JP2007266866A - Waveguide converter - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a waveguide converter hardly causing unwanted resonation and having a wide band. <P>SOLUTION: This waveguide converter includes a dielectric substrate 1 having first and second surfaces, and consisting of a plurality of layers; a high-frequency line 2 formed on the first surface of the dielectric substrate 1 or in the inside of the dielectric substrate 1, and consisting of a signal conductor 6 and a ground layer; a slot 3 formed on the layer where the ground layer of the dielectric substrate 1 is formed, and electromagnetically coupled to the high-frequency line 2; a shielding conductor 4 formed between the layer of the dielectric substrate 1 where the slot 3 is formed and the second surface of the dielectric substrate 1, and surrounding a region between the slot 3 and the second surface; and an internal conductor 5 formed in a region between the slot 3 surrounded by the shielding conductor 4 and the second surface. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、マイクロ波やミリ波の領域において使用される、高周波回路を形成するマイクロストリップ線路、トリプレート線路またはコプレーナ線路等の高周波線路を導波管に変換し、高周波回路とアンテナあるいは高周波回路間を導波管で接続することにより、システムの実装を容易に行なえる導波管変換器に関するものである。   The present invention converts a high-frequency line such as a microstrip line, a triplate line, or a coplanar line that forms a high-frequency circuit, which is used in a microwave or millimeter wave region, into a waveguide. The present invention relates to a waveguide converter that can easily implement a system by connecting them with a waveguide.

情報通信技術の高度化に伴い高周波信号は、１〜３０ＧＨｚのマイクロ波領域から３０〜３００ＧＨｚのミリ波領域の周波数までを活用することが検討されており、例えば、車間レーダーのようなミリ波の高周波信号を用いた応用システムも提案されるようになっている。   With the advancement of information communication technology, it has been studied to use high-frequency signals from 1 to 30 GHz in the microwave region to 30 to 300 GHz in the millimeter wave region. Application systems using high-frequency signals have also been proposed.

高周波信号を用いたシステムにおいて、高周波伝送線路のグランド層にスロットが形成され、このグランド層に導波管が電気的に接続されて高周波伝送線路のグランド層が導波管の短絡終端として機能するとともに、このグランド層に形成されたスロットを用いて導波管を励振することにより、導波管の短絡終端と励振部の位置関係を固定して変換特性を安定化させた導波管変換器が提案されている。
特開平２００１−１７７３１２号公報 特開平１１−１１２２０９号公報 In a system using a high-frequency signal, a slot is formed in the ground layer of the high-frequency transmission line, a waveguide is electrically connected to the ground layer, and the ground layer of the high-frequency transmission line functions as a short-circuit termination of the waveguide. In addition, a waveguide converter that stabilizes the conversion characteristics by fixing the positional relationship between the short-circuited end of the waveguide and the excitation unit by exciting the waveguide using the slot formed in the ground layer. Has been proposed.
Japanese Patent Laid-Open No. 2001-177312 JP 11-112209 A

しかしながら、従来の導波管変換器においてはスロットと導波管との間に整合用誘電体があり、この整合用誘電体内で共振が発生しない範囲で変換特性を最適化する必要があり、たとえば導波管変換特性の広帯域化において不要共振による限界があった。   However, in the conventional waveguide converter, there is a matching dielectric between the slot and the waveguide, and it is necessary to optimize the conversion characteristics within a range in which resonance does not occur in the matching dielectric. There was a limit due to unnecessary resonance in widening the waveguide conversion characteristics.

本発明は上記問題点に鑑み案出されたもので、その目的は、不要共振が起きにくく、広帯域な導波管変換器を提供することにある。   The present invention has been devised in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a broadband waveguide converter in which unnecessary resonance hardly occurs.

