JP2007227580A - Device and method for liquid-immersed exposure - Google Patents

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Naoyuki Miyashita
直幸 宮下
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Sony Corp
ソニー株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To restrain failures caused by micro bubbles, watermarks, etc, from occurring without fail in liquid-immersed lithography.
SOLUTION: A liquid-immersed exposure device performs liquid-immersed lithography, by interposing an immersion liquid between a resist film 1 formed on a wafer substrate 2 and a projection optical system 3 which subjects the resist film 1 to exposure. The liquid-immersed exposure device is equipped with an electrifying means 5 that electrifies the immersion liquid and a de-electrifying means 6 which removes electric charge from the immersion liquid. An immersion liquid electrifying process and an immersion liquid de-electrifying process are incorporated into an exposure sequence, whereby the immersion liquid is made to transit into a hydrophilic nature or a hydrophobic nature in relation to the resist film 1.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、マスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ基板上に転写する露光装置および露光方法に関し、特に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型の露光装置および露光方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus and an exposure method for transferring onto a wafer substrate a circuit pattern drawn on a mask via a projection optical system, in particular the exposure apparatus and the exposure of the liquid immersion type performing immersion lithography with intervening immersion liquid a method for.

一般に、メモリや論理回路などの半導体素子、液晶パネルなどの表示素子、磁気ヘッドなどの検出素子、CCDなどの撮像素子等といった各種デバイスを製造する際には、フォトリソグラフィ技術を用いてマスクに描画された回路パターンを投影光学系によってウエハ基板上へ転写する縮小投影型の露光装置が利用される。 In general, semiconductor devices such as memory and logic circuits, display devices such as liquid crystal panels, sensing devices such as magnetic heads, to the manufacture of various devices such as imaging devices, etc., such as a CCD is drawn on the mask by photolithography reduction projection type exposure apparatus that transfers onto the wafer substrate is utilized by the circuit pattern projection optical system that is. この露光装置で転写できる最小のパターン寸法(解像度)は、露光光の波長に比例し、投影光学系の開口数(NA)に反比例する。 The minimum pattern size to be transferred by the exposure apparatus or resolution is proportionate to a wavelength of the exposure light, it is inversely proportional to the numerical aperture of the projection optical system (NA). そのため、高解像度を実現するためには、露光光を短波長化するか、NAの大きな投影光学系を用いればよい。 Therefore, in order to achieve high resolution, the exposure light or a shorter wavelength may be used a large projection optical system of NA. 転写パターンの高解像度化は、正にこれに倣った形で展開されてきている。 Resolution of the transfer pattern, have been deployed in the form of positively conforming thereto. 例えば、露光光の短波長化は、g線(波長;436nm)からi線(波長;365nm)、KrF(波長;248nm)、ArF(波長;193nm)へと推移し、今後は次の光源としてF2(波長;157nm)あるいはEUV(波長;13.5nm)の実現へ向けて開発が進められている。 For example, a short wavelength of exposure light, g-line (wavelength; 436 nm) from the i-line (wavelength; 365 nm), KrF (wavelength; 248 nm), ArF (wavelength; 193 nm) remained to as the next source in the future F2 (wavelength; 157 nm) or EUV (wavelength; 13.5 nm) developed for the realization of has been promoted. また、これと並行して投影光学系の高NA化も加速的に進み、現在では0.9を超えるNAを有した露光装置が開発され販売へと至っている。 Also, the NA of the projection optical system in parallel to this also accelerated the process proceeds, the exposure apparatus having a NA of more than 0.9 is now led to the sale been developed.

このような微細化の流れを停滞させることなく継続していく一つの手法として、ArFレーザを用いた液浸リソグラフィが注目されている(例えば、特許文献1参照)。 As a method to continue without stagnant flow of such miniaturization, immersion lithography using ArF laser has attracted attention (for example, see Patent Document 1). 液浸リソグラフィとは、投影光学系とウエハ基板との間を液体で充填することにより、更なる高NA化を実現する手法である。 The immersion lithography, by the space between the projection optical system and the wafer substrate is filled with liquid, is a technique to realize a further higher NA. つまり、投影光学系のNAは、液体の屈折率をn(n>1)とするとNA=n・sinθであるため、投影光学系とウエハ基板との間を空気の屈折率よりも高い屈折率nの媒質で満たすことにより、「1」を超えるnの領域まで拡張して露光することが可能となる。 That, NA of the projection optical system, since the refractive index of the liquid which is NA = n · sinθ When n (n> 1), having a refractive index higher than the refractive index of the air between the projection optical system and the wafer substrate by filling in n of the medium, it can be exposed by extending to the region of the n exceeds "1". したがって、液浸リソグラフィによれば、従前の半導体製造のために大幅な施設変更を要することなく、転写パターンの高解像度化を実現できるので、製造コストの増大を抑制しつつ次世代LSIへの対応が可能となるといったメリットが得られる。 Therefore, according to the immersion lithography, without requiring significant property changes for the conventional semiconductor manufacturing, it can be realized a high resolution of a transfer pattern, corresponding to the next-generation LSI while suppressing an increase in manufacturing cost benefit from such is possible.

特開平10−303114号公報 JP 10-303114 discloses

ところで、ウエハ基板上へのパターン転写を行う場合、そのウエハ基板上にはレジスト膜が形成されることになるが、液浸リソグラフィにおいて、そのレジスト膜の形成材料は、投影光学系とウエハ基板との間に充填される液浸液に対しての濡れ性が高い親水性材料が用いられる傾向にある。 Incidentally, when transferring a pattern onto a wafer substrate, it will be a resist film is formed on the wafer substrate, in immersion lithography, the material for forming the resist film, a projection optical system and the wafer substrate wettability tends to be higher the hydrophilic material is used with respect to the immersion liquid being filled between. これは、濡れ性の高い親水性材料であれば、露光後のパターンを現像するための現像液への溶解性が高いものが多く、その現像を適切に行えるからであり、また液浸液のレジスト膜との接触角を小さくすることができるので、露光時におけるマイクロバブルが発生し難くなるからである。 This, if a high hydrophilic material wettable, has high solubility in a developing solution for developing the pattern after exposure is large and is because perform the development suitably, also the immersion liquid it is possible to reduce the contact angle between the resist film, since the microbubbles hardly occurs at the time of exposure. 「マイクロバブル」とは、液浸液中に発生する小さな気泡のことをいい、露光光屈折や転写像解像不良等の要因となり得るものである。 The "microbubbles", refers to small bubbles that occur during the immersion liquid, but can become a cause such as an exposure light refraction and transfer image resolution failure. しかしながら、濡れ性の高い親水性材料でレジスト膜を形成すると、上述したメリットが得られる一方で、液浸液へのレジスト膜形成材料の溶出が増加してしまうことが考えられる。 However, to form a resist film with a high hydrophilic material wettability, while benefits described above can be obtained, the elution of the resist film forming material into the immersion liquid is considered that increased. また、露光後にウエハ基板を取り出すべく液浸液を除去する際、濡れ性が高い故に、ウォーターマークが発生し易くなるおそれがある。 Also, when removing the immersion liquid to take out the wafer substrate after the exposure, because the high wettability, there is a possibility that the watermark is easily generated. 「ウォーターマーク」とは、液浸液中の除去時にレジスト膜上に残る水滴に起因して発生するシミ状の欠陥のことをいう。 The "watermark" refers to a stain-like defects caused by the water drops remaining on the resist film during the removal of the immersion liquid.

