JP2007284580A - Polymer light emitting device, organic transistor and composition useful therefor - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高分子発光素子(即ち、高分子LED)及び有機トランジスタ並びにそれらに有用な組成物に関する。 The present invention relates to a polymer light-emitting device (that is, polymer LED), an organic transistor, and a composition useful for them.
重合体と低分子蛍光材料との組成物は、通常、溶媒に可溶であり、塗布法により発光素子における有機層を形成できるので種々検討されている。具体的には、例えば、ポリフルオレン誘導体と低分子蛍光材料とを含有する組成物が提案されている(特許文献1)。 A composition of a polymer and a low-molecular fluorescent material is usually soluble in a solvent, and various studies have been made since an organic layer in a light-emitting element can be formed by a coating method. Specifically, for example, a composition containing a polyfluorene derivative and a low-molecular fluorescent material has been proposed (Patent Document 1).
しかし、この組成物には、該組成物を用いて発光素子を作製した場合、該発光素子から低分子蛍光材料に由来する発光を選択的に得ることが困難であり、また低分子蛍光材料に由来する発光が得られた場合であっても、その輝度が低いという問題がある。
そこで、本発明の目的は、発光素子の作製に用いた場合に、該発光素子から低分子蛍光材料に由来する発光をほぼ選択的に得ることができ、その輝度が優れた発光素子が得られる組成物を提供することにある。
However, in this composition, when a light-emitting device is produced using the composition, it is difficult to selectively obtain light emitted from the low-molecular fluorescent material from the light-emitting device. Even when the emitted light is obtained, there is a problem that the luminance is low.
Accordingly, an object of the present invention is to obtain light emission derived from a low-molecular fluorescent material almost selectively from the light-emitting element when used for manufacturing a light-emitting element, and to obtain a light-emitting element with excellent luminance. It is to provide a composition.
本発明は、下記式(1): The present invention provides the following formula (1):
〔式中、Y’は、−O−、−S−又は−C(=O)−を表し、Zは、水素原子又は置換基を表し、R1は、置換基を表し、nは0〜3の整数を表す。R1が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
で表される繰り返し単位を含む重合体と、低分子蛍光材料とを含有する組成物、を提供する。
[Wherein Y ′ represents —O—, —S— or —C (═O) —, Z represents a hydrogen atom or a substituent, R 1 represents a substituent, and n represents 0 to 0. An integer of 3 is represented. When a plurality of R 1 are present, they may be the same or different. ]
A composition comprising a polymer containing a repeating unit represented by the formula (1) and a low-molecular fluorescent material.
本発明の組成物は、発光素子の作製に用いた場合に、該発光素子から低分子蛍光材料に由来する発光をほぼ選択的に得ることができ、その輝度が優れた発光素子が得られるものである。そして、通常、こうして得られる発光素子は、発光効率も優れている。このように、本発明の組成物は、発光材料として有用である。
したがって、本発明の組成物を用いてなる発光素子は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源(例えば、照明等);セグメント表示装置(例えば、セグメントタイプの表示素子等)、ドットマトリックス表示装置(例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等)、液晶表示装置(例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等)等の表示装置等に好適である。
本発明の組成物は、これらの作製に用いられる材料として好適である以外にも、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料、高分子電界効果トランジスタの材料等としても好適である。
When the composition of the present invention is used for production of a light emitting device, light emission derived from a low molecular fluorescent material can be almost selectively obtained from the light emitting device, and a light emitting device having excellent luminance can be obtained. It is. In general, the light emitting device thus obtained is also excellent in luminous efficiency. Thus, the composition of the present invention is useful as a light emitting material.
Therefore, a light emitting device using the composition of the present invention includes a planar light source such as a curved light source or a planar light source (for example, illumination); a segment display device (for example, a segment type display device); a dot matrix. It is suitable for display devices such as a display device (for example, a dot matrix flat display) and a liquid crystal display device (for example, a liquid crystal display device, a backlight of a liquid crystal display).
The composition of the present invention is not only suitable as a material used for the production thereof, but also conductive properties such as laser dyes, organic solar cell materials, organic semiconductors for organic transistors, conductive thin films, and organic semiconductor thin films. It is also suitable as a material for a thin film, a light emitting thin film material that emits fluorescence, a material for a polymer field effect transistor, and the like.
<組成物>
本発明の組成物は、前記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体と、低分子蛍光材料とを含有するものである。
<Composition>
The composition of this invention contains the polymer containing the repeating unit represented by said Formula (1), and a low molecular fluorescent material.
−式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体−
前記式(1)中、Y’は、−O−、−S−又は−C(=O)−を表すが、素子特性の観点からは、−O−又は−S−が好ましい。
-Polymer containing repeating units represented by formula (1)-
In the formula (1), Y ′ represents —O—, —S— or —C (═O) —, and —O— or —S— is preferable from the viewpoint of device characteristics.
nは0〜3の整数を表すが、合成の行いやすさの観点からは、nが0又は1であることが好ましい。R1が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよく、また、2個のR1が結合し環を形成していてもよい。 n represents an integer of 0 to 3, and n is preferably 0 or 1 from the viewpoint of ease of synthesis. When a plurality of R 1 are present, they may be the same or different, and two R 1 may be bonded to form a ring.
前記式(1)中、Zは置換基であることが好ましく、Zで表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、1価の複素環基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。Zで表される置換基の中では、溶解性、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素環基がより好ましい。また、Zで表される置換基の中では、素子の効率の観点からは、アリール基、1価の複素環基が好ましく、アリール基がより好ましい。 In the formula (1), Z is preferably a substituent, and examples of the substituent represented by Z include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, An arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, a monovalent heterocyclic group and the like can be mentioned. A hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom. Among the substituents represented by Z, from the viewpoint of solubility and ease of synthesis, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group A monovalent heterocyclic group is preferable, and an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, and a monovalent heterocyclic group are more preferable. Among the substituents represented by Z, from the viewpoint of device efficiency, an aryl group and a monovalent heterocyclic group are preferable, and an aryl group is more preferable.
前記式(1)中、R1で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、溶解性、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素環基がより好ましい。 In the formula (1), examples of the substituent represented by R 1 include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, and an aryl group. Alkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group , Substituted carboxyl group, nitro group, cyano group and the like. A hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom. Among these substituents, from the viewpoints of solubility and ease of synthesis, alkyl groups, alkoxy groups, alkylthio groups, aryl groups, aryloxy groups, arylthio groups, arylalkyl groups, arylalkoxy groups, monovalent groups. The heterocyclic group is preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group.
・Z及びR1で表される置換基の説明
アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20である。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、n−ブチル基、i−ブチル基、t−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチル基、イソアミル基、ヘキシル基、オクチル基、2−エチルヘキシル基、デシル基、3,7−ジメチルオクチル基が好ましい。
Description of Substituents Represented by Z and R 1 The alkyl group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, i-propyl group, n-butyl group, i-butyl group, t-butyl group, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, cyclohexyl group, heptyl. Group, octyl group, 2-ethylhexyl group, nonyl group, decyl group, 3,7-dimethyloctyl group, lauryl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, perfluorobutyl group, perfluorohexyl group, perfluorooctyl In view of the balance between solubility in organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis and heat resistance, pentyl group, isoamyl group, hexyl group, octyl group, 2-ethylhexyl group, A decyl group and a 3,7-dimethyloctyl group are preferred.
アルコキシ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20である。アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、ブトキシ基、i−ブトキシ基、t−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、2−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。 The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, propyloxy group, i-propyloxy group, butoxy group, i-butoxy group, t-butoxy group, pentyloxy group, hexyloxy group, cyclohexyloxy group, heptyl. Oxy group, octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, lauryloxy group, trifluoromethoxy group, pentafluoroethoxy group, perfluorobutoxy group, perfluorohexyl Group, perfluorooctyl group, methoxymethyloxy group, 2-methoxyethyloxy group, and the like, and from the balance of solubility in organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis and heat resistance, Pentyloxy group, hexyloxy group, octyloxy group 2-ethylhexyl group, decyloxy group, 3,7-dimethyl octyloxy group are preferable.
アルキルチオ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、炭素数が通常1〜20程度、好ましくは3〜20である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、i−プロピルチオ基、ブチルチオ基、i−ブチルチオ基、t−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点と耐熱性とのバランスからは、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、2−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、3,7−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。 The alkylthio group may be linear, branched or cyclic, and usually has about 1 to 20 carbon atoms, preferably 3 to 20 carbon atoms. Specific examples of the alkylthio group include methylthio group, ethylthio group, propylthio group, i-propylthio group, butylthio group, i-butylthio group, t-butylthio group, pentylthio group, hexylthio group, cyclohexylthio group, heptylthio group, octylthio group. , 2-ethylhexylthio group, nonylthio group, decylthio group, 3,7-dimethyloctylthio group, laurylthio group, trifluoromethylthio group, etc., solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc. From the viewpoint of balance between the above and heat resistance, a pentylthio group, a hexylthio group, an octylthio group, a 2-ethylhexylthio group, a decylthio group, and a 3,7-dimethyloctylthio group are preferable.
アリール基は、芳香族炭化水素から、水素原子1個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリール基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48である。アリール基の具体例としては、フェニル基、C1〜C12アルコキシフェニル基(「C1〜C12アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が1〜12であることを意味する。以下、同様である。)、C1〜C12アルキルフェニル基(「C1〜C12アルキル」は、アルキル部分の炭素数が1〜12であることを意味する。以下、同様である。)、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントラセニル基、2−アントラセニル基、9−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル基、C1〜C12アルキルフェニル基が好ましい。C1〜C12アルコキシフェニル基として具体的には、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、i−プロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、i−ブトキシフェニル基、t−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、2−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が例示される。C1〜C12アルキルフェニル基として具体的にはメチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、i−プロピルフェニル基、ブチルフェニル基、i−ブチルフェニル基、t−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が例示される。 An aryl group is an atomic group obtained by removing one hydrogen atom from an aromatic hydrocarbon and having a condensed ring, two or more independent benzene rings or condensed rings bonded directly or via a group such as vinylene. Also included. The aryl group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples of the aryl group, phenyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group ( "C 1 -C 12 alkoxy" means that the carbon atoms in the alkoxy moiety is 1 to 12. Hereinafter, the same is C 1 -C 12 alkylphenyl group (“C 1 -C 12 alkyl” means that the alkyl moiety has 1 to 12 carbon atoms. The same shall apply hereinafter.), 1-naphthyl Group, 2-naphthyl group, 1-anthracenyl group, 2-anthracenyl group, 9-anthracenyl group, pentafluorophenyl group, etc., from the viewpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc. is, C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, is C 1 -C 12 alkylphenyl group are preferable. Specific examples C 1 -C 12 alkoxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, propyloxyphenyl group, i- propyl group, a butoxyphenyl group, i- butoxyphenyl, t-butoxyphenyl group, Pentyloxyphenyl group, hexyloxyphenyl group, cyclohexyloxyphenyl group, heptyloxyphenyl group, octyloxyphenyl group, 2-ethylhexyloxyphenyl group, nonyloxyphenyl group, decyloxyphenyl group, 3,7-dimethyloctyloxyphenyl Group, lauryloxyphenyl group and the like. C 1 -C 12 alkylphenyl group as specifically methylphenyl group, ethylphenyl group, dimethylphenyl group, propylphenyl group, mesityl group, methylethylphenyl group, i- propylphenyl group, butylphenyl group, i- butyl Examples include phenyl group, t-butylphenyl group, pentylphenyl group, isoamylphenyl group, hexylphenyl group, heptylphenyl group, octylphenyl group, nonylphenyl group, decylphenyl group, dodecylphenyl group and the like.
アリールオキシ基は、炭素数が通常6〜60程度、好ましくは7〜48である。アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基、1−ナフチルオキシ基、2−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェノキシ基、C1〜C12アルキルフェノキシ基が好ましい。C1〜C12アルコキシフェノキシ基として具体的には、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、i−プロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、i−ブトキシフェノキシ基、t−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、2−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が例示される。C1〜C12アルキルフェノキシ基として具体的には、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、1,3,5−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、i−プロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、i−ブチルフェノキシ基、t−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が例示される。 The aryloxy group usually has about 6 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples of the aryloxy group include a phenoxy group, C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, C 1 -C 12 alkylphenoxy group, 1-naphthyloxy group, like 2-naphthyloxy group, pentafluorophenyloxy group and In view of solubility in an organic solvent, device characteristics, easiness of synthesis, etc., a C 1 to C 12 alkoxyphenoxy group and a C 1 to C 12 alkylphenoxy group are preferable. Specific examples C 1 -C 12 alkoxy phenoxy group, methoxyphenoxy group, ethoxyphenoxy group, propyloxy phenoxy group, i- propyloxy phenoxy group, butoxyphenoxy group, i- butoxyphenoxy group, t-butoxyphenoxy group, Pentyloxyphenoxy group, hexyloxyphenoxy group, cyclohexyloxyphenoxy group, heptyloxyphenoxy group, octyloxyphenoxy group, 2-ethylhexyloxyphenoxy group, nonyloxyphenoxy group, decyloxyphenoxy group, 3,7-dimethyloctyloxyphenoxy Group, lauryloxyphenoxy group and the like are exemplified. Specific examples C 1 -C 12 alkylphenoxy group, methylphenoxy group, ethylphenoxy group, dimethylphenoxy group, propylphenoxy group, 1,3,5-methylphenoxy group, methylethylphenoxy group, i- propyl phenoxy group Butylphenoxy group, i-butylphenoxy group, t-butylphenoxy group, pentylphenoxy group, isoamylphenoxy group, hexylphenoxy group, heptylphenoxy group, octylphenoxy group, nonylphenoxy group, decylphenoxy group, dodecylphenoxy group, etc. Illustrated.
アリールチオ基は、炭素数が通常6〜60程度である。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基、1−ナフチルチオ基、2−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニルチオ基、C1〜C12アルキルフェニルチオ基が好ましい。 The arylthio group usually has about 6 to 60 carbon atoms. Specific examples of the arylthio group include a phenylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, C 1 -C 12 alkyl phenylthio group, 1-naphthylthio group, 2-naphthylthio group, pentafluorophenylthio group and the like solubility in organic solvents, device properties, from the standpoint of easiness of synthesis, C 1 -C 12 alkoxyphenyl-thio group, a C 1 -C 12 alkyl phenylthio group are preferable.
アリールアルキル基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48である。アリールアルキル基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル基が好ましい。 The arylalkyl group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples of the aryl alkyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group , 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkyl group, etc., from the viewpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, ease of synthesis, etc. C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl group are preferable.
アリールアルコキシ基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48である。アリールアルコキシ基の具体例としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基、1−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基、2−ナフチル−C1〜C12アルコキシ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルコキシ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルコキシ基が好ましい。 The arylalkoxy group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples of the arylalkoxy group include phenyl-C 1 to C 12 such as phenylmethoxy group, phenylethoxy group, phenylbutoxy group, phenylpentyloxy group, phenylhexyloxy group, phenylheptyloxy group, and phenyloctyloxy group. alkoxy groups, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkoxy groups, 1-naphthyl -C 1 -C 12 alkoxy groups, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkoxy groups and the like, solubility in organic solvents, device properties, from the standpoint of easiness of synthesis, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkoxy group are preferable.
アリールアルキルチオ基は、炭素数が通常7〜60程度、好ましくは7〜48である。アリールアルキルチオ基の具体例としては、フェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルチオ基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルチオ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルチオ基が好ましい。 The arylalkylthio group usually has about 7 to 60 carbon atoms, preferably 7 to 48 carbon atoms. Specific examples of the arylalkylthio group include a phenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group , 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkylthio group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkylthio group and the like. From the viewpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis, etc., C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylthio group are preferable.
アリールアルケニル基は、炭素数が通常8〜60程度である。アリールアルケニル基の具体例としては、フェニル−C2〜C12アルケニル基(「C2〜C12アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が2〜12であることを意味する。以下、同様である。)、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルケニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルケニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルケニル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルケニル基、C2〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルケニル基が好ましい。 The arylalkenyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Specific examples of the arylalkenyl group include a phenyl -C 2 -C 12 alkenyl group ( "C 2 -C 12 alkenyl". Hereinafter, the same which means that the carbon number of the alkenyl portion is 2 to 12 ), C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 2 -C 12 alkenyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl-C 2 -C 12 alkenyl group, 1-naphthyl-C 2 -C 12 alkenyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkenyl group and the like. From the viewpoint of solubility in organic solvents, device characteristics, easiness of synthesis, etc., C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 2 -C 12 alkenyl group, C 2 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkenyl groups are preferred.
アリールアルキニル基は、炭素数が通常8〜60程度である。アリールアルキニル基の具体例としては、フェニル−C2〜C12アルキニル基(「C2〜C12アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が2〜12であることを意味する。以下、同様である。)、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基、1−ナフチル−C2〜C12アルキニル基、2−ナフチル−C2〜C12アルキニル基等が挙げられ、有機溶媒への溶解性、素子特性、合成の行いやすさ等の観点からは、C1〜C12アルコキシフェニル−C2〜C12アルキニル基、C1〜C12アルキルフェニル−C2〜C12アルキニル基が好ましい。 The arylalkynyl group usually has about 8 to 60 carbon atoms. Specific examples of the arylalkynyl group include a phenyl-C 2 -C 12 alkynyl group (“C 2 -C 12 alkynyl” means that the alkynyl moiety has 2 to 12 carbon atoms. The same applies hereinafter. C 1 -C 12 alkoxyphenyl-C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl-C 2 -C 12 alkynyl group, 1-naphthyl-C 2 -C 12 alkynyl group, 2-naphthyl -C 2 -C 12 alkynyl groups and the like, solubility in organic solvents, device properties, from the standpoint of easiness of synthesis, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 2 -C 12 alkynyl group are preferable.
