JP2007280984A - Formation method of conductive pattern, and manufacturing method of thin-film transistor substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、導電性パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for forming a conductive pattern and a method for manufacturing a thin film transistor substrate.
例えば有機EL装置などの電気光学装置や、半導体装置などに設けられている配線パターンを形成する手法の一つとして、インクジェット法が知られている。インクジェット法は、導電性微粒子を溶媒に溶解又は分散させて液状組成物を作製し、当該液状組成物を基板上に吐出してパターンを形成する手法である。パターンを形成した後は、当該パターンを加熱して導電性微粒子を焼結させる。 For example, an inkjet method is known as one of methods for forming a wiring pattern provided in an electro-optical device such as an organic EL device or a semiconductor device. The ink jet method is a method in which conductive fine particles are dissolved or dispersed in a solvent to prepare a liquid composition, and the liquid composition is discharged onto a substrate to form a pattern. After the pattern is formed, the pattern is heated to sinter the conductive fine particles.
インクジェット法に用いられる導電性微粒子の材料としては、例えば銀、銅、金などの金属やITO(Indium Tin Oxide)などの非金属の導電材料がある。導電性微粒子は、表面が酸化されるのを保護するため、酸化膜や有機化合物などで予めコーティングされた状態になっている。 Examples of the conductive fine particle material used in the ink jet method include metals such as silver, copper, and gold, and non-metallic conductive materials such as ITO (Indium Tin Oxide). The conductive fine particles are pre-coated with an oxide film or an organic compound in order to protect the surface from being oxidized.
このような酸化膜や有機化合物が配線内に含まれていては電気抵抗値が高くなってしまうため、従来では、パターンを加熱する際に、導電性微粒子の表面の酸化膜や有機化合物を燃焼させることで除去していたため、高温で長時間の加熱を必要としていた。一方、高温で加熱するとデバイスが劣化してしまい、長時間加熱するとターンアラウンドタイムが長くなるという問題があった。このため、高温、長時間の加熱を要しない手法が要請されていた。 If such an oxide film or organic compound is included in the wiring, the electrical resistance value becomes high. Conventionally, when the pattern is heated, the oxide film or organic compound on the surface of the conductive fine particles is burned. Therefore, heating for a long time was required at a high temperature. On the other hand, there is a problem that the device deteriorates when heated at a high temperature, and the turnaround time becomes longer when heated for a long time. For this reason, there has been a demand for a technique that does not require high temperature and long time heating.
これに対して、例えば特許文献1には、インクジェット法によって形成したパターンに酸素プラズマを照射することによって高温、長時間の加熱を要しないで導電性微粒子を焼結する手法が開示されている。また、例えば特許文献2には、インクジェット法によって形成したパターンに電子線を照射することによって高温、長時間の加熱を要しないで導電性微粒子を焼結させる手法が開示されている。
しかしながら、特許文献1に記載の手法では、酸素プラズマによって導電性微粒子が酸化され、電気抵抗値が高くなってしまう。また、プラズマのエネルギーによってパターンの下地膜にもダメージを与える虞がある。特許文献2に記載の手法では、電子線がパターンの下地膜に到達し、当該下地膜にダメージを与える虞がある。また、電子線を広い範囲に照射することが困難であるため、部分的には短時間で済むものの、パターン全体を焼結させるには時間がかかってしまう。このため、スループットが悪く、実際に用いるには不向きである。
However, in the method described in Patent Document 1, conductive fine particles are oxidized by oxygen plasma, and the electrical resistance value becomes high. Moreover, there is a possibility that the pattern base film may be damaged by the plasma energy. In the method described in
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、高温、長時間の加熱を行わなくても済む導電性パターンの形成方法及び薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにある。 In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a method for forming a conductive pattern and a method for manufacturing a thin film transistor substrate that do not require high-temperature and long-time heating.
上記目的を達成するため、本発明に係る導電性パターンの形成方法は、導電性微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターンを対象物の表面に形成するパターン形成工程と、水素ラジカルを含む雰囲気下で前記パターンを加熱して、前記導電性微粒子を焼結させる焼結工程とを具備することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a method for forming a conductive pattern according to the present invention includes a pattern forming step of forming a pattern of a liquid composition in which conductive fine particles are dissolved or dispersed in a solvent on the surface of an object, and hydrogen radicals. And a sintering step of sintering the conductive fine particles by heating the pattern in an atmosphere containing
本発明によれば、導電性微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターンを対象物の表面に形成し、水素ラジカルを含む雰囲気下でこのパターンを加熱して、導電性微粒子を焼結させるので、焼結の際、この水素ラジカルと導電性微粒子の表面の酸化膜とを反応させることができ、酸化膜を還元することができる。酸化膜を還元させることによって、導電性微粒子の表面から酸化膜を除去することができる。 According to the present invention, a pattern of a liquid composition in which conductive fine particles are dissolved or dispersed in a solvent is formed on the surface of the object, and this pattern is heated in an atmosphere containing hydrogen radicals to burn the conductive fine particles. Therefore, during sintering, the hydrogen radicals can react with the oxide film on the surface of the conductive fine particles, and the oxide film can be reduced. By reducing the oxide film, the oxide film can be removed from the surface of the conductive fine particles.
