JP2007500086A - ハウジングへmemsデバイスを取り付けるための方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
ダイ(110)とダイ用のハウジング(202)の間の接着強度を増やす方法が記述される。ダイの上にマイクロ電子機械システム(MEMS)デバイスが形成される。この方法は、接点材料の複数のクラスタ(220)をハウジングの底面(240)上に堆積させる工程と、ダイをクラスタ上に配置する工程と、ハウジング、クラスタ化接点(228)及びダイに熱圧着加工を施す工程と、を含む。
Description
本発明は、全体的にはマイクロ電子機械システム(Micro Electromechanical System;
MEMS)デバイスの作製に関し、より詳細にはMEMSデバイスのダイ(dies;鋳型)をチップキャリアへ取り付けることに関する。
MEMS)デバイスの作製に関し、より詳細にはMEMSデバイスのダイ(dies;鋳型)をチップキャリアへ取り付けることに関する。
マイクロ電子機械システム(MEMS)は同じ基板、たとえば、シリコン基板上に集積された電気的及び機械的部品を含む。MEMSデバイス用基板はしばしばダイと呼ばれる。電気的部品は集積回路加工を使用して作製される一方、機械的部品は集積回路加工に適合した微細機械加工を使用して作製される。この組み合わせは標準的な作製加工を使用してチップキャリア内に適合する全システムを作製することを可能とする。
MEMSデバイスの1つの一般的用途は、慣性センサ内で利用することである。MEMSデバイスの機械的部分は慣性センサ用感知能力を提供し、一方MEMSデバイスの電気的部分は機械的部分から受け取った情報を処理する。MEMSデバイスを利用する慣性センサの例はジャイロスコープ及び加速度計を含む。
MEMS作製法は、次に気密封止されるチップキャリア、又はハウジング内のマイクロ機械としばしば呼ばれるMEMSデバイスの作動部分の配置を含む。知られた一配置方法では、MEMSデバイスの作動部分が形成されるダイ又は基板は、熱圧着法を使用してキャリアの金接点に取り付けられる。
しかし、この熱圧着法は時にはダイの損傷、たとえばダイの割れをもたらす力の使用を含む。ダイの割れはチップキャリアとダイの間の接着強度の低下をもたらすことがある。MEMSデバイスはしばしば高重力(高G)環境で利用されるため、チップキャリアとダイの間の接着強度は重要である。チップキャリアとダイが分離される場合、MEMSデバイスの作動は危うくなることがある。
一態様では、ダイとダイ用のハウジングとを接着する方法が提供される。マイクロ電子機械システム(MEMS)デバイスはダイ上に形成され、この方法は、ハウジングの底面上に接点材料の複数のクラスタ(clusters;集団)を堆積させる工程と、クラスタ上にダイを配置する工程と、ハウジング、クラスタ化接点、及びダイに熱圧着加工を施す工程とを含む。
別の態様では、ダイ上に形成されたマイクロ機械と、マイクロ機械を保持するように構成された底面を有するハウジングと、ハウジングの底面上にある複数の接点クラスタとを含むマイクロ電子機械システム(MEMS)デバイスが提供される。各クラスタは、熱圧着加工によってダイをハウジングに接着するために使用される複数の個別の接点を含む。
更に別の態様では、マイクロ電子機械システム(MEMS)ジャイロスコープが提供される。このMEMSジャイロスコープは、ハウジングと、ダイと、このダイ上に形成され、少なくとも1枚の感知板、少なくとも1枚の感知板上に吊るされた少なくとも1つのプルーフ質量、少なくとも1つのモータドライブ櫛、及び少なくとも1つのモータピックオフ櫛を含むマイクロ機械とを含む。ジャイロスコープは更に、ダイとハウジングの間に複数の接点クラスタを備え、各クラスタは、熱圧縮加工によってダイをハウジングに接着するために使用される複数の個別の接点を含む。
更に別の態様では、ダイとハウジングの間の熱圧着を形成するための方法が提供される。ダイはその上に形成されたマイクロ電子機械システム(MEMS)機械を有し、この方法は、ダイとハウジングの間の接点材料の複数のクラスタを堆積させる工程と、ダイとハウジングの間に接着を形成する工程とを含む。
図1は、マイクロ電子機械システム(MEMS)100の既知の1実施形態の図である。MEMS100は、カバー104が封止された空所を形成するために最終的に取り付けられるハウジング102(時にはチップキャリアと呼ばれる)を含む。電気導線106は、ハウジング102に取り付けられるダイ110を含むマイクロ機械108への電気接触を提供する。図1に示すように、電気接点109はハウジング102を介して外部デバイス(図示せず)へ提供される。たとえばMEMSチューニングフォーク・ジャイロスコープの場合、マイクロ機械108は、プルーフ質量114、モータドライブ櫛(motor drive combs)116、及びモータピックオフ櫛118を含む。マイクロ機械108は更に、プルーフ質量114に平行板コンデンサを形成する感知板120を含む。1実施形態では、感知板120はダイ110に堆積されパターン付けされた金属フィルムである。
