JP2007281126A - Method and device for measuring position, and exposure device - Google Patents

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Masabumi Mimura
正文 三村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To discriminate correctly between an arcuate contour and a non-arcuate contour so as to obtain accurate positional information as to a measurement object, when positional information as to the measurement object having both arcuate contours and non-arcuate contours is obtained. <P>SOLUTION: The position measuring method comprises a first step to photo a part of the contour of the measurement object present in a photographing field provided at two or more points, a second step to rotate the measurement object very little, a third step to photo a part of the contour of the measurement object present in the photographing fields after very little rotation is performed, a fourth step to judge whether a part of the contour contained in the photographing fields is arcuate or non-arcuate on the basis of a photographing results obtained in the first and third step, and a fifth step to calculate the circular center and radius of the measurement object subjected to circular approximation as the positional information by subjecting the measurement object to circular approximation. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物の位置情報を計測する位置計測方法及び位置計測装置に関し、特に、上記計測対象物として半導体ウェハ等の基板の位置情報の計測を行う位置計測装置を備えた露光装置に関する。  The present invention relates to a position measurement method and a position measurement apparatus for measuring position information of a measurement object having an arcuate contour and a non-arc-shaped outline, and in particular, measurement of position information of a substrate such as a semiconductor wafer as the measurement object. The present invention relates to an exposure apparatus provided with a position measuring apparatus that performs the above.

従来より、半導体素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、その他のマイクロデバイスの製造工程の1つであるフォトリソグラフィ工程においては、マスクやレチクル(以下、これらを総称する場合は「マスク」という)に形成されたパターンを、投影光学系を介してフォレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウェハ(以下ウェハと略す)やガラスプレート等の基板上に転写する露光装置が用いられている。このような露光装置に用いられる露光方式の1つとして、ステップ・アンド・リピート方式が知られている。このステップ・アンド・リピート方式では、レチクル上に形成されたパターンを、ウェハ上に設定された所定のショット領域に露光した後、ウェハステージを一定距離だけステップ移動させて、ウェハ上の別のショット領域を露光し、かかる動作をウェハ上に設定された全てのショット領域に対して繰り返し行うことにより、ウェハ全体に対してレチクルに形成されたパターンの像を転写する。なお、このステップ・アンド・リピート方式を採用する露光装置はステッパと呼ばれ、半導体素子等の製造工程において広く使用されている。   Conventionally, in a photolithography process which is one of manufacturing processes of a semiconductor element, a liquid crystal display element, a thin film magnetic head, and other micro devices, a mask or a reticle (hereinafter, these are collectively referred to as a “mask”). An exposure apparatus is used that transfers a formed pattern onto a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter abbreviated as a wafer) or a glass plate coated with a photosensitive agent such as a photoresist via a projection optical system. As one of the exposure methods used in such an exposure apparatus, a step-and-repeat method is known. In this step-and-repeat method, after the pattern formed on the reticle is exposed to a predetermined shot area set on the wafer, the wafer stage is stepped by a certain distance to make another shot on the wafer. By exposing the area and repeating this operation for all shot areas set on the wafer, the image of the pattern formed on the reticle is transferred to the entire wafer. An exposure apparatus that employs this step-and-repeat method is called a stepper and is widely used in the manufacturing process of semiconductor elements and the like.

このような露光装置では、レチクルとウェハとの位置合わせを高精度に行なうため、エンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)と呼ばれるアライメント手法が用いられている。このEGAとは、ウェハ上に設けられた代表的な数個(3〜9個)のショット領域のそれぞれに付随して形成されたファインアライメントマークを撮像し、当該撮像結果に基づいて統計演算を行ってウェハ上に設定された全てのショット領域の配列座標を高精度に求め、これら各ショット領域の配列座標に基づいて、レチクルとウェハとの位置合わせを行なうものである。以下、上記のようなEGAを用いたアライメントをファインアライメントと称する。   In such an exposure apparatus, an alignment technique called enhanced global alignment (EGA) is used in order to align the reticle and the wafer with high accuracy. This EGA images fine alignment marks formed in association with each of several representative (3 to 9) shot areas provided on a wafer, and performs statistical calculations based on the imaging results. Thus, the arrangement coordinates of all shot areas set on the wafer are obtained with high accuracy, and the reticle and wafer are aligned based on the arrangement coordinates of each shot area. Hereinafter, alignment using EGA as described above is referred to as fine alignment.

上記ファインアライメントでは、ウェハ上に形成されたファインアライメントマークを高倍率で撮像する必要があり、必然的に撮像視野(撮像範囲)が狭くなる。よって、ウェハが露光装置のウェハステージに対して大きくずれた状態で載置されてしまった場合、ファインアライメントマークが撮像視野内に入らない可能性がある。このような場合、ウェハステージを回転または移動させ、撮像視野内に入るようにファインアライメントマークのサーチを行う必要があり、非常に多くの時間を浪費するという問題がある。   In the fine alignment, it is necessary to image the fine alignment mark formed on the wafer at a high magnification, and the imaging field of view (imaging range) is inevitably narrowed. Therefore, when the wafer is placed in a state of being largely displaced with respect to the wafer stage of the exposure apparatus, there is a possibility that the fine alignment mark does not enter the imaging field. In such a case, it is necessary to rotate or move the wafer stage and perform a search for the fine alignment mark so as to be within the imaging field of view, and there is a problem that a great deal of time is wasted.

そこで、ウェハがウェハステージ上に載置された場合に、ファインアライメントマークが確実に撮像視野内に入るように、ファインアライメントに先立って、ウェハを位置合わせするためのプリアライメントが行なわれる。このようなプリアライメントは、さらに第1プリアライメントと第2プリアライメントとに分けられる。第1プリアライメントでは、ウェハの搬送経路中に設けられた回転テーブルにウェハを載置して回転させ、ラインセンサによって、ウェハの偏心量及びウェハに形成されているノッチまたはオリエンテーションフラット(以下オリフラと略す)を検出し、ノッチまたはオリフラが所定の方向に位置するようにウェハを回転制御する。このような第1プリアライメントによって、ノッチまたはオリフラの位置合わせが行なわれたウェハは、搬送アームによって、上記回転テーブルから第2プリアライメント用のステージ上に搬送される。この際、上記第1プリアライメントによって得られたウェハの偏心量に基づいて、第2プリアライメント用のステージの中心位置とウェハ中心位置とが一致するようにステージの位置制御が行なわれる。   Therefore, when the wafer is placed on the wafer stage, pre-alignment for aligning the wafer is performed prior to fine alignment so that the fine alignment mark surely enters the imaging field. Such pre-alignment is further divided into a first pre-alignment and a second pre-alignment. In the first pre-alignment, the wafer is placed on a rotary table provided in the wafer transfer path and rotated, and the eccentricity of the wafer and the notch or orientation flat (hereinafter referred to as orientation flat) formed on the wafer are detected by the line sensor. The rotation of the wafer is controlled so that the notch or orientation flat is positioned in a predetermined direction. The wafer on which the notch or orientation flat is aligned by such first pre-alignment is transferred from the rotary table onto the second pre-alignment stage by the transfer arm. At this time, the stage position is controlled so that the center position of the second pre-alignment stage and the wafer center position coincide with each other based on the amount of eccentricity of the wafer obtained by the first pre-alignment.

第2プリアライメントでは、まず、上記ステージ上に載置されたウェハの輪郭(エッジ)に対し、例えばノッチまたはオリフラ(非円弧状輪郭)を含む輪郭を一箇所、円弧状のエッジ(円弧状輪郭)を含む輪郭を複数箇所撮像する。つまり、第1プリアライメントでは、予め規定された撮像視野内にノッチまたはオリフラが含まれるように、ウェハの位置合わせが行なわれるため、どの撮像視野内にノッチまたはオリフラ、若しくは円弧状エッジが含まれるかは既知である。そして、このようなウェハエッジの撮像結果に基づいて所定の画像処理を行うことにより、ウェハの位置情報(ウェハの中心位置や半径、中心軸周りの回転ずれ量)を計測する。そして、このようにして得られた位置情報に基づいて、ウェハの位置合わせが行なわれた後、ウェハは搬送アームによって露光装置のウェハステージに搬送される。なお、上述したように搬送経路中において、必ずしも第2プリアライメントを行なう必要はなく、第1プリアライメント終了後、ウェハを露光装置のウェハステージに直接搬送し、当該ウェハステージ上で第2プリアライメントを行なう場合もある。   In the second pre-alignment, first, with respect to the contour (edge) of the wafer placed on the stage, for example, one contour including a notch or orientation flat (non-arc-shaped contour), an arc-shaped edge (arc-shaped contour) ) Including a plurality of contours. That is, in the first pre-alignment, the wafer is aligned so that the notch or orientation flat is included in the pre-defined imaging field of view, and therefore the notch or orientation flat or arcuate edge is included in which imaging field of view. Is known. Then, by performing predetermined image processing based on the imaging result of the wafer edge, the wafer position information (the center position and radius of the wafer, the rotational deviation amount around the center axis) is measured. Then, after the wafer is aligned based on the position information thus obtained, the wafer is transferred to the wafer stage of the exposure apparatus by the transfer arm. As described above, it is not always necessary to perform the second pre-alignment in the transfer path. After the first pre-alignment is completed, the wafer is directly transferred to the wafer stage of the exposure apparatus, and the second pre-alignment is performed on the wafer stage. May be performed.

ところで、近年においては、高スループット化、つまり単位時間内における基板の処理枚数を向上させる必要性が極めて高い。このような高スループット化を実現する方法の1つとして、上記プリアライメントの内、第1プリアライメントを省略し、第2プリアライメントのみを行なう方法が考えられている。しかしながら、この方法によると、第1プリアライメントによるノッチまたはオリフラの位置合わせが行なわれないため、どの撮像視野内にノッチまたはオリフラが含まれるかが不定である。よって、各撮像視野内のエッジ画像毎に、ウェハエッジの幾何学的近似を行い、撮像視野内に含まれるウェハエッジが、円弧状エッジか、または非円弧状エッジ(ノッチまたはオリフラ)かを判定する必要がある。    By the way, in recent years, it is extremely necessary to increase the throughput, that is, to increase the number of substrates processed within a unit time. As a method for realizing such a high throughput, a method in which the first pre-alignment is omitted and only the second pre-alignment is performed is considered. However, according to this method, since the notch or orientation flat is not aligned by the first pre-alignment, it is uncertain which imaging field of view contains the notch or orientation flat. Therefore, it is necessary to geometrically approximate the wafer edge for each edge image in each imaging field, and determine whether the wafer edge included in the imaging field is an arc edge or a non-arc edge (notch or orientation flat). There is.

しかしながら、上記のように、幾何学的近似によって各撮像視野内に含まれるウェハエッジの形状を判定する場合、ウェハによってはノッチまたはオリフラの形状が異なることもあり得るため、正確な判定を行なうことが困難であった。また、ノッチまたはオリフラと円弧状エッジとの境界付近はエッジ形状が曖昧であるため、このような境界付近が撮像視野内に含まれている場合、幾何学的近似によってウェハエッジの形状を判定することは困難であった。その結果、実際には撮像視野内にノッチまたはオリフラが含まれているにも関わらず、円弧状エッジが含まれていると判定してしまい、正確なウェハの位置情報を得られないという問題があった。  However, as described above, when determining the shape of the wafer edge included in each imaging field by geometric approximation, the shape of the notch or orientation flat may be different depending on the wafer. It was difficult. Also, since the edge shape is ambiguous near the boundary between the notch or orientation flat and the arcuate edge, the shape of the wafer edge should be determined by geometric approximation when such a boundary is included in the imaging field of view. Was difficult. As a result, even though notches or orientation flats are actually included in the imaging field of view, it is determined that arc-shaped edges are included, and accurate wafer position information cannot be obtained. there were.