本発明の導波管変換器は、第１および第２の面を有し、複数の層からなる誘電体基板と、該誘電体基板の前記第１の面または該誘電体基板内に形成されており、信号導体およびグランド層からなる高周波線路と、前記誘電体基板の前記グランド層が形成された層に形成されており、前記高周波線路に電磁気的に結合されたスロットと、前記誘電体基板の前記スロットが形成された層と前記誘電体基板の前記第２の面との間に形成されているとともに、前記スロットと前記第２の面との間の領域を囲むシールド導体と、前記シールド導体により囲まれた前記スロットと前記第２の面との間の前記領域内に形成された導体とを備えていることを特徴とするものである。   The waveguide converter according to the present invention has a first and second surfaces, a dielectric substrate composed of a plurality of layers, and the first surface of the dielectric substrate or the dielectric substrate. A high-frequency line comprising a signal conductor and a ground layer, a slot formed on the dielectric substrate on which the ground layer is formed, and electromagnetically coupled to the high-frequency line; and the dielectric substrate A shield conductor formed between the layer in which the slot is formed and the second surface of the dielectric substrate, and surrounding a region between the slot and the second surface, and the shield A conductor formed in the region between the slot surrounded by the conductor and the second surface is provided.

また、本発明の導波管変換器は、前記内部導体の前記誘電体基板の厚み方向の高さが該導体の幅より大きいことを特徴とするものである。   In the waveguide converter of the present invention, the height of the inner conductor in the thickness direction of the dielectric substrate is larger than the width of the conductor.

また、本発明の導波管変換器は、前記内部導体が前記グランド層に電気的に接続されていることを特徴とするものである。   The waveguide converter of the present invention is characterized in that the inner conductor is electrically connected to the ground layer.

また、本発明の導波管変換器は、前記内部導体の高さが、前記スロットと前記第２の面との間の前記領域の厚さの１／２以上であることを特徴とするものである。   The waveguide converter of the present invention is characterized in that the height of the inner conductor is not less than ½ of the thickness of the region between the slot and the second surface. It is.

また、本発明の導波管変換器は、前記内部導体が複数形成されていることを特徴とするものである。   The waveguide converter of the present invention is characterized in that a plurality of the internal conductors are formed.

また、本発明の導波管変換器は、前記複数の内部導体が、並列に配置されているとともに、パターン導体で接続されていることを特徴とするものである。   The waveguide converter of the present invention is characterized in that the plurality of internal conductors are arranged in parallel and connected by pattern conductors.

また、本発明の導波管変換器は、前記複数の内部導体が、前記誘電体基板の異なる層に形成されているとともに、パターン導体で接続されていることを特徴とするものである。   The waveguide converter of the present invention is characterized in that the plurality of inner conductors are formed in different layers of the dielectric substrate and are connected by pattern conductors.

また、本発明の導波管変換器は、前記信号導体と前記グランド層とが前記誘電体基板の異なる層に形成されており、前記高周波線路がマイクロストリップ線路またはトリプレート線路であることを特徴とするものである。   In the waveguide converter of the present invention, the signal conductor and the ground layer are formed on different layers of the dielectric substrate, and the high-frequency line is a microstrip line or a triplate line. It is what.

また、本発明の導波管変換器は、前記信号導体と前記グランド層とが前記誘電体基板の同じ層に形成されており、前記高周波線路がコプレーナ線路であることを特徴とするものである。   In the waveguide converter of the present invention, the signal conductor and the ground layer are formed in the same layer of the dielectric substrate, and the high-frequency line is a coplanar line. .

本発明の導波管変換器は、シールド導体により囲まれたスロットと第２の面との間の領域内に形成された内部導体を備えていることにより、スロットと第２の面との間の領域を大きくして、スロットと第２の面との間の領域のインピーダンスを大きくすることにより、導波管のインピーダンスに近くしても、スロットと第２の面との間の領域内に不要共振が発生しにくく、スロットと第２の面との間の領域と導波管とのインピーダンスの不整合が小さくなり広帯域な導波管変換器を提供することができる。   The waveguide converter according to the present invention includes an inner conductor formed in a region between the slot surrounded by the shield conductor and the second surface, so that the gap between the slot and the second surface is provided. By enlarging the area of the slot and increasing the impedance of the area between the slot and the second surface, the impedance in the area between the slot and the second face is close to the impedance of the waveguide. Unnecessary resonance hardly occurs, impedance mismatch between the region between the slot and the second surface and the waveguide is reduced, and a broadband waveguide converter can be provided.

