JP2007317484A - Plasma display panel, and method and device for manufacturing plasma display panel - Google Patents

Plasma display panel, and method and device for manufacturing plasma display panel Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma display panel with a lower discharge voltage, and to provide a method and device for manufacturing the plasma display panel. <P>SOLUTION: Since the main component of a protection film 14 formed on a PDP 100 contains SrO, CaO, and BaO, and the concentration of BaO in the protection film 14 is made 5 mol% or more and 25 mol% or less, discharge voltage of the PDP 100 can be a low voltage. Furthermore, since the forming process to sealing process of the protection film are carried out in vacuum atmosphere, moisture absorption of the protection film 14 can be effectively prevented. Thereby, a long lifetime of the PDP can be achieved. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関する。   The present invention relates to a plasma display panel, a plasma display panel manufacturing method, and a plasma display panel manufacturing apparatus.

プラズマディスプレイパネル(PDP)は、維持電極および走査電極が形成された前面基板と、アドレス電極および蛍光体が形成された背面基板とを備えている。両基板は周縁部に配置された封着材によって貼り合わされており、両基板の間には放電ガスが封入されている。各電極の間に電圧を印加すると、放電ガスがプラズマ化して紫外線が放射される。この紫外線が蛍光体に入射して蛍光体が励起され、可視光が放出されるようになっている。   A plasma display panel (PDP) includes a front substrate on which sustain electrodes and scan electrodes are formed, and a rear substrate on which address electrodes and phosphors are formed. Both substrates are bonded together by a sealing material disposed at the peripheral edge, and a discharge gas is sealed between the substrates. When a voltage is applied between the electrodes, the discharge gas is turned into plasma and ultraviolet rays are emitted. The ultraviolet rays are incident on the phosphor to excite the phosphor and emit visible light.

維持電極及び走査電極は誘電体層によって覆われており、誘電体層を覆うように保護膜が形成されている。この保護膜は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層を保護するものであり、一般的にはMgOによって形成された保護膜が知られている。近年では、MgOの他にSrO、CaO等のアルカリ土類金属の酸化物によって保護膜を形成するなど、種々の試みが行われている(例えば、特許文献1参照)。
特開2002−231129号公報
The sustain electrodes and the scan electrodes are covered with a dielectric layer, and a protective film is formed so as to cover the dielectric layer. This protective film protects the dielectric layer from cations generated by turning the discharge gas into plasma, and a protective film made of MgO is generally known. In recent years, various attempts have been made such as forming a protective film with an oxide of an alkaline earth metal such as SrO or CaO in addition to MgO (see, for example, Patent Document 1).
JP 2002-231129 A

PDPの放電時の電圧(放電電圧)は、保護膜の2次電子放出係数に依存することが知られている。すなわち、保護膜の2次電子放出係数が大きいほど(仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど)、放電電圧を低電圧化することが知られている。
放電電圧が高くなると、PDPの消費電力が増加する、保護膜の耐スパッタ性が低下して保護膜としての機能が低下する、PDPを駆動させるため従来のドライバ回路よりも高電圧対応のドライバ回路が必要となるためコストが高くなる、という問題がある。これに対して、電子放出特性に優れた保護膜を有する、放電電圧のより低いPDPが求められている。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、放電電圧のより低いプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供することにある。
It is known that the voltage (discharge voltage) at the time of discharging the PDP depends on the secondary electron emission coefficient of the protective film. That is, it is known that the discharge voltage is lowered as the secondary electron emission coefficient of the protective film is larger (as the work function is smaller and electrons are more likely to be emitted).
When the discharge voltage increases, the power consumption of the PDP increases, the sputter resistance of the protective film decreases and the function as the protective film decreases, and the driver circuit for higher voltage than the conventional driver circuit for driving the PDP There is a problem that the cost is increased because of the necessity of the above. On the other hand, there is a need for a PDP with a lower discharge voltage that has a protective film with excellent electron emission characteristics.
In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a plasma display panel having a lower discharge voltage, a method for manufacturing a plasma display panel, and an apparatus for manufacturing a plasma display panel.

本発明者らは、プラズマディスプレイパネルに形成される保護膜において、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が5mol%以上25mol%以下である場合に、放電電圧が低電圧化することを見出した。
そこで、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、第1基板と第2基板とが対向配置されると共に、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第1基板のうち前記第2基板との対向面上に設けられた第1電極と、前記第2基板のうち前記第1基板との対向面上に設けられた第2電極と、前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜とを具備し、前記保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、前記保護膜中の前記BaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることを特徴とする。
In the protective film formed on the plasma display panel, the present inventors include SrO, CaO, and BaO as main components, and the discharge voltage when the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less. Found that the voltage was lowered.
Therefore, in the plasma display panel according to the present invention, the first substrate and the second substrate are disposed to face each other, and the discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate. A plasma display panel comprising: a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; and a surface of the second substrate facing the first substrate. The second electrode and a protective film provided on at least one of the first electrode and the second electrode, the protective film containing SrO, CaO and BaO as a main component, The BaO concentration in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less.

