JP2007237188A - Laser scribing method and laminated substrate - Google Patents

Laser scribing method and laminated substrate Download PDF

Info

Publication number
JP2007237188A
JP2007237188A JP2006058983A JP2006058983A JP2007237188A JP 2007237188 A JP2007237188 A JP 2007237188A JP 2006058983 A JP2006058983 A JP 2006058983A JP 2006058983 A JP2006058983 A JP 2006058983A JP 2007237188 A JP2007237188 A JP 2007237188A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
refractive
laser irradiation
irradiation surface
scribing method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006058983A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Yamazaki
豊 山崎
Makoto Yoshida
真 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2006058983A priority Critical patent/JP2007237188A/en
Publication of JP2007237188A publication Critical patent/JP2007237188A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser scribing method in which, with pattern damage of a laminated substrate taken into consideration, a reformed layer can be formed in a deep position in the thickness direction of the laminated substrate, and also to provide an electrooptical apparatus and electronic equipment. <P>SOLUTION: In the laser scribing method, in a droplet discharging head 10 as the laminated substrate in which a plurality of first and second laminated members 12, 13 are dividedly formed on the surface of the sealed substrate 11, a reformed layer Rc is formed inside the sealed substrate 11 by emitting a laser beam 60 to a laser irradiation surface S2 of the sealed substrate 11 corresponding to a gap between the adjacent first laminated members 12. The method includes a refractive substance arranging process in which a silicon material 41 is arranged on the laser irradiation surface S2 and a laser irradiation process in which the laser beam 60 is emitted to the laser irradiation surface S2 through the silicon material 41. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、積層基板を切断するレーザスクライブ方法及び当該レーザスクライブ方法によって切断された積層基板に関する。   The present invention relates to a laser scribing method for cutting a multilayer substrate and a multilayer substrate cut by the laser scribing method.

従来より、レーザ光を用いて積層基板を切断するレーザスクライブ方法が知られている。例えば、特許文献1に記載のレーザスクライブ方法では、切断しようとする積層基板の内部にレーザ光の集光点を合わせて、即ち、集光点でレーザ光のパワー密度が最大となるようにレーザ光を照射し、多光子吸収という現象を利用することにより、集光点部に改質層を形成させる。そして、積層基板に外力を加えることにより改質領域を起点にして切断するという方法を用いている。   Conventionally, a laser scribing method for cutting a laminated substrate using laser light is known. For example, in the laser scribing method described in Patent Document 1, the laser beam condensing point is set inside the laminated substrate to be cut, that is, the laser beam power density is maximized at the condensing point. By applying light and utilizing the phenomenon of multiphoton absorption, a modified layer is formed at the condensing point. And the method of cut | disconnecting from the modification | reformation area | region by applying external force to a laminated substrate is used.

特開2002−192371号公報JP 2002-192371 A

しかしながら、基材の面に積層部材が形成された積層基板において、積層部材へのレーザ光の照射による損傷を防ぐため、積層部材を避けるようにして基材のレーザ照射面にレーザ光を照射する必要がある。このため、レーザ光の照射幅が制限され、レーザ照射面におけるレーザ照射幅が狭くなり、基材の厚み方向に対してレーザ照射面から深い位置に改質層を形成することができないという問題があった。   However, in a laminated substrate in which a laminated member is formed on the surface of the base material, in order to prevent damage to the laminated member due to laser light irradiation, the laser irradiation surface of the base material is irradiated with laser light so as to avoid the laminated member. There is a need. For this reason, the irradiation width of the laser beam is limited, the laser irradiation width on the laser irradiation surface is narrowed, and the modified layer cannot be formed deeply from the laser irradiation surface with respect to the thickness direction of the substrate. there were.

本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、その目的は、積層基板の積層部材の損傷防止に考慮され、基材の厚み方向に対して深い位置に改質層を形成することができるレーザスクライブ方法及び積層基板を提供することにある。   The present invention has been made to solve the above problems, and its purpose is to prevent damage to the laminated member of the laminated substrate, and to form a modified layer at a deep position with respect to the thickness direction of the base material. Another object of the present invention is to provide a laser scribing method and a laminated substrate.

上記課題を解決するために、本発明では、基材の面に複数の積層部材が区画形成されてなる積層基板であって、隣接する積層部材間に相当する基材のレーザ照射面に向けてレーザ光を照射して、基材の内部に改質層を形成するレーザスクライブ方法であって、レーザ照射面の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する屈折物質配置工程と、屈折物質を介してレーザ照射面に向けてレーザ光を照射するレーザ照射工程とを有することを要旨とする。   In order to solve the above-described problem, in the present invention, a laminated substrate in which a plurality of laminated members are partitioned on the surface of a base material, and facing the laser irradiation surface of the base material corresponding to the space between adjacent laminated members. A laser scribing method for irradiating a laser beam to form a modified layer inside a substrate, wherein a refractive material arranging step of arranging a refractive material having a refractive index larger than at least air above the laser irradiation surface; And a laser irradiation step of irradiating a laser beam toward the laser irradiation surface through a refractive material.

本発明に係るレーザスクライブ方法によれば、基材のレーザ照射面に向けて、照射されたレーザ光が屈折物質に入射される。入射されたレーザ光は、屈折物質中を屈折物質の屈折率にしたがって屈折し、屈折物質を介して基材のレーザ照射面に入射される。基材のレーザ照射面に入射されたレーザ光は、基材の屈折率にしたがって屈折し、基材の内部で集光される。従って、基材のレーザ照射面に向けて集光されたレーザ光は、基材のレーザ照射面に入射される前に、屈折物質によって屈折されるので、直接基材のレーザ照射面にレーザ光を入射させるよりも、レーザ照射面におけるレーザ照射幅が長くなり、基材のレーザ照射面から基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。   According to the laser scribing method of the present invention, the irradiated laser light is incident on the refractive material toward the laser irradiation surface of the substrate. The incident laser light is refracted in the refractive material according to the refractive index of the refractive material, and is incident on the laser irradiation surface of the substrate through the refractive material. The laser light incident on the laser irradiation surface of the base material is refracted according to the refractive index of the base material, and is condensed inside the base material. Therefore, the laser beam condensed toward the laser irradiation surface of the base material is refracted by the refractive material before being incident on the laser irradiation surface of the base material. The laser irradiation width on the laser irradiation surface is longer than the incident light, and the modified layer can be formed by condensing the laser beam at a position deep in the thickness direction of the base material from the laser irradiation surface of the base material. .

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、レーザの集光点が、レーザ照射面の反対面に達する位置に屈折物質を配置してもよい。   In the refractive material arrangement step of the laser scribing method of the present invention, the refractive material may be arranged at a position where the condensing point of the laser reaches the opposite surface of the laser irradiation surface.

