JP2007169304A - Polyimide precursor, polyimide, polyimide-based plastic substrate plate and method for producing the same - Google Patents

Polyimide precursor, polyimide, polyimide-based plastic substrate plate and method for producing the same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polyimide excellent in transparency, having high toughness and a high glass transition temperature jointly, and useful as an electrical insulation film in various electronic devices, a substrate for a liquid crystal display, a substrate for an organic EL display, a substrate for an electronic paper, a substrate for solar cells and especially as a plastic substrate for a flexible film liquid crystal display, its precursor, the plastic substrate by using the polyimide and a method for producing the same. <P>SOLUTION: This polyimide precursor having a structural unit having a specific tetracarboxylic acid dianhydride expressed by general formula (1) and a specific alicyclic diamine as constituting components, the polyimide obtained by imidizing the polyimide precursor and the polyimide-based plastic substrate plate obtained by using the polyimide are provided. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は高透明性、高靭性および高ガラス転移温度を併せ持つ、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜、液晶ディスプレー用基板、有機エリクトルルミネッセンスディスプレー用基板、電子ペーパー用基板、太陽電池用基板、特にフレキシブルフィルム液晶ディスプレー用プラスチック基板として有益なポリイミド及びその前駆体、並びに該ポリイミドを用いてなるプラスチック基板に関する。   The present invention has high transparency, high toughness, and a high glass transition temperature. Electrical insulating films for various electronic devices, substrates for liquid crystal displays, substrates for organic luminescence displays, substrates for electronic paper, substrates for solar cells, particularly flexible. The present invention relates to a polyimide useful as a plastic substrate for a film liquid crystal display, a precursor thereof, and a plastic substrate using the polyimide.

現在、液晶ディスプレーにはガラス基板が用いられているが、近年の大画面化の動向に伴い、軽量化および生産性向上の問題が深刻化している。その解決策として重いガラス基板の代替として、より軽量でより成型加工が容易なプラスチック基板の採用が求められている。透明性で且つ十分靭性の高いプラスチック基板は、曲げたり丸めたりして収納可能なフレキシブル表示パネルの実現を可能とする。   Currently, glass substrates are used for liquid crystal displays, but with the trend toward larger screens in recent years, problems of weight reduction and productivity improvement have become serious. As a solution to this, as a substitute for a heavy glass substrate, it is required to adopt a plastic substrate that is lighter and easier to mold. A transparent and sufficiently tough plastic substrate makes it possible to realize a flexible display panel that can be bent and rolled.

しかしプラスチック基板は同時にガラス基板に比べて耐熱性に劣るという欠点を持つ。例えば、パネル用プラスチック基板をフルカラーTFT型液晶パネルに適用する場合、その製造工程上プラスチック基板は200〜220℃の高温に耐えなければならない。しかしながらポリメタクリル酸メチルに代表されるビニルポリマーやポリカーボネートでは透明性は高いものの、ガラス転移はそれぞれ100℃前後および150℃と、耐熱性に劣る。耐熱性、透明性および靭性を併せ持つプラスチック基板としての要求特性を満足する材料は未だ知られていないのが現状である。   However, the plastic substrate has the disadvantage that it is inferior in heat resistance to the glass substrate at the same time. For example, when a plastic substrate for a panel is applied to a full color TFT type liquid crystal panel, the plastic substrate must withstand a high temperature of 200 to 220 ° C. in the manufacturing process. However, vinyl polymers and polycarbonates typified by polymethyl methacrylate have high transparency, but the glass transition is inferior in heat resistance at around 100 ° C. and 150 ° C., respectively. At present, a material that satisfies the required characteristics as a plastic substrate having both heat resistance, transparency and toughness is not yet known.

一方、ポリイミド樹脂は耐熱性に優れるため、プラスチック基板材料の候補として挙げられる。一般にポリイミドは、無水ピロメリット酸などの芳香族テトラカルボン酸二無水物とジアミノジフェニルエーテル等の芳香族ジアミンとをジメチルアセトアミド等の非プロトン性極性溶媒中で等モル反応させ容易に得られる高重合度のポリイミド前駆体を、膜などに成形し加熱硬化して得られる。   On the other hand, a polyimide resin is excellent in heat resistance, and is therefore a candidate for a plastic substrate material. Generally, polyimide has a high degree of polymerization that is easily obtained by equimolar reaction of an aromatic tetracarboxylic dianhydride such as pyromellitic anhydride and an aromatic diamine such as diaminodiphenyl ether in an aprotic polar solvent such as dimethylacetamide. The polyimide precursor is formed into a film and cured by heating.

このような全芳香族ポリイミドは優れた耐熱性のみならず、耐薬品性、耐放射線性、電気絶縁性、機械的性質などの特性を併せ持つことから、フレキシブルプリント配線回路用基板、テープオートメーションボンディング用基材、半導体素子の保護膜、集積回路の層間絶縁膜等、様々な電子デバイスに現在広く利用されている。   These wholly aromatic polyimides have not only excellent heat resistance but also chemical resistance, radiation resistance, electrical insulation, mechanical properties, etc., so they can be used for flexible printed circuit boards and tape automation bonding. Currently, it is widely used in various electronic devices such as base materials, protective films for semiconductor elements, and interlayer insulating films for integrated circuits.

しかしながらこれらの全芳香族ポリイミドは紫外から可視域にかけて強い電子吸収遷移を有するためフィルムの透明性が極端に低いという欠点がある。これはポリイミド鎖における芳香族基を通じた分子内共役および、分子内・分子間電荷移動相互作用によるものである(非特許文献1参照)。   However, these wholly aromatic polyimides have a strong electron absorption transition from the ultraviolet region to the visible region, and thus have a drawback that the transparency of the film is extremely low. This is due to intramolecular conjugation through aromatic groups in the polyimide chain and intramolecular / intermolecular charge transfer interaction (see Non-Patent Document 1).

ポリイミドフィルムの透明化には、酸二無水物とジアミンのどちらか一方あるいは両方に脂肪族又は脂環族モノマーを使用することが効果的である。これによりポリイミド鎖の分子内共役や電荷移動相互作用が妨げられ、結果としてポリイミド膜およびその前駆体膜の紫外・可視全域での透明性が飛躍的に高まる。化学的、物理的耐熱性の観点から、脂肪族構造のものより脂環族モノマーがしばしば用いられる。   In order to make the polyimide film transparent, it is effective to use an aliphatic or alicyclic monomer in one or both of acid dianhydride and diamine. As a result, intramolecular conjugation and charge transfer interaction of the polyimide chain are hindered, and as a result, the transparency of the polyimide film and its precursor film in the entire ultraviolet / visible region is dramatically increased. From the viewpoint of chemical and physical heat resistance, alicyclic monomers are often used rather than aliphatic structures.

芳香族テトラカルボン酸二無水物を、脂環族/脂肪族テトラカルボン酸に代えると、重合反応性の点で問題があり、十分な分子量の高分子量体が得られないため、膜、フィルム等にした場合に、靭性が不十分なものしか得られない。一方、ジアミンを脂環族/脂肪族ジアミンに代えると、各種テトラカルボン酸二無水物からポリイミド前駆体を重合する際、重合反応初期に塩形成が起こり、塩が溶解するまで重合反応が長期間かかり、生産性や再現性の低下を招く欠点を有するばかりか、例えばピロメリット酸二無水物とトランス−1,4−ジアミノシクロヘキサンとの組み合わせでは、極めて強固な塩形成のため重合反応が全く進行しないという重大な問題が生じる。これは脂環族/脂肪族ジアミンの塩基性が、通常用いられる芳香族ジアミンに比べてはるかに高いことに由来している。   If the aromatic tetracarboxylic dianhydride is replaced with an alicyclic / aliphatic tetracarboxylic acid, there is a problem in polymerization reactivity, and a high molecular weight body having a sufficient molecular weight cannot be obtained. In this case, only those with insufficient toughness can be obtained. On the other hand, when the diamine is replaced with an alicyclic / aliphatic diamine, when the polyimide precursor is polymerized from various tetracarboxylic dianhydrides, salt formation occurs at the initial stage of the polymerization reaction, and the polymerization reaction is continued for a long time until the salt is dissolved. In addition, for example, in the case of a combination of pyromellitic dianhydride and trans-1,4-diaminocyclohexane, the polymerization reaction proceeds at all because of the formation of a very strong salt. A serious problem arises. This is because the basicity of the alicyclic / aliphatic diamine is much higher than that of the commonly used aromatic diamine.

脂環族/脂肪族ジアミンを用いる際、塩形成を回避する方法として界面重合法が非特許文献2に開示されている。この方法はまずテトラカルボン酸二無水物とアルコールを反応させてテトラカルボン酸のジアルキルエステルとし、次いでこれを塩素化して油層に溶解し、これとアルカリ水溶液に溶解した脂肪族ジアミンとを油/水界面で重合させてポリアミド酸のアルキルエステルを得るものである。これを熱イミド化して脂環式ポリイミドを得ている。   Non-Patent Document 2 discloses an interfacial polymerization method as a method for avoiding salt formation when using an alicyclic / aliphatic diamine. In this method, tetracarboxylic dianhydride and alcohol are first reacted to form a dialkyl ester of tetracarboxylic acid, which is then chlorinated and dissolved in an oil layer, and this and an aliphatic diamine dissolved in an alkaline aqueous solution are mixed with oil / water. Polymerization is performed at the interface to obtain an alkyl ester of polyamic acid. This is thermally imidized to obtain an alicyclic polyimide.

しかしこの重合方法では製造工程が煩雑でしかも高重合度のポリイミド前駆体を得ることは困難であるばかりかバッチごとの分子量のばらつきも大きくなる。また、界面重縮合法では生産性が低く、実用的でない。更に重大な問題として界面重合法では発生する塩素がポリイミド前駆体中に残留し、洗浄、除去することができないため、電子材料用途としては好ましくない。   However, in this polymerization method, the production process is complicated and it is difficult to obtain a polyimide precursor having a high degree of polymerization, and the variation in molecular weight from batch to batch is also large. Further, the interfacial polycondensation method has low productivity and is not practical. Further, as a serious problem, chlorine generated in the interfacial polymerization method remains in the polyimide precursor and cannot be washed and removed, which is not preferable for use as an electronic material.

従って、ディスプレー基板材料等の電子材料用途に適した、透明性、耐熱性に優れ、且つ十分な靱性を有する高分子量の脂環構造を有するあらたなポリイミドが求められている。   Therefore, there is a need for a new polyimide having a high molecular weight alicyclic structure that is suitable for electronic materials such as display substrate materials, has excellent transparency and heat resistance, and has sufficient toughness.

Prog. Polym. Sci., 26, 259 (2001)Prog. Polym. Sci., 26, 259 (2001) High Perform. Polym., 10, 11 (1998)High Perform. Polym., 10, 11 (1998)

本発明は高透明性、高靭性および高ガラス転移温度を併せ持つ、各種電子デバイスにおける電気絶縁膜、液晶ディスプレー用基板、有機エレクトロルミネッセンスディスプレー用基板、電子ペーパー用基板、太陽電池用基板、特にフレキシブルフィルム液晶ディスプレー用プラスチック基板として有益なポリイミド及びその前駆体、並びに該ポリイミドを用いてなるプラスチック基板及びその製造方法を提供することを目的する。   The present invention has high transparency, high toughness, and a high glass transition temperature. Electrical insulating films in various electronic devices, liquid crystal display substrates, organic electroluminescence display substrates, electronic paper substrates, solar cell substrates, particularly flexible films. An object of the present invention is to provide a polyimide useful as a plastic substrate for a liquid crystal display and a precursor thereof, a plastic substrate using the polyimide, and a method for producing the same.

以上の問題を鑑み、鋭意研究を積み重ねた結果、下記の知見を得た。
(1)本発明のポリイミド前駆体は、ジアミン成分が脂環族ジアミンにもかかわらず、塩形成が抑制され、高重合度のポリイミド前駆体が得られること。
(2)また、上記ポリイミド前駆体及びこれをイミド化して得られるポリイミドが有機溶媒可溶性であること。
(3)その為、取り扱いが容易で、ポリイミドの成形加工に適していること。
(4)また、該ポリイミドが、低吸水率、高透明性、高耐熱性等を要求されるプラスチック基板としての特性を有していること。
かかる知見に基づき、本発明を完成するに至った。
In view of the above problems, as a result of intensive research, the following knowledge was obtained.
(1) In the polyimide precursor of the present invention, salt formation is suppressed despite the diamine component being an alicyclic diamine, and a polyimide precursor having a high degree of polymerization is obtained.
(2) Moreover, the said polyimide precursor and the polyimide obtained by imidating this should be organic solvent soluble.
(3) Therefore, it should be easy to handle and suitable for molding of polyimide.
(4) The polyimide has characteristics as a plastic substrate that requires low water absorption, high transparency, high heat resistance, and the like.
Based on this knowledge, the present invention has been completed.

即ち、本発明は以下の発明を提供するものである。
[項1] 一般式(1)

Figure 2007169304
[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基、ハロゲン原子、又は、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を1個以上有していてもよい炭素数6〜12の脂環族基若しくは炭素数6〜12の芳香族基を表す。Xは、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基又はスルホニル基を表す。Zは、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を1個以上有していてもよい炭素数6〜24の2価の脂環族基を表す。尚、両末端のベンゼン環に結合する2つのフェノキシカルボニル基の置換位置は、それぞれ同一又は異なって、カルバモイル基に対してm位又はp位である。]
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体。 That is, the present invention provides the following inventions.
[Claim 1] General formula (1)
Figure 2007169304
[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear chain having 2 to 12 carbon atoms. Or branched alkenyl group, linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, nitrile group, nitro group, carboxyl group, amide group, halogen atom Or a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, a linear or branched chain having 1 to 12 carbon atoms An alicyclic group having 6 to 12 carbon atoms or 6 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of an alkoxy group, a nitrile group, a nitro group, a carboxyl group, an amide group and a halogen atom. Table of 12 aromatic groups . X represents an ether group, a thioether group, a carbonyl group or a sulfonyl group. Z is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, a nitrile group, A bivalent alicyclic group having 6 to 24 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of a nitro group, a carboxyl group, an amide group and a halogen atom. The substitution positions of the two phenoxycarbonyl groups bonded to the benzene rings at both ends are the same or different and are the m-position or p-position with respect to the carbamoyl group. ]
The polyimide precursor which has a structural unit represented by these.

[項2] R、R、R及びRが、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、又は炭素数6〜12のシクロアルキル基で表される項1に記載のポリイミド前駆体。 [Item 2] R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and are a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear chain having 2 to 12 carbon atoms. The polyimide precursor of claim | item 1 represented by a linear or branched alkenyl group or a C6-C12 cycloalkyl group.

[項3] Xが、スルホニル基又はエーテル基で表される項1又は2のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   [Item 3] The polyimide precursor according to any one of Items 1 or 2, wherein X is a sulfonyl group or an ether group.

[項4] Zが、一般式(2)

Figure 2007169304
[式中、R、R、R及びRは、互いに同一又は異なって、それぞれ水素原子、メチル基又はエチル基を表す。A及びm個のAは、同一又は異なって、それぞれ直接結合、又は炭素数1〜6のアルキリデン基を表す。mは、1又は2の整数を表す。]
で表される項1〜3のいずれかに記載のポリイミド前駆体。 [Claim 4] Z is the general formula (2).
Figure 2007169304
[Wherein, R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are the same or different from each other and each represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. A 1 and m A 2 are the same or different and each represents a direct bond or an alkylidene group having 1 to 6 carbon atoms. m represents an integer of 1 or 2. ]
The polyimide precursor in any one of claim | item 1-3 represented by these.

[項5] AとAとの立体配置がトランス配置であるか、又は2個のAの立体配置が互いにトランス配置である項4に記載のポリイミド前駆体。 [Item 5] The polyimide precursor according to Item 4, wherein the configuration of A 1 and A 2 is a trans configuration, or the configuration of two A 2 is a trans configuration.

[項6] アミン塩を実質的に含有しない項1〜5のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   CLAIM | ITEM 6 The polyimide precursor in any one of claim | item 1 -5 which does not contain an amine salt substantially.

[項7] 固有粘度が、0.4dL/g以上である項1〜6のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   CLAIM | ITEM 7 The polyimide precursor in any one of claim | item 1 -6 whose intrinsic viscosity is 0.4 dL / g or more.

[項8] 項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体及び有機溶剤を含有してなるポリイミド前駆体ワニス。   [Item 8] A polyimide precursor varnish comprising the polyimide precursor according to any one of Items 1 to 7 and an organic solvent.

[項9] 項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体を、イミド化反応することによって得られる一般式(3)

Figure 2007169304
[式中、R、R、R、R、X及びZは、一般式(1)におけるものと同義である。]
で表される構造単位を有するポリイミド。 [Item 9] General formula (3) obtained by imidizing the polyimide precursor according to any one of Items 1 to 7.
Figure 2007169304
Wherein, R 1, R 2, R 3, R 4, X and Z have the same meanings as in the general formula (1). ]
A polyimide having a structural unit represented by:

[項10] 吸水率が、2%以下である項9に記載のポリイミド。   CLAIM | ITEM 10 The polyimide of claim | item 9 whose water absorption is 2% or less.

[項11] ガラス転移温度が200℃以上、波長400nmでの光線透過率が60%以上、複屈折が0.1以下且つ破断伸びが5%以上である項9又は10に記載のポリイミド。   [Item 11] The polyimide according to Item 9 or 10, wherein the glass transition temperature is 200 ° C. or more, the light transmittance at a wavelength of 400 nm is 60% or more, the birefringence is 0.1 or less, and the elongation at break is 5% or more.

[項12] 項9〜11のいずれかに記載のポリイミド及び有機溶剤を含有してなるポリイミドワニス。   [Item 12] A polyimide varnish comprising the polyimide according to any one of Items 9 to 11 and an organic solvent.

[項13] 項9〜11に記載のポリイミドからなるポリイミド成形体。   CLAIM | ITEM 13 The polyimide molded body which consists of a polyimide of claim | item 9-11.

[項14] ポリイミド成形体が、層状、膜状、フィルム状又はシート状の形態にある項13に記載のポリイミド成形体。   [Item 14] The polyimide molded body according to item 13, wherein the polyimide molded body is in the form of a layer, a film, a film, or a sheet.

[項15] 項14に記載のポリイミド成形体を用いてなるプラスチック基板。   [Item 15] A plastic substrate using the polyimide molded article according to item 14.

[項16] 表示素子用である項15に記載のプラスチック基板。   [Item 16] The plastic substrate according to item 15, which is used for a display element.

[項17] 表示素子が、液晶ディスプレーあるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレーである項16に記載のプラスチック基板。   [Item 17] The plastic substrate according to item 16, wherein the display element is a liquid crystal display or an organic electroluminescence display.

[項18] 項15〜17のいずれかに記載のプラスチック基板を備えた表示素子。   CLAIM | ITEM 18 The display element provided with the plastic substrate in any one of claim | item 15 -17.

[項19] 項15〜17のいずれかに記載のプラスチック基板の製造方法であって、項8に記載のポリイミド前駆体ワニス、又は項12に記載のポリイミドワニスを、支持体上に塗布する工程、乾燥、硬化する工程、及び支持体からポリイミド成形体を剥離する工程を備える、
プラスチック基板の製造方法。
CLAIM | ITEM 19 It is a manufacturing method of the plastic substrate in any one of claim | item 15-17, Comprising: The process of apply | coating the polyimide precursor varnish of claim | item 8 or the polyimide varnish of claim | item 12 on a support body. A step of drying, curing, and a step of peeling the polyimide molded body from the support,
A method of manufacturing a plastic substrate.

本発明のポリイミド前駆体は、溶剤溶解性に優れ、重合度が高く、実質的に塩を含有していないため、該ポリイミド前駆体から得られるポリイミドは、耐熱性、透明性且つ機械特性に優れている。また、該ポリイミドを用いてなるブラスチック基板は、その特性を利用して、電子デバイスの基板、特に表示素子用のプラスチックとして好適に用いることができる。   Since the polyimide precursor of the present invention is excellent in solvent solubility, has a high degree of polymerization, and does not substantially contain a salt, the polyimide obtained from the polyimide precursor is excellent in heat resistance, transparency and mechanical properties. ing. In addition, a plastic substrate using the polyimide can be suitably used as a substrate for an electronic device, particularly as a plastic for a display element, using the characteristics.

<ポリイミド前駆体>
本発明のポリイミド前駆体は、下記一般式(4)で表されるエステル基含有テトラカルボン酸二無水物と脂環族ジアミンとを重合することによって得ることができる。

Figure 2007169304

[式中、R、R、R、R及びXは、一般式(1)におけるものと同義である。] <Polyimide precursor>
The polyimide precursor of the present invention can be obtained by polymerizing an ester group-containing tetracarboxylic dianhydride represented by the following general formula (4) and an alicyclic diamine.
Figure 2007169304

[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and X have the same meaning as in general formula (1). ]

係るエステル基含有テトラカルボン酸二無水物の製法は特に限定されず、従来公知の方法により製造することができる。例えば、トリメリット酸無水物と下記一般式(5)で表されるビスフェノール化合物とをエステル化反応することにより製造できる。

Figure 2007169304
[式中、R、R、R、R及びXは一般式(1)中におけるものと同義である。] The manufacturing method of the ester group containing tetracarboxylic dianhydride which concerns is not specifically limited, It can manufacture by a conventionally well-known method. For example, it can be produced by esterifying a trimellitic anhydride and a bisphenol compound represented by the following general formula (5).
Figure 2007169304
[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 , R 4 and X have the same meaning as in general formula (1). ]

一般式(5)で表されるビスフェノール化合物の具体例のうち、Xがスルホニル基で表される化合物としては、ビス(4−ヒドロキシフェニル)スルホンの他、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロピルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,−エチル−5−メチル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ビニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジビニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジアリルフェニル)スルホン等のアルキル若しくはアルケニル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロポキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルオキシシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロポキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブトキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルオキシシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルオキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルオキシフェニル)スルホン、等のアルコキシ置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロブチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロペンチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘプチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロオクチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロノニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デカビトロナフチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロブチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロペンチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘキシルフェニル)スルホン、ビス(4−ビトロキシ−3−シクロヘキシル−5−メチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘプチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロオクチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロノニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデカビトロナフチルフェニル)スルホン、等のシクロアルキル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフェニルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ナフチルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジナフチルフェニル)スルホン、等の芳香族置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シアノフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ニトロフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−カルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ハロゲノフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシアノフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジニトロフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジカルボキシフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジハロゲノフェニル)スルホン、等が挙げられる。
Among the specific examples of the bisphenol compound represented by the general formula (5), examples of the compound in which X is a sulfonyl group include bis (4-hydroxyphenyl) sulfone and bis (4-hydroxy-3-methylphenyl). ) Sulfone, bis (4-hydroxy-3-ethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-propylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-butylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-) Pentylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-hexylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-heptylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-octylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy- 3-nonylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-decylphenyl) sulfone Hong, bis (4-hydroxy-3-undecylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-dodecylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy- 3,5-diethylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3, -ethyl-5-methyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dipropylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3, 5-dibutylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dipentylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dihexylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diheptylphenyl) ) Sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dioctylphenyl) sulfone, bis (4-hydro) Cis-3,5-dinonylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-didecylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diundecylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-) 3,5-didodecylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-vinylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-divinylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-allylphenyl) sulfone Alkyl or alkenyl substituents such as bis (4-hydroxy-3,5-diallylphenyl) sulfone;
Bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-ethoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-propoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-butoxyphenyl) Sulfone, bis (4-hydroxy-3-pentyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-hexyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-heptyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy) -3-octyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-nonyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-decyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-undecyloxyphenyl) Sulfone, bis (4-hydroxy-3-do Siloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diethoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dipropoxyphenyl) ) Sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dibutoxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dipentyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dihexyloxyphenyl) Sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diheptyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dioctyloxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dinonyloxyphenyl) Sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-didecyloxyphenyl) sulfone Bis (4-hydroxy-3,5-diundecyl oxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-di-dodecyloxy-phenyl) sulfone, alkoxy substitution products and the like;
Bis (4-hydroxy-3-cyclobutylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-cyclopentylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-cycloheptyl) Phenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-cyclooctylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-cyclononylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-decabitronnaphthylphenyl) sulfone, bis (4 -Hydroxy-3,5-dicyclobutylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclopentylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclohexylphenyl) sulfone, bis (4-bitroxy) -3-Cyclohexyl-5-methyl Phenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicycloheptylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclooctylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclo) Cycloalkyl substituents such as nonylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-didecabitronaphthylphenyl) sulfone, and the like;
Bis (4-hydroxy-3-phenylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diphenylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-naphthylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5 -Aromatic substituents such as dinaphthylphenyl) sulfone;
Bis (4-hydroxy-3-cyanophenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-nitrophenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-carboxyphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3-halogenophenyl) Sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyanophenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dinitrophenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-dicarboxyphenyl) sulfone, bis ( 4-hydroxy-3,5-dihalogenophenyl) sulfone, and the like.

Xがエーテル基で表されるビスフェノール化合物としては、ビス(4−ヒドロキシフェニル)エーテルの他、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロピルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,−エチル−5−メチル)エーテルビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ビニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジビニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジアリルフェニル)エーテル、等のアルキル若しくはアルケニル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロポキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルオキシシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロポキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブトキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルオキシシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルオキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルオキシフェニル)エーテル、等のアルコキシ置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロブチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロペンチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘプチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロオクチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロノニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デカビトロナフチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロブチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロペンチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘキシルフェニル)エーテル、ビス(4−ビトロキシ−3−シクロヘキシル−5−メチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘプチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロオクチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロノニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデカビトロナフチルフェニル)エーテル、等のシクロアルキル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフェニルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ナフチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジナフチルフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シアノフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ニトロフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−カルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ハロゲノフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシアノフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジニトロフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジカルボキシフェニル)エーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジハロゲノフェニル)エーテル、等が挙げられる。
Examples of the bisphenol compound in which X is an ether group include bis (4-hydroxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-ethylphenyl) ether, Bis (4-hydroxy-3-propylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-butylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-pentylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-hexylphenyl) Ether, bis (4-hydroxy-3-heptylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-octylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-nonylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-decyl) Phenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-undecylsulfate) Nyl) ether, bis (4-hydroxy-3-dodecylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diethylphenyl) ether, bis (4 -Hydroxy-3, -ethyl-5-methyl) ether bis (4-hydroxy-3,5-dipropylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dibutylphenyl) ether, bis (4-hydroxy- 3,5-dipentylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dihexylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diheptylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5- Dioctylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dinonylphenyl) ether, bis ( -Hydroxy-3,5-didecylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diundecylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-didodecylphenyl) ether, bis (4-hydroxy) -3-vinylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-divinylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-allylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diallylphenyl) ether Alkyl or alkenyl substituents such as
Bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-ethoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-propoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-butoxyphenyl) Ether, bis (4-hydroxy-3-pentyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-hexyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-heptyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy) -3-octyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-nonyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-decyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-undecyloxyphenyl) Ether, bis (4-hydroxy-3-do Siloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dimethoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diethoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dipropoxyphenyl) ) Ether, bis (4-hydroxy-3,5-dibutoxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dipentyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dihexyloxyphenyl) Ether, bis (4-hydroxy-3,5-diheptyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dioctyloxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dinonyloxyphenyl) Ether, bis (4-hydroxy-3,5-didecyloxyphenyl) ether Bis (4-hydroxy-3,5-diundecyl oxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-di-dodecyloxy-phenyl) ether, alkoxy substituted compounds and the like;
Bis (4-hydroxy-3-cyclobutylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cyclopentylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cycloheptyl) Phenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cyclooctylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cyclononylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-decabitronnaphthylphenyl) ether, bis (4 -Hydroxy-3,5-dicyclobutylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclopentylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclohexylphenyl) ether, bis (4-bitoxy) -3-Cyclohexyl-5-methyl Phenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicycloheptylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclooctylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclo) Cycloalkyl substituents such as nonylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-didecabitronaphtylphenyl) ether;
Bis (4-hydroxy-3-phenylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-diphenylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-naphthylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5) -Dinaphthylphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-cyanophenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-nitrophenyl) ether, bis (4-hydroxy-3-carboxyphenyl) ether, bis (4- Hydroxy-3-halogenophenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyanophenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dinitrophenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-di) Carboxyphenyl) ether, bis (4-hydroxy-3,5-dihalogenopheni ) Ether, and the like.

Xがチオエーテル基で表されるビスフェノール化合物としては、ビス(4−ヒドロキシフェニル)チオエーテルの他、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロピルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,−エチル−5−メチル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ビニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジビニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)スルホン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジアリルフェニル)チオエーテル、等のアルキル若しくはアルケニル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロポキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルオキシシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロポキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブトキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルオキシシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルオキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルオキシフェニル)チオエーテル、等のアルコキシ置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロブチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロペンチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘプチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロオクチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロノニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−デカビトロナフチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロブチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロペンチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘキシルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ビトロキシ−3−シクロヘキシル−5−メチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘプチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロオクチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロノニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデカビトロナフチルフェニル)チオエーテル、等のシクロアルキル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフェニルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ナフチルフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジナフチルフェニル)チオエーテル、等の芳香族置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シアノフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ニトロフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−カルボキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3−ハロゲノフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシアノフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジニトロフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジカルボキシフェニル)チオエーテル、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジハロゲノフェニル)チオエーテル、等が挙げられる。
Examples of the bisphenol compound in which X is a thioether group include bis (4-hydroxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-ethylphenyl) thioether, Bis (4-hydroxy-3-propylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-butylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-pentylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-hexylphenyl) Thioether, bis (4-hydroxy-3-heptylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-octylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-nonylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-decyl) Phenyl) thio Ether, bis (4-hydroxy-3-undecylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-dodecylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy- 3,5-diethylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3, -ethyl-5-methyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dipropylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3, 5-dibutylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dipentylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dihexylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diheptylphenyl) ) Thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dio Tilphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dinonylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-didecylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diundecylphenyl) Thioether, bis (4-hydroxy-3,5-didodecylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-vinylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-divinylphenyl) thioether, bis (4- Alkyl or alkenyl substituents such as hydroxy-3-allylphenyl) sulfone, bis (4-hydroxy-3,5-diallylphenyl) thioether;
Bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-ethoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-propoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-butoxyphenyl) Thioether, bis (4-hydroxy-3-pentyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-hexyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-heptyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy -3-octyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-nonyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-decyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-undecyloxyphenyl) Thioether, bis (4-hydroxy-3-dodecyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dimethoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diethoxyphenyl) thioether, bis (4 -Hydroxy-3,5-dipropoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dibutoxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dipentyloxysiphenyl) thioether, bis (4- Hydroxy-3,5-dihexyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diheptyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dioctyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy) -3,5-dinonyloxyph Nyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-didecyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diundecyloxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-didodecyl) Alkoxy substituted products such as oxyphenyl) thioether;
Bis (4-hydroxy-3-cyclobutylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-cyclopentylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-cycloheptyl) Phenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-cyclooctylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-cyclononylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-decabitronnaphthylphenyl) thioether, bis (4 -Hydroxy-3,5-dicyclobutylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclopentylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclohexylphenyl) thioether, bis (4- Troxy-3-cyclohexyl-5-methylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicycloheptylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclooctylphenyl) thioether, bis (4 Cycloalkyl substituents such as -hydroxy-3,5-dicyclononylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-didecavitronylphenyl) thioether;
Bis (4-hydroxy-3-phenylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-diphenylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-naphthylphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5 -Aromatic substituents such as dinaphthylphenyl) thioether;
Bis (4-hydroxy-3-cyanophenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-nitrophenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-carboxyphenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3-halogenophenyl) Thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicyanophenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dinitrophenyl) thioether, bis (4-hydroxy-3,5-dicarboxyphenyl) thioether, bis ( 4-hydroxy-3,5-dihalogenophenyl) thioether, and the like.

Xがチオエーテル基で表されるビスフェノール化合物としては、ビス(4−ヒドロキシフェニル)ケトンの他、ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−エチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロピルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,−エチル−5−メチル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロピルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ビニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジビニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−アリルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジアリルフェニル)ケトン、等のアルキル若しくはアルケニル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−メトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−エトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−プロポキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ブトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ペンチルオキシシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘキシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ヘプチルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−オクチルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ノニルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ウンデシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ドデシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジエトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジプロポキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジブトキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジペンチルオキシシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘキシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジヘプチルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジオクチルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジノニルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジウンデシルオキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジドデシルオキシフェニル)ケトン、等のアルコキシ置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロブチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロペンチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘキシルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロヘプチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロオクチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シクロノニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−デカビトロナフチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロブチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロペンチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘキシルフェニル)ケトン、ビス(4−ビトロキシ−3−シクロヘキシル−5−メチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロヘプチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロオクチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシクロノニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジデカビトロナフチルフェニル)ケトン、等のシクロアルキル置換体;
ビス(4−ヒドロキシ−3−フェニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジフェニルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ナフチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジナフチルフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−シアノフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ニトロフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−カルボキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3−ハロゲノフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジシアノフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジニトロフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジカルボキシフェニル)ケトン、ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジハロゲノフェニル)ケトン、等が挙げられる。
Examples of the bisphenol compound in which X is a thioether group include bis (4-hydroxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-methylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-ethylphenyl) ketone, Bis (4-hydroxy-3-propylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-butylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-pentylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-hexylphenyl) Ketone, bis (4-hydroxy-3-heptylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-octylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-nonylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-decyl) Phenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-undecylphenyl) ketone, bi (4-hydroxy-3-dodecylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diethylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3, -Ethyl-5-methyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dipropylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dibutylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5- Dipentylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dihexylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diheptylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dioctylphenyl) ketone Bis (4-hydroxy-3,5-dinonylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-didecylphenyl) Ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diundecylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-didodecylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-vinylphenyl) ketone, bis (4 Alkyl or alkenyl substituents such as -hydroxy-3,5-divinylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-allylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diallylphenyl) ketone;
Bis (4-hydroxy-3-methoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-ethoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-propoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-butoxyphenyl) Ketone, bis (4-hydroxy-3-pentyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-hexyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-heptyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy) -3-octyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-nonyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-decyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-undecyloxyphenyl) Ketone, bis (4-hydroxy-3-dodecyloxyphenyl) Bis (4-hydroxy-3,5-dimethoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diethoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dipropoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dibutoxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dipentyloxysiphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dihexyloxyphenyl) ketone, bis ( 4-hydroxy-3,5-diheptyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dioctyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dinonyloxyphenyl) ketone, bis ( 4-hydroxy-3,5-didecyloxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diundecyl) Kishifeniru) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-di-dodecyloxy-phenyl) ketone, alkoxy substituted compounds and the like;
Bis (4-hydroxy-3-cyclobutylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cyclopentylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cyclohexylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cycloheptyl) Phenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cyclooctylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cyclononylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-decabitronaphtylphenyl) ketone, bis (4 -Hydroxy-3,5-dicyclobutylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclopentylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclohexylphenyl) ketone, bis (4-bitroxy) -3-cyclohexyl-5-methylphenyl) ketone, (4-hydroxy-3,5-dicycloheptylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclooctylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyclononylphenyl) ketone , Cycloalkyl-substituted products such as bis (4-hydroxy-3,5-didecavitronaphtylphenyl) ketone;
Bis (4-hydroxy-3-phenylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-diphenylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-naphthylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5 -Dinaphthylphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-cyanophenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-nitrophenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3-carboxyphenyl) ketone, bis (4- Hydroxy-3-halogenophenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dicyanophenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dinitrophenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-di) Carboxyphenyl) ketone, bis (4-hydroxy-3,5-dihalogenophenyl) ketone, and the like. That.

エステル化の方法として、例えば、トリメリット酸無水物中のカルボキシル基とビスフェノール化合物から直接脱水エステル化する方法、カルボキシル基とビスフェノール化合物のジアセテート化合物とを高温で反応させ脱酢酸してエステル化する方法、ジシクロヘキシルカルボジイミド等の脱水試薬を用いて脱水縮合させる方法、カルボキシル基を酸ハライドに変換し、これとビスフェノール化合物とを脱酸剤(塩基)の存在下で反応させる方法、トシルクロリド/N,N−ジメチルホルムアミド/ピリジン混合物を用いてカルボン酸を活性化してエステル化する方法等が挙げられる。上記の方法のなかでも、トリメリット酸無水物の酸ハライド、即ちトリメリット酸無水物クロリドが安価に入手可能であることから、酸ハライドを用いるエステル化が好ましい。   Examples of esterification methods include a method of directly dehydrating ester from a carboxyl group and bisphenol compound in trimellitic anhydride, and a method of reacting a carboxyl group and a diacetate compound of bisphenol compound at high temperature to deacetate and esterify. A method, a method of dehydrating and condensing using a dehydrating reagent such as dicyclohexylcarbodiimide, a method of converting a carboxyl group into an acid halide, and reacting this with a bisphenol compound in the presence of a deoxidizing agent (base), tosyl chloride / N, Examples thereof include a method of activating and esterifying a carboxylic acid using an N-dimethylformamide / pyridine mixture. Among the above methods, trimellitic anhydride acid halide, that is, trimellitic anhydride chloride, is available at low cost, and esterification using an acid halide is preferable.

酸ハライドを用いる方法について、その反応条件をより具体的に説明するが、この条件に限定されるものではない。まず、トリメリット酸無水物クロリドを溶媒に溶解する。この溶液に、ビスフェノール化合物をトリメリト酸無水物クロリド1molに対して、0.5mol及び適当量のピリジン等の脱酸剤を同一溶媒に溶解した溶液を、滴下ロートにてゆっくりと滴下する。この際、反応温度は、通常−10〜50℃、好ましくは0〜30℃である。反応温度が50℃よりも高いと一部副反応が起こり、収率が低下する虞があり、好ましくない。又、反応時間としては、2〜48時間が例示される。   Regarding the method using an acid halide, the reaction conditions will be described more specifically, but the present invention is not limited to these conditions. First, trimellitic anhydride chloride is dissolved in a solvent. A solution obtained by dissolving 0.5 mol and a suitable amount of a deoxidizing agent such as pyridine in the same solvent with respect to 1 mol of trimellitic anhydride chloride is slowly dropped into this solution with a dropping funnel. Under the present circumstances, reaction temperature is -10-50 degreeC normally, Preferably it is 0-30 degreeC. If the reaction temperature is higher than 50 ° C., some side reactions occur, which may reduce the yield, which is not preferable. The reaction time is exemplified by 2 to 48 hours.

上記エステル化反応の溶媒としては、特に限定されないが、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ピコリン、ピリジン、アセトン、クロロホルム、トルエン、キシレン、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ヘキサメチルホスホルアミド、ジメチルスルホキシド、γ-ブチロラクトン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン−ビス(2−メトキシエチル)エーテル等の非プロトン性溶媒および、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−クロロフェノール、m−クロロフェノール、p−クロロフェノール等のプロトン性溶媒が挙げられる。またこれらの溶媒は単独でも、2種類以上を混合して用いてもよい。溶媒の使用量には特に制限がないが、通常、溶質濃度5〜50重量%の範囲で行なわれるが、副反応の制御、沈殿の濾過工程の点から、10〜40重量%の範囲が好ましい。   The solvent for the esterification reaction is not particularly limited, but tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, picoline, pyridine, acetone, chloroform, toluene, xylene, dichloromethane, chloroform, 1,2-dichloroethane, N-methyl-2- Pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylformamide, hexamethylphosphoramide, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1, Aprotic solvents such as 2-dimethoxyethane-bis (2-methoxyethyl) ether, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol, etc. Protic dissolution of And the like. These solvents may be used alone or in combination of two or more. The amount of the solvent used is not particularly limited, but is usually in the range of 5 to 50% by weight of the solute, but is preferably in the range of 10 to 40% by weight from the viewpoint of side reaction control and precipitation filtration step. .

また、反応に用いる脱酸剤としては、特に限定されないが、ピリジン、トリエチルアミン、N,N−ジメチルアニリン等の有機3級アミン類、炭酸カリウム、水酸化ナトリウム等の無機塩基が例示される。例えば、脱酸剤としてピリジンを用いた場合、反応によりピリジン塩酸塩が副生するが、溶媒としてテトラヒドロフランを用いた場合ピリジン塩酸塩は殆ど溶媒に溶解しないため、反応終了後の、反応溶液を濾過するだけで、ピリジン塩酸塩をほぼ完全に分離することができるため。好ましい方法として例示される。   The deoxidizer used in the reaction is not particularly limited, and examples thereof include organic tertiary amines such as pyridine, triethylamine and N, N-dimethylaniline, and inorganic bases such as potassium carbonate and sodium hydroxide. For example, when pyridine is used as a deoxidizing agent, pyridine hydrochloride is by-produced by the reaction, but when tetrahydrofuran is used as a solvent, pyridine hydrochloride hardly dissolves in the solvent, so the reaction solution after completion of the reaction is filtered. This is because pyridine hydrochloride can be almost completely separated. Illustrated as a preferred method.

反応終了後、反応母液をそのまま、或いは反応母液から塩酸塩を濾別して得られる濾液から、溶媒を常圧又は減圧下に留去することにより、粗生成物を得ることができる。粗生成物中の不純物(例えば塩素成分)を分離除去するために、精製することが好ましい。精製の方法としては、特に制限がないが、例えば、粗生成物をクロロホルムや酢酸エチル等に再溶解し、分液ロート等を用いて有機層を水洗する方法、粗生成物を水中に分散、撹拌して洗浄する方法等が挙げられる。水洗操作の際、該エステル基含有テトラカルボン酸二無水物が一部加水分解を受けて、カルボン酸に変化するが、80〜250℃、好ましくは120〜200℃で真空乾燥することで、一部加水分解したものを容易に閉環し酸二無水物に戻すことができる。また有機酸の酸無水物と処理する方法によっても無水化が可能である。使用可能な有機酸の酸無水物としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水マレイン酸、無水フタル酸などが挙げられるが、入手及び乾燥の容易さの点で無水酢酸又は無水酢酸を含む混合溶媒が好適に用いられる。   After completion of the reaction, the crude product can be obtained by removing the solvent from the reaction mother liquor as it is or from the filtrate obtained by filtering the hydrochloride from the reaction mother liquor under normal pressure or reduced pressure. Purification is preferably performed in order to separate and remove impurities (for example, chlorine component) in the crude product. The purification method is not particularly limited.For example, the crude product is redissolved in chloroform or ethyl acetate, and the organic layer is washed with water using a separatory funnel, the crude product is dispersed in water, Examples of the method include washing with stirring. During the water washing operation, the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride is partially hydrolyzed to change to carboxylic acid, but is vacuum-dried at 80 to 250 ° C, preferably 120 to 200 ° C. The partially hydrolyzed product can be easily cyclized and returned to the acid dianhydride. Anhydrous acid can also be obtained by treating with an acid anhydride of an organic acid. Examples of the acid anhydride of the organic acid that can be used include acetic anhydride, propionic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride, etc., but a mixed solvent containing acetic anhydride or acetic anhydride in terms of availability and drying. Are preferably used.

水洗後のエステル基含有テトラカルボン酸二無水物はそのまま乾燥してもよいが、無水酢酸あるいは無水酢酸を含む混合溶媒等で該エステル基含有テトラカルボン酸二無水物を再結晶すると、より高純度のものが得られる。この再結晶操作の際、再結晶溶液を120℃以上に加熱すると得られるエステル基含有テトラカルボン酸二無水物が着色する傾向があるため、終始、110℃以下で再結晶操作を行うことが好ましい。   The ester group-containing tetracarboxylic dianhydride after washing with water may be dried as it is. However, if the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride is recrystallized with a mixed solvent containing acetic anhydride or acetic anhydride, the purity becomes higher. Can be obtained. During the recrystallization operation, since the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride obtained when the recrystallization solution is heated to 120 ° C. or higher tends to be colored, it is preferable to perform the recrystallization operation at 110 ° C. or lower throughout. .

上記エステル基含有テトラカルボン酸二無水物のなかでも、一般式(6)

Figure 2007169304

[式中、R、R10、R11及びR12は、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、又は炭素数6〜12のシクロアルキル基を表す。Xは、一般式(1)におけるものと同義である。]
で表されるエステル基含有テトラカルボン酸二無水物が好ましく、R、R10、R11及びR12が、同一又は異なって炭素数1〜4の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又はシクロヘキシル基で表されるものがより好ましく、特に、メチル基又はエチル基で表されるものが好ましい。 Among the ester group-containing tetracarboxylic dianhydrides, general formula (6)
Figure 2007169304

[Wherein, R 9 , R 10 , R 11 and R 12 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear chain having 2 to 12 carbon atoms. Or a branched alkenyl group or a cycloalkyl group having 6 to 12 carbon atoms. X has the same meaning as in general formula (1). ]
An ester group-containing tetracarboxylic dianhydride represented by the following formula is preferred, and R 9 , R 10 , R 11 and R 12 are the same or different and are linear or branched alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, Alternatively, those represented by a cyclohexyl group are more preferred, and those represented by a methyl group or an ethyl group are particularly preferred.

また、得られるポリイミドの溶剤溶解性の点から、一般式(1)におけるXが、エーテル基又はスルホニル基で表されるものが好ましく、特に、スルホニル基が好ましい。かかる好ましいエステル基含有テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、下記式(7)〜(10)で表される化合物等が挙げられる。

Figure 2007169304
Figure 2007169304
Figure 2007169304
Figure 2007169304
In addition, from the viewpoint of solvent solubility of the resulting polyimide, it is preferable that X in the general formula (1) is an ether group or a sulfonyl group, and a sulfonyl group is particularly preferable. Specific examples of such preferable ester group-containing tetracarboxylic dianhydrides include compounds represented by the following formulas (7) to (10).
Figure 2007169304
Figure 2007169304
Figure 2007169304
Figure 2007169304

エステル基含有テトラカルボン酸二無水物は、単独で又は2種以上を混合して、ポリイミド前駆体の重合反応に供することができる。   The ester group-containing tetracarboxylic dianhydride can be used alone or in admixture of two or more for the polymerization reaction of the polyimide precursor.

さらに、本発明のエステル基含有テトラカルボン酸二無水物の一部を、この分野で公知の他のテトラカルボン酸二無水物に代えて重合反応に供することができる。係るテトラカルボン酸二無水物としては、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、
3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ビフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン酸二無水物、2,2’−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン酸二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物の芳香族テトラカルボン酸二無水物;
ビシクロ[2.2.2]オクト−7−エン−2,3,5,6−テトラカルボン酸二無水物、5−(ジオキソテトラヒドロフリル−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−テトラリン−1,2−ジカルボン酸無水物、テトラヒドロフラン−2,3,4,5−テトラカルボン酸二無水物、ビシクロヘキシル−3,3’ ,4,4’−テトラカルボン酸二無水物、3c−カルボキシメチルシクロペンタン−1r,2c,4c−トリカルボン酸−1,4:2,3−二無水物、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、1,2,3,4−シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物等の脂肪族若しくは脂環族テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。これらは、単独で若しくは2種以上を混合して、重合反応に用いることができる。これらの芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族若しくは脂環族テトラカルボン酸二無水物を使用する場合、その使用量は全テトラカルボン酸二無水物中の、50モル%以下、好ましくは30モル%以下、より好ましくは10モル%以下、特に5モル%以下が望ましい。
Furthermore, a part of the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride of the present invention can be subjected to a polymerization reaction in place of other tetracarboxylic dianhydrides known in this field. Such tetracarboxylic dianhydrides include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride,
3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenyl ether tetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-biphenylsulfonetetra Carboxylic dianhydride, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropanoic dianhydride, 2,2′-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propanoic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride aromatic tetracarboxylic dianhydride;
Bicyclo [2.2.2] oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, 5- (dioxotetrahydrofuryl-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid Acid anhydride, 4- (2,5-dioxotetrahydrofuran-3-yl) -tetralin-1,2-dicarboxylic anhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, bicyclohexyl -3,3 ', 4,4'-tetracarboxylic dianhydride, 3c-carboxymethylcyclopentane-1r, 2c, 4c-tricarboxylic acid-1,4: 2,3-dianhydride, 1,2, Aliphatic compounds such as 4,5-cyclohexanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, 1,2,3,4-cyclopentanetetracarboxylic dianhydride Examples thereof include alicyclic tetracarboxylic dianhydrides, which can be used alone or in a mixture of two or more for the polymerization reaction.These aromatic tetracarboxylic dianhydrides, aliphatic Alternatively, when using an alicyclic tetracarboxylic dianhydride, the amount used is 50 mol% or less, preferably 30 mol% or less, more preferably 10 mol% or less, especially in all tetracarboxylic dianhydrides. 5 mol% or less is desirable.

前記、脂環族ジアミンとしては、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状アルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を1個以上有していてもよい炭素数6〜24の脂環族ジアミンが挙げられる。尚、本願特許請求の範囲及び明細書において、脂環族ジアミンとは、その構造中に、少なくとも1個の脂環構造を有する化合物を意味し、該脂環構造は、シクロ環、ビシクロ環、スピロ環のいずれであってもよい。   Examples of the alicyclic diamine include linear or branched alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, linear or branched alkoxy groups having 1 to 12 carbon atoms, and cycloalkyl having 4 to 12 carbon atoms. C6-C24 alicyclic diamine which may have one or more substituents chosen from the group which consists of group, a nitrile group, a nitro group, a carboxyl group, an amide group, and a halogen atom is mentioned. In the claims and specification of the present application, the alicyclic diamine means a compound having at least one alicyclic structure in the structure, and the alicyclic structure includes a cyclo ring, a bicyclo ring, Any of spiro rings may be used.

上記脂環族ジアミンとして具体的には、1,2−シクロヘキサンジアミン、1,3−シクロヘキサンジアミン、1,4−シクロヘキサンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−2−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−2−エチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−エチル−5−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)メタン、1,1−ビス(4−アミノシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−2−メチルシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−2−エチルシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)エタン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)エタン、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)プロバン、2,2−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)プロバン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)プロバン、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)ブタン、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)ヘキサフルオロプロパン、1,1−ビス(4−アミノシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−2−メチルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−2−エチルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,1−ビス(4−アミノ−3,5−ジシクロヘキシルシクロヘキシル)シクロヘキサン、1,2−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、2,5−ビス(アミノメチル)ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタン、2,6−ビス(アミノメチル)ビシクロ〔2.2.1〕ヘプタン、3,8−ビス(アミノメチル)トリシクロ〔5.2.1.0〕デカン、イソホロンジアミン、1,3−ジアミノアダマンタン等が挙げらる。   Specific examples of the alicyclic diamine include 1,2-cyclohexanediamine, 1,3-cyclohexanediamine, 1,4-cyclohexanediamine, bis (4-aminocyclohexyl) methane, and bis (4-amino-2-methyl). Cyclohexyl) methane, bis (4-amino-2-ethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) methane, bis (4 -Amino-3-ethyl-5-methylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-dicyclohexylcyclohexyl) methane, 1,1-bis (4-aminocyclohexyl) ethane, 1,1-bis (4- Amino-2-methylcyclohexyl) ethane, 1,1-bis (4-amino-2-ethyl) Chloro) ethane, 1,1-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) ethane, 1,1-bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) ethane, 1,1-bis (4- Amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) ethane, 1,1-bis (4-amino-3,5-dicyclohexylcyclohexyl) ethane, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis ( 4-amino-3-methylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-ethylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) propane, 2,2 -Bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) proban, 2,2-bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) L) Proban, 2,2-bis (4-amino-3,5-dicyclohexylcyclohexyl) proban, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) butane, 2,2-bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) ) Butane, 2,2-bis (4-amino-3-ethylcyclohexyl) butane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) butane, 2,2-bis (4-amino-3) , 5-diethylcyclohexyl) butane, 2,2-bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) butane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dicyclohexylcyclohexyl) butane, 2,2 -Bis (4-aminocyclohexyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) hexafluoropropane Lopan, 2,2-bis (4-amino-3-ethylcyclohexyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- Amino-3,5-diethylcyclohexyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dicyclohexyl) (Cyclohexyl) hexafluoropropane, 1,1-bis (4-aminocyclohexyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-amino-2-methylcyclohexyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-amino-2-ethylcyclohexyl) ) Cyclohexane, 1,1-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexane) Syl) cyclohexane, 1,1-bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) cyclohexane, 1,1-bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) cyclohexane, 1,1-bis (4 -Amino-3,5-dicyclohexylcyclohexyl) cyclohexane, 1,2-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,3-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 2,5-bis (Aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 2,6-bis (aminomethyl) bicyclo [2.2.1] heptane, 3,8-bis (aminomethyl) tricyclo [5.2.1. 0] Decane, isophoronediamine, 1,3-diaminoadamantane and the like.

これらの脂環族ジアミンのなかでも、得られるポリイミドの耐熱性及び透明性に優れる点から、一般式(11)

Figure 2007169304
[式中、R、R、R、R、A、A及びmは、ぞれぞれ一般式(2)におけるものと同義である。]
で表されるシクロヘキサン骨格を有する脂環族ジアミンが好ましく、特に、2つのアミノ基が直接シクロヘキサン環に直接結合している脂環族ジアミンが好ましい。かかる好ましい脂環族ジアミンとしては具体的には、1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,4−シクロヘキサンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)メタン、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)プロパン、が例示され、特に、1,4−シクロヘキサンジアミン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)メタン、ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)メタン、2,2−ビス(4−アミノシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−メチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3−エチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジメチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3,5−ジエチルシクロヘキシル)プロパン、2,2−ビス(4−アミノ−3エチル−5−メチルシクロヘキシル)プロパンが好ましい。 Among these alicyclic diamines, general formula (11) from the viewpoint of excellent heat resistance and transparency of the resulting polyimide.
Figure 2007169304
[Wherein R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , A 1 , A 2 and m have the same meanings as in general formula (2), respectively. ]
The cycloaliphatic diamine which has the cyclohexane skeleton represented by these is preferable, and especially the alicyclic diamine in which two amino groups are directly couple | bonded with the cyclohexane ring is preferable. Specific examples of such preferable alicyclic diamines include 1,4-bis (aminomethyl) cyclohexane, 1,4-cyclohexanediamine, bis (4-aminocyclohexyl) methane, and bis (4-amino-3-methylcyclohexyl). ) Methane, bis (4-amino-3-ethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) methane, bis (4- Amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) methane, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4- Amino-3-ethylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylcycle) Hexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) propane, and particularly 1 , 4-cyclohexanediamine, bis (4-aminocyclohexyl) methane, bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3-ethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5) -Dimethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) methane, bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) methane, 2,2-bis (4-aminocyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-methylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-a Nor-3-ethylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-dimethylcyclohexyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3,5-diethylcyclohexyl) propane, 2,2 -Bis (4-amino-3ethyl-5-methylcyclohexyl) propane is preferred.

上記一般式(11)で表されるシクロヘキサン骨格を有する脂環族ジアミンのなかでも、得られるポリイミドの耐熱性に優れる点から、シクロヘキサン環に結合するアミノ基が互いにトランス配置であるものが好ましい。即ち、一般式(11)において、mが1の場合には、シクロヘキサン環と結合するA及びAの立体配置がトランス配置である脂環族ジアミンが好ましく、mが2の場合には、A及びAの立体配置がトランス配置であるか、及び/又は、2個のAの立体配置が互いにトランス配置である脂環族ジアミンが好ましい。尚、一般式(1)又は一般式(3)で表される繰り返し構造単位の全てにおいて、トランス配置であることが望ましいが、全繰り返し構造単位中の50モル%以上、好ましくは80モル%以上、特に95モル%以上がトランス配置を有する脂環族ジアミンであることが望ましい。mが2の場合について換言すると、A及びAの立体配置がシス配置であり且つ、2個のAの立体配置が互いにシス配置である脂環族ジアミンが、50モル%以下、好ましくは20モル%以下、特に5モル%以下であることが望ましい。 Among the alicyclic diamines having a cyclohexane skeleton represented by the general formula (11), those in which amino groups bonded to the cyclohexane ring are in a trans configuration are preferable from the viewpoint of excellent heat resistance of the obtained polyimide. That is, in the general formula (11), when m is 1, an alicyclic diamine in which the configuration of A 1 and A 2 bonded to the cyclohexane ring is a trans configuration is preferable, and when m is 2, Preference is given to alicyclic diamines in which the configuration of A 1 and A 2 is in the trans configuration and / or the configuration of the two A 2 in the trans configuration. Incidentally, in all of the repeating structural units represented by the general formula (1) or the general formula (3), the trans configuration is desirable, but 50 mol% or more, preferably 80 mol% or more of all repeating structural units. In particular, it is desirable that 95 mol% or more is an alicyclic diamine having a trans configuration. In other words, when m is 2, an alicyclic diamine in which the configuration of A 1 and A 2 is a cis configuration and the configuration of two A 2 is a cis configuration is preferably 50 mol% or less, preferably Is preferably 20 mol% or less, and particularly preferably 5 mol% or less.

さらに、必要に応じて、上記脂環族ジアミンの一部をこの分野で公知の他のジアミンに代えて重合反応に用いることができる。係るジアミンの具体例としては、1,3−プロパンジアミン、1,4−テトラメチレンジアミン、1,5−ペンタメチレンジアミン、1,6−ヘキサメチレンジアミン、1,7−ヘプタメチレンジアミン、1,8−オクタメチレンジアミン、1,9−ノナメチレンジアミン等の脂肪族ジアミン;p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、2,4−ジアミノトルエン、2,5−ジアミノトルエン、2,4−ジアミノキシレン、2,4−ジアミノデュレン、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,4’−メチレンビス(2−メチルアニリン)、4,4’−メチレンビス(2−エチルアニリン)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジメチルアニリン)、4,4’−メチレンビス(2,6−ジエチルアニリン)、4,4’−ジアミノジフェニルケトン、3,4’−ジアミノジフェニルケトン、3,3’−ジアミノジフェニルケトン、2,4’−ジアミノジフェニルケトン、4,4’−ジアミノジフェニルスルホン、3,3’−ジアミノジフェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、3,3’−ジアミノベンゾフェノン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、ベンジジン、3,3’−ジヒドロキシベンジジン、3,3’−ジメトキシベンジジン、o−トリジン、m−トリジン、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)スルホン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、p−ターフェニレンジアミン等の芳香族ジアミンが挙げられる。   Furthermore, if necessary, a part of the alicyclic diamine can be used in the polymerization reaction in place of other diamines known in this field. Specific examples of such diamines include 1,3-propanediamine, 1,4-tetramethylenediamine, 1,5-pentamethylenediamine, 1,6-hexamethylenediamine, 1,7-heptamethylenediamine, 1,8. -Aliphatic diamines such as octamethylenediamine and 1,9-nonamethylenediamine; p-phenylenediamine, m-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,4-diaminoxylene, 2 , 4-diaminodurene, 4,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4′-methylenebis (2-methylaniline), 4,4′-methylenebis (2-ethylaniline), 4,4′-methylenebis (2,6 -Dimethylaniline), 4,4'-methylenebis (2,6-diethylaniline), 4,4'-diamino Phenyl ketone, 3,4'-diaminodiphenyl ketone, 3,3'-diaminodiphenyl ketone, 2,4'-diaminodiphenyl ketone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 4, 4'-diaminobenzophenone, 3,3'-diaminobenzophenone, 4,4'-diaminobenzanilide, benzidine, 3,3'-dihydroxybenzidine, 3,3'-dimethoxybenzidine, o-tolidine, m-tolidine, 2 , 2′-bis (trifluoromethyl) benzidine, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis (4- (3-aminophen Xyl) phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, 2,2-bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4- (4-amino) And aromatic diamines such as phenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-aminophenyl) hexafluoropropane, and p-terphenylenediamine.

これらのジアミンは、単独で又は2種以上を混合して用いることができる。これらの脂肪族ジアミン、芳香族ジアミンを用いる場合には、全ジアミン成分中の20モル%以下、好ましくは10モル%以下、特に5モル%以下が推奨される。   These diamines can be used alone or in admixture of two or more. When these aliphatic diamines and aromatic diamines are used, 20 mol% or less, preferably 10 mol% or less, particularly 5 mol% or less of the total diamine component is recommended.

その他本発明においては、本発明の効果を損なわない範囲において、耐熱性や接着性向上、分子量制御等を目的に1官能の酸無水物やアミン等のエンドキャップ剤を併用することができる。該エンドキャップ剤の具体例としては、酸無水物としては無水フタル酸、無水マレイン酸、無水ナジック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸などが挙げられ、アミンとしてはアニリン、メチルアニリン、アリルアミン等などが挙げられる。   In addition, in this invention, in the range which does not impair the effect of this invention, end cap agents, such as monofunctional acid anhydride and amine, can be used together for the purpose of heat resistance, adhesive improvement, molecular weight control, etc. Specific examples of the end cap agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, nadic anhydride, hexahydrophthalic anhydride and the like as the acid anhydride, and aniline, methylaniline, allylamine and the like as the amine. .

<ポリイミド前駆体の製造>
上記エステル基含有テトラカルボン酸二無水物及び脂環族ジアミンからポリイミド前駆体を得る方法としては特に制限がなく、従来公知の方法による製造することができる。例えば、不活性ガス雰囲気下、脂環族ジアミンを極性有機溶媒に溶解し、撹拌しながら室温下でこの溶液に徐々にエステル基含有テトラカルボン酸二無水物を添加し、1〜72時間攪拌することにより得ることができる。本発明において、脂環族ジアミンとエステル基含有テトラカルボン酸二無水物とは、溶剤に難溶なアミン塩を生成せず、容易に重合反応が進行する。アミン塩の生成の有無は、重合溶液の濁りの有無で判断することができる。重合溶液に濁りがないものは、実質的にアミン塩を含有していない。
<Production of polyimide precursor>
There is no restriction | limiting in particular as a method of obtaining a polyimide precursor from the said ester group containing tetracarboxylic dianhydride and alicyclic diamine, It can manufacture by a conventionally well-known method. For example, alicyclic diamine is dissolved in a polar organic solvent under an inert gas atmosphere, and the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride is gradually added to this solution at room temperature while stirring, and stirred for 1 to 72 hours. Can be obtained. In the present invention, the alicyclic diamine and the ester group-containing tetracarboxylic dianhydride do not form an amine salt that is hardly soluble in the solvent, and the polymerization reaction proceeds easily. The presence or absence of amine salt formation can be determined by the presence or absence of turbidity in the polymerization solution. Those in which the polymerization solution is not turbid are substantially free of amine salts.

脂環族ジアミンに対するエステル基含有テトラカルボン酸二酸無水物の使用量は、モル比で0.95〜1.05、好ましくは0.98〜1.02である。また、モノマー濃度は通常、5〜30重量%、好ましくは10〜20重量%である。   The usage-amount of the ester group containing tetracarboxylic dianhydride with respect to alicyclic diamine is 0.95-1.05 in molar ratio, Preferably it is 0.98-1.02. The monomer concentration is usually 5 to 30% by weight, preferably 10 to 20% by weight.

極性有機溶媒としては、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、ヘキサメチルホスホルアミド、ジメチルスルホオキシド、γ-ブチロラクトン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,2−ジメトキシエタン-ビス(2−メトキシエチル)ケトン、テロラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ピコリン、ピリジン、アセトン、クロロホルム、トルエン、キシレン等の非プロトン性溶媒、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−クロロフェノール、m−クロロフェノール、p−クロロフェノール等のプロトン性溶媒等の溶媒が挙げられる。   Examples of polar organic solvents include N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, hexamethylphosphoramide, dimethylsulfoxide, γ-butyrolactone, 1 , 3-dimethyl-2-imidazolidinone, 1,2-dimethoxyethane-bis (2-methoxyethyl) ketone, terahydrofuran, 1,4-dioxane, picoline, pyridine, acetone, chloroform, toluene, xylene, etc. Solvents such as aprotic solvents such as aprotic solvents, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-chlorophenol, m-chlorophenol, p-chlorophenol and the like.

上記ポリイミド前駆体の重合反応において、反応温度、反応時間、原料の使用比率等の反応条件を選ぶことでイミド基含有ポリイミド前駆体の分子量を適宜、調整することができる。このように重合反応させた後、得られたスラリー状生成物を、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、水等の溶剤中で撹拌洗浄し、次いで減圧乾燥することにより、上記一般式(1)で示されるポリイミド前駆体が得られる。通常は、重合反応終了後の反応液のまま、又は必要に応じて上記反応で用いた溶媒と同一の溶媒で希釈した溶液をポリイミド前駆体ワニスとすることができる。   In the polymerization reaction of the polyimide precursor, the molecular weight of the imide group-containing polyimide precursor can be appropriately adjusted by selecting reaction conditions such as reaction temperature, reaction time, and raw material usage ratio. After the polymerization reaction as described above, the obtained slurry product is stirred and washed in a solvent such as methanol, ethanol, isopropyl alcohol, water, etc., and then dried under reduced pressure, whereby the above general formula (1) is obtained. A polyimide precursor is obtained. Usually, the reaction solution after completion of the polymerization reaction or a solution diluted with the same solvent as used in the above reaction can be used as the polyimide precursor varnish as necessary.

尚、ポリイミド前駆体の重合の際しばしば添加される高分子溶解促進剤、即ちリチウムブロマイドやリチウムクロライドの如き金属塩類を用いて、重合反応をおこなうこともできるが、これらの金属塩類はポリイミド中に痕跡量でも残留すると、電子デバイス材料として用いた場合には、信頼性を著しく低下させるため、用いることは推奨されない。本発明においては、これらを用いることなく、高分子量のポリイミド前駆体を得ることができる。   It is also possible to carry out a polymerization reaction using a polymer dissolution accelerator often added during polymerization of the polyimide precursor, that is, metal salts such as lithium bromide and lithium chloride, but these metal salts are contained in the polyimide. If even a trace amount remains, when used as an electronic device material, the reliability is remarkably lowered, so it is not recommended to use it. In the present invention, a high molecular weight polyimide precursor can be obtained without using these.

かくして得られるポリイミド前駆体は、脂環族アミン塩や金属塩等を実質的に含まず、かつ高分子量のポリイミド前駆体であり、通常その分子量は、N,N−ジメチルアセトアミド溶媒中、濃度0.5g/dL、30℃の条件下オストワルド粘度計で測定した固有粘度の値が、0.4dL/g以上、好ましくは0.9dL/g以上が推奨される。固有粘度の上限は特にないが、通常4.0dL/g以下である。   The polyimide precursor thus obtained is a high molecular weight polyimide precursor which does not substantially contain an alicyclic amine salt or a metal salt, and its molecular weight is usually 0 in a N, N-dimethylacetamide solvent. It is recommended that the intrinsic viscosity measured with an Ostwald viscometer under conditions of 0.5 g / dL and 30 ° C. is 0.4 dL / g or more, preferably 0.9 dL / g or more. The upper limit of the intrinsic viscosity is not particularly limited, but is usually 4.0 dL / g or less.

<ポリイミド前駆体ワニス>
かくして得られる重合反応溶液は、一般式(1)で表される構造単位を有するポリイミド前駆体を、上記重合反応に使用した有機溶媒中に溶解してなるポリイミド前駆体溶液であり、ポリイミド前駆体の濃度が、通常1〜50重量%、好ましくは5〜30重量%、特に10〜20重量%の範囲で溶解していることが推奨される。該ポリイミド前駆体溶液は、そのままポリイミド樹脂前駆体ワニスとして用いることができる他、重合反応に用いた有機溶剤を低沸点の溶剤(例えば、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素や、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類、又はメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類)に置換したり、或いは、該ポリイミド前駆体溶液を加熱乾燥するか又は貧溶剤(例えば、メタノール、イソプロピルアルコール等の低級アルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類)を添加するなどして本発明のポリイミド前駆体を単離した後、所望の他の有機溶剤に溶解してポリイミド前駆体ワニスとすることができ、その際のポリイミドの濃度は、前記ポリイミド前駆体溶液と同じ濃度範囲とすることが推奨される。
<Polyimide precursor varnish>
The polymerization reaction solution thus obtained is a polyimide precursor solution obtained by dissolving a polyimide precursor having the structural unit represented by the general formula (1) in the organic solvent used in the polymerization reaction. It is recommended that the concentration of is dissolved in the range of usually 1 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight, particularly 10 to 20% by weight. The polyimide precursor solution can be used as it is as a polyimide resin precursor varnish, and the organic solvent used in the polymerization reaction is a low boiling point solvent (for example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, solvent naphtha, cyclohexane, etc. , Cycloaliphatic hydrocarbons such as methylcyclohexane and dimethylcyclohexane, ethers such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol dimethyl ether, or ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone), or the polyimide precursor solution Or by adding a poor solvent (for example, lower alcohols such as methanol and isopropyl alcohol, acetic acid esters such as ethyl acetate and butyl acetate) and the like to isolate the polyimide precursor of the present invention, Desired Dissolved in an organic solvent can be a polyimide precursor varnish, the concentration of the polyimide at that time, it is recommended that the same concentration range as the polyimide precursor solution.

さらに、本発明のポリイミド前駆体ワニスには、必要に応じて酸化安定剤、末端封止剤、フィラー、シランカップリング剤、架橋剤、感光剤、光重合開始剤および増感剤等を含有させることができる。   Furthermore, the polyimide precursor varnish of the present invention contains an oxidation stabilizer, a terminal blocking agent, a filler, a silane coupling agent, a crosslinking agent, a photosensitizer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, and the like as necessary. be able to.

<ポリイミド及びポリイミドワニス>
上記ポリイミド前駆体ワニスから公知の方法に従って一般式(3)で表されるポリイミドを製造することができる。例えば、イミド化反応の方法としては、(1)前記ポリイミド前駆体ワニスを少量の共沸溶媒の存在下で100〜250℃に加熱し、生成水を共沸により系外に留去させる方法、(2)前記ポリイミド前駆体ワニスに無水酢酸等の脱水作用のある化合物を用いる方法等が挙げられる。
<Polyimide and polyimide varnish>
The polyimide represented by the general formula (3) can be produced from the polyimide precursor varnish according to a known method. For example, as a method of imidation reaction, (1) a method in which the polyimide precursor varnish is heated to 100 to 250 ° C. in the presence of a small amount of azeotropic solvent, and the generated water is distilled out of the system by azeotropic distillation, (2) Examples include a method using a compound having a dehydrating action such as acetic anhydride for the polyimide precursor varnish.

上記共沸溶媒としては、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂環族炭化水素等が例示され、これらは単独で又は2種以上を混合して用いることができる。共沸溶媒を使用する場合、その使用量としては、全有機溶媒中の1〜30重量%、好ましくは5〜10重量%が推奨される。   Examples of the azeotropic solvent include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and solvent naphtha, and alicyclic hydrocarbons such as cyclohexane, methylcyclohexane and dimethylcyclohexane. These may be used alone or in combination of two or more. Can be used. When an azeotropic solvent is used, the amount used is recommended to be 1 to 30% by weight, preferably 5 to 10% by weight, based on the total organic solvent.

反応時間としては、通常0.5〜24時間行うのが好ましい。   The reaction time is usually preferably 0.5 to 24 hours.

かくして得られるイミド化反応溶液は、一般式(3)で表される構造単位を有するポリイミドを、上記イミド化反応に使用した有機溶媒中に溶解してなるポリイミド樹脂溶液であり、通常、該有機溶剤100重量部に対して、本イミドが1〜100重量部溶解している。ポリイミド樹脂溶液の取り扱い性の点から、該有機溶剤100重量部に対して、本イミドが好ましくは5〜90重量部、さらに好ましくは20〜80重量部、特に好ましくは30〜75重量部の範囲で溶解していることが推奨される。該ポリイミド樹脂溶液は、そのままポリイミド樹脂ワニスとして用いることができる他、イミド化反応に用いた有機溶剤を低沸点の溶剤(例えば、トルエン、キシレン、ソルベントナフサ等の芳香族炭化水素や、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン等の脂環式炭化水素、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル類、又はメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン類)に置換したり、或いは、該ポリイミド樹脂溶液を加熱乾燥するか又は貧溶剤(例えば、メタノール、イソプロピルアルコール等の低級アルコール類、酢酸エチル、酢酸ブチル等の酢酸エステル類)を添加するなどして本発明のポリイミドを単離することもできる。単離したポリイミドは、乾燥することによって、ポリイミド粉末とすることができる他、所望の他の有機溶剤に溶解してポリイミドワニスとすることができ、その際のポリイミドの濃度は、前記ポリイミド樹脂溶液と同じ濃度範囲とすることが推奨される。   The imidization reaction solution thus obtained is a polyimide resin solution obtained by dissolving a polyimide having a structural unit represented by the general formula (3) in an organic solvent used for the imidation reaction. 1-100 weight part of this imide is melt | dissolving with respect to 100 weight part of solvents. From the viewpoint of handleability of the polyimide resin solution, the imide is preferably 5 to 90 parts by weight, more preferably 20 to 80 parts by weight, and particularly preferably 30 to 75 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic solvent. It is recommended that it be dissolved in The polyimide resin solution can be used as it is as a polyimide resin varnish, and the organic solvent used in the imidization reaction is a low-boiling solvent (for example, aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, solvent naphtha, cyclohexane, methyl, etc. Or cycloaliphatic hydrocarbons such as dimethylcyclohexane, ethers such as propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol dimethyl ether, or ketones such as methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone), or drying the polyimide resin solution by heating Alternatively, the polyimide of the present invention can be isolated by adding a poor solvent (for example, lower alcohols such as methanol and isopropyl alcohol, and acetic acid esters such as ethyl acetate and butyl acetate). The isolated polyimide can be made into a polyimide powder by drying, or it can be dissolved in another desired organic solvent to form a polyimide varnish, and the polyimide concentration at that time is determined by the polyimide resin solution. The same concentration range is recommended.

さらに、本発明のポリイミドワニスには、必要に応じて酸化安定剤、末端封止剤、フィラー、シランカップリング剤、架橋剤、感光剤、光重合開始剤および増感剤等を含有させることができる。   Furthermore, the polyimide varnish of the present invention may contain an oxidation stabilizer, a terminal blocking agent, a filler, a silane coupling agent, a crosslinking agent, a photosensitizer, a photopolymerization initiator, a sensitizer, and the like as necessary. it can.

本発明のポリイミドは、ガラス転移温度が200℃以上であることが好ましく、より好ましくは230℃以上であることが推奨される。波長400nmでの光線透過率は、60%以上であることが好ましく、より好ましくは65%以上が推奨され、複屈折は、0.1以下であることが好ましく、より好ましくは0.05以下、特に0.01以下が推奨される。破断伸びは5%以上が好ましく、特に7%以上が好ましい。   The polyimide of the present invention preferably has a glass transition temperature of 200 ° C. or higher, more preferably 230 ° C. or higher. The light transmittance at a wavelength of 400 nm is preferably 60% or more, more preferably 65% or more, and birefringence is preferably 0.1 or less, more preferably 0.05 or less, In particular, 0.01 or less is recommended. The elongation at break is preferably 5% or more, particularly preferably 7% or more.

また、吸水率は、2重量%以下、特に1重量%以下が好ましい。弾性率は、1GPa以上、特に1.5GPa以上が好ましい。熱膨張係数は、80ppm/K以下、特に30ppm/Kが好ましい。カットオフ波長は、360nmより短波長、特に350nmより短波長が好ましい。   The water absorption is preferably 2% by weight or less, particularly preferably 1% by weight or less. The elastic modulus is preferably 1 GPa or more, particularly 1.5 GPa or more. The thermal expansion coefficient is preferably 80 ppm / K or less, particularly preferably 30 ppm / K. The cutoff wavelength is preferably shorter than 360 nm, particularly shorter than 350 nm.

<ポリイミド成形体>
前記ポリイミド前駆体ワニス及びポリイミドワニス(以下両者を併せて、「本ワニス」という。)を従来公知の方法に従って乾燥、硬化することによって、本発明のポリイミド成形体を得ることができる。また、ポリイミド粉末として単離した場合にも、従来公知の圧縮成型、射出成形、押出成形等の成形方法を用いて成形することにより、本発明の成形体を得ることができる。取り扱いが容易な点から、ワニスから成形体を得ることが好ましい。
<Polyimide molded product>
The polyimide precursor of the present invention can be obtained by drying and curing the polyimide precursor varnish and the polyimide varnish (hereinafter referred to as “the present varnish” together) according to a conventionally known method. Moreover, also when isolated as a polyimide powder, the molded object of this invention can be obtained by shape | molding using conventionally well-known shaping | molding methods, such as compression molding, injection molding, and extrusion molding. From the viewpoint of easy handling, it is preferable to obtain a molded body from the varnish.

例えば、本ワニスをそのまま被着物の表面に公知の方法で塗布し、或いは被着物を本願発明の本ワニス中に浸漬して塗布し、得られる塗膜を乾燥、硬化することにより、ポリイミド成形体とすることができる。この場合、得られるポリイミド形体は、通常、電気絶縁性の層ないし皮膜の形態にある。この層ないし皮膜の厚さは、使用目的にもよるが、一般には0.1〜500μm、特に3〜200μmであるのが好ましい。   For example, the present varnish is directly applied to the surface of the adherend by a known method, or the adherend is dipped in the present varnish of the present invention, and the resulting coating film is dried and cured to obtain a polyimide molded body. It can be. In this case, the resulting polyimide form is usually in the form of an electrically insulating layer or film. Although the thickness of this layer or film depends on the purpose of use, it is generally 0.1 to 500 μm, preferably 3 to 200 μm.

また、本ワニスを、ガラス基板又はPETなどの樹脂フィルム等の支持体上に塗布し、得られる塗膜を乾燥、硬化した後、得られるポリイミド成形体を支持体から剥離することによって、シート状又はフィルム状の成形体を得ることもできる。尚、支持体からの剥離は、乾燥、硬化が完了してからでなくてもよく、自己支持性が得られるまで乾燥、硬化した段階で、支持体から剥離した後、再度、乾燥、硬化を行ってもよい。係る成形体の製造方法は、本発明のイミド成形体をプラスチック基板として用いる場合に、好適な製造方法である。   Moreover, after apply | coating this varnish on support bodies, such as resin films, such as a glass substrate or PET, and drying and hardening the obtained coating film, the polyimide molded body obtained is peeled from a support body, and is sheet-like. Or a film-like molded object can also be obtained. It should be noted that the peeling from the support may not be performed after the drying and curing are completed, and after drying and curing until the self-supporting property is obtained, the drying and curing are performed again after peeling from the support. You may go. This method for producing a molded article is a preferred production method when the imide molded article of the present invention is used as a plastic substrate.

ここで、「乾燥、硬化」とは、本ワニスから有機溶剤を揮発させ、更に、ポリイミド前駆体ワニスの場合には、有機溶剤を揮発させるとともにイミド化反応させることであるが、実際の操業上は厳密に区別されるものではない。乾燥、硬化条件としては、基材の種類、使用方法により異なるが、通常50〜400℃(好ましくは100〜350℃)、10〜400分(好ましくは60〜200分)の条件が例示される。尚、加熱は段階的に昇温しながら行うことが望ましい。また、乾燥、硬化は、真空中または窒素等の不活性ガス雰囲気中で行うことが望ましく、また、無水酢酸等の脱水試薬を用いながら行ってもよい。   Here, “drying and curing” means volatilization of the organic solvent from the varnish, and in the case of the polyimide precursor varnish, volatilization of the organic solvent and imidization reaction. Are not strictly distinguished. The drying and curing conditions vary depending on the type of base material and the method of use, but typically include conditions of 50 to 400 ° C. (preferably 100 to 350 ° C.) and 10 to 400 minutes (preferably 60 to 200 minutes). . In addition, it is desirable to perform heating while raising the temperature stepwise. The drying and curing are preferably performed in a vacuum or in an inert gas atmosphere such as nitrogen, and may be performed using a dehydrating reagent such as acetic anhydride.

<プラスチック基板>
本発明のプラスチック基板は、上記ポリイミド成形体を用いてなるガラス代替基板であり、ポリイミド成形体単独からなっていてもよく、或いは、ポリイミド成形体表面に、ハードコート層、ガスバリア層、ITO等の透明電極が形成された複数の層からなるプラスチック基板であってもよい。該プラスチック基板の用途としては、広い範囲が挙げられ、例えば、液晶ディスプレー用基板、有機エレクトロルミネッセンス(有機EL)ディスプレー用基板、電子ペーパー用基板等の表示素子用プラスチック基板、太陽電池用基板、タッチパネル用フィルム等が例示される。なかでも、表示素子用のプラスチック基板に好適であり、特にフレキシブルフィルム液晶ディスプレー用プラスチック基板用に好適に用いることができる。従って、本発明は、本発明のプラスチック基板を備える表示素子をも提供するものである。係る表示素子としては、液晶ディスプレー、有機ELディスプレー、電子ペーパー等が挙げられる。
<Plastic substrate>
The plastic substrate of the present invention is a glass substitute substrate using the above polyimide molded body, and may consist of a polyimide molded body alone, or on the surface of the polyimide molded body, such as a hard coat layer, a gas barrier layer, and ITO. It may be a plastic substrate composed of a plurality of layers on which transparent electrodes are formed. Applications of the plastic substrate include a wide range, for example, liquid crystal display substrates, organic electroluminescence (organic EL) display substrates, plastic substrates for display elements such as electronic paper substrates, solar cell substrates, touch panels. Films and the like are exemplified. Especially, it is suitable for the plastic substrate for display elements, and can be used suitably especially for the plastic substrate for flexible film liquid crystal displays. Therefore, the present invention also provides a display element comprising the plastic substrate of the present invention. Examples of the display element include a liquid crystal display, an organic EL display, and electronic paper.

以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、これら実施例に限定されるものではない。なお、以下の例における物性値は、次の方法により測定した。
<赤外吸収スペクトル:IR>
フーリエ変換赤外分光光度計(日本分光社製FT−IR5300)を用い、透過法にてポリイミド前駆体およびポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルを測定した。また、合成したエステル基含有テトラカルボン酸二無水物の分子構造を確認するためにKBr法により赤外吸収スペクトルを測定した。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention concretely, it is not limited to these Examples. The physical property values in the following examples were measured by the following methods.
<Infrared absorption spectrum: IR>
Using a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR5300 manufactured by JASCO Corporation), the infrared absorption spectra of the polyimide precursor and the polyimide thin film were measured by a transmission method. In order to confirm the molecular structure of the synthesized ester group-containing tetracarboxylic dianhydride, an infrared absorption spectrum was measured by the KBr method.

<固有粘度>
0.5重量%のポリイミド前駆体溶液(溶媒:N,N−ジメチルアセトアミド)について、オストワルド粘度計を用いて30℃で測定した。
<Intrinsic viscosity>
A 0.5% by weight polyimide precursor solution (solvent: N, N-dimethylacetamide) was measured at 30 ° C. using an Ostwald viscometer.

<ガラス転移温度:Tg>
ブルカーエイエックス社製熱機械分析装置(TMA4000)を用いて動的粘弾性測定により、周波数0.1Hz、昇温速度5℃/分における損失ピークからポリイミド膜のガラス転移温度を求めた。
<Glass transition temperature: Tg>
The glass transition temperature of the polyimide film was determined from the loss peak at a frequency of 0.1 Hz and a heating rate of 5 ° C./min by dynamic viscoelasticity measurement using a thermomechanical analyzer (TMA4000) manufactured by Bruker Ax.

<線熱膨張係数:CTE>
ブルカーエイエックス社製熱機械分析装置(TMA4000)を用いて、熱機械分析により、荷重0.5g/膜厚1μm、昇温速度5℃/分における試験片の伸びより、100〜200℃の範囲での平均値としてポリイミド膜の線熱膨張係数を求めた。
<Linear thermal expansion coefficient: CTE>
The range of 100 to 200 ° C. from the elongation of the test piece at a load of 0.5 g / film thickness of 1 μm and a heating rate of 5 ° C./min by thermomechanical analysis using a Bruker Ax thermomechanical analyzer (TMA4000). The linear thermal expansion coefficient of the polyimide film was determined as the average value at.

<5%重量減少温度:Td
ブルカーエイエックス社製熱重量分析装置(TG−DTA2000)を用いて、窒素中昇温速度10℃/分での室温から400℃までの昇温過程において、ポリイミド膜の初期重量が5%減少した時の温度を測定した。これらの値が高いほど、熱安定性が高いことを表す。
<5% weight loss temperature: Td 5 >
Using a Bruker Ax thermogravimetric analyzer (TG-DTA2000), the initial weight of the polyimide film decreased by 5% in the temperature rising process from room temperature to 400 ° C. at a temperature rising rate of 10 ° C./min in nitrogen. The temperature of the hour was measured. Higher values indicate higher thermal stability.

<カットオフ波長>
日本分光社製紫外可視分光光度計(V−520)を用いて、200nmから900nmの可視・紫外線透過率を測定した。透過率が0.5%以下となる波長(カットオフ波長)を透明性の指標とした。カットオフ波長が短い程、ポリイミド膜の透明性が良好であることを意味する。
<Cutoff wavelength>
Using a UV-visible spectrophotometer (V-520) manufactured by JASCO Corporation, the visible / ultraviolet transmittance from 200 nm to 900 nm was measured. The wavelength (cutoff wavelength) at which the transmittance was 0.5% or less was used as an index of transparency. The shorter the cutoff wavelength, the better the transparency of the polyimide film.

<光線透過率>
日本分光社製紫外可視分光光度計(V−520)を用いて、400nmにおける光線透過率を測定した。光線透過率が高い程、ポリイミド膜の透明性が良好であることを意味する。
<Light transmittance>
The light transmittance at 400 nm was measured using an ultraviolet-visible spectrophotometer (V-520) manufactured by JASCO Corporation. Higher light transmittance means that the transparency of the polyimide film is better.

<複屈折>
アタゴ社製アッベ屈折計(アッベ4T)を用いて、ポリイミド膜に平行な方向(nin)と垂直な方向(nout)の屈折率をアッベ屈折計(ナトリウムランプ使用、波長589nm)で測定し、これらの屈折率の差から複屈折(Δn=nin−nout)を求めた。
<Birefringence>
Using an Abbe refractometer (Abbe 4T) manufactured by Atago Co., Ltd., the refractive index in the direction parallel to the polyimide film (n in ) and perpendicular to the direction (n out ) is measured with an Abbe refractometer (using a sodium lamp, wavelength 589 nm) The birefringence (Δn = n in −n out ) was determined from the difference between these refractive indexes.

<吸水率>
50℃で24時間真空乾燥したポリイミド膜(膜厚20〜30μm)を25℃の水に24時間浸漬した後、余分な水分を拭き取り、質量増加分から吸水率(%)を求めた。
<Water absorption rate>
A polyimide film (film thickness: 20 to 30 μm) vacuum-dried at 50 ° C. for 24 hours was immersed in water at 25 ° C. for 24 hours, and then excess water was wiped off, and the water absorption (%) was determined from the increase in mass.

<弾性率、破断伸び>
東洋ボールドウィン社製引張試験機(テンシロンUTM−2)を用いて、ポリイミド膜の試験片(3mm×30mm)について引張試験(延伸速度:8mm/分)を実施し、応力―歪曲線の初期の勾配から弾性率を、膜が破断した時の伸び率から破断伸び(%)を求めた。破断伸びが高いほど膜の靭性が高いことを意味する。
<Elastic modulus, elongation at break>
Using a tensile tester (Tensilon UTM-2) manufactured by Toyo Baldwin Co., Ltd., a tensile test (stretching speed: 8 mm / min) was performed on a polyimide film specimen (3 mm × 30 mm), and the initial slope of the stress-strain curve From the elongation, the elongation at break (%) was determined from the elongation at the time when the membrane was broken. Higher elongation at break means higher film toughness.

<合成例1> エステル基含有テトラカルボン酸二無水物の合成
トリメリット酸無水物クロリド50mmolをテトラヒドロフラン27mLに溶解し、密栓する。この溶液に、4,4’−ジヒドロキシジフェニルスルホン25mmolおよびピリジン6mLをテトラヒドロフラン14mLに溶解したものシリンジにて室温でゆっくりと滴下し、白色沈殿が生じた。滴下終了後、反応混合物を室温で24時間撹拌した。反応液をエバポレーターで溶媒留去した後、そのフラスコへ水を投入して、洗浄し、ピリジン塩酸塩を除去した。180℃で24時間真空乾燥して白色の粗生成物を得た。更に無水酢酸/酢酸(体積比7/3)で再結晶し、ベンゼンで洗浄後最後に180℃で24時間真空乾燥してエステル基含有テトラカルボン酸二無水物(以下、「TAPS」と略記する。)を得た。尚、生成物のIRからフェニルエステル基と酸無水物基の特性吸収を確認し、目的物であることを確認した。
<Synthesis Example 1> Synthesis of ester group-containing tetracarboxylic dianhydride 50 mmol of trimellitic anhydride chloride is dissolved in 27 mL of tetrahydrofuran and sealed. To this solution, 25 mmol of 4,4′-dihydroxydiphenylsulfone and 6 mL of pyridine dissolved in 14 mL of tetrahydrofuran were slowly added dropwise at room temperature using a syringe, and a white precipitate was formed. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred at room temperature for 24 hours. After the solvent of the reaction solution was distilled off with an evaporator, water was added to the flask and washed to remove pyridine hydrochloride. It was vacuum dried at 180 ° C. for 24 hours to obtain a white crude product. Furthermore, recrystallized with acetic anhydride / acetic acid (volume ratio 7/3), washed with benzene, and finally dried under vacuum at 180 ° C. for 24 hours, and abbreviated as ester group-containing tetracarboxylic dianhydride (hereinafter abbreviated as “TAPS”). .) In addition, the characteristic absorption of the phenyl ester group and the acid anhydride group was confirmed from the IR of the product, and it was confirmed to be the target product.

<合成例2> エステル基含有テトラカルボン酸二無水物の合成
トリメリット酸無水物クロリド50mmolをテトラヒドロフラン47mLに溶解した。この溶液に、4,4’−ジヒドロキシジフェニルケトン25mmolおよびピリジン6mLをテトラヒドロフラン23mLに溶解したものシリンジにて室温でゆっくりと滴下した。滴下に従って白色沈殿が生じた。滴下終了後、反応混合物を室温で24時間撹拌した。反応液を濾過してあらかじめ白色沈殿のピリジン塩酸塩を除去した後、濾液をエバポレーターで溶媒留去し、150℃で24時間真空乾燥して黄色の粗生成物を得た。次にピリジン塩酸塩、溶媒およびピリジンを完全に除くため、粗生成物を水で十分洗浄し、150℃で24時間真空乾燥した。更に無水酢酸/酢酸(体積比3/2)で2回再結晶し、ベンゼンで洗浄後最後に150℃で24時間真空乾燥してエステル基含有テトラカルボン酸二無水物(以下、「TADE」と略記する。)を得た。尚、生成物のIRからフェニルエステル基と酸無水物基の特性吸収を確認し、目的物であることを確認した。
<Synthesis Example 2> Synthesis of ester group-containing tetracarboxylic dianhydride 50 mmol of trimellitic anhydride chloride was dissolved in 47 mL of tetrahydrofuran. To this solution, 25 mmol of 4,4′-dihydroxydiphenyl ketone and 6 mL of pyridine dissolved in 23 mL of tetrahydrofuran were slowly added dropwise at room temperature using a syringe. A white precipitate formed following the dropwise addition. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred at room temperature for 24 hours. The reaction solution was filtered to remove the white precipitate of pyridine hydrochloride in advance, and then the solvent was distilled off with an evaporator, followed by vacuum drying at 150 ° C. for 24 hours to obtain a yellow crude product. Next, in order to completely remove pyridine hydrochloride, solvent and pyridine, the crude product was thoroughly washed with water and vacuum-dried at 150 ° C. for 24 hours. Further, recrystallized twice with acetic anhydride / acetic acid (volume ratio 3/2), washed with benzene, and finally dried under vacuum at 150 ° C. for 24 hours to form ester group-containing tetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as “TADE”). Abbreviated.) In addition, the characteristic absorption of the phenyl ester group and the acid anhydride group was confirmed from the IR of the product, and it was confirmed to be the target product.

<合成例3>
まずトリメリット酸無水物クロリド50mmolをテトラヒドロフラン47mLに溶解した。この溶液に、4,4’−ジヒドロキシベンゼン25mmolおよびピリジン6mLをテトラヒドロフラン34mLに溶解したものシリンジにて室温でゆっくりと滴下した。滴下に従って白色沈殿が生じた。滴下終了後、反応混合物を室温で24時間撹拌した。反応液を濾過してあらかじめピリジン塩酸塩を除去した後、濾液をエバポレーターで溶媒留去し、180℃で24時間真空乾燥して白色の粗生成物を得た。更に無水酢酸/酢酸(体積比7/3)で再結晶し、ベンゼンで洗浄後最後に180℃で24時間真空乾燥して高純度なエステル基含有テトラカルボン酸二無水物(以下、「TAHQ」と略記する。)を得た。
<Synthesis Example 3>
First, 50 mmol of trimellitic anhydride chloride was dissolved in 47 mL of tetrahydrofuran. To this solution, 25 mmol of 4,4′-dihydroxybenzene and 6 mL of pyridine dissolved in 34 mL of tetrahydrofuran were slowly added dropwise at room temperature using a syringe. A white precipitate formed following the dropwise addition. After completion of the dropwise addition, the reaction mixture was stirred at room temperature for 24 hours. The reaction solution was filtered to remove pyridine hydrochloride in advance, and then the solvent was distilled off with an evaporator, followed by vacuum drying at 180 ° C. for 24 hours to obtain a white crude product. Further, recrystallized with acetic anhydride / acetic acid (volume ratio 7/3), washed with benzene, and finally dried under vacuum at 180 ° C. for 24 hours to obtain a high purity ester group-containing tetracarboxylic dianhydride (hereinafter referred to as “TAHQ”). Is abbreviated as).

<実施例1>
[ポリイミド前駆体の合成]
攪拌機付反応容器中に、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタン(シス−シス体の含有率8モル%)10mmolをN,N−ジメチルアセトアミド50mLに溶解し、この溶液に合成例1で得られたテトラカルボン酸二無水物(TAPS)10mmolを徐々に加えた。テトラカルボン酸二無水物を添加し終わったあと、約30分後に完全に均一・透明な溶液が得られた。更に室温で24時間撹拌し透明で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。この際の溶質濃度は14.7重量%であった。このポリイミド前駆体溶液は室温および−20℃で一ヶ月間放置しても沈澱、ゲル化は全く起こらず、極めて高い溶液貯蔵安定を示した。N,N−ジメチルアセトアミド中、30℃で測定したポリイミド前駆体の固有粘度は0.911dL/gであり、高重合体であった。
<Example 1>
[Synthesis of polyimide precursor]
In a reaction vessel equipped with a stirrer, 10 mmol of bis (4-aminocyclohexyl) methane (cis-cis isomer content 8 mol%) was dissolved in 50 mL of N, N-dimethylacetamide, and this solution was obtained in Synthesis Example 1. 10 mmol of tetracarboxylic dianhydride (TAPS) was gradually added. After the addition of tetracarboxylic dianhydride, a completely uniform and transparent solution was obtained after about 30 minutes. Furthermore, it stirred at room temperature for 24 hours and obtained the transparent and viscous polyimide precursor solution. The solute concentration at this time was 14.7% by weight. This polyimide precursor solution did not precipitate or gel at all even when allowed to stand at room temperature and −20 ° C. for one month, and showed extremely high solution storage stability. The intrinsic viscosity of the polyimide precursor measured in N, N-dimethylacetamide at 30 ° C. was 0.911 dL / g, which was a high polymer.

[ポリイミドの評価]
このポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、60℃、1時間で乾燥して得たポリイミド前駆体膜を基板上で減圧下180℃、230℃、250℃各温度で30分段階的に昇温し、300℃で1時間熱処理して膜厚20μmの透明で強靭なポリイミド膜を得た。イミド化の完結は赤外吸収スペクトルから確認した。残留歪を除去するために、基板から膜を剥がした後、更に210℃で1時間熱処理した。180°折り曲げ試験によりこのポリイミド膜は破断せず、可撓性を示した。表1にこのポリイミド膜の評価結果を示す。また、このポリイミドはN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、m−クレゾールに溶解性を示した。ポリイミド前駆体およびポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルを図1及び図2に示す。
[Evaluation of polyimide]
The polyimide precursor solution obtained by applying this polyimide precursor solution to a glass substrate and drying it at 60 ° C. for 1 hour is gradually increased on the substrate at 180 ° C., 230 ° C. and 250 ° C. for 30 minutes under reduced pressure. It was heated and heat-treated at 300 ° C. for 1 hour to obtain a transparent and tough polyimide film having a thickness of 20 μm. The completion of imidization was confirmed from the infrared absorption spectrum. In order to remove the residual strain, the film was peeled off from the substrate and then further heat treated at 210 ° C. for 1 hour. The polyimide film was not broken by a 180 ° bending test and showed flexibility. Table 1 shows the evaluation results of this polyimide film. This polyimide exhibited solubility in N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, and m-cresol. Infrared absorption spectra of the polyimide precursor and the polyimide thin film are shown in FIGS.

<実施例2>
TAPSに代えて、合成例2で得られたTADEを用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド前駆体、ポリイミド膜を調製した。得られたポリイミド膜は、180°折り曲げ試験によっても破断せず、可撓性を示した。このポリイミド膜の評価結果を表1に示した。ポリイミド前駆体およびポリイミド薄膜の赤外吸収スペクトルを図3及び図4に示した。
<Example 2>
A polyimide precursor and a polyimide film were prepared in the same manner as in Example 1 except that TADE obtained in Synthesis Example 2 was used instead of TAPS. The obtained polyimide film was not broken even by a 180 ° bending test and showed flexibility. The evaluation results of this polyimide film are shown in Table 1. The infrared absorption spectra of the polyimide precursor and the polyimide thin film are shown in FIGS.

<実施例3>
ビス(4−メチルシクロヘキシル)メタンに代えて、トランスー1,4−シクロヘキサンジアミンを使用し、TAPSに代えて合成例2で得られたTADEを用いた以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド前駆体、ポリイミド膜を得た。得られたポリイミド膜は、180°折り曲げ試験によっても破断せず可撓性を示した。その他の評価結果を表1に示し、また、ポリイミド前駆体及びポリイミド膜の赤外吸収スペクトルを図5および図6に示した。
<Example 3>
A polyimide was prepared in the same manner as in Example 1 except that trans-1,4-cyclohexanediamine was used instead of bis (4-methylcyclohexyl) methane, and TADE obtained in Synthesis Example 2 was used instead of TAPS. A precursor and a polyimide film were obtained. The obtained polyimide film showed flexibility without breaking even in a 180 ° bending test. The other evaluation results are shown in Table 1, and the infrared absorption spectra of the polyimide precursor and the polyimide film are shown in FIG. 5 and FIG.

<比較例1>
攪拌機を備えた反応容器中に、トランス−1,4−シクロヘキサンジアミン10mmolをN,N−ジメチルアセトアミド50mLに溶解し、この溶液にピロメリット酸二無水物10mmolを徐々に加えた。しかしながら、反応初期に極めて頑強な不溶塩が形成され、重合反応は全く進行せず、ポリイミド前駆体は得られなかった。
<Comparative Example 1>
In a reaction vessel equipped with a stirrer, 10 mmol of trans-1,4-cyclohexanediamine was dissolved in 50 mL of N, N-dimethylacetamide, and 10 mmol of pyromellitic dianhydride was gradually added to this solution. However, a very strong insoluble salt was formed at the beginning of the reaction, the polymerization reaction did not proceed at all, and a polyimide precursor was not obtained.

<比較例2>
TAPSに代えて、ピロメリット酸二無水物を用いた以外は、実施例1と同様にしてポリイミド前駆体の合成をおこなった。しかしながら、反応直後から溶媒に不溶な塩が形成した。塩が消失し、粘稠なポリイミド前駆体が得られるまで、数日の反応時間を要した。また、得られたポリイミド前駆体の固有粘度を表1に示した。また、実施例1と同様にしてポリイミド及びポリイミド膜の調製を行った。得られたポリイミド膜を180°折り曲げ試験を行ったところ破断し、靱性が不十分であった。その他のポリイミド膜の評価結果を表1に示した。
<Comparative example 2>
A polyimide precursor was synthesized in the same manner as in Example 1 except that pyromellitic dianhydride was used instead of TAPS. However, a salt insoluble in the solvent was formed immediately after the reaction. It took several days of reaction time until the salt disappeared and a viscous polyimide precursor was obtained. The intrinsic viscosity of the obtained polyimide precursor is shown in Table 1. Further, polyimide and a polyimide film were prepared in the same manner as in Example 1. When the obtained polyimide film was subjected to a 180 ° bending test, it was broken and the toughness was insufficient. The evaluation results of other polyimide films are shown in Table 1.

<比較例3>
TAPSに代えて、合成例3で得たTAHQを用いた以外は、実施例1同様にして、ポリイミド前駆体の合成をおこなった。しかしながら、本重合においては多量の強固な塩が生成し、テトラカルボン酸二無水物を添加し終わったあと、均一・透明な溶液が得られるまでに96時間を要した。更に室温で24時間撹拌し透明で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。この際の溶質濃度は11.2重量%であった。実施例1と同様にして、ポリイミド膜の調製を行った。この再、ポリイミド前駆体キャスト膜は透明であったが、ポリイミド膜には、ポリイミドの結晶化のためかポリイミド膜に多少濁りが発生していた。このポリイミド膜を用いて評価をおこなった結果を表1に示した。得られたポリイミド膜を180°折り曲げ試験を行ったところ破断し、靱性が不十分であった。また、このポリイミドはN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオキシド、m−クレゾールなどの溶媒には溶解しなかった。
<Comparative Example 3>
A polyimide precursor was synthesized in the same manner as in Example 1 except that TAHQ obtained in Synthesis Example 3 was used instead of TAPS. However, in this polymerization, a large amount of strong salt was formed, and it took 96 hours until a uniform and transparent solution was obtained after the addition of tetracarboxylic dianhydride. Furthermore, it stirred at room temperature for 24 hours and obtained the transparent and viscous polyimide precursor solution. The solute concentration at this time was 11.2% by weight. A polyimide film was prepared in the same manner as in Example 1. This polyimide precursor cast film was transparent again, but some turbidity was generated in the polyimide film because of crystallization of the polyimide. The results of evaluation using this polyimide film are shown in Table 1. When the obtained polyimide film was subjected to a 180 ° bending test, it was broken and the toughness was insufficient. Further, this polyimide did not dissolve in solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide and m-cresol.

<比較例4>
ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタンに代えて、トランスー1,4−シクロヘキサンジアミンを使用し、TAPSに代えて、TAHQを使用した以外は、実施例1と同様にして、ポリイミド前駆体の合成を行った。しかしながら、比較例3と比較しても多量の不溶塩が生成し、テトラカルボン酸二無水物を添加し終わったあと、均一・透明な溶液が得られるまでに168時間を要した。得られたポリイミド前駆体の溶液を用いて、実施例1と同様にして、ポリイミド膜の調製を行った。この再、ポリイミド前駆体キャスト膜は透明であったが、ポリイミド膜には、ポリイミドの結晶化のためかポリイミド膜に多少濁りが発生していた。このポリイミド膜を用いて評価をおこなった結果を表1に示した。またこのポリイミドはN−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホオキシド、m−クレゾールなどの溶媒には溶解しなかった。
<Comparative example 4>
A polyimide precursor was synthesized in the same manner as in Example 1 except that trans-1,4-cyclohexanediamine was used instead of bis (4-aminocyclohexyl) methane, and TAHQ was used instead of TAPS. It was. However, even in comparison with Comparative Example 3, a large amount of insoluble salt was formed, and after adding tetracarboxylic dianhydride, it took 168 hours until a uniform and transparent solution was obtained. A polyimide film was prepared in the same manner as in Example 1 using the obtained polyimide precursor solution. This polyimide precursor cast film was transparent again, but some turbidity was generated in the polyimide film because of crystallization of the polyimide. The results of evaluation using this polyimide film are shown in Table 1. Further, this polyimide did not dissolve in solvents such as N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide and m-cresol.

表1

Figure 2007169304
Table 1
Figure 2007169304

上記実施例1〜3から明らかなように、本願発明のポリイミドは、ジアミンに脂環族ジアミンを用いているにも係わらず、重合度の高いポリイミド前駆体が得られ、またポリイミドは、透明性が高く、複屈折が小さく光学特性に優れ、弾性率、破断伸び等の機械物性、及び耐熱にも優れている。
一方、比較例1、2では、塩の形成によりポリイミド前駆体が得られず、比較例3、4では、ポリイミド前駆体が得られても、ポリイミドは透明性に劣り、靱性が不足している。
As is clear from Examples 1 to 3, the polyimide of the present invention provides a polyimide precursor having a high degree of polymerization despite the use of an alicyclic diamine as the diamine, and the polyimide is transparent. , High birefringence, excellent optical properties, mechanical properties such as elastic modulus and elongation at break, and heat resistance.
On the other hand, in Comparative Examples 1 and 2, a polyimide precursor cannot be obtained due to salt formation. In Comparative Examples 3 and 4, even if a polyimide precursor is obtained, polyimide is inferior in transparency and lacks toughness. .

本発明のポリイミドは、電気・電子部品分野で使用されているガラス基板の代替用としてのプラスチック基板の材料として有用であり、液晶ディスプレー用、有機エレクトロルミネッセンスディスプレー用、電子ペーパー用、太陽電池用などのガラス基板代替用プラスチック基板、電子デバイスの電気絶縁膜、光学材料、太陽電池パネル等の保護フィルム、光導波路など種々の用途に使用できる。特に、本発明のポリイミド共重合体は、高い靭性を有しているので、特にフレキシブルフィルムとしての応用できる。   The polyimide of the present invention is useful as a material for a plastic substrate as a substitute for a glass substrate used in the field of electric / electronic components, such as for liquid crystal displays, for organic electroluminescence displays, for electronic paper, for solar cells, etc. It can be used for various applications such as plastic substrates for substituting glass substrates, electrical insulating films for electronic devices, optical materials, protective films for solar cell panels, and optical waveguides. In particular, since the polyimide copolymer of the present invention has high toughness, it can be applied particularly as a flexible film.

実施例1で得られたポリイミド前駆体のIRチャートIR chart of the polyimide precursor obtained in Example 1 実施例1で得られたポリイミドのIRチャートIR chart of the polyimide obtained in Example 1 実施例2で得られたポリイミド前駆体のIRチャートIR chart of the polyimide precursor obtained in Example 2 実施例2で得られたポリイミドのIRチャートIR chart of the polyimide obtained in Example 2 実施例3で得られたポリイミド前駆体のIRチャートIR chart of the polyimide precursor obtained in Example 3 実施例3で得られたポリイミドのIRチャートIR chart of the polyimide obtained in Example 3

Claims (19)

一般式(1)
Figure 2007169304
[式中、R、R、R及びRは、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基、ハロゲン原子、又は、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を1個以上有していてもよい炭素数6〜12の脂環族基若しくは炭素数6〜12の芳香族基を表す。Xは、エーテル基、チオエーテル基、カルボニル基又はスルホニル基を表す。Zは、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルコキシ基、炭素数4〜12のシクロアルキル基、ニトリル基、ニトロ基、カルボキシル基、アミド基及びハロゲン原子からなる群から選ばれる置換基を1個以上有していてもよい炭素数6〜24の2価の脂環族基を表す。尚、両末端のベンゼン環に結合する2つのフェノキシカルボニル基の置換位置は、それぞれ同一又は異なって、カルバモイル基に対してm位又はp位である。]
で表される構造単位を有するポリイミド前駆体。
General formula (1)
Figure 2007169304
[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear chain having 2 to 12 carbon atoms. Or branched alkenyl group, linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, nitrile group, nitro group, carboxyl group, amide group, halogen atom Or a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, a linear or branched chain having 1 to 12 carbon atoms An alicyclic group having 6 to 12 carbon atoms or 6 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of an alkoxy group, a nitrile group, a nitro group, a carboxyl group, an amide group and a halogen atom. Table of 12 aromatic groups . X represents an ether group, a thioether group, a carbonyl group or a sulfonyl group. Z is a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a linear or branched alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a cycloalkyl group having 4 to 12 carbon atoms, a nitrile group, A bivalent alicyclic group having 6 to 24 carbon atoms which may have one or more substituents selected from the group consisting of a nitro group, a carboxyl group, an amide group and a halogen atom. The substitution positions of the two phenoxycarbonyl groups bonded to the benzene rings at both ends are the same or different and are the m-position or p-position with respect to the carbamoyl group. ]
The polyimide precursor which has a structural unit represented by these.
、R、R及びRが、同一又は異なって、水素原子、炭素数1〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、炭素数2〜12の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルケニル基、又は炭素数6〜12のシクロアルキル基で表される請求項1に記載のポリイミド前駆体。 R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are the same or different and are a hydrogen atom, a linear or branched alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, or a linear or branched chain having 2 to 12 carbon atoms. The polyimide precursor of Claim 1 represented by a shape-like alkenyl group or a C6-C12 cycloalkyl group. Xが、スルホニル基又はエーテル基で表される請求項1又は2のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   The polyimide precursor according to claim 1, wherein X is represented by a sulfonyl group or an ether group. Zが、一般式(2)
Figure 2007169304
[式中、R、R、R及びRは、互いに同一又は異なって、それぞれ水素原子、メチル基又はエチル基を表す。A及びm個のAは、同一又は異なって、それぞれ直接結合、又は炭素数1〜6のアルキリデン基を表す。mは、1又は2の整数を表す。]
で表される請求項1〜3のいずれかに記載のポリイミド前駆体。
Z is the general formula (2)
Figure 2007169304
[Wherein, R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are the same or different from each other and each represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group. A 1 and m A 2 are the same or different and each represents a direct bond or an alkylidene group having 1 to 6 carbon atoms. m represents an integer of 1 or 2. ]
The polyimide precursor in any one of Claims 1-3 represented by these.
とAとの立体配置がトランス配置であるか、又は2個のAの立体配置が互いにトランス配置である請求項4に記載のポリイミド前駆体。 The polyimide precursor according to claim 4, wherein the configuration of A 1 and A 2 is a trans configuration, or the configuration of two A 2 is a trans configuration. アミン塩を実質的に含有しない請求項1〜5のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   The polyimide precursor in any one of Claims 1-5 which does not contain an amine salt substantially. 固有粘度が、0.4dL/g以上である請求項1〜6のいずれかに記載のポリイミド前駆体。   Intrinsic viscosity is 0.4 dL / g or more, The polyimide precursor in any one of Claims 1-6. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体及び有機溶剤を含有してなるポリイミド前駆体ワニス。   A polyimide precursor varnish comprising the polyimide precursor according to claim 1 and an organic solvent. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体を、イミド化反応することによって得られる一般式(3)
Figure 2007169304
[式中、R、R、R、R、X及びZは、一般式(1)におけるものと同義である。]
で表される構造単位を有するポリイミド。
The general formula (3) obtained by imidizing the polyimide precursor according to claim 1.
Figure 2007169304
Wherein, R 1, R 2, R 3, R 4, X and Z have the same meanings as in the general formula (1). ]
A polyimide having a structural unit represented by:
吸水率が、2%以下である請求項9に記載のポリイミド。   The polyimide according to claim 9, which has a water absorption of 2% or less. ガラス転移温度が200℃以上、波長400nmでの光線透過率が60%以上、複屈折が0.1以下且つ破断伸びが5%以上である請求項9又は10に記載のポリイミド。   11. The polyimide according to claim 9, wherein the polyimide has a glass transition temperature of 200 ° C. or more, a light transmittance at a wavelength of 400 nm of 60% or more, a birefringence of 0.1 or less, and a breaking elongation of 5% or more. 請求項9〜11のいずれかに記載のポリイミド及び有機溶剤を含有してなるポリイミドワニス。   A polyimide varnish comprising the polyimide according to any one of claims 9 to 11 and an organic solvent. 請求項9〜11に記載のポリイミドからなるポリイミド成形体。   A polyimide molded body comprising the polyimide according to claim 9. ポリイミド成形体が、層状、膜状、フィルム状又はシート状の形態にある請求項13に記載のポリイミド成形体。   The polyimide molded body according to claim 13, wherein the polyimide molded body is in the form of a layer, a film, a film, or a sheet. 請求項14に記載のポリイミド成形体を用いてなるプラスチック基板。   A plastic substrate using the polyimide molded body according to claim 14. 表示素子用である請求項15に記載のプラスチック基板。   The plastic substrate according to claim 15, which is used for a display element. 表示素子が、液晶ディスプレーあるいは有機エレクトロルミネッセンスディスプレーである請求項16に記載のプラスチック基板。   The plastic substrate according to claim 16, wherein the display element is a liquid crystal display or an organic electroluminescence display. 請求項15〜17のいずれかに記載のプラスチック基板を備えた表示素子。   The display element provided with the plastic substrate in any one of Claims 15-17. 請求項15〜17のいずれかに記載のプラスチック基板の製造方法であって、請求項8に記載のポリイミド前駆体ワニス、又は請求項12に記載のポリイミドワニスを、支持体上に塗布する工程、乾燥、硬化する工程、及び支持体からポリイミド成形体を剥離する工程を備える、
プラスチック基板の製造方法。
It is a manufacturing method of the plastic substrate in any one of Claims 15-17, Comprising: The process of apply | coating the polyimide precursor varnish of Claim 8, or the polyimide varnish of Claim 12 on a support body, A step of drying, curing, and a step of peeling the polyimide molded body from the support;
A method of manufacturing a plastic substrate.
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