JP2007302968A - Method for manufacturing plated substrate - Google Patents

Method for manufacturing plated substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2007302968A
JP2007302968A JP2006133872A JP2006133872A JP2007302968A JP 2007302968 A JP2007302968 A JP 2007302968A JP 2006133872 A JP2006133872 A JP 2006133872A JP 2006133872 A JP2006133872 A JP 2006133872A JP 2007302968 A JP2007302968 A JP 2007302968A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
catalyst
layer
solution
electroless plating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006133872A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Satoshi Kimura
里至 木村
Takeshi Kijima
健 木島
Hidemichi Furuhata
栄道 降旗
Toshihiko Kaneda
敏彦 金田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006133872A priority Critical patent/JP2007302968A/en
Publication of JP2007302968A publication Critical patent/JP2007302968A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a plated substrate, by which a metal layer having a fine pattern can be formed with good precision. <P>SOLUTION: The method for manufacturing the plated substrate 100 is based on an electroless plating method and includes a process for forming a catalyst layer on a substrate by dipping the substrate into a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid and a process for forming a metal layer by depositing a metal on an area, where the catalyst layer is not formed, by dipping the substrate in an electroless plating solution. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、めっき基板の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a plated substrate.

近年の電子機器の高速化・高密度化に伴い、基板上に金属層を有するめっき基板の製造方法としてアディティブ法が注目を集めている。アディティブ法では、基板上に設けたフォトレジストをパターニングしてめっきレジストを形成し、めっきレジストの開口部にめっき処理を行うことにより金属層を析出させる方法が知られている。特許文献1は、このようにめっきレジストを用いてめっき処理を行うための無電解めっき液を開示している。   With the recent increase in speed and density of electronic devices, the additive method has attracted attention as a method for producing a plated substrate having a metal layer on the substrate. In the additive method, a method is known in which a photoresist provided on a substrate is patterned to form a plating resist, and a metal layer is deposited by performing plating on the opening of the plating resist. Patent document 1 is disclosing the electroless-plating liquid for performing a plating process using a plating resist in this way.

この方法によれば、めっきレジストを最終的に除去する工程が必要となるので、製造工程数が多いことが課題となっていた。そこで、めっきレジストを使用しないで金属層を析出させる方法が注目されている。   According to this method, a step of finally removing the plating resist is required, and thus the number of manufacturing steps is a problem. Therefore, a method of depositing a metal layer without using a plating resist has attracted attention.

一般に、無電解めっき法により金属層を析出させるためには、無電解めっき液に基板を浸漬する。この無電解めっき液に含まれる金属コロイド粒子が基板上に析出して金属微粒子(めっき粒子)となり、これらが集合して金属層を形成する。そのため金属コロイド粒子に起因する金属微粒子の粒径が金属層の最小単位となる。したがって、めっきレジストを使用しないで金属層を析出させる方法を用いた場合に、微細パターンを精度良く形成するためには、無電解めっき液中の金属コロイド粒子の粒径を、配線の幅に適した大きさに調整することが重要である。
特開平10−140364号公報
Generally, in order to deposit a metal layer by an electroless plating method, the substrate is immersed in an electroless plating solution. Metal colloidal particles contained in the electroless plating solution are deposited on the substrate to form metal fine particles (plating particles), and these aggregate to form a metal layer. Therefore, the particle size of the metal fine particles resulting from the metal colloid particles is the minimum unit of the metal layer. Therefore, when using a method in which a metal layer is deposited without using a plating resist, the particle size of the metal colloid particles in the electroless plating solution is suitable for the width of the wiring in order to accurately form a fine pattern. It is important to adjust the size.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-140364

本発明の目的は、微細パターンを精度良く形成するめっき基板の製造方法を提供することにある。   The objective of this invention is providing the manufacturing method of the plating substrate which forms a fine pattern accurately.

本発明にかかるめっき基板の製造方法は、
金属を析出させる無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
(a)パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む触媒溶液に基板を浸漬することにより、当該基板上に触媒層を設ける工程と、
(b)無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層の形成されていない領域に金属を析出させて金属層を設ける工程と、を含む。
The method for producing a plated substrate according to the present invention includes:
A method for producing a plated substrate by an electroless plating method for depositing metal,
(A) providing a catalyst layer on the substrate by immersing the substrate in a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
(B) immersing the substrate in an electroless plating solution to deposit a metal in a region where the catalyst layer is not formed to provide a metal layer.

このように、触媒層の形成領域と金属層の形成領域とを異なる領域にすることにより、微細なめっき粒子を基板上に吸着させることができる。即ち、めっき粒子を析出させる領域と、吸着させる領域とを異ならせることによって、微細なめっき粒子であっても基板上に安定的に吸着させることができる。したがって、微細パターンの金属層を形成することができる。   Thus, by making the formation region of the catalyst layer different from the formation region of the metal layer, fine plating particles can be adsorbed on the substrate. That is, by making the region for depositing plating particles different from the region for adsorption, even fine plating particles can be stably adsorbed on the substrate. Therefore, a metal layer having a fine pattern can be formed.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記触媒溶液は、pH4.0〜pH6.9に調整されたものであることができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The catalyst solution may be adjusted to pH 4.0 to pH 6.9.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記無電解めっき液は、pH2.5〜PH4.0に調整されたものであることができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The electroless plating solution may be adjusted to pH 2.5 to PH 4.0.

このように、無電解めっき液のpHを規定することにより、めっき粒子を微細化することができるため、微細パターンの金属層を形成することができる。   Thus, by defining the pH of the electroless plating solution, the plating particles can be made finer, so that a metal layer with a fine pattern can be formed.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記無電解めっき液は、ニッケルを含むことができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The electroless plating solution may contain nickel.

本発明にかかるめっき基板の製造方法は、
金属を析出させる無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
(a)当該基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、
(b)pH2.5〜PH4.0に調整された無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層の形成されていない領域に所定のパターンの金属層を設ける工程と、
を含む。
The method for producing a plated substrate according to the present invention includes:
A method for producing a plated substrate by an electroless plating method for depositing metal,
(A) providing a catalyst layer in a region other than the predetermined pattern on the substrate;
(B) a step of providing a metal layer having a predetermined pattern in a region where the catalyst layer is not formed by immersing the substrate in an electroless plating solution adjusted to pH 2.5 to PH 4.0;
including.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記無電解めっき液は、ニッケルを含むことができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The electroless plating solution may contain nickel.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記基板上に所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシランカップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む混合水溶液からなる触媒溶液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層および触媒層を除去する工程と、を含むことができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The step (a)
Providing a resist layer having a predetermined pattern on the substrate;
Providing a catalyst adsorbing layer containing a surfactant or a silane coupling agent on the substrate;
Providing a catalyst layer on the catalyst adsorption layer by immersing the substrate in a catalyst solution comprising a mixed aqueous solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
Removing the resist layer to remove the catalyst adsorption layer and the catalyst layer of the predetermined pattern.

