JP2007143261A - Inverter and method of driving same, and light emitting apparatus and liquid crystal television using same - Google Patents

Inverter and method of driving same, and light emitting apparatus and liquid crystal television using same Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To flexibly set timing of a switching operation in an inverter. <P>SOLUTION: An H-bridge circuit is controlled based on a triangular waveform signal Vosc and an error voltage Verr. A first high-side transistor MH1 and a second low-side transistor ML2 are turned on for a first period until the triangular waveform signal reaches the error voltage. The first high-side transistor MH1 is turned on for a second period until the triangular waveform signal reaches a peak edge. A second high-side transistor MH2 is turned on for a third period until the triangular waveform signal reaches a bottom edge. A first low-side transistor ML1 and the second high-side transistor MH2 are turned on for a fourth period until the triangular waveform signal reaches the error voltage again. The second high-side transistor MH2 is turned on for a fifth period until the triangular waveform signal reaches the peak edge again. The first high-side transistor MH1 is turned on for a sixth period until the triangular waveform signal reaches the bottom edge again. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、蛍光ランプなどに駆動電圧を供給するインバータに関し、特にインバータの駆動方式に関する。   The present invention relates to an inverter that supplies a drive voltage to a fluorescent lamp or the like, and more particularly, to an inverter drive system.

近年、ブラウン管テレビに代えて、薄型、大型化が可能な液晶テレビの普及が進んでいる。液晶テレビは、映像が表示される液晶パネルの背面に、冷陰極蛍光ランプ(Cold Cathode Fluorescent Lamp、以下CCFLという)や、外部電極蛍光ランプ(External Electrode Fluorescent Lamp、以下、EEFLという)を複数本配置し、バックライトとして発光させている。   In recent years, instead of cathode-ray tube televisions, liquid crystal televisions that can be made thin and large have become popular. A liquid crystal television has a plurality of cold cathode fluorescent lamps (hereinafter referred to as CCFL) and external electrode fluorescent lamps (hereinafter referred to as EEFL) arranged on the back of a liquid crystal panel on which images are displayed. The light is emitted as a backlight.

CCFLやEEFLの駆動には、たとえば12V程度の直流電圧を昇圧して交流電圧として出力するインバータ(DC/ACコンバータ)が用いられる。インバータは、CCFLに流れる電流を電圧に変換して制御回路に帰還し、この帰還された電圧にもとづいてスイッチング素子のオンオフを制御している。たとえば、特許文献1には、こうしたインバータによるCCFLの駆動技術が開示される。   For driving CCFL and EEFL, an inverter (DC / AC converter) that boosts a DC voltage of about 12 V and outputs it as an AC voltage, for example, is used. The inverter converts the current flowing through the CCFL into a voltage and feeds it back to the control circuit, and controls on / off of the switching element based on the fed back voltage. For example, Patent Literature 1 discloses a CCFL driving technique using such an inverter.

特開2003−323994号公報JP 2003-323994 A

インバータによって昇圧された交流電圧を生成するためには、トランスの1次側コイルに間欠的にスイッチング電圧を与え、エネルギを蓄える必要がある。トランスの1次側コイルにスイッチング電圧を与えるために、4つのスイッチングトランジスタを、Hブリッジ回路あるいはフルブリッジ回路と呼ばれる構成に配置し、1次側コイルの両端にスイッチング電圧を与える手法がとられる場合がある。   In order to generate the alternating voltage boosted by the inverter, it is necessary to intermittently apply a switching voltage to the primary coil of the transformer to store energy. In order to apply a switching voltage to the primary coil of the transformer, a method is adopted in which four switching transistors are arranged in a configuration called an H-bridge circuit or a full-bridge circuit and the switching voltage is applied to both ends of the primary coil. There is.

こうしたHブリッジ回路を用いてスイッチング電圧を生成する場合、各スイッチングトランジスタのオンオフのタイミングは、インバータの効率に大きな影響を及ぼす。また、Hブリッジ回路を構成するスイッチングトランジスタのうち、入力電圧と接地間に直列に接続された1対のトランジスタが、同時にオンすると貫通電流が流れてしまうため、デッドタイムを設けてスイッチング制御を行う必要がある。   When a switching voltage is generated using such an H-bridge circuit, the on / off timing of each switching transistor greatly affects the efficiency of the inverter. Further, among the switching transistors constituting the H-bridge circuit, when a pair of transistors connected in series between the input voltage and the ground are simultaneously turned on, a through current flows, so that switching control is performed with dead time. There is a need.

本発明はこうした課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、Hブリッジ回路を用いたインバータのスイッチングトランジスタのオンオフのタイミングを、柔軟に設定可能なインバータの提供にある。   The present invention has been made in view of these problems, and an object thereof is to provide an inverter that can flexibly set the ON / OFF timing of the switching transistor of the inverter using the H-bridge circuit.

本発明のある態様のインバータは、トランスと、一端が入力電圧の印加される入力端子に接続され、他端がトランスの1次側コイルの第1端子に接続された第1ハイサイドトランジスタと、一端が電位の固定された電位固定端子に接続され、他端が1次側コイルの第1端子に接続された第1ローサイドトランジスタと、一端が入力端子に接続され、他端が1次側コイルの第2端子に接続された第2ハイサイドトランジスタと、一端が電位固定端子に接続され、他端が1次側コイルの第2端子に接続された第2ローサイドトランジスタと、トランスの2次側コイルの電流を電圧に変換し、検出電圧として出力する電流電圧変換部と、三角波信号を生成する三角波信号生成部と、検出電圧と所定の基準電圧との誤差に応じた誤差電圧を出力する誤差増幅器と、誤差増幅器から出力される誤差電圧および三角波信号生成部により生成される三角波信号にもとづき、第1、第2ハイサイドトランジスタおよび第1、第2ローサイドトランジスタのオンオフを制御する論理制御部と、を備える。論理制御部は、三角波信号がボトムエッジから誤差電圧に達するまでの第1期間に、第1ハイサイドトランジスタおよび第2ローサイドトランジスタをオンし、次に三角波信号がピークエッジに達するまでの第2期間に、第1ハイサイドトランジスタをオンし、次に三角波信号がボトムエッジに達するまでの第3期間に、第2ハイサイドトランジスタをオンし、次に三角波信号が再度誤差電圧に達するまでの第4期間に、第1ローサイドトランジスタおよび第2ハイサイドトランジスタをオンし、次に三角波信号が再度ピークエッジに達するまでの第5期間に、第2ハイサイドトランジスタをオンし、次に三角波信号が再度ボトムエッジに達するまでの第6期間に、第1ハイサイドトランジスタをオンする。   An inverter according to an aspect of the present invention includes a transformer, a first high-side transistor having one end connected to an input terminal to which an input voltage is applied, and the other end connected to a first terminal of a primary coil of the transformer, A first low-side transistor having one end connected to a fixed potential terminal having a fixed potential and the other end connected to the first terminal of the primary side coil; one end connected to the input terminal; the other end connected to the primary side coil A second high-side transistor connected to the second terminal, a second low-side transistor having one end connected to the potential fixing terminal and the other end connected to the second terminal of the primary coil, and the secondary side of the transformer A current-voltage converter that converts the coil current into a voltage and outputs it as a detection voltage, a triangular wave signal generator that generates a triangular wave signal, and an error that outputs an error voltage corresponding to the error between the detected voltage and a predetermined reference voltage An amplifier, and a logic control unit for controlling on / off of the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors based on the error voltage output from the error amplifier and the triangular wave signal generated by the triangular wave signal generating unit; . The logic control unit turns on the first high-side transistor and the second low-side transistor in the first period until the triangular wave signal reaches the error voltage from the bottom edge, and then the second period until the triangular wave signal reaches the peak edge. In the third period until the first high-side transistor is turned on and then the triangular wave signal reaches the bottom edge, the second high-side transistor is turned on, and the fourth time until the triangular wave signal reaches the error voltage again. In the period, the first low-side transistor and the second high-side transistor are turned on, and then the second high-side transistor is turned on in the fifth period until the triangular wave signal reaches the peak edge again. In the sixth period until reaching the edge, the first high-side transistor is turned on.

