JP2007207916A - Organic el display and organic el element - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic EL display and an organic EL element using a triplet light emitting material, wherein a drive voltage is decreased and a production step is simplified. <P>SOLUTION: The organic EL display is provided with a plurality of light emitting elements with a different luminescent color which each of them has a plurality of light emitting layers which are different from each other in the luminescent color as a light emitting layer 5. In at least one type of light emitting layer of the plurality of light emitting layers with the different luminescent color, the light emitting material which emits a light through a triplet exciting state is used as a radiative dopant, and in the light emitting layer using the light emitting material, an electronic transportational zinc complex is used as a host material. In the plurality of light emitting elements with the different luminescent color, a hole implantation electrode 2, a hole transport layer 4, an electronic transport layer, and an electronic implantation electrode 7 are composed of the same composition, and each element has the same element structure. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(EL)ディスプレイ及び有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子に関するものである。   The present invention relates to an organic electroluminescence (EL) display and an organic electroluminescence (EL) element.

有機ELディスプレイは、視野角が広い、コントラストが高い、応答速度が速い、軽量薄型などの種々の特徴を有しており、携帯機器用ディスプレイとして期待されている。しかしながら、携帯機器は電池駆動であるため、電池の消耗を抑制するためには、ディスプレイの消費電力を小さくすることが求められている。また、携帯機器の価格の低下に伴い、部品としてのディスプレイの低コスト化も要求されている。   The organic EL display has various features such as a wide viewing angle, high contrast, fast response speed, and light weight and thinness, and is expected as a display for portable devices. However, since the portable device is battery-driven, it is required to reduce the power consumption of the display in order to suppress battery consumption. In addition, as the price of portable devices decreases, there is a demand for cost reduction of displays as parts.

有機ELディスプレイには、パッシブ型とアクティブ型が知られている。アクティブ型は、薄膜トランジスタ(TFT)基板の上に有機EL素子を積層させている。パッシブ型は加工された透明電極上に有機EL素子を積層させた単純マトリックス構造である。アクティブ型は、画素を個別に制御できるスタティック駆動であるため、線順次駆動のパッシブ型に比べて、寿命、消費電力の点で有利である。   As the organic EL display, a passive type and an active type are known. In the active type, an organic EL element is laminated on a thin film transistor (TFT) substrate. The passive type has a simple matrix structure in which an organic EL element is laminated on a processed transparent electrode. Since the active type is a static drive capable of individually controlling pixels, it is advantageous in terms of life and power consumption compared to the passive type of line sequential driving.

また、フルカラー方式としては、白色発光とカラーフィルタの組み合わせ方式、青色発光と色変換フィルタの組み合わせ方式、RGBの塗分け方式の3種類の方式が一般に知られている。この中で、白色発光とカラーフィルタの組み合わせ方式、及び青色発光と色変換フィルタの組み合わせ方式は、白色発光層または青色発光層を基板全面に塗布するため、製造工程は簡単であるが、NTSCの色再現性が低いという欠点がある。一方、RGBの塗分け方式の場合、マスクプロセスを用いて、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)の3原色を個別に塗り分ける工程が必要となり、製造工程が複雑になる。   In addition, as a full color method, three types of methods are generally known: a combination method of white light emission and a color filter, a combination method of blue light emission and a color conversion filter, and a RGB color separation method. Among these, the combination method of white light emission and color filter and the combination method of blue light emission and color conversion filter are simple in manufacturing process because the white light emission layer or blue light emission layer is applied to the entire surface of the substrate. There is a disadvantage that color reproducibility is low. On the other hand, in the case of the RGB coating method, a process of separately coating the three primary colors R (red), G (green), and B (blue) using a mask process is required, which complicates the manufacturing process.

しかしながら、色再現性においては、上記他の方式に比べて高く、フルカラーディスプレイとしてはRGBの塗分け方式の方が優れている。また、消費電力の低減、寿命という面でも優れた特性を有している。それは、上記他の方式と異なり、カラーフィルタを用いていないからである。カラーフィルタを用いると、カラーフィルタでの光の吸収が起こるため、発光強度が低下する。ディスプレイは、所定の輝度を出す必要があるため、印加する電力及び電圧を増大させなければならず、素子に対する負荷が増大する。一方、RGBの塗分け方式の場合、カラーフィルタが存在しないので、発光強度の低下が生じない。従って、素子に対する負荷が小さくなり、寿命及び消費電力の面で有利である。   However, the color reproducibility is higher than the other methods described above, and the RGB color separation method is superior as a full-color display. In addition, it has excellent characteristics in terms of reduction of power consumption and life. This is because a color filter is not used unlike the other methods described above. When a color filter is used, light is absorbed by the color filter, resulting in a decrease in emission intensity. Since the display needs to have a predetermined luminance, the applied power and voltage must be increased, and the load on the element increases. On the other hand, in the case of the RGB coating method, since there is no color filter, the emission intensity does not decrease. Therefore, the load on the element is reduced, which is advantageous in terms of life and power consumption.

RGBの塗分け方式において、RGBの3種類の有機EL素子は、それぞれ独立した個別の素子である。従って、有機ELディスプレイ全体の性能を向上させるためには、個々の素子のパフォーマンスを向上させる必要がある。そこで、注目されているのは、3重項発光材料である。通常、有機分子は、励起エネルギーを得て、励起状態になる場合、電子のスピンの向きによって1重項励起子と3重項励起子の2種類に分けることができる。物理上の存在確率としては、1重項励起子と3重項励起子の割合は1:3の比率となり、3重項励起子の方が1重項励起子よりも存在確率が高い。従って、理論的には、3重項発光材料を用いれば、発光効率が向上する。発光効率が高くなると、素子に流す電力が少なくなり、ディスプレイ全体として消費電力を低減することができる。   In the RGB coating method, the three types of RGB organic EL elements are independent individual elements. Therefore, in order to improve the performance of the entire organic EL display, it is necessary to improve the performance of each element. Therefore, attention is focused on triplet light-emitting materials. Usually, organic molecules can be divided into two types of singlet excitons and triplet excitons depending on the direction of spin of electrons when excited energy is obtained. As a physical existence probability, the ratio of singlet excitons to triplet excitons is 1: 3, and triplet excitons have a higher existence probability than singlet excitons. Therefore, theoretically, if a triplet light emitting material is used, the light emission efficiency is improved. When the light emission efficiency is increased, power to be supplied to the element is reduced, and power consumption can be reduced as a whole display.

上記のように、3重項発光材料は、理論的には発光効率の向上が望めるが、今まで実際には使用されていない。それは、ほとんどの3重項発光材料が、極低温では高い発光効率を示すが、常温で高い発光効率を示す材料が存在しなかったからである。   As described above, the triplet light-emitting material can theoretically be expected to improve the light emission efficiency, but has not been used in practice so far. This is because most triplet light-emitting materials exhibit high light emission efficiency at extremely low temperatures, but no material exhibits high light emission efficiency at room temperature.

しかしながら、1999年にプリンストン大学のBaldらは、室温でも高い発光効率を示すイリジウム錯体を見出し、3重項発光材料の有用性を示した(非特許文献1)。この3重項発光材料をRGBの塗分け方式に用いることにより、大幅に消費電力を低減することができる。   However, in 1999, Bald et al. Of Princeton University found an iridium complex exhibiting high luminous efficiency even at room temperature, and showed the usefulness of a triplet light emitting material (Non-patent Document 1). By using this triplet light emitting material in the RGB coating method, power consumption can be greatly reduced.

3重項発光材料の中で、量産レベルでは、赤色と緑色に安定で高効率を示すイリジウム錯体が知られている。しかしながら、青色においては、安定で高効率を示す3重項発光材料は見つかっておらず、現在のところ青色のみ1重項発光材料を用いている。従って、量産レベルのフルカラーディスプレイでは、赤色及び緑色の発光材料として3重項発光材料を用い、青色発光材料として1重項発光材料を用いるか、あるいは赤色発光材料として3重項発光材料を用い、青色及び緑色の発光材料として1重項発光材料を用いる組み合わせが現実的である。   Among triplet light emitting materials, iridium complexes that are stable in red and green and exhibit high efficiency are known at the mass production level. However, in blue, a triplet light-emitting material that is stable and exhibits high efficiency has not been found, and at present only a singlet light-emitting material is used for blue. Therefore, in a mass production level full color display, a triplet light emitting material is used as a red and green light emitting material, a singlet light emitting material is used as a blue light emitting material, or a triplet light emitting material is used as a red light emitting material. A combination using singlet light emitting materials as blue and green light emitting materials is realistic.