MEMSデバイス100のマイクロ機械部が完成すると、カバー104がハウジング102に取り付けられて、実質的な気密封止を形成する。1実施形態では、カバー104がハウジング102に取り付けられると空所126が形成される。空所126は、空所126内の任意のガス(すなわち酸素、水素、水蒸気)を除去するためにまず空にされる。次に空所は、制御圧に乾燥ガスで充填し直される。通常、乾燥ガスは不活性ガス、たとえば窒素又はアルゴンである。別の実施形態では、カバー104は、真空状態下でハウジング102へ取り付けられて空所126内に真空状態をもたらす。空所126は、マイクロ機械108の部品が自由に動くための環境を提供する。たとえば、プルーフ質量114はマイクロ機械チップ108に動くように結合されることができ、したがって空所126の真空内で振動できる。カバー104がハウジング102に取り付けられる前、ダイ110は複数の接点128を使用する熱圧着法によりハウジング102に載置される。1実施形態では、接点128は金から作製される。圧着法が圧力を利用するため、ダイ110は時には割れる傾向がある。ダイ110の割れは、特に高G環境でMEMSデバイス100の作動に影響を及ぼすことがある。
図2は、ダイ110が熱圧着法でハウジング102(接点128)へ取り付けられる前のハウジング102の底面140内に置かれた接点128を示す、ダイ110及びカバー104が除去されたハウジング102の上面図である。図示の実施形態では、9つの接点128が底面140の上に堆積されている。1実施形態では、ダイ110が熱圧着法により取り付けられる前には、接点は約5ミルの直径を有する。
図3は、ハウジング202がハウジング202の底面240の上に接点228のクラスタ220を有する以外は、ハウジング102(図2に示す)と同様な、ハウジング202の上面図である。ハウジング202は、ハウジング102(図2に示す)が有する接点128(図2に示す)と同じ数(たとえば9個)のクラスタ220を含む。クラスタ220の各々は、4つの接点228を含むが、それよりも少ない又は多い接点228を各クラスタ220に組み込むことができる。図示の実施形態では、接点228の9つのクラスタ220が底面140の上に堆積される。接点228のクラスタ220を組み込むことにより、接点128の場合よりも大きなダイ110の表面積が接点228に接触して、以下に記載するようにダイ110とハウジング202の間のより強い接着をもたらす。1実施形態では、クラスタ220の各接点228は、約0.051mm(two mil)の直径を有する
図4は、図3に関連して記載したようなクラスタ接点228を組み込んだMEMSデバイス200の1実施形態の側面図を示している。接点128と比較すると、接点228のクラスタはダイとの熱圧着を形成するための取り付け機構を提供する一方、ダイ表面のより広い面積にわたって接着面積がもたらされ、これによりダイが、既知の取り付け方法と比較して熱圧着に利用される圧力によりよく耐えるようになる。このより高い圧力は、既知の取り付け方法(たとえば、単一接点128の使用)を利用して形成される接着よりもダイとのより強い熱圧着をもたらす。このより強い接着は、高G環境で作動するMEMSデバイスをダイ上で作動できるようにするのに十分なほど強いものである。加えて、接点の大きな表面積は、ダイへの損傷を防ぐ助けともなる。1実施形態では、クラスタ220内の個々の接点228は、ダイとの接触の前、かつ熱圧着加工の前には直径約0.051mm(two mil)である。
図4は、図3に関連して記載したようなクラスタ接点228を組み込んだMEMSデバイス200の1実施形態の側面図を示している。接点128と比較すると、接点228のクラスタはダイとの熱圧着を形成するための取り付け機構を提供する一方、ダイ表面のより広い面積にわたって接着面積がもたらされ、これによりダイが、既知の取り付け方法と比較して熱圧着に利用される圧力によりよく耐えるようになる。このより高い圧力は、既知の取り付け方法(たとえば、単一接点128の使用)を利用して形成される接着よりもダイとのより強い熱圧着をもたらす。このより強い接着は、高G環境で作動するMEMSデバイスをダイ上で作動できるようにするのに十分なほど強いものである。加えて、接点の大きな表面積は、ダイへの損傷を防ぐ助けともなる。1実施形態では、クラスタ220内の個々の接点228は、ダイとの接触の前、かつ熱圧着加工の前には直径約0.051mm(two mil)である。
MEMSデバイス100及び200は記載したよりも多くの又は少ない部品を備えることができる。たとえば、2つの電気接点106が示されているが、当業者は、MEMSデバイスが2つよりも多い接点及び/又は突出ピンも備えることができることを認識しよう。更に、より多い又はより少ない部材が、上記の部品の他にMEMSデバイス100又は200に存在してもよい。更に、MEMSデバイス100及び200の部品は、複数の機能を備えることができる。マイクロ機械110は、MEMS及びMEMSをベースとするデバイスに従って使用される任意のそのような電子機械的機械であってもよい。加えて、代替パッケ−ジも、MEMS100及び200用のハウジングを提供するために使用されることができる。図の例は、特定のMEMSデバイスの説明を提供するよりもクラスタ化接点128を使用してハウジング内にMEMSデバイスを取り付けるための実施形態を示すことが意図されている。