この点については、濡れ性の高い親水性材料ではなく、液浸液に対しての濡れ性が低い疎水性材料を用いてレジスト膜の形成することも考えられる。 In this regard, instead of a more hydrophilic material wettability, it is also conceivable to form the resist film with wettability less hydrophobic material to the immersion liquid. 濡れ性の低い疎水性材料であれば、レジスト膜の形成材料が液浸液へ溶出し難くなり、また液浸液のレジスト膜との接触角を大きくすることができるので、液浸液の除去時にウォーターマークが発生してしまうのを抑制し得るからである。 If low wettability hydrophobic material, the resist film forming material is hardly eluted into the immersion liquid, also it is possible to increase the contact angle between the resist film of the immersion liquid, the removal of immersion liquid sometimes because the watermark can be suppressed from being generated. しかしながら、濡れ性の低い疎水性材料でレジスト膜を形成する場合には、膜形成材料として親水性材料が一般的に用いられる傾向を鑑みれば材料開発に制約が生じることが考えられ、また現像液への溶解性が低いことから露光後のパターン現像が適切に行えなくなるおそれがある。 However, in the case of forming a resist film with a low hydrophobic material wettability, hydrophilic material it is believed that in view of the tendency of commonly used restriction in materials development occurs as a film forming material, and a developer pattern development after exposure because of its low solubility in there may not be appropriately performed. さらには、液浸液のレジスト膜との接触角が大きくなるので、露光時にマイクロバブルが発生してしまい、露光光屈折や転写像解像不良等を招くおそれもある。 Further, since the contact angle between the resist film of the immersion liquid increases, microbubbles will be generated during the exposure, there are also lead to exposure light refraction and transfer image resolution failure or the like.

このように、液浸リソグラフィにおけるレジスト膜の形成材料については、親水性材料を用いた場合であっても、あるいは疎水性材料を用いた場合であっても、いずれの場合も図5に示すような一長一短がある。 Thus, for the material for forming the resist film in the immersion lithography, even when using hydrophilic materials, or even in the case of using a hydrophobic material, as shown in FIG. 5 in any case there are such advantages and disadvantages. そのため、液浸リソグラフィにおいては、それぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが望まれている。 Therefore, in the immersion lithography, while utilizing the respective advantages, it is desired to comprehensively resolve the respective disadvantages.

本発明は、上述した課題を解決するために案出された液浸型露光装置である。 The present invention is a liquid immersion type exposure apparatus which is devised to solve the problems described above. すなわち、ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光装置であって、前記液浸液を帯電させる帯電手段と、前記液浸液に対する除電を行う除電手段とを備えることを特徴とするものである。 That is, an immersion exposure apparatus that performs immersion lithography by interposing an immersion liquid between the projection optical system for exposing the resist film and the resist film formed on a wafer substrate, the immersion a charging means for charging the liquid and is characterized in that it comprises a discharging means for performing charge elimination with respect to the immersion liquid.

上記構成の液浸型露光装置では、ウエハ基板上のレジスト膜と投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う。 In immersion type exposure apparatus having the above structure, performs immersion lithography by interposing an immersion liquid between the resist film on the wafer substrate and the projection optical system.
このとき、レジスト膜における液浸液に対する濡れ性は、一般に液浸液とレジスト膜との接触角で定量的に表記され、レジスト膜の形成材料が決まれば液浸液の接触角もある固有の角度で決定されてしまう。 In this case, the wettability to the immersion liquid in the resist film is generally quantitatively expressed in the contact angle of the immersion liquid and the resist film, the immersion liquid contact angle is specific for if Kimare resist film forming material It will be determined at an angle. ただし、この接触角は、ある程度の範囲内であれば、液浸液の帯電により変化可能であることが知られている。 However, the contact angle, as long as it is within a certain range, are known to be changeable by the charging of the immersion liquid. つまり、例えば疎水性を有した材料でウエハ基板上のレジスト膜を形成した場合であっても、液浸液の帯電量を変化させれば、その液浸液のレジスト膜との接触角を、親水性を有した材料で形成した場合のように小さくすることができるのである。 That is, for example, even when forming a resist film on the wafer substrate material having a hydrophobic, be changed to the charge amount of the immersion liquid, the contact angle of the resist film on the immersion liquid, it is possible to reduce, as in the case of forming a material having a hydrophilic.

このことから、上記構成の液浸型露光装置では、液浸液を帯電させる帯電手段と、液浸液に対する除電を行う除電手段とを備えており、液浸液を帯電させたり除電したりするようになっている。 Therefore, in the liquid immersion type exposure apparatus of the above configuration, a charging means for charging the immersion liquid, and a charge eliminating means for performing static elimination for the immersion liquid, or neutralizing or charges the immersion liquid It has become way. したがって、例えば、露光シーケンス中は帯電手段により液浸液を帯電させてレジスト膜に対して親水的作用状態にし、露光シーケンス終了後、液浸液を除去する際には、帯電させた液浸液に対する除電を行ってレジスト膜に対して疎水的作用状態にする、といったことを行い得る。 Thus, for example, during the exposure sequence to hydrophilic action state with respect to the resist film by charging the immersion liquid by the charging means, after the exposure sequence is completed, when removing the immersion liquid, the immersion liquid was charged to hydrophobic action state with respect to the resist film by performing static elimination for may do the like. つまり、液浸液の帯電と除電を行うことで、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るようになる。 In other words, by performing static elimination and the charging of the immersion liquid comprises a hydrophilic action state and the hydrophobic effect state to be allowed to transition.