本発明にかかるめっき基板の製造方法において、
前記工程(a)は、
前記基板上に所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシランカップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層を除去する工程と、
パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む混合水溶液からなる触媒溶液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
を含むことができる。
In the method for producing a plated substrate according to the present invention,
The step (a)
Providing a resist layer having a predetermined pattern on the substrate;
Providing a catalyst adsorbing layer containing a surfactant or a silane coupling agent on the substrate;
Removing the resist adsorption layer of the predetermined pattern by removing the resist layer;
Providing a catalyst layer on the catalyst adsorption layer by immersing the substrate in a catalyst solution comprising a mixed aqueous solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
Can be included.

以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

1.めっき基板の製造方法
図1〜図8は、本実施の形態にかかるめっき基板100(図8参照)の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用してめっき基板を製造する。
1. Method for Manufacturing Plated Substrate FIGS. 1 to 8 are diagrams showing a method for manufacturing a plated substrate 100 (see FIG. 8) according to the present embodiment. In the present embodiment, a plating substrate is manufactured by applying electroless plating.

(1)まず、基板10を用意する。基板10は、図2に示すように絶縁基板であってもよい。後述する工程により絶縁基板上に金属層を形成することによって、配線基板を製造することができる。あるいは、基板10は、可視光を透過する光透過性基板(例えば透明基板)であってもよい。後述する工程により光透過性基板上に金属層を形成することによって、たとえば偏光板のような光学素子基板を製造することができる。   (1) First, the substrate 10 is prepared. The substrate 10 may be an insulating substrate as shown in FIG. A wiring substrate can be manufactured by forming a metal layer on an insulating substrate by a process described later. Alternatively, the substrate 10 may be a light transmissive substrate (for example, a transparent substrate) that transmits visible light. An optical element substrate such as a polarizing plate can be produced by forming a metal layer on the light transmissive substrate by a process described later.

また基板10は、有機系基板(例えばプラスチック材、樹脂基板)であってもよいし、無機系基板(例えば石英ガラス、シリコンウエハ、酸化物層)であってもよい。プラスチック材としては、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリカーボネイト、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。基板10は、単層のみならず、ベース基板上に少なくとも1層の絶縁層が形成されている多層のものも含む。本実施の形態では、基板10上に金属層を形成する。また基板10の表面には、凹凸がないことが好ましく、たとえば凹凸の高さが10nm未満であることが望ましい。   The substrate 10 may be an organic substrate (for example, a plastic material or a resin substrate) or an inorganic substrate (for example, quartz glass, a silicon wafer, or an oxide layer). Examples of the plastic material include polyimide, polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyphenylene sulfide, and polyethylene terephthalate. The substrate 10 includes not only a single layer but also a multilayer substrate in which at least one insulating layer is formed on a base substrate. In this embodiment, a metal layer is formed over the substrate 10. Further, it is preferable that the surface of the substrate 10 is not uneven, and for example, the height of the unevenness is preferably less than 10 nm.

ついで、基板10上に所定のパターンのレジスト層22を形成する。レジスト(図示せず)を基板10の上面に塗布した後、リソグラフィ法により該レジストをパターニングすることにより、図2に示すように、レジスト層22を形成することができる。ここで所定のパターンは、金属層34の形成を所望する領域の形状であって、任意の形状とすることができる。   Next, a resist layer 22 having a predetermined pattern is formed on the substrate 10. A resist layer 22 can be formed as shown in FIG. 2 by applying a resist (not shown) to the upper surface of the substrate 10 and then patterning the resist by a lithography method. Here, the predetermined pattern is a shape of a region where formation of the metal layer 34 is desired, and can be an arbitrary shape.

(2)次に、基板10を洗浄する。基板10の洗浄は、ドライ洗浄でもよいし、ウエット洗浄でもよいが、ドライ洗浄がより好ましい。ドライ洗浄にすることによって、剥離等のレジスト層22に与えるダメージを防止することができる。   (2) Next, the substrate 10 is cleaned. The substrate 10 may be cleaned by dry cleaning or wet cleaning, but dry cleaning is more preferable. By performing dry cleaning, damage to the resist layer 22 such as peeling can be prevented.

ドライ洗浄は、図2に示すように、真空紫外線ランプを用いて、窒素雰囲気下において、30秒〜900秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。基板10を洗浄することによって、基板10の表面に付着している油脂などの汚れを除去することができる。また、基板10およびレジスト層22の表面を撥水性から親水性に変化させることができる。また、基板10の液中表面電位が負電位であれば、基板10の洗浄により均一な負電位面を形成することができる。   As shown in FIG. 2, the dry cleaning can be performed by irradiating with vacuum ultraviolet rays for 30 seconds to 900 seconds in a nitrogen atmosphere using a vacuum ultraviolet lamp. By cleaning the substrate 10, dirt such as oil and fat adhering to the surface of the substrate 10 can be removed. Further, the surfaces of the substrate 10 and the resist layer 22 can be changed from water-repellent to hydrophilic. Moreover, if the surface potential in the liquid of the substrate 10 is a negative potential, a uniform negative potential surface can be formed by cleaning the substrate 10.

ウエット洗浄は、例えば、基板10をオゾン水(オゾン濃度10ppm〜20ppm)に室温状態で5分〜30分程度浸漬することで行うことができる。またドライ洗浄は、真空紫外線ランプ(波長172nm、出力10mW、試料間距離1mm)を用いて、窒素雰囲気下において、30秒〜900秒間、真空紫外線を照射して行うことができる。   The wet cleaning can be performed, for example, by immersing the substrate 10 in ozone water (ozone concentration 10 ppm to 20 ppm) at room temperature for about 5 minutes to 30 minutes. Dry cleaning can be performed by irradiating with vacuum ultraviolet rays for 30 seconds to 900 seconds in a nitrogen atmosphere using a vacuum ultraviolet lamp (wavelength 172 nm, output 10 mW, distance between samples 1 mm).

(3)次に、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を含む触媒吸着層24を基板10上に形成する。   (3) Next, the catalyst adsorption layer 24 containing a surfactant or a silane coupling agent is formed on the substrate 10.

