JP2007199451A - Electrooptical device and electronic apparatus - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a horizontal electric field generated between adjacent pixel electrodes. <P>SOLUTION: In plane view, a notch part 29b1 is extended along an A1 direction intersecting with an X direction to which a second edge part 29a2 opposed to the notch part 29b1 through an interval is extended out of the second edge part 29a2 included in a pixel electrode 9a2. In the notch part 29b1, intervals t1, t2 between the adjacent pixel electrodes 9a1 and 9a2 are mutually different and the interval t2 is continuously varied along the X direction. Thereby, a horizontal electric field E1 generated between the pixel electrodes 9a1, 9a2 becomes uneven along the X direction, so that the influence of the horizontal electric field E1 on the orientation of liquid crystal molecules can be reduced and an after image and a tailing phenomenon which may be generated due to the horizontal electric field can be reduced. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば、液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えた電子機器の技術分野に関する。   The present invention relates to a technical field of, for example, an electro-optical device such as a liquid crystal device and an electronic apparatus including such an electro-optical device.

この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、液晶を保持する一対の基板の夫々に設けられた画素電極及び対向電極間に所定の電圧を印加することによってこれら電極間に介在する液晶分子の配向状態を制御し、画像が表示される。   In a liquid crystal device which is an example of this type of electro-optical device, liquid crystal molecules interposed between these electrodes by applying a predetermined voltage between a pixel electrode and a counter electrode provided on each of a pair of substrates holding liquid crystal The orientation state is controlled, and an image is displayed.

この種の電気光学装置では、基板上に相隣接して配設された画素電極の夫々の電位の差に応じて当該画素電極間に発生する横電界(即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電界)によって液晶分子の配向不良が生じるという技術的に問題点が生じる場合がある。相対向する画素電極と対向電極との間の縦電界(即ち、基板面に垂直な方向の電界)の印加が想定されている液晶等の電気光学物質に対して、このような横電界が印加されると、液晶の配向不良の如き電気光学物質の動作不良が生じ、この部分における光抜け等が発生してコントラストが低下してしまうという問題が生じる。   In this type of electro-optical device, a horizontal electric field generated between the pixel electrodes according to a difference in potential between pixel electrodes arranged adjacent to each other on the substrate (that is, an electric field parallel to the substrate surface or the substrate There may be a technical problem that alignment failure of liquid crystal molecules occurs due to an oblique electric field including a component parallel to the surface. Such a transverse electric field is applied to an electro-optic material such as a liquid crystal that is assumed to be applied with a vertical electric field (that is, an electric field perpendicular to the substrate surface) between the pixel electrode and the counter electrode facing each other. Then, the electro-optical material malfunctions such as a liquid crystal alignment defect, and there arises a problem that light is lost in this portion and the contrast is lowered.

このような問題点を解決するための手段の一例として、特許文献1は、配向不良が生じる領域(ドメイン)における横電界を緩和するために、液晶分子の配向方向と平行に延びるソース線を備えた液晶表示装置を開示している。   As an example of means for solving such a problem, Patent Document 1 includes a source line extending in parallel with the alignment direction of liquid crystal molecules in order to alleviate a lateral electric field in a region (domain) where alignment failure occurs. A liquid crystal display device is disclosed.

特開平9−61855号公報JP-A-9-61855

この種の電気光学装置では、画素電極の間隔を広げることによって画素電極間に生じる横電界を緩和することが可能であるが、他方、相隣接する画素電極間の間隔を広げることによって、例えばITO等の透明材料からなる画素電極のサイズに応じて規定される画素毎の開口率が低下してしまい、表示された画像のコントラストが低下する問題点がある。したがって、コントラストの低下を避けることを考慮した場合、横電界を緩和する手段の一つとして、相隣接する画素電極の間隔を広げる手段を採用することは難しい。   In this type of electro-optical device, it is possible to alleviate a lateral electric field generated between pixel electrodes by increasing the interval between pixel electrodes. On the other hand, by increasing the interval between adjacent pixel electrodes, for example, ITO There is a problem in that the aperture ratio for each pixel, which is defined according to the size of the pixel electrode made of a transparent material such as the above, is lowered, and the contrast of the displayed image is lowered. Therefore, in consideration of avoiding a decrease in contrast, it is difficult to employ a means for increasing the interval between adjacent pixel electrodes as one of means for reducing the lateral electric field.

加えて、この種の電気光学装置では、動画像を表示した際に、横電界の影響によって画像の残像及び尾引き(動画像を表示した際に動いている物体が残像を残して、裾を引いてぼやけて見えることによってなめらかな動画像を得られない現象)が生じ、高品位で画像を表示することが難しくなる問題があり、高品位で画像を表示するうえで横電界を緩和する技術に対する要請はより一層高まっている。   In addition, in this type of electro-optical device, when a moving image is displayed, the afterimage and tailing of the image due to the influence of the lateral electric field (the moving object when displaying the moving image leaves an afterimage, Technology that reduces the horizontal electric field when displaying high-quality images, causing a problem that it is difficult to display high-quality images. The demand for is further increasing.

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、コントラストの低下を抑制しつつ、且つ動画像を表示する際の残像及び尾引き等の表示上の不具合が発生することを低減できる液晶装置等の電気光学装置、及びそのような電気光学装置を備えたプロジェクタ等の電子機器を提供することを課題とする。   Therefore, the present invention has been made in view of the above problems and the like, for example, display defects such as afterimage and tailing when displaying a moving image while suppressing a decrease in contrast occur. It is an object of the present invention to provide an electro-optical device such as a liquid crystal device and the like, and an electronic apparatus such as a projector including such an electro-optical device.

本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の一方の基板上に、前記一方の基板の基板面における法線に沿った方向から見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ互いに異なる電位が供給される第1画素電極及び第2画素電極とを備え、前記第1画素電極が有する第1縁部の少なくとも一部は、前記法線に沿った方向から見て、前記第2画素電極が有する縁部のうち前記間隔を隔てて前記一部に対向する第2縁部が延びる第1方向に交わる第2方向に沿って延びている。   In order to solve the above problems, an electro-optical device according to the present invention includes a pair of substrates, an electro-optical material sandwiched between the pair of substrates, and the one substrate on one substrate of the pair of substrates. A first pixel electrode and a second pixel electrode which are arranged adjacent to each other with a gap as viewed from a direction along a normal line on the substrate surface and to which different potentials are supplied. At least a part of the first edge part of the one pixel electrode is a second part that faces the part of the edge part of the second pixel electrode with the interval as viewed from the direction along the normal line. The edge extends along a second direction intersecting the first direction.

本発明に係る電気光学装置によれば、一対の基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持されている。一方の基板上には、平面的に見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ、当該電気光学装置の駆動時に互いに異なる電位が供給される第1画素電極及び第2画素電極が配設されている。   With the electro-optical device according to the present invention, an electro-optical material such as liquid crystal is sandwiched between a pair of substrates. On one substrate, a first pixel electrode and a second pixel that are arranged adjacent to each other with an interval in plan view, and that are supplied with different potentials when the electro-optical device is driven. Electrodes are disposed.

ここで、互いに「異なる電位が供給される」とは、駆動回路から画像信号に応じて互いに異なる電位を第1画素電極及び第2画素電極の夫々に供給する場合に限定されるものではなく、例えば電位を第1画素電極及び第2画素電極の夫々に供給するための配線の配線抵抗の相違によって結果的に第1画素電極及び第2画素電極に互いに異なる電位が供給される場合も含む。   Here, “different potentials are supplied” is not limited to the case where different potentials are supplied to the first pixel electrode and the second pixel electrode according to the image signal from the drive circuit, For example, it includes a case where different potentials are supplied to the first pixel electrode and the second pixel electrode as a result of differences in wiring resistance of wirings for supplying the potential to the first pixel electrode and the second pixel electrode, respectively.

第1画素電極及び第2画素電極は、例えばTFT等の半導体素子、データ線及び走査線等が形成されたTFTアレイ基板である一方の基板上にマトリクス状に配列された複数の画素電極のうち相隣接して配設された2つの画素電極である。尚、一方の基板は、例えばガラス基板或いは石英基板等の透明基板及びこの透明基板上に絶縁膜を含む多層構造が形成されたものであってもよい。   The first pixel electrode and the second pixel electrode are, for example, a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on one substrate which is a TFT array substrate on which semiconductor elements such as TFTs, data lines, scanning lines, and the like are formed. Two pixel electrodes arranged adjacent to each other. One of the substrates may be a transparent substrate such as a glass substrate or a quartz substrate and a multilayer structure including an insulating film formed on the transparent substrate.

本発明に係る電気光学装置では、その駆動時に、第1画素電極及び第2画素電極の夫々の電位の差に応じた横電界が第1画素電極及び第2画素電極間に生じる。より具体的には、第1画素電極が有する第1縁部と、第2画素電極が有する縁部のうち間隔を隔てて第1縁部の少なくとも一部に対向する第2縁部との間に横電界が生じる。   In the electro-optical device according to the aspect of the invention, a lateral electric field corresponding to the potential difference between the first pixel electrode and the second pixel electrode is generated between the first pixel electrode and the second pixel electrode during the driving thereof. More specifically, between the first edge part of the first pixel electrode and the second edge part of the edge part of the second pixel electrode facing the at least part of the first edge part with an interval. Produces a transverse electric field.

本発明に係る電気光学装置によれば、第1縁部の少なくとも一部は、平面的に見て、第2画素電極が有する縁部のうち間隔を隔てて第1縁部の一部に対向する第2縁部が延びる第1方向に交わる第2方向に沿って延びている。したがって、第1縁部の少なくとも一部と第2縁部との間隔が第1方向に沿って連続的に異なっており、第1縁部及び第2縁部間に生じる電界強度分布が不均一になる。このような電界強度の不均一によれば、第1方向に沿って第1縁部が延びている場合、即ち第1縁部及び第2縁部が互いに平行に延びている場合に比べて、相隣接して配設された第1画素電極及び第2画素電極間に生じる横電界を低減できる。   According to the electro-optical device according to the aspect of the invention, at least a part of the first edge is opposed to a part of the first edge with a space among the edges of the second pixel electrode when seen in a plan view. The second edge extends along a second direction that intersects the first direction. Accordingly, the distance between at least a part of the first edge and the second edge is continuously different along the first direction, and the electric field intensity distribution generated between the first edge and the second edge is not uniform. become. According to such non-uniformity of the electric field strength, when the first edge extends along the first direction, that is, when the first edge and the second edge extend parallel to each other, A lateral electric field generated between the first pixel electrode and the second pixel electrode disposed adjacent to each other can be reduced.

加えて、本発明に係る電気光学装置によれば、第1画素電極及び第2画素電極間における電界強度分布を不均一にできる程度に第1縁部の少なくとも一部が第2方向に沿って延びていればよいことから、開口率の低下を実質的に画質のコントラストに影響が生じない範囲に抑えることが可能である。   In addition, according to the electro-optical device according to the invention, at least a part of the first edge portion extends along the second direction to such an extent that the electric field strength distribution between the first pixel electrode and the second pixel electrode can be made non-uniform. Since it only needs to be extended, it is possible to suppress the decrease in the aperture ratio to a range that does not substantially affect the contrast of the image quality.

