JP2007322156A - Radiation image conversion panel and method for manufacturing it - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a radiation conversion panel which eliminates the necessity of heat treatment by another device in a postprocess by cooling an accelerated phosphor layer properly after forming it and makes the radiation image conversion panel include an accelerated phosphor layer whose accelerated phosphorescence luminescence properties such as PSL sensitivity are good, and to provide an excellently efficient radiation image conversion panel manufactured by the method in the manufacture of the radiation image conversion panel. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the radiation image conversion panel includes a process for changing the cooling rate of the accelerated phosphor layer in the range between 70 and 150°C of the temperature of the formed accelerated phosphor layer after finishing the formation of the accelerated phosphor layer by a gas phase lay-up method and is characterized in that the accelerated phosphor layer is cooled at the average cooling rate of 0.5 to 5°C/min. before changing the cooling rate and that it is cooled at the average cooling rate of 0.01 to 1°C/min. after changing the average cooling rate, and the conversion panel is manufactured by the method. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、真空蒸着槽内で基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法および放射線像変換パネルに関し、詳しくは、PSL感度等の輝尽発光特性の良好な放射線像変換パネルを得ることができる放射線像変換パネルの製造技術に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a radiation image conversion panel and a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer is formed on a surface of a substrate in a vacuum vapor deposition tank by a vapor deposition method. The present invention relates to a manufacturing technique of a radiation image conversion panel capable of obtaining a radiation image conversion panel having good light emission characteristics.

放射線(X線,α線,β線,γ線,電子線,紫外線等)の照射を受けると、この放射線エネルギーの一部を蓄積し、その後、可視光等の励起光の照射を受けた際に、蓄積されたエネルギーに応じた輝尽発光を示す蛍光体が知られている。この蛍光体は、輝尽性蛍光体(蓄積性蛍光体)と呼ばれ、医療用途などの各種の用途に利用されている。   When irradiated with radiation (X-rays, α-rays, β-rays, γ-rays, electron beams, ultraviolet rays, etc.), a part of this radiation energy is accumulated and then irradiated with excitation light such as visible light. In addition, phosphors that exhibit stimulated emission according to the stored energy are known. This phosphor is called a stimulable phosphor (accumulating phosphor) and is used for various applications such as medical applications.

一例として、この輝尽性蛍光体の層(輝尽性蛍光体層 以下、蛍光体層とする)を有する放射線像変換パネル(以下、変換パネルという(輝尽性蛍光体パネル(シート)とも呼ばれている))を利用する、放射線画像情報記録再生システムが知られており、例えば、富士写真フイルム(株)製のFCR(Fuji Computed Radiography )等として実用化されている。
このシステムでは、人体などの被写体を介してX線等を照射することにより、変換パネル(蛍光体層)に被写体の放射線画像情報を記録する。記録後に、変換パネルを励起光で2次元的に走査して輝尽発光を生ぜしめ、この輝尽発光光を光電的に読み取って画像信号を得、この画像信号に基づいて再生した画像を、CRTやLCDなどの表示装置や、写真感光材料などの記録材料等に、被写体の放射線画像として出力する。
As an example, a radiation image conversion panel (hereinafter referred to as a conversion panel (also called a photostimulable phosphor panel (sheet)) having this photostimulable phosphor layer (stimulable phosphor layer). The radiation image information recording / reproducing system using the above-mentioned)) is known, and has been put into practical use, for example, as an FCR (Fuji Computed Radiography) manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.
In this system, radiation image information of a subject is recorded on a conversion panel (phosphor layer) by irradiating X-rays or the like through a subject such as a human body. After recording, the conversion panel is scanned two-dimensionally with excitation light to generate stimulated emission, and this stimulated emission light is photoelectrically read to obtain an image signal, and an image reproduced based on this image signal is A radiographic image of a subject is output to a display device such as a CRT or LCD or a recording material such as a photographic photosensitive material.

変換パネルは、通常、輝尽性蛍光体の粉末をバインダ等を含む溶媒に分散してなる塗料を調製して、この塗料をガラスや樹脂製のパネル状の支持体に塗布し、乾燥することによって、作成される。
これに対し、特許文献1や特許文献2に示されるように、真空蒸着やスパッタリング等の気相堆積法(真空成膜法)によって、基板に蛍光体層を形成してなる蛍光体パネルも知られている。気相堆積法による蛍光体層は、真空中で形成されるので不純物が少なく、また、輝尽性蛍光体以外のバインダなどの成分が殆ど含まれないので、性能のバラツキが少なく、しかも発光効率が非常に良好であるという、優れた特性を有している。
A conversion panel is usually prepared by dispersing a stimulable phosphor powder in a solvent containing a binder and applying the paint to a glass or resin panel-like support and drying. Created by.
On the other hand, as disclosed in Patent Document 1 and Patent Document 2, a phosphor panel in which a phosphor layer is formed on a substrate by a vapor deposition method (vacuum film forming method) such as vacuum evaporation or sputtering is also known. It has been. Phosphor layers by vapor deposition are formed in a vacuum, so there are few impurities, and since there are almost no components such as binders other than stimulable phosphors, there is little variation in performance and luminous efficiency. Has excellent properties of being very good.

特開2002−107496号公報JP 2002-104946 A 特開2004−123968号公報JP 2004-123968 A

ところで、気相堆積法で蛍光体層を形成すると、蛍光体層の形成条件(成膜条件)にもよるが、蛍光体層の形成を終了した時点では、蛍光体層は、200℃程度の高温となる。そのため、蛍光体層の亀裂等の無い適正な変換パネルを得るためには、蛍光体層を形成した後の蛍光体層(および基板)の冷却を、適正に行う必要がある。
これに対して、前記特許文献1には、蛍光体層の形成(成膜)中に基板を加熱する加熱器を利用して、形成後、加熱器の出力を段階的に下げて基板(すなわち蛍光体層)を徐冷、好ましくは、1〜20℃/minの冷却速度で徐冷することにより、基板との密着性が良好で、かつ、亀裂等の無い良好な蛍光体層を有する変換パネルを製造することが開示されている。
By the way, when the phosphor layer is formed by the vapor deposition method, depending on the phosphor layer formation conditions (film formation conditions), the phosphor layer is about 200 ° C. when the phosphor layer formation is completed. It becomes high temperature. Therefore, in order to obtain an appropriate conversion panel free from cracks in the phosphor layer, it is necessary to properly cool the phosphor layer (and the substrate) after the phosphor layer is formed.
On the other hand, in Patent Document 1, a heater that heats the substrate during the formation (film formation) of the phosphor layer is used, and after the formation, the output of the heater is lowered step by step. The phosphor layer) is cooled slowly, preferably at a cooling rate of 1 to 20 ° C./min, so that the adhesion with the substrate is good and the conversion has a good phosphor layer without cracks. Manufacturing a panel is disclosed.

しかしながら、変換パネルには、蛍光体層の良好な密着性や性状のみならず、良好なPSL感度等の輝尽発光特性を有することも要求される。これは、高感度、感度の均一性を持った高画質な画像を記録可能とするとともに、被写体の被爆放射線量を軽減するためにも重要である。   However, the conversion panel is required not only to have good adhesion and properties of the phosphor layer but also to have stimulable light emission characteristics such as good PSL sensitivity. This is important for recording high-quality images with high sensitivity and uniformity of sensitivity, and for reducing the radiation dose of the subject.

また、従来は、PSL感度等の輝尽発光特性を向上させる目的で、形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルを、後工程において別装置により熱処理(アニーリングとも呼ばれる)することが行われており、この処理が放射線像変換パネルの製造工程を手間のかかるものとしていたという問題もあった。   In addition, conventionally, for the purpose of improving photostimulated luminescence characteristics such as PSL sensitivity, the radiation image conversion panel having the formed phosphor layer is heat-treated (also called annealing) by a separate apparatus in a subsequent process. In addition, this process has a problem that the manufacturing process of the radiation image conversion panel is time-consuming.

本発明の目的は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、真空蒸着槽内で基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却を適正に行うことにより、後工程において別装置により熱処理を不要とした、PSL感度等の輝尽発光特性が良好な輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルの製造方法、並びにこの方法により製造される優れた性能を有する放射線像変換パネルを提供することにある。   The object of the present invention has been made in view of the above circumstances, and the object of the present invention is to perform radiation image conversion in which a photostimulable phosphor layer is formed on a surface of a substrate by a vapor deposition method in a vacuum evaporation tank. In the manufacture of panels, by properly cooling after forming the photostimulable phosphor layer, the photostimulability with good photostimulable luminescence characteristics such as PSL sensitivity, etc., which eliminates the need for heat treatment by a separate device in the subsequent process. An object of the present invention is to provide a method for producing a radiation image conversion panel having a phosphor layer, and a radiation image conversion panel having excellent performance produced by this method.