図5は、熱圧着によりハウジングにダイ110(図4に示す)を取り付けるためにクラスタ化接点228(図3及び図4に示す)を組み込むように構成されたMEMSジャイロスコープ300の略図である。1実施形態では、MEMSジャイロスコープ300は、たとえばその内部でダイ110(図4に示す)上にチューニングフォーク・ジャイロスコープ(TFG)304を含んでいるハウジング302を含む。ハウジング302は、カバー104(図4に示す)で封止されるよう構成される。ハウジング302は、通常はプラスチックパッケージ、スモールアウトライン集積回路(SOIC)パッケージ、セラミック・リードレス・チップキャリア、プラスチック・リード・チップキャリア(PLCC)パッケージ、クワッドフラットパッケージ(QFP)、又は当技術で知られている他のハウジングである。ハウジング302は、TFG304の要素を同一場所に配置する、及び/又はハウジング302内の互いの密着近傍内で他の要素を配置する構造を提供する。TFG304は、1実施形態では、ハウジング302へカバー104を接着することにより形成された実質的に封止された空所306内に配置される。
1実施形態では、TFG304は、プルーフ質量114、モータドライブ櫛116、モータピックオフ櫛118、及びウエハから構築される感知板120を含む。前置増幅器310はハウジング302内に含まれ、プルーフ質量114と検地板120の各組み合わせと電気的に接続されるか結合される。1実施形態では、前置増幅器310及びTFG304は共通基板(たとえば、ダイ110)の上に形成され、1実施形態では、電気的に接続される。他の実施形態では、前置増幅器310はプルーフ質量114に電気的に接続される。前置増幅器310の出力は感知電子部品312に送られるか、その代わりに、前置増幅器310が感知電子部品312に組み込まれる。
加えて、モータピックオフ櫛118の出力314は、フィードバックモニタ316に転送される。フィードバックモニタ316はモータドライブ櫛116に電力を与えるドライブ電子部品316に出力信号318を提供する。代替として、フィードバックモニタ316はドライブ電子部品316内に組み込まれる。MEMSジャイロスコープ300は、図の簡略化のために図5には示さないシステム電源及び他の作動電子部品も含む。
モータドライブ櫛116は、プルーフ質量114の電極に電圧を印加することにより静電力を使用してプルーフ質量114を励起する。モータピックオフ櫛118は、プルーフ質量114上の電極の電圧信号をモニタすることによってプルーフ質量114の励起と振動をモニタする。モータピックオフ櫛118は、フィードバックモニタ316にフィードバック信号を出力する。フィードバックモニタ316は、ドライブ電子部品320に入力される出力318を提供する。プルーフ質量114が余りにも速くあるいは余りにも遅く振動し始めた場合、ドライブ電子部品320はプルーフ質量114が共振周波数で振動するように振動周波数を調節できる。このような周波数での励起は、より高い振幅出力信号が生成されることを可能にできる。
上記のように、クラスタ化接点228(図3及び図4に示す)の組み込みは、熱圧着を使用して、ダイ、たとえばダイ110(図4に示す)をハウジング102へ取り付ける場合に、追加の表面積と支持を提供する。特定の実施形態では、クラスタ化接点228は、単一接点128(図1及び図2に示す)を使用する既知の取り付け方法と比べて2倍以上多いダイ取り付け用接触点を提供する。
クラスタ化接点228の使用は、既知の熱圧着技法の利点を提供する一方、ダイとハウジングの間に単一接点の使用により提供されるものよりも強い接着も提供する。クラスタ化接点は更に、既知の載置の向きと比べて逆さまになっている向きでマイクロ機械がハウジング内で配向されている感知デバイスを含む他のセンサベースのデバイスで使用可能である。MEMS慣性測定ユニット、ジャイロスコープ、圧力センサ、温度センサ、共振器、空気流センサ、及び加速度計を含むがこれらに限定されない各種MEMSデバイスで、本明細書で記載するクラスタ化接点取り付け法を使用することも意図されている。
本発明をさまざまな特定の実施形態に関して記載したが、当業者は本発明が特許請求の範囲の精神及び範囲内の変形で実施されることができることを認識するであろう。
Claims (15)
- マイクロ電子機械システム(MEMS)デバイスがその上に形成されたダイ(110)とハウジング(202)の間を強く接着するための方法であって、
接点材料の複数のクラスタ(220)を前記ハウジングの底面(240)に堆積させる工程と、
前記ダイを前記クラスタ上に配置する工程と、
前記ハウジング、クラスタ化接点(228)及び前記ダイに熱圧着加工を施す工程と、を含む方法。 - 前記接点材料の複数のクラスタ(220)を堆積させる工程が、クラスタ当り2つ以上の接点を含む接点(228)のクラスタを堆積させる工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接点材料の複数のクラスタ(220)を堆積させる工程が、約0.051mmの直径を有する個別の接点(228)を前記クラスタ内に堆積させる工程を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記接点材料の複数のクラスタ(220)を堆積させる工程が、それぞれが4つの個別の接点(228)を有する、接点材料の9つのクラスタを前記ハウジングの底面(240)に堆積させる工程を含む、請求項1に記載の方法。
- マイクロ電子機械システム(MEMS)デバイス(200)であって、
