JP2007251136A - 推定パターン生成方法、製造管理方法、演算装置及び製造管理システム - Google Patents

Abstract

【課題】製造工程の途中で歩留りを推定でき、早期に不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる推定パターン生成方法、製造管理方法、演算装置及び製造管理システムを提供することにある。
【解決手段】初期データから単位空間データと信号データを選択し、単位空間データと、信号データと、歩留り真値を隠したテスト用ウエハデータとから、Ｔ法を用いてテスト用ウエハデータの歩留り推定を行った（ステップＳ１〜Ｓ５）。次に、歩留り推定の感度及びＳＮ比を検査し、単位空間データ、信号データ及びテスト用ウエハデータの検査データ数を縮減する（ステップＳ６，Ｓ７）。そして、縮減したテスト用ウエハデータの歩留り推定を行って、その感度及びＳＮ比を検査し、縮減した単位空間データ及び信号データを第１工程群の第１推定パターンとした（ステップＳ８〜Ｓ１１）。
【選択図】図２

Description

本発明は、推定パターン生成方法、製造管理方法、演算装置及び製造管理システムに関する。

近年では、パーソナルコンピュータと生産設備とを通信可能に接続し、そのパーソナルコンピュータが製造計画から製造工程まで全てを管理する製造管理システムが開発されている。このような製造管理システムは、例えば半導体装置の製造工程にも適用されている。なお、半導体装置の製造工程は、設計工程、マスク製作工程、ウエハ製造工程、ウエハ処理工程、検査工程等から構成される。さらに、例えばウエハ処理工程は、成膜、感光レジスト塗布、感光、現像、エッチング、レジスト除去、洗浄の各工程に細分化されて、製造工程が数百工程と多数から構成されている。そのため、半導体装置は、ロット（ウエハ）を製造工程に投入してから完成後の最終検査を行うまでに数ヶ月かかるものが多い。

また、各製造工程を実行する製造装置は、一般に複雑な機構を有しており、歩留まりを低下させる要因を数多く含んでいる。そのため、半導体装置は、すべての製造工程において不良となる可能性がある。しかしながら、半導体装置は、寸法が微細であるため目視では各工程において良否の判定を行うことができないため、不良の原因となる製造装置（製造工程）を特定することが困難であった。

そこで、ウエハ処理工程終了後の半導体装置に対して電気特性検査を含めた最終検査を行って、フェイルビット解析などの手法により不良発生原因の調査をしている。例えば、完成後の半導体装置の電気特性と製造装置との関係を統計的に解析して、原因となる製造装置を確定する方法が知られている（特許文献１参照）。
特開平１１−３５４３９６号公報

ところが、特許文献１の方法では、最終検査で得られた半導体装置の電気特性に基づいて解析を行うことから、ロット（ウエハ）を製造工程に投入してから最終検査までの数ヵ月間は解析が行えない。そのため、製造工程の途中で不良が発生しても、不良対策を行えないまま不良装置を大量に製造してしまうという課題があった。

また、従来は、半導体装置を一度製造工程に投入してから最終検査までの数ヶ月間は半導体装置の歩留り及び良品の半導体装置がいくつ得られるかを把握することができない。そのため、良品の半導体装置を必要数に確実に達するように、一定の余裕を持って余分にロット（ウエハ）を製造工程に投入するようにしていた。その結果、必要数を超える多数の良品の半導体装置が製造されるという無駄が生じていた。

本発明は、前述した上記問題点を解消するためになされたものであって、その目的は、製造工程の途中で歩留りを推定でき、早期に不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる推定パターン生成方法、製造管理方法、演算装置及び製造管理システムを提供することにある。

本発明の推定パターン生成方法は、歩留りが未知の製品の複数の検査データを取得した
際に、前記検査データの前記歩留りを推定するための推定パターンを生成する推定パターン生成方法であって、前記複数の検査データを有する複数の製品データからなる初期製品データを取得する初期製品データ取得ステップと、前記各初期製品データの初期製品歩留りを取得する初期製品歩留り取得ステップと、前記初期製品歩留りについて統計的処理をし、その統計的処理によって算出された値に基づいて正常空間である単位空間データと非正常空間である信号データとを選択する選択ステップと、前記初期製品データと同一項目である複数の検査データを有する被解析データを取得する被解析データ取得ステップと、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データの前記検査データのうち、取得順序の遅い検査データから縮減して、その縮減した縮減単位空間データと、縮減信号データと、縮減被解析データとから、Ｔ（Taguchi）法を用いて前記縮減被解析データの
第１歩留り推定値を算出する第１推定値算出ステップと、前記被解析データの被解析歩留りを取得する被解析歩留り取得ステップと、前記第１歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第１歩留り推定値の第１信頼度を算出する第１信頼度算出ステップと、前記第１信頼度と第１所定値とを比較する第１比較ステップと、前記第１比較ステップにおいて前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内にあるとき、前記縮減単位空間データ及び前記縮減信号データを第１推定パターンとする第１生成ステップとを備えた。

本発明の推定パターン生成方法によれば、第１推定値算出ステップによって、単位空間データ、信号データ及び被解析データを縮減することができる。さらに、その縮減した縮減単位空間データ及び縮減信号データを推定パターンとして第１推定パターンを生成することができる。これによって、第１推定パターンになる単位空間データ及び信号データの検査データ数を減らすことができる、すなわち歩留りを推定するために必要な検査データ数を減らすことができる。従って、製品完成までの全ての検査データを取得する前に、つまり、途中の製造工程において、第１推定パターンを使用して歩留りを推定することができる。その結果、早期に不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる。

また、第１比較ステップにおいて、Ｔ法によって算出された第１歩留り推定値の第１信頼度と第１所定値とを比較することによって、推定の信頼性を維持して推定パターンを生成することができるため、この推定パターンを使用することによって精度良く歩留りを推定することができる。

本発明の推定パターン生成方法は、歩留りが未知の製品の複数の検査データを取得した際に、前記検査データの前記歩留りを推定するための推定パターンを生成する推定パターン生成方法であって、前記複数の検査データを有する複数の製品データからなる初期製品データを取得する初期製品データ取得ステップと、前記各初期製品データの初期製品歩留りを取得する初期製品歩留り取得ステップと、前記初期製品歩留りについて統計的処理をし、その統計的処理によって算出された値に基づいて正常空間である単位空間データと非正常空間である信号データとを選択する選択ステップと、前記初期製品データと同一項目である複数の検査データを有する被解析データを取得する被解析データ取得ステップと、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データの前記検査データのうち、取得順序の遅い検査データから縮減して、その縮減した縮減単位空間データと、縮減信号データと、縮減被解析データとから、ＴＳ（Taguchi Schmidt）法を用いて前記縮減被解
析データの第１歩留り推定値を算出する第１推定値算出ステップと、前記被解析データの被解析歩留りを取得する被解析歩留り取得ステップと、前記第１歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第１歩留り推定値の第１信頼度を算出する第１信頼度算出ステップと、前記第１信頼度と第１所定値とを比較する第１比較ステップと、前記第１比較ステップにおいて前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内にあるとき、前記縮減単位空間データ及び前記縮減信号データを第１推定パターンとする第１生成ステップとを備えた。

本発明の推定パターン生成方法によれば、第１推定値算出ステップによって、単位空間データ、信号データ及び被解析データを縮減することができる。さらに、その縮減した縮減単位空間データ及び縮減信号データを推定パターンとして第１推定パターンを生成することができる。これによって、第１推定パターンになる単位空間データ及び信号データの検査データ数を減らすことができる、すなわち歩留りを推定するために必要な検査データ数を減らすことができる。従って、製品完成までの全ての検査データを取得する前に、つまり、途中の製造工程において、第１推定パターンを使用して歩留りを推定することができる。その結果、早期に不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる。

また、第１比較ステップにおいて、ＴＳ法によって算出された第１歩留り推定値の第１信頼度と第１所定値とを比較することによって、推定の信頼性を維持して推定パターンを生成することができるため、この推定パターンを使用することによって精度良く歩留りを推定することができる。

この推定パターン生成方法において、前記第１推定値算出ステップよりも前に、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データとから、前記Ｔ法を用いて前記被解析データの第２歩留り推定値を算出する第２推定値算出ステップと、前記第２歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第２歩留り推定値の第２信頼度を算出する第２信頼度算出ステップと、前記第２信頼度と第２所定値とを比較する第２比較ステップとをさらに備えるようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、単位空間データ、信号データ及び被解析データを縮減する前に、単位空間データ及び信号データから被解析データの第２歩留り推定値をＴ法を用いて算出することができる。また、第２比較ステップにおいて、その第２歩留り推定値の第２信頼度と第２所定値とを比較して、推定の信頼性を確認することができる。さらに、推定の信頼性が低いときに、単位空間データ及び信号データを見直すことができる。

この推定パターン生成方法において、前記第１推定値算出ステップよりも前に、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データとから、前記ＴＳ法を用いて前記被解析データの第２歩留り推定値を算出する第２推定値算出ステップと、前記第２歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第２歩留り推定値の第２信頼度を算出する第２信頼度算出ステップと、前記第２信頼度と第２所定値とを比較する第２比較ステップとをさらに備えるようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、単位空間データ、信号データ及び被解析データを縮減する前に、単位空間データ及び信号データから被解析データの第２歩留り推定値をＴＳ法を用いて算出することができる。また、第２比較ステップにおいて、その第２歩留り推定値の第２信頼度と第２所定値とを比較して、推定の信頼性を確認することができる。さらに、推定の信頼性が低いときに、単位空間データ及び信号データを見直すことができる。

