JP2007171046A - Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method - Google Patents

Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method Download PDF

Info

Publication number
JP2007171046A
JP2007171046A JP2005370810A JP2005370810A JP2007171046A JP 2007171046 A JP2007171046 A JP 2007171046A JP 2005370810 A JP2005370810 A JP 2005370810A JP 2005370810 A JP2005370810 A JP 2005370810A JP 2007171046 A JP2007171046 A JP 2007171046A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
temperature
frequency signal
oscillation
temperature sensor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005370810A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2007171046A5 (en
Inventor
Nobuyuki Sata
信幸 左田
Takahiro Kitano
高広 北野
Tetsuo Fukuoka
哲夫 福岡
Toshiyuki Matsumoto
松本  俊行
Tomohide Minami
朋秀 南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2005370810A priority Critical patent/JP2007171046A/en
Priority to US11/642,827 priority patent/US7977609B2/en
Publication of JP2007171046A publication Critical patent/JP2007171046A/en
Publication of JP2007171046A5 publication Critical patent/JP2007171046A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
  • Arrangements For Transmission Of Measured Signals (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer-type temperature sensor capable of eliminating the need for A/D converter, adapted to automation, enhancing resistance to heat, and measuring the temperature distribution of a wafer. <P>SOLUTION: The wafer-type temperature sensor 10 is provided with the wafer 1 and a plurality of temperature sensors 2a, 2b, ..., each being with the upper surface of the wafer 1 partitioned into a plurality of regions. The temperature sensors 2a, 2b, ... are each provided with an oscillation circuit for generating frequency signals, based on the temperature of a corresponding region within a frequency band that is different region by region, in response to the input of the supply voltage. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、ウェハ型温度センサとこれを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法に関し、例えばウェハを加熱する加熱板の温度を測定する装置および方法に関する。   The present invention relates to a wafer-type temperature sensor, a temperature measurement device using the same, a heat treatment device having a temperature measurement function, and a temperature measurement method, for example, an apparatus and method for measuring the temperature of a heating plate for heating a wafer.

半導体デバイスの製造におけるフォトリソグラフィー工程においては、半導体ウェハ(以下、「ウェハ」)の表面にレジスト液を塗布した後の加熱処理(プリベーキング)や、パターンの露光を行った後の加熱処理(ポストエクスポージャーベーキング)、各加熱処理後に行われる冷却処理などの種々の熱処理が、例えばウェハを所定温度に維持された加熱・冷却装置により行われている。   In the photolithography process in the manufacture of semiconductor devices, heat treatment (pre-baking) after applying a resist solution to the surface of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as “wafer”), or heat treatment (post-posting) after pattern exposure. Various heat treatments such as exposure baking) and cooling treatment performed after each heat treatment are performed by, for example, a heating / cooling apparatus in which the wafer is maintained at a predetermined temperature.

図13は、従来の加熱・冷却装置60の縦断面図であり、図14は図13の線A−Aに沿う横断面図である。   13 is a longitudinal sectional view of a conventional heating / cooling device 60, and FIG. 14 is a transverse sectional view taken along line AA in FIG.

図13において、加熱・冷却装置60の筐体90内には、冷却用の冷却板61と加熱用の加熱板62が並べられて設けられている。冷却板61および加熱板62は、厚みのある円盤状に形成されている。冷却板61には、図示しない例えばペルチェ素子等が内蔵されており、冷却板61を所定温度に冷却することができる。   In FIG. 13, a cooling plate 61 for cooling and a heating plate 62 for heating are provided side by side in a housing 90 of the heating / cooling device 60. The cooling plate 61 and the heating plate 62 are formed in a thick disk shape. The cooling plate 61 incorporates, for example, a Peltier element (not shown), and can cool the cooling plate 61 to a predetermined temperature.

また、冷却板61の下方には、ウェハを冷却板61上に載置する際に、ウェハを支持して昇降させるための昇降ピン63が設けられている。この昇降ピン63は、昇降駆動機構64により上下に移動自在であり、冷却板61の下方から冷却板61を貫通し、冷却板61上に突出できるように構成されている。   Also, below the cooling plate 61, there are provided lifting pins 63 for supporting the wafer and lifting it when the wafer is placed on the cooling plate 61. The elevating pins 63 are movable up and down by an elevating drive mechanism 64, and are configured to penetrate the cooling plate 61 from below the cooling plate 61 and protrude onto the cooling plate 61.

一方、加熱板62には、ヒータ65と加熱板温度センサ62aが内蔵されており、加熱板62の温度は、コントローラ66が加熱板温度センサ62aの温度に基づいて、ヒータ65の発熱量を制御することによって設定温度に維持される。加熱板62の下方には、冷却板61と同様に昇降ピン67と昇降駆動機構68とが設けられており、この昇降ピン67によって、ウェハを加熱板62上に載置自在になっている。   On the other hand, the heating plate 62 incorporates a heater 65 and a heating plate temperature sensor 62a, and the controller 66 controls the amount of heat generated by the heater 65 based on the temperature of the heating plate temperature sensor 62a. To maintain the set temperature. Below the heating plate 62, as with the cooling plate 61, an elevating pin 67 and an elevating drive mechanism 68 are provided, and the elevating pin 67 allows the wafer to be placed on the heating plate 62.

また、図13に示すように冷却板61と加熱板62との間には、ウェハを加熱板62に搬送し、またウェハを加熱板62から冷却板61に搬送するための搬送装置69が設けられている。加熱・冷却装置60の筐体90の冷却板62側には、ウェハを加熱・冷却装置60内に搬入出するための搬送口70が設けられている。   Further, as shown in FIG. 13, a transfer device 69 is provided between the cooling plate 61 and the heating plate 62 for transferring the wafer to the heating plate 62 and transferring the wafer from the heating plate 62 to the cooling plate 61. It has been. On the cooling plate 62 side of the casing 90 of the heating / cooling device 60, a transfer port 70 for carrying the wafer into and out of the heating / cooling device 60 is provided.

また、この搬送口70には、加熱・冷却装置60内の雰囲気を所定の雰囲気に維持するためのシャッタ71が設けられている。シャッタ71に対向するように搬送アーム80が設けられており、シャッタ71が開かれたときに、この搬送アーム80によりウェハが搬送口70から搬送される。搬送されたウェハは、搬送装置69により加熱板62上に搬送される。   In addition, a shutter 71 for maintaining the atmosphere in the heating / cooling device 60 at a predetermined atmosphere is provided at the transport port 70. A transfer arm 80 is provided so as to face the shutter 71, and when the shutter 71 is opened, the wafer is transferred from the transfer port 70 by the transfer arm 80. The transferred wafer is transferred onto the heating plate 62 by the transfer device 69.

このような加熱・冷却装置60を用いて、加熱板62上に載置されるウェハの温度分布を事前に測定して加熱板62上での温度特性を把握し、その結果に基づいて適宜補正して、加熱板62上のウェハを均一に加熱することが重要である。従来そのような加熱板62上のウェハの温度分布を測定するために、温度測定装置を用いて、実際のウェハの処理前にウェハの温度分布を把握し、ウェハの温度分布を修正するようにしていた。   Using such a heating / cooling device 60, the temperature distribution of the wafer placed on the heating plate 62 is measured in advance to grasp the temperature characteristics on the heating plate 62, and the correction is made appropriately based on the result. Thus, it is important to uniformly heat the wafer on the heating plate 62. Conventionally, in order to measure the temperature distribution of the wafer on such a heating plate 62, a temperature measurement device is used to grasp the temperature distribution of the wafer before actual wafer processing and to correct the temperature distribution of the wafer. It was.

図15は、従来の温度測定装置の各種例を示す図である。図15(A)に示した例は、実際のウェハと同じ材質で同じ形状の温度測定用ウェハKと、その温度測定用ウェハKに分散されて設けられた熱電対などを用いた温度検出用の複数の温度センサ101と、送信装置103とを設け、温度センサ101と送信装置103とをケーブル102で接続したものである。そして、各温度センサ101で検出したデータを無線で送信し、加熱・冷却装置60内あるいは外に受信装置を設けて、無線で送信されたデータを受信する。各温度センサ101で検出される温度のデータはアナログ値であるため、送信装置103にはアナログの温度のデータをデジタルのデータに変換するためにA/Dコンバータを内蔵する必要がある。しかし、A/Dコンバータは温度が上昇すると変換精度が悪くなるという特性を有しているため、150℃くらいまでの温度の測定は可能であっても、250℃まで温度が上昇する雰囲気中では使用することができない。   FIG. 15 is a diagram illustrating various examples of a conventional temperature measuring apparatus. The example shown in FIG. 15A is for temperature detection using a temperature measurement wafer K of the same material and shape as an actual wafer, and thermocouples distributed on the temperature measurement wafer K. A plurality of temperature sensors 101 and a transmission device 103 are provided, and the temperature sensor 101 and the transmission device 103 are connected by a cable 102. Then, data detected by each temperature sensor 101 is transmitted wirelessly, a receiving device is provided inside or outside the heating / cooling device 60, and the wirelessly transmitted data is received. Since the temperature data detected by each temperature sensor 101 is an analog value, the transmitter 103 needs to incorporate an A / D converter in order to convert the analog temperature data into digital data. However, since the A / D converter has the characteristic that the conversion accuracy deteriorates when the temperature rises, even in the atmosphere where the temperature rises to 250 ° C., even if the temperature can be measured up to about 150 ° C. Cannot be used.