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物の位置情報を計測する場合において、正確に円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを判別し、正確な位置情報を得ることを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and when measuring position information of a measurement object having an arcuate contour and a non-arcuform contour, the arcuate contour and the non-arcuform contour are accurately measured. The purpose is to obtain accurate position information.

本発明は、実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
上記課題を解決するために、本発明に係る位置計測方法は、円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物(W)の位置情報を計測する位置計測方法であって、複数箇所に設けられた撮像視野(2a〜4a)内にそれぞれ存在する、前記計測対象物の輪郭の一部を撮像する第1ステップ(ステップS1)と、前記計測対象物を微小回転させる第2ステップ(ステップS2)と、前記微小回転後、前記撮像視野内にそれぞれ存在する前記輪郭の一部を撮像する第3ステップ(ステップS3)と、前記第1ステップによる撮像結果及び前記第3ステップによる撮像結果に基づいて、各撮像視野内に含まれる輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを判定する第4ステップ(ステップS5)と、当該第4ステップにて前記円弧状輪郭を輪郭の一部として含むと判定された撮像視野内の画像に基づいて、前記計測対象物の円近似を行い、当該円近似された計測対象物の円中心及び半径を前記位置情報として算出する第5ステップ(ステップS6)とを有することを特徴とする。
この発明によれば、複数箇所に設けられた撮像視野内にそれぞれ存在する、前記計測対象物の輪郭の一部を撮像した後、前記計測対象物を微小回転させ、当該微小回転後、前記撮像視野内にそれぞれ存在する前記輪郭の一部を撮像し、微小回転前後における撮像結果に基づいて、各撮像視野内に含まれる輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを判定するため、正確に円弧状輪郭か、または非円弧状輪郭かを判別することが可能である。その結果、誤判別を防止し、正確な計測対象物の位置情報を得ることが可能である。
The present invention adopts the following configuration corresponding to each diagram shown in the embodiment. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.
In order to solve the above problems, a position measuring method according to the present invention is a position measuring method for measuring position information of a measurement object (W) having an arcuate contour and a non-arcuform contour, and is provided at a plurality of locations. A first step (step S1) for imaging a part of the outline of the measurement object that exists in each of the provided imaging fields (2a to 4a), and a second step (step) for slightly rotating the measurement object S2), a third step (step S3) for imaging a part of the contour existing in the imaging field after the micro rotation, an imaging result by the first step, and an imaging result by the third step. Based on the fourth step (step S5) for determining whether a part of the contour included in each imaging field of view is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour, and the arc-shaped contour is determined in the fourth step. A circle approximation of the measurement object is performed based on an image in the imaging field determined to be included as a part of the outline, and a circle center and a radius of the measurement object approximated by the circle are calculated as the position information. And 5 steps (step S6).
According to the present invention, after imaging a part of the outline of the measurement object respectively present in the imaging visual field provided at a plurality of locations, the measurement object is slightly rotated, and after the minute rotation, the imaging A part of the contour existing in the field of view is imaged, and it is determined whether a part of the contour included in each field of view is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour based on the imaging results before and after the minute rotation. Therefore, it is possible to accurately determine whether the contour is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour. As a result, it is possible to prevent erroneous determination and obtain accurate position information of the measurement object.

また、本発明に係る位置計測装置(LM)は、円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物の位置情報を計測する位置計測装置であって、回転自在に設けられた計測対象物用ステージ(1)と、当該計測対象物用ステージの回転を制御する回転制御装置(5a)と、前記計測対象物用ステージ上に保持された計測対象物の輪郭の、互いに異なる一部をそれぞれ撮像する複数の撮像装置(2、3、4)と、前記計測対象物用ステージの微小回転前における各撮像装置の撮像結果と、前記計測対象物用ステージの微小回転後における各撮像装置の撮像結果とに基づいて、各撮像装置で撮像される輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを判定する判定装置(5d)と、当該判定装置にて前記円弧状輪郭を輪郭の一部として含むと判定された撮像装置の画像に基づいて、前記計測対象物の円近似を行い、当該円近似された計測対象物の円中心及び半径を前記位置情報として算出する位置情報算出装置(5e)とを備えることを特徴とする。
この発明によれば、各撮像装置で撮像される輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを正確に判定することができるため、正確に計測対象物の位置情報を得ることが可能な位置計測装置を提供することができる。
A position measuring device (LM) according to the present invention is a position measuring device for measuring position information of a measuring object having an arcuate contour and a non-arc-shaped contour, and is a measurement object provided rotatably. And a rotation control device (5a) for controlling the rotation of the measurement object stage, and different contours of the measurement object held on the measurement object stage. A plurality of imaging devices (2, 3, 4) for imaging, an imaging result of each imaging device before micro-rotation of the measurement object stage, and an imaging of each imaging device after micro-rotation of the measurement object stage Based on the result, a determination device (5d) for determining whether a part of the contour imaged by each imaging device is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour, and the determination device contours the arc-shaped contour. Included as part of A position information calculation device (5e) that performs a circle approximation of the measurement object based on the image of the image pickup device and calculates a circle center and a radius of the measurement object approximated by the circle as the position information. It is characterized by that.
According to the present invention, since it is possible to accurately determine whether a part of the contour imaged by each imaging device is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour, the position information of the measurement object can be obtained accurately. It is possible to provide a position measurement device capable of

また、本発明に係る露光装置(ST)は、マスク(R)に形成されたパターンを基板(W)上に転写する露光装置であって、前記マスク及び基板の少なくとも一方の位置情報を計測する上記位置計測装置を備えることを特徴とする。
この発明によれば、上記のような特徴を有する位置計測装置を備えるため、正確に基板またはマスクの位置情報を得ることが可能な露光装置を提供することができる。
An exposure apparatus (ST) according to the present invention is an exposure apparatus that transfers a pattern formed on a mask (R) onto a substrate (W), and measures position information of at least one of the mask and the substrate. The position measuring device is provided.
According to the present invention, since the position measuring apparatus having the above-described features is provided, an exposure apparatus capable of accurately obtaining the position information of the substrate or the mask can be provided.

〔第1実施形態〕
以下、図面を参照して本発明の第1実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の第1実施形態における位置計測装置を備えた露光装置の構成概略図である。また、本実施形態における露光装置として、ステップ・アンド・リピート方式により、レチクル(マスク)に形成された半導体素子のパターンをウェハ(基板)に転写するステッパを例示して説明する。さらに、計測対象物としてのウェハは、その外見的特徴として、円弧状輪郭及び非円弧状輪郭(ノッチまたはオリフラ)を有しているものとし、本第1実施形態では非円弧状輪郭としてノッチを有するウェハを例示して説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic view showing the arrangement of an exposure apparatus provided with a position measurement apparatus according to the first embodiment of the present invention. Further, as an exposure apparatus in the present embodiment, a stepper that transfers a pattern of a semiconductor element formed on a reticle (mask) to a wafer (substrate) by a step-and-repeat method will be described as an example. Furthermore, the wafer as the measurement object has an arcuate contour and a non-arcuform contour (notch or orientation flat) as its external features. In the first embodiment, the notch is formed as a non-arc contour. A wafer having the above will be described as an example.

なお、以下の説明においては、図1中に示されたXYZ直交座標系を設定し、このXYZ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。XYZ直交座標系は、X軸及びY軸がウェハステージに対して平行となるよう設定され、Z軸がウェハステージに対して直交する方向に設定されている。図中のXYZ座標系は、実際にはXY平面が水平面に平行な面に設定され、Z軸が鉛直上方向に設定される。   In the following description, the XYZ orthogonal coordinate system shown in FIG. 1 is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The XYZ orthogonal coordinate system is set so that the X axis and the Y axis are parallel to the wafer stage, and the Z axis is set in a direction orthogonal to the wafer stage. In the XYZ coordinate system in the figure, the XY plane is actually set to a plane parallel to the horizontal plane, and the Z-axis is set vertically upward.

図1に示すように、本第1実施形態における露光装置STは、位置計測装置LM、ウェハ搬送装置ARM、照明光学系6、レチクルステージRST、投影光学系PL、ウェハステージWST、ステージ制御系13、ファインアライメント用撮像装置14、ファインアライメント制御系15及び主制御系16から構成されている。  As shown in FIG. 1, the exposure apparatus ST in the first embodiment includes a position measurement apparatus LM, a wafer transfer apparatus ARM, an illumination optical system 6, a reticle stage RST, a projection optical system PL, a wafer stage WST, and a stage control system 13. The image forming apparatus 14 for fine alignment, a fine alignment control system 15 and a main control system 16 are included.

位置計測装置LMは、回転テーブル(計測対象物用ステージ)1、第1の撮像装置2、第2の撮像装置3、第3の撮像装置4及びプリアライメント制御系5から構成されており、上記回転テーブル1上に載置されたウェハWの位置情報(ウェハWの中心位置や半径、中心軸周りの回転ずれ量)を計測すると共に、当該位置情報に基づいて、ウェハWの位置合わせ、つまりプリアライメントを行なうものである。   The position measuring device LM includes a rotary table (measurement object stage) 1, a first imaging device 2, a second imaging device 3, a third imaging device 4, and a pre-alignment control system 5. The position information of the wafer W placed on the turntable 1 (the center position and radius of the wafer W, the amount of rotational deviation around the center axis) is measured, and the wafer W is aligned based on the position information, that is, Pre-alignment is performed.

回転テーブル1は、図示しないステッピングモータ等の駆動機構により回転可能なテーブルであり、上流側の搬送装置(図示せず)から搬送されるウェハWを、真空吸着機構によりXY平面上に保持する一方、プリアライメント制御系5の制御の下、ウェハWを所定の方向に回転させる。第1の撮像装置2、第2の撮像装置3及び第3の撮像装置4は、例えばCCDカメラであり、上記回転テーブル1の上方の所定位置に各々配置され、それぞれウェハWの輪郭(エッジ)の一部を含む撮像領域を撮像し、各撮像領域の画像データをプリアライメント制御系5に出力する。図2は、各撮像装置2〜4の撮像領域(撮像視野、撮像範囲)を示す平面図である。図2に示すように、第1の撮像装置2の撮像領域を2a、第2の撮像装置3の撮像領域を3a、第3の撮像装置4の撮像領域を4aとする。  The rotary table 1 is a table that can be rotated by a driving mechanism such as a stepping motor (not shown), and holds a wafer W transferred from an upstream transfer device (not shown) on an XY plane by a vacuum suction mechanism. Under the control of the pre-alignment control system 5, the wafer W is rotated in a predetermined direction. The first imaging device 2, the second imaging device 3, and the third imaging device 4 are, for example, CCD cameras, which are arranged at predetermined positions above the rotary table 1, respectively, and the outline (edge) of the wafer W, respectively. The imaging region including a part of the imaging region is imaged, and the image data of each imaging region is output to the pre-alignment control system 5. FIG. 2 is a plan view showing an imaging region (imaging field of view, imaging range) of each of the imaging devices 2 to 4. As shown in FIG. 2, the imaging area of the first imaging device 2 is 2a, the imaging area of the second imaging device 3 is 3a, and the imaging area of the third imaging device 4 is 4a.