具体的には、前記放電ガスが、Xeを10体積%以上含有することが好ましい。
プラズマディスプレイパネルに用いる放電ガスにおいては、Xeの濃度が高濃度、特に10体積%以上の場合に高輝度になることが知られている。一方で、Xeの濃度を10体積%以上にすると、放電電圧が上昇することが知られている。
Specifically, the discharge gas preferably contains 10% by volume or more of Xe.
It is known that in a discharge gas used for a plasma display panel, the brightness becomes high when the concentration of Xe is high, particularly 10% by volume or more. On the other hand, it is known that the discharge voltage increases when the concentration of Xe is 10% by volume or more.

これに対して、本発明によれば、保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることとし、放電ガスのXeを10体積%以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。   On the other hand, according to the present invention, the protective film contains SrO, CaO and BaO as main components, and the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less. Since Xe is 10% by volume or more, high luminance can be achieved while maintaining the discharge voltage at a low voltage.

本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第1電極が設けられた第1基板と第2電極が設けられた第2基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着工程とを具備し、前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うことを特徴とする。
本発明によれば、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
A method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention is a method for manufacturing a plasma display panel having a first substrate provided with a first electrode and a second substrate provided with a second electrode, the main component being SrO. A protective film forming step of forming a protective film containing CaO and BaO and having a BaO concentration of 5 mol% to 25 mol% on at least one of the first electrode and the second electrode; and A sealing step of bonding the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate after the forming step; The process from the forming step to the sealing step is performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower.
According to the present invention, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or less, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the protective film. . Thereby, the lifetime of a plasma display panel can be extended.

本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、第1基板に設けられた第1電極上及び第2基板に設けられた第2電極上のうち少なくとも一方に、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、前記保護膜形成部に接続され、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着部と、前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−60℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段とを具備することを特徴とする。   The plasma display panel manufacturing apparatus according to the present invention includes SrO, CaO, and BaO as main components on at least one of the first electrode provided on the first substrate and the second electrode provided on the second substrate. A protective film forming portion for forming a protective film containing a BaO concentration of 5 mol% or more and 25 mol% or less; a discharge gas connected between the first substrate and the second substrate; So that the first substrate and the second substrate are bonded together, and the protective film forming unit and the sealing unit are in a vacuum atmosphere or a dry atmosphere with a dew point of −60 ° C. or lower. And an adjusting means for adjusting the atmosphere of the protective film forming part and the sealing part.

本発明によれば、保護膜の形成から封着までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うことができるので、プラズマディスプレイパネルの内部を低湿度状態に維持することができる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。   According to the present invention, since the formation from the protective film to the sealing can be performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower, the inside of the plasma display panel can be maintained in a low humidity state. . Thereby, the lifetime of a plasma display panel can be extended.

本発明によれば、保護膜が主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が5mol%以上25mol%以下であることとしたので、放電電圧の低電圧化が可能となる。また、放電ガスのXeを10体積%以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。さらに、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となり、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。   According to the present invention, since the protective film contains SrO, CaO, and BaO as main components and the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less, the discharge voltage can be lowered. It becomes. In addition, since the Xe of the discharge gas is set to 10% by volume or more, high luminance can be achieved while maintaining the discharge voltage at a low voltage. Furthermore, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the protective film. Long life can be achieved.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(プラズマディスプレイパネル)
図1は、3電極AC型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。
プラズマディスプレイパネル(PDP)100は、背面基板(第1基板)1と前面基板(第2基板)2とが対向配置され、当該背面基板1と前面基板2との間に複数の放電室16を有する構成になっている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.
(Plasma display panel)
FIG. 1 is an exploded perspective view of a three-electrode AC type plasma display panel.
In a plasma display panel (PDP) 100, a back substrate (first substrate) 1 and a front substrate (second substrate) 2 are disposed to face each other, and a plurality of discharge chambers 16 are provided between the back substrate 1 and the front substrate 2. It is the composition which has.

背面基板1の内面(前面基板2との対向面)には、複数のアドレス電極(第1電極)11が所定の間隔でストライプ状に配置されている。この複数のアドレス電極11の表面上には、誘電体層19が設けられている。誘電体層19は、アドレス電極11上を含めた背面基板1の全面に設けられており、誘電体層19の表面は平坦になっている。   On the inner surface of the back substrate 1 (the surface facing the front substrate 2), a plurality of address electrodes (first electrodes) 11 are arranged in stripes at predetermined intervals. A dielectric layer 19 is provided on the surface of the plurality of address electrodes 11. The dielectric layer 19 is provided on the entire surface of the back substrate 1 including the address electrodes 11, and the surface of the dielectric layer 19 is flat.

誘電体層19の表面上のうち隣接するアドレス電極11の間の領域には、当該アドレス電極11の延在方向に沿って隔壁(リブ)15がそれぞれ設けられている。隣接する隔壁15間には、それぞれ誘電体層19の上面および隔壁15の側面を覆うように、赤色、緑色又は青色の蛍光を発光する蛍光体17が配置されている。   Partitions (ribs) 15 are provided in the region between adjacent address electrodes 11 on the surface of the dielectric layer 19 along the extending direction of the address electrodes 11. A phosphor 17 that emits red, green, or blue fluorescence is disposed between the adjacent barrier ribs 15 so as to cover the upper surface of the dielectric layer 19 and the side surfaces of the barrier ribs 15, respectively.

