JP2007335362A

JP2007335362A - Image display device

Info

Publication number: JP2007335362A
Application number: JP2006168731A
Authority: JP
Inventors: Tatsuro Kato; 達朗加藤; Tomohiro Moriyama; 智広森山; Hiroyuki Ito; 博之伊藤; Nobuhiko Hosoya; 信彦細谷
Original assignee: Hitachi Ltd; Hitachi Displays Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Display Inc
Priority date: 2006-06-19
Filing date: 2006-06-19
Publication date: 2007-12-27

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display device including an electron source and an image forming member to suppress a shift of electron orbits caused by an adhesion member. <P>SOLUTION: The image display device 100 includes: a front plate 1 which has an anode 14 and a plurality of image forming members 6; a rear plate 2 which is opposite to the front plate and has a plurality of cathode wiring 16 and a plurality of electron sources 5 provided in parallel each other; a plurality of plate-shaped supporting bodies 4 which is inserted between the rear plate and the front plate, and forms a boundary of a display region; and an adhesion member which adheres junction surfaces of at least each of the supporting bodies and the rear plate, and an electron source and an image forming member are disposed in an airtight space formed by the front plate, the rear plate, and the supporting body, wherein an electrode 31 is formed on the surface of the cathode wiring 16 which is adjacent to the supporting body, and other cathode wiring are directly opposite to the front plate. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子源および画像形成部材を備える画像表示装置に関する。 The present invention relates to an image display apparatus including an electron source and an image forming member.

マトリクス型の画像表示装置（マトリクス型ディスプレイ）は、互いに直交する電極群の交点を画素とし、各画素に印加する印加電圧を調整することによって画像を表示するものである。このマトリクス型の画像表示装置には、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の他、フィールドエミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する。）、エレクトロルミネセンス・ディスプレイ（ＥＬ）、発光ダイオード・ディスプレイ（ＬＥＤ）などが知られている。 A matrix-type image display device (matrix-type display) displays an image by adjusting an applied voltage applied to each pixel, with an intersection of electrode groups orthogonal to each other as a pixel. This matrix type image display device includes a liquid crystal display (LCD), a field emission display (hereinafter referred to as FED), an electroluminescence display (EL), a light emitting diode display (LED), and the like. It has been.

例えば、ＦＥＤは、各画素毎に電子放出源（冷陰極源）が配置され、この電子放出源から放出された放出電子を真空中で加速し、この電子を蛍光体に照射することにより、照射された部分の蛍光体が発光するように構成されている。ＦＥＤ用の電子放出素子として、Spindt型やカーボンナノチューブを利用した電界放出型素子や、金属／絶縁層／金属型放出素子（ＭＩＭ素子）、表面伝導型素子などが知られている。 For example, in the FED, an electron emission source (cold cathode source) is arranged for each pixel, the emitted electrons emitted from the electron emission source are accelerated in a vacuum, and the phosphor is irradiated with the electrons. The portion of the phosphor is configured to emit light. Known electron-emitting devices for FED include spindt-type devices, field-emitting devices using carbon nanotubes, metal / insulating layer / metal-type emitter devices (MIM devices), and surface conduction devices.

特許文献１には、電子放出素子を設けた背面板（背面基板）と、画像形成部材を設けた前面板（前面基板）と、前面板の周縁部と背面板の周縁部とを支持する支持枠と、前面板と背面板との間に支柱として配置されるスペ−サとを備え、前面板とスペ−サとの接合部、背面板とスペ−サとの接合部、前面板と支持枠との接合部、及び背面板と支持枠との接合部にフリットガラスを用いて接合した画像表示装置が開示されている。 In Patent Document 1, a back plate (back substrate) provided with an electron-emitting device, a front plate (front substrate) provided with an image forming member, and a support for supporting a peripheral portion of the front plate and a peripheral portion of the back plate. A frame and a spacer disposed as a support between the front plate and the back plate; a junction between the front plate and the spacer; a junction between the back plate and the spacer; a front plate and a support An image display device is disclosed in which frit glass is used to join a joint portion with a frame and a joint portion between a back plate and a support frame.

このような画像表示装置の場合は、スペーサの近傍から放出された電子の一部がスペーサに衝突することや、放出電子が前面基板の蛍光体やアルミバック（メタルバック）で後方散乱（反射）して、その後方散乱電子がスペーサに衝突することにより、スペーサが帯電する。スペーサが正帯電すると、電子がスペーサ方向に曲げられて（引き寄せられて）しまうために電子の軌道ずれが生じる問題点がある。 In the case of such an image display device, a part of the electrons emitted from the vicinity of the spacer collides with the spacer, or the emitted electrons are backscattered (reflected) by the phosphor of the front substrate or the aluminum back (metal back). Then, the backscattered electrons collide with the spacer, so that the spacer is charged. When the spacer is positively charged, electrons are bent (attracted) in the direction of the spacer.

スペーサの帯電を緩和して、電子の軌道ずれを低減するために、スペーサの抵抗率を低下させる方法がある。例えば、絶縁性のスペーサに高抵抗薄膜を形成する方法や、スペーサのバルク抵抗を低減することによって抵抗率を低下させることが可能である。また、特許文献２では、スペーサを接続する配線の配線高さを他の配線に比べて高くすることが行われ、特許文献３では、スペーサ接続部材の上面とスペーサが配置されていない導体の上面とを実質的に同じ状態にすることが行われ、特許文献４では、配線上に電子軌道補正用の配線を配置し、その配線に電圧を印加することが行われている。
特開平１１−３１７１６４号公報（図１）特開２０００−２５１７８５号公報（図１）特開平８−３１５７２３号公報（図２）特開２０００−２５１７９１号公報（図２） There is a method of reducing the resistivity of the spacer in order to relax the charging of the spacer and reduce the orbital shift of electrons. For example, the resistivity can be reduced by forming a high-resistance thin film on an insulating spacer, or by reducing the bulk resistance of the spacer. Further, in Patent Document 2, the wiring height of the wiring connecting the spacer is made higher than that of the other wiring, and in Patent Document 3, the upper surface of the spacer connecting member and the upper surface of the conductor on which the spacer is not disposed. Are arranged in substantially the same state, and in Patent Document 4, a wiring for correcting an electron trajectory is arranged on the wiring, and a voltage is applied to the wiring.
JP-A-11-317164 (FIG. 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-251785 (FIG. 1) JP-A-8-315723 (FIG. 2) Japanese Patent Laid-Open No. 2000-251791 (FIG. 2)