ダイ(110)上に形成されたマイクロ機械(108)と、
前記マイクロ機械を保持するように構成され、底面(240)を含むハウジング(202)と、
前記ハウジングの前記底面上にある複数の接点クラスタ(220)と、を含み、
前記接点クラスタのそれぞれが複数の個別の接点(228)を含み、前記複数の個別の接点が熱圧着加工によって前記ダイを前記ハウジングへ接着するために使用される、MEMSデバイス(200)。 - 各前記クラスタ(220)が、少なくとも2つの個別の接点(228)を含む、請求項5に記載のMEMSデバイス(200)。
- 9つの前記接点クラスタを含み、各前記クラスタが、金から作製された4つの前記個別の接点を含む、請求項5に記載のMEMSデバイス(200)。
- 前記MEMSデバイスが、ジャイロスコープ(300)、加速度計、慣性測定ユニット、圧力センサ、共振器、空気流センサ、及び温度センサのうちの1つである、請求項5に記載のMEMSデバイス(200)。
- マイクロ電子機械システム(MEMS)ジャイロスコープ(300)であって、
ハウジング(202)と、
ダイ(110)と、
前記ダイ上に形成され、少なくとも1部が、少なくとも1枚の感知板(120)、前記少なくとも1枚の感知板上に吊るされた少なくとも1つのプルーフ質量(114)、少なくとも1つのモータドライブ櫛(116)、及び少なくとも1つのモータピックオフ櫛(118)を含むマイクロ機械(108)と、
前記ダイと前記ハウジングの間にある複数の接点クラスタ(220)と、を含み、
各接点クラスタが複数の個別の接点(228)を含み、前記複数の個別の接点が熱圧着加工によって前記ダイを前記ハウジングへ接着するために使用される、MEMSジャイロスコープ(300)。 - 前記複数の接点クラスタ(220)が、クラスタ当り少なくとも2つの前記個別の接点(228)を含む、請求項9に記載のMEMSジャイロスコープ(300)。
- 前記個別の接点が直径約2ミルである、請求項9に記載のMEMSジャイロスコープ(300)。
- ダイ(110)とハウジング(202)の間に熱圧着を形成するための方法であって、 前記ダイがその上に形成されたマイクロ電子機械システム(MEMS)機械(108)を有し、
前記方法が、前記ダイと前記ハウジングの間に接点材料の複数のクラスタ(220)を堆積させる工程と、前記ダイと前記ハウジングの間に接着を形成する工程と、を含む方法。 - ダイ(110)とハウジング(202)とを接着するための方法であって、
前記ダイと前記ハウジングの間に接点材料の複数のクラスタ(220)を堆積させる工程と、前記接点材料のクラスタの熱圧着によって前記ダイと前記ハウジングとを取り付ける工程と、を含む方法。 - マイクロ電子機械システム(MEMS)加速度計であって、
ハウジング(202)と、
ダイ(110)と、
前記ダイ上に形成され、少なくとも1部が、少なくとも1枚の感知板(120)、前記少なくとも1枚の感知板上に吊るされた少なくとも1つのプルーフ質量(114)、少なくとも1つのモータドライブ櫛(116)、及び少なくとも1つのモータピックオフ櫛(118)を含むマイクロ機械(108)と、
前記ダイと前記ハウジングの間にある複数の接点クラスタ(220)と、を含み、
前記接点クラスタのそれぞれが複数の個別の接点(228)を含み、前記複数の個別の接点が熱圧着加工によって前記ダイを前記ハウジングへ接着するために使用されるMEMS加速度計。 - 前記複数の接点クラスタ(220)が、クラスタ当り少なくとも2つの前記個別の接点(228)を含む、請求項14に記載のMEMS加速度計。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007226779A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-09-06 | St Microelectronics Srl | 歩数計機能を備えた慣性装置及びこの慣性装置を組み込んだポータブル電気器具 |
JP2012233898A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 寄生容量を低減させたジャイロメータ |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070056370A1 (en) * | 2005-08-19 | 2007-03-15 | Honeywell International Inc. | Mems sensor package |
US20100139373A1 (en) * | 2005-08-19 | 2010-06-10 | Honeywell Internationa Inc. | Mems sensor package |
US20070114643A1 (en) * | 2005-11-22 | 2007-05-24 | Honeywell International Inc. | Mems flip-chip packaging |
US7491567B2 (en) * | 2005-11-22 | 2009-02-17 | Honeywell International Inc. | MEMS device packaging methods |
