JP2007234253A - Organic electroluminescent element - Google Patents

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JP2007234253A JP2006051110A JP2006051110A JP2007234253A JP 2007234253 A JP2007234253 A JP 2007234253A JP 2006051110 A JP2006051110 A JP 2006051110A JP 2006051110 A JP2006051110 A JP 2006051110A JP 2007234253 A JP2007234253 A JP 2007234253A
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Daisuke Fujishima
大介 藤嶋
Tetsuyuki Matsusue
哲征 松末
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Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an organic electroluminescent element capable of obtaining nearly equal extraction efficiency in a wide range of a visible area and restraining color drift due to a visual field angle. <P>SOLUTION: In the electroluminescent element laminating in turn a reflective layer 2, a first electrode 3, an organic layer 4 including a light-emitting layer, a second electrode 5, and an optical tuning layer 6 and taking out light from a side of the optical tuning layer 6, provided that an optical distance from a light-emitting position 4a in the light-emitting layer to a reflecting face 2a of the reflecting layer 2 is L<SB>1</SB>, an optical distance from the reflecting face 2a of the reflecting layer 2 to a bottom end 5a of the second electrode 5 is L<SB>2</SB>, an optical distance from the reflecting face 2a of the reflecting layer 2 to a top end 6a of the optical tuning layer 6 is L<SB>3</SB>, and a center wavelength of the wavelength band of emission light to be extracted is λ, L<SB>1</SB>is set at an optical distance with which light of the wavelength λ does not interfere, L<SB>2</SB>is set at an optical distance where light of the wavelength λ reinforces each other by interference, and L<SB>3</SB>is set at an optical distance where light of the wavelength λ weakens each other by interference. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)に関するものである。   The present invention relates to an organic electroluminescence element (organic EL element).

有機EL素子は、一般に数十〜数百μm程度の厚みの有機層を、反射性電極と透過性電極で挟んだ構造を有している。有機層内部の発光層から発光された光は、この積層構造中で干渉し外部に取り出されるが、この干渉を利用し発光効率を高める様々な試みがなされている。発光層から発光される光が単色光である場合、その波長のみを強める構造に設計すればよいが、発光層から発光される光が白色光である場合、混合色の発光効率を高めるため、複数の光学干渉を利用する試みがなされている。   The organic EL element generally has a structure in which an organic layer having a thickness of several tens to several hundreds of μm is sandwiched between a reflective electrode and a transmissive electrode. The light emitted from the light emitting layer inside the organic layer interferes in this laminated structure and is extracted outside. Various attempts have been made to increase the light emission efficiency by using this interference. When the light emitted from the light emitting layer is monochromatic light, it may be designed in a structure that only increases the wavelength, but when the light emitted from the light emitting layer is white light, in order to increase the luminous efficiency of the mixed color, Attempts have been made to utilize multiple optical interferences.

特許文献1においては、基板側から、第2ハーフミラー層、バッファー層、第1ハーフミラー層、有機層、及び反射層の順で積層し、第1ハーフミラー層と反射層の間の干渉で青色発光を、第2ハーフミラー層と反射層の間の干渉でオレンジ色発光を強め、白色発光を強める構造になっている。特許文献2においては、基板側から、第2ハーフミラー層、バッファー層、第1ハーフミラー層、有機層、及び反射層の順で積層し、第1ハーフミラー層と反射層の間の干渉で青色発光を、第1ハーフミラー層と第2ハーフミラー層の間の干渉で緑色発光を、第2ハーフミラー層と反射層の間の干渉で赤色発光を強め、白色発光を強める構造になっている。特許文献3においては、発光位置から反射層までの距離と、発光位置から透光性電極の外部層の外面までの距離を規定し、干渉を利用しないことにより、視野角による色ずれのない白色光を取り出している。   In Patent Document 1, the second half mirror layer, the buffer layer, the first half mirror layer, the organic layer, and the reflective layer are stacked in this order from the substrate side, and the interference between the first half mirror layer and the reflective layer is caused. Blue light emission is structured to enhance orange light emission and white light emission by interference between the second half mirror layer and the reflective layer. In Patent Document 2, the second half mirror layer, the buffer layer, the first half mirror layer, the organic layer, and the reflective layer are stacked in this order from the substrate side, and the interference between the first half mirror layer and the reflective layer is caused. Blue light emission, green light emission due to interference between the first half mirror layer and the second half mirror layer, red light emission is strengthened due to interference between the second half mirror layer and the reflective layer, and white light emission is enhanced. Yes. In Patent Document 3, the distance from the light emitting position to the reflective layer and the distance from the light emitting position to the outer surface of the outer layer of the translucent electrode are defined, and interference is not used, thereby preventing white color without color shift due to the viewing angle. Taking out the light.

反射層、第1ハーフミラー層、及び第2ハーフミラー層による干渉を利用した上記有機EL素子によれば、発光効率を向上させることはできるが、複数の単色を干渉で強めているため、視野角により発光位置との光学距離が変化するため、視野角による色のずれが大きくなるという問題がある。また、発光位置と素子全体の膜厚を限定した場合、視野角による色のずれは小さくなるものの、発光効率を干渉により向上させることができなくなる。
特開2003−151776号公報 特開2004−127588号公報 特開2004−79421号公報
According to the organic EL element using the interference by the reflective layer, the first half mirror layer, and the second half mirror layer, the light emission efficiency can be improved, but a plurality of single colors are strengthened by the interference. Since the optical distance to the light emitting position changes depending on the angle, there is a problem that the color shift due to the viewing angle becomes large. Further, when the light emission position and the film thickness of the entire element are limited, the color shift due to the viewing angle is reduced, but the light emission efficiency cannot be improved by interference.
JP 2003-151776 A JP 2004-127588 A JP 2004-79421 A

本発明の目的は、可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色ずれを抑制することができる有機EL素子を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL element capable of obtaining substantially uniform extraction efficiency in a wide visible range and suppressing color shift due to a viewing angle.

本発明は、基板上に反射層、第1電極、発光層を含む有機層、第2電極、及び光学調整層を順次積層し、光学調整層側から光を取り出す有機エレクトロルミネッセンス素子であって、発光層における発光位置から反射層の反射面までの光学距離をL、反射層の反射面から第2電極の下端までの光学距離をL、反射層の反射面から光学調整層の上端までの光学距離をL、取り出したい発光の波長域の中心波長をλとしたとき、Lを波長λの光が干渉を起こさない光学距離に設定し、Lを波長λの光が干渉により強めあう光学距離に設定し、Lを波長λの光が干渉により弱めあう光学距離に設定することを特徴としている。 The present invention is an organic electroluminescence device in which a reflective layer, a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, a second electrode, and an optical adjustment layer are sequentially laminated on a substrate, and light is extracted from the optical adjustment layer side. The optical distance from the light emitting position in the light emitting layer to the reflecting surface of the reflecting layer is L 1 , the optical distance from the reflecting surface of the reflecting layer to the lower end of the second electrode is L 2 , and from the reflecting surface of the reflecting layer to the upper end of the optical adjustment layer Where L 3 is the optical distance, and the center wavelength of the wavelength range of light emission to be extracted is λ, L 1 is set to an optical distance that does not cause interference of light of wavelength λ, and L 2 is caused by interference of light of wavelength λ. set optical distance constructive, is characterized in that light of the L 3 wavelength λ is set to an optical distance destructive by interference.