特開2002−124457号公報(特許文献1)には、図15(B)に示すように、図15(A)に示した送信装置103を温度測定用ウェハKとは別個に設けた円盤Sに設け、温度測定用ウェハKの各温度センサ101をケーブル102で送信装置103に接続する例が示されている。この例では、温度測定用ウェハKのみを加熱板62上に載置し、円盤Sを温度測定用ウェハKよりも離れた上に位置させることで、加熱板62から離すことが可能であるため、送信装置103に内蔵されているA/Dコンバータが高温によって精度が劣化することはない。
特開2002−124457号公報
In Japanese Patent Laid-Open No. 2002-124457 (Patent Document 1), as shown in FIG. 15B, a disk S provided with the transmitter 103 shown in FIG. 15A separately from the temperature measuring wafer K is disclosed. In the example, each temperature sensor 101 of the temperature measurement wafer K is connected to the transmission device 103 by a cable 102. In this example, only the temperature measurement wafer K can be placed on the heating plate 62, and the disk S can be separated from the heating plate 62 by being positioned above the temperature measurement wafer K. The accuracy of the A / D converter built in the transmitter 103 is not deteriorated by high temperature.
JP 2002-124457 A

しかし、温度測定用ウェハKの上側に円盤Sを位置させた状態で、図14に示した搬送装置69および搬送アーム80で搬送するのは困難であり、搬送装置69および搬送アーム80として特殊なものを用意する必要がある。   However, it is difficult to carry by the transfer device 69 and the transfer arm 80 shown in FIG. 14 with the disk S positioned on the upper side of the temperature measurement wafer K, and the transfer device 69 and the transfer arm 80 are special. You need to prepare something.

そこで、この発明の目的は、A/D変換器を不要にできて自動化に適し、耐熱性を高めてウェハ上面の温度分布を測定できるウェハ型温度センサと、これを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法を提供することである。   Therefore, an object of the present invention is to eliminate the need for an A / D converter, which is suitable for automation, can improve the heat resistance, and can measure the temperature distribution on the upper surface of the wafer, a temperature measuring device using the same, and a temperature measuring device. It is providing the heat processing apparatus and temperature measuring method which have a measurement function.

この発明は、ウェハ型温度センサであって、ウェハと、ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置された複数の温度センサとを備え、各温度センサは、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段を備える。   The present invention is a wafer-type temperature sensor, and includes a wafer and a plurality of temperature sensors that are divided into a plurality of regions on the wafer upper surface, and each of the temperature sensors has a power supply voltage. Oscillating means that oscillates in response to being given and outputs an oscillation frequency signal based on the temperature corresponding to each region is provided.

このように、複数の発振手段のそれぞれに電源電圧を与えることにより、ウェハの各領域ごとに、温度に応じた周波数信号を発生することができるので、各周波数信号を受信することにより、ウェハの各領域の温度を測定できる。   Thus, by supplying a power supply voltage to each of the plurality of oscillation means, a frequency signal corresponding to the temperature can be generated for each region of the wafer. Therefore, by receiving each frequency signal, The temperature of each region can be measured.

発振手段は、具体的には温度変化に応じて特性が変化する温度依存性素子を含み、その温度依存性素子の特性変化に対応して周波数帯域における発振周波数を変化させる。   Specifically, the oscillating means includes a temperature-dependent element whose characteristic changes according to a temperature change, and changes the oscillation frequency in the frequency band in response to the characteristic change of the temperature-dependent element.

発振手段は、一実施形態では、各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力し、他の実施形態では、各領域ごとに同一の周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力する。   In one embodiment, the oscillating means outputs an oscillation frequency signal based on the temperature of a corresponding region in a different frequency band for each region, and in another embodiment, the oscillating means corresponds to each region in the same frequency band. Outputs an oscillation frequency signal based on the temperature of the region.

この発明の他の局面は、ウェハと、ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置され、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段とを含むウェハ型温度センサと、電源電圧を発振手段に供給する電源供給手段と、複数の発振手段で発振された発振周波数信号に基づいて、ウェハにおけるそれぞれの領域の温度を判別する判別手段と、発振手段で発振された発振周波数信号を判別手段に出力する通信手段とを備える。   In another aspect of the present invention, the wafer and the upper surface of the wafer are divided into a plurality of regions, arranged in each of the divided regions, and oscillates when a power supply voltage is applied, to a temperature corresponding to each region. A wafer type temperature sensor including an oscillation means for outputting an oscillation frequency signal based on the power supply means for supplying a power supply voltage to the oscillation means, and an oscillation frequency signal oscillated by a plurality of oscillation means. A discriminating unit that discriminates the temperature of the region; and a communication unit that outputs an oscillation frequency signal oscillated by the oscillating unit to the discriminating unit.

一実施形態では、複数の発振手段は、前記各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力し、判別手段は、複数の発振手段で発振された発振周波数信号に基づいて、その発振周波数信号が含まれている周波数帯域を判別し、その周波数帯域に対応するウェハの領域を特定し、その発振周波数信号に基づいてその領域の温度を判別し、通信手段は、無線で周波数帯域における発振周波数信号を判別手段に出力する。無線で発振手段からの発振周波数信号を判別手段に送信することで自動搬送が可能になる。   In one embodiment, the plurality of oscillating means outputs an oscillation frequency signal based on the temperature of the corresponding region in a different frequency band for each region, and the determining means is an oscillation frequency signal oscillated by the plurality of oscillating means. And determining the frequency band in which the oscillation frequency signal is included, identifying the region of the wafer corresponding to the frequency band, determining the temperature of the region based on the oscillation frequency signal, and the communication means The oscillation frequency signal in the frequency band is output wirelessly to the discrimination means. Automatic conveyance is possible by wirelessly transmitting an oscillation frequency signal from the oscillation means to the discrimination means.

他の実施形態では、複数の発振手段は、領域ごとに同じ周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力し、通信手段は、有線で周波数帯域における発振周波数信号を判別手段に出力する。有線で発振手段からの発振周波数信号を判別手段に送信することにより、ウェハの予め定める領域を特定できるので各領域ごとに周波数帯域を分ける必要がなくなる。   In another embodiment, the plurality of oscillating means outputs an oscillating frequency signal based on the temperature of the corresponding area within the same frequency band for each area, and the communication means uses the oscillating frequency signal in the frequency band as a determination means. Output. By transmitting the oscillation frequency signal from the oscillating means to the determining means by wire, the predetermined area of the wafer can be specified, so that it is not necessary to divide the frequency band for each area.

無線で通信する実施形態の温度測定装置では、電源供給手段は、電源電圧をマイクロ波信号として発生し、通信手段は、ウェハ型温度センサと空間を隔てて設けられる通信アンテナと、通信アンテナを介して電源供給手段で発生されたマイクロ波信号を送信する送信手段と、通信アンテナを介して発振手段で発振された周波数帯域における発振周波数信号を受信する受信手段とを含む。   In the temperature measurement device according to the embodiment that communicates wirelessly, the power supply means generates a power supply voltage as a microwave signal, and the communication means includes a communication antenna provided at a distance from the wafer-type temperature sensor, and a communication antenna. Transmitting means for transmitting the microwave signal generated by the power supply means, and receiving means for receiving the oscillation frequency signal in the frequency band oscillated by the oscillating means via the communication antenna.

また、ウェハ型温度センサは、発振手段の出力に接続され、発振周波数信号を送信する送信手段と、送信手段に接続され、送信された発振周波数信号を無線で放射する素子アンテナとを含む。   The wafer-type temperature sensor includes a transmission unit that is connected to the output of the oscillation unit and transmits an oscillation frequency signal, and an element antenna that is connected to the transmission unit and radiates the transmitted oscillation frequency signal wirelessly.

この発明のさらに他の局面は、温度測定機能を有する熱処理装置であって、周囲全体が囲まれた筐体と、筐体内でウェハを加熱または冷却するステージと、ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置され、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段を含むウェハ型温度センサと、筐体内に配置され、ウェハ型温度センサの発振手段から無線で送信される周波数信号を捕らえる通信アンテナとを備える。   Still another aspect of the present invention is a heat treatment apparatus having a temperature measurement function, in which a casing surrounded entirely, a stage for heating or cooling a wafer in the casing, and a wafer upper surface divided into a plurality of regions A wafer type temperature sensor including an oscillating means disposed in each divided area, oscillating in response to application of a power supply voltage, and outputting an oscillation frequency signal based on a temperature corresponding to each area; And a communication antenna that captures a frequency signal transmitted wirelessly from the oscillation means of the wafer type temperature sensor.

ステージは、具体的には、ウェハを加熱処理する加熱板と、加熱板で加熱処理されたウェハを移動しながら冷却する冷却板とを含み、通信アンテナは、筐体内の加熱板と、冷却板との間の筐体の天井に配置される。アンテナを加熱板と冷却板との間の筐体の天井に配置することにより、ウェハ型温度センサを加熱板に載置したとき、および加熱板から冷却板に移動しているときも温度の測定が可能になる。   Specifically, the stage includes a heating plate that heats the wafer and a cooling plate that cools the wafer that has been heat-treated by the heating plate while moving, and the communication antenna includes a heating plate and a cooling plate in the housing. It is arrange | positioned on the ceiling of the housing | casing between. Temperature measurement even when the wafer-type temperature sensor is placed on the heating plate and moved from the heating plate to the cooling plate by placing the antenna on the ceiling of the housing between the heating plate and the cooling plate Is possible.

ステージは、具体的には、ウェハを加熱処理する加熱板と、加熱板で加熱処理されたウェハを冷却する冷却板とを含み、さらに、加熱板を覆う開閉可能なカバー部材を含み、通信アンテナは、冷却板の上方に設けられ、さらにカバー部材内に配置される補助アンテナを含む。   Specifically, the stage includes a heating plate that heats the wafer, a cooling plate that cools the wafer heat-treated by the heating plate, and further includes an openable / closable cover member that covers the heating plate, and a communication antenna. Includes an auxiliary antenna provided above the cooling plate and disposed in the cover member.

