JP2007250118A - Manufacturing method of magnetic head for performing chamfering by surface plate - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a magnetic head for controlling the dispersion of the size of a chamfered part on a medium facing surface even in an extremely small slider when performing chamfering work using a rotary type surface plate. <P>SOLUTION: One slider is fixed to the surface plate for performing polishing by being rotated such that the rotary axis of the surface plate passes through the medium facing surface of the one slider, the surface plate is rotated while applying loads to the one slider, and the chamfering work of the one slider is performed. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、回転型の定盤を用いて媒体対向面の所定箇所の面取りを行う磁気ヘッドの製造方法に関する。ここで、特に、記録媒体に接触して書き込み及び読み出しを行う接触型の薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。   The present invention relates to a method of manufacturing a magnetic head that chamfers a predetermined portion of a medium facing surface using a rotating surface plate. In particular, the present invention relates to a method of manufacturing a contact-type thin film magnetic head that performs writing and reading while contacting a recording medium.

従来の接触型の磁気ヘッドとしては、フレキシブルディスクに書き込み及び読み出しを行うメタル・イン・ギャップ(MIG)型磁気ヘッドや、磁気テープに書き込み及び読み出しを行うテープ用磁気ヘッドが、代表として挙げられる。さらに、最近では、大容量小型化を指向して、高記録密度に適したハードディスク装置用の薄膜磁気ヘッドを、可撓性媒体に接触させて書き込み及び読み出しを行う方式の開発も進められている。   Typical examples of the conventional contact type magnetic head include a metal-in-gap (MIG) type magnetic head for writing and reading on a flexible disk, and a magnetic head for tape for writing and reading on a magnetic tape. Furthermore, recently, development of a method of writing and reading by bringing a thin film magnetic head for a hard disk device suitable for high recording density into contact with a flexible medium has been promoted with the aim of downsizing a large capacity. .

このような接触型の磁気ヘッドにおいて大きな課題となるのが、動摩擦力の小さい良好な摺動特性の実現である。この際、磁気ヘッドの記録媒体との接触部の面取り加工を、如何に施すかが非常に重要なポイントとなる。特に、この面取り部の大きさが適切でないと、記録媒体との間で動摩擦力が増大し、記録媒体及び磁気ヘッドに傷を付ける等の悪影響を与えたり、記録媒体の駆動負荷が増大して省電力化を妨げたりする事態が生じ得る。   A major problem with such a contact-type magnetic head is the realization of good sliding characteristics with a small dynamic frictional force. At this time, how to chamfer the contact portion of the magnetic head with the recording medium is a very important point. In particular, if the size of the chamfered portion is not appropriate, the dynamic friction force between the recording medium and the recording medium increases, which may adversely affect the recording medium and the magnetic head, or increase the driving load of the recording medium. There may be situations where power saving is hindered.

このように非常に重要な役割を担う面取り部に関する従来技術として、例えば、特許文献1においては、スライダの媒体対向面に、傾斜の異なる複数の面取り部を設けて動摩擦力の低下を図っている。また、特許文献2においては、浮上面(ABS)の角に面取りが施されたヘッドスライダが開示されている。さらに、特許文献3においては、ダイヤモンド研磨フィルムを用いて極小の面取り加工を精度良く行う方法を開示している。   For example, in Patent Document 1, a plurality of chamfered portions having different inclinations are provided on the medium facing surface of the slider to reduce the dynamic frictional force as a conventional technique related to the chamfered portion that plays a very important role as described above. . Further, Patent Document 2 discloses a head slider having chamfered corners of an air bearing surface (ABS). Further, Patent Document 3 discloses a method of performing extremely small chamfering with high accuracy using a diamond polishing film.

ここで、特に、特許文献1においては、回転可能な定盤を用いて、固定したスライダを、荷重を印加しながら砥粒部に押さえ付けて面取りを行う工程を開示している。この面取り加工方法は、従来の、スライダを研磨テープに斜めに押し当てて研磨する方法や、スライダを回転する砥石に押しつけて研磨する方法に比べて、より適切に、かつ効率良く面取り加工を行うことを可能にする。   Here, in particular, Patent Document 1 discloses a step of chamfering by pressing a fixed slider against an abrasive grain portion while applying a load using a rotatable surface plate. This chamfering method performs chamfering more appropriately and efficiently than the conventional method of polishing by pressing the slider diagonally against the polishing tape and the method of pressing the slider against the rotating grindstone. Make it possible.

特開平8−171711号公報JP-A-8-171711 特開2000−306226号公報JP 2000-306226 A 特開平5−234048公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-234048

しかしながら、回転型の定盤を用いて面取り加工を行った場合、媒体対向面における接触面の面取り部の大きさが、接触面の面積によって大きくばらつき、そのばらつきが十分に制御できないという問題が発生していた。   However, when chamfering is performed using a rotating surface plate, the size of the chamfered portion of the contact surface on the medium facing surface varies greatly depending on the area of the contact surface, and there is a problem that the variation cannot be controlled sufficiently. Was.

媒体対向面のある接触面の面積が、他の接触面と比較して小さい場合、この接触面に印加される荷重圧力は、他の部分よりも大きくなる。その結果、この接触面の面取り部の大きさがより大きくなってしまう傾向にある。ここで、面取り部の大きさは、上述したように摺動特性に大きな影響を与えるので、適切な範囲内に設定されなければならない。しかしながら、接触面の面積によって面取り部の大きさがばらついてしまうと、このような設定が困難となり、動摩擦力が増大する等の摺動特性の悪化が生じてしまう可能性がある。   When the area of the contact surface with the medium facing surface is smaller than that of the other contact surface, the load pressure applied to the contact surface is larger than that of the other portions. As a result, the size of the chamfered portion of the contact surface tends to become larger. Here, since the size of the chamfered portion has a great influence on the sliding characteristics as described above, it must be set within an appropriate range. However, if the size of the chamfer varies depending on the area of the contact surface, such setting becomes difficult and there is a possibility that the sliding characteristics such as an increase in dynamic friction force may be deteriorated.

さらに、最近のさらなる高記録密度化に対応するために、スライダのサイズもますます小型化しているが、1mmのオーダ、又はそれ以下の面積の媒体対向面を有する、非常に小さいスライダにおける面取り加工においては、面取り部の大きさのばらつきが非常に大きくなる傾向が強かった。 Furthermore, in order to cope with the recent higher recording density, the size of the slider is further reduced, but the chamfering in a very small slider having a medium facing surface with an area of the order of 1 mm 2 or less. In the processing, the variation in the size of the chamfered portion tends to be very large.

従って、本発明の目的は、回転型の定盤を用いて面取り加工を行う場合に、非常に小さいスライダにおいても、媒体対向面における面取り部の大きさのばらつきを制御することができる磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a magnetic head that can control the variation in the size of the chamfered portion on the medium facing surface even with a very small slider when chamfering is performed using a rotary surface plate. It is to provide a manufacturing method.

本発明について説明する前に、明細書において用いられる用語の定義を行う。スライダ基板の素子形成面に形成された各構成要素の積層構造において、基準となる層よりも基板側にある構成要素を、基準となる層の「下」又は「下方」にあるとし、基準となる層よりも積層する方向側にある構成要素を、基準となる層の「上」又は「上方」にあるとする。例えば、「被覆層上に設けられたクロージャ部」とは、クロージャ部が、被覆層よりも積層する方向側にあることを意味する。   Before describing the present invention, terms used in the specification will be defined. In the laminated structure of each component formed on the element formation surface of the slider substrate, the component on the substrate side with respect to the reference layer is assumed to be “below” or “below” the reference layer, and the reference It is assumed that the component on the side in the stacking direction from the layer to be is “above” or “above” the reference layer. For example, the “closure part provided on the coating layer” means that the closure part is on the side of the stacking direction with respect to the coating layer.

本発明によれば、回転して研磨を行う定盤に、1つのスライダを、この定盤の回転軸がこの1つのスライダの媒体対向面を貫くように固定し、この1つのスライダに荷重を印加しながら定盤を回転させて、この1つのスライダの面取り加工を行う磁気ヘッドの製造方法が提供される。   According to the present invention, one slider is fixed to a surface plate that rotates and polishes so that the rotation axis of the surface plate penetrates the medium facing surface of the one slider, and a load is applied to the one slider. A method of manufacturing a magnetic head for chamfering the one slider by rotating the surface plate while applying is provided.

面取り加工を行うべきスライダを1つずつ、上述したように回転軸に合わせて定盤に固定し、面取り加工を行うことによって、非常に小さいスライダにおいても、面取り部の大きさのばらつきが制御可能となる。   By fixing each slider to be chamfered to the surface plate according to the rotation axis as described above, and chamfering, the size variation of the chamfered part can be controlled even with a very small slider. It becomes.

ここで、回転軸が、媒体対向面の中心から所定の向きに所定の距離だけずれた位置を貫くように、1つのスライダを固定することが好ましい。この際、この所定の向き及び所定の距離は、面取り部の大きさを減少させたい箇所が回転軸により近い位置となるように設定されることが好ましい。   Here, it is preferable that one slider is fixed so that the rotation axis passes through a position shifted by a predetermined distance in a predetermined direction from the center of the medium facing surface. At this time, it is preferable that the predetermined direction and the predetermined distance are set so that a portion where the size of the chamfered portion is to be reduced is closer to the rotation axis.

1つのスライダを、このような所定の向き及び所定の距離の下で定盤に固定した場合、回転軸により近い面取り部の大きさが相対的に減少し、面取り部の大きさのばらつきが制御可能となる。すなわち、所定の向き及び所定の距離を適切に選択することによって、媒体対向面における面取り部の大きさのばらつきを所望の値又は範囲内に制御することができる。これにより、動摩擦力の小さい良好な摺動特性を有する磁気ヘッドを製造することが可能となる。   When one slider is fixed to the surface plate under such a predetermined direction and a predetermined distance, the size of the chamfered portion closer to the rotation axis is relatively reduced, and the variation in the size of the chamfered portion is controlled. It becomes possible. That is, by appropriately selecting the predetermined direction and the predetermined distance, the variation in the size of the chamfered portion on the medium facing surface can be controlled within a desired value or range. This makes it possible to manufacture a magnetic head having good sliding characteristics with a small dynamic friction force.

また、定盤の固定治具に取り付けられた第1の緩衝材上に、1つのスライダを固定することも好ましい。さらに、定盤の固定治具に取り付けられた第1の緩衝材上に、静電気放電対策用のフィルムを固定し、このフィルム上に、1つのスライダを固定することも好ましい。この際、第1の緩衝材が、粘着性を有するラバーであることも好ましい。   It is also preferable to fix one slider on the first cushioning material attached to the fixing jig of the surface plate. Furthermore, it is also preferable to fix a film for preventing electrostatic discharge on a first buffer material attached to a fixing jig of a surface plate, and fix one slider on this film. At this time, it is also preferable that the first buffer material is an adhesive rubber.

