JP2007204626A - Method for producing polymer, polymer, composition for forming insulation film, method for producing insulation film and silica-based insulation film - Google Patents

Method for producing polymer, polymer, composition for forming insulation film, method for producing insulation film and silica-based insulation film Download PDF

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JP2007204626A JP2006025573A JP2006025573A JP2007204626A JP 2007204626 A JP2007204626 A JP 2007204626A JP 2006025573 A JP2006025573 A JP 2006025573A JP 2006025573 A JP2006025573 A JP 2006025573A JP 2007204626 A JP2007204626 A JP 2007204626A
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Yasushi Nakagawa
恭志 中川
Masahiro Akiyama
将宏 秋山
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a polymer giving a film having small relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesiveness and uniform film quality while reducing the quantity of a metallic reaction agent and suppressing the generation of by-product to be removed and provide the polymer, a composition for forming an insulation film, a method for producing an insulation film and a silica-based insulation film. <P>SOLUTION: The method for the production of the polymer contains the hydrolytic condensation of (B) a silane monomer having a hydrolyzable group in the presence of (A) a polycarbosilane, wherein the polycarbosilane (A) is particularly defined polymer (I) or polymer (II). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、ポリマーの製造方法、ポリマー、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、およびシリカ系絶縁膜に関する。   The present invention relates to a method for producing a polymer, a polymer, a composition for forming an insulating film, a method for producing an insulating film, and a silica-based insulating film.

従来、半導体素子などにおける層間絶縁膜として、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などの真空プロセスで形成されたシリカ(SiO)膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、SOG(Spin on Glass)膜と呼ばれるテトラアルコキシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜が使用されるようになっている。また、半導体素子などの高集積化に伴い、有機SOGと呼ばれるポリオルガノシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間絶縁膜が開発されている。 Conventionally, a silica (SiO 2 ) film formed by a vacuum process such as a CVD (Chemical Vapor Deposition) method is frequently used as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like. In recent years, for the purpose of forming a more uniform interlayer insulating film, a coating type insulating film called a SOG (Spin on Glass) film containing a hydrolysis product of tetraalkoxylane as a main component has been used. It has become. In addition, with high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film having a low relative dielectric constant, which is mainly composed of polyorganosiloxane called organic SOG, has been developed.

特に、半導体素子などのさらなる高集積化や多層化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低比誘電率でかつクラック耐性、機械的強度および密着性に優れた層間絶縁膜材料が求められるようになっている。   In particular, with further higher integration and multi-layering of semiconductor elements and the like, there is a demand for better electrical insulation between conductors, and therefore lower dielectric constant, crack resistance, mechanical strength and adhesion. An excellent interlayer insulating film material has been demanded.

低比誘電率の材料としては、アンモニアの存在下にアルコキシシランを縮合して得られる微粒子とアルコキシシランの塩基性部分加水分解物との混合物からなる組成物(特開平5−263045号公報、特開平5−315319号公報)や、ポリアルコキシシランの塩基性加水分解物をアンモニアの存在下で縮合することにより得られた塗布液(特開平11−340219号公報、特開平11−340220号公報)が提案されている。しかしながら、これらの方法で得られる材料は、反応の生成物の性質が安定せず、塗膜の比誘電率、クラック耐性、機械的強度、密着性などのバラツキも大きいため、工業的生産には不向きであった。また、ポリカルボシラン溶液とポリシロキサン溶液とを混合することにより塗布液を調製し、低誘電率絶縁膜を形成する方法(特開2001−127152号公報)が提案されているが、この方法では、カルボシランのドメインとシロキサンのドメインとが不均一な状態で塗膜中にそれぞれ分散してしまうという問題があった。   As a material having a low relative dielectric constant, a composition comprising a mixture of fine particles obtained by condensation of alkoxysilane in the presence of ammonia and a basic partial hydrolyzate of alkoxysilane (Japanese Patent Laid-Open No. 5-263045, particularly Kaihei 5-315319) and coating liquids obtained by condensing a basic hydrolyzate of polyalkoxysilane in the presence of ammonia (Japanese Patent Laid-Open Nos. 11-340219 and 11-340220) Has been proposed. However, the materials obtained by these methods are not stable in the properties of the reaction products, and have large variations in the dielectric constant, crack resistance, mechanical strength, adhesion, etc. of the coating film. It was unsuitable. In addition, a method of preparing a coating solution by mixing a polycarbosilane solution and a polysiloxane solution and forming a low dielectric constant insulating film (Japanese Patent Laid-Open No. 2001-127152) has been proposed. There was a problem that the carbosilane domain and the siloxane domain were dispersed in the coating film in a non-uniform state.

これに対して、以前、ポリカルボシランの存在下で加水分解性基含有シランモノマーを反応させることにより、かかる加水分解性基含有シランモノマーに由来するポリシロキサンとポリカルボシランとの共縮合物を得て、そのポリマーを含有する膜形成用組成物を用いる方法を、本発明者は提案した(国際特許出願公開WO2005/068538号パンフレット)。この方法によれば、比誘電率が小さく、機械的強度および密着性に優れ、かつ膜中の相分離がない共縮合ポリマー膜を得ることができる。しかしながら、この方法に用いられるポリカルボシランは通常、有機シランモノマーを反応当量以上の金属を用いてカップリング反応により得られるものであり、この反応に伴い生成する副生成物の除去を行なう必要がある。この場合、濾別や抽出法などで大半の金属化合物を除去することは可能であるが、電子材料用途に用いるための水準まで不純物を除去するのは往々にして困難であり、反応段階から用いる金属量の少ないポリカルボシランの合成法が求められている。
特開平5−263045号公報 特開平5−315319号公報 特開平11−340219号公報 特開平11−340220号公報 特開2001−127152号公報 国際特許出願公開WO2005/068538号パンフレット
On the other hand, by previously reacting a hydrolyzable group-containing silane monomer in the presence of polycarbosilane, a co-condensate of polysiloxane and polycarbosilane derived from such hydrolyzable group-containing silane monomer is obtained. The present inventor has proposed a method of using a film-forming composition containing the polymer (International Patent Application Publication No. WO2005 / 068538). According to this method, it is possible to obtain a cocondensation polymer film having a small relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesion, and no phase separation in the film. However, the polycarbosilane used in this method is usually obtained by a coupling reaction of an organosilane monomer using a metal having a reaction equivalent or more, and it is necessary to remove by-products generated by this reaction. is there. In this case, it is possible to remove most metal compounds by filtration or extraction, but it is often difficult to remove impurities to the level for use in electronic materials, and they are used from the reaction stage. There is a need for a method for synthesizing polycarbosilanes with low metal content.
JP-A-5-263045 JP-A-5-315319 Japanese Patent Laid-Open No. 11-340219 Japanese Patent Laid-Open No. 11-340220 JP 2001-127152 A International Patent Application Publication WO2005 / 068538 Pamphlet

本発明の目的は、金属反応剤の使用量を少なくすることができ、かつ、除去を必要とする副生成物の発生を抑えることができるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。   An object of the present invention is to provide a polymer production method and a polymer that can reduce the amount of metal reactant used and can suppress the generation of by-products that require removal.

また、本発明の他の目的は、例えば半導体素子などにおける層間絶縁膜として好適に用いることができ、かつ、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、均一な膜質を有する膜を形成することができるポリマーの製造方法およびポリマーを提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a film that can be suitably used as an interlayer insulating film in, for example, a semiconductor element, has a small relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesion, and has a uniform film quality. It is to provide a method for producing a polymer and a polymer that can be formed.

本発明の他の目的は、前記本発明のポリマーを用いた絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法およびシリカ系絶縁膜を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a composition for forming an insulating film using the polymer of the present invention, a method for producing the insulating film, and a silica-based insulating film.

本発明の第1の態様のポリマーの製造方法は、
(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を開環重合することにより得られるポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含む。
The method for producing the polymer according to the first aspect of the present invention includes:
(A) Polycarbosilane obtained by ring-opening polymerization of at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2) (B) hydrolyzing and condensing a hydrolyzable group-containing silane monomer.

Figure 2007204626
・・・・・(1)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、XおよびYは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、lは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(1)
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, X and Y are the same or different, represent a halogen atom or an alkoxy group, and l represents an integer of 2 to 4) .)

Figure 2007204626
・・・・・(2)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、Rは水素原子またはアルコキシ基以外の1価の有機基を示し、Zはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、mは2〜4の整数を示す。)
この場合、前記一般式(1)および(2)において、lおよびmが2であることができる。
Figure 2007204626
(2)
(Wherein R 3 and R 4 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group other than a hydrogen atom or an alkoxy group, and Z represents a halogen atom or an alkoxy group. M represents an integer of 2 to 4.)
In this case, in the general formulas (1) and (2), l and m can be 2.

本発明の第2の態様のポリマーの製造方法は、
(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、下記一般式(3)で表される少なくとも1種のシラン化合物とを開環重合することにより得られるポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含む。
The method for producing the polymer according to the second aspect of the present invention includes:
(A) At least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2), and represented by the following general formula (3) (B) hydrolyzing and condensing a hydrolyzable group-containing silane monomer in the presence of polycarbosilane obtained by ring-opening polymerization with at least one silane compound.

Figure 2007204626
・・・・・(1)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、XおよびYは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、lは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(1)
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, X and Y are the same or different, represent a halogen atom or an alkoxy group, and l represents an integer of 2 to 4) .)

Figure 2007204626
・・・・・(2)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、Rは水素原子またはアルコキシ基以外の1価の有機基を示し、Zはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、mは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(2)
(Wherein R 3 and R 4 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group other than a hydrogen atom or an alkoxy group, and Z represents a halogen atom or an alkoxy group. M represents an integer of 2 to 4.)

Figure 2007204626
・・・・・(3)
(式中、R〜Rは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、nは2〜4の整数を示す。)
この場合、前記一般式(1)〜(3)において、l、mおよびnが2であることができる。
Figure 2007204626
(3)
(Wherein, R 6 to R 9 individually represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, n is an integer of 2-4.)
In this case, in the general formulas (1) to (3), l, m, and n may be 2.

上記ポリマーの製造方法において、
前記(B)加水分解性基含有シランモノマーが、下記一般式(4)で表される化合物および下記一般式(5)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物であることができる。
In the method for producing the polymer,
The (B) hydrolyzable group-containing silane monomer is at least one silane compound selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (4) and a compound represented by the following general formula (5). be able to.

10 SiX4−a ・・・・・(4)
(式中、R10は水素原子,フッ素原子または1価の有機基を示し、Xはハロゲン原子あるいはアルコキシル基を示し、aは0〜3の整数を示す。)
11 3−bSi−(R13−SiZ3−c12 ・・・・・(5)
〔式中、R11,R12は同一または異なり、1価の有機基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の整数を示し、R13は酸素原子,フェニレン基または−(CH−で表される基(ここで、eは1〜6の整数である。)を示し、YおよびZは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシル基を示し、dは0または1を示す。〕
R 10 a SiX 4-a (4)
(Wherein R 10 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, X represents a halogen atom or an alkoxyl group, and a represents an integer of 0 to 3)
R 11 b Y 3-b Si- (R 13) d -SiZ 3-c R 12 c ····· (5)
[Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represents a monovalent organic group, b and c are the same or different and represent an integer of 0 to 2, and R 13 represents an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) represents a group represented by e- (wherein e is an integer of 1 to 6), Y and Z are the same or different and represent a halogen atom or an alkoxyl group, and d represents 0 or 1 . ]

本発明の第3の態様のポリマーは、上記ポリマーの製造方法によって得られる。   The polymer according to the third aspect of the present invention is obtained by the above-described polymer production method.

本発明の第4の態様の絶縁膜形成用組成物は、上記ポリマーおよび有機溶剤を含有する。   The composition for insulating film formation of the 4th aspect of this invention contains the said polymer and organic solvent.

本発明の第5の態様の絶縁膜の製造方法は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱することを含む。   The manufacturing method of the insulating film of the 5th aspect of this invention includes apply | coating the said film forming composition to a board | substrate, and heating.

本発明の第6の態様の絶縁膜の製造方法は、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、電子線または紫外線を照射することを含む。   The manufacturing method of the insulating film of the 6th aspect of this invention includes apply | coating the said film forming composition to a board | substrate, and irradiating an electron beam or an ultraviolet-ray.

本発明の第7の態様のシリカ系絶縁膜は、上記絶縁膜の製造方法により得られる。   The silica type insulating film of the 7th aspect of this invention is obtained by the manufacturing method of the said insulating film.

上記ポリマーの製造方法によれば、(A)ポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含み、(A)ポリカルボシランが開環重合により得られたポリマー(I)またはポリマー(II)であることにより、金属反応剤の使用量を少なくすることができ、かつ、除去を必要とする副生成物の発生を抑えることができる。したがって、前記方法により得られたポリマーを含む絶縁膜形成用組成物を用いて、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、かつ、膜中の相分離がない絶縁膜を得ることができる。   According to the method for producing the polymer, (A) hydrolyzing and condensing a hydrolyzable group-containing silane monomer in the presence of polycarbosilane, and (A) polycarbosilane is obtained by ring-opening polymerization. By using the obtained polymer (I) or polymer (II), the amount of the metal reactant used can be reduced, and generation of a by-product that needs to be removed can be suppressed. Therefore, using the composition for forming an insulating film containing the polymer obtained by the above method, an insulating film having a low relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesion, and no phase separation in the film is obtained. Can do.

以下、本発明の一実施形態のポリマーおよびその製造方法、該ポリマーを含有する絶縁膜形成用組成物、該絶縁膜を用いた絶縁膜の製造方法、および該絶縁膜の製造方法により得られるシリカ系絶縁膜について述べる。   Hereinafter, a polymer according to an embodiment of the present invention and a method for producing the same, a composition for forming an insulating film containing the polymer, a method for producing an insulating film using the insulating film, and a silica obtained by the method for producing the insulating film The system insulating film will be described.

