている。第4スイッチSW4は、例えばプリント基板16に実装された3つのピンと、そのうちの2つのピンを短絡するショートバーとからなり、第1スイッチSW1と第2及び第3スイッチSW2,SW3のオンオフを切り替える切り替え手段を構成する。第1のピンは電源Vccに接続され、第2のピンは第1〜第3スイッチSW1〜SW3に接続され、第3のピンはグランドGNDに接続されている。ショートバーは、第1のピンと第2のピン、又は第2のピンと第3のピンとの間を短絡する。この構成により、電源Vccレベル(Hレベル)又はグランドGNDレベル(Lレベル)の制御信号S1が第1〜第3スイッチSW1〜SW3に供給され、受光感度の調整があるビームセンサとないビームセンサを単一種類の光検出用ICで作成することができる。
The first switch SW1 and the second and third switches SW2 and SW3 are composed of different conductivity type MOS transistors, and are connected to a fourth switch SW4 mounted on the printed
第1スイッチSW1と第2及び第3スイッチSW2,SW3は、制御信号S1に応答して相補的にオンオフする。詳しくは、制御信号S1がHレベルの場合(受光感度の調整がないビームセンサ)は、第1スイッチSW1はオンし、第2及び第3スイッチSW2,SW3はオフする。逆に制御信号S1がLレベルの場合(受光感度の調整があるビームセンサ)は、第1スイッチSW1はオフし、第2及び第3スイッチSW2,SW3はオンする。 The first switch SW1 and the second and third switches SW2 and SW3 are complementarily turned on and off in response to the control signal S1. Specifically, when the control signal S1 is at the H level (a beam sensor without adjusting the light receiving sensitivity), the first switch SW1 is turned on, and the second and third switches SW2 and SW3 are turned off. Conversely, when the control signal S1 is at L level (a beam sensor with adjustment of light reception sensitivity), the first switch SW1 is turned off and the second and third switches SW2 and SW3 are turned on.
上記のように構成されたビームセンサ10の動作を説明する。
このビームセンサ10の製造工程において、第4スイッチSW4はショートバーによって第2のピンと第3のピンとが短絡されるため、動作時にLレベルの制御信号S1が光検出用IC20に供給され、該制御信号S1により、第1スイッチSW1がオフし、第2及び第3スイッチSW2,SW3がオンする。従って、プリアンプ22から出力された信号は第2スイッチSW2、外部端子P1及び接続端子P11を介して受光感度調整用可変抵抗14に入力される。受光感度調整用可変抵抗14で所望の値に分圧された電圧信号は、接続端子P12、外部端子P2、第3スイッチSW3及びカップリングコンデンサC1を介してメインアンプ23に入力される。そのため、受光感度調整用可変抵抗14の抵抗値を調整することで、受光感度の調整を行うことができる。
The operation of the
In the manufacturing process of the
次に、感度調整がないビームセンサを構成した場合について説明する。
このビームセンサは、製造工程において第4スイッチSW4はショートバーによって第1のピンと第2のピンとが短絡され、受光感度調整用可変抵抗14は接続端子P11,P12に接続されず、接続端子P11,P12及び外部端子P1,P2は開放状態にある。
Next, a case where a beam sensor without sensitivity adjustment is configured will be described.
In the beam sensor, in the manufacturing process, the first switch and the second pin are short-circuited by the short bar of the fourth switch SW4, and the variable sensitivity for light receiving
動作時に第4スイッチSW4の接続状態に応じてHレベルの制御信号S1が光検出用IC20に供給され、第1スイッチSW1がオンし、第2及び第3スイッチSW2,SW3オフする。従って、外部端子P1,P2の間を短絡することなく、プリアンプ22から出力された電圧信号は第1スイッチSW1及びカップリングコンデンサC1を介してメインアンプ23に入力される。そのため、外部端子P1,P2が短絡されている場合に比べ配線長が短いので、プリアンプ22からメインアンプ23に伝達する電圧信号にノイズが混入するのを低減できる。また、外部端子P1,P2は第2及び第3スイッチSW2,SW3によって切断されているので、外部からのノイズも混入するのを低減できる。
During operation, an H level control signal S1 is supplied to the
以上記述したように、本実施の形態によれば、以下の効果を奏する。
(1)第1スイッチ部分であるプリアンプ22とメインアンプ23との間に第1スイッチSW1を接続し、製品によって該第1スイッチSW1を短絡又は開放するようにした。光検出用IC20の外部端子P1,P2に可変抵抗が取り付け可能であるため、受光感度の調整があるビームセンサとないビームセンサの双方に用いることができる。また、受光感度の調整がない製品では第1スイッチSW1がオンしているので、受光信号はプリアンプ22から出力された後、第1スイッチSW1及びカップリングコンデンサC1を介してメインアンプ23に入力される。そのため光検出用IC20の外部端子P1,P2を介さずに済むので、受光信号の経路が短くなり、かつ、光検出用IC20内のみで受光信号の伝達ができるので、受光信号にノイズが混入するのを低減することができる。
As described above, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1) The first switch SW1 is connected between the
(2)受光感度の調整がないビームセンサでは、第2及び第3スイッチSW2,SW3がオフしているので、光検出用IC20の外部端子P1,P2から受光信号にノイズが混入するのを防ぐことができる。
(2) In the beam sensor without adjusting the light receiving sensitivity, since the second and third switches SW2 and SW3 are turned off, noise is prevented from being mixed into the light receiving signal from the external terminals P1 and P2 of the
(3)受光感度の調整がないビームセンサでは、光検出用IC20の外部端子P1,P2を短絡する部品が必要なくなるので、部品の削減が可能となる。
(4)第1スイッチ部分がプリアンプ22とメインアンプ23の間であるため、受光信号が光検出用IC20の外部へ伝達される前にプリアンプ22で受光信号レベルを増幅することができ、ノイズによる影響を低減できる。また、メインアンプ23に入力される前に受光信号レベルが調整できるため、調整できる幅を広くすることができる。
(3) In the beam sensor in which the light receiving sensitivity is not adjusted, parts for short-circuiting the external terminals P1 and P2 of the
(4) Since the first switch portion is between the
尚、上記各実施の形態は、以下の態様で実施してもよい。
・上記実施形態において、第2スイッチSW2及び第3スイッチSW3を省略しても良い。
In addition, you may implement each said embodiment in the following aspects.