この態様では、Hブリッジ回路を構成する第1、第2ハイサイドトランジスタおよび第1、第2ローサイドトランジスタを、トランスの2次側コイルに流れる電流をモニタし、三角波信号と比較することにより駆動する。その結果、三角波信号の形状を調節することにより、各トランジスタのオンオフのタイミングを調節することができる。   In this aspect, the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors constituting the H-bridge circuit are driven by monitoring the current flowing in the secondary coil of the transformer and comparing it with the triangular wave signal. . As a result, the on / off timing of each transistor can be adjusted by adjusting the shape of the triangular wave signal.

論理制御部は、第5期間において、三角波信号が誤差電圧に達してから、所定の第1オフ時間が経過するまでの期間、第1ハイサイドトランジスタをオフし、第1オフ時間経過後に、第1ハイサイドトランジスタをオンしてもよい。   The logic control unit turns off the first high-side transistor during a period from when the triangular wave signal reaches the error voltage until a predetermined first off time elapses in the fifth period, and after the first off time elapses, One high side transistor may be turned on.

第5期間に第1ハイサイドトランジスタをオフし続けると、電流が第1ハイサイドトランジスタのボディダイオード(寄生ダイオード)に流れるため、順方向電圧Vf分の電圧降下が発生し、電力損失が大きくなる。そこで、第5期間において、所定の第1オフ時間が経過した後に、第1ハイサイドトランジスタをオンすることにより、ボディダイオードに流れていた電流を、第1ハイサイドトランジスタに流すことにより電力損失を低減することができる。また、第1オフ時間を適切に設定することにより、第1ハイサイドトランジスタと第1ローサイドトランジスタが同時にオンして貫通電流が流れるのを防止することができる。   If the first high-side transistor is kept off during the fifth period, the current flows through the body diode (parasitic diode) of the first high-side transistor, so that a voltage drop corresponding to the forward voltage Vf occurs, resulting in a large power loss. . Therefore, in the fifth period, after a predetermined first off-time has elapsed, the first high-side transistor is turned on, so that the current flowing through the body diode flows through the first high-side transistor, thereby reducing the power loss. Can be reduced. In addition, by appropriately setting the first off time, it is possible to prevent the through current from flowing due to the first high-side transistor and the first low-side transistor being simultaneously turned on.

論理制御部は、第2期間において、三角波信号が誤差電圧に達してから、所定の第2オフ時間が経過するまでの期間、第2ハイサイドトランジスタをオフし、第2オフ時間経過後に、第2ハイサイドトランジスタをオンしてもよい。   The logic control unit turns off the second high-side transistor during a period from when the triangular wave signal reaches the error voltage until a predetermined second off time elapses in the second period, and after the second off time elapses, 2 The high-side transistor may be turned on.

第2期間においても、第2ハイサイドトランジスタをオフし続けると、ボディダイオードに電流が流れて電力損失が大きくなる。そこで、所定の第2オフ時間が経過した後に、第2ハイサイドトランジスタをオンに切り換えることにより、電力損失を低減することができる。また、第2オフ時間を適切に設定することにより、第2ハイサイドトランジスタと第2ローサイドトランジスタが同時にオンして貫通電流が流れるのを防止することができる。   Even in the second period, if the second high-side transistor is kept off, a current flows through the body diode and power loss increases. Therefore, power loss can be reduced by switching on the second high-side transistor after a predetermined second off time has elapsed. In addition, by appropriately setting the second off time, it is possible to prevent the through current from flowing due to the second high side transistor and the second low side transistor being simultaneously turned on.

三角波信号のボトムエッジからピークエッジまでの遷移時間を、ピークエッジからボトムエッジまでの遷移時間の2倍から100倍の範囲に、より好ましくは5倍から15倍の範囲に設定してもよい。この場合、1次側コイルの通電時間および非通電時間に対する、デッドタイムの割合を好適に設定することができる。   The transition time from the bottom edge to the peak edge of the triangular wave signal may be set in the range of 2 to 100 times, more preferably in the range of 5 to 15 times the transition time from the peak edge to the bottom edge. In this case, the ratio of the dead time to the energization time and the non-energization time of the primary coil can be suitably set.

論理制御部は、ピークエッジとボトムエッジを反転して、第1、第2ハイサイドトランジスタおよび第1、第2ローサイドトランジスタのオンオフを制御してもよい。また、第1、第2ハイサイドトランジスタ、第1、第2ローサイドトランジスタをMOSFETで構成してもよい。   The logic control unit may invert the peak edge and the bottom edge to control on / off of the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors. Further, the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors may be constituted by MOSFETs.

三角波信号生成部と、誤差増幅器と、論理制御部と、を1つの半導体基板上に一体集積化してもよい。「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。これらの回路素子を1つのLSIとして集積化することにより、回路面積を削減することができる。   The triangular wave signal generation unit, the error amplifier, and the logic control unit may be integrated on a single semiconductor substrate. “Integrated integration” includes the case where all of the circuit components are formed on a semiconductor substrate and the case where the main components of the circuit are integrated. A resistor, a capacitor, or the like may be provided outside the semiconductor substrate. By integrating these circuit elements as one LSI, the circuit area can be reduced.

本発明の別の態様は、発光装置である。この発光装置は、蛍光ランプと、蛍光ランプに駆動電圧を供給する上述のインバータと、を備える。インバータは2つであって、蛍光ランプの両端にそれぞれ設けられ、互いに逆相となる駆動電圧を供給してもよい。また、蛍光ランプは、冷陰極管蛍光ランプであってもよく、外部電極蛍光ランプであってもよい。   Another embodiment of the present invention is a light-emitting device. The light emitting device includes a fluorescent lamp and the above-described inverter that supplies a driving voltage to the fluorescent lamp. Two inverters may be provided at both ends of the fluorescent lamp, and drive voltages having opposite phases may be supplied. The fluorescent lamp may be a cold cathode fluorescent lamp or an external electrode fluorescent lamp.

この態様によると、インバータの効率とともに、蛍光ランプの発光効率を調節することができるため、装置全体の効率を改善することができる。   According to this aspect, since the luminous efficiency of the fluorescent lamp can be adjusted together with the efficiency of the inverter, the efficiency of the entire apparatus can be improved.

本発明のさらに別の態様は、液晶テレビである。この液晶テレビは、液晶パネルと、液晶パネルの背面に配置される複数の上述の発光装置と、を備える。   Yet another embodiment of the present invention is a liquid crystal television. This liquid crystal television includes a liquid crystal panel and a plurality of the above-described light emitting devices disposed on the back surface of the liquid crystal panel.

なお、以上の構成要素の任意の組合せや、本発明の構成要素や表現を、方法、装置、システムなどの間で相互に置換したものもまた、本発明の態様として有効である。   It should be noted that any combination of the above-described constituent elements, or those obtained by replacing constituent elements and expressions of the present invention with each other among methods, apparatuses, systems, etc. are also effective as an aspect of the present invention.

本発明に係るインバータによれば、Hブリッジ回路を用いたインバータのスイッチングトランジスタのオンオフのタイミングを、柔軟に設定することができる。   According to the inverter of the present invention, the on / off timing of the switching transistor of the inverter using the H bridge circuit can be set flexibly.

図1は、本発明の実施の形態に係る発光装置200の構成を示す回路図である。図2は、図1の発光装置200が搭載される液晶テレビ300の構成を示すブロック図である。液晶テレビ300は、アンテナ310と接続される。アンテナ310は、放送波を受信して受信部304に受信信号を出力する。受信部304は、受信信号を検波、増幅して、信号処理部306へと出力する。信号処理部306は、変調されたデータを復調して得られる画像データを液晶ドライバ308に出力する。液晶ドライバ308は、画像データを走査線ごとに液晶パネル302へと出力し、映像、画像を表示する。液晶パネル302の背面には、バックライトとして複数の発光装置200が配置されている。本実施の形態に係る発光装置200は、このような液晶パネル302のバックライトとして好適に用いることができる。以下、図1に戻り、発光装置200の構成および動作について詳細に説明する。   FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a light emitting device 200 according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram showing a configuration of a liquid crystal television 300 on which the light emitting device 200 of FIG. 1 is mounted. The liquid crystal television 300 is connected to the antenna 310. The antenna 310 receives a broadcast wave and outputs a reception signal to the reception unit 304. The receiving unit 304 detects and amplifies the received signal and outputs it to the signal processing unit 306. The signal processing unit 306 outputs image data obtained by demodulating the modulated data to the liquid crystal driver 308. The liquid crystal driver 308 outputs image data to the liquid crystal panel 302 for each scanning line, and displays video and images. On the back surface of the liquid crystal panel 302, a plurality of light emitting devices 200 are arranged as a backlight. The light emitting device 200 according to this embodiment can be suitably used as a backlight of such a liquid crystal panel 302. Hereinafter, returning to FIG. 1, the configuration and operation of the light emitting device 200 will be described in detail.

