JP2007511085A - 2段階硬化工程を含む白色発光ダイオード装置の製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 claims abstract description 26
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 claims description 9
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 claims description 3
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 claims description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 claims description 3
- 125000000853 cresyl group Chemical group C1(=CC=C(C=C1)C)* 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000008064 anhydrides Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 abstract description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 29
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 29
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000008065 acid anhydrides Chemical group 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013036 cure process Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- -1 amine compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
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- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
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Abstract
優れた光特性を有する白色LED装置の製造方法が提供される。この方法は、室温で主剤及び硬化剤を混合して、液状エポキシ樹脂調製し、70℃〜1000℃の温度において、1.3〜40.0hPa(1〜30トール)の圧力で、液状エポキシ樹脂を半硬化し、室温で半硬化した液状エポキシ樹脂に、燐光物質を添加し、混合して、燐光物質を有する母剤樹脂を製造し、LEDチップを含む被モールディング部材に、母剤樹脂を供給し、120℃以上の温度において、周囲圧で、母剤樹脂を完全に硬化する。
Description
本発明は、発光ダイオード(Light Emitting Diode、LED)装置の製造方法にし、より具体的には、液状エポキシ樹脂を利用した白色発光ダイオード装置の製造方法に関するものである。
現在、白色LED装置は、その適用分野が持続的に拡大している。ディスプレー装置を始めとして各種機器のバックライト用装置、照明機器用装置だけではなく、種々の信号表示装置などでも白色LED装置が使用されている。 白色LED装置の燐光物質は、青色光又は紫外光LEDチップから放出される青色光(波長が約440nmから475nmの間)又は紫外線光(波長が約 350nmから410nmの間)に曝されると、入射青色光又は紫外光をより長い波長の光に変換して、白色LED装置は、白色光を放出する。
燐光物質(蛍光顔料)は、紫外光又は青色光を他の波長の光に変換させる。燐光物質は、一般的に、LEDチップを保護するために、モールディング用エポキシ樹脂に分散され、エポキシ樹脂における燐光物質の分散状態は、光度、色分布及び信頼性などの白色LED装置の特性に多くな影響を及ぼす。即ち、品質が優秀な白色LED装置を製造するためには、燐光物質をエポキシ樹脂に均一に分散させなければならない。
しかしながら、エポキシ樹脂は、比重が約1.1〜1.5の物質であり、一方、燐光物質は、比重が約3.8〜6.0の物質である。従って、燐光物質をエポキシ樹脂に添加すると、燐光物質は、比重の差によって、エポキシ樹脂中で、沈降する。この比重差は、燐光物質をエポキシ樹脂の中に均一に分散させて優れた光特性を有する白色LED装置を製造するのに障害となる。
また、エポキシ樹脂は、加熱及び硬化(cure)する硬化工程に付すると、硬化工程の初期に、その粘度が低下し、その後、次第に粘度が増加して最終的に硬化する。従って、燐光物質が沈殿する現象はエポキシ樹脂の粘度が低い硬化工程の初期段階に発生しやすい。エポキシ樹脂の粘度が低いほど、蛍光顔料の沈殿は多くなる。優れた光特性を有する白色LED素子を製造するためには、硬化工程の初期段階で液状エポキシ樹脂の粘度低下によって蛍光顔料が沈殿する現象を防止又は抑制する必要がある。
また、エポキシ樹脂は、加熱及び硬化(cure)する硬化工程に付すると、硬化工程の初期に、その粘度が低下し、その後、次第に粘度が増加して最終的に硬化する。従って、燐光物質が沈殿する現象はエポキシ樹脂の粘度が低い硬化工程の初期段階に発生しやすい。エポキシ樹脂の粘度が低いほど、蛍光顔料の沈殿は多くなる。優れた光特性を有する白色LED素子を製造するためには、硬化工程の初期段階で液状エポキシ樹脂の粘度低下によって蛍光顔料が沈殿する現象を防止又は抑制する必要がある。
