JP2007304621A - Method of manufacturing gray scale mask, method of manufacturing mother gray scale mask, method of manufacturing mother gray scale mask with lens and mother gray scale mask - Google Patents

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信弘 梅林
Katsuhiro Kishigami
勝博 岸上
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a microlens array and a liquid crystal display apparatus which facilitate optical axis alignment of a microlens array and have excellent productivity. <P>SOLUTION: A manufacturing method of a gray scale mask having a variable density pattern corresponding to change of optical transmissivity has a step of forming a dry plate 430 by applying a photoemulsion onto a transparent substrate and a step of irradiating the dry plate 430 with laser beams which are subjected to a plurality of gradations of intensity modulation corresponding to the variable density pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、グレイスケールマスクの製造方法、マザーグレイスケールマスクの製造方法、レンズ付きマザーグレイスケールマスクの製造方法、及びマザーグレイスケールマスクに関する。   The present invention relates to a gray scale mask manufacturing method, a mother gray scale mask manufacturing method, a lens-attached mother gray scale mask manufacturing method, and a mother gray scale mask.

液晶表示装置において、高輝度化及び高視野角化を達成するためにマイクロレンズアレイを用いた技術が提案されている。   In a liquid crystal display device, a technique using a microlens array has been proposed to achieve high brightness and high viewing angle.

液晶表示装置では、2枚の透明基板の間に液晶層が挟持されている。そして、透明基板の前面側には偏光フィルムが設けられている。透明基板の背面側にはブラックマトリクス、カラーフィルタ層、透明電極、配向膜が形成されている。2枚の透明基板の間にはスペーサが設けられている。透明基板の前面側には、TFT(Thin Film Transistor)素子、透明電極、配向膜が形成されている。   In a liquid crystal display device, a liquid crystal layer is sandwiched between two transparent substrates. A polarizing film is provided on the front side of the transparent substrate. A black matrix, a color filter layer, a transparent electrode, and an alignment film are formed on the back side of the transparent substrate. A spacer is provided between the two transparent substrates. On the front side of the transparent substrate, a TFT (Thin Film Transistor) element, a transparent electrode, and an alignment film are formed.

マイクロレンズアレイ及びリムは透明基板の背面側に形成されている。偏光フィルムを通って入射してくる光源からの光を、マイクロレンズアレイが集光しTFT素子やブラックマトリクスを避けて透明基板へ照射することによって光の利用効率を高め高輝度化を図っている。   The microlens array and the rim are formed on the back side of the transparent substrate. The microlens array collects the light from the light source incident through the polarizing film and irradiates the transparent substrate avoiding the TFT elements and the black matrix to increase the light utilization efficiency and increase the brightness. .

特許文献1には、マイクロレンズアレイを石英ガラス基板上にドライエッチングで作る方法が開示されているが、この製造方法は、TFT素子や透明電極が形成された透明基板自体の上にマイクロレンズアレイを形成する方法を開示するものではない。   Patent Document 1 discloses a method of making a microlens array on a quartz glass substrate by dry etching. This manufacturing method is based on a microlens array on a transparent substrate itself on which TFT elements and transparent electrodes are formed. It does not disclose a method of forming.

更に、特許文献2及び特許文献3にマイクロレンズアレイの製造方法が開示されている。これらの文献に開示された製造方法は、TFT素子や透明電極が形成された透明基板自体の上にマイクロレンズアレイを形成する方法を開示するものではない。   Further, Patent Document 2 and Patent Document 3 disclose a method of manufacturing a microlens array. The manufacturing methods disclosed in these documents do not disclose a method of forming a microlens array on a transparent substrate itself on which TFT elements and transparent electrodes are formed.

上記の方法におけるマイクロレンズ形状の形成は、グレイスケールマスクのような光学マスクによる露光光の強度変調により行なう。このようなグレイスケールマスクは、例えば特許文献4に示される方法により製造されている。特許文献5には、調整露光マスクを使用して、所望の連続可変表面レリーフを備えた構造を生成させる方法が開示されている。当該方法においては、厚さが連続的に変化する紫外線吸収材料の層を介してフォトレジスト層を紫外線露光することにより、厚さが連続的に変化する形状を生成する。調整露光マスクは電子ビームを用いて直接描画する。   The microlens shape in the above method is formed by intensity modulation of exposure light using an optical mask such as a gray scale mask. Such a gray scale mask is manufactured by, for example, a method disclosed in Patent Document 4. Patent Document 5 discloses a method for generating a structure having a desired continuously variable surface relief using an adjusted exposure mask. In this method, the photoresist layer is exposed to UV light through a layer of UV absorbing material whose thickness changes continuously, thereby generating a shape whose thickness changes continuously. The adjustment exposure mask is directly drawn using an electron beam.

また、特許文献2には、高エネルギービームを用いてマスクパターンを描画することが可能である特殊な感光性プレートが開示されている。当該プレートは感光性材料として高濃度の銀イオンを含有するイオン交換層を有する。当該イオン交換層は高エネルギービームの露光により着色されるものであり、このような性質を用いてマスクパターンを描画可能である。高エネルギービームとしては、電子ビーム、イオンビーム、分子ビーム及びX線等が用いられる。   Patent Document 2 discloses a special photosensitive plate capable of drawing a mask pattern using a high energy beam. The plate has an ion exchange layer containing a high concentration of silver ions as a photosensitive material. The ion exchange layer is colored by exposure with a high energy beam, and a mask pattern can be drawn using such properties. As the high energy beam, an electron beam, an ion beam, a molecular beam, an X-ray, or the like is used.

他方、ガラス乾板をレーザー露光することにより回路基板を製造する技術が知られている。この方法によれば、表面を選択的にレーザー露光することで、回路表面をパターニングする。従来、露光によるガラス乾板のパターニングは、パターンを残すか除去するかのいずれかであることが一般的であり、グレイスケールマスクのように光透過率を段階的若しくは連続的に変化させることは行われていなかった。   On the other hand, a technique for manufacturing a circuit board by laser exposure of a glass dry plate is known. According to this method, the circuit surface is patterned by selectively laser exposing the surface. Conventionally, patterning of a glass plate by exposure is generally performed by either leaving or removing a pattern, and it is not possible to change the light transmittance stepwise or continuously like a gray scale mask. It wasn't.

マイクロレンズアレイの形成における生産性の向上においては、上述のように大面積の一括露光による同時多数個成形が望ましい。そのためには、露光時に用いるグレイスケールマスクも大面積である必要がある。しかしながら、特許文献1及び2にあるように製造工程において電子ビームを用いる場合、大気中での作業が不可能であり、真空状態で行う必要がある。そのため、大型のグレイスケールマスクを形成する場合にはそれに相当する広さの空間を真空状態にする必要があるが、広い空間において真空状態を保つことは困難であり、コスト増は避けられない。また、電子ビーム等の高エネルギービームは光源として高価であり、コストや生産性の面において課題を有する。   In order to improve the productivity in forming the microlens array, it is desirable to form a large number simultaneously by batch exposure of a large area as described above. For that purpose, the gray scale mask used at the time of exposure also needs to have a large area. However, as described in Patent Documents 1 and 2, when an electron beam is used in the manufacturing process, work in the atmosphere is impossible and it is necessary to carry out in a vacuum state. For this reason, when forming a large gray scale mask, it is necessary to make the space corresponding to that size a vacuum state, but it is difficult to maintain the vacuum state in a wide space, and an increase in cost is inevitable. Further, a high energy beam such as an electron beam is expensive as a light source, and has problems in terms of cost and productivity.

更に、特許文献4に開示された製造方法においては、蒸着、描画、ドライエッチングを行う必要があるため工程数が多い。また特許文献5に開示された製造方法においては、高エネルギービーム感受性ガラスという特殊なプレートが必要である。これらの要素はいずれもコストの増加や生産性の悪化に影響する。
特開平8−166502号公報 特開2003−294912号公報 特開2004−252376号公報 特表2002−525652号公報 特表昭60−501950号公報
Furthermore, the manufacturing method disclosed in Patent Document 4 requires a large number of processes because it is necessary to perform vapor deposition, drawing, and dry etching. In addition, the manufacturing method disclosed in Patent Document 5 requires a special plate called high energy beam sensitive glass. All of these factors affect cost increases and productivity degradation.
JP-A-8-166502 JP 2003-294912 A JP 2004-252376 A Japanese translation of PCT publication No. 2002-525652 JP-T-60-501950

マイクロレンズアレイを液晶表示装置に搭載することによって高輝度化を測るためには、マイクロレンズアレイのレンズ光軸を、ブラックマトリクスの開口部に一致させ、かつTFT素子を回避する必要がある。そのため、マイクロレンズアレイと、ブラックマトリクスやTFT素子を正確に位置合わせしなければならないが、マイクロレンズアレイのレンズパターンは非常に微細であるため、光軸合わせの作業には±1μmのオーダーでの精度が要求される。そのために生産性の悪化やコストの増大を招いていた。   In order to measure high brightness by mounting the microlens array on the liquid crystal display device, it is necessary to make the lens optical axis of the microlens array coincide with the opening of the black matrix and avoid the TFT element. For this reason, the microlens array and the black matrix or TFT element must be accurately aligned. However, since the lens pattern of the microlens array is very fine, the optical axis alignment is performed on the order of ± 1 μm. Accuracy is required. For this reason, productivity has been deteriorated and costs have been increased.

本発明はこのような問題を解決するためになされたものであり、マイクロレンズアレイの製造工程における光軸合わせを容易にし、生産性に優れたマイクロレンズアレイ及び液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made to solve such problems, and it is an object of the present invention to provide a microlens array and a liquid crystal display device excellent in productivity by facilitating optical axis alignment in the manufacturing process of the microlens array. And

本発明に係るグレイスケールマスクの製造方法は、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して乾板を形成するステップと、前記濃淡模様に対応して複数階調の強度変調を行ったレーザー光を前記乾板に照射するステップと、を備える。
また、本発明に係るグレイスケールマスクの製造方法は、光透過率の分布を有する光学部品を露光により形成する場合に用いられ、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上に乳剤を塗布した乾板に、前記濃淡模様に対応して複数階調の強度変調を行ったレーザー光を前記乾板の乳剤塗布面に照射する。
このとき、1つのマイクロレンズに対応したパターンの中心を原点として、前記グレイスケールマスクの主面上の座標位置をx及びyで表し、前記パターンを通過した光の当該グレイスケールマスクの主面における光強度分布をZで表し、Cを任意の実数とし、mを任意の自然数とし、k=0、若しくはkを任意の正の実数とするとき、条件

Figure 2007304621
を満たす、とよい。また、フィルターを介して強度が減衰された前記レーザー光を前記乾板に照射する、とよい。 A method of manufacturing a gray scale mask according to the present invention is a method of manufacturing a gray scale mask having a shading pattern corresponding to a change in light transmittance, and a step of forming a dry plate by applying a photoemulsion on a transparent substrate; Irradiating the dry plate with laser light that has been subjected to intensity modulation of a plurality of gradations corresponding to the shading pattern.
Further, the gray scale mask manufacturing method according to the present invention is used when an optical component having a light transmittance distribution is formed by exposure, and a gray scale mask having a shading pattern corresponding to a change in light transmittance is manufactured. In this method, a dry plate coated with an emulsion on a transparent substrate is irradiated with a laser beam subjected to intensity modulation of a plurality of gradations corresponding to the shading pattern onto the emulsion coated surface of the dry plate.
At this time, the coordinate position on the main surface of the gray scale mask is represented by x and y with the center of the pattern corresponding to one microlens as the origin, and the light passing through the pattern on the main surface of the gray scale mask When the light intensity distribution is represented by Z, C n is an arbitrary real number, m is an arbitrary natural number, k = 0, or k is an arbitrary positive real number,
Figure 2007304621
Satisfy. Moreover, it is good to irradiate the said dry plate with the said laser beam by which intensity | strength was attenuated through the filter.

本発明にかかるマザーグレイスケールマスクの製造方法は、グレイスケールマスクを用いて、液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられるマザーグレイスケールマスクを製造する方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して第1乾板を形成するステップと、複数階調の強度変調を行ったレーザー光を前記第1乾板に照射し、光透過率の変化に対応する濃淡模様のパターンが形成されたグレイスケールマスクを形成するステップと、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して第2乾板を形成するステップと、前記パターンを有する前記グレイスケールマスクを前記第2乾板上に配置するステップと、前記グレイスケールマスクの前記パターンを介して前記第2乾板を露光するステップと、を備える。アライメントマークが設けられたアライメント用基板を挟んで、前記グレイスケールマスクを前記第2乾板上に配置する、と良い。前記アライメント用基板に設けられた前記アライメントマークを利用して、前記グレイスケールマスクを前記第2乾板上の予め定められた位置に配置する、とよい。前記アライメント用基板は遮光性を有し、濃淡模様の前記パターンの大きさに対応した開口窓が複数設けられており、前記アライメント用基板の前記開口窓に前記グレイスケールマスクの濃淡模様の前記パターンが臨むように、前記グレイスケールマスクを前記アライメント用基板上に配置する、と良い。   A method for manufacturing a mother grayscale mask according to the present invention is a method for manufacturing a mother grayscale mask used when forming a microlens array on a liquid crystal panel substrate using a grayscale mask, which is a transparent substrate. A step of forming a first dry plate by applying a photoemulsion thereon, and irradiating the first dry plate with laser light that has been subjected to intensity modulation of a plurality of gradations, and a pattern of light and shade corresponding to a change in light transmittance Forming a formed gray scale mask; applying a photoemulsion on a transparent substrate to form a second dry plate; and disposing the gray scale mask having the pattern on the second dry plate. Exposing the second dry plate through the pattern of the gray scale mask. The gray scale mask may be disposed on the second dry plate with an alignment substrate provided with alignment marks interposed therebetween. The gray scale mask may be arranged at a predetermined position on the second dry plate using the alignment marks provided on the alignment substrate. The alignment substrate has a light-shielding property, and a plurality of opening windows corresponding to the size of the shading pattern are provided, and the shading pattern of the gray scale mask is formed in the opening window of the alignment substrate. It is preferable that the gray scale mask is disposed on the alignment substrate so as to be exposed.

本発明にかかるマザーグレイスケールマスクは、透明基板上にフォトエマルジョンが塗布され現像され光透過率の変化に対応する濃淡模様を有するマザーグレイスケールマスクであって、前記透明基板上に塗布されたフォトエマルジョンが露光及び現像され前記透明基板上に形成された前記濃淡模様は、円又は多角形の形状が連続して配置された模様であり、前記濃淡模様に含まれる一つの円又は多角形の模様は、中心から外側に向けて光透過率が順次増加又は減少している。   A mother gray scale mask according to the present invention is a mother gray scale mask having a light and shade pattern corresponding to a change in light transmittance when a photo emulsion is applied on a transparent substrate and developed. The shade pattern formed on the transparent substrate by exposure and development of the emulsion is a pattern in which circles or polygons are continuously arranged, and one circle or polygon pattern included in the shade pattern The light transmittance increases or decreases sequentially from the center toward the outside.

本発明にかかるグレイスケールマスクの製造方法は、液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられるマザーグレイスケールマスクの製造に用いられるグレイスケールマスクの製造方法であって、透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された第1乾板に強度変調されたレーザー光を照射し、光透過率が規則的に変化する複数のパターンを前記第1乾板に2次元状に形成する。フィルターを介して前記レーザー光の強度を減衰させ、前記レーザー光を前記第1乾板に照射する、とよい。   A manufacturing method of a gray scale mask according to the present invention is a manufacturing method of a gray scale mask used for manufacturing a mother gray scale mask used when forming a microlens array on a substrate for a liquid crystal panel. A first dry plate coated with a photoemulsion is irradiated with intensity-modulated laser light, and a plurality of patterns whose light transmittance changes regularly is formed two-dimensionally on the first dry plate. The intensity of the laser beam may be attenuated through a filter, and the first dry plate may be irradiated with the laser beam.

本発明にかかるマザーグレイスケールマスクの製造方法は、上述のグレイスケールマスクを用いたマザーグレイスケールマスクの製造方法であって、上述のグレイスケールマスクを介して、透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された第2乾板を露光し、上述のグレイススケールマスクに形成されたパターンに対応したパターンを有するマザーグレイスケールマスクを形成する。上述のグレイスケールマスクを介して前記第2乾板を露光するステップを繰り返し、上述のグレイススケールマスクに形成されたパターンに対応したパターンを複数有するマザーグレイスケールマスクを形成する、と良い。前記第2乾板上に設けられたアライメントマークを利用して、前記第2乾板に対して前記グレイススケールマスクを位置決めする、とよい。前記アライメントマークは、前記第2乾板上に配置されるアライメント用基板に設けられる、と良い。   A method for manufacturing a mother gray scale mask according to the present invention is a method for manufacturing a mother gray scale mask using the above-described gray scale mask, in which a photoemulsion is applied on a transparent substrate through the above gray scale mask. Then, the second dry plate is exposed to form a mother gray scale mask having a pattern corresponding to the pattern formed on the above-described grace scale mask. It is preferable to repeat the step of exposing the second dry plate through the gray scale mask described above to form a mother gray scale mask having a plurality of patterns corresponding to the pattern formed on the gray scale mask. The grace scale mask may be positioned with respect to the second dry plate using an alignment mark provided on the second dry plate. The alignment mark may be provided on an alignment substrate disposed on the second dry plate.

本発明にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの製造方法は、上述のマザーグレイスケールマスクを用いて、複数のマイクロレンズを前記マザーグレイスケールマスク上に形成する。前記マイクロレンズは、光硬化性樹脂材料からなる、とよい。   The manufacturing method of the mother gray scale mask with a lens concerning this invention forms a some micro lens on the said mother gray scale mask using the above-mentioned mother gray scale mask. The microlens is preferably made of a photocurable resin material.

本発明にかかるマザーグレイスケールマスクの製造方法は、グレイスケールマスクを用いて、液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられるマザーグレイスケールマスクを製造する方法であって、(1)透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された第1乾板に強度変調されたレーザー光を照射し、光透過率が規則的に変化するパターンを有するグレイスケールマスクを形成し、 (2)前記グレイスケールマスクを介して、透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された第2乾板の第1部分及び第2部分を露光し、前記グレイスケールマスクの前記パターンに対応したパターンを複数有するマザーグレイスケールマスクを形成する。   A method for producing a mother grayscale mask according to the present invention is a method for producing a mother grayscale mask used when forming a microlens array on a liquid crystal panel substrate using a grayscale mask, wherein (1 Irradiating a first dry plate coated with a photoemulsion on a transparent substrate with a laser beam whose intensity is modulated to form a gray scale mask having a pattern in which the light transmittance changes regularly; (2) the gray scale The first and second portions of the second dry plate coated with the photoemulsion on the transparent substrate are exposed through the mask to form a mother gray scale mask having a plurality of patterns corresponding to the pattern of the gray scale mask. To do.

本発明にかかるマザーグレイスケールマスクは、液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられ、かつ互いに離間して配置された複数のグレイスケールを備えるマザーグレイスケールマスクであって、複数の前記グレイスケール同士の間は、光透過率が低い遮光領域又は光透過率が高い非遮光領域であり、複数の前記グレイスケールのそれぞれは、光透過率が規則的に変化する複数のレンズ形成用領域を有する。複数の前記レンズ形成用領域のそれぞれは、外周から中心に向かって光透過率が増加又は減少する分布を有し、複数の前記レンズ形成用領域同士の境界部分は、光透過率が低い遮光領域又は光透過率が高い非遮光領域である、と良い。   A mother gray scale mask according to the present invention is a mother gray scale mask that is used when forming a microlens array on a liquid crystal panel substrate and includes a plurality of gray scales spaced apart from each other. Between the gray scales, there are light-shielding regions with low light transmittance or non-light-shielding regions with high light transmittance, and each of the plurality of gray scales is formed with a plurality of lenses whose light transmittance changes regularly. Have a working area. Each of the plurality of lens formation regions has a distribution in which light transmittance increases or decreases from the outer periphery toward the center, and a boundary portion between the plurality of lens formation regions is a light shielding region with low light transmittance. Or it is good that it is a non-light-shielding area | region with high light transmittance.

本発明により、マイクロレンズアレイの光軸合わせが容易であり、生産性に優れたマイクロレンズアレイ及び液晶表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a microlens array and a liquid crystal display device that can easily align the optical axes of the microlens array and are excellent in productivity.

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明が以下の実施形態に限定されるものではない。また、説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能である。   Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description is to describe the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For the sake of clarity, the following description is omitted and simplified as appropriate. Moreover, those skilled in the art can easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention.

実施の形態1.
本実施例において発明者は、半透過型液晶表示装置に含まれる液晶パネルのバックライト側の透明基板の厚さと、バックライトから液晶パネルへ入射するバックライト光の放射成分が当該液晶表示装置の表示輝度に大きく影響することを見出した。更に、外光下での反射輝度を十分に得るための開口径との関係を明らかにした。本発明はそれらを規定することにより半透過型液晶表示装置の表示輝度の向上を図るものである。
Embodiment 1 FIG.
In this embodiment, the inventor determines that the thickness of the transparent substrate on the backlight side of the liquid crystal panel included in the transflective liquid crystal display device and the radiation component of the backlight light incident on the liquid crystal panel from the backlight are It was found that the display brightness is greatly affected. Furthermore, the relationship with the aperture diameter for obtaining sufficient reflection brightness under external light was clarified. The present invention is intended to improve the display luminance of the transflective liquid crystal display device by defining them.

初めに、液晶表示装置中におけるマイクロレンズアレイの配置及びマイクロレンズアレイによる光学的効果について説明する。図1は本実施形態にかかる液晶表示装置の断面図を示す図である。本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置は、いわゆる半透過型液晶表示装置である。図1において液晶表示装置は、液晶パネル100、マイクロレンズアレイ200を備えている。液晶パネル100では、2枚の透明基板101、102の間に液晶層103が挟持されている。なお、2枚の透明基板101、102の厚みは500μm、これらの間に挟持された液晶層等の厚みが6μm程度であるが、本図面上ではスケールを変更して表示している。   First, the arrangement of the microlens array in the liquid crystal display device and the optical effect of the microlens array will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display device according to the present embodiment. The liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention is a so-called transflective liquid crystal display device. In FIG. 1, the liquid crystal display device includes a liquid crystal panel 100 and a microlens array 200. In the liquid crystal panel 100, a liquid crystal layer 103 is sandwiched between two transparent substrates 101 and 102. The thickness of the two transparent substrates 101 and 102 is 500 μm, and the thickness of the liquid crystal layer or the like sandwiched between them is about 6 μm. However, in this drawing, the scale is changed and displayed.

透明基板101、102は、例えばガラス、ポリカーボネイト、アクリル樹脂等により形成される。液晶パネル100の前面側に配置されている透明基板101の背面側、即ち液晶層103側の面には、カラーフィルタ層104が形成される。カラーフィルタ層104は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の色表示を行なう3領域により構成される。ブラックマトリクス105はカラーフィルタ層104の各画素間に配置される遮光膜であり、画素間の光漏れを防止し、各画素の色を際立たせる働きをする。   The transparent substrates 101 and 102 are made of, for example, glass, polycarbonate, acrylic resin, or the like. A color filter layer 104 is formed on the back side of the transparent substrate 101 disposed on the front side of the liquid crystal panel 100, that is, on the surface on the liquid crystal layer 103 side. The color filter layer 104 is composed of, for example, three regions for displaying red (R), green (G), and blue (B) colors. The black matrix 105 is a light shielding film disposed between the pixels of the color filter layer 104, and functions to prevent light leakage between the pixels and to make the colors of the pixels stand out.

カラーフィルタ層104と液晶層103の間には、透明電極106及び配向膜107が順次積層形成されている。透明電極106は、例えばフォトリソグラフィ法により透明導電性薄膜(ITO:Indium Tin Oxide)から形成される。配向膜107は、例えば高分子材料であるポリイミド(Polyimide)薄膜等の有機薄膜で形成され、液晶層103の液晶分子を所定の方向に揃える役割を果たす。液晶パネル100の背面側に配置されている透明基板102にはTFT素子108が形成され、更に透明電極106、配向膜107が積層形成される。TFT素子108は液晶駆動用のスイッチング素子である。TFT素子108側の透明電極106上には画素電極161及び配線162が形成されており、画素電極161は開口部161a及び反射部161bを有する。   A transparent electrode 106 and an alignment film 107 are sequentially stacked between the color filter layer 104 and the liquid crystal layer 103. The transparent electrode 106 is formed from a transparent conductive thin film (ITO: Indium Tin Oxide) by, for example, photolithography. The alignment film 107 is formed of, for example, an organic thin film such as a polyimide thin film that is a polymer material, and plays a role of aligning liquid crystal molecules of the liquid crystal layer 103 in a predetermined direction. A TFT element 108 is formed on the transparent substrate 102 disposed on the back side of the liquid crystal panel 100, and a transparent electrode 106 and an alignment film 107 are laminated. The TFT element 108 is a switching element for driving a liquid crystal. A pixel electrode 161 and a wiring 162 are formed on the transparent electrode 106 on the TFT element 108 side, and the pixel electrode 161 has an opening 161a and a reflection portion 161b.

偏光板109は、入射光に対して特定の偏光成分のみを透過させる機能を有する光学部材であって、2枚の透明基板101、102の両側表面に貼り付けられる。スペーサ110は、透明基板101、102間の液晶層103の高さ(セルギャップ)を制御する樹脂粒子で、透明基板101、102間の全範囲に亘り、複数個散在される。   The polarizing plate 109 is an optical member having a function of transmitting only a specific polarization component with respect to incident light, and is attached to both side surfaces of the two transparent substrates 101 and 102. The spacers 110 are resin particles that control the height (cell gap) of the liquid crystal layer 103 between the transparent substrates 101 and 102, and a plurality of spacers 110 are scattered over the entire range between the transparent substrates 101 and 102.

図2に示されるように、画素電極161には、開口部161aと反射部161bとが設けられている。マトリクス状の配線162は、互いに直交する走査配線と信号配線を有している。本実施形態における配線162のピッチは100μmであり、配線162の幅は26μmである。   As shown in FIG. 2, the pixel electrode 161 is provided with an opening 161a and a reflecting portion 161b. The matrix wiring 162 has scanning wiring and signal wiring orthogonal to each other. In this embodiment, the pitch of the wiring 162 is 100 μm, and the width of the wiring 162 is 26 μm.

開口部161aは液晶パネル100に対して透明基板102側から入射する光の通り道となる。即ち、開口部161aを設けることによりバックライト光を液晶層に入射させることができるようになる。反射部161bは透明基板101側から入射する光を反射する反射板の役割を果たす。即ち、透明電極106の一部に反射部161bを形成することにより、残りの部分が開口部161aとなる。   The opening 161a serves as a path for light incident on the liquid crystal panel 100 from the transparent substrate 102 side. That is, the backlight 161 can be incident on the liquid crystal layer by providing the opening 161a. The reflector 161b serves as a reflector that reflects light incident from the transparent substrate 101 side. That is, by forming the reflective portion 161b in a part of the transparent electrode 106, the remaining portion becomes the opening portion 161a.