このように1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子を組み合わせると、素子の特性面と製造面において問題が生じる。非特許文献1に示されているように、3重項発光材料を用いた素子構造においては、ホールブロック層が用いられている。ホールブロック層は、発光層と電子輸送層との間に挿入される。ホールブロック材料としては、HOMOの絶対値が発光層の構成材料より十分に大きい材料が使用される。これにより、再結合を起こさずに、ホールが発光層から電子輸送層に突き抜けるのを抑制することができる。そのため、発光層内での再結合確率が高まり、発光効率が向上する。非特許文献1でホスト材料として用いられているCBPは、3重項発光材料としてよく使用されている材料であり、通常、この材料は、パイポーラ性を有するが、どちらかと言えばホール輸送性が強いため、ホールが発光層内に入り易くなり、ホール過多となる。そして、その一部が再結合せずに発光層から電子輸送層に突き抜けてしまう。それを防ぐために、ホールブロック層が挿入されているが、ホールブロック層を挿入すると、素子の駆動電圧が増加する。それは、発光層の構成材料よりホールブロック層のHOMOの絶対値が十分に大きいため、そこに注入障壁が生じるためである。   Thus, when the element of the singlet light emitting material and the element of the triplet light emitting material are combined, problems occur in the characteristics and manufacturing of the element. As shown in Non-Patent Document 1, a hole block layer is used in an element structure using a triplet light emitting material. The hole blocking layer is inserted between the light emitting layer and the electron transport layer. As the hole block material, a material whose absolute value of HOMO is sufficiently larger than the constituent material of the light emitting layer is used. Thereby, it is possible to prevent holes from penetrating from the light emitting layer to the electron transport layer without causing recombination. Therefore, the recombination probability in the light emitting layer is increased, and the light emission efficiency is improved. CBP used as a host material in Non-Patent Document 1 is a material that is often used as a triplet light-emitting material. Usually, this material has a polar property, but rather has a hole transport property. Since it is strong, holes easily enter the light emitting layer, resulting in excessive holes. And a part of it penetrates from the light emitting layer to the electron transport layer without recombination. In order to prevent this, a hole block layer is inserted. However, when the hole block layer is inserted, the drive voltage of the element increases. This is because the absolute value of the HOMO of the hole block layer is sufficiently larger than the constituent material of the light emitting layer, so that an injection barrier is generated there.

従って、3重項発光材料を用いた素子においては、高電圧という特性が生じる。RGBの塗分けの場合、1重項発光材料と組み合わせているため、1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子において駆動電圧のアンバランスが生じる。つまり、ホールブロック層を有しない1重項発光材料の素子は駆動電圧が低く、ホールブロック層を有する3重項発光材料の素子は駆動電圧が高くなる。アクティブ型ディスプレイにおいて、TFTと組み合わせる場合、駆動回路の構成上、RGBのそれぞれのサブピクセルで電源電圧を共通にしている。つまり、RGBのうち、1つでも駆動電圧が高いサブピクセルが存在すると、電源電圧はその電圧に合わせて高めに設定しなければならない。そうすると、ディスプレイ全体の消費電力が増加する。電圧が低くても発光が可能な1重項発光材料の素子は、無駄に高電圧をかけるので、消費電力のロスが大きくなる。このような問題を防ぐには、RGBのそれぞれの電圧を低い方にシフトさせて、その差を最小にする必要がある。   Therefore, a device using a triplet light emitting material has a high voltage characteristic. In the case of R, G, and B, since it is combined with a singlet light emitting material, an imbalance of driving voltages occurs between the element of the singlet light emitting material and the element of the triplet light emitting material. That is, an element made of a singlet light emitting material having no hole blocking layer has a low driving voltage, and an element made of a triplet light emitting material having a hole blocking layer has a high driving voltage. When combined with TFTs in an active display, the power supply voltage is shared by the RGB sub-pixels due to the configuration of the drive circuit. That is, if there is a sub-pixel having a high drive voltage among RGB, the power supply voltage must be set higher in accordance with the voltage. As a result, the power consumption of the entire display increases. An element made of a singlet light-emitting material capable of emitting light even when the voltage is low applies a high voltage unnecessarily, resulting in a large loss of power consumption. In order to prevent such a problem, it is necessary to shift the respective RGB voltages to the lower side to minimize the difference.

3重項発光材料の素子における製造面での問題は、ホールブロック層を挿入することにより、1重項発光材料の素子に比べ、層数が1層増加することである。1層増加することにより、コストが増大する原因となる。特性的には、RGB各素子は独立しているが、製造面からみると、工程の簡略化を図るため、共通にできる層は、できるだけ共通にする必要がある。つまり、発光層は、RGBのそれぞれの色を出すためには、最低限個別に製造する必要があるが、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層などを共通化することが望ましい。共通化することにより、薄膜形成用のソースに仕込む材料をまとめることができる。これにより、材料費の削減、製造装置のチャンバー数の削減による設備投資の抑制、及びタクトタイムの低減による生産性の向上をもたらし、ディスプレイのコストの低減をもたらすことができる。   The problem on the manufacturing side in the element of the triplet light emitting material is that the number of layers is increased by one by inserting the hole blocking layer as compared with the element of the singlet light emitting material. An increase of one layer causes an increase in cost. In terms of characteristics, each element of RGB is independent, but from the viewpoint of manufacturing, in order to simplify the process, it is necessary to make the layers that can be shared as common as possible. That is, the light emitting layer needs to be manufactured individually at least in order to produce each color of RGB, but a hole injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, an electron injection layer, etc. may be shared. desirable. By using a common material, it is possible to collect the materials charged in the source for forming the thin film. As a result, it is possible to reduce the cost of the display by reducing the material cost, suppressing the capital investment by reducing the number of chambers of the manufacturing apparatus, and improving the productivity by reducing the tact time.

しかしながら、従来の3重項発光材料の素子の場合、上述のようにホールブロック層を挿入しなければならないので、上記各層を共通化させることは困難であった。   However, in the case of a conventional triplet light emitting material element, since the hole block layer has to be inserted as described above, it has been difficult to make the layers common.

特許文献1においては、RGBの塗分け方式のディスプレイにおいて、1重項発光材料の素子と3重項発光材料の素子の駆動電圧の差により生じる問題が開示されている。この文献では、3重項発光材料の素子の発光効率が高いので、ディスプレイの所定輝度を出すためには、1重項発光材料の素子より少ない電力値でよく、その場合の駆動電圧も小さくなると記載されている。しかしながら、3重項発光材料の素子の場合、実際にディスプレイで使用する輝度領域(100〜10000cd/m)においては、電圧(横軸)−電力(縦軸)曲線が急峻になっている。これは、電流変化に対して電圧変化が小さいことを意味している。従って、3重項発光材料の素子を用いれば、低電圧駆動になるとは限らないのである。特許文献1には、3重項発光材料の素子の具体的な構成については記載されていない。 Patent Document 1 discloses a problem caused by a difference in driving voltage between an element of a singlet light emitting material and an element of a triplet light emitting material in an RGB color separation type display. In this document, since the light emission efficiency of the element of the triplet light emitting material is high, a lower power value than that of the element of the singlet light emitting material may be used in order to obtain a predetermined luminance of the display. Are listed. However, in the case of a triplet light emitting material element, a voltage (horizontal axis) -power (vertical axis) curve is steep in a luminance region (100 to 10000 cd / m 2 ) actually used in a display. This means that the voltage change is small with respect to the current change. Therefore, the use of a triplet light emitting material element does not always result in low voltage driving. Patent Document 1 does not describe a specific configuration of a triplet light emitting material element.

特許文献2には、本発明においてホスト材料として用いる電子輸送性亜鉛錯体が開示されているが、これを発光層のホスト材料として用いることにより、ホールブロック層を設ける必要がなくなり、駆動電圧を低減できることについては何ら開示されていない。
特開2002−2684号公報 特開2002−305083号公報 M.A.Bald,S.Lamansky,P.E.Burrows,M.E.Thompson and S.R.Forrest:Appl.Phys,Lett.,75,4,(1999))
Patent Document 2 discloses an electron-transporting zinc complex used as a host material in the present invention. By using this as a host material for a light-emitting layer, there is no need to provide a hole blocking layer, and the driving voltage is reduced. There is no disclosure of what can be done.
JP 2002-2684 A JP 2002-305083 A (MABald, S. Lamansky, PEBurrows, METhompson and SRForrest: Appl. Phys, Lett., 75, 4, (1999))

本発明の目的は、3重項発光材料を用いた有機ELディスプレイ及び有機EL素子において、駆動電圧を低減することができ、かつ製造工程を簡略化させることができる有機ELディスプレイ及び有機EL素子を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an organic EL display and an organic EL element that can reduce a driving voltage and simplify a manufacturing process in an organic EL display and an organic EL element using a triplet light emitting material. It is to provide.

本発明の有機ELディスプレイは、ホール注入電極と、電子注入電極と、ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、ホール注入電極及び発光層の間に設けられるホール輸送層と、電子注入電極及び発光層の間に設けられる電子輸送層とを備え、発光層として、互いに発光色が異なる複数の発光層をそれぞれ有する、発光色が異なる複数の発光素子が設けられた有機ELディスプレイであって、発光色が異なる複数の発光層の内の少なくとも1種の発光層において、発光性ドーパントとして、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が用いられており、かつ該発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられており、発光色が異なる複数の発光素子において、ホール注入電極、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入電極が同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴としている。   The organic EL display according to the present invention includes a hole injection electrode, an electron injection electrode, a light emitting layer provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode, containing a host material and a luminescent dopant, and a hole injection electrode and a light emitting layer. A plurality of light emitting colors different from each other, each having a plurality of light emitting layers having different light emitting colors as the light emitting layer. The hole transporting layer provided between the electron injecting electrode and the light emitting layer. The organic EL display provided with the light emitting element, wherein light emitted from the light emitting layer through a triplet excited state in at least one light emitting layer of a plurality of light emitting layers having different emission colors In the light emitting layer in which the material is used and the light emitting material is used, an electron transporting zinc complex is used as a host material, and the emission color is different. In the number of light emitting elements, the hole injecting electrode, a hole transport layer, an electron transport layer and an electron injecting electrode is made of the same composition, each element is characterized by having the same device structure.

