JP2007142425A - Photonic device having integrated hybrid microlens array - Google Patents

Photonic device having integrated hybrid microlens array Download PDF

Info

Publication number
JP2007142425A
JP2007142425A JP2006309848A JP2006309848A JP2007142425A JP 2007142425 A JP2007142425 A JP 2007142425A JP 2006309848 A JP2006309848 A JP 2006309848A JP 2006309848 A JP2006309848 A JP 2006309848A JP 2007142425 A JP2007142425 A JP 2007142425A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vcsel
microlens
light emitting
substrate
pedestal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006309848A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP5107559B2 (en
Inventor
L Chua Christopher
クリストファー エル チュア
Michel A Rosa
エー ローサ ミシェル
Patrick Y Maeda
ワイ マエダ パトリック
Eric Peeters
ピータース エリック
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Palo Alto Research Center Inc
Original Assignee
Palo Alto Research Center Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Palo Alto Research Center Inc filed Critical Palo Alto Research Center Inc
Publication of JP2007142425A publication Critical patent/JP2007142425A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5107559B2 publication Critical patent/JP5107559B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02327Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/1615Shape
    • H01L2924/16151Cap comprising an aperture, e.g. for pressure control, encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0225Out-coupling of light
    • H01S5/02257Out-coupling of light using windows, e.g. specially adapted for back-reflecting light to a detector inside the housing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/10Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18386Details of the emission surface for influencing the near- or far-field, e.g. a grating on the surface
    • H01S5/18388Lenses

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a device practically and inexpensively, in which a device including a light emission/detection element such as VCSEL is integrated in one unit with a microlens array. <P>SOLUTION: An IC light emission/detection device 110 in which at least one light emission/detection elements 118-1, 118-2 are formed on an upper flat surface 112 of a substrate 111 so as to be in the same level as the upper surface of the substrate, and a microlens structure 150 in which at least one microlenses 158-1, 158-2 are integrally formed on a lower flat surface 152 of a pedestal 151, and a plurality of legs 155-1, 155-2 are extended therefrom are formed. Then, the structure 150 is mounted on the surface 112 to produce an assembly 100. At that time, the legs 155-1, 155-2 are contacted to corresponding regions 112-1, 112-2 on the surface 112 respectively such that a space from the elements 118-1, 118-2 to the lenses 158-1, 158-2 is kept at a predetermined distance Z1. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、集積回路(IC)化光放射/検知(フォトニック)デバイス等に関し、更にはその種のデバイスの入射光や出射光を合焦できるよう配置されたマイクロレンズアレイを備えるアセンブリに関する。   The present invention relates to integrated circuit (IC) integrated light emitting / sensing (photonic) devices and the like, and more particularly to an assembly comprising a microlens array arranged to focus incident and outgoing light of such devices.

高速プリンタの中には、印刷データの並列伝送を可能とするため半導体レーザによる多ビームレーザ光源を用いるものがある。そうした高速プリンタにおける印刷速度は、使用する多ビームレーザ光源から並列出射されるレーザビームの本数や、それらレーザビームの強度(出射パワー)により制約される面がある。初期のレーザ利用型高速プリンタでは印刷用多ビーム光源として端面発光デバイスが用いられていたが、端面発光デバイスにおける光出射方向は製造時に形成される各種の層に平行な方向、即ちデバイスチップ上面に平行な方向であったため、形成される多ビームレーザアレイにおけるレーザビーム上限本数が事実上4本と少ない、という問題点があった。こうしたことから、より最近のレーザ利用型高速プリンタではVCSEL(Vertical Cavity Surface Emitting Lasers)が復権している。VCSELは、製造時に形成される層と層との境界面に対し垂直な方向、従ってそのデバイスの上面に対し垂直な方向へと光を放射するデバイスであるため、端面発光デバイスに比べそのビーム本数が多い多ビームレーザアレイを容易に実現でき、印刷用多ビーム光源として魅力的である。しかしながら、VCSELには、高速プリンタでの利用に関連して、本質的にその出射パワーが小さい、という短所がある。出射パワーが小さいと、各ビームで十分なエネルギを伝送しきるのに長い時間がかかってしまう。   Some high-speed printers use a multi-beam laser light source based on a semiconductor laser to enable parallel transmission of print data. The printing speed in such a high-speed printer is limited by the number of laser beams emitted in parallel from the multi-beam laser light source used and the intensity (emitted power) of these laser beams. In early laser-based high-speed printers, edge-emitting devices were used as multi-beam light sources for printing, but the light emission direction in the edge-emitting devices was parallel to the various layers formed during manufacturing, that is, on the upper surface of the device chip. Since the directions are parallel, there is a problem that the upper limit number of laser beams in the formed multi-beam laser array is practically as few as four. For these reasons, VCSEL (Vertical Cavity Surface Emitting Lasers) has been reinstated in more recent laser-based high-speed printers. A VCSEL is a device that emits light in a direction perpendicular to the interface between layers formed at the time of manufacture, and thus in a direction perpendicular to the top surface of the device. Therefore, it is easy to realize a multi-beam laser array, which is attractive as a multi-beam light source for printing. However, the VCSEL has a disadvantage that its emission power is essentially small in relation to use in a high-speed printer. If the output power is small, it takes a long time to transmit sufficient energy with each beam.

そのため、各VCSEL素子からの光学的スループットを十分高めることが、VCSEL利用印刷における主要課題となっている。VCSELの宿命である光学的スループットの低さは各VCSEL素子の活性領域が狭いことから生じているものであり、従ってこの種のデバイスから大パワーの単一モード出射光を得ることは基本的に困難である。VCSEL出射光を増強する目的で様々な技術的検討がなされ様々な技術革新が生まれてはいるものの、そうした努力にもかかわらず、現状におけるVCSEL出射パワーは未だ不十分であり、180ppm以上の印刷速度で動作するプリンタプラットフォームを好適に実現できる水準には達していない。   Therefore, sufficiently increasing the optical throughput from each VCSEL element is a major issue in VCSEL-based printing. The low optical throughput, which is the fate of VCSELs, arises from the narrow active area of each VCSEL element, so it is fundamental to obtain high-power single-mode emission from this type of device. Have difficulty. Although various technical studies have been made for the purpose of enhancing the VCSEL emission light and various technological innovations have been born, the current VCSEL emission power is still insufficient, and the printing speed of 180 ppm or more is still insufficient. It has not reached a level that can suitably realize a printer platform that operates in

そうしたなかでも、既存のVCSELアレイのうち割合に出射パワーの大きいものを改良してその光学的スループットを増大させ、高速印刷システムにおいて有効利用できるようにするためのアイデアが、様々に提案されている。その中には、能動冷却を使用するというアイデアや、VCSELアレイを回転させつつ間引き走査を行うことにより実質光倍率を高めるというアイデアや、マイクロレンズアレイを用いビーム偏角を狭めてより多くの光を光学系に結合させるというアイデアがある。   Among these, various ideas have been proposed to improve the optical throughput of existing VCSEL arrays that have a relatively high output power so that they can be used effectively in high-speed printing systems. . Among them are the idea of using active cooling, the idea of increasing the effective light magnification by performing thinning scanning while rotating the VCSEL array, and using a microlens array to narrow the beam deflection angle and increase the amount of light. There is an idea to couple the to the optical system.

今日用いられているVCSELの多くは、提案されているアイデアのうち、マイクロレンズを用いてビーム偏角を狭めそれによって出射パワーの少なさを補う、というアイデアに基づくものであり、薄膜プロセスを用いウェハ背面上にレンズを一体形成することによって製造されている。図10に、基板背面にマイクロレンズを形成するアーキテクチャの例を示す。ここではVCSEL形成面を頂面と呼びその裏面を背面と呼ぶ。このやり方は幾つかの用途で有益なやり方であるが、反面幾つかの大きな制約条件を伴っている。まず、このアーキテクチャではレンズ直径及びレンズ間隔を大きくし数百μmのオーダとしなければならない。次に、光源(VCSEL素子)とレンズとの距離(図中上下方向の距離)の誤差を問題ないレベルに抑えることが肝要であるが、それには基板の厚みにばらつき乃至変動が生じないよう精密な(従って困難な)制御、管理を行わなければならない。更に、基板が使用波長を透過させる基板でなければならない。そして、基板背面処理によるレンズ形成工程がVCSEL形成工程に対しコンパチブルでなくてはならない。こうした制約条件があるため、従来、VCSEL利用型印刷システムを低コストで生産することは困難乃至不可能であった。   Many of the VCSELs used today are based on the idea of using a microlens to narrow the beam deflection angle and thereby compensate for the low output power, using a thin film process. It is manufactured by integrally forming a lens on the back surface of the wafer. FIG. 10 shows an example of an architecture in which microlenses are formed on the back surface of a substrate. Here, the VCSEL forming surface is called a top surface, and the back surface is called a back surface. This approach is beneficial for some applications, but with some major constraints. First, in this architecture, the lens diameter and the lens interval must be increased to the order of several hundred μm. Next, it is important to suppress the error in the distance between the light source (VCSEL element) and the lens (the distance in the vertical direction in the figure) to a problem-free level, but this is precise so that variations or fluctuations in the thickness of the substrate do not occur. Control (and therefore difficult) must be controlled and managed. Furthermore, the substrate must be a substrate that transmits the wavelength used. And the lens formation process by a substrate back surface process must be compatible with the VCSEL formation process. Due to these constraints, it has been difficult or impossible to produce a VCSEL-based printing system at low cost.

本発明は、VCSELにマイクロレンズアレイを一体化、集積した装置及びそれを実現する方法であって現実的、低コスト且つ適切な装置及び方法を提供することを目的とする。   An object of the present invention is to provide a device that integrates and integrates a microlens array into a VCSEL and a method for realizing the same, and that is practical, low-cost, and suitable.

このような目的を達成するため、本発明の一実施形態に係るアセンブリにおいては、(1)その上面が平坦な基板、並びにこの基板の上方に面するよう当該基板に形成された少なくとも1個の光放射/検知素子を有するIC化光放射/検知デバイスと、(2)その下面が平坦なペデスタル、このペデスタルの下面から突出した複数本の脚部、並びに当該ペデスタルの下面上に一体形成された少なくとも1個のマイクロレンズを有するマイクロレンズ構造と、を設け、(3)更に、上記マイクロレンズ構造を、上記脚部それぞれと上記基板の上面にある対応領域との接触によって上記光放射/検知素子から上記マイクロレンズまでの距離が所定距離に保持されるよう、当該基板の上面上に実装することとした。   In order to achieve such an object, in an assembly according to an embodiment of the present invention, (1) a substrate having a flat upper surface and at least one substrate formed on the substrate so as to face above the substrate is provided. An IC light emitting / sensing device having a light emitting / sensing element; and (2) a pedestal whose bottom surface is flat, a plurality of legs protruding from the bottom surface of the pedestal, and a lower surface of the pedestal. A microlens structure having at least one microlens, and (3) further, the light emitting / sensing element is formed by contacting the microlens structure with each of the leg portions and a corresponding region on the upper surface of the substrate. It was decided to mount on the upper surface of the substrate so that the distance from the microlens to the microlens is maintained at a predetermined distance.