開口部161aは、背面側から入射するバックライト光を通過させるので、これにより画像表示を明るくすることができる。その一方で、開口部161aは前面側から入射する光を反射させることができないため、開口部161aが大きくなればなるほど、バックライト光の利用効率が向上する半面、反射光の利用効率が低減する。即ち、バックライト光の利用効率と反射光の利用効率とは同時に高効率化することが難しい。反射光の利用効率を確保するためには、液晶パネル100の表示部全体の面積に対する開口部161aの面積の割合(以下、開口率とする)は50%以下であることが好ましく、より好適には20%以下である。また、バックライト光の利用のためには開口率が0%となってはならない。図2の例においては開口部161aの直径は35μmであり、開口率は10%である。本発明の実施の形態においては、透明基板102の裏面側にマイクロレンズアレイ200を形成し、バックライト光の利用効率を高めている。   Since the opening 161a allows backlight light incident from the back side to pass therethrough, the image display can be brightened. On the other hand, since the opening 161a cannot reflect the light incident from the front side, the larger the opening 161a, the more efficient the use of the backlight light, and the less the use efficiency of the reflected light. . That is, it is difficult to increase the efficiency of using the backlight light and using the reflected light at the same time. In order to ensure the utilization efficiency of the reflected light, the ratio of the area of the opening 161a to the entire display area of the liquid crystal panel 100 (hereinafter referred to as the aperture ratio) is preferably 50% or less, and more preferably. Is 20% or less. In addition, the aperture ratio should not be 0% in order to use backlight light. In the example of FIG. 2, the diameter of the opening 161a is 35 μm, and the aperture ratio is 10%. In the embodiment of the present invention, the microlens array 200 is formed on the back side of the transparent substrate 102 to increase the use efficiency of the backlight.

第2の透明基板102の背面側にはマイクロレンズアレイ200が設けられている。マイクロレンズアレイ200はリム201及びマイクロレンズ202を有する。図3は透明基板102、マイクロレンズアレイ200、リム201の配置関係を示す平面図である。   A microlens array 200 is provided on the back side of the second transparent substrate 102. The microlens array 200 has a rim 201 and a microlens 202. FIG. 3 is a plan view showing the positional relationship between the transparent substrate 102, the microlens array 200, and the rim 201.

図3に示されるように、リム201は、複数のマイクロレンズ202の周囲を囲む位置に設けられている。リム201はマイクロレンズ202の頂点と同一またはそれよりも高い高さで第2の透明基板102の裏面側の外周縁に沿って途切れることなく形成されている。リム201は後述の偏光板109を平坦性を維持して保持する目的及び後述する製造工程時にマイクロレンズアレイ200を固定する目的で設けられる。リム201は好ましくはマイクロレンズ202と同一材料で構成される。   As shown in FIG. 3, the rim 201 is provided at a position surrounding the periphery of the plurality of microlenses 202. The rim 201 is formed at a height equal to or higher than the apex of the microlens 202 without interruption along the outer peripheral edge on the back surface side of the second transparent substrate 102. The rim 201 is provided for the purpose of maintaining the polarizing plate 109 described later while maintaining flatness and for the purpose of fixing the microlens array 200 during the manufacturing process described later. The rim 201 is preferably made of the same material as the microlens 202.

マイクロレンズ202は、50×10−6m程度の直径若しくは対角線を有し、ガラスや合成樹脂の基板又はフィルム上に配置されている。マイクロレンズ202は、UV硬化樹脂、熱硬化樹脂又はフォトレジストよりなる。マイクロレンズ202のそれぞれは、液晶パネル100の一画素に対応して設けられている。バックライト光の利用効率を向上するためには、図3に示されるようにマイクロレンズ202が隙間なく充填されていることが好ましい。マイクロレンズ202の底面形状が図3に示されるような六角形であれば、平面上に隙間なくマイクロレンズ202を充填することができる。透明基板102の面積に対するマイクロレンズ202の形成されている領域の割合を充填率とすると、充填率は少なくとも70%以上、更に好ましくは80%である。充填率は、透明基板102の面積以外にも、バックライト光の照射領域、液晶パネル100において画素が形成されている領域及び透明基板102の面上におけるリム201の内側の面積等を基に定義することができる。 The microlens 202 has a diameter or diagonal line of about 50 × 10 −6 m and is arranged on a glass or synthetic resin substrate or film. The microlens 202 is made of a UV curable resin, a thermosetting resin, or a photoresist. Each of the micro lenses 202 is provided corresponding to one pixel of the liquid crystal panel 100. In order to improve the utilization efficiency of the backlight light, it is preferable that the microlens 202 is filled without a gap as shown in FIG. If the bottom surface shape of the microlens 202 is a hexagon as shown in FIG. 3, the microlens 202 can be filled on the plane without any gap. When the ratio of the area where the microlenses 202 are formed to the area of the transparent substrate 102 is defined as a filling factor, the filling factor is at least 70% or more, more preferably 80%. In addition to the area of the transparent substrate 102, the filling rate is defined based on the backlight irradiation region, the region where the pixels are formed in the liquid crystal panel 100, the area inside the rim 201 on the surface of the transparent substrate 102, and the like. can do.

液晶パネル100を背面側から図示しないバックライトにより照射した場合、各マイクロレンズ202の焦点、即ちクロスポイントはブラックマトリクス105の開口部近傍又は画素電極161の開口部161a近傍に位置する。即ち、マイクロレンズ202の光軸は、画素電極161の開口部161aと位置決めされている。また、マイクロレンズ202の光軸は、TFT素子108以外の領域であって画素電極161上の開口部161aを通る。   When the liquid crystal panel 100 is illuminated from the back side by a backlight (not shown), the focal point of each microlens 202, that is, the cross point, is located near the opening of the black matrix 105 or near the opening 161a of the pixel electrode 161. That is, the optical axis of the micro lens 202 is positioned with the opening 161 a of the pixel electrode 161. The optical axis of the microlens 202 passes through the opening 161 a on the pixel electrode 161 in a region other than the TFT element 108.

次に図4を用いて、マイクロレンズ202を設けた場合(同図(a))と設けない場合(同図(b))の光学特性の違いについて説明する。図4は1画素分の透明基板102近傍の断面図及びそれを通過する光束を示した模式断面図である。   Next, the difference in optical characteristics between the case where the microlens 202 is provided (FIG. 4A) and the case where the microlens 202 is not provided (FIG. 4B) will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a cross-sectional view of the vicinity of the transparent substrate 102 for one pixel and a schematic cross-sectional view showing a light beam passing therethrough.

図4(a)に示されるように、バックライト光は開口部161aを通過するが、反射部161bに遮られる。これに対し、マイクロレンズ202を設けた場合には、図4(b)に示されるように、マイクロレンズ202の焦点が開口部161a近傍に位置するので、バックライト光はマイクロレンズ202によって開口部161aに光が集光され、配線部材に遮られることなく光が通過する。これにより、開口部161aの開口率を10%以下とした場合でもバックライト光の利用効率を高めることができる。   As shown in FIG. 4A, the backlight light passes through the opening 161a but is blocked by the reflecting portion 161b. On the other hand, when the microlens 202 is provided, as shown in FIG. 4B, the focal point of the microlens 202 is located in the vicinity of the opening 161a. The light is condensed on 161a, and the light passes without being blocked by the wiring member. Thereby, even when the aperture ratio of the opening 161a is set to 10% or less, the utilization efficiency of the backlight light can be increased.

マイクロレンズ202は、レンズの高さが高いほど短焦点となる。本実施形態にかかるマイクロレンズ202の高さは20μmであるが、レンズの最大径及び最適な焦点距離によって適宜選択されるものであり、例えば1μm以上100μm以下の間で選択できる。このように、マイクロレンズ202は開口部161aにそれぞれの中心がアライメントされ、透明基板102上に隙間なく充填されることが好ましい。   The microlens 202 has a short focal point as the lens height increases. The height of the microlens 202 according to the present embodiment is 20 μm, but is appropriately selected depending on the maximum diameter of the lens and the optimum focal length, and can be selected between 1 μm and 100 μm, for example. As described above, it is preferable that the center of the microlens 202 is aligned with the opening 161a and the microlens 202 is filled on the transparent substrate 102 without any gap.

実施の形態2.
本実施の形態においては実施の形態1において説明したマイクロレンズアレイ及びマイクロレンズアレイを有する液晶表示装置の製造方法について説明する。尚、実施の形態1と同様の符号を付す構成については実施の形態1と同一又は相当部を示し、説明を省略する。
Embodiment 2. FIG.
In this embodiment, a microlens array described in Embodiment 1 and a method for manufacturing a liquid crystal display device having the microlens array will be described. In addition, about the structure which attaches | subjects the code | symbol similar to Embodiment 1, the same or equivalent part as Embodiment 1 is shown, and description is abbreviate | omitted.

本実施の形態におけるマイクロレンズアレイの製造工程は、以下に示す工程に分けられる。即ち、レーザー描画を用いて乾板上にマスクパターンを描画し、マスターグレイスケールマスクを作成する第1工程、マスターグレイスケールマスクを介してエマルジョンプレートを露光し、マザーグレイスケールマスクを作成する第2工程、マザーグレイスケールマスク上に露光用マイクロレンズを形成し、レンズ付マザーグレイスケールマスクを作成する第3工程、そして、レンズ付マザーグレイスケールマスクを介して透明基板102上に塗布した光感光性樹脂層を露光し、複数組のマイクロレンズアレイ200を液晶基板上に形成する第4工程、マイクロレンズの形成された液晶基板を分離する第5工程である。   The manufacturing process of the microlens array in the present embodiment is divided into the following processes. That is, a first step of drawing a mask pattern on a dry plate using laser drawing to create a master gray scale mask, and a second step of creating a mother gray scale mask by exposing the emulsion plate through the master gray scale mask. A third step of forming an exposure microlens on the mother grayscale mask to create a mother grayscale mask with lens, and a photosensitive resin applied on the transparent substrate 102 via the mother grayscale mask with lens A fourth step of exposing the layers to form a plurality of sets of microlens arrays 200 on the liquid crystal substrate, and a fifth step of separating the liquid crystal substrate on which the microlenses are formed.

マスターグレイスケールマスクとは、マザーグレイスケールマスクを形成するためのフォトマスクであり、一組のマイクロレンズアレイ200に対応したマスターパターンが形成されてなる。マザーグレイスケールマスクとは複数組のマイクロレンズアレイ200を形成するためのものである。即ち、マスターグレイスケールマスクとはマイクロレンズアレイ200の形成の大元であり、そのマスターパターンには高い精度が要求される。マスターグレイスケールマスクはマザーグレイスケールマスク及びマイクロレンズアレイ200に比べて量産性を要しないため、より高精度なマスクパターンを形成することが可能なレーザー描画を用いて形成される。   The master gray scale mask is a photomask for forming a mother gray scale mask, and a master pattern corresponding to a set of microlens arrays 200 is formed. The mother gray scale mask is for forming a plurality of sets of microlens arrays 200. That is, the master gray scale mask is a source of the formation of the microlens array 200, and the master pattern is required to have high accuracy. Since the master gray scale mask does not require mass productivity as compared with the mother gray scale mask and the microlens array 200, the master gray scale mask is formed using laser drawing capable of forming a mask pattern with higher accuracy.

マザーグレイスケールマスクとは、1つの液晶パネル100に対応するマイクロレンズアレイ200を形成するためのグレイスケールマスクが複数組形成されたものであり、当該グレイスケールマスクにはマイクロレンズ202に対応するグレイスケールが複数組形成されている。当該グレイスケールを介して露光光を強度変調することにより、光感光性樹脂層をレンズ形状に露光することができる。   The mother gray scale mask is a set of a plurality of gray scale masks for forming the micro lens array 200 corresponding to one liquid crystal panel 100, and the gray scale mask includes a gray scale mask corresponding to the micro lens 202. Multiple sets of scales are formed. By modulating the intensity of exposure light via the gray scale, the photosensitive resin layer can be exposed in a lens shape.

レンズ付きマザーグレイスケールマスクとは、マザーグレイスケールマスク上に形成されたグレイスケールに対応して露光用マイクロレンズが形成されたものである。グレイスケールによって強度変調された露光光を、露光用マイクロレンズによって透明基板102上に形成された画素電極161の開口部161aに集光することにより、開口部161aとマイクロレンズ202との光軸を高精度に合わせることができる。   The mother gray scale mask with a lens is one in which an exposure microlens is formed corresponding to the gray scale formed on the mother gray scale mask. The exposure light whose intensity is modulated by the gray scale is condensed on the opening 161a of the pixel electrode 161 formed on the transparent substrate 102 by the exposure microlens, whereby the optical axes of the opening 161a and the microlens 202 are adjusted. It can be adjusted to high accuracy.

次に、上記の各工程について詳述する。
(1)第1工程(マスターグレイスケールマスクの作成)
初めにマスターグレイスケールマスクの製造方法を説明する。本実施形態にかかるマスターグレイスケールマスクは、ガラス等の透明基板上にフォトエマルジョンを塗布し乾燥させた乾板上にマイクロレンズ202に対応するマスターパターンをレーザー光で直接描画し、当該乾板を現像し定着することにより製造する。ここで、本説明においては、乾板にレーザー光を照射して乾板表面を反応させる際に、照射するレーザー光の強度を変調することによって乾板に含まれるフォトエマルジョンの反応度合いを調節し、乾板表面に所望の濃淡を有するパターンを形成することを描画と定義する。反応度合いが変化するパターンが描画された乾板を現像することにより、本実施形態にかかるマスターグレイスケールマスクが完成する。
Next, each of the above steps will be described in detail.
(1) First step (creation of master gray scale mask)
First, a method for manufacturing a master gray scale mask will be described. The master gray scale mask according to the present embodiment directly draws a master pattern corresponding to the microlens 202 on a dry plate obtained by applying a photoemulsion on a transparent substrate such as glass and drying it, and developing the dry plate. Manufactured by fixing. Here, in this description, when the dry plate is irradiated with laser light to react with the surface of the dry plate, the reaction degree of the photoemulsion contained in the dry plate is adjusted by modulating the intensity of the laser beam to be irradiated. The formation of a pattern having a desired shading is defined as drawing. The master gray scale mask according to the present embodiment is completed by developing the dry plate on which the pattern in which the degree of reaction changes is drawn.

図5は乾板430上に、マイクロレンズ202に対応するパターンを描画する際の様子を模式的に示した斜視図であり、乾板430上にパターンを描画する描画装置60が示されている。マイクロレンズ202に対応するパターンを乾板430上に描画する際には、図5に示すような描画装置60を用いる。描画装置60は、描画装置本体61と、レーザーを照射する光源62と、この光源62を移動させるアーム63を備えている。   FIG. 5 is a perspective view schematically showing a state when a pattern corresponding to the microlens 202 is drawn on the dry plate 430, and shows a drawing device 60 for drawing the pattern on the dry plate 430. When drawing a pattern corresponding to the microlens 202 on the dry plate 430, a drawing device 60 as shown in FIG. 5 is used. The drawing device 60 includes a drawing device main body 61, a light source 62 that emits a laser, and an arm 63 that moves the light source 62.

描画装置60は、コンピュータにより構成され、マイクロレンズ202に対応するパターンを描画するための描画データが記憶手段に格納されている。描画装置60は、描画データに従って、アーム63を動かしながら光源62より照射する露光光の強度及び/又は露光時間を変化させ、所望のパターンを乾板430上に描画する。露光強度変調の階調数は例えば4階調以上256階調以下であり、更に好ましくは8階調以上128階調以下であり、更に好ましくは8階調以上24階調以下である。   The drawing device 60 is configured by a computer, and drawing data for drawing a pattern corresponding to the microlens 202 is stored in the storage unit. The drawing device 60 draws a desired pattern on the dry plate 430 by changing the intensity and / or exposure time of the exposure light irradiated from the light source 62 while moving the arm 63 according to the drawing data. The number of gradations of the exposure intensity modulation is, for example, 4 gradations or more and 256 gradations or less, more preferably 8 gradations or more and 128 gradations or less, and further preferably 8 gradations or more and 24 gradations or less.

本実施形態において光源62から照射される露光光のスポット径は0.4μmである。従って、最終的に形成されるマスターパターンは0.4μm程度の光透過率の分解能を有する。乾板430上の全面をプログラムされたパターンに従って露光し終えたら、表面のフォトエマルジョンを現像及び定着することによりマスターグレイスケールマスクが完成する。フォトエマルジョンの現像及び定着には市販の現像液及び定着液を用いることができる。   In this embodiment, the spot diameter of the exposure light emitted from the light source 62 is 0.4 μm. Therefore, the finally formed master pattern has a light transmittance resolution of about 0.4 μm. When the entire surface on the dry plate 430 has been exposed according to the programmed pattern, the surface photoemulsion is developed and fixed to complete the master gray scale mask. Commercially available developers and fixers can be used for developing and fixing the photoemulsion.

図6に、完成したマスターグレイスケールマスク600の上面図を示す。図に示すように、マスターグレイスケールマスク600はマイクロレンズ202に対応するパターンであるマスターパターン601を有する。マスターパターン601によって露光光を強度変調し、当該変調された露光光を用いてエマルジョンプレートを露光することにより、エマルジョンプレート上にマイクロレンズ202に対応するグレイスケールを形成することができる。   FIG. 6 shows a top view of the completed master gray scale mask 600. As shown in the figure, the master grayscale mask 600 has a master pattern 601 that is a pattern corresponding to the microlens 202. The exposure light is intensity-modulated by the master pattern 601 and the emulsion plate is exposed using the modulated exposure light, whereby a gray scale corresponding to the microlens 202 can be formed on the emulsion plate.

本実施形態においては、1つのマスターパターン601の最外周において光透過率は略100%であり、マスターパターン601の中心に向かって同心円状に光透過率が減少し、中心において光透過率が略0%となる。また、マスターグレイスケールマスク600においてマスターパターン601が形成されている部分以外の光透過率は略100%である。尚、図6においては、1つのマスターパターン601が正六角形の輪郭で示されている。これは1つのマスターパターンの境界を明確にするためのものであり、実際には1つのマスターパターン601の際外周では光透過率が100%であるため、境界線は存在しない。   In the present embodiment, the light transmittance at the outermost periphery of one master pattern 601 is approximately 100%, the light transmittance decreases concentrically toward the center of the master pattern 601, and the light transmittance is approximately at the center. 0%. The light transmittance of the master gray scale mask 600 other than the portion where the master pattern 601 is formed is approximately 100%. In FIG. 6, one master pattern 601 is shown by a regular hexagonal outline. This is for clarifying the boundary of one master pattern. Actually, the light transmittance is 100% at the outer periphery of one master pattern 601, and therefore there is no boundary line.

ここで、図6には1つのマスターグレイスケールマスク600に対して複数のマスターパターン601が形成された例を示しているが、1つのマスターグレイスケールマスク600に対して1つのマスターパターン601のみを形成しても良い。このように、レーザー光を用いてマスクパターンを描画することにより、高精度なグレイスケールを形成することができると共に、コスト及び生産性に優れた光学部品形成用のグレイスケールマスクを提供することができる。   Here, FIG. 6 shows an example in which a plurality of master patterns 601 are formed for one master gray scale mask 600, but only one master pattern 601 is provided for one master gray scale mask 600. It may be formed. Thus, by drawing a mask pattern using laser light, it is possible to form a highly accurate gray scale and to provide a gray scale mask for forming an optical component that is excellent in cost and productivity. it can.

次に、マスターグレイスケールマスク600の具体的な形成方法及び描画装置60の動作について説明する。光透過率の高いマスターパターン601の外周近傍においては、露光強度を弱く及び/又は露光時間を短くし、逆に光透過率の低いマスターパターン601の中心近傍においては、露光強度を強く及び/又は露光時間を長くする。こうすることにより、マスターパターン601に対応するパターンを、レーザー光を用いて乾板上に直接描画することが可能である。   Next, a specific method for forming the master gray scale mask 600 and the operation of the drawing apparatus 60 will be described. In the vicinity of the outer periphery of the master pattern 601 having a high light transmittance, the exposure intensity is reduced and / or the exposure time is shortened. Conversely, in the vicinity of the center of the master pattern 601 having a low light transmittance, the exposure intensity is increased and / or Increase the exposure time. By doing so, a pattern corresponding to the master pattern 601 can be directly drawn on the dry plate using a laser beam.

乾板をレーザー露光することによりパターニングする技術においては、パターンが残るか除去されるかの二択が従来技術において一般的であった。このような技術は主にプリント基板の分野で用いられており、その用途上、パターニングに中間が必要なかったからである。むしろプリント基板という分野においては、パターン有無が明確である方が好ましい。   In the technique of patterning by exposing a dry plate by laser exposure, two choices of whether a pattern remains or is removed are common in the prior art. This is because such a technique is mainly used in the field of printed circuit boards, and an intermediate is not necessary for patterning for its use. Rather, in the field of printed circuit boards, it is preferable that the presence or absence of a pattern is clear.

マスターパターン601のように、位置によって光透過率が段階的若しくは連続的に変化するパターンを形成するためには、専用の感光性プレートを用いるか、レジストを多段階露光してパターンを形成する必要があった。しかしながら、本発明者は乾板を露光するレーザー光の強度を比較的弱いレベルの範囲内で調節することによって、乾板の露光強度を変化させ、乾板上に形成されるパターンに濃度の濃淡即ち光透過率の変化する領域を形成可能であることを見出した。   In order to form a pattern whose light transmittance changes stepwise or continuously depending on the position like the master pattern 601, it is necessary to use a dedicated photosensitive plate or to form a pattern by exposing the resist in multiple stages. was there. However, the present inventor changes the exposure intensity of the dry plate by adjusting the intensity of the laser light that exposes the dry plate within a relatively weak level, and the density formed on the pattern formed on the dry plate, that is, light transmission. It was found that a region with a variable rate can be formed.

本実施形態において用いる乾板は、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布したものである。ここで用いられる透明基板には、例えばガラス、アスベスト等の無機繊維やポリエステル、ポリアミド、ポリビニルアルコール、アクリル等の有機合成繊維で透明性を有するものが用いられる。フォトエマルジョンは感光性を有する乳剤である。乾板には例えば、コニカミノルタホールディングス株式会社製の乾板、例えばハイレゾリューションプレート(HE−1)等や、富士フィルムグラフィックシステムズ株式会社製の乾板、例えばスーパーマイクロフォトプレート(登録商標)(UM−G)等が用いられる。この様に、専用の乾板ではなく市販されている乾板を用いることにより、コストの低減及び生産性の向上を図ることができる。   The dry plate used in this embodiment is obtained by applying a photo emulsion on a transparent substrate. As the transparent substrate used here, for example, inorganic fibers such as glass and asbestos, and organic synthetic fibers such as polyester, polyamide, polyvinyl alcohol, and acrylic that have transparency are used. A photoemulsion is an emulsion having photosensitivity. Examples of the dry plate include a dry plate manufactured by Konica Minolta Holdings, Inc., such as a high resolution plate (HE-1), and a dry plate manufactured by Fuji Film Graphic Systems, Inc., such as Super Micro Photo Plate (registered trademark) (UM-G). ) Etc. are used. Thus, by using a commercially available dry plate instead of a dedicated dry plate, cost reduction and productivity improvement can be achieved.

レーザー光源にはHeCd(ヘリウム・カドミウム)レーザーやYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)レーザー等が用いられる。これらのレーザーは従来技術において用いられていた電子ビーム等の高エネルギービームよりも光源として安価であるため、コストダウンを図ることができる。また、大気中での露光が可能であるため、真空中での作業が必要となる従来の光源に対して生産性の向上を図ることができる。更には、真空状態を保つことができる空間には限界があるため、従来の光源を用いる場合は大型化が難しかったが、本実施形態にかかるレーザー光源ではその様な空間的制限がないため、大型化も容易である。   As the laser light source, a HeCd (helium cadmium) laser, a YAG (yttrium aluminum garnet) laser, or the like is used. Since these lasers are cheaper as light sources than high energy beams such as electron beams used in the prior art, the cost can be reduced. In addition, since exposure in the atmosphere is possible, productivity can be improved over conventional light sources that require work in vacuum. Furthermore, since there is a limit to the space in which a vacuum state can be maintained, it has been difficult to increase the size when using a conventional light source, but the laser light source according to the present embodiment has no such spatial limitation, It is easy to increase the size.

これらの光源を用いて乾板を露光する際、そのまま露光すると露光強度が強すぎるために、露光強度に強度変調を加えたとしても表面の乳剤が完全に硬化してしまい、従来のようにパターンが残るか除去されるかの二択にしかならない。光透過率が連続的若しくは段階的に変化するようなパターンを形成するためには、露光強度を15mW前後のごく弱い強度とし、更に露光強度を減衰させる必要がある。露光強度の減衰はアッティネータとの組み合わせにより行う。本実施形態においては、光源と露光対象との間にND(Neutral Density)フィルターを介することにより、露光強度を減衰させる。   When exposing a dry plate using these light sources, the exposure intensity is too strong when exposed as it is, so even if intensity modulation is applied to the exposure intensity, the emulsion on the surface is completely cured, and the pattern is not as usual. There are only two options: remaining or removed. In order to form a pattern in which the light transmittance changes continuously or stepwise, it is necessary to set the exposure intensity to a very weak intensity of about 15 mW and further attenuate the exposure intensity. Attenuation of exposure intensity is performed in combination with an attenuator. In the present embodiment, the exposure intensity is attenuated by passing an ND (Neutral Density) filter between the light source and the exposure target.

本実施形態で用いるNDフィルターには、例えば透明基板上に数種類の金属の合金薄膜を真空蒸着により蒸着したものを用いる。透明基板上に蒸着する金属薄膜の厚さを調節することにより、透過率を制御することができる。本実施形態においては、光源の光強度に対するNDフィルター通過後の光強度の比は0.3×10−4〜1.0×10−4程度である。本実施形態におけるNDフィルター通過後の光強度と光源強度との比は0.38×10−4程度である。NDフィルターには例えばメレスグリオ株式会社製の金属膜NDフィルター等が用いられる。 As the ND filter used in this embodiment, for example, an alloy thin film of several kinds of metals deposited on a transparent substrate by vacuum deposition is used. The transmittance can be controlled by adjusting the thickness of the metal thin film deposited on the transparent substrate. In the present embodiment, the ratio of the light intensity after passing through the ND filter to the light intensity of the light source is about 0.3 × 10 −4 to 1.0 × 10 −4 . In this embodiment, the ratio between the light intensity after passing through the ND filter and the light source intensity is about 0.38 × 10 −4 . As the ND filter, for example, a metal film ND filter manufactured by Melles Griot Co., Ltd. is used.

NDフィルターによる光強度の減衰は光源の光強度との関係により適宜調整される。従って、本発明で用いられるNDフィルターは金属膜NDフィルターに限定されず、NDフィルターにて求められるアッティネーションが低ければ、例えばフィルムタイプのNDフィルタを用いることもできる。   The attenuation of the light intensity by the ND filter is appropriately adjusted according to the relationship with the light intensity of the light source. Therefore, the ND filter used in the present invention is not limited to the metal film ND filter. For example, a film-type ND filter may be used if the attenuation required for the ND filter is low.

また、上記のように所定パターンを描画するための描画データに従って描画する描画装置60を用いず、手動で光源62又はアーム63を移動し、乾板430の露光を行なうことも可能である。この際、光源62及びアーム63の乾板430に対する位置に応じて、描画装置60が自動的に露光強度若しくは露光時間を調整しても良いし、手動で露光強度若しくは露光時間を調整しても良い。   Further, it is also possible to manually move the light source 62 or the arm 63 and perform the exposure of the dry plate 430 without using the drawing device 60 for drawing according to the drawing data for drawing the predetermined pattern as described above. At this time, the drawing device 60 may automatically adjust the exposure intensity or exposure time according to the positions of the light source 62 and the arm 63 relative to the dry plate 430, or may manually adjust the exposure intensity or exposure time. .