本発明においては、上記光学距離Lを波長λの光が干渉を起こさない光学距離に設定し、上記光学距離Lを波長λの光が干渉により強めあう光学距離に設定し、上記光学距離Lを波長λの光が干渉により弱めあう光学距離に設定している。以下、光学距離Lにより生じる光の干渉を「第1の干渉」といい、光学距離Lにより生じる光の干渉を「第2の干渉」といい、光学距離Lにより生じる光の干渉を「第3の干渉」という。 In the present invention, the optical distance L 1 is set to an optical distance that the light of wavelength λ does not cause interference, and set to an optical distance that the light of the optical distance L 2 of wavelength λ is constructive the interference, the optical distance light of the L 3 wavelength λ is set to an optical distance destructive by interference. Hereinafter, light interference caused by the optical distance L 1 is referred to as “first interference”, light interference caused by the optical distance L 2 is referred to as “second interference”, and light interference caused by the optical distance L 3 is referred to as “second interference”. This is called “third interference”.

図1及び図2を参照して、本発明における第1の干渉、第2の干渉及び第3の干渉を説明する。   With reference to FIG.1 and FIG.2, the 1st interference in this invention, 2nd interference, and 3rd interference are demonstrated.

図1は、本発明の有機EL素子の一例を示す模式的断面図である。図1に示すように、基板1の上に、反射層2、第1電極3、発光層を含む有機層4、第2電極5、及び光学調整層6が順次積層して形成されている。有機層4における発光層の発光位置4aから発光した光は、光学調整層6側から取り出される。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention. As shown in FIG. 1, a reflective layer 2, a first electrode 3, an organic layer 4 including a light emitting layer, a second electrode 5, and an optical adjustment layer 6 are sequentially stacked on a substrate 1. The light emitted from the light emitting position 4a of the light emitting layer in the organic layer 4 is extracted from the optical adjustment layer 6 side.

本発明においては、発光位置4aから反射層2の反射面2aまでの光学距離をLとし、反射層2の反射面2aから第2電極5の下端5aまでの光学距離をLとし、反射層2の反射面2aから光学調整層6の上端6aまでの光学距離をLとしている。 In the present invention, the optical distance from the emission position 4a to the reflecting surface 2a of the reflecting layer 2 and L 1, the optical path length from the reflecting surface 2a of the reflective layer 2 to the lower end 5a of the second electrode 5 and L 2, the reflection It is set to L 3 the optical distance to the upper end 6a of the optical adjustment layer 6 from the reflecting surface 2a of the layer 2.

図2は、図1に示す有機EL素子における第1の干渉、第2の干渉及び第3の干渉を説明するための模式的断面図である。発光位置4aから発光された光は、光学調整層6側に向かって出射されると共に、反射層2側に向かっても出射される。反射層2側に向かって出射された光31bは、反射層2の反射面2aで反射され、光学調整層6側に向かう。発光位置4aから直接光学調整層6側に出射された光31aと、反射層2で反射された光31bとの間で生じる干渉が第1の干渉31である。   FIG. 2 is a schematic cross-sectional view for explaining the first interference, the second interference, and the third interference in the organic EL element shown in FIG. The light emitted from the light emitting position 4a is emitted toward the optical adjustment layer 6 side and also emitted toward the reflective layer 2 side. The light 31b emitted toward the reflective layer 2 side is reflected by the reflective surface 2a of the reflective layer 2 and travels toward the optical adjustment layer 6 side. The interference generated between the light 31 a emitted directly from the light emitting position 4 a to the optical adjustment layer 6 side and the light 31 b reflected by the reflective layer 2 is the first interference 31.

また、第2の干渉32は、発光位置4aから光学調整層6に向かって出射され、第2電極5を透過して出射される光32aと、発光位置4aから光学調整層6に向かって出射され、第2電極5の下端5aで反射されて反射層2側に向かい、反射層2の反射面2aで反射され再び光学調整層6に向かって出射される光32bとの間で生じる干渉である。   The second interference 32 is emitted from the light emission position 4a toward the optical adjustment layer 6, and is emitted through the second electrode 5 and emitted from the light emission position 4a toward the optical adjustment layer 6. The interference between the light 32 b reflected from the lower end 5 a of the second electrode 5 toward the reflective layer 2, reflected from the reflective surface 2 a of the reflective layer 2, and emitted toward the optical adjustment layer 6 again. is there.

また、第3の干渉33は、発光位置4aから光学調整層6に向かって出射され、光学調整層6を透過して出射される光33aと、光学調整層6の上端6aで反射され、反射層2側に向かい、反射層2の反射面2aで反射され再び光学調整層6側に向かう光33bとの間で生じる干渉である。   The third interference 33 is emitted from the light emitting position 4a toward the optical adjustment layer 6, is reflected by the light 33a emitted through the optical adjustment layer 6, and the upper end 6a of the optical adjustment layer 6, and is reflected. This is interference generated between the light 33 b that is directed to the layer 2 side and reflected by the reflecting surface 2 a of the reflective layer 2 and again toward the optical adjustment layer 6 side.

第1の干渉31は、発光位置4aと反射層2の反射面2aとの間の光学距離Lを調整することにより制御することができる。第2の干渉32は、第2電極5の下端5aと反射層2の反射面2aとの間の光学距離Lを調整することにより制御することができる。また、第3の干渉33は、光学調整層6の上端6aと反射層2の反射面2aとの間の光学距離Lを調整することにより制御することができる。 The first interference 31 can be controlled by adjusting the optical distance L 1 between the light emitting position 4 a and the reflecting surface 2 a of the reflecting layer 2. The second interference 32 can be controlled by adjusting the optical distance L 2 between the lower end 5 a of the second electrode 5 and the reflecting surface 2 a of the reflecting layer 2. In addition, the third interference 33 can be controlled by adjusting the optical distance L 3 between the upper end 6 a of the optical adjustment layer 6 and the reflection surface 2 a of the reflection layer 2.

本発明においては、光学距離Lを波長λの光が干渉を起こさない光学距離に設定し、第1の干渉31が生じないように設定されている。また、光学距離Lを波長λの光が干渉により強めあう光学距離に設定している。すなわち、第2の干渉32によって、波長λの光が共振する光学距離に設定している。また、光学距離Lを波長λの光が干渉により弱めあう光学距離に設定している。すなわち、第3の干渉33によって、波長λの光が非共振となるように設定している。 In the present invention, to set the optical distance L 1 to the optical distance of the light of wavelength λ does not cause interference, first interference 31 is set so as not to cause. Also, it is set to an optical distance that the optical distance L 2 is light of wavelength λ constructive the interference. In other words, the optical distance at which the light with the wavelength λ resonates is set by the second interference 32. Also, it is set to an optical distance that the optical distance L 3 is light of wavelength λ weakened by interference. That is, the third interference 33 is set so that the light with the wavelength λ becomes non-resonant.