また、本発明の一実施形態に係るアセンブリにおいては、(1)孔及びこの孔を取り巻く段付棚部を有するICパッケージと、(2)ICパッケージの孔内に実装された光放射/検知デバイスであって、その上面が平坦な基板、並びにこの基板の上方に面するよう当該基板の上面上に一体形成された複数個の光放射/検知素子によるアレイを有する光放射/検知デバイスと、(3)キャリアプレート、並びに複数個のマイクロレンズによるアレイを有するマイクロレンズ構造と、を設け、(4)更に、上記孔が上記キャリアプレートにより覆われるよう且つ上記マイクロレンズそれぞれと上記光放射/検知素子のうち対応するものとの距離が所定距離に保たれるよう、上記マイクロレンズ構造を上記ICパッケージ上、上記光放射/検知デバイス上又はその双方の上に堅固に実装することとした。   In the assembly according to the embodiment of the present invention, (1) an IC package having a hole and a stepped shelf surrounding the hole, and (2) a light emission / detection device mounted in the hole of the IC package. A light emitting / sensing device comprising a substrate having a flat upper surface and an array of a plurality of light emitting / sensing elements integrally formed on the upper surface of the substrate so as to face above the substrate; 3) a carrier plate and a microlens structure having an array of a plurality of microlenses, and (4) each of the microlens and the light emitting / sensing element so that the hole is covered with the carrier plate. The microlens structure is mounted on the IC package so that the distance from the corresponding one of the light emitting / detecting devices is maintained at a predetermined distance. Scan on or was to be rigidly mounted on the both.

そして、本発明の一実施形態に係る方法においては、(1)マイクロレンズよりも脚部の方が大きく張り出すこととなるよう、ブロック状ペデスタルの下部平坦面上に薄膜プロセスにより複数個のマイクロレンズ及び複数本の脚部を形成することによって、マイクロレンズ構造を形成するステップと、(2)上記マイクロレンズそれぞれが光放射/検知素子のうち対応するものの直上に位置することとなるよう、複数個の光放射/検知素子によるアレイを有するIC化光放射/検知デバイスの上面の上方で上記マイクロレンズ構造を位置決めするステップと、(3)上記脚部それぞれが上記IC化光放射/検知デバイスの上面にある所定領域に接触するまで、上記マイクロレンズ構造、当該IC化光放射/検知デバイス又はその双方を動かすステップと、を実行することによって、(4)上記IC化光放射/検知デバイス及び上記マイクロレンズ構造を備えるアセンブリを製造することとした。   In the method according to the embodiment of the present invention, (1) a plurality of micro-processes are formed on the lower flat surface of the block-shaped pedestal by a thin film process so that the leg portion protrudes larger than the micro-lens. Forming a microlens structure by forming a lens and a plurality of legs, and (2) a plurality of microlenses so that each of the microlenses is positioned directly above a corresponding one of the light emitting / sensing elements. Positioning the microlens structure above the upper surface of an IC-based light emission / sensing device having an array of light-emitting / sensing elements; and (3) each of the legs of the IC-based light emission / sensing device. Move the microlens structure, the IC light emitting / sensing device or both until it touches a predetermined area on the top surface By executing the step, and it was decided to produce an assembly comprising a (4) The IC of the light emitting / detecting device and the micro-lens structure.

以下、本発明の実施形態、特にIC化光放射/検知デバイス上にマイクロレンズを実装したハイブリッド型の装置について説明する。以下の説明では、なかでもVCSELアレイを使用するハイブリッド型の装置を想定しているが、本願に記載するハイブリッド型の構成は他種のIC化光放射デバイス例えば発光ダイオードアレイや、他種IC化検知デバイス例えばpinフォトディテクタ、空胴共振センサ、金属半導体金属検波器、アバランシェフォトディテクタ等のアレイにも適用できる。即ち、本願では、「IC化光放射/検知デバイス」或いは「フォトニックデバイス」なる用語を、上述したものを含め各種のデバイスを包含する意味で用いている。   Hereinafter, an embodiment of the present invention, in particular, a hybrid apparatus in which a microlens is mounted on an IC light emission / detection device will be described. In the following description, a hybrid type apparatus using a VCSEL array is assumed. However, the hybrid type configuration described in the present application may be other types of IC light emitting devices such as light emitting diode arrays and other types of ICs. It can also be applied to arrays of sensing devices such as pin photodetectors, cavity resonance sensors, metal semiconductor metal detectors, avalanche photodetectors, and the like. That is, in the present application, the terms “IC light emission / detection device” or “photonic device” are used to encompass various devices including those described above.

また、以下の説明は、特定の用途及びその用途にて求められる条件に従い本発明を実施した場合の構成についての説明であるが、本件技術分野における習熟者(いわゆる当業者)であれば、この説明を参照して自ら本発明を適用しアセンブリを製造することができよう。更に、本願中では方向を示す用語、例えば「上」「上へ」「下」「下へ」「上方」「下方」等の用語を使用しているが、これらは図面上における相対的な位置関係を示して説明を解りやすくするためのものであり、ある種の基準座標系における絶対的な位置関係や方向関係を限定する趣旨のものではない。また、これから説明する本発明の好適な実施形態に対しいわゆる当業者であれば様々な変形を施し得るであろうし、また一般的な原理を抽出して本発明を他種形態で実施することもできるであろう。従って、本発明はこれから図示説明する実施形態に限定して解釈、認定されるべきものではなく、むしろ、本発明の原理及び本願に記載の新規な構成に見合った最大限の技術的範囲が本発明に備わっているものと認定、解釈されるべきものである。   In addition, the following description is a description of a configuration in the case where the present invention is implemented according to a specific application and conditions required for the application. However, a person skilled in the art (so-called a person skilled in the art) With reference to the description, the present invention can be applied to manufacture an assembly by itself. Further, in the present application, terms indicating directions, such as “up”, “up”, “down”, “down”, “up”, and “down”, are used, but these are relative positions on the drawing. This is to show the relationship and make the explanation easy to understand, and is not intended to limit the absolute positional relationship and the directional relationship in a certain reference coordinate system. In addition, a so-called person skilled in the art will be able to make various modifications to the preferred embodiments of the present invention described below, and the present invention can be implemented in other forms by extracting general principles. It will be possible. Accordingly, the present invention should not be construed as being limited to the embodiments illustrated and described, but rather the maximum technical scope corresponding to the principles of the present invention and the novel configurations described herein. It should be recognized and interpreted as belonging to the invention.

図1に、本発明の第1乃至上位概念的実施形態に係りVCSELデバイス110及びマイクロレンズ構造150を備えるVCSEL装置100の分解斜視外観を示す。図中、マイクロレンズ構造150は実線と破線の二様で示されている。VCSELデバイス110の上方に浮いている実線の方はVCSELデバイス110上への実装前の、VCSELデバイス110に接触している破線の方は実装後の、状態を示している。   FIG. 1 shows an exploded perspective view of a VCSEL device 100 including a VCSEL device 110 and a microlens structure 150 according to first to superordinate conceptual embodiments of the present invention. In the drawing, the microlens structure 150 is shown in two ways, a solid line and a broken line. A solid line floating above the VCSEL device 110 indicates a state before mounting on the VCSEL device 110, and a broken line in contact with the VCSEL device 110 indicates a state after mounting.

VCSELデバイス110は既知の半導体製造技術で製造可能な従来型のIC化デバイスであり、大まかには、その上面112が概ね平坦な半導体基板111と、基板上面112の中央部に少なくとも1個(図では118−1〜118−4の4個)配置されたVCSEL素子とを有している。なお、これらVCSEL素子118−1〜118−4を一括して参照するときには、ハイフンの後にある1〜4の添え字(図中4個ある構成を区別するために振った添え字)を省略し、VCSELアレイ118或いは単にVCSEL118と呼ぶ(添え字の使用及び省略については他の参照符号についても同様とする)。各VCSEL118は、そのVCSEL118にて発生した光ビームが主として基板上面112の上方に向け放射されることとなるよう、基板上面112上又は基板上面112下に形成されている。VCSELデバイス110は、更に、基板上面112の周縁部に沿って配置された複数個の電極パッド113を有しており、これら電極パッド113は、既知の背面技術により形成された線状導体114のうち対応するものを介し、VCSEL素子118−1〜118−4のうち対応するものに導電接続されている。例えば、図中手前側の縁に沿い配置形成されている電極パッドのうち電極パッド113−21は線状導体114−21により、電極パッド113−22は線状導体114−22により、VCSEL素子118−2に接続されている。基板上面112上にある導電体のうち線状導体114は二酸化珪素等の絶縁素材で覆う方がよいが、電極パッド113は、既知のワイヤボンディング技術によりICパッケージと好適に接続できるよう、露出させておいた方がよい。   The VCSEL device 110 is a conventional IC device that can be manufactured by a known semiconductor manufacturing technique. In general, the VCSEL device 110 is roughly a semiconductor substrate 111 whose upper surface 112 is generally flat, and at least one in the center of the substrate upper surface 112 (see FIG. In this case, four VCSEL elements 118-1 to 118-4 are arranged. When these VCSEL elements 118-1 to 118-4 are collectively referred to, the subscripts 1 to 4 after the hyphen (subscripts assigned to distinguish the four configurations in the figure) are omitted. , VCSEL array 118 or simply VCSEL 118 (use and omission of subscripts are the same for other reference numerals). Each VCSEL 118 is formed on the substrate upper surface 112 or below the substrate upper surface 112 so that the light beam generated by the VCSEL 118 is mainly emitted above the substrate upper surface 112. The VCSEL device 110 further includes a plurality of electrode pads 113 arranged along the peripheral edge of the upper surface 112 of the substrate, and these electrode pads 113 are formed of a linear conductor 114 formed by a known back surface technique. The corresponding ones of the VCSEL elements 118-1 to 118-4 are conductively connected through the corresponding ones. For example, among the electrode pads arranged along the front edge in the drawing, the electrode pad 113-21 is formed by the linear conductor 114-21, and the electrode pad 113-22 is formed by the linear conductor 114-22, and the VCSEL element 118. -2. Of the conductors on the substrate upper surface 112, the linear conductor 114 is preferably covered with an insulating material such as silicon dioxide, but the electrode pad 113 is exposed so that it can be suitably connected to the IC package by a known wire bonding technique. It is better to leave it.

