JP2007329146A - Information processor, semiconductor manufacturing system, information processing method, program, and recording medium - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve the problem wherein a value having a different scale, such as a unit cannot be converted to a value suitable for an analysis, or the like without depending on the scale in a conventional information processor. <P>SOLUTION: An information processor 100 processes a state value related to a state in processing in a semiconductor-manufacturing apparatus 200 for treating a treatment target including a semiconductor, and comprises a state: value reception 101 for receiving a state value; a reference value storage 102 for storing a reference value that is a reference value of the state value; a threshold storage 103 for storing a threshold that is a value used for determining whether the state value is a desired value; a calculator 104 for calculating the ratio of a value related to the difference between the state value and the reference value received by the state reception 101 to a value related to the difference between the threshold and the reference value; and an outputting section for outputting the ratio calculated by the calculator 104. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体製造装置から取得した値を処理する情報処理装置等に関するものである。   The present invention relates to an information processing apparatus that processes a value acquired from a semiconductor manufacturing apparatus.

半導体装置を製造する半導体製造装置としては、例えば、半導体ウエハ等の半導体を含む処理対象物に対して、成膜処理や、酸化処理や、拡散処理等の熱処理を行う熱処理装置等がある。   As a semiconductor manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, for example, there is a heat treatment apparatus for performing a heat treatment such as a film formation process, an oxidation process, or a diffusion process on a processing object including a semiconductor such as a semiconductor wafer.

熱処理装置等においては、通常、レシピと呼ばれる処理の条件を設定する設定値に一致するように、処理温度や、処理圧力、ガス流量等を制御することで、熱処理が行われる。   In a heat treatment apparatus or the like, heat treatment is usually performed by controlling a treatment temperature, a treatment pressure, a gas flow rate, and the like so as to coincide with a set value for setting a treatment condition called a recipe.

例えば、このような熱処理装置に関して、反応炉に複数の温度センサを配置し、この温度センサの出力と、ヒータへの供給電力などに基づいて、熱モデル(数学モデル)を用いて半導体ウエハの温度を逐次予想し、予想値を用いて、ヒータ電力を制御する技術がある(例えば特許文献1参照)。このような技術によれば、半導体ウエハの温度を比較的正確に非接触で予想して、処理温度を精度良く制御することができる。   For example, with respect to such a heat treatment apparatus, a plurality of temperature sensors are arranged in a reaction furnace, and the temperature of the semiconductor wafer is calculated using a thermal model (mathematical model) based on the output of the temperature sensor and the power supplied to the heater. There is a technique for sequentially predicting the heater power and controlling the heater power using the predicted value (see, for example, Patent Document 1). According to such a technique, the processing temperature can be accurately controlled by predicting the temperature of the semiconductor wafer relatively accurately without contact.

一方、上記のような熱処理装置においては、実際に処理を行っている際の、処理温度や、処理圧力、ヒータ電力等の処理時の状態を示す値を取得し、これらの値を監視することで、装置が正常に稼働しているか否かや、所望の処理が正常に行われているか等を判断していた。例えば、同一の装置において、同じレシピで行われた複数回の処理の結果を、時間の経過に沿って配列してグラフ化することにより、熱処理装置の機能の経時的な劣化等を判断することが可能であった。
特開2002−25997号公報(第1頁、第1図等)
On the other hand, in the heat treatment apparatus as described above, values indicating the processing state such as processing temperature, processing pressure, heater power, etc. during actual processing are obtained and monitored. Thus, it is determined whether or not the apparatus is operating normally, whether or not a desired process is normally performed, and the like. For example, in a single device, the results of multiple times of processing performed in the same recipe are arranged and graphed over time, thereby judging deterioration over time in the function of the heat treatment device. Was possible.
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-25997 (first page, FIG. 1 etc.)

しかしながら、従来の情報処理装置においては、半導体製造装置から取得された、値の単位や値の幅等が異なる値同士を、重ね合わせて表示したり、比較したりすることが困難であった。例えば、半導体製造装置から取得された内部の温度の値と、半導体製造装置内のヒータの電力との値とを、単純に重ねてグラフ等に表示しても、それぞれの単位等が異なるため、両者を正確に比較することは難しい。   However, in the conventional information processing apparatus, it is difficult to superimpose and display or compare values obtained from the semiconductor manufacturing apparatus with different value units and value widths. For example, even if the value of the internal temperature acquired from the semiconductor manufacturing apparatus and the value of the power of the heater in the semiconductor manufacturing apparatus are simply overlapped and displayed on a graph or the like, each unit is different, It is difficult to compare the two accurately.

また、このような単位等が異なる値については、仮に適用したとしても、それぞれの単位の取り方によって、得られる値が変わってくるため、そのままでは、実質的に、多変量解析を適用することができない。   In addition, for values with different units, etc., even if they are applied, the values obtained will vary depending on how each unit is taken. I can't.

このため、半導体製造装置から取得された値に対していわゆる標準化を行うことが考えられる。標準化とは、値の単位等を変換することで、例えば、平均値や標準偏差が特定の値になるようにして、単位の取り方に影響を受けない値に変換することである。このような標準化を行うことで、単位の取り方が異なる情報同士を比較したり、多変量解析を用いて解析したりすることが可能となる。一般に、標準化は、平均値が0、標準偏差が1になるように行われる。具体的には、この標準化は、半導体製造装置から取得された半導体製造装置の状態を示す個々の値に対して、「(状態を示す値−平均値)/標準偏差」という演算を行うことで行われる。   For this reason, it is conceivable to perform so-called standardization on the values acquired from the semiconductor manufacturing apparatus. The standardization is to convert the value unit or the like into a value that is not affected by how to obtain the unit, for example, by making the average value or standard deviation a specific value. By performing such standardization, it is possible to compare information with different units, or to analyze using multivariate analysis. In general, standardization is performed such that the average value is 0 and the standard deviation is 1. Specifically, this standardization is performed by calculating “(value indicating state−average value) / standard deviation” for each value indicating the state of the semiconductor manufacturing apparatus acquired from the semiconductor manufacturing apparatus. Done.

しかし、このような従来の標準化は、データが、正規分布している場合には、有効であるが、データが正規分布していない場合の処理としては適していないという課題があった。   However, such conventional standardization is effective when the data is normally distributed, but has a problem that it is not suitable as a process when the data is not normally distributed.

例えば、尺度の異なる状態値について、多変量解析を行う場合について考える。一般に多変量解析においては、単位等の影響を受けないように、前処理として標準化が行われる。このとき、ほとんどの状態値が、ある一定値の近傍に集中しており、1つの値だけ、その一定値から大きく離れた値であったとする。この場合、その1つの値が、半導体製造装置から取得される値としては、正常な値の範囲内に属する値であったとしても、上記のような標準偏差を利用した標準化を行うと、多変量解析の結果、その値が、他と大きく異なる値であると判断される可能性があるという課題があった。   For example, consider the case where multivariate analysis is performed for state values of different scales. In general, in multivariate analysis, standardization is performed as preprocessing so as not to be affected by units or the like. At this time, it is assumed that most of the state values are concentrated in the vicinity of a certain fixed value and only one value is a value far from the fixed value. In this case, even if the one value obtained from the semiconductor manufacturing apparatus is a value belonging to the range of normal values, if standardization using the standard deviation as described above is performed, many values are obtained. As a result of the variable analysis, there is a problem that the value may be determined to be significantly different from others.

また、異なる尺度の値を上記のように標準化して得られた値を、グラフ等で重ねて表示したり、比較したりする場合においては、異なる尺度の値自体は尺度の影響を受けないように標準化されることとなるが、それぞれの値について閾値等が設定されていた場合、これらの閾値等に上記の標準化の処理を行っても、それぞれが互いに異なった値の閾値となる。このため、異なる尺度の値を標準化して得られた値は、結果的に異なる閾値を用いて評価する必要があり、状態値同士の比較等が十分に容易になったとはいえず、標準化を行った効果が得られないという課題があった。   In addition, when the values obtained by standardizing the values of different scales as described above are displayed and compared in a graph or the like, the values of the different scales themselves are not affected by the scale. However, if threshold values and the like are set for each value, even if the above-described standardization processing is performed on these threshold values and the like, the threshold values are different from each other. For this reason, the values obtained by standardizing the values of different scales must be evaluated using different threshold values as a result, and it cannot be said that the comparison between the state values has become sufficiently easy. There was a problem that the effect that was done was not obtained.

このように、従来は、単位等の異なる値を、多変量解析や、値同士の比較等のデータの解析等に適した、尺度に依存しない適切な値に変換することができないという課題があった。   As described above, conventionally, there has been a problem that it is not possible to convert different values such as units into appropriate values that do not depend on a scale and are suitable for multivariate analysis, data analysis such as comparison of values, and the like. It was.

本発明の情報処理装置は、半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理装置であって、前記状態値を受け付ける状態値受付部と、前記状態値の基準となる値である基準値が格納され得る基準値格納部と、前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る閾値格納部と、前記状態値受付部の受け付けた前記状態値と前記基準値との差に関する値と、前記閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出部と、前記算出部が算出した比を出力する出力部とを具備する情報処理装置である。   An information processing apparatus according to the present invention is an information processing apparatus that processes a state value that is a value related to a state during processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor, and is a state value that receives the state value A reception unit, a reference value storage unit that can store a reference value that is a reference value of the state value, and a threshold that is a value used to determine whether the state value is a desired value are stored. A threshold value storage unit, a calculation unit that calculates a ratio between a value related to the difference between the state value received by the state value reception unit and the reference value, and a value related to the difference between the threshold value and the reference value; And an output unit that outputs the ratio calculated by the calculation unit.

かかる構成により、状態値を、閾値と基準値とを利用した比に変換することができ、尺度に依存しない、解析等に適した値に変換することができる。また、条件値と閾値との関係を考慮した比に変換されるため、状態値を、尺度の依存せずに、同じ閾値で評価することが可能となる。これにより、状態値の解析等を容易に行うことができる効果がある。   With this configuration, the state value can be converted into a ratio using the threshold value and the reference value, and can be converted into a value suitable for analysis and the like that does not depend on the scale. Moreover, since the ratio is converted into a ratio in consideration of the relationship between the condition value and the threshold, the state value can be evaluated with the same threshold without depending on the scale. Thereby, there exists an effect which can analyze a state value etc. easily.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記状態値受付部は、尺度の異なる複数の状態値を受け付け、前記算出部は、前記尺度の異なる複数の状態値にそれぞれ対応した前記比を算出し、前記出力部は、前記算出部が算出した複数の比を出力する情報処理装置である。   Further, in the information processing apparatus according to the present invention, in the information processing apparatus, the state value receiving unit receives a plurality of state values having different scales, and the calculation unit corresponds to each of the plurality of state values having different scales. The ratio is calculated, and the output unit is an information processing apparatus that outputs a plurality of ratios calculated by the calculation unit.

かかる構成により、単位等の尺度の異なる状態値を、閾値と基準値とを利用した比に変換することができ、尺度に依存しない、解析等に適した値に変換することができる。また、条件値と閾値との関係を考慮した比に変換されるため、尺度の異なる値を、共通の閾値で評価することが可能となる。これにより、尺度の異なる状態値の解析等を容易に行うことができる効果がある。   With this configuration, state values of different scales such as units can be converted into a ratio using a threshold value and a reference value, and can be converted into values suitable for analysis and the like that do not depend on the scale. In addition, since the ratio is converted into a ratio in consideration of the relationship between the condition value and the threshold value, values having different scales can be evaluated with a common threshold value. Thereby, there is an effect that it is possible to easily analyze the state values of different scales.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理装置であって、尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付部と、前記状態値の、基準となる値である基準値が格納され得る基準値格納部と、前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る閾値格納部と、前記状態値受付部の受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と前記基準値との差に関する値と、前記閾値と前記基準値との差に関する値との比をそれぞれ算出する算出部と、前記算出部が算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析部と、前記多変量解析部が解析した結果を出力する出力部とを具備する情報処理装置である。   The information processing apparatus according to the present invention is an information processing apparatus that processes a state value that is a value related to a state at the time of processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor. A state value receiving unit that receives a plurality of state values of different scales, a reference value storage unit that can store a reference value that is a reference value of the state value, and whether the state value is a desired value A threshold value storage unit that can store a threshold value that is a value used to determine whether or not, a value related to a difference between a plurality of state values of the scale received by the state value reception unit and the reference value, and the threshold value A calculation unit that calculates a ratio to a value related to a difference from the reference value, a multivariate analysis unit that performs multivariate analysis using a plurality of ratios calculated by the calculation unit, and an analysis by the multivariate analysis unit Output part that outputs the result It is an information processing apparatus for Bei.

かかる構成により、単位等の尺度の異なる状態値を、閾値と基準値とを利用した比に変換することができ、尺度に依存しない、解析等に適した値に変換することができる。この変換した状態値を用いて多変量解析を行うことにより、状態値が正規分布しているか否かにかかわらず、閾値を考慮した適切な解析結果が得ることができる。   With this configuration, state values of different scales such as units can be converted into a ratio using a threshold value and a reference value, and can be converted into values suitable for analysis and the like that do not depend on the scale. By performing multivariate analysis using the converted state value, an appropriate analysis result considering the threshold value can be obtained regardless of whether or not the state value is normally distributed.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記算出部が比の算出に用いる閾値は、前記基準値により2つの範囲に分割される前記状態値が取り得る値の範囲のうちの、前記状態値が属する範囲内の値である情報処理装置である。   In the information processing apparatus of the present invention, in the information processing apparatus, the threshold used by the calculation unit to calculate the ratio is a range of values that can be taken by the state value divided into two ranges by the reference value. The information processing apparatus is a value within a range to which the state value belongs.