本実施の形態に係る発光装置200は、EEFL210、第1インバータ100a、第2インバータ100bを含む。EEFL210は、液晶パネル302の背面に配置される。第1インバータ100a、第2インバータ100bは、DC/ACコンバータであり、直流電源から出力される入力電圧Vinを交流電圧に変換して昇圧し、EEFL210の第1端子212、第2端子214に、それぞれ、第1駆動電圧Vdrv1、第2駆動電圧Vdrv2を供給する。第1駆動電圧Vdrv1、第2駆動電圧Vdrv2は、互いに逆相となる交流電圧である。   The light emitting device 200 according to the present embodiment includes an EEFL 210, a first inverter 100a, and a second inverter 100b. The EEFL 210 is disposed on the back surface of the liquid crystal panel 302. The first inverter 100a and the second inverter 100b are DC / AC converters, which convert an input voltage Vin output from a DC power source into an AC voltage and boost the voltage to the first terminal 212 and the second terminal 214 of the EEFL 210. The first drive voltage Vdrv1 and the second drive voltage Vdrv2 are supplied, respectively. The first drive voltage Vdrv1 and the second drive voltage Vdrv2 are alternating voltages that have opposite phases.

図1において、EEFL210は1つ示されているが、複数を並列に配置してもよい。以下、本実施の形態に係る第1インバータ100a、第2インバータ100bの構成について説明する。第1インバータ100a、第2インバータ100bは同様の構成となっているため、以下では、両者を区別せずに、インバータ100と総称して説明を行う。   Although one EEFL 210 is shown in FIG. 1, a plurality of EEFLs 210 may be arranged in parallel. Hereinafter, the configuration of the first inverter 100a and the second inverter 100b according to the present embodiment will be described. Since the first inverter 100a and the second inverter 100b have the same configuration, the following description will be made generically as the inverter 100 without distinguishing both.

インバータ100は、Hブリッジ回路10、トランス12、電流電圧変換部14、制御回路20、キャパシタC10を含む。   The inverter 100 includes an H bridge circuit 10, a transformer 12, a current-voltage conversion unit 14, a control circuit 20, and a capacitor C10.

Hブリッジ回路10は、第1ハイサイドトランジスタMH1、第1ローサイドトランジスタML1、第2ハイサイドトランジスタMH2、第2ローサイドトランジスタML2の4つのパワートランジスタを含む。   The H bridge circuit 10 includes four power transistors: a first high side transistor MH1, a first low side transistor ML1, a second high side transistor MH2, and a second low side transistor ML2.

第1ハイサイドトランジスタMH1は、一端が、入力電圧の印加される入力端子102に接続され、他端が、トランス12の1次側コイル12aの第1端子に接続される。第1ローサイドトランジスタML1は、一端が、電位の固定された接地端子に接続され、他端が1次側コイル12aの第1端子に接続される。第2ハイサイドトランジスタMH2は、一端が、入力端子102に接続され、他端が、直流阻止用のキャパシタC10を介して1次側コイルの第2端子に接続される。第2ローサイドトランジスタML2は、一端が、接地端子に接続され、他端が、直流阻止用のキャパシタC10を介して1次側コイル12aの第2端子に接続される。   One end of the first high-side transistor MH1 is connected to the input terminal 102 to which the input voltage is applied, and the other end is connected to the first terminal of the primary side coil 12a of the transformer 12. The first low-side transistor ML1 has one end connected to a ground terminal having a fixed potential and the other end connected to the first terminal of the primary coil 12a. The second high-side transistor MH2 has one end connected to the input terminal 102 and the other end connected to the second terminal of the primary coil via the DC blocking capacitor C10. The second low-side transistor ML2 has one end connected to the ground terminal and the other end connected to the second terminal of the primary coil 12a via the DC blocking capacitor C10.

電流電圧変換部14は、トランス12の2次側コイル12bと接地間に設けられる。電流電圧変換部14は、2次側コイル12bに流れる電流、すなわちEEFL210に流れる電流を電圧に変換し、検出電圧Vdet’として出力する。電流電圧変換部14は、整流回路16、フィルタ18を含む。   The current-voltage converter 14 is provided between the secondary coil 12b of the transformer 12 and the ground. The current-voltage conversion unit 14 converts the current flowing through the secondary coil 12b, that is, the current flowing through the EEFL 210, into a voltage and outputs it as a detection voltage Vdet '. The current-voltage conversion unit 14 includes a rectifier circuit 16 and a filter 18.

整流回路16は、第1ダイオードD1、第2ダイオードD2、抵抗R1を含む。第1ダイオードD1はアノードが接地され、カソードが2次側コイル12bの一端に接続されている。第2ダイオードD2のアノードは、第1ダイオードD1のカソードと接続される。抵抗R1は、第2ダイオードD2のカソードと接地間に設けられる。2次側コイル12bに流れる交流の電流は、第1ダイオードD1、第2ダイオードD2によって半波整流され、抵抗R1に流れる。抵抗R1には、2次側コイル12bに流れる電流に比例した電圧降下が発生する。整流回路16は、抵抗R1で発生した電圧降下を、検出電圧Vdetとして出力する。   The rectifier circuit 16 includes a first diode D1, a second diode D2, and a resistor R1. The first diode D1 has an anode grounded and a cathode connected to one end of the secondary coil 12b. The anode of the second diode D2 is connected to the cathode of the first diode D1. The resistor R1 is provided between the cathode of the second diode D2 and the ground. The alternating current flowing through the secondary coil 12b is half-wave rectified by the first diode D1 and the second diode D2, and flows through the resistor R1. A voltage drop proportional to the current flowing through the secondary coil 12b occurs in the resistor R1. The rectifier circuit 16 outputs the voltage drop generated at the resistor R1 as the detection voltage Vdet.

フィルタ18は、抵抗R2、キャパシタC1を含むローパスフィルタである。フィルタ18は、検出電圧Vdetの高周波成分を除去した検出電圧Vdet’を、制御回路20に帰還する。   The filter 18 is a low-pass filter including a resistor R2 and a capacitor C1. The filter 18 feeds back the detection voltage Vdet ′ from which the high-frequency component of the detection voltage Vdet has been removed to the control circuit 20.

制御回路20は、帰還された検出電圧Vdet’にもとづき、Hブリッジ回路10の第1ハイサイドトランジスタMH1、第1ローサイドトランジスタML1、第2ハイサイドトランジスタMH2、第2ローサイドトランジスタML2のオンオフを制御する。Hブリッジ回路10の制御によって、トランス12の1次側コイル12aに、スイッチング電圧が供給される。その結果、トランス12でエネルギ変換が行われ、2次側コイル12bに接続されたEEFL210には、第1駆動電圧Vdrv1が供給される。   The control circuit 20 controls on / off of the first high-side transistor MH1, the first low-side transistor ML1, the second high-side transistor MH2, and the second low-side transistor ML2 of the H bridge circuit 10 based on the feedback detection voltage Vdet ′. . A switching voltage is supplied to the primary coil 12 a of the transformer 12 by the control of the H-bridge circuit 10. As a result, energy conversion is performed by the transformer 12, and the first drive voltage Vdrv1 is supplied to the EEFL 210 connected to the secondary coil 12b.

以下、制御回路20の構成について説明する。図3は、本実施の形態に係る制御回路20の構成を示す回路図である。制御回路20は、誤差増幅器22、PWMコンパレータ24、三角波信号生成部30、論理制御部40を含み、1つの半導体基板上に一体集積化された機能ICである。   Hereinafter, the configuration of the control circuit 20 will be described. FIG. 3 is a circuit diagram showing a configuration of the control circuit 20 according to the present embodiment. The control circuit 20 includes an error amplifier 22, a PWM comparator 24, a triangular wave signal generation unit 30, and a logic control unit 40, and is a functional IC integrated on a single semiconductor substrate.