さらに、定盤の荷重治具に取り付けられた第2の緩衝材上に固定された砥粒部を、1つのスライダの媒体対向面に押し当てて荷重を印加することも好ましい。この際、第2の緩衝材が、粘着性を有するラバーであることも好ましい。   Furthermore, it is also preferable to apply a load by pressing the abrasive grain portion fixed on the second cushioning material attached to the load jig of the surface plate against the medium facing surface of one slider. At this time, it is also preferable that the second buffer material is an adhesive rubber.

本発明の磁気ヘッドの製造方法によれば、回転型の定盤を用いて面取り加工を行う場合に、非常に小さいスライダにおいても、媒体対向面における面取り部の大きさのばらつきを制御することができる。これにより、動摩擦力の小さい良好な摺動特性を有する磁気ヘッドを製造することが可能となる。   According to the magnetic head manufacturing method of the present invention, when chamfering is performed using a rotary surface plate, the variation in the size of the chamfered portion on the medium facing surface can be controlled even with a very small slider. it can. This makes it possible to manufacture a magnetic head having good sliding characteristics with a small dynamic friction force.

以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。   EMBODIMENT OF THE INVENTION Below, the form for implementing this invention is demonstrated in detail, referring an accompanying drawing. In the drawings, the same elements are denoted by the same reference numerals. In addition, the dimensional ratios in the components in the drawings and between the components are arbitrary for easy viewing of the drawings.

図1は、本発明による磁気ヘッドの製造方法の一実施形態として、パッドを備えた接触型の薄膜磁気ヘッドの製造方法を概略的に示すフローチャートである。   FIG. 1 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing a contact-type thin film magnetic head having a pad as an embodiment of a method of manufacturing a magnetic head according to the present invention.

図1によれば、最初に、アルティック(Al−TiC)等からなるスライダ用のウエハ基板の素子形成面に、データを読み出すためのMR効果素子が形成され(ステップS1)、次いで、バッキングコイル部が形成される(ステップS2)。ここで、バッキングコイル部は、垂直磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの構成要素であり、長手磁気記録用の薄膜磁気ヘッドの製造の場合、省略される。その後、データを書き込むための電磁コイル素子が形成され(ステップS3)、さらに、被覆層及び信号端子電極が形成される(ステップS4)。以上により、MR効果素子及び電磁コイル素子を備えた磁気ヘッド素子を、ウエハ基板上に形成するためのウエハ薄膜工程が終了する。 According to FIG. 1, first, an MR effect element for reading data is formed on the element formation surface of a wafer substrate for a slider made of Altic (Al 2 O 3 —TiC) or the like (step S1), and then A backing coil portion is formed (step S2). Here, the backing coil portion is a constituent element of a thin film magnetic head for perpendicular magnetic recording, and is omitted in the case of manufacturing a thin film magnetic head for longitudinal magnetic recording. Thereafter, an electromagnetic coil element for writing data is formed (step S3), and a coating layer and a signal terminal electrode are further formed (step S4). Thus, the wafer thin film process for forming the magnetic head element including the MR effect element and the electromagnetic coil element on the wafer substrate is completed.

このウエハ薄膜工程が完了したウエハ基板である薄膜磁気ヘッドウエハの素子形成面上には、多数の磁気ヘッド素子パターンが、マトリクス状に並んで形成されている。磁気ヘッド素子パターンは、以後に説明する機械加工工程を経て形成される個々のスライダにおいて、主に磁気ヘッド素子及び信号端子電極となる部分である。   A number of magnetic head element patterns are formed in a matrix on the element forming surface of a thin film magnetic head wafer, which is a wafer substrate on which the wafer thin film process has been completed. The magnetic head element pattern is a portion mainly serving as a magnetic head element and a signal terminal electrode in each slider formed through a machining process described later.

次いで、この薄膜磁気ヘッドウエハから、記録媒体との耐接触性に優れたクロージャ部を形成する一環としてのクロージャ付ブロックの形成を行う(ステップ5)。このステップについては、後に図2を用いて詳しく説明する。なお、クロージャ部を備えていない他の接触型の薄膜磁気ヘッドの製造方法においては、このクロージャ付ブロックの形成工程(ステップ5)は省略される。   Next, a block with a closure is formed from this thin film magnetic head wafer as a part of forming a closure portion excellent in contact resistance with a recording medium (step 5). This step will be described later in detail with reference to FIG. In the manufacturing method of another contact-type thin film magnetic head not provided with a closure portion, the block forming step (step 5) is omitted.

次いで、形成されたクロージャ付ブロック又は薄膜磁気ヘッドウエハを、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、複数の磁気ヘッド素子パターンが列状に並ぶ加工バーを切り出す(ステップS6)。次いで、この加工バーを、樹脂等を用いて研磨用治具に接着し、この加工バーの媒体対向面側となる端面に、MRハイト加工としての研磨を施す(ステップ7)。このMRハイト加工は、磁気ヘッド素子がヘッド端面に露出して、MR効果素子のMR積層体が所定のMRハイトになるまで行われる。その後、研磨されたヘッド端面に、例えば、ダイヤモンドライクカーボン(DLC)等からなる保護膜を形成し(ステップ8)、次いで、保護膜成膜後の加工バーを、樹脂等を用いてパッド形成用治具に接着し、フォトリソグラフィ法及びイオンビームエッチング法等を用いて、媒体対向面に素子接触パッド及び接触パッドを形成する加工を行う(ステップ9)。なお、媒体対向面にレールを備えた磁気ヘッドにおいては、この工程においてレールが形成される。さらに、パッドもレールも備えていないヘッドにおいては、この工程は省略される。その後、この加工バーを、樹脂等を用いて切断用治具に接着し、溝入れ処理を行った後、切断処理を行い、加工バーを個々のスライダに分離する(ステップ10)。次いで、分離されたスライダを1つずつ、回転して研磨を行う回転型の定盤に固定して、媒体対向面に形成された素子接触パッド及び接触パッドの面取り加工を行う(ステップ11)。なお、媒体対向面にレールを備えた磁気ヘッドにおいては、この工程においてレールの面取り加工が行われる。さらに、パッドもレールも備えていないヘッドにおいては、この工程において、媒体対向面の端辺の面取り加工が行われる。以上により、スライダを形成する機械加工工程が終了して、薄膜磁気ヘッド(スライダ)の製造工程が完了する。   Next, the formed block with closure or thin film magnetic head wafer is cut by adhering to a cutting / separating jig using a resin or the like, thereby cutting out a processing bar in which a plurality of magnetic head element patterns are arranged in a line (step S6). ). Next, the processing bar is bonded to a polishing jig using a resin or the like, and polishing as MR height processing is performed on the end surface on the medium facing surface side of the processing bar (step 7). This MR height processing is performed until the magnetic head element is exposed at the end face of the head and the MR multilayer of the MR effect element reaches a predetermined MR height. Thereafter, a protective film made of, for example, diamond-like carbon (DLC) or the like is formed on the polished end face of the head (step 8), and then the processing bar after the protective film is formed is used for pad formation using a resin or the like. Bonding to a jig and performing a process of forming an element contact pad and a contact pad on the medium facing surface by using a photolithography method, an ion beam etching method, or the like (step 9). In a magnetic head having a rail on the medium facing surface, the rail is formed in this step. Further, this process is omitted in a head having neither a pad nor a rail. Thereafter, this processing bar is bonded to a cutting jig using a resin or the like, and after grooving processing, cutting processing is performed to separate the processing bars into individual sliders (step 10). Next, the separated sliders are fixed one by one on a rotating surface plate that rotates and polishes, and element contact pads formed on the medium facing surface and contact pad chamfering are performed (step 11). In a magnetic head having a rail on the medium facing surface, the rail is chamfered in this step. Further, in a head having neither a pad nor a rail, chamfering of the edge of the medium facing surface is performed in this step. Thus, the machining process for forming the slider is completed, and the manufacturing process of the thin film magnetic head (slider) is completed.

図2は、図1の機械加工工程のうち面取り加工直前までの工程を概略的に示す斜視図である。   FIG. 2 is a perspective view schematically showing a process until just before chamfering in the machining process of FIG.

図2(A)によれば、薄膜磁気ヘッドウエハ20を、樹脂等を用いて切断分離用治具に接着して切断し、複数の磁気ヘッド素子が複数の列をなして並んだブロック21を分離する。次いで、図2(B)に示すように、このブロック21の素子が形成された面に、アルティック等からなるクロージャ部材22を接合する。クロージャ部材22は、横長の凸部が複数列並んで構成された接合面を有しており、ブロック21の素子が形成された面のうち端子電極及びその周辺を除く領域であって磁気ヘッド素子直上を含む領域に接合される。その後、図2(C)に示すように、ブロック21とクロージャ部材22との接合体を、樹脂等を用いて研磨用治具に接着し、クロージャ部材22側から研磨することによって、クロージャ付ブロック23を形成する。   According to FIG. 2A, the thin film magnetic head wafer 20 is cut by adhering to a cutting and separating jig using a resin or the like, and a block 21 in which a plurality of magnetic head elements are arranged in a plurality of rows is formed. To separate. Next, as shown in FIG. 2B, a closure member 22 made of Altic or the like is joined to the surface of the block 21 where the elements are formed. The closure member 22 has a joint surface in which a plurality of horizontally long convex portions are arranged side by side, and is a region excluding the terminal electrode and its periphery on the surface on which the elements of the block 21 are formed. It is joined to the region including just above. Thereafter, as shown in FIG. 2 (C), the joined body of the block 21 and the closure member 22 is bonded to a polishing jig using a resin or the like and polished from the closure member 22 side, whereby a block with a closure is provided. 23 is formed.

次いで、図2(D)に示すように、クロージャ付ブロック23を切断して加工バー24を分離する。その後、所望のMRハイトを得るべく研磨することによってMRハイト加工を行う。さらに、イオンミリング法又は反応性イオンエッチング法を用いて、イオン26等により、所定の素子接触パッド及び接触パッドを形成して、媒体対向面25を完成させる。ここで、形成されるこれらのパッドの深さ(媒体対向面に垂直な方向の長さ)は、約2〜約15μmである。その後、図2(E)に示すように、加工バー24を、素子接触パッド28及び接触パッド29を備えた個々のスライダ27に切断分離する。   Next, as shown in FIG. 2D, the block with closure 23 is cut to separate the processing bar 24. Thereafter, the MR height processing is performed by polishing to obtain a desired MR height. Further, by using an ion milling method or a reactive ion etching method, predetermined element contact pads and contact pads are formed by ions 26 or the like, and the medium facing surface 25 is completed. Here, the depth of these pads formed (the length in the direction perpendicular to the medium facing surface) is about 2 to about 15 μm. Thereafter, as shown in FIG. 2E, the processing bar 24 is cut and separated into individual sliders 27 each having an element contact pad 28 and a contact pad 29.

図3(A)は、図1の機械加工工程における面取り加工工程を説明するための概略図である。また、図3(B)は、従来における面取り加工工程を説明するための概略図である。   FIG. 3A is a schematic diagram for explaining a chamfering process in the machining process of FIG. FIG. 3B is a schematic diagram for explaining a conventional chamfering process.