In the above embodiment, the second switch SW2 and the third switch SW3 may be omitted.
・上記実施形態において、ビームセンサは反射光を受光するタイプに限らず、透過光を受光するタイプであっても良い。
・上記実施形態は、投光素子15とフォトダイオードPD(受光素子)とを備えたビームセンサに具体化したが、投光素子を備えた投光部と受光素子を備えた受光部とが別体のセンサシステムに応用しても良い。
In the above embodiment, the beam sensor is not limited to the type that receives reflected light, but may be the type that receives transmitted light.
-Although the said embodiment was actualized in the beam sensor provided with the
・上記実施形態において、第1〜第3スイッチSW1〜SW3を制御する制御信号S1は、同一ではなく、別々のものであっても良い。
・上記実施形態において、第1〜第3スイッチSW1〜SW3を制御する制御信号S1は、プリント基板上からでなく、外部から入力しても良い。
In the above embodiment, the control signals S1 for controlling the first to third switches SW1 to SW3 are not the same and may be different.
In the above embodiment, the control signal S1 for controlling the first to third switches SW1 to SW3 may be input from the outside instead of from the printed circuit board.
・上記実施形態では、プリアンプ22とメインアンプ23との間に第1スイッチSW1を接続したが、フォトダイオードPDからコンパレータ24までの経路中の任意の部分にスイッチを設けてもよい。例えば、メインアンプ23とコンパレータ24との間にスイッチを設け、外部端子にはアンプやフィルタ等を接続するようにしてもよい。
In the above embodiment, the first switch SW1 is connected between the
10…ビームセンサ、14…受光感度調整用可変抵抗、20…光検出用IC、22…プリアンプ、23…メインアンプ、24…コンパレータ、P1,P2…外部端子、PD…フォトダイオード、SW1,SW2,SW3,SW4…スイッチ。
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記物理量検出手段から前記増幅回路を介して判別手段までの経路の一部を短絡又は開放する第1スイッチ手段と、
前記第1スイッチ手段によって短絡又は開放される第1スイッチ部分と電気的に接続される一対の外部端子と、を備え、
前記第1スイッチ手段は外部からの制御によって短絡又は開放が切り換えられることを特徴とする検出センサ用IC。 A physical quantity detection means for outputting a detection signal of a level corresponding to a physical quantity for detecting the detection object; a determination means for determining the detection object based on the detection signal output from the physical quantity detection means; A detection sensor IC provided with an amplification circuit that amplifies the detection signal output from the physical quantity detection means.
First switch means for short-circuiting or opening a part of a path from the physical quantity detection means to the discrimination means via the amplifier circuit;
A pair of external terminals electrically connected to the first switch portion short-circuited or opened by the first switch means,
The detection sensor IC, wherein the first switch means is switched between short circuit and open by external control.
前記第1スイッチ部分は、前記前置増幅器と前記主増幅器の間であることを特徴とする請求項1に記載の検出センサ用IC。 The amplifier circuit is configured to include a preamplifier and a main amplifier,
The detection sensor IC according to claim 1, wherein the first switch portion is between the preamplifier and the main amplifier.
前記物理量検出手段から出力される前記検出信号を増幅する増幅回路と、前記物理量検出手段から前記増幅回路を介して判別手段までの経路の一部を短絡又は開放する第1スイッチ手段と、前記第1スイッチ手段によって短絡又は開放される第1スイッチ部分と電気的に接続される一対の外部端子と、を備える検出センサ用ICと、
前記第1スイッチ手段の短絡、開放を切り替える切り替え手段と、
を備えることを特徴とする検出センサ。 Physical quantity detection means for outputting a detection signal at a level corresponding to a physical quantity for detecting the detected object; and determination means for determining the detected object based on the detection signal output from the physical quantity detection means. A detection sensor comprising:
An amplification circuit for amplifying the detection signal output from the physical quantity detection means; a first switch means for short-circuiting or opening a part of a path from the physical quantity detection means to the discrimination means via the amplification circuit; A detection sensor IC comprising: a pair of external terminals electrically connected to a first switch portion short-circuited or opened by one switch means;
Switching means for switching between short-circuiting and opening of the first switch means;
A detection sensor comprising:
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- 2006-06-29 JP JP2006180321A patent/JP2008010677A/en active Pending
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