本発明においては、上述のように、第1の干渉31が生じないように光学距離Lを設定し、第2の干渉32が共振となるように設定し、第3の干渉33が非共振となるように設定することにより、可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色ずれを抑制することができる。 In the present invention, as described above, the optical distance L 1 is set so that the first interference 31 does not occur, the second interference 32 is set to be resonant, and the third interference 33 is non-resonant. By setting so as to be approximately equal, it is possible to obtain substantially uniform extraction efficiency in a wide range of the visible range, and it is possible to suppress color shift due to viewing angle.

本発明に従う好ましい実施態様においては、光学調整層が、第2電極の上に設けられている有機バッファー層と、該有機バッファー層の上に設けられる無機透明電極からなる第3電極とから構成されており、第2電極と第3電極とが画素発光部以外の周辺部で接地することにより、第3電極が補助電極として機能していることを特徴としている。本発明においては、このように光学調整層を、有機バッファー層と第3電極から構成することができる。この場合、第3電極を画素発光部以外の周辺部で第2電極と接地させることにより、第3電極を補助電極として機能させることができ、第2電極によって素子の抵抗が高くなるのを低減させることができる。   In a preferred embodiment according to the present invention, the optical adjustment layer is composed of an organic buffer layer provided on the second electrode and a third electrode comprising an inorganic transparent electrode provided on the organic buffer layer. The third electrode functions as an auxiliary electrode by grounding the second electrode and the third electrode at the peripheral portion other than the pixel light emitting portion. In the present invention, the optical adjustment layer can thus be composed of the organic buffer layer and the third electrode. In this case, the third electrode can function as an auxiliary electrode by grounding the third electrode at the peripheral portion other than the pixel light-emitting portion, thereby reducing the increase in resistance of the element due to the second electrode. Can be made.

また、本発明において、光学調整層は、有機バッファー層のみから構成されていてもよいし、無機透明電極からのみ構成されていてもよい。   Moreover, in this invention, the optical adjustment layer may be comprised only from the organic buffer layer, and may be comprised only from the inorganic transparent electrode.

有機バッファー層は、発光層からの発光を吸収しない材料であれば特に限定されるものではないが、例えば、有機EL素子においてホール輸送性材料や電子輸送性材料等として用いられている材料から形成することができる。また、無機透明電極は、有機EL素子において透明電極として用いられているITO(インジウム錫酸化物)、IZO(インジウム亜鉛酸化物)等の導電性金属酸化物や金属薄膜等から形成することができる。   The organic buffer layer is not particularly limited as long as it does not absorb light emitted from the light emitting layer. For example, the organic buffer layer is formed of a material used as a hole transporting material or an electron transporting material in an organic EL element. can do. The inorganic transparent electrode can be formed from a conductive metal oxide such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium zinc oxide), which is used as a transparent electrode in an organic EL element, a metal thin film, or the like. .

また、本発明においては、光学調整層の外側に、さらに保護膜等の外部層を設けてもよい。外部層は、光学調整層の上端部の屈折率と0.2以上異なる屈折率を有し、かつその膜厚が1μm以上のものであることが好ましい。このような外部層を設けることにより、光学調整層の上端において発光層からの光の一部を反射させることができる。   In the present invention, an external layer such as a protective film may be further provided outside the optical adjustment layer. The outer layer preferably has a refractive index different by 0.2 or more from the refractive index of the upper end portion of the optical adjustment layer and has a film thickness of 1 μm or more. By providing such an external layer, a part of light from the light emitting layer can be reflected at the upper end of the optical adjustment layer.

本発明の有機EL素子における発光層は、白色を発光するものであってもよいし、赤色(R)、緑色(G)、及び青色(B)等の単色を発光するものであってもよい。白色を発光する発光層の場合、一つの発光層中に例えば青色発光材料とオレンジ色発光材料を含有させたものであってもよいし、オレンジ色発光層と青色発光層を積層した白色発光層であってもよい。   The light emitting layer in the organic EL device of the present invention may emit white light, or may emit single color such as red (R), green (G), and blue (B). . In the case of a light emitting layer that emits white light, for example, a blue light emitting material and an orange light emitting material may be contained in one light emitting layer, or a white light emitting layer in which an orange light emitting layer and a blue light emitting layer are laminated. It may be.

本発明の有機EL素子において、発光層が白色発光層である場合、L、L及びLは以下の式を満たすことが好ましい。以下の式を満たすことにより、可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色ずれを抑制することができるという本発明の効果をより効果的に得ることができる。 In the organic EL device of the present invention, when the light emitting layer is a white light emitting layer, L 1 , L 2 and L 3 preferably satisfy the following formula. By satisfying the following expression, it is possible to obtain substantially the same extraction efficiency in a wide range of the visible range, and it is possible to more effectively obtain the effect of the present invention that the color shift due to the viewing angle can be suppressed. .

L1 = 75 〜 125 [nm]
L2 = ( m + (φ1+ φ2 )/2π )λ1 /2 [nm]
L3 = ( n + 1/2 + (φ1+ φ3 )/2π )λ2 /2 [nm]
500 nm < λ < 550nm
λ -15 < λ1 < λ + 15
λ -15 < λ2 < λ + 15
L1 : 発光位置から反射層までの光学距離(発光位置は、正孔輸送性の材料から成る第一の発光層と電子輸送性の材料から成る第二の発光層との界面)
L2 : 反射層から第二電極の下端までの光学距離
L3 : 反射層から光学調整層の上端までの光学距離
λ : 取り出したい白色発光の波長域の中心波長
φ1 : 光が反射層で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
L 1 = 75 to 125 [nm]
L 2 = (m + (φ 1 + φ 2) / 2π) λ 1/2 [nm]
L 3 = (n + 1/2 + (φ 1 + φ 3) / 2π) λ 2/2 [nm]
500 nm <λ <550 nm
λ -15 <λ 1 <λ + 15
λ -15 <λ 2 <λ + 15
L 1 : Optical distance from the light emitting position to the reflective layer (the light emitting position is the interface between the first light emitting layer made of a hole transporting material and the second light emitting layer made of an electron transporting material)
L 2 : Optical distance from the reflective layer to the lower end of the second electrode
L 3 : Optical distance from the reflective layer to the upper end of the optical adjustment layer λ: Center wavelength φ 1 of the white light emission wavelength region to be extracted: Phase change when light is reflected by the reflective layer. It is given by