マイクロレンズ構造150はモノリシックで(半)透明なブロック状ペデスタル151を有している。ペデスタル151の下面152は概ね平坦であり、その中央部には、少なくとも1個のマイクロレンズ158が、ペデスタル下面152から突出するようペデスタル151と一体に形成されている。マイクロレンズ158はVCSEL118と対応して設けられており、図示の例では同じく4個(158−1〜158−4)ある。やはり、一括して呼ぶときはマイクロレンズアレイ158又は単にマイクロレンズ158と呼ぶ。更に、ペデスタル151は3個以上のスタンドオフ155(図示の例では4個のスタンドオフ155−1〜155−4)即ち脚部を有している。本実施形態におけるスタンドオフ155はペデスタル下面152の周縁部に沿ってペデスタル151と一体に形成されており、マイクロレンズ158の突出長に比べ大きく、ペデスタル下面152から突出している。これも同じく、一括して呼ぶときはスタンドオフアレイ155又は単にスタンドオフ155と呼ぶ。また、以上の説明では「モノリシック」「一体形成」等の用語を使用しているが、これは、ペデスタル151を形成している光透過性の素材(ガラス、サファイア、プラスチック、ポリマ、アクリル、水晶等)の単体ブロックに対しケミカルエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリング、プラズマエッチング、モールド、写真利用形状形成等のマイクロマシニング(マイクロ形状形成)処理を施すことにより、目的とする構造を得ることができる、という意味である。スタンドオフ155は別種素材により形成することもできる。例えば、スクリーン印刷法、スピンコート法、スプレイコート法等の堆積・成長技術を使用してペデスタル上に適当な素材を堆積させることで、形成することができる。   The microlens structure 150 has a monolithic (semi) transparent block pedestal 151. The lower surface 152 of the pedestal 151 is generally flat, and at least one microlens 158 is integrally formed with the pedestal 151 so as to protrude from the lower surface 152 of the pedestal 151 at the center. The microlens 158 is provided corresponding to the VCSEL 118, and in the illustrated example, there are similarly four (158-1 to 158-4). Again, when collectively called, it is called a microlens array 158 or simply a microlens 158. Further, the pedestal 151 has three or more standoffs 155 (four standoffs 155-1 to 155-4 in the illustrated example), that is, legs. The standoff 155 in this embodiment is formed integrally with the pedestal 151 along the peripheral edge of the pedestal lower surface 152, and is larger than the protruding length of the microlens 158 and protrudes from the pedestal lower surface 152. This is also referred to as standoff array 155 or simply standoff 155 when collectively referred to. Further, in the above description, terms such as “monolithic” and “monolithic formation” are used, and this means that the light-transmitting material (glass, sapphire, plastic, polymer, acrylic, quartz, etc.) forming the pedestal 151 is used. Etc.) can be subjected to micromachining (micro-shape formation) processing such as chemical etching, reactive ion etching, ion milling, plasma etching, mold, and photo-based shape formation to obtain the desired structure. It means you can. The standoff 155 can also be formed of a different material. For example, it can be formed by depositing an appropriate material on the pedestal using a deposition / growth technique such as a screen printing method, a spin coating method, or a spray coating method.

図1の下半分及び図2に示す通り、基板上面112上には、各スタンドオフ155(図2では155−1及び155−2)を接触させる領域即ちスタンドオフ接触箇所112−1〜112−4(同112−1及び112−2)が定められている。本実施形態におけるペデスタル151は、各スタンドオフ155がスタンドオフ接触箇所112−1〜112−4のうち対応するものに接触するよう、VCSELデバイス110の基板上面112上に実装されており、実際のところ、そのスタンドオフ155で基板上面112上に“立って”いるといえる。基板上面112及びペデスタル下面152が共に平坦であり、またペデスタル下面152からのスタンドオフ突出長H1がどのスタンドオフ155でも同じであるため、こうして“立たせる”ことで自動的に、ペデスタル下面152は基板上面112と平行になる。即ち、ペデスタル下面152によって規定される平面と、基板上面112によって規定される平面とが、互いに平行になり、各マイクロレンズ158(図2では158−1及び158−2)と基板上面112との距離が一定距離Z1に保たれる。他方、マイクロレンズ158は互いに実質的に同一になるよう(例えばその直径がどのマイクロレンズ158でも同じ値D1で且つどのマイクロレンズ158の光学特性も互いに実質的に同一になるよう)形成されており、また基板上面112におけるVCSEL素子118の配置と整合するパターンで配置されている。しかも、マイクロレンズ距離Z1は、マイクロレンズ158の光学特性、並びにVCSEL素子118(図2では118−1及び118−2)により放射(検知の場合は受信)される光ビームLB(図2中の矢印付破線)の強度に応じて、決められている。従って、ペデスタル151に同一スタンドオフ長H1でスタンドオフ155−1〜155−4を形成し、そのスタンドオフ155がそれぞれ対応するスタンドオフ接触箇所112−1〜112−4にて基板上面112に接触するようペデスタル151を基板上面112上に実装することによって、全てのマイクロレンズ158が、VCSEL素子118のうち対応するものからの距離が光学的に最適な距離Z1になるよう自動的に且つ精密に位置決めされるため、各VCSEL素子118からの光軸沿い光伝送量が顕著に改善される。   As shown in the lower half of FIG. 1 and FIG. 2, on the substrate upper surface 112, regions where the standoffs 155 (155-1 and 155-2 in FIG. 2) are brought into contact, that is, standoff contact points 112-1 to 112-. 4 (112-1 and 112-2) are defined. The pedestal 151 in this embodiment is mounted on the substrate upper surface 112 of the VCSEL device 110 so that each standoff 155 contacts the corresponding one of the standoff contact points 112-1 to 112-4. However, it can be said that the standoff 155 is “standing” on the upper surface 112 of the substrate. Since the substrate upper surface 112 and the pedestal lower surface 152 are both flat, and the standoff protrusion length H1 from the pedestal lower surface 152 is the same for any standoff 155, the “pedestal” automatically causes the pedestal lower surface 152 to be Parallel to the upper surface 112 of the substrate. That is, the plane defined by the pedestal lower surface 152 and the plane defined by the substrate upper surface 112 are parallel to each other, and each microlens 158 (158-1 and 158-2 in FIG. 2) and the substrate upper surface 112 The distance is kept at a constant distance Z1. On the other hand, the microlenses 158 are formed so as to be substantially the same as each other (for example, the diameter of each microlens 158 is the same value D1 and the optical characteristics of all the microlenses 158 are substantially the same). Also, they are arranged in a pattern that matches the arrangement of the VCSEL elements 118 on the upper surface 112 of the substrate. Moreover, the microlens distance Z1 depends on the optical characteristics of the microlens 158 and the light beam LB (received in the case of detection) radiated (received in the case of detection) by the VCSEL element 118 (118-1 and 118-2 in FIG. 2). It is determined according to the strength of the broken line with an arrow). Accordingly, the standoffs 155-1 to 155-4 are formed on the pedestal 151 with the same standoff length H1, and the standoffs 155 contact the substrate upper surface 112 at the corresponding standoff contact points 112-1 to 112-4. By mounting the pedestal 151 on the upper surface 112 of the substrate, all the microlenses 158 are automatically and precisely set so that the distance from the corresponding one of the VCSEL elements 118 is the optically optimum distance Z1. Since the positioning is performed, the light transmission amount along the optical axis from each VCSEL element 118 is remarkably improved.

VCSELデバイス110の基板上面112上へのマイクロレンズ構造150の実装形態は、この例では、周縁部に配置されている電極パッド113と中心部に配置されているVCSEL素子118との間にスタンドオフ接触箇所112−1〜112−4(図2では112−1及び112−2)を定めておき、実装時にこれに接触することとなるようペデスタル151にスタンドオフ155を形成しておき、そして基板上面112上にマイクロレンズ構造150を実装する、という形態である。この文中、電極パッド113とVCSEL素子118の「間」、という表現は、軸心的な意味合いで使われている。即ち、図1中でスタンドオフ接触箇所112−1とスタンドオフ接触箇所112−2とを結んでいる仮想線L1はVCSELアレイ118を取り巻いており、電極パッド113間を結ぶ仮想線L2は更にその外側を取り巻いている。この関係即ちVCSELアレイ118及び仮想線L2に対する仮想線L1の関係のことを、電極パッド113とVCSEL素子118の「間」と称している。後に本発明の第2乃至下位概念的実施形態及びその試作例を参照して説明するように、このようにマイクロレンズ構造150の周縁部が一群の電極パッド113よりも内側にあると、VCSELデバイス110に対する導電接続のためワイヤボンディングを実施するのに都合がよい。即ち、フォトニックIC用のICパッケージ内にVCSELデバイス110を装填しワイヤボンディング等による配線を行ってVCSELデバイス110に試行通電した後に、マイクロレンズ構造150をそのICパッケージに装着する、というプロセスを実施するのに都合がよい。このようにすることで、その仕様上の特性を全て満たし試験及び選別を通過したVCSELデバイス110乃至フォトニックICだけを、付加価値的なレンズ装着工程に進めることが可能になるだけでなく、VCSELデバイス110に対するマイクロレンズ構造150の位置決めをある種の能動位置決め方式により行うことも可能になる。ここでいう“ある種の”能動位置決め方式とは、位置決めプロセス実施時にフォトニックICに通電して光信号を出射させ、その状態でVCSELデバイス110に対しマイクロレンズ構造150を動かし、マイクロレンズ構造150を介して位置決め装置の光検知部に届く光信号のレベルが最大になったときの位置関係が最適配置である、と判別する方式のことである。このように、フォトニック素子例えばVCSELデバイス110に対しレンズ構造150特にそのマイクロレンズ158を位置決めするのに先立ち、前者に通電可能であることは、前者に後者を一体化した構造及び一体化する方法においては重要なことである。   In this example, the mounting form of the microlens structure 150 on the substrate upper surface 112 of the VCSEL device 110 is a stand-off between the electrode pad 113 arranged at the peripheral portion and the VCSEL element 118 arranged at the central portion. Contact points 112-1 to 112-4 (112-1 and 112-2 in FIG. 2) are determined, a standoff 155 is formed on the pedestal 151 so as to come into contact with the substrate during mounting, and the substrate The microlens structure 150 is mounted on the upper surface 112. In this sentence, the expression “between” the electrode pad 113 and the VCSEL element 118 is used in an axial sense. That is, the virtual line L1 connecting the standoff contact point 112-1 and the standoff contact point 112-2 in FIG. 1 surrounds the VCSEL array 118, and the virtual line L2 connecting the electrode pads 113 is further It surrounds the outside. This relationship, that is, the relationship of the virtual line L1 to the VCSEL array 118 and the virtual line L2, is referred to as “between” the electrode pad 113 and the VCSEL element 118. As will be described later with reference to the second to subordinate conceptual embodiments of the present invention and prototypes thereof, when the peripheral portion of the microlens structure 150 is inside the group of electrode pads 113, the VCSEL device Convenient for performing wire bonding for conductive connection to 110. That is, the process of mounting the VCSEL device 110 in an IC package for a photonic IC, performing wiring by wire bonding or the like, trial-energizing the VCSEL device 110, and then mounting the microlens structure 150 on the IC package is performed. Convenient to do. In this way, not only can the VCSEL device 110 through the photonic IC satisfying all the characteristics of the specification and passing the test and selection be advanced to the value-added lens mounting process. It is also possible to position the microlens structure 150 with respect to the device 110 by some kind of active positioning method. The “certain” active positioning method referred to here means that a photonic IC is energized to emit an optical signal during the positioning process, and the microlens structure 150 is moved relative to the VCSEL device 110 in this state. This means that the positional relationship when the level of the optical signal reaching the light detection unit of the positioning device becomes the maximum is determined to be the optimal arrangement. Thus, prior to positioning the lens structure 150, particularly the microlens 158, with respect to the photonic element such as the VCSEL device 110, the former can be energized. Is important.

