JP2007208556A - Dielectric electronic part - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、誘電体電子部品に関する。更に詳しくは、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品に関する。 The present invention relates to a dielectric electronic component. More specifically, the present invention relates to a dielectric electronic component having excellent attenuation characteristics on the high frequency side with respect to the pass band.
誘電体電子部品を用いてフィルタを設計する場合、図20に例示するように、信号を通過させることを目的とする通過帯域601と、通過させないことを目的とする遮断帯域602及び603とが、各々周波数域と減衰量とで設定される。そして、フィルタの周波数−減衰量曲線604は、通過帯域601、遮断帯域602及び603と接することなく、通過帯域601の上方(通過帯域601の下限減衰量よりも小さい減衰量)及び遮断帯域602及び603の下方(遮断帯域602及び603の上限減衰量よりも大きい減衰量)を通過するようにフィルタ特性が調整される。これら周波数域と減衰量との相関は誘電体電子部品の形状等の微調整により制御できることが知られている。例えば、通過帯域に対して高周波側の減衰量が制御された誘電体電子部品としては下記特許文献1及び下記特許文献2が知られている。
When designing a filter using dielectric electronic components, as illustrated in FIG. 20, there are a
上記特許文献1及び上記特許文献2は、いずれも誘電体磁器ブロックの外周面に所定の形状の導体層が設けられた誘電体電子部品である。これらの誘電体電子部品は、通過帯域の減衰特性にほとんど影響なく高域側の減衰特性が制御されている点で優れている。しかし、フィルタの設計では、種々の制御態様を使い分け、更には組み合わせることにより、設計幅が広がるため、より多くの制御態様が求められている。
本発明は、上記課題を解決するものであり、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性を制御できる新規な制御態様を提供し、これを用いた通過帯域の高周波数側の減衰特性に優れた誘電体電子部品を提供することを目的とする。
Each of
The present invention solves the above problems and provides a novel control mode capable of controlling the attenuation characteristic on the high frequency side with respect to the pass band, and is excellent in the attenuation characteristic on the high frequency side of the pass band using the same. Another object is to provide a dielectric electronic component.
本発明は以下に示す通りである。
(1)誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品において、
該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、
該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、
更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、
該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離A、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さBは、B<Aを満たすことを特徴とする誘電体電子部品。
(2)上記Aと上記BとがA<2Bを満たす上記(1)に記載の誘電体電子部品。
(3)誘電体フィルタである上記(1)又は(2)に記載の誘電体電子部品。
(4)誘電体デュプレクサである上記(1)又は(2)に記載の誘電体電子部品。
The present invention is as follows.
(1) In a dielectric electronic component comprising a dielectric ceramic block,
The dielectric porcelain block has a substantially rectangular shape having a long side and a short side,
The dielectric ceramic block is formed with a plurality of through-holes penetrating from the one surface to the opposite other surface and arranged in the long side direction of the one surface.
Further, the one side of the dielectric porcelain block has a larger opening than the through hole so as to at least partially overlap with a through hole located at the end of the row of the through holes provided in the row. A resonance frequency adjusting hole having a shallower depth than the through hole is formed,
The shortest distance A between the opening edge of the resonance frequency adjusting hole and the short side, and the opening length B in the long side direction of the resonance frequency adjusting hole satisfy B <A. parts.
(2) The dielectric electronic component according to (1), wherein A and B satisfy A <2B.
(3) The dielectric electronic component according to (1) or (2), which is a dielectric filter.
(4) The dielectric electronic component according to (1) or (2), wherein the dielectric electronic component is a dielectric duplexer.
本発明の誘電体電子部品によれば、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
A<2Bを満たす場合は、上記効果を得ながら、十分に小型化された誘電体電子部品を得ることができる。
誘電体フィルタである場合は、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
誘電体デュプレクサである場合は、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた特性を得ることができる。
According to the dielectric electronic component of the present invention, it is possible to obtain characteristics excellent in attenuation characteristics on the high frequency side with respect to the pass band.
When A <2B is satisfied, a sufficiently miniaturized dielectric electronic component can be obtained while obtaining the above effects.
In the case of a dielectric filter, it is possible to obtain characteristics excellent in attenuation characteristics on the high frequency side with respect to the pass band.