本発明の導波管変換器について図面を参照して詳述する。   The waveguide converter of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図１は、本発明の導波管変換器の第１の実施の形態を示す概略図であり（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）に示した構成のＸ−Ｘ’線における断面図である。   1A and 1B are schematic views showing a first embodiment of a waveguide converter of the present invention, where FIG. 1A is a plan view, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of the configuration shown in FIG. It is sectional drawing.

本実施の形態における導波管変換器は、誘電体基板１と、誘電体基板１に形成された高周波線路２と、高周波線路２に電磁気的に結合されたスロット３と、シールド導体４と、シールド導体により囲まれた領域Ｒ内に形成された内部導体５とを備えている。   The waveguide converter in the present embodiment includes a dielectric substrate 1, a high-frequency line 2 formed on the dielectric substrate 1, a slot 3 electromagnetically coupled to the high-frequency line 2, a shield conductor 4, And an inner conductor 5 formed in a region R surrounded by the shield conductor.

本実施の形態において、誘電体基板１は、複数の層からなり、第１の面（上面）１ａおよび第２の面（下面）１ｂを有する。誘電体層１は、セラミック材料、ガラス、ガラスセラミック材料、有機樹脂系材料、有機樹脂−セラミックまたは有機樹脂−ガラス等の複合系材料の誘電体材料からなる。   In the present embodiment, dielectric substrate 1 includes a plurality of layers, and has a first surface (upper surface) 1a and a second surface (lower surface) 1b. The dielectric layer 1 is made of a dielectric material of a composite material such as ceramic material, glass, glass ceramic material, organic resin material, organic resin-ceramic or organic resin-glass.

高周波線路２は、誘電体基板の上面１ａまたは誘電体基板１内に形成されている。高周波線路２は、信号導体６およびグランド層７からなる。本実施の形態において、信号導体６は、誘電体基板１の上面１ａに直線状に形成されている。グランド層７は、誘電体基板１の内層に形成されている。本実施の形態において、高周波線路２はマイクロストリップ線路である。高周波線路２は先端が開放され、高周波線路２とスロット３は先端開放により電磁気的に結合されている。グランド層７は導波管８の短絡終端として機能し、スロット３は導波管８の短絡終端面から導波管８を励振する。   The high-frequency line 2 is formed on the upper surface 1 a of the dielectric substrate or in the dielectric substrate 1. The high frequency line 2 includes a signal conductor 6 and a ground layer 7. In the present embodiment, the signal conductor 6 is linearly formed on the upper surface 1 a of the dielectric substrate 1. The ground layer 7 is formed in the inner layer of the dielectric substrate 1. In the present embodiment, the high-frequency line 2 is a microstrip line. The high frequency line 2 has an open end, and the high frequency line 2 and the slot 3 are electromagnetically coupled by opening the end. The ground layer 7 functions as a short-circuit termination of the waveguide 8, and the slot 3 excites the waveguide 8 from the short-circuit termination surface of the waveguide 8.

スロット３は、誘電体基板１におけるグランド層７が設けられている層に形成されており、高周波線路２に電磁気的に結合されている。   The slot 3 is formed in the layer where the ground layer 7 is provided in the dielectric substrate 1 and is electromagnetically coupled to the high-frequency line 2.