本発明は、燐光物質をエポキシ樹脂に均一に分散されることにより、高い光度及び信頼性を有し、かつ色分布の分散性の低い白色LED素子を製造する方法を提供することである。
本発明は、また、簡易な工程により、生産費用を低減できる白色LED装置を製造する方法を提供することである。
本発明は、また、簡易な工程により、生産費用を低減できる白色LED装置を製造する方法を提供することである。
本発明によれば、2段階硬化工程を含む白色LED装置の製造方法が提供される。本発明においては、エポキシ樹脂及び燐光物質の混合物を完全に硬化させる前に、エポキシ樹脂を半硬化する工程を実施して液状エポキシ樹脂を半硬化(semi-cure)させる。本発明のように半硬化を実施するので、完全な硬化工程を実施する間に、燐光物質が沈殿する現象などを防止することができる。従って、燐光物質がエポキシ樹脂に均一して分散されている白色LED装置を本発明の方法を使用することにより製造することができる。このような本発明の特徴は、事前に液状エポキシ樹脂を半硬化させた後、エポキシ樹脂と燐光物質との混合物を完全に硬化させることにより、完全硬化工程の初めにエポキシ樹脂の粘度が低くなる現状を緩和させる。
本発明の望ましい一態様によると、まず室温で主剤及び硬化剤を含む液状エポキシ樹脂エポキシ樹脂を、70℃〜100℃の温度及び低圧で、例えば、1.3hPa(1トール)〜40.0hPa(30トール)の圧力の下で、半硬化させた後、温度を室温に下げる。燐光物質を、得られた半硬化液体エポキシ樹脂に添加し、2次混合して、燐光物質と混合された母剤樹脂を製造する。1次混合段階で燐光物質を十分に添加した場合には、燐光物質の半硬化液状エポキシ樹脂への添加は省略することができる。次いで、LEDチップを含む被モールディング部材に、前記得られた生成物を供給して、120℃以上の温度及び周囲圧の下で、前記母剤樹脂を完全に硬化させる。完全な硬化段階において、母剤樹脂は完全に硬化される。第2硬化段階の初期段階にはエポキシ樹脂の粘度の低下がほとんど発生しないために、燐光物質を母剤樹脂に均一に分散させることができる。母材剤の完全硬化後に、白色LED装置が得られる。
母剤樹脂の供給は、ポッティング法(potting)法又はスクリーンパターンマスキング(screen pattern masking)法を使用して行うことができる。
主剤は、クレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノールAエポキシ又はこれらの混合物である。硬化剤は、酸無水物、芳香族アミン変性体、フェノールノボラックエポキシ又はこれらの混合物である。
主剤は、クレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノールAエポキシ又はこれらの混合物である。硬化剤は、酸無水物、芳香族アミン変性体、フェノールノボラックエポキシ又はこれらの混合物である。
本発明の態様による白色LED装置を製造する方法において、液状エポキシ樹脂をエージングし、半硬化した後、完全硬化することにより、完全硬化の過程において、粘度は大きく低下しない。エージングし、半硬化した液体樹脂は、短時間で高温において硬化する。従って、エポキシ樹脂よりも比重が大きい燐光物質は、完全硬化において、沈降しない。燐光物質は、硬化したエポキシ樹脂中において均一に分散されているので、色分布の分散性が小さく、そのため、製造再現性が優秀な白色LEDを製造する。
本発明の態様によれば、相対的に高温で行なわれる完全硬化工程の時間を従来より短く実施することが可能であるために、白色LED装置の寿命が増加する。更に、シリコーン樹脂のような不必要な添加物を使用しなくてもすむために製造費用の節減も可能である。
本発明の態様によれば、相対的に高温で行なわれる完全硬化工程の時間を従来より短く実施することが可能であるために、白色LED装置の寿命が増加する。更に、シリコーン樹脂のような不必要な添加物を使用しなくてもすむために製造費用の節減も可能である。
本発明の上記特徴及び利点は、添付図面を参照しながら、本発明の例示的な態様を詳細に記述することにより、更に明瞭となる。しかしながら、本発明の範囲は、これらの態様により何ら限定されるものではなく、種々の形態で実現できる。これらの態様は、本発明の説明のために提供され、本発明の範囲は、特許請求の範囲に規定される。図面における同じ参照符号は同一の構成要素を表す。
図1は、本発明の態様による2段階硬化工程を含む白色LED装置の製造方法において、エポキシ樹脂に加えられる熱バジェット(budget)を示すグラフである。
図1を参照すると、まず主剤(main gradient)及び硬化剤を一次混合させて、液状エポキシ樹脂を製造する。第1混合の工程に燐光物質を添加することができる。
燐光物質は、紫外線又は青色光を受け入れて、波長がより長い光に発生する物質である。その種類には特に制限はない。燐光物質は、通常の燐光物質であってもよい。しかしながら、本発明の態様によれば、第1混合の工程の間に、シリコーン樹脂又はEMCパウダーは添加しない。主剤としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノールAエポキシの中の一つ或いはこれらの混合物を使用することができる。
図1を参照すると、まず主剤(main gradient)及び硬化剤を一次混合させて、液状エポキシ樹脂を製造する。第1混合の工程に燐光物質を添加することができる。
燐光物質は、紫外線又は青色光を受け入れて、波長がより長い光に発生する物質である。その種類には特に制限はない。燐光物質は、通常の燐光物質であってもよい。しかしながら、本発明の態様によれば、第1混合の工程の間に、シリコーン樹脂又はEMCパウダーは添加しない。主剤としては、例えば、クレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノールAエポキシの中の一つ或いはこれらの混合物を使用することができる。