本発明によれば、液浸液の帯電と除電とを露光シーケンスに組み込むことにより、その液浸液をレジスト膜との関係において親水的作用状態または疎水的作用状態のいずれかに遷移させ得るので、例えば露光中は液浸液を帯電させて親水的作用状態にし、露光終了後に液浸液を除去する際には除電して疎水的作用状態にするといったことが実現可能となり、結果として液浸リソグラフィを行う場合であってもマイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても抑制することができ、当該液浸リソグラフィを経て得られる製品の歩留まり向上が期待できる。 According to the present invention, by incorporating a charge removing and charging of the immersion liquid exposure sequence, because capable of transition to one of the hydrophilic effect condition or hydrophobic action state in relation to the resist film and the immersion liquid , for example, during exposure by charging the immersion liquid to a hydrophilic action state, when removing the immersion liquid after the exposure becomes feasible that such be hydrophobic action state by neutralization, immersion as a result It can also be suppressed for any defects such as micro-bubbles and watermarks even when performing lithography, improved yield of products obtained through the immersion lithography can be expected. しかも、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るので、レジスト膜の形成材料についての設計自由度を高く確保することができ、例えば透明度は高いが撥水性が高くなる傾向になることで知られるフッ素を樹脂に含むレジスト形成材料であっても、あたかも親水性レジストとして使用できる可能性が得られる。 Moreover, since capable of transition a hydrophilic action state and the hydrophobic activated condition, it is possible to maintain a high degree of freedom in designing the material for forming the resist film, for example, transparency is high to tend to water repellency is high a resist forming material a fluorine known comprising a resin also, as if could be used as the hydrophilic resist is obtained.
つまり、本発明では、液浸液の帯電と除電によって親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させることで、レジスト膜の形成材料として親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合とのそれぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが可能となる。 That is, in the present invention, by neutralizing the charge of the immersion liquid by transitioning the hydrophobic activated condition and a hydrophilic action state, using a hydrophobic material in the case of using a hydrophilic material as the material for forming the resist film while utilizing the respective merits of the case, it is possible to comprehensively resolve the respective disadvantages.

以下、図面に基づき本発明に係る液浸型露光装置および液浸型露光方法について説明する。 The following describes a liquid immersion type exposure apparatus and the liquid immersion type exposure method according to the present invention based on the drawings.

先ず、液浸型露光装置の基本的な構成について説明する。 First, a description will be given of the basic structure of the liquid immersion type exposure apparatus.
図1は、本発明に係る液浸型露光装置の構成例を示す説明図である。 Figure 1 is an explanatory diagram showing a configuration example of a liquid immersion type exposure apparatus according to the present invention. ここで説明する液浸型露光装置は、液浸リソグラフィを行うためのもので、レジスト膜1が形成されたウエハ基板2がセットされるテーブル(ただし不図示)と、そのウエハ基板2上に形成されたレジスト膜1に対する露光を行う投影光学系3と、レジスト膜1と投影光学系3との間に液浸液を介在させるための液保持部4と、を備えている。 Here immersion exposure apparatus described is intended for performing immersion lithography, the table wafer substrate 2 on which the resist film 1 is formed is set (although not shown), formed on the wafer substrate 2 a resist film 1 projection optical system 3 for exposure for that is, a, a liquid holder 4 for interposing the immersion liquid between the resist film 1 and the projection optical system 3.

投影光学系3は、例えば波長193nmのパルス光を放射するArFエキシマレーザを光源とする縮小光学系を用いることが考えられる。 The projection optical system 3, it is conceivable to use, for example, reduction optical system for an ArF excimer laser which emits pulsed light having a wavelength of 193nm as a light source. なお、縮小光学系の詳細については、公知技術を利用して実現すればよいため、ここではその説明を省略する。 The details of the reduction optical system, since it is sufficient realized using known techniques, and description thereof is omitted here.

液保持部4は、レジスト膜1上で液浸液を貯留させるためのものである。 Liquid holder 4 is intended for stored immersion liquid on the resist film 1. ただし、液保持部4は、レジスト膜1およびウエハ基板2の全体が液浸液に浸るように、その液浸液を貯留するものであってもよい。 However, the liquid holding unit 4, so that the entire resist film 1 and the wafer substrate 2 is immersed in the immersion liquid may be one for storing the immersion liquid. また、液保持部4には、レジスト膜1と投影光学系3との間に液浸液のみが介在するように、その液保持部4内に液浸液を注入充填するための供給ノズル4aが設けられている。 Further, in the liquid holder 4, only the immersion liquid between the resist film 1 and the projection optical system 3 so as mediated, supply nozzle 4a for injecting filling the immersion liquid to the liquid holding part 4 It is provided. さらには、供給ノズル4aとは別に、液保持部4内の液浸液を、その液保持部4内から排出除去するための排出ノズル4bも設けられている。 Furthermore, apart from the supply nozzle 4a, the immersion liquid in the liquid holding portion 4 is also provided with discharge nozzles 4b for discharging removed from the liquid holder within 4. そして、供給ノズル4aを通じて液浸液が液保持部4内に注入されるとともに、注入充填された液浸液が排出ノズル4bから排出除去されるようになっている。 Then, the immersion liquid while being injected into the liquid holding portion 4, the injection-filled immersion liquid are discharged removed from the discharge nozzle 4b through the supply nozzle 4a.

液保持部4内に注入充填される液浸液は、入手が容易で取り扱いが簡単な超純水を用いることが考えられる。 Immersion liquid is injected filled in the liquid holding portion 4, it is considered to use an easy handling simple ultrapure water to obtain. ただし、液浸液の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させるために、レジスト膜1を溶解させず、かつ、投影光学系3のレンズ素子下面に対する影響が無視できる脂肪族系の添加剤(液体)をわずかな割合で添加してもよい。 However, to reduce the surface tension of the immersion liquid, to increase the surface activity, it does not dissolve the resist film 1, and the addition of aliphatic influence with respect to the lens element the lower surface of the projection optical system 3 is negligible agent (liquid) may be added in a small percentage. 添加剤としては、純水とほぼ等しい屈折率を有するメチルアルコール等が好ましい。 As the additive, methyl alcohol, and preferably has a refractive index approximately equal to that of pure water. このようにすると、純水中のメチルアルコール成分が蒸発して含有濃度が変化しても、液浸液の全体としての屈折率変化を極めて小さくできるといった利点が得られる。 In this way, even if the content level changes evaporates methyl alcohol component in pure water, the change of refractive index of the whole of the immersion liquid can be minimized. なお、液浸液中に浸ることになるレジスト膜1は、液浸液中への溶出がし難いように、その液浸液に対して濡れ性の低い疎水性材料を用いて形成されるものとする。 The resist film 1 which will be immersed in the immersion liquid, so it is difficult to elute into the immersion liquid, those formed with low hydrophobic material wettability for the immersion liquid to. 疎水性材料は、レジスト膜の形成材料として公知のものを用いればよいため、ここではその説明を省略する。 Hydrophobic material, because as the material for forming the resist film may be used known ones, description thereof will be omitted.