シールド導体４は、誘電体基板１のスロット３が形成されている層と下面１ｂとの間に形成されており、スロット３と下面１ｂとの間の領域Ｒを囲むように配置されている。本実施の形態において、シールド導体４は複数のビア導体で構成されている。誘電体基板１の領域Ｒは、導波管８の励振源であるスロット３と導波管８との整合をとる整合器として機能する。導波管８の開放端を誘電体基板１の下面１ｂにおいてシールド導体４と電気的に接続することにより、高周波線路２が導波管８に変換される。   The shield conductor 4 is formed between the layer on which the slot 3 of the dielectric substrate 1 is formed and the lower surface 1b, and is disposed so as to surround the region R between the slot 3 and the lower surface 1b. In the present embodiment, the shield conductor 4 is composed of a plurality of via conductors. The region R of the dielectric substrate 1 functions as a matching unit for matching the slot 3 that is the excitation source of the waveguide 8 and the waveguide 8. By electrically connecting the open end of the waveguide 8 to the shield conductor 4 on the lower surface 1 b of the dielectric substrate 1, the high frequency line 2 is converted into the waveguide 8.

本発明の導波管変換器は、シールド導体４により囲まれたスロット３と第２の面１ｂとの間の領域Ｒ内に形成された内部導体５を備えている。本実施の形態において、内部導体５は、スロット３の直下（すなわち、平面視におけるスロット３の領域内）に形成されており、端部が誘電体基板１の下面１ｂに位置している。   The waveguide converter of the present invention includes an inner conductor 5 formed in a region R between the slot 3 surrounded by the shield conductor 4 and the second surface 1b. In the present embodiment, the internal conductor 5 is formed immediately below the slot 3 (that is, in the area of the slot 3 in plan view), and the end is located on the lower surface 1 b of the dielectric substrate 1.

本発明の導波管変換器は、このような構成により、導波管とのインピーダンス整合を図る場合にも、不要な共振の発生を低減させることができる。すなわち、本発明は、このような構成により、スロット３と誘電体基板１の下面１ｂとの間の領域Ｒを大きくして、スロットと下面１ｂとの間の領域Ｒのインピーダンスを導波管のインピーダンスに近づける場合にも、スロットと誘電体基板１の下面１ｂとの間の領域Ｒ内に不要共振が発生しにくい導波管変換器を提供することができる。   With such a configuration, the waveguide converter of the present invention can reduce the occurrence of unnecessary resonance even when impedance matching with the waveguide is achieved. That is, according to the present invention, the region R between the slot 3 and the lower surface 1b of the dielectric substrate 1 is increased by such a configuration, and the impedance of the region R between the slot and the lower surface 1b is made to be the waveguide. Even when the impedance is close to the impedance, it is possible to provide a waveguide converter in which unnecessary resonance is unlikely to occur in the region R between the slot and the lower surface 1 b of the dielectric substrate 1.

ここで、図２を参照して、スロット３と誘電体基板１の下面１ｂとの間の領域Ｒにおける不要な共振について説明する。   Here, with reference to FIG. 2, an unnecessary resonance in the region R between the slot 3 and the lower surface 1b of the dielectric substrate 1 will be described.

図２は、スロット３と誘電体基板１の下面１ｂとの間の領域Ｒにおける不要共振の電界、磁界を示す図である。図２には、グランド層７と誘電体基板１の下面１ｂとの間の層を示している。図２において、電気力線をＥとして実線矢印、磁力線をＨとして破線矢印で示している。   FIG. 2 is a diagram illustrating an electric field and a magnetic field of unnecessary resonance in a region R between the slot 3 and the lower surface 1 b of the dielectric substrate 1. FIG. 2 shows a layer between the ground layer 7 and the lower surface 1 b of the dielectric substrate 1. In FIG. 2, the electric lines of force are indicated by E as solid arrows, and the magnetic lines of force are indicated as H by broken arrows.