本発明においては、3重項発光励起状態を経由して発光する発光材料(3重項発光材料)が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、従来のように、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がなく、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子などの発光色が異なる複数の発光素子において、ホール注入電極、ホール輸送層、電子輸送層及び電子注入電極を同一組成から形成することができる。従って、各発光素子において同一素子構造とすることができるので、製造工程を簡略化することができる。また、3重項発光材料を含有させた素子においてホールブロック層を設けることなく、駆動電圧を低減させることができるので、有機ELディスプレイ全体としての消費電力を低減することができる。   In the present invention, an electron transporting zinc complex is used as a host material in a light emitting layer in which a light emitting material that emits light via a triplet emission excited state (triplet light emitting material) is used. Thus, there is no need to provide a hole blocking layer between the light emitting layer and the electron transport layer, and in a plurality of light emitting elements having different emission colors such as a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, The transport layer, the electron transport layer, and the electron injection electrode can be formed from the same composition. Therefore, since the same element structure can be used in each light emitting element, the manufacturing process can be simplified. In addition, since the driving voltage can be reduced without providing the hole block layer in the element containing the triplet light emitting material, the power consumption of the entire organic EL display can be reduced.

本発明においては、ホール注入電極とホール輸送層の間に設けられるホール注入層、及び電子注入電極と電子輸送層の間に設けられる電子注入層のうちの少なくとも一方の層が設けられていてもよい。この場合、ホール注入層及び/または電子注入層は、発光色が異なる複数の発光素子において同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有するように各層が設けられる。   In the present invention, at least one of a hole injection layer provided between the hole injection electrode and the hole transport layer and an electron injection layer provided between the electron injection electrode and the electron transport layer may be provided. Good. In this case, the hole injection layer and / or the electron injection layer have the same composition in a plurality of light emitting elements having different emission colors, and each layer is provided so that each element has the same element structure.

本発明において用いる3重項発光材料は、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体であることが好ましい。   The triplet light emitting material used in the present invention is preferably an iridium complex represented by the following general formula (1) or (2).

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)   (D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. At least one of R1 to R4 is an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or Substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted euroridyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, non-substituted A substituted or substituted siloxanyl group and all others are hydrogen, R1 to R4 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents 0 to 2 Represents an integer.)

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
現在のところ安定で高効率を示す3重項発光材料は、赤色発光材料及び緑色発光材料であるので、発光色が異なる複数の発光層が、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層である場合、3重項発光材料が含有される発光層は、赤色発光層及び/または緑色発光層であることが好ましい。
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. R5 to R8 are hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, unsubstituted or substituted alkoxy group, unsubstituted or substituted. Aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted urolidyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, unsubstituted or substituted And R5 to R8 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 2.)
At present, triplet light-emitting materials that are stable and highly efficient are red light-emitting materials and green light-emitting materials. Therefore, a plurality of light-emitting layers having different light emission colors are a red light-emitting layer, a green light-emitting layer, and a blue light-emitting layer. In some cases, the light emitting layer containing the triplet light emitting material is preferably a red light emitting layer and / or a green light emitting layer.

3重項発光材料が赤色発光層に含有される場合、赤色発光層にホスト材料として含有される電子輸送性亜鉛錯体は、ベンゾチアゾール誘導体を配位子として有するものであることが好ましく、特に2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾチアゾールを配位子として有するものであることが好ましい。   When the triplet light emitting material is contained in the red light emitting layer, the electron transporting zinc complex contained as a host material in the red light emitting layer preferably has a benzothiazole derivative as a ligand. It is preferable that it has-(2-hydroxyphenyl) benzothiazole as a ligand.

本発明においてホスト材料として用いられる電子輸送性亜鉛錯体は、電子輸送性が強く、ホール輸送性が小さいため、発光層内においては電子の方がリッチな状態になる。従って、ホールは再結合によって消費されていくため、発光層から電子輸送層にホールが突き抜ける頻度が小さくなる。これによって、ホールブロック層が不要になるため、発光層/ホールブロック層のエネルギー障壁をなくすことができ、低電圧化することができる。   The electron-transporting zinc complex used as the host material in the present invention has a strong electron-transporting property and a small hole-transporting property, so that electrons are richer in the light-emitting layer. Therefore, since holes are consumed by recombination, the frequency of holes penetrating from the light emitting layer to the electron transport layer is reduced. This eliminates the need for the hole blocking layer, thereby eliminating the energy barrier between the light emitting layer / hole blocking layer and lowering the voltage.

なお、ベンゾチアゾール誘導体を配位子とする電子輸送性亜鉛錯体を用いる場合には、ホール輸送性の低さをカバーするため、3級アミン化合物などのホール輸送性材料をアシストドーパントとして発光層内に適量ドープしてもよい。これにより、キャリアバランスの微調整を行うことができ、発光効率及び寿命を向上させることができる。なお、3級アミン化合物として、実施例において説明するNPBなどを用いることができる。   When using an electron transporting zinc complex having a benzothiazole derivative as a ligand, in order to cover the low hole transporting property, a hole transporting material such as a tertiary amine compound is used as an assist dopant in the light emitting layer. An appropriate amount may be doped. Thereby, fine adjustment of the carrier balance can be performed, and the light emission efficiency and the life can be improved. In addition, NPB etc. which are demonstrated in an Example can be used as a tertiary amine compound.

3重項発光材料が、緑色発光層に含有される場合、3重項発光の緑色発光材料は、3重項発光の赤色発光材料より励起エネルギーが大きいため、上記のベンゾチアゾール誘導体を配位子とする亜鉛錯体をホスト材料として緑色発光層に含有させると、ホスト材料の発光が生じる場合がある。このような場合には、より大きな励起エネルギーを有するホスト材料を用いることが好ましい。このようなホスト材料としては、配位子としてベンゾオキサゾール誘導体を有する亜鉛錯体が好ましく用いられる。特に、2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾールを配位子として有する亜鉛錯体が好ましく用いられる。このような亜鉛錯体を用いることにより、駆動電圧を低減することができ、有機ELディスプレイの消費電力を低減させることができる。   When the triplet light emitting material is contained in the green light emitting layer, the triplet light emitting green light emitting material has higher excitation energy than the triplet light emitting red light emitting material. When the zinc complex is added as a host material to the green light emitting layer, the host material may emit light. In such a case, it is preferable to use a host material having higher excitation energy. As such a host material, a zinc complex having a benzoxazole derivative as a ligand is preferably used. In particular, a zinc complex having 2- (2-hydroxyphenyl) benzoxazole as a ligand is preferably used. By using such a zinc complex, the driving voltage can be reduced and the power consumption of the organic EL display can be reduced.

本発明の有機EL素子は、ホール注入電極と、電子注入電極と、ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、ホール注入電極及び発光層の間に設けられるホール輸送層と、電子注入電極及び発光層の間に設けられる電子輸送層とを備える有機EL素子であって、発光性ドーパントとして、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体を用い、ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いることを特徴としている。   The organic EL device of the present invention includes a hole injecting electrode, an electron injecting electrode, a light emitting layer containing a host material and a luminescent dopant, a hole injecting electrode, and a light emitting layer. An organic EL device comprising a hole transport layer provided between and an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer, wherein the following general formula (1) or (2) And an electron transporting zinc complex is used as a host material.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)   (D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. At least one of R1 to R4 is an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or Substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted euroridyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, non-substituted A substituted or substituted siloxanyl group and all others are hydrogen, R1 to R4 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents 0 to 2 Represents an integer.)

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
本発明の有機EL素子において用いられる電子輸送層亜鉛錯体は、上記本発明の有機ELディスプレイにおいて説明した電子輸送性亜鉛錯体を用いることができる。
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. R5 to R8 are hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, unsubstituted or substituted alkoxy group, unsubstituted or substituted. Aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted urolidyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, unsubstituted or substituted And R5 to R8 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 2.)
As the electron transport layer zinc complex used in the organic EL device of the present invention, the electron transport zinc complex described in the organic EL display of the present invention can be used.

本発明の有機EL素子においては、発光層のホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がなく、駆動電圧を低減することができる。従って、製造工程を簡略化することができる。   In the organic EL device of the present invention, since the electron transporting zinc complex is used as the host material of the light emitting layer, it is not necessary to provide a hole blocking layer between the light emitting layer and the electron transport layer, and the driving voltage is reduced. be able to. Therefore, the manufacturing process can be simplified.

本発明の有機ELディスプレイ及び有機EL素子において3重項発光材料として用いることができるイリジウム錯体としては、上述のように、一般式(1)及び(2)で表されるものが挙げられる。   Examples of the iridium complex that can be used as the triplet light emitting material in the organic EL display and the organic EL element of the present invention include those represented by the general formulas (1) and (2) as described above.

一般式(1)で表されるイリジウム錯体において、R3及びR4は水素であることがさらに好ましい。また、さらには、R1、R3及びR4は水素であることが好ましい。特に好ましくは、R1、R3及びR4が水素であり、R2が水素または非置換または置換されたアルキル基である。   In the iridium complex represented by the general formula (1), R3 and R4 are more preferably hydrogen. Furthermore, R1, R3 and R4 are preferably hydrogen. Particularly preferably, R1, R3 and R4 are hydrogen and R2 is hydrogen or an unsubstituted or substituted alkyl group.