しかしながら、スペーサの帯電以外に、スペーサやスペーサを接着するフリットガラスがスペーサ近傍の電界を変歪させることによっても、放出電子の軌道が曲げられる。本来、前面基板と背面基板との間には平行な等電位面が形成され、等電位面の法線方向、すなわち、背面基板に垂直な方向に電子が加速されるべきものである。ところが、フリットガラスは、スペーサと背面基板の境界面あるいはスペーサと前面基板との境界面からはみ出すことがある。また、フリットガラスはスペーサよりも抵抗率が小さいため、境界面からはみ出したフリットガラスの近傍の等電位面が、フリットガラス（接着部材）の表面形状に沿って傾斜するので、傾斜した電界の方向に電子が加速され、電子軌道がずれる。 However, in addition to the charging of the spacer, the orbit of the emitted electrons is also bent when the frit glass that adheres the spacer or the spacer deforms the electric field in the vicinity of the spacer. Originally, a parallel equipotential surface is formed between the front substrate and the back substrate, and electrons should be accelerated in the normal direction of the equipotential surface, that is, in a direction perpendicular to the back substrate. However, the frit glass sometimes protrudes from the boundary surface between the spacer and the rear substrate or the boundary surface between the spacer and the front substrate. In addition, since the resistivity of the frit glass is smaller than that of the spacer, the equipotential surface in the vicinity of the frit glass that protrudes from the boundary surface is inclined along the surface shape of the frit glass (adhesive member). The electrons are accelerated and the electron orbit is shifted.

そこで、本発明は接着部材による電子軌道のずれを低減する画像表示装置を提供することを課題とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an image display device that reduces the deviation of the electron trajectory caused by the adhesive member.

前記課題を解決するため、本発明の画像表示装置は、陽極（例えば、Ａｌ膜１４）及び複数の画像形成部材を有する前面板（例えば、前面基板１）と、互いに平行に配設された複数の陰極配線（例えば、走査線１６）及び複数の電子源（例えば、電子放出素子５）を有し、前記前面板と対向する背面板（例えば、背面基板２と、この背面基板２の表面に形成された除電用電極２１）と、前記背面板及び前記前面板の間に介挿され、表示領域の境界を形成する複数の板状の支持体（例えば、スペーサ４）と、少なくとも前記各支持体と前記背面板との接合面を接着する接着部材（例えば、フリットガラス８）と、を備え、前記前面板と前記背面板と前記支持体とで形成された気密空間に前記電子源及び前記画像形成部材が配置された画像表示装置であって、前記支持体に隣接する前記陰極配線は、表面に電極（例えば、ガラス電極３１）が形成され、他の陰極配線は前記前面板に直接的に対向していることを特徴とする。 In order to solve the above-described problems, an image display device according to the present invention includes a front plate (for example, the front substrate 1) having an anode (for example, the Al film 14) and a plurality of image forming members, and a plurality of plates arranged in parallel to each other. Cathode wiring (for example, scanning line 16) and a plurality of electron sources (for example, electron-emitting devices 5), and a rear plate (for example, rear substrate 2 and the surface of rear substrate 2 facing the front plate). The formed static elimination electrode 21), a plurality of plate-like supports (for example, spacers 4) interposed between the back plate and the front plate to form the boundary of the display area, and at least each of the supports An adhesive member (for example, a frit glass 8) that adheres a joining surface with the back plate, and the electron source and the image forming device in an airtight space formed by the front plate, the back plate, and the support. Image display device with components The cathode wiring adjacent to the support has an electrode (for example, glass electrode 31) formed on the surface thereof, and the other cathode wiring directly faces the front plate. .

これによれば、支持体に隣接する陰極配線にのみ配設された電極と、支持体及び背面板との接合面を封止する接着部材と、の近傍で等電位面が変歪する。しかしながら、少なくとも支持体と陰極配線との間の電子源の近傍で等電位面は補正され、電子軌道のずれが低減する。 According to this, the equipotential surface is distorted in the vicinity of the electrode disposed only on the cathode wiring adjacent to the support and the adhesive member that seals the bonding surface between the support and the back plate. However, the equipotential surface is corrected at least in the vicinity of the electron source between the support and the cathode wiring, and the deviation of the electron trajectory is reduced.

また、電極の形状を、接着部材が前記接合面外にはみ出した形状に略等しくすると、電子源の位置での等電位面が背面基板に平行になる。これにより、電子軌道のずれが低減する。 Further, when the shape of the electrode is substantially equal to the shape of the adhesive member protruding from the joining surface, the equipotential surface at the position of the electron source becomes parallel to the back substrate. Thereby, the deviation of the electron orbit is reduced.

本発明によれば、接着部材による電子軌道のずれを低減する画像表示装置を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the image display apparatus which reduces the shift | offset | difference of the electronic track | orbit by an adhesive member can be provided.

（第１実施形態）
本発明の一実施形態である画像表示装置について、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、画像表示装置である表示パネル１００の周縁部の構造図であり、前面基板１は透明なガラス板であり、背面基板２は板厚が０．５ｍｍ以上（例えば、３ｍｍ）の絶縁基板であり、ガラス板あるいはアルミナ等のセラミックス板が好適である。この前面基板１及び背面基板２の周縁部に配置され、外枠を兼ねた支持枠３はガラス板あるいはフリットガラスの整形品などから構成され、前面基板１及び背面基板２を封着部材を介して固定し、前面基板１と、背面基板２との距離を所定の値に保持している。 (First embodiment)
An image display apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a structural diagram of a peripheral portion of a display panel 100 that is an image display device. A front substrate 1 is a transparent glass plate, and a rear substrate 2 has an insulation thickness of 0.5 mm or more (for example, 3 mm). The substrate is preferably a glass plate or a ceramic plate such as alumina. A support frame 3 that is arranged at the peripheral edge of the front substrate 1 and the back substrate 2 and also serves as an outer frame is formed of a glass plate or a frit glass shaped article, and the front substrate 1 and the back substrate 2 are connected via a sealing member. The distance between the front substrate 1 and the rear substrate 2 is maintained at a predetermined value.