電界の方向は、領域Ｒの高さ方向で、その大きさは、図２のｘ方向およびｙ方向に関して１つの最大値を持っており、ｚ方向に関しては均一である。磁界は領域Ｒの高さ方向（ｚ方向）に垂直な面に沿って周回している。   The direction of the electric field is the height direction of the region R, and the magnitude thereof has one maximum value in the x direction and the y direction in FIG. 2, and is uniform in the z direction. The magnetic field circulates along a plane perpendicular to the height direction (z direction) of the region R.

本発明は、領域Ｒ内に内部導体５が形成されていることにより、このような領域Ｒの高さ方向に電界が発生する共振を低減させることができる。この作用により、共振を低減させた状態で領域Ｒのインピーダンスを大きくすることができるので、その周波数特性を導波管８のインピーダンスの周波数特性に近くすることができ、広帯域な導波管変換器を提供できる。   In the present invention, since the inner conductor 5 is formed in the region R, the resonance in which an electric field is generated in the height direction of the region R can be reduced. By this action, the impedance of the region R can be increased in a state where the resonance is reduced. Therefore, the frequency characteristic can be made close to the frequency characteristic of the impedance of the waveguide 8, and a broadband waveguide converter. Can provide.

図３に示すように、本実施の形態において、内部導体５の誘電体基板１の厚み方向の高さＴは、内部導体５の幅Ｗより大きい。このような構成により、誘電体基板１の領域Ｒにおける不要な共振をさらに低減させることができる。   As shown in FIG. 3, in the present embodiment, the height T of the inner conductor 5 in the thickness direction of the dielectric substrate 1 is larger than the width W of the inner conductor 5. With such a configuration, unnecessary resonance in the region R of the dielectric substrate 1 can be further reduced.

また、領域Rに発生する不要共振の１つに、たとえばスロット３付近の電位が最大のときに下面１ｂ付近の電位が０になるものがある。本実施の形態において、内部導体５の高さＴをスロット３と下面１ｂとの間の領域Ｒの厚さの１／２以上とすることにより、電位が最大の位置と電位が０の位置の間でその区間の１／２以上を導体により同一電位に保つことができ、不要な共振を効果的に抑制することができる。   Further, one of the unnecessary resonances that occur in the region R is one in which the potential near the lower surface 1b becomes 0 when the potential near the slot 3 is the maximum, for example. In the present embodiment, by setting the height T of the inner conductor 5 to be 1/2 or more of the thickness of the region R between the slot 3 and the lower surface 1b, the position where the potential is maximum and the position where the potential is 0 is set. In the meantime, ½ or more of the section can be maintained at the same potential by the conductor, and unnecessary resonance can be effectively suppressed.

また、内部導体５がグランド層７に電気的に接続されているとよい。導体５の電位を接地電位に固定することにより、導体５の電位の時間的変動を抑制することができる。   Further, the inner conductor 5 is preferably electrically connected to the ground layer 7. By fixing the potential of the conductor 5 to the ground potential, temporal variations in the potential of the conductor 5 can be suppressed.

また、他の例では、図４に示すように、内部導体５が複数形成されており、複数の内部導体５が、並列に配置されているとともに、パターン導体９で接続されている。このような構成により、複数の導体５の電位を同一電位に保つことができ、導体５周辺のより広い領域を同一電位に保つことができる。   In another example, as shown in FIG. 4, a plurality of internal conductors 5 are formed, and the plurality of internal conductors 5 are arranged in parallel and connected by pattern conductors 9. With such a configuration, the potentials of the plurality of conductors 5 can be kept at the same potential, and a wider area around the conductors 5 can be kept at the same potential.

また、他の例では、図５に示すように、複数の内部導体５が、誘電体基板１の異なる層に形成されているとともに、パターン導体で接続されている。このような構成により、誘電体基板１の厚さ方向に長い領域に渡って電位を同一に保つことができ、また不要共振の電界が最も強い部分に導体５を配置することができる。またそれをグランド層７と電気的に接続すると接地電位に保つことができるので、より効果的に不要共振を抑制することができる。   In another example, as shown in FIG. 5, a plurality of internal conductors 5 are formed on different layers of the dielectric substrate 1 and are connected by pattern conductors. With such a configuration, the potential can be kept the same over a long region in the thickness direction of the dielectric substrate 1, and the conductor 5 can be disposed in a portion where the electric field of unnecessary resonance is strongest. Further, if it is electrically connected to the ground layer 7, it can be kept at the ground potential, so that unnecessary resonance can be more effectively suppressed.