一般式(1)で表されるイリジウム錯体の好ましい具体例としては、以下に示す構造のものが挙げられる。   Preferable specific examples of the iridium complex represented by the general formula (1) include those having the structures shown below.

Figure 2007207916
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Figure 2007207916
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Figure 2007207916
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一般式(2)で表されるイリジウム錯体において、さらに好ましくは、R5〜R8が水素または、非置換または置換されたアルキル基である。また、一般式(2)において、n=3であり、m=0であることがさらに好ましい。   In the iridium complex represented by the general formula (2), more preferably, R5 to R8 are hydrogen or an unsubstituted or substituted alkyl group. In the general formula (2), it is more preferable that n = 3 and m = 0.

一般式(2)で表されるイリジウム錯体の好ましい具体例としては、以下のものが挙げられる。   Preferable specific examples of the iridium complex represented by the general formula (2) include the following.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

本発明の有機ELディスプレイでは、3重項発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体を用いている。電子輸送性亜鉛錯体を用いることにより、従来発光層と電子輸送層の間に必要であったホールブロック層を設ける必要がなくなる。このため、赤色発光素子、緑色発光素子及び青色発光素子などの発光色が異なる発光素子において、各素子を構成する層を同一組成とし、各素子を同一素子構造としても、駆動電圧を低減化することができ、消費電力を低減させることができる。   In the organic EL display of the present invention, an electron transporting zinc complex is used as a host material in a light emitting layer in which a triplet light emitting material is used. By using the electron transporting zinc complex, it is not necessary to provide a hole blocking layer which has been conventionally required between the light emitting layer and the electron transporting layer. For this reason, in light emitting elements having different emission colors, such as a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, the driving voltage is reduced even if the layers constituting each element have the same composition and each element has the same element structure. Power consumption can be reduced.

また、各発光層素子が同一素子構造を有しているので、各素子の各層を同時に形成することができ、製造工程を簡略化することができる。従って、低コストで生産できると共に、生産量を大幅に増大させることができる。   Moreover, since each light emitting layer element has the same element structure, each layer of each element can be formed simultaneously, and the manufacturing process can be simplified. Therefore, it can be produced at low cost and the production amount can be greatly increased.

本発明の有機EL素子においては、発光性ドーパントとして、3重項発光材料である特定のイリジウム錯体を用い、ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いているので、発光層から電子輸送層へのホールの突き抜けを抑制することができ、従来必要であったホールブロック層を設ける必要がなくなる。このため、駆動電圧を低減化し、発光効率を高めることができる。   In the organic EL device of the present invention, a specific iridium complex that is a triplet light emitting material is used as a light emitting dopant, and an electron transporting zinc complex is used as a host material. Hole penetration can be suppressed, and it is no longer necessary to provide a hole blocking layer, which was conventionally required. For this reason, a drive voltage can be reduced and luminous efficiency can be improved.

以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されものではない。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to specific examples, but the present invention is not limited to the following examples.

(実施例1)
図1は、本実施例の有機EL素子を示す模式的断面図である。図1を参照してガラス基板1の上には、ホール注入電極2、ホール注入層3、ホール輸送層4、発光層5、電子輸送・電子注入層9、及び電子注入電極7が順次積層されている。
Example 1
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the organic EL element of this example. Referring to FIG. 1, a hole injection electrode 2, a hole injection layer 3, a hole transport layer 4, a light emitting layer 5, an electron transport / electron injection layer 9, and an electron injection electrode 7 are sequentially stacked on a glass substrate 1. ing.

上記構造の有機EL素子は、具体的には以下のようにして作製した。   Specifically, the organic EL device having the above structure was produced as follows.

先ず、ガラス基板1上には、インジウム−錫酸化物(ITO)膜が形成された基板を、イソプロピルアルコールで5分間超音波洗浄を2回行い、基板表面をOプラズマ処理した。次に、ITOからなるホール注入電極2の上にCFx膜からなるホール注入層3(厚み1nm)をフッ化炭素膜形成装置により形成した。次に、真空蒸着機を用いて、ホール注入層3の上に、ホール輸送層4(厚み50nm)、発光層5(厚み40nm)、電子輸送・電子注入層9(厚み20nm)、及び電子注入電極7を順に真空蒸着法で積層して形成した。ホール輸送層4はNPBから形成した。発光層5は、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体であるZnBTZを用い、ドーパント材料として化合物1を用いて形成した。化合物1は、3重項発光材料ドーパントであり、ホスト材料に対して6重量%となる含有量で用いた。電子注入層9は、AlqとCsから形成した。AlqとCsの割合は、1:1である。電子注入電極7は、厚み1nmのフッ化リチウムの上に厚み200nmのアルミニウムを積層することにより形成した。なお、発光層5は、ホスト材料とドーパント材料を同時に熱して蒸着する共蒸着法で行った。また、蒸着は、いずれの層も真空度1×10−6Torr、基板温度制御なしの条件で行った。 First, the substrate on which the indium-tin oxide (ITO) film was formed on the glass substrate 1 was subjected to ultrasonic cleaning twice with isopropyl alcohol for 5 minutes, and the substrate surface was subjected to O 2 plasma treatment. Next, a hole injection layer 3 (thickness 1 nm) made of a CFx film was formed on the hole injection electrode 2 made of ITO by a fluorocarbon film forming apparatus. Next, a hole transport layer 4 (thickness 50 nm), a light emitting layer 5 (thickness 40 nm), an electron transport / electron injection layer 9 (thickness 20 nm), and electron injection are formed on the hole injection layer 3 using a vacuum vapor deposition machine. The electrode 7 was formed by sequentially stacking by a vacuum vapor deposition method. The hole transport layer 4 was formed from NPB. The light emitting layer 5 was formed using ZnBTZ which is an electron transporting zinc complex as a host material and using Compound 1 as a dopant material. Compound 1 is a triplet light emitting material dopant, and was used at a content of 6 wt% with respect to the host material. The electron injection layer 9 was formed from Alq and Cs. The ratio of Alq to Cs is 1: 1. The electron injection electrode 7 was formed by laminating aluminum having a thickness of 200 nm on lithium fluoride having a thickness of 1 nm. The light emitting layer 5 was formed by a co-evaporation method in which the host material and the dopant material were simultaneously heated and evaporated. In addition, the vapor deposition was performed under the condition that each layer had a degree of vacuum of 1 × 10 −6 Torr and no substrate temperature control.

NPBは、N,N′−ジ(ナフタセン−1−イル)−N,N′−ジフェニルベンジジンであり、以下の構造を有している。   NPB is N, N′-di (naphthasen-1-yl) -N, N′-diphenylbenzidine and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

ZnBTZは、ビス〔2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンズ−1,3−チアゾラト〕亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。   ZnBTZ is bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benz-1,3-thiazolato] zinc (II) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

化合物1は、ビス〔2−(3−メチルフェニル)キノリン〕イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。   Compound 1 is bis [2- (3-methylphenyl) quinoline] iridium (III) acetylacetonate and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

Alqは、トリス−(8−キノリラト)アルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。   Alq is tris- (8-quinolinato) aluminum (III) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

以上のようにして得られた有機EL素子について、発光特性を測定した。発光特性の測定は、ホール注入電極をプラス、電子注入電極をマイナスにバイアスして、電圧を印加して行った。電圧を印加することにより、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。初期特性において、電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は7.3cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.2lm/Wであり、外部量子収率は6.5%であった。また、この素子を1000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は、200時間であった。 The organic EL device obtained as described above was measured for light emission characteristics. The light emission characteristics were measured by applying a voltage while biasing the hole injection electrode positive and the electron injection electrode negative. By applying voltage, red light emission based on Compound 1 (peak wavelength: 620 nm, chromaticity (0.66, 0.34)) was observed. In the initial characteristics, the driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency is 7.3 cd / A, the power (power) efficiency is 7.2 lm / W, and the external quantum yield is It was 6.5%. The luminance half-life when this device was continuously driven at 1000 cd / m 2 was 200 hours.

(実施例2)
化合物1に代えて、発光ドーパント材料として化合物2を用いた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(Example 2)
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that Compound 2 was used as the light-emitting dopant material instead of Compound 1.

実施例1と同様にして発光特性を測定したところ、化合物2に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.65,0.35))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は6.8cd/Aであり、パワー(電力)効率は6.7lm/Wであり、外部量子収率は6.5%であった。また、この素子を1000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は756時間であった。 When the emission characteristics were measured in the same manner as in Example 1, red emission (peak wavelength: 629 nm, chromaticity (0.65, 0.35)) based on Compound 2 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency is 6.8 cd / A, the power (power) efficiency is 6.7 lm / W, and the external quantum yield is 6.5%. Met. In addition, the luminance half life when this device was continuously driven at 1000 cd / m 2 was 756 hours.

なお、化合物2は、ビス〔2−(3−メチルフェニル)−3−メチルキノリン〕イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。   Compound 2 is bis [2- (3-methylphenyl) -3-methylquinoline] iridium (III) acetylacetonate, and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(比較例1)
発光層におけるホスト材料を、ZnBTZからCBPに代え、また発光層と電子輸送・電子注入層の間にBAlqからなるホールブロック層(厚み10nm)を設けた以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 1)
The host material in the light-emitting layer was changed from ZnBTZ to CBP, and an organic layer was formed in the same manner as in Example 1 except that a hole blocking layer (thickness 10 nm) made of BAlq was provided between the light-emitting layer and the electron transport / electron injection layer. An EL element was produced.