上記目的を達成するために、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法は、基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成を終了した後、形成された輝尽性蛍光体層の温度が70〜150℃の範囲において前記輝尽性蛍光体層の冷却速度を変更する過程を含み、冷却速度を変更する前は平均冷却速度0.5〜5℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行い、冷却速度を変更した後は平均冷却速度0.01〜1℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行うことを特徴とする(請求項1)。   In order to achieve the above object, a method for producing a radiation image conversion panel according to the present invention is the method for producing a radiation image conversion panel in which a photostimulable phosphor layer is formed on a surface of a substrate by a vapor deposition method. After finishing the formation of the photostimulable phosphor layer by the deposition method, a process of changing the cooling rate of the photostimulable phosphor layer in the range of 70 to 150 ° C. In addition, the stimulable phosphor layer is cooled at an average cooling rate of 0.5 to 5 ° C./min before changing the cooling rate, and after changing the cooling rate, the average cooling rate of 0.01 to 1 ° C. / The photostimulable phosphor layer is cooled in min (claim 1).

ここで、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法においては、前記冷却速度を変更する過程を、前記輝尽性蛍光体層の保管雰囲気を1.0×10−4〜1.0×10Paにすることで行うことが好ましく(請求項2)、また、前記冷却速度を変更する過程を、真空蒸着槽内で行うことが好ましい(請求項3)。
また、前記冷却速度を変更する過程を、前記形成された輝尽性蛍光体層を加熱することで行うことも好ましく(請求項4)、さらに、前記冷却速度を変更する過程を、前記形成された輝尽性蛍光体層を支持する支持体の裏側からの加熱で行うことも好ましい(請求項5)。
Here, in the manufacturing method of the radiation image conversion panel which concerns on this invention, the storage atmosphere of the said photostimulable phosphor layer is 1.0 * 10 < -4 > -1.0 * 10 in the process of changing the said cooling rate. Preferably, the pressure is set to 2 Pa (Claim 2), and the process of changing the cooling rate is preferably performed in a vacuum vapor deposition tank (Claim 3).
The step of changing the cooling rate is preferably performed by heating the formed photostimulable phosphor layer (Claim 4), and the step of changing the cooling rate is further performed. It is also preferable to carry out by heating from the back side of the support that supports the photostimulable phosphor layer.

また、前記輝尽性蛍光体層が150℃以下となった後に、前記雰囲気の系内から放射線像変換パネルを取り出すことも好ましく(請求項6)、さらに、前記輝尽性蛍光体層の形成を、真空度が0.1〜3Paの真空蒸着で行うことが好ましい(請求項7)。
なお、前記冷却速度を変更する過程のうち、少なくとも、前記冷却速度を変更する前の過程では、酸素分圧を0%<O<30%とすることも好ましく、さらに、前記冷却速度を変更する過程のうち、少なくとも、前記冷却速度を変更する前の過程では、相対湿度を5〜50%とすることも好ましい。
It is also preferable to take out the radiation image conversion panel from the atmosphere system after the photostimulable phosphor layer has become 150 ° C. or lower (Claim 6), and further, formation of the photostimulable phosphor layer. Is preferably performed by vacuum deposition with a degree of vacuum of 0.1 to 3 Pa.
In the process of changing the cooling rate, at least before changing the cooling rate, the oxygen partial pressure is preferably 0% <O 2 <30%, and the cooling rate is changed. Among the processes to be performed, it is also preferable that the relative humidity be 5 to 50% at least before the cooling rate is changed.

また、本発明に係る放射線像変換パネルは、上述の各放射線像変換パネルの製造方法のいずれかにより製造されることを特徴とする、優れた性能を有する放射線像変換パネルである(請求項8)。   The radiation image conversion panel according to the present invention is a radiation image conversion panel having excellent performance, characterized by being manufactured by any one of the above-described methods for manufacturing each radiation image conversion panel. ).

上記構成を有する本発明によれば、気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造において、輝尽性蛍光体層を形成した後の冷却時の雰囲気を適正にコントロールすることにより、後工程において別装置により熱処理を行うことなしに、PSL感度等の輝尽発光特性に優れた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを製造することができる。   According to the present invention having the above configuration, in the production of a radiation image conversion panel for forming a photostimulable phosphor layer by a vapor deposition method, the atmosphere during cooling after forming the photostimulable phosphor layer is appropriately set. By controlling, a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer having excellent photostimulable light emission characteristics such as PSL sensitivity can be manufactured without performing heat treatment by a separate apparatus in a subsequent process.

以下、本発明に係る放射線像変換パネルの製造方法の一実施形態について、詳細に説明する。
本実施形態は、基板の表面に、気相堆積法によって輝尽性蛍光体からなる層(膜)である輝尽性蛍光体層(以下、単に蛍光体層ともいう)を形成(成膜)する、放射線像変換パネル(以下、単に変換パネルという)の製造方法である。
Hereinafter, an embodiment of a method for manufacturing a radiation image conversion panel according to the present invention will be described in detail.
In the present embodiment, a photostimulable phosphor layer (hereinafter also simply referred to as a phosphor layer), which is a layer (film) made of a photostimulable phosphor, is formed (film formation) on the surface of a substrate by a vapor deposition method. This is a method for manufacturing a radiation image conversion panel (hereinafter simply referred to as a conversion panel).

なお、本発明の変換パネルの製造方法において、蛍光体層を形成する基板には、特に限定はなく、各種の変換パネルで用いられている各種のものが利用可能である。
一例として、セルロースアセテート、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリアミド、ポリイミド、トリアセテート、ポリカーボネートなどから形成されるプラスチック板やプラスチックシート(フィルム);石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダガラス、耐熱ガラス(パイレックス(登録商標)等)などから形成されるガラス板やガラスシート;アルミニウム、鉄、銅、クロムなどの金属類から形成される金属板や金属シート;このような金属板等の表面に金属酸化物層等の被覆層を形成してなる板やシート等が例示される。
また、本発明の製造方法に用いられる基板は、このような板材やシート材の表面に、反射層、保護層、酸化防止層、密着層等の各種の層(膜)を有するものであってもよく、さらに、これらの層を複数有するものであってもよい。
In the conversion panel manufacturing method of the present invention, the substrate on which the phosphor layer is formed is not particularly limited, and various types used in various conversion panels can be used.
Examples include plastic plates and plastic sheets (films) formed from cellulose acetate, polyester, polyethylene terephthalate, polyamide, polyimide, triacetate, polycarbonate, etc .; quartz glass, alkali-free glass, soda glass, heat-resistant glass (Pyrex (registered trademark)) Etc.) etc.) Metal plates and glass sheets formed from metals such as aluminum, iron, copper, chromium, etc .; coating such as metal oxide layers on the surface of such metal plates Examples thereof include plates and sheets formed with layers.
Further, the substrate used in the production method of the present invention has various layers (films) such as a reflective layer, a protective layer, an antioxidant layer, and an adhesion layer on the surface of such a plate material or sheet material. Furthermore, you may have more than one of these layers.

基板12の大きさ(面積)や厚さにも特に限定はなく、変換パネル10の用途等に応じて、適宜、決定すればよい。
本発明の変換パネルの製造方法は、このような基板の表面に、気相堆積法によって蛍光体層を形成するものである。
The size (area) and thickness of the substrate 12 are not particularly limited, and may be determined as appropriate according to the application of the conversion panel 10 or the like.
The conversion panel manufacturing method of the present invention forms a phosphor layer on the surface of such a substrate by vapor deposition.

本発明の製造方法において、蛍光体層となる輝尽性蛍光体には、特に限定はなく、公知の各種の輝尽性蛍光体が利用可能であるが、一例として、下記の輝尽性蛍光体が好ましく例示される。   In the production method of the present invention, the photostimulable phosphor used as the phosphor layer is not particularly limited, and various known photostimulable phosphors can be used. The body is preferably exemplified.

米国特許第3,859,527号明細書に記載されている輝尽性蛍光体である、「SrS:Ce,Sm」、「SrS:Eu,Sm」、「ThO:Er」、および、「La S:Eu,Sm」。 “SrS: Ce, Sm”, “SrS: Eu, Sm”, “ThO 2 : Er”, and “SrS: Ce, Sm”, which are described in US Pat. No. 3,859,527, La 2 O 2 S: Eu, Sm ".