このように本発明に係る電気光学装置によれば、開口率の低下を抑制しつつ、横電界を緩和できるため、開口率の低下に起因するコントラストの低下を抑制しつつ、横電界に起因する残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減できる。   As described above, according to the electro-optical device according to the present invention, the lateral electric field can be relaxed while suppressing the decrease in the aperture ratio. Display problems such as afterimages and tailing can be reduced.

本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記一部は、前記第1縁部の両端のうち少なくとも一方が切り欠かれた切り欠き部であってもよい。   In one aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the part may be a notch portion in which at least one of both ends of the first edge portion is notched.

この態様によれば、第1縁部の中央付近に切り欠き部を設ける場合に比べて、第1画素電極を含む画素における開口率の低下を抑制できる。   According to this aspect, it is possible to suppress a decrease in the aperture ratio in the pixel including the first pixel electrode, compared to the case where the notch is provided near the center of the first edge.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第1縁部のうち前記切り欠き部を除いた他の部分は、前記第1方向に沿って延びており、且つ前記第1方向に沿って延びている前記他の部分は、前記第1縁部の1/3以下の部分を占めていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the invention, the other portion of the first edge portion excluding the notch extends along the first direction, and extends along the first direction. The other part extending may occupy 1/3 or less of the first edge.

この態様によれば、他の部分は第2縁部に沿って延びていることとなり、他の部分及び第2縁部の間隔は一定となる。このような一定の間隔が、第1方向に沿って第1縁部の1/3以下を占めている場合には、残像及び尾引きが生じない程度に第1画素電極及び第2画素電極間における電界強度分布を不均一にでき、横電界を十分に緩和できる。   According to this aspect, the other part extends along the second edge, and the distance between the other part and the second edge is constant. When such a fixed interval occupies 1/3 or less of the first edge along the first direction, the gap between the first pixel electrode and the second pixel electrode is such that no afterimage and tailing occur. The electric field intensity distribution in can be made non-uniform, and the transverse electric field can be sufficiently relaxed.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第1縁部のうち前記一部を除く他の部分は、前記法線に沿った方向から見て前記第1方向及び前記第2方向の夫々に交わる第3方向に沿って延びていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, the other part of the first edge except the part may be in the first direction and the second direction when viewed from the direction along the normal line. You may extend along the 3rd direction which crosses each.

この態様によれば、第1縁部の一部及び他の部分の夫々と第2縁部との間隔が第1方向に沿って異なっており、第1縁部及び第2縁部で挟まれた領域全体で電界強度分布を不均一にできる。   According to this aspect, the distance between the second edge and a part of the first edge and the other part is different along the first direction, and is sandwiched between the first edge and the second edge. The electric field strength distribution can be made nonuniform in the entire region.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一方の基板上において、前記第1画素電極が形成された層と異なる層に形成された導電部及び前記第1画素電極を電気的に接続する接続部を備え、前記接続部は、前記一部を含み、且つ前記第1画素電極から見て前記第2画素電極の側に突出した凸部に設けられていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the invention, on the one substrate, the conductive portion formed in a layer different from the layer in which the first pixel electrode is formed and the first pixel electrode are electrically connected. The connecting portion may include a part of the connecting portion, and the connecting portion may be provided on a convex portion that protrudes toward the second pixel electrode when viewed from the first pixel electrode.

この態様によれば、横電界を緩和するために設けた一部に、例えばコンタクトホール等の電気的な接続部を設けておくことができる。   According to this aspect, an electrical connection portion such as a contact hole can be provided in a part provided to alleviate the lateral electric field.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記法線に沿った方向から見て前記第1縁部及び前記第2縁部に重なる遮光膜を備えていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the invention, a light-shielding film may be provided that overlaps the first edge and the second edge when viewed from the direction along the normal.

この態様によれば、第1縁部及び第2縁部間において液晶分子等の電気光学物質に加わる横電界によって生じる光抜けを低減できる。   According to this aspect, light leakage caused by a transverse electric field applied to an electro-optical material such as liquid crystal molecules can be reduced between the first edge and the second edge.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第2画素電極が有する縁部のうち前記法線に沿った方向から見て前記第2縁部に対向する第3縁部は、前記法線に沿った方向から見て前記第1方向に交わる第4方向に沿って延びていてもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the aspect of the invention, a third edge portion of the edge portion of the second pixel electrode that faces the second edge portion when viewed from the direction along the normal line is the method described above. You may extend along the 4th direction which crosses the 1st direction seeing from the direction along a line.

この態様によれば、第2画素電極の縁部のうち第1画素電極の第1縁部から見て遠い側の第3縁部と、第1縁部との間で生じる横電界の電界強度分布を不均一にできる。   According to this aspect, the electric field strength of the lateral electric field generated between the third edge far from the first edge of the first pixel electrode and the first edge among the edges of the second pixel electrode. Distribution can be non-uniform.

本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記一対の基板の他方の基板上に形成されており、且つ前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極とを備え、前記互いに異なる電位は、前記対向電極に供給される共通電位を基準として互いに異なる極性の電位であってもよい。   In another aspect of the electro-optical device according to the invention, the electro-optical device includes the counter electrode that is formed on the other substrate of the pair of substrates and faces the first pixel electrode and the second pixel electrode, The different potentials may be different in polarity with respect to the common potential supplied to the counter electrode.

この態様によれば、例えば、各画素電極に印加される電位の極性を対向電極の基準電位に対して所定規則で反転させる反転駆動方式が採用した場合でも、横電界を緩和でき、残像及び尾引きを低減できる。このような反転駆動方式として、例えば一のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、奇数行に配列された画素電極を所定の基準電位に対して正極性の電位で駆動すると共に偶数行に配列された画素電極を基準電位に対して負極性の電位で駆動し、これに続く次のフレーム又はフィールドの画像信号に対応する表示を行う間は、逆に偶数行に配列された画素電極を正極性の電位で駆動すると共に奇数行に配列された画素電極を負極性の電位で駆動する(即ち、同一行の画素電極を同一極性の電位により駆動しつつ、係る電位極性を行毎にフレーム又はフィールド周期で反転させる)1H反転駆動方式、或いは列毎に反転させる1S反転駆動方式、又は画素毎に電位の極性を反転させるドット反転方式を採用できる。この態様によれば、このような反転駆動方式を用いて動画像を表示する場合でも、残像及び尾引きの発生を効果的に低減できる。   According to this aspect, for example, even when an inversion driving method is employed in which the polarity of the potential applied to each pixel electrode is reversed according to a predetermined rule with respect to the reference potential of the counter electrode, the lateral electric field can be relaxed, and the afterimage and tail Pull can be reduced. As such an inversion driving method, for example, while performing display corresponding to an image signal of one frame or field, the pixel electrodes arranged in odd rows are driven at a positive potential with respect to a predetermined reference potential. During the display corresponding to the image signal of the next frame or field after driving the pixel electrodes arranged in the even rows with a negative potential with respect to the reference potential, the pixels are arranged in the even rows. The pixel electrodes are driven with a positive potential and the pixel electrodes arranged in the odd-numbered rows are driven with a negative potential (that is, the pixel electrodes in the same row are driven with the same polarity potential while the potential polarity is changed). A 1H inversion driving method in which the inversion is performed every frame or field period), a 1S inversion driving method in which each column is inverted, or a dot inversion method in which the polarity of the potential is inverted for each pixel can be adopted. According to this aspect, even when a moving image is displayed using such an inversion driving method, the occurrence of afterimages and tailing can be effectively reduced.

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置を備えている。   In order to solve the above problems, an electronic apparatus according to the present invention includes the above-described electro-optical device of the present invention.

本発明に係る電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品位の表示が可能な、投射型表示装置、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明に係る電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することが可能である。   According to the electronic apparatus according to the present invention, since the electro-optical device according to the present invention described above is provided, a projection display device, a mobile phone, an electronic notebook, a word processor, and a viewfinder type capable of high-quality display. Alternatively, various electronic devices such as a monitor direct-view video tape recorder, a workstation, a videophone, a POS terminal, and a touch panel can be realized. In addition, as an electronic apparatus according to the present invention, for example, an electrophoretic device such as electronic paper can be realized.

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。   Such an operation and other advantages of the present invention will become apparent from the embodiments described below.

以下、図面を参照しながら本発明に係る電気光学装置及び電子機器の各実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of an electro-optical device and an electronic apparatus according to the invention will be described with reference to the drawings.

<1:電気光学装置>
<1−1:電気光学装置の全体構成>
先ず、図1及び図2を参照しながら本実施形態に係る電気光学装置を説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図2は、図1のH−H´断面図である。本実施形態では、電気光学装置の一例として、駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げる。
<1: Electro-optical device>
<1-1: Overall Configuration of Electro-Optical Device>
First, an electro-optical device according to this embodiment will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG. 1 is a plan view of the electro-optical device when the TFT array substrate is viewed from the counter substrate side together with the components formed thereon, and FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line HH ′ of FIG. In this embodiment, as an example of an electro-optical device, a TFT active matrix driving type liquid crystal device with a built-in driving circuit is taken as an example.

図1及び図2において、液晶装置1では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、複数の画素部が設けられる画素領域たる画像表示領域10aの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材52により相互に接着されている。   1 and 2, in the liquid crystal device 1, a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 are disposed to face each other. A liquid crystal layer 50 is sealed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20, and the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are positioned around an image display region 10a that is a pixel region in which a plurality of pixel portions are provided. They are bonded to each other by a sealing material 52 provided in the sealing area.

シール材52は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材52中には、TFTアレイ基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。即ち、本実施形態の電気光学装置は、プロジェクタのライトバルブ用として小型で拡大表示を行うのに適している。   The sealing material 52 is made of, for example, an ultraviolet curable resin, a thermosetting resin, or the like for bonding the two substrates, and is applied on the TFT array substrate 10 in the manufacturing process and then cured by ultraviolet irradiation, heating, or the like. It is. In the sealing material 52, a gap material such as glass fiber or glass beads for dispersing the distance (inter-substrate gap) between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 to a predetermined value is dispersed. That is, the electro-optical device according to the present embodiment is suitable for a small and enlarged display for a projector light valve.

シール材52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜53の一部又は全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、画像表示領域10aの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、TFTアレイ基板10の中心から見て、この額縁遮光膜53より以遠が周辺領域として規定されている。   A light-shielding frame light-shielding film 53 that defines the frame area of the image display area 10a is provided on the counter substrate 20 side in parallel with the inside of the seal area where the sealing material 52 is disposed. However, part or all of the frame light shielding film 53 may be provided as a built-in light shielding film on the TFT array substrate 10 side. There is a peripheral area located around the image display area 10a. In other words, particularly in the present embodiment, when viewed from the center of the TFT array substrate 10, the distance from the frame light shielding film 53 is defined as the peripheral region.