置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基から選ばれる1個又は2個の基で置換されたアミノ基が挙げられる。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は該置換基の炭素数を含めないで、通常、1〜60程度、好ましくは2〜48である。置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、i−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、i−ブチルアミノ基、t−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、3,7−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル)アミノ基、1−ナフチルアミノ基、2−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基フェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルアミノ基、ジ(C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、ジ(C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキル)アミノ基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルアミノ基等が挙げられる。 Examples of the substituted amino group include an amino group substituted with one or two groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent heterocyclic group. These alkyl group, aryl group, arylalkyl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted amino group does not include the carbon number of the substituent, and is usually about 1 to 60, preferably 2 to 48. Specific examples of the substituted amino group include methylamino group, dimethylamino group, ethylamino group, diethylamino group, propylamino group, dipropylamino group, i-propylamino group, diisopropylamino group, butylamino group, i-butyl. Amino group, t-butylamino group, pentylamino group, hexylamino group, cyclohexylamino group, heptylamino group, octylamino group, 2-ethylhexylamino group, nonylamino group, decylamino group, 3,7-dimethyloctylamino group, lauryl amino group, cyclopentylamino group, dicyclopentylamino group, cyclohexylamino group, dicyclohexylamino group, pyrrolidyl group, piperidyl group, ditrifluoromethylamino group, phenylamino group, diphenylamino group, C 1 -C 12 alkoxy phenylene Amino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl) amino groups, 1-naphthylamino group, 2-naphthylamino group, pentafluorophenylamino group, pyridylamino group, pyridazinylamino group, pyrimidylamino group, Pirajiruamino group, a phenyl -C triazyl amino group 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylamino group, di (C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino group, di (C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkyl) amino Group, 1-naphthyl-C 1 -C 12 alkylamino group, 2-naphthyl-C 1 -C 12 alkylamino group and the like.
置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基から選ばれる1個、2個又は3個の基で置換されたシリル基が挙げられる。置換シリル基の炭素数は、通常、1〜60程度、好ましくは3〜48である。これらのアルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換シリル基の具体例としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリ−i−プロピルシリル基、ジメチル−i−プロピリシリル基、ジエチル−i−プロピルシリル基、t−ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、オクチルジメチルシリル基、2−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、3,7−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルコキシフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、C1〜C12アルキルフェニル−C1〜C12アルキルシリル基、1−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、2−ナフチル−C1〜C12アルキルシリル基、フェニル−C1〜C12アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−p−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、t−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。 Examples of the substituted silyl group include silyl groups substituted with one, two, or three groups selected from an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, and a monovalent heterocyclic group. The carbon number of the substituted silyl group is usually about 1 to 60, preferably 3 to 48. These alkyl group, aryl group, arylalkyl group and monovalent heterocyclic group may have a substituent. Specific examples of the substituted silyl group include trimethylsilyl group, triethylsilyl group, tripropylsilyl group, tri-i-propylsilyl group, dimethyl-i-propylsilyl group, diethyl-i-propylsilyl group, t-butylsilyldimethylsilyl. Group, pentyldimethylsilyl group, hexyldimethylsilyl group, heptyldimethylsilyl group, octyldimethylsilyl group, 2-ethylhexyl-dimethylsilyl group, nonyldimethylsilyl group, decyldimethylsilyl group, 3,7-dimethyloctyl-dimethylsilyl group , lauryl dimethyl silyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkoxyphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, C 1 -C 12 alkylphenyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group , 1-naphthyl -C 1 -C 12 Arukirushiri Group, 2-naphthyl -C 1 -C 12 alkylsilyl group, a phenyl -C 1 -C 12 alkyldimethylsilyl group, triphenylsilyl group, tri -p- Kishirirushiriru group, tribenzylsilyl group, diphenylmethylsilyl group, t -A butyl diphenylsilyl group, a dimethylphenylsilyl group, etc. are mentioned.
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示される。 Examples of the halogen atom include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom.
アシル基は、炭素数が、通常、2〜20程度、好ましくは2〜18である。アシル基の具体例としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。 The acyl group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples of the acyl group include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a benzoyl group, a trifluoroacetyl group, and a pentafluorobenzoyl group.
アシルオキシ基は、炭素数が、通常、2〜20程度、好ましくは2〜18である。アシルオキシ基の具体例としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。 The acyloxy group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples of the acyloxy group include an acetoxy group, a propionyloxy group, a butyryloxy group, an isobutyryloxy group, a pivaloyloxy group, a benzoyloxy group, a trifluoroacetyloxy group, and a pentafluorobenzoyloxy group.
イミン残基としては、イミン化合物(即ち、分子内に、−N=C−を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのN上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。)から水素原子1個を除いた残基が挙げられる。イミン残基の炭素数は、通常、2〜20程度であり、好ましくは2〜18である。イミン残基の具体例としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。 The imine residue is an imine compound (that is, an organic compound having —N═C— in the molecule. For example, aldimine, ketimine, and hydrogen atoms on these N are alkyl groups or the like. And a residue obtained by removing one hydrogen atom from the above). The number of carbon atoms of the imine residue is usually about 2 to 20, preferably 2 to 18. Specific examples of the imine residue include groups represented by the following structural formulas.
(式中、Meはメチル基を表す。また、波線は、結合手を表し、イミン残基の種類によっては、シス体、トランス体等の幾何異性体を持つ場合があることを意味する。)
(In the formula, Me represents a methyl group. Further, a wavy line represents a bond, and it may have a geometric isomer such as a cis isomer or a trans isomer depending on the type of imine residue.)
アミド基は、炭素数が通常2〜20程度、好ましくは2〜18である。アミド基の具体例としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。 The amide group usually has about 2 to 20 carbon atoms, preferably 2 to 18 carbon atoms. Specific examples of the amide group include a formamide group, an acetamide group, a propioamide group, a butyroamide group, a benzamide group, a trifluoroacetamide group, a pentafluorobenzamide group, a diformamide group, a diacetamide group, a dipropioamide group, a dibutyroamide group, and a dibenzamide group. , Ditrifluoroacetamide group, dipentafluorobenzamide group and the like.
酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子1個を除いて得られる残基が挙げられ、炭素数が4〜20程度である。酸イミド基の具体例としては、以下に示す基等が挙げられる。 As an acid imide group, the residue obtained by remove | excluding one hydrogen atom couple | bonded with the nitrogen atom from acid imide is mentioned, and carbon number is about 4-20. Specific examples of the acid imide group include the groups shown below.
1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子1個を除いた残りの原子団をいう。1価の複素環基の炭素数は通常4〜60程度、好ましくは4〜20である。なお、1価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素、珪素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。1価の複素環基の具体例としては、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、チエニル基、C1〜C12アルキルチエニル基、ピリジル基、C1〜C12アルキルピリジル基が好ましい。 The monovalent heterocyclic group refers to the remaining atomic group obtained by removing one hydrogen atom from a heterocyclic compound. The carbon number of the monovalent heterocyclic group is usually about 4 to 60, preferably 4 to 20. The carbon number of the monovalent heterocyclic group does not include the carbon number of the substituent. The heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, silicon, etc. Say. Specific examples of the monovalent heterocyclic group, a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyrrolyl group, a furyl group, a pyridyl group, C 1 -C 12 alkyl pyridyl group, piperidyl group, quinolyl group, isoquinolyl group etc., and a thienyl group, C 1 -C 12 alkyl thienyl group, a pyridyl group, a C 1 -C 12 alkyl pyridyl group are preferable.
置換カルボキシル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基で置換されたカルボキシル基が挙げられる。なお、前記のアルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は1価の複素環基は置換基を有していてもよい。置換カルボキシル基の炭素数は、通常、2〜60程度、好ましくは2〜48である。なお、置換カルボキシル基の炭素数には該置換基の炭素数は含まれない。置換カルボキシル基の具体例としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、i−プロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、i−ブトキシカルボニル基、t−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、2−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、3,7−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基等が挙げられる。 Examples of the substituted carboxyl group include a carboxyl group substituted with an alkyl group, an aryl group, an arylalkyl group, or a monovalent heterocyclic group. The alkyl group, aryl group, arylalkyl group or monovalent heterocyclic group may have a substituent. The carbon number of the substituted carboxyl group is usually about 2 to 60, preferably 2 to 48. The carbon number of the substituted carboxyl group does not include the carbon number of the substituent. Specific examples of the substituted carboxyl group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, propoxycarbonyl group, i-propoxycarbonyl group, butoxycarbonyl group, i-butoxycarbonyl group, t-butoxycarbonyl group, pentyloxycarbonyl group, hexyloxy Carbonyl group, cyclohexyloxycarbonyl group, heptyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, 2-ethylhexyloxycarbonyl group, nonyloxycarbonyl group, decyloxycarbonyl group, 3,7-dimethyloctyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group , Trifluoromethoxycarbonyl group, pentafluoroethoxycarbonyl group, perfluorobutoxycarbonyl group, perfluorohexyloxycarbonyl group, perfluorooctyl Le oxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, naphthoxycarbonyl group, pyridyloxycarbonyl group and the like.
Zがアリール基又は1価の複素環基である場合の前記式(1)で表される繰り返し単位の具体例としては、下記式(1−1)〜(1−6): Specific examples of the repeating unit represented by the formula (1) when Z is an aryl group or a monovalent heterocyclic group include the following formulas (1-1) to (1-6):
〔式中、Y’、R1、nは前記と同じ意味を表す。R2は置換基を表す。p1は0〜5の整数を表し、p2は0〜7の整数を表し、p3は0〜9の整数を表し、p4は0〜3の整数を表し、p5は0〜4の整数を表す。〕
のいずれかで表される繰り返し単位等が挙げられる。
[Wherein Y ′, R 1 and n represent the same meaning as described above. R 2 represents a substituent. p1 represents an integer of 0 to 5, p2 represents an integer of 0 to 7, p3 represents an integer of 0 to 9, p4 represents an integer of 0 to 3, and p5 represents an integer of 0 to 4. ]
Or a repeating unit represented by any of the above.
R2で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、溶解性、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素環基がより好ましい。また、これらの置換基の中では、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、アルキル基がより好ましい。 Examples of the substituent represented by R 2 include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, an arylalkylthio group, an arylalkenyl group, an arylalkynyl group, Amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, nitro group And a cyano group. A hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom. Among these substituents, from the viewpoints of solubility and ease of synthesis, alkyl groups, alkoxy groups, alkylthio groups, aryl groups, aryloxy groups, arylthio groups, arylalkyl groups, arylalkoxy groups, monovalent groups. The heterocyclic group is preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group. Among these substituents, from the viewpoint of device characteristics such as luminance half life, an alkyl group and an alkoxy group are preferable, and an alkyl group is more preferable.
溶解性の観点からは、p1、p2、p3、p4及びp5は、1以上の整数であることが好ましい。 From the viewpoint of solubility, p1, p2, p3, p4 and p5 are preferably integers of 1 or more.
前記式(1−1)〜(1−6)の中では、発光効率、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、(1−1)で表される構造が好ましく、下記式(1−1−1)〜(1−1−2)で表される構造がより好ましい。 Among the formulas (1-1) to (1-6), the structure represented by (1-1) is preferable from the viewpoint of device characteristics such as luminous efficiency and luminance half life, and the following formula (1- The structure represented by 1-1) to (1-1-2) is more preferable.
〔式中、Y’、R2は前記と同じ意味を表す。〕
[Wherein Y ′ and R 2 represent the same meaning as described above. ]
前記重合体は、前記式(1)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。式(1)で表される繰り返し単位は、発光効率の観点からは、前記重合体中の全繰り返し単位の1モル%以上であることが好ましく、3モル%以上がより好ましい。 The polymer may contain a repeating unit other than the repeating unit represented by the formula (1). The repeating unit represented by the formula (1) is preferably 1 mol% or more, more preferably 3 mol% or more of all repeating units in the polymer, from the viewpoint of luminous efficiency.
前記式(1)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位としては、例えば、下記式(2):
−Ar1− (2)
〔式中、Ar1は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の複素環基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族アミン基を表す。〕
で表される繰り返し単位が挙げられる。
Examples of the repeating unit other than the repeating unit represented by the formula (1) include the following formula (2):
-Ar 1- (2)
[In the formula, Ar 1 represents an arylene group which may have a substituent, a divalent heterocyclic group which may have a substituent, or a divalent aromatic which may have a substituent. Represents a group amine group. ]
The repeating unit represented by these is mentioned.
前記式(2)中、Ar1で表されるアリーレン基とは、芳香族炭化水素から水素原子2個を除いた原子団であり、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環又は縮合環2個以上が直接又はビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、6〜60程度であり、好ましくは6〜20である。また、アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常、6〜100程度である。 In the formula (2), the arylene group represented by Ar 1 is an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from an aromatic hydrocarbon, having a condensed ring, an independent benzene ring or two condensed rings. Those in which the above are bonded directly or via a group such as vinylene are also included. The arylene group may have a substituent. Carbon number of the part except the substituent in an arylene group is about 6-60 normally, Preferably it is 6-20. Moreover, the total carbon number including the substituent of an arylene group is about 6-100 normally.
Ar1で表されるアリーレン基としては、フェニレン基(例えば、下図の式1〜3)、ナフタレンジイル基(例えば、下図の式4〜13)、アントラセン−ジイル基(例えば、下図の式14〜19)、ビフェニル−ジイル基(例えば、下図の式20〜25)、ターフェニル−ジイル基(例えば、下図の式26〜28)、縮合環化合物基(例えば、下図の式29〜35)、フルオレン−ジイル基(例えば、下図の式36〜38)、スチルベン−ジイル基(下図の式39〜42)、ジスチルベン−ジイル基(例えば、下図の式43、44)、ベンゾフルオレン−ジイル基(例えば、下図の式A−1〜A−3)、ジベンゾフルオレン−ジイル基(例えば、下図の式A−4)等が例示される。 Examples of the arylene group represented by Ar 1 include a phenylene group (for example, formulas 1 to 3 in the following figure), a naphthalenediyl group (for example, formulas 4 to 13 in the following figure), and an anthracene-diyl group (for example, formulas 14 to 19), a biphenyl-diyl group (for example, formulas 20 to 25 in the following figure), a terphenyl-diyl group (for example, formulas 26 to 28 in the following figure), a condensed ring compound group (for example, formulas 29 to 35 in the following figure), fluorene A diyl group (for example, Formulas 36 to 38 in the following figure), a stilbene-diyl group (Formulas 39 to 42 in the following figure), a distilbene-diyl group (for example, Formulas 43 and 44 in the following figure), a benzofluorene-diyl group (for example, Examples include formulas A-1 to A-3) and dibenzofluorene-diyl groups (for example, formula A-4) shown below.
上図の式1〜44及びA−1〜A−4中、Rで表される置換基としては、例えば、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの基、残基、原子は、前記のZ及びR1で表される置換基の項で説明し例示したものと同じである。Rで表される置換基は、溶解性、素子特性の観点から、少なくとも1個のRが水素原子以外であることが好ましい。また、Rで表される置換基は、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基がより好ましい。 In the above formulas 1-44 and A-1 to A-4, examples of the substituent represented by R include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, and an arylalkyl. Group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide Group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, cyano group and the like. A hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom. These groups, residues, and atoms are the same as those described and exemplified in the section of the substituent represented by Z and R 1 described above. In the substituent represented by R, at least one R is preferably other than a hydrogen atom from the viewpoints of solubility and device characteristics. The substituent represented by R is preferably an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, or a monovalent heterocyclic group, an alkyl group, An alkoxy group and an aryl group are more preferable.
Ar1で表される2価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子2個を除いた残りの原子団をいう。2価の複素環基は置換基を有していてもよい。前記複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。2価の複素環基の中では、芳香族複素環基が好ましい。2価の複素環基における置換基を除いた部分の炭素数は通常3〜60程度である。また、2価の複素環基の置換基を含めた全炭素数は、通常3〜100程度である。 The divalent heterocyclic group represented by Ar 1 refers to the remaining atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from a heterocyclic compound. The divalent heterocyclic group may have a substituent. The heterocyclic compound is an organic compound having a cyclic structure in which the elements constituting the ring include not only carbon atoms but also hetero atoms such as oxygen, sulfur, nitrogen, phosphorus, boron, arsenic in the ring. Say. Of the divalent heterocyclic groups, an aromatic heterocyclic group is preferable. Carbon number of the part except the substituent in a bivalent heterocyclic group is about 3-60 normally. Moreover, the total carbon number including the substituent of a bivalent heterocyclic group is about 3-100 normally.
Ar1で表される2価の複素環基としては、例えば、ピリジン−ジイル基(例えば、下図の式45〜50)、ジアザフェニレン基(例えば、下図の式51〜54)、キノリンジイル基(例えば、下図の式55〜69)、キノキサリンジイル基(例えば、下図の式70〜74)、アクリジンジイル基(例えば、下図の式75〜78)、ビピリジルジイル基(例えば、下図の式79〜81)、フェナントロリンジイル基(例えば、下図の式82〜84)、カルバゾール構造を有する基(例えば、下図の式85〜87)等の、ヘテロ原子として窒素を含む2価の複素環基;ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む5員環複素環基(例えば、下図の式88〜92);ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、セレン等を含む5員環縮合複素環基(例えば、下図の式93〜103);ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し2量体やオリゴマーになっている基(例えば、下図の式104〜105);ヘテロ原子として酸素、けい素、窒素、硫黄、セレン等を含む5員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基(例えば、下図の式106〜112);ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄等を含む5員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基(例えば、下図の式113〜118)等が挙げられる。 Examples of the divalent heterocyclic group represented by Ar 1 include a pyridine-diyl group (for example, formulas 45 to 50 in the following figure), a diazaphenylene group (for example, formulas 51 to 54 in the following figure), a quinoline diyl group ( For example, formulas 55 to 69 in the following figure, quinoxalinediyl groups (for example, formulas 70 to 74 in the following figure), acridine diyl groups (for example, formulas 75 to 78 in the following figure), bipyridyldiyl groups (for example, formulas 79 to 81 in the following figure) ), A phenanthrolinediyl group (for example, formulas 82 to 84 in the figure below), a group having a carbazole structure (for example, formulas 85 to 87 in the figure below), etc., a divalent heterocyclic group containing nitrogen as a heteroatom; 5-membered heterocyclic groups containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. (eg, Formulas 88-92 in the figure below); 5-membered rings containing oxygen, silicon, nitrogen, selenium, etc. as heteroatoms A combined heterocyclic group (for example, formulas 93 to 103 in the figure below); a dimer formed by bonding at the α-position of the heteroatom with a 5-membered heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom. Or a group that is an oligomer (for example, formulas 104 to 105 in the figure below); a 5-membered heterocyclic group containing oxygen, silicon, nitrogen, sulfur, selenium, etc. as a heteroatom, and a phenyl group at the α-position of the heteroatom A group bonded to (for example, formulas 106 to 112 in the following figure); a group in which a 5-membered condensed heterocyclic group containing oxygen, nitrogen, sulfur or the like as a hetero atom is substituted with a phenyl group, a furyl group, or a thienyl group (for example, And the following formulas 113 to 118).
(式中、Rは、前記で定義したとおりである。)
(Wherein R is as defined above.)