尚、乾板430上に形成するパターンは中心から外周へ向かって光透過率が徐々に減少、若しくは上昇するのみではなく、例えば、フレネルレンズ形状を形成するためのマスクパターンでも良い。詳細には、マスターパターンの中心から外周へ向かって同心円状に、光透過率の上昇と減少が繰り返されるようなパターンでも良い。また、シリンドリカルレンズや、三角プリズムのように、2次元的な繰り返しパターンを形成するためのパターンであってもよい。   The pattern formed on the dry plate 430 not only gradually decreases or increases the light transmittance from the center toward the outer periphery, but may be a mask pattern for forming a Fresnel lens shape, for example. Specifically, a pattern in which the increase and decrease in light transmittance are repeated concentrically from the center of the master pattern toward the outer periphery may be used. Further, it may be a pattern for forming a two-dimensional repetitive pattern such as a cylindrical lens or a triangular prism.

(2)第2工程(マザーグレイスケールマスクの作成)
次に、マザーグレイスケールマスクとその製造方法について説明する。図7にマザーグレイスケールマスク4000を示す。マザーグレイスケールマスク4000にはグレイスケール400が一定の間隔をもって配列されている。一組のグレイスケール400は、液晶パネル100の透明基板102上に形成される1組のマイクロレンズアレイ200に対応するものである。
(2) Second step (Mother gray scale mask creation)
Next, a mother gray scale mask and a manufacturing method thereof will be described. FIG. 7 shows a mother gray scale mask 4000. Gray scales 400 are arranged on the mother gray scale mask 4000 with a constant interval. The set of gray scales 400 corresponds to the set of microlens arrays 200 formed on the transparent substrate 102 of the liquid crystal panel 100.

マザーグレイスケールマスク4000は、透明基板上に複数組のグレイスケール400が形成されてなる。グレイスケール401の単位構成要素であるグレイスケール401は、最終的に形成するマイクロレンズ202のそれぞれに対応したレンズ形成用領域401aを複数有する。レンズ形成用領域401aは、マイクロレンズ202と同一のピッチで配列されている。レンズ形成用領域401a以外の部分には、光透過率が極めて低い若しくはゼロの遮光領域401bが形成されている。   The mother gray scale mask 4000 has a plurality of sets of gray scales 400 formed on a transparent substrate. The gray scale 401, which is a unit component of the gray scale 401, has a plurality of lens formation regions 401a corresponding to the microlenses 202 to be finally formed. The lens forming areas 401 a are arranged at the same pitch as the microlenses 202. In a portion other than the lens formation region 401a, a light shielding region 401b having an extremely low or zero light transmittance is formed.

レンズ形成用領域401aでは光透過率が連続的に変化している。レンズ形成用領域401aの外周は六角形の形状を有するが、例えば六角形以外の他の多角形や円形及び楕円形でも良い。更に、レンズ形成用領域401aにおいては同心円状に光透過率が変化し、レンズ形成用領域401aの中心において光透過率が最大となる。   In the lens forming area 401a, the light transmittance continuously changes. The outer periphery of the lens forming region 401a has a hexagonal shape, but may be a polygon other than the hexagon, a circle, or an ellipse, for example. Further, the light transmittance changes concentrically in the lens forming region 401a, and the light transmittance becomes maximum at the center of the lens forming region 401a.

本実施形態においては、遮光領域401bの光透過率は0%であり、レンズ形成用領域401aにおいてレンズ形成用領域401aの外周から中心に向かって同心円状に光透過率が上昇し、レンズ形成用領域401aの中心において光透過率が100%に近い値となる。   In the present embodiment, the light transmittance of the light shielding region 401b is 0%, and in the lens forming region 401a, the light transmittance increases concentrically from the outer periphery of the lens forming region 401a toward the center. The light transmittance is a value close to 100% at the center of the region 401a.

エマルジョンプレート450は、透明基板上にフォトエマルジョン(モノクローム写真感光乳剤)を塗布したガラス乾板である。フォトエマルジョンを強度変調した光によって露光し、現像することによって透明基板上にマスクパターンが形成される。エマルジョンプレート450の面積が大きいほど、大面積のマザーグレイスケールマスク4000を製造することができ、より多くのグレイスケール400を一度に形成することができる。   The emulsion plate 450 is a glass dry plate in which a photoemulsion (monochrome photographic emulsion) is coated on a transparent substrate. A mask pattern is formed on the transparent substrate by exposing and developing the photoemulsion with light whose intensity is modulated. The larger the area of the emulsion plate 450, the larger the mother gray scale mask 4000 can be manufactured, and more gray scales 400 can be formed at one time.

本実施形態におけるエマルジョンプレート450の面積は、例えば360mm×460mmである。エマルジョンプレート450には例えば、コニカミノルタホールディングス株式会社製のハイレゾリューションプレート(HE−1)や、富士フィルムグラフィックシステムズ株式会社製のスーパーマイクロフォトプレート(登録商標)(UM−G)等が用いられる。   The area of the emulsion plate 450 in the present embodiment is, for example, 360 mm × 460 mm. For the emulsion plate 450, for example, a high resolution plate (HE-1) manufactured by Konica Minolta Holdings, Inc., a super micro photo plate (registered trademark) (UM-G) manufactured by Fuji Film Graphic Systems Co., Ltd., or the like is used. .

アライメント用基板500は、エマルジョンプレート450上においてグレイスケール400を正確な位置に形成するために用いられる。アライメント用基板500はエマルジョンプレート450と重ね合わせて用いるため、好適にはアライメント用基板500とエマルジョンプレート450との平面寸法は等しいが、両者の平面寸法が異なる場合でも、エマルジョンプレート450上においてグレイスケール400形成する位置を調整可能であれば良い。   The alignment substrate 500 is used to form the gray scale 400 at an accurate position on the emulsion plate 450. Since the alignment substrate 500 is used by being overlapped with the emulsion plate 450, the planar dimensions of the alignment substrate 500 and the emulsion plate 450 are preferably the same. It is only necessary that the position where 400 is formed can be adjusted.

アライメント用基板500はその表面に領域マーク501が形成されている。領域マーク501はアライメント用基板500面上に所定のピッチで配列されている。領域マーク501は、四角形の枠であり、1組のグレイスケール401を形成する位置を示す。従って、領域マーク501の配列ピッチは、最終的にエマルジョンプレート450上に形成されるグレイスケール400のピッチ、即ちマザーグレイスケールマスク4000上におけるグレイスケール400のピッチとなる。   A region mark 501 is formed on the surface of the alignment substrate 500. The area marks 501 are arranged on the alignment substrate 500 surface at a predetermined pitch. An area mark 501 is a rectangular frame and indicates a position where a set of gray scales 401 is formed. Therefore, the arrangement pitch of the region marks 501 is the pitch of the gray scale 400 finally formed on the emulsion plate 450, that is, the pitch of the gray scale 400 on the mother gray scale mask 4000.

アライメント用基板500は透明性を有する基板である。ここで、領域マーク501は四角形に限定されるものではなく、1組のグレイスケール400に合わせて適宜変更される。また、領域マーク501は1つのグレイスケール400の全周を囲う必要はなく、マスターグレイスケールマスク600の位置合わせが可能なマークであればよい。マスターグレイスケールマスク600に形成されているマスターパターン601をエマルジョンプレート450に転写することによって、レンズ形成容量域401aを形成する。   The alignment substrate 500 is a transparent substrate. Here, the region mark 501 is not limited to a quadrangle, and is appropriately changed according to a set of gray scales 400. Further, the area mark 501 does not need to surround the entire circumference of one gray scale 400, and may be any mark that can align the master gray scale mask 600. By transferring the master pattern 601 formed on the master gray scale mask 600 to the emulsion plate 450, the lens forming capacitance area 401a is formed.

図9に1つの領域マーク501とマスターグレイスケールマスク600を拡大した斜視図を示す。図9に示されるように、領域マーク501の四つ角にはアライメントマーク502が設けられている。また、マスターパターン601の四つ角にはアライメントマーク602が設けられている。領域マーク501の平面形状とマスターパターン601の外周の平面形状とは略一致する。また、1つの領域マーク501の四つ角に形成された夫々のアライメントマーク502の配置関係と1つのマスターパターン601の四つ角に形成された夫々のアライメントマーク602の配置関係とは一致する。   FIG. 9 shows an enlarged perspective view of one area mark 501 and the master gray scale mask 600. As shown in FIG. 9, alignment marks 502 are provided at the four corners of the region mark 501. In addition, alignment marks 602 are provided at the four corners of the master pattern 601. The planar shape of the area mark 501 and the planar shape of the outer periphery of the master pattern 601 are substantially the same. In addition, the arrangement relationship of the alignment marks 502 formed at the four corners of one area mark 501 and the arrangement relationship of the alignment marks 602 formed at the four corners of one master pattern 601 coincide with each other.

マスターグレイスケールマスク600のアライメントマーク602が設けられた部分の周囲は透明性を有するため、アライメント用基板500に設けられたアライメントマーク502をマスターグレイスケールマスク600を通して視認することができる。   Since the periphery of the portion where the alignment mark 602 of the master gray scale mask 600 is provided is transparent, the alignment mark 502 provided on the alignment substrate 500 can be viewed through the master gray scale mask 600.

図10はマスターパターン601の反転パターンをエマルジョンプレート450に転写する際の工程を示す断面図である。図示の簡略化のため、図10においては1つのマスターグレイスケールマスク600に1つのマスターパターン601を表示するが、本実施形態においては、図6に示すようにマスターグレイスケールマスク600には複数のマスターパターン601が形成されている。アライメントマーク502とアライメントマーク602とを一致させて位置決めし、図10(a)に示すようにエマルジョンプレート450上にアライメント用基板500を重ね合わせる。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing a process for transferring the reverse pattern of the master pattern 601 to the emulsion plate 450. For simplification of illustration, one master pattern 601 is displayed on one master gray scale mask 600 in FIG. 10, but in this embodiment, a plurality of master gray scale masks 600 are displayed on the master gray scale mask 600 as shown in FIG. A master pattern 601 is formed. The alignment mark 502 and the alignment mark 602 are aligned and positioned, and the alignment substrate 500 is overlaid on the emulsion plate 450 as shown in FIG.

ここで、アライメントマーク502及びアライメントマーク602を用いずとも、領域マーク501とマスターパターン601とを用いて、位置決めするようにしてもよい。即ち、アライメントマーク502及びアライメントマーク602を設けなくても、領域マーク501とマスターパターン601とを位置決めしてもよい。   Here, positioning may be performed using the area mark 501 and the master pattern 601 without using the alignment mark 502 and the alignment mark 602. That is, the area mark 501 and the master pattern 601 may be positioned without providing the alignment mark 502 and the alignment mark 602.

次に、図10(b)に示すようにマスターグレイスケールマスク600上からエマルジョンプレート450を露光する。露光は365nm付近の波長の垂直偏光された紫外線を100mJのエネルギーで照射する。露光範囲は、マスターパターン601と一致する範囲若しくはマスターパターン601よりも広い範囲である。本実施形態においては、マスターパターン601よりも縦横ともに1mm広い四角形の領域において露光光を照射した。図10(b)中の点線は露光光の光線図である。図中の点線に示されるように、マスターグレイスケールマスク600側から照射された露光光は、マスターパターン601によって強度変調が加えられ、領域マーク501の枠内及びその近傍を通過し、エマルジョンプレート450を露光する。   Next, as shown in FIG. 10B, the emulsion plate 450 is exposed from above the master gray scale mask 600. In the exposure, vertically polarized ultraviolet rays having a wavelength of around 365 nm are irradiated with energy of 100 mJ. The exposure range is a range that matches the master pattern 601 or a range wider than the master pattern 601. In the present embodiment, the exposure light is irradiated in a square area 1 mm wider than the master pattern 601 in both the vertical and horizontal directions. A dotted line in FIG. 10B is a ray diagram of exposure light. As indicated by the dotted line in the figure, the exposure light irradiated from the master gray scale mask 600 side is intensity-modulated by the master pattern 601, passes through the frame of the area mark 501 and the vicinity thereof, and the emulsion plate 450 To expose.

エマルジョンプレート450を露光する露光光はマスターパターン601によって強度変調が加えられているため、マスターパターン601のパターンに対応した強度でエマルジョンプレート450を露光する。即ち、マスターパターン601の中心部に対応する位置ほど露光強度が弱く、マスターパターン601の外周に近付くにつれて同心円状に露光強度が上昇し、最外周において露光強度が最高となる。エマルジョンプレート450の露光面において、露光に応じて表面に塗布されたフォトエマルジョンが反応し、露光強度に応じて透明性を失う。   Since the exposure light for exposing the emulsion plate 450 is intensity-modulated by the master pattern 601, the emulsion plate 450 is exposed with an intensity corresponding to the pattern of the master pattern 601. That is, the exposure intensity is weaker at the position corresponding to the central portion of the master pattern 601, the exposure intensity increases concentrically as it approaches the outer periphery of the master pattern 601, and the exposure intensity is highest at the outermost periphery. On the exposed surface of the emulsion plate 450, the photoemulsion applied to the surface in response to exposure reacts and loses transparency in accordance with the exposure intensity.

従って、図10(b)に示すように、エマルジョンプレート450の透明基板上にマスターパターン601の反転パターンに対応した転写パターン404が形成される。転写パターン404のうち、マスターパターン601を通過した露光光によって形成された部分の転写パターン404aは同心円状に光強度が変化する露光光によって形成された領域である。また、転写パターン404のうち、マスターパターン601の外部を通過した露光光によって形成された部分の転写パターン404bは最高強度で露光された領域である。上記の通り、図10においては1つのマスターグレイスケールマスク600に1つのマスターパターン601を表示しているため、1つのマスターグレイスケールマスク600に対して1つの転写パターン404が形成されるが、実際には1つのマスターグレイスケールマスク600に含まれるマスターパターン601の個数に対応して転写パターン404が形成される。   Accordingly, as shown in FIG. 10B, a transfer pattern 404 corresponding to the reverse pattern of the master pattern 601 is formed on the transparent substrate of the emulsion plate 450. Of the transfer pattern 404, a portion of the transfer pattern 404a formed by exposure light that has passed through the master pattern 601 is a region formed by exposure light whose light intensity changes concentrically. Of the transfer pattern 404, a portion of the transfer pattern 404b formed by the exposure light that has passed through the outside of the master pattern 601 is an area exposed at the maximum intensity. As described above, in FIG. 10, since one master pattern 601 is displayed on one master gray scale mask 600, one transfer pattern 404 is formed for one master gray scale mask 600. The transfer patterns 404 are formed corresponding to the number of master patterns 601 included in one master gray scale mask 600.

1つの領域マーク501に対する露光を終えたら、次の領域マーク501に対しても同様にアライメントマーク502とアライメントマーク602を一致させることによって位置決めし、図10(c)に示すようにマスターグレイスケールマスク600側からエマルジョンプレート450を露光し、転写パターン404を形成する。隣接する露光領域が連続するように、露光領域同士が接するか又は重なるようにする。   When the exposure for one area mark 501 is completed, the alignment mark 502 and the alignment mark 602 are similarly aligned with the next area mark 501, and a master gray scale mask is obtained as shown in FIG. The emulsion plate 450 is exposed from the 600 side to form a transfer pattern 404. The exposure regions are in contact with each other or overlap so that adjacent exposure regions are continuous.

このように、全ての領域マーク501に対して露光を繰り返すことによって、エマルジョンプレート450上に、アライメント用基板500に設けられた領域マーク501のピッチと同様のピッチで転写パターン404が形成される。全ての領域マーク501に対する露光が完了したら、エマルジョンプレート450を現像することにより、図10(d)に示されるように、転写パターン404aはレンズ形成用領域401aとして、転写パターン404bは遮光領域401bとして定着し、これによってグレイスケール400を有するマザーグレイスケールマスク4000が完成する。   In this way, by repeating exposure for all the area marks 501, the transfer pattern 404 is formed on the emulsion plate 450 at a pitch similar to the pitch of the area marks 501 provided on the alignment substrate 500. When the exposure of all the area marks 501 is completed, the emulsion plate 450 is developed to transfer the transfer pattern 404a as the lens forming area 401a and the transfer pattern 404b as the light-shielding area 401b as shown in FIG. The mother gray scale mask 4000 having the gray scale 400 is completed by fixing.

このように、アライメント用基板500を用いて、マスターグレイスケールマスク600をアライメントしながら各領域マーク501を個々に露光することにより、エマルジョンプレート450表面の全面に亘って、高精度にレンズ形成用領域401a及び遮光領域401bを形成することができる。また、アライメント用基板500を用いることによって、エマルジョンプレートにはアライメントマーク502のようなアライメント用のマークを設ける必要がない。従って、専用の感光性プレートではなく、市販の感光性プレートを用いることができ、生産性に優れる。この様な製造方法を用いることにより、所定のマスクパターンが所定のピッチで高精度に配列された大面積のグレイスケールマスク400及びマザーグレイスケールマスク4000を低コストで得ることができる。   In this way, by using the alignment substrate 500 and individually exposing each area mark 501 while aligning the master gray scale mask 600, the lens forming area is precisely covered over the entire surface of the emulsion plate 450. 401a and a light shielding region 401b can be formed. Further, by using the alignment substrate 500, it is not necessary to provide an alignment mark such as the alignment mark 502 on the emulsion plate. Therefore, a commercially available photosensitive plate can be used instead of a dedicated photosensitive plate, and the productivity is excellent. By using such a manufacturing method, it is possible to obtain a large-scale gray scale mask 400 and mother gray scale mask 4000 in which a predetermined mask pattern is arranged with high accuracy at a predetermined pitch at a low cost.

この様にして形成されたレンズ形成用領域401aの、透過率分布について説明する。レンズ形成用領域401aを通過した光の光軸方向と垂直な面の座標を、レンズ形成用領域401aの中心を原点とするx及びyで表し、レンズ形成用領域401aを通過した光の光軸方向と垂直な面における光強度分布をZで表すとき、Cを任意の実数とし、mを任意の自然数とし、k=0、若しくはkを任意の正の実数とすると、光強度Zは、

Figure 2007304621
の条件を満たす。 The transmittance distribution of the lens forming region 401a formed in this way will be described. The coordinates of the plane perpendicular to the optical axis direction of the light that has passed through the lens forming area 401a are represented by x and y with the center of the lens forming area 401a as the origin, and the optical axis of the light that has passed through the lens forming area 401a. When the light intensity distribution in a plane perpendicular to the direction is represented by Z, if C n is an arbitrary real number, m is an arbitrary natural number, k = 0, or k is an arbitrary positive real number, the light intensity Z is given by
Figure 2007304621
Satisfy the condition of

この式において、kはx、y座標面の原点、即ちレンズ形成用領域401aの中心におけるレンズ形成用領域401a通過後の光強度を表している。hは式(2)に示す通り、原点からの距離である。ここで、式(1)におけるマイナス項である2項目は、式(1)の示す通りCを係数とする項からCを係数とする項までの総和である。Cが表すのはそれぞれのnに対応する項における係数である。例えばZ=k−Cとする場合は、m=1であり、Z=k−(C+C+C)とする場合は、m=3である。 In this equation, k represents the light intensity after passing through the lens forming area 401a at the origin of the x, y coordinate plane, that is, the center of the lens forming area 401a. h is the distance from the origin, as shown in equation (2). Here, the two items that are negative terms in the equation (1) are the sums from the term having the coefficient C 1 to the term having the coefficient C m as shown in the equation (1). C n represents a coefficient in a term corresponding to each n. For example, when Z = k−C 1 h 2 , m = 1, and when Z = k− (C 1 h 2 + C 2 h 2 + C 3 h 2 ), m = 3.

式(1)は直接的にはhに依存する式となっており、原点からの距離hとレンズ形成用領域401a通過後の光強度Zとの相関関係を表している。即ち、光強度Zの値はレンズ形成用領域401aの中心からの距離hによって決定されるので、光強度Zは原点から同心円状に変化する。式(1)においてCがすべて正である場合は、原点から離れる程マイナス項の絶対値が大きくなる。従って光強度Zは原点、即ちレンズ光軸から離れる程弱くなる。これは本実施形態における露光光強度の態様である。hのべき乗数が2n乗、即ち偶数となっているのは、光強度Zに関係する値が原点に対して対称であることを示している。更に、べき乗をとることによって原点から離れる程、値の変化率が大きくなる。従って図11(a)に示したように、原点を光軸とする凸レンズ形状に光強度Zを分布させることができる。 Expression (1) is an expression that directly depends on h, and represents the correlation between the distance h from the origin and the light intensity Z after passing through the lens forming region 401a. That is, since the value of the light intensity Z is determined by the distance h from the center of the lens forming area 401a, the light intensity Z changes concentrically from the origin. In the formula (1), when C n is all positive, the absolute value of the minus term increases as the distance from the origin increases. Accordingly, the light intensity Z decreases as the distance from the origin, that is, the lens optical axis, increases. This is an aspect of the exposure light intensity in this embodiment. The power of h is 2n, that is, an even number indicates that the value related to the light intensity Z is symmetric with respect to the origin. Furthermore, the rate of change of the value increases as the distance from the origin increases by taking the power. Therefore, as shown in FIG. 11A, the light intensity Z can be distributed in a convex lens shape with the origin as the optical axis.

他方、最終的に形成するマイクロレンズが凹形状のレンズである場合には、レンズ形成用領域401aの光透過率が中心において最も低くなり、最外部において最も高くなるようにすれば良い。例えば、式(1)においてCがすべて負であればその様な態様が可能となる。これにより図11(b)に示したように、原点を光軸とする凹レンズ形状に光強度Zを分布させることができる。ここで、図11に示したグラフが途中で途切れているのは、光強度Zがレンズ形成用領域401aごとに計算されるからである。即ち、x、yはレンズ形成用領域401aの中心から単位マスクの外周に達するまでの有限の値である。 On the other hand, when the microlens to be finally formed is a concave lens, the light transmittance of the lens forming region 401a may be lowest at the center and highest at the outermost part. For example, if C n is all negative in the formula (1), such a mode is possible. As a result, as shown in FIG. 11B, the light intensity Z can be distributed in a concave lens shape with the origin as the optical axis. The reason why the graph shown in FIG. 11 is interrupted is that the light intensity Z is calculated for each lens formation region 401a. That is, x and y are finite values from the center of the lens forming area 401a to the outer periphery of the unit mask.

このように光強度Zを定義することによって、C及びmの値の操作により所望のレンズ形状を作り出すことが可能となる。尚、上記した式(1)は光強度Zが原点、即ちレンズ光軸からの距離hに依存することを示すものであり、図11に示したような単純増加又は単純減少に限定されるものではない。Cはnに依存せず、各nの値ごとに設定可能な定数であるので、Cをそれぞれ独立して設定することにより、レンズ光軸でもレンズ最外周でもない地点に光強度Zの極値を設定することも可能である。また、Cをnの関数とすることも可能である。 By defining the light intensity Z in this way, a desired lens shape can be created by manipulating the values of C n and m. Note that the above formula (1) indicates that the light intensity Z depends on the origin, that is, the distance h from the lens optical axis, and is limited to a simple increase or a simple decrease as shown in FIG. is not. Since C n does not depend on n and is a constant that can be set for each value of n, by setting C n independently, the light intensity Z can be set at a point that is neither the lens optical axis nor the lens outermost periphery. It is also possible to set an extreme value. Also, C n can be a function of n.

(3)第3工程(レンズ付きマザーグレイスケールマスクの作成)
次に、レンズ付きマザーグレイスケールマスクとその製造方法について説明する。図12は本実施形態におけるレンズ付きマザーグレイスケールマスク460の断面図である。レンズ付きマザーグレイスケールマスク460は、支持基板402の一方の面にグレイスケール401が形成され、他方の面に露光用マイクロレンズ403が形成されている。即ち、本実施形態においては、マザーグレイスケールマスク4000のグレイスケール401が形成された面とは反対側の面に、グレイスケール401にアライメントされて露光用マイクロレンズ403が形成されている。
(3) Third step (creation of mother gray scale mask with lens)
Next, a mother gray scale mask with a lens and a manufacturing method thereof will be described. FIG. 12 is a cross-sectional view of the mother gray scale mask 460 with a lens in this embodiment. The mother gray scale mask 460 with a lens has a gray scale 401 formed on one surface of a support substrate 402 and an exposure micro lens 403 formed on the other surface. That is, in the present embodiment, the exposure microlens 403 is formed on the surface of the mother grayscale mask 4000 opposite to the surface on which the grayscale 401 is formed, aligned with the grayscale 401.

レンズ付きマザーグレイスケールマスク460を用いて最終的にマイクロレンズ202を形成する際は、強度変調した露光光によって光感光性樹脂層をレンズ形状に露光し、硬化させることにより行う。その際、液晶パネル100の透明基板102上に形成されたTFT素子及び画素電極161の反射部161b等を避け、開口部161aに露光光を集光することによって、透明基板102上に直接マイクロレンズ202を形成することを可能としており、同時に開口部161aとマイクロレンズ202との光軸合わせも行っている。レンズ付きマザーグレイスケールマスク460は露光光を強度変調する機能と、露光光を回路素子の開口部へ集光する機能をもつ。   When the micro lens 202 is finally formed by using the mother gray scale mask 460 with a lens, the photosensitive resin layer is exposed to a lens shape with exposure light whose intensity is modulated, and is cured. At that time, by avoiding the TFT element formed on the transparent substrate 102 of the liquid crystal panel 100 and the reflective portion 161b of the pixel electrode 161, the exposure light is condensed on the opening 161a, so that the microlens is directly formed on the transparent substrate 102. 202 can be formed, and at the same time, the optical axis alignment of the opening 161a and the microlens 202 is performed. The mother gray scale mask 460 with a lens has a function of intensity-modulating the exposure light and a function of condensing the exposure light to the opening of the circuit element.

ここで、本実施形態においては支持基板402のそれぞれ反対面にグレイスケール401と露光用マイクロレンズ403とが形成されているが、これに限定されるものではない。支持基板402上にグレイスケール401が形成され、更にグレイスケール401上に露光用マイクロレンズ403が形成されても良いし、支持基板402上に露光用マイクロレンズ403が形成され、更に露光用マイクロレンズ403上にグレイスケール401が形成されても良い。   Here, in this embodiment, the gray scale 401 and the exposure microlens 403 are formed on the opposite surfaces of the support substrate 402, but the present invention is not limited to this. The gray scale 401 may be formed on the support substrate 402, and the exposure microlens 403 may be further formed on the grayscale 401, or the exposure microlens 403 may be formed on the support substrate 402, and the exposure microlens may be further formed. A gray scale 401 may be formed on 403.

図12に示す構造において、露光光はグレイスケール401側から入射する。支持基板402は透明性を有する基板であり、ガラス、ポリカーボネイト、アクリル樹脂等が用いられる。ここで、本実施形態においては、透明基板上にフォトエマルジョンを塗布したエマルジョンプレート450を露光してマザーグレイスケールマスク4000を作成しており、当該マザーグレイスケールマスク4000の透明基板が支持基板402に該当する。   In the structure shown in FIG. 12, the exposure light enters from the gray scale 401 side. The support substrate 402 is a substrate having transparency, and glass, polycarbonate, acrylic resin, or the like is used. Here, in this embodiment, the mother gray scale mask 4000 is created by exposing the emulsion plate 450 coated with a photoemulsion on the transparent substrate, and the transparent substrate of the mother gray scale mask 4000 is formed on the support substrate 402. Applicable.