硬化剤としては、酸無水物、芳香族アミン変性物、フェノールノボラックエポキシ又はこれらの混合物を使用することができる。また、必要に応じて、硬化反応を促進させるために、イミタゾール化合物又はアミン化合物のような硬化促進剤を更に添加できる。
次いで、液状エポキシ樹脂混合物は、半硬化される。図1に示されるように、半硬化工程は、所定の温度(T1)で所定の時間(t4 - t1)の間に実施する。半硬化の温度及び時間は、相互に依存的であり、特に温度(T1)までのエポキシ樹脂の加熱時間は、液状エポキシ樹脂の種類や温度によって変わる。例えば、温度(T1)が、約80℃乃至100℃である場合には、昇温時間(t2 - t1)は、約30分程度、液状エポキシ樹脂がT1で保持される時間(t3 - t2)は、約1時間から2時間程度、そして温度を低下する時間(t4 - t3)は、約30分程度でよい。T0は、室温を表す。半硬化工程は、低圧で実施して、最終製品に気泡が発生しないようにする。圧力は、例えば、約1.3hPa(1トール)〜40.0hPa(30トール)でよい。半硬化においては、液状エポキシ樹脂はエージングされて、半硬化状態のエポキシ樹脂にとなる。
次いで、液状エポキシ樹脂混合物は、半硬化される。図1に示されるように、半硬化工程は、所定の温度(T1)で所定の時間(t4 - t1)の間に実施する。半硬化の温度及び時間は、相互に依存的であり、特に温度(T1)までのエポキシ樹脂の加熱時間は、液状エポキシ樹脂の種類や温度によって変わる。例えば、温度(T1)が、約80℃乃至100℃である場合には、昇温時間(t2 - t1)は、約30分程度、液状エポキシ樹脂がT1で保持される時間(t3 - t2)は、約1時間から2時間程度、そして温度を低下する時間(t4 - t3)は、約30分程度でよい。T0は、室温を表す。半硬化工程は、低圧で実施して、最終製品に気泡が発生しないようにする。圧力は、例えば、約1.3hPa(1トール)〜40.0hPa(30トール)でよい。半硬化においては、液状エポキシ樹脂はエージングされて、半硬化状態のエポキシ樹脂にとなる。
半硬化液状エポキシ樹脂は、次いで、第2の混合に付され、母剤樹脂が生じる。第2混合の工程は、半硬化液状エポキシ樹脂の成分が、よく混合させるように、実施される。燐光物質が、第1混合の工程で添加される場合には、燐光物質は、第2混合の工程でよく混合される。
燐光物質は、更に、第2混合の工程において、半硬化液状エポキシ樹脂に添加してもよい。第2混合は、室温で実施され、第2混合時間(t5 - t4)は、特に制限されない。
燐光物質は、更に、第2混合の工程において、半硬化液状エポキシ樹脂に添加してもよい。第2混合は、室温で実施され、第2混合時間(t5 - t4)は、特に制限されない。
母剤樹脂中の燐光物質の濃度は、所望の白色LED装置の特性によって変動し得る。例えば、燐光物質の最終濃度は、母剤樹脂の質量を基準として、約2.0質量%〜約25質量%でありうる。白色LEDチップで発生する白色光の光度及び発光波長は、燐光物質と母剤樹脂との質量比を調整することにより、調整することができる。
次に、母剤樹脂を使用して、白色LEDチップが成型され、鋳型される。LEDチップ14の成型及び鋳型は、種々の方法を使用して実施することができる。代表的な方法が、図2〜図4に示されており、白色LED装置は、従来構造である。LEDチップ(14)は、銀接着剤(16)を使用して、チップ支持体(図示せず)、リードフレーム又は基板22に接着され、従来の方法により、ボンディングワイヤー(18)を介して接続パッド又はリード(22)に電気的に連結される。本発明は、成型及び鋳型工程で使用されるエポキシ樹脂が、従来のものとは異なって、エージングされかつ半硬化したエポキシ樹脂である点に特徴を有する。
次に、母剤樹脂を使用して、白色LEDチップが成型され、鋳型される。LEDチップ14の成型及び鋳型は、種々の方法を使用して実施することができる。代表的な方法が、図2〜図4に示されており、白色LED装置は、従来構造である。LEDチップ(14)は、銀接着剤(16)を使用して、チップ支持体(図示せず)、リードフレーム又は基板22に接着され、従来の方法により、ボンディングワイヤー(18)を介して接続パッド又はリード(22)に電気的に連結される。本発明は、成型及び鋳型工程で使用されるエポキシ樹脂が、従来のものとは異なって、エージングされかつ半硬化したエポキシ樹脂である点に特徴を有する。
図2は、本発明の態様によって製造された白色LEDランプの概略的な断面図である。図2に関連して述べれば、電極及び反射板部(20)の上部に溝型形状で形成されているチップ支持台(図示せず)に、銀(Ag)接着剤16で結合されているLEDチップは、ボンディングワイヤー18により電気的に接続された後、燐光物質が混合されている母剤樹脂をLEDチップ14の上部にポッティングすることにより、成型が行われる。白色LEDランプの外形は、モールドカップ26を使用して鋳型される。
図3は、本発明の態様によって製造されたチップ形態の白色LED装置の概略的な断面図である。図4は、本発明の態様によって製造されて、インジェクション成型されたハウジングパッケージ(injection mold housing package)を含むチップ形態の白色LED装置の概略的な断面図である。図3及び図4を参照すると、チップ形態の白色LED装置は、スクリーンパターン金属マスクを利用して、リードフレーム又は基板(22)に装着されているLEDチップを鋳型することにより形成される。
図3は、本発明の態様によって製造されたチップ形態の白色LED装置の概略的な断面図である。図4は、本発明の態様によって製造されて、インジェクション成型されたハウジングパッケージ(injection mold housing package)を含むチップ形態の白色LED装置の概略的な断面図である。図3及び図4を参照すると、チップ形態の白色LED装置は、スクリーンパターン金属マスクを利用して、リードフレーム又は基板(22)に装着されているLEDチップを鋳型することにより形成される。