支持体であるスペーサ４は、板状の薄いガラス板やアルミナ等のセラミックス板から構成され、前面基板１と、背面基板２との間に挟まれて形成された表示領域内に、前記前面基板１あるいは背面基板２にほぼ垂直で、長さ方向の位置関係を一致させて複数枚を等間隔に配列させている。なお、接着部材であるフリットガラス８は、背面基板２の表面に形成された除電用電極２１とスペーサ４との接合面（境界面）を接着している。また、フリットガラス９は、前面基板１と支持枠３の接合面を気密封着し、背面基板２と支持枠３の接合面を気密封着している。また、フリットガラス８は、接合面からはみ出し、角が丸く円弧状等の非直線形状をしている。また、フリットガラス８，９の抵抗率は、スペーサ４の抵抗率よりも小さい。なお、前面基板１と背面基板２と支持枠３とで形成された密閉空間は、外界の気圧より低圧状態あるいは真空状態に保持されている。 The spacer 4 serving as a support is made of a thin plate-like glass plate or a ceramic plate such as alumina, and the front substrate is disposed in a display region sandwiched between the front substrate 1 and the rear substrate 2. A plurality of sheets are arranged at equal intervals so as to be substantially perpendicular to one or the back substrate 2 and in the same positional relationship in the length direction. The frit glass 8 as an adhesive member adheres the bonding surface (boundary surface) between the static elimination electrode 21 and the spacer 4 formed on the surface of the back substrate 2. Further, the frit glass 9 hermetically seals the joint surface between the front substrate 1 and the support frame 3 and hermetically seals the joint surface between the rear substrate 2 and the support frame 3. The frit glass 8 protrudes from the joint surface, has a rounded corner, and has a non-linear shape such as an arc. Further, the resistivity of the frit glasses 8 and 9 is smaller than the resistivity of the spacer 4. The sealed space formed by the front substrate 1, the rear substrate 2, and the support frame 3 is maintained at a lower pressure or a vacuum state than the atmospheric pressure.

画像形成部材６は、前面基板１の内面に画素として形成された蛍光物質（蛍光体）であり、電子が衝突することにより励起され、発光する。また、Ｃｒ膜１３は、前面基板１の内面に画像形成部材６を除外した部分に形成されており、隣接する画素への漏れ光を防止する。陽極であるＡｌ膜１４は、Ｃｒ膜１３及び画像形成部材６の表面（内面）に形成されており、高電圧（加速電圧）が印加される。除電用電極２１は、スペーサ４の片端とＳｉＮ膜１７との間に形成されており、Ａｌ膜１４と共に帯電した電荷を除電する。例えば、スペーサ４の厚さが１００〜２００μｍであり、高さが２〜３ｍｍであり、抵抗率が１０^９Ωｃｍであり、スペーサに１０ｋＶの高電圧が印加されるときは、数μＡの電流が流れる。 The image forming member 6 is a fluorescent material (phosphor) formed as a pixel on the inner surface of the front substrate 1 and is excited and emits light when electrons collide. The Cr film 13 is formed on the inner surface of the front substrate 1 at a portion excluding the image forming member 6 and prevents light leaking to adjacent pixels. The Al film 14 serving as the anode is formed on the Cr film 13 and the surface (inner surface) of the image forming member 6, and a high voltage (acceleration voltage) is applied. The neutralization electrode 21 is formed between one end of the spacer 4 and the SiN film 17 and neutralizes the electric charge charged together with the Al film 14. For example, when the spacer 4 has a thickness of 100 to 200 μm, a height of 2 to 3 mm, a resistivity of 10 ⁹ Ωcm, and a high voltage of 10 kV applied to the spacer, a current of several μA is Flowing.

電子源である電子放出素子５は、例えば、金属／絶縁層／金属型放出素子（ＭＩＭ素子）であり、上部電極は図示しない薄膜トランジスタを介して陰極配線である走査線１６に接続され、上部電極と下部電極（カソード）との間に駆動電圧が印加される。信号線１８は、この薄膜トランジスタを駆動する為の信号線であり、走査線１６と直交して配線されている。ＳｉＮ膜１７は、背面基板２に形成されており、信号線１８と走査線１６とを絶縁する。 The electron-emitting device 5 that is an electron source is, for example, a metal / insulating layer / metal-type emitting device (MIM device), and the upper electrode is connected to a scanning line 16 that is a cathode wiring via a thin film transistor (not shown). A driving voltage is applied between the first electrode and the lower electrode (cathode). The signal line 18 is a signal line for driving the thin film transistor, and is wired perpendicular to the scanning line 16. The SiN film 17 is formed on the back substrate 2 and insulates the signal line 18 from the scanning line 16.

ガラス電極３１は、走査線１６の表面に形成され、走査線１６の中心軸からスペーサ４よりにずれて配置されている。また、ガラス電極３１は、フリットガラス８の高さであるフリット高さＨよりも低く形成され、フリットガラス８と類似する形状である。また、ガラス電極３１は、フリットガラス８と同一材料を用いることにより、数十μｍ程度の厚みで形成することができる。また、ガラス電極３１としてフリットガラスを用いる場合には、角部が丸くなるために余分な電子放出をせず、電界の集中が起こらない。 The glass electrode 31 is formed on the surface of the scanning line 16 and is displaced from the central axis of the scanning line 16 with respect to the spacer 4. The glass electrode 31 is formed lower than the frit height H, which is the height of the frit glass 8, and has a shape similar to that of the frit glass 8. The glass electrode 31 can be formed with a thickness of about several tens of μm by using the same material as the frit glass 8. In addition, when frit glass is used as the glass electrode 31, the corners are rounded so that no extra electrons are emitted and the electric field does not concentrate.

図２の構造図は、画像表示装置に配列されたスペーサ４近傍の複数の走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…及び複数の電子放出素子５ａ，５ｂ，５ｃ，…を示した図であり、この図を用いて電界変歪の様子を説明する。なお、電子放出素子５ａ，５ｂ，５ｃ，…は、図１の電子放出素子５に対応し、走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…は、図１の走査線１６に対応し、画像形成部材６ａ、６ｂ，６ｃ，…は、図１の画像形成部材６に対応する。なお、前面基板１はＣｒ膜１３とＡｌ膜１４と共に前面板を構成し、背面基板２は信号線１８とＳｉＮ膜１７と除電用電極２１と共に背面板を構成している。すなわち、前面板と背面板とスペーサ４とで形成された気密空間に電子放出素子５ａ，５ｂ，５ｃ，…、及び画像形成部材６ａ，６ｂ，６ｃ，…が配置されている。 2 is a diagram illustrating a plurality of scanning lines 16a, 16b, 16c,... And a plurality of electron-emitting devices 5a, 5b, 5c,... In the vicinity of the spacer 4 arranged in the image display device. The state of the electric field distortion will be described with reference to the drawings. The electron-emitting devices 5a, 5b, 5c,... Correspond to the electron-emitting device 5 in FIG. 1, and the scanning lines 16a, 16b, 16c,. , 6b, 6c,... Correspond to the image forming member 6 of FIG. The front substrate 1 constitutes a front plate together with the Cr film 13 and the Al film 14, and the rear substrate 2 constitutes a back plate together with the signal line 18, the SiN film 17 and the charge removal electrode 21. That is, the electron-emitting devices 5a, 5b, 5c,... And the image forming members 6a, 6b, 6c,... Are arranged in an airtight space formed by the front plate, the back plate, and the spacer 4.