また、水素ラジカルを含む雰囲気下でパターンを加熱する際に、水素ラジカルを導電性微粒子の表面に付着した有機化合物に供給させることができるので、有機化合物の結合を切断することができる。有機化合物の結合を切断することによって、導電性微粒子の表面から有機化合物を除去することができる。 Further, when the pattern is heated in an atmosphere containing hydrogen radicals, the hydrogen radicals can be supplied to the organic compound attached to the surface of the conductive fine particles, so that the bond between the organic compounds can be cut. By cutting the bond of the organic compound, the organic compound can be removed from the surface of the conductive fine particles.
このように、水素ラジカルの還元力及び衝突を利用して導電性微粒子の表面の酸化膜や有機化合物を除去するので、高温・長時間の加熱を行わなくても、下地層にダメージを与えることもなく、高いスループットで導電性パターンを形成することができる。
また、本発明では金属微粒子の特徴であるプラズモン吸収の作用と、大量の水素ラジカルをパターンの表面に供給させることができる。これにより、パターンの表面を高活性状態にすることができ、パターンの表面を平坦化することができるという利点もある。
In this way, the oxide film and organic compounds on the surface of the conductive fine particles are removed by utilizing the reducing power and collision of hydrogen radicals, so that the underlying layer can be damaged even without heating at a high temperature for a long time. Therefore, the conductive pattern can be formed with high throughput.
In the present invention, the action of plasmon absorption, which is a feature of metal fine particles, and a large amount of hydrogen radicals can be supplied to the surface of the pattern. Thereby, the surface of a pattern can be made into a highly active state, and there also exists an advantage that the surface of a pattern can be planarized.
また、前記導電性微粒子が銀を主成分とすることが好ましい。
本発明によれば、導電性微粒子が銀を主成分とするので、水素ラジカルによる還元性が向上することになる。また、銀自体の電気抵抗値が低いため、形成される導電性パターンの電気抵抗値を一層低くすることが可能となる。
The conductive fine particles are preferably composed mainly of silver.
According to the present invention, since the conductive fine particles are mainly composed of silver, the reducibility by hydrogen radicals is improved. Moreover, since the electrical resistance value of silver itself is low, the electrical resistance value of the conductive pattern to be formed can be further reduced.
また、前記導電性微粒子がインジウム錫酸化物を主成分とすることが好ましい。
本発明によれば、導電性微粒子がインジウム錫酸化物を主成分とするので、電気抵抗値が低く、光を透過可能な導電性パターンを形成することができる。
The conductive fine particles are preferably composed mainly of indium tin oxide.
According to the present invention, since the conductive fine particles are mainly composed of indium tin oxide, it is possible to form a conductive pattern having a low electrical resistance value and capable of transmitting light.
また、前記焼結工程では、前記水素ラジカル及び大気の雰囲気下で前記パターンを加熱することが好ましい。
銀及びインジウム錫酸化物は加熱下においても酸化されにくい材料である。本発明によれば、導電性微粒子が銀及びインジウム錫酸化物を主成分とするので、焼結工程の加熱下で酸素を含んだ大気雰囲気下であっても導電性微粒子がほとんど酸化されない。したがって、焼結工程においてパターンの周囲の雰囲気を不活性ガスの雰囲気下に調整する必要が無い。これにより、焼結工程を簡略化することができる。
In the sintering step, it is preferable that the pattern is heated in an atmosphere of the hydrogen radical and air.
Silver and indium tin oxide are materials that are not easily oxidized even under heating. According to the present invention, since the conductive fine particles are mainly composed of silver and indium tin oxide, the conductive fine particles are hardly oxidized even in an air atmosphere containing oxygen under heating in the sintering process. Therefore, it is not necessary to adjust the atmosphere around the pattern to an inert gas atmosphere in the sintering process. Thereby, a sintering process can be simplified.
また、前記導電性微粒子が銅を主成分とし、前記焼結工程では、前記水素ラジカル及び不活性ガスの雰囲気下で前記パターンを加熱することが好ましい。
銅は導電性微粒子を構成しうる材料の中でも比較的コストが低い材料である。本発明によれば、導電性微粒子が銅を主成分とするので、導電性パターンの形成のコストを抑えることができる。また、銅は酸素を含んだ高温の雰囲気下では酸化されやすい。本発明によれば、焼結工程では、水素ラジカル及び不活性ガスの雰囲気下でパターンを加熱するので、銅を主成分とする導電性微粒子が酸化されるのを防ぐことができる。
In addition, it is preferable that the conductive fine particles contain copper as a main component, and the pattern is heated in an atmosphere of the hydrogen radical and an inert gas in the sintering step.
Copper is a material with relatively low cost among materials that can form conductive fine particles. According to the present invention, since the conductive fine particles are mainly composed of copper, the cost of forming the conductive pattern can be suppressed. Copper is easily oxidized in a high temperature atmosphere containing oxygen. According to the present invention, in the sintering step, the pattern is heated in an atmosphere of hydrogen radicals and an inert gas, so that the conductive fine particles mainly composed of copper can be prevented from being oxidized.