これによれば、基材の面のうちの一方のレーザ照射面に向けてレーザ照射すれば、基材の厚み方向のほぼ全域に改質層が形成されるので、基材の両面からレーザ光を照射する必要がなく、加工作業を簡略化することができる。   According to this, if the laser irradiation is performed toward one of the surfaces of the base material, the modified layer is formed almost in the entire thickness direction of the base material. It is not necessary to irradiate and processing work can be simplified.

本発明のレーザスクライブ方法のレーザ照射工程では、屈折部材に対するレーザ照射幅が、隣接する積層部材間の幅以内となるように、レーザ光を照射してもよい。   In the laser irradiation step of the laser scribing method of the present invention, the laser beam may be irradiated so that the laser irradiation width on the refractive member is within the width between the adjacent laminated members.

これによれば、レーザ光の照射幅を積層基板間の幅以内で照射することにより、積層部材にレーザ光が照射されることがないので、積層部材のレーザ光の照射による損傷を防止することができる。   According to this, since the laser beam is not irradiated to the laminated member by irradiating the laser beam within the width between the laminated substrates, damage to the laminated member due to the laser beam irradiation can be prevented. Can do.

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、シリコン材であってもよい。   In the refractive material arranging step of the laser scribing method of the present invention, the refractive material may be a silicon material.

これによれば、レーザ光は、屈折物質としてのシリコン材の屈折率によって屈折され、屈折されたレーザ光が基材のレーザ照射面に入射されるので、基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。   According to this, the laser light is refracted by the refractive index of the silicon material as the refractive material, and the refracted laser light is incident on the laser irradiation surface of the base material. The modified layer can be formed by condensing light.

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、レンズ材であってもよい。   In the refractive material arrangement step of the laser scribing method of the present invention, the refractive material may be a lens material.

これによれば、レーザ光は、屈折物質としてのレンズ材の屈折率によって屈折され、屈折されたレーザ光が基材のレーザ照射面に入射するので、基材の厚み方向の深い位置でレーザ光を集光して、改質層を形成することができる。   According to this, the laser light is refracted by the refractive index of the lens material as a refractive material, and the refracted laser light is incident on the laser irradiation surface of the base material. Can be condensed to form a modified layer.

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質は、2以上の異なった物質で構成されてもよい。   In the refractive material arranging step of the laser scribing method of the present invention, the refractive material may be composed of two or more different materials.

これによれば、レーザ光は、基材のレーザ照射面から基材の厚み方向の深い位置でレーザ光が集光され、改質層を形成することができるとともに、レーザ光は、異なった2以上の物質を介することにより、それぞれの屈折率が異なったレーザ光が基材に入射されるので、基材の内部に2以上の集光点ができ、改質層を効率良く形成することができる。   According to this, the laser light is condensed at a position deep in the thickness direction of the base material from the laser irradiation surface of the base material, and a modified layer can be formed. Since the laser beams having different refractive indexes are incident on the base material through the above substances, two or more condensing points can be formed inside the base material, and the modified layer can be efficiently formed. it can.

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、マスクに屈折物質を備え、マスクの屈折物質がレーザ照射面の上部に位置するように、マスクを配置してもよい。   In the refractive material arrangement step of the laser scribing method of the present invention, the mask may be arranged so that the mask is provided with a refractive material and the refractive material of the mask is positioned above the laser irradiation surface.

これによれば、マスクを用いて屈折物質を配置するので、作業性を向上させることができる。   According to this, since the refractive material is arranged using the mask, workability can be improved.

本発明のレーザスクライブ方法の屈折物質配置工程では、屈折物質を配置するとともに、積層部材の上部には、レーザ光の透過を抑制する抑制部材を配置してもよい。   In the refractive material arrangement step of the laser scribing method of the present invention, a refractive material may be arranged, and a suppressing member that suppresses transmission of laser light may be arranged above the laminated member.

これによれば、積層部材の上部にはレーザ光の透過を抑制する抑制部材が配置されるので、レーザ光の照射による積層部材の損傷を防ぐことができる。   According to this, since the suppressing member that suppresses the transmission of the laser light is disposed on the upper portion of the laminated member, it is possible to prevent the laminated member from being damaged by the irradiation of the laser light.

本発明の積層基板は、上記のレーザスクライブ方法によって加工されたことを要旨とする。   The gist of the laminated substrate of the present invention is that it has been processed by the laser scribing method described above.

これによれば、積層基板の積層部材の損傷に考慮され、基材の厚み方向に対して深い位置に改質層を形成することにより、切断作業を簡略できるので、廉価で信頼性の高い積層基板を提供することができる。   According to this, it is possible to simplify the cutting work by forming the modified layer at a deep position with respect to the thickness direction of the base material in consideration of the damage of the laminated member of the laminated substrate, so that the inexpensive and highly reliable lamination is achieved. A substrate can be provided.

以下、本発明を具体化した第1〜第3実施形態について図面に従って説明する。   Hereinafter, first to third embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[第1実施形態]
(マザー基板の構成)
まず、マザー基板の構成について説明する。図1は、マザー基板の概略を示し、図1(a)は、平面図を示し、同図(b)は、同図(a)のA−A線の断面図を示す。
[First embodiment]
(Mother board configuration)
First, the configuration of the mother board will be described. 1 shows an outline of a mother substrate, FIG. 1 (a) shows a plan view, and FIG. 1 (b) shows a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1 (a).

図1(a),(b)に示すように、マザー基板1は、基材としての封止基板11と、封止基板11の面のそれそれに積層部材としての第1積層部材12及び第2積層部材13とが形成され、複数の積層基板としての液滴吐出ヘッド10が区画形成して構成されている。そして、1つの液滴吐出ヘッド10は、それぞれ区画された液滴吐出ヘッド10間の封止基板11のレーザ照射面S2またはS3に向けてレーザ光を照射して、封止基板11の内部に改質層を形成することによって切断され、マザー基板1から分割される。   As shown in FIGS. 1A and 1B, the mother substrate 1 includes a sealing substrate 11 as a base material, a first laminated member 12 as a laminated member, and a second laminated member on the surface of the sealing substrate 11. The laminated member 13 is formed, and the droplet discharge heads 10 as a plurality of laminated substrates are partitioned and configured. One droplet discharge head 10 irradiates laser light toward the laser irradiation surface S <b> 2 or S <b> 3 of the sealing substrate 11 between the divided droplet discharge heads 10. The substrate is cut by forming the modified layer and divided from the mother substrate 1.

(積層基板の構成)
次に、積層基板の構成について説明する。図2は、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成を示す断面図である。
(Configuration of laminated substrate)
Next, the configuration of the multilayer substrate will be described. FIG. 2 is a cross-sectional view showing a configuration of a droplet discharge head as a laminated substrate.