図3(A)によれば、回転型の定盤10における固定治具101には、第1の緩衝材としての、例えばニトリルゴムからなる粘着ラバー11が取り付けられており、さらに、この粘着ラバー11上に、静電気放電(ESD)対策用のフィルム12がラバーの粘着力によって固定されている。ここで、定盤10は、一般的な研磨用ラップ盤を用いてもよい。また、粘着ラバー11においてもESD対策用のラバーであることが好ましい。このESD対策用フィルム12上に、図2(E)に示した分離された1つのスライダ27が、ESD対策用フィルム12の粘着力によって固定される。このように、スライダの固定方法としてフィルム等の粘着力を用いることによって、非常に小さいスライダ、例えば、1mm×1.235mm×0.3mm厚程度のものであっても確実に固定される。なお、スライダの他の固定方法として、真空吸着を用いてもよいが、非常に小さいスライダの場合、十分な力で固定することが困難となる場合もあり得る。また、接着剤を用いて固定してもよいが、この場合は、後の十分な洗浄工程を必要とし、また作業性に問題が生じ得る。また、固定治具101、及び後述する荷重治具102の大きさは任意であるが、例えば、直径が約10〜約30mmである。   According to FIG. 3 (A), an adhesive rubber 11 made of, for example, nitrile rubber as a first buffer material is attached to the fixing jig 101 in the rotary surface plate 10, and this adhesive rubber is further provided. On 11, an electrostatic discharge (ESD) countermeasure film 12 is fixed by rubber adhesive force. Here, the surface plate 10 may use a general polishing lapping machine. Also, the adhesive rubber 11 is preferably a rubber for ESD countermeasures. On the ESD countermeasure film 12, one separated slider 27 shown in FIG. 2E is fixed by the adhesive force of the ESD countermeasure film 12. As described above, by using an adhesive force of a film or the like as a method for fixing the slider, even a very small slider, for example, about 1 mm × 1.235 mm × 0.3 mm thick is fixed securely. As another fixing method of the slider, vacuum suction may be used. However, in the case of a very small slider, it may be difficult to fix with a sufficient force. Moreover, although it may fix using an adhesive agent, a sufficient washing | cleaning process later is required in this case, and a problem may arise in workability | operativity. Moreover, although the magnitude | size of the fixing jig | tool 101 and the load jig | tool 102 mentioned later is arbitrary, For example, a diameter is about 10 to about 30 mm.

ここで、スライダ27の固定位置として、定盤10の回転軸103が、スライダ27の媒体対向面270を垂直に貫くように固定する。さらに、この回転軸103が貫く位置は、媒体対向面270の中心27aから、所定の向きOOFFに所定の距離DOFFだけずれた(オフセットした)位置とする。この際、このずれた位置の中心27aからの向きOOFF及び距離DOFFは、面取り部の大きさを減少させたい接触部が、回転軸103により近い位置となるように設定される。 Here, as the fixing position of the slider 27, the rotating shaft 103 of the surface plate 10 is fixed so as to penetrate the medium facing surface 270 of the slider 27 vertically. Furthermore, the position of the rotary shaft 103 penetrates from the center 27a of the bearing surface 270, offset by a predetermined distance D OFF in a predetermined direction O OFF (offset) is located. At this time, the direction O OFF and the distance D OFF from the center 27 a of the shifted position are set so that the contact portion where the size of the chamfered portion is to be reduced is closer to the rotating shaft 103.

この回転軸103の位置の設定について、例えば、媒体対向面270に、接触パッド29と、接触パッド29よりも接触面の面積が小さい素子接触パッド28とが設けられている場合を用いて説明する。   The setting of the position of the rotation shaft 103 will be described using, for example, a case where the contact pad 29 and the element contact pad 28 having a smaller contact surface area than the contact pad 29 are provided on the medium facing surface 270. .

最初に、このような素子接触パッド28及び接触パッド29に対して、例えば、図3(B)に示した従来例のように、中心軸の位置を考慮せずに、回転型の定盤を用いて面取り加工を行う場合を説明する。この場合、回転型の定盤90には緩衝材91及び研磨シート92が取り付けられており、プレート93に複数のスライダ94が固定されていて、定盤90及びプレート93を共に回転させながら、荷重を印加して面取り加工を行う。このような従来例においては、一般に、素子接触パッド28に印加される荷重圧力は、その接触面の面積が小さい分だけ他の部分よりも大きくなる。その結果、素子接触パッド28の面取り部の大きさがより大きくなってしまう傾向にある。このようにパッドの面積によって面取り部の大きさがばらついてしまうと、動摩擦力が増大する等、摺動特性が悪化する可能性がある。   First, with respect to such an element contact pad 28 and contact pad 29, for example, as in the conventional example shown in FIG. A case where chamfering is performed using the above will be described. In this case, a cushioning material 91 and a polishing sheet 92 are attached to the rotary surface plate 90, and a plurality of sliders 94 are fixed to the plate 93. While rotating the surface plate 90 and the plate 93 together, a load is applied. Is applied to perform chamfering. In such a conventional example, generally, the load pressure applied to the element contact pad 28 is larger than the other portions by the smaller area of the contact surface. As a result, the size of the chamfered portion of the element contact pad 28 tends to be larger. Thus, if the size of the chamfered portion varies depending on the area of the pad, the sliding characteristics may deteriorate, for example, the dynamic frictional force increases.

これに対して、方向OOFFを、媒体対向面270の中心27aから素子接触パッド28側に向かう向きとし、距離DOFFを、面取り部の大きさのばらつきを適切な範囲内に収めるために必要である、実験から求めた範囲内の値に設定する。これにより、素子接触パッド28が回転軸103により近くなり、接触パッド27が回転軸103からより離れた位置となる。本願発明者等は、1つのスライダを回転型の定盤に固定した場合、このような設定によって、回転軸103により近い素子接触パッド28の面取り部の大きさが相対的に減少し、面取り部の大きさのばらつきが制御可能となることを見出した。すなわち、このように方向OOFF及び距離DOFFを設定することによって、媒体対向面における面取り部の大きさのばらつきを所望の値又は範囲内に制御することができる。これにより、動摩擦力の小さい良好な摺動特性を有する磁気ヘッドを製造することが可能となる。 On the other hand, the direction O OFF is the direction from the center 27a of the medium facing surface 270 toward the element contact pad 28, and the distance D OFF is necessary to keep the variation in the size of the chamfered portion within an appropriate range. Is set to a value within the range obtained from the experiment. Thereby, the element contact pad 28 is closer to the rotation shaft 103, and the contact pad 27 is further away from the rotation shaft 103. In the case where one slider is fixed to a rotary surface plate, the inventors of the present application reduce the size of the chamfered portion of the element contact pad 28 closer to the rotating shaft 103 by such setting, and the chamfered portion It has been found that the variation in the size of can be controlled. That is, by setting the direction O OFF and the distance D OFF in this way, the variation in the size of the chamfered portion on the medium facing surface can be controlled within a desired value or range. This makes it possible to manufacture a magnetic head having good sliding characteristics with a small dynamic friction force.

さらに、図3(A)によれば、定盤10の荷重治具102には、第2の緩衝材としての、例えばニトリルゴムからなる粘着ラバー13が取り付けられており、さらに、この粘着ラバー13に、砥粒部としての研磨フィルム14が粘着ラバー13の粘着力によって固定されている。ここで、研磨フィルム14には、厚さが約4〜約12μmのベースフィルム上に、粒径が約0.1〜約1.0μmの砥粒が塗布されているものを使用する。また、粘着ラバー13及び研磨フィルム14においてもESD対策用のものであることが好ましい。   Further, according to FIG. 3A, an adhesive rubber 13 made of, for example, nitrile rubber as a second buffer material is attached to the load jig 102 of the surface plate 10. Further, a polishing film 14 as an abrasive part is fixed by the adhesive force of the adhesive rubber 13. Here, as the polishing film 14, a base film having a thickness of about 4 to about 12 μm coated with abrasive grains having a particle size of about 0.1 to about 1.0 μm is used. Further, the adhesive rubber 13 and the polishing film 14 are also preferably for ESD countermeasures.

この固定された研磨フィルム14を、固定されたスライダ27の媒体対向面270に押し当てて、荷重Wを印加しながら、定盤10を回転させて、スライダ27の素子接触パッド28及び接触パッド29の面取りを行う。ここで、荷重Wは、約20〜約80gであり、定盤10の回転においては、回転数が約5〜約30rpmであって、回転時間(面取り加工時間)が約20〜約180秒である。この際、15秒毎又は適度な時間毎に回転方向を逆にしてより良好な仕上がりを図ることも好ましい。   The fixed polishing film 14 is pressed against the medium facing surface 270 of the fixed slider 27 and the surface plate 10 is rotated while applying the load W, so that the element contact pad 28 and the contact pad 29 of the slider 27 are rotated. Chamfering. Here, the load W is about 20 to about 80 g, and the rotation of the surface plate 10 is about 5 to about 30 rpm, and the rotation time (chamfering time) is about 20 to about 180 seconds. is there. At this time, it is also preferable to reverse the rotation direction every 15 seconds or every appropriate time to achieve a better finish.

以上の面取り加工工程を経て、大きさのばらつきが十分に小さい範囲内に制御された面取り部を有する素子接触パッド及び接触パッドを備えた薄膜磁気ヘッドが得られる。なお、媒体対向面にレールを備えた磁気ヘッドにおいては、大きさのばらつきが十分に小さい範囲内に制御された面取り部を有するレールが得られる。さらに、パッドもレールも備えていないヘッドにおいては、大きさのばらつきが制御された面取り部を端辺に有する媒体対向面が得られる。   Through the chamfering process described above, an element contact pad having a chamfered portion controlled within a sufficiently small size variation and a thin film magnetic head including the contact pad can be obtained. Note that in a magnetic head having a rail on the medium facing surface, a rail having a chamfered portion that is controlled within a sufficiently small range in size can be obtained. Further, in a head having neither a pad nor a rail, a medium facing surface having a chamfered portion whose size variation is controlled at the end side can be obtained.

また、以上に述べた本発明による製造方法は、特に、1mmのオーダ、又はそれ以下の面積の媒体対向面を有する、非常に小さいスライダにおける面取り加工においても、大きさのばらつきが制御された面取り部を実現する。これに対して、上述したような従来方法においては、このような非常に小さいスライダの面取り加工を行った場合、面取り部の大きさのばらつきが、制御困難となって、一般に非常に大きくなる。 Further, in the manufacturing method according to the present invention described above, the variation in size is controlled even in the chamfering process in a very small slider having a medium facing surface with an area of 1 mm 2 or less. A chamfer is realized. On the other hand, in the conventional method as described above, when such chamfering of a very small slider is performed, the variation in the size of the chamfered portion becomes difficult to control and generally becomes very large.

図4は、本発明の製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドの一形態を概略的に示す斜視図である。   FIG. 4 is a perspective view schematically showing one embodiment of a thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method of the present invention.