誤差増幅器22の非反転入力端子には、電流電圧変換部14から帰還された検出電圧Vdet’が入力され、反転入力端子には、所定の基準電圧Vrefが入力される。基準電圧Vrefは、EEFL210の発光輝度に応じて決定される。誤差増幅器22は、検出電圧Vdet’と、基準電圧Vrefとの誤差に応じた誤差電圧Verrを出力する。   The detection voltage Vdet ′ fed back from the current / voltage converter 14 is input to the non-inverting input terminal of the error amplifier 22, and a predetermined reference voltage Vref is input to the inverting input terminal. The reference voltage Vref is determined according to the light emission luminance of the EEFL 210. The error amplifier 22 outputs an error voltage Verr corresponding to an error between the detection voltage Vdet 'and the reference voltage Vref.

三角波信号生成部30は所定の周波数の三角波状の三角波信号Voscを生成する。図4は、三角波信号生成部30の構成例を示す回路図である。三角波信号生成部30は、第1コンパレータ32、第2コンパレータ34、RSフリップフロップ36、第1定電流源38a、第2定電流源38b、キャパシタC2を含む。   The triangular wave signal generator 30 generates a triangular wave signal Vosc having a predetermined frequency. FIG. 4 is a circuit diagram illustrating a configuration example of the triangular wave signal generation unit 30. The triangular wave signal generation unit 30 includes a first comparator 32, a second comparator 34, an RS flip-flop 36, a first constant current source 38a, a second constant current source 38b, and a capacitor C2.

この三角波信号生成部30は、一般的な構成であるので、構成および動作については簡単に説明するにとどめる。第1定電流源38aは、一端が接地されたキャパシタC2を充電するための電流源であり、第2定電流源38bは、キャパシタC2を放電するための電流源である。キャパシタC2に現れる電圧が、三角波信号Voscとして出力される。   Since the triangular wave signal generation unit 30 has a general configuration, only the configuration and operation will be briefly described. The first constant current source 38a is a current source for charging the capacitor C2 whose one end is grounded, and the second constant current source 38b is a current source for discharging the capacitor C2. The voltage appearing on the capacitor C2 is output as the triangular wave signal Vosc.

第1コンパレータ32は、三角波信号Voscの電位を、出力すべき三角波信号のピーク値を設定する最大電圧Vmaxと比較する。第1コンパレータ32は、Vosc>Vmaxとなるとハイレベルを出力する。また、第2コンパレータ34は、三角波信号Voscの電位を、出力すべき三角波信号のボトム値を設定する最小電圧Vminと比較する。第2コンパレータ34は、Vosc<Vminとなるとハイレベルを出力する。   The first comparator 32 compares the potential of the triangular wave signal Vosc with the maximum voltage Vmax that sets the peak value of the triangular wave signal to be output. The first comparator 32 outputs a high level when Vosc> Vmax. The second comparator 34 compares the potential of the triangular wave signal Vosc with the minimum voltage Vmin that sets the bottom value of the triangular wave signal to be output. The second comparator 34 outputs a high level when Vosc <Vmin.

第1コンパレータ32、第2コンパレータ34の出力信号は、それぞれRSフリップフロップ36のセット端子、リセット端子に入力される。RSフリップフロップ36の出力信号Vqは、第1定電流源38aに出力され、反転出力信号*Vqは、第2定電流源38bへと出力される。第1定電流源38aは、出力信号Vqがハイレベルのときオンし、定電流Ic1によりキャパシタC2を充電する。また、第2定電流源38bは、反転出力信号*Vqがハイレベルのときにオンし、定電流Ic2によりキャパシタC2を放電する。   The output signals of the first comparator 32 and the second comparator 34 are input to the set terminal and the reset terminal of the RS flip-flop 36, respectively. The output signal Vq of the RS flip-flop 36 is output to the first constant current source 38a, and the inverted output signal * Vq is output to the second constant current source 38b. The first constant current source 38a is turned on when the output signal Vq is at a high level, and charges the capacitor C2 with the constant current Ic1. The second constant current source 38b is turned on when the inverted output signal * Vq is at a high level, and discharges the capacitor C2 with the constant current Ic2.

以上のように構成された三角波信号生成部30からは、ピーク電圧がVmax、ボトム電圧がVminに設定された三角波信号Voscが出力される。また、RSフリップフロップ36の出力信号Vqが、周期信号として論理制御部40へと出力される。なお、三角波信号生成部30は、ヒステリシスコンパレータを用いて構成してもよい。   The triangular wave signal generator 30 configured as described above outputs a triangular wave signal Vosc having a peak voltage set to Vmax and a bottom voltage set to Vmin. Further, the output signal Vq of the RS flip-flop 36 is output to the logic control unit 40 as a periodic signal. The triangular wave signal generation unit 30 may be configured using a hysteresis comparator.

図3に戻る。PWMコンパレータ24は、誤差増幅器22から出力される誤差電圧Verrと、三角波信号生成部30から出力される三角波信号Voscと、を比較し、Verr<Voscのときハイレベル、Verr>Voscのときローレベルとなるパルス幅変調信号(以下、PWM信号という)Vpwmを生成する。このPWM信号Vpwmは、三角波信号Vosc、周期信号Vqとともに、論理制御部40に入力される。   Returning to FIG. The PWM comparator 24 compares the error voltage Verr output from the error amplifier 22 with the triangular wave signal Vosc output from the triangular wave signal generator 30, and is high when Verr <Vosc and low when Verr> Vosc. A pulse width modulation signal (hereinafter referred to as PWM signal) Vpwm is generated. The PWM signal Vpwm is input to the logic control unit 40 together with the triangular wave signal Vosc and the periodic signal Vq.

論理制御部40は、PWM信号Vpwm、三角波信号Vosc、周期信号Vqにもとづき、Hブリッジ回路10の第1ハイサイドトランジスタMH1、第1ローサイドトランジスタML1、第2ハイサイドトランジスタMH2、第2ローサイドトランジスタML2のオンオフを制御する。以下、論理制御部40について説明する。   The logic control unit 40 is based on the PWM signal Vpwm, the triangular wave signal Vosc, and the periodic signal Vq. Controls on / off. Hereinafter, the logic control unit 40 will be described.

論理制御部40は、三角波信号生成部30から出力される三角波信号Voscの2周期を1サイクルとしてHブリッジ回路10を制御する。より具体的には、三角波信号Voscの2周期を、第1から第6の6つの期間に分割し、スイッチング制御を行う。図5(a)〜(h)は、インバータ100の動作状態を示すタイムチャートである。図5(a)は、誤差電圧Verrおよび三角波信号Voscを、同図(b)は、PWM信号Vpwmを、同図(c)は、周期信号Vqを、同図(d)〜(g)はそれぞれ、第1ハイサイドトランジスタMH1、第2ハイサイドトランジスタMH2、第1ローサイドトランジスタML1、第2ローサイドトランジスタML2の状態を、同図(h)は、トランス12の1次側コイル12aの第1端子の電位Vswを示す。同図(d)〜(g)において、ハイレベルがトランジスタがオンの状態を、ローレベルがトランジスタがオフの状態を示す。また、同図において、縦軸および横軸は説明を簡潔にするために適宜拡大、縮小されている。   The logic control unit 40 controls the H bridge circuit 10 with two cycles of the triangular wave signal Vosc output from the triangular wave signal generation unit 30 as one cycle. More specifically, the two cycles of the triangular wave signal Vosc are divided into six first to sixth periods to perform switching control. 5A to 5H are time charts showing the operating state of the inverter 100. FIG. 5A shows the error voltage Verr and the triangular wave signal Vosc, FIG. 5B shows the PWM signal Vpwm, FIG. 5C shows the periodic signal Vq, and FIGS. The state of the first high-side transistor MH1, the second high-side transistor MH2, the first low-side transistor ML1, and the second low-side transistor ML2 is shown in FIG. 5 (h), where the first terminal of the primary side coil 12a of the transformer 12 is shown. The potential Vsw is shown. In FIGS. 4D to 4G, a high level indicates that the transistor is on, and a low level indicates that the transistor is off. In the same figure, the vertical axis and the horizontal axis are appropriately enlarged or reduced for the sake of brevity.

