JP2007207916A - Organic el display and organic el element - Google Patents

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Kaori Ishikawa
Kenji Okumoto
健二 奥本
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香織 石川
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三洋電機株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display and an organic EL element using a triplet light emitting material, wherein a drive voltage is decreased and a production step is simplified.
SOLUTION: The organic EL display is provided with a plurality of light emitting elements with a different luminescent color which each of them has a plurality of light emitting layers which are different from each other in the luminescent color as a light emitting layer 5. In at least one type of light emitting layer of the plurality of light emitting layers with the different luminescent color, the light emitting material which emits a light through a triplet exciting state is used as a radiative dopant, and in the light emitting layer using the light emitting material, an electronic transportational zinc complex is used as a host material. In the plurality of light emitting elements with the different luminescent color, a hole implantation electrode 2, a hole transport layer 4, an electronic transport layer, and an electronic implantation electrode 7 are composed of the same composition, and each element has the same element structure.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ及び有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display and an organic electroluminescence (EL) element.

有機ELディスプレイは、視野角が広い、コントラストが高い、応答速度が速い、軽量薄型などの種々の特徴を有しており、携帯機器用ディスプレイとして期待されている。 The organic EL display has a wide viewing angle, high contrast, high response speed, have various characteristics such as light and thin, is expected as a display for portable devices. しかしながら、携帯機器は電池駆動であるため、電池の消耗を抑制するためには、ディスプレイの消費電力を小さくすることが求められている。 However, since the portable device is battery-driven, in order to suppress consumption of the battery, it is required to reduce the power consumption of the display. また、携帯機器の価格の低下に伴い、部品としてのディスプレイの低コスト化も要求されている。 Further, with the decrease in the price of the mobile device, cost of the display as a part has also been required.

有機ELディスプレイには、パッシブ型とアクティブ型が知られている。 The organic EL display, a passive type and active type are known. アクティブ型は、薄膜トランジスタ(TFT)基板の上に有機EL素子を積層させている。 Active is an organic EL element is laminated on the thin film transistor (TFT) substrate. パッシブ型は加工された透明電極上に有機EL素子を積層させた単純マトリックス構造である。 Passive is simple matrix structure in which an organic EL element is laminated on a transparent electrode that has been processed. アクティブ型は、画素を個別に制御できるスタティック駆動であるため、線順次駆動のパッシブ型に比べて、寿命、消費電力の点で有利である。 Active are the static drive can be individually controlled pixels, as compared with a passive line sequential driving, lifetime, it is advantageous in terms of power consumption.

また、フルカラー方式としては、白色発光とカラーフィルタの組み合わせ方式、青色発光と色変換フィルタの組み合わせ方式、RGBの塗分け方式の3種類の方式が一般に知られている。 As the full-color mode, the combination scheme of white light emission and a color filter, a blue emitting combination method of a color conversion filter, three methods of RGB separate painting method is generally known. この中で、白色発光とカラーフィルタの組み合わせ方式、及び青色発光と色変換フィルタの組み合わせ方式は、白色発光層または青色発光層を基板全面に塗布するため、製造工程は簡単であるが、NTSCの色再現性が低いという欠点がある。 Among these, a combination method of white light emission and color filters, and a combination scheme of the blue light emission and a color conversion filter, for applying a white light emitting layer or a blue light-emitting layer on the entire surface of the substrate, but the manufacturing process is simple, the NTSC there is a disadvantage of low color reproducibility. 一方、RGBの塗分け方式の場合、マスクプロセスを用いて、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の3原色を個別に塗り分ける工程が必要となり、製造工程が複雑になる。 On the other hand, if the RGB separate painting method, using a mask process, R (red), G (green), the step of separately applied to the individual three primary colors of B (blue) are required, the manufacturing process becomes complicated.

しかしながら、色再現性においては、上記他の方式に比べて高く、フルカラーディスプレイとしてはRGBの塗分け方式の方が優れている。 However, in the color reproducibility, higher than that of the other methods, it is superior in the RGB separate painting method as a full color display. また、消費電力の低減、寿命という面でも優れた特性を有している。 Also, reduced power consumption, and has excellent characteristics in terms of service life. それは、上記他の方式と異なり、カラーフィルタを用いていないからである。 It, unlike the other methods, because not using a color filter. カラーフィルタを用いると、カラーフィルタでの光の吸収が起こるため、発光強度が低下する。 With color filters, since the light absorption in the color filter occurs, emission intensity decreases. ディスプレイは、所定の輝度を出す必要があるため、印加する電力及び電圧を増大させなければならず、素子に対する負荷が増大する。 Display, it is necessary to issue a predetermined luminance, the applied power and voltage must be increased, load on the device is increased. 一方、RGBの塗分け方式の場合、カラーフィルタが存在しないので、発光強度の低下が生じない。 On the other hand, if the RGB separate painting method, the color filter is not present, reduction of luminous intensity does not occur. 従って、素子に対する負荷が小さくなり、寿命及び消費電力の面で有利である。 Therefore, load on the device is reduced, which is advantageous in terms of life and power consumption.

RGBの塗分け方式において、RGBの3種類の有機EL素子は、それぞれ独立した個別の素子である。 In RGB separate painting method, three types of organic EL elements of the RGB are independent individual elements. 従って、有機ELディスプレイ全体の性能を向上させるためには、個々の素子のパフォーマンスを向上させる必要がある。 Therefore, in order to improve the overall performance of the organic EL display, it is necessary to improve the performance of the individual elements. そこで、注目されているのは、3重項発光材料である。 Therefore, what is of interest is a triplet light emitting material. 通常、有機分子は、励起エネルギーを得て、励起状態になる場合、電子のスピンの向きによって1重項励起子と3重項励起子の2種類に分けることができる。 Usually, organic molecules, with the excitation energy, may become an excited state can be divided into two kinds of singlet excitons by electron spin orientation and triplet excitons. 物理上の存在確率としては、1重項励起子と3重項励起子の割合は1:3の比率となり、3重項励起子の方が1重項励起子よりも存在確率が高い。 The existence probability of the physical on the proportion of singlet excitons and triplet excitons is 1: becomes 3 ratio, has higher existence probability than singlet excitons towards triplet excitons. 従って、理論的には、3重項発光材料を用いれば、発光効率が向上する。 Therefore, theoretically, by using the triplet light-emitting material, luminous efficiency is improved. 発光効率が高くなると、素子に流す電力が少なくなり、ディスプレイ全体として消費電力を低減することができる。 When the luminous efficiency is increased, the less power to flow to the device, it is possible to reduce the power consumption as the entire display.

上記のように、3重項発光材料は、理論的には発光効率の向上が望めるが、今まで実際には使用されていない。 As described above, triplet light emitting material is theoretically views the improvement of luminous efficiency, it is not used in practice until now. それは、ほとんどの3重項発光材料が、極低温では高い発光効率を示すが、常温で高い発光効率を示す材料が存在しなかったからである。 This is because most triplet light-emitting material, exhibit high luminous efficiency of cryogenic material exhibiting high luminous efficiency at room temperature is not present.

しかしながら、1999年にプリンストン大学のBaldらは、室温でも高い発光効率を示すイリジウム錯体を見出し、3重項発光材料の有用性を示した(非特許文献1)。 However, Bald et Princeton University in 1999, discovered iridium complexes exhibiting high luminous efficiency even at room temperature, showed the utility of triplet light emitting material (Non Patent Document 1). この3重項発光材料をRGBの塗分け方式に用いることにより、大幅に消費電力を低減することができる。 By using this triplet light-emitting material to the RGB separate painting method, it is possible to greatly reduce the power consumption.

3重項発光材料の中で、量産レベルでは、赤色と緑色に安定で高効率を示すイリジウム錯体が知られている。 Among the triplet light emitting material, the mass production level, iridium complexes which exhibit stable and high-efficiency red and green are known. しかしながら、青色においては、安定で高効率を示す3重項発光材料は見つかっておらず、現在のところ青色のみ1重項発光材料を用いている。 However, in the blue, triplet light emitting material which exhibits a stable and high efficiency has not been found, it is currently using only blue singlet light-emitting material. 従って、量産レベルのフルカラーディスプレイでは、赤色及び緑色の発光材料として3重項発光材料を用い、青色発光材料として1重項発光材料を用いるか、あるいは赤色発光材料として3重項発光材料を用い、青色及び緑色の発光材料として1重項発光材料を用いる組み合わせが現実的である。 Accordingly, the mass-produced full-color display using a triplet light emitting material as the red and green luminescent materials, using a triplet light emitting material as singlet or using the light-emitting material, or red light-emitting material as a blue light emitting material, the combination of using a singlet light-emitting material as a blue and green light-emitting material is realistic.