図4によれば、本発明の製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッド30は、パッド形成面310及びこれに垂直な素子形成面311を有するスライダ基板31と、素子形成面311に形成された磁気ヘッド素子32と、この磁気ヘッド素子32を覆うように素子形成面311上に形成された被覆層330と、この被覆層330上に設けられており被覆層の上面331の一部を残して被覆層330に接着されたクロージャ部34と、薄膜磁気ヘッド30の媒体対向面300に形成されており、磁気ヘッド素子の一端320がその接触面360に達している素子接触パッド36と、スライダ基板31のパッド形成面310に形成された接触パッド37と、被覆層33の上面331であってクロージャ部34と接合されておらず露出している部分に形成された磁気ヘッド素子32用の4つの信号端子電極35とを備えている。   According to FIG. 4, the thin film magnetic head 30 manufactured by the manufacturing method of the present invention includes a slider substrate 31 having a pad forming surface 310 and an element forming surface 311 perpendicular to the pad forming surface 310, and a magnetic formed on the element forming surface 311. The head element 32, a covering layer 330 formed on the element forming surface 311 so as to cover the magnetic head element 32, and a covering layer 330 provided on the covering layer 330, leaving a part of the upper surface 331 of the covering layer. A closure 34 bonded to the layer 330; an element contact pad 36 formed on the medium facing surface 300 of the thin film magnetic head 30; and one end 320 of the magnetic head element reaching the contact surface 360; and the slider substrate 31. The contact pad 37 formed on the pad forming surface 310 and the upper surface 331 of the covering layer 33 and not exposed to the closure portion 34 and exposed. And a four signal electrodes 35 for the magnetic head element 32 formed.

素子接触パッド36は、矩形状の接触面360を有しており、媒体形成面300における線対称軸38上に形成されている。ここで、素子接触パッド36は、後に説明する図8に示すように、線対称軸38から離れた位置に設けられていてもよい。また、円状又は楕円状の接触面360を有していてもよい。接触面360は、スライダ基板31のパッド形成面310の一部と、被覆層33の端面330の一部と、クロージャ部34の端面340の一部とからなる。磁気ヘッド素子32の一端320は、このうち被覆層33の端面330の一部に達している。また、接触パッド37の接触面の形状も本形態において矩形状となっているが、円状又は楕円状であってもかまわない。   The element contact pad 36 has a rectangular contact surface 360, and is formed on the line symmetry axis 38 in the medium forming surface 300. Here, the element contact pad 36 may be provided at a position away from the line symmetry axis 38 as shown in FIG. Moreover, you may have the contact surface 360 of circular shape or ellipse shape. The contact surface 360 includes a part of the pad forming surface 310 of the slider substrate 31, a part of the end surface 330 of the covering layer 33, and a part of the end surface 340 of the closure portion 34. One end 320 of the magnetic head element 32 reaches a part of the end surface 330 of the coating layer 33 among them. Further, the shape of the contact surface of the contact pad 37 is also rectangular in this embodiment, but it may be circular or elliptical.

このように、素子接触パッド36及び接触パッド37を設けることによって、書き込み又は読み出し動作時に、薄膜磁気ヘッド30の記録媒体との総接触面積が極力抑えられて、ヘッドの経時的信頼性が確保される。   Thus, by providing the element contact pad 36 and the contact pad 37, the total contact area of the thin film magnetic head 30 with the recording medium is suppressed as much as possible during the write or read operation, and the temporal reliability of the head is ensured. The

ここで、素子接触パッド36及び接触パッド37の接触面の外周部には、面取り部3600及び3700が、それぞれ設けられている。この面取り部3600及び3700は、上述したように、ヘッドの摺動特性を向上させるために非常に重要となる。この面取り部3600及び3700の大きさについては、後に図5(B)を用いて説明する。   Here, chamfered portions 3600 and 3700 are provided on the outer peripheral portions of the contact surfaces of the element contact pad 36 and the contact pad 37, respectively. As described above, the chamfered portions 3600 and 3700 are very important for improving the sliding characteristics of the head. The sizes of the chamfered portions 3600 and 3700 will be described later with reference to FIG.

4つの信号端子電極35は、被覆層33の上面331であってクロージャ部34と接合されておらず露出している部分に形成されている。一般に薄膜磁気ヘッドの製造工程においては、被覆層上にさらにクロージャ部を設ける場合、磁気ヘッド素子用の信号端子電極を引き出す面が確保し難い。しかしながら、このような被覆層33の上面部分を信号端子電極の設置場所とすることによって、大きな工程上の負担無く信頼性の高い信号端子電極が形成可能となる。   The four signal terminal electrodes 35 are formed on the upper surface 331 of the covering layer 33 and are exposed without being joined to the closure portion 34. In general, in the manufacturing process of a thin film magnetic head, when a closure portion is further provided on the coating layer, it is difficult to secure a surface from which a signal terminal electrode for the magnetic head element is drawn. However, by using the upper surface portion of the covering layer 33 as the installation location of the signal terminal electrode, it is possible to form a highly reliable signal terminal electrode without a large process burden.

図5(A)は、図4に示した磁気ヘッド素子32の要部の構成を示す、図4のA−A線断面図である。なお、図5において、磁気ヘッド素子32及び信号端子電極35が同一の断面に現れているが、図による説明の便宜のためであり、例えば、信号端子電極35がこの断面に現れない位置に設けられていてもよい。   FIG. 5A is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4 showing the configuration of the main part of the magnetic head element 32 shown in FIG. In FIG. 5, the magnetic head element 32 and the signal terminal electrode 35 appear in the same cross section. However, for convenience of explanation by the drawing, for example, the signal terminal electrode 35 is provided at a position where it does not appear in this cross section. It may be done.

図5(A)によれば、磁気ヘッド素子32は、読み出し用のMR効果素子321と、書き込み用の電磁コイル素子322とを含む。ここで、4つの信号端子電極35(同図には1つのみ現れている)は、2つずつそれぞれMR効果素子321及び電磁コイル素子322に接続されている。   According to FIG. 5A, the magnetic head element 32 includes a read MR effect element 321 and a write electromagnetic coil element 322. Here, the four signal terminal electrodes 35 (only one appears in the figure) are connected to the MR effect element 321 and the electromagnetic coil element 322 two by two, respectively.

MR効果素子321及び電磁コイル素子322においては、素子の一端が素子接触パッド36の接触面360に達している。書き込み又は読み出し動作時には、薄膜磁気ヘッド30が、回転する記録媒体この接触面360において接触する。この状態で、MR効果素子321が信号磁界を感受して読み出しが行われ、電磁コイル素子322が信号磁界を印加して書き込みが行われる。   In the MR effect element 321 and the electromagnetic coil element 322, one end of the element reaches the contact surface 360 of the element contact pad 36. During the write or read operation, the thin film magnetic head 30 contacts the rotating recording medium at the contact surface 360. In this state, the MR effect element 321 senses the signal magnetic field and performs reading, and the electromagnetic coil element 322 applies the signal magnetic field and performs writing.

MR効果素子321は、MR積層体321bと、この積層体を挟む位置に配置されている下部シールド層321a及び上部シールド層321cとを含む。この上下部シールド層321c及び321aは、MR積層体321bが雑音となる外部磁界を受けることを防止する。下部シールド層321aは、例えばフレームめっき法等によって形成され、例えばNiFe、CoFeNi、CoFe、FeN若しくはFeZrN等、又はこれらの材料の多層膜からなり、厚さ0.5〜3μm程度である。上部シールド層321cは、同じくフレームめっき法等によって形成され、例えばNiFe、CoFeNi、CoFe、FeN若しくはFeZrN等、又はこれらの材料の多層膜からなり、厚さ0.5〜3μm程度である。   The MR effect element 321 includes an MR multilayer 321b, and a lower shield layer 321a and an upper shield layer 321c disposed at positions sandwiching the multilayer. The upper and lower shield layers 321c and 321a prevent the MR multilayer 321b from receiving an external magnetic field that causes noise. The lower shield layer 321a is formed by frame plating, for example, and is made of, for example, NiFe, CoFeNi, CoFe, FeN, FeZrN, or a multilayer film of these materials, and has a thickness of about 0.5 to 3 μm. The upper shield layer 321c is similarly formed by frame plating or the like, and is made of, for example, NiFe, CoFeNi, CoFe, FeN, or FeZrN, or a multilayer film of these materials, and has a thickness of about 0.5 to 3 μm.

MR積層体321bは、トンネル磁気抵抗(TMR)効果を利用した感磁部であるTMR積層体であることが好ましい。トンネル電流の増減による抵抗変化率の温度係数は、一般に負であってその絶対値も他のMR効果に比べて1桁以上小さい。従って、TMR積層体を用いれば、ヘッドと記録媒体との間の摩擦熱による異常信号(サーマルアスペリティ)が発生しにくい。ただし、サーマルアスペリティが許容範囲であれば当然に、MR積層体321bが、面内通電型(CIP(Current In Plain))巨大磁気抵抗(GMR(Giant Magneto Resistive))積層体、又は垂直通電型(CPP(Current Perpendicular to Plain))GMR積層体であってもよい。いずれであっても、非常に高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。   The MR multilayer 321b is preferably a TMR multilayer that is a magnetically sensitive portion utilizing the tunnel magnetoresistance (TMR) effect. The temperature coefficient of the resistance change rate due to increase / decrease of the tunnel current is generally negative, and the absolute value thereof is smaller by one digit or more than other MR effects. Therefore, when the TMR laminate is used, an abnormal signal (thermal asperity) due to frictional heat between the head and the recording medium is hardly generated. However, if the thermal asperity is within an allowable range, the MR multilayer 321b is naturally an in-plane energization type (CIP (Current In Plain)) giant magnetoresistive (GMR (Giant Magneto Resistive)) laminate, or a vertical energization type ( It may be a CPP (Current Perpendicular to Plain) GMR laminate. In any case, the signal magnetic field from the magnetic disk is sensed with very high sensitivity.

電磁コイル素子322は、例えばフレームめっき法等によって形成されており例えばNiFe、CoFeNi、CoFe、FeN若しくはFeZrN等又はこれらの材料の多層膜からなる厚さ0.5〜3μm程度の下部磁極層322aと、例えばスパッタ法、CVD法等によって形成されており例えばAl、SiO、AlN又はDLC等の絶縁材料からなる厚さ0.01〜0.05μm程度の書き込みギャップ層322bと、例えばフレームめっき法等によって形成されており例えばCu等からなる厚さ1〜5μm程度のコイル層322cと、このコイル層322cを覆うように例えばフォトリソグラフィ法等によって形成されており例えば加熱キュアされたノボラック系等のレジストからなる厚さ0.5〜7μm程度のコイル絶縁層322dと、例えばフレームめっき法等によって形成されており例えばNiFe、CoFeNi、CoFe、FeN若しくはFeZrN等又はこれらの材料の多層膜からなる厚さ0.5〜3μm程度の上部磁極層322eとを備えている。 The electromagnetic coil element 322 is formed by, for example, a frame plating method, for example, NiFe, CoFeNi, CoFe, FeN, FeZrN or the like, or a lower magnetic pole layer 322a having a thickness of about 0.5 to 3 μm made of a multilayer film of these materials, For example, a write gap layer 322b having a thickness of about 0.01 to 0.05 μm made of an insulating material such as Al 2 O 3 , SiO 2 , AlN, or DLC is formed by a sputtering method, a CVD method, or the like, and a frame, for example A coil layer 322c made of, for example, Cu and having a thickness of about 1 to 5 μm, and a novolac system formed by, for example, photolithography so as to cover the coil layer 322c, for example, heated and cured. Coil insulating layer 3 having a thickness of about 0.5 to 7 μm and made of a resist such as 2d and an upper magnetic pole layer 322e having a thickness of about 0.5 to 3 μm formed of, for example, NiFe, CoFeNi, CoFe, FeN, FeZrN or the like or a multilayer film of these materials. Yes.