はじめに、第1期間φ1から第6期間φ6の分割について説明する。論理制御部40は、三角波信号Voscがそのボトムエッジから誤差電圧Verrに達するまでの期間を第1期間φ1とする。次に三角波信号Voscがピークエッジに達するまでの期間を第2期間φ2とする。次に三角波信号Voscがボトムエッジに達するまでの期間を第3期間φ3とする。次に三角波信号Voscが再度誤差電圧Verrに達するまでの期間を第4期間φ4とする。次に三角波信号Voscが再度ピークエッジに達するまでの期間を第5期間φ5とする。次に三角波信号Voscが再度ボトムエッジに達するまでの期間を第6期間φ6とする。この分割は、PWM信号Vpwmおよび周期信号Vqにもとづいて、一般的な論理回路を用いて構成することができる。   First, the division from the first period φ1 to the sixth period φ6 will be described. The logic control unit 40 sets the period until the triangular wave signal Vosc reaches the error voltage Verr from the bottom edge as the first period φ1. Next, a period until the triangular wave signal Vosc reaches the peak edge is defined as a second period φ2. Next, a period until the triangular wave signal Vosc reaches the bottom edge is defined as a third period φ3. Next, a period until the triangular wave signal Vosc reaches the error voltage Verr again is a fourth period φ4. Next, a period until the triangular wave signal Vosc reaches the peak edge again is a fifth period φ5. Next, a period until the triangular wave signal Vosc reaches the bottom edge again is a sixth period φ6. This division can be configured using a general logic circuit based on the PWM signal Vpwm and the periodic signal Vq.

次に、第1期間φ1から第6期間φ6におけるHブリッジ回路10のトランジスタのオンオフ状態について説明する。
論理制御部40は、第1期間φ1において、第1ハイサイドトランジスタMH1および第2ローサイドトランジスタML2をオンし、その他のトランジスタをオフする。続く第2期間φ2において、第1ハイサイドトランジスタMH1をオンし、その他のトランジスタをオフする。続く第3期間φ3において、第2ハイサイドトランジスタMH2をオンし、その他のトランジスタをオフする。続く第4期間φ4において、第1ローサイドトランジスタML1および第2ハイサイドトランジスタMH2をオンし、その他のトランジスタをオフする。続く第5期間φ5において、第2ハイサイドトランジスタMH2をオンし、その他のトランジスタをオフする。続く第6期間φ6において、第1ハイサイドトランジスタMH1をオンし、その他のトランジスタをオフする。その後、第1期間φ1へと戻る。
Next, the on / off state of the transistors of the H bridge circuit 10 from the first period φ1 to the sixth period φ6 will be described.
In the first period φ1, the logic control unit 40 turns on the first high-side transistor MH1 and the second low-side transistor ML2, and turns off the other transistors. In the subsequent second period φ2, the first high-side transistor MH1 is turned on and the other transistors are turned off. In the subsequent third period φ3, the second high-side transistor MH2 is turned on and the other transistors are turned off. In the subsequent fourth period φ4, the first low-side transistor ML1 and the second high-side transistor MH2 are turned on, and the other transistors are turned off. In the subsequent fifth period φ5, the second high-side transistor MH2 is turned on and the other transistors are turned off. In the subsequent sixth period φ6, the first high-side transistor MH1 is turned on and the other transistors are turned off. Thereafter, the process returns to the first period φ1.

以上のように構成された本実施の形態に係るインバータ100の動作を説明する。図6(a)から(f)は、本実施の形態に係るインバータ100のHブリッジ回路10の電流の流れを示す回路図である。図6(a)から(f)は、それぞれ、第1期間φ1〜第6期間φ6の各トランジスタのオンオフ状態およびコイル電流Iswの状態を示している。   The operation of inverter 100 according to the present embodiment configured as described above will be described. FIGS. 6A to 6F are circuit diagrams showing a current flow in the H-bridge circuit 10 of the inverter 100 according to the present embodiment. FIGS. 6A to 6F show the on / off state of each transistor and the state of the coil current Isw in the first period φ1 to the sixth period φ6, respectively.

図6(a)に示すように、第1期間φ1では、第1ハイサイドトランジスタMH1、第2ローサイドトランジスタML2がオンとなる。その結果、コイル電流Iswは、第1ハイサイドトランジスタMH1、1次側コイル12a、第2ローサイドトランジスタML2の経路に流れる。このときのスイッチング電圧Vswは、入力電圧Vinにほぼ等しい電圧となる。第1期間φ1に、コイル電流Iswは徐々に大きくなっていく。   As shown in FIG. 6A, in the first period φ1, the first high-side transistor MH1 and the second low-side transistor ML2 are turned on. As a result, the coil current Isw flows through the path of the first high side transistor MH1, the primary side coil 12a, and the second low side transistor ML2. At this time, the switching voltage Vsw is substantially equal to the input voltage Vin. In the first period φ1, the coil current Isw gradually increases.

続く第2期間φ2では、図6(b)に示すように、第2ローサイドトランジスタML2がオフされ、第1ハイサイドトランジスタMH1のみがオンとなる。その結果、1次側コイル12aに蓄えられたエネルギによって、第2ハイサイドトランジスタMH2のボディダイオードに回生電流が流れる。この間、スイッチング電圧Vswは、入力電圧にほぼ等しい電圧を維持する。   In the subsequent second period φ2, as shown in FIG. 6B, the second low-side transistor ML2 is turned off and only the first high-side transistor MH1 is turned on. As a result, the regenerative current flows through the body diode of the second high-side transistor MH2 due to the energy stored in the primary coil 12a. During this time, the switching voltage Vsw maintains a voltage substantially equal to the input voltage.

次に、第3期間φ3では、図6(c)に示すように、第2ハイサイドトランジスタMH2がオンに切り換えられ、第1ハイサイドトランジスタMH1がオフされる。このとき、第2期間φ2において第1ハイサイドトランジスタMH1から供給されていたコイル電流Iswは、第1ローサイドトランジスタML1のボディダイオードを介して接地から供給されることになる。第3期間φ3のスイッチング電圧Vswは、接地電位(0V)よりも第1ローサイドトランジスタML1のボディダイオードの順方向電圧Vfだけ低い負の値となる。また、第1期間φ1に1次側コイル12aに蓄えられたエネルギは、第3期間φ3において、すべて2次側コイル12bに転送され、コイル電流Iswは0となる。   Next, in the third period φ3, as shown in FIG. 6C, the second high-side transistor MH2 is turned on, and the first high-side transistor MH1 is turned off. At this time, the coil current Isw supplied from the first high-side transistor MH1 in the second period φ2 is supplied from the ground via the body diode of the first low-side transistor ML1. The switching voltage Vsw in the third period φ3 is a negative value that is lower than the ground potential (0 V) by the forward voltage Vf of the body diode of the first low-side transistor ML1. In addition, the energy stored in the primary coil 12a in the first period φ1 is all transferred to the secondary coil 12b in the third period φ3, and the coil current Isw becomes zero.

続く第4期間φ4では、図6(d)に示すように、第2ハイサイドトランジスタMH2がオンを維持した状態で、第1ローサイドトランジスタML1がオンに切り換えられる。このとき、スイッチング電圧Vswは、接地電位付近に固定される。また、コイル電流Iswは、第2ハイサイドトランジスタMH2、1次側コイル12a、第1ローサイドトランジスタML1の経路で、1次側コイル12aの右から左に向かって流れる。第4期間φ4に、コイル電流Iswは徐々に大きくなっていく。   In the subsequent fourth period φ4, as shown in FIG. 6D, the first low-side transistor ML1 is switched on while the second high-side transistor MH2 is kept on. At this time, the switching voltage Vsw is fixed near the ground potential. The coil current Isw flows from the right side to the left side of the primary side coil 12a through the path of the second high side transistor MH2, the primary side coil 12a, and the first low side transistor ML1. In the fourth period φ4, the coil current Isw gradually increases.