本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法は、基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、上記の導電性パターンの形成方法によって前記基板上に前記薄膜トランジスタの電極及び配線のうち少なくとも一方を形成する工程とを具備することを特徴とする。
本発明によれば、基板上に薄膜トランジスタを形成し、上記の導電性パターンの形成方法によって基板上に薄膜トランジスタの電極や配線を形成するので、電気抵抗値の低い電極や配線を形成することができると共に、高温、長時間の加熱が無いためデバイスにダメージを与えることなく薄膜トランジスタ基板を製造することができる。
The method of manufacturing a thin film transistor substrate according to the present invention includes a step of forming a thin film transistor on the substrate, and a step of forming at least one of the electrodes and wirings of the thin film transistor on the substrate by the method for forming a conductive pattern. It is characterized by comprising.
According to the present invention, the thin film transistor is formed on the substrate, and the electrode and wiring of the thin film transistor are formed on the substrate by the above-described conductive pattern forming method. Therefore, the electrode and wiring having a low electric resistance value can be formed. At the same time, since there is no heating at high temperature for a long time, the thin film transistor substrate can be manufactured without damaging the device.
また、薄膜トランジスタの電極や配線は、下地層として絶縁層が設けられているのが一般的である。当該絶縁層に微細な凹凸が形成されている場合、絶縁層上に設けられる電極や配線の表面にも凹凸が形成されてしまうことがある。本発明では、上記の導電性パターンの形成方法によって薄膜トランジスタの電極や配線を形成するので、水素ラジカルのエネルギーによって、下地層の凹凸に関係なく当該電極又は配線の表面を平坦化することができる。 In addition, an electrode or wiring of a thin film transistor is generally provided with an insulating layer as a base layer. In the case where fine unevenness is formed in the insulating layer, unevenness may also be formed on the surfaces of electrodes and wirings provided on the insulating layer. In the present invention, since the electrode and wiring of the thin film transistor are formed by the above-described method for forming a conductive pattern, the surface of the electrode or wiring can be planarized by the energy of the hydrogen radical regardless of the unevenness of the base layer.
本発明では、この薄膜トランジスタ基板を有する電気光学装置や電子機器の製造方法としても適用することが可能である。なお、本願発明において、電気光学装置とは、電界により物質の屈折率が変化して光の透過率を変化させる電気光学効果を有するものの他、電気エネルギーを光学エネルギーに変換するもの等も含んで総称している。具体的には、電気光学物質として液晶を用いる液晶表示装置、有機EL(Electro-Luminescence)を用いる有機EL装置、無機ELを用いる無機EL装置、電気光学物質としてプラズマ用ガスを用いるプラズマディスプレイ装置等がある。さらには、電気泳動ディスプレイ装置(EPD:Electrophoretic Display)、フィールドエミッションディスプレイ装置(FED:電界放出表示装置:Field Emission Display)等がある。 The present invention can also be applied as a method for manufacturing an electro-optical device or an electronic apparatus having the thin film transistor substrate. In the invention of the present application, the electro-optical device includes not only an electro-optical effect that changes the light transmittance by changing the refractive index of a substance by an electric field, but also those that convert electric energy into optical energy. Collectively. Specifically, a liquid crystal display device using liquid crystal as an electro-optical material, an organic EL device using organic EL (Electro-Luminescence), an inorganic EL device using inorganic EL, a plasma display device using plasma gas as an electro-optical material, etc. There is. Furthermore, there are an electrophoretic display device (EPD), a field emission display device (FED: Field Emission Display device), and the like.
[第1実施形態]
以下、図面をもとにして、本発明の実施形態を説明する。本実施形態では、液晶パネルを例に挙げて説明する。液晶パネルとしては、当該液晶パネルを駆動するスイッチング素子にスタガ型の薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、以下TFTという)素子を用いたアクティブマトリクス方式の液晶パネルを例に挙げて説明する。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the present embodiment, a liquid crystal panel will be described as an example. As the liquid crystal panel, an active matrix liquid crystal panel using a staggered thin film transistor (hereinafter referred to as TFT) element as a switching element for driving the liquid crystal panel will be described as an example.