特開昭55−12142号公報に開示される、「ZnS:Cu,Pb」、「BaO・xAl :Eu(但し、0.8≦x≦10)」、および、一般式「MIIO・xSiO :A」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、MIIは、Mg,Ca,Sr,Zn,CdおよびBaからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、Ce,Tb,Eu,Tm,Pb,Tl,BiおよびMnからなる群より選択される少なくとも一種である。また、0.5≦x≦2.5である。
“ZnS: Cu, Pb”, “BaO.xAl 2 O 3 : Eu (provided that 0.8 ≦ x ≦ 10)” and the general formula “M II ” disclosed in JP-A-55-12142 Stimulable phosphor represented by “O.xSiO 2 : A”.
In the above formula, M II is at least one of Mg, Ca, Sr, Zn, is selected from the group consisting of Cd and Ba, A is, Ce, Tb, Eu, Tm , Pb, Tl, Bi, and Mn Is at least one selected from the group consisting of Further, 0.5 ≦ x ≦ 2.5.

特開昭55−12144号公報に開示される、一般式「LnOX:xA」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、Lnは、La,Y,GdおよびLuからなる群より選択される少なくとも一種であり、Xは、ClおよびBrの少なくとも一種であり、Aは、CeおよびTbの少なくとも一種である。また、0≦x≦0.1である。
A stimulable phosphor represented by the general formula “LnOX: xA” disclosed in JP-A No. 55-12144.
In the above formula, Ln is at least one selected from the group consisting of La, Y, Gd and Lu, X is at least one of Cl and Br, and A is at least one of Ce and Tb. Further, 0 ≦ x ≦ 0.1.

特開昭55−12145号公報に開示される、一般式「(Ba1−X,MII )FX:yA」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、MII は、Mg,Ca,Sr,ZnおよびCdからなる群より選択される少なくとも一種であり、Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,YbおよびErからなる群より選択される少なくとも一種である。また、0≦x≦0.6であり、0≦y≦0.2である。
A stimulable phosphor represented by the general formula “(Ba 1-X , M II X ) FX: yA” disclosed in JP-A-55-12145.
In the above formula, M II is at least one selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Zn and Cd, X is at least one selected from the group consisting of Cl, Br and I, and A Is at least one selected from the group consisting of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb and Er. Further, 0 ≦ x ≦ 0.6 and 0 ≦ y ≦ 0.2.

特開昭59−38278号公報に開示される、一般式「xM(PO ・NX :yA」または「M (PO ・yA」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、MおよびNは、それぞれ、Mg,Ca,Sr,Ba,ZnおよびCdからなる群より選択される少なくとも一種であり、Xは、F,Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Sb,Tl,MnおよびSnからなる群より選択される少なくとも一種である。また、0≦x≦6、0≦y≦1である。
A stimulable phosphor represented by the general formula “xM 3 (PO 4 ) 2 .NX 2 : yA” or “M 3 (PO 4 ) 2 .yA” disclosed in JP-A-59-38278.
In the above formula, M and N are each at least one selected from the group consisting of Mg, Ca, Sr, Ba, Zn and Cd, and X is selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. A is at least one selected from the group consisting of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Sb, Tl, Mn, and Sn. Further, 0 ≦ x ≦ 6 and 0 ≦ y ≦ 1.

一般式「nReX・mAX’ :xEu」または「nReX ・mAX’ :xEu,ySm」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、Reは、La,Gd,YおよびLuからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、Ba,SrおよびCaからなる群より選択される少なくとも一種であり、XおよびX’は、それぞれ、F,Cl,およびBrからなる群より選択される少なくとも一種である。また、1×10−4<x<3×10−1であり、1×10−4<y<1×10−1であり、さらに、1×10−3<n/m<7×10−1である。
A photostimulable phosphor represented by the general formula “nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu” or “nReX 3 · mAX ′ 2 : xEu, ySm”.
In the above formula, Re is at least one selected from the group consisting of La, Gd, Y and Lu, A is at least one selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca, and X and X ′ Are at least one selected from the group consisting of F, Cl, and Br. Further, 1 × 10 −4 <x <3 × 10 −1 , 1 × 10 −4 <y <1 × 10 −1 , and 1 × 10 −3 <n / m <7 × 10 −. 1 .

特開昭61−72087号公報に開示される、一般式「MX・aMIIX’ ・bMIII X'':cA」で示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体。
上式において、Mは、Li,Na,K,RbおよびCsからなる群より選択される少なくとも一種であり、MIIは、Be,Mg,Ca,Sr,Ba,Zn,Cd,CuおよびNiからなる群より選択される少なくとも一種の二価の金属であり、MIIIは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,GaおよびInからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、X、X’およびX''は、F,Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、Eu,Tb,Ce,Tm,Dy,Pr,Ho,Nd,Yb,Er,Gd,Lu,Sm,Y,Tl,Na,Ag,Cu,BiおよびMgからなる群より選択される少なくとも一種である。また、0≦a<0.5であり、0≦b<0.5であり、0<c≦0.2である。
Disclosed in JP-61-72087, JP-formula "M I X · aM II X ' 2 · bM III X''3: cA " alkali halide-based stimulable phosphors represented by.
In the above formula, M I is at least one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and M II is Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Cu and Ni. at least one trivalent metal selected from the group consisting of, M III is, Sc, Y, La, Ce , Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm , Yb, Lu, Al, Ga and In, at least one trivalent metal selected from the group consisting of F, Cl, Br and I. A is composed of Eu, Tb, Ce, Tm, Dy, Pr, Ho, Nd, Yb, Er, Gd, Lu, Sm, Y, Tl, Na, Ag, Cu, Bi, and Mg. At least one selected from the group A. Further, 0 ≦ a <0.5, 0 ≦ b <0.5, and 0 <c ≦ 0.2.

特開昭56−116777号公報に開示される、一般式「(Ba1−X,MII )F ・aBaX :yEu,zA」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、MIIは、Be,Mg,Ca,Sr,ZnおよびCdからなる群より選択される少なくとも一種であり、Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種であり、Aは、ZrおよびScの少なくとも一種である。また、0.5≦a≦1.25であり、0≦x≦1であり、1×10−6≦y≦2×10−1であり、0<z≦1×10−2である。
A stimulable phosphor represented by the general formula “(Ba 1-X , M II X ) F 2 .aBaX 2 : yEu, zA” disclosed in JP-A-56-116777.
In the above formula, M II is, Be, at least one of Mg, Ca, Sr, selected from the group consisting of Zn and Cd, X is, Cl, is at least one selected from the group consisting of Br and I , A is at least one of Zr and Sc. Further, 0.5 ≦ a ≦ 1.25, 0 ≦ x ≦ 1, 1 × 10 −6 ≦ y ≦ 2 × 10 −1 , and 0 <z ≦ 1 × 10 −2 .

特開昭58−69281号公報に開示される、一般式「MIIIOX:xCe」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、MIIIは、Pr,Nd,Pm,Sm,Eu,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,YbおよびBiからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Xは、ClおよびBrの少なくとも一種である。また、0≦x≦0.1である。
A photostimulable phosphor represented by the general formula “M III OX: xCe” disclosed in JP-A-58-69281.
In the above formula, M III is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and Bi, and X is , Cl and Br. Further, 0 ≦ x ≦ 0.1.

特開昭58−206678号公報に開示される、一般式「Ba1−x FX:yEu2+」で示される輝尽性蛍光体。
上式において、Mは、Li,Na,K,RbおよびCsからなる群より選択される少なくとも一種であり、Lは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Pm,Sm,Gd,Tb,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Lu,Al,Ga,InおよびTlからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Xは、Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種である。また、1×10−2≦x≦0.5であり、0<y≦0.1であり、さらに、aはx/2である。
Disclosed in JP 58-206678 and JP-formula "Ba 1-x M a L a FX: yEu 2+ " stimulable phosphors represented by.
In the above formula, M is at least one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, and L is Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Gd, Tb. , Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu, Al, Ga, In and Tl is at least one trivalent metal, and X is a group consisting of Cl, Br and I It is at least one kind selected. Further, 1 × 10 −2 ≦ x ≦ 0.5, 0 <y ≦ 0.1, and a is x / 2.