1.ポリマーおよびその製造方法
本発明の一実施形態のポリマーの製造方法は、(A)ポリカルボシラン(以下、「(A)成分」ともいう。)の存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマー(以下、「(B)成分」ともいう。)を加水分解縮合することを含む。
1. Polymer and Production Method Thereof A polymer production method according to an embodiment of the present invention includes (B) a hydrolyzable group-containing silane in the presence of (A) polycarbosilane (hereinafter also referred to as “component (A)”). It includes hydrolytic condensation of a monomer (hereinafter also referred to as “component (B)”).

1.1.(A)成分
(A)ポリカルボシランは、下記ポリマー(I)またはポリマー(II)である。
1.1. (A) component (A) Polycarbosilane is the following polymer (I) or polymer (II).

ポリマー(I):下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を開環重合することにより得られるポリマー
ポリマー(II):下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、下記一般式(3)で表される少なくとも1種のシラン化合物とを開環重合することにより得られるポリマー
Polymer (I): a polymer obtained by ring-opening polymerization of at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2) Polymer (II): represented by the following general formula (3), at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2) Obtained by ring-opening polymerization of at least one silane compound

Figure 2007204626
・・・・・(1)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、XおよびYは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、lは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(1)
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, X and Y are the same or different, represent a halogen atom or an alkoxy group, and l represents an integer of 2 to 4) .)

Figure 2007204626
・・・・・(2)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、Rは水素原子またはアルコキシ基以外の1価の有機基を示し、Zはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、mは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(2)
(Wherein R 3 and R 4 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group other than a hydrogen atom or an alkoxy group, and Z represents a halogen atom or an alkoxy group. M represents an integer of 2 to 4.)

Figure 2007204626
・・・・・(3)
(式中、R〜Rは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、nは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
(3)
(Wherein, R 6 to R 9 individually represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, n is an integer of 2-4.)

上記一般式(1)〜(3)において、R〜Rとして使用可能な1価の有機基の具体例としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基などの炭素数1〜10の直鎖状または分岐鎖状脂肪族基;シクロアルキル基、シクロアルケニル基、ビシクロアルキル基などの炭素数が3〜20の脂環式基;炭素数が6〜20のアリール基;および炭素数が6〜20のアラルキル基を挙げることができる。 In the above general formulas (1) to (3), specific examples of the monovalent organic group that can be used as R 1 to R 9 include linear chains having 1 to 10 carbon atoms such as an alkyl group, an alkenyl group, and an alkynyl group. Or branched aliphatic groups; alicyclic groups having 3 to 20 carbon atoms such as cycloalkyl groups, cycloalkenyl groups, and bicycloalkyl groups; aryl groups having 6 to 20 carbon atoms; and 6 to 6 carbon atoms There may be mentioned 20 aralkyl groups.

アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基などを挙げることができる。   Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, a t-butyl group, an n-pentyl group, an isopentyl group, and a neopentyl group.

アルケニル基としては、例えばビニル基、プロペニル基、3−ブテニル基、3−ペンテニル基、3−ヘキセニル基を挙げることができる。   Examples of the alkenyl group include a vinyl group, a propenyl group, a 3-butenyl group, a 3-pentenyl group, and a 3-hexenyl group.

アルキニル基としては、例えばプロパギル基、3−メチルプロパギル基、3−エチルプロパギル基などを挙げることができる。   Examples of the alkynyl group include a propargyl group, a 3-methylpropargyl group, and a 3-ethylpropargyl group.

シクロアルキル基としては、例えばシクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基などを挙げることができる。   Examples of the cycloalkyl group include a cyclopropyl group, a cyclobutyl group, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, and a norbornyl group.

アリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、α−チオフェン基、β−チオフェン基などを挙げることができる。   Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, a xylyl group, an α-naphthyl group, a β-naphthyl group, an α-thiophene group, and a β-thiophene group.

アラルキル基としては、例えばベンジル基、フェネチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基などを挙げることができる。   Examples of the aralkyl group include a benzyl group, a phenethyl group, a phenylpropyl group, and a phenylbutyl group.

X,Y,Zとして使用可能なハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を挙げることができる。また、X,Y,Zとして使用可能なアルコキシ基(−OR)のRとしては、アルキル基およびアリール基として上述したものを挙げることができる。   Examples of the halogen atom that can be used as X, Y, and Z include a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom. Examples of R of the alkoxy group (—OR) that can be used as X, Y, and Z include those described above as the alkyl group and the aryl group.

また、上記一般式(1)〜(3)において、l、mおよびnは2であることが好ましい。   In the general formulas (1) to (3), l, m, and n are preferably 2.

上記シラン化合物の開環重合は、例えば、無極性溶媒(例えばトルエン)中でハロゲン化白金酸(例えばクロロ白金酸)を触媒として用いることによって行なうことができる。さらに、開環重合は通常、アルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で行なうことが好ましい。 The ring-opening polymerization of the silane compound can be performed, for example, by using a halogenated platinic acid (for example, chloroplatinic acid) as a catalyst in a nonpolar solvent (for example, toluene). Furthermore, ring-opening polymerization is usually preferably performed in an inert atmosphere such as argon or nitrogen.

また、上記シラン化合物の開環重合は、無溶媒または有機溶媒中で行なうことができる。ここで使用可能な有機溶媒としては、例えば、ヘキサン、トルエン、キシレン、ベンゼンなどの炭化水素系溶媒、が挙げられる。   The ring-opening polymerization of the silane compound can be carried out without a solvent or in an organic solvent. Examples of the organic solvent that can be used here include hydrocarbon solvents such as hexane, toluene, xylene, and benzene.

1.1.1.化合物1
一般式(1)で表される化合物(以下、「化合物1」という)としては、例えば、1,1,3,3−テトラメトキシー1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラ−n−プロポキシ−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトライソプロポキシー1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラクロロ−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラブロモ−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラフルオロ−1,3−ジシラシクロブタンが挙げられる。化合物1は1種単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用することもできる。
1.1.1. Compound 1
As the compound represented by the general formula (1) (hereinafter referred to as “compound 1”), for example, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3 -Tetraethoxy-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetra-n-propoxy-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetraisopropoxy-1,3- Disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetrachloro-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetrabromo-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetra Fluoro-1,3-disilacyclobutane is mentioned. Compound 1 can be used alone or in combination of two or more.

1.1.2.化合物2
一般式(2)で表される化合物(以下、「化合物2」という)としては、例えば、1,3−ジメトキシ−1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメトキシ−1,3−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメトキシ−1,3−ジビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメトキシ−1,3−ジフェニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジエトキシ−1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジエトキシ−1,3−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジエトキシ−1,3−ジビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジエトキシ−1,3−ジフェニル−1、3−ジシラシクロブタン、1,3−ジクロロ−1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジクロロ−1,3−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジクロロ−1,3−ジビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジクロロ−1,3−ジフェニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジブロモ−1,3−ジメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジブロモ−1,3−ジエチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジブロモー1,3−ジビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジブロモ−1,3−ジフェニル−1,3−ジシラシクロブタンが挙げられる。化合物2は1種単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用することもできる。
1.1.2. Compound 2
Examples of the compound represented by the general formula (2) (hereinafter referred to as “compound 2”) include 1,3-dimethoxy-1,3-dimethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethoxy- 1,3-diethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethoxy-1,3-divinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethoxy-1,3-diphenyl-1,3- Disilacyclobutane, 1,3-diethoxy-1,3-dimethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-diethoxy-1,3-diethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-diethoxy- 1,3-divinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-diethoxy-1,3-diphenyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dichloro-1,3-dimethyl-1,3- Disilacyclo Pig 1,3-dichloro-1,3-diethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dichloro-1,3-divinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dichloro-1,3 -Diphenyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dibromo-1,3-dimethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dibromo-1,3-diethyl-1,3-disilacyclobutane 1,3-dibromo-1,3-divinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dibromo-1,3-diphenyl-1,3-disilacyclobutane. Compound 2 can be used alone or in combination of two or more.

1.1.3.化合物3
一般式(3)で表される化合物(以下、「化合物3」という)としては、例えば、1,1,3,3−テトラメチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラエチル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラ−n−プロピル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトライソプロピル−1,3−ジシラシクロブタン、1,1,3,3−テトラフェニル−1、3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメチル−1,3−ジエチル−1、3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメチル−1,3−ジビニル−1,3−ジシラシクロブタン、1,3−ジメチル−1,3−ジフェニル−1,3−ジシラシクロブタンが挙げられる。化合物3は1種単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用することもできる。
1.1.3. Compound 3
Examples of the compound represented by the general formula (3) (hereinafter referred to as “compound 3”) include 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3, and the like. -Tetraethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetravinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetra-n-propyl-1,3-disila Cyclobutane, 1,1,3,3-tetraisopropyl-1,3-disilacyclobutane, 1,1,3,3-tetraphenyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethyl-1,3- Diethyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethyl-1,3-divinyl-1,3-disilacyclobutane, 1,3-dimethyl-1,3-diphenyl-1,3-disilacyclobutane Can be mentioned. Compound 3 can be used singly or in combination of two or more.

なお、開環重合によりポリマー(II)を製造する場合、化合物1および化合物2の合計と、化合物3との割合は、95/5〜30/70であることが好ましく、90/10〜50/50であることがより好ましい。   In addition, when manufacturing polymer (II) by ring-opening polymerization, it is preferable that the ratio of the sum total of the compound 1 and the compound 2, and the compound 3 is 95 / 5-30 / 70, and 90 / 10-50 / More preferably, it is 50.

1.2.(B)成分
本発明において、「加水分解性基」とは、本発明のポリマーの製造時に加水分解されうる基をいう。加水分解性基の具体例としては、特に限定されないが、例えば、ケイ素原子に結合した水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アシロキシ基、スルホン基、メタンスルホン基、およびトリフルオロメタンスルホン基が挙げられる。
1.2. (B) component In this invention, a "hydrolyzable group" means the group which can be hydrolyzed at the time of manufacture of the polymer of this invention. Specific examples of the hydrolyzable group are not particularly limited, and examples thereof include a hydrogen atom bonded to a silicon atom, a halogen atom, a hydroxy group, an alkoxy group, an acyloxy group, a sulfone group, a methanesulfone group, and a trifluoromethanesulfone group. Can be mentioned.

(B)加水分解性基含有シランモノマーは、例えば、下記一般式(4)で表される化合物および下記一般式(5)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物であることができる。   (B) The hydrolyzable group-containing silane monomer is, for example, at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (4) and compounds represented by the following general formula (5). Can be.

10 SiX4−a ・・・・・(4)
(式中、R10は水素原子,フッ素原子または1価の有機基を示し、Xはハロゲン原子あるいはアルコキシル基を示し、aは0〜3の整数を示す。)
11 3−bSi−(R13−SiZ3−c12 ・・・・・(5)
〔式中、R11,R12は同一または異なり、1価の有機基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の整数を示し、R13は酸素原子,フェニレン基または−(CH−で表される基(ここで、eは1〜6の整数である。)を示し、YおよびZは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシル基を示し、dは0または1を示す。〕
R 10 a SiX 4-a (4)
(Wherein R 10 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, X represents a halogen atom or an alkoxyl group, and a represents an integer of 0 to 3)
R 11 b Y 3-b Si- (R 13) d -SiZ 3-c R 12 c ····· (5)
[Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represents a monovalent organic group, b and c are the same or different and represent an integer of 0 to 2, and R 13 represents an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) represents a group represented by e- (wherein e is an integer of 1 to 6), Y and Z are the same or different and represent a halogen atom or an alkoxyl group, and d represents 0 or 1 . ]

前記一般式(4)および(5)において、R10〜R12として使用可能な1価の有機基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基、ビニル基などを挙げることができる。また、前記一般式(4)において、R10は1価の有機基、特にアルキル基またはフェニル基であることが好ましい。 In the general formulas (4) and (5), examples of the monovalent organic group that can be used as R 10 to R 12 include an alkyl group, an aryl group, an allyl group, a glycidyl group, and a vinyl group. In the general formula (4), R 10 is preferably a monovalent organic group, particularly an alkyl group or a phenyl group.

ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数1〜5である。これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子、フッ素原子、アミノ基などに置換されていてもよい。   Here, as an alkyl group, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, etc. are mentioned, Preferably it is C1-C5. These alkyl groups may be chain-like or branched, and may be further substituted with a hydrogen atom, a fluorine atom, an amino group, or the like.

アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。   Examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, and a fluorophenyl group.

また、上記一般式(4)および(5)において、X,Y,Zとして使用可能なハロゲン原子の具体例としては、上記一般式(1)〜(3)において、X,Y,Zとして使用可能なハロゲン原子として例示したものを挙げることができる。   In addition, specific examples of halogen atoms that can be used as X, Y, and Z in the general formulas (4) and (5) include those used as X, Y, and Z in the general formulas (1) to (3). What was illustrated as a possible halogen atom can be mentioned.

さらに、Xのアルコキシ基の炭化水素部位については、R10の1価の有機基として挙げられたものをそのまま当てはめることができる。 Furthermore, as the hydrocarbon moiety of the alkoxy group of X, those mentioned as the monovalent organic group for R 10 can be applied as they are.