上述したとおり、グレイスケール401は、個々が六角形のレンズ形成用領域401aの集合体である。レンズ形成用領域401aは中心から外周に向かって同心円状に光透過率が連続的に変化する。本実施形態においては、レンズ形成用領域401aの中心において光透過率が最も高くなり(例えば100%)、最外部において最も低くなる(例えば0%)。ここで、レンズ形成用領域401aの最高及び最低の透過率は0%以上100%以下に限定されるものではなく、少なくとも最高の透過率は80%以上、更に好ましくは90%以上であり、最低の透過率は20%以下、更に好ましくは10%以下で適宜調整される。   As described above, the gray scale 401 is an aggregate of lens forming regions 401a each having a hexagonal shape. In the lens forming region 401a, the light transmittance continuously changes concentrically from the center toward the outer periphery. In the present embodiment, the light transmittance is highest at the center of the lens forming area 401a (for example, 100%) and lowest at the outermost part (for example, 0%). Here, the maximum and minimum transmittances of the lens forming region 401a are not limited to 0% or more and 100% or less, and at least the highest transmittance is 80% or more, more preferably 90% or more. The transmittance is appropriately adjusted to 20% or less, more preferably 10% or less.

このようなマスクパターンを通過させることにより露光光に強度変調が加えられる。従って、当該露光光を用いて光硬化性樹脂を露光することにより、光硬化性樹脂をレンズ形状に硬化させることが可能となる。即ち、レンズ形成用領域401aの外周形状及び透過率分布が、最終的に形成されるマイクロレンズ202の形状に反映される。レンズ形成用領域401aの外周形状は六角形以外でも良く、例えば円形や楕円形及び六角形以外の多角形でも良い。例えばテレビ等に用いられるディスプレイの画素形状は縦横比3:1の長方形が主流であるため、マイクロレンズの形状も画素形状と同様に縦横比3:1の長方形で形成することが好ましい。レンズ形成用領域401aの形状が六角形以外の場合においても、中心から同心円状に光透過率が連続的に変化する。   By passing such a mask pattern, intensity modulation is applied to the exposure light. Therefore, by exposing the photocurable resin using the exposure light, the photocurable resin can be cured into a lens shape. That is, the outer peripheral shape and transmittance distribution of the lens formation region 401a are reflected in the shape of the microlens 202 to be finally formed. The outer peripheral shape of the lens forming region 401a may be other than a hexagon, for example, a circle, an ellipse, or a polygon other than a hexagon. For example, since the pixel shape of a display used in a television or the like is mainly a rectangle with an aspect ratio of 3: 1, it is preferable to form the microlens with a rectangle with an aspect ratio of 3: 1 as well as the pixel shape. Even when the shape of the lens formation region 401a is other than a hexagon, the light transmittance continuously changes concentrically from the center.

露光用マイクロレンズ403の材料は光硬化性樹脂であり、詳細にはネガ型フォトレジストである。露光用マイクロレンズ403は、露光用マイクロレンズ403をポジ型フォトレジストや熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂等で形成することも可能である。しかし、露光用マイクロレンズ403は、光学レンズとして用いるため、光分解性や熱可塑性を有しない材料であることが望ましい。さらに露光用マイクロレンズ403を熱硬化性樹脂により形成した場合は当該露光用マイクロレンズ403自体を形成する場合に熱処理が必要となり、他の部材が加熱されることによって変形や変質をもたらすことが懸念される。従って露光用マイクロレンズ403にはネガ型フォトレジストを用いることが好ましい。また、露光用マイクロレンズ403の材料にネガ型フォトレジストを用いるのが好ましい他の理由として、グレイスケール401と露光用マイクロレンズ403とのアライメント精度がある。これについては後述する。   The material of the exposure microlens 403 is a photocurable resin, and more specifically, a negative photoresist. The exposure microlens 403 can be formed of a positive photoresist, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like. However, since the exposure microlens 403 is used as an optical lens, it is desirable that the exposure microlens 403 be a material that does not have photodegradability or thermoplasticity. Further, when the exposure microlens 403 is formed of a thermosetting resin, heat treatment is required when forming the exposure microlens 403 itself, and there is a concern that other members may be deformed or altered by being heated. Is done. Therefore, it is preferable to use a negative photoresist for the exposure microlens 403. Another reason why it is preferable to use a negative photoresist as the material of the exposure microlens 403 is the alignment accuracy between the gray scale 401 and the exposure microlens 403. This will be described later.

露光用マイクロレンズ403は六角形の単位レンズの集合体である。当該単位レンズの平面形状とレンズ形成用領域401aの平面形状とは略一致している。従ってレンズ形成用領域401aと単位レンズとは同ピッチで配列されている。更には、レンズ形成用領域401aの中心と、単位レンズの光軸とは、略一致している。即ち、露光光が垂直偏光であれば、同じレンズ形成用領域401aで強度変調された露光光は当該レンズ形成用領域401aとアライメントされている単位レンズによって集光される。ここで、露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズは六角形以外の形状、例えば円形若しくは楕円形でも良いが、平面の充填率を考慮すると多角形であることが好ましい。更には、最終的に形成されるマイクロレンズの形状精度の向上のため、レンズ形成用領域401aと同形状であることが好ましい。   The exposure microlens 403 is an aggregate of hexagonal unit lenses. The planar shape of the unit lens and the planar shape of the lens forming area 401a are substantially the same. Therefore, the lens forming area 401a and the unit lenses are arranged at the same pitch. Furthermore, the center of the lens forming area 401a and the optical axis of the unit lens are substantially coincident. That is, if the exposure light is vertically polarized light, the exposure light whose intensity is modulated in the same lens forming area 401a is collected by the unit lens aligned with the lens forming area 401a. Here, the unit lens included in the exposure microlens 403 may have a shape other than a hexagon, for example, a circle or an ellipse, but is preferably a polygon in consideration of a plane filling rate. Furthermore, in order to improve the shape accuracy of the finally formed microlens, the shape is preferably the same as that of the lens forming region 401a.

次に、図13を用いて本実施形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスク460の製造方法を説明する。まず最初に、マザーグレイスケールマスクの一方の面にネガ型レジスト層を塗布する。すなわち、図13(a)に示されるように、片面にグレイスケール401の形成された支持基板402のもう一方の面にネガ型レジスト層410を塗布する。支持基板402及びグレイスケール401はマザーグレイスケールマスク4000である。ネガ型レジスト層410は例えば紫外線硬化型フォトレジストであり、感光性ゾルゲル樹脂等の透明性及び紫外線硬化性を有するものであればよい。また、フッ素、金属微粒子、錯体等が例示の感光性ゾルゲル樹脂に含有されていてもよい。   Next, the manufacturing method of the mother gray scale mask 460 with a lens concerning this embodiment is demonstrated using FIG. First, a negative resist layer is applied to one side of the mother gray scale mask. That is, as shown in FIG. 13A, a negative resist layer 410 is applied to the other surface of the support substrate 402 on which the gray scale 401 is formed on one surface. The support substrate 402 and the gray scale 401 are a mother gray scale mask 4000. The negative resist layer 410 is, for example, an ultraviolet curable photoresist, and may have any transparency and ultraviolet curable properties such as a photosensitive sol-gel resin. Further, fluorine, metal fine particles, complexes, and the like may be contained in the exemplified photosensitive sol-gel resin.

次に図13(b)に示されるように、グレイスケール401側からネガ型レジスト層410を露光する。露光は365nm付近の波長の紫外線を3000mJのエネルギーで照射する。図中の点線は露光光の光線図である。図中の点線に示されるように、グレイスケール401側から照射された光は、まずグレイスケール401によって露光光に強度変調が加えられる。詳細には、レンズ形成用領域401aの中心部を最大として同心円状に強度変調が加えられる。   Next, as shown in FIG. 13B, the negative resist layer 410 is exposed from the gray scale 401 side. In the exposure, ultraviolet rays having a wavelength of around 365 nm are irradiated with energy of 3000 mJ. The dotted line in the figure is a ray diagram of exposure light. As shown by the dotted line in the figure, the light irradiated from the gray scale 401 side is first subjected to intensity modulation on the exposure light by the gray scale 401. More specifically, intensity modulation is applied concentrically with the central portion of the lens formation region 401a as a maximum.

レンズ形成用領域401aによって強度変調の加えられた露光光は支持基板402を通過し、ネガ型レジスト層410を露光する。露光光はレンズ形成用領域401aによって強度変調されているため、レンズ形成用領域401aの中心部を通過した露光光は露光強度が強く、レンズ形成用領域401aの外周部に近い部分を通過した露光光は露光強度が弱くなる。従って図に示されるようにネガ型レジスト層410をレンズ形状に露光することが可能となる。   The exposure light subjected to intensity modulation by the lens formation region 401a passes through the support substrate 402, and exposes the negative resist layer 410. Since the exposure light is intensity-modulated by the lens formation region 401a, the exposure light that has passed through the center of the lens formation region 401a has a high exposure intensity, and the exposure light that has passed through a portion close to the outer periphery of the lens formation region 401a. Light has a low exposure intensity. Therefore, as shown in the figure, the negative resist layer 410 can be exposed in a lens shape.

ネガ型レジスト層410の露光が完了したら、ネガ型レジスト層410を現像することによって未硬化部分を除去する。こうして図13(c)に示すような、レンズ付きマザーグレイスケールマスク460を得ることができる。このように形成された露光用マイクロレンズ403の個々の単位レンズの光軸は夫々のレンズ形成用領域401aの中心と垂直方向に一致する。従って、露光用マイクロレンズ403をネガ型レジスト層410のような光硬化性樹脂で形成することによりグレイスケール401と露光用マイクロレンズ403とのアライメントを容易に行うことができる。また、一括露光が可能なので大型基板による同時多数個成形が可能であり、生産性にも優れている。   When the exposure of the negative resist layer 410 is completed, the uncured portion is removed by developing the negative resist layer 410. In this way, a mother gray scale mask with a lens 460 as shown in FIG. 13C can be obtained. The optical axis of each unit lens of the exposure microlens 403 thus formed coincides with the center of each lens forming region 401a in the vertical direction. Accordingly, the gray scale 401 and the exposure microlens 403 can be easily aligned by forming the exposure microlens 403 with a photo-curable resin such as the negative resist layer 410. In addition, since batch exposure is possible, a large number of large-sized substrates can be formed simultaneously, and the productivity is excellent.

上記の説明においては、マザーグレイスケールマスク4000上に露光用マイクロレンズ403を形成したため、完成するレンズ付きマザーグレイスケールマスク460は、1つの液晶パネル100に含まれるマイクロレンズアレイ200を形成するためのグレイスケールマスク400が複数個形成されたものとなる。1つのグレイスケールマスク400上に露光用マイクロレンズを形成すれば、1つの液晶パネル100に含まれるマイクロレンズアレイ200を形成するためのレンズ付きグレイスケールマスクとなる。   In the above description, since the exposure microlens 403 is formed on the mother grayscale mask 4000, the completed mother grayscale mask with lens 460 is used to form the microlens array 200 included in one liquid crystal panel 100. A plurality of gray scale masks 400 are formed. When an exposure microlens is formed on one grayscale mask 400, a grayscale mask with a lens for forming the microlens array 200 included in one liquid crystal panel 100 is obtained.

(4)第4工程(複数組のマイクロレンズアレイを液晶基板上に形成)
次に図14を用いて、レンズ付きマザーグレイスケールマスク460を用いたマイクロレンズアレイ200の液晶基板上への形成方法について説明する。
(4) Fourth step (multiple sets of microlens arrays are formed on the liquid crystal substrate)
Next, a method of forming the microlens array 200 on the liquid crystal substrate using the mother gray scale mask 460 with a lens will be described with reference to FIG.

図14(a)に示されるように、液晶パネル100の基板である透明基板102の一方の面にはネガ型レジスト層210が塗布されている。ネガ型レジスト層210は図13におけるネガ型レジスト層410と同様のものでも別のものでも良く、透明性及び紫外線硬化性を有するものであればよい。透明基板102の他方の面には、TFT素子108、画素電極161及び配線162が形成されている。   As shown in FIG. 14A, a negative resist layer 210 is applied to one surface of the transparent substrate 102 that is the substrate of the liquid crystal panel 100. The negative resist layer 210 may be the same as or different from the negative resist layer 410 in FIG. 13, as long as it has transparency and ultraviolet curable properties. On the other surface of the transparent substrate 102, a TFT element 108, a pixel electrode 161, and a wiring 162 are formed.

図14(a)に示されるように、TFT素子108等が形成された面と露光用マイクロレンズ403とが対向するように、レンズ付きマザーグレイスケールマスク460及び透明基板102を配置する。この時、図中の一点差線に示すように、レンズ形成用領域401aの中心及び露光用マイクロレンズ403の単位レンズのレンズ光軸は、開口部161aを通る。即ち、レンズ形成用領域401a及び露光用マイクロレンズ403の単位マスクのピッチと、開口部161aのピッチとは一致するように配置される。更に、露光用マイクロレンズ403とTFT素子108等の形成面との距離が、露光用マイクロレンズ403の焦点距離と略一致するように配置される。即ち、露光用マイクロレンズ403によって集光された露光光が回路素子に遮られることなく開口部161aを通過可能なようにレンズ付きマザーグレイスケールマスク460及び透明基板102を配置する。   As shown in FIG. 14A, the mother gray scale mask 460 with a lens and the transparent substrate 102 are arranged so that the surface on which the TFT elements 108 and the like are formed and the exposure microlens 403 face each other. At this time, as indicated by a one-dot difference line in the figure, the center of the lens forming region 401a and the lens optical axis of the unit lens of the exposure microlens 403 pass through the opening 161a. That is, the pitches of the unit masks of the lens forming region 401a and the exposure microlens 403 are arranged so as to coincide with the pitch of the openings 161a. Further, the distance between the exposure microlens 403 and the formation surface of the TFT element 108 or the like is arranged so as to substantially coincide with the focal length of the exposure microlens 403. That is, the mother gray scale mask with lens 460 and the transparent substrate 102 are disposed so that the exposure light condensed by the exposure microlens 403 can pass through the opening 161a without being blocked by the circuit elements.

次に図14(b)に示されるように、レンズ付きマザーグレイスケールマスク460のグレイスケール401側からネガ型レジスト層210を平行光で露光する。露光は365nm付近の波長の紫外線を3000mJのエネルギーで照射する。図中の点線は露光光の光線図である。図中の点線に示されるように、グレイスケール401側から照射された露光光は、まずレンズ形成用領域401aによって強度変調が加えられる。詳細には、レンズ形成用領域401aの中心部を最大として同心円状に露光強度が低下するように強度変調が加えられる。   Next, as shown in FIG. 14B, the negative resist layer 210 is exposed with parallel light from the gray scale 401 side of the mother gray scale mask 460 with a lens. In the exposure, ultraviolet rays having a wavelength of around 365 nm are irradiated with energy of 3000 mJ. The dotted line in the figure is a ray diagram of exposure light. As shown by the dotted line in the drawing, the exposure light irradiated from the gray scale 401 side is first subjected to intensity modulation by the lens forming region 401a. Specifically, intensity modulation is applied so that the exposure intensity decreases concentrically with the central portion of the lens forming area 401a as the maximum.

レンズ形成用領域401aによって強度変調の加えられた露光光は支持基板402を通過し、露光用マイクロレンズ403に入射する。上述の通り、同一のレンズ形成用領域401aで強度変調された露光光はそれに対応する単位レンズに入射する。露光用マイクロレンズ403によって集光された露光光はTFT素子108及び反射部161bに遮られることなく開口部161aを通過し透明基板102に入射する。   The exposure light subjected to intensity modulation by the lens formation region 401 a passes through the support substrate 402 and enters the exposure microlens 403. As described above, the exposure light whose intensity is modulated in the same lens formation region 401a is incident on the corresponding unit lens. The exposure light condensed by the exposure microlens 403 passes through the opening 161a and is incident on the transparent substrate 102 without being blocked by the TFT element 108 and the reflection portion 161b.

開口部161aを通過した露光光は透明基板102を通過してネガ型レジスト層210を露光する。露光光はレンズ形成用領域401aによって強度変調されているため、レンズ形成用領域401aの中心部を通過した露光光は露光強度が強く、レンズ形成用領域401aの外周部に近い部分を通過した露光光は露光強度が弱くなる。従って図に示されるようにネガ型レジスト層210をレンズ形状に露光することが可能となる。このとき、露光用マイクロレンズ403の空気中での焦点距離と、透明基板102の厚さとの光学的距離を一致させると良い。即ち、透明基板102内部の光路長と、露光用マイクロレンズ403からTFT素子108までの空気中における光路長とを一致させると良い。こうすることにより、ネガ型レジスト層210を露光する際の露光光の広がりは露光用マイクロレンズ403の単位レンズの平面形状と同一になる。従って、露光用マイクロレンズ403が支持基板402上に隙間なく充填されている場合には、ネガ型レジスト層210を露光することにより形成されるマイクロレンズを隙間なく形成することができる。   The exposure light that has passed through the opening 161a passes through the transparent substrate 102 and exposes the negative resist layer 210. Since the exposure light is intensity-modulated by the lens formation region 401a, the exposure light that has passed through the center of the lens formation region 401a has a high exposure intensity, and the exposure light that has passed through a portion close to the outer periphery of the lens formation region 401a. Light has a low exposure intensity. Therefore, as shown in the figure, the negative resist layer 210 can be exposed in a lens shape. At this time, the optical distance between the focal length of the exposure microlens 403 in the air and the thickness of the transparent substrate 102 is preferably matched. That is, the optical path length inside the transparent substrate 102 and the optical path length in the air from the exposure microlens 403 to the TFT element 108 are preferably matched. By doing so, the spread of the exposure light when exposing the negative resist layer 210 is the same as the planar shape of the unit lens of the exposure microlens 403. Therefore, when the exposure microlenses 403 are filled on the support substrate 402 without gaps, the microlenses formed by exposing the negative resist layer 210 can be formed without gaps.

ここで、露光用マイクロレンズ403において隣接する単位レンズ同士が隙間を空けて配置されている場合においても、透明基板102の厚さ又は屈折率、即ち透明基板102内部の光路長を調整することにより、最終的に形成されるマイクロレンズ202を隙間なく形成することが可能である。   Here, even when the adjacent unit lenses are arranged with a gap in the exposure microlens 403, the thickness or refractive index of the transparent substrate 102, that is, the optical path length inside the transparent substrate 102 is adjusted. The finally formed microlens 202 can be formed without a gap.

ネガ型レジスト層210の露光が完了したら、ネガ型レジスト層210を現像することによって未硬化部分を除去する。こうして図14(c)に示すような、片面にTFT素子108や画素電極161等が形成され、もう一方の面にマイクロレンズ202が形成されたパネル基板を得ることができる。このように形成されたマイクロレンズ202の光軸と開口部161aとは、光軸方向に一致する。従って液晶表示装置にマイクロレンズを搭載する際に重要な、開口部とマイクロレンズとのアライメントを容易に達成することができる。また、一括露光が可能なので大型基板による同時多数個成形が可能であり、生産性にも優れている。   When the exposure of the negative resist layer 210 is completed, the uncured portion is removed by developing the negative resist layer 210. Thus, a panel substrate in which the TFT element 108, the pixel electrode 161, etc. are formed on one surface and the microlens 202 is formed on the other surface as shown in FIG. 14C can be obtained. The optical axis of the microlens 202 thus formed and the opening 161a coincide with the optical axis direction. Therefore, it is possible to easily achieve the alignment between the opening and the microlens, which is important when the microlens is mounted on the liquid crystal display device. In addition, since batch exposure is possible, a large number of large-sized substrates can be formed simultaneously, and the productivity is excellent.

尚、上記の説明においては、レンズ付きマザーグレイスケールマスク460を用いて露光光を強度変調し開口部161aに露光光を集光したが、グレイスケール401と露光用マイクロレンズ403とが別々の部材でも良い。即ち、マイクロレンズ202の形状に対応した平行光を開口部161aに集光できれば良く、その方法は上記の態様に限定されない。   In the above description, the exposure light is intensity-modulated by using the mother gray scale mask with lens 460 and the exposure light is condensed on the opening 161a. However, the gray scale 401 and the exposure micro lens 403 are separate members. But it ’s okay. That is, it is only necessary that the parallel light corresponding to the shape of the microlens 202 can be condensed on the opening 161a, and the method is not limited to the above-described mode.

(4)第5工程(マイクロレンズの形成された液晶基板を分離切断)
上記のようにしてマイクロレンズ202が形成された透明基板102に、図1に示されるような他の部品を形成していくことによって、マイクロレンズアレイ200と画素電極161の開口部161aとが高精度にアラインメントされた液晶パネル100が完成する。
(4) Fifth step (liquid crystal substrate on which microlenses are formed is separated and cut)
By forming other parts as shown in FIG. 1 on the transparent substrate 102 on which the microlenses 202 are formed as described above, the microlens array 200 and the openings 161a of the pixel electrodes 161 are made high. The liquid crystal panel 100 aligned with accuracy is completed.

より具体的には、マイクロレンズが形成された透明基板が連続的に複数形成された大型基板に図1に示されるような他の部品を形成していくことによって、図15に示されるような液晶パネル100が一定の間隔をもって配列された大型のマザー基板1000が完成する。各液晶パネル100は上述の通り、各部材が透明基板101及び本発明の製造方法によりマイクロレンズが形成された透明基板102によって挟持される形で形成されている。最終的にマザー基板1000を分離切断することにより多数の液晶パネル100を得ることができる。   More specifically, by forming other parts as shown in FIG. 1 on a large substrate on which a plurality of transparent substrates on which microlenses are formed are continuously formed, as shown in FIG. A large mother substrate 1000 in which the liquid crystal panels 100 are arranged at a constant interval is completed. As described above, each liquid crystal panel 100 is formed such that each member is sandwiched between the transparent substrate 101 and the transparent substrate 102 on which microlenses are formed by the manufacturing method of the present invention. A large number of liquid crystal panels 100 can be obtained by finally separating and cutting the mother substrate 1000.

以上の第1工程から第5工程で説明したように、本発明の実施の形態2にかかるマイクロレンズアレイの製造方法では、マイクロレンズアレイの光軸合わせが容易であり、生産性に優れたマイクロレンズアレイ及び液晶表示装置を提供することができる。   As described in the first to fifth steps above, in the microlens array manufacturing method according to the second embodiment of the present invention, it is easy to align the optical axis of the microlens array, and the microlens array has excellent productivity. A lens array and a liquid crystal display device can be provided.

また、上記に説明したようなレンズ付きマザーグレイスケールマスクを用いることによって、マイクロレンズアレイの製造工程における光軸合わせを容易にし、生産性に優れたマイクロレンズアレイを提供することができる。   Further, by using the mother gray scale mask with a lens as described above, it is possible to facilitate alignment of the optical axis in the manufacturing process of the microlens array and to provide a microlens array with excellent productivity.

尚、ここでは、グレイスケール401の反対面側にネガ型レジスト層410を塗布して露光用マイクロレンズ403を形成したが、グレイスケール401上に直接ネガ型レジスト層410を形成し、グレイスケール401の反対面側から露光して露光用マイクロレンズ403を形成してもよい。即ち、レンズ形成用領域401aによって強度変調された露光光が、露光用マイクロレンズ403によって集光される構成であれば良い。   Here, the negative type resist layer 410 is applied on the opposite side of the gray scale 401 to form the exposure microlens 403. However, the negative type resist layer 410 is formed directly on the gray scale 401, and the gray scale 401 is formed. The exposure microlens 403 may be formed by exposure from the opposite surface side. That is, the exposure light whose intensity is modulated by the lens formation region 401 a may be configured to be condensed by the exposure microlens 403.

更に、図8、9において説明した本実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造方法では、所定のマスクパターンが所定のピッチで高精度に配列された大面積のグレイスケールマスクを低コストで提供することができる。   Furthermore, in the gray scale mask manufacturing method according to the present embodiment described with reference to FIGS. 8 and 9, a large area gray scale mask in which predetermined mask patterns are arranged with high accuracy at a predetermined pitch is provided at low cost. be able to.

更にまた、図5において説明した本実施の形態に係るマスターグレイスケールマスクの製造方法では、高精度なグレイスケールを形成することができると共に、コスト及び生産性に優れた光学部品形成用のグレイスケールマスクを提供することができる。   Furthermore, in the manufacturing method of the master gray scale mask according to the present embodiment described with reference to FIG. 5, a gray scale for forming an optical component that can form a highly accurate gray scale and is excellent in cost and productivity. A mask can be provided.

尚、上記の説明においては、レーザー描画によって作成したものをマスターグレイスケールマスク600として用いたが、レーザー描画によって作成したものをグレイスケールマスク400又はマザーグレイスケールマスク4000として用いても良い。   In the above description, what is created by laser drawing is used as the master gray scale mask 600, but what is created by laser drawing may be used as the gray scale mask 400 or the mother gray scale mask 4000.

実施の形態3.
本実施の形態は、実施の形態2の第1及び第2工程の変形例である。実施の形態2においては、透明基板102上に凸型のマイクロレンズ202を形成する方法を説明したが、本実施形態においては、透明基板102上に凹型のマイクロレンズ202を形成する例を説明する。
Embodiment 3 FIG.
This embodiment is a modification of the first and second steps of the second embodiment. In the second embodiment, the method of forming the convex microlens 202 on the transparent substrate 102 has been described. In this embodiment, an example of forming the concave microlens 202 on the transparent substrate 102 will be described. .

本実施形態においては、前実施の形態2において用いたグレイスケールマスク400とは逆の透過率のパターンを有するグレイスケールマスクを用いる。即ち、レンズ形成用領域401aの外周において最も透過率が高く、レンズ形成用領域401aにおいては同心円状に光透過率が変化し、レンズ形成用領域401aの中心において光透過率が最低となる。   In the present embodiment, a gray scale mask having a transmittance pattern opposite to that of the gray scale mask 400 used in the second embodiment is used. That is, the transmittance is highest at the outer periphery of the lens forming region 401a, the light transmittance changes concentrically in the lens forming region 401a, and the light transmittance is lowest at the center of the lens forming region 401a.

本実施形態においては、図7の遮光領域401bに対応する領域(透過領域401cとする)の光透過率は略100%であり、レンズ形成用領域401aにおいてレンズ形成用領域401aの外周から中心に向かって同心円状に光透過率が低下し、レンズ形成用領域401aの中心において光透過率が0%に近い値となる。   In the present embodiment, the light transmittance of a region (referred to as a transmission region 401c) corresponding to the light shielding region 401b in FIG. 7 is approximately 100%, and the lens formation region 401a is centered from the outer periphery of the lens formation region 401a. The light transmittance decreases concentrically toward the center, and the light transmittance becomes a value close to 0% at the center of the lens forming region 401a.

