JP2007317484A - Plasma display panel, and method and device for manufacturing plasma display panel - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、プラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置に関する。 The present invention relates to a plasma display panel, a plasma display panel manufacturing method, and a plasma display panel manufacturing apparatus.
プラズマディスプレイパネル(PDP)は、維持電極および走査電極が形成された前面基板と、アドレス電極および蛍光体が形成された背面基板とを備えている。両基板は周縁部に配置された封着材によって貼り合わされており、両基板の間には放電ガスが封入されている。各電極の間に電圧を印加すると、放電ガスがプラズマ化して紫外線が放射される。この紫外線が蛍光体に入射して蛍光体が励起され、可視光が放出されるようになっている。 A plasma display panel (PDP) includes a front substrate on which sustain electrodes and scan electrodes are formed, and a rear substrate on which address electrodes and phosphors are formed. Both substrates are bonded together by a sealing material disposed at the peripheral edge, and a discharge gas is sealed between the substrates. When a voltage is applied between the electrodes, the discharge gas is turned into plasma and ultraviolet rays are emitted. The ultraviolet rays are incident on the phosphor to excite the phosphor and emit visible light.
維持電極及び走査電極は誘電体層によって覆われており、誘電体層を覆うように保護膜が形成されている。この保護膜は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層を保護するものであり、一般的にはMgOによって形成された保護膜が知られている。近年では、MgOの他にSrO、CaO等のアルカリ土類金属の酸化物によって保護膜を形成するなど、種々の試みが行われている(例えば、特許文献1参照)。
PDPの放電時の電圧(放電電圧)は、保護膜の2次電子放出係数に依存することが知られている。すなわち、保護膜の2次電子放出係数が大きいほど(仕事関数が小さく電子を放出しやすいほど)、放電電圧を低電圧化することが知られている。
放電電圧が高くなると、PDPの消費電力が増加する、保護膜の耐スパッタ性が低下して保護膜としての機能が低下する、PDPを駆動させるため従来のドライバ回路よりも高電圧対応のドライバ回路が必要となるためコストが高くなる、という問題がある。これに対して、電子放出特性に優れた保護膜を有する、放電電圧のより低いPDPが求められている。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、放電電圧のより低いプラズマディスプレイパネル、プラズマディスプレイパネルの製造方法及びプラズマディスプレイパネルの製造装置を提供することにある。
It is known that the voltage (discharge voltage) at the time of discharging the PDP depends on the secondary electron emission coefficient of the protective film. That is, it is known that the discharge voltage is lowered as the secondary electron emission coefficient of the protective film is larger (as the work function is smaller and electrons are more likely to be emitted).
When the discharge voltage increases, the power consumption of the PDP increases, the sputter resistance of the protective film decreases and the function as the protective film decreases, and the driver circuit for higher voltage than the conventional driver circuit for driving the PDP There is a problem that the cost is increased because of the necessity of the above. On the other hand, there is a need for a PDP with a lower discharge voltage that has a protective film with excellent electron emission characteristics.
In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a plasma display panel having a lower discharge voltage, a method for manufacturing a plasma display panel, and an apparatus for manufacturing a plasma display panel.
本発明者らは、プラズマディスプレイパネルに形成される保護膜において、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が5mol%以上25mol%以下である場合に、放電電圧が低電圧化することを見出した。
そこで、本発明に係るプラズマディスプレイパネルは、第1基板と第2基板とが対向配置されると共に、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように貼り合わされてなるプラズマディスプレイパネルであって、前記第1基板のうち前記第2基板との対向面上に設けられた第1電極と、前記第2基板のうち前記第1基板との対向面上に設けられた第2電極と、前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜とを具備し、前記保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、前記保護膜中の前記BaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることを特徴とする。
In the protective film formed on the plasma display panel, the present inventors include SrO, CaO, and BaO as main components, and the discharge voltage when the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less. Found that the voltage was lowered.
Therefore, in the plasma display panel according to the present invention, the first substrate and the second substrate are disposed to face each other, and the discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate. A plasma display panel comprising: a first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate; and a surface of the second substrate facing the first substrate. The second electrode and a protective film provided on at least one of the first electrode and the second electrode, the protective film containing SrO, CaO and BaO as a main component, The BaO concentration in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less.
