JP2007208070A - Wafer polishing apparatus and method therefor - Google Patents
Wafer polishing apparatus and method therefor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007208070A JP2007208070A JP2006026100A JP2006026100A JP2007208070A JP 2007208070 A JP2007208070 A JP 2007208070A JP 2006026100 A JP2006026100 A JP 2006026100A JP 2006026100 A JP2006026100 A JP 2006026100A JP 2007208070 A JP2007208070 A JP 2007208070A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- carrier
- air
- retainer ring
- holding head
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 79
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 31
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 9
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 11
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 2
- 229920001084 poly(chloroprene) Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ウェーハ研磨装置及び方法に係り、特に、化学的機械研磨法(CMP:Chemical Mechanical Polishing )によってウェーハ等を研磨するのに好適なウェーハ研磨装置及び方法に関する。 The present invention relates to a wafer polishing apparatus and method, and more particularly, to a wafer polishing apparatus and method suitable for polishing a wafer or the like by chemical mechanical polishing (CMP).
CMPによるウェーハの研磨は、回転する研磨パッドにウェーハを回転させながら所定の圧力で押し付け、その研磨パッドとウェーハとの間にメカノケミカル研磨剤を供給することにより行われる。この際、ウェーハは、その周囲をリテーナリングに包囲されるとともに、その裏面側をキャリアに保持されて研磨パッドに押圧される。 Polishing of a wafer by CMP is performed by pressing the wafer against a rotating polishing pad with a predetermined pressure while rotating the wafer, and supplying a mechanochemical abrasive between the polishing pad and the wafer. At this time, the wafer is surrounded by a retainer ring, and the back side thereof is held by the carrier and pressed against the polishing pad.
この際、ウェーハWの裏面に配され、ウェーハWを押圧するバックプレートを機械的手段で押圧する機構とした場合、該バックプレートの一部に荷重を加える構成になりやすい。たとえば、エアシリンダー等を使用する場合が代表的である。この場合、バックプレートの一部に荷重を加えると、バックプレートが局所的に変形し、該変形がウェーハWに影響し、研磨の精度に悪影響を及ぼすことが懸念される。 At this time, when a back plate that is arranged on the back surface of the wafer W and presses the wafer W is pressed by mechanical means, a structure is likely to apply a load to a part of the back plate. For example, a case where an air cylinder or the like is used is typical. In this case, when a load is applied to a part of the back plate, the back plate is locally deformed, and the deformation affects the wafer W, and there is a concern that the polishing accuracy may be adversely affected.
そのため、従来のウェーハ研磨装置では、たとえば、図5に示されるように、ヘッド本体2内のエアバッグ1を介してバックプレート4を押圧して、ウェーハWが均一に押圧されるような構成としている。また、図6に示される構成ように、エアバッグ1によりウェーハWを直接押圧しているものもある。これらの構成により、ウェーハWが均一に押圧される。
Therefore, in the conventional wafer polishing apparatus, for example, as shown in FIG. 5, the
なお、図5、図6において、ウェーハWは、研磨定盤12の上面に貼り付けられた研磨パッド20により研磨される。また、ウェーハWは周囲をリテーナリング3により保持されている。
5 and 6, the wafer W is polished by the
更に、本出願人によりエアバッグ押圧方式を改良した提案もなされている(特許文献1)。これは、図7に示されるように、バックプレート4とリテーナリング3との間にエアのシール部を形成し、バックプレート4とリテーナリング3とゴムシート5とで形成されるエアバッグ1内の圧力を安定させる構成のもので、所期の効果が得られている。
しかしながら、従来の各種ウェーハ研磨装置において、エア配管よりの異物によりウェーハWが汚染されるという問題点が指摘されている。この現象を既述の図7を例として説明する。 However, in various conventional wafer polishing apparatuses, a problem has been pointed out that the wafer W is contaminated by foreign matter from the air piping. This phenomenon will be described with reference to FIG.