走査線１６ａの表面のみにガラス電極３１が形成され、他の走査線１６ｂ，１６ｃ，…の表面は直接的に前面基板１に対向している。前面板に近い等電位線１２ａは前面基板１に対して略平行であり、前面基板１の表面の等電位面は乱れていない。これに対して、背面板に近い等電位線１２ｂは、フリットガラス８及びガラス電極３１の表面形状に沿って変歪しており、電子放出素子５ａの近傍で極小となり、背面板とほぼ平行になっている。したがって、電子放出素子５ａから放出した電子は背面基板２の法線方向、すなわち、電界方向に進行する。特に極端な場合として、フリットガラス８の抵抗値が「０」であれば、フリットガラス８の表面は完全に等電位面になる。また、十分な電界変歪の効果を出すためには、スペーサ４の抵抗率が１０^９Ωｃｍ以上であるとき、ガラス電極３１は、抵抗率１０^７Ωｃｍ以下の材料を用いる必要がある。 The glass electrode 31 is formed only on the surface of the scanning line 16a, and the surfaces of the other scanning lines 16b, 16c,... Directly face the front substrate 1. The equipotential lines 12a close to the front plate are substantially parallel to the front substrate 1, and the equipotential surface on the surface of the front substrate 1 is not disturbed. On the other hand, the equipotential lines 12b close to the back plate are distorted along the surface shapes of the frit glass 8 and the glass electrode 31, and are minimized in the vicinity of the electron-emitting device 5a and almost parallel to the back plate. It has become. Therefore, the electrons emitted from the electron-emitting device 5a travel in the normal direction of the back substrate 2, that is, the electric field direction. As a particularly extreme case, if the resistance value of the frit glass 8 is “0”, the surface of the frit glass 8 is completely equipotential. In order to obtain a sufficient electric field distortion effect, when the resistivity of the spacer 4 is 10 ⁹ Ωcm or more, the glass electrode 31 needs to use a material having a resistivity of 10 ⁷ Ωcm or less.

しかしながら、ガラス電極３１がスペーサ４よりにずれて配置されているので、等電位線１２ｂの極小点は、電子放出素子５ａの中心位置よりもスペーサ４よりに若干ずれるので、等電位線１２ｂは電子放出素子５ａの中心付近では背面板と平行にならない。このため、電子は等電位面の法線方向に進むことから、電子放出素子５ａから放出される電子は、スペーサ４の方向に若干偏向する。そして、画像形成部材６ａに近づくにつれて、Ａｌ膜１４に印加された高電圧により、電子は背面基板２の法線方向に加速される。この結果、電子軌道１１ａのように、電子は画像形成部材６ａに到達し、画像形成部材６ａが発光する。 However, since the glass electrode 31 is displaced from the spacer 4, the minimum point of the equipotential line 12b is slightly displaced from the spacer 4 from the center position of the electron-emitting device 5a. Near the center of the emitting element 5a, it is not parallel to the back plate. For this reason, since the electrons travel in the normal direction of the equipotential surface, the electrons emitted from the electron-emitting device 5 a are slightly deflected in the direction of the spacer 4. Then, as the image forming member 6a is approached, electrons are accelerated in the normal direction of the back substrate 2 by the high voltage applied to the Al film 14. As a result, like the electron trajectory 11a, the electrons reach the image forming member 6a, and the image forming member 6a emits light.

また、電子放出素子５ｂ，５ｃ，…の近傍では、等電位線１２ｂによる電界変歪はほとんど無い。このため、電子放出素子５ｂ，５ｃ，…から放出された電子は、ほとんど偏向すること無く、画像形成部材６ｂ，６ｃ，…に到達する。 Further, there is almost no electric field distortion due to the equipotential line 12b in the vicinity of the electron-emitting devices 5b, 5c,. Therefore, the electrons emitted from the electron-emitting devices 5b, 5c,... Reach the image forming members 6b, 6c,.

図３は、画像表示装置の回路図であり、表示パネル１００の周辺を含めたものである。電子放出素子５が接続されたスイッチング素子６０が走査線１６及び信号線１８に沿ってマトリックス状に配線されている。走査線１６の駆動電圧が、スイッチング素子６０を介して、ＳｉＮ膜１７の基板上に形成された電子放出素子５の上部電極に印加される。走査線１６に印加される駆動電圧は、ドライバ回路５２により生成され、スイッチング素子６０を駆動するゲート電圧は、ドライバ回路５１により生成される。また、高圧発生回路５３は、Ａｌ膜１４に、例えば、１０ｋＶの高電圧（加速電圧）を印加している。 FIG. 3 is a circuit diagram of the image display apparatus, including the periphery of the display panel 100. Switching elements 60 to which the electron-emitting devices 5 are connected are wired in a matrix along the scanning lines 16 and the signal lines 18. A driving voltage for the scanning line 16 is applied to the upper electrode of the electron-emitting device 5 formed on the substrate of the SiN film 17 via the switching device 60. The drive voltage applied to the scanning line 16 is generated by the driver circuit 52, and the gate voltage for driving the switching element 60 is generated by the driver circuit 51. Further, the high voltage generation circuit 53 applies a high voltage (acceleration voltage) of, for example, 10 kV to the Al film 14.

本実施形態の原理を明確にするため図４の比較例を用いて説明する。
図４（ａ）の比較例は、ガラス電極３１を走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…の何れにも設けず、前面基板１にもフリットガラス７を設けた場合である。
フリットガラス８がスペーサ４と背面基板２との接合面に設けられ、フリットガラス７がスペーサ４と前面基板１との接合面に設けられている。このため、スペーサ４の近傍、かつ、前面基板１と背面基板２との双方の表面近傍で等電位線１２が変歪し、これにより、等電位面の法線方向の電界が変歪する。背面基板２側の電界変歪によって、電子放出素子５ａから放出された電子は、スペーサ４と反対側に偏向する。一方、前面基板１の表面近傍での電界変歪により、スペーサ４側に偏向するが、前面基板１の近傍では、電子は十分に加速されているので、ずれ幅は少ない。したがって、放出された電子は、全体として、スペーサ４と反対の方向に偏向し、軌道ずれｄ１が生じる。図４（ｂ）の比較例は、スペーサ４の両端面に導電性膜１５ｂを蒸着あるいはスパッタした場合であり、スペーサ４に帯電された電荷を放電させるものである。この場合でも、スペーサ４の端部側面に導電性膜１５ｂが回り込むため、フリットガラス７，８と同様に、電界変歪が発生し、軌道ずれｄ２が生じる。 In order to clarify the principle of this embodiment, a description will be given using a comparative example of FIG.
4A is a case where the glass electrode 31 is not provided on any of the scanning lines 16a, 16b, 16c,... And the frit glass 7 is provided on the front substrate 1 as well.
A frit glass 8 is provided on the bonding surface between the spacer 4 and the back substrate 2, and a frit glass 7 is provided on the bonding surface between the spacer 4 and the front substrate 1. For this reason, the equipotential lines 12 are distorted in the vicinity of the spacers 4 and in the vicinity of both the front substrate 1 and the back substrate 2, whereby the electric field in the normal direction of the equipotential surface is distorted. Electrons emitted from the electron-emitting devices 5a are deflected to the side opposite to the spacers 4 due to the electric field distortion on the back substrate 2 side. On the other hand, it is deflected toward the spacer 4 side by electric field distortion near the surface of the front substrate 1, but the electrons are sufficiently accelerated in the vicinity of the front substrate 1, so that the shift width is small. Accordingly, the emitted electrons are deflected in the opposite direction to the spacer 4 as a whole, resulting in an orbital deviation d1. The comparative example of FIG. 4B is a case where the conductive film 15 b is deposited or sputtered on both end faces of the spacer 4, and the charge charged in the spacer 4 is discharged. Even in this case, since the conductive film 15b wraps around the side surface of the end portion of the spacer 4, like the frit glasses 7 and 8, electric field distortion occurs, and a track shift d2 occurs.