この発明のさらに他の局面は、ウェハを載置して加熱または冷却するステージを備えた熱処理装置内において、ウェハの温度を測定する温度測定方法であって、ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に発振手段が配置され、電源が入力されたことに応じて、各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく周波数信号を発振するウェハ型温度センサをステージ上に搬送して位置決めする工程と、ステージを加熱または冷却する工程と、ウェハ型温度センサに対してマイクロ波を電源として送信し、ウェハ型温度センサの発振手段から発振されるいずれかの周波数帯域内の周波数信号を受信する工程と、受信した周波数信号に基づいて、その周波数信号が含まれている周波数帯域を判別してウェハの領域を特定し、その周波数信号に基づいてその領域の温度を判別する工程と、ステージからウェハ型温度センサを取出して搬送する工程とを備える。   Still another aspect of the present invention is a temperature measurement method for measuring the temperature of a wafer in a heat treatment apparatus having a stage for mounting and heating or cooling the wafer, and the upper surface of the wafer is divided into a plurality of regions. A wafer type temperature sensor that oscillates a frequency signal based on the temperature of the corresponding region in a different frequency band for each region in response to the fact that the oscillation means is arranged in each divided region and power is input. One of the frequency bands transmitted from the wafer type temperature sensor and oscillated from the oscillation means of the wafer type temperature sensor by transmitting the microwave to the wafer type temperature sensor as a power source The process of receiving the frequency signal in the signal and the frequency band containing the frequency signal based on the received frequency signal are identified to identify the region of the wafer. Its comprising a step of determining the temperature of the region based on the frequency signal, and a step of conveying fetches the wafer-type temperature sensor from the stage.

この発明によれば、ウェハ上の複数の領域に配置された発振手段で発振された発振周波数信号に基づいて温度を判別することにより、発振手段をA/D変換器として機能させることができるので、A/D変換器を不要にして自動化に適し、耐熱性を高めてウェハの温度分布を測定できる。   According to the present invention, since the temperature is determined based on the oscillation frequency signal oscillated by the oscillating means arranged in a plurality of regions on the wafer, the oscillating means can function as an A / D converter. The A / D converter is not required, which is suitable for automation, can improve the heat resistance, and can measure the temperature distribution of the wafer.

図1は、この発明の一実施形態におけるウェハ型温度センサを示す外観斜視図であり、図2は図1に示したウェハ型温度センサを構成する発振回路を示す回路図である。   FIG. 1 is an external perspective view showing a wafer type temperature sensor according to one embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing an oscillation circuit constituting the wafer type temperature sensor shown in FIG.

図1において、ウェハ型温度センサ10は、ウェハ1と、ウェハ1の上面を複数の領域に区分し、区分された各領域X,Y…に配置された複数の温度センサ2a,2b…とを含む。ウェハ型温度センサ10は、図11に示した加熱板62上に載置されて加熱板62上に載置される処理用のウェハの温度分布を事前に測定して加熱板62上での温度特性を把握し、その結果に基づいて適宜補正して、加熱板62上の処理用のウェハを均一に加熱する温度を測定するために設けられている。   In FIG. 1, a wafer type temperature sensor 10 includes a wafer 1 and a plurality of temperature sensors 2a, 2b... Arranged in a plurality of regions X, Y,. Including. The wafer type temperature sensor 10 is placed on the heating plate 62 shown in FIG. 11 and measures the temperature distribution of the processing wafer placed on the heating plate 62 in advance to measure the temperature on the heating plate 62. It is provided for measuring the temperature at which the wafer for processing on the heating plate 62 is uniformly heated by grasping the characteristics and appropriately correcting based on the result.

より好ましくは、温度センサ2a,2b…は、発振手段としての発振回路2によって構成されている。発振回路2はオペアンプ21を含み、オペアンプ21の反転入力端(−)と接地間にコンデンサC1が接続され、反転入力端と出力端との間に抵抗Rsが接続され、正転入力端(+)と接地間に抵抗R1が接続され、正転入力端と出力端との間に抵抗R2が接続されて構成されている。抵抗Rsは、温度に応じて抵抗値が変化する温度依存性を有する素子である。なお、コンデンサC1とオペアンプ21も温度依存性を有している。発振回路2の発振周波数fは、コンデンサC1と、抵抗Rsの定数で規定され、f≒1/(2・C1・Rs)で示される。 More preferably, the temperature sensors 2a, 2b... Are constituted by an oscillation circuit 2 as an oscillation means. The oscillation circuit 2 includes an operational amplifier 21, a capacitor C1 is connected between the inverting input terminal (−) of the operational amplifier 21 and the ground, a resistor Rs is connected between the inverting input terminal and the output terminal, and a non-inverting input terminal (+ ) And the ground, and a resistor R2 is connected between the normal rotation input terminal and the output terminal. The resistor Rs is an element having temperature dependency in which the resistance value changes according to the temperature. The capacitor C1 and the operational amplifier 21 also have temperature dependency. The oscillation frequency f 0 of the oscillation circuit 2 is defined by a constant of the capacitor C1 and the resistor Rs, and is represented by f 0 ≈1 / (2 · C1 · Rs).

発振回路2の出力には送受信回路22が接続され、送受信回路22には素子アンテナ23が接続されている。送受信回路22は素子アンテナ23を介して後述の図4に示すロガー12から送信されるマイクロ波信号を受信し、電源電圧に変換してオペアンプ21に供給するとともに、発振回路2の発振周波数信号をロガー12に送信する。なお、発振回路2に電源電圧を共有するためにロガー12からマイクロ波を送信することなく、電池をウェハ型温度センサ10に内蔵して、この電池から電源電圧を各発振回路2に供給するようにしてもよい。   A transmission / reception circuit 22 is connected to the output of the oscillation circuit 2, and an element antenna 23 is connected to the transmission / reception circuit 22. The transmission / reception circuit 22 receives a microwave signal transmitted from the logger 12 shown in FIG. 4 to be described later via the element antenna 23, converts it into a power supply voltage, supplies it to the operational amplifier 21, and outputs the oscillation frequency signal of the oscillation circuit 2. Send to logger 12. In order to share the power supply voltage to the oscillation circuit 2, a battery is incorporated in the wafer type temperature sensor 10 without transmitting a microwave from the logger 12, and the power supply voltage is supplied from the battery to each oscillation circuit 2. It may be.

図3は、図2に示した発振回路2の温度特性を示す図である。図3において、縦軸は発振周波数fを示しており、横軸は温度を示している。図2に示した発振回路2のコンデンサC1の容量を10pFとし、抵抗Rsの抵抗値を500Ωとし、温度依存性を示すTcr=0.3%/℃とする。例えば、温度が0℃では抵抗Rsの抵抗値は500Ωであり、発振回路2は、図3に示すように30MHzの発振周波数fで発振動作している。 FIG. 3 is a diagram showing temperature characteristics of the oscillation circuit 2 shown in FIG. 3, the vertical axis represents the oscillation frequency f 0, the horizontal axis represents the temperature. The capacitance of the capacitor C1 of the oscillation circuit 2 shown in FIG. 2 is 10 pF, the resistance value of the resistor Rs is 500Ω, and Tcr = 0.3% / ° C. indicating temperature dependence. For example, when the temperature is 0 ° C., the resistance value of the resistor Rs is 500Ω, and the oscillation circuit 2 oscillates at an oscillation frequency f 0 of 30 MHz as shown in FIG.

温度の上昇に伴って抵抗Rsの抵抗値が次第に大きくなり、発振回路2の発振周波数fが低下する。例えば温度が250℃まで上昇すると、抵抗Rsの抵抗値が1047Ωまで上昇し、発振回路2の発振周波数fが14.3MHzまで低下する。この例では、温度が0.05℃変化したときに1secに発振周波数fの変化は4kHz〜2kHzになる。従来例では150℃で0.1℃の精度でしか温度変化を検出できなかったのに対して、この実施形態では、250℃で0.05℃の精度で温度変化を測定できるので、測定精度を高めることができる。 As the temperature rises, the resistance value of the resistor Rs gradually increases, and the oscillation frequency f 0 of the oscillation circuit 2 decreases. For example, when the temperature rises to 250 ° C., the resistance value of the resistor Rs rises to 1047Ω, and the oscillation frequency f 0 of the oscillation circuit 2 falls to 14.3 MHz. In this example, when the temperature changes by 0.05 ° C., the change of the oscillation frequency f 0 becomes 4 kHz to 2 kHz in 1 sec. In the conventional example, a temperature change can be detected only at an accuracy of 0.1 ° C. at 150 ° C., but in this embodiment, a temperature change can be measured at an accuracy of 0.05 ° C. at 250 ° C. Can be increased.

したがって、周波数帯域幅225MHz、ゲート間隔1secで10桁から12桁の分解能を有するカウンタ装置を用いれば、発振回路2の発振周波数fに基づいて、ウェハ型温度センサ10の温度の測定が可能になる。発振回路2は温度に応じて発振周波数fが変化したパルス信号を出力できるため、A/D変換器の機能を有していることになるので、A/D変換器を内蔵する必要がなくなり、250℃以上の高温であっても精度よく温度の測定が可能になる。 Therefore, if a counter device having a frequency bandwidth of 225 MHz, a gate interval of 1 sec and a resolution of 10 to 12 digits is used, the temperature of the wafer temperature sensor 10 can be measured based on the oscillation frequency f 0 of the oscillation circuit 2. Become. Since the oscillation circuit 2 can output a pulse signal whose oscillation frequency f 0 changes according to the temperature, it has the function of an A / D converter, so that it is not necessary to incorporate an A / D converter. The temperature can be accurately measured even at a high temperature of 250 ° C. or higher.