第一電極の屈折率:na、反射層の屈折率:nm、反射層の消衰係数kmとした時
φ1 = tan-1 {2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ2 : 光が第二電極下端部で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
有機層の屈折率:no、第二電極の屈折率:nc、第二電極の消衰係数kcとした時
φ2 = tan-1 {2 nokc/( ne 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ3 : 光が光学調整層上端部で反射する際の位相変化。光学調整層の屈折率が外部層より大きい時は0、小さい時はπ。
m、n : 自然数
本発明の有機EL素子において、発光層が単色の発光層である場合、L、L及びLは以下の式を満たすことが好ましい。
Refractive index of the first electrode: n a, the refractive index of the reflective layer: n m, φ 1 = tan -1 {2 n a when the extinction coefficient k m of the reflection layer k m / (n a 2 - n m 2 - k m 2)}
Where 2 n a k m / (n a 2 -n m 2 -k m 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n a k m / (n a 2 -n m 2 - k m 2) <When 0, π / 2 <φ 1
φ 2 : Phase change when light is reflected at the lower end of the second electrode. It is given by
When the refractive index of the organic layer is n o , the refractive index of the second electrode is n c , and the extinction coefficient k c of the second electrode is φ 2 = tan -1 (2 n o k c / (n e 2 -n m 2 - k m 2)}
Where 2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 ) <0, π / 2 <φ 1
φ 3 : Phase change when light is reflected at the upper end of the optical adjustment layer. 0 when the refractive index of the optical adjustment layer is larger than the outer layer, and π when it is smaller.
m, n: natural number In the organic EL device of the present invention, when the light emitting layer is a monochromatic light emitting layer, L 1 , L 2 and L 3 preferably satisfy the following formula.

L1 = 75 〜 125 [nm]
L2 = ( m + (φ1+ φ2 )/2π )λ1 /2 [nm]
L3 = ( n + 1/2 + (φ1+ φ3 )/2π )λ2 /2 [nm]
λf -20 < λ < λf + 50
λ -15 < λ1 < λ + 15
λ -15 < λ2 < λ + 15
L1 : 発光位置から反射層までの光学距離(発光位置は、発光層が正孔輸送性の材料から成る場合は、電子輸送層との界面となり、発光層が電子輸送性の材料から成る場合は、正孔輸送層との界面)
L2 : 反射層から第二電極の下端までの光学距離
L3 : 反射層から光学調整層の上端までの光学距離
λ : 取り出したい単色の発光の中心波長
λf : 取り出したい単色の発光の蛍光ピーク波長
φ1 : 光が反射層で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
L 1 = 75 to 125 [nm]
L 2 = (m + (φ 1 + φ 2) / 2π) λ 1/2 [nm]
L 3 = (n + 1/2 + (φ 1 + φ 3) / 2π) λ 2/2 [nm]
λ f -20 <λ <λ f + 50
λ -15 <λ 1 <λ + 15
λ -15 <λ 2 <λ + 15
L 1 : Optical distance from the light emitting position to the reflective layer (When the light emitting layer is made of a hole transporting material, it becomes the interface with the electron transporting layer, and the light emitting layer is made of an electron transporting material. Is the interface with the hole transport layer)
L 2 : Optical distance from the reflective layer to the lower end of the second electrode
L 3 : Optical distance from the reflective layer to the upper end of the optical adjustment layer λ: Center wavelength of monochromatic light to be extracted λ f : Fluorescence peak wavelength of monochromatic light to be extracted φ 1 : Phase when light is reflected by the reflective layer change. It is given by

第一電極の屈折率:na、反射層の屈折率:nm、反射層の消衰係数kmとした時
φ1 = tan-1 {2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ2 : 光が第二電極下端部で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
有機層の屈折率:no、第二電極の屈折率:nc、第二電極の消衰係数kcとした時
φ2 = tan-1 {2 nokc/( ne 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ3 : 光が光学調整層上端部で反射する際の位相変化。光学調整層の屈折率が外部層より大きい時は0、小さい時はπ。
m、n : 自然数
Refractive index of the first electrode: n a, the refractive index of the reflective layer: n m, φ 1 = tan -1 {2 n a when the extinction coefficient k m of the reflection layer k m / (n a 2 - n m 2 - k m 2)}
Where 2 n a k m / (n a 2 -n m 2 -k m 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n a k m / (n a 2 -n m 2 - k m 2) <When 0, π / 2 <φ 1
φ 2 : Phase change when light is reflected at the lower end of the second electrode. It is given by
When the refractive index of the organic layer is n o , the refractive index of the second electrode is n c , and the extinction coefficient k c of the second electrode is φ 2 = tan -1 (2 n o k c / (n e 2 -n m 2 - k m 2)}
Where 2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 ) <0, π / 2 <φ 1
φ 3 : Phase change when light is reflected at the upper end of the optical adjustment layer. 0 when the refractive index of the optical adjustment layer is larger than the outer layer, and π when it is smaller.
m, n: natural number

本発明によれば、可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色ずれを抑制することができる。   According to the present invention, substantially uniform extraction efficiency can be obtained in a wide visible range, and color shift due to viewing angle can be suppressed.

以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明の以下の実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
図3は、本実施例において作製した有機EL素子の素子構造を示す模式的断面図である。図3に示すように、ガラス基板1上にAlからなる反射層2(膜厚100nm)を形成し、その上にITO(インジウム錫酸化物)からなる第1電極3(膜厚20nm)を形成し、その上に正孔輸送層4b(膜厚5nm)を形成した。
Example 1
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the element structure of the organic EL element produced in this example. As shown in FIG. 3, a reflective layer 2 (thickness 100 nm) made of Al is formed on a glass substrate 1, and a first electrode 3 (thickness 20 nm) made of ITO (indium tin oxide) is formed thereon. And the positive hole transport layer 4b (film thickness of 5 nm) was formed on it.

正孔輸送層4bの上に、オレンジ色発光層4c(膜厚30nm)、及び青色発光層4d(膜厚30nm)を順に形成した。オレンジ色発光層4cと青色発光層4dから白色発光層が構成されており、この白色発光層の上に電子輸送層4e(膜厚10nm)を形成した。正孔輸送層4b、オレンジ色発光層4c、青色発光層4d、及び電子輸送層4eから有機層が構成されている。このような素子構造においては、オレンジ色発光層4cと青色発光層4dの界面が発光位置4aとなる。   On the hole transport layer 4b, an orange light emitting layer 4c (film thickness 30 nm) and a blue light emitting layer 4d (film thickness 30 nm) were formed in this order. A white light-emitting layer is composed of the orange light-emitting layer 4c and the blue light-emitting layer 4d, and an electron transport layer 4e (film thickness 10 nm) is formed on the white light-emitting layer. The hole transport layer 4b, the orange light emitting layer 4c, the blue light emitting layer 4d, and the electron transport layer 4e constitute an organic layer. In such an element structure, the interface between the orange light emitting layer 4c and the blue light emitting layer 4d is the light emitting position 4a.

電子輸送層4eの上に、Li層(膜厚1.5nm)とAu層(膜厚20nm)からなる第2電極5を形成した。   On the electron transport layer 4e, the 2nd electrode 5 which consists of Li layer (film thickness of 1.5 nm) and Au layer (film thickness of 20 nm) was formed.