具体的には、前記放電ガスが、Xeを10体積%以上含有することが好ましい。
プラズマディスプレイパネルに用いる放電ガスにおいては、Xeの濃度が高濃度、特に10体積%以上の場合に高輝度になることが知られている。一方で、Xeの濃度を10体積%以上にすると、放電電圧が上昇することが知られている。
Specifically, the discharge gas preferably contains 10% by volume or more of Xe.
It is known that in a discharge gas used for a plasma display panel, the brightness becomes high when the concentration of Xe is high, particularly 10% by volume or more. On the other hand, it is known that the discharge voltage increases when the concentration of Xe is 10% by volume or more.
これに対して、本発明によれば、保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることとし、放電ガスのXeを10体積%以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。 On the other hand, according to the present invention, the protective film contains SrO, CaO and BaO as main components, and the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less. Since Xe is 10% by volume or more, high luminance can be achieved while maintaining the discharge voltage at a low voltage.
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、第1電極が設けられた第1基板と第2電極が設けられた第2基板とを有するプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、前記保護膜形成工程の後、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着工程とを具備し、前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うことを特徴とする。
本発明によれば、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。
A method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention is a method for manufacturing a plasma display panel having a first substrate provided with a first electrode and a second substrate provided with a second electrode, the main component being SrO. A protective film forming step of forming a protective film containing CaO and BaO and having a BaO concentration of 5 mol% to 25 mol% on at least one of the first electrode and the second electrode; and A sealing step of bonding the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate after the forming step; The process from the forming step to the sealing step is performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower.
According to the present invention, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or less, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the protective film. . Thereby, the lifetime of a plasma display panel can be extended.
本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造装置は、第1基板に設けられた第1電極上及び第2基板に設けられた第2電極上のうち少なくとも一方に、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を形成する保護膜形成部と、前記保護膜形成部に接続され、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着部と、前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−60℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段とを具備することを特徴とする。 The plasma display panel manufacturing apparatus according to the present invention includes SrO, CaO, and BaO as main components on at least one of the first electrode provided on the first substrate and the second electrode provided on the second substrate. A protective film forming portion for forming a protective film containing a BaO concentration of 5 mol% or more and 25 mol% or less; a discharge gas connected between the first substrate and the second substrate; So that the first substrate and the second substrate are bonded together, and the protective film forming unit and the sealing unit are in a vacuum atmosphere or a dry atmosphere with a dew point of −60 ° C. or lower. And an adjusting means for adjusting the atmosphere of the protective film forming part and the sealing part.
本発明によれば、保護膜の形成から封着までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うことができるので、プラズマディスプレイパネルの内部を低湿度状態に維持することができる。これにより、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。 According to the present invention, since the formation from the protective film to the sealing can be performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower, the inside of the plasma display panel can be maintained in a low humidity state. . Thereby, the lifetime of a plasma display panel can be extended.
本発明によれば、保護膜が主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜中のBaOの濃度が5mol%以上25mol%以下であることとしたので、放電電圧の低電圧化が可能となる。また、放電ガスのXeを10体積%以上としたので、放電電圧を低電圧に維持しつつ、高輝度化を図ることができる。さらに、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行うこととしたので、保護膜の吸湿を効果的に防ぐことが可能となり、プラズマディスプレイパネルの長寿命化を図ることができる。 According to the present invention, since the protective film contains SrO, CaO, and BaO as main components and the concentration of BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less, the discharge voltage can be lowered. It becomes. In addition, since the Xe of the discharge gas is set to 10% by volume or more, high luminance can be achieved while maintaining the discharge voltage at a low voltage. Furthermore, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the protective film. Long life can be achieved.
以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
(プラズマディスプレイパネル)
図1は、3電極AC型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。
プラズマディスプレイパネル(PDP)100は、背面基板(第1基板)1と前面基板(第2基板)2とが対向配置され、当該背面基板1と前面基板2との間に複数の放電室16を有する構成になっている。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed in order to make each member a recognizable size.
(Plasma display panel)
FIG. 1 is an exploded perspective view of a three-electrode AC type plasma display panel.
