JP2007307752A - Mold and its manufacturing method - Google Patents

Mold and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2007307752A
JP2007307752A JP2006137504A JP2006137504A JP2007307752A JP 2007307752 A JP2007307752 A JP 2007307752A JP 2006137504 A JP2006137504 A JP 2006137504A JP 2006137504 A JP2006137504 A JP 2006137504A JP 2007307752 A JP2007307752 A JP 2007307752A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
pattern
layer
group
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006137504A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhide Kawaguchi
泰秀 川口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AGC Inc
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Glass Co Ltd filed Critical Asahi Glass Co Ltd
Priority to JP2006137504A priority Critical patent/JP2007307752A/en
Publication of JP2007307752A publication Critical patent/JP2007307752A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a mold to which foreign matter such as dust or the like is hard to adhere, and a method for manufacturing the flawless mold. <P>SOLUTION: The mold 10 has a base material 12, a pattern layer 16 containing a fluorine-containing polymer and having a pattern 14 formed on its surface and the antistatic layer 18 provided between the base material 12 and the pattern layer 16 and is manufactured by a process for forming the antistatic layer 18 on the base material 12, a process for forming a film containing a fluorine-containing polymer on the antistatic layer 18, a process for pressing a heated original mold, which has the reversal pattern corresponding to the pattern 14 of the pattern layer 16, to the film containing the fluorine-containing polymer and a process for separating the original mold from the film containing the fluorine-containing polymer to form the pattern layer 16. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、モールドおよびその製造方法に関する。   The present invention relates to a mold and a manufacturing method thereof.

微細パターンを形成する方法としては、液状の光硬化性樹脂からなる膜に、所望の微細パターンを反転したパターンを有するモールドを押しあてた状態で、光硬化性樹脂に光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法、いわゆるナノインプリント法が知られている(特許文献1〜3参照)。
最近では、表面にパターンが形成された樹脂モールドをシリンダに巻き付けた円筒状モールドを用いて微細パターンを連続的に形成する方法が提案されている。(特許文献4、5)。
As a method of forming a fine pattern, a photocuring resin is irradiated with light in a state where a mold having a pattern obtained by inverting a desired fine pattern is pressed against a film made of a liquid photocurable resin, and photocuring is performed. A method of curing a functional resin to form a desired fine pattern, a so-called nanoimprint method is known (see Patent Documents 1 to 3).
Recently, a method for continuously forming a fine pattern using a cylindrical mold in which a resin mold having a pattern formed on a surface is wound around a cylinder has been proposed. (Patent Documents 4 and 5).

しかし、樹脂モールドは、静電的な作用により埃等の異物が付着しやすいため、樹脂モールドを製造する際に異物に由来する欠陥がモールド自体に生じたり、樹脂モールドを用いて微細パターンを形成する際に異物の付着による欠陥が生じたりすることがある。
特表2005−515617号公報 特開2005−288803号公報 国際公開第2003/084727号パンフレット 特開2006−037057号公報 米国特許出願公開第2006/0021533号明細書
However, since resin molds are likely to adhere to foreign matters such as dust due to electrostatic action, defects due to foreign matters are produced in the mold itself when manufacturing resin molds, or fine patterns are formed using resin molds. When doing so, defects due to the adhesion of foreign matter may occur.
JP 2005-515617 A JP 2005-288803 A International Publication No. 2003/084727 Pamphlet JP 2006-037057 A US Patent Application Publication No. 2006/0021533

本発明は、埃等の異物が付着しにくいモールド、および該モールドを欠陥なく製造できる方法を提供する。   The present invention provides a mold to which foreign matters such as dust are difficult to adhere, and a method capable of manufacturing the mold without defects.

本発明のモールドは、基材と、含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層とを有することを特徴とする。   The mold of the present invention has a base material, a pattern layer containing a fluoropolymer, and having a pattern formed on the surface, and an antistatic layer provided between the base material and the pattern layer. Features.

本発明のモールドは、さらに、前記基材と前記帯電防止層との間に設けられた第1のプライマー層を有していてもよい。
本発明のモールドは、さらに、前記帯電防止層と前記パターン層との間に設けられた第2のプライマー層を有していてもよい。
The mold of the present invention may further include a first primer layer provided between the base material and the antistatic layer.
The mold of the present invention may further include a second primer layer provided between the antistatic layer and the pattern layer.

前記含フッ素重合体は、含フッ素重合体100質量%中にフッ素原子を35質量%以上含有し、かつ含フッ素重合体からなる膜の水に対する接触角が80゜以上であることが好ましい。
前記含フッ素重合体は、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有することが好ましい。
The fluorine-containing polymer preferably contains 35% by mass or more of fluorine atoms in 100% by mass of the fluorine-containing polymer, and the contact angle with respect to water of the film made of the fluorine-containing polymer is preferably 80 ° or more.
The fluorine-containing polymer preferably has a fluorine-containing aliphatic ring structure in the main chain.

本発明のモールドの製造方法は、基材と、含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層とを有するモールドを製造する方法であって、基材上に帯電防止層を形成する工程と、前記帯電防止層上に含フッ素重合体を含む膜を形成する工程と、前記含フッ素重合体を含む膜に、前記パターン層のパターンに対応する反転パターンを有する、加熱されたオリジナルモールドを押しあてる工程と、前記含フッ素重合体を含む膜から前記オリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程とを有することを特徴とする。   The mold production method of the present invention comprises a base material, a pattern layer containing a fluoropolymer, and having a pattern formed on the surface, and an antistatic layer provided between the base material and the pattern layer. A method of manufacturing a mold having a step of forming an antistatic layer on a substrate, a step of forming a film containing a fluoropolymer on the antistatic layer, and a film containing the fluoropolymer A step of pressing a heated original mold having a reversal pattern corresponding to the pattern of the pattern layer, and a step of separating the original mold from the film containing the fluoropolymer to form a pattern layer. It is characterized by having.

本発明のモールドの製造方法は、基材と、含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層とを有するモールドを製造する方法であって、基材上に帯電防止層を形成し、第1の中間体を得る工程と、パターン層のパターンに対応する反転パターンを有するオリジナルモールド上に、含フッ素重合体を含む膜を形成し、第2の中間体を得る工程と、前記第1の中間体と前記第2の中間体とを、前記基材および前記オリジナルモールドが外側になるように貼り合わせる工程と、前記含フッ素重合体を含む膜から前記オリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程とを有することを特徴とする。   The mold production method of the present invention comprises a base material, a pattern layer containing a fluoropolymer, and having a pattern formed on the surface, and an antistatic layer provided between the base material and the pattern layer. A process for forming an antistatic layer on a substrate to obtain a first intermediate, and an original mold having a reversal pattern corresponding to the pattern of the pattern layer. A step of forming a film including coalescence to obtain a second intermediate, and a step of bonding the first intermediate and the second intermediate so that the base material and the original mold are outside And a step of separating the original mold from the film containing the fluoropolymer and forming a pattern layer.

本発明のモールドは、埃等の異物が付着しにくい。
本発明のモールドの製造方法によれば、埃等の異物が付着しにくいモールドを欠陥なく製造できる。
In the mold of the present invention, foreign matters such as dust are difficult to adhere.
According to the mold manufacturing method of the present invention, a mold to which foreign matters such as dust are difficult to adhere can be manufactured without defects.

本明細書においては、式(1)で表される化合物を化合物(1)と記す。他の式で表される化合物も同様に記す。
本明細書においては、(メタ)アクリロイル基は、アクリロイル基および/またはメタクリロイル基を意味し、(メタ)アクリレートは、アクリレートおよび/またはメタクリレートを意味し、(メタ)アクリル酸は、アクリル酸および/またはメタクリル酸を意味する。
In the present specification, a compound represented by the formula (1) is referred to as a compound (1). The same applies to compounds represented by other formulas.
In the present specification, (meth) acryloyl group means acryloyl group and / or methacryloyl group, (meth) acrylate means acrylate and / or methacrylate, (meth) acrylic acid means acrylic acid and / or Or methacrylic acid.

<モールド>
図1は、本発明のモールドの一例を示す断面図である。モールド10は、基材12と、含フッ素重合体を含み、表面にパターン14が形成されたパターン層16と、基材12とパターン層16との間に設けられた帯電防止層18とを有する。
<Mold>
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of the mold of the present invention. The mold 10 includes a base material 12, a pattern layer 16 containing a fluoropolymer and having a pattern 14 formed on the surface, and an antistatic layer 18 provided between the base material 12 and the pattern layer 16. .

本発明のモールドは、図2に示すように、基材12と帯電防止層18との間に設けられた第1のプライマー層20を有していてもよく、図3に示すように、帯電防止層18とパターン層16との間に設けられた第2のプライマー層22を有していてもよく、図4に示すように、基材12と帯電防止層18との間に設けられた第1のプライマー層20と、帯電防止層18とパターン層16との間に設けられた第2のプライマー層22とを有していてもよい。   The mold of the present invention may have a first primer layer 20 provided between the base material 12 and the antistatic layer 18 as shown in FIG. 2, and as shown in FIG. The second primer layer 22 provided between the prevention layer 18 and the pattern layer 16 may be provided, and provided between the substrate 12 and the antistatic layer 18 as shown in FIG. You may have the 1st primer layer 20, and the 2nd primer layer 22 provided between the antistatic layer 18 and the pattern layer 16. FIG.

(基材)
基材の形状としては、フィルムまたはシート状、板状、円筒状、円柱状等が挙げられる。
基材の材料としては、以下の材料が挙げられる。
ガラス:石英ガラス、ホウケイ酸ガラス等。
炭素化合物:炭化珪素、黒色ガラス状炭素化合物、黒鉛。
金属:ニッケル、銅等。
セルロース素材:紙等。
樹脂:ポリエステル(ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート等。)、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、ポリアミド、ポリイミド、セロファン、ポリカーボネート、軟質塩化ビニル樹脂、硬質塩化ビニル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等。
ゴム:フッ素ゴム等。
(Base material)
Examples of the shape of the substrate include a film or sheet shape, a plate shape, a cylindrical shape, and a columnar shape.
Examples of the base material include the following materials.
Glass: quartz glass, borosilicate glass, etc.
Carbon compound: silicon carbide, black glassy carbon compound, graphite.
Metal: Nickel, copper, etc.
Cellulose material: paper, etc.
Resin: Polyester (polyethylene terephthalate (PET), polyethylene naphthalate, etc.), polyvinyl alcohol, acrylic resin, polyamide, polyimide, cellophane, polycarbonate, soft vinyl chloride resin, hard vinyl chloride resin, fluororesin, silicone resin, etc.
Rubber: Fluoro rubber, etc.

基材の材料としては、波長365nm付近の紫外線の透過率が厚さ100μmのときに65%以上である材料が好ましく、ガラス、フッ素樹脂、PET、シリコーン樹脂、アクリル樹脂等が挙げられる。紫外線に対して不透明な基材を用いた場合、後述の被加工側の支持基板が、紫外線に対して透明な材料に限定されてしまう。
基材の材料としては、帯電防止層またはプライマー層との密着性が良好な点から、ガラス、PET、アクリル樹脂、ポリイミドが特に好ましい。
基材の厚さは、20〜5000μmが好ましく、100〜1000μmがより好ましい。
The material of the base material is preferably a material that is 65% or more when the transmittance of ultraviolet rays in the vicinity of a wavelength of 365 nm is 100 μm, and examples thereof include glass, fluororesin, PET, silicone resin, and acrylic resin. When a base material that is opaque to ultraviolet rays is used, a support substrate on the side to be processed, which will be described later, is limited to a material that is transparent to ultraviolet rays.
As the material for the substrate, glass, PET, acrylic resin, and polyimide are particularly preferable from the viewpoint of good adhesion to the antistatic layer or primer layer.
20-5000 micrometers is preferable and, as for the thickness of a base material, 100-1000 micrometers is more preferable.

基材として、あらかじめ帯電防止層が設けられた基材を用いてもよい。該基材としては、東洋紡社製のコスモシャインA7810、A6340、A8300、ユニチカ社製の高性能帯電防止PETフィルム等が挙げられる。
また、基材として、あらかじめプラズマ処理、コロナ放電、紫外線照射、真空紫外線照射、電子線照射、紫外線オゾン処理、イオン照射等の表面処理を施された基材を用いてもよい。該基材を用いることにより、第1のプライマー層を省略できる。
As the base material, a base material provided with an antistatic layer in advance may be used. Examples of the substrate include Cosmo Shine A7810, A6340, A8300 manufactured by Toyobo, and a high-performance antistatic PET film manufactured by Unitika.
Moreover, you may use the base material to which surface treatments, such as plasma processing, corona discharge, ultraviolet irradiation, vacuum ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, ultraviolet ozone treatment, ion irradiation, were given beforehand. By using the base material, the first primer layer can be omitted.

(パターン層)
パターンとしては、凹凸構造からなる微細パターンが好ましい。
凹凸構造における凸部は、パターン層の表面に延在する長尺の凸条、またはパターン層の表面に点在する突起である。
凹凸構造における凹部は、パターン層の表面に延在する長尺の溝、またはパターン層の表面に点在する孔である。
凸条または溝の形状としては、直線、曲線、折れ曲がり形状等が挙げられる。凸条または溝は、複数が平行に存在して縞状をなしていてもよい。
凸条または溝の、長手方向に直交する方向の断面形状としては、長方形、台形、三角形、半円形等が挙げられる。
突起または孔の形状としては、三角柱、四角柱、六角柱、円柱、三角錐、四角錐、六角錐、円錐半球、多面体等が挙げられる。
(Pattern layer)
The pattern is preferably a fine pattern having a concavo-convex structure.
The convex portions in the concavo-convex structure are long ridges extending on the surface of the pattern layer, or protrusions scattered on the surface of the pattern layer.
The recesses in the concavo-convex structure are long grooves extending on the surface of the pattern layer or holes scattered on the surface of the pattern layer.
Examples of the shape of the ridge or groove include a straight line, a curved line, a bent shape, and the like. A plurality of ridges or grooves may exist in parallel and have a stripe shape.
Examples of the cross-sectional shape of the ridge or groove in the direction perpendicular to the longitudinal direction include a rectangle, a trapezoid, a triangle, and a semicircle.
Examples of the shape of the protrusion or the hole include a triangular prism, a quadrangular prism, a hexagonal prism, a cylinder, a triangular pyramid, a quadrangular pyramid, a hexagonal pyramid, a conical hemisphere, and a polyhedron.

凸条または溝の幅は、平均で1nm〜500μmが好ましく、10nm〜300μmがより好ましく、50nm〜400nmが特に好ましい。凸条の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味する。溝の幅とは、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味する。
突起または孔の幅は、平均で1nm〜500μmが好ましく、10nm〜300μmがより好ましく、50nm〜400nmが特に好ましい。突起の幅とは、底面が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における底辺の長さを意味し、そうでない場合、突起の底面における最大長さを意味する。孔の幅とは、開口部が細長い場合、長手方向に直交する方向の断面における上辺の長さを意味し、そうでない場合、孔の開口部における最大長さを意味する。
凸部の高さは、平均で1nm〜500μmが好ましく、10nm〜300μmがより好ましく、10nm〜10μmが特に好ましく、50nm〜400nmが最も好ましい。
凹部の深さは、平均で1nm〜500μmが好ましく、10nm〜300μmがより好ましく、10nm〜10μmが特に好ましく、50nm〜400nmが最も好ましい。
The average width of the ridges or grooves is preferably 1 nm to 500 μm, more preferably 10 nm to 300 μm, and particularly preferably 50 nm to 400 nm. The width of the ridge means the length of the base in the cross section in the direction orthogonal to the longitudinal direction. The width of the groove means the length of the upper side in the cross section in the direction orthogonal to the longitudinal direction.
The average width of the protrusions or holes is preferably 1 nm to 500 μm, more preferably 10 nm to 300 μm, and particularly preferably 50 nm to 400 nm. The width of the protrusion means the length of the bottom side in a cross section perpendicular to the longitudinal direction when the bottom surface is elongated, and otherwise means the maximum length of the bottom surface of the protrusion. The width of the hole means the length of the upper side in the cross section perpendicular to the longitudinal direction when the opening is elongated, and otherwise means the maximum length of the opening of the hole.
The average height of the convex portions is preferably 1 nm to 500 μm, more preferably 10 nm to 300 μm, particularly preferably 10 nm to 10 μm, and most preferably 50 nm to 400 nm.
The average depth of the recesses is preferably 1 nm to 500 μm, more preferably 10 nm to 300 μm, particularly preferably 10 nm to 10 μm, and most preferably 50 nm to 400 nm.