続く第5期間φ5では、図6(e)に示すように、第2ハイサイドトランジスタMH2のオンを維持したまま、第1ローサイドトランジスタML1をオフに切り換える。その結果、第4期間φ4において第1ローサイドトランジスタML1に流れていたコイル電流Iswは、第1ハイサイドトランジスタMH1のボディダイオードを流れることになる。このときのスイッチング電圧Vswは、入力電圧Vinよりもボディダイオードの順方向電圧Vfだけ高い電圧となる。   In the subsequent fifth period φ5, as shown in FIG. 6E, the first low-side transistor ML1 is switched off while the second high-side transistor MH2 is kept on. As a result, the coil current Isw that has flowed through the first low-side transistor ML1 in the fourth period φ4 flows through the body diode of the first high-side transistor MH1. At this time, the switching voltage Vsw is higher than the input voltage Vin by the forward voltage Vf of the body diode.

続く第6期間φ6では、図6(f)に示すように、第1ハイサイドトランジスタMH1がオンに切り替えられ、第2ハイサイドトランジスタMH2がオフされる。このとき、第5期間φ5において第2ハイサイドトランジスタMH2から供給されていたコイル電流Iswは、第2ローサイドトランジスタML2のボディダイオードを介して接地から供給されることになる。第6期間φ6のスイッチング電圧Vswは、入力電圧Vinとほぼ等しくなる。第4期間φ4に1次側コイル12aに蓄えられたエネルギは、第6期間φ6においてすべて2次側コイル12bに転送され、コイル電流Iswは0となる。   In the subsequent sixth period φ6, as shown in FIG. 6F, the first high-side transistor MH1 is switched on and the second high-side transistor MH2 is turned off. At this time, the coil current Isw supplied from the second high side transistor MH2 in the fifth period φ5 is supplied from the ground via the body diode of the second low side transistor ML2. The switching voltage Vsw in the sixth period φ6 is substantially equal to the input voltage Vin. The energy stored in the primary coil 12a in the fourth period φ4 is all transferred to the secondary coil 12b in the sixth period φ6, and the coil current Isw becomes zero.

本実施の形態に係るインバータ100によれば、Hブリッジ回路10を構成するトランジスタを、トランス12の2次側コイル12bに流れる電流をモニタし、三角波信号Voscと比較することにより駆動する。したがって、三角波信号Voscの形状を調節することにより、各トランジスタのオンオフのタイミングを柔軟に調節することができる。   According to the inverter 100 according to the present embodiment, the transistors constituting the H-bridge circuit 10 are driven by monitoring the current flowing through the secondary coil 12b of the transformer 12 and comparing it with the triangular wave signal Vosc. Therefore, by adjusting the shape of the triangular wave signal Vosc, the on / off timing of each transistor can be flexibly adjusted.

たとえば、本実施の形態では、第1期間φ1、第4期間φ4の長さは、三角波信号Voscのボトムエッジからピークエッジに遷移するときの傾きに依存する。この傾きは、図4の三角波信号生成部30において、定電流Ic1を調節することにより変化させることができる。   For example, in the present embodiment, the lengths of the first period φ1 and the fourth period φ4 depend on the slope when transitioning from the bottom edge to the peak edge of the triangular wave signal Vosc. This inclination can be changed by adjusting the constant current Ic1 in the triangular wave signal generation unit 30 of FIG.

また、本実施の形態では、三角波信号Voscのピークエッジからボトムエッジまでの遷移期間は、第3期間φ3、第6期間φ6となる。第3期間φ3、第6期間φ6の長さは、図4の三角波信号生成部30において、定電流Ic2を調節することにより変化させることができる。   In the present embodiment, the transition period from the peak edge to the bottom edge of the triangular wave signal Vosc is the third period φ3 and the sixth period φ6. The lengths of the third period φ3 and the sixth period φ6 can be changed by adjusting the constant current Ic2 in the triangular wave signal generation unit 30 of FIG.

ここで、1次側コイル12aに蓄えられるエネルギは、第1期間φ1、第4期間φ4の長さに依存する。また、第1期間φ1、第4期間φ4において蓄えられたエネルギは、第3期間φ3、第6期間φ6において、2次側コイル12bに転送される。したがって、トランス12の特性や、駆動対象となるEEFL210の特性に応じて、三角波信号Voscの形状や周期を調節することにより、高効率に駆動することができる。   Here, the energy stored in the primary coil 12a depends on the length of the first period φ1 and the fourth period φ4. The energy stored in the first period φ1 and the fourth period φ4 is transferred to the secondary coil 12b in the third period φ3 and the sixth period φ6. Therefore, it is possible to drive with high efficiency by adjusting the shape and cycle of the triangular wave signal Vosc in accordance with the characteristics of the transformer 12 and the characteristics of the EEFL 210 to be driven.

なお、三角波信号Voscのボトムエッジからピークエッジまでの遷移時間を、ピークエッジからボトムエッジまでの遷移時間の2倍から100倍の範囲、より好ましくは、5倍から15倍の範囲に設定するのが望ましい。いずれの値に設定するかは、三角波の周波数やトランスの特性などに応じて決めればよい。この範囲で三角波信号Voscを設計することにより、高効率駆動が可能となる。   Note that the transition time from the bottom edge to the peak edge of the triangular wave signal Vosc is set in the range of 2 to 100 times, more preferably in the range of 5 to 15 times the transition time from the peak edge to the bottom edge. Is desirable. Which value is set may be determined according to the frequency of the triangular wave, the characteristics of the transformer, and the like. By designing the triangular wave signal Vosc within this range, it is possible to drive with high efficiency.

実施の形態は例示であり、それらの各構成要素や各処理プロセスの組合せにいろいろな変形例が可能なこと、またそうした変形例も本発明の範囲にあることは当業者に理解されるところである。   The embodiments are exemplifications, and it will be understood by those skilled in the art that various modifications can be made to combinations of the respective constituent elements and processing processes, and such modifications are within the scope of the present invention. .

たとえば、論理制御部40によるHブリッジ回路10の制御としては、以下の変形例が考えられる。
本変形例において、論理制御部40は、第5期間φ25おいて、三角波信号Voscが誤差電圧Verrに達してから、所定の第1オフ時間Toff1が経過するまでの期間、第1ハイサイドトランジスタMH1をオフしておき、第1オフ時間Toff1の経過後に、第1ハイサイドトランジスタMH1をオンする。
For example, the following modification can be considered as the control of the H bridge circuit 10 by the logic control unit 40.
In this modification, the logic control unit 40, during the fifth period φ25, during the period from when the triangular wave signal Vosc reaches the error voltage Verr until the predetermined first off time Toff1 elapses, the first high-side transistor MH1. And the first high-side transistor MH1 is turned on after the first off time Toff1 has elapsed.

さらに、論理制御部40は、第2期間φ2においても、三角波信号Voscが誤差電圧Verrに達してから、所定の第2オフ時間Toff2が経過するまでの期間、第2ハイサイドトランジスタMH2をオフしておき、第2オフ時間Toff2の経過後に、第2ハイサイドトランジスタMH2をオンする。第1オフ時間Toff1、第2オフ時間Toff2は、三角波信号Voscの周期に応じて、50nsから200ns程度で設定してもよい。   Further, in the second period φ2, the logic control unit 40 also turns off the second high-side transistor MH2 during a period from when the triangular wave signal Vosc reaches the error voltage Verr until a predetermined second off time Toff2 elapses. The second high-side transistor MH2 is turned on after the second off time Toff2 has elapsed. The first off time Toff1 and the second off time Toff2 may be set to about 50 ns to 200 ns according to the period of the triangular wave signal Vosc.

図7(a)〜(e)は、変形例に係るインバータ100の動作状態を示すタイムチャートである。図7(a)は、第1ハイサイドトランジスタMH1の、同図(b)は、第2ハイサイドトランジスタMH2の、同図(c)は、第1ローサイドトランジスタML1の、同図(d)は、第2ローサイドトランジスタML2のオンオフ状態を示し、同図(e)は、スイッチング電圧Vswを示す。   7A to 7E are time charts showing operation states of the inverter 100 according to the modification. 7A shows the first high-side transistor MH1, FIG. 7B shows the second high-side transistor MH2, FIG. 7C shows the first low-side transistor ML1, and FIG. The second low-side transistor ML2 is in an on / off state, and FIG. 8E shows the switching voltage Vsw.