特開昭59−75200号公報に開示される、一般式「MIIFX・aMX’・bM’IIX'' ・cMIII・xA:yEu2+」で示される輝尽性蛍光体。
上式においてMIIは、Ba,SrおよびCaからなる群より選択される少なくとも1種であり、Mは、Li,Na,K,RbおよびCsからなる群より選択される少なくとも一種であり、M’IIは、BeおよびMgの少なくとも一方の二価の金属であり、MIIIは、Al,Ga,In、およびTlからなる群より選択される少なくとも一種の三価の金属であり、Aは、金属酸化物であり、X、X’およびX''は、それぞれ、F,Cl,BrおよびIからなる群より選択される少なくとも一種である。また、0≦a≦2であり、0≦b≦1×10−2であり、0≦c≦1×10−2であり、かつ、a+b+c≧10−6であり、さらに、0<x≦0.5であり、0<y≦0.2である。
Stimulable fluorescence represented by the general formula “M II FX · aM I X ′ · bM ′ II X ″ 2 · cM III X 3 · xA: yEu 2+ ” disclosed in JP-A-59-75200 body.
In the above formula, M II is at least one selected from the group consisting of Ba, Sr and Ca, M I is at least one selected from the group consisting of Li, Na, K, Rb and Cs, M ′ II is at least one divalent metal of Be and Mg, M III is at least one trivalent metal selected from the group consisting of Al, Ga, In, and Tl, and A is And X, X ′ and X ″ are at least one selected from the group consisting of F, Cl, Br and I, respectively. Further, 0 ≦ a ≦ 2, 0 ≦ b ≦ 1 × 10 −2 , 0 ≦ c ≦ 1 × 10 −2 , a + b + c ≧ 10 −6 , and 0 <x ≦ 0.5 and 0 <y ≦ 0.2.

中でも、優れた輝尽発光特性を有し、かつ、本発明の効果が良好に得られる等の点で、特開昭61−72087号公報に開示されるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく例示され、中でも特に、Mが、少なくともCsを含み、Xが、少なくともBrを含み、さらに、Aが、EuまたはBiであるアルカリハライド系輝尽性蛍光体は好ましく、その中でも特に、一般式「CsBr:Eu」で示される輝尽性蛍光体が好ましい。 Among them, the alkali halide photostimulable phosphor disclosed in JP-A-61-72087 is preferable in that it has excellent photostimulated luminescence properties and the effects of the present invention can be satisfactorily obtained. In particular, alkali halide photostimulable phosphors in which M I contains at least Cs, X contains at least Br, and A is Eu or Bi are preferable. A photostimulable phosphor represented by “CsBr: Eu” is preferable.

本発明の変換パネルの製造方法において、このような輝尽性蛍光体からなる蛍光体層は、前述のような基板の表面に、真空蒸着、スパッタリング、CVD(Chemical Vapor Deposition)等の各種の気相堆積法(気相成膜法/真空成膜法)によって形成する。
中でも、生産性や形成速度等の点で真空蒸着が好適に利用される。特に、蛍光体成分の材料と、付活剤(賦活剤:activator)成分の材料とを別々に加熱蒸発させる、多元の真空蒸着により蛍光体層を形成するのが好ましい。例えば、前記「CsBr:Eu」からなる蛍光体層であれば、蛍光体成分の材料として臭化セシウム(CsBr)を、付活剤成分の材料として臭化ユーロピウム(EuBr(xは、通常、2〜3だが2が好ましい))を用い、それぞれを別々に加熱蒸発させる真空蒸着により、蛍光体層を形成するのが好ましい。
真空蒸着における加熱方法にも、特に限定はなく、例えば、電子銃等を用いる電子線加熱、または、抵抗加熱で形成すればよい。さらに、多元の真空蒸着による形成する場合には、全ての材料を同様の同じ加熱手段(例えば、電子線加熱)で加熱蒸発してもよく、あるいは、蛍光体成分の材料は電子線加熱で、微量である付活剤成分の材料は抵抗加熱で、それぞれ加熱蒸発して形成してもよい。
In the method for producing a conversion panel of the present invention, the phosphor layer composed of such a stimulable phosphor is formed on the surface of the substrate as described above on various gases such as vacuum deposition, sputtering, and CVD (Chemical Vapor Deposition). It is formed by a phase deposition method (vapor phase film formation method / vacuum film formation method).
Among these, vacuum deposition is preferably used in terms of productivity, formation speed, and the like. In particular, the phosphor layer is preferably formed by multi-source vacuum evaporation in which the phosphor component material and the activator (activator) component material are separately heated and evaporated. For example, in the case of a phosphor layer made of “CsBr: Eu”, cesium bromide (CsBr) is used as the material of the phosphor component, and europium bromide (EuBr x (x is usually the same) as the material of the activator component. 2 to 3 but 2 is preferred)), and the phosphor layer is preferably formed by vacuum deposition in which each is heated and evaporated separately.
There is no particular limitation on the heating method in vacuum vapor deposition, and for example, it may be formed by electron beam heating using an electron gun or the like, or resistance heating. Furthermore, in the case of forming by multi-source vacuum deposition, all materials may be heated and evaporated by the same heating means (for example, electron beam heating), or the phosphor component material is heated by electron beam, A small amount of the activator component material may be formed by resistance heating and heat evaporation.

蛍光体層の形成条件(成膜条件)にも、特に限定はなく、用いる気相堆積法の種類、使用する成膜材料、加熱手段等に応じて、適宜、決定すればよい。
また、蛍光体層の形成中に、基板の加熱等によって、基板および形成した蛍光体層を300℃以下、好ましくは200℃以下で加熱してもよい。なお、基板の加熱は、一例として、真空蒸着装置等の蛍光体層の形成装置において、基板を保持する基板ホルダに加熱手段を設ける手段等、公知の方法によればよい。
There are no particular limitations on the conditions for forming the phosphor layer (film formation conditions), and the conditions may be appropriately determined according to the type of vapor deposition method used, the film formation material used, the heating means, and the like.
Further, during the formation of the phosphor layer, the substrate and the formed phosphor layer may be heated at 300 ° C. or less, preferably 200 ° C. or less, by heating the substrate or the like. The substrate may be heated by a known method such as a means for providing a heating means on a substrate holder for holding the substrate in a phosphor layer forming apparatus such as a vacuum vapor deposition apparatus.

ここで、本発明の変換パネルの製造方法においては、前述した各種の輝尽性蛍光体、特にアルカリハライド系輝尽性蛍光体、中でも特にCsBr:Euからなる蛍光体層を真空蒸着によって形成する場合には、一旦、系内を高い真空度に排気した後、アルゴンガスや窒素ガス等を系内に導入して、0.01〜3Pa程度の中真空度とし、この中真空下で抵抗加熱等によって成膜材料を加熱する、中注真空での真空蒸着を行うのが好ましい。
CsBr:Eu等のアルカリハライド系の蛍光体層は、柱状結晶構造を有するが、このような中真空での真空蒸着で得られる蛍光体層は、特に良好な柱状の結晶構造を有し、輝尽発光特性や画像の鮮鋭性等の点で好ましい。
また、このような中真空下での真空蒸着で形成したアルカリハライド系の蛍光体層、特にCsBr:Euからなる蛍光体層は、後述する本発明に特有の冷却方法による輝尽発光特性の向上効果が大きく、この点でも、好ましい。
Here, in the method for producing a conversion panel of the present invention, the above-mentioned various photostimulable phosphors, particularly alkali halide photostimulable phosphors, in particular, a phosphor layer made of CsBr: Eu is formed by vacuum deposition. In this case, once the system is evacuated to a high degree of vacuum, argon gas, nitrogen gas or the like is introduced into the system to obtain a medium vacuum degree of about 0.01 to 3 Pa. It is preferable to perform vacuum vapor deposition with medium injection vacuum, in which the film forming material is heated by, for example.
Alkali halide phosphor layers such as CsBr: Eu have a columnar crystal structure, but such a phosphor layer obtained by vacuum deposition under medium vacuum has a particularly good columnar crystal structure, It is preferable in terms of exhaust light emission characteristics and image sharpness.
In addition, an alkali halide phosphor layer formed by vacuum deposition under such a medium vacuum, particularly a phosphor layer made of CsBr: Eu, has improved photostimulated luminescence characteristics by a cooling method unique to the present invention described later. The effect is great and this is also preferable.

蛍光体層の成膜速度には、特に限定はなく、輝尽性蛍光体の種類、成膜方法、成膜装置の性能等に応じて、適宜、決定すればよい。
さらに、蛍光体層の厚さにも、特に限定はなく、変換パネルの用途や輝尽性蛍光体の種類等に応じて、充分な輝尽発光特性を得られる層厚を、適宜、決定すればよいが、好ましくは、50〜1500μm、特に200〜1000μm程度である。
The film forming speed of the phosphor layer is not particularly limited, and may be appropriately determined according to the type of stimulable phosphor, the film forming method, the performance of the film forming apparatus, and the like.
Furthermore, there is no particular limitation on the thickness of the phosphor layer, and the layer thickness capable of obtaining sufficient photostimulable luminescent properties is appropriately determined according to the use of the conversion panel, the type of stimulable phosphor, and the like. However, it is preferably 50 to 1500 μm, particularly about 200 to 1000 μm.