この推定パターン生成方法において、前記第２比較ステップにおいて前記第２信頼度が前記第２所定値の範囲内にあるとき、前記単位空間データ及び前記信号データを第２推定パターンとする第２生成ステップとを備えるようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、第２比較ステップにおいて推定の信頼性が高いことが判明したときに、単位空間データ及び信号データを推定パターンとして第２推定パターンを生成することができる。第２推定パターンを使用して歩留りを推定することによって、製品完成後の製品の歩留りを推定することができる。通常、製品完成後から最終検査
までには数週間の日数がかかるため、第２推定パターンによってその時間を短縮することができる。

この推定パターン生成方法において、前記第２比較ステップにおいて前記第２信頼度が前記第２所定値の範囲から外れたとき、追加データを取得して前記単位空間データ及び前記信号データを修正する修正ステップをさらに備えるようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、単位空間データ及び信号データから算出された第２歩留り推定値の信頼性が低いときに、その単位空間データ又は信号データに追加データを追加することができる。これによって、第２歩留り推定値の信頼性を高く維持した状態で、単位空間データ及び信号データを縮減することができる。従って、縮減単位空間データ及び縮減信号データから算出される第１歩留り推定値も高い信頼性を得ることができる。

この推定パターン生成方法において、前記第１所定値と前記第２所定値とを同一にしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、単位空間データ及び信号データを縮減しても、推定の信頼度を一定に保つことができる。

この推定パターン生成方法において、前記第２信頼度は、感度及びＳＮ比からなるようにしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、第２歩留り推定値の信頼性を感度及びＳＮ比から求めることができる。

この推定パターン生成方法において、前記第１信頼度は、感度及びＳＮ比からなるようにしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、第１歩留り推定値の信頼性を感度及びＳＮ比から求めることができる。

この推定パターン生成方法において、前記被解析データを前記信号データとし、前記被解析歩留りを前記信号データの歩留りとしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、新たに被解析データを取得する必要がないため、使用する製品データ数を減らすことができ、データ取得時間も短縮することができる。

この推定パターン生成方法において、前記被解析データを前記単位空間データとし、前記被解析歩留りを前記単位空間データの歩留りとしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、新たに被解析データを取得する必要がないため、使用する製品データ数を減らすことができ、データ取得時間も短縮することができる。

この推定パターン生成方法において、前記第１推定値算出ステップと、前記第１信頼度算出ステップと、前記第１比較ステップとを繰り返して前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内に収まる限界の検査データ数になるまで前記単位空間データ及び前記信号データの検査データを縮減するようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、第１推定パターンの検査データ数を減らすことができるため、その第１推定パターンを使用して歩留りを推定する際に、より早期の途中工程において歩留りを推定することができる。従って、より早期に不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる。

この推定パターン生成方法において、前記単位空間データ及び前記信号データから縮減
されて前記縮減単位空間データ及び前記縮減信号データから除外された検査データを複数に分割して、複数の推定パターンを生成するようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、複数段階の推定パターンを生成することができるため、途中の製造工程において、製品に対して複数回歩留りを推定することができる。従って、各歩留り推定に関与する製造工程を少なくすることができるため、不良原因となる製造工程を特定しやすくなる。

この推定パターン生成方法において、前記統計的処理は、前記初期製品データの前記初期製品歩留りの平均値を算出することであってもよい。
この推定パターン生成方法によれば、初期製品歩留りの平均値を算出することによって単位空間データ及び信号データを選択することができる。

この推定パターン生成方法において、前記検査データは、検査装置から取得する工程データと、前記歩留りに影響を及ぼすデータである環境データとからなるようにしてもよい。

この推定パターン生成方法によれば、検査データの中に環境データを含めることによって、推定パターンを生成する際に使用する検査データの数を大幅に増加させることが可能になるため、生成される推定パターンによる推定の精度を向上させることができる。

この推定パターン生成方法において、前記初期製品データ取得ステップにおいて、所定の前記検査データを、所定単位毎に正規化するようにしてもよい。
この推定パターン生成方法によれば、検査データを正規化することにより、例えば校正の行われていない装置からデータを取得した場合においても、装置間の校正状態の差異による影響を低減することができる。

この推定パターン生成方法において、前記所定単位は、複数のウエハからなるロットであってもよい。
この推定パターン生成方法によれば、所定の検査データについて、ロット毎に正規化させることができる。

本発明の製造管理方法は、歩留り真値未知の製品の検査データを取得して、上記の推定パターン生成方法によって生成された推定パターンを使用して前記製品の歩留り推定値を算出する第３推定値算出ステップを備えた。

本発明の製造管理方法によれば、途中の製造工程において、少なくとも第１推定パターンを使用して製品の歩留り推定値を算出することができる。従って、早期の製造工程において不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる。

この製造管理方法において、前記歩留り推定値と規定値とを比較して、前記歩留り推定値が前記規定値の範囲から外れたとき、製造工程について解析をするようにしてもよい。
この製造管理方法によれば、製品の歩留りを規定値に維持して、製品を製造することができる。また、製品の歩留りが規定値から外れたときすぐ不良対策等の解析を行うことができる。

この製造管理方法において、前記製品の完成後に行なわれる最終検査によって前記製品の歩留り真値を求めた後に、前記製品の検査データ及び前記歩留り真値を、前記単位空間データ及び前記信号データのいずれか一方に追加する学習ステップを備えるようにしてもよい。

この製造管理方法によれば、製品の製造を繰り返すことによって、推定パターンになる単位空間データ又は信号データに、製品の検査データ及び歩留り真値が追加される。これによって、単位空間データ及び信号データのデータ数を増加させることができるため、その単位空間データ及び信号データによって構成されている推定パターンの精度を徐々に向上させることができる。

この製造管理方法において、前記製品は、半導体装置であってもよい。
この製造管理方法によれば、途中の製造工程において歩留りを推定して半導体装置を製造することができる。従って、早期の製造工程において不良対策を行えて余分な半導体装置の製造を抑制することができる。

本発明の演算装置は、上記の推定パターン生成方法によって推定パターンを生成する。
本発明の演算装置によれば、途中の製造工程において製品の歩留りを推定する際に使用する推定パターンを生成することができる。

本発明の製造管理システムは、前記製品を製造する製造工程を実行する製造装置と、前記製造装置によって製造工程が実行された後に前記製品に対して検査を行う検査装置と、前記製造装置及び前記検査装置を制御する制御装置と、上記の演算装置とを備え、前記製品に対して所定の製造工程を終了した時に、前記演算装置によって生成される前記推定パターンを使用して、前記製品の歩留り推定値を算出する。

本発明の製造管理システムによれば、途中の製造工程において、少なくとも第１推定パターンを使用して製品の歩留り推定値を算出することができる。従って、早期の製造工程において不良対策を行えて余分な装置の製造を抑制することができる。

この製造管理システムにおいて、前記制御装置は、前記歩留り推定値と規定値とを比較して、前記歩留り推定値が前記規定値の範囲から外れたとき、前記製造工程について解析をするようにしてもよい。

この製造管理システムによれば、製品の歩留りを規定値に維持して、製品を製造することができる。また、製品の歩留りが規定値から外れたときすぐ不良対策等の解析を行うことができる。

この製造管理システムにおいて、前記検査装置は、前記製品に対して最終検査をして歩留り真値を求めて、前記制御装置は、前記製品の前記検査データ及び前記歩留り真値を、前記単位空間データ及び前記信号データのいずれか一方に追加するようにしてもよい。

この製造管理システムによれば、製品の製造を繰り返すことによって、推定パターンになる単位空間データ又は信号データに、製品の検査データ及び歩留り真値が追加される。これによって、単位空間データ及び信号データのデータ数を増加させることができるため、その単位空間データ及び信号データによって構成されている推定パターンの精度を徐々に向上させることができる。

この製造管理システムにおいて、前記製品は、半導体装置であってもよい。
この製造管理システムによれば、途中の製造工程において歩留りを推定して半導体装置を製造することができる。従って、早期の製造工程において不良対策を行えて余分な半導体装置の製造を抑制することができる。

（第１実施形態）
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図８に従って説明する。図１は、製造管理システム１の構成を説明するためのブロック図である。

図１に示すように、製造管理システム１の電子システム２は、制御装置４を備えている。制御装置４は、ＣＰＵ等からなる制御部５と、演算処理機能を有する演算部６と、各種データや各種プログラムを格納する記憶部７とから構成されている。そして、制御装置４では、これら制御部５、演算部６及び記憶部７が、図示しないバスを介して互いに接続されている。

記憶部７は、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、ＨＤＤ（H ard Disk Drive）等からなり、プログラム格納部１０とデータベース１１とを有している。プログラム格納部１０には、制御プログラムや演算プログラム等の各種プログラムが格納されるとともに、データベース１１には、検査データや演算部６によって算出された演算結果等の各種データが格納されている。

また、演算部６は、例えばプログラム格納部１０に格納された演算プログラムに基づいて、データベース１１に格納された各種データを用いて半導体装置の歩留りを推定するようになっている。

また、制御装置４は、入力部１３と電気的に接続されている。入力部１３は、キーボードやタッチパネル等からなり、種々のデータを制御装置４に入力することができるようになっている。なお、データベース１１は、入力部１３から入力されたデータを格納するようになっている。

また、制御装置４は、出力部１５と電気的に接続されている。出力部１５は、ディスプレイやプリンタ等からなり、入力部１３から入力したデータや演算部６によって算出された演算結果等を表示したり、プリント出力したりする。なお、電子システム２は、１台のパーソナルコンピュータに実装してもよいし、電子システム２（制御装置４）の各部を複数のパーソナルコンピュータ等に分散して実装してもよい。