このようなグレイスケールマスク400が形成されたマザーグレイスケールマスク4000を用いてレンズ付きマザーグレイスケールマスク460を作成し、実施の形態2において説明した方法でマイクロレンズアレイを形成する場合、凹型のレンズを形成することができる。また、ネガ型レジスト層ではなく、ポジ型レジストを用いる場合は、実施の形態2の場合とは反対側から、当該レンズ付きマザーグレイスケールマスク460を介してネガ型レジスト層210を露光することにより、凸型のレンズを形成することも可能である。   When a mother grayscale mask 460 with a lens is formed using the mother grayscale mask 4000 on which such a grayscale mask 400 is formed and a microlens array is formed by the method described in the second embodiment, a concave lens is formed. Can be formed. When a positive resist is used instead of a negative resist layer, the negative resist layer 210 is exposed from the opposite side to the case of Embodiment 2 through the mother gray scale mask 460 with a lens. It is also possible to form a convex lens.

次に、図16を用いて本実施形態にかかるグレイスケールマスク400及びマザーグレイスケールマスク4000の製造方法を具体的に説明する。エマルジョンプレート450の上にアライメント用基板800を配置し、アライメント用基板800の上にマスターグレイスケールマスク900を配置する。   Next, the manufacturing method of the gray scale mask 400 and the mother gray scale mask 4000 according to the present embodiment will be specifically described with reference to FIG. An alignment substrate 800 is disposed on the emulsion plate 450, and a master gray scale mask 900 is disposed on the alignment substrate 800.

本実施の形態におけるアライメント用基板800は四角形の開口部801を有する。開口部801はアライメント用基板800面上に所定のピッチで配列されている。開口部801はエマルジョンプレート450上にグレイスケールを形成する際に露光光が通過する。また、開口部801の配列ピッチが、最終的にエマルジョンプレート450上に形成されるグレイスケールマスク400のピッチとなる。アライメント用基板800は遮光性を有する基板であり、光透過率は0%である。ここで、開口部801の形状は四角形に限定されるものではなく、形成すべき1つのグレイスケールマスク400に含まれるグレイスケール400に合わせて適宜変更される。   The alignment substrate 800 in this embodiment has a rectangular opening 801. The openings 801 are arranged at a predetermined pitch on the surface of the alignment substrate 800. The opening 801 allows exposure light to pass when forming a gray scale on the emulsion plate 450. Further, the arrangement pitch of the openings 801 is the pitch of the gray scale mask 400 finally formed on the emulsion plate 450. The alignment substrate 800 is a light-shielding substrate and has a light transmittance of 0%. Here, the shape of the opening 801 is not limited to a quadrangle, and is appropriately changed according to the gray scale 400 included in one gray scale mask 400 to be formed.

マスターグレイスケールマスク900は、グレイスケールのマスクパターンを転写可能なマスターパターン901が形成されたマスクである。マスターパターン901はマスターグレイスケールマスク900面上において光透過率が連続的に変化する領域である。本実施形態にかかるマスターパターン901は六角形の外周形状を有する。更に、マスターパターン901の領域内においては同心円状に光透過率が変化し、中心部において光透過率が最高となる。マスターパターン901が複数に亘って形成されている領域の外周はアライメント用基板800に形成されている開口部801の形状と略同一の外周形状を有する。また、マスターグレイスケールマスク900においてマスターパターン901が形成されている部分以外は透明性を有する。   The master gray scale mask 900 is a mask on which a master pattern 901 capable of transferring a gray scale mask pattern is formed. The master pattern 901 is an area where the light transmittance continuously changes on the surface of the master gray scale mask 900. The master pattern 901 according to the present embodiment has a hexagonal outer peripheral shape. Further, in the area of the master pattern 901, the light transmittance changes concentrically, and the light transmittance is the highest in the central portion. The outer periphery of the region where the master pattern 901 is formed in a plurality has an outer peripheral shape substantially the same as the shape of the opening 801 formed in the alignment substrate 800. The master gray scale mask 900 is transparent except for the portion where the master pattern 901 is formed.

本実施形態においては、マスターパターン901の最外周において光透過率は0%であり、マスターパターン901の中心に向かって同心円状に光透過率が上昇し、中心において光透過率が略100%となる。また、マスターグレイスケールマスク900においてマスターパターン901が形成されている領域以外は光透過率が略100%である。   In the present embodiment, the light transmittance at the outermost periphery of the master pattern 901 is 0%, the light transmittance increases concentrically toward the center of the master pattern 901, and the light transmittance is approximately 100% at the center. Become. Further, the light transmittance is substantially 100% in the master gray scale mask 900 except for the region where the master pattern 901 is formed.

尚、この例におけるマスターグレイスケールマスク900は、グレイスケールマスク400の1つに相当するものであるが、これに限らず、例えばマイクロレンズ202の1つに相当するもの、即ち、マスターパターン901が1つだけ形成されたものでも良く、また複数のグレイスケールマスク400に相当するものであってもよい。マスターグレイスケールマスク900がグレイスケールマスク400の1つに相当するものである場合、アライメント用基板800の開口部801は、グレイスケールマスク400の外周形状に沿った形状となる。   The master gray scale mask 900 in this example corresponds to one of the gray scale masks 400, but is not limited to this, for example, one corresponding to one of the microlenses 202, that is, a master pattern 901. Only one may be formed, or it may correspond to a plurality of gray scale masks 400. When the master gray scale mask 900 corresponds to one of the gray scale masks 400, the opening 801 of the alignment substrate 800 has a shape along the outer peripheral shape of the gray scale mask 400.

図17に1つの開口部801とマスターグレイスケールマスク900を拡大した斜視図を示す。図17に示されるように、開口部801の四つ角にはアライメントマーク802が設けられている。また、マスターパターン901の四つ角にはアライメントマーク902が設けられている。また、1つの開口部801の四つ角に形成されたアライメントマーク802の夫々の配置関係と1つのマスターパターン901の四つ角に形成されたアライメントマーク902の夫々の配置関係とは一致する。   FIG. 17 shows an enlarged perspective view of one opening 801 and the master gray scale mask 900. As shown in FIG. 17, alignment marks 802 are provided at the four corners of the opening 801. In addition, alignment marks 902 are provided at the four corners of the master pattern 901. Further, the arrangement relationship of the alignment marks 802 formed at the four corners of one opening 801 and the arrangement relationship of the alignment marks 902 formed at the four corners of one master pattern 901 coincide with each other.

上記のようなアライメント用基板800及びマスターグレイスケールマスク900を用いて、図10で説明したようにエマルジョンプレート450を露光することにより、実施の形態3のグレイスケールマスク400とは逆の光透過率のパターンを有するグレイスケールマスクを得ることができる。即ち、マスターグレイスケールマスク900側から照射された露光光は、マスターパターン901によって強度変調が加えられ、開口部801を通過しエマルジョンプレート450を露光する。   By using the alignment substrate 800 and the master gray scale mask 900 as described above to expose the emulsion plate 450 as described with reference to FIG. 10, the light transmittance opposite to that of the gray scale mask 400 of the third embodiment is obtained. A gray scale mask having the following pattern can be obtained. That is, the exposure light irradiated from the master gray scale mask 900 side is intensity-modulated by the master pattern 901 and passes through the opening 801 to expose the emulsion plate 450.

エマルジョンプレート450を露光する露光光はマスターパターン901によって強度変調が加えられているため、マスターパターン901の反転パターンに対応した強度でエマルジョンプレート450を露光する。即ち、マスターパターン901の中心部に対応する位置ほど露光強度が強く、マスターパターン901の外周に近付くにつれて同心円状に露光強度が低下し、マスターパターン901の最外周では露光強度が0となる。また、アライメント用基板800の開口部801外部に対応する位置ではアライメント用基板800によって露光光が遮られるため、露光強度は0となる。   Since the exposure light for exposing the emulsion plate 450 is modulated in intensity by the master pattern 901, the emulsion plate 450 is exposed with an intensity corresponding to the reverse pattern of the master pattern 901. That is, the exposure intensity is stronger at the position corresponding to the central portion of the master pattern 901, and the exposure intensity decreases concentrically as it approaches the outer periphery of the master pattern 901. Further, the exposure light is blocked by the alignment substrate 800 at a position corresponding to the outside of the opening 801 of the alignment substrate 800, so that the exposure intensity is zero.

従って、エマルジョンプレート450上の開口部801に対応する位置に、マスターパターン901の反転パターンに対応した転写パターンが形成される。1つの開口部801に対する露光を終えたら、次の開口部801に対しても同様にアライメントマーク802とアライメントマーク902とをアライメントし、マスターグレイスケールマスク900側からエマルジョンプレート450を露光し、転写パターンを形成する。   Accordingly, a transfer pattern corresponding to the reverse pattern of the master pattern 901 is formed at a position corresponding to the opening 801 on the emulsion plate 450. When the exposure for one opening 801 is completed, the alignment mark 802 and the alignment mark 902 are similarly aligned for the next opening 801, and the emulsion plate 450 is exposed from the master gray scale mask 900 side to transfer the transfer pattern. Form.

このように、全ての開口部801に対して露光を繰り返すことによって、エマルジョンプレート450上に、アライメント用基板800に設けられた開口部801のピッチと同様のピッチで転写パターンが形成される。全ての開口部801に対する露光が完了したら、エマルジョンプレート450を現像することにより、転写パターンはレンズ形成用領域401aとして定着する。また、露光光が遮られた部分は実施の形態3における遮光領域401bに対応する透過領域401cとしてそれぞれ定着し、グレイスケールマスクが完成する。このように、マスターグレイスケールマスク900のマスターパターン901を、中心から外周へ向かって連続的に光透過率が減少するような構成とすることによって、中心から外周へ向かって徐々に光透過率が上昇するレンズ形成用領域401aを有するグレイスケールマスクを製造することができる。   In this way, by repeating exposure for all the openings 801, a transfer pattern is formed on the emulsion plate 450 at a pitch similar to the pitch of the openings 801 provided on the alignment substrate 800. When the exposure of all the openings 801 is completed, the transfer pattern is fixed as the lens forming area 401a by developing the emulsion plate 450. Further, the portions where the exposure light is blocked are fixed as the transmission regions 401c corresponding to the light blocking regions 401b in the third embodiment, and the gray scale mask is completed. In this way, by configuring the master pattern 901 of the master gray scale mask 900 so that the light transmittance continuously decreases from the center toward the outer periphery, the light transmittance gradually increases from the center toward the outer periphery. A gray scale mask having a rising lens forming area 401a can be manufactured.

以上説明したように、本発明の実施の形態4によればマスターマスクのマスターパターンを調整することにより、様々なパターンを有するグレイスケールマスクを提供することができる。本実施の形態におけるアライメント用基板は、四角形の開口部801を有するアライメント用基板800を用いたが、実施の形態2で用いたアライメントマークの施されたアライメント用基板500を用いても良いし、実施の形態2において本実施の形態3で用いたアライメント用基板800を用いても良い。   As described above, according to the fourth embodiment of the present invention, it is possible to provide a gray scale mask having various patterns by adjusting the master pattern of the master mask. As the alignment substrate in the present embodiment, the alignment substrate 800 having the rectangular opening 801 is used, but the alignment substrate 500 provided with the alignment mark used in the second embodiment may be used. In the second embodiment, the alignment substrate 800 used in the third embodiment may be used.

尚、マスターマスクのマスターパターンは中心から外周へ向かって光透過率が徐々に減少、若しくは上昇するのみではなく、例えば、フレネルレンズ形状を形成するためのマスクパターンでも良い。詳細には、マスターパターンの中心から外周へ向かって同心円状に、光透過率の上昇と減少が繰り返されるようなパターンでも良い。また、シリンドリカルレンズや、三角プリズムのように、2次元的な繰り返しパターンを形成するためのパターンであってもよい。   The master pattern of the master mask may not only gradually decrease or increase the light transmittance from the center to the outer periphery, but may be a mask pattern for forming a Fresnel lens shape, for example. Specifically, a pattern in which the increase and decrease in light transmittance are repeated concentrically from the center of the master pattern toward the outer periphery may be used. Further, it may be a pattern for forming a two-dimensional repetitive pattern such as a cylindrical lens or a triangular prism.

実施の形態4.
本実施の形態は、実施の形態2の第3工程であるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの変形例である。本発明の実施の形態4にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクは、実施の形態3のレンズ付きマザーグレイスケールマスクに位置固定機能を付加したものである。尚、実施の形態1乃至4と同様の符号を付す構成については同一又は相当部を示し、説明を省略する。図18は本実施形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスク461を示した断面図である。図に示されるように、本実施形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスク461は露光用マイクロレンズ403が形成された面に位置決め部材420を備える。
Embodiment 4 FIG.
This embodiment is a modification of the mother gray scale mask with lens, which is the third step of the second embodiment. The mother gray scale mask with lens according to the fourth embodiment of the present invention is obtained by adding a position fixing function to the mother gray scale mask with lens of the third embodiment. In addition, about the structure which attaches | subjects the code | symbol similar to Embodiment 1 thru | or 4, the same or equivalent part is shown and description is abbreviate | omitted. FIG. 18 is a sectional view showing a mother gray scale mask 461 with a lens according to the present embodiment. As shown in the figure, the mother grayscale mask with lens 461 according to the present embodiment includes a positioning member 420 on the surface on which the exposure microlens 403 is formed.

位置決め部材420は透明性を有する基板であり、例えばガラス、ポリカーボネイト、アクリル樹脂等により形成される。また、位置決め部材420は、露光用マイクロレンズ403のレンズ高さと同じか又はそれよりも高い凸部421を有する。当該凸部421の頂部と支持基板402の面とが接着されることによって、位置決め部材420と支持基板402が固定される。位置決め部材420の厚さは露光用マイクロレンズ403の焦点距離と略一致している。   The positioning member 420 is a transparent substrate and is made of, for example, glass, polycarbonate, acrylic resin, or the like. The positioning member 420 has a convex portion 421 that is equal to or higher than the lens height of the exposure microlens 403. The positioning member 420 and the support substrate 402 are fixed by adhering the top of the convex portion 421 and the surface of the support substrate 402. The thickness of the positioning member 420 substantially matches the focal length of the exposure microlens 403.

次に図19を用いて本実施形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスク461を用いたマイクロレンズ202の製造方法について説明する。透明基板102のTFT素子108及び透明電極106(以下、回路素子とする)の形成された面とは反対の面に、ネガ型レジスト層210が形成されている。まず図19(a)に示されるように位置決め部材420と回路素子とが対向するように、レンズ付きマザーグレイスケールマスク461と透明基板102とを接触させ、固定することによって、重ね合わせる。このとき、グレイスケール401のレンズ形成用領域401aの中心及び露光用マイクロレンズ403の光軸と回路素子の開口部161aとをアライメントする。   Next, a method for manufacturing the microlens 202 using the mother gray scale mask with lens 461 according to the present embodiment will be described with reference to FIG. A negative resist layer 210 is formed on the surface of the transparent substrate 102 opposite to the surface on which the TFT elements 108 and the transparent electrodes 106 (hereinafter referred to as circuit elements) are formed. First, as shown in FIG. 19A, the mother gray scale mask with lens 461 and the transparent substrate 102 are brought into contact with each other and fixed so that the positioning member 420 and the circuit element face each other. At this time, the center of the lens forming area 401a of the gray scale 401 and the optical axis of the exposure microlens 403 are aligned with the opening 161a of the circuit element.

位置決め部材420の厚さは露光用マイクロレンズ403の焦点距離と略一致する。従って図19(b)に示されるように位置決め部材420をTFT素子108にアライメントして重ねることによって、自動的に露光用マイクロレンズ403の焦点は開口部161aにアライメントされる。   The thickness of the positioning member 420 substantially matches the focal length of the exposure microlens 403. Therefore, as shown in FIG. 19B, the focus of the exposure microlens 403 is automatically aligned with the opening 161a by aligning and superposing the positioning member 420 on the TFT element.

本実施の形態では、位置決め部材420の厚さ(以下、tとする)は透明基板102の厚さ(以下、tとする)と略同一であり、更に位置決め部材420の屈折率(以下、nとする)と透明基板102の屈折率(以下、nとする)も等しい。即ち位置決め部材420は透明基板102と同一の厚さで、同一の材料により製造されている。ここで、位置決め部材420及び透明基板101の厚さに対して回路素子の厚さは無視できる程度のオーダーである。露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズのレンズ光軸は、透明基板102に形成された回路素子の開口部161aと一致している。更に露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズの焦点距離はtと略同一である。すなわち、露光用マイクロレンズ403の焦点は回路素子の開口部161a近傍に位置する。 In the present embodiment, the thickness of the positioning member 420 (hereinafter referred to as t 2 ) is substantially the same as the thickness of the transparent substrate 102 (hereinafter referred to as t 1 ), and the refractive index of the positioning member 420 (hereinafter referred to as t 1 ). , N 2 ) and the refractive index of the transparent substrate 102 (hereinafter referred to as n 1 ) are also equal. That is, the positioning member 420 has the same thickness as the transparent substrate 102 and is manufactured from the same material. Here, the thickness of the circuit element is on the order of negligible with respect to the thickness of the positioning member 420 and the transparent substrate 101. The lens optical axis of the unit lens included in the exposure microlens 403 coincides with the opening 161 a of the circuit element formed on the transparent substrate 102. Further focal length of the unit lens included in the exposure microlens 403 is substantially the same as t 2. That is, the focal point of the exposure microlens 403 is located in the vicinity of the opening 161a of the circuit element.

尚、図1、図3に示されるリム201を形成する場合はグレイスケール401の最外郭に最大の透過率を有する一定領域を設ければよい。この時の透過率が円形マスクパターンの円の中心と同一であれば、パターニングされるマイクロレンズ202の高さとリム201の高さが同一となる。   In the case where the rim 201 shown in FIGS. 1 and 3 is formed, a certain region having the maximum transmittance may be provided on the outermost contour of the gray scale 401. If the transmittance at this time is the same as the center of the circle of the circular mask pattern, the height of the microlens 202 to be patterned and the height of the rim 201 are the same.

図19(b)に示されるようにグレイスケール401側からネガ型レジスト層210の露光を行なう。図19(b)では、露光光の挙動を矢印で示している。365nm付近の波長の紫外線を3000mJのエネルギーで照射することによって露光を行なう。グレイスケール401側から照射された光は、まずレンズ形成用領域401aによって強度変調が加えられる。詳細には、レンズ形成用領域401aの中心部を最大として放射状に強度変調が加えられる。   As shown in FIG. 19B, the negative resist layer 210 is exposed from the gray scale 401 side. In FIG. 19B, the behavior of the exposure light is indicated by arrows. Exposure is performed by irradiating ultraviolet rays having a wavelength of around 365 nm with an energy of 3000 mJ. The light irradiated from the gray scale 401 side is first subjected to intensity modulation by the lens forming region 401a. Specifically, intensity modulation is applied radially with the central portion of the lens forming region 401a as a maximum.

レンズ形成用領域401aによって強度変調の加えられた光は露光用マイクロレンズ403に入射する。前述の通り、露光用マイクロレンズ403の焦点は透明基板102に形成された回路素子の開口部161aにアライメントされている。従って露光光は回路素子に遮られることなく透明基板102へ入射する。   The light whose intensity is modulated by the lens forming region 401 a is incident on the exposure microlens 403. As described above, the focal point of the exposure microlens 403 is aligned with the opening 161 a of the circuit element formed on the transparent substrate 102. Therefore, the exposure light is incident on the transparent substrate 102 without being blocked by the circuit elements.

回路素子を通過した露光光は透明基板102を通過してネガ型レジスト層210を露光する。ここで、前述の通り位置決め部材420の厚さ及び屈折率と、透明基板102の厚さ及び屈折率とは同一である。従って回路素子の開口部近傍で収束された露光光は、ネガ型レジスト層210付近で露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズの径と同一の径を有する。更に、レンズ形成用領域401aによる強度変調によって径の中心ほど高強度の光となっている。即ち、レンズ形成用領域401aを通過した露光光のうち、円の中心が一番高強度でネガ型レジスト層210を露光し、円の外周に向かうに従って同心円状に低強度による露光となる。その結果、所望のレンズパターンを有するようにネガ型レジスト層210を露光することができる。   The exposure light that has passed through the circuit element passes through the transparent substrate 102 and exposes the negative resist layer 210. Here, as described above, the thickness and refractive index of the positioning member 420 are the same as the thickness and refractive index of the transparent substrate 102. Therefore, the exposure light converged in the vicinity of the opening of the circuit element has the same diameter as that of the unit lens included in the exposure microlens 403 in the vicinity of the negative resist layer 210. Further, the intensity modulation by the lens forming region 401a results in a light having a higher intensity at the center of the diameter. That is, of the exposure light that has passed through the lens formation region 401a, the negative resist layer 210 is exposed with the highest intensity at the center of the circle, and the exposure is performed with low intensity in a concentric manner toward the outer periphery of the circle. As a result, the negative resist layer 210 can be exposed to have a desired lens pattern.

ネガ型レジスト層210の露光が完了したら、レンズ付きマザーグレイスケールマスク461を回路素子の形成された透明基板102から取り外し、ネガ型レジスト層210を現像することによってマイクロレンズアレイ200の形成された透明基板102を得ることができる。当該透明基板102に図1に示されるような他の部品を形成していくことによって、マイクロレンズアレイ200とTFT素子108及びその他の開口部とが高精度にアラインメントされた液晶表示装置が完成する。   When the exposure of the negative resist layer 210 is completed, the mother gray scale mask with lens 461 is removed from the transparent substrate 102 on which the circuit elements are formed, and the negative resist layer 210 is developed to develop the transparent on which the microlens array 200 is formed. The substrate 102 can be obtained. By forming other parts as shown in FIG. 1 on the transparent substrate 102, a liquid crystal display device in which the microlens array 200, the TFT element 108, and other openings are aligned with high accuracy is completed. .

尚、図19において、透明基板102と露光用基板300との厚さ及び屈折率は同一でなくともよく、透明基板102と露光用基板300との光路長が同一であればよい。即ち、t×n=t×nが成り立てばよい。これは、露光用マイクロレンズ403の口径と、露光光がネガ型レジスト層210に達した状態における径が同一になっていればよいからであり、光路長が同一であればそれも成り立つからである。 In FIG. 19, the thickness and refractive index of the transparent substrate 102 and the exposure substrate 300 do not have to be the same, and the optical path lengths of the transparent substrate 102 and the exposure substrate 300 may be the same. That is, it is sufficient that t 1 × n 1 = t 2 × n 2 holds. This is because the aperture diameter of the exposure microlens 403 and the diameter when the exposure light reaches the negative resist layer 210 need only be the same, and if the optical path length is the same, this also holds. is there.

また、透明基板102内部における光路長と、露光用基板300内部における光路長とは完全に一致していなくてもよい。露光光が透明基板102と露光用基板300との境界、即ち透明基板102に形成された回路素子近傍に達した状態におけるスポット径が、少なくとも回路素子の開口部よりも小さければ露光強度には影響しないからである。従って少なくとも0.75<(t×n)/(t×n)<1.25の関係を満たせばよい。 Further, the optical path length inside the transparent substrate 102 and the optical path length inside the exposure substrate 300 do not have to completely coincide. If the spot diameter in the state where the exposure light reaches the boundary between the transparent substrate 102 and the exposure substrate 300, that is, the vicinity of the circuit element formed on the transparent substrate 102 is at least smaller than the opening of the circuit element, the exposure intensity is affected. Because it does not. Therefore, it is sufficient to satisfy the relationship of at least 0.75 <(t 1 × n 1 ) / (t 2 × n 2 ) <1.25.

更に、レンズ形成用領域401aのマスクパターンを四角形にすれば、ネガ型レジスト層210には四角形のレンズパターンが得られることになる。四角形のレンズパターンは動画対応のレンズに使われ、例えば液晶テレビなどに適用される。   Furthermore, if the mask pattern of the lens forming region 401a is made square, a square lens pattern can be obtained in the negative resist layer 210. The rectangular lens pattern is used for a moving image lens, and is applied to, for example, a liquid crystal television.

本実施形態においてはネガ型レジストを用いてマイクロレンズを形成したが、ネガ型ではなくポジ型を用いてもよい。その場合、レンズが形成される面は透明基板102上ではなく他の基板上であってもよい。   In the present embodiment, the microlens is formed using a negative resist, but a positive type may be used instead of the negative type. In that case, the surface on which the lens is formed may be on another substrate instead of on the transparent substrate 102.

以上説明したように、位置決め部材420によって、透明基板102上にマイクロレンズ202を形成する工程において、レンズ付きマザーグレイスケールマスク461の位置固定を容易に行うことが可能となる。   As described above, it is possible to easily fix the position of the mother gray scale mask 461 with a lens in the step of forming the microlens 202 on the transparent substrate 102 by the positioning member 420.

尚、図20に示すように、位置決め部材420における露光用マイクロレンズ403とは反対の面に遮光パターン302を設けることができる。これにより、光の拡散による光強度の揺らぎを抑制し、より高精度なレンズパターンを得ることができる。遮光パターン302は光を遮断する遮光部分と光を透過させる開口部分とを有し、当該開口部分は露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズのレンズ光軸と垂直方向で一致している。   As shown in FIG. 20, a light shielding pattern 302 can be provided on the surface of the positioning member 420 opposite to the exposure microlens 403. Thereby, fluctuation of light intensity due to light diffusion can be suppressed, and a more accurate lens pattern can be obtained. The light shielding pattern 302 has a light shielding portion that blocks light and an opening portion that transmits light, and the opening portion coincides with the lens optical axis of a unit lens included in the exposure microlens 403 in the vertical direction.

図20に示す矢印は、この遮光パターン302を有する位置決め部材420を用いて図19と同様に露光を行なった場合の、位置決め部材420を通過する露光光の軌跡を示している。図に示される通り、露光用マイクロレンズ403に対して垂直に入射する光以外は遮光パターン302の遮光部分によって遮光され、透明基板102側へ透過できない。従ってネガ型レジスト層210を露光するのは垂直光のみとなり、拡散による光強度の揺らぎを抑制し、より高精度なレンズパターンを得ることができる。   An arrow shown in FIG. 20 indicates a locus of exposure light passing through the positioning member 420 when exposure is performed in the same manner as in FIG. 19 using the positioning member 420 having the light shielding pattern 302. As shown in the drawing, light other than light incident perpendicularly to the exposure microlens 403 is shielded by the light shielding portion of the light shielding pattern 302 and cannot be transmitted to the transparent substrate 102 side. Therefore, only the vertical light is exposed to the negative resist layer 210, and fluctuations in light intensity due to diffusion can be suppressed, and a more accurate lens pattern can be obtained.

尚、レンズ付きマザーグレイスケールマスク461における位置決め部材420の固定方法及び形態は図18に示す態様に限定されるものではない。例えば、支持基板402上に露光用マイクロレンズ403のレンズ高さ以上の高さを有するリムを設け、当該リムによって支持基板402と位置決め部材420を接着しても良い。当該リムは支持基板402上に露光用マイクロレンズ403を形成する際に同一の材料によって同時に形成可能である。   In addition, the fixing method and form of the positioning member 420 in the mother gray scale mask 461 with a lens are not limited to the aspect shown in FIG. For example, a rim having a height higher than the lens height of the exposure microlens 403 may be provided on the support substrate 402, and the support substrate 402 and the positioning member 420 may be bonded by the rim. The rim can be formed simultaneously with the same material when the exposure microlens 403 is formed on the support substrate 402.

また、位置決め部材420の接着点は凸部421や上記のリムに限定されず、露光用マイクロレンズ403の頂点において接着されても良い。更には、露光用マイクロレンズ403と位置決め部材420との隙間に樹脂材料を充填して硬化させることにより接着してもよい。   Further, the bonding point of the positioning member 420 is not limited to the convex portion 421 and the rim described above, and may be bonded at the apex of the exposure microlens 403. Further, the gap between the exposure microlens 403 and the positioning member 420 may be filled with a resin material and cured to be bonded.