この有機EL素子について、発光特性を測定したところ、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は7.3Vであり、電流効率は7.2cd/Aであり、パワー(電力)効率は3.2lm/Wであり、外部量子収率は5.3%であった。また、この素子を1000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は160時間であった。 As a result of measuring the light emission characteristics of this organic EL device, red light emission (peak wavelength: 620 nm, chromaticity (0.66, 0.34)) based on Compound 1 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 7.3 V, the current efficiency is 7.2 cd / A, the power (power) efficiency is 3.2 lm / W, and the external quantum yield is 5.3%. Met. The luminance half-life when this device was continuously driven at 1000 cd / m 2 was 160 hours.

なお、CBPは、4,4′−N,N′−ジカルバゾール−ビフェニルであり、以下の構造を有している。   CBP is 4,4′-N, N′-dicarbazole-biphenyl and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

また、BAlqは、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラトアルミニウム(III)であり、以下の構造を有している。   BAlq is bis (2-methyl-8-quinolinolato) -4-phenylphenolato aluminum (III) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(比較例2)
発光層における発光ドーパントをBTPIrに代える以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。なお、BTPIrは、特許文献2に開示されている3重項発光材料である赤色発光のイリジウム錯体である。得られた有機EL素子について、発光特性を測定したところ、BTPIrに基づく赤色発光(色度(0.67,0.32))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.2Vであり、電流効率は2.5cd/Aであり、パワー(電力)効率は2.5lm/Wであり、外部量子収率は3.2%であった。また、この素子を1000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は31時間であった。
(Comparative Example 2)
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the light-emitting dopant in the light-emitting layer was changed to BTPIr. Note that BTPIr is a red-emitting iridium complex which is a triplet light-emitting material disclosed in Patent Document 2. As a result of measuring the light emission characteristics of the obtained organic EL device, red light emission (chromaticity (0.67, 0.32)) based on BTPIr was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.2 V, the current efficiency is 2.5 cd / A, the power efficiency is 2.5 lm / W, and the external quantum yield is 3.2%. Met. Further, the luminance half-life when this device was continuously driven at 1000 cd / m 2 was 31 hours.

BTPIrは、ビス(ベンゾチエニルピリジン)イリジウム(III)アセチルアセトネートであり、以下の構造を有している。   BTPIr is bis (benzothienylpyridine) iridium (III) acetylacetonate and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

実施例1、実施例2、比較例1及び比較例2の発光特性の測定結果を表1にまとめて示す。   The measurement results of the light emission characteristics of Example 1, Example 2, Comparative Example 1 and Comparative Example 2 are summarized in Table 1.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

実施例1と比較例1との比較から明らかなように、本発明のホスト材料であるZnBTZを用いた実施例1の有機EL素子は、ホールブロック層を有しない構造であるが、比較例1のCBPをホスト材料として用いた有機EL素子に匹敵する電流効率を示し、駆動電圧においては、比較例1よりも大幅に低減された値を示しており、高いパワー効率が得られることがわかる。   As is clear from the comparison between Example 1 and Comparative Example 1, the organic EL element of Example 1 using ZnBTZ which is the host material of the present invention has a structure without a hole blocking layer. The current efficiency is comparable to that of an organic EL device using CBP as a host material, and the driving voltage shows a value significantly reduced as compared with Comparative Example 1, indicating that high power efficiency can be obtained.

また、実施例1及び比較例2との比較から明らかなように、特許文献2に開示された3重項発光材料を用いた場合には、発光特性が低く、輝度半減期が短くなることがわかる。   As is clear from comparison with Example 1 and Comparative Example 2, when the triplet light-emitting material disclosed in Patent Document 2 is used, the light emission characteristics are low and the luminance half-life is shortened. Recognize.

(実施例3)
発光層のホスト材料としてZnBTZを80重量%、NPBを20重量%用い、これらのホスト材料に対して6重量%の化合物1を発光ドーパントとして用いる以外は、上記実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。なお、ここでNPBはアシストドーパントとして用いている。
(Example 3)
Organic EL in the same manner as in Example 1 above, except that 80 wt% ZnBTZ and 20 wt% NPB were used as the host material of the light emitting layer, and 6 wt% of Compound 1 was used as the light emitting dopant with respect to these host materials. An element was produced. Here, NPB is used as an assist dopant.

得られた有機EL素子について発光特性を測定した結果、化合物1に基づく赤色発光(ピーク波長620nm、色度(0.66,0.34))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.4Vであり、電流効率は8.6cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.9lm/Wであり、外部量子収率は8.9%であった。また、この素子を3000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は900時間であった。 As a result of measuring the light emission characteristics of the obtained organic EL device, red light emission (peak wavelength: 620 nm, chromaticity (0.66, 0.34)) based on Compound 1 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.4 V, the current efficiency is 8.6 cd / A, the power (power) efficiency is 7.9 lm / W, and the external quantum yield is 8.9%. Met. In addition, the luminance half-life when this device was continuously driven at 3000 cd / m 2 was 900 hours.

(実施例4)
ドーパント材料として、化合物1に代えて化合物2を用いた以外は、上記実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。
Example 4
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 3 except that Compound 2 was used instead of Compound 1 as the dopant material.

得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物2に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.65,0.34))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.3Vであり、電流効率は10cd/Aであり、パワー(電力)効率は9.5lm/Wであり、外部量子収率は11%であった。また、この素子を3000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は2000時間であった。 When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, red light emission (peak wavelength: 629 nm, chromaticity (0.65, 0.34)) based on Compound 2 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 was 3.3 V, the current efficiency was 10 cd / A, the power (power) efficiency was 9.5 lm / W, and the external quantum yield was 11%. Further, the luminance half-life when this device was continuously driven at 3000 cd / m 2 was 2000 hours.

実施例3及び実施例4の測定結果を表2に示す。   The measurement results of Example 3 and Example 4 are shown in Table 2.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

表1に示す実施例1及び実施例2との比較から明らかなように、アシストドーパント材料を発光層中に含有させることにより、輝度半減期を長くすることができ、素子安定性が高められることがわかる。   As apparent from the comparison with Example 1 and Example 2 shown in Table 1, the luminance half-life can be increased and the device stability can be improved by including the assist dopant material in the light emitting layer. I understand.

(実施例5)
発光層のホスト材料として、ZnOXDを用い、発光ドーパント材料として化合物3をホスト材料に対して8重量%となるように用い、発光層の厚みを50nmとする以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(Example 5)
ZnOXD is used as the host material of the light emitting layer, compound 3 is used as the light emitting dopant material so as to be 8% by weight with respect to the host material, and the thickness of the light emitting layer is set to 50 nm. An organic EL element was produced.

得られた有機EL素子について、発光特性を測定したところ、化合物3に基づく緑色発光(ピーク波長520nm、色度(0.29,0.63))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は5.6Vであり、電流効率は39cd/Aであり、パワー(電力)効率は22lm/Wであり、外部量子収率は11%であった。 When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, green light emission (peak wavelength: 520 nm, chromaticity (0.29, 0.63)) based on Compound 3 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 was 5.6 V, the current efficiency was 39 cd / A, the power (power) efficiency was 22 lm / W, and the external quantum yield was 11%.

ZnOXDは、ビス〔2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンズ−1,3オキサゾラト〕亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。   ZnOXD is bis [2- (2-hydroxyphenyl) -benz-1,3 oxazolate] zinc (II) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

化合物3は、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)であり、以下の構造を有している。   Compound 3 is tris (2-phenylpyridine) iridium (III) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(比較例3)
発光層におけるホスト材料としてCBPを用い、発光層と電子輸送・電子注入層の間に比較例1と同様にBAlqからなるホールブロック層(厚み10nm)を設ける以外は、実施例5と同様にして有機EL素子を作製した。
(Comparative Example 3)
The same as in Example 5 except that CBP is used as the host material in the light emitting layer and a hole blocking layer (thickness 10 nm) made of BAlq is provided between the light emitting layer and the electron transport / electron injection layer as in Comparative Example 1. An organic EL element was produced.

得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物3に基づく緑色発光(ピーク波長520nm、色度(0.27,0.63))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は7.0Vであり、電流効率は29cd/Aであり、パワー(電力)効率は13lm/Wであり、外部量子収率は8.3%であった。 When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, green light emission (peak wavelength: 520 nm, chromaticity (0.27, 0.63)) based on Compound 3 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 was 7.0 V, the current efficiency was 29 cd / A, the power (power) efficiency was 13 lm / W, and the external quantum yield was 8.3%.

実施例5及び比較例3の測定結果を表3に示す。   The measurement results of Example 5 and Comparative Example 3 are shown in Table 3.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

実施例5と比較例3の結果から、ホスト材料としてZnOXDを用いた有機EL素子は、ホールブロック層を有しない構造であっても、CBPをホスト材料とした比較例3の有機EL素子を超える電流効率を示し、さらに大幅に低い駆動電圧を示し、高いパワー効率を示すことがわかる。   From the results of Example 5 and Comparative Example 3, the organic EL element using ZnOXD as the host material exceeds the organic EL element of Comparative Example 3 using CBP as the host material, even if the structure does not have a hole blocking layer. It can be seen that the current efficiency is shown, and that the driving voltage is significantly lower and the power efficiency is higher.