かかる構成により、状態値を、尺度に依存せずに、共通の閾値で評価したり、閾値を考慮した適切な多変量解析を行うことができる。   With this configuration, the state value can be evaluated with a common threshold without depending on the scale, or appropriate multivariate analysis can be performed in consideration of the threshold.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記状態値は、前記半導体製造装置内の温度の測定値または測定値が統計処理された値である情報処理装置である。   The information processing apparatus according to the present invention is the information processing apparatus, wherein the state value is a measured value of a temperature in the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measured value.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the state value.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記状態値は、前記半導体製造装置内の圧力の測定値または測定値が統計処理された値である情報処理装置である。   The information processing apparatus according to the present invention is the information processing apparatus, wherein the state value is a measured value of pressure in the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measured value.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the state value.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記状態値は、前記半導体製造装置内に導入されるガス流量の測定値または測定値が統計処理された値である情報処理装置である。   Further, the information processing apparatus according to the present invention is the information processing apparatus, wherein the state value is a measured value of a gas flow rate introduced into the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measured value. is there.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the state value.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記尺度の異なる複数の状態値は、前記半導体製造装置内の温度の測定値、および前記半導体製造装置内の圧力の測定値、またはこれらが統計処理された値である情報処理装置である。   In the information processing apparatus of the present invention, in the information processing apparatus, the plurality of state values having different scales include a measured value of the temperature in the semiconductor manufacturing apparatus and a measured value of the pressure in the semiconductor manufacturing apparatus, or These are information processing apparatuses which are statistically processed values.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる効果がある。   With this configuration, there is an effect that the state value can be easily analyzed.

また、本発明の情報処理装置は、前記情報処理装置において、前記尺度の異なる複数の状態値は、さらに前記半導体製造装置内に導入されるガス流量の測定値、または測定値が統計処理された値を含む情報処理装置である。   Further, in the information processing apparatus of the present invention, in the information processing apparatus, the plurality of state values having different scales are further subjected to statistical processing on the measured value of the gas flow rate introduced into the semiconductor manufacturing apparatus or the measured value An information processing apparatus including a value.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる効果がある。   With this configuration, there is an effect that the state value can be easily analyzed.

また、本発明の半導体製造システムは、半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置と、前記情報処理装置とを具備する半導体製造システムであって、前記半導体製造装置は、前記状態値を取得する処理状態値取得部と、前記状態値を出力する処理出力部とを具備する半導体製造システムである。   The semiconductor manufacturing system of the present invention is a semiconductor manufacturing system including a semiconductor manufacturing apparatus for processing a processing object including a semiconductor, and the information processing apparatus, wherein the semiconductor manufacturing apparatus has the state value. A semiconductor manufacturing system including a processing state value acquisition unit to be acquired and a processing output unit for outputting the state value.

かかる構成により、状態値の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the state value.

また、本発明の半導体製造システムは、前記半導体製造システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記処理対象物に処理を行う処理容器と、前記処理容器内の温度を検出する1以上の温度検出部をさらに具備し、前記処理状態値取得部は、前記温度検出部が検出した温度の値である状態値を取得する半導体製造システムである。   In the semiconductor manufacturing system of the present invention, in the semiconductor manufacturing system, the semiconductor manufacturing apparatus includes a processing container for processing the processing object, and one or more temperature detection units for detecting the temperature in the processing container. Further, the processing state value acquisition unit is a semiconductor manufacturing system that acquires a state value that is a temperature value detected by the temperature detection unit.

かかる構成により、半導体製造装置の温度の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the temperature of the semiconductor manufacturing apparatus.

また、本発明の半導体製造システムは、前記半導体製造システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記処理対象物に処理を行う処理容器と、前記処理容器内を圧力を検出する圧力検出部をさらに具備し、前記処理状態値取得部は、前記圧力検出部が検出した圧力の値である状態値を取得する半導体製造システムである。   Moreover, the semiconductor manufacturing system of the present invention is the semiconductor manufacturing system, wherein the semiconductor manufacturing apparatus further includes a processing container for processing the object to be processed and a pressure detection unit for detecting the pressure in the processing container. The processing state value acquisition unit is a semiconductor manufacturing system that acquires a state value that is a pressure value detected by the pressure detection unit.

かかる構成により、圧力の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, pressure analysis and the like can be easily performed.

また、本発明の半導体製造システムは、前記半導体製造システムにおいて、前記半導体製造装置は、前記処理対象物に処理を行う処理容器と、前記処理容器内に導入されるガス流量を検出するガス流量検出部をさらに具備し、前記処理状態値取得部は、前記ガス流量検出部が検出したガス流量の値または値が統計処理された値である状態値を取得する半導体製造システムである。   In the semiconductor manufacturing system of the present invention, in the semiconductor manufacturing system, the semiconductor manufacturing apparatus detects a processing container that performs processing on the processing object, and a gas flow rate detection that detects a gas flow rate introduced into the processing container. The processing state value acquisition unit is a semiconductor manufacturing system that acquires a value of the gas flow rate detected by the gas flow rate detection unit or a state value that is a statistically processed value.

かかる構成により、ガス流量の解析等を容易に行うことができる。   With this configuration, it is possible to easily analyze the gas flow rate.

本発明による情報処理装置等によれば、単位等の尺度の異なる値を、尺度に依存しない、解析等に適した値に変換することが可能となる。   According to the information processing apparatus and the like according to the present invention, it is possible to convert values having different scales such as units into values suitable for analysis and the like that do not depend on scales.

以下、情報処理装置等の実施形態について図面を参照して説明する。なお、実施の形態において同じ符号を付した構成要素は同様の動作を行うので、再度の説明を省略する場合がある。   Hereinafter, embodiments of an information processing apparatus and the like will be described with reference to the drawings. In addition, since the component which attached | subjected the same code | symbol in embodiment performs the same operation | movement, description may be abbreviate | omitted again.

(実施の形態)
図1は、本実施の形態における情報処理システムの構成を示す図である。半導体製造システムは、情報処理装置100と、半導体製造装置200とを具備する。半導体製造装置200は、半導体を含む処理対象物に処理を行う。なお、ここでは、半導体製造装置200が、熱処理を含む処理を行う熱処理装置であり、処理対象物が半導体ウエハである場合を例に挙げて説明するが、半導体製造装置200は半導体を含む処理対象物に行う処理はどのような処理であっても良い。すなわち、半導体製造装置200が、熱処理装置以外の場合や、処理対象物が半導体ウエハ以外の、半導体を含むもの、例えば半導体チップ等である場合においても、本発明の構成は適用可能である。ここでは、情報処理装置100と半導体製造装置200とは、情報の入出力が可能なように、インターネットやLAN等のネットワークや、専用の信号線等により接続されている。
(Embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an information processing system in the present embodiment. The semiconductor manufacturing system includes an information processing apparatus 100 and a semiconductor manufacturing apparatus 200. The semiconductor manufacturing apparatus 200 performs processing on a processing object including a semiconductor. Here, the semiconductor manufacturing apparatus 200 is a heat treatment apparatus that performs processing including heat treatment, and the case where the processing target is a semiconductor wafer will be described as an example. However, the semiconductor manufacturing apparatus 200 is a processing target including a semiconductor. The processing performed on the object may be any processing. That is, the configuration of the present invention can be applied even when the semiconductor manufacturing apparatus 200 is other than a heat treatment apparatus or when the object to be processed is a semiconductor containing semiconductor other than a semiconductor wafer, such as a semiconductor chip. Here, the information processing apparatus 100 and the semiconductor manufacturing apparatus 200 are connected by a network such as the Internet or a LAN, a dedicated signal line, or the like so that information can be input and output.

情報処理装置100は、状態値受付部101、基準値格納部102、閾値格納部103、算出部104、出力部105を具備する。   The information processing apparatus 100 includes a state value receiving unit 101, a reference value storage unit 102, a threshold value storage unit 103, a calculation unit 104, and an output unit 105.

状態値受付部101は、半導体製造装置200の、処理時の状態に関して取得した値である状態値を受け付ける。「受け付ける」とは、入力されたもの等を取得することや、受信すること等である。「状態値」とは、ここでは、半導体製造装置200が、所望の処理を行っている際に取得した値である。「処理時の状態に関して取得した値」とは、取得可能な値であって、半導体製造装置200の処理時の状態を示すことが可能な値であればどのような値であっても良い。具体的には、半導体製造装置200自身や、半導体製造装置200の内部環境から処理時に取得される測定値や、この測定値を用いて算出した算出値や、半導体製造装置200が、処理時に内部で制御している値等である。また、測定値等を統計処理した値であっても良い。例えば、状態値は、処理時における半導体製造装置200内の温度の測定値、具体的には、処理容器211内の所望の位置の温度を、温度センサ等を利用して測定した値や、処理圧力(気圧)を、圧力検出部217等を用いて測定した値や、電力計により測定した半導体製造装置200の内部を加熱するヒータの電力値や、これらの測定値の平均値や、最大値、最小値、標準偏差等である。また、状態値は、例えば、半導体製造装置が処理時に内部のヒータに対して出力する電圧や電流等から算出されるヒータの電力値であってもよい。状態値受付部101の受け付ける状態値は、尺度の異なる複数の状態値であっても良い。ここで述べる尺度とは、状態値の単位や0点等のことである。尺度の異なる複数の状態値は、例えば、半導体製造装置200内の温度の測定値や、半導体製造装置200の内部を加熱するヒータの電力値や、半導体製造装置200内の圧力(気圧)の測定値等である。状態値受付部101がどのようにして状態値を受け付けるかは問わない。例えば、状態値受付部101は、他の機器等から通信回線等を介して送信される状態値を受信して受け付けても良いし、記録媒体等に記録されている状態値を読み出してもよい。また、状態値受付部101は、テンキーやキーボードやマウスやメニュー画面等の入力手段により入力される状態値を受け付けても良い。また、状態値受付部101は、受け付けた状態値を図示しないメモリ等に蓄積するようにしても良い。状態値受付部101は、テンキーやキーボード等の入力手段のデバイスドライバーや、メニュー画面の制御ソフトウェアや、通信デバイスのドライバ等や、メモリカードリーダや、CDドライブ等の記録媒体等から情報を読み出すデバイスのドライバ等で実現され得る。   The state value receiving unit 101 receives a state value that is a value acquired for the state of the semiconductor manufacturing apparatus 200 during processing. “Accept” is to acquire or receive an input or the like. Here, the “state value” is a value acquired when the semiconductor manufacturing apparatus 200 is performing a desired process. The “value acquired regarding the processing state” is an acquirable value and may be any value as long as it can indicate the processing state of the semiconductor manufacturing apparatus 200. Specifically, the measurement value acquired at the time of processing from the semiconductor manufacturing apparatus 200 itself or the internal environment of the semiconductor manufacturing apparatus 200, the calculated value calculated using this measurement value, or the semiconductor manufacturing apparatus 200 is The value controlled by. Moreover, the value which statistically processed the measured value etc. may be sufficient. For example, the state value is a measured value of the temperature in the semiconductor manufacturing apparatus 200 at the time of processing, specifically, a value obtained by measuring the temperature at a desired position in the processing container 211 using a temperature sensor or the like, A value obtained by measuring the pressure (atmospheric pressure) using the pressure detector 217 or the like, a power value of a heater for heating the inside of the semiconductor manufacturing apparatus 200 measured by a power meter, an average value or a maximum value of these measured values , Minimum value, standard deviation, etc. The state value may be, for example, a heater power value calculated from a voltage, current, or the like output from the semiconductor manufacturing apparatus to the internal heater during processing. The state value received by the state value receiving unit 101 may be a plurality of state values with different scales. The scale described here is a unit of state value, 0 point, or the like. The plurality of state values having different scales are, for example, a measured value of the temperature in the semiconductor manufacturing apparatus 200, a power value of a heater for heating the inside of the semiconductor manufacturing apparatus 200, and a pressure (atmospheric pressure) in the semiconductor manufacturing apparatus 200. Value etc. It does not matter how the state value receiving unit 101 receives the state value. For example, the state value receiving unit 101 may receive and receive a state value transmitted from another device or the like via a communication line or the like, or may read a state value recorded on a recording medium or the like. . Further, the state value receiving unit 101 may receive a state value input by an input unit such as a numeric keypad, a keyboard, a mouse, or a menu screen. Further, the state value receiving unit 101 may store the received state value in a memory or the like (not shown). The state value receiving unit 101 is a device that reads information from a device driver for input means such as a numeric keypad or a keyboard, control software for a menu screen, a driver for a communication device, a memory card reader, a recording medium such as a CD drive, etc. It can be realized with a driver or the like.

基準値格納部102には、状態値の基準となる値である基準値が格納され得る。状態値の基準となる値とは、状態値同士を比較する際の基準として利用可能な値であればよい。基準値は、例えば、状態値の制御目標となる目標値である。この基準値は、例えば、半導体製造装置200を制御する際に用いられる、状態値の制御目標となる値を設定する設定値であってもよいし、半導体製造装置200が所望の設定により正常に制御されている場合に得られる状態値の実測値や、実測値の平均値等であってもよい。また、基準値は、所望の設定で半導体製造装置200に所望の処理を行わせた場合に得られる2以上の状態値の平均値や最小値や最大値等であってもよい。
基準値格納部102は、不揮発性の記録媒体が好適であるが、揮発性の記録媒体でも実現可能である。
The reference value storage unit 102 can store a reference value that is a value serving as a reference for the state value. The value serving as a reference for the state value may be a value that can be used as a reference for comparing the state values. The reference value is, for example, a target value that is a control target for the state value. This reference value may be, for example, a set value for setting a value to be a control target of the state value used when controlling the semiconductor manufacturing apparatus 200, or the semiconductor manufacturing apparatus 200 may be set normally by a desired setting. It may be an actual value of the state value obtained when controlled, an average value of the actual value, or the like. The reference value may be an average value, a minimum value, a maximum value, or the like of two or more state values obtained when the semiconductor manufacturing apparatus 200 performs a desired process with a desired setting.
The reference value storage unit 102 is preferably a non-volatile recording medium, but can also be realized by a volatile recording medium.