In the case of a dielectric duplexer, it is possible to obtain characteristics excellent in attenuation characteristics on the high frequency side with respect to the pass band.
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の誘電体電子部品は、誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品において、該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離A、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さBは、B<Aを満たすことを特徴とする。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
The dielectric electronic component of the present invention is a dielectric electronic component comprising a dielectric ceramic block, wherein the dielectric ceramic block has a substantially rectangular surface having a long side and a short side, and the dielectric ceramic component The block is formed with a plurality of through holes penetrating from the one surface to the opposite other surface and arranged in the long side direction of the one surface, and further, on the one surface side of the dielectric ceramic block, A resonance frequency adjusting hole that is larger than the through hole and shallower than the through hole is formed so that at least a part of the through hole located at the end of the row of the formed through holes overlaps. The shortest distance A between the opening edge of the resonance frequency adjusting hole and the short side and the opening length B in the long side direction of the resonance frequency adjusting hole satisfy B <A.
本発明の一実施形態である誘電体電子部品を図面を参考しつつ説明する。
尚、図1は本発明の誘電体電子部品100の一実施形態の模式的な斜視図であり、図2はその模式的な断面図であり、図3は列の端に位置する貫通孔213及び共振周波数調整孔212の一面側220における模式的な部分拡大図である。また、図2では、分かり易さのため内導体300及び外導体400等の厚さを誇張して図示しているが、実際には誘電体磁器ブロック200に比べて非常に薄い層であるため、他の図ではこれらの形状のみを示している。
A dielectric electronic component according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
1 is a schematic perspective view of an embodiment of the dielectric
図1及び図2に示すように、本発明の誘電体電子部品100は、誘電体磁器ブロック200を備える。この誘電体磁器ブロック200は、貫通孔213と共振周波数調整孔212とを有する。この誘電体ブロック200は、長辺221と短辺222とを有する略長方形状をなす一面220を有し、貫通孔213はこの一面220から対向する他面230まで貫通して一面220の長辺221の方向に列設されている。また、共振周波数調整孔212は誘電体磁器ブロック200の一面220側に形成されている。また、共振周波数調整孔212は列設された貫通孔213のうちの列の端に位置する貫通孔213(以下、単に「列端貫通孔」ともいう)と少なくとも一部が重なり、貫通孔213よりも大きく開口し且つ貫通孔213よりも深さが浅く形成されている。
更に、図3に示すように、共振周波数調整孔212の一面220における開口部の端縁(開口端縁)223と一面220を構成する短辺222との最短距離A、及び共振周波数調整孔212の長辺221の方向の開口部の長さ(開口長さ)Bは、B<Aを満たす形状である。
As shown in FIGS. 1 and 2, the dielectric
Further, as shown in FIG. 3, the shortest distance A between the edge (opening edge) 223 of the opening in the one
このB<Aを満たすことにより、通過帯域に対して高周波数側の減衰特性に優れた誘電特性を得ることができる。即ち、従来の誘電体磁器ブロックでは、例えば、図9、図11、図14及び図16に示すように上記Aと上記Bとの関係はB≧Aとなるように設計されている。これに対して、例えば、図10、図12、図15及び図17に示す本発明品ようにB<Aとした誘電体磁器ブロックを備える誘電体電子部品では、通過帯域の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく(即ち、目的とする通過帯域の挿入損失の大きさは小さく保ちながら)、通過帯域の高周波側の減衰極がより低周波側にシフトされた特性を得ることができる。このため、通過帯域の高周波側に設定される遮断帯域の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品を得ることができる。
また、上記Aと上記Bとは、B<Aに加えて、A<2Bを満たすことが好ましい。A≧2Bであってもよいが、A≧2Bであると誘電体磁器ブロックが過度に大きくなるため、通常、小型化を要求される誘電体磁器ブロックではA<2Bが好ましい。
By satisfying this B <A, it is possible to obtain a dielectric characteristic having excellent attenuation characteristics on the high frequency side with respect to the pass band. That is, in the conventional dielectric porcelain block, for example, as shown in FIGS. 9, 11, 14, and 16, the relationship between A and B is designed such that B ≧ A. On the other hand, for example, in a dielectric electronic component having a dielectric ceramic block with B <A as in the present invention product shown in FIGS. A characteristic in which the attenuation pole on the high frequency side of the pass band is shifted to the lower frequency side can be obtained without affecting (that is, keeping the insertion loss of the target pass band small). Therefore, it is possible to obtain a dielectric electronic component having a large attenuation at the low frequency end value of the cutoff band set on the high frequency side of the pass band.