また、図６を参照して、他の例について説明する。図６において、図１と同様の構成には図1と同じ記号を付けている。１１はパターン導体である。   Another example will be described with reference to FIG. In FIG. 6, the same components as those in FIG. Reference numeral 11 denotes a pattern conductor.

図６に示した導波管変換器の例は、図1に示した例の導波管変換器の高周波線路２がマイクロストリップ線路であったのに対し、コプレーナ線路の場合である。この例では誘電体基板１と、信号導体６と、グランド層７で高周波線路２としてコプレーナ線路が形成されている。このコプレーナ線路とスロット３は先端短絡により電磁気的に結合している。すなわち信号導体６とスロット３との接続部において高周波線路２は短絡され、この部分で最大電流が流れる。この最大電流により最大磁界が発生し、高周波信号はスロット３に磁界として結合する。またこの例では複数の内部導体５をグランド層７に接続し、さらに他の複数の内部導体５を誘電体基板１の異なる層に形成してそれぞれをパターン導体１１で接続している。このように内部導体５をグランド層７に接続することにより内部導体５の電位をグランド電位に保つことにより不要共振を効果的に抑制できる。また誘電体基板１の異なる層にも内部導体５を形成しそれらをパターン導体１１で接続することにより、接続された内部導体５の全体が一定の電位に保たれて不要共振を効果的に抑制し、領域Ｒのインピーダンスを大きくして広帯域な導波管変換器を提供することができる。   The example of the waveguide converter shown in FIG. 6 is a case of a coplanar line, whereas the high-frequency line 2 of the waveguide converter of the example shown in FIG. 1 is a microstrip line. In this example, a dielectric substrate 1, a signal conductor 6, and a ground layer 7 form a coplanar line as the high-frequency line 2. The coplanar line and the slot 3 are electromagnetically coupled by short-circuiting the tip. That is, the high-frequency line 2 is short-circuited at the connection portion between the signal conductor 6 and the slot 3, and the maximum current flows in this portion. This maximum current generates a maximum magnetic field, and the high frequency signal is coupled to the slot 3 as a magnetic field. In this example, a plurality of internal conductors 5 are connected to the ground layer 7, and another plurality of internal conductors 5 are formed on different layers of the dielectric substrate 1, and each is connected by a pattern conductor 11. By connecting the inner conductor 5 to the ground layer 7 in this way, the potential of the inner conductor 5 is kept at the ground potential, so that unnecessary resonance can be effectively suppressed. Also, by forming the internal conductors 5 on different layers of the dielectric substrate 1 and connecting them with the pattern conductors 11, the entire connected internal conductors 5 are kept at a constant potential, and unnecessary resonance is effectively suppressed. In addition, the impedance of the region R can be increased to provide a broadband waveguide converter.

（ａ）は本発明の導波管変換器の実施の形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した導波管変換器のＸ−Ｘ’線における断面図である。(A) is a top view which shows embodiment of the waveguide converter of this invention, (b) is sectional drawing in the X-X 'line | wire of the waveguide converter shown to (a). スロット３と誘電体基板１の下面１ｂとの間の領域Ｒにおける不要共振の電界および磁界を示す図である。3 is a diagram showing an electric field and a magnetic field of unnecessary resonance in a region R between a slot 3 and a lower surface 1b of a dielectric substrate 1. FIG. 導体４が形成された領域Ｒの拡大図である。It is an enlarged view of the area | region R in which the conductor 4 was formed. 導波管変換器の他の例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the other example of a waveguide converter. 導波管変換器の他の例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the other example of a waveguide converter. 導波管変換器の他の例の構成を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the other example of a waveguide converter.