ところで、本実施形態で説明する液浸型露光装置では、上述した投影光学系3および液保持部4に加え、その特徴的な構成として、帯電手段5および除電手段6を備えている。 Incidentally, in the liquid immersion type exposure apparatus described in this embodiment, in addition to the projection optical system 3 and the liquid holder 4 described above, as a characteristic configuration, and a charging means 5 and a charge eliminating unit 6.

帯電手段5は、供給ノズル4aを通じて液保持部4内に注入充填される液浸液または既に液保持部4内に注入充填されている液浸液のいずれかを帯電させるものである。 Charging means 5 is intended to charge either the immersion liquid or already immersion liquid is injected filled in the liquid holding portion 4 is injected filled in the liquid holding portion 4 through the supply nozzle 4a. ただし、帯電手段5は、遅くとも投影光学系3がレジスト膜1に対する露光を行う前に、その投影光学系3とレジスト膜1との間に介在する液浸液に対する帯電を行うようになっている。 However, the charging unit 5 is at the latest before the projection optical system 3 carries out the exposure of the resist film 1, so as to perform charging for the immersion liquid interposed between the projection optical system 3 and the resist film 1 .

帯電は、摩擦帯電現象または誘導帯電現象を利用して行えばよい。 Charging may be performed by using a frictional electrification phenomenon or inductive charging phenomenon. 摩擦帯電現象とは、絶縁物と絶縁物や絶縁物と金属物体等の摩擦により静電気を帯びることをいう。 The frictional electrification phenomenon refers to be charged electrostatically by friction or the like insulating material and the insulating material and the insulating material and the metal object. また、誘導帯電現象とは、電気を帯びた物体が他の物体に近づくと、これに応じて他の物体の静電気量が変化(増える)ことをいう。 In addition, the inductive charging phenomenon, the object tinged electrical approaches the other object, refers to the amount of static electricity other objects in accordance with this change (increase) the.

具体的には、摩擦帯電現象を利用する場合であれば、液浸液を帯電させる材質によって供給ノズル4aを形成し、これにより帯電手段5を構成することが考えられる。 Specifically, in the case of utilizing a frictional electrification phenomenon, to form a feed nozzle 4a on the material for charging the immersion liquid, thereby it is considered to constitute a charging means 5. ここで、「帯電させる材質」とは、液浸液との摩擦により、その液浸液を帯電させ易い材質のことをいう。 Here, "a material for charging", due to friction with the immersion liquid, refers to a prone material to charge the immersion liquid. 例えば、正極に帯電させ易い材質としては、ガラス、ナイロン、アルミニウム等が挙げられる。 For example, the easy material is positively charged, glass, nylon, aluminum and the like. 一方、負極に帯電させ易い材質としては、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン等が挙げられる。 On the other hand, the easy material is negatively charged, fluorine resin, polyvinyl chloride, polyethylene and the like.

また、摩擦帯電現象を利用する場合には、帯電させる材質による形成と併せて、あるいは帯電させる材質による形成とは全く別に、液浸液を帯電させる形状に供給ノズル4aを形成し、これにより帯電手段5を構成することも考えられる。 Furthermore, friction in the case of using a charging phenomenon, together with formation by material charging or no separately from the formation by the material to be charged, to form a feed nozzle 4a into a shape for charging the immersion liquid, thereby charging it is also conceivable to configure the unit 5. ここで、「帯電させる形状」とは、液浸液との摩擦により、その液浸液を帯電させ易い形状のことをいう。 Here, "the shape of charging" by the friction between the immersion liquid refers to a prone shape to charge the immersion liquid.
図2は、本発明に係る液浸型露光装置における供給ノズルの具体例を示す説明図である。 Figure 2 is an explanatory diagram showing a specific example of a supply nozzle in the liquid immersion type exposure apparatus according to the present invention. 供給ノズル4aの形状の具体例としては、例えば、図2(a)に示すように供給ノズル4aの射出口(液出口)を櫛状にした形状や、図2(b)に示すように、供給ノズル4aの内部を液浸液が蛇行しながら流れるように構成した形状が挙げられる。 Specific examples of the shape of the supply nozzle 4a is, for example, the shape and the injection port (liquid outlet) and a comb-like supply nozzle 4a as shown in FIG. 2 (a), as shown in FIG. 2 (b), the interior of the feed nozzle 4a immersion liquid include structural shape to flow meandering. これらの形状は、供給ノズル4aの構成部材と液浸液との摩擦面積をより多く確保し得るように構成されたものである。 These shapes are those that are configured to be more secure frictional area between the component and the immersion liquid supply nozzle 4a. 摩擦面積が多くなれば、これに応じて液浸液が帯電する度合いも高くなるからである。 The more friction area, because the immersion liquid is also high degree of charging accordingly.

なお、供給ノズル4aの材質または形状の工夫により帯電手段5を実現し、その帯電手段5によって摩擦帯電現象を利用した帯電を行う場合には、供給ノズル4aを通じて液保持部4内に注入充填される液浸液が帯電の対象となる。 Incidentally, to achieve charging means 5 by devising the material or shape of the supply nozzle 4a, when performing charging using a frictional electrification phenomenon by the charging section 5 is injected filled in the liquid holding portion 4 through a feed nozzle 4a the immersion liquid is subject to charge that.

一方、誘導帯電現象を利用する場合であれば、供給ノズル4a内の液流路部分または液保持部4内の液貯留部分のいずれか一方または両方に、液浸液を帯電させるための電極を配し、その電極への電圧印加を通じて液浸液に対する帯電を行い得るようにし、これにより帯電手段5を構成することも考えられる。 On the other hand, in the case of using an induced charging phenomenon, either or both of the liquid storage portion of the liquid flow path portion or the liquid holding portion 4 of the supply nozzle 4a, the electrode for charging the immersion liquid arranged, so as to be subjected to charging for the immersion liquid through the application of a voltage to the electrodes, it is conceivable to thereby constitute a charging means 5. この場合は、電極への印加電圧を制御することで、液浸液の帯電電位や極性等を任意に設定し得るようになる。 In this case, by controlling the voltage applied to the electrodes, so that can be arbitrarily set the charge potential or polarity, etc. of the immersion liquid. また、電極の配置位置次第で、帯電対象となる液浸液についても任意に設定し得るようになる。 Further, depending on the arrangement position of the electrodes, so that can be set arbitrarily also immersion liquid to be charged interest. すなわち、供給ノズル4a内に電極を配せば、その供給ノズル4aを通じて液保持部4内に注入充填される液浸液が帯電の対象となり、液保持部4内に電極を配せば、その液保持部4内に既に注入充填されている液浸液が帯電の対象となる。 That is, Haise electrodes in the supply nozzle 4a, the immersion liquid is injected filled in the liquid holding portion 4 through the supply nozzle 4a is subject to charge, if Haise electrodes in the liquid holding portion 4, the immersion liquid in the liquid holding portion 4 has already been injected the filling is subject to charge.