下部磁極層322a及び上部磁極層322eは、コイル層322cによって誘導された磁束の導磁路となっており、書き込みギャップ層322bの端部を自らの端部によって挟持している。この書き込みギャップ層322bの挟持された端部位置からの漏洩磁界によって書き込みが行なわれる。なお、コイル層322cは同図において1層であるが、2層以上又はヘリカルコイルでもよい。また、上部シールド層321cと下部磁極層322aとが、1つの磁性層によって兼用されてもよい。   The lower magnetic pole layer 322a and the upper magnetic pole layer 322e serve as a magnetic path for magnetic flux induced by the coil layer 322c, and the end portion of the write gap layer 322b is sandwiched between the end portions thereof. Writing is performed by a leakage magnetic field from the end position where the write gap layer 322b is sandwiched. The coil layer 322c is one layer in the figure, but may be two or more layers or a helical coil. Further, the upper shield layer 321c and the lower magnetic pole layer 322a may be shared by one magnetic layer.

信号端子電極35は、引き出し電極350上に電気的に接続されて形成されている。ここで、引き出し電極350は、MR効果素子321のMR積層体321b又は電磁コイル素子322のコイル層322cと電気的に接続されて引き出されたものである。この引き出し電極350上に、導電性を有する電極膜部材351が形成されており、さらに電極膜部材351上には、この電極膜部材351を電極として電界めっきによって形成された、上方に伸びるバンプ352が設けられている。電極膜部材351及びバンプ352は、Cu等の導電材料等からなる。電極膜部材351の厚みは、約10〜約200nm程度であり、バンプ352の厚みは、約5〜約30μm程度である。   The signal terminal electrode 35 is formed on and electrically connected to the extraction electrode 350. Here, the extraction electrode 350 is extracted by being electrically connected to the MR multilayer 321 b of the MR effect element 321 or the coil layer 322 c of the electromagnetic coil element 322. An electrode film member 351 having conductivity is formed on the lead electrode 350. Further, an bump 352 extending upward is formed on the electrode film member 351 by electroplating using the electrode film member 351 as an electrode. Is provided. The electrode film member 351 and the bump 352 are made of a conductive material such as Cu. The thickness of the electrode film member 351 is about 10 to about 200 nm, and the thickness of the bump 352 is about 5 to about 30 μm.

バンプ352の上端は、被覆層33から露出しており、この上端には、パッド353が設けられている。以上の構成要素によって信号端子電極35が構成されており、4つの信号端子電極35を介して、磁気ヘッド素子32に電流が供給されることになる。   The upper end of the bump 352 is exposed from the coating layer 33, and a pad 353 is provided on this upper end. The signal terminal electrode 35 is configured by the above components, and a current is supplied to the magnetic head element 32 via the four signal terminal electrodes 35.

図5(B)は、媒体対向面における面取り部の大きさを定義するための断面図である。同図では、素子接触パッド36の断面に現れた面取り部3600の大きさを示しているが、面取り部3700の大きさの定義においても、同図と同様である。   FIG. 5B is a cross-sectional view for defining the size of the chamfered portion on the medium facing surface. In the drawing, the size of the chamfered portion 3600 that appears in the cross section of the element contact pad 36 is shown, but the definition of the size of the chamfered portion 3700 is also the same as that in the drawing.

図5(B)によれば、面取り部3600の幅WCHは、面取り部3600のトラック方向での長さと定義される。さらに、面取り部3600の深さDCHは、面取り部3600の接触面360に垂直な方向での長さ(高さ)と定義される。本発明による製造方法で製造された薄膜磁気ヘッド80においては、この幅WCHと深さDCHとを合わせた面取り部3600及び3700の大きさのばらつきが、十分に小さい範囲内に制御されている。その結果、動摩擦力の小さい良好な摺動特性を有するヘッドとなっている。 According to FIG. 5B, the width W CH of the chamfered portion 3600 is defined as the length of the chamfered portion 3600 in the track direction. Further, the depth D CH of the chamfered portion 3600 is defined as a length (height) in a direction perpendicular to the contact surface 360 of the chamfered portion 3600. In the thin film magnetic head 80 manufactured by the manufacturing method according to the present invention, the variation in size of the chamfered portions 3600 and 3700 obtained by combining the width W CH and the depth D CH is controlled within a sufficiently small range. Yes. As a result, the head has good sliding characteristics with small dynamic friction force.

図6は、図4の薄膜磁気ヘッド30を用いた磁気記録再生装置の一形態を概略的に示す斜視図である。   FIG. 6 is a perspective view schematically showing one embodiment of a magnetic recording / reproducing apparatus using the thin film magnetic head 30 of FIG.

図6において、60は、カートリッジ61に収納されており、中心にスピンドルモータと連結されるハブ62を備えた可撓性記録媒体、63は、2つの薄膜磁気ヘッド(スライダ)30を可撓性記録媒体60の表裏各面のトラック上にそれぞれ位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、68は、薄膜磁気ヘッド30の書き込み及び読み出し動作を制御するための記録再生回路、69は、カートリッジ61を装置に挿入するための挿入口をそれぞれ示している。なお、カートリッジ61は、図示されていないが、ウインドウ及びシャッターを備えている。ここで、カートリッジ11を挿入口69から装置内部に挿入すると、このシャッターが開いてウインドウから可撓性記録媒体60が露出する。このウインドウを通して、薄膜磁気ヘッド30が、可撓性記録媒体60に書き込み及び読み出しを行う。   In FIG. 6, reference numeral 60 denotes a flexible recording medium having a hub 62 which is housed in a cartridge 61 and is connected to a spindle motor at the center, and 63 denotes two thin film magnetic heads (sliders) 30 which are flexible. An assembly carriage device for positioning on the tracks on the front and back surfaces of the recording medium 60, 68 is a recording / reproducing circuit for controlling writing and reading operations of the thin film magnetic head 30, and 69 is a cartridge 61 inserted into the device. Each of the insertion openings is shown. Although not shown, the cartridge 61 includes a window and a shutter. Here, when the cartridge 11 is inserted into the apparatus through the insertion port 69, the shutter is opened and the flexible recording medium 60 is exposed from the window. Through this window, the thin film magnetic head 30 performs writing and reading on the flexible recording medium 60.

アセンブリキャリッジ装置63には、2つの駆動アーム64が設けられている。これらの駆動アーム64は、ボイスコイルモータ(VCM)65によってピボットベアリング軸66を中心にして角揺動可能であり、この軸66に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム64の先端部には、HGA67が取り付けられている。各HGA67には、薄膜磁気ヘッド(スライダ)30が、可撓性記録媒体60を挟み込むように設けられている。書き込み及び読み出し時には、各薄膜磁気ヘッド30の媒体対向面の一部が、可撓性記録媒体60の表裏各面とそれぞれ接触する。また、薄膜磁気ヘッド30の一方が、他方の薄膜磁気ヘッドと可撓性記録媒体60との接触状態を安定させるためのダミーヘッドであってもよい。   The assembly carriage device 63 is provided with two drive arms 64. These drive arms 64 can be angularly swung about a pivot bearing shaft 66 by a voice coil motor (VCM) 65, and are stacked in a direction along the shaft 66. An HGA 67 is attached to the tip of each drive arm 64. Each HGA 67 is provided with a thin film magnetic head (slider) 30 so as to sandwich the flexible recording medium 60. At the time of writing and reading, a part of the medium facing surface of each thin film magnetic head 30 is in contact with the front and back surfaces of the flexible recording medium 60. Further, one of the thin film magnetic heads 30 may be a dummy head for stabilizing the contact state between the other thin film magnetic head and the flexible recording medium 60.

図7は、本発明の製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドの他の形態を概略的に示す斜視図である。   FIG. 7 is a perspective view schematically showing another embodiment of the thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method of the present invention.

図7(A)及び(B)に示した薄膜磁気ヘッド70及び71は、ともに接触型であるが、クロージャ部を備えていない。また、薄膜磁気ヘッド70は、素子接触パッド71と、素子接触パッド71よりも大きな面積の接触面を有する接触パッド72とを備えており、薄膜磁気ヘッド71は、素子接触パッド75と、素子接触パッド75と同じ面積の接触面を有する接触パッド76と、素子接触パッド75及び接触パッド76よりも大きな面積の接触面を有する接触パッド77とを備えている。   The thin film magnetic heads 70 and 71 shown in FIGS. 7A and 7B are both contact type, but do not have a closure portion. The thin film magnetic head 70 includes an element contact pad 71 and a contact pad 72 having a contact surface larger than the element contact pad 71. The thin film magnetic head 71 includes an element contact pad 75 and an element contact. A contact pad 76 having a contact surface having the same area as that of the pad 75 and a contact pad 77 having a contact surface having a larger area than the element contact pad 75 and the contact pad 76 are provided.

さらに、図7(A)によれば、薄膜磁気ヘッド70においては、素子接触パッド71の側面を含む素子形成面700に形成された磁気ヘッド素子73の端が、素子接触パッド71の接触面710に達している。このようなヘッドにおいても、本発明による製造方法を用いることによって、大きさ、すなわち図5(B)で定義される幅WCH及び深さDCHのばらつきが、十分に小さい範囲内に制御された面取り部7100及び7200をそれぞれ有する素子接触パッド71及び接触パッド72が実現している。 Further, according to FIG. 7A, in the thin film magnetic head 70, the end of the magnetic head element 73 formed on the element forming surface 700 including the side surface of the element contact pad 71 is the contact surface 710 of the element contact pad 71. Has reached. Even in such a head, by using the manufacturing method according to the present invention, the size, that is, the variation of the width W CH and the depth D CH defined in FIG. 5B can be controlled within a sufficiently small range. The element contact pad 71 and the contact pad 72 having the chamfered portions 7100 and 7200 are realized.

また、図7(B)によれば、薄膜磁気ヘッド74においては、素子接触パッド75の側面を含む素子形成面740に形成された磁気ヘッド素子78の端が、素子接触パッド75の接触面750に達している。このようなヘッドにおいても、本発明による製造方法を用いることによって、大きさ、すなわち図5(B)で定義される幅WCH及び深さDCHのばらつきが、十分に小さい範囲内に制御された面取り部7500、7600及び7700をそれぞれ有する素子接触パッド75、並びに接触パッド76及び77が実現している。 7B, in the thin film magnetic head 74, the end of the magnetic head element 78 formed on the element forming surface 740 including the side surface of the element contact pad 75 is the contact surface 750 of the element contact pad 75. Has reached. Even in such a head, by using the manufacturing method according to the present invention, the size, that is, the variation of the width W CH and the depth D CH defined in FIG. 5B can be controlled within a sufficiently small range. Element contact pads 75 having contact chamfered portions 7500, 7600, and 7700, and contact pads 76 and 77 are realized.