このウェーハ研磨装置において、エアバッグ1内と外部のエア供給源、減圧手段(「真空」と表示)、及び純水供給源(「DIW」と表示)とが連通するように、ヘッド本体2及びバックプレート4に配管経路6が形成されており、バルブの切り替えによりエアバッグ1内とこれらが連通される。また、ゴムシート5には複数個の貫通孔5A、5A…が形成されている。
In this wafer polishing apparatus, the head
研磨作業の際には、エアバッグ1内とエア供給源とが連通し、エアバッグ1内が加圧状態となり、ウェーハWが均一に押圧される。なお、研磨の際には、ゴムシート5とウェーハWとが密着するので、ゴムシート5の貫通孔5A、5A…から洩れ出るエアの量はわずかである。
During the polishing operation, the interior of the
研磨作業終了時の洗浄の際には、エアバッグ1内と純水供給源とが連通し、ゴムシート5の貫通孔5A、5A…を経由してウェーハWに純水が供給される。
When cleaning at the end of the polishing operation, the interior of the
また、研磨ヘッドにウェーハWを吸着させてウェーハWを搬送する際には、エアバッグ1内と減圧手段とが連通し、ゴムシート5の貫通孔5A、5A…を介してゴムシート5にウェーハWが吸着される。
Further, when the wafer W is adsorbed by the polishing head and conveyed, the inside of the
ところが、このウェーハW搬送のためのエア吸引の際に、貫通孔5A、5A…より研磨時の残存物を吸い込み、この残存物が配管経路6内を汚染することがある。そして、この残存物が研磨作業の際のエアバッグ1内を加圧状態とする際に貫通孔5A、5A…より流出しウェーハWを汚染させる不具合を生じさせることとなる。
However, at the time of air suction for transferring the wafer W, the residue at the time of polishing may be sucked from the through
また、ウェーハWの汚染を防止するべく、配管経路6中にエアフィルタを設置することが望まれるものの、エア吸引の際に、配管経路6内に水分を吸引するので、エアフィルタの設置が不可能(非現実的)であった。
Although it is desirable to install an air filter in the
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハの汚染を防止でき、その結果、ウェーハの品質が保てるウェーハ研磨装置及び方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a wafer polishing apparatus and method that can prevent contamination of the wafer and, as a result, maintain the quality of the wafer.
本発明は、前記目的を達成するために、ウェーハを保持ヘッドで保持し、該保持ヘッドを介してウェーハを研磨パッドに押し付けて研磨するウェーハ研磨装置において、前記保持ヘッドは、ウェーハを前記研磨パッドに押し付けるキャリアと、該キャリアの周囲に配設されるリテーナリングと、該リテーナリングの内部を覆うように前記リテーナリングで周縁を保持されるとともに前記キャリアの下側に配される複数の貫通孔を有する弾性シートと、前記リテーナリングの内部であって前記キャリアの下面と前記弾性シートとの隙間に形成されるエア室内に加圧ガスを供給するエア供給ラインと、前記エア室内を減圧状態にするとともに、前記貫通孔よりウェーハを吸引するバキュームラインと、を備え、前記エア供給ラインと前記バキュームラインとが別個の配管系で構成されていることを特徴とするウェーハ研磨装置を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer polishing apparatus that holds a wafer with a holding head and presses the wafer against the polishing pad via the holding head to polish the wafer. A carrier to be pressed against the carrier, a retainer ring disposed around the carrier, and a plurality of through holes that are held at the periphery of the retainer ring so as to cover the interior of the retainer ring and are arranged below the carrier An elastic sheet, an air supply line for supplying pressurized gas into the air chamber formed in the gap between the lower surface of the carrier and the elastic sheet inside the retainer ring, and the air chamber in a reduced pressure state And a vacuum line for sucking the wafer from the through hole, the air supply line and the vacuum To provide a wafer polishing apparatus according to claim in which the line is constituted by a separate pipe system.
また、このために、本発明は、ウェーハを保持ヘッドで保持し、該保持ヘッドを介してウェーハを研磨パッドに押し付けて研磨するウェーハ研磨方法において、前記保持ヘッドに、ウェーハを前記研磨パッドに押し付けるキャリアと、該キャリアの周囲に配設されるリテーナーリングと、該リテーナリングの内部を覆うように前記リテーナリングで周縁を保持されるとともに前記キャリアの下側に配される複数の貫通孔を有する弾性シートと、前記リテーナリングの内部であって前記キャリアの下面と前記弾性シートとの隙間に形成されるエア室内に加圧ガスを供給しエア供給状態するエア供給ラインと、前記エア供給ラインと別個の配管系で構成され、前記エア室内を減圧状態にするとともに、前記貫通孔よりウェーハを吸引しエア吸引状態とするバキュームラインと、を設け、前記エア室内を前記エア吸引状態から解除する際に、前記エア供給ラインを作動させた後に前記エア室内を減圧状態から解除することを特徴とするウェーハ研磨方法を提供する。 To this end, the present invention provides a wafer polishing method in which a wafer is held by a holding head, and the wafer is pressed against the polishing pad via the holding head to polish the wafer, and the wafer is pressed against the holding head against the holding head. A carrier, a retainer ring disposed around the carrier, and a plurality of through holes that are held at the periphery of the retainer ring so as to cover the interior of the retainer ring and are arranged below the carrier An elastic sheet, an air supply line that supplies pressurized gas into an air chamber that is formed in a gap between the lower surface of the carrier and the elastic sheet inside the retainer ring, and the air supply line; Consists of a separate piping system, the air chamber is in a reduced pressure state, and the wafer is sucked from the through-hole and air sucked A wafer polishing method, wherein when the air chamber is released from the air suction state, the air chamber is released from the reduced pressure state after the air supply line is activated. provide.