このような帯電手段5に対して、除電手段6は、その帯電手段5によって帯電された液浸液に対する除電を行うものである。 For such charging means 5, discharging device 6 is for performing static elimination for immersion liquid which has been charged by the charging means 5. ただし、除電は、投影光学系3がレジスト膜1に対する露光を行った後、そのレジスト膜1と投影光学系3との間に介在する液保持部4内の液浸液を当該液保持部4内から除去する前に、行うようになっているものとする。 However, charge removal, after the projection optical system 3 was exposed to the resist film 1, the liquid holding portion immersion liquid intervening liquid holder 4 between the resist film 1 and the projection optical system 3 4 before removing from the inner, and that is adapted to perform.

図3は、本発明に係る液浸型露光装置における除電手段の例を示す説明図である。 Figure 3 is an explanatory diagram showing an example of a discharging means in immersion type exposure apparatus according to the present invention. 除電手段6の具体例としては、例えば図3(a)に示すように、液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行うものが挙げられる。 Specific examples of the charge eliminating means 6, for example, as shown in FIG. 3 (a), to perform charge elimination with respect to the immersion liquid and the like by contact with the immersion liquid. すなわち、液保持部4内に配された電極を利用しつつ、その電極への印加電圧制御を通じて除電を行ったり、あるいは排出ノズル4bを導電性材料によって形成し、その導電性材料と液浸液との接触を通じて、当該液浸液に対する除電を行ったり、その他の公知技術を利用して除電を行うことが考えられる。 That is, while using an electrode disposed in the liquid holding portion 4, or perform neutralization through voltage application control to the electrode or the discharge nozzle 4b is formed of a conductive material, the conductive material and the immersion liquid through contact with, or perform neutralization with respect to the immersion liquid, it is possible to perform charge elimination by using other known techniques contemplated. また、液浸液に対する除電は、非接触で行うことも考えられる。 Further, neutralization for the immersion liquid, it is conceivable to perform a non-contact manner. 具体的には、例えば図3(b)に示すように、除電手段6として公知のイオナイザを用い、液浸液に対してAC型、パルスDC型または連続DC型等のイオンを照射することで、当該液浸液に対する除電を非接触で行うことも可能である。 More specifically, for example, as shown in FIG. 3 (b), using a known ionizer as discharging means 6, by irradiating the AC type, pulsed DC type or ions of consecutive DC type or the like to the immersion liquid it is also possible to carry out neutralization with respect to the immersion liquid in a non-contact manner.

次に、以上のように構成された液浸型露光装置における処理動作例、すなわち液浸型露光方法について説明する。 Then, the process operation example in configured immersion type exposure apparatus as described above, that is, the immersion exposure method will be described.
図4は、本発明に係る液浸型露光方法の手順の一例を示すフローチャートである。 Figure 4 is a flow chart showing an example of a procedure of the liquid immersion type exposure method according to the present invention.

一般に、液浸リソグラフィでは、レジスト膜1の形成材料として、液浸液に対しての濡れ性が高い親水性材料が用いられる傾向にある。 In general, in immersion lithography, as the material for forming the resist film 1 tends to hydrophilic material is high wettability to the immersion liquid is used. その一方で、疎水性材料を用いると、ウォーターマーク軽減やレジスト成分の液浸液への染み出し等を抑制する効果があることも見逃すことはできない。 On the other hand, the use of hydrophobic materials, also can not miss that an effect of suppressing the like put stains to watermark reduce or resist components of the immersion liquid.
そこで、液浸型露光装置では、レジスト膜1が疎水性材料で形成されているにも拘らず、そのレジスト膜1と液浸液との接触角を小さくし、恰も親水性であるように振る舞う性質を持たせるために、以下に述べるような手順で液浸露光を行う。 Therefore, in the liquid immersion type exposure apparatus, even though the resist film 1 is formed of a hydrophobic material, to reduce the contact angle between the resist film 1 and the immersion liquid, behaves as it were a hydrophilic in order to impart properties, performs immersion exposure in the procedure as described below.

液浸露光にあたっては、先ず、処理対象となるウエハ基板2をテーブル上にセットする。 In immersion lithography, first, set the wafer substrate 2 to be processed on the table. そして、そのウエハ基板2上に形成されたレジスト膜1と投影光学系3との間に液浸液を介在させるべく、液保持部4内に液浸液を注入充填する(ステップ11、以下ステップを「S」と略す)。 Then, in order to interpose an immersion liquid between the resist film 1 and the projection optical system 3 formed thereon a wafer substrate 2, injecting filled with immersion liquid in the liquid holding portion 4 (step 11, following step the abbreviated as "S"). これにより、レジスト膜1と投影光学系3との間には、液浸液のみが介在することになる。 Thus, between the resist film 1 and the projection optical system 3, only the immersion liquid is interposed.

この液保持部4内の液浸液については、投影光学系3がレジスト膜1への露光を開始する前までに、帯電手段5がその液浸液に対する帯電を行う(S12)。 The immersion liquid of the liquid holding portion 4, and before the projection optical system 3 starts exposure of the resist film 1, a charging means 5 performs charging for the immersion liquid (S12). すなわち、帯電手段5は、液浸液の注入時または注入完了後で露光開始前のタイミングにて、液浸液を帯電させる。 That is, the charging unit 5, at a timing before start of exposure after completion of injection or during injection of the immersion liquid, to charge the immersion liquid.

例えば、液浸液が超純水(誘電率80.40)であれば、フッ素樹脂の表層を転がすだけで簡単に-10kV程度の静電気が帯電する。 For example, the immersion liquid if ultrapure water (dielectric constant 80.40), static electricity simply by about -10kV rolling the surface layer of fluororesin is charged. したがって、液浸液が超純水である場合には、フッ素樹脂等の「液浸液を帯電させる材質」によって供給ノズル4aを形成すれば、液保持部4内への液浸液の注入時に、その液浸液を−数kV〜数十kV程度(例えば-10kV程度)に帯電させることが可能である。 Therefore, when the immersion liquid is an ultra-pure water, by forming the supply nozzles 4a by the "material for charging the immersion liquid" such as a fluorine resin, upon injection of the immersion liquid to the liquid holding part 4 , the immersion liquid - it is possible to charge to several kV~ tens kV about (for example, about -10 kV). これは、供給ノズル4aを「液浸液を帯電させる形状」に形成した場合についても、全く同様のことが言える。 This is the case of forming the supply nozzles 4a to "shape for charging the immersion liquid" also can be said exactly the same.