まず、図3に示すように、界面活性剤またはシラン系カップリング剤を溶解した触媒吸着溶液14に基板10を浸漬する。基板10の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板10に吸着しやすいからである。カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤(例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等)などを用いることができる。   First, as shown in FIG. 3, the substrate 10 is immersed in a catalyst adsorption solution 14 in which a surfactant or a silane coupling agent is dissolved. When the surface potential in the liquid on the surface of the substrate 10 is a negative potential, it is preferable to apply a cationic surfactant. This is because the cationic surfactant is more easily adsorbed to the substrate 10 than other surfactants. Examples of cationic surfactants include water-soluble surfactants containing aminosilane components and alkylammonium surfactants (eg, cetyltrimethylammonium chloride, cetyltrimethylammonium bromide, cetyldimethylammonium bromide, etc.). Can be used.

触媒吸着溶液14に含まれるシラン系カップリング剤としては、たとえばヘキサメチルジシラザンを用いることができる。浸漬時間は、例えば、1分〜10分程度とすることができる。   As the silane coupling agent contained in the catalyst adsorption solution 14, for example, hexamethyldisilazane can be used. The immersion time can be set to about 1 to 10 minutes, for example.

次いで、界面活性剤溶液から基板10を取り出し、超純水で洗浄する。その後、基板10を、例えば、室温下で自然乾燥、または、圧縮空気を吹き付けて水滴を除去した後、90℃〜120℃のオーブン内に10分〜1時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、図4に示すように、触媒吸着層24を基板10に設けることができる。このとき、界面活性剤としてカチオン系界面活性剤を適用した場合には、基板10の液中表面電位は吸着前よりも正電位側にシフトしている。   Next, the substrate 10 is taken out from the surfactant solution and washed with ultrapure water. Thereafter, the substrate 10 is naturally dried at room temperature, for example, or sprayed with compressed air to remove water droplets, and then left in an oven at 90 ° C. to 120 ° C. for about 10 minutes to 1 hour to be dried. Through the above steps, the catalyst adsorption layer 24 can be provided on the substrate 10 as shown in FIG. At this time, when a cationic surfactant is applied as the surfactant, the surface potential in the liquid of the substrate 10 is shifted to the positive potential side than before the adsorption.

(4)次に、図5に示すように、触媒溶液30に基板10を浸漬する。触媒溶液30は、無電解めっきの触媒として機能する触媒成分を含む。触媒成分としては、たとえばパラジウムを用いることができる。   (4) Next, as shown in FIG. 5, the substrate 10 is immersed in the catalyst solution 30. The catalyst solution 30 includes a catalyst component that functions as a catalyst for electroless plating. As the catalyst component, for example, palladium can be used.

たとえば、以下の手順により触媒溶液30を作製することができる。
(4a)純度99.99%のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が0.1〜0.5g/lの塩化パラジウム溶液とする。ここで塩酸と過酸化水素水と水の混合溶液は、水600mlに対し、35%塩酸を50ml〜200ml、30%過酸化水素水を50ml〜200ml添加したものであることが好ましい。
(4b)上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を0.01g/l〜0.05g/lとする。ここで添加する水と過酸化水素水の混合比は、水250mlに対し、30%過酸化水素水5ml〜30mlであることが好ましい。
(4c)水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のpHを4.0〜6.9に調整する。このように調整することにより、触媒層を形成するのに適した触媒溶液とすることができる。
For example, the catalyst solution 30 can be produced by the following procedure.
(4a) Palladium pellets having a purity of 99.99% are dissolved in a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution, and water to obtain a palladium chloride solution having a palladium concentration of 0.1 to 0.5 g / l. Here, it is preferable that the mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution and water is obtained by adding 50 ml to 200 ml of 35% hydrochloric acid and 50 ml to 200 ml of 30% hydrogen peroxide solution to 600 ml of water.
(4b) The palladium concentration is adjusted to 0.01 g / l to 0.05 g / l by further diluting the above palladium chloride solution with water and hydrogen peroxide. The mixing ratio of water and hydrogen peroxide solution added here is preferably 5 to 30 ml of 30% hydrogen peroxide solution with respect to 250 ml of water.
(4c) The pH of the palladium chloride solution is adjusted to 4.0 to 6.9 using an aqueous sodium hydroxide solution or the like. By adjusting in this way, it can be set as the catalyst solution suitable for forming a catalyst layer.

なお、触媒溶液30は、最終的に上述したpHを有していればよく、各溶液の添加の順序は特に限定されず、たとえば水酸化ナトリウム水溶液によりpHを調整した後に過酸化水素水を添加してもよい。   The catalyst solution 30 may finally have the pH described above, and the order of addition of each solution is not particularly limited. For example, after adjusting the pH with an aqueous sodium hydroxide solution, hydrogen peroxide solution is added. May be.

触媒溶液30に浸漬した後、基板10を水洗してもよい。水洗は、純水によって行われることができる。この水洗によって、触媒の残渣が後述する無電解めっき液に混入するのを防止することができる。   After dipping in the catalyst solution 30, the substrate 10 may be washed with water. The washing with water can be performed with pure water. This washing with water can prevent catalyst residues from being mixed into the electroless plating solution described later.

以上の工程により、触媒層31が形成される。触媒層31は、図6に示すように、基板10およびレジスト層22上の触媒吸着層24の上面に形成される。   Through the above steps, the catalyst layer 31 is formed. As shown in FIG. 6, the catalyst layer 31 is formed on the upper surface of the catalyst adsorption layer 24 on the substrate 10 and the resist layer 22.

(5)次に、基板10上のレジスト層22を除去する。具体的には、図7に示すように、所定のパターンのレジスト層22を除去する。ここでレジスト層22は、たとえばアセトン等を用いて除去することができる。レジスト層22上に設けられた触媒吸着層24および触媒層31もレジスト層22とともに除去される。これにより、所定のパターン以外の領域のみに触媒吸着層26および触媒層32を形成することができる。   (5) Next, the resist layer 22 on the substrate 10 is removed. Specifically, as shown in FIG. 7, the resist layer 22 having a predetermined pattern is removed. Here, the resist layer 22 can be removed using, for example, acetone. The catalyst adsorption layer 24 and the catalyst layer 31 provided on the resist layer 22 are also removed together with the resist layer 22. Thereby, the catalyst adsorption layer 26 and the catalyst layer 32 can be formed only in regions other than the predetermined pattern.

(6)次に、所定のパターンの金属層34を形成する(図8参照)。言い換えれば、基板10上の触媒層32が形成されていない領域に金属層34を形成する。具体的には、基板10を無電解めっき液に浸漬させることによって、触媒層32が形成されていない領域に金属層34を析出させることができる。無電解めっき液は、基板10上にめっき粒子として析出する際、めっき粒子の平均粒径が20nm〜50nmになるように調整されることが好ましい。   (6) Next, a metal layer 34 having a predetermined pattern is formed (see FIG. 8). In other words, the metal layer 34 is formed in a region on the substrate 10 where the catalyst layer 32 is not formed. Specifically, the metal layer 34 can be deposited in a region where the catalyst layer 32 is not formed by immersing the substrate 10 in an electroless plating solution. The electroless plating solution is preferably adjusted so that the average particle diameter of the plating particles is 20 nm to 50 nm when deposited as plating particles on the substrate 10.