本発明によれば、キャリアの下面と弾性シートとの隙間に形成されるエア室内に加圧ガスを供給するエア供給ラインと、エア室内を減圧状態にするとともに、貫通孔よりウェーハを吸引するバキュームラインとを備え、エア供給ラインとバキュームラインとが別個の配管系で構成されている。したがって、ウェーハ搬送のためのエア吸引の際に、貫通孔より研磨時の残存物を吸い込んでバキュームライン内を汚染するとしても、別個の配管系で構成されているエア供給ラインを汚染することはなく、ウェーハの汚染を防止できる。 According to the present invention, the air supply line that supplies pressurized gas to the air chamber formed in the gap between the lower surface of the carrier and the elastic sheet, and the vacuum that reduces the pressure in the air chamber and sucks the wafer from the through hole The air supply line and the vacuum line are configured by separate piping systems. Therefore, when sucking air for wafer transfer, even if the residue during polishing is sucked from the through hole and contaminates the inside of the vacuum line, it will contaminate the air supply line composed of a separate piping system. In addition, contamination of the wafer can be prevented.
また、本発明によれば、エア供給ラインとバキュームラインとが別個の配管系で構成されているので、エア供給ラインにエアフィルタを設けることができる。したがって、ウェーハの汚染を一層防止でき、ウェーハの品質が保てる。 Further, according to the present invention, since the air supply line and the vacuum line are configured by separate piping systems, an air filter can be provided in the air supply line. Therefore, contamination of the wafer can be further prevented and the quality of the wafer can be maintained.
更に、本発明によれば、エア室内をエア吸引状態から解除する際に、エア供給ラインを作動させた後にエア室内を減圧状態から解除するので、エア供給ラインへの汚染の流れ込み(逆流)がなく、ウェーハの汚染を一層防止でき、ウェーハの品質が保てる。 Further, according to the present invention, when the air chamber is released from the air suction state, the air chamber is released from the reduced pressure state after the air supply line is operated, so that contamination flows into the air supply line (back flow). Therefore, contamination of the wafer can be further prevented and the quality of the wafer can be maintained.
本発明において、前記バキュームラインが切り替え手段を介して減圧手段と純水供給源とに連結されており、前記切り替え手段の操作によりエア吸引状態と、純水供給状態と、ライン停止状態とに切り替え可能となっていることが好ましい。このように、バキュームラインが切り替え可能となっていれば、装置の運転上好ましい。 In the present invention, the vacuum line is connected to a pressure reducing unit and a pure water supply source via a switching unit, and is switched between an air suction state, a pure water supply state, and a line stop state by operating the switching unit. Preferably it is possible. Thus, if the vacuum line can be switched, it is preferable for the operation of the apparatus.
また、本発明において、前記エア供給ラインの配管系にエアフィルタが設けられていることがより好ましい。このように、エア供給ラインにエアフィルタが設けられていれば、ウェーハの汚染を一層防止でき、ウェーハの品質が保てる。 In the present invention, it is more preferable that an air filter is provided in a piping system of the air supply line. Thus, if an air filter is provided in the air supply line, contamination of the wafer can be further prevented and the quality of the wafer can be maintained.
また、本発明において、前記キャリアの下面が複数の領域に分けられ、それぞれの領域でエアバックが形成されるように第2の弾性シートが設けられていることが好ましい。このように、複数の領域にエアバックが形成されていれば、ウェーハ加圧のコントロールの点で好ましい。 In the present invention, it is preferable that the lower surface of the carrier is divided into a plurality of regions, and a second elastic sheet is provided so that an air bag is formed in each region. Thus, if air bags are formed in a plurality of regions, it is preferable in terms of control of wafer pressurization.
以上説明したように、本発明によれば、ウェーハの汚染を防止でき、その結果、ウェーハの品質が保てる。 As described above, according to the present invention, contamination of the wafer can be prevented, and as a result, the quality of the wafer can be maintained.