図５（ａ）のグラフは、フリット高さＨに対する放出された電子軌道のずれの大きさｄを表している。図５（ａ）からわかるように、フリット高さＨが高くなるほど陰極側の電界は変歪するために、結果として電子軌道のずれが大きくなる。これはスペーサ４に沿う方向の高さであるフリット高さＨが高ければ高いほどスペーサ４の近傍の電界が大きく変歪するからである。 The graph of FIG. 5A represents the magnitude d of the deviation of the emitted electron orbit with respect to the frit height H. As can be seen from FIG. 5 (a), the higher the frit height H, the more the electric field on the cathode side is distorted. As a result, the deviation of the electron trajectory increases. This is because the higher the frit height H, which is the height in the direction along the spacer 4, the greater the distortion of the electric field in the vicinity of the spacer 4.

図５（ｂ）は、電子放出素子５ａ，５ｂ，５ｃからの電子軌道のずれの大きさ比率（％）と、スペーサからの走査線数との関係をプロットしたものである。なお、大きさ比率（％）はスペーサ４に隣接する電子放出素子５ａの電子軌道のずれの大きさ比率を１００％としている。また、走査線数は、スペーサ４に隣接する走査線１６ａが「１」であり、走査線１６ｂに隣接する走査線１６ｂが「２」であり、走査線１６ｂに隣接する走査線１６ｃが「３」であり、特に、走査線数「２」のときの電子軌道のずれの大きさ比率は１０％である。 FIG. 5B plots the relationship between the magnitude ratio (%) of the deviation of the electron orbit from the electron-emitting devices 5a, 5b and 5c and the number of scanning lines from the spacer. Note that the magnitude ratio (%) is defined such that the magnitude ratio of the electron orbit shift of the electron-emitting device 5a adjacent to the spacer 4 is 100%. The number of scanning lines is “1” for the scanning line 16a adjacent to the spacer 4, “2” for the scanning line 16b adjacent to the scanning line 16b, and “3” for the scanning line 16c adjacent to the scanning line 16b. In particular, the magnitude ratio of the deviation of the electron trajectory when the number of scanning lines is “2” is 10%.

図からわかるように、スペーサ４に隣接する電子放出素子５ａの電子軌道は大きく影響を受けるのに対して、スペーサ４から２列目の電子放出素子５ｂ、３列目の電子放出素子５ｃへの影響は大幅に少ない。つまり、図１，２のように、スペーサ４に隣接する走査線上だけにガラス電極３１を配置し、他の走査線の表面は直接前面板に対向するようにしても、電子軌道の曲がりを抑制することができる。 As can be seen from the figure, the electron trajectory of the electron-emitting device 5a adjacent to the spacer 4 is greatly affected, whereas the electron-emitting device 5b in the second row and the electron-emitting device 5c in the second row are moved from the spacer 4 The impact is significantly less. That is, as shown in FIGS. 1 and 2, even if the glass electrode 31 is disposed only on the scanning line adjacent to the spacer 4 and the surface of the other scanning line directly faces the front plate, the bending of the electron trajectory is suppressed. can do.

図１，２は、ガラス電極３１の高さをフリット高さＨよりも低くし、ガラス電極３１の位置を走査線１６ａの中心軸よりもスペーサ４よりにずらしたが、ガラス電極の高さをフリット高さＨと同じにする場合、ガラス電極３１の位置を走査線１６ａの中心軸上に設けた場合、ガラス電極３１を設けない場合も可能であり、図６から図８までを用いて、これらを比較検討する。 1 and 2, the height of the glass electrode 31 is made lower than the frit height H, and the position of the glass electrode 31 is shifted from the central axis of the scanning line 16 a to the spacer 4. In the case where the frit height H is the same, the glass electrode 31 may be provided on the central axis of the scanning line 16a, or the glass electrode 31 may not be provided. FIG. 6 to FIG. Compare these.

図６と図２との相違点は、走査線１６の中心軸上にガラス電極３１が設けられている点である。図７（ａ）と図２との相違点は、走査線１６ａの中心軸上に、フリット高さＨと同じ高さのガラス電極３２を設けた点であり、図７（ｂ）と図２との相違点は、何れの走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…にもガラス電極を設けない点である。なお、図６においてガラス電極３１の高さは、フリット高さＨよりも小さい点は図２と共通する。また、図６等では、Ｃｒ膜１３、Ａｌ膜１４及び画像形成部材６の記載を一部省略している。 The difference between FIG. 6 and FIG. 2 is that a glass electrode 31 is provided on the central axis of the scanning line 16. The difference between FIG. 7A and FIG. 2 is that a glass electrode 32 having the same height as the frit height H is provided on the central axis of the scanning line 16a. FIG. 7B and FIG. Is that no glass electrode is provided on any of the scanning lines 16a, 16b, 16c,. 6 is the same as FIG. 2 in that the height of the glass electrode 31 is smaller than the frit height H. In FIG. 6 and the like, the description of the Cr film 13, the Al film 14, and the image forming member 6 is partially omitted.

図７（ａ）においては、電子放出素子５ａの位置は、フリットガラス８とガラス電極３２との間の中点であり、電子放出素子５ａの近傍の電界は背面基板２に対して略垂直方向を向く。このため、電子放出素子５ａが放出する電子の軌道ずれｄ６は小さい。 In FIG. 7A, the position of the electron-emitting device 5a is the midpoint between the frit glass 8 and the glass electrode 32, and the electric field in the vicinity of the electron-emitting device 5a is substantially perpendicular to the back substrate 2. Facing. For this reason, the orbit shift d6 of electrons emitted from the electron-emitting device 5a is small.