(液晶パネル)
図1に示すように、液晶パネル1は、例えばガラスなどの透明な材料からなるTFTアレイ基板2と対向基板3とを重ね合わせるとともに、両者の間に設けられたシール材4により貼り合わせた構成になっている。シール材4によって囲まれた領域内には液晶層5が封入されている。
(LCD panel)
As shown in FIG. 1, the liquid crystal panel 1 has a configuration in which a
シール材4の内側には、遮光性材料からなる周辺見切り6が形成されている。周辺見切り6によって囲まれた領域は、外部からの光が変調される光変調領域12になっている。光変調領域12内には、光を透過可能な画素領域13がマトリクス状に配列されている。画素領域13の間の領域は、光が遮光される画素間領域14である。
A peripheral parting 6 made of a light shielding material is formed inside the sealing
シール材4の外側の領域には、データ線駆動回路7および外部回路実装端子8がTFTアレイ基板2の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する2辺に沿って走査線駆動回路9が形成されている。TFTアレイ基板2の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路9の間を接続するための複数の配線10が設けられている。また、対向基板3の角部においては、TFTアレイ基板2と対向基板3との間で電気的導通をとるための基板間導通材11が配設されている。
A data
TFTアレイ基板2には、図2に示すように、画素電極24と、TFT40と、配向膜25とが設けられている。画素電極24は、TFTアレイ基板2の内側表面2a上の画素領域13に設けられており、例えばITO(Indium Tin Oxide)などの透明な導電材料から形成されている。TFT40は、画素電極24に電気信号を供給するスイッチング素子であり、TFTアレイ基板2の内側表面2a上の画素間領域14に設けられている。配向膜25は、画素電極24、TFT40を覆うように積層されている。
As shown in FIG. 2, the
対向基板3には、図2に示すように、遮光部33と、共通電極34と、配向膜35とが設けられている。遮光部33は、対向基板3の内側表面3aのうち画素間領域14に設けられている。共通電極34は、対向基板3の内側表面3aに直接形成されている。配向膜35は、共通電極34の表面上に形成されている。
As shown in FIG. 2, the
TFTアレイ基板2と対向基板3との間には、光変調のための液晶層5が封入されている。液晶層5は、例えばフッ素系液晶化合物や非フッ素系液晶化合物等の液晶分子によって構成されており、TFTアレイ基板2側の配向膜25と対向基板3側の配向膜35との双方に接するように両基板に挟持されている。液晶分子の配向は、非選択電圧を印加したときに所定の方向に向くように、配向膜25及び配向膜35によって規制されている。
A
次に、TFTアレイ基板2に設けられたTFT40の構成を簡単に説明する。図3は、TFT40の構成を概略的に示す断面図である。
図3に示すように、TFT40は、TFTアレイ基板2の下地層50上に形成された半導体層42と、ソース電極43と、ドレイン電極44と、ゲート絶縁層45と、ゲート電極46とを主体として構成されている。
Next, the configuration of the
As shown in FIG. 3, the
半導体層42は、例えばシリコンなどの半導体からなる薄膜であり、ゲート電極46に平面的に重なるチャネル領域が下地層50上に形成され、ソース領域(図3中左側)がソース電極43上に重なるように形成され、ドレイン領域(図3中右側)がドレイン電極44上に重なるように形成されている。
The
ソース電極43は、TFTアレイ基板2の下地層50上に形成された電極下層43aと、当該電極下層43a上に形成された電極上層43bとで構成されている。電極下層43aは、銀(Ag)を主成分として形成されている。電極上層43bは、例えばタンタルなどの金属によって形成されている。
The
ドレイン電極44は、TFTアレイ基板2の下地層50上に形成された電極下層44aと、当該電極下層44a上に形成された電極上層44bとで構成されている。ソース電極43と同様に、電極下層44aは銀を主成分として形成されており、電極上層44bは例えばタンタルなどの金属によって形成されている。
The
ゲート絶縁層45は、半導体層42、ソース電極43及びドレイン電極44を覆う絶縁層である。ゲート絶縁層45上には、ゲート電極46が設けられている。
ゲート電極46は、ソース電極43の電極下層43aやドレイン電極44の電極下層44aと同様に、銀を主成分として形成されている。ゲート電極46や、ソース電極43の電極下層43a、ドレイン電極44の電極下層44aの主成分となる材料については、銀の他、銅(Cu)であっても構わない。
The
Similarly to the electrode
ゲート絶縁層45上には、第2絶縁層47が形成されている。第2絶縁層47は、ゲート電極46の形成される領域に開口部を有するように形成されている。第2絶縁層47上には、画素電極24が形成されている。画素電極24は、第2絶縁層47及びゲート絶縁層45を貫通するコンタクトホール49によってドレイン電極44の電極上層44bに接続されている。
A second insulating
次に、上記TFT40をTFTアレイ基板2上に形成する際に用いる加熱装置62の構成を説明する。図4は、加熱装置62の構成を示す断面図である。
加熱装置62は、チャンバ64を主体として構成されている。チャンバ64は、チャンバ下部64aとチャンバ上部64bとを有している。チャンバ下部64aは、上縁に開口を有しており、当該開口を被蓋可能にチャンバ上部64bが結合されている。チャンバ下部64aとチャンバ上部64bとが結合している状態(図2の状態)では密閉状態になっている。チャンバ下部64aの底部には、例えば真空ポンプ66などの排気手段が取り付けられている。チャンバ64が密閉状態で真空ポンプ66を作動させることによって、チャンバ64の内部を真空状態とすることができるようになっている。真空ポンプ66は、その排気速度を制御することができるものである。
Next, the configuration of the
The
チャンバ下部64aには、TFTアレイ基板2を載置する板状の載置台72が設けられている。載置台72は、例えばセラミックやカーボンなどの熱容量が小さい材質からなり、内部が中空になっている。中空部分には電熱線などによって構成される加熱機構74が設けられている。加熱機構74を駆動することにより載置台72が加熱され、当該載置台72上に載置されたTFTアレイ基板2を加熱することができるようになっている。
A plate-like mounting table 72 on which the
チャンバ64のチャンバ上部64bには、水素ラジカル発生装置76が取り付けられている。水素ラジカル発生装置76は、水素ガス供給源85と、マイクロ波発生機構78と、水素ラジカル生成部87とを有している。マイクロ波発生機構78で発生したマイクロ波は、導波管80を介して水素ラジカル生成部87に伝播されるようになっている。水素ガス供給源85から水素ラジカル生成部87に水素ガスが供給され、導波管80を介して水素ラジカル生成部87に伝播されたマイクロ波がこの水素ガスに照射されることによって、水素ラジカルが発生するようになっている。