1.2.1.化合物4
前記一般式(4)で表される化合物(以下、「化合物4」ともいう)の具体例としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−n−プロポキシシラン、テトラ−iso−プロポキシシラン、テトラ−n−ブトキシシラン、テトラ−sec−ブトキシシラン、テトラ−tert−ブトキシシラン、テトラフェノキシシラン、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリ−n−プロポキシシラン、トリ−iso−プロポキシシラン、トリ−n−ブトキシシラン、トリ−sec−ブトキシシラン、トリ−tert−ブトキシシラン、トリフェノキシシラン、フルオロトリメトキシシラン、フルオロトリエトキシシラン、フルオロトリ−n−プロポキシシラン、フルオロトリ−iso−プロポキシシラン、フルオロトリ−n−ブトキシシラン、フルオロトリ−sec−ブトキシシラン、フルオロトリ−tert−ブトキシシラン、フルオロトリフェノキシシランなど;
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−iso−プロポキシシラン、メチルトリ−n−ブトキシシラン、メチルトリ−sec−ブトキシシラン、メチルトリ−tert−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−n−プロポキシシラン、エチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチルトリ−n−ブトキシシラン、エチルトリ−sec−ブトキシシラン、エチルトリ−tert−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリ−n−プロポキシシラン、ビニルトリ−iso−プロポキシシラン、ビニルトリ−n−ブトキシシラン、ビニルトリ−sec−ブトキシシラン、ビニルトリ−tert−ブトキシシラン、ビニルトリフェノキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、n−プロピルトリ−n−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−sec−ブトキシシラン、n−プロピルトリ−tert−ブトキシシラン、n−プロピルトリフェノキシシラン、i−プロピルトリメトキシシラン、i−プロピルトリエトキシシラン、i−プロピルトリ−n−プロポキシシラン、i−プロピルトリ−iso−プロポキシシラン、i−プロピルトリ−n−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−sec−ブトキシシラン、i−プロピルトリ−tert−ブトキシシラン、i−プロピルトリフェノキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−ブチルトリ−n−プロポキシシラン、n−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、n−ブチルトリ−n−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、n−ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、n−ブチルトリフェノキシシラン、sec−ブチルトリメトキシシラン、sec−ブチルトリエトキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−プロポキシシラン、sec−ブチル−トリ−iso−プロポキシシラン、sec−ブチル−トリ−n−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリ−sec−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリ−tert−ブトキシシラン、sec−ブチル−トリフェノキシシラン、t−ブチルトリメトキシシラン、t−ブチルトリエトキシシラン、t−ブチルトリ−n−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−iso−プロポキシシラン、t−ブチルトリ−n−ブトキシシラン、t−ブチルトリ−sec−ブトキシシラン、t−ブチルトリ−tert−ブトキシシラン、t−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−n−プロポキシシラン、フェニルトリ−iso−プロポキシシラン、フェニルトリ−n−ブトキシシラン、フェニルトリ−sec−ブトキシシラン、フェニルトリ−tert−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフロロプロピルトリエトキシシランなど;
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジメチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジメチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジエチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジエチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−n−プロピルジメトキシシラン、ジ−n−プロピルジエトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−iso−プロピルジメトキシシラン、ジ−iso−プロピルジエトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−iso−プロピル−ジ−フェノキシシラン、ジ−n−ブチルジメトキシシラン、ジ−n−ブチルジエトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−n−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−sec−ブチルジメトキシシラン、ジ−sec−ブチルジエトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−sec−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジ−tert−ブチルジメトキシシラン、ジ−tert−ブチルジエトキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−プロポキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−n−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジ−tert−ブチル−ジ−フェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニル−ジ−エトキシシラン、ジフェニル−ジ−n−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−iso−プロポキシシラン、ジフェニル−ジ−n−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−sec−ブトキシシラン、ジフェニル−ジ−tert−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリメトキシシランなど;
テトラクロロシラン、テトラブロモシラン、テトラヨードシラン、トリクロロシラン、トリブロモシラン、トリヨードシラン、メチルトリクロロシラン、エチルトリクロロシラン、n−プロピルトリクロロシラン、イソプロピルトリクロロシラン、n−ブチルトリクロロシラン、t−ブチルトリクロロシラン、シクロヘキシルトリクロロシラン、フェネチルトリクロロシラン、2−ノルボルニルトリクロロシラン、ビニルトリクロロシラン、フェニルトリクロロシラン、メチルトリブロモシラン、エチルトリブロモシラン、n−プロピルトリブロモシラン、イソプロピルトリブロモシラン、n−ブチルトリブロモシラン、t−ブチルトリブロモシラン、シクロヘキシルトリブロモシラン、フェネチルトリブロモシラン、2−ノルボルニルトリブロモシラン、ビニルトリブロモシラン、フェニルトリブロモシラン、メチルトリヨードシラン、エチルトリヨードシラン、n−プロピルトリヨードシラン、イソプロピルトリヨードシラン、n−ブチルトリヨードシラン、t−ブチルトリヨードシラン、シクロヘキシルトリヨードシラン、フェネチルトリヨードシラン、2−ノルボルニルトリヨードシラン、ビニルトリヨードシラン、フェニルトリヨードシラン、ジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジ−n−プロピルジクロロシラン、ジイソプロピルジクロロシラン、ジ−n−ブチルジクロロシラン、ジ−t−ブチルジクロロシラン、ジシクロヘキシルジクロロシラン、ジフェネチルジクロロシラン、ジ−2−ノルボルニルジクロロシラン、ジビニルジクロロシラン、ジフェニルジクロロシラン、ジメチルジブロモシラン、ジエチルジブロモシラン、ジ−n−プロピルジブロモシラン、ジイソプロピルジブロモシラン、ジ−n−ブチルジブロモシラン、ジ−t−ブチルジブロモシラン、ジシクロヘキシルジブロモシラン、ジフェネチルジブロモシラン、ジ−2−ノルボルニルジブロモシラン、ジビニルジブロモシラン、ジフェニルジブロモシラン、ジメチルジヨードシラン、ジエチルジヨードシラン、ジ−n−プロピルジヨードシラン、ジイソプロピルジヨードシラン、ジ−n−ブチルジヨードシラン、ジ−t−ブチルジヨードシラン、ジシクロヘキシルジヨードシラン、ジフェネチルジヨードシラン、ジ−2−ノルボルニルジヨードシラン、ジビニルジヨードシラン、ジフェニルジヨードシラン、トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラン、トリ−n−プロピルクロロシラン、トリイソプロピルクロロシラン、トリ−n−ブチルクロロシラン、トリ−t−ブチルクロロシラン、トリシクロヘキシルクロロシラン、トリフェネチルクロロシラン、トリ−2−ノルボルニルクロロシラン、トリビニルクロロシラン、トリフェニルクロロシラン、トリメチルブロモシラン、トリエチルブロモシラン、トリ−n−プロピルブロモシラン、トリイソプロピルブロモシラン、トリ−n−ブチルブロモシラン、トリ−t−ブチルブロモシラン、トリシクロヘキシルブロモシラン、トリフェネチルブロモシラン、トリ−2−ノルボルニルブロモシラン、トリビニルブロモシラン、トリフェニルブロモシラン、トリメチルヨードシラン、トリエチルヨードシラン、トリ−n−プロピルヨードシラン、トリイソプロピルヨードシラン、トリ−n−ブチルヨードシラン、トリ−t−ブチルヨードシラン、トリシクロヘキシルヨードシラン、トリフェネチルヨードシラン、トリ−2−ノルボルニルヨードシラン、トリビニルヨードシラン、トリフェニルヨードシランなどのケイ素化合物を挙げることができる。これらの化合物は1種単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用することもできる。
1.2.1. Compound 4
Specific examples of the compound represented by the general formula (4) (hereinafter also referred to as “compound 4”) include, for example, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, and tetra-iso-propoxysilane. , Tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-butoxysilane, tetra-tert-butoxysilane, tetraphenoxysilane, trimethoxysilane, triethoxysilane, tri-n-propoxysilane, tri-iso-propoxysilane, tri- n-butoxysilane, tri-sec-butoxysilane, tri-tert-butoxysilane, triphenoxysilane, fluorotrimethoxysilane, fluorotriethoxysilane, fluorotri-n-propoxysilane, fluorotri-iso-propoxysilane, fluoroto -n- butoxysilane, fluorotriazinyl -sec- butoxysilane, fluoro tri -tert- butoxysilane, etc. fluoro triphenoxy silane;
Methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, methyltri-n-butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, Ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, ethyltri-iso-propoxysilane, ethyltri-n-butoxysilane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane, ethyltriphenoxysilane, Vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltri-n-propoxysilane, vinyltri-iso-propoxysilane, vinyltri-n-butoxy Vinyltri-sec-butoxysilane, vinyltri-tert-butoxysilane, vinyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri-n-propoxysilane, n-propyltri- iso-propoxysilane, n-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec-butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, i-propyltrimethoxysilane, i -Propyltriethoxysilane, i-propyltri-n-propoxysilane, i-propyltri-iso-propoxysilane, i-propyltri-n-butoxysilane, i-propyltri-sec-butoxysilane, i-propyltri -Ter -Butoxysilane, i-propyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltri-iso-propoxysilane, n-butyltri-n-butoxy Silane, n-butyltri-sec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, sec-butyltrimethoxysilane, sec-butyltriethoxysilane, sec-butyl-tri-n-propoxy Silane, sec-butyl-tri-iso-propoxysilane, sec-butyl-tri-n-butoxysilane, sec-butyl-tri-sec-butoxysilane, sec-butyl-tri-tert-butoxysilane, sec-butyl- Triphenoki Sisilane, t-butyltrimethoxysilane, t-butyltriethoxysilane, t-butyltri-n-propoxysilane, t-butyltri-iso-propoxysilane, t-butyltri-n-butoxysilane, t-butyltri-sec-butoxy Silane, t-butyltri-tert-butoxysilane, t-butyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltri-iso-propoxysilane, phenyltri-n-butoxy Silane, phenyltri-sec-butoxysilane, phenyltri-tert-butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ- Aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, γ-trifluoropropyltriethoxysilane, and the like;
Dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, dimethyl-di-n-propoxysilane, dimethyl-di-iso-propoxysilane, dimethyl-di-n-butoxysilane, dimethyl-di-sec-butoxysilane, dimethyl-di-tert -Butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diethyl-di-n-propoxysilane, diethyl-di-iso-propoxysilane, diethyl-di-n-butoxysilane, diethyl-di-sec -Butoxysilane, diethyl-di-tert-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di-n-propyldiethoxysilane, di-n-propyl-di-n-propoxysilane, di- n-propyl- -Iso-propoxysilane, di-n-propyl-di-n-butoxysilane, di-n-propyl-di-sec-butoxysilane, di-n-propyl-di-tert-butoxysilane, di-n-propyl -Di-phenoxysilane, di-iso-propyldimethoxysilane, di-iso-propyldiethoxysilane, di-iso-propyl-di-n-propoxysilane, di-iso-propyl-di-iso-propoxysilane, di -Iso-propyl-di-n-butoxysilane, di-iso-propyl-di-sec-butoxysilane, di-iso-propyl-di-tert-butoxysilane, di-iso-propyl-di-phenoxysilane, di -N-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n-butyl-di-n-pro Xysilane, di-n-butyl-di-iso-propoxysilane, di-n-butyl-di-n-butoxysilane, di-n-butyl-di-sec-butoxysilane, di-n-butyl-di-tert -Butoxysilane, di-n-butyl-di-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyl-di-n-propoxysilane, di-sec-butyl -Di-iso-propoxysilane, di-sec-butyl-di-n-butoxysilane, di-sec-butyl-di-sec-butoxysilane, di-sec-butyl-di-tert-butoxysilane, di-sec -Butyl-di-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxysilane, di-tert-butyldiethoxysilane, di-tert -Butyl-di-n-propoxysilane, di-tert-butyl-di-iso-propoxysilane, di-tert-butyl-di-n-butoxysilane, di-tert-butyl-di-sec-butoxysilane, di -Tert-butyl-di-tert-butoxysilane, di-tert-butyl-di-phenoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyl-di-ethoxysilane, diphenyl-di-n-propoxysilane, diphenyl-di-iso-propoxy Silane, diphenyl-di-n-butoxysilane, diphenyl-di-sec-butoxysilane, diphenyl-di-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane and the like;
Tetrachlorosilane, tetrabromosilane, tetraiodosilane, trichlorosilane, tribromosilane, triiodosilane, methyltrichlorosilane, ethyltrichlorosilane, n-propyltrichlorosilane, isopropyltrichlorosilane, n-butyltrichlorosilane, t-butyltri Chlorosilane, cyclohexyltrichlorosilane, phenethyltrichlorosilane, 2-norbornyltrichlorosilane, vinyltrichlorosilane, phenyltrichlorosilane, methyltribromosilane, ethyltribromosilane, n-propyltribromosilane, isopropyltribromosilane, n- Butyltribromosilane, t-butyltribromosilane, cyclohexyltribromosilane, phenethyltribromosilane, 2-norbornyltri Lomosilane, vinyltribromosilane, phenyltribromosilane, methyltriiodosilane, ethyltriiodosilane, n-propyltriiodosilane, isopropyltriiodosilane, n-butyltriiodosilane, t-butyltriiodosilane, cyclohexyltri Iodosilane, phenethyltriiodosilane, 2-norbornyltriiodosilane, vinyltriiodosilane, phenyltriiodosilane, dimethyldichlorosilane, diethyldichlorosilane, di-n-propyldichlorosilane, diisopropyldichlorosilane, di-n -Butyldichlorosilane, di-t-butyldichlorosilane, dicyclohexyldichlorosilane, diphenethyldichlorosilane, di-2-norbornyldichlorosilane, divinyldichlorosilane, diph Nyldichlorosilane, dimethyldibromosilane, diethyldibromosilane, di-n-propyldibromosilane, diisopropyldibromosilane, di-n-butyldibromosilane, di-t-butyldibromosilane, dicyclohexyldibromosilane, diphenethyldibromosilane, di 2-norbornyldibromosilane, divinyldibromosilane, diphenyldibromosilane, dimethyldiiodosilane, diethyldiiodosilane, di-n-propyldiiodosilane, diisopropyldiiodosilane, di-n-butyldiiodosilane, Di-t-butyldiiodosilane, dicyclohexyldiiodosilane, diphenethyldiiodosilane, di-2-norbornyldiiodosilane, divinyldiiodosilane, diphenyldiiodosilane, trimethylchloro Rosilane, triethylchlorosilane, tri-n-propylchlorosilane, triisopropylchlorosilane, tri-n-butylchlorosilane, tri-t-butylchlorosilane, tricyclohexylchlorosilane, triphenethylchlorosilane, tri-2-norbornylchlorosilane, trivinylchlorosilane , Triphenylchlorosilane, trimethylbromosilane, triethylbromosilane, tri-n-propylbromosilane, triisopropylbromosilane, tri-n-butylbromosilane, tri-t-butylbromosilane, tricyclohexylbromosilane, triphenethylbromo Silane, tri-2-norbornylbromosilane, trivinylbromosilane, triphenylbromosilane, trimethyliodosilane, triethyliodosilane, Ri-n-propyliodosilane, triisopropyliodosilane, tri-n-butyliodosilane, tri-t-butyliodosilane, tricyclohexyliodosilane, triphenethyliodosilane, tri-2-norbornyliodosilane, tri Examples thereof include silicon compounds such as vinyliodosilane and triphenyliodosilane. These compounds can be used alone or in a mixture of two or more.