US7563646B2 (en) * | 2007-05-31 | 2009-07-21 | Stratedge Corporation | Molded ceramic surface mount package |
US8240203B2 (en) * | 2008-12-11 | 2012-08-14 | Honeywell International Inc. | MEMS devices and methods with controlled die bonding areas |
US9095072B2 (en) * | 2010-09-18 | 2015-07-28 | Fairchild Semiconductor Corporation | Multi-die MEMS package |
CN104038305A (zh) * | 2013-03-05 | 2014-09-10 | 住友电气工业株式会社 | 封装部件、光设备封装构造体、封装部件的制造方法及光设备封装构造体的制造方法 |
CN103193198A (zh) * | 2013-04-22 | 2013-07-10 | 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司 | 通过背面图形化降低mems芯片封装应力的方法 |
CN103305137B (zh) * | 2013-05-30 | 2014-08-20 | 航天科工惯性技术有限公司 | 一种加速度计吊装过程中胶粘剂的固化方法 |
US20170115322A1 (en) * | 2015-10-22 | 2017-04-27 | Freescale Semiconductor, Inc. | Mems sensor device having integrated multiple stimulus sensing |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4933808A (en) * | 1989-05-11 | 1990-06-12 | Westinghouse Electric Corp. | Solderless printed wiring board module and multi-module assembly |
US5109320A (en) * | 1990-12-24 | 1992-04-28 | Westinghouse Electric Corp. | System for connecting integrated circuit dies to a printed wiring board |
EP0804806A1 (en) * | 1994-12-22 | 1997-11-05 | Benedict G. Pace | Device for superheating steam |
US5904499A (en) * | 1994-12-22 | 1999-05-18 | Pace; Benedict G | Package for power semiconductor chips |
US6388203B1 (en) * | 1995-04-04 | 2002-05-14 | Unitive International Limited | Controlled-shaped solder reservoirs for increasing the volume of solder bumps, and structures formed thereby |
US6061169A (en) * | 1998-03-26 | 2000-05-09 | Digital Optics Corporation | Integrated micro-optical systems |
JP3562390B2 (ja) | 1999-06-25 | 2004-09-08 | 松下電工株式会社 | 半導体圧力センサ及びその製造方法 |
US6613605B2 (en) * | 1999-12-15 | 2003-09-02 | Benedict G Pace | Interconnection method entailing protuberances formed by melting metal over contact areas |
US6516671B2 (en) | 2000-01-06 | 2003-02-11 | Rosemount Inc. | Grain growth of electrical interconnection for microelectromechanical systems (MEMS) |
US6550337B1 (en) * | 2000-01-19 | 2003-04-22 | Measurement Specialties, Inc. | Isolation technique for pressure sensing structure |
JP2001227902A (ja) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
US6433411B1 (en) | 2000-05-22 | 2002-08-13 | Agere Systems Guardian Corp. | Packaging micromechanical devices |