Moreover, it is preferable that A and B satisfy A <2B in addition to B <A. A ≧ 2B may be satisfied, but if A ≧ 2B, the dielectric porcelain block becomes excessively large. Therefore, A <2B is usually preferable in a dielectric porcelain block that requires a reduction in size.
共振周波数調整孔212と貫通孔213との位置関係は特に限定されないが、図4及び図5に示すように、貫通孔213はその全体が共振周波数調整孔212と重なってもよく、図6〜8に示すように貫通孔213の一部のみが共振周波数調整孔212と重なり、貫通孔213の他部(重ならない部分)は共振周波数調整孔212の外側へはみ出して配置されてもよい。図6〜8に示すように貫通孔213の一部が共振周波数調整孔212の外側へはみ出して配置されている場合は、上記開口長さBは図6〜8に示すように共振周波数調整孔212の実側壁面の開口端縁223と仮想側壁面の開口端縁224との間の長さを表す。
Although the positional relationship between the resonance
通常、共振周波数調整孔212は、図7に示すように、その平面形状が対称軸を有するため、上記実側壁面の開口端縁223から仮想側壁面の開口端縁224の位置が決定される。但し、共振周波数調整孔212の平面形状が対称軸を有さない形状である場合には、図8に示すように、共振周波数調整孔212の実側壁面の端線225と端線226とを対辺とする平面を上記仮想側壁面とする。
Normally, as shown in FIG. 7, the plane shape of the resonance
更に、本発明の誘電体電子部品は、図1及び図2に示すように、上記誘電体磁器ブロック200以外にも、通常、内導体300、外導体400及び端子電極500を備える。
このうち内導体300は、上記各貫通孔213の内壁面を覆う導体層である。内導体300は貫通孔213の全面を覆い、且つ共振周波数調整孔212の内壁面のうちの全部又は一部を覆う導体層である。
Furthermore, as shown in FIGS. 1 and 2, the dielectric electronic component of the present invention normally includes an
Among these, the
外導体400は、誘電体磁器ブロック200の所定の部位を除く外表面を覆う導体層である。上記所定の部位とは、例えば、上記一面220の少なくとも一部及び端子電極を区画形成するための端子電極区画部401等が挙げられる。
また、この内導体300と外導体400とは誘電体磁器ブロック200の他面230において電気的に接続されている(短絡されている)。
端子電極500は、通常、2つ以上を備える。特に本発明の誘電体電子部品を誘電体フィルタとして用いる場合には2つを備え、誘電体デュプレクサとして用いる場合には3つを備えることが各々好ましい。
The
The
The
上記共振周波数調整孔212は、誘電体磁器ブロック200の列端貫通孔213に対しては備えられているが、その他の貫通孔213に対しては備えられていてもよく、備えられていなくてもよい。即ち、例えば、誘電体磁器ブロック200に形成された貫通孔213の全てに対して共振周波数調整孔212が形成されていてもよく、誘電体磁器ブロック200に形成された貫通孔213の少なくとも列端貫通孔213を含む一部の貫通孔213のみに対して共振周波数調整孔212が形成されていてもよい。この共振周波数調整孔212を備えることにより共振周波数を調整することができる。
また、共振周波数調整孔212は、その大きさ(開口端縁の総延長)、平面形状及び深さ等により共振周波数を調整することができる。即ち、例えば、共振周波数調整孔212の開口端縁の総延長が長い程、また、共振周波数調整孔212の深さが深い程、共振周波数を低くすることができる。
The resonance
The resonance
上記誘電体磁器ブロックを構成する誘電体磁器材料は特に限定されないが、例えば、アルミナ系誘電体磁器、MgTiO3−CaTiO3系誘電体磁器、Ba−Ti酸化物系誘電体磁器等が挙げられる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよいが、通常、1種のみを用いる。 The dielectric ceramic material constituting the dielectric ceramic block is not particularly limited, and examples thereof include alumina dielectric ceramics, MgTiO 3 —CaTiO 3 dielectric ceramics, and Ba—Ti oxide dielectric ceramics. These may use only 1 type and may use 2 or more types together, Usually, only 1 type is used.