Ar1で表される2価の芳香族アミン基としては、芳香族第三級アミンから誘導される化合物の芳香環から水素原子を2個除いて得られる原子団が挙げられる。2価の芳香族アミン基の中では、下記式(4): Examples of the divalent aromatic amine group represented by Ar 1 include an atomic group obtained by removing two hydrogen atoms from the aromatic ring of a compound derived from an aromatic tertiary amine. Among the divalent aromatic amine groups, the following formula (4):
〔式中、Ar3、Ar4、Ar5及びAr6は、それぞれ独立に、アリーレン基又は2価の複素環基を表す。Ar7、Ar8及びAr9は、それぞれ独立に、アリール基又は1価の複素環基を表す。Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8及びAr9は置換基を有していてもよい。x及びyは、それぞれ独立に、0又は正の整数である。〕
で表される基が、発光波長を変化させる観点、発光効率を高める観点、耐熱性を向上させる観点から好ましい。
[Wherein, Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 and Ar 6 each independently represent an arylene group or a divalent heterocyclic group. Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 each independently represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group. Ar 3 , Ar 4 , Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , Ar 8 and Ar 9 may have a substituent. x and y are each independently 0 or a positive integer. ]
Is preferable from the viewpoint of changing the emission wavelength, increasing the luminous efficiency, and improving the heat resistance.
前記式(4)中、xは、寿命等の素子特性や合成の行いやすさから、0〜2の整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましい。また、前記式(4)中、yは、寿命等の素子特性や合成の行いやすさから、0〜2の整数であることが好ましく、0又は1であることがより好ましい。 In the formula (4), x is preferably an integer of 0 to 2, and more preferably 0 or 1, in view of device characteristics such as lifetime and ease of synthesis. Moreover, in said Formula (4), it is preferable that y is an integer of 0-2 from the element characteristics, such as a lifetime, and the easiness of a synthesis | combination, and it is more preferable that it is 0 or 1.
前記式(4)で表される基の具体例としては、以下の式119〜126で表されるものが挙げられる。 Specific examples of the group represented by the formula (4) include those represented by the following formulas 119 to 126.
(式中、Rは、前記で定義したとおりである。)
(Wherein R is as defined above.)
Ar1の中では、下記式(2−1)〜(2−5): In Ar 1, the following formulas (2-1) to (2-5):
〔式中、R3は独立に置換基を表し、m1は独立に0〜3の整数を表し、m2は独立に0〜5の整数を表す。式(2−1)及び(2−5)において、X’は、−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−C(R4)2−、−Si(R4)2−Si(R4)2−、−Si(R4)2−、−B(R4)−、−P(R4)−、−P(=O)(R4)−、−O−C(R4)2−又は−N=C(R4)−を表し、式(2−2)、(2−3)及び(2−4)において、X’は、−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−C(R4)2−、−Si(R4)2−Si(R4)2−、−Si(R4)2−、−B(R4)−、−P(R4)−、−P(=O)(R4)−、−O−C(R4)2−、−C(R4)2−O−、−C(R4)=N−又は−N=C(R4)−を表し、R4は独立に水素原子又は置換基を表す。〕
で表される基が、発光効率等の素子特性の観点から好ましい。
[Wherein, R 3 independently represents a substituent, m 1 independently represents an integer of 0 to 3, and m 2 independently represents an integer of 0 to 5. In the formulas (2-1) and (2-5), X ′ represents —O—, —S—, —S (═O) —, —S (═O) 2 —, —C (R 4 ) 2. -, - Si (R 4) 2 -Si (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -, - B (R 4) -, - P (R 4) -, - P (= O) ( R 4 ) —, —O—C (R 4 ) 2 — or —N═C (R 4 ) —, and in formulas (2-2), (2-3) and (2-4), X ′ is, -O -, - S -, - S (= O) -, - S (= O) 2 -, - C (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -Si (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -, - B (R 4) -, - P (R 4) -, - P (= O) (R 4) -, - O-C (R 4) 2 -, -C (R 4) 2 -O - , - C (R 4) = N- or -N = C (R 4) - represents, R 4 represents independently a hydrogen atom or a substituent. ]
Is preferable from the viewpoint of device characteristics such as luminous efficiency.
前記式(2−1)〜(2−5)で表される基の中では、発光効率、素子特性の観点から、下記(2−A)〜(2−G): Among the groups represented by the formulas (2-1) to (2-5), the following (2-A) to (2-G):
〔式中、X’、R3、m1及びm2は前述と同じ意味を表す。〕
で表される基が好ましい。
[Wherein, X ′, R 3 , m1 and m2 represent the same meaning as described above. ]
The group represented by these is preferable.
前記式(2−1)〜(2−5)及び式(2−A)〜(2−G)中、R3で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの置換基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。これらの置換基の中では、溶解性、合成の行いやすさの観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素環基がより好ましい。これらの基は、具体的には、Z及びR1で表される置換基として説明し例示したものと同じである。 In the formulas (2-1) to (2-5) and the formulas (2-A) to (2-G), examples of the substituent represented by R 3 include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, and an aryl group. , Aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group , Imine residue, amide group, acid imide group, monovalent heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, nitro group, cyano group and the like. A hydrogen atom contained in these substituents may be substituted with a fluorine atom. Among these substituents, from the viewpoints of solubility and ease of synthesis, alkyl groups, alkoxy groups, alkylthio groups, aryl groups, aryloxy groups, arylthio groups, arylalkyl groups, arylalkoxy groups, monovalent groups. The heterocyclic group is preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, or a monovalent heterocyclic group. These groups are specifically the same as those described and exemplified as the substituents represented by Z and R 1 .
前記R4は、置換基であることが好ましく、R4で表される置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。これらの基、残基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。前記R4の中では、輝度半減寿命等の素子特性の観点からは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、1価の複素環基が好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、1価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基が特に好ましい。これらの基は、具体的には、Z及びR1で表される置換基として説明し例示したものと同じである。 R 4 is preferably a substituent, and examples of the substituent represented by R 4 include an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, and an arylalkoxy group. , Arylalkylthio group, arylalkenyl group, arylalkynyl group, amino group, substituted amino group, silyl group, substituted silyl group, halogen atom, acyl group, acyloxy group, imine residue, amide group, acid imide group, monovalent Heterocyclic group, carboxyl group, substituted carboxyl group, nitro group, cyano group and the like can be mentioned. A hydrogen atom contained in these groups and residues may be substituted with a fluorine atom. Among R 4 , from the viewpoint of device characteristics such as luminance half-life, an alkyl group, an alkoxy group, an alkylthio group, an aryl group, an aryloxy group, an arylthio group, an arylalkyl group, an arylalkoxy group, a monovalent complex A cyclic group is preferred, an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group is more preferred, and an alkyl group and an aryl group are particularly preferred. These groups are specifically the same as those described and exemplified as the substituents represented by Z and R 1 .
前記式(2−1)〜(2−5)で表される基の具体例としては、下記式(2−6)〜(2−66)で表される基等が挙げられる。 Specific examples of the groups represented by the formulas (2-1) to (2-5) include groups represented by the following formulas (2-6) to (2-66).
(式中、R3及びR4は、前記で定義したとおりである。)
(Wherein R 3 and R 4 are as defined above.)
X’は、発光効率、輝度半減寿命等の素子特性の観点から、−O−、−S−、−C(R4)2−、−Si(R4)2−、−O−C(R4)2−、−C(R4)2−O−であることが好ましく、−O−、−S−、−C(R4)2−であることがより好ましく、−C(R4)2−であることがさらに好ましい。 X ′ represents —O—, —S—, —C (R 4 ) 2 —, —Si (R 4 ) 2 —, —O—C (R) from the viewpoint of device characteristics such as luminous efficiency and luminance half life. 4 ) 2 —, —C (R 4 ) 2 —O— is preferable, —O—, —S—, —C (R 4 ) 2 — is more preferable, and —C (R 4 ). 2- is more preferable.
前記重合体は、前記式(2−A)〜(2−G)の中では、素子特性等の観点から、式(2−A)、(2−C)で現される繰り返し単位を含むことが好ましい。 In the formulas (2-A) to (2-G), the polymer includes a repeating unit represented by formulas (2-A) and (2-C) from the viewpoint of device characteristics and the like. Is preferred.
前記重合体は、前記式(1)で表される繰り返し単位を2種類以上含んでいてもよく、また前記式(2)で表される繰り返し単位を2種類以上含んでいてもよい。 The polymer may contain two or more types of repeating units represented by the formula (1), and may contain two or more types of repeating units represented by the formula (2).
本発明の組成物に含まれる重合体は、さらに下記式(3):
−CR5=CR6− (3)
(式中、R5及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、1価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。)
で表される繰り返し単位、下記式(4):
−C≡C− (4)
で表される繰り返し単位を含んでいてもよい。
The polymer contained in the composition of the present invention is further represented by the following formula (3):
-CR 5 = CR 6- (3)
(Wherein R 5 and R 6 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an aryl group, a monovalent heterocyclic group, a carboxyl group, a substituted carboxyl group or a cyano group.)
A repeating unit represented by the following formula (4):
-C≡C- (4)
The repeating unit represented by these may be included.
前記式(3)中、R5及びR6で表されるアルキル基、アリール基、1価の複素環基、置換カルボキシル基は、具体的には、前記Z及びR1で表される置換基の項で説明し例示したとおりである。 In the formula (3), the alkyl group, aryl group, monovalent heterocyclic group and substituted carboxyl group represented by R 5 and R 6 are specifically the substituents represented by Z and R 1. This is as explained and exemplified in the section.
前記重合体は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、さらに、前記式(1)〜(4)で表される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。 The polymer may further contain a repeating unit other than the repeating units represented by the formulas (1) to (4) as long as the light emitting characteristics and the charge transport characteristics are not impaired.
前記重合体中の繰り返し単位は、非共役構造で連結されていてもよいし、該繰り返し単位の中に該非共役構造が含まれていてもよい。この非共役構造としては、以下に示すもの、及びそれらを2個以上組み合わせたもの等が例示される。 The repeating unit in the polymer may be linked with a non-conjugated structure, or the repeating unit may contain the non-conjugated structure. Examples of this non-conjugated structure include those shown below, and combinations of two or more thereof.
(式中、Rは前記で定義したとおりであり、Arはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数6〜60個の炭化水素基を表す。)
(In the formula, R is as defined above, and Ar represents a hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms which may contain a hetero atom.)
前記式中、前記ヘテロ原子としては、酸素、硫黄、窒素、珪素、硼素、燐、セレン等が挙げられる。 In the above formula, examples of the hetero atom include oxygen, sulfur, nitrogen, silicon, boron, phosphorus, and selenium.
前記重合体は、ランダム重合体であってもグラフト重合体であってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり、末端部が3個以上ある場合やデンドリマーも含まれる。 The polymer may be a random polymer or a graft polymer. Moreover, the case where there are branches in the main chain and there are 3 or more terminal portions and dendrimers are also included.
前記重合体のポリスチレン換算の数平均分子量は、通常、1×103〜1×108程度であり、好ましくは1×104〜1×106である。また、ポリスチレン換算の重量平均分子量は、通常、3×103〜1×108程度であり、成膜性の観点及び素子にした場合の発光効率の観点から、好ましくは5×104以上であり、1×105以上がさらに好ましい。また、溶解性の観点からは、1×105〜5×106であることが好ましい。数平均分子量及び重量平均分子量がかかる範囲の重合体を1種単独で素子に用いた場合でも該重合体の2種類以上を併用して素子に用いた場合でも、得られる素子は高発光効率である。また、本発明の組成物の成膜性を向上させる観点から、重量平均分子量/数平均分子量で規定される分散度が3以下であることが好ましい。 The number average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer is usually about 1 × 10 3 to 1 × 10 8 , preferably 1 × 10 4 to 1 × 10 6 . In addition, the polystyrene-equivalent weight average molecular weight is usually about 3 × 10 3 to 1 × 10 8 , and preferably 5 × 10 4 or more from the viewpoint of film formability and light emission efficiency when used as an element. Yes, 1 × 10 5 or more is more preferable. Moreover, it is preferable that it is 1 * 10 < 5 > -5 * 10 < 6 > from a soluble viewpoint. Whether a polymer having a number average molecular weight and a weight average molecular weight in the range of one kind alone is used in the device or when two or more polymers are used in combination in the device, the resulting device has high luminous efficiency. is there. Further, from the viewpoint of improving the film formability of the composition of the present invention, it is preferable that the degree of dispersion defined by the weight average molecular weight / number average molecular weight is 3 or less.
前記重合体の分子鎖末端に位置する基(即ち、末端基)に重合に関与する基(通常、重合活性基と呼ばれる。)が残っていると、該組成物を発光素子に用いたときの発光特性、寿命が低下する可能性があるので、重合に関与しない安定な基で保護されていることが好ましい。この末端基としては、分子鎖主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基又は複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平9-45478号公報の化10に記載の置換基等が例示される。 When a group (usually called a polymerization active group) involved in polymerization remains in a group located at the molecular chain terminal of the polymer (that is, a terminal group), the composition is used for a light emitting device. Since there is a possibility that the light emission characteristics and the lifetime may be reduced, it is preferable that the light-emitting characteristics and the lifetime are protected with a stable group not involved in polymerization. As this terminal group, those having a conjugated bond continuous with the conjugated structure of the molecular chain main chain are preferable, for example, a structure bonded to an aryl group or heterocyclic group via a carbon-carbon bond is exemplified. Is done. Specifically, substituents described in Chemical formula 10 of JP-A-9-45478 are exemplified.
前記重合体は、その分子鎖末端の少なくとも一方を、1価の複素環基、1価の芳香族アミン基、複素環配位金属錯体から誘導される1価の基、及びアリール基から選ばれる芳香族末端基で封止することにより、様々な特性を付加することが期待される。具体的には、素子の輝度低下に要する時間を長くする効果、電荷注入性、電荷輸送性、発光特性等を高める効果、重合体間の相溶性や相互作用を高める効果、アンカー的な効果等が挙げられる。 In the polymer, at least one of molecular chain terminals is selected from a monovalent heterocyclic group, a monovalent aromatic amine group, a monovalent group derived from a heterocyclic coordination metal complex, and an aryl group. It is expected to add various properties by sealing with aromatic end groups. Specifically, the effect of increasing the time required to reduce the luminance of the element, the effect of increasing the charge injection property, the charge transport property, the light emission property, the effect of increasing the compatibility and interaction between polymers, the anchor effect, etc. Is mentioned.
前記重合体の製造方法としては、例えば、Suzuki反応により重合する方法(ケミカル レビュー(Chem.Rev.),第95巻,2457頁(1995年))、Grignard反応により重合する方法(共立出版、高分子機能材料シリーズ第2巻、高分子の合成と反応(2)、432〜433頁)、山本重合法により重合する方法(プログレッシブ ポリマー サイエンス(Prog.Polym.Sci.),第17巻,1153〜1205頁,1992年)、FeCl3等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法(丸善、実験化学講座第4版、28巻、339〜340頁)等が例示される。 Examples of the method for producing the polymer include a method of polymerizing by a Suzuki reaction (Chemical Review (Chem. Rev.), Vol. 95, page 2457 (1995)), a method of polymerizing by a Grignard reaction (Kyoritsu Shuppan, Molecular Functional Materials Series Volume 2, Polymer Synthesis and Reaction (2), pp. 432-433), Method of Polymerization by Yamamoto Polymerization (Progressive Polymer Science (Prog. Polym. Sci.), Volume 17, 1153- 1205, 1992), a method of polymerizing with an oxidizing agent such as FeCl 3, a method of electrochemically oxidatively polymerizing (Maruzen, Experimental Chemistry Course 4th edition, 28, 339-340) and the like.
本発明の組成物を高分子発光素子等に用いる場合、前記重合体の純度が発光特性等の素子の性能に影響を与えるため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製した後に重合することが好ましい。また、合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。 When the composition of the present invention is used for a polymer light-emitting device or the like, the purity of the polymer affects the device performance such as light-emitting properties. Therefore, the monomer before polymerization is distilled, sublimated and purified by a method such as recrystallization. It is preferable to polymerize after purification. Further, after the synthesis, it is preferable to carry out a purification treatment such as reprecipitation purification and fractionation by chromatography.
−低分子蛍光材料−
前記低分子蛍光材料は、通常、400〜700nmの波長範囲に光ルミネッセンス発光ピークを有するものである。低分子蛍光材料の分子量は、通常、3000以下であり、好ましくは100〜1000程度であり、より好ましくは100〜500程度である。
-Small molecule fluorescent material-
The low-molecular fluorescent material usually has a photoluminescence emission peak in a wavelength range of 400 to 700 nm. The molecular weight of the low-molecular fluorescent material is usually 3000 or less, preferably about 100 to 1000, and more preferably about 100 to 500.
前記低分子蛍光材料としては、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセン、アントラセン誘導体、ペリレン、ペリレン誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体を配位子として有する金属錯体、8−ヒドロキシキノリン誘導体を配位子として有する金属錯体、その他の蛍光性金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン、テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルシクロブタジエン、テトラフェニルシクロブタジエン誘導体、スチルベン系、含ケイ素芳香族系、オキサゾール系、フロキサン系、チアゾール系、テトラアリールメタン系、チアジアゾール系、ピラゾール系、メタシクロファン系、アセチレン系等の低分子化合物の蛍光性材料が挙げられる。具体的には、例えば、特開昭57-51781号公報、特開昭59-194393号公報等に記載されているもの、公知のものが挙げられる。以下、該低分子蛍光材料の例示において、式中のRは前述と同じ意味を表し、中でも、水素原子、アルキル基、1価の複素環基、置換アミノ基、シアノ基又はハロゲン原子であることが好ましい。また、これらの基に含まれる水素原子は、フッ素原子に置換されていてもよい。 Examples of the low-molecular fluorescent material include naphthalene derivatives, anthracene, anthracene derivatives, perylene, perylene derivatives, polymethine dyes, xanthene dyes, coumarin dyes, cyanine dyes, and metal complexes of 8-hydroxyquinoline as ligands. Metal complexes having 8-hydroxyquinoline derivatives as ligands, other fluorescent metal complexes, aromatic amines, tetraphenylcyclopentadiene, tetraphenylcyclopentadiene derivatives, tetraphenylcyclobutadiene, tetraphenylcyclobutadiene Of low molecular weight compounds such as derivatives, stilbene, silicon-containing aromatics, oxazoles, furoxanes, thiazoles, tetraarylmethanes, thiadiazoles, pyrazoles, metacyclophanes, acetylenes, etc. Light resistance materials. Specific examples include those described in JP-A-57-51781, JP-A-59-194393, and the like. Hereinafter, in the illustration of the low molecular fluorescent material, R in the formula represents the same meaning as described above, and among them, a hydrogen atom, an alkyl group, a monovalent heterocyclic group, a substituted amino group, a cyano group, or a halogen atom. Is preferred. Moreover, the hydrogen atom contained in these groups may be substituted with a fluorine atom.