また、発振回路2は、ウェハ型温度センサ10の表面に密封して埋め込んでおくことで、測定環境の雰囲気ガスなどによって劣化することがなく、高い信頼性を得ることができる。   Further, the oscillation circuit 2 is sealed and embedded in the surface of the wafer temperature sensor 10, so that the oscillation circuit 2 is not deteriorated by the atmospheric gas in the measurement environment, and high reliability can be obtained.

このように構成された発振回路2によりウェハ型温度センサ10の温度を測定する方法について説明する。図1に示したウェハ型温度センサ10上の予め定める領域Xに配置されている温度センサ2aの測定温度範囲内の周波数変化の範囲をf1〜f2とし、予め定める領域Yに配置されている温度センサ2bの測定温度範囲内の周波数変化の範囲をf3〜f4というように測定しようとする領域に応じて周波数帯域を異ならせておく。f1<f2<f3<f4とすると、f1〜f2の周波数帯域が検出されれば、ウェハ型温度センサ10における予め定める領域Xを特定でき、f1〜f2の周波数帯域内のいずれの周波数であるかを判別できれば、領域Xにおける温度を測定できる。また、f3〜f4の周波数帯域が検出されれば、ウェハ型温度センサ10における予め定める領域Yを特定でき、f3〜f4の周波数帯域内のいずれの周波数であるかを判別できれば領域Yにおける温度を測定できる。   A method for measuring the temperature of the wafer-type temperature sensor 10 using the oscillation circuit 2 configured as described above will be described. The frequency change range within the measurement temperature range of the temperature sensor 2a arranged in the predetermined region X on the wafer type temperature sensor 10 shown in FIG. 1 is defined as f1 to f2, and the temperature arranged in the predetermined region Y. The frequency band is varied according to the region to be measured such that the frequency change range within the measurement temperature range of the sensor 2b is f3 to f4. If f1 <f2 <f3 <f4, if the frequency band of f1 to f2 is detected, the predetermined region X in the wafer-type temperature sensor 10 can be specified, and which frequency is within the frequency band of f1 to f2. Can be determined, the temperature in the region X can be measured. Further, if the frequency band of f3 to f4 is detected, the predetermined region Y in the wafer type temperature sensor 10 can be specified, and if the frequency within the frequency band of f3 to f4 can be determined, the temperature in the region Y can be determined. It can be measured.

図4は、図1に示したウェハ型温度センサ10を加熱・冷却装置60aに配置して温度を測定する例を示す図であり、図5は図4に示したロガー12の具体的なブロック図である。   FIG. 4 is a diagram showing an example of measuring the temperature by arranging the wafer type temperature sensor 10 shown in FIG. 1 in the heating / cooling device 60a, and FIG. 5 is a specific block diagram of the logger 12 shown in FIG. FIG.

図4において、加熱・冷却装置60aは、図11および図12に示した加熱・冷却装置60とほぼ同様にして構成されている。筐体60b内には、図11で説明した加熱板62が配置されており、加熱板62には加熱板温度センサ62aが内蔵されている。なお、冷却板61は図示を省略している。筐体60bの天井部にはアンテナ11が配置されている。アンテナ11は、例えば導体を渦巻き状に巻回したコイルなどで構成される。アンテナ11は、送受信手段としてのロガー12から所定の周波数帯域幅を有する高周波信号を筐体60b内に送信し、発振回路2で発振された発振周波数信号を受信してロガー12に与える。ロガー12は受信した発振周波数信号に基づいてウェハ型温度センサ10の温度を算出して表示し、算出した温度データをコンピュータ13に出力する。コントローラ14は、加熱板温度センサ62aで検出された温度に基づいて加熱板62に内蔵されているヒータ(図示せず)を制御する。   In FIG. 4, the heating / cooling device 60a is configured in substantially the same manner as the heating / cooling device 60 shown in FIGS. The heating plate 62 described with reference to FIG. 11 is disposed in the housing 60b, and the heating plate 62 incorporates a heating plate temperature sensor 62a. The cooling plate 61 is not shown. An antenna 11 is disposed on the ceiling of the housing 60b. The antenna 11 is configured by, for example, a coil obtained by winding a conductor in a spiral shape. The antenna 11 transmits a high-frequency signal having a predetermined frequency bandwidth from the logger 12 as transmission / reception means into the housing 60 b, receives the oscillation frequency signal oscillated by the oscillation circuit 2, and gives it to the logger 12. The logger 12 calculates and displays the temperature of the wafer type temperature sensor 10 based on the received oscillation frequency signal, and outputs the calculated temperature data to the computer 13. The controller 14 controls a heater (not shown) built in the heating plate 62 based on the temperature detected by the heating plate temperature sensor 62a.

次に、図5を参照して、ロガー12の構成と動作について説明する。図4に示したアンテナ11は切換回路121に接続されている。切換回路121は制御回路122の制御により、マイクロ波の送信時には送信手段としての送信回路123側に切換えられ、発振回路2からの発振周波数信号の受信時には受信手段としての受信回路124側に切換えられる。送信回路123には、マイクロ波発生回路125からマイクロ波信号が与えられている。   Next, the configuration and operation of the logger 12 will be described with reference to FIG. The antenna 11 shown in FIG. 4 is connected to the switching circuit 121. Under the control of the control circuit 122, the switching circuit 121 is switched to the transmission circuit 123 side as transmission means when transmitting microwaves, and is switched to the reception circuit 124 side as reception means when receiving the oscillation frequency signal from the oscillation circuit 2. . A microwave signal is given from the microwave generation circuit 125 to the transmission circuit 123.

受信回路124は、アンテナ11を介して発振回路2から出力された発振周波数信号を受信し、その発振周波数に対応した測定温度の測定データを抽出してサンプリング回路126に出力する。サンプリング回路126は測定温度のデータをサンプリング時間ごとにサンプリングして時系列のデータにし、その時系列のデータを記憶回路127に記憶する。制御回路122は、記憶回路127に記憶したデータに基づいて、例えば平均値や偏差値などの数値加工を行って表示器129に表示する。また、制御回路122はデータを出力端子128から出力して、図4に示したコンピュータ13に与える。   The reception circuit 124 receives the oscillation frequency signal output from the oscillation circuit 2 via the antenna 11, extracts measurement data of the measurement temperature corresponding to the oscillation frequency, and outputs the measurement data to the sampling circuit 126. The sampling circuit 126 samples the measured temperature data at each sampling time to obtain time series data, and stores the time series data in the storage circuit 127. Based on the data stored in the storage circuit 127, the control circuit 122 performs numerical processing such as an average value or a deviation value and displays the result on the display 129. Further, the control circuit 122 outputs data from the output terminal 128 and supplies it to the computer 13 shown in FIG.

図6は、この発明の一実施形態のウェハ温度センサ10に含まれる発振回路の他の例を示す回路図である。図2に示した発振回路2はオペアンプ21を用いたのに対して、図6に示した発振回路2cはコルピッツ発振回路で構成したものである。すなわち、トランジスタTrのベースと接地間にはコンデンサC2が接続されており、トランジスタTrのベースとコレクタとの間にはコイルL1が接続されており、コレクタと接地間にはコンデンサC3が接続されている。トランジスタTrのエミッタは接地され、トランジスタTrのコレクタには、図2で説明した送受信回路22が接続されており、送受信回路22には通信アンテナ23が接続されている。   FIG. 6 is a circuit diagram showing another example of the oscillation circuit included in the wafer temperature sensor 10 according to the embodiment of the present invention. The oscillation circuit 2 shown in FIG. 2 uses the operational amplifier 21, whereas the oscillation circuit 2c shown in FIG. 6 is configured by a Colpitts oscillation circuit. That is, the capacitor C2 is connected between the base of the transistor Tr and the ground, the coil L1 is connected between the base and the collector of the transistor Tr, and the capacitor C3 is connected between the collector and the ground. Yes. The emitter of the transistor Tr is grounded, the transmission / reception circuit 22 described in FIG. 2 is connected to the collector of the transistor Tr, and the communication antenna 23 is connected to the transmission / reception circuit 22.

図6に示した発振回路2cにおいて、コイルL1は、温度に応じてインダクタンスが変化する温度依存性を有しており、トランジスタTrも温度に応じて電流増幅率が変化する温度依存性を有している。送受信回路22は、素子アンテナ23を介してロガー12からマイクロ波を受信し、電源電圧に変換して発振回路2cに与える。発振回路2cは電源電圧が与えられると自励発振し、その発振周波数信号が送受信回路22から素子アンテナ23を介してロガー12に送信される。コイルL1とトランジスタTrは温度依存性を有しているので、温度に対応して発振周波数が変化する。したがって、この発振回路2cを図1に示したウェハ型温度センサ10の各領域X,Y…の温度センサ2a,2bとして埋め込んでおけば、ウェハ型温度センサ10における各部の温度の測定が可能になる。   In the oscillation circuit 2c shown in FIG. 6, the coil L1 has a temperature dependency in which the inductance changes depending on the temperature, and the transistor Tr also has a temperature dependency in which the current amplification factor changes in accordance with the temperature. ing. The transmission / reception circuit 22 receives the microwave from the logger 12 via the element antenna 23, converts the microwave into a power supply voltage, and supplies the power supply voltage to the oscillation circuit 2c. The oscillation circuit 2 c self-oscillates when a power supply voltage is applied, and the oscillation frequency signal is transmitted from the transmission / reception circuit 22 to the logger 12 via the element antenna 23. Since the coil L1 and the transistor Tr have temperature dependence, the oscillation frequency changes according to the temperature. Therefore, if the oscillation circuit 2c is embedded as the temperature sensors 2a, 2b in the regions X, Y... Of the wafer type temperature sensor 10 shown in FIG. 1, the temperature of each part in the wafer type temperature sensor 10 can be measured. Become.