図2において、液滴吐出ヘッド10は、シリコン単結晶からなる基材としての封止基板11と、封止基板11の一の面に形成された第1積層部材12と、封止基板11の他の面に形成された第2積層部材13等で構成されている。第1積層部材12は、機能液を供給するための供給穴21を有するコンプライアンス基板14から構成され、第2積層部材13は、アクチュエータ基板15と、さらにアクチュエータ基板15に接着されたノズル穴31を有するノズルプレート30で構成されている。アクチュエータ基板15は、駆動膜22と、駆動膜22の一部である駆動部22aに電圧を印加するための配線25と、駆動部22aに接する酸化シリコン層26aと酸化ジルコニウム層26bによって構成される弾性膜26と、圧力室27aを有する圧力室部材27で構成されている。   In FIG. 2, the droplet discharge head 10 includes a sealing substrate 11 as a base material made of silicon single crystal, a first laminated member 12 formed on one surface of the sealing substrate 11, and a sealing substrate 11. It is comprised with the 2nd lamination | stacking member 13 etc. which were formed in the other surface. The first laminated member 12 includes a compliance substrate 14 having a supply hole 21 for supplying a functional liquid, and the second laminated member 13 includes an actuator substrate 15 and a nozzle hole 31 bonded to the actuator substrate 15. It has a nozzle plate 30 having it. The actuator substrate 15 includes a drive film 22, a wiring 25 for applying a voltage to the drive unit 22a that is a part of the drive film 22, and a silicon oxide layer 26a and a zirconium oxide layer 26b that are in contact with the drive unit 22a. The pressure chamber member 27 includes an elastic film 26 and a pressure chamber 27a.

(レーザ照射装置の構成)
次に、マザー基板1の封止基板11の内部に改質層を形成するためのレーザ照射装置について説明する。図3は、レーザ照射装置の構成を示す概略図である。
(Configuration of laser irradiation device)
Next, a laser irradiation apparatus for forming a modified layer inside the sealing substrate 11 of the mother substrate 1 will be described. FIG. 3 is a schematic diagram showing the configuration of the laser irradiation apparatus.

図3に示すように、レーザ照射装置100は、パルスレーザ光を出射するレーザ光源101と、出射されたパルスレーザ光を反射するダイクロイックミラー102と、反射したパルスレーザ光を集光する集光レンズ103とを備えている。また、加工対象物となるマザー基板1を載置するステージ107と、ステージ107を集光レンズ103に対してX,Y軸方向に移動させるX軸スライド部110およびY軸スライド部108とを備えている。また、ステージ107に載置されたマザー基板1に対して集光レンズ103のZ軸方向の位置を変えて、パルスレーザ光の集光点の位置を調整するZ軸スライド機構104を備えている。さらには、ダイクロイックミラー102を挟んで集光レンズ103と反対側に位置する撮像装置112を備えている。   As shown in FIG. 3, the laser irradiation apparatus 100 includes a laser light source 101 that emits pulsed laser light, a dichroic mirror 102 that reflects the emitted pulsed laser light, and a condenser lens that collects the reflected pulsed laser light. 103. In addition, a stage 107 on which the mother substrate 1 to be processed is placed, and an X-axis slide unit 110 and a Y-axis slide unit 108 that move the stage 107 in the X and Y axis directions with respect to the condenser lens 103 are provided. ing. In addition, a Z-axis slide mechanism 104 that adjusts the position of the focusing point of the pulsed laser light by changing the position of the focusing lens 103 in the Z-axis direction with respect to the mother substrate 1 placed on the stage 107 is provided. . Furthermore, an imaging device 112 is provided that is located on the opposite side of the condenser lens 103 with the dichroic mirror 102 interposed therebetween.

レーザ照射装置100は、上記各構成を制御するメインコンピュータ120を備えており、メインコンピュータ120には、CPUや各種メモリーの他に撮像装置112が撮像した画像情報を処理する画像処理部124を有している。撮像装置112は、同軸落射型光源とCCD(固体撮像素子)が組み込まれたものである。同軸落射型光源から出射した可視光は、集光レンズ103を透過して焦点を結ぶ。   The laser irradiation apparatus 100 includes a main computer 120 that controls each of the above components. The main computer 120 includes an image processing unit 124 that processes image information captured by the imaging apparatus 112 in addition to a CPU and various memories. is doing. The imaging device 112 incorporates a coaxial incident light source and a CCD (solid-state imaging device). Visible light emitted from the coaxial incident light source passes through the condenser lens 103 and is focused.

メインコンピュータ120には、レーザ加工の際に用いられる各種加工条件のデータを入力する入力部125とレーザ加工時の各種情報を表示する表示部126が接続されている。また、レーザ光源101の出力やパルス幅、パルス周期を制御するレーザ制御部121と、Z軸スライド機構104を駆動して集光レンズ103のZ軸方向の位置を制御するレンズ制御部122とが接続されている。さらに、X軸スライド部110とY軸スライド部108をそれぞれレール109,111に沿って移動させるサーボモータ(図示省略)を駆動するステージ制御部123が接続されている。   Connected to the main computer 120 are an input unit 125 for inputting data of various processing conditions used in laser processing and a display unit 126 for displaying various information at the time of laser processing. In addition, a laser control unit 121 that controls the output, pulse width, and pulse period of the laser light source 101, and a lens control unit 122 that drives the Z-axis slide mechanism 104 to control the position of the condenser lens 103 in the Z-axis direction. It is connected. Further, a stage control unit 123 that drives a servo motor (not shown) that moves the X-axis slide unit 110 and the Y-axis slide unit 108 along the rails 109 and 111, respectively, is connected.

集光レンズ103をZ軸方向に移動させるZ軸スライド機構104には、移動距離を検出可能な位置センサが内蔵されており、レンズ制御部122は、この位置センサの出力を検出して集光レンズ103のZ軸方向の位置を制御可能となっている。したがって、撮像装置112の同軸落射型光源から出射した可視光の焦点が基板Wの表面と合うように集光レンズ103をZ軸方向に移動させれば、基板Wの厚みを計測することが可能である。   The Z-axis slide mechanism 104 that moves the condensing lens 103 in the Z-axis direction has a built-in position sensor capable of detecting the moving distance, and the lens control unit 122 detects the output of the position sensor and collects the light. The position of the lens 103 in the Z-axis direction can be controlled. Therefore, the thickness of the substrate W can be measured by moving the condenser lens 103 in the Z-axis direction so that the focus of the visible light emitted from the coaxial incident light source of the imaging device 112 is aligned with the surface of the substrate W. It is.

レーザ光源101は、パルスレーザ光を発生するNd:YAGレーザである。この他にレーザ光源101に用いることができるレーザとして、この他に、Nd:YVO4レーザやNd:YLFレーザやチタンサファイアレーザがある。   The laser light source 101 is an Nd: YAG laser that generates pulsed laser light. Other lasers that can be used for the laser light source 101 include an Nd: YVO 4 laser, an Nd: YLF laser, and a titanium sapphire laser.