化合物4としては、好ましくは、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−n−プロポキシシラン、メチルトリ−iso−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、テトラメトキシシランなどである。   The compound 4 is preferably methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxy. Silane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, tetramethoxysilane and the like.

これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。   These may be used alone or in combination of two or more.

1.2.2.化合物5
一般式(5)で表される化合物(以下、「化合物5」ともいう。)のうち、一般式(5)において、R13が酸素原子の化合物としては、ヘキサクロロジシロキサン、ヘキサブロモジシロキサン、ヘキサヨードシジシロキサン、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−メチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−エチルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタメトキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタエトキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,1,3,3−ペンタフェノキシ−3−フェニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジエチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3,3−テトラフェノキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリメチルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリエチルジシロキサン、1,1,3−トリメトキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,1,3−トリエトキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,1,3−トリフェノキシ−1,3,3−トリフェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラエチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジフェノキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサンなどを挙げることができる。
1.2.2. Compound 5
Among the compounds represented by the general formula (5) (hereinafter also referred to as “compound 5”), in the general formula (5), as the compound in which R 13 is an oxygen atom, hexachlorodisiloxane, hexabromodisiloxane, Hexaiodosidisiloxane, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-penta Ethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1, 1,3,3-pentaethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1, 3,3-pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-phenyldisiloxane 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy- 1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3 3,3-tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-diphenyl Siloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3 , 3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3- Triethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetramethyldi Siloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diphenoxy-1,1,3 3-tetraethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diphenoxy- Examples thereof include 1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラエトキシ−1,3−ジメチルジシロキサン、1,1,3,3−テトラメトキシ−1,3−ジフェニルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、1,3−ジメトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサン、1,3−ジエトキシ−1,1,3,3−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げることができる。   Of these, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane Siloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1, 3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and the like are preferable. As an example.

また、化合物5のうち、一般式(5)において、dが0の化合物としては、ヘキサクロロジシラン、ヘキサブロモジシラン、ヘキサヨードシジシラン、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2−メチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−メチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−メチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−エチルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタメトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタエトキシ−2−フェニルジシラン、1,1,1,2,2−ペンタフェノキシ−2−フェニルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジエチルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2,2−テトラフェノキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリメチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリエチルジシラン、1,1,2−トリメトキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,1,2−トリエトキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,1,2−トリフェノキシ−1,2,2−トリフェニルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テトラエチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジフェノキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを挙げることができる。   In addition, among the compounds 5, in the general formula (5), the compound in which d is 0 includes hexachlorodisilane, hexabromodisilane, hexaiodosidisilane, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1, 1,2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2 -Ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2- Dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy- 1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2 -Tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1, 2-G Ethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1, 2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1 , 1,2-Triethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2- Tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1, 2 , 2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1, Examples include 2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, and the like.

これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラエトキシ−1,2−ジメチルジシラン、1,1,2,2−テトラメトキシ−1,2−ジフェニルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラメチルジシラン、1,2−ジメトキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシラン、1,2−ジエトキシ−1,1,2,2−テトラフェニルジシランなどを、好ましい例として挙げることができる。   Of these, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1, 1,2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyl Preferred examples include disilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, and the like.

さらに、化合物5のうち、一般式(5)において、R13が−(CH−で表される基の化合物としては、ビス(トリクロロシリル)メタン、ビス(トリブロモシリル)メタン、ビス(トリヨードシリル)メタン、ビス(トリクロロシリル)エタン、ビス(トリブロモシリル)エタン、ビス(トリヨードシリル)エタン、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、ビス(トリ−n−プロポキシシリル)メタン、ビス(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、ビス(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)メタン、ビス(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)エタン、1、2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリ−n−1、ブトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)エタン、1、1,2、2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジ−n−プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−n−プロポキシシリル)メタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−1−(トリ−i−プロポキシシリル)メタン、1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−n−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−sec−ブトキシシリル)メタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−1−(トリ−t−ブトキシシリル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジ−n−プロポキシメチルシリル)−2−(トリ−n−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−i−プロポキシメチルシリル)−2−(トリ−i−プロポキシシリル)エタン、1−(ジ−n−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−n−ブトキシシリル)エタン、1−(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−sec−ブトキシシリル)エタン、1−(ジ−t−ブトキシメチルシリル)−2−(トリ−t−ブトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)メタン、ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)メタン、ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ−n−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ−i−プロポキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ−n−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ−sec−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジ−t−ブトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリ−n−プロポキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリ−i−プロポキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリ−n−ブトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリ−sec−ブトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリ−t−ブトキシシリル)ベンゼンなど挙げることができる。 Furthermore, among the compounds 5, in the general formula (5), R 13 is a group represented by — (CH 2 ) e —, and bis (trichlorosilyl) methane, bis (tribromosilyl) methane, bis (Triiodosilyl) methane, bis (trichlorosilyl) ethane, bis (tribromosilyl) ethane, bis (triiodosilyl) ethane, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (tri- n-propoxysilyl) methane, bis (tri-i-propoxysilyl) methane, bis (tri-n-butoxysilyl) methane, bis (tri-sec-butoxysilyl) methane, bis (tri-t-butoxysilyl) methane 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,2-bi (Tri-n-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-i-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-1, butoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri- sec-butoxysilyl) ethane, 1,1,2,2-bis (tri-t-butoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) ) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -1- (tri-n-propoxysilyl) methane, 1- (di-i-propoxymethylsilyl) -1- ( Tri-i-propoxysilyl) methane, 1- (di-n-butoxymethylsilyl) -1- (tri-n-butoxysilyl) methane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -1 -(Tri-sec-butoxysilyl) methane, 1- (di-t-butoxymethylsilyl) -1- (tri-t-butoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) Ethane, 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -2- (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1- (di-i -Propoxymethylsilyl) -2- (tri-i-propoxysilyl) ethane, 1- (di-n-butoxymethylsilyl) -2- (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1- (di-sec-butoxy) Methylsilyl) -2- (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1- (di-t-butoxymethylsilyl) -2- (tri-t-butoxysilyl) ethane, bis (di Toximethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, bis (di-n-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-i-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-n-butoxymethylsilyl) methane Bis (di-sec-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-t-butoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-i-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-butoxymethylsilyl) ethane, 1, 2-bis (di-sec-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-t-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bi (Trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene, 1 , 2-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-t-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis ( Trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-i-propoxysilyl) benzene, 1, 3-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-t-butoxysilyl) L) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri -I-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-t-butoxysilyl) ) Benzene and the like.

これらのうち、ビス(トリメトキシシリル)メタン、ビス(トリエトキシシリル)メタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)エタン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)エタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−1−(トリメトキシシリル)メタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−1−(トリエトキシシリル)メタン、1−(ジメトキシメチルシリル)−2−(トリメトキシシリル)エタン、1−(ジエトキシメチルシリル)−2−(トリエトキシシリル)エタン、ビス(ジメトキシメチルシリル)メタン、ビス(ジエトキシメチルシリル)メタン、1,2−ビス(ジメトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(ジエトキシメチルシリル)エタン、1,2−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,2−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,3−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリメトキシシリル)ベンゼン、1,4−ビス(トリエトキシシリル)ベンゼンなどを好ましい例として挙げることができる。   Of these, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) ) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) ethane, 1- (di Ethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di Ethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxy) Silyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) Benzene etc. can be mentioned as a preferable example.

化合物5は1種単独でも使用できるし、2種以上を混合して使用することもできる。   Compound 5 can be used alone or in combination of two or more.

1.3.ポリマーの製造
本実施形態のポリマーの製造方法においては、(A)成分の存在下、(B)成分(化合物4,5の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物)を加水分解縮合させる際に、(B)成分の総量1モル当たり0.5モルを越え150モル以下の水を用いることが好ましく、0.5モルを越え130モル以下の水を加えることが特に好ましい。
1.3. Polymer Production In the polymer production method of the present embodiment, in the presence of the component (A), the component (B) (at least one silane compound selected from the group of compounds 4 and 5) is hydrolytically condensed. In addition, it is preferable to use more than 0.5 mol and less than 150 mol of water, and particularly preferably more than 0.5 mol and less than 130 mol of water per mol of the total amount of component (B).

1.3.1.触媒
また、本発明の一実施形態のポリマーの製造方法において、(A)成分の存在下、(B)成分を加水分解縮合させる際に、特定の触媒を用いることができる。触媒としては、例えば、塩基性触媒、金属キレート触媒、酸性触媒の群から選ばれる少なくとも1種を使用することができる。
1.3.1. Catalyst In the method for producing a polymer according to an embodiment of the present invention, a specific catalyst can be used when hydrolyzing and condensing the component (B) in the presence of the component (A). As a catalyst, at least 1 sort (s) chosen from the group of a basic catalyst, a metal chelate catalyst, and an acidic catalyst can be used, for example.

塩基性触媒としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、ピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ペンチルアミン、オクチルアミン、ノニルアミン、デシルアミン、N,N−ジメチルアミン、N,N−ジエチルアミン、N,N−ジプロピルアミン、N,N−ジブチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリメチルイミジン、1−アミノ−3−メチルブタン、ジメチルグリシン、3−アミノ−3−メチルアミンなどを挙げることができ、アミンあるいはアミン塩が好ましく、有機アミンあるいは有機アミン塩が特に好ましく、アルキルアミン、テトラアルキルアンモニウムハイドロオキサイドが最も好ましい。これらの塩基性触媒は1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。   Examples of the basic catalyst include sodium hydroxide, potassium hydroxide, lithium hydroxide, pyridine, pyrrole, piperazine, pyrrolidine, piperidine, picoline, monoethanolamine, diethanolamine, dimethylmonoethanolamine, monomethyldiethanolamine, triethanolamine, Diazabicyclooctane, diazabicyclononane, diazabicycloundecene, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, ammonia, methylamine, ethylamine, propylamine, butylamine , Pentylamine, hexylamine, pentylamine, octylamine, nonylamine, Silamine, N, N-dimethylamine, N, N-diethylamine, N, N-dipropylamine, N, N-dibutylamine, trimethylamine, triethylamine, tripropylamine, tributylamine, cyclohexylamine, trimethylimidine, 1- Amino-3-methylbutane, dimethylglycine, 3-amino-3-methylamine and the like can be mentioned, amines or amine salts are preferable, organic amines or organic amine salts are particularly preferable, and alkylamines and tetraalkylammonium hydroxides are preferable. Most preferred. These basic catalysts may be used alone or in combination of two or more.