周辺領域のうち、シール材52が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路101及び外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路104は、この一辺に隣接する2辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域10aの両側に設けられた二つの走査線駆動回路104間をつなぐため、TFTアレイ基板10の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線105が設けられている。   A data line driving circuit 101 and an external circuit connection terminal 102 are provided along one side of the TFT array substrate 10 in a region located outside the sealing region in which the sealing material 52 is disposed in the peripheral region. The scanning line driving circuit 104 is provided along two sides adjacent to the one side so as to be covered with the frame light shielding film 53. Further, in order to connect the two scanning line driving circuits 104 provided on both sides of the image display area 10 a in this way, a plurality of the pixel lines are covered along the remaining side of the TFT array substrate 10 and covered with the frame light shielding film 53. Wiring 105 is provided.

対向基板20の4つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。   Vertical conductive members 106 functioning as vertical conductive terminals between the two substrates are disposed at the four corners of the counter substrate 20. On the other hand, the TFT array substrate 10 is provided with vertical conduction terminals in a region facing these corner portions. Thus, electrical conduction can be established between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20.

図2において、TFTアレイ基板10上には、画素スイッチング素子としてのTFTや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極9a上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板20上には、対向電極21の他、格子状又はストライプ状の遮光膜23、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層50は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。   In FIG. 2, on the TFT array substrate 10, an alignment film is formed on the pixel electrode 9a after the formation of TFTs as pixel switching elements, wiring lines such as scanning lines and data lines. On the other hand, on the counter substrate 20, in addition to the counter electrode 21, a lattice-shaped or striped light-shielding film 23 and an alignment film are formed on the uppermost layer portion. The liquid crystal layer 50 is made of, for example, a liquid crystal in which one or several types of nematic liquid crystals are mixed, and takes a predetermined alignment state between the pair of alignment films.

TFTアレイ基板10は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板、あるいはシリコン基板等の半導体基板である。対向基板20もTFTアレイ基板10と同様に透明基板である。   The TFT array substrate 10 is, for example, a transparent substrate such as a quartz substrate or a glass substrate, or a semiconductor substrate such as a silicon substrate. The counter substrate 20 is also a transparent substrate like the TFT array substrate 10.

TFTアレイ基板10には、画素電極9aが設けられており、その上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜が設けられている。例えば、画素電極9aはITO(Indium Tin Oxide)膜などの透明導電性膜からなり、配向膜は、ポリイミド膜などの有機膜である。配向膜は斜方蒸着法を用いて形成された無機配向膜であってもよい。   The TFT array substrate 10 is provided with a pixel electrode 9a, and an alignment film on which a predetermined alignment process such as a rubbing process has been performed is provided above the pixel electrode 9a. For example, the pixel electrode 9a is made of a transparent conductive film such as an ITO (Indium Tin Oxide) film, and the alignment film is an organic film such as a polyimide film. The alignment film may be an inorganic alignment film formed by using oblique deposition.

対向基板20には、その全面に渡って対向電極21が設けられており、その下側には、配向膜22が設けられている。対向電極21は例えば、ITO膜などの透明導電性膜からなる。配向膜22は、配向膜16と同様の材料及び膜形成方法によって形成されている。   A counter electrode 20 is provided over the entire surface of the counter substrate 20, and an alignment film 22 is provided below the counter electrode 21. The counter electrode 21 is made of a transparent conductive film such as an ITO film. The alignment film 22 is formed by the same material and film formation method as the alignment film 16.

対向基板20には、格子状又はストライプ状の遮光膜を設けるようにしてもよい。このような構成を採ることで、TFTアレイ基板10側からの入射光のチャネル領域1a´ないしその周辺への侵入を阻止するのをより確実に阻止することができる。   The counter substrate 20 may be provided with a lattice-shaped or striped light-shielding film. By adopting such a configuration, it is possible to more reliably prevent the incident light from the TFT array substrate 10 side from entering the channel region 1a ′ or its periphery.

このように構成され、画素電極9aと対向電極21とが対面するように配置されたTFTアレイ基板10と対向基板20との間には、液晶層50が形成される。液晶層50は、画素電極9aから電界が印加されていない状態で配向膜により所定の配向状態をとる。   A liquid crystal layer 50 is formed between the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 that are configured as described above and are arranged so that the pixel electrode 9a and the counter electrode 21 face each other. The liquid crystal layer 50 takes a predetermined alignment state by the alignment film in a state where an electric field is not applied from the pixel electrode 9a.

尚、図1及び図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。   1 and 2, on the TFT array substrate 10, in addition to the drive circuits such as the data line drive circuit 101 and the scanning line drive circuit 104, the image signal on the image signal line is sampled to obtain data. Sampling circuit that supplies lines, precharge circuit that supplies pre-charge signals of a predetermined voltage level to multiple data lines in advance of image signals, inspection of quality, defects, etc. of the electro-optical device during production or shipment An inspection circuit or the like may be formed.

<1−2:画素部の電気的な接続構成>
次に、図3を参照しながら、液晶装置1の画素部の電気的な接続構成を詳細に説明する。図3は、液晶装置1の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。
<1-2: Electrical Connection Configuration of Pixel Unit>
Next, the electrical connection configuration of the pixel portion of the liquid crystal device 1 will be described in detail with reference to FIG. FIG. 3 is an equivalent circuit of various elements, wirings, and the like in a plurality of pixels formed in a matrix that forms the image display area of the liquid crystal device 1.

図3において、液晶装置1の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素の夫々には、画素電極9a及びTFT30が形成されている。TFT30は、画素電極9aに電気的に接続されており、液晶装置1の動作時に画素電極9aをスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線6aは、TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、・・・、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。   In FIG. 3, a pixel electrode 9 a and a TFT 30 are formed in each of a plurality of pixels formed in a matrix that forms an image display area of the liquid crystal device 1. The TFT 30 is electrically connected to the pixel electrode 9a, and performs switching control of the pixel electrode 9a when the liquid crystal device 1 operates. The data line 6a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the TFT 30. The image signals S1, S2,..., Sn to be written to the data lines 6a may be supplied line-sequentially in this order, or may be supplied for each group to a plurality of adjacent data lines 6a. May be.

TFT30のゲートに走査線11aが電気的に接続されており、液晶装置1は、所定のタイミングで、走査線11aにパルス的に走査信号G1、G2、・・・、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、・・・、Snが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、・・・、Snは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。   The scanning line 11a is electrically connected to the gate of the TFT 30, and the liquid crystal device 1 line-sequentially applies the scanning signals G1, G2,..., Gm to the scanning line 11a in a pulsed manner at a predetermined timing. It is comprised so that it may apply. The pixel electrode 9a is electrically connected to the drain of the TFT 30, and the image signal S1, S2,... Supplied from the data line 6a is closed by closing the switch of the TFT 30 serving as a switching element for a certain period. Sn is written at a predetermined timing. A predetermined level of image signals S1, S2,..., Sn written in the liquid crystal as an example of the electro-optical material via the pixel electrode 9a is held for a certain period with the counter electrode formed on the counter substrate. The

液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極9aと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加されている。これにより、画素電極9aにおける電位保持特性が向上し、コントラストやフリッカといった表示特性の向上が可能となる。   The liquid crystal modulates light and enables gradation display by changing the orientation and order of the molecular assembly depending on the applied voltage level. In the normally white mode, the transmittance for incident light is reduced according to the voltage applied in units of each pixel, and in the normally black mode, the light is incident according to the voltage applied in units of each pixel. The transmittance for light is increased, and light having a contrast corresponding to an image signal is emitted from the electro-optical device as a whole. In order to prevent the image signal held here from leaking, a storage capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 9a and the counter electrode. Thereby, the potential holding characteristic in the pixel electrode 9a is improved, and display characteristics such as contrast and flicker can be improved.

<1−3:電気光学装置の具体的構成>
次に、上述の動作が実現される液晶装置1の具体的な構成について、図4乃至図6を参照して説明する。
<1-3: Specific Configuration of Electro-Optical Device>
Next, a specific configuration of the liquid crystal device 1 that realizes the above-described operation will be described with reference to FIGS.

図4乃至図6において、上述の回路要素及び画素電極9aは、TFTアレイ基板10上に形成されている。TFTアレイ基板10は、例えば、ガラス基板、石英基板、SOI基板、半導体基板等からなり、例えばガラス基板や石英基板からなる対向基板20と対向配置されている。回路要素は画素電極9aを駆動するために設けられ、ここでは、TFTアレイ基板10の直上から画素電極9aの直下までの範囲内に積層された、走査線11aから第4層間絶縁膜44までを指している(図6参照)。画素電極9a(図5中、破線9a´で輪郭が示されている)は縦横に区画配列された画素領域の各々に配置され、その境界にデータ線6a及び走査線11aが格子状に配列するように形成されている(図4及び図5参照)。   4 to 6, the circuit element and the pixel electrode 9 a described above are formed on the TFT array substrate 10. The TFT array substrate 10 is made of, for example, a glass substrate, a quartz substrate, an SOI substrate, a semiconductor substrate, and the like, and is disposed to face the counter substrate 20 made of, for example, a glass substrate or a quartz substrate. The circuit elements are provided to drive the pixel electrodes 9a. Here, the circuit elements are stacked in a range from directly above the TFT array substrate 10 to immediately below the pixel electrodes 9a, from the scanning line 11a to the fourth interlayer insulating film 44. Pointing (see FIG. 6). The pixel electrode 9a (the outline is indicated by a broken line 9a 'in FIG. 5) is arranged in each of the pixel areas partitioned and arranged vertically and horizontally, and the data lines 6a and the scanning lines 11a are arranged in a grid at the boundary. (See FIGS. 4 and 5).

各回路要素を構成するパターニングされた導電膜は、下から順に走査線11aを含む第1層、ゲート電極3aを含む第2層、蓄積容量70の固定電位側容量電極を含む第3層、データ線6a等を含む第4層、本発明の「遮光膜」の一例である容量配線400等を含む第5層からなる。また、第1層−第2層間には下地絶縁膜12、第2層−第3層間には第1層間絶縁膜41、第3層−第4層間には第2層間絶縁膜42、第4層−第5層間には第3層間絶縁膜43、第5層と画素電極9aの間には第4層間絶縁膜44が夫々設けられ、前述の各要素間が短絡することを防止している。尚、このうち、第1層から第3層が下層部分として図4に示され、第4層、第5層及び画素電極9aが上層部分として図5に示されている。   The patterned conductive film constituting each circuit element includes, in order from the bottom, a first layer including the scanning line 11a, a second layer including the gate electrode 3a, a third layer including the fixed potential side capacitor electrode of the storage capacitor 70, and data A fourth layer including the line 6a and the like, and a fifth layer including the capacitor wiring 400 which is an example of the “light-shielding film” of the present invention. Further, the base insulating film 12 is provided between the first layer and the second layer, the first interlayer insulating film 41 is provided between the second layer and the third layer, the second interlayer insulating film 42 is provided between the third layer and the fourth layer, and the fourth layer. A third interlayer insulating film 43 is provided between the layer and the fifth layer, and a fourth interlayer insulating film 44 is provided between the fifth layer and the pixel electrode 9a to prevent the above-described elements from being short-circuited. . Of these, the first to third layers are shown in FIG. 4 as lower layer portions, and the fourth layer, the fifth layer, and the pixel electrode 9a are shown in FIG. 5 as upper layer portions.