閾値格納部103には、状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る。「所望の値」とは、半導体製造装置200が正常であること、あるいは異常であることを示す値や、半導体製造装置200により所望の処理が正常に行われたこと、あるいは正常に行われなかったことを示す値等である。閾値は、具体的には、状態値が所望の値であることを示す値の範囲を示す上限値や、下限値である。また、閾値格納部103は、上限値である閾値と下限値である閾値とを有していても良い。この閾値は、通常、尺度の異なる状態値ごとに設定される。また、半導体製造装置200の行う処理の処理条件に応じて設定される。「状態値が所望の値であるか否かの判断」は、例えば、状態値が閾値以上の値であるか否かや、閾値未満の値であるか否かの判断や、状態値が2つの閾値で定義される範囲内の値であるか否か等の判断である。このような判断を行うことで、具体的には、状態値により、半導体製造装置200が正常であるか否かや、所望の処理が正常に行われたか否か等を判断することが可能となる。このような閾値は、半導体製造装置200の設計や、半導体製造装置200を用いての実験や、シミュレーション等に応じて予め設定され、閾値格納部103に蓄積される。なお、閾値が上限値と下限値である場合、通常、基準値はその間の値となるようにする。閾値格納部103は、不揮発性の記録媒体が好適であるが、揮発性の記録媒体でも実現可能である。   The threshold storage unit 103 can store a threshold that is a value used to determine whether or not the state value is a desired value. The “desired value” is a value indicating that the semiconductor manufacturing apparatus 200 is normal or abnormal, a desired process is normally performed by the semiconductor manufacturing apparatus 200, or is not performed normally. It is a value indicating that this is the case. Specifically, the threshold value is an upper limit value or a lower limit value indicating a range of values indicating that the state value is a desired value. Further, the threshold storage unit 103 may have a threshold that is an upper limit and a threshold that is a lower limit. This threshold is normally set for each state value with a different scale. Further, it is set according to the processing conditions of processing performed by the semiconductor manufacturing apparatus 200. The “determination as to whether or not the state value is a desired value” is, for example, a determination as to whether or not the state value is a value greater than or equal to a threshold, whether or not the value is less than the threshold, This is a determination as to whether or not the value is within a range defined by two threshold values. By making such a determination, specifically, it is possible to determine whether or not the semiconductor manufacturing apparatus 200 is normal, whether or not a desired process is normally performed, based on the state value. Become. Such a threshold value is set in advance according to the design of the semiconductor manufacturing apparatus 200, an experiment using the semiconductor manufacturing apparatus 200, a simulation, and the like, and is accumulated in the threshold value storage unit 103. If the threshold value is an upper limit value and a lower limit value, the reference value is usually set to a value between them. The threshold storage unit 103 is preferably a non-volatile recording medium, but can also be realized by a volatile recording medium.

算出部104は、状態値受付部101の受け付けた状態値と基準値との差に関する値と、閾値と基準値との差に関する値との比を算出する。ここでは、算出部104は、基準値を基準値格納部102から、また、閾値を閾値格納部103から適宜読み出して利用する。「状態値と基準値との差に関する値」とは、通常は状態値と基準値との差であるが、この差の絶対値としても良い。また、最終的に算出される比の値が変更されなければ、状態値と基準値との差に対して、所望の演算、例えば所定の値の乗算、等を行って得られた値を、状態値と基準値との差に関する値としてもよい。また、必要に応じて所望の値等の加算等を行って、状態値と基準値との差を微調整しても良い。また、「閾値と基準値との差に関する値」とは、通常は閾値と基準値との差であるが、この差の絶対値としても良い。また、最終的に算出される比の値が変更されなければ、閾値と基準値との差に対して、所望の演算、例えば所定の値の乗算、等を行って得られた値を、閾値と基準値との差に関する値としてもよい。また、必要に応じて所望の値等の加算等を行って、閾値と基準値との差を微調整しても良い。また、状態値受付部101の受け付けた状態値が尺度の異なる複数の状態値であれば、算出部104は、状態値受付部の受け付けた尺度の異なる複数の状態値とこの状態値に対応した基準値との差に関する値と、この状態値に対応した閾値と基準値との差に関する値との比をそれぞれ算出する。ここで述べる比をRとすると、比Rは、具体例としては、以下の式で定義される。   The calculation unit 104 calculates a ratio between a value related to the difference between the state value received by the state value receiving unit 101 and the reference value and a value related to the difference between the threshold value and the reference value. Here, the calculation unit 104 reads the reference value from the reference value storage unit 102 and the threshold value from the threshold storage unit 103 as appropriate. The “value relating to the difference between the state value and the reference value” is usually the difference between the state value and the reference value, but may be an absolute value of this difference. Further, if the ratio value finally calculated is not changed, a value obtained by performing a desired calculation, for example, multiplication of a predetermined value, etc., on the difference between the state value and the reference value, It may be a value related to a difference between the state value and the reference value. Further, a difference between the state value and the reference value may be finely adjusted by adding a desired value or the like as necessary. The “value relating to the difference between the threshold value and the reference value” is usually the difference between the threshold value and the reference value, but may be an absolute value of this difference. Further, if the finally calculated ratio value is not changed, a value obtained by performing a desired operation such as multiplication of a predetermined value on the difference between the threshold value and the reference value is set as the threshold value. It may be a value related to the difference between the reference value and the reference value. Further, a difference between the threshold value and the reference value may be finely adjusted by adding a desired value or the like as necessary. Further, if the state value received by the state value receiving unit 101 is a plurality of state values having different scales, the calculation unit 104 corresponds to the plurality of state values received by the state value receiving unit and different state values. A ratio between a value related to the difference from the reference value and a value related to the difference between the threshold corresponding to the state value and the reference value is calculated. Assuming that the ratio described here is R, the ratio R is specifically defined by the following equation.

Figure 2007329146
Figure 2007329146

なお、この比は、必要に応じて百分率等で表示しても良い。また、比Rを、常に正の値とする場合、例えば、比の大きさを求める場合、以下に示すような上記式(1)の分母の絶対値を省略した式(2)を用いるようにしてもよい。   This ratio may be displayed as a percentage or the like as necessary. Further, when the ratio R is always a positive value, for example, when the magnitude of the ratio is obtained, the following expression (2) in which the absolute value of the denominator of the above expression (1) is omitted is used. May be.

Figure 2007329146
Figure 2007329146

ここで、算出部104は、閾値が2つある場合、例えば、所望の範囲を設定するための上限値と下限値とを設定する2つの閾値がある場合、上述した基準値により2つの範囲に分割される、状態値が取り得る値の範囲のうちの、状態値が属する範囲内の値である閾値を、閾値格納部103から取得し、この閾値を上記の比の算出に用いる。具体的には、状態値が、基準値よりも大きい値であれば、基準値よりも大きい閾値を閾値格納部103から読み出して、この閾値と基準値との差を、上述した比の算出に利用する。また、状態値が、基準値よりも小さい値であれば、基準値よりも小さい閾値を閾値格納部103から読み出して、この閾値と基準値との差を、上述した比の算出に利用する。状態値が基準値と同じ値である場合には、どちらの閾値を利用しても良い。算出部104は、通常、MPUやメモリ等から実現され得る。算出部104の処理手順は、通常、ソフトウェアで実現され、当該ソフトウェアはROM等の記録媒体に記録されている。但し、ハードウェア(専用回路)で実現しても良い。   Here, when there are two threshold values, for example, when there are two threshold values for setting an upper limit value and a lower limit value for setting a desired range, the calculation unit 104 has two threshold values according to the reference value described above. Of the range of values that can be taken by the state value, a threshold value that is a value within the range to which the state value belongs is acquired from the threshold storage unit 103, and this threshold value is used for the calculation of the ratio. Specifically, if the state value is larger than the reference value, a threshold value larger than the reference value is read from the threshold storage unit 103, and the difference between the threshold value and the reference value is calculated in the above-described ratio calculation. Use. If the state value is smaller than the reference value, a threshold smaller than the reference value is read from the threshold storage unit 103, and the difference between the threshold and the reference value is used for the above-described ratio calculation. If the state value is the same value as the reference value, either threshold value may be used. The calculation unit 104 can usually be realized by an MPU, a memory, or the like. The processing procedure of the calculation unit 104 is usually realized by software, and the software is recorded on a recording medium such as a ROM. However, it may be realized by hardware (dedicated circuit).

出力部105は、算出部104が算出した比を出力する。また、状態値受付部101が受け付けた状態値が、尺度の異なる複数の状態値である場合、算出部104がこれらの尺度の異なる状態値について、それぞれ算出した複数の比を出力する。ここで述べる出力とは、ディスプレイへの表示、プリンタによる紙等への印字、外部の装置への送信や、メモリ等の記憶媒体への一時記憶等を含む概念である。例えば、出力部105は、算出部104が算出した比を、グラフとしてディスプレイ等に表示する。また、尺度の異なる複数の状態値を用いて算出された比同士を、グラフ上で重ね合わせて表示しても良い。出力部105は、ディスプレイやプリンタ等の出力デバイスを含むと考えても含まないと考えても良い。出力部105は、出力デバイスのドライバーソフトまたは、出力デバイスのドライバーソフトと出力デバイス等で実現され得る。   The output unit 105 outputs the ratio calculated by the calculation unit 104. When the state values received by the state value receiving unit 101 are a plurality of state values with different scales, the calculation unit 104 outputs a plurality of calculated ratios for the state values with different scales. The output described here is a concept including display on a display, printing on paper by a printer, transmission to an external device, temporary storage in a storage medium such as a memory, and the like. For example, the output unit 105 displays the ratio calculated by the calculation unit 104 as a graph on a display or the like. In addition, ratios calculated using a plurality of state values with different scales may be displayed in a superimposed manner on a graph. The output unit 105 may or may not include an output device such as a display or a printer. The output unit 105 can be implemented by output device driver software, or output device driver software and an output device.

半導体製造装置200は、処理容器211を備える。処理容器211は、反応容器や反応炉等と呼ばれることもある。処理容器211は、処理対象物である半導体ウエハ250を収容して、所定の熱処理、例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)処理を施すためのものであり、耐熱性および耐食性を有する材料、例えば、石英ガラスにより形成されている。処理容器211は、上端と下端が開放された単管構造を有し、上端は細径に絞られて、排気部212を形成する。排気部212は、圧力調整部216を介して図示しない真空ポンプ等に接続されている。圧力調整部216は、圧力調整用のバルブ等を有しており、後述する制御部201の制御により、バルブを駆動させて、バルブの開閉を行って、処理容器211内の圧力を調整する。また、処理容器211内には、処理容器211内の圧力(気圧)を検出するための圧力検出部217を備えている。圧力検出部217は圧力を検出し、検出した温度に対応した電気信号を出力する。圧力検出部217は、具体的には、圧力センサであり、圧力が検知可能であれば、どのような構造のものを用いても良い。   The semiconductor manufacturing apparatus 200 includes a processing container 211. The processing vessel 211 may be called a reaction vessel or a reaction furnace. The processing vessel 211 accommodates a semiconductor wafer 250 as a processing target and performs a predetermined heat treatment, for example, a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, and is a material having heat resistance and corrosion resistance, for example, quartz. It is made of glass. The processing vessel 211 has a single tube structure with an open upper end and a lower end, and the upper end is narrowed to a small diameter to form an exhaust part 212. The exhaust unit 212 is connected to a vacuum pump (not shown) or the like via the pressure adjustment unit 216. The pressure adjusting unit 216 includes a pressure adjusting valve and the like, and controls the pressure in the processing container 211 by driving the valve and opening and closing the valve under the control of the control unit 201 described later. Further, the processing container 211 includes a pressure detection unit 217 for detecting the pressure (atmospheric pressure) in the processing container 211. The pressure detector 217 detects the pressure and outputs an electrical signal corresponding to the detected temperature. The pressure detection unit 217 is specifically a pressure sensor, and any structure may be used as long as the pressure can be detected.

処理容器211の下部には、処理容器211内に処理ガスや不活性ガスを導入するガス導入部213が配置されている。ガス導入部213には、ガス源に通じる複数のガス供給系の配管214が挿通されている。ガス導入部213から導入された処理ガスは、処理容器211内を上昇して半導体ウエハ250の所定の熱処理に供された後、排気部212から排気される。配管214には、ガス導入部213から処理容器211内に導入されるガス流量を検出するガス流量検出部218が設けられている。ガス流量検出部218としては、一般的な半導体製造装置において、ガス流量をコントロールするために設けられている質量流量コントローラ(マスフローコントローラ)を用いても良い。このような質量流量コントローラは、通常、ガス流量を検出し、その検出した測定値等を出力することが可能である。   A gas introduction part 213 for introducing a processing gas or an inert gas into the processing container 211 is disposed below the processing container 211. A plurality of gas supply pipes 214 leading to the gas source are inserted into the gas introduction part 213. The processing gas introduced from the gas introduction unit 213 rises in the processing vessel 211 and is subjected to a predetermined heat treatment of the semiconductor wafer 250, and is then exhausted from the exhaust unit 212. The pipe 214 is provided with a gas flow rate detection unit 218 that detects the flow rate of the gas introduced into the processing container 211 from the gas introduction unit 213. As the gas flow rate detection unit 218, a mass flow rate controller (mass flow controller) provided for controlling the gas flow rate in a general semiconductor manufacturing apparatus may be used. Such a mass flow rate controller can usually detect a gas flow rate and output the detected measurement value or the like.

処理容器211のフランジ状に形成された下端部215は、ステンレス等の耐熱性および耐食性を有する材料から形成された蓋体221により開閉される。蓋体221は、図示しないエレベータにより昇降し、上昇した位置で、処理容器211の下端部215を密閉し、下降した位置で、処理容器211の下端部215を開放する。   A lower end portion 215 formed in a flange shape of the processing vessel 211 is opened and closed by a lid 221 formed of a material having heat resistance and corrosion resistance such as stainless steel. The lid 221 is lifted and lowered by an elevator (not shown), seals the lower end 215 of the processing container 211 at the raised position, and opens the lower end 215 of the processing container 211 at the lowered position.