以下、添付図面に従って、本発明に係るウェーハ研磨装置及び方法の好ましい実施の形態について詳説する。 Hereinafter, preferred embodiments of a wafer polishing apparatus and method according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、ウェーハ研磨装置10の全体構成を示す斜視図である。同図に示されるようにウェーハ研磨装置10は、主として研磨定盤12とウェーハ保持ヘッド14とで構成されている。
FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the
研磨定盤12は円盤状に形成され、その下面中央には回転軸16が連結されている。研磨定盤12は、この回転軸16に連結されたモータ18を駆動することにより矢印A方向に回転する。また、この研磨定盤12の上面には研磨パッド20が貼り付けられており、この研磨パッド20上に図示しないノズルからメカノケミカル研磨剤(スラリー)が供給される。
The
ウェーハ保持ヘッド14は、 図2に示されるように、主として保持ヘッド本体22、キャリア24、キャリア押圧手段26、リテーナリング28、 リテーナリング押圧手段30、保護シート52、エア等制御手段等で構成されている。
As shown in FIG. 2, the
保持ヘッド本体22は円盤状に形成され、その上面中央には回転軸32(図1参照)が連結されている。保持ヘッド本体22は、この回転軸32に連結された図示しないモータに駆動されて図1の矢印B方向に回転する。
The holding head
キャリア24は円盤状に形成され、保持ヘッド本体22の下部中央に配置されている。キャリア24の上面中央部と保持ヘッド本体22の中央下部との間にはドライブプレート34が設けられており、ピン36を介して保持ヘッド本体22から回転が伝達される。
The
ドライブプレート34の中央下部とキャリア24の中央上部との間には作動トランス38が設けられており、保持ヘッド本体22に対するキャリア24の上下移動量が高精度で検出できるようになっている。具体的には、ドライブプレート34の中央下部には作動トランス本体38Aが固定されており、キャリア24の中央上部には作動トランスのコア38Bが固定されている。
An
また、キャリア24の上面周縁部にはキャリア押圧部材40が設けられている。キャリア24は、このキャリア押圧部材40を介してキャリア押圧手段26から押圧力が伝達される。
Further, a
また、キャリア24の下面には、保護シート52にエアを噴射するエア供給経路であるエアの吹出溝42が形成されている。この吹出溝42には、キャリア24の内部に形成された図示しないエア流路が連通されている。このエア流路にはエア配管44を介してエア供給源である給気ポンプ44Aが接続されている。このエア配管44において、給気ポンプ44Aに次いで、バルブ44B及びエアフィルタ44Cが接続されている。吹出溝42からのエアの吹出は、このバルブ44Bを切り替えることにより行われる。
An
また、キャリア24の下面には、保護シートより純水を噴射し、また、保護シートよりエアを吸引する経路である流体(気体及び液体)の吸引・吹出溝43が形成されている。この吸引・吹出溝43には、キャリア24の内部に形成された図示しない流体流路が連通されている。この流体流路には配管45を介して吸気ポンプ(真空ポンプ)45Aと純水供給源45B(DIW)とエアブロー手段44Dが接続されている。吸引・吹出溝42からのエアの吸引と純水の噴射とエアブローは、配管45に設けられているバルブ45Cを切り替えることにより行われる。
Further, on the lower surface of the
上記のエアの吹出溝42、エア配管44、給気ポンプ44A、バルブ44B、エアフィルタ44C、吸引・吹出溝43、配管45、吸気ポンプ45A、純水供給源45B、及び、バルブ45C等でエア等制御手段が構成される。
Air is supplied by the
なお、エアブロー手段44Dは、純水の噴射時に配管45内に純水を満たすことにより、エアの吸引の際の到達真空度が低下する(又は、エアの吸引に時間がかかる)不具合を防止すべく設けられたものである。したがって、エアの吸引の際には、先ず、エアブロー手段44Dによりエアブローした後にバルブ45Cをエアの吸引に切り替えることとする。
Note that the air blow means 44D prevents a problem that the ultimate vacuum at the time of air suction is reduced (or it takes time to suck air) by filling the
キャリア押圧手段26は、保持ヘッド本体22下面の中央部周縁に配置され、キャリア押圧部材40に押圧力を与えることにより、これに結合されたキャリア24に押圧力を伝達する。このキャリア押圧手段26は、 好ましくはエアの吸排気により膨張収縮するゴムシート製のエアバッグ46で構成される。エアバッグ46にはエアを供給するための空気供給機構48が連結され、この空気供給機構48には、図示しないポンプから圧送されるエアの圧力を調整するレギュレータ(不図示)が具備される。
The carrier pressing means 26 is disposed on the periphery of the central portion of the lower surface of the holding head
なお、エアバッグ46の材質はゴムシート、たとえば、クロロプレンゴムが好ましいが、それ以外の材料、たとえば、可撓性のある樹脂材料でも使用できる。
The
リテーナリング28は、リング状に形成され、キャリア24の外周に配置される。このリテーナリング28は、ウェーハ保持ヘッド14に設けられたホルダ(リテーナリングホルダ)50に取り付けられ、その内周部には保護シート52が張設される。
The retainer ring 28 is formed in a ring shape and is disposed on the outer periphery of the
リテーナリングホルダ50はリング状に形成され、その下面には環状の凹部54が形成されている。一方、リテーナリング28の上面には、この凹部54に嵌合する凸部56が形成されており、この凸部56をリテーナリングホルダ50の凹部54に嵌合させることにより、リテーナリング28がリテーナリングホルダ50に装着される。
The retainer ring holder 50 is formed in a ring shape, and an annular recess 54 is formed on the lower surface thereof. On the other hand, a
保護シート52は、円形状に形成され、複数の孔52Aが開けられている。この保護シート52は、周縁部がリテーナリング28とリテーナリングホルダ50との間で挟持されることにより、リテーナリング28の内側に張設される。
The
保護シート52は、キャリア24の吹出溝42によるエア層で形成されたエア動圧分布をウェーハWに伝達するのに十分な可撓性があり、かつ、ウェーハWを汚染しない材料であることが求められる。
The
リテーナリング28は、その凸部56をリテーナリングホルダ50の凹部54に嵌合させた後、図示しない複数のボルトでねじ止めすることにより、リテーナリングホルダ50に固定される。このため、リテーナリング28には、一定の間隔でねじ孔(図示略)が形成され、リテーナリングホルダ50には一定の間隔で貫通孔(図示略)が形成されている。
The retainer ring 28 is fixed to the retainer ring holder 50 by fitting the
なお、上記構成に代えて、リテーナリング28に一定の間隔で貫通しないねじ穴を設けて、リテーナリングホルダ50側からねじ固定する構成であってもよい。 Instead of the above configuration, a screw hole that does not penetrate the retainer ring 28 at a constant interval may be provided, and the screw may be fixed from the retainer ring holder 50 side.