一方、前面基板2の内面(背面基板1との対向面)には、表示電極(第2電極)12を構成する走査電極12aと維持電極12bとが交互に所定の間隔でストライプ状に配置されている。表示電極12は、ITO等の透明導電性材料によって構成され、アドレス電極11と直交する方向に延在している。このアドレス電極11と表示電極12との交点が、PDP100の画素になっている。交点において、アドレス電極11と表示電極12との間の距離(放電ギャップ)は、80μm程度になっている。   On the other hand, on the inner surface of the front substrate 2 (the surface facing the rear substrate 1), the scanning electrodes 12a and the sustain electrodes 12b constituting the display electrode (second electrode) 12 are alternately arranged in stripes at predetermined intervals. ing. The display electrode 12 is made of a transparent conductive material such as ITO, and extends in a direction orthogonal to the address electrode 11. The intersection of the address electrode 11 and the display electrode 12 is a pixel of the PDP 100. At the intersection, the distance (discharge gap) between the address electrode 11 and the display electrode 12 is about 80 μm.

表示電極12上には、当該表示電極12及び前面基板2の内面を覆うように誘電体層13が形成されている。誘電体層13上には、当該誘電体層13を覆うように保護膜14が形成されている。保護膜14は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層13を保護するものであり、SrO、CaO及びBaOを含んでいる。   A dielectric layer 13 is formed on the display electrode 12 so as to cover the display electrode 12 and the inner surface of the front substrate 2. A protective film 14 is formed on the dielectric layer 13 so as to cover the dielectric layer 13. The protective film 14 protects the dielectric layer 13 from cations generated by turning the discharge gas into plasma, and contains SrO, CaO, and BaO.

保護膜14にSrOを含有させることで、MgOに比べて放電電圧が低下するという利点がある。一方、SrOのみでは耐スパッタ性が低いため、保護膜14にCaOを含有させて耐スパッタ性の向上を図っている。また、本実施形態では、保護膜14にSrO、CaOに加えてBaOを含有させている。BaOを含有させることにより、SrO及びCaOのみの場合に比べて放電電圧が低くなる。   By including SrO in the protective film 14, there is an advantage that the discharge voltage is lowered as compared with MgO. On the other hand, since SrO alone has low sputtering resistance, CaO is contained in the protective film 14 to improve the sputtering resistance. In this embodiment, the protective film 14 contains BaO in addition to SrO and CaO. By containing BaO, the discharge voltage becomes lower than in the case of only SrO and CaO.

保護膜14中のSrOの濃度はほぼ50mol%になっており、保護膜14中のBaOの濃度は5%mol〜25mol%になっている。BaOの濃度を5%mol〜25mol%に設定した理由に関しては[実施例]において詳述する。保護膜14の膜厚は、8000Å程度になっている。   The concentration of SrO in the protective film 14 is approximately 50 mol%, and the concentration of BaO in the protective film 14 is 5% mol to 25 mol%. The reason why the concentration of BaO is set to 5% mol to 25 mol% will be described in detail in [Examples]. The thickness of the protective film 14 is about 8000 mm.

このように構成された背面基板1と前面基板2とが例えば封着材によって貼り合わされ、隣接する隔壁15の間に放電室16が形成されている。この放電室16の内部には、NeおよびXeの混合ガス等の放電ガスが400Torr程度の圧力で封入されている。放電ガス中には、Xeガスが10体積%以上、例えば12体積%程度含まれている。   The rear substrate 1 and the front substrate 2 thus configured are bonded together by, for example, a sealing material, and a discharge chamber 16 is formed between adjacent barrier ribs 15. Inside the discharge chamber 16, a discharge gas such as a mixed gas of Ne and Xe is sealed at a pressure of about 400 Torr. The discharge gas contains 10% by volume or more, for example, about 12% by volume of Xe gas.

画素を点灯する場合には、アドレス電極11と走査電極12aとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極12aと維持電極12bとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。放電により放電室16内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体17が励起され、可視光が前面基板2から放出されるようになっている。このときの放電電圧は第1セル点灯電圧と呼ばれている。   When lighting the pixel, a DC voltage is applied between the address electrode 11 and the scan electrode 12a to generate a counter discharge, and an AC voltage is further applied between the scan electrode 12a and the sustain electrode 12b. Generate a discharge. The discharge gas sealed in the discharge chamber 16 is turned into plasma by discharge, and vacuum ultraviolet rays are emitted. The phosphor 17 is excited by the ultraviolet rays, and visible light is emitted from the front substrate 2. The discharge voltage at this time is called the first cell lighting voltage.