帯電手段5が電極を利用して液浸液を帯電させるものである場合には、その電極の配置位置に応じて、液浸液の注入時または注入完了後のいずれか一方または両方のタイミングにて、その電極への電圧印加を行うとともに、その電極への印加電圧の大きさを制御することで、液保持部4内の液浸液を−数kV〜数十kV程度(例えば-10kV程度)に帯電させることが可能である。 When charging means 5 is intended to charge the immersion liquid by utilizing the electrodes, depending on the arrangement position of the electrodes, in either or both of the timing after injection or when the injection completion of the immersion liquid Te, performs voltage application to the electrodes, by controlling the magnitude of the voltage applied to the electrodes, the immersion liquid in the liquid holder 4 - several kV~ tens kV approximately (e.g. -10kV about it is possible to charge the). また、負の極性への帯電のみならず、正の極性への帯電にも対応することが可能となる。 Further, not only the charging of the negative polarity, it becomes possible corresponding to the charging of the positive polarity.

なお、液浸液の帯電は、供給ノズル4aを「液浸液を帯電させる材質」で形成することによって行ってもよいし、供給ノズル4aを「液浸液を帯電させる形状」で形成することによって行ってもよいし、電極への電圧印加を利用して行ってもよいし、あるいはこれらを適宜組み合わせて行ってもよい。 The charging of the immersion liquid may be performed by forming the supply nozzles 4a in "material for charging the immersion liquid", to form a feed nozzle 4a with "shape which charges the immersion liquid" may be performed by, it may be performed using a voltage applied to the electrode, or may be performed in combination as appropriate.

帯電手段5が液浸液を帯電させると、その後、投影光学系3がレジスト膜1への露光を行う(S13)。 When charging means 5 for charging the immersion liquid, thereafter, the projection optical system 3 performs exposure of the resist film 1 (S13). このとき、液浸液が帯電された状態にあると、レジスト膜1に対する液浸液の接触角は、帯電していない場合に比べて小さくなる傾向にある。 At this time, when a state in which the immersion liquid is charged, the contact angle of the immersion liquid with the resist film 1 tends to decrease compared to when no charged. そのため、液浸液は、レジスト膜1が疎水性材料で形成されていても、帯電によって親水性の方向へ性質が変化し、親水性として作用する「親水的作用状態」に遷移する。 Therefore, the immersion liquid, the resist film 1 be formed of a hydrophobic material, charged by nature is changed in the direction of the hydrophilic, transition to act as a hydrophilic "hydrophilic action state". したがって、液浸液が帯電している状態で、投影光学系3がレジスト膜1への露光を行えば、液浸液とレジスト膜1との界面で発生する危険性のあるマイクロバブルを抑制することが可能となる。 Accordingly, in a state in which the immersion liquid is charged, the projection optical system 3 by performing the exposure of the resist film 1, suppresses microbubbles is at risk of occurring at the interface between the immersion liquid and the resist film 1 it becomes possible. つまり、疎水性材料で形成されたレジスト膜1であっても、液浸液の帯電によって親水的作用状態に遷移して濡れ性が向上するので、結果としてレジスト膜1が疎水性材料であるにも拘らずマイクロバブルの発生を抑制できるのである。 That is, even in the resist film 1 formed of a hydrophobic material, since wettability transitions hydrophilic action state is improved by the charge of the immersion liquid, resulting in a resist film 1 is hydrophobic material it is of the generation of micro-bubbles despite can be suppressed.

このときの液浸液の帯電電位の大きさについては、液浸液とレジスト膜1との接触角が所望範囲(親水性となる範囲)に属することのなるように、液浸液とレジスト膜1の形成材料との兼ね合いで決定すればよい。 About the size of the charging potential of the immersion liquid in this case, as the contact angle between the immersion liquid and the resist film 1 is of belongs to (the range to be hydrophilic) desired range, the immersion liquid and the resist film it may be determined in view of the first forming material. 具体的には、数十kV程度であれば十分であると考えられる。 Specifically, it is considered to be sufficient if the order of several tens of kV. すなわち、液浸液の帯電電位は、例えば実験やシミュレーションを通じて経験的に導き出せばよく、その導き出した帯電電位が得られるように、供給ノズル4aの材質、形状、電極への印加電圧の大きさ等を設定することが考えられる。 That is, the charge potential of the immersion liquid, for example, may be derivable empirically through experimentation or simulation, as the charged potential derived is obtained, the material of the supply nozzle 4a, the shape, the magnitude of the voltage applied to the electrodes, and the like it is conceivable to set up.

投影光学系3による露光シーケンスが終了すると、その後は、液保持部4内の帯電された液浸液について、その液浸液を液保持部4内から排出ノズル4bを通じて排出除去する前に、除電手段6がその液浸液に対する除電を行う(S14)。 When the exposure sequence according to the projection optical system 3 is completed, then, the charged immersion liquid in the liquid holding portion 4, before discharging removed through the discharge nozzle 4b that immersion liquid from the liquid holder within 4, neutralization It means 6 perform neutralization for the immersion liquid (S14). このとき、液浸液にのみならず、レジスト膜1およびウエハ基板2に対しても、除電を行うことが望ましい。 In this case, not only the immersion liquid, also the resist film 1 and the wafer substrate 2, it is desirable to perform neutralization. レジスト膜1およびウエハ基板2に対する除電は、除電手段6が液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行う場合であれば、その液浸液に対する除電を通じて行うことが考えられる。 Neutralizing the resist film 1 and the wafer substrate 2, a discharge means 6 in the case of performing neutralization with respect to the immersion liquid by contact with the immersion liquid, it is conceivable to perform through neutralization for the immersion liquid. また、除電手段6が液浸液に対する除電を非接触で行う場合であれば、レジスト膜1およびウエハ基板2に対してもイオン照射を行うことで、レジスト膜1およびウエハ基板2に対する除電を行うことが考えられる。 Further, in the case where discharging device 6 is performed in a non-contact static elimination for the immersion liquid, by performing ion irradiation also the resist film 1 and the wafer substrate 2, and charge removing the resist film 1 and the wafer substrate 2 it is conceivable.