保護シート52が張設されたキャリア24の下部には、キャリア24と保護シート52との間にエア層74が形成される。ウェーハWは、このエア層74を介してキャリア24に押圧される。このエア層74は、キャリア24の吹出溝42からエアを吹出すことにより内圧が高められる。保護シート52に形成された孔52Aは、ウェーハWを保持して搬送する際には吸着用の孔として作用する。研磨時には、孔52Aからエアが連通するので、保護シート52はエア層74中に介在するだけで、ウェーハWの裏面には作用しない。
An
リテーナリングホルダ50は、リング状に形成された取付部材64にスナップリング66を介して取り付けられている。取付部材64には、リテーナリング押圧部材68が連結されている。リテーナリング28は、このリテーナリング押圧部材68を介してリテーナリング押圧手段30からの押圧力が伝達される。
The retainer ring holder 50 is attached to an
リテーナリング押圧手段30は、保持ヘッド本体22の下面の外周部に配置され、 リテーナリング押圧部材68に押圧力を与えることにより、これに結合しているリテーナリング28を研磨パッド20に押し付ける。このリテーナリング押圧手段30も、好ましくはキャリア押圧手段26と同様にゴムシート製のエアバッグ70で構成される。エアバッグ70にはエアを供給するための空気供給機構72が連結され、この空気供給機構72には、図示しないポンプから圧送されるエアの圧力を調整するレギュレータ(不図示)が具備される。
The retainer ring pressing means 30 is disposed on the outer peripheral portion of the lower surface of the holding head
なお、エアバッグ70の材質はゴムシート、たとえば、クロロプレンゴムが好ましいが、それ以外の材料、たとえば、可撓性のある樹脂材料でも使用できる。
The
前記のように構成されたウェーハ研磨装置10のウェーハ研磨方法は次のとおりである。
The wafer polishing method of the
先ず、ウェーハWをウェーハ保持ヘッド14で保持して研磨パッド20上に載置する。この際、キャリア24の下面に形成された吸引・吹出溝43を用いウェーハWを吸引保持する。この吸引のため、既述したように、保護シート52には複数の孔52Aが形成されている。
First, the wafer W is held by the
次に、図示しないポンプからエアバック46、70にエアを供給する。これと同時にキャリア24の吹出溝42からエア層74にエアを供給する。これにより、エア層74の内圧が高くなる。次に、エアバッグ46、70が膨らみ、ウェーハWとリテーナリング28が所定の圧力で研磨パッド20に押し付けられる。この状態で研磨定盤12を図1の矢印A方向に回転させるとともに、ウェーハ保持ヘッド14を図1の矢印B方向に回転させる。そして、その回転する研磨パッド20上に図示しないノズルからスラリーを供給する。これにより、ウェーハWの下面が研磨パッド20により研磨される。
Next, air is supplied to the
次に、更に詳細なウェーハ研磨装置10の動作について図3のタイミングチャートにしたがって説明する。このうち、(A)は、研磨作業の開始時であり、(B)は、研磨作業の終了時である。
Next, a more detailed operation of the
(A)において、上より順に、ウェーハ位置、保持ヘッド位置・動作、キャリアバキュームのオンオフ、キャリアエアフロートのオンオフ、キャリア水ブローのオンオフ、キャリアエアブローのオンオフ、タイマ、及びステップNoが示される。 In (A), the wafer position, holding head position / operation, carrier vacuum on / off, carrier air float on / off, carrier water blow on / off, carrier air blow on / off, timer, and step number are shown in order from the top.
また、(B)において、上より順に、ウェーハ位置、保持ヘッド位置・動作、キャリアバキュームのオンオフ、キャリアエアフロートのオンオフ、キャリア水ブローのオンオフ、キャリアエアブローのオンオフ、タイマ、及びステップNoが示される。 In (B), the wafer position, holding head position / operation, carrier vacuum on / off, carrier air float on / off, carrier water blow on / off, carrier air blow on / off, timer, and step number are shown in order from the top. .
先ず、(A)の研磨作業の開始時について説明する。 First, the start of the polishing operation (A) will be described.
ステップS−1において、ウェーハは、INカップ上にあり、保持ヘッドは、INカップ上部位置にある。キャリアバキュームは、オフ状態にあり、キャリアエアフロートは、オフ状態にあり、キャリア水ブローは、オフ状態にあり、キャリアエアブローは、オフ状態にある。 In step S-1, the wafer is on the IN cup and the holding head is in the IN cup upper position. The carrier vacuum is in the off state, the carrier air float is in the off state, the carrier water blow is in the off state, and the carrier air blow is in the off state.