第2電極5の上には、光学調整用のバッファー層6b(膜厚350nm)を形成し、その上にIZO(インジウム亜鉛酸化物)からなる光学調整用の第3電極6c(膜厚110nm)を形成した。バッファー層6bは、NPBから形成している。第3電極6cは、画素発光部以外の周辺部で第2電極5と接地している。バッファー層6bと第3電極6cから本発明の光学調整層が構成されている。   An optical adjustment buffer layer 6b (thickness 350 nm) is formed on the second electrode 5, and an optical adjustment third electrode 6c (thickness 110 nm) made of IZO (indium zinc oxide) is formed thereon. Formed. The buffer layer 6b is made of NPB. The third electrode 6c is grounded to the second electrode 5 in the peripheral part other than the pixel light emitting part. The optical adjustment layer of the present invention is constituted by the buffer layer 6b and the third electrode 6c.

本実施例において、正孔輸送層4bはNPBから形成されている。また、オレンジ色発光層4cは、ホスト材料としてNPBを用い、第1のドーパントとしてtBuDPNを20重量%となるように用い、第2のドーパントとしてDBzRを3重量%となるように用いている。   In this embodiment, the hole transport layer 4b is made of NPB. In the orange light emitting layer 4c, NPB is used as the host material, tBuDPN is used as 20% by weight as the first dopant, and DBzR is used as 3% by weight as the second dopant.

青色発光層4dは、ホスト材料として、TBADNを用い、第1のドーパントとしてNPBを10重量%となるように用い、第2のドーパントとしてTBPを2.5重量%となるように用いている。   The blue light emitting layer 4d uses TBADN as a host material, uses NPB as a first dopant at 10% by weight, and uses TBP as a second dopant at 2.5% by weight.

電子輸送層4eは、Alqから形成している。 Electron-transporting layer 4e is formed from Alq 3.

NPBは、N,N’−ジ(1−ナフチル)−N,N’−ジフェニルベンジジンであり、以下の構造を有している。   NPB is N, N′-di (1-naphthyl) -N, N′-diphenylbenzidine and has the following structure.

Figure 2007234253
tBuDPNは、5,12−ビス(4−ターシャリー−ブチルフェニル)ナフタセンであり、以下の構造を有している。
Figure 2007234253
tBuDPN is 5,12-bis (4-tertiary-butylphenyl) naphthacene and has the following structure.

Figure 2007234253
DBzRは、5,12−ビス{4−(6−メチルベンゾチアゾール−2−イル)フェニル}−6,11−ジフェニルナフタセンであり、以下の構造を有している。
Figure 2007234253
DBzR is 5,12-bis {4- (6-methylbenzothiazol-2-yl) phenyl} -6,11-diphenylnaphthacene and has the following structure.

Figure 2007234253
TBADNは、2−ターシャリー−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセンであり、以下の構造を有している。
Figure 2007234253
TBADN is 2-tertiary-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene and has the following structure.

Figure 2007234253
TBPは、2,5,8,11−テトラ−ターシャリー−ブチルペリレンであり、以下の構造を有している。
Figure 2007234253
TBP is 2,5,8,11-tetra-tertiary-butylperylene and has the following structure.

Figure 2007234253
Alqは、トリス−(8−キノリナト)アルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。
Figure 2007234253
Alq 3 is tris- (8-quinolinato) aluminum (III) and has the following structure.

Figure 2007234253
Figure 2007234253

本実施例では、取り出したい白色光の波長域の中心波長λを510nmとして、各層の膜厚を設計している。本実施例におけるλ、λ、L、L、及びLの値を表1に示す。また、これらを算出するのに用いた各層の屈折率及び消衰係数を表2に示す。 In the present embodiment, the film thickness of each layer is designed by setting the center wavelength λ of the wavelength range of white light to be extracted to 510 nm. Table 1 shows values of λ 1 , λ 2 , L 1 , L 2 , and L 3 in this example. Table 2 shows the refractive index and extinction coefficient of each layer used to calculate them.

(実施例2)
実施例1において、バッファー層6bの膜厚を350nmから180nmに変更する以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。本実施例におけるλ、λ、L、L、及びLの値を表1に示す。
(Example 2)
In Example 1, an organic EL element was produced in the same manner as in Example 1 except that the thickness of the buffer layer 6b was changed from 350 nm to 180 nm. Table 1 shows values of λ 1 , λ 2 , L 1 , L 2 , and L 3 in this example.

(比較例1)
実施例1において、オレンジ色発光層4cの膜厚を30nmから20nmに変更し、青色発光層4dの膜厚を30nmから45nmに変更し、光学調整用のバッファー層6bの膜厚を350nmから320nmに変更し、光学調整用の第3電極6cの膜厚を110nmから70nmに変更する以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 1)
In Example 1, the thickness of the orange light emitting layer 4c is changed from 30 nm to 20 nm, the thickness of the blue light emitting layer 4d is changed from 30 nm to 45 nm, and the thickness of the buffer layer 6b for optical adjustment is changed from 350 nm to 320 nm. The organic EL element was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the third electrode 6c for optical adjustment was changed from 110 nm to 70 nm.

この比較例におけるλ、λ、L、L、及びLの値を表1に示す。 Table 1 shows values of λ 1 , λ 2 , L 1 , L 2 , and L 3 in this comparative example.

(比較例2)
実施例1において、正孔輸送層4bの膜厚を5nmから105nmに変更し、それ以外は実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。この比較例におけるλ、λ、L、L、及びLの値を表1に示す。
(Comparative Example 2)
In Example 1, the thickness of the hole transport layer 4b was changed from 5 nm to 105 nm, and an organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that. Table 1 shows values of λ 1 , λ 2 , L 1 , L 2 , and L 3 in this comparative example.

Figure 2007234253
Figure 2007234253

Figure 2007234253
比較例1においては、光学距離Lが本発明の範囲外となっており、比較例2においては、光学距離L及びLが本発明の範囲外となっている。
Figure 2007234253
In Comparative Example 1, the optical distance L 3 has become out of the range of the present invention, in Comparative Example 2, the optical distance L 1 and L 2 are out of the range of the present invention.

図4は、実施例1の可視域における取り出し効率のシミュレーション結果を示す図である。実施例1では、取り出したい白色光の波長域の中心波長λを510nmとしており、第1の干渉では干渉を起こさない全波長にわたってブロードな取り出し効率となっている。第2の干渉では510nm付近の緑色領域の取り出し効率が大きくなっており、第3の干渉では510nm付近の緑色領域の取り出し効率が小さくなっている。トータルの取り出し効率は、これら三つの干渉の影響を受け、結果として可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率となっていることがわかる。   FIG. 4 is a diagram illustrating a simulation result of the extraction efficiency in the visible range according to the first embodiment. In Example 1, the center wavelength λ of the wavelength range of white light to be extracted is set to 510 nm, and the extraction efficiency is broad over all wavelengths that do not cause interference in the first interference. In the second interference, the extraction efficiency of the green region near 510 nm is large, and in the third interference, the extraction efficiency of the green region near 510 nm is small. It can be seen that the total extraction efficiency is affected by these three interferences, and as a result, the extraction efficiency is substantially uniform over a wide range of the visible range.