A hydrogen
水素ラジカル発生装置76とチャンバ上部64bとの境界には、金網86が設けられている。金網86は、水素ラジカル生成部87において水素ラジカルと共に発生する荷電粒子がチャンバ上部64b内に侵入しないように、この荷電粒子を捕集するために設けられている。上述した水素ラジカル発生装置76の各部は、制御部88によって動作を制御されるようになっている。
A
次に、上記TFT40をTFTアレイ基板2上に形成する際に用いるインクジェット塗布装置120の構成を説明する。図5は、インクジェット塗布装置の概略斜視図である。図5に示すように、インクジェット塗布装置120は、インクジェットヘッド群101と、インクジェットヘッド群101をX方向に駆動するためのX方向ガイド軸102と、X方向ガイド軸102を回転させるX方向駆動モータ103とを備えている。また、基板111を載置するための載置台104と、載置台104をY方向に駆動するためのY方向ガイド軸105と、Y方向ガイド軸105を回転させるY方向駆動モータ106とを備えている。また、X方向ガイド軸102とY方向ガイド軸105とが、各々所定の位置に固定される基台107を備え、その基台107の下部には、制御装置108を備えている。さらに、クリーニング機構部114およびヒータ115とを備えている。
Next, the configuration of the
インクジェットヘッド群101を構成する複数のインクジェットヘッドの詳細について説明する。図6は、インクジェットヘッド130を示す図である。
インクジェットヘッド130は、図6(a)に示すように例えばステンレス製のノズルプレート132と振動板133とを備え、両者を仕切部材(リザーバプレート)134を介して接合したものである。ノズルプレート132と振動板133との間には、仕切部材134によって複数の空間135と液溜まり136とが形成されている。各空間135と液溜まり136の内部は液状体で満たされており、各空間135と液溜まり136とは供給口137を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート132には、空間135から液状体を噴射するためのノズル孔138が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板133には、液溜まり136に液状体を供給するための孔139が形成されている。
The details of the plurality of inkjet heads constituting the
As shown in FIG. 6A, the
また、振動板133の空間に対向する面と反対側の面上には、図6(b)に示すように圧電素子(ピエゾ素子)140が接合されている。この圧電素子140は、一対の電極141の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子140が接合されている振動板133は、圧電素子140と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間135の容積が増大するようになっている。したがって、空間135内に増大した容積分に相当する液状体が、液溜まり136から供給口137を介して流入する。また、このような状態から圧電素子140への通電を解除すると、圧電素子140と振動板133はともに元の形状に戻る。したがって、空間135も元の容積に戻ることから、空間135内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔138から基板に向けて液状体の液滴142が吐出される。
In addition, a piezoelectric element (piezo element) 140 is bonded to the surface of the
次に、図7〜図16をもとにして、上述のTFT40をTFTアレイ基板2に形成する工程を説明する。
まず、図7に示すように、例えばスパッタリング法などの手法によって、TFTアレイ基板2に下地層50を形成する。
次に、下地層50上に、ソース電極43の電極下層43a及びドレイン電極44の電極下層44aのパターンを形成する。
Next, a process of forming the above-described
First, as shown in FIG. 7, a
Next, a pattern of an electrode
具体的には、図8に示すように、上述したインクジェット塗布装置120を用いて、インクジェット法によってTFTアレイ基板2の下地層50上に液状組成物のパターン51を形成する(パターン形成工程)。液状組成物は、粒径が1nm〜100nm程度の銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させたものであり、パターン51を形成する際に予め作製しておく。銀微粒子の表面は、酸化防止のため、酸化膜及び有機化合物膜によって被覆されている。
Specifically, as shown in FIG. 8, a
また、溶媒としては、上記の銀微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法(インクジェット法)への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。 The solvent is not particularly limited as long as it can disperse the silver fine particles and does not cause aggregation. For example, alcohols such as water, methanol, ethanol, propanol, butanol, n-heptane, n-octane, decane, dodecane, tetradecane, toluene, xylene, cymene, durene, indene, dipentene, tetrahydronaphthalene, decahydronaphthalene, cyclohexyl Hydrocarbon compounds such as benzene, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, ethylene glycol methyl ethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol methyl ethyl ether, 1,2-dimethoxyethane, bis (2-methoxyethyl) Ether compounds such as ether and p-dioxane, propylene carbonate, and γ-butyro Lactone, N- methyl-2-pyrrolidone, dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, can be exemplified polar compounds such as cyclohexanone. Of these, water, alcohols, hydrocarbon compounds, and ether compounds are preferred from the viewpoints of fine particle dispersibility and dispersion stability, and ease of application to the droplet discharge method (inkjet method). More preferred dispersion media include water and hydrocarbon compounds.