具体的に無電解めっき液としては、酸性で使用するタイプとアルカリ性で使用するタイプがあるが、本実施の形態では酸性で使用するタイプのものを適用する。金属層34としてニッケル層を析出させる場合には、無電解めっき液は、たとえばニッケルと、還元剤と、錯化剤等を含む。具体的には、無電解めっき液としては、硫酸ニッケル6水和物または塩化ニッケル6水和物が主体であり、次亜燐酸ナトリウムが還元剤として含まれたものを用いることができる。また、本実施の形態では、無電解めっき液をpH2.5〜pH4.0に調整する。市販されている無電解めっき液は、通常pH4.5〜5程度であるため、この無電解めっき液に、硫酸または塩酸等の強酸試薬を添加することによりpHを調整することができる。また、還元剤の添加量等を変更することによってもpHを調整することができる。   Specifically, the electroless plating solution includes an acidic type and an alkaline type, but in this embodiment, an acidic type is used. When the nickel layer is deposited as the metal layer 34, the electroless plating solution contains, for example, nickel, a reducing agent, a complexing agent, and the like. Specifically, as the electroless plating solution, a solution mainly composed of nickel sulfate hexahydrate or nickel chloride hexahydrate and containing sodium hypophosphite as a reducing agent can be used. In the present embodiment, the electroless plating solution is adjusted to pH 2.5 to pH 4.0. Since a commercially available electroless plating solution usually has a pH of about 4.5 to 5, the pH can be adjusted by adding a strong acid reagent such as sulfuric acid or hydrochloric acid to the electroless plating solution. Moreover, pH can be adjusted also by changing the addition amount etc. of a reducing agent.

例えば、硫酸ニッケル6水和物を含む無電解めっき液(温度70〜80℃)に基板10を10秒〜10分程度浸漬することによって、20nm〜100nmの厚みを有するニッケル層を形成することができる。なお、金属層34の材料は触媒によってめっき反応が起こる材料であれば特に限定されず、例えば白金(Pt)、金(Au)などからも形成することができる。こうして、基板10の上面に所定のパターンの金属層34を形成することができる。   For example, a nickel layer having a thickness of 20 nm to 100 nm can be formed by immersing the substrate 10 in an electroless plating solution (temperature 70 to 80 ° C.) containing nickel sulfate hexahydrate for about 10 seconds to 10 minutes. it can. The material of the metal layer 34 is not particularly limited as long as the material causes a plating reaction by a catalyst. For example, the metal layer 34 can be formed of platinum (Pt), gold (Au), or the like. Thus, the metal layer 34 having a predetermined pattern can be formed on the upper surface of the substrate 10.

以上の工程により、めっき基板100を形成することができる。本実施の形態にかかるめっき基板100の製造方法では、パラジウム、過酸化水素および塩酸を用いて作製された触媒溶液を用いて、触媒層を形成している。この触媒溶液には、構成成分としてパラジウムと、水素と、酸素と、ナトリウムと、塩素が含まれているのみであり、他の界面活性剤や錯化剤等は含まれていない。従って、触媒溶液中において、分子量が大きい分子や嵩高な官能基等が、パラジウムコロイド粒子を構成するパラジウム原子の間に入り込むことがなく、当該パラジウムコロイド粒子のサイズを小さくすることができる。従って、このような触媒溶液を用いることにより、微細パターンの触媒層を精度良く形成することができ、ひいては高密度配線を精密に形成することができる。   Through the above steps, the plated substrate 100 can be formed. In the method of manufacturing plated substrate 100 according to the present embodiment, a catalyst layer is formed using a catalyst solution prepared using palladium, hydrogen peroxide, and hydrochloric acid. This catalyst solution contains only palladium, hydrogen, oxygen, sodium, and chlorine as components, and does not contain other surfactants, complexing agents, and the like. Therefore, in the catalyst solution, molecules having a large molecular weight, bulky functional groups, and the like do not enter between the palladium atoms constituting the palladium colloid particles, and the size of the palladium colloid particles can be reduced. Therefore, by using such a catalyst solution, a finely patterned catalyst layer can be formed with high accuracy, and as a result, high-density wiring can be accurately formed.

また、本実施の形態では、無電解めっき液をpH2.5〜pH4.0に調整している。これは、無電解めっき液中の金属をイオン化する方向にpHを変化させているものである。金属をイオン化することにより、無電解めっき液中の金属コロイド粒子のサイズを小さくすることができる。従って、このような無電解めっき液を用いることにより、微細パターンの金属層を精度良く形成することができる。   In the present embodiment, the electroless plating solution is adjusted to pH 2.5 to pH 4.0. This changes pH in the direction of ionizing the metal in the electroless plating solution. By ionizing the metal, the size of the metal colloid particles in the electroless plating solution can be reduced. Therefore, by using such an electroless plating solution, a finely patterned metal layer can be formed with high accuracy.

2.めっき基板
上述した方法により製造されためっき基板100について、図9を用いて説明する。図9は、本実施の形態にかかるめっき基板100を模式的に示す斜視図である。めっき基板100は、基板10と当該基板10上に形成された金属層34とを含む。金属層34は、所定のパターンを有する。所定のパターンは、たとえば1次元または2次元の周期的なパターンであることができる。めっき基板100は、光透過性基板上に所定のパターンを有することにより、偏光板等の光学素子基板として機能することができる。たとえば図9に示すように、めっき基板100は、一定の間隔bと一定の幅aの直線状の金属層がX軸方向に繰り返し設けられている1次元の周期的なパターン(ストライプ形状)であることができる。周期方向(X軸方向)における幅aが可視光の波長以下であり、かつ基板10が光透過性基板からなる場合には、めっき基板100は、偏光板として機能することができる。
2. Plated Substrate A plated substrate 100 manufactured by the above-described method will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a perspective view schematically showing the plating substrate 100 according to the present embodiment. The plated substrate 100 includes a substrate 10 and a metal layer 34 formed on the substrate 10. The metal layer 34 has a predetermined pattern. The predetermined pattern can be, for example, a one-dimensional or two-dimensional periodic pattern. The plated substrate 100 can function as an optical element substrate such as a polarizing plate by having a predetermined pattern on the light transmissive substrate. For example, as shown in FIG. 9, the plating substrate 100 has a one-dimensional periodic pattern (stripe shape) in which linear metal layers having a constant interval b and a constant width a are repeatedly provided in the X-axis direction. Can be. When the width a in the periodic direction (X-axis direction) is equal to or smaller than the wavelength of visible light and the substrate 10 is made of a light-transmitting substrate, the plated substrate 100 can function as a polarizing plate.