符号の説明Explanation of symbols

１：誘電体基板
２：高周波線路
３：スロット
４：シールド導体
５：内部導体
６：信号導体
７：グランド層
Ｒ：領域 1: Dielectric substrate 2: High frequency line 3: Slot 4: Shield conductor 5: Internal conductor 6: Signal conductor 7: Ground layer R: Area

Claims (9)

第１および第２の面を有し、複数の層からなる誘電体基板と、
該誘電体基板の前記第１の面または該誘電体基板内に形成されており、信号導体およびグランド層からなる高周波線路と、
前記誘電体基板の前記グランド層が形成された層に形成されており、前記高周波線路に電磁気的に結合されたスロットと、
前記誘電体基板の前記スロットが形成された層と前記誘電体基板の前記第２の面との間に形成されているとともに、前記スロットと前記第２の面との間の領域を囲むシールド導体と、
前記シールド導体により囲まれた前記スロットと前記第２の面との間の前記領域内に形成された内部導体とを備えていることを特徴とする導波管変換器。 A dielectric substrate having first and second surfaces and comprising a plurality of layers;
A high-frequency line formed in the first surface of the dielectric substrate or in the dielectric substrate, comprising a signal conductor and a ground layer;
A slot formed on the dielectric substrate in which the ground layer is formed, and electromagnetically coupled to the high-frequency line;
A shield conductor formed between the layer in which the slot is formed of the dielectric substrate and the second surface of the dielectric substrate, and enclosing a region between the slot and the second surface When,
A waveguide converter, comprising: an inner conductor formed in the region between the slot surrounded by the shield conductor and the second surface. 前記内部導体の前記誘電体基板の厚み方向の高さが該導体の幅より大きいことを特徴とする請求項１記載の導波管変換器。 2. The waveguide converter according to claim 1, wherein the height of the inner conductor in the thickness direction of the dielectric substrate is larger than the width of the conductor. 前記内部導体が前記グランド層に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の導波管変換器。 The waveguide converter according to claim 1, wherein the inner conductor is electrically connected to the ground layer. 前記内部導体の高さが、前記スロットと前記第２の面との間の前記領域の厚さの１／２以上であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導波管変換器。 The height of the inner conductor is ½ or more of the thickness of the region between the slot and the second surface, according to any one of claims 1 to 3. Waveguide converter. 前記内部導体が複数形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導波管変換器。 The waveguide converter according to claim 1, wherein a plurality of the inner conductors are formed. 前記複数の内部導体が、並列に配置されているとともに、パターン導体で接続されていることを特徴とする請求項５記載の導波管変換器。 6. The waveguide converter according to claim 5, wherein the plurality of internal conductors are arranged in parallel and connected by pattern conductors. 前記複数の内部導体が、前記誘電体基板の異なる層に形成されているとともに、パターン導体で接続されていることを特徴とする請求項５記載の導波管変換器。 6. The waveguide converter according to claim 5, wherein the plurality of inner conductors are formed in different layers of the dielectric substrate and are connected by pattern conductors. 前記信号導体と前記グランド層とが前記誘電体基板の異なる層に形成されており、前記高周波線路がマイクロストリップ線路またはトリプレート線路であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の導波管変換器。 The signal conductor and the ground layer are formed on different layers of the dielectric substrate, and the high-frequency line is a microstrip line or a triplate line. A waveguide converter according to claim 1. 前記信号導体と前記グランド層とが前記誘電体基板の同じ層に形成されており、前記高周波線路がコプレーナ線路であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の導波管変換器。 The waveguide according to any one of claims 1 to 7, wherein the signal conductor and the ground layer are formed in the same layer of the dielectric substrate, and the high-frequency line is a coplanar line. Tube converter.
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