<第1層の構成−走査線等−>
第1層は、走査線11aで構成される。走査線11aは、図4のX方向に沿って延びる本線部と、データ線6a或いは容量配線400が延在する図4のY方向に延びる突出部とからなる形状にパターニングされている。このような走査線11aは、例えば導電性ポリシリコンからなり、その他にもTi、Cr、W、Ta、Mo等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド又はこれらの積層体等により形成することができる。
<Structure of first layer-scanning line, etc .->
The first layer is composed of scanning lines 11a. The scanning line 11a is patterned into a shape including a main line portion extending in the X direction in FIG. 4 and a protruding portion extending in the Y direction in FIG. 4 in which the data line 6a or the capacitor wiring 400 extends. Such a scanning line 11a is made of, for example, conductive polysilicon, and in addition, a metal simple substance, an alloy, a metal silicide, a polysilicon containing at least one of refractory metals such as Ti, Cr, W, Ta, and Mo. It can be formed of silicide or a laminate thereof.

<第2層の構成−TFT等−>
第2層は、TFT30及び中継電極719で構成されている。TFT30は、例えばLDD(Lightly Doped Drain)構造とされ、ゲート電極3a、半導体層1a、ゲート電極3aと半導体層1aを絶縁するゲート絶縁膜を含んだ絶縁膜2を備えている。ゲート電極3aは、例えば導電性ポリシリコンで形成される。半導体層1aは、チャネル領域1a´、低濃度ソース領域1b及び低濃度ドレイン領域1c、並びに高濃度ソース領域1d及び高濃度ドレイン領域1eからなる。尚、TFT30は、LDD構造を有することが好ましいが、低濃度ソース領域1b、低濃度ドレイン領域1cに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよいし、ゲート電極3aをマスクとして不純物を高濃度に打ち込んで高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成する自己整合型であってもよい。また、中継電極719は、例えばゲート電極3aと同一膜として形成される。
<Configuration of second layer-TFT, etc.->
The second layer includes the TFT 30 and the relay electrode 719. The TFT 30 has an LDD (Lightly Doped Drain) structure, for example, and includes a gate electrode 3a, a semiconductor layer 1a, and an insulating film 2 including a gate insulating film that insulates the gate electrode 3a from the semiconductor layer 1a. The gate electrode 3a is made of, for example, conductive polysilicon. The semiconductor layer 1a includes a channel region 1a ′, a low concentration source region 1b and a low concentration drain region 1c, and a high concentration source region 1d and a high concentration drain region 1e. The TFT 30 preferably has an LDD structure. However, the TFT 30 may have an offset structure in which no impurity is implanted into the low concentration source region 1b and the low concentration drain region 1c. It may be a self-aligned type in which a high concentration source region and a high concentration drain region are formed by implanting the film. The relay electrode 719 is formed as the same film as the gate electrode 3a, for example.

TFT30のゲート電極3aは、下地絶縁膜12に形成されたコンタクトホール12cvを介して走査線11aに電気的に接続されている。下地絶縁膜12は、例えばシリコン酸化膜等からなり、第1層と第2層の層間絶縁機能の他、TFTアレイ基板10の全面に形成されることで、基板表面の研磨による荒れや汚れ等が惹き起こすTFT30の素子特性の変化を防止する機能を有している。   The gate electrode 3 a of the TFT 30 is electrically connected to the scanning line 11 a through a contact hole 12 cv formed in the base insulating film 12. The base insulating film 12 is made of, for example, a silicon oxide film, and is formed on the entire surface of the TFT array substrate 10 in addition to the interlayer insulating function between the first layer and the second layer. Has a function of preventing changes in the element characteristics of the TFT 30 caused by the above.

<第3層の構成−蓄積容量等−>
第3層は、蓄積容量70で構成されている。蓄積容量70は、容量電極300と下部電極71とが誘電体層を介して対向配置された構成となっている。このうち、容量電極300は、容量配線400に電気的に接続されている。下部電極71は、TFT30の高濃度ドレイン領域1e及び画素電極9aの夫々に電気的に接続されている。
<Configuration of third layer-storage capacity, etc.->
The third layer is composed of a storage capacitor 70. The storage capacitor 70 has a configuration in which a capacitor electrode 300 and a lower electrode 71 are arranged to face each other with a dielectric layer interposed therebetween. Among these, the capacitor electrode 300 is electrically connected to the capacitor wiring 400. The lower electrode 71 is electrically connected to each of the high concentration drain region 1e of the TFT 30 and the pixel electrode 9a.

下部電極71と高濃度ドレイン領域1eとは、第1層間絶縁膜41に開孔されたコンタクトホール83を介して接続されている。また、下部電極71と画素電極9aとは、コンタクトホール881、882、804、及び中継電極719、第2中継電極6a2、第3中継電極402により各層を中継し、本発明の「接続部」の一例であるコンタクトホール89において電気的に接続されている。   The lower electrode 71 and the high concentration drain region 1e are connected through a contact hole 83 opened in the first interlayer insulating film 41. Further, the lower electrode 71 and the pixel electrode 9a relay each layer by the contact holes 881, 882, and 804, the relay electrode 719, the second relay electrode 6a2, and the third relay electrode 402, and the “connection portion” of the present invention. Electrical connection is made at a contact hole 89 as an example.

このような容量電極300、及び下部電極71には、例えば導電性のポリシリコンが用いられ、誘電体層には酸化シリコンが用いられる。また、第1層間絶縁膜41は、例えば、NSG(ノンシリケートガラス)によって形成されている。その他、第1層間絶縁膜41には、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等を用いることができる。   For example, conductive polysilicon is used for the capacitor electrode 300 and the lower electrode 71, and silicon oxide is used for the dielectric layer. The first interlayer insulating film 41 is made of, for example, NSG (non-silicate glass). In addition, for the first interlayer insulating film 41, silicate glass such as PSG (phosphorus silicate glass), BSG (boron silicate glass), BPSG (boron phosphorus silicate glass), silicon nitride, silicon oxide, or the like can be used.

尚、この場合の蓄積容量70は、図4の平面図からわかるように、画素電極9aの形成領域にほぼ対応する画素領域に至らないように(遮光領域内に収まるように)形成されているので、画素の開口率が比較的大きく維持されている。   In this case, as can be seen from the plan view of FIG. 4, the storage capacitor 70 is formed so as not to reach the pixel region substantially corresponding to the formation region of the pixel electrode 9a (so as to be within the light shielding region). Therefore, the aperture ratio of the pixel is kept relatively large.

<第4層の構成−データ線等−>
第4層は、データ線6aで構成されている。データ線6aは、下から順にアルミニウム、窒化チタン、窒化シリコンの三層膜として形成されている。窒化シリコン層は、その下層のアルミニウム層と窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。また、第4層には、データ線6aと同一膜として、容量配線用中継層6a1及び第2中継電極6a2が形成されている。これらは、図5に示したように、夫々が分断されるように形成されている。
<Fourth layer configuration-data lines, etc .->
The fourth layer is composed of data lines 6a. The data line 6a is formed as a three-layer film of aluminum, titanium nitride, and silicon nitride in order from the bottom. The silicon nitride layer is patterned to a slightly larger size so as to cover the lower aluminum layer and titanium nitride layer. In the fourth layer, the capacitor wiring relay layer 6a1 and the second relay electrode 6a2 are formed as the same film as the data line 6a. These are formed so as to be divided as shown in FIG.

データ線6aは、第1層間絶縁膜41及び第2層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール81を介して、TFT30の高濃度ソース領域1dと電気的に接続されている。   The data line 6 a is electrically connected to the high concentration source region 1 d of the TFT 30 through a contact hole 81 that penetrates the first interlayer insulating film 41 and the second interlayer insulating film 42.

容量配線用中継層6a1は、第2層間絶縁膜42に開孔されたコンタクトホール801を介して容量電極300と電気的に接続され、容量電極300と容量配線400との間を中継している。容量配線用中継層6a2は、前述したように、第1層間絶縁膜41及び第2層間絶縁膜42を貫通するコンタクトホール882を介して中継電極719に電気的に接続されている。このような層間絶縁膜42は、例えばNSG、PSG、BSG、BPSG等のシリケートガラス、窒化シリコンや酸化シリコン等によって形成することができる。   The capacitor wiring relay layer 6a1 is electrically connected to the capacitor electrode 300 through a contact hole 801 formed in the second interlayer insulating film 42, and relays between the capacitor electrode 300 and the capacitor wiring 400. . As described above, the capacitor wiring relay layer 6 a 2 is electrically connected to the relay electrode 719 through the contact hole 882 that penetrates the first interlayer insulating film 41 and the second interlayer insulating film 42. Such an interlayer insulating film 42 can be formed of, for example, silicate glass such as NSG, PSG, BSG, or BPSG, silicon nitride, silicon oxide, or the like.

<第5層の構成−容量配線等−>
第5層は、本発明の「遮光膜」の一例である容量配線400及び第3中継電極402により構成されている。容量配線400は、表示パネルの画像表示領域の周囲にまで延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。容量配線400は、図5に示すように、X方向、Y方向に延在する格子状に形成され、X方向に延在する部分には、第3中継電極402の形成領域を確保するために切り欠きが設けられている。また、容量配線400は、その下層のデータ線6a、走査線11a、TFT30等を覆うように、これら回路要素の構造よりも幅広に形成されている。これにより、各回路要素は遮光され、入射光を反射させて投射画像における画素の輪郭がぼやける等の悪影響が防止されている。
<Fifth layer configuration-capacity wiring, etc .->
The fifth layer is composed of the capacitor wiring 400 and the third relay electrode 402 which are examples of the “light-shielding film” of the present invention. The capacitor wiring 400 extends to the periphery of the image display area of the display panel, and is set to a fixed potential by being electrically connected to a constant potential source. As shown in FIG. 5, the capacitor wiring 400 is formed in a lattice shape extending in the X direction and the Y direction, and in order to secure a formation region of the third relay electrode 402 in a portion extending in the X direction. Notches are provided. In addition, the capacitor wiring 400 is formed wider than the structure of these circuit elements so as to cover the data line 6a, the scanning line 11a, the TFT 30, and the like in the lower layer. Thereby, each circuit element is shielded from light, and adverse effects such as reflection of incident light and blurring of pixel outlines in a projected image are prevented.

更に、容量配線400のX方向延在部分とY方向延在部分とが丁度交差する角部は、略三角形の庇部がわずかに突き出すような形状となっている。この庇部により、TFT30の半導体層1aに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層1aに対して斜め上方から進入する光を、庇部が反射又は吸収することにより、TFT30における光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。   Further, the corner portion where the X-direction extending portion and the Y-direction extending portion of the capacitor wiring 400 just intersect each other has a shape such that a substantially triangular collar portion protrudes slightly. With this flange, light can be effectively shielded from the semiconductor layer 1a of the TFT 30. That is, the light entering the semiconductor layer 1a from obliquely above is reflected or absorbed by the collar portion, thereby suppressing the occurrence of light leakage current in the TFT 30 and displaying a high-quality image free from flicker or the like. It becomes possible.