なお、本実施形態において、ウェハWの中心と回転テーブル1の回転中心とのずれ量は、上流側の搬送装置の機械的精度に依存するものとし、ウェハWが回転テーブル1上に載置された際、各撮像領域(撮像視野)2a〜4aにはウェハWのエッジの一部が含まれることのみ保証され、ノッチNまたは円弧状エッジがどの撮像領域に含まれるかは不定とする。また、本実施形態では、図2に示すように、ノッチNがY軸の正方向に対し平行となる位置をウェハWの基準位置とする。上述したようにノッチNまたは円弧状エッジがどの撮像領域に含まれるかは不定であるので、ウェハWの位置情報を計測した後、当該ウェハWを上記基準方位置に位置合わせ(プリアライメント)する必要がある。従って、ノッチNが基準位置に存在しているかを確認する必要があるので、少なくとも撮像領域の1つは、ノッチNの基準位置付近の領域に設定することが望ましい。本実施形態では、第1の撮像領域2aがそのように設定されている。なお、第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aの配置は、図2に示す配置に限定されない。  In the present embodiment, the amount of deviation between the center of the wafer W and the rotation center of the turntable 1 depends on the mechanical accuracy of the upstream transfer device, and the wafer W is placed on the turntable 1. In this case, each imaging region (imaging field of view) 2a to 4a is only guaranteed to include a part of the edge of the wafer W, and it is undefined which imaging region includes the notch N or the arc-shaped edge. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the position where the notch N is parallel to the positive direction of the Y axis is set as the reference position of the wafer W. As described above, since it is indefinite which imaging region includes the notch N or the arc-shaped edge, after measuring the position information of the wafer W, the wafer W is aligned (prealigned) with the reference position. There is a need. Accordingly, since it is necessary to check whether the notch N is present at the reference position, it is desirable to set at least one of the imaging regions in an area near the reference position of the notch N. In the present embodiment, the first imaging region 2a is set as such. The arrangement of the second imaging area 3a and the third imaging area 4a is not limited to the arrangement shown in FIG.

プリアライメント制御系5は、図3に示すように、プリアライメント制御装置5a、記憶装置5b、2値化処理装置5c、エッジ判別装置5d及び位置情報算出装置5eから構成されている。プリアライメント制御装置5aは、主制御系16の制御の下、位置計測装置LMの全体動作を制御するものである。具体的には、このプリアライメント制御装置5aは、回転テーブル1の回転制御を行う一方、当該回転テーブル1の微小回転前における、各撮像装置2〜4から入力された各撮像領域2a〜4aの画像データを記憶装置5bに記憶し、また、回転テーブル1の微小回転後における各撮像領域2a〜4aの画像データを記憶装置5bに記憶する。記憶装置5bは、プリアライメント制御装置5aの要求に応じて、回転テーブル1の微小回転前及び微小回転後における各撮像領域2a〜4aの画像データを記憶する一方、2値化処理装置5cの要求に応じて、上記回転テーブル1の微小回転前及び微小回転後における各撮像領域2a〜4aの画像データを2値化処理装置5cに出力する。また、この記憶装置5bは、位置情報算出装置5eの要求に応じて、回転テーブル1の微小回転後における各撮像領域2a〜4aの画像データを位置情報算出装置5eに出力する。   As shown in FIG. 3, the pre-alignment control system 5 includes a pre-alignment control device 5a, a storage device 5b, a binarization processing device 5c, an edge determination device 5d, and a position information calculation device 5e. The pre-alignment control device 5a controls the overall operation of the position measuring device LM under the control of the main control system 16. Specifically, the pre-alignment control device 5a controls the rotation of the turntable 1, while the image pickup regions 2a to 4a input from the image pickup devices 2 to 4 before the turntable 1 is slightly rotated. The image data is stored in the storage device 5b, and the image data of the imaging regions 2a to 4a after the minute rotation of the turntable 1 is stored in the storage device 5b. The storage device 5b stores the image data of the imaging regions 2a to 4a before and after the minute rotation of the turntable 1 according to the request of the pre-alignment control device 5a, while the request of the binarization processing device 5c. Accordingly, the image data of the imaging regions 2a to 4a before and after the minute rotation of the turntable 1 is output to the binarization processing device 5c. Further, the storage device 5b outputs the image data of the imaging regions 2a to 4a after the minute rotation of the turntable 1 to the position information calculation device 5e in response to a request from the position information calculation device 5e.

2値化処理装置5cは、プリアライメント制御装置5aの制御の下、記憶装置5bから回転テーブル1の微小回転前及び微小回転後における各撮像領域2a〜4aの画像データを取得して、各画像データの2値化処理を行い、当該2値化処理後の各画像データ(2値化画像データ)をエッジ判別装置5dに出力する。エッジ判別装置5dは、上記2値化画像データに基づいて、各撮像領域2a〜4aに含まれるウェハエッジが円弧状エッジか、またはノッチ(非円弧状エッジ)かを判定し、当該判定結果を示すエッジ判別信号をプリアライメント制御装置5a及び位置情報算出装置5eに出力する。  Under the control of the pre-alignment control device 5a, the binarization processing device 5c acquires the image data of the imaging regions 2a to 4a before and after the micro-rotation of the turntable 1 from the storage device 5b. Data binarization processing is performed, and each image data (binarized image data) after the binarization processing is output to the edge determination device 5d. The edge determination device 5d determines whether the wafer edge included in each of the imaging regions 2a to 4a is an arc-shaped edge or a notch (non-arc-shaped edge) based on the binarized image data, and indicates the determination result. The edge determination signal is output to the pre-alignment control device 5a and the position information calculation device 5e.

位置情報算出装置5eは、上記エッジ判別信号に基づき、微小回転後における円弧状エッジを含む撮像領域の画像データを記憶装置5bから取得し、当該円弧状エッジを含む撮像領域の画像データに基づいて、ウェハWの中心位置及び半径を算出し、また、微小回転後におけるノッチNを含む撮像領域の画像データを記憶装置5bから取得し、当該ノッチNを含む撮像領域の画像データに基づいて、ウェハWの回転ずれ量を算出する。また、この位置情報算出装置5eは、上記ウェハWの中心位置及び半径、回転ずれ量を位置情報としてプリアライメント制御装置5aに出力する。  The position information calculation device 5e acquires image data of the imaging area including the arcuate edge after the minute rotation from the storage device 5b based on the edge determination signal, and based on the image data of the imaging area including the arcuate edge. The center position and radius of the wafer W are calculated, and the image data of the imaging region including the notch N after micro rotation is obtained from the storage device 5b, and the wafer is calculated based on the image data of the imaging region including the notch N. The rotational deviation amount of W is calculated. Further, the position information calculation device 5e outputs the center position, radius, and rotational deviation amount of the wafer W as position information to the pre-alignment control device 5a.

また、プリアライメント制御装置5aは、上記ウェハWの位置情報に基づいて、回転テーブル1を回転制御してウェハWのプリアライメントを行なう一方、当該ウェハWの位置情報を主制御系16に出力する。
なお、以上のように構成される位置計測装置LMの動作についての詳細は後述する。
Further, the pre-alignment control device 5 a performs rotation control of the rotary table 1 based on the position information of the wafer W to perform pre-alignment of the wafer W, and outputs the position information of the wafer W to the main control system 16. .
Details of the operation of the position measuring device LM configured as described above will be described later.

以下、図1に戻って説明する。
ウェハ搬送装置ARMは、例えば真空吸着機構を有するロボットアーム等であり、主制御系16の制御の下、ウェハWを真空吸着機構により把持し、回転テーブル1からウェハステージWSTに搬送する。この時、ウェハWは基準位置に位置合わせされた状態を保持したまま搬送される。
Hereinafter, the description will be returned to FIG.
Wafer transfer device ARM is, for example, a robot arm having a vacuum suction mechanism, and grips wafer W by the vacuum suction mechanism under the control of main control system 16 and transfers wafer W from rotary table 1 to wafer stage WST. At this time, the wafer W is transported while maintaining the state aligned with the reference position.

上記照明光学系6は、光源ユニット、シャッタ、オプティカルインテグレータ(例えばフライアイレンズ)、ビームスプリッタ、集光レンズ系、レチクルブラインド、及び結像レンズ系等(いずれも不図示)から構成されており、主制御系16の制御の下、照明光ILをレチクルステージRST上に保持されたレチクルRに向けて出射する。ここで、上記光源ユニットとしては、KrFエキシマレーザ光源(発振波長248nm)若しくはArFエキシマレーザ光源(発振波長193nm)等のエキシマレーザ光源、又はFレーザ光源(発振波長157nm)、Arレーザ光源(発振波長126nm)、銅蒸気レーザ光源やYAGレーザの高調波発生装置、又は超高圧水銀ランプ(g線、i線等)等を用いることができる。なお、本実施形態では、オプティカルインテグレータとしてフライアイレンズを備える場合を例に挙げて説明するが、これに限らずロッドインテグレータ(内面反射型インテグレータ)、又は回折光学素子等を用いることができる。 The illumination optical system 6 includes a light source unit, a shutter, an optical integrator (for example, a fly-eye lens), a beam splitter, a condenser lens system, a reticle blind, an imaging lens system, and the like (all not shown). Under the control of the main control system 16, the illumination light IL is emitted toward the reticle R held on the reticle stage RST. Here, as the light source unit, an excimer laser light source such as a KrF excimer laser light source (oscillation wavelength 248 nm) or an ArF excimer laser light source (oscillation wavelength 193 nm), an F 2 laser light source (oscillation wavelength 157 nm), an Ar 2 laser light source ( An oscillation wavelength of 126 nm), a copper vapor laser light source, a harmonic generator of a YAG laser, or an ultrahigh pressure mercury lamp (g-line, i-line, etc.) can be used. In this embodiment, a case where a fly-eye lens is provided as an optical integrator will be described as an example. However, the present invention is not limited to this, and a rod integrator (an internal reflection type integrator), a diffractive optical element, or the like can be used.

このようにして構成された照明光学系6について具体的に説明すると、光源ユニットから出射された照明光ILは、シャッタが開いているとオプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズに入射する。フライアイレンズに照明光ILが入射すると、その出射側焦点面に多数の光源像からなる面光源、すなわち2次光源が形成される。フライアイレンズから出射された照明光ILは、ビームスプリッタ及び集光レンズ系を介してレチクルブラインドに至る。レチクルブラインドを通過した照明光ILは、結像レンズ系を介してレチクルステージRST上に保持されたレチクルR上に出射される。     The illumination optical system 6 configured in this manner will be described in detail. The illumination light IL emitted from the light source unit enters a fly-eye lens as an optical integrator when the shutter is open. When the illumination light IL enters the fly-eye lens, a surface light source consisting of a large number of light source images, that is, a secondary light source is formed on the exit-side focal plane. The illumination light IL emitted from the fly-eye lens reaches the reticle blind via the beam splitter and the condenser lens system. The illumination light IL that has passed through the reticle blind is emitted onto the reticle R held on the reticle stage RST via the imaging lens system.

レチクルステージRSTは、レチクル架台7及びレチクルテーブル8から構成されている。レチクル架台7は、上記レチクルテーブル8の支持台である。レチクルテーブル8は、レチクル架台7上に設置され、図示しないステッピングモータ等の駆動機構により、XY平面内での移動及び回転が可能である。また、このレチクルテーブル8は、レチクル搬送装置(図示せず)から搬送されるレチクルRを、真空吸着機構によりXY平面上に保持する一方、ステージ制御系13の制御の下、レチクルRを所定の位置に位置合わせする。   The reticle stage RST includes a reticle mount 7 and a reticle table 8. The reticle mount 7 is a support for the reticle table 8. The reticle table 8 is installed on the reticle mount 7 and can be moved and rotated in the XY plane by a driving mechanism such as a stepping motor (not shown). The reticle table 8 holds the reticle R, which is transported from a reticle transport device (not shown), on the XY plane by a vacuum suction mechanism, while holding the reticle R under a control of the stage control system 13. Align to position.