金属キレート触媒としては、例えば、トリエトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、トリ−t−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)チタン、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)チタン、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−i−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)チタン、テトラキス(アセチルアセトナート)チタン、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−i−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、トリ−t−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)チタン、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)チタン、モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−sec−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)チタン、テトラキス(エチルアセトアセテート)チタン、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルアセトアセテート)チタン、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセトアセテート)チタン、トリス(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセトアセテート)チタンなどのチタンキレート化合物;
トリエトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジエトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−i−プロポキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ・トリス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、テトラキス(アセチルアセトナート)ジルコニウム、トリエトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−n−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−i−プロポキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−n−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−sec−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリ−t−ブトキシ・モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジエトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−i−プロポキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−n−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−sec−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ジ−t−ブトキシ・ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノエトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−n−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−i−プロポキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−n−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−sec−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ−t−ブトキシ・トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、テトラキス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、モノ(アセチルアセトナート)トリス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、ビス(アセチルアセトナート)ビス(エチルアセトアセテート)ジルコニウム、トリス(アセチルアセトナート)モノ(エチルアセトアセテート)ジルコニウムなどのジルコニウムキレート化合物;
トリス(アセチルアセトナート)アルミニウム、トリス(エチルアセトアセテート)アルミニウムなどのアルミニウムキレート化合物;
などを挙げることができ、好ましくはチタンまたはアルミニウムのキレート化合物、特に好ましくはチタンのキレート化合物を挙げることができる。これらの金属キレート触媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
Examples of the metal chelate catalyst include triethoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n- Butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxybis (acetylacetonato) titanium, di- n-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-i-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxy bis (acetylacetate) Natto) titanium, di-t-butoxy bis Acetylacetonato) titanium, monoethoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-i-propoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-butoxy Tris (acetylacetonato) titanium, mono-sec-butoxytris (acetylacetonato) titanium, mono-t-butoxytris (acetylacetonato) titanium, tetrakis (acetylacetonato) titanium, triethoxy mono (ethyl) Acetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-sec Butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di- i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-t-butoxy bis (ethyl acetoacetate) Acetate) titanium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-butoxy tris (Ethyl acetoacetate Tate) titanium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-t-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, tetrakis (ethyl acetoacetate) titanium, mono (acetylacetonate) tris (ethyl aceto) Titanium chelate compounds such as acetate) titanium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium;
Triethoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-i-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonate) Zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-t-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-n-propoxybis (acetylacetate) Nato) zirconium, di-i-propoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-sec-butoxy bis (acetylacetonato) ziru Ni, di-t-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-propoxytris (acetylacetonato) zirconium, mono-i-propoxytris (acetyl) Acetonato) zirconium, mono-n-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-t-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, tetrakis (acetyl) Acetonato) zirconium, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-i-propoxy mono (ethyl acetate) Acetate) zirconium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-t-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, diethoxy bis ( Ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-i-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di- sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-t-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n- Propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-i-propoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) Zirconium, mono-t-butoxy-tris (ethylacetoacetate) zirconium, tetrakis (ethylacetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonato) tris (ethylacetoacetate) zirconium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) Zirconium chelate compounds such as zirconium, tris (acetylacetonate) mono (ethylacetoacetate) zirconium;
Aluminum chelate compounds such as tris (acetylacetonate) aluminum, tris (ethylacetoacetate) aluminum;
Preferred examples include titanium or aluminum chelate compounds, and particularly preferred are titanium chelate compounds. These metal chelate catalysts may be used alone or in combination of two or more.

酸性触媒としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸、ホウ酸などの無機酸;
酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、シキミ酸、2−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、p−アミノ安息香酸、p−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、シュウ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、コハク酸、フマル酸、イタコン酸、メサコン酸、シトラコン酸、リンゴ酸、グルタル酸の加水分解物、無水マレイン酸の加水分解物、無水フタル酸の加水分解物などの有機酸を挙げることができ、有機カルボン酸をより好ましい例として挙げることができる。これらの酸性触媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
Examples of the acidic catalyst include inorganic acids such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, hydrofluoric acid, phosphoric acid, and boric acid;
Acetic acid, propionic acid, butanoic acid, pentanoic acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octanoic acid, nonanoic acid, decanoic acid, oxalic acid, maleic acid, methylmalonic acid, adipic acid, sebacic acid, gallic acid, butyric acid, merit acid, Arachidonic acid, shikimic acid, 2-ethylhexanoic acid, oleic acid, stearic acid, linoleic acid, linolenic acid, salicylic acid, benzoic acid, p-aminobenzoic acid, p-toluenesulfonic acid, benzenesulfonic acid, monochloroacetic acid, dichloroacetic acid , Trichloroacetic acid, trifluoroacetic acid, formic acid, oxalic acid, malonic acid, sulfonic acid, phthalic acid, fumaric acid, citric acid, tartaric acid, succinic acid, fumaric acid, itaconic acid, mesaconic acid, citraconic acid, malic acid, glutaric acid Organic products such as hydrolyzate of hydrolyzate, hydrolyzate of maleic anhydride, hydrolyzate of phthalic anhydride It can be exemplified, and organic carboxylic acids as a more preferable example. These acidic catalysts may be used alone or in combination of two or more.

前記触媒の使用量は、(B)成分として化合物4,5の少なくとも一方を使用する場合、化合物4,5中のX,Y,Zで表される基の総量1モルに対して、通常、0.00001〜10モル、好ましくは0.00005〜5モルである。触媒の使用量が前記範囲内であれば、反応中のポリマーの析出やゲル化のおそれが少ない。また、(B)成分を加水分解縮合するときの温度は、通常0〜100℃、好ましくは15〜80℃である。   The use amount of the catalyst is usually based on 1 mol of the total group represented by X, Y, Z in the compounds 4, 5 when using at least one of the compounds 4, 5 as the component (B). It is 0.00001-10 mol, preferably 0.00005-5 mol. If the amount of the catalyst used is within the above range, there is little risk of polymer precipitation or gelation during the reaction. Moreover, the temperature when hydrolyzing and condensing (B) component is 0-100 degreeC normally, Preferably it is 15-80 degreeC.

本発明において、「完全加水分解縮合物」とは、(A)成分および(B)成分中の加水分解性基が100%加水分解してSiOH基となり、さらに完全に縮合してシロキサン構造となったものをいう。   In the present invention, the term “completely hydrolyzed condensate” means that the hydrolyzable group in the component (A) and the component (B) is 100% hydrolyzed to become a SiOH group, and further completely condensed into a siloxane structure. Say something.

また、本実施形態によって得られるポリマーは、得られる組成物の貯蔵安定性がより優れることから、(A)成分と化合物4との加水分解縮合物であることが好ましい。   Moreover, since the polymer obtained by this embodiment is more excellent in the storage stability of the composition obtained, it is preferable that it is a hydrolysis-condensation product of (A) component and the compound 4.

本実施形態のポリマーの製造方法において、(A)成分に対する(B)成分の使用量は、(A)成分100重量部に対して(B)成分の総量が10〜1,000,000重量部であり、より好ましくは100〜1,000重量部である。   In the polymer production method of the present embodiment, the amount of component (B) used relative to component (A) is such that the total amount of component (B) is 10 to 1,000,000 parts by weight per 100 parts by weight of component (A). More preferably, it is 100 to 1,000 parts by weight.

本実施形態の製造方法によって得られるポリマーのポリスチレン換算重量平均分子量は、通常、5,000〜500,000であるのが好ましく、10,000〜300,000であるのがより好ましく、20,000〜200,000であるのがさらに好ましい。本実施形態のポリマーのポリスチレン換算重量平均分子量が5,000未満であると、目的とする比誘電率が得られない場合があり、一方、500,000を超えると、貯蔵安定性や塗膜の面内均一性が劣る場合がある。   The weight average molecular weight in terms of polystyrene of the polymer obtained by the production method of the present embodiment is usually preferably 5,000 to 500,000, more preferably 10,000 to 300,000, and 20,000. More preferably, it is -200,000. When the polystyrene-reduced weight average molecular weight of the polymer of this embodiment is less than 5,000, the intended relative dielectric constant may not be obtained. On the other hand, when it exceeds 500,000, the storage stability and the coating film In-plane uniformity may be inferior.

1.3.2.有機溶媒
(B)成分の加水分解縮合は有機溶媒中で行なうことができる。ここで、有機溶媒としては、後述する有機溶媒の中でも下記一般式(6)で表される溶剤であることが好ましい。
1.3.2. Organic solvent Hydrolytic condensation of component (B) can be carried out in an organic solvent. Here, the organic solvent is preferably a solvent represented by the following general formula (6) among the organic solvents described later.

14O(CHCHCHO)γ15 ・・・・・(6)
(R14およびR15は、それぞれ独立して水素原子、炭素数1〜4のアルキル基またはCHCO−から選ばれる1価の有機基を示し、γは1〜2の整数を表す。)
R 14 O (CHCH 3 CH 2 O) γ R 15 (6)
(R 14 and R 15 each independently represent a hydrogen atom, a C 1-4 alkyl group or a monovalent organic group selected from CH 3 CO—, and γ represents an integer of 1-2.)

上記一般式(6)において、炭素数1〜4のアルキル基としては、先の一般式(1)においてアルキル基として示したものと同様のものを挙げることができる。   In the said General formula (6), as a C1-C4 alkyl group, the thing similar to what was shown as an alkyl group in previous General formula (1) can be mentioned.

上記一般式(6)で表される有機溶媒としては、具体例には、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールジプロピルエーテル、ジプロピレングリコールジブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールジアセテート、ジプロピレングリコールジアセテートなどが挙げられ、特にプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテートが好ましい。これらは1種または2種以上を同時に使用することができる。なお、上記一般式(6)で表される溶剤とともに、アルコール系溶媒、エステル系溶媒、アミド系溶媒等の他の溶剤が多少含まれていてもよい。   Specific examples of the organic solvent represented by the general formula (6) include propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether. , Propylene glycol dipropyl ether, propylene glycol dibutyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol diethyl ether, di Propylene glycol dipropyl ether, di Lopylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene glycol mono Propyl ether acetate, dipropylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol diacetate, dipropylene glycol diacetate, etc., especially propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol Glycol monobutyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate are preferable. These can use 1 type (s) or 2 or more types simultaneously. In addition to the solvent represented by the general formula (6), other solvents such as alcohol solvents, ester solvents, amide solvents may be included to some extent.

2.絶縁膜形成用組成物
本発明の一実施形態の絶縁膜形成用組成物(以下、「膜形成用組成物」という)は、上記実施形態のポリマーに加えて、有機ポリマー、界面活性剤などの成分を含有してもよい。
2. Composition for Forming Insulating Film The composition for forming an insulating film according to one embodiment of the present invention (hereinafter referred to as “film forming composition”) includes an organic polymer, a surfactant and the like in addition to the polymer of the above embodiment. You may contain a component.

有機ポリマーとしては、例えば、(メタ)アクリル系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物などを挙げることができる。   Examples of the organic polymer include (meth) acrylic polymers and compounds having a polyalkylene oxide structure.

ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などが挙げられる。   Examples of the compound having a polyalkylene oxide structure include a polymethylene oxide structure, a polyethylene oxide structure, a polypropylene oxide structure, a polytetramethylene oxide structure, and a polybutylene oxide structure.

具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。   Specifically, polyoxymethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene alkylphenyl ether, polyoxyethylene sterol ether, polyoxyethylene lanolin derivative, ethylene oxide derivative of alkylphenol formalin condensate, polyoxyethylene poly Ether type compounds such as oxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, polyoxyethylene fatty acid alkanolamide sulfate, etc. Ether ester type compound, polyethylene glycol fatty acid ester, ethylene glycol fat Esters, fatty acid monoglycerides, polyglycerol fatty acid esters, sorbitan fatty acid esters, propylene glycol fatty acid esters, and the like ether ester type compounds such as sucrose fatty acid esters.

ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。   Examples of the polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer include compounds having the following block structure.

−(X’)j−(Y’)k−
−(X’)j−(Y’)k−(X’)1−
(式中、X’は−CHCHO−で表される基を、Y’は−CHCH(CH)O−で表される基を示し、jは1〜90、kは10〜99、lは0〜90の数を示す。)
-(X ') j- (Y') k-
-(X ') j- (Y') k- (X ') 1-
(In the formula, X ′ represents a group represented by —CH 2 CH 2 O—, Y ′ represents a group represented by —CH 2 CH (CH 3 ) O—, j is 1 to 90, k is 10 to 99, l represents a number from 0 to 90)

これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。   Among these, polyoxyethylene alkyl ether, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymer, polyoxyethylene polyoxypropylene alkyl ether, polyoxyethylene glycerin fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester, polyoxyethylene sorbitol fatty acid ester, More preferred examples include ether type compounds. These may be used alone or in combination of two or more.

界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。   Examples of the surfactant include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, and amphoteric surfactants, and further include fluorine surfactants, silicone surfactants, Polyalkylene oxide surfactants, poly (meth) acrylate surfactants and the like can be mentioned, and fluorine surfactants and silicone surfactants can be preferably mentioned.

フッ素系界面活性剤としては、例えば1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロデカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンアミド)プロピル]−N,N‘−ジメチル−N−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。   Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, octa Ethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2, , 2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate, 1,1,2,2,8,8 , 9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluoroo Tansulfonamido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorophosphate) Octylsulfonyl-N-ethylaminoethyl), monoperfluoroalkylethyl phosphate ester, etc., a fluorine-based surfactant comprising a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at least at any one of its terminal, main chain and side chain Can be mentioned.

また、市販品としてはメガファックF142D、同F172、同F173、同F183(以上、大日本インキ化学工業(株)製)、エフトップEF301、同303、同352(新秋田化成(株)製)、フロラードFC−430、同FC−431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106(旭硝子(株)製)、BM−1000、BM−1100(裕商(株)製)、NBX−15((株)ネオス)などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、前記メガファックF172,BM−1000,BM−1100,NBX−15が特に好ましい。   Commercially available products include MegaFuck F142D, F172, F173, F173 and F183 (above, manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), Ftop EF301, 303, 352 (produced by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.) , FLORARD FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC -105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 (Neos Co., Ltd.), etc. There may be mentioned surfactants. Among these, the Megafac F172, BM-1000, BM-1100, and NBX-15 are particularly preferable.

シリコーン系界面活性剤としては、例えばSH7PA、SH21PA、SH30PA、ST94PA(いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製などを用いることが出来る。これらの中でも、前記SH28PA、SH30PAが特に好ましい。   As the silicone-based surfactant, for example, SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (all manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) can be used. Among these, the SH28PA and SH30PA are particularly preferable.

界面活性剤の使用量は、ポリマー(完全加水分解縮合物)に対して通常0.0001〜10重量部である。これらは1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。   The usage-amount of surfactant is 0.0001-10 weight part normally with respect to a polymer (complete hydrolysis-condensation product). These may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態の膜形成用組成物は、上記実施形態のポリマー(加水分解縮合物)および必要に応じてさらに添加剤を有機溶剤に溶解あるいは分散することができる。   The film forming composition of this embodiment can dissolve or disperse the polymer (hydrolysis condensate) of the above embodiment and, if necessary, an additive in an organic solvent.