(実施例6)
発光層の発光ドーパント材料として化合物4を用いる以外は、実施例1と同様にして有機EL素子を作製した。
(Example 6)
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that Compound 4 was used as the light emitting dopant material of the light emitting layer.

得られた有機EL素子について発光特性を測定したところ、化合物4に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.68,0.32))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.4Vであり、電流効率は8.6cd/Aであり、パワー(電力)効率は7.9lm/Wであり、外部量子収率は12.2%であった。また、この素子を3000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は1000時間であった。 When the emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, red light emission (peak wavelength: 629 nm, chromaticity (0.68, 0.32)) based on Compound 4 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.4 V, the current efficiency is 8.6 cd / A, the power (power) efficiency is 7.9 lm / W, and the external quantum yield is 12.2%. Met. Further, the luminance half-life when this device was continuously driven at 3000 cd / m 2 was 1000 hours.

化合物4は、トリス(フェニルイソキノリン)イリジウム(III)であり、以下の構造を有している。   Compound 4 is tris (phenylisoquinoline) iridium (III) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

(実施例7)
発光層の発光ドーパント材料として、化合物4を用いる以外は、実施例3と同様にして有機EL素子を作製した。得られた有機EL素子の発光特性を測定したところ、化合物4に基づく赤色発光(ピーク波長629nm、色度(0.68,0.32))を観測した。電流密度10mA/cmにおける駆動電圧は3.5Vであり、電流効率は8.9cd/Aであり、パワー(電力)効率は8.2lm/Wであり、外部量子収率は12.3%であった。また、この素子を3000cd/mにて連続駆動させた際の輝度半減期は1000時間であった。
(Example 7)
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 3 except that Compound 4 was used as the light emitting dopant material of the light emitting layer. When the light emission characteristics of the obtained organic EL device were measured, red light emission (peak wavelength: 629 nm, chromaticity (0.68, 0.32)) based on Compound 4 was observed. The driving voltage at a current density of 10 mA / cm 2 is 3.5 V, the current efficiency is 8.9 cd / A, the power efficiency is 8.2 lm / W, and the external quantum yield is 12.3%. Met. Further, the luminance half-life when this device was continuously driven at 3000 cd / m 2 was 1000 hours.

実施例6及び実施例7の測定結果を表4に示す。   The measurement results of Example 6 and Example 7 are shown in Table 4.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

表4に示す結果から明らかなように、3重項発光材料として、化合物4を用いた場合にも、本発明の効果が得られることがわかる。   As is apparent from the results shown in Table 4, it can be seen that the effects of the present invention can also be obtained when Compound 4 is used as the triplet light emitting material.

<有機ELディスプレイの作製>
図2は、本発明に従う有機ELディスプレイを示す平面図であり、図3は断面図である。
<Production of organic EL display>
FIG. 2 is a plan view showing an organic EL display according to the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view.

図2において、左から順に、赤色発光素子である有機EL素子100R、緑色発光素子である有機EL100G、及び青色発光素子である有機EL素子100Bが設けられている。   In FIG. 2, an organic EL element 100R that is a red light emitting element, an organic EL 100G that is a green light emitting element, and an organic EL element 100B that is a blue light emitting element are provided in order from the left.

各有機EL素子100R、100G、及び100Bは、行方向に延びる2つのゲート信号線51と列方向に延びる2つのドレイン信号線(データ線)52とに囲まれた領域に形成されている。各有機EL素子の領域内において、ゲート信号線51とドレイン信号線52との交点付近にはスイッチング素子である第1のTFT130が形成され、中央付近には各有機EL素子100R、100G、及び100Bを駆動する第2のTFT140が形成されている。また、各有機EL素子100R、100G、及び100Bの領域内に補助容量70、及びITOからなるホール注入電極(陽極)2が形成されている。ホール注入電極2の領域に各有機EL素子100R、100G、及び100Bが島状に形成されている。   Each organic EL element 100R, 100G, and 100B is formed in a region surrounded by two gate signal lines 51 extending in the row direction and two drain signal lines (data lines) 52 extending in the column direction. Within each organic EL element region, a first TFT 130 as a switching element is formed near the intersection of the gate signal line 51 and the drain signal line 52, and each organic EL element 100R, 100G, and 100B is formed near the center. A second TFT 140 for driving is formed. In addition, an auxiliary capacitor 70 and a hole injection electrode (anode) 2 made of ITO are formed in the regions of the organic EL elements 100R, 100G, and 100B. Each organic EL element 100R, 100G, and 100B is formed in an island shape in the region of the hole injection electrode 2.

第2のTFT130のドレインは、ドレイン電極13dを介してドレイン信号線52に接続され、第1のTFT130のソースは、ソース電極13sを介して電極55に接続される。第1のTFT130のゲート電極111は、ゲート信号線51から延びる。   The drain of the second TFT 130 is connected to the drain signal line 52 through the drain electrode 13d, and the source of the first TFT 130 is connected to the electrode 55 through the source electrode 13s. The gate electrode 111 of the first TFT 130 extends from the gate signal line 51.

補助容量70は、電源電圧Vscを受けるSC線54と、能動層11(図6参照)と一体の電極55とから構成される。   The auxiliary capacitor 70 includes an SC line 54 that receives the power supply voltage Vsc, and an electrode 55 that is integrated with the active layer 11 (see FIG. 6).

第2のTFT140のドレインは、ドレイン電極43dを介して各有機EL素子のホール注入電極2に接続され、第2のTFT140のソースは、ソース電極43sを介して列方向に延びる電源線53に接続される。第2のTFT140のゲート電極41は、電極55に接続される。   The drain of the second TFT 140 is connected to the hole injection electrode 2 of each organic EL element via the drain electrode 43d, and the source of the second TFT 140 is connected to the power supply line 53 extending in the column direction via the source electrode 43s. Is done. The gate electrode 41 of the second TFT 140 is connected to the electrode 55.

図3に示されるように、ガラス基板10の上に、多結晶シリコン等からなる能動層11が形成され、その能動層11の一部が有機EL素子を駆動するための第2のTFT140となる。能動層11の上にゲート酸化膜(図示せず)を介してダブルゲート構造のゲート電極41が形成され、ゲート電極41を覆うように能動層11の上に層間絶縁膜13及び第1の平坦化層15が形成される。第1の平坦化層15の材料としては、例えばアクリル樹脂を用いることができる。第1の平坦化層15の上に透明なホール注入電極2が各有機EL素子ごとに形成され、ホール注入電極2を覆うように第1の平坦化層15の上に絶縁性の第2の平坦化層18が形成される。第2のTFT140は、第2の平坦化層18の下に形成されている。   As shown in FIG. 3, an active layer 11 made of polycrystalline silicon or the like is formed on a glass substrate 10, and a part of the active layer 11 becomes a second TFT 140 for driving the organic EL element. . A gate electrode 41 having a double gate structure is formed on the active layer 11 via a gate oxide film (not shown), and the interlayer insulating film 13 and the first flat surface are formed on the active layer 11 so as to cover the gate electrode 41. The forming layer 15 is formed. As a material of the first planarization layer 15, for example, an acrylic resin can be used. A transparent hole injection electrode 2 is formed for each organic EL element on the first planarization layer 15, and an insulating second electrode is formed on the first planarization layer 15 so as to cover the hole injection electrode 2. A planarization layer 18 is formed. The second TFT 140 is formed under the second planarization layer 18.

ホール注入電極2及び第2の平坦化層18を覆うようにホール輸送層4が全体の領域上に形成される。   A hole transport layer 4 is formed on the entire region so as to cover the hole injection electrode 2 and the second planarization layer 18.

各有機EL素子100R、有機EL素子100G及び有機EL素子100Bのホール輸送層4上には、それぞれ列方向に延びるストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5Bが形成されている。赤色発光層5R及び/または緑色発光層5Gにおいては、本発明に従い3重項発光材料が用いられており、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられている。   On the hole transport layer 4 of each organic EL element 100R, organic EL element 100G, and organic EL element 100B, a striped red light emitting layer 5R, green light emitting layer 5G, and blue light emitting layer 5B extending in the column direction are formed. Yes. In the red light emitting layer 5R and / or the green light emitting layer 5G, a triplet light emitting material is used according to the present invention, and an electron transporting zinc complex is used as a host material.

ストライプ状の赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5Bの間の境界は、第2の平坦化層18上の表面でガラス基板10と平行になっている領域に設けられる。   The boundary between the striped red light emitting layer 5R, the green light emitting layer 5G, and the blue light emitting layer 5B is provided in a region parallel to the glass substrate 10 on the surface of the second planarizing layer 18.

有機EL素子100R、有機EL素子100G及び有機EL素子100Bの赤色発光層5R、緑色発光層5G及び青色発光層5B上には、電子輸送層8及び電子注入層6がそれぞれ形成されている。   An electron transport layer 8 and an electron injection layer 6 are formed on the red light emitting layer 5R, the green light emitting layer 5G, and the blue light emitting layer 5B of the organic EL element 100R, the organic EL element 100G, and the organic EL element 100B, respectively.