このように1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子を組み合わせると、素子の特性面と製造面において問題が生じる。 This combination of elements of the device and the triplet light-emitting material of the singlet light emitting material, a problem occurs in the characteristics surface and producing surface of the element. 非特許文献1に示されているように、3重項発光材料を用いた素子構造においては、ホールブロック層が用いられている。 As shown in Non-Patent Document 1, in the device structure using the triplet light-emitting material, a hole blocking layer is used. ホールブロック層は、発光層と電子輸送層との間に挿入される。 Hole blocking layer is inserted between the light emitting layer and the electron transport layer. ホールブロック材料としては、HOMOの絶対値が発光層の構成材料より十分に大きい材料が使用される。 The hole blocking material, the absolute value of HOMO is sufficiently large material is used than the material of the light-emitting layer. これにより、再結合を起こさずに、ホールが発光層から電子輸送層に突き抜けるのを抑制することができる。 Thus, without causing recombination, holes can be prevented from penetrating into the electron transporting layer from the light-emitting layer. そのため、発光層内での再結合確率が高まり、発光効率が向上する。 Therefore, probability of recombination in the light emitting layer is increased, the luminous efficiency is improved. 非特許文献1でホスト材料として用いられているCBPは、3重項発光材料としてよく使用されている材料であり、通常、この材料は、パイポーラ性を有するが、どちらかと言えばホール輸送性が強いため、ホールが発光層内に入り易くなり、ホール過多となる。 CBP which is used as a host material in non-patent document 1 is a material which is often used as a triplet light emitting material, usually, this material has the Paipora property, hole transporting property if anything is strong reason, holes easily enter the light-emitting layer, a hole excessive. そして、その一部が再結合せずに発光層から電子輸送層に突き抜けてしまう。 And thus penetrate the electron transporting layer from the light-emitting layer without recombination part. それを防ぐために、ホールブロック層が挿入されているが、ホールブロック層を挿入すると、素子の駆動電圧が増加する。 To prevent it, but the hole blocking layer is inserted, inserting a hole blocking layer, the driving voltage of the device increases. それは、発光層の構成材料よりホールブロック層のHOMOの絶対値が十分に大きいため、そこに注入障壁が生じるためである。 It is because the absolute value of the HOMO of the hole-blocking layer than the material of the light emitting layer is sufficiently large, because the injection barrier is generated there.

従って、3重項発光材料を用いた素子においては、高電圧という特性が生じる。 Accordingly, in a device using a triplet light emitting material, the characteristic of high voltage. RGBの塗分けの場合、1重項発光材料と組み合わせているため、1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子において駆動電圧のアンバランスが生じる。 For RGB separate painting, since the combination with singlet light-emitting material, the unbalance of the driving voltage is generated in the element of the device and the triplet light-emitting material of the singlet light emitting material. つまり、ホールブロック層を有しない1重項発光材料の素子は駆動電圧が低く、ホールブロック層を有する3重項発光材料の素子は駆動電圧が高くなる。 That is, elements of the singlet light emitting material having no hole blocking layer has a low driving voltage, elements of triplet light emitting material having a hole blocking layer drive voltage becomes higher. アクティブ型ディスプレイにおいて、TFTと組み合わせる場合、駆動回路の構成上、RGBのそれぞれのサブピクセルで電源電圧を共通にしている。 In an active type display, when combined with TFT, the structure of the driving circuit, and a power supply voltage to the common in each subpixel of RGB. つまり、RGBのうち、1つでも駆動電圧が高いサブピクセルが存在すると、電源電圧はその電圧に合わせて高めに設定しなければならない。 That is, of the RGB, a drive voltage even one is present is high subpixel, the power supply voltage must be set higher in accordance with the voltage thereof. そうすると、ディスプレイ全体の消費電力が増加する。 Then, the overall power consumption of the display is increased. 電圧が低くても発光が可能な1重項発光材料の素子は、無駄に高電圧をかけるので、消費電力のロスが大きくなる。 Elements of singlet light emitting material capable of emitting even at low voltage, since the wasted applying a high voltage, loss of power consumption is increased. このような問題を防ぐには、RGBのそれぞれの電圧を低い方にシフトさせて、その差を最小にする必要がある。 Such avoid the problem, by shifting the voltage of each of RGB to the lower, it is necessary to make the difference to a minimum.

3重項発光材料の素子における製造面での問題は、ホールブロック層を挿入することにより、1重項発光材料の素子に比べ、層数が1層増加することである。 Problems with fabrication surface in the element of the triplet light-emitting material, by inserting a hole blocking layer, than the device of the singlet light emitting material is that the number of layers is increased one layer. 1層増加することにより、コストが増大する原因となる。 By increasing one layer, causing the cost increases. 特性的には、RGB各素子は独立しているが、製造面からみると、工程の簡略化を図るため、共通にできる層は、できるだけ共通にする必要がある。 Characteristically, the respective RGB elements are independent, when viewed from the manufacturing, in order to simplify the process, a layer which can be in common, it is necessary to possible common. つまり、発光層は、RGBのそれぞれの色を出すためには、最低限個別に製造する必要があるが、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを共通化することが望ましい。 In other words, the light-emitting layer, in order to give each of the RGB colors, it is the minimum necessary to separately manufacture, hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, is possible to share the electron injection layer desirable. 共通化することにより、薄膜形成用のソースに仕込む材料をまとめることができる。 By common, it is possible to combine the material to be charged to the source of the thin film formation. これにより、材料費の削減、製造装置のチャンバー数の削減による設備投資の抑制、及びタクトタイムの低減による生産性の向上をもたらし、ディスプレイのコストの低減をもたらすことができる。 Thus, reduction of material costs, the suppression of capital investment by the chamber reducing the number of manufacturing devices, and lead to improved productivity by reducing the tact time, it is possible to provide a reduction in cost of the display.

しかしながら、従来の3重項発光材料の素子の場合、上述のようにホールブロック層を挿入しなければならないので、上記各層を共通化させることは困難であった。 However, if the elements of the conventional triplet light emitting material, since they must be inserted to the hole blocking layer as described above, it is difficult to commonality of the layers.

特許文献1においては、RGBの塗分け方式のディスプレイにおいて、1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子の駆動電圧の差により生じる問題が開示されている。 In Patent Document 1, in the display of the RGB separate painting method, problems caused by the difference between the driving voltage of the device element and the triplet light-emitting material of the singlet light emitting material has been disclosed. この文献では、3重項発光材料の素子の発光効率が高いので、ディスプレイの所定輝度を出すためには、1重項発光材料の素子より少ない電力値でよく、その場合の駆動電圧も小さくなると記載されている。 In this document, because of the high luminous efficiency of the device of the triplet light emitting material, in order to produce a predetermined display brightness may less power values ​​than the element of the singlet light emitting material, the driving voltage when also reduced Have been described. しかしながら、3重項発光材料の素子の場合、実際にディスプレイで使用する輝度領域(100〜10000cd/m )においては、電圧(横軸)−電力(縦軸)曲線が急峻になっている。 However, if the element of triplet light emitting material, in the luminance region for actual use in display (100~10000cd / m 2), the voltage (horizontal axis) - power (vertical axis) curve is steeper. これは、電流変化に対して電圧変化が小さいことを意味している。 This means that the voltage change small with respect to the current change. 従って、3重項発光材料の素子を用いれば、低電圧駆動になるとは限らないのである。 Thus, by using the element of triplet light emitting material, it is not necessarily the low-voltage driving. 特許文献1には、3重項発光材料の素子の具体的な構成については記載されていない。 Patent Document 1 does not describe a specific configuration of the elements of the triplet light emitting material.

特許文献2には、本発明においてホスト材料として用いる電子輸送性亜鉛錯体が開示されているが、これを発光層のホスト材料として用いることにより、ホールブロック層を設ける必要がなくなり、駆動電圧を低減できることについては何ら開示されていない。 Patent Document 2, the electron transporting zinc complex used as a host material is disclosed in the present invention, by using it as a host material of a light-emitting layer, it is not necessary to provide a hole blocking layer, reducing the drive voltage there is no disclosure about what can be.
特開2002−2684号公報 JP 2002-2684 JP 特開2002−305083号公報 JP 2002-305083 JP

本発明の目的は、3重項発光材料を用いた有機ELディスプレイ及び有機EL素子において、駆動電圧を低減することができ、かつ製造工程を簡略化させることができる有機ELディスプレイ及び有機EL素子を提供することにある。 An object of the present invention provides an organic EL display and an organic EL device using a triplet light emitting material, the driving voltage can be reduced, and an organic EL display and an organic EL device manufacturing process can be simplified It is to provide.