この際使用できる有機溶剤としては、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エステル系溶媒および非プロトン系溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。   Examples of the organic solvent that can be used in this case include at least one selected from the group consisting of alcohol solvents, ketone solvents, amide solvents, ester solvents, and aprotic solvents.

ここで、アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、i−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ペンタノール、i−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、t−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコールなどのモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコールなどの多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどの多価アルコール部分エーテル系溶媒;
などを挙げることができる。これらのアルコール系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
Here, as the alcohol solvent, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methyl Butanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, 3-heptanol, n-octanol, 2- Ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethyl-4-heptanol, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol , Phenol, cyclohexanol, methyl cyclohexanol, 3,3,5-trimethyl cyclohexanol, benzyl alcohol, mono-alcohol solvents such as diacetone alcohol;
Ethylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,3-butylene glycol, 2,4-pentanediol, 2-methyl-2,4-pentanediol, 2,5-hexanediol, 2,4-heptanediol, 2 Polyhydric alcohol solvents such as ethyl-1,3-hexanediol, diethylene glycol, dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol;
Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, ethylene glycol mono-2-ethylbutyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl Ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether, dipropylene glycol Monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, polyhydric alcohol partial ether solvents such as dipropylene glycol monopropyl ether;
And so on. These alcohol solvents may be used alone or in combination of two or more.

ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、アセトフェノン、フェンチョンなどのほか、アセチルアセトン、2,4−ヘキサンジオン、2,4−ヘプタンジオン、3,5−ヘプタンジオン、2,4−オクタンジオン、3,5−オクタンジオン、2,4−ノナンジオン、3,5−ノナンジオン、5−メチル−2,4−ヘキサンジオン、2,2,6,6−テトラメチル−3,5−ヘプタンジオン、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ヘプタンジオンなどのβ−ジケトン類などが挙げられる。これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。   Examples of ketone solvents include acetone, methyl ethyl ketone, methyl-n-propyl ketone, methyl-n-butyl ketone, diethyl ketone, methyl-i-butyl ketone, methyl-n-pentyl ketone, ethyl-n-butyl ketone, and methyl-n-hexyl. In addition to ketone, di-i-butyl ketone, trimethylnonanone, cyclohexanone, 2-hexanone, methylcyclohexanone, 2,4-pentanedione, acetonylacetone, acetophenone, fenchon, acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2 , 4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3, - heptanedione, 1,1,1,5,5,5 beta-diketones such as hexafluoro-2,4-heptane dione and the like. These ketone solvents may be used alone or in combination of two or more.

アミド系溶媒としては、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−エチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドン、N−ホルミルモルホリン、N−ホルミルピペリジン、N−ホルミルピロリジン、N−アセチルモルホリン、N−アセチルピペリジン、N−アセチルピロリジンなどが挙げられる。これらアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。   Examples of amide solvents include formamide, N-methylformamide, N, N-dimethylformamide, N-ethylformamide, N, N-diethylformamide, acetamide, N-methylacetamide, N, N-dimethylacetamide, N-ethylacetamide N, N-diethylacetamide, N-methylpropionamide, N-methylpyrrolidone, N-formylmorpholine, N-formylpiperidine, N-formylpyrrolidine, N-acetylmorpholine, N-acetylpiperidine, N-acetylpyrrolidine and the like Can be mentioned. These amide solvents may be used alone or in combination of two or more.

エステル系溶媒としては、ジエチルカーボネート、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジエチル、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどが挙げられる。これらエステル系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。   Examples of ester solvents include diethyl carbonate, ethylene carbonate, propylene carbonate, diethyl carbonate, methyl acetate, ethyl acetate, γ-butyrolactone, γ-valerolactone, n-propyl acetate, i-propyl acetate, n-butyl acetate, and i-acetate. -Butyl, sec-butyl acetate, n-pentyl acetate, sec-pentyl acetate, 3-methoxybutyl acetate, methyl pentyl acetate, 2-ethylbutyl acetate, 2-ethylhexyl acetate, benzyl acetate, cyclohexyl acetate, methylcyclohexyl acetate, n-acetate -Nonyl, methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl acetate Glycol mono-n-butyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate, propylene glycol monobutyl ether acetate, dipropylene glycol monomethyl ether acetate, dipropylene glycol monoethyl ether acetate, dipropylene Glycol acetate, methoxytriglycol acetate, ethyl propionate, n-butyl propionate, i-amyl propionate, diethyl oxalate, di-n-butyl oxalate, methyl lactate, ethyl lactate, n-butyl lactate, n-lactate Examples include amyl, diethyl malonate, dimethyl phthalate, and diethyl phthalate. These ester solvents may be used alone or in combination of two or more.

非プロトン系溶媒としては、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、N,N,N’,N’−テトラエチルスルファミド、ヘキサメチルリン酸トリアミド、N−メチルモルホロン、N−メチルピロール、N−エチルピロール、N−メチル−Δ−ピロリン、N−メチルピペリジン、N−エチルピペリジン、N,N−ジメチルピペラジン、N−メチルイミダゾール、N−メチル−4−ピペリドン、N−メチル−2−ピペリドン、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチルテトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノンなどを挙げることができる。これら非プロトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。 As aprotic solvents, acetonitrile, dimethyl sulfoxide, N, N, N ′, N′-tetraethylsulfamide, hexamethylphosphoric triamide, N-methylmorpholone, N-methylpyrrole, N-ethylpyrrole, N -Methyl- [Delta] 3 -pyrroline, N-methylpiperidine, N-ethylpiperidine, N, N-dimethylpiperazine, N-methylimidazole, N-methyl-4-piperidone, N-methyl-2-piperidone, N-methyl- Examples include 2-pyrrolidone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,3-dimethyltetrahydro-2 (1H) -pyrimidinone. These aprotic solvents may be used alone or in combination of two or more.

このようにして得られる本実施形態の膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ましくは2〜30重量%であり、使用目的に応じて適宜調整される。膜形成用組成物の全固形分濃度が2〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および有機溶剤による希釈によって行われる。   The total solid concentration of the film-forming composition of the present embodiment thus obtained is preferably 2 to 30% by weight, and is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid concentration of the film-forming composition is 2 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is more excellent. The total solid content concentration is adjusted by concentration and dilution with an organic solvent, if necessary.

3.絶縁膜
本発明の一実施形態の絶縁膜(シリカ系絶縁膜)は、上記膜形成用組成物を塗布して塗膜を形成した後、塗膜を加熱することによって得られる。ここで、加熱は30〜450℃で行なうことができる。
3. Insulating film The insulating film (silica-based insulating film) of one embodiment of the present invention is obtained by applying the film-forming composition to form a coating film, and then heating the coating film. Here, heating can be performed at 30-450 degreeC.

上記実施形態の膜形成用組成物を、シリコンウエハ、SiOウエハ、SiNウエハなどの基材に塗布する場合、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法などの塗装手段が用いられる。 When the film forming composition of the above embodiment is applied to a substrate such as a silicon wafer, a SiO 2 wafer, or a SiN wafer, a coating means such as spin coating, dipping method, roll coating method, spray method or the like is used.

この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗りで厚さ0.05〜2.5μm程度、2回塗りでは厚さ0.1〜5.0μm程度の塗膜を形成することができる。その後、常温で乾燥するか、あるいは80〜600℃程度の温度で、通常、5〜240分間程度加熱して乾燥することにより、ガラス質または巨大高分子の塗膜を形成することができる。   In this case, as a dry film thickness, a coating film having a thickness of about 0.05 to 2.5 μm can be formed by one coating, and a coating film having a thickness of about 0.1 to 5.0 μm can be formed by two coatings. . Thereafter, it is dried at room temperature, or usually heated at a temperature of about 80 to 600 ° C. for about 5 to 240 minutes to dry, thereby forming a glassy or macromolecular coating film.

この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうことができる。   As a heating method at this time, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used, and a heating atmosphere is performed in the air, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure with a controlled oxygen concentration, or the like. Can do.

また、前記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、あるいは窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択したりすることができる。   Moreover, in order to control the curing rate of the coating film, it can be heated stepwise or an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, or reduced pressure can be selected as necessary.

また、本実施形態では、上記膜形成用組成物を基板に塗布し、高エネルギー線(例えば、電子線、紫外線)照射下で例えば30〜450℃に加熱することもできる。   Moreover, in this embodiment, the said film forming composition can be apply | coated to a board | substrate, and it can also heat at 30-450 degreeC under high energy rays (for example, an electron beam, an ultraviolet-ray) irradiation.

このようにして得られる本実施形態のシリカ系絶縁膜は、膜密度が、通常0.35〜1.2g/cmであり、好ましくは0.4〜1.1g/cmであり、さらに好ましくは0.5〜1.0g/cmである。膜密度が0.35g/cm未満では、塗膜の機械的強度が低下し、一方、1.2g/cmを超えると低比誘電率が得られない。さらに、本実施形態の絶縁膜の比誘電率は、通常、3.2〜1.2であり、好ましくは3.0〜1.5であり、さらに好ましくは2.7〜1.8である。 The silica-based insulating film of this embodiment thus obtained has a film density of usually 0.35 to 1.2 g / cm 3 , preferably 0.4 to 1.1 g / cm 3 , Preferably it is 0.5-1.0 g / cm < 3 >. When the film density is less than 0.35 g / cm 3 , the mechanical strength of the coating film decreases, and when it exceeds 1.2 g / cm 3 , a low relative dielectric constant cannot be obtained. Furthermore, the relative dielectric constant of the insulating film of the present embodiment is usually 3.2 to 1.2, preferably 3.0 to 1.5, and more preferably 2.7 to 1.8. .

本実施形態の絶縁膜は、膜構造中にケイ素−炭素結合を多く有するという特徴を有する。この特徴により絶縁性、塗布膜の均一性、誘電率特性、塗膜の弾性率、塗膜の密着性に優れる。   The insulating film of this embodiment is characterized by having many silicon-carbon bonds in the film structure. Due to this feature, the insulating property, the uniformity of the coating film, the dielectric constant characteristics, the elastic modulus of the coating film, and the adhesion of the coating film are excellent.

本実施形態の絶縁膜は、低比誘電率でかつクラック耐性や機械的強度や密着性に優れることから、LSI、システムLSI、DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなどの半導体素子用層間絶縁膜やエッチングストッパー膜、半導体素子の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示素子用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。   Since the insulating film of this embodiment has a low relative dielectric constant and excellent crack resistance, mechanical strength, and adhesion, an interlayer insulating film for semiconductor elements such as LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, and D-RDRAM Protective films such as coating films, etching stopper films, surface coating films for semiconductor elements, intermediate layers in semiconductor fabrication processes using multilayer resists, interlayer insulating films for multilayer wiring boards, protective films and insulating films for liquid crystal display elements Useful.

4.実施例
以下、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。本発明は以下の実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」および「%」は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%であることを示している。
4). EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. The present invention is not limited to the following examples. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” indicate parts by weight and% by weight, respectively, unless otherwise specified.

4.1.評価方法
各種の評価は、次のようにして行なった。
4.1. Evaluation method Various evaluations were performed as follows.

4.1.1.ポリマーの重量平均分子量(Mw)
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した。
4.1.1. Polymer weight average molecular weight (Mw)
It measured by the gel permeation chromatography (GPC) method by the following conditions.

試料:テトラヒドロフランを溶媒として使用し、ポリマー(加水分解縮合物)1gを100ccのテトラヒドロフランに溶解して調製した。
標準ポリスチレン:米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置:米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマトグラム(モデル150−C ALC/GPC)
カラム:昭和電工(株)製のSHODEX A−80M(長さ50cm)
測定温度:40℃
流速:1cc/分
Sample: Prepared by using tetrahydrofuran as a solvent and dissolving 1 g of a polymer (hydrolysis condensate) in 100 cc of tetrahydrofuran.
Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by US Pressure Chemical Company was used.
Apparatus: High-temperature high-speed gel permeation chromatogram (Model 150-C ALC / GPC) manufactured by Waters, USA
Column: SHODEX A-80M (length: 50 cm) manufactured by Showa Denko K.K.
Measurement temperature: 40 ° C
Flow rate: 1cc / min

4.1.2.比誘電率
得られたポリマー膜に蒸着法によりアルミニウム電極パターンを形成させ、比誘電率測定用サンプルを作成した。該サンプルを周波数100kHzの周波数で、横河・ヒューレットパッカード(株)製、HP16451B電極およびHP4284AプレシジョンLCRメータを用いて、CV法により室温における当該塗膜の比誘電率を測定した。
4.1.2. Relative permittivity An aluminum electrode pattern was formed on the obtained polymer film by vapor deposition to prepare a sample for measuring relative permittivity. The relative permittivity of the coating film at room temperature was measured by the CV method using the HP16451B electrode and HP4284A precision LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd., at a frequency of 100 kHz.

4.1.3.機械的強度(弾性率・硬度)
得られたポリマー膜について、ナノインデンターXP(ナノインスツルメント社製)を用いて、連続剛性測定法により弾性率および硬度を測定した。
4.1.3. Mechanical strength (elastic modulus / hardness)
About the obtained polymer film, elastic modulus and hardness were measured by a continuous stiffness measurement method using Nanoindenter XP (manufactured by Nano Instruments).