In a plasma display panel (PDP) 100, a back substrate (first substrate) 1 and a front substrate (second substrate) 2 are disposed to face each other, and a plurality of
背面基板1の内面(前面基板2との対向面)には、複数のアドレス電極(第1電極)11が所定の間隔でストライプ状に配置されている。この複数のアドレス電極11の表面上には、誘電体層19が設けられている。誘電体層19は、アドレス電極11上を含めた背面基板1の全面に設けられており、誘電体層19の表面は平坦になっている。
On the inner surface of the back substrate 1 (the surface facing the front substrate 2), a plurality of address electrodes (first electrodes) 11 are arranged in stripes at predetermined intervals. A
誘電体層19の表面上のうち隣接するアドレス電極11の間の領域には、当該アドレス電極11の延在方向に沿って隔壁(リブ)15がそれぞれ設けられている。隣接する隔壁15間には、それぞれ誘電体層19の上面および隔壁15の側面を覆うように、赤色、緑色又は青色の蛍光を発光する蛍光体17が配置されている。
Partitions (ribs) 15 are provided in the region between
一方、前面基板2の内面(背面基板1との対向面)には、表示電極(第2電極)12を構成する走査電極12aと維持電極12bとが交互に所定の間隔でストライプ状に配置されている。表示電極12は、ITO等の透明導電性材料によって構成され、アドレス電極11と直交する方向に延在している。このアドレス電極11と表示電極12との交点が、PDP100の画素になっている。交点において、アドレス電極11と表示電極12との間の距離(放電ギャップ)は、80μm程度になっている。
On the other hand, on the inner surface of the front substrate 2 (the surface facing the rear substrate 1), the
表示電極12上には、当該表示電極12及び前面基板2の内面を覆うように誘電体層13が形成されている。誘電体層13上には、当該誘電体層13を覆うように保護膜14が形成されている。保護膜14は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層13を保護するものであり、SrO、CaO及びBaOを含んでいる。
A
保護膜14にSrOを含有させることで、MgOに比べて放電電圧が低下するという利点がある。一方、SrOのみでは耐スパッタ性が低いため、保護膜14にCaOを含有させて耐スパッタ性の向上を図っている。また、本実施形態では、保護膜14にSrO、CaOに加えてBaOを含有させている。BaOを含有させることにより、SrO及びCaOのみの場合に比べて放電電圧が低くなる。
By including SrO in the
保護膜14中のSrOの濃度はほぼ50mol%になっており、保護膜14中のBaOの濃度は5%mol〜25mol%になっている。BaOの濃度を5%mol〜25mol%に設定した理由に関しては[実施例]において詳述する。保護膜14の膜厚は、8000Å程度になっている。
The concentration of SrO in the
このように構成された背面基板1と前面基板2とが例えば封着材によって貼り合わされ、隣接する隔壁15の間に放電室16が形成されている。この放電室16の内部には、NeおよびXeの混合ガス等の放電ガスが400Torr程度の圧力で封入されている。放電ガス中には、Xeガスが10体積%以上、例えば12体積%程度含まれている。
The
画素を点灯する場合には、アドレス電極11と走査電極12aとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極12aと維持電極12bとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。放電により放電室16内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体17が励起され、可視光が前面基板2から放出されるようになっている。このときの放電電圧は第1セル点灯電圧と呼ばれている。
When lighting the pixel, a DC voltage is applied between the
(プラズマディスプレイパネルの製造装置)
次に、図2に基づいて、本実施形態に係るPDP製造装置を説明する。
同図に示すように、PDP製造装置30は、前面基板2と背面基板1とを導入し、真空処理によってPDP100を製造するものであり、前面基板ロード室31、蒸着室(保護膜形成部)32、冷却室33、背面基板ロード室34、脱ガス室35、搬送室36、アライメント・封着室(封着部)37、アンロード室38を有している。これら各室は、例えばロータリーポンプやターボ分子ポンプなどの真空排気機構(調節手段)48に接続されている。
(Plasma display panel manufacturing equipment)
Next, the PDP manufacturing apparatus according to the present embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in the figure, a
前面基板ロード室31は、前面基板2を搬入するスペースであり、蒸着室32に接続されている。前面基板ロード室31に搬入された前面基板2を蒸着室32に搬送する搬送機構(図示しない)が設けられている。