前述のように、このような気相堆積法で蛍光体層を形成した直後には、蛍光体層は200℃前後の高温となっている。
本発明の蛍光体シートの製造方法においては、このようにして基板の表面に気相堆積法によって蛍光体層を形成した後に、形成された輝尽性蛍光体層の温度が70〜150℃の範囲において前記輝尽性蛍光体層の冷却速度を変更する過程を有し、冷却速度を変更する前は平均冷却速度0.5〜5℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行い、変更後は平均冷却速度0.01〜1℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行う。
As described above, immediately after the phosphor layer is formed by such a vapor deposition method, the phosphor layer is at a high temperature of about 200 ° C.
In the method for producing the phosphor sheet of the present invention, after the phosphor layer is formed on the surface of the substrate by the vapor deposition method, the temperature of the photostimulable phosphor layer formed is 70 to 150 ° C. A process of changing the cooling rate of the photostimulable phosphor layer in a range, and before the cooling rate is changed, the photostimulable phosphor layer is cooled at an average cooling rate of 0.5 to 5 ° C./min. After the change, the photostimulable phosphor layer is cooled at an average cooling rate of 0.01 to 1 ° C./min.

前述の特許文献1には、蛍光体層を形成した後に、基板(すなわち蛍光体層)を徐々に冷却することにより、基板との密着性が高く、亀裂等の無い好適な蛍光体層を有する変換パネルを製造することが開示されている。
また、本発明者は、検討の結果、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後の冷却は、蛍光体層の密着性や亀裂等の性状のみならず、PSL感度などの輝尽発光特性にも影響を与えることを見出した。この点について本発明者は、さらに検討を重ねた結果、冷却中の雰囲気が輝尽発光特性に大きな影響を与え、酸素の存在下にて冷却を行うことにより、PSL感度等の輝尽発光特性が良好な蛍光体層を有する変換パネルが得られることを見出して、この知見を基にした蛍光体シートの製造方法を、特願2005−319666号「放射線像変換パネルの製造方法」により提案している。
In the above-mentioned Patent Document 1, after forming the phosphor layer, the substrate (that is, the phosphor layer) is gradually cooled to have a suitable phosphor layer having high adhesion to the substrate and free from cracks. Manufacturing a conversion panel is disclosed.
In addition, as a result of the study, the inventor has determined that cooling after forming the phosphor layer by vapor deposition is not limited to properties such as adhesion and cracking of the phosphor layer but also stimulated emission characteristics such as PSL sensitivity. I also found that it has an impact. As a result of further studies on this point, the inventor has further studied the photostimulated luminescence properties such as PSL sensitivity by cooling in the presence of oxygen because the atmosphere under cooling has a great influence on the photostimulated luminescence properties. Found that a conversion panel having a good phosphor layer can be obtained, and proposed a method for manufacturing a phosphor sheet based on this knowledge in Japanese Patent Application No. 2005-319666 “Method for manufacturing radiation image conversion panel”. ing.

また、本発明者は、気相堆積法によって蛍光体層を形成した後の冷却条件についてさらに検討を行った結果、この冷却条件を前述のような、2段階の冷却速度を有するものに改めることにより、後工程において別装置により熱処理を行うことなしに、PSL感度等の輝尽発光特性に優れた輝尽性蛍光体層を有する放射線像変換パネルを製造することができることを見出したのである。なお、上述の2段階の冷却速度を切り換えるタイミングは、前述のように、形成された輝尽性蛍光体層の温度が70〜150℃の範囲とするのがよいことも見出している。   In addition, as a result of further examination of the cooling conditions after forming the phosphor layer by the vapor deposition method, the present inventor changed the cooling conditions to those having the two-stage cooling rate as described above. Thus, it has been found that a radiation image conversion panel having a photostimulable phosphor layer having excellent photostimulable luminescence properties such as PSL sensitivity can be produced without performing heat treatment by a separate apparatus in a subsequent process. It has also been found that the timing for switching the two-stage cooling rate described above is preferably in the range of 70 to 150 ° C. of the photostimulable phosphor layer formed as described above.

また、上述の2段階の冷却速度切り換えを行う(実際には、冷却速度を、ある速度からこれより一段遅い速度に切り換える)方法としては、
(1)蛍光体層の保管雰囲気を、冷却速度を変更する前は大気圧にしておき、冷却速度を変更した後は1.0×10−4〜1.0×10Paに変更することで行う方法
(2)上記方法を真空蒸着槽内で行う方法
(3)蛍光体層を加熱することで行う方法
(4)上記加熱を蛍光体層を支持する支持体の裏側から加熱することで行う方法
等、種々の方法を用いることが可能であることも見出している。
In addition, as a method of performing the above-described two-stage cooling speed switching (actually, the cooling speed is switched from a certain speed to a speed one step slower than this)
(1) The storage atmosphere of the phosphor layer should be set to atmospheric pressure before changing the cooling rate, and changed to 1.0 × 10 −4 to 1.0 × 10 2 Pa after changing the cooling rate. (2) Method of performing the above method in a vacuum vapor deposition tank (3) Method of performing heating by heating the phosphor layer (4) Heating from the back side of the support that supports the phosphor layer It has also been found that various methods can be used, such as a method of performing.

また、特に、上述の冷却速度を切り換える前の段階(すなわち、2段階の速度のうちでは、少し速い方の速度)においては、真空蒸着槽内の酸素分圧を0%<O<30%とすること、さらに、相対湿度を5〜50%とすることも好ましいことを見出している。
なお、これらの酸素分圧並びに相対湿度条件は、2段階の冷却速度切り換えを行うという本発明の主要な特徴に対して、その効果をさらに高めるために有効なものであり、必須な要件ではない。
In particular, in the stage before switching the cooling rate (that is, the slightly faster speed of the two stages), the oxygen partial pressure in the vacuum deposition tank is set to 0% <O 2 <30%. Furthermore, it has been found that the relative humidity is preferably 5 to 50%.
Note that these oxygen partial pressure and relative humidity conditions are effective in order to further enhance the effect on the main feature of the present invention of switching the cooling rate in two stages, and are not essential requirements. .

冷却時には、上記真空度中であれば、酸素が少量でも存在すれば、不活性雰囲気などの全く酸素が無い状態に比して、より好適な輝尽発光特性を得ることができる。他方、冷却時における酸素分圧が30%超では、逆に、酸素が蛍光体層に悪影響を与える可能性があり、また、成膜後の高温の成膜系内に多量の酸素を導入することとなり、装置耐久性、安全性の点でも好ましくない。
より良好な輝尽発光特性が得られる等の点で、酸素分圧は、10%≦O<25%が好ましく、特に、15%<O≦21%が好ましい。
At the time of cooling, if the degree of vacuum is in the above range, more preferable photostimulable light emission characteristics can be obtained if even a small amount of oxygen is present as compared to a state where there is no oxygen such as an inert atmosphere. On the other hand, if the oxygen partial pressure during cooling is more than 30%, oxygen may adversely affect the phosphor layer, and a large amount of oxygen is introduced into the high-temperature film-forming system after film formation. That is, it is not preferable in terms of device durability and safety.
The oxygen partial pressure is preferably 10% ≦ O 2 <25%, more preferably 15% <O 2 ≦ 21%, in view of obtaining better stimulated emission characteristics.

また、同様の理由で、真空度は10Pa〜大気圧が好ましい。なお、真空度が1Pa以下では、好適な輝尽発光特性を蛍光体層にもたらすのに充分な酸素を供給できず、逆に真空度(ガス圧)を大気圧以上とするのは、安全性や生産性等の点で好ましくないため、真空度は、1Pa〜大気圧とするのがよい。
さらに、前記雰囲気の相対湿度に関しては、より好適な輝尽発光特性を得るためには、上記雰囲気温度における相対湿度にして、30〜80%の範囲内で、適宜、設定するのが好ましい。適切な湿度が好ましい理由は、雰囲気中の水分から供給される酸素が、蛍光体の結晶構造に影響を与えるからと考えられる。冷却雰囲気の相対湿度が30%未満では、水分の影響による効果を十分に得ることができない場合があり、相対湿度が80%を超えると、水分によって蛍光体層が劣化してしまう可能性がある。前記雰囲気の相対湿度は、より好ましくは50〜60%の範囲内で、適宜、設定する。
For the same reason, the degree of vacuum is preferably 10 Pa to atmospheric pressure. If the degree of vacuum is 1 Pa or less, sufficient oxygen cannot be supplied to provide the phosphor layer with suitable stimulated emission characteristics, and conversely, the degree of vacuum (gas pressure) is not less than atmospheric pressure. Therefore, the degree of vacuum is preferably 1 Pa to atmospheric pressure.
Further, the relative humidity of the atmosphere is preferably set appropriately within the range of 30 to 80% as the relative humidity at the ambient temperature in order to obtain more suitable photostimulated luminescence characteristics. The reason why an appropriate humidity is preferable is considered that oxygen supplied from moisture in the atmosphere affects the crystal structure of the phosphor. If the relative humidity of the cooling atmosphere is less than 30%, the effect due to the influence of moisture may not be sufficiently obtained. If the relative humidity exceeds 80%, the phosphor layer may be deteriorated by moisture. . More preferably, the relative humidity of the atmosphere is set within a range of 50 to 60%.