更に、位置決め部材420の表面、即ち回路素子と重ね合わせられる面において、図21(a)に示されるように凹部423を設けても良い。当該凹部423を設けることにより、透明基板102へのマイクロレンズ202形成工程において、図21(b)に示すようにTFT素子108に位置決め部材420が接触することがなくなる。これにより、製造工程におけるTFT素子108の破損を低減し、歩留まりの向上を図ることができる。   Furthermore, a concave portion 423 may be provided on the surface of the positioning member 420, that is, the surface overlapped with the circuit element, as shown in FIG. By providing the concave portion 423, the positioning member 420 does not come into contact with the TFT element 108 as shown in FIG. 21B in the process of forming the microlens 202 on the transparent substrate 102. Thereby, the damage of the TFT element 108 in the manufacturing process can be reduced, and the yield can be improved.

他方、位置決め部材420を用いずに図22(a)に示されるように、露光用マイクロレンズ403のレンズ高さ以上の高さを有するリム424を設けることによりレンズ付きマザーグレイスケールマスク460を固定することも可能である。この場合は、リム424の高さ(t)を露光用マイクロレンズ403の空気中における焦点距離と略一致させることにより、上記と同様の効果を得ることができる。 On the other hand, as shown in FIG. 22A without using the positioning member 420, the rim 424 having a height equal to or higher than the lens height of the exposure microlens 403 is provided to fix the mother gray scale mask 460 with a lens. It is also possible to do. In this case, the same effect as described above can be obtained by making the height (t 3 ) of the rim 424 substantially coincide with the focal length of the exposure microlens 403 in the air.

図22(b)に示す通り、透明基板102と露光用マイクロレンズ403はリム424の高さ、即ちt3だけ離れて配置されることとなり、透明基板102と露光用マイクロレンズ403との間には空気層が設けられる。ここで重要なのはt3とt1との関係である。空気層における光路長と、透明基板102における光路長が略同一となるようにt3を調整する必要があるからである。即ちt=t×nの関係が成り立つ必要がある。 As shown in FIG. 22 (b), the transparent substrate 102 and the exposure microlens 403 are disposed at a height of the rim 424, that is, t3, and between the transparent substrate 102 and the exposure microlens 403. An air layer is provided. What is important here is the relationship between t3 and t1. This is because it is necessary to adjust t3 so that the optical path length in the air layer and the optical path length in the transparent substrate 102 are substantially the same. That is, the relationship of t 3 = t 1 × n 1 needs to be established.

更に露光用マイクロレンズ403の焦点距離もtと略同一になっている。即ち、露光用マイクロレンズ403の焦点は空気層と透明基板102との境界近傍である。また、レンズ形成用領域401aの中心、露光用マイクロレンズ403に含まれる単位レンズのレンズ光軸と、透明基板102に形成された配線部材の開口部161aとが垂直方向に一致している。 And further becomes substantially equal to the focal length also t 3 of the exposure microlenses 403. That is, the focal point of the exposure microlens 403 is near the boundary between the air layer and the transparent substrate 102. In addition, the center of the lens formation region 401 a, the lens optical axis of the unit lens included in the exposure microlens 403, and the opening 161 a of the wiring member formed in the transparent substrate 102 coincide with each other in the vertical direction.

このような方法によってマイクロレンズ202を形成する場合、透明基板102の回路素子が形成された面に他の部材を接触させる必要がなく、回路素子の形成された面は空気層に面する。従って、回路素子と他の部材との接触によって回路素子を傷つけてしまう虞がなく、歩留まりの向上を図ることができる。尚、上記説明においては、透明基板102上に形成されたTFT素子108及び透明電極106を回路素子と定義したが、回路素子にはこれらの両方が含まれなくとも、どちらか一方だけでも良い。また、画素電極161等、他の部品が含まれても良い。   When the microlens 202 is formed by such a method, it is not necessary to bring another member into contact with the surface of the transparent substrate 102 on which the circuit element is formed, and the surface on which the circuit element is formed faces the air layer. Therefore, there is no possibility that the circuit element is damaged by contact between the circuit element and another member, and the yield can be improved. In the above description, the TFT element 108 and the transparent electrode 106 formed on the transparent substrate 102 are defined as circuit elements. However, the circuit element may not include both of them, but only one of them may be included. Further, other components such as the pixel electrode 161 may be included.

実施の形態5.
本実施の形態は、実施の形態2の第4工程である複数組のマイクロレンズアレイを液晶基板上に形成する方法の変形例である。本実施形態においてはグレイスケールマスクによる強度変調ではなく、所望形状の凹部を有する金型等のスタンパを用いてマイクロレンズ202を形成する例を説明する。
Embodiment 5 FIG.
The present embodiment is a modification of the method for forming a plurality of sets of microlens arrays on the liquid crystal substrate, which is the fourth step of the second embodiment. In this embodiment, an example will be described in which the microlens 202 is formed using a stamper such as a mold having a concave portion having a desired shape, instead of intensity modulation using a gray scale mask.

図23に示されるように、透明基板102の前面側には露光用基板300が配置されている。露光用基板300の透明基板102とは反対側の面には、露光用マイクロレンズ301が形成されている。透明基板102の背面側には、光硬化性樹脂211が充填されたスタンパ220が配置されている。スタンパ220は、形成すべきマイクロレンズ202の形状を転写可能な形状の凹部を有する型であり、例えばNi金型である。光硬化性樹脂211は主に紫外線硬化樹脂であり、アクリル系樹脂等の透明性を有する樹脂である。   As shown in FIG. 23, an exposure substrate 300 is disposed on the front side of the transparent substrate 102. An exposure microlens 301 is formed on the surface of the exposure substrate 300 opposite to the transparent substrate 102. A stamper 220 filled with a photocurable resin 211 is disposed on the back side of the transparent substrate 102. The stamper 220 is a mold having a concave portion capable of transferring the shape of the microlens 202 to be formed, for example, a Ni mold. The photocurable resin 211 is mainly an ultraviolet curable resin, and is a resin having transparency such as an acrylic resin.

露光用基板300側から光硬化性樹脂211の露光を行なう。露光は365nm付近の波長の紫外線を3000mJのエネルギーで照射する。図24は露光光の光線図を示したものである。露光光は開口部161aを通過し透明基板102に入射した後、スタンパ220内の光硬化性樹脂211を露光する。   The photocurable resin 211 is exposed from the exposure substrate 300 side. In the exposure, ultraviolet rays having a wavelength of around 365 nm are irradiated with energy of 3000 mJ. FIG. 24 shows a ray diagram of exposure light. The exposure light passes through the opening 161a and enters the transparent substrate 102, and then the photocurable resin 211 in the stamper 220 is exposed.

本実施形態においてはスタンパ220を用いているので、実施の形態1のようにグレイスケールマスク400を用意する必要がない。また、露光用基板300側からの露光光がTFT素子108等の配線部材に遮られることなくスタンパ220まで到達すればよいので、実施の形態1のように露光用基板300と透明基板102との光路長を調整する必要がない。   Since the stamper 220 is used in this embodiment, it is not necessary to prepare the gray scale mask 400 as in the first embodiment. Further, since the exposure light from the exposure substrate 300 side only needs to reach the stamper 220 without being blocked by the wiring member such as the TFT element 108, the exposure substrate 300 and the transparent substrate 102 can be formed as in the first embodiment. There is no need to adjust the optical path length.

実施の形態6
本実施の形態においては実施の形態2乃至6において説明した製造方法を用いて製造されたマイクロレンズアレイ及びマイクロレンズアレイを有する液晶表示装置について説明する。
Embodiment 6
In this embodiment, a microlens array manufactured using the manufacturing method described in Embodiments 2 to 6 and a liquid crystal display device having the microlens array will be described.

まず、従来用いられていた材料をリフローすることによってマイクロレンズ202を形成する方法と比較して本発明の実施の形態で説明したマイクロレンズ202の形状について説明する。   First, the shape of the microlens 202 described in the embodiment of the present invention will be described in comparison with a method of forming the microlens 202 by reflowing a conventionally used material.

マイクロレンズ202の底面が六角形のような多角形の形状を有する場合に、従来のリフローを用いる方法(以下、単にリフロー法とする)は、レンズの曲率半径を一定にすることが難しいという問題がある。リフロー法を用いる場合、レンズの曲率半径はレンズ中心の頂点とレンズ外周により決定される。レンズ底面形状が真円の場合は、任意の径方向でレンズの曲率半径が同一となるが、その他の場合、例えば本実施形態のような六角形の場合はレンズ中心とレンズ外周とを結ぶ線分の長さが径方向によって異なるためレンズの曲率半径が異なる。マイクロレンズを透明基板102上に隙間なく配置し、バックライト光の利用効率を更に高める目的では、マイクロレンズの底面形状は多角形、即ち中心から外周への距離が一定ではない形状であることが好ましく、例えば長方形である。従って、マイクロレンズ202の形成においてはリフローを用いることは好ましくない。   When the bottom surface of the microlens 202 has a polygonal shape such as a hexagon, the conventional method using reflow (hereinafter simply referred to as reflow method) is difficult to make the curvature radius of the lens constant. There is. When the reflow method is used, the radius of curvature of the lens is determined by the vertex of the lens center and the lens outer periphery. When the lens bottom shape is a perfect circle, the radius of curvature of the lens is the same in an arbitrary radial direction. In other cases, for example, in the case of a hexagon as in the present embodiment, a line connecting the lens center and the lens outer periphery. Since the length of the minute varies depending on the radial direction, the radius of curvature of the lens varies. For the purpose of further arranging the microlens on the transparent substrate 102 and further improving the utilization efficiency of the backlight light, the bottom surface shape of the microlens is a polygon, that is, the distance from the center to the outer periphery is not constant. For example, it is rectangular. Therefore, it is not preferable to use reflow in forming the microlens 202.

図25を用いてレンズ底面形状が正六角形の場合について説明する。図25(a)に示されるように、レンズ底面形状が上面視で正六角形の場合は、その中心を通り対向する頂点を結ぶ線分Pが最大径となり、中心を通り対向する辺の中心とを結ぶ線分Qが最小径となる。線分Qの長さは線分Pの長さに対して約87%となる。リフロー法の場合、線分Pにおけるレンズ断面は、図25(b)に示したように形成され、線分Qにおけるレンズ断面は図25(c)の実線に示したように形成される。図25(c)に示されるように線分Pと線分Qとの径方向ではレンズ断面の曲率半径の違いが生じる。この曲率半径の違いにより、線分Pと線分Qとの径方向では焦点が異なってしまう。焦点が定まらない場合、マイクロレンズ202に入射した光を1点に集光することができず、結果的に開口部161aへ効率良くバックライト光を集光できない。   The case where the lens bottom shape is a regular hexagon will be described with reference to FIG. As shown in FIG. 25 (a), when the lens bottom shape is a regular hexagon when viewed from above, the line segment P connecting the vertices passing through the center becomes the maximum diameter, A line segment Q connecting the two becomes the minimum diameter. The length of the line segment Q is about 87% with respect to the length of the line segment P. In the case of the reflow method, the lens cross section at the line segment P is formed as shown in FIG. 25B, and the lens cross section at the line segment Q is formed as shown by the solid line in FIG. As shown in FIG. 25C, a difference in the radius of curvature of the lens cross section occurs in the radial direction between the line segment P and the line segment Q. Due to the difference in radius of curvature, the focal points differ in the radial direction between the line segment P and the line segment Q. When the focal point cannot be determined, the light incident on the microlens 202 cannot be collected at one point, and as a result, the backlight light cannot be efficiently collected on the opening 161a.

本発明の実施の形態では、線分Qでのレンズ断面を図25(d)に示されるような構造とした。即ち、線分Qでのレンズ断面の曲率半径を線分Pの曲率半径と同じにし、端部を垂直に切り欠いてそのレンズ幅を線分Qの長さとしている。このようなレンズ形状であれば径方向によって曲率半径が異なるようなことがない。図25(b)及び図25(d)に示されるようにマイクロレンズ202の最大の曲率半径と最小の曲率半径とは一致していることが好ましいが、少なくとも最小の曲率半径が最大の曲率半径の80%以上、更に好ましくは82%以上更に好ましくは90%以上であることが好ましい。尚、本実施形態においては図25(b)及び図25(d)に示されるように最大の曲率半径と最小の曲率半径とは一致している。   In the embodiment of the present invention, the lens cross section at the line segment Q has a structure as shown in FIG. That is, the radius of curvature of the lens cross section at the line segment Q is made the same as the radius of curvature of the line segment P, and the end portion is cut vertically to make the lens width the length of the line segment Q. With such a lens shape, the radius of curvature does not vary depending on the radial direction. As shown in FIGS. 25B and 25D, it is preferable that the maximum curvature radius and the minimum curvature radius of the microlens 202 coincide with each other, but at least the minimum curvature radius is the maximum curvature radius. 80% or more, more preferably 82% or more, more preferably 90% or more. In the present embodiment, as shown in FIGS. 25B and 25D, the maximum curvature radius and the minimum curvature radius coincide with each other.

更に、マイクロレンズ202のレンズ曲率の安定性を評価するもう一つの指針として、レンズの真球度がある。レンズの真球度を評価するrms(root mean square)値は次の式(1)の通り表すことができる。

Figure 2007304621
Furthermore, as another guideline for evaluating the stability of the lens curvature of the microlens 202, there is the sphericity of the lens. The rms (root mean square) value for evaluating the sphericity of the lens can be expressed as the following equation (1).
Figure 2007304621

図26はマイクロレンズの真球度につき測定したグラフである。レンズの真球度はレンズ中心を通る各断面に対して、最小二乗法でフィッティングをかけた真球曲線とのずれ量をその差分の面積から求めたrms値で評価したものである。この値が小さいほど、レンズ曲率がより真球に近く曲率が安定しているということになる。マイクロレンズの真球度、即ちrms値は0.005以上0.2以下であることが好ましく、更に好適には0.005以上0.15以下である。本実施形態にかかるマイクロレンズのrms値は0.04である。   FIG. 26 is a graph obtained by measuring the sphericity of the microlens. The sphericity of the lens is evaluated by the rms value obtained from the difference area with respect to each section passing through the center of the lens and the deviation from the true sphere curve fitted by the least square method. The smaller this value is, the closer the lens curvature is to a true sphere and the more stable the curvature. The sphericity of the microlens, that is, the rms value is preferably 0.005 or more and 0.2 or less, and more preferably 0.005 or more and 0.15 or less. The rms value of the microlens according to the present embodiment is 0.04.

図27に本実施形態にかかるマイクロレンズ202の斜視図を示す。図27(a)は本実施形態にかかるマイクロレンズ202の斜視図であり、レンズ表面を示す弧は点線で示されている。図27(a)に示されるように、本実施形態にかかるマイクロレンズ202において、対向する頂点を結ぶ線分はレンズ底面まで弧が到達し、レンズ中心を通り対向する辺を結ぶ線分ではレンズ外周に到達した時点で弧が途切れる形状になる。図27(b)は図27(a)に示したレンズを隙間なく配置した斜視図である。   FIG. 27 is a perspective view of the microlens 202 according to the present embodiment. FIG. 27A is a perspective view of the microlens 202 according to the present embodiment, and an arc indicating the lens surface is indicated by a dotted line. As shown in FIG. 27A, in the microlens 202 according to the present embodiment, the line segment connecting the opposing vertices reaches the bottom surface of the lens, and the line segment connecting the opposing sides through the lens center is the lens. When reaching the outer periphery, the arc is cut off. FIG. 27B is a perspective view in which the lenses shown in FIG.

上記の通り、図27に示したような構成を有するマイクロレンズは、リフロー法を用いて形成することは難しい。従って本実施形態にかかるマイクロレンズ202は2P(Photo−Polymer)法や、グレイスケールマスクを用いた露光による形成方法で形成することが好ましい。2P法の場合は、所望の曲面形状を転写可能な型が形成されたスタンパに光硬化性樹脂を充填し、透明基板102に対して当該スタンパを押圧し、スタンパに形成された型内の光硬化性樹脂を露光し硬化させることによってマイクロレンズ202の形状を形成する。グレイスケールマスクを用いた露光方法では、透明基板102上に形成されたネガ型レジストを、所望のマスクパターンが形成されたグレイスケールマスクを通して露光することによりネガ型レジストを所望形状に硬化させる。   As described above, it is difficult to form the microlens having the configuration shown in FIG. 27 using the reflow method. Therefore, the microlens 202 according to the present embodiment is preferably formed by a 2P (Photo-Polymer) method or a formation method by exposure using a gray scale mask. In the case of the 2P method, a photocurable resin is filled in a stamper on which a mold capable of transferring a desired curved shape is formed, the stamper is pressed against the transparent substrate 102, and light in the mold formed on the stamper is filled. The shape of the microlens 202 is formed by exposing and curing the curable resin. In the exposure method using a gray scale mask, the negative resist formed on the transparent substrate 102 is exposed through a gray scale mask on which a desired mask pattern is formed, so that the negative resist is cured into a desired shape.

図28に本実施形態にかかる液晶表示装置と、比較例及び従来例にかかる液晶表示装置とについて、輝度、コントラスト、レンズ真球度及びレンズ曲率一定性について比較した表を示す。ここで、レンズ真球度は式(1)に表すrms値とし、レンズ曲率一定性は、レンズの最小の曲率半径の最大の曲率半径に対する割合とする。また、比較に用いるマイクロレンズは円形及び四角形であるが、この様なマイクロレンズは上記の2P法若しくはグレイスケールマスクを用いた露光による形成方法により形成可能である。   FIG. 28 shows a table comparing the brightness, contrast, lens sphericity, and lens curvature constancy of the liquid crystal display device according to the present embodiment and the liquid crystal display devices according to the comparative example and the conventional example. Here, the sphericity of the lens is an rms value represented by Expression (1), and the lens curvature constancy is a ratio of the minimum curvature radius of the lens to the maximum curvature radius. Moreover, although the microlens used for a comparison is circular and square, such a microlens can be formed by the formation method by exposure using the 2P method or the gray scale mask.

本実施形態にかかる液晶表示装置は円形レンズの場合を実施例A、4角形レンズの場合を実施例Bとする。比較例として、ネガ型レジストをリフローで形成した円形マイクロレンズを有する液晶表示装置を比較例C、同じ製法により形成した4角形マイクロレンズを有する液晶表示装置比較例Dとする。従来例としてマイクロレンズを配さず、配線部材内の電極が全て透明電極で形成された液晶表示装置を従来例E、同じく画素電極の中央に直径35μmの透明電極を設け、残りを反射電極としたものを従来例Fとする。   In the liquid crystal display device according to this embodiment, a circular lens is referred to as Example A, and a quadrangular lens is referred to as Example B. As a comparative example, a liquid crystal display device having a circular microlens formed by reflowing a negative resist is referred to as comparative example C, and a liquid crystal display device comparative example D having a quadrangular microlens formed by the same manufacturing method. As a conventional example, a liquid crystal display device in which all the electrodes in the wiring member are formed of transparent electrodes without providing a microlens is provided as conventional example E. Similarly, a transparent electrode having a diameter of 35 μm is provided at the center of the pixel electrode, and the rest is a reflective electrode This is referred to as Conventional Example F.

マイクロレンズを用いなかった従来例において、従来例Eは太陽光下では画面が白く光り、コントラストが不十分だった。従来例Fは太陽光下でのコントラストは良好であったものの、室内使用時での輝度が低く、鮮明さが損なわれた。実施例A及びBは太陽光下でも視認性に優れ、室内での使用でも十分な輝度が得られ鮮明に表示された。それに対し比較例C及びDはレンズの真球度が低く、集光率が低下したため室内での使用時には暗さが目立ち鮮明な表示が損なわれた。   In the conventional example in which the microlens was not used, in the conventional example E, the screen glowed white under sunlight and the contrast was insufficient. Although Conventional Example F had good contrast under sunlight, the brightness during indoor use was low and the sharpness was impaired. Examples A and B were excellent in visibility even under sunlight, and sufficient brightness was obtained even when used indoors, so that they were clearly displayed. On the other hand, in Comparative Examples C and D, the sphericity of the lens was low and the light condensing rate was lowered, so that the darkness was conspicuous and the clear display was impaired when used indoors.

次に、液晶パネル100のバックライト側の透明基板102の厚さと、バックライトから液晶パネル100へ入射するバックライト光の放射成分とが、マイクロレンズによる光学的効果に与える影響について説明する。図29は液晶表示装置にバックライトユニット70を組み合わせた状態を示す模式断面図である。図29に示されるように本実施形態にかかるバックライトユニット70はバックライト光源71、導光板72及びプリズムシート73を有する。従来のバックライトユニットにおいては、更に拡散シートを有することが多かったが、本実施形態においてはマイクロレンズアレイ200によって図2に示される開口部161aに集光された光が、開口部161a通過後は発散するため拡散シートと同様の効果を得ることができる。従って拡散シートが不要となる分、バックライトユニット70の小型化及びコストの低減を図ることが可能となる。   Next, the influence of the thickness of the transparent substrate 102 on the backlight side of the liquid crystal panel 100 and the radiation component of the backlight light incident on the liquid crystal panel 100 from the backlight on the optical effect of the microlens will be described. FIG. 29 is a schematic cross-sectional view showing a state in which the backlight unit 70 is combined with the liquid crystal display device. As shown in FIG. 29, the backlight unit 70 according to this embodiment includes a backlight light source 71, a light guide plate 72, and a prism sheet 73. The conventional backlight unit often has a diffusion sheet, but in this embodiment, the light condensed by the microlens array 200 on the opening 161a shown in FIG. 2 is passed through the opening 161a. Can emit the same effect as a diffusion sheet. Therefore, it is possible to reduce the size and cost of the backlight unit 70 as much as the diffusion sheet is unnecessary.

バックライト光源71はバックライトユニット70の発光部であり、その発光体には白色LEDが4灯若しくは2灯用いられることが多い。バックライトユニット70はエッジライト型のバックライトユニットであり、バックライト光源71はバックライトユニット70の側面に配置される。ここで、バックライト光源71に用いる発光体は白色LEDに限定されず、例えば赤、青、緑それぞれの光を発光するLEDの光を混合して白色光を作り出しても良い。また、冷陰極管を用いても良い。バックライト光源71にLEDを用いることにより、色再現性を向上することができる。   The backlight light source 71 is a light emitting portion of the backlight unit 70, and four or two white LEDs are often used as the light emitter. The backlight unit 70 is an edge light type backlight unit, and the backlight light source 71 is disposed on the side surface of the backlight unit 70. Here, the light emitter used for the backlight light source 71 is not limited to the white LED, and for example, the light of the LED emitting light of each of red, blue, and green may be mixed to create white light. Further, a cold cathode tube may be used. By using an LED for the backlight source 71, color reproducibility can be improved.

導光板72は側面に配置されたバックライト光源71の光をプリズムシート73側に導く。本実施形態にかかる導光板72は三角溝の形成されたローレット導光板である。導光板72は主にアクリル系樹脂で形成される。   The light guide plate 72 guides the light from the backlight light source 71 disposed on the side surface to the prism sheet 73 side. The light guide plate 72 according to the present embodiment is a knurled light guide plate in which a triangular groove is formed. The light guide plate 72 is mainly formed of an acrylic resin.

プリズムシート73は導光板72によって液晶パネル100側に導かれた光を更に液晶パネル100に対して略垂直な光に偏向する。図30はプリズムシート73による垂直偏向の態様を示す模式図である。本実施形態にかかるプリズムシート73は図30(a)に示すように扇形、即ち凸曲面を有するプリズムが配列された集光型プリズムシートである。通常の三角形のプリズムとは異なり、弧面で偏光することによってより高精度に垂直偏向し、バックライト光の光強度分布をより垂直成分の強い分布とすることが可能である。プリズムシート73には、例えば三菱レイヨン株式会社製の輝度向上用プリズムシート、ダイヤアート(登録商標)が用いられる。当該プリズムシート73を用いて垂直偏向を行なった場合も光は多少の放射成分を有するが、導光板72の三角溝と当該プリズムシート73のプリズム頂角を調整することによって、光が有する放射成分の放射角を制御することが可能である。   The prism sheet 73 further deflects the light guided to the liquid crystal panel 100 side by the light guide plate 72 into light substantially perpendicular to the liquid crystal panel 100. FIG. 30 is a schematic diagram showing a mode of vertical deflection by the prism sheet 73. The prism sheet 73 according to this embodiment is a condensing prism sheet in which a sector, that is, a prism having a convex curved surface is arranged as shown in FIG. Unlike ordinary triangular prisms, it is possible to vertically deflect the light with higher accuracy by polarization on the arc surface, and to make the light intensity distribution of the backlight light a distribution with a stronger vertical component. As the prism sheet 73, for example, a prism sheet for brightness enhancement, Diaart (registered trademark) manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd. is used. Even when the prism sheet 73 is used for vertical deflection, the light has some radiation component. However, by adjusting the triangular groove of the light guide plate 72 and the prism apex angle of the prism sheet 73, the radiation component of the light is included. It is possible to control the radiation angle.

図30(a)に示した方式以外にも図30(b)に示されるように、三角形のプリズムをその頂点が導光板と対向するように配置し、以って垂直に偏向しても良い。この場合も、導光板の三角溝とプリズムシート73に含まれる当該プリズムの三角形の頂角を調整することによって、垂直偏向の放射角を制御することができる。更に、図30(c)に示されるように2枚のプリズムが互いに90°の角度で交差するように配置されていてもよい。   In addition to the method shown in FIG. 30 (a), as shown in FIG. 30 (b), a triangular prism may be arranged so that its apex faces the light guide plate, and thus deflected vertically. . Also in this case, the vertical deflection radiation angle can be controlled by adjusting the triangular groove of the light guide plate and the apex angle of the triangle of the prism included in the prism sheet 73. Further, as shown in FIG. 30C, the two prisms may be arranged so as to intersect each other at an angle of 90 °.

図1に示した構成を有する液晶表示装置においては、透明基板102の厚さ及びバックライトユニット70から液晶パネル100へ入射する光の放射成分が、当該液晶表示装置の表示輝度に大きな影響を及ぼす。図31に透明基板102の厚さとマイクロレンズ202へ入射するバックライト光の入射角との関係を示す。ここで、放射角θはそのままマイクロレンズ202へのバックライト光の入射角θと定義できる。図31(a)は透明基板102の厚さがtの場合に、マイクロレンズ202に角度θだけ傾いて入射した光が反射部161bに遮られる場合を示している。この場合の、マイクロレンズ202による集光点の光軸からのずれ量をsとすると、sはs=t・θ/nとなる。従って、tの値が小さいほど、sも小さい値となる。 In the liquid crystal display device having the configuration shown in FIG. 1, the thickness of the transparent substrate 102 and the radiation component of the light incident on the liquid crystal panel 100 from the backlight unit 70 have a great influence on the display luminance of the liquid crystal display device. . FIG. 31 shows the relationship between the thickness of the transparent substrate 102 and the incident angle of the backlight light incident on the microlens 202. Here, the radiation angle θ can be defined as the incident angle θ of the backlight light to the microlens 202 as it is. In the case of FIG. 31 (a) is the thickness of the transparent substrate 102 is t 1, shows a case where light incident inclined by an angle θ in the microlens 202 is blocked by the reflective portion 161b. In this case, when the amount of deviation from the optical axis of the condensing point by the microlens 202 and s 1, s 1 becomes s 1 = t 1 · θ / n. Accordingly, as the value of t 1 is small, s 1 is also a small value.