投影光学系PLは、所定の縮小倍率(例えば1/5、1/4、又は1/6)を有する屈折光学系からなり、レチクルステージRSTの下方において、その出射光軸が照明光ILの出射光軸IXと一致するように配置されている。このため、レチクルRを通過した照明光ILは、投影光学系PLを介してウェハステージWST上のウェハW表面に入射することになる。つまり、マスクとしてのレチクルRに形成されているパターンが投影光学系PLを介して例えば1/4又は1/5に縮小されて、フォトレジストが塗布されたウェハW表面の各ショット領域に投影露光される。   Projection optical system PL is composed of a refractive optical system having a predetermined reduction magnification (for example, 1/5, 1/4, or 1/6), and its output optical axis is below the reticle stage RST and the output optical axis thereof is the output of the illumination light IL. It arrange | positions so that it may correspond with the light emission axis IX. For this reason, the illumination light IL that has passed through the reticle R enters the surface of the wafer W on the wafer stage WST via the projection optical system PL. That is, the pattern formed on the reticle R as a mask is reduced to, for example, ¼ or 5 through the projection optical system PL, and is projected and exposed to each shot area on the surface of the wafer W coated with the photoresist. Is done.

ウェハステージWSTは、ウェハ架台9、XYステージ10、基板テーブル11及びウェハホルダ12から構成されている。ウェハ架台9は、上記XYステージ10、基板テーブル11、ウェハホルダ12の支持台である。XYステージ10は、上記ウェハ架台9上に設置されており、例えば2次元リニアアクチュエータ等の駆動機構(図示せず)により、XY平面内での移動が可能である。基板テーブル11は、上記XYステージ10上において、異なる3点の支持点で不図示の3本の軸によって支持されており、これら3本の軸の昇降駆動機構により、Z方向に移動可能であると共に、XY平面に対しての傾斜が可能である。ウェハホルダ12は、上記基板テーブル11上に設置され、ウェハ搬送装置ARMから搬送されるウェハWを、真空吸着機構によりXY平面上に保持する。また、このウェハホルダ12は、図示しないステッピングモータ等の駆動機構により、Z軸周りの回転が可能である。これらXYステージ10、基板テーブル11及びウェハホルダ12は、ステージ制御系13の制御の下、ウェハWのXYZ座標、Z軸周りの回転量、XY平面に対しての傾斜角を規定するものである。   Wafer stage WST includes a wafer gantry 9, an XY stage 10, a substrate table 11, and a wafer holder 12. The wafer mount 9 is a support for the XY stage 10, the substrate table 11, and the wafer holder 12. The XY stage 10 is installed on the wafer gantry 9 and can be moved in the XY plane by a driving mechanism (not shown) such as a two-dimensional linear actuator. The substrate table 11 is supported by three shafts (not shown) at three different support points on the XY stage 10, and can be moved in the Z direction by a lifting / lowering drive mechanism of these three shafts. At the same time, tilting with respect to the XY plane is possible. The wafer holder 12 is installed on the substrate table 11 and holds the wafer W transferred from the wafer transfer device ARM on the XY plane by a vacuum suction mechanism. The wafer holder 12 can be rotated around the Z axis by a driving mechanism such as a stepping motor (not shown). The XY stage 10, the substrate table 11, and the wafer holder 12 define the XYZ coordinates of the wafer W, the amount of rotation about the Z axis, and the tilt angle with respect to the XY plane under the control of the stage control system 13.

なお、この基板テーブル11及びウェハホルダ12のほぼ中心位置には、ウェハ搬送装置ARMとの間でウェハWの授受を行なうためのセンターテーブル(図示せず)が設けられている。このセンターテーブルは、ウェハWを保持するための真空吸着機構と、Z軸方向への移動機構、Z軸周りの回転機構を有しており、ステージ制御系13の制御の下、Z方向に上昇し、ウェハ搬送装置ARMから搬送されるウェハWを保持する一方、下降してウェハホルダ12上にウェハWを載置する。   A center table (not shown) for transferring the wafer W to and from the wafer transfer device ARM is provided at a substantially central position of the substrate table 11 and the wafer holder 12. The center table has a vacuum suction mechanism for holding the wafer W, a moving mechanism in the Z-axis direction, and a rotating mechanism around the Z-axis, and is lifted in the Z direction under the control of the stage control system 13. Then, while holding the wafer W transferred from the wafer transfer device ARM, the wafer W is lowered and placed on the wafer holder 12.

ステージ制御系13は、主制御系16の制御の下、レチクルステージRST(詳細にはレチクルテーブル8)及びウェハステージWST(詳細にはXYステージ10、基板テーブル11、ウェハホルダ12及びセンターテーブル)を制御する。ファインアライメント用撮像装置14は、例えばオフアクシス方式のアライメントセンサであり、投影光学系PLの側面に配置され、ウエハW上に設けられた代表的な数個(3〜9個)のショット領域のそれぞれに付随して形成されたファインアライメントマークを撮像し、当該撮像結果である画像データをファインアライメント制御系15に出力する。ファインアライメント制御系15は、主制御系16の制御の下、上記ファインアライメントマークの画像データに基づいて、EGA処理を行い、各ショット領域の配列座標を算出し、当該各ショット領域の配列座標を示すショット領域配列情報を主制御系16に出力する。   The stage control system 13 controls the reticle stage RST (specifically, the reticle table 8) and the wafer stage WST (specifically, the XY stage 10, the substrate table 11, the wafer holder 12, and the center table) under the control of the main control system 16. To do. The fine alignment imaging device 14 is, for example, an off-axis type alignment sensor, which is arranged on the side surface of the projection optical system PL, and includes several representative (3 to 9) shot regions provided on the wafer W. The fine alignment marks formed along with the respective images are imaged, and image data as the imaging results are output to the fine alignment control system 15. Under the control of the main control system 16, the fine alignment control system 15 performs EGA processing based on the image data of the fine alignment mark, calculates the array coordinates of each shot area, and calculates the array coordinates of each shot area. The shot area arrangement information shown is output to the main control system 16.

主制御系16は、所定の制御プログラムに基づいて露光装置STの全体動作を制御するものであり、具体的には、ショット領域配列情報に基づいて、ステージ制御系13を制御する(つまりレチクルステージRSTとウェハステージWSTとを同期制御する)ことにより、レチクルRとウェハWとの位置合わせ(ファインアライメント)を行なう。また、この主制御系16は、ウェハWがウェハステージWST(具体的にはセンターテーブル)に搬送される際に、位置計測装置LMから取得したウェハWの位置情報に基づいて、センターテーブルの中心位置とウェハWの中心位置とが一致するように、ステージ制御系13を介してXYステージ10の位置を制御する。   The main control system 16 controls the overall operation of the exposure apparatus ST based on a predetermined control program. Specifically, the main control system 16 controls the stage control system 13 based on shot area arrangement information (that is, reticle stage). By aligning the RST and the wafer stage WST in synchronization, the reticle R and the wafer W are aligned (fine alignment). The main control system 16 also controls the center of the center table based on the position information of the wafer W acquired from the position measuring device LM when the wafer W is transferred to the wafer stage WST (specifically, the center table). The position of the XY stage 10 is controlled via the stage control system 13 so that the position matches the center position of the wafer W.

次に、上記のように構成された第1実施形態における露光装置ST、特に当該露光装置STに備えられた位置計測装置LMの動作について詳細に説明する。   Next, the operation of the exposure apparatus ST in the first embodiment configured as described above, in particular, the operation of the position measurement apparatus LM provided in the exposure apparatus ST will be described in detail.

図4は、位置計測装置LMによるウェハWの位置計測時における動作フローチャートである。なお、予め位置計測装置LMの回転テーブル1上には、上流側の搬送装置からウェハWが搬送されているものとする。また、上述したように、ウェハWが回転テーブル1上に載置された際、各撮像領域2a〜4aにはウェハWのエッジの一部が含まれることのみ保証され、ノッチNまたは円弧状エッジがどの撮像領域に含まれるかは不定である。以下では、図5に示すように、ウェハWは、ノッチNが基準位置に対し若干ずれた位置で第1の撮像領域2aに含まれるような状態で載置された場合を想定して説明する。なお、第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aには円弧状エッジが含まれている。   FIG. 4 is an operation flowchart when the position of the wafer W is measured by the position measuring apparatus LM. It is assumed that the wafer W is transferred from the upstream transfer device onto the rotary table 1 of the position measuring device LM in advance. Further, as described above, when the wafer W is placed on the turntable 1, it is only guaranteed that each of the imaging regions 2a to 4a includes a part of the edge of the wafer W, and the notch N or the arc-shaped edge. It is indefinite which imaging region is included. Hereinafter, as illustrated in FIG. 5, the description will be given assuming that the wafer W is placed in a state where the notch N is included in the first imaging region 2a at a position slightly shifted from the reference position. . The second imaging area 3a and the third imaging area 4a include arcuate edges.

まず、位置計測装置LMの各撮像装置2〜4は、それぞれに対応する撮像領域2a〜4aを撮像し、当該撮像結果である画像データをプリアライメント制御装置5aに出力する(ステップS1)。この画像データは、回転テーブル1の微小回転前における各撮像領域2a〜4aの画像データ(回転前画像データ)である。プリアライメント制御装置5aは、上記各撮像領域2a〜4aの回転前画像データを記憶装置5bに記憶する。   First, each of the imaging devices 2 to 4 of the position measuring device LM images the corresponding imaging regions 2a to 4a, and outputs the image data as the imaging result to the pre-alignment control device 5a (step S1). This image data is image data (image data before rotation) of the imaging regions 2a to 4a before the micro rotation of the turntable 1. The pre-alignment control device 5a stores the pre-rotation image data of each of the imaging regions 2a to 4a in the storage device 5b.

続いて、プリアライメント制御装置5aは、回転テーブル1を微小回転させるように制御する、すなわちウェハWを微小回転させる(ステップS2)。このような微小回転後のノッチをノッチN’とする。なお、ウェハWの回転方向は時計回りでも反時計回りでも良いが、本実施形態では図5に示すように時計回りに回転させるものとする。また、微小回転量をθとすると、当該微小回転量θは、撮像領域のサイズの半分程度であることが望ましい。具体的には、第1の撮像領域2aの長辺の長さをL、ウェハWの半径をrとすると、微小回転量θは下記関係式(1)で表される。   Subsequently, the pre-alignment control device 5a performs control so that the turntable 1 is slightly rotated, that is, the wafer W is slightly rotated (step S2). The notch after such a slight rotation is referred to as a notch N ′. Although the rotation direction of the wafer W may be clockwise or counterclockwise, it is assumed that the wafer W is rotated clockwise as shown in FIG. If the minute rotation amount is θ, it is desirable that the minute rotation amount θ is about half of the size of the imaging region. Specifically, when the length of the long side of the first imaging region 2a is L and the radius of the wafer W is r, the minute rotation amount θ is expressed by the following relational expression (1).

Figure 2007281126
Figure 2007281126

ここで、ウェハWの回転量を微小とする理由は、ウェハWが回転テーブル1に搬送された際に、ウェハWの中心位置と回転テーブル1の回転中心とがずれてしまった場合、つまり偏心が生じてしまった場合であっても、以下に述べる微小回転後の画像に生じ得る、偏心に起因するウェハエッジ変化を最小限に抑えるためである。   Here, the reason why the rotation amount of the wafer W is minute is that the center position of the wafer W and the rotation center of the turntable 1 are shifted when the wafer W is transferred to the turntable 1, that is, eccentricity. This is for minimizing the wafer edge change caused by the eccentricity, which may occur in the image after the micro-rotation described below, even if this occurs.

そして、各撮像装置2〜4は、回転テーブル1を微小回転後における各撮像領域2a〜4aを撮像し、当該撮像結果である画像データ(回転後画像データ)をプリアライメント制御装置5aに出力する(ステップS3)。プリアライメント制御装置5aは、上記各撮像領域2a〜4aの回転後画像データを記憶装置5bに記憶する。   And each imaging device 2-4 images each imaging area 2a-4a after rotating the rotation table 1 minutely, and outputs the image data (post-rotation image data) which is the said imaging result to the pre-alignment control apparatus 5a. (Step S3). The pre-alignment control device 5a stores the post-rotation image data of each of the imaging regions 2a to 4a in the storage device 5b.