以下、本発明による磁気ヘッドの製造方法の効果について、実施例及び従来例を用いて説明する。   The effects of the method of manufacturing a magnetic head according to the present invention will be described below using examples and conventional examples.

(実施例1)
図8は、実施例1として用いた磁気ヘッドの面取り加工前の媒体対向面における構成を示す平面図である。
Example 1
FIG. 8 is a plan view showing the configuration of the magnetic head used as Example 1 on the medium facing surface before chamfering.

図8によれば、実施例1として用いた面取り加工前のスライダ80は、クロージャ部を備えていない接触型の薄膜磁気ヘッドであり、媒体対向面800(1000μm×1235μm)に、矩形状の素子接触パッド81と、この素子接触パッド81と同じ接触面の面積(0.05mm)を有する矩形状の接触パッド82と、素子接触パッド81及び接触パッド82よりも一桁大きな接触面の面積(0.5mm)を有する矩形状の接触パッド83とを備えている。 According to FIG. 8, the slider 80 before chamfering process used as Example 1 is a contact-type thin film magnetic head not provided with a closure part, and a rectangular element is formed on a medium facing surface 800 (1000 μm × 1235 μm). The contact pad 81, the rectangular contact pad 82 having the same contact surface area (0.05 mm 2 ) as the element contact pad 81, and the contact surface area one digit larger than the element contact pad 81 and the contact pad 82 ( And a rectangular contact pad 83 having 0.5 mm 2 ).

ここで、実施例1においては、このスライダ80を、図3(A)に示した回転型の定盤に固定し、素子接触パッド81、接触パッド82及び接触パッド83の面取り加工を行った。この際、用いた回転型の定盤において、固定治具及び荷重治具の直径は25mmであった。固定治具にはESD対策用の粘着ラバーであるニトリルゴムを粘着力によって取り付け、さらに、その上にESD対策用フィルムを固定し、このフィルムの上にスライダ80を粘着力によって固定した。さらに、荷重治具にはESD対策用の粘着ラバーであるニトリルゴムを取り付け、さらに、このニトリルゴムにESD対策用の研磨フィルム14を粘着力によって固定した。この研磨フィルムには、厚さが6μmのベースフィルム上に粒径0.25μmの砥粒が塗布されたものを使用した。   Here, in Example 1, the slider 80 was fixed to the rotary type surface plate shown in FIG. 3A, and the element contact pad 81, the contact pad 82, and the contact pad 83 were chamfered. At this time, in the rotary surface plate used, the diameters of the fixing jig and the load jig were 25 mm. Nitrile rubber, which is an adhesive rubber for ESD countermeasures, was attached to the fixing jig by adhesive force, an ESD countermeasure film was fixed thereon, and the slider 80 was fixed on the film by adhesive force. Furthermore, a nitrile rubber, which is an adhesive rubber for ESD countermeasures, was attached to the load jig, and a polishing film 14 for ESD countermeasures was fixed to the nitrile rubber by adhesive force. As this polishing film, a base film having a thickness of 6 μm coated with abrasive grains having a particle size of 0.25 μm was used.

さらに、定盤の回転軸が媒体対向面800を貫く位置84は、媒体対向面の線対称軸801上において、媒体対向面800の中心80aから距離DOFFだけずらした(オフセットした)点とした。具体的には、素子接触パッド81及び接触パッド82側の向きをプラスとし、接触パッド83側の向きをマイナスとして、距離DOFFが、−600μm、−300μm、0μm、300μm及び600μmである5種類の面取り加工を行った。サンプル数は、距離DOFF毎に10(合計50サンプル)であった。 Further, the position 84 where the rotation axis of the surface plate penetrates the medium facing surface 800 is a point shifted (offset) by a distance D OFF from the center 80a of the medium facing surface 800 on the line symmetry axis 801 of the medium facing surface. . Specifically, the direction on the element contact pad 81 and the contact pad 82 side is positive, the direction on the contact pad 83 side is negative, and the distance D OFF is −600 μm, −300 μm, 0 μm, 300 μm, and 600 μm. Chamfering was performed. The number of samples was 10 (total 50 samples) for each distance D OFF .

さらに、研磨フィルムをスライダ80の媒体対向面800に押し当てた際の荷重は、30gであり、定盤10の回転数は、15rpmであって、回転時間(面取り加工時間)は60秒であった。この際、15秒毎に回転方向を逆にした。   Furthermore, the load when the polishing film is pressed against the medium facing surface 800 of the slider 80 is 30 g, the rotation speed of the surface plate 10 is 15 rpm, and the rotation time (chamfering time) is 60 seconds. It was. At this time, the direction of rotation was reversed every 15 seconds.

表1は、実施例1によって面取り加工がなされた薄膜磁気ヘッドにおいて、形成された面取り部の幅WCHを測定した結果を示したものであり、表2は、深さDCHを示したものである。ここで、幅WCH及び深さDCHは、図5(B)において定義された量であり、1つのサンプルにつき、素子接触パッド81の2つの角C及びC(図8)と接触パッド83の2つの角C及びC(図8)との計4箇所において測定された。この測定には、非接触レーザ表面形状測定器を使用した。なお、表中の各値は、それぞれ10サンプルの平均値となっている。 Table 1 shows the result of measuring the width W CH of the chamfered portion formed in the thin film magnetic head chamfered by Example 1, and Table 2 shows the depth D CH. It is. Here, the width W CH and the depth D CH are the amounts defined in FIG. 5B, and are in contact with the two corners C A and C B (FIG. 8) of the element contact pad 81 for one sample. It was measured at a total of four points with two corners C C and C D (FIG. 8) of the pad 83. A non-contact laser surface shape measuring device was used for this measurement. Each value in the table is an average value of 10 samples.

Figure 2007250118
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Figure 2007250118
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図9(A)は、表1に示した、実施例1における面取り部の幅WCHのグラフである。また、図9(B)は、表2に示した、実施例1における面取り部の深さDCHのグラフである。 FIG. 9A is a graph of the width W CH of the chamfered portion in Example 1 shown in Table 1. FIG. 9B is a graph of the chamfered portion depth D CH in Example 1 shown in Table 2.

図9(A)によれば、距離DOFFが−600μmから大きくなり、オフセットゼロを経て、+600μmになるにつれて、角C及びCにおける幅WCHは単調に減少し、角C及びCにおける幅WCHは単調に増加する。すなわち、回転軸が近づく角C及びCでの幅WCHは減少し、回転軸が遠ざかる角C及びCでの幅WCHは増加することがわかる。 According to FIG. 9 (A), as the distance D OFF increases from −600 μm, goes through the offset zero and reaches +600 μm, the width W CH at the angles C A and C B monotonously decreases, and the angles C C and C The width W CH at D increases monotonously. That is, it can be seen that the width W CH at the angles C A and C B at which the rotation axis approaches is decreased, and the width W CH at the angles C C and C D at which the rotation axis moves away increases.

また、同図によれば、測定位置(C〜C)による幅WCHのばらつきは、距離DOFFを調整してやることによって制御可能であることが理解される。ここで、ばらつきを最大値と最小値との比で表すと、例えば、DOFFを+300μmとすることによって、このばらつきを15.6/10.1=1.54にまで抑制することができる。また、このDOFF=+300μmにおいては、面積のより小さい素子接触パッド81の角C及びCでの幅WCHと、面積のより大きい接触パッド83の角C及びCでの幅WCHとを、それぞれほぼ一致させることが可能となっている。すなわち、パッドの接触面の面積に依らずに、面取り部の大きさを選択することができる。 Also, according to the figure, it can be understood that the variation in the width W CH depending on the measurement positions (C A to C D ) can be controlled by adjusting the distance D OFF . Here, when representing the variation of the ratio between the maximum value and the minimum value, for example, by a + 300 [mu] m to D OFF, the variation can be suppressed to 15.6 / 10.1 = 1.54. Further, in this D OFF = + 300 [mu] m, the width W CH at corner C A and C B of the smaller element contact pads 81 of the area, the width W of the corner C D and C C of larger contact pads 83 of the area It is possible to substantially match CH with each other. That is, the size of the chamfered portion can be selected regardless of the area of the contact surface of the pad.

図9(B)によれば、距離DOFFが−600μmから大きくなり、オフセットゼロを経て、+600μmになるにつれて、角C及びCにおける深さDCHは単調に減少し、角C及びCにおける深さDCHは単調に増加する。すなわち、回転軸が近づく角C及びCでの深さDCHは減少し、回転軸が遠ざかる角C及びCでの深さDCHは増加することがわかる。 According to FIG. 9B, as the distance D OFF increases from −600 μm, goes through zero offset and reaches +600 μm, the depth D CH at the angles C A and C B monotonously decreases, and the angle C C and the depth D of the C D CH increases monotonically. That is, it can be seen that the depth D CH at the angles C A and C B where the rotation axis approaches is decreased, and the depth D CH at the angles C C and C D where the rotation axis moves away increases.

また、同図によれば、測定位置(C〜C)による深さDCHのばらつきは、距離DOFFを調整してやることによって制御可能であることが理解される。ここで、ばらつきを最大値と最小値との比で表すと、例えば、DOFFを+300μmとすることによって、このばらつきを11.1/4.2=2.64にまで抑制することができる。また、このDOFF=+300μmにおいては、面積のより小さい素子接触パッド81の角C及びCでの深さDCHと、面積のより大きい接触パッド83の角C及びCでの深さDCHとを、それぞれほぼ一致させることが可能となっている。すなわち、パッドの接触面の面積に依らずに、面取り部の大きさを選択することができる。 Further, according to the figure, variation in the measurement position (C A ~C D) according to the depth D CH is understood to be controllable by'll adjust the distance D OFF. Here, when the variation is expressed by a ratio between the maximum value and the minimum value, for example, by setting D OFF to +300 μm, the variation can be suppressed to 11.1 / 4.2 = 2.64. Further, in this D OFF = + 300 [mu] m, the depth D CH of the corner C A and C B of the smaller element contact pads 81 of the area, depth of the corner C D and C C of larger contact pads 83 of the area It is possible to substantially match the DCH with each other. That is, the size of the chamfered portion can be selected regardless of the area of the contact surface of the pad.

(実施例2)
図10は、実施例2として用いた磁気ヘッドの面取り加工前の媒体対向面における構成を示す平面図である。
(Example 2)
FIG. 10 is a plan view showing the configuration of the medium facing surface before chamfering of the magnetic head used as the second embodiment.

図10によれば、実施例2として用いた面取り加工前のスライダ90は、クロージャ部を備えていない接触型の薄膜磁気ヘッドであり、媒体対向面900(1000μm×1235μm)にパッドを備えていないタイプのものである。   According to FIG. 10, the slider 90 before chamfering process used as Example 2 is a contact-type thin film magnetic head that does not include a closure portion, and does not include a pad on the medium facing surface 900 (1000 μm × 1235 μm). Of the type.