電子システム２は、製造装置２０と電気的に接続されるとともに、検査装置２２と電気的に接続されている。製造装置２０及び検査装置２２は、第１工程Ｐ１、第２工程Ｐ２、・・・、第ｋ工程Ｐｋを介して製造ラインＬと電気的に接続されている。ここで、第１工程Ｐ１、第２工程Ｐ２、・・・、第ｋ工程Ｐｋは、例えば成膜工程、感光レジスト塗布工程、感光工程、現像工程、エッチング工程、レジスト除去工程、洗浄工程等の製造ラインＬを流れるロットＬＴの各ウエハＷに施されるウエハ処理工程である。すなわち、ロットＬＴの各ウエハＷは、図１において製造ラインＬを左側から右方向に流れて、第１工程Ｐ１、第２工程Ｐ２、・・・、第５０工程Ｐ５０、第５１工程Ｐ５１、・・・、第ｋ工程Ｐｋが順に施されるようになっている。なお、本実施形態では、１つのロットＬＴは第１ウエハＷ１、第２ウエハＷ２、・・・、第２５ウエハＷ２５の２５枚のウエハから構成されている。

電子システム２の制御部５は、プログラム格納部１０に格納された制御プログラムに基づいて製造装置２０を制御して、製造ラインＬを流れるロットＬＴの各ウエハＷ（第１ウエハＷ１〜第２５ウエハＷ２５）に対して各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）を実行させるようになっている。また、製造装置２０は、各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）を実行した後、その実行した旨を制御部５に出力するようになっている。

電子システム２の制御部５は、製造装置２０から各工程（例えば、第１工程Ｐ１）の実
行完了の信号が入力されると、前記制御プログラムに基づいて検査装置２２を制御して、第１工程Ｐ１が実行された各ウエハＷを検査（例えば、膜厚検査、異物検査、電気的特性検査等）するようになっている。検査装置２２は、検査したロットＬＴ（各ウエハＷ）の検査データを演算部６に出力するようになっている。演算部６は、検査装置２２から入力された検査データに基づいてそのロットＬＴ（ウエハＷ）の平均値を算出して、その平均値を記憶部７のデータベース１１に格納する。

このように製造装置２０により各ウエハＷに対して第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋまでの数百の製造工程が実行されることによって、各ウエハＷ上に複数の半導体装置が形成される。また、検査装置２２によってｋ種類（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ分）の検査データが演算部６に出力されて、演算部６によって各検査データの平均値が算出されてデータベース１１に格納されるようになっている。そして、ウエハＷ上に形成された各半導体装置は、検査装置２２によって動作確認の電気的特性検査（最終検査）が行われて歩留り真値Ｃ（図４参照）が求められ、その後、ダンシングされて個々の半導体装置に分離される。なお、検査された歩留り真値Ｃは、記憶部７のデータベース１１に出力されて格納されるようになっている。

本実施形態では、図１において製造装置２０及び検査装置２２を１つに具体化したが、各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）毎に、それぞれ対応する製造装置又は検査装置を設置するようにしてもよい。また、同一の処理を行う複数の製造装置又は検査装置の集合体であってもよい。

次に、公知のＭＴ（Mahalanobis Taguchi）システムの一種であるＴ（Taguchi）法に基づく歩留り推定のための推定パターンの生成について図２〜図６に従って説明する。図２は、推定パターンの生成方法を説明するためのフローチャート、図３及び図４は、各種ウエハデータを説明するためのテーブル、図５は、歩留り推定方法を説明するためのフローチャート、図６は、単位空間データの縮減・分割について説明するための説明図である。

ここで、まずＭＴシステムについて簡単に説明する。ＭＴシステムは、品質工学を中心として発達したパターン認識方法で、機器監視や予防保全のための各機器のデータ解析等によく用いられる。ＭＴシステムでは、正常状態の複数の製品からセンサ等によって取得される特性量（検査データ）に基づいて複数のベクトルデータを生成して、単位空間を形成する。ＭＴシステムでは、この単位空間において導出されるマハラノビス距離計算式に、評価対象の製品から取得されるベクトルデータを代入してマハラノビス距離を算出し、このマハラノビス距離と所定の閾値とを比較することによって製品の異常を検出することができる。そのＭＴシステムの中のＴ法は、評価対象の製品が単位空間よりも正方向に異常であるか、又は負方向に異常であるかを判定することができる。さらに、Ｔ法は、行列や直交展開を使用せずに簡便に対象の製品を評価することができる。

図２に示すように、制御装置４は、まず、初期製品データとしての初期データを取得する（初期製品データ取得ステップとしてのステップＳ１）。詳述すると、制御部５は、３ロット（２５×３＝７５ウエハ）を製造ラインＬに流して、製造装置２０を制御して各ウエハＷに対して第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋを順に実行する。また、制御部５は、製造装置２０から各工程の完了信号が入力されると、検査装置２２を制御して各ウエハＷのランダムな位置の半導体装置に対して各工程の抜き取り検査を行わせ、その検査データを演算部６に出力させる。次に、演算部６は、入力された各半導体装置における各工程の検査データから、図３（ａ）に示す各ウエハＷにおける各工程の検査データの平均値を算出してデータベース１１に格納する。そして、制御部５は、第ｋ工程終了後、検査装置２２に各ウエハＷ上の全半導体装置に電気特性検査を行わせ、各ウエハＷにおける初期製品歩留りとしての歩留りを求めて、その各ウエハＷにおける歩留りをデータベース１１に格納する
（初期製品歩留り取得工程）。これによって、制御装置４は、図３（ａ）に示す７５枚分の初期ウエハデータから構成される初期データを取得することができる。

次に、演算部６は、取得した初期データから単位空間データを選択する（選択ステップを構成するステップＳ２）。詳述すると、演算部６は、初期データにおける歩留りの平均値を求める（本実施形態では、０．９１であったとする）。そして、演算部６は、初期データの中から、歩留りがその平均値（０．９１）に近い初期ウエハデータから順に±５枚分の初期ウエハデータ（図３（ｂ）参照）を抜き出して、合計１０枚分の初期ウエハデータを単位空間データとしてデータベース１１に格納する。ここで、単位空間データとは、歩留り推定の基準となる標準的なデータを意味している。このようなデータは、推定対象によって適宜選択されるものであり、ユーザによって自由に選択されるものである。なお、本実施形態では、説明の便宜上、図３（ｂ）に示すデータを、

と表す。すなわち、１つの単位空間ウエハデータ（１列のデータ）は、ｋ個の単位空間入力検査データＸ（例えば、Ｘ１１，Ｘ１２，…，Ｘ１ｋ）と１つの単位空間入力真値Ｂ（例えば、Ｂ１）を有している。なお、本実施形態では、単位空間データは１０枚分の単位空間ウエハデータから構成されているため、ｍは１０となる。

次に、演算部６は、初期データのうち、歩留りが平均値（０．９１）から離れた値である残りの６５枚分の初期ウエハデータ（図３（ｃ）参照）を、信号データとしてデータベース１１に格納する（選択ステップを構成するステップＳ３）。なお、本実施形態では、説明の便宜上、図３（ｃ）に示すデータを、

と表す。すなわち、１つの信号ウエハデータ（１列のデータ）は、ｋ個の信号入力検査データＹ（例えば、Ｙ１１，Ｙ１２，…，Ｙ１ｋ）と１つの信号入力真値Ｂ´（例えば、Ｂ１´）を有している。本実施形態では、信号データは、６５枚分の信号ウエハデータから構成されているため、ｐは６５となる。ここで、信号データとして選択された６５個全ての信号入力真値Ｂ´（Ｂ１´〜Ｂｐ´）は、単位空間データを形成するために選択された単位空間入力真値Ｂの最大値よりも大きい値、又は、最小値よりも小さい値となる。これによって、単位空間入力真値Ｂから離れた値を示す信号入力真値Ｂ´に基づいて、分散や回帰係数等が算出されるので、単位空間入力真値Ｂの近傍のみならず、単位空間入力真値Ｂから離れた値についての歩留り推定も行うことができる。

次に、図４（ａ）に示すように、予め全ての工程の検査が終了し、被解析歩留りとしての歩留り真値Ｃの判明しているウエハデータ（被解析データとしてのテスト用ウエハデータ）を用意して、その歩留り真値Ｃを隠してテスト用ウエハデータを入力部１３から入力
する（被解析データ取得ステップ及び被解析歩留り取得ステップを構成する図２のステップＳ４）。なお、本実施形態では、説明の便宜上、図４（ａ）に示すデータのうち検査データ（歩留り真値Ｃを除いたデータ）を、

と表す。すなわち、１つのテスト用ウエハデータ（１列のデータ）は、ｋ個の被解析検査データＺ（例えば、Ｚ１１，Ｚ１２，…，Ｚgｋ）を有している。また、本実施形態では、テスト用ウエハデータを入力部１３から入力するようにしたが、これに限らず、たとえばテスト用ウエハデータを予めデータベース１１に記憶させておき、演算部６がデータベース１１からテスト用ウエハデータを読み出すようにしてもよい。また、実際にロットＬＴを製造ラインＬに流して各検査データ及び歩留り真値Ｃを取得するようにしてもよい。

次に、演算部６は、単位空間データと、信号データと、テスト用ウエハデータとから、公知のＴ法を用いて各テスト用ウエハデータの歩留り推定を行う（ステップＳ５）。
図５に示すように、はじめに図３（ｃ）に示す信号データを基準化する（ステップＳ５−１）。具体的には、まず、下記の式により、図３（ｂ）に示す単位空間入力検査データＸの各工程項目毎の平均値Ｘａと単位空間入力真値Ｂの平均値Ｂａとを求める。

次に、この平均値Ｘａ，Ｂａを用いて、下記の式により信号データを基準化して基準化信号データを算出する。

ここで、説明の便宜上、上記の式を下記のように表す。

次に、テスト用ウエハデータを基準化する（ステップＳ５−２）。具体的には、単位空間入力検査データＸの各工程項目毎の平均値Ｘａを用いて、下記の式により被解析検査データＺを基準化して基準化被解析データを算出する。