このような容量配線400は、第3層間絶縁膜43に開孔されたコンタクトホール803を介して、容量配線用中継層6a1と電気的に接続されている。また、第4層には、容量配線400と同一膜として、第3中継電極402が形成されている。第3中継電極402は、前述のように、コンタクトホール804及びコンタクトホール89を介して、第2中継電極6a2−画素電極9a間を中継している。尚、これら容量配線400及び第3中継電極402は、例えばアルミニウム、窒化チタンを積層した二層構造となっている。   Such a capacitive wiring 400 is electrically connected to the capacitive wiring relay layer 6a1 through a contact hole 803 opened in the third interlayer insulating film 43. In the fourth layer, the third relay electrode 402 is formed as the same film as the capacitor wiring 400. As described above, the third relay electrode 402 relays between the second relay electrode 6a2 and the pixel electrode 9a via the contact hole 804 and the contact hole 89. The capacitor wiring 400 and the third relay electrode 402 have a two-layer structure in which, for example, aluminum and titanium nitride are stacked.

第4層の上には、全面に第4層間絶縁膜44が形成されている。第4層間絶縁膜44には、画素電極9a及び第3中継電極402間を電気的に接続するためのコンタクトホール89が開孔されている。   A fourth interlayer insulating film 44 is formed on the entire surface of the fourth layer. In the fourth interlayer insulating film 44, a contact hole 89 for electrically connecting the pixel electrode 9a and the third relay electrode 402 is opened.

次に、図5を参照しながら、画素電極9aの具体的な平面形状を詳細に説明する。尚、本実施形態では説明を簡便にするため、画素電極9aのうち相隣接して配設された4つの画素電極を例に挙げている。   Next, a specific planar shape of the pixel electrode 9a will be described in detail with reference to FIG. In the present embodiment, for the sake of simplicity of explanation, four pixel electrodes arranged adjacent to each other in the pixel electrode 9a are taken as an example.

図5において、画素電極9aのうち図中Y方向に沿って異なる行に配列された画素電極9aのうちが図中上側でX方向に沿った行を構成する画素電極9a1が本発明の「第1画素電極」の一例であり、図中下側でX方向に沿った行を構成する画素電極9a2が本発明の「第2画素電極」の一例である。後に詳細に説明するように、液晶装置1の駆動時に、画素電極9a1及び9a2の夫々には、対向電極21に供給される電位を基準として互いに異なる極性の電位が供給される。   In FIG. 5, among the pixel electrodes 9a arranged in different rows along the Y direction in the drawing, the pixel electrode 9a1 constituting the row along the X direction on the upper side in the drawing is the “th” of the present invention. The pixel electrode 9a2 that constitutes a row along the X direction on the lower side in the drawing is an example of the “second pixel electrode” in the present invention. As will be described in detail later, when the liquid crystal device 1 is driven, the pixel electrodes 9a1 and 9a2 are supplied with potentials having different polarities based on the potential supplied to the counter electrode 21.

画素電極9a1及び画素電極9a2の夫々は、互いに対向する第1縁部29a1及び第2縁部29a2を備えている。   Each of the pixel electrode 9a1 and the pixel electrode 9a2 includes a first edge portion 29a1 and a second edge portion 29a2 that face each other.

第1縁部29a1の両端には、第1縁部29a1が部分的に切り欠かれてなる切り欠き部29b1が形成されている。切り欠き部29b1は、後に詳細に説明するように画素電極9a1及び9a2間に生じる横電界を低減する。   At both ends of the first edge portion 29a1, notched portions 29b1 are formed by partially cutting away the first edge portion 29a1. The notch 29b1 reduces a lateral electric field generated between the pixel electrodes 9a1 and 9a2, as will be described in detail later.

画素電極9a1は、切り欠き部29b1を含み、且つ画素電極9a1から見て画素電極9a2の側に突出した凸部9cを有している。コンタクトホール89は、凸部9cに形成されており、画素電極9a1と、画素電極9a1の下層側に形成された第3中継電極402とを電気的に接続する。ここで、切り欠き部29b1は、容量配線400に重なっているため、画素電極29b1に切り欠き部29b1を設けることによって生じる光抜けを容量配線400が遮光し、コントラストの低下を抑制する。加えて、画素における非開口領域に位置する凸部9cにコンタクトホール89を設けることによって、コンタクトホール89による開口率の低下を招くことなく、画素電極9a1及び第3中継電極402を電気的に接続できる。   The pixel electrode 9a1 includes a notch 29b1 and has a protrusion 9c that protrudes toward the pixel electrode 9a2 when viewed from the pixel electrode 9a1. The contact hole 89 is formed in the convex portion 9c and electrically connects the pixel electrode 9a1 and the third relay electrode 402 formed on the lower layer side of the pixel electrode 9a1. Here, since the notch 29b1 overlaps the capacitor wiring 400, the capacitor wiring 400 shields light leakage caused by providing the notch 29b1 in the pixel electrode 29b1, thereby suppressing a decrease in contrast. In addition, by providing the contact hole 89 in the convex portion 9c located in the non-opening region in the pixel, the pixel electrode 9a1 and the third relay electrode 402 are electrically connected without causing a decrease in the aperture ratio due to the contact hole 89. it can.

また、本実施形態に係る液晶装置1によれば、切り欠き部29b1を第1縁部29a1の中央付近に設ける場合に比べて、画素電極9a1を含む画素における開口率の低下を効果的に抑制できる。   Further, according to the liquid crystal device 1 according to the present embodiment, a decrease in the aperture ratio in the pixel including the pixel electrode 9a1 is effectively suppressed as compared with the case where the notch 29b1 is provided near the center of the first edge 29a1. it can.

<1−4:液晶装置の駆動方法>
次に、図7を参照しながら、液晶装置1の駆動方法の一例を説明する。
<1-4: Driving Method of Liquid Crystal Device>
Next, an example of a method for driving the liquid crystal device 1 will be described with reference to FIG.

ここで、本実施形態では液晶装置1の駆動方式として一例として1H反転駆動方式が採用している。画素電極9aの間には、横電界が発生する。即ち、n番目(但しnは自然数)のフィールド或いはフレームの画像表示期間中、Y軸方向に並列した画素電極9aの各行に、隣接する列とは基準電圧に対する極性が相異なる電圧を印加することにより、画素領域は、行毎に逆極性の液晶駆動電圧が印加された状態で駆動される。その様子を図7(a)に示す。続くn+1番目のフィールド或いはフレームの画像表示期間では、図7(b)に示したように、液晶駆動電圧の極性を反転させる。n+2番目のフィールド或いはフレーム以降は、図7(a)及び図7(b)に示した状態が周期的に繰り返される。このように液晶層50への印加電圧の極性を周期的に反転させると、液晶に直流電圧が印加されるのが防止され、液晶の劣化が抑制される。また、画素電極9aの行毎に印加電圧の極性を逆としているので、クロストークやフリッカが低減される。   Here, in this embodiment, the 1H inversion driving method is adopted as an example of the driving method of the liquid crystal device 1. A lateral electric field is generated between the pixel electrodes 9a. That is, during the image display period of the nth (where n is a natural number) field or frame, a voltage having a polarity different from that of the reference voltage is applied to each row of the pixel electrodes 9a arranged in parallel in the Y-axis direction. Thus, the pixel region is driven in a state where a liquid crystal driving voltage having a reverse polarity is applied to each row. This is shown in FIG. In the subsequent image display period of the (n + 1) th field or frame, the polarity of the liquid crystal driving voltage is inverted as shown in FIG. After the n + 2nd field or frame, the states shown in FIGS. 7A and 7B are periodically repeated. When the polarity of the voltage applied to the liquid crystal layer 50 is periodically reversed in this way, application of a DC voltage to the liquid crystal is prevented, and deterioration of the liquid crystal is suppressed. Further, since the polarity of the applied voltage is reversed for each row of the pixel electrodes 9a, crosstalk and flicker are reduced.

この方式により、Y軸方向に相隣接する(即ち、相異なる行に属する)画素電極9a1及び9a2は、基準電圧に対して互いに逆の極性の電位で駆動されるため、その間の領域C1には横電界と呼ばれる基板面に平行な成分を持つ電界が発生する。加えて、相隣接する行の画素電極9aのうち異なる列に属する画素電極9a1及び9a2間にも横電界が発生する。したがって、液晶装置1の動作時には、図中C1で示した走査線11aが延びる領域に沿った領域全体に横電界が発生する。このままでは、横電界によって液晶分子のチルト角の規制が阻害され、動画像を表示した際に残像及び尾引きが生じてしまう。そこで、本実施形態特有の平面形状を有する画素電極9aによれば、相隣接して配設された画素電極間に生じる横電界を緩和できる。   With this method, the pixel electrodes 9a1 and 9a2 adjacent to each other in the Y-axis direction (that is, belonging to different rows) are driven with potentials having opposite polarities with respect to the reference voltage. An electric field called a transverse electric field having a component parallel to the substrate surface is generated. In addition, a horizontal electric field is also generated between the pixel electrodes 9a1 and 9a2 belonging to different columns among the pixel electrodes 9a in adjacent rows. Therefore, during the operation of the liquid crystal device 1, a lateral electric field is generated in the entire region along the region where the scanning line 11a indicated by C1 in the drawing extends. In this state, the regulation of the tilt angle of the liquid crystal molecules is hindered by the lateral electric field, and an afterimage and tailing occur when a moving image is displayed. Therefore, according to the pixel electrode 9a having a planar shape peculiar to the present embodiment, a lateral electric field generated between pixel electrodes arranged adjacent to each other can be reduced.

尚、本発明に係る液晶装置を駆動する際に駆動方式は、本実施形態に係る液晶装置の駆動方式に限定されるものではなく、相隣接する画素電極毎に電位を反転させたドット反転駆動方式等の他の駆動方式でもよく、相隣接する画素電極間に横電界が生じうる駆動方式であれば如何なる駆動方式に対しても、横電界を低減する効果は得られる。   The driving method for driving the liquid crystal device according to the present invention is not limited to the driving method for the liquid crystal device according to the present embodiment, and dot inversion driving in which the potential is inverted for each adjacent pixel electrode. Any other driving method may be used, and the effect of reducing the horizontal electric field can be obtained with any driving method as long as a horizontal electric field can be generated between adjacent pixel electrodes.

<1−5:画素電極の具体的な平面形状>
次に、図8及び図9を参照しながら本実施形態の液晶装置が備える画素電極間に生じる横電界強度分布を説明する。図8は、本実施形態の液晶装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図であり、図9は本実施形態の液晶装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度に対する比較例を模式的に示した平面図である。
<1-5: Specific Planar Shape of Pixel Electrode>
Next, the lateral electric field strength distribution generated between the pixel electrodes provided in the liquid crystal device of the present embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 8 is a plan view schematically showing a specific planar shape and lateral electric field strength of the pixel electrode included in the liquid crystal device of this embodiment, and FIG. 9 is a specific example of the pixel electrode included in the liquid crystal device of this embodiment. It is the top view which showed typically the comparative example with respect to typical planar shape and lateral electric field strength.