凹凸構造が密集している領域において、隣接する凸部(または凹部)間の距離は、平均で1nm〜500μmが好ましく、10nm〜300μmが特に好ましい。隣接する凸部間の距離とは、凸部の断面の底辺の終端から、隣接する凸部の断面の底辺の始端までの距離を意味する。隣接する凹部間の距離とは、凹部の断面の上辺の終端から、隣接する凹部の断面の上辺の始端までの距離を意味する。
凸部の最小寸法は、1nm〜500μm以下が好ましく、50nm〜500nmがより好ましい。最小寸法とは、凸部の幅、長さおよび高さのうち最小の寸法を意味する。
凹部の最小寸法は、1nm〜500μm以下が好ましく、50nm〜500nmがより好ましい。最小寸法とは、凹部の幅、長さおよび深さのうち最小の寸法を意味する。
パターン層の厚さは、最も高い凸部の高さ以上が好ましい。
In the region where the concavo-convex structure is dense, the distance between adjacent convex portions (or concave portions) is preferably 1 nm to 500 μm on average, and particularly preferably 10 nm to 300 μm. The distance between adjacent convex parts means the distance from the end of the bottom of the cross section of the convex part to the beginning of the bottom of the cross section of the adjacent convex part. The distance between adjacent concave portions means the distance from the end of the upper side of the cross section of the concave portion to the start end of the upper side of the cross section of the adjacent concave portion.
The minimum dimension of the convex part is preferably 1 nm to 500 μm or less, and more preferably 50 nm to 500 nm. The minimum dimension means the minimum dimension among the width, length, and height of the convex portion.
The minimum dimension of the recess is preferably 1 nm to 500 μm or less, and more preferably 50 nm to 500 nm. The minimum dimension means the minimum dimension among the width, length and depth of the recess.
The thickness of the pattern layer is preferably equal to or higher than the height of the highest convex portion.

パターン層は、含フッ素重合体を含む層である。
含フッ素重合体としては、離型性に優れる点から、含フッ素樹脂100質量%中にフッ素を35質量%以上含有し、かつ含フッ素重合体からなる膜の水に対する接触角が80゜以上である重合体が好ましい。
含フッ素重合体からなる膜の水に対する接触角は、接触角計を用いて測定する。
The pattern layer is a layer containing a fluoropolymer.
As the fluoropolymer, from the viewpoint of excellent releasability, the fluorine-containing resin contains 35 mass% or more of fluorine in 100 mass%, and the contact angle with respect to water of the film made of the fluoropolymer is 80 ° or more. Some polymers are preferred.
The contact angle of the film made of the fluoropolymer with respect to water is measured using a contact angle meter.

含フッ素重合体としては、以下の重合体が挙げられる。
テトラフルオロエチレン/ペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)系共重合体、
テトラフルオロエチレン/エチレン系共重合体、
テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、
フッ化ビニリデン/テトラフルオロエチレン/ヘキサフルオロプロピレン系共重合体、
含フッ素環状重合体、
含フッ素アルキレン系重合体、
含フッ素ポリエーテル系重合体等。
Examples of the fluorine-containing polymer include the following polymers.
Tetrafluoroethylene / perfluoro (alkyl vinyl ether) copolymer,
Tetrafluoroethylene / ethylene copolymer,
Tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer,
Vinylidene fluoride / tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer,
Fluorine-containing cyclic polymer,
Fluorine-containing alkylene-based polymer,
Fluorinated polyether polymer, etc.

含フッ素重合体としては、含フッ素環状重合体または含フッ素ポリエーテル系重合体が好ましく、波長200〜500nmの光に対する透過率および耐久性に優れる点から、含フッ素環状重合体がより好ましい。   As the fluorine-containing polymer, a fluorine-containing cyclic polymer or a fluorine-containing polyether polymer is preferable, and a fluorine-containing cyclic polymer is more preferable from the viewpoint of excellent transmittance and durability with respect to light having a wavelength of 200 to 500 nm.

含フッ素環状重合体は、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する含フッ素重合体であり、含フッ素脂肪族環の環を構成する炭素原子の1個以上が該含フッ素重合体の主鎖を構成する炭素原子である重合体である。主鎖の炭素原子は、該含フッ素重合体を構成する環状単量体の重合性二重結合の2個の炭素原子に由来する、または、2個の重合性二重結合を有するジエン系単量体を環化重合させて得た含フッ素重合体の場合は2個の重合性二重結合の4個の炭素原子に由来する。含フッ素脂肪族環の環を構成する原子として、炭素原子以外に酸素原子、窒素原子等を含んでもよい。含フッ素脂肪族環としては、1〜2個の酸素原子を有する含フッ素脂肪族環が好ましい。含フッ素脂肪族環を構成する原子の数は、4〜7個が好ましい。
重合性二重結合としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、が好ましい。
The fluorine-containing cyclic polymer is a fluorine-containing polymer having a fluorine-containing aliphatic ring structure in the main chain, and at least one carbon atom constituting the ring of the fluorine-containing aliphatic ring is the main chain of the fluorine-containing polymer. It is a polymer which is a carbon atom constituting The carbon atom of the main chain is derived from two carbon atoms of the polymerizable double bond of the cyclic monomer constituting the fluoropolymer, or a diene-based single atom having two polymerizable double bonds. In the case of a fluorine-containing polymer obtained by cyclopolymerizing a monomer, it is derived from four carbon atoms of two polymerizable double bonds. As atoms constituting the ring of the fluorinated aliphatic ring, oxygen atoms, nitrogen atoms and the like may be contained in addition to carbon atoms. The fluorine-containing aliphatic ring is preferably a fluorine-containing aliphatic ring having 1 to 2 oxygen atoms. The number of atoms constituting the fluorine-containing aliphatic ring is preferably 4-7.
As the polymerizable double bond, a vinyl group, an allyl group, and a (meth) acryloyl group are preferable.

含フッ素環状重合体としては、環状単量体の単独重合体または共重合体、ジエン系単量体を環化重合させて得た単独重合体または共重合体等が挙げられる。
環状単量体は、含フッ素脂肪族環を構成する炭素原子間に重合性二重結合を有する単量体、または、含フッ素脂肪族環を構成する炭素原子と含フッ素脂肪族環外の炭素原子との間に重合性二重結合を有する単量体である。
ジエン系単量体は、2個の重合性二重結合を有する単量体である。
Examples of the fluorinated cyclic polymer include homopolymers or copolymers of cyclic monomers, and homopolymers or copolymers obtained by cyclopolymerizing diene monomers.
The cyclic monomer is a monomer having a polymerizable double bond between carbon atoms constituting the fluorinated aliphatic ring, or a carbon atom constituting the fluorinated aliphatic ring and carbon outside the fluorinated aliphatic ring. A monomer having a polymerizable double bond with an atom.
The diene monomer is a monomer having two polymerizable double bonds.

環状単量体およびジエン系単量体は、フッ素原子を有する単量体であり、炭素原子に結合した水素原子および炭素原子に結合したフッ素原子の合計数に対する炭素原子に結合したフッ素原子の数の割合が80%以上の単量体が好ましく、該割合が100%であるペルフルオロ単量体がより好ましい。   The cyclic monomer and the diene monomer are monomers having a fluorine atom, and the number of fluorine atoms bonded to the carbon atom relative to the total number of hydrogen atoms bonded to the carbon atom and fluorine atoms bonded to the carbon atom. A monomer having a ratio of 80% or more is preferable, and a perfluoro monomer having a ratio of 100% is more preferable.

環状単量体およびジエン系単量体は、ペルフルオロ単量体のフッ素原子の1〜4個が塩素により置換されたペルハロポリフルオロ単量体であってもよい。
環状単量体またはジエン系単量体と共重合させる単量体もペルフルオロ単量体またはペルハロポリフルオロ単量体が好ましい。
The cyclic monomer and the diene monomer may be a perhalopolyfluoromonomer in which 1 to 4 fluorine atoms of the perfluoromonomer are substituted with chlorine.
The monomer to be copolymerized with the cyclic monomer or diene monomer is also preferably a perfluoromonomer or a perhalopolyfluoromonomer.

環状単量体としては、化合物(1)または化合物(2)が好ましい。   As the cyclic monomer, compound (1) or compound (2) is preferable.

Figure 2007307752
Figure 2007307752

ただし、X11、X12、R11およびR12は、それぞれ独立に、フッ素原子、炭素数が1〜4のペルフルオロアルキル基または炭素数が1〜4のペルフルオロアルコキシ基を示す。X11としては、フッ素原子が好ましい。X12としてはフッ素原子、トリフルオロメチル基、または炭素数1〜4のペルフルオロアルコキシ基が好ましい。
21およびX22は、それぞれ独立に、フッ素原子または炭素数1〜7のペルフルオロアルキル基を示す。X21およびX22としては、フッ素原子またはトリフルオロメチル基が好ましい。
However, X < 11 >, X <12> , R < 11 > and R < 12 > show a fluorine atom, a C1-C4 perfluoroalkyl group, or a C1-C4 perfluoroalkoxy group each independently. X 11 is preferably a fluorine atom. X 12 is preferably a fluorine atom, a trifluoromethyl group, or a perfluoroalkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.
X 21 and X 22 each independently represent a fluorine atom or a C 1-7 perfluoroalkyl group. X 21 and X 22 are preferably a fluorine atom or a trifluoromethyl group.

化合物(1)の具体例としては、化合物(1−1)〜(1−3)が挙げられる。   Specific examples of compound (1) include compounds (1-1) to (1-3).

Figure 2007307752
Figure 2007307752

化合物(2)の具体例としては、化合物(2−1)〜(2−2)が挙げられる。   Specific examples of compound (2) include compounds (2-1) to (2-2).

Figure 2007307752
Figure 2007307752

環状単量体と共重合させる単量体としては、CF2=CF2、CF2=CFCl、CF2=CFOCF3等が挙げられる。 Examples of the monomer to be copolymerized with the cyclic monomer include CF 2 = CF 2 , CF 2 = CFCl, CF 2 = CFOCF 3 and the like.

ジエン系単量体としては、化合物(3)が好ましい。
CF2=CF−Q−CF=CF2 ・・・(3)。
ただし、Qは、エーテル性酸素原子を有していてもよい炭素数1〜3のペルフルオロアルキレン基を示す。エーテル性酸素原子を有するペルフルオロアルキレン基である場合、該ペルフルオロアルキレン基におけるエーテル性酸素原子は、該基の一方の末端に存在していてもよく、該基の両末端に存在していてもよく、該基の炭素原子間に存在していてもよい。環化重合性の点から、該基の一方の末端に存在していることが好ましい。
As the diene monomer, the compound (3) is preferable.
CF 2 = CF-Q-CF = CF 2 ··· (3).
However, Q shows the C1-C3 perfluoroalkylene group which may have an etheric oxygen atom. In the case of a perfluoroalkylene group having an etheric oxygen atom, the etheric oxygen atom in the perfluoroalkylene group may be present at one end of the group or may be present at both ends of the group. , May be present between the carbon atoms of the group. From the viewpoint of cyclopolymerizability, it is preferably present at one end of the group.

化合物(3)の環化重合により、下式(3−1)〜(3−3)の繰り返し単位を有する重合体が得られる。   A polymer having repeating units of the following formulas (3-1) to (3-3) is obtained by cyclopolymerization of the compound (3).

Figure 2007307752
Figure 2007307752

ジエン系単量体としては、下記の化合物が挙げられる。
CF2=CFOCF2CF=CF2
CF2=CFOCF(CF3)CF=CF2
CF2=CFOCF2CF2CF=CF2
CF2=CFOCF2CF(CF3)CF=CF2
CF2=CFOCF(CF3)CF2CF=CF2
CF2=CFOCF2OCF=CF2
CF2=CFOC(CF32OCF=CF2
CF2=CFCF2CF=CF2
CF2=CFCF2CF2CF=CF2
Examples of the diene monomer include the following compounds.
CF 2 = CFOCF 2 CF = CF 2 ,
CF 2 = CFOCF (CF 3 ) CF = CF 2 ,
CF 2 = CFOCF 2 CF 2 CF = CF 2 ,
CF 2 = CFOCF 2 CF (CF 3 ) CF = CF 2 ,
CF 2 = CFOCF (CF 3 ) CF 2 CF = CF 2 ,
CF 2 = CFOCF 2 OCF = CF 2 ,
CF 2 = CFOC (CF 3 ) 2 OCF = CF 2 ,
CF 2 = CFCF 2 CF = CF 2 ,
CF 2 = CFCF 2 CF 2 CF = CF 2.

ジエン系単量体と共重合させる単量体としては、CF2=CF2、CF2=CFCl、CF2=CFOCF3等が挙げられる。 Examples of the monomer to be copolymerized with the diene monomer include CF 2 = CF 2 , CF 2 = CFCl, CF 2 = CFOCF 3 and the like.

含フッ素環状重合体は、全繰り返し単位(100モル%)のうち、含フッ素脂肪族環構造を有する繰り返し単位を20モル%以上含むことが好ましく、40モル%以上含むことがより好ましく、含フッ素脂肪族環状構造を有する繰り返し単位のみからなることが特に好ましい。含フッ素脂肪族環構造を有する繰り返し単位は、環状単量体の重合により形成された繰り返し単位およびジエン系単量体の環化重合により形成された繰り返し単位である。   The fluorinated cyclic polymer preferably contains 20 mol% or more, more preferably 40 mol% or more of the repeating units having a fluorinated aliphatic ring structure, out of all the repeating units (100 mol%). It is particularly preferred that it consists only of repeating units having an aliphatic cyclic structure. The repeating unit having a fluorinated alicyclic structure is a repeating unit formed by polymerization of a cyclic monomer and a repeating unit formed by cyclopolymerization of a diene monomer.

含フッ素アルキレン系重合体は、ポリフルオロアルキレン鎖および重合性基を有する化合物を重合させて得た含フッ素重合体である。
ポリフルオロアルキレン鎖としては、炭素数2〜24のポリフルオロアルキレン基が好ましい。該ポリフルオロアルキレン基はシクロアルキレン基を含んでいてもよく、官能基を有していてもよい。
重合性基としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、ジオキセタン基、シアノ基、イソシアネート基または下式(4)で表される加水分解性シリル基が好ましい。
The fluorine-containing alkylene-based polymer is a fluorine-containing polymer obtained by polymerizing a compound having a polyfluoroalkylene chain and a polymerizable group.
As the polyfluoroalkylene chain, a polyfluoroalkylene group having 2 to 24 carbon atoms is preferable. The polyfluoroalkylene group may contain a cycloalkylene group and may have a functional group.
As the polymerizable group, a vinyl group, an allyl group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, a dioxetane group, a cyano group, an isocyanate group, or a hydrolyzable silyl group represented by the following formula (4) is preferable.

−(CH2aSi(M13-b(M2b ・・・(4)。
ただし、M1は、加水分解反応により水酸基に変換される基である。該基としては、ハロゲン原子、アルコキシ基、アシロキシ基等が挙げられる。ハロゲン原子としては、塩素原子が好ましい。アルコキシ基としては、メトキシ基またはエトキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。M1としては、アルコキシ基が好ましく、メトキシ基がより好ましい。
2は、1価炭化水素基である。M2としては、アルキル基、1以上のアリール基で置換されたアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、シクロアルキル基、アリール基等が挙げられ、アルキル基またはアルケニル基が好ましい。
aは、1〜3の整数であり、3が好ましい。
bは、0または1〜3の整数であり、0が好ましい。
- (CH 2) a Si ( M 1) 3-b (M 2) b ··· (4).
However, M < 1 > is group converted into a hydroxyl group by a hydrolysis reaction. Examples of the group include a halogen atom, an alkoxy group, and an acyloxy group. As the halogen atom, a chlorine atom is preferable. As an alkoxy group, a methoxy group or an ethoxy group is preferable, and a methoxy group is more preferable. M 1 is preferably an alkoxy group, more preferably a methoxy group.
M 2 is a monovalent hydrocarbon group. Examples of M 2 include an alkyl group, an alkyl group substituted with one or more aryl groups, an alkenyl group, an alkynyl group, a cycloalkyl group, and an aryl group, and an alkyl group or an alkenyl group is preferable.
a is an integer of 1 to 3, and 3 is preferable.
b is 0 or an integer of 1 to 3, and 0 is preferable.

ポリフルオロアルキレン鎖および重合性基を有する化合物としては、下記の化合物が挙げられる。
CH2=CHCOOCH2CH2(CF28F、
CH2=CHCOOCH2CH2(CF26F、
CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF28F、
CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF26F、
CH2=CHCOOCH2(CF26F、
CH2=C(CH3)COOCH2(CF26F、
CH2=CHCOOCH2CF2CF2H、
CH2=CHCOOCH2(CF2CF22H、
CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF2)H、
CH2=C(CH3)COOCH2(CF2CF22H、
CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF26CF(CF32
CH2=CFCOOCH2CH(OH)CH2(CF26CF(CF32
CH2=CHCOOCH2CH2(CF2CF23CH2CH2COCOCH=CH2
CH2=C(CH3)COOCH2CH2(CF2CF23CH2CH2COCOC(CH3)=CH2
CH2=CHCOOCH2CyFCH2OCOCH=CH2
CH2=C(CH3)COOCH2CyFCH2OCOC(CH3)=CH2
ただし、CyFは、ペルフルオロ(1,4−シクロへキシレン基)を示す。
Examples of the compound having a polyfluoroalkylene chain and a polymerizable group include the following compounds.
CH 2 = CHCOOCH 2 CH 2 ( CF 2) 8 F,
CH 2 = CHCOOCH 2 CH 2 ( CF 2) 6 F,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CH 2 (CF 2) 8 F,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CH 2 (CF 2) 6 F,
CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 ) 6 F,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2) 6 F,
CH 2 = CHCOOCH 2 CF 2 CF 2 H,
CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 CF 2 ) 2 H,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2 CF 2) H,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 (CF 2 CF 2) 2 H,
CH 2 = CFCOOCH 2 CH (OH ) CH 2 (CF 2) 6 CF (CF 3) 2,
CH 2 = CFCOOCH 2 CH (OH ) CH 2 (CF 2) 6 CF (CF 3) 2,
CH 2 = CHCOOCH 2 CH 2 ( CF 2 CF 2) 3 CH 2 CH 2 COCOCH = CH 2,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 CH 2 (CF 2 CF 2) 3 CH 2 CH 2 COCOC (CH 3) = CH 2,
CH 2 = CHCOOCH 2 Cy F CH 2 OCOCH = CH 2 ,
CH 2 = C (CH 3) COOCH 2 Cy F CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2.
Cy F represents perfluoro (1,4-cyclohexylene group).