次に、図9に示すように、パターン形成工程によって形成したパターン51を水素ラジカル雰囲気下で加熱し、パターン51に含まれる銀微粒子を焼結させる(焼結工程)。この工程では、まず、パターン51が形成されたTFTアレイ基板2を上述した加熱装置62の載置台72上に載置して、チャンバ64内を密閉する。チャンバ64内を密閉状態にしたら、ポンプ66を駆動して、チャンバ64内を減圧する。チャンバ64内は減圧された状態で、大気雰囲気になっている。
Next, as shown in FIG. 9, the
次に、水素ラジカル発生機構76を駆動して水素ラジカルを発生させ、チャンバ64内を水素ラジカル雰囲気にすると同時に、加熱機構74を駆動して載置台72を加熱する。載置台72が加熱されることにより、TFTアレイ基板2上に形成されたパターン51が加熱される。このときの温度は150℃程度であり、加熱時間は5分〜30分程度である。加熱時間は、パターン51の膜厚によって上記範囲のうち任意に設定することができる。この条件でパターン51を加熱すると、パターン51に含まれる銀微粒子が焼結する。
Next, the hydrogen
この工程では、水素ラジカルが銀微粒子の表面を被覆する酸化膜を還元すると共に、有機化合物に衝突して当該有機化合物の鎖を切断する。このため、銀微粒子が焼結する過程で、銀微粒子の表面から酸化膜や有機化合物が除去され、これら酸化膜、有機化合物の含有率が極めて小さい導電性パターン52が形成されることになる。
In this step, the hydrogen radicals reduce the oxide film covering the surface of the silver fine particles, and also collide with the organic compound to break the chain of the organic compound. For this reason, in the process of sintering the silver fine particles, the oxide film and the organic compound are removed from the surface of the silver fine particles, and the
次に、図10に示すように、この導電性パターン52上に、例えば陽極酸化法やメッキ法などの手法によって、タンタルによってパターン(タンタルパターン)53を形成する。導電性パターン52上にタンタルパターン53を形成した後、図11に示すように、例えばドライエッチング法によって、タンタルパターン53及び導電性パターン52の一部を除去し、ソース電極43及びドレイン電極44を形成する。
Next, as shown in FIG. 10, a pattern (tantalum pattern) 53 is formed on the
次に、図12に示すように、TFTアレイ基板2の下地層50を覆うと共にソース電極43、ドレイン電極44に重なるように半導体層42を形成する。半導体層42を形成したら、図13に示すように、当該半導体層42、ソース電極43及びドレイン電極44を覆うようにゲート絶縁層45を形成する。ゲート絶縁層45のうち半導体層に重なる部分については、ソース電極43及びドレイン電極44に重なっている部分と、下地層50上に直接設けられている部分とで段差が形成される。
Next, as shown in FIG. 12, the
ゲート絶縁層45を形成したら、図14に示すように、ゲート絶縁層45上に第2絶縁層47を形成する。第2絶縁層47は、ゲート絶縁層45の段差部分及びゲート絶縁層45のうちドレイン電極に平面視で重なる領域に開口部を有するように形成する。次に、図15に示すように、ゲート電極46の段差部分にゲート電極46を形成する。ゲート電極46は、ソース電極43の電極下層43a及びドレイン電極44の電極下層44aを形成した手法と同様の手法によって形成する。
After the
次に、図16に示すように、第2絶縁層47のドレイン電極44側に設けられた開口部に露出するゲート絶縁層45を例えばエッチング法によって除去し、開口部にドレイン電極44の電極上層44bを露出させる。電極上層44bを露出させたら、当該開口部内にコンタクトホール49を形成すると共に、当該コンタクトホール49に接続されるように画素電極24を形成する。この画素電極24を形成する際には、上述したソース電極43の電極下層43a及びドレイン電極44の電極下層44aを形成した手法と同様の手法によって形成する。
このように、TFTアレイ基板2が完成する。
Next, as shown in FIG. 16, the
In this way, the
本実施形態によれば、銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターン51をTFTアレイ基板2の表面に形成し、水素ラジカルを含む雰囲気下でこのパターン51を加熱して、銀微粒子を焼結させるので、焼結の際、この水素ラジカルと銀微粒子の表面の酸化膜とを反応させることができ、酸化膜を還元することができる。酸化膜を還元させることによって、銀微粒子の表面から酸化膜を除去することができる。
According to this embodiment, a
また、水素ラジカルを含む雰囲気下でパターン51を加熱する際に、水素ラジカルを銀微粒子の表面に付着した有機化合物に衝突させることができるので、有機化合物の結合を切断することができる。有機化合物の結合を切断することによって、銀微粒子の表面から有機化合物を除去することができる。
Further, when the
このように、水素ラジカルの還元力及び衝突を利用して銀微粒子の表面の酸化膜や有機化合物を除去するので、高温・長時間の加熱を行わなくても、下地層50にダメージを与えることもなく、高いスループットで導電性パターン52を形成することができる。
In this way, the oxide film and organic compound on the surface of the silver fine particles are removed by utilizing the reducing power and collision of hydrogen radicals, so that the
また、本実施形態では、水素ラジカルをパターン51の表面に主として衝突させることになる。これにより、パターン51の表面を高エネルギー状態にすることができるので、下地層50に微細な凹凸があっても、当該凹凸に影響されること無く、形成される導電性パターン52の表面を平坦化することができるという利点もある。
In the present embodiment, hydrogen radicals mainly collide with the surface of the
[第2実施形態]
次に、本発明の第2実施形態を説明する。
本実施形態では、フレキシブルプリント回路(FPC)を例に挙げて説明する。図17は、FPCの構成を示す断面図である。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described.
In this embodiment, a flexible printed circuit (FPC) will be described as an example. FIG. 17 is a cross-sectional view showing the configuration of the FPC.