なお、蛍光体層の形成後、系内をこのような雰囲気にする方法としては、蛍光体層の形成を終了した真空チャンバ内に空気を導入し、目的とする真空度あるいはさらに大気圧まで戻す(大気開放)する方法、同真空チャンバ内に上記酸素分圧となるように窒素やヘリウムなどの不活性ガスと酸素とを混合した混合気を導入する方法等が例示される。   In addition, after forming the phosphor layer, as a method of bringing the system into such an atmosphere, air is introduced into the vacuum chamber in which the phosphor layer has been formed, and the target vacuum degree or even atmospheric pressure is restored. Examples include a method of (releasing to the atmosphere) and a method of introducing an air-fuel mixture in which an inert gas such as nitrogen or helium and oxygen is introduced into the vacuum chamber so as to achieve the oxygen partial pressure.

本発明の変換パネルの製造では、より好適な輝尽発光特性を得るために、蛍光体層の形成後に2段階の冷却速度により冷却処理を行う。ここで、第1段階の冷却速度0.5℃/min未満になると、蛍光体層が高温となっている時間が長すぎて、不適正に加熱処理された状態(過加熱状態)になって、PSL感度等の輝尽発光特性が低下してしまう可能性がある。また、冷却時間が冗長になり、生産性や作業性の点でも、不利である。逆に、冷却速度が5℃/minを超えると、冷却速度が早すぎ、熱膨張した蛍光体層と基板との収縮速度の差等に応じて、基板と蛍光体層との密着力の低下、蛍光体層に亀裂が生じる等の可能性が高くなってしまい、好ましくない。   In the production of the conversion panel of the present invention, in order to obtain more preferable photostimulated luminescence characteristics, a cooling process is performed at a two-stage cooling rate after the phosphor layer is formed. Here, when the cooling rate of the first stage is less than 0.5 ° C./min, the time during which the phosphor layer is at a high temperature is too long, and the heat treatment is inappropriately performed (overheated state). There is a possibility that the photostimulable light emission characteristics such as PSL sensitivity may be deteriorated. Further, the cooling time becomes redundant, which is disadvantageous in terms of productivity and workability. On the other hand, when the cooling rate exceeds 5 ° C./min, the cooling rate is too fast, and the adhesion force between the substrate and the phosphor layer decreases depending on the difference in the shrinkage rate between the thermally expanded phosphor layer and the substrate. The possibility of cracking in the phosphor layer is increased, which is not preferable.

このような点を考慮すると、第1段階の冷却速度は、0.5〜5℃/minとするのが好ましい。また、第2段階の冷却速度は、第1段階の冷却速度より遅い、0.01〜1℃/minとするのが好ましい。この第2段階の冷却は、冷却後における(従来は、別工程として行われていた)加熱処理と同様の効果(PSL感度等の輝尽発光特性の向上)をもたらすと考えられる。
また、冷却速度のコントロールは、冷却手段/加熱手段を用いる方法、基板を保持する基板ホルダの熱容量を選択する方法、基板ホルダが加熱手段を有する場合には基板ホルダ(あるいは、基板ホルダに設けられた基板への熱伝導手段)と基板との密着力を調整する方法(好ましくは、蛍光体層の形成後に調整)、さらにはチャンバ内の圧力調整等、装置構成等に応じて、各種の公知の方法で行えばよい。
Considering such points, the cooling rate in the first stage is preferably 0.5 to 5 ° C./min. The cooling rate in the second stage is preferably 0.01 to 1 ° C./min, which is slower than the cooling rate in the first stage. This second stage of cooling is considered to bring about the same effect (improvement of the photostimulable light emission characteristics such as PSL sensitivity) after the cooling (conventionally performed as a separate process).
The cooling rate can be controlled by a method using a cooling means / heating means, a method for selecting a heat capacity of a substrate holder for holding a substrate, or a substrate holder (or provided on the substrate holder when the substrate holder has a heating means). The heat conduction means to the substrate) and the method for adjusting the adhesion between the substrate (preferably after the formation of the phosphor layer), and the pressure in the chamber, etc. It is sufficient to do this.

また、成膜系内から変換パネルを取り出す温度、すなわち、冷却を終了する温度にも、特に限定はないが、好ましくは、蛍光体層(すなわち基板)の温度が150℃以下となったら、冷却を終了したとして、成膜系内から変換パネルを取り出すのが好ましい。
蛍光体層の温度が150℃超の状態で蛍光体パネルと取り出すと、系内から取り出した後の大気中における冷却速度が早く、先の冷却速度が10℃/minを超えた場合と同様の理由で好ましくなく、また、安全性や基板の耐久性等の点でも、不利である。
このような点を考慮すると、蛍光体層が100℃以下となった後に、成膜系内から変換パネルを取り出すのが、より好ましい。
Further, the temperature at which the conversion panel is taken out from the film forming system, that is, the temperature at which the cooling is finished is not particularly limited. It is preferable to take out the conversion panel from the film forming system.
When the phosphor layer is taken out in a state where the temperature of the phosphor layer exceeds 150 ° C., the cooling rate in the air after taking out from the system is high, and the same as when the previous cooling rate exceeds 10 ° C./min. It is not preferable for the reason, and it is disadvantageous in terms of safety and durability of the substrate.
Considering such points, it is more preferable to take out the conversion panel from the film forming system after the phosphor layer becomes 100 ° C. or lower.

本発明において、このような蛍光体層の冷却は、蛍光体層を形成した後、そのまま成膜装置から基板(すなわち変換パネル)から取り出すことなく、真空蒸着装置の真空チャンバ内等、蛍光体層の形成系内(成膜系内)で行うのが好ましい。
しかしながら、本発明は、これに限定はされず、蛍光体層の後、系内から蛍光体層を形成した変換パネルを取り出し、別途設けた冷却系内で、同様の冷却を行ってもよい。
In the present invention, the phosphor layer is cooled in such a manner that the phosphor layer is formed in the vacuum chamber of the vacuum vapor deposition apparatus without being taken out of the substrate (that is, the conversion panel) as it is after the phosphor layer is formed. It is preferable to carry out in the forming system (inside the film forming system).
However, the present invention is not limited to this, and after the phosphor layer, the conversion panel on which the phosphor layer is formed may be taken out from the system, and similar cooling may be performed in a separately provided cooling system.

本発明の変換パネルの製造方法においては、このようにして気相堆積法によって蛍光体層を形成し、冷却を終了したら、蛍光体層の吸湿を防止するために、蛍光体層を防湿性の保護膜で覆って、封止してもよい。   In the manufacturing method of the conversion panel of the present invention, after the phosphor layer is formed by the vapor deposition method in this way and cooling is completed, the phosphor layer is made moisture-proof in order to prevent moisture absorption of the phosphor layer. It may be covered with a protective film and sealed.

以上、本発明の放射線像変換パネルの製造方法について詳細に説明したが、本発明は上述の例に限定はされず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行ってもよいことは、いうまでもない。   As mentioned above, although the manufacturing method of the radiation image conversion panel of this invention was demonstrated in detail, this invention is not limited to the above-mentioned example, Even if various improvement and change are performed in the range which does not deviate from the meaning of this invention. It goes without saying that it is good.

以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をより詳細に説明する。なお、本発明は、以下の実施例に限定されないことはいうまでもない。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to specific examples of the present invention. In addition, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to a following example.