ところが、走査線１６ｃの表面にはガラス電極が設けられていないので、電子放出素子５ｂの近傍では、ガラス電極３２により等電位面が傾斜し、電子放出素子５ｂが放出する電子が走査線１６ｃの方向に大きく偏向する。このため、画像形成部材６ｂに到達するときの軌道ずれｄ７は大きい。なお、電子放出素子５ｃの両側にはガラス電極もスペーサも存在しないので、等電位面の変動は少なく、軌道ずれｄ８は小さい。 However, since the glass electrode is not provided on the surface of the scanning line 16c, the equipotential surface is inclined by the glass electrode 32 in the vicinity of the electron-emitting device 5b, and electrons emitted from the electron-emitting device 5b are emitted from the scanning line 16c. A large deflection in the direction. For this reason, the orbital deviation d7 when reaching the image forming member 6b is large. Since neither the glass electrode nor the spacer exists on both sides of the electron-emitting device 5c, the fluctuation of the equipotential surface is small and the orbital deviation d8 is small.

図７（ｂ）においては、電子放出素子５ａが放出する電子の軌道は、フリットガラス８のみの影響を受け、走査線１６ａの方向、すなわち、スペーサ４と反対側の方向に大きく偏向し、軌道ずれｄ３は大きい。一方、電子放出素子５ｂ，５ｃと、フリットガラス８とは大きく離れているので、軌道ずれｄ４，ｄ５は小さい。 In FIG. 7B, the trajectory of electrons emitted from the electron-emitting device 5a is influenced only by the frit glass 8, and is largely deflected in the direction of the scanning line 16a, that is, the direction opposite to the spacer 4, and the trajectory. The deviation d3 is large. On the other hand, since the electron-emitting devices 5b and 5c and the frit glass 8 are greatly separated, the orbital deviations d4 and d5 are small.

すなわち、図７（ａ）のスペーサ４に隣接する走査線１６ａの中心軸上のみにガラス電極３２を設けた場合は、ガラス電極３２を挟んでスペーサ４と反対側の電子放出素子５ｂから放出される電子の軌道が曲げられてしまい、図７（ｂ）のガラス電極を設けない場合のように、軌道ずれを低減する効果が小さい。しかしながら、再び図６のように、ガラス電極３１の高さをフリット高さＨに比べて低くすることにより軌道ずれの影響を低減させることができる。 That is, when the glass electrode 32 is provided only on the central axis of the scanning line 16a adjacent to the spacer 4 in FIG. 7A, the light is emitted from the electron-emitting device 5b opposite to the spacer 4 with the glass electrode 32 interposed therebetween. The effect of reducing the orbital shift is small as in the case where the glass orbit of FIG. 7B is not provided. However, as shown in FIG. 6 again, by reducing the height of the glass electrode 31 compared to the frit height H, the influence of the orbital deviation can be reduced.

図８（ａ）は、フリット高さＨと同じ高さのガラス電極３２を走査線１６ａの中心軸上でなく、スペーサ４側にずらして配置したものである。すなわち、ガラス電極３２を配置する位置を走査線１６ａの中心軸からスペーサ４側にずらして配置することで電子軌道のずれを小さく抑えることが可能である。走査線１６ａの中心軸からスペーサ４側に配置すると、スペーサ４側に与える影響は大きい反面、スペーサ４と反対側に与える影響は小さい。このことは、ガラス電極３２がスペーサ側の電界変歪を効果的に低減することができ、スペーサ４と反対側の電界を乱したくない部分への影響が少ないことを示している。さらに、図１，図２と同様であるが、図８（ｂ）に示すように高さの低いガラス電極３１を、走査線１６ａのスペーサ４よりに配置することにより、すべての電子放出素子５ａ，５ｂ，５ｃ，…から放出電子を正規の蛍光体位置に最も近い位置に電子を当てることが可能となる。 In FIG. 8A, the glass electrode 32 having the same height as the frit height H is arranged not on the central axis of the scanning line 16a but on the spacer 4 side. That is, it is possible to suppress the deviation of the electron trajectory by arranging the glass electrode 32 at a position shifted from the central axis of the scanning line 16a toward the spacer 4 side. When arranged on the spacer 4 side from the central axis of the scanning line 16a, the influence on the spacer 4 side is large, but the influence on the opposite side to the spacer 4 is small. This indicates that the glass electrode 32 can effectively reduce the electric field distortion on the spacer side, and has little influence on the portion where the electric field on the side opposite to the spacer 4 is not desired to be disturbed. Further, as in FIG. 1 and FIG. 2, all the electron-emitting devices 5a are arranged by arranging the glass electrode 31 having a low height from the spacer 4 of the scanning line 16a as shown in FIG. 8B. , 5b, 5c,..., The emitted electrons can be applied to the position closest to the normal phosphor position.

以上説明したように本実施形態によれば、スペーサ４に隣接する走査線１６ａだけに、フリット高さＨよりも低いガラス電極３１を配置し、ガラス電極３１を走査線１６ａの中心軸からスペーサ４よりにずらして配置することにより、スペーサ４に隣接する電子放出素子５ａのみならず、その次（スペーサ４から２ライン目）の電子放出素子５ｂの軌道ずれを極力抑えることが可能である。 As described above, according to the present embodiment, the glass electrode 31 lower than the frit height H is disposed only on the scanning line 16a adjacent to the spacer 4, and the glass electrode 31 is spaced from the central axis of the scanning line 16a. By disposing them further, it is possible to suppress as much as possible the orbital shift of not only the electron-emitting device 5a adjacent to the spacer 4 but also the next (second line from the spacer 4) electron-emitting device 5b.

すなわち、電子の軌道ずれを抑えるためには接着部材であるフリットガラス８のフリット高さＨを極力低くする必要があるが、製造上はフリットガラス８の高さを軌道ずれがないようにするには限界がある。フリットガラスの高さが高く電子軌道ずれに大きな影響がある場合でも、本実施形態の構成を用いることにより軌道ずれ（ビーム偏向）を抑えることが可能である。 That is, in order to suppress the orbital deviation of electrons, it is necessary to reduce the frit height H of the frit glass 8 that is an adhesive member as much as possible. There are limits. Even when the height of the frit glass is high and there is a great influence on the electron orbit deviation, it is possible to suppress the orbit deviation (beam deflection) by using the configuration of this embodiment.