この除電によって、液浸液は、親水的作用状態から疎水性として作用する「疎水的作用状態」に遷移する。 This neutralization, the immersion liquid, a transition to the "hydrophobic action state" that acts as a hydrophobic from hydrophilic action state. すなわち、レジスト膜1が疎水性材料で形成されていることから、帯電による親水的作用状態から、除電によって元の疎水的作用状態に戻ることになる。 That is, since the resist film 1 is formed of a hydrophobic material, the hydrophilic action state by charging, they will return to its original hydrophobic action state by neutralization.

そして、除電後は、疎水的作用状態にある液浸液を、排出ノズル4bを通じて液保持部4内から排出除去する(S15)。 After neutralization, the immersion liquid in a hydrophobic action state, the discharge is removed from the liquid holder within 4 through the discharge nozzle 4b (S15). この疎水的作用状態では、液浸液とレジスト膜1との撥水性が増す。 This hydrophobic effect condition, increasing the water repellency of the immersion liquid and the resist film 1. したがって、液浸液を除去する際に、レジスト膜1上にウォーターマークが残存してしまうのを抑制することが可能となる。 Therefore, when removing the immersion liquid, water marks can be suppressed from being left on the resist film 1. つまり、レジスト膜1上での残存溶液によるウォーターマーク等の欠陥抑制に寄与すし得るようになる。 That is, to obtain sushi contribute to defect suppression such as watermarks due to residual solution on the resist film 1.

また、レジスト膜1およびウエハ基板2に対しても除電を行えば、これらに帯電した静電気が除去されるので、浮遊粉塵等が引き寄せられてしまうのを防ぐことができ、結果としてレジスト膜1およびウエハ基板2への異物付着を抑制することができる。 Further, also performed neutralization the resist film 1 and the wafer substrate 2, since static electricity is removed to these, it is possible to prevent the floating dust will be attracted, the resist film 1 and as a result the foreign matter adhering to the wafer substrate 2 can be suppressed. つまり、マイクロバブルの発生を抑制すべく液浸液を帯電させた場合であっても、レジスト膜1およびウエハ基板2も帯電して異物が付着してしまうといった弊害の発生を回避し得るようになる。 That is, as even in the case where charges the immersion liquid in order to suppress the generation of microbubbles, the resist film 1 and the wafer substrate 2 is also charged with foreign matter can avoid the occurrence of adverse effects such adheres Become.

液浸液の除去後は、続いて処理対象となるウエハ基板2があれば、そのウエハ基板2上に形成されたレジスト膜1に対して上述した一連の処理を繰り返して行い、処理対象となるウエハ基板2がなければ、一連の処理を終了する(S16)。 After removal of the immersion liquid, if any wafer substrate 2 to be subsequently processed is performed by repeating the series of processes described above the resist film 1 formed thereon the wafer substrate 2, to be processed without the wafer substrate 2, and ends the series of processing (S16).

以上のように、本実施形態で説明した液浸型露光装置およびその液浸型露光装置が実行する液浸型露光方法によれば、液浸液の帯電と除電とを露光シーケンスに組み込むことにより、その液浸液をレジスト膜1との関係において親水的作用状態または疎水的作用状態のどちらかに遷移させ得るようになっている。 As described above, according to the liquid immersion type exposure method immersion exposure apparatus and a liquid immersion type exposure apparatus described in the present embodiment is executed by incorporating the charge removing the charging of the immersion liquid exposure sequence and so on can then transition to either hydrophilic activated condition or hydrophobic action state in relation to the resist film 1 its immersion liquid. したがって、露光中は液浸液を帯電させて親水的作用状態にし、露光終了後に液浸液を除去する際には除電して疎水的作用状態にするといったことが実現可能となり、結果として液浸リソグラフィを行う場合であってもマイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても抑制することができ、結果として当該液浸リソグラフィを経て得られる製品の歩留まり向上が期待できるようになる。 Thus, during exposure by charging the immersion liquid to a hydrophilic action state, when removing the immersion liquid after the exposure becomes feasible that such be hydrophobic action state by neutralization, immersion as a result can also be suppressed for any defects such as micro-bubbles and watermarks even when performing lithography, results improved yield of a product obtained through the immersion lithography will be able to expect a. しかも、親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させ得るので、レジスト膜の形成材料についての設計自由度を高く確保することができ、例えば透明度は高いが撥水性が高くなる傾向になることで知られるフッ素を樹脂に含むレジスト形成材料であっても、あたかも親水性レジストとして使用できる可能性が得られる。 Moreover, since capable of transition a hydrophilic action state and the hydrophobic activated condition, it is possible to maintain a high degree of freedom in designing the material for forming the resist film, for example, transparency is high to tend to water repellency is high a resist forming material a fluorine known comprising a resin also, as if could be used as the hydrophilic resist is obtained. つまり、本実施形態で説明した液浸型露光装置および液浸型露光方法によれば、液浸液の帯電と除電によって親水的作用状態と疎水的作用状態とを遷移させることで、レジスト膜1の形成材料として親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合とのそれぞれのメリットを活かしつつ、それぞれのデメリットを包括的に解消することが可能となる。 That is, according to the liquid immersion type exposure apparatus and the liquid immersion type exposure method explained in the present embodiment, by transition a hydrophilic action state and the hydrophobic effect state by neutralizing the charge of the immersion liquid, the resist film 1 as while utilizing the respective merits of the case of using a hydrophobic material in the case of using a hydrophilic material, it is possible to comprehensively resolve the respective disadvantages of formation material.

このようなメリットを活かしつつそれぞれのデメリットを包括的に解消するためには、本実施形態で説明したように、レジスト膜1に対する露光前に液浸液の帯電を行い、そのレジスト膜1に対する露光後、液保持部4内からの液浸液の除去前に当該液浸液に対する除電を行えばよい。 To comprehensively resolve the respective disadvantages while taking advantage of these benefits, as described in the present embodiment performs charging of the immersion liquid before exposure to the resist film 1, exposure of the resist film 1 after, it is sufficient static elimination with respect to the immersion liquid before removal of immersion liquid from the liquid holder within 4. すなわち、かかるタイミングで液浸液に対する帯電および除電を行えば、マイクロバブルやウォーターマーク等のいずれの欠陥についても、これらを確実に抑制し得るようになる。 That is, by performing the charging and charge elimination against the immersion liquid in such a timing, for any defects such as microbubbles or watermark, so as to these can reliably suppressed.

また、本実施形態で説明したように、液浸液に対する帯電を、供給ノズル4aの形成材質または形状を利用して行うようにすれば、その帯電を簡素な構成で容易に行うことが可能となる。 Further, as described in the present embodiment, the charge for the immersion liquid, if so performed by using forming material or the shape of the supply nozzle 4a, it is possible to easily perform the charging with a simple configuration and Become. 一方、液浸液に対する帯電を、電極への電圧印加を利用して行うようにすれば、帯電電位等を任意に設定し得るようになるため、その帯電の柔軟性や汎用性等を十分に確保することが可能となる。 On the other hand, the charge for the immersion liquid, if so performed by utilizing the voltage application to the electrode, to become adapted to arbitrarily set the charge potential and the like, well its charge of flexibility and versatility, etc. it is possible to secure.