電子注入層6上には電子注入電極(陰極)7が形成されている。電子注入電極7の上には、樹脂等からなる保護層34が形成されている。なお、発光層5R、5G及び5B、並びに電子輸送層8、電子注入層6及び電子注入電極7は、マスクを用いて、各有機EL素子100R、100G及び100Bの各領域上に同時に形成している。   An electron injection electrode (cathode) 7 is formed on the electron injection layer 6. A protective layer 34 made of resin or the like is formed on the electron injection electrode 7. The light emitting layers 5R, 5G and 5B, the electron transport layer 8, the electron injection layer 6 and the electron injection electrode 7 are simultaneously formed on the respective regions of the organic EL elements 100R, 100G and 100B using a mask. Yes.

本実施例の有機ELディスプレイにおいては、上述のように、赤色発光層5R及び/または緑色発光層5Gに、3重項発光材料が用いられ、かつホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられているので、発光層と電子輸送層の間にホールブロック層を設ける必要がない。このため、有機EL素子100R、有機EL素子100G、及び有機EL素子100Bにおいて、ホール注入電極2、ホール輸送層4、電子輸送層8、電子注入層6及び電子注入電極7を同一の組成から構成することができる。従って、各有機EL素子100R、100G及び100Bを同一の素子構造とすることができるので、各有機EL素子の各層を、製造工程において同時に形成することができる。従って、製造工程を簡略化することができ、生産効率を高めることができる。   In the organic EL display of this example, as described above, a triplet light emitting material is used for the red light emitting layer 5R and / or the green light emitting layer 5G, and an electron transporting zinc complex is used as a host material. Therefore, it is not necessary to provide a hole block layer between the light emitting layer and the electron transport layer. Therefore, in the organic EL element 100R, the organic EL element 100G, and the organic EL element 100B, the hole injection electrode 2, the hole transport layer 4, the electron transport layer 8, the electron injection layer 6, and the electron injection electrode 7 are configured from the same composition. can do. Therefore, since each organic EL element 100R, 100G, and 100B can be made into the same element structure, each layer of each organic EL element can be formed simultaneously in a manufacturing process. Therefore, the manufacturing process can be simplified and the production efficiency can be increased.

(実施例8)
発光層以外の層は、上記実施例と同様にして、青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子を作製した。
(Example 8)
For the layers other than the light emitting layer, a blue light emitting element, a green light emitting element, and a red light emitting element were produced in the same manner as in the above example.

青色発光素子の発光層は、ホスト材料としてTBADNを用い、発光ドーパントとして、1重量%のTBPを用いた。   For the light emitting layer of the blue light emitting element, TBADN was used as a host material, and 1 wt% TBP was used as a light emitting dopant.

緑色発光素子の発光層は、ホスト材料としてTBADNを用い、発光ドーパントとして、1重量%のC545Tを用いた。   In the light emitting layer of the green light emitting element, TBADN was used as a host material, and 1 wt% C545T was used as a light emitting dopant.

青色発光素子においては、実施例3と同様の発光層とした。   In the blue light emitting device, the same light emitting layer as in Example 3 was used.

TBADNは、2−ターシャリー−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセンであり、以下の構造を有している。   TBADN is 2-tertiary-butyl-9,10-di (2-naphthyl) anthracene and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

TBPは、2,5,8,11−テトラ−ターシャリー−ブチルペリレンであり、以下の構造を有している。   TBP is 2,5,8,11-tetra-tertiary-butylperylene and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

C545Tは、10−(2−ベンゾチアゾリル)−2,3,6,7−テトラヒドロ−1,1,7,7−テトラメチル1−1H,5H,11H−〔1〕ベンゾピラノ〔6,7,8,ij〕キノリジン−11−オンであり、以下の構造を有している。   C545T is 10- (2-benzothiazolyl) -2,3,6,7-tetrahydro-1,1,7,7-tetramethyl1-1H, 5H, 11H- [1] benzopyrano [6,7,8, ij] quinolinidin-11-one, which has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

得られた青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子について、電流密度10mA/cmで発光特性を測定し、測定結果を表5に示した。 The obtained blue light emitting element, green light emitting element, and red light emitting element were measured for light emission characteristics at a current density of 10 mA / cm 2 , and the measurement results are shown in Table 5.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

表5に示す結果から明らかなように、本発明に従い赤色発光素子の発光層のホスト材料として、ZnBTZを用いることにより、青色発光素子、緑色発光素子、及び赤色発光素子の同一電流値における駆動電圧をほぼ同程度にすることができる。   As is apparent from the results shown in Table 5, by using ZnBTZ as the host material of the light emitting layer of the red light emitting device according to the present invention, the driving voltage at the same current value of the blue light emitting device, the green light emitting device, and the red light emitting device. Can be made substantially the same.

(実施例9)
発光層以外の層は、上記実施例と同様にして、青色の3重項発光材料を用いて、青色発光素子を作製した。
Example 9
For the layers other than the light emitting layer, a blue light emitting element was manufactured using a blue triplet light emitting material in the same manner as in the above example.

ホスト材料としては、2AZM−iPrを用い、発光ドーパントとしては、青色3重項発光材料であるFIrpicを8重量%用いて発光層を形成した。   A light emitting layer was formed using 2AZM-iPr as a host material and 8 wt% of FIrpic which is a blue triplet light emitting material as a light emitting dopant.

2AZM−iPrは、ビス(N−イソ−プロピルサリチリデンアミナト)亜鉛(II)であり、以下の構造を有している。   2AZM-iPr is bis (N-iso-propylsalicylideneaminato) zinc (II) and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

FIrpicは、ビス〔2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト〕イリジウム(III)ピコリネートであり、以下の構造を有している。   FIrpic is bis [2- (4,6-difluorophenyl) pyridinato] iridium (III) picolinate and has the following structure.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

得られた青色発光素子について、電流密度10mA/cmで発光特性を測定し、測定結果を表6に示した。 With respect to the obtained blue light-emitting element, the light emission characteristics were measured at a current density of 10 mA / cm 2. The measurement results are shown in Table 6.

Figure 2007207916
Figure 2007207916

表6に示すように、青色の3重項発光材料を用いた場合にも、駆動電圧を低減することができ、高い発光効率が得られることがわかる。   As shown in Table 6, it can be seen that even when a blue triplet light emitting material is used, the driving voltage can be reduced and high luminous efficiency can be obtained.

本発明に従う有機EL素子の一実施例を示す模式的断面図。The typical sectional view showing one example of the organic EL element according to the present invention. 本発明に従う有機ELディスプレイの一実施例を示す平面図。The top view which shows one Example of the organic electroluminescent display according to this invention. 本発明に従う有機ELディスプレイの一実施例を示す断面図。Sectional drawing which shows one Example of the organic electroluminescent display according to this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板
2…ホール注入電極
3…ホール注入層
4…ホール輸送層
5…発光層
6…電子注入層
7…電子注入電極
8…電子輸送層
9…電子輸送・電子注入層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate 2 ... Hole injection electrode 3 ... Hole injection layer 4 ... Hole transport layer 5 ... Light emitting layer 6 ... Electron injection layer 7 ... Electron injection electrode 8 ... Electron transport layer 9 ... Electron transport / electron injection layer

Claims (9)