ここで、説明の便宜上、上記の式を下記のように表す。

次に、基準化信号データに基づいて、下記の式により分散Ｖｅ及び回帰係数βａを各工程項目毎に算出する（ステップＳ５−３）。

このとき、

である。また、各工程項目毎のＳＮ比ηａｉを、下記の式により算出する。

次に、上記の式により算出されたＳＮ比ηａｉと、回帰係数βａｉと、基準化被解析データとを用いて、下記の式により各テスト用ウエハデータの第２歩留り推定値としての歩留り推定値Ｆを算出する（第２推定値算出ステップとしてのステップＳ５−４）。

からは、算出した歩留り推定値Ｆ（Ｆ１，Ｆ２，…，Ｆｇ）の第２信頼度を構成する感度βとＳＮ比ηとを算出する。まず、各テスト用ウエハデータの歩留り真値Ｃ（Ｃ１，Ｃ２，…，Ｃｇ）とステップＳ５−４で算出した歩留り推定値Ｆとを、下記の式によりロジット変換する（ステップＳ５−５）。

なお、図４（ｂ）には、テスト用ウエハデータの歩留り真値Ｃ及び歩留り推定値Ｆをロジット変換した実際のデータを例示する。

次に、ロジット変換した歩留まり真値ＣＬ（ＣＬ１，ＣＬ２，…，ＣＬｇ）及び歩留り
推定値ＦＬ（ＦＬ１，ＦＬ２，…，ＦＬｇ）を用いて、下記の式により歩留まり推定値ＦＬ（Ｆ）の感度β及びＳＮ比ηを算出する（第２信頼度算出ステップとしてのステップＳ５−６）。

このとき、

である。

このように、歩留り真値Ｃと歩留り推定値Ｆとの回帰分析を行うことで、歩留り真値Ｃに対する歩留り推定値Ｆの誤差を求めることができる。すなわち、歩留り推定値Ｆの感度βとＳＮ比ηとを求めることができ、推定の信頼性を検査することができる。

次に、図２に示すように、演算部６は、算出した感度βが第２所定値を構成する１．０±０．１ｄｂであって、且つＳＮ比ηが第２所定値を構成する０．０ｄｂ以上でない場合（第２比較ステップとしてのステップＳ６でＮＯ）、例えば感度βが１．２ｄｂ以上の場合やＳＮ比ηが０．０ｄｂ未満の場合には、ステップＳ５−４で算出された歩留り推定値Ｆの信頼性が低いと判断する。そして、制御装置４は、初期データに加えてさらに追加データを取得する（修正ステップとしてのステップＳ７）。詳しくは、例えば初期データの際と同様に、新たに３ロット（２５×３ウエハ）を製造ラインＬに流して第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋを順に実行し、各工程の検査データと歩留りとをデータベース１１に格納する。そして、その追加データと初期データとから再度単位空間データ及び信号データを生成する。これによって、単位空間データ及び信号データのデータ数を増加させることができるため、歩留り推定の精度を向上させることができる。

一方、演算部６は、算出した感度βが１．０±０．１ｄｂであって、且つＳＮ比ηが０．０ｄｂ以上である場合（ステップＳ６でＹＥＳ）に、ステップＳ５−４で算出された歩留り推定値Ｆの信頼性が高いと判断し、歩留り推定に使用する単位空間データ及び信号デ
ータの検査データを縮減する（第１推定値算出ステップを構成するステップＳ８）。詳述すると、図６に示すように、まず、演算部６は、第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋまでのｋ個（例えば、４２０個）の単位空間データ（図３（ｂ）参照）を、第ｋ工程Ｐｋから例えば５０個減らして３７０個、すなわち第１工程Ｐ１〜第３７０工程Ｐ３７０までの検査データ（縮減単位空間データ）にする。次に、縮減単位空間データと同様に、信号データ（図３（ｂ）参照）を縮減して、第１工程Ｐ１〜第３７０工程Ｐ３７０までの検査データ（縮減信号データ）にする。また、テスト用ウエハデータ（図４参照）を同様に縮減して、第１工程Ｐ１〜第３７０工程Ｐ３７０までの検査データ（縮減テスト用データ）にする。

そして、図２に示すように、演算部６はＴ法を用いて歩留まり推定を行う（第１推定値算出ステップ及び第１信頼度算出ステップとしてのステップＳ９）。詳述すると、演算部６は、縮減単位空間データと、縮減信号データと、縮減被解析データとしての縮減テスト用データとから、ステップＳ５と同様に、テスト用ウエハデータの第１歩留り推定値としての歩留り推定値Ｆを算出する（ステップＳ５−１〜Ｓ５−４）。なお、ステップＳ９の演算では、ステップＳ５の演算に比べてｋの値が小さくなっている（例えば、４２０が３７０になっている）。次に、演算部６は、縮減テスト用データの歩留り推定値Ｆと、テスト用ウエハデータの歩留り真値Ｃ（図４参照）とから、縮減単位空間データ及び縮減信号データの第１信頼度としての感度βとＳＮ比ηとを算出する（ステップＳ５−５及びＳ５−６）。

次に、演算部６は、ステップＳ９で算出した感度βが第１所定値を構成する１．０±０．１ｄｂであって、且つＳＮ比ηが第１所定値を構成する０．０ｄｂ以上である場合（第１比較ステップとしてのステップＳ１０でＹＥＳ）に、縮減テスト用データの歩留り推定値Ｆの信頼性が高いと判断し、歩留り推定に使用する縮減単位空間データ及び縮減信号データをさらに縮減する。演算部６は、このように算出される歩留り推定値Ｆの信頼性が高いと判断される間、単位空間データ及び信号データを縮減し続けて（ステップＳ８〜Ｓ１０の繰り返し）、感度βが１．０±０．１ｄｂであって、且つＳＮ比ηが０．０ｄｂ以上の範囲から外れる検査データ数の限界値を探索する。なお、本実施形態では、検査データを４９個にまで減らすと、歩留り推定値Ｆの信頼性が低くなる（ステップＳ１０でＮＯ）。すなわち、図６に示すように、第１工程Ｐ１〜第５０工程Ｐ５０までの５０個の検査データを使用すれば、信頼性を維持して、縮減テスト用データの歩留り推定値Ｆを算出することができる。ここで、説明の便宜上、第１工程Ｐ１〜第５０工程Ｐ５０の集合を第１工程群Ｃ１とする。

次に、限界値（本実施形態では、第５０工程Ｐ５０）まで検査データ数を縮減した縮減単位空間データ及び縮減信号データを、第１工程群Ｃ１の推定パターン（第１推定パターン）としてデータベース１１に登録する（第１生成ステップとしてのステップＳ１１）。

次に、図６に示すように、演算部６は、単位空間データの第５１工程Ｐ５１〜第ｋ工程Ｐｋの検査データを任意の位置（第ｑ工程）で分割する（ステップＳ１２）。単位空間データと同様に、信号データ及びテスト用ウエハデータについても、第５１工程Ｐ５１〜第ｋ工程Ｐｋの検査データを第ｑ工程で分割する。

次に、演算部６は、Ｔ法を用いて歩留り推定を行う（ステップＳ１３）。詳述すると、ステップＳ９と同様に、演算部６は、第１工程Ｐ１〜第ｑ工程までの単位空間データ（分割単位空間データ）と、信号データ（分割信号データ）と、テスト用ウエハデータ（分割テスト用データ）とから、分割テスト用データの歩留り推定値Ｆを算出する（ステップＳ５−１〜Ｓ５−４）。次に、演算部６は、分割テスト用データの歩留り推定値Ｆと、テスト用ウエハデータの歩留り真値Ｃ（図４参照）とから、分割テスト用データの歩留り推定値Ｆの感度β及びＳＮ比ηを算出する（ステップＳ５−５及びＳ５−６）。

次に、演算部６は、歩留り推定値Ｆの信頼性が高く維持されているかを確認して（ステップＳ１４）、歩留り推定値Ｆの信頼性が低くなった場合（ステップＳ１４でＮＯ）には、分割の位置（第ｑ工程の位置）を第ｋ工程Ｐｋ側に変更する（ステップＳ１５）。そして、演算部６は、再びＴ法によって分割テスト用データの歩留り推定値Ｆと、その感度β及びＳＮ比ηを算出して信頼性を調べる（ステップＳ１３及びＳ１４）。ここで、説明の便宜上、第５１工程Ｐ５１〜第ｑ工程の集合を第２工程群Ｃ２（図１及び図６参照）とする。

演算部６は、分割テスト用データの歩留り推定値Ｆの信頼性が高い場合（ステップＳ１４でＹＥＳ）には、第１工程Ｐ１〜第ｑ工程までの分割単位空間データ及び分割信号データを、第２工程群Ｃ２の推定パターン（第２推定パターン）としてデータベース１１に登録する（第２生成ステップを構成するステップＳ１６）。

次に、演算部６は、最終工程である第ｋ工程の検査データが第２推定パターン（第Ｎ推定パターン）に含まれているかを判断（ステップＳ１７）し、第ｋ工程が第Ｎ推定パターンに含まれている場合（ステップＳ１７でＹＥＳ）、すなわち第ｋ工程の検査データが第Ｎ推定パターンに登録されている場合には、推定パターンの生成を終了する。

一方、演算部６は、第ｋ工程の検査データが第Ｎ推定パターンに含まれていない場合（ステップＳ１７でＮＯ）には、ステップＳ１２〜Ｓ１７の処理を繰り返す。すなわち、第５１工程Ｐ５１〜第ｋ工程Ｐｋを、ｎ個の工程群（第１工程群Ｃ１〜第ｎ工程群Ｃｎ）に分割するようになっている。そして、演算部６は、そのｎ個の工程群をそれぞれデータベース１１に登録するようになっている。ここで、第ｋ工程Ｐｋを含む工程群を、第ｎ工程群Ｃｎ（図１参照）とする。