第5期間φ5に第2ハイサイドトランジスタMH2をオフし続けると、コイル電流Iswが第2ハイサイドトランジスタMH2のボディダイオード(寄生ダイオード)に流れるため、順方向電圧Vf分の電圧降下が発生し、電力損失が大きくなる。そこで、本変形例では、第5期間φ5において、所定の第1オフ時間Toff1が経過した後に、第1ハイサイドトランジスタMH1をオンする。その結果、図7(e)に示されるように、スイッチング電圧Vswは、第1オフ時間Toff1経過後に、入力電圧Vinに下がる。このとき、第1ハイサイドトランジスタMH1のボディダイオードに流れていたコイル電流Iswは、第1ハイサイドトランジスタMH1に流れるため、電力損失を低減することができる。また、第1オフ時間Toff1を適切に設定することにより、第1ハイサイドトランジスタMH1と第1ローサイドトランジスタML1が同時にオンして貫通電流が流れるのを防止することができる。   If the second high-side transistor MH2 is kept off during the fifth period φ5, the coil current Isw flows through the body diode (parasitic diode) of the second high-side transistor MH2, so that a voltage drop corresponding to the forward voltage Vf occurs. Power loss increases. Therefore, in the present modification, the first high-side transistor MH1 is turned on after a predetermined first off time Toff1 has elapsed in the fifth period φ5. As a result, as shown in FIG. 7E, the switching voltage Vsw drops to the input voltage Vin after the first off time Toff1 has elapsed. At this time, the coil current Isw flowing in the body diode of the first high-side transistor MH1 flows in the first high-side transistor MH1, so that power loss can be reduced. Further, by appropriately setting the first off time Toff1, it is possible to prevent the through current from flowing due to the first high-side transistor MH1 and the first low-side transistor ML1 being simultaneously turned on.

同様に、第2期間φ2においても、第2ハイサイドトランジスタMH2をオフし続けると、そのボディダイオードに電流が流れるため電力損失が大きくなる。そこで、所定の第2オフ時間Toff2が経過した後に、第2ハイサイドトランジスタMH2をオンすることにより、第2ハイサイドトランジスタMH2に電流を流すことで電力損失を低減することができる。   Similarly, in the second period φ2, if the second high-side transistor MH2 is kept off, a current flows through the body diode, so that power loss increases. Accordingly, by turning on the second high-side transistor MH2 after a predetermined second off time Toff2 has elapsed, it is possible to reduce power loss by causing a current to flow through the second high-side transistor MH2.

第1オフ時間Toff1および第2オフ時間Toff2は、トランス12の特性に応じて決定すればよく、30nsから150ns程度の範囲で設定するのが好ましい。より好適には、50nsから100nsの範囲で設定した場合に、電力損失を低減することができる。   The first off time Toff1 and the second off time Toff2 may be determined according to the characteristics of the transformer 12, and are preferably set in the range of about 30 ns to 150 ns. More preferably, power loss can be reduced when it is set in the range of 50 ns to 100 ns.

本実施の形態において、制御回路20は、すべて一体集積化されていてもよく、あるいは、その一部がディスクリート部品やチップ部品で構成されていてもよい。また、制御回路20は、Hブリッジ回路10を含んで集積化されてもよい。どの部分をどの程度集積化するかは、インバータ100の仕様、コストや占有面積などによって決めればよい。   In the present embodiment, the control circuit 20 may be integrated as a whole, or a part thereof may be composed of discrete components or chip components. Further, the control circuit 20 may be integrated including the H bridge circuit 10. What part and how much to integrate may be determined by the specifications, cost, occupied area, etc. of the inverter 100.

本実施の形態において、ロジック回路のハイレベル、ローレベルの論理値の設定は一例であって、インバータなどによって適宜反転させることにより自由に変更することが可能である。たとえば、論理制御部40は、ピークエッジとボトムエッジを反転して、Hブリッジ回路10のトランジスタのオンオフを制御してもよい。   In the present embodiment, the setting of the logic values of the high level and low level of the logic circuit is an example, and can be freely changed by appropriately inverting it with an inverter or the like. For example, the logic control unit 40 may control on / off of the transistors of the H bridge circuit 10 by inverting the peak edge and the bottom edge.

実施の形態において、Hブリッジ回路10を構成するトランジスタのうち、ハイサイド側のトランジスタをNチャンネルMOSFETで構成する場合について説明したが、PチャンネルMOSFETを用いてもよい。   In the embodiment, the case where the high-side transistor of the transistors constituting the H-bridge circuit 10 is configured by an N-channel MOSFET has been described, but a P-channel MOSFET may be used.

実施の形態では、発光装置200において、EEFL210の両端にインバータ100を接続して、逆相の駆動電圧で駆動する場合について説明したが、これには限定されない。また、駆動対象の蛍光管は、EEFLに限定されるものではなく、CCFLなど他の蛍光管であってもよい。また、本実施の形態に係るインバータ100により駆動される負荷は、蛍光管に限定されるものではなく、その他、交流の高電圧を必要とする様々なデバイスの駆動に適用することができる。   In the embodiment, a case has been described in which the inverter 100 is connected to both ends of the EEFL 210 in the light emitting device 200 and is driven by a driving voltage having a reverse phase. However, the present invention is not limited to this. The fluorescent tube to be driven is not limited to EEFL, and may be another fluorescent tube such as CCFL. Further, the load driven by the inverter 100 according to the present embodiment is not limited to the fluorescent tube, and can be applied to driving various devices that require an alternating high voltage.

実施の形態に係る発光装置の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 図1の発光装置が搭載される液晶テレビの構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the structure of the liquid crystal television in which the light-emitting device of FIG. 1 is mounted. 実施の形態に係る制御回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the control circuit which concerns on embodiment. 三角波信号生成部の構成例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structural example of a triangular wave signal generation part. 図5(a)〜(h)は、図1のインバータの動作状態を示すタイムチャートである。FIGS. 5A to 5H are time charts showing operation states of the inverter of FIG. 図6(a)〜(f)は、図1のインバータのHブリッジ回路の電流の流れを示す回路図である。FIGS. 6A to 6F are circuit diagrams showing the current flow of the H-bridge circuit of the inverter of FIG. 変形例に係るインバータの動作状態を示すタイムチャートである。It is a time chart which shows the operation state of the inverter which concerns on a modification.

符号の説明Explanation of symbols

10 Hブリッジ回路、 12 トランス、 12a 1次側コイル、 12b 2次側コイル、 14 電流電圧変換部、 22 誤差増幅器、 30 三角波信号生成部、 40 論理制御部、 100 インバータ、 200 発光装置、 212 第1端子、 214 第2端子、 300 液晶テレビ、 302 液晶パネル、 MH1 第1ハイサイドトランジスタ、 MH2 第2ハイサイドトランジスタ、 ML1 第1ローサイドトランジスタ、 ML2 第2ローサイドトランジスタ。   10 H bridge circuit, 12 transformer, 12a primary side coil, 12b secondary side coil, 14 current voltage conversion unit, 22 error amplifier, 30 triangular wave signal generation unit, 40 logic control unit, 100 inverter, 200 light emitting device, 212 first 1 terminal, 214 second terminal, 300 liquid crystal television, 302 liquid crystal panel, MH1 first high side transistor, MH2 second high side transistor, ML1 first low side transistor, ML2 second low side transistor.