表示パネル１００は、背面基板２に形成された電子放出素子５（冷陰極源）に電圧を印加することにより各電子放出素子５から電子が放出される。約１０ｋＶの高電圧を前面基板１のメタルバック（陽極）部であるＡｌ膜１４に印加することにより、前記放出電子が加速され画像形成部材６に衝突する。画像形成部材６（蛍光体）が励起され発光することにより、画像が表示される。また、電子放出素子５（冷陰極源）からの放出電子の軌道ずれｄが少ないため、正規の画像形成部材６に電子が当たらず発光しなかったり、一部の蛍光体しか発光しなかったり、発光量が低下したりすることが回避される。 The display panel 100 emits electrons from each electron-emitting device 5 by applying a voltage to the electron-emitting devices 5 (cold cathode source) formed on the back substrate 2. By applying a high voltage of about 10 kV to the Al film 14 which is a metal back (anode) portion of the front substrate 1, the emitted electrons are accelerated and collide with the image forming member 6. When the image forming member 6 (phosphor) is excited and emits light, an image is displayed. Further, since the orbit shift d of the emitted electrons from the electron-emitting device 5 (cold cathode source) is small, the regular image forming member 6 does not hit the electron and does not emit light, or only a part of the phosphor emits light, It is avoided that the light emission amount decreases.

また、スペーサ４に隣接する走査線１６ａだけ、もしくはスペーサ４の近傍だけにガラス電極３１，３２を配置するため、製造上容易にビーム偏向抑制が可能であり、低コストで実現できる。さらに、スペーサ４の影響で冷陰極源からの放出電子の収束率が悪いスペーサ隣接部の電子ビームの収束効果を期待できる。
なお、特許文献２に見られるようにすべての走査線にスペーサに接着するフリットと同じ高さの電極を配置すると、電界分布をビームが曲がらないようにコントロールすることが可能であるが、すべての走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…にガラス電極３２を精度よく配置することは非常に困難である。 In addition, since the glass electrodes 31 and 32 are disposed only in the scanning line 16a adjacent to the spacer 4 or only in the vicinity of the spacer 4, it is possible to easily suppress beam deflection in manufacturing, and this can be realized at low cost. Further, it is possible to expect the effect of converging the electron beam adjacent to the spacer where the convergence rate of the emitted electrons from the cold cathode source is poor due to the spacer 4.
As can be seen in Patent Document 2, if electrodes having the same height as the frit that adheres to the spacer are arranged on all scanning lines, the electric field distribution can be controlled so that the beam does not bend. It is very difficult to accurately arrange the glass electrodes 32 on the scanning lines 16a, 16b, 16c,.

（第２実施形態）
前記実施形態は、ガラス電極３１，３２にフリットガラス８と同一材料を用いたが、他の材料に変更することもできる。
また、前記のような電極形状や電極配置により電界をコントロールする以外に、抵抗率による方法も考えられる。例えば、電極高さを低くするのと同様の効果を出すためには、電極材料の抵抗率をフリットガラス８に比べて大きくする必要がある。例えば、図７（ａ）に示すようにフリットガラス８と電極が同じ高さの場合でも、ガラス電極の抵抗率を高くすることにより、図６に示すような電極高さを低くした場合と同じ効果が得られる。 (Second Embodiment)
Although the same material as the frit glass 8 was used for the glass electrodes 31 and 32 in the said embodiment, it can also change into another material.
In addition to controlling the electric field by the electrode shape and electrode arrangement as described above, a method based on resistivity is also conceivable. For example, in order to produce the same effect as reducing the electrode height, it is necessary to increase the resistivity of the electrode material as compared with the frit glass 8. For example, as shown in FIG. 7A, even when the frit glass 8 and the electrode are the same height, the same electrode height as shown in FIG. 6 is obtained by increasing the resistivity of the glass electrode. An effect is obtained.

（第３実施形態）
前記各実施形態は、スペーサ４に隣接する走査線１６ａにのみガラス電極３１，３２を設けたが、すべての走査線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，…にガラス電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，…を設けることも可能である。
図９に示すようにスペーサ４に隣接する走査線１６ａだけでなく、スペーサ近傍の他の走査線１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ，…において、電極高さをスペーサから離れていくに従って徐々に低くすることにより全体的なビーム偏向が抑えられ、偏向ずれｄ１８，ｄ１９，ｄ２０，ｄ２１，ｄ２２，…を小さくすることが可能となる。この場合もガラス電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，…としては、１０^７Ωｃｍ以下のフリットガラスや金属などの導電性電極材料を使用することで実現できる。また、この場合もガラス電極３１，３２の高さをガラス電極の抵抗率の変化で置き換えることが可能であるため、スペーサ４から離れるに従ってガラス電極３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅ，…の抵抗率を大きくすることで同様の効果が期待できる。 (Third embodiment)
In each of the above embodiments, the glass electrodes 31 and 32 are provided only on the scanning line 16a adjacent to the spacer 4, but the glass electrodes 31a, 31b, 31c, 31d, 31e, etc. are provided on all the scanning lines 16a, 16b, 16c,. ... can also be provided.
As shown in FIG. 9, not only the scanning line 16a adjacent to the spacer 4 but also the other scanning lines 16b, 16c, 16d,. Overall beam deflection is suppressed, and deflection deviations d18, d19, d20, d21, d22,... Can be reduced. In this case the glass electrode 31a also, 31b, 31c, 31d, 31e, as the ... can be realized by using a conductive electrode material such as 10 ⁷ [Omega] cm or less of the frit glass or metal. Also in this case, since the height of the glass electrodes 31 and 32 can be replaced by a change in the resistivity of the glass electrode, the resistance of the glass electrodes 31a, 31b, 31c, 31d, 31e,. A similar effect can be expected by increasing the rate.

（変形例）
本発明は前記各実施形態に限定されるものではなく、例えば以下のような種々の変形が可能である。
（１）前記各実施形態は、ガラス電極３１，３２にフリットガラスを用いたが、走査線上に配置する電極材料としては金属の蒸着なども考えられるが、金属材料を電極として使う場合には、角部（頂部）から電子放出しないようにエッチングなどにより端部に曲率を持たせることが望ましい。
（２）前記各実施形態はＦＥＤに適用したものについて説明したが、他の同様の画像表示装置、例えば、ＥＬ、プラズマディスプレイ等にも適用できる。
（３）前記各実施形態のガラス電極３１，３２は、単に、フリットガラスを走査線１６の表面に形成して、ガラス電極３１，３２とフリットガラス８との形状を類似させたが、スペーサ４と厚さ及び材質が同一な絶縁物と走査線１６とをフリットガラスを用いて接着するようにすれば、ガラス電極３１，３２をよりフリットガラス８の形状に相似させることができる。 (Modification)
The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications such as the following are possible.
(1) In each of the above embodiments, frit glass is used for the glass electrodes 31 and 32. As an electrode material arranged on the scanning line, metal deposition or the like is conceivable, but when using a metal material as an electrode, It is desirable to provide the edge with a curvature by etching or the like so as not to emit electrons from the corner (top).
(2) Although each of the above embodiments has been described as applied to an FED, it can also be applied to other similar image display devices such as EL and plasma displays.
(3) The glass electrodes 31 and 32 of the above-described embodiments are simply formed by forming frit glass on the surface of the scanning line 16 to make the glass electrodes 31 and 32 and the frit glass 8 have similar shapes. If the insulator having the same thickness and material and the scanning line 16 are bonded using frit glass, the glass electrodes 31 and 32 can be made more similar to the shape of the frit glass 8.