図9において、相隣接して配設された画素電極49a1及び49a2の夫々は、平面的に見て互いに対向する縁部59a1及び59a2を有している。より具体的には、縁部59a1及び59a2の夫々は、図中X方向に沿って延在されており、互いに平行に延びている。画素電極49a1及び49a2の夫々の電位は、対向電極の電位を基準として高い電位(図中+で表記)及び低い電位(図中−で表記)の夫々に設定されているため、画素電極49a1及び49a2間に電位差が生じており、この電位差によって画素電極49a1及び49a2間に横電界E2が生じている。ここで、縁部59a1及び59a2が延びる方向が互いに平行であるため、画素電極49a1及び49a2間の間隔Tは、X方向に沿って一様である。したがって、横電界E2は、画素電極49a1及び49a2間で均一である。このような画素電極49a1及び49a2間に生じる均一な強度分布を有する横電界E2によれば、画素電極49a1及び49a2と対向電極との間に介在する液晶分子の配向不良を招いてしまう。   In FIG. 9, each of the pixel electrodes 49a1 and 49a2 arranged adjacent to each other has edges 59a1 and 59a2 facing each other when seen in a plan view. More specifically, each of the edges 59a1 and 59a2 extends along the X direction in the drawing and extends in parallel to each other. The potentials of the pixel electrodes 49a1 and 49a2 are set to a high potential (indicated by + in the drawing) and a low potential (indicated by-in the drawing), respectively, with respect to the potential of the counter electrode. A potential difference is generated between the pixel electrodes 49a2, and a horizontal electric field E2 is generated between the pixel electrodes 49a1 and 49a2 due to the potential difference. Here, since the extending directions of the edges 59a1 and 59a2 are parallel to each other, the interval T between the pixel electrodes 49a1 and 49a2 is uniform along the X direction. Therefore, the lateral electric field E2 is uniform between the pixel electrodes 49a1 and 49a2. According to the lateral electric field E2 having a uniform intensity distribution generated between the pixel electrodes 49a1 and 49a2, the alignment defect of the liquid crystal molecules interposed between the pixel electrodes 49a1 and 49a2 and the counter electrode is caused.

そこで、図8において、平面的に見て画素電極9a2が有する第2縁部29a2に対向する第1縁部29a1に形成された切り欠き部29b1が、画素電極9a1及び9a2間に生じる横電界の強度分布を不均一にし、液晶分子の配向不良を低減する。   Therefore, in FIG. 8, the cutout portion 29b1 formed in the first edge portion 29a1 facing the second edge portion 29a2 of the pixel electrode 9a2 in plan view has a lateral electric field generated between the pixel electrodes 9a1 and 9a2. The intensity distribution is made non-uniform, and the alignment failure of liquid crystal molecules is reduced.

切り欠き部29b1は、平面的に見て、画素電極9a2が有する第2縁部29a2に設けられた切り欠き部29b2に対向し、且つ第2縁部29a2が延びるX方向に交わるA1方向に沿って延びている。X方向は、本発明の「第1方向」の一例であり、A1方向は本発明の「第2方向」の一例である。   The cutout portion 29b1 faces the cutout portion 29b2 provided in the second edge portion 29a2 of the pixel electrode 9a2 in plan view, and is along the A1 direction intersecting with the X direction in which the second edge portion 29a2 extends. It extends. The X direction is an example of the “first direction” in the present invention, and the A1 direction is an example of the “second direction” in the present invention.

図8に示すように、切り欠き部29b1によれば、相隣接する画素電極9a1及び9a2間の間隔t1及びt2が互いに異なり、且つ間隔t2は、X方向に沿って連続的に異なっている。したがって、画素電極9a1及び9a2間に生じる横電界E1は、X方向に沿って不均一となり、図9に示した均一な強度分布を有する横電界E2に比べて相対的に液晶分子の配向に及ぼす影響を小さくでき、横電界に起因して生じる残像及び尾引き現象を低減することが可能である。   As shown in FIG. 8, according to the notch 29b1, the intervals t1 and t2 between the adjacent pixel electrodes 9a1 and 9a2 are different from each other, and the interval t2 is continuously different along the X direction. Therefore, the lateral electric field E1 generated between the pixel electrodes 9a1 and 9a2 becomes non-uniform along the X direction, and affects the alignment of liquid crystal molecules relative to the lateral electric field E2 having a uniform intensity distribution shown in FIG. It is possible to reduce the influence, and it is possible to reduce the afterimage and tailing phenomenon caused by the transverse electric field.

加えて、切り欠き部29b1及び29b2は、第1縁部29a1及び29a2の夫々の中央付近を避けて設けられているため、開口率の低下を実質的に画質に影響が出ない範囲に抑制できる。   In addition, since the notches 29b1 and 29b2 are provided to avoid the vicinity of the center of each of the first edges 29a1 and 29a2, it is possible to suppress the decrease in the aperture ratio to a range that does not substantially affect the image quality. .

このように本実施形態に係る液晶装置によれば、開口率の低下を抑制しつつ、横電界を緩和できるため、開口率の低下に起因するコントラストの低下を抑制しつつ、横電界に起因する残像及び尾引き等の表示上の不具合を低減できる。   As described above, according to the liquid crystal device according to the present embodiment, the lateral electric field can be relaxed while suppressing the decrease in the aperture ratio, and therefore, the decrease in the contrast due to the decrease in the aperture ratio is suppressed and the attribute is caused by the lateral electric field. Display problems such as afterimages and tailing can be reduced.

(画素電極の変形例)
次に、図10乃至図12を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置が備える画素電極の変形例を説明する。図10乃至図12は、本実施形態に係る液晶装置が備える画素電極の変形例を示した平面図である。
(Variation of pixel electrode)
Next, a modification of the pixel electrode provided in the liquid crystal device according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 10 to 12 are plan views illustrating modifications of the pixel electrode included in the liquid crystal device according to the present embodiment.

図10(a)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極201a1及び201a2の夫々は、第1縁部202a1及び第2縁部202a2を有している。本例では、第1縁部202a1全体が、第2縁部202a2が延びるX1方向に交わるX2方向に沿って延びている。したがって、画素電極202a1及び202a2間の間隔t3は、図中X1方向に沿って連続的に異なる大きさであり、横電界E3は、X1方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。   In FIG. 10A, each of the pixel electrodes 201a1 and 201a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 202a1 and a second edge 202a2. In this example, the entire first edge 202a1 extends along the X2 direction that intersects the X1 direction in which the second edge 202a2 extends. Therefore, the interval t3 between the pixel electrodes 202a1 and 202a2 has a continuously different size along the X1 direction in the figure, and the lateral electric field E3 has a different intensity distribution along the X1 direction. . According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG.

加えて、画素電極201a2が有する縁部のうち平面的に見て第2縁部202a2に対向する第3縁部202a2は、平面的に見てX1方向に交わる、本発明の「第4方向」の一例でもあるX2方向に沿って延びている。したがって、画素電極201a2が有する縁部のうち画素電極201a1が有する第1縁部202a1から見て遠い側の第3縁部202a3と、第1縁部202a1との間で生じる横電界の強度分布も不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減できる。   In addition, among the edges of the pixel electrode 201a2, the third edge 202a2 facing the second edge 202a2 when viewed in plan intersects with the X1 direction when viewed in plan, the “fourth direction” of the present invention. It extends along the X2 direction which is also an example. Therefore, the intensity distribution of the lateral electric field generated between the third edge 202a3 on the side far from the first edge 202a1 of the pixel electrode 201a1 and the first edge 202a1 among the edges of the pixel electrode 201a2 is also obtained. Non-uniformity can be achieved, and the afterimage and tailing caused by the transverse electric field can be further reduced.

また、画素電極9aの凸部209cには、コンタクトホール289が形成されている。図4乃至図6で示したコンタクトホール89と同様にコンタクトホール289は、画素電極201a1と、その下層側に形成された第3中継電極402とを電気的に接続する。   A contact hole 289 is formed in the convex portion 209c of the pixel electrode 9a. Similar to the contact hole 89 shown in FIGS. 4 to 6, the contact hole 289 electrically connects the pixel electrode 201a1 and the third relay electrode 402 formed on the lower layer side thereof.

図10(b)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極211a1及び211a2の夫々は、第1縁部212a1及び第2縁部212a2を有している。本例では、画素電極211a1は、第1部分214b1及び第2部分214b2からなる第1縁部212a1を有している。第1部分214b1は、本発明の「一部」の一例であり、第2部分214b2は、本発明の「他の部分」の一例である。   In FIG. 10B, each of the pixel electrodes 211a1 and 211a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 212a1 and a second edge 212a2. In this example, the pixel electrode 211a1 has a first edge 212a1 including a first portion 214b1 and a second portion 214b2. The first part 214b1 is an example of the “part” of the present invention, and the second part 214b2 is an example of the “other part” of the present invention.

第1部分214b1は、第2縁部212a2が延びるX1方向と交わるX3方向に沿って延びており、第2部分214b2は、X1方向と交わるX2方向に沿って延びている。平面的に見た画素電極211a1の中心の両側の夫々において、画素電極211a1及び211a2の間隔t4は、X1方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界E4は、X1方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極211a2が有する第3縁部212a3は、平面的に見てX1方向に交わる方向に延びる部分を有しているため、第1縁部212a1との間で生じる横電界の強度分布もより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。   The first portion 214b1 extends along the X3 direction that intersects the X1 direction in which the second edge 212a2 extends, and the second portion 214b2 extends along the X2 direction that intersects the X1 direction. The distance t4 between the pixel electrodes 211a1 and 211a2 on the both sides of the center of the pixel electrode 211a1 in plan view has a continuously different size along the X1 direction. Therefore, the lateral electric field E4 has different intensity distributions along the X1 direction. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG. In addition, since the third edge 212a3 of the pixel electrode 211a2 has a portion extending in the direction intersecting with the X1 direction when seen in a plan view, the intensity distribution of the lateral electric field generated between the first edge 212a1 and the third edge 212a3 It is possible to make it more non-uniform, and it is possible to further reduce the afterimage and tailing caused by the transverse electric field.

図10(c)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極221a1及び221a2の夫々は、第1縁部222a1及び第2縁部222a2を有している。本例では、画素電極221a1は、第1部分224b1及び第2部分224b2からなる第1縁部222a1を有している。   In FIG. 10C, each of the pixel electrodes 221a1 and 221a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 222a1 and a second edge 222a2. In this example, the pixel electrode 221a1 has a first edge 222a1 including a first portion 224b1 and a second portion 224b2.

第1部分224b1は、第2縁部222a2が延びるX1方向と交わるX2方向に沿って延びており、第2部分214b2は、X1方向と交わるX3方向に沿って延びている。平面的に見た画素電極221a1の中心の両側の夫々において、画素電極221a1及び221a2の間隔t5は、X1方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界E5は、X1方向に沿って異なる強度分布を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極221a2が有する第3縁部222a3は、平面的に見てX1方向に交わる方向に延びる部分を有しているため、第1縁部222a1との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。   The first portion 224b1 extends along the X2 direction that intersects the X1 direction in which the second edge 222a2 extends, and the second portion 214b2 extends along the X3 direction that intersects the X1 direction. The distance t5 between the pixel electrodes 221a1 and 221a2 on the both sides of the center of the pixel electrode 221a1 viewed in a plan view has continuously different sizes along the X1 direction. Therefore, the lateral electric field E5 has different intensity distributions along the X1 direction. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG. In addition, since the third edge 222a3 of the pixel electrode 221a2 has a portion extending in the direction intersecting the X1 direction when seen in a plan view, the intensity distribution of the transverse electric field generated between the first electrode 222a1 and the first edge 222a1. Can be made more non-uniform, and the afterimage and tailing caused by the transverse electric field can be further reduced.