次に、実際に製造ラインＬを流れて製造されるロットＬＴに対して各推定パターン（第１推定パターン〜第ｎ推定パターン）を使用して歩留りを推定する方法について図７及び図８のフローチャートに従って説明する。図７は、製造管理方法について説明するためのフローチャート、図８は、推定パターンの学習について説明するためのフローチャートである。

図７に示すように、まず、制御部５は、ロットＬＴを製造ラインＬに流して、製造装置２０を制御して各ウエハＷに対して第１工程群Ｃ１（第１工程Ｐ１〜第５０工程Ｐ５０）について第１工程Ｐ１から順に実行する（ステップＳ３０）。次に、制御部５は、製造装置２０から各工程の完了信号が入力されると、検査装置２２を制御してロットＬＴのランダムな位置の半導体装置に対して各工程の抜き取り検査を行わせ、その検査データを演算部６に出力させる。そして、演算部６は、入力された各半導体装置における各工程の検査データから、各ロットＬＴにおける各工程の検査データの平均値を算出してデータベース１１に格納する（ステップＳ３１）。

次に、制御部５は、検査データ数Ｋｊが５０に達したかを判定して（ステップＳ３２）、検査データ数Ｋｊが５０に達していない場合（ステップＳ３２でＮＯ）には、ステップＳ３０及びステップＳ３１を繰り返して、第１工程群Ｃ１（第１工程Ｐ１〜第５０工程Ｐ５０）の全ての工程を実行して各工程の検査データを取得する。

一方、制御部５は、検査データ数Ｋｊが５０に達した場合（ステップＳ３２でＹＥＳ）には、すなわち製造工程が第５０工程Ｐ５０まで終了すると、演算部６を動作させて図２のステップＳ１１でデータベース１１に登録した第１工程群Ｃ１の第１推定パターンに基づいてロットＬＴの歩留り推定値ＦをＴ法を用いて算出する（第３推定値算出ステップを
構成するステップＳ３３）。なお、その歩留り推定値Ｆは、ステップＳ５−１〜Ｓ５−４と同様の算出方法によって算出される。そして、作業者は、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９未満の場合（ステップＳ３４でＮＯ）には、対象のロットＬＴの歩留りが低いため、ロットＬＴを製造ラインＬから取り出し、第１工程群Ｃ１における不具合工程を解析する（ステップＳ３５）。また、算出した歩留り推定値Ｆの値に応じて、新たに追加のロットＬＴ（ウエハＷ）を製造ラインＬに流すようにしてもよい。

このように本実施形態では、最終工程である第ｋ工程Ｐｋを実行する前に（途中の製造工程において）、ロットＬＴの歩留りを推定することができる。従って、出荷量に対して半導体装置の完成前にロットＬＴの補充ができるため、在庫リスクや納期遅延を低減することができる。また、製造工程（製造装置２０）の不具合を早期に発見できるため、不良対策を早期に行うことができ、安定した歩留りを確保することができる。また、上流の検査で不良品を排除して、その後の工程に不良品を流さないようにするため、無駄な製造コストを低減することができる。なお、本実施形態では、歩留り推定値Ｆと比較する規定値を０．９としたが、この値は経済性等の観点を考慮して作業者によって定められる値であって、作業者によって自由に設定・変更可能な値である。

一方、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９以上の場合（ステップＳ３４でＹＥＳ）には、制御部５は、次の工程、すなわち第２工程群Ｃ２（第５１工程Ｐ５１〜第ｑ工程）の第５１工程Ｐ５１を実行する（ステップＳ３６）。そして、第１工程群Ｃ１の場合と同様に、第２工程群Ｃ２の最終工程である第ｑ工程が実行されるまで各工程の検査データを取得する（ステップＳ３７）。制御部５は、第ｑ工程が実行されて検査データが取得されると（ステップＳ３８でＹＥＳ）、演算部６を動作させて図２のステップＳ１６でデータベース１１に登録した第２工程群Ｃ２の第２推定パターンに基づいてロットＬＴの歩留り推定値ＦをＴ法を用いて算出する（第３推定値算出ステップを構成するステップＳ３９）。なお、その歩留り推定値Ｆは、ステップＳ５−１〜Ｓ５−４と同様の算出方法によって算出される。

そして、作業者は、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９未満の場合（ステップＳ４０でＮＯ）には、ステップＳ３５と同様に、対象のロットＬＴの歩留りが低いため、ロットＬＴを製造ラインＬから取り出し、第２工程群Ｃ２における不具合工程を解析する（ステップＳ４１）。また、算出した歩留り推定値Ｆの値に応じて、新たに追加のロットＬＴ（ウエハＷ）を製造ラインＬに流すようにしてもよい。

一方、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９の場合（ステップＳ４０でＹＥＳ）には、次の工程を実行して、ステップＳ３０〜ステップＳ３４（ステップＳ３６〜ステップＳ４０）と同様のステップを繰り返し第３工程群、第４工程群等を経て第ｎ工程群Ｃｎを実行する（ステップＳ５０）。そして、最終工程である第ｋ工程Ｐｋが実行されるまで各工程の検査データを取得する（ステップＳ５１）。制御部５は、第ｋ工程Ｐｋが実行されて検査データが取得されると（ステップＳ５２でＹＥＳ）、演算部６を動作させて図２のステップＳ１６でデータベース１１に登録した第ｎ工程群Ｃｎの第ｎ推定パターンに基づいてロットＬＴの歩留り推定値ＦをＴ法を用いて算出する（第３推定値算出ステップを構成するステップＳ５３）。なお、その歩留り推定値Ｆは、ステップＳ５−１〜Ｓ５−４と同様の算出方法によって算出される。

そして、作業者は、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９未満の場合（ステップＳ５４でＮＯ）には、ステップＳ３５と同様に、対象のロットＬＴの歩留りが低いため、ロットＬＴを製造ラインＬから取り出し、第ｎ工程群Ｃｎにおける不具合工程を解析する（ステップＳ５５）。また、算出した歩留り推定値Ｆの値に応じて、新たに追加のロットＬＴ（ウエハＷ）を製造ラインＬに流すようにしてもよい。

このように、複数の工程群（第１工程群Ｃ１、第２工程群Ｃ２・・・第ｎ工程群Ｃｎ）に分割して歩留り推定値Ｆを算出することによって、各工程群毎に不良原因の解析を行うことができるため、不具合工程を特定しやすくなる。

一方、算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９以上の場合（ステップＳ５４でＹＥＳ）には、制御部５は、検査装置２２を制御して最終検査を行う（ステップＳ５６）。詳述すると、検査装置２２は、ロットＬＴを構成する各ウエハＷ上に形成された全半導体装置に電気特性検査を行って、対象のロットＬＴの歩留り真値Ｃを求める。次に、演算部６は、対象のロットＬＴの全検査データ及び歩留り真値Ｃを新たに単位空間データ又は信号データに登録して、単位空間データ又は信号データに新たなデータを追加して学習させる（学習ステップとしてのステップＳ５７）。

詳述すると、図８に示すように、まず第ｎ工程群Ｃｎの第ｎ推定パターンに基づいて算出した歩留り推定値Ｆと、最終検査によって求められた歩留り真値Ｃを比較する（ステップＳ７−１）。演算部６は、その歩留り推定値Ｆと歩留り真値Ｃに相関がある場合（ステップＳ７−２でＮＯ）には、対象のロットＬＴの検査データがデータベース１１に現在格納されている単位空間データ及び信号データと類似しているため、その検査データ及び歩留り真値Ｃを学習する必要がないと判断して処理を終了する。なお、本実施形態では、歩留り推定値Ｆと歩留り真値Ｃとの相関係数が０．７以上の場合に、両者に相関があると判断した。

一方、演算部６は、歩留り推定値Ｆと歩留り真値Ｃに相関がない場合（ステップＳ７−２でＹＥＳ）には、対象のロットＬＴの検査データがデータベース１１に現在格納されている単位空間データ及び信号データと類似していないため、新たに学習する必要があると判断する。そして、演算部６は、そのロットＬＴの歩留り真値Ｃが、図３（ｂ）に示す単位空間データの歩留りの範囲（０．８９〜０．９３）に入っている場合（ステップＳ７−３でＹＥＳ）には、単位空間データとしてデータベース１１に登録する。また、演算部６は、歩留り真値Ｃが、図３（ｂ）に示す単位空間データの歩留りの範囲（０．８９〜０．９３）に入っていない場合（ステップＳ７−３でＮＯ）には、信号データとしてデータベース１１に登録する。これによって、単位空間データ又は信号データに新たなデータが追加（学習）されてウエハデータ数が増加するため、歩留り推定の精度が徐々に向上される。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏する。
（１）本実施形態によれば、最終工程である第ｋ工程Ｐｋを実行する前に（途中の製造工程において）、ロットＬＴの歩留りを推定することができる。従って、出荷量に対して半導体装置の完成前にロットＬＴの補充ができるため、納期遅延や投入ロットＬＴ数の余裕を低減することができる。その結果、無駄なウエハの削減と、製造に要する無駄な時間と、資材の節約とを図ることができる。

また、製造工程（製造装置２０）の不具合を早期に発見できるため、不良対策を早期に行うことができ、安定した歩留りを確保することができる。また、上流の検査で不良品を排除して、その後の工程に不良品を流さないようにするため、無駄な製造コストを低減することができる。

（２）本実施形態によれば、複数の工程群（第１工程群Ｃ１、第２工程群Ｃ２・・・第ｎ工程群Ｃｎ）に分割して、ロットＬＴの歩留りを複数段階に分けて推定するようにした。従って、歩留り推定値Ｆが規定値の０．９未満になった工程群毎に不良原因の解析を行うことができるため、不具合工程を特定しやすくなる。

