JP2007149575A - Light guide plate and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method for a light guide plate capable of further improving the luminance of emission light in the light guide plate wherein light coming from a light source through an incident part is transmitted in and emitted from an emitting surface. <P>SOLUTION: This light guide plate has a structure in which a plurality of fine structure bodies having tapered convex shapes or tapered concave shapes are formed at least on one of the emitting surface or a surface opposite to the emitting surface. The manufacturing method comprises a selective irradiation process irradiating UV 24 in a state that an UV mask and a resist layer 22 on a substrate 21 are separated only by a distance d (Selection figure (b)). <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、例えば面光源装置や液晶表示用光源パネル等に使用される導光板及びその製造方法に関する。   The present invention relates to a light guide plate used for, for example, a surface light source device, a liquid crystal display light source panel, and the like, and a method for manufacturing the same.

従来から、例えば液晶表示装置においては、液晶表示パネルは自ら発光しないので、外部から光を液晶表示パネルに照射することによって液晶表示画面を見ることができるようにしている。これを実現するためには、例えば、いわゆるライティングパネルと呼ばれる面光源装置をパネルの表示画面と反対側に配置し、この面光源装置から出射された光が液晶表示パネルを通過することによって、表示画面を照明する構成になっている。面光源装置は、外部に配置された、例えば発光ダイオード(LED)の点光源から入射された光を面光源に変換して液晶表示パネルに対し均一に出射するための導光板を備えている。   Conventionally, in a liquid crystal display device, for example, the liquid crystal display panel does not emit light by itself, so that the liquid crystal display screen can be viewed by irradiating the liquid crystal display panel with light from the outside. In order to realize this, for example, a surface light source device called a so-called lighting panel is arranged on the side opposite to the display screen of the panel, and light emitted from the surface light source device passes through the liquid crystal display panel, thereby displaying It is configured to illuminate the screen. The surface light source device includes a light guide plate disposed outside, for example, for converting light incident from a point light source of a light emitting diode (LED) into a surface light source and uniformly emitting it to the liquid crystal display panel.

このような面光源装置においては、導光板に入射された点光源からの光を当該導光板から均一に効率良く出射することが求められている。出射光の輝度を向上させるために、導光板の出射面又は出射面と反対側の面に種々の形状の穴、突起又は溝等を形成することが提案されている。このような導光板の構造は、例えば特許文献1や2に開示されている。
特開平10−253960号公報 特開2001−228338号公報
Such a surface light source device is required to emit light from a point light source incident on a light guide plate uniformly and efficiently from the light guide plate. In order to improve the brightness of the emitted light, it has been proposed to form various shapes of holes, protrusions, grooves or the like on the exit surface of the light guide plate or the surface opposite to the exit surface. Such a structure of the light guide plate is disclosed in Patent Documents 1 and 2, for example.
JP-A-10-253960 JP 2001-228338 A

ところで近年は、携帯情報端末の表示装置等においては高画質化に対する要求が年々高まっており、この要求に応えるために液晶表示装置において回路部と表示部の消費電力が増大しつつある。従って、周辺部品としての面光源装置においては、より低い消費電力で照明光の利用効率を高めることができるとともに、より精細な表示画面を明るく照らすために、出射光の輝度をより高くするニーズがある。   Incidentally, in recent years, demand for higher image quality has been increasing year by year in display devices and the like of portable information terminals, and in order to meet this demand, power consumption of circuit units and display units in liquid crystal display devices is increasing. Therefore, in the surface light source device as a peripheral component, there is a need to increase the luminance of the emitted light in order to increase the use efficiency of the illumination light with lower power consumption and to brightly illuminate a finer display screen. is there.

本発明は以上の事情に鑑みてされたものであり、その目的は、出射光の輝度を一層向上させることが可能な導光板やその製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a light guide plate capable of further improving the luminance of emitted light and a method for manufacturing the same.

課題を解決するための手段及び効果Means and effects for solving the problems

本発明の解決しようとする課題は以上の如くであり、次にこの課題を解決するための手段とその効果を説明する。   The problems to be solved by the present invention are as described above. Next, means for solving the problems and the effects thereof will be described.

本発明の第1の観点によれば、光源から入射部を介して入射された光を内部で伝播させて出射面から出射させる導光板の、以下のような製造方法が提供される。前記導光板は、前記出射面又は前記出射面と反対側の面の少なくとも何れか一方の面に、テーパ凸形状又はテーパ凹形状を有する複数の微細構造体を形成した構成とする。当該製造方法は、光学リソグラフィマスクと基板上のレジスト層との間を離間させた状態で紫外線を照射する選択照射工程を含む。   According to the 1st viewpoint of this invention, the following manufacturing methods of the light-guide plate which propagates the light which injected through the incident part from the light source inside, and radiate | emits it from an output surface are provided. The light guide plate has a configuration in which a plurality of microstructures having a tapered convex shape or a tapered concave shape are formed on at least one of the emitting surface and a surface opposite to the emitting surface. The manufacturing method includes a selective irradiation step of irradiating ultraviolet rays in a state where the optical lithography mask and the resist layer on the substrate are separated from each other.

この構成により、光学リソグラフィマスクを通過した紫外線が斜めにレジスト層に入射することで、当該マスクの紫外線通過可能領域よりも大きな面積の半影感光が可能となり、テーパ形状の微細構造体を導光板に対して容易に形成できる。この結果、光輝度の導光板を低コストで得ることができる。   With this configuration, ultraviolet light that has passed through the optical lithography mask is obliquely incident on the resist layer, so that a half-shade photosensitivity with a larger area than the ultraviolet light transmissive region of the mask can be obtained, and the tapered fine structure is formed on the light guide plate. Can be easily formed. As a result, a light-guiding light guide plate can be obtained at low cost.

本発明の第2の観点によれば、光源から入射部を介して入射された光を内部で伝播させて出射面から出射させる導光板の、以下のような製造方法が提供される。前記導光板は、前記出射面又は前記出射面と反対側の面の少なくとも何れか一方の面に、テーパ凸形状又はテーパ凹形状を有する複数の微細構造体を形成した構成とする。当該製造方法は、光学リソグラフィマスクと基板上のレジスト層との間を離間させた状態で紫外線を照射する選択照射工程と、このレジスト層を現像することによってレジスト構造体を前記基板上に形成する工程と、このレジスト構造体と前記基板を被覆するように金属を電着させることによって金属構造体を形成する工程と、この金属構造体から前記レジスト構造体を除去する工程と、前記金属構造体を型として用いて合成樹脂材料に前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状を形成する工程と、を含む。   According to the 2nd viewpoint of this invention, the following manufacturing methods of the light-guide plate which propagates the light which injected through the incident part from the light source inside, and radiate | emits it from an output surface are provided. The light guide plate has a configuration in which a plurality of microstructures having a tapered convex shape or a tapered concave shape are formed on at least one of the emitting surface and a surface opposite to the emitting surface. In the manufacturing method, a selective irradiation step of irradiating ultraviolet rays in a state where the optical lithography mask and the resist layer on the substrate are separated from each other, and a resist structure is formed on the substrate by developing the resist layer. A step of forming a metal structure by electrodepositing metal so as to cover the resist structure and the substrate, a step of removing the resist structure from the metal structure, and the metal structure Forming the taper convex shape or the taper concave shape on the synthetic resin material by using as a mold.

この構成により、前記選択照射工程で光学リソグラフィマスクを通過した紫外線が斜めにレジスト層に入射することで、当該マスクの紫外線通過可能領域よりも大きな面積の半影感光が可能となり、現像によって、テーパ形状のレジスト構造体を容易に形成できる。そして、このレジスト構造体の形状を金属構造体を介して合成樹脂材料へ転写することで、テーパ形状の微細構造体を導光板に対して容易に形成できる。この結果、光輝度の導光板を安価な製造コストで得られる。   With this configuration, ultraviolet light that has passed through the optical lithography mask in the selective irradiation step is incident on the resist layer obliquely, so that penumbra exposure with a larger area than the ultraviolet light transmissive region of the mask can be performed. A resist structure having a shape can be easily formed. Then, by transferring the shape of the resist structure to the synthetic resin material via the metal structure, a tapered fine structure can be easily formed on the light guide plate. As a result, a light-luminous light guide plate can be obtained at a low manufacturing cost.

前記の導光板の製造方法においては、前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状のテーパ角は65°以上80°以下であることが好ましい。   In the manufacturing method of the said light-guide plate, it is preferable that the taper angle of the said taper convex shape or a taper concave shape is 65 degrees or more and 80 degrees or less.

この構成により、優れた出射光強度が得られ、消費電力の低減と輝度の向上とを両立した導光板とすることができる。   With this configuration, excellent light intensity can be obtained, and a light guide plate that achieves both reduction in power consumption and improvement in luminance can be obtained.

前記の導光板の製造方法においては、前記選択照射工程の後に、前記レジスト層に前記光学リソグラフィマスクを通過させずに紫外線を照射する工程を含むことが好ましい。   Preferably, the light guide plate manufacturing method includes a step of irradiating the resist layer with ultraviolet rays without passing through the optical lithography mask after the selective irradiation step.

この構成により、導光板に形成される前記微細構造体のテーパ形状の制御の自由度を更に高めることができる。   With this configuration, the degree of freedom in controlling the tapered shape of the fine structure formed on the light guide plate can be further increased.

前記の導光板の製造方法においては、前記選択照射工程をドーナツ状の紫外線光源を用いて行うことが好ましい。   In the manufacturing method of the said light-guide plate, it is preferable to perform the said selective irradiation process using a donut-shaped ultraviolet light source.

この構成により、紫外線の回折現象を用いずに半影露光を直接制御できるので、微細構造体のテーパ形状を更に精度良く制御することができる。   With this configuration, the penumbra exposure can be directly controlled without using the ultraviolet diffraction phenomenon, so that the taper shape of the fine structure can be controlled with higher accuracy.

前記の導光板の製造方法においては、前記選択照射工程を、前記紫外線の代わりに青色可視光線、近紫外光線、又は放射光線を用いて行うことができる。あるいは、前記紫外線の代わりにX線を用いるとともに、前記光学リソグラフィマスクの代わりにX線リソグラフィマスクを用いることができる。   In the manufacturing method of the said light-guide plate, the said selective irradiation process can be performed using a blue visible ray, a near-ultraviolet ray, or a radiation ray instead of the said ultraviolet-ray. Alternatively, X-rays can be used instead of the ultraviolet rays, and an X-ray lithography mask can be used instead of the optical lithography mask.

以上のように、前記選択照射工程を紫外線以外の光線(青色可視光線、近紫外光線、放射光線、X線)で行うことも可能であり、また必要に応じて光学リソグラフィーマスク以外のX線リソグラフィーマスクを光源との組み合わせに最適な条件に対応して使用することにより製造条件の最適化を容易にし、安定した導光板の製造方法を提供できる。   As described above, the selective irradiation step can be performed with light rays other than ultraviolet rays (blue visible light, near ultraviolet light, radiation light, X-rays), and X-ray lithography other than the optical lithography mask as necessary. By using the mask in accordance with the optimum conditions for the combination with the light source, the production conditions can be easily optimized, and a stable method for producing the light guide plate can be provided.

前記の導光板の製造方法においては、前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状はほぼ円錐台形状又は円錐状であることが好ましい。   In the manufacturing method of the said light-guide plate, it is preferable that the said taper convex shape or taper concave shape is a truncated cone shape or a cone shape.

この構成により、出射光の均一性に優れる導光板とすることができる。   With this configuration, a light guide plate having excellent uniformity of emitted light can be obtained.

前記の導光板の製造方法においては、前記微細構造体は、前記導光板の入射部からの距離が大きくなるにつれて単位面積あたりの個数が指数関数的に増大するように配置されることが好ましい。   In the light guide plate manufacturing method, the fine structures are preferably arranged such that the number per unit area increases exponentially as the distance from the incident portion of the light guide plate increases.

この構成により、入射部からの距離の大小にかかわらず均一な出射光の得られる導光板を提供できる。   With this configuration, it is possible to provide a light guide plate that can obtain uniform emitted light regardless of the distance from the incident portion.

なお、本発明の他の観点によれば、前記の製造方法で製造された導光板が提供される。   In addition, according to the other viewpoint of this invention, the light-guide plate manufactured with the said manufacturing method is provided.

次に、発明の実施の形態を説明する。図1は本発明の一実施形態に係る導光板を備えるバックライト装置の全体的な構成を示す模式断面図である。   Next, embodiments of the invention will be described. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an overall configuration of a backlight device including a light guide plate according to an embodiment of the present invention.

図1に示すように、図示しない透過型液晶パネルを裏面側から照明するに示す面光源装置としてのバックライト装置(ライティングパネル)11は、光源12と、導光板(導光体)13と、を備えている。この導光板13は例えばポリメチルメタクリレート(PMMA)等の透明材料によって矩形の平板状に形成されており、当該導光板13の一辺に対向するように光源12が配置されている。導光板13の厚み方向一方側の面は光の出射面(発光面)14とされており、この出射面14に多数の微細構造体15が形成されている。この微細構造体15は図1に示すようにテーパ凹形状(更に言えば円錐台形状)に構成されており、その側面はテーパ面16とされている。   As shown in FIG. 1, a backlight device (lighting panel) 11 as a surface light source device shown in FIG. 1 illuminates a transmissive liquid crystal panel (not shown) from the back side includes a light source 12, a light guide plate (light guide) 13, It has. The light guide plate 13 is formed in a rectangular flat plate shape using a transparent material such as polymethyl methacrylate (PMMA), for example, and the light source 12 is disposed so as to face one side of the light guide plate 13. One surface in the thickness direction of the light guide plate 13 is a light emission surface (light emission surface) 14, and a number of microstructures 15 are formed on the emission surface 14. As shown in FIG. 1, this fine structure 15 is formed in a tapered concave shape (more specifically, a truncated cone shape), and its side surface is a tapered surface 16.

この構成で、光源12からの光は、導光板13の備える微細構造体15(正確には、前記テーパ面16)により散乱又は反射されることにより、導光板13の出射面14の全面から出射し、この出射面14に対向配置された液晶表示パネルを裏面側から照明するようになっている。   With this configuration, the light from the light source 12 is emitted from the entire surface of the emission surface 14 of the light guide plate 13 by being scattered or reflected by the fine structure 15 (more precisely, the tapered surface 16) provided in the light guide plate 13. The liquid crystal display panel arranged opposite to the emission surface 14 is illuminated from the back side.

次に、上記の構成の導光板13の製造方法を、図2から図11までを参照して説明する。図2は、導光板の製造工程を順を追って説明する図であって、(a)はレジスト層形成工程、(b)は紫外線の選択照射工程、(c)は紫外線の均一照射工程、(d)は現像工程を示す図である。図3は選択照射工程等で使用する紫外線照射装置を示す模式図、図4はレジストパターン構造体に形成されたテーパ状凹部を示す模式図である。図5は、選択照射工程でUVマスクとレジスト層との距離をゼロから増大させたときの、レジストパターン構造体の凹部の形状の変化を示す図である。図6は、選択照射工程におけるUVマスク−レジスト層間の距離と、レジストパターン構造体の凹部のテーパ角との関係を示すグラフ図である。   Next, a method for manufacturing the light guide plate 13 having the above configuration will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a diagram for explaining the light guide plate manufacturing process step by step, wherein (a) is a resist layer forming step, (b) is a selective irradiation step of ultraviolet rays, (c) is a uniform irradiation step of ultraviolet rays, d) is a diagram showing a development process. FIG. 3 is a schematic view showing an ultraviolet irradiation device used in the selective irradiation step and the like, and FIG. 4 is a schematic view showing a tapered concave portion formed in the resist pattern structure. FIG. 5 is a diagram showing a change in the shape of the concave portion of the resist pattern structure when the distance between the UV mask and the resist layer is increased from zero in the selective irradiation step. FIG. 6 is a graph showing the relationship between the distance between the UV mask and the resist layer in the selective irradiation step and the taper angle of the concave portion of the resist pattern structure.

上記導光板13の製造方法としては、先ず図2(a)に示すように、平坦な基板21を用意し、その上にレジストを均一に塗布して固化させ、レジスト層22とする。上記基板21としては例えばシリコン基板を採用することができる。また、上記レジストとしては紫外線感光型の樹脂を使用し、厚みは数十〜100μmとすれば良い。   As a method for manufacturing the light guide plate 13, first, as shown in FIG. 2A, a flat substrate 21 is prepared, and a resist is uniformly applied thereon and solidified to form a resist layer 22. As the substrate 21, for example, a silicon substrate can be adopted. Further, as the resist, an ultraviolet photosensitive resin is used, and the thickness may be several tens to 100 μm.

レジスト層22の乾燥・固化後、図2(b)に示すように、レジスト層22の上方に光学リソグラフィマスクとしてのUVマスク23を配置する。このUVマスク23は、上記微細構造体15に対応する位置に紫外線24が透過可能な円形パターン25を施したものであり、当該円形パターン25の部分を紫外線24が通過し、それ以外の部分は通過できないように構成されている。この円形パターン25の大きさ(直径)は、数十〜100μm程度とすることが考えられる。このUVマスク23はレジスト層22に対し、適宜の間隔dをあけて配置される。   After the resist layer 22 is dried and solidified, a UV mask 23 as an optical lithography mask is disposed above the resist layer 22 as shown in FIG. This UV mask 23 has a circular pattern 25 through which ultraviolet rays 24 can be transmitted at a position corresponding to the fine structure 15, and the ultraviolet rays 24 pass through the circular pattern 25, and the other portions. It is configured not to pass. The size (diameter) of the circular pattern 25 may be about several tens to 100 μm. The UV mask 23 is arranged with an appropriate interval d with respect to the resist layer 22.

この状態で、図2(b)に示すように図中上方から紫外線24を照射する(選択照射工程)。すると、UVマスク23の円形パターン25の部分を通過した紫外線24はレジスト層22に入射してレジスト層22を感光させるが、前記円形パターン25の縁を通過した紫外線24は、回折現象によってその向きを曲げられ、紫外線通過不能部分の裏側へ回り込むように、レジスト層22に対して斜めに入射する(符号24a)。この結果、前記UVマスク23の円形パターン25の部分の面積よりも大きな面積の半影感光が可能となり(感光部分22a)、円形パターン25の境界部分には、緩やかに増大/減少する感光強度分布が得られる。これにより、レジスト層22の深層部分では円形パターン25の形状にほぼ一致し、レジスト層22の表面に近づくにつれて徐々に領域を拡大させるような、テーパ状の感光部分22a(図中のクロスハッチング部分)を得ることができる。   In this state, as shown in FIG. 2B, the ultraviolet rays 24 are irradiated from above in the drawing (selective irradiation step). Then, the ultraviolet rays 24 that have passed through the circular pattern 25 of the UV mask 23 are incident on the resist layer 22 to sensitize the resist layer 22, but the ultraviolet rays 24 that have passed through the edge of the circular pattern 25 are directed in the direction due to the diffraction phenomenon. Is obliquely incident on the resist layer 22 so as to go around to the back side of the portion through which ultraviolet rays cannot pass (reference numeral 24a). As a result, it is possible to perform half-shadow exposure with a larger area than the area of the circular pattern 25 of the UV mask 23 (photosensitive part 22a), and the light intensity distribution gradually increasing / decreasing at the boundary part of the circular pattern 25. Is obtained. As a result, a tapered photosensitive portion 22a (cross-hatched portion in the figure) is formed so as to substantially match the shape of the circular pattern 25 in the deep layer portion of the resist layer 22 and gradually expand the region as it approaches the surface of the resist layer 22. ) Can be obtained.

次に、図2(c)に示すように、今度はUVマスク23を取り去った状態で、図中上方から紫外線24を照射して、紫外線24を全面的に且つ均一にレジスト層22に対し入射させる(均一照射工程)。すると、レジスト層22の全面が露光されるが、その感光反応の進行には偏りがある。即ち、図2(b)の選択照射工程によって形成された感光部分22aのうちレジスト層22の深層部分の感光の進行は遅いが、感光部分22aの浅層部分や未感光部分の感光の進行は速い。これにより、結局、あたかも上記テーパ状の感光部分22aの当該テーパ角が大きくなるような効果を得ることができる。   Next, as shown in FIG. 2C, this time, with the UV mask 23 removed, the ultraviolet ray 24 is irradiated from above in the figure, and the ultraviolet ray 24 is incident on the resist layer 22 uniformly and entirely. (Uniform irradiation process). Then, the entire surface of the resist layer 22 is exposed, but the progress of the photosensitive reaction is biased. That is, the progress of the light exposure in the deep layer portion of the resist layer 22 in the photosensitive portion 22a formed by the selective irradiation process of FIG. fast. As a result, it is possible to obtain an effect that the taper angle of the tapered photosensitive portion 22a is increased.

なお、図2(b)の選択照射工程及び図2(c)の均一照射工程は、例えば図3に模式的に示す紫外線照射装置によって行うことができる。この紫外線照射装置は、図3に示すように、紫外線光源1aから照射された紫外線24を、2つのミラー2で反射させた上でUVマスク23及びレジスト層22に入射させるように構成している。これにより、点光源の如くほぼ放射状に紫外線24を放射する紫外線光源1aを使用しても、当該光源1aと照射対象としてのレジスト層22との間の実効的距離を可及的に長くすることで、レジスト層22へほぼ平行に紫外線24を入射させ得るように構成している。なお、図2(c)の均一照射工程は、図3の装置から単にUVマスク23を取り外すことで行うことができる。   In addition, the selective irradiation process of FIG.2 (b) and the uniform irradiation process of FIG.2 (c) can be performed with the ultraviolet irradiation apparatus typically shown, for example in FIG. As shown in FIG. 3, this ultraviolet irradiation device is configured so that the ultraviolet rays 24 irradiated from the ultraviolet light source 1 a are reflected by the two mirrors 2 and then enter the UV mask 23 and the resist layer 22. . Thereby, even if the ultraviolet light source 1a that radiates the ultraviolet rays 24 almost radially like a point light source is used, the effective distance between the light source 1a and the resist layer 22 as an irradiation target is made as long as possible. Thus, the ultraviolet rays 24 can be incident on the resist layer 22 almost in parallel. The uniform irradiation process in FIG. 2C can be performed by simply removing the UV mask 23 from the apparatus in FIG.

次に、図2(d)に示すように、レジスト層22を適宜の現像液により現像して、前記感光部分22aを除去する。すると、上記円形パターン25の部分に相当する位置に円錐台形状の凹部26が形成された、レジストパターン構造体(レジスト構造体)28を得ることができる。また、図4は、上記の現像工程後の様子であって、微小形状部(凹部26)の断面図を示している。この凹部26は、導光板13の微細構造体15に対応するものである。   Next, as shown in FIG. 2D, the resist layer 22 is developed with an appropriate developer to remove the photosensitive portion 22a. Then, a resist pattern structure (resist structure) 28 in which a truncated cone-shaped recess 26 is formed at a position corresponding to the circular pattern 25 can be obtained. FIG. 4 is a cross-sectional view of the minute shape portion (recessed portion 26) after the development step. The recess 26 corresponds to the fine structure 15 of the light guide plate 13.

図5は、UVマスク23とレジスト層22との距離(図2(b)に示す距離d)によって前記凹部26のテーパ形状が変化する様子を、断面図及びSEM観察写真で示したものである。なお、この図5では、図2(b)の選択照射工程のみを行い、図2(c)の均一照射工程は省略して現像した結果を示している。   FIG. 5 is a cross-sectional view and a SEM observation photograph showing how the tapered shape of the recess 26 changes depending on the distance between the UV mask 23 and the resist layer 22 (distance d shown in FIG. 2B). . FIG. 5 shows a result of developing by performing only the selective irradiation process of FIG. 2B and omitting the uniform irradiation process of FIG. 2C.

図5(a)には、UVマスク23とレジスト層22とを接触させて紫外線24を選択照射した場合の様子が示され(即ちd=0)、この場合、凹部26の内周面27は20°前後のテーパ角を有することが認められる。なお、テーパ角とは、図4に示す円錐面(テーパ面)同士がなす角度θのことである。凹部26の内底面は、中央より端部の方が若干深く加工されている。UVマスク23とレジスト層22とを100μmだけ離間させた場合(距離d=100μm)が図5(b)に示され、このときは、凹部26の内周面27がなすテーパ角θは40°前後と若干大きくなる。   FIG. 5A shows a state in which the UV mask 23 and the resist layer 22 are brought into contact with each other and the ultraviolet ray 24 is selectively irradiated (that is, d = 0). In this case, the inner peripheral surface 27 of the recess 26 is It can be seen that it has a taper angle of around 20 °. The taper angle is an angle θ formed by conical surfaces (taper surfaces) shown in FIG. The inner bottom surface of the recess 26 is processed slightly deeper at the end than at the center. FIG. 5B shows a case where the UV mask 23 and the resist layer 22 are separated by 100 μm (distance d = 100 μm). At this time, the taper angle θ formed by the inner peripheral surface 27 of the recess 26 is 40 °. Slightly larger before and after.

上記距離dが200μmの場合が図5(c)に示され、このときは、凹部26の内周面27のテーパ角θは60°前後と更に大きくなり、凹部26の断面輪郭も若干の丸みを帯びてくる。更に、上記の距離dが300μmの場合が図5(d)に示され、この場合は内周面27のテーパ角は80°前後と更に増大し、断面輪郭の丸みも強くなる。   The case where the distance d is 200 μm is shown in FIG. 5C. At this time, the taper angle θ of the inner peripheral surface 27 of the recess 26 is further increased to around 60 °, and the cross-sectional contour of the recess 26 is slightly rounded. Come on. Furthermore, the case where the distance d is 300 μm is shown in FIG. 5D. In this case, the taper angle of the inner peripheral surface 27 is further increased to around 80 °, and the roundness of the cross-sectional contour becomes stronger.

図6には、UVマスク23とレジスト層22との間隔dと上記テーパ角θとの関係がグラフで示される。なお、この図6においても、図2(b)の選択照射工程のみを行い、図2(c)の均一照射工程は省略して現像した結果を示している。   FIG. 6 is a graph showing the relationship between the distance d between the UV mask 23 and the resist layer 22 and the taper angle θ. FIG. 6 also shows the result of developing only the selective irradiation process of FIG. 2B and omitting the uniform irradiation process of FIG. 2C.

このグラフで明らかであるように、UVマスク23をレジスト層22から離していくに従って、即ち、前記の距離dを0から増大させてゆくに従って、テーパ角θが増大する傾向が見られた。これは、UVマスク23とレジスト層22との距離を調節することによって、テーパ角θを所望の角度に制御できることを意味する。例えば、導光板13において出射光の強度を最も大きくできる好適なテーパ角は65°〜80°であるので、これに対応してレジストパターン構造体28のテーパ角θを65°〜80°とするには、図6のグラフに従えば、UVマスク23とレジスト層22との距離dは200μm〜300μm程度とするのが好ましいことが判る。   As apparent from this graph, the taper angle θ tends to increase as the UV mask 23 is moved away from the resist layer 22, that is, as the distance d is increased from 0. This means that the taper angle θ can be controlled to a desired angle by adjusting the distance between the UV mask 23 and the resist layer 22. For example, a suitable taper angle that can maximize the intensity of the emitted light in the light guide plate 13 is 65 ° to 80 °, and accordingly, the taper angle θ of the resist pattern structure 28 is set to 65 ° to 80 °. According to the graph of FIG. 6, it can be seen that the distance d between the UV mask 23 and the resist layer 22 is preferably about 200 μm to 300 μm.

なお、図2(b)の選択照射工程は、図3の紫外線照射装置の代わりに、図7や図8に示すような紫外線照射装置によって行うこともできる。図8に示す紫外線照射装置は、図3の点光源としての紫外線光源1aの代わりに、ドーナツ状の紫外線光源1bを備えたものである。この中空のサークライン光源を用いた場合、UVマスク23の円形パターン25に対して最初から斜め方向に紫外線を照射できるので(図7を参照)、紫外線24の回折現象を利用せずとも、半影露光を直接光(直進光)で制御してレジスト層22を露光するができる。   In addition, the selective irradiation process of FIG.2 (b) can also be performed with an ultraviolet irradiation apparatus as shown in FIG.7 and FIG.8 instead of the ultraviolet irradiation apparatus of FIG. The ultraviolet irradiation device shown in FIG. 8 includes a doughnut-shaped ultraviolet light source 1b instead of the ultraviolet light source 1a as the point light source of FIG. When this hollow circular line light source is used, the circular pattern 25 of the UV mask 23 can be irradiated with ultraviolet rays obliquely from the beginning (see FIG. 7). The resist layer 22 can be exposed by controlling the shadow exposure using direct light (straight light).

次に、図9に、図2(c)の均一照射工程を行った場合のレジストパターン構造体28の様子をSEM観察写真で示す。なお図9(a)は、図2(b)の選択照射工程のみを行い、図2(c)の均一照射工程を省略した場合のレジストパターン構造体28のSEM観察写真であり、比較対照として示すものである。このときの前記テーパ角θを測定すると、75°程度であった。   Next, FIG. 9 shows an SEM observation photograph of the state of the resist pattern structure 28 when the uniform irradiation step of FIG. 2C is performed. FIG. 9A is an SEM observation photograph of the resist pattern structure 28 when only the selective irradiation step of FIG. 2B is performed and the uniform irradiation step of FIG. It is shown. The taper angle θ measured at this time was about 75 °.

図9(b)は、図2(c)の均一照射工程で100mJ/cm2の露光量で紫外線露光した場合の様子であり、テーパ角θが図9(a)に比べて増大していることが判る(テーパ角θの測定値は90°程度であった)。また図9(c)は、同様に均一照射工程で250mJ/cm2の露光量で紫外線露光した場合の様子であり、更にテーパ角θが増大していることが判る(テーパ角θの測定値は約100°であった)。 FIG. 9B shows a state in which UV exposure is performed at an exposure amount of 100 mJ / cm 2 in the uniform irradiation step of FIG. 2C, and the taper angle θ is increased as compared with FIG. 9A. (The measured value of the taper angle θ was about 90 °). Further, FIG. 9C shows a state in the case where UV exposure is performed at an exposure amount of 250 mJ / cm 2 in the uniform irradiation process, and it can be seen that the taper angle θ is further increased (measured value of the taper angle θ). Was about 100 °).

また、図10には、均一照射工程におけるレジスト層22の露光量と上記テーパ角θとの関係がグラフで示される。このグラフからも、均一照射工程での露光量を増大させると、テーパ角θを増大させ得ることが判る。   FIG. 10 is a graph showing the relationship between the exposure amount of the resist layer 22 and the taper angle θ in the uniform irradiation step. From this graph, it can be seen that the taper angle θ can be increased by increasing the exposure amount in the uniform irradiation step.

図11は、図2(d)のレジストパターン構造体から金型を形成して導光板を製造する工程を示す図である。即ち、図2(d)で示されるレジストパターン構造体28は、基板21を剥離してそのまま前記導光板13とすることもできるが、電鋳法を使用して導光板13を製造することもできる。この方法が図11に示され、先ず前記レジストパターン構造体28を被覆するように、金属としてのニッケル等を電着させることによって、金属構造体としての金型29を形成する(図11(a))。これにより、金型29には、前記レジストパターン構造体28の凹部26に対応する位置に凸部30が形成される。   FIG. 11 is a diagram illustrating a process of manufacturing a light guide plate by forming a mold from the resist pattern structure of FIG. That is, the resist pattern structure 28 shown in FIG. 2D can be used as it is as the light guide plate 13 by peeling off the substrate 21, but the light guide plate 13 can also be manufactured by electroforming. it can. This method is shown in FIG. 11. First, a metal mold 29 is formed by electrodeposition of nickel or the like as a metal so as to cover the resist pattern structure 28 (FIG. 11A). )). Thereby, a convex portion 30 is formed in the mold 29 at a position corresponding to the concave portion 26 of the resist pattern structure 28.

続いて、前記レジストパターン構造体28を金型29から除去した上で、この金型29を柔らかい透明な合成樹脂シート(合成樹脂材料)に圧接することで、前記凸部30に対応する位置にテーパ凹形状の微細構造体15を形成することができる。上記合成樹脂シートとしては、例えば、屈折率が1.49であるポリメチルメタクリレート(PMMA)を採用することができる。   Subsequently, after removing the resist pattern structure 28 from the mold 29, the mold 29 is pressed against a soft transparent synthetic resin sheet (synthetic resin material) so as to be in a position corresponding to the convex portion 30. The fine structure 15 having a tapered concave shape can be formed. As the synthetic resin sheet, for example, polymethyl methacrylate (PMMA) having a refractive index of 1.49 can be employed.

なお、この微細構造体15のテーパ角及びアスペクト比は、前記レジストパターン構造体28におけるテーパ角(図4の角度θ)及びアスペクト比にそれぞれ一致するのは言うまでもない。こうして、バックライト装置11を構成する導光板13が完成する。   Needless to say, the taper angle and aspect ratio of the fine structure 15 coincide with the taper angle (angle θ in FIG. 4) and aspect ratio of the resist pattern structure 28, respectively. Thus, the light guide plate 13 constituting the backlight device 11 is completed.

この導光板13の出射光の輝度は、前記微細構造体15の径が100μm、60μm、30μmと小さくなるにつれて向上する傾向が認められるが、輝度の均一性等を考慮すると、60μm前後が好ましい。   The brightness of the light emitted from the light guide plate 13 tends to improve as the diameter of the fine structure 15 decreases to 100 μm, 60 μm, and 30 μm. However, in consideration of the uniformity of the brightness, the brightness is preferably around 60 μm.

また、導光板13の出射光の輝度は、微細構造体15の径寸法に対する深さの寸法比率(アスペクト比)が高くなると向上する傾向が認められるが、アスペクト比が高くなりすぎると、輝度は飽和するか、かえって低くなる。従って、アスペクト比は0.3以上1.0以下であることが好ましい。   In addition, the brightness of the light emitted from the light guide plate 13 tends to improve as the depth ratio (aspect ratio) to the diameter of the fine structure 15 increases. However, when the aspect ratio becomes too high, the brightness increases. Saturates or goes lower. Therefore, the aspect ratio is preferably 0.3 or more and 1.0 or less.

以上に示すように、本実施形態の導光板13の製造方法は、UVマスク23と基板21上のレジスト層22との間を距離dだけ離間させた状態で紫外線24を照射する選択照射工程(図2(b))を含む。   As described above, in the method of manufacturing the light guide plate 13 of the present embodiment, the selective irradiation step of irradiating the ultraviolet ray 24 in a state where the distance between the UV mask 23 and the resist layer 22 on the substrate 21 is separated by the distance d ( 2B) is included.

これにより、UVマスク23を通過した紫外線24が斜めにレジスト層22に入射することで、当該UVマスク23の紫外線通過可能領域より大きな面積の半影感光が可能となり、テーパ形状の微細構造体15を容易に形成できる。   As a result, the ultraviolet rays 24 that have passed through the UV mask 23 are obliquely incident on the resist layer 22, thereby making it possible to perform a half-shade photosensitivity with a larger area than the UV-passable region of the UV mask 23, and the tapered fine structure 15. Can be easily formed.

また、本実施形態の導光板13の製造方法は、UVマスク23と基板21上のレジスト層22との間を離間させた状態で紫外線24を照射する前記選択照射工程(図2(b))と、このレジスト層22を現像することによってレジストパターン構造体28を基板21上に形成する工程(図2(d))と、このレジストパターン構造体28を被覆するように金属を電着させることで金型29を形成する工程(図11(a))と、レジストパターン構造体28を除去する工程と、この金型29により合成樹脂シートにテーパ凹形状の微細構造体15を形成する工程(図11(b))と、を含む。   Further, in the method for manufacturing the light guide plate 13 of the present embodiment, the selective irradiation step of irradiating the ultraviolet rays 24 with the UV mask 23 and the resist layer 22 on the substrate 21 being separated (FIG. 2B). And developing the resist layer 22 to form a resist pattern structure 28 on the substrate 21 (FIG. 2D), and electrodepositing a metal so as to cover the resist pattern structure 28 The step of forming the mold 29 (FIG. 11A), the step of removing the resist pattern structure 28, and the step of forming the fine structure 15 having a tapered concave shape on the synthetic resin sheet by the mold 29 ( 11 (b)).

これにより、前記選択照射工程でUVマスク23を通過した紫外線24が斜めにレジスト層22に入射することで、当該UVマスク23の紫外線通過可能領域より大きな面積の半影感光が可能となり、レジストパターン構造体28のテーパ形状の凹部26を容易に実現できる。そして、この凹部26の形状を金型29で転写することで、テーパ形状の微細構造体15を施した導光板13を低コストで得ることができる。   As a result, the ultraviolet ray 24 that has passed through the UV mask 23 in the selective irradiation step is incident on the resist layer 22 obliquely, so that a half-shade exposure of an area larger than the ultraviolet ray passable region of the UV mask 23 becomes possible. The tapered recess 26 of the structure 28 can be easily realized. Then, by transferring the shape of the concave portion 26 with the mold 29, the light guide plate 13 provided with the tapered fine structure 15 can be obtained at low cost.

なお、上記テーパ凹形状の微細構造体15のテーパ角が65°以上80°以下となるように構成することで、優れた出射光強度が得られ、消費電力の低減と輝度の向上とを両立させることができる。   The tapered concave microstructure 15 is configured such that the taper angle is 65 ° or more and 80 ° or less, so that excellent emission light intensity can be obtained, and both reduction in power consumption and improvement in luminance can be achieved. Can be made.

また、前記選択照射工程(図2(b))の後に、レジスト層22に前記UVマスク23を通過させずに紫外線を照射する均一照射工程(図2(c))を行うことで、レジスト層22に形成される凹部26のテーパ角θを大きくすることができ、出射光強度の向上に寄与することができる。   Further, after the selective irradiation step (FIG. 2B), the resist layer 22 is subjected to a uniform irradiation step (FIG. 2C) in which ultraviolet rays are irradiated without passing through the UV mask 23, whereby a resist layer is obtained. The taper angle θ of the concave portion 26 formed in 22 can be increased, which can contribute to the improvement of the emitted light intensity.

また、前記選択照射工程(図2(b))は、図7や図8に示すドーナツ状の紫外線光源1bを用いて行うこともでき、この方法では回折現象を用いずに半影露光を直接制御できるので、前記テーパ角θ等を精度良く制御することができる。   The selective irradiation step (FIG. 2B) can also be performed using the doughnut-shaped ultraviolet light source 1b shown in FIGS. 7 and 8. In this method, half shadow exposure is directly performed without using a diffraction phenomenon. Since it can be controlled, the taper angle θ and the like can be controlled with high accuracy.

また、図1に示すように、前記微細構造体15のテーパ凹形状は円錐台形状に構成されているので、出射光の均一性に優れる導光板13とすることができる。   Moreover, as shown in FIG. 1, since the tapered concave shape of the fine structure 15 is formed in a truncated cone shape, the light guide plate 13 having excellent uniformity of emitted light can be obtained.

次に、図12から図14までを参照して、前記導光板13の導光パターンとしてのドット配置パターンを説明する。図12は導光板の導光パターン単位において微細構造体の配置パターンを概念的に説明する図、図13は導光パターンの微細構造体の配置パターンの全体概念図、図14はモアレ防止のための微細構造体の配置パターンを説明する図である。   Next, a dot arrangement pattern as a light guide pattern of the light guide plate 13 will be described with reference to FIGS. 12 is a diagram for conceptually explaining the arrangement pattern of the fine structure in the light guide pattern unit of the light guide plate, FIG. 13 is an overall conceptual diagram of the arrangement pattern of the fine structure of the light guide pattern, and FIG. 14 is for preventing moire. It is a figure explaining the arrangement pattern of the microstructure.

図12(a)に示すように、この導光パターン18は矩形状に構成されており、その矩形領域の四隅のうち図中左下の隅(入射部)を介して、点光源としてのLEDからの光が45°の方向ないし対角線方向に入射される。   As shown in FIG. 12A, the light guide pattern 18 is formed in a rectangular shape, and from the LED as a point light source through the lower left corner (incident part) of the four corners of the rectangular region. Is incident in a 45 ° direction or a diagonal direction.

この導光パターン18においては、上述したように、導光板13の出射面に、円錐台形状の凹形状に形成された微細構造体15(ドット)が多数個配置されている。   In this light guide pattern 18, as described above, a large number of fine structures 15 (dots) formed in a truncated conical concave shape are arranged on the exit surface of the light guide plate 13.

図12(a)で丸付数字の1〜5で示される領域の具体的なドットパターン例が図12(b)にそれぞれ対応して示される。図12(a)及び図12(b)に示すように、導光パターン18のうち入射部の近傍領域(丸付数字4の領域)では、微細構造体15の配置密度が最も小さい。導光パターン18の中央領域(丸付数字3の領域)では、微細構造体15の配置密度がやや大きくなり、入射部から最も離れた隅の領域(丸付数字1の領域)では、微細構造体15の配置密度が最も大きくなる。上記以外の2つの隅の領域(丸付数字2及び5の領域)では、微細構造体15の配置密度は上記の中央領域よりもやや大きい。   Specific dot pattern examples of the regions indicated by the circled numbers 1 to 5 in FIG. 12A are shown corresponding to FIG. 12B, respectively. As shown in FIGS. 12A and 12B, the arrangement density of the fine structures 15 is the smallest in the vicinity of the incident portion (the region indicated by the circled number 4) in the light guide pattern 18. In the central region of the light guide pattern 18 (the region with the circled number 3), the arrangement density of the fine structures 15 is slightly increased, and in the corner region (the region with the circled number 1) farthest from the incident portion, the fine structure is formed. The arrangement density of the bodies 15 is the largest. In the other two corner areas (areas with circled numbers 2 and 5), the arrangement density of the fine structures 15 is slightly larger than that in the central area.

以上に示すように、導光パターン18において微細構造体15は、その四隅のうちの一つに構成された入射部からの距離が増大するに従って、その配置密度が疎の状態から密の状態に徐々に変化するように、多数配置されている。   As described above, the fine structure 15 in the light guide pattern 18 is changed from a sparse state to a dense state as the distance from the incident part formed at one of the four corners increases. Many are arranged so as to change gradually.

具体的には、微細構造体15は、前記導光板13の入射部からの距離が大きくなるにつれて、単位面積あたりの個数が所定の指数関数に従って増大するように配置されている。これにより、出射面から出射される光の強度を、導光パターン18の領域全体にわたって均一にすることができる。この微細構造体15の配置の様子は、図13に示す全体正面図によっても理解することができる。なお、図13における矢印Lは入射光の方向を示す。   Specifically, the fine structures 15 are arranged such that the number per unit area increases according to a predetermined exponential function as the distance from the incident portion of the light guide plate 13 increases. Thereby, the intensity of light emitted from the emission surface can be made uniform over the entire region of the light guide pattern 18. The state of the arrangement of the fine structures 15 can also be understood from the overall front view shown in FIG. Note that an arrow L in FIG. 13 indicates the direction of incident light.

また、図14(a)に例示するように微細構造体15を規則的に配置することに代えて、図14(b)に示すように微細構造体15をやや不規則的(ランダム)に配置することもできる。なお、導光板13の出射光の輝度の均一性やモアレ防止の観点からは、上記のように微細構造体15をランダムに配置することが好ましい。勿論、上記のランダム配置は、図12を参照して説明した微細構造体15の密度の疎密の変化傾向を実質的に維持しつつ行うことが好ましい。   Further, instead of regularly arranging the fine structures 15 as illustrated in FIG. 14A, the fine structures 15 are arranged somewhat irregularly (randomly) as shown in FIG. 14B. You can also In addition, it is preferable to arrange | position the fine structure 15 at random as mentioned above from a viewpoint of the uniformity of the brightness | luminance of the emitted light of the light-guide plate 13, and a moire prevention. Of course, it is preferable that the random arrangement is performed while substantially maintaining the density change tendency of the fine structure 15 described with reference to FIG.

次に、本実施形態の導光板13を備えた面光源装置の一例としてのライティングパネル(液晶表示用光源パネル)の概略構成を、図15の分解斜視図を参照して説明する。   Next, a schematic configuration of a lighting panel (liquid crystal display light source panel) as an example of a surface light source device including the light guide plate 13 of the present embodiment will be described with reference to an exploded perspective view of FIG.

図15においてライティングパネル100は、反射フィルム5と、前記導光板13と、拡散フィルム7と、レンズフィルム3・4とを順に積層して構成されている。導光板13の側部には、点光源としての上記LED(発光ダイオード)6が配置され、このLED6から光が導光板13に入射される。図15の例では3つのLED6が導光板13の一辺側に並べて配置されているが、LED6の数及び配置はこれに限定されるものではなく、前述の導光パターン18の上記入射部に対応するようにLED6を設ければ良い。   In FIG. 15, the lighting panel 100 is configured by sequentially stacking a reflective film 5, the light guide plate 13, a diffusion film 7, and lens films 3 and 4. The LED (light emitting diode) 6 as a point light source is disposed on the side of the light guide plate 13, and light enters the light guide plate 13 from the LED 6. In the example of FIG. 15, three LEDs 6 are arranged side by side on the one side of the light guide plate 13, but the number and arrangement of the LEDs 6 are not limited to this, and correspond to the incident portion of the light guide pattern 18 described above. LED6 should just be provided so that it may do.

この構成で、LED6から導光板13に入射された光は、導光板13の前記導光パターンの内部で伝播することで面光源に変換され、導光板13の出射面(図15では、上面)から前記拡散フィルム7に向かって出射する。なお、前記反射フィルム5は、導光板13の出射面と反対側に漏れ出る光を上記の出射方向に反射させて、導光板13の内部に集めるためのものである。   With this configuration, light incident on the light guide plate 13 from the LED 6 is converted into a surface light source by propagating inside the light guide pattern of the light guide plate 13, and is emitted from the light guide plate 13 (upper surface in FIG. 15). To the diffusion film 7. The reflective film 5 is for reflecting the light leaking to the side opposite to the exit surface of the light guide plate 13 in the exit direction and collecting it in the light guide plate 13.

上記のように導光板13から出射した光は、光制御部材としての拡散フィルム7を通過することによって進行方向が拡散される。そして更に、所謂プリズムシートと称される、光制御部材としての前記レンズフィルム3・4を通過することによって、液晶表示画面の視野角内に集中し、輝度をより高めた光が液晶表示画面を照射する。   The light emitted from the light guide plate 13 as described above is diffused in the traveling direction by passing through the diffusion film 7 as a light control member. Further, by passing through the lens films 3 and 4 as light control members, which are called so-called prism sheets, the light concentrated in the viewing angle of the liquid crystal display screen and the light with higher luminance is displayed on the liquid crystal display screen. Irradiate.

次に、前記レジストパターン構造体28を実際に製造した実施例を説明する。前記基板21としては4インチのシリコン基板を用い、この基板21は、アセトン、イソプロピルアルコール、純水の順で洗浄し、ホットプレートで乾燥させた。次に、この基板21上にスピンコーターにてOAP(ヘキサメチルジシラザン)を塗布後、120℃で5分間ベークした。OAP(ヘキサメチルジシラザン)のスピンコートは、10秒間で回転数500rpmまで上昇させ、そのまま10秒間500rpmを保持し、その後10秒間で停止させるようにした。   Next, an embodiment in which the resist pattern structure 28 is actually manufactured will be described. As the substrate 21, a 4-inch silicon substrate was used. The substrate 21 was washed with acetone, isopropyl alcohol, and pure water in this order, and dried on a hot plate. Next, OAP (hexamethyldisilazane) was applied onto the substrate 21 with a spin coater and then baked at 120 ° C. for 5 minutes. In the spin coating of OAP (hexamethyldisilazane), the rotation speed was increased to 500 rpm in 10 seconds, and maintained at 500 rpm for 10 seconds, and then stopped in 10 seconds.

次に、クラリアント社製のポジレジストAZ−P4903を2回に分けて基板21上にスピンコーターで塗布し、レジスト層22を形成した。1回目のスピンコートの条件は、、15秒間で回転数500rpmまで上昇させ、そのまま15秒間500rpmを保持し、その後15秒間かけて4500rpmまで上昇させ、そのまま40秒間4500rpmを保持し、その後15秒間で停止させるようにした。この1回目の塗布後、110℃で7分間ベークした。   Next, positive resist AZ-P4903 manufactured by Clariant was applied in two steps on the substrate 21 with a spin coater to form a resist layer 22. The conditions for the first spin coating were as follows: the rotation speed was increased to 500 rpm in 15 seconds, held at 500 rpm for 15 seconds, then increased to 4500 rpm over 15 seconds, maintained at 4500 rpm for 40 seconds, and then for 15 seconds. I stopped it. After the first application, baking was performed at 110 ° C. for 7 minutes.

2回目のスピンコートは、15秒間で回転数500rpmまで上昇させ、そのまま15秒間500rpmを保持し、その後15秒間かけて1200rpmまで上昇させ、そのまま40秒間1200rpmを保持し、その後15秒間で停止させるようにした。この2回目の塗布後、110℃で11分間ベークした。この結果、層厚が30μm程度のレジスト層22が基板21上に形成された。   In the second spin coating, the rotation speed is increased to 500 rpm in 15 seconds, held at 500 rpm for 15 seconds, then increased to 1200 rpm over 15 seconds, held at 1200 rpm for 40 seconds, and then stopped for 15 seconds. I made it. After the second application, the film was baked at 110 ° C. for 11 minutes. As a result, a resist layer 22 having a layer thickness of about 30 μm was formed on the substrate 21.

そして、上記レジスト層22から300μm浮かせた位置にUVマスク23としてのガラスマスクを設置した(d=300μm)。このガラスマスクは、φ=30μmの円形パターン25が多数描画されたものを用いた。そして、紫外線露光装置を用いて露光を行った(図2(b)の選択照射工程)。このときの露光量は550mJ/cm2であった。なお、図2(c)の均一照射工程は省略した。 And the glass mask as the UV mask 23 was installed in the position which floated 300 micrometers from the said resist layer 22 (d = 300 micrometers). The glass mask used was one in which a large number of circular patterns 25 having a diameter of φ = 30 μm were drawn. And it exposed using the ultraviolet exposure apparatus (selective irradiation process of FIG.2 (b)). The exposure amount at this time was 550 mJ / cm 2 . Note that the uniform irradiation step in FIG.

次に、現像液(クラリアント社製のAZ400Kデベロッパー1に対し、純水4の割合で希釈したもの)を容器に入れ、適宜マグネットスターラで撹拌しながら、前記基板21及びレジスト層22を50分間浸漬した。この結果、レジスト層22の前記円形パターン25の位置にテーパ角θ=70°付近の円錐状の凹部が形成され、レジストパターン構造体28を作成することができた。   Next, a developer (diluted with a ratio of pure water 4 with respect to AZ400K developer 1 manufactured by Clariant) is put in a container, and the substrate 21 and the resist layer 22 are immersed for 50 minutes while stirring with a magnetic stirrer as appropriate. did. As a result, a conical recess having a taper angle of about θ = 70 ° was formed at the position of the circular pattern 25 in the resist layer 22, and the resist pattern structure 28 could be created.

以上に本発明の好適な実施形態を説明したが、上記は一例であって、例えば以下のように変更することができる。   Although the preferred embodiment of the present invention has been described above, the above is an example, and can be modified as follows, for example.

微細構造体15は、出射面14だけに形成する代わりに、出射面14と反対側にだけ形成したり、両面に形成するように構成することができる。また、微細構造体15は、テーパ凹形状に形成することに代えて、テーパ凸形状に形成することができる。なお、図16は、円錐台形状のテーパ凸形状とした微細構造体を多数配置した例の写真を、(a)〜(c)と倍率をそれぞれ異ならせて示したものである。また、テーパ凹形状及びテーパ凸形状は、円錐台形状のみならず、例えば円錐状に形成することができる。   The fine structure 15 can be formed only on the opposite side of the emission surface 14 or on both sides, instead of being formed only on the emission surface 14. Further, the fine structure 15 can be formed in a tapered convex shape instead of being formed in a tapered concave shape. FIG. 16 shows photographs of an example in which a large number of fine structures having a truncated cone shape having a truncated cone shape are arranged with different magnifications from (a) to (c). The tapered concave shape and the tapered convex shape can be formed not only in a truncated cone shape but also in a conical shape, for example.

図2(b)の選択照射工程又は図2(c)の均一照射工程でレジスト層22の最深層まで露光させて、現像によって基板21の表面を露出させたレジストパターン構造体28を形成するように変更することができる。この場合でも、図11を参照して説明した電鋳による導光板13の製造を問題なく行うことができる。   The resist pattern structure 28 in which the deepest layer of the resist layer 22 is exposed in the selective irradiation step of FIG. 2B or the uniform irradiation step of FIG. 2C and the surface of the substrate 21 is exposed by development is formed. Can be changed. Even in this case, it is possible to manufacture the light guide plate 13 by electroforming described with reference to FIG. 11 without any problem.

前記図2(b)の選択照射工程や図2(c)の均一照射工程を、紫外線24の代わりに、他の光(青色可視光線、近紫外光線、放射光線、X線)を用いて行うように変更することができる。この場合、UVマスク23の代わりに、光の種類に応じて適切な光学リソグラフィマスクを用いる。X線を用いる場合は、前記UVマスク23の代わりにX線リソグラフィマスクを用いれば良い。   The selective irradiation process of FIG. 2B and the uniform irradiation process of FIG. 2C are performed using other light (blue visible light, near ultraviolet light, radiation light, X-ray) instead of the ultraviolet light 24. Can be changed as follows. In this case, instead of the UV mask 23, an appropriate optical lithography mask is used according to the type of light. When using X-rays, an X-ray lithography mask may be used instead of the UV mask 23.

本発明の一実施形態に係る導光板を備えるバックライト装置の全体的な構成を示す模式断面図。1 is a schematic cross-sectional view illustrating an overall configuration of a backlight device including a light guide plate according to an embodiment of the present invention. 導光板の製造工程を順を追って説明する図であって、(a)はレジスト層形成工程、(b)は紫外線の選択照射工程、(c)は紫外線の均一照射工程、(d)は現像工程を示す図。It is a figure explaining the manufacturing process of a light-guide plate later on, (a) is a resist layer formation process, (b) is a selective irradiation process of ultraviolet rays, (c) is a uniform irradiation process of ultraviolet rays, (d) is development The figure which shows a process. 選択照射工程等で使用する紫外線照射装置を示す模式図。The schematic diagram which shows the ultraviolet irradiation device used in a selective irradiation process etc. FIG. レジストパターン構造体に形成されたテーパ状凹部を示す模式図。The schematic diagram which shows the taper-shaped recessed part formed in the resist pattern structure. 選択照射工程でUVマスクとレジスト層との距離をゼロから増大させたときの、レジストパターン構造体の凹部の形状の変化を示す図。The figure which shows the change of the shape of the recessed part of a resist pattern structure when the distance of UV mask and a resist layer is increased from zero by the selective irradiation process. 選択照射工程におけるUVマスク−レジスト層間の距離と、レジストパターン構造体の凹部のテーパ角との関係を示すグラフ図。The graph which shows the relationship between the distance between UV mask-resist layers in a selective irradiation process, and the taper angle of the recessed part of a resist pattern structure. 選択照射工程でドーナツ状の紫外線光源を用いる例を示す模式図。The schematic diagram which shows the example which uses a donut-shaped ultraviolet light source in a selective irradiation process. 図7の例で使用される紫外線照射装置を示す模式図。The schematic diagram which shows the ultraviolet irradiation device used in the example of FIG. 均一照射工程の紫外線露光量によってレジストパターン構造体の凹部の形状が変化する様子を示す図。The figure which shows a mode that the shape of the recessed part of a resist pattern structure changes with the ultraviolet-ray exposure amount of a uniform irradiation process. 均一照射工程の紫外線露光量とレジストパターン構造体の凹部のテーパ角との関係を示すグラフ図。The graph which shows the relationship between the ultraviolet-ray exposure amount of a uniform irradiation process, and the taper angle of the recessed part of a resist pattern structure. 図2(d)のレジストパターン構造体から金型を形成して導光板を製造する工程を示す図。The figure which shows the process of forming a metal mold | die from the resist pattern structure of FIG.2 (d), and manufacturing a light-guide plate. 導光板の導光パターン単位において微細構造体の配置パターンを概念的に説明する図。The figure which illustrates notionally the arrangement pattern of a fine structure in the light guide pattern unit of a light guide plate. 導光パターンの微細構造体の配置パターンの全体概念図。The whole conceptual diagram of the arrangement pattern of the fine structure of a light guide pattern. モアレ防止のための微細構造体の配置パターンを説明する図。The figure explaining the arrangement pattern of the fine structure for a moire prevention. 導光板を用いる面光源装置としてのライティングパネルの概略構成を示す分解斜視図。The disassembled perspective view which shows schematic structure of the lighting panel as a surface light source device using a light-guide plate. 微細構造体をテーパ凸形状とした場合の拡大写真を示す図。The figure which shows the enlarged photograph at the time of making a microstructure into a taper convex shape.

符号の説明Explanation of symbols

1a 紫外線光源
1b ドーナツ状の紫外線光源
2 ミラー
3・4 レンズフィルム
5 反射フィルム
6 LED(発光ダイオード)
7 拡散フィルム
11 バックライト装置
12 光源
13 導光板(導光体)
14 出射面(発光面)
15 微細構造体
16 テーパ面
18 導光パターン
21 基板
22 レジスト層
22a 感光部分
23 UVマスク
24 紫外線
24a 回折した紫外線
25 円形パターン
26 凹部
27 内周面
28 レジストパターン構造体
29 金型
30 凸部
100 ライティングパネル
θ テーパ角
d レジスト層とUVマスクとの距離
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a Ultraviolet light source 1b Donut-shaped ultraviolet light source 2 Mirror 3 * 4 Lens film 5 Reflective film 6 LED (light emitting diode)
7 Diffusion film 11 Backlight device 12 Light source 13 Light guide plate (light guide)
14 Outgoing surface (light emitting surface)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Fine structure 16 Tapered surface 18 Light guide pattern 21 Substrate 22 Resist layer 22a Photosensitive part 23 UV mask 24 Ultraviolet light 24a Diffracted ultraviolet ray 25 Circular pattern 26 Concave part 27 Inner peripheral surface 28 Resist pattern structure 29 Mold 30 Protruding part 100 Lighting Panel θ Taper angle d Distance between resist layer and UV mask

Claims (10)

光源から入射部を介して入射された光を内部で伝播させて出射面から出射させる導光板の製造方法において、
前記導光板は、前記出射面又は前記出射面と反対側の面の少なくとも何れか一方の面に、テーパ凸形状又はテーパ凹形状を有する複数の微細構造体を形成した構成とし、
当該製造方法は、光学リソグラフィマスクと基板上のレジスト層との間を離間させた状態で紫外線を照射する選択照射工程を含むことを特徴とする導光板の製造方法。
In the manufacturing method of the light guide plate that propagates the light incident from the light source through the incident part and emits the light from the exit surface,
The light guide plate has a configuration in which a plurality of microstructures having a tapered convex shape or a tapered concave shape are formed on at least one of the outgoing surface or a surface opposite to the outgoing surface,
The manufacturing method includes a selective irradiation step of irradiating ultraviolet rays in a state where the optical lithography mask and the resist layer on the substrate are separated from each other.
光源から入射部を介して入射された光を内部で伝播させて出射面から出射させる導光板の製造方法において、
前記導光板は、前記出射面又は前記出射面と反対側の面の少なくとも何れか一方の面に、テーパ凸形状又はテーパ凹形状を有する複数の微細構造体を形成した構成とし、
当該製造方法は、
光学リソグラフィマスクと基板上のレジスト層との間を離間させた状態で紫外線を照射する選択照射工程と、
このレジスト層を現像することによってレジスト構造体を前記基板上に形成する工程と、
このレジスト構造体と前記基板を被覆するように金属を電着させることによって金属構造体を形成する工程と、
この金属構造体から前記レジスト構造体を除去する工程と、
前記金属構造体を型として用いて合成樹脂材料に前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状を形成する工程と、
を含むことを特徴とする、導光板の製造方法。
In the manufacturing method of the light guide plate that propagates the light incident from the light source through the incident part and emits the light from the exit surface,
The light guide plate has a configuration in which a plurality of microstructures having a tapered convex shape or a tapered concave shape are formed on at least one of the outgoing surface or a surface opposite to the outgoing surface,
The manufacturing method is
A selective irradiation step of irradiating ultraviolet rays in a state where the optical lithography mask and the resist layer on the substrate are separated from each other;
Forming a resist structure on the substrate by developing the resist layer;
Forming a metal structure by electrodepositing metal so as to cover the resist structure and the substrate;
Removing the resist structure from the metal structure;
Forming the tapered convex shape or the tapered concave shape in the synthetic resin material using the metal structure as a mold;
The manufacturing method of the light-guide plate characterized by including.
請求項1又は2に記載の導光板の製造方法であって、前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状のテーパ角は65°以上80°以下であることを特徴とする導光板の製造方法。   3. The method for manufacturing a light guide plate according to claim 1, wherein a taper angle of the tapered convex shape or the tapered concave shape is 65 ° or more and 80 ° or less. 4. 請求項1から3までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記選択照射工程の後に、前記レジスト層に前記光学リソグラフィマスクを通過させずに紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする導光板の製造方法。   It is a manufacturing method of the light-guide plate as described in any one of Claim 1-3, Comprising: The process of irradiating an ultraviolet-ray without passing the said optical lithography mask to the said resist layer after the said selective irradiation process is included. A method of manufacturing a light guide plate characterized by the above. 請求項1から4までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記選択照射工程をドーナツ状の紫外線光源を用いて行うことを特徴とする導光板の製造方法。   The method for manufacturing a light guide plate according to any one of claims 1 to 4, wherein the selective irradiation step is performed using a donut-shaped ultraviolet light source. 請求項1から5までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記選択照射工程を、前記紫外線の代わりに青色可視光線、近紫外光線、又は放射光線を用いて行うことを特徴とする導光板の製造方法。   It is a manufacturing method of the light-guide plate as described in any one of Claim 1-5, Comprising: The said selective irradiation process is performed using a blue visible ray, a near-ultraviolet ray, or a radiation ray instead of the said ultraviolet-ray. A method of manufacturing a light guide plate characterized by the above. 請求項1から5までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記選択照射工程を、前記紫外線の代わりにX線を用いるとともに、前記光学リソグラフィマスクの代わりにX線リソグラフィマスクを用いて行うことを特徴とする導光板の製造方法。   6. The method of manufacturing a light guide plate according to claim 1, wherein the selective irradiation step uses X-rays instead of the ultraviolet rays and X-ray lithography instead of the optical lithography mask. A method of manufacturing a light guide plate, characterized by performing using a mask. 請求項1から7までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記テーパ凸形状又はテーパ凹形状はほぼ円錐台形状又は円錐状であることを特徴とする導光板の製造方法。   The method for manufacturing a light guide plate according to any one of claims 1 to 7, wherein the tapered convex shape or the tapered concave shape is substantially a truncated cone shape or a conical shape. Method. 請求項1から8までの何れか一項に記載の導光板の製造方法であって、前記微細構造体は、前記導光板の入射部からの距離が大きくなるにつれて単位面積あたりの個数が指数関数的に増大するように配置されることを特徴とする導光板の製造方法。   9. The method for manufacturing a light guide plate according to claim 1, wherein the number of the fine structures per unit area increases as the distance from the incident portion of the light guide plate increases. A method of manufacturing a light guide plate, wherein the light guide plate is arranged so as to increase. 請求項1から9までの何れか一項に記載の製造方法で製造された導光板。   A light guide plate manufactured by the manufacturing method according to claim 1.
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