このことは、液浸液に対する帯電のみならず、除電についても同様のことが言える。 This not only charged for the immersion liquid, the same is true for neutralization. すなわち、液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行えば、その除電を簡素な構成で容易に行うことが可能となる一方、液浸液に対する除電を非接触で行えば、イオン照射の内容(イオン種類や照射量等)を適宜設定し得るので、その除電の柔軟性や汎用性等を十分に確保することが可能となる。 That is, by performing the neutralization with respect to the immersion liquid by contact with the immersion liquid, while it is possible to easily perform the neutralization with a simple configuration, by performing static elimination for immersion liquid in a non-ion irradiation since the contents of the (ion type and dose, etc.) may be set as appropriate, it is possible to sufficiently ensure the neutralization of the flexibility and the versatility.

なお、本実施形態では、本発明の好適な実施具体例について説明したが、本発明はその内容に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。 In the present embodiment has been described with respect to certain preferred embodiments embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the content, it is possible to appropriately changed within a scope not departing from the gist thereof.

本発明に係る液浸型露光装置の構成例を示す説明図である。 A configuration example of a liquid immersion type exposure apparatus according to the present invention; FIG. 本発明に係る液浸型露光装置における供給ノズルの具体例を示す説明図である。 Specific examples of the feed nozzle in the liquid immersion exposure apparatus according to the present invention; FIG. 本発明に係る液浸型露光装置における除電手段の例を示す説明図である。 An example of discharging means in immersion type exposure apparatus according to the present invention; FIG. 本発明に係る液浸型露光方法の手順の一例を示すフローチャートである。 Is a flowchart illustrating an exemplary procedure of the liquid immersion type exposure method according to the present invention. 液浸リソグラフィにおいてレジスト膜の形成材料に親水性材料を用いた場合と疎水性材料を用いた場合との特徴を対比して示した説明図である。 Is an explanatory view showing comparison a characteristic of the case of using a hydrophobic material in the case of using hydrophilic materials for forming the material of the resist film in the immersion lithography.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…レジスト膜、2…ウエハ基板、3…投影光学系、4…液保持部、4a…供給ノズル、4b…排出ノズル、5…帯電手段、6…除電手段 1 ... resist film, 2 ... wafer substrate, 3 ... projection optical system, 4 ... liquid holder, 4a ... supply nozzle, 4b ... discharge nozzle, 5 ... charging means, 6 ... discharging device

Claims (8)

  1. ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光装置であって、 A liquid immersion type exposure apparatus that performs immersion lithography by interposing an immersion liquid between the projection optical system for exposing the resist film and the resist film formed on the wafer substrate,
    前記液浸液を帯電させる帯電手段と、 A charging means for charging the immersion liquid,
    前記液浸液に対する除電を行う除電手段と を備えることを特徴とする液浸型露光装置。 Immersion exposure apparatus, characterized in that it comprises a discharging means for performing charge elimination with respect to the immersion liquid.
  2. 前記帯電手段は、前記レジスト膜に対する露光前に前記液浸液の帯電を行い、 The charging unit performs charging of the immersion liquid before exposure to the resist film,
    前記除電手段は、前記レジスト膜に対する露光後、当該レジスト膜と前記投影光学系との間から前記液浸液を除去する前に、当該液浸液に対する除電を行う ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charge-eliminating unit, wherein after exposure to the resist film, prior to removing the immersion liquid from between the the resist film wherein the projection optical system, according to claim 1, characterized in that the neutralization with respect to the immersion liquid immersion exposure apparatus according.
  3. 前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在させるための供給ノズルが、当該液浸液を帯電させる材質によって形成されてなる ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charging means, the claims supply nozzle for interposing the immersion liquid between the projection optical system and the resist film, characterized by comprising formed by the material for charging the immersion liquid 1 liquid immersion type exposure apparatus according.
  4. 前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在させるための供給ノズルが、当該液浸液を帯電させる形状に形成されてなる ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charging means, the claims supply nozzle for interposing the immersion liquid between the projection optical system and the resist film, characterized by comprising formed in a shape for charging the immersion liquid 1 liquid immersion type exposure apparatus according.
  5. 前記帯電手段は、前記液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間に介在する液浸液を帯電させるための電極を有してなる ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charging means, the immersion of claim 1, wherein by comprising an electrode for charging the immersion liquid interposed between the immersion liquid and the resist film and the projection optical system type exposure apparatus.
  6. 前記除電手段は、前記液浸液との接触により当該液浸液に対する除電を行う ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charge-eliminating unit, a liquid immersion type exposure apparatus according to claim 1, wherein the performing neutralization with respect to the immersion liquid by contact with the immersion liquid.
  7. 前記除電手段は、前記液浸液へのイオン照射により非接触で当該液浸液に対する除電を行う ことを特徴とする請求項1記載の液浸型露光装置。 The charge-eliminating unit, a liquid immersion type exposure apparatus according to claim 1, wherein the performing neutralization with respect to the immersion liquid in a non-contact manner by ion irradiation to the immersion liquid.
  8. ウエハ基板上に形成されたレジスト膜と当該レジスト膜に対する露光を行う投影光学系との間に液浸液を介在させて液浸リソグラフィを行う液浸型露光方法であって、 An immersion liquid between the projection optical system for exposing the resist film and the resist film formed on the wafer substrate is interposed a liquid immersion type exposure method of performing immersion lithography,
    前記レジスト膜と前記投影光学系との間に前記液浸液を介在させるステップと、 A step of interposing the immersion liquid between the resist film and the projection optical system,
    前記液浸液を帯電させるステップと、 A step of charging the immersion liquid,
    帯電後の液浸液を介在させた状態で前記投影光学系が前記レジスト膜に対する露光を行うステップと、 A step of the projection optical system in a state where the immersion liquid is interposed after the charging is performed by exposure of the resist film,
    前記レジスト膜に対する露光後に当該レジスト膜と前記投影光学系との間に介在する液浸液に対する除電を行うステップと、 Performing a neutralization for immersion liquid interposed between the resist film and the projection optical system after exposure of the resist film,
    除電後の液浸液を前記レジスト膜と前記投影光学系との間から除去するステップと を含むことを特徴とする液浸型露光方法。 Immersion exposure method characterized by the immersion liquid after neutralization and removing from between the projection optical system and the resist film.
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