Claims (13)

トランスと、
一端が、入力電圧の印加される入力端子に接続され、他端が、前記トランスの1次側コイルの第1端子に接続された第1ハイサイドトランジスタと、
一端が、電位の固定された電位固定端子に接続され、他端が、前記1次側コイルの第1端子に接続された第1ローサイドトランジスタと、
一端が、前記入力端子に接続され、他端が、前記1次側コイルの第2端子に接続された第2ハイサイドトランジスタと、
一端が、前記電位固定端子に接続され、他端が、前記1次側コイルの第2端子に接続された第2ローサイドトランジスタと、
前記トランスの2次側コイルの電流を電圧に変換し、検出電圧として出力する電流電圧変換部と、
三角波信号を生成する三角波信号生成部と、
前記検出電圧と、所定の基準電圧との誤差に応じた誤差電圧を出力する誤差増幅器と、
前記誤差増幅器から出力される前記誤差電圧および前記三角波信号生成部により生成される前記三角波信号にもとづき、前記第1、第2ハイサイドトランジスタおよび前記第1、第2ローサイドトランジスタのオンオフを制御する論理制御部と、を備え、
前記論理制御部は、
前記三角波信号がボトムエッジから前記誤差電圧に達するまでの第1期間に、前記第1ハイサイドトランジスタおよび前記第2ローサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号がピークエッジに達するまでの第2期間に、前記第1ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号がボトムエッジに達するまでの第3期間に、前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度前記誤差電圧に達するまでの第4期間に、前記第1ローサイドトランジスタおよび前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度ピークエッジに達するまでの第5期間に、前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度ボトムエッジに達するまでの第6期間に、前記第1ハイサイドトランジスタをオンすることを特徴とするインバータ。
A transformer,
A first high-side transistor having one end connected to an input terminal to which an input voltage is applied and the other end connected to a first terminal of a primary coil of the transformer;
A first low-side transistor having one end connected to a fixed potential terminal having a fixed potential and the other end connected to a first terminal of the primary coil;
A second high-side transistor having one end connected to the input terminal and the other end connected to the second terminal of the primary coil;
A second low-side transistor having one end connected to the potential fixing terminal and the other end connected to the second terminal of the primary coil;
A current-voltage converter that converts the current of the secondary coil of the transformer into a voltage and outputs the voltage as a detection voltage;
A triangular wave signal generator for generating a triangular wave signal;
An error amplifier that outputs an error voltage corresponding to an error between the detection voltage and a predetermined reference voltage;
Logic for controlling on / off of the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors based on the error voltage output from the error amplifier and the triangular wave signal generated by the triangular wave signal generator. A control unit,
The logic control unit
In the first period until the triangular wave signal reaches the error voltage from the bottom edge, the first high-side transistor and the second low-side transistor are turned on,
Next, in the second period until the triangular wave signal reaches the peak edge, the first high-side transistor is turned on,
Next, in the third period until the triangular wave signal reaches the bottom edge, the second high-side transistor is turned on,
Next, in the fourth period until the triangular wave signal reaches the error voltage again, the first low-side transistor and the second high-side transistor are turned on,
Next, in the fifth period until the triangular wave signal reaches the peak edge again, the second high-side transistor is turned on,
Next, in the sixth period until the triangular wave signal reaches the bottom edge again, the first high-side transistor is turned on.
前記論理制御部は、前記第5期間において、前記三角波信号が前記誤差電圧に達してから、所定の第1オフ時間が経過するまでの期間、前記第1ハイサイドトランジスタをオフし、前記第1オフ時間経過後に、前記第1ハイサイドトランジスタをオンすることを特徴とする請求項1に記載のインバータ。   In the fifth period, the logic control unit turns off the first high-side transistor during a period from when the triangular wave signal reaches the error voltage until a predetermined first off time elapses, The inverter according to claim 1, wherein the first high-side transistor is turned on after an off time has elapsed. 前記論理制御部は、前記第2期間において、前記三角波信号が前記誤差電圧に達してから、所定の第2オフ時間が経過するまでの期間、前記第2ハイサイドトランジスタをオフし、前記第2オフ時間経過後に、前記第2ハイサイドトランジスタをオンすることを特徴とする請求項1または2に記載のインバータ。   In the second period, the logic control unit turns off the second high-side transistor during a period from when the triangular wave signal reaches the error voltage until a predetermined second off time elapses, The inverter according to claim 1, wherein the second high-side transistor is turned on after an off time has elapsed. 前記三角波信号のボトムエッジからピークエッジまでの遷移時間を、ピークエッジからボトムエッジまでの遷移時間の2倍から100倍の範囲に設定したことを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のインバータ。   4. The transition time from the bottom edge to the peak edge of the triangular wave signal is set in a range of 2 to 100 times the transition time from the peak edge to the bottom edge. Inverter. 前記論理制御部は、前記ピークエッジと前記ボトムエッジを反転して、前記第1、第2ハイサイドトランジスタおよび前記第1、第2ローサイドトランジスタのオンオフを制御することを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のインバータ。   The logic control unit reverses the peak edge and the bottom edge to control on / off of the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors. 4. The inverter according to any one of 4. 前記第1、第2ハイサイドトランジスタ、前記第1、第2ローサイドトランジスタをMOSFETで構成したことを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のインバータ。   6. The inverter according to claim 1, wherein the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors are constituted by MOSFETs. 前記三角波信号生成部と、前記誤差増幅器と、前記論理制御部と、を1つの半導体基板上に一体集積化したことを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載のインバータ。   The inverter according to claim 1, wherein the triangular wave signal generation unit, the error amplifier, and the logic control unit are integrated on a single semiconductor substrate. 蛍光ランプと、
前記蛍光ランプに駆動電圧を供給する請求項1から7のいずれかに記載のインバータと、
を備えることを特徴とする発光装置。
A fluorescent lamp,
The inverter according to any one of claims 1 to 7, wherein a driving voltage is supplied to the fluorescent lamp;
A light emitting device comprising:
前記インバータは2つであって、前記蛍光ランプの両端にそれぞれ設けられ、互いに逆相となる駆動電圧を供給することを特徴とする請求項8に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 8, wherein the number of the inverters is two, and the inverters are respectively provided at both ends of the fluorescent lamp and supply driving voltages having opposite phases to each other. 前記蛍光ランプは、冷陰極管蛍光ランプであることを特徴とする請求項8または9に記載の発光装置。   10. The light emitting device according to claim 8, wherein the fluorescent lamp is a cold cathode fluorescent lamp. 前記蛍光ランプは、外部電極蛍光ランプであることを特徴とする請求項8または9に記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 8 or 9, wherein the fluorescent lamp is an external electrode fluorescent lamp. 液晶パネルと、
前記液晶パネルの背面に配置される複数の請求項8から11のいずれかに記載の発光装置と、
を備えることを特徴とする液晶テレビ。
LCD panel,
A plurality of light emitting devices according to any one of claims 8 to 11 disposed on a back surface of the liquid crystal panel;
A liquid crystal television comprising:
インバータの駆動方法であって、
トランスの2次側コイルの電流を電圧に変換して検出電圧に変換するステップと、
前記検出電圧と、所定の基準電圧との誤差に応じた誤差電圧を生成するステップと、
前記誤差電圧および三角波信号にもとづき、Hブリッジ回路を構成する第1、第2ハイサイドトランジスタおよび第1、第2ローサイドトランジスタのオンオフを制御する制御ステップと、
を備え、前記制御ステップにおいて、
前記三角波信号がボトムエッジから前記誤差電圧に達するまでの第1期間に、前記第1ハイサイドトランジスタおよび前記第2ローサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号がピークエッジに達するまでの第2期間に、前記第1ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号がボトムエッジに達するまでの第3期間に、前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度前記誤差電圧に達するまでの第4期間に、前記第1ローサイドトランジスタおよび前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度ピークエッジに達するまでの第5期間に、前記第2ハイサイドトランジスタをオンし、
次に前記三角波信号が再度ボトムエッジに達するまでの第6期間に、前記第1ハイサイドトランジスタをオンすることを特徴とする駆動方法。
An inverter driving method comprising:
Converting the current of the secondary coil of the transformer into a voltage and converting it into a detection voltage;
Generating an error voltage according to an error between the detection voltage and a predetermined reference voltage;
A control step for controlling on / off of the first and second high-side transistors and the first and second low-side transistors constituting the H-bridge circuit based on the error voltage and the triangular wave signal;
In the control step,
In the first period until the triangular wave signal reaches the error voltage from the bottom edge, the first high-side transistor and the second low-side transistor are turned on,
Next, in the second period until the triangular wave signal reaches the peak edge, the first high-side transistor is turned on,
Next, in the third period until the triangular wave signal reaches the bottom edge, the second high-side transistor is turned on,
Next, in the fourth period until the triangular wave signal reaches the error voltage again, the first low-side transistor and the second high-side transistor are turned on,
Next, in the fifth period until the triangular wave signal reaches the peak edge again, the second high-side transistor is turned on,
Next, in the sixth period until the triangular wave signal reaches the bottom edge again, the first high-side transistor is turned on.
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