含フッ素ポリエーテル系重合体は、ペルフルオロ(ポリオキシアルキレン)鎖および重合性基を有する化合物(以下、化合物(f)という)を重合させて得た含フッ素重合体である。
ペルフルオロ(ポリオキシアルキレン)鎖は、(CF2CF2O)単位、(CF2CF(CF3)O)単位、(CF2CF2CF2O)単位および(CF2O)単位からなる群から選ばれる1種以上のペルフルオロ(オキシアルキレン)単位からなることが好ましく、(CF2CF2O)単位、(CF2CF(CF3)O)単位または(CF2CF2CF2O)単位からなることがより好ましく、含フッ素重合体の物性(耐熱性、耐酸性等。)が優れる点から、(CF2CF2O)単位からなることが特に好ましい。
化合物(f)に含まれるペルフルオロ(オキシアルキレン)単位の数は、含フッ素重合体の離型性および硬度が高い点から、2〜200の整数が好ましく、5〜50の整数がより好ましい。
The fluorine-containing polyether polymer is a fluorine-containing polymer obtained by polymerizing a compound having a perfluoro (polyoxyalkylene) chain and a polymerizable group (hereinafter referred to as compound (f)).
The perfluoro (polyoxyalkylene) chain is a group consisting of (CF 2 CF 2 O) units, (CF 2 CF (CF 3 ) O) units, (CF 2 CF 2 CF 2 O) units and (CF 2 O) units. It is preferably composed of at least one perfluoro (oxyalkylene) unit selected from: (CF 2 CF 2 O) unit, (CF 2 CF (CF 3 ) O) unit or (CF 2 CF 2 CF 2 O) unit It is more preferable that the fluorine-containing polymer is composed of (CF 2 CF 2 O) units from the viewpoint of excellent physical properties (heat resistance, acid resistance, etc.).
The number of perfluoro (oxyalkylene) units contained in the compound (f) is preferably an integer of 2 to 200, more preferably an integer of 5 to 50, from the viewpoint of high releasability and hardness of the fluoropolymer.

重合性基としては、ビニル基、アリル基、(メタ)アクリロイル基、エポキシ基、ジオキセタン基、シアノ基、イソシアネート基または上記式(4)で表される加水分解性シリル基が好ましく、(メタ)アクリロイル基がより好ましい。
化合物(f)に含まれる重合性基の数は、重合性に優れる点から、1〜4の整数が好ましく、含フッ素重合体の硬度等に優れる点から、2〜4の整数がより好ましく、3または4が特に好ましい。化合物(f)の2種以上を併用する場合、重合性基の平均数は1〜3が好ましい。
As the polymerizable group, a vinyl group, an allyl group, a (meth) acryloyl group, an epoxy group, a dioxetane group, a cyano group, an isocyanate group, or a hydrolyzable silyl group represented by the above formula (4) is preferable. An acryloyl group is more preferred.
The number of polymerizable groups contained in the compound (f) is preferably an integer of 1 to 4 from the viewpoint of excellent polymerizability, more preferably an integer of 2 to 4 from the viewpoint of excellent hardness of the fluoropolymer, etc. 3 or 4 is particularly preferred. When using 2 or more types of a compound (f) together, the average number of polymeric groups has 1-3.

化合物(f)としては、化合物(f1)〜(f4)が好ましく、化合物(f1)がより好ましい。
(Z1−CH2CF2O(CF2CF2O)y1a11 ・・・(f1)、
(Z2−CH2CF2O(CF2CF2O)y2・(CF2O)g2a22 ・・・(f2)、
(Z3−CH2CF2O(CF(CF3)CF2O)y3・(CF2O)g3a33 ・・・(f3)、
(Z4−CH2CF2O(CF2CF2CF2O)y4・(CF2O)g4a44 ・・・(f4)。
As the compound (f), compounds (f1) to (f4) are preferable, and a compound (f1) is more preferable.
(Z 1 —CH 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 O) y1 ) a1 Y 1 (f1),
(Z 2 —CH 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 O) y 2 · (CF 2 O) g 2 ) a 2 Y 2 (f2),
(Z 3 -CH 2 CF 2 O (CF (CF 3) CF 2 O) y3 · (CF 2 O) g3) a3 Y 3 ··· (f3),
(Z 4 -CH 2 CF 2 O (CF 2 CF 2 CF 2 O) y4 · (CF 2 O) g4) a4 Y 4 ··· (f4).

ただし、「・」の表記は、2つの単位の並び方が限定されないことを意味する。
y1、y2、y3およびy4は、それぞれ独立に、1〜100の整数を示し、5〜50の整数が好ましい。
g2、g3およびg4は、それぞれ独立に、1〜100の整数を示す。
a1、a2、a3およびa4は、それぞれ独立に、1〜4の整数を示し、2〜4の整数が好ましく、3または4が特に好ましい。
1は、a1価連結基を示し、Y2は、a2価連結基を示し、Y3は、a3価連結基を示し、Y4は、a4価連結基を示す。a1、a2、a3およびa4は、前記と同じ意味を示す。
2価連結基のY1〜Y4としては、−CF2CF2−等が挙げられる。
3価連結基のY1〜Y4としては、下記の連結基等が挙げられる。
However, the notation “·” means that the arrangement of the two units is not limited.
y1, y2, y3 and y4 each independently represent an integer of 1 to 100, preferably an integer of 5 to 50.
g2, g3 and g4 each independently represent an integer of 1 to 100.
a1, a2, a3 and a4 each independently represent an integer of 1 to 4, preferably an integer of 2 to 4, and particularly preferably 3 or 4.
Y 1 represents an a1 valent linking group, Y 2 represents an a2 valent linking group, Y 3 represents an a3 valent linking group, and Y 4 represents an a4 valent linking group. a1, a2, a3 and a4 have the same meaning as described above.
Examples of Y 1 to Y 4 of the divalent linking group include —CF 2 CF 2 —.
Examples of Y 1 to Y 4 of the trivalent linking group include the following linking groups.

Figure 2007307752
Figure 2007307752

4価連結基のY1〜Y4としては、下記の連結基等が挙げられる。 Examples of the tetravalent linking group Y 1 to Y 4 include the following linking groups.

Figure 2007307752
Figure 2007307752

1、Z2、Z3およびZ4は、それぞれ独立に、下式(5)で表される基を示し、Wが好ましい。
W−(OCH2CH2c・(OCH2CH(OW)CH2d− ・・・(5)。
ただし、cおよびdは、それぞれ独立に、0または1〜100の整数を示し、0が好ましい。
Z 1 , Z 2 , Z 3 and Z 4 each independently represent a group represented by the following formula (5), and W is preferred.
W- (OCH 2 CH 2) c · (OCH 2 CH (OW) CH 2) d - ··· (5).
However, c and d each independently represent 0 or an integer of 1 to 100, preferably 0.

Wは、下式(5−1)〜(5−5)で表される基を示す。
CH2=CHCOO(CH2h1−Q1− ・・・(5−1)、
CH2=CFCOO(CH2h2−Q2− ・・・(5−2)、
CH2=C(CH3)COO(CH2h3−Q3− ・・・(5−3)、
CH2=C(CF3)COO(CH2h4−Q4− ・・・(5−4)。
W represents a group represented by the following formulas (5-1) to (5-5).
CH 2 = CHCOO (CH 2 ) h1 -Q 1- (5-1),
CH 2 = CFCOO (CH 2 ) h 2 -Q 2- (5-2),
CH 2 = C (CH 3) COO (CH 2) h3 -Q 3 - ··· (5-3),
CH 2 = C (CF 3) COO (CH 2) h4 -Q 4 - ··· (5-4).

Figure 2007307752
Figure 2007307752

ただし、h1、h2、h3、h4およびh5は、それぞれ独立に、0または1〜10の整数を示す。
1、Q2、Q3およびQ4は、それぞれ独立に、単結合、−COO−、または−NHCOO−を示す。h1が0の場合、Q1は単結合であり、h2が0の場合、Q2は単結合であり、h3が0の場合のQ3は単結合であり、h4が0の場合のQ4は単結合である。Q5は、エーテル性酸素原子または−COO−を示す。
However, h1, h2, h3, h4 and h5 each independently represent 0 or an integer of 1 to 10.
Q 1 , Q 2 , Q 3 and Q 4 each independently represent a single bond, —COO— or —NHCOO—. If h1 is 0, Q 1 is a single bond, if the h2 is 0, Q 2 is a single bond, Q 3 where h3 is 0 is a single bond, when h4 is 0 Q 4 Is a single bond. Q 5 represents an etheric oxygen atom or —COO—.

また、含フッ素重合体としては、離型性に優れる点から、炭素原子に結合した水素原子および炭素原子に結合したフッ素原子の合計数に対する炭素原子に結合したフッ素原子の数の割合が100%である、ペルフルオロ重合体(F)が好ましく、塗布性に優れる点から、無定形または非結晶性のペルフルオロ重合体(F)が好ましい。ペルフルオロ重合体(F)は、たとえば、重合開始剤の存在下に後述のペルフルオロ単量体を重合することにより製造できる。   Moreover, as a fluoropolymer, the ratio of the number of fluorine atoms bonded to carbon atoms to the total number of hydrogen atoms bonded to carbon atoms and fluorine atoms bonded to carbon atoms is 100% because of excellent releasability. The perfluoropolymer (F) is preferable, and the amorphous or amorphous perfluoropolymer (F) is preferable from the viewpoint of excellent coating properties. The perfluoropolymer (F) can be produced, for example, by polymerizing a perfluoromonomer described later in the presence of a polymerization initiator.

第2のプライマー層を設けない場合、含フッ素重合体としては、帯電防止層との密着性の点から、反応性官能基を有するペルフルオロ重合体(F1)、または該ペルフルオロ重合体(F1)と後述のペルフルオロ重合体(F2)との混合物が特に好ましい。
該ペルフルオロ重合体(F1)または混合物の水の接触角は、80゜以上105゜未満が好ましい。
In the case where the second primer layer is not provided, the fluorine-containing polymer includes a perfluoropolymer (F1) having a reactive functional group or the perfluoropolymer (F1) from the viewpoint of adhesion to the antistatic layer. A mixture with a perfluoro polymer (F2) described later is particularly preferred.
The contact angle of water of the perfluoropolymer (F1) or mixture is preferably 80 ° or more and less than 105 °.

反応性官能基としては、カルボキシ基、スルホン酸基、エステル結合を有する基、水酸基、アミノ基、シアノ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシ基が好ましい。たとえば、カルボキシ基を有するペルフルオロ重合体(F1)の場合、重合開始剤等に由来する官能基を末端基として有するペルフルオロ重合体(F)を酸素雰囲気下で加熱し、ついで水中に浸漬して、前記官能基をカルボキシ基に変換することにより製造できる。   Examples of the reactive functional group include a carboxy group, a sulfonic acid group, a group having an ester bond, a hydroxyl group, an amino group, a cyano group, and an isocyanate group, and a carboxy group is preferable. For example, in the case of a perfluoropolymer (F1) having a carboxy group, the perfluoropolymer (F) having a functional group derived from a polymerization initiator or the like as a terminal group is heated in an oxygen atmosphere, and then immersed in water. It can be produced by converting the functional group into a carboxy group.

第2のプライマー層を設ける場合、含フッ素重合体としては、離型性に優れる点から、ペルフルオロ重合体(F1)をフッ素ガスで処理して得られる、反応性官能基を実質的に有しないペルフルオロ重合体(F2)が特に好ましい。
該ペルフルオロ重合体(F2)の水の接触角は、105゜以上が好ましい。
When the second primer layer is provided, the fluorine-containing polymer has substantially no reactive functional group obtained by treating the perfluoropolymer (F1) with fluorine gas from the viewpoint of excellent releasability. Perfluoropolymer (F2) is particularly preferred.
The water contact angle of the perfluoropolymer (F2) is preferably 105 ° or more.

(帯電防止層)
帯電防止層は、導電性化合物を含む層である。帯電防止層が基材またはパターン層との密着性に優れている場合は、プライマー層を兼ねてもよい。
導電性化合物自体の表面抵抗は、108Ω/□以下が好ましく、106Ω/□以下がより望ましい。
帯電防止層の表面抵抗は、1011Ω/□以下が好ましく、109.5Ω/□以下がより好ましい。
帯電防止層上に設けられたパターン層の表面抵抗は、1016Ω/□以下が好ましく、1013Ω/□以下がより好ましい。
(Antistatic layer)
The antistatic layer is a layer containing a conductive compound. When the antistatic layer has excellent adhesion to the substrate or the pattern layer, it may also serve as a primer layer.
The surface resistance of the conductive compound itself is preferably 10 8 Ω / □ or less, and more preferably 10 6 Ω / □ or less.
The surface resistance of the antistatic layer is preferably 10 11 Ω / □ or less, and more preferably 10 9.5 Ω / □ or less.
The surface resistance of the pattern layer provided on the antistatic layer is preferably 10 16 Ω / □ or less, and more preferably 10 13 Ω / □ or less.

導電性化合物としては、以下の化合物が挙げられる。
金属酸化物:ニオブをドープした酸化スズ、リンをドープした酸化スズ、アンチモンをドープした酸化スズ(ATO)、酸化インジウム、スズをドープした酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛、アルミニウムをドープした酸化亜鉛、インジウムをドープした酸化亜鉛、アンチモン酸亜鉛、五酸化アンチモン等。
導電性ポリマー:脂肪族共役系のポリアセチレン、芳香族共役系のポリ(パラフェニレン)、複素環式共役系のポリピロール、ポリチオフェン、含ヘテロ原子共役系のポリアニリン、混合型共役系のポリ(フェニレンビニレン)等。
導電性炭素材料:カーボン粉末(カーボンナノチューブ、カーボンブラック、ケッチェンブラック、アセチレンブラック等。)、炭素繊維(ポリアクリロニトリル系炭素繊維、ピッチ系炭素繊維等。)、膨張化黒鉛粉砕品のカーボンフレーク等。
金属材料:金属(アルミニウム、銅、金、銀、ニッケル、クロム、鉄、モリブデン、チタン、タングステン、タンタル等。)または該金属を含有する合金の粉末、金属フレーク、金属繊維(鉄、銅、ステンレス、銀メッキ銅、黄銅等。)等。
Examples of the conductive compound include the following compounds.
Metal oxide: Tin oxide doped with niobium, tin oxide doped with phosphorus, tin oxide doped with antimony (ATO), indium oxide, indium oxide doped with tin (ITO), zinc oxide, zinc oxide doped with aluminum Indium-doped zinc oxide, zinc antimonate, antimony pentoxide, etc.
Conductive polymers: aliphatic conjugated polyacetylene, aromatic conjugated poly (paraphenylene), heterocyclic conjugated polypyrrole, polythiophene, heteroatom-containing polyaniline, mixed conjugated poly (phenylene vinylene) etc.
Conductive carbon materials: carbon powder (carbon nanotubes, carbon black, ketjen black, acetylene black, etc.), carbon fibers (polyacrylonitrile-based carbon fibers, pitch-based carbon fibers, etc.), carbon flakes of expanded graphite pulverized products, etc. .
Metal material: Metal (aluminum, copper, gold, silver, nickel, chromium, iron, molybdenum, titanium, tungsten, tantalum, etc.) or powder of alloy containing the metal, metal flake, metal fiber (iron, copper, stainless steel) , Silver-plated copper, brass, etc.).

導電性化合物としては、パターン層またはプライマー層との密着性の点から、金属酸化物または導電性ポリマーが好ましく、波長365nm付近の紫外線の透過率の点から、ポリチオフェンまたはITOがより好ましい。
金属酸化物にドープされた異種原子の含有率は、金属酸化物(100モル%)のうち0.01〜30モル%が好ましく、0.1〜10モル%がより好ましい。
導電性化合物の含有率は、帯電防止層(100質量%)のうち、30〜100質量%が好ましく、帯電防止性の点から、50〜100質量%がより好ましい。
帯電防止層の厚さは、用途により適宜決定すればよい。たとえば、透明性の高い帯電防止層を形成する場合、厚さは20〜1000nmが好ましく、30〜300nmがより好ましく、40〜200nmが特に好ましい。
As the conductive compound, a metal oxide or a conductive polymer is preferable from the viewpoint of adhesion to the pattern layer or the primer layer, and polythiophene or ITO is more preferable from the viewpoint of the transmittance of ultraviolet rays near a wavelength of 365 nm.
0.01-30 mol% is preferable among metal oxides (100 mol%), and, as for the content rate of the hetero atom doped by the metal oxide, 0.1-10 mol% is more preferable.
The content of the conductive compound is preferably 30 to 100% by mass in the antistatic layer (100% by mass), and more preferably 50 to 100% by mass from the viewpoint of antistatic properties.
What is necessary is just to determine the thickness of an antistatic layer suitably by a use. For example, when forming a highly transparent antistatic layer, the thickness is preferably 20 to 1000 nm, more preferably 30 to 300 nm, and particularly preferably 40 to 200 nm.