（３）本実施形態によれば、Ｔ法を用いて歩留り推定値Ｆを算出するようにした。そのため、各検査データ間の相互作用を考慮して歩留りを推定することができる。また、直交展開を行わなくてもよいため、計算方法が単純であり計算時間を短縮することができる。また、各工程の特徴を掴むような専門家的な考え方を使用せずに、精度良く歩留りを推定することができる。従って、新たに開発された半導体装置を量産開始する場合、あるいは、新たな製造装置を製造ラインＬに追加した場合等に、すぐに対応して精度良く歩留りを推定することができる。

（４）本実施形態によれば、ロットＬＴを製造ラインＬに流す度に、そのロットＬＴの全検査データ及び歩留り真値Ｃを、単位空間データ又は信号データに新たに追加（学習）させるようにした。これによって、製造回数が増加するに連れて単位空間データ又は信号データに新しいデータが追加されてウエハデータ数が増加するため、歩留り推定の精度を徐々に向上させることができる。

（第２実施形態）
以下、本発明を具体化した第２実施形態を図９〜図１３に従って説明する。この実施形態の初期データ取得ステップは、取得される検査データ及びその検査データの処理方法が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図８に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。

図９に示すように、電子システム２の制御部５は、プログラム格納部１０に格納された制御プログラム基づいて複数（本実施形態では、３つ）の製造装置２０ａ，２０ｂ，２０ｃを制御して、製造ラインＬに流れるロットＬＴの各ウエハＷに対して各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）を実行させるようになっている。詳しくは、複数のロットＬＴａ，ＬＴｂ，ＬＴｃが製造ラインＬに同時に流されると、各製造装置２０ａ〜２０ｃによって、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃに対して並行に各工程が施されるようになっている。

各製造装置２０ａ〜２０ｃは、各種センサ等によって検出される真空度、温度やプラズマパワー等の各工程における製造条件を示すｒ種類の環境データＤＥ（第１環境データＤＥ１〜第ｒ環境データＤＥｒ）を、各ロット（各ウエハ）毎にそれぞれデータベース１１に出力するようになっている。また、各製造装置２０ａ〜２０ｃは、各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）を実行した後、その実行した旨を制御部５に出力するようになっている。

電子システム２の制御部５は、製造装置２０から各工程（例えば、第１工程Ｐ１）の実行完了の信号が入力されると、上記制御プログラムに基づいて検査装置２２を制御して、第１工程Ｐ１が実行された各ウエハＷを検査（例えば、膜厚検査、異物検査、電気的特性検査等）するようになっている。検査装置２２は、検査したロットＬＴ（ウエハＷ）の工程データを演算部６に出力するようになっている。演算部６は、検査装置２２から入力された工程データに基づいてそのロットＬＴ（ウエハＷ）の平均値を算出して、その平均値を検査工程データＤＴ（第１検査工程データＤＴ１〜第ｋ検査工程データＤＴｋ）としてデータベース１１に格納する。

次に、上記Ｔ法に基づく歩留り推定のための推定パターンの生成について図１０〜図１２に従って説明する。図１０は、初期データの取得方法について説明するためのフローチャートである。

図１０に示すように、制御装置４は、まず、初期検査データを取得する（ステップＳ１
−１）。詳述すると、制御部５は、３つのロットＬＴａ〜ＬＴｃ（２５×３＝７５ウエハ）を製造ラインＬに流し、３つの製造装置２０ａ〜２０ｃを制御して、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃにおける各ウエハＷに対して並行に第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋを実行する。このとき、制御部５は、各工程Ｐ１〜Ｐｋ毎に各製造装置２０ａ〜２０ｃを制御して、各製造装置２０ａ〜２０ｃから各ウエハＷ毎にｒ種類の環境データＤＥ（第１環境データＤＥ１〜第ｒ環境データＤＥｒ）をそれぞれ出力させる（図１１参照）。また、制御部５は、各製造装置２０ａ〜２０ｃから各工程の完了信号がそれぞれ入力されると、検査装置２２を制御して各ウエハＷのランダムな位置の半導体装置に対して各工程の抜き取り検査を行わせ、その工程データを演算部６に出力させる。次に、演算部６は、入力された各半導体装置における各工程の工程データから、各ウエハＷにおける各工程の工程データの平均値を算出して、その平均値を検査工程データＤＴ１〜ＤＴｋとしてデータベース１１に格納する（図１１参照）。これによって、制御装置４は、図１１に示す７５枚分の検査データ（環境データＤＥ及び検査工程データＤＴ）からなる初期検査データを取得することができる。

次に、演算部６は、取得した初期検査データのうち、正規化対象に予め設定された検査データを正規化する（ステップＳ１−２）。ここでは、例えば各製造装置２０ａ〜２０ｃ間で校正が行われていない温度センサ等から取得された環境データなどが予め作業者によって正規化対象に設定されている。すなわち、温度センサ等の校正が行われていないことによって誤ったデータ値がデータベース１１に格納される検査データを、正規化対象に設定している。なお、検査工程データＤＴは、該検査工程データＤＴを演算部６に出力する検査装置２２の校正が通常行われているため、正規化対象に設定されることは少ない。

図１２（ａ）に、本実施形態において正規化対象に設定されている第１環境データＤＥ１の正規化前の各ウエハＷのデータ値を示した。図１２（ａ）に示すように、正規化対象に設定された検査データ（第１環境データＤＥ１）は、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎に、データの中心値がばらついている。このような各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎のデータのばらつきは、各工程Ｐ１〜Ｐｋを実行する製造装置２０ａ〜２０ｃの違いによって生じている。すなわち、この第１環境データＤＥ１は、各工程Ｐ１〜Ｐｋを実行する製造装置の違い、すなわち製造装置間の校正状態の差異による影響を強く受けている。そのため、これらのデータをそのまま使用して歩留り推定を行うと、製造装置間の校正状態の差異による影響を受け、推定精度が低下することになる（図１４参照）。

そこで、本実施形態では、これら正規化対象の検査データを正規化することにより、製造装置間の校正状態の差異を低減しつつも、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ内の各ウエハＷ毎のデータのばらつきを保持することによって、歩留り推定の予測精度の向上を図っている。以下に、ステップＳ１−２における検査データの正規化について詳述する。

本実施形態では、説明の便宜上、正規化対象の検査データ（ここでは、第１環境データＤＥ１）における各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎のデータを、

と表す。すなわち、１つのロット（１行のデータ）は、ｓ個の正規化対象データを有している。なお、本実施形態では、１つのロットＬＴは２５枚のウエハＷから構成されているため、ｓは２５となる。

第１環境データＤＥ１の正規化は、まず、下記の式により、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎に第１環境データＤＥ１の平均値Ｄ_ａａ，Ｄ_ｂａ，Ｄ_ｃａを求める。

次に、この平均値Ｄ_ａａ，Ｄ_ｂａ，Ｄ_ｃａを用いて、下記の式により各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎に正規化対象環境データを正規化して正規化データを生成する。

図１２（ｂ）に、正規化後の第１環境データＤＥ１（正規化データ）の各ウエハＷのデータ値を示した。図１２（ｂ）に示すように、正規化データは、全ロットＬＴａ〜ＬＴｃにおいてそのデータの中心値が同一となるとともに、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ内の各ウエハＷ毎のデータのばらつきを保持している。これにより、製造装置間の校正状態の差異を低減することができる。そして、演算部６は、この正規化データを新たな第１環境データＤＥ１としてデータベース１１に格納する。なお、本実施形態では、検査データの正規化を、第１環境データＤＥ１を例に挙げて説明したが、実際には多数の検査データが正規化対象に設定される。

次に、制御部５は、検査装置２２に各ウエハＷ上の全半導体装置に電気特性検査を行わせ、各ウエハＷにおける歩留りを求めて、その各ウエハＷにおける歩留りをデータベース１１に格納する（ステップＳ１−３）。これによって、制御装置４は、図１１に示す７５枚分の初期ウエハデータ（検査データ及び歩留り）から構成される初期データを取得することができる。この後、上記第１実施形態と同様に図２に示すステップＳ２以降の処理を行って、推定パターンの生成及び歩留り推定が行われる。

図１３及び図１４は、正規化データを含む検査データ及び正規化前の検査データからそれぞれ推定パターンを生成して、その推定パターンに基づく歩留り推定を行ったときのロジット変換後の歩留り推定値Ｆ_Ｌと歩留り真値Ｃ_Ｌとの相関を示したものである。図１３及び図１４において、横軸（ｘ軸）は歩留り推定値Ｆ_Ｌを示し、縦軸は歩留り真値Ｃ_Ｌを示すとともに、各プロットはロットＬＴａ〜ＬＴｃの各ウエハＷのデータを示している。なお、図１３及び図１４においては、歩留り推定値ＦＬが歩留り真値ＣＬと等しくなる、すなわちｙ＝ｘの直線上にプロットが集中するほど、歩留り推定の精度が高いことを示している。また、図１３及び図１４に使用したロットＬＴａ〜ＬＴｃの各ウエハＷの検査データは同一であり、図１３と図１４とでは正規化対象の検査データを正規化したか否かが異なるのみである。

正規化を行っていない図１４では、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎にデータ（プロット）が集中しているとともに、ｙ＝ｘの直線から離間した位置にプロットが集中している。このことから、各検査データにおいて生じた各製造装置２０間の校正状態の差異による影響は
、歩留り推定にもそのまま強い影響を与え、さらにその歩留り推定の精度を著しく低下させることが明らかになった。一方、正規化を行った図１３では、各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎にデータ（プロット）が集中することなく、ｙ＝ｘの直線の近傍にプロットが集中している。このことから、所定の検査データの正規化を行うことにより、各製造装置２０間の校正状態の差異を低減でき、ひいては歩留り推定の精度を向上させることができることが確認された。