処理容器211の下端部215と蓋体221との間には、気密を確保するためのO(オー)リング222が配置されている。   An O (O) ring 222 for ensuring airtightness is disposed between the lower end 215 of the processing container 211 and the lid 221.

蓋体221の中央部には、回転支柱223が回転可能に立設され、回転支柱223の上端には、回転テーブル224が固定されている。   At the center of the lid 221, a rotating column 223 is erected in a rotatable manner, and a rotating table 224 is fixed to the upper end of the rotating column 223.

また、蓋体221の下部には、回転支柱223を回転駆動する駆動部225が設けられている。   In addition, a drive unit 225 that rotationally drives the rotary column 223 is provided below the lid 221.

回転テーブル224の上には、例えば、60枚の半導体ウエハ250を高さ方向に所定間隔で搭載可能な石英ガラス製のボート226、いわゆる半導体ウエハボートが載置される。ボート226は、蓋体221が降下した状態で回転テーブル224上に載置され、蓋体221が上昇して処理容器211の下端部215を密閉すると、処理容器211内へのロードが完了し、処理完了後、蓋体221が降下することによりアンロードされる。また、プロセス中は、駆動部225による回転テーブル224の回転により回転し、半導体ウエハ250に均一な熱処理が施される。   On the turntable 224, for example, a quartz glass boat 226 capable of mounting 60 semiconductor wafers 250 at a predetermined interval in the height direction, a so-called semiconductor wafer boat is mounted. The boat 226 is placed on the rotary table 224 with the lid body 221 lowered, and when the lid body 221 rises and seals the lower end 215 of the processing container 211, the loading into the processing container 211 is completed. After the processing is completed, the lid 221 is unloaded by dropping. Further, during the process, the semiconductor wafer 250 is rotated by the rotation of the rotary table 224 by the driving unit 225, and the semiconductor wafer 250 is subjected to uniform heat treatment.

処理容器211の周囲には、処理容器211内に収容された半導体ウエハ250を周縁部から加熱昇温させるための加熱手段である1以上のヒータ231を備えた加熱炉230が設けられている。ヒータ231は、処理容器211の周囲に沿って配置されている。ヒータ231は、例えば、抵抗発熱体を有しており、電力を供給することで発熱する。抵抗発熱体としては昇降温特性に優れたカーボンワイヤー等を用いることが好ましい。ただし、ヒータ231の構造等は問わない。ここでは例として、1以上のヒータ231が、5つのヒータ231a〜231cである場合を示しているが、ヒータの数は問わない。ヒータ231a〜231cは、半導体ウエハ250の並列方向に沿って配列されている。また、ヒータ231a〜231cの配置箇所は問わない。   Around the processing vessel 211, a heating furnace 230 is provided that includes one or more heaters 231 that are heating means for heating and heating the semiconductor wafer 250 accommodated in the processing vessel 211 from the periphery. The heater 231 is disposed along the periphery of the processing container 211. The heater 231 has, for example, a resistance heating element, and generates heat when electric power is supplied. As the resistance heating element, it is preferable to use a carbon wire or the like having excellent temperature rising / falling characteristics. However, the structure of the heater 231 does not matter. Here, as an example, the case where one or more heaters 231 are five heaters 231a to 231c is shown, but the number of heaters is not limited. The heaters 231 a to 231 c are arranged along the parallel direction of the semiconductor wafer 250. Moreover, the arrangement | positioning location of heater 231a-231c is not ask | required.

処理容器211の外周面に沿って、1以上の温度検出部241を備えている。ここでは例として、1以上の温度検出部241が、3つの温度検出部241a〜241cである場合について説明しているが、温度検出部241の数は問わない。また、ここでは、垂直方向に一列に3つの温度検出部241a〜241cが配置されているが、ヒータの配置箇所も問わない。温度検出部241a〜241cは、温度を検知し、検知した温度に対応した電気信号を出力する。温度検出部241a〜241cは、具体的には、温度センサであり、温度が検知可能であれば、熱電対等、どのような構造のものを用いても良い。なお、温度検出部241a〜241cの配置は問わない。温度検出部241a〜241cの出力は、後述するように、ボート226に配置された半導体ウエハ250の表面温度を予測するために使用される。   One or more temperature detection units 241 are provided along the outer peripheral surface of the processing container 211. Here, as an example, the case where one or more temperature detection units 241 are three temperature detection units 241a to 241c is described, but the number of temperature detection units 241 is not limited. Here, the three temperature detectors 241a to 241c are arranged in a line in the vertical direction, but the heater arrangement location is not limited. The temperature detectors 241a to 241c detect the temperature and output an electrical signal corresponding to the detected temperature. The temperature detection units 241a to 241c are specifically temperature sensors, and any structure such as a thermocouple may be used as long as the temperature can be detected. In addition, arrangement | positioning of the temperature detection parts 241a-241c is not ask | required. The outputs of the temperature detection units 241a to 241c are used for predicting the surface temperature of the semiconductor wafer 250 arranged in the boat 226, as will be described later.

半導体製造装置200は、さらに、制御部201と、処理状態値取得部202と、処理出力部203とを具備している。   The semiconductor manufacturing apparatus 200 further includes a control unit 201, a processing state value acquisition unit 202, and a processing output unit 203.

制御部201は、予め設定された処理対象物に対する処理の条件等を設定する設定値等に応じて半導体製造装置200の様々な動作を制御する。例えば、処理温度が設定されている場合、制御部201は、1以上の温度検出部241の検出した温度に応じて、ヒータ231の出力をいわゆるフィードバック制御して、処理容器211内の温度を、設定値により設定された温度となるように制御する。また、制御部201は、圧力検出部217の検出した圧力に応じて、圧力調整部216をいわゆるフィードバック制御して、処理容器211内の圧力を、設定値により設定された圧力となるように制御する。例えば、このような制御は、上述した基準値格納部102が格納している基準値を、制御の目標値として行われても良い。なお、制御部201は、これ以外の半導体製造装置200全体の制御、例えば、ガス流量の制御や、弁開閉の制御や、ボートエレベータの制御等も行うが、これらの制御は公知技術であるのでここでは説明を省略する。制御部201は、通常、MPUやメモリ等から実現され得る。制御部201の処理手順は、通常、ソフトウェアで実現され、当該ソフトウェアはROM等の記録媒体に記録されている。但し、ハードウェア(専用回路)で実現しても良い。   The control unit 201 controls various operations of the semiconductor manufacturing apparatus 200 in accordance with setting values for setting processing conditions for processing objects set in advance. For example, when the processing temperature is set, the control unit 201 performs so-called feedback control on the output of the heater 231 in accordance with the temperature detected by the one or more temperature detection units 241 to change the temperature in the processing container 211. Control the temperature to be set according to the set value. Further, the control unit 201 performs so-called feedback control of the pressure adjustment unit 216 in accordance with the pressure detected by the pressure detection unit 217 so as to control the pressure in the processing container 211 to a pressure set by the set value. To do. For example, such control may be performed using the reference value stored in the reference value storage unit 102 described above as a control target value. The control unit 201 also controls the entire semiconductor manufacturing apparatus 200 other than this, for example, control of gas flow rate, control of valve opening / closing, control of boat elevator, etc., but these controls are known techniques. The description is omitted here. The control unit 201 can be usually realized by an MPU, a memory, or the like. The processing procedure of the control unit 201 is usually realized by software, and the software is recorded on a recording medium such as a ROM. However, it may be realized by hardware (dedicated circuit).

処理状態値取得部202は、半導体製造装置200の処理時の状態に関する値である状態値を取得する。この状態値は、通常は、上述した状態値受付部101が受け付ける状態値と同じ値である。状態値は、例えば、各温度検出部241が検出した温度の値、すなわち温度の測定値や、各ヒータ231の電力値である。例えば、処理状態値取得部202は、処理対象物に対して所定の処理を行っている時に、温度検出部241が温度を検出した結果として出力する信号から、この信号に対応した温度の値である状態値を取得する。また、状態値は、例えば、圧力検出部217が検出した圧力の値、すなわち圧力の測定値でもよい。また、処理状態値取得部202は、制御部201が制御するヒータ231の電力値である状態値を取得したり、図示しない電力計の電力検出値からヒータ231の電力値である状態値を取得してもよい。ここでは、温度検出部241の出力が制御部201に一旦入力され、この温度検出部241の出力が制御部201から処理状態値取得部202に出力される場合について説明するが、処理状態値取得部202が温度検出部241の出力を直接受け付けるようにしてもよい。また、この場合、処理状態値取得部202が受け付けた入力を、処理状態値取得部202が適宜、制御部201に出力するようにしても良い。処理状態値取得部202は、通常、MPUやメモリ等から実現され得る。処理状態値取得部202の処理手順は、通常、ソフトウェアで実現され、当該ソフトウェアはROM等の記録媒体に記録されている。但し、ハードウェア(専用回路)で実現しても良い。   The processing state value acquisition unit 202 acquires a state value that is a value related to a state during processing of the semiconductor manufacturing apparatus 200. This state value is usually the same value as the state value received by the state value receiving unit 101 described above. The state value is, for example, a temperature value detected by each temperature detection unit 241, that is, a temperature measurement value or a power value of each heater 231. For example, the processing state value acquisition unit 202 uses a temperature value corresponding to this signal from a signal output as a result of the temperature detection unit 241 detecting the temperature when performing a predetermined process on the processing object. Get a state value. The state value may be, for example, a pressure value detected by the pressure detection unit 217, that is, a pressure measurement value. The processing state value acquisition unit 202 acquires a state value that is the power value of the heater 231 controlled by the control unit 201, or acquires a state value that is the power value of the heater 231 from a power detection value of a power meter (not shown). May be. Here, the case where the output of the temperature detection unit 241 is once input to the control unit 201 and the output of the temperature detection unit 241 is output from the control unit 201 to the processing state value acquisition unit 202 will be described. The unit 202 may directly receive the output of the temperature detection unit 241. In this case, the processing state value acquisition unit 202 may output the input received by the processing state value acquisition unit 202 to the control unit 201 as appropriate. The processing state value acquisition unit 202 can be usually realized by an MPU, a memory, or the like. The processing procedure of the processing state value acquisition unit 202 is usually realized by software, and the software is recorded on a recording medium such as a ROM. However, it may be realized by hardware (dedicated circuit).

処理出力部203は、処理状態値取得部202が取得した状態値を出力する。ここでは、例として、処理出力部203は、処理状態値取得部202が取得した状態値を、情報処理装置100の状態値受付部101に対して送信する場合について説明する。なお、処理出力部203から、状態値受付部101へ状態値を出力するタイミングやトリガー等は問わない。例えば、処理状態値取得部202が処理時の状態に関する値を取得するごとに、処理出力部203が状態値を出力してもよいし、複数の値を一旦メモリ等の記憶媒体に蓄積後、出力するようにしても良い。また、情報処理装置100から状態値を出力する指示を受け付けた場合に、状態値を出力するようにしてもよい。ここで述べる出力とは、外部の装置への送信や、メモリ等の記録媒体への蓄積等を含む概念である。処理出力部203は、通信デバイス等の出力デバイスを含むと考えても含まないと考えても良い。処理出力部203は、出力デバイスのドライバーソフトまたは、出力デバイスのドライバーソフトと出力デバイス等で実現され得る。   The process output unit 203 outputs the state value acquired by the process state value acquisition unit 202. Here, as an example, a case will be described in which the processing output unit 203 transmits the state value acquired by the processing state value acquisition unit 202 to the state value reception unit 101 of the information processing apparatus 100. In addition, the timing, trigger, etc. which output a state value from the process output part 203 to the state value reception part 101 are not ask | required. For example, each time the processing state value acquisition unit 202 acquires a value related to a state at the time of processing, the processing output unit 203 may output a state value, or after a plurality of values are temporarily stored in a storage medium such as a memory, You may make it output. In addition, when an instruction to output a state value is received from the information processing apparatus 100, the state value may be output. The output described here is a concept including transmission to an external device, accumulation in a recording medium such as a memory, and the like. The processing output unit 203 may be considered as including or not including an output device such as a communication device. The processing output unit 203 can be realized by output device driver software, or output device driver software and an output device.

次に、情報処理装置100の動作について図2のフローチャートを用いて説明する。なお、ここでは、説明の便宜上、半導体製造装置200等から送信された、異なる時刻において取得された尺度が同じである複数の状態値、具体的には単位と0点とが同じである複数の状態値、を情報処理装置100が受け付ける場合について説明する。この状態値は、例えば、予め、同一の設定により半導体製造装置200に所望の処理を行わせた場合に、異なる時刻において半導体製造装置200が取得した、尺度が同じである複数の状態値である。これらの複数の状態値は、それぞれが取得された時間の情報と関連づけられているものとする。なお、ここでは、基準値として、状態値の制御目標とする値が予め設定されているものとする。また、半導体製造装置200等の処理が正常に行われている場合の状態値の値の範囲を設定するための、上限値である第一の閾値と、下限値である第二の閾値とが予め閾値格納部103に格納されている場合について説明する。なお、基準値は、第一の閾値と第二の閾値との間の値であるとする。   Next, the operation of the information processing apparatus 100 will be described using the flowchart of FIG. Here, for convenience of explanation, a plurality of state values transmitted from the semiconductor manufacturing apparatus 200 and the like, which have the same scale acquired at different times, specifically, a plurality of units having the same unit and 0 point. A case where the information processing apparatus 100 receives the state value will be described. These state values are, for example, a plurality of state values with the same scale acquired by the semiconductor manufacturing apparatus 200 at different times when the semiconductor manufacturing apparatus 200 performs a desired process with the same setting in advance. . It is assumed that each of the plurality of state values is associated with information on the time when each is acquired. Here, it is assumed that a value that is a control target of the state value is set in advance as the reference value. Further, there are a first threshold value that is an upper limit value and a second threshold value that is a lower limit value for setting a range of state value values when processing of the semiconductor manufacturing apparatus 200 or the like is normally performed. The case where it is stored in the threshold storage unit 103 in advance will be described. The reference value is assumed to be a value between the first threshold value and the second threshold value.