図3及び図4に、本発明の第2乃至下位概念的実施形態に係るVCSELアセンブリ200の斜視外観及び縦断面を示す。このVCSELアセンブリ200は、大まかにはVCSEL構造210及びマイクロレンズ構造250から構成されている。なお、上述した第1実施形態中の対応する構成部分と同じ又は似通った構成部分については、先に使用した参照符号と同じ又は類似した符号を使用して識別することとする。   3 and 4 show a perspective external view and a longitudinal section of a VCSEL assembly 200 according to second to subordinate conceptual embodiments of the present invention. The VCSEL assembly 200 is roughly composed of a VCSEL structure 210 and a microlens structure 250. Note that components that are the same as or similar to the corresponding components in the first embodiment described above are identified using the same or similar reference symbols as those used previously.

図3の下半分及び図4に示されているように、VCSEL構造210は、前述のVCSELデバイス110を従来型のICパッケージ220内に実装した構成を有している。特に、ICパッケージ220はその中央に孔222が形成された積層体221により構成されており、またVCSELデバイス110は、図3に示す要領でこの中央孔222内に実装され、且つ図4に示す要領で半田構造230によってICパッケージ220の内側底面225上にしっかりと固定されている。図3に示すように、VCSELデバイス110の電極パッドは、ボンディングワイヤ240によって中央孔222内に位置する内部電極パッド223に導電接続されている。図4に示す例では、ICパッケージ220の内部電極パッド223は中央孔222内の段付棚部224上に形成されており、それぞれ、対応する接続用ワイヤ240によって、VCSELデバイス110の電極パッド113のうちの対応するものに接続されている。更に、積層体221内には、パッケージングの分野で周知の手法を用い、絶縁素材層間の随所随所に導電トレース、例えば図4中便宜上破線で示した導電トレース229等が形成されている。これらの導電トレースは例えば銅から形成されており、パッケージ下面228上に被着している半田バンプ227等の外部電極と、これに対応する内部電極パッド223との間を、導電接続している。   As shown in the lower half of FIG. 3 and FIG. 4, the VCSEL structure 210 has a configuration in which the aforementioned VCSEL device 110 is mounted in a conventional IC package 220. In particular, the IC package 220 is configured by a laminated body 221 having a hole 222 formed at the center thereof, and the VCSEL device 110 is mounted in the center hole 222 in the manner shown in FIG. 3 and shown in FIG. In this manner, the solder structure 230 is firmly fixed on the inner bottom surface 225 of the IC package 220. As shown in FIG. 3, the electrode pads of the VCSEL device 110 are conductively connected to the internal electrode pads 223 located in the central hole 222 by bonding wires 240. In the example shown in FIG. 4, the internal electrode pads 223 of the IC package 220 are formed on the stepped shelves 224 in the central hole 222, and the electrode pads 113 of the VCSEL device 110 are respectively connected by the corresponding connection wires 240. Are connected to the corresponding ones. Further, conductive traces such as a conductive trace 229 indicated by a broken line in FIG. 4 are formed in the laminated body 221 everywhere between the insulating material layers by using a well-known technique in the packaging field. These conductive traces are made of, for example, copper, and conductively connect between external electrodes such as solder bumps 227 deposited on the package lower surface 228 and the corresponding internal electrode pads 223. .

本発明の発明者が最終的な目標としたのは個々のVCSEL素子のビーム偏角を狭めることである。それも、既に広く使用されているICパッケージと同様の構成を有し既存のプロセスにより製造可能なICパッケージ220内に、やはり従来と同様のプロセスにて製造可能なVCSEL素子118を実装する、という枠組みを保ちながら、光ビームLBの偏角即ちビーム偏角を狭めることである。以下、これを達成するために図3及び図4に示す実施形態にて採用した手法に関しより詳細に説明する。そのため、以下の記述では、本実施形態を、780nmで発光するVCSEL素子を8個×4個配置したVCSELアレイ向けに最適化し、更にそのVCSELアレイ118を標準的な36パッド表面実装LLC(leadless chip carrier)パッケージ内に収容したものとして、説明する。即ち、例えばDC1256GA、Docucolor 8000、Xerox 4110等、富士ゼロックス株式会社を製造元とする各種プリンタにて用いられるものと同類のVCSELアレイを、例えば京セラ株式会社等により製造されたLLCパッケージ内に収容した構成及びその実現手法について説明する。更に、その最終目標として、ハイブリッド型マイクロレンズ配置を用い従来における半値幅=15°という典型値から実質偏角=約8°までビーム偏角を狭める、という目標を設定した。この目標設定は後述の通り本実施形態の細部構成に影響を及ぼしている。いわゆる当業者であれば認識できるであろうが、本実施形態に改変を施すこと、例えばパッケージやVCSELデバイスを従来非公知の構造・方法等によるものとする等の改変を施すことも可能である。例えば、ビーム整形に関しまた別のことが要請される用途では、また異なるレンズ特性が要求されることとなろうが、そうした用途に対しても本発明に係る構造乃至手法は適用可能であるし、その際には必要な変形を施すべきであろう。説明の具体化、簡明化のため、以下の記述中には限定的ともとれる様々な事項が記載されることとなるが、それは記載した実施形態に対する変形可能性を排除することも、また別紙特許請求の範囲に記載の発明を限定的に解釈可能とすることも、意図するものではない。逐一注記はしないので注意されたい。   The inventor of the present invention made a final goal to narrow the beam deflection angle of each VCSEL element. It is also said that a VCSEL element 118 that can be manufactured by a process similar to the conventional process is mounted in an IC package 220 that has the same configuration as an IC package that is already widely used and can be manufactured by an existing process. This is to reduce the deflection angle of the light beam LB, that is, the beam deflection angle while maintaining the framework. Hereinafter, a method employed in the embodiment shown in FIGS. 3 and 4 to achieve this will be described in more detail. Therefore, in the following description, this embodiment is optimized for a VCSEL array in which 8 × 4 VCSEL elements that emit light at 780 nm are arranged, and the VCSEL array 118 is further converted to a standard 36-pad surface mount LLC (leadless chip). carrier) It will be described as being contained in a package. That is, for example, a VCSEL array similar to that used in various printers manufactured by Fuji Xerox Co., Ltd., such as DC1256GA, Doccolor 8000, Xerox 4110, etc., is accommodated in an LLC package manufactured by Kyocera Corporation, etc. And the realization method is demonstrated. Furthermore, as a final target, a target of narrowing the beam deflection angle from a typical value of a conventional half-width = 15 ° to a substantial deflection angle = about 8 ° using a hybrid microlens arrangement was set. This target setting influences the detailed configuration of the present embodiment as will be described later. As will be appreciated by those skilled in the art, the present embodiment can be modified, for example, a package or a VCSEL device can be modified by a conventionally unknown structure or method. . For example, in applications that require different things regarding beam shaping, different lens characteristics will be required. The structure or method according to the present invention can be applied to such applications, In that case, necessary modifications should be made. In order to make the explanation concrete and concise, various matters that can be taken in a limited manner will be described in the following description, but this excludes the possibility of modification to the described embodiment, and is also disclosed in a separate patent. It is also not intended that the invention described in the claims can be interpreted in a limited manner. Note that there is no single note.

図3の上半分及び図4に示す通り、マイクロレンズ構造250はブロック状ペデスタル251及びキャリアプレート260から構成されている。ペデスタル251は、当該ペデスタル251をキャリアプレート260につなぎ止める部位である基部252と、その基部252から延びキャリアプレート260から突出する部位である自由端254とを有している。このペデスタル251の下面152、即ち自由端254の下面上には、第1実施形態におけるペデスタル151と同じく、スタンドオフ155及びマイクロレンズアレイ158が配されており、やはり第1実施形態と同じく、ペデスタル251は、そのスタンドオフ155が基板上面112上の対応する領域に接触するよう、ひいてはVCSEL素子118からマイクロレンズアレイ158までの距離が確実に所定距離になるように、VCSELデバイス110上に実装されている。また、キャリアプレート260は、例えばガラスプレートの中央部262をミリング又はエッチングして開口を形成し、この開口内にペデスタル251の基部252を受け入れ保持できるようにした構成を有している。キャリアプレート260の役割はICパッケージ220の中央孔222を封止することであり、図4に示すようにその周縁部265は少量の接着剤270によってICパッケージ220にしっかりと固定されている。また、これは必須ではないが、少量の接着剤275を用いペデスタル251をVCSELデバイス110の基板上面112にしっかりと固定するとよい。キャリアプレート260を例えば紫外線(UV)透過性の素材により形成し、接着剤270(及び275)としてUV硬化性の接着剤を用いた場合、キャリアプレート260を介し接着剤270(及び275)をUVにさらして硬化させることができる。   As shown in the upper half of FIG. 3 and FIG. 4, the microlens structure 250 includes a block-shaped pedestal 251 and a carrier plate 260. The pedestal 251 has a base portion 252 that is a portion for fastening the pedestal 251 to the carrier plate 260 and a free end 254 that is a portion extending from the base portion 252 and protruding from the carrier plate 260. On the lower surface 152 of this pedestal 251, that is, on the lower surface of the free end 254, a standoff 155 and a microlens array 158 are arranged in the same manner as the pedestal 151 in the first embodiment. 251 is mounted on the VCSEL device 110 so that the stand-off 155 contacts a corresponding region on the substrate upper surface 112, and the distance from the VCSEL element 118 to the microlens array 158 is surely a predetermined distance. ing. The carrier plate 260 has a configuration in which, for example, a central portion 262 of the glass plate is milled or etched to form an opening, and the base 252 of the pedestal 251 can be received and held in the opening. The role of the carrier plate 260 is to seal the central hole 222 of the IC package 220, and the peripheral edge 265 is firmly fixed to the IC package 220 with a small amount of adhesive 270 as shown in FIG. 4. Although this is not essential, a small amount of adhesive 275 may be used to firmly fix the pedestal 251 to the substrate upper surface 112 of the VCSEL device 110. When the carrier plate 260 is formed of, for example, an ultraviolet (UV) transmissive material and a UV curable adhesive is used as the adhesive 270 (and 275), the adhesive 270 (and 275) is UV-exposed via the carrier plate 260. Can be cured by exposure.

図5に、本発明の一実施形態に係るVCSELアセンブリ製造方法の大まかな流れを示す。ここでは上述の第2実施形態に係るVCSELアセンブリ200を製造するものとして本方法を説明するが、本方法はそれ以外の光放射/光検知デバイスからなるアセンブリの製造にも使用できる。   FIG. 5 shows a general flow of a VCSEL assembly manufacturing method according to an embodiment of the present invention. Although the present method will be described herein as manufacturing the VCSEL assembly 200 according to the second embodiment described above, the present method can also be used to manufacture assemblies comprising other light emitting / detecting devices.