(第1のプライマー層)
第1のプライマー層の材料としては、接着剤、シランカップリング剤、珪素原子を含む樹脂材料等が挙げられる。
接着剤としては、可視光硬化性樹脂、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤またはウレタン系接着剤が好ましく、低硬化収縮性および高透明性の点から、シアノアクリル酸エステルまたはエポキシ樹脂を含む接着剤が好ましい。
(First primer layer)
Examples of the material for the first primer layer include an adhesive, a silane coupling agent, and a resin material containing a silicon atom.
As the adhesive, a visible light curable resin, an epoxy adhesive, an acrylic adhesive, or a urethane adhesive is preferable. From the viewpoint of low curing shrinkage and high transparency, an adhesive containing a cyanoacrylate ester or an epoxy resin is used. Agents are preferred.

シランカップリング剤としては、以下のシランカップリング剤が挙げられる。
アミノ基を有するシランカップリング剤:3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等。
オキシラニル基を有するシランカップリング剤:3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン等。
トリクロロシランのシランカップリング剤:ビニルトリクロロシラン等。
他の官能基(ビニル基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、エポキシ基、スチリル基、フルオロアルキル基、メルカプト基、イソシアネート基、ウレイド基等。)を有するシランカップリング剤等。
Examples of the silane coupling agent include the following silane coupling agents.
Silane coupling agents having amino groups: 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) ) -3-Aminopropylmethyldimethoxysilane and the like.
Silane coupling agents having an oxiranyl group: 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, and the like.
Silane coupling agent for trichlorosilane: vinyltrichlorosilane and the like.
Silane coupling agents having other functional groups (vinyl group, acryloyloxy group, methacryloyloxy group, epoxy group, styryl group, fluoroalkyl group, mercapto group, isocyanate group, ureido group, etc.).

シランカップリング剤としては、アミノ基を有するシランカップリング剤、オキシラニル基を有するシランカップリング剤、トリクロロシランのシランカップリング剤が好ましい。
珪素原子を含む樹脂材料としては、変性アクリルシリコーン樹脂、シルセスキオキサン骨格を含む樹脂等が挙げられる。
第1のプライマー層の厚さは、0.02〜25μmが好ましく、0.03〜15μmがより好ましい。
As the silane coupling agent, a silane coupling agent having an amino group, a silane coupling agent having an oxiranyl group, and a silane coupling agent of trichlorosilane are preferable.
Examples of the resin material containing a silicon atom include a modified acrylic silicone resin and a resin containing a silsesquioxane skeleton.
The thickness of the first primer layer is preferably 0.02 to 25 μm, and more preferably 0.03 to 15 μm.

(第2のプライマー層)
第2のプライマー層の材料としては、反応性官能基を有する含フッ素重合体等が挙げられ、反応性官能基を有する含フッ素環状重合体、反応性官能基を有する含フッ素アルキレン系重合体または反応性官能基を有する含フッ素ポリエーテル系重合体が好ましい。また、該含フッ素重合体としては、上述の反応性官能基を有するペルフルオロ重合体(F1)が特に好ましい。
反応性官能基を有する含フッ素重合体としては、化合物(6−1)〜(6−2)に由来する単位を有する含フッ素重合体;重合開始剤に由来する末端基をカルボキシ基に変えた含フッ素重合体等が挙げられる。
CH2=CHCOOCH2CH(OH)CH2(CF22CF(CH32 ・・・(6−1)、
CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2 ・・・(6−2)。
第2のプライマー層の厚さは、0.03〜5μmが好ましく、0.06〜1μmがより好ましい。
(Second primer layer)
Examples of the material for the second primer layer include a fluorine-containing polymer having a reactive functional group, a fluorine-containing cyclic polymer having a reactive functional group, a fluorine-containing alkylene polymer having a reactive functional group, or A fluorine-containing polyether polymer having a reactive functional group is preferred. Moreover, as this fluoropolymer, the perfluoro polymer (F1) which has the above-mentioned reactive functional group is especially preferable.
As the fluorine-containing polymer having a reactive functional group, a fluorine-containing polymer having units derived from the compounds (6-1) to (6-2); the terminal group derived from the polymerization initiator was changed to a carboxy group. Examples thereof include fluorine-containing polymers.
CH 2 = CHCOOCH 2 CH (OH) CH 2 (CF 2 ) 2 CF (CH 3 ) 2 (6-1),
CF 2 = CFCF 2 C (CF 3) (OH) CH 2 CH = CH 2 ··· (6-2).
The thickness of the second primer layer is preferably 0.03 to 5 μm, more preferably 0.06 to 1 μm.

<モールドの製造方法>
本発明のモールドの製造方法としては、以下の方法が挙げられる。
(i)パターン層をホットエンボス法によって形成する方法。
(ii)パターン層をキャスト法によって形成する方法。
(iii)パターン層を切削、レーザー、放射線、エッチング等によって形成する方法。
本発明のモールドの製造方法としては、パターン層の形成が容易であり、かつ形成されるパターンの精度が高い点から、(i)の方法または(ii)の方法が好ましい。
<Mold manufacturing method>
The following method is mentioned as a manufacturing method of the mold of this invention.
(I) A method of forming a pattern layer by a hot embossing method.
(Ii) A method of forming the pattern layer by a casting method.
(iii) A method of forming the pattern layer by cutting, laser, radiation, etching or the like.
As the method for producing a mold of the present invention, the method (i) or the method (ii) is preferable because the pattern layer can be easily formed and the accuracy of the pattern to be formed is high.

((i)の方法)
(i)の方法としては、たとえば、下記(i−1)〜(i−6)工程を有する方法が挙げられる。
(i−1)必要に応じて、基材上に第1のプライマー層を形成する工程。
(i−2)基材または第1のプライマー層上に帯電防止層を形成する工程。
(i−3)必要に応じて、帯電防止層上に第2のプライマー層を形成する工程。
(i−4)帯電防止層または第2のプライマー層上に含フッ素重合体を含む膜を形成する工程。
(i−5)含フッ素重合体を含む膜に、パターン層のパターンに対応する反転パターンを有する、加熱されたオリジナルモールドを押しあてる工程。
(i−6)含フッ素重合体を含む膜からオリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程。
(Method (i))
Examples of the method (i) include a method having the following steps (i-1) to (i-6).
(I-1) The process of forming a 1st primer layer on a base material as needed.
(I-2) A step of forming an antistatic layer on the substrate or the first primer layer.
(I-3) The process of forming a 2nd primer layer on an antistatic layer as needed.
(I-4) A step of forming a film containing a fluoropolymer on the antistatic layer or the second primer layer.
(I-5) The process of pressing the heated original mold which has the inversion pattern corresponding to the pattern of a pattern layer with the film | membrane containing a fluoropolymer.
(I-6) A step of separating the original mold from the film containing the fluoropolymer to form a pattern layer.

以下、第1のプライマー層および第2のプライマー層を設ける場合について説明する。
(i−1)工程:
基材上に、第1のプライマー層の材料を含む溶液を塗布し、塗膜を乾燥することによって第1のプライマー層を形成する。
塗布方法としては、キャスト法、スピンコート法、スプレーコート法、ポッティング法、バーコート法等が挙げられる。
乾燥方法としては、加熱乾燥法、温風乾燥法、真空乾燥法、気流下に放置して乾燥させる方法等が挙げられる。
Hereinafter, a case where the first primer layer and the second primer layer are provided will be described.
(I-1) Step:
A first primer layer is formed by applying a solution containing the material of the first primer layer on the substrate and drying the coating film.
Examples of the coating method include a casting method, a spin coating method, a spray coating method, a potting method, and a bar coating method.
Examples of the drying method include a heat drying method, a warm air drying method, a vacuum drying method, and a method of drying by leaving in an air stream.

(i−2)工程:
第1のプライマー層上に、帯電防止剤を塗布し、塗膜を乾燥することによって帯電防止層を形成する。
塗布方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。
乾燥方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。
帯電防止剤が硬化性樹脂を含有する場合、塗膜を乾燥した後に、加熱または紫外線照射により硬化性樹脂を硬化させる。紫外線照射には、超高圧水銀灯、高圧水銀灯、低圧水銀灯、カーボンアーク、キセノンアーク、メタルハライドランプ等が用いられる。
(I-2) Process:
An antistatic agent is apply | coated on a 1st primer layer, and an antistatic layer is formed by drying a coating film.
Examples of the coating method include the same method as in step (i-1).
Examples of the drying method include the same method as in step (i-1).
When the antistatic agent contains a curable resin, the curable resin is cured by heating or ultraviolet irradiation after the coating film is dried. For the ultraviolet irradiation, an ultra-high pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, a low-pressure mercury lamp, a carbon arc, a xenon arc, a metal halide lamp, or the like is used.

帯電防止剤としては、導電性化合物、分散剤および溶剤を含有するものが挙げられる。帯電防止剤としては、市販の帯電防止剤を用いてもよい。市販の帯電防止剤としては、インスコン・テック社製のコニソル、ムロマチテクノス社のMU−003等が挙げられる。   Examples of the antistatic agent include those containing a conductive compound, a dispersant and a solvent. A commercially available antistatic agent may be used as the antistatic agent. Examples of commercially available antistatic agents include Conisol manufactured by Inscon Tech, MU-003 manufactured by Muromachi Technos, and the like.

導電性化合物としては、上述の化合物が挙げられる。導電性化合物の濃度は、帯電防止剤(100質量%)のうち、0.1〜10質量%が好ましく、分散性および帯電防止性の点から、0.4〜5質量%が好ましい。   Examples of the conductive compound include the compounds described above. The concentration of the conductive compound is preferably 0.1 to 10% by mass in the antistatic agent (100% by mass), and preferably 0.4 to 5% by mass from the viewpoint of dispersibility and antistatic properties.

分散剤としては、アニオン性基を有する分散剤が好ましい。アニオン性基としては、カルボキシ基、スルホン酸基(スルホ基)、リン酸基(ホスホノ基)、スルホンアミド基等の酸性プロトンを有する基、またはその塩が挙げられ、カルボキシ基、スルホン酸基、リン酸基またはその塩が好ましく、カルボキシ基、リン酸基が特に好ましい。分散剤に含有されるアニオン性基の数は、1分子当たり平均1個以上であり、導電性化合物の分散性がさらに改良される点から、1分子当たり平均2個以上が好ましく、平均5個以上がより好ましく、平均10個以上が特に好ましい。1分子に含まれるアニオン性基の種類は、2種以上であってもよい。   As the dispersant, a dispersant having an anionic group is preferable. Examples of the anionic group include a group having an acidic proton such as a carboxy group, a sulfonic acid group (sulfo group), a phosphoric acid group (phosphono group), a sulfonamide group, or a salt thereof. A phosphoric acid group or a salt thereof is preferable, and a carboxy group and a phosphoric acid group are particularly preferable. The average number of anionic groups contained in the dispersant is 1 or more per molecule, and from the viewpoint of further improving the dispersibility of the conductive compound, the average is preferably 2 or more per molecule, and an average of 5 The above is more preferable, and an average of 10 or more is particularly preferable. Two or more types of anionic groups may be contained in one molecule.

アニオン性基を有する分散剤としては、東邦化学工業社製のホスファノール(PE−510、PE−610、LB−400、EC−6103、RE−410等。)、ビックケミー・ジャパン社製のDisperbyk(−110、−111、−116、−140、−161、−162、−163、−164、−164、−170、−171等。)、東亞合成社製のアロニックスM5300等、日本化薬社製のKAYAMER(PM−21、PM−2等。)等が挙げられる。   Examples of the dispersant having an anionic group include phosphanol (PE-510, PE-610, LB-400, EC-6103, RE-410, etc.) manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd. and Disperbyk (- 110, −111, −116, −140, −161, −162, −163, −164, −164, −170, −171, etc.), Aronix M5300 manufactured by Toagosei Co., Ltd. KAYAMER (PM-21, PM-2 etc.) etc. are mentioned.

分散剤は、さらに架橋性または重合性の官能基を有することが好ましい。架橋性または重合性の官能基としては、ラジカルによる架橋反応または重合反応が可能なエチレン性不飽和基(アクリロイル基、メタクリロイル基、アリル基、スチリル基、ビニルオキシ基等。)、カチオン重合性基(エポキシ基、オキサセタニル基、ビニルオキシ基等。)、重縮合反応性基(加水分解性シリル基、N−メチロール基等。)等が挙げられ、エチレン性不飽和基が好ましい。   It is preferable that the dispersant further has a crosslinkable or polymerizable functional group. Examples of the crosslinkable or polymerizable functional group include ethylenically unsaturated groups (acryloyl group, methacryloyl group, allyl group, styryl group, vinyloxy group, etc.) capable of crosslinking reaction or polymerization reaction by radicals, cationic polymerizable groups ( Epoxy group, oxacetanyl group, vinyloxy group, etc.), polycondensation reactive groups (hydrolyzable silyl group, N-methylol group, etc.) and the like, and ethylenically unsaturated groups are preferred.

分散剤としては、アニオン性基と、架橋性または重合性の官能基とを有し、かつ該架橋性または重合性の官能基を側鎖に有するオリゴマーまたはポリマーが特に好ましい。該オリゴマーまたはポリマーの質量平均分子量(Mw)は、1000以上が好ましく、2000〜1000000がより好ましく、5000〜200000がさらに好ましく、10000〜100000が特に好ましい。
分散剤の添加量は、導電性化合物100質量部に対して、1〜50質量部が好ましく、5〜30質量部がより好ましく、5〜20質量部が特に好ましい。
分散剤は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
As the dispersant, an oligomer or polymer having an anionic group and a crosslinkable or polymerizable functional group and having the crosslinkable or polymerizable functional group in the side chain is particularly preferable. 1000 or more are preferable, as for the mass average molecular weight (Mw) of this oligomer or polymer, 2000-1000000 are more preferable, 5000-200000 are further more preferable, and 10000-100,000 are especially preferable.
1-50 mass parts is preferable with respect to 100 mass parts of conductive compounds, and, as for the addition amount of a dispersing agent, 5-30 mass parts is more preferable, and 5-20 mass parts is especially preferable.
A dispersing agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

溶剤としては、沸点が60〜170℃の液体が好ましい。
溶剤としては、エタノール、イソプロパノール、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ブタノールが好ましく、エタノール、イソプロパノール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、これらと水との混合溶剤が特に好ましい。
As the solvent, a liquid having a boiling point of 60 to 170 ° C. is preferable.
As the solvent, ethanol, isopropanol, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and butanol are preferable, and ethanol, isopropanol, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and a mixed solvent of these with water are particularly preferable.

帯電防止剤は、基材との密着性および機械的強度の点から、さらにバインダーを含有してもよい。バインダーとしては、非硬化系の熱可塑性樹脂;熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂等が挙げられ、密着性の点から、光硬化性樹脂が特に好ましい。
バインダーの軟化温度またはガラス転移点は、50℃以上が好ましく、70℃以上がより好ましく、100℃以上が特に好ましい。
The antistatic agent may further contain a binder from the viewpoint of adhesion to the substrate and mechanical strength. Examples of the binder include a non-curable thermoplastic resin; a curable resin such as a thermosetting resin and a photocurable resin, and the like. A photocurable resin is particularly preferable from the viewpoint of adhesion.
The softening temperature or glass transition point of the binder is preferably 50 ° C or higher, more preferably 70 ° C or higher, and particularly preferably 100 ° C or higher.

光硬化性樹脂としては、1分子中に光重合性基を2個以上有する多官能単量体を含有するものが好ましく、1分子中に光重合性基を3個以上有する多官能単量体を含有するものがより好ましい。
光重合性基としては、エポキシ基、(メタ)アクリロイル基、ビニル基、スチリル基、アリル基等の重合性基等が挙げられ、(メタ)アクリロイル基が好ましい。
As a photocurable resin, what contains the polyfunctional monomer which has 2 or more of photopolymerizable groups in 1 molecule is preferable, and the polyfunctional monomer which has 3 or more of photopolymerizable groups in 1 molecule More preferably, it contains
Examples of the photopolymerizable group include polymerizable groups such as an epoxy group, a (meth) acryloyl group, a vinyl group, a styryl group, and an allyl group, and a (meth) acryloyl group is preferable.

光硬化性樹脂としては、以下の単量体が挙げられる。
ネオペンチルグリコールアクリレート、1,6−ヘキサンジオール(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等。
トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等。
ペンタエリスリトールジ(メタ)アクリレート等。
2,2−ビス{4−(アクリロキシ・ジエトキシ)フェニル}プロパン等。
Examples of the photocurable resin include the following monomers.
Neopentyl glycol acrylate, 1,6-hexanediol (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate and the like.
Triethylene glycol di (meth) acrylate, dipropylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate and the like.
Pentaerythritol di (meth) acrylate and the like.
2,2-bis {4- (acryloxy-diethoxy) phenyl} propane and the like.

トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、1,2,4−シクロヘキサンテトラ(メタ)アクリレート、ペンタグリセロールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、トリペンタエリスリトールトリアクリレート、トリペンタエリスリトールヘキサトリアクリレート等。   Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolethane tri (meth) acrylate, 1,2,4-cyclohexanetetra (meth) acrylate, pentaglycerol triacrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) Acrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, tripentaerythritol triacrylate, tripentaerythritol hexatriacrylate and the like.

多官能単量体は、1種を単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
光硬化性樹脂は、光重合開始剤を含有することが好ましい。光重合開始剤としては、光ラジカル重合開始剤または光カチオン重合開始剤が好ましく、光ラジカル重合開始剤が特に好ましい。
A polyfunctional monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
The photocurable resin preferably contains a photopolymerization initiator. As the photopolymerization initiator, a photoradical polymerization initiator or a photocationic polymerization initiator is preferable, and a photoradical polymerization initiator is particularly preferable.

帯電防止剤は、分散剤の存在下で、導電性化合物を溶剤に分散することにより調製される。
導電性化合物を溶剤に分散する際には、分散機を用いることが好ましい。分散機としては、サンドグラインダーミル(ピン付きビーズミル等。)、ダイノミル、高速インペラーミル、アイガーミル、ペッブルミル、ローラーミル、アトライター、コロイドミル等が挙げられ、サンドグラインダーミル、ダイノミル等のメディア分散機が特に好ましい。
導電性化合物を溶剤に分散する前には、予備分散処理を施してもよい。予備分散処理に用いる分散機としては、ボールミル、三本ロールミル、ニーダー、エクストルーダー等が挙げられる。
The antistatic agent is prepared by dispersing a conductive compound in a solvent in the presence of a dispersant.
When dispersing the conductive compound in the solvent, it is preferable to use a disperser. Examples of the dispersing machine include a sand grinder mill (bead mill with a pin), a dyno mill, a high-speed impeller mill, an Eiger mill, a pebble mill, a roller mill, an attritor, a colloid mill, and the like. Particularly preferred.
Prior to dispersing the conductive compound in the solvent, a preliminary dispersion treatment may be performed. Examples of the disperser used for the preliminary dispersion treatment include a ball mill, a three-roll mill, a kneader, and an extruder.

(i−3)工程:
帯電防止層上に、反応性官能基を有する含フッ素重合体を溶剤に溶解した溶液を塗布し、塗膜を乾燥することによって第2のプライマー層を形成する。
溶剤としては、ペルフルオロトリブチルアミン、ペンタフルオロベンゼン、ヘキサフルオロメタキシレン、ハイドロフルオロエーテル等の含フッ素溶剤が挙げられる。
塗布方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。
乾燥方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。乾燥温度は、40〜200℃が好ましい。
(I-3) Step:
On the antistatic layer, a solution obtained by dissolving a fluorine-containing polymer having a reactive functional group in a solvent is applied, and the coating film is dried to form a second primer layer.
Examples of the solvent include fluorine-containing solvents such as perfluorotributylamine, pentafluorobenzene, hexafluorometaxylene, and hydrofluoroether.
Examples of the coating method include the same method as in step (i-1).
Examples of the drying method include the same method as in step (i-1). The drying temperature is preferably 40 to 200 ° C.

(i−4)工程:
図5に示すように、第2のプライマー層22上に、含フッ素重合体を溶剤に溶解した溶液を塗布し、塗膜を乾燥することによって含フッ素重合体を含む膜32を形成し、モールド前駆体30を得る。
溶剤としては、(i−3)工程にて例示した溶剤等が挙げられる。
塗布方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。
乾燥方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。乾燥温度は、(i−3)工程と同様の温度である。
含フッ素重合体を溶剤に溶解した溶液の代わりに、光硬化性または熱硬化性の含フッ素単量体を用いてもよい。
含フッ素重合体を含む膜32の離型性を制御するために、含フッ素重合体を含む膜32の表面に、プラズマ処理、コロナ放電、紫外線照射、真空紫外線照射、電子線照射、紫外線オゾン処理、イオン照射等の表面処理を施してもよい。
(I-4) Process:
As shown in FIG. 5, a film 32 containing a fluoropolymer is formed on the second primer layer 22 by applying a solution obtained by dissolving a fluoropolymer in a solvent and drying the coating film. The precursor 30 is obtained.
Examples of the solvent include the solvents exemplified in the step (i-3).
Examples of the coating method include the same method as in step (i-1).
Examples of the drying method include the same method as in step (i-1). The drying temperature is the same temperature as in step (i-3).
Instead of a solution obtained by dissolving a fluorinated polymer in a solvent, a photocurable or thermosetting fluorinated monomer may be used.
In order to control the releasability of the film 32 containing the fluoropolymer, the surface of the film 32 containing the fluoropolymer is subjected to plasma treatment, corona discharge, ultraviolet irradiation, vacuum ultraviolet irradiation, electron beam irradiation, ultraviolet ozone treatment. Further, surface treatment such as ion irradiation may be performed.

(i−5)工程:
図6に示すように、モールド前駆体30の含フッ素重合体を含む膜32に、パターン層のパターンに対応する反転パターン42を有する、加熱されたオリジナルモールド40を押しあてる。
オリジナルモールド40の材質としては、シリコン、ガラス、金属、樹脂等が挙げられる。
オリジナルモールド40に反転パターン42を形成する方法としては、フォトリソグラフィー、電子線リソグラフィー、X線リソグラフィー、切削加工、レーザービーム加工、超音波加工、陽極酸化等による自己組織化方法等が挙げられる。
(I-5) Step:
As shown in FIG. 6, a heated original mold 40 having a reversal pattern 42 corresponding to the pattern of the pattern layer is pressed against a film 32 containing a fluoropolymer of the mold precursor 30.
Examples of the material of the original mold 40 include silicon, glass, metal, and resin.
Examples of the method for forming the reversal pattern 42 on the original mold 40 include self-organization methods such as photolithography, electron beam lithography, X-ray lithography, cutting, laser beam processing, ultrasonic processing, and anodic oxidation.

オリジナルモールド40を、含フッ素重合体を含む膜32に押しあてる際のプレス圧力(ゲージ圧)は、0〜10MPa以下が好ましい。
オリジナルモールド40の温度は、含フッ素重合体の種類に応じて適宜決定すればよい。
The pressing pressure (gauge pressure) when the original mold 40 is pressed against the film 32 containing the fluoropolymer is preferably 0 to 10 MPa or less.
What is necessary is just to determine the temperature of the original mold 40 suitably according to the kind of fluoropolymer.

(i−6)工程:
含フッ素重合体を含む膜32からオリジナルモールド40を分離し、図4に示すような、パターン14を有するパターン層16を形成し、モールド10を得る。
なお、基材12が円筒状または円柱状の場合、図7に示すように、加熱されたオリジナルモールド40の反転パターン(図示略)が形成された面上にて、モールド前駆体30を回転させることによって、(i−5)工程および(i−6)工程を同時に行い、パターン層を有する、円筒状または円柱状のモールドを得てもよい。
(I-6) Step:
The original mold 40 is separated from the film 32 containing the fluoropolymer, and the pattern layer 16 having the pattern 14 as shown in FIG. 4 is formed to obtain the mold 10.
When the substrate 12 is cylindrical or columnar, as shown in FIG. 7, the mold precursor 30 is rotated on the surface on which the reverse pattern (not shown) of the heated original mold 40 is formed. By doing this, the step (i-5) and the step (i-6) may be performed simultaneously to obtain a cylindrical or columnar mold having a pattern layer.

((ii)の方法)
(ii)の方法としては、たとえば、下記(ii−1)〜(ii−6)工程を有する方法が挙げられる。
(ii−1)必要に応じて、基材上に第1のプライマー層を形成する工程。
(ii−2)基材または第1のプライマー層上に帯電防止層を形成し、第1の中間体を得る工程。
(ii−3)必要に応じて、帯電防止層上に第2のプライマー層を形成する工程。
(ii−4)パターン層のパターンに対応する反転パターンを有するオリジナルモールド上に、含フッ素重合体を含む膜を形成し、第2の中間体を得る工程。
(ii−5)第1の中間体と第2の中間体とを、基材およびオリジナルモールドが外側になるように貼り合わせる工程。
(ii−6)含フッ素重合体を含む膜からオリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程。
(Method (ii))
Examples of the method (ii) include a method having the following steps (ii-1) to (ii-6).
(Ii-1) The process of forming a 1st primer layer on a base material as needed.
(Ii-2) A step of forming an antistatic layer on the substrate or the first primer layer to obtain a first intermediate.
(Ii-3) A step of forming a second primer layer on the antistatic layer as necessary.
(Ii-4) The process of forming the film | membrane containing a fluoropolymer on the original mold which has the inversion pattern corresponding to the pattern of a pattern layer, and obtaining a 2nd intermediate body.
(Ii-5) The process of bonding a 1st intermediate body and a 2nd intermediate body so that a base material and an original mold may become an outer side.
(Ii-6) A step of separating the original mold from the film containing the fluoropolymer and forming a pattern layer.

以下、第1のプライマー層および第2のプライマー層を設ける場合について説明する。
(ii−1)〜(ii−3)工程:
(i−1)〜(i−3)工程と同様に行い、基材12上に第1のプライマー層20を介して帯電防止層18が形成され、さらに帯電防止層18上に第2のプライマー層22が形成された第1の中間体34(図9参照。)を得る。
Hereinafter, a case where the first primer layer and the second primer layer are provided will be described.
Steps (ii-1) to (ii-3):
(I-1)-(i-3) It carries out similarly to a process, the antistatic layer 18 is formed on the base material 12 via the 1st primer layer 20, and also the 2nd primer on the antistatic layer 18 A first intermediate 34 (see FIG. 9) in which the layer 22 is formed is obtained.

(ii−4)工程:
図8に示すように、パターン層のパターンに対応する反転パターン42を有するオリジナルモールド40上に、含フッ素重合体を溶剤に溶解した溶液を、該溶液と反転パターン42とが接するように塗布し、塗膜を乾燥することによって含フッ素重合体を含む膜32を形成し、第2の中間体36を得る。
溶剤としては、(i−3)工程にて例示した溶剤等が挙げられる。
塗布方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。
乾燥方法としては、(i−1)工程と同様の方法が挙げられる。乾燥温度は、(i−3)工程と同様の温度である。
含フッ素重合体を溶剤に溶解した溶液の代わりに、光硬化性または熱硬化性の含フッ素単量体を用いてもよい。
(Ii-4) Step:
As shown in FIG. 8, a solution obtained by dissolving a fluoropolymer in a solvent is applied on an original mold 40 having a reversal pattern 42 corresponding to the pattern of the pattern layer so that the solution and the reversal pattern 42 are in contact with each other. Then, the film 32 containing the fluoropolymer is formed by drying the coating film, and the second intermediate 36 is obtained.
Examples of the solvent include the solvents exemplified in the step (i-3).
Examples of the coating method include the same method as in step (i-1).
Examples of the drying method include the same method as in step (i-1). The drying temperature is the same temperature as in step (i-3).
Instead of a solution obtained by dissolving a fluorinated polymer in a solvent, a photocurable or thermosetting fluorinated monomer may be used.

(ii−5)工程:
図9に示すように、第1の中間体34と第2の中間体36とを、基材12およびオリジナルモールド40が外側になるように貼り合わせる。
貼り合わせ方法としては、接着剤を用いて貼り合わせる方法;貼り合わせる面に溶剤を塗布し、該面を溶解させた後、貼り合わせる方法等が挙げられる。
(Ii-5) Step:
As shown in FIG. 9, the 1st intermediate body 34 and the 2nd intermediate body 36 are bonded together so that the base material 12 and the original mold 40 may become an outer side.
Examples of the bonding method include a method of bonding using an adhesive; a method of applying a solvent to the surfaces to be bonded, dissolving the surface, and then bonding the surfaces.

(ii−6)工程:
第1の中間体34と第2の中間体36とを貼り合わせ後、含フッ素重合体を含む膜32からオリジナルモールド40を分離し、図4に示すような、パターン14を有するパターン層16を形成し、モールド10を得る。
(Ii-6) Step:
After bonding the first intermediate 34 and the second intermediate 36, the original mold 40 is separated from the film 32 containing the fluoropolymer, and the pattern layer 16 having the pattern 14 as shown in FIG. Then, the mold 10 is obtained.

<微細パターンの形成方法>
本発明のモールドを用いた微細パターンの形成方法としては、たとえば、以下の方法が挙げられる。
(a)支持基板上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜に、本発明のモールドのパターン層を押しあてた状態で、またはモールドを光硬化性樹脂から分離した後に、光硬化性樹脂に光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
(b)本発明のモールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、該光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
<Fine pattern formation method>
Examples of a method for forming a fine pattern using the mold of the present invention include the following methods.
(A) Photocurability in a state where the pattern layer of the mold of the present invention is pressed against a film made of a liquid photocurable resin formed on a support substrate, or after the mold is separated from the photocurable resin. A method of forming a desired fine pattern by irradiating a resin with light and curing the photocurable resin.
(B) A liquid photocurable resin is supplied to the surface of the pattern layer of the mold of the present invention, and the photocurable resin is irradiated with light simultaneously with or after the photocurable resin is transferred onto the support substrate. And curing the photocurable resin to form a desired fine pattern.

(a)の方法としては、たとえば、以下の方法が挙げられる。
(I)本発明のモールドがフィルムまたはシート状の場合:
(I−1)図10に示すように、一定方向に移動する帯状の支持基板50上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜52と、フィルムまたはシート状のモールド10をシリンダ62に巻き付けた円筒状モールド60とを、支持基板50の移動速度に同期させて円筒状モールド60を回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂からなる膜52にモールド10のパターン層16を押しあてた状態で、またはモールド10を光硬化性樹脂から分離した後に、光硬化性樹脂に光源70からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、パターン層16のパターン(図示略)を反転させた微細パターン(図示略)を形成する方法。
シリンダ62の材料としては、ガラス、樹脂、金属、セラミックス、木材、ゴム等が挙げられ、円筒状モールド60内に光源70を配置する場合は、ガラス、アクリル樹脂、フッ素樹脂、フッ素ゴム等の透光材料が好ましい。
Examples of the method (a) include the following methods.
(I) When the mold of the present invention is a film or a sheet:
(I-1) As shown in FIG. 10, a film 52 made of a liquid photocurable resin formed on a belt-like support substrate 50 moving in a fixed direction and a film or sheet-like mold 10 are placed in a cylinder 62. The wound cylindrical mold 60 is continuously brought into contact with the cylindrical mold 60 while rotating the cylindrical mold 60 in synchronization with the moving speed of the support substrate 50, and the pattern layer 16 of the mold 10 is pressed against the film 52 made of a photocurable resin. In the applied state or after separating the mold 10 from the photocurable resin, the photocurable resin is irradiated with light from the light source 70 to cure the photocurable resin, and the pattern of the pattern layer 16 (not shown) is formed. A method for forming an inverted fine pattern (not shown).
Examples of the material of the cylinder 62 include glass, resin, metal, ceramics, wood, rubber, and the like. When the light source 70 is disposed in the cylindrical mold 60, glass, acrylic resin, fluororesin, fluororubber, or the like is used. Optical materials are preferred.

(I−2)図11に示すように、一定方向に移動する帯状の支持基板50上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜52と、帯状のモールド10の両端を接続し、2本のロール82に架け渡したエンドレスベルト状モールド80とを、支持基板50の移動速度に同期させてエンドレスベルト状モールド80を回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂からなる膜52にモールド10のパターン層16を押しあてた状態で、またはモールド10を光硬化性樹脂から分離した後に、光硬化性樹脂に光源70からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、パターン層16のパターン(図示略)を反転させた微細パターン(図示略)を形成する方法。   (I-2) As shown in FIG. 11, a film 52 made of a liquid photocurable resin formed on a belt-like support substrate 50 moving in a fixed direction is connected to both ends of the belt-like mold 10. The endless belt-shaped mold 80 laid over the rolls 82 is continuously contacted while rotating the endless belt-shaped mold 80 in synchronization with the moving speed of the support substrate 50, so that the film 52 made of a photocurable resin is formed. The pattern layer 16 of the mold 10 is pressed or after the mold 10 is separated from the photocurable resin, the photocurable resin is irradiated with light from the light source 70 to cure the photocurable resin, and the pattern layer A method of forming a fine pattern (not shown) obtained by inverting 16 patterns (not shown).

(I−3)帯状の本発明のモールドと、帯状の支持基板上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜とを、同方向に移動させながら重ねることにより連続的に接触させ、光硬化性樹脂からなる膜にモールドのパターン層を押しあてた状態で、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。   (I-3) A belt-shaped mold of the present invention and a film made of a liquid photocurable resin formed on a belt-shaped support substrate are continuously brought into contact with each other by overlapping while moving in the same direction. A method of forming a desired fine pattern by irradiating a photocurable resin with light from a light source while the mold pattern layer is pressed against a film made of a curable resin to cure the photocurable resin.