蒸着室32は、前面基板2に保護膜14を蒸着させるスペースであり、上述の前面基板ロード室31及び冷却室33に接続されている。蒸着室32には、前面基板2を加熱する加熱機構41と、SrO、CaO及びBaOを主成分とする蒸発材料42と、当該蒸発材料42に対して電子ビームを照射する電子ビーム銃43とが配置されている。蒸発材料42に電子ビームを照射することで、当該蒸発材料42を蒸発させることができるようになっている。また、蒸着室32には、蒸着時に当該蒸着室32内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入機構(図示しない)が設けられている。
The front
The
冷却室33は、蒸着室32において加熱された前面基板2を冷却するスペースであり、上述の蒸着室32及び搬送室36に接続されている。冷却室33には、前面基板2を支持する支持台44と当該支持台44内に設けられた冷却機構45とが設けられている。冷却機構45には図示しない制御部が設けられており、支持台44によって支持された前面基板2の基板温度を冷却し、所定の温度に制御することができるようになっている。
The cooling
背面基板ロード室34は、背面基板1を搬入するスペースであり、脱ガス室35に接続されている。背面基板ロード室34に搬入された背面基板1を脱ガス室35に搬送する搬送機構(図示しない)が設けられている。
脱ガス室35は、背面基板1を加熱して当該背面基板1に吸着したガス(水蒸気など)を除去するスペースであり、上述した背面基板ロード室34及び搬送室36に接続されている。脱ガス室35内には、背面基板1を加熱する加熱機構46が設けられている。
The rear
The
搬送室36は、上述の冷却室33及び脱ガス室35に接続されており、冷却室33からの前面基板2と脱ガス室35からの背面基板1とが合流するスペースである。この搬送室36は、アライメント・封着室37にも接続されており、合流した前面基板2及び背面基板1をアライメント・封着室37に搬送するスペースでもある。また、搬送室36は、アンロード室38にも接続されており、アライメント・封着室37からのPDP100をアンロード室38に搬送するスペースでもある。このため、搬送室36には、前面基板2、背面基板1及びPDPを搬送する搬送ロボット(図示しない)が設けられている。
The
アライメント・封着室37は、前面基板2及び背面基板1の位置決めをし、両基板を封着材を用いて封着すると共に、前面基板2と背面基板1との間に放電ガスを封入して、PDP100を完成させるスペースである。アライメント・封着室37は、上述の搬送室36に接続されている。
The alignment / sealing
アライメント・封着室37には、前面基板2と背面基板1の位置決めをする位置決め機構(図示しない)と、放電ガスを供給する放電ガス供給部(図示しない)が設けられている。また、アライメント・封着室37には、室内に拡散した放電ガスを純化する放電ガス純化器47が取り付けられており、放電ガス純化器47によって純化された放電ガスを再利用することができるようになっている。
アンロード室38は、アライメント・封着室37において完成されたPDP100を外部に取り出すスペースであり、上述した搬送室36に接続されている。
The alignment / sealing
The unload
(プラズマディスプレイパネルの製造方法)
次に、本実施形態に係るPDP100の製造方法を、図3に沿って説明する。図3は、本実施形態に係るPDP100の製造の流れを示すフローチャートである。本実施形態では、前面基板2と背面基板1とを別個に形成し、両基板を貼り合せるという手順でPDP100を製造する。
(Plasma display panel manufacturing method)
Next, a method for manufacturing the
前面基板2を形成する手順を説明する。
まず、前面基板2に表示電極12及び誘電体層13を形成する(ST11)。この状態で、前面基板2をPDP製造装置30の前面基板ロード室31に搬入する。前面基板2が搬入されたら、前面基板ロード室31内の搬送機構が前面基板2を蒸着室32に搬送する。
A procedure for forming the
First, the
蒸着室32では、保護膜14を形成する(ST12:保護膜形成工程)。
まず、真空排気機構によって蒸着室32内を真空排気する。蒸着室32内を真空排気したら、酸素ガス供給機構によって蒸着室32内に酸素ガスを供給し、当該酸素ガスの分圧が3.0×10−2Pa程度になるように制御する。同時に、前面基板2の基板温度が250℃程度になるように調節する。
In the
First, the inside of the
酸素ガスの分圧及び前面基板2の基板温度を調節しながら、電子ビーム銃43から蒸発材料42に向けて電子ビームを照射して蒸発材料42を蒸発させると、蒸発した蒸発材料42は、蒸着室32内を蒸気流となって循環し、40Å/s程度の成膜レートで前面基板2上に堆積する。この蒸発材料42の堆積物が保護膜14となる。なお、蒸発材料42中のSrOの濃度はほぼ50mol%になっており、蒸発材料42中のBaOの濃度は5%mol〜25mol%になっている。
When the
保護膜14を形成したら、前面基板2を冷却室33の支持台44上に搬送する。冷却室33では、真空雰囲気下で、冷却機構45によって、蒸着時に加熱した前面基板2を所定の温度まで冷却する(ST13)。
このようにして、前面基板2を形成する。
After forming the
In this way, the
次に、背面基板1を形成する手順を説明する。
まず、背面基板1の内面にアドレス電極11、誘電体層19、隔壁15、蛍光体17を形成し(ST21)、さらに図示しない封着材を形成する(ST22)。この状態で、PDP製造装置30の背面基板ロード室34に搬入する。背面基板1が搬入されたら、背面基板ロード室34内の搬送機構が背面基板を脱ガス室35に搬送する。脱ガス室35では、真空中で背面基板1を加熱することによって、当該背面基板1の内面に形成された封着材に対して脱ガス処理を行う(ST23)。
Next, a procedure for forming the
First, the
脱ガス処理が終了した背面基板1は、搬送室36へ搬送され、搬送室36からアライメント・封着室37へと搬送される。