図2〜図4に示したように、燐光物質12が混合されている母剤樹脂10を使用して、LEDチップ(14)をモールディングした後に、形成された製品を完全に硬化する。 完全硬化工程において、半硬化母剤樹脂10は、完全に硬化される。完全硬化工程は、半硬化工程と異なり、大気圧下でも実施することができる。完全硬化は、所定の時間(t8 - t5)に、半硬化温度(T1)よりも高い温度(T2)で実施される。例えば、完全硬化工程は、約120℃から約130℃の温度で、約1から2時間実施してもよい。より具体的に述べれば、完全硬化工程は、約30分昇温し(t6 - t5)、約130℃で約1時間 (t7 - t6)、半硬化母剤樹脂を維持し、そして、約30分、温度を低下する(t8 - t7)ことができる。半硬化硬化工程と同様に、完全硬化工程の温度及び硬化時間は、相互に依存的であり、特に温度(T2)が維持される時間は、液状エポキシ樹脂の種類又は温度、及び半硬化硬化工程での熱バジェットに従って変動し得る。
図5は、本発明の態様における完全硬化過程での、及び従来技術の1段階硬化工程での、エポキシ樹脂の粘度対時間のグラフである。両方の場合において、硬化工程における加熱温度は(T2)は、同一である。図5を参照すると、半硬化した母剤樹脂と、燐光物質との混合物を本発明の態様による半硬化工程後に完全に硬化すると、(実線で示される)完全硬化の初めにおける粘度の減少が、(破線で示される)従来技術の1段階硬化工程での粘度の減少の大きさに比べて顕著に小さいということが分かる。従って、本発明によれば、エポキシ樹脂よりも高い比重の燐光物質が硬化工程に沈降する現象が、著しく抑制される。従って、燐光物質は、母剤樹脂中に均一に分散することができる。
完全硬化過程の終了後、燐光物質12と混合されている母剤樹脂10は完全に硬化され、鋳型用の部材などを得られた製品から取り除くことにより、図2〜図4に示される白色LED装置の一つが得られる。得られた白色LED装置は、色座標及び光度値について試験され、測定値によって分類され、次いで、自動化設備を通してリング上に巻回され、出荷される。
本発明の態様によって製造された白色LED装置は、携帯用の無線通信機器のような電子製品や自動車や家電製品などで使われる白色光を発光する装置のディスプレーの用途又は液晶表示部のバクライト(backlight)などの用途、更には、例えば、蛍光灯などの白色LED装置が使われているあらゆる種類の機器に使用が可能である。
本発明の態様によって製造された白色LED装置は、携帯用の無線通信機器のような電子製品や自動車や家電製品などで使われる白色光を発光する装置のディスプレーの用途又は液晶表示部のバクライト(backlight)などの用途、更には、例えば、蛍光灯などの白色LED装置が使われているあらゆる種類の機器に使用が可能である。
Claims (4)
- 室温で主剤及び硬化剤を混合して、液状エポキシ樹脂を調製する段階、
70℃〜1000℃の温度において、1.3〜40.0hPa(1〜30トール)の圧力で、前記液状エポキシ樹脂を半硬化する段階、
室温で前記半硬化した液状エポキシ樹脂に、燐光物質を添加し、混合して、前記燐光物質を有する母剤樹脂を製造する段階、
LEDチップを含む被モールディング部材に、前記母剤樹脂を供給する段階、
120℃以上の温度において、周囲圧で、前記母剤樹脂を完全に硬化する段階、
を含むことを特徴とする、液状エポキシ樹脂を利用した白色発光ダイオード(LED)装置の製造方法。 - 前記母剤樹脂を供給する段階が、ポッティング法又はスクリーンパターンマスキング法を使用して行う請求項1に記載の製造方法。
- 前記主剤が、クレゾールノボラックエポキシ、フェノールノボラックエポキシ、ビスフェノールA型エポキシ又はこれらの混合物であり、前記硬化剤が、無水酸物、芳香族アミン変性体、フェノールノボラックエポキシ又はこれらの混合物である、液状エポキシ樹脂を利用した白色発光ダイオード素子の請求項1に記載の製造方法。
- 燐光物質が、前記主剤と硬化剤との混合の間に添加される、液状エポキシ樹脂を利用した白色発光ダイオード素子の請求項1に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0084173A KR100537560B1 (ko) | 2003-11-25 | 2003-11-25 | 2단계 큐어 공정을 포함하는 백색 발광 다이오드 소자의제조방법 |
PCT/KR2004/003045 WO2005053043A1 (en) | 2003-11-25 | 2004-11-24 | Manufacturing method for white light emitting diode device including two step cure process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007511085A true JP2007511085A (ja) | 2007-04-26 |
Family
ID=34632011
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006539405A Pending JP2007511085A (ja) | 2003-11-25 | 2004-11-24 | 2段階硬化工程を含む白色発光ダイオード装置の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070160745A1 (ja) |
JP (1) | JP2007511085A (ja) |
KR (1) | KR100537560B1 (ja) |