透明基板102の厚さを薄くした場合の態様を図31(b)に示す。図31(b)は透明基板102の厚さがtの場合に、マイクロレンズ202に角度θだけ傾いて入射した光が開口部161aを通過する場合を示している。但し、tはtよりも小さい値とする。上記のようにマイクロレンズ202の集光点のずれ量sはs=t・θ/nとなる。tはtよりも小さい値であるため、図31(b)に示すようにsはsよりも小さい値となる。このように、透明基板102を薄くすることによって入射光が開口部161aを通過する割合を向上させることができる。 FIG. 31B shows a mode in which the thickness of the transparent substrate 102 is reduced. If Figure 31 (b) the thickness of the transparent substrate 102 is t 2, the light incident inclined angle θ the microlens 202 indicates a case of passing through the opening 161a. However, t 2 is smaller than the t 1. As described above, the condensing point shift amount s 2 of the microlens 202 is s 2 = t 2 · θ / n. Since t 2 is smaller than t 1 , s 2 is smaller than s 1 as shown in FIG. Thus, by reducing the thickness of the transparent substrate 102, the rate at which incident light passes through the openings 161a can be improved.

また、マイクロレンズ202への入射前の角度θは、バックライトユニット70から液晶パネル100へ入射するバックライト光の放射成分の角度に相当する。従ってバックライト光の放射成分の角度はマイクロレンズ202への入射角度θとして光軸からのずれ量に影響を及ぼし、当該θが小さいほど光軸からのずれ量が小さくなる。   Further, the angle θ before being incident on the microlens 202 corresponds to the angle of the radiation component of the backlight light incident on the liquid crystal panel 100 from the backlight unit 70. Therefore, the angle of the radiant component of the backlight light affects the amount of deviation from the optical axis as the incident angle θ to the microlens 202, and the amount of deviation from the optical axis decreases as θ decreases.

図32は、図29に示した本実施形態にかかるバックライトユニットについて、プリズムシート73から照射される光の放射角θと輝度比の関係を示すグラフである。図32において、実線と破線は放射角θの方向が直交している。実線はバックライト光源71や導光板72の長手方向の放射角を示し、破線は短手方向の放射角を示す。図32に示すようにバックライト光源71の光強度はガウス分布を有する。この例において用いたプリズムシート73は、図30(b)に示した構成を有する。   FIG. 32 is a graph showing the relationship between the emission angle θ of the light emitted from the prism sheet 73 and the luminance ratio for the backlight unit according to the present embodiment shown in FIG. In FIG. 32, the direction of the radiation angle θ is perpendicular to the solid line and the broken line. A solid line indicates a radiation angle in the longitudinal direction of the backlight source 71 and the light guide plate 72, and a broken line indicates a radiation angle in the short direction. As shown in FIG. 32, the light intensity of the backlight source 71 has a Gaussian distribution. The prism sheet 73 used in this example has the configuration shown in FIG.

図32に示すように、本実施の形態において用いたバックライトユニットは、垂直成分を中心に左右に光強度が漸次減少していく光を出射する。このバックライト光の強度分布は大まかにはガウス分布とみなすことができる。この光強度分布において、最大強度すなわち垂直成分の強度に対して、20%の強度を示す角度までを考慮すれば、バックライト光の全エネルギーの90%以上を利用しているとみなすことができる。すなわち、レンズによる集光特性は該20%の光強度を有する放射角の範囲を想定すれば、十分にその効果を規定することができる。なお、バックライトユニットの構成によっては、垂直成分に対して左右非対称になる場合もあるが、例えば+5°、−30°などのように極端に非対称である場合を除き、左右の20%の光強度を有する放射角の平均値を、放射角として定義しても差し支えない。   As shown in FIG. 32, the backlight unit used in the present embodiment emits light whose light intensity gradually decreases to the left and right with the vertical component at the center. The intensity distribution of the backlight light can be roughly regarded as a Gaussian distribution. In this light intensity distribution, if an angle up to 20% of the maximum intensity, that is, the intensity of the vertical component is taken into consideration, it can be considered that 90% or more of the total energy of the backlight light is used. . That is, the condensing characteristic by the lens can sufficiently define the effect if the range of the radiation angle having the light intensity of 20% is assumed. Depending on the configuration of the backlight unit, it may be left-right asymmetric with respect to the vertical component, but 20% of the light on the left and right is excluded unless it is extremely asymmetric, such as + 5 °, -30 °, etc. The average value of the radiation angles having intensity may be defined as the radiation angle.

図32に示すように、本実施形態で使用するプリズムシート73を用いた場合に、より光強度が中心に集まっている。従って、より放射成分が少なく光の利用効率の向上を図ることができる。更に、このような光の強度分布を考えれば、光の放射成分全てを集光する必要はなく、垂直成分から一定の角度範囲の放射成分を集光することが出来れば、十分な光の利用効率の向上を図ることができる。本実施形態においては中心輝度の20%の輝度になる角度を光の放射角と定義づける。   As shown in FIG. 32, when the prism sheet 73 used in this embodiment is used, the light intensity is more concentrated at the center. Therefore, there are fewer radiation components, and the utilization efficiency of light can be improved. Furthermore, considering such light intensity distribution, it is not necessary to condense all the radiant components of light, and if the radiant component within a certain angle range can be collected from the vertical component, sufficient use of light is possible. Efficiency can be improved. In the present embodiment, an angle at which the luminance is 20% of the central luminance is defined as a light emission angle.

ここで、図32に示すグラフはプリズムシート73及び導光板72の一態様による測定結果であり、上述したようにプリズムシート73のプリズムの頂角及び導光板72の三角溝を調整することによって、放射角を調整することが可能である。   Here, the graph shown in FIG. 32 is a measurement result according to one aspect of the prism sheet 73 and the light guide plate 72, and by adjusting the apex angle of the prism of the prism sheet 73 and the triangular groove of the light guide plate 72 as described above, It is possible to adjust the radiation angle.

バックライト光の放射角θと、透明基板102の厚さとが決まれば、図31で説明した計算方法を用いてマイクロレンズ202によって集光された光が画素電極161に到達した際の光のスポット径が求まる。図33は透明基板102の厚さが300μmの場合における、放射角θごとのスポット径を円で示した図である。円Qは放射角θが8°の場合であり、円Rは放射角θが15°の場合である。ここで、マイクロレンズ202と開口部161aとの中心は一致しているものとする。   If the emission angle θ of the backlight light and the thickness of the transparent substrate 102 are determined, the light spot when the light collected by the microlens 202 reaches the pixel electrode 161 using the calculation method described in FIG. Find the diameter. FIG. 33 is a diagram showing the spot diameter for each radiation angle θ in a circle when the thickness of the transparent substrate 102 is 300 μm. Circle Q is when the radiation angle θ is 8 °, and circle R is when the radiation angle θ is 15 °. Here, it is assumed that the centers of the microlens 202 and the opening 161a coincide.

図33においては、画素電極161の寸法は横が50μmであり、縦が150μmである。また、開口部161aは横が30μmであり、縦が62μmである。従って、画素開口率は25%程度である。図に示すようにバックライト光の放射成分によって、開口部161aに対しスポット径がはみだしている。但し、この場合において光強度が円Q又は円Rに一様に分布しているわけではなく、前述した通り中心部分に光強度のピークを持つ。その分布をガウス分布と仮定した。   In FIG. 33, the dimensions of the pixel electrode 161 are 50 μm in the horizontal direction and 150 μm in the vertical direction. The opening 161a has a width of 30 μm and a length of 62 μm. Accordingly, the pixel aperture ratio is about 25%. As shown in the figure, the spot diameter protrudes from the opening 161a due to the radiation component of the backlight light. However, in this case, the light intensity is not uniformly distributed in the circle Q or the circle R, and has a light intensity peak in the central portion as described above. The distribution was assumed to be Gaussian.

光の放射成分の分布は図32に示したようにガウス分布となる。従って、図31に示した放射角θと透明基板102の厚さをパラメータとし、横軸をスポット半径とし、中心部の光強度を1に規格化してy=exp(A×x)の式でガウス近似を行なうと、図34に示したようなグラフを描くことができる。ここで、Aは中心輝度を1に規格化する規格化定数である。図34に示したグラフは、一つのマイクロレンズ202によって集光される光が画素電極161に到達した時の、レンズ光軸からの距離に対する光強度分布を表す。上述したように、光の放射成分のうち中心輝度の20%に達する角度を放射角と定義した。即ち、マイクロレンズ202にて集光される前の光束の最外部の輝度が中心輝度の20%である。マイクロレンズ202による集光後は図34に示されるように、マイクロレンズ202の集光効果により、集光前の光束の最外部に該当する部位の光強度は限りなく0に近づき、又は0になる。 The distribution of the radiation component of light is a Gaussian distribution as shown in FIG. Therefore, the radiation angle θ and the thickness of the transparent substrate 102 shown in FIG. 31 are used as parameters, the horizontal axis is the spot radius, the light intensity at the center is normalized to 1, and the equation y = exp (A × x 2 ) When Gaussian approximation is performed, a graph as shown in FIG. 34 can be drawn. Here, A is a normalization constant that normalizes the central luminance to 1. The graph shown in FIG. 34 represents the light intensity distribution with respect to the distance from the lens optical axis when the light condensed by one microlens 202 reaches the pixel electrode 161. As described above, an angle that reaches 20% of the central luminance among the radiated components of light is defined as a radiation angle. That is, the outermost luminance of the light beam before being condensed by the microlens 202 is 20% of the central luminance. After condensing by the microlens 202, as shown in FIG. 34, due to the condensing effect of the microlens 202, the light intensity of the portion corresponding to the outermost part of the light flux before condensing approaches or becomes close to zero. Become.

図34のパラメータが示す通り、透明基板102の厚さが厚いほど、又、バックライト光の放射角θが小さいほど、より光強度が中心に集まり、光束の広がり(スポット径)の小さいシャープな分布となる。図34に示した夫々のグラフを、スポット半径=0μmを軸として一周分積分すると、一つのマイクロレンズ202によって集光される光の強度(以後、Iとする)が求まるが、図34のグラフは中心光強度1として規格化されているため、一周積分によって求められた値Iは夫々のパラメータ毎の光強度分布を示すのみであり、パラメータの異なるグラフを比べることはできない。 As the parameters of FIG. 34 indicate, the thicker the transparent substrate 102 and the smaller the emission angle θ of the backlight light, the more the light intensity gathers at the center and the sharper the light beam spread (spot diameter) is. Distribution. When the respective graphs shown in FIG. 34 are integrated for one round with the spot radius = 0 μm as an axis, the intensity of light collected by one microlens 202 (hereinafter referred to as I 1 ) is obtained. Since the graph is normalized as the center light intensity 1, the value I 1 obtained by the one- round integration only shows the light intensity distribution for each parameter, and the graphs with different parameters cannot be compared.

他方、1つのマイクロレンズ202に入射する光の強度は、単位面積当りのバックライト光強度をIとすると、150×50×Iと表すことが出来る。ここで、計算の簡易化の為にI=1とする。Iに対して、中心強度1としての規格化を解除し、上記のIに対応させるための係数をkとすると、k×I=150×50×Iとすることができる。 On the other hand, the intensity of light incident on one microlens 202 can be expressed as 150 × 50 × I 0 , where the backlight light intensity per unit area is I 0 . Here, for simplification of calculation, I 0 = 1. With respect to I 1 , the normalization as the center intensity 1 is canceled, and k is a coefficient for corresponding to the above I 0 , k × I 1 = 150 × 50 × I 0 can be obtained.

このような計算で夫々のパラメータについて係数kを求め、図34のグラフに示す夫々のパラメータに該当する係数kを乗算することにより、レンズ光軸からの距離に対する光強度分布を表す図35のグラフを描くことができる。図35は、1つのマイクロレンズ202によって集光される光が画素電極161に到達した時の光強度分布を示しており、図31に示す放射角θ及び透明基板102の厚さtがパラメータとなっている。また、係数kによって規格化は解除されているので、夫々のパラメータ毎の相対的な光強度を表してもいる。但し、光強度はバックライト光の単位面積当りの光強度I=1が前提となっているため、無次元である。図に示される通り、放射角が小さいほど、又、透明基板102の厚さが薄いほど、レンズ光軸付近に光強度が集中していることがわかる。 The graph of FIG. 35 showing the light intensity distribution with respect to the distance from the lens optical axis by obtaining the coefficient k for each parameter by such calculation and multiplying each parameter shown in the graph of FIG. 34 by the corresponding coefficient k. Can be drawn. FIG. 35 shows the light intensity distribution when the light condensed by one microlens 202 reaches the pixel electrode 161. The radiation angle θ and the thickness t of the transparent substrate 102 shown in FIG. It has become. Further, since the standardization is canceled by the coefficient k, the relative light intensity for each parameter is also represented. However, the light intensity is dimensionless because the light intensity I 0 = 1 per unit area of the backlight light is assumed. As shown in the figure, it can be seen that the light intensity is concentrated near the optical axis of the lens as the radiation angle is smaller and the transparent substrate 102 is thinner.

即ち、図33に示されるような、マイクロレンズ202によって集光された光が画素電極161に到達した際の光のスポット径全てが開口部161aに含まれる必要はなく、スポットとして示される円の半径の半分程度が開口部161aに含まれれば、光の利用効率の向上を見込むことができる。   That is, as shown in FIG. 33, it is not necessary that the spot diameter of the light when the light collected by the microlens 202 reaches the pixel electrode 161 is included in the opening 161a. If about half of the radius is included in the opening 161a, it is possible to expect an improvement in light utilization efficiency.

この様に、バックライト光はマイクロレンズ202によって集光されてもなお、光の放射成分によって図35に示されるような強度分布を有する。図35に示されるグラフを縦軸を軸として一周積分することにより、1つのマイクロレンズ202によって集光されるバックライト光の光強度を求めることができる。ここで、図33に示されるように、画素電極161の開口部161aは横が30μmであり、縦が62μmである。従って、横方向には30μmまで、縦方向には62μmまでの、放射成分が開口部161aを通過し、最終的にバックライト光として利用されることとなる。   Thus, even if the backlight light is collected by the microlens 202, it has an intensity distribution as shown in FIG. 35 due to the radiation component of the light. The light intensity of the backlight light collected by one microlens 202 can be obtained by integrating the graph shown in FIG. 35 once around the vertical axis. Here, as shown in FIG. 33, the opening 161a of the pixel electrode 161 has a width of 30 μm and a length of 62 μm. Accordingly, the radiation component of up to 30 μm in the horizontal direction and up to 62 μm in the vertical direction passes through the opening 161a and is finally used as backlight light.

最終的に開口部161aを通過し、バックライト光として利用される光の強度(以後、Iとする)を求めるためには、図35の横軸を開口部161aの開口径(以下、φとする)の半分の値、即ち開口半径φ/2で区切り、当該区切られた範囲までを上記のように一周積分することによって求めることができる。 In order to obtain the intensity of light (hereinafter referred to as I 2 ) that finally passes through the opening 161a and is used as backlight light, the horizontal axis in FIG. 35 is the opening diameter of the opening 161a (hereinafter referred to as φ). )), That is, by dividing by the opening radius φ / 2, and integrating up to the divided range as described above.

ここで、開口部161aは長方形であり、中心からの距離が一定ではないため、図35の横軸の積分範囲が一定に定まらない。従って、開口部161aを通過し、バックライト光として利用される光強度を求めるためには、例えば開口部161aの辺の短辺方向の長さを用いることができる。また、開口部161aの短辺方向と長辺方向との中間の値を用いることもできる。更には、開口部161aの中心部から開口部161aの外周までの平均の長さを求め、それをφ/2とすることも出来る。具体的には、長方形であれば(長辺+短辺)/2で求まり、正五角形以上の正多角形又は楕円であれば(短軸+長軸)/2で求めることができる。本実施形態においては、開口部161aに入る最大円の半径をφ/2とする。   Here, since the opening 161a is rectangular and the distance from the center is not constant, the integration range of the horizontal axis in FIG. 35 is not constant. Therefore, in order to obtain the light intensity that passes through the opening 161a and is used as backlight light, for example, the length of the side of the opening 161a in the short side direction can be used. Further, an intermediate value between the short side direction and the long side direction of the opening 161a can be used. Furthermore, the average length from the center part of the opening part 161a to the outer periphery of the opening part 161a can be calculated | required, and it can also be set to (phi) / 2. Specifically, it can be obtained by (long side + short side) / 2 if it is a rectangle, and can be obtained by (short axis + long axis) / 2 if it is a regular polygon or an ellipse that is a regular pentagon or more. In the present embodiment, the radius of the maximum circle entering the opening 161a is φ / 2.

本実施形態においては、図35の横軸を区切る範囲は開口部161aの横の長さ30μmと縦の長さ62μmの中間点とする。即ち、横の長さ30μmと縦の長さ62μmの平均は46μmなので、その半分の23μmまでの範囲についてスポット径=0μmを軸として一周積分する。   In the present embodiment, the range that divides the horizontal axis in FIG. 35 is an intermediate point between the horizontal length 30 μm and the vertical length 62 μm of the opening 161a. In other words, the average of the horizontal length of 30 μm and the vertical length of 62 μm is 46 μm, and therefore, one-round integration is performed with the spot diameter = 0 μm as an axis for the range up to 23 μm.

ここで、バックライト光はマイクロレンズ202及び透明基板102に入射した際に、入射前と入射後との屈折率の違いにより入射角θに影響を受ける。バックライト光がマイクロレンズ202及び/又は透明基板102に入射する前の領域の屈折率を1、入射後の屈折率をn、即ち入射前と入射後との屈折率の比をnとする。本実施形態においてはマイクロレンズ202及び透明基板102への入射前は大気中であり、入射後の屈折率を1.52とする。   Here, when the backlight light is incident on the microlens 202 and the transparent substrate 102, it is affected by the incident angle θ due to the difference in refractive index before and after the incident. The refractive index of the region before the backlight enters the microlens 202 and / or the transparent substrate 102 is 1, and the refractive index after the incidence is n, that is, the ratio of the refractive index before and after the incidence is n. In the present embodiment, the air is before entering the microlens 202 and the transparent substrate 102, and the refractive index after the incidence is 1.52.

上記のようにして求めたIをIで割ることによって光の利用効率Eを求めることができる。上記の各要素、入射角θ(rad)、透明基板102の厚さt(μm)、開口部161aの開口径φ(μm)、マイクロレンズ202及び透明基板102の屈折率nを用い、マイクロレンズ202によって集光された光のスポット半径と開口部161aの開口径φとの比を表すパラメータを定数Pとすると、P=(φ・n)/(θ・t)で表すことができる。 The light use efficiency E can be obtained by dividing I 2 obtained as described above by I 1 . Using each of the above elements, the incident angle θ (rad), the thickness t (μm) of the transparent substrate 102, the opening diameter φ (μm) of the opening 161a, the refractive index n of the microlens 202 and the transparent substrate 102, a microlens If the parameter representing the ratio between the spot radius of the light collected by 202 and the aperture diameter φ of the aperture 161a is a constant P, it can be expressed as P = (φ · n) / (θ · t).

図36に、パラメータPが依存する各数値によるパラメータP(下段)及びそれに対応する光の利用効率Eの値(上段)を示す。また、パラメータPを横軸に、光の利用効率Eを縦軸にとったプロットを図37に示す。ここで、光の利用効率Eは、バックライト光の光強度に対する開口部161aを通過したバックライト光の光強度の割合である。従って、最高値は1であり、これはバックライト光が反射部161bにまったく遮られず、マイクロレンズ202によって集光されて開口部161aを通過する場合を示す。また、マイクロレンズ202を用いない場合は、画素電極161の開口率がそのまま光の利用効率Eとなる。   FIG. 36 shows the parameter P (lower stage) by each numerical value on which the parameter P depends and the value (upper stage) of the light utilization efficiency E corresponding to the parameter P. FIG. 37 shows a plot with the parameter P on the horizontal axis and the light use efficiency E on the vertical axis. Here, the light use efficiency E is the ratio of the light intensity of the backlight light that has passed through the opening 161a to the light intensity of the backlight light. Therefore, the maximum value is 1, which indicates a case where the backlight light is not blocked by the reflection portion 161b at all, but is condensed by the microlens 202 and passes through the opening portion 161a. When the microlens 202 is not used, the aperture ratio of the pixel electrode 161 becomes the light use efficiency E as it is.

図36から、放射角θ、透明基板102の厚さtの値が夫々小さい程、また、開口径φの値が大きい程、即ちパラメータPの値が大きいほど光の利用効率Eが高いことがわかる。マイクロレンズ202の効果を好適に発揮させるためには、光の利用効率Eを規定すれば良い。現状の半透過型液晶表示装置の開口率は25%程度であるから、マイクロレンズ202を用いない場合は光の利用効率Eは0.25程度である。従って、本実施形態においてはそれ以上の光の利用効率を規定すれば従来の半透過型液晶表示装置よりも高い輝度を得ることができる。Eが0.5以上あれば、現状の装置の略倍以上の明るさを有する非常に高性能の装置を得ることができる。ここで、開口率が50%であれば、0.5以上の光の利用効率を確保できることは言うまでもない。   From FIG. 36, it can be seen that the light use efficiency E increases as the value of the radiation angle θ and the thickness t of the transparent substrate 102 decreases, and as the value of the aperture diameter φ increases, that is, as the value of the parameter P increases. Recognize. In order to suitably exhibit the effect of the microlens 202, the light use efficiency E may be defined. Since the aperture ratio of the current transflective liquid crystal display device is about 25%, when the microlens 202 is not used, the light use efficiency E is about 0.25. Therefore, in this embodiment, if the utilization efficiency of light more than this is prescribed | regulated, a brightness | luminance higher than the conventional transflective liquid crystal display device can be obtained. If E is 0.5 or more, it is possible to obtain a very high-performance device having a brightness that is approximately twice or more that of the current device. Here, it is needless to say that if the aperture ratio is 50%, the light use efficiency of 0.5 or more can be secured.

ここで、図36においては、光の利用効率Eが0.5以上のセルに網掛けを付している。また、同一の基板厚み及び同一の放射角において、複数の異なる開口率で光の利用効率が1.0を示している場合は、開口率が最も低いデータのセルにのみ網掛けを付している。更に、同一の基板厚み及び同一の開口率において、複数の異なる放射角で光の利用効率が1.0を示している場合は、放射角が最も低いデータのセルにのみ網掛けを付している。   Here, in FIG. 36, cells having light utilization efficiency E of 0.5 or more are shaded. Further, when the light utilization efficiency is 1.0 at a plurality of different aperture ratios at the same substrate thickness and the same radiation angle, only the data cell having the lowest aperture ratio is shaded. Yes. Further, when the light utilization efficiency is 1.0 at a plurality of different radiation angles at the same substrate thickness and the same aperture ratio, only the data cell having the lowest radiation angle is shaded. Yes.

具体的に、光の利用効率Eを0.5程度に規定して説明する。図36において、光の利用効率が0.5以上で且つ0.5程度であるデータが太枠で囲われている。それらの値に対応するパラメータPの中で最も低い値は透明基板の厚さtが300μm、入射角θが15°、開口率が20%における0.852であり、Eは0.53である。従って、光の利用効率Eが0.5以上であることを規定するためには、パラメータPの値は0.8以上であることが好ましく、より好適には0.85以上に規定すればよい。   Specifically, the description will be given by defining the light use efficiency E to about 0.5. In FIG. 36, data whose light use efficiency is 0.5 or more and about 0.5 is surrounded by a thick frame. The lowest value among the parameters P corresponding to these values is 0.852 when the thickness t of the transparent substrate is 300 μm, the incident angle θ is 15 °, the aperture ratio is 20%, and E is 0.53. . Therefore, in order to define that the light use efficiency E is 0.5 or more, the value of the parameter P is preferably 0.8 or more, and more preferably 0.85 or more. .

光の利用効率Eの最大値は1、即ちバックライト光を損失なく利用した状態である。図37に示されるように、パラメータPの値が1.7程度で光の利用効率Eは1に達する。即ち、パラメータPの値がそれ以上高くなるように各部材を設計しても、光学的効果は向上しない。しかしながら、パラメータPの値を向上するためには、透明基板102の厚さtを薄くし、放射角θを狭くし、又は開口径φを広くする必要がある。   The maximum value of the light use efficiency E is 1, that is, the state where the backlight light is used without loss. As shown in FIG. 37, the light use efficiency E reaches 1 when the value of the parameter P is about 1.7. That is, even if each member is designed so that the value of the parameter P is higher than that, the optical effect is not improved. However, in order to improve the value of the parameter P, it is necessary to reduce the thickness t of the transparent substrate 102, narrow the radiation angle θ, or widen the opening diameter φ.

本実施形態においては、透明基板102の厚さtを100μmから600μmの範囲で計算している。透明基板102の厚みが100μm未満である場合は、液晶パネル100の強度を確保することが難しく、歩留まりの劣化や、液晶表示装置の強度の低下を招く。また、透明基板102の厚みが600μm以上の場合は液晶表示装置の小型化の要求に反する。より好適には、透明基板102の厚さtは200μm以上400μm以下である。これにより、半透過型液晶表示装置の薄型化と透明基板強度確保の双方を実現することができる。   In the present embodiment, the thickness t of the transparent substrate 102 is calculated in the range of 100 μm to 600 μm. When the thickness of the transparent substrate 102 is less than 100 μm, it is difficult to ensure the strength of the liquid crystal panel 100, which leads to deterioration of yield and strength of the liquid crystal display device. Further, when the thickness of the transparent substrate 102 is 600 μm or more, it is against the demand for downsizing of the liquid crystal display device. More preferably, the thickness t of the transparent substrate 102 is not less than 200 μm and not more than 400 μm. Thereby, both thinning of the transflective liquid crystal display device and ensuring of the strength of the transparent substrate can be realized.

入射角θを小さくするためには、より高いコリメート性能が必要となり、技術面で難しい。放射角θは好ましくは5°以下であるが、5°以上10°以下の範囲であれば容易に実現可能である。また、開口径φを広くすると反射光の利用効率が下がり、半透過型液晶表示装置としての性能が低下してしまう。これらのことより、パラメータPの値の上限を規定することにより、マイクロレンズ202による光学的効果を発揮させると同時に、半透過型液晶表示装置を設計する上で、不要な設計条件の限定を避け、より好適な設計条件を導き出すことができる。   In order to reduce the incident angle θ, higher collimating performance is required, which is difficult in terms of technology. The radiation angle θ is preferably 5 ° or less, but can be easily realized as long as it is in the range of 5 ° to 10 °. Further, when the aperture diameter φ is widened, the utilization efficiency of reflected light is lowered, and the performance as a transflective liquid crystal display device is lowered. Accordingly, by defining the upper limit of the value of the parameter P, the optical effect of the microlens 202 can be exhibited, and at the same time, avoiding the limitation of unnecessary design conditions in designing the transflective liquid crystal display device. More preferable design conditions can be derived.