ナフタレン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 As a naphthalene derivative, the compound represented by a following formula is illustrated.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
アントラセン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 As the anthracene derivative, a compound represented by the following formula is exemplified.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
ペリレン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the perylene derivative include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
ポリメチン系色素としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of polymethine dyes include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、naは2〜20の整数を表し、Xa -はハロゲンを含有するアニオンを表し、Ma+は金属イオンを表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above, n a represents an integer of 2 to 20, X a − represents an anion containing halogen, and Ma + represents a metal ion.)
Xa -で表されるハロゲンを含有するアニオンの具体例としては、I-、Br-、Cl-、ClO4 -等が挙げられる。 X a - Specific examples of the anion containing a halogen represented by the, I -, Br -, Cl -, ClO 4 - , and the like.
キサンテン系色素としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of xanthene dyes include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、Xbは独立に、−O−、−S−、−NR−、−CR2−、−C(=O)−を表す。)
(Wherein R represents the same meaning as described above, and X b independently represents —O—, —S—, —NR—, —CR 2 —, —C (═O) —).
クマリン系色素としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the coumarin dye include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、Araはアリーレン基又は2価の複素環基を表し、Arbは独立にアリール基又は1価の複素環基を表す。)
(Wherein R represents the same meaning as described above, Ar a represents an arylene group or a divalent heterocyclic group, and Ar b independently represents an aryl group or a monovalent heterocyclic group.)
シアニン系色素としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of cyanine dyes include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、nbは、0〜3の整数を表し、Xcは独立に、−O−、−S−、−NR−、−Se−又は−CH=CH−を表し、Xd -は、ハロゲン化物イオンを表し、Mbは金属原子を表す。また、矢印は配位結合を表す。)
(Wherein R represents the same meaning as described above, n b represents an integer of 0 to 3, and X c independently represents —O—, —S—, —NR—, —Se— or —CH═. represents CH-, X d - represents a halide ion, M b represents a metal atom or, arrows represent coordination bonds)..
8−ヒドロキシキノリン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 As the 8-hydroxyquinoline derivative, a compound represented by the following formula is exemplified.
その他の蛍光性金属錯体とは、室温(即ち、25℃)にて蛍光を発光する金属錯体を意味し、通常、燐光発光を示す金属錯体は含まない。その他の蛍光性金属錯体としては、具体的には、ベリリウム、マグネシウム、アルミニウム、スカンジウム、チタニウム、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、ルテニウム、パラジウム、銀、カドミウム、インジウム、錫等の錯体が挙げられる。これらの錯体を構成する配位子としては、例えば、フェニルピリジン、ビピリジン、チェニルピリジン、ビキノリン、フェナントロリン、ビイミダゾール、フェニルピラゾール、クロロフェニルピラゾール、ニトロフェニルピラゾール等が挙げられるが、これらには限定されない。 The other fluorescent metal complex means a metal complex that emits fluorescence at room temperature (that is, 25 ° C.), and usually does not include a metal complex that exhibits phosphorescence. Specific examples of other fluorescent metal complexes include beryllium, magnesium, aluminum, scandium, titanium, vanadium, chromium, manganese, iron, cobalt, nickel, copper, zinc, gallium, ruthenium, palladium, silver, cadmium, Examples of the complex include indium and tin. Examples of the ligand constituting these complexes include, but are not limited to, phenylpyridine, bipyridine, chenylpyridine, biquinoline, phenanthroline, biimidazole, phenylpyrazole, chlorophenylpyrazole, nitrophenylpyrazole, and the like. .
芳香族アミンとしては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the aromatic amine include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
テトラフェニルシクロペンタジエン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the tetraphenylcyclopentadiene derivative include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
テトラフェニルシクロブタジエン誘導体としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the tetraphenylcyclobutadiene derivative include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
スチルベン系の低分子化合物としては、下記式で表される構造を有する化合物が例示される。 Examples of the stilbene-based low molecular weight compounds include compounds having a structure represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、ncは1〜20の整数を表す。)
(Wherein, R represents the same as defined above, n c is an integer of 1-20.)
含ケイ素芳香族系の低分子化合物としては、下記式で表される構造を有する化合物が例示される。 Examples of the silicon-containing aromatic low-molecular compound include compounds having a structure represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表し、ncは1〜20の整数を表し、Xeは独立に、−O−、−S−、−NR−又は−CH=CH−を表す。)
(Wherein R represents the same meaning as described above, n c represents an integer of 1 to 20, and X e independently represents —O—, —S—, —NR—, or —CH═CH—). )
オキサゾール系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the oxazole-based low molecular weight compound include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
フロキサン系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the furoxan low molecular weight compounds include compounds represented by the following formulae.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。NからOへの矢印は、配位結合を意味する。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above. The arrow from N to O means a coordination bond.)
チアゾール系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of thiazole-based low molecular weight compounds include compounds represented by the following formula.
(式中、R及びAraは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R and Ar a represent the same meaning as described above.)
テトラアリールメタン系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the tetraarylmethane-based low molecular weight compound include compounds represented by the following formulae.
(式中、R及びArbは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R and Ar b represent the same meaning as described above.)
チアジアゾール系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the thiadiazole-based low molecular weight compound include compounds represented by the following formula.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
ピラゾール系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the pyrazole-based low molecular weight compound include compounds represented by the following formula.
(式中、R及びArbは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R and Ar b represent the same meaning as described above.)
メタシクロファン系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of metacyclophane-based low molecular weight compounds include compounds represented by the following formulae.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
アセチレン系の低分子化合物としては、下記式で表される化合物が例示される。 Examples of the acetylene-based low molecular weight compound include compounds represented by the following formulae.
(式中、Rは前述と同じ意味を表す。)
(In the formula, R represents the same meaning as described above.)
−重合体と低分子蛍光材料との関係−
前記重合体のLUMO(最低空準位)のエネルギーレベルの絶対値は、発光効率の観点から、低分子蛍光材料のLUMOのエネルギーレベルの絶対値よりも小さいことが好ましい。該重合体と低分子蛍光材料のLUMOのエネルギーレベルの差(絶対値)は、発光効率の観点から、0.2eV以下であることが好ましく、0.15eV以下であることがより好ましく、0.1eV以下であることがさらに好ましい。その下限は、通常、0eVである。
-Relationship between polymers and low-molecular fluorescent materials-
From the viewpoint of luminous efficiency, the absolute value of the LUMO energy level of the polymer is preferably smaller than the absolute value of the LUMO energy level of the low-molecular fluorescent material. The difference (absolute value) in LUMO energy level between the polymer and the low-molecular fluorescent material is preferably 0.2 eV or less, more preferably 0.15 eV or less, from the viewpoint of luminous efficiency. More preferably, it is 1 eV or less. The lower limit is usually 0 eV.
前記重合体のHOMO(最高被占準位)のエネルギーレベルの絶対値は、発光効率の観点から、低分子蛍光材料のHOMOのエネルギーレベルの絶対値よりも大きいことが好ましい。該重合体と低分子蛍光材料のHOMOのエネルギーレベルの差(絶対値)は、発光効率の観点から0.2eV以下であることが好ましく、0.15eV以下であることがより好ましく、0.1eV以下であることがさらに好ましい。その下限は、通常、0eVである。 The absolute value of the HOMO (highest occupied level) energy level of the polymer is preferably larger than the absolute value of the HOMO energy level of the low-molecular fluorescent material from the viewpoint of luminous efficiency. The difference in HOMO energy level (absolute value) between the polymer and the low-molecular fluorescent material is preferably 0.2 eV or less, more preferably 0.15 eV or less, and more preferably 0.1 eV from the viewpoint of luminous efficiency. More preferably, it is as follows. The lower limit is usually 0 eV.
上述の重合体及び低分子蛍光材料のHOMOのエネルギーレベル及びLUMOのエネルギーレベルは、サイクリックボルタンメトリー装置を用いて測定することができる。測定する重合体又は低分子蛍光材料が、測定に用いる溶媒に不溶な場合は、電極表面に重合体又は低分子蛍光材料の薄膜を作製し、電解質を加えた溶媒中に電極、対極、参照電極を入れる。正の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を酸化電位、負の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を還元電位と定義する。電極の種類、溶媒、電解質等の組み合わせによって標準電極電位が異なるため、酸化電位又は還元電位を比較するためには、同じ組み合わせの電極、溶媒、電解質を用いて測定しなければならない。測定する重合体又は低分子蛍光材料が、測定に用いる溶媒に溶解する場合は、電解質を加えた溶媒に重合体又は低分子蛍光材料を溶解させ、該溶媒中に電極、対極、参照電極を入れる。正の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を酸化電位、負の電位をかけてゆき電流が流れ始めた電位を還元電位と定義する。 The HOMO energy level and LUMO energy level of the above-described polymer and low-molecular fluorescent material can be measured using a cyclic voltammetry apparatus. If the polymer or low-molecular fluorescent material to be measured is insoluble in the solvent used for measurement, a thin film of the polymer or low-molecular fluorescent material is prepared on the electrode surface, and the electrode, counter electrode, and reference electrode are added to the solvent to which the electrolyte is added. Insert. A potential at which a flowing current starts to flow by applying a positive potential is defined as an oxidation potential, and a potential at which a flowing current starts to flow by applying a negative potential is defined as a reduction potential. Since the standard electrode potential differs depending on the combination of electrode type, solvent, electrolyte, etc., in order to compare the oxidation potential or reduction potential, measurement must be performed using the same combination of electrode, solvent, and electrolyte. When the polymer or low-molecular fluorescent material to be measured is dissolved in the solvent used for measurement, the polymer or low-molecular fluorescent material is dissolved in the solvent to which the electrolyte is added, and the electrode, counter electrode, and reference electrode are placed in the solvent. . A potential at which a flowing current starts to flow by applying a positive potential is defined as an oxidation potential, and a potential at which a flowing current starts to flow by applying a negative potential is defined as a reduction potential.
本発明の組成物において、前記重合体と前記低分子蛍光材料との割合は、組み合わせる重合体の種類や、最適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、前記重合体100重量部に対して、前記低分子蛍光材料は、通常、0.01〜49重量部であり、好ましくは0.1〜20重量部であり、より好ましくは0.5〜10重量部であり、さらに好ましくは1.0〜5.0重量部である。かかる範囲を満たすと、発光効率や輝度が高くなる。 In the composition of the present invention, the ratio of the polymer and the low-molecular fluorescent material is not particularly limited because it varies depending on the type of polymer to be combined and the property to be optimized, but with respect to 100 parts by weight of the polymer. The low-molecular fluorescent material is usually 0.01 to 49 parts by weight, preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight, and still more preferably 1. 0 to 5.0 parts by weight. When such a range is satisfied, the light emission efficiency and luminance are increased.
本発明の組成物において、前記重合体及び前記低分子蛍光材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 In the composition of the present invention, each of the polymer and the low molecular fluorescent material may be used alone or in combination of two or more.
本発明の組成物は、前記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体、低分子蛍光材料以外の成分を含有していてもよい。具体的には、例えば、前記式(1)で表される繰り返し単位を有しない重合体、低分子蛍光材料以外の低分子化合物等を含んでいてもよい。それらの含有比率は、用途に応じて決めればよい。 The composition of the present invention may contain components other than the polymer containing the repeating unit represented by the formula (1) and the low molecular fluorescent material. Specifically, for example, a polymer having no repeating unit represented by the formula (1), a low molecular compound other than the low molecular fluorescent material, and the like may be included. Their content ratio may be determined according to the application.
その他にも、本発明の組成物は、溶媒、正孔輸送材料、電子輸送材料、安定剤、粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤、酸化防止剤等を含んでいてもよい。これらの任意成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。但し、本発明の組成物は、通常、燐光発光を示す化合物は含まない。 In addition, the composition of the present invention may contain a solvent, a hole transport material, an electron transport material, a stabilizer, an additive for adjusting viscosity and / or surface tension, an antioxidant, and the like. Each of these optional components may be used alone or in combination of two or more. However, the composition of the present invention usually does not contain a compound that exhibits phosphorescence.
本発明の組成物が含有してもよい正孔輸送材料としては、例えば、ポリビニルカルバゾール又はその誘導体、ポリシラン又はその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポリピロール又はその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)又はその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)又はその誘導体等が挙げられる。 Examples of the hole transport material that may be contained in the composition of the present invention include, for example, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine in a side chain or a main chain, a pyrazoline derivative, an aryl Amine derivatives, stilbene derivatives, triphenyldiamine derivatives, polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, polypyrrole or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof Etc.
本発明の組成物が含有してもよい電子輸送材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン又はその誘導体、ベンゾキノン又はその誘導体、ナフトキノン又はその誘導体、アントラキノン又はその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン又はその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン又はその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、ポリキノリン又はその誘導体、ポリキノキサリン又はその誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体等が挙げられる。 Examples of the electron transport material that may be contained in the composition of the present invention include oxadiazole derivatives, anthraquinodimethane or derivatives thereof, benzoquinone or derivatives thereof, naphthoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, tetracyanoanthra. Quinodimethane or derivatives thereof, fluorenone derivatives, diphenyldicyanoethylene or derivatives thereof, diphenoquinone derivatives, or metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof, etc. Can be mentioned.
本発明の組成物が含有してもよい安定剤としては、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が挙げられる。 Examples of the stabilizer that may be contained in the composition of the present invention include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants.
本発明の組成物が含有してもよい粘度及び/又は表面張力を調節するための添加剤としては、例えば、粘度を高めるための高分子量の化合物(増粘剤)や貧溶媒、粘度を下げるための低分子量の化合物、表面張力を下げるための界面活性剤等を適宜組み合わせて使用すればよい。 Examples of the additive for adjusting the viscosity and / or surface tension that may be contained in the composition of the present invention include a high molecular weight compound (thickener) for increasing the viscosity, a poor solvent, and a decrease in viscosity. A low molecular weight compound for reducing the surface tension and a surfactant for reducing the surface tension may be used in appropriate combination.
前記の高分子量の化合物としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。高分子量の化合物としては、例えば、高分子量のポリスチレン、高分子量のポリメチルメタクリレート等を用いることができる。前記の高分子量の化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は50万以上が好ましく、100万以上がより好ましい。また、貧溶媒を増粘剤として用いることもできる。即ち、本発明の組成物が溶媒を含む場合(即ち、後述の液状組成物である場合)、該組成物中の固形分に対して少量の貧溶媒を添加することで、該組成物の粘度を高めることができる。この目的で貧溶媒を添加する場合、該組成物中の固形分が析出しない範囲で、溶媒の種類と添加量を選択すればよい。保存時の安定性も考慮すると、貧溶媒の量は、組成物全体に対して50重量%以下であることが好ましく、30重量%以下であることがより好ましい。 The high molecular weight compound is not particularly limited as long as it does not inhibit light emission or charge transport. When the composition contains a solvent, it is usually soluble in the solvent. As the high molecular weight compound, for example, high molecular weight polystyrene, high molecular weight polymethyl methacrylate, or the like can be used. The high molecular weight compound has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight of preferably 500,000 or more, more preferably 1,000,000 or more. A poor solvent can also be used as a thickener. That is, when the composition of the present invention contains a solvent (that is, a liquid composition described later), the viscosity of the composition can be increased by adding a small amount of a poor solvent to the solid content in the composition. Can be increased. When a poor solvent is added for this purpose, the type and amount of the solvent may be selected as long as the solid content in the composition does not precipitate. Considering the stability during storage, the amount of the poor solvent is preferably 50% by weight or less, more preferably 30% by weight or less based on the entire composition.
本発明の組成物が含有してもよい酸化防止剤としては、発光や電荷輸送を阻害しないものであればよく、組成物が溶媒を含む場合には、通常、該溶媒に可溶性のものである。酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤等が例示される。酸化防止剤を用いることにより、本発明の組成物、溶媒の保存安定性を改善し得る。 The antioxidant that may be contained in the composition of the present invention is not limited as long as it does not inhibit light emission and charge transport. When the composition contains a solvent, it is usually soluble in the solvent. . Examples of the antioxidant include phenolic antioxidants and phosphorus antioxidants. By using an antioxidant, the storage stability of the composition and solvent of the present invention can be improved.
本発明の組成物が正孔輸送材料を含有する場合には、該組成物中の正孔輸送材料の割合は、通常、1重量%〜80重量%であり、好ましくは5重量%〜60重量%である。本発明の組成物が電子輸送材料を含有する場合には、該組成物中の電子輸送材料の割合は、通常、1重量%〜80重量%であり、好ましくは5重量%〜60重量%である。本発明の組成物には、低分子蛍光材料に加えて、蛍光を発する重合体を含んでいてもよい。 When the composition of the present invention contains a hole transport material, the ratio of the hole transport material in the composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight. %. When the composition of the present invention contains an electron transport material, the proportion of the electron transport material in the composition is usually 1% by weight to 80% by weight, preferably 5% by weight to 60% by weight. is there. The composition of the present invention may contain a fluorescent polymer in addition to the low-molecular fluorescent material.
<液状組成物>
本発明の組成物は、特に液状組成物として高分子発光素子等の発光素子や有機トランジスタの作製に有用である。液状組成物は、本発明の組成物が必要に応じて溶媒を含んでなるものである。本明細書において、「液状組成物」とは、素子作製時において液状であるものを意味し、典型的には、常圧(即ち、1気圧)、25℃において液状のものを意味する。また、液状組成物は、一般的には、インク、インク組成物、溶液等と呼ばれることがある。
<Liquid composition>
The composition of the present invention is particularly useful as a liquid composition for the production of light emitting devices such as polymer light emitting devices and organic transistors. The liquid composition is one in which the composition of the present invention contains a solvent as necessary. In the present specification, the “liquid composition” means a liquid that is liquid at the time of device fabrication, and typically means a liquid at normal pressure (ie, 1 atm) and 25 ° C. The liquid composition is generally called an ink, an ink composition, a solution or the like.
高分子発光素子の作製の際に、この液状組成物(例えば、溶液状態の組成物)を用いて成膜する場合、該液状組成物を塗布した後、乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用できるので、製造上非常に有利である。なお、乾燥の際には、50〜150℃程度に加温した状態で乾燥してもよく、また、10-3Pa程度に減圧して乾燥させてもよい。 When forming a film using this liquid composition (for example, a composition in a solution state) at the time of producing a polymer light emitting device, it is only necessary to remove the solvent by drying after applying the liquid composition, In addition, when a charge transport material or a light emitting material is mixed, the same method can be applied, which is very advantageous in manufacturing. In addition, in the case of drying, you may dry in the state heated at about 50-150 degreeC, and may be dried by reducing pressure to about 10 <-3 > Pa.
液状組成物を用いた成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。 The film formation method using the liquid composition includes spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen. Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.