本発明の一実施形態である画像表示装置の周縁部の構成図である。It is a block diagram of the peripheral part of the image display apparatus which is one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態である画像表示装置のスペーサ近傍の構成図である。It is a block diagram of the spacer vicinity of the image display apparatus which is one Embodiment of this invention. 表示パネル及びその周辺部の回路図である。It is a circuit diagram of a display panel and its peripheral part. フリットガラスによる軌道ずれを説明するための比較例の構成図である。It is a block diagram of the comparative example for demonstrating the track | orbit shift | offset | difference by a frit glass. フリット高さと電子軌道のずれの大きさとの関係を示す図、及びスペーサからの走査線数と電子軌道ずれの大きさ比率との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between frit height and the magnitude | size of an electron orbit shift, and a figure which shows the relationship between the scanning line number from a spacer, and the magnitude | size ratio of an electron orbit shift. ガラス電極を走査線の中心軸上に設けた場合の説明図である。It is explanatory drawing at the time of providing a glass electrode on the central axis of a scanning line. ガラス電極の高さをフリットガラスの高さに合わせた場合、及びガラス電極を使用しない場合の軌道ずれを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the track | orbit shift | offset | difference at the time of matching the height of a glass electrode with the height of frit glass, and not using a glass electrode. ガラス電極を走査線の中心軸からスペーサよりに設けた場合の軌道ずれを説明するための図である。It is a figure for demonstrating the track | orbit shift | offset | difference at the time of providing a glass electrode from the center axis | shaft of a scanning line from a spacer. ガラス電極を各走査線に設けた場合の説明図である。It is explanatory drawing at the time of providing a glass electrode in each scanning line.

Explanation of symbols

１前面基板（前面板）
２背面基板（背面板）
３支持枠
４スペーサ（支持体）
５，５ａ，５ｂ，５ｃ電子放出素子（電子源）
６，６ａ，６ｂ，６ｃ画像形成部材
７，８フリットガラス（接着部材）
９フリットガラス（封着部材）
１１，１１ａ電子軌道
１２，１２ａ，１２ｂ等電位線
１３Ｃｒ膜
１４Ａｌ膜（陽極）
１５ａ，１５ｂ導電性膜
１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ走査線（陰極配線）
１８信号線
２１除電用電極（背面板）
３１，３２ガラス電極（電極）
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ，３１ｄ，３１ｅガラス電極
５１，５２ドライバ回路
５３高圧発生回路
６０スイッチング素子
１００表示パネル（画像表示装置） 1 Front substrate (front plate)
2 Back substrate (back plate)
3 Support frame 4 Spacer (support)
5, 5a, 5b, 5c Electron emitting device (electron source)
6, 6a, 6b, 6c Image forming member 7, 8 Frit glass (adhesive member)
9 Frit glass (sealing material)
11, 11a Electron orbits 12, 12a, 12b Equipotential lines 13 Cr film 14 Al film (anode)
15a, 15b Conductive film 16, 16a, 16b, 16c Scanning line (cathode wiring)
18 Signal line 21 Electrostatic discharge (back plate)
31, 32 Glass electrode (electrode)
31a, 31b, 31c, 31d, 31e Glass electrodes 51, 52 Driver circuit 53 High voltage generation circuit 60 Switching element 100 Display panel (image display device)

Claims

A front plate having an anode and a plurality of image forming members;
A plurality of cathode wirings and a plurality of electron sources arranged in parallel to each other, a back plate facing the front plate;
A plurality of plate-like supports interposed between the back plate and the front plate to form the boundary of the display area;
An adhesive member for adhering at least a joint surface between each support and the back plate;
With
An image display device in which the electron source and the image forming member are arranged in an airtight space formed by the front plate, the back plate, and the support,
An image display device, wherein an electrode is formed on a surface of the cathode wiring adjacent to the support, and the other cathode wiring directly faces the front plate.

A front plate having an anode and a plurality of image forming members;
A plurality of cathode wirings and a plurality of electron sources arranged in parallel to each other, a back plate facing the front plate;
A plurality of plate-like supports interposed between the back plate and the front plate to form the boundary of the display area;
An adhesive member for adhering a bonding surface between at least each of the supports and the back plate;
With
An image display device in which the electron source and the image forming member are arranged in an airtight space formed by the front plate, the back plate, and the support,
The cathode wiring has an electrode formed on the surface,
The image display device, wherein the electrode is similar to the shape of the adhesive member.

The back plate includes a back substrate and a static elimination electrode formed on the surface of the back substrate,
The image display device according to claim 1, wherein the support body is interposed between the static elimination electrode and the front plate.

The image display device according to claim 1, wherein the adhesive member protrudes from the joint surface.

The support is formed of an insulator,
The image display device according to claim 1, wherein the adhesive member and the electrode have a resistivity lower than that of the support.

The image display device according to claim 5, wherein the adhesive member and the electrode are formed of the same material.

The support is formed of an insulating material having a resistivity of 10 ⁹ Ωcm or more,
The image display device according to claim 1, wherein the electrode is formed of a conductive material having a resistivity of 10 ⁷ Ωcm or less.

The image display device according to claim 1, wherein the electrode is arranged so as to be shifted toward the support side from a central axis of the cathode wiring.

The image display device according to claim 1, wherein a height of the electrode is lower than a height of the adhesive member.

3. The image display device according to claim 1, wherein the electrode is disposed so as to be shifted toward the support side from a central axis of the cathode wiring, and a height thereof is lower than a height of the adhesive member.

The image display device according to claim 1, wherein a cross section of the electrode has a non-linear shape.

A front plate having an anode and a plurality of image forming members;
A plurality of cathode wirings and a plurality of electron sources arranged in parallel to each other, a back plate facing the front plate;
A plurality of plate-like supports interposed between the back plate and the front plate to form the boundary of the display area;
An adhesive member for adhering at least a joint surface between each support and the back plate;
With
An image display device in which the electron source and the image forming member are arranged in an airtight space formed by the front plate, the back plate, and the support,
Each of the cathode wirings has an electrode formed on a surface thereof.

The image display device according to claim 12, wherein the electrode formed on each of the cathode wirings gradually decreases in height as the electrode is separated from the support.

The image display device according to claim 12, wherein the electrode formed on each cathode wiring has a resistivity that increases with distance from the support.