次に、プリアライメント制御装置5aは、2値化処理装置5cに対して、上記回転前画像データ及び回転後画像データの2値化処理を行うよう指示する。2値化処理装置5cは、記憶装置5bから各撮像領域2a〜4aの回転前画像データ及び回転後画像データを取得し、これら画像データに2値化処理を施す(ステップS4)。周知のように、2値化処理とは、画像データに含まれる各ピクセル毎の輝度情報と閾値とを比較し、当該閾値より小さい輝度を有するピクセルは全て黒輝度に変換する一方、閾値以上の輝度を有するピクセルは全て白輝度に変換するものである。本実施形態では、例えばウェハエッジの輝度は黒、その他の背景の輝度は白となるように2値化処理を施す。図6(a)は、2値化処理後における第1の撮像領域2aの回転前画像データ及び回転後画像データである。図6(b)は、2値化処理後における第2の撮像領域3aの回転前画像データ及び回転後画像データである。図6(c)は、2値化処理後における第3の撮像領域4aの回転前画像データ及び回転後画像データである。なお、これらの図において網掛け部分が黒輝度を示している。   Next, the pre-alignment control device 5a instructs the binarization processing device 5c to perform binarization processing on the pre-rotation image data and post-rotation image data. The binarization processing device 5c acquires pre-rotation image data and post-rotation image data of the imaging regions 2a to 4a from the storage device 5b, and performs binarization processing on these image data (step S4). As is well known, binarization processing compares luminance information for each pixel included in image data with a threshold value, and converts all pixels having luminance values smaller than the threshold value to black luminance, while exceeding the threshold value. All pixels having luminance are converted to white luminance. In this embodiment, for example, the binarization process is performed so that the brightness of the wafer edge is black and the brightness of other backgrounds is white. FIG. 6A shows pre-rotation image data and post-rotation image data of the first imaging region 2a after binarization processing. FIG. 6B shows pre-rotation image data and post-rotation image data of the second imaging region 3a after the binarization process. FIG. 6C shows pre-rotation image data and post-rotation image data of the third imaging region 4a after the binarization process. In these figures, shaded portions indicate black luminance.

ここで、各撮像領域毎に、回転前画像データと回転後画像データとの差分をとると、図7のようになる。図7(a)は、第1の撮像領域2aにおける差分画像データである。図7(b)は、第2の撮像領域3aにおける差分画像データである。図7(c)は、第3の撮像領域4aにおける差分画像データである。これらの図からわかるように、円弧状エッジが含まれる第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aの差分画像データはほぼ全黒となる。つまり、円弧状エッジの場合、ウェハWが微小回転してもエッジ形状に変化がないため、回転前画像データ及び回転後画像データはほぼ一致することになり、両者の差分をとると各ピクセルの輝度は零、すなわち全黒となる。一方、図7(a)に示すように、ノッチN(N’)が含まれる場合、ノッチNとノッチN’に相当するピクセル領域は白となるが、他のピクセル領域は黒となる。つまり、ウェハエッジがノッチNである場合、回転前画像データと回転後画像データとは異なるため、両者の差分をとると、ノッチNとノッチN’に相当するピクセル領域のみ白となる。   Here, FIG. 7 shows the difference between the pre-rotation image data and the post-rotation image data for each imaging region. FIG. 7A shows difference image data in the first imaging region 2a. FIG. 7B shows difference image data in the second imaging region 3a. FIG. 7C shows difference image data in the third imaging region 4a. As can be seen from these drawings, the difference image data of the second imaging region 3a and the third imaging region 4a including the arc-shaped edge is almost all black. That is, in the case of an arcuate edge, since the edge shape does not change even if the wafer W is rotated slightly, the pre-rotation image data and the post-rotation image data are substantially the same. The brightness is zero, that is, all black. On the other hand, as shown in FIG. 7A, when the notch N (N ′) is included, the pixel areas corresponding to the notch N and the notch N ′ are white, but the other pixel areas are black. That is, when the wafer edge is the notch N, the pre-rotation image data and the post-rotation image data are different. Therefore, when the difference between them is taken, only the pixel area corresponding to the notch N and the notch N ′ is white.

このように、ウェハエッジがノッチNの場合、回転前画像データと回転後画像データとの総差分値(各ピクセル毎に算出した輝度の差分値の総和)はある値を有し、ウェハエッジが円弧状エッジの場合、上記総差分値はほぼ零となる。従って、各撮像領域毎に、回転前画像データと回転後画像データとの総差分値を算出し、所定の閾値(第1の閾値)と比較することで、各撮像領域2a〜4aに含まれるウェハエッジが円弧状エッジか、またはノッチNかを判別することができる。   Thus, when the wafer edge is notch N, the total difference value between the pre-rotation image data and the post-rotation image data (the sum of the luminance difference values calculated for each pixel) has a certain value, and the wafer edge has an arc shape. In the case of an edge, the total difference value is almost zero. Therefore, the total difference value between the pre-rotation image data and the post-rotation image data is calculated for each imaging region, and is compared with a predetermined threshold value (first threshold value) to be included in each imaging region 2a to 4a. It can be determined whether the wafer edge is an arcuate edge or notch N.

また、図6(d)は、例えばノッチNと円弧状エッジとの境界付近が撮像領域に含まれている場合の回転前画像データ及び回転後画像データであり、図7(d)は、図6(d)の差分画像データである。これらの図からわかるように、ノッチNと円弧状エッジとの境界付近が撮像領域に含まれている場合でも、回転前画像データと回転後画像データとの総差分値はある値を有している。つまり、従来の方法では判別が困難であったノッチNと円弧状エッジとの境界付近が撮像領域に含まれている場合であっても、上述した方法により、正確にウェハエッジの判別を行なうことができる。   FIG. 6D shows pre-rotation image data and post-rotation image data when, for example, the vicinity of the boundary between the notch N and the arcuate edge is included in the imaging region, and FIG. 6 (d) is differential image data. As can be seen from these figures, even if the vicinity of the boundary between the notch N and the arcuate edge is included in the imaging region, the total difference value between the pre-rotation image data and the post-rotation image data has a certain value. Yes. That is, even when the vicinity of the boundary between the notch N and the arcuate edge, which is difficult to discriminate with the conventional method, is included in the imaging region, the wafer edge can be discriminated accurately by the method described above. it can.

上記のような原理に基づき、エッジ判別装置5dは、2値化処理装置5cから各撮像領域2a〜4aの2値化処理後の回転前画像データ及び回転後画像データ(2値化画像データ)を取得すると、各撮像領域毎に回転前後の2値化画像データに基づいて総差分値を算出し、当該総差分値と第1の閾値とを比較し、総差分値が第1の閾値より小さい場合は、円弧状エッジが撮像領域に含まれていると判定し、一方、総差分値が第1の閾値以上の大きさの場合は、ノッチNが撮像領域に含まれていると判定する(ステップS5)。本実施形態では、エッジ判別装置5dは、第1の撮像領域2aにノッチNが含まれ、第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aに円弧状エッジが含まれていると判定する。そして、エッジ判別装置5dは、これらウェハエッジの判定結果を示すエッジ判別信号をプリアライメント制御装置5a及び位置情報算出装置5eに出力する。  Based on the principle as described above, the edge discriminating device 5d receives the pre-rotation image data and the post-rotation image data (binarized image data) after the binarization processing of the imaging regions 2a to 4a from the binarization processing device 5c. Is obtained, the total difference value is calculated on the basis of the binarized image data before and after the rotation for each imaging region, the total difference value is compared with the first threshold value, and the total difference value is calculated from the first threshold value. When it is small, it is determined that the arcuate edge is included in the imaging region. On the other hand, when the total difference value is greater than or equal to the first threshold value, it is determined that the notch N is included in the imaging region. (Step S5). In the present embodiment, the edge determination device 5d determines that the first imaging region 2a includes the notch N, and the second imaging region 3a and the third imaging region 4a include arcuate edges. Then, the edge determination device 5d outputs an edge determination signal indicating the determination result of the wafer edge to the pre-alignment control device 5a and the position information calculation device 5e.

位置情報算出装置5eは、上記エッジ判別信号に基づいて、円弧状エッジを含む撮像領域の回転後画像データを記憶装置5bから取得し、当該円弧状エッジを含む回転後画像データに基づいて、ウェハWの中心位置及び半径を算出し、また、記憶装置5bからノッチN(N’)を含む撮像領域の回転後画像データを取得し、当該ノッチN’を含む回転後画像データに基づいてウェハWの回転ずれ量を算出する(ステップS6)。本実施形態では、第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aの回転後画像データに基づいて、ウェハWの中心位置及び半径を算出することになる。以下、ウェハWの中心位置及び半径の算出方法の具体例について説明する。   The position information calculation device 5e acquires post-rotation image data of the imaging region including the arc-shaped edge from the storage device 5b based on the edge determination signal, and the wafer based on the post-rotation image data including the arc-shaped edge. The center position and radius of W are calculated, and the rotated image data of the imaging region including the notch N (N ′) is acquired from the storage device 5b, and the wafer W is based on the rotated image data including the notch N ′. Is calculated (step S6). In the present embodiment, the center position and radius of the wafer W are calculated based on the rotated image data of the second imaging region 3a and the third imaging region 4a. Hereinafter, a specific example of a method for calculating the center position and radius of the wafer W will be described.

まず、位置情報算出装置5eは、第2の撮像領域3a及び第3の撮像領域4aの回転後画像データを基に画像処理を行い、円弧状エッジに沿った複数の点からなる点群を生成し、当該点群に最小二乗法を適用することにより円弧状エッジの円近似を行なう。詳細には、上記点群に、座標(Xi、Yi);(i=1,2…,n)を有するn個の点が存在する場合、求めるウェハWの中心位置の座標を(a,b)、半径をrとすると、円の方程式は下記(2)式で表される。(2)式を展開すると下記(3)式のようになり、さらに(3)式を変形すると下記(4)式で表される。   First, the position information calculation device 5e performs image processing based on the rotated image data of the second imaging region 3a and the third imaging region 4a, and generates a point group including a plurality of points along the arcuate edge. Then, circular approximation of the arc-shaped edge is performed by applying the least square method to the point group. Specifically, when there are n points having coordinates (Xi, Yi); (i = 1, 2,..., N) in the point group, the coordinates of the center position of the wafer W to be obtained are (a, b ), Where r is the radius, the equation of the circle is expressed by the following equation (2). When the expression (2) is expanded, the following expression (3) is obtained, and when the expression (3) is further modified, it is expressed by the following expression (4).

Figure 2007281126
Figure 2007281126

上記(4)式を用いて、n個の各点の座標を連立させると下記(5)式で表され、(5)式を(6)式のように置いた場合、求める解(行列X)は最小二乗法により下記(7)式で表される。従って、行列Xの成分aとbが、求める円の中心位置の座標である。また、半径rは下記(8)式により求めることができる。   Using the above equation (4), the coordinates of each of the n points are represented simultaneously by the following equation (5). When equation (5) is placed as in equation (6), the solution to be obtained (matrix X ) Is expressed by the following equation (7) by the least square method. Therefore, the components a and b of the matrix X are the coordinates of the center position of the circle to be obtained. The radius r can be obtained by the following equation (8).