(プラズマディスプレイパネルの製造装置)
次に、図2に基づいて、本実施形態に係るPDP製造装置を説明する。
同図に示すように、PDP製造装置30は、前面基板2と背面基板1とを導入し、真空処理によってPDP100を製造するものであり、前面基板ロード室31、蒸着室(保護膜形成部)32、冷却室33、背面基板ロード室34、脱ガス室35、搬送室36、アライメント・封着室(封着部)37、アンロード室38を有している。これら各室は、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなどの真空排気機構(調節手段)48に接続されている。
(Plasma display panel manufacturing equipment)
Next, the PDP manufacturing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in the figure, a PDP manufacturing apparatus 30 introduces a front substrate 2 and a rear substrate 1 and manufactures a PDP 100 by vacuum processing, and includes a front substrate load chamber 31, a vapor deposition chamber (protective film forming section). 32, a cooling chamber 33, a back substrate loading chamber 34, a degassing chamber 35, a transfer chamber 36, an alignment / sealing chamber (sealing portion) 37, and an unloading chamber 38. Each of these chambers is connected to a vacuum exhaust mechanism (control means) 48 such as a rotary pump or a turbo molecular pump.

前面基板ロード室31は、前面基板2を搬入するスペースであり、蒸着室32に接続されている。前面基板ロード室31に搬入された前面基板2を蒸着室32に搬送する搬送機構(図示しない)が設けられている。
蒸着室32は、前面基板2に保護膜14を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室31及び冷却室33に接続されている。蒸着室32には、前面基板2を加熱する加熱機構41と、SrO、CaO及びBaOを主成分とする蒸発材料42と、当該蒸発材料42に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃43とが配置されている。蒸発材料42に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料42を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室32には、蒸着時に当該蒸着室32内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構(図示しない)が設けられている。
The front substrate load chamber 31 is a space for carrying the front substrate 2 and is connected to the vapor deposition chamber 32. A transport mechanism (not shown) for transporting the front substrate 2 carried into the front substrate load chamber 31 to the vapor deposition chamber 32 is provided.
The vapor deposition chamber 32 is a space for depositing the protective film 14 on the front substrate 2 and is connected to the front substrate load chamber 31 and the cooling chamber 33 described above. The vapor deposition chamber 32 includes a heating mechanism 41 that heats the front substrate 2, an evaporation material 42 mainly composed of SrO, CaO, and BaO, and an electron beam gun 43 that irradiates the evaporation material 42 with an electron beam. Has been placed. The evaporation material 42 can be evaporated by irradiating the evaporation material 42 with an electron beam. The vapor deposition chamber 32 is provided with an oxygen gas introduction mechanism (not shown) for introducing oxygen gas into the vapor deposition chamber 32 during vapor deposition.

冷却室33は、蒸着室32において加熱された前面基板2を冷却するスペースであり、上述の蒸着室32及び搬送室36に接続されている。冷却室33には、前面基板2を支持する支持台44と当該支持台44内に設けられた冷却機構45とが設けられている。冷却機構45には図示しない制御部が設けられており、支持台44によって支持された前面基板2の基板温度を冷却し、所定の温度に制御することができるようになっている。   The cooling chamber 33 is a space for cooling the front substrate 2 heated in the vapor deposition chamber 32, and is connected to the vapor deposition chamber 32 and the transfer chamber 36 described above. In the cooling chamber 33, a support base 44 that supports the front substrate 2 and a cooling mechanism 45 provided in the support base 44 are provided. The cooling mechanism 45 is provided with a control unit (not shown) so that the substrate temperature of the front substrate 2 supported by the support base 44 can be cooled and controlled to a predetermined temperature.

背面基板ロード室34は、背面基板1を搬入するスペースであり、脱ガス室35に接続されている。背面基板ロード室34に搬入された背面基板1を脱ガス室35に搬送する搬送機構(図示しない)が設けられている。
脱ガス室35は、背面基板1を加熱して当該背面基板1に吸着したガス(水蒸気など)を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室34及び搬送室36に接続されている。脱ガス室35内には、背面基板1を加熱する加熱機構46が設けられている。
The rear substrate load chamber 34 is a space for carrying the rear substrate 1 and is connected to the degas chamber 35. A transport mechanism (not shown) for transporting the back substrate 1 carried into the back substrate load chamber 34 to the degas chamber 35 is provided.
The degassing chamber 35 is a space for heating the back substrate 1 to remove gas (such as water vapor) adsorbed on the back substrate 1, and is connected to the back substrate loading chamber 34 and the transfer chamber 36 described above. A heating mechanism 46 for heating the back substrate 1 is provided in the degas chamber 35.