まためっき基板は、たとえば幅aが30nm〜200nmであり、間隔bが200nm以下であることができる。さらに幅aと間隔bとの差が20nm以下であることが好ましい。このようなサイズを所定のパターンとして規定することにより、触媒層32の形成されていない領域に金属層34を形成することができる。即ち、幅aが30nm〜200nmであり、間隔bが200nm以下であることにより、触媒層32の形成領域と金属層34の形成領域との距離を短くし、触媒層32上で析出しためっき粒子が触媒層32の形成されていない領域まで確実に移動させることができる。また、幅aと間隔bとの差が20nm以下であることにより、所定のパターンの金属層34を析出させるために適切な量の触媒を含む触媒層32を形成することができる。   The plated substrate can have a width a of 30 nm to 200 nm, for example, and a distance b of 200 nm or less. Furthermore, the difference between the width a and the distance b is preferably 20 nm or less. By defining such a size as a predetermined pattern, the metal layer 34 can be formed in a region where the catalyst layer 32 is not formed. That is, when the width a is 30 nm to 200 nm and the interval b is 200 nm or less, the distance between the formation region of the catalyst layer 32 and the formation region of the metal layer 34 is shortened, and the plated particles deposited on the catalyst layer 32 Can be reliably moved to a region where the catalyst layer 32 is not formed. Further, when the difference between the width a and the distance b is 20 nm or less, the catalyst layer 32 including an appropriate amount of catalyst for depositing the metal layer 34 having a predetermined pattern can be formed.

また、本実施の形態にかかるめっき基板100の製造方法では、触媒層32が形成されていない領域に金属層34が形成されている。この機構については、以下のように想定される。無電解めっき反応は、無電解めっき液中の還元剤と金属イオンとの還元反応であり、金属イオンが還元剤から電子を受け取ることによりめっき粒子が析出する反応である。この反応は、触媒層32に含まれる触媒によって促進されるため、主に触媒層32の近傍で進行する。無電解めっき液中では、複数の金属イオンが集合体となって存在しているため、複数の金属原子の集合体であるめっき粒子が還元反応によって析出する。析出時のめっき粒子の平均粒径が、たとえば約20nm〜50nmである場合には、めっき粒子は、触媒層32近傍で生成された後に触媒層32の形成されていない領域まで移動して基板10に吸着する。即ち、めっき粒子は、触媒層32付近で析出するが、触媒層32付近ではさらに還元反応が継続するためエネルギー状態が不安定であり、一定以上の質量がなければ触媒層32上で安定し、吸着することができない。したがってめっき粒子は、平均粒径が約20nm〜50nmの場合には、触媒層32上で安定することができず、基板10上に移動して吸着する。よって、金属層34は、触媒層32の形成されていない領域に形成されることができる。   Further, in the method for manufacturing plated substrate 100 according to the present embodiment, metal layer 34 is formed in a region where catalyst layer 32 is not formed. This mechanism is assumed as follows. The electroless plating reaction is a reduction reaction between a reducing agent and metal ions in the electroless plating solution, and is a reaction in which plated particles are deposited when the metal ions receive electrons from the reducing agent. Since this reaction is promoted by the catalyst contained in the catalyst layer 32, it mainly proceeds in the vicinity of the catalyst layer 32. In the electroless plating solution, since a plurality of metal ions are present as an aggregate, plating particles that are an aggregate of a plurality of metal atoms are deposited by a reduction reaction. When the average particle diameter of the plating particles at the time of deposition is, for example, about 20 nm to 50 nm, the plating particles move to the region where the catalyst layer 32 is not formed after being generated in the vicinity of the catalyst layer 32 and moved to the substrate 10. Adsorb to. That is, the plating particles are deposited in the vicinity of the catalyst layer 32, but the energy state is unstable because the reduction reaction continues further in the vicinity of the catalyst layer 32. If there is no mass above a certain level, the plating particles are stable on the catalyst layer 32. It cannot be adsorbed. Therefore, when the average particle diameter is about 20 nm to 50 nm, the plating particles cannot be stabilized on the catalyst layer 32 and move to the substrate 10 to be adsorbed. Therefore, the metal layer 34 can be formed in a region where the catalyst layer 32 is not formed.

3.電子デバイス
図10は、第1の実施の形態にかかるめっき基板の製造方法によって製造されるめっき基板を適用した電子デバイスの一例を示す。基板10が絶縁基板である場合には、めっき基板100は、配線基板として機能することができる。電子デバイス1000は、配線基板としてのめっき基板100と、集積回路チップ90と、他の基板92とを含む。
3. Electronic Device FIG. 10 shows an example of an electronic device to which a plated substrate manufactured by the method for manufacturing a plated substrate according to the first embodiment is applied. When the substrate 10 is an insulating substrate, the plating substrate 100 can function as a wiring substrate. The electronic device 1000 includes a plating substrate 100 as a wiring substrate, an integrated circuit chip 90, and another substrate 92.

めっき基板100に形成された配線パターンは、電子部品同士を電気的に接続するためのものであってもよい。めっき基板100は、上述した製造方法によって製造される。図10に示す例では、めっき基板100には、集積回路チップ90が電気的に接続され、めっき基板100の一方の端部は、他の基板92(例えば表示パネル)に電気的に接続されている。電子デバイス1000は、液晶ディスプレイ装置、プラズマディスプレイ装置、EL(Electro luminescence)ディスプレイ装置などの表示装置であってもよい。   The wiring pattern formed on the plating substrate 100 may be for electrically connecting electronic components. The plated substrate 100 is manufactured by the manufacturing method described above. In the example shown in FIG. 10, an integrated circuit chip 90 is electrically connected to the plating substrate 100, and one end of the plating substrate 100 is electrically connected to another substrate 92 (for example, a display panel). Yes. The electronic device 1000 may be a display device such as a liquid crystal display device, a plasma display device, or an EL (Electro luminescence) display device.

また、光学素子基板としてのめっき基板100は、液晶ディスプレイ装置、プロジェクター装置等の偏光板として機能してもよい。   Further, the plating substrate 100 as the optical element substrate may function as a polarizing plate for a liquid crystal display device, a projector device, or the like.

4.変形例
変形例にかかるめっき基板の製造方法は、本実施の形態における工程(5)のレジスト層22の除去工程を、触媒層31の形成前に行う点で、本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法と異なる。
4). Modified Example A method for manufacturing a plated substrate according to a modified example is that the removal step of the resist layer 22 in step (5) in the present embodiment is performed before the formation of the catalyst layer 31. Different from the manufacturing method.