図11(a)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極231a1及び231a2の夫々は、第1縁部232a1及び第2縁部232a2を有している。本例では、画素電極231a1は、第1部分234b1及び第2部分234b2が交互に形成された第1縁部232a1を有している。   In FIG. 11A, each of the pixel electrodes 231a1 and 231a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 232a1 and a second edge 232a2. In this example, the pixel electrode 231a1 has a first edge 232a1 in which the first portions 234b1 and the second portions 234b2 are alternately formed.

第1部分234b1は、第2縁部232a2が延びるX1方向と交わるX2方向に沿って延びており、第2部分234b2は、X1方向と交わるX3方向に沿って延びている。画素電極231a1及び231a2の間隔t6は、X1方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界E6は、X1方向に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極231a2が有する第3縁部232a3は、平面的に見てX1方向に夫々交わる方向に延びる部分を有しているため、第1縁部232a1との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。   The first portion 234b1 extends along the X2 direction that intersects the X1 direction in which the second edge 232a2 extends, and the second portion 234b2 extends along the X3 direction that intersects the X1 direction. The interval t6 between the pixel electrodes 231a1 and 231a2 has different sizes continuously along the X1 direction. Therefore, the lateral electric field E6 has different strengths along the X1 direction. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG. In addition, since the third edge 232a3 of the pixel electrode 231a2 has portions extending in the directions intersecting with each other in the X1 direction when seen in a plan view, the intensity of the lateral electric field generated between the first edge 232a1 and the third edge 232a3 The distribution can be made more uneven, and the afterimage and tailing caused by the transverse electric field can be further reduced.

図11(b)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極241a1及び241a2の夫々は、第1縁部242a1及び第2縁部242a2を有している。本例では、画素電極241a1は、局所的に見た場合に第1部分244b1及び第2部分244b2からなる曲線で規定される第1縁部242a1を有している。第1部分244b1及び第2部分244b2の夫々を局所的に見れば、第1部分244b1及び第2部分244b2の夫々は、第2縁部242a2が延びるX1方向に交わる方向に沿って延びている。   In FIG. 11B, each of the pixel electrodes 241a1 and 241a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 242a1 and a second edge 242a2. In this example, the pixel electrode 241a1 has a first edge portion 242a1 that is defined by a curve including a first portion 244b1 and a second portion 244b2 when viewed locally. When each of the first portion 244b1 and the second portion 244b2 is locally seen, each of the first portion 244b1 and the second portion 244b2 extends along a direction intersecting with the X1 direction in which the second edge portion 242a2 extends.

第1部分244b1及び第2部分244b2からなる曲線形状を有する第2縁部242a1によれば、画素電極241a1及び241a2の間隔t7は、X1方向に沿って連続的に異なる大きさを有している。したがって、横電界E7は、X1方向に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極241a2が有する第3縁部242a3は、平面的に見てX1方向に夫々交わる方向に延びる部分からなる曲線形状を有しているため、第1縁部242a1との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。   According to the second edge portion 242a1 having a curved shape including the first portion 244b1 and the second portion 244b2, the interval t7 between the pixel electrodes 241a1 and 241a2 has continuously different sizes along the X1 direction. . Therefore, the lateral electric field E7 has different intensities along the X1 direction. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG. In addition, the third edge 242a3 included in the pixel electrode 241a2 has a curved shape including portions extending in the X1 direction when seen in a plan view, and thus occurs between the third edge 242a1 and the first edge 242a1. The intensity distribution of the transverse electric field can be made more non-uniform, and the afterimage and tailing caused by the transverse electric field can be further reduced.

図11(c)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極251a1及び251a2の夫々は、第1縁部252a1及び第2縁部252a2を有している。本例では、第1縁部252a1は、第1部分254b1及び第2部分254b2からなり、第2縁部252a2は、第3部分254b3及び第4部分254b4を有している。   In FIG. 11C, each of the pixel electrodes 251a1 and 251a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 252a1 and a second edge 252a2. In this example, the first edge 252a1 includes a first portion 254b1 and a second portion 254b2, and the second edge 252a2 includes a third portion 254b3 and a fourth portion 254b4.

第1部分254b1及び第3部分254b3は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第1部分254b1は、第3部分254b2が延びるX1方向に交わるX2方向に沿って延びている。第2部分254b2及び第4部分254b4は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第2部分254b2は、第4部分254b4が延びるX4方向に交わるX3方向に沿って延びている。したがて、画素電極251a1及び251a2の間隔t8は、図中横方向に沿って連続的に互いに異なっている。   The first portion 254b1 and the third portion 254b3 are opposed to each other with an interval in plan view. The first portion 254b1 extends along the X2 direction that intersects the X1 direction in which the third portion 254b2 extends. The second portion 254b2 and the fourth portion 254b4 are opposed to each other with an interval in plan view. The second portion 254b2 extends along the X3 direction that intersects the X4 direction in which the fourth portion 254b4 extends. Therefore, the interval t8 between the pixel electrodes 251a1 and 251a2 is continuously different from each other along the horizontal direction in the drawing.

したがって、横電界E8は、画素電極251a1及び251a2間の各領域で互いに異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。加えて、画素電極251a2が有する第3縁部252a3は、平面的に見て第1部分254b1及び第2部分254b2の夫々が延びる方向と交わる方向に延びる部分を有しているため、第1縁部252a1との間で生じる横電界の強度分布をより一層不均一にでき、横電界に起因する残像及び尾引きをより一層低減することが可能である。   Accordingly, the lateral electric field E8 has different strengths in each region between the pixel electrodes 251a1 and 251a2. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG. In addition, the third edge 252a3 included in the pixel electrode 251a2 has a portion extending in a direction intersecting with a direction in which each of the first portion 254b1 and the second portion 254b2 extends when seen in a plan view. The intensity distribution of the transverse electric field generated between the portion 252a1 can be made more non-uniform, and the afterimage and tailing caused by the transverse electric field can be further reduced.

図12(a)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極261a1及び261a2の夫々は、第1縁部262a1及び第2縁部262a2を有している。本例では、第1縁部262a1は、第1部分264b1及び第2部分264b2からなり、第2縁部262a2は、第3部分264b3及び第4部分264b4を有している。第1縁部262a1は、第1部分264b1及び第2部分264b2からなる曲線形状を有しており、第2縁部262a2は、第3部分264b3及び第4部分264b4からなる曲線形状を有している。   In FIG. 12A, each of the pixel electrodes 261a1 and 261a2 disposed adjacent to each other in plan view has a first edge 262a1 and a second edge 262a2. In this example, the first edge 262a1 includes a first portion 264b1 and a second portion 264b2, and the second edge 262a2 includes a third portion 264b3 and a fourth portion 264b4. The first edge portion 262a1 has a curved shape composed of a first portion 264b1 and a second portion 264b2, and the second edge portion 262a2 has a curved shape composed of a third portion 264b3 and a fourth portion 264b4. Yes.

第1部分264b1及び第3部分264b3は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第2部分264b2及び第4部分264b4は、平面的に見て間隔を隔てて互いに対向している。第1部分264b1、第2部分264b2、第3部分264b3及び第4部分264b4の夫々が延びる方向の相違に応じて画素電極261a1及び261a2の間隔t9は、第1縁部262a1及び第2縁部262a2に沿って周期的に異なっている。   The first portion 264b1 and the third portion 264b3 are opposed to each other with an interval in plan view. The second portion 264b2 and the fourth portion 264b4 are opposed to each other with an interval when seen in a plan view. The interval t9 between the pixel electrodes 261a1 and 261a2 according to the extending direction of each of the first part 264b1, the second part 264b2, the third part 264b3, and the fourth part 264b4 is set to the first edge part 262a1 and the second edge part 262a2. Is periodically different.

したがって、横電界E9は、第1縁部262a1及び第2縁部262a2に沿って異なる強度を有していることになる。このような横電界の強度分布によれば、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。   Accordingly, the lateral electric field E9 has different strengths along the first edge 262a1 and the second edge 262a2. According to such a horizontal electric field intensity distribution, the horizontal electric field intensity can be relatively reduced as compared with the comparative example shown in FIG.

図12(b)において、平面的に見て相隣接して配設された画素電極271a1及び271a2の夫々は、第1縁部272a1及び第2縁部272a2を有している。画素電極271a1の平面形状は、X2方向に沿って延びる第1部分272b1、及びX1方向に沿って延びる第2部分272b2を含む六角形である。画素電極271a2の平面形状は、X4方向に沿って延びる第3部分272b3、及びX1方向に沿って延びる第4部分272b4を含む六角形である。   In FIG. 12B, each of the pixel electrodes 271a1 and 271a2 arranged adjacent to each other in plan view has a first edge 272a1 and a second edge 272a2. The planar shape of the pixel electrode 271a1 is a hexagon including a first portion 272b1 extending along the X2 direction and a second portion 272b2 extending along the X1 direction. The planar shape of the pixel electrode 271a2 is a hexagon including a third portion 272b3 extending along the X4 direction and a fourth portion 272b4 extending along the X1 direction.

本例では、第1縁部272a1のうち第1縁部272a1の切り欠き部である第1部分272b1を除いた他の部分である第2部分272b2は、X1方向に沿って延びている。加えて、第2部分272b2の幅W2は、X1方向に沿って第1縁部272a1の幅(第1部分272b1の幅W1+第2部分272b2の幅W2)の1/3以下の部分を占めている。   In this example, the second portion 272b2 that is the other portion of the first edge portion 272a1 excluding the first portion 272b1 that is the cutout portion of the first edge portion 272a1 extends along the X1 direction. In addition, the width W2 of the second portion 272b2 occupies a portion of 1/3 or less of the width of the first edge portion 272a1 (the width W1 of the first portion 272b1 + the width W2 of the second portion 272b2) along the X1 direction. Yes.