アライメント・封着室37では、真空雰囲気下において、前面基板2と背面基板1とを貼り合わせるための位置決めをする(ST31)。位置決めが完了したら、アライメント・封着室37内に放電ガスを導入する(ST32)。放電ガスを導入したら、封着材を加熱して前面基板2と背面基板1とを貼り合わせる(ST33)。貼り合わせが完了したら、封着材を硬化させ、前面基板2と背面基板1との間に放電ガスが封入された状態で前面基板2と背面基板1との間を封着する(ST34)。このように、アライメント・封着室37では封着工程を行い、PDP100を得る。封着工程後、放電ガスは放電ガス純化器47によって取り込まれ、再利用可能な状態にされる。
その後、PDP100は、搬送室36を経由してアンロード室38に搬送され、アンロード室38から取り出される。
After the degassing process, the
In the alignment / sealing
Thereafter, the
本実施形態によれば、PDP100に形成される保護膜14の主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、保護膜14中のBaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下であることとしたので、PDP100の放電電圧の低電圧化が可能となる。
また、本実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととしたので、保護膜14の吸湿を効果的に防ぐことが可能となる。これにより、PDP100の長寿命化を図ることができる。
According to the present embodiment, SrO, CaO, and BaO are contained in the main components of the
In this embodiment, since the protective film forming process to the sealing process are performed in a vacuum atmosphere, it is possible to effectively prevent moisture absorption of the
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
上記実施形態では、保護膜形成工程から封着工程までを、真空雰囲気中で行うこととして説明したが、これに限られることは無い。例えば、保護膜形成工程から封着工程までを露点−60℃以下の乾燥雰囲気中で行っても構わない。この場合、PDP製造装置30内(特に、蒸着室32内、冷却室33内、脱ガス室35内、搬送室36内、アライメント・封着室37内)にCDA(Clean Dry Air)を供給するCDA供給機構と、PDP製造装置30内からCDAを排出するCDA排出機構とを有していることが好ましい。PDP製造装置30内にCDAを供給することによって、当該PDP製造装置30内を容易に露点−60℃以下の乾燥雰囲気にすることができる。このように、露点−60℃以下の乾燥雰囲気であっても、保護膜14の吸湿を十分に防ぐことが可能である。
また、上記実施形態では、保護膜14を背面基板1にのみ形成する構成であったが、これに限られることは無い。例えば、背面基板1と前面基板2との両方に保護膜14を形成する構成であっても、勿論構わない。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
In the embodiment described above, the process from the protective film forming process to the sealing process is described as being performed in a vacuum atmosphere, but the present invention is not limited to this. For example, the process from the protective film forming step to the sealing step may be performed in a dry atmosphere with a dew point of −60 ° C. or lower. In this case, CDA (Clean Dry Air) is supplied into the PDP manufacturing apparatus 30 (particularly, in the
Moreover, in the said embodiment, although it was the structure which forms the
次に、上述の保護膜14の組成と放電電圧との関係についての実施例を説明する。
図4は、SrO(50mol%)、CaO及びBaOを含有する保護膜中のBaOの濃度と、当該BaO濃度に対応する第1セル点灯電圧、第1セル消灯電圧との関係を示すものである。「第1セル消灯電圧」は、セルが点灯状態から消灯状態になるときの電圧である。図4のグラフのうち、縦軸は放電電圧(第1セル点灯電圧、第1セル消灯電圧)の大きさ(単位はV)であり、横軸はBaO濃度(単位はmol%)である。BaO濃度を0mol%〜40mol%に5mol%ずつ変化させたときの値を測定した。
Next, an example of the relationship between the composition of the
FIG. 4 shows the relationship between the concentration of BaO in the protective film containing SrO (50 mol%), CaO, and BaO, and the first cell turn-on voltage and the first cell turn-off voltage corresponding to the BaO concentration. . The “first cell extinguishing voltage” is a voltage when the cell goes from the on state to the off state. In the graph of FIG. 4, the vertical axis represents the magnitude (unit: V) of the discharge voltage (first cell lighting voltage, first cell extinguishing voltage), and the horizontal axis represents the BaO concentration (unit: mol%). The value when the BaO concentration was changed from 0 mol% to 40 mol% by 5 mol% was measured.
ここで、セルについては、上述したPDP100とほぼ同じ条件のパネルである。セルの放電ギャップは80μmであり、放電ガスはNeとXeとの混合ガスであり、放電ガス中のXeの濃度は12体積%であり、放電ガスの圧力は400Torrであり、周波数は40kHzであるものとした。
Here, the cell is a panel having substantially the same conditions as those of the
図4に示すように、保護膜中のBaO濃度が0mol%の場合、すなわち、BaOが含まれない保護膜では、第1セル点灯電圧が162Vであり、消灯電圧が112Vであった。
これに対して、保護膜中のBaO濃度が5mol%の場合には、第1セル点灯電圧が150Vであり、消灯電圧が105Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。
As shown in FIG. 4, when the BaO concentration in the protective film was 0 mol%, that is, in the protective film not containing BaO, the first cell lighting voltage was 162V and the extinguishing voltage was 112V.
On the other hand, when the BaO concentration in the protective film was 5 mol%, the first cell lighting voltage was 150V and the turn-off voltage was 105V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower.
保護膜中のBaO濃度が10mol%の場合には、第1セル点灯電圧が138Vであり、消灯電圧が96Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、消灯電圧については、BaO濃度を0mol%〜40mol%に変化させた中で最も低い値を示した。 When the BaO concentration in the protective film was 10 mol%, the first cell lighting voltage was 138 V and the turn-off voltage was 96 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower. In particular, the turn-off voltage showed the lowest value when the BaO concentration was changed from 0 mol% to 40 mol%.
保護膜中のBaO濃度が15mol%の場合には、第1セル点灯電圧が136Vであり、消灯電圧が98Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。特に、第1セル点灯電圧については、BaO濃度を0mol%〜40mol%に変化させた中で最も低い値を示した。 When the BaO concentration in the protective film was 15 mol%, the first cell lighting voltage was 136V and the extinguishing voltage was 98V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower. In particular, the first cell lighting voltage showed the lowest value among BaO concentrations changed from 0 mol% to 40 mol%.
保護膜中のBaO濃度が20mol%の場合には、第1セル点灯電圧が149Vであり、消灯電圧が103Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に低い値を示した。
保護膜中のBaO濃度が25mol%の場合には、第1セル点灯電圧が160Vであり、消灯電圧が112Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧が僅かながら低い値を示した。消灯電圧については、BaOが含まれない場合と同値を示した。
When the BaO concentration in the protective film was 20 mol%, the first cell lighting voltage was 149 V and the extinguishing voltage was 103 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage are lower.