尚、本実施形態では、ステージ107は、Y軸スライド部108に支持されているが、X軸スライド部110とY軸スライド部108との位置関係を逆転させてX軸スライド部110に支持される形態としてもよい。また、ステージ107をθテーブル(図示せず)を介してY軸スライド部108に支持することが好ましい。これによれば、マザー基板Wを光軸101aに対してより垂直な状態とすることが可能である。   In this embodiment, the stage 107 is supported by the Y-axis slide unit 108, but is supported by the X-axis slide unit 110 by reversing the positional relationship between the X-axis slide unit 110 and the Y-axis slide unit 108. It is good also as a form. Moreover, it is preferable to support the stage 107 on the Y-axis slide part 108 via a θ table (not shown). According to this, it is possible to make the mother substrate W more perpendicular to the optical axis 101a.

(レーザスクライブ方法)
次に、本実施形態に係るレーザスクライブ方法について説明する。図4は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
(Laser scribing method)
Next, the laser scribing method according to this embodiment will be described. FIG. 4 is a process diagram showing a laser scribing method in the present embodiment.

図4(a)の屈折物質配置工程では、レーザ照射面S2の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてのシリコン材41を配置した。シリコン材41は、レーザ照射面S2をほぼ覆うように配置されるとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面S2の反対面にほぼ到達するように適宜高さ調節される。また、シリコン材41は、マスク40に備えられており、マスク40のシリコン材41がレーザ照射面S2の上部に位置するように、マスク40を配置する。   In the refractive material arrangement step of FIG. 4A, a refractive material having a refractive index larger than at least air is arranged above the laser irradiation surface S2. In the present embodiment, the silicon material 41 as a refractive material is disposed. The silicon material 41 is disposed so as to substantially cover the laser irradiation surface S2, and when the laser beam is irradiated, the silicon material 41 is appropriately high so that the condensing point of the laser light substantially reaches the opposite surface of the laser irradiation surface S2. Adjusted. Further, the silicon material 41 is provided in the mask 40, and the mask 40 is arranged so that the silicon material 41 of the mask 40 is positioned above the laser irradiation surface S2.

マスク40には、レーザ光の透過を抑制する抑制部材42が備えられ、抑止部材42が、第1積層部材12の上部に位置するように、マスク40が配置される。抑制部材42は、照射されたレーザ光を反射、吸収、散乱等により、レーザ光の透過を抑制し、第1積層部材12の損傷を防止するためのものである。抑制部材42は、例えば、金属材、樹脂材等を用いることができる。なお、抑止部材42は、第1積層部材12の全面を覆うように設ける必要はなく、少なくともレーザ光が照射される領域付近に備えればよい。   The mask 40 is provided with a suppression member 42 that suppresses the transmission of laser light, and the mask 40 is disposed so that the suppression member 42 is positioned above the first laminated member 12. The suppressing member 42 is for suppressing the transmission of the laser beam by reflecting, absorbing, scattering, etc. the irradiated laser beam and preventing the first laminated member 12 from being damaged. For example, a metal material or a resin material can be used for the suppressing member 42. The suppression member 42 does not need to be provided so as to cover the entire surface of the first laminated member 12, and may be provided at least near the region irradiated with the laser light.

図4(b)のレーザ照射工程では、レーザ照射装置100を用いて、レーザ光源101から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ103から、シリコン材41を介してレーザ照射面S2に向けて、レーザ照射面S2に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインLに沿って、封止基板11の内部にレーザ光60の集光点P1が位置するように照射する。このとき、シリコン材41のレーザ照射面S1におけるレーザ光60の照射幅が、隣接する第1積層部材12間幅W以内となるように照射される。   In the laser irradiation step of FIG. 4B, the laser irradiation apparatus 100 is used to focus the laser light emitted from the laser light source 101 toward the laser irradiation surface S <b> 2 through the silicon material 41. Then, the laser beam 60 is irradiated in the direction perpendicular to the laser irradiation surface S2 and along the planned cutting line L so that the condensing point P1 of the laser beam 60 is located inside the sealing substrate 11. At this time, irradiation is performed so that the irradiation width of the laser light 60 on the laser irradiation surface S1 of the silicon material 41 is within the width W between the adjacent first laminated members 12.

レーザ光60は、レーザ照射面S2の反対面に到達する位置P1に集光点が設定され、切断予定ラインLに沿ってレーザ光60を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面S2に近づくようにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光60を照射させながら切断予定ラインLに沿って走査する。そして、集光点の位置P2に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインLに沿った改質層Rcが形成される。   The laser beam 60 is scanned while irradiating the laser beam 60 along the planned cutting line L with a condensing point set at a position P1 that reaches the surface opposite to the laser irradiation surface S2. Thereafter, the position of the condensing point is moved in the Z-axis direction so that the position of the condensing point approaches the laser irradiation surface S <b> 2, and scanning is performed along the planned cutting line L while irradiating the laser beam 60. The modified layer Rc along the planned cutting line L is formed by scanning a plurality of times until the position P2 of the condensing point is reached.

図4(c)の分割工程では、積層基板10に外力を与えることにより、応力が改質層Rcにかかり、改質層Rcを起点として封止基板11が切断され、液滴吐出ヘッド10に分割される。   In the dividing step of FIG. 4C, an external force is applied to the laminated substrate 10, so that stress is applied to the modified layer Rc, and the sealing substrate 11 is cut starting from the modified layer Rc. Divided.

従って、上記の第1実施形態によれば、以下に示す効果がある。   Therefore, according to the first embodiment, there are the following effects.

(1)封止基板11のレーザ照射面S2に向けて、レーザ光60の照射幅が第1積層部材12間幅W以内となるように照射されたレーザ光60が、シリコン材41のレーザ照射面S1に入射される。入射されたレーザ光60は、シリコン材41の屈折率にしたがって屈折し、シリコン材41を介してレーザ照射面S2に入射される。レーザ照射面S2に入射されたレーザ光60は、封止基板11の屈折率にしたがって屈折し、封止基板11の内部で集光される。従って、レーザ照射面S2に向けて照射されたレーザ光60は、レーザ照射面S2に入射される前に、シリコン材41によって屈折されるので、直接レーザ照射面S2にレーザ光60を入射させるよりも、レーザ照射面S2におけるレーザ光60の照射幅が長くなり、レーザ照射面S2から封止基板11の厚み方向の深い位置でレーザ光60が集光され、改質層Rcを形成することができる。   (1) The laser beam 60 irradiated to the laser irradiation surface S2 of the sealing substrate 11 so that the irradiation width of the laser beam 60 is within the width W between the first laminated members 12 is irradiated with the laser beam of the silicon material 41. Incident on the surface S1. The incident laser beam 60 is refracted according to the refractive index of the silicon material 41 and is incident on the laser irradiation surface S <b> 2 through the silicon material 41. The laser light 60 incident on the laser irradiation surface S <b> 2 is refracted according to the refractive index of the sealing substrate 11 and is condensed inside the sealing substrate 11. Therefore, since the laser beam 60 irradiated toward the laser irradiation surface S2 is refracted by the silicon material 41 before being incident on the laser irradiation surface S2, the laser beam 60 is directly incident on the laser irradiation surface S2. However, the irradiation width of the laser beam 60 on the laser irradiation surface S2 becomes longer, and the laser beam 60 is condensed at a deep position in the thickness direction of the sealing substrate 11 from the laser irradiation surface S2, thereby forming the modified layer Rc. it can.