まず、基板10を用意し、所定のパターンのレジスト層22を形成する。その後、基板10を洗浄する。次に、上述した方法により触媒吸着層24を基板10に設け、レジスト層22を除去して、所定のパターン以外の領域のみに触媒吸着層26を形成する。次いで触媒吸着層26上に触媒層32を形成する。次に、基板10を無電解めっき液に浸漬することにより、触媒層32以外の領域に金属層34を形成する。   First, the substrate 10 is prepared, and a resist layer 22 having a predetermined pattern is formed. Thereafter, the substrate 10 is cleaned. Next, the catalyst adsorption layer 24 is provided on the substrate 10 by the method described above, the resist layer 22 is removed, and the catalyst adsorption layer 26 is formed only in a region other than the predetermined pattern. Next, the catalyst layer 32 is formed on the catalyst adsorption layer 26. Next, the metal layer 34 is formed in a region other than the catalyst layer 32 by immersing the substrate 10 in an electroless plating solution.

以上の工程により、変形例にかかるめっき基板を形成することができる。なお、各工程の詳細については、本実施の形態における対応する工程と同様であるので説明を省略する。   The plating substrate concerning a modification can be formed by the above process. Note that the details of each step are the same as the corresponding steps in the present embodiment, and a description thereof will be omitted.

5.実験例
5.1.第1の実験例
本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法によりめっき基板を形成した。
5). Experimental example 5.1. First Experimental Example A plated substrate was formed by the method for manufacturing a plated substrate according to the present embodiment.

(1)ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により約200nmピッチで約130nm幅の直線状に露光、現像することにより、約70nm幅の直線状のラインと約130nm間隔を有するストライプ状のフォトレジストを形成した。   (1) A photoresist film is formed on a glass substrate, and then exposed and developed in a straight line having a width of about 130 nm at a pitch of about 200 nm by a direct drawing method, so that a linear line of about 70 nm and an interval of about 130 nm are obtained. A striped photoresist was formed.

(2)このガラス基板を1cm角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液(テクニックジャパン(株)製FPDコンディショナー)に浸漬し、その後ガラス基板を十分に水洗した。   (2) This glass substrate was cut into a 1 cm square, immersed in a cationic surfactant solution (FPD conditioner manufactured by Technique Japan Co., Ltd.), and then the glass substrate was sufficiently washed with water.

(3)触媒溶液を以下のように作製した。まず、水600mlに対し、35%塩酸(特級試薬)を100ml、30%過酸化水素水(特級試薬)を100ml添加することにより塩酸と過酸化水素水と水の混合溶液を作製した。純度99.99%のパラジウムペレット0.2gを上記混合溶液に入れて48時間程度保持して溶解させ、パラジウム濃度が約0.25g/lの塩化パラジウム溶液とした。   (3) A catalyst solution was prepared as follows. First, 100 ml of 35% hydrochloric acid (special grade reagent) and 100 ml of 30% hydrogen peroxide solution (special grade reagent) were added to 600 ml of water to prepare a mixed solution of hydrochloric acid, hydrogen peroxide solution and water. 0.2 g of palladium pellets having a purity of 99.99% were put in the above mixed solution and dissolved for about 48 hours to obtain a palladium chloride solution having a palladium concentration of about 0.25 g / l.

次いで、この塩化パラジウム溶液50mlに水250mlを加えさらに過酸化水素水を20ml添加した。さらに水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液をpH5.8程度に調整した。   Next, 250 ml of water was added to 50 ml of this palladium chloride solution, and 20 ml of hydrogen peroxide was further added. Furthermore, the palladium chloride solution was adjusted to about pH 5.8 using an aqueous sodium hydroxide solution or the like.

(4)次いで、ガラス基板を前述の触媒溶液に浸漬した。その後、アセトン等の有機溶剤を用いてガラス基板上のフォトレジストを除去した。その後ガラス基板を十分に水洗した。これにより、約130nm幅の直線状のラインと約70nm間隔を有するストライプ状の触媒層が形成された。   (4) Next, the glass substrate was immersed in the catalyst solution described above. Thereafter, the photoresist on the glass substrate was removed using an organic solvent such as acetone. Thereafter, the glass substrate was sufficiently washed with water. As a result, a linear catalyst layer having a width of about 130 nm and a stripe-shaped catalyst layer having an interval of about 70 nm was formed.

(5)次に、触媒層が形成されたガラス基板を、pH2.8、pH3.8程度に調整した80℃のニッケル無電解めっき液(テクニックジャパン(株)製FPDニッケル)に浸漬した。これにより、ガラス基板上に、約30nm〜50nm程度の厚みで、約70nm幅で間隔130nmの金属層が得られた。   (5) Next, the glass substrate on which the catalyst layer was formed was immersed in an 80 ° C. nickel electroless plating solution (FPD nickel manufactured by Technique Japan Co., Ltd.) adjusted to about pH 2.8 and pH 3.8. As a result, a metal layer having a thickness of about 30 nm to 50 nm, a width of about 70 nm and a spacing of 130 nm was obtained on the glass substrate.

このように形成されたニッケル金属層のSEM画像を図11および図12に示す。図11は、ニッケル無電解めっき液をpH3.8程度に調整したときのニッケル金属層のSEM画像であり、図12は、ニッケル無電解めっき液をpH2.8程度に調整したときのニッケル金属層のSEM画像である。   SEM images of the nickel metal layer thus formed are shown in FIGS. FIG. 11 is an SEM image of the nickel metal layer when the nickel electroless plating solution is adjusted to about pH 3.8, and FIG. 12 is a nickel metal layer when the nickel electroless plating solution is adjusted to about pH 2.8. It is a SEM image of.

5.2.第2の実験例(比較例)
以下のように比較例にかかるめっき基板を形成した。
5.2. Second experimental example (comparative example)
A plated substrate according to the comparative example was formed as follows.

(1)ガラス基板上にフォトレジスト膜を形成し、その後直描方式により約200nmピッチで約130nm幅の直線状に露光、現像することにより、約70nm幅の直線状のラインと約130nm間隔を有するストライプ状のフォトレジストを形成した。   (1) A photoresist film is formed on a glass substrate, and then exposed and developed in a straight line having a width of about 130 nm at a pitch of about 200 nm by a direct drawing method, so that a linear line of about 70 nm and an interval of about 130 nm are obtained. A striped photoresist was formed.

(2)このガラス基板を1cm角に切り出し、カチオン系界面活性剤溶液(テクニックジャパン(株)製FPDコンディショナー)に浸漬し、その後ガラス基板を十分に水洗した。   (2) This glass substrate was cut into a 1 cm square, immersed in a cationic surfactant solution (FPD conditioner manufactured by Technique Japan Co., Ltd.), and then the glass substrate was sufficiently washed with water.