図5は、実施例1の素子における視野角0°、30°及び60°における発光スペクトルを示す図である。図5から明らかなように、視野角による発光色の変化がほとんど生じておらず、視野角による色のずれを抑制した白色発光が得られていることがわかる。   FIG. 5 is a diagram showing emission spectra at viewing angles of 0 °, 30 °, and 60 ° in the element of Example 1. As can be seen from FIG. 5, almost no change in the emission color due to the viewing angle occurs, and white light emission with suppressed color shift due to the viewing angle is obtained.

図6は、実施例2の素子における視野角0°、30°及び60°における発光スペクトルを示す図であり、実施例2においても、視野角における色のずれが抑制された白色発光が得られている。   FIG. 6 is a diagram showing emission spectra at a viewing angle of 0 °, 30 °, and 60 ° in the element of Example 2. Also in Example 2, white light emission with suppressed color shift at the viewing angle was obtained. ing.

図7は、比較例1の可視域における取り出し効率のシミュレーション結果を示しており、比較例1では、光学距離Lが本発明の範囲外となっているため、第3の干渉が緑色領域を弱めあう干渉となっていないことがわかる。 Figure 7 shows a simulation result of the extraction efficiency in the visible region of Comparative Example 1, Comparative Example 1, since the optical distance L 3 is out of the range of the present invention, the third interference green area It can be seen that there is no weakening interference.

図8は、比較例1の素子における視野角0°、30°及び60°における発光スペクトルを示す図である。図8に示すように、白色発光は得られているが、視野角による色のずれが大きいことがわかる。   FIG. 8 is a diagram showing emission spectra at viewing angles of 0 °, 30 °, and 60 ° in the element of Comparative Example 1. As shown in FIG. 8, although white light emission is obtained, it can be seen that the color shift due to the viewing angle is large.

図9は、比較例2の素子における視野角0°、30°及び60°における発光スペクトルを示す図であり、図9に示されるように青色発光のみが見られ、白色発光が得られないことがわかる。   FIG. 9 is a diagram showing emission spectra at a viewing angle of 0 °, 30 °, and 60 ° in the element of Comparative Example 2. As shown in FIG. 9, only blue emission is seen and white emission is not obtained. I understand.

以上のように、光学距離L、L及びLを本発明に従い設定することにより、可視光の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色のずれを抑制できることが分かる。 As described above, by setting the optical distances L 1 , L 2 and L 3 according to the present invention, it is possible to obtain almost uniform extraction efficiency in a wide range of visible light, and to suppress color shift due to viewing angle. I understand.

図10は、本発明に従う実施例の有機EL素子を用いた有機EL表示装置を示す断面図である。この有機EL表示装置においては、能動素子としてTFTを用いて各画素における発光を駆動している。なお、能動素子としてダイオード等も用いることができる。   FIG. 10 is a cross-sectional view showing an organic EL display device using the organic EL element of the embodiment according to the present invention. In this organic EL display device, light emission in each pixel is driven using a TFT as an active element. A diode or the like can also be used as the active element.

図10を参照して、ガラス等の透明基板からなる基板1の上には、積層膜21が設けられている。積層膜21は、例えばSiO及びSiN等から形成されている。積層膜21の上には、ポリシリコン層からなるチャネル領域11が形成されている。チャネル領域11の上には、ドレイン電極12及びソース電極14が形成されており、ドレイン電極12とソース電極14の間には、ゲート電極13が設けられている。ゲート電極13とチャネル領域11の間にはゲート酸化膜22が設けられている。ゲート酸化膜22は、例えばSiN及びSiOから形成されている。 Referring to FIG. 10, a laminated film 21 is provided on a substrate 1 made of a transparent substrate such as glass. The laminated film 21 is made of, for example, SiO 2 and SiN x . A channel region 11 made of a polysilicon layer is formed on the laminated film 21. A drain electrode 12 and a source electrode 14 are formed on the channel region 11, and a gate electrode 13 is provided between the drain electrode 12 and the source electrode 14. A gate oxide film 22 is provided between the gate electrode 13 and the channel region 11. Gate oxide film 22 is formed, for example, from SiN x and SiO 2.

ゲート酸化膜22の上には、第1の層間絶縁膜23が形成されており、第1の層間絶縁膜23の上には第2の層間絶縁膜24が形成されている。第1の層間絶縁膜23は、例えばSiO及びSiNから形成されており、第2の層間絶縁膜24は、例えばSiNから形成されている。 A first interlayer insulating film 23 is formed on the gate oxide film 22, and a second interlayer insulating film 24 is formed on the first interlayer insulating film 23. The first interlayer insulating film 23 is made of, for example, SiO 2 and SiN x , and the second interlayer insulating film 24 is made of, for example, SiN x .

第2の層間絶縁膜24の上には、平坦化膜25が形成されている。平坦化膜25は、例えばアクリル樹脂等から形成されている。平坦化膜25の画素発光部30の領域の上には、Al等からなる反射層2が形成されている。反射層2の上には、ITO等からなる第1電極3が形成されている。第1電極3は、平坦化膜25に形成されたスルーホール部を通り、ドレイン電極12に接続されている。第1電極3の上の画素発光部30以外の領域には、アクリル樹脂等からなる画素分離膜26が形成されている。画素発光部30における第1電極3の上及び画素分離膜26の上には、発光層を含む有機層4が形成されている。   A planarization film 25 is formed on the second interlayer insulating film 24. The planarizing film 25 is made of, for example, an acrylic resin. A reflective layer 2 made of Al or the like is formed on the region of the pixel light emitting unit 30 of the planarizing film 25. A first electrode 3 made of ITO or the like is formed on the reflective layer 2. The first electrode 3 is connected to the drain electrode 12 through a through hole formed in the planarizing film 25. A pixel separation film 26 made of acrylic resin or the like is formed in a region other than the pixel light emitting unit 30 on the first electrode 3. An organic layer 4 including a light emitting layer is formed on the first electrode 3 and the pixel separation film 26 in the pixel light emitting unit 30.

有機層4の上には第2電極5が形成され、第2電極5の上にはバッファー層6b及び第3電極6cが形成されている。バッファー層6bと第3電極6cから本発明の光学調整層が構成されている。第3電極6cは、画素発光部30以外の周辺部において第2電極5と接続するように設けられており、第2電極5による抵抗の増加を抑制する補助電極としての役割を果たしている。   A second electrode 5 is formed on the organic layer 4, and a buffer layer 6 b and a third electrode 6 c are formed on the second electrode 5. The optical adjustment layer of the present invention is constituted by the buffer layer 6b and the third electrode 6c. The third electrode 6 c is provided so as to be connected to the second electrode 5 in the peripheral portion other than the pixel light emitting unit 30, and serves as an auxiliary electrode that suppresses an increase in resistance due to the second electrode 5.

第3電極6cの上にはアクリル樹脂等からなる外部層7が形成されている。   An outer layer 7 made of acrylic resin or the like is formed on the third electrode 6c.