ステップS−2において、キャリアバキュームがオン状態になり、キャリアにウェーハが保持(吸着)された状態になる。他は、ステップS−1と同一である。 In step S-2, the carrier vacuum is turned on, and the wafer is held (adsorbed) on the carrier. Others are the same as step S-1.
ステップS−3において、キャリアが研磨位置に移動する。他は、ステップS−2と同一である。 In step S-3, the carrier moves to the polishing position. Others are the same as step S-2.
ステップS−4において、キャリアが研磨位置で下降し、研磨パッド上にタッチダウンする。他は、ステップS−3と同一である。 In step S-4, the carrier descends at the polishing position and touches down on the polishing pad. Others are the same as step S-3.
ステップS−5において、ウェーハは、キャリアに保持(吸着)されるとともに、研磨パッド上に押圧された状態にあり、キャリアは、研磨位置かつプライム処理状態にある。キャリアバキュームは、オン状態にあり、キャリアエアフロートはオン状態に切り替わる。キャリア水ブローは、オフ状態にある。そして、タイマは、バキュームオフ待ち状態にある。 In step S-5, the wafer is held (adsorbed) by the carrier and pressed on the polishing pad, and the carrier is in the polishing position and primed state. The carrier vacuum is in the on state and the carrier air float is switched on. The carrier water blow is in the off state. The timer is in a vacuum-off waiting state.
ステップS−6において、ウェーハは、キャリアのゴムシートにより、研磨パッド上に押圧された状態にあり(ステップS−5と同一)、キャリアは、本研磨位置にある。キャリアバキュームは、オフ状態に切り替わる。キャリアエアフロートはオン状態にあり(ステップS−5と同一)。キャリア水ブローは、オフ状態にある。 In Step S-6, the wafer is pressed onto the polishing pad by the rubber sheet of the carrier (same as Step S-5), and the carrier is in the main polishing position. The carrier vacuum is switched off. The carrier air float is on (same as step S-5). The carrier water blow is in the off state.
このように、ステップS−5とS−6において、キャリアエアフロートがオン状態になった後に、キャリアバキュームが、オフ状態に切り替わるので、エア配管44への逆流が効果的に防止される。
In this way, in steps S-5 and S-6, after the carrier air float is turned on, the carrier vacuum is switched to the off state, so that backflow to the
次に、(B)の研磨作業の終了時について説明する。 Next, the end of the polishing operation (B) will be described.
ステップS−11において、ウェーハは、キャリアに保持(吸着)された状態にあり、保持ヘッドは、研磨位置にある。キャリアバキュームは、オン状態にあり、キャリアエアフロートはオフ状態にあり、キャリア水ブローは、オフ状態にあり、キャリアエアブローは、オフ状態にある。 In step S-11, the wafer is held (adsorbed) by the carrier, and the holding head is at the polishing position. The carrier vacuum is in the on state, the carrier air float is in the off state, the carrier water blow is in the off state, and the carrier air blow is in the off state.
ステップS−12において、保持ヘッドがOutカップ位置に移動する。他は、ステップS−11と同一である。 In step S-12, the holding head moves to the Out cup position. Others are the same as step S-11.
ステップS−13において、キャリアエアフロートがオン状態に切り替わる。また、タイマがバキュームオフ待ち状態になる。他は、ステップS−12と同一である。 In step S-13, the carrier air float is switched on. Also, the timer enters a vacuum off waiting state. Others are the same as step S-12.
ステップS−14において、キャリアバキュームがオフ状態に切り替わる。他は、ステップS−13と同一である。 In step S-14, the carrier vacuum is switched to the off state. Others are the same as step S-13.
ステップS−15において、ウェーハがOutカップに移動し、ウェーハの受け渡しがなされる。そして、キャリア水ブローが、オン状態に切り替わる。また、タイマは、水ブローオフ待ち状態にある。他は、ステップS−14と同一である。 In step S-15, the wafer moves to the Out cup, and the wafer is delivered. And carrier water blow switches to an ON state. Further, the timer is in a water blow-off waiting state. Others are the same as step S-14.
ステップS−16において、キャリア水ブローが、オフ状態に切り替わり、キャリアエアブローが、オン状態に切り替わる。そして、エアブローオフ待ちタイマが起動される。他は、ステップS−15と同一である。 In step S-16, the carrier water blow is switched to the off state, and the carrier air blow is switched to the on state. Then, an air blow-off waiting timer is started. Others are the same as step S-15.
ステップS−17において、キャリアエアブローが、オフ状態に切り替わる。そして、エアフロートオフ待ちタイマが起動される。他は、ステップS−16と同一である。 In step S-17, the carrier air blow is switched to the off state. Then, an air float off waiting timer is started. Others are the same as step S-16.