4.1.4.密着性
得られたポリマー膜上にスパッタ法で厚さ400nmのSiO膜を形成し、これを適当な大きさに切断し、そのウエハ片上にエポキシ樹脂を用いて同じ大きさのブランクシリコンウエハを接着し、オーブン中にて135℃で2時間加熱した。これをダイシングマシンで小片に切り分け、それぞれに対して4点曲げ密着力測定法による剥離試験を行った。結果は以下のように示す。
A:密着エネルギーが3.0ジュール毎平方メートル以上のもの
B:密着エネルギーが3.0ジュール毎平方メートル未満のもの
4.1.4. Adhesion A SiO 2 film having a thickness of 400 nm is formed on the obtained polymer film by sputtering, and this is cut into an appropriate size, and an epoxy resin is used on the wafer piece to form a blank silicon wafer of the same size. Bonded and heated in an oven at 135 ° C. for 2 hours. This was cut into small pieces with a dicing machine, and a peel test was performed on each by a four-point bending adhesion measurement method. The results are shown as follows.
A: Adhesion energy of more than 3.0 joules per square meter B: Adhesion energy of less than 3.0 joules per square meter

4.1.5.膜の相分離有無の確認
ポリマー膜の断面を、集束イオンビーム法で観察用に加工し、TEMを用いて18000倍にて外観を調べた。判断結果を以下のようにして示す。
A:断面の形状観察では、均一な塗膜が得られている
B:塗膜に海島状のドメイン相分離が確認される
4.1.5. Confirmation of presence / absence of phase separation of membrane The cross section of the polymer membrane was processed for observation by the focused ion beam method, and the appearance was examined at 18,000 times using TEM. The judgment results are shown as follows.
A: Uniform coating is obtained by cross-sectional shape observation B: Sea-island domain phase separation is confirmed in coating

4.2.ポリマーの製造例
4.2.1.合成例1
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が100mlの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、1,1,3,3−テトラエトキシー1,3−ジシラシクロブタン4g(化合物1)をフラスコ内に加えた。さらにトルエン10gとクロロ白金酸5mgを加えた後、100℃で10時間撹拌した。反応液を1μm径のディスポカップフィルターでろ過して白金触媒を除去し、このろ液を濃縮することにより、3.8gのポリマー(i)(ポリマー(I))を得た。このポリマー(i)の重量平均分子量は、5,100であった。
4.2. Production Example of Polymer 4.2.1. Synthesis example 1
After replacing the inside of a four-necked flask equipped with a thermometer, a cooling condenser, a dropping funnel and a stirrer with a capacity of 100 ml with argon gas, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-disilacyclobutane 4 g (Compound 1) was added into the flask. Further, 10 g of toluene and 5 mg of chloroplatinic acid were added, followed by stirring at 100 ° C. for 10 hours. The reaction solution was filtered through a 1 μm diameter disposable cup filter to remove the platinum catalyst, and the filtrate was concentrated to obtain 3.8 g of polymer (i) (polymer (I)). The polymer (i) had a weight average molecular weight of 5,100.

4.2.2.実施例1
石英製セパラブルフラスコ中で、合成例1で得られたポリマー(i)3.5g((A)成分)と、メチルトリメトキシシラン40g((B)成分)と、トリエチルアミン30mgとをメタノール250gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させて、メタノール溶液の温度を55℃に安定させた。次に、イオン交換水40gおよびプロピレングリコールモノエチルエーテル160gの混合溶液を1時間かけて前記メタノール溶液に添加した。
4.2.2. Example 1
In a quartz separable flask, 3.5 g of polymer (i) obtained in Synthesis Example 1 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane (component (B)), and 30 mg of triethylamine were added to 250 g of methanol. After dissolution, the mixture was stirred with a three-one motor to stabilize the temperature of the methanol solution at 55 ° C. Next, a mixed solution of 40 g of ion exchange water and 160 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the methanol solution over 1 hour.

その後、55℃で4時間反応させたのち、酢酸の10%プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液8gを添加し、さらに30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水を含む溶液をエバポレーションで除去して、ポリマー(反応液)Aを得た。このようにして得られたポリマーAの重量平均分子量は、25,000であった。   Then, after reacting at 55 ° C. for 4 hours, 8 g of a 10% propylene glycol monopropyl ether solution of acetic acid was added and reacted for another 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain polymer (reaction solution) A. The weight average molecular weight of the polymer A thus obtained was 25,000.

4.2.3.合成例2
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が100mlの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、1,3−ジエトキシ−1,3−ジメチルー1,3−ジシラシクロブタン4g(化合物2)をフラスコ内に加えた。さらに、トルエン10gおよびクロロ白金酸15mgを加えた後、100℃で10時間撹拌した。反応液を1μm径のディスポカップフィルターでろ過して白金触媒を除去し、この濾液を濃縮することにより、3.6gのポリマー(ii)(ポリマー(I))を得た。このポリマー(ii)の重量平均分子量は、12,100であった。
4.2.3. Synthesis example 2
After replacing the inside of a four-necked flask having a capacity of 100 ml equipped with a thermometer, a cooling condenser, a dropping funnel and a stirring device with argon gas, 1,3-diethoxy-1,3-dimethyl-1,3-disilacyclobutane 4 g (compound 2) was added into the flask. Furthermore, after adding toluene 10g and chloroplatinic acid 15mg, it stirred at 100 degreeC for 10 hours. The reaction solution was filtered through a 1 μm diameter disposable cup filter to remove the platinum catalyst, and the filtrate was concentrated to obtain 3.6 g of polymer (ii) (polymer (I)). The weight average molecular weight of this polymer (ii) was 12,100.

4.2.4.実施例2
石英製セパラブルフラスコ中で、合成例2で得られたポリマー(2)3.5g((A)成分)と、メチルトリメトキシシラン40gおよびテトラメトキシシラン3g((B)成分)と、トリエチルアミン40mgとをメタノール250gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。次に、イオン交換水40gおよびプロピレングリコールモノエチルエーテル160gの混合溶液を1時間かけて溶液に添加した。
4.2.4. Example 2
In a quartz separable flask, 3.5 g of polymer (2) obtained in Synthesis Example 2 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane and 3 g of tetramethoxysilane (component (B)), and 40 mg of triethylamine Were dissolved in 250 g of methanol and then stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Next, a mixed solution of 40 g of ion-exchanged water and 160 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the solution over 1 hour.

その後、55℃で4時間反応させたのち、酢酸の10%プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液8gを添加し、さらに30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水を含む溶液をエバポレーションで除去し、ポリマー(反応液)Bを得た。このようにして得られたポリマーBの重量平均分子量は、35,000であった。   Then, after reacting at 55 ° C. for 4 hours, 8 g of a 10% propylene glycol monopropyl ether solution of acetic acid was added and reacted for another 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain a polymer (reaction solution) B. The weight average molecular weight of the polymer B thus obtained was 35,000.

4.2.5.合成例3
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が100mlの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、1,1,3,3−テトラクロロー1,3−ジシラシクロブタン2.3g(化合物1)と、1,1,3,3−テトラメチルー1,3−ジシラシクロブタン1.4g(化合物3)とをフラスコ内に加えた。さらにトルエン10gおよびクロロ白金酸15mgを加えた後、100℃で10時間撹拌した。反応液を1μm径のディスポカップフィルターでろ過して白金触媒を除去し、このろ液を濃縮することにより、3.5gのポリマー(iii)(ポリマー(II))を得た。このポリマー(iii)の重量平均分子量は、12,000であった。
4.2.5. Synthesis example 3
1. After replacing the inside of a 100 ml four-necked flask equipped with a thermometer, cooling condenser, dropping funnel and stirrer with argon gas, 1,1,3,3-tetrachloro-1,3-disilacyclobutane 3 g (Compound 1) and 1,1,3,3-tetramethyl-1,3-disilacyclobutane 1.4 g (Compound 3) were added to the flask. Further, 10 g of toluene and 15 mg of chloroplatinic acid were added, followed by stirring at 100 ° C. for 10 hours. The reaction solution was filtered through a 1 μm diameter disposable cup filter to remove the platinum catalyst, and the filtrate was concentrated to obtain 3.5 g of polymer (iii) (polymer (II)). The weight average molecular weight of this polymer (iii) was 12,000.

4.2.6.実施例3
石英製セパラブルフラスコ中で、合成例3で得られたポリマー(iii)3.5g((A)成分)、メチルトリメトキシシラン40gおよびテトラメトキシシラン3g((B)成分)、シュウ酸500mg、およびイオン交換水40gとを、プロピレングリコールモノエチルエーテル160gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。その後、55℃で4時間反応させたのち、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水を含む溶液をエバポレーションで除去し、ポリマー(反応液)Cを得た。このようにして得られたポリマーCの重量平均分子量は、18,000であった。
4.2.6. Example 3
In a quartz separable flask, 3.5 g of the polymer (iii) obtained in Synthesis Example 3 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane and 3 g of tetramethoxysilane (component (B)), 500 mg of oxalic acid, Then, 40 g of ion-exchanged water was dissolved in 160 g of propylene glycol monoethyl ether, and then stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Then, after making it react at 55 degreeC for 4 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain a polymer (reaction solution) C. The weight average molecular weight of the polymer C thus obtained was 18,000.

4.2.7.比較合成例1
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が3Lの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン1Lおよびマグネシウム金属60gを仕込み、アルゴンガスでバブリングした。これに、20℃で攪拌しながらクロロメチルトリエトキシシラン467.5gを滴下ロートよりゆっくり添加した。
4.2.7. Comparative Synthesis Example 1
After replacing the inside of the 3 L four-necked flask equipped with a thermometer, a cooling condenser, a dropping funnel and a stirring device with argon gas, 1 L of dried tetrahydrofuran and 60 g of magnesium metal were charged and bubbled with argon gas. To this, 467.5 g of chloromethyltriethoxysilane was slowly added from a dropping funnel while stirring at 20 ° C.

滴下終了後、45℃でさらに24時間撹拌を続けた。冷却後、この反応液からろ過により生成したマグネシウム塩を除去した。続いて、濾液を減圧加熱操作することによりテトラヒドロフランを濾液から除いて、褐色液体状のポリマー(iv)を260.1g得た。このポリマー(iv)の分子量は、1,200であった。   After completion of the dropwise addition, stirring was continued for 24 hours at 45 ° C. After cooling, the magnesium salt produced by filtration was removed from the reaction solution. Subsequently, the filtrate was heated under reduced pressure to remove tetrahydrofuran from the filtrate to obtain 260.1 g of a brown liquid polymer (iv). The molecular weight of this polymer (iv) was 1,200.

4.2.8.比較例1
石英製セパラブルフラスコ中で、比較合成例1で得られたポリマー(iv)3.5g((A)成分)、メチルトリメトキシシラン40g((B)成分)、およびトリエチルアミン30mgをメタノール250gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。次に、イオン交換水40gおよびプロピレングリコールモノエチルエーテル160gの混合溶液を1時間かけて溶液に添加した。
4.2.8. Comparative Example 1
In a separable flask made of quartz, 3.5 g of polymer (iv) obtained in Comparative Synthesis Example 1 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane (component (B)), and 30 mg of triethylamine were dissolved in 250 g of methanol. After that, the solution was stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Next, a mixed solution of 40 g of ion-exchanged water and 160 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the solution over 1 hour.

その後、55℃で4時間反応させたのち、酢酸の10%プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液8gを添加し、さらに30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水を含む溶液をエバポレーションで除去して、ポリマー(反応液)Dを得た。このようにして得られたポリマーDの重量平均分子量は、21,000であった。   Then, after reacting at 55 ° C. for 4 hours, 8 g of a 10% propylene glycol monopropyl ether solution of acetic acid was added and reacted for another 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain a polymer (reaction solution) D. The weight average molecular weight of the polymer D thus obtained was 21,000.

4.2.9.比較合成例2
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が3Lの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン1Lおよびマグネシウム金属55gを仕込み、アルゴンガスでバブリングした。これに、20℃で攪拌しながらクロロメチルメチルジエトキシシラン80.3gを滴下ロートよりゆっくり添加した。
4.2.9. Comparative Synthesis Example 2
After replacing the inside of a 3 L four-necked flask equipped with a thermometer, a cooling condenser, a dropping funnel and a stirring device with argon gas, 1 L of dry tetrahydrofuran and 55 g of magnesium metal were charged and bubbled with argon gas. To this, 80.3 g of chloromethylmethyldiethoxysilane was slowly added from a dropping funnel while stirring at 20 ° C.

滴下終了後、45℃でさらに24時間撹拌を続けた。冷却後、この反応液からろ過により生成したマグネシウム塩を除去した。続いて、濾液を減圧加熱操作することによりテトラヒドロフランをろ液から除いて、褐色液体状のポリマー(v)を75.2g得た。このポリマー(v)の分子量は、1,400であった。   After completion of the dropping, stirring was further continued at 45 ° C. for 24 hours. After cooling, the magnesium salt produced by filtration was removed from the reaction solution. Subsequently, the filtrate was heated under reduced pressure to remove tetrahydrofuran from the filtrate to obtain 75.2 g of a brown liquid polymer (v). The molecular weight of this polymer (v) was 1,400.

4.2.10.比較例2
石英製セパラブルフラスコ中で、比較合成例2で得られたポリマー(v)3.5g((A)成分)と、メチルトリメトキシシラン40gおよびテトラメトキシシラン3g((B)成分)と、トリエチルアミン40mgとをメタノール250gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。次に、イオン交換水40gおよびプロピレングリコールモノエチルエーテル160gの混合溶液を1時間かけて溶液に添加した。
4.2.10. Comparative Example 2
In a quartz separable flask, 3.5 g of polymer (v) obtained in Comparative Synthesis Example 2 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane and 3 g of tetramethoxysilane (component (B)), and triethylamine 40 mg was dissolved in 250 g of methanol, and then stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Next, a mixed solution of 40 g of ion-exchanged water and 160 g of propylene glycol monoethyl ether was added to the solution over 1 hour.