図7は、この発明の一実施形態のウェハ型温度センサに含まれる発振回路のさらに他の例を示す回路図である。この図7に示した発振回路2dは、リングオシレータにより発振回路を構成したものである。発振回路2dは、3個のインバータINV1〜INV3が直列接続され、インバータINV3の出力端がインバータINV1の入力端に接続され、インバータINV2の入力端と接地間にコンデンサC4が接続され、インバータINV3の入力端と接地間にコンデンサC5が接続されて構成されている。   FIG. 7 is a circuit diagram showing still another example of the oscillation circuit included in the wafer type temperature sensor according to the embodiment of the present invention. The oscillation circuit 2d shown in FIG. 7 is an oscillation circuit configured by a ring oscillator. In the oscillation circuit 2d, three inverters INV1 to INV3 are connected in series, the output terminal of the inverter INV3 is connected to the input terminal of the inverter INV1, the capacitor C4 is connected between the input terminal of the inverter INV2 and the ground, and the inverter INV3 A capacitor C5 is connected between the input terminal and the ground.

インバータINV1〜INV3はMOSトランジスタによって構成されており、電流駆動能力が温度依存性を有しているので、温度により充放電電流が変化する。このため、駆動電流が発振周波数に依存する。送受信回路22にインバータINV3の出力を与えることで、発振周波数信号を素子アンテナ23を介してロガー12に出力することができる。   The inverters INV1 to INV3 are composed of MOS transistors, and the current drive capability has temperature dependence, so that the charge / discharge current changes depending on the temperature. For this reason, the drive current depends on the oscillation frequency. By giving the output of the inverter INV3 to the transmission / reception circuit 22, the oscillation frequency signal can be output to the logger 12 via the element antenna 23.

送受信回路22は、素子アンテナ23を介してロガー12からマイクロ波を受信し、電源電圧に変換して発振回路2dに与える。発振回路2dは自励発振し、その発振周波数信号が送受信回路22から素子アンテナ23を介してロガー12に送信される。インバータINV1〜INV3は、温度依存性を有しているので、温度に対応して発振周波数が変化する。したがって、この発振回路2cを図1に示したウェハ型温度センサ10の各領域X,Y…の温度センサ2a,2bとして埋め込んでおけば、ウェハ型温度センサ10における各部の温度の測定が可能になる。   The transmission / reception circuit 22 receives the microwave from the logger 12 via the element antenna 23, converts the microwave into a power supply voltage, and supplies the power supply voltage to the oscillation circuit 2d. The oscillation circuit 2 d oscillates by itself, and the oscillation frequency signal is transmitted from the transmission / reception circuit 22 to the logger 12 via the element antenna 23. Since the inverters INV1 to INV3 have temperature dependence, the oscillation frequency changes corresponding to the temperature. Therefore, if the oscillation circuit 2c is embedded as the temperature sensors 2a, 2b in the regions X, Y... Of the wafer type temperature sensor 10 shown in FIG. 1, the temperature of each part in the wafer type temperature sensor 10 can be measured. Become.

なお、発振回路として、図6に示したコルピッツ型発振回路や図7に示したリングオシレータ型発振回路に限ることなく、ハートレイ型発振回路やその他の温度に応じて発振周波数が変化する発振回路を用いてもよい。   The oscillation circuit is not limited to the Colpitts oscillation circuit shown in FIG. 6 or the ring oscillator oscillation circuit shown in FIG. 7, but is an Hartley oscillation circuit or other oscillation circuit whose oscillation frequency changes according to temperature. It may be used.

図8は、ウェハ型温度センサ10の温度センサ2a,2bとロガー16とを有線で接続した実施形態を示す図である。ウェハ型温度センサ10の各温度センサ2a,2b…の発振出力と、ロガー16はケーブル18によって接続されており、各温度センサ2a,2b…の電源入力端と電源回路17とがケーブル19によって接続されている。ロガー16は、図5に示したロガー12のアンテナ11,切換回路121,送信回路123,受信回路124およびマイクロ波発生回路125を除きサンプリング回路126に直接ケーブル17を介して発振周波数信号が入力される。   FIG. 8 is a diagram showing an embodiment in which the temperature sensors 2 a and 2 b of the wafer type temperature sensor 10 and the logger 16 are connected by wire. The oscillation output of each temperature sensor 2a, 2b ... of the wafer type temperature sensor 10 and the logger 16 are connected by a cable 18, and the power input terminal of each temperature sensor 2a, 2b ... and the power supply circuit 17 are connected by a cable 19. Has been. In the logger 16, the oscillation frequency signal is directly input to the sampling circuit 126 via the cable 17 except for the antenna 11, the switching circuit 121, the transmission circuit 123, the reception circuit 124 and the microwave generation circuit 125 of the logger 12 shown in FIG. 5. The

この図8に示した実施形態では、各温度センサ2a,2b…の発振周波数信号を直接サンプリングできるので、ウェハ型温度センサ10上の各領域を判別する必要がない。このため、各温度センサ2a,2b…の発振周波数は、同一の周波数帯域内の周波数に選べばよい。   In the embodiment shown in FIG. 8, since the oscillation frequency signals of the temperature sensors 2a, 2b... Can be directly sampled, it is not necessary to determine each area on the wafer type temperature sensor 10. For this reason, what is necessary is just to select the oscillation frequency of each temperature sensor 2a, 2b ... in the frequency within the same frequency band.

図9(A)〜(C)は、この発明の一実施形態における温度測定装置によって加熱板62と冷却板61の温度を測定する方法を説明するための図である。図9(A)において、筐体60b内には、図11の説明と同様にして、冷却板61と加熱板62とが配置されている。なお、冷却板61と加熱板62には、図11で説明した駆動昇降機構が設けられているが、図示を省略している。加熱板62上には開閉可能なカバー部材としてのチャンバーカバー71が設けられている。   FIGS. 9A to 9C are views for explaining a method of measuring the temperature of the heating plate 62 and the cooling plate 61 by the temperature measuring device according to one embodiment of the present invention. In FIG. 9A, a cooling plate 61 and a heating plate 62 are arranged in the housing 60b in the same manner as described in FIG. The cooling plate 61 and the heating plate 62 are provided with the drive lifting mechanism described with reference to FIG. On the heating plate 62, a chamber cover 71 is provided as a cover member that can be opened and closed.

筐体60bの冷却板61と加熱板62との間の天井部には、図4で説明したアンテナ11が配置されている。アンテナ11を加熱板62の真上に設けていないので、アンテナ11の温度上昇を避けることができる。チャンバーカバー71には、図示しないが電波の透過窓が形成されている。なお、図4に示したロガー12と、コンピュータ13と、コントローラ14は、加熱板62から離れた常温雰囲気中に置かれている。   The antenna 11 described with reference to FIG. 4 is disposed on the ceiling between the cooling plate 61 and the heating plate 62 of the housing 60b. Since the antenna 11 is not provided directly above the heating plate 62, an increase in temperature of the antenna 11 can be avoided. The chamber cover 71 is formed with a radio wave transmission window (not shown). Note that the logger 12, the computer 13, and the controller 14 shown in FIG. 4 are placed in a room temperature atmosphere away from the heating plate 62.

次に、図9(A)〜(C)を参照して、温度の測定方法について説明する。まず、図11で説明した搬送アームにより、ウェハ型温度センサ10が筐体60bの図示しない搬送口から搬送され、加熱板62上のチャンバーカバー71が上昇して開かれ、図11で説明した搬送装置により、ウェハ型温度センサ10が加熱板62上に搬送され、位置がアライメントされる。その後、図9(A)に示すように、チャンバーカバー71が下降して加熱板62の上部が閉じられて、図4で説明したように、アンテナ11からマイクロ波信号が放射され、ウェハ型温度センサ10上の発振回路に電源が供給され、発振周波数信号が放射されてアンテナ11によって捕えられる。加熱処理が終了すると、図9(B)に示すように、再びチャンバーカバー71が上昇して、搬送装置によりウェハ型温度センサ10が加熱板62上から冷却板51方向へ移動される。   Next, a temperature measurement method will be described with reference to FIGS. First, the wafer-type temperature sensor 10 is transported from a transport port (not shown) of the housing 60b by the transport arm described in FIG. 11, and the chamber cover 71 on the heating plate 62 is lifted and opened, so that the transport described in FIG. The apparatus transfers the wafer temperature sensor 10 onto the heating plate 62 and aligns the position. Thereafter, as shown in FIG. 9A, the chamber cover 71 is lowered and the upper portion of the heating plate 62 is closed, and the microwave signal is radiated from the antenna 11 as described with reference to FIG. Power is supplied to the oscillation circuit on the sensor 10, and an oscillation frequency signal is radiated and captured by the antenna 11. When the heat treatment is completed, as shown in FIG. 9B, the chamber cover 71 is raised again, and the wafer type temperature sensor 10 is moved from the heating plate 62 toward the cooling plate 51 by the transfer device.