本発明の有機ELディスプレイは、ホール注入電極と、電子注入電極と、ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、ホール注入電極及び発光層の間に設けられるホール輸送層と、電子注入電極及び発光層の間に設けられる電子輸送層とを備え、発光層として、互いに発光色が異なる複数の発光層をそれぞれ有する、発光色が異なる複数の発光素子が設けられた有機ELディスプレイであって、発光色が異なる複数の発光層の内の少なくとも1種の発光層において、発光性ドーパントとして、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が用いられており、かつ該発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられており、発光色が異なる The organic EL display of the present invention includes a hole injection electrode, and an electron injection electrode, provided between the hole injecting electrode and an electron injection electrode, a light emitting layer containing a host material and a light emitting dopant, a hole injecting electrode and the light emitting layer has a hole transport layer provided between the, and an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer, a light emitting layer, a plurality of light-emitting layers emitting colors different from each other, respectively, the plurality of emission colors are different an organic EL display emitting element is provided in at least one of the light-emitting layer of the light emitting color different light emitting layers, a light-emitting dopant, emission of the light emitting through the triplet excited state materials have been used, and in the light emitting layer light emitting material is used, which is used electron transporting zinc complex as a host material, light emission color different 数の発光素子において、ホール注入電極、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入電極が同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴としている。 In the number of light emitting elements, the hole injecting electrode, a hole transport layer, an electron transport layer and an electron injecting electrode is made of the same composition, each element is characterized by having the same device structure.

本発明においては、3重項発光励起状態を経由して発光する発光材料(3重項発光材料)が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、従来のように、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がなく、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子などの発光色が異なる複数の発光素子において、ホール注入電極、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入電極を同一組成から形成することができる。 In the present invention, in the light emitting layer via the triplet light-emitting excited state and emitting material (triplet light emitting material) is used for emitting, because of the use of electron transporting zinc complex as a host material, prior like the light emitting layer and it is not necessary to provide a hole blocking layer between the electron transport layer, the red light emitting element, a plurality of light emitting elements emitting color different such as green light emitting element and the blue light emitting element, a hole injection electrode, holes transport layer, an electron transport layer and an electron injection electrode can be formed from the same composition. 従って、各発光素子において同一素子構造とすることができるので、製造工程を簡略化することができる。 Accordingly, it is possible to the same element structure in each light emitting element, it is possible to simplify the manufacturing process. また、3重項発光材料を含有させた素子においてホールブロック層を設けることなく、駆動電圧を低減させることができるので、有機ELディスプレイ全体としての消費電力を低減することができる。 Further, without providing a hole blocking layer in a device which contains a triplet light emitting material, it is possible to reduce the driving voltage, it is possible to reduce the power consumption of the whole organic EL display.

本発明においては、ホール注入電極とホール輸送層の間に設けられるホール注入層、及び電子注入電極と電子輸送層の間に設けられる電子注入層のうちの少なくとも一方の層が設けられていてもよい。 In the present invention, a hole injection layer provided between the hole injecting electrode and the hole transport layer, and also at least one layer provided among the electron injection layer provided between the electron injection electrode and an electron-transporting layer good. この場合、ホール注入層及び/または電子注入層は、発光色が異なる複数の発光素子において同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有するように各層が設けられる。 In this case, the hole injection layer and / or an electron injection layer is made from the same composition in a plurality of light emitting elements emitting color different, each element layers are provided having the same device structure.

本発明において用いる3重項発光材料は、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体であることが好ましい。 Triplet light-emitting material used in the present invention is preferably an iridium complex represented by the following general formula (1) or (2).

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is at least one of .R1~R4 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or substituted aryloxy groups, unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl groups, non a substituted or substituted siloxanyl group, the others are all hydrogen .R1~R4 good be different even in the same respective .n represents an integer of 1 to 3, m is from 0 to 2 It represents an integer.)

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is .R5~R8 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy groups, unsubstituted or substituted an aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl group, an unsubstituted or substituted been .R5~R8 good .n be different even in the same respectively any of a siloxanyl group represents an integer of 1 to 3, m represents an integer of 0 to 2.)
現在のところ安定で高効率を示す3重項発光材料は、赤色発光材料及び緑色発光材料であるので、発光色が異なる複数の発光層が、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層である場合、3重項発光材料が含有される発光層は、赤色発光層及び/または緑色発光層であることが好ましい。 Currently triplet light emitting material which exhibits a stable and high efficiency, because the red light emitting material and the green light emitting material, a plurality of light-emitting layers emitting colors different, a red emission layer, a green emission layer, and a blue light-emitting layer some cases, the light-emitting layer triplet light-emitting material is contained is preferably a red light-emitting layer and / or green light-emitting layer.

3重項発光材料が赤色発光層に含有される場合、赤色発光層にホスト材料として含有される電子輸送性亜鉛錯体は、ベンゾチアゾール誘導体を配位子として有するものであることが好ましく、特に2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールを配位子として有するものであることが好ましい。 If triplet light-emitting material is contained in the red light-emitting layer, the electron transporting zinc complex contained as a host material in the red light-emitting layer is preferably one having a benzothiazole derivative as a ligand, especially 2 - is preferably a (2-hydroxyphenyl) benzothiazole are those having as a ligand.

本発明においてホスト材料として用いられる電子輸送性亜鉛錯体は、電子輸送性が強く、ホール輸送性が小さいため、発光層内においては電子の方がリッチな状態になる。 Electron transporting zinc complex used as the host material in the present invention, a strong electron-transporting property, a hole-transporting property is small, it electrons in the emission layer becomes rich state. 従って、ホールは再結合によって消費されていくため、発光層から電子輸送層にホールが突き抜ける頻度が小さくなる。 Thus, the holes for going consumed by recombination, the frequency of holes penetrate the light-emitting layer to the electron transport layer is reduced. これによって、ホールブロック層が不要になるため、発光層/ホールブロック層のエネルギー障壁をなくすことができ、低電圧化することができる。 Thus, since the hole blocking layer is not required, it is possible to eliminate the energy barrier of the light-emitting layer / hole blocking layer, it is possible to lower voltage.

なお、ベンゾチアゾール誘導体を配位子とする電子輸送性亜鉛錯体を用いる場合には、ホール輸送性の低さをカバーするため、3級アミン化合物などのホール輸送性材料をアシストドーパントとして発光層内に適量ドープしてもよい。 In the case of using the electron transporting zinc complex of benzothiazole derivatives as a ligand, to cover the hole-transporting low, the light emitting layer a hole-transporting material, such as a tertiary amine compound as an assist dopant it may be an appropriate amount of doped. これにより、キャリアバランスの微調整を行うことができ、発光効率及び寿命を向上させることができる。 Thus, it is possible to perform fine adjustment of carrier balance, it is possible to improve the luminous efficiency and lifetime. なお、3級アミン化合物として、実施例において説明するNPBなどを用いることができる。 As the tertiary amine compound, or the like can be used NPB described in the Examples.

3重項発光材料が、緑色発光層に含有される場合、3重項発光の緑色発光材料は、3重項発光の赤色発光材料より励起エネルギーが大きいため、上記のベンゾチアゾール誘導体を配位子とする亜鉛錯体をホスト材料として緑色発光層に含有させると、ホスト材料の発光が生じる場合がある。 Triplet luminescent material, as incorporated into the green light-emitting layer, 3 a green light-emitting material of triplet light emission, since the excitation energy than the red light-emitting material of the triplet emission is large, a ligand benzothiazole derivatives of the above the inclusion in the green light-emitting layer of zinc complexes to as a host material, there is a case where light emission of the host material occurs. このような場合には、より大きな励起エネルギーを有するホスト材料を用いることが好ましい。 In such a case, it is preferable to use a host material having a larger excitation energy. このようなホスト材料としては、配位子としてベンゾオキサゾール誘導体を有する亜鉛錯体が好ましく用いられる。 Such a host material, a zinc complex having a benzoxazole derivative as a ligand is preferably used. 特に、2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾールを配位子として有する亜鉛錯体が好ましく用いられる。 In particular, zinc complex with 2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazole as a ligand is preferably used. このような亜鉛錯体を用いることにより、駆動電圧を低減することができ、有機ELディスプレイの消費電力を低減させることができる。 By using such a zinc complex, it is possible to reduce the driving voltage, it is possible to reduce the power consumption of the organic EL display.

本発明の有機EL素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、ホール注入電極及び発光層の間に設けられるホール輸送層と、電子注入電極及び発光層の間に設けられる電子輸送層とを備える有機EL素子であって、発光性ドーパントとして、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体を用い、ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いることを特徴としている。 The organic EL device of the present invention includes a hole injection electrode, and an electron injection electrode, provided between the hole injecting electrode and an electron injection electrode, a light emitting layer containing a host material and a light emitting dopant, a hole injecting electrode and the light emitting layer and the hole transport layer provided between the, an organic EL device comprising an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer, a light-emitting dopant, the following general formula (1) or (2) using iridium complex represented in, as the host material, it is characterized by the use of electron transporting zinc complex.

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is at least one of .R1~R4 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or substituted aryloxy groups, unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl groups, non a substituted or substituted siloxanyl group, the others are all hydrogen .R1~R4 good be different even in the same respective .n represents an integer of 1 to 3, m is from 0 to 2 It represents an integer.)

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is .R5~R8 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy groups, unsubstituted or substituted an aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl group, an unsubstituted or substituted been .R5~R8 good .n be different even in the same respectively any of a siloxanyl group represents an integer of 1 to 3, m represents an integer of 0 to 2.)
本発明の有機EL素子において用いられる電子輸送層亜鉛錯体は、上記本発明の有機ELディスプレイにおいて説明した電子輸送性亜鉛錯体を用いることができる。 Electron-transporting layer of zinc complex used in the organic EL device of the present invention can be used an electron transporting zinc complex described in the organic EL display of the present invention.