(II)本発明のモールドが円筒状または円柱状の場合:
図12に示すように、一定方向に移動する帯状の支持基板50上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜52と、円筒状または円柱状のモールド10とを、支持基板50の移動速度に同期させてモールド10を回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂からなる膜52にモールド10のパターン層16を押しあてた状態で、光硬化性樹脂に光源70からの光を照射し、またはモールド10を光硬化性樹脂から分離した後に、光硬化性樹脂を硬化させ、パターン層16のパターン(図示略)を反転させた微細パターン(図示略)を形成する方法。
(II) When the mold of the present invention is cylindrical or columnar:
As shown in FIG. 12, a film 52 made of a liquid photocurable resin formed on a belt-like support substrate 50 that moves in a predetermined direction and a cylindrical or columnar mold 10 are moved by the support substrate 50. In synchronization with the speed, the mold 10 is continuously contacted while rotating, and the light from the light source 70 is applied to the photocurable resin with the pattern layer 16 of the mold 10 pressed against the film 52 made of photocurable resin. A method of forming a fine pattern (not shown) by irradiating or separating the mold 10 from the photocurable resin and then curing the photocurable resin to reverse the pattern (not shown) of the pattern layer 16.

(III)本発明のモールドが板状の場合:
板状のモールドを、支持基板上に形成された液状の光硬化性樹脂からなる膜に、スタンプのように押しあて、光硬化性樹脂からなる膜にモールドのパターン層を押しあてた状態で、またはモールドを光硬化性樹脂から分離した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
(III) When the mold of the present invention is plate-shaped:
In a state where the plate-shaped mold is pressed against the film made of a liquid photocurable resin formed on the support substrate like a stamp, and the pattern layer of the mold is pressed against the film made of the photocurable resin, Alternatively, after separating the mold from the photocurable resin, the photocurable resin is irradiated with light from a light source to cure the photocurable resin, thereby forming a desired fine pattern.

(b)の方法としては、たとえば、以下の方法が挙げられる。
(IV)本発明のモールドがフィルムまたはシート状の場合:
(IV−1)フィルムまたはシート状のモールドをシリンダに巻き付けた円筒状モールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、一定方向に移動する帯状の支持基板と円筒状モールド表面の光硬化性樹脂とを、支持基板の移動速度に同期させて円筒状モールドを回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
Examples of the method (b) include the following methods.
(IV) When the mold of the present invention is a film or a sheet:
(IV-1) A liquid photocurable resin is supplied to the surface of the pattern layer of the cylindrical mold in which a film or sheet-shaped mold is wound around a cylinder, and the belt-shaped support substrate that moves in a certain direction and the surface of the cylindrical mold The photocurable resin is continuously contacted while rotating the cylindrical mold in synchronization with the moving speed of the support substrate, and the photocurable resin is transferred to the support substrate at the same time or after the photocurable resin is transferred. A method of forming a desired fine pattern by irradiating a resin with light from a light source and curing the photocurable resin.

(IV−2)帯状のモールドの両端を接続したエンドレスベルト状モールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、一定方向に移動する帯状の支持基板上とエンドレスベルト状モールドとを、支持基板の移動速度に同期させてエンドレスベルト状モールドを回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。   (IV-2) A liquid photocurable resin is supplied to the surface of the pattern layer of the endless belt-shaped mold in which both ends of the belt-shaped mold are connected, and the endless belt-shaped mold is moved on the belt-shaped support substrate that moves in a certain direction. The endless belt-shaped mold is continuously contacted while rotating in synchronization with the moving speed of the support substrate, and the photocurable resin is transferred to the photocurable resin from the light source simultaneously with or after the transfer onto the support substrate. A method of forming a desired fine pattern by irradiating light and curing a photocurable resin.

(IV−3)帯状の本発明のモールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、該モールドと帯状の支持基板上とを、同方向に移動させながら重ねることにより連続的に接触させ、光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。   (IV-3) A liquid photocurable resin is supplied to the surface of the pattern layer of the strip-shaped mold of the present invention, and the mold and the strip-shaped support substrate are overlapped while moving in the same direction. A method of forming a desired fine pattern by bringing the photocurable resin into contact with the photocurable resin and transferring the photocurable resin onto the support substrate, or after the transfer, irradiating the photocurable resin with light from the light source and curing the photocurable resin. .

(V)本発明のモールドが円筒状または円柱状の場合:
円筒状または円柱状のモールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、一定方向に移動する帯状の支持基板と円筒状または円柱状のモールドとを、支持基板の移動速度に同期させて円筒状または円柱状のモールドを回転させながら連続的に接触させ、光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
(V) When the mold of the present invention is cylindrical or columnar:
Supply liquid photo-curing resin to the surface of the pattern layer of the cylindrical or columnar mold, and synchronize the belt-shaped support substrate that moves in a certain direction and the cylindrical or columnar mold with the moving speed of the support substrate The cylindrical or columnar mold is continuously contacted while rotating, and simultaneously or after transferring the photocurable resin onto the support substrate, the photocurable resin is irradiated with light from the light source, A method of curing a photocurable resin to form a desired fine pattern.

(VI)本発明のモールドが板状の場合:
板状のモールドのパターン層の表面に液状の光硬化性樹脂を供給し、該モールドの光硬化性樹脂の上に支持基板を押しあて、光硬化性樹脂を支持基板上に転写すると同時に、または転写した後に、光硬化性樹脂に光源からの光を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、所望の微細パターンを形成する方法。
(VI) When the mold of the present invention is plate-shaped:
At the same time as supplying a liquid photocurable resin to the surface of the pattern layer of the plate-shaped mold and pressing the support substrate on the photocurable resin of the mold to transfer the photocurable resin onto the support substrate, or A method of forming a desired fine pattern by irradiating the photocurable resin with light from a light source after being transferred and curing the photocurable resin.

光硬化性樹脂の硬化は、モールドが透光材料からなる場合、モールド側から光硬化性樹脂に光を照射することによって行う。支持基板が透光材料からなる場合、支持基板側から光硬化性樹脂に光を照射してもよい。また、加熱による硬化を併用してもよい。
光照射の光源としては、高圧水銀灯等が用いられる。光としては、紫外線または可視光線が用いられる。
光源は、モールドまたは支持基板の透光性または光照射のタイミングに応じて、モールドの内側に設けてもよく(図10〜12中の実線で示す光源70。)、支持基板を挟んでモールドの反対側に設けてもよく(図10〜12中の点線で示す光源70。)、モールドよりも下流側に設けてもよい(図10〜12中の一点破線で示す光源70。)。
When the mold is made of a translucent material, the photocurable resin is cured by irradiating the photocurable resin with light from the mold side. When the support substrate is made of a light-transmitting material, the photocurable resin may be irradiated with light from the support substrate side. Moreover, you may use together hardening by a heating.
A high pressure mercury lamp or the like is used as a light source for light irradiation. As the light, ultraviolet light or visible light is used.
The light source may be provided inside the mold according to the translucency of the mold or the support substrate or the timing of light irradiation (light source 70 shown by a solid line in FIGS. 10 to 12), and the mold is sandwiched between the support substrates. You may provide in the other side (light source 70 shown with the dotted line in FIGS. 10-12), and you may provide downstream from a mold (light source 70 shown with the dashed-dotted line in FIGS. 10-12).

支持基板の形状としては、フィルムまたはシート状、板状、円筒状、円柱状等が挙げられる。
支持基板の材料としては、樹脂、ガラス、金属、セルロース素材等が挙げられる。
光硬化性樹脂としては、可視光線または紫外線によって硬化可能な、公知の光硬化性樹脂が挙げられる。
Examples of the shape of the support substrate include a film or sheet shape, a plate shape, a cylindrical shape, and a columnar shape.
Examples of the material for the support substrate include resin, glass, metal, and cellulose material.
Examples of the photocurable resin include known photocurable resins that can be cured by visible light or ultraviolet light.

本発明のモールドを用いて微細パターンが形成される物品としては、以下の物品が挙げられる。
光学素子:マイクロレンズアレイ、光導波路、光スイッチング、フレネルゾーンプレート、ワイヤーグリッド、波長フィルター、偏光板、バイナリー素子、ブレーズ素子、フォトニクス結晶、反射防止フィルム、反射防止構造を具備する部材等。
チップ類:バイオチップ、μ−TAS(Micro−Total Analysis Systems)用のチップ、マイクロリアクターチップ等。
記録メディア:光ディスク等。
ディスプレイ材料:リブ等。
エネルギー関連:燃料電池、三次元電池、キャパシタ、ペルチェ素子、太陽電池等。
半導体関連:MEMS(Micro−Electoro−Mechanical−System)、半導体装置等。
その他:触媒の担持体、フィルター、センサー部材、超撥水材料等。
Examples of the article on which a fine pattern is formed using the mold of the present invention include the following articles.
Optical element: Microlens array, optical waveguide, optical switching, Fresnel zone plate, wire grid, wavelength filter, polarizing plate, binary element, blazed element, photonic crystal, antireflection film, antireflection structure, etc.
Chips: Biochips, μ-TAS (Micro-Total Analysis Systems) chips, microreactor chips, and the like.
Recording media: optical disc, etc.
Display material: ribs, etc.
Energy related: Fuel cells, 3D batteries, capacitors, Peltier elements, solar cells, etc.
Semiconductor-related: MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System), semiconductor devices, etc.
Others: catalyst carrier, filter, sensor member, super water-repellent material, etc.

以上説明した本発明のモールドにあっては、基材とパターン層との間に帯電防止層を有するため、本発明のモールドを用いて微細パターンを形成する際に異物の付着による欠陥が生じることがない。その結果、歩留まりを向上させることができる。
また、本発明のモールドの製造方法にあっては、含フッ素重合体を含む膜(後にパターン層となる層)を形成する前に、基材上に帯電防止層を形成しているため、含フッ素重合体を含む膜に埃等の異物が付着することなく、異物に由来する欠陥がパターン層に生じることがない。
Since the mold of the present invention described above has an antistatic layer between the base material and the pattern layer, defects due to adhesion of foreign matters occur when a fine pattern is formed using the mold of the present invention. There is no. As a result, the yield can be improved.
Further, in the mold manufacturing method of the present invention, the antistatic layer is formed on the substrate before the film containing the fluoropolymer (the layer to be the pattern layer later) is formed. Foreign matter such as dust does not adhere to the film containing the fluoropolymer, and defects derived from the foreign matter do not occur in the pattern layer.

以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例にのみに限定されるものではない。
実施例において、表面抵抗は、表面抵抗計(ハイレスタMCP−HTP16、三菱化学社製)を用いて、印加電圧1000Vにて測定した。
水に対する接触角は、接触角計(CA−X150型、協和界面科学社製)を用いて、約20μLの水滴を着滴させて測定した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further in detail, this invention is not limited only to these Examples.
In the examples, the surface resistance was measured at an applied voltage of 1000 V using a surface resistance meter (Hiresta MCP-HTP16, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
The contact angle with respect to water was measured using a contact angle meter (CA-X150 type, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) by dropping about 20 μL of water droplets.

〔合成例1〕
ガラス製オートクレーブに、ジエン系単量体であるCF2=CFOCF2CF2CF=CF2の100g、連鎖移動剤であるメタノールの0.5gおよび重合開始剤である((CH32CHOCOO)2の0.7gを加え、懸濁重合法にて環化重合させて、含フッ素環状重合体であり、かつペルフルオロ重合体(F)である、重合体Aを得た。重合体Aの固有粘度[η]は、30℃のペルフルオロ(2−ブチルテトラヒドロフラン)中で0.34dL/gであった。
[Synthesis Example 1]
Glass autoclave, a diene is monomer CF 2 = CFOCF 2 CF 2 CF = CF 2 of 100 g, 0.5 g and the polymerization initiator of methanol chain transfer agent ((CH 3) 2 CHOCOO) 0.7 g of 2 was added and cyclopolymerized by a suspension polymerization method to obtain a polymer A which is a fluorine-containing cyclic polymer and a perfluoropolymer (F). The intrinsic viscosity [η] of the polymer A was 0.34 dL / g in perfluoro (2-butyltetrahydrofuran) at 30 ° C.

重合体Aを熱風循環式オーブン中で、大気雰囲気下にて300℃で1時間加熱処理した後、超純水中に110℃で1週間浸漬して分子末端の官能基を処理した後、真空乾燥機中で100℃にて24時間乾燥させて、ペルフルオロ重合体(F1)である重合体A1を得た。重合体A1のIRスペクトルにはカルボキシ基に帰属されるピークが確認された。また、波長400〜2000nmにおける光線透過率は、100μmの厚さで95%以上であった。重合体A1のフッ素含有率は、重合体A1(100質量%)中、67質量%であった。重合体A1からなる膜の水に対する接触角は、101゜であった。   Polymer A was heated in a hot air circulation oven at 300 ° C. for 1 hour in an air atmosphere, then immersed in ultrapure water at 110 ° C. for 1 week to treat the functional group at the molecular end, and then vacuumed. The polymer A1 which is a perfluoro polymer (F1) was obtained by drying in a dryer at 100 ° C. for 24 hours. In the IR spectrum of the polymer A1, a peak attributed to the carboxy group was confirmed. The light transmittance at a wavelength of 400 to 2000 nm was 95% or more at a thickness of 100 μm. The fluorine content of the polymer A1 was 67% by mass in the polymer A1 (100% by mass). The contact angle of the film made of the polymer A1 with respect to water was 101 °.

〔合成例2〕
1Lのステンレス製のオートクレーブに、重合体A1の5gを加え、オートクレーブ内を3回窒素置換した後、4KPaまで減圧した。その後、オートクレーブ内に窒素で14容量%に希釈したフッ素ガスを101KPaまで導入し、230℃で6時間フッ素化処理を行い、ペルフルオロ重合体(F2)である重合体A2の5gを得た。重合体A2のIRスペクトルには、重合開始剤に由来する分子末端の炭化水素基、カルボキシ基等を示すピークは確認されなかった。重合体A2のフッ素含有率は、重合体A2(100質量%)中、68質量%であった。重合体A2からなる膜の水に対する接触角は、116゜であった。
[Synthesis Example 2]
5 g of the polymer A1 was added to a 1 L stainless steel autoclave, the inside of the autoclave was purged with nitrogen three times, and then the pressure was reduced to 4 KPa. Thereafter, fluorine gas diluted to 14% by volume with nitrogen was introduced into the autoclave up to 101 KPa, and fluorination treatment was performed at 230 ° C. for 6 hours to obtain 5 g of polymer A2 as a perfluoropolymer (F2). In the IR spectrum of the polymer A2, no peak indicating a hydrocarbon group, a carboxy group or the like at the molecular terminal derived from the polymerization initiator was confirmed. The fluorine content of the polymer A2 was 68% by mass in the polymer A2 (100% by mass). The contact angle of the film made of the polymer A2 with respect to water was 116 °.

〔実施例1〕
帯電防止剤(インスコン・テック社製、コニソルF−205)を、水/イソプロパノール(1/7質量比)の混合溶剤にて5倍に希釈し、塗布用の帯電防止剤を調製する。該帯電防止剤を、アクリル樹脂製のパイプ(厚さ1.8mm、直径30mm、長さ150mm。)に、パイプを120rpmの速度で回転させながらスプレーコート法にて1分間塗布し、ドライヤーで乾燥させ、帯電防止層を形成する。帯電防止層の表面抵抗は、109Ω/□である。
[Example 1]
An antistatic agent (Inscon Tech Co., Ltd., Conisol F-205) is diluted 5 times with a mixed solvent of water / isopropanol (1/7 mass ratio) to prepare an antistatic agent for coating. The antistatic agent is applied to an acrylic resin pipe (thickness 1.8 mm, diameter 30 mm, length 150 mm) by spray coating for 1 minute while rotating the pipe at a speed of 120 rpm, and dried with a dryer. To form an antistatic layer. The surface resistance of the antistatic layer is 10 9 Ω / □.

重合体A1をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A1の1質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのポリテトラフルオロエチレン(PTFE)メンブレンフィルタにて濾過する。該溶液を帯電防止層上に、パイプを120rpmの速度で回転させながらスプレーコート法にて1分間塗布し、ドライヤーで乾燥させ、第2のプライマー層を形成する。   The polymer A1 is dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 1% by mass solution of the polymer A1, and the solution is filtered through a polytetrafluoroethylene (PTFE) membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution is applied onto the antistatic layer by spray coating for 1 minute while rotating the pipe at a speed of 120 rpm, and dried with a dryer to form a second primer layer.

重合体A2をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A2の5質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過する。該溶液を第2のプライマー層上に、パイプを120rpmの速度で回転させながらスプレーコート法にて2分間塗布し、ドライヤーで乾燥させる。重合体A2からなる膜の表面が流動しなくなったら、パイプを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、円筒状のモールド前駆体を得る。帯電防止層、第2のプライマー層および重合体A2からなる膜の合計の厚さは、約1μmほどである。   The polymer A2 is dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 5% by mass solution of the polymer A2, and the solution is filtered through a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution is applied on the second primer layer by spray coating for 2 minutes while rotating the pipe at a speed of 120 rpm, and dried with a drier. When the surface of the film made of the polymer A2 stops flowing, the pipe is put into a dryer and dried at 140 ° C. for 2 hours to obtain a cylindrical mold precursor. The total thickness of the film composed of the antistatic layer, the second primer layer and the polymer A2 is about 1 μm.