Figure 2007281126
Figure 2007281126

位置情報算出装置5eは、上記のような幾何学的円近似によって円の中心位置及び半径を算出する。なお、円近似を行なう際に用いる画像データは、微小回転前の画像データでも良い。また、図5に示すように、位置情報算出装置5eは、第1の撮像領域2aにおける回転後画像データを基に画像処理を行うことにより、ウェハWの回転ずれ量φを算出する。このように、回転ずれ量φとは、基準位置に対するノッチN’のずれ量を示すものである。位置情報算出装置5eは、上記のように算出したウェハWの中心位置、半径、回転ずれ量をウェハWの位置情報としてプリアライメント制御装置5aに出力する。なお、この回転ずれ量φは、微小回転前の画像データから算出することも可能であるが、この場合、回転テーブル1の微小回転量θを上記のように算出した回転ずれ量φに加える必要がある。  The position information calculation device 5e calculates the center position and radius of the circle by the geometric circle approximation as described above. Note that the image data used when performing the circular approximation may be image data before the minute rotation. As shown in FIG. 5, the position information calculation device 5e calculates the rotational deviation amount φ of the wafer W by performing image processing based on the rotated image data in the first imaging region 2a. Thus, the rotational deviation amount φ indicates the deviation amount of the notch N ′ with respect to the reference position. The position information calculation device 5e outputs the center position, radius, and rotation deviation amount calculated as described above to the pre-alignment control device 5a as the position information of the wafer W. The rotational deviation amount φ can be calculated from the image data before the minute rotation. In this case, the minute rotation amount θ of the rotary table 1 needs to be added to the rotation deviation amount φ calculated as described above. There is.

また、例えば、図8に示すように、ノッチNが第3の撮像領域4aに含まれていた場合、上記ステップS6では、円弧状エッジが含まれる第1の撮像領域2a及び第2の撮像領域3aの画像データに基づいてウェハWの中心位置及び半径を算出する。なお、第3の撮像領域4aの画像データに基づいてウェハWの回転ずれ量φを算出することもできる。この場合において、例えば、図9に示すように、ノッチNがどの撮像領域にも含まれない場合やノッチNの一部のみ含まれる場合も考えられる。この場合、ステップS5において、全ての撮像領域に円弧状エッジが含まれていると判定されるので、ステップS6では、全ての撮像領域の回転後画像データに基づいてウェハWの中心位置及び半径を算出する一方、回転ずれ量は算出しない。このように、ノッチNがどの撮像領域にも含まれていないと判定された場合、プリアライメント制御装置5aは、ステップS2の処理に移行し、回転テーブル1を微小回転させる。すなわち、ノッチNがどの撮像領域にも含まれていないと判定された場合、円弧状エッジを含む画像データからウェハWの中心位置及び半径を算出することができても、ウェハWの回転ずれ量φは算出できないため、ノッチNがいずれかの撮像領域に含まれるまで、ステップS2〜ステップS5の処理を繰り返す。  Further, for example, as shown in FIG. 8, when the notch N is included in the third imaging region 4a, in step S6, the first imaging region 2a and the second imaging region including arcuate edges are included. Based on the image data 3a, the center position and radius of the wafer W are calculated. Note that the rotational deviation amount φ of the wafer W can also be calculated based on the image data of the third imaging region 4a. In this case, for example, as shown in FIG. 9, there may be a case where the notch N is not included in any imaging region, or a case where only a part of the notch N is included. In this case, since it is determined in step S5 that all the imaging areas include arc-shaped edges, in step S6, the center position and radius of the wafer W are determined based on the rotated image data of all the imaging areas. While calculating, the amount of rotational deviation is not calculated. As described above, when it is determined that the notch N is not included in any imaging region, the pre-alignment control device 5a proceeds to the process of step S2 and rotates the turntable 1 slightly. That is, when it is determined that the notch N is not included in any imaging region, even if the center position and radius of the wafer W can be calculated from the image data including the arc-shaped edge, the rotational deviation amount of the wafer W Since φ cannot be calculated, the processes in steps S2 to S5 are repeated until the notch N is included in any imaging region.

そして、プリアライメント制御装置5aは、上記のような処理によりウェハWの位置情報を取得すると、当該位置情報に基づいてウェハWのプリアライメントを行なう(ステップS7)。具体的には、ウェハWの回転ずれ量φだけ回転テーブル1を回転させ、ノッチNを基準位置に位置合わせする。プリアライメント制御装置5aは、上記プリアライメント終了後、ウェハWの位置情報を主制御系16に出力する(ステップS8)。  Then, when the pre-alignment control device 5a acquires the position information of the wafer W by the above processing, the pre-alignment control apparatus 5a performs pre-alignment of the wafer W based on the position information (step S7). Specifically, the turntable 1 is rotated by the rotation deviation amount φ of the wafer W, and the notch N is aligned with the reference position. The pre-alignment control device 5a outputs the position information of the wafer W to the main control system 16 after the completion of the pre-alignment (step S8).

一方、主制御系16は、ウェハ搬送装置ARMを制御し、プリアライメント終了後のウェハWを回転テーブル1からウェハステージWST(具体的にはセンターテーブル)に搬送させる。この時、主制御系16は、プリアライメント制御装置5aから取得したウェハWの位置情報(特に中心位置及び半径)に基づいて、センターテーブルの中心位置とウェハWの中心位置とが一致するように、XYステージ10の位置を制御する。センターテーブルは所定の高さまで上昇してウェハ搬送装置ARMからウェハWを受け取った後、下降し、ウェハWをウェハホルダ12上に載置する。   On the other hand, the main control system 16 controls the wafer transfer device ARM to transfer the wafer W after pre-alignment from the rotary table 1 to the wafer stage WST (specifically, the center table). At this time, the main control system 16 makes the center position of the center table coincide with the center position of the wafer W based on the position information (particularly the center position and radius) of the wafer W acquired from the pre-alignment control device 5a. The position of the XY stage 10 is controlled. The center table rises to a predetermined height, receives the wafer W from the wafer transfer device ARM, then descends, and places the wafer W on the wafer holder 12.

主制御系16は、照明光学系6、ステージ制御系13及びファインアライメント制御系15を制御して、ウェハWの露光処理を行なう。この露光処理については、従来と同様であるので詳細な説明は省略するが、まず、ファインアライメント用撮像装置14によって、ウエハW上に設けられた代表的な数個(3〜9個)のショット領域のそれぞれに付随して形成されたファインアライメントマークを撮像する。そして、ファインアライメント制御系15は、上記ファインアライメントマークの画像データに基づいて、EGA処理を行い、各ショット領域の配列座標を算出し、当該各ショット領域の配列座標を示すショット領域配列情報を主制御系16に出力する。そして、主制御系16は、ショット領域配列情報に基づいて、ウェハWに設定された各ショット領域の位置合わせを行い、投影光学系PLを介してレチクルRのパターンをウェハW上に順次転写する。また、上記位置計測装置LMによって得られたウェハWの位置情報(特に中心位置及び半径)は、各ショット領域の位置合わせを行なう際のオフセット量として使用される。   The main control system 16 controls the illumination optical system 6, the stage control system 13, and the fine alignment control system 15 to perform the wafer W exposure process. Since this exposure process is the same as in the prior art, a detailed description thereof is omitted, but first, representative several (3 to 9) shots provided on the wafer W by the fine alignment imaging device 14. A fine alignment mark formed in association with each region is imaged. Then, the fine alignment control system 15 performs EGA processing based on the image data of the fine alignment mark, calculates the array coordinates of each shot area, and mainly uses shot area array information indicating the array coordinates of each shot area. Output to the control system 16. The main control system 16 aligns the shot areas set on the wafer W based on the shot area arrangement information, and sequentially transfers the pattern of the reticle R onto the wafer W via the projection optical system PL. . Further, the position information (particularly the center position and radius) of the wafer W obtained by the position measuring device LM is used as an offset amount when aligning each shot area.

以上のように本第1実施形態によれば、ウェハWのプリアライメント時において、従来のような第1プリアライメントを省略した場合、つまりノッチNまたは円弧状エッジがどの撮像領域に含まれるか不定である場合であっても、各撮像領域に含まれるウェハエッジがノッチNであるか、円弧状エッジであるかを正確に判定することが可能である。その結果、円弧状エッジの画像データのみを正確に抽出し、当該円弧状の画像データに基づいてウェハWの中心位置及び半径を算出するため、正確な位置情報を得ることが可能である。   As described above, according to the first embodiment, in the pre-alignment of the wafer W, when the first pre-alignment as in the related art is omitted, that is, in which imaging region the notch N or the arc-shaped edge is included is undefined. Even in this case, it is possible to accurately determine whether the wafer edge included in each imaging region is a notch N or an arcuate edge. As a result, only the image data of the arc-shaped edge is accurately extracted, and the center position and radius of the wafer W are calculated based on the arc-shaped image data, so that accurate position information can be obtained.

〔第2実施形態〕
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本第2実施形態は、ウェハWが非円弧状エッジとしてノッチNではなく、直線状エッジであるオリフラを有する場合の実施例である。従って、位置計測装置LMや露光装置STの装置構成は第1実施形態と同様であるので、以下では、第1実施形態と同様の説明は省略し、第2実施形態における特徴的な部分についてのみ説明する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The second embodiment is an example in which the wafer W has an orientation flat that is a straight edge instead of the notch N as a non-arc-shaped edge. Accordingly, the apparatus configurations of the position measurement apparatus LM and the exposure apparatus ST are the same as those in the first embodiment, and hence the description similar to that in the first embodiment is omitted below, and only the characteristic parts in the second embodiment are described. explain.

図10は、本第2実施形態におけるウェハWの平面図である。この図のように、第1の撮像領域2a及び第2の撮像領域3aに円弧状エッジが含まれ、第3の撮像領域4aにオリフラFが含まれている場合を想定する。なお、微小回転後のオリフラFをF’とする。また、オリフラFがY軸に対して平行になった場合をウェハWの基準位置とする。図11(a)は、2値化処理後における第3の撮像領域4aの回転前画像データ及び回転後画像データである。図11(b)は、第3の撮像領域4aにおける差分画像データである。なお、円弧状エッジが含まれる撮像領域については第1実施形態と同様なので説明を省略する。   FIG. 10 is a plan view of the wafer W in the second embodiment. As shown in this figure, it is assumed that the first imaging region 2a and the second imaging region 3a include an arcuate edge and the third imaging region 4a includes an orientation flat F. Note that the orientation flat F after the slight rotation is denoted by F ′. Further, the reference position of the wafer W is set when the orientation flat F is parallel to the Y axis. FIG. 11A shows pre-rotation image data and post-rotation image data of the third imaging region 4a after the binarization processing. FIG. 11B shows difference image data in the third imaging region 4a. Note that an imaging region including an arcuate edge is the same as that in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

図11(b)からわかるように、ウェハエッジがオリフラFの場合であっても、回転前画像データと回転後画像データとの総差分値はある値を有することになる。従って、各撮像領域毎に、回転前画像データと回転後画像データとの総差分値を算出し、所定の閾値と比較することで、各撮像領域2a〜4aに含まれるウェハエッジが円弧状エッジか、またはオリフラFかを判別することができる。また、従来の方法では判別が困難であったオリフラFと円弧状エッジとの境界付近が撮像領域に含まれている場合であっても、正確にウェハエッジの判別を行なうことができる。   As can be seen from FIG. 11B, even when the wafer edge is orientation flat F, the total difference value between the pre-rotation image data and the post-rotation image data has a certain value. Therefore, by calculating the total difference value between the pre-rotation image data and the post-rotation image data for each imaging region and comparing it with a predetermined threshold, it is possible to determine whether the wafer edge included in each imaging region 2a to 4a is an arcuate edge. Or orientation flat F can be discriminated. Further, even when the vicinity of the boundary between the orientation flat F and the arcuate edge, which is difficult to discriminate with the conventional method, is included in the imaging region, the wafer edge can be discriminated accurately.