(ステップS201)状態値受付部101は、半導体製造装置200等が出力する複数の状態値を受け付ける。受け付けた状態値を図示しないメモリ等の記憶媒体に蓄積する。   (Step S201) The state value receiving unit 101 receives a plurality of state values output from the semiconductor manufacturing apparatus 200 or the like. The received state value is stored in a storage medium such as a memory (not shown).

(ステップS202)算出部104は、基準値格納部102から、予め格納されている基準値を取得する。   (Step S <b> 202) The calculation unit 104 acquires a reference value stored in advance from the reference value storage unit 102.

(ステップS203)算出部104は、閾値格納部103から、予め格納されている閾値を取得する。ここでは算出部104は、第一の閾値と第二の閾値とを取得する。   (Step S <b> 203) The calculation unit 104 acquires a threshold value stored in advance from the threshold value storage unit 103. Here, the calculation unit 104 acquires a first threshold value and a second threshold value.

(ステップS204)算出部104は、カウンターKに1を代入する。   (Step S204) The calculation unit 104 substitutes 1 for the counter K.

(ステップS205)算出部104は、K番目の状態値を取得する。ここでは、状態値受付部101が、図示しないメモリ等に蓄積した状態値のうちの、半導体製造装置200等によって取得された時刻が早いものから数えてK番目の状態値を取得する。   (Step S205) The calculation unit 104 acquires the Kth state value. Here, the state value receiving unit 101 acquires the Kth state value from the state values accumulated in a memory (not shown) or the like, counting from the earliest time acquired by the semiconductor manufacturing apparatus 200 or the like.

(ステップS206)算出部104は、状態値が基準値以上であるか否かを判断する。基準値以上である場合、ステップS207に進み、基準値未満である場合、ステップS211に進む。なお、状態値が基準値以上であるか否かの判断の代わりに、状態値が基準値より上か否かを判断してもよい。   (Step S206) The calculation unit 104 determines whether or not the state value is greater than or equal to a reference value. If it is greater than or equal to the reference value, the process proceeds to step S207, and if it is less than the reference value, the process proceeds to step S211. Instead of determining whether or not the state value is greater than or equal to the reference value, it may be determined whether or not the state value is above the reference value.

(ステップS207)算出部104は、上述した式(1)の閾値にステップS203で取得した第一の閾値を代入するとともに、式(1)の状態値、および基準値にそれぞれ、ステップS205で取得したK番目の状態値、およびステップS202で取得した基準値それぞれ代入して比Rを算出する。算出した比Rは、図示しないメモリ等の記憶媒体に蓄積する。   (Step S207) The calculation unit 104 substitutes the first threshold acquired in Step S203 for the threshold of Expression (1) described above, and acquires the state value and the reference value of Expression (1) in Step S205, respectively. The ratio R is calculated by substituting the Kth state value and the reference value acquired in step S202. The calculated ratio R is accumulated in a storage medium such as a memory (not shown).

(ステップS208)算出部104は、カウンターKを1インクリメントする。   (Step S208) The calculation unit 104 increments the counter K by 1.

(ステップS209)算出部104は、K番目の状態値があるか否かを判断する。ある場合、ステップS205に戻り、ない場合、ステップS210に進む。   (Step S209) The calculation unit 104 determines whether there is a Kth state value. If there is, the process returns to step S205, and if not, the process proceeds to step S210.

(ステップS210)出力部105は、算出部104が算出した比Rをメモリ等から読み出し、出力する。例えば、出力部105は比Rをグラフとして表示する。そして処理を終了する。   (Step S210) The output unit 105 reads the ratio R calculated by the calculation unit 104 from a memory or the like and outputs it. For example, the output unit 105 displays the ratio R as a graph. Then, the process ends.

(ステップS211)算出部104は、上述した式(1)の閾値にステップS203で取得した第二の閾値を代入するとともに、式(1)の状態値、および基準値にそれぞれ、ステップS205で取得したK番目の状態値、およびステップS202で取得した基準値それぞれ代入して比Rを算出する。算出した比Rは、図示しないメモリ等の記憶媒体に蓄積する。   (Step S211) The calculation unit 104 substitutes the second threshold acquired in Step S203 for the threshold of Expression (1) described above, and acquires the state value and the reference value of Expression (1) in Step S205, respectively. The ratio R is calculated by substituting the Kth state value and the reference value acquired in step S202. The calculated ratio R is accumulated in a storage medium such as a memory (not shown).

なお、図2のフローチャートにおいて、基準値や、閾値や、1つの時間において取得される複数の状態値等を、行列等で表して上記の処理を行うようにしても良い。例えば、状態値として、半導体製造装置200内の、複数のヒータ231のそれぞれの電力値や、複数の温度検出部241が取得した温度から得られた複数の値を利用する場合、状態値をヒータ231の数や温度検出部241の数に合わせた要素数の行列で表しても良い。この場合、例えば、ステップS207や、ステップS211等の処理は行列演算により行われる。   In the flowchart of FIG. 2, the above processing may be performed by representing a reference value, a threshold value, a plurality of state values acquired in one time, and the like by a matrix or the like. For example, when using a plurality of values obtained from the power values of the plurality of heaters 231 in the semiconductor manufacturing apparatus 200 or the temperatures acquired by the plurality of temperature detection units 241 as the state value, the state value is the heater. It may be represented by a matrix of the number of elements according to the number of 231 and the number of temperature detection units 241. In this case, for example, processes such as step S207 and step S211 are performed by matrix calculation.

なお、ここでは、尺度が同じ状態値を用いた場合について説明したが、尺度が異なる状態値を用いた場合、例えば状態値が異なる単位の状態値の場合等においては、尺度が同じ状態値を用いて、比を求める処理を行った後に、異なる尺度の状態値を用いて、同様の処理を行うようにすればよい。例えば、ステップS201において、尺度の異なる状態値を受け付けることが可能な場合、上記のフローチャートに従って、1つの尺度の状態値について処理を行った後、尺度が異なる状態値があるか否かを判断し、尺度が異なる状態値があった場合、例えば、ステップS202等に戻り、その尺度に対応した基準値や閾値を取得して、上記のフローチャートと同様の処理を繰り返すようにすれば良い。   In addition, although the case where a state value with the same scale is used has been described here, a state value with the same scale is used when a state value with a different scale is used, for example, in the case of a state value with a different state value. After performing the processing for obtaining the ratio, the same processing may be performed using state values of different scales. For example, in step S201, when it is possible to accept state values with different scales, it is determined whether or not there are state values with different scales after processing for the state values of one scale according to the above flowchart. If there are state values with different scales, for example, the process returns to step S202 and the like, and a reference value and a threshold value corresponding to the scales are acquired, and the same processing as in the above flowchart may be repeated.

なお、図2のフローチャートにおいて、電源オフや処理終了の割り込みにより処理は終了する。   In the flowchart of FIG. 2, the process is terminated by powering off or a process termination interrupt.

なお、半導体製造システムの、半導体製造装置200が所望の処理を行う動作や、状態値を取得する動作については、公知技術であるので説明は省略する。   Note that the operation of the semiconductor manufacturing apparatus 200 for performing a desired process and the operation of acquiring the state value in the semiconductor manufacturing system are well-known techniques, and thus description thereof is omitted.

以下、本実施の形態における半導体製造システムの具体的な動作について説明する。半導体製造システムの概念図を図3に示す。情報処理装置100は、ここでは、例としてコンピュータ10により実現されているものとする。また、半導体製造装置200の制御部201と、処理状態値取得部202と、処理出力部203とは、ここでは例として、半導体製造装置200の一部である制御用コンピュータ20で実現されているものとする。なお、ここで使用している設定値や状態値は説明のために用意された値であり、実際に半導体製造装置200に所望の処理を行わせた場合に得られる実測値とは異なるものとする。   Hereinafter, a specific operation of the semiconductor manufacturing system in the present embodiment will be described. A conceptual diagram of the semiconductor manufacturing system is shown in FIG. Here, it is assumed that the information processing apparatus 100 is realized by the computer 10 as an example. In addition, the control unit 201, the processing state value acquisition unit 202, and the processing output unit 203 of the semiconductor manufacturing apparatus 200 are realized by the control computer 20 that is a part of the semiconductor manufacturing apparatus 200 as an example here. Shall. Note that the setting values and state values used here are values prepared for explanation, and are different from actual measurement values obtained when the semiconductor manufacturing apparatus 200 actually performs desired processing. To do.

ここでは、具体例として、半導体製造装置200が熱処理装置であるとする。また、半導体製造装置200が同一の処理設定により、半導体ウエハに対する所定の処理をバッチ単位で繰り返し、1バッチごとの、処理温度が安定した状態の期間における温度検出部241aが検出した温度の平均値である第一の状態値と、圧力検出部217の検出した処理容器211内の圧力の平均値である第二の状態値とを、状態値受付部101が取得するようにする。第一の状態値である温度の単位は度(℃)とし、第二の状態値である圧力の単位はパスカル(Pa)であるとする。このように、第一の状態値と、第二の状態値とは、尺度、ここでは単位、が異なる値である。そして、処理状態値取得部202が取得した第一の状態値と、第二の状態値とが、処理出力部203により一旦蓄積され、蓄積された複数の第一の状態値と、第二の状態値とが、処理出力部203から情報処理装置100に対して送信されるものとする。   Here, as a specific example, it is assumed that the semiconductor manufacturing apparatus 200 is a heat treatment apparatus. In addition, the semiconductor manufacturing apparatus 200 repeats predetermined processing for the semiconductor wafer in batch units with the same processing setting, and the average value of the temperatures detected by the temperature detection unit 241a in the period in which the processing temperature is stable for each batch. The state value receiving unit 101 acquires the first state value that is and the second state value that is the average value of the pressure in the processing container 211 detected by the pressure detection unit 217. The unit of temperature, which is the first state value, is degrees (° C.), and the unit of pressure, which is the second state value, is Pascal (Pa). As described above, the first state value and the second state value are values having different scales, here, units. Then, the first state value and the second state value acquired by the processing state value acquisition unit 202 are temporarily accumulated by the processing output unit 203, and the plurality of accumulated first state values and the second state value are stored. It is assumed that the status value is transmitted from the processing output unit 203 to the information processing apparatus 100.

また、予め、基準値格納部102には、第一の状態値である温度の制御の目標値と、第二の状態値である処理容器211内の圧力の目標値とが、それぞれ、第一の状態値の基準値、第二の状態値の基準値として、予め格納されているものとする。これらの目標値が、基準値である。また、閾値格納部103には、半導体製造装置200により正常な処理が行われている場合の、第一の状態値である温度と、第二の状態値である処理容器211内の圧力とのそれぞれの範囲を設定するための上限値である閾値(以下、第一の閾値と称す)と、下限値である閾値(以下、第二の閾値と称す)とが、それぞれ格納されているものとする。上述した基準値は、第一の閾値と第二の閾値との間に位置するものとする。   In addition, in the reference value storage unit 102, a target value for controlling the temperature, which is the first state value, and a target value for the pressure in the processing container 211, which is the second state value, are respectively stored in the first value. It is assumed that the state value reference value and the second state value reference value are stored in advance. These target values are reference values. Further, the threshold storage unit 103 includes a temperature that is a first state value and a pressure in the processing container 211 that is a second state value when normal processing is performed by the semiconductor manufacturing apparatus 200. A threshold value that is an upper limit value for setting each range (hereinafter referred to as a first threshold value) and a threshold value that is a lower limit value (hereinafter referred to as a second threshold value) are respectively stored. To do. The reference value described above is located between the first threshold value and the second threshold value.

まず、半導体製造装置200に所定の処理を行わせて、処理時の温度と、圧力とを、それぞれ、処理状態値取得部202が取得する。そして、処理状態値取得部202が、1バッチにおける温度の平均値と、圧力の平均値とを算出する。この算出した温度の平均値、すなわち第一の状態値、と圧力の平均値、すなわち第二の状態値、とは、処理出力部203により一旦、図示しないメモリ等に蓄積される。そして、この処理が、複数バッチについて繰り返される。   First, the semiconductor manufacturing apparatus 200 performs predetermined processing, and the processing state value acquisition unit 202 acquires the temperature and pressure during processing, respectively. Then, the processing state value acquisition unit 202 calculates the average temperature value and the average pressure value in one batch. The calculated average value of the temperatures, that is, the first state value, and the average value of the pressure, that is, the second state value, are temporarily stored in a memory or the like (not shown) by the processing output unit 203. This process is repeated for a plurality of batches.

処理出力部203は、蓄積された複数の第一の状態値と、第二の状態値とを、情報処理装置100に対して送信する。この送信を行うタイミングやトリガー等は問わないが、ここでは、情報処理装置100から、第一の状態値と、第二の状態値とを要求する指示を受け付け、これに対して、蓄積された複数の第一の状態値と、第二の状態値とを情報処理装置100に対して送信するものとする。   The process output unit 203 transmits the plurality of accumulated first state values and second state values to the information processing apparatus 100. There is no limitation on the timing or trigger for performing this transmission, but here, an instruction requesting the first state value and the second state value is received from the information processing apparatus 100, and the instruction is stored for this. A plurality of first state values and second state values are transmitted to the information processing apparatus 100.

状態値受付部101は、複数バッチの、第一の状態値である温度の平均値と、第二の状態値である圧力の平均値とを受け付ける。状態値受付部101は、受け付けた第一の状態値と第二の状態値とを、メモリ等に一時記憶する。   The state value receiving unit 101 receives a plurality of batches of an average temperature value that is the first state value and an average pressure value that is the second state value. The state value receiving unit 101 temporarily stores the received first state value and second state value in a memory or the like.