より具体的には、第2部分272b2及び第4部分272b4に沿って画素電極271a1及び271a2の間隔が一定になる領域が、X1方向に沿って第1縁部271a1の全体の幅の1/3以下を占めている。したがって、画素電極271a1及び271a2の間隔t8が、X1方向に沿って互いに異なる。よって、本例の画素電極の平面形状によれば、横電界E10は、X1方向に沿って異なる強度分布を有していることになり、図9に示した比較例に比べて相対的に横電界強度を低減できる。より具体的には、本例の画素電極271a1及び271a2によれば、第1画素電極及び第2画素電極間における電界強度を不均一にでき、横電界を十分に緩和することが可能である。これにより、残像及び尾引きの発生を低減できる。   More specifically, a region where the distance between the pixel electrodes 271a1 and 271a2 is constant along the second portion 272b2 and the fourth portion 272b4 is 1/3 of the entire width of the first edge portion 271a1 along the X1 direction. It occupies the following. Accordingly, the interval t8 between the pixel electrodes 271a1 and 271a2 is different from each other along the X1 direction. Therefore, according to the planar shape of the pixel electrode of this example, the lateral electric field E10 has a different intensity distribution along the X1 direction, which is relatively horizontal compared to the comparative example shown in FIG. Electric field strength can be reduced. More specifically, according to the pixel electrodes 271a1 and 271a2 of this example, the electric field strength between the first pixel electrode and the second pixel electrode can be made non-uniform, and the lateral electric field can be sufficiently relaxed. Thereby, the occurrence of afterimages and tailing can be reduced.

<2:電子機器>
次に、以上詳細に説明した液晶装置を電子機器に適用する場合について説明する。
<2: Electronic equipment>
Next, a case where the liquid crystal device described in detail above is applied to an electronic device will be described.

ここでは、この電気光学装置たる液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図13は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。この図に示されるように、プロジェクタ1100内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット1102が設けられている。このランプユニット1102から射出された投射光は、ライトガイド内に配置された4枚のミラー1106および2枚のダイクロイックミラー1108によってRGBの3原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶装置100R、100Bおよび100Gに入射される。液晶装置100R、100Bおよび100Gの構成は上述した液晶装置と同等であり、それぞれにおいて画像信号処理回路から供給されるR、G、Bの原色信号が変調される。これらの液晶装置によって変調された光は、ダイクロイックプリズム1112に3方向から入射される。ダイクロイックプリズム1112では、RおよびBの光が90度に屈折する一方、Gの光が直進する。これにより各色の画像が合成され、投射レンズ1114を介して、スクリーン1120等にカラー画像が投写される。   Here, a projector using the liquid crystal device as the electro-optical device as a light valve will be described. FIG. 13 is a plan view showing a configuration example of the projector. As shown in this figure, a lamp unit 1102 including a white light source such as a halogen lamp is provided inside the projector 1100. The projection light emitted from the lamp unit 1102 is separated into three primary colors of RGB by four mirrors 1106 and two dichroic mirrors 1108 arranged in the light guide, and liquid crystal as a light valve corresponding to each primary color. Incident to devices 100R, 100B, and 100G. The configurations of the liquid crystal devices 100R, 100B, and 100G are the same as those of the above-described liquid crystal device, and R, G, and B primary color signals supplied from the image signal processing circuit are modulated in each. Light modulated by these liquid crystal devices is incident on the dichroic prism 1112 from three directions. In the dichroic prism 1112, R and B light is refracted at 90 degrees, while G light goes straight. As a result, the images of the respective colors are combined, and a color image is projected onto the screen 1120 and the like via the projection lens 1114.

以上では、本発明の電気光学装置の一具体例として液晶装置を挙げて説明したが、本発明の電気光学装置は、その他にも例えば電子ペーパなどの電気泳動装置や、電子放出素子を用いた表示装置(Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display)等として実現することができる。また、このような本発明の電気光学装置は、先に説明したプロジェクタの他にも、テレビジョン受像機や、ビューファインダ型或いはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた装置等の各種の電子機器に適用可能である。   In the above, a liquid crystal device has been described as a specific example of the electro-optical device of the present invention. However, the electro-optical device of the present invention also uses an electrophoretic device such as electronic paper or an electron-emitting device. It can be realized as a display device (Field Emission Display and Surface-Conduction Electron-Emitter Display). In addition to the projector described above, the electro-optical device of the present invention includes a television receiver, a viewfinder type or a monitor direct-view type video tape recorder, a car navigation device, a pager, and an electronic notebook. It can be applied to various electronic devices such as a calculator, a word processor, a workstation, a video phone, a POS terminal, and a device having a touch panel.

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及びそのような電気光学装置を具備してなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。   The present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately changed without departing from the spirit or idea of the invention that can be read from the claims and the entire specification, and an electro-optical device with such a change, In addition, an electronic apparatus including such an electro-optical device is also included in the technical scope of the present invention.

本実施形態に係る電気光学装置の平面図である。1 is a plan view of an electro-optical device according to an embodiment. 図1のH−H´断面図である。It is HH 'sectional drawing of FIG. 本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成する複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。4 is an equivalent circuit of various elements and wirings in a plurality of pixels constituting an image display region of the electro-optical device according to the embodiment. 図1に示した電気光学装置の具体的な構成を表す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view illustrating a specific configuration of the electro-optical device illustrated in FIG. 1. 図1に示した液晶装置の具体的な構成を表す部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view illustrating a specific configuration of the liquid crystal device illustrated in FIG. 1. 図4及び図5のA−A´断面図である。It is AA 'sectional drawing of FIG.4 and FIG.5. 本実施形態における電気光学装置の1H反転駆動方式における動作状態を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the operation state in the 1H inversion drive system of the electro-optical apparatus in this embodiment. 本実施形態の電気光学装置が備える画素電極の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図である。5 is a plan view schematically showing a specific planar shape and lateral electric field strength of a pixel electrode provided in the electro-optical device of the embodiment. FIG. 図8の比較例を示した平面図である。It is the top view which showed the comparative example of FIG. 本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図(その1)である。FIG. 3 is a plan view (part 1) schematically showing a specific planar shape and lateral electric field strength of an example of a pixel electrode included in the electro-optical device according to the embodiment. 本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図(その2)である。FIG. 6 is a plan view (part 2) schematically showing a specific planar shape and lateral electric field strength of an example of a pixel electrode included in the electro-optical device according to the embodiment. 本実施形態に係る電気光学装置が備える画素電極の一例の具体的な平面形状及び横電界強度を模式的に示した平面図(その3)である。FIG. 6 is a plan view (part 3) schematically showing a specific planar shape and lateral electric field strength of an example of a pixel electrode included in the electro-optical device according to the embodiment. 本発明の電子機器の一実施形態に係る液晶プロジェクタの構成を表す断面図である。It is sectional drawing showing the structure of the liquid crystal projector which concerns on one Embodiment of the electronic device of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・液晶装置、10・・・TFTアレイ基板、20・・・対向基板、9a1、9a2、49a1、49a2、201a1、201a、211a1、211a2、221a1、221a2、231a1、231a2、241a1、241a2、251a1、251a2、261a1、251a2、261a1、261a2、271a1、271a2・・・画素電極   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Liquid crystal device, 10 ... TFT array substrate, 20 ... Counter substrate, 9a1, 9a2, 49a1, 49a2, 201a1, 201a, 211a1, 211a2, 221a1, 221a2, 231a1, 231a2, 241a1, 241a2, 251a1, 251a2, 261a1, 251a2, 261a1, 261a2, 271a1, 271a2, ... pixel electrodes

Claims (9)

一対の基板と、
前記一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の一方の基板上に、前記一方の基板の基板面における法線に沿った方向から見て間隔を隔てて相隣接して配設されており、且つ互いに異なる電位が供給される第1画素電極及び第2画素電極とを備え、
前記第1画素電極が有する第1縁部の少なくとも一部は、前記法線に沿った方向から見て、前記第2画素電極が有する縁部のうち前記間隔を隔てて前記一部に対向する第2縁部が延びる第1方向に交わる第2方向に沿って延びていること
を特徴とする電気光学装置。
A pair of substrates;
An electro-optic material sandwiched between the pair of substrates;
On one substrate of the pair of substrates, they are arranged adjacent to each other with an interval when viewed from the direction along the normal line on the substrate surface of the one substrate, and different potentials are supplied. A first pixel electrode and a second pixel electrode;
At least a part of the first edge part of the first pixel electrode is opposed to the part of the edge part of the second pixel electrode with the interval as viewed from the direction along the normal line. An electro-optical device, wherein the second edge extends along a second direction intersecting with the first direction in which the second edge extends.
前記一部は、前記第1縁部の両端のうち少なくとも一方が切り欠かれた切り欠き部であること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
2. The electro-optical device according to claim 1, wherein the part is a notched portion in which at least one of both ends of the first edge portion is notched.
前記第1縁部のうち前記切り欠き部を除いた他の部分は、前記第1方向に沿って延びており、且つ前記第1方向に沿って延びている前記他の部分は、前記第1縁部の1/3以下の部分を占めていること
を特徴とする請求項1又は2に記載の電気光学装置。
The other part of the first edge portion excluding the notch extends along the first direction, and the other part extending along the first direction is the first part. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device occupies 1/3 or less of the edge.
前記第1縁部のうち前記一部を除く他の部分は、前記法線に沿った方向から見て前記第1方向及び前記第2方向の夫々に交わる第3方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
The other part of the first edge portion excluding the part extends along a third direction that intersects each of the first direction and the second direction when viewed from the direction along the normal line. The electro-optical device according to claim 1.
前記一方の基板上において、前記第1画素電極が形成された層と異なる層に形成された導電部及び前記第1画素電極を電気的に接続する接続部を備え、
前記接続部は、前記一部を含み、且つ前記第1画素電極から見て前記第2画素電極の側に突出した凸部に設けられていること
を特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載の電気光学装置。
On the one substrate, a conductive portion formed in a layer different from the layer in which the first pixel electrode is formed, and a connection portion that electrically connects the first pixel electrode,
The said connection part is provided in the convex part which contains the said part and protruded in the said 2nd pixel electrode side seeing from the said 1st pixel electrode. The electro-optical device according to one item.
前記法線に沿った方向から見て前記第1縁部及び前記第2縁部に重なる遮光膜を備えたこと
を特徴とする請求項1から5の何れか一項に記載の電気光学装置。
The electro-optical device according to claim 1, further comprising: a light-shielding film that overlaps the first edge and the second edge when viewed from a direction along the normal line.
前記第2画素電極が有する縁部のうち前記法線に沿った方向から見て前記第2縁部に対向する第3縁部は、前記法線に沿った方向から見て前記第1方向に交わる第4方向に沿って延びていること
を特徴とする請求項1から6の何れか一項に記載の電気光学装置。
The third edge of the edge of the second pixel electrode that faces the second edge when viewed from the direction along the normal is in the first direction when viewed from the direction along the normal. The electro-optical device according to claim 1, wherein the electro-optical device extends along a crossing fourth direction.
前記一対の基板の他方の基板上に形成されており、且つ前記第1画素電極及び前記第2画素電極に対向する対向電極とを備え、
前記互いに異なる電位は、前記対向電極に供給される共通電位を基準として互いに異なる極性の電位であること
を特徴とする請求項1から7の何れか一項に記載の電気光学装置。
A counter electrode that is formed on the other of the pair of substrates and faces the first pixel electrode and the second pixel electrode;
The electro-optical device according to claim 1, wherein the different potentials are potentials having different polarities based on a common potential supplied to the counter electrode.
請求項1から8の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
を特徴とする電子機器。
An electronic apparatus comprising the electro-optical device according to any one of claims 1 to 8.
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CN104252069A (en) * 2013-06-27 2014-12-31 立景光电股份有限公司 Active matrix structure and liquid crystal display panel

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