本発明の有機EL素子においては、発光層のホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がなく、駆動電圧を低減することができる。 In the organic EL device of the present invention, as a host material of a light-emitting layer, because of the use of electron transporting zinc complex, it is not necessary to provide a hole blocking layer between the light-emitting layer and the electron transport layer, reducing the drive voltage be able to. 従って、製造工程を簡略化することができる。 Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process.

本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL素子において3重項発光材料として用いることができるイリジウム錯体としては、上述のように、一般式(1)及び(2)で表されるものが挙げられる。 The iridium complex can be used as a triplet light emitting material in an organic EL display and an organic EL device of the present invention, as described above, include those represented by the general formula (1) and (2).

一般式(1)で表されるイリジウム錯体において、R3及びR4は水素であることがさらに好ましい。 In the iridium complex represented by the general formula (1), more preferably R3 and R4 are hydrogen. また、さらには、R1、R3及びR4は水素であることが好ましい。 Also, further, R1, R3 and R4 is preferably hydrogen. 特に好ましくは、R1、R3及びR4が水素であり、R2が水素または非置換または置換されたアルキル基である。 Particularly preferably, R1, is R3 and R4 are hydrogen, R2 is hydrogen or an unsubstituted or substituted alkyl group.

一般式(1)で表されるイリジウム錯体の好ましい具体例としては、以下に示す構造のものが挙げられる。 Preferred examples of the iridium complex represented by the general formula (1) include the structures shown below.

一般式(2)で表されるイリジウム錯体において、さらに好ましくは、R5〜R8が水素または、非置換または置換されたアルキル基である。 In the iridium complex represented by the general formula (2), more preferably, R5 to R8 are hydrogen or an unsubstituted or substituted alkyl group. また、一般式(2)において、n=3であり、m=0であることがさらに好ましい。 In the general formula (2), n = 3, further preferably m = 0.

一般式(2)で表されるイリジウム錯体の好ましい具体例としては、以下のものが挙げられる。 Preferred examples of the iridium complex represented by the general formula (2) include the followings.

本発明の有機ELディスプレイでは、3重項発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体を用いている。 The organic EL display of the present invention, in the light emitting layer triplet light emitting material is used, and an electron transporting zinc complex as a host material. 電子輸送性亜鉛錯体を用いることにより、従来発光層と電子輸送層の間に必要であったホールブロック層を設ける必要がなくなる。 By using an electron-transporting zinc complex, it is not necessary to provide a hole blocking layer was required between the conventional light-emitting layer and the electron transport layer. このため、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子などの発光色が異なる発光素子において、各素子を構成する層を同一組成とし、各素子を同一素子構造としても、駆動電圧を低減化することができ、消費電力を低減させることができる。 Therefore, red light emitting element, the light emitting device emission colors are different, such as green light emitting element and the blue light emitting element, a layer constituting each element is the same composition, also the elements as the same device structure to reduce the drive voltage it can, power consumption can be reduced.

また、各発光層素子が同一素子構造を有しているので、各素子の各層を同時に形成することができ、製造工程を簡略化することができる。 Further, since each light-emitting layer elements have the same device structure, it is possible to form each layer of each element at the same time, it is possible to simplify the manufacturing process. 従って、低コストで生産できると共に、生産量を大幅に増大させることができる。 Therefore, it is possible to it is possible to produce at low cost, greatly increase the production volume.

本発明の有機EL素子においては、発光性ドーパントとして、3重項発光材料である特定のイリジウム錯体を用い、ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、発光層から電子輸送層へのホールの突き抜けを抑制することができ、従来必要であったホールブロック層を設ける必要がなくなる。 In the organic EL device of the present invention, as a light emitting dopant, using a specific iridium complex is a triplet light emitting material as a host material, because of the use of electron transporting zinc complex, a light emitting layer into the electron transport layer of penetration can be suppressed in the hole, it is not necessary to provide a hole blocking layer was conventionally required. このため、駆動電圧を低減化し、発光効率を高めることができる。 Therefore, to reduce the driving voltage, it is possible to increase the luminous efficiency.

以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されものではない。 Will now be described by way of specific embodiments thereof, the invention is not intended to be limited to the following examples.

(実施例1) (Example 1)
図1は、本実施例の有機EL素子を示す模式的断面図である。 Figure 1 is a schematic sectional view showing an organic EL device of the present embodiment. 図1を参照してガラス基板1の上には、ホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送・電子注入層9、及び電子注入電極7が順次積層されている。 On a glass substrate 1 with reference to FIG. 1, the hole injection electrode 2, hole injection layer 3, hole transport layer 4, light-emitting layer 5, electron transport and electron injection layer 9, and the electron injection electrode 7 are sequentially stacked ing.

上記構造の有機EL素子は、具体的には以下のようにして作製した。 The organic EL element of the structure, specifically prepared as follows.

先ず、ガラス基板1上には、インジウム−錫酸化物(ITO)膜が形成された基板を、イソプロピルアルコールで5分間超音波洗浄を2回行い、基板表面をO プラズマ処理した。 First, on a glass substrate 1, indium - a substrate tin oxide (ITO) film is formed, for 5 minutes ultrasonic cleaning twice with isopropyl alcohol, the substrate surface was O 2 plasma treatment. 次に、ITOからなるホール注入電極2の上にCFx膜からなるホール注入層3(厚み1nm)をフッ化炭素膜形成装置により形成した。 Next, the hole injection layer 3 consisting of CFx film on the hole injection electrode 2 composed of ITO (thickness 1 nm) was formed by fluorocarbon film forming apparatus. 次に、真空蒸着機を用いて、ホール注入層3の上に、ホール輸送層4(厚み50nm)、発光層5(厚み40nm)、電子輸送・電子注入層9(厚み20nm)、及び電子注入電極7を順に真空蒸着法で積層して形成した。 Next, using a vacuum deposition machine, on the hole injection layer 3, hole transport layer 4 (thickness 50 nm), the light emitting layer 5 (thickness 40 nm), electron transport and electron injection layer 9 (thickness 20 nm), and electron injection the electrode 7 were sequentially formed by laminating a vacuum deposition method. ホール輸送層4はNPBから形成した。 Hole transport layer 4 was formed from NPB. 発光層5は、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体であるZnBTZを用い、ドーパント材料として化合物1を用いて形成した。 Emitting layer 5, using a ZnBTZ an electron transporting zinc complex as a host material was formed using the compound 1 as a dopant material. 化合物1は、3重項発光材料ドーパントであり、ホスト材料に対して6重量%となる含有量で用いた。 Compound 1 is a triplet light emitting material dopant was used at a content which is a 6% by weight relative to the host material. 電子注入層9は、AlqとCsから形成した。 Electron injection layer 9 is formed from Alq and Cs. AlqとCsの割合は、1:1である。 The proportion of Alq and Cs is 1: 1. 電子注入電極7は、厚み1nmのフッ化リチウムの上に厚み200nmのアルミニウムを積層することにより形成した。 Electron injection electrode 7 was formed by laminating aluminum thickness 200nm on a thickness 1nm lithium fluoride. なお、発光層5は、ホスト材料とドーパント材料を同時に熱して蒸着する共蒸着法で行った。 The light-emitting layer 5 were performed in a co-evaporation method to deposit by heating the host material and a dopant material at the same time. また、蒸着は、いずれの層も真空度1×10 −6 Torr、基板温度制御なしの条件で行った。 Further, the deposition was carried out either layer also vacuum 1 × 10 -6 Torr, under the conditions of no substrate temperature control.

NPBは、N,N′−ジ(ナフタセン−1−イル)−N,N′−ジフェニルベンジジンであり、以下の構造を有している。 NPB is, N, N'- di (naphthacene-1-yl) -N, N'- diphenyl benzidine, has the following structure.

ZnBTZは、ビス〔2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンズ−1,3−チアゾラト〕亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。 ZnBTZ are bis - a [2- (2-hydroxyphenyl) benz-1,3 Chiazorato] zinc (II), has the following structure.

化合物1は、ビス〔2−(3−メチルフェニル)キノリン〕イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。 Compound 1 is bis [2- (3-methylphenyl) quinoline] iridium (III) acetylacetonate, and has the following structure.

Alqは、トリス−(8−キノリラト)アルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。 Alq is tris - (8-quinolinolato) is aluminum (III), and has the following structure.

以上のようにして得られた有機EL素子について、発光特性を測定した。 The organic EL devices obtained as described above, and the light emission properties were measured. 発光特性の測定は、ホール注入電極をプラス、電子注入電極をマイナスにバイアスして、電圧を印加して行った。 Measurement of light emission characteristics, the hole injecting electrode plus, and biasing the electron injection electrode in the negative was carried out by applying a voltage. 電圧を印加することにより、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。 By applying a voltage, red emission based on Compound 1 was observed (peak wavelength 620 nm, the chromaticity (0.66, 0.34)). 初期特性において、電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は7.3cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.2lm/Wであり、外部量子収率は6.5%であった。 In the initial characteristics, the driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency was 7.3cd / A, the power (electric power) efficiency is 7.2lm / W, and the external quantum yield It was 6.5%. また、この素子を1000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は、200時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 1000 cd / m 2 was 200 hours.