図5の左上部分に示されているように、本方法においては、まずVCSELデバイス(510)及びそのハウジング先たるICパッケージ(512)を製造又は入手し、更にそのVCSELデバイスをそのICパッケージ内に実装する(514)。ここで「製造又は入手」としてあるのは、本発明の目的が、そもそも、大出力のVCSELを新規開発すること及び新規構成のICパッケージを開発すること無しでVCSEL利用型高速印刷システムを実現することにあり、本発明にてそのための手段が提供されているため、VCSELデバイス及びICパッケージについては新たに製造せずに在庫品を使用することができるからである。そのようにすれば、部品コストを更に削減することもできる。また、使用できるVCSELデバイス及び従来型ICパッケージの例としては、図3及び図4を参照して先に説明したものがある。更に、VCSELデバイスをICパッケージ内に実装する際には、既存の手法を用いることができる。例えば、ICパッケージの(内側)底面上にVCSELデバイスを半田づけすればよい。また、デバイスを一旦組み上げてしまうと、マイクロレンズ構造によりVCSELアレイが完全に覆い隠されるため、VCSELデバイスに対し物理的にアクセスすることができなくなる。そのため、VCSELデバイス及びICパッケージからなるアセンブリ上にマイクロレンズ構造を実装するのに先立って、VCSELデバイスをICパッケージに導電接続する必要がある。そこで、図3及び図4に示した例でいうならマイクロレンズ構造250の実装に先立つこの段階で、従来公知のワイヤボンディング技術を用いVCSELデバイス110をICパッケージ220に導電接続する。   As shown in the upper left part of FIG. 5, the method first manufactures or obtains the VCSEL device (510) and the IC package (512) ahead of its housing, and further places the VCSEL device in the IC package. Implement (514). Here, “manufacturing or obtaining” means that the object of the present invention is to realize a VCSEL-based high-speed printing system without newly developing a high-output VCSEL or developing a newly configured IC package. In particular, the present invention provides a means for that purpose, so that it is possible to use a stock product without newly manufacturing the VCSEL device and the IC package. By doing so, the cost of parts can be further reduced. Also, examples of VCSEL devices and conventional IC packages that can be used are those previously described with reference to FIGS. Furthermore, existing techniques can be used when mounting a VCSEL device in an IC package. For example, a VCSEL device may be soldered on the (inner) bottom surface of the IC package. Also, once the device is assembled, the VCSEL array cannot be physically accessed because the VCSEL array is completely obscured by the microlens structure. Therefore, it is necessary to conductively connect the VCSEL device to the IC package prior to mounting the microlens structure on the assembly consisting of the VCSEL device and the IC package. 3 and 4, the VCSEL device 110 is conductively connected to the IC package 220 using a conventionally known wire bonding technique at this stage prior to mounting the microlens structure 250.

また、図5の右上部分に示されているように、本方法においては、マイクロレンズアレイ及び複数本のスタンドオフ(脚部)を薄膜技術を用いブロック状ペデスタルの下部平坦面上に形成し(520)、これと一体に又は分離してキャリアプレートを作成し(522)、そしてそのペデスタルをキャリアプレート上に実装する(524)ことによって、マイクロレンズ構造を製造する。マイクロレンズアレイの形成ひいてはマイクロレンズ構造の製造と、前述のVCSELデバイスの製造/入手、ICパッケージの製造/入手ひいてはVCSELデバイス/ICパッケージアセンブリの製造は、どちらを先に実施してもよいし、両者を同時に実施してもよい。   Further, as shown in the upper right part of FIG. 5, in this method, a microlens array and a plurality of standoffs (legs) are formed on the lower flat surface of the block-shaped pedestal using thin film technology ( 520), making a carrier plate integral with or separate from this (522) and mounting the pedestal on the carrier plate (524) to produce a microlens structure. Either the formation of the microlens array and thus the manufacture of the microlens structure, the manufacture / acquisition of the aforementioned VCSEL device, the manufacture / acquisition of the IC package, and thus the manufacture of the VCSEL device / IC package assembly may be performed first. Both may be performed simultaneously.

本実施形態におけるマイクロレンズアレイの形成ひいてはマイクロレンズ構造の製造に当たっては、既存のマイクロレンズ形成手法を使用することができる。そのため、使用するVCSELデバイス及びICパッケージの組合せが決まり、寸法及び焦点距離に関する仕様乃至公差が決まれば、それに適合するようマイクロレンズアレイを形成し(又は適合するマイクロレンズアレイを入手し)それを用いてマイクロレンズ構造を製造することができる。ここで想定しているデバイスでは、使用するVCSEL素子の直径が20μmしかなくまたその配置ピッチが28μmしかないので、マイクロレンズアレイの形成に際しては非常に厳しい製造公差を満足させる必要がある。発明者の考えによれば、マイクロレンズ形成プロセスとVCSELデバイス製造プロセスはコンパチブルでなく、マイクロレンズ製造業者及びVCSELデバイス製造業者には両プロセスをコンパチブルにする気も見込みもない。そうしたことから、本実施形態においては、VCSELデバイス若しくはそれとICパッケージとのアセンブリと、マイクロレンズアレイ若しくはマイクロレンズ構造とを別々に製造し、両者を一体化する、というハイブリッド方式を用いている。   In forming the microlens array in the present embodiment, and thus in manufacturing the microlens structure, an existing microlens formation method can be used. Therefore, if the combination of the VCSEL device and IC package to be used is determined, and the specifications and tolerances relating to the dimensions and focal length are determined, a microlens array is formed (or a compatible microlens array is obtained) and used. Thus, a microlens structure can be manufactured. In the device assumed here, the diameter of the VCSEL element to be used is only 20 μm and the arrangement pitch is only 28 μm. Therefore, it is necessary to satisfy very strict manufacturing tolerances when forming the microlens array. According to the inventor's idea, the microlens formation process and the VCSEL device manufacturing process are not compatible, and neither the microlens manufacturer nor the VCSEL device manufacturer is willing or likely to make both processes compatible. For this reason, in this embodiment, a hybrid system is used in which an assembly of a VCSEL device or an IC package thereof and a microlens array or a microlens structure are separately manufactured, and both are integrated.

図6に、本発明による試作ペデスタルの拡大撮影画像を示す。このペデスタル上におけるマイクロレンズの配置パターンは、図示しない対応するVCSELデバイスにおけるVCSEL素子の配置パターンに合わせてある。VCSEL素子との位置関係に関わる厳格な製造公差を満たすようマイクロレンズアレイを形成するには、幾つかの厳しい問題を克服しなければならない。就中、個々のマイクロレンズをかなり正確なサイズ、形状及び相対配置で形成しなければならない。ここで想定しているVCSELデバイスに適合するようマイクロレンズアレイを形成するには、発明者の考えによれば、マイクロレンズアレイ全体が、レンズ直径公差〜2μm、焦点距離均一度〜1μm、レンズ位置精度〜0.2μm、レンズ形成部基材平坦度(うねり)〜1μmという範囲条件を満たさねばならない。そこで、これらの条件を満たすマイクロレンズアレイを、株式会社オハラが製造したSTIH53チタニアガラスのブロックをマイクロマシニング(例えばエッチング)して試作した。形成したマイクロレンズの断面形状は錐状、SAGは3.3μmで、波長=780nmにおける焦点距離が31μmとなるようにした。スタンドオフは、ペデスタルと一体に且つマイクロレンズよりも大きく張り出すように形成し、その位置はマイクロレンズアレイよりも周縁部寄りとした。具体的には、図2におけるマイクロレンズ距離Z1が22.3±0.2μmになるよう、マイクロレンズアレイと同じ株式会社オハラ製のガラス素材STIH53で一体形成した。ペデスタルの製造方法としては、ガラス素材を1枚のシート状に一括焼成し、得られたガラスシートをペデスタル境界線沿いに分割して複数個のブロック状ペデスタルにする、という方法を用いた。   FIG. 6 shows an enlarged photographed image of a prototype pedestal according to the present invention. The arrangement pattern of the microlenses on the pedestal is matched to the arrangement pattern of the VCSEL elements in a corresponding VCSEL device (not shown). In order to form a microlens array to meet stringent manufacturing tolerances related to the positional relationship with the VCSEL element, several severe problems must be overcome. In particular, individual microlenses must be formed with fairly accurate sizes, shapes and relative arrangements. In order to form the microlens array so as to be suitable for the VCSEL device assumed here, according to the inventor's idea, the entire microlens array has a lens diameter tolerance of ˜2 μm, a focal length uniformity of ˜1 μm, and a lens position. The range conditions of accuracy to 0.2 μm and lens forming part substrate flatness (waviness) to 1 μm must be satisfied. Therefore, a microlens array satisfying these conditions was prototyped by micromachining (for example, etching) a block of STIH53 titania glass manufactured by OHARA INC. The cross-sectional shape of the formed microlens was conical, SAG was 3.3 μm, and the focal length at a wavelength = 780 nm was 31 μm. The standoff was formed integrally with the pedestal so as to protrude larger than the microlens, and the position thereof was closer to the periphery than the microlens array. Specifically, the glass material STIH53 manufactured by OHARA INC., Which is the same as the microlens array, was integrally formed so that the microlens distance Z1 in FIG. 2 was 22.3 ± 0.2 μm. As a method for producing a pedestal, a method was used in which a glass material was batch-fired into a single sheet, and the obtained glass sheet was divided along a pedestal boundary line into a plurality of block-shaped pedestals.

図7に、本実施形態におけるキャリアプレートの斜視外観をやや単純化して示す。このキャリアプレート260−1の表裏には、キャリアプレート260−1の厚みの半分程の深さの溝264及び266が、直角に交差するよう刻み込まれている。従って、キャリアプレート260−1の中央部262には、溝264及び266の連なりによりスルーホール268が形成される。溝264及び266の幅は、それらにより形成されるスルーホール268のサイズが、ペデスタル基部を受け入れ保持することができるサイズとなるように、定めておく。なお、こうした形態に代え、キャリアプレートに穿孔して適当なスルーホールを形成し、ペデスタルを挿入及び糊付けする形態を採ってもよい。また、従来は、通常、VCSELデバイスが実装されている適当なICパッケージに更にカバーガラスを実装してVCSELデバイスを保護する、という形態が採られていたが、本実施形態におけるキャリプレート260−1は、そうしたカバーガラスの代替えとして機能し得るよう、即ち例えばCorning社製ガラス1737等の光透過性素材により形成された平坦片として、形成されている。但し、光透過性素材により形成されたペデスタルはその内外を光が往来できるため、これを避けたいなら非透過性素材からキャリアプレートを形成してもよい。   FIG. 7 shows a slightly simplified perspective appearance of the carrier plate in the present embodiment. On the front and back of the carrier plate 260-1, grooves 264 and 266 having a depth about half the thickness of the carrier plate 260-1 are cut so as to intersect at right angles. Accordingly, a through hole 268 is formed in the center portion 262 of the carrier plate 260-1 by the series of grooves 264 and 266. The widths of the grooves 264 and 266 are determined so that the size of the through hole 268 formed by them becomes a size that can receive and hold the pedestal base. In addition, it may replace with such a form and may take the form which perforate | pierces a carrier plate, forms a suitable through hole, inserts and pastes a pedestal. Conventionally, a form in which a cover glass is further mounted on an appropriate IC package on which the VCSEL device is mounted to protect the VCSEL device has been adopted. However, the carry plate 260-1 in this embodiment is used. Is formed as a flat piece made of a light transmissive material such as Corning glass 1737, for example, so that it can function as an alternative to such a cover glass. However, since the pedestal formed of the light transmissive material can travel light inside and outside, if it is desired to avoid this, the carrier plate may be formed of a non-transmissive material.