以上説明したように、本実施形態によれば、上記第１実施形態における（１）〜（４）の作用効果に加え以下の効果を奏する。
（５）本実施形態によれば、検査データを、工程データとしての検査工程データＤＴと環境データＤＥとから構成するようにした。製造装置２０ａ〜２０ｃにおける製造条件等のデータである環境データＤＥを含むようにしたことによって、検査データの数を大幅に増加させることができる。これにより、これら検査工程データＤＴと環境データＤＥとからなる検査データに基づいて生成された推定パターンによる推定精度を向上させることができる。

（６）本実施形態によれば、ステップＳ１−２において、正規化対象の検査データを正規化した。これにより、製造装置２０ａ〜２０ｃ間の校正状態の差異による影響を低減することができ、歩留り推定の精度を向上させることができる。

なお、製造装置２０ａ〜２０ｃ（各種センサ）間の校正を行う方法では、数万種類のデータから構成される検査データの場合には数千に及ぶ校正を行う必要があるため、労力と時間がかかり製造コスト・製造時間の増大につながることになる。これに対して、本実施形態のように検査データを正規化する方法では、演算部６において簡便に処理することができるため、製造コスト・製造時間の増大を効果的に抑制することができる。

なお、上記各実施形態は、以下の態様に変更してもよい。
・上記第２実施形態では、環境データとして各工程における製造装置の製造条件を示すデータを取得するようにしたが、環境データとして取得するデータは、各ウエハ（ロット）における歩留りに影響を及ぼす要素であれば何でもよい。そのため、検査装置２２の検査条件を示すデータ、製造時の天候や操作者の名前等を環境データとして取得するようにしてもよい。

・上記第１実施形態においても、上記第２実施形態と同様に、検査データとして環境データと検査工程データとを取得するようにしてもよい。
・上記第２実施形態では、所定の検査データについて、所定単位として各ロットＬＴａ〜ＬＴｃ毎に正規化を行うようにしたが、例えば使用される各製造装置２０ａ〜２０ｃ毎に正規化を行うようにしてもよい。すなわち、ロットＬＴａ，ＬＴｂに対して製造装置２０ａにより各工程が実行された場合には、ロットＬＴａ及びロットＬＴｂをまとめて正規化するようにしてもよい。

・上記各実施形態におけるステップＳ５−４で式１によって歩留り推定値Ｆを算出したが、この式１を下記の式（式２）に変更してもよい。

・上記各実施形態では、ステップＳ６において感度β及びＳＮ比ηが規定値から外れた
場合に、追加データを取得して（ステップＳ７）単位空間データ及び信号データを生成しなおすようにしたが、このステップＳ７を省略するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、ステップＳ５及びステップＳ６において、初期データから生成された単位空間データ及び信号データから算出された歩留り推定値Ｆの感度β及びＳＮ比ηを確認したが、ステップＳ５及びステップＳ６を省略してその確認を省略するようにしてもよい。

・上記各実施形態におけるステップＳ１２〜ステップＳ１７を省略するようにしてもよい。すなわち、第２工程群Ｃ２〜第ｎ工程群Ｃｎの第２推定パターン〜第ｎ推定パターンの生成を省略して、第１工程群Ｃ１の第１推定パターンのみを生成するようにしてもよい。これによって、推定パターンを生成するための時間を短縮することができる。

・上記各実施形態では、ステップＳ４において予め歩留り真値Ｃの判明しているテスト用ウエハデータを入力して、ステップＳ５でそのテスト用ウエハデータの歩留り推定値Ｆを算出した。これに限らず、新たにテスト用ウエハデータを入力するのではなく、信号データの信号入力真値Ｂ´を隠して、信号データの検査データから歩留まり推定値Ｆを算出するようにしてもよい。これによって、初期データと別にウエハデータを用意しなくてもよいため、推定パターンを生成するための時間を短縮でき、労力を低減することができる。あるいは、信号データの代わりに単位空間データを歩留り推定値Ｆの算出に使用してもよい。

・上記各実施形態では、ステップＳ５−６で歩留り推定値Ｆの感度β及びＳＮ比ηを算出するために、ステップＳ５−５で歩留り真値Ｃと歩留り推定値Ｆとをロジット変換したが、ロジット変換せずに、歩留り真値Ｃ及び歩留り推定値Ｆから感度β及びＳＮ比ηを算出するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、感度βが１．０±０．１ｄｂ以上であって、且つＳＮ比ηが０．０ｄｂ以上の場合に歩留り推定値Ｆの信頼性が高いと判断するようにしたが、この感度β及びＳＮ比ηの値に制限されない。

・上記各実施形態では、感度β及びＳＮ比ηを算出して、歩留り推定値Ｆの信頼性を調べるようにしたが、これに限らず、例えば感度βのみを算出して歩留り推定値Ｆの信頼性を調べるようにしてもよい。あるいは、ＳＮ比ηのみを算出して歩留り推定値Ｆの信頼性を調べるようにしてもよい。

・上記各実施形態では、単位空間データと信号データの選択の仕方は、特に制限されるものではない。例えば、初期データの歩留りにおける標準誤差σを算出して、歩留りの平均値±１σのウエハデータを単位空間データとして、平均値±１σから外れるウエハデータを信号データとするようにしてもよい。

・上記各実施形態では、初期データ取得の際に、３ロットを製造ラインＬに流したが、これに限らず、例えば予め３ロット分のデータを用意しておき、テスト用ウエハデータと同様に、入力部１３から入力するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、初期データを３ロット（３×２５＝７５ウエハ）分のウエハデータとしたが、このデータ数に制限されない。
・上記各実施形態では、初期ウエハデータのうち、１０枚分のウエハデータを単位空間データとして選択したが、このデータ数に制限されない。

・上記各実施形態では、初期ウエハデータのうち、６５枚分のウエハデータを信号データとして選択したが、このデータ数に制限されない。
・上記各実施形態では、ロットＬＴの歩留り推定値Ｆが０．９未満の場合には、そのロットＬＴを製造ラインＬから取り出して、その工程群（例えば、第１工程群Ｃ１等）についての不良原因の解析を行うようにした。これに限らず、例えば対象のロットＬＴに目印を付けてそのまま製造ラインＬに流した上で、その歩留り推定値Ｆの算出に使用した推定パターンの工程群（例えば、第１工程群Ｃ１等）について不良原因の解析を行ってもよい。

・上記各実施形態では、多数の工程群（第１工程群Ｃ１、第２工程群Ｃ２・・・第ｎ工程群Ｃｎ）に分割するようにしたが、第１工程群Ｃ１と第２工程群Ｃ２の２つの工程群に分割するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、ロットＬＴを製造ラインＬに流す度に、そのロットＬＴの全検査データ及び歩留り真値Ｃを、単位空間データ又は信号データに新たに追加（学習）させるようにしたが、この学習のステップ（ステップＳ５７）を省略するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、図７における算出した歩留り推定値Ｆが規定値の０．９未満の場合に、解析処理（ステップＳ３５、Ｓ４１及びＳ５５）を行うようにしたが、これに制限されない。例えば、規定値を０．９５としてもよい。また、工程群毎に規定値を変化させるようにしてもよい。例えば、第１工程群Ｃ１の第１推定パターンに基づいて算出された歩留り推定値Ｆの規定値を０．９４とし、第２工程群Ｃ２の第２推定パターンに基づいて算出された歩留り推定値Ｆの規定値を０．９２とし、第ｎ工程群Ｃｎの第ｎ推定パターンに基づいて算出された歩留り推定値Ｆの規定値を０．９としてもよい。

・上記各実施形態では、学習ステップにおいて、歩留り推定値Ｆと歩留り真値Ｃとの相関係数が０．７以上の場合に、両者に相関があると判断したが、この値は特に制限されない。

・上記各実施形態では、ステップＳ５、Ｓ９、Ｓ１３、Ｓ３３、Ｓ３９及びＳ５３において歩留り推定値ＦをＴ法によって算出するようにしたが、これに限らず、例えばＴ法と同じくＭＴシステムの一種であるＴＳ（Taguchi Schmidt）法で算出するようにしてもよい。

・上記各実施形態では、１つのロットＬＴを２５枚のウエハから構成するようにしたが、この数に制限されず、ウエハは１〜２４枚でもよく、２６枚以上でもよい。
・上記各実施形態では、全工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）を実行する製造装置２０（製造装置２０ａ〜２０ｃ）に具体化したが、各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）毎に、それぞれ対応する製造装置を設置するようにしてもよい。

・上記第１実施形態においても、上記第２実施形態と同様に、複数の製造装置２０によって複数のロットＬＴを並行に処理するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、検査装置２２を１つに具体化したが、各工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）毎に、それぞれ対応する検査装置を設置するようにしてもよい。また、同一の処理を行う複数の検査装置の集合体であってもよい。

・上記各実施形態では、全ての工程（第１工程Ｐ１〜第ｋ工程Ｐｋ）に対して検査を行うようにしたが、任意の工程（例えば、第１工程Ｐ１、第５０工程Ｐ５０、第５１工程Ｐ５１、第ｋ工程Ｐｋ）の後にのみ検査を行うようにしてもよい。これによって、半導体装置の製造時間を短縮することができる。

・上記各実施形態では、製造管理システムとして半導体装置の製造管理システムに具体化したが、多数の工程によって装置が製造される製造管理システムであれば特に制限されない。