(実施例2) (Example 2)
化合物1に代えて、発光ドーパント材料として化合物2を用いた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Instead of the compound 1, except for using Compound 2 as a dopant material, to manufacture an organic EL device in the same manner as in Example 1.

実施例1と同様にして発光特性を測定したところ、化合物2に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.65,0.35))を観測した。 When the light emission properties were measured in the same manner as in Example 1, red light emission based on the compound 2 was observed (peak wavelength 629 nm, the chromaticity (0.65, 0.35)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は6.8cd/Aであり、パワー(電力)効率は6.7lm/Wであり、外部量子収率は6.5%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency was 6.8 cd / A, the power (electric power) efficiency is 6.7lm / W, and the external quantum yield 6.5% Met. また、この素子を1000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は756時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 1000 cd / m 2 was 756 hours.

なお、化合物2は、ビス〔2−(3−メチルフェニル)−3−メチルキノリン〕イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。 The compound 2 is a bis [2- (3-methylphenyl) -3-methyl-quinoline] iridium (III) acetylacetonate, and has the following structure.

(比較例1) (Comparative Example 1)
発光層におけるホスト材料を、ZnBTZからCBPに代え、また発光層と電子輸送・電子注入層の間にBAlqからなるホールブロック層(厚み10nm)を設けた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 The host material in the light emitting layer, instead of CBP from ZnBTZ, also except having a hole blocking layer made of BAlq between the light-emitting layer and the electron transport and electron injection layer (thickness 10 nm), in the same manner as in Example 1 Organic the EL device was fabricated.

この有機EL素子について、発光特性を測定したところ、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。 This organic EL device was measured emission characteristics, red light emission based on Compound 1 was observed (peak wavelength 620 nm, the chromaticity (0.66, 0.34)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は7.3Vであり、電流効率は7.2cd/Aであり、パワー(電力)効率は3.2lm/Wであり、外部量子収率は5.3%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 7.3V, the current efficiency was 7.2 cd / A, the power (electric power) efficiency is 3.2lm / W, and the external quantum yield 5.3% Met. また、この素子を1000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は160時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 1000 cd / m 2 was 160 hours.

なお、CBPは、4,4′−N,N′−ジカルバゾール−ビフェニルであり、以下の構造を有している。 Incidentally, CBP is, 4,4'-N, N'-dicarbazole - biphenyl, has the following structure.

また、BAlqは、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラトアルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。 Further, BAlq is bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato aluminum (III), and has the following structure.

(比較例2) (Comparative Example 2)
発光層における発光ドーパントをBTPIrに代える以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Except for changing the light-emitting dopant in the emission layer to BTPIr, to prepare an organic EL device in the same manner as in Example 1. なお、BTPIrは、特許文献2に開示されている3重項発光材料である赤色発光のイリジウム錯体である。 Incidentally, BTPIr is an iridium complex red light is triplet luminescent material disclosed in Patent Document 2. 得られた有機EL素子について、発光特性を測定したところ、BTPIrに基づく赤色発光(色度(0.67,0.32))を観測した。 The obtained organic EL device was measured emission characteristics were observed red emission (chromaticity (0.67,0.32)) based on BTPIr. 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は2.5cd/Aであり、パワー(電力)効率は2.5lm/Wであり、外部量子収率は3.2%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency was 2.5 cd / A, the power (electric power) efficiency is 2.5 lm / W, and the external quantum yield 3.2% Met. また、この素子を1000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は31時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 1000 cd / m 2 was 31 hours.

BTPIrは、ビス(ベンゾチエニルピリジン)イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。 BTPIr is bis (benzothienylpyridine) iridium (III) acetylacetonate, and has the following structure.

実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2の発光特性の測定結果を表1にまとめて示す。 Example 1, Example 2, the measurement result of the emission characteristics of Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are summarized in Table 1.

実施例1と比較例1との比較から明らかなように、本発明のホスト材料であるZnBTZを用いた実施例1の有機EL素子は、ホールブロック層を有しない構造であるが、比較例1のCBPをホスト材料として用いた有機EL素子に匹敵する電流効率を示し、駆動電圧においては、比較例1よりも大幅に低減された値を示しており、高いパワー効率が得られることがわかる。 As is apparent from a comparison between Example 1 and Comparative Example 1, the organic EL element of Example 1 using the ZnBTZ a host material of the present invention is a structure having no hole blocking layer, Comparative Example 1 the CBP indicates current efficiency comparable to the organic EL element used as a host material, in the driving voltage, shows a significantly reduced than in Comparative example 1, it is understood that high power efficiency can be obtained.

また、実施例1及び比較例2との比較から明らかなように、特許文献2に開示された3重項発光材料を用いた場合には、発光特性が低く、輝度半減期が短くなることがわかる。 Further, as is apparent from a comparison between Example 1 and Comparative Example 2, in the case of using a triplet light emitting material disclosed in Patent Document 2, light emission characteristics is low, that the luminance half-life is shortened Recognize.

(実施例3) (Example 3)
発光層のホスト材料としてZnBTZを80重量%、NPBを20重量%用い、これらのホスト材料に対して6重量%の化合物1を発光ドーパントとして用いる以外は、上記実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 80 wt% of ZnBTZ as a host material of the light emitting layer, using NPB 20 wt%, except using Compound 1 of 6 wt% as a light emitting dopant to these host materials, organic EL in the same manner as in Example 1 a device was prepared. なお、ここでNPBはアシストドーパントとして用いている。 Here, NPB is used as an assist dopant.

得られた有機EL素子について発光特性を測定した結果、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。 The results obtained organic EL device and the light emission properties were measured, the red light emission based on Compound 1 was observed (peak wavelength 620 nm, the chromaticity (0.66, 0.34)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.4Vであり、電流効率は8.6cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.9lm/Wであり、外部量子収率は8.9%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.4 V, the current efficiency was 8.6cd / A, the power (electric power) efficiency is 7.9lm / W, and the external quantum yield 8.9% Met. また、この素子を3000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は900時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 3000 cd / m 2 was 900 hours.

(実施例4) (Example 4)
ドーパント材料として、化合物1に代えて化合物2を用いた以外は、上記実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。 As the dopant material, except for using Compound 2 in place of Compound 1, to prepare an organic EL device in the same manner as in Example 3.

得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物2に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.65,0.34))を観測した。 The emission characteristics of the obtained organic EL device was measured, the red light emission based on the compound 2 was observed (peak wavelength 629 nm, the chromaticity (0.65,0.34)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.3Vであり、電流効率は10cd/Aであり、パワー(電力)効率は9.5lm/Wであり、外部量子収率は11%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.3V, the current efficiency was 10 cd / A, the power (electric power) efficiency is 9.5lm / W, external quantum yield was 11%. また、この素子を3000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は2000時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 3000 cd / m 2 was 2000 hours.

実施例3及び実施例4の測定結果を表2に示す。 Measurement results of Examples 3 and 4 shown in Table 2.

表1に示す実施例1及び実施例2との比較から明らかなように、アシストドーパント材料を発光層中に含有させることにより、輝度半減期を長くすることができ、素子安定性が高められることがわかる。 Table from comparison between Example 1 and Example 2 are shown in 1 Obviously, by incorporating an assist dopant material in the light emitting layer, it is possible to increase the luminance half-life, the element stability is enhanced It is seen.

(実施例5) (Example 5)
発光層のホスト材料として、ZnOXDを用い、発光ドーパント材料として化合物3をホスト材料に対して8重量%となるように用い、発光層の厚みを50nmとする以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 As a host material of the light emitting layer, using ZnOXD, used so that 8% by weight of compound 3 with respect to the host material as a dopant material, except that the 50nm thickness of the light-emitting layer, in the same manner as in Example 1 the organic EL device was fabricated.

得られた有機EL素子について、発光特性を測定したところ、化合物3に基づく緑色発光(ピーク波長520nm、色度(0.29,0.63))を観測した。 The obtained organic EL device was measured emission characteristics, green light emission based on Compound 3 was observed (peak wavelength 520 nm, the chromaticity (0.29, 0.63)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は5.6Vであり、電流効率は39cd/Aであり、パワー(電力)効率は22lm/Wであり、外部量子収率は11%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 5.6 V, the current efficiency was 39cd / A, the power (electric power) efficiency is 22lm / W, and the external quantum yield was 11%.

ZnOXDは、ビス〔2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンズ−1,3オキサゾラト〕亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。 ZnOXD is bis [2- (2-hydroxyphenyl) - benz 1,3 oxazolato] is zinc (II), has the following structure.

化合物3は、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)であり、以下の構造を有している。 Compound 3 is tris (2-phenylpyridine) iridium (III), and it has the following structure.