ここで、実施例2においては、このスライダ90を、図3(A)に示した回転型の定盤に固定し、媒体対向面900の端辺面取り加工を行った。この際、用いた回転型の定盤において、固定治具及び荷重治具の直径は25mmであった。固定治具にはESD対策用の粘着ラバーであるニトリルゴムを粘着力によって取り付け、さらに、その上にESD対策用フィルムを固定し、このフィルムの上にスライダ90を粘着力によって固定した。さらに、荷重治具にはESD対策用の粘着ラバーであるニトリルゴムを取り付け、さらに、このニトリルゴムにESD対策用の研磨フィルム14を粘着力によって固定した。この研磨フィルムには、厚さが6μmのベースフィルム上に粒径0.25μmの砥粒が塗布されたものを使用した。   Here, in Example 2, the slider 90 was fixed to the rotary type surface plate shown in FIG. 3A, and the edge chamfering of the medium facing surface 900 was performed. At this time, in the rotary surface plate used, the diameters of the fixing jig and the load jig were 25 mm. Nitrile rubber, which is an ESD countermeasure adhesive rubber, was attached to the fixing jig by adhesive force, and an ESD countermeasure film was fixed thereon, and the slider 90 was fixed on the film by adhesive force. Furthermore, a nitrile rubber, which is an adhesive rubber for ESD countermeasures, was attached to the load jig, and a polishing film 14 for ESD countermeasures was fixed to the nitrile rubber by adhesive force. As this polishing film, a base film having a thickness of 6 μm coated with abrasive grains having a particle size of 0.25 μm was used.

さらに、定盤の回転軸が媒体対向面900を貫く位置91は、媒体対向面の線対称軸901上において、媒体対向面900の中心90aから距離DOFFだけずらした(オフセットした)点とした。具体的には、角C及びC側の向きをプラスとし、角C及びC側の向きをマイナスとして、距離DOFFが、−600μm、−300μm、0μm、300μm及び600μmである5種類の面取り加工を行った。サンプル数は、距離DOFF毎に10(合計50サンプル)であった。 Further, a position 91 where the rotation axis of the surface plate penetrates the medium facing surface 900 is a point shifted (offset) by a distance D OFF from the center 90a of the medium facing surface 900 on the line symmetry axis 901 of the medium facing surface. . Specifically, the angular C E and C F side orientation as a positive, the angular C G and C H side orientation as a negative distance D OFF is a -600μm, -300μm, 0μm, 300μm and 600 .mu.m 5 Various types of chamfering were performed. The number of samples was 10 (total 50 samples) for each distance D OFF .

さらに、研磨フィルムをスライダ90の媒体対向面900に押し当てた際の荷重は、30gであり、定盤10の回転数は、15rpmであって、回転時間(面取り加工時間)は60秒であった。この、15秒毎に回転方向を逆にした。   Furthermore, the load when the polishing film is pressed against the medium facing surface 900 of the slider 90 is 30 g, the rotation speed of the surface plate 10 is 15 rpm, and the rotation time (chamfering processing time) is 60 seconds. It was. The direction of rotation was reversed every 15 seconds.

表3は、実施例2によって面取り加工がなされた薄膜磁気ヘッドにおいて、形成された面取り部の幅WCHを測定した結果を示したものであり、表4は、深さDCHを示したものである。ここで、幅WCH及び深さDCHは、図5(B)において定義された量であり、1つのサンプルにつき、媒体対向面900の4つの角C、C、C及びC(図10)との計4箇所において測定された。この測定には、非接触レーザ表面形状測定器を使用した。なお、表中の各値は、それぞれ10サンプルの平均値となっている。 Table 3 shows the result of measuring the width W CH of the formed chamfered portion in the thin film magnetic head chamfered according to Example 2, and Table 4 shows the depth D CH. It is. Here, the width W CH and the depth D CH are the amounts defined in FIG. 5B, and the four angles C E , C F , C G, and C H of the medium facing surface 900 per sample. Measurement was made at a total of four locations (FIG. 10). A non-contact laser surface shape measuring device was used for this measurement. Each value in the table is an average value of 10 samples.

Figure 2007250118
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Figure 2007250118
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図11(A)は、表3に示した、実施例2における面取り部の幅WCHのグラフである。また、図11(B)は、表4に示した、実施例2における面取り部の深さDCHのグラフである。 FIG. 11A is a graph of the width W CH of the chamfered portion in Example 2 shown in Table 3. FIG. 11B is a graph of the chamfered portion depth D CH in Example 2 shown in Table 4.

図11(A)によれば、距離DOFFが−600μmから大きくなり、オフセットゼロを経て、+600μmになるにつれて、角C及びCにおける幅WCHは単調に減少し、角C及びCにおける幅WCHは単調に増加する。すなわち、回転軸が近づく角C及びCでの幅WCHは減少し、回転軸が遠ざかる角C及びCでの幅WCHは増加することがわかる。 According to FIG. 11 (A), the distance D OFF is increased from -600Myuemu, through the offset zero, as becomes + 600 .mu.m, the width W CH at the corners C E and C F decreases monotonically, corners C G and C The width W CH at H increases monotonously. That is, the width W CH at corner C E and C F of the rotary shaft approaches decreases, the width W CH at corner C G and C H of the rotary shaft moves away is seen to increase.

また、同図によれば、測定位置(C〜C)による幅WCHのばらつきは、距離DOFFを調整してやることによって制御可能であることが理解される。ここで、ばらつきを最大値と最小値との比で表すと、例えば、距離DOFFをゼロとすることによって、このばらつきを14.7/12.6=1.17にまで抑制することができる。 Further, according to the figure, it is understood that the variation of the width W CH depending on the measurement positions (C E to C H ) can be controlled by adjusting the distance D OFF . Here, when the variation is represented by the ratio between the maximum value and the minimum value, for example, by setting the distance D OFF to zero, the variation can be suppressed to 14.7 / 12.6 = 1.17. .

図11(B)によれば、距離DOFFが−600μmから大きくなり、オフセットゼロを経て、+600μmになるにつれて、角C及びCにおける深さDCHは単調に減少し、角C及びCにおける深さDCHは単調に増加する。すなわち、回転軸が近づく角C及びCでの深さDCHは減少し、回転軸が遠ざかる角C及びCでの深さDCHは増加することがわかる。 According in FIG. 11 (B), the distance D OFF is increased from -600Myuemu, through the offset zero, + as becomes 600 .mu.m, the depth D CH at the corner C E and C F decreases monotonically, corners C G and The depth D CH at C H increases monotonously. That is, it can be seen that the depth D CH at the angles CE and C F at which the rotation axis approaches decreases and the depth D CH at the angles C G and C H at which the rotation axis moves away increases.

また、同図によれば、測定位置(C〜C)による深さDCHのばらつきは、距離DOFFを調整してやることによって制御可能であることが理解される。ここで、ばらつきを最大値と最小値との比で表すと、例えば、距離DOFFをゼロとすることによって、このばらつきを7.2/6.3=1.14にまで抑制することができる。 Further, according to the figure, it can be understood that the variation in the depth D CH depending on the measurement position (C E to C H ) can be controlled by adjusting the distance D OFF . Here, when the variation is expressed by a ratio between the maximum value and the minimum value, for example, by setting the distance D OFF to zero, the variation can be suppressed to 7.2 / 6.3 = 1.14. .

なお、実際の製造現場では、例えば、各パッド又は媒体対向面の端辺においてトレーリング側の幅WCHのばらつきを優先して抑えたい場合や、トレーリング側とリーディング側の面取り部の大きさを異なる値に設定したい場合等、種々の設計上の要望があり得る。この際、本発明によれば、求められる条件に応じて距離DOFFを調整し、面取り部の幅WCH及び深さDCHの媒体対向面内での分布を選択することによって、所望の面取り部が実現可能となる。 In an actual production site, for example, when it is desired to suppress give priority to variations in the width W CH on the trailing side in the end side of each pad or bearing surface, of the chamfered portion of the trailing side and the leading side size There may be various design demands when it is desired to set to a different value. At this time, according to the present invention, a desired chamfer is obtained by adjusting the distance D OFF according to the required condition and selecting the distribution of the width W CH and the depth D CH of the chamfered portion in the medium facing surface. Can be realized.

さらに、定盤の回転軸をずらす方向も、上述したように選択可能であり、求められる条件に応じて定盤の回転軸をずらす方向をも調整し、求められる位置のばらつきをより適切に抑制することができる。   In addition, the direction of shifting the rotation axis of the surface plate can be selected as described above, and the direction of shifting the rotation axis of the surface plate is also adjusted according to the required conditions to more appropriately suppress variations in required positions. can do.

(従来例)
以下、実施例1と同じスライダを用いて面取り加工を行った従来例を示し、本発明の効果を確認する。
(Conventional example)
Hereinafter, a conventional example in which chamfering is performed using the same slider as in Example 1 will be shown, and the effect of the present invention will be confirmed.

従来例として用いた面取り加工前のスライダは、図8に示した、クロージャ部を備えていない接触型の薄膜磁気ヘッドであり、実施例1と同じものであった。
ここで、従来例として、図3(B)に示した回転型の定盤90を用いて、このスライダの素子接触パッド及び接触パッドの面取り加工を行った。この際、定盤90及びプレート93の直径は、それぞれ380mm及び100mmであり、定盤90の回転軸とプレート93の回転軸とを一致させて面取り加工を行った。また、プレート93に取り付けたスライダの数は50であり、これらのスライダを定盤に押しつけた際の荷重は、1500gであった。
The slider before chamfering used as a conventional example is a contact-type thin film magnetic head shown in FIG.
Here, as a conventional example, the rotary element plate 90 shown in FIG. 3B was used to chamfer the element contact pad and the contact pad of this slider. At this time, the diameters of the surface plate 90 and the plate 93 were 380 mm and 100 mm, respectively, and chamfering was performed by aligning the rotation axis of the surface plate 90 with the rotation axis of the plate 93. The number of sliders attached to the plate 93 was 50, and the load when these sliders were pressed against the surface plate was 1500 g.

表5は、従来例によって面取り加工がなされた薄膜磁気ヘッドにおいて、形成された面取り部の幅WCH及び深さDCHを測定した結果を示したものである。ここで、幅WCH及び深さDCHは、図5(B)において定義された量であり、1つのサンプルにつき、素子接触パッドの2つの角C及びC(図8)と接触パッドの2つの角C及びC(図8)との計4箇所において測定された。この測定には、非接触レーザ表面形状測定器を使用した。なお、表中の各値は、それぞれ50サンプルの平均値となっている。 Table 5 shows the results of measuring the width W CH and the depth D CH of the formed chamfered portion in the thin film magnetic head that has been chamfered according to the conventional example. Here, the width W CH and the depth D CH are the amounts defined in FIG. 5B, and the two corners C A and C B (FIG. 8) of the element contact pad and the contact pad per sample. Were measured at a total of four locations with two corners C C and C D (FIG. 8). A non-contact laser surface shape measuring device was used for this measurement. Each value in the table is an average value of 50 samples.