図8に、本発明による試作マイクロレンズ構造の撮影画像を示す。このマイクロレンズ構造は、前述の要領で作成されたキャリアプレート上に、やはり前述の要領で作成されたペデスタルを実装した構造である。ここで注意すべきことは、接着剤等を用いペデスタル基部がキャリアプレート中央部の開口内にしっかりと固定されていることと、マイクロレンズアレイが形成されているペデスタル自由端がキャリアプレートから離れた位置になるようペデスタルが実装されていることである。   FIG. 8 shows a photographed image of the prototype microlens structure according to the present invention. This microlens structure is a structure in which the pedestal created as described above is mounted on the carrier plate prepared as described above. It should be noted that the pedestal base is firmly fixed in the opening in the center of the carrier plate using an adhesive or the like, and that the pedestal free end where the microlens array is formed is separated from the carrier plate. The pedestal is mounted so that it is in position.

組み上がったマイクロレンズ構造は、次いで、VCSELデバイス及びICパッケージからなるアセンブリの上面の上方において、マイクロレンズアレイを構成する各マイクロレンズが対応するVCSEL素子の直上に位置することとなるよう、位置決めしてやる。本実施形態では、その位置決めのためのプロセスとして、マイクロレンズ構造及びVCSELデバイスのうち少なくとも一方を位置可調装置上に装着し、マイクロレンズ構造を通してVCSEL素子を見ることができるようマイクロレンズ構造及びVCSELデバイスの上方に拡大装置を配置し、その状態で位置可調装置を操作してVCSELデバイスに対するマイクロレンズ構造の位置関係を調整しつつ拡大装置を通してマイクロレンズの拡大像を捉え、その結果、マイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズのうち少なくとも1個が対応するVCSEL素子の直上にあることが判明したら調整を終える、という手順を含むプロセスを使用する。図5においては、そうしたプロセスを構成する工程の流れの例として、VCSELデバイス及びICパッケージからなるアセンブリを位置可調装置の例たるXYZΘテーブル上に装着する(530)一方でマイクロレンズ構造を位置可調装置の例たるサポートチャック上に装着してXYZΘテーブル上方に配置し(535)、拡大装置の例たる顕微鏡を用いてマイクロレンズアレイをVCSELアレイ上に位置決めする(540)、という流れが示されている。更に、ICパッケージの中央孔の周縁部にある段付棚部に接着剤を塗布してもよい(530)。但し、この接着剤はひとまず硬化させないでおく。図9に、この段階で使用する装置即ち位置可調装置及び拡大装置の構成例を簡略化して示す。この図においては、VCSELデバイス110及びICパッケージ220からなるVCSELアセンブリ200がテーブル910上に装着されており、マイクロレンズ構造250がチャック920上に保持されている。テーブル910は図示しないXYZΘステージのマイクロメータ式操作によって搭載物(VCSELアセンブリ200)の位置を調整できる装置であり、チャック920は真空吸引によって物体を吸着し吸着物(マイクロレンズ構造250)をVCSELデバイス110上に懸架できるホルダチャック乃至サポートチャックである。これらテーブル910及びチャック920は、互いに一体にまたその搭載物及び吸着物と一体に、顕微鏡の対物レンズ930に対し動かすことができるよう、構成されている。例えば、図示しないXYZステージ上にテーブル910及びチャック920を搭載しておきそのXYZステージを適宜操作するようにするとよい。また、対物レンズ930に対し搭載物及び吸着物を一体に動かすだけであれば、チャック920を動かせるよう専用のXYZステージを設け、テーブル910用のXYZΘステージ(上述)と同期してこのチャック920用のXYZステージを動かしてもよい。これらテーブル910及びチャック920は、更に、その搭載物及び吸着物を相対的に動かし、それらの間の位置関係を顕微鏡(簡明化のため対物レンズ930以外は省略)により高倍率で検査することができるよう、構成されている。即ち、顕微鏡の対物レンズ930の視野内にマイクロレンズ構造250及びVCSELデバイス110が捉えられている状態で、テーブル910をそのXYZΘステージの操作によって動かすこと(或いはこれと共に又はこれに代えてチャック920をそのXYZステージの操作によって動かすこと)ができる。こうした操作により、マイクロレンズをVCSEL素子に位置決めすること、即ち顕微鏡の対物レンズ930を介して捉えた拡大像において、マイクロレンズ構造250上のマイクロレンズアレイを構成するマイクロレンズのうち少なくとも1個が、VCSELデバイス上のVCSEL素子のうち対応するものの上方に重なるように、位置決めすることができる。   The assembled microlens structure is then positioned so that each microlens making up the microlens array is positioned directly above the corresponding VCSEL element above the top surface of the assembly of VCSEL devices and IC packages. . In this embodiment, as a process for positioning, at least one of the microlens structure and the VCSEL device is mounted on the position adjustable device, and the VCSEL element can be seen through the microlens structure. A magnifying device is arranged above the device, and in that state, the position adjustable device is operated to adjust the positional relationship of the microlens structure with respect to the VCSEL device, and an enlarged image of the microlens is captured through the magnifying device. A process is used that includes the procedure of ending the adjustment once it is found that at least one of the microlenses that make up the array is directly above the corresponding VCSEL element. In FIG. 5, as an example of the flow of steps constituting such a process, an assembly consisting of a VCSEL device and an IC package is mounted on an XYZΘ table as an example of a position adjustable device (530), while a microlens structure is positioned. It shows the flow of mounting on a support chuck as an example of an adjustment device and placing it above the XYZΘ table (535) and positioning the microlens array on the VCSEL array using a microscope as an example of an enlargement device (540). ing. Further, an adhesive may be applied to the stepped shelf at the peripheral edge of the central hole of the IC package (530). However, this adhesive should not be cured for the time being. FIG. 9 shows a simplified configuration example of a device used at this stage, that is, a position adjustment device and an enlargement device. In this figure, a VCSEL assembly 200 comprising a VCSEL device 110 and an IC package 220 is mounted on a table 910 and a microlens structure 250 is held on a chuck 920. The table 910 is a device that can adjust the position of the mounted object (VCSEL assembly 200) by micrometer-type operation of an XYZΘ stage (not shown), and the chuck 920 adsorbs an object by vacuum suction, and the adsorbed object (microlens structure 250) is a VCSEL device. A holder chuck or a support chuck that can be suspended on 110. The table 910 and the chuck 920 are configured to be movable with respect to the objective lens 930 of the microscope integrally with each other and with the mounted object and the adsorbed object. For example, a table 910 and a chuck 920 may be mounted on an XYZ stage (not shown) and the XYZ stage may be operated as appropriate. Further, if the mounted object and the adsorbed object are simply moved together with respect to the objective lens 930, a dedicated XYZ stage is provided so that the chuck 920 can be moved, and the chuck 920 is synchronized with the XYZΘ stage for the table 910 (described above). The XYZ stage may be moved. The table 910 and the chuck 920 can further move the mounted object and the adsorbed object relatively and inspect the positional relationship between them at a high magnification with a microscope (except for the objective lens 930 for the sake of simplicity). It is configured so that it can. That is, while the microlens structure 250 and the VCSEL device 110 are captured in the field of view of the objective lens 930 of the microscope, the table 910 is moved by operating the XYZΘ stage (or the chuck 920 is moved together with or instead of this). It can be moved by operating the XYZ stage). By such an operation, at least one of the microlenses constituting the microlens array on the microlens structure 250 in the enlarged image captured through the objective lens 930 of the microscope is positioned at the VCSEL element. Positioning can be overlaid above the corresponding one of the VCSEL elements on the VCSEL device.

こうした手法による精密な位置決めが終わり、マイクロレンズアレイを構成する各マクロレンズが対応するVCSEL素子の直上に位置する状態となったら、図5に示すように、テーブル910用のXYZΘステージを操作することによりVCSELデバイス及びICパッケージからなるアセンブリを持ち上げ、スタンドオフを前述の形態でVCSELデバイスの基板上面に接触させる(550)。引き続き当該アセンブリを持ち上げるとマイクロレンズ構造250が押し上げられ、その自重によってマイクロレンズ構造250がアセンブリに押しつけられる結果、マイクロレンズ構造250はそのスタンドオフ(脚部)によって自立すると共にアセンブリに対して精密に平行化される。また、この時点でテーブル910やチャック920を操作しマイクロレンズ構造250に対しアセンブリを動かすことにより、XY方向位置を再調整乃至精密調整することもできる。何れにせよ、レーザメサ(VCSEL素子)に対するマイクロレンズアレイの位置決めが自動的にしかもレーザメサを基準として行われるため、重要なことに、VCSEL開口(マイクロレンズアレイの開口)の位置とそれに対応するメサ構造(VCSEL素子)の位置とが、芯ズレ0.5μm以内という高い精度で一致することとなる。   When precise positioning by such a method is completed and each macro lens constituting the microlens array is positioned immediately above the corresponding VCSEL element, the XYZΘ stage for the table 910 is operated as shown in FIG. Lifts the assembly of the VCSEL device and IC package and contacts the standoff to the top surface of the VCSEL device substrate in the manner described above (550). When the assembly is subsequently lifted, the microlens structure 250 is pushed up, and due to its own weight, the microlens structure 250 is pressed against the assembly. As a result, the microlens structure 250 is self-supported by its standoff (leg), and is precisely with respect to the assembly. Parallelized. At this time, the position in the XY direction can be readjusted or precisely adjusted by operating the table 910 or the chuck 920 to move the assembly with respect to the microlens structure 250. In any case, since the positioning of the microlens array with respect to the laser mesa (VCSEL element) is automatically performed with reference to the laser mesa, importantly, the position of the VCSEL opening (opening of the microlens array) and the corresponding mesa structure are important. The position of the (VCSEL element) coincides with a high accuracy of a misalignment of 0.5 μm or less.

こうして実装プロセスを終えたら、図5に示すように、キャリアプレートの周縁部とICパッケージの段付棚部との間にUV硬化性の接着剤を塗布し硬化させることにより、VCSELデバイスに対するマイクロレンズ構造の位置を現位置で固定する(560)。先に実施した工程530で接着剤を塗布してある場合、その接着剤も同時に硬化させることができる。こうして得られるのは先に図4に示したVCSEL構造である。注記すべきことに、キャリアプレート260の周縁部265と段付棚部224の間を少量の接着剤270によって固定する必要上、それらキャリアプレート周縁部265と段付棚部224の間に幾分の隙間が必要であり、この隙間がないとマイクロレンズ構造250を傾けることができず、従ってVCSELデバイス110の基板上面112にスタンドオフ155を密着させることができない。また、この部分の接着剤を硬化させるためのUVは光ファイバからレンズホルダチャック920に向け送出され、その表面で反射され例えばキャリアプレート260を介してVCSELデバイス110のICパッケージ220内に向かう。このようにして位置決め及び接合を完遂した後は、例えば、マイクロレンズ構造250の周りに残った隙間をエポキシで充填し、そのエポキシを硬化させればよい。   When the mounting process is completed in this way, as shown in FIG. 5, a microlens for the VCSEL device is applied by applying and curing a UV curable adhesive between the peripheral edge of the carrier plate and the stepped shelf of the IC package. The position of the structure is fixed at the current position (560). If an adhesive has been applied in step 530 performed earlier, the adhesive can also be cured simultaneously. Thus, the VCSEL structure shown in FIG. 4 is obtained. It should be noted that the space between the peripheral edge 265 of the carrier plate 260 and the stepped shelf 224 must be fixed with a small amount of adhesive 270, and therefore somewhat between the carrier plate peripheral edge 265 and the stepped shelf 224. The microlens structure 250 cannot be tilted without this gap, and therefore the standoff 155 cannot be brought into close contact with the substrate upper surface 112 of the VCSEL device 110. In addition, UV for curing the adhesive in this portion is sent from the optical fiber toward the lens holder chuck 920, reflected on the surface thereof, and directed into the IC package 220 of the VCSEL device 110 via the carrier plate 260, for example. After completing the positioning and joining in this way, for example, the gap remaining around the microlens structure 250 may be filled with epoxy and the epoxy may be cured.

以上説明した製造方法によれば、各マイクロレンズアレイが信頼性及び再現性よくVCSELアレイ上方に高精度配置されたVCSELアセンブリを、製造に起因してVCSELデバイスに発生する基板厚み誤差及び方向誤差があるにもかかわらず、好適に製造することができる。即ち、まず、VCSELデバイスを表面実装パッケージ内に実装する際、前述の通りVCSELデバイスの背面を下に向け表面実装パッケージ内に半田付けするというダイアタッチメントプロセスを用いているため、半田リフロー処理のばらつきによってVCSELデバイスの基板(ダイ)にある程度の傾斜がほぼ必然的に発生する。またこの傾斜はパッケージ毎に異なるものとなる。更に、VCSELデバイスの基板の厚みはVCSELデバイスそれ自体の素子性能に重要な影響を及ぼすものではないので、基板背面にレンズを形成する構成のように基板厚みを精密に管理・制御することは避けたい。本方法では製造時における精密な基板厚み管理・制御を廃止し、VCSELデバイスの基板厚みがデバイス毎に異なるものになることを許容している。これら、基板傾斜や基板厚みばらつき等によってVCSELデバイスの寸法、位置、向き等が幾分不確定になることから、本方法では、マイクロレンズのZ方向位置の基準をICパッケージやデバイス保持整列用ステージにではなくVCSELデバイスの表面にとっている。即ち、本発明の好適な実施形態においては、スタンドオフ(脚部)155とVCSELデバイス110とを接触させることで、製造起因変動要素例えば基板傾斜や基板厚みばらつきが吸収され、マイクロレンズアレイの位置がVCSELアレイの表面及び位置を基準に自動的に最適位置になるようにしている。   According to the manufacturing method described above, a substrate thickness error and a direction error generated in the VCSEL device due to the manufacture of a VCSEL assembly in which each microlens array is arranged with high accuracy and high reproducibility above the VCSEL array. Despite being, it can be suitably manufactured. That is, first, when mounting the VCSEL device in the surface mount package, since the die attachment process of soldering in the surface mount package with the back surface of the VCSEL device facing down is used as described above, the variation in the solder reflow process As a result, a certain degree of inclination is almost inevitably generated in the substrate (die) of the VCSEL device. In addition, this inclination is different for each package. In addition, since the thickness of the substrate of the VCSEL device does not have a significant effect on the element performance of the VCSEL device itself, avoid controlling and controlling the substrate thickness precisely as in the configuration in which a lens is formed on the back of the substrate. I want. In this method, precise substrate thickness management and control at the time of manufacture is abolished, and the substrate thickness of the VCSEL device is allowed to be different for each device. Since the size, position, orientation, etc. of the VCSEL device are somewhat uncertain due to the substrate tilt, substrate thickness variation, etc., in this method, the reference for the position of the microlens in the Z direction is used as an IC package or device holding / alignment stage. Not on the surface of the VCSEL device. In other words, in a preferred embodiment of the present invention, the standoff (leg) 155 and the VCSEL device 110 are brought into contact with each other, so that manufacturing-induced variation factors such as substrate tilt and substrate thickness variation are absorbed, and the position of the microlens array. Is automatically set to the optimum position based on the surface and position of the VCSEL array.

以上、本発明をその実施形態により説明したが、いわゆる当業者にとっては自明な通り、本発明の特徴的構成は他の形態でも同様に好適に実施可能である。本発明の技術的範囲には、それらの実施形態が例外なく包含される。例えば、上述した実施形態ではスタンドオフ(脚部)の本数が4本であったが、これを3本或いは8本にしてもよい。また、各マイクロレンズの表面形状はどのような状態、形状又は方向の光ビームが要求されるかによって決めればよいため、様々な形状にすることができる。球面でも非球面でもよいし、円筒面でもトロイダル面でも錘面でももよいし、プリズム面でも回折面でもファセット面でもよいし、中心が揃っていてもよいしずれていてもよいし、或いは更に自由形状であってもよい。更に、同一アレイをなしているマイクロレンズの構造を互いに違えてもよいし、基材即ちペデスタルにおけるマイクロレンズの配設箇所を上面にしてよいし下面にしてもよいしその両方にしてもよい。そして、マイクロレンズの開口形状乃至光ビームの断面形状は、例えば正方形、長方形、楕円形、六角形等、非円形でもよい。   Although the present invention has been described above with reference to the embodiment, as is obvious to those skilled in the art, the characteristic configuration of the present invention can be suitably implemented in other forms as well. Those embodiments are included in the technical scope of the present invention without exception. For example, in the above-described embodiment, the number of standoffs (legs) is four, but it may be three or eight. In addition, the surface shape of each microlens may be determined depending on what state, shape, or direction of the light beam is required, and thus various shapes can be used. A spherical surface, an aspherical surface, a cylindrical surface, a toroidal surface, or a weight surface may be used, a prism surface, a diffractive surface, or a facet surface may be used. It may be a free shape. Furthermore, the structures of the microlenses forming the same array may be different from each other, and the arrangement positions of the microlenses on the base material, that is, the pedestal may be the upper surface, the lower surface, or both. The opening shape of the microlens or the cross-sectional shape of the light beam may be non-circular, such as a square, a rectangle, an ellipse, a hexagon, and the like.

本発明の第1実施形態に係り、マイクロレンズ構造及び光放射/検知デバイスを有するアセンブリを斜め上方から見た図である。FIG. 3 is an oblique view of an assembly having a microlens structure and a light emitting / sensing device according to the first embodiment of the present invention. 図1に示したアセンブリをやや単純化して示した縦断面図である。It is the longitudinal cross-sectional view which showed the assembly shown in FIG. 1 somewhat simplified. 本発明の第2実施形態に係り、マイクロレンズ構造、VCSELデバイス及びICパッケージを有するVCSELアセンブリを斜め上方から見た分解図である。It is the exploded view which looked at the VCSEL assembly which has a microlens structure, a VCSEL device, and an IC package from diagonally upward concerning 2nd Embodiment of this invention. 図3に示したアセンブリをやや単純化して示した縦断面図である。FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing the assembly shown in FIG. 3 in a slightly simplified manner. 図3に示したアセンブリの製造方法を示す工程フロー図である。FIG. 4 is a process flow diagram showing a method for manufacturing the assembly shown in FIG. 3. 本発明の試作品におけるペデスタル、特にそのマイクロレンズアレイ及びスタンドオフ(脚部)の撮影画像を示す図である。It is a figure which shows the picked-up image of the pedestal in the prototype of this invention, especially its micro lens array, and a stand-off (leg part). 第2実施形態におけるキャリアプレートの形状をやや単純化して示した斜視図である。It is the perspective view which simplified and showed the shape of the carrier plate in 2nd Embodiment somewhat. 本発明の試作品におけるアセンブリ内マイクロレンズの撮影画像を示す図である。It is a figure which shows the picked-up image of the micro lens in assembly in the prototype of this invention. 第2実施形態に係るVCSELアセンブリの製造装置の例を示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the example of the manufacturing apparatus of the VCSEL assembly which concerns on 2nd Embodiment. 従来のマイクロレンズアレイ一体化型VCSELアレイをやや単純化して示した断面図である。It is sectional drawing which showed the conventional micro lens array integrated type VCSEL array somewhat simplified.

符号の説明Explanation of symbols

100 VCSEL装置、110 VCSELデバイス、111 半導体基板、112 基板上面、112−1〜112−4 スタンドオフ接触箇所、118 VCSEL素子又はアレイ、150,250 マイクロレンズ構造、151,251 ペデスタル、152 ペデスタル下面、155 スタンドオフ又はそのアレイ、158 マイクロレンズ又はそのアレイ、200 VCSELアセンブリ、210 VCSEL構造、220 ICパッケージ、222 中央孔、224 段付棚部、260,260−1 キャリアプレート、510 VCSELデバイス準備工程、512 ICパッケージ準備工程、514 VCSELデバイス実装工程、520 マイクロレンズアレイ/ペデスタル作成工程、522 キャリアプレート作成工程、524 ペデスタル実装工程、530 テーブル装着工程、535 チャック装着工程、540 位置決め工程、550 アセンブリ引き揚げ工程、H1 スタンドオフ長、Z1 マイクロレンズ距離。   100 VCSEL device, 110 VCSEL device, 111 semiconductor substrate, 112 substrate upper surface, 112-1 to 112-4 stand-off contact location, 118 VCSEL element or array, 150,250 microlens structure, 151,251 pedestal, 152 pedestal lower surface, 155 standoff or array thereof, 158 microlens or array thereof, 200 VCSEL assembly, 210 VCSEL structure, 220 IC package, 222 center hole, 224 stepped shelf, 260, 260-1 carrier plate, 510 VCSEL device preparation process, 512 IC package preparation process, 514 VCSEL device mounting process, 520 microlens array / pedestal creation process, 522 carrier plate creation process, 524 pedestal Star mounting process, 530 table mounting process, 535 chuck mounting process, 540 positioning process, 550 assembly lifting process, H1 standoff length, Z1 microlens distance.

Claims (3)