ステップS−18において、キャリアエアフロートが、オフ状態に切り替わる。 In step S-18, the carrier air float is switched to the off state.
このように、ステップS−13とS−14において、キャリアエアフロートがオン状態になった後に、キャリアバキュームが、オフ状態に切り替わるので、エア配管44への逆流が効果的に防止される。
In this manner, in steps S-13 and S-14, after the carrier air float is turned on, the carrier vacuum is switched to the off state, so that the backflow to the
以上に説明した構成は、本発明の実施形態であるが、本発明の構成はこれらに限定されるものではなく、各種の構成が採り得る。 The configuration described above is an embodiment of the present invention, but the configuration of the present invention is not limited to these, and various configurations can be adopted.
たとえば、本発明の実施形態では、図2に示されるウェーハ保持ヘッド14を使用しているが、これ以外の各種構成のウェーハ保持ヘッドを使用してもよく、これらの構成であっても本実施形態と同様の効果が得られる。
For example, in the embodiment of the present invention, the
以下、図4により他の構成のウェーハ保持ヘッド14‘について説明する。なお、図2のウェーハ保持ヘッド14と同一、類似の部材については同様の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
Hereinafter, the wafer holding head 14 'having another configuration will be described with reference to FIG. 2 that are the same as or similar to those of the
図2で既述したウェーハ保持ヘッド14において、リテーナリング28の内周部に1枚の保護シート52が張設される構成に加えて、本ウェーハ保持ヘッド14‘においては、保護シート52の裏側で、かつリテーナーリング28の内周部に3枚の加圧シート(エアバッグ)52B、52C、52Dが同心円状に張設される、いわゆるゾーンエアバッグ方式の構成が採用されている。
In the
この構成を採用することにより、ウェーハWの押圧力のきめ細かな制御が可能となる。このゾーンエアバッグ方式においては、エアバッグ52B、52C、52Dへのエア供給配管が図示されていないが、エアバッグ52B、52C、52Dの個別の押圧制御が可能となっている。なお、このゾーンエアバッグ方式の構成の場合、4枚以上の加圧シート(エアバッグ)を同心円状に張設することもできる。
By adopting this configuration, fine control of the pressing force of the wafer W becomes possible. In this zone airbag system, the air supply piping to the
10…ウェーハ研磨装置、12…研磨定盤、14…ウェーハ保持ヘッド、20…研磨パッド、22…保持ヘッド本体、24…キャリア、26…キャリア押圧手段、28…リテーナリング、30…リテーナリング押圧手段、44…エア配管、45…配管、46…エアバッグ、52…保護シート、70…エアバッグ、W…ウェーハ
DESCRIPTION OF
Claims (5)
前記保持ヘッドは、
ウェーハを前記研磨パッドに押し付けるキャリアと、
該キャリアの周囲に配設されるリテーナリングと、
該リテーナリングの内部を覆うように前記リテーナリングで周縁を保持されるとともに前記キャリアの下側に配される複数の貫通孔を有する弾性シートと、
前記リテーナリングの内部であって前記キャリアの下面と前記弾性シートとの隙間に形成されるエア室内に加圧ガスを供給するエア供給ラインと、
前記エア室内を減圧状態にするとともに、前記貫通孔よりウェーハを吸引するバキュームラインと、を備え、
前記エア供給ラインと前記バキュームラインとが別個の配管系で構成されていることを特徴とするウェーハ研磨装置。 In a wafer polishing apparatus for holding a wafer with a holding head and pressing the wafer against the polishing pad via the holding head for polishing,
The holding head is
A carrier for pressing a wafer against the polishing pad;
A retainer ring disposed around the carrier;
An elastic sheet having a plurality of through holes that are held at the periphery of the retainer ring so as to cover the interior of the retainer ring and are arranged on the lower side of the carrier;
An air supply line for supplying pressurized gas into an air chamber formed inside the retainer ring and formed in a gap between the lower surface of the carrier and the elastic sheet;
A vacuum line for sucking a wafer from the through hole, and a vacuum state in the air chamber,
The wafer polishing apparatus, wherein the air supply line and the vacuum line are configured by separate piping systems.