When the BaO concentration in the protective film was 25 mol%, the first cell lighting voltage was 160V and the extinguishing voltage was 112V. The first cell lighting voltage was slightly lower than that in the case where BaO was not included in the protective film. The turn-off voltage showed the same value as when BaO was not included.
保護膜中のBaO濃度が30mol%の場合には、第1セル点灯電圧が167Vであり、消灯電圧が117Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。
保護膜中のBaO濃度が40mol%の場合には、第1セル点灯電圧が172Vであり、消灯電圧が124Vであった。保護膜中にBaOが含まれない場合に比べて、第1セル点灯電圧、消灯電圧共に高い値を示した。
これらのことから、保護膜中にBaOを5mol%〜25mol%含有させることによって、放電電圧を低下させることが可能となることがわかる。
When the BaO concentration in the protective film was 30 mol%, the first cell lighting voltage was 167 V and the extinguishing voltage was 117 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage showed higher values.
When the BaO concentration in the protective film was 40 mol%, the first cell lighting voltage was 172 V and the extinguishing voltage was 124 V. Compared with the case where BaO is not included in the protective film, both the first cell turn-on voltage and the turn-off voltage showed higher values.
From these facts, it is understood that the discharge voltage can be lowered by containing 5 mol% to 25 mol% of BaO in the protective film.
1…背面基板 2…前面基板 11…アドレス電極 12…表示電極 12a…走査電極 12b…維持電極 13…誘電体層 14…保護膜 16…放電室 30…PDP製造装置 32…蒸着室 37…アライメント・封着室 100…PDP
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記第1基板のうち前記第2基板との対向面上に設けられた第1電極と、
前記第2基板のうち前記第1基板との対向面上に設けられた第2電極と、
前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に設けられた保護膜と
を具備し、
前記保護膜が、主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し、
前記保護膜中の前記BaOの濃度が、5mol%以上25mol%以下である
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 A plasma display panel in which a first substrate and a second substrate are arranged to face each other, and are bonded so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate,
A first electrode provided on a surface of the first substrate facing the second substrate;
A second electrode provided on a surface of the second substrate facing the first substrate;
A protective film provided on at least one of the first electrode and the second electrode;
The protective film contains SrO, CaO and BaO as main components,
The plasma display panel, wherein a concentration of the BaO in the protective film is 5 mol% or more and 25 mol% or less.
ことを特徴とする請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 The plasma display panel according to claim 1, wherein the discharge gas contains 10% by volume or more of Xe.
主成分にSrO、CaO及びBaOを含有し前記BaOの濃度が5mol%以上25mol%以下となる保護膜を前記第1電極上及び前記第2電極上のうち少なくとも一方に形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜形成工程の後、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着工程と
を具備し、
前記保護膜形成工程から前記封着工程までを、真空雰囲気中又は露点−60℃以下の雰囲気中で行う
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。 A method of manufacturing a plasma display panel having a first substrate provided with a first electrode and a second substrate provided with a second electrode,
A protective film forming step of forming a protective film containing SrO, CaO and BaO as a main component and having a BaO concentration of 5 mol% or more and 25 mol% or less on at least one of the first electrode and the second electrode; ,
A sealing step of bonding the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate after the protective film forming step;
The process from the protective film forming step to the sealing step is performed in a vacuum atmosphere or an atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower.
前記保護膜形成部に接続され、前記第1基板と前記第2基板との間に放電ガスが封入されるように当該第1基板と当該第2基板とを貼り合せる封着部と、
前記保護膜形成部及び前記封着部が真空雰囲気又は露点−60℃以下の乾燥雰囲気になるように、前記保護膜形成部及び前記封着部の雰囲気を調節する調節手段と
を具備することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造装置。
At least one of the first electrode provided on the first substrate and the second electrode provided on the second substrate contains SrO, CaO, and BaO as main components, and the concentration of BaO is 5 mol% or more and 25 mol%. A protective film forming portion for forming a protective film to be as follows:
A sealing unit that is connected to the protective film forming unit and bonds the first substrate and the second substrate so that a discharge gas is sealed between the first substrate and the second substrate;
Adjusting means for adjusting the atmosphere of the protective film forming part and the sealing part so that the protective film forming part and the sealing part are in a vacuum atmosphere or a dry atmosphere having a dew point of −60 ° C. or lower. A plasma display panel manufacturing apparatus.
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