(2)第1積層部材12の上部にはレーザ光60の透過を抑制する抑制部材42が配置されるので、シリコン材41のレーザ照射面S2におけるレーザ光60の照射幅が第1積層部材12間幅Wを超えても、第1積層部材12の損傷を防ぐことができる。   (2) Since the suppression member 42 that suppresses the transmission of the laser beam 60 is disposed above the first stacked member 12, the irradiation width of the laser beam 60 on the laser irradiation surface S <b> 2 of the silicon material 41 is the first stacked member 12. Even if the gap width W is exceeded, damage to the first laminated member 12 can be prevented.

[第2実施形態]
次に、第2実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成およびレーザ照射装置の構成については、第1実施形態と同じなので説明を省略する。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment will be described. Note that the configuration of the mother substrate, the configuration of the droplet discharge head as the laminated substrate, and the configuration of the laser irradiation apparatus are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

(レーザスクライブ方法)
図5は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
(Laser scribing method)
FIG. 5 is a process diagram showing a laser scribing method in the present embodiment.

図5(a)の屈折物質配置工程では、レーザ照射面S2の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてのレンズ材51を配置した。レンズ材51は、レーザ照射面S2をほぼ覆うように配置されるとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面S2の反対面にほぼ到達するように、レンズの曲率、設置高さ等適宜調節される。   In the refractive material arrangement step of FIG. 5A, a refractive material having a refractive index larger than at least air is arranged above the laser irradiation surface S2. In the present embodiment, the lens material 51 as a refractive material is disposed. The lens material 51 is disposed so as to substantially cover the laser irradiation surface S2, and the lens so that the condensing point of the laser light almost reaches the opposite surface of the laser irradiation surface S2 when the laser light is irradiated. The curvature, installation height, etc. are adjusted accordingly.

図5(b)のレーザ照射工程では、レーザ照射装置100を用いて、レーザ光源101から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ103から、レンズ材51を介してレーザ照射面S2に向けて、レーザ照射面S2に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインLに沿って、封止基板11の内部にレーザ光60の集光点P1が位置するように照射する。このとき、レンズ材51のレーザ照射面S1におけるレーザ光60の照射幅が、隣接する第1積層部材12間幅W以内となるように照射される。   In the laser irradiation process of FIG. 5B, the laser irradiation apparatus 100 is used to focus the laser light emitted from the laser light source 101 toward the laser irradiation surface S <b> 2 through the lens material 51. Then, the laser beam 60 is irradiated in the direction perpendicular to the laser irradiation surface S2 and along the planned cutting line L so that the condensing point P1 of the laser beam 60 is located inside the sealing substrate 11. At this time, irradiation is performed so that the irradiation width of the laser light 60 on the laser irradiation surface S1 of the lens material 51 is within the width W between the adjacent first laminated members 12.

レーザ光60は、レーザ照射面S2の反対面に到達する位置P1に集光点が設定され、切断予定ラインLに沿ってレーザ光60を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面S2に近づくようにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光60を照射させながら切断予定ラインLに沿って走査する。そして、集光点の位置P2に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインLに沿った改質層Rcが形成される。   The laser beam 60 is scanned while irradiating the laser beam 60 along the planned cutting line L with a condensing point set at a position P1 that reaches the surface opposite to the laser irradiation surface S2. Thereafter, the position of the condensing point is moved in the Z-axis direction so that the position of the condensing point approaches the laser irradiation surface S <b> 2, and scanning is performed along the planned cutting line L while irradiating the laser beam 60. The modified layer Rc along the planned cutting line L is formed by scanning a plurality of times until the position P2 of the condensing point is reached.

図5(c)の分割工程では、積層基板10に外力を与えることにより、応力が改質層Rcにかかり、改質層Rcを起点として封止基板11が切断され、液滴吐出ヘッド10に分割される。   In the dividing step of FIG. 5C, by applying an external force to the laminated substrate 10, stress is applied to the modified layer Rc, and the sealing substrate 11 is cut starting from the modified layer Rc. Divided.

従って、上記の第2実施形態によれば、以下に示す効果がある。   Therefore, according to said 2nd Embodiment, there exists an effect shown below.

(1)封止基板11のレーザ照射面S2に向けて、レーザ光60の照射幅が第1積層部材12間幅W以内となるように照射されたレーザ光60が、レンズ材51のレーザ照射面S1に入射される。入射されたレーザ光60は、レンズ材51の屈折率にしたがって屈折し、レンズ材51を介してレーザ照射面S2に入射される。レーザ照射面S2に入射されたレーザ光60は、封止基板11の屈折率にしたがって屈折し、封止基板11の内部で集光される。従って、レーザ照射面S2に向けて照射されたレーザ光60は、レーザ照射面S2に入射される前に、レンズ材51によって屈折されるので、直接レーザ照射面S2にレーザ光60を入射させるよりも、レーザ照射面S2におけるレーザ光60の照射幅が長くなり、レーザ照射面S2から封止基板11の厚み方向の深い位置でレーザ光60が集光され、改質層Rcを形成することができる。   (1) The laser beam 60 irradiated to the laser irradiation surface S <b> 2 of the sealing substrate 11 so that the irradiation width of the laser beam 60 is within the width W between the first laminated members 12 is irradiated with the laser beam of the lens material 51. Incident on the surface S1. The incident laser beam 60 is refracted according to the refractive index of the lens material 51 and is incident on the laser irradiation surface S <b> 2 through the lens material 51. The laser beam 60 incident on the laser irradiation surface S <b> 2 is refracted according to the refractive index of the sealing substrate 11 and is condensed inside the sealing substrate 11. Accordingly, since the laser beam 60 irradiated toward the laser irradiation surface S2 is refracted by the lens material 51 before being incident on the laser irradiation surface S2, the laser beam 60 is directly incident on the laser irradiation surface S2. However, the irradiation width of the laser beam 60 on the laser irradiation surface S2 becomes longer, and the laser beam 60 is condensed at a deep position in the thickness direction of the sealing substrate 11 from the laser irradiation surface S2, thereby forming the modified layer Rc. it can.

[第3実施形態]
次に、第3実施形態について説明する。なお、マザー基板の構成、積層基板としての液滴吐出ヘッドの構成およびレーザ照射装置の構成については、第1実施形態と同じなので説明を省略する。
[Third embodiment]
Next, a third embodiment will be described. Note that the configuration of the mother substrate, the configuration of the droplet discharge head as the laminated substrate, and the configuration of the laser irradiation apparatus are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

(レーザスクライブ方法)
図6は、本実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図である。
(Laser scribing method)
FIG. 6 is a process diagram showing the laser scribing method in the present embodiment.