搬送室36は、上述の冷却室33及び脱ガス室35に接続されており、冷却室33からの前面基板2と脱ガス室35からの背面基板1とが合流するスペースである。この搬送室36は、アライメント・封着室37にも接続されており、合流した前面基板2及び背面基板1をアライメント・封着室37に搬送するスペースでもある。また、搬送室36は、アンロード室38にも接続されており、アライメント・封着室37からのPDP100をアンロード室38に搬送するスペースでもある。このため、搬送室36には、前面基板2、背面基板1及びPDPを搬送する搬送ロボット(図示しない)が設けられている。   The transfer chamber 36 is connected to the cooling chamber 33 and the degas chamber 35 described above, and is a space where the front substrate 2 from the cooling chamber 33 and the rear substrate 1 from the degas chamber 35 merge. The transfer chamber 36 is also connected to an alignment / sealing chamber 37 and is a space for transferring the joined front substrate 2 and rear substrate 1 to the alignment / sealing chamber 37. The transfer chamber 36 is also connected to an unload chamber 38 and is a space for transferring the PDP 100 from the alignment / sealing chamber 37 to the unload chamber 38. For this reason, the transfer chamber 36 is provided with a transfer robot (not shown) for transferring the front substrate 2, the rear substrate 1 and the PDP.

アライメント・封着室37は、前面基板2及び背面基板1の位置決めをし、両基板を封着材を用いて封着すると共に、前面基板2と背面基板1との間に放電ガスを封入して、PDP100を完成させるスペースである。アライメント・封着室37は、上述の搬送室36に接続されている。   The alignment / sealing chamber 37 positions the front substrate 2 and the rear substrate 1, seals both substrates using a sealing material, and encloses a discharge gas between the front substrate 2 and the rear substrate 1. This is a space for completing the PDP 100. The alignment / sealing chamber 37 is connected to the transfer chamber 36 described above.

アライメント・封着室37には、前面基板2と背面基板1の位置決めをする位置決め機構(図示しない)と、放電ガスを供給する放電ガス供給部(図示しない)が設けられている。また、アライメント・封着室37には、室内に拡散した放電ガスを純化する放電ガス純化器47が取り付けられており、放電ガス純化器47によって純化された放電ガスを再利用することができるようになっている。
アンロード室38は、アライメント・封着室37において完成されたPDP100を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室36に接続されている。
The alignment / sealing chamber 37 is provided with a positioning mechanism (not shown) for positioning the front substrate 2 and the rear substrate 1 and a discharge gas supply unit (not shown) for supplying a discharge gas. The alignment / sealing chamber 37 is provided with a discharge gas purifier 47 for purifying the discharge gas diffused in the chamber so that the discharge gas purified by the discharge gas purifier 47 can be reused. It has become.
The unload chamber 38 is a space for taking out the PDP 100 completed in the alignment / sealing chamber 37 to the outside, and is connected to the transfer chamber 36 described above.

(プラズマディスプレイパネルの製造方法)
次に、本実施形態に係るPDP100の製造方法を、図3に沿って説明する。図3は、本実施形態に係るPDP100の製造の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、前面基板2と背面基板1とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でPDP100を製造する。
(Plasma display panel manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the PDP 100 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a flow of manufacturing the PDP 100 according to the present embodiment. In this embodiment, the front substrate 2 and the rear substrate 1 are formed separately, and the PDP 100 is manufactured by a procedure in which both substrates are bonded.

前面基板2を形成する手順を説明する。
まず、前面基板2に表示電極12及び誘電体層13を形成する(ST11)。この状態で、前面基板2をPDP製造装置30の前面基板ロード室31に搬入する。前面基板2が搬入されたら、前面基板ロード室31内の搬送機構が前面基板2を蒸着室32に搬送する。
A procedure for forming the front substrate 2 will be described.
First, the display electrode 12 and the dielectric layer 13 are formed on the front substrate 2 (ST11). In this state, the front substrate 2 is carried into the front substrate load chamber 31 of the PDP manufacturing apparatus 30. When the front substrate 2 is carried in, the transport mechanism in the front substrate load chamber 31 transports the front substrate 2 to the vapor deposition chamber 32.

蒸着室32では、保護膜14を形成する(ST12:保護膜形成工程)。
まず、真空排気機構によって蒸着室32内を真空排気する。蒸着室32内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室32内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が3.0×10−2Pa程度になるように制御する。同時に、前面基板2の基板温度が250℃程度になるように調節する。
In the vapor deposition chamber 32, the protective film 14 is formed (ST12: protective film forming step).
First, the inside of the vapor deposition chamber 32 is evacuated by an evacuation mechanism. When the inside of the vapor deposition chamber 32 is evacuated, oxygen gas is supplied into the vapor deposition chamber 32 by an oxygen gas supply mechanism, and the partial pressure of the oxygen gas is controlled to be about 3.0 × 10 −2 Pa. At the same time, the substrate temperature of the front substrate 2 is adjusted to about 250 ° C.

酸素ガスの分圧及び前面基板2の基板温度を調節しながら、電子ビーム銃43から蒸発材料42に向けて電子ビームを照射して蒸発材料42を蒸発させると、蒸発した蒸発材料42は、蒸着室32内を蒸気流となって循環し、40Å/s程度の成膜レートで前面基板2上に堆積する。この蒸発材料42の堆積物が保護膜14となる。なお、蒸発材料42中のSrOの濃度はほぼ50mol%になっており、蒸発材料42中のBaOの濃度は5%mol〜25mol%になっている。   When the evaporation material 42 is evaporated by irradiating the electron beam from the electron beam gun 43 toward the evaporation material 42 while adjusting the partial pressure of the oxygen gas and the substrate temperature of the front substrate 2, the evaporated evaporation material 42 is evaporated. It circulates in the chamber 32 as a vapor flow and deposits on the front substrate 2 at a film formation rate of about 40 Å / s. The deposit of the evaporation material 42 becomes the protective film 14. The concentration of SrO in the evaporation material 42 is approximately 50 mol%, and the concentration of BaO in the evaporation material 42 is 5% mol to 25 mol%.