この搬送途中においてもアンテナ11からウェハ型温度センサ10にはマイクロ波信号が放射されており、ウェハ型温度センサ10の各温度に応じた発振周波数信号がアンテナ11によって捕らえられる。さらに、図9(C)に示すように、ウェハ型温度センサ10が冷却板51上に搬送された後も、アンテナ11からマイクロ波を送信することができるので、ウェハ型温度センサ10の各温度に応じた発振周波数信号がアンテナ11によって捕らえられる。したがって、ウェハ型温度センサ10によって冷却後の温度の検出も可能になる。その後、ウェハ型温度センサ10が排出される。   Even during the conveyance, a microwave signal is radiated from the antenna 11 to the wafer type temperature sensor 10, and an oscillation frequency signal corresponding to each temperature of the wafer type temperature sensor 10 is captured by the antenna 11. Furthermore, as shown in FIG. 9C, since the microwave can be transmitted from the antenna 11 even after the wafer type temperature sensor 10 is conveyed onto the cooling plate 51, each temperature of the wafer type temperature sensor 10 can be transmitted. An oscillation frequency signal corresponding to the signal is captured by the antenna 11. Therefore, the temperature after cooling can be detected by the wafer temperature sensor 10. Thereafter, the wafer type temperature sensor 10 is discharged.

このように図9(A)〜(C)に示した例においては、加熱板62による加熱中および冷却板61による冷却中においてもアンテナ11によりマイクロ波信号の送信および発振周波数信号の受信が可能になるので、ウェハ型温度センサ10によって加熱温度および冷却温度の測定を継続して行うことができる。   As described above, in the example shown in FIGS. 9A to 9C, the microwave signal can be transmitted and the oscillation frequency signal can be received by the antenna 11 even during heating by the heating plate 62 and cooling by the cooling plate 61. Therefore, the measurement of the heating temperature and the cooling temperature can be continuously performed by the wafer type temperature sensor 10.

図10(A)〜(C)は、この発明の一実施形態における温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定する他の例を説明するための図である。   FIGS. 10A to 10C are views for explaining another example in which the temperature of the heating plate and the cooling plate is measured by the temperature measuring device according to one embodiment of the present invention.

この例は、筐体60bの冷却板61の上の天井部にアンテナ11を配置し、チャンバーカバー71内に補助アンテナ15を配置したものである。補助アンテナ15は、チャンバーカバー71内に複数設けてもよい。チャンバーカバー71が開かれて、ウェハ型温度センサ10が加熱板62上に搬送される。図10(A)に示すように、補助アンテナ15からマイクロ波信号が放射されて、ウェハ型温度センサ10に電源が供給され、測定された各領域の温度に応じた周波数信号が補助アンテナ15によって捕らえられる。   In this example, the antenna 11 is disposed on the ceiling portion of the casing 60 b above the cooling plate 61, and the auxiliary antenna 15 is disposed in the chamber cover 71. A plurality of auxiliary antennas 15 may be provided in the chamber cover 71. The chamber cover 71 is opened, and the wafer type temperature sensor 10 is conveyed onto the heating plate 62. As shown in FIG. 10A, a microwave signal is radiated from the auxiliary antenna 15, power is supplied to the wafer temperature sensor 10, and a frequency signal corresponding to the measured temperature of each region is transmitted by the auxiliary antenna 15. Captured.

加熱処理が終了すると、図10(B)に示すように、チャンバーカバー71が開かれ、ウェハ型温度センサ10が加熱板62上から冷却板61側に移動される。この時点において、マイクロ波信号の送信が補助アンテナア15から冷却板61上のアンテナ11に切換られ、搬送中のウェハ型温度センサ10にマイクロ波信号が放射されるので、ウェハ型温度センサ10から発振周波数信号がアンテナ11によって捕らえられる。図10(C)に示すように冷却板61上にウェハ型温度センサ10が搬送された後は、アンテナ11からマイクロ波信号が送信され、ウェハ型温度センサ10から各温度に応じた発振周波数信号が出力される。   When the heat treatment is completed, as shown in FIG. 10B, the chamber cover 71 is opened, and the wafer type temperature sensor 10 is moved from the heating plate 62 to the cooling plate 61 side. At this time, the transmission of the microwave signal is switched from the auxiliary antenna 15 to the antenna 11 on the cooling plate 61, and the microwave signal is radiated to the wafer-type temperature sensor 10 being transferred. The oscillation frequency signal is captured by the antenna 11. As shown in FIG. 10C, after the wafer type temperature sensor 10 is transferred onto the cooling plate 61, a microwave signal is transmitted from the antenna 11, and the wafer type temperature sensor 10 generates an oscillation frequency signal corresponding to each temperature. Is output.

なお、この例においては、補助アンテナ15として200℃以上の高熱に耐える特性を有する金属材料で形成されており、図4に示したロガー12と、コンピュータ13と、コントローラ14は、加熱板62から離れた常温雰囲気中に置かれている。   In this example, the auxiliary antenna 15 is formed of a metal material having a characteristic of withstanding high heat of 200 ° C. or higher. The logger 12, the computer 13, and the controller 14 shown in FIG. It is placed in a remote room temperature atmosphere.

このように図10(A)〜(C)に示した例においては、加熱板62による加熱中は補助アンテナ15を介して送受信を行い、冷却板61による冷却中においてはアンテナ11を介して送受信が可能になるので、加熱温度および冷却温度の測定を継続して行うことができる。   10A to 10C, transmission / reception is performed via the auxiliary antenna 15 during heating by the heating plate 62, and transmission / reception is performed via the antenna 11 during cooling by the cooling plate 61. Therefore, the measurement of the heating temperature and the cooling temperature can be continuously performed.

図11(A)〜(C)は、この発明の一実施形態の温度測定機能を有する温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定するさらに他の例を説明するための図である。   FIGS. 11A to 11C are views for explaining still another example in which the temperature of the heating plate and the cooling plate is measured by the temperature measuring device having the temperature measuring function of one embodiment of the present invention.

前述の図8および図9に示した例は、図14に示したように冷却板61と搬送装置69とを別個に設けていたのに対して、図11に示した例は、冷却板63が搬送機能を有するように構成したものである。それ以外の構成は図9と同じである。   In the example shown in FIG. 8 and FIG. 9, the cooling plate 61 and the conveying device 69 are separately provided as shown in FIG. 14, whereas the example shown in FIG. Is configured to have a transport function. The other configuration is the same as that of FIG.

まず、チャンバーカバー71が上昇して開かれ、冷却板63が搬送口に搬送されたウェハ型温度センサ10を加熱板62上に搬送し、チャンバーカバー71を下降させて加熱板62を閉じ、アンテナ11から所定の帯域幅の高周波信号が放射され、ウェハ型温度センサ10上のSAW素子2から、周波数信号がアンテナ11に返されてくる。加熱処理が終了すると、図11(B)に示すように、チャンバーカバー71が上昇して、冷却板63が加熱板62上に移動し、ウェハ型温度センサ10が加熱板62から引き出される。   First, the chamber cover 71 is raised and opened, the wafer type temperature sensor 10 having the cooling plate 63 conveyed to the conveyance port is conveyed onto the heating plate 62, the chamber cover 71 is lowered and the heating plate 62 is closed, and the antenna A high frequency signal having a predetermined bandwidth is radiated from 11, and a frequency signal is returned from the SAW element 2 on the wafer type temperature sensor 10 to the antenna 11. When the heat treatment is completed, as shown in FIG. 11B, the chamber cover 71 is raised, the cooling plate 63 is moved onto the heating plate 62, and the wafer type temperature sensor 10 is pulled out from the heating plate 62.

この搬送途中においてもアンテナ11からウェハ型温度センサ10には所定の帯域幅の高周波信号が放射されており、ウェハ型温度センサ10の各領域に応じた周波数信号が送り返されている。さらに、図11(C)に示すように、冷却板63が搬送を停止する。この状態においてもウェハ型温度センサ10がアンテナ11から所定の周波数帯域幅の高周波信号を送信することができるので、ウェハ型温度センサ10の各領域に応じた周波数信号が送り返されている。その後、ウェハ型温度センサ10が搬送アームにより取出される。   Even during the conveyance, a high frequency signal having a predetermined bandwidth is radiated from the antenna 11 to the wafer type temperature sensor 10, and a frequency signal corresponding to each region of the wafer type temperature sensor 10 is sent back. Further, as shown in FIG. 11C, the cooling plate 63 stops the conveyance. Even in this state, the wafer-type temperature sensor 10 can transmit a high-frequency signal having a predetermined frequency bandwidth from the antenna 11, so that a frequency signal corresponding to each region of the wafer-type temperature sensor 10 is sent back. Thereafter, the wafer temperature sensor 10 is taken out by the transfer arm.

図12(A)〜(C)は、この発明の一実施形態の温度測定機能を有する温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定するさらに他の例を説明するための図である。   FIGS. 12A to 12C are views for explaining still another example in which the temperature of the heating plate and the cooling plate is measured by the temperature measuring device having the temperature measuring function of one embodiment of the present invention.

この例は、図10と同様にして筐体60cの冷却板61の上の天井部にアンテナ11を配置し、チャンバーカバー71内に補助アンテナ15を配置したものであり、冷却板63は搬送機能を有するようにしたものである。搬送動作、加熱動作および冷却動作は図9と同様であり、ウェハ型温度センサ10とアンテナ11,15との信号のやり取りは図10と同じであるため、説明を省略する。   In this example, the antenna 11 is disposed on the ceiling of the casing 60c above the cooling plate 61 and the auxiliary antenna 15 is disposed in the chamber cover 71 in the same manner as in FIG. It is made to have. The transfer operation, heating operation, and cooling operation are the same as in FIG. 9, and the exchange of signals between the wafer temperature sensor 10 and the antennas 11 and 15 is the same as in FIG.