液状組成物中の溶媒の割合は、該液状組成物の全重量に対して、通常、1重量%〜99.9重量%であり、好ましくは60重量%〜99.9重量%であり、さらに好ましく90重量%〜99.8重量%である。液状組成物の粘度は印刷法によって異なるが、25℃において0.5〜500mPa・sの範囲が好ましく、インクジェットプリント法等液状組成物が吐出装置を経由するものの場合には、吐出時の目づまりや飛行曲がりを防止するために粘度が25℃において0.5〜20mPa・sの範囲であることが好ましい。また、前記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体及び低分子蛍光材料の重量の和が液状組成物から溶媒を除いた全成分の合計重量に対して、通常は20重量%〜100重量%であり、好ましくは40重量%〜100重量%である。 The proportion of the solvent in the liquid composition is usually 1% by weight to 99.9% by weight, preferably 60% by weight to 99.9% by weight, based on the total weight of the liquid composition. Preferably it is 90 weight%-99.8 weight%. Although the viscosity of the liquid composition varies depending on the printing method, it is preferably in the range of 0.5 to 500 mPa · s at 25 ° C. If the liquid composition such as an ink jet printing method passes through a discharge device, clogging during discharge And the viscosity is preferably in the range of 0.5 to 20 mPa · s at 25 ° C. in order to prevent flight bending. Further, the sum of the weights of the polymer containing the repeating unit represented by the formula (1) and the low-molecular fluorescent material is usually 20% by weight to the total weight of all components excluding the solvent from the liquid composition. 100% by weight, preferably 40% by weight to 100% by weight.
液状組成物に含まれる溶媒としては、該組成物中の該溶媒以外の成分を溶解又は分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、メシチレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、メチルベンゾエート、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。また、これらの溶媒は、1種単独で用いても複数組み合わせて用いてもよい。前記溶媒のうち、ベンゼン環を少なくとも1個以上含む構造を有し、かつ融点が0℃以下、沸点が100℃以上である有機溶媒を1種類以上含むことが、粘度、成膜性等の観点から好ましい。 As the solvent contained in the liquid composition, those capable of dissolving or dispersing components other than the solvent in the composition are preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorinated solvents such as chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, toluene, xylene, and trimethyl. Aromatic hydrocarbon solvents such as benzene and mesitylene, aliphatic hydrocarbon solvents such as cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane, Ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate, methyl benzoate, ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether Polyethylene alcohol and its derivatives such as ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxyethane, propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerol, 1,2-hexanediol, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, etc. Examples thereof include alcohol-based solvents, sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide, and amide-based solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These solvents may be used alone or in combination. Among the solvents, it is preferable to include one or more organic solvents having a structure containing at least one benzene ring and having a melting point of 0 ° C. or lower and a boiling point of 100 ° C. or higher in view of viscosity, film formability, and the like. To preferred.
溶媒の種類としては、液状組成物中の溶媒以外の成分の有機溶媒への溶解性、成膜時の均一性、粘度特性等の観点から、芳香族炭化水素系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、エステル系溶媒、ケトン系溶媒が好ましく、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メシチレン、n−プロピルベンゼン、i−プロピルベンゼン、n−ブチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、s−ブチルベンゼン、アニソール、エトキシベンゼン、1−メチルナフタレン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシル、シクロヘキセニルシクロヘキサノン、n−ヘプチルシクロヘキサン、n−ヘキシルシクロヘキサン、メチルベンゾエート、2−プロピルシクロヘキサノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、2−オクタノン、2−ノナノン、2−デカノン、ジシクロヘキシルケトンが好ましく、キシレン、アニソール、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ビシクロヘキシルメチルベンゾエートのうち少なくとも1種類を含むことがより好ましい。 Solvents include aromatic hydrocarbon solvents and aliphatic hydrocarbon solvents from the viewpoints of solubility in organic solvents other than the solvent in the liquid composition, uniformity during film formation, viscosity characteristics, etc. Ester solvents and ketone solvents are preferred, toluene, xylene, ethylbenzene, diethylbenzene, trimethylbenzene, mesitylene, n-propylbenzene, i-propylbenzene, n-butylbenzene, i-butylbenzene, s-butylbenzene, anisole , Ethoxybenzene, 1-methylnaphthalene, cyclohexane, cyclohexanone, cyclohexylbenzene, bicyclohexyl, cyclohexenylcyclohexanone, n-heptylcyclohexane, n-hexylcyclohexane, methylbenzoate, 2-propylcyclohexanone, 2-heptanone, - heptanone, 4-heptanone, 2-octanone, 2-nonanone, 2-decanone, dicyclohexyl ketone are preferred, xylene, anisole, mesitylene, cyclohexylbenzene, and it is more preferable to contain at least one of bicyclohexyl methyl benzoate.
液状組成物に含まれる溶媒の種類は、成膜性の観点や素子特性等の観点から、2種類以上であることが好ましく、2〜3種類であることがより好ましく、2種類であることがさらに好ましい。 The type of solvent contained in the liquid composition is preferably two or more, more preferably two to three, and more preferably two from the viewpoints of film forming properties and device characteristics. Further preferred.
液状組成物に2種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの1種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、1種類の溶媒は沸点が180℃以上のものであり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃以下のものであることが好ましく、1種類の溶媒は沸点が200℃以上のものであり、他の1種類の溶媒は沸点が180℃以下のものであることがより好ましい。また、粘度の観点から、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましく、2種類の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶解することが好ましい。 When two kinds of solvents are contained in the liquid composition, one of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, it is preferable that one type of solvent has a boiling point of 180 ° C. or higher, and the other one type of solvent preferably has a boiling point of 180 ° C. or lower. More preferably, the solvent has a boiling point of 180 ° C. or lower. Further, from the viewpoint of viscosity, at 60 ° C., it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent, and one of the two solvents has 25 ° C. In this case, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component excluding the solvent from the liquid composition is dissolved.
液状組成物に3種類の溶媒が含まれる場合、そのうちの1〜2種類の溶媒は25℃において固体状態でもよい。成膜性の観点から、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以上の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることが好ましく、3種類の溶媒のうちの少なくとも1種類の溶媒は沸点が200℃以上300℃以下の溶媒であり、少なくとも1種類の溶媒は沸点が180℃以下の溶媒であることがより好ましい。また、粘度の観点から、3種類の溶媒のうちの2種類の溶媒には、60℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましく、3種類の溶媒のうちの1種類の溶媒には、25℃において、液状組成物から溶媒を除いた成分の0.2重量%以上が溶媒に溶解することが好ましい。 When the liquid composition contains three kinds of solvents, one or two kinds of the solvents may be in a solid state at 25 ° C. From the viewpoint of film formability, at least one of the three solvents is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or higher, and at least one solvent is preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or lower. At least one of the types of solvents is a solvent having a boiling point of 200 ° C. or more and 300 ° C. or less, and at least one of the solvents is more preferably a solvent having a boiling point of 180 ° C. or less. Further, from the viewpoint of viscosity, it is preferable that two of the three types of solvents have 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition dissolved at 60 ° C. in the solvent. Of these solvents, it is preferable that 0.2% by weight or more of the component obtained by removing the solvent from the liquid composition is dissolved in the solvent at 25 ° C.
液状組成物に2種類以上の溶媒が含まれる場合、粘度及び成膜性の観点から、最も沸点が高い溶媒が、液状組成物に含まれる全溶媒の重量の40〜90重量%であることが好ましく、50〜90重量%であることがより好ましく、65〜85重量%であることがさらに好ましい。 When two or more kinds of solvents are contained in the liquid composition, the solvent having the highest boiling point is 40 to 90% by weight of the total solvent contained in the liquid composition from the viewpoint of viscosity and film formability. Preferably, it is 50 to 90% by weight, more preferably 65 to 85% by weight.
液状組成物に含まれる溶媒としては、粘度及び成膜性の観点から、アニソール及びビシクロヘキシルの組み合わせ、アニソール及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、キシレン及びビシクロヘキシルの組み合わせ、キシレン及びシクロヘキシルベンゼンの組み合わせ、メシチレン及びメチルベンゾエートの組み合わせが好ましい。 As the solvent contained in the liquid composition, from the viewpoints of viscosity and film formability, a combination of anisole and bicyclohexyl, a combination of anisole and cyclohexylbenzene, a combination of xylene and bicyclohexyl, a combination of xylene and cyclohexylbenzene, mesitylene and methyl A combination of benzoates is preferred.
液状組成物に含まれる溶媒以外の成分の溶媒への溶解性の観点から、溶媒の溶解度パラメータと、本発明の組成物に含まれる重合体の溶解度パラメータとの差が10以下であることが好ましく、7以下であることがより好ましい。これらの溶解度パラメータは、「溶剤ハンドブック(講談社刊、1976年)」に記載の方法で求めることができる。 From the viewpoint of solubility of the components other than the solvent contained in the liquid composition in the solvent, the difference between the solubility parameter of the solvent and the solubility parameter of the polymer contained in the composition of the present invention is preferably 10 or less. , 7 or less is more preferable. These solubility parameters can be obtained by the method described in “Solvent Handbook (published by Kodansha, 1976)”.
<薄膜>
次いで、本発明の薄膜について説明する。この薄膜は、前記組成物を用いてなるものである。薄膜の種類としては、発光性薄膜、導電性薄膜、有機半導体薄膜が例示される。
<Thin film>
Next, the thin film of the present invention will be described. This thin film is formed using the composition. Examples of the thin film include a light-emitting thin film, a conductive thin film, and an organic semiconductor thin film.
発光性薄膜は、素子の輝度や発光電圧等の観点から、発光の量子収率が50%以上であることが好ましく、60%以上であることがより好ましく、70%以上であることがさらに好ましい。 The light-emitting thin film preferably has a quantum yield of light emission of 50% or more, more preferably 60% or more, and still more preferably 70% or more, from the viewpoint of device brightness, light emission voltage, and the like. .
導電性薄膜は、表面抵抗が1KΩ/□以下であることが好ましい。薄膜に、ルイス酸、イオン性化合物等をドープすることにより、電気伝導度を高めることができる。表面抵抗が100Ω/□以下であることがより好ましく、10Ω/□以下であることがさらに好ましい。 The conductive thin film preferably has a surface resistance of 1 KΩ / □ or less. The electrical conductivity can be increased by doping the thin film with a Lewis acid, an ionic compound or the like. The surface resistance is more preferably 100Ω / □ or less, and further preferably 10Ω / □ or less.
有機半導体薄膜は、電子移動度又は正孔移動度のいずれか大きいほうが、好ましくは10-5cm2/V/秒以上であり、より好ましくは10-3cm2/V/秒以上であり、さらに好ましくは10-1cm2/V/秒以上である。また、有機半導体薄膜を用いて、有機トランジスタを作製することができる。具体的には、SiO2等の絶縁膜とゲート電極とを形成したSi基板上に有機半導体薄膜を形成し、Au等でソース電極とドレイン電極を形成することにより、有機トランジスタとすることができる。 The organic semiconductor thin film has a higher electron mobility or hole mobility, preferably 10 −5 cm 2 / V / second or more, more preferably 10 −3 cm 2 / V / second or more, More preferably, it is 10 -1 cm 2 / V / second or more. In addition, an organic transistor can be manufactured using an organic semiconductor thin film. Specifically, an organic transistor can be formed by forming an organic semiconductor thin film on a Si substrate on which an insulating film such as SiO 2 and a gate electrode are formed, and forming a source electrode and a drain electrode with Au or the like. .
<組成物の用途>
次に本発明の組成物(液状組成物を含む。)の用途について説明する。
本発明の組成物は、通常、固体状態で蛍光を発し、高分子発光体(即ち、高分子量の発光材料)として用いることができる。また、本発明の組成物は優れた電荷輸送能を有しており、高分子発光素子用材料や電荷輸送材料として好適に用いることができる。該高分子発光体を用いた高分子発光素子は低電圧、高発光効率で駆動できる高性能の高分子発光素子である。従って、本発明の組成物は、曲面状光源、平面状光源等の面状光源(例えば、照明等);セグメント表示装置(例えば、セグメントタイプの表示素子等)、ドットマトリックス表示装置(例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等)、液晶表示装置(例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等)等の表示装置等の材料として有用である。また、本発明の組成物は、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機トランジスタ用の有機半導体、導電性薄膜、有機半導体薄膜等の伝導性薄膜用材料、蛍光を発する発光性薄膜材料等としても用いることができる。有機トランジスタは、バイポーラトランジスタとして用いることも、高分子電界効果トランジスタ等の電界効果トランジスタとして用いることもできる。
<Use of composition>
Next, the use of the composition of the present invention (including a liquid composition) will be described.
The composition of the present invention usually emits fluorescence in a solid state and can be used as a polymer light emitter (that is, a high molecular weight light emitting material). In addition, the composition of the present invention has an excellent charge transport ability, and can be suitably used as a material for a polymer light emitting device or a charge transport material. A polymer light emitting device using the polymer light emitter is a high performance polymer light emitting device that can be driven at a low voltage and high luminous efficiency. Therefore, the composition of the present invention comprises a surface light source such as a curved light source or a planar light source (for example, illumination); a segment display device (for example, a segment type display element); a dot matrix display device (for example, a dot light source). It is useful as a material for display devices such as a matrix flat display) and a liquid crystal display device (for example, a liquid crystal display device, a liquid crystal display backlight). Further, the composition of the present invention can be used as a laser dye, an organic solar cell material, an organic semiconductor for an organic transistor, a conductive thin film, a conductive thin film material such as an organic semiconductor thin film, a luminescent thin film material that emits fluorescence, etc. Can also be used. The organic transistor can be used as a bipolar transistor or a field effect transistor such as a polymer field effect transistor.
<高分子発光素子>
次に、本発明の高分子発光素子について説明する。
本発明の高分子発光素子は、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ前記組成物を含む有機層(即ち、有機物を含む層)とを有するものである。前記有機層は、発光層、正孔輸送層、電子輸送層等のいずれであってもよいが、有機層が発光層であることが好ましい。本発明の高分子発光素子は、本発明の組成物が正孔輸送層及び/又は電子輸送層に含まれているものも含む。
<Polymer light emitting device>
Next, the polymer light emitting device of the present invention will be described.
The polymer light-emitting device of the present invention has an electrode composed of an anode and a cathode, and an organic layer (that is, a layer containing an organic substance) provided between the electrodes and containing the composition. The organic layer may be any of a light emitting layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and the like, but the organic layer is preferably a light emitting layer. The polymer light-emitting device of the present invention includes those in which the composition of the present invention is contained in a hole transport layer and / or an electron transport layer.
発光層とは、発光する機能を有する層をいう。正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層をいう。電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層をいう。なお、正孔輸送層と電子輸送層を総称して電荷輸送層という。発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に2層以上存在してもよい。 The light emitting layer refers to a layer having a function of emitting light. The hole transport layer refers to a layer having a function of transporting holes. The electron transport layer refers to a layer having a function of transporting electrons. The hole transport layer and the electron transport layer are collectively referred to as a charge transport layer. Two or more light emitting layers, hole transport layers, and electron transport layers may be present independently.
本発明の高分子発光素子が発光層を有する場合、該発光層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nm、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 When the polymer light-emitting device of the present invention has a light-emitting layer, the thickness of the light-emitting layer varies depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate values. It is 1 nm-1 micrometer, Preferably it is 2 nm-500 nm, More preferably, it is 5 nm-200 nm.
発光層の形成方法としては、例えば、液状組成物からの成膜による方法が挙げられる。液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。パターン形成や多色の塗分けが容易であるという点で、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の印刷法が好ましい。 Examples of the method for forming the light emitting layer include a method of forming a film from a liquid composition. Film formation methods from liquid compositions include spin coating, casting, micro gravure coating, gravure coating, bar coating, roll coating, wire bar coating, dip coating, spray coating, and screen printing. A coating method such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used. Printing methods such as a screen printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an ink jet printing method are preferable in that pattern formation and multicolor coating are easy.
本発明の高分子発光素子は、素子の輝度等の観点から陽極と陰極との間に3.5V以上の電圧を印加したときの最大外部量子収率が1%以上であることが好ましく、1.5%以上であることがより好ましい。 The polymer light-emitting device of the present invention preferably has a maximum external quantum yield of 1% or more when a voltage of 3.5 V or more is applied between the anode and the cathode from the viewpoint of device brightness and the like. More preferably, it is 5% or more.
本発明の高分子発光素子としては、例えば、陰極と発光層との間に電子輸送層を設けた高分子発光素子、陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子、陰極と発光層との間に電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に正孔輸送層を設けた高分子発光素子等が挙げられる。 Examples of the polymer light emitting device of the present invention include a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between a cathode and a light emitting layer, and a polymer light emitting device in which a hole transport layer is provided between an anode and a light emitting layer. And a polymer light emitting device in which an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer and a hole transport layer is provided between the anode and the light emitting layer.
本発明の高分子発光素子としては、具体的には、以下のa)〜d)の構造が例示される。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
Specific examples of the polymer light-emitting device of the present invention include the following structures a) to d).
a) Anode / light emitting layer / cathode b) Anode / hole transport layer / light emitting layer / cathode c) Anode / light emitting layer / electron transport layer / cathode d) Anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode (Here, / indicates that each layer is laminated adjacently. The same shall apply hereinafter.)
本発明の組成物が正孔輸送層に用いられる場合には、本発明の組成物が正孔輸送性基(例えば、芳香族アミノ基、チエニル基等)を有する高分子化合物を含むか、又は前記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体が該正孔輸送性基を有することが好ましい。正孔輸送性基を含む高分子化合物の具体例としては、芳香族アミンを含む重合体、スチルベンを含む重合体等が挙げられる。 When the composition of the present invention is used for a hole transport layer, the composition of the present invention contains a polymer compound having a hole transporting group (for example, an aromatic amino group, a thienyl group, etc.), or It is preferable that the polymer containing the repeating unit represented by the formula (1) has the hole transporting group. Specific examples of the polymer compound containing a hole transporting group include a polymer containing an aromatic amine and a polymer containing stilbene.
本発明の組成物が電子輸送層に用いられる場合には、本発明の組成物が電子輸送性基(例えば、オキサジアゾール基、オキサチアジアゾール基、ピリジル基等)を有する高分子化合物を含むか、又は前記式(1)で表される繰り返し単位を含む重合体が該電子輸送性基を有することが好ましい。電子輸送性基を含む高分子化合物の具体例としては、オキサジアゾールを含む重合体、トリアゾールを含む重合体、キノリンを含む重合体、キノキサリンを含む重合体、ベンゾチアジアゾールを含む重合体等が挙げられる。 When the composition of the present invention is used for an electron transporting layer, does the composition of the present invention include a polymer compound having an electron transporting group (for example, an oxadiazole group, an oxathiadiazole group, a pyridyl group, etc.)? Or the polymer containing the repeating unit represented by the formula (1) preferably has the electron transporting group. Specific examples of the polymer compound containing an electron transporting group include a polymer containing oxadiazole, a polymer containing triazole, a polymer containing quinoline, a polymer containing quinoxaline, and a polymer containing benzothiadiazole. It is done.