ホール注入電極と、電子注入電極と、前記ホール注入電極及び前記電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、前記ホール注入電極及び前記発光層の間に設けられるホール輸送層と、前記電子注入電極及び前記発光層の間に設けられる電子輸送層とを備え、前記発光層として、互いに発光色が異なる複数の発光層をそれぞれ有する、発光色が異なる複数の発光素子が設けられた有機ELディスプレイであって、
前記発光色が異なる複数の発光層の内の少なくとも1種の発光層において、発光性ドーパントとして、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が用いられており、かつ該発光材料が用いられている発光層において、ホスト材料として電子輸送性亜鉛錯体が用いられており、
前記発光色が異なる複数の発光素子において、前記ホール注入電極、前記ホール輸送層、前記電子輸送層及び前記電子注入電極が同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴とする有機ELディスプレイ。
A hole injection electrode, an electron injection electrode, a light emitting layer containing a host material and a light emitting dopant, provided between the hole injection electrode and the electron injection electrode, and provided between the hole injection electrode and the light emitting layer A hole transport layer, and an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer, and each of the light emitting layers includes a plurality of light emitting layers having different light emitting colors, and a plurality of light emitting colors different from each other. An organic EL display provided with a light emitting element,
In at least one light emitting layer of the plurality of light emitting layers having different emission colors, a light emitting material that emits light through a triplet excited state is used as the light emitting dopant, and the light emitting material is used. In the light emitting layer, an electron transporting zinc complex is used as a host material,
In the plurality of light emitting devices having different emission colors, the hole injection electrode, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection electrode have the same composition, and each device has the same device structure. Organic EL display.
前記ホール注入電極と前記ホール輸送層の間に設けられるホール注入層、及び前記電子注入電極と前記電子輸送層の間に設けられる電子注入層の内の少なくとも一方の層が設けられており、該ホール注入層及び/または電子注入層が、前記発光色が異なる複数の発光素子において同一組成からなり、各素子が同一の素子構造を有することを特徴とする請求項1に記載の有機ELディスプレイ。   At least one of a hole injection layer provided between the hole injection electrode and the hole transport layer, and an electron injection layer provided between the electron injection electrode and the electron transport layer is provided; The organic EL display according to claim 1, wherein the hole injection layer and / or the electron injection layer have the same composition in the plurality of light emitting elements having different emission colors, and each element has the same element structure. 3重項励起状態を経由して発光する発光材料が、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機ELディスプレイ。
Figure 2007207916
(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
Figure 2007207916
(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
3. The organic EL display according to claim 1, wherein the light emitting material that emits light through a triplet excited state is an iridium complex represented by the following general formula (1) or (2): .
Figure 2007207916
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. At least one of R1 to R4 is an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or Substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted euroridyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, non-substituted A substituted or substituted siloxanyl group and all others are hydrogen, R1 to R4 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents 0 to 2 Represents an integer.)
Figure 2007207916
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. R5 to R8 are hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, unsubstituted or substituted alkoxy group, unsubstituted or substituted. Aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted urolidyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, unsubstituted or substituted And R5 to R8 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 2.)
前記発光色が異なる複数の発光層が、赤色発光層、緑色発光層、及び青色発光層であり、3重項励起状態を経由して発光する発光材料が、前記赤色発光層及び/または前記緑色発光層に含有されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機ELディスプレイ。   The plurality of light emitting layers having different emission colors are a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer, and the light emitting material that emits light through a triplet excited state is the red light emitting layer and / or the green light emitting layer. It contains in a light emitting layer, The organic electroluminescent display of any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 前記発光材料が前記赤色発光層に含有されており、該赤色発光層に含有される前記電子輸送性亜鉛錯体の配位子が、ベンゾチアゾール誘導体であることを特徴とする請求項4に記載の有機ELディスプレイ。   The light emitting material is contained in the red light emitting layer, and the ligand of the electron transporting zinc complex contained in the red light emitting layer is a benzothiazole derivative. Organic EL display. 前記ベンゾチアゾール誘導体が、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾールであることを特徴とする請求項5に記載の有機ELディスプレイ。   6. The organic EL display according to claim 5, wherein the benzothiazole derivative is 2- (2-hydroxyphenyl) -benzothiazole. 前記発光材料が前記緑色発光層に含有されており、該緑色発光層に含有される前記電子輸送性亜鉛錯体の配位子が、ベンゾオキサゾール誘導体であることを特徴とする請求項4に記載の有機ELディスプレイ。   The light emitting material is contained in the green light emitting layer, and the ligand of the electron transporting zinc complex contained in the green light emitting layer is a benzoxazole derivative. Organic EL display. 前記ベンゾオキサゾール誘導体が、2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾールであることを特徴とする請求項7に記載の有機ELディスプレイ。   The organic EL display according to claim 7, wherein the benzoxazole derivative is 2- (2-hydroxyphenyl) -benzoxazole. ホール注入電極と、電子注入電極と、前記ホール注入電極及び電子注入電極の間に設けられ、ホスト材料と発光性ドーパントを含有する発光層と、前記ホール注入電極及び前記発光層の間に設けられるホール輸送層と、前記電子注入電極及び前記発光層の間に設けられる電子輸送層とを備える有機EL素子であって、
前記発光性ドーパントとして、以下の一般式(1)または(2)で表されるイリジウム錯体を用い、前記ホスト材料として、電子輸送性亜鉛錯体を用いることを特徴とする有機EL素子。
Figure 2007207916
(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R1〜R4のうち少なくとも1つは、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基であり、それ以外は全て水素である。R1〜R4はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
Figure 2007207916
(Dは2座のモノアニオン(−1価)配位子を表す。R5〜R8は、水素、非置換または置換されたアルキル基、非置換または置換されたアルコキシ基、非置換または置換されたアリールオキシ基、非置換または置換されたアリールチオ基、非置換または置換されたアミノ基、非置換または置換されたユロリジル基、ハロゲン基、ヒドロキシル基、非置換または置換されたシリル基、非置換または置換されたシロキサニル基のうちのいずれかである。R5〜R8はそれぞれ同じであっても異なっていてもよい。nは1〜3の整数を表し、mは0〜2の整数を表す。)
Provided between a hole injection electrode, an electron injection electrode, the hole injection electrode and the electron injection electrode, and provided between a light emitting layer containing a host material and a luminescent dopant, and between the hole injection electrode and the light emitting layer. An organic EL device comprising a hole transport layer and an electron transport layer provided between the electron injection electrode and the light emitting layer,
An organic EL device, wherein an iridium complex represented by the following general formula (1) or (2) is used as the light-emitting dopant, and an electron-transporting zinc complex is used as the host material.
Figure 2007207916
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. At least one of R1 to R4 is an unsubstituted or substituted alkyl group, an unsubstituted or substituted alkoxy group, an unsubstituted or Substituted aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted euroridyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, non-substituted A substituted or substituted siloxanyl group and all others are hydrogen, R1 to R4 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents 0 to 2 Represents an integer.)
Figure 2007207916
(D represents a bidentate monoanionic (-1 valent) ligand. R5 to R8 are hydrogen, unsubstituted or substituted alkyl group, unsubstituted or substituted alkoxy group, unsubstituted or substituted. Aryloxy group, unsubstituted or substituted arylthio group, unsubstituted or substituted amino group, unsubstituted or substituted urolidyl group, halogen group, hydroxyl group, unsubstituted or substituted silyl group, unsubstituted or substituted And R5 to R8 may be the same or different from each other, n represents an integer of 1 to 3, and m represents an integer of 0 to 2.)
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Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009130064A (en) * 2007-11-22 2009-06-11 Canon Inc Multicolor display device
KR100910153B1 (en) 2007-11-20 2009-07-30 (주)그라쎌 Novel red electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
JP2009191066A (en) * 2008-01-29 2009-08-27 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
JP2009283899A (en) * 2008-03-14 2009-12-03 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
KR100933228B1 (en) 2007-11-15 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel red phosphorescent compound and organic light emitting device employing it as light emitting material
KR100933226B1 (en) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel red phosphorescent compound and organic light emitting device employing it as light emitting material
KR100933225B1 (en) 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel Phosphorescent Compound and Organic Light Emitting Device Employing It as Light Emitting Material
KR20110125861A (en) * 2010-05-14 2011-11-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting device
JP2012243983A (en) * 2011-05-20 2012-12-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Organic electroluminescent element
JP2013502744A (en) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Organic light-emitting diode luminaire
US8512881B2 (en) 2010-07-07 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic material and organic light emitting device including the same
JP2015111717A (en) * 2007-12-31 2015-06-18 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッドGracel Display Inc. Electroluminescent element using electroluminescent compound
JP2016102124A (en) * 2008-09-16 2016-06-02 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション Phosphorescent substance
CN106795166A (en) * 2014-10-17 2017-05-31 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 Various host materials and the organic electroluminescence device comprising the host material
WO2022156291A1 (en) * 2021-01-25 2022-07-28 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, display apparatus, and manufacturing method for display panel

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134101A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc Polychromatic light-emitting element
JP2005011610A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd Organic electroluminescent element

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004134101A (en) * 2002-10-08 2004-04-30 Canon Inc Polychromatic light-emitting element
JP2005011610A (en) * 2003-06-18 2005-01-13 Nippon Steel Chem Co Ltd Organic electroluminescent element

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100933228B1 (en) 2007-11-15 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel red phosphorescent compound and organic light emitting device employing it as light emitting material
KR100910153B1 (en) 2007-11-20 2009-07-30 (주)그라쎌 Novel red electroluminescent compounds and organic electroluminescent device using the same
KR100933226B1 (en) 2007-11-20 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel red phosphorescent compound and organic light emitting device employing it as light emitting material
JP2009130064A (en) * 2007-11-22 2009-06-11 Canon Inc Multicolor display device
KR100933225B1 (en) 2007-11-27 2009-12-22 다우어드밴스드디스플레이머티리얼 유한회사 Novel Phosphorescent Compound and Organic Light Emitting Device Employing It as Light Emitting Material
JP2015111717A (en) * 2007-12-31 2015-06-18 グレイセル・ディスプレイ・インコーポレーテッドGracel Display Inc. Electroluminescent element using electroluminescent compound
JP2009191066A (en) * 2008-01-29 2009-08-27 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
JP2009283899A (en) * 2008-03-14 2009-12-03 Gracel Display Inc Novel organic electroluminescent compound and organic electroluminescent element using the same
US10084143B2 (en) 2008-09-16 2018-09-25 Universal Display Corporation Phosphorescent materials
JP2016102124A (en) * 2008-09-16 2016-06-02 ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション Phosphorescent substance
JP2013502744A (en) * 2009-08-24 2013-01-24 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー Organic light-emitting diode luminaire
US9136495B2 (en) 2010-05-14 2015-09-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
JP2011243979A (en) * 2010-05-14 2011-12-01 Samsung Mobile Display Co Ltd Organic light-emitting element
KR101657222B1 (en) * 2010-05-14 2016-09-19 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting device
KR20110125861A (en) * 2010-05-14 2011-11-22 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting device
US8512881B2 (en) 2010-07-07 2013-08-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic material and organic light emitting device including the same
JP2012243983A (en) * 2011-05-20 2012-12-10 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> Organic electroluminescent element
CN106795166A (en) * 2014-10-17 2017-05-31 罗门哈斯电子材料韩国有限公司 Various host materials and the organic electroluminescence device comprising the host material
EP3207045A4 (en) * 2014-10-17 2018-07-04 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. A plurality of host materials and an organic electroluminescence device comprising the same
WO2022156291A1 (en) * 2021-01-25 2022-07-28 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, display apparatus, and manufacturing method for display panel

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