以上、図面を参照してこの発明の実施形態を説明したが、この発明は、図示した実施形態のものに限定されない。図示された実施形態に対して、この発明と同一の範囲内において、あるいは均等の範囲内において、種々の修正や変形を加えることが可能である。   As mentioned above, although embodiment of this invention was described with reference to drawings, this invention is not limited to the thing of embodiment shown in figure. Various modifications and variations can be made to the illustrated embodiment within the same range or equivalent range as the present invention.

この発明のウェハ型温度センサとこれを用いた温度測定装置、温度測定機能を有する熱処理装置および温度測定方法は、加熱・冷却装置における冷却板や加加熱板の表面温度を測定するのに利用される。   The wafer-type temperature sensor of the present invention, a temperature measuring device using the same, a heat treatment device having a temperature measuring function, and a temperature measuring method are used for measuring the surface temperature of a cooling plate or a heating plate in a heating / cooling device. The

この発明の一実施形態におけるウェハ型温度センサを示す外観斜視図である。It is an external appearance perspective view which shows the wafer type temperature sensor in one Embodiment of this invention. 図1に示したウェハ型温度センサを構成する発振回路を示す図である。It is a figure which shows the oscillation circuit which comprises the wafer type temperature sensor shown in FIG. 図2に示した発振回路の温度特性を示す図である。It is a figure which shows the temperature characteristic of the oscillation circuit shown in FIG. 図1に示したウェハ型温度センサを加熱・冷却装置に配置して温度を測定する例を示す図である。It is a figure which shows the example which arrange | positions the wafer type temperature sensor shown in FIG. 1 in a heating / cooling apparatus, and measures temperature. 図4に示したロガーの具体的なブロック図である。FIG. 5 is a specific block diagram of the logger shown in FIG. 4. この発明の一実施形態のウェハ型温度センサに含まれる発振回路の他の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the other example of the oscillation circuit contained in the wafer type temperature sensor of one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態のウェハ型温度センサに含まれる発振回路のさらに他の例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the further another example of the oscillation circuit contained in the wafer type temperature sensor of one Embodiment of this invention. ウェハ型温度センサとロガーとを有線で接続した実施形態を示す図である。It is a figure which shows embodiment which connected the wafer type temperature sensor and the logger with the wire communication. この発明の一実施形態における温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定する一例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an example which measures the temperature of a heating plate and a cooling plate with the temperature measuring apparatus in one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態における温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定する他の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the other example which measures the temperature of a heating plate and a cooling plate with the temperature measuring apparatus in one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態の温度測定機能を有する温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定するさらに他の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the further another example which measures the temperature of a heating plate and a cooling plate with the temperature measurement apparatus which has the temperature measurement function of one Embodiment of this invention. この発明の一実施形態の温度測定機能を有する温度測定装置によって加熱板と冷却板の温度を測定するさらに他の例を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the further another example which measures the temperature of a heating plate and a cooling plate with the temperature measurement apparatus which has the temperature measurement function of one Embodiment of this invention. 従来の加熱・冷却装置の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the conventional heating / cooling device. 図13の線A−Aに沿う横断面図である。It is a cross-sectional view along line AA in FIG. 従来の温度測定装置の各種例を示す図である。It is a figure which shows the various examples of the conventional temperature measuring apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 ウェハ、2,2c,2d 発振回路、2a,2b 温度センサ、10 ウェハ型温度センサ、11 アンテナ、12,16 ロガー、13 コンピュータ、14 コントローラ、15 補助アンテナ、17 電源回路、18,19 ケーブル、21 オペアンプ、22 送受信回路、23 素子アンテナ、60a 加熱・冷却装置、60b,60c 筐体、61,63 冷却板、62 加熱板、62a 加熱板温度センサ、71 チャンバーカバー、121 切換回路、122 制御回路、123 送信回路、124 受信回路、125 マイクロ波発生回路、126 サンプリング回路、127 記憶回路、128 出力端子、129 表示器、R1,R2,Rs 抵抗、C1〜C5 コンデンサ、L1 コイル、Tr トランジスタ、INV1〜INV3 インバータ。   1 Wafer, 2, 2c, 2d Oscillator, 2a, 2b Temperature sensor, 10 Wafer type temperature sensor, 11 Antenna, 12, 16 Logger, 13 Computer, 14 Controller, 15 Auxiliary antenna, 17 Power supply circuit, 18, 19 Cable, 21 operational amplifier, 22 transmission / reception circuit, 23 element antenna, 60a heating / cooling device, 60b, 60c housing, 61, 63 cooling plate, 62 heating plate, 62a heating plate temperature sensor, 71 chamber cover, 121 switching circuit, 122 control circuit , 123 transmitter circuit, 124 receiver circuit, 125 microwave generator circuit, 126 sampling circuit, 127 memory circuit, 128 output terminal, 129 display, R1, R2, Rs resistor, C1-C5 capacitor, L1 coil, Tr transistor, INV1 ~ INV3 Converter.

Claims (13)