従って、第2実施形態における位置計測装置LMの動作は、第1実施形態における動作と比較して、ウェハWの回転ずれ量φを算出する方法が異なり、他のウェハエッジの判別方法やウェハWの中心位置及び半径の算出方法等は同じである。以下、第2実施形態におけるウェハWの回転ずれ量φを算出する方法について具体的に説明する。  Therefore, the operation of the position measurement apparatus LM in the second embodiment differs from the operation in the first embodiment in a method of calculating the rotation deviation amount φ of the wafer W, and other wafer edge discrimination methods and wafer W The calculation method of the center position and the radius is the same. Hereinafter, a method for calculating the rotational deviation amount φ of the wafer W in the second embodiment will be specifically described.

オリフラFを有するウェハWの回転ずれ量φとは、図10に示すように、オリフラFのY軸に対する傾きである。そこで、まずオリフラFが含まれる回転後画像データを基に画像処理を行い、オリフラFに沿った複数の点からなる点群を生成し、当該点群に最小二乗法を適用することによりオリフラFの直線近似を行なう。そして、上記のような幾何学的近似から得られた直線に基づき、オリフラFのY軸に対する傾き、つまりウェハWの回転ずれ量φを求めることができる。一方、第2実施形態におけるウェハWのプリアライメントは、上記のようにして得たウェハWの回転ずれ量φだけ回転テーブル1を回転させ、オリフラFがY軸に対して平行になるようにウェハWを位置合わせすることになる。  The rotation deviation amount φ of the wafer W having the orientation flat F is an inclination of the orientation flat F with respect to the Y axis, as shown in FIG. Therefore, first, image processing is performed based on post-rotation image data including the orientation flat F, a point group including a plurality of points along the orientation flat F is generated, and the orientation square F is applied to the point group by applying the least square method. The linear approximation of is performed. Then, the inclination of the orientation flat F with respect to the Y axis, that is, the rotational deviation amount φ of the wafer W can be obtained based on the straight line obtained from the geometric approximation as described above. On the other hand, in the pre-alignment of the wafer W in the second embodiment, the rotary table 1 is rotated by the rotational displacement amount φ of the wafer W obtained as described above, and the orientation flat F is parallel to the Y axis. W will be aligned.

以上のように、本第2実施形態によれば、ウェハWのプリアライメント時において、従来のような第1プリアライメントを省略した場合、つまりオリフラFまたは円弧状エッジがどの撮像領域に含まれるか不定である場合であっても、各撮像領域に含まれるウェハエッジがオリフラFであるか、円弧状エッジであるかを正確に判定することが可能である。その結果、円弧状エッジの画像データのみを正確に抽出し、当該円弧状の画像データに基づいてウェハWの中心位置及び半径を算出するため、正確な位置情報を得ることが可能である。  As described above, according to the second embodiment, when pre-alignment of the wafer W is omitted, the conventional pre-alignment is omitted, that is, in which imaging region the orientation flat F or the arc-shaped edge is included. Even if it is indefinite, it is possible to accurately determine whether the wafer edge included in each imaging region is orientation flat F or an arcuate edge. As a result, only the image data of the arc-shaped edge is accurately extracted, and the center position and radius of the wafer W are calculated based on the arc-shaped image data, so that accurate position information can be obtained.

なお、上記第2実施形態において、回転テーブル1を微小回転させる前に、各撮像領域2a〜4aの回転前画像データ毎に、ウェハエッジに沿った複数の点からなる点群を生成し、当該点群に最小二乗法を適用することによりウェハエッジの直線近似を行ない、当該直線近似により得られる直線と各点との残差を算出し、当該残差に基づいて撮像領域に含まれるウェハエッジが円弧状エッジであるか、オリフラFであるか判定しても良い。円弧状エッジの場合、上記残差のバラツキは大きくなり、一方、オリフラFの場合、残差のバラツキは小さくなる。そこで、例えば、残差の最大値と所定の閾値とを比較することで、撮像領域に含まれるウェハエッジの判別を行なうことができる。また、残差の最大値に基づいてウェハエッジの判別を行なうことに限らず、例えば複数の残差データの平均値に基づいてウェハエッジの判別を行なっても良い。しかしながら、この方法は、非円弧状エッジが直線形状である場合にのみ適用できるものであり、オリフラFと円弧状エッジとの境界付近が撮像領域に含まれている場合や、第1実施形態のように非円弧状エッジがノッチNである場合は適用できない。  In the second embodiment, before the turntable 1 is slightly rotated, a point group including a plurality of points along the wafer edge is generated for each pre-rotation image data of the imaging regions 2a to 4a. By applying the least square method to the group, the wafer edge is linearly approximated, the residual between the straight line obtained by the linear approximation and each point is calculated, and the wafer edge included in the imaging region is arc-shaped based on the residual It may be determined whether it is an edge or orientation flat F. In the case of an arcuate edge, the variation in the residual is large, whereas in the case of the orientation flat F, the variation in the residual is small. Therefore, for example, by comparing the maximum value of the residual with a predetermined threshold value, it is possible to determine the wafer edge included in the imaging region. Further, the determination of the wafer edge is not limited to the determination of the wafer edge based on the maximum residual value. For example, the determination of the wafer edge may be performed based on the average value of a plurality of residual data. However, this method can be applied only when the non-arc-shaped edge is a straight line shape, and when the vicinity of the boundary between the orientation flat F and the arc-shaped edge is included in the imaging region, or in the first embodiment. Thus, this is not applicable when the non-arc-shaped edge is a notch N.

また、上記第1及び第2実施形態では、非円弧状エッジとしてノッチNまたはオリフラFを有するウェハWを例示して説明したが、これに限定されず、ノッチまたはオリフラ以外の形状の非円弧状エッジであっても本発明は適用可能である。また、例えば、円弧状エッジに異物等が付着した場合など、結果的にエッジの形状として非円弧状エッジとみなせる場合においても、本発明によれば、そのような異物が付着した円弧状エッジの画像データを除外してウェハWの中心位置及び半径を求めることができ、位置情報の精度を向上することができる。  In the first and second embodiments, the wafer W having the notch N or the orientation flat F as an example of the non-arc-like edge has been described. However, the present invention is not limited to this, and the non-arc shape having a shape other than the notch or orientation flat. The present invention can be applied even to an edge. In addition, for example, even when a foreign object or the like adheres to an arcuate edge, as a result, it can be regarded as a non-arced edge as the shape of the edge. The center position and radius of the wafer W can be obtained by excluding the image data, and the accuracy of the position information can be improved.

また、上記第1及び第2実施形態では、微小回転前後の画像データの総差分値に基づいてウェハエッジの判別を行なったが、これに限定されず、微小回転前後の画像データの一致度を示す相関値を求め、当該相関値と所定の閾値(第2の閾値)とを比較し、相関値が第2の閾値より小さい場合は、非円弧状エッジが撮像領域に含まれていると判定し、また、相関値が第2の閾値以上の場合は、円弧状エッジが撮像領域に含まれていると判定することで、ウェハエッジの判別を行なっても良い。  In the first and second embodiments, the wafer edge is determined based on the total difference value between the image data before and after the minute rotation. However, the present invention is not limited to this, and shows the degree of coincidence between the image data before and after the minute rotation. A correlation value is obtained, the correlation value is compared with a predetermined threshold (second threshold), and if the correlation value is smaller than the second threshold, it is determined that a non-arc-shaped edge is included in the imaging region. Further, when the correlation value is equal to or larger than the second threshold value, the wafer edge may be determined by determining that the arc-shaped edge is included in the imaging region.

また、計測対象物はウェハWに限らず、円弧状エッジと非円弧状エッジを有するものであれば他のものでも良い。例えば、露光装置においては、円弧状エッジと非円弧状エッジを有するマスクやレチクルを採用した場合、本発明により当該マスクやレチクルの位置情報を計測することも可能である。  Further, the measurement object is not limited to the wafer W, and may be any other object as long as it has an arcuate edge and a non-arced edge. For example, in the exposure apparatus, when a mask or reticle having an arc-shaped edge and a non-arc-shaped edge is adopted, position information of the mask or reticle can be measured according to the present invention.

また、上記第1及び第2実施形態では、ウェハエッジを3つの撮像装置2〜4によって撮像したが、これに限定されず、さらに複数の撮像装置を設けても良い。円弧状エッジの画像データが多い程、ウェハWの中心位置及び半径の算出精度が高くなるので、装置コストの許容範囲内において、可能な限り多くの撮像装置を設けることが望ましい。  Moreover, in the said 1st and 2nd embodiment, although the wafer edge was imaged with the three imaging devices 2-4, it is not limited to this, Furthermore, you may provide a some imaging device. The more the image data of the arc-shaped edge, the higher the accuracy of calculating the center position and radius of the wafer W. Therefore, it is desirable to provide as many imaging devices as possible within the allowable range of the apparatus cost.

また、上記第1及び第2実施形態では、回転テーブル1上でウェハWの位置情報の計測及びプリアライメントを行なったが、これに限定されず、ウェハエッジを撮像する撮像装置を投影光学系PLの側面に配置し、ウェハステージWST上でウェハWの位置情報の計測及びプリアライメントを行なって良い。  In the first and second embodiments, the position information of the wafer W is measured and the pre-alignment is performed on the turntable 1. However, the present invention is not limited to this, and an imaging apparatus that images the wafer edge is included in the projection optical system PL. It may be arranged on the side surface, and measurement of position information of wafer W and pre-alignment may be performed on wafer stage WST.

また、上記第1及び第2実施形態における位置計測装置LMは、露光装置のみならず、ウェハに形成されたパターンの重ね合わせ精度を検査する検査装置、ウェハに形成されたパターンの線幅を検査する検査装置、ウェハに形成されたパターンのマクロ的な欠陥を検査する検査装置、その他の検査装置において、検査対象のウェハを所定の精度で位置合わせするために用いることも可能である。  The position measuring apparatus LM in the first and second embodiments is not only an exposure apparatus, but also an inspection apparatus that inspects the overlay accuracy of the pattern formed on the wafer, and the line width of the pattern formed on the wafer. It can also be used for aligning a wafer to be inspected with a predetermined accuracy in an inspection apparatus for inspecting, an inspection apparatus for inspecting a macro defect of a pattern formed on a wafer, and other inspection apparatuses.