上記内導体及び外導体を構成する導体材料は特に限定されないが、Cu、Au、Ag、Al、Ni、Cr等の金属を導体成分として含有させることができる。これらは1種のみを用いてもよく、2種以上を併用してもよい。即ち、単体金属からなってもよく、合金からなってもよく、その他の導体材料からなってもよい。 Although the conductor material which comprises the said inner conductor and outer conductor is not specifically limited, Metals, such as Cu, Au, Ag, Al, Ni, Cr, can be contained as a conductor component. These may use only 1 type and may use 2 or more types together. That is, it may be made of a single metal, an alloy, or another conductor material.
本発明の誘電体電子部品は前述のように、誘電体フィルタ及び誘電体デュプレクサとして用いることができる。前記図1及び図2は、本発明を誘電体フィルタとして実施した実施形態を例示したものである。一方、本発明を誘電体デュプレクサとして実施した実施形態を図19に例示する。
図19において、誘電体電子部品100は誘電体デュプレクサである。この誘電体デュプレクサは、8つの貫通孔213を備える誘電体磁器ブロック200と、内導体300と、外導体400と、3つの端子電極500と、を備える。
As described above, the dielectric electronic component of the present invention can be used as a dielectric filter and a dielectric duplexer. FIG. 1 and FIG. 2 illustrate an embodiment in which the present invention is implemented as a dielectric filter. On the other hand, an embodiment in which the present invention is implemented as a dielectric duplexer is illustrated in FIG.
In FIG. 19, a dielectric
この誘電体磁器ブロック200は、例えば、長辺11mm及び短辺2mmである長方形状の一面220を備え、高さ6.5mmである誘電体磁器とすることができる。また、誘電体磁器ブロック200には、上記8つの貫通孔213のうちの、少なくとも列端貫通孔を含む6つの貫通孔213に対応する共振周波数調整孔212が形成されている。即ち、2つの貫通孔213には対応する共振周波数調整孔212が形成されていない。上記6つの貫通孔213及びこれらに対応する共振周波数調整孔212は共振孔として機能され、上記2つの貫通孔213は励振孔として機能される。
The dielectric
更に、「A」の長さ(列端貫通孔213に対応する共振数端数調整孔212の一面220における開口端縁223と一面220を構成する短辺222との最短距離)は1mmとすることができる。一方、「B」の長さ(列端貫通孔213に対応する共振周波数調整孔212の長辺221方向の開口長さ)は0.9mmとすることができる。即ち、B<A<2Bを満たしている。
Further, the length of “A” (the shortest distance between the opening
更に、上記内導体300は、8つの全ての貫通孔213の全ての内壁面を覆い、且つ6つの共振周波数調整孔212の全ての内壁面を覆って配設されている。また、上記外導体400は、誘電体磁器ブロック200の外表面のうちの一面220の一部及び端子電極区画部401を除く表面を覆って配設されている。また、共振孔(共振周波数調整孔212とこの共振周波数調整孔212を対応して備える6つの貫通孔213)の内壁面を覆う内導体300は外導体400と他面230において短絡されている。一方、この励振孔(共振周波数調整孔212を対応して備えない2つの貫通孔213)の内壁面を覆う内導体300は外導体400と一面220において短絡されており、また図示されない接続導体により他面側に配置された一対の端子電極500と各々接続されている。また、各端子電極500は外導体400の一部である端子電極区画部401を除去して得られた電極である。
Furthermore, the
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
(1)実施例1
図10及び図12に示す実施例1の誘電体電子部品100を製造した。図10は実施例1の誘電体電子部品100の模式的な斜視図であり、図12は一面220における平面図である。
Hereinafter, the present invention will be described specifically by way of examples.