(3)パラジウムを含む市販の触媒溶液に浸漬した。この触媒溶液は、パラジウム、界面活性剤等を含み、pHは6であった。その後、アセトン等の有機溶剤を用いてガラス基板上のフォトレジストを除去した。その後ガラス基板を十分に水洗した。これにより、約800nm幅の直線状のラインと約200nm間隔を有するストライプ状の触媒層が形成された。   (3) It was immersed in a commercially available catalyst solution containing palladium. This catalyst solution contained palladium, a surfactant and the like and had a pH of 6. Thereafter, the photoresist on the glass substrate was removed using an organic solvent such as acetone. Thereafter, the glass substrate was sufficiently washed with water. As a result, a linear catalyst layer having a width of about 800 nm and a stripe-shaped catalyst layer having an interval of about 200 nm was formed.

(4)次に、触媒層が形成されたガラス基板を、pHを調整していない80℃のニッケル無電解めっき液(テクニックジャパン(株)製FPDニッケル)に浸漬した。このニッケル無電解めっき液はpH4.5程度であった。これにより、ガラス基板上に、約30nm〜50nm程度の厚みで、約200nm幅で隣接ラインと接したニッケル金属層が得られた。このように形成されたニッケル金属層のSEM画像を図13に示す。   (4) Next, the glass substrate on which the catalyst layer was formed was immersed in an 80 ° C. nickel electroless plating solution (FPD nickel manufactured by Technique Japan Co., Ltd.) whose pH was not adjusted. This nickel electroless plating solution had a pH of about 4.5. As a result, a nickel metal layer having a thickness of about 30 nm to 50 nm and a width of about 200 nm in contact with the adjacent line was obtained on the glass substrate. An SEM image of the nickel metal layer thus formed is shown in FIG.

5.3.実験結果
第1の実験例では、パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む触媒溶液を用いて触媒層とpH2.5〜4.0に調整した無電解めっき液を用いてニッケル層を形成した。これに対し、第2の実験例では、市販の触媒溶液を用いて触媒層を形成し、通常のpHのニッケル無電解めっき液を用いてニッケル層を形成した。第2の実験例で作製されたニッケル層の幅は約200nmであるため、図13に示すように隣接ラインと接していた。
5.3. Experimental Results In the first experimental example, a nickel layer was formed using a catalyst layer containing a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid and an electroless plating solution adjusted to pH 2.5 to 4.0. In contrast, in the second experimental example, a catalyst layer was formed using a commercially available catalyst solution, and a nickel layer was formed using a nickel electroless plating solution having a normal pH. Since the width of the nickel layer produced in the second experimental example is about 200 nm, it was in contact with the adjacent line as shown in FIG.

これに対し、第1の実験例において作製したニッケル層は、幅が約70nmであり、第2の実験例において市販の触媒溶液を用いて作製したニッケル層と比べて、幅が細く形成されていることが確認された。したがって、第1の実験例と第2の実験例によれば、パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む触媒溶液と、pH2.5〜4.0に調整した無電解めっき液を用いることにより、微細パターンを精度よく形成することができ、めっき基板の信頼性を向上させることができることがわかった。   On the other hand, the nickel layer produced in the first experimental example has a width of about 70 nm, which is narrower than the nickel layer produced using a commercially available catalyst solution in the second experimental example. It was confirmed that Therefore, according to the first experimental example and the second experimental example, by using a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid, and an electroless plating solution adjusted to pH 2.5 to 4.0, It was found that the pattern can be formed with high accuracy and the reliability of the plated substrate can be improved.

本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。たとえば、上述した実施の形態では、予め基板上に所望のパターン領域以外の領域にレジスト層を設けて全面に触媒吸着層および触媒層を形成した後にレジスト層を除去することにより、触媒層を所定の領域に形成しているが、これにかえて、レジスト層を用いないで触媒層を形成してもよい。具体的には、たとえば触媒吸着層を基板全面に形成し、この触媒吸着層の一部を光分解して所望のパターン領域にのみ触媒吸着層を残す。これにより、触媒層は所望のパターン領域にのみ形成されることができる。触媒吸着層の光分解は、真空紫外線(VUV;vacuum ultraviolet)を用いて行うことができる。光の波長を、例えば170nm〜260nmとすることにより、原子間結合(例えば、C−C、C=C、C−H、C−F、C−Cl、C−O、C−N、C=O、O=O、O−H、H−F、H−Cl、N−Hなど)を切断することができる。この波長帯域を用いることにより、イエロールームなどの設備が不要となり、例えば白色灯下で本実施形態に係る一連の工程を行うことができる。   The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made. For example, in the above-described embodiment, a resist layer is previously provided on a substrate in a region other than a desired pattern region, and a catalyst adsorption layer and a catalyst layer are formed on the entire surface. However, instead of this, the catalyst layer may be formed without using the resist layer. Specifically, for example, a catalyst adsorption layer is formed on the entire surface of the substrate, and a part of the catalyst adsorption layer is photodecomposed to leave the catalyst adsorption layer only in a desired pattern region. Thereby, the catalyst layer can be formed only in a desired pattern region. The photodecomposition of the catalyst adsorption layer can be performed using vacuum ultraviolet (VUV). By setting the wavelength of light to, for example, 170 nm to 260 nm, interatomic bonds (for example, C—C, C═C, C—H, C—F, C—Cl, C—O, C—N, C = O, O = O, OH, HF, H-Cl, NH, etc.) can be cleaved. By using this wavelength band, equipment such as a yellow room becomes unnecessary, and a series of steps according to the present embodiment can be performed under a white light, for example.

また本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。   Further, the invention includes substantially the same configuration (for example, a configuration having the same function, method, and result, or a configuration having the same purpose and result) as the configuration described in the embodiment. In addition, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. In addition, the present invention includes a configuration that exhibits the same operational effects as the configuration described in the embodiment or a configuration that can achieve the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.

本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板の製造方法を示す図。The figure which shows the manufacturing method of the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板を示す断面図。Sectional drawing which shows the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板を示す斜視図。The perspective view which shows the plating board | substrate concerning this Embodiment. 本実施の形態にかかるめっき基板を適用した電子デバイスの一例を示す図。The figure which shows an example of the electronic device to which the plating substrate concerning this Embodiment is applied. 第1の実験例にかかるめっき基板のSEM画像を示す図。The figure which shows the SEM image of the plating board | substrate concerning a 1st experiment example. 第1の実験例にかかるめっき基板のSEM画像を示す図。The figure which shows the SEM image of the plating board | substrate concerning a 1st experiment example. 第2の実験例にかかるめっき基板のSEM画像を示す図。The figure which shows the SEM image of the plating board | substrate concerning a 2nd experiment example.