外部層7の上には、接着剤層27を介して、ガラス等からなる透明な封止基板28が設けられている。封止基板28の素子側の画素発光部30の領域には、カラーフィルタ層29が設けられている。   A transparent sealing substrate 28 made of glass or the like is provided on the outer layer 7 via an adhesive layer 27. A color filter layer 29 is provided in the region of the pixel light emitting unit 30 on the element side of the sealing substrate 28.

以上のようにして構成された図10に示す有機EL表示装置においては、有機層4の発光位置4aから出射された光が、カラーフィルタ層29を通り、基板1と反対側に出射される。発光位置4aから出射された光は、反射層2の反射面、第2電極5と有機層4との界面、及び第3電極6cと外部層7との界面で反射される。本発明においては、上述のように第1の干渉については干渉を起こさない光学距離Lに設定し、第2の干渉については干渉により取り出したい発光を強めあう光学距離Lとなるように設定し、第3の干渉については、干渉により取り出したい発光を弱めあう光学距離Lとなるように設定している。これにより、可視域の広い範囲においてほぼ均等な取り出し効率を得ることができ、視野角による色のずれを抑制することができる。 In the organic EL display device shown in FIG. 10 configured as described above, light emitted from the light emission position 4 a of the organic layer 4 passes through the color filter layer 29 and is emitted to the side opposite to the substrate 1. The light emitted from the light emitting position 4a is reflected on the reflective surface of the reflective layer 2, the interface between the second electrode 5 and the organic layer 4, and the interface between the third electrode 6c and the external layer 7. In the present invention, as described above, the first interference is set to the optical distance L 1 that does not cause interference, and the second interference is set to be the optical distance L 2 that enhances light emission desired to be extracted by the interference. and, for the third interference, it is set to have an optical distance L 3 destructive luminescence to be extracted by the interference. Thereby, substantially uniform extraction efficiency can be obtained in a wide visible range, and color shift due to viewing angle can be suppressed.

本発明の有機EL素子の一例を示す模式的断面図。The typical sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention. 本発明における第1の干渉、第2の干渉、及び第3の干渉を説明するための模式的断面図。The typical sectional view for explaining the 1st interference in the present invention, the 2nd interference, and the 3rd interference. 本発明に従う一実施例の有機EL素子を示す模式的断面図。The typical sectional view showing the organic EL element of one example according to the present invention. 実施例1の有機EL素子の取り出し効率のシミュレーション結果を示す図。The figure which shows the simulation result of the taking-out efficiency of the organic EL element of Example 1. FIG. 実施例1の有機EL素子の視野角による発光スペクトルの変化を示す図。The figure which shows the change of the emission spectrum by the viewing angle of the organic EL element of Example 1. FIG. 実施例2の有機EL素子の視野角による発光スペクトルの変化を示す図。The figure which shows the change of the emission spectrum by the viewing angle of the organic EL element of Example 2. FIG. 比較例1の有機EL素子の取り出し効率のシミュレーション結果を示す図。The figure which shows the simulation result of the taking-out efficiency of the organic EL element of the comparative example 1. 比較例1の有機EL素子の視野角による発光スペクトルの変化を示す図。The figure which shows the change of the emission spectrum by the viewing angle of the organic EL element of the comparative example 1. 比較例2の有機EL素子の視野角による発光スペクトルの変化を示す図。The figure which shows the change of the emission spectrum by the viewing angle of the organic EL element of the comparative example 2. FIG. 本発明に従う実施例の有機EL素子を用いた有機EL表示装置を示す断面図。Sectional drawing which shows the organic electroluminescent display apparatus using the organic electroluminescent element of the Example according to this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板
2…反射層
2a…反射層の反射面
3…第1電極
4…有機層
4a…発光位置
5…第2電極
6…光学調整層
31…第1の干渉
32…第2の干渉
33…第3の干渉
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Reflection layer 2a ... Reflection surface of reflection layer 3 ... 1st electrode 4 ... Organic layer 4a ... Light emission position 5 ... 2nd electrode 6 ... Optical adjustment layer 31 ... 1st interference 32 ... 2nd interference 33 ... third interference

Claims (9)