図17に示すように、FPC回路基板201は、ポリイミド基板202上に半導体チップ203が実装された構成になっており、ポリイミド基板202と半導体チップ203との間には、表面配線204と、絶縁層205と、絶縁層内配線206と、接続電極207とハンダ部材208とが形成されている。
As shown in FIG. 17, the
表面配線204は、例えば銅などの金属によって形成されている。絶縁層205は、ポリイミド基板202及び表面配線204を覆うように設けられている。絶縁層内配線206は、絶縁層205の内部に銀を主成分として形成されており、表面配線204と接続電極207とを接続している。接続電極207は、絶縁層205上に形成された電極であり、半導体チップ203に接続される電極である。ハンダ部材208は、半導体チップ203と接続電極207とを接続する接続部材である。
The
次に、上記のように構成されたFPC回路基板201を形成する手順を説明する。
まず、ポリイミド基板202上にフォトリソグラフィ法などの手法によって表面配線204をパターニングする。次に、ポリイミド基板202及び表面配線204を覆うように絶縁層205を形成すると同時に、絶縁層205の内部に絶縁層内配線206を形成する。
Next, a procedure for forming the
First, the
絶縁層内配線206を形成する際には、第1実施形態と同様にパターン形成工程と焼結工程とによって行う。すなわち、銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物を予め形成しておき、まず、第1実施形態において記載したインクジェット塗布装置を用いてインクジェット法によって絶縁層内配線206のパターンを形成する(パターン形成工程)。
When forming the in-insulating-
次に、第1実施形態において記載した焼結装置内にポリイミド基板202を搬入し、当該装置を用いて水素ラジカル雰囲気下でこのパターンを加熱して、当該パターンに含まれる銀微粒子を焼結させる(焼結工程)。加熱の条件については、第1実施形態とほぼ同様である。
Next, the
銀粒子を焼結させて絶縁層内配線206を形成したら、例えばメッキ法によって、絶縁層内配線206の最上部の表面に接続電極207を形成する。接続電極207を形成したら、半導体チップ203をポリイミド基板202に実装する。本実施形態では、半導体チップ203と接続電極207とをハンダ部材208によって接続することで実装する。
このようにして、FPC回路基板201が完成する。
After the silver particles are sintered to form the in-insulating-
In this way, the
本実施形態では、銀微粒子を溶媒に溶解又は分散させた液状組成物のパターンを絶縁層205の表面に形成し、水素ラジカルを含む雰囲気下でこのパターンを加熱して、銀微粒子を焼結させるので、焼結の際、この水素ラジカルと銀微粒子の表面の酸化膜とを反応させることができ、酸化膜を還元することができる。酸化膜を還元させることによって、銀微粒子の表面から酸化膜を除去することができる。
In this embodiment, a pattern of a liquid composition in which silver fine particles are dissolved or dispersed in a solvent is formed on the surface of the insulating
また、水素ラジカルを含む雰囲気下でパターンを加熱する際に、水素ラジカルを銀微粒子の表面に付着した有機化合物に衝突させることができるので、有機化合物の結合を切断することができる。有機化合物の結合を切断することによって、銀微粒子の表面から有機化合物を除去することができる。 Further, when the pattern is heated in an atmosphere containing hydrogen radicals, the hydrogen radicals can collide with the organic compound attached to the surface of the silver fine particles, so that the bond between the organic compounds can be cut. By breaking the bond of the organic compound, the organic compound can be removed from the surface of the silver fine particles.
このように、水素ラジカルの還元力及び衝突を利用して銀微粒子の表面の酸化膜や有機化合物を除去するので、高温・長時間の加熱を行わなくても、ポリイミド基板202や絶縁層205にダメージを与えることが無く、高いスループットで絶縁層内配線206のパターンを形成することができる。特に、本実施形態のようにポリイミド基板202や絶縁層205として、耐熱性がそれほど高くない部材を用いる場合、高温・長時間の加熱を行わなくても済むという点は極めて有意義である。
As described above, the oxide film and the organic compound on the surface of the silver fine particles are removed by utilizing the reducing force and collision of the hydrogen radicals, so that the
[電子機器]
図18は、携帯電話300の全体構成を示す斜視図である。
携帯電話300は、筺体301、複数の操作ボタンが設けられた操作部302、画像や動画、文字等を表示する表示部303を有する。表示部303には、上述の液晶装置1が搭載されている。このように、液晶装置1には、上記製造方法によって形成されたTFT40が設けられている。
[Electronics]
FIG. 18 is a perspective view showing the overall configuration of the
The
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。
例えば、上記各実施形態において、導電性微粒子として銀微粒子を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば銅微粒子を用いても勿論構わない。この場合、銅の酸化を防ぐため、焼結工程における雰囲気を水素ラジカル及び不活性ガスの雰囲気にすることが好ましい。
The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and appropriate modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.
For example, in each of the above embodiments, silver fine particles have been described as examples of conductive fine particles. However, the present invention is not limited to this, and for example, copper fine particles may be used. In this case, in order to prevent copper oxidation, the atmosphere in the sintering process is preferably an atmosphere of hydrogen radicals and an inert gas.
銅微粒子を溶解させる溶剤が有機化合物を含む場合、雰囲気中に酸素を10ppm〜200ppm程度の濃度で混入させておいても構わない。雰囲気中に酸素が存在することによって、焼結工程の加熱でこの溶剤を燃焼させることができる。10ppm〜200ppm程度の酸素濃度であれば、銅粒子が酸化されてしまうおそれは無い。 When the solvent for dissolving the copper fine particles contains an organic compound, oxygen may be mixed in the atmosphere at a concentration of about 10 ppm to 200 ppm. Due to the presence of oxygen in the atmosphere, the solvent can be burned by heating in the sintering process. If the oxygen concentration is about 10 ppm to 200 ppm, there is no fear that the copper particles will be oxidized.