本発明の第1実施形態における位置計測装置LMを備える露光装置STの構成概略図である。1 is a schematic configuration diagram of an exposure apparatus ST provided with a position measurement apparatus LM in a first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における各撮像領域を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows each imaging area in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態におけるプリアライメント制御系5の構成ブロック図である。It is a block diagram of the pre-alignment control system 5 in the first embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作フローチャートである。It is an operation | movement flowchart of the position measuring device LM in 1st Embodiment of this invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第1の説明図である。It is the 1st explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第2の説明図である。It is the 2nd explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第3の説明図である。It is the 3rd explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第4の説明図である。It is a 4th explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第1実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第5の説明図である。It is a 5th explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第1の説明図である。It is the 1st explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 2nd embodiment of the present invention. 本発明の第2実施形態における位置計測装置LMの動作を示す第2の説明図である。It is the 2nd explanatory view showing operation of position measuring device LM in a 2nd embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

LM…位置計測装置、ST…露光装置、ARM…ウェハ搬送装置、6…照明光学系、RST…レチクルステージ、PL…投影光学系、WST…ウェハステージ、13…ステージ制御系、14…ファインアライメント用撮像装置、15…ファインアライメント制御系、16…主制御系、1…回転テーブル(計測対象物用ステージ)、2…第1の撮像装置、3…第2の撮像装置、4…第3の撮像装置、5…プリアライメント制御系、5a…プリアライメント制御装置(回転制御装置)、5b…記憶装置、5c…2値化処理装置、5d…エッジ判別装置(判定装置)、5e…位置情報算出装置(位置情報算出装置)  LM ... position measuring device, ST ... exposure device, ARM ... wafer transfer device, 6 ... illumination optical system, RST ... reticle stage, PL ... projection optical system, WST ... wafer stage, 13 ... stage control system, 14 ... for fine alignment Image pickup device, 15 ... fine alignment control system, 16 ... main control system, 1 ... rotary table (stage for measurement object), 2 ... first image pickup device, 3 ... second image pickup device, 4 ... third image pickup Devices, 5 ... pre-alignment control system, 5a ... pre-alignment control device (rotation control device), 5b ... storage device, 5c ... binarization processing device, 5d ... edge discrimination device (determination device), 5e ... position information calculation device (Position information calculation device)

Claims (13)

円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物の位置情報を計測する位置計測方法であって、
複数箇所に設けられた撮像視野内にそれぞれ存在する、前記計測対象物の輪郭の一部を撮像する第1ステップと、
前記計測対象物を微小回転させる第2ステップと、
前記微小回転後、前記撮像視野内にそれぞれ存在する前記輪郭の一部を撮像する第3ステップと、
前記第1ステップによる撮像結果及び前記第3ステップによる撮像結果に基づいて、各撮像視野内に含まれる輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを判定する第4ステップと、
当該第4ステップにて前記円弧状輪郭を輪郭の一部として含むと判定された撮像視野内の画像に基づいて、前記計測対象物の円近似を行い、当該円近似された計測対象物の円中心及び半径を前記位置情報として算出する第5ステップと、
を有することを特徴とする位置計測方法。
A position measurement method for measuring position information of a measurement object having an arcuate contour and a non-arcuform contour,
A first step of imaging a part of the contour of the measurement object, each present in an imaging field of view provided at a plurality of locations;
A second step of micro-rotating the measurement object;
A third step of imaging a part of the contour respectively present in the imaging field after the minute rotation;
A fourth step of determining whether a part of the contour included in each imaging visual field is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour based on the imaging result of the first step and the imaging result of the third step;
Based on the image in the imaging field determined to include the arc-shaped contour as a part of the contour in the fourth step, circle approximation of the measurement object is performed, and the circle of the measurement object approximated to the circle A fifth step of calculating a center and a radius as the position information;
A position measurement method characterized by comprising:
前記第4ステップは、
各撮像視野毎に、前記第1ステップにて撮像された画像における輝度情報と、前記第3ステップにて撮像された画像における輝度情報との差分値を求めるステップと、
前記差分値が第1の閾値より小さい場合には、前記輪郭の一部として円弧状輪郭が撮像視野内に含まれると判定する一方、前記差分値が第1の閾値以上である場合には、前記輪郭の一部として非円弧状輪郭が撮像視野内に含まれると判定するステップと、
を有することを特徴とする請求項1記載の位置計測方法。
The fourth step includes
Obtaining a difference value between luminance information in the image captured in the first step and luminance information in the image captured in the third step for each imaging visual field;
When the difference value is smaller than the first threshold value, it is determined that an arcuate contour is included in the imaging field as part of the contour, while when the difference value is equal to or greater than the first threshold value, Determining that a non-arc-shaped contour is included in the imaging field as part of the contour;
The position measuring method according to claim 1, further comprising:
前記第4ステップは、
各撮像視野毎に、前記第1ステップにて撮像された画像における輝度情報と、前記第3ステップにて撮像された画像における輝度情報との相関値を求めるステップと、
前記相関値が第2の閾値より小さい場合には、前記輪郭の一部として非円弧状輪郭が撮像視野内に含まれると判定する一方、前記相関値が第2の閾値以上である場合には、前記輪郭の一部として円弧状輪郭が撮像視野内に含まれると判定するステップと、
を有することを特徴とする請求項1記載の位置計測方法。
The fourth step includes
Obtaining a correlation value between the luminance information in the image captured in the first step and the luminance information in the image captured in the third step for each imaging field;
When the correlation value is smaller than the second threshold value, it is determined that a non-arc-shaped contour is included in the imaging field as a part of the contour, while when the correlation value is equal to or larger than the second threshold value. Determining that an arcuate contour is included in the imaging field as part of the contour;
The position measuring method according to claim 1, further comprising:
前記第1ステップと第2ステップとの間に、
各撮像視野毎に、前記第1ステップによる撮像結果に基づいて、前記輪郭の一部に沿った複数の点からなる点群を生成するステップと、
前記点群を直線近似するステップと、
前記直線近似により得られる直線と各点との残差を算出するステップと、
前記残差に基づいて、前記非円弧状輪郭として直線状の輪郭が撮像視野内に含まれるか否かを判定するステップと、
を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の位置計測方法。
Between the first step and the second step,
Generating a point group consisting of a plurality of points along a part of the contour based on the imaging result of the first step for each imaging field;
Linearly approximating the point cloud;
Calculating a residual between a straight line obtained by the linear approximation and each point;
Determining whether a linear contour is included in the imaging field as the non-arc-shaped contour based on the residual; and
The position measurement method according to claim 1, wherein the position measurement method includes:
前記第4ステップにおいて、全ての撮像視野内に非円弧状輪郭が含まれていないと判定された場合、いずれかの撮像視野内に前記非円弧状輪郭が含まれるように、前記計測対象物を回転させるステップを有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の位置計測方法。  In the fourth step, when it is determined that the non-arc-shaped contour is not included in all the imaging fields, the measurement object is set so that the non-arc-shaped contour is included in any imaging field. The position measuring method according to any one of claims 1 to 4, further comprising a step of rotating. 非円弧状輪郭を含むと判定された撮像視野内の画像に基づいて、位置情報として前記計測対象物の中心軸周りの回転ずれ量を算出するステップを有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の位置計測方法。  6. A step of calculating a rotational deviation amount around the central axis of the measurement object as position information based on an image within an imaging field determined to include a non-arc-shaped contour. The position measurement method according to any one of the above. 円弧状輪郭と非円弧状輪郭とを有する計測対象物の位置情報を計測する位置計測装置であって、
回転自在に設けられた計測対象物用ステージと、
当該計測対象物用ステージの回転を制御する回転制御装置と、
前記計測対象物用ステージ上に保持された計測対象物の輪郭の、互いに異なる一部をそれぞれ撮像する複数の撮像装置と、
前記計測対象物用ステージの微小回転前における各撮像装置の撮像結果と、前記計測対象物用ステージの微小回転後における各撮像装置の撮像結果とに基づいて、各撮像装置で撮像される輪郭の一部が円弧状輪郭か、若しくは非円弧状輪郭かを判定する判定装置と、
当該判定装置にて前記円弧状輪郭を輪郭の一部として含むと判定された撮像装置の画像に基づいて、前記計測対象物の円近似を行い、当該円近似された計測対象物の円中心及び半径を前記位置情報として算出する位置情報算出装置と、
を備えることを特徴とする位置計測装置。
A position measuring device for measuring position information of a measurement object having an arcuate contour and a non-arcuform contour,
A stage for a measurement object provided rotatably,
A rotation control device for controlling the rotation of the measurement object stage;
A plurality of imaging devices that respectively image different portions of the contour of the measurement object held on the measurement object stage;
Based on the imaging result of each imaging device before the micro-rotation of the measurement object stage and the imaging result of each imaging device after the micro-rotation of the measurement object stage, the contour imaged by each imaging device A determination device for determining whether a part is an arc-shaped contour or a non-arc-shaped contour;
Based on the image of the imaging device determined to include the arc-shaped contour as a part of the contour by the determination device, a circle approximation of the measurement target is performed, and the circle center of the measurement target approximated by the circle and A position information calculation device that calculates a radius as the position information;
A position measuring device comprising:
前記判定装置は、各撮像装置毎に、前記計測対象物用ステージの微小回転前に撮像された画像における輝度情報と、前記計測対象物用ステージの微小回転後に撮像された画像における輝度情報との差分値を求め、前記差分値が第1の閾値より小さい場合には、前記輪郭の一部として円弧状輪郭がその撮像装置の撮像範囲内に含まれると判定する一方、前記差分値が第1の閾値以上である場合には、前記輪郭の一部として非円弧状輪郭がその撮像装置の撮像範囲内に含まれると判定することを特徴とする請求項7記載の位置計測装置。   The determination device includes, for each imaging device, luminance information in an image captured before the measurement object stage is rotated slightly and luminance information in an image captured after the measurement object stage is rotated slightly. When a difference value is obtained and the difference value is smaller than a first threshold value, it is determined that an arcuate contour is included in the imaging range of the imaging device as a part of the contour, while the difference value is the first value. The position measuring device according to claim 7, wherein a non-arc-shaped contour as a part of the contour is determined to be included in an imaging range of the imaging device when the threshold is equal to or greater than the threshold value. 前記判定装置は、各撮像装置毎に、前記計測対象物用ステージの微小回転前に撮像された画像における輝度情報と、前記計測対象物用ステージの微小回転後に撮像された画像における輝度情報との相関値を求め、前記相関値が第2の閾値より小さい場合には、前記輪郭の一部として非円弧状輪郭がその撮像装置の撮像範囲内に含まれると判定する一方、前記相関値が第2の閾値以上である場合には、前記輪郭の一部として円弧状輪郭がその撮像装置の撮像範囲内に含まれると判定することを特徴とする請求項7記載の位置計測装置。   The determination device includes, for each imaging device, luminance information in an image captured before the measurement object stage is rotated slightly and luminance information in an image captured after the measurement object stage is rotated slightly. When a correlation value is obtained and the correlation value is smaller than a second threshold value, it is determined that a non-arc-shaped contour is included in the imaging range of the imaging device as a part of the contour, while the correlation value is The position measuring device according to claim 7, wherein if it is equal to or greater than a threshold value of 2, it is determined that an arcuate contour is included in an imaging range of the imaging device as a part of the contour. 前記判定装置は、各撮像装置毎に、前記計測対象物用ステージの微小回転前における撮像結果に基づいて、前記輪郭の一部に沿った複数の点からなる点群を生成し、前記点群の直線近似により得られる直線と各点との残差に基づいて、前記非円弧状輪郭として直線状の輪郭が各撮像範囲内に含まれるか否かを判定することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項に記載の位置計測装置。   The determination device generates, for each imaging device, a point group including a plurality of points along a part of the contour based on an imaging result before the measurement object stage is slightly rotated. 8. It is determined whether or not a linear contour is included in each imaging range as the non-arc-shaped contour based on a residual between a straight line obtained by linear approximation and each point. The position measuring device according to any one of? 前記回転制御装置は、前記判定装置において全ての撮像装置の撮像範囲内に非円弧状輪郭が含まれていないと判定された場合、いずれかの撮像装置の撮像範囲内に前記非円弧状輪郭が含まれるように、前記計測対象物用ステージを回転させることを特徴とする請求項7〜10のいずれか一項に記載の位置計測装置。  When the rotation control device determines that the non-arc-shaped contour is not included in the imaging range of all the imaging devices in the determination device, the non-arc-shaped contour is in the imaging range of any imaging device. The position measurement apparatus according to claim 7, wherein the stage for measurement object is rotated so as to be included. 前記位置情報算出装置は、非円弧状輪郭を含むと判定された撮像装置の画像に基づき、位置情報として前記計測対象物の中心軸周りの回転ずれ量を算出することを特徴とする請求項7〜11のいずれか一項に記載の位置計測装置。   The position information calculation device calculates a rotational deviation amount around the central axis of the measurement object as position information based on an image of an imaging device determined to include a non-arc-shaped contour. The position measuring device according to any one of to 11. マスクに形成されたパターンを基板上に転写する露光装置であって、
前記マスク及び基板の少なくとも一方の位置情報を計測する請求項12記載の位置計測装置を備えることを特徴とする露光装置。
An exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask onto a substrate,
An exposure apparatus comprising: a position measuring device according to claim 12 for measuring position information of at least one of the mask and the substrate.
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