図4は、状態値受付部101が受け付けた第一の状態値をグラフで表した図である。図において、横軸は、時間、ここではバッチ数を示し、縦軸は、第一の状態値、すなわち温度検出部241aが検出した温度の平均値である。また、Tは第一の状態値の基準値、Tは第一の状態値の第一の閾値、Tは第一の状態値の第二の閾値とする。第一の状態値が第一の閾値Tと第二の閾値Tとの間に存在していれば、半導体製造装置200による処理は正常に行われたと判断することができる。 FIG. 4 is a graph showing the first state value received by the state value receiving unit 101. In the figure, the horizontal axis represents time, here, the number of batches, and the vertical axis represents the first state value, that is, the average value of the temperatures detected by the temperature detector 241a. Further, T S is the reference value of the first state value, T H is a first threshold value of the first state value, is T L and the second threshold value of the first state value. If the first state value exists between the first threshold value TH and the second threshold value TL , it can be determined that the processing by the semiconductor manufacturing apparatus 200 has been performed normally.

図5は、状態値受付部101が受け付けた第二の状態値をグラフで表した図である。図において、横軸は、時間、ここではバッチ数を示し、縦軸は、第二の状態値、すなわち図示しない圧力検出部217が検出した圧力の平均値である。また、Pは第二の状態値の基準値、Pは第二の状態値の第一の閾値、Pは第二の状態値の第二の閾値とする。第二の状態値が第一の閾値Pと第二の閾値Pとの間に存在していれば、半導体製造装置200による処理は正常に行われたと判断することができる。 FIG. 5 is a graph showing the second state value received by the state value receiving unit 101. In the figure, the horizontal axis indicates time, here the number of batches, and the vertical axis indicates the second state value, that is, the average value of the pressure detected by the pressure detector 217 (not shown). Also, P S is the reference value of the second state value, P H is the first threshold value of the second state value, the P L and the second threshold value of the second state value. Long as it second state value is present between the first threshold value P H and the second threshold value P L, the processing by the semiconductor manufacturing device 200 can be determined to have been normally performed.

次に、算出部104は、第一の状態値に対応した基準値Tと、第一の閾値Tおよび第二の閾値Tとを、基準値格納部102と、閾値格納部103から読み出す。そして、状態値受付部101が受け付けた第一の状態値のそれぞれについて、上述した式(1)を用いた演算を行って、比Rを求める。ここでは、第一の状態値に対して算出した比Rを比Rとする。なお、上述した式(1)を示す情報は、図示しないメモリ等の記憶媒体に予め格納されているものとする。 Then, calculating unit 104, a reference value T S corresponding to the first state value and a first threshold value T H and the second threshold value T L, the reference value storage unit 102, a threshold storage unit 103 read out. Then, for each of the first state values received by the state value receiving unit 101, the calculation using the above-described equation (1) is performed to obtain the ratio R. Here, the ratio R calculated with respect to the first state value and the ratio R 1. In addition, the information which shows Formula (1) mentioned above shall be previously stored in storage media, such as memory which is not shown in figure.

また、同様に、算出部104は、第二の状態値に対応した基準値Pと、第一の閾値Pおよび第二の閾値Pとを、基準値格納部102と、閾値格納部103から読み出す。そして、状態値受付部101が受け付けた第二の状態値のそれぞれについて、上述した式(1)を用いた演算を行って、比Rを求める。ここでは、第二の状態値に対して算出した比Rを比Rとする。 Similarly, calculator 104, and the reference value P S corresponding to the second state value and a first threshold value P H and the second threshold value P L, a reference value storage unit 102, the threshold value storage unit Read from 103. Then, for each of the second state values received by the state value receiving unit 101, the calculation using the above-described equation (1) is performed to obtain the ratio R. Here, the ratio R calculated with respect to the second state value and the ratio R 2.

出力部105は、第一の状態値に対して算出した比Rと、第二の状態値に対して算出した比Rとのグラフを、それぞれの0点が一致するように重ね合わせて表示する。 The output unit 105 superimposes the graph of the ratio R 1 calculated for the first state value and the ratio R 2 calculated for the second state value so that the respective 0 points coincide. indicate.

図6は、情報処理装置100のディスプレイ110等における、比Rと、比Rとを重ね合わせたグラフの表示例である。図において、横軸は、時間、ここではバッチ数を示し、縦軸は比Rである。なお、ここでは、比R1と比R2とを重ね合わせて表示したが、重ね合わせて表示しなくても良い。 FIG. 6 is a display example of a graph in which the ratio R 1 and the ratio R 2 are superimposed on the display 110 or the like of the information processing apparatus 100. In the figure, the horizontal axis represents time, here the number of batches, and the vertical axis represents the ratio R. Here, the ratio R1 and the ratio R2 are displayed in a superimposed manner, but may not be displayed in a superimposed manner.

この具体例においては、単位の異なる第一の状態値および第二の状態値からそれぞれの制御の目標値である基準値を減算した値と、第一の状態値および第二の状態値にそれぞれ対応する閾値から基準値を減算した値とをそれぞれ求め、これらの比を算出するようにしている。このため、状態値が、基準値と一致する場合には、常に得られる値(比)が0となり、また、状態値が、第一の閾値と第二の閾値との間の値である場合、得られる値(比)は、−1から1までの間の値となる。すなわち第一の閾値および第二の閾値が、共通の閾値である1および−1に設定されることとなる。この結果、単位等の尺度の違いに関係なく、異なる状態値同士を、基準値が一致するように重ね合わせて、単位に依存せずに容易に比較したり、共通の閾値を用いて半導体製造装置200の処理の異常等を監視したりすることが可能となる。例えば、上記の具体例においては、どの状態値に対応した値であるかにかかわらず出力された値が、1より大きい場合や、−1よりも小さい場合には、その値に対応する状態値が、第一の閾値より大きい、もしくは第二の閾値よりも小さいと判断でき、半導体製造装置200の処理に異常が発生したことが判断可能となる。したがって、半導体製造装置の処理が正常に行われているか否かを、1つに統合したグラフを有する管理図等を用いて監視することが可能となり、半導体製造装置の監視を容易に行うことが可能となる。   In this specific example, a value obtained by subtracting a reference value that is a target value of each control from a first state value and a second state value in different units, and a first state value and a second state value, respectively. A value obtained by subtracting the reference value from the corresponding threshold value is obtained, and the ratio thereof is calculated. For this reason, when the state value matches the reference value, the value (ratio) obtained is always 0, and the state value is a value between the first threshold value and the second threshold value. The obtained value (ratio) is a value between -1 and 1. That is, the first threshold value and the second threshold value are set to 1 and -1, which are common threshold values. As a result, regardless of differences in the scale of units, etc., different state values can be overlapped so that the reference values match and can be easily compared without depending on the unit, or by using a common threshold It is possible to monitor abnormalities in processing of the apparatus 200 and the like. For example, in the above specific example, if the output value is greater than 1 or smaller than −1 regardless of which state value corresponds to the state value, the state value corresponding to that value Can be determined to be larger than the first threshold value or smaller than the second threshold value, and it can be determined that an abnormality has occurred in the processing of the semiconductor manufacturing apparatus 200. Therefore, it is possible to monitor whether or not the processing of the semiconductor manufacturing apparatus is normally performed using a control chart having a single integrated graph, and the semiconductor manufacturing apparatus can be easily monitored. It becomes possible.

ここで、単に、図4に示した第一の状態値のグラフと図5に示したグラフとを単位等を無視して、それぞれの基準値同士が重なるよう重ね合わせた場合、図7に示すようなグラフとなる。しかしながら、このようなグラフでは、それぞれの状態値が異なる閾値を有することとなる。このため、仮に第二の状態値が、第二の状態値の第一の閾値以下であったとしても、この第二の状態値の値が、第一の状態値の第一の閾値よりも大きい値であった場合、状態値が第一の状態値であるか第二の状態値であるかの見極めが不十分であると、第二の状態値が正常な値の範囲外の値であるとする間違った判断をユーザが下してしまう恐れがある。このため、状態値が、第一の状態値であるか、第二の状態値であるかを注意して監視する必要があり、監視に必要なユーザの負担が大きくなってしまう。このため、上記の具体例のように、尺度の異なる状態値同士を、容易に比較したり、監視したりすることができない。   Here, when the graph of the first state value shown in FIG. 4 and the graph shown in FIG. 5 are simply overlapped so that the respective reference values overlap with each other while ignoring the unit, etc. It becomes a graph like this. However, in such a graph, each state value has a different threshold value. For this reason, even if the second state value is equal to or lower than the first threshold value of the second state value, the second state value is smaller than the first threshold value of the first state value. If the state value is a large value, if the state value is insufficiently determined to be the first state value or the second state value, the second state value is a value outside the normal value range. There is a risk that the user will make a wrong decision. For this reason, it is necessary to carefully monitor whether the state value is the first state value or the second state value, which increases the burden on the user necessary for monitoring. For this reason, it is not possible to easily compare or monitor state values of different scales as in the above specific example.

なお、上記具体例においては、二つの異なる尺度の状態値を用いた場合について説明したが、本実施の形態においては、三以上の異なる尺度の状態値を用いた場合においても適用可能である。   In the above specific example, the case of using state values of two different scales has been described. However, the present embodiment can be applied to the case of using state values of three or more different scales.

例えば、上記具体例において説明した第一の状態値である温度の平均値と、第二の状態値である圧力の平均値とに加えて、半導体製造装置200の処理容器211内に導入される処理ガス等のガス流量の平均値である第三の状態値を用いた場合について以下に説明する。   For example, in addition to the average value of the temperature that is the first state value and the average value of the pressure that is the second state value described in the above specific example, it is introduced into the processing container 211 of the semiconductor manufacturing apparatus 200. The case where the third state value that is the average value of the gas flow rate of the processing gas or the like is used will be described below.

まず、状態値取得部202に、上述した温度等と同様に、半導体製造装置200に所定の処理を行わせた場合の処理ガス等のガス流量を取得させた後、この平均値を算出させる。このガス流量の平均値が第三の状態値である。そして、処理出力部203に、この第三の状態値を、上述した第一の状態値および第二の状態値とともに送信させる。   First, the state value acquisition unit 202 acquires a gas flow rate of a processing gas or the like when the semiconductor manufacturing apparatus 200 performs a predetermined process, like the above-described temperature, and then calculates the average value. The average value of the gas flow rate is the third state value. Then, the process output unit 203 transmits the third state value together with the first state value and the second state value described above.

状態値受付部101は、第一の状態値および第二の状態値とともに送信された第三の状態値であるガス流量を受け付ける。   The state value receiving unit 101 receives the gas flow rate that is the third state value transmitted together with the first state value and the second state value.

図8は、状態値受付部101が受け付けた第三の状態値であるガス流量をグラフで表した図である。図8において、横軸は、時間、ここではバッチ数を示し、縦軸は、ガス流量の1バッチあたりの平均値である。ガス流量の値としては、例えば、半導体製造装置200のガス導入部213に供給するガスの流量をコントロールする質量流量コントローラ(MFC)の測定値を利用する。また、Gは第三の状態値の基準値、Gは第三の状態値の第一の閾値、Gは第三の状態値の第二の閾値とする。この基準値Gは、基準値格納部102に、また、閾値G、Gは、閾値格納部103に、それぞれ予め格納されているものとする。第三の状態値が第一の閾値Gと第二の閾値Gとの間に存在していれば、半導体製造装置200による処理は正常に行われたと判断することができる。 FIG. 8 is a graph showing the gas flow rate that is the third state value received by the state value receiving unit 101. In FIG. 8, the horizontal axis represents time, here the number of batches, and the vertical axis represents the average value of the gas flow rate per batch. As the value of the gas flow rate, for example, a measurement value of a mass flow controller (MFC) that controls the flow rate of the gas supplied to the gas introduction unit 213 of the semiconductor manufacturing apparatus 200 is used. GS is a reference value for the third state value, GH is a first threshold value for the third state value, and GL is a second threshold value for the third state value. The reference value G S is the reference value storage unit 102, The threshold G H, G L is the threshold value storage unit 103, and is stored in advance, respectively. If the third state value exists between the first threshold value GH and the second threshold value GL , it can be determined that the processing by the semiconductor manufacturing apparatus 200 has been performed normally.

算出部は104は、第一の状態値等と同様に、第三の状態値に対応した基準値Gと、第一の閾値Gおよび第二の閾値Gとを、基準値格納部102と、閾値格納部103から読み出す。そして、状態値受付部101が受け付けた第三の状態値のそれぞれについて、上述した式(1)を用いた演算を行って、比Rを求める。ここでは、第三の状態値に対して算出した比Rを比R3とする。 Calculation unit 104, similarly to the first state value and the like, and the reference value G S corresponding to the third state value and a first threshold value G H and the second threshold value G L, the reference value storage unit 102 and the threshold value storage unit 103. Then, for each of the third state values received by the state value receiving unit 101, the calculation using the above-described equation (1) is performed to obtain the ratio R. Here, the ratio R calculated for the third state value is defined as a ratio R 3 .

出力部105は、図6に示したような第一の状態値に対して算出した比Rと、第二の状態値に対して算出した比Rとを重ね合わせたグラフに、さらに、第三の状態値に対して算出した比Rを、0点が一致するように重ね合わせて表示する。 The output unit 105 further includes a graph in which the ratio R 1 calculated for the first state value and the ratio R 2 calculated for the second state value as shown in FIG. the ratio R 3 calculated against the third state value is displayed superimposed as 0 points coincide.

図9は、情報処理装置100のディスプレイ110等における、比Rと、比Rと、比Rとを重ね合わせたグラフの表示例である。図において、横軸は、時間、ここではバッチ数を示し、縦軸は比Rである。 FIG. 9 is a display example of a graph in which the ratio R 1 , the ratio R 2, and the ratio R 3 are superimposed on the display 110 or the like of the information processing apparatus 100. In the figure, the horizontal axis represents time, here the number of batches, and the vertical axis represents the ratio R.