具体的に、光の利用効率Eを1以下に規定して説明する。図36において、光の利用効率が1である中で比較的パラメータPの値が低いものが二重枠で囲われている。それらの値に対応するパラメータPの中で最も低い値は透明基板の厚さtが300μm、入射角θが8°、開口率が24%における1.7418である。従って、光の利用効率Eが1以下であることを規定するためには、パラメータPの値は2以下であることが好ましく、より好適には1.75以下に規定すればよい。   Specifically, the light use efficiency E is defined as 1 or less. In FIG. 36, a light utilization efficiency of 1 with a relatively low parameter P is enclosed in a double frame. The lowest value among the parameters P corresponding to these values is 1.7418 when the thickness t of the transparent substrate is 300 μm, the incident angle θ is 8 °, and the aperture ratio is 24%. Therefore, in order to define that the light use efficiency E is 1 or less, the value of the parameter P is preferably 2 or less, and more preferably 1.75 or less.

図37のグラフが示す通り、パラメータPの値に対する光の利用効率Eの値はパラメータPの値が1.2程度までは大きく変化し、それ以降、変化が緩やかになりながら1に達する。従って、パラメータPの値が1.2程度になるまでは、透明基板102の厚さtを薄くし、放射角θを狭くすることは、大きな光学的効果の向上を生むが、パラメータPの値が1.2以上になると、t及びθの値の変化に対する光学的効果の向上が小さくなることがわかる。上記の通り、透明基板102の厚さtを薄くすることは、液晶表示装置の強度低下につながり、放射角θをより狭くすることは技術的に難しいため、図36、及び図37から大きな光学的効果を得られる範囲を導き出すことによって、より効率的な液晶表示装置の設計及び製造を行うことができる。   As shown in the graph of FIG. 37, the value of the light use efficiency E with respect to the value of the parameter P changes greatly until the value of the parameter P is about 1.2, and thereafter reaches 1 while gradually changing. Therefore, until the value of the parameter P reaches about 1.2, reducing the thickness t of the transparent substrate 102 and narrowing the radiation angle θ will greatly improve the optical effect. It can be seen that when the ratio is 1.2 or more, the improvement in optical effect with respect to changes in the values of t and θ is reduced. As described above, reducing the thickness t of the transparent substrate 102 leads to a decrease in strength of the liquid crystal display device, and it is technically difficult to narrow the radiation angle θ. By deriving a range where the effective effect can be obtained, a more efficient liquid crystal display device can be designed and manufactured.

以上のことから、パラメータPの値に対して最適な各数値の値を導き出すと、例えば、透明基板102の厚さtが300μmであって入射角θが8°であれば、開口径φが30μm、即ち開口率が9%であっても、0.8以上の光の利用効率Eを得ることができる。従来技術における半透過型液晶表示装置においては、開口率が9%であれば光の利用効率Eは0.09となり、バックライト光の利用効率が大きく低下してしまうため、このような低い開口率は現実的ではなかった。しかしながら、本実施形態による半透過型液晶表示装置においては開口率が9%であっても、0.8の光の利用効率Eを実現することができる。   From the above, when the optimum value of each numerical value is derived with respect to the value of the parameter P, for example, if the thickness t of the transparent substrate 102 is 300 μm and the incident angle θ is 8 °, the aperture diameter φ is Even when the aperture ratio is 30 μm, that is, the aperture ratio is 9%, a light utilization efficiency E of 0.8 or more can be obtained. In the transflective liquid crystal display device according to the prior art, if the aperture ratio is 9%, the light use efficiency E is 0.09, and the backlight light use efficiency is greatly reduced. The rate was not realistic. However, in the transflective liquid crystal display device according to the present embodiment, even when the aperture ratio is 9%, the light use efficiency E of 0.8 can be realized.

図36を参照すれば、透明基板の厚さtが薄く(例えば300μm以下)、入射角θが狭ければ(例えば5°以下)、開口率を9%よりも更に低くしても0.5以上の光の利用効率を得ることができることがわかる。従って、たとえば開口率を5%とすれば、反射光の利用効率を95%にすることができると共に、マイクロレンズアレイ200の効果によって高いバックライト光の利用効率を確保することができる。このように、透明基板102の厚さt、入射角θ、屈折率n、開口径φを要素とするパラメータPを定義することによって、最適な半透過型液晶表示装置の設計条件を容易に導き出すことができる。   Referring to FIG. 36, if the thickness t of the transparent substrate is thin (for example, 300 μm or less) and the incident angle θ is narrow (for example, 5 ° or less), even if the aperture ratio is further lower than 9%, 0.5 It can be seen that the above light utilization efficiency can be obtained. Therefore, for example, if the aperture ratio is 5%, the utilization efficiency of reflected light can be 95%, and high utilization efficiency of backlight light can be secured by the effect of the microlens array 200. As described above, by defining the parameter P having the thickness t, the incident angle θ, the refractive index n, and the aperture diameter φ of the transparent substrate 102 as elements, an optimum design condition of the transflective liquid crystal display device can be easily derived. be able to.

以上説明したように、本発明の実施の形態1にかかる液晶表示装置では、マイクロレンズアレイによる光学的効果を発揮させ、光の利用効率の向上を図った液晶表示装置及びその製造方法を提供することができ、少なくとも50%以上の光の利用効率を得ることができる。   As described above, the liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention provides a liquid crystal display device that exhibits the optical effect of the microlens array and improves the light utilization efficiency, and a method for manufacturing the same. The light utilization efficiency of at least 50% or more can be obtained.

尚、本実施の形態においては説明したパラメータPを用いて、半透過型液晶表示装置における最適な寸法を導き出すシステムを構築することができる。このようなシステムは、少なくとも条件入力部、計算部、結果表示部及び制御部を有する。条件入力部において、放射角θ、屈折率n、開口径φ及び透明基板の厚みtを入力すれば、計算部がパラメータPを用いてバックライト光の利用効率Eを計算し、結果表示部が利用効率Eの計算結果を表示する。これらの処理を制御部が制御する。   In the present embodiment, it is possible to construct a system for deriving optimum dimensions in the transflective liquid crystal display device using the parameter P described above. Such a system includes at least a condition input unit, a calculation unit, a result display unit, and a control unit. If the radiation angle θ, the refractive index n, the aperture diameter φ, and the transparent substrate thickness t are input in the condition input unit, the calculation unit calculates the backlight light utilization efficiency E using the parameter P, and the result display unit The calculation result of the utilization efficiency E is displayed. The control unit controls these processes.

また、所望のバックライト光の利用効率Eを入力し、上記のパラメータPを決定する数値のうち判明している数値を入力することによって、判明していない数値の最適な値を計算することも可能である。   It is also possible to calculate the optimum value of the unknown value by inputting the desired backlight light utilization efficiency E and inputting the known numerical value among the numerical values for determining the parameter P. Is possible.

実施の形態7.
本実施の形態においては実施の形態1において説明したバックライトユニットの他の態様を説明する。本実施形態にかかるバックライトユニットは面状光源を有する直下型バックライトユニットである。尚、実施の形態1と同様の符号を付す構成については実施の形態11と同一又は相当部を示し、説明を省略する。
Embodiment 7 FIG.
In the present embodiment, another aspect of the backlight unit described in the first embodiment will be described. The backlight unit according to this embodiment is a direct type backlight unit having a planar light source. In addition, about the structure which attaches | subjects the code | symbol similar to Embodiment 1, the same or equivalent part as Embodiment 11 is shown, and description is abbreviate | omitted.

図38は本実施形態にかかるバックライトユニット80を示す模式断面図である。本実施形態にかかるバックライトユニット80は透明基板81、隔壁82、金属電極83、有機EL材料84、透明電極85、透明基板86及びマイクロレンズ87を有する。透明基板81、86は例えばガラス、ポリカーボネイト、アクリル樹脂等により形成される。透明基板81上には隔壁82が形成され、当該隔壁82に沿って金属電極83が形成される。更に金属電極83の上から隔壁82で仕切られた内部に有機EL材料84が注入される。   FIG. 38 is a schematic cross-sectional view showing the backlight unit 80 according to the present embodiment. The backlight unit 80 according to this embodiment includes a transparent substrate 81, a partition wall 82, a metal electrode 83, an organic EL material 84, a transparent electrode 85, a transparent substrate 86, and a microlens 87. The transparent substrates 81 and 86 are made of, for example, glass, polycarbonate, acrylic resin, or the like. A partition wall 82 is formed on the transparent substrate 81, and a metal electrode 83 is formed along the partition wall 82. Further, an organic EL material 84 is injected into the interior partitioned by the partition wall 82 from above the metal electrode 83.

透明基板86上には透明電極85が形成され、当該透明電極85と有機EL材料84とが接触するように透明基板86を隔壁82に対して配置し、有機EL材料84を封止する。更に、個々の隔壁82のピッチに合わせ、透明基板86の外側にマイクロレンズ87を形成する。マイクロレンズ87の焦点は透明基板86の厚さと略等しく形成される。マイクロレンズ87は透明基板86とは別の透明基板に2P法で形成し、隔壁82のピッチとアライメントして接着しても良い。この場合、マイクロレンズ87の焦点は当該マイクロレンズ87が形成された基板の厚さと透明基板86の厚さとの和となる。   A transparent electrode 85 is formed on the transparent substrate 86. The transparent substrate 86 is disposed with respect to the partition wall 82 so that the transparent electrode 85 and the organic EL material 84 are in contact with each other, and the organic EL material 84 is sealed. Further, microlenses 87 are formed outside the transparent substrate 86 in accordance with the pitches of the individual partition walls 82. The focal point of the micro lens 87 is formed approximately equal to the thickness of the transparent substrate 86. The microlens 87 may be formed on a transparent substrate different from the transparent substrate 86 by the 2P method, and may be bonded in alignment with the pitch of the partition walls 82. In this case, the focal point of the micro lens 87 is the sum of the thickness of the substrate on which the micro lens 87 is formed and the thickness of the transparent substrate 86.

次にバックライトユニット80の動作を説明する。金属電極83と透明電極85との間に電圧をかけると有機EL材料84が発光する。個々の隔壁82内部で発光した光は透明電極85及び透明基板86を通過してマイクロレンズ87に入射する。マイクロレンズ87の焦点は透明基板86の厚さに略等しいので、マイクロレンズ87を通過することによって隔壁82内部で発光した光は平行光になる。マイクロレンズ87側に液晶パネル100を組み合わせることによって、液晶パネル100にバックライト光として平行光を照射することができる。   Next, the operation of the backlight unit 80 will be described. When a voltage is applied between the metal electrode 83 and the transparent electrode 85, the organic EL material 84 emits light. The light emitted inside each partition 82 passes through the transparent electrode 85 and the transparent substrate 86 and enters the microlens 87. Since the focal point of the micro lens 87 is substantially equal to the thickness of the transparent substrate 86, the light emitted inside the partition wall 82 through the micro lens 87 becomes parallel light. By combining the liquid crystal panel 100 on the microlens 87 side, the liquid crystal panel 100 can be irradiated with parallel light as backlight light.

以上説明したように、本発明の実施の形態2にかかる液晶表示装置では、好適に垂直偏光されたバックライト光を発光するバックライトユニットを有する液晶表示装置を提供することができる。   As described above, in the liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, it is possible to provide a liquid crystal display device having a backlight unit that emits a suitably vertically polarized backlight.

尚、図38においては、発光素子として有機EL材料が用いられているが、これに限定されるものではない。例えばカーボンナノチューブを用いてフィールドエミッション型の発光パネルとしても本実施の形態と同様の効果を得ることが可能である。   In FIG. 38, an organic EL material is used as the light emitting element, but the present invention is not limited to this. For example, a field emission type light-emitting panel using carbon nanotubes can achieve the same effect as this embodiment.

本発明にかかる液晶表示装置の断面図である。It is sectional drawing of the liquid crystal display device concerning this invention. 本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置の配線、反射電極及び透明電極の構成を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the structure of the wiring of the liquid crystal display device concerning embodiment of this invention, a reflective electrode, and a transparent electrode. 透明基板、マイクロレンズアレイ、リムの配置関係を示す平面図である。It is a top view which shows the positional relationship of a transparent substrate, a micro lens array, and a rim | limb. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズの機能を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the function of the micro lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる乾板描画時の様子示す斜視図である。It is a perspective view which shows the mode at the time of dry-plate drawing concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるマスターグレイスケールマスクを示す上面図である。It is a top view which shows the master gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるマザーグレイスケールマスク及びグレイスケールマスクの斜視図である。1 is a perspective view of a mother gray scale mask and a gray scale mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing process of the gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造工程を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows the manufacturing process of the gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the manufacturing process of the gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明に実施の形態にかかる単位レンズ通過後の露光光強度の強度分布を示すグラフである。It is a graph which shows intensity distribution of exposure light intensity after passing a unit lens concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの断面図であるIt is sectional drawing of the mother gray scale mask with a lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの製造工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the manufacturing process of the mother gray scale mask with a lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる液晶表示パネル基板へのマイクロレンズの形成工程を表す図である。It is a figure showing the formation process of the micro lens to the liquid crystal display panel substrate concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる液晶パネル基板のマザー基板の平面図である、FIG. 2 is a plan view of a mother substrate of a liquid crystal panel substrate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造工程を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the manufacturing process of the gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるグレイスケールマスクの製造工程を示す拡大斜視図である。It is an expansion perspective view which shows the manufacturing process of the gray scale mask concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの断面図である。It is sectional drawing of the mother gray scale mask with a lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる液晶表示パネルへのマイクロレンズの形成工程を表す断面図である。It is sectional drawing showing the formation process of the micro lens to the liquid crystal display panel concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる露光用基板を示す図であるIt is a figure which shows the board | substrate for exposure concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの断面図である。It is sectional drawing of the mother gray scale mask with a lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるレンズ付きマザーグレイスケールマスクの断面図である。It is sectional drawing of the mother gray scale mask with a lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる透明基板上にマイクロレンズアレイを形成する工程の部材配置を示した図である。It is the figure which showed the member arrangement | positioning of the process of forming a microlens array on the transparent substrate concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる透明基板上にマイクロレンズアレイを形成する工程の露光光の概要を示した図である。It is the figure which showed the outline | summary of the exposure light of the process of forming a microlens array on the transparent substrate concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズの断面図である。It is sectional drawing of the microlens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズの真球度の測定例を示すグラフである。It is a graph which shows the example of a measurement of the sphericity of the micro lens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズ及びマイクロレンズアレイの斜視図である。1 is a perspective view of a microlens and a microlens array according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施の形態にかかる液晶表示装置と比較例及び従来例にかかる液晶表示装置との各特性を比較した表である。It is the table | surface which compared each characteristic of the liquid crystal display device concerning embodiment of this invention, the liquid crystal display device concerning a comparative example, and a prior art example. 本発明の実施の形態にかかる液晶パネル及びバックライトユニットを表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the liquid crystal panel and backlight unit concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態にかかるプリズムシートを表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the prism sheet concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズの集光効果について、透明基板の厚さによる集光点の違いを表す模式図である。It is a schematic diagram showing the difference of the condensing point by the thickness of a transparent substrate about the condensing effect of the microlens concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるプリズムシートによる垂直偏光後の光の強度分布を表すグラフである。It is a graph showing the intensity distribution of the light after perpendicularly polarized light by the prism sheet concerning an embodiment of the invention. 本発明の実施の形態にかかる画素電極と、マイクロレンズによって集光された光が当該画素電極に到達した時の光束のスポット径を現す平面図である。It is a top view showing the spot diameter of the light beam when the pixel electrode concerning embodiment of this invention and the light condensed by the micro lens arrived at the said pixel electrode. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズによって集光された光が画素電極に到達した時の光の強度分布を、垂直成分を1として規格化して示すグラフである。It is a graph which normalizes the intensity distribution of the light when the light condensed by the microlens concerning embodiment of this invention reaches | attains a pixel electrode, making a perpendicular component into 1. FIG. 本発明の実施の形態にかかるマイクロレンズによって集光された光が画素電極に到達した時の、光の強度分布を示すグラフである。It is a graph which shows intensity distribution of light when the light condensed by the micro lens concerning an embodiment of the invention arrives at a pixel electrode. 本発明の実施の形態にかかる光の利用効率とパラメータとの対応を示す数値である。It is a numerical value which shows the response | compatibility with the utilization efficiency of light and parameter concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかる光の利用効率とパラメータとの関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the utilization efficiency of light and a parameter concerning embodiment of this invention. 本発明の実施の形態にかかるバックライトユニットを示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows the backlight unit concerning embodiment of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

60 描画装置、61 描画装置本体、62 光源、63 アーム、
70 バックライトユニット、71 バックライト光源、72 導光板、
73 プリズムシート、80 バックライトユニット、81 透明基板、82 隔壁、
83 金属電極、84 有機EL材料、85 透明電極、86 透明基板、
87 マイクロレンズ、100 液晶パネル、101、102 透明基板、
103 液晶層、104 カラーフィルタ層、105 ブラックマトリクス、
106 透明電極、107 配向膜、108 TFT素子、109 偏光板、
110 スペーサ、161 画素電極、161a 開口部、161b 反射部、
162 配線、200 マイクロレンズアレイ、201 リム、
202 マイクロレンズ、210 ネガ型レジスト層、211 光硬化性樹脂、
220 スタンパ、300 露光用基板、301 露光用マイクロレンズ、
302 遮光パターン、400 グレイスケールマスク、401 グレイスケール、
401a レンズ形成用領域、401b 遮光領域、401c 透過領域、
402 支持基板、403 露光用マイクロレンズ、
404、404a、404b 転写パターン、410 ネガ型レジスト層、
420 部材、421 凸部、423 凹部、424 リム、430 乾板、
450 エマルジョンプレート、460 レンズ付きマザーグレイスケールマスク、
461 レンズ付きマザーグレイスケールマスク、500 アライメント用基板、
501 領域マーク、502 アライメントマーク、
600 マスターグレイスケールマスク、601 マスターパターン、
602 アライメントマーク、800 アライメント用基板、801 開口部、
802 アライメントマーク、900 マスターグレイスケールマスク、
901 マスターパターン、902 アライメントマーク、1000 マザー基板、
4000 マザーグレイスケールマスク
60 drawing device, 61 drawing device main body, 62 light source, 63 arm,
70 backlight unit, 71 backlight light source, 72 light guide plate,
73 prism sheet, 80 backlight unit, 81 transparent substrate, 82 partition,
83 metal electrode, 84 organic EL material, 85 transparent electrode, 86 transparent substrate,
87 micro lens, 100 liquid crystal panel, 101, 102 transparent substrate,
103 liquid crystal layer, 104 color filter layer, 105 black matrix,
106 transparent electrode, 107 alignment film, 108 TFT element, 109 polarizing plate,
110 spacer, 161 pixel electrode, 161a opening, 161b reflector,
162 wiring, 200 microlens array, 201 rim,
202 microlens, 210 negative resist layer, 211 photocurable resin,
220 stamper, 300 exposure substrate, 301 exposure microlens,
302 shading pattern, 400 grayscale mask, 401 grayscale,
401a lens forming area, 401b light shielding area, 401c transmission area,
402 support substrate, 403 microlens for exposure,
404, 404a, 404b transfer pattern, 410 negative resist layer,
420 member, 421 convex part, 423 concave part, 424 rim, 430 dry plate,
450 emulsion plate, mother gray scale mask with 460 lens,
461 Mother gray scale mask with lens, 500 alignment substrate,
501 area mark, 502 alignment mark,
600 master gray scale mask, 601 master pattern,
602 alignment mark, 800 alignment substrate, 801 opening,
802 alignment mark, 900 master gray scale mask,
901 Master pattern, 902 alignment mark, 1000 mother board,
4000 mother gray scale mask

Claims (13)

光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、
板状の透明基板上にフォトエマルジョンを塗布して乾板を形成するステップと、
前記濃淡模様に対応して8階調以上128階調以下の強度変調を行ったレーザー光を前記乾板に照射するステップと、
を備えるグレイスケールマスクの製造方法。
A method of manufacturing a gray scale mask having a shading pattern corresponding to a change in light transmittance,
Applying a photoemulsion on a plate-like transparent substrate to form a dry plate;
Irradiating the dry plate with laser light that has been intensity-modulated with 8 to 128 gradations corresponding to the shading pattern;
A gray scale mask manufacturing method comprising:
光透過率の分布を有する光学部品を露光により形成する場合に用いられ、光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクの製造方法であって、
板状の透明基板上に乳剤を塗布した乾板に、前記濃淡模様に対応して8階調以上128階調以下の強度変調を行ったレーザー光を前記乾板の乳剤塗布面に照射する、グレイスケールマスクの製造方法。
A method for producing a gray scale mask having a shading pattern corresponding to a change in light transmittance, which is used when an optical component having a light transmittance distribution is formed by exposure,
A gray scale that irradiates a dry plate coated with an emulsion on a plate-shaped transparent substrate with a laser beam that has been subjected to intensity modulation of 8 gradations to 128 gradations corresponding to the shading pattern on the emulsion coating surface of the dry plate. Mask manufacturing method.
1つのマイクロレンズに対応したパターンの中心を原点として、前記グレイスケールマスクの主面上の座標位置をx及びyで表し、前記パターンを通過した光の当該グレイスケールマスクの主面における光強度分布をZで表し、Cを任意の実数とし、mを任意の自然数とし、k=0、若しくはkを任意の正の実数とするとき、
条件
Figure 2007304621
を満たすことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のグレイスケールマスクの製造方法。
The coordinate position on the main surface of the gray scale mask is represented by x and y with the center of the pattern corresponding to one microlens as the origin, and the light intensity distribution on the main surface of the gray scale mask of the light passing through the pattern Is represented by Z, C n is an arbitrary real number, m is an arbitrary natural number, k = 0, or k is an arbitrary positive real number,
conditions
Figure 2007304621
The method of manufacturing a gray scale mask according to claim 1, wherein:
フィルターを介して強度が減衰された前記レーザー光を前記乾板に照射することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のグレイスケールマスクの製造方法。   4. The method of manufacturing a gray scale mask according to claim 1, wherein the dry plate is irradiated with the laser light whose intensity is attenuated through a filter. 5. 板状の透明基板上にフォトエマルジョンが塗布され現像され光透過率の変化に対応する8階調以上128階調以下の濃淡模様を有するマザーグレイスケールマスクであって、
前記透明基板上に塗布されたフォトエマルジョンが露光及び現像され前記透明基板上に形成された前記濃淡模様は、円又は多角形の形状が連続して配置された模様であり、
前記濃淡模様に含まれる一つの円又は多角形の模様は、中心から外側に向けて光透過率が順次増加又は減少していることを特徴とするマザーグレイスケールマスク。
A mother gray scale mask having a light and shade pattern of 8 gradations or more and 128 gradations or less corresponding to a change in light transmittance by applying a photoemulsion on a plate-like transparent substrate and developing,
The shading pattern formed on the transparent substrate by exposure and development of the photoemulsion coated on the transparent substrate is a pattern in which circular or polygonal shapes are continuously arranged,
The mother gray scale mask, wherein one circle or polygonal pattern included in the shading pattern has a light transmittance increasing or decreasing sequentially from the center toward the outside.
液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられるマザーグレイスケールマスクの製造に用いられるグレイスケールマスクの製造方法であって、
板状の透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された第1乾板に8階調以上128階調以下の範囲で強度変調されたレーザー光を照射し、光透過率が規則的に変化する複数のパターンを前記第1乾板に2次元状に形成する、グレイスケールマスクの製造方法。
A grayscale mask manufacturing method used for manufacturing a mother grayscale mask used when forming a microlens array on a liquid crystal panel substrate,
A plurality of patterns in which light transmittance is regularly changed by irradiating a first dry plate having a photoemulsion coated on a plate-like transparent substrate with laser light whose intensity is modulated in the range of 8 to 128 gradations. Is formed on the first dry plate two-dimensionally.
フィルターを介して前記レーザー光の強度を減衰させ、前記レーザー光を前記第1乾板に照射することを特徴とする請求項6に記載のグレイスケールマスクの製造方法。   7. The method of manufacturing a gray scale mask according to claim 6, wherein the intensity of the laser beam is attenuated through a filter and the first dry plate is irradiated with the laser beam. 請求項6に記載のグレイスケールマスクを用いた前記マザーグレイスケールマスクの製造方法であって、
請求項6記載のグレイスケールマスクを介して前記第2乾板を露光するステップを繰り返し、請求項6記載のグレイススケールマスクに形成されたパターンに対応したパターンを複数有するマザーグレイスケールマスクを形成する、マザーグレイスケールマスクの製造方法。
A method for manufacturing the mother grayscale mask using the grayscale mask according to claim 6,
The step of exposing the second dry plate through the gray scale mask according to claim 6 is repeated to form a mother gray scale mask having a plurality of patterns corresponding to the pattern formed on the grace scale mask according to claim 6. Mother gray scale mask manufacturing method.
前記第2乾板上に設けられたアライメントマークを利用して、前記第2乾板に対して前記グレイススケールマスクを位置決めすることを特徴とする請求項8に記載のマザーグレイスケールマスクの製造方法。   9. The method of manufacturing a mother gray scale mask according to claim 8, wherein the grace scale mask is positioned with respect to the second dry plate using an alignment mark provided on the second dry plate. 前記アライメントマークは、前記第2乾板上に配置されるアライメント用基板に設けられることを特徴とする請求項9に記載のマザーグレイスケールマスクの製造方法。   The method for manufacturing a mother gray scale mask according to claim 9, wherein the alignment mark is provided on an alignment substrate disposed on the second dry plate. 液晶パネル用基板上にマイクロレンズアレイを形成する際に用いられ、かつ互いに離間して配置された複数のグレイスケールを備える板状のマザーグレイスケールマスクであって、
複数の前記グレイスケール同士の間は、光透過率が低い遮光領域又は光透過率が高い非遮光領域であり、
複数の前記グレイスケールのそれぞれは、光透過率が8階調以上128階調以下の範囲で規則的に変化する複数のレンズ形成用領域を有する、マザーグレイスケールマスク。
A plate-like mother gray scale mask that is used when forming a microlens array on a liquid crystal panel substrate and includes a plurality of gray scales spaced apart from each other,
Between the plurality of gray scales is a light shielding region with low light transmittance or a non-light shielding region with high light transmittance,
Each of the plurality of gray scales is a mother gray scale mask having a plurality of lens forming regions whose light transmittance regularly changes in a range of 8 gradations to 128 gradations.
複数の前記レンズ形成用領域のそれぞれは、外周から中心に向かって光透過率が増加又は減少する分布を有し、
複数の前記レンズ形成用領域同士の境界部分は、光透過率が低い遮光領域又は光透過率が高い非遮光領域であることを特徴とする請求項11に記載のマザーグレイスケールマスク。
Each of the plurality of lens forming regions has a distribution in which light transmittance increases or decreases from the outer periphery toward the center,
The mother gray scale mask according to claim 11, wherein a boundary portion between the plurality of lens forming regions is a light shielding region having a low light transmittance or a non-light shielding region having a high light transmittance.
光透過率の変化に対応した濃淡模様を有するグレイスケールマスクであって、
板状の透明基板上にフォトエマルジョンが塗布された乾板と、
8階調以上128階調以下の範囲で強度変調されたレーザー光の照射に基づいて前記乾板に形成され、レーザー光の強度変調数に対応した光透過率の分布を有する複数の濃淡模様と、
を備えるグレイスケールマスク。
A gray scale mask having a shading pattern corresponding to a change in light transmittance,
A dry plate in which a photoemulsion is applied on a plate-like transparent substrate;
A plurality of shading patterns formed on the dry plate based on irradiation of laser light whose intensity is modulated in the range of 8 gradations to 128 gradations and having a light transmittance distribution corresponding to the number of intensity modulations of the laser light;
Grayscale mask with
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