(1) Example 1
A dielectric
実施例1の誘電体電子部品100は、4つの貫通孔213を備える誘電体磁器ブロック200と、内導体300と、外導体400と、2つの端子電極500と、を備える。
誘電体磁器ブロック200は、長辺10mm及び短辺2.4mmである長方形状の一面220を備え、高さ3.8mmであるチタン酸バリウム系誘電体磁器からなる誘電体である。
また、この誘電体磁器ブロック200には、上記4つの貫通孔213の各々の全てに対応する共振周波数調整孔212が形成されている。各貫通孔213と対応する共振周波数調整孔212との形状及び位置関係は図12に示す通りであり、各貫通孔213の孔径は全て0.7mmである。
The dielectric
The dielectric
The dielectric
更に、「A」の長さ(共振周波数調整孔212の一面220における開口端縁223と一面220を構成する短辺222との最短距離)は2.1mmである。一方、「B」の長さ(共振周波数調整孔212の長辺221方向の開口長さ)は1.6mmである。尚、実施例1における「B」は、共振周波数調整孔の対称軸から求められる仮想側壁面を想定した開口長さである。これらの「A」と「B」とは、B<Aを満たし、且つA<2Bを満たしている。即ち、B<A<2Bである。
Furthermore, the length of “A” (the shortest distance between the opening
上記内導体300は、4つの全ての共振周波数調整孔212及び貫通孔213の全ての内壁面を覆って配設されている。また、上記外導体400は、誘電体磁器ブロック200の外表面のうちの一面220及び端子電極区画部401を除く表面を覆って配設されている。従って、内導体300と外導体400とは他面230において短絡されている。更に、端子電極500は外導体400の一部である端子電極区画部401を除去して得られた電極である。
The
(2)比較例1
図9及び図11に示す比較例1の誘電体電子部品100と製造した。図9は比較例1の誘電体電子部品100の模式的な斜視図であり、図11は一面220における平面図である。比較例1の誘電体電子部品100は、誘電体磁器ブロック200における「A」が1.1mmであり、「B」が1.6mmである。即ち、B>Aである。その他は実施例1と同じである。
(2) Comparative Example 1
A dielectric
(3)実施例1と比較例1との周波数−減衰量曲線の比較
実施例1及び比較例1の各誘電体電子部品の周波数−減衰量曲線をプロットした。その結果を図13に示した。図13において太線は実施例1の周波数−減衰量曲線604であり、細線は比較例1の周波数−減衰量曲線604である。この結果から、比較例1に対して実施例1は、通過帯域601の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく(即ち、目的とする通過帯域601の挿入損失の大きさは小さく保ちながら)、通過帯域601の高周波側の減衰極605がより低周波側にシフトされた特性が得られている。このため、通過帯域601の高周波側に設定される遮断帯域603の低周波端における減衰量が、比較例1では26.7dBであるのに対して、実施例1では29.4dBであり、遮断帯域603の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品となっていることが分かる。即ち、実施例1は、比較例2に対して「A」の長さを延長することによって、貫通孔213及び共振周波数調整孔212の形状はほぼ維持したままで上記効果を達成できている。
(3) Comparison of Frequency-Attenuation Curve between Example 1 and Comparative Example 1 The frequency-attenuation curve of each dielectric electronic component of Example 1 and Comparative Example 1 was plotted. The results are shown in FIG. In FIG. 13, the thick line is the frequency-
(4)実施例2
図15及び図17に示す実施例2の誘電体電子部品100と製造した。図15は実施例2の誘電体電子部品100の模式的な斜視図であり、図17は一面220における平面図である。実施例2の誘電体電子部品100は、誘電体磁器ブロック200における「A」が1.4mmであり、「B」が1.0mmであり、B<Aを満たし、且つA<2Bを満たしている。即ち、B<A<2Bである。その他は実施例1と同じである。
(4) Example 2
The dielectric
(5)比較例2
図14及び図16に示す比較例2の誘電体電子部品100と製造した。図14は比較例2の誘電体電子部品100の模式的な斜視図であり、図16は一面220における平面図である。比較例2の誘電体電子部品100は、誘電体磁器ブロック200における「A」が1.2mmであり、「B」が1.4mmである。即ち、B>Aである。その他は実施例2と同じである。
(5) Comparative Example 2
A dielectric
(6)実施例2と比較例2との周波数−減衰量曲線の比較
実施例2及び比較例2の各誘電体電子部品を用い、上記(3)と同様にして各々の周波数−減衰量曲線をプロットした。その結果を図18に示した。図18において太線は実施例2の周波数−減衰量曲線604であり、細線は比較例2の周波数−減衰量曲線604である。この結果から、比較例2に対して実施例2は、通過帯域601の減衰特性にはほとんど影響を与えることなく(即ち、目的とする通過帯域601の挿入損失の大きさは小さく保ちながら)、通過帯域601の高周波側の減衰極605がより低周波側にシフトされた特性が得られている。このため、通過帯域601の高周波側に設定される遮断帯域603の低周波端における減衰量が、比較例2では21.0dBであるのに対して、実施例2では24.2dBであり、遮断帯域603の低周波数端値における減衰量が大きい誘電体電子部品となっていることが分かる。即ち、実施例2は、比較例2に対して「B」の長さを小さくすることによって上記効果を達成している。
(6) Comparison of Frequency-Attenuation Curve between Example 2 and Comparative Example 2 Using each dielectric electronic component of Example 2 and Comparative Example 2, each frequency-attenuation curve is similar to (3) above. Was plotted. The results are shown in FIG. In FIG. 18, the thick line is the frequency-
尚、本発明では上記の実施例に限られず、目的及び用途等によって本発明の範囲内において種々変更した実施例とすることができる。 Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made within the scope of the present invention depending on the purpose and application.