このような場合においても、第三の状態値が、基準値Gと一致する場合には、常に得られる値(比)が0となり、また、第三の状態値が、第一の閾値Gと第二の閾値Gとの間の値である場合、得られる値(比)は、−1から1までの間の値となる。すなわち第三の状態値についての第一の閾値および第二の閾値が、第一、第二の状態値と共通の閾値である1および−1に設定されることとなる。この結果、単位等の尺度の違いに関係なく、異なる状態値同士を、基準値が一致するように重ね合わせて、単位に依存せずに容易に比較したり、共通の閾値を用いて半導体製造装置200の処理の異常等を監視したりすることが可能となる。 Even in such a case, when the third state value matches the reference value G S , the value (ratio) always obtained is 0, and the third state value is the first threshold value G When the value is between H and the second threshold value GL , the obtained value (ratio) is a value between −1 and 1. That is, the first threshold value and the second threshold value for the third state value are set to 1 and −1 which are the threshold values common to the first and second state values. As a result, regardless of differences in the scale of units, etc., different state values can be overlapped so that the reference values match and can be easily compared without depending on the unit, or by using a common threshold It is possible to monitor abnormalities in processing of the apparatus 200 and the like.

以上、本実施の形態によれば、状態値受付部101の受け付けた状態値と基準値との差に関する値と、閾値と基準値との差に関する値との比を算出するようにしたことにより、単位等の尺度の異なる値を、尺度に依存せず、それぞれの閾値を考慮した値に変換することが可能となる。これにより、単位の異なる状態値から、データの比較や監視等の解析に適した値を得ることができ、異なる尺度の状態値を容易に比較したり、監視したりすることが可能となる。   As described above, according to the present embodiment, the ratio between the value related to the difference between the state value received by the state value receiving unit 101 and the reference value and the value related to the difference between the threshold value and the reference value are calculated. It is possible to convert values of different scales such as units into values that take into account the respective threshold values without depending on the scale. Thus, values suitable for analysis such as data comparison and monitoring can be obtained from state values in different units, and state values of different scales can be easily compared and monitored.

なお、本実施の形態においては、状態値受付部101が二以上の尺度の異なる状態値を受け付ける場合、図10に示すように、多変量解析部106を設けて、出力部105が、算出部104の算出した比を出力する代わりに、多変量解析部106による多変量解析の結果を出力するようにしても良い。   In the present embodiment, when the state value receiving unit 101 receives two or more different state values, as shown in FIG. 10, a multivariate analyzing unit 106 is provided, and the output unit 105 is a calculating unit. Instead of outputting the calculated ratio of 104, the result of multivariate analysis by the multivariate analysis unit 106 may be output.

多変量解析部106は、二以上の尺度の異なる状態値についての算出部104の算出結果を用いて、多変量解析を行う。多変量解析部106の行う解析は、マハラノビスの距離を用いた判別分析や、重回帰分析等、どのような解析であってもよい。なお、多変量解析の詳細については、公知技術であるので説明は省略する。多変量解析部106は、通常、MPUやメモリ等から実現され得る。また、多変量解析の式等の情報は通常メモリ等の記憶媒体に格納されている。多変量解析部106の処理手順は、通常、ソフトウェアで実現され、当該ソフトウェアはROM等の記録媒体に記録されている。但し、ハードウェア(専用回路)で実現しても良い。   The multivariate analysis unit 106 performs multivariate analysis using the calculation results of the calculation unit 104 for different state values of two or more scales. The analysis performed by the multivariate analysis unit 106 may be any analysis such as discriminant analysis using the Mahalanobis distance or multiple regression analysis. Note that details of the multivariate analysis are well-known techniques, and a description thereof will be omitted. The multivariate analysis unit 106 can usually be realized by an MPU, a memory, or the like. Information such as a multivariate analysis formula is usually stored in a storage medium such as a memory. The processing procedure of the multivariate analysis unit 106 is usually realized by software, and the software is recorded in a recording medium such as a ROM. However, it may be realized by hardware (dedicated circuit).

従来のように、状態値に対して標準偏差を用いた標準化を行って得られた情報を多変量解析に利用した場合、状態値が正規分布していないと、多変量解析の結果、他の値と大きく値が異なる状態値が、実際には、その状態値と取り得る正常な値の範囲内の値であったとしても、他の値と大きく異なる値であると判断され、異常値であるように評価さえる可能性がある。   As in the past, when the information obtained by standardizing the state value using the standard deviation is used for multivariate analysis, if the state value is not normally distributed, the result of multivariate analysis is Even if the state value that is significantly different from the value is actually a value within the range of normal values that can be taken from the state value, it is determined to be a value that is significantly different from other values. There is a possibility to be evaluated as it is.

しかしながら、本実施の形態においては、標準偏差ではなく、状態値の閾値を考慮して、状態値の標準化を行うようにしている。このため、状態値が正規分布していなくても、他の値と大きく値が異なる状態値が、閾値により正常と判断される領域内にある限りは、多変量解析の結果として、その値が他の値と大きく異なる値であると判断される可能性を低減させることが可能となる。従って、このような変形例により、単位の異なる状態値を用いて、それぞれの状態値の閾値の値を考慮した適切な多変量解析を行うことができる。   However, in the present embodiment, the state value is standardized in consideration of the threshold of the state value, not the standard deviation. Therefore, even if the state value is not normally distributed, as long as the state value that is significantly different from the other values is within the region that is determined to be normal by the threshold value, the value is determined as a result of multivariate analysis. It is possible to reduce the possibility of being determined to be a value significantly different from other values. Therefore, according to such a modification, it is possible to perform an appropriate multivariate analysis in consideration of the threshold value of each state value using state values having different units.

なお、上記実施の形態において、情報処理装置100を、半導体製造装置200と切り離して、単独で利用するようにしても良い。この場合、例えば、情報処理装置100は、処理するデータ等を記録媒体経由で受け付けるようにすればよい。   In the above embodiment, the information processing apparatus 100 may be separated from the semiconductor manufacturing apparatus 200 and used alone. In this case, for example, the information processing apparatus 100 may receive data to be processed via a recording medium.

また、上記具体例においては、状態値が温度、圧力、及びガス流量である場合について説明したが、本発明は、他の状態値についても適用可能なものである。   Moreover, although the case where the state values are temperature, pressure, and gas flow rate has been described in the above specific example, the present invention can also be applied to other state values.

また、上記実施の形態において、各処理(各機能)は、単一の装置(システム)によって集中処理されることによって実現されてもよく、あるいは、複数の装置によって分散処理されることによって実現されてもよい。   In the above embodiment, each processing (each function) may be realized by centralized processing by a single device (system), or may be realized by distributed processing by a plurality of devices. May be.

また、上記実施の形態において、各構成要素は専用のハードウェアにより構成されてもよく、あるいは、ソフトウェアにより実現可能な構成要素については、プログラムを実行することによって実現されてもよい。例えば、ハードディスクや半導体メモリ等の記録媒体に記録されたソフトウェア・プログラムをCPU等のプログラム実行部が読み出して実行することによって、各構成要素が実現され得る。   In the above embodiment, each component may be configured by dedicated hardware, or a component that can be realized by software may be realized by executing a program. For example, each component can be realized by a program execution unit such as a CPU reading and executing a software program recorded on a recording medium such as a hard disk or a semiconductor memory.

なお、上記実施の形態における情報処理装置を実現するソフトウェアは、以下のようなプログラムである。つまり、このプログラムは、半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムであって、コンピュータに、前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、前記状態値受付ステップにより受け付けた前記状態値と、格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記基準値を境界とする2つの領域のうちの前記状態値が属する領域を、2つの領域に分割する閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、前記算出ステップにより算出した比を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラムである。   Note that the software that realizes the information processing apparatus in the above embodiment is the following program. That is, this program is a program for causing a computer to execute processing of a state value that is a value related to a state at the time of processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor. A state value receiving step for receiving a state value, a value related to a difference between the state value received by the state value receiving step and a reference value that is a reference value of the stored state value, and stored A calculating step for calculating a ratio between a threshold value for dividing the region to which the state value belongs, out of two regions having the reference value as a boundary, into two regions, and a value relating to a difference between the reference value; and the calculating step This is a program for executing the output step of outputting the ratio calculated by the above.

また、上記プログラムにおいて、前記状態値受付ステップは、尺度の異なる複数の状態値を受け付け、前記算出ステップは、前記尺度の異なる複数の状態値にそれぞれ対応した前記比を算出し、前記出力ステップは、前記算出ステップにより算出した複数の比を出力するプログラムである。   In the above program, the state value receiving step receives a plurality of state values having different scales, the calculating step calculates the ratios corresponding to the plurality of state values having different scales, and the output step includes A program for outputting a plurality of ratios calculated in the calculating step.

また、半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムであって、コンピュータに、尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、前記状態値受付ステップにより受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、前記算出ステップにより算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析ステップと、前記多変量解析ステップにより解析した結果を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラムである。   In addition, a program for causing a computer to execute processing of a state value that is a value related to a state at the time of processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor, the computer having a plurality of different scales A value relating to a difference between a state value receiving step for receiving the state value, and a plurality of state values of different scales received by the state value receiving step and a reference value which is a reference value of the stored state value; A calculation step for calculating a ratio between a threshold value, which is a value used for determining whether or not the stored state value is a desired value, and a value related to a difference between the reference value and the calculation step; A multivariate analysis step for performing multivariate analysis using the plurality of ratios, and an output step for outputting a result analyzed by the multivariate analysis step It is because of the program.

また、上記プログラムにおいて、前記算出ステップにおいて比の算出に用いる閾値は、
前記基準値により2つの範囲に分割される前記状態値が取り得る値の範囲のうちの、前記状態値が属する範囲内の値としたプログラムである。
In the above program, the threshold used for calculating the ratio in the calculating step is:
The program is a value within a range to which the state value belongs out of a range of values that can be taken by the state value divided into two ranges by the reference value.

なお、上記プログラムにおいて、情報を送信する送信ステップや、情報を受信する受信ステップなどでは、ハードウェアによって行われる処理、例えば、送信ステップにおけるモデムやインターフェースカードなどで行われる処理(ハードウェアでしか行われない処理)は含まれない。   In the above program, in a transmission step for transmitting information, a reception step for receiving information, etc., processing performed by hardware, for example, processing performed by a modem or an interface card in the transmission step (only performed by hardware). Not included) is not included.

また、このプログラムは、サーバなどからダウンロードされることによって実行されてもよく、所定の記録媒体(例えば、CD−ROMなどの光ディスクや磁気ディスク、半導体メモリなど)に記録されたプログラムが読み出されることによって実行されてもよい。   Further, this program may be executed by being downloaded from a server or the like, and a program recorded on a predetermined recording medium (for example, an optical disk such as a CD-ROM, a magnetic disk, a semiconductor memory, or the like) is read out. May be executed by

また、このプログラムを実行するコンピュータは、単数であってもよく、複数であってもよい。すなわち、集中処理を行ってもよく、あるいは分散処理を行ってもよい。   Further, the computer that executes this program may be singular or plural. That is, centralized processing may be performed, or distributed processing may be performed.

また、上記実施の形態において、一の装置に存在する2以上の通信手段(出力部、受付部など)は、物理的に一の媒体で実現されても良いことは言うまでもない。   In the above embodiment, it goes without saying that two or more communication means (output unit, receiving unit, etc.) existing in one device may be physically realized by one medium.

本発明は、以上の実施の形態に限定されることなく、種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることは言うまでもない。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible, and it goes without saying that these are also included in the scope of the present invention.

また、上記実施の形態では、情報処理装置100がスタンドアロンである場合について説明したが、情報処理装置100は、スタンドアロンの装置であってもよく、サーバ・クライアントシステムにおけるサーバ装置であってもよい。後者の場合には、出力部や受付部は、通信回線を介して入力を受け付けたり、画面を出力したりすることになる。   Moreover, although the case where the information processing apparatus 100 is a stand-alone has been described in the above embodiment, the information processing apparatus 100 may be a stand-alone apparatus or a server apparatus in a server / client system. In the latter case, the output unit or the reception unit receives an input or outputs a screen via a communication line.

以上のように、本発明にかかる情報処理装置等は、半導体製造装置の製造時に得られる情報を処理する情報処理装置等として適しており、特に、単位等の尺度の異なる値を処理する情報処理装置等として有用である。   As described above, the information processing apparatus or the like according to the present invention is suitable as an information processing apparatus or the like that processes information obtained at the time of manufacturing a semiconductor manufacturing apparatus, and in particular, information processing that processes values of different scales such as units. It is useful as a device.