保護膜14を形成したら、前面基板2を冷却室33の支持台44上に搬送する。冷却室33では、真空雰囲気下で、冷却機構45によって、蒸着時に加熱した前面基板2を所定の温度まで冷却する(ST13)。
このようにして、前面基板2を形成する。
After forming the protective film 14, the front substrate 2 is transferred onto the support base 44 of the cooling chamber 33. In the cooling chamber 33, the front substrate 2 heated at the time of vapor deposition is cooled to a predetermined temperature by the cooling mechanism 45 in a vacuum atmosphere (ST13).
In this way, the front substrate 2 is formed.

次に、背面基板1を形成する手順を説明する。
まず、背面基板1の内面にアドレス電極11、誘電体層19、隔壁15、蛍光体17を形成し(ST21)、さらに図示しない封着材を形成する(ST22)。この状態で、PDP製造装置30の背面基板ロード室34に搬入する。背面基板1が搬入されたら、背面基板ロード室34内の搬送機構が背面基板を脱ガス室35に搬送する。脱ガス室35では、真空中で背面基板1を加熱することによって、当該背面基板1の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う(ST23)。
Next, a procedure for forming the back substrate 1 will be described.
First, the address electrode 11, the dielectric layer 19, the partition wall 15, and the phosphor 17 are formed on the inner surface of the back substrate 1 (ST21), and a sealing material (not shown) is further formed (ST22). In this state, it is carried into the rear substrate load chamber 34 of the PDP manufacturing apparatus 30. When the back substrate 1 is carried in, the transfer mechanism in the back substrate load chamber 34 transfers the back substrate to the degas chamber 35. In the degassing chamber 35, the back substrate 1 is heated in vacuum to perform a degassing process on the sealing material formed on the inner surface of the back substrate 1 (ST23).

脱ガス処理が終了した背面基板1は、搬送室36へ搬送され、搬送室36からアライメント・封着室37へと搬送される。
アライメント・封着室37では、真空雰囲気下において、前面基板2と背面基板1とを貼り合わせるための位置決めをする(ST31)。位置決めが完了したら、アライメント・封着室37内に放電ガスを導入する(ST32)。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板2と背面基板1とを貼り合わせる(ST33)。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板2と背面基板1との間に放電ガスが封入された状態で前面基板2と背面基板1との間を封着する(ST34)。このように、アライメント・封着室37では封着工程を行い、PDP100を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器47によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。
その後、PDP100は、搬送室36を経由してアンロード室38に搬送され、アンロード室38から取り出される。
After the degassing process, the rear substrate 1 is transferred to the transfer chamber 36 and transferred from the transfer chamber 36 to the alignment / sealing chamber 37.
In the alignment / sealing chamber 37, positioning is performed for bonding the front substrate 2 and the rear substrate 1 under a vacuum atmosphere (ST31). When the positioning is completed, a discharge gas is introduced into the alignment / sealing chamber 37 (ST32). When the discharge gas is introduced, the sealing material is heated to bond the front substrate 2 and the rear substrate 1 together (ST33). When the bonding is completed, the sealing material is cured, and the front substrate 2 and the rear substrate 1 are sealed with the discharge gas sealed between the front substrate 2 and the rear substrate 1 (ST34). Thus, the sealing process is performed in the alignment / sealing chamber 37 to obtain the PDP 100. After the sealing step, the discharge gas is taken in by the discharge gas purifier 47 and made reusable.
Thereafter, the PDP 100 is transferred to the unload chamber 38 via the transfer chamber 36 and taken out from the unload chamber 38.

本実施形態によれば、PDP100に形成される保護膜14の主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜14中のBaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることとしたので、PDP100の放電電圧の低電圧化が可能となる。
また、本実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととしたので、保護膜14の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、PDP100の長寿命化を図ることができる。
According to the present embodiment, SrO, CaO, and BaO are contained in the main components of the protective film 14 formed on the PDP 100, and the concentration of BaO in the protective film 14 is 5 mol% or more and 25 mol% or less. The discharge voltage of the PDP 100 can be lowered.
In this embodiment, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the protective film 14. Thereby, the lifetime of PDP100 can be achieved.