符号の説明Explanation of symbols

10 基板、14 界面活性剤溶液、18 光源、20 光、22 レジスト層、24 触媒吸着層、26 触媒吸着層、30 触媒溶液、31 触媒層、32 触媒層、34 金属層、90 集積回路チップ、92 他の基板、100 めっき基板、1000 電子デバイス 10 substrate, 14 surfactant solution, 18 light source, 20 light, 22 resist layer, 24 catalyst adsorption layer, 26 catalyst adsorption layer, 30 catalyst solution, 31 catalyst layer, 32 catalyst layer, 34 metal layer, 90 integrated circuit chip, 92 Other substrates, 100 Plated substrates, 1000 Electronic devices

Claims (8)

無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
(a)パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む触媒溶液に基板を浸漬することにより、当該基板上に触媒層を設ける工程と、
(b)無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層の形成されていない領域に金属を析出させて金属層を設ける工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
A method for producing a plated substrate by an electroless plating method,
(A) providing a catalyst layer on the substrate by immersing the substrate in a catalyst solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
(B) immersing the substrate in an electroless plating solution to deposit a metal in a region where the catalyst layer is not formed to provide a metal layer;
A method for manufacturing a plated substrate, comprising:
請求項1において、
前記触媒溶液は、pH4.0〜pH6.9に調整されたものである、めっき基板の製造方法。
In claim 1,
The method for producing a plated substrate, wherein the catalyst solution is adjusted to pH 4.0 to pH 6.9.
請求項1または2において、
前記無電解めっき液は、pH2.5〜PH4.0に調整されたものである、めっき基板の製造方法。
In claim 1 or 2,
The electroless plating solution is a method for producing a plated substrate, which is adjusted to pH 2.5 to PH 4.0.
請求項3において、
前記無電解めっき液は、ニッケルを含む、めっき基板の製造方法。
In claim 3,
The electroless plating solution contains nickel and is a method for manufacturing a plated substrate.
無電解めっき法によりめっき基板を製造する方法であって、
(a)当該基板上の所定のパターン以外の領域に触媒層を設ける工程と、
(b)pH2.5〜PH4.0に調整された無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒層の形成されていない領域に所定のパターンの金属層を設ける工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
A method for producing a plated substrate by an electroless plating method,
(A) providing a catalyst layer in a region other than the predetermined pattern on the substrate;
(B) a step of providing a metal layer having a predetermined pattern in a region where the catalyst layer is not formed by immersing the substrate in an electroless plating solution adjusted to pH 2.5 to PH 4.0;
A method for manufacturing a plated substrate, comprising:
請求項5において、
前記無電解めっき液は、ニッケルを含む、めっき基板の製造方法。
In claim 5,
The electroless plating solution contains nickel and is a method for manufacturing a plated substrate.
請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記工程(a)は、
前記基板上に所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシランカップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む混合水溶液からなる触媒溶液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層および触媒層を除去する工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 6.
The step (a)
Providing a resist layer having a predetermined pattern on the substrate;
Providing a catalyst adsorbing layer containing a surfactant or a silane coupling agent on the substrate;
Providing a catalyst layer on the catalyst adsorption layer by immersing the substrate in a catalyst solution comprising a mixed aqueous solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
Removing the catalyst adsorption layer and the catalyst layer of the predetermined pattern by removing the resist layer;
A method for manufacturing a plated substrate, comprising:
請求項1ないし6のいずれかにおいて、
前記工程(a)は、
前記基板上に所定のパターンのレジスト層を設ける工程と、
界面活性剤またはシランカップリング剤を含む触媒吸着層を前記基板上に設ける工程と、
前記レジスト層を除去することにより、前記所定のパターンの触媒吸着層を除去する工程と、
パラジウム、過酸化水素および塩酸を含む混合水溶液からなる触媒溶液に前記基板を浸漬することによって、前記触媒吸着層上に触媒層を設ける工程と、
を含む、めっき基板の製造方法。
In any one of Claims 1 thru | or 6.
The step (a)
Providing a resist layer having a predetermined pattern on the substrate;
Providing a catalyst adsorbing layer containing a surfactant or a silane coupling agent on the substrate;
Removing the resist adsorption layer of the predetermined pattern by removing the resist layer;
Providing a catalyst layer on the catalyst adsorption layer by immersing the substrate in a catalyst solution comprising a mixed aqueous solution containing palladium, hydrogen peroxide and hydrochloric acid;
A method for manufacturing a plated substrate, comprising:
JP2006133872A 2006-05-12 2006-05-12 Method for manufacturing plated substrate Withdrawn JP2007302968A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006133872A JP2007302968A (en) 2006-05-12 2006-05-12 Method for manufacturing plated substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006133872A JP2007302968A (en) 2006-05-12 2006-05-12 Method for manufacturing plated substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007302968A true JP2007302968A (en) 2007-11-22

Family

ID=38837144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006133872A Withdrawn JP2007302968A (en) 2006-05-12 2006-05-12 Method for manufacturing plated substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007302968A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101186697B1 (en) 2011-01-31 2012-09-27 한국산업기술대학교산학협력단 Method for forming plating pattern on semiconductor and semiconductor manufactured by the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101186697B1 (en) 2011-01-31 2012-09-27 한국산업기술대학교산학협력단 Method for forming plating pattern on semiconductor and semiconductor manufactured by the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007243037A (en) Manufacturing method of wiring board
JP4336996B2 (en) Method for manufacturing plated substrate
JP4539869B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP3879856B2 (en) Wiring board manufacturing method and electronic device manufacturing method
US7488678B2 (en) Method of manufacturing interconnect substrate
JP4161107B2 (en) Plating method and electronic device
JP2007084850A (en) Method for forming pattern of circuit
US7597813B2 (en) Element substrate and method of manufacturing the same
JP2008007840A (en) Manufacturing method of plated substrate
JP4344954B2 (en) Method for manufacturing element substrate
JP2007302968A (en) Method for manufacturing plated substrate
US20080299356A1 (en) Plated substrate and its fabrication method
JP2008013825A (en) Manufacturing method of plated substrate
JP4355965B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2007109921A (en) Method for manufacturing wiring board
US20080173471A1 (en) Element substrate and method of manufacturing the same
JP4435184B2 (en) Method for manufacturing element substrate
JP2007302973A (en) Plated substrate and its manufacturing method
JP2008098563A (en) Element substrate and its manufacturing method
JP2007103394A (en) Method for manufacturing wiring board
JP2005194611A (en) Method of producing film pattern, method of producing electrically conductive layer, method of producing electronic device, and electronic device
JP2007243031A (en) Manufacturing method of wiring board
JP2007103393A (en) Method for manufacturing wiring board
JP2007243035A (en) Method of manufacturing wiring substrate
JP2007243032A (en) Method of manufacturing wiring substrate

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20080630

A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090804