実施の形態における情報処理システムの構成を示す図The figure which shows the structure of the information processing system in embodiment 同情報処理装置の動作について説明するフローチャートFlow chart for explaining the operation of the information processing apparatus 同概念図を示す図Diagram showing the conceptual diagram 同第一の状態値を示す図The figure which shows the first state value 同第二の状態値を示す図Diagram showing the second state value 同表示例を示す図Figure showing the display example 同情報処理装置の動作を説明するための図Diagram for explaining the operation of the information processing apparatus 同第三の状態値を示す図Figure showing the third state value 同表示例を示す図Figure showing the display example 同変形例を示す図The figure which shows the modification

符号の説明Explanation of symbols

10 コンピュータ
20 制御用コンピュータ
100 情報処理装置
101 状態値受付部
102 基準値格納部
103 閾値格納部
104 算出部
105 出力部
106 多変量解析部
200 半導体製造装置
201 制御部
202 処理状態値取得部
203 処理出力部
211 処理容器
212 排気部
213 ガス導入部
214 配管
215 下端部
216 圧力調整部
217 圧力検出部
218 ガス流量検出部
221 蓋体
222 リング
223 回転支柱
224 回転テーブル
225 駆動部
226 ボート
230 加熱炉
231、231a−231c ヒータ
241、241a−241c 温度検出部
250 半導体ウエハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Computer 20 Control computer 100 Information processing apparatus 101 State value reception part 102 Reference value storage part 103 Threshold value storage part 104 Calculation part 105 Output part 106 Multivariate analysis part 200 Semiconductor manufacturing apparatus 201 Control part 202 Processing state value acquisition part 203 Process Output unit 211 Processing vessel 212 Exhaust unit 213 Gas introduction unit 214 Pipe 215 Lower end portion 216 Pressure adjustment unit 217 Pressure detection unit 218 Gas flow rate detection unit 221 Lid 222 Ring 223 Rotation column 224 Rotation table 225 Drive unit 226 Boat 230 Heating furnace 231 231a-231c heater 241, 241a-241c temperature detection unit 250 semiconductor wafer

Claims (23)

半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理装置であって、
前記状態値を受け付ける状態値受付部と、
前記状態値の基準となる値である基準値が格納され得る基準値格納部と、
前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る閾値格納部と、
前記状態値受付部の受け付けた前記状態値と前記基準値との差に関する値と、前記閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出部と、
前記算出部が算出した比を出力する出力部とを具備する情報処理装置。
An information processing apparatus that processes a state value that is a value related to a state during processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
A state value receiving unit for receiving the state value;
A reference value storage that can store a reference value that is a value serving as a reference for the state value;
A threshold storage unit that can store a threshold that is a value used to determine whether or not the state value is a desired value;
A calculation unit that calculates a ratio between a value related to the difference between the state value received by the state value receiving unit and the reference value, and a value related to the difference between the threshold value and the reference value;
An information processing apparatus comprising: an output unit that outputs the ratio calculated by the calculation unit.
前記状態値受付部は、尺度の異なる複数の状態値を受け付け、
前記算出部は、前記尺度の異なる複数の状態値にそれぞれ対応した前記比を算出し、
前記出力部は、前記算出部が算出した複数の比を出力する請求項1記載の情報処理装置。
The state value receiving unit receives a plurality of state values of different scales,
The calculation unit calculates the ratio corresponding to each of a plurality of state values having different scales,
The information processing apparatus according to claim 1, wherein the output unit outputs a plurality of ratios calculated by the calculation unit.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理装置であって、
尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付部と、
前記状態値の、基準となる値である基準値が格納され得る基準値格納部と、
前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値が格納され得る閾値格納部と、
前記状態値受付部の受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と前記基準値との差に関する値と、前記閾値と前記基準値との差に関する値との比をそれぞれ算出する算出部と、
前記算出部が算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析部と、
前記多変量解析部が解析した結果を出力する出力部とを具備する情報処理装置。
An information processing apparatus that processes a state value that is a value related to a state during processing of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
A state value receiving unit that receives a plurality of the state values of different scales;
A reference value storage unit in which a reference value that is a reference value of the state value can be stored;
A threshold storage unit that can store a threshold that is a value used to determine whether or not the state value is a desired value;
A calculation unit that calculates a ratio between a value related to a difference between a plurality of state values of the scale received by the state value receiving unit and the reference value, and a value related to a difference between the threshold value and the reference value;
A multivariate analysis unit that performs multivariate analysis using a plurality of ratios calculated by the calculation unit;
An information processing apparatus comprising: an output unit that outputs a result analyzed by the multivariate analysis unit.
前記算出部が比の算出に用いる閾値は、
前記基準値により2つの範囲に分割される前記状態値が取り得る値の範囲のうちの、前記状態値が属する範囲内の値である請求項1から請求項4いずれか記載の情報処理装置。
The threshold used by the calculation unit to calculate the ratio is:
The information processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein the state value is a value within a range to which the state value belongs, among a range of values that can be taken by the state value divided into two ranges by the reference value.
前記状態値は、前記半導体製造装置内の温度の測定値または測定値が統計処理された値である請求項1から請求項4いずれか記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein the state value is a temperature measurement value in the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measurement value. 前記状態値は、前記半導体製造装置内の圧力の測定値または測定値が統計処理された値である請求項1から請求項4いずれか記載の情報処理装置。 5. The information processing apparatus according to claim 1, wherein the state value is a measured value of pressure in the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measured value. 6. 前記状態値は、前記半導体製造装置内に導入されるガス流量の測定値または測定値が統計処理された値である請求項1から請求項4いずれか記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 1, wherein the state value is a measured value of a gas flow rate introduced into the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measured value. 前記尺度の異なる複数の状態値は、前記半導体製造装置内の温度の測定値、および前記半導体製造装置内の圧力の測定値、またはこれらが統計処理された値である請求項2または請求項3いずれか記載の情報処理装置。 The plurality of state values having different scales are measured values of temperature in the semiconductor manufacturing apparatus and measured values of pressure in the semiconductor manufacturing apparatus, or values obtained by statistical processing thereof. Any one of the information processing apparatuses. 前記尺度の異なる複数の状態値は、さらに前記半導体製造装置内に導入されるガス流量の測定値、または測定値が統計処理された値を含む請求項8記載の情報処理装置。 The information processing apparatus according to claim 8, wherein the plurality of state values having different scales further include a measurement value of a gas flow rate introduced into the semiconductor manufacturing apparatus or a value obtained by statistically processing the measurement value. 半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置と、請求項1から請求項8いずれか記載の情報処理装置とを具備する半導体製造システムであって、
前記半導体製造装置は、
前記状態値を取得する処理状態値取得部と、
前記状態値を出力する処理出力部とを具備する半導体製造システム。
A semiconductor manufacturing system comprising: a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor; and the information processing apparatus according to claim 1.
The semiconductor manufacturing apparatus includes:
A processing state value acquisition unit for acquiring the state value;
A semiconductor manufacturing system comprising a processing output unit for outputting the state value.
前記半導体製造装置は、
前記処理対象物に処理を行う処理容器と、
前記処理容器内の温度を検出する1以上の温度検出部をさらに具備し、
前記処理状態値取得部は、前記温度検出部が検出した温度の値または値が統計処理された値である状態値を取得する請求項10記載の半導体製造システム。
The semiconductor manufacturing apparatus includes:
A processing container for processing the processing object;
And further comprising one or more temperature detection units for detecting the temperature in the processing container,
The semiconductor manufacturing system according to claim 10, wherein the processing state value acquisition unit acquires a state value that is a temperature value detected by the temperature detection unit or a value obtained by statistical processing.
前記半導体製造装置は、
前記処理対象物に処理を行う処理容器と、
前記処理容器内を圧力を検出する圧力検出部をさらに具備し、
前記処理状態値取得部は、前記圧力検出部が検出した圧力の値または値が統計処理された値である状態値を取得する請求項10記載の半導体製造システム。
The semiconductor manufacturing apparatus includes:
A processing container for processing the processing object;
Further comprising a pressure detector for detecting the pressure inside the processing vessel;
The semiconductor manufacturing system according to claim 10, wherein the processing state value acquisition unit acquires a state value that is a value of the pressure detected by the pressure detection unit or a value obtained by statistical processing.
前記半導体製造装置は、
前記処理対象物に処理を行う処理容器と、
前記処理容器内に導入されるガス流量を検出するガス流量検出部をさらに具備し、
前記処理状態値取得部は、前記ガス流量検出部が検出したガス流量の値または値が統計処理された値である状態値を取得する請求項10記載の半導体製造システム。
The semiconductor manufacturing apparatus includes:
A processing container for processing the processing object;
A gas flow rate detector for detecting a gas flow rate introduced into the processing vessel;
The semiconductor manufacturing system according to claim 10, wherein the processing state value acquisition unit acquires a state value that is a value of a gas flow rate detected by the gas flow rate detection unit or a value obtained by statistical processing.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理方法であって、
前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記状態値と格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した比を出力する出力ステップとを具備する情報処理方法。
An information processing method for processing a state value, which is a value related to a state during processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
A state value receiving step for receiving the state value;
A value relating to a difference between the state value received in the state value receiving step and a reference value that is a reference value of the stored state value, and whether the stored state value is a desired value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value that is a value used for the determination and a value related to a difference between the reference value;
An information processing method comprising: an output step of outputting the ratio calculated in the calculation step.
前記状態値受付ステップは、尺度の異なる複数の状態値を受け付け、
前記算出ステップは、前記尺度の異なる複数の状態値にそれぞれ対応した前記比を算出し、
前記出力ステップは、前記算出ステップにより算出した複数の比を出力する請求項14記載の情報処理方法。
The state value receiving step receives a plurality of state values of different scales,
The calculating step calculates the ratio corresponding to each of a plurality of state values having different scales,
The information processing method according to claim 14, wherein the output step outputs a plurality of ratios calculated in the calculation step.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値を処理する情報処理方法であって、
尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析ステップと、
前記多変量解析ステップにより解析した結果を出力する出力ステップとを具備する情報処理方法。
An information processing method for processing a state value, which is a value related to a state during processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
A state value receiving step for receiving a plurality of the state values of different scales;
A value related to a difference between a plurality of state values of different scales received by the state value receiving step and a reference value that is a reference value of the stored state value, and the stored state value is a desired value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value that is a value used to determine whether the value is a value and a value related to a difference between the reference value;
A multivariate analysis step for performing a multivariate analysis using a plurality of ratios calculated in the calculation step;
An information processing method comprising: an output step of outputting a result analyzed by the multivariate analysis step.
前記算出ステップにおいて比の算出に用いる閾値は、
前記基準値により2つの範囲に分割される前記状態値が取り得る値の範囲のうちの、前記状態値が属する範囲内の値である請求項14から請求項16いずれか記載の情報処理方法。
The threshold used for calculating the ratio in the calculating step is:
The information processing method according to any one of claims 14 to 16, wherein the state value is a value within a range to which the state value belongs in a range of values that can be taken by the state value divided into two ranges by the reference value.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記状態値と、格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記基準値を境界とする2つの領域のうちの前記状態値が属する領域を、2つの領域に分割する閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した比を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラム。
A program for causing a computer to execute processing of a state value, which is a value related to a state at the time of processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
On the computer,
A state value receiving step for receiving the state value;
Two regions having a boundary between the state value received by the state value receiving step and a value related to a difference between a reference value that is a reference value of the stored state value and the stored reference value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value for dividing the region to which the state value belongs to two regions and a value relating to a difference between the reference value;
A program for executing the output step of outputting the ratio calculated in the calculation step.
前記状態値受付ステップは、尺度の異なる複数の状態値を受け付け、
前記算出ステップは、前記尺度の異なる複数の状態値にそれぞれ対応した前記比を算出し、
前記出力ステップは、前記算出ステップにより算出した複数の比を出力する請求項18記載のプログラム。
The state value receiving step receives a plurality of state values of different scales,
The calculating step calculates the ratio corresponding to each of a plurality of state values having different scales,
The program according to claim 18, wherein the output step outputs a plurality of ratios calculated in the calculation step.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムであって、
コンピュータに、
尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析ステップと、
前記多変量解析ステップにより解析した結果を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラム。
A program for causing a computer to execute processing of a state value, which is a value related to a state at the time of processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
On the computer,
A state value receiving step for receiving a plurality of the state values of different scales;
A value related to a difference between a plurality of state values of different scales received by the state value receiving step and a reference value that is a reference value of the stored state value, and the stored state value is a desired value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value that is a value used to determine whether the value is a value and a value related to a difference between the reference value;
A multivariate analysis step for performing a multivariate analysis using a plurality of ratios calculated in the calculation step;
A program for executing an output step of outputting a result analyzed by the multivariate analysis step.
前記算出ステップにおいて比の算出に用いる閾値は、
前記基準値により2つの範囲に分割される前記状態値が取り得る値の範囲のうちの、前記状態値が属する範囲内の値である請求項18から請求項20いずれか記載のプログラム。
The threshold used for calculating the ratio in the calculating step is:
The program according to any one of claims 18 to 20, wherein the state value is a value within a range to which the state value belongs in a range of values that can be taken by the state value divided into two ranges by the reference value.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムが記録された記録媒体であって、
コンピュータに、
前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記状態値と、格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記基準値を境界とする2つの領域のうちの前記状態値が属する領域を、2つの領域に分割する閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した比を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
A recording medium on which a program for causing a computer to execute processing of a state value, which is a value related to a state at the time of processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
On the computer,
A state value receiving step for receiving the state value;
Two regions having a boundary between the state value received by the state value receiving step and a value related to a difference between a reference value that is a reference value of the stored state value and the stored reference value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value for dividing the region to which the state value belongs to two regions and a value relating to a difference between the reference value;
A recording medium on which a program for executing the output step of outputting the ratio calculated in the calculating step is recorded.
半導体を含む処理対象物に処理を行う半導体製造装置の、処理時の状態に関する値である状態値の処理を、コンピュータに実行させるためのプログラムが記録された記録媒体であって、
コンピュータに、
尺度の異なる複数の前記状態値を受け付ける状態値受付ステップと、
前記状態値受付ステップにより受け付けた前記尺度の異なる複数の状態値と格納されている当該状態値の基準となる値である基準値との差に関する値と、格納されている前記状態値が所望の値であるか否かの判断に用いられる値である閾値と前記基準値との差に関する値との比を算出する算出ステップと、
前記算出ステップにより算出した複数の比を用いて、多変量解析を行う多変量解析ステップと、
前記多変量解析ステップにより解析した結果を出力する出力ステップとを実行させるためのプログラムが記録された記録媒体。
A recording medium on which a program for causing a computer to execute processing of a state value, which is a value related to a state at the time of processing, of a semiconductor manufacturing apparatus that performs processing on a processing object including a semiconductor,
On the computer,
A state value receiving step for receiving a plurality of the state values of different scales;
A value related to a difference between a plurality of state values of different scales received by the state value receiving step and a reference value that is a reference value of the stored state value, and the stored state value is a desired value A calculation step of calculating a ratio between a threshold value that is a value used to determine whether the value is a value and a value related to a difference between the reference value;
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A recording medium on which a program for executing an output step of outputting a result analyzed by the multivariate analysis step is recorded.
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