5cm×10cmのニッケル製のオリジナルモールドを用意する。該オリジナルモールドの表面には、図13に示すように、オリジナルモールド40の長手方向に延びる複数の凸条(反転パターン42)が平行に形成されている。凸条の幅wは100μmであり、隣接する凸条間の距離pは50μmであり、凸条の高さは50μmである。
該オリジナルモールドを150℃に加熱した後に、凸条が形成された面上にて、モールド前駆体を1rpmの回転速度でオリジナルモールドの長手方向に回転させながら、モールド前駆体をオリジナルモールドに約1.0MPaの圧力で押しあて、モールド前駆体の重合体A2からなる膜に、オリジナルモールドの凸条が反転したパターンを形成し、パターン層を有する円筒状のモールドM1を得る。パターン層の表面抵抗は、1013Ω/□である。
An original mold made of nickel of 5 cm × 10 cm is prepared. On the surface of the original mold, as shown in FIG. 13, a plurality of ridges (reversal patterns 42) extending in the longitudinal direction of the original mold 40 are formed in parallel. The width w of the ridge is 100 μm, the distance p between adjacent ridges is 50 μm, and the height of the ridge is 50 μm.
After the original mold is heated to 150 ° C., the mold precursor is rotated about 1 in the original mold while rotating the mold precursor in the longitudinal direction of the original mold at a rotation speed of 1 rpm on the surface on which the ridges are formed. A pattern in which the protrusions of the original mold are inverted is formed on the film made of the polymer A2 of the mold precursor by pressing at a pressure of 0.0 MPa, and a cylindrical mold M1 having a pattern layer is obtained. The surface resistance of the pattern layer is 10 13 Ω / □.

紫外光をカットしたクリーンルーム内にて、6mLのバイヤル容器にCF2=CFCF2C(CF3)(OCH2OCH3)CH2CH=CH2の1.31g、CF2=CFCF2C(CF3)(OH)CH2CH=CH2の0.14gおよび光ラジカル重合開始剤(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製、イルガキュア 651)の0.06gを加えてよく混合し、光硬化性樹脂を調製する。 In a clean room where ultraviolet light is cut, 1.31 g of CF 2 ═CFCF 2 C (CF 3 ) (OCH 2 OCH 3 ) CH 2 CH═CH 2 , CF 2 ═CFCF 2 C (CF 3 ) Add 0.14 g of (OH) CH 2 CH═CH 2 and 0.06 g of photo radical polymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals, Irgacure 651) and mix well to prepare a photocurable resin. To do.

該光硬化性樹脂を、長さ25cm×幅12cmのPETフィルム(東洋紡社製、A4100、厚さ100μm)の易接着面にダイコーターにて供給し、光硬化性樹脂からなる膜を形成する。
モールドM1を1rpmの回転速度で回転させながら、光硬化性樹脂からなる膜に室温下、約0.1MPaの圧力で押しあてた状態で、PETフィルム側から光硬化性樹脂に光源からの紫外線(波長365nmにおける照度:252mW/cm2。)を照射し、光硬化性樹脂を硬化させ、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成する。
The photocurable resin is supplied to an easy-adhesive surface of a PET film (Toyobo Co., Ltd., A4100, thickness 100 μm) having a length of 25 cm and a width of 12 cm by a die coater to form a film made of the photocurable resin.
While the mold M1 is rotated at a rotational speed of 1 rpm, the UV light from the light source (from the PET film side to the photocurable resin is applied to the photocurable resin film at room temperature with a pressure of about 0.1 MPa. Irradiation at a wavelength of 365 nm: 252 mW / cm 2 ) is applied to cure the photocurable resin, and a fine pattern in which the pattern of the pattern layer is reversed is formed on the PET film.

〔実施例2〕
帯電防止剤(インスコン・テック社製、コニソルF−205)を、水/イソプロパノール(1/7質量比)の混合溶剤にて5倍に希釈し、塗布用の帯電防止剤を調製した。該帯電防止剤を、A4版サイズのPETフィルム(東洋紡社製、A4100、厚さ100μm)の易接着面に、No.5のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、100℃で30分間乾燥させ、帯電防止層を形成した。帯電防止層の表面抵抗は、109Ω/□であった。
[Example 2]
An antistatic agent (manufactured by Inscon Tech, Conisol F-205) was diluted 5 times with a mixed solvent of water / isopropanol (1/7 mass ratio) to prepare an antistatic agent for coating. The antistatic agent was applied to the easy adhesion surface of an A4 size PET film (Toyobo Co., Ltd., A4100, thickness 100 μm) with No. It was applied by a bar coating method using 5 bars. The PET film was put into a dryer and dried at 100 ° C. for 30 minutes to form an antistatic layer. The surface resistance of the antistatic layer was 10 9 Ω / □.

重合体A1をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A1の5質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を帯電防止層上に、No.7のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、第2のプライマー層を形成した。   The polymer A1 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 5% by mass solution of the polymer A1, and the solution was filtered with a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied on the antistatic layer with No. The coating was performed by a bar coating method using 7 bars. The PET film was put into a dryer and dried at 140 ° C. for 2 hours to form a second primer layer.

重合体A2をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A2の9質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を第2のプライマー層上に、No.7のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、重合体A2からなる膜を形成し、フィルム状のモールド前駆体を得た。帯電防止層、第2のプライマー層および重合体A2からなる膜の合計の厚さは約5μmほどであった。該モールド前駆体を2cm×2cmにカットした。   The polymer A2 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 9% by mass solution of the polymer A2, and the solution was filtered through a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied to the second primer layer with No. The coating was performed by a bar coating method using 7 bars. The PET film was put in a dryer and dried at 140 ° C. for 2 hours to form a film made of the polymer A2 to obtain a film-like mold precursor. The total thickness of the film composed of the antistatic layer, the second primer layer, and the polymer A2 was about 5 μm. The mold precursor was cut into 2 cm × 2 cm.

1cm×1cmのシリコン製のオリジナルモールドを用意した。該オリジナルモールドの表面には、幅400nm、深さ100nm、長さ5μmの溝が形成されている。
オリジナルモールド上に2cm×2cmのモールド前駆体を、オリジナルモールドの溝とモールド前駆体の重合体A2からなる膜とが接触するように重ね、オリジナルモールドおよびモールド前駆体を130℃に加熱した後に、2.0MPaの圧力でプレスした。その後、オリジナルモールドおよびモールド前駆体を30℃まで冷却し、重合体A2からなる膜からオリジナルモールドをゆっくり分離し、オリジナルモールドの溝が反転したパターンを有するパターン層を形成し、フィルム状のモールドM2を得た。パターン層の表面抵抗は、1013Ω/□であった。
An original mold made of silicon of 1 cm × 1 cm was prepared. A groove having a width of 400 nm, a depth of 100 nm, and a length of 5 μm is formed on the surface of the original mold.
After the mold precursor of 2 cm × 2 cm is overlaid on the original mold so that the groove of the original mold and the film made of the polymer A2 of the mold precursor are in contact with each other, the original mold and the mold precursor are heated to 130 ° C. Pressing at a pressure of 2.0 MPa. Thereafter, the original mold and the mold precursor are cooled to 30 ° C., the original mold is slowly separated from the film made of the polymer A2, a pattern layer having a pattern in which the grooves of the original mold are inverted is formed, and the film-like mold M2 Got. The surface resistance of the pattern layer was 10 13 Ω / □.

実施例1で調製した光硬化性樹脂を、3cm×3cmのPETフィルム(東洋紡社製、A4100、厚さ100μm)の易接着面に一滴垂らし、光硬化性樹脂の上からモールドM2を室温下、0.5MPaの圧力で押しあてた状態で、モールドM2側から光硬化性樹脂に光源からの紫外線(波長365nmにおける照度:63mW/cm2。)を10秒間照射し、光硬化性樹脂を硬化させた。硬化膜からモールドM2をゆっくり分離し、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成した。 The photocurable resin prepared in Example 1 was dropped on the easy-adhesion surface of a 3 cm × 3 cm PET film (Toyobo, A4100, thickness 100 μm), and the mold M2 was placed on the photocurable resin at room temperature. In a state of pressing at a pressure of 0.5 MPa, UV light from a light source (illuminance at a wavelength of 365 nm: 63 mW / cm 2 ) is irradiated from the mold M2 side to the photocurable resin for 10 seconds to cure the photocurable resin. It was. The mold M2 was slowly separated from the cured film, and a fine pattern in which the pattern of the pattern layer was reversed was formed on the PET film.

微細パターンについて、以下の評価を行った。結果を表1に示す。
(モールド欠陥)
モールドのパターンをレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9500)にて観察し、埃等の異物の付着に由来する欠陥の有無を確認した。
(微細パターン欠陥)
PETフィルム上に形成された微細パターンをレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9500)にて観察し、埃等の異物の付着に由来する欠陥の有無を確認した。
The following evaluation was performed about the fine pattern. The results are shown in Table 1.
(Mold defect)
The pattern of the mold was observed with a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK-9500) to confirm the presence or absence of defects due to adhesion of foreign matters such as dust.
(Fine pattern defects)
The fine pattern formed on the PET film was observed with a laser microscope (manufactured by Keyence Corporation, VK-9500) to confirm the presence or absence of defects due to adhesion of foreign matters such as dust.

(溝のサイズ)
PETフィルム上に形成された微細パターン(溝)をレーザー顕微鏡(キーエンス社製、VK−9500)にて観察し、溝の幅および高さを測定した。
(離型性)
硬化膜からモールドM2を分離する際、容易に分離できる場合を○、超音波等の操作で分離できる場合を△、密着して分離しない場合を×と評価した。
(Groove size)
The fine pattern (groove) formed on the PET film was observed with a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation), and the width and height of the groove were measured.
(Releasability)
When separating the mold M2 from the cured film, the case where it could be easily separated was evaluated as ◯, the case where it could be separated by an operation such as ultrasonic waves was evaluated as Δ, and the case where it was not closely separated was evaluated as ×.

〔実施例3〕
表面に帯電防止層が形成された、A4版サイズのPETフィルム(カネカ社製、AT-38、厚さ38μmを用意した。帯電防止層の表面抵抗は、108Ω/□であった。
重合体A1をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A1の2質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を帯電防止層上に、No.7のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、第2のプライマー層を形成した。
Example 3
A4 size PET film (AT-38, manufactured by Kaneka Corp., thickness 38 μm) having an antistatic layer formed on the surface was prepared. The surface resistance of the antistatic layer was 10 8 Ω / □.
The polymer A1 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 2% by mass solution of the polymer A1, and the solution was filtered with a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied on the antistatic layer with No. The coating was performed by a bar coating method using 7 bars. The PET film was put into a dryer and dried at 140 ° C. for 2 hours to form a second primer layer.

重合体A2をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A2の5質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を第2のプライマー層上に、No.7のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、重合体A2からなる膜を形成し、フィルム状のモールド前駆体を得た。帯電防止層、第2のプライマー層および重合体A2からなる膜の合計の厚さは約0.7μmほどであった。該モールド前駆体を2cm×2cmにカットした。   The polymer A2 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 5% by mass solution of the polymer A2, and the solution was filtered through a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied to the second primer layer with No. The coating was performed by a bar coating method using 7 bars. The PET film was put in a dryer and dried at 140 ° C. for 2 hours to form a film made of the polymer A2 to obtain a film-like mold precursor. The total thickness of the film made of the antistatic layer, the second primer layer and the polymer A2 was about 0.7 μm. The mold precursor was cut into 2 cm × 2 cm.

実施例2と同じオリジナルモールドを用意し、実施例2と同様にしてオリジナルモールドの溝が反転したパターンを有するパターン層を形成し、フィルム状のモールドM3を得た。パターン層の表面抵抗は、1011Ω/□であった。
モールドM3を用いた以外は、実施例2と同様にして、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成した。
微細パターンについて、実施例2と同じ評価を行った。結果を表1に示す。
The same original mold as in Example 2 was prepared, and a pattern layer having a pattern in which the grooves of the original mold were inverted was formed in the same manner as in Example 2 to obtain a film-like mold M3. The surface resistance of the pattern layer was 10 11 Ω / □.
A fine pattern in which the pattern of the pattern layer was inverted was formed on the PET film in the same manner as in Example 2 except that the mold M3 was used.
The same evaluation as Example 2 was performed about the fine pattern. The results are shown in Table 1.

〔実施例4〕
帯電防止剤(インスコン・テック社製、コニソルF−205)を、水/イソプロパノール(1/7質量比)の混合溶剤にて5倍に希釈し、塗布用の帯電防止剤を調製した。該帯電防止剤を、A4版サイズのPETフィルム(東洋紡社製、A4100、厚さ100μm)の易接着面に、No.5のバーを用いてバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、100℃で30分間乾燥させ、帯電防止層を形成した。帯電防止層の表面抵抗は、109Ω/□であった。
Example 4
An antistatic agent (manufactured by Inscon Tech, Conisol F-205) was diluted 5 times with a mixed solvent of water / isopropanol (1/7 mass ratio) to prepare an antistatic agent for coating. The antistatic agent was applied to the easy adhesion surface of an A4 size PET film (Toyobo Co., Ltd., A4100, thickness 100 μm) with No. The coating was performed by a bar coating method using 5 bars. The PET film was put into a dryer and dried at 100 ° C. for 30 minutes to form an antistatic layer. The surface resistance of the antistatic layer was 10 9 Ω / □.

重合体A1をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A1の5質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を帯電防止層上に、No.7のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、140℃で2時間乾燥させ、第2のプライマー層を形成し、第1の中間体を得た。該第1の中間体を2cm×2cmにカットした。   The polymer A1 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 5% by mass solution of the polymer A1, and the solution was filtered with a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied on the antistatic layer with No. The coating was performed by a bar coating method using 7 bars. The PET film was put into a drier and dried at 140 ° C. for 2 hours to form a second primer layer to obtain a first intermediate. The first intermediate was cut to 2 cm × 2 cm.

1cm×1cmのシリコン製のオリジナルモールドを用意した。該オリジナルモールドの表面には、幅400nm、深さ100nm、長さ5μmの溝が形成されている。
重合体A2をペルフルオロトリブチルアミンに溶解し、重合体A2の9質量%溶液を調製し、該溶液を孔径0.2μmのPTFEメンブレンフィルタにて濾過した。該溶液を、40kPa程度に減圧した雰囲気下で、前記オリジナルモールド上にキャスト法を用いて塗布した。その後、180℃で3時間乾燥させ、オリジナルモールド上に重合体A2からなる膜(厚さ3.0μm)を形成し、第2の中間体を得た。
An original mold made of silicon of 1 cm × 1 cm was prepared. A groove having a width of 400 nm, a depth of 100 nm, and a length of 5 μm is formed on the surface of the original mold.
The polymer A2 was dissolved in perfluorotributylamine to prepare a 9% by mass solution of the polymer A2, and the solution was filtered through a PTFE membrane filter having a pore size of 0.2 μm. The solution was applied onto the original mold using a casting method in an atmosphere reduced to about 40 kPa. Thereafter, the film was dried at 180 ° C. for 3 hours to form a film (thickness: 3.0 μm) made of the polymer A2 on the original mold to obtain a second intermediate.

ついで、第2の中間体の重合体A2からなる膜の表面に、前記重合体A1の5質量%溶液を数滴垂らした後、第1の中間体の第2のプライマー層側と貼り合わせ、140℃に加熱して0.5MPaの圧力にてプレスすることで接着させた。その後、オリジナルモールドを含む、第1の中間体と第2の中間体との貼着体を30℃まで冷却し、重合体A2からなる膜からオリジナルモールドをゆっくり分離し、オリジナルモールドの溝が反転したパターンを有するパターン層を形成し、フィルム状のモールドM4を得た。パターン層の表面抵抗は、1013Ω/□であった。
モールドM4を用いた以外は、実施例2と同様にして、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成した。
微細パターンについて、実施例2と同じ評価を行った。結果を表1に示す。
Next, after dropping a few drops of the 5% by mass solution of the polymer A1 on the surface of the film composed of the second intermediate polymer A2, the film is bonded to the second intermediate layer side of the first intermediate, It was made to adhere by heating at 140 ° C. and pressing at a pressure of 0.5 MPa. Then, the first and second intermediates including the original mold are cooled to 30 ° C., and the original mold is slowly separated from the film made of the polymer A2, and the grooves of the original mold are inverted. A pattern layer having the above pattern was formed to obtain a film-like mold M4. The surface resistance of the pattern layer was 10 13 Ω / □.
A fine pattern in which the pattern of the pattern layer was reversed was formed on the PET film in the same manner as in Example 2 except that the mold M4 was used.
The same evaluation as Example 2 was performed about the fine pattern. The results are shown in Table 1.