US6459150B1 (en) * | 2000-08-17 | 2002-10-01 | Industrial Technology Research Institute | Electronic substrate having an aperture position through a substrate, conductive pads, and an insulating layer |
US6519075B2 (en) * | 2000-11-03 | 2003-02-11 | Agere Systems Inc. | Packaged MEMS device and method for making the same |
US6536653B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-03-25 | Industrial Technology Research Institute | One-step bumping/bonding method for forming semiconductor packages |
KR100418624B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2004-02-11 | (주) 인텔리마이크론즈 | 자이로스코프 및 그 제조 방법 |
US6822318B2 (en) * | 2001-05-14 | 2004-11-23 | Lightconnect, Inc. | Stress isolating die attach structure and method |
US6500760B1 (en) * | 2001-08-02 | 2002-12-31 | Sandia Corporation | Gold-based electrical interconnections for microelectronic devices |
TW517361B (en) * | 2001-12-31 | 2003-01-11 | Megic Corp | Chip package structure and its manufacture process |
TW584950B (en) * | 2001-12-31 | 2004-04-21 | Megic Corp | Chip packaging structure and process thereof |
TW544882B (en) * | 2001-12-31 | 2003-08-01 | Megic Corp | Chip package structure and process thereof |
TW503496B (en) * | 2001-12-31 | 2002-09-21 | Megic Corp | Chip packaging structure and manufacturing process of the same |
US6639313B1 (en) * | 2002-03-20 | 2003-10-28 | Analog Devices, Inc. | Hermetic seals for large optical packages and the like |
TW546794B (en) * | 2002-05-17 | 2003-08-11 | Advanced Semiconductor Eng | Multichip wafer-level package and method for manufacturing the same |
-
2003
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-
2004
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007226779A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-09-06 | St Microelectronics Srl | 歩数計機能を備えた慣性装置及びこの慣性装置を組み込んだポータブル電気器具 |
US10006931B2 (en) | 2006-01-30 | 2018-06-26 | Stmicroelectronics S.R.L. | Inertial device with pedometer function and portable electric appliance incorporating said inertial device |
JP2012233898A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 寄生容量を低減させたジャイロメータ |
US9448070B2 (en) | 2011-05-02 | 2016-09-20 | Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives | Gyrometer with reduced parasitic capacitances |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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