前記保持ヘッドに、
ウェーハを前記研磨パッドに押し付けるキャリアと、
該キャリアの周囲に配設されるリテーナリングと、
該リテーナリングの内部を覆うように前記リテーナリングで周縁を保持されるとともに前記キャリアの下側に配される複数の貫通孔を有する弾性シートと、
前記リテーナリングの内部であって前記キャリアの下面と前記弾性シートとの隙間に形成されるエア室内に加圧ガスを供給しエア供給状態するエア供給ラインと、
前記エア供給ラインと別個の配管系で構成され、前記エア室内を減圧状態にするとともに、前記貫通孔よりウェーハを吸引しエア吸引状態とするバキュームラインと、を設け、
前記エア室内を前記エア吸引状態から解除する際に、前記エア供給ラインを作動させた後に前記エア室内を減圧状態から解除することを特徴とするウェーハ研磨方法。 In a wafer polishing method of holding a wafer with a holding head and polishing the wafer by pressing the wafer against a polishing pad via the holding head,
In the holding head,
A carrier for pressing a wafer against the polishing pad;
A retainer ring disposed around the carrier;
An elastic sheet having a plurality of through-holes that are held at the periphery by the retainer ring so as to cover the interior of the retainer ring and are arranged below the carrier;
An air supply line for supplying pressurized gas into an air chamber inside the retainer ring and formed in a gap between the lower surface of the carrier and the elastic sheet;
A vacuum line composed of a separate piping system from the air supply line, and a vacuum line in which the air chamber is decompressed and a wafer is sucked from the through hole to be in an air suction state;
When releasing the air chamber from the air suction state, the air chamber is released from the depressurized state after the air supply line is operated.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006026100A JP4930680B2 (en) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Wafer polishing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006026100A JP4930680B2 (en) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Wafer polishing apparatus and method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007208070A true JP2007208070A (en) | 2007-08-16 |
JP4930680B2 JP4930680B2 (en) | 2012-05-16 |
Family
ID=38487253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006026100A Active JP4930680B2 (en) | 2006-02-02 | 2006-02-02 | Wafer polishing apparatus and method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4930680B2 (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111168564A (en) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 业成科技(成都)有限公司 | Improved device for grinding and cleaning |
KR20230032118A (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-07 | 에스케이실트론 주식회사 | Multi-Area Control Grinding Head |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07290355A (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-07 | Nippon Steel Corp | Polishing device |
JPH09262756A (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Polishining machine for sheet |
JPH11198032A (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Speedfam Co Ltd | Air circuit in making wafer vacuum-sucked to and separated from pressure plate |
JP2001212754A (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Polishing head structure for polishing device |
JP2003309093A (en) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor wafer polishing device |
JP2004106118A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ebara Corp | Polishing device |
-
2006
- 2006-02-02 JP JP2006026100A patent/JP4930680B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07290355A (en) * | 1994-04-25 | 1995-11-07 | Nippon Steel Corp | Polishing device |
JPH09262756A (en) * | 1996-03-28 | 1997-10-07 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Polishining machine for sheet |
JPH11198032A (en) * | 1998-01-19 | 1999-07-27 | Speedfam Co Ltd | Air circuit in making wafer vacuum-sucked to and separated from pressure plate |
JP2001212754A (en) * | 2000-02-01 | 2001-08-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Polishing head structure for polishing device |
JP2003309093A (en) * | 2002-04-18 | 2003-10-31 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor wafer polishing device |
JP2004106118A (en) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Ebara Corp | Polishing device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111168564A (en) * | 2020-01-06 | 2020-05-19 | 业成科技(成都)有限公司 | Improved device for grinding and cleaning |
KR20230032118A (en) * | 2021-08-30 | 2023-03-07 | 에스케이실트론 주식회사 | Multi-Area Control Grinding Head |
KR102582347B1 (en) | 2021-08-30 | 2023-09-25 | 에스케이실트론 주식회사 | Multi-Area Control Grinding Head |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4930680B2 (en) | 2012-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6450868B1 (en) | Carrier head with multi-part flexible membrane | |
CN100563926C (en) | Burnishing device | |
US6361419B1 (en) | Carrier head with controllable edge pressure | |
HK1037156A1 (en) | Chemical mechanical polishing head having floating wafer retaining ring and wafer carrier with multi-zone polishing pressure control | |
US6273804B1 (en) | Apparatus for polishing wafers | |
US6572438B2 (en) | Structure of polishing head of polishing apparatus | |
CN107275261B (en) | Substrate processing apparatus | |
JP2006507691A (en) | Carrier head of chemical mechanical polishing equipment | |
JP4930680B2 (en) | Wafer polishing apparatus and method | |
CN100415447C (en) | Polishing method | |
JP2003151933A (en) | Wafer-polishing apparatus | |
EP2289668B1 (en) | Polishing apparatus | |
JP2007266299A (en) | Wafer-polishing apparatus and method | |
JP2004297029A (en) | Substrate holding device and polishing apparatus | |
JP2010040604A (en) | Wafer rotation stabilization mechanism in wafer polishing device | |
US20040018806A1 (en) | Wafer polisher | |
JP2002198339A (en) | Wafer polishing apparatus | |
JP6930839B2 (en) | CMP equipment and method | |
KR100723435B1 (en) | Polishing head for chemical mechanical polishing apparatus | |
JP2005088171A (en) | Work holding head and polishing device having work holding head | |
CN116061086A (en) | Substrate polishing device, polishing head and substrate positioning protection assembly | |
TW202233359A (en) | Polishing head and polishing apparatus | |
JP5495525B2 (en) | Wafer rotation stabilization structure in polishing head | |
JP2005317821A (en) | Wafer polishing apparatus | |
KR20070050109A (en) | Pad conditioner for chemical mechanical polishing equipment |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110808 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110811 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111007 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120131 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4930680 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150224 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |