JP2007149958A - Manufacturing method of wiring substrate, of electro-optical device and of electronic instrument - Google Patents

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JP2007149958A JP2005342203A JP2005342203A JP2007149958A JP 2007149958 A JP2007149958 A JP 2007149958A JP 2005342203 A JP2005342203 A JP 2005342203A JP 2005342203 A JP2005342203 A JP 2005342203A JP 2007149958 A JP2007149958 A JP 2007149958A
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Kinya Ozawa
欣也 小澤
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a patterning film, uniform in the thickness or the quality of film while reducing energy consumption. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the wiring substrate comprises a process for applying liquid material (18) on a substrate to form coating film, a process for arranging the coating film between a first electrode and a second electrode opposed to the first electrode, a process for generating electric field between the first electrode and the second electrode, and a process for removing dispersion medium or solvent from the coating film to form the film. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線基板、電気光学装置、及び電子機器の製造方法に関する。   The present invention relates to a wiring board, an electro-optical device, and a method for manufacturing an electronic apparatus.

従来、絶縁膜など各種の膜を所望形状にパターニングするには、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を利用していた。しかし、パターニングの対象となる膜の下側に何らかの下地が存在する場合には、エッチングの影響を考慮してこの下地の構成材料を慎重に選定する必要があり、下地の条件によってはエッチングが困難となり、下地の材料や構造を検討し直す必要が生じる場合もある。また、上記のパターン形成技術は、一旦、対象領域の全面に成膜した後に、必要な部分を残し、不要な部分を除去するという過程を経るため、例え除去対象となる部分が少ないとしても、パターン形成に多くエネルギーを必要としていた。   Conventionally, in order to pattern various films such as an insulating film into a desired shape, a photolithography technique and an etching technique have been used. However, if there is any underlying material under the film to be patterned, it is necessary to carefully select the material of the underlying material in consideration of the effects of etching, and etching may be difficult depending on the underlying conditions. Thus, it may be necessary to reexamine the underlying material and structure. In addition, the above-described pattern formation technique, once formed on the entire surface of the target region, through a process of leaving a necessary part and removing an unnecessary part, even if there are few parts to be removed, A lot of energy was required for pattern formation.

また、パターン形成に関する他の従来技術として液滴吐出技術を用いる手法がある。この手法は、膜を形成したい場所に対して液滴吐出装置を用いて液体材料を滴下し、その液体材料を乾燥、固化させるという過程を経て、所望形状の膜を得るものである。しかし、この技術によって形成される膜は、特に、大面積の領域を対象として成膜する場合に、当該領域内のどの位置でも膜厚や膜質を均質にすることが難しい。このような課題に対しては、スピンコーティングなどの他の成膜方法がより優れている場合がある。   As another conventional technique related to pattern formation, there is a technique using a droplet discharge technique. In this method, a liquid material is dropped onto a place where a film is to be formed by using a droplet discharge device, and the liquid material is dried and solidified to obtain a film having a desired shape. However, a film formed by this technique is difficult to make the film thickness and film quality uniform at any position in the region, particularly when the film is formed for a large area region. For such a problem, other film forming methods such as spin coating may be more excellent.

特開2003-309369号公報JP 2003-309369 A

そこで、本発明は、エネルギー消費量を低減しつつ、膜厚や膜質が均質なパターニング膜を得ることが可能な製造技術を提供することを目的とする。   Therefore, an object of the present invention is to provide a manufacturing technique capable of obtaining a patterning film having a uniform film thickness and film quality while reducing energy consumption.

本発明にかかる配線基板の製造方法は、基板上に液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、第1電極と、前記第1電極と対向する第2電極との間に前記塗布膜を配置する工程と、前記第1電極と前記第2電極との間に電界を生じさせる工程と、前記塗布膜から分散媒または溶媒を除去し膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。または、基板上の一部を液体材料に対して疎液性にし、疎液領域を形成する第1工程と、前記基板上に前記液体材料を塗布する第2工程と、前記疎液領域に電場又は磁場を与え、前記疎液領域の少なくとも一部から前記液体材料を除去しつつ、前記疎液領域の少なくとも一部を除く領域に膜を形成する第3工程と、を含むことを特徴とするものであってもよい。ここで「配線基板」とは、基板上に配線の形成されたものを含み、配線のみならず、トランジスタ等のスイッチング素子、有機EL素子、その他の構造物が形成されるものであってもよい。   The method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of applying a liquid material on a substrate to form a coating film, and the coating film between a first electrode and a second electrode facing the first electrode. And a step of generating an electric field between the first electrode and the second electrode, and a step of forming a film by removing a dispersion medium or a solvent from the coating film. . Alternatively, a first step of making a part of the substrate lyophobic with respect to the liquid material and forming a lyophobic region, a second step of applying the liquid material on the substrate, and an electric field in the lyophobic region Or a third step of forming a film in a region excluding at least a part of the lyophobic region while applying a magnetic field to remove the liquid material from at least a part of the lyophobic region. It may be a thing. Here, the “wiring substrate” includes a wiring formed on the substrate, and may be one in which not only the wiring but also a switching element such as a transistor, an organic EL element, and other structures are formed. .

かかる方法によれば、電界の生じた部分、又は電場若しくは磁場の与えられた部分にある液体材料の少なくとも一部が、基板上の他の部分へ移動する。他の部分へ移動したところで、膜を形成する。これにより、液体材料の移動した先には膜を形成でき、移動した液体材料の元の場所には膜を形成させないよう簡易に調整できる。   According to such a method, at least a part of the liquid material in a portion where an electric field is generated or a portion where an electric field or a magnetic field is applied moves to another portion on the substrate. When moving to another part, a film is formed. As a result, a film can be formed where the liquid material has moved, and can be easily adjusted so that no film is formed at the original location of the moved liquid material.

好ましくは、上記配線基板の製造方法において、前記第3工程が、前記液体材料から溶媒を除去し溶質を析出させることを含み、前記膜が前記溶質を含む。また、前記第3工程が、前記液体材料から分散媒を除去し分散質を沈殿させることを含み、前記膜が前記分散質を含むものであってもよい。また、前記第3工程が、前記液体材料を硬化させ硬化膜を形成することを含み、前記膜が前記硬化膜を含むものであってもよい。この場合、液体材料は紫外線硬化樹脂であることが好ましい。   Preferably, in the method for manufacturing a wiring board, the third step includes removing a solvent from the liquid material to precipitate a solute, and the film includes the solute. The third step may include removing a dispersion medium from the liquid material and precipitating the dispersoid, and the membrane may include the dispersoid. The third step may include curing the liquid material to form a cured film, and the film may include the cured film. In this case, the liquid material is preferably an ultraviolet curable resin.

本発明にかかる配線基板の製造方法は、前記第1工程に先立ち、少なくとも一部が前記疎液領域と重なる第1の電極を前記基板上に形成する工程と、を有し、前記第3工程が、前記第1の電極に対し、前記液体材料を挟んで対向する第2の電極を設置し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることが好ましい。かかる方法によれば、膜が排除されるべき領域に対してより確実に局所的な電場を発生させ、膜のパターニングを行うことができる。   Prior to the first step, the method for manufacturing a wiring board according to the present invention includes a step of forming a first electrode at least partially overlapping the lyophobic region on the substrate, and the third step. However, it is preferable that a second electrode facing the first electrode with the liquid material interposed therebetween is installed to generate an electric field between the first electrode and the second electrode. According to such a method, a local electric field can be more reliably generated in a region where the film is to be excluded, and the film can be patterned.

本発明にかかる配線基板の製造方法は、前記第1工程に先立ち、少なくとも前記疎液領域の一部を間に挟む第1の電極と第2の電極とを前記基板上に形成する工程と、を有し、前記第3工程が、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることが好ましい。かかる方法によれば、膜が排除されるべき領域に対してより確実に局所的な電場を発生させ、膜のパターニングを行うことができる。   Prior to the first step, the method of manufacturing a wiring board according to the present invention includes forming a first electrode and a second electrode sandwiching at least a part of the lyophobic region on the substrate, It is preferable that the third step generates an electric field between the first electrode and the second electrode. According to such a method, a local electric field can be more reliably generated in a region where the film is to be excluded, and the film can be patterned.

本発明にかかる配線基板の製造方法は、前記第3工程が、少なくとも一部が前記疎液領域と重なる第1の電極と、前記第1の電極に対し、前記液体材料を挟んで対向する第2の電極を設置し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることが好ましい。かかる方法によれば、膜が排除されるべき領域に対してより確実に局所的な電場を発生させ、膜のパターニングを行うことができる。また、本態様では、電場を発生させるための電極を基板上に設ける必要がないという利点がある。   In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the third step is such that the first electrode at least partially overlaps the lyophobic region, and the first electrode is opposed to the first electrode with the liquid material interposed therebetween. It is preferable to install two electrodes and generate an electric field between the first electrode and the second electrode. According to such a method, a local electric field can be more reliably generated in a region where the film is to be excluded, and the film can be patterned. In addition, this embodiment has an advantage that it is not necessary to provide an electrode for generating an electric field on the substrate.

本発明にかかる電気光学装置の製造方法は、上記配線基板の製造方法のいずれかを含むことを特徴とする。ここで「電気光学装置」とは、上述の配線基板と、他の基板との間に電気光学素子が形成された構造、あるいは、単に上述の配線基板上に、電気光学素子が形成された構造を意味する。後述の意味においては、構造が配線基板と同義の場合もありうる。「電気光学素子」とは液晶素子や有機EL素子、電気泳動表示素子など、表示または発光にかかる構造物を含む。具体的には、携帯電話やテレビの表示部や、レーザープリンタのラインヘッドの発光部などが挙げられる。   An electro-optical device manufacturing method according to the present invention includes any one of the above-described methods for manufacturing a wiring board. Here, the “electro-optical device” means a structure in which an electro-optical element is formed between the above-described wiring board and another substrate, or a structure in which an electro-optical element is simply formed on the above-described wiring board. Means. In the meaning described later, the structure may be synonymous with the wiring board. The “electro-optical element” includes a structure related to display or light emission such as a liquid crystal element, an organic EL element, and an electrophoretic display element. Specifically, a display unit of a mobile phone or a television, a light emitting unit of a line head of a laser printer, or the like can be given.

本発明にかかる電子機器の製造方法は、上記配線基板の製造方法のいずれかを含むことを特徴とする。ここで「電子機器」とは、液晶テレビ、パーソナルコンピュータのモニタ、携帯電話、電子ペーパーなど、表示機能を有する完成品または半製品、あるいは、レーザープリンタや照明器具など、発光機能を有する完成品または半製品を含む。   The method for manufacturing an electronic device according to the present invention includes any one of the above-described methods for manufacturing a wiring board. Here, the “electronic device” means a finished product or a semi-finished product having a display function such as a liquid crystal television, a personal computer monitor, a mobile phone, or electronic paper, or a finished product having a light emitting function such as a laser printer or a lighting device. Includes semi-finished products.

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態にかかる配線基板の一例を示す平面図である。図1に示す配線基板は、基板10と、当該基板10上に形成された複数(本例では3つ)の配線膜12と、当該配線膜12を覆う絶縁性の膜(詳細は後述)と、を含んで構成されている。絶縁性の膜は、基板10の一方面上を覆いつつ、各配線膜12のコンタクト部12aを露出させるようにパターニングされている。
(First embodiment)
FIG. 1 is a plan view showing an example of a wiring board according to the first embodiment. The wiring substrate shown in FIG. 1 includes a substrate 10, a plurality of (three in this example) wiring films 12 formed on the substrate 10, and an insulating film (details will be described later) covering the wiring film 12. , Including. The insulating film is patterned so as to expose the contact portion 12a of each wiring film 12 while covering one surface of the substrate 10.

図2は、上述した配線基板の製造方法を説明する工程断面図である。以下、図2を参照しながら本実施形態にかかる製造方法について詳細に説明する。なお、図2に示す断面図は、配線基板の上記図1に示したII−II線断面に対応している。   FIG. 2 is a process cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the wiring board described above. Hereinafter, the manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG. The cross-sectional view shown in FIG. 2 corresponds to the cross section taken along the line II-II shown in FIG. 1 of the wiring board.

まず、基板10上に配線膜12(図1参照)を形成する(図2(A))。本実施形態では図1に示したように、配線膜12とコンタクト部12aとは一体に形成される。更に、各配線膜12のコンタクト部12aは相互に補助配線膜12bを介して接続されている。また、補助電極14は、後の工程で各コンタクト部12aに電圧を加えるために用いられるものであり、補助配線膜12bを介してコンタクト部12aと接続されている。これらの配線膜12、コンタクト部12a、補助配線膜12b及び補助電極14は、例えば、基板10上にスパッタリング法などの成膜法によってアルミニウム膜等の導電膜を形成した後に、当該導電膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によってパターニングすることによって形成される。   First, the wiring film 12 (see FIG. 1) is formed over the substrate 10 (FIG. 2A). In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the wiring film 12 and the contact portion 12a are integrally formed. Furthermore, the contact portions 12a of the respective wiring films 12 are connected to each other via the auxiliary wiring film 12b. The auxiliary electrode 14 is used for applying a voltage to each contact portion 12a in a later step, and is connected to the contact portion 12a via the auxiliary wiring film 12b. The wiring film 12, the contact portion 12a, the auxiliary wiring film 12b, and the auxiliary electrode 14 are formed by, for example, forming a conductive film such as an aluminum film on the substrate 10 by a film forming method such as a sputtering method. It is formed by patterning using a lithography technique and an etching technique.

次に、絶縁性の膜が排除されるべき領域、より具体的には各コンタクト部12aの上面を液体材料に対して疎液性にする(図2(B))。図示のように本実施形態では、液滴吐出装置を用いて各コンタクト部12aの上面に液体材料を塗布し、疎液性の皮膜16を形成する。これにより、各コンタクト部12aの上面に疎液領域が形成される。疎液性の皮膜16を形成し得る液体材料としては、例えばフッ素系高分子(フルオロ高分子等)、アミン系分子、シラン系分子などが挙げられる。   Next, the region where the insulating film is to be excluded, more specifically, the upper surface of each contact portion 12a is made lyophobic with respect to the liquid material (FIG. 2B). As shown in the figure, in the present embodiment, a liquid material is applied to the upper surface of each contact portion 12a using a droplet discharge device to form a lyophobic film 16. Thereby, a lyophobic region is formed on the upper surface of each contact portion 12a. Examples of the liquid material that can form the lyophobic film 16 include fluorine-based polymers (such as fluoropolymers), amine-based molecules, and silane-based molecules.

次に、基板10上の全体に絶縁性の膜となるべき液体材料18を塗布し、塗布膜を形成する(図2(C))。このような液体材料18としては、例えばPEDOT/PSSが挙げられる。また、液体材料18の塗布方法としては、スピンコート法などが挙げられる。   Next, the liquid material 18 to be an insulating film is applied to the entire surface of the substrate 10 to form a coating film (FIG. 2C). An example of such a liquid material 18 is PEDOT / PSS. Moreover, as a coating method of the liquid material 18, a spin coat method etc. are mentioned.

次に、疎液性にした領域(疎液領域)、より具体的には皮膜16が形成された領域に対して局所的に電場を与え(図2(D))、当該疎液領域の少なくとも一部(図示の例では全部)から液体材料18を排除する。図示のように本実施形態では、補助電極14に対して、基板10の一方面側に当該基板10と離間し、液体材料18を挟んで対向するように配置される共通電極20と、の間に電圧を印加する。これにより、補助電極14と接続された各コンタクト部12aと共通電極20との相互間、すなわち皮膜16が形成された領域に対して局所的に電場が与えられる。例えば、各コンタクト部12aと共通電極20との相互間距離を数mm程度とし、両者間に30V程度の電圧を加えるとよい。このとき、エレクトロウェッティング現象が生じ、電場が与えられた領域から液体材料18が排除される。なお、エレクトロウェッティング現象については、例えば、公知文献「Catherin Quilliet et al., Electrowetting : a recent outbreak,“Current Opinion in Colloid & Interface Science”,6(2001),p.34-39」や、公知文献「B.J.Feensta et al., Video-speed response in a reflective electrowetting display,“IDW 2003”,EP2-3,p1741」などに詳述されている。ここで、必ずしも各コンタクト部12aを疎液性にする必要はないが、疎液性にすることで、より効果を高めることができる。   Next, an electric field is locally applied to the lyophobic region (lyophobic region), more specifically, the region where the film 16 is formed (FIG. 2D), and at least the lyophobic region The liquid material 18 is excluded from a part (all in the illustrated example). As shown in the drawing, in the present embodiment, the auxiliary electrode 14 is spaced from the substrate 10 on one side of the substrate 10, and is disposed between the common electrode 20 disposed so as to face the liquid material 18. Apply voltage to As a result, an electric field is locally applied between each contact portion 12 a connected to the auxiliary electrode 14 and the common electrode 20, that is, a region where the film 16 is formed. For example, the distance between the contact portions 12a and the common electrode 20 may be about several millimeters, and a voltage of about 30V may be applied between them. At this time, an electrowetting phenomenon occurs, and the liquid material 18 is excluded from a region to which an electric field is applied. As for the electrowetting phenomenon, for example, the publicly known document “Catherin Quilliet et al., Electrowetting: a recent outbreak,“ Current Opinion in Colloid & Interface Science ”, 6 (2001), p.34-39” It is described in detail in documents such as “BJFeensta et al., Video-speed response in a reflective electrowetting display,“ IDW 2003 ”, EP2-3, p1741”. Here, although it is not always necessary to make each contact part 12a lyophobic, the effect can be improved more by making it lyophobic.

上記工程(図2(D)参照)と並行して、液体材料18を乾燥させることによってこれを固化させる。これにより、電場が与えられた領域は液体材料18が除去されることによって孔24が形成され、電場が与えられていない領域(疎液領域の少なくとも一部を除く領域)には絶縁性の膜22が形成される(図2(E))。すなわち、エレクトロウェッティング現象を利用することにより、基板10の一方面上を覆いつつ、各配線膜12のコンタクト部12aを露出させるようにパターニングされた膜22が得られる。ここで、「固化」とは、液体材料が溶媒に溶質を溶解した溶液の場合、乾燥させるなどして溶媒を除去し、溶質を析出させて膜を形成することであり、液体材料が分散媒に分散質を分散した分散液である場合、乾燥させるなどして分散媒を除去し、分散質を沈殿させて膜を形成することである。このほか、液体材料が紫外線硬化樹脂を含むものである場合、液体材料に紫外線を照射することで液体材料に含まれる分子を架橋重合させるなどして膜を形成することも含む。   In parallel with the above process (see FIG. 2D), the liquid material 18 is dried to be solidified. As a result, a hole 24 is formed by removing the liquid material 18 in a region to which an electric field is applied, and an insulating film is formed in a region to which no electric field is applied (a region excluding at least a part of the lyophobic region). 22 is formed (FIG. 2E). That is, by utilizing the electrowetting phenomenon, a film 22 patterned so as to expose the contact portion 12a of each wiring film 12 while covering one surface of the substrate 10 is obtained. Here, “solidification” means that when the liquid material is a solution in which a solute is dissolved in a solvent, the solvent is removed by drying or the like, and the solute is precipitated to form a film. In the case of the dispersion liquid in which the dispersoid is dispersed, the dispersion medium is removed by drying or the like, and the dispersoid is precipitated to form a film. In addition, when the liquid material contains an ultraviolet curable resin, it includes forming a film by irradiating the liquid material with ultraviolet rays to cross-link and polymerize molecules contained in the liquid material.

なお、上述した説明においては、基板10上に設けたコンタクト部12aと、基板10と離間して配置される共通電極20との間に電圧を加えることによって、エレクトロウェッティング現象を発生させていたが、基板10上に一対の電極を設け、当該一対の電極の相互間に電圧を加えるようにしても同様の結果を得ることができる。   In the above description, the electrowetting phenomenon is generated by applying a voltage between the contact portion 12a provided on the substrate 10 and the common electrode 20 that is disposed apart from the substrate 10. However, a similar result can be obtained by providing a pair of electrodes on the substrate 10 and applying a voltage between the pair of electrodes.

図3は、一対の電極(第1の電極と第2の電極)を設ける場合について具体的に説明する平面図である。図3に示すように、基板10上に、各配線膜12のそれぞれに対して一対の電極112aを設ける。各電極112aのうちで配線膜12と一体にされたもの同士が補助配線112bを介して接続され、更に基板10の端部に設けられた補助電極114と接続されている。同様に、各電極112aのうちで配線膜12と分離されたもの同士が補助配線112bを介して接続され、更に基板10の端部に設けられた補助電極114と接続されている。このような一対の電極112a等は、配線膜12の形成工程において同時に形成される(図2(A)参照)。また、それ以降の工程についても基本的には上述した実施形態と同様にして行われる。ただし、疎液領域(皮膜16が形成された領域)に対して局所的に電場を与え、当該領域から液体材料18を排除する工程(図2(D)参照)については、基板10上に共通電極20を設ける必要はなく、図3に示すように、補助電極114を用いて各一対の電極112aの間に電圧を加えることによって行われる。その結果、一対の電極112aに挟まれた領域について、液体材料18が排除される。なお、一対の電極112aは、必ずしも相互間に疎液領域の全てを挟む必要はなく、疎液領域の少なくとも一部を間に挟んでいればよい。   FIG. 3 is a plan view for specifically explaining the case where a pair of electrodes (first electrode and second electrode) is provided. As shown in FIG. 3, a pair of electrodes 112 a is provided for each wiring film 12 on the substrate 10. Of each electrode 112 a, those integrated with the wiring film 12 are connected via an auxiliary wiring 112 b and further connected to an auxiliary electrode 114 provided at the end of the substrate 10. Similarly, the electrodes 112 a separated from the wiring film 12 are connected via the auxiliary wiring 112 b and further connected to the auxiliary electrode 114 provided at the end of the substrate 10. Such a pair of electrodes 112a and the like are simultaneously formed in the step of forming the wiring film 12 (see FIG. 2A). Further, the subsequent steps are basically performed in the same manner as in the above-described embodiment. However, the step of applying an electric field locally to the lyophobic region (the region where the film 16 is formed) and excluding the liquid material 18 from the region (see FIG. 2D) is common on the substrate 10. There is no need to provide the electrode 20, and as shown in FIG. 3, the auxiliary electrode 114 is used to apply a voltage between each pair of electrodes 112a. As a result, the liquid material 18 is excluded from the region sandwiched between the pair of electrodes 112a. Note that the pair of electrodes 112a does not necessarily need to sandwich the entire lyophobic region between them, and it is sufficient that at least a part of the lyophobic region is sandwiched therebetween.

また、エレクトロウェッティング現象を生じさせるための電極は、必ずしも基板10上に設けなくてもよい。以下、この場合の実施形態について説明する。   In addition, the electrode for causing the electrowetting phenomenon is not necessarily provided on the substrate 10. Hereinafter, an embodiment in this case will be described.

図4は、基板上に電極を設けない場合について具体的に説明する平面図である。図4に示すように、基板10上には各配線膜12が形成される。このとき、図示の例では上記実施形態と同様にコンタクト部12aが形成されているが、これは電場を与えるために用いられるものではない。すなわち、この実施形態においては、コンタクト部を省略することも可能である。この実施形態では各コンタクト部12aが形成されている領域が最終的に膜の形成されない領域に相当する。   FIG. 4 is a plan view specifically explaining the case where no electrode is provided on the substrate. As shown in FIG. 4, each wiring film 12 is formed on the substrate 10. At this time, in the illustrated example, the contact portion 12a is formed in the same manner as in the above embodiment, but this is not used for applying an electric field. That is, in this embodiment, the contact portion can be omitted. In this embodiment, a region where each contact portion 12a is formed corresponds to a region where no film is finally formed.

図5は、基板上に電極を設けない場合における配線基板の製造方法を説明する工程断面図である。図5に示す断面図は、配線基板の上記図4に示したV−V線断面に対応している。以下、図5を参照しながら本実施形態にかかる製造方法について詳細に説明する。   FIG. 5 is a process cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a wiring board when no electrode is provided on the board. The cross-sectional view shown in FIG. 5 corresponds to the VV line cross-section shown in FIG. 4 of the wiring board. Hereinafter, the manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIG.

まず、基板10上に配線膜12を形成する(図5(A))。次に、絶縁性の膜が排除されるべき領域、より具体的には各コンタクト部12aの上面を疎液性にする(図5(B))。次に、基板10上の全体に絶縁性の膜となるべき液体材料18を塗布する(図5(C))。ここまでの各工程の内容については上述した実施形態と同様であるため、詳細については説明を省略する。   First, the wiring film 12 is formed over the substrate 10 (FIG. 5A). Next, the region where the insulating film is to be excluded, more specifically, the upper surface of each contact portion 12a is made lyophobic (FIG. 5B). Next, a liquid material 18 to be an insulating film is applied over the entire substrate 10 (FIG. 5C). Since the content of each process so far is the same as that of embodiment mentioned above, description is abbreviate | omitted for details.

次に、疎液性にした領域、より具体的には皮膜16が形成された領域に対して局所的に電場を与え(図5(D))、当該領域から液体材料18を排除する。このとき、図示のように本実施形態では、基板10の一方面側に膜22が排除されるべき領域に対応付けられた個別電極26a(第1の電極)を有する電極板26を配置するとともに、基板10の他方面側に、個別電極26aに対し、液体材料18を挟んで対向するようにして共通電極20(第2の電極)を配置する。そして、各個別電極26aと共通電極22との間に電圧を印加することにより、膜22が排除されるべき領域に局所的に電場を与える。当該領域に与えられるべき電場の強度は上述した実施形態と同様である。   Next, an electric field is locally applied to the lyophobic region, more specifically, the region where the film 16 is formed (FIG. 5D), and the liquid material 18 is excluded from the region. At this time, as shown in the drawing, in this embodiment, the electrode plate 26 having the individual electrode 26a (first electrode) associated with the region where the film 22 is to be excluded is disposed on one side of the substrate 10. The common electrode 20 (second electrode) is disposed on the other surface side of the substrate 10 so as to face the individual electrode 26a with the liquid material 18 interposed therebetween. Then, by applying a voltage between each individual electrode 26a and the common electrode 22, an electric field is locally applied to a region where the film 22 is to be excluded. The intensity of the electric field to be applied to the region is the same as in the above-described embodiment.

上記工程(図5(D)参照)と並行して、液体材料18を乾燥させることによってこれを固化させる。これにより、電場が与えられた領域は液体材料18が排除されることによって孔24が形成され、電場が与えられていない領域には絶縁性の膜22が形成される(図2(E))。   In parallel with the above process (see FIG. 5D), the liquid material 18 is dried to be solidified. As a result, the hole 24 is formed in the region to which the electric field is applied by eliminating the liquid material 18, and the insulating film 22 is formed in the region to which the electric field is not applied (FIG. 2 (E)). .

以上のように第1の実施形態によれば、液体材料が固化するまでの過程において電場を与えた領域から液体材料を排除することができる。したがって、エネルギー消費量を低減しつつ、膜厚や膜質が均質なパターニング膜を得ることが可能となる。   As described above, according to the first embodiment, the liquid material can be excluded from the region where the electric field is applied in the process until the liquid material is solidified. Therefore, it is possible to obtain a patterning film having a uniform film thickness and film quality while reducing energy consumption.

(第2の実施形態)
上述した第1の実施形態と同様の製造方法を用いて薄膜トランジスタ等の半導体素子を形成することもできる。以下、その場合の実施形態について、半導体素子の一例として薄膜トランジスタを採り上げて説明する。
(Second Embodiment)
A semiconductor element such as a thin film transistor can also be formed using the same manufacturing method as in the first embodiment described above. Hereinafter, an embodiment in that case will be described by taking a thin film transistor as an example of a semiconductor element.

図6は、第2の実施形態にかかる薄膜トランジスタの構造を模式的に説明する平面図である。図6に示すように、本実施形態にかかる薄膜トランジスタは、半導体膜50と、この半導体膜50に接してそれぞれ設けられたソース/ドレイン電極52、54と、半導体膜50上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極56と、を含んで構成されている。また、ソース/ドレイン電極54には、補助配線膜60を介して補助電極58が接続されている。   FIG. 6 is a plan view schematically illustrating the structure of the thin film transistor according to the second embodiment. As shown in FIG. 6, the thin film transistor according to this embodiment includes a semiconductor film 50, source / drain electrodes 52 and 54 provided in contact with the semiconductor film 50, and an insulating film on the semiconductor film 50. And a gate electrode 56 provided. An auxiliary electrode 58 is connected to the source / drain electrode 54 through an auxiliary wiring film 60.

図7〜図9は、上述した薄膜トランジスタの製造方法を説明する工程断面図である。以下、図7〜図9を参照しながら本実施形態にかかる製造方法について詳細に説明する。なお、図7〜図9に示す断面図は、薄膜トランジスタの上記図6に示したVII−VII線断面に対応している。   7 to 9 are process cross-sectional views illustrating the method for manufacturing the thin film transistor described above. Hereinafter, the manufacturing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to FIGS. Note that the cross-sectional views shown in FIGS. 7 to 9 correspond to the cross section taken along the line VII-VII shown in FIG. 6 of the thin film transistor.

まず、基板62上にソース/ドレイン電極52、54を形成する(図7(A))。更に、補助電極58及び補助配線膜60についてもソース/ドレイン電極54と一体に形成される。補助電極14は、後の工程でソース/ドレイン電極54に電圧を加えるために用いられるものである。これらのソース/ドレイン電極52、54、補助配線58及び補助電極60は、例えば、基板62上にスパッタリング法などの成膜法によってアルミニウム膜等の導電膜を形成した後に、当該導電膜をフォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によってパターニングすることによって形成される。   First, source / drain electrodes 52 and 54 are formed on a substrate 62 (FIG. 7A). Further, the auxiliary electrode 58 and the auxiliary wiring film 60 are also formed integrally with the source / drain electrode 54. The auxiliary electrode 14 is used to apply a voltage to the source / drain electrode 54 in a later step. The source / drain electrodes 52 and 54, the auxiliary wiring 58, and the auxiliary electrode 60 are formed by forming a conductive film such as an aluminum film on the substrate 62 by a film forming method such as a sputtering method, and then forming the conductive film by photolithography. It is formed by patterning using a technique and an etching technique.

次に、基板62上に、各ソース/ドレイン電極52、54と接するようにして半導体膜50を形成する(図7(B))。具体的には、半導体膜50は、例えばシリコン元素を含有する液体材料(シクロペンタシラン溶液等)を適量、基板62上に滴下し、固化させることによって形成される。あるいは、半導体膜50は、LPCVD法などの化学気相堆積法によって基板62上に一面の半導体膜を形成し、その後に当該半導体膜をパターニングすることによって形成してもよい。   Next, a semiconductor film 50 is formed on the substrate 62 so as to be in contact with the source / drain electrodes 52 and 54 (FIG. 7B). Specifically, the semiconductor film 50 is formed, for example, by dropping an appropriate amount of a liquid material containing a silicon element (cyclopentasilane solution or the like) onto the substrate 62 and solidifying it. Alternatively, the semiconductor film 50 may be formed by forming a one-sided semiconductor film on the substrate 62 by chemical vapor deposition such as LPCVD, and then patterning the semiconductor film.

次に、基板62上の半導体膜50と電気的に接続される電極端子(後述する)が設けられるべき領域を疎液性にする(図7(C))。本実施形態では、一方のソース/ドレイン電極54を介して半導体膜50と電気的に接続される電極端子が設けられる。よって、液滴吐出装置を用いてソース/ドレイン電極54の上面に液体材料を塗布し、疎液性の皮膜64を形成する。   Next, a region where an electrode terminal (described later) that is electrically connected to the semiconductor film 50 on the substrate 62 is to be provided is made lyophobic (FIG. 7C). In the present embodiment, an electrode terminal that is electrically connected to the semiconductor film 50 via one source / drain electrode 54 is provided. Therefore, a liquid material is applied to the upper surface of the source / drain electrode 54 using a droplet discharge device to form a lyophobic film 64.

次に、基板62上の全体に絶縁膜となるべき液体材料66を塗布する(図7(D))。このような液体材料66としては、例えばPEDOT/PSSが挙げられる。また、液体材料66の塗布方法としては、スピンコート法などが挙げられる。   Next, a liquid material 66 to be an insulating film is applied to the entire surface of the substrate 62 (FIG. 7D). An example of such a liquid material 66 is PEDOT / PSS. Examples of the method for applying the liquid material 66 include a spin coating method.

次に、疎液性にした領域、より具体的には皮膜64が形成された領域に対して局所的に電場を与え(図7(E))、当該領域から液体材料66を排除する。図示のように本実施形態では、補助電極58と、基板62の一方面側に当該基板62と離間して配置される共通電極68と、の間に電圧を印加する。これにより、補助電極58と接続されたソース/ドレイン電極54と共通電極20との相互間、すなわち皮膜64が形成された領域に対して局所的に電場が与えられる。例えば、ソース/ドレイン電極54と共通電極68との相互間距離を数mm程度とし、両者間に30V程度の電圧を加えるとよい。このとき、エレクトロウェッティング現象が生じ、電場が与えられた領域から液体材料66が排除される。   Next, an electric field is locally applied to the lyophobic region, more specifically, the region where the film 64 is formed (FIG. 7E), and the liquid material 66 is excluded from the region. As illustrated, in the present embodiment, a voltage is applied between the auxiliary electrode 58 and the common electrode 68 that is disposed on one surface side of the substrate 62 so as to be separated from the substrate 62. As a result, an electric field is locally applied between the source / drain electrode 54 connected to the auxiliary electrode 58 and the common electrode 20, that is, the region where the film 64 is formed. For example, the distance between the source / drain electrode 54 and the common electrode 68 may be about several millimeters, and a voltage of about 30 V may be applied between them. At this time, an electrowetting phenomenon occurs, and the liquid material 66 is excluded from a region to which an electric field is applied.

上記工程(図7(E)参照)と並行して、液体材料66を乾燥させることによってこれを固化させる。これにより、電場が与えられた領域は液体材料66が排除されることによって孔72が形成され、電場が与えられていない領域には絶縁膜70が形成される(図8(A))。すなわち、エレクトロウェッティング現象を利用することにより、基板62の一方面上を覆いつつ、電極端子を埋設すべき領域に孔72を有するようにパターニングされた絶縁膜70が得られる。この絶縁膜70はゲート絶縁膜としても機能する。   In parallel with the above process (see FIG. 7E), the liquid material 66 is dried to be solidified. Thus, the hole 72 is formed in the region to which the electric field is applied by removing the liquid material 66, and the insulating film 70 is formed in the region to which the electric field is not applied (FIG. 8A). That is, by utilizing the electrowetting phenomenon, the insulating film 70 that is patterned so as to have the hole 72 in the region where the electrode terminal is to be buried is obtained while covering one surface of the substrate 62. This insulating film 70 also functions as a gate insulating film.

次に、絶縁膜70の上側であって半導体膜50の上側の所定位置に、ゲート電極56を形成する(図8(B))。具体的には、絶縁膜70の上面に対して、例えばスパッタリング法などの物理気相堆積法によってタンタル、クロム等の導電膜を形成し、その後、当該導電膜をパターニングすることによってゲート電極56が得られる。なお、ゲート電極56の形成は、材料溶液を滴下する手法(液体プロセス)によって行われてもよい。   Next, the gate electrode 56 is formed at a predetermined position above the insulating film 70 and above the semiconductor film 50 (FIG. 8B). Specifically, a conductive film such as tantalum or chromium is formed on the upper surface of the insulating film 70 by a physical vapor deposition method such as sputtering, and then the conductive film is patterned to form the gate electrode 56. can get. The formation of the gate electrode 56 may be performed by a technique (liquid process) of dropping a material solution.

次に、絶縁膜70上の全体に絶縁膜となるべき液体材料74を塗布する(図8(C))。このような液体材料74としては、例えばPEDOT/PSSが挙げられる。また、液体材料74の塗布方法としては、スピンコート法などが挙げられる。   Next, a liquid material 74 to be an insulating film is applied over the entire insulating film 70 (FIG. 8C). As such a liquid material 74, PEDOT / PSS is mentioned, for example. Examples of the method for applying the liquid material 74 include spin coating.

次に、疎液性にした領域、より具体的には皮膜64が形成された領域に対して局所的に電場を与え(図8(D))、当該領域から液体材料74を排除する。電場の与え方については上述した通りである。このとき、エレクトロウェッティング現象が生じ、電場が与えられた領域から液体材料74が排除される。   Next, an electric field is locally applied to the lyophobic region, more specifically, the region where the film 64 is formed (FIG. 8D), and the liquid material 74 is excluded from the region. The method of applying the electric field is as described above. At this time, an electrowetting phenomenon occurs, and the liquid material 74 is excluded from a region to which an electric field is applied.

上記工程(図8(D)参照)と並行して、液体材料74を乾燥させることによってこれを固化させる。これにより、電場が与えられた領域は液体材料74が排除されることによって孔72が形成され、電場が与えられていない領域には絶縁膜76が形成される(図9(A))   In parallel with the above process (see FIG. 8D), the liquid material 74 is dried to be solidified. Accordingly, the hole 72 is formed in the region to which the electric field is applied by removing the liquid material 74, and the insulating film 76 is formed in the region to which the electric field is not applied (FIG. 9A).

次に、上記工程において液体材料66、74が排除され、孔72が形成された領域に導電体を埋設することにより電極端子78を形成する(図8(B))。具体的には、絶縁膜74の上面に対して、例えばスパッタリング法などの物理気相堆積法によってアルミニウム等の導電膜を形成し、その後、当該導電膜をパターニングすることによって電極端子78が得られる。   Next, in the above process, the liquid materials 66 and 74 are eliminated, and an electrode terminal 78 is formed by embedding a conductor in the region where the hole 72 is formed (FIG. 8B). Specifically, an electrode terminal 78 is obtained by forming a conductive film such as aluminum on the upper surface of the insulating film 74 by a physical vapor deposition method such as a sputtering method, and then patterning the conductive film. .

なお、エレクトロウェッティング現象を生じさせるための電場の与え方については、上述した第1の実施形態と同様に、基板62上に一対の電極を設け、当該一対の電極の相互間に電圧を加えるようにしてもよい。この場合には、例えば図10に示すように、ソース/ドレイン電極54とは別個に電極154を設けておき、当該電極154とソース/ドレイン電極54とを一対の電極として用い、補助電極58及び補助配線膜60を介して電圧を加えるとよい。また、個別電極と共通電極との間に基板62を配置し、両電極間に電圧を印加することによって局所的に電場を与えてもよい。   As for the method of applying the electric field for causing the electrowetting phenomenon, a pair of electrodes is provided on the substrate 62 and a voltage is applied between the pair of electrodes, as in the first embodiment. You may do it. In this case, for example, as shown in FIG. 10, an electrode 154 is provided separately from the source / drain electrode 54, and the auxiliary electrode 58 and the source / drain electrode 54 are used as a pair of electrodes. A voltage may be applied through the auxiliary wiring film 60. Alternatively, the electric field may be applied locally by disposing the substrate 62 between the individual electrode and the common electrode and applying a voltage between the electrodes.

以上のように第2の実施形態によれば、液体材料が固化するまでの過程において電場又は磁場を与えた領域から液体材料を排除することができる。したがって、エネルギー消費量を低減しつつ、絶縁膜の膜厚や膜質が均質な半導体素子を容易に得ることが可能となる。   As described above, according to the second embodiment, the liquid material can be excluded from the region to which the electric field or the magnetic field is applied in the process until the liquid material is solidified. Therefore, it is possible to easily obtain a semiconductor element having a uniform film thickness and film quality while reducing energy consumption.

(第3の実施形態)
図11は、有機EL装置の配線構造の平面模式図である。図11に示す有機EL装置100は、複数の走査線101と、走査線に直交して配置される複数の信号線102と、信号線102に並列に延びる複数の電源線103と、各走査線101と各信号線102との交点付近にそれぞれ設けられる画素部Aと、を含んで構成されている。すなわち、本例の有機EL装置100は、複数の画素部を備え、当該各画素部がマトリクス状に配列されてなるアクティブマトリクス型の表示装置である。上記各実施形態にかかる製造方法は、例えばこのような有機EL装置の製造に適用することができる。
(Third embodiment)
FIG. 11 is a schematic plan view of the wiring structure of the organic EL device. An organic EL device 100 shown in FIG. 11 includes a plurality of scanning lines 101, a plurality of signal lines 102 arranged orthogonal to the scanning lines, a plurality of power supply lines 103 extending in parallel to the signal lines 102, and each scanning line. 101 and a pixel portion A provided in the vicinity of the intersection of each signal line 102. That is, the organic EL device 100 of the present example is an active matrix display device that includes a plurality of pixel units and in which the pixel units are arranged in a matrix. The manufacturing method according to each of the above embodiments can be applied to the manufacture of such an organic EL device, for example.

各走査線101には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路105が接続されている。また、各信号線には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路104が接続されている。各画素部Aには、走査線101を介して走査信号がゲートに供給されるスイッチングトランジスタ112と、このスイッチングトランジスタ112を介して信号線102から供給される画素信号を保持する保持容量111と、この保持容量111によって保持された画素信号がゲートに供給される駆動用トランジスタ113と、この駆動用トランジスタ113を介して電源線103に電気的に接続されたときに当該電源線103から駆動電流が流れ込む画素電極(陰極)と、この画素電極と対向電極(陽極)との間に挟み込まれた機能層110と、が設けられている。これらの画素電極と対向電極と機能層110によって発光素子(有機EL素子)が構成されている。なお、機能層110は正孔輸送層、発光層、電子注入層等からなる。この有機EL装置100では、走査線101が駆動されてスイッチングトランジスタ112がオン状態となると、そのときの信号線102の電位が保持容量111に保持され、この保持容量111の状態に応じて、駆動用トランジスタ113のオン/オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスタ113のチャネルを介して、電源線103から画素電極に電流がながれ、さらに機能層110を介して陽極に電流がながれる。機能層110は、この流れる電流量に応じて発光する。各機能層110の発光状態を制御することにより、所望の画像表示を行うことができる。   Each scanning line 101 is connected to a scanning line driving circuit 105 including a shift register and a level shifter. Each signal line is connected to a data line driving circuit 104 including a shift register, a level shifter, a video line, and an analog switch. Each pixel portion A includes a switching transistor 112 to which a scanning signal is supplied to the gate via the scanning line 101, a holding capacitor 111 for holding a pixel signal supplied from the signal line 102 via the switching transistor 112, A driving transistor 113 to which the pixel signal held by the holding capacitor 111 is supplied to the gate and a driving current from the power source line 103 when electrically connected to the power source line 103 via the driving transistor 113 are supplied. A flowing-in pixel electrode (cathode) and a functional layer 110 sandwiched between the pixel electrode and a counter electrode (anode) are provided. The pixel electrode, the counter electrode, and the functional layer 110 constitute a light emitting element (organic EL element). The functional layer 110 includes a hole transport layer, a light emitting layer, an electron injection layer, and the like. In the organic EL device 100, when the scanning line 101 is driven and the switching transistor 112 is turned on, the potential of the signal line 102 at that time is held in the holding capacitor 111, and the driving is performed according to the state of the holding capacitor 111. The on / off state of the transistor 113 is determined. Then, current flows from the power supply line 103 to the pixel electrode through the channel of the driving transistor 113, and further current flows to the anode through the functional layer 110. The functional layer 110 emits light according to the amount of current that flows. By controlling the light emission state of each functional layer 110, desired image display can be performed.

次に、上述した有機EL装置100を備えた電子機器の具体例について説明する。   Next, a specific example of an electronic apparatus including the organic EL device 100 described above will be described.

図12は、有機EL装置100を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図12(A)は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機1000は、本実施形態にかかる有機EL装置100を用いて構成された表示部1001を備えている。図12(B)は、電子機器の一例である腕時計を示す斜視図である。この腕時計1100は、本実施形態にかかる有機EL装置100を用いて構成された表示部1101を備えている。図12(C)は、電子機器の一例である携帯型情報処理装置1200を示す斜視図である。この携帯型情報処理装置1200は、キーボード等の入力部1201、演算手段や記憶手段などが格納された本体部1202、及び本実施形態にかかる有機EL装置100を用いて構成された表示部1203を備えている。   FIG. 12 is a perspective view showing a specific example of an electronic apparatus provided with the organic EL device 100. FIG. 12A is a perspective view illustrating a mobile phone which is an example of an electronic device. The cellular phone 1000 includes a display unit 1001 configured using the organic EL device 100 according to the present embodiment. FIG. 12B is a perspective view illustrating a wrist watch that is an example of an electronic apparatus. The wristwatch 1100 includes a display unit 1101 configured using the organic EL device 100 according to the present embodiment. FIG. 12C is a perspective view illustrating a portable information processing device 1200 which is an example of an electronic device. The portable information processing device 1200 includes an input unit 1201 such as a keyboard, a main body unit 1202 in which a calculation unit, a storage unit, and the like are stored, and a display unit 1203 configured using the organic EL device 100 according to the present embodiment. I have.

(その他の実施形態)
なお、本発明は上述した各実施形態の内容に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内において種々の変形実施が可能である。例えば、上述した説明ではエレクトロウェッティング現象を発生させるための外力として電場を挙げていたが、外力として磁場を用いることも可能である。また、第2の実施形態においては半導体素子の一例として薄膜トランジスタを挙げていたが、本発明の適用範囲はこれに限定されず、他の種々の半導体素子(例えば、薄膜ダイオード等)も適用範囲に含まれ得る。
(Other embodiments)
In addition, this invention is not limited to the content of each embodiment mentioned above, A various deformation | transformation implementation is possible within the scope of the summary of this invention. For example, in the above description, an electric field is given as an external force for generating an electrowetting phenomenon, but a magnetic field can also be used as an external force. In the second embodiment, a thin film transistor is cited as an example of a semiconductor element. However, the scope of application of the present invention is not limited to this, and other various semiconductor elements (for example, thin film diodes) are also within the scope of application. May be included.

第1の実施形態にかかる配線基板の一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the wiring board concerning 1st Embodiment. 配線基板の製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of a wiring board. 一対の電極を設ける場合について具体的に説明する平面図である。It is a top view which demonstrates concretely about the case where a pair of electrode is provided. 基板上に電極を設けない場合について具体的に説明する平面図である。It is a top view specifically explaining the case where an electrode is not provided on a board | substrate. 基板上に電極を設けない場合における配線基板の製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of a wiring board in the case of not providing an electrode on a board | substrate. 第2の実施形態にかかる薄膜トランジスタの構造を模式的に説明する平面図である。It is a top view which illustrates typically the structure of the thin-film transistor concerning 2nd Embodiment. 薄膜トランジスタの製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of a thin-film transistor. 薄膜トランジスタの製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of a thin-film transistor. 薄膜トランジスタの製造方法を説明する工程断面図である。It is process sectional drawing explaining the manufacturing method of a thin-film transistor. 電界を発生させるための電極の他の構成例を説明する平面図である。It is a top view explaining the other structural example of the electrode for generating an electric field. 有機EL装置の配線構造の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of the wiring structure of an organic EL device. 電子機器の具体例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the specific example of an electronic device.

符号の説明Explanation of symbols

10…基板、12a…コンタクト部、12…配線膜、12b…補助配線膜、14…補助電極、16…皮膜、18…液体材料、20…共通電極、22…膜、24…孔、26a…個別電極、26…電極板、50…半導体膜、52、54…ソース/ドレイン電極、56…ゲート電極、58…補助電極、60…補助配線、62…基板、64…皮膜、66…液体材料、68…共通電極、70…絶縁膜、72…孔、74…液体材料、76…絶縁膜、78…電極端子、112a…電極、112b…補助配線、114…補助電極、154…電極

DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Board | substrate, 12a ... Contact part, 12 ... Wiring film | membrane, 12b ... Auxiliary wiring film | membrane, 14 ... Auxiliary electrode, 16 ... Film | membrane, 18 ... Liquid material, 20 ... Common electrode, 22 ... Film | membrane, 24 ... Hole, 26a ... Individual Electrode, 26 ... Electrode plate, 50 ... Semiconductor film, 52, 54 ... Source / drain electrode, 56 ... Gate electrode, 58 ... Auxiliary electrode, 60 ... Auxiliary wiring, 62 ... Substrate, 64 ... Film, 66 ... Liquid material, 68 ... Common electrode, 70 ... Insulating film, 72 ... Hole, 74 ... Liquid material, 76 ... Insulating film, 78 ... Electrode terminal, 112a ... Electrode, 112b ... Auxiliary wiring, 114 ... Auxiliary electrode, 154 ... Electrode

Claims (10)

基板上に液体材料を塗布し塗布膜を形成する工程と、
第1電極と、前記第1電極と対向する第2電極との間に前記塗布膜を配置する工程と、
前記第1電極と前記第2電極との間に電界を生じさせる工程と、
前記塗布膜から分散媒または溶媒を除去し膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
Applying a liquid material on the substrate to form a coating film;
Disposing the coating film between a first electrode and a second electrode facing the first electrode;
Generating an electric field between the first electrode and the second electrode;
And removing the dispersion medium or solvent from the coating film to form a film.
基板上の一部を液体材料に対して疎液性にし、疎液領域を形成する第1工程と、
前記基板上に前記液体材料を塗布する第2工程と、
前記疎液領域に電場又は磁場を与え、前記疎液領域の少なくとも一部から前記液体材料を除去しつつ、前記疎液領域の少なくとも一部を除く領域に膜を形成する第3工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
A first step of making part of the substrate lyophobic with respect to the liquid material and forming a lyophobic region;
A second step of applying the liquid material on the substrate;
Forming a film in a region excluding at least a part of the lyophobic region while applying an electric field or a magnetic field to the lyophobic region and removing the liquid material from at least a part of the lyophobic region; A method for manufacturing a wiring board, comprising:
請求項2において、
前記第3工程が、前記液体材料から溶媒を除去し溶質を析出させることを含み、前記膜が前記溶質を含む、配線基板の製造方法。
In claim 2,
The method of manufacturing a wiring board, wherein the third step includes removing a solvent from the liquid material to precipitate a solute, and the film includes the solute.
請求項2において、
前記第3工程が、前記液体材料から分散媒を除去し分散質を沈殿させることを含み、前記膜が前記分散質を含む、配線基板の製造方法。
In claim 2,
The method of manufacturing a wiring board, wherein the third step includes removing a dispersion medium from the liquid material to precipitate a dispersoid, and the film includes the dispersoid.
請求項2において、
前記第3工程が、前記液体材料を硬化させ硬化膜を形成することを含み、前記膜が前記硬化膜を含む、配線基板の製造方法。
In claim 2,
The method of manufacturing a wiring board, wherein the third step includes curing the liquid material to form a cured film, and the film includes the cured film.
請求項2ないし5のいずれかにおいて、
前記第1工程に先立ち、少なくとも一部が前記疎液領域と重なる第1の電極を前記基板上に形成する工程を有し、
前記第3工程が、前記第1の電極に対し、前記液体材料を挟んで対向する第2の電極を設置し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることを含む、配線基板の製造方法。
In any of claims 2 to 5,
Prior to the first step, forming a first electrode on the substrate at least partially overlapping the lyophobic region;
In the third step, a second electrode facing the first electrode with the liquid material interposed therebetween is installed, and an electric field is generated between the first electrode and the second electrode. A method for manufacturing a wiring board, comprising:
請求項2ないし5のいずれかにおいて、
前記第1工程に先立ち、少なくとも前記疎液領域の一部を間に挟む第1の電極と第2の電極とを前記基板上に形成する工程と、を有し、
前記第3工程が、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることを含む、配線基板の製造方法。
In any of claims 2 to 5,
Prior to the first step, forming on the substrate a first electrode and a second electrode sandwiching at least a part of the lyophobic region,
The wiring substrate manufacturing method, wherein the third step includes generating an electric field between the first electrode and the second electrode.
請求項2ないし5のいずれかにおいて、
前記第3工程が、少なくとも一部が前記疎液領域と重なる第1の電極と、前記第1の電極に対し、前記液体材料を挟んで対向する第2の電極を設置し、前記第1の電極と前記第2の電極との間に電界を発生させることを含む、配線基板の製造方法。
In any of claims 2 to 5,
In the third step, a first electrode at least partially overlapping the lyophobic region and a second electrode facing the first electrode with the liquid material interposed therebetween are installed, and the first step A method for manufacturing a wiring board, comprising: generating an electric field between an electrode and the second electrode.
請求項1ないし8のいずれかに記載の配線基板の製造方法を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。   A method for manufacturing an electro-optical device, comprising the method for manufacturing a wiring board according to claim 1. 請求項1ないし8のいずれかに記載の配線基板の製造方法を含むことを特徴とする電子機器の製造方法。   A method for manufacturing an electronic device, comprising the method for manufacturing a wiring board according to claim 1.
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