その後、55℃で4時間反応させたのち、酢酸の10%プロピレングリコールモノプロピルエーテル溶液8gを添加し、さらに30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水を含む溶液をエバポレーションで除去し、ポリマー(反応液)Eを得た。このようにして得られたポリマーEの重量平均分子量は、28,000であった。   Then, after reacting at 55 ° C. for 4 hours, 8 g of a 10% propylene glycol monopropyl ether solution of acetic acid was added and reacted for another 30 minutes, and the reaction solution was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation, and a polymer (reaction solution) E was obtained. The weight average molecular weight of the polymer E thus obtained was 28,000.

4.2.11.比較合成例3
温度計、冷却コンデンサー、滴下ロートおよび攪拌装置を取り付けた内容量が3Lの4つ口フラスコ内をアルゴンガスで置換した後、乾燥したテトラヒドロフラン1Lおよびマグネシウム金属60gを仕込み、アルゴンガスでバブリングした。これに、20℃で攪拌しながらクロロメチルトリクロロシラン183.9gおよびクロロメチルジメチルクロロシラン143.1gを滴下ロートよりゆっくり添加した。
4.2.11. Comparative Synthesis Example 3
After replacing the inside of the 3 L four-necked flask equipped with a thermometer, a cooling condenser, a dropping funnel and a stirring device with argon gas, 1 L of dried tetrahydrofuran and 60 g of magnesium metal were charged and bubbled with argon gas. While stirring at 20 ° C., 183.9 g of chloromethyltrichlorosilane and 143.1 g of chloromethyldimethylchlorosilane were slowly added from the dropping funnel.

滴下終了後、45℃でさらに24時間撹拌を続けた。冷却後、この反応液からろ過により生成したマグネシウム塩を除去した。続いて、濾液を減圧加熱操作することによりテトラヒドロフランを濾液から除き、褐色液体状のポリマー(vi)を162.4g得た。このポリマー(vi)の分子量は、2,300であった。   After completion of the dropping, stirring was further continued at 45 ° C. for 24 hours. After cooling, the magnesium salt produced by filtration was removed from the reaction solution. Subsequently, the filtrate was heated under reduced pressure to remove tetrahydrofuran from the filtrate to obtain 162.4 g of a brown liquid polymer (vi). The molecular weight of this polymer (vi) was 2,300.

4.2.12.比較例3
石英製セパラブルフラスコ中で、比較合成例3で得られたポリマー(vi)3.5gと((A)成分)、メチルトリメトキシシラン40gおよびテトラメトキシシラン3g((B)成分)、シュウ酸500mg、およびイオン交換水40gをプロピレングリコールモノエチルエーテル160gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を55℃に安定させた。その後、55℃で4時間反応させたのち、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールおよび水とを含む溶液をエバポレーションにより除去して、ポリマー(反応液)Fを得た。このようにして得られたポリマーFの重量平均分子量は、15,000であった。
4.2.12. Comparative Example 3
In a quartz separable flask, 3.5 g of the polymer (vi) obtained in Comparative Synthesis Example 3 (component (A)), 40 g of methyltrimethoxysilane and 3 g of tetramethoxysilane (component (B)), oxalic acid 500 mg and 40 g of ion-exchanged water were dissolved in 160 g of propylene glycol monoethyl ether, and then stirred with a three-one motor to stabilize the solution temperature at 55 ° C. Then, after making it react at 55 degreeC for 4 hours, the reaction liquid was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain a polymer (reaction solution) F. The weight average molecular weight of the polymer F thus obtained was 15,000.

4.3.ポリマー膜の製造例
4.3.1.実施例4
実施例1で得られたポリマーAを0.2μm孔径のテフロン(登録商標)製フィルターでろ過を行い、実施例4の膜形成用組成物を得た。
4.3. Example of production of polymer film 4.3.1. Example 4
The polymer A obtained in Example 1 was filtered through a Teflon (registered trademark) filter having a pore size of 0.2 μm to obtain a film-forming composition of Example 4.

得られた組成物をスピンコート法でシリコンウエハ上に塗布したのち、ホットプレート上にて90℃で3分間、窒素雰囲気下にて200℃で3分間基板を乾燥させ、さらに400℃の窒素雰囲気下にてホットプレート上で基板を60分間焼成した。焼成後に得られたポリマー膜(以下、「シリカ系膜」という)を、前記評価方法のとおり評価した。評価結果を表1に示す。   After applying the obtained composition onto a silicon wafer by spin coating, the substrate was dried on a hot plate at 90 ° C. for 3 minutes and in a nitrogen atmosphere at 200 ° C. for 3 minutes, and further a nitrogen atmosphere at 400 ° C. Below, the substrate was baked on a hot plate for 60 minutes. The polymer film (hereinafter referred to as “silica-based film”) obtained after firing was evaluated according to the evaluation method. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.2.実施例5
実施例4においてポリマーAを用いる代わりに、ポリマーBを使用した以外は、実施例4と同様にシリカ系膜を形成し、その評価を行った。評価結果を表1に示す。
4.3.2. Example 5
A silica-based film was formed and evaluated in the same manner as in Example 4 except that polymer B was used instead of polymer A in Example 4. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.3.実施例6
実施例4においてポリマーAを用いる代わりに、ポリマーCを使用した以外は実施例4と同様にシリカ系膜を形成し、その評価を行った。評価結果を表1に示す。
4.3.3. Example 6
A silica-based film was formed and evaluated in the same manner as in Example 4 except that polymer C was used instead of polymer A in Example 4. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.4.比較例4
実施例4においてポリマーAを用いる代わりに、ポリマーDを使用した以外は実施例4と同様にシリカ系膜を形成し、その評価を行った。評価結果を表1に示す。
4.3.4. Comparative Example 4
A silica-based film was formed and evaluated in the same manner as in Example 4 except that polymer D was used instead of polymer A in Example 4. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.5.比較例5
実施例4においてポリマーAを用いる代わりに、ポリマーEを使用した以外は実施例4と同様にシリカ系膜を形成し、その評価を行った。評価結果を表1に示す。
4.3.5. Comparative Example 5
A silica-based film was formed and evaluated in the same manner as in Example 4 except that polymer E was used instead of polymer A in Example 4. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.6.比較例6
実施例4においてポリマーAを用いる代わりに、ポリマーFを使用した以外は実施例4と同様にシリカ系膜を形成し、その評価を行った。評価結果を表1に示す。
4.3.6. Comparative Example 6
A silica-based film was formed and evaluated in the same manner as in Example 4 except that polymer F was used instead of polymer A in Example 4. The evaluation results are shown in Table 1.

4.3.7.実施例7
実施例1−3で得られたポリマーA,B,Cの含有金属濃度を測定した結果を表2に示す。
4.3.7. Example 7
Table 2 shows the results of measuring the metal concentrations of the polymers A, B, and C obtained in Example 1-3.

4.3.8.比較例7
比較例1−3で得られたポリマーD,E,Fの含有金属濃度を測定した結果を表2に示す。
4.3.8. Comparative Example 7
Table 2 shows the results of measuring the metal concentrations of the polymers D, E, and F obtained in Comparative Example 1-3.

Figure 2007204626
Figure 2007204626
Figure 2007204626
Figure 2007204626

表2によれば、実施例1〜3では、比較合成例1〜3と比較して、使用する金属反応剤の量が少量であった。このため、実施例1〜3において、(A)成分の存在下で(B)成分を加水分解縮合して得られたポリマーは、比較合成例1〜3にて得られたポリマーと比較して、残留するマグネシウムの濃度が低かった。   According to Table 2, in Examples 1-3, compared with Comparative Synthesis Examples 1-3, the amount of the metal reactant used was small. For this reason, in Examples 1-3, the polymer obtained by hydrolytic condensation of (B) component in presence of (A) component is compared with the polymer obtained in Comparative Synthesis Examples 1-3. The residual magnesium concentration was low.

また、実施例4〜6では、実施例1〜3で得られたポリマーを用いて、比誘電率が小さく、機械的強度や密着性に優れ、かつ、膜中の相分離がない絶縁膜を得ることができた。   In Examples 4 to 6, using the polymers obtained in Examples 1 to 3, an insulating film having a small relative dielectric constant, excellent mechanical strength and adhesion, and no phase separation in the film is used. I was able to get it.

Claims (10)

(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物を開環重合することにより得られるポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含む、ポリマーの製造方法。
Figure 2007204626
・・・・・(1)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、XおよびYは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、lは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
・・・・・(2)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、Rは水素原子またはアルコキシ基以外の1価の有機基を示し、Zはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、mは2〜4の整数を示す。)
(A) Polycarbosilane obtained by ring-opening polymerization of at least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2) (B) The manufacturing method of a polymer including hydrolyzing and condensing a hydrolysable group containing silane monomer.
Figure 2007204626
(1)
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, X and Y are the same or different, represent a halogen atom or an alkoxy group, and l represents an integer of 2 to 4) .)
Figure 2007204626
(2)
(Wherein R 3 and R 4 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group other than a hydrogen atom or an alkoxy group, and Z represents a halogen atom or an alkoxy group. M represents an integer of 2 to 4.)
(A)下記一般式(1)で表される化合物および下記一般式(2)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物と、下記一般式(3)で表される少なくとも1種のシラン化合物とを開環重合することにより得られるポリカルボシランの存在下、(B)加水分解性基含有シランモノマーを加水分解縮合することを含む、ポリマーの製造方法。
Figure 2007204626
・・・・・(1)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、XおよびYは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、lは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
・・・・・(2)
(式中、RおよびRは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、Rは水素原子またはアルコキシ基以外の1価の有機基を示し、Zはハロゲン原子またはアルコキシ基を示し、mは2〜4の整数を示す。)
Figure 2007204626
・・・・・(3)
(式中、R〜Rは同一または異なり、水素原子または1価の有機基を示し、nは2〜4の整数を示す。)
(A) At least one silane compound selected from the group of compounds represented by the following general formula (1) and the following general formula (2), and represented by the following general formula (3) A method for producing a polymer, comprising hydrolyzing and condensing (B) a hydrolyzable group-containing silane monomer in the presence of polycarbosilane obtained by ring-opening polymerization with at least one silane compound.
Figure 2007204626
(1)
(Wherein R 1 and R 2 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, X and Y are the same or different, represent a halogen atom or an alkoxy group, and l represents an integer of 2 to 4) .)
Figure 2007204626
(2)
(Wherein R 3 and R 4 are the same or different and represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, R 5 represents a monovalent organic group other than a hydrogen atom or an alkoxy group, and Z represents a halogen atom or an alkoxy group. M represents an integer of 2 to 4.)
Figure 2007204626
(3)
(Wherein, R 6 to R 9 individually represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, n is an integer of 2-4.)
請求項1において、
前記一般式(1)および(2)において、lおよびmが2である、ポリマーの製造方法。
In claim 1,
A method for producing a polymer, wherein in the general formulas (1) and (2), l and m are 2.
請求項2において、
前記一般式(1)〜(3)において、l、mおよびnが2である、ポリマーの製造方法。
In claim 2,
In the said General formula (1)-(3), l, m, and n are the manufacturing methods of a polymer.
請求項1ないし4のいずれかにおいて、
前記(B)加水分解性基含有シランモノマーが、下記一般式(4)で表される化合物および下記一般式(5)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種のシラン化合物である、ポリマーの製造方法。
10 SiX4−a ・・・・・(4)
(式中、R10は水素原子,フッ素原子または1価の有機基を示し、Xはハロゲン原子あるいはアルコキシル基を示し、aは0〜3の整数を示す。)
11 3−bSi−(R13−SiZ3−c12 ・・・・・(5)
〔式中、R11,R12は同一または異なり、1価の有機基を示し、bおよびcは同一または異なり、0〜2の整数を示し、R13は酸素原子,フェニレン基または−(CH−で表される基(ここで、eは1〜6の整数である。)を示し、YおよびZは同一または異なり、ハロゲン原子またはアルコキシル基を示し、dは0または1を示す。〕
In any of claims 1 to 4,
The (B) hydrolyzable group-containing silane monomer is at least one silane compound selected from the group consisting of a compound represented by the following general formula (4) and a compound represented by the following general formula (5). , Production method of polymer.
R 10 a SiX 4-a (4)
(Wherein R 10 represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, X represents a halogen atom or an alkoxyl group, and a represents an integer of 0 to 3)
R 11 b Y 3-b Si- (R 13) d -SiZ 3-c R 12 c ····· (5)
[Wherein R 11 and R 12 are the same or different and each represents a monovalent organic group, b and c are the same or different and represent an integer of 0 to 2, and R 13 represents an oxygen atom, a phenylene group or — (CH 2 ) represents a group represented by e- (wherein e is an integer of 1 to 6), Y and Z are the same or different and represent a halogen atom or an alkoxyl group, and d represents 0 or 1 . ]
請求項1ないし5のいずれかに記載のポリマーの製造方法によって得られるポリマー。   A polymer obtained by the method for producing a polymer according to any one of claims 1 to 5. 請求項6に記載のポリマーおよび有機溶剤を含有する、絶縁膜形成用組成物。   The composition for insulating film formation containing the polymer and organic solvent of Claim 6. 請求項7に記載の絶縁膜形成用組成物を基板に塗布し、加熱することを含む、絶縁膜の製造方法。   The manufacturing method of an insulating film including apply | coating the composition for insulating film formation of Claim 7 to a board | substrate, and heating. 請求項7に記載の膜形成用組成物を基板に塗布し、電子線または紫外線を照射することを含む、絶縁膜の製造方法。   The manufacturing method of an insulating film including apply | coating the composition for film formation of Claim 7 to a board | substrate, and irradiating an electron beam or an ultraviolet-ray. 請求項8または9に記載の絶縁膜の製造方法により得られる、シリカ系絶縁膜。   The silica type insulating film obtained by the manufacturing method of the insulating film of Claim 8 or 9.
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