その上面が平坦な基板、並びにこの基板の上方に面するよう当該基板に形成された少なくとも1個の光放射/検知素子を有するIC化光放射/検知デバイスと、
その下面が平坦なペデスタル、このペデスタルの下面から突出した複数本の脚部、並びに当該ペデスタルの下面上に一体形成された少なくとも1個のマイクロレンズを有するマイクロレンズ構造と、
を備え、更に、上記脚部それぞれと上記基板の上面にある対応領域との接触によって上記光放射/検知素子から上記マイクロレンズまでの距離が所定距離に保持されるよう、上記マイクロレンズ構造が当該基板の上面上に実装されたアセンブリ。
An integrated optical radiation / sensing device having a substrate having a flat top surface and at least one light radiation / sensing element formed on the substrate facing the substrate;
A microlens structure having a pedestal having a flat bottom surface, a plurality of legs projecting from the bottom surface of the pedestal, and at least one microlens integrally formed on the bottom surface of the pedestal;
Further, the microlens structure includes the microlens structure so that the distance from the light emitting / detecting element to the microlens is maintained at a predetermined distance by contact between each of the leg portions and a corresponding region on the upper surface of the substrate. An assembly mounted on the top surface of the board.
孔及びこの孔を取り巻く段付棚部を有するICパッケージと、
ICパッケージの孔内に実装された光放射/検知デバイスであって、その上面が平坦な基板、並びにこの基板の上方に面するよう当該基板の上面上に一体形成された複数個の光放射/検知素子によるアレイを有する光放射/検知デバイスと、
キャリアプレート、並びに複数個のマイクロレンズによるアレイを有するマイクロレンズ構造と、
を備え、更に、上記孔が上記キャリアプレートにより覆われるよう且つ上記マイクロレンズそれぞれと上記光放射/検知素子のうち対応するものとの距離が所定距離に保たれるよう、上記マイクロレンズ構造が上記ICパッケージ上、上記光放射/検知デバイス上又はその双方の上に堅固に実装されたアセンブリ。
An IC package having a hole and a stepped shelf surrounding the hole;
A light emitting / sensing device mounted in a hole of an IC package, the substrate having a flat upper surface and a plurality of light emitting / sensing devices integrally formed on the upper surface of the substrate so as to face above the substrate. A light emitting / sensing device having an array of sensing elements;
A carrier plate and a microlens structure having an array of a plurality of microlenses;
Further, the microlens structure is configured so that the hole is covered by the carrier plate and the distance between each of the microlenses and the corresponding one of the light emitting / detecting elements is maintained at a predetermined distance. An assembly that is rigidly mounted on an IC package, on the light emitting / sensing device, or both.
マイクロレンズよりも脚部の方が大きく張り出すこととなるよう、ブロック状ペデスタルの下部平坦面上に薄膜プロセスにより複数個のマイクロレンズ及び複数本の脚部を形成することによって、マイクロレンズ構造を形成するステップと、
上記マイクロレンズそれぞれが光放射/検知素子のうち対応するものの直上に位置することとなるよう、複数個の光放射/検知素子によるアレイを有するIC化光放射/検知デバイスの上面の上方で上記マイクロレンズ構造を位置決めするステップと、
上記脚部それぞれが上記IC化光放射/検知デバイスの上面にある所定領域に接触するまで、上記マイクロレンズ構造、当該IC化光放射/検知デバイス又はその双方を動かすステップと、
を有し、上記IC化光放射/検知デバイス及び上記マイクロレンズ構造を備えるアセンブリを製造するため実行される方法。
A microlens structure is formed by forming a plurality of microlenses and a plurality of legs by a thin film process on the lower flat surface of the block-shaped pedestal so that the legs protrude more than the microlenses. Forming step;
Above the upper surface of the IC light emitting / sensing device having an array of a plurality of light emitting / sensing elements, the microlenses are positioned directly above the corresponding ones of the light emitting / sensing elements. Positioning the lens structure;
Moving the microlens structure, the IC light emitting / sensing device or both until each leg contacts a predetermined area on the top surface of the IC light emitting / sensing device;
A method performed to manufacture an assembly comprising the IC light emitting / sensing device and the microlens structure.
JP2006309848A 2005-11-22 2006-11-16 Photonic device with integrated hybrid microlens array Active JP5107559B2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/286,123 2005-11-22
US11/286,123 US7324717B2 (en) 2005-11-22 2005-11-22 Photonic device with integrated hybrid microlens array

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007142425A true JP2007142425A (en) 2007-06-07
JP5107559B2 JP5107559B2 (en) 2012-12-26

Family

ID=37827951

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006309848A Active JP5107559B2 (en) 2005-11-22 2006-11-16 Photonic device with integrated hybrid microlens array

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7324717B2 (en)
EP (1) EP1788631B1 (en)
JP (1) JP5107559B2 (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209293A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacturing method of component for photoelectric conversion module
JP2016040822A (en) * 2014-08-11 2016-03-24 株式会社リコー Surface emitting laser device and manufacturing method of the same
EP3093934A1 (en) 2015-05-13 2016-11-16 Ricoh Company Ltd. Optical device and light irradiation apparatus
JP2017204541A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 株式会社リコー Light source unit and laser unit
US9966730B2 (en) 2014-08-11 2018-05-08 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof
US10156728B2 (en) 2015-04-24 2018-12-18 Ricoh Company, Ltd. Information provision device, information provision method, and recording medium
JP2019536280A (en) * 2016-12-15 2019-12-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Semiconductor device package and manufacturing method thereof
WO2020158744A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 Ricoh Company, Ltd. Surface emitting laser module, optical device, and surface emitting laser substrate
JP2020129588A (en) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社リコー Surface emission laser module, light source device, and detection device
JP6811891B1 (en) * 2019-08-08 2021-01-13 三菱電機株式会社 Optical sensor module
KR20210112681A (en) * 2020-03-05 2021-09-15 주식회사 브로젠 Method of attaching substrates for a lidar module

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9229169B2 (en) * 2011-08-16 2016-01-05 International Business Machines Corporation Lens array optical coupling to photonic chip
US20140086533A1 (en) * 2012-09-27 2014-03-27 Ezra GOLD Method for alignment between two optical components
CN107843966B (en) * 2016-09-18 2021-05-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 Method and system for assembling microlens array assembly
US10374387B2 (en) * 2017-11-10 2019-08-06 Finisar Corporation High power cavity package for light emitters
JP2021002541A (en) * 2019-06-19 2021-01-07 株式会社リコー Optical device, light source device, detection device, and electronic apparatus
US11287656B2 (en) * 2019-12-02 2022-03-29 Facebook Technologies, Llc Aligning a collimator assembly with LED arrays
US20220109287A1 (en) * 2020-10-01 2022-04-07 Vixar, Inc. Metalens Array and Vertical Cavity Surface Emitting Laser Systems and Methods
KR20230095090A (en) * 2020-10-23 2023-06-28 센스 포토닉스, 인크. Methods and Systems for Self-Aligned Vertical Cavity Surface Emitting Laser (VCSEL)-Array Beam Shaping

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096091A (en) * 2002-07-12 2004-03-25 Ricoh Co Ltd Compound optical element, its manufacturing method, and optical transceiver

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0730092A (en) * 1993-07-09 1995-01-31 Hitachi Ltd Optical element module
US6970491B2 (en) * 2002-10-30 2005-11-29 Photodigm, Inc. Planar and wafer level packaging of semiconductor lasers and photo detectors for transmitter optical sub-assemblies
US7150569B2 (en) * 2003-02-24 2006-12-19 Nor Spark Plug Co., Ltd. Optical device mounted substrate assembly
JP2004286835A (en) * 2003-03-19 2004-10-14 Ngk Spark Plug Co Ltd Optical element mounted device, its manufacturing method, and wiring board with the optical element mounted device
US6984076B2 (en) * 2003-10-08 2006-01-10 Honeywell International Inc. Compact package design for vertical cavity surface emitting laser array to optical fiber cable connection
US7027694B2 (en) * 2003-11-20 2006-04-11 Agilent Technologies, Inc. Alignment assembly and method for an optics module
US6978068B2 (en) * 2004-05-06 2005-12-20 Agilent Technologies, Inc. Snap-fit optical element for optical coupling between a light source and target element using surface mount technology
JP4559327B2 (en) * 2005-09-14 2010-10-06 株式会社日立製作所 Alignment method of optical module using lens and optical module created by the method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004096091A (en) * 2002-07-12 2004-03-25 Ricoh Co Ltd Compound optical element, its manufacturing method, and optical transceiver

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012209293A (en) * 2011-03-29 2012-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd Manufacturing method of component for photoelectric conversion module
JP2016040822A (en) * 2014-08-11 2016-03-24 株式会社リコー Surface emitting laser device and manufacturing method of the same
US9966730B2 (en) 2014-08-11 2018-05-08 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser apparatus and manufacturing method thereof
US10156728B2 (en) 2015-04-24 2018-12-18 Ricoh Company, Ltd. Information provision device, information provision method, and recording medium
EP3093934A1 (en) 2015-05-13 2016-11-16 Ricoh Company Ltd. Optical device and light irradiation apparatus
US9859681B2 (en) 2015-05-13 2018-01-02 Ricoh Company, Ltd. Optical device and light irradiation apparatus
JP2017204541A (en) * 2016-05-10 2017-11-16 株式会社リコー Light source unit and laser unit
US10910790B2 (en) 2016-12-15 2021-02-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device package and method for producing same
JP2019536280A (en) * 2016-12-15 2019-12-12 エルジー イノテック カンパニー リミテッド Semiconductor device package and manufacturing method thereof
WO2020158744A1 (en) 2019-01-31 2020-08-06 Ricoh Company, Ltd. Surface emitting laser module, optical device, and surface emitting laser substrate
KR20210095943A (en) 2019-01-31 2021-08-03 가부시키가이샤 리코 Surface-emitting laser module, optical device, and surface-emitting laser substrate
JP2020129588A (en) * 2019-02-07 2020-08-27 株式会社リコー Surface emission laser module, light source device, and detection device
JP7200721B2 (en) 2019-02-07 2023-01-10 株式会社リコー Surface emitting laser module, light source device, detection device
JP6811891B1 (en) * 2019-08-08 2021-01-13 三菱電機株式会社 Optical sensor module
WO2021024453A1 (en) * 2019-08-08 2021-02-11 三菱電機株式会社 Optical sensor module
KR20210112681A (en) * 2020-03-05 2021-09-15 주식회사 브로젠 Method of attaching substrates for a lidar module
KR102312392B1 (en) * 2020-03-05 2021-10-15 (주) 브로젠 Method of attaching substrates for a lidar module

Also Published As

Publication number Publication date
EP1788631B1 (en) 2017-01-11
JP5107559B2 (en) 2012-12-26
EP1788631A2 (en) 2007-05-23
US20070126010A1 (en) 2007-06-07
EP1788631A3 (en) 2013-03-20
US7324717B2 (en) 2008-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5107559B2 (en) Photonic device with integrated hybrid microlens array
US9553423B2 (en) Miniature structured light illuminator
US10651624B2 (en) Optoelectronic modules having features for improved alignment and reduced tilt
CN102193295B (en) Integrated photonics module for optical projection
JP5703561B2 (en) LIGHTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE MANUFACTURING METHOD
US9006750B2 (en) Optical semiconductor package, optical semiconductor module, and manufacturing method of these
US8265436B2 (en) Bonding system for optical alignment
TW202033937A (en) Illumination projector module to generate a light pattern and method of manufacturing an illumination projector module
US9054024B2 (en) Apparatus and method for optical communications
US10048454B2 (en) Fiber coupling device for coupling of at least one optical fiber
US11217967B2 (en) Laser arrangement with reduced building height
TW202041883A (en) Mounting configurations for optoelectronic components in lidar systems
KR20180043589A (en) Optical homogenization device and laser bonding apparatus containing the same
US20190386464A1 (en) Opto-electronic device having a backside illuminating vcsel array with integrated diffractive optical elements (doe), diffuser and/or lens
US7223024B2 (en) Optical module including an optoelectronic device
JP2018181927A (en) Optical module
JP2022163007A (en) Carrier for mounting optical elements and associated fabrication process
JP2001021769A (en) Supporting body for attaching photo-electric constitutional member, and manufacture thereof
JP2015191054A (en) Optical waveguide module device and manufacturing method
CN219226883U (en) VCSEL light-emitting device
KR102328180B1 (en) Method of attaching substrates to each other and method of attaching substrates for a lidar module
KR102558043B1 (en) A surface-emitting laser package, optical module including the same
JP2021136249A (en) Light source device and manufacturing method of light source device
JP2017173600A (en) Parallel optical module and manufacturing method for the same
US20120177079A1 (en) Laser Hammering Technique for Aligning Members of a Constructed Array of Optoelectronic Devices

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091112

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111214

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120326

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120911

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121004

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5107559

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151012

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250