本発明の高分子発光素子が正孔輸送層を有する場合、通常、該正孔輸送層には正孔輸送材料(低分子、高分子のものがある。)が用いられる。この正孔輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもよい正孔輸送材料で例示したものが挙げられる。 When the polymer light-emitting device of the present invention has a hole transporting layer, a hole transporting material (including low molecular weight and high molecular weight materials) is usually used for the hole transporting layer. Examples of the hole transport material include those exemplified for the hole transport material that may be contained in the composition of the present invention.
該正孔輸送材料としては、具体的には、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。 Specific examples of the hole transport material include JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2. Examples are those described in JP-A-209988, JP-A-3-7992 and JP-A-3-152184.
これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール又はその誘導体、ポリシラン又はその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)又はその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)又はその誘導体等の高分子の正孔輸送材料が好ましく、ポリビニルカルバゾール又はその誘導体、ポリシラン又はその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体がさらに好ましい。 Among these, as the hole transport material used for the hole transport layer, polyvinyl carbazole or a derivative thereof, polysilane or a derivative thereof, a polysiloxane derivative having an aromatic amine compound group in a side chain or a main chain, a polyaniline or a derivative thereof , Polythiophene or a derivative thereof, poly (p-phenylene vinylene) or a derivative thereof, and a polymer hole transport material such as poly (2,5-thienylene vinylene) or a derivative thereof is preferable, polyvinylcarbazole or a derivative thereof, polysilane or A polysiloxane derivative having an aromatic amine in its derivative, side chain or main chain is more preferred.
また、低分子の正孔輸送材料としては、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体が例示される。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。 Examples of the low molecular hole transport material include pyrazoline derivatives, arylamine derivatives, stilbene derivatives, and triphenyldiamine derivatives. In the case of a low-molecular hole transport material, it is preferably used by being dispersed in a polymer binder.
高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。高分子バインダーとしては、ポリ(N−ビニルカルバゾール)、ポリアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)又はその誘導体、ポリ(2,5−チエニレンビニレン)又はその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。 As the polymer binder, those that do not extremely inhibit charge transport are preferable, and those that do not strongly absorb visible light are preferably used. Polymer binders include poly (N-vinylcarbazole), polyaniline or derivatives thereof, polythiophene or derivatives thereof, poly (p-phenylene vinylene) or derivatives thereof, poly (2,5-thienylene vinylene) or derivatives thereof, polycarbonate , Polyacrylate, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polystyrene, polyvinyl chloride, polysiloxane and the like.
ポリビニルカルバゾール又はその誘導体は、例えば、ビニルモノマーからカチオン重合又はラジカル重合によって得られる。 Polyvinylcarbazole or a derivative thereof can be obtained, for example, from a vinyl monomer by cation polymerization or radical polymerization.
ポリシラン又はその誘導体としては、ケミカル・レビュー(Chem.Rev.)第89巻、1359頁(1989年)、英国特許GB2300196号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。 Examples of polysilane or derivatives thereof include compounds described in Chemical Review, Vol. 89, page 1359 (1989), GB GB2300196 published specification, and the like. As the synthesis method, the methods described in these can be used, but the Kipping method is particularly preferably used.
ポリシロキサン又はその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖又は主鎖に上記低分子の正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖又は主鎖に有するものが例示される。 Since polysiloxane or a derivative thereof has almost no hole transporting property in the siloxane skeleton structure, those having the structure of the low molecular weight hole transporting material in the side chain or main chain are preferably used. Particularly, those having a hole transporting aromatic amine in the side chain or main chain are exemplified.
正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子の正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。高分子の正孔輸送材料では、溶液(即ち、正孔輸送材料を溶媒と混合したもの)からの成膜による方法が例示される。 Although there is no restriction | limiting in the film-forming method of a positive hole transport layer, The method by the film-forming from a mixed solution with a polymer binder is illustrated in the low molecular hole transport material. Examples of the polymer hole transport material include a method of forming a film from a solution (that is, a mixture of a hole transport material and a solvent).
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解又は均一に分散できるものが好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2−トリクロロエタン、クロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、n−ペンタン、n−ヘキサン、n−へプタン、n−オクタン、n−ノナン、n−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、1,2−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing the hole transport material is preferable. Examples of the solvent include chloroform, methylene chloride, 1,2-dichloroethane, 1,1,2-trichloroethane, chlorinated solvents such as chlorobenzene and o-dichlorobenzene, ether solvents such as tetrahydrofuran and dioxane, toluene, xylene and the like. Aromatic hydrocarbon solvents, cyclohexane, methylcyclohexane, n-pentane, n-hexane, n-heptane, n-octane, n-nonane, n-decane and other aliphatic hydrocarbon solvents, acetone, methyl ethyl ketone, cyclohexanone Such as ketone solvents, ester solvents such as ethyl acetate, butyl acetate and ethyl cellosolve acetate, ethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, dimethoxy ether , Propylene glycol, diethoxymethane, triethylene glycol monoethyl ether, glycerin, polyhydric alcohols such as 1,2-hexanediol and derivatives thereof, alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, isopropanol, cyclohexanol, dimethyl Examples include sulfoxide solvents such as sulfoxide and amide solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. These organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。 Examples of film formation methods from solution include spin coating from solution, casting method, micro gravure coating method, gravure coating method, bar coating method, roll coating method, wire bar coating method, dip coating method, spray coating method, screen Coating methods such as a printing method, a flexographic printing method, an offset printing method, and an inkjet printing method can be used.
正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと素子の駆動電圧が高くなることがあり好ましくない。従って、正孔輸送層の膜厚は、通常、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nm、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the hole transport layer differs depending on the material used and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate, but at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element may increase, which is not preferable. Therefore, the thickness of the hole transport layer is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, and more preferably 5 nm to 200 nm.
本発明の高分子発光素子が電子輸送層を有する場合、通常、該電子輸送層には電子輸送材料(低分子、高分子のものがある。)が用いられる。この電子輸送材料としては、前述の本発明の組成物が含有してもよい電子輸送材料で例示したものが挙げられる。 When the polymer light-emitting device of the present invention has an electron transport layer, usually, an electron transport material (including low molecular weight and high molecular weight materials) is used for the electron transport layer. Examples of the electron transport material include those exemplified for the electron transport material that may be contained in the composition of the present invention.
該電子輸送材料としては、具体的には、特開昭63-70257号公報、特開昭63-175860号公報、特開平2-135359号公報、特開平2-135361号公報、特開平2-209988号公報、特開平3-37992号公報、特開平3-152184号公報に記載されているもの等が例示される。 Specific examples of the electron transport material include JP-A-63-70257, JP-A-63-175860, JP-A-2-135359, JP-A-2-135361, and JP-A-2-135. Examples are those described in 209988, JP-A-3-7992 and JP-A-3-152184.
これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノン又はその誘導体、アントラキノン又はその誘導体、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体、ポリキノリン又はその誘導体、ポリキノキサリン又はその誘導体、ポリフルオレン又はその誘導体が好ましく、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−t−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス(8−キノリノール)アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。 Of these, oxadiazole derivatives, benzoquinone or derivatives thereof, anthraquinones or derivatives thereof, metal complexes of 8-hydroxyquinoline or derivatives thereof, polyquinoline or derivatives thereof, polyquinoxaline or derivatives thereof, polyfluorene or derivatives thereof are preferred. More preferred are-(4-biphenylyl) -5- (4-t-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole, benzoquinone, anthraquinone, tris (8-quinolinol) aluminum, and polyquinoline.
電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子の電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、及び溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示され、高分子電子輸送材料では溶液又は溶融状態からの成膜による方法が例示される。溶液又は溶融状態からの成膜時には、前記高分子バインダーを併用してもよい。 There are no particular restrictions on the method of forming the electron transport layer, but examples of low molecular electron transport materials include vacuum evaporation from powder and film formation from a solution or a molten state. Then, a method by film formation from a solution or a molten state is exemplified. When forming a film from a solution or a molten state, the polymer binder may be used in combination.
溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料及び/又は高分子バインダーを溶解又は均一に分散できるものが好ましい。具体的には、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜に用いる溶媒として例示したものが挙げられる。この溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。 As a solvent used for film formation from a solution, a solvent capable of dissolving or uniformly dispersing an electron transport material and / or a polymer binder is preferable. Specifically, what was illustrated as a solvent used for the film-forming from the solution of a positive hole transport layer in the term of the said positive hole transport layer is mentioned. These solvents may be used alone or in combination of two or more.
溶液又は溶融状態からの成膜方法としては、前記正孔輸送層の項において、正孔輸送層の溶液からの成膜方法として例示したものが挙げられる。 Examples of the film formation method from a solution or a molten state include those exemplified as the film formation method from the solution of the hole transport layer in the section of the hole transport layer.
電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、電子輸送層の膜厚は、通常、1nm〜1μmであり、好ましくは2nm〜500nm、さらに好ましくは5nm〜200nmである。 The film thickness of the electron transport layer differs depending on the material used, and may be selected so that the drive voltage and the light emission efficiency are appropriate. However, at least a thickness that does not cause pinholes is required. If the thickness is too thick, the driving voltage of the element increases, which is not preferable. Therefore, the film thickness of the electron transport layer is usually 1 nm to 1 μm, preferably 2 nm to 500 nm, more preferably 5 nm to 200 nm.
また、電極に隣接して設けた正孔輸送層、電子輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、それぞれ、特に正孔注入層、電子注入層(以下、これらの総称を「電荷注入層」ということがある。)と一般に呼ばれることがある。 Among the hole transport layer and electron transport layer provided adjacent to the electrode, those having the function of improving the charge injection efficiency from the electrode and having the effect of lowering the driving voltage of the element are particularly positive. Generally referred to as a hole injection layer or an electron injection layer (hereinafter, these generic names may be referred to as “charge injection layers”).
さらに電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚2nm以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。 Further, in order to improve adhesion with the electrode and charge injection from the electrode, the charge injection layer or an insulating layer having a thickness of 2 nm or less may be provided adjacent to the electrode, and the adhesion at the interface may be improved. In order to prevent mixing, a thin buffer layer may be inserted at the interface between the charge transport layer and the light emitting layer.
積層する層の順番や数、及び各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。 The order and number of layers to be laminated, and the thickness of each layer can be appropriately used in consideration of light emission efficiency and element lifetime.
本発明において、電荷注入層を設けた高分子発光素子としては、例えば、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、以下のe)〜p)の構造が挙げられる。
e)陽極/正孔注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電子注入層/陰極
g)陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極
h)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
j)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極
k)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
m)陽極/正孔注入層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
n)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
p)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
In the present invention, the polymer light emitting device provided with the charge injection layer includes, for example, a polymer light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the cathode, and a polymer light emitting device provided with a charge injection layer adjacent to the anode. Is mentioned. Specifically, the following structures e) to p) are mentioned.
e) Anode / hole injection layer / light emitting layer / cathode f) Anode / light emitting layer / electron injection layer / cathode g) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode h) Anode / hole injection layer / Hole transport layer / light emitting layer / cathode i) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode j) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron injection layer / cathode k ) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode l) Anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode m) Anode / hole injection layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection Layer / cathode n) anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode o) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode p) anode / Hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / cathode
本発明の高分子発光素子としては、前述のとおり、本発明の組成物が正孔輸送層及び/又は電子輸送層に含まれているものも含む。また、本発明の高分子発光素子としては、本発明の組成物が正孔注入層及び/又は電子注入層に含まれているものも含む。 As described above, the polymer light-emitting device of the present invention includes those in which the composition of the present invention is contained in a hole transport layer and / or an electron transport layer. The polymer light-emitting device of the present invention includes those in which the composition of the present invention is contained in a hole injection layer and / or an electron injection layer.
本発明の組成物が正孔注入層に用いられる場合には、電子受容性化合物と同時に用いられることが好ましい。本発明の組成物が電子輸送層に用いられる場合には、電子供与性化合物と同時に用いられることが好ましい。ここで、同時に用いるためには、混合、共重合、側鎖としての導入等の方法がある。 When the composition of the present invention is used for a hole injection layer, it is preferably used simultaneously with an electron accepting compound. When the composition of the present invention is used for an electron transport layer, it is preferably used simultaneously with an electron donating compound. Here, for simultaneous use, there are methods such as mixing, copolymerization and introduction as a side chain.
電荷注入層の具体例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層等が挙げられる。 A specific example of the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, provided between the anode and the hole transport layer, and having an intermediate value between the anode material and the hole transport material contained in the hole transport layer. Examples include a layer including a material having an ionization potential, a layer including a material provided between the cathode and the electron transport layer, and having a material having an electron affinity intermediate between the cathode material and the electron transport material included in the electron transport layer. It is done.
電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、10-5S/cm以上103S/cm以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、10-5S/cm以上102S/cm以下がより好ましく、10-5S/cm以上101S/cm以下がさらに好ましい。通常、該導電性高分子の電気伝導度を10-5S/cm以上103S/cm以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。 When the charge injection layer is a layer containing a conductive polymer, the electrical conductivity of the conductive polymer is preferably 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less, and a leakage current between the light emitting pixels. for the smaller is more preferably less 10 -5 S / cm or more and 10 2 S / cm, more preferably not more than 10 -5 S / cm or more and 10 1 S / cm. Usually, the conductive polymer is doped with an appropriate amount of ions in order to set the electric conductivity of the conductive polymer to 10 −5 S / cm or more and 10 3 S / cm or less.
ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオン等が挙げられる。カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオン等が挙げられる。 The type of ions to be doped is an anion for the hole injection layer and a cation for the electron injection layer. Examples of anions include polystyrene sulfonate ions, alkylbenzene sulfonate ions, camphor sulfonate ions, and the like. Examples of the cation include lithium ion, sodium ion, potassium ion, tetrabutylammonium ion and the like.
電荷注入層の膜厚は、通常、1nm〜100nmであり、2nm〜50nmが好ましい。 The thickness of the charge injection layer is usually 1 nm to 100 nm, preferably 2 nm to 50 nm.
電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリピロール及びその誘導体、ポリフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチエニレンビニレン及びその誘導体、ポリキノリン及びその誘導体、ポリキノキサリン及びその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖又は側鎖に含む重合体等の導電性高分子、金属フタロシアニン(銅フタロシアニン等)、カーボン等が例示される。 The material used for the charge injection layer may be appropriately selected in relation to the material of the electrode and the adjacent layer. Polyaniline and derivatives thereof, polythiophene and derivatives thereof, polypyrrole and derivatives thereof, polyphenylene vinylene and derivatives thereof, polythienylene vinylene And derivatives thereof, polyquinoline and derivatives thereof, polyquinoxaline and derivatives thereof, conductive polymers such as polymers containing an aromatic amine structure in the main chain or side chain, metal phthalocyanine (copper phthalocyanine, etc.), carbon, etc. .
膜厚2nm以下の絶縁層は、電荷注入を容易にする機能を有するものである。絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。 The insulating layer having a thickness of 2 nm or less has a function of facilitating charge injection. Examples of the material for the insulating layer include metal fluorides, metal oxides, and organic insulating materials.
膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子発光素子としては、陰極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子発光素子、陽極に隣接して膜厚2nm以下の絶縁層を設けた高分子発光素子が挙げられる。具体的には、例えば、以下のq)〜ab)の構造が挙げられる。
q)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/陰極
r)陽極/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
s)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
t)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/陰極
u)陽極/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
v)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
w)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/陰極
x)陽極/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
y)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
z)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
aa)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
ab)陽極/膜厚2nm以下の絶縁層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/膜厚2nm以下の絶縁層/陰極
The polymer light emitting device provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less includes a polymer light emitting device provided with an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the cathode, and an insulating layer having a thickness of 2 nm or less adjacent to the anode. The provided polymer light emitting element is mentioned. Specific examples include the following structures q) to ab).
q) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / cathode r) Anode / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode s) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / film thickness 2 nm Insulating layer / cathode t) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / cathode u) Anode / hole transporting layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode v) Anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode w) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / cathode x) anode / Light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode y) anode / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / light emitting layer / electron transport layer / insulating layer with a thickness of 2 nm or less / cathode z) anode / film Insulating layer with a thickness of 2 nm or less / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / cathode aa) anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport Layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode ab) anode / thickness 2nm or less of the insulating layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transporting layer / thickness 2nm or less of the insulating layer / cathode
本発明の高分子発光素子は、上記a)〜ab)に例示した素子構造において、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層のうちのいずれかに、本発明の組成物を含む。 The polymer light-emitting device of the present invention is the device structure exemplified in the above-mentioned a) to ab), in any one of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer. Contains the composition of the invention.
本発明の高分子発光素子は、通常、基板上に形成される。この基板は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよい。基板の材料としては、例えば、ガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板等が挙げられる。不透明な基板の場合には、反対の電極(即ち、基板から遠い方の電極)が透明又は半透明であることが好ましい。通常、本発明の高分子発光素子が有する陽極及び陰極の少なくとも一方が透明又は半透明である。陽極側が透明又は半透明であることが好ましい。 The polymer light-emitting device of the present invention is usually formed on a substrate. This substrate may be any substrate that does not change when an electrode is formed and an organic layer is formed. Examples of the material of the substrate include glass, plastic, polymer film, silicon substrate, and the like. In the case of an opaque substrate, the opposite electrode (that is, the electrode far from the substrate) is preferably transparent or translucent. Usually, at least one of the anode and the cathode of the polymer light-emitting device of the present invention is transparent or translucent. The anode side is preferably transparent or translucent.
陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、及びそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESA等)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。陽極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、陽極として、ポリアニリン又はその誘導体、ポリチオフェン又はその誘導体等の有機の透明導電膜を用いてもよい。 As the material for the anode, a conductive metal oxide film, a translucent metal thin film, or the like is used. Specifically, indium oxide, zinc oxide, tin oxide, and a composite film made of conductive glass made of indium / tin / oxide (ITO), indium / zinc / oxide, etc. (NESA) Etc.), gold, platinum, silver, copper and the like are used, and ITO, indium / zinc / oxide, and tin oxide are preferable. Examples of a method for producing the anode include a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, and a plating method. Further, as the anode, an organic transparent conductive film such as polyaniline or a derivative thereof, polythiophene or a derivative thereof may be used.
陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜調整することができるが、通常、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μm、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The film thickness of the anode can be appropriately adjusted in consideration of light transmittance and electrical conductivity, but is usually 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, more preferably 50 nm to 500 nm. .
陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボン等からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよい。 In order to facilitate charge injection on the anode, a layer made of a phthalocyanine derivative, a conductive polymer, carbon, or the like, or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material or the like having an average film thickness of 2 nm or less It may be provided.
陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、及びそれらのうち2つ以上の合金、又はそれらのうち1つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち1つ以上との合金、グラファイト又はグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等が挙げられる。陰極を2層以上の積層構造としてもよい。 As a material for the cathode, a material having a small work function is preferable. For example, metals such as lithium, sodium, potassium, rubidium, cesium, beryllium, magnesium, calcium, strontium, barium, aluminum, scandium, vanadium, zinc, yttrium, indium, cerium, samarium, europium, terbium, ytterbium, and the like Two or more of these alloys, or an alloy of one or more of them and one or more of gold, silver, platinum, copper, manganese, titanium, cobalt, nickel, tungsten, tin, graphite or graphite intercalation compound, etc. Is used. Examples of the alloy include magnesium-silver alloy, magnesium-indium alloy, magnesium-aluminum alloy, indium-silver alloy, lithium-aluminum alloy, lithium-magnesium alloy, lithium-indium alloy, calcium-aluminum alloy and the like. The cathode may have a laminated structure of two or more layers.
陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜調整することができるが、例えば、10nm〜10μmであり、好ましくは20nm〜1μm、さらに好ましくは50nm〜500nmである。 The thickness of the cathode can be appropriately adjusted in consideration of electrical conductivity and durability, but is, for example, 10 nm to 10 μm, preferably 20 nm to 1 μm, and more preferably 50 nm to 500 nm.
陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機層との間に、導電性高分子からなる層、又は金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚2nm以下の層を設けてもよく、陰極作製後、該高分子発光素子を保護する保護層を設けてもよい。高分子発光素子を長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層及び/又は保護カバーを設けることが好ましい。 As a method for producing the cathode, a vacuum deposition method, a sputtering method, a laminating method in which a metal thin film is thermocompression bonded, or the like is used. Further, a layer made of a conductive polymer or a layer made of a metal oxide, a metal fluoride, an organic insulating material or the like having an average film thickness of 2 nm or less may be provided between the cathode and the organic layer. A protective layer for protecting the polymer light emitting device may be provided. In order to use the polymer light emitting device stably for a long period of time, it is preferable to provide a protective layer and / or a protective cover in order to protect the device from the outside.
保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物、金属窒化物、有機無機ハイブリッド材料等を用いることができる。保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板等を用いることができ、該カバーを熱硬化樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか1つ以上の方策をとることが好ましい。 As the protective layer, a polymer compound, metal oxide, metal fluoride, metal boride, metal nitride, organic-inorganic hybrid material, or the like can be used. As the protective cover, a glass plate, a plastic plate having a low water permeability treatment on the surface, or the like can be used, and a method of sealing and sealing the cover with an element substrate with a thermosetting resin or a photocurable resin is preferably used. It is done. If a space is maintained using a spacer, it is easy to prevent the element from being damaged. If an inert gas such as nitrogen or argon is sealed in the space, the cathode can be prevented from being oxidized, and moisture adsorbed in the manufacturing process by installing a desiccant such as barium oxide in the space. It becomes easy to suppress giving an image to an element. Among these, it is preferable to take any one or more measures.
本発明の高分子発光素子は、例えば、曲面状光源、平面状光源等の面状光源(例えば、照明等);セグメント表示装置(例えば、セグメントタイプの表示素子等)、ドットマトリックス表示装置(例えば、ドットマトリックスのフラットディスプレイ等)、液晶表示装置(例えば、液晶表示装置、液晶ディスプレイのバックライト等)等の表示装置等に用いることができる。 The polymer light emitting device of the present invention includes, for example, a curved light source, a planar light source such as a planar light source (eg, illumination), a segment display device (eg, a segment type display device), a dot matrix display device (eg, , A dot matrix flat display, etc.), a liquid crystal display device (for example, a liquid crystal display device, a backlight of a liquid crystal display, etc.).
本発明の高分子発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極又は陰極のいずれか一方、又は両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にOn/OFFできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号等を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光体を塗り分ける方法や、カラーフィルター又は蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、TFT等と組み合わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置として用いることができる。 In order to obtain planar light emission using the polymer light emitting device of the present invention, the planar anode and cathode may be arranged so as to overlap each other. In order to obtain pattern-like light emission, a method in which a mask having a pattern-like window is provided on the surface of a planar light-emitting element, an organic layer of a non-light-emitting portion is formed to be extremely thick and substantially non-light-emitting. There is a method of forming either one of the anode or the cathode or both electrodes in a pattern. By forming a pattern by any of these methods and arranging some electrodes so that they can be turned on / off independently, a segment type display element capable of displaying numbers, letters, simple symbols and the like can be obtained. Further, in order to obtain a dot matrix element, both the anode and the cathode may be formed in a stripe shape and arranged so as to be orthogonal to each other. Partial color display and multi-color display are possible by a method of separately coating a plurality of types of polymer phosphors having different emission colors or a method using a color filter or a fluorescence conversion filter. The dot matrix element can be driven passively, or may be actively driven in combination with a TFT or the like. These display elements can be used as display devices for computers, televisions, mobile terminals, mobile phones, car navigation systems, video camera viewfinders, and the like.
面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、又は面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。 The planar light emitting element is self-luminous thin and can be suitably used as a planar light source for a backlight of a liquid crystal display device or a planar illumination light source. If a flexible substrate is used, it can also be used as a curved light source or display device.
<有機トランジスタ(高分子電界効果トランジスタ)>
次に、有機トランジスタの一態様である高分子電界効果トランジスタを説明する。
本発明の組成物は、高分子電界効果トランジスタの材料として、中でも活性層として好適に用いることができる。高分子電界効果トランジスタの構造としては、通常は、ソース電極及びドレイン電極が高分子からなる活性層に接して設けられており、さらに活性層に接した絶縁層を挟んでゲート電極が設けられていればよい。
<Organic transistor (polymer field effect transistor)>
Next, a polymer field effect transistor which is an embodiment of the organic transistor will be described.
The composition of the present invention can be suitably used as a polymer field effect transistor material, particularly as an active layer. As a structure of a polymer field effect transistor, a source electrode and a drain electrode are usually provided in contact with an active layer made of a polymer, and a gate electrode is provided with an insulating layer in contact with the active layer interposed therebetween. Just do it.
高分子電界効果トランジスタは、通常は支持基板上に形成される。支持基板としては電界効果トランジスタとしての特性を阻害しなければ材質は特に制限されないが、ガラス基板やフレキシブルなフィルム基板やプラスチック基板も用いることができる。 The polymer field effect transistor is usually formed on a supporting substrate. The material of the support substrate is not particularly limited as long as the characteristics as a field effect transistor are not hindered, but a glass substrate, a flexible film substrate, or a plastic substrate can also be used.
高分子電界効果トランジスタは、公知の方法、例えば、特開平5-110069号公報記載の方法により製造することができる。 The polymer field effect transistor can be produced by a known method, for example, a method described in JP-A-5-110069.
活性層を形成する際に、有機溶媒可溶性の重合体を含む組成物を用いることが製造上非常に有利であり好ましい。有機溶媒可溶性の重合体を含む組成物が溶媒を含んでなる液状組成物からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法等の塗布法を用いることができる。 In forming the active layer, it is very advantageous and preferable to use a composition containing an organic solvent-soluble polymer. As a film formation method from a liquid composition in which a composition containing an organic solvent-soluble polymer contains a solvent, a spin coating method, a casting method, a micro gravure coating method, a gravure coating method, a bar coating method, a roll coating method Application methods such as wire bar coating, dip coating, spray coating, screen printing, flexographic printing, offset printing, and inkjet printing can be used.
高分子電界効果トランジスタを作製後、封止してなる封止高分子電界効果トランジスタが好ましい。これにより、高分子電界効果トランジスタが、大気から遮断され、高分子電界効果トランジスタの特性の低下を抑えることができる。 A sealed polymer field effect transistor obtained by sealing after producing a polymer field effect transistor is preferred. Thereby, the polymer field effect transistor is shielded from the atmosphere, and deterioration of the characteristics of the polymer field effect transistor can be suppressed.
封止する方法としては、紫外線(UV)硬化樹脂、熱硬化樹脂や無機のSiONx膜等でカバーする方法、ガラス板やフィルムをUV硬化樹脂、熱硬化樹脂等で張り合わせる方法等が挙げられる。大気との遮断を効果的に行うため高分子電界効果トランジスタを作製後、封止するまでの工程を大気に曝すことなく(例えば、乾燥した窒素雰囲気中、真空中等で)行うことが好ましい。 Examples of the sealing method include a method of covering with an ultraviolet (UV) curable resin, a thermosetting resin, an inorganic SiONx film, or the like, and a method of bonding a glass plate or film with a UV curable resin, a thermosetting resin, or the like. In order to effectively cut off from the atmosphere, it is preferable to carry out the steps from the preparation of the polymer field effect transistor to the sealing without exposure to the atmosphere (for example, in a dry nitrogen atmosphere or in a vacuum).
以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。 Examples will be shown below for illustrating the present invention in more detail, but the present invention is not limited to these examples.
−数平均分子量及び重量平均分子量の測定方法−
実施例において、ポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、島津製作所製、商品名:LC-10Avp)により求めた。測定する重合体は、約0.5重量%の濃度になるようテトラヒドロフランに溶解させ、GPCに50μL注入した。GPCの移動相はテトラヒドロフランを用い、0.6mL/minの流速で流した。カラムは、TSKgel SuperHM-H(東ソー製)2本とTSKgel SuperH2000(東ソー製)1本を直列に繋げた。検出器には示差屈折率検出器(島津製作所製、商品名:RID-10A)を用いた。
-Method for measuring number average molecular weight and weight average molecular weight-
In Examples, the polystyrene-equivalent number average molecular weight and weight average molecular weight were determined by gel permeation chromatography (GPC, manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: LC-10Avp). The polymer to be measured was dissolved in tetrahydrofuran to a concentration of about 0.5% by weight, and 50 μL was injected into GPC. Tetrahydrofuran was used as the mobile phase of GPC, and flowed at a flow rate of 0.6 mL / min. As for the column, two TSKgel SuperHM-H (manufactured by Tosoh) and one TSKgel SuperH2000 (manufactured by Tosoh) were connected in series. A differential refractive index detector (manufactured by Shimadzu Corporation, trade name: RID-10A) was used as the detector.
−HOMOのエネルギーレベル及びLUMOのエネルギーレベルの測定−
重合体のHOMOのエネルギーレベルは重合体の酸化電位から求め、重合体のLUMOのエネルギーレベルは重合体の還元電位から求めた。低分子蛍光材料のHOMOのエネルギーレベルは低分子蛍光材料の酸化電位から、低分子蛍光材料のLUMOのエネルギーレベルは低分子蛍光材料の還元電位から求めた。酸化電位及び還元電位の測定には、サイクリックボルタンメトリー(ビー・エー・エス製、商品名:ALS600)を用い、0.1重量%テトラブチルアンモニウム−t−フルオロボレートを含むアセトニトリル溶媒中で測定を行った。酸化電位の測定は、参照電極に銀/塩化銀電極、作用極に白金電極、対極に白金電極を用い、溶媒を窒素で1分間バブリングした後に測定を行った。一方、還元電位の測定は、参照電極に銀/銀イオン電極、作用極にグラッシーカーボン電極、対極に白金電極を用い、窒素で置換したグローブボックス中で測定を行った。また、電位のそういん速度は共に50mV/sで測定した。
-Measurement of HOMO energy level and LUMO energy level-
The HOMO energy level of the polymer was determined from the oxidation potential of the polymer, and the LUMO energy level of the polymer was determined from the reduction potential of the polymer. The HOMO energy level of the low molecular fluorescent material was determined from the oxidation potential of the low molecular fluorescent material, and the LUMO energy level of the low molecular fluorescent material was determined from the reduction potential of the low molecular fluorescent material. For the measurement of the oxidation potential and the reduction potential, cyclic voltammetry (manufactured by BAS, trade name: ALS600) was used, and measurement was performed in an acetonitrile solvent containing 0.1 wt% tetrabutylammonium-t-fluoroborate. went. The oxidation potential was measured using a silver / silver chloride electrode as a reference electrode, a platinum electrode as a working electrode, and a platinum electrode as a counter electrode, and bubbling the solvent with nitrogen for 1 minute. On the other hand, the reduction potential was measured in a glove box substituted with nitrogen using a silver / silver ion electrode as a reference electrode, a glassy carbon electrode as a working electrode, and a platinum electrode as a counter electrode. The potential velocity was measured at 50 mV / s.
<合成例1>
−重合体1の合成−
9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン 768mgと、下記構造式:
<Synthesis Example 1>
-Synthesis of Polymer 1-
768 mg of 9,9-dioctyl-2,7-dibromofluorene and the following structural formula:
反応後、この溶液を冷却した後、25重量%アンモニア水 7.2ml/メタノール 108ml/イオン交換水 108ml混合溶液に注ぎ込み、約1時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエン60mlに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことにより精製した。次に、この溶液を、5.2重量%塩酸水で洗浄した。分液後、トルエン層を、4重量%アンモニア水で洗浄した。分液後、トルエン層を、イオン交換水で洗浄した。分液後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、攪拌下、メタノールに注ぎ込み、再沈精製した。生成した沈殿を回収した後、この沈殿をメタノールで洗浄した。この沈殿を減圧乾燥して、重合体(以下、「重合体1」という。)500mgを得た。 After the reaction, this solution was cooled, then poured into a mixed solution of 25% by weight aqueous ammonia 7.2 ml / methanol 108 ml / ion exchanged water 108 ml, and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was recovered by filtration. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in 60 ml of toluene. The solution was filtered to remove insoluble matters, and then the solution was purified by passing through a column filled with alumina. Next, this solution was washed with 5.2 wt% aqueous hydrochloric acid. After separation, the toluene layer was washed with 4% by weight aqueous ammonia. After separation, the toluene layer was washed with ion exchange water. After separation, the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol with stirring and purified by reprecipitation. After the produced precipitate was recovered, this precipitate was washed with methanol. This precipitate was dried under reduced pressure to obtain 500 mg of a polymer (hereinafter referred to as “polymer 1”).
重合体1のポリスチレン換算の数平均分子量は2.1×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は1.9×105であった。 The polystyrene equivalent number average molecular weight of the polymer 1 was 2.1 × 10 4 , and the polystyrene equivalent weight average molecular weight was 1.9 × 10 5 .
出発原料の仕込み比より、重合体1は、下記式: From the charge ratio of the starting materials, the polymer 1 has the following formula:
で表される割合で上記単位を有するものであると推測される。
It is estimated that it has the said unit in the ratio represented by these.
−HOMOのエネルギーレベル、LUMOのエネルギーレベルの測定−
上述の測定方法に従って、重合体1及びルブレンのHOMOのエネルギーレベル及びLUMOのエネルギーレベルを測定した。重合体1のHOMOのエネルギーレベルは5.3eVであり、LUMOのエネルギーレベルは2.4eVであった。ルブレンのHOMOのエネルギーレベルは5.2eVであり、LUMOのエネルギーレベルは3.2eVであった。
-Measurement of HOMO energy level and LUMO energy level-
According to the measurement method described above, the HOMO energy level and LUMO energy level of the polymer 1 and rubrene were measured. Polymer 1 had a HOMO energy level of 5.3 eV and a LUMO energy level of 2.4 eV. The energy level of rubrene HOMO was 5.2 eV, and the energy level of LUMO was 3.2 eV.
<実施例1>
−組成物1の調製−
重合体1とルブレン(光ルミネッセンス発光ピーク:560nm)を重量比95:5で混合し、組成物(以下、「組成物1」という。)を調製した。
<Example 1>
-Preparation of Composition 1-
Polymer 1 and rubrene (photoluminescence emission peak: 560 nm) were mixed at a weight ratio of 95: 5 to prepare a composition (hereinafter referred to as “composition 1”).
<合成例2>
−重合体2の合成−
9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン 8.63gと、下記構造式:
<Synthesis Example 2>
-Synthesis of polymer 2-
9.63 g of 9,9-dioctyl-2,7-dibromofluorene and the following structural formula:
で表される化合物 3.0gと、2,2’−ビピリジル8.25gとを、反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、予めアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン(脱水溶媒)750gを加えた。次に、この混合溶液に、ビス(1,5−シクロオクタジエン)ニッケル(0)を15.0gを加え、室温で10分間攪拌した後、60℃で3時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
After charging 3.0 g of the compound represented by the formula (2) and 8.25 g of 2,2′-bipyridyl into the reaction vessel, the inside of the reaction system was replaced with nitrogen gas. To this, 750 g of tetrahydrofuran (dehydrated solvent) deaerated previously by bubbling with argon gas was added. Next, 15.0 g of bis (1,5-cyclooctadiene) nickel (0) was added to this mixed solution, and the mixture was stirred at room temperature for 10 minutes and then reacted at 60 ° C. for 3 hours. The reaction was performed in a nitrogen gas atmosphere.
反応後、この反応溶液を冷却した後、この溶液に、25重量%アンモニア水70ml/メタノール700ml/イオン交換水700ml混合溶液を注ぎ込み、約1時間攪拌した。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。このトルエン溶液を濾過し、不溶物を除去した後、このトルエン溶液を、アルミナを充填したカラムを通すことで精製した。次に、このトルエン溶液を、約3重量%アンモニア水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液をイオン交換水で洗浄し、静置、分液した後、トルエン溶液を回収した。次に、このトルエン溶液を、メタノール中に注ぎ込み、再沈精製した。 After the reaction, this reaction solution was cooled, and then a mixed solution of 25 wt% ammonia water 70 ml / methanol 700 ml / ion exchanged water 700 ml was poured into the solution and stirred for about 1 hour. Next, the produced precipitate was filtered and collected. This precipitate was dried under reduced pressure and then dissolved in toluene. The toluene solution was filtered to remove insoluble matters, and the toluene solution was purified by passing through a column packed with alumina. Next, this toluene solution was washed with about 3 wt% aqueous ammonia, allowed to stand and liquid-separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was washed with ion-exchanged water, allowed to stand and separated, and then the toluene solution was recovered. Next, this toluene solution was poured into methanol and purified by reprecipitation.
次に、生成した沈殿を回収し、この沈殿を減圧乾燥して、重合体(以下、「重合体2」という。)4.5gを得た。重合体2のポリスチレン換算の重量平均分子量は1.4×105であり、ポリスチレン換算の数平均分子量は、4.1×104であった。 Next, the produced precipitate was recovered, and this precipitate was dried under reduced pressure to obtain 4.5 g of a polymer (hereinafter referred to as “polymer 2”). The polystyrene equivalent weight average molecular weight of the polymer 2 was 1.4 × 10 5 , and the polystyrene equivalent number average molecular weight was 4.1 × 10 4 .