また、上記実施形態では、水素ラジカル発生機構を駆動して水素ラジカルを発生させ、チャンバ内を水素ラジカル雰囲気にすると同時に、加熱機構を駆動してパターンを加熱する手順であったが、これに限られることは無く、例えば先にチャンバ内を水素ラジカル雰囲気にし、一定時間水素ラジカルにパターンを曝してから、加熱機構を駆動してパターンを加熱する手順であっても構わない。 In the above embodiment, the hydrogen radical generation mechanism is driven to generate hydrogen radicals, and the atmosphere in the chamber is changed to a hydrogen radical atmosphere. At the same time, the heating mechanism is driven to heat the pattern. For example, a procedure may be employed in which the chamber is first filled with a hydrogen radical atmosphere, the pattern is exposed to hydrogen radicals for a certain period of time, and then the heating mechanism is driven to heat the pattern.
水素ラジカルに曝されることによって、加熱する前にパターンに含まれる銀微粒子の表面の酸化膜を還元することができ、有機化合物の結合を切断することができる。このように、加熱を開始する前にある程度酸化膜や有機化合物が除去させることができるため、焼結工程での加熱時間を一層短縮化させることが可能となる。 By being exposed to hydrogen radicals, the oxide film on the surface of the silver fine particles contained in the pattern can be reduced before heating, and the bond of the organic compound can be broken. As described above, since the oxide film and the organic compound can be removed to some extent before the heating is started, the heating time in the sintering process can be further shortened.
また、上記実施形態においては、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、他の電気光学装置、例えば有機EL装置、無機EL装置、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、フィールドエミッションディスプレイ装置等に適用することも勿論可能である。 In the above embodiment, the liquid crystal device has been described as an example of the electro-optical device. However, the electro-optical device is not limited thereto, and other electro-optical devices such as an organic EL device, an inorganic EL device, a plasma display device, Of course, application to an electrophoretic display device, a field emission display device, or the like is also possible.
また、上記実施形態では、電子機器として携帯電話を例に挙げて説明したが、これに限られることは無く、例えば、ICカード、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクタ、テレビ、ロールアップ式テレビ、表示機能付きファックス装置、ディジタルカメラのファインダ、携帯型テレビ、DSP装置、PDA、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどに本発明を適用しても勿論構わない。 In the above embodiment, a mobile phone has been described as an example of the electronic device. However, the present invention is not limited to this, and for example, an IC card, a video camera, a personal computer, a head mounted display, a rear type or a front type Of course, the present invention may be applied to a projector, a television, a roll-up television, a fax machine with a display function, a digital camera finder, a portable television, a DSP device, a PDA, an electronic notebook, an electric bulletin board, an advertisement display, and the like. Absent.
1…液晶パネル 2…TFTアレイ基板 40…TFT 42…半導体層 43…ソース電極 44…ドレイン電極 45…ゲート絶縁層 46…ゲート電極 47…絶縁層 51…パターン 52…導電性パターン 201…FPC回路基板 202…ポリイミド基板 203…半導体チップ 204…表面配線 205…絶縁層 206…絶縁層内配線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ...
Claims (6)
水素ラジカルを含む雰囲気下で前記パターンを加熱して、前記導電性微粒子を焼結させる焼結工程と
を具備することを特徴とする導電性パターンの形成方法。 Forming a pattern of a liquid composition in which conductive fine particles are dissolved or dispersed in a solvent on the surface of the object; and
And a sintering step of sintering the conductive fine particles by heating the pattern in an atmosphere containing hydrogen radicals.
ことを特徴とする請求項1に記載の導電性パターンの形成方法。 The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein the conductive fine particles contain silver as a main component.
ことを特徴とする請求項1に記載の導電性パターンの形成方法。 The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein the conductive fine particles contain indium tin oxide as a main component.
ことを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の導電性パターンの形成方法。 The method for forming a conductive pattern according to claim 2 or 3, wherein, in the sintering step, the pattern is heated in an atmosphere of the hydrogen radical and air.
前記焼結工程では、前記水素ラジカル及び不活性ガスの雰囲気下で前記パターンを加熱する
ことを特徴とする請求項1に記載の導電性パターンの形成方法。 The conductive fine particles are mainly composed of copper,
The method for forming a conductive pattern according to claim 1, wherein in the sintering step, the pattern is heated in an atmosphere of the hydrogen radical and an inert gas.
請求項1乃至請求項5のうちいずれか一項に記載の導電性パターンの形成方法によって前記基板上に前記薄膜トランジスタの電極及び配線のうち少なくとも一方を形成する工程と
を具備することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Forming a thin film transistor on the substrate;
Forming at least one of an electrode and a wiring of the thin film transistor on the substrate by the method for forming a conductive pattern according to any one of claims 1 to 5. A method for manufacturing a thin film transistor substrate.
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JP2006101570A JP2007280984A (en) | 2006-04-03 | 2006-04-03 | Formation method of conductive pattern, and manufacturing method of thin-film transistor substrate |
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JP2009246213A (en) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing semiconductor base material |
JP2010283106A (en) * | 2009-06-04 | 2010-12-16 | Shinko Seiki Co Ltd | Method of forming fine pattern |
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2006
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