[実施例1]
付活剤成分の材料(付活剤成分の成膜材料)として臭化ユーロピウムを、蛍光体成分の材料(蛍光体成分の成膜材料)として臭化セシウムを、それぞれ用いる二元の真空蒸着によって、基板の表面にCsBr:Euからなる(輝尽性)蛍光体層を形成した。なお、両材料共に、加熱は、タンタル製のルツボと出力6kWのDC電源とを用いる抵抗加熱装置で行った。
真空蒸着装置の基板ホルダに、面積450×450mmのアルミニウム製の基板をセットし、また、所定位置に各材料をセットした。なお、基板は、成膜領域が基板中央の430×430mmの領域となるようにマスキングして、500W/60秒間の条件でプラズマ洗浄した後に、基板ホルダにセットした。また、基板ホルダは、加熱ヒータ、および加熱ヒータの熱を伝導する熱伝導シートを有するものであり、基板は、裏面(蛍光体層の非形成面)を全面的に熱伝導シートに密着(押圧)して、固定される。
[Example 1]
By dual vacuum deposition using europium bromide as the activator component material (activator component film forming material) and cesium bromide as the phosphor component material (phosphor component film forming material), respectively. A phosphor layer made of CsBr: Eu (stimulable) was formed on the surface of the substrate. Both materials were heated by a resistance heating apparatus using a tantalum crucible and a 6 kW DC power source.
An aluminum substrate having an area of 450 × 450 mm was set on the substrate holder of the vacuum evaporation apparatus, and each material was set at a predetermined position. The substrate was masked so that the film formation region was a 430 × 430 mm region in the center of the substrate, was plasma-cleaned under conditions of 500 W / 60 seconds, and then set on the substrate holder. The substrate holder has a heater and a heat conductive sheet that conducts the heat of the heater, and the substrate has the back surface (the surface on which the phosphor layer is not formed) closely adhered (pressed) to the heat conductive sheet. ) And fixed.

基板を基板ホルダにセットした後、真空チャンバを閉塞し、排気を開始した。排気は、ディフュージョンポンプおよびクライオコイルを用いた。
真空度が8×10−4Paとなった時点で、排気を継続しつつ真空チャンバ内にアルゴンガスを導入して、真空チャンバ内の真空度を1.5Paとした。
次いで、DC電源を駆動して、臭化セシウムを充填したルツボに通電して成膜材料(臭化セシウム)を加熱し、60分後、臭化セシウムを充填したルツボに対応するシャッタを開放して、1層目の形成(臭化セシウムの成膜)を開始した。なお、蒸着速度は10μm/minに制御した。
1層目(臭化セシウム)の層厚が50μmとなった時点で、シャッタを閉塞して、成膜を中断した(1層目の成膜終了)。
次いで、加熱ヒータに通電して基板を加熱し、かつ、真空チャンバ内の真空度が1.0Paとなるように、アルゴンガスの流量を調整した。
基板温度が160℃になった時点で、臭化セシウムを充填したルツボに加え、臭化ユーロピウムを充填したルツボにも通電して、60分後、成膜材料を収容する全てのルツボに対応するシャッタを開放して、2層目の形成(輝尽性蛍光体の成膜)を開始した。なお、臭化ユーロピウムの蒸発量は、輝尽性蛍光体層におけるEu/Csのモル濃度比が0.003:1となるように制御した。
After setting the substrate on the substrate holder, the vacuum chamber was closed and evacuation was started. For the exhaust, a diffusion pump and a cryocoil were used.
When the degree of vacuum reached 8 × 10 −4 Pa, argon gas was introduced into the vacuum chamber while continuing evacuation, so that the degree of vacuum in the vacuum chamber was 1.5 Pa.
Next, the DC power source is driven, the crucible filled with cesium bromide is energized to heat the film forming material (cesium bromide), and after 60 minutes, the shutter corresponding to the crucible filled with cesium bromide is opened. Then, formation of the first layer (deposition of cesium bromide) was started. The vapor deposition rate was controlled at 10 μm / min.
When the thickness of the first layer (cesium bromide) reached 50 μm, the shutter was closed and the film formation was interrupted (the film formation for the first layer was completed).
Next, the heater was energized to heat the substrate, and the flow rate of argon gas was adjusted so that the degree of vacuum in the vacuum chamber was 1.0 Pa.
When the substrate temperature reaches 160 ° C., the crucible filled with europium bromide is energized in addition to the crucible filled with cesium bromide, and after 60 minutes, all the crucibles containing film-forming materials are supported. The shutter was opened, and formation of the second layer (film formation of photostimulable phosphor) was started. The evaporation amount of europium bromide was controlled so that the molar concentration ratio of Eu / Cs in the photostimulable phosphor layer was 0.003: 1.

1層目および2層目の合計の層厚が約710μmとなった時点で、DC電源を停止してルツボへの通電、および基板を加熱する加熱ヒータへの通電を停止し、蛍光体層の形成を終了した。蛍光体層の形成終了時(蒸着終了時)の基板すなわち蛍光体層の温度は、約200℃であった。
次いで、真空チャンバ内が大気圧となるまで乾燥した空気(酸素分圧:21%)を導入して、基板の温度が130℃となるまで冷却した。冷却速度は1.7℃/minであった。
基板の温度が130℃になった時点で、再度、真空チャンバ内を排気し、真空に保ったまま、室温まで冷却した。冷却速度は0.2℃/minであった。
When the total layer thickness of the first layer and the second layer reaches about 710 μm, the DC power supply is stopped, the energization to the crucible and the energization to the heater for heating the substrate are stopped, and the phosphor layer Finished formation. The temperature of the substrate, that is, the phosphor layer at the end of formation of the phosphor layer (at the end of vapor deposition) was about 200 ° C.
Next, dry air (oxygen partial pressure: 21%) was introduced until the pressure in the vacuum chamber reached atmospheric pressure, and the substrate was cooled to 130 ° C. The cooling rate was 1.7 ° C./min.
When the temperature of the substrate reached 130 ° C., the inside of the vacuum chamber was again evacuated and cooled to room temperature while maintaining the vacuum. The cooling rate was 0.2 ° C./min.

次いで、冷却を終了した基板を、従来と同様の方法により加工し、(放射線像)変換パネルを作製した。   Next, the cooled substrate was processed by the same method as the conventional method to produce a (radiation image) conversion panel.

[実施例2]
実施例1と同様にして、蛍光体層を形成した後、基板の温度が約200℃の状態で真空蒸着槽内が大気圧となるまで乾燥した空気(酸素分圧:21%)を導入して、130℃まで冷却した。冷却速度は1.7℃/minであった。
基板の温度が130℃となった時点で、大気圧のまま、再度、加熱ヒータへの通電を開始し、この通電を制御することにより、冷却速度0.2℃/minで室温まで冷却した。
次いで、実施例1と全く同様にして、(放射線像)変換パネルを作製した。
[Example 2]
In the same manner as in Example 1, after forming the phosphor layer, dry air (oxygen partial pressure: 21%) was introduced until the substrate temperature was about 200 ° C. until the inside of the vacuum deposition tank reached atmospheric pressure. And cooled to 130 ° C. The cooling rate was 1.7 ° C./min.
When the temperature of the substrate reached 130 ° C., energization of the heater was started again at atmospheric pressure, and this energization was controlled to cool to room temperature at a cooling rate of 0.2 ° C./min.
Next, a (radiation image) conversion panel was produced in exactly the same manner as in Example 1.

[比較例1]
実施例1と同様にして蛍光体層を形成した後、基板の温度が約200℃の状態で、真空蒸着槽内が大気圧となるまで乾燥した空気(酸素分圧:21%)を導入して、100℃まで冷却した。冷却速度は1.7℃/minであった。
100℃になった時点で基板を基板ホルダから取り外して真空チャンバから取り出し、ステンレス製の編み目棚に載せ、大気中で、室温まで冷却した。冷却速度は1.2℃/minであった。
次いで、実施例1と全く同様にして、(放射線像)変換パネルを作製した。
[Comparative Example 1]
After forming the phosphor layer in the same manner as in Example 1, air (oxygen partial pressure: 21%) was introduced until the substrate temperature was about 200 ° C. until the inside of the vacuum deposition tank reached atmospheric pressure. And cooled to 100 ° C. The cooling rate was 1.7 ° C./min.
When the temperature reached 100 ° C., the substrate was removed from the substrate holder, removed from the vacuum chamber, placed on a stainless steel stitch rack, and cooled to room temperature in the atmosphere. The cooling rate was 1.2 ° C./min.
Next, a (radiation image) conversion panel was produced in exactly the same manner as in Example 1.

[比較例2]
比較例1で得た、蛍光体層の形成を終了し室温まで冷却された基板を、窒素雰囲気下で、温度180℃に加熱したホットプレート上でアルミニウム製のカバーをして、1時間熱処理を行った。自然冷却後、実施例1と全く同様にして、(放射線像)変換パネルを作製した。
[Comparative Example 2]
The substrate obtained in Comparative Example 1 after the formation of the phosphor layer and cooled to room temperature was covered with an aluminum cover on a hot plate heated to a temperature of 180 ° C. in a nitrogen atmosphere, and heat-treated for 1 hour. went. After natural cooling, a (radiation image) conversion panel was produced in exactly the same manner as in Example 1.