出発原料の仕込み比より、重合体2は、下記式: From the charge ratio of the starting materials, the polymer 2 has the following formula:
で表される割合で上記単位を有するものであると推測される。
It is estimated that it has the said unit in the ratio represented by these.
−HOMOのエネルギーレベル、LUMOのエネルギーレベルの測定−
上述の測定方法に従って、重合体2のHOMOのエネルギーレベル及びLUMOのエネルギーレベルを測定した。重合体2のHOMOのエネルギーレベルは5.5eVであり、LUMOのエネルギーレベルは2.3eVであった。
-Measurement of HOMO energy level and LUMO energy level-
According to the measurement method described above, the HOMO energy level and LUMO energy level of the polymer 2 were measured. Polymer 2 had a HOMO energy level of 5.5 eV and a LUMO energy level of 2.3 eV.
<比較例1>
−組成物2の調製−
重合体2とルブレンを重量比95:5で混合し、組成物(以下、「組成物2」という。)を調製した。
<Comparative Example 1>
-Preparation of composition 2-
Polymer 2 and rubrene were mixed at a weight ratio of 95: 5 to prepare a composition (hereinafter referred to as “Composition 2”).
<実施例2>
−発光素子の作製−
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(Bayer製、Bytron P AI4083)の懸濁液を、スピンコートにより80nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃、10分間乾燥した。次に、組成物1をトルエンに1.5重量%の濃度で溶解させ、該トルエン溶液を用いてスピンコートによりおよそ80nmの厚みで成膜した。その後、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下の窒素雰囲気下で、90℃1時間乾燥した後、陰極として、フッ化リチウムを約4nm、次いでカルシウムを5nm、最後にアルミニウムを約100nm蒸着して、高分子発光素子を作製した。素子構成は、ITO/Baytron P(80nm)/組成物1(80nm)/LiF/Ca /Alであった。なお、真空度が、1×10-4Pa以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
<Example 2>
-Fabrication of light-emitting elements-
A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (from Bayer, Bytron P AI4083) was applied to a glass substrate with an ITO film having a thickness of 150 nm by sputtering, and a thickness of 80 nm by spin coating. Then, the film was formed on a hot plate and dried at 200 ° C. for 10 minutes. Next, the composition 1 was dissolved in toluene at a concentration of 1.5% by weight, and a film was formed to a thickness of about 80 nm by spin coating using the toluene solution. Then, after drying for 1 hour at 90 ° C. in a nitrogen atmosphere having an oxygen concentration and a water concentration of 10 ppm or less, lithium fluoride was deposited as a cathode at about 4 nm, then calcium was deposited at 5 nm, and finally aluminum was deposited at about 100 nm. A molecular light emitting device was produced. The device configuration was ITO / Baytron P (80 nm) / Composition 1 (80 nm) / LiF / Ca / Al. Note that, after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less, metal deposition was started.
得られた素子に6.0Vの電圧をかけると、1000cd/m2の輝度で蛍光波長のピークトップが550nmである蛍光を発し、発光効率は0.87cd/Aであった。 When a voltage of 6.0 V was applied to the obtained device, fluorescence was emitted with a luminance of 1000 cd / m 2 and a peak top of the fluorescence wavelength of 550 nm, and the light emission efficiency was 0.87 cd / A.
<比較例2>
−発光素子の作製−
スパッタ法により150nmの厚みでITO膜を付けたガラス基板に、ポリ(3,4)エチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルフォン酸(Bayer製、Bytron P AI4083)の懸濁液を、スピンコートにより80nmの厚みで成膜し、ホットプレート上で200℃、10分間乾燥した。次に、組成物2をトルエンに2.0重量%の濃度で溶解させ、該トルエン溶液を用いてスピンコートによりおよそ80nmの厚みで成膜した。その後、酸素濃度及び水分濃度が10ppm以下の窒素雰囲気下で、90℃1時間乾燥した後、陰極として、フッ化リチウムを約4nm、次いでカルシウムを5nm、最後にアルミニウムを約100nm蒸着して、高分子発光素子を作製した。素子構成は、ITO/Baytron P(80nm)/組成物2(80nm)/LiF/Ca /Alであった。なお、真空度が、1×10-4Pa以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
<Comparative example 2>
-Fabrication of light-emitting elements-
A suspension of poly (3,4) ethylenedioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (from Bayer, Bytron P AI4083) was applied to a glass substrate with an ITO film having a thickness of 150 nm by sputtering, and a thickness of 80 nm by spin coating. Then, the film was formed on a hot plate and dried at 200 ° C. for 10 minutes. Next, the composition 2 was dissolved in toluene at a concentration of 2.0% by weight, and a film having a thickness of about 80 nm was formed by spin coating using the toluene solution. Then, after drying for 1 hour at 90 ° C. in a nitrogen atmosphere having an oxygen concentration and a water concentration of 10 ppm or less, lithium fluoride was deposited as a cathode at about 4 nm, then calcium was deposited at 5 nm, and finally aluminum was deposited at about 100 nm. A molecular light emitting device was produced. The device configuration was ITO / Baytron P (80 nm) / Composition 2 (80 nm) / LiF / Ca / Al. Note that, after the degree of vacuum reached 1 × 10 −4 Pa or less, metal deposition was started.
得られた素子に6.3Vの電圧をかけると、1000cd/m2の輝度で蛍光波長のピークトップが550nmである蛍光を発し、発光効率は0.53cd/Aであった。また、6.0Vでの輝度は724cd/m2であった。 When a voltage of 6.3 V was applied to the obtained device, fluorescence was emitted with a luminance of 1000 cd / m 2 and a peak top of the fluorescence wavelength of 550 nm, and the light emission efficiency was 0.53 cd / A. The luminance at 6.0 V was 724 cd / m 2 .
<合成例3>
−重合体3の合成−
窒素雰囲気下において、9,9−ジオクチル−2,7−ジブロモフルオレン1.65gと、下記構造式:
<Synthesis Example 3>
-Synthesis of Polymer 3-
Under a nitrogen atmosphere, 9.65 g of 9,9-dioctyl-2,7-dibromofluorene and the following structural formula:
で表される化合物1.80g、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド(商品名:アリコート336、アルドリッチ社製)1.21g とを反応容器に仕込んだ後、トルエン52gに溶解させ、これに炭酸カリウム1.31gを水56gに溶解させた炭酸カリウム水溶液を加えた。さらにテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム 6.9mgを加え、10時間加熱還流した。その後、ブロモベンゼン61mgを加え更に2時間加熱還流した。室温まで冷却後、有機層をメタノールに滴下し、析出した沈殿を濾別し乾燥して重合体(以下、この重合体を「重合体(3−1)」という。)を得た。
別途、同様の合成操作を2回行い、重合体(3−2)及び重合体(3−3)を得た。こうして得られた重合体(3−1)、重合体(3−2)及び重合体(3−3)を混合し、トルエン150mLに溶解させ、この溶液をシリカとアルミナを充填したカラムを通すことで精製した。その後、得られた精製物(溶液)をメタノール500mLに滴下し、析出した沈殿を濾別、乾燥し、重合体3.82gを得た(以下、この重合体を「重合体3」という)。
And 1.21 g of methyltrioctylammonium chloride (trade name: aliquot 336, manufactured by Aldrich) were charged into a reaction vessel and dissolved in 52 g of toluene, and 1.31 g of potassium carbonate was added thereto. A potassium carbonate solution in which 56 g of water was dissolved was added. Further, 6.9 mg of tetrakis (triphenylphosphine) palladium was added and heated to reflux for 10 hours. Thereafter, 61 mg of bromobenzene was added and the mixture was further heated to reflux for 2 hours. After cooling to room temperature, the organic layer was added dropwise to methanol, and the deposited precipitate was filtered and dried to obtain a polymer (hereinafter, this polymer is referred to as “polymer (3-1)”).
Separately, the same synthesis operation was performed twice to obtain a polymer (3-2) and a polymer (3-3). The polymer (3-1), polymer (3-2) and polymer (3-3) thus obtained are mixed, dissolved in 150 mL of toluene, and this solution is passed through a column filled with silica and alumina. Purified with. Thereafter, the purified product (solution) obtained was dropped into 500 mL of methanol, and the deposited precipitate was filtered and dried to obtain 3.82 g of a polymer (hereinafter, this polymer is referred to as “polymer 3”).
重合体3のポリスチレン換算の数平均分子量は1.1×104であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は2.3×104であった。 The polystyrene equivalent number average molecular weight of the polymer 3 was 1.1 × 10 4 , and the polystyrene equivalent weight average molecular weight was 2.3 × 10 4 .
出発原料から、重合体3は、下記式: From the starting material, the polymer 3 has the following formula:
で表される繰り返し単位を有するものと推測される。
It is estimated that it has the repeating unit represented by these.
−HOMOのエネルギーレベル、LUMOのエネルギーレベルの測定−
上述の測定方法に従って、重合体3のHOMOのエネルギーレベル及びLUMOのエネルギーレベルを測定した。重合体3のHOMOのエネルギーレベルは5.89eVであり、LUMOのエネルギーレベルは2.37eVであった。
-Measurement of HOMO energy level and LUMO energy level-
According to the measurement method described above, the HOMO energy level and LUMO energy level of the polymer 3 were measured. Polymer 3 had a HOMO energy level of 5.89 eV and a LUMO energy level of 2.37 eV.
<比較例3>
−組成物3の調製−
重合体3とルブレンを重量比95:5で混合し、組成物(以下、「組成物3」という。)を調製した。
<Comparative Example 3>
-Preparation of Composition 3-
Polymer 3 and rubrene were mixed at a weight ratio of 95: 5 to prepare a composition (hereinafter referred to as “Composition 3”).
<比較例4>
−発光素子の作製−
実施例2において、組成物1に代えて組成物3を用いた以外は実施例2と同様にして、高分子発光素子を作製した。
<Comparative example 4>
-Fabrication of light-emitting elements-
In Example 2, a polymer light emitting device was produced in the same manner as in Example 2 except that the composition 3 was used instead of the composition 1.
得られた素子に6.0Vの電圧をかけると、蛍光波長のピークトップが440nmである蛍光を発した。この発光は実質的に重合体3からの発光であった。 When a voltage of 6.0 V was applied to the resulting device, fluorescence was emitted with a peak wavelength of 440 nm. This luminescence was substantially luminescence from the polymer 3.
<評価>
実施例2で作製した素子と比較例2で作製した素子とは、電圧を印加したときの発光がいずれも実質的に低分子蛍光材料に由来するものであったが、発光の輝度及び発光効率は、比較例2で作製した素子に比べて実施例2で作製した素子の方が著しく優れていた。
また、比較例4で作製した素子は、電圧を印加したときの発光が実質的に重合体に由来するものであった。即ち、低分子蛍光材料に由来する発光はほとんど認められなかった。
<Evaluation>
In the device manufactured in Example 2 and the device manufactured in Comparative Example 2, the light emission when a voltage was applied was substantially derived from a low molecular fluorescent material. Compared with the element produced in Comparative Example 2, the element produced in Example 2 was remarkably superior.
Further, in the device produced in Comparative Example 4, light emission when a voltage was applied was substantially derived from the polymer. That is, almost no light emission derived from the low molecular fluorescent material was observed.
Claims (15)
〔式中、Y’は、−O−、−S−又は−C(=O)−を表し、Zは、水素原子又は置換基を表し、R1は、置換基を表し、nは0〜3の整数を表す。R1が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
で表される繰り返し単位を含む重合体と、低分子蛍光材料とを含有する組成物。 Following formula (1):
[Wherein Y ′ represents —O—, —S— or —C (═O) —, Z represents a hydrogen atom or a substituent, R 1 represents a substituent, and n represents 0 to 0. An integer of 3 is represented. When a plurality of R 1 are present, they may be the same or different. ]
The composition containing the polymer containing the repeating unit represented by these, and a low molecular fluorescent material.
〔式中、Y’、R1及びnは前記と同じ意味を表し、R2は置換基を表し、p1は0〜5の整数を表す。〕
で表されるものである請求項1又は2に記載の組成物。 The repeating unit represented by the formula (1) is represented by the following formula (1-1):
[Wherein, Y ′, R 1 and n represent the same meaning as described above, R 2 represents a substituent, and p1 represents an integer of 0 to 5. ]
The composition according to claim 1 or 2, which is represented by:
−Ar1− (2)
〔式中、Ar1は、置換基を有していてもよいアリーレン基、置換基を有していてもよい2価の複素環基、又は置換基を有していてもよい2価の芳香族アミン基を表す。〕
で表される繰り返し単位を含む請求項1〜3のいずれか一項に記載の組成物。 The polymer is further represented by the following formula (2):
-Ar 1- (2)
[In the formula, Ar 1 represents an arylene group which may have a substituent, a divalent heterocyclic group which may have a substituent, or a divalent aromatic which may have a substituent. Represents a group amine group. ]
The composition as described in any one of Claims 1-3 containing the repeating unit represented by these.
〔式中、R3は独立に置換基を表し、m1は0〜3の整数を表し、m2は0〜5の整数を表す。式(2−1)及び(2−5)において、X’は、−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−C(R4)2−、−Si(R4)2−Si(R4)2−、−Si(R4)2−、−B(R4)−、−P(R4)−、−P(=O)(R4)−、−O−C(R4)2−又は−N=C(R4)−を表し、式(2−2)、(2−3)及び(2−4)において、X’は、−O−、−S−、−S(=O)−、−S(=O)2−、−C(R4)2−、−Si(R4)2−Si(R4)2−、−Si(R4)2−、−B(R4)−、−P(R4)−、−P(=O)(R4)−、−O−C(R4)2−、−C(R4)2−O−、−C(R4)=N−又は−N=C(R4)−を表し、R4は独立に水素原子又は置換基を表す。〕
のいずれかで表される繰り返し単位である請求項4に記載の組成物。 The repeating unit represented by the formula (2) is represented by the following formulas (2-1) to (2-5):
[Wherein, R 3 independently represents a substituent, m1 represents an integer of 0 to 3, and m2 represents an integer of 0 to 5. In the formulas (2-1) and (2-5), X ′ represents —O—, —S—, —S (═O) —, —S (═O) 2 —, —C (R 4 ) 2. -, - Si (R 4) 2 -Si (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -, - B (R 4) -, - P (R 4) -, - P (= O) ( R 4 ) —, —O—C (R 4 ) 2 — or —N═C (R 4 ) —, and in formulas (2-2), (2-3) and (2-4), X ′ is, -O -, - S -, - S (= O) -, - S (= O) 2 -, - C (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -Si (R 4) 2 -, - Si (R 4) 2 -, - B (R 4) -, - P (R 4) -, - P (= O) (R 4) -, - O-C (R 4) 2 -, -C (R 4) 2 -O - , - C (R 4) = N- or -N = C (R 4) - represents, R 4 represents independently a hydrogen atom or a substituent. ]
The composition according to claim 4, which is a repeating unit represented by any one of:
The polymer light emitting element which has an electrode which consists of an anode and a cathode, and the organic layer which is provided between this electrode and contains the composition as described in any one of Claims 1-11.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007126652A (en) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Copolymer and polymeric light-emitting element |
JP2007327057A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co Ltd | Polymer compound and organic electroluminescence device produced by using the same |
JP2010126535A (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Compound comprising phosphorescence unit, light emitting polymer and organic light emitting device comprising light emitting polymer |
JP2010183009A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | Composition for organic electroluminescent element, organic thin film, the organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination |
JP2013201295A (en) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic thin-film transistor |
JP2013211593A (en) * | 2013-07-02 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | Organic electric field light-emitting element, organic el display device and organic el illuminator |
JP2017155125A (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | Jxtgエネルギー株式会社 | Light-emitting composition, light-emitting electrochemical element, and light-emitting device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11124573A (en) * | 1997-08-12 | 1999-05-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Organic electroluminescent polymer for light-emitting diode |
JP2000502128A (en) * | 1995-12-01 | 2000-02-22 | チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディングインコーポレーテッド | Poly (9,9'-spirobisfluorene) s, their production and use |
JP2003165829A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | Polymer and organic thin film element using the same |
JP2004137456A (en) * | 2002-06-21 | 2004-05-13 | Samsung Sdi Co Ltd | Blue color electric field light-emitting polymer and organic electric field light-emitting element using the same |
JP2005272834A (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polymer compound and polymer light-emitting device using the same |
JP2007119763A (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polymeric material and polymeric light emitting device |
JP2008506798A (en) * | 2004-07-15 | 2008-03-06 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Use of polymers for upconversion and devices for upconversion |
-
2006
- 2006-04-18 JP JP2006114112A patent/JP4952032B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000502128A (en) * | 1995-12-01 | 2000-02-22 | チバ スペシャルティ ケミカルズ ホールディングインコーポレーテッド | Poly (9,9'-spirobisfluorene) s, their production and use |
JPH11124573A (en) * | 1997-08-12 | 1999-05-11 | Samsung Display Devices Co Ltd | Organic electroluminescent polymer for light-emitting diode |
JP2003165829A (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-10 | Toppan Printing Co Ltd | Polymer and organic thin film element using the same |
JP2004137456A (en) * | 2002-06-21 | 2004-05-13 | Samsung Sdi Co Ltd | Blue color electric field light-emitting polymer and organic electric field light-emitting element using the same |
JP2005272834A (en) * | 2004-02-26 | 2005-10-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polymer compound and polymer light-emitting device using the same |
JP2008506798A (en) * | 2004-07-15 | 2008-03-06 | メルク パテント ゲーエムベーハー | Use of polymers for upconversion and devices for upconversion |
JP2007119763A (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Polymeric material and polymeric light emitting device |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007126652A (en) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Copolymer and polymeric light-emitting element |
JP2007327057A (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co Ltd | Polymer compound and organic electroluminescence device produced by using the same |
JP2010126535A (en) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Samsung Electronics Co Ltd | Compound comprising phosphorescence unit, light emitting polymer and organic light emitting device comprising light emitting polymer |
JP2010183009A (en) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Mitsubishi Chemicals Corp | Composition for organic electroluminescent element, organic thin film, the organic electroluminescent element, organic el display, and organic el illumination |
JP2013201295A (en) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic thin-film transistor |
JP2013211593A (en) * | 2013-07-02 | 2013-10-10 | Mitsubishi Chemicals Corp | Organic electric field light-emitting element, organic el display device and organic el illuminator |
JP2017155125A (en) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | Jxtgエネルギー株式会社 | Light-emitting composition, light-emitting electrochemical element, and light-emitting device |
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