本発明の誘電体電子部品は通信関連機器等として広く利用される。特に、移動体通信用基地局用機器、移動体通信用交換器用機器、家庭内コードレス電話用機器、無線LAN用機器等のマイクロ波帯域及びミリ波帯域における通信機器に好適である。具体的には、例えば、各種フィルタ(受信側フィルタ、送信側フィルタ、デュプレクサ及び、帯域通過フィルタ等)などである。尚、上記移動体通信には、携帯電話、PHS電話、衛星通信電話、自動車電話等が含まれる。 The dielectric electronic component of the present invention is widely used as communication related equipment. In particular, it is suitable for communication devices in the microwave band and millimeter wave band, such as mobile communication base station equipment, mobile communication switching equipment, home cordless telephone equipment, and wireless LAN equipment. Specifically, for example, various filters (reception side filter, transmission side filter, duplexer, band pass filter, etc.) and the like. The mobile communication includes a mobile phone, a PHS phone, a satellite communication phone, a car phone, and the like.
100;誘電体電子部品、200;誘電体磁器ブロック、212;共振周波数調整孔、213;貫通孔、220;一面、221;長辺、222;短辺、223;開口端縁、230;他面、300;内導体、400;外導体、500;端子電極、601;通過帯域、602及び603;遮断帯域、604;周波数−減衰量曲線。
DESCRIPTION OF
Claims (4)
該誘電体磁器ブロックは、長辺と短辺とを有する略長方形状をなす一面を有し、
該誘電体磁器ブロックには、該一面から対向する他面まで貫通して該一面の長辺方向に列設された複数の貫通孔が形成され、
更に、該誘電体磁器ブロックの該一面側には、該列設された貫通孔のうちの列の端に位置する貫通孔と少なくとも一部が重なるように、該貫通孔よりも大きく開口し且つ該貫通孔よりも深さの浅い共振周波数調整孔が形成され、
該共振周波数調整孔の開口端縁と該短辺との最短距離A、及び該共振周波数調整孔の該長辺方向の開口長さBは、B<Aを満たすことを特徴とする誘電体電子部品。 In a dielectric electronic component comprising a dielectric ceramic block,
The dielectric porcelain block has a substantially rectangular shape having a long side and a short side,
The dielectric ceramic block is formed with a plurality of through-holes penetrating from the one surface to the opposite other surface and arranged in the long side direction of the one surface.
Further, the one side of the dielectric porcelain block has a larger opening than the through hole so as to at least partially overlap with a through hole located at the end of the row of the through holes provided in the row. A resonance frequency adjusting hole having a shallower depth than the through hole is formed,
The shortest distance A between the opening edge of the resonance frequency adjusting hole and the short side, and the opening length B in the long side direction of the resonance frequency adjusting hole satisfy B <A. parts.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006023856A JP2007208556A (en) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | Dielectric electronic part |
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CN111384564A (en) * | 2018-12-29 | 2020-07-07 | 深圳市大富科技股份有限公司 | Dielectric resonator, dielectric filter and communication equipment |
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- 2006-01-31 JP JP2006023856A patent/JP2007208556A/en active Pending
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