上述のようにして作製した各変換パネルについて、PSL感度(輝尽発光量(Photostimulated Luminescence))、および、蛍光体層の密着性(膜密着)を評価した。評価方法は、以下の通りである。   Each conversion panel produced as described above was evaluated for PSL sensitivity (Photostimulated Luminescence) and phosphor layer adhesion (film adhesion). The evaluation method is as follows.

[PSL感度]
変換パネルを遮光性のカセッテに収容して、管電圧80kVpのX線を約1mR照射した。X線照射後、暗室でカセッテから変換パネルを取り出し、He−Neレーザ光(波長633nm:10mW)を励起光として蛍光体層に照射し、蛍光体層が発する輝尽発光光を測定した。なお、輝尽発光光の測定は、励起光カットフィルタ(HOYA(株)製 B410)を通して励起光と輝尽発光光とを分離して、光電子増倍管を用いて輝尽発光光を測定することで行った。
[PSL sensitivity]
The conversion panel was housed in a light-shielding cassette and irradiated with about 1 mR of X-rays having a tube voltage of 80 kVp. After the X-ray irradiation, the conversion panel was taken out from the cassette in a dark room, and the phosphor layer was irradiated with He—Ne laser light (wavelength 633 nm: 10 mW) as excitation light, and stimulated emission light emitted from the phosphor layer was measured. The stimulated emission light is measured by separating the excitation light and the stimulated emission light through an excitation light cut filter (B410 manufactured by HOYA) and measuring the stimulated emission light using a photomultiplier tube. I went there.

PSLの評価は、実施例1の結果を100として、
90以上を◎;
80以上90未満を○;
60以上80未満を△;
60未満を×:
とする相対評価で行った。
The evaluation of PSL is based on the result of Example 1 being 100.
90 or more ◎;
80 or more and less than 90 ○;
60 or more and less than 80 △;
Less than 60 x:
The relative evaluation was as follows.

[膜密着]
形成した蛍光体層に剥離が認められるものを×;
蛍光体層に剥離は認められないが、蛍光体層に3cm四方の「井」の字を書いた時に剥離が発生するものを△;
蛍光体層に3cm四方の「井」の字を書いても剥離は認められないが、この「井」の字にガムテープを貼着して、垂直方向に引っ張った際に剥離したものを○;
以上の全てで蛍光体層が剥離しないものを◎;
と評価した。
[Membrane adhesion]
X indicates that the formed phosphor layer is exfoliated;
Peeling is not observed in the phosphor layer, but Δ3 indicates that peeling occurs when a 3 cm square “well” is written on the phosphor layer.
Even if a 3 cm square “I” character is written on the phosphor layer, no peeling is observed, but when the “I” character is pasted with a gum tape and pulled in the vertical direction, ○
In all of the above, the phosphor layer does not peel off.
It was evaluated.

以上の結果を下記の表1に示す。なお、表1中では、冷却速度の変更前を「前半」、変更後を「後半」と略記している。

Figure 2007322156
The above results are shown in Table 1 below. In Table 1, “before the change of the cooling rate” is abbreviated as “first half”, and after the change is abbreviated as “second half”.
Figure 2007322156

表1に示されるように、蛍光体層の形成後、冷却速度を十分に変化させない(遅くしない)で冷却を行った比較例1では、PSL感度が低く、好適な変換パネルということはできない。
これに対し、冷却速度をはっきり低下させた実施例の製造方法によれば、PSL感度および膜密着が共に好適な変換パネルが得られる。
なお、比較例1の変換パネルについては、冷却後、追加工程として熱処理を行った結果(比較例2)では、かなりのPSL感度上昇が認められたが、実施例の変換パネルの性能には及ばなかった。
As shown in Table 1, PSL sensitivity is low in Comparative Example 1 in which cooling is performed without sufficiently changing (not slowing) the cooling rate after the phosphor layer is formed, and it cannot be a suitable conversion panel.
On the other hand, according to the manufacturing method of the embodiment in which the cooling rate is clearly reduced, a conversion panel suitable for both PSL sensitivity and film adhesion can be obtained.
In addition, about the conversion panel of the comparative example 1, in the result (comparative example 2) which heat-processed as an additional process after cooling, the considerable PSL sensitivity rise was recognized, However, It reached the performance of the conversion panel of an Example. There wasn't.

以上の結果より、本発明の効果は明らかである。   From the above results, the effects of the present invention are clear.

なお、上述の実施形態並びに実施例は本発明の一例を示すものであり、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において任意の変更・改良を行ってよいことはいうまでもない。   It should be noted that the above-described embodiments and examples show examples of the present invention, and the present invention is not limited to these, and arbitrary modifications and improvements are made without departing from the spirit of the present invention. Needless to say, it is good.

Claims (8)

真空蒸着槽内で基板の表面に気相堆積法によって輝尽性蛍光体層を形成する放射線像変換パネルの製造方法であって、
前記気相堆積法による輝尽性蛍光体層の形成を終了した後、形成された輝尽性蛍光体層の温度が70〜150℃の範囲において前記輝尽性蛍光体層の冷却速度を変更する過程を含み、
冷却速度を変更する前は平均冷却速度0.5〜5℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行い、
冷却速度を変更した後は平均冷却速度0.01〜1℃/minで前記輝尽性蛍光体層の冷却を行う
ことを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。
A method for producing a radiation image conversion panel, wherein a photostimulable phosphor layer is formed on a surface of a substrate by a vapor deposition method in a vacuum evaporation tank,
After completing the formation of the photostimulable phosphor layer by the vapor deposition method, the cooling rate of the photostimulable phosphor layer is changed within the temperature range of 70 to 150 ° C. Including the process of
Before changing the cooling rate, the stimulable phosphor layer is cooled at an average cooling rate of 0.5 to 5 ° C./min,
After the cooling rate is changed, the stimulable phosphor layer is cooled at an average cooling rate of 0.01 to 1 ° C / min.
前記冷却速度を変更する過程を、前記輝尽性蛍光体層の保管雰囲気を、冷却速度を変更する前は大気圧にしておき、冷却速度を変更した後は1.0×10−4〜1.0×10Paに変更することで行う請求項1に記載の放射線像変換パネルの製造方法。 In the process of changing the cooling rate, the storage atmosphere of the photostimulable phosphor layer is set to atmospheric pressure before changing the cooling rate, and 1.0 × 10 −4 to 1 after changing the cooling rate. The manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 1 performed by changing to 0.0 * 10 < 2 > Pa. 前記冷却速度を変更する過程を、真空蒸着槽内で行う請求項1または2に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 1 or 2 which performs the process of changing the said cooling rate in a vacuum evaporation tank. 前記冷却速度を変更する過程を、前記形成された輝尽性蛍光体層を加熱することで行う請求項3に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for producing a radiation image conversion panel according to claim 3, wherein the process of changing the cooling rate is performed by heating the formed photostimulable phosphor layer. 前記冷却速度を変更する過程を、前記形成された輝尽性蛍光体層を支持する支持体の裏側からの加熱で行う請求項4に記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The manufacturing method of the radiation image conversion panel of Claim 4 which performs the process of changing the said cooling rate by the heating from the back side of the support body which supports the said photostimulable phosphor layer formed. 前記輝尽性蛍光体層が150℃以下となった後に、前記雰囲気の系内から放射線像変換パネルを取り出す請求項1〜5のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The manufacturing method of the radiation image conversion panel in any one of Claims 1-5 which take out a radiation image conversion panel from the inside of the system of the said atmosphere after the said stimulable fluorescent substance layer becomes 150 degrees C or less. 前記輝尽性蛍光体層の形成を、真空度が0.01〜3Paの真空蒸着で行う請求項1〜6のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法。   The method for producing a radiation image conversion panel according to any one of claims 1 to 6, wherein the photostimulable phosphor layer is formed by vacuum deposition with a vacuum degree of 0.01 to 3 Pa. 請求項1〜7のいずれかに記載の放射線像変換パネルの製造方法によって製造されたことを特徴とする放射線像変換パネル。   A radiation image conversion panel manufactured by the method for manufacturing a radiation image conversion panel according to claim 1.
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JP2021508775A (en) * 2017-12-20 2021-03-11 テックネティックス グループ, エルエルシーTechnetics Group, Llc Thin-film deposition systems with active temperature control and related methods

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