ウェハと、
前記ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置された複数の温度センサとを備え、
前記各温度センサは、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段を備える、ウェハ型温度センサ。
A wafer,
The wafer upper surface is divided into a plurality of regions, and a plurality of temperature sensors arranged in each divided region,
Each of the temperature sensors includes a oscillating unit that oscillates in response to application of a power supply voltage and outputs an oscillation frequency signal based on a temperature corresponding to each region.
前記発振手段は、温度変化に応じて特性が変化する温度依存性素子を含み、前記温度依存性素子の特性変化に対応して発振周波数を変化させる、請求項1に記載のウェハ型温度センサ。   2. The wafer type temperature sensor according to claim 1, wherein the oscillating means includes a temperature-dependent element whose characteristics change in accordance with a temperature change, and changes the oscillation frequency in response to the characteristic change of the temperature-dependent element. 発振手段は、前記各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力する、請求項1または2に記載のウェハ型温度センサ。   3. The wafer type temperature sensor according to claim 1, wherein the oscillation unit outputs an oscillation frequency signal based on a temperature of a corresponding region within a different frequency band for each region. 発振手段は、前記各領域ごとに同一の周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力する、請求項1または2に記載のウェハ型温度センサ。   3. The wafer type temperature sensor according to claim 1, wherein the oscillation means outputs an oscillation frequency signal based on a temperature of a corresponding region within the same frequency band for each region. ウェハと、前記ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置され、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段とを含むウェハ型温度センサと、
前記電源電圧を前記発振手段に供給する電源供給手段と、
前記複数の発振手段で発振された発振周波数信号に基づいて、前記ウェハにおけるそれぞれの領域の温度を判別する判別手段と、
前記発振手段で発振された発振周波数信号を前記判別手段に出力する通信手段とを備える、温度測定装置。
The wafer and the wafer upper surface are divided into a plurality of regions, arranged in each of the divided regions, oscillates when a power supply voltage is applied, and outputs an oscillation frequency signal based on the temperature corresponding to each region. A wafer type temperature sensor including an oscillation means;
Power supply means for supplying the power supply voltage to the oscillation means;
Discriminating means for discriminating the temperature of each region in the wafer based on the oscillation frequency signal oscillated by the plurality of oscillating means;
A temperature measurement apparatus comprising: communication means for outputting an oscillation frequency signal oscillated by the oscillation means to the discrimination means.
前記複数の発振手段は、前記各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく発振周波数信号を出力し、
前記判別手段は、前記複数の発振手段で発振された発振周波数信号に基づいて、その発振周波数信号が含まれている周波数帯域を判別し、その周波数帯域に対応するウェハの領域を特定し、その発振周波数信号に基づいてその領域の温度を判別し、
前記通信手段は、無線で前記周波数帯域における発振周波数信号を前記判別手段に出力する、請求項5に記載の温度測定装置。
The plurality of oscillating means outputs an oscillation frequency signal based on the temperature of a corresponding region in a different frequency band for each region,
The discriminating unit discriminates a frequency band including the oscillation frequency signal based on the oscillation frequency signal oscillated by the plurality of oscillation units, specifies a region of the wafer corresponding to the frequency band, and Determine the temperature of the region based on the oscillation frequency signal,
The temperature measuring device according to claim 5, wherein the communication unit wirelessly outputs an oscillation frequency signal in the frequency band to the determination unit.
前記電源供給手段は、前記電源電圧をマイクロ波信号として発生し、
前記通信手段は、
前記ウェハ型温度センサと空間を隔てて設けられる通信アンテナと、
前記通信アンテナを介して前記電源供給手段で発生されたマイクロ波信号を送信する送信手段と、
前記通信アンテナを介して前記発振手段で発振された前記周波数帯域における発振周波数信号を受信する受信手段とを含む、請求項6に記載の温度測定装置。
The power supply means generates the power supply voltage as a microwave signal,
The communication means includes
A communication antenna provided at a distance from the wafer-type temperature sensor;
Transmitting means for transmitting a microwave signal generated by the power supply means via the communication antenna;
The temperature measuring apparatus according to claim 6, further comprising: a receiving unit that receives an oscillation frequency signal in the frequency band oscillated by the oscillating unit via the communication antenna.
前記ウェハ型温度センサは、
前記発振手段の出力に接続され、前記発振周波数信号を送信する送信手段と、
前記送信手段に接続され、前記送信された発振周波数信号を無線で放射する素子アンテナとを含む、請求項7に記載の温度測定装置。
The wafer-type temperature sensor is
Transmitting means connected to the output of the oscillating means for transmitting the oscillation frequency signal;
The temperature measuring device according to claim 7, further comprising: an element antenna connected to the transmitting unit and radiating the transmitted oscillation frequency signal wirelessly.
前記複数の発振手段は、前記領域ごとに同じ周波数帯域内で対応する位置の温度に基づく発振周波数信号を出力し、
前記通信手段は、有線で前記周波数帯域における発振周波数信号を前記判別手段に出力する、請求項5に記載の温度測定装置。
The plurality of oscillating means outputs an oscillation frequency signal based on the temperature at a corresponding position in the same frequency band for each region,
The temperature measuring device according to claim 5, wherein the communication unit outputs an oscillation frequency signal in the frequency band in a wired manner to the determination unit.
温度測定機能を有する熱処理装置であって、
周囲全体が囲まれた筐体と、
前記筐体内でウェハを加熱または冷却するステージと、
ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に配置され、電源電圧が与えられたことに応じて発振し、各領域に対応する温度に基づく発振周波数信号を出力する発振手段を含むウェハ型温度センサと、
前記筐体内に配置され、前記ウェハ型温度センサの前記発振手段から無線で送信される周波数信号を捕らえる通信アンテナとを備える、温度測定機能を有する熱処理装置。
A heat treatment apparatus having a temperature measurement function,
A casing surrounded by the entire circumference,
A stage for heating or cooling the wafer in the housing;
An oscillation means for dividing the upper surface of the wafer into a plurality of areas, arranged in each of the divided areas, oscillating when a power supply voltage is applied, and outputting an oscillation frequency signal based on a temperature corresponding to each area is included. A wafer-type temperature sensor;
A heat treatment apparatus having a temperature measurement function, comprising: a communication antenna disposed in the housing and capturing a frequency signal transmitted wirelessly from the oscillation means of the wafer type temperature sensor.
前記ステージは、前記ウェハを加熱処理する加熱板と、前記加熱板で加熱処理されたウェハを冷却する冷却板とを含み、
前記通信アンテナは、前記筐体内の前記加熱板と、前記冷却板との間の前記筐体の天井に配置される、請求項10に記載の温度測定機能を有する熱処理装置。
The stage includes a heating plate that heat-treats the wafer, and a cooling plate that cools the wafer heat-treated by the heating plate,
The heat treatment apparatus having a temperature measurement function according to claim 10, wherein the communication antenna is disposed on a ceiling of the casing between the heating plate and the cooling plate in the casing.
前記ステージは、前記ウェハを加熱処理する加熱板と、前記加熱板で加熱処理されたウェハを冷却する冷却板とを含み、
さらに、前記加熱板を覆う開閉可能なカバー部材を含み、
前記通信アンテナは、前記冷却板の上方に設けられ、さらに前記カバー部材内に配置される補助アンテナを含む、請求項10に記載の温度測定機能を有する熱処理装置。
The stage includes a heating plate that heat-treats the wafer, and a cooling plate that cools the wafer heat-treated by the heating plate,
Furthermore, including a cover member that can be opened and closed to cover the heating plate,
The heat treatment apparatus having a temperature measurement function according to claim 10, wherein the communication antenna includes an auxiliary antenna provided above the cooling plate and disposed in the cover member.
ウェハを載置して加熱または冷却するステージを備えた熱処理装置内において、前記ウェハの温度を測定する温度測定方法であって、
前記ウェハ上面を複数の領域に区分し、区分された各領域に発振手段が配置され、電源が入力されたことに応じて、前記各領域ごとに異なる周波数帯域内で対応する領域の温度に基づく周波数信号を発振するウェハ型温度センサを前記ステージ上に搬送して位置決めする工程と、
前記ステージを加熱または冷却する工程と、
前記ウェハ型温度センサに対してマイクロ波を電源として送信し、前記ウェハ型温度センサの発振手段から発振されるいずれかの周波数帯域内の周波数信号を受信する工程と、
前記受信した周波数信号に基づいて、その周波数信号が含まれている周波数帯域を判別して前記ウェハの領域を特定し、その周波数信号に基づいてその領域の温度を判別する工程と、
前記ステージから前記ウェハ型温度センサを取出して搬送する工程とを備える、温度計測方法。
In a heat treatment apparatus equipped with a stage for placing and heating or cooling a wafer, a temperature measurement method for measuring the temperature of the wafer,
The upper surface of the wafer is divided into a plurality of regions, and oscillation means is arranged in each of the divided regions, and based on the temperature of the corresponding region in a different frequency band for each region according to the input of power. Transporting and positioning a wafer-type temperature sensor that oscillates a frequency signal on the stage;
Heating or cooling the stage;
Transmitting microwaves to the wafer type temperature sensor as a power source and receiving a frequency signal in any frequency band oscillated from the oscillation means of the wafer type temperature sensor;
Determining a region of the wafer based on the received frequency signal to determine a frequency band including the frequency signal, and determining a temperature of the region based on the frequency signal;
And a step of taking out and transporting the wafer-type temperature sensor from the stage.
JP2005370810A 2005-12-22 2005-12-22 Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method Pending JP2007171046A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005370810A JP2007171046A (en) 2005-12-22 2005-12-22 Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method
US11/642,827 US7977609B2 (en) 2005-12-22 2006-12-21 Temperature measuring device using oscillating frequency signals

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005370810A JP2007171046A (en) 2005-12-22 2005-12-22 Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007171046A true JP2007171046A (en) 2007-07-05
JP2007171046A5 JP2007171046A5 (en) 2009-01-08

Family

ID=38297794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005370810A Pending JP2007171046A (en) 2005-12-22 2005-12-22 Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007171046A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011164951A (en) * 2010-02-10 2011-08-25 Saxa Inc Radio transmitter, radio receiver and radio transmission/reception system
JP2013167456A (en) * 2012-02-14 2013-08-29 Seiko Epson Corp Temperature sensor and electro-optical device
KR20190052992A (en) * 2017-11-09 2019-05-17 한국표준과학연구원 Wafer Sensor with Heat Dissipating Function and Method for Fabricating the Same
WO2022129527A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Modular wafer-chuck system

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031376B1 (en) * 1994-09-07 2000-04-10 三菱自動車工業株式会社 Exhaust purification catalyst device for internal combustion engine
JP2002168699A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Yamatake Corp Noncontact temperature measuring apparatus and method therefor
WO2004051713A2 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP2004271458A (en) * 2003-03-11 2004-09-30 Yoshikawa Rf System Kk Data carrier with sensor
JP2005115919A (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Mitsubishi Materials Corp Radio temperature sensor

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3031376B1 (en) * 1994-09-07 2000-04-10 三菱自動車工業株式会社 Exhaust purification catalyst device for internal combustion engine
JP2002168699A (en) * 2000-12-01 2002-06-14 Yamatake Corp Noncontact temperature measuring apparatus and method therefor
WO2004051713A2 (en) * 2002-12-03 2004-06-17 Sensarray Corporation Integrated process condition sensing wafer and data analysis system
JP2004271458A (en) * 2003-03-11 2004-09-30 Yoshikawa Rf System Kk Data carrier with sensor
JP2005115919A (en) * 2003-09-19 2005-04-28 Mitsubishi Materials Corp Radio temperature sensor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011164951A (en) * 2010-02-10 2011-08-25 Saxa Inc Radio transmitter, radio receiver and radio transmission/reception system
JP2013167456A (en) * 2012-02-14 2013-08-29 Seiko Epson Corp Temperature sensor and electro-optical device
KR20190052992A (en) * 2017-11-09 2019-05-17 한국표준과학연구원 Wafer Sensor with Heat Dissipating Function and Method for Fabricating the Same
KR102039429B1 (en) * 2017-11-09 2019-11-04 한국표준과학연구원 Wafer Sensor with Heat Dissipating Function and Method for Fabricating the Same
WO2022129527A1 (en) * 2020-12-18 2022-06-23 Att Advanced Temperature Test Systems Gmbh Modular wafer-chuck system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7977609B2 (en) Temperature measuring device using oscillating frequency signals
JP2007178253A (en) Device and method for measuring temperature
TWI751172B (en) Apparatus and method for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
CN100371839C (en) Methods and apparatus for obtaining data for process operation, optimization, monitoring and control
JP2007171047A (en) Wafer-type temperature sensor, temperature-measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method
US3609728A (en) Portable remote location measuring system utilizing pulse width modulation
JP2007171046A (en) Wafer-type temperature sensor, temperature measuring apparatus using the same, heat treatment apparatus having temperature-measuring function, and temperature-measuring method
TWI447826B (en) The heat treatment apparatus of the object to be processed, the heat treatment method of the object to be processed, and the memory medium of the memory computer readable program
JPH0319599B2 (en)
US11150140B2 (en) Instrumented substrate apparatus for acquiring measurement parameters in high temperature process applications
US6840670B2 (en) Apparatus and method for non-contact temperature measurement
JP5098045B2 (en) Piezoelectric temperature sensor and silicon wafer temperature measurement jig
TWI636519B (en) Temperature sensing system for rotatable wafer support assembly
TWI701887B (en) A mobile device tester for precise inductive power measurement and a calibration unit therefor
JP2011525632A (en) Substrate temperature measurement by infrared propagation in the etching process
EP0644409B1 (en) A method of remotely measuring process data
JP3250285B2 (en) Substrate to be processed provided with information measuring means
USH1744H (en) Wireless remote sensing thermometer
KR20220023074A (en) Semiconductor package test device and method for the same
JP5413767B2 (en) Silicon wafer multi-point temperature measurement system
JP2008139256A (en) Detection sheet, temperature measuring system, and heat treatment apparatus
US6773158B2 (en) Resonant circuit for measuring temperature profile of a semiconductor substrate
US3637985A (en) Portable remote location measuring system
JP2007171046A5 (en)
JPH11329993A (en) Device and method for board processing

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081118

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20081118

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110308

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20110809