本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととして説明したが、これに限られることは無い。例えば、保護膜形成工程から封着工程までを露点−60℃以下の乾燥雰囲気中で行っても構わない。この場合、PDP製造装置30内(特に、蒸着室32内、冷却室33内、脱ガス室35内、搬送室36内、アライメント・封着室37内)にCDA(Clean Dry Air)を供給するCDA供給機構と、PDP製造装置30内からCDAを排出するCDA排出機構とを有していることが好ましい。PDP製造装置30内にCDAを供給することによって、当該PDP製造装置30内を容易に露点−60℃以下の乾燥雰囲気にすることができる。このように、露点−60℃以下の乾燥雰囲気であっても、保護膜14の吸湿を十分に防ぐことが可能である。
また、上記実施形態では、保護膜14を背面基板1にのみ形成する構成であったが、これに限られることは無い。例えば、背面基板1と前面基板2との両方に保護膜14を形成する構成であっても、勿論構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the embodiment described above, the process from the protective film forming process to the sealing process is described as being performed in a vacuum atmosphere, but the present invention is not limited to this. For example, the process from the protective film forming step to the sealing step may be performed in a dry atmosphere with a dew point of −60 ° C. or lower. In this case, CDA (Clean Dry Air) is supplied into the PDP manufacturing apparatus 30 (particularly, in the vapor deposition chamber 32, the cooling chamber 33, the degas chamber 35, the transfer chamber 36, and the alignment / sealing chamber 37). It is preferable to have a CDA supply mechanism and a CDA discharge mechanism that discharges CDA from the PDP manufacturing apparatus 30. By supplying CDA into the PDP manufacturing apparatus 30, the inside of the PDP manufacturing apparatus 30 can be easily made into a dry atmosphere having a dew point of −60 ° C. or less. Thus, even in a dry atmosphere with a dew point of −60 ° C. or lower, it is possible to sufficiently prevent the protective film 14 from absorbing moisture.
Moreover, in the said embodiment, although it was the structure which forms the protective film 14 only in the back substrate 1, it is not restricted to this. For example, it does not matter if the protective film 14 is formed on both the back substrate 1 and the front substrate 2.

次に、上述の保護膜14の組成と放電電圧との関係についての実施例を説明する。
図4は、SrO(50mol%)、CaO及びBaOを含有する保護膜中のBaOの濃度と、当該BaO濃度に対応する第1セル点灯電圧、第1セル消灯電圧との関係を示すものである。「第1セル消灯電圧」は、セルが点灯状態から消灯状態になるときの電圧である。図4のグラフのうち、縦軸は放電電圧(第1セル点灯電圧、第1セル消灯電圧)の大きさ(単位はV)であり、横軸はBaO濃度(単位はmol%)である。BaO濃度を0mol%〜40mol%に5mol%ずつ変化させたときの値を測定した。
Next, an example of the relationship between the composition of the protective film 14 and the discharge voltage will be described.
FIG. 4 shows the relationship between the concentration of BaO in the protective film containing SrO (50 mol%), CaO, and BaO, and the first cell turn-on voltage and the first cell turn-off voltage corresponding to the BaO concentration. . The “first cell extinguishing voltage” is a voltage when the cell goes from the on state to the off state. In the graph of FIG. 4, the vertical axis represents the magnitude (unit: V) of the discharge voltage (first cell lighting voltage, first cell extinguishing voltage), and the horizontal axis represents the BaO concentration (unit: mol%). The value when the BaO concentration was changed from 0 mol% to 40 mol% by 5 mol% was measured.

ここで、セルについては、上述したPDP100とほぼ同じ条件のパネルである。セルの放電ギャップは80μmであり、放電ガスはNeとXeとの混合ガスであり、放電ガス中のXeの濃度は12体積%であり、放電ガスの圧力は400Torrであり、周波数は40kHzであるものとした。   Here, the cell is a panel having substantially the same conditions as those of the PDP 100 described above. The discharge gap of the cell is 80 μm, the discharge gas is a mixed gas of Ne and Xe, the concentration of Xe in the discharge gas is 12% by volume, the pressure of the discharge gas is 400 Torr, and the frequency is 40 kHz. It was supposed to be.

図4に示すように、保護膜中のBaO濃度が0mol%の場合、すなわち、BaOが含まれない保護膜では、第1セル点灯電圧が162Vであり、消灯電圧が112Vであった。
これに対して、保護膜中のBaO濃度が5mol%の場合には、第1セル点灯電圧が150Vであり、消灯電圧が105Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。
As shown in FIG. 4, when the BaO concentration in the protective film was 0 mol%, that is, in the protective film not containing BaO, the first cell lighting voltage was 162V and the extinguishing voltage was 112V.
On the other hand, when the BaO concentration in the protective film was 5 mol%, the first cell lighting voltage was 150V and the turn-off voltage was 105V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower.

保護膜中のBaO濃度が10mol%の場合には、第1セル点灯電圧が138Vであり、消灯電圧が96Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、消灯電圧については、BaO濃度を0mol%〜40mol%に変化させた中で最も低い値を示した。   When the BaO concentration in the protective film was 10 mol%, the first cell lighting voltage was 138 V and the turn-off voltage was 96 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower. In particular, the turn-off voltage showed the lowest value when the BaO concentration was changed from 0 mol% to 40 mol%.

保護膜中のBaO濃度が15mol%の場合には、第1セル点灯電圧が136Vであり、消灯電圧が98Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、第1セル点灯電圧については、BaO濃度を0mol%〜40mol%に変化させた中で最も低い値を示した。   When the BaO concentration in the protective film was 15 mol%, the first cell lighting voltage was 136V and the extinguishing voltage was 98V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower. In particular, the first cell lighting voltage showed the lowest value among BaO concentrations changed from 0 mol% to 40 mol%.