Figure 2007250118
Figure 2007250118

表5によれば、従来例における、測定位置(C〜C)による幅WCHのばらつきは、最大値と最小値との比として32.8/15.1=2.17となっており、実施例1及び2において調整された同比(それぞれ1.54及び1.17)に比べて相当大きくなっている。また、深さDCHは、最も大きい値でも角Cにおける3.2μmであり、パッドの内側の角に相当する角C及びCでは、1μm台の小さな値に止まっている。実際に、この程度の値では、面取り部の大きさとして十分ではない。すなわち、従来例においては、面取り部の深さDCHを、幅WCHに相応して十分に取ることができない。 According to Table 5, the variation of the width W CH depending on the measurement position (C A to C D ) in the conventional example is 32.8 / 15.1 = 2.17 as the ratio between the maximum value and the minimum value. Therefore, it is considerably larger than the same ratio adjusted in Examples 1 and 2 (1.54 and 1.17, respectively). The depth D CH is 3.2μm at the corners C A at the largest value, the angular C B and C C corresponds to the inside corner of the pad, has stopped at a small value of 1μm stand. Actually, such a value is not sufficient as the size of the chamfered portion. That is, in the conventional example, the depth D CH of the chamfered portion cannot be sufficiently set according to the width W CH .

さらに、表5によれば、面積のより小さい素子接触パッドの角C及びCでの幅WCHが、面積のより大きい接触パッドの角C及びCでの幅WCHよりもそれぞれ格段に大きくなっている。すなわち、従来例においては、パッドの接触面の面積によって面取り部の大きさが左右されてしまう。 Further, according to Table 5, the width W CH at the corners C A and C B of the smaller area contact pads is larger than the width W CH at the corners C D and C C of the larger area contact pads, respectively. It is much larger. That is, in the conventional example, the size of the chamfered portion depends on the area of the contact surface of the pad.

このような表5に示した従来例に対して、本発明においては、実施例1及び2に示したように、距離DOFFを調整することによって、面取り部の大きさのばらつきを抑制することができ、また、面取り部の深さDCHを、幅WCHに相応して十分に取ることができ、さらに、距離DOFFを調整することによって、パッドの接触面の面積に依らずに、面取り部の大きさを選択することが可能となる。 In contrast to the conventional examples shown in Table 5, in the present invention, as shown in the first and second embodiments, the distance D OFF is adjusted to suppress the variation in the size of the chamfered portion. In addition, the depth D CH of the chamfered portion can be sufficiently taken in accordance with the width W CH , and further, by adjusting the distance D OFF , regardless of the area of the contact surface of the pad, The size of the chamfered portion can be selected.

さらに、以上に述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。   Further, all of the embodiments described above are merely illustrative of the present invention and are not intended to be limiting, and the present invention can be implemented in various other variations and modifications. Therefore, the scope of the present invention is defined only by the claims and their equivalents.

本発明による磁気ヘッドの製造方法の一実施形態として、パッドを備えた接触型の薄膜磁気ヘッドの製造方法を概略的に示すフローチャートである。5 is a flowchart schematically showing a method of manufacturing a contact-type thin film magnetic head having a pad as an embodiment of a method of manufacturing a magnetic head according to the present invention. 図1の機械加工工程のうち面取り加工直前までの工程を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematically the process until just before chamfering among the machining processes of FIG. 図1の機械加工工程における、及び従来における面取り加工工程を説明するための概略図である。It is the schematic for demonstrating the chamfering process in the machining process of FIG. 1, and the conventional. 本発明の製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドの一形態を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows roughly one form of the thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method of this invention. 図4に示した磁気ヘッド素子の要部の構成を示す、図4のA−A線断面図、及び媒体対向面における面取り部の大きさを定義するための断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4 showing the configuration of the main part of the magnetic head element shown in FIG. 4 and a cross-sectional view for defining the size of the chamfered portion on the medium facing surface. 図4の薄膜磁気ヘッドを用いた磁気記録再生装置の一形態を概略的に示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view schematically showing one embodiment of a magnetic recording / reproducing apparatus using the thin film magnetic head of FIG. 4. 本発明の製造方法によって製造された薄膜磁気ヘッドの他の形態を概略的に示す斜視図である。It is a perspective view which shows schematically the other form of the thin film magnetic head manufactured by the manufacturing method of this invention. 実施例1として用いた磁気ヘッドの面取り加工前の媒体対向面における構成を示す平面図である。3 is a plan view showing a configuration of a medium facing surface before chamfering of a magnetic head used as Example 1. FIG. 実施例1における面取り部の幅WCH及び深さDCHのグラフである。It is a graph of width W CH and depth D CH of the chamfered part in Example 1. 実施例2として用いた磁気ヘッドの面取り加工前の媒体対向面における構成を示す平面図である。6 is a plan view showing a configuration of a medium facing surface before chamfering of a magnetic head used as Example 2. FIG. 実施例2における面取り部の幅WCH及び深さDCHのグラフである。It is a graph of width W CH and depth D CH of the chamfered part in Example 2.

符号の説明Explanation of symbols

10 定盤
101 固定治具
102 荷重治具
103 回転軸
11 第1の緩衝材
12 ESD対策用フィルム
13 第2の緩衝材
14 研磨フィルム
20 ウエハ
21 ブロック
22 クロージャ部材
23 クロージャ付ブロック
24 加工バー
25、270、300、800、900 媒体対向面
26 イオン
27、80、90 スライダ
27a、80a 中心
28、36、71、75、81 素子接触パッド
29、37、72、76、77、82、83 接触パッド
30、70、74 薄膜磁気ヘッド
31 スライダ基板
310 パッド形成面
311 素子形成面
32、73、78 磁気ヘッド素子
320 磁気ヘッド素子の一端
321 MR効果素子
321a 下部シールド層
321b MR積層体
321c 上部シールド層
322 電磁コイル素子
322a 下部磁極層
332b 書き込みギャップ層
332c コイル層
332d コイル絶縁層
332e 上部磁極層
33 被覆層
330 被覆層の端面
331 被覆層の上面
34 クロージャ部
340 クロージャ部の端面
35 信号端子電極
350 引き出し電極
351 電極膜部材
352 バンプ
353 パッド
360、710、750 接触面
3600、3700、7100、7200、7500、7600、7700 面取り部
38、801、901 線対称軸
60 フレキシブルディスク
61 カートリッジ
62 ハブ
63 アセンブリキャリッジ装置
64 駆動アーム
65 ボイスコイルモータ(VCM)
66 ピボットベアリング軸
67 HGA
68 記録再生回路
69 挿入口
84 貫く位置
90 定盤
91 緩衝材
92 研磨シート
93 プレート
94 複数のスライダ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Surface plate 101 Fixing jig 102 Load jig 103 Rotating shaft 11 First buffer material 12 Film for ESD countermeasure 13 Second buffer material 14 Polishing film 20 Wafer 21 Block 22 Closure member 23 Block with closure 24 Processing bar 25, 270, 300, 800, 900 Media facing surface 26 Ion 27, 80, 90 Slider 27a, 80a Center 28, 36, 71, 75, 81 Element contact pad 29, 37, 72, 76, 77, 82, 83 Contact pad 30 , 70, 74 Thin film magnetic head 31 Slider substrate 310 Pad forming surface 311 Element forming surface 32, 73, 78 Magnetic head element 320 One end of magnetic head element 321 MR effect element 321a Lower shield layer 321b MR stack 321c Upper shield layer 322 Electromagnetic Coil element 32 a Lower magnetic pole layer 332b Write gap layer 332c Coil layer 332d Coil insulating layer 332e Upper magnetic pole layer 33 Covering layer 330 End surface of the covering layer 331 Upper surface of the covering layer 34 Closure portion 340 End surface of the closing portion 35 Signal terminal electrode 350 Lead electrode 351 Electrode film Member 352 Bump 353 Pad 360, 710, 750 Contact surface 3600, 3700, 7100, 7200, 7500, 7600, 7700 Chamfer 38, 801, 901 Axisymmetric axis 60 Flexible disk 61 Cartridge 62 Hub 63 Assembly carriage device 64 Drive arm 65 Voice coil motor (VCM)
66 Pivot bearing shaft 67 HGA
68 Recording / Reproducing Circuit 69 Insertion Port 84 Penetration Position 90 Surface Plate 91 Buffer Material 92 Polishing Sheet 93 Plate 94 Multiple Sliders

Claims (8)

回転して研磨を行う定盤に、1つのスライダを、該定盤の回転軸が該1つのスライダの媒体対向面を貫くように固定し、該1つのスライダに荷重を印加しながら該定盤を回転させて、該1つのスライダの面取り加工を行うことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。   One surface plate is fixed to a surface plate that rotates for polishing so that the rotation axis of the surface plate penetrates the medium facing surface of the one slider, and the surface plate is applied while applying a load to the one slider. A method of manufacturing a magnetic head, wherein the one slider is chamfered by rotating the head. 前記回転軸が、前記媒体対向面の中心から所定の向きに所定の距離だけずれた位置を貫くように、前記1つのスライダを固定することを特徴とする請求項1に記載の製造方法。   2. The manufacturing method according to claim 1, wherein the one slider is fixed so that the rotation shaft passes through a position shifted by a predetermined distance in a predetermined direction from a center of the medium facing surface. 前記所定の向き及び前記所定の距離は、面取り部の大きさを減少させたい箇所が前記回転軸により近い位置となるように設定されることを特徴とする請求項2に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 2, wherein the predetermined direction and the predetermined distance are set so that a portion where the size of the chamfered portion is to be reduced is closer to the rotation shaft. 前記定盤の固定治具に取り付けられた第1の緩衝材上に、前記1つのスライダを固定することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。   The manufacturing method according to any one of claims 1 to 3, wherein the one slider is fixed on a first buffer material attached to a fixing jig of the surface plate. 前記定盤の固定治具に取り付けられた第1の緩衝材上に、静電気放電対策用のフィルムを固定し、該フィルム上に、前記1つのスライダを固定することを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の製造方法。   2. A film for preventing electrostatic discharge is fixed on a first cushioning material attached to a fixing jig of the surface plate, and the one slider is fixed on the film. 4. The production method according to any one of 3 above. 前記第1の緩衝材が、粘着性を有するラバーであることを特徴とする請求項4又は5に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 4, wherein the first buffer material is an adhesive rubber. 前記定盤の荷重治具に取り付けられた第2の緩衝材上に固定された砥粒部を、前記1つのスライダの媒体対向面に押し当てて荷重を印加することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の製造方法。   2. A load is applied by pressing an abrasive grain portion fixed on a second cushioning material attached to a load jig of the surface plate against a medium facing surface of the one slider. 7. The production method according to any one of items 1 to 6. 前記第2の緩衝材が、粘着性を有するラバーであることを特徴とする請求項7に記載の製造方法。   The manufacturing method according to claim 7, wherein the second buffer material is an adhesive rubber.
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