基板上に反射層、第1電極、発光層を含む有機層、第2電極、及び光学調整層を順次積層し、光学調整層側から光を取り出す有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層における発光位置から前記反射層の反射面までの光学距離をL、前記反射層の反射面から前記第2電極の下端までの光学距離をL、前記反射層の反射面から前記光学調整層の上端までの光学距離をL、取り出したい発光の波長域の中心波長をλとしたとき、
を波長λの光が干渉を起こさない光学距離に設定し、Lを波長λの光が干渉により強めあう光学距離に設定し、Lを波長λの光が干渉により弱めあう光学距離に設定することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
An organic electroluminescence device in which a reflective layer, a first electrode, an organic layer including a light emitting layer, a second electrode, and an optical adjustment layer are sequentially laminated on a substrate, and light is extracted from the optical adjustment layer side,
The optical distance from the light emitting position in the light emitting layer to the reflective surface of the reflective layer is L 1 , the optical distance from the reflective surface of the reflective layer to the lower end of the second electrode is L 2 , and the reflective surface of the reflective layer is When the optical distance to the upper end of the optical adjustment layer is L 3 and the center wavelength of the wavelength range of light emission to be extracted is λ,
L 1 is set to an optical distance at which light of wavelength λ does not cause interference, L 2 is set to an optical distance at which light of wavelength λ is strengthened by interference, and L 3 is an optical distance at which light of wavelength λ is weakened by interference. An organic electroluminescence device, characterized in that
前記光学調整層が、前記第2電極の上に設けられる有機バッファー層と、該有機バッファー層の上に設けられる無機透明電極からなる第3電極とから構成されており、前記第2電極と前記第3電極とを画素発光部以外の周辺部で接地させることにより、前記第3電極が補助電極として機能していることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The optical adjustment layer is composed of an organic buffer layer provided on the second electrode, and a third electrode made of an inorganic transparent electrode provided on the organic buffer layer, and the second electrode and the The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the third electrode functions as an auxiliary electrode by grounding the third electrode at a peripheral portion other than the pixel light emitting portion. 前記光学調整層が、有機バッファー層から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence device according to claim 1, wherein the optical adjustment layer is composed of an organic buffer layer. 前記光学調整層が、無機透明電極から構成されていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescence element according to claim 1, wherein the optical adjustment layer is composed of an inorganic transparent electrode. 前記光学調整層の外側に、前記光学調整層の上端部の屈折率と0.2以上異なる屈折率を有し、かつその膜厚が1μm以上である外部層が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   An outer layer having a refractive index different by 0.2 or more from the refractive index of the upper end portion of the optical adjustment layer and having a film thickness of 1 μm or more is provided outside the optical adjustment layer. The organic electroluminescent element according to any one of claims 1 to 4. 前記発光層が白色を発光することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the light emitting layer emits white light. 、L及びLが、以下の式を満たすことを特徴とする請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
L1 = 75 〜 125 [nm]
L2 = ( m + (φ12 )/2π )λ1 /2 [nm]
L3 = ( n + 1/2 + (φ13 )/2π )λ2 /2 [nm]
500 nm < λ < 550nm
λ -15 < λ1 < λ + 15
λ -15 < λ2 < λ + 15
L1 : 発光位置から反射層までの光学距離(発光位置は、正孔輸送性の材料から成る第一の発光層と電子輸送性の材料から成る第二の発光層との界面)
L2 : 反射層から第二電極の下端までの光学距離
L3 : 反射層から光学調整層の上端までの光学距離
λ : 取り出したい白色発光の波長域の中心波長
φ1 : 光が反射層で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
第一電極の屈折率:na、反射層の屈折率:nm、反射層の消衰係数kmとした時
φ1 = tan-1 {2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ2 : 光が第二電極下端部で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
有機層の屈折率:no、第二電極の屈折率:nc、第二電極の消衰係数kcとした時
φ2 = tan-1 {2 nokc/( ne 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ3 : 光が光学調整層上端部で反射する際の位相変化。光学調整層の屈折率が外部層より大きい時は0、小さい時はπ。
m、n : 自然数
L 1, L 2 and L 3 An organic electroluminescence device according to claim 6, characterized by satisfying the following equation.
L 1 = 75 to 125 [nm]
L 2 = (m + (φ 1 + φ 2) / 2π) λ 1/2 [nm]
L 3 = (n + 1/2 + (φ 1 + φ 3) / 2π) λ 2/2 [nm]
500 nm <λ <550 nm
λ -15 <λ 1 <λ + 15
λ -15 <λ 2 <λ + 15
L 1 : Optical distance from the light emitting position to the reflective layer (the light emitting position is the interface between the first light emitting layer made of a hole transporting material and the second light emitting layer made of an electron transporting material)
L 2 : Optical distance from the reflective layer to the lower end of the second electrode
L 3 : Optical distance from the reflective layer to the upper end of the optical adjustment layer λ: Center wavelength φ 1 of the white light emission wavelength region to be extracted: Phase change when light is reflected by the reflective layer. It is given by
Refractive index of the first electrode: n a, the refractive index of the reflective layer: n m, φ 1 = tan -1 {2 n a when the extinction coefficient k m of the reflection layer k m / (n a 2 - n m 2 - k m 2)}
Where 2 n a k m / (n a 2 -n m 2 -k m 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n a k m / (n a 2 -n m 2 - k m 2) <When 0, π / 2 <φ 1
φ 2 : Phase change when light is reflected at the lower end of the second electrode. It is given by
When the refractive index of the organic layer is n o , the refractive index of the second electrode is n c , and the extinction coefficient k c of the second electrode is φ 2 = tan -1 (2 n o k c / (n e 2 -n m 2 - k m 2)}
Where 2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 ) <0, π / 2 <φ 1
φ 3 : Phase change when light is reflected at the upper end of the optical adjustment layer. 0 when the refractive index of the optical adjustment layer is larger than the outer layer, and π when it is smaller.
m, n: natural number
前記発光層が単色を発光することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。   The organic electroluminescent element according to claim 1, wherein the light emitting layer emits a single color. 、L、Lが、以下の式を満足することを特徴とする請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
L1 = 75 〜 125 [nm]
L2 = ( m + (φ12 )/2π )λ1 /2 [nm]
L3 = ( n + 1/2 + (φ1+ φ3 )/2π )λ2 /2 [nm]
λf -20 < λ < λf + 50
λ -15 < λ1 < λ + 15
λ -15 < λ2 < λ + 15
L1 : 発光位置から反射層までの光学距離(発光位置は、発光層が正孔輸送性の材料から成る場合は、電子輸送層との界面となり、発光層が電子輸送性の材料から成る場合は、正孔輸送層との界面)
L2 : 反射層から第二電極の下端までの光学距離
L3 : 反射層から光学調整層の上端までの光学距離
λ : 取り出したい単色の発光の中心波長
λf : 取り出したい単色の発光の蛍光ピーク波長
φ1 : 光が反射層で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
第一電極の屈折率:na、反射層の屈折率:nm、反射層の消衰係数kmとした時
φ1 = tan-1 {2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nakm/( na 2- nm 2 - km 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ2 : 光が第二電極下端部で反射する際の位相変化。次の式により与えられる。
有機層の屈折率:no、第二電極の屈折率:nc、第二電極の消衰係数kcとした時
φ2 = tan-1 {2 nokc/( ne 2- nm 2 - km 2)}
ただし2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) > 0の時、0 < φ1 < π/2
2 nokc/( ne 2- nc 2- kc 2) < 0の時、π/2 < φ1 < π
φ3 : 光が光学調整層上端部で反射する際の位相変化。光学調整層の屈折率が外部層より大きい時は0、小さい時はπ。
m、n : 自然数
L 1, L 2, L 3 An organic electroluminescence device according to claim 8, characterized by satisfying the following equation.
L 1 = 75 to 125 [nm]
L 2 = (m + (φ 1 + φ 2) / 2π) λ 1/2 [nm]
L 3 = (n + 1/2 + (φ 1 + φ 3) / 2π) λ 2/2 [nm]
λ f -20 <λ <λ f + 50
λ -15 <λ 1 <λ + 15
λ -15 <λ 2 <λ + 15
L 1 : Optical distance from the light emitting position to the reflective layer (When the light emitting layer is made of a hole transporting material, it becomes the interface with the electron transporting layer, and the light emitting layer is made of an electron transporting material. Is the interface with the hole transport layer)
L 2 : Optical distance from the reflective layer to the lower end of the second electrode
L 3 : Optical distance from the reflective layer to the upper end of the optical adjustment layer λ: Center wavelength of monochromatic light to be extracted λ f : Fluorescence peak wavelength of monochromatic light to be extracted φ 1 : Phase when light is reflected by the reflective layer change. It is given by
Refractive index of the first electrode: n a, the refractive index of the reflective layer: n m, φ 1 = tan -1 {2 n a when the extinction coefficient k m of the reflection layer k m / (n a 2 - n m 2 - k m 2)}
Where 2 n a k m / (n a 2 -n m 2 -k m 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n a k m / (n a 2 -n m 2 - k m 2) <When 0, π / 2 <φ 1
φ 2 : Phase change when light is reflected at the lower end of the second electrode. It is given by
When the refractive index of the organic layer is n o , the refractive index of the second electrode is n c , and the extinction coefficient k c of the second electrode is φ 2 = tan -1 (2 n o k c / (n e 2 -n m 2 - k m 2)}
Where 2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 )> 0, 0 <φ 1 <π / 2
2 n o k c / (n e 2 -n c 2 -k c 2 ) <0, π / 2 <φ 1
φ 3 : Phase change when light is reflected at the upper end of the optical adjustment layer. 0 when the refractive index of the optical adjustment layer is larger than the outer layer, and π when it is smaller.
m, n: natural number
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