図6(a)の屈折物質配置工程では、レーザ照射面S2の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい2以上の異なった屈折物質を配置する。本実施形態では、屈折物質としてシリコン材61aと光学ガラス61bからなる屈折部材61を配置した。屈折部材61は、2つの物質のうち屈折率が小さい方が中央部に配置され、その外周部に屈折率が大きい方が配置される。本実施形態では、光学ガラス61bの方がシリコン材61aよりも屈折率が小さいので、屈折部材61の中央部には、光学ガラス61bが配置され、光学ガラス61bの外周部にシリコン材61aが配置される。屈折部材61は、レーザ照射面S2をほぼ覆うように配置されとともに、レーザ光を照射したときに、レーザ光の集光点が、レーザ照射面S2の反対面にほぼ到達するように、レンズの曲率、設置高さ等適宜調節される。   In the refractive substance arrangement step of FIG. 6A, two or more different refractive substances having a refractive index larger than at least air are arranged above the laser irradiation surface S2. In the present embodiment, the refractive member 61 made of the silicon material 61a and the optical glass 61b is disposed as the refractive material. Of the two materials, the refractive member 61 has a smaller refractive index disposed in the center portion, and a larger refractive index disposed in the outer peripheral portion thereof. In the present embodiment, since the refractive index of the optical glass 61b is smaller than that of the silicon material 61a, the optical glass 61b is disposed at the center of the refractive member 61, and the silicon material 61a is disposed at the outer periphery of the optical glass 61b. Is done. The refracting member 61 is disposed so as to substantially cover the laser irradiation surface S2, and when the laser beam is irradiated, the refractive point 61 of the lens so that the condensing point of the laser beam almost reaches the opposite surface of the laser irradiation surface S2. The curvature, installation height, etc. are adjusted as appropriate.

図6(b)のレーザ照射工程では、レーザ照射装置100を用いて、レーザ光源101から出射されたレーザ光を集光する集光レンズ103から、屈折部材61を介してレーザ照射面S2に向けて、レーザ照射面S2に垂直な方向に、かつ、切断予定ラインLに沿って、封止基板11の内部にレーザ光60を照射する。このとき、屈折部材61のレーザ照射面S1におけるレーザ光60の照射幅が、隣接する第1積層部材12間幅W以内となるように照射される。   In the laser irradiation process of FIG. 6B, the laser irradiation apparatus 100 is used to focus the laser light emitted from the laser light source 101 toward the laser irradiation surface S <b> 2 through the refractive member 61. Then, the laser beam 60 is irradiated inside the sealing substrate 11 in a direction perpendicular to the laser irradiation surface S2 and along the planned cutting line L. At this time, irradiation is performed so that the irradiation width of the laser beam 60 on the laser irradiation surface S1 of the refractive member 61 is within the width W between the adjacent first laminated members 12.

屈折部材61に照射されたレーザ光60は、シリコン材61aと光学ガラス61bにそれぞれ屈折され、屈折角が異なるレーザ光60a,60bがレーザ照射面S2入射される。このうち、レーザ光60aは、レーザ照射面S2の反対面に到達する位置P1に集光点が設定され、レーザ光60bは、封止基板11の厚みの中央部分の位置P2に集光点が設定され、切断予定ラインLに沿ってレーザ光60を照射しながら走査する。その後、集光点の位置がレーザ照射面S2に近づくようにZ軸方向に集光点の位置を移動させ、レーザ光60を照射させながら切断予定ラインLに沿って走査する。そして、集光点の位置P3に達するまで、複数回走査することにより、切断予定ラインLに沿った改質層Rcが形成される。   Laser light 60 applied to the refraction member 61 is refracted by the silicon material 61a and the optical glass 61b, and laser light 60a and 60b having different refraction angles are incident on the laser irradiation surface S2. Among these, the condensing point of the laser beam 60a is set at a position P1 that reaches the surface opposite to the laser irradiation surface S2, and the condensing point of the laser beam 60b is at a position P2 of the central portion of the thickness of the sealing substrate 11. Scanning is performed while irradiating the laser beam 60 along the scheduled cutting line L. Thereafter, the position of the condensing point is moved in the Z-axis direction so that the position of the condensing point approaches the laser irradiation surface S <b> 2, and scanning is performed along the planned cutting line L while irradiating the laser beam 60. Then, the modified layer Rc along the planned cutting line L is formed by scanning a plurality of times until reaching the condensing point position P3.

図6(c)の分割工程では、積層基板10に外力を与えることにより、応力が改質層Rcにかかり、改質層Rcを起点として封止基板11が切断され、液滴吐出ヘッド10に分割される。   In the dividing step of FIG. 6C, by applying an external force to the laminated substrate 10, stress is applied to the modified layer Rc, and the sealing substrate 11 is cut starting from the modified layer Rc. Divided.

従って、上記の第3実施形態によれば、以下に示す効果がある。   Therefore, according to the third embodiment, there are the following effects.

(1)封止基板11のレーザ照射面S2に向けて、レーザ光60の照射幅が第1積層部材12間幅W以内となるように照射されたレーザ光60が、屈折部材61のレーザ照射面S1に入射される。入射されたレーザ光60は、屈折部材61を構成するシリコン材61aと光学ガラス61bのそれぞれ屈折率にしたがって屈折し、屈折部材61を介してレーザ照射面S2に入射される。レーザ照射面S2に入射されたレーザ光60a,60bは、封止基板11の屈折率にしたがって屈折し、封止基板11の内部の異なる2点(P1,P2)で集光される。従って、レーザ照射面S2に向けて照射されたレーザ光60は、レーザ照射面S2に入射される前に、屈折部材61によって屈折されるので、直接レーザ照射面S2にレーザ光60を入射させるよりも、レーザ照射面S2におけるレーザ光60の照射幅が長くなり、レーザ照射面S2から封止基板11の厚み方向の深い位置で集光され、改質層Rcを形成することができるとともに、封止基板11の内部には、異なった2つの集光点ができるので、改質層を効率良く形成することができる。   (1) The laser beam 60 irradiated to the laser irradiation surface S <b> 2 of the sealing substrate 11 so that the irradiation width of the laser beam 60 is within the width W between the first laminated members 12 is irradiated with the laser beam of the refractive member 61. Incident on the surface S1. The incident laser beam 60 is refracted according to the refractive index of each of the silicon material 61a and the optical glass 61b constituting the refraction member 61, and is incident on the laser irradiation surface S2 via the refraction member 61. The laser beams 60a and 60b incident on the laser irradiation surface S2 are refracted according to the refractive index of the sealing substrate 11, and are condensed at two different points (P1 and P2) inside the sealing substrate 11. Accordingly, since the laser beam 60 irradiated toward the laser irradiation surface S2 is refracted by the refractive member 61 before being incident on the laser irradiation surface S2, the laser beam 60 is directly incident on the laser irradiation surface S2. However, the irradiation width of the laser beam 60 on the laser irradiation surface S2 is increased, and the laser beam 60 is condensed at a deep position in the thickness direction of the sealing substrate 11 from the laser irradiation surface S2, and the modified layer Rc can be formed. Since two different condensing points are formed inside the stop substrate 11, the modified layer can be formed efficiently.