第１実施形態における製造管理システムの構成を説明するためのブロック図。 同じく、推定パターンの生成方法を説明するためのフローチャート。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ、初期ウエハデータ、単位空間ウエハデータ、信号ウエハデータを説明するためのテーブル。 （ａ）、（ｂ）は同じく、テスト用ウエハデータを説明するためのテーブル。 同じく、歩留り推定方法を説明するためのフローチャート。 同じく、単位空間データの縮減・分割について説明するための説明図。 同じく、製造管理方法について説明するためのフローチャート。 同じく、推定パターンの学習について説明するためのフローチャート。 第２実施形態における製造管理システムの構成を説明するためのブロック図。 同じく、初期データの取得方法を説明するためのフローチャート。 同じく、初期データを説明するためのテーブル。 （ａ）、（ｂ）は同じく、第１環境データのデータ値を説明するための特性図。 同じく、歩留り推定値と歩留り真値との相関を説明するための特性図。 同じく、歩留り推定値と歩留り真値との相関を説明するための特性図。

符号の説明

ＬＴ，ＬＴａ〜ＬＴｃ…ロット、Ｗ…ウエハ、１…製造管理システム、２…電子システム、４…制御装置、５…制御部、６…演算部、７…記憶部、１０…プログラム格納部、１１…データベース、１３…入力部、１５…出力部、２０，２０ａ〜２０ｃ…製造装置、２２…検査装置。

Claims (26)

1. 歩留りが未知の製品の複数の検査データを取得した際に、前記検査データの前記歩留りを推定するための推定パターンを生成する推定パターン生成方法であって、
   前記複数の検査データを有する複数の製品データからなる初期製品データを取得する初期製品データ取得ステップと、
   前記各初期製品データの初期製品歩留りを取得する初期製品歩留り取得ステップと、
   前記初期製品歩留りについて統計的処理をし、その統計的処理によって算出された値に基づいて正常空間である単位空間データと非正常空間である信号データとを選択する選択ステップと、
   前記初期製品データと同一項目である複数の検査データを有する被解析データを取得する被解析データ取得ステップと、
   前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データの前記検査データのうち、取得順序の遅い検査データから縮減して、その縮減した縮減単位空間データと、縮減信号データと、縮減被解析データとから、Ｔ（Taguchi）法を用いて前記縮減被解析データ
   の第１歩留り推定値を算出する第１推定値算出ステップと、
   前記被解析データの被解析歩留りを取得する被解析歩留り取得ステップと、
   前記第１歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第１歩留り推定値の第１信頼度を算出する第１信頼度算出ステップと、
   前記第１信頼度と第１所定値とを比較する第１比較ステップと、
   前記第１比較ステップにおいて前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内にあるとき、前記縮減単位空間データ及び前記縮減信号データを第１推定パターンとする第１生成ステップとを備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
2. 歩留りが未知の製品の複数の検査データを取得した際に、前記検査データの前記歩留りを推定するための推定パターンを生成する推定パターン生成方法であって、
   前記複数の検査データを有する複数の製品データからなる初期製品データを取得する初期製品データ取得ステップと、
   前記各初期製品データの初期製品歩留りを取得する初期製品歩留り取得ステップと、
   前記初期製品歩留りについて統計的処理をし、その統計的処理によって算出された値に基づいて正常空間である単位空間データと非正常空間である信号データとを選択する選択ステップと、
   前記初期製品データと同一項目である複数の検査データを有する被解析データを取得する被解析データ取得ステップと、
   前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データの前記検査データのうち、取得順序の遅い検査データから縮減して、その縮減した縮減単位空間データと、縮減信号データと、縮減被解析データとから、ＴＳ（Taguchi Schmidt）法を用いて前記縮減被
   解析データの第１歩留り推定値を算出する第１推定値算出ステップと、
   前記被解析データの被解析歩留りを取得する被解析歩留り取得ステップと、
   前記第１歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第１歩留り推定値の第１信頼度を算出する第１信頼度算出ステップと、
   前記第１信頼度と第１所定値とを比較する第１比較ステップと、
   前記第１比較ステップにおいて前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内にあるとき、前記縮減単位空間データ及び前記縮減信号データを第１推定パターンとする第１生成ステップとを備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
3. 請求項１に記載の推定パターン生成方法において、
   前記第１推定値算出ステップよりも前に、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データとから、前記Ｔ法を用いて前記被解析データの第２歩留り推定値を算出する第２推定値算出ステップと、
   前記第２歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第２歩留り推定値の第２信頼度を算出する第２信頼度算出ステップと、
   前記第２信頼度と第２所定値とを比較する第２比較ステップとをさらに備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
4. 請求項２に記載の推定パターン生成方法において、
   前記第１推定値算出ステップよりも前に、前記単位空間データ及び前記信号データ及び前記被解析データとから、前記ＴＳ法を用いて前記被解析データの第２歩留り推定値を算出する第２推定値算出ステップと、
   前記第２歩留り推定値と前記被解析歩留りとから、算出した前記第２歩留り推定値の第２信頼度を算出する第２信頼度算出ステップと、
   前記第２信頼度と第２所定値とを比較する第２比較ステップとをさらに備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
5. 請求項３又は４に記載の推定パターン生成方法において、
   前記第２比較ステップにおいて前記第２信頼度が前記第２所定値の範囲内にあるとき、前記単位空間データ及び前記信号データを第２推定パターンとする第２生成ステップとを備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
6. 請求項５に記載の推定パターン生成方法において、
   前記第２比較ステップにおいて前記第２信頼度が前記第２所定値の範囲から外れたとき、追加データを取得して前記単位空間データ及び前記信号データを修正する修正ステップをさらに備えたことを特徴とする推定パターン生成方法。
7. 請求項３〜６のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
   前記第１所定値と前記第２所定値とを同一にしたことを特徴とする推定パターン生成方法。
8. 請求項３〜７のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
   前記第２信頼度は、感度及びＳＮ比からなることを特徴とする推定パターン生成方法。
9. 請求項１〜７のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
   前記第１信頼度は、感度及びＳＮ比からなることを特徴とする推定パターン生成方法。
10. 請求項１〜９に記載の推定パターン生成方法において、
    前記被解析データを前記信号データとし、前記被解析歩留りを前記信号データの歩留りとしたことを特徴とする推定パターン生成方法。
11. 請求項１〜１０に記載の推定パターン生成方法において、
    前記被解析データを前記単位空間データとし、前記被解析歩留りを前記単位空間データの歩留りとしたことを特徴とする推定パターン生成方法。
12. 請求項１〜１１のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
    前記第１推定値算出ステップと、前記第１信頼度算出ステップと、前記第１比較ステップとを繰り返して前記第１信頼度が前記第１所定値の範囲内に収まる限界の検査データ数になるまで前記単位空間データ及び前記信号データの検査データを縮減することを特徴とする推定パターン生成方法。
13. 請求項１〜１２のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
    前記単位空間データ及び前記信号データから縮減されて前記縮減単位空間データ及び前
    記縮減信号データから除外された検査データを複数に分割して、複数の推定パターンを生成することを特徴とする推定パターン生成方法。
14. 請求項１〜１３のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
    前記統計的処理は、前記初期製品データの前記初期製品歩留りの平均値を算出することであることを特徴とするパターン生成方法。
15. 請求項１〜１４のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
    前記検査データは、検査装置から取得する工程データと、前記歩留りに影響を及ぼすデータである環境データとからなることを特徴とするパターン生成方法。
16. 請求項１〜１５のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法において、
    前記初期製品データ取得ステップにおいて、所定の前記検査データを、所定単位毎に正規化することを特徴とするパターン生成方法。
17. 請求項１６に記載の推定パターン生成方法において、
    前記所定単位は、複数のウエハからなるロットであることを特徴とするパターン生成方法。
18. 歩留り真値未知の製品の検査データを取得して、請求項１〜１７のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法によって生成された推定パターンを使用して前記製品の歩留り推定値を算出する第３推定値算出ステップを備えたことを特徴とする製造管理方法。
19. 請求項１８に記載の製造管理方法において、
    前記歩留り推定値と規定値とを比較して、前記歩留り推定値が前記規定値の範囲から外れたとき、製造工程について解析をすることを特徴とする製造管理方法。
20. 請求項１８又は１９に記載の製造管理方法において、
    前記製品の完成後に行なわれる最終検査によって前記製品の歩留り真値を求めた後に、前記製品の検査データ及び前記歩留り真値を、前記単位空間データ及び前記信号データのいずれか一方に追加する学習ステップを備えたことを特徴とする製造管理方法。
21. 請求項１８〜２０のいずれか１つに記載の製造管理方法において、
    前記製品は、半導体装置であることを特徴とする製造管理方法。
22. 請求項１〜１７のいずれか１つに記載の推定パターン生成方法によって推定パターンを生成することを特徴とする演算装置。
23. 前記製品を製造する製造工程を実行する製造装置と、前記製造装置によって製造工程が実行された後に前記製品に対して検査を行う検査装置と、前記製造装置及び前記検査装置を制御する制御装置と、請求項２２に記載の演算装置とを備え、
    前記製品に対して所定の製造工程を終了した時に、前記演算装置によって生成される前記推定パターンを使用して、前記製品の歩留り推定値を算出することを特徴とする製造管理システム。
24. 請求項２３に記載の製造管理システムにおいて、
    前記制御装置は、前記歩留り推定値と規定値とを比較して、前記歩留り推定値が前記規定値の範囲から外れたとき、前記製造工程について解析をすることを特徴とする製造管理システム。
25. 請求項２３又は２４に記載の製造管理システムにおいて、
    前記検査装置は、前記製品に対して最終検査をして歩留り真値を求めて、
    前記制御装置は、前記製品の前記検査データ及び前記歩留り真値を、前記単位空間データ及び前記信号データのいずれか一方に追加することを特徴とする製造管理システム。
26. 請求項２３〜２５のいずれか１つに記載の製造管理システムにおいて、
    前記製品は、半導体装置であることを特徴とする製造管理システム。

Images