〔比較例1〕
実施例2と同じオリジナルモールドを用意した。
オリジナルモールド上に2cm×2cmのPETフィルム(東洋紡社製:A4100、膜厚:100μm)を、オリジナルモールドの溝とPETフィルムの高平滑面とが接触するように重ね、オリジナルモールドを150℃に加熱した後に、2.0MPaの圧力でプレスした。その後、オリジナルモールドおよびPETフィルムを30℃まで冷却し、PETフィルムからオリジナルモールドをゆっくり分離し、オリジナルモールドの溝が反転したパターンを有するフィルム状のモールドM5を得た。パターン層の表面抵抗は、1016Ω/□以上(測定不能)であった。
モールドM5を用いた以外は、実施例2と同様にして、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成した。
[Comparative Example 1]
The same original mold as in Example 2 was prepared.
A 2 cm x 2 cm PET film (Toyobo Co., Ltd .: A4100, film thickness: 100 μm) is stacked on the original mold so that the groove of the original mold and the highly smooth surface of the PET film are in contact with each other, and the original mold is heated to 150 ° C. After that, it was pressed at a pressure of 2.0 MPa. Thereafter, the original mold and the PET film were cooled to 30 ° C., and the original mold was slowly separated from the PET film to obtain a film-like mold M5 having a pattern in which the grooves of the original mold were inverted. The surface resistance of the pattern layer was 10 16 Ω / □ or more (unmeasurable).
A fine pattern in which the pattern of the pattern layer was reversed was formed on the PET film in the same manner as in Example 2 except that the mold M5 was used.

〔比較例2〕
アミノ基を有するシランカップリング剤(信越化学社製、KBE−903)の0.5質量%と水の5質量%とを含むエタノール溶液を調製した。該エタノール溶液を、A4版サイズのPETフィルム(東洋紡社製、A4100、厚さ100μm)の易接着面に、No.5のバーを用いたバーコート法にて塗布した。PETフィルムを乾燥機に入れ、100℃で30分間乾燥させ、第1のプライマー層を形成した。
[Comparative Example 2]
An ethanol solution containing 0.5% by mass of an amino group-containing silane coupling agent (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBE-903) and 5% by mass of water was prepared. The ethanol solution was applied to the easy-adhesion surface of an A4 size PET film (Toyobo Co., Ltd., A4100, thickness 100 μm) with No. It was applied by a bar coating method using 5 bars. The PET film was put into a dryer and dried at 100 ° C. for 30 minutes to form a first primer layer.

第1のプライマー層上に、実施例2と同様にして、第2のプライマー層および重合体A2を形成し、フィルム状のモールド前駆体を得た。第1のプライマー層、第2のプライマー層および重合体A2からなる膜の合計の厚さは約5μmほどであった。該モールド前駆体を2cm×2cmにカットした。   On the 1st primer layer, it carried out similarly to Example 2, the 2nd primer layer and polymer A2 were formed, and the film-form mold precursor was obtained. The total thickness of the film composed of the first primer layer, the second primer layer, and the polymer A2 was about 5 μm. The mold precursor was cut into 2 cm × 2 cm.

実施例2と同じオリジナルモールドを用意し、実施例2と同様にしてオリジナルモールドの溝が反転したパターンを有するパターン層を形成し、フィルム状のモールドM6を得た。パターン層の表面抵抗は、1016Ω/□以上(測定不能)であった。
モールドM6を用いた以外は、実施例2と同様にして、パターン層のパターンを反転させた微細パターンをPETフィルム上に形成した。
微細パターンについて、実施例2と同じ評価を行った。結果を表1に示す。ゴミの付着により、モールドM5には欠陥が発生し、微細パターンにも欠陥が多く見られた。モールドM6の欠陥のない部分については、モールドの表面自体は離型性に優れているために、溝の幅・高さは遜色のない結果が得られた。
The same original mold as in Example 2 was prepared, and a pattern layer having a pattern in which the grooves of the original mold were inverted was formed in the same manner as in Example 2 to obtain a film-like mold M6. The surface resistance of the pattern layer was 10 16 Ω / □ or more (unmeasurable).
A fine pattern in which the pattern of the pattern layer was reversed was formed on the PET film in the same manner as in Example 2 except that the mold M6 was used.
The same evaluation as Example 2 was performed about the fine pattern. The results are shown in Table 1. Due to the adhesion of dust, defects occurred in the mold M5, and many defects were observed in the fine pattern. As for the part having no defect in the mold M6, the mold surface itself was excellent in releasability, so that the result was inferior in the width and height of the groove.

Figure 2007307752
Figure 2007307752

本発明のモールドは、ナノインプリント法に用いられるモールドとして有用である。また、光硬化性樹脂を成形加工する際に用いるモールド、スクリーン印刷、グラビア印刷等の印刷に用いるモールド、2P成形法のモールド等としても利用できる。   The mold of the present invention is useful as a mold used in the nanoimprint method. Further, it can also be used as a mold used for molding a photocurable resin, a mold used for printing such as screen printing, gravure printing, and a mold for 2P molding.

本発明のモールドの一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the mold of this invention. 本発明のモールドの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the mold of this invention. 本発明のモールドの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the mold of this invention. 本発明のモールドの他の例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the other example of the mold of this invention. モールドの製造の途中で得られるモールド前駆体の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the mold precursor obtained in the middle of manufacture of a mold. モールドの製造における一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process in manufacture of a mold. 円筒状のモールドの製造における一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows one process in manufacture of a cylindrical mold. モールドの製造における一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process in manufacture of a mold. モールドの製造における一工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows 1 process in manufacture of a mold. 微細パターンの形成方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the formation method of a fine pattern. 微細パターンの形成方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the formation method of a fine pattern. 微細パターンの形成方法の一例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows an example of the formation method of a fine pattern. 実施例で用いるオリジナルモールドを示す正面図である。It is a front view which shows the original mold used in an Example.

符号の説明Explanation of symbols

10 モールド
12 基材
14 パターン
16 パターン層
18 帯電防止層
20 第1のプライマー層
22 第2のプライマー層
30 モールド前駆体
32 含フッ素重合体を含む膜
34 第1の中間体
36 第2の中間体
40 オリジナルモールド
42 反転パターン
60 円筒状モールド
80 エンドレスベルト状モールド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Mold 12 Base material 14 Pattern 16 Pattern layer 18 Antistatic layer 20 1st primer layer 22 2nd primer layer 30 Mold precursor 32 Film | membrane containing a fluoropolymer 34 1st intermediate body 36 2nd intermediate body 40 Original mold 42 Reverse pattern 60 Cylindrical mold 80 Endless belt mold

Claims (7)

基材と、
含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、
前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層と
を有する、モールド。
A substrate;
A pattern layer containing a fluoropolymer and having a pattern formed on the surface;
A mold comprising: an antistatic layer provided between the substrate and the pattern layer.
さらに、前記基材と前記帯電防止層との間に設けられた第1のプライマー層を有する、請求項1に記載のモールド。   The mold according to claim 1, further comprising a first primer layer provided between the base material and the antistatic layer. さらに、前記帯電防止層と前記パターン層との間に設けられた第2のプライマー層を有する、請求項1または2に記載のモールド。   Furthermore, the mold of Claim 1 or 2 which has a 2nd primer layer provided between the said antistatic layer and the said pattern layer. 前記含フッ素重合体が、含フッ素重合体100質量%中にフッ素原子を35質量%以上含有し、かつ含フッ素重合体からなる膜の水に対する接触角が80゜以上である、請求項1〜3のいずれかに記載のモールド。   The fluorine-containing polymer contains 35% by mass or more of fluorine atoms in 100% by mass of the fluorine-containing polymer, and the contact angle with respect to water of the film made of the fluorine-containing polymer is 80 ° or more. 4. The mold according to any one of 3. 前記含フッ素重合体が、主鎖に含フッ素脂肪族環構造を有する、請求項1〜4のいずれかに記載のモールド。   The mold according to any one of claims 1 to 4, wherein the fluoropolymer has a fluorinated aliphatic ring structure in the main chain. 基材と、含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層とを有するモールドを製造する方法であって、
基材上に帯電防止層を形成する工程と、
前記帯電防止層上に含フッ素重合体を含む膜を形成する工程と、
前記含フッ素重合体を含む膜に、前記パターン層のパターンに対応する反転パターンを有する、加熱されたオリジナルモールドを押しあてる工程と、
前記含フッ素重合体を含む膜から前記オリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程と
を有する、モールドの製造方法。
A method for producing a mold comprising a base material, a pattern layer containing a fluoropolymer and having a pattern formed on the surface, and an antistatic layer provided between the base material and the pattern layer. ,
Forming an antistatic layer on the substrate;
Forming a film containing a fluoropolymer on the antistatic layer;
Pressing a heated original mold having a reversal pattern corresponding to the pattern of the pattern layer onto the film containing the fluoropolymer; and
Separating the original mold from the film containing the fluoropolymer, and forming a pattern layer.
基材と、含フッ素重合体を含み、表面にパターンが形成されたパターン層と、前記基材と前記パターン層との間に設けられた帯電防止層とを有するモールドを製造する方法であって、
基材上に帯電防止層を形成し、第1の中間体を得る工程と、
パターン層のパターンに対応する反転パターンを有するオリジナルモールド上に、含フッ素重合体を含む膜を形成し、第2の中間体を得る工程と、
前記第1の中間体と前記第2の中間体とを、前記基材および前記オリジナルモールドが外側になるように貼り合わせる工程と、
前記含フッ素重合体を含む膜から前記オリジナルモールドを分離し、パターン層を形成する工程と
を有する、モールドの製造方法。
A method for producing a mold comprising a base material, a pattern layer containing a fluoropolymer and having a pattern formed on the surface, and an antistatic layer provided between the base material and the pattern layer. ,
Forming an antistatic layer on a substrate to obtain a first intermediate;
Forming a film containing a fluoropolymer on an original mold having a reverse pattern corresponding to the pattern of the pattern layer to obtain a second intermediate;
Bonding the first intermediate and the second intermediate so that the base material and the original mold are on the outside;
Separating the original mold from the film containing the fluoropolymer, and forming a pattern layer.
JP2006137504A 2006-05-17 2006-05-17 Mold and its manufacturing method Withdrawn JP2007307752A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137504A JP2007307752A (en) 2006-05-17 2006-05-17 Mold and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006137504A JP2007307752A (en) 2006-05-17 2006-05-17 Mold and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007307752A true JP2007307752A (en) 2007-11-29

Family

ID=38841040

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006137504A Withdrawn JP2007307752A (en) 2006-05-17 2006-05-17 Mold and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007307752A (en)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004808A (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Dainippon Printing Co Ltd Transfer device and transferring method
JP2009045925A (en) * 2007-07-23 2009-03-05 Asahi Glass Co Ltd Mold for nanoimprint and its manufacturing method
JP2009184275A (en) * 2008-02-08 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd Micro-fine resin structure, and production method therefor
JP2009190393A (en) * 2008-01-18 2009-08-27 Showa Denko Kk Resin stamper manufacturing method, imprinting method, magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and magnetic recording-reproducing device
JP2010020842A (en) * 2008-07-10 2010-01-28 Nec Corp Method of forming micro pattern and method of manufacturing micro pattern structure
JP2010511544A (en) * 2006-12-04 2010-04-15 リクイディア・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Method and material for producing laminated nanomold, and nanoparticles obtained thereby
WO2010087139A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 シャープ株式会社 Mold, mold manufacturing method and method for manufacturing anti-reflection film using the mold
WO2011049097A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 旭硝子株式会社 Imprint mold, production method thereof, imprint device, and imprint method
JP2011129927A (en) * 2010-12-16 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd Nanoimprint mold conveyance device and transfer method
WO2012035985A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 日本碍子株式会社 Mold
JP2012116108A (en) * 2010-12-01 2012-06-21 Asahi Kasei Corp Resin mold
JP2013028006A (en) * 2011-07-27 2013-02-07 Asahi Kasei Corp Resin mold for spin coating
JP2013539429A (en) * 2010-09-27 2013-10-24 エルジー・ハウシス・リミテッド Three-dimensional pattern forming molding mold and method for manufacturing home appliance packaging material using the same
US8999220B2 (en) 2007-10-19 2015-04-07 Showa Denko K.K. Method and apparatus for manufacturing resin stamper, imprint method, magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing apparatus
US9082625B2 (en) 2013-12-11 2015-07-14 International Business Machines Corporation Patterning through imprinting
JP2015201652A (en) * 2009-08-07 2015-11-12 綜研化学株式会社 Resin mold for imprinting and method for producing the same
JPWO2020116397A1 (en) * 2018-12-07 2021-10-21 日産化学株式会社 Replica mold for imprint and its manufacturing method

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008004808A (en) * 2006-06-23 2008-01-10 Dainippon Printing Co Ltd Transfer device and transferring method
JP2013060009A (en) * 2006-12-04 2013-04-04 Liquidia Technologies Inc Methods and materials for fabricating laminate nanomolds, and nanoparticles therefrom
JP2010511544A (en) * 2006-12-04 2010-04-15 リクイディア・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Method and material for producing laminated nanomold, and nanoparticles obtained thereby
EP3306395A1 (en) * 2006-12-04 2018-04-11 Liquidia Technologies, Inc. Methods and materials for fabricating laminate nanomolds and nanoparticles therefrom
JP2009045925A (en) * 2007-07-23 2009-03-05 Asahi Glass Co Ltd Mold for nanoimprint and its manufacturing method
US8999220B2 (en) 2007-10-19 2015-04-07 Showa Denko K.K. Method and apparatus for manufacturing resin stamper, imprint method, magnetic recording medium, and magnetic recording/reproducing apparatus
JP2009190393A (en) * 2008-01-18 2009-08-27 Showa Denko Kk Resin stamper manufacturing method, imprinting method, magnetic recording medium, method for manufacturing the same, and magnetic recording-reproducing device
JP2009184275A (en) * 2008-02-08 2009-08-20 Hitachi Chem Co Ltd Micro-fine resin structure, and production method therefor
JP2010020842A (en) * 2008-07-10 2010-01-28 Nec Corp Method of forming micro pattern and method of manufacturing micro pattern structure
WO2010087139A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 シャープ株式会社 Mold, mold manufacturing method and method for manufacturing anti-reflection film using the mold
US9469056B2 (en) 2009-01-30 2016-10-18 Sharp Kabushiki Kaisha Mold, mold manufacturing method and method for manufacturing anti-reflection film using the mold
JP2015201652A (en) * 2009-08-07 2015-11-12 綜研化学株式会社 Resin mold for imprinting and method for producing the same
JP5737184B2 (en) * 2009-10-21 2015-06-17 旭硝子株式会社 Imprint mold, manufacturing method thereof, imprint apparatus and imprint method
KR101735133B1 (en) * 2009-10-21 2017-05-12 아사히 가라스 가부시키가이샤 Imprint mold, production method thereof, imprint device, and imprint method
WO2011049097A1 (en) * 2009-10-21 2011-04-28 旭硝子株式会社 Imprint mold, production method thereof, imprint device, and imprint method
JPWO2011049097A1 (en) * 2009-10-21 2013-03-14 旭硝子株式会社 Imprint mold, manufacturing method thereof, imprint apparatus and imprint method
CN102574327B (en) * 2009-10-21 2014-09-03 旭硝子株式会社 Imprint mold, production method thereof, imprint device, and imprint method
CN102574327A (en) * 2009-10-21 2012-07-11 旭硝子株式会社 Imprint mold, production method thereof, imprint device, and imprint method
WO2012035985A1 (en) * 2010-09-16 2012-03-22 日本碍子株式会社 Mold
JP2013539429A (en) * 2010-09-27 2013-10-24 エルジー・ハウシス・リミテッド Three-dimensional pattern forming molding mold and method for manufacturing home appliance packaging material using the same
JP2012116108A (en) * 2010-12-01 2012-06-21 Asahi Kasei Corp Resin mold
JP2011129927A (en) * 2010-12-16 2011-06-30 Dainippon Printing Co Ltd Nanoimprint mold conveyance device and transfer method
JP2013028006A (en) * 2011-07-27 2013-02-07 Asahi Kasei Corp Resin mold for spin coating
US9082625B2 (en) 2013-12-11 2015-07-14 International Business Machines Corporation Patterning through imprinting
JPWO2020116397A1 (en) * 2018-12-07 2021-10-21 日産化学株式会社 Replica mold for imprint and its manufacturing method
JP7288247B2 (en) 2018-12-07 2023-06-07 日産化学株式会社 IMPRINT REPLICA MOLD AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007307752A (en) Mold and its manufacturing method
JPWO2008015842A1 (en) Mold manufacturing method
JP4655043B2 (en) Mold, and method for producing substrate having transfer fine pattern
JP6038261B2 (en) Resin mold and manufacturing method thereof
JP2007320072A (en) Mold and its manufacturing method
EP2602088B1 (en) Resin mold for nanoimprinting
US8540925B2 (en) Photocurable composition, micropattern-formed product and its production process
JP5413195B2 (en) Fine pattern formed body, method for producing fine pattern formed body, optical element, and photocurable composition
JP2009001002A (en) Mold, its manufacturing method, and manufacturing method for base material having transfer micro-pattern
JP2007245702A (en) Method for manufacturing template and processed base material having transfer fine pattern
JP2007320071A (en) Manufacturing method of template and treated base material having transfer fine pattern
JP2008162190A (en) Manufacturing method of fine structure
JP5658001B2 (en) Resin mold
JP6010481B2 (en) Method for producing film mold
WO2009125697A1 (en) Mold, process for producing the same, and process for producing substrate having transferred fine pattern
JP2011183554A (en) Method for producing fine structure
JP5813418B2 (en) Manufacturing method of fine pattern
JP2012116108A (en) Resin mold
JP2012101483A (en) Resin mold manufacturing method
JP2007279202A (en) Optical element and method of manufacturing the same
JP6214854B2 (en) Method and apparatus for forming a structure on a resin
JP2007175596A (en) Membrane deformation system and production method of the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090408

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20110215