(比較例3) (Comparative Example 3)
発光層におけるホスト材料としてCBPを用い、発光層と電子輸送・電子注入層の間に比較例1と同様にBAlqからなるホールブロック層(厚み10nm)を設ける以外は、実施例5と同様にして有機EL素子を作製した。 Using CBP as the host material in the light-emitting layer, except to provide a hole blocking layer made of BAlq as in Comparative Example 1 between the light-emitting layer and the electron transport and electron injection layer (thickness 10 nm), in the same manner as in Example 5 the organic EL device was fabricated.

得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物3に基づく緑色発光(ピーク波長520nm、色度(0.27,0.63))を観測した。 When the light emission characteristics of the obtained organic EL device was measured, green luminescence based on Compound 3 was observed (peak wavelength 520 nm, the chromaticity (0.27,0.63)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は7.0Vであり、電流効率は29cd/Aであり、パワー(電力)効率は13lm/Wであり、外部量子収率は8.3%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 7.0 V, the current efficiency was 29cd / A, the power (electric power) efficiency is 13lm / W, and the external quantum yield was 8.3%.

実施例5及び比較例3の測定結果を表3に示す。 Measurement results of Example 5 and Comparative Example 3 shown in Table 3.

実施例5と比較例3の結果から、ホスト材料としてZnOXDを用いた有機EL素子は、ホールブロック層を有しない構造であっても、CBPをホスト材料とした比較例3の有機EL素子を超える電流効率を示し、さらに大幅に低い駆動電圧を示し、高いパワー効率を示すことがわかる。 From the results of Comparative Example 3 and Example 5, the organic EL element using ZnOXD as a host material, even structure with no hole blocking layer, more than the organic EL element of Comparative Example 3 in which the CBP as a host material shows current efficiency further show significantly low driving voltage, it can be seen that a higher power efficiency.

(実施例6) (Example 6)
発光層の発光ドーパント材料として化合物4を用いる以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。 Except using Compound 4 as a dopant material of the light-emitting layer An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1.

得られた有機EL素子について発光特性を測定したところ、化合物4に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.68,0.32))を観測した。 The obtained organic EL device was measured emission characteristics, red light emission based on the compound 4 was observed (peak wavelength 629 nm, the chromaticity (0.68, 0.32)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.4Vであり、電流効率は8.6cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.9lm/Wであり、外部量子収率は12.2%であった。 Current drive voltage at a density 10 mA / cm 2 is 3.4 V, the current efficiency was 8.6cd / A, the power (electric power) efficiency is 7.9lm / W, and the external quantum yield 12.2% Met. また、この素子を3000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は1000時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 3000 cd / m 2 was 1000 hours.

化合物4は、トリス(フェニルイソキノリン)イリジウム(III)であり、以下の構造を有している。 Compound 4 is a tris (phenyl) iridium (III), and has the following structure.

(実施例7) (Example 7)
発光層の発光ドーパント材料として、化合物4を用いる以外は、実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。 As a light emitting dopant material of the luminescent layer, except using Compound 4 An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 3. 得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物4に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.68,0.32))を観測した。 The emission characteristics of the obtained organic EL device was measured, the red light emission based on the compound 4 was observed (peak wavelength 629 nm, the chromaticity (0.68, 0.32)). 電流密度10mA/cm における駆動電圧は3.5Vであり、電流効率は8.9cd/Aであり、パワー(電力)効率は8.2lm/Wであり、外部量子収率は12.3%であった。 Driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.5 V, the current efficiency was 8.9 cd / A, the power (electric power) efficiency is 8.2lm / W, and the external quantum yield 12.3% Met. また、この素子を3000cd/m にて連続駆動させた際の輝度半減期は1000時間であった。 Further, the luminance half-life when obtained by continuously driving the element at 3000 cd / m 2 was 1000 hours.

実施例6及び実施例7の測定結果を表4に示す。 The measurement results of Examples 6 and 7 shown in Table 4.

表4に示す結果から明らかなように、3重項発光材料として、化合物4を用いた場合にも、本発明の効果が得られることがわかる。 Table 4 shows As apparent from the results, as triplet light-emitting material, in the case of using the compound 4 also, it can be seen that the effect of the present invention can be obtained.

<有機ELディスプレイの作製> <Production of Organic EL Display>
図2は、本発明に従う有機ELディスプレイを示す平面図であり、図3は断面図である。 Figure 2 is a plan view showing an organic EL display according to the present invention, FIG. 3 is a cross-sectional view.

図2において、左から順に、赤色発光素子である有機EL素子100R、緑色発光素子である有機EL100G、及び青色発光素子である有機EL素子100Bが設けられている。 In Figure 2, in order from the left, the organic EL element 100R is a red light emitting element, a green light emitting element organic EL100G, and an organic EL element 100B is a blue light emitting device is provided.

各有機EL素子100R、100G、及び100Bは、行方向に延びる2つのゲート信号線51と列方向に延びる2つのドレイン信号線(データ線)52とに囲まれた領域に形成されている。 Each organic EL elements 100R, 100G, and 100B are formed in a region surrounded two drain signal lines extending in the column direction and two gate signal lines 51 extending in the row direction (data lines) 52 and. 各有機EL素子の領域内において、ゲート信号線51とドレイン信号線52との交点付近にはスイッチング素子である第1のTFT130が形成され、中央付近には各有機EL素子100R、100G、及び100Bを駆動する第2のTFT140が形成されている。 In the region of each of the organic EL element, in the vicinity of the intersection between the gate signal line 51 and the drain signal lines 52 are formed first TFT130 is a switching element, in the vicinity of the center each organic EL devices 100R, 100G, and 100B second TFT140 is formed to drive the. また、各有機EL素子100R、100G、及び100Bの領域内に補助容量70、及びITOからなるホール注入電極(陽極)2が形成されている。 Each organic EL devices 100R, 100G, and 100B auxiliary capacitor 70 in the region of, and the hole injection electrode (anode) 2 made of ITO are formed. ホール注入電極2の領域に各有機EL素子100R、100G、及び100Bが島状に形成されている。 Each organic EL element 100R in the region of the hole injection electrode 2, 100G, and 100B are formed in an island shape.

第2のTFT130のドレインは、ドレイン電極13dを介してドレイン信号線52に接続され、第1のTFT130のソースは、ソース電極13sを介して電極55に接続される。 The drain of the second TFT130 is connected to the drain signal line 52 through the drain electrode 13d, the source of the first TFT130 is connected to the electrode 55 through the source electrode 13s. 第1のTFT130のゲート電極111は、ゲート信号線51から延びる。 The gate electrode 111 of the first TFT130 extends from the gate signal line 51.

補助容量70は、電源電圧Vscを受けるSC線54と、能動層11(図6参照)と一体の電極55とから構成される。 Auxiliary capacitor 70 and SC line 54 receiving a power supply voltage Vsc, composed of the active layer 11 (see FIG. 6) and the integral of the electrode 55..

第2のTFT140のドレインは、ドレイン電極43dを介して各有機EL素子のホール注入電極2に接続され、第2のTFT140のソースは、ソース電極43sを介して列方向に延びる電源線53に接続される。 The drain of the second TFT140 is connected via the drain electrode 43d in the hole injecting electrode 2 of each organic EL element, a source of the second TFT140 is connected to the power supply line 53 extending in the column direction via the source electrode 43s It is. 第2のTFT140のゲート電極41は、電極55に接続される。 The gate electrode 41 of the second TFT140 is connected to the electrode 55.

図3に示されるように、ガラス基板10の上に、多結晶シリコン等からなる能動層11が形成され、その能動層11の一部が有機EL素子を駆動するための第2のTFT140となる。 As shown in FIG. 3, on a glass substrate 10, an active layer 11 made of polycrystalline silicon or the like is formed, a second TFT140 for part of the active layer 11 to drive the organic EL element . 能動層11の上にゲート酸化膜(図示せず)を介してダブルゲート構造のゲート電極41が形成され、ゲート電極41を覆うように能動層11の上に層間絶縁膜13及び第1の平坦化層15が形成される。 The gate electrode 41 of the double gate structure is formed via a gate oxide film (not shown) on the active layer 11, the interlayer insulating film 13 and the first flat on the active layer 11 so as to cover the gate electrode 41 layer 15 is formed. 第1の平坦化層15の材料としては、例えばアクリル樹脂を用いることができる。 As the material of the first planarization layer 15 may be, for example, acrylic resin. 第1の平坦化層15の上に透明なホール注入電極2が各有機EL素子ごとに形成され、ホール注入電極2を覆うように第1の平坦化層15の上に絶縁性の第2の平坦化層18が形成される。 Transparent hole injection electrode 2 is formed on the first flattening layer 15 is formed for each organic EL device, the hole injection electrode 2 so as to cover the second insulating on the first flattening layer 15 planarizing layer 18 is formed. 第2のTFT140は、第2の平坦化層18の下に形成されている。 Second TFT140 is formed under the second planarization layer 18.