本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、以下のような変形例が挙げられる。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and the following modifications are given.

(変形例1)第1〜第3実施形態では、屈折物質として、シリコン材41,レンズ材51,シリコン材61aと光学ガラス61bで構成された屈折部材61を配置したが、これに限定されない。屈折物質は、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置すればよい。例えば、水晶、光学ガラス、ダイヤモンド等、或いはこれらの組み合わせであってもよい。このようにしても、積層基板11のレーザ照射面S2にレーザ光60が照射される前に、レーザ光60が屈折されるので、積層基板10の厚み方向の深い位置でレーザ光60が集光されるとともに改質層Rcを形成することができる。   (Modification 1) In the first to third embodiments, as the refractive material, the refractive member 61 composed of the silicon material 41, the lens material 51, the silicon material 61a and the optical glass 61b is arranged, but the invention is not limited to this. As the refractive material, a refractive material having a refractive index larger than at least air may be disposed. For example, quartz, optical glass, diamond, etc., or a combination thereof may be used. Even in this case, since the laser beam 60 is refracted before the laser beam 60 is irradiated on the laser irradiation surface S2 of the multilayer substrate 11, the laser beam 60 is condensed at a deep position in the thickness direction of the multilayer substrate 10. In addition, the modified layer Rc can be formed.

(変形例2)第1〜第3実施形態において、シリコン材41,レンズ材51,屈折部材61を封止基板11のレーザ照射面S2から離れた上方に配置したが、これに限定されない。例えば、レーザ照射面S2に接していてもよい。このようにしても、レーザ照射面S2にレーザ光60が入射される前に、レーザ光60を屈折させることができる。   (Modification 2) In the first to third embodiments, the silicon material 41, the lens material 51, and the refractive member 61 are disposed above the laser irradiation surface S2 of the sealing substrate 11, but the present invention is not limited to this. For example, you may contact | connect the laser irradiation surface S2. Even in this case, the laser beam 60 can be refracted before the laser beam 60 is incident on the laser irradiation surface S2.

(変形例3)第1〜第3実施形態では、レーザ光60をレーザ照射面S2に向けて照射したが、これに限定されない。第2積層部材13側のレーザ照射面S3に向けてレーザ光60を照射してもよい。この場合において、第2積層部材13側の封止基板11のレーザ照射面の上部に屈折物質を配置すればよい。このようにしても、照射されたレーザ光60は、屈折物質を介して封止基板11に入射されるので、積層基板10の厚み方向の深い位置でレーザ光60が集光されるとともに改質層Rcを形成することができる。   (Modification 3) In the first to third embodiments, the laser beam 60 is irradiated toward the laser irradiation surface S2, but the present invention is not limited to this. The laser beam 60 may be irradiated toward the laser irradiation surface S3 on the second laminated member 13 side. In this case, a refractive material may be disposed above the laser irradiation surface of the sealing substrate 11 on the second laminated member 13 side. Even in this case, the irradiated laser beam 60 is incident on the sealing substrate 11 through the refractive material, so that the laser beam 60 is condensed and modified at a deep position in the thickness direction of the laminated substrate 10. The layer Rc can be formed.

(変形例4)第2実施形態では、屈折物質として凸形状のレンズ材51を用いたが、これに限定されない。例えば、フレネルレンズ、重力レンズ等を用いてもよい。このようにしても、レーザ光60を屈折させることができ、さらに、屈折されたレーザ光60は、封止基板11の内部に複数の集光点が形成されるので、改質層Rcを効率良く形成することができる。   (Modification 4) In the second embodiment, the convex lens material 51 is used as the refractive material, but the present invention is not limited to this. For example, a Fresnel lens or a gravity lens may be used. Even in this case, the laser beam 60 can be refracted, and the refracted laser beam 60 is formed with a plurality of condensing points inside the sealing substrate 11, so that the modified layer Rc can be efficiently used. It can be formed well.

(変形例5)第2及び第3実施形態では、レンズ材51、屈折部材61をレーザ照射面S2の上部に配置したが、第1実施形態と同様にマスクを用いて配置してもよい。さらに、第1積層部材12の上部にレーザ光60の透過を抑制する抑制部材42を配置してもよい。このようにすれば、第1積層部材12のレーザ光60の照射による損傷を防止するとともにマスクを用いることにより、作業性を向上させることができる。   (Modification 5) In the second and third embodiments, the lens material 51 and the refracting member 61 are disposed above the laser irradiation surface S2, but may be disposed using a mask as in the first embodiment. Furthermore, a suppressing member 42 that suppresses the transmission of the laser beam 60 may be disposed on the first laminated member 12. In this way, workability can be improved by preventing damage to the first laminated member 12 due to irradiation of the laser beam 60 and using the mask.

(変形例6)第1〜第3実施形態では、固体の屈折物質を用いたが、これに限定されない。例えば、液体であってもよく、例えば、水やエチルアルコールを用いることができる。このようにしても、封止基板11のレーザ照射面S2に入射される前に、レーザ光60を屈折させることができる。   (Modification 6) In the first to third embodiments, a solid refractive material is used, but the present invention is not limited to this. For example, it may be a liquid, for example, water or ethyl alcohol can be used. Even in this case, the laser beam 60 can be refracted before entering the laser irradiation surface S <b> 2 of the sealing substrate 11.

(変形例7)第1〜第3実施形態では、積層基板としての液滴吐出ヘッド10を用いて説明したが、これに限定されない。例えば、積層基板は、半導体装置であってもよい。このようにしても、シリコン基板の上に区画形成されたパターン毎に構成された半導体チップに対して、パターンの損傷を与えることなく、レーザ光を照射して、容易に分割させることができる。   (Modification 7) Although the first to third embodiments have been described using the droplet discharge head 10 as a laminated substrate, the present invention is not limited to this. For example, the laminated substrate may be a semiconductor device. Even in this case, it is possible to easily divide the semiconductor chip configured for each pattern partitioned on the silicon substrate by irradiating the laser beam without damaging the pattern.

積層基板の構成を示し、(a)は平面図、(b)概略断面図。The structure of a laminated substrate is shown, (a) is a top view, (b) schematic sectional drawing. 液滴吐出ヘッドの構成を示し、(a)は平面図、(b)は概略断面図。The structure of a droplet discharge head is shown, (a) is a top view, (b) is a schematic sectional drawing. レーザ照射装置の構成を示す模式図。The schematic diagram which shows the structure of a laser irradiation apparatus. 第1実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。Process drawing which shows the laser scribing method in 1st Embodiment. 第2実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。Process drawing which shows the laser scribing method in 2nd Embodiment. 第3実施形態におけるレーザスクライブ方法を示す工程図。Process drawing which shows the laser scribing method in 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

1…マザー基板、10…積層基板としての液滴吐出ヘッド、11…基材としての封止基板、12…積層部材としての第1積層部材、13…積層部材としての第2積層部材、40…マスク、41…屈折物質としてのシリコン材、42…抑止部材、51…屈折物質としてのレンズ材、60,60a,60b…レーザ光、61…屈折物質としての屈折部材、61a…屈折部材を構成するシリコン材、61b…屈折部材を構成する光学ガラス、100…レーザ照射装置、L…切断予定ライン、S1,S2,S3…レーザ照射面、W…第1積層部材間幅、P1,P2…集光点の位置、Rc…改質層。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Mother substrate, 10 ... Droplet discharge head as laminated substrate, 11 ... Sealing substrate as base material, 12 ... First laminated member as laminated member, 13 ... Second laminated member as laminated member, 40 ... Mask: 41... Silicon material as refractive material, 42... Suppressing member, 51. Lens material as refractive material, 60, 60 a, 60 b... Laser light, 61. Silicon material, 61b ... Optical glass constituting the refractive member, 100 ... Laser irradiation device, L ... Cutting line, S1, S2, S3 ... Laser irradiation surface, W ... First laminated member width, P1, P2 ... Condensing Point position, Rc ... modified layer.

Claims (9)

基材の面に複数の積層部材が区画形成されてなる積層基板であって、隣接する前記積層部材間に相当する前記基材のレーザ照射面に向けてレーザ光を照射して、前記基材の内部に改質層を形成するレーザスクライブ方法であって、
前記レーザ照射面の上部に、少なくとも空気よりも屈折率が大きい屈折物質を配置する屈折物質配置工程と、
前記屈折物質を介して前記レーザ照射面に向けて前記レーザ光を照射するレーザ照射工程と、を有することを特徴とするレーザスクライブ方法。
A laminated substrate in which a plurality of laminated members are partitioned on the surface of a base material, wherein the base material is irradiated with laser light toward the laser irradiation surface of the base material corresponding to the space between the adjacent laminated members. A laser scribing method for forming a modified layer inside
A refractive substance arranging step of arranging a refractive substance having a refractive index larger than at least air above the laser irradiation surface;
And a laser irradiation step of irradiating the laser beam toward the laser irradiation surface through the refractive material.
請求項1に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記レーザの集光点が、前記レーザ照射面の反対面に達する位置に前記屈折物質を配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
The laser scribing method according to claim 1, wherein
In the refractive material arranging step, the refractive material is arranged at a position where a condensing point of the laser reaches a surface opposite to the laser irradiation surface.
請求項1または2に記載のレーザスクライブ方法において、
前記レーザ照射工程では、前記屈折部材に対するレーザ照射幅が、隣接する前記積層部材間の幅以内となるように、前記レーザ光を照射することを特徴とするレーザスクライブ方法。
The laser scribing method according to claim 1 or 2,
In the laser irradiation step, the laser scribing method is characterized in that the laser beam is irradiated so that a laser irradiation width on the refractive member is within a width between adjacent laminated members.
請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、シリコン材であることを特長とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 3,
The laser scribing method, wherein in the refractive material arranging step, the refractive material is a silicon material.
請求項1〜3のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、レンズ材であることを特長とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 3,
In the refractive material arranging step, the refractive material is a lens material.
請求項1〜5のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質は、2以上の異なった物質で構成されていることを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 5,
In the refractive material arranging step, the refractive material is composed of two or more different materials.
請求項1〜6のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、マスクに前記屈折物質を備え、前記マスクの前記屈折物質が前記レーザ照射面の上部に位置するように、前記マスクを配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 6,
In the refractive material arranging step, the mask is arranged so that the refractive material is provided in a mask, and the refractive material of the mask is positioned above the laser irradiation surface.
請求項1〜7のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法において、
前記屈折物質配置工程では、前記屈折物質を配置するとともに、前記積層部材の上部には、前記レーザ光の透過を抑制する抑制部材を配置することを特徴とするレーザスクライブ方法。
In the laser scribing method according to any one of claims 1 to 7,
In the refractive material arranging step, the refractive material is arranged, and a suppressing member for suppressing the transmission of the laser light is arranged above the laminated member.
請求項1〜8のいずれか一項に記載のレーザスクライブ方法によって加工されたことを特徴とする積層基板。
A laminated substrate processed by the laser scribing method according to claim 1.
JP2006058983A 2006-03-06 2006-03-06 Laser scribing method and laminated substrate Withdrawn JP2007237188A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006058983A JP2007237188A (en) 2006-03-06 2006-03-06 Laser scribing method and laminated substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006058983A JP2007237188A (en) 2006-03-06 2006-03-06 Laser scribing method and laminated substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007237188A true JP2007237188A (en) 2007-09-20

Family

ID=38583236

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006058983A Withdrawn JP2007237188A (en) 2006-03-06 2006-03-06 Laser scribing method and laminated substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007237188A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4752488B2 (en) Laser internal scribing method
JP6039217B2 (en) Laser processing method
KR102303178B1 (en) Laser machining device and laser machining method
KR101757952B1 (en) Laser processing method
JP5905274B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
JP2008018547A (en) Manufacturing method of substrate, manufacturing method of tft substrate, manufacturing method of multilayered structural substrate and manufacturing method of display device
JP2009056482A (en) Substrate dividing method and manufacturing method of display device
JP2012028450A (en) Laser processing method
KR20120112774A (en) Laser processing system
JP2011110567A (en) Laser beam machining method
JP2010026041A (en) Manufacturing method of display panel
JP2007319881A (en) Method for producing base substance, laser beam machining apparatus, display, electro-optical apparatus and electronic component
JP4776911B2 (en) Laser processing apparatus and laser processing method
WO2020090918A1 (en) Laser machining device
JP2007284310A (en) Laser scribing method, laser beam machining equipment and electrooptical device
JP6050002B2 (en) Laser processing method
JP2013081951A (en) Glass substrate ablation method
JP2007021558A (en) Laser beam irradiation apparatus and laser beam scribing method
JP2007326127A (en) Laser irradiation apparatus, laser scribing method, method of manufacturing electroptic device
JP6370227B2 (en) Inspection method of laser beam
JP2006248075A (en) Method and apparatus for working substrate using laser beam
JP2008132501A (en) Laser beam machining apparatus, laser beam machining method and method of manufacturing electro-optical apparatus
JP2007319882A (en) Method for producing laminate, laser beam machining apparatus, display, electro-optical device and electronic component
JP4655915B2 (en) Method for dividing layered substrate
JP2007237188A (en) Laser scribing method and laminated substrate

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090512