WO (1) | WO2005053043A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2022187980A (ja) * | 2021-06-08 | 2022-12-20 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 発光性の計時器用コンポーネントを製造する方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5428122B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2014-02-26 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂成型品とその成型方法、および、発光装置とその製造方法 |
US8425271B2 (en) * | 2006-09-01 | 2013-04-23 | Cree, Inc. | Phosphor position in light emitting diodes |
US8125060B2 (en) | 2006-12-08 | 2012-02-28 | Infineon Technologies Ag | Electronic component with layered frame |
KR100944008B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-02-24 | 삼성전기주식회사 | 백색 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5486431B2 (ja) * | 2010-07-27 | 2014-05-07 | 日東電工株式会社 | 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法 |
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US8956892B2 (en) * | 2012-01-10 | 2015-02-17 | Asm Technology Singapore Pte. Ltd. | Method and apparatus for fabricating a light-emitting diode package |
FR3010228B1 (fr) * | 2013-08-30 | 2016-12-30 | St Microelectronics Tours Sas | Procede de traitement d'une couche de nitrure de gallium comportant des dislocations |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19638667C2 (de) * | 1996-09-20 | 2001-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement |
JP2001123045A (ja) * | 1999-10-26 | 2001-05-08 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
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US6617401B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-09 | General Electric Company | Composition comprising cycloaliphatic epoxy resin, 4-methylhexahydrophthalic anhydride curing agent and boron catalyst |
EP1367655A4 (en) * | 2001-09-03 | 2009-05-06 | Panasonic Corp | SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING APPARATUS, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE |
-
2003
- 2003-11-25 KR KR10-2003-0084173A patent/KR100537560B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-11-24 JP JP2006539405A patent/JP2007511085A/ja active Pending
- 2004-11-24 WO PCT/KR2004/003045 patent/WO2005053043A1/en active Application Filing
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JP7487254B2 (ja) | 2021-06-08 | 2024-05-20 | ザ・スウォッチ・グループ・リサーチ・アンド・ディベロップメント・リミテッド | 発光性の計時器用コンポーネントを製造する方法および発光性の計時器用コンポーネント |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050050435A (ko) | 2005-05-31 |
WO2005053043A1 (en) | 2005-06-09 |
US20070160745A1 (en) | 2007-07-12 |
KR100537560B1 (ko) | 2005-12-19 |
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|
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