保護膜中のBaO濃度が20mol%の場合には、第1セル点灯電圧が149Vであり、消灯電圧が103Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。
保護膜中のBaO濃度が25mol%の場合には、第1セル点灯電圧が160Vであり、消灯電圧が112Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧が僅かながら低い値を示した。消灯電圧については、BaOが含まれない場合と同値を示した。
When the BaO concentration in the protective film was 20 mol%, the first cell lighting voltage was 149 V and the extinguishing voltage was 103 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower.
When the BaO concentration in the protective film was 25 mol%, the first cell lighting voltage was 160V and the extinguishing voltage was 112V. The first cell lighting voltage was slightly lower than that in the case where BaO was not included in the protective film. The turn-off voltage showed the same value as when BaO was not included.

保護膜中のBaO濃度が30mol%の場合には、第1セル点灯電圧が167Vであり、消灯電圧が117Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。
保護膜中のBaO濃度が40mol%の場合には、第1セル点灯電圧が172Vであり、消灯電圧が124Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。
これらのことから、保護膜中にBaOを5mol%〜25mol%含有させることによって、放電電圧を低下させることが可能となることがわかる。
When the BaO concentration in the protective film was 30 mol%, the first cell lighting voltage was 167 V and the extinguishing voltage was 117 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage showed higher values.
When the BaO concentration in the protective film was 40 mol%, the first cell lighting voltage was 172 V and the extinguishing voltage was 124 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage showed higher values.
From these facts, it is understood that the discharge voltage can be lowered by containing 5 mol% to 25 mol% of BaO in the protective film.

本発明の実施形態に係るPDPの構成を示す断面図。Sectional drawing which shows the structure of PDP which concerns on embodiment of this invention. 本実施形態に係るPDP製造装置の構成を示す平面図。The top view which shows the structure of the PDP manufacturing apparatus which concerns on this embodiment. 本実施形態に係るPDPの製造過程を示すフローチャート。The flowchart which shows the manufacturing process of PDP which concerns on this embodiment. 保護膜中のBaO濃度と放電電圧との関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship between BaO density | concentration in a protective film, and discharge voltage.

符号の説明Explanation of symbols

1…背面基板 2…前面基板 11…アドレス電極 12…表示電極 12a…走査電極 12b…維持電極 13…誘電体層 14…保護膜 16…放電室 30…PDP製造装置 32…蒸着室 37…アライメント・封着室 100…PDP

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Back substrate 2 ... Front substrate 11 ... Address electrode 12 ... Display electrode 12a ... Scan electrode 12b ... Sustain electrode 13 ... Dielectric layer 14 ... Protective film 16 ... Discharge chamber 30 ... PDP manufacturing apparatus 32 ... Deposition chamber 37 ... Alignment Sealing chamber 100 ... PDP

Claims (4)

第1基板と第2基板とが対向配置されると共に、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、
前記第1基板のうち前記第2基板との対向面上に設けられた第1電極と、
前記第2基板のうち前記第1基板との対向面上に設けられた第2電極と、
前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜と
を具備し、
前記保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、
前記保護膜中の前記BaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
A plasma display panel in which a first substrate and a second substrate are arranged to face each other, and are bonded so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate,
A first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second electrode provided on a surface of the second substrate facing the first substrate;
A protective film provided on at least one of the first electrode and the second electrode;
The protective film contains SrO, CaO and BaO as main components,
The plasma display panel, wherein a concentration of the BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less.
前記放電ガスが、Xeを10体積%以上含有する
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
The plasma display panel according to claim 1, wherein the discharge gas contains 10% by volume or more of Xe.
第1電極が設けられた第1基板と第2電極が設けられた第2基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、
主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着工程と
を具備し、
前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行う
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
A method of manufacturing a plasma display panel having a first substrate provided with a first electrode and a second substrate provided with a second electrode,
A protective film forming step of forming a protective film containing SrO, CaO and BaO as a main component and having a BaO concentration of 5 mol% or more and 25 mol% or less on at least one of the first electrode and the second electrode; ,
A sealing step of bonding the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate after the protective film forming step;
The process from the protective film forming step to the sealing step is performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower.
第1基板に設けられた第1電極上及び第2基板に設けられた第2電極上のうち少なくとも一方に、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、
前記保護膜形成部に接続され、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着部と、
前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−60℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段と
を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。




At least one of the first electrode provided on the first substrate and the second electrode provided on the second substrate contains SrO, CaO, and BaO as main components, and the concentration of BaO is 5 mol% or more and 25 mol%. A protective film forming portion for forming a protective film to be as follows:
A sealing unit that is connected to the protective film forming unit and bonds the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate;
Adjusting means for adjusting the atmosphere of the protective film forming part and the sealing part so that the protective film forming part and the sealing part are in a vacuum atmosphere or a dry atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower. A plasma display panel manufacturing apparatus.




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