ホール注入電極2及び第2の平坦化層18を覆うようにホール輸送層4が全体の領域上に形成される。 Hole transport layer 4 is formed on the entire area to cover the hole injection electrode 2 and the second planarization layer 18.

各有機EL素子100R、有機EL素子100G及び有機EL素子100Bのホール輸送層4上には、それぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5Bが形成されている。 Each organic EL element 100R, on the hole transport layer 4 of the organic EL element 100G and the organic EL element 100B is striped red light emitting layer 5R extending in the column direction, respectively, the green light emitting layer 5G and the blue light emitting layer 5B is formed there. 赤色発光層5R及び/または緑色発光層5Gにおいては、本発明に従い3重項発光材料が用いられており、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられている。 In the red light emitting layer 5R and / or green light emitting layer 5G, and triplet light emitting material is used in accordance with the present invention, the electron transporting zinc complex as a host material is used.

ストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5Bの間の境界は、第2の平坦化層18上の表面でガラス基板10と平行になっている領域に設けられる。 Striped red light emitting layer 5R, the boundary between the green light emitting layer 5G and the blue light emitting layer 5B is provided in a region which is parallel to the glass substrate 10 on the surface of the second planarization layer 18.

有機EL素子100R、有機EL素子100G及び有機EL素子100Bの赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5B上には、電子輸送層8及び電子注入層6がそれぞれ形成されている。 The organic EL element 100R, the red light emitting layer 5R in the organic EL element 100G and the organic EL element 100B, the green light emitting layer 5G and the blue light emitting layer 5B, the electron transport layer 8 and the electron injection layer 6 are formed.

電子注入層6上には電子注入電極(陰極)7が形成されている。 The on the electron injection layer 6 electron injection electrode (cathode) 7 is formed. 電子注入電極7の上には、樹脂等からなる保護層34が形成されている。 On the electron injection electrode 7, a protective layer 34 made of resin or the like is formed. なお、発光層5R、5G及び5B、並びに電子輸送層8、電子注入層6及び電子注入電極7は、マスクを用いて、各有機EL素子100R、100G及び100Bの各領域上に同時に形成している。 Note that the light-emitting layer 5R, 5G and 5B as well as the electron transport layer 8, an electron injection layer 6 and the electron injection electrode 7, using a mask, the organic EL elements 100R, and at the same time formed on each region of 100G and 100B there.

本実施例の有機ELディスプレイにおいては、上述のように、赤色発光層5R及び/または緑色発光層5Gに、3重項発光材料が用いられ、かつホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられているので、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がない。 In the organic EL display of the present embodiment, as described above, the red light emitting layer 5R and / or green light emitting layer 5G, 3 triplet light emitting material is used, and in electron-transporting zinc complex as a host material is used because there is no need to provide a hole blocking layer between the light-emitting layer and the electron transport layer. このため、有機EL素子100R、有機EL素子100G、及び有機EL素子100Bにおいて、ホール注入電極2、ホール輸送層4、電子輸送層8、電子注入層6及び電子注入電極7を同一の組成から構成することができる。 Therefore, the organic EL elements 100R, the organic EL element 100G, and the organic EL element 100B, constituting the hole injection electrode 2, hole transport layer 4, an electron transport layer 8, an electron injection layer 6 and the electron injection electrode 7 from the same composition can do. 従って、各有機EL素子100R、100G及び100Bを同一の素子構造とすることができるので、各有機EL素子の各層を、製造工程において同時に形成することができる。 Accordingly, since each of the organic EL elements 100R, the 100G and 100B can be the same device structure, the layers of each organic EL element can be formed simultaneously in the manufacturing process. 従って、製造工程を簡略化することができ、生産効率を高めることができる。 Therefore, it is possible to simplify the manufacturing process, it is possible to increase the production efficiency.

(実施例8) (Example 8)
発光層以外の層は、上記実施例と同様にして、青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子を作製した。 Layers other than the light-emitting layer, as in the above Example was prepared blue light emitting element, and a red light emitting element.

青色発光素子の発光層は、ホスト材料としてTBADNを用い、発光ドーパントとして、1重量%のTBPを用いた。 Emission layer of the blue light emitting element, using TBADN as the host material, as a luminescent dopant, using 1% by weight of TBP.

緑色発光素子の発光層は、ホスト材料としてTBADNを用い、発光ドーパントとして、1重量%のC545Tを用いた。 Emission layer of the green light emitting element, using TBADN as the host material, as a luminescent dopant, using 1 wt% of C545T.

青色発光素子においては、実施例3と同様の発光層とした。 In the blue light-emitting element and a light emitting layer as in Example 3.

TBADNは、2−ターシャリー−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセンであり、以下の構造を有している。 TBADN is 2-tert - butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene, has the following structure.

TBPは、2,5,8,11−テトラ−ターシャリー−ブチルペリレンであり、以下の構造を有している。 TBP is 2,5,8,11-tetra - tert - butyl perylene, has the following structure.

C545Tは、10−(2−ベンゾチアゾリル)−2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル1−1H,5H,11H−〔1〕ベンゾピラノ〔6,7,8,ij〕キノリジン−11−オンであり、以下の構造を有している。 C545T is 10- (2-benzothiazolyl) -2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl-1-1H, 5H, 11H-[1] benzopyrano [6,7,8, ij] quinolizine are 11-one and has the following structure.

得られた青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子について、電流密度10mA/cm で発光特性を測定し、測定結果を表5に示した。 Resulting blue light emitting element, and the red light emitting element, to measure the emission characteristics at a current density of 10 mA / cm 2, showing the measurement results in Table 5.

表5に示す結果から明らかなように、本発明に従い赤色発光素子の発光層のホスト材料として、ZnBTZを用いることにより、青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子の同一電流値における駆動電圧をほぼ同程度にすることができる。 As apparent from the results shown in Table 5, as a host material for the emission layer of the red light-emitting element in accordance with the present invention, by using a ZnBTZ, blue light emitting element, and the driving voltage at the same current value of the red light emitting element it can be at approximately the same extent.

(実施例9) (Example 9)
発光層以外の層は、上記実施例と同様にして、青色の3重項発光材料を用いて、青色発光素子を作製した。 Layers other than the light-emitting layer, as in the above examples, using the blue triplet light emitting material, to prepare a blue light-emitting element.

ホスト材料としては、2AZM−iPrを用い、発光ドーパントとしては、青色3重項発光材料であるFIrpicを8重量%用いて発光層を形成した。 As the host material, using 2AZM-iPr, as the light emitting dopant to form a light-emitting layer by using 8 wt% FIrpic is blue triplet light emitting material.

2AZM−iPrは、ビス(N−イソ−プロピルサリチリデンアミナト)亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。 2AZM-iPr is bis - an (N- isopropyl salicylidene A Minato) zinc (II), has the following structure.

FIrpicは、ビス〔2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト〕イリジウム(III)ピコリネートであり、以下の構造を有している。 FIrpic is bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato] iridium (III) picolinate, and has the following structure.

得られた青色発光素子について、電流密度10mA/cm で発光特性を測定し、測定結果を表6に示した。 The obtained blue light emitting element, to measure the emission characteristics at a current density of 10 mA / cm 2, showing the measurement results in Table 6.

表6に示すように、青色の3重項発光材料を用いた場合にも、駆動電圧を低減することができ、高い発光効率が得られることがわかる。 As shown in Table 6, even when using a blue triplet light emitting material, it is possible to reduce the driving voltage, it is understood that high luminous efficiency is obtained.

本発明に従う有機EL素子の一実施例を示す模式的断面図。 Schematic sectional view showing an embodiment of an organic EL device according to the present invention. 本発明に従う有機ELディスプレイの一実施例を示す平面図。 Plan view showing one embodiment of an organic EL display according to the present invention. 本発明に従う有機ELディスプレイの一実施例を示す断面図。 Sectional view showing an embodiment of an organic EL display according to the present invention.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1…基板 2…ホール注入電極 3…ホール注入層 4…ホール輸送層 5…発光層 6…電子注入層 7…電子注入電極 8…電子輸送層 9…電子輸送・電子注入層 1 ... substrate 2 ... hole injection electrode 3 ... hole injection layer 4 ... hole transport layer 5 ... light-emitting layer 6 ... electron injection layer 7 ... electron injection electrode 8 ... electron transport layer 9 ... electron transport and electron injection layer

Claims (9)

  1. ホール注入電極と、電子注入電極と、前記ホール注入電極及び前記電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、前記ホール注入電極及び前記発光層の間に設けられるホール輸送層と、前記電子注入電極及び前記発光層の間に設けられる電子輸送層とを備え、前記発光層として、互いに発光色が異なる複数の発光層をそれぞれ有する、発光色が異なる複数の発光素子が設けられた有機ELディスプレイであって、 A hole injection electrode, and an electron injection electrode, provided between the hole injecting electrode and the electron injection electrode, a light emitting layer containing a host material emitting dopant, provided between the hole injecting electrode and the light emitting layer and the hole transport layer is, the an electron transport layer provided between the electron injecting electrode and the light emitting layer, a light emitting layer, each having a plurality of light-emitting layers emitting colors different from each other, emission color different an organic EL display emitting element is provided,
    前記発光色が異なる複数の発光層の内の少なくとも1種の発光層において、発光性ドーパントとして、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が用いられており、かつ該発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられており、 In at least one light-emitting layer of the plurality of light-emitting layers in which the emission colors are different, as a light emitting dopant, via the triplet excited state and emitting material that emits light is used, and the light emitting material is used in the light-emitting layer which is, and has been used electron transporting zinc complex as a host material,
    前記発光色が異なる複数の発光素子において、前記ホール注入電極、前記ホール輸送層、前記電子輸送層及び前記電子注入電極が同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴とする有機ELディスプレイ。 A plurality of light emitting elements the light emission colors are different, the hole injecting electrode, the hole transport layer, the electron transport layer and the electron injection electrode is made of the same composition, each element is characterized by having the same device structure organic EL display.
  2. 前記ホール注入電極と前記ホール輸送層の間に設けられるホール注入層、及び前記電子注入電極と前記電子輸送層の間に設けられる電子注入層の内の少なくとも一方の層が設けられており、該ホール注入層及び/または電子注入層が、前記発光色が異なる複数の発光素子において同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。 The hole hole injection layer provided between the injection electrode and the hole transport layer, and the electron injection electrode and at least one layer of the electron injection layer provided is provided between the electron transporting layer, the hole injection layer and / or an electron injection layer, an organic EL display according to claim 1, wherein the emission color is made from the same composition at different plurality of light emitting elements, each element is characterized by having the same device structure.
  3. 3重項励起状態を経由して発光する発光材料が、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機ELディスプレイ。 Luminescent material that emits light via the triplet excited state, the organic EL display according to claim 1 or 2, characterized in that an iridium complex represented by the following general formula (1) or (2) .
    (Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is at least one of .R1~R4 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or substituted aryloxy groups, unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl groups, non a substituted or substituted siloxanyl group, the others are all hydrogen .R1~R4 good be different even in the same respective .n represents an integer of 1 to 3, m is from 0 to 2 It represents an integer.)
    (Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is .R5~R8 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy groups, unsubstituted or substituted an aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl group, an unsubstituted or substituted been .R5~R8 good .n be different even in the same respectively any of a siloxanyl group represents an integer of 1 to 3, m represents an integer of 0 to 2.)
  4. 前記発光色が異なる複数の発光層が、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層であり、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が、前記赤色発光層及び/または前記緑色発光層に含有されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機ELディスプレイ。 A plurality of light-emitting layers in which the emission colors are different, the red light emitting layer, green emitting layer, and a blue light-emitting layer, light-emitting material that emits light via the triplet excited state, the red light-emitting layer and / or the green the organic EL display according to any one of claims 1 to 3, characterized in that it is contained in the light emitting layer.
  5. 前記発光材料が前記赤色発光層に含有されており、該赤色発光層に含有される前記電子輸送性亜鉛錯体の配位子が、ベンゾチアゾール誘導体であることを特徴とする請求項4に記載の有機ELディスプレイ。 The luminescent material are contained in the red light-emitting layer, the ligand of the electron transporting zinc complex contained in the red light emitting layer, according to claim 4, characterized in that the benzothiazole derivative organic EL display.
  6. 前記ベンゾチアゾール誘導体が、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾールであることを特徴とする請求項5に記載の有機ELディスプレイ。 The benzothiazole derivative is 2- (2-hydroxyphenyl) - organic EL display according to claim 5, characterized in that the benzothiazole.
  7. 前記発光材料が前記緑色発光層に含有されており、該緑色発光層に含有される前記電子輸送性亜鉛錯体の配位子が、ベンゾオキサゾール誘導体であることを特徴とする請求項4に記載の有機ELディスプレイ。 The luminescent material are contained in the green light-emitting layer, the ligand of the electron transporting zinc complex contained in the green-color light emitting layer, according to claim 4, characterized in that a benzoxazole derivative organic EL display.
  8. 前記ベンゾオキサゾール誘導体が、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾールであることを特徴とする請求項7に記載の有機ELディスプレイ。 The benzoxazole derivative is 2- (2-hydroxyphenyl) - organic EL display according to claim 7, characterized in that a benzoxazole.
  9. ホール注入電極と、電子注入電極と、前記ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、前記ホール注入電極及び前記発光層の間に設けられるホール輸送層と、前記電子注入電極及び前記発光層の間に設けられる電子輸送層とを備える有機EL素子であって、 A hole injection electrode, and an electron injection electrode, provided between the hole injection electrode and an electron injection electrode, a light emitting layer containing a host material luminescent dopant provided between the hole injecting electrode and the light emitting layer an organic EL element comprising a hole transport layer, an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer,
    前記発光性ドーパントとして、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体を用い、前記ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いることを特徴とする有機EL素子。 Examples luminescent dopant, using the iridium complex represented by the following general formula (1) or (2), as the host material, an organic EL device, which comprises using an electron transporting zinc complex.
    (Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is at least one of .R1~R4 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or substituted aryloxy groups, unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl groups, non a substituted or substituted siloxanyl group, the others are all hydrogen .R1~R4 good be different even in the same respective .n represents an integer of 1 to 3, m is from 0 to 2 It represents an integer.)
    (Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。) (D is .R5~R8 representing a mono-anion (-1 valence) ligand bidentate hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy groups, unsubstituted or substituted an aryloxy group, an unsubstituted or substituted arylthio group, an unsubstituted or substituted amino group, an unsubstituted or substituted julolidyl group, a halogen group, a hydroxyl group, an unsubstituted or substituted silyl group, an unsubstituted or substituted been .R5~R8 good .n be different even in the same respectively any of a siloxanyl group represents an integer of 1 to 3, m represents an integer of 0 to 2.)
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130064A (en) * 2007-11-22 2009-06-11 Canon Inc Multicolor display device
KR100910153B1 (en) 2007-11-20 2009-07-30 (주)그라쎌 Novel red electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
JP2009191066A (en) * 2008-01-29 2009-08-27 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
JP2009283899A (en) * 2008-03-14 2009-12-03 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
KR100933225B1 (en) 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device employing the novel electroluminescent compounds and this, as a light-emitting material
KR100933226B1 (en) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device that employs as a light emitting material a novel red phosphorescent compounds and this
KR100933228B1 (en) 2007-11-15 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device that employs as a light emitting material a novel red phosphorescent compounds and this
KR20110125861A (en) * 2010-05-14 2011-11-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting device
JP2012243983A (en) * 2011-05-20 2012-12-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Organic electroluminescent element
JP2013502744A (en) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company The organic light emitting diode lighting apparatus
US8512881B2 (en) 2010-07-07 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic material and organic light emitting device including the same
JP2015111717A (en) * 2007-12-31 2015-06-18 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッドGracel Display Inc. Electroluminescent element using electroluminescent compound
JP2016102124A (en) * 2008-09-16 2016-06-02 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション Phosphorescent substance
CN106795166A (en) * 2014-10-17 2017-05-31 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 Plurality of host materials and organic electroluminescence device comprising same

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134101A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc Polychromatic light-emitting element
JP2005011610A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd Organic electroluminescent element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134101A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc Polychromatic light-emitting element
JP2005011610A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd Organic electroluminescent element

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100933228B1 (en) 2007-11-15 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device that employs as a light emitting material a novel red phosphorescent compounds and this
KR100910153B1 (en) 2007-11-20 2009-07-30 (주)그라쎌 Novel red electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
KR100933226B1 (en) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device that employs as a light emitting material a novel red phosphorescent compounds and this
JP2009130064A (en) * 2007-11-22 2009-06-11 Canon Inc Multicolor display device
KR100933225B1 (en) 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 The organic light emitting device employing the novel electroluminescent compounds and this, as a light-emitting material
JP2015111717A (en) * 2007-12-31 2015-06-18 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッドGracel Display Inc. Electroluminescent element using electroluminescent compound
JP2009191066A (en) * 2008-01-29 2009-08-27 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
JP2009283899A (en) * 2008-03-14 2009-12-03 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
JP2016102124A (en) * 2008-09-16 2016-06-02 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション Phosphorescent substance
US10084143B2 (en) 2008-09-16 2018-09-25 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP2013502744A (en) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニーE.I.Du Pont De Nemours And Company The organic light emitting diode lighting apparatus
JP2011243979A (en) * 2010-05-14 2011-12-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting element
US9136495B2 (en) 2010-05-14 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
KR20110125861A (en) * 2010-05-14 2011-11-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting device
KR101657222B1 (en) * 2010-05-14 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 The organic light emitting element
US8512881B2 (en) 2010-07-07 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic material and organic light emitting device including the same
JP2012243983A (en) * 2011-05-20 2012-12-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Organic electroluminescent element
CN106795166A (en) * 2014-10-17 2017-05-31 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 Plurality of host materials and organic electroluminescence device comprising same
EP3207045A4 (en) * 